JP2023541978A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

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Abstract

本発明は、それぞれが１以上の副層からなる１以上の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、それぞれの発光層Ｂの１以上の副層は、全体的に、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、及び０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を放出する１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。また、本発明は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を利用した光発生方法に関する。【選択図】なし

Description

本発明は、それぞれが１以上の副層で構成される１以上の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、それぞれの発光層Ｂの１以上の副層は、全体的に、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ａｔ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ： ＦＷＨＭ）を有する光を放出する１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び任意に１以上のホスト材料ＨＢを含む。また、本発明は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を利用した光発生方法に関する。
例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）及び発光トランジスタのような有機物を基盤とする１層以上の発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の重要性が増加しつつある。特に、ＯＬＥＤは、スクリーン、ディスプレイ及び照明装置のような電子製品のための有望な素子である。実質的に無機物を基盤とするほとんどのエレクトロルミネッセンス素子とは対照的に、有機物を基盤とする有機エレクトロルミネッセンス素子は、通常、柔軟かつ特に薄膜で生産可能である。今日すでに使用可能なＯＬＥＤ基盤のスクリーン及びディスプレイは、優れた効率及び長寿命、または優れた色純度及び長寿命を提供するが、優れた効率、長寿命及び優れた色純度の三つの特性を兼ね備えていない。
ＯＬＥＤの色純度または色点は、典型的にＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標により提供される一方、次世代ディスプレイの色域は、いわゆるＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３値により提供される。一般的に、そのような色座標を得るためには、トップエミッション素子がキャビティを変更し、色座標を調整することが必要である。そのような色域を目標としつつ、トップエミッション素子において高効率を達成するためには、ボトムエミッション素子において狭い発光スペクトルが必要である。
最新燐光エミッタは、多少広い発光を示し、これは、典型的に０．２５ｅＶより大きい発光スペクトルの半値幅（ＦＷＨＭ）を有する燐光基盤ＯＬＥＤ（ＰＨＯＬＥＤ）の広い発光によって反映される。下部素子におけるＰＨＯＬＥＤの広い発光スペクトルは、ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色域を目標とするトップエミッション素子構造に対し、アウトカップリング効率の大きな損失をもたらす。
また、燐光材料は、典型的に、遷移金属、例えば、イリジウムを基盤とし、これは、典型的には豊富でないため、ＯＬＥＤスタック内で非常に高価な材料である。したがって、遷移金属基盤材料は、ＯＬＥＤのコスト低減のための可能性が最も大きい。ＯＬＥＤスタック内の遷移金属含量を低くすることは、ＯＬＥＤ適用製品の価格設定のための重要業績評価指標である。
近年、多少狭い発光スペクトルを示すいくつかの蛍光エミッタまたはＴＡＤＦ（ｔｈｅｒｍａｌｌｙ－ａｃｔｉｖａｔｅｄ－ｄｅｌａｙｅｄ－ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）エミッタが開発されており、これは、典型的に０．２５ｅＶ以下の発光スペクトルのＦＷＨＭを示し、したがって、ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色域を達成するのに適している。しかし、そのような蛍光エミッタ及びＴＡＤＦエミッタは、典型的に、例えば、励起子・ポーラロン消滅または励起子・励起子消滅により、寿命が短いだけでなく、さらに高輝度での効率低下（すなわち、ＯＬＥＤのロールオフ挙動）により、低い効率を悩まされる。
そのような短所は、いわゆるハイパーアプローチを適用し、ある程度克服することができる。後者は、前述のように、好ましくは、狭い発光スペクトルを示す蛍光エミッタにエネルギーを伝達するエネルギーポンプの使用に依存する。エネルギーポンプは、例えば、逆項間交差（ｒｅｖｅｒｓｅ－ｉｎｔｅｒｓｙｓｔｅｍ ｃｒｏｓｓｉｎｇ： ＲＩＳＣ）を示すＴＡＤＦ材料、または効率的な項間交差（ＩＳＣ）を示す遷移金属錯体であるかもしれない。しかし、そのようなアプローチは、前述の好ましい特徴、すなわち、優れた効率、長寿命及び優れた色純度をいずれも有する有機エレクトロルミネッセンス素子を依然として提供することができない。
光を発生させるための有機エレクトロルミネッセンス素子の中心要素は、典型的に、正極と負極との間に位置した少なくとも１層の発光層である。有機エレクトロルミネッセンス素子に電圧（及び電流）を印加すれば、正極から正孔が注入され、負極から電子が注入される。正孔輸送層は、典型的には発光層と正極との間に位置し、電子輸送層は、通常、発光層と負極との間に位置する。異なる層が順次に配置される。高いエネルギーの励起子は、発光層において正孔と電子との再結合によって生成される。そのような励起状態（例えば、Ｓ１のような一重項状態及び／またはＴ１のような三重項状態）の底状態（Ｓ０）への減衰が、好ましくは、発光を引き起こす。
驚いたことに、１以上の（副）層からなり、全体的に、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ａｔ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ： ＦＷＨＭ）を有する光を放出する１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び任意に１以上のホスト材料ＨＢを含む有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層が、長寿命、高い量子収率を有し、ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色域を達成するのに理想的に適している、狭い発光を示す有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを見出した。
ここで、ＥＥＴ－１及び幾つかの実施形態においてＨｓｃａｖは、光を放出する１以上の小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢにエネルギーを伝達してもよい。
本発明は、それぞれが１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものであり、ここで、１以上の副層は、互いに隣接し、全体的に下記を含む：
（ｉ）それぞれが、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）である最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）、及びエネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）を有する、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）それぞれが、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）、及びエネルギーがＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）を有する、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）それぞれが、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）、及びエネルギーがＥＬＵＭＯ（ＳＢ）である最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を放出する、１以上の小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び任意に
（ｉｖ）それぞれが、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＨＢ）である最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）、及びエネルギーがＥＬＵＭＯ（ＨＢ）である最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する、１以上のホスト材料ＨＢ、
ここで、それぞれの発光層Ｂの外部表面に位置する１以上の副層は、ＥＥＴ－１、Ｈｓｃａｖ及び小さいＦＷＨＭエミッタＳＢからなる群から選択された少なくとも１つの材料を
含み、
ここで、それぞれの成分が同一の発光層Ｂに含まれる限り、下記式（１）～（６）で表される関係が適用される：
ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜ＥＬＵＭＯ（ＨＢ） （１）
ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ） （２）
ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ） （３）
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）≧ＥＨＯＭＯ（ＨＢ） （４）
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）≧ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１） （５）
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）≧ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （６）。
すなわち、下記式（２）、（３）、（５）及び（６）で表される関係が同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用され、
発光層Ｂが１以上のホスト材料ＨＢを含む場合、下記式（１）～（６）で表される関係が同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本明細書の全般にわたって、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の１以上の発光層Ｂ内の成分の励起状態、軌道、最大発光などのエネルギー間の関係を参照するであろう。２つの特定の成分のエネルギーを含む関係式は、そのような特定の成分を全て含む発光層Ｂにのみ適用されるということが理解される。また、１つの関係が本発明による素子に適用されるという事実は、本発明の全ての素子が前述の関係で言及される全ての成分を含まなければならないということを意味しない。特に、発光層Ｂは、任意にのみ１以上のホスト材料ＨＢを含むが、依然としてＨＢの励起状態（Ｓ１、Ｔ１）または軌道（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ）エネルギーを示す関係を示す式を参照する。そのような式（及びそれらが示す関係）は、少なくとも１つのホスト材料ＨＢを含む発光層Ｂにのみ適用されることを理解するであろう。そのような典型的な事項は、本発明の全ての実施形態に適用可能である。
式（１）～（６）は、以下のような意味を有することができる：
式（１）：好ましくは、１以上のホスト材料ＨＢを含むそれぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）より低い。
式（２）：好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）より低い。
式（３）：好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）より低い。
式（４）：好ましくは、１以上のホスト材料ＨＢを含むそれぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）のエネルギーＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）のエネルギーＥＨ
ＯＭＯ（ＨＢ）以上である。
式（５）：好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）のエネルギーＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）のエネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）以上である。
式（６）：好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）のエネルギーＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）のエネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）以上である。
本発明者は、１以上の発光層Ｂそれぞれの内部の材料が、好ましくは、前述の式（１）～（６）によって与えられた要件（各成分が同一の発光層Ｂに含まれる限り）が満たされるように選択される場合、素子性能に対する前述の驚いた有益な効果が特に達成可能であることを見出した。本発明による発光層Ｂに含まれた、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び任意に１以上のホスト材料ＨＢのＨＯＭＯ－及びＬＵＭＯ－エネルギーに関する要件は、部分的に再結合領域（すなわち、電子・正孔再結合によって励起子が生成される領域）に及ぶ影響により、素子性能に有益な効果を提供することができると推測される。その内容は、本文の後の副チャプターに詳しく説明されている。
また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の１以上の発光層Ｂそれぞれの内部の材料は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、及び一部実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖが、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢに励起エネルギーを伝達し、その後、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢが０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を放出するように好ましく選択される。これも、本文の後の副チャプターに詳しく説明されている。
前述の（好ましい）要件を満たせば、長寿命、高い量子収率及び狭い発光を示す有機エレクトロルミネッセンス素子が生成され、これは、ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色域を達成するのに理想的に適している。
好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、１以上のホスト材料ＨＢを含む。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含む正確に１層の（副）層からなる発光層Ｂを含む：
（ｉ）１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び
（ｉｖ）１以上のホスト材料ＨＢ。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、正確に１層の発光層Ｂを含み、発光層Ｂは、下記を含む正確に１層の（副）層からなる：
（ｉ）１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び
（ｉｖ）１以上のホスト材料ＨＢ。
副層の組み合わせ
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に１層の（副）層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む。本発明のより好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、正確に１層の（副）層からなる。本発明のより好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に１層の発光層Ｂを含み、発光層Ｂは、正確に１層の（副）層からなる。
本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、複数副層からなる。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に１層の発光層Ｂを含み、発光層Ｂは、複数副層からなる。
本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に２層の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、正確に２層の副層からなる。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に１層の発光層Ｂを含み、発光層Ｂは、正確に２層の副層からなる。
本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２を超える副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、２を超える副層からなる。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に１層の発光層Ｂを含み、発光層Ｂは、２を超える副層からなる。
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、正確に１層、正確に２層または正確に３層の副層を含む。
発光層Ｂの異なる副層は、必ずしも全て同一材料、またはさらには、同一割合の同一材料を含むものではないと理解される。
発光層Ｂの異なる副層は、互いに隣接するものと理解される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の副層は、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含まない。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含まない。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、小さいＦＷＨ
ＭエミッタＳＢを含まない。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ及び励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含む。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ及び正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ及び励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含み、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ及び正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含み、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含み、
（ｉｉｉ）少なくとも１層の副層は、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含み、
ここで、好ましくは、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む副層は、ＥＥＴ－１を含む副層とＨｓｃａｖを含む副層との間に位置する。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、少なくとも１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、少なくとも１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び任意に少なくとも１つのホストＨＢを含む少なくとも１層の副層を含む少なくとも１層の発光層Ｂを含む。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも２層の副層は、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含み、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含み、
ここで、好ましくは、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む副層は、ＥＥＴ－１及びＨｓｃａｖを含む２層の副層間に位置する。
任意に、さらに多い数（例えば、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２または１２超過）の副層が発光層Ｂに含まれうる（すなわち、積層されうる）。好ましくは、ＥＥＴ－１、ＳＢ、及び一部実施形態においてＨｓｃａｖ間の空間的距離は、十分なエネルギー伝達を可能にするために短く維持される。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ、１以上の励起エネルギー伝達
成分ＥＥＴ－１及び１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含み、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ及び１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含み、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含むが、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含まず、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ及び１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含むが、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含まない。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含むが、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含まず、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含むが、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含まない。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含み、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含み、
（ｉｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含み、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含み、
（ｉｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び１以上の励起エネルギー伝
達成分ＥＥＴ－１を含むが、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含まず、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含まず、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含むが、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含まず、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含まず、
（ｉｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含むが、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含まず、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含まない。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含むが、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含まず、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含まず、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含むが、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含まず、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含まず、
（ｉｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含むが、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含まず、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含まない。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含み、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含み、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含むが、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含まず、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含むが、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含まず、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含まない。
一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、複数の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、
（ｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含むが、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含まず、
（ｉｉ）少なくとも１層の副層は、１以上のホスト材料ＨＢ及び正確に１つの小さいＦＷ
ＨＭエミッタＳＢを含むが、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含まず、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含まない。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ及び正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ及び正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正
確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の一実施形態において、１層の副層は、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含み、他の副層は、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、３以上の副層（Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，・・・）を含む（または、それからなる）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含み、第３副層Ｂ３は、正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。発光層Ｂの副層は、例えば、Ｂ１－Ｂ２－Ｂ３、Ｂ１－Ｂ３－Ｂ２、Ｂ２－Ｂ１－Ｂ３、Ｂ２－Ｂ３－Ｂ１、Ｂ３－Ｂ２－Ｂ１、Ｂ３－Ｂ１－Ｂ２のように他の順序でも作製することができ、その間に１以上の他の副層を有することもできると理解される。副層Ｂ１、Ｂ２及びＢ３は、互いに（直接）隣接する、すなわち、互いに（直接）接
触することが好ましい。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層（Ｂ１，Ｂ２，・・・）を含む（または、それからなる）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。発光層Ｂの副層は、例えば、Ｂ２－Ｂ１またはＢ１－Ｂ２のように他の順序でも作製することができ、その間に１以上の他の副層を有することもできると理解される。副層Ｂ１及びＢ２は、互いに（直接）隣接する、すなわち、互いに（直接）接触することが好ましい。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層（Ｂ１，Ｂ２，・・・）を含む（または、それからなる）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。発光層Ｂの副層は、例えば、Ｂ２－Ｂ１またはＢ１－Ｂ２のように他の順序でも作製することができ、その間に１以上の他の副層を有することもできると理解される。副層Ｂ１及びＢ２は、互いに（直接）隣接する、すなわち、互いに（直接）接触することが好ましい。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層（Ｂ１，Ｂ２，・・・）を含む（または、それからなる）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。発光層Ｂの副層は、例えば、Ｂ２－Ｂ１またはＢ１－Ｂ２のように他の順序でも作製することができ、その間に１以上の他の副層を有することもできると理解される。発光層Ｂの副層は、例えば、Ｂ２－Ｂ１またはＢ１－Ｂ２のように他の順序でも作製され、その間に１以上の他の副層を有することもできると理解される。副層Ｂ１及びＢ２は、互いに（直接）隣接する、すなわち、互いに（直接）接触することが好ましい。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層（Ｂ１，Ｂ２，・・・）を含む（あるいは、それからなる）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む。発光層Ｂの副層は、例えば、Ｂ２－Ｂ１またはＢ１－Ｂ２のように他の順序でも作製され、その間に１以上の他の副層を有することもできる。副層Ｂ１及びＢ２は、互いに（直接）隣接する、すなわち、互いに（直接）接触することが好ましい。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂが複数の副層を含む場合、アノードに最も近い副層は、少なくとも１つの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含み、カソードに最も近い副層は、少なくとも１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む。
また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、本発明の文脈における発光層Ｂに対して与えられた要件を満たさない１以上の発光層を任意に含んでもよいものと理解される。すなわち、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、本願で定義されたような少なくとも１層の発光層Ｂを含み、発光層Ｂに対して本願で与えられた要件が必ずしも適用されるものではない１以上の更なる発光層を任意に含んでもよい。本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれた、全部
ではないが、少なくとも１層の発光層は、本発明の特定の実施形態で定義されたような発光層Ｂである。
本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層は、本発明の特定の実施形態で定義されたような発光層Ｂである。
発光層（ＥＭＬ）Ｂの組成
以下、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の１以上の発光層Ｂの組成をより具体的に記述するにあたって、場合によって特定の材料の含量を百分率でも示す。特定の実施形態に対して特に言及しない限り、全ての百分率は、重量百分率を示し、これは、重量パーセントまたは重量％（（重量／重量）、（ｗ／ｗ）、ｗｔ．％）と同一の意味を有するという点に留意しなければならない。例えば、特定の組成において１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの含量が例示的に１％と言及するとき、これは、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ（すなわち、全てのＳＢ分子合算）の総重量が１重量％であり、すなわち、各発光層Ｂの総重量の１％を占めるものと理解される。発光層Ｂの組成が、その成分の好ましい含量を重量％で提供することによって特定される度に、全成分の総含量を合算すれば、１００重量％（すなわち、それぞれの発光層Ｂの総重量）となるものと理解される。
（任意に含まれた）１以上のホスト材料ＨＢ、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ及び１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に任意の量及び任意の割合で含まれてもよい。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層それぞれは、１以上のホスト材料ＨＢ（より具体的には、ＨＰ及び／またはＨＮ及び／またはＨＢＰ）を１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢより多く含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層それぞれは、１以上のホスト材料ＨＢ（より具体的には、ＨＰ及び／またはＨＮ及び／またはＨＢＰ）を１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖより多く含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層それぞれは、１以上のホスト材料ＨＢ（より具体的には、ＨＰ及び／またはＨＮ及び／またはＨＢＰ）を１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１より多く含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂそれぞれは、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢより多く含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂそれぞれは、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖより多く含む。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、または１以上の副層を含む）少なくとも１つ、好ましくは、そ
れぞれの発光層Ｂは、全体として下記を含むか、またはそれからなる：
（ｉ）１２～６０重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）０．１～３０重量％の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３０～８７．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、及び任意に
（ｖ）０～５７．８重量％の１以上の溶媒。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、または１以上の副層を含む）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、全体として下記を含むか、またはそれからなる：
（ｉ）１２～６０重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）０．１～３０重量％の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３０～８７．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、及び任意に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、または１以上の副層を含む）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、全体として下記を含むか、またはそれからなる：
（ｉ）１５～５０重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）０．１～１５重量％の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）０．１～５重量％の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３０～８４．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、及び任意に
（ｖ）０～５４．８重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、または１以上の副層を含む）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、全体として下記を含むか、またはそれからなる：
（ｉ）１５～５０重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）０．１～１５重量％の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）０．１～５重量％の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３０～８４．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、及び任意に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
より好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、または１以上の副層を含む）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、全体として下記を含むか、またはそれからなる：
（ｉ）２０～５０重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）０．１～３重量％の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）４０～７９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、及び任意に
（ｖ）０～３９．８重量％の１以上の溶媒。
より好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、または１以上の副層を含む）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、全体として下記を含むか、またはそれからなる：
（ｉ）２０～５０重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）０．１～３重量％の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）４０～７９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、及び任意に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
より一層好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、または１以上の副層を含む）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、全体として下記を含むか、またはそれからなる：
（ｉ）２０～４５重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）０．１～３重量％の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）４０～７９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、及び任意に
（ｖ）０～３９．８重量％の１以上の溶媒。
より一層好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、または１以上の副層を含む）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、全体として下記を含むか、またはそれからなる：
（ｉ）２０～４５重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）０．１～３重量％の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）４０～７９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、及び任意に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
より一層好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、または１以上の副層を含む）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、全体として下記を含むか、またはそれからなる：
（ｉ）２０～４５重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）０．１～３重量％の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）０．１～３重量％の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）４０～７９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、及び任意に
（ｖ）０～３９．８重量％の１以上の溶媒。
特に好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、または１以上の副層を含む）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、全体として下記を含むか、またはそれからなる：
（ｉ）２０～４５重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）０．１～３重量％の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）０．１～３重量％の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）４０～７９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、及び任意に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として５重量％以下の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、Ｈｓｃａｖの総含量が５重量％以下を意味する）。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として３重量％以下の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、Ｈｓｃａｖの総含量が３重量％以下を意味する）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として１重量％以下の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを
含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、Ｈｓｃａｖの総含量が１重量％以下を意味する）。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として５重量％以下の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＳＢの総含量が５重量％以下を意味する）。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として３重量％以下の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＳＢの総含量が３重量％以下を意味する）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として１重量％以下の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＳＢの総含量が１重量％以下を意味する）。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として１５～５０重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＥＥＴ－１の総含量が１５～５０重量％を意味する）。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として２０～５０重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＥＥＴ－１の総含量が２０～５０重量％を意味する）。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として２０～４５重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＥＥＴ－１の総含量が２０～４５重量％を意味する）。
前述のように、発光層Ｂの異なる副層は、必ずしも全て同一材料、またはさらには、同一割合の同一材料を含むものではないと理解される。また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に任意に含まれる異なる発光層Ｂは、必ずしも全て同一材料、またはさらには、同一割合の同一材料を含むものではないと理解される。
正孔スカベンジャーＨ ｓｃａｖ
前述の式（４）、（５）及び（６）で表される基本条件が満たされる限り、本発明の文脈における正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、任意の化学構造を有することができる。すなわち、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖと同一の発光層Ｂに含まれるＥＥＴ－１、ＳＢ及びＨＢは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖのＨＯＭＯ－エネルギーＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）より高いＨＯＭＯエネルギーを有しない。結果として、いわゆる正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、正孔トラップとしても機能し、発光層Ｂ内で正電荷を引き寄せることができる。
当業者は、再結合領域ＲＺ（すなわち、電子・正孔再結合によって励起子が生成される領域）が典型的に有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層内の電子と正孔との電荷均衡と相関関係があるということが分かる。当業者にも知られており、以後の節で詳しく説明されるが、広がった、及び／または、さらに均一に分布された再結合領域は、分子当たり励起子ストレスの減少を介して、素子寿命の延長を生じてもよい。そのような理論に拘束されず、特に、低エネルギーＬＵＭＯを有する１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ
－１と共に、１以上の発光層Ｂそれぞれに１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの存在が、再結合領域に影響を与え、素子性能に観察された有益な効果に寄与することができると推測される。これは、本文の後の節で詳しく説明される。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、例えば、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、独立して下記からなる群から選択された１以上の更なる選択的正孔スカベンジャーＨｓｃａｖであってもよい：
－励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、
－蛍光エミッタＦ、
－ホスト材料ｈｏｓｔｓｃａｖ、
ここで、それらの種は、本願に述べられたように定義され（下記参照）、これは、言及された種のみが本発明の素子において正孔スカベンジャーＨｓｃａｖとして作用されるということを意味しない。
したがって、一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、下記からなる群から独立して選択される：
－励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、
－蛍光エミッタＦ、
－ホスト材料ｈｏｓｔｓｃａｖ、
ここで、それらの種は、本願に述べられたように定義される（下記参照）。
「それらの種は、本願に述べられたように定義される」という表現は、言及された種（この場合、ＥＥＴ－２、Ｆ及びｈｏｓｔｓｃａｖ）と関する全ての定義及び実施形態が、Ｈｓｃａｖがそれらの種を構成する場合、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖとも関することを意味するものと理解される。また、同様な方式により、典型的に正孔スカベンジャーＨｓｃａｖと関するそれぞれの実施形態は、それらの種が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖとして使用される場合、ＥＥＴ－２、Ｆ及びｈｏｓｔｓｃａｖにも適用される。
一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、下記からなる群から独立して選択される：
－励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、
－蛍光エミッタＦ、
ここで、それらの種は、本願に述べられたように定義される（下記参照）。
一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、下記からなる群から独立して選択される：
－励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、
－ホスト材料ｈｏｓｔｓｃａｖ、
ここで、それらの種は、本願に述べられたように定義される（下記参照）。
一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、下記からなる群から独立して選択される：
－蛍光エミッタＦ、
－ホスト材料ｈｏｓｔｓｃａｖ、
ここで、それらの種は、本願に述べられたように定義される（下記参照）。
好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、本願に定義されたような励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２である（下記参照）。
一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、本願に定義されたような蛍光エミッタＦである（下記参照）。
一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、本願に定義されたようなホスト材料ｈｏｓｔｓｃａｖである（下記参照）。
好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、いずれも本願に定義されたような励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、またはいずれも本願に定義されたような蛍光エミッタＦ、またはいずれも本願に定義されたようなホスト材料ｈｏｓｔｓｃａｖである。
好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂは、１以上の発光層Ｂそれぞれに対し、下記からなる群から独立して選択される正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む：
－励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、
－蛍光エミッタＦ、
－ホスト材料ｈｏｓｔｓｃａｖ、
ここで、それらの種は、本願に述べられたように定義される（下記参照）。
好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂは、１以上の発光層Ｂそれぞれに対し、下記からなる群から独立して選択される正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む：
－励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、
－蛍光エミッタＦ、
ここで、それらの種は、本願に述べられたように定義される（下記参照）。
好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂは、１以上の発光層Ｂそれぞれに対し、下記からなる群から独立して選択される正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む：
－励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、
－ホスト材料ｈｏｓｔｓｃａｖ、
ここで、それらの種は、本願に述べられたように定義される（下記参照）。
好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂは、１以上の発光層Ｂそれぞれに対し、下記からなる群から独立して選択される正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む：
－蛍光エミッタＦ、
－ホスト材料ｈｏｓｔｓｃａｖ、
ここで、それらの種は、本願に述べられたように定義される（下記参照）。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂは、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含み、Ｈｓｃａｖは、本願で定義されたような励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２である。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂは、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含み、Ｈｓｃａｖは、本願で定義されたような蛍光エミッタＦである。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂは、正確に１つの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含み、Ｈｓｃａｖは、本願で定義されたようなホスト材料ｈｏｓｔｓｃａｖである。
励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、節「励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及びＥＥＴ－２」で詳しく説明される。
本発明の文脈における蛍光エミッタＦは、電子励起（例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子）時に室温（すなわち、（約）２０℃）で発光することができる任意の材料であり、発光励起状態は、一重項状態（典型的に、最低励起一重項状態Ｓ１）である。蛍光スペクトルは、典型的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１～５重量％、特に２重量％の濃度のそれぞれのエミッタ（仮定されたエミッタＦ）のスピンコーティング膜から記録されてもよい。
初期の（例えば、電子正孔再結合による）電子励起がエミッタの励起一重項状態を提供するとき、蛍光エミッタは、典型的に、ナノ秒の時間尺度で即時（すなわち、直接的な）蛍光を示す。本文の後の節で説明されるように、蛍光エミッタ（例えば、蛍光エミッタＦ）は、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）をさらに示してもよく、示さなくてもよい。
本発明の文脈において蛍光エミッタＦである材料を選択することは、当業者の通常の知識に基づいて発明段階なしに容易に達成されうる。節「小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ」は、蛍光エミッタＦとして使用されてもよく、０．２５ｅＶ以下（≦０．２５ｅＶ）の半値幅（ＦＷＨＭ）で表される、有利に狭い発光を有してもよい蛍光材料の設計に関する詳細なガイドレールを提供する。すなわち、実際に本発明の文脈において小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能な任意の材料（下記参照）は、蛍光エミッタＦとして使用されてもよく、したがって、前述の式（４）、（５）及び（６）の関係によって与えられた基本条件を満たす場合、本発明の文脈において正孔スカベンジャーＨｓｃａｖとして使用されてもよい。
したがって、好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂに含まれる蛍光エミッタＦは、本願に定義されたような小さいＦＷＨＭエミッタＳＢである（下記参照）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温で（１～５重量％、特に２重量％の蛍光エミッタＦの）ＰＭＭＡで測定するとき、４００ｎｍ～４７０ｎｍの波長範囲において発光最大を有する光を放出する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温で（１～５重量％、特に２重量％の蛍光エミッタＦの）ＰＭＭＡで測定するとき、５００ｎｍ～５６０ｎｍの波長範囲において発光最大を有する光を放出する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温で（１～５重量％、特に２重量％の蛍光エミッタＦの）ＰＭＭＡで測定するとき、６１０ｎｍ～６６５ｎｍの波
長範囲において発光最大を有する光を放出する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＦで測定するとき、４００ｎｍ～４７０ｎｍの波長範囲において発光最大を有する光を放出する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＦで測定するとき、５００ｎｍ～５６０ｎｍの波長範囲において発光最大を有する光を放出する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＦで測定するとき、６１０ｎｍ～６６５ｎｍの波長範囲において発光最大を有する光を放出する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＦの）ＰＭＭＡで測定するとき、５０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＦの）ＰＭＭＡで測定するとき、６０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＦの）ＰＭＭＡで測定するとき、７０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより一層好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＦの）ＰＭＭＡで測定するとき、８０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の特に好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＦの）ＰＭＭＡで測定するとき、９０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＦで測定するとき、５０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＦで測定するとき、６０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＦで測定するとき、７０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより一層好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＦで測定するとき、８０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の特に好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＦで測定するとき、９０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、有機エミッタであり、これは、本発明の文脈において遷移金属を含まないことを意味する。好ましくは、本発明によるそれぞれの蛍光エミッタＦは、主に水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から構成されるが、例えば、酸素（Ｏ）、ボロン（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）及び臭素（Ｂｒ）を含んでもよい。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの蛍光エミッタＦ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であるということを意味する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環は互いに縮合される（例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、以下の要件のうち少なくとも１つ（または、両方）を満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの蛍光エミッタＦ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、及び／または
（ｉｉ）多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環が共に縮合される（例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、以下の要件のうち少なくと
も１つ（または、両方）を満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの蛍光エミッタＦ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、及び／または
（ｉｉ）ピレンコア構造を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、ピレンコア構造を含む。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、ボロン（Ｂ）及び窒素（Ｎ）含有エミッタであり、これは、それぞれの蛍光エミッタＦ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であり、それぞれの蛍光エミッタＦ内の少なくとも１つの原子が窒素（Ｎ）であることを意味する。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、少なくとも１つの窒素（Ｎ）に（直接）共有結合された少なくとも１つのボロン（Ｂ）を含む。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、３価である、すなわち、３つの単結合を介して結合されたボロン（Ｂ）を含む。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、下記ＢＯＤＩＰＹコア構造を含む：

