KR101206316B1 - 전자발광용 신규한 재료 혼합물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하나 이상의 중합체, 추가로 탄소 이외의 주족 4 족인 하나 이상의 원소, 추가로 3 중항 상태에서 발광하는 구조적 단위체를 포함하는 혼합물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 재료는 선행 기술에 따른 비교예의 재료에 비해 유기 인광 발광 다이오드에서의 사용에 더욱 적합하다.

Description

전자발광용 신규한 재료 혼합물{NOVEL MATERIAL MIXTURES FOR USE IN ELECTROLUMINESCENCE}
중합체성 (유기) 발광 다이오드 (PLED) 기재의 디스플레이 및 발광 소자의 상용화에 관한 광범위한 연구가 약 13 년간 수행되어 왔다. 상기 개발은 WO 90/13148 에 개시된 기초적인 개발로 개시되었다. 비교적 소형 디스플레이의 형태인 최초의 제품 (PHILIPS N.V. 의 면도기에서) 은 최근 시장에서 이용가능했다. 그러나, 상기 디스플레이가 현재 시장을 점유하고 있는 액정 디스플레이 (LCD) 에 대한 진정한 경쟁자가 되도록 하기 위해서는 상당한 개발이 여전히 필요하다.
특히 "소형 분자" 디스플레이의 분야에서 최근 눈에 띄는 개발은 3 중항 상태에서 빛을 발광하여 형광 대신 인광을 나타낼 수 있는 재료의 이용 (M.A. Baldo 등, Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 4-6) 인데, 이는 에너지 및 전력 효율을 4 배까지 증가시킬 수 있다. 본원에서 언급될 수 있는 실제적인 이용을 위한 핵심적인 조건은, 특히 매트릭스로부터 3 중항 발광체까지의 효율적인 에너지 전달 (및 결과적으로 효율적인 발광), 긴 조작 수명 및 낮은 조작 전압이다.
최근 증가추세로 중합체 적용을 위한 증착가능한 3 중항 발광체의 장점을 이용하려고 노력해 왔다. 따라서, 고려되고 있는 것이 소위 하이브리드 장치 구조인데, 이는 "소형 분자" OLED 의 장점과 중합체 OLED (PLED) 의 장점을 조합한 것으로, 3 중항 발광체를 중합체에 혼합하여 형성한다. 이는 화합물들이 용액으로부터 가공될 수 있고, 저분자량 화합물 기재의 장치에서와 같이 고비용의 번잡한 증착 공정이 필요없다는 장점을 갖는다. 용액으로부터의 적용 (예를 들어, 고해상도 프린팅 공정에 의함) 은 오늘날 일반적인 진공 증착 공정에 비해, 특히 확장성 (scalability), 구조성 (structurability), 코팅 효율 및 경제성에 있어서 장기적으로 눈에 띄는 장점을 가질 것이다. 상기 우수한 수명과 함께 낮은 작동 전압을 가진, 3 중항 발광체에 효율적인 에너지 전달을 촉진하는 적합한 매트릭스 재료가 또한 여기서 필요하다. 당업계에서 최근 달성된 진전에도 불구하고, 가용성 3 중항 발광체 분야에서 해당 재료의 개선에 대한 상당한 잠재성이 여전히 있다. 개선에 대한 명확한 필요성은 추가로 특히 하기 영역에 있다:
(1) 전자발광 소자의 효율이 더 개선되어야 한다. 원칙적으로 더 높은 효율이 가능하다는 사실이 소형 분자 기재의 전자발광 소자의 결과로 나타난다.
(2) 전자발광 소자의 전압이 고급 전자제품에 대해서는 아직도 너무 높다.
(3) 3 중항 발광체로 우수한 결과를 나타내는 매트릭스 재료조차도 다른 발광체로는 필적할 만한 발광 색상에 대해서 종종 훨씬 더 열악한 결과를 나타낸다. 사용되는 다수의 3 중항 발광체 및 가능하다면 발광 색상의 일부 또는 전부에 대해서도 우수한 결과를 제공하는 이용가능한 범용 매트릭스 재료가 필요하다.
이에 따라, 가용성 3 중항 발광체 및 해당하는 적합한 매트릭스 재료 분야에서의 개선에 대한 거대한 수요가 지속되고 있음은 명백하다.
놀랍게도, 본원에서는 3 중항 발광체와 조합하여 특정 구조적 단위체를 포함하는 (이제까지 공지된 바 없는) 중합체 혼합물이 선행 기술에 따른 혼합물과 비교시 현저한 개선을 제공한다는 것을 발견했다. 특히, 상기 재료들은 상이한 광범한 범위의 적색- 및 녹색-발광 3 중항 발광체로 효율적인 발광을 나타내기에 적합하다. 따라서, 본 출원은 상기 혼합물에 관한 것이다.
본 발명은 하기를 함유하는 혼합물 (블렌드) 에 관한 것이다:
(A) 하나 이상의 중합체;
(B) 탄소 이외의 주족 4 족 (IUPAC 따르면 14 족) 원소, 즉 규소, 게르마늄, 주석 및/또는 납을 하나 이상 포함하는 하 나 이상의 구조적 단위체,
(C) 하나 이상의 3 중항 발광체.
본 발명에 따른 혼합물은 바람직하게는 무정형 혼합물의 형태이다.
본 발명의 목적상, 3 중항 발광체는 3 중항 상태에서 발광하는, 즉 전자발광시 형광 대신 인광을 나타내는 화합물, 바람직하게는 유기금속 3 중항 발광체를 의미하도록 취해지는 것을 의도한다.
탄소 이외의 주족 4 족의 하나 이상의 원소를 포함하는 바람직한 구조적 단위체는 직접적인 규소-규소 또는 게르마늄-게르마늄 결합 및/또는 화학식 1 의 하나 이상의 하위 구조를 포함한다:
A-Y
[식 중,
A 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 Si, Ge, Sn 또는 Pb 이며;
Y 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 하나 이상의 라디칼 R4, 비닐기 -CR4=CR4- 또는 -CR4=C(R4)2, 아세틸렌기 -C ≡C- 또는 -C≡CR4 2 로 치환될 수 있는 탄소수 2 내지 40 의 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이거나, 또는 예를 들어 스틸벤기 또는 톨란기와 같은 이들의 2 내지 5 가지의 조합이며 Y 는 여기서 1 가 또는 2 가기를 나타내며;
R4 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 H, F, Cl, Br, I, CN, OH, NO2 이거나, 또는 추가로 하나 이상의 비인접 C 원자들이 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, -NR5-, -O-, -S-, -CO-O-, -O-CO-O- 로 치환될 수 있고 추가로 하나 이상의 H 원자들은 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 22 의 직쇄, 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기이거나, 또는 추가로 하나 이상의 라디칼 R5 또는 OH, N(R5)2, B(R5)2 또는 Si(R5)3 로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 40 의 아릴, 헤테로아릴 또는 아릴옥시기이며;
R5 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 H 또는 탄소수 1 내지 20 의 지방족 또는 방향족 탄화수소 라디칼이다].
탄소 이외의 주족 4 족의 하나 이상의 원소를 포함하는 특히 바람직한 구조적 단위체는 화학식 2 내지 5 의 하나 이상의 구조적 단위체를 포함한다:
Figure 112006082333289-pct00001
Figure 112006082333289-pct00002
Figure 112006082333289-pct00003
Figure 112006082333289-pct00004
[식 중, 기호 A, Y, R4 및 R5 는 화학식 1 에서 기재한 것과 동일한 의미를 가지며; Y 는 화학식 3 및 4 의 2 가기 및 화학식 5 의 1 가기를 나타내며; 다른 기호들은 하기의 의미를 갖는다:
R1, R2, R3 은 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 H, F, CN, N(R4)2 이거나, 또는 하나 이상의 비인접 CH2 기가 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, -O-, -S-, -NR5- 또는 -CONR5- 로 치환될 수 있고, 하나 이상의 H 원자들이 F, Cl, Br, I, CN, OH 또는 NO2 로 치환될 수 있는, R4 로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 40 의 직쇄, 분지쇄 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기이거나, 또는 각각의 경우 하나 이상의 H 원자들이 F, Cl, Br, I, CN, OH 또는 NO2 로 치환될 수 있거나, 또는 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 방향족 탄소수 2 내지 40 인 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 또는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기이거나, 또는 예를 들어 스틸벤기, 알킬아릴기 또는 톨란기와 같은 2 내지 5 개의 상기 계의 조합이며; 2 개 이상의 치환기 R1, R2 및/또는 R3 은 본원에서 추가로 서로 단환 또는 다환식, 지방족 또는 방향족 고리계를 정의할 수 있고;
n 은 각각의 경우 상동이거나 상이하게 1, 2, 3 또는 4 이며;
점선 결합은 중합체에 대한 결합을 나타내고, 이는 메틸기를 나타내려는 것이 아니다].
화학식 2 의 단위체를 포함하는 중합체는 2 개 이상의 원소 A 사이의 직접적인 결합을 가질 수 있다.
개별적인 성분들의 적합한 비율은 예를 들어, 총 1 내지 99.5 몰%, 바람직하게는 5 내지 80 몰%, 특히 바람직하게는 10 내지 50 몰% 의 화학식 1 의 단위체 또는 화학식 2 내지 5 의 단위체 및 0.1 내지 95 몰%, 바람직하게는 0.5 내지 80 몰%, 특히 바람직하게는 1 내지 50 몰%, 특히 2 내지 25 몰% 의 하나 이상의 3 중항 발광체를 포함하는 혼합물이며, 여기서 상기 데이터는 존재하는 모든 단위체 (중합체 내의 블렌드 내용물 또는 반복 단위체) 에 대한 것이다. 이는 어떤 성분이 중합체에 공유결합되었는지 또는 혼합되었는지 여부와는 별개이다. 본원에서는 특히 10 내지 50 몰% 의 화학식 1 의 단위체 또는 화학식 2 내지 5 의 단위체의 비율이 3 중항 발광체로부터 높은 수준의 발광을 야기한다는 것을 발견했다.
본 발명에 따른 혼합물의 경우, 화학식 1 의 단위체 및/또는 3 중항 발광체가 중합체에 혼합되거나 또는 공유결합되는 다양한 구현예가 있다. 화학식 2 내지 4 의 단위체는 본원에서 중합체에 공유결합되어 있다. 화학식 5 는 혼합되어 있는 단위체를 나타낸다. 중합체에 대한 공유결합의 경우, 원소 A (즉, 탄소 원자 이외의 주족 4 족 원소) 는 중합체의 주쇄 (화학식 2 및 3) 에 결합되거나 또는 중합체의 측쇄 (화학식 4) 에 결합될 수 있다.
본 발명의 목적상, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는 오직 방향족 또는 헤테로방향족 기만을 포함하지 않아도 되나, 그 대신 추가로 여러 개의 방향족 또는 헤테로방향족 기가, 예를 들어 sp3-혼성화 C, O, N 등과 같은 짧은 비방향족 단위체 (H 이외의 원자의 10% 미만, 바람직하게는 H 이외의 원자의 5% 미만) 에 의해 개재될 수 있는 계를 의미하도록 취해지는 것을 의도로 한다. 따라서, 예를 들어 9,9'-스피로비플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르 등과 같은 계가 또한 방향족 계를 의미하는 것으로 취해지는 것으로 의도된다. 본원에서 방향족 고리계는 6 개 이상의 탄소 원자를 포함하는 한편, 헤테로방향족 고리계는 2 개 이상의 C 원자, 및 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택되는, 1 개 이상의 헤테로 원자를 포함하며, C 원자 및 헤테로 원자의 총 갯수가 5 개 이상이다.
본 발명의 목적상, 추가로 개별적인 H 원자 또는 CH2 기가 상기 언급된 기로 치환될 수 있는 C1- 내지 C40-알킬기는 특히 바람직하게는 라디칼 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 시클로헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸-헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐 또는 옥티닐을 의미하도록 취해진다. C1- 내지 C40-알콕시기는 특히 바람직하게는 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시 또는 2-메틸부톡 시를 의미하도록 취해진다. 용도에 따라 1 가 또는 2 가일 수 있으며 각각의 경우 또한 상기 언급된 라디칼 R1 로 치환될 수 있고 임의의 원하는 위치에서 방향족 또는 헤테로방향족 라디칼에 결합될 수 있는 C2-C40-아릴 또는 -헤테로아릴기는 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 테트라센, 펜타센, 벤조피렌, 퓨란, 벤조퓨란, 이소벤조퓨란, 디벤조퓨란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-귀놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프티미다졸, 페난트리미다졸, 피리디마졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸을 의미하도록 취해진다. 방향족 고리계는 추가로 특히 비페닐렌, 터페닐렌, 플루오렌, 스피로비플루오로렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌 또 는 시스- 또는 트란스-인데노플루오렌을 의미하도록 취해진다.