、
ここで、コア構造は任意に置換されてもよく、１つまたは２つのフッ素置換基は、互いに独立して、酸素を介して付着されるアルコキシ基またはアリールオキシ基に代替されてもよく、好ましくは、フッ素（Ｆ）またはトリフルオロメチル（ＣＦ３）のような電子求引置換基で任意に置換されてもよい。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含む（下記参照）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造からなる（下記参照）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、Ａ’、Ｂ’及びＣ’が６個の環原子をそれぞれ含む芳香族環（すなわち、全てベンゼン環）である（下記参照）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、前述のような化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの二量体であり、これは、エミッタがそれぞれ化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を有する２つの副ユニットを含むことを意味する（下記参照）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、化学式ＢＮＥ－Ｉによる構造を含む（下記参照）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、化学式ＢＮＥ－Ｉによる構造からなる（下記参照）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂは、蛍光エミッタＦを含み、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの蛍光エミッタＦは、前述のような化学式ＢＮＥ－Ｉの二量体であり、これは、エミッタがそれぞれ化学式ＢＮＥ－Ｉによる構造を有する２つの副ユニットを含むことを意味する（下記参照）。
当業者は、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖとして任意に採用されるホスト材料ｈｏｓｔｓｃａｖが、前述の式（４）、（５）及び（６）で表される基本条件を満たす限り、最新技術から選択された任意のホスト材料でもあるという点を理解する。特に、前述の式（４）、（５）及び（６）で表される基本条件を満たすことを前提として、本願においてｐ－ホストＨＰとして言及される材料は、本発明の文脈において正孔スカベンジャーＨｓｃａｖとして使用されてもよい。
本発明の好ましい実施形態において、全体として（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）１以上の発光層Ｂのうちいずれか１つに任意に含まれるｈｏｓｔｓｃａｖは、下記を含むか、あるいはそれからなる：
化学式ＨＰ－Ｉ、ＨＰ－ＩＩ、ＨＰ－ＩＩＩ、ＨＰ－ＩＶ、ＨＰ－Ｖ、ＨＰ－ＶＩ、ＨＰ－ＶＩＩ、ＨＰ－ＶＩＩＩ、ＨＰ－ＩＸ及びＨＰ－Ｘのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれからなる１つの第１化学的モイエティ、及び

ＨＰ－Ｉ


ＨＰ－ＩＩ


ＨＰ－ＩＩＩ


ＨＰ－ＩＶ


ＨＰ－Ｖ


ＨＰ－ＶＩ


ＨＰ－ＶＩＩ


ＨＰ－ＶＩＩＩ


ＨＰ－ＩＸ


ＨＰ－Ｘ

化学式ＨＰ－ＸＩ、ＨＰ－ＸＩＩ、ＨＰ－ＸＩＩＩ、ＨＰ－ＸＩＶ、ＨＰ－ＸＶ、ＨＰ－ＸＶＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩＩ及びＨＰ－ＸＩＸのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれからなる１以上の第２化学的モイエティ、
ＨＰ－ＸＩ


ＨＰ－ＸＩＩ


ＨＰ－ＸＩＩＩ


ＨＰ－ＸＩＶ


ＨＰ－ＸＶ


ＨＰ－ＸＶＩ


ＨＰ－ＸＶＩＩ


ＨＰ－ＸＶＩＩＩ


ＨＰ－ＸＩＸ
ここで、ｐ－ホスト材料ＨＰに存在する１以上の第２化学的モイエティそれぞれは、化学式において点線で表される単結合を介して第１化学的モイエティに連結され、
ここで、
Ｚ１は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、Ｃ（ＲＩＩ）２、Ｃ＝Ｃ（ＲＩＩ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＩＩ、ＮＲＩＩ、Ｏ、Ｓｉ（ＲＩＩ）２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
ＲＩは、それぞれの場合に互いに独立して、第１化学的モイエティを第２化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトであるか、または下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で任意に置換されたＰｈ、
ここで、少なくとも１つのＲＩは、第１化学的モイエティを第２化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトであり、
ＲＩＩは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で任意に置換されたＰｈ、
ここで、２以上の隣接した置換基ＲＩＩは、任意に単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、化学式ＨＰ－ＸＩ、ＨＰ－ＸＩＩ、ＨＰ－ＸＩＩＩ、ＨＰ－ＸＩＶ、ＨＰ－ＸＶ、ＨＰ－ＸＶＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩＩ及びＨＰ－ＸＩＸのうちいずれか１つによる構造だけでなく、隣接した置換基ＲＩＩによって任意に形成される追加環から構成される縮合環系は、合計で８～６０個の炭素原子、好ましくは、１２～４０個の炭素原子、より好ましくは、１４～３２個の炭素原子を含む。
本発明のより好ましい実施形態において、Ｚ１は、それぞれの場合に直接結合であり、隣接した置換基ＲＩＩは結合して追加環系を形成しない。
励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及びＥＥＴ－２
それぞれの発光層Ｂに対し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同一の発光層Ｂに含まれた少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢに励起エネルギーを伝達するように、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び任意に含まれた１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２が好ましく選択される。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂ内において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、励起エネルギーを、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢに伝達する。
そのようなエネルギー伝達を可能にするために、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の室温（すなわち、（約）２０℃）での発光スペクトル（例えば、ＥＥＴ－１がＴＡＤＦ材料ＥＢである場合に蛍光スペクトル、及びＥＥＴ－１が燐光材料ＰＢである場合に燐光スペクトル、下記参照）と、ＥＥＴ－１がエネルギーを伝達しなければならない少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある。したがって、好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂ内において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の室温（すなわち、（約）２０℃）での発光スペクトルと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある。吸収スペクトル及び発光スペクトルは、本文の後の節に述べられたように記録される。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂ内において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、励起エネルギーを、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢに伝達する。
そのようなエネルギー伝達を可能にするために、少なくとも１つ、好ましくは、それぞ
れの任意に含まれる励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２の室温（すなわち、（約）２０℃）での発光スペクトル（例えば、ＥＥＴ－２がＴＡＤＦ材料ＥＢである場合に蛍光スペクトル、及びＥＥＴ－２が燐光材料ＰＢである場合に燐光スペクトル、下記参照）と、ＥＥＴ－２がエネルギーを伝達しなければならない少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある。したがって、好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂ内において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２の室温（すなわち、（約）２０℃）での発光スペクトルと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある。吸収スペクトル及び発光スペクトルは、本文の後の節に述べられたように記録される。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２だけでなく、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢにエネルギーを伝達する。
そのようなエネルギー伝達を可能にするために、それぞれの発光層ＢにＥＥＴ－２が含まれる場合、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２だけでなく、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の室温（すなわち、（約）２０℃）での発光スペクトル（例えば、ＥＥＴ－１またはＥＥＴ－２それぞれがＴＡＤＦ材料ＥＢである場合に蛍光スペクトル、及びＥＥＴ－１またはＥＥＴ－２それぞれが燐光材料ＰＢである場合に燐光スペクトル、下記参照）と、ＥＥＴ－１及びＥＥＴ－２がエネルギーを伝達しなければならない少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある。
したがって、本発明の好ましい実施形態において、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２を含む少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、以下の２つの条件が満たされる：
（ｉ）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の室温（すなわち、（約）２０℃）での発光スペクトルと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳があり、
（ｉｉ）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２の室温（すなわち、（約）２０℃）での発光スペクトルと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある。
ここで、吸収スペクトル及び発光スペクトルは、本文の後の節に述べられたように記録される。
また、前述の式（１０）、（１１）、（１４）、（１５）及び（１６）と関連した本発明の具体的な実施形態は、ＥＥＴ－１及びＥＥＴ－２を選択する方法に関する指針を提供するので、それらは、励起エネルギーを、（同一の発光層Ｂに含まれた）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢに伝達することができる。したがって、本発明の好ましい実施形態において、式（１０）、（１１）、（１４）、（１５）及び（１６）で表される関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同一の発光層Ｂに含まれた材料に、特に、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好
ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖが励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２である場合に適用される。
励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及びＥＥＴ－２は、一重項状態からの光放出のために、三重項励起子を収穫することができることが好ましい。当業者は、これを、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及びＥＥＴ－２が、例えば、励起三重項状態から励起一重項状態に励起エネルギーを効率的に伝達するように、強いスピン軌道結合（ｓｐｉｎ－ｏｒｂｉｔ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を示すことを意味するものと理解する。代案としては、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及びＥＥＴ－２による三重項収穫は、例えば、励起三重項状態を励起一重項状態に変換するために、逆項間交差（ＲＩＳＣ）によって達成されてもよい（下記参照）。両方の場合、励起エネルギーは、少なくとも１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢに伝達され、その励起子は、励起一重項状態から（好ましくは、Ｓ１Ｓから）光を放出する。
好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂ内において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）は、－２．３ｅＶ未満のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）を有する：ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜－２．３ｅＶ。
他の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂ内において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）は、－２．６ｅＶ未満のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）を有する：ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜－２．６ｅＶ。
好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂ内において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）は、－６．３ｅＶを超えるエネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）を有する：ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞－６．３ｅＶ。
好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂ内において、以下の２つの条件が満たされる：
（ｉ）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）は、－２．６ｅＶ未満のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）を有する：ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜－２．６ｅＶ
（ｉｉ）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）は、－６．３ｅＶを超えるエネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）を有する：ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞－６．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、以下の２つの条件のうち少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つを満たす：
（ｉ）Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１）とＥ（Ｔ１ＥＥＴ－１）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またはさらには、０．０５ｅＶ未満を示し、及び／または
（ｉｉ）標準原子量が４０より大きい、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの遷移金属を含む（すなわち、それぞれのＥＥＴ－１内の少なくとも１つの原子が４０を超える原子量である金属、好ましくは、遷移金属であり、ここで、遷移金属は、任意の酸化状態であってもよい）。
本発明の一実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、以下の２つの条件のうち少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つを満たす励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２である：
（ｉ）Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－２）とＥ（Ｔ１ＥＥＴ－２）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またはさらには、０．０５ｅＶ未満を示し、及び／または
（ｉｉ）標準原子量が４０より大きい、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの遷移金属を含む（すなわち、それぞれのＥＥＴ－２内の少なくとも１つの原子が４０を超える原子量である金属、好ましくは、遷移金属であり、ここで、遷移金属は、任意の酸化状態であってもよい）。
本発明の一実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、及びそれぞれの発光層Ｂに含まれる場合、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、以下の２つの条件のうち少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つを満たす：
（ｉ）Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１）とＥ（Ｔ１ＥＥＴ－１）とのエネルギー差、及び／またはＥ（Ｓ１ＥＥＴ－２）とＥ（Ｔ１ＥＥＴ－２）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またはさらには、０．０５ｅＶ未満を示し、及び／または
（ｉｉ）標準原子量が４０より大きい、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの遷移金属を含む（すなわち、それぞれのＥＥＴ－１及び／またはＥＥＴ－２内の少なくとも１つの原子が４０を超える原子量である金属、好ましくは、遷移金属であり、ここで、遷移金属は、任意の酸化状態であってもよい）。
好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１ＥＥＴ－１）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１ＥＥＴ－１）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またはさらには、０．０５ｅＶ未満である。
好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、標準原子量が４０より大きい、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの遷移金属を含む（すなわち、それぞれのＥＥＴ－２内の少なくとも１つの原子が４０を超える原子量である金属、好ましくは、遷移金属であり、ここで、遷移金属は、任意の酸化状態であってもよい）。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、標準原子量が４０より大きい、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの遷移金属を含む励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２である（すなわち、それぞれのＥＥＴ－２内の少なくとも１つの原子が４０を超える原子量である金属、好ましくは、遷移金属であり、ここで、遷移金属は、任意の酸化状態であってもよい）。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、以下の２つの条件を満たす：
（ｉ）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最
低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１ＥＥＴ－１）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１ＥＥＴ－１）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またはさらには、０．０５ｅＶ未満を示し、
（ｉｉ）それぞれの発光層Ｂに含まれる場合、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、標準原子量が４０より大きい、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの遷移金属を含む（すなわち、それぞれのＥＥＴ－２内の少なくとも１つの原子が４０を超える原子量である金属、好ましくは、遷移金属であり、ここで、遷移金属は、任意の酸化状態であってもよい）。
本発明の一実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、以下の２つの条件のうち少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つを満たす：
（ｉ）Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１）とＥ（Ｔ１ＥＥＴ－１）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またはさらには、０．０５ｅＶ未満を示し、及び／または
（ｉｉ）イリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）を含む（すなわち、それぞれのＥＥＴ－１内の少なくとも１つの原子がイリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）であり、ここで、Ｉｒ及びＰｔは、任意の酸化状態であってもよい、下記参照）。
本発明の一実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、以下の２つの条件のうち少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つを満たす励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２である：
（ｉ）Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－２）とＥ（Ｔ１ＥＥＴ－２）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またはさらには、０．０５ｅＶ未満を示し、及び／または
（ｉｉ）イリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）を含む（すなわち、それぞれのＥＥＴ－２内の少なくとも１つの原子がイリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）であり、ここで、Ｉｒ及びＰｔは、任意の酸化状態であってもよい、下記参照）。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、及びそれぞれの発光層Ｂに含まれる場合、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、以下の２つの条件のうち少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つを満たす：
（ｉ）（Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１）またはＥ（Ｓ１ＥＥＴ－２）と同一の）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）と（Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）またはＥ（Ｔ１ＥＥＴ－２）と同一の）最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またはさらには、０．０５ｅＶ未満を示し、及び／または
（ｉｉ）イリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）を含む（すなわち、それぞれのＥＥＴ－１またはＥＥＴ－２内の少なくとも１つの原子がイリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）であり、ここで、Ｉｒ及びＰｔは、任意の酸化状態であってもよい、下記参照）。
好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２を含む発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、イリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）を含む（すなわち、それぞれのＥＥＴ－２内の少なくとも１つの原子がイリジウム（Ｉｒ）また
は白金（Ｐｔ）であり、ここで、Ｉｒ及びＰｔは、任意の酸化状態であってもよい、下記参照）。
特に好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２であり、ここで、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２を含む発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、イリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）を含む。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、以下の２つの条件を満たす：
（ｉ）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１ＥＥＴ－１）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１ＥＥＴ－１）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またはさらには、０．０５ｅＶ未満を示し、
（ｉｉ）それぞれの発光層Ｂに含まれる場合、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、イリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）を含む（すなわち、それぞれのＥＥＴ－２内の少なくとも１つの原子がイリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）であり、ここで、Ｉｒ及びＰｔは、任意の酸化状態であってもよい、下記参照）。
好ましくは、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１だけでなく、選択的な１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、燐光材料ＰＢ及びエキシプレックスからなる群から互いに独立して選択される（下記参照）。
より好ましくは、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１だけでなく、選択的な１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、ＴＡＤＦ材料ＥＢ及び燐光材料ＰＢからなる群から互いに独立して選択される（下記参照）。
前述のように、本発明の文脈において、発光層Ｂは、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び任意に１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２を含み、ここで、それらは同一ではない（すなわち、同一化学式を有しない）。これは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂ内において、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び選択的な１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２が、例えば、互いに独立して、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、燐光材料ＰＢ及びエキシプレックスからなる群から選択されることを意味するが、いかなる場合にも化学構造が同一ではない。すなわち、発光層Ｂ内において、ＥＥＴ－１は、ＥＥＴ－２と同一化学式（または、構造）を有しない。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１だけでなく、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの任意に含まれる励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、互いに独立して下記から選択される：
（ｉ）本願で定義されたような熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、
（ｉｉ）本願で定義されたような燐光材料ＰＢ、及び
（ｉｉｉ）本願で定義されたようなエキシプレックス。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の好ましい実施形態において、それぞ
れの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１だけでなく、それぞれの任意に含まれる励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、互いに独立して下記から選択される：
（ｉ）本願で定義されたような熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、
（ｉｉ）本願で定義されたような燐光材料ＰＢ、及び
（ｉｉｉ）本願で定義されたようなエキシプレックス。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のより好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１だけでなく、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの任意に含まれる励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、互いに独立して下記から選択される：
（ｉ）本願で定義されたような熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、及び
（ｉｉ）本願で定義されたような燐光材料ＰＢ。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のより好ましい実施形態において、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１だけでなく、それぞれの任意に含まれる励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、互いに独立して下記から選択される：
（ｉ）本願で定義されたような熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、及び
（ｉｉ）本願で定義されたような燐光材料ＰＢ。
特に好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、本願で定義されたようなＴＡＤＦ材料ＥＢである。
特に好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、本願で定義されたような燐光材料ＰＢである。
特に好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２であり、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、本願で定義されたような燐光材料ＰＢである。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、本願で定義されたような燐光材料ＰＢである。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に任意に含まれたそれぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、本願で定義されたようなＴＡＤＦ材料ＥＢである。
一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２であり、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、本願で定義されたような燐光材料ＰＢである。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、本願で定義されたようなＴＡＤＦ材料ＥＢである。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に任意に含まれ
たそれぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、本願で定義されたようなエキシプレックスである。
一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２であり、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、本願で定義されたようなエキシプレックスである。
本発明の特に好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、以下の２つの条件が満たされる：
（ｉ）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、本願で定義されたようなＴＡＤＦ材料ＥＢであり、
（ｉｉ）それぞれの発光層Ｂに含まれる場合、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、本願で定義されたような燐光材料ＰＢである。
特に好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、本願で定義されたようなＴＡＤＦ材料ＥＢであり、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に任意に含まれたそれぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、本願で定義されたような燐光材料ＰＢである。
特に好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、本願で定義されたようなＴＡＤＦ材料ＥＢであり、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に任意に含まれたそれぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、本願で定義されたような燐光材料ＰＢである励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２である。
本発明の代案的な実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、以下の２つの条件が満たされる：
（ｉ）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、本願で定義されたようなＴＡＤＦ材料ＥＢであり、
（ｉｉ）それぞれの発光層Ｂに含まれる場合、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、本願で定義されたようなＴＡＤＦ材料ＥＢである。
本発明の代案的な実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、以下の２つの条件が満たされる：
（ｉ）少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、本願で定義されたような燐光材料ＰＢであり、
（ｉｉ）それぞれの発光層Ｂに含まれる場合、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、本願で定義されたような燐光材料ＰＢである。
以下、本発明の文脈において、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、燐光材料ＰＢ及びエキシプレックスについて、より詳細に開示される。
それぞれの励起エネルギー伝達成分がＴＡＤＦ材料ＥＢであるように選択される場合、ＴＡＤＦ材料ＥＢを言及する全ての特定の実施形態に対して表示されなくても、ＴＡＤＦ材料ＥＢに対して後述する任意の好ましい特徴、特性及び実施形態が任意の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１またはＥＥＴ－２にも適用されることを理解する。
また、それぞれの励起エネルギー伝達成分が燐光材料ＰＢであるように選択される場合、燐光材料ＰＢを言及する全ての特定の実施形態に対して表示されなくても、燐光材料ＰＢに対して後述する任意の好ましい特徴、特性及び実施形態が任意の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１またはＥＥＴ－２にも適用されることを理解する。
さらに、それぞれの励起エネルギー伝達成分がエキシプレックスであるように選択される場合、エキシプレックスを言及する全ての特定の実施形態に対して表示されなくても、エキシプレックスに対して後述する任意の好ましい特徴、特性及び実施形態が任意の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１またはＥＥＴ－２にも適用されることを理解する。
ＴＡＤＦ材料Ｅ Ｂ
当業者に知られているように、例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）において、エミッタ材料（すなわち、発光ドーパント）からの発光は、励起された一重項状態（典型的に、最低励起一重項状態Ｓ１）からの蛍光、及び励起された三重項状態（典型的に、最低励起三重項状態Ｔ１）からの燐光を含む。
本発明の文脈において、蛍光エミッタは、室温（すなわち、（約）２０℃）で電子励起時に発光することができ（例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子において）、ここで、発光励起状態は、一重項状態である（典型的に、最低励起一重項状態Ｓ１）。蛍光エミッタは、典型的に、初期の（例えば、電子正孔再結合による）電子励起がエミッタの励起一重項状態を提供するとき、ナノ秒の時間尺度で即時（すなわち、直接的な）蛍光（ｐｒｏｍｐｔ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）を示す。
本発明の文脈において、遅延蛍光材料は、逆項間交差（ＲＩＳＣ；すなわち、アップ項間交差または逆項間交差）を介して、励起三重項状態（典型的に、最低励起三重項状態Ｔ１）から励起一重項状態（典型的に、最低励起一重項状態Ｓ１）に達することができ、また、そのように達した励起一重項状態（典型的に、Ｓ１）から電子底状態に戻る時に発光することができる材料である。励起三重項状態（典型的に、Ｔ１）から励起一重項状態（典型的に、Ｓ１）へのＲＩＳＣ後に観察された蛍光発光が発生する時間尺度（典型的に、マイクロ秒範囲）は、直接的な（すなわち、即時）蛍光が発生する時間尺度（典型的に、ナノ秒範囲）より遅く、したがって、遅延蛍光（ＤＦ）という。励起三重項状態（典型的に、Ｔ１から）から励起一重項状態（典型的に、Ｓ１まで）へのＲＩＳＣが熱活性化を介して発生し、そのように充填された励起一重項状態が発光する場合（遅延蛍光発光）、その過程を熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）という。したがって、ＴＡＤＦ材料は、前述のように熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を発光することができる材料である。蛍光エミッタの最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１）とのエネルギー差ΔＥＳＴが減少するとき、ＲＩＳＣによる最低励起三重項状態から最低励起一重項状態への移動は、高効率で起こりうる。したがって、ＴＡＤＦ材料が典型的に小さいΔＥＳＴ値を有するということは、当業者の典型的な知識の一部を形成する（以下参照）。
（熱的に活性化された）遅延蛍光の発生は、例えば、時間分解（すなわち、過度）フォトルミネセンス（ＰＬ）測定から得た減衰曲線に基づいて分析される。ＴＡＤＦ材料からのＰＬ発光は、初期励起によって生成された励起一重項状態（典型的に、Ｓ１）からの発光成分と、ＲＩＳＣにより、励起三重項状態（典型的に、Ｔ１）を介して生成された励起一重項状態（典型的に、Ｓ１）からの発光成分とに分けられる。典型的に、初期励起によって形成された励起一重項状態（典型的に、Ｓ１）と、励起三重項状態（典型的に、Ｔ１）からＲＩＳＣを介して達した励起一重項状態（典型的に、Ｓ１）との発光間には、相当な時間差がある。
ＴＡＤＦ材料は、好ましくは、全体減衰力学（ｆｕｌｌ ｄｅｃａｙ ｄｙｎａｍｉｃｓ）と係わり、以下の２つの条件を満たす：
（ｉ）減衰力学は、２つの時間領域を示し、１つは典型的にナノ秒（ｎｓ）範囲にあり、他の１つは典型的にマイクロ秒（μｓ）範囲にある、及び
（ｉｉ）２つの時間領域で発光スペクトルの形態が一致する。
ここで、最初の減衰領域で放出された光の一部は即時蛍光と見なされ、二番目の減衰領域で放出された光の一部は遅延蛍光と見なされる。ＰＬ測定は、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）内の１～１０重量％、特に１０重量％の各エミッタ（すなわち、仮定されたＴＡＤＦ材料）のスピンコーティング膜を使用して行われうる。
好ましい基準（ｉ）が満たされるか否かを評価するために（すなわち、減衰力学が２つの時間領域を示し、１つは典型的にナノ秒（ｎｓ）範囲であり、他の１つは典型的にマイクロ秒（μｓ）範囲である）、ＴＣＳＰＣ（Ｔｉｍｅ－ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ ｓｉｎｇｌｅ－ｐｈｏｔｏｎ ｃｏｕｎｔｉｎｇ）が典型的に使用され（以下参照）、全体減衰力学は、典型的に後述するように分析される。または、スペクトル分解能を使用した過度フォトルミネセンス測定を行うことができる（以下参照）。
好ましい基準（ｉｉ）が満たされるか否かを評価するために（すなわち、２つの時間領域で発光スペクトルの形態が一致する）、スペクトル分解能を使用した過度フォトルミネセンス測定が典型的に行われてもよい（以下参照）。
そのような測定に対する実験的細部事項は、本文の後の節で提供される。
遅延蛍光及び即時蛍光（ｎ値）の割合は、本文の後の節に述べられたように、経時的にそれぞれのフォトルミネセンス減衰を積分して計算することができる。
本発明の文脈において、ＴＡＤＦ材料は、好ましくは、０．０５より大きく（ｎ＞０．０５）、より好ましくは、０．１５より大きく（ｎ＞０．１５）、より好ましくは、０．２５より大きく（ｎ＞０．２５）、より好ましくは、０．３５より大きく（ｎ＞０．３５）、より好ましくは、０．４５より大きく（ｎ＞０．４５）、より好ましくは、０．５５より大きく（ｎ＞０．５５）、より好ましくは、０．６５より大きく（ｎ＞０．６５）、より好ましくは、０．７５より大きく（ｎ＞０．７５）、より好ましくは、０．８５より大きく（ｎ＞０．８５）、またはさらには、０．９５より大きい（ｎ＞０．９５）ｎ値（すなわち、遅延蛍光対即時蛍光の割合）を示す。
本発明によれば、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢは、０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またはさらには、０．０５ｅＶ未満の、最低励起一重項状態エネルギー準位Ｅ（Ｓ１Ｅ）と最低励起三重項状態エネルギー準位Ｅ（Ｔ１Ｅ）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値を示すことを特徴とする。したがって、本発明によるＴＡＤＦ材料ＥＢのΔＥＳＴは、室温（ＲＴ、すなわち、（約）２０℃）で最低励起三重項状態Ｔ１Ｅから最低励起一重項状態Ｓ１Ｅの熱再充填（ｔｈｅｒｍａｌ ｒｅｐｏｐｕｌａｔｉｏｎ）（アップ項間交差または逆項間交差、ＲＩＳＣともいう）を許容するのに十分に小さい。
好ましくは、本発明の文脈において、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、即時蛍光及び（発光Ｓ１Ｅ状態がＴ１Ｅ状態から熱活性化されたＲＩＳＣを介して達されるとき）遅延蛍光の両方を示す。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、任意に０．４ｅＶ未満のΔＥＳＴ値を有することができ、熱活性化遅延
蛍光（ＴＡＤＦ）を示すことが理解される。しかし、本発明の文脈において、任意の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢに対し、これは単に選択的な特徴だけである。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つのＴＡＤＦ材料ＥＢの発光スペクトルと、少なくとも１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある（両スペクトルが類似の条件下で測定されるとき）。この場合、少なくとも１つのＴＡＤＦ材料ＥＢは、少なくとも１つの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢにエネルギーを伝達することができる。
本発明によれば、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、３８０ｎｍ～８００ｎｍの可視波長範囲において最大発光を有し、典型的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でのポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢでスピンコーティングされた膜から測定される。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、３８０ｎｍ～４７０ｎｍ、好ましくは、４００ｎｍ～４７０ｎｍの深青色波長範囲において最大発光を有し、典型的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でのポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢでスピンコーティングされた膜から測定される。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、４８０ｎｍ～５６０ｎｍ、好ましくは、５００ｎｍ～５６０ｎｍの緑色波長範囲において最大発光を有し、典型的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でのポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢでスピンコーティングされた膜から測定される。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、６００ｎｍ～６６５ｎｍ、好ましくは、６１０ｎｍ～６６５ｎｍの赤色波長範囲において最大発光を有し、典型的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でのポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢでスピンコーティングされた膜から測定される。
本発明の好ましい実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最大発光（ピーク発光）は、本発明の文脈において小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光（ピーク発光）より短い波長にある。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、有機ＴＡＤＦ材料であり、これは、本発明の文脈においていかなる遷移金属も含まないということを意味する。好ましくは、本発明によるそれぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、主に水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から構成されるが、例えば、酸素（Ｏ）、ボロン（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）及び臭素（Ｂｒ）を含んでもよい。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、８００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦエミッタＥＢは、典型的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でのポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢでスピンコーティングされた膜から測定される、３０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の好ましい実施形態において、ＴＡＤＦエミッタＥＢは、典型的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でのポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢでスピンコーティングされた膜から測定される、５０％以上のフォトルミネ
センス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより好ましい実施形態において、ＴＡＤＦエミッタＥＢは、典型的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でのポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢでスピンコーティングされた膜から測定される、７０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満であることを特徴とし、
（ｉｉ）３０％より大きいフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）は、－２．６ｅＶより小さい。
典型的に、蛍光及び（熱的に活性化された）遅延蛍光を発光することができるが、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び／またはＥＥＴ－２として、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に任意に含まれたＴＡＤＦ材料ＥＢは、好ましくは、主に「エネルギーポンプ」として機能し、エミッタ材料として機能しないという点に留意しなければならない。すなわち、発光層Ｂに含まれた燐光材料ＰＢは、主に励起エネルギーを１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢに伝達し、それらは、主エミッタ材料の役割を行う。発光層Ｂにおける燐光材料ＰＢの主な機能は、発光ではないことが好ましい。しかし、ある程度発光することができる。
当業者は、本発明によるＴＡＤＦ材料（分子）ＥＢを設計する方法、及び分子が典型的に示す構造的特徴が分かっている。簡単に、逆項間交差（ＲＩＳＣ）を容易にするために、ΔＥＳＴは典型的に減少し、本発明の文脈において、ΔＥＳＴは、前述のように０．４ｅＶより小さい。これは、頻繁にＨＯＭＯ及びＬＵＭＯがそれぞれ（電子）ドナー基及び（電子）アクセプター基で空間的に大きく分離されるようにＴＡＤＦ分子ＥＢを設計することによって達成される。基は、典型的に体積が大きいか、スピロ接合を介して連結されて捻じれており、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの空間的重畳が減少する。しかし、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの空間的重畳を最小化すれば、ＴＡＤＦ材料のＰＬＱＹ（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｙｉｅｌｄ）も低くなる短所がある。したがって、実際にその２つの効果の両方を考慮して、ΔＥＳＴを減らし、高いＰＬＱＹを達成する。
ＴＡＤＦ材料設計のための１つの典型的なアプローチは、ＨＯＭＯが分布された１以上の（電子）ドナーモイエティと、ＬＵＭＯが分布された１以上の（電子）アクセプターモイエティとを、本願においてリンカー基と呼ばれる、同一のブリッジに共有付着することである。また、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、例えば、同一のアクセプターモイエティに結合された２つまたは３つのリンカー基を含み、更なるドナーモイエティ及びアクセプターモイエティがそれら２つまたは３つのリンカー基それぞれに結合されてもよい。
また、１以上のドナーモイエティ及び１以上のアクセプターモイエティは、（リンカー基の存在なしに）互いに直接結合されてもよい。
典型的なドナーモイエティは、ジフェニルアミン、カルバゾール、アクリジン、フェノキサジン及び関連構造の誘導体である。
ベンゼン、ビフェニル基及びある程度までターフェニル基の誘導体が典型的なリンカー
基である。
ニトリル基は、ＴＡＤＦ分子において非常に典型的なアクセプターモイエティであり、その周知の例は、以下を含む：
（ｉ）２ＣｚＰＮ（４，５－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フタロニトリル）、ＤＣｚＩＰＮ（４，６－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）イソフタロニトリル）、４ＣｚＰＮ（３，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フタロニトリル）、４ＣｚＩＰＮ（２，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）イソフタロニトリル）、４ＣｚＴＰＮ（２，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）テレフタロニトリル）及びその誘導体のようなカルバゾリルジシアノベンゼン化合物、
（ｉｉ）４ＣｚＣＮＰｙ（２，３，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４－シアノピリジン）及びその誘導体のようなカルバゾリルシアノピリジン化合物、
（ｉｉｉ）ＣＮＢＰＣｚ（４，４’，５，５’－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１，１’－ビフェニル］－２，２’－ジカルボニトリル）、ＣｚＢＰＣＮ（４，４’，６，６’－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１，１’－ビフェニル］－３，３’－ジカルボニトリル）、ＤＤＣｚＩＰＮ（３，３’，５，５’－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１，１’－ビフェニル］－２，２’，６，６’－テトラカルボニトリル）及びその誘導体のようなカルバゾリルシアノビフェニル化合物、
ここで、それら材料において、１以上のニトリル基は、アクセプターモイエティとして、フッ素（Ｆ）またはトリフルオロメチル（ＣＦ３）に代替されてもよい。
また、トリアジン、ピリミジン、トリアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、ヘプタジン、１，４－ジアザトリフェニレン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、キノキサリン及びジアザフルオレン誘導体のような窒素ヘテロ環は、ＴＡＤＦ分子構成に使用される周知のアクセプターモイエティである。例えば、トリアジンアクセプターを含むＴＡＤＦ分子の公知の例は、ＰＩＣ－ＴＲＺ（７，７’－（６－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－１，３，５－トリアジン－２，４－ジイル）ビス（５－フェニル－５，７－ジヒドロインドロ［２，３－ｂ］カルバゾール））、ｍＢＦＣｚＴｒｚ（５－（３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル））フェニル）－５Ｈ－ベンゾフロ［３，２－ｃ］カルバゾール）、及びＤＣｚＴｒｚ（９，９’－（５－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－１，３－フェニレン）ビス（９Ｈ－カルバゾール））を含む。
ＴＡＤＦ材料の他の一群は、ドナーモイエティ（主に、カルバゾリル置換基）が結合されたアクセプターモイエティとして、ベンゾフェノンのようなジアリールケトン、または４－ベンゾイルピリジン、９，１０－アントラキノン、９Ｈ－キサンテン－９－オンのような（ヘテロアリール）アリールケトン及びその誘導体を含む。そのようなＴＡＤＦ分子の例は、ＢＰＢＣｚ（ビス（４－（９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－［３，３’－ビカルバゾール］－９－イル）フェニル）メタノン）、ｍＤＣＢＰ（（３，５－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）（ピリジン－４－イル）メタノン）、ＡＱ－ＤＴＢｕ－Ｃｚ（２，６－ビス（４－（３，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）アントラセン－９，１０－ジオン）及びＭＣｚ－ＸＴ（３－（１，３，６，８－テトラメチル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン）をそれぞれ含む。
また、スルホキシド、特にジフェニルスルホキシドは、ＴＡＤＦ材料の構成のためのアクセプターモイエティとして典型的に使用され、周知の例は、４－ＰＣ－ＤＰＳ（９－フェニル－３－（４－（フェニルスルホニル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾール）、ＤｉｔＢｕ－ＤＰＳ（９，９’－（スルホニルビス（４，１－フェニレン））ビス（９Ｈ－カルバゾール））及びＴＸＯ－ＰｈＣｚ（２－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イ
ル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン１０，１０－ジオキシド）を含む。
特定の材料が前述の基本要求事項、すなわち、ΔＥＳＴ値が０．４ｅＶより小さいという点を満たすことを考慮すれば、例示的に、前述の全ての群のＴＡＤＦ分子は、本発明によって使用するのに適しているＴＡＤＦ材料ＥＢを提供することができる。
当業者は、命名された構造だけでなく、より多い材料が本発明の文脈において好適なＴＡＤＦ材料ＥＢであることが分かっている。熟練された技術者は、そのような分子の設計原理に慣れ、特定の発光色相（例えば、青色、緑色または赤色発光）を有するそのような分子を設計する方法も分かっている。
以下の例示を参照する：Ｈ．Ｔａｎａｋａ，Ｋ．Ｓｈｉｚｕ，Ｈ．Ｎａｋａｎｏｔａｎｉ，Ｃ．Ａｄａｃｈｉ，Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１３，２５（１８），３７６６，ＤＯＩ：１０．１０２１／ｃｍ４０２４２８ａ；Ｊ．Ｌｉ，Ｔ．Ｎａｋａｇａｗａ，Ｊ．ＭａｃＤｏｎａｌｄ，Ｑ．Ｚｈａｎｇ，Ｈ．Ｎｏｍｕｒａ，Ｈ．Ｍｉｙａｚａｋｉ，Ｃ．Ａｄａｃｈｉ，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１３，２５（２４），３３１９，ＤＯＩ：１０．１００２／ａｄｍａ．２０１３００５７５；Ｋ．Ｎａｓｕ，Ｔ．Ｎａｋａｇａｗａ，Ｈ．Ｎｏｍｕｒａ，Ｃ．－Ｊ．Ｌｉｎ，Ｃ．－Ｈ．Ｃｈｅｎｇ，Ｍ．－Ｒ．Ｔｓｅｎｇ，Ｔ．Ｙａｓｕｄａａｄ，Ｃ．Ａｄａｃｈｉ，Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ ２０１３，４９（８８），１０３８５，ＤＯＩ：１０．１０３９／ｃ３ｃｃ４４１７９ｂ；Ｑ．Ｚｈａｎｇ，Ｂ．Ｌｉ１，Ｓ．Ｈｕａｎｇ，Ｈ．Ｎｏｍｕｒａ，Ｈ．Ｔａｎａｋａ，Ｃ．Ａｄａｃｈｉ，Ｎａｔｕｒｅ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ ２０１４，８（４），３２６，ＤＯＩ：１０．１０３８／ｎｐｈｏｔｏｎ．２０１４．１２；．Ｗｅｘ， Ｂ．Ｒ．Ｋａａｆａｒａｎｉ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｃ ２０１７，５，８６２２，ＤＯＩ：１０．１０３９／ｃ７ｔｃ０２１５６ａ；Ｙ．Ｉｍ，Ｍ．Ｋｉｍ，Ｙ．Ｊ．Ｃｈｏ，Ｊ．Ａ．Ｓｅｏ，Ｋ．Ｓ．Ｙｏｏｋ，Ｊ．Ｙ．Ｌｅｅ，Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１７，２９（５），１９４６，ＤＯＩ：１０．１０２１／ａｃｓ．ｃｈｅｍｍａｔｅｒ．６ｂ０５３２４；Ｔ．－Ｔ．Ｂｕｉ，Ｆ．Ｇｏｕｂａｒｄ，Ｍ．Ｉｂｒａｈｉｍ－Ｏｕａｌｉ，Ｄ．Ｇｉｇｍｅｓ，Ｆ．Ｄｕｍｕｒ，Ｂｅｉｌｓｔｅｉｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ２０１８，１４，２８２，ＤＯＩ：１０．３７６２／ｂｊｏｃ．１４．１８；Ｘ．Ｌｉａｎｇ，Ｚ．－Ｌ．Ｔｕ，Ｙ．－Ｘ．Ｚｈｅｎｇ，Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ－Ａ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ２０１９，２５（２２），５６２３，ＤＯＩ：１０．１００２／ｃｈｅｍ．２０１８０５９５２。
また、例えば、ＵＳ２０１５１０５５６４（Ａ１）、ＵＳ２０１５０４８３３８（Ａ１）、ＵＳ２０１５１４１６４２（Ａ１）、ＵＳ２０１４３３６３７９（Ａ１）、ＵＳ２０１４１３８６７０（Ａ１）、ＵＳ２０１２２４１７３２（Ａ１）、ＥＰ３３１５５８１（Ａ１）、ＥＰ３４８３１５６（Ａ１）及びＵＳ２０１８０５３９０１（Ａ１）は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用可能なＴＡＤＦ材料ＥＢを開示する。これは、本発明が、引用された参考文献に開示されたＴＡＤＦ材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるということを意味しないものと理解される。最新技術で使用される任意のＴＡＤＦ材料が、本発明の文脈において好適なＴＡＤＦ材料ＥＢであることが理解される。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、ＣＮ、ＣＦ３及び任意に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択される１以上の化学的モイエティを含む。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、ＣＮ及び任意に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択される１以上の化学的モイエティを含む。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、１以上の任意に置換された１，３，５－トリアジニル基を含む。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、アミノ基、インドリル、カルバゾリル及びその誘導体から互いに独立して選択される１以上の化学的モイエティを含み、それらはいずれも任意に置換され、ここで、それら基は、それぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造と窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介して結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、以下を含む：
－アミノ基、インドリル、カルバゾリル及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも任意に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的モイエティ、及び
－ＣＮ、ＣＦ３、及び任意に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択された１以上の第２化学的モイエティ。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、以下を含む：
－アミノ基、インドリル、カルバゾリル及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも任意に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的モイエティ、及び
－ＣＮ、及び任意に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択された１以上の第２化学的モイエティ。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、以下を含む：
－アミノ基、インドリル、カルバゾリル及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも任意に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的モイエティ、及び
－１以上の任意に置換された１，３，５－トリアジニル基。
当業者は、「その誘導体」という表現が、それぞれの親構造が任意に置換されるか、またはそれぞれの親構造内の任意の原子が、例えば、他の元素の原子に代替されることを意味するということが分かっている。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、以下を含む：
化学式Ｄ－Ｉによる構造をそれぞれ含むか、あるいはそれからなる１以上の第１化学的モイエティ、