본 발명의 한 구현예는 하기를 함유하는 혼합물 BLEND1 이다:
(A) 1 내지 100 몰%, 바람직하게는 5 내지 80 몰%, 특히 바람직하게는 10 내지 50 몰% 의, 화학식 1 또는 화학식 2 내지 4 의 하나 이상의 반복 단위체를 포함하는 하나 이상의 중합체 POLY1 5 내지 99.9 중량%, 및 추가로
(B) 하나 이상의 3 중항 발광체 (TRIP1) 0.1 내지 95 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 80 중량%, 특히 바람직하게는 1 내지 50 중량%, 특히 2 내지 25 중량%.
BLEND1 의 구현예에서, 3 중항 발광체 (TRIP1) 는 중합체 POLY1 과 혼합된다. 화학식 1 또는 화학식 2 내지 4 의 반복 단위체는 중합체에 공유결합된다. 결합에 따라서는, 상기 구조적 단위체들이 중합체의 주쇄 (화학식 2 및 3) 또는 중합체의 측쇄 (화학식 4) 에 혼입된다.
본 발명의 추가 구현예는 하기를 함유하는 혼합물 BLEND2 이다:
(A) 0.1 내지 100 몰% 의 하나 이상의 공유결합된 3 중항 발광체 (TRIP2) 를 함유하는 하나 이상의 중합체 POLY2 0.5 내지 99 중량%, 및 추가로
(B) 실온에서 유리형 층을 형성할 수 있으며, 바람직하게는 80℃ 초과, 특히 바람직하게는 100℃ 초과의 유리 전이 온도를 갖는 화학식 1 또는 화학식 5 의 하나 이상의 화합물 1 내지 99.5 중량%.
3 중항 발광체 TRIP2 는 본원에서 중합체 POLY2 의 주쇄 및/또는 측쇄에 혼입될 수 있다.
본 발명의 추가 구현예는 하기를 함유하는 혼합물 BLEND3 이다:
(A) 하나 이상의 중합체 POLY3 0.5 내지 98.5 중량%;
(B) 실온에서 유리형 층을 형성할 수 있으며, 바람직하게는 80℃ 초과, 특히 바람직하게는 100℃ 초과의 유리 전이 온도를 갖는 화학식 1 또는 화학식 5 의 하나 이상의 화합물 1 내지 99 중량%; 및 추가로
(C) 하나 이상의 3 중항 발광체 (TRIP1) 0.1 내지 95 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 80 중량%, 특히 바람직하게는 1 내지 50 중량%, 특히 2 내지 25 중량%.
중합체 POLY1 내지 POLY3 은 콘쥬게이션화되거나 또는 부분적으로 콘쥬게이션화되거나 또는 콘쥬게이션화되지 않을 수 있다. 이들은 바람직하게는 콘쥬게이션되거나 또는 부분적으로 콘쥬게이션화된다.
본 발명의 목적상, 콘쥬게이션화된 중합체는 원칙적으로 sp2-혼성화 (또는 sp-혼성화) 탄소 원자를 포함하며, 또한 주쇄에서 해당하는 헤테로원자로 치환될 수 있는 중합체이다. 가장 간단한 경우에서, 이는 주쇄에 이중 결합과 단일 결합이 교대로 존재함을 의미한다. 원칙적으로란, 콘쥬게이션 개재를 제공하는 자연적으로 (추가적인 보조 없이) 발생하는 결함이 용어 "콘쥬게이션화된 중합체" 를 평가절하시키지 않음을 의미한다. 추가로, 용어 콘쥬게이션화는 본 출원 명세서에서, 아릴아민 단위체, 아릴포스핀 단위체 및/또는 특정 복소환 단위체 (즉, N, O, S 또는 P 원자를 통해 콘쥬게이션화됨) 및/또는 예를 들어 TRIP2 단위체와 같은 유기금속 착물 (금속 원자를 통해 콘쥬게이션화됨) 이 주쇄에 위치하는 경우에 사용된다. 용어 콘쥬게이션화는 또한 소위 σ-콘쥬게이션화, 즉, 예를 들어 규소 원자를 통한 콘쥬게이션화에 이용된다. 본 발명의 목적상, 부분적으로 콘쥬게이션화된 중합체는 주쇄에서 비-콘쥬게이션화 부분에 의해 개재된 비교적 긴 콘쥬게이션화 부분을 포함하거나 또는 주쇄에서 콘쥬게이션화되지 않은 중합체의 측쇄에 비교적 긴 콘쥬게이션화 부분을 포함하는 중합체이다. 대조적으로, 예를 들어 단순한 알킬렌 사슬, (티오)에테르 가교, 에스테르, 아미드 또는 이미드 연결과 같은 단위체는 명확하게 비-콘쥬게이션화 부분으로서 정의된다.
화학식 1 또는 화학식 2 내지 4 의 단위체 (POLY1 에서) 및 3 중항 발광체 TRIP2 (POLY2 에서) 에 더하여, 중합체 POLY1, POLY2 및 POLY3 은 각종 추가적인 구조적 원소를 포함할 수 있다. 이들은, 예를 들어 전하 주입 또는 전하 수송 특성을 개선하는 중합체 골격 또는 구조적 단위체를 형성할 수 있는 구조적 단위체일 수 있다. 상기 유형의 단위체들은 예를 들어 WO 03/020790 및 WO 05/014689 에 상세하게 기재되어 있다.
중합체 POLY1, POLY2 또는 POLY3 가 비-콘쥬게이트화 중합체인 경우, 나머지 블렌드 내용물도 가용성인 용매 또는 용매 혼합물에 상기 중합체들이 적합한 용해도를 가져 모든 성분들이 용액으로부터 함께 가공될 수 있는 한, 임의의 원하는 클래스의 화합물이 원칙적으로 그에 적합하다.