Ｄ－Ｉ

任意に、ＣＮ、ＣＦ３、並びに化学式Ａ－Ｉ、Ａ－ＩＩ、Ａ－ＩＩＩ及びＡ－ＩＶのうちいずれか１つによる構造からそれぞれ互いに独立して選択される、１以上の第２化学的モイエティ、及び

Ａ－Ｉ


Ａ－ＩＩ


Ａ－ＩＩＩ


Ａ－ＩＶ

化学式Ｌ－Ｉ、Ｌ－ＩＩ、Ｌ－ＩＩＩ、Ｌ－ＩＶ、ＬＶ、Ｌ－ＶＩ、Ｌ－ＶＩＩ及びＬ－ＶＩＩＩのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれからなる１つの第３化学的モイエティ、

Ｌ－Ｉ


Ｌ－ＩＩ


Ｌ－ＩＩＩ


Ｌ－ＩＶ


Ｌ－Ｖ


Ｌ－ＶＩ


Ｌ－ＶＩＩ


Ｌ－ＶＩＩＩ

ここで、１以上の第１化学的モイエティ及び選択的な１以上の第２化学的モイエティは、単結合を介して第３化学的モイエティに共有結合され、
化学式Ｄ－Ｉにおいて、
＃は、化学式Ｄ－Ｉによるそれぞれの第１化学的モイエティを第３化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトを示し、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ１、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、ＯＳＯ２Ｒ３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ４）２、ＯＲ４、Ｓｉ（Ｒ４）３、Ｂ（ＯＲ４）２、ＯＳＯ２Ｒ４、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ４で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ４で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で任意に置換され、
ここで、任意に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
Ｒ４は、それぞれの場合に、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＰｈまたはＣ１－Ｃ５アルキルによって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
化学式Ａ－Ｉ、Ａ－ＩＩ、Ａ－ＩＩＩ及びＡ－ＩＶにおいて、
点線は、化学式Ａ－Ｉ、Ａ－ＩＩ、Ａ－ＩＩＩまたはＡ－ＩＶによるそれぞれの第２化学的モイエティを第３化学的モイエティに連結する単結合を示し、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、Ｂ（ＯＲ９）２、ＯＳＯ２Ｒ９、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ１０）２、ＯＲ１０、Ｓｉ（Ｒ１０）３、Ｂ（ＯＲ１０）２、ＯＳＯ２Ｒ１０、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、
Ｒ１０は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＰｈまたはＣ１－Ｃ５アルキルによって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

ＥＷＧ－Ｉ

ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、任意に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、ここで、任意にこのように形成された縮合環系は、合計で９～１８個の環原子を含み、
化学式Ｌ－Ｉ、Ｌ－ＩＩ、Ｌ－ＩＩＩ、Ｌ－ＩＶ、Ｌ－Ｖ、Ｌ－ＶＩ、Ｌ－ＶＩＩ及びＬ－ＶＩＩＩにおいて、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、１以上のＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的モイエティを第３化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトであるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル基、Ｃ６－Ｃ１８アリール基、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩによって置換され、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明の好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ１、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ４）２、ＯＲ４、Ｓｉ（Ｒ４）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で任意に置換され、
ここで、任意に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
Ｒ４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル、Ｐ
ｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキルまたはＰｈによって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、Ｂ（ＯＲ９）２、ＯＳＯ２Ｒ９、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ１０）２、ＯＲ１０、Ｓｉ（Ｒ１０）３、Ｂ（ＯＲ１０）２、ＯＳＯ２Ｒ１０、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、
Ｒ１０は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＰｈまたはＣ１－Ｃ５アルキルによって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

ＥＷＧ－Ｉ

ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、任意に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、ここで、任意にこのように形成された縮合環系は、合計で９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的モイエティを第３化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトであるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル基及びＣ６－Ｃ１８アリール基によって置換され、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義され、
ここで、第３化学的モイエティに付着された第１及び第２化学的モイエティの最大個数は、第３化学的モイエティで利用可能な結合サイトの個数（すなわち、置換基Ｒ１１の数）のみによって限定され、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、少なくとも１つの第１化学的モイエティ、少なくとも１つの第２化学的モイエティ及び正確に１つの第３化学的モイエティを含む。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ１、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ４）２、Ｓｉ（Ｒ４）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で任意に置換され、
ここで、任意に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された環系は、１以上の置換基Ｒ５で任意に置換され、
Ｒ４及びＲ５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ１０）２、ＯＲ１０、Ｓｉ（Ｒ１０）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、
Ｒ１０は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈ、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

ＥＷＧ－Ｉ

ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、任意に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、ここで、任意にこのように形成された縮合環系は、合計で９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的モイエティを第３化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトであるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で任意に置換され、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、任意に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒ
ａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された、化学式Ｄ－１による構造、及び隣接した置換基によって形成された付着された環から構成された縮合環系は、合計で１３～４０個の環原子、好ましくは、１３～３０個の環原子、より好ましくは、１６～３０個の環原子を含み、ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈ、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

ＥＷＧ－Ｉ

ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、任意に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、ここで、任意にこのように形成された縮合環系は、合計で９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的モイエティを第３化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトであるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で任意に置換されるＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたトリアジニル、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたピリミジニル、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたピリジニル、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、任意に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された、化学式Ｄ－１による構造、及び隣接した置換基によって形成された付着された環から構成された縮合環系は、合計で１３～４０個の環原子、好ましくは、１３～３０個の環原子、より好ましくは、１６～３０個の環原子を含み、ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、
化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で任意に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈ、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

ＥＷＧ－Ｉ

ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、任意に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、ここで、任意にこのように形成された縮合環系は、合計で９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、１以上のＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的モイエティを第３化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトであるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で任意に置換されるＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、及び
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換
されたカルバゾリル、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で任意に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、任意に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された、化学式Ｄ－１による構造、及び隣接した置換基によって形成された付着された環から構成された縮合環系は、合計で１３～４０個の環原子、好ましくは、１３～３０個の環原子、より好ましくは、１６～３０個の環原子を含み、ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

ＥＷＧ－Ｉ

ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、任意に芳香族環を形成し、これは化
学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、ここで、任意にこのように形成された縮合環系は、合計で９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的モイエティを第３化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトであるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、及び
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、任意に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された、化学式Ｄ－１による構造、及び隣接した置換基によって形成された付着された環から構成された縮合環系は、合計で１３～４０個の環原子、好ましくは、１３～３０個の環原子、より好ましくは、１６～３０個の環原子を含み、ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

ＥＷＧ－Ｉ

ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義されるが、ＣＮまたはＣＦ３であり、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、任意に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、ここで、任意にこのように形成された縮合環系は、合計で９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的モイエティを第３化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトであるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されるＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明の特に好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、任意に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された、化学式Ｄ－１による構造、及び隣接した置換基によって形成された付着された環から構成された縮合環系は、合計で１３～４０個の環原子、好ましくは、１３～３０個の環原子、より好ましくは、１６～３０個の環原子を含み、ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき
、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

ＥＷＧ－Ｉ

ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義されるが、ＣＮまたはＣＦ３であり、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、任意に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、１以上の置換基Ｒ１０で任意に置換され、ここで、任意にこのように形成された縮合環系は、合計で９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的モイエティを第３化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトであるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が任意に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明の好ましい実施形態において、ａは常に１であり、ｂは常に０である。
本発明の好ましい実施形態において、Ｚ２は、それぞれの場合に直接結合である。
本発明の好ましい実施形態において、Ｒａは、それぞれの場合に水素である。
本発明の好ましい実施形態において、Ｒａ及びＲｄは、それぞれの場合に水素である。
本発明の好ましい実施形態において、Ｑ３は、それぞれの場合に窒素（Ｎ）である。
本発明の一実施形態において、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、少なくとも１つの基ＲＸはＣＮである。
本発明の好ましい実施形態において、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、正確に１つの基ＲＸはＣＮである。
本発明の好ましい実施形態において、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、正確に１つのＲＸ基はＣＮであり、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、ＲＸ基はＣＦ３ではない。
本発明による第１化学的モイエティの例を下記に示すが、これは、本発明がそれら例に限定されることを意味するものではない：
















ここで、前述の定義が適用される。
本発明による第２化学的モイエティの例を下記に示すが、これは、本発明がそれら例に限定されることを意味するものではない：









ここで、前述の定義が適用される。
本発明の好ましい実施形態において、各ＴＡＤＦ材料ＥＢは、化学式ＥＢ－Ｉ、ＥＢ－ＩＩ、ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－ＩＶ、ＥＢ－Ｖ、ＥＢ－ＶＩ、ＥＢ－ＶＩＩ、ＥＢ－ＶＩＩＩ、ＥＢ－ＩＸ、ＥＢ－Ｘ及びＥＢ－ＸＩのうちいずれか１つで表される構造を有する：

ＥＢ－Ｉ


ＥＢ－ＩＩ


ＥＢ－ＩＩＩ


ＥＢ－ＩＶ


ＥＢ－Ｖ


ＥＢ－ＶＩ


ＥＢ－ＶＩＩ

ＥＢ－ＶＩＩＩ


ＥＢ－ＩＸ


ＥＢ－Ｘ


ＥＢ－ＸＩ

ここで、
Ｒ１３は、Ｒ１１のように定義され、但し、Ｒ１３は、第１または第２化学的モイエティを第３化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトではなく、
ＲＹは、ＣＮ及びＣＦ３から選択されるか、またはＲＹは、下記化学式ＢＮ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなる：

ＢＮ－Ｉ

これは、点線で表される単結合により、化学式ＥＢ－Ｉ、ＥＢ－ＩＩ、ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－ＩＶ、ＥＢ－Ｖ、ＥＢ－ＶＩ、ＥＢ－ＶＩＩ、ＥＢ－ＶＩＩＩまたはＥＢ－ＩＸの構造に結合され、ここで、正確に１つのＲＢＮ基はＣＮであり、他の２つのＲＢＮ基は、両方とも水素（Ｈ）であり、
その他には、前述の定義が適用される。
本発明の好ましい実施形態において、Ｒ１３は、それぞれの場合に水素である。
本発明の一実施形態において、ＲＹは、それぞれの場合にＣＮである。
本発明の一実施形態において、ＲＹは、それぞれの場合にＣＦ３である。
本発明の一実施形態において、ＲＹは、それぞれの場合に化学式ＢＮ－Ｉで表される構
造である。
本発明の好ましい実施形態において、ＲＹは、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ及び化学式ＢＮ－Ｉで表される構造から選択される。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、前述の定義が適用される化学式ＥＢ－Ｉ、ＥＢ－ＩＩ、ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－ＩＶ、ＥＢ－Ｖ、ＥＢ－ＶＩ、ＥＢ－ＶＩＩ及びＥＢ－Ｘのうちいずれか１つで表される構造を有する。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、前述の定義が適用される化学式ＥＢ－Ｉ、ＥＢ－ＩＩ、ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－Ｖ及びＥＢ－Ｘのうちいずれか１つで表される構造を有する。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するためのＴＡＤＦ材料ＥＢの例が下記に示されるが、これは、単に示された例のみが本発明の文脈において好適なＴＡＤＦ材料ＥＢということを意味しない。
化学式ＥＢ－ＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：








化学式ＥＢ－ＩＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：




化学式ＥＢ－ＩＩＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：



化学式ＥＢ－ＩＶによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＶによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＶＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＶＩＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＶＩＩＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＩＸによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：

化学式ＥＢ－ＸによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：

化学式ＥＢ－ＸＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
ＴＡＤＦ材料ＥＢの合成は、熟練された技術者に周知の標準反応及び反応条件を介して達成される。典型的に、第１段階において、カップリング反応、好ましくは、パラジウム触媒化されたカップリング反応が行われ、これを化学式ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－ＩＶ及びＥＢ－Ｖのうちいずれか１つによるＴＡＤＦ材料ＥＢの合成に対して下記に例示的に示した：
Ｅ１は、任意のボロン酸（ＲＢ＝Ｈ）または対応するボロン酸エステル（ＲＢ＝アルキルまたはアリール）であり、特に、２つのＲＢは環を形成し、例えば、ボロン酸ピナコールエステルを提供することができる。第２反応物としてＥ２が使用され、ここで、Ｈａｌ
はハロゲンを示し、Ｉ、ＢｒまたはＣｌでもあるが、好ましくは、Ｂｒである。そのようなパラジウム触媒化されたカップリング反応の反応条件は、例えば、ＷＯ２０１７／００５６９９から当業者に公知されており、Ｅ１及びＥ２の反応基が反応収率を最適化するために下記に示したように交換可能であることが知られている：
第２段階において、親核性芳香族置換において窒素ヘテロ環と、アリールハライド、好ましくは、アリールフルオライドＥ３との反応を介してＴＡＤＦ分子を得る。典型的な条件は、例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）またはＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）のような非プロトン性極性溶媒において、例えば、リン酸三カリウムまたは水素化ナトリウムのような塩基の使用を含む。
特に、ドナー分子Ｅ４は、３，６－置換のカルバゾール（例えば、３，６－ジメチルカルバゾール、３，６－ジフェニルカルバゾール、３，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、２，７－置換のカルバゾール（例えば、２，７－ジメチルカルバゾール、２，７－ジフェニルカルバゾール、２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、１，８－置換のカルバゾール（例えば、１，８－ジメチルカルバゾール、１，８－ジフェニルカルバゾール、１，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、１－置換のカルバゾール（例えば、１－メチルカルバゾール、１－フェニルカルバゾール、１－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、２－置換のカルバゾール（例えば、２－メチルカルバゾール、２－フェニルカルバゾール、２－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、または３－置換のカルバゾール（例えば、３－メチルカルバゾール、３－フェニルカルバゾール、３－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）であってもよい。
代案としては、ハロゲン置換のカルバゾール、特に３－ブロモカルバゾールがＥ４としても使用される。
後続反応において、ボロン酸エステル作用基またはボロン酸作用基は、Ｅ４を介して導入された１以上のハロゲン置換基の位置に例示的に導入され、カルバゾール－３－イル－ボロン酸エステルまたはカルバゾール－３－イル－ボロン酸のような相応するカルバゾリ
ルボロン酸またはエステルを、例えば、（ピナコラート）ジボロン（ＣＡＳ Ｎｏ．７３１８３－３４－３）との反応を介して生成することができる。次いで、相応するハロゲン化反応物、例えば、Ｒａ－Ｈａｌ、好ましくは、Ｒａ－Ｃｌ及びＲａ－Ｂｒとのカップリング反応を介して、ボロン酸エステル基またはボロン酸基の代わりに、１以上の置換基Ｒａ、ＲｂまたはＲｄが導入されてもよい。
代案としては、置換基Ｒａ［Ｒａ－Ｂ（ＯＨ）２］、Ｒｂ［Ｒｂ－Ｂ（ＯＨ）２］またはＲｄ［Ｒｄ－Ｂ（ＯＨ）２］のボロン酸または相応するボロン酸エステルとの反応を介して、Ｄ－Ｈを介して導入された１以上のハロゲン置換基の位置に１以上の置換基Ｒａ、ＲｂまたはＲｄが導入されてもよい。
また、ＴＡＤＦ材料ＥＢを類似して得ることができる。また、ＴＡＤＦ材料ＥＢを目的に適している任意の代案的な合成経路によって得てもよい。
代案的な合成経路は、窒素ヘテロ環を、銅またはパラジウム触媒化されたカップリングを介して、アリールハライドまたはアリール擬ハライド、好ましくは、臭化アリール、ヨウ化アリール、アリールトリフラートまたはアリールトシレートに導入することを含んでもよい。
燐光材料Ｐ Ｂ
本発明の文脈において燐光材料ＰＢは、三重項（すなわち、励起三重項状態、典型的に、最低励起三重項状態Ｔ１）から発光を得るために、金属原子によって惹起される分子内スピン軌道相互作用（重原子効果）を利用する。すなわち、燐光材料ＰＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）で燐光を発光することができ、これは、典型的にポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）内の１０重量％のＰＢのスピンコーティング膜から測定される。
定義によって燐光を発光することができるが、好ましくは、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１またはＥＥＴ－２として、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に任意に含まれる燐光材料ＰＢは、好ましくは、主にエミッタ材料ではない「エネルギーポンプ」として機能する。すなわち、発光層Ｂに含まれた燐光材料ＰＢは、主に励起エネルギーを１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢに伝達し、次いで、それらは主エミッタ材料の役割を行う。発光層Ｂにおける燐光材料ＰＢの主な機能は、発光ではないことが好ましい。しかし、ある程度発光することができる。
一般的に、最新技術において有機エレクトロルミネッセンス素子に使用される全ての燐光錯体が本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子にも使用可能であることが理解される。
有機エレクトロルミネッセンス素子に使用される燐光材料ＰＢは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｅｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ａｇ及びＣｕの、本発明の文脈において、好ましくは、Ｉｒ、Ｐｔ及びＰｄの、より好ましくは、Ｉｒ及びＰｔの錯体ということが当業者に常識である。熟練された技術者は、有機エレクトロルミネッセンス素子においていかなる材料が燐光材料として適しているか、及びそれらを合成する方法が分かっている。また、熟練された技術者は、有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するための燐光錯体の設計原理に慣れ、構造的変化を介して錯体の発光を調整する方法が分かっている。
以下の例示を参照する：Ｃ．－Ｌ．Ｈｏ，Ｈ．Ｌｉ，Ｗ．－Ｙ．Ｗｏｎｇ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ２０１４，７５１，２６１，ＤＯＩ：１０．１０１６／ｊ．ｊｏｒｇａｎｃｈｅｍ．２０１３．０９．０３５
；Ｔ．Ｆｌｅｅｔｈａｍ，Ｇ．Ｌｉ，Ｊ．Ｌｉ，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｎｅｗｓ ２０１７，２９，１６０１８６１，ＤＯＩ：１０．１００２／ａｄｍａ．２０１６０１８６１；Ａ．Ｒ．Ｂ．Ｍ．Ｙｕｓｏｆｆ，Ａ．Ｊ．Ｈｕｃｋａｂａ，Ｍ．Ｋ．Ｎａｚｅｅｒｕｄｄｉｎ，Ｔｏｐｉｃｓ ｉｎ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ（Ｚ）
２０１７，３７５：３９，１，ＤＯＩ：１０．１００７／ｓ４１０６１－０１７－０１２６－７；Ｔ．－Ｙ．Ｌｉ，Ｊ．Ｗｕｃ，Ｚ．－Ｇ．Ｗｕａ，Ｙ．－Ｘ．Ｚｈｅｎｇ，Ｊ．－Ｌ．Ｚｕｏ，Ｙ．Ｐａｎ，Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｒｅｖｉｅｗｓ ２０１８，３７４，５５，ＤＯＩ：１０．１０１６／ｊ．ｃｃｒ．２０１８．０６．０１４。
例えば、ＵＳ２０２０２７４０８１（Ａ１）、ＵＳ２００１００１９７８２（Ａ１）、ＵＳ２００２００３４６５６（Ａ１）、ＵＳ２００３０１３８６５７（Ａ１）、ＵＳ２００５１２３７９１（Ａ１）、ＵＳ２００６００６５８９０（Ａ１）、ＵＳ２００６０１３４４６２（Ａ１）、ＵＳ２００７００３４８６３（Ａ１）、ＵＳ２００７０１１１０２６（Ａ１）、ＵＳ２００７０３４８６３（Ａ１）、ＵＳ２００７１３８４３７（Ａ１）、ＵＳ２００８００２０２３７（Ａ１）、ＵＳ２００８０２９７０３３（Ａ１）、ＵＳ２００８２１０９３０（Ａ１）、ＵＳ２００９０１１５３２２（Ａ１）、ＵＳ２００９１０４４７２（Ａ１）、ＵＳ２０１００２４４００４（Ａ１）、ＵＳ２０１０１０５９０２（Ａ１）、ＵＳ２０１１００５７５５９（Ａ１）、ＵＳ２０１１２１５７１０（Ａ１）、ＵＳ２０１２２９２６０１（Ａ１）、ＵＳ２０１３１６５６５３（Ａ１）、ＵＳ２０１４０２４６６５６（Ａ１）、ＵＳ２００３００６８５２６（Ａ１）、ＵＳ２００５０１２３７８８（Ａ１）、ＵＳ２００５２６０４４９（Ａ１）、ＵＳ２００６０１２７６９６（Ａ１）、ＵＳ２００６０２０２１９４（Ａ１）、ＵＳ２００７００８７３２１（Ａ１）、ＵＳ２００７０１９０３５９（Ａ１）、ＵＳ２００７１０４９７９（Ａ１）、ＵＳ２００７２２４４５０（Ａ１）、ＵＳ２００８０２３３４１０（Ａ１）、ＵＳ２００８０５８５１（Ａ１）、ＵＳ２００９００３９７７６（Ａ１）、ＵＳ２００９０１７９５５５（Ａ１）、ＵＳ２０１０００９０５９１（Ａ１）、ＵＳ２０１００２９５０３２（Ａ１）、ＵＳ２００３００７２９６４（Ａ１）、ＵＳ２００５０２４４６７３（Ａ１）、ＵＳ２００６０００８６７０（Ａ１）、ＵＳ２００６０１３４４５９（Ａ１）、ＵＳ２００６０２５１９２３（Ａ１）、ＵＳ２００７０１０３０６０（Ａ１）、ＵＳ２００７０２３１６００（Ａ１）、ＵＳ２００７１０４９８０（Ａ１）、ＵＳ２００７２７８９３６（Ａ１）、ＵＳ２００８０２６１０７６（Ａ１）、ＵＳ２００８１６１５６７（Ａ１）、ＵＳ２００９０１０８７３７（Ａ１）、ＵＳ２００９０８５４７６（Ａ１）、ＵＳ２０１００１４８６６３（Ａ１）、ＵＳ２０１０１０２７１６（Ａ１）、ＵＳ２０１０２７０９１６（Ａ１）、ＵＳ２０１１０２０４３３３（Ａ１）、ＵＳ２０１１２８５２７５（Ａ１）、ＵＳ２０１３０３３１７２（Ａ１）、ＵＳ２０１３３３４５２１（Ａ１）、ＵＳ２０１４１０３３０５（Ａ１）、ＵＳ２００３０６８５３６（Ａ１）、ＵＳ２００３０８５６４６（Ａ１）、ＵＳ２００６２２８５８１（Ａ１）、ＵＳ２００６１９７０７７（Ａ１）、ＵＳ２０１１１１４９２２（Ａ１）、ＵＳ２０１１１１４９２２（Ａ１）、ＵＳ２００３０５４１９８（Ａ１）及びＥＰ２７３０５８３（Ａ１）は、本発明の文脈において燐光材料ＰＢに使用可能な燐光材料を開示する。これは、本発明が、命名された参照文献のうち１つに述べられた燐光材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるということを意味しないものと理解される。
ＵＳ２０２０２７４０８１（Ａ１）に示されたように、本発明のもののような有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するための燐光錯体の例は、下記に示した錯体を含む。再び、本発明がそれら実施例に限定されないということが理解される。










前述のように、熟練された技術者は、最新技術において使用される任意の燐光錯体が本発明の文脈における燐光材料ＰＢとして適していることを認識するであろう。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂに含まれたそれぞれの燐光材料ＰＢは、イリジウム（Ｉｒ）を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、好ましくは、発光層Ｂに含まれたそれぞれの燐光材料ＰＢは、イリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）を含む有機金属錯体である。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂに含まれた少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢは、イリジウム（Ｉｒ）を含む有機金属錯体である。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂに含まれた少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢは、白金（Ｐｔ）を含む有機金属錯体である。
また、燐光材料ＰＢの非限定的な例は、下記一般化学式ＰＢ－Ｉで表される化合物を含む：

ＰＢ－Ｉ。
化学式ＰＢ－Ｉにおいて、Ｍは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｅｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ａｇ及びＣｕからなる群から選択され、
ｎは、１～３の整数であり、
Ｘ２及びＹ１は、共にそれぞれの場合に互いに独立して、二座モノアニオン性リガンドを形成する。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂに含まれたそれぞれの燐光材料ＰＢは、下記化学式ＰＢ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなる：

ＰＢ－Ｉ
ここで、Ｍは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｅｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ａｇ及びＣｕからなる群から選択され、
ｎは、１～３の整数であり、
Ｘ２及びＹ１は、共にそれぞれの場合に互いに独立して、二座モノアニオン性リガンドを形成する。
化学式ＰＢ－Ｉで表される化合物の例は、下記化学式ＰＢ－ＩＩまたは化学式ＰＢ－ＩＩＩで表される化合物を含む：

ＰＢ－ＩＩ


ＰＢ－ＩＩＩ
化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、Ｘ’は、Ｍに炭素（Ｃ）結合された芳香族環であり、Ｙ’は、Ｍに窒素（Ｎ）配位されて環を形成する環である。
Ｘ’とＹ’は結合され、Ｘ’とＹ’は、新たな環を形成することができる。化学式ＰＢ－ＩＩＩにおいて、Ｚ３は、２つの酸素（Ｏ）を有する二座リガンドである。化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、Ｍは、高効率及び長寿命の観点から、好ましくは、Ｉｒである。
化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、芳香族環Ｘ’は、例えば、Ｃ６－Ｃ３０アリール、好ましくは、Ｃ６－Ｃ１６アリール、より好ましくは、Ｃ６－Ｃ１２アリール、特に好ましくは、Ｃ６－Ｃ１０アリールであり、ここで、Ｘ’は、それぞれの場合に任意に１以上の置換基ＲＥで置換される。
化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、Ｙ’は、例えば、Ｃ２－Ｃ３０ヘテロアリール、好ましくは、Ｃ２－Ｃ２５ヘテロアリール、より好ましくは、Ｃ２－Ｃ２０ヘテロアリール、より一層好ましくは、Ｃ２－Ｃ１５ヘテロアリール、特に好ましくは、Ｃ２－Ｃ１０ヘテロアリールであり、ここで、Ｙ’は、それぞれの場合に任意に１以上の置換基ＲＥで置換される。また、Ｙ’は、例えば、任意に１以上の置換基ＲＥで置換されるＣ１－Ｃ５ヘテロアリールであってもよい。
化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、２つの酸素（Ｏ）を有する二座リガンドＺ３は、例えば、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ３０二座リガンド、好ましくは、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ２５二座リガンド、より好ましくは、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ２０二座リガンド、より一層好ましくは、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ１５二座リガンド、特に好ましくは、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ１０二座リガンドであり、ここで、Ｚ３は、それぞれの場合に任意に１以上の置換基ＲＥで置換される。また、Ｚ３は、例えば、任意に１以上の置換基ＲＥで置換される２つの酸素を有するＣ２－Ｃ５二座リガンドであっ
てもよい。
ＲＥは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｒ５Ｅ）２、ＯＲ５Ｅ、ＳＲ５Ｅ、Ｓｉ（Ｒ５Ｅ）３、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ５Ｅで任意に置換され、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ５ＥＣ＝ＣＲ５Ｅ、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５Ｅ）２、Ｇｅ（Ｒ５Ｅ）２、Ｓｎ（Ｒ５Ｅ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５Ｅ、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５Ｅ）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５Ｅ、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５Ｅで任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ５Ｅで任意に置換され、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ５ＥＣ＝ＣＲ５Ｅ、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５Ｅ）２、Ｇｅ（Ｒ５Ｅ）２、Ｓｎ（Ｒ５Ｅ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５Ｅ、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５Ｅ）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５Ｅ、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５Ｅで任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ５Ｅで任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ５Ｅで任意に置換される。
Ｒ５Ｅは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｒ６Ｅ）２、ＯＲ６Ｅ、ＳＲ６Ｅ、Ｓｉ（Ｒ６Ｅ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ６Ｅで任意に置換され、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ６ＥＣ＝ＣＲ６Ｅ、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ６Ｅ）２、Ｇｅ（Ｒ６Ｅ）２、Ｓｎ（Ｒ６Ｅ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ６Ｅ、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ６Ｅ）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ６Ｅ、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ６Ｅで任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ６Ｅで任意に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ６Ｅで任意に置換される。
Ｒ６Ｅは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）。
置換基ＲＥ、Ｒ５ＥまたはＲ６Ｅは、互いに独立して任意に１以上の置換基ＲＥ、Ｒ５Ｅ、Ｒ６Ｅ及び／またはＸ’、Ｙ’及びＺ３と共に、単環または多環、脂肪族環系、芳香族環系、ヘテロ芳香族環系を形成することができる。
化学式ＰＢ－ＩＩで表される化合物の非限定的な例には、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３、Ｉｒ（ＰＰｙ）２（ｍ－ｂｐｐｙ）、ＢｔｐＩｒ（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（２－ｐｈｑ）３、Ｈｅｘ－Ｉｒ（ｐｈｑ）３、Ｉｒ（ｆｂｉ）２（ａｃａｃ）、ｆａｃ－トリス（２－（３－ｐ－キシリル）フェニル）ピリジンイリジウム（ＩＩＩ）、Ｅｕ（ｄｂｍ）３（Ｐｈｅｎ）、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（Ｆｉｑ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（Ｆｌｑ）２（ａｃａｃ）、Ｒｕ（ｄｔｂ－ｂｐｙ）３・２（ＰＦ６）、Ｉｒ（２－ｐｈｑ）３、Ｉｒ（ＢＴ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ＤＭＰ）３、Ｉｒ（Ｍｐｑ）３、Ｉｒ（ｐｈｑ）２ｔｐｙ、ｆａｃ－Ｉｒ（ｐｐｙ）２Ｐｃ、Ｉｒ（ｄｐ）ＰＱ２、Ｉｒ（Ｄｐｍ）（Ｐｉｑ）２、Ｈｅｘ－Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）、Ｈｅｘ－Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｉｒ（ｄｍｐｑ）３、Ｉｒ（ｄｍｐｑ）２（ａｃａｃ）、ＦＰＱＩｒｐｉｃなどがある。
化学式ＰＢ－ＩＩで表される化合物の他の非限定的な例は、下記化学式ＰＢ－ＩＩ－１～ＰＢ－ＩＩ－１１で表される化合物を含む。構造式において、「Ｍｅ」は、メチル基を示す。


化学式ＰＢ－ＩＩＩで表される化合物の他の非限定的な例は、下記化学式ＰＢ－ＩＩＩ－１～ＰＢ－ＩＩＩ－６で表される化合物を含む。構造式において、「Ｍｅ」は、メチル基を示す。
また、ＵＳ２００３０１７３６１（Ａ１）、ＵＳ２００４２６２５７６（Ａ１）、ＷＯ２０１００２７５８３（Ａ１）、ＵＳ２０１９２４５１５３（Ａ１）、ＵＳ２０１３１１９３５４（Ａ１）、ＵＳ２０１９２３３４５１（Ａ１）に記載されたイリジウム錯体を使用することができる。燐光材料の高効率観点から、Ｉｒ（ｐｐｙ）３とＨｅｘ－Ｉｒ（ｐｐｙ）３が緑色発光によく使用される。
エキシプレックス
ＴＡＤＦ材料は、逆項間交差（ＲＩＳＣ）を介して、励起三重項状態（好ましくは、Ｔ１）を励起一重項状態（好ましくは、Ｓ１）に変換することができると明示されてきた。また、これは、典型的に小さいΔＥＳＴ値を必要とし、これは、定義上ＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、０．４ｅＶより小さいと明示されてきた。また、前述のように、これは、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯがそれぞれ（電子）ドナー基及び（電子）アクセプター基で空間的に大きく分離されるようにＴＡＤＦ分子ＥＢを設計することによって達成される。しかし、ΔＥＳＴ値が小さい種に達するための他の戦略は、エキシプレックスを形成することである。当業者に知られているように、エキシプレックスは、ドナー分子とアクセプター分子との間に形成された励起状態電荷移動複合体（すなわち、励起状態ドナー・アクセプター複合体）である。当業者は、エキシプレックスにおいて（ドナー分子上の）ＨＯＭＯと（アクセプター分子上の）ＬＵＭＯとの空間的分離が典型的に多少小さいΔＥＳＴ値を有するようにし、励起三重項状態（好ましくは、Ｔ１）を励起一重項状態（好ましくは、Ｓ１）に逆項間交差（ＲＩＳＣ）を介して切り替えることができることを理解する。
実際に、当業者に知られているように、ＴＡＤＦ材料は、前述のように単にそれもので励起三重項状態から励起一重項状態にＲＩＳＣ可能であり、ＴＡＤＦの後続発光を有する材料ではない。また、ＴＡＤＦ材料は、事実上２つの材料、好ましくは、２つのホスト材料ＨＢ、より好ましくは、ｐ－ホスト材料ＨＰ及びｎ－ホスト材料ＨＮ（以下参照）から形成されるエキシプレックスであることが当業者に周知であり、ホスト材料ＨＢ（典型的に、ＨＰ及びＨＮ）自体がＴＡＤＦ材料であるものと理解される。
当業者は、同一層、特に同一のＥＭＬに含まれた任意の材料だけでなく、隣接した層に含まれており、それら隣接した層間の界面で非常に近接する材料が共にエキシプレックスを形成することができることを理解する。当業者は、エキシプレックスを形成する材料の対、特にｐ－ホストＨＰ及びｎ－ホストＨＮの対を選択する方法、及び材料の対の２つの成分に対するＨＯＭＯ及び／またはＬＵＭＯエネルギーレベル要求事項を含む選択基準が分かっている。すなわち、エキシプレックス形成が要求される場合、１つの成分、例えば、ｐ－ホスト材料ＨＰの最高被占軌道（ＨＯＭＯ）は、他の成分、例えば、ｎ－ホスト材料ＨＮのＨＯＭＯよりエネルギーが少なくとも０．２０ｅＶより高く、１つの成分、例えば、ｐ－ホスト材料ＨＰの最低空軌道（ＬＵＭＯ）は、他の成分、例えば、ｎ－ホスト材料ＨＮのＬＵＭＯよりエネルギーが少なくとも０．２０ｅＶより高い。
有機エレクトロルミネッセンス素子、特にＯＬＥＤのＥＭＬにエキシプレックスが存在する場合、エキシプレックスは、エミッタ材料の機能を有し、電圧と電流が素子に印加されれば発光することができるというのは、当業者の常識に属する。最新技術から、また典型的に知られているように、エキシプレックスは、非放射性であり、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子のＥＭＬに含まれた場合、励起エネルギーをエミッタ材料に伝達することができる。したがって、ＲＩＳＣにより、励起三重項状態を励起一重項状態に切り替え可能なエキシプレックスは、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び／またはＥＥＴ－２としても使用される。
エキシプレックスを共に形成可能なホスト材料ＨＢの非限定的な例が下記に示されてお
り、ここで、ドナー分子（すなわち、ｐ－ホストＨＰ）は、以下の構造から選択される：
アクセプター分子（すなわち、ｎ－ホストＨＮ）は、以下の構造から選択される：



エキシプレックスは、本発明の文脈において発光層Ｂに含まれた任意の材料、例えば、異なる励起エネルギー伝達成分（ＥＥＴ－１及び／またはＥＥＴ－２）だけでなく、励起エネルギー伝達成分（ＥＥＴ－１及び／またはＥＥＴ－２）及び小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、またはホスト材料ＨＢ及び励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１またはＥＥＴ－２または小さいＦＷＨＭエミッタＳＢから形成されることが理解される。好ましくは、しかし、それらは、前述のように異なるホスト材料ＨＢから形成される。また、エキシプレックスが形成され、励起エネルギー伝達成分（ＥＥＴ－１及び／またはＥＥＴ－２）それもので作用しないこともあるということも理解される。
小さいＦＷＨＭエミッタＳ Ｂ
本発明による小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢは、典型的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ中の１～５重量％、特に２重量％のエミッタを有するスピンコーティング膜から測定されたＦＷＨＷが０．２５ｅＶ以下（≦０．２５）を示す発光スペクトルを有する任意のエミッタでもある。代案としては、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの発光スペクトルは、典型的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢがある溶液で測定されうる。
本発明の好ましい実施形態において、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でＰＭＭＡ中の１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢを有するスピンコーティング膜から測定された≦０．２４ｅＶ、より好ましくは、≦０．２３ｅＶ、より一層好ましくは、≦０．２２ｅＶ、≦０．２１ｅＶ、または≦０．２０ｅＶのＦＷＨ
Ｍを示す発光スペクトルを有する任意のエミッタである。代案としては、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの発光スペクトルは、典型的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢがある溶液で測定されうる。本発明の他の実施形態において、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、≦０．１９ｅＶ、≦０．１８ｅＶ、≦０．１７ｅＶ、≦０．１６ｅＶ、≦０．１５ｅＶ、≦０．１４ｅＶ、≦０．１３ｅＶ、≦０．１２ｅＶ、または≦０．１１ｅＶのＦＷＨＭを示す。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、４４０ｎｍ～４７０ｎｍの波長範囲の最大発光で発光する。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、５００ｎｍ～５６０ｎｍの波長範囲の最大発光で発光する。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、６１０ｎｍ～６６５ｎｍの波長範囲の最大発光で発光する。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、４４０ｎｍ～４７０ｎｍの波長範囲の最大発光で発光する。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、５００ｎｍ～５６０ｎｍの波長範囲の最大発光で発光する。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、６１０ｎｍ～６６５ｎｍの波長範囲の最大発光で発光する。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれたＴＡＤＦ材料ＥＢは、任意に０．２５ｅＶ以下（≦０．２５ｅＶ）のＦＷＨＭを示す発光スペクトルを有するエミッタでもある。任意に、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれたＴＡＤＦ材料ＥＢは、また、前述の波長範囲（すなわち、４００ｎｍ～４７０ｎｍ、５００ｎｍ～５６０ｎｍ、６１０ｎｍ～６６５ｎｍ）内で最大発光を示すことができる。
本発明の一実施形態において、下記式（２９）～（３１）で表される関係のうち１つが適用される：
４４０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜４７０ｎｍ （２９）
５１０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜５５０ｎｍ （３０）
６１０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜６６５ｎｍ （３１）
ここで、λｍａｘ（ＳＢ）は、本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光を示す。
一実施形態において、式（２９）～（３１）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の１以上の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（２９）～（３１）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、有機エミッタであり、これは、本発明の文脈においていかなる遷移金属も含まないということを意味する。好ましくは、本発明による小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、主に水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）及びボロン（Ｂ）から構成されるが、例えば、酸素（Ｏ）、シリコン（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）及び臭素（Ｂｒ）を含んでもよい。
本発明の好ましい実施形態において、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、蛍光エミッタであり、これは、本発明の文脈において、（例えば、本発明による光電子素子において）電子励起時にエミッタが常温で発光することができ、ここで、発光励起状態は一重項状態であることを意味する。
本発明の一実施形態において、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、５０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の好ましい実施形態において、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、６０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより好ましい実施形態において、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、７０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより一層好ましい実施形態において、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、８０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の特に好ましい実施形態において、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、９０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の一実施形態において、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、５０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の好ましい実施形態において、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、６０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより好ましい実施形態において、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、７０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより一層好ましい実施形態において、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、８０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の特に好ましい実施形態において、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、９０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
当業者は、前述の要件または好ましい特徴を満たす小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを設計する方法が分かっている。
本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを提供するのに適している部類の分子は、周知の４，４－ジフルオロ－４－ボラ－３ａ，４ａ－ジアザ－ｓ－インダセン（ＢＯＤＩＰＹ）系材料であり、有機エレクトロルミネッセンス素子におけるその構造的特徴及び応用が詳細に検討されており、当業者に典型的な知識である。また、最新技術は、そのような材料が合成される方法及び特定の発光色相を有するエミッタに達する方法を示す。
例えば、下記を参照する：Ｊ．Ｌｉａｏ，Ｙ．Ｗａｎｇ，Ｙ．Ｘｕ，Ｈ．Ｚｈａｏ，Ｘ．Ｘｉａｏ，Ｘ．Ｙａｎｇ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ ２０１５，７１（３１），５０７８，ＤＯＩ：１０．１０１６／ｊ．ｔｅｔ．２０１５．０５．０５４；Ｂ．ＭＳｑｕｅｏ，Ｍ．Ｐａｓｉｎｉ，Ｓｕｐｒａｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ２０２０，３２（１），５６－７０，ＤＯＩ：１０．１０８０／１０６１０２７８．２０１９．１６９１７２７；Ｍ．Ｐｏｄｄａｒ，Ｒ．Ｍｉｓｒａ，Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｒｅｖｉｅｗｓ ２０２０，４２１，２１３４６２－２１３４８３；ＤＯＩ：１０．１０１６／ｊ．ｃｃｒ．２０２０．２１３４６２。
また、熟練された技術者は、下記に示したＢＯＤＩＰＹ基本構造が、
例えば、分子間π－π相互作用及び関連した自己消光により、有機エレクトロルミネッセンス素子のエミッタとして理想的に適していないという事実に慣れている。
前述のＢＯＤＩＰＹコア構造に置換基として体積の大きい基を付着することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子にさらに適しているエミッタ分子に達することができるということは当業者に常識である。そのような体積の大きい基は、例えば、（多くの他のもののうち）アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはアルコキシ置換基または縮合された多環芳香族またはヘテロ芳香族でもあり、それらはいずれも任意に置換される。ＢＯＤＩＰＹコアにおいて好適な置換基の選択は、熟練された技術者に明白であり、最新技術から容易に誘導されてもよい。そのような分子の合成及び後続変形のために確立されてきた多数の合成経路に対しても同様である。
例えば、下記を参照する：ＢＭ Ｓｑｕｅｏ，Ｍ．Ｐａｓｉｎｉ， Ｓｕｐｒａｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ２０２０，３２（１），５６－７０，ＤＯＩ：１０
．１０８０／１０６１０２７８．２０１９．１６９１７２７；Ｍ．Ｐｏｄｄａｒ，Ｒ．Ｍｉｓｒａ，Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｒｅｖｉｅｗｓ ２０２０，４２１，２１３４６２－２１３４８３；ＤＯＩ：１０．１０１６／ｊ．ｃｃｒ．２０２０．２１３４６２。
本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして適しているＢＯＤＩＰＹ系エミッタの例を下記に示した：



これは、前述のところと異なる構造的特徴を有するＢＯＤＩＰＹ誘導体が本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして適していないということを意味しないものと理解される。例えば、ＵＳ２０２０２５１６６３（Ａ１）、ＥＰ３６７１８８４（Ａ１）、ＵＳ２０１６０２３０９６０（Ａ１）、ＵＳ２０１５０３０３３７８（Ａ１）に開示されたＢＯＤＩＰＹ由来構造またはその誘導体は、本発明による使用に適している小さいＦＷＨＭエミッタＳＢであってもよい。
また、ＢＯＤＩＰＹコア構造の中心ボロン原子に付着されたフッ素置換基のうち１つまたは両方を、酸素原子を介して付着され、好ましくは、フッ素（Ｆ）またはトリフルオロメチル（ＣＦ３）のような電子求引置換基で任意に置換されるアルコキシ基またはアリールオキシ基に代替することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子用エミッタに達することができるということが当業者に公知されている。そのような分子は、例えば、ＵＳ２０１２０３７８９０（Ａ１）に開示されており、当業者は、そのようなＢＯＤＩＰＹ関連化合物が本発明の文脈における好適な小さいＦＷＨＭエミッタＳＢであることを理解する。そのようなエミッタ分子の例が下記に示されており、これは、下記に示された構造のみが本発明の文脈における好適な小さいＦＷＨＭエミッタＳＢであるということを意味しない：
また、ＵＳ２０１９０２８８２２１（Ａ１）に開示されたＢＯＤＩＰＹ関連ボロン含有エミッタは、本発明による使用に適している小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを提供することができる一群のエミッタを構成する。
本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを提供するのに適している他の部類の分子は、ＮＲＣＴ（ｎｅａｒ－ｒａｎｇｅ－ｃｈａｒｇｅ－ｔｒａｎｓｆｅｒ）エミッタである。
典型的なＮＲＣＴエミッタは、時間分解フォトルミネセンススペクトルで遅延された成分を示し、近距離ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ分離を示すものと文献に説明されている。以下の例示を参照する：Ｔ．Ｈａｔａｋｅｙａｍａ，Ｋ．Ｓｈｉｒｅｎ，Ｋ．Ｎａｋａｊｉｍａ，Ｓ．Ｎｏｍｕｒａ，Ｓ．Ｎａｋａｔｓｕｋａ，Ｋ．Ｋｉｎｏｓｈｉｔａ，Ｊ．Ｎｉ，Ｙ．Ｏｎｏ，ａｎｄ Ｔ．Ｉｋｕｔａ，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１６，２８（１４），２７７７，ＤＯＩ：１０．１００２／ａｄｍａ．２０１５０５４９１。
典型的なＮＲＣＴエミッタは、発光スペクトルで１つの発光バンドのみを示し、典型的
な蛍光エミッタは、振動進行（ｖｉｂｒａｔｉｏｎａｌ ｐｒｏｇｒｅｓｓｉｏｎ）により、複数の固有な発光バンドを示す。
熟練された技術者は、本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして適しているＮＲＣＴエミッタを設計及び合成する方法が分かっている。例えば、ＥＰ３１０９２５３（Ａ１）に開示されたエミッタは、本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとしても使用される。
また、例えば、ＵＳ２０１４０５８０９９（Ａ１）、ＵＳ２００９２９５２７５（Ａ１）、ＵＳ２０１２３１９０５２（Ａ１）、ＥＰ２１８２０４０（Ａ２）、ＵＳ２０１８０６９１８２（Ａ１）、ＵＳ２０１９３９３４１９（Ａ１）、ＵＳ２０２０００６６７１（Ａ１）、ＵＳ２０２００９８９９１（Ａ１）、ＵＳ２０２０１７６６８４（Ａ１）、ＵＳ２０２０１６１５５２（Ａ１）、ＵＳ２０２０２２７６３９（Ａ１）、ＵＳ２０２０１８５６３５（Ａ１）、ＥＰ３６８６２０６（Ａ１）、ＥＰ３６８６２０６（Ａ１）、ＷＯ２０２０２１７２２９（Ａ１）、ＷＯ２０２０２０８０５１（Ａ１）及びＵＳ２０２０３２８３５１（Ａ１）は、本発明による使用のための小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして適しているエミッタ材料を開示する。
本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能な一群のエミッタは、下記化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなるボロン（Ｂ）含有エミッタである：