중합체 POLY1, POLY2 및 POLY 3 은 단독중합체, 즉 오직 단일한 단량체 구조를 포함하거나 또는 공중합체이다. 공중합체는 랜덤, 교대 또는 블록형 구조를 갖거나 또는 교대로 배치된 여러 개의 상기 구조물들을 가질 수 있다. 중합체는 또한 선형, 분지형 또는 수상형 구조를 가질 수 있다. 다수의 상이한 구조적 원소의 사용은 예를 들어 용해도, 고체상 형태 등과 같은 특성이 조정될 수 있도록 한다.
중합체 POLY1, POLY2 및 POLY3 은 하나 이상의 단량체의 중합으로 제조된다. 콘쥬게이션화 중합체의 합성에 있어서 특히, C-C 결합 (SUZUKI 커플링, YAMAMOTO 커플링, STILLE 커플링) 또는 C-N 결합 (HARTWIG-BUCHWALD 커플링) 을 제공하는 일부 유형들은 본원에서 성공적인 것으로 증명되었다. 상기 방법으로 중합을 수행할 수 있는 방법 및 중합체를 반응 매질로 부터 분리하여 정제하는 방법은 예를 들어 WO 04/037887 에 상세히 기재되어 있다. 실리콘-아릴 결합의 형성 방법은 US 2003/0120124 에 기재되어 있으며, 아릴디아조늄 염과 치환 클로로실란의 반응으로 이루어진다. 부분적으로 콘쥬게이션화되거나 또는 콘쥬게이션화되지 않은 중합체의 합성은 또한 연속적으로 콘쥬게이션화되지 않는 해당 단량체를 이용함으로써 상기 방법으로 수행될 수 있다. 그러나, 부분적으로 콘쥬게이션화되거나 또는 콘쥬게이션화되지 않은 중합체에 있어서, 예를 들어 중축합 또는 양이온성, 음이온성 또는 자유-라디칼 중합과 같은 중합체 화학에서 일반적으로 친숙한 방법과 같이, 예를 들어 알켄의 반응을 경유하여 진행되며, 측쇄에 임의적으로 결합된 발색단을 포함하는, 예를 들어 폴리스티렌 유도체 등과 같은 광범위한 의미의 폴리에틸렌 유도체를 제공하는 다른 합성 방법도 적합하다. 폴리실란은 예를 들어 상응하게 치환된 디클로로실란과 금속 나트륨의 반응에 의한 Wurtz 합성으로 제조될 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 각각의 경우 상동이거나 또는 상이한 기호 A 는 Si 또는 Ge, 매우 특히 바람직하게는 Si 를 나타낸다.
기호 Y 는 더욱 바람직하게는, 각각의 경우 상동이거나 상이하게 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 탄소수 2 내지 40 의 방향족 고리계, 또는 R4 로 치환되거나 또는 치환되지 않은 스틸벤 또는 톨란이며, 더욱 특별히 바람직하게는 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 탄소수 2 내지 20 의 방향족 고리계를 나타낸다.
하나 이상의 치환기 R1 내지 R3 은 추가로 바람직하게는 하나 이상의 치환기 R4 로 치환될 수 있는 탄소수 2 내지 40 의 방향족 고리계를 나타내며; 특히 바람직하게는 모든 치환기 R1 내지 R3 은 각각 하나 이상의 치환기 R4 로 치환될 수 있는 탄소수 2 내지 20 인 방향족 고리계를 나타낸다.
지수 n 은 더욱 바람직하게는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 1, 2 또는 3 이며, 특히 바람직하게는 1 또는 2 이다.
화학식 2 내지 5 의 단위체는 더욱 바람직하게는 대칭형 구조를 갖는다. 상기 바람직함은 상기 화합물들의 더욱 용이한 합성 접근성에 기인한다. 화학식 2 의 화합물에 있어서, R1 은 바람직하게는 R2 와 같다. 화학식 3 의 화합물에 있어서, 모든 Y 는 동일하게 선택되며, 모두 R1 = R2 이다. 화학식 4 의 화합물에 있어서, 바람직하게는 R1 = R2 = R3 이다. 화학식 5 의 화합물에 있어서, R1 = R2 = R3 이며 임의로는 Y 도 동일한 것이 바람직하다.
화학식 2 내지 5 의 바람직한 단위체의 예시는 예시 1 내지 48 에 나타낸 치환 또는 비치환 구조인데, 여기서 점선 결합은 중합체 내의 연결을 의미하며; 예시 1 내지 6 은 본원에서 화학식 2 의 예시이며, 예시 7 내지 21 은 화학식 3 의 예시이며, 예시 22 내지 33 은 화학식 4 의 예시이며, 예시 34 내지 48 은 화학식 5 의 예시이다. 알킬은 직쇄, 분지쇄 또는 환형 알킬쇄를 나타내며, 이는 치환 또는 비치환일 수 있고, 하나 이상의 H 원자들은 R1, R2 및 R3 에 대해 정의한 바와 같이 불소로 치환될 수 있다. 잠재적 치환기는 일반적으로 더욱 명료함을 위해 나타내지 않는다.
Figure 112006082333289-pct00005
Figure 112006082333289-pct00006
Figure 112006082333289-pct00007
명세서에서 명백하지만, 예시 1 내지 48 의 구조적 단위체는 또한 비대칭적으로 치환될 수 있으며, 예를 들어 상이한 치환기 R4 가 하나의 단위체 상에 존재할 수 있거나 또는 상이한 위치에 결합될 수 있음을 다시 한번 분명히 해야한다. 프로키랄성 (prochiral) 구조적 단위체의 경우, 모든 구성단위의 배열순서 (tacticity) 또는 키랄 가능성이 포함된다.
화학식 2 내지 4 의 구조적 단위체는 매트릭스 중합체 POLY1 의 공유결합 구성원이다. 1 내지 100 몰% 범위의 비율 (중합체 내의 모든 반복 단위체 기준) 의 상기 반복 단위체가 본원에서 우수한 결과를 제공한다는 것이 발견되었다. 화학식 2 내지 4 의 반복 단위체의 비율 1 내지 100 몰% 이 POLY1 에 대하여 바람직하다. 화학식 2 내지 4 의 반복 단위체의 비율 5 내지 80 몰% 이 특히 바람직하며, 화학식 2 내지 4 의 반복 단위체의 비율 10 내지 50 몰% 이 더욱더 특히 바람직하다.
화학식 5 의 화합물은 BLEND2 및 BLEND3 의 혼합물 구성원이다. 혼합물 중 상기 화합물의 비율은 1 내지 99 중량% 범위인 것이 본원에서 우수한 결과를 제공한다는 것이 발견되었다. 화학식 5 의 화합물의 비율 1 내지 99 중량% 이 BLEND2 및 BLEND3 에 대해 바람직하다. 화학식 5 의 화합물의 비율 5 내지 80 중량% 이 특히 바람직하며, 화학식 5 의 화합물의 비율 10 내지 50 중량% 이 더욱더 특히 바람직하다.
본 발명의 추가 국면은 화학식 5 의 화합물을 BLEND1 에 혼합하는 것이다. 본원에서는 총 비율 1 내지 99 몰% 의 화 학식 1 또는 화학식 2 내지 5 의 구조적 단위체가, 이들 단위체가 중합체에 공유결합되어 있는지 또는 혼합되었는지 여부와 상관없이 우수한 결과를 제공한다는 것이 발견되었다. 본원에서 화학식 1 또는 화학식 2 내지 5 의 화합물의 총 비율 1 내지 99 몰% 이 바람직하다. 화학식 1 또는 화학식 2 내지 5 의 화합물의 총 비율 5 내지 80 몰% 이 특히 바람직하며, 화학식 1 또는 화학식 2 내지 5 의 화합물의 총 비율 10 내지 50 몰% 이 더욱더 특히 바람직하다.
BLEND1 및 BLEND3 에 혼합된 3 중항 발광체 TRIP1 및 POLY2 (= BLEND2) 에 공중합된 3 중항 발광체 TRIP2 는 실온에서의 3 중항 상태로부터의 발광, 즉 형광 대신 인광을 나타낼 수 있는 각종 유기금속 또는 무기성 클래스의 물질로부터 선택될 수 있음: 이들은 우선, 특히 무거운 원자, 즉 원소의 주기율표에서 36 을 초과하는 원자수를 가진 원자들을 포함하는 화합물이다. 상기 목적으로 특히 적합한 것은 상기 언급된 조건을 만족시키며 d 및 f 전이 금속을 포함하는 화합물이다. 더욱더 특히 바람직한 것은 8 족 내지 10 족 유래의 원소 (Ru, Os, Rh, Ir, Pd, Pt) 를 포함하는 해당 구조적 단위체이다. 특정 이론에 구애됨이 없이, 상기 원소들을 포함하는 모든 발광 화합물들은 본 출원의 목적을 위한 3 중항 발광체로서 간주된다.
3 중항 발광체 TRIP1 은 저분자량의 올리고머, 수상체 또는 중합체 화합물일 수 있다. 이들은 혼합물 (BLEND1 또는 BLEND3) 의 구성원으로서 가공되므로, 용매로부터의 가공이 가능하도록 하기 위해 적합한 용매 (예를 들어, 톨루엔, 자일렌, 아니솔, THF 등) 에 적합한 용해도를 가져야만 한다. 적합한 저분자량 구조적 단위체는, 예를 들어 출원 명세서 WO 02/068435, WO 02/081488, EP 1239526 및 WO 04/026886 에 기재되어 있는 각종 착물이다. TRIP1 및 TRIP3 을 위한 적합한 수상체 구조물은 예를 들어 출원 명세서 WO 99/21935, WO 01/059030 및 WO 02/066552 에 기재되어 있는 착물이다.
3 중항 발광체 TRIP2 는 POLY2 (BLEND2) 의 중합체 사슬에 공유결합으로 혼입되어 있다. TRIP2 의 POLY2 에 대한 혼입을 촉진하기 위해, 관능성 중합가능 기들이 TRIP2 에 존재해야만 한다. 중축합 (예를 들어, SUZUKI 에 따르거나 또는 YAMAMOTO 에 따른) 에서 단량체로서 이용될 수 있는 해당 브롬화 착물의 예시는 WO 02/068435 및 아직 공개되지 않은 출원 DE 10350606.3 에 기재되어 있다.
본 발명에 따른 혼합물 BLEND1 은 3 중항 발광체 TRIP1 과 중합체 POLY1 의 혼합으로 수득된다. 본 발명에 따른 혼합물 BLEND2 는 화학식 5 의 화합물과 중합체 POLY2 의 혼합으로 수득된다. 본 발명에 따른 혼합물 BLEND3 은 화학식 5 의 화합물 및 3 중항 발광체 TRIP1 과 중합체 POLY3 의 혼합으로 수득된다.
추가로, BLEND1 내지 BLEND3 에 추가로 콘쥬게이트화, 부분 콘쥬게이트화 또는 비콘쥬게이트화 중합체, 올리고머, 수상체 또는 추가의 저분자량 화합물을 혼합하는 것이 바람직할 수 있다. 추가적인 성분의 첨가는 일부 적용예에 대해 적당한 것으로 나타날 수 있다: 이에 따라, 해당 블렌드에서 정공 또는 전자 주입, 정공 또는 전자 수송 또는 전하 평형은 예를 들어 전기적으로 활성인 물질의 첨가로 조절될 수 있다. 첨가되는 성분들은 또한 단일항-3 중항 수송을 개선할 수 있다. 그러나, 전기적으로 불활성인 화합물의 첨가는 또한 예를 들어 용액의 점도 또는 형성되는 필름의 형태를 제어함에 있어서 도움이 될 수 있다. 본 발명은 이러한 방식으로 수득되는 블렌드에 관한 것이기도 하다.
BLEND1 내지 BLEND3 의 제조는 하기와 같이 수행된다: 개별적인 성분들을 적합한 혼합 비율로 조합하고, 적합한 용매계에 용해시킨다. 적합한 용매는 예를 들어 톨루엔, 아니솔, 자일렌, 메틸아니솔, 메틸나프탈렌, 클로로벤젠, 환형 에테르 (예를 들어, 디옥산, THF, 메틸디옥산), 아미드 (예를 들어, NMP, DMF) 또는 이들 용매의 혼합물이다. 대안적으로, 블렌드의 성분들은 개별적으로 용해시킬 수도 있다. 이 경우, 블렌드의 용액은 개별 용액들을 적합한 혼합 비율로 조합하여 제조된다. 여기서, 용해 조작은 바람직하게는 불활성 대기 중에서 수행되며, 필요한 경우 상승된 온도에서 수행된다. 상기 블렌드는 일반적으로 (반복된 침전에 의해) 고체로서 단리되지 않으나, 그 대신 용액으로부터 추가적으로 직접 가공된다.