ＤＡＢＮＡ－Ｉ

ここで、
それぞれの環Ａ’、環Ｂ’及び環Ｃ’は、互いに独立して、それぞれ５～２４個の環原子を含む芳香族環またはヘテロ芳香族環を示し、そのうち、ヘテロ芳香族環の場合、１～３個の環原子は、互いに独立して、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｅから選択されるヘテロ原子であり、ここで、
それぞれの芳香族環またはヘテロ芳香族環Ａ’、Ｂ’及びＣ’において、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して置換基ＲＤＡＢＮＡ－１によって置換され、これは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－２、ＳＲＤＡＢＮＡ－２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－２、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、及び
４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ＲＤＡＢＮＡ－２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－６、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮ
Ａ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、及び
４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－１及びＲＤＡＢＮＡ－２から選択される２以上の隣接した置換基は、任意に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに任意に縮合される追加環）は、合計で８～３０個の環原子を含み、
Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して、直接（単一）結合、ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｏ、Ｓ、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、ＢＲＤＡＢＮＡ－３及びＳｅから選択され、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－４、ＳＲＤＡＢＮＡ－４、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－４）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－４、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ
－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、及び
４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ＲＤＡＢＮＡ－４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－５、ＳＲＤＡＢＮＡ－５、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－５）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－５、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢ
ＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、及び
４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ＲＤＡＢＮＡ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－６、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、及び
４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４及びＲＤＡＢＮＡ－５から選択される２以上の隣接した置換基は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された縮合環系は、合計で８～３０個の環原子を含み、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、ＯＰｈ（Ｐｈ＝フェニル）、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｃ１－Ｃ５アルキル）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリール置換基によって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリール置換基によって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、Ｙａ及びＹｂのうち１つ、またはＹａ及びＹｂのうち両方がＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３である場合、１つまたは２つの置換基ＲＤＡＢＮＡ－３は、任意に互いに独立して、隣接した環Ａ’及びＢ’（Ｙａ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３）、またはＡ’及びＣ’（Ｙｂ＝ＮＲＤＡＢ
ＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３）の１つまたは両方に直接（単一）結合、あるいはそれぞれの場合に独立して、ＮＲＤＡＢＮＡ－１、Ｏ、Ｓ、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－１）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－１）２、ＢＲＤＡＢＮＡ－１及びＳｅから選択される連結原子または原子基を介して結合することができ、
ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造が互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造がエミッタ内に存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、環は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の一部でもある）、環は、好ましくは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの環Ａ’、Ｂ’及びＣ’のうちいずれか１つであるが、また、ＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６、特にＲＤＡＢＮＡ－３から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述の２以上の隣接した置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、環を共有する化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２以上の構造の同一のまたは異なるモイエティを構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、エミッタ内に任意に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の環Ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、エミッタ内に任意に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの１つの構造の環Ｂ’及び他の構造の環Ｃ’でもある）、
ここで、任意に少なくとも１つのＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６が、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、任意に少なくとも１つのＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６の少なくとも１つの水素原子が、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造からなる。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造からなる。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ａ’、Ｂ’及びＣ’が全てそれぞれ６個の環原子を有する芳香族環（すなわち、全てベンゼン環）である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにお
いて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して、ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｏ、Ｓ、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２及びＳｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２から選択される。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して、ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｏ及びＳから選択される。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して、ＮＲＤＡＢＮＡ－３及びＯから選択される。
本発明の特に好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｙａ及びＹｂは、両方ともＮＲＤＡＢＮＡ－３である。
本発明の特に好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して同一であり、両方ともＮＲＤＡＢＮＡ－３である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－２、ＳＲＤＡＢＮＡ－２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－１及びＲＤＡＢＮＡ－２から選択される２以上の隣接した置換基は、任意に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに任意に縮合される追加環）は、合計で８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－２、ＳＲＤＡＢＮＡ－２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－１及びＲＤＡＢＮＡ－２から選択される２以上の隣接した置換基は、任意に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに任意に縮合される追加環）は、合計で８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－２、ＳＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｐｈ、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、２以上の隣接したＲＤＡＢＮＡ－１は、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに任意に縮合される追加環）は、合計で８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、
Ｐｈ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ここで、２以上の隣接した置換基ＲＤＡＢＮＡ－１は、任意に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに任意に縮合される追加環）は、合計で８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
Ｐｈ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
カルバゾリル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
トリアジニル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ピリミジニル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ピリジニル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ここで、２以上の隣接した置換基ＲＤＡＢＮＡ－１は、任意に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに任意に縮合される追加環）は、合計で８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにお
いて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ＲＤＡＢＮＡ－１及びＲＤＡＢＮＡ－２から選択された隣接した置換基は、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ４アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－５、ＳＲＤＡＢＮＡ－５、Ｓｉ（Ｃ１－Ｃ５アルキル）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４及びＲＤＡＢＮＡ－５から選択される２以上の隣接した置換基は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された縮合環系は、合計で８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ４アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３及びＲＤＡＢＮＡ－４から選択される２以上の隣接した置換基は、互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ４アルキル、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３及びＲＤＡＢＮＡ－４から選択される２以上の隣接した置換基は、互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３から選択された２以上の隣接した置換基は、互いに単環または
多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｐｈ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３から選択された２以上の隣接した置換基は、互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、ＯＰｈ（Ｐｈ＝フェニル）、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｃ１－Ｃ５アルキル）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリールで置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリールで置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ（Ｐｈ＝フェニル）、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＰｈで置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰ
ｒ、ｔＢｕ、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＰｈで置換される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
Ｐｈ、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕまたはＰｈで置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕまたはＰｈで置換される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
Ｐｈ、
ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕまたはＰｈによって置換される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｙａ及び／またはＹｂがＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３である場合、１つまたは２つの置換基ＲＤＡＢＮＡ－３は、１つまたは２つの隣接した環Ａ’及びＢ’（Ｙａ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３の場合）、またはＡ’及びＣ’（Ｙｂ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３）と結合しない。
一実施形態において、本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、任意に、前述の化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの多量体（例えば、二量体）でもあり、これは、それらの構造が１以上のサブユニットを含み、それらそれぞれは化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を有するということを意味する。この場合、当業者は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる２以上のサブユニットが、例えば、接合可能であり、好ましくは、互いに縮合可能であることを理解するであろう（すなわち、少なくとも１つの結合を共有し、ここで、その結合を形成する原子に付着されたそれぞれの置換基がそれ以上存在しない）。また、２以上のサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有することができる。これは、例えば、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢがそれぞれ化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造を有する２以上のサブユニットを含むということを意味し、ここで、それら２つのサブユニットは、１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有する（すなわち、それぞれの環は、２つのサブユニットの一部である）。その結果、それぞれの多量体（例えば、二量体）エミッタＳＢは、共有環が一回のみ存在し、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる２つの全体サブユニットを含まない。それにもかかわらず、当業者は、本願においてエミッタが依然として化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの多量体（例えば、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉ
の構造を有する２つのサブユニットが含まれる場合、二量体）と見なされることを理解するであろう。１以上の環を共有する多量体に対しても同様である。多量体は、それぞれ化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造を有する２つのサブユニットを含む二量体であることが好ましい。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、前述のように、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの二量体であり、これは、エミッタがそれぞれ化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を有する２つのサブユニットを含むことを意味する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、２以上、好ましくは、正確に２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、それらサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、環は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の一部でもある）、ここで、共有環は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの環Ａ’、Ｂ’及びＣ’のうちいずれか１つでもあるが、ＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６、特にＲＤＡＢＮＡ－３から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の隣接した置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、環を共有する化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２以上の構造の同一のまたは異なるモイエティを構成することができる（すなわち、共有環は、例えば、エミッタ内に任意に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の環Ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、エミッタ内に任意に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの１つの構造の環Ｂ’及び他の構造の環Ｃ’であってもよい）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、２以上、好ましくは、正確に２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６のうち少なくとも１つが、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、ＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明による小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能な、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなるエミッタの非限定的な例が下記に示されている：














































本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能な一群のエミッタは、下記化学式ＢＮＥ－１による構造またはその多量体を含むか、あるいはそれからなるエミッタである：

ＢＮＥ－１
ここで、
ｃ及びｄは、両方とも整数であり、互いに独立して０及び１から選択され、
ｅ及びｆは、両方とも整数であり、０及び１から選択され、ここで、ｅ及びｆは（常に）同一であり（すなわち、両方とも０であるか、または両方とも１である）、
ｇ及びｈは、両方とも整数であり、０及び１から選択され、ここで、ｇ及びｈは（常に）同一であり（すなわち、両方とも０であるか、または両方とも１である）、
ｄが０であれば、ｅ及びｆは、両方とも１であり、ｄが１であれば、ｅ及びｆは、両方とも０であり、
ｃが０であれば、ｇ及びｈは、両方とも１であり、ｃが１であれば、ｇ及びｈは、両方とも０であり、
Ｖ１は、窒素（Ｎ）及びＣＲＢＮＥ－Ｖから選択され、
Ｖ２は、窒素（Ｎ）及びＣＲＢＮＥ－Ｉから選択され、
Ｘ３は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－３、ＮＲＢＮＥ－３、Ｏ、ＳｉＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｙ２は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－３’、ＮＲＢＮＥ－３’、Ｏ、ＳｉＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＲＢＮＥ－６、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－６）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－６、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
ＲＢＮＥ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、ＰｈまたはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、任意に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによ
って互いに縮合され、
ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは異なるモイエティを構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、任意にエミッタ内に含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、任意にエミッタ内に含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、任意に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つは、化学式ＢＮＥ－１による構造からなる。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造からなる。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、Ｖ１はＣＲＢＮＥ－Ｖであり、Ｖ２はＣＲＢＮＥ－Ｉである。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、Ｖ１及びＶ２は、
両方とも窒素（Ｎ）である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、Ｖ１は窒素（Ｎ）であり、Ｖ２はＣＲＢＮＥ－Ｉである。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、Ｖ１はＣＲＢＮＥ－Ｖであり、Ｖ２は窒素（Ｎ）である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ｃ及びｄは、両方とも０である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ｃは０であり、ｄは１である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ｃは１であり、ｄは０である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ｃ及びｄは、両方とも１である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｘ３は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｃ＝Ｏ、ＮＲＢＮＥ－３、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４からなる群から選択され、
Ｙ２は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｃ＝Ｏ、ＮＲＢＮＥ－３’、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’からなる群から選択される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｘ３は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、ＮＲＢＮＥ－３、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４からなる群から選択され、
Ｙ２は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、ＮＲＢＮＥ－３’、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’からなる群から選択される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｘ３は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、ＮＲＢＮＥ－３、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４からなる群から選択され、
Ｙ２は、直接結合である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｘ３は、直接結合またはＮＲＢＮＥ－３であり、
Ｙ２は、直接結合である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｘ３は、ＮＲＢＮＥ－３であり、
Ｙ２は、直接結合である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、Ｎ
ＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＲＢＮＥ－６、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－６）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－６、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
ＲＢＮＥ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、ＰｈまたはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、任意に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタ内に存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは異なるモイエティを構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、任意にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、任意にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、任意に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－
６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、任意に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ１８アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ３０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ２９ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ１８アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ３０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ２９ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ１８アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、Ｎ
ＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ３０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ２９ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、任意に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構
造の同一のまたは異なるモイエティを構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、任意にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、任意にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、任意に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、任意に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、任意に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは異なるモイエティを構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、任意にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、任意にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、任意に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、任意に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、任意に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは異なるモイエティを構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、任意にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、任意にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、任意に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、任意に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは結合して直接単結合を形成する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは結合して直接単結合を形成しない。
一実施形態において、本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして適している蛍光エミッタは、任意に、前述の化学式ＢＮＥ－１の多量体（例えば、二量体）でもあり、これは、それらの構造が１以上のサブユニットを含み、それらそれぞれは化学式ＢＮＥ－１による構造を有するということを意味する。この場合、当業者は、化学式ＢＮＥ－１による２以上のサブユニットが、例えば、接合可能であり、好ましくは、互いに縮合可能であることを理解するであろう（すなわち、少なくとも１つの結合を共有し、ここで、その結合を形成する原子に付着されたそれぞれの置換基がそれ以上存在しない）。また
、２以上のサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有することができる。これは、例えば、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢがそれぞれ化学式ＢＮＥ－１の構造を有する２以上のサブユニットを含むということを意味し、ここで、それら２つのサブユニットは、１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有する（すなわち、それぞれの環は、２つのサブユニットの一部である）。その結果、それぞれの多量体（例えば、二量体）エミッタＳＢは、共有環が一回のみ存在し、化学式ＢＮＥ－１による２つの全体サブユニットを含まない。それにもかかわらず、当業者は、本願においてエミッタが依然として化学式ＢＮＥ－１の多量体（例えば、化学式ＢＮＥ－１の構造を有する２つのサブユニットが含まれる場合、二量体）と見なされることを理解するであろう。１以上の環を共有する多量体に対しても同様である。多量体は、それぞれ化学式ＢＮＥ－１の構造を有する２つのサブユニットを含む二量体であることが好ましい。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、前述のように、化学式ＢＮＥ－１の二量体であり、これは、エミッタがそれぞれ化学式ＢＮＥ－１による構造を有する２つのサブユニットを含むということを意味する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、２以上、好ましくは、正確に２つの、化学式ＢＮＥ－１による構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、それら２つのサブユニットは、接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、２以上、好ましくは、正確に２つの、化学式ＢＮＥ－１による構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、それら２つのサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環（すなわち、環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部である）を共有し、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは異なるモイエティを構成することができる（すなわち、共有環は、例えば、任意にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、任意にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’であってもよい）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、２以上、好ましくは、正確に２つの、化学式ＢＮＥ－１による構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化
学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、任意に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタとして使用可能な、前述の化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなる蛍光エミッタの非限定的な例が下記に示されている：











Figure 2023541978000200
Figure 2023541978000202
Figure 2023541978000204







Figure 2023541978000213

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Figure 2023541978000289
化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなる小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの合成は、熟練された技術者に公知された標準反応及び反応条件を介して達成されうる。
典型的に、合成は、遷移金属触媒化された交差カップリング反応及びホウ素化反応を含み、それらは熟練された技術者に公知されている。
例えば、ＷＯ２０２０１３５９５３（Ａ１）は、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなる小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを合成する方法を開示する。また、ＵＳ２０１８０４７９１２（Ａ１）は、特に、ｃ及びｄが０である化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなる小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを合成する方法を開示する。
また、ＵＳ２０１８０４７９１２（Ａ１）及びＷＯ２０２０１３５９５３（Ａ１）に開示されたエミッタは、本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能であるということが理解される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉまたは化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなる。熟練された技術者は、これを、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢが発光層Ｂに存在する場合、それらが全て化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなってもよく、それらが全て化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなってもよく、一部は化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、他の一部は化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなってもよいことを意味すると理解する。
蛍光エミッタを設計する１つのアプローチは、蛍光の多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造の使用に依存する。後者は、本発明の文脈において、１以上の芳香族環またはヘテロ芳香族環、好ましくは、２以上の環を含む任意の構造であり、これは、より好ましくは、互いに縮合されるか、あるいは１以上の直接結合または連結原子を介して連結されている。すなわち、蛍光コア構造は、少なくとも１つ、好ましくは、単に１つの剛性共役（ｒｉｇｉｄ ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ）π－システムを含む。
熟練された技術者は、例えば、ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）から、蛍光エミッタのためのコア構造を選択する方法が分かっている。蛍光エミッタの典型的なコア構造の例は、下記に示されており、ここで、これは、そのようなコアのみが本発明による使用に好適な小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを提供することができることを意味しない：








文脈において、蛍光コア構造という用語は、コアを含む全ての分子が潜在的に蛍光エミッタとして使用可能であることを示す。当業者は、そのような蛍光エミッタのコア構造が任意に置換されていてもよく、どのような置換基がそれと係わって適しているかを、例えば、下記例示から分かる：ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１），Ｍ．Ｚｈｕ．Ｃ．Ｙａｎｇ，Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｒｅｖｉｅｗｓ ２０１３，４２，４９６３，ＤＯＩ：１０．１０３９／ｃ３ｃｓ３５４４０ｇ；Ｓ．Ｋｉｍａ，Ｂ．Ｋｉｍｂ，Ｊ．Ｌｅｅａ，Ｈ．Ｓｈｉｎａ，Ｙ．－Ｉｌ Ｐａｒｋｂ，Ｊ．Ｐａｒｋ，Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｒ：Ｒｅｐｏｒｔｓ ２０１６，９９，１，ＤＯＩ：１０．１０１６／ｊ．ｍｓｅｒ．２０１５．１１．００１；Ｋ．Ｒ．Ｊ．Ｔｈｏｍａｓ，Ｎ．Ｋａｐｏｏｒ，Ｍ．Ｎ．Ｋ．Ｐ．Ｂｏｌｉｓｅｔｔｙ，Ｊ．－Ｈ．Ｊｏｕ，Ｙ．－Ｌ．Ｃｈｅｎ，Ｙ．－Ｃ．Ｊｏｕ，Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ２０１２，７７（８），３９２１，ＤＯＩ：１０．１０２１／ｊｏ３００２８５ｖ；Ｍ．Ｖａｎｇａ，Ｒ．Ａ．Ｌａｌａｎｃｅｔｔｅ，Ｆ．Ｊａｋｌｅ， Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ－Ａ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ２０１９，２５（４３），１０１３３，ＤＯＩ：１０．１００２／ｃｈｅｍ．２０１９０１２３１。
本発明による用途のための小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子それぞれの層において蛍光コア及び隣接した分子間の接触を妨害する、
立体的に要求される置換基をコアに付着することにより、前述の蛍光コア構造から得られる。
本発明の文脈において、化合物、例えば、蛍光エミッタは、後に定義される遮蔽パラメータ（ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ ｐａｒａｍｅｔｅｒ）が本文の後の節で定義される特定の限界以下であるとき、立体的に遮蔽されるものと見なされる。
蛍光エミッタを立体的に遮蔽するのに使用される置換基は、体積が大きいだけでなく（すなわち、立体的に要求される）、電子的に不活性であることが好ましく、これは、本発明の文脈においてそのような置換基が本文の後の節で定義される活性原子を含まないということを意味する。これは、電子的に不活性（すなわち、非活性）置換基のみが前述のような蛍光コア構造に付着されることを意味しないものと理解される。また、活性置換基がコア構造にも付着され、蛍光コア構造の光物理的特性を調整するために意図的に導入されうる。この場合、１以上の置換基を介して導入された活性原子が電子的に不活性（すなわち、非活性）置換基によって再び遮蔽されることが好ましい。
最新技術からの前述の情報及び一般知識に基づいて、熟練された技術者は、蛍光コア構造の立体的遮蔽を誘導することができ、前述のように電子的に不活性な、蛍光コア構造に対する置換基を選択する方法を理解する。特に、ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）は、電子的に不活性（すなわち、非活性）遮蔽置換基として適している置換基を開示する。そのような置換基の例は、３～４０個の炭素原子、好ましくは、３～２０個の炭素原子、より好ましくは、４～１０個の炭素原子を有する線状、分枝状または環状のアルキル基を含み、ここで、１以上の水素原子は、置換基、好ましくは、重水素またはフッ素にも代替される。他の例は、３～４０個の炭素原子、好ましくは、３～２０個の炭素原子、より好ましくは、４～１０個の炭素原子を有するアルコキシ基を含み、ここで、１以上の水素原子は、置換基、好ましくは、重水素またはフッ素にも代替される。それらのアルキル及びアルコキシ置換基は、重水素及びフッ素以外の置換基、例えば、アリール基によっても置換されるものと理解される。このとき、置換基としてのアリール基は、６～３０個の芳香族環原子、より好ましくは、６～８個の芳香族環原子、最も好ましくは、６個の芳香族環原子を含み、アントラセン、ピレンなどの縮合芳香族系ではないことが好ましい。他の例は、６～３０個の芳香族環原子、より好ましくは、６～２４個の芳香族環原子を有するアリール基を含む。それらのアリール置換基において、１以上の水素原子は置換され、好ましい置換基は、例えば、６～３０個の炭素原子を有するアリール基、及び１～２０個の炭素原子を有する線状、分枝状または環状のアルキル基である。全ての置換基は、さらに置換可能である。ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）に開示された、全ての立体的に要求され、好ましくは、電子的に不活性（すなわち、非活性）な置換基は、（前述のような）蛍光コアを立体的に遮蔽し、本発明による用途のための小さいＦＷＨＭエミッタＳＢに好適な立体的に遮蔽された蛍光エミッタを提供することができることが理解される。
本発明の文脈において、（ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）に開示された）立体的に要求され（すなわち、遮蔽し）、電子的に不活性な（すなわち、非活性な）置換基として使用可能な置換基の非限定的な例が下記に示される：


ここで、それぞれの点線は、それぞれの置換基をコア構造、好ましくは、蛍光コア構造に連結する単結合を示す。熟練された技術者に知られているように、トリアルキルシリル基は、立体的に要求され、電子的に不活性な置換基として使用するのに適している。
また、蛍光コアは、そのような立体的遮蔽置換基を保有するだけでなく、本発明の文脈において活性基であるか、あるいはそうでない追加の非遮蔽置換基にも置換されることを理解しなければならない（定義は、以下参照）。
本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能な、立体的に遮蔽された蛍光エミッタの例が下記に示されている。これは、本発明が下記に示されたエミッタを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されることを意味するものではない：
立体的に遮蔽された置換基（前述のように電子的に不活性であるか、あるいはそうでない）は、任意の蛍光分子、例えば、前述の多環の芳香族またはヘテロ芳香族蛍光コア、本願に示したＢＯＤＩＰＹ由来の構造及びＮＲＣＴエミッタ、並びに化学式ＢＮＥ－１の構造を含むエミッタに付着されることが理解される。これは、本発明による小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして適している、立体的に遮蔽された蛍光エミッタを生成することができる。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、以下の要件のうち少なくとも１つを満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、
（ｉｉ）多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環が共に縮合される（例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、以下の要件のうち少なくとも１つを満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、（それぞれの）小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、
（ｉｉ）多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環が共に縮合される（例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体）。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味する。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環が共に縮合される（例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、以下の要件のうち少なくとも１つ（または、両方）を満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、
（ｉｉ）ピレンコア構造を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、以下の要件のうち少なくとも１つ（または、両方）を満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、（それぞれの）小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、
（ｉｉ）ピレンコア構造を含む。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、ピレンコア構造を含む。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、ボロン（Ｂ）及び窒素（Ｎ）含有エミッタであり、これは、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であり、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子が窒素（Ｎ）であることを意味する。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、少なくとも１つの窒素原子（Ｎ）に（直接）共有結合された少なくとも１つのボロン原子（Ｂ）を含む。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、少なくとも１つの３価である、すなわち、３つの単結合を介して結合されたボロン原子（Ｂ）を含む。
立体遮蔽
遮蔽パラメータＡの決定
分子の遮蔽パラメータＡは、前述のような（蛍光）エミッタに対し、以下に例示的に説明されたように決定されうる。遮蔽パラメータＡは、典型的に、単位オングストローム（Å２）を指称するということを理解するであろう。これは、そのような化合物が本発明の文脈において立体的に遮蔽されるか、あるいは遮蔽パラメータがそのような化合物に対して決定されることを意味するものではない。
１．分子軌道のエネルギーレベル決定
分子軌道のエネルギーレベルは、量子化学計算を介して決定されうる。このために、現在、Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅソフトウェアパッケージ（Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅ ＧｍｂＨ）バージョン７．２を使用することができる。まず、密度関数理論（ＤＦＴ）を使用し、ｄｅｆ２－ＳＶ（Ｐ）基本セット及びＢＰ－８６関数を採用し、分子の底状態の構造最適化を行うことができる。次いで、最適化された構造に基づいて、Ｂ３－ＬＹＰ関数を採用し、電子底状態に対する単一地点エネルギー計算を行うことができる。エネルギー計算から、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）は、例えば、２つの電子によって占有された最高エネルギー軌道として得られ、最低空軌道（ＬＵＭＯ）は、最低エネルギー非占有軌道として得られる。ＨＯＭＯ－１，ＨＯＭＯ－２，・・・，ＬＵＭＯ＋１，ＬＵＭＯ＋２のような他の分子軌道に対しても、類似した方式でエネルギーレベルが得られる。
本願に説明された方法は、使用されたソフトウェアパッケージと関係ない。そのような目的によく使用される他のプログラムの例は、「Ｇａｕｓｓｉａｎ０９」（Ｇａｕｓｓｉ
ａｎ Ｉｎｃ．）及びＱ－Ｃｈｅｍ ４．１（Ｑ－Ｃｈｅｍ， Ｉｎｃ．）でもある。
２．（蛍光）化合物の電荷交換分子軌道
（蛍光）化合物の電荷交換分子軌道は、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯ、並びにＨＯＭＯまたはＬＵＭＯから７５ｍｅＶ以下のエネルギーで分離可能な全ての分子軌道と見なされる。
３．分子軌道の活性原子の決定
それぞれの電荷交換分子軌道に対し、いかなる原子が活性化されるかに関する決定が行われる。すなわち、それぞれの分子軌道に対し、一般的に異なる活性原子セットが発見される。ＨＯＭＯの活性原子が決定される方法に関する説明が続く。他の全ての電荷交換分子軌道（例えば、ＨＯＭＯ－１、ＬＵＭＯ、ＬＵＭＯ＋１など）に対し、活性原子が類似して決定されうる。
ＨＯＭＯは、前述のように計算されうる。活性原子を決定するために、軌道の絶対値が０．０３５である表面（「カットオフが０．０３５である等表面」）を検査する。このために、現在、Ｊｍｏｌソフトウェア（ｈｔｔｐ：／／ｊｍｏｌ．ｓｏｕｒｃｅｆｏｒｇｅ．ｎｅｔ／）バージョン１４．６．４が使用される。カットオフ値以上の値を有する軌道葉（ｌｏｂｅ）が周辺に局所化される原子が活性と見なされる。カットオフ値以上の値を有する軌道葉が周辺に位置することができない原子は、非活性と見なされる。
４．（蛍光）化合物の活性原子の決定
１つの原子が少なくとも１つの電荷交換分子軌道で活性である場合、（蛍光）化合物に対して活性であるものと見なされる。全ての電荷交換分子軌道で非活性（不活性）な原子のみが（蛍光）化合物と係わって非活性でもある。
５．遮蔽パラメータＡの決定
第１段階において、Ｂ．Ｌｅｅ，Ｆ．Ｍ．Ｒｉｃｈａｒｄｓ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｉｏｌｏｇｙ １９７１，５５（３），３７９，ＤＯＩ：１０．１０１６／００２２－２８３６（７１）９０３２４－Ｘに述べられた方法により、全ての活性原子に対して溶媒接近可能表面積（ｓｏｌｖｅｎｔ ａｃｃｅｓｓｉｂｌｅ ｓｕｒｆａｃｅ ａｒｅａ：ＳＡＳＡ）を決定することができる。目的のために、１つの分子の原子のファンデルワールス表面は浸透することができないものとも見なされる。その後、全体分子のＳＡＳＡは、半径ｒ（いわゆる、探針半径）を有する堅い球（探針ともいう）の中心によって追跡される表面の領域とも定義され、このとき、球の表面が分子のファンデルワールス表面と直接接触可能な空間内の全ての接近可能な地点を球が転がりうる。また、ＳＡＳＡ値は、１つの分子の原子の下位集合に対しても決定される。その場合、探針の表面が下位集合の一部でもある原子のファンデルワールス表面と接触可能な地点において、探針の中心によって追跡される表面のみが考慮される。目的のために、ＳＡＳＡを決定するのに使用されるＬｅｅ－Ｒｉｃｈａｒｄｓアルゴリズムは、プログラムパッケージＦｒｅｅ ＳＡＳＡ（Ｓ．Ｍｉｔｔｅｒｎａｃｈｔ，Ｆｒｅｅ ＳＡＳＡ：Ａｎ ｏｐｅｎ ｓｏｕｒｃｅ Ｃ ｌｉｂｒａｒｙ ｆｏｒ ｓｏｌｖｅｎｔ ａｃｃｅｓｓｉｂｌｅ ｓｕｒｆａｃｅ ａｒｅａ ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓ．Ｆ１０００Ｒｅｓ．２０１６；５：１８９．Ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ ２０１６ Ｆｅｂ １８．ｄｏｉ：１０．１２６８８／ｆ１０００ｒｅｓｅａｒｃｈ．７９３１．１）の一部でもある。関連要素のファンデルワールス半径ｒＶＤＷは、以下の参照に示されている：Ｍ．Ｍａｎｔｉｎａ，Ａ．Ｃ．Ｃｈａｍｂｅｒｌｉｎ，Ｒ．Ｖａｌｅｒｏ，Ｃ．Ｊ．Ｃｒａｍｅｒ，Ｄ．Ｇ．Ｔｒｕｈｌａｒ，Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ａ ２００９，１１３（１９），５８０６，ＤＯＩ：１０．１０２１／ｊｐ８１１１５５６。探針半径ｒは、目的のための全てのＳＡＳＡ決定に対し、４Å（ｒ＝４Å）に設定されてもよい。
本発明の文脈において、遮蔽パラメータＡは、活性原子の下位集合の溶媒接近可能表面積（全体分子のＳＡＳＡと区別するために、Ｓで表される）を活性原子の数ｎで割ることによって得られる。
Ａ＝Ｓ／ｎ
本発明の文脈において、遮蔽パラメータＡが２Å２未満の値（Ａ＜２．０Å２）を有する場合、化合物は、立体的によく遮蔽されたものと定義されてもよい。
本発明の文脈において、遮蔽パラメータＡが１．０～５．０Å２（１．０Å２≦Ａ≦５．０Å２）、好ましくは、２．０Å２～５．０Å２（２．０Å２≦Ａ≦５．０Å２）の値を有する場合、化合物は、立体的に遮蔽されたものと定義されてもよい。
例示的な（蛍光）エミッタが前述のように決定された遮蔽パラメータＡと共に、下記に示されている。これは、本発明が下記に示されたエミッタのうち１つを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるものではないということを理解するであろう。下記に示されたエミッタ化合物は、ただ本発明の選択的な実施形態を示す非限定的な例だけである：
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含ま
れたそれぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、５．０Å２以下の遮蔽パラメータＡを示す。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、５．０Å２以下の遮蔽パラメータＡを示す。
本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、２．０Å２以下の遮蔽パラメータＡを示す。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、２．０Å２以下の遮蔽パラメータＡを示す。
当業者は、本発明による小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのような蛍光エミッタのみが遮蔽置換基を付着することにより、立体的に遮蔽されるものではないことを理解する。例えば、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢ及び本発明の文脈における燐光材料ＰＢも遮蔽されることが理解される。
ホスト材料Ｈ Ｂ
本発明によれば、任意の１以上の発光層Ｂに含まれた任意の１以上のホスト材料ＨＢは、高い正孔移動度を示すｐ－ホストＨＰ、高い電子移動度を示すｎ－ホストＨＮ、または高い正孔移動度及び高い電子移動度の両方を示す両極性ホスト材料ＨＢＰであってもよい。
本発明の文脈において、高い電子移動度を示すｎ－ホストＨＮは、好ましくは、－２．５０ｅＶ以下（ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦－２．５０ｅＶ）、より好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦－２．６０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦－２．６５ｅＶ、さらに好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦－２．７０ｅＶのＬＵＭＯエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＮ）を有する。ＬＵＭＯは、最低空軌道である。ＬＵＭＯのエネルギーは、本文の後の節に述べられたように決定される。
本発明の文脈において、高い正孔移動度を示すｐ－ホストＨＰは、好ましくは、－６．３０ｅＶ以上（ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－６．３０ｅＶ）、より好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．９０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．７０ｅＶ、さらに好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．４０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。ＨＯＭＯのエネルギーは、本文の後の節に述べられたように決定される。
本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢは、－６．３０ｅＶ以上（ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－６．３０ｅＶ）、好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．９０ｅＶ、より好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．７０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．４０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有するｐ－ホストＨＰである。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。
本発明の一実施形態において、それぞれの発光層Ｂ内において、発光層Ｂに含まれた少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのｐ－ホストＨＰは、－５．６０ｅＶより小さいＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する。
本発明の文脈において、高い電子移動度を示す両極性ホストＨＢＰは、好ましくは、－２．５０ｅＶ以下（ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．５０ｅＶ）、より好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．６０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．６５ｅＶ、さらに好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．７０ｅＶのＬＵＭＯエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有する。ＬＵＭＯは、最低空軌道である。ＬＵＭＯのエネルギーは、本文の後の節に述べられたように決定される。
本発明の文脈において、高い正孔移動度を示す両極性ホストＨＢＰは、好ましくは、－６．３０ｅＶ以上（ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－６．３０ｅＶ）、より好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．９０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．７０ｅＶ、さらに好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．４０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有する。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。ＨＯＭＯのエネルギーは、本文の後の節に述べられたように決定される。
本発明の一実施形態において、両極性ホスト材料ＨＢＰ、好ましくは、それぞれの両極性ホスト材料ＨＢＰは、以下の要件をいずれも満たす：
（ｉ）－２．５０ｅＶ以下（ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．５０ｅＶ）、好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．６０ｅＶ、より好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．６５ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．７０ｅＶのＬＵＭＯエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有し、
（ｉｉ）－６．３０ｅＶ以上（ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－６．３０ｅＶ）、好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．９０ｅＶ、より好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．７０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．４０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有する。
当業者は、いかなる材料が本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するのに適しているホスト材料であるかが分かっている。以下の例示を参照する：Ｙ．Ｔａｏ，Ｃ．Ｙａｎｇ，Ｊ．Ｑｕｉｎ，Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｒｅｖｉｗｓ ２０１１，４０，２９４３，ＤＯＩ：１０．１０３９／Ｃ０ＣＳ００１６０Ｋ；Ｋ．Ｓ．Ｙｏｏｋ，Ｊ．Ｙ．Ｌｅｅ，Ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｃｏｒｄ ２０１５，１６（１），１５９，ＤＯＩ：１０．１００２／ｔｃｒ．２０１５００２２１；Ｔ．Ｃｈａｔｔｅｒｊｅｅ，Ｋ．－Ｔ．Ｗｏｎｇ，Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１８，７（１），１８００５６５，ＤＯＩ：１０．１００２／ａｄｏｍ．２０１８００５６５；Ｑ．Ｗａｎｇ，Ｑ．－Ｓ．Ｔｉａｎ，Ｙ．－Ｌ．Ｚｈａｎｇ，Ｘ．Ｔａｎｇ，Ｌ．－Ｓ．Ｌｉａｏ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｃ２０１９，７，１１３２９，ＤＯＩ：１０．１０３９／Ｃ９ＴＣ０３０９２Ａ。
また、例えば、ＵＳ２００６００６３６５（Ａ１）、ＵＳ２００６２０８２２１（Ａ１）、ＵＳ２００５０６９７２９（Ａ１）、ＥＰ１２０５５２７（Ａ１）、ＵＳ２００９３０２７５２（Ａ１）、ＵＳ２００９０１３４７８４（Ａ１）、ＵＳ２００９３０２７４２（Ａ１）、ＵＳ２０１０１８７９７７（Ａ１）、ＵＳ２０１０１８７９７７（Ａ１）、ＵＳ２０１２０６８１７０（Ａ１）、ＵＳ２０１２０９７８９９（Ａ１）、ＵＳ２００６１２１３０８（Ａ１）、ＵＳ２００６１２１３０８（Ａ１）、ＵＳ２００９１６７１６６（Ａ１）、ＵＳ２００７１７６１４７（Ａ１）、ＵＳ２０１５３２２０９１（Ａ１）、ＵＳ２０１１１０５７７８（Ａ１）、ＵＳ２０１１２０１７７８（Ａ１）、ＵＳ２０１１１２１２７４（Ａ１）、ＵＳ２００９３０２７４２（Ａ１）、ＵＳ２０１０１８７９７７（Ａ１）、ＵＳ２０１０２４４００９（Ａ１）、ＵＳ２００９１３６７７９（Ａ１）、ＥＰ２１８２０４０（Ａ２）、ＵＳ２０１２２０２９９７（Ａ１）、ＵＳ２０１９３９３４２４
（Ａ１）、ＵＳ２０１９３９３４２５（Ａ１）、ＵＳ２０２０１６８８１９（Ａ１）、ＵＳ２０２００７９７６２（Ａ１）及びＵＳ２０１２２９２５７６（Ａ１）は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用可能なホスト材料を開示する。これは、本発明が、引用された参照文献に開示されたホスト材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるということを意味しないものと理解される。また、最新技術で使用される任意のホスト材料が、本発明の文脈において好適なホスト材料ＨＢであることが理解される。
本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、１以上のｐ－ホストＨＰを含む。本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、単一ホスト材料ＨＢのみを含み、ホスト材料はｐ－ホストＨＰである。
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、１以上のｎ－ホストＨＮを含む。本発明の他の実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、単一ホスト材料ＨＢのみを含み、ホスト材料はｎ－ホストＨＮである。
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、１以上の両極性ホストＨＢＰを含む。本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、単一ホスト材料ＨＢのみを含み、ホスト材料は両極性ホストＨＢＰである。
本発明の他の実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂは、少なくとも２種の異なるホスト材料ＨＢを含む。この場合、それぞれの発光層Ｂに存在する１以上のホスト材料ＨＢは、いずれもｐ－ホストＨＰであるか、いずれもｎ－ホストＨＮであるか、いずれも両極性ホストＨＢＰであるが、それらの組み合わせであってもよい。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子が１以上の発光層Ｂを含む場合、それらのうちいずれか１つは、１以上の他の発光層Ｂと独立して、前述の定義が適用される１以上のホスト材料ＨＢを含むことが理解される。また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれた異なる発光層Ｂは、必ずしも全て同一材料、またはさらには、同一濃度または割合の同一材料を含むものではないと理解される。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂが１以上の副層からなる場合、それらのうち任意の副層は、１以上の他の副層と独立して、前述の定義が適用される１以上のホスト材料ＨＢを含むことが理解される。また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれた発光層Ｂの異なる副層は、必ずしも全て同一材料、またはさらには、同一濃度または割合の同一材料を含むものではないと理解される。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同一の発光層Ｂに含まれる場合、少なくとも１つのｐ－ホストＨＰ及び少なくとも１つのｎ－ホストＨＮは、任意にエキシプレックスを形成することができる。当業者は、エキシプレックスを形成するＨＰ及びＨＮの対を選択する方法、並びにＨＰ及びＨＮのＨＯＭＯ－及び／またはＬＵＭＯ－エネルギー準位要求事項を含む選択基準が分かっている。すなわち、エキシプレックス形成が要求される場合、ｐ－ホスト材料ＨＰの最高被占軌道（ＨＯＭＯ）は、ｎ－ホスト材料ＨＮのＨＯＭＯよりエネルギーが少なくとも０．２０ｅＶより高く、ｐ－ホスト材料ＨＰの最低空軌道（ＬＵＭＯ）は、ｎ－ホスト材料ＨＮのＬＵＭＯよりエネルギーが少なくとも０．２０ｅＶより高い。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つのホスト材料ＨＢ（例えば、ＨＰ、ＨＮ及び／またはＨＢＰ）は、有機ホスト材料であり、これは、本発明の文脈においてそれがいかなる遷移金属も含まないということを意味する。本発明の好ましい実施形態において、本発明のエレクトロルミネッセンス素子の全てのホスト材料ＨＢ（ＨＰ、ＨＮ及び／またはＨＢＰ）は、有機ホスト材料であり、これは、本発明の文脈においてそれらがいかなる遷移金属も含まないということを意味する。好ましくは、少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、より好ましくは、全てのホスト材料ＨＢ（ＨＰ、ＨＮ及び／またはＨＢＰ）は、主に水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から構成されるが、例えば、酸素（Ｏ）、ボロン（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）及び臭素（Ｂｒ）を含んでもよい。
本発明の一実施形態において、それぞれのホスト材料ＨＢは、ｐ－ホストＨＰである。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、それぞれのホスト材料ＨＢは、ｐ－ホストＨＰである。
本発明の好ましい実施形態において、全体として（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）任意の少なくとも１層の発光層Ｂに任意に含まれるｐ－ホストＨＰは、下記を含むか、あるいはそれからなる：
化学式ＨＰ－Ｉ、ＨＰ－ＩＩ、ＨＰ－ＩＩＩ、ＨＰ－ＩＶ、ＨＰ－Ｖ、ＨＰ－ＶＩ、ＨＰ－ＶＩＩ、ＨＰ－ＶＩＩＩ、ＨＰ－ＩＸ及びＨＰ－Ｘのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれからなる１つの第１化学的モイエティ、及び