개별 성분의 적합한 비율은, 예를 들어 총 1 내지 99.5 몰%, 바람직하게는 5 내지 80 몰%, 특히 바람직하게는 10 내지 50 몰% 의 화학식 1 또는 화학식 2 내지 5 의 단위체, 및 0.1 내지 95 몰%, 바람직하게는 0.5 내지 80 몰%, 특히 바람직하게는 1 내지 50 몰%, 특히 2 내지 25 몰% 의 TRIP1 및/또는 TRIP2 을 함유하는 혼합물인데, 여기서 상기 데이터는 존재하는 모든 단위체 (블렌드 구성원 또는 중합체 중의 반복 단위체들) 에 관한 것이다. 이는 성분들이 중합체에 공유결합되어 있거나 또는 그에 혼합되어 있는지 여부와 상관없다.
본 발명에 따른 혼합물 BLEND1 내지 BLEND3 은 선행 기술에 비해 하기의 놀라운 장점을 갖는다:
Figure 112010029412115-pct00008
3 중항 발광체에 의한 발광 효율이 선행 기술에 따른 혼합물에 비해 본 발명에 따른 BLEND1 내지 BLEND3 의 혼합물에서 더 낫다.
Figure 112006082333289-pct00009
발광 다이오드 조작을 위한 전압이 선행 기술의 것보다 더 낮다.
Figure 112006082333289-pct00010
신규한 혼합물의 보조로, 광범위한 적색 및 녹색 3 중항 발광체에 대해 효율적인 3 중항 장치가 용액으로부터 이용가능하다. 이는, 선행 기술에 따르면 일반적으로 개별적인 색상에 대해 (또한 일부 경우, 필적할 색상의 상이한 발광체에 대해서도) 특정 매트릭스가 필요했으므로, 놀라운 결과이다.
본 발명은 추가로 하나 이상의 용매 중의 본 발명의 블렌드의 용액 및 제형물에 관한 것이다. 상기 유형의 용액이 제조될 수 있는 방식은 예를 들어 WO 02/072714 및 WO 03/019694 및 그에 인용된 문헌에 기재되어 있다. 상기 용액들은 예 를 들어 영역 코팅 공정 (예를 들어, 스핀 코팅) 또는 인쇄 공정 (예를 들어, 잉크젯 인쇄) 에 의한 중합체 박층 제조에 이용될 수 있다.
혼합물 BLEND1 내지 BLEND3 은 PLED, 특히 전자발광 재료 (= 발광 재료) 에 이용될 수 있다. PLED 의 구축을 위해, 일반적으로 개별적인 경우에 대응하여 적응되어야 하는 일반적인 공정이 이용된다. 상기 유형의 공정은 예를 들어 WO 04/037887 에 상세하게 기재되어 있다.
따라서, 본 발명은 PLED 에서 전자발광 재료로서의 본 발명에 따른 혼합물 BLEND1 내지 BLEND3 의 용도에 관한 것이다.
본 발명은 하나 이상의 층을 가진 PLED 에 관한 것으로, 바람직하게는 발광층인 상기 층들 중 하나가 본 발명에 따른 하나 이상의 혼합물 BLEND1, BLEND2 및/또는 BLEND3 을 포함한다.
본 출원 명세서 및 하기의 실시예는 PLED 및 상응하는 디스플레이에 관련된 본 발명에 따른 혼합물 BLEND1 내지 BLEND3 의 용도에 관한 것이다. 기재된 것의 상기 제한점에도 불구하고, 당업자라면 추가적인 진보성이 없더라도, 본 발명에 따른 중합체 또는 블렌드를 기타 전기 장치, 예를 들어 일부 적용예로 언급하자면 유기 태양전지 (O-SC), 비선형 광학, 진동수 배증 (업-컨버젼; up-conversion), 유기 광학 검출기, 유기 필드-켄치 장치 (O-FQD) 또는 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 에서의 추가적인 사용을 위해 이용하는 것이 가능하다. 본 발명은 또한 이들에 관한 것이기도 하다.
본 발명은 하기의 실시예로 더욱더 상세하게 설명하나, 이로 인해 제한되지 않는다.
실시예 1: 4,4'- 디브로모테트라페닐실란 (단량체 Si1 ) 의 합성
Figure 112006082333289-pct00011
33.9 g (144 mmol) 의 1,4-디브로모벤젠을, 가열로써 건조시킨, 내부 온도계, 교반 막대, 아르곤 블랭킷 및 적하 깔때기가 장치된 1000 ml 의 4 목 플라스크 중 300 ml 의 순정 THF 에 용해시키고, -75℃ 로 냉각시켰다. 90 ml (144 mmol) 의 n-부틸리튬 (헥산 분획 중 1.6 M) 을 30 분의 과정에 걸쳐 적가하고, 후속하여 혼합물을 상기 온도에서 1 시간 동안 교반했다. 이어서, 60 ml 의 THF 중 15.3 ml (18.3 g, 72 mmol) 의 디페닐디클로로실란을 -75℃ 에서 적가하고, 혼합물을 밤새 실온으로 상승시켰다. 용매를 제거하고, 잔사를 디클로로메탄에 현탁시키고 혼합물을 여과했다. 용매를 여과액으로부터 제거하고, 생성물을 부탄올로부터 2 회 재결정화하고 헵탄/톨루엔으로부터 2 회 재결정화하여, HPLC 에 따른 순도 99.9% 로 16.8 g (이론값의 47%) 을 수득했다.
1H-NMR (CDCl3): [ppm] = 7.51 (m, 8H), 7.55 (t, 3JHH = 7.7 Hz, 2 H), 7.38 (m, 8H).
실시예 2: 중합체의 공단량체 합성
사용된 추가적인 공단량체의 합성은 WO 02/077060 및 그에 인용된 문헌에 상세하게 기재되어 있다. 하기에 사용된 단량체 M1 은 명확함을 위해 다시 나타낸다:
Figure 112006082333289-pct00012
실시예 3: 중합체 P1 ( POLY1 ) 의 합성
합성은 WO 03/048224 에 기재된 과정으로 수행했다. 하기의 것을 이용했다: 1.6013 g (2 mmol) 의 단량체 M1, 0.9886 g (2 mmol) 의 단량체 Si1 및 19 ml 의 디옥산 중의 2.03 g (2.2 당량) 의 칼륨 포스페이트 수화물, 6 ml 의 톨루엔 및 12 ml 의 H2O. 하기의 것을 촉매로 사용했다: 0.45 mg 의 Pd(OAc)2 및 3.65 mg 의 P(o-톨릴)3. 반응을 마무리하여, 분자량 Mn 이 57,000 이며 Mw (폴리스티렌 표준을 이용한 THF 에서의 GPC) 이 192,000 인 1.44 g 의 중합체를 수득했다. 중합 체 P2 의 합성도 상응하여 수행했다.