ＨＰ－Ｉ


ＨＰ－ＩＩ


ＨＰ－ＩＩＩ


ＨＰ－ＩＶ


ＨＰ－Ｖ


ＨＰ－ＶＩ


ＨＰ－ＶＩＩ


ＨＰ－ＶＩＩＩ


ＨＰ－ＩＸ


ＨＰ－Ｘ

それぞれ化学式ＨＰ－ＸＩ、ＨＰ－ＸＩＩ、ＨＰ－ＸＩＩＩ、ＨＰ－ＸＩＶ、ＨＰ－ＸＶ、ＨＰ－ＸＶＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩＩ及びＨＰ－ＸＩＸのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれからなる１以上の第２化学的モイエティ、

ＨＰ－ＸＩ


ＨＰ－ＸＩＩ


ＨＰ－ＸＩＩＩ


ＨＰ－ＸＩＶ


ＨＰ－ＸＶ


ＨＰ－ＸＶＩ


ＨＰ－ＸＶＩＩ


ＨＰ－ＸＶＩＩＩ


ＨＰ－ＸＩＸ

ここで、ｐ－ホスト材料ＨＰに存在する１以上の第２化学的モイエティそれぞれは、化学式において点線で表される単結合を介して第１化学的モイエティに連結され、
ここで、
Ｚ１は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、Ｃ（ＲＩＩ）２、Ｃ＝Ｃ（ＲＩＩ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＩＩ、ＮＲＩＩ、Ｏ、Ｓｉ（ＲＩＩ）２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
ＲＩは、それぞれの場合に互いに独立して、第１化学的モイエティを第２化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトであるか、または下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基
で任意に置換されるＰｈ、
ここで、少なくとも１つのＲＩは、第１化学的モイエティを第２化学的モイエティに連結する単結合の結合サイトであり、
ＲＩＩは、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で任意に置換されるＰｈ、
ここで、２以上の隣接した置換基ＲＩＩは、任意に単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、化学式ＨＰ－ＸＩ、ＨＰ－ＸＩＩ、ＨＰ－ＸＩＩＩ、ＨＰ－ＸＩＶ、ＨＰ－ＸＶ、ＨＰ－ＸＶＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩＩ及びＨＰ－ＸＩＸのうちいずれか１つによる構造だけでなく、隣接した置換基ＲＩＩによって任意に形成される追加環から構成される縮合環系は、合計で８～６０個の炭素原子、好ましくは、１２～４０個の炭素原子、より好ましくは、１４～３２個の炭素原子を含む。
本発明のより好ましい実施形態において、Ｚ１は、それぞれの場合に直接結合であり、隣接した置換基ＲＩＩは結合して追加環系を形成しない。
本発明のより好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に任意に含まれるｐ－ホストＨＰは、下記構造からなる群から選択される：





本発明の好ましい実施形態において、全体として（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）任意の１以上の発光層Ｂに任意に含まれるｎ－ホストＨＮは、化学式ＨＮ－Ｉ、ＨＮ－ＩＩ及びＨＮ－ＩＩＩのうちいずれか１つによる構造を含むか、あ
るいはそれからなる：

ＨＮ－Ｉ


ＨＮ－ＩＩ


ＨＮ－ＩＩＩ
ここで、ＲＩＩＩ及びＲＩＶは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で任意に置換されるＰｈ、及び
化学式ＨＮ－ＩＶ、ＨＮ－Ｖ、ＨＮ－ＶＩ、ＨＮ－ＶＩＩ、ＨＮ－ＶＩＩＩ、ＨＮ－ＩＸ、ＨＮ－Ｘ、ＨＮ－ＸＩ、ＨＮ－ＸＩＩ、ＨＮ－ＸＩＩＩ及びＨＮ－ＸＩＶのうちいずれか１つで表される構造、

ＨＮ－ＩＶ


ＨＮ－Ｖ


ＨＮ－ＶＩ


ＨＮ－ＶＩＩ


ＨＮ－ＶＩＩＩ


ＨＮ－ＩＸ


ＨＮ－Ｘ


ＨＮ－ＸＩ


ＨＮ－ＸＩＩ


ＨＮ－ＸＩＩＩ


ＨＮ－ＸＩＶ

ここで、
点線は、化学式ＨＮ－ＩＶ、ＨＮ－Ｖ、ＨＮ－ＶＩ、ＨＮ－ＶＩＩ、ＨＮ－ＶＩＩＩ、ＨＮ－ＩＸ、ＨＮ－Ｘ、ＨＮ－ＸＩ、ＨＮ－ＸＩＩ、ＨＮ－ＸＩＩＩ及びＨＮ－ＸＩＶのうちいずれか１つによる構造をＨＮ－Ｉ、ＨＮ－ＩＩ及びＨＮ－ＩＩＩのうちいずれか１つによる構造に連結する単結合の結合サイトを示し、
Ｘ１は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）またはＣ（ＲＶ）２であり、
ＲＶは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で任意に置換されるＰｈ、
ここで、２以上の隣接した置換基ＲＶは、任意に単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、化学式ＨＮ－ＩＶ、ＨＮ－Ｖ、ＨＮ－ＶＩ、ＨＮ－ＶＩＩ、ＨＮ－ＶＩＩＩ、ＨＮ－ＩＸ、ＨＮ－Ｘ、ＨＮ－ＸＩ、ＨＮ－ＸＩＩ、ＨＮ－ＸＩＩＩ及びＨＮ－ＸＩＶのうちいずれか１つによる構造だけでなく、隣接した置換基ＲＶによって任意に形成される追加環から構成される縮合環系は、合計で８～６０個の炭素原子、好ましくは、１２～４０個の炭素原子、より好ましくは、１４～３２個の炭素原子を含み、
ここで、化学式ＨＮ－Ｉ及びＨＮ－ＩＩにおいて、少なくとも１つの置換基ＲＩＩＩはＣＮである。
本発明のより好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に任意に含まれるｎ－ホストＨＮは、下記構造からなる群から選択される：


本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の発光層Ｂに含まれたｎ－ホストＨＮは、任意のフォスフィンオキシド基を含まず、特に、ｎ－ホストＨＮは、ビス［２－（ジフェニルホスフィノ）フェニル］エーテルオキシド（ＤＰＥＰＯ）ではない。
ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ－エネルギー関係
前述のように、本発明は、それぞれが１以上の副層からなる、１以上の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものであり、ここで、１以上の副層は、互いに隣接し、全体的に下記を含む：
（ｉ）それぞれ、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）である最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）、及びエネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）を有する、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
（ｉｉ）それぞれ、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）、及びエネルギーがＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）を有する、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
（ｉｉｉ）それぞれ、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）、及びエネルギーがＥＬＵＭＯ（ＳＢ）である最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する、１以上の小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、ここで、それぞれのＳＢは、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を放出し、及び任意に
（ｉｖ）それぞれ、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＨＢ）である最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）、及びエネルギーがＥＬＵＭＯ（ＨＢ）である最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する１以上のホスト材料ＨＢ、
ここで、それぞれの発光層Ｂの外部表面に位置する１以上の副層は、ＥＥＴ－１、Ｈｓｃａｖ及び小さいＦＷＨＭエミッタＳＢからなる群から選択された１以上の材料を含み、
ここで、それぞれの成分が同一の発光層Ｂに含まれる限り、下記式（１）～（６）で表される関係が適用される：
ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜ＥＬＵＭＯ（ＨＢ） （１）
ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ） （２）
ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ） （３）
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）≧ＥＨＯＭＯ（ＨＢ） （４）
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）≧ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１） （５）
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）≧ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （６）。
一実施形態において、式（１）～（６）で表される前述の関係は、それぞれの成分が同一の発光層Ｂに含まれる限り、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の１以上の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料にも適用される。
本発明の一実施形態において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＨＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーがさらに高い：ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＨＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＨＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）。
本発明の一実施形態において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）よりエネルギーがさらに高い：ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）。
本発明の一実施形態において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＨＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＨＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＨＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）＞ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）＞ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）は、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）＞ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とエネルギーが同一であるか、またはそれより低い：
ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）≦ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とエネルギーが同一であるか、またはそれより低い：
ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）≦ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とエネルギーが同一であるか、またはそれより低い：
ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）≦ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道Ｈ
ＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．８ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．８ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．８ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０．２ｅＶ）、または、より一層好ましくは、０．３ｅＶより大きい（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０．３ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０．２ｅＶ）、または、より一層好ましくは、０．３ｅＶより大きい（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０．３ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０．２ｅＶ）
、または、より一層好ましくは、０．３ｅＶより大きい（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０．３ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．２ｅＶ）、より好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．３ｅＶ）、より一層好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．５ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．２ｅＶ）、より好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．３ｅＶ）、より一層好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．５ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．２ｅＶ）、より好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．３ｅＶ）、より一層好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．５ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＨＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．１
ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．２ｅＶ）、より好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．３ｅＶ）、より一層好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．５ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＨＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．２ｅＶ）、より好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．３ｅＶ）、より一層好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．５ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＨＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．２ｅＶ）、より好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．３ｅＶ）、より一層好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．５ｅＶ）。
本発明の一実施形態において、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１
）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜０．３ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．２ｅＶ）、特に好ましくは、０．３ｅＶより大きい（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．３ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．２ｅＶ）、特に好ましくは、０．３ｅＶより大きい（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．３ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＳＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．２ｅＶ）、特に好ましくは、０．３ｅＶより大きい（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．３ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーがＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．２ｅＶ）、より好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．３ｅＶ）、より一層好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．５ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーがＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．２ｅＶ）、より好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．３ｅＶ）、より一層好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．５ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、エネルギーがＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）と、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．２ｅＶ）、より好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．３ｅＶ）、より一層好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．５ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＨＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）と、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．２ｅＶ）、より好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．３ｅＶ）、より一層好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．５ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＨＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）と、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．２ｅＶ）、より好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．３ｅＶ）、より一層好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭ
Ｏ（ＥＥＴ－１）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．５ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＨＢ）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）と、エネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）とのエネルギー差が０ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．２ｅＶ）、より好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．３ｅＶ）、より一層好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＞０．５ｅＶ）。
Ｓ１－Ｔ１－エネルギー関係
本発明の文脈において、
（ｉ）それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、エネルギーレベルＥ（Ｓ１ＥＥＴ－１）を有する最低励起一重項状態Ｓ１ＥＥＴ－１、及びエネルギーレベルＥ（Ｔ１ＥＥＴ－１）を有する最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－１を有し、
（ｉｉ）それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈｓｃａｖ）を有する最低励起一重項状態Ｓ１Ｈｓｃａｖ、及びエネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）を有する最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖを有し、
（ｉｉｉ）それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢは、エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）を有する最低励起一重項状態Ｓ１Ｓ、及びエネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有する最低励起三重項状態Ｔ１Ｓを有し、
（ｉｖ）それぞれの（任意に含まれた）ホスト材料ＨＢは、エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）を有する最低励起一重項状態Ｓ１Ｈ、及びエネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有する最低励起三重項状態Ｔ１Ｈを有する。
本発明の一実施形態において、下記式（７）～（９）で表される関係が同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１） （７）
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｈｓｃａｖ） （８）
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （９）。
したがって、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｈは、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起一重項状態Ｓ１ＥＥＴ－１よりエネルギーが高く（式７）、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起一重項状態Ｓ１Ｈｓｃａｖよりエネルギーが高く（式８）、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓよりエネルギーが高い（式９）。
一実施形態において、式（７）～（９）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の１以上の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、下記式（１０）及び（１１）で表される関係のうち１つまたは両方は、同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１０）
Ｅ（Ｓ１Ｈｓｃａｖ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１１）。
したがって、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起一重項状態Ｓ１ＥＥＴ－１（式１０）、及び／または、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起一重項状態Ｓ１Ｈｓｃａｖ（式１１）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓよりエネルギーが高くてもよい。
一実施形態において、式（１０）及び（１１）で表される前述の関係のうち１つまたは両方は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の１以上の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（７）～（１１）で表される関係が同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１） （７）
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｈｓｃａｖ） （８）
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （９）
Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１０）
Ｅ（Ｓ１Ｈｓｃａｖ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１１）。
一実施形態において、式（７）～（１１）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の１以上の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（１３）及び（１４）で表される関係が同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１） （１３）
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）≧Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ） （１４）。
したがって、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈは、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－１よりエネルギーが高い（式１３）。また、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－１は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖとエネルギーが同一であるか、またはそれより高い（式１４）。
一実施形態において、式（１３）及び（１４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の１以上の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（１４）～（１６）で表される関係が同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）≧Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ） （１４）
Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１５）
Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＞Ｅ（Ｔ１Ｓ） （１６）。
したがって、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－１は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖとエネルギーが同一であるか、またはそれより高く（式１４）、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正
孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖは、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓよりエネルギーがさらに高く（式１５）、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖは、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｓよりエネルギーがさらに高い（式１６）。
一実施形態において、式（１４）～（１６）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の１以上の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれの成分が同一の発光層Ｂに含まれる限り、下記式（７）～（１０）及び下記式（１５）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１） （７）
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｈｓｃａｖ） （８）
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （９）
Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１０）
Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１５）。
一実施形態において、式（７）～（１０）及び式（１５）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の１以上の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の代案的な実施形態において、同一の発光層Ｂに含まれた材料に、以下の式（１７）及び（１０）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＞Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１） （１７）
Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１０）。
したがって、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖは、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－１よりエネルギーが高く（式１７）、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起一重項状態Ｓ１ＥＥＴ－１は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓよりエネルギーがさらに高い（式１０）。
代案的な実施形態において、式（１７）及び（１０）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の１以上の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（１８）、（１５）、（１９）及び（２０）で表される関係が同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ） （１８）
Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１５）
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１） （１９）
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）＞Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ） （２０）。
したがって、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈは、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖよりエネルギーがさらに高く（式１８）、少なく
とも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖは、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓよりエネルギーがさらに高く（式１５）、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈは、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起一重項状態Ｓ１ＥＥＴ－１よりエネルギーがさらに高く（式１９）、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－１は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖよりエネルギーがさらに高い（式２０）。
一実施形態において、式（１８）、（１５）、（１９）及び（２０）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の１以上の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－１とのエネルギー差は、０．３ｅＶ未満である：それぞれ、Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）－Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）＜０．３ｅＶ及びＥ（Ｔ１ＥＥＴ－１）－Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－１とのエネルギー差は、０．３ｅＶ未満である：それぞれ、Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）－Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）＜０．３ｅＶ及びＥ（Ｔ１ＥＥＴ－１）－Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－１とのエネルギー差は、０．３ｅＶ未満である：それぞれ、Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）－Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）＜０．３ｅＶ及びＥ（Ｔ１ＥＥＴ－１）－Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、下記式（２０）で表される関係が同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）＞Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ） （２０）。
一実施形態において、式（２０）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の１以上の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－１とのエネルギー差は、０．２ｅＶ未満である：それぞれ、Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）－Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＜０．２ｅＶ及びＥ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）－Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）＜０．２ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において
、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－１とのエネルギー差は、０．２ｅＶ未満である：それぞれ、Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）－Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＜０．２ｅＶ及びＥ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）－Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）＜０．２ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－１とのエネルギー差は、０．２ｅＶ未満である：それぞれ、Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）－Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＜０．２ｅＶ及びＥ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）－Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－１）＜０．２ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差は、０．３ｅＶ未満である：それぞれ、Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）＜０．３ｅＶ及びＥ（Ｓ１Ｓ）－Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＜０．３ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差は、０．３ｅＶ未満である：それぞれ、Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）＜０．３ｅＶ及びＥ（Ｓ１Ｓ）－Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＜０．３ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差は、０．３ｅＶ未満である：それぞれ、Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）＜０．３ｅＶ及びＥ（Ｓ１Ｓ）－Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＜０．３ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差は、０．２ｅＶ未満である：それぞれ、Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）＜０．２ｅＶ及びＥ（Ｓ１Ｓ）－Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＜０．２ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差は、０．２ｅＶ未満である：それぞれ、Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）＜０．２ｅＶ及びＥ（Ｓ１Ｓ）－Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＜０．２ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差は、０．２ｅＶ未満である：それ
ぞれ、Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）＜０．２ｅＶ及びＥ（Ｓ１Ｓ）－Ｅ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）＜０．２ｅＶ。
最大発光（ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｍａｘｉｍａ）の関係
本発明の一実施形態において、式（２１）及び式（２２）で表される関係のうち１つまたは両方は、同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
｜Ｅλｍａｘ（Ｈｓｃａｖ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．３０ｅＶ （２１）
｜Ｅλｍａｘ（ＥＥＴ－１）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．３０ｅＶ （２２）。
これは、以下を意味する：それぞれの発光層Ｂ内において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（Ｈｓｃａｖ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．３０ｅＶより小さく（式２１）、及び／または、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（ＥＥＴ－１）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．３０ｅＶより小さい（式２２）。
一実施形態において、式（２１）及び式（２２）で表される前述の関係のうち１つまたは両方は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、式（２３）及び（２４）で表される関係のうち１つまたは両方は、発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
｜Ｅλｍａｘ（Ｈｓｃａｖ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．２０ｅＶ （２３）
｜Ｅλｍａｘ（ＥＥＴ－１）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．２０ｅＶ （２４）。
これは、以下を意味する：それぞれの発光層Ｂ内において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（Ｈｓｃａｖ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．２０ｅＶより小さく（式２３）、及び／または、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（ＥＥＴ－１）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．２０ｅＶより小さい（式２４）。
一実施形態において、式（２３）及び（２４）で表される前述の関係のうち１つまたは両方は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の１以上の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。
本発明のより好ましい実施形態において、式（２５）及び（２６）で表される関係のうち１つまたは両方は、発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
｜Ｅλｍａｘ（Ｈｓｃａｖ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．１０ｅＶ （２５）
｜Ｅλｍａｘ（ＥＥＴ－１）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．１０ｅＶ （２６）。
これは、以下を意味する：それぞれの発光層Ｂ内において、少なくとも１つ、好ましく
は、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（Ｈｓｃａｖ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．１０ｅＶより小さく（式２５）、及び／または、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（ＥＥＴ－１）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．１０ｅＶより小さい（式２６）。
一実施形態において、式（２５）及び（２６）で表される前述の関係のうち１つまたは両方は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の１以上の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、式（２７）で表される関係が同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅλｍａｘ（Ｈｓｃａｖ）＞Ｅλｍａｘ（ＳＢ） （２７）。
これは、それぞれの発光層Ｂ内において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖの電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（Ｈｓｃａｖ）が、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）より大きいということを意味する。
一実施形態において、式（２７）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の１以上の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、式（２８）で表される関係が同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅλｍａｘ（ＥＥＴ－１）＞Ｅλｍａｘ（ＳＢ） （２８）。
これは、それぞれの発光層Ｂ内において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（ＥＥＴ－１）が、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの電子ボルト（ｅＶ）で与えられた最大発光のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）より大きいということを意味する。
一実施形態において、式（２８）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の１以上の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。
素子色相及び性能
本発明の更なる実施形態は、明確な色点で発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものである。本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、狭い発光バンド（小さい半値幅（ＦＷＨＭ））で発光する。好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、０．２５ｅＶ未満、好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またはさらには、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークのＦＷＨＭで発光する。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらには、２０％を超える外部量子効率を示し、５００ｎｍ～５６０ｎｍにおいて最大発光を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらには、２０％を超える外部量子効率を示し、５１０ｎｍ～５５０ｎｍにおいて最大発光を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらには、２０％を超える外部量子効率を示し、５１５ｎｍ～５４０ｎｍにおいて最大発光を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものである。
好ましい実施形態において、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、定電流密度Ｊ０＝１５ｍＡ／ｃｍ２において、１００時間超過、好ましくは、２００時間超過、より好ましくは、３００時間超過、より一層好ましくは、４００時間超過、さらに好ましくは、７５０時間超過、またはさらには、１０００時間を超えるＬＴ９５値を示す。
本発明の更なる実施形態は、明確な色点で発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものである。本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、狭い発光バンド（小さい半値幅（ＦＷＨＭ））を有する光を放出する。好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、０．２５ｅＶ未満、好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またはさらには、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークのＦＷＨＭを有する光を放出する。
本発明の更なる実施形態は、ＩＴＵ－Ｒ Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ ＢＴ．２０２０（Ｒｅｃ．２０２０）によって定義されているような原色緑色（ＣＩＥｘ＝０．１７０及びＣＩＥｙ＝０．７９７）のＣＩＥｘ（＝０．１７０）及びＣＩＥｙ（＝０．７９７）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を放出するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものであり、これは、ＵＨＤ（Ｕｌｔｒａ Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）ディスプレイ、例えば、ＵＨＤ－ＴＶに使用するのに適している。本段落において「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。したがって、本発明の更なる態様は、発光が、０．１５～０．４５、好ましくは、０．１５～０．３５、より好ましくは、０．１５～０．３０、より一層好ましくは、０．１５～０．２５、またはさらには、０．１５～０．２０のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．６０～０．９２、好ましくは、０．６５～０．９０、より好ましくは、０．７０～０．８８、より一層好ましくは、０．７５～０．８６、またはさらには、０．７９～０．８４のＣＩＥｙ色座標を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものである。
本発明の更なる実施形態は、ＤＣＩＰ３に定義されているような原色緑色（ＣＩＥｘ＝０．２６５及びＣＩＥｙ＝０．６５）のＣＩＥｘ（＝０．２６５）及びＣＩＥｙ（＝０．６５）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を放出するＯＬＥＤに関するものである。本段落において「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩ
Ｅｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。本発明の更なる態様は、ボトムエミッションが、０．２～０．４５、好ましくは、０．２～０．３５、より好ましくは、０．２～０．３０、より一層好ましくは、０．２４～０．２８、またはさらには、０．２５～０．２７のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．６０～０．９、好ましくは、０．６～０．８、より好ましくは、０．６０～０．７０、より一層好ましくは、０．６２～０．６８、またはさらには、０．６４～０．６６のＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに関するものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらには、２０％を超える外部量子効率を示し、４２０ｎｍ～５００ｎｍにおいて最大発光を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらには、２０％を超える外部量子効率を示し、４４０ｎｍ～４８０ｎｍにおいて最大発光を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらには、２０％を超える外部量子効率を示し、４５０ｎｍ～４７０ｎｍにおいて最大発光を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらには、２０％を超える外部量子効率を示し、４２０ｎｍ～５００ｎｍ、好ましくは、４３０ｎｍ～４９０ｎｍ、より好ましくは、４４０ｎｍ～４８０ｎｍ、より一層好ましくは、４５０ｎｍ～４７０ｎｍの最大発光を示し、及び／または、５００ｃｄ／ｍ２において、１００ｈ超過、好ましくは、２００ｈ超過、より好ましくは、４００ｈ超過、より一層好ましくは、７５０ｈ超過、またはさらには、１０００ｈを超えるＬＴ８０値を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものである。
本発明の更なる実施形態は、明確な色点で発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものである。本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、狭い発光バンド（小さい半値幅（ＦＷＨＭ））を有する光を放出する。好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、０．２５ｅＶ未満、好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またはさらには、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークのＦＷＨＭを有する光を放出する。
本発明の更なる実施形態は、ＩＴＵ－Ｒ Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ ＢＴ．２０２０（Ｒｅｃ．２０２０）によって定義されているような原色青色（ＣＩＥｘ＝０．１３１及びＣＩＥｙ＝０．０４６）のＣＩＥｘ（＝０．１３１）及びＣＩＥｙ（＝０．０４６）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を放出するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものであり、これは、ＵＨＤディスプレイ、例えば、ＵＨＤ－ＴＶに使用するのに適している。本段落において「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発
明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。青色素子のＣＩＥｙ色座標は、ボトムエミッション素子からトップエミッション素子に変更するとき、最大２倍まで減少するが、ＣＩＥｘはほとんど変わらない（Ｏｋｉｎａｋａ ｅｔ ａｌ．， Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ， ２０１５， ４６（１）： ３１２－３１３， ＤＯＩ：１０．１００２／ｓｄｔｐ．１０４８０）。したがって、本発明の更なる態様は、発光が、０．０２～０．３０、好ましくは、０．０３～０．２５、より好ましくは、０．０５～０．２０、より一層好ましくは、０．０８～０．１８、またはさらには、０．１０～０．１５のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．００～０．４５、好ましくは、０．０１～０．３０、より好ましくは、０．０２～０．２０、より一層好ましくは、０．０３～０．１５、またはさらには、０．０４～０．１０のＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに関するものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、８％超過、好ましくは、１０％超過、より好ましくは、１３％超過、より一層好ましくは、１５％超過、またはさらには、２０％を超える外部量子効率を示し、及び／または、５９０ｎｍ～６９０ｎｍ、好ましくは、６１０ｎｍ～６６５ｎｍ、より好ましくは、６２０ｎｍ～６４０ｎｍの最大発光を示し、及び／または、５００ｃｄ／ｍ２において、１００ｈ超過、好ましくは、２００ｈ超過、より好ましくは、４００ｈ超過、より一層好ましくは、７５０ｈ超過、またはさらには、１０００ｈを超えるＬＴ８０値を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものである。したがって、本発明の更なる態様は、発光が、０．２５超過、好ましくは、０．２７超過、より好ましくは、０．２９超過、より一層好ましくは、０．３０を超えるＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに関するものである。
本発明の更なる実施形態は、ＩＴＵ－Ｒ Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ ＢＴ．２０２０（Ｒｅｃ．２０２０）によって定義されているような原色青色（ＣＩＥｘ＝０．７０８及びＣＩＥｙ＝０．２９２）のＣＩＥｘ（＝０．７０８）及びＣＩＥｙ（＝０．２９２）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を放出するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものであり、これは、ＵＨＤディスプレイ、例えば、ＵＨＤ－ＴＶに使用するのに適している。本段落において「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。したがって、本発明の更なる態様は、発光が、０．６０～０．８８、好ましくは、０．６１～０．８３、より好ましくは、０．６３～０．７８、より一層好ましくは、０．６６～０．７６、またはさらには、０．６８～０．７３のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．２５～０．７０、好ましくは、０．２６～０．５５、より好ましくは、０．２７～０．４５、より一層好ましくは、０．２８～０．４０、またはさらには、０．２９～０．３５のＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに関するものである。
したがって、本発明の更なる態様は、１４５００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１７％超過、またはさらには、２０％を超える外部量子効率を示し、及び／または、５９０ｎｍ～６９０ｎｍ、好ましくは、６１０ｎｍ～６６５ｎｍ、より好ましくは、６２０ｎｍ～６４０ｎｍにおいて最大発光を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に関するものである。
有機エレクトロルミネッセンス素子の関心目的のうち１つは、光の発生でもある。したがって、本発明は、また、任意の本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供
する段階を含む、所望の波長範囲の光を発生させる方法に関するものである。
したがって、本発明の更なる態様は、下記段階を含む、所望の波長範囲の光を発生させる方法に関するものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する段階、及び
（ｉｉ）有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加する段階。
本発明の更なる態様は、前述の要素を構成して有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法に関するものである。本発明は、また、特に有機エレクトロルミネッセンス素子を使用することにより、緑色光を発生させる方法に関するものである。
本発明の更なる態様は、下記式（２９）～（３１）で表される関係のうち、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つが同一の発光層Ｂに含まれた材料に適用される有機エレクトロルミネッセンス素子に関するものである：
４４０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜４７０ｎｍ （２９）
５１０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜５５０ｎｍ （３０）
６１０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜６６５ｎｍ （３１）

ここで、λｍａｘ（ＳＢ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光であり、ナノメートル（ｎｍ）で与えられる。
本発明の一実施形態において、下記式（２９）～（３１）で表される関係のうち少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つが、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の１以上の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。
本発明の更なる態様は、下記段階を含む光発生方法に関するものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する段階、及び
（ｉｉ）有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加する段階。
本発明の更なる態様は、下記段階を含む光発生方法に関するものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する段階、及び
（ｉｉ）有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加する段階、
ここで、方法は、下記波長範囲のうち１つから選択された波長範囲において光を発生させるためのものである：
（ｉ）５１０ｎｍ～５５０ｎｍ、または
（ｉｉ）４４０ｎｍ～４７０ｎｍ、または
（ｉｉｉ）６１０ｎｍ～６６５ｎｍ。
本発明の更なる態様は、下記段階を含む光発生方法に関するものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する段階、及び
（ｉｉ）有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加する段階、
ここで、好ましくは、方法は、下記波長範囲のうち１つから選択された波長範囲内にある主発光ピークの最大発光を有する光を発生させるためのものである：
（ｉ）５１０ｎｍ～５５０ｎｍ、または
（ｉｉ）４４０ｎｍ～４７０ｎｍ、または
（ｉｉｉ）６１０ｎｍ～６６５ｎｍ。
熟練された技術者は、構造によって、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（以下参照）及び任意に含まれた１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２（以下参照）が、有機エレクトロルミネッセンス素子においてエミッタとして使用可能であることを理解
する。しかし、好ましくは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１及び任意に含まれた１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２の主要機能は、発光するものではない。好ましい実施形態において、電圧（及び電流）を印加するとき、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子が発光し、発光は、主に（すなわち、５０％より多く、好ましくは、６０％より多く、より好ましくは、７０％より多く、より一層好ましくは、８０％より多く、またはさらには、９０％より多く）１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢによって放出された蛍光に起因する。結果として、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、好ましくは、０．２５ｅＶ未満、より好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またはさらには、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークの小さいＦＷＨＭで表される狭い発光を示す。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（３２）で表される関係が適用される：
ここで、
ＦＷＨＭＤは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の主発光ピークの電子ボルト（ｅＶ）単位の半値幅（ＦＷＨＭ）を意味し、
ＦＷＨＭＳＢは、ＦＷＨＭＤのＦＷＨＭを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層（ＥＭＬ）に使用された１以上のホスト材料ＨＢ内の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのスピンコーティング膜のフォトルミネセンススペクトル（室温、すなわち、（約）２０℃で測定された蛍光スペクトル）の電子ボルト（ｅＶ）単位のＦＷＨＭを示す。すなわち、ＦＷＨＭＳＢが決定されるスピンコーティング膜は、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂと同一の重量比で同一の小さいＦＷＨＭエミッタまたはエミッタＳＢを含む。
例えば、発光層Ｂがそれぞれ１重量％の濃度を有する２種の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む場合、スピンコーティング膜は、好ましくは、それぞれ１重量％の２種の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。その例示的な場合、スピンコーティング膜のマトリックス材料は、スピンコーティング膜の９８重量％に至るであろう。そのようなスピンコーティング膜のマトリックス材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれたホスト材料ＨＢの重量比を反映するように選択されうる。前述の例において、発光層Ｂが単一ホスト材料ＨＢを含むならば、ホスト材料は、好ましくは、スピンコーティング膜の唯一のマトリックス材料でもある。しかし、前述の例において、発光層Ｂが２種のホスト材料ＨＢを含む場合、１つは６０重量％の含量を有し、他の１つは２０重量％の含量（すなわち、３：１の割合）を有する場合、スピンコーティング膜（それぞれ１重量％の２種の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む）の前述のマトリックス材料は、好ましくは、ＥＭＬに存在する２種のホスト材料ＨＢの３：１混合物でもある。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に１以上の発光層Ｂが含まれる場合、式（３２）で表される関係は、好ましくは、素子に含まれる全ての発光層Ｂに適用される。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂに対し、前述のＦＷＨＭＤ：ＦＷＨＭＳＢの割合は、１．５０以下、好ましくは、１．４０以下、より好ましくは、１．３０、より一層好ましくは、１．２０、また
はさらには、１．１０である。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂに対し、前述のＦＷＨＭＤ：ＦＷＨＭＳＢの割合は、１．５０以下、好ましくは、１．４０以下、より好ましくは、１．３０、より一層好ましくは、１．２０、またはさらには、１．１０である。
本発明の文脈における小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用するための蛍光エミッタの選択のために、ＦＷＨＭ値が本文の後の節に述べられたように決定されることに留意しなければならない（簡単に、好ましくは、１～５重量％、特に２重量％の濃度を有するポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内のそれぞれのエミッタのスピンコーティング膜から、または溶液から、以下参照）。すなわち、表１Ｓに示された例示的な小さいＦＷＨＭエミッタＳＢのＦＷＨＭ値は、式（３２）及び本発明の関連した好ましい実施形態の文脈においてＦＷＨＭＳＢ値と理解されない。
実施例及び特許請求の範囲が本発明をさらに説明する。
励起状態寿命
励起状態寿命を測定する方法に関する詳細な説明が本文の後の節で提供される。
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、１以上の燐光材料ＰＢ、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ及び任意に１以上のホスト材料ＨＢを含む発光層Ｂの１以上の副層への１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢの添加は、有機エレクトロルミネッセンス素子の励起状態寿命低下をもたらす。本発明の好ましい実施形態において、前述の本発明によるＴＡＤＦ材料ＥＢの添加は、有機エレクトロルミネッセンス素子の励起状態寿命を少なくとも５０％低下させる。
再結合領域
本発明の文脈において、本願に記載されたような有機エレクトロルミネッセンス素子（特に、有機発光ダイオード、ＯＬＥＤ）内の発光領域ＥＺは、発光層（ＥＭＬ、例えば、本発明による発光層Ｂ）内の励起子による光学応力（ｏｐｔｉｃａｌ ｓｔｒｅｓｓ）が分布される領域（すなわち、区域）を示す。
発光領域ＥＺの形状及びサイズは、発光領域ＥＺに含まれた分子当たり励起子応力を反映するため、それぞれの有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命に影響を及ぼすということは当業者に周知である。当業者は、分子当たり減少した励起子応力が素子寿命延長をもたらす可能性があることを理解する。
本発明の文脈において、本願に記載されたような有機エレクトロルミネッセンス素子（特に、有機発光ダイオード、ＯＬＥＤ）における再結合領域ＲＺは、励起子が電子・正孔再結合によって生成される領域（すなわち、区域）を示す。
本願において、（十分に短い励起子拡散長さを仮定する）若干単純化されたアプローチにおいて、再結合領域ＲＺが発光領域ＥＺと（ほとんど）同一であると仮定する。再結合領域ＲＺ（若干単純化されたアプローチでは、発光領域ＥＺ）は、それぞれの有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層内の電子と正孔との電荷均衡と相関関係がある。また、再結合領域ＲＺ（単純化されたアプローチでは、発光領域ＥＺ）は、分子当たり（電気的な）電流応力の影響を受ける。
前述のように、本発明者は、驚いたことに、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を放出する１以上の小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び任意に１以上のホスト材料ＨＢを全体として含む１以上の（副）層からなる有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の発光層が、長寿命、高い量子収率を有し、ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色域を達成するのに理想的に適している、狭い放出を示す有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するということを見出した。
また、本発明者は、発光層Ｂに含まれる前述の材料が前述の式（１）～（６）に与えられた基準を満たす場合、それぞれの成分が同一の発光層Ｂに含まれる限り、そのような有益な効果が特に達成されるということを見出した。本発明による発光層Ｂに含まれた、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ及び選択的な１以上のホスト材料ＨＢのＨＯＭＯ－及びＬＵＭＯ－エネルギーに関する要件を満たすことは、部分的に再結合領域ＲＺに対する影響により、素子性能に有益な効果を提供することができると推測される。
本発明の文脈の発光層Ｂにおいて、再結合領域ＲＺは、例えば、発光層にＥＥＴ－１またはＨｓｃａｖがない場合、特にＥＥＴ－１がない場合よりさらに均一に分布されうる。
本願において、それぞれの発光層Ｂにおける再結合領域ＲＺの空間分布を評価するために、発光層Ｂは、境界面ＳＥＭＬによって仮想で半分に分割され、ここで、ＳＥＭＬは、電子遮断層（ＥＢＬ）及び正孔遮断層（ＨＢＬ）に平行であり、それぞれの発光層Ｂの中央に正確に位置し、発光層の体積の正確に半分は、ＨＢＬとＳＥＭＬとの間に位置し、正確に半分は、ＨＢＬとＳＥＭＬとの間に位置するようにする。これは、図１（下記参照）にも示されている。
当業者に公知のように、本発明のもののような有機エレクトロルミネッセンス素子（特に、ＯＬＥＤ）は、ＨＢＬ及び／またはＥＢＬを必ずしも含むものではない。本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子がＨＢＬを有しない場合、それぞれの発光層Ｂは、電子輸送層（ＥＴＬ）に直接隣接するものと理解される。同一文脈において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子がＥＢＬを有しない場合、それぞれの発光層Ｂは、正孔輸送層（ＨＴＬ）に直接隣接する。ＥＢＬもＨＢＬも存在しない例示的な場合、仮想の境界面ＳＥＭＬは、電子遮断層（ＥＢＬ）及び正孔遮断層（ＨＢＬ）に平行であり、それぞれの発光層Ｂの中央に正確に位置し、発光層の体積の正確に半分は、ＥＴＬとＳＥＭＬとの間に位置し、正確に半分は、ＨＴＬとＳＥＭＬとの間に位置するようにする。すなわち、正確な素子構造に関係なく、ＳＥＭＬは、ＥＭＬを同一体積の半分に分ける。
発光層Ｂの半分または他の半分内にある再結合領域の体積分率を評価するために、再結合領域プロファイル（ＲＺプロファイル）が決定されうる。ＲＺ（単純化されたアプローチでは、発光領域ＥＺ）プロファイルは、双極子発光モデルと結合された多層システムに対する伝達・マトリックス理論アプローチを基盤とする素子の光学モデルを素子発光スペクトルの角度依存性測定に合わせて決定されうる。測定は、角度依存ＥＬ及びＰＬ測定設定（Ｐｈｅｌｏｓ）のために、Ｆｌｕｘｉｍ ＡＧのゴニオ分光器（ｇｏｎｉｏ－ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）を使用して行うことができる。発光領域プロファイルのフィッティング及び計算は、Ｆｌｕｘｉｍ ＡＧのＳＥＴＦＯＳを使用して行うことができる。フィッティングアルゴリズムの詳細事項は、Ｂ．Ｐｅｒｕｃｃｏ，Ｎ．Ｒｅｉｎｋｅ，Ｄ．ＲＥｚｚｏｎｉｃｏ，Ｍ．Ｍｏｏｓ，ａｎｄ Ｂ．Ｒｕｈｓｔａｌｌｅｒ，“Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ｔｈｅ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｐｒｏｆｉｌｅ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ”Ｏｐｔ． Ｅｘｐｒｅｓｓ １８，Ａ２４６－Ａ２６０（２０１０）で説明されている。
このために、最初の段階は、角度エレクトロルミネッセンス分布を測定することでもある。これを介して、ＯＬＥＤから出る発光モードを決定することができる。それらは、１）有機スタックに使用された材料の屈折率、２）発光層Ｂにおいて半値幅（ＦＷＨＭ）が
０．２５ｅＶ以下である光を放出するエミッタＳＢの水平配向、及び３）ＥＭＬの他の位置にあるとき、エミッタからの他のスペクトル発光をもたらすＲＺ分布に依存しうる。したがって、周知の屈折率及び水平双極子方向において、ＲＺは、適切なフィッティングソフトウェアを使用して合わせることができる。
ゴニオ分光器を使用して、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルの角度依存性を決定することができる。ボトムエミッション素子において、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のガラス面を介して光が放出される。これにより、有機スタック・ガラス界面にトラップされた光モードが発生する。したがって、ＯＬＥＤは、全ての発光モードを出す（ｏｕｔｃｏｕｐｌｅ）マクロ抽出器レンズ上に配置されなければならない。素子は、所望の輝度をもたらす特定の特性（例：定電流または定電圧）で発光するように、バイアス下で置かれうる。次いで、基板は、所望の段階のサイズで角度Ａから角度Ｂに回転し、発光は、角度によって分光光度計を介して収集される。ＥＬスペクトルを収集する分光計には、総光出力を９０゜または０゜偏光にフィルタリングする偏光器が含まれており、それぞれｓ－（基板平面に垂直）及びｐ－（基板平面に平行）偏光モードを決定することができる。そのような－ｓ及び－ｐ偏光分布は、ＲＺプロファイルを合わせるターゲットとしても使用される。
フィッティングソフトウェア（Ｆｌｕｘｉｍ ＡＧのＳＥＴＦＯＳ）において、全体スタック（基板、及び正極、正孔注入層、正孔輸送層、・・・、負極のような全ての層）がそれに該当する光学定数と共に導入されうる。ＥＭＬと係わってＳＢの発光特性（方向、ＰＬＱＹ、最大発光）が導入され、ＲＺがターゲットデータに合わせられる。すなわち、ＲＺが測定された角度依存性を再現するように合わせられる。
例示的なフィッティングアルゴリズムの詳細事項は、Ｂ．Ｐｅｒｕｃｃｏ，Ｎ．Ｒｅｉｎｋｅ，Ｄ．ＲＥｚｚｏｎｉｃｏ，Ｍ．Ｍｏｏｓ，ａｎｄ Ｂ．Ｒｕｈｓｔａｌｌｅｒ，“Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ ｔｈｅ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｐｒｏｆｉｌｅ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ”Ｏｐｔ．Ｅｘｐｒｅｓｓ １８，Ａ２４６－Ａ２６０（２０１０）で説明されている。
発光層Ｂの半分または他の半分内にある再結合領域の体積分率ＶＦは、以下によっても計算される：

ここで、ｄは、各ＥＭＬの厚み（例：５０ｎｍ）であり、ｘは、各ＥＭＬとＥＭＬの各半分に隣接した層（の例において、左側半分に対してＥＢＬ）との境界面ＳＢからの距離である。
再結合領域は、それぞれの発光層Ｂの１つの半分にのみ位置するものではなく、それぞれの発光層Ｂの両半分にわたってある程度分布されることが好ましい（下記参照）。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂに対し、再結合領域（すなわち、素子に電流を印加するときに電子・正孔再結合が発生する、それぞれの発光層Ｂ内の区域）は、以下の基準をいずれも満たす：
（ｉ）その体積の１０～９０％が電子遮断層（ＥＢＬ）と仮想の境界面ＳＥＭＬとの間に
位置し、ここで、ＳＥＭＬは、ＥＢＬに平行であり、それぞれの発光層Ｂの中央に正確に位置する（すなわち、再結合領域の体積分率ＶＦは１０～９０％である）、
（ｉｉ）その体積の１０～９０％が正孔遮断層（ＨＢＬ）と仮想の境界面ＳＥＭＬとの間に位置し、ここで、ＳＥＭＬは、ＨＢＬに平行であり、それぞれの発光層Ｂの中央に正確に位置する（すなわち、再結合領域の体積分率ＶＦは１０～９０％である）、
ここで、ＥＢＬ及びＨＢＬの両方が発光層Ｂに隣接し、ＥＢＬがアノードにさらに近く、ＨＢＬがカソードにさらに近く、ここで、再結合領域の総体積は１００％まで合算される（例えば、境界面ＳＥＭＬによって仮想で均等に分割された発光層ＢのＥＢＬ側で５０％（ｉ）及びＨＢＬ側で５０％（ｉｉ））。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂに対し、再結合領域（すなわち、素子に電流を印加するときに電子・正孔再結合が発生する、それぞれの発光層Ｂ内の区域）は、以下の基準をいずれも満たす：
（ｉ）その体積の２０～８０％が電子遮断層（ＥＢＬ）と仮想の境界面ＳＥＭＬとの間に位置し、ここで、ＳＥＭＬは、ＥＢＬに平行であり、それぞれの発光層Ｂの中央に正確に位置する（すなわち、再結合領域の体積分率ＶＦは２０～８０％である）、
（ｉｉ）その体積の２０～８０％が正孔遮断層（ＨＢＬ）と仮想の境界面ＳＥＭＬとの間に位置し、ここで、ＳＥＭＬは、ＨＢＬに平行であり、それぞれの発光層Ｂの中央に正確に位置する（すなわち、再結合領域の体積分率ＶＦは２０～８０％である）、
ここで、ＥＢＬ及びＨＢＬの両方が発光層Ｂに隣接し、ＥＢＬがアノードにさらに近く、ＨＢＬがカソードにさらに近く、ここで、再結合領域の総体積は１００％まで合算される（例えば、境界面ＳＥＭＬによって仮想で均等に分割された発光層ＢのＥＢＬ側で５０％（ｉ）及びＨＢＬ側で５０％（ｉｉ））。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂに対し、再結合領域（すなわち、素子に電流を印加するときに電子・正孔再結合が発生する、それぞれの発光層Ｂ内の区域）は、以下の基準をいずれも満たす：
（ｉ）その体積の３０～７０％が電子遮断層（ＥＢＬ）と仮想の境界面ＳＥＭＬとの間に位置し、ここで、ＳＥＭＬは、ＥＢＬに平行であり、それぞれの発光層Ｂの中央に正確に位置する（すなわち、再結合領域の体積分率ＶＦは３０～７０％である）、
（ｉｉ）その体積の３０～７０％が正孔遮断層（ＨＢＬ）と仮想の境界面ＳＥＭＬとの間に位置し、ここで、ＳＥＭＬは、ＨＢＬに平行であり、それぞれの発光層Ｂの中央に正確に位置する（すなわち、再結合領域の体積分率ＶＦは３０～７０％である）、
ここで、ＥＢＬ及びＨＢＬの両方が発光層Ｂに隣接し、ＥＢＬがアノードにさらに近く、ＨＢＬがカソードにさらに近く、ここで、再結合領域の総体積は１００％まで合算される（例えば、境界面ＳＥＭＬによって仮想で均等に分割された発光層ＢのＥＢＬ側で５０％（ｉ）及びＨＢＬ側で５０％（ｉｉ））。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂに対し、再結合領域（すなわち、素子に電流を印加するときに電子・正孔再結合が発生する、それぞれの発光層Ｂ内の区域）は、以下の基準をいずれも満たす：
（ｉ）その体積の４０～６０％が電子遮断層（ＥＢＬ）と仮想の境界面ＳＥＭＬとの間に位置し、ここで、ＳＥＭＬは、ＥＢＬに平行であり、それぞれの発光層Ｂの中央に正確に位置する（すなわち、再結合領域の体積分率ＶＦは４０～６０％である）、
（ｉｉ）その体積の４０～６０％が正孔遮断層（ＨＢＬ）と仮想の境界面ＳＥＭＬとの間に位置し、ここで、ＳＥＭＬは、ＨＢＬに平行であり、それぞれの発光層Ｂの中央に正確に位置する（すなわち、再結合領域の体積分率ＶＦは４０～６０％である）、
ここで、ＥＢＬ及びＨＢＬの両方が発光層Ｂに隣接し、ＥＢＬがアノードにさらに近く、ＨＢＬがカソードにさらに近く、ここで、再結合領域の総体積は１００％まで合算される（例えば、境界面ＳＥＭＬによって仮想で均等に分割された発光層ＢのＥＢＬ側で５０％（ｉ）及びＨＢＬ側で５０％（ｉｉ））。
素子構造
当業者は、少なくとも１層の発光層Ｂが通常的に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれることが分かるであろう。好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも下記層を含む：少なくとも１層の発光層Ｂ、少なくとも１層のアノード層Ａ及び少なくとも１層のカソード層Ｃ。
好ましくは、少なくとも１層の発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。したがって、典型的な設定は、好ましくは、Ａ－Ｂ－Ｃである。それはもちろん１以上の選択的な追加層の存在を排除しない。それらは、Ａ、Ｂ及び／またはＣのそれぞれの側に存在しうる。
好ましくは、アノード層Ａは、基板の表面に位置する。基板は、任意の材料、または材料の組成物によっても形成される。ほとんど、ガラススライドが基板として使用される。または、薄い金属層（例えば、銅、金、銀またはアルミニウムフィルム）、またはプラスチックフィルムやプラスチックスライドが使用されうる。それは、さらに高レベルの柔軟性を許容することができる。二電極のうち少なくとも１つは、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）から光を放出するように（本質的に）透明ではなければならない。通常、アノード層Ａは、ほとんど（本質的に）透明なフィルムを得ることができる材料によって構成される。好ましくは、アノード層Ａは、透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）を多量含むか、あるいはそれからなる。
そのようなアノード層Ａは、例えば、インジウムスズ酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、フッ素スズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ＰｂＯ、ＳｎＯ、ジルコニウム酸化物、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、タングステン酸化物、黒鉛、ドーピングされたＳｉ、ドーピングされたＧｅ、ドーピングされたＧａＡｓ、ドーピングされたポリアニリン、ドーピングされたポリピロール及び／またはドーピングされたポリチオフェン、及びそれらのうち２以上の混合物を含むものであってもよい。
特に好ましくは、アノード層Ａは、（本質的に）インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）（例えば、（ＩｎＯ３）０．９（ＳｎＯ２）０．１）で構成される。透明伝導性酸化物（ＴＣＯ）によるアノード層Ａの粗さは、正孔注入層（ＨＩＬ）を使用することによっても緩和される。また、ＨＩＬは、ＴＣＯから正孔輸送層（ＨＴＬ）への類似電荷キャリア（すなわち、正孔）の輸送が促進されるという点において、類似電荷キャリアの注入が容易となる。正孔注入層（ＨＩＬ）は、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）、ＭｏＯ２、Ｖ２Ｏ５、ＣｕＰＣまたはＣｕＩ、特に、ＰＥＤＯＴ及びＰＳＳの混合物を含むものでもある。正孔注入層（ＨＩＬ）は、また、アノード層Ａから正孔輸送層（ＨＴＬ）に金属が拡散することを防止することができる。例えば、ＨＩＬは、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、４，４’，４”－トリス［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍＭＴＤＡＴＡ）、２，２’，７，７’－テトラキス（ｎ，ｎ－ジフェニルアミノ）－９，９’－スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ－ＴＡＤ）、Ｎ１，Ｎ１’－（ビフェニル－４，４’－ジイル）ビス（Ｎ１－フェニル－Ｎ４，Ｎ４－ジ－ｍ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ニス－（１－ナフタレニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－フェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’－ジフ
ェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ－［４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＰＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）ベンジジン（ＭｅＯ－ＴＰＤ）、１，４，５，８，９，１１－ヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）及び／またはＮ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス－（１－ナフチル）－９，９’－スピロビフルオレン－２，７－ジアミン（Ｓｐｉｒｏ－ＮＰＤ）によって構成されてもよい。
アノード層Ａまたは正孔注入層（ＨＩＬ）に隣接し、典型的に、正孔輸送層（ＨＴＬ）が位置する。ここで、任意の正孔輸送化合物が使用されうる。例えば、トリアリールアミン及び／またはカルバゾールのような、電子が豊富なヘテロ芳香族化合物が、正孔輸送化合物としても使用される。ＨＴＬは、アノード層Ａと発光層Ｂ（発光層（ＥＭＬ）の役割を行う）との間のエネルギー障壁を低減させることができる。正孔輸送層（ＨＴＬ）は、また、電子遮断層（ＥＢＬ）でもある。好ましくは、正孔輸送化合物は、比較的高いエネルギー準位の三重項状態Ｔ１を有する。例えば、正孔輸送層（ＨＴＬ）は、トリス（４－カルバゾリル－９－イルフェニル）アミン（ＴＣＴＡ）、ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニルアミン）（ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニルアミン）（α－ＮＰＤ）、４，４’－シクロヘキシリデン－ビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］（ＴＡＰＣ）、４，４’，４”－トリス［２－ナフチル（フェニル）－アミノ］トリフェニルアミン（２－ＴＮＡＴＡ）、Ｓｐｉｒｏ－ＴＡＤ、ＤＮＴＰＤ、ＮＰＢ、ＮＰＮＰＢ、ＭｅＯ－ＴＰＤ、ＨＡＴ－ＣＮ及び／または９，９’－ジフェニル－６－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（ＴｒｉｓＰｃｚ）のような星状のヘテロ環を含むものでもある。また、ＨＴＬは、有機正孔輸送マトリックス内の無機または有機ドーパントによっても構成されるｐ－ドーピングされた層を含むものでもある。無機ドーパントとしては、例えば、バナジウム酸化物、モリブデン酸化物またはタングステン酸化物のような遷移金属酸化物が使用されうる。有機ドーパントとしては、例えば、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、銅－ペンタフルオロ安息香酸（Ｃｕ（Ｉ）ｐＦＢｚ）または遷移金属錯体が使用されうる。
ＥＢＬは、例えば、１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、ＴＣＴＡ、２－ＴＮＡＴＡ、３，３－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾチオフェン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾフラニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾチオフェニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、ｔｒｉｓ－Ｐｃｚ、９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（トリフェニルシリル）－９Ｈ－カルバゾール（ＣｚＳｉ）及び／またはＮ，Ｎ’－ジカルバゾリル－１，４－ジメチルベンゼン（ＤＣＢ）を含んでもよい。
１以上の発光層Ｂの組成が前述された。本発明による任意の１以上の発光層Ｂは、好ましくは、１ｍｍ以下、より好ましくは、０．１ｍｍ以下、より一層好ましくは、１０μｍ以下、さらに好ましくは、１μｍ以下、特に好ましくは、０．１μｍ以下の厚みを有する。
電子輸送層（ＥＴＬ）には、任意の電子輸送体を使用することができる。例えば、ベンズイミダゾール、ピリジン、トリアゾール、オキサジアゾール（例えば、１，３，４－オキサジアゾール）、ホスフィンオキシド及びスルホンのような電子不足化合物が使用されうる。例えば、電子輸送体ＥＴＭは、また、１，３，５－トリ（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェニル（ＴＰＢｉ）のような星状のヘテロ環でも
ある。ＥＴＭは、例えば、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＮＢｐｈｅｎ）、アルミニウム－トリス（８－ヒドロキシキノリン）（Ａｌｑ３）、ジフェニル－４－トリフェニルシリルフェニル－ホスフィンオキシド（ＴＳＰＯ１）、２，７－ジ（２，２’－ビピリジン－５－イル）トリフェニル（ＢＰｙＴＰ２）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イルトリフェニルシラン（Ｓｉｆ８７）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イル）ジフェニルシラン（Ｓｉｆ８８）、１，３－ビス［３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル］ベンゼン（ＢｍＰｙＰｈＢ）及び／または４，４’－ビス－［２－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジニル）］－１，１’－ビフェニル（ＢＴＢ）を含んでもよい。任意に、電子輸送層は、８－ヒドロキシキノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）のような材料によってもドーピングされる。任意に、第２電子輸送層が電子輸送層とカソード層Ｃとの間に位置しうる。電子輸送層（ＥＴＬ）も、正孔を遮断することができる。または、正孔遮断層（ＨＢＬ）が導入される。
ＨＢＬは、例えば、ＨＢＭ１：