실시예 4: 블렌드에서 사용하기 위한 구조적 단위체 TRIP1
본원에서 예시로서 사용한 화합물 TRIP1 은 트리스(페닐피리딜)이리듐 (III) 의 유도체이다. 상기 화합물의 합성은 WO 02/081488 및 WO 04/026886 에 기재되어 있다. 명확함을 위해, 본원에서 사용된 이리듐 착물을 하기에 나타낸다:
Figure 112006082333289-pct00013
실시예 5: 블렌드의 제조
원하는 비율 및 원하는 농도로 적합한 용매 내에 블렌드 내용물을 용해하여 혼합물을 제조했다. 본원에서 사용한 용매는 톨루엔이었다. 여기서 용해 과정은 불활성 분위기에서 60℃ 로 수행했다. 용액은 혼합물의 단리 (고체 성분의 반 복적인 침전) 없이 직접 제조했다.
실시예 6: 중합체 발광 다이오드 (PLED) 의 제조
PLED 를 제조할 수 있는 방법은 WO 04/037887 및 그에 인용된 문헌에 상세하게 기재되어 있다.
실시예 7: 장치 예
표 1 은 중합체의 각종 블렌드의 개관을 제공하며, 여기서 각각의 경우 중합체의 조성 및 3 중항 발광체 역시 제시했다.
Figure 112006082333289-pct00014

Claims (25)

  1. 하기를 함유하는 혼합물:
    (A) 하기 화학식 2 내지 4 중 하나 이상의 반복 단위체를 1 내지 100 몰% 로 포함하는 하나 이상의 중합체 5 내지 99.9 중량%; 및
    (B) 하나 이상의 3 중항 발광체 0.1 내지 95 중량%:
    [화학식 2]
    Figure 112012032326676-pct00015
    [화학식 3]
    Figure 112012032326676-pct00016
    [화학식 4]
    Figure 112012032326676-pct00017
    [식 중,
    A 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 Si, Ge, Sn 또는 Pb 이며;
    Y 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 탄소수 2 내지 40 의 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 비닐기 -CR4=CR4- 또는 -CR4=C(R4)2, 아세틸렌기 -C≡C- 또는 -C≡CR4, 또는 이들 기의 2 내지 5 가지의 조합이며; Y 는 여기서 2 가기를 나타내며;
    R4 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 H, F, Cl, Br, I, CN, OH, NO2 이거나, 또는 추가로 하나 이상의 비인접 C 원자들이 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, -NR5-, -O-, -S-, -CO-O-, -O-CO-O- 로 치환될 수 있고, 추가로 하나 이상의 H 원자들이 F, Cl, Br, I, CN, OH, NO2 로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 22 의 직쇄, 분지쇄 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기이거나, 또는 추가로 하나 이상의 라디칼 R5, 또는 OH, N(R5)2, B(R5)2 또는 Si(R5)3 로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 40 의 아릴, 헤테로아릴 또는 아릴옥시기이며;
    R5 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 H 또는 탄소수 1 내지 20 의 지방족 또는 방향족 탄화수소 라디칼이며;
    R1, R2 및 R3 은 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 H, F, CN, N(R4)2 이거나, 또는 하나 이상의 비인접 CH2 기가 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, -O-, -S-, -NR5- 또는 -CONR5- 로 치환될 수 있고,하나 이상의 H 원자들이 F, Cl, Br, I, CN, OH 또는 NO2, 로 치환될 수 있는, R4 로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 40 의 직쇄, 분지쇄 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기이거나, 또는 각각의 경우 하나 이상의 H 원자들이 F, Cl, Br, I, CN, OH 또는 NO2 로 치환될 수 있거나, 또는 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 방향족 탄소수 2 내지 40 인 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 또는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기이거나, 또는 이들 계의 2 내지 5 가지의 조합이며; 2 개 이상의 치환기 R1, R2 및/또는 R3 은 여기서 추가로 서로 단환 또는 다환식, 지방족 또는 방향족 고리계를 정의할 수 있고;
    n 은 각각의 경우 상동이거나 상이하게 1, 2, 3 또는 4 이며;
    점선 결합은 중합체에 대한 결합을 나타낸다].
  2. 하기를 함유하는 혼합물:
    (A) 하나 이상의 공유 결합으로 결합된 3 중항 발광체를 0.1 내지 100 몰% 로 포함하는 하나 이상의 중합체 0.5 내지 99 중량%; 및
    (B) 실온에서 유리형 층을 형성할 수 있는 하기 화학식 5 의 하나 이상의 화합물 1 내지 99.5 중량%:
    [화학식 5]
    Figure 112012032326676-pct00018
    [식 중,
    A 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 Si, Ge, Sn 또는 Pb 이며;
    Y 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 탄소수 2 내지 40 의 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 비닐기 -CR4=CR4- 또는 -CR4=C(R4)2, 아세틸렌기 -C≡C- 또는 -C≡CR4, 또는 이들 기의 2 내지 5 가지의 조합이며; Y 는 여기서 1 가기를 나타내며;
    R4 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 H, F, Cl, Br, I, CN, OH, NO2 이거나, 또는 추가로 하나 이상의 비인접 C 원자들이 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, -NR5-, -O-, -S-, -CO-O-, -O-CO-O- 로 치환될 수 있고, 추가로 하나 이상의 H 원자들이 F, Cl, Br, I, CN, OH, NO2 로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 22 의 직쇄, 분지쇄 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기이거나, 또는 추가로 하나 이상의 라디칼 R5, 또는 OH, N(R5)2, B(R5)2 또는 Si(R5)3 로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 40 의 아릴, 헤테로아릴 또는 아릴옥시기이며;
    R5 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 H 또는 탄소수 1 내지 20 의 지방족 또는 방향족 탄화수소 라디칼이며;
    R1, R2 및 R3 은 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 H, F, CN, N(R4)2 이거나, 또는 하나 이상의 비인접 CH2 기가 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, -O-, -S-, -NR5- 또는 -CONR5- 로 치환될 수 있고,하나 이상의 H 원자들이 F, Cl, Br, I, CN, OH 또는 NO2, 로 치환될 수 있는, R4 로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 40 의 직쇄, 분지쇄 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기이거나, 또는 각각의 경우 하나 이상의 H 원자들이 F, Cl, Br, I, CN, OH 또는 NO2 로 치환될 수 있거나, 또는 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 방향족 탄소수 2 내지 40 인 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 또는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기이거나, 또는 이들 계의 2 내지 5 가지의 조합이며; 2 개 이상의 치환기 R1, R2 및/또는 R3 은 여기서 추가로 서로 단환 또는 다환식, 지방족 또는 방향족 고리계를 정의할 수 있고;
    n 은 각각의 경우 상동이거나 상이하게 1, 2, 3 또는 4 이다].
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 중합체 중 화학식 2 내지 4 의 구조적 단위체의 비율이 5 내지 80 몰% 의 범위인 것을 특징으로 하는 혼합물.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 2 항에 있어서, 혼합물 중 화학식 5 의 화합물의 비율이 5 내지 80 중량% 의 범위인 것을 특징으로 하는 혼합물.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 중합체가 콘쥬게이트화되거나 또는 부분적으로 콘쥬게이트화되는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 중합체가, 중합체 골격을 형성하거나 또는 전하-주입 및/또는 전하-수송 특징을 개선시키는 구조적 단위체를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  11. 삭제
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, A 가 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 Si 또는 Ge 를 나타내는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, Y 가 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 탄소수 2 내지 40 의 방향족 고리계, 또는 R4 로 치환되거나 또는 비치환인 스틸벤 또는 톨란기를 나타내는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  14. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 하나 이상의 치환기 R1 내지 R3 이 하나 이상의 치환기 R4 로 치환될 수 있는 탄소수 2 내지 40 의 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 나타내는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  15. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 지수 n 이 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 1, 2 또는 3 인 것을 특징으로 하는 혼합물.
  16. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 화학식 2 내지 4 의 단위체 또는 화학식 5의 화합물이 대칭형 구조인 것을 특징으로 하는 혼합물.
  17. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 화학식 2 내지 4 의 단위체 또는 화학식 5의 화합물이 하기 예시 1 내지 48 에서 선택되는 것을 특징으로 하는 혼합물:
    Figure 112012032326676-pct00019
    Figure 112012032326676-pct00020
    Figure 112012032326676-pct00021
    .
  18. 제 1 항에 있어서, 하기 화학식 5 의 화합물이 혼합물에 혼합되는 것을 특징으로 하는 혼합물:
    [화학식 5]
    Figure 112012032326676-pct00022
    [식 중,
    A 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 Si, Ge, Sn 또는 Pb 이며;
    Y 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 탄소수 2 내지 40 의 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 비닐기 -CR4=CR4- 또는 -CR4=C(R4)2, 아세틸렌기 -C≡C- 또는 -C≡CR4, 또는 이들 기의 2 내지 5 가지의 조합이며; Y 는 여기서 1 가기를 나타내며;
    R4 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 H, F, Cl, Br, I, CN, OH, NO2 이거나, 또는 추가로 하나 이상의 비인접 C 원자들이 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, -NR5-, -O-, -S-, -CO-O-, -O-CO-O- 로 치환될 수 있고, 추가로 하나 이상의 H 원자들이 F, Cl, Br, I, CN, OH, NO2 로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 22 의 직쇄, 분지쇄 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기이거나, 또는 추가로 하나 이상의 라디칼 R5, 또는 OH, N(R5)2, B(R5)2 또는 Si(R5)3 로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 40 의 아릴, 헤테로아릴 또는 아릴옥시기이며;
    R5 는 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 H 또는 탄소수 1 내지 20 의 지방족 또는 방향족 탄화수소 라디칼이며;
    R1, R2 및 R3 은 각각의 경우 상동이거나 또는 상이하게 H, F, CN, N(R4)2 이거나, 또는 하나 이상의 비인접 CH2 기가 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, -O-, -S-, -NR5- 또는 -CONR5- 로 치환될 수 있고,하나 이상의 H 원자들이 F, Cl, Br, I, CN, OH 또는 NO2, 로 치환될 수 있는, R4 로 치환될 수 있는 탄소수 1 내지 40 의 직쇄, 분지쇄 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기이거나, 또는 각각의 경우 하나 이상의 H 원자들이 F, Cl, Br, I, CN, OH 또는 NO2 로 치환될 수 있거나, 또는 하나 이상의 라디칼 R4 로 치환될 수 있는 방향족 탄소수 2 내지 40 인 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 또는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기이거나, 또는 이들 계의 2 내지 5 가지의 조합이며; 2 개 이상의 치환기 R1, R2 및/또는 R3 은 여기서 추가로 서로 단환 또는 다환식, 지방족 또는 방향족 고리계를 정의할 수 있고;
    n 은 각각의 경우 상동이거나 상이하게 1, 2, 3 또는 4 이다].
  19. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 3 중항 발광체가 36 을 초과하는 원자 번호를 가진, 주기율표의 하나 이상의 원자를 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  20. 제 19 항에 있어서, 3 중항 발광체가 d 및/또는 f 전이 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  21. 제 20 항에 있어서, 3 중항 발광체가 8 내지 10 족의 하나 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  22. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 추가로 콘쥬게이션화되거나, 부분적으로 콘쥬게이션화되거나 또는 콘쥬게이션화되지 않은 중합체, 올리고머, 수상체 (dendrimer) 및/또는 추가적인 저분자량 화합물이 혼합물에 혼합되는 것을 특징으로 하는 혼합물.
  23. 삭제
  24. 하나 이상의 층이 제 1 항, 제 2 항 또는 제 18 항에 따른 하나 이상의 혼합물을 포함하는, 하나 이상의 층을 가진 유기 전기 장치.
  25. 제 24 항에 있어서, 유기 전지 장치가 유기 발광 다이오드, 유기 태양 전지 (O-SC), 비선형 광학 장치, 주파수 배가 장치, 유기 광학 검출기, 유기 필드-켄치 장치 (organic field quench device) 또는 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 인 것을 특징으로 하는 유기 전기 장치.
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