、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン＝バソクプロイン（ＢＣＰ）、ビス（８－ヒドロキシ－２－メチルキノリン）－（４－フェニルフェノキシ）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＮＢｐｈｅｎ）、アルミニウム－トリス（８－ヒドロキシキノリン）（Ａｌｑ３）、ジフェニル－４－トリフェニルシリルフェニル－ホスフィンオキシド（ＴＳＰＯ１）、２，４，６－トリス（ビフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン（Ｔ２Ｔ）、２，４，６－トリス（トリフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン（Ｔ３Ｔ）、２，４，６－トリス（９，９’－スピロビフルオレン－２－イル）－１，３，５－トリアジン（ＴＳＴ）、２，４－ジフェニル－６－（３’－トリフェニルシリルフェニル）－１，３，５－トリアジン（ＤＴＳＴ）、２，８－ビス（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジニル）ジベンゾフラン（ＤＴＤＢＦ）及び／または１，３，５－トリス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゾール／１，３，５－トリス（カルバゾール）－９－イル）ベンゼン（ＴＣＢ／ＴＣＰ）を含んでもよい。
電子輸送層（ＥＴＬ）に隣接し、カソード層Ｃが位置しうる。カソード層Ｃは、例えば、金属（例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｉｎ、ＷまたはＰｄ）または金属合金を含むか、あるいはそれからなる。実用的な理由により、カソード層Ｃは、Ｍｇ、ＣａまたはＡｌのような（本質的に）不透明な金属によっても構成される。代案として、あるいはさらには、カソード層Ｃは、また、黒鉛及び／または炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）を含むものでもある。代案としては、カソード層Ｃは、また、ナノスケール銀ワイヤによって構成されてもよい。
好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも下記層を含む：
Ａ）インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ＰｂＯ、ＳｎＯ、黒鉛、ドーピングされたシリコン、ドーピングされたゲルマニウム、ドーピングされたＧａＡｓ、ドーピングされたポリアニリン、ドーピングされたポリピロール、ドーピングされたポリチオフェン及びそれら２以上の混合物からなる群から選択された少なくとも１つの成分を含むアノ
ード層Ａ、
Ｂ）本願に述べられたような本発明による発光層Ｂ、及び
Ｃ）Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｄ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ及びそれら２以上の混合物または合金からなる群から選択された少なくとも１つの成分を含むカソード層Ｃ、
ここで、発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。
一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子がＯＬＥＤであるとき、それは、任意に、下記層構造を含む：
Ａ）例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含むアノード層Ａ、
ＨＴＬ）正孔輸送層ＨＴＬ、
Ｂ）本願に述べられたような本発明による発光層Ｂ、
ＥＴＬ）電子輸送層ＥＴＬ、及び
Ｃ）例えば、Ａｌ、Ｃａ及び／またはＭｇを含むカソード層Ｃ。
好ましくは、本願において、層の順序は、Ａ－ＨＴＬ－Ｂ－ＥＴＬ－Ｃである。
また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、水分、蒸気及び／またはガスを含む環境内の有害物質に対する損傷露出から、素子を保護する１以上の保護層を任意に含むものでもある。
エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、任意に、電子輸送層（ＥＴＬ）Ｄとカソード層Ｃとの間に保護層（電子注入層（ＥＩＬ）とも指称される）をさらに含む。層は、フッ化リチウム、フッ化セシウム、銀、８－ヒドロキシキノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯ及び／またはＮａＦを含むものでもある。
他に明示されない限り、多様な実施形態の任意の副層を含む任意の層は、任意の適切な方法によって蒸着される。少なくとも１層の発光層Ｂ（単一（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、任意に、液体処理（「フィルム処理」、「流体処理」、「溶液処理」または「溶媒処理」ともいう）を介して製造される。これは、各層に含まれた成分が液体状態で素子の一部の表面に適用されることを意味する。
好ましくは、少なくとも１層の発光層Ｂ及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、スピンコーティングによっても製造される。当業者に周知の方法により、薄くて（本質的に）均一な層及び／または副層を得ることができる。
代案としては、少なくとも１層の発光層Ｂ及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、例えば、キャスティング（例えば、ドロップキャスティング）、ローリング方法及び印刷方法（例えば、インクジェット印刷、グラビア印刷、ブレードコーティング）のような液体処理に基づいた他の方法によっても製造される。これは、任意に、不活性雰囲気（例えば、窒素雰囲気）で遂行される。
他の好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂ及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、例えば、熱（共）蒸着、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）及び有機気相ジェットプリンティング（ＯＶＪＰ）による蒸着のように、当業者に周知の真空処理方法を含むが、それに限定されない、当業界に周知の任意の他の方法によっても製造される。
任意にその１以上の副層を含む層を液体処理によって製造するとき、（副）層の成分（
すなわち、本発明の発光層Ｂに対し、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び任意に１以上のホスト材料ＨＢ）を含む溶液は、揮発性有機溶媒をさらに含んでもよい。そのような揮発性有機溶媒は、任意に、テトラヒドロフラン、ジオキサン、クロロベンゼン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、２－（２－エトキシエトキシ）エタノール、γ－ブチロラクトン、Ｎ－メチルピロリジノン、エトキシエタノール、キシレン、トルエン、アニソール、フェネトール、アセトニトリル、テトラヒドロチオフェン、ベンゾニトリル、ピリジン、トリヒドロフラン、トリアリールアミン、シクロヘキサノン、アセトン、プロピレンカーボネート、エチルアセテート、ベンゼン及びプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）からなる群から選択される１つであってもよい。また、２以上の溶媒の組み合わせが使用されうる。液体状態で塗布された後、次いで、層は、例えば、大気条件、増加した温度（例えば、約５０℃または約６０℃）、または減少した圧力において、当業界の任意の手段によって乾燥及び／または硬化される。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、全体として、５ｍｍ以下、２ｍｍ以下、１ｍｍ以下、０．５ｍｍ以下、０．２５ｍｍ以下、１００μｍまたは１０μｍ以下の薄膜を形成することができる。
有機エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、小型（例えば、５ｍｍ２以下、またはさらには、１ｍｍ２以下の表面を有する）、中型（例えば、０．５ｃｍ２～２０ｃｍ２範囲の表面を有する）、または大型（例えば、２０ｃｍ２より大きい表面を有する）でもある。本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、任意に、大面積照明装置であり、発光壁紙、発光ウィンドウフレームまたはガラス、発光ラベル、発光ポーザー、またはフレキシブルスクリーンまたはディスプレイとしてスクリーンを生成するために使用されてもよい。典型的な用途の次に、有機エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、例えば、発光フィルム、「スマートパッケージング」ラベルまたは革新的なデザイン要素としても使用される。また、細胞検出及び検査（例えば、バイオラべリング）に使用することができる。
追加定義及び情報
全体的に使用されているように、本発明の文脈において、「層」という用語は、好ましくは、広範囲に平面である幾何学的構造を有する本体を称する。層が構成することができるあらゆる「副層」に対しても同様である。
本願において使用されているように、有機エレクトロルミネッセンス素子、光電子素子及び有機発光素子という用語は、最も広い意味において、それぞれ全体的に１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び任意に１以上のホスト材料ＨＢを含む１以上の発光層Ｂを含む任意の素子としても理解され、それらに対して前述の定義及び好ましい実施形態が適用される。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、最も広い意味において、可視光線または近紫外線（ＵＶ）の範囲、すなわち、３８０～８００ｎｍの波長範囲において光を放出するのに適している有機材料を基盤とする任意の素子としても理解される。好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子は、可視光線範囲、すなわち、４００～８００ｎｍにおいて発光することができる。
好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子は、可視光線範囲、すなわち、３８０～８００ｎｍ、より好ましくは、４００～８００ｎｍにおいて主発光ピークを有する。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５００～５６０ｎｍの緑色光を放出する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５００～５６０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５００～５６０ｎｍ範囲において主発光ピークの最大発光を有する。
本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１０～５５０ｎｍの緑色光を放出する。本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１０～５５０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１０～５５０ｎｍ範囲において主発光ピークの最大発光を有する。
本発明の特に好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１５～５４０ｎｍの緑色光を放出する。本発明の特に好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１５～５４０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。本発明の特に好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１５～５４０ｎｍ範囲において主発光ピークの最大発光を有する。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４２０～５００ｎｍの青色光を放出する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４２０～５００ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４２０～５００ｎｍ範囲において主発光ピークの最大発光を有する。
本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４４０～４８０ｎｍの青色光を放出する。本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４４０～４８０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４４０～４８０ｎｍ範囲において主発光ピークの最大発光を有する。
本発明の特に好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４５０～４７０ｎｍの青色光を放出する。本発明の特に好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４５０～４７０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。本発明の特に好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４５０～４７０ｎｍ範囲において主発光ピークの最大発光を有する。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５９０～６９０ｎｍの赤色光またはオレンジ色光を放出する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５９０～６９０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５９０～６９０ｎｍ範囲において主発光ピークの最大発光を有する。
本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、６１０～６６５ｎｍの赤色光またはオレンジ色光を放出する。本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、６１０～６６５ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、６１０～６６５ｎｍ範囲において主発光ピークの最大発光を有する。
本発明の特に好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、６２０～６４０ｎｍの赤色光を放出する。本発明の特に好ましい実施形態において、有機エレ
クトロルミネッセンス素子は、６２０～６４０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。本発明の特に好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、６２０～６４０ｎｍ範囲において主発光ピークの最大発光を有する。
本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）及び発光トランジスタからなる群から選択された素子である。
特に好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。任意に、有機エレクトロルミネッセンス素子は、全体的に不透明（非透明）、半透明または（本質的に）透明である。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「環状基」は、最も広い意味において、任意の単環式モイエティ、二環式モイエティまたは多環式モイエティとしても理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「環」及び「環系」は、最も広い意味において、任意の単環式モイエティ、二環式モイエティまたは多環式モイエティとしても理解される。
用語「環原子」は、環または環構造の環状コアの一部であり、それに任意に付着された置換基の一部ではない、任意の原子を称する。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「炭素環」は、最も広い意味において、環状コア構造が水素はいうまでもなく、または本発明の特定の実施形態において定義された任意の他の置換基で置換可能な炭素原子のみを含む任意の環状基としても理解される。用語「炭素環の」は、形容詞であり、環状コア構造が水素はいうまでもなく、または本発明の特定の実施形態において定義された任意の他の置換基で置換可能な炭素原子のみを含む環状基を称するものとも理解される。用語「炭素環」または「炭素環系」は、脂肪族及び芳香族の環状基または環系の両方を称するものとも理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「ヘテロ環」は、最も広い意味において、環状コア構造が炭素原子だけでなく、少なくとも１つのヘテロ原子を含む任意の環状基としても理解される。用語「ヘテロ環の」は、形容詞であり、環状コア構造が炭素原子だけでなく、少なくとも１つのヘテロ原子を含む環状基を称するものとも理解される。ヘテロ原子は、特定の実施形態において特に言及されない限り、それぞれの場合、同一でもあり、あるいは異なってもおり、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｅからなる群から個別的に選択されうる。本発明の文脈においてヘテロ環に含まれた全ての炭素原子またはヘテロ原子はいうまでもなく、水素または本発明の特定の実施形態において定義された任意の他の置換基で置換可能である。用語「ヘテロ環」または「ヘテロ環系」は、脂肪族及びヘテロ芳香族の環状基または環系の両方を称するものとも理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「芳香族環系」は、最も広い意味において、任意の二環式芳香族モイエティまたは多環式芳香族モイエティとしても理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「ヘテロ芳香族環系」は、最も広い意味において、任意の二環式ヘテロ芳香族モイエティまたは多環式ヘテロ芳香族モイエティとしても理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、芳香族環系またはヘテロ芳香族環系を言及するとき、「縮合された」という用語は、「縮合された」芳香族環またはヘテロ芳香族環が両方の環系の一部である少なくとも１つの結合を共有することを意味する。例えば、ナフタレン（または、置換基として言及されるとき、ナフチル）またはベンゾチオフェン（または、置換基として言及されるとき、ベンゾチオフェニル）は、本発明の文脈において縮合芳香族環系と見なされ、ここで、２つのベンゼン環（ナフタレンの場合）またはチオフェン及びベンゼン（ベンゾチオフェンの場合）は、１つの結合を共有する。また、そのような文脈において結合を共有することは、それぞれの結合を構成する２つの原子を共有することを含むものとも理解され、縮合芳香族環系またはヘテロ芳香族環系は、１つの芳香族系またはヘテロ芳香族系とも理解される。また、縮合芳香族環系またはヘテロ芳香族環系（例えば、ピレンで）を構成する芳香族環またはヘテロ芳香族環によって１以上の結合が共有されるものとも理解される。また、脂肪族環系も縮合され、これは、縮合脂肪族環系が芳香族ではないという点を除いては、芳香族環系またはヘテロ芳香族環系と同一の意味を有するものとも理解されるであろう。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アリール」及び「芳香族」は、最も広い意味において、任意の単環式芳香族モイエティ、二環式芳香族モイエティまたは多環式芳香族モイエティとしても理解される。従って、アリール基は、６～６０個の芳香族環原子を含み、ヘテロアリール基は、５～６０個の芳香族環原子を含み、そのうち少なくとも１つはヘテロ原子である。それにもかかわらず、本明細書の全体にわたり、芳香族環原子数は、特定の置換基の定義において、下付き文字数字で与えられうる。特に、ヘテロ芳香族環は、１～３個のヘテロ原子を含む。さらに、用語「ヘテロアリール」及び「ヘテロ芳香族」は、最も広い意味において、少なくとも１つのヘテロ原子を含む任意の単環式ヘテロ芳香族モイエティ、二環式ヘテロ芳香族モイエティまたは多環式ヘテロ芳香族モイエティとしても理解される。ヘテロ原子は、それぞれの場合、同一でもあり、あるいは異なってもおり、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｅからなる群から個別的に選択されうる。従って、用語「アリーレン」は、他の分子構造に対し、２つの結合部位を保有し、リンカー構造の役割を行う二価置換基を意味する。例示的な実施形態において、基が、ここで与えられた定義と異なるように定義される場合、例えば、芳香族環原子数またはヘテロ原子数が与えられた定義と異なる場合、例示的な実施形態における定義が適用される。本発明によれば、縮合（環状）された、芳香族多環またはヘテロ芳香族多環は、縮合反応を介して多環を形成する、２つ以上の単一芳香族環またはヘテロ芳香族環から構成される。
特に、本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アリール基」または「ヘテロアリール基」は、ベンゼン、ナフタリン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンズアントラセン、ベンズフェナントレン、テトラセン、ペンタセン、ベンツピレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン；セレノフェン、ベンゾセレノフェン、イソベンゾセレノフェン、ジベンゾセレノフェン；ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ－５，６－キノリン、ベンゾ－６，７－キノリン、ベンゾ－７，８－キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジノイミダゾール、キノキサリノイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２－チアゾール、１，３－チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、１，３，５－トリアジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、カルボリン、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３－オキサジアゾー
ル、１，２，４－オキサジアゾール、１，２，５－オキサジアゾール、１，２，３，４－テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン及びベンゾチアジアゾール、あるいは前述の基の組み合わせから誘導された芳香族基またはヘテロ芳香族基の任意の位置を介して結合可能な基を含む。
本発明の特定の実施形態において、芳香族環またはヘテロ芳香族環に結合された隣接した置換基は、置換基が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環に縮合された、更なる単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる。任意にそのように形成された縮合環系は、隣接した置換基が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環より大きい（さらに多い環原子を含むことを意味する）ものとも理解される。その場合、縮合環系に含まれた環原子の「総」数は、隣接した置換基が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環に含まれた環原子と、隣接した置換基によって形成された追加環系の環原子との和と理解され、ここで、縮合環系によって共有される炭素原子は、二回ではなく一回に計算される。例えば、ベンゼン環は、ナフタレンコアが形成されるように、さらに他のベンゼン環を形成する２つの隣接した置換基を有することができる。ナフタレンコアは、２つの炭素原子が２つのベンゼン環によって共有され、二回ではなく、一回のみ計算されるので、１０個の環原子を含むことになる。そのような文脈において「隣接した置換基」という用語は、（例えば、環系の）同一のまたは隣接する環原子に結合された置換基を意味する。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「脂肪族」は、環系を言及するとき、最も広い意味としても理解され、環系を構成する環のうち何も芳香族環またはヘテロ芳香族環ではないことを意味する。そのような脂肪族環系は、１以上の芳香族環またはヘテロ芳香族環に縮合され、脂肪族環系のコア構造に含まれた一部（全部ではない）の炭素原子またはヘテロ原子が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環の一部となるものと理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルキル基」は、最も広い意味において、任意の線状、分枝状または環状のアルキル置換基としても理解される。特に、用語「アルキル」は、置換基である、メチル（Ｍｅ）、エチル（Ｅｔ）、ｎ－プロピル（ｎＰｒ）、ｉ－プロピル（ｉＰｒ）、シクロプロピル、ｎ－ブチル（ｎＢｕ）、ｉ－ブチル（ｉＢｕ）、ｓ－ブチル（ｓＢｕ）、ｔ－ブチル（ｔＢｕ）、シクロブチル、２－メチルブチル、ｎ－ペンチル、ｓ－ペンチル、ｔ－ペンチル、２－ペンチル、ネオ－ペンチル、シクロペンチル、ｎ－ヘキシル、ｓ－ヘキシル、ｔ－ヘキシル、２－ヘキシル、３－ヘキシル、ネオ－ヘキシル、シクロヘキシル、１－メチルシクロペンチル、２－メチルペンチル、ｎ－へプチル、２－へプチル、３－へプチル、４－へプチル、シクロへプチル、１－メチルシクロヘキシル、ｎ－オクチル、２－エチルヘキシル、シクロオクチル、１－ビシクロ［２，２，２］オクチル、２－ビシクロ［２，２，２］オクチル、２－（２，６－ジメチル）オクチル、３－（３，７－ジメチル）オクチル、アダマンチル、２，２，２－トリフルオロエチル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘプト－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクト－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－デス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ドデス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－テトラデス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキサデス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘプト－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクト－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－デス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ドデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－テトラデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキサデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタデス－１－イル、１－（ｎ－プロピル）－シクロヘキス－１－イル、１－（ｎ－ブチル）－シクロヘキス－１－イル、１－（ｎ－ヘキシル）－シクロヘキス－１－イル、１－（ｎ－オクチル）－シクロヘキス－１－イル及び１－（ｎ－デシ
ル）－シクロヘキス－１－イルを含む。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルケニル」は、線状、分枝状及び環状のアルケニル置換基を含む。用語「アルケニル基」は、例えば、置換基である、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルを含む。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルキニル」は、線状、分枝状及び環状のアルキニル置換基を含む。用語「アルキニル基」は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを含む。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルコキシ」は、線状、分枝状及び環状のアルコキシ置換基を含む。用語「アルコキシ基」は、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ－プロポキシ、ｉ－プロポキシ、ｎ－ブトキシ、ｉ－ブトキシ、ｓ－ブトキシ、ｔ－ブトキシ及び２－メチルブトキシを含む。
本明細書の全体にわたって使用されている用語「チオアルコキシ」は、線状、分枝状及び環状のチオアルコキシ置換基を含み、ここで、例示的なアルコキシ基のＯは、Ｓに代替される。
本明細書の全体にわたって使用されている用語「ハロゲン」及び「ハロ」は、最も広い意味において、好ましくは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素であるとも理解される。
本願に言及された任意の構造に含まれた全ての水素原子（Ｈ）は、それぞれの場合に互いに独立して、具体的に述べられない限り、重水素（Ｄ）にも代替される。水素を重水素に代替することは、一般慣行であり、それを合成的に達成する方法も当業者には明白である。
分子フラグメントが、置換基や、他のモイエティに付着していると記述されるとき、その名称は、まさしくそれがフラグメント（例えば、ナフチル、ジベンゾフリル）であるように、または全体分子（例えば、ナフタレン、ジベンゾフラン）であるようにも記述されてもよい。本明細書に使用されているように、置換基、または付着されたフラグメントを記述する方式は、同等であると見なされる。
濃度または組成を言及するとき、他に明示されない限り、百分率は、重量百分率を称し、これは、重量による百分率、または重量による％（（重量／重量）、（ｗ／ｗ）、重量％）と同一の意味を有する。
軌道エネルギー及び励起状態エネルギーは、実験方法や量子化学方法、特に、密度関数理論計算を利用する計算方法を介して決定することができる。ここで、最高被占軌道エネルギーＥＨＯＭＯは、当業者に公知の方法によって、循環電圧電流法測定から０．１ｅＶの精度で決定される。
吸収スペクトルは、室温（すなわち、約２０℃）で記録される。ＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、吸収スペクトルは、典型的に、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）内の１０重量％のＥＢのスピンコーティング膜から測定される。小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、吸収スペクトルは、典型的に、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳＢのスピンコーティング膜から測定される。ホスト材料ＨＢの場合、吸収スペクトルは、典型的に、ホスト材料ＨＢのスピンコーティングニットフィルムから測定される。燐光材料ＰＢの場合、吸収スペクトルは、典型的に、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＰＢのスピンコーティング膜から測定される。代案としては、吸収スペクトルは、また、例えば、ジクロロメタンまたはトルエン内の各分子の溶液から記録され、ここで、溶液の濃度は、典型的に、最大吸光度が好ましくは０．１～０．５範囲になるように選択される。
吸収スペクトルの開始は、吸収スペクトルに対する接線と、ｘ軸との交差点とを計算して決定される。吸収スペクトルに対する接線は、吸収バンドの低エネルギー側と、吸収スペクトルの最大強度の最大半分地点とにおいて設定される。
他に明示されない限り、第一（すなわち、最低）励起三重項状態Ｔ１のエネルギーは、７７Ｋにおいて、燐光スペクトルの開始から決定される（ＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＥＢのスピンコーティング膜が典型的に使用され、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳＢのスピンコーティング膜が典型的に使用され、ホスト材料ＨＢの場合、各ホスト材料ＨＢのスピンコーティングニットフィルムが典型的に使用され、燐光材料ＰＢの場合、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＰＢのスピンコーティング膜が典型的に使用され、測定は、典型的に室温（す
なわち、約２０℃）で行われる）。例えば、ＥＰ２６９０６８１Ａ１に開示されたように、小さいΔＥＳＴ値を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、項間交差及び逆項間交差の両方が低温でも発生することが認められる。結果として、７７Ｋでの発光スペクトルは、Ｓ１及びＴ１状態の両方からの発光を含む。しかし、ＥＰ２６９０６８１Ａ１にも述べられたように、三重項エネルギーの寄与度／価値が典型的に優勢であるものと見なされる。
他に明示されない限り、第一（すなわち、最低）励起一重項状態Ｓ１のエネルギーは、室温（すなわち、約２０℃）で蛍光スペクトルの開始から決定される（定常状態スペクトル；ＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＥＢのスピンコーティングされたフィルムが典型的に使用され、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳＢのスピンコーティング膜が典型的に使用され、ホスト材料ＨＢの場合、各ホスト材料ＨＢのスピンコーティングニットフィルムが典型的に使用され、燐光材料ＰＢの場合、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＰＢのスピンコーティング膜が典型的に使用される）。しかし、効率的な項間交差を示す燐光材料ＰＢの場合、室温発光は、蛍光ではなく、（ほとんど）燐光であってもよい。この場合、室温（すなわち、約２０℃）で発光スペクトルの開始は、前述のように第一励起三重項状態Ｔ１のエネルギーを決定するのに使用される。
発光スペクトルの開始は、発光スペクトルに対する接線と、ｘ軸との交差点とを計算して決定される。発光スペクトルに対する接線は、発光バンドの高エネルギー側と、発光スペクトルの最大強度の最大半分地点とにおいて設定される。
第一（すなわち、最低）励起一重項状態（Ｓ１）と第一（すなわち、最低）励起三重項状態（Ｔ１）とのエネルギー差に当するΔＥＳＴ値は、前述のように決定された、第一（すなわち、最低）励起一重項状態エネルギー及び第一（すなわち、最低）励起三重項状態エネルギーに基づいて決定される。
熟練された技術者に知られているように、エミッタ（例えば、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ）の半値幅（ＦＷＨＭ）は、それぞれの発光スペクトル（蛍光エミッタ用蛍光スペクトル及び燐光エミッタ用燐光スペクトル）から容易に決定される。小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、典型的に、蛍光スペクトルが使用される。報告された全てのＦＷＨＭ値は、典型的に、主発光ピーク（すなわち、強度が最も高いピーク）を示す。ＦＷＨＭ（ここで、好ましくは、電子ボルトｅＶで報告される）を決定する手段は、当業者の典型的な知識の一部である。例えば、発光スペクトルの主発光ピークが、発光スペクトルからナノメートル（ｎｍ）で得られた２つの波長λ１及びλ２において最大発光の半分（すなわち、最大発光強度の５０％）に達する場合、電子ボルト（ｅＶ）のＦＷＨＭは、典型的に、（本明細書において）以下の方程式を使用して決定される：
本明細書に使用されているように、特定の文脈において、さらに具体的に定義されない場合、発光及び／または吸収された光の色相指定は、下記の通りである：
紫色：＞３８０～４２０ｎｍの波長範囲
濃青色：＞４２０～４７５ｎｍの波長範囲
空色：＞４７５～５００ｎｍの波長範囲
緑色：＞５００～５６０ｎｍの波長範囲
黄色：＞５６０～５８０ｎｍの波長範囲
オレンジ色：＞５８０～６２０ｎｍの波長範囲
赤色：＞６２０～８００ｎｍの波長範囲。
本発明は、下記実施例及び特許請求の範囲によって説明される。
図面に関する説明
図１は、例示的な有機エレクトロルミネッセンス素子の図式的層構造（表２に与えられた構成１による、下記参照）だけでなく、発光層（ＥＭＬ）に対する拡大図を提供する。本願において、各層の意味は、以下の通りである：Ｓ：ガラス基板、１：アノード（層）、２：正孔注入層（ＨＩＬ）、３：正孔輸送層１（ＨＴＬ－１）、４：正孔輸送層２（ＨＴＬ－２）、５：電子遮断層（ＥＢＬ）、６：任意に副層に分けられる発光層（ＥＭＬ）、７：正孔遮断層（ＨＢＬ）、８：電子輸送層（ＥＴＬ）、９：電子注入層（ＥＩＬ）、及び１０：カソード（層）。発光層（ＥＭＬ）は、ＥＭＬを同一体積の半分に分ける仮想の境界面ＳＥＭＬを含むものでもある。仮想的にそのように形成されたＥＭＬの半分にわたった再結合領域の分布を評価するために、仮想の境界面ＳＥＭＬにより、ＥＭＬが同一体積の半分に仮想的に分割される方法を示す（参照）。
循環電圧電流法
循環電圧電流度は、ジクロロメタン、または適する溶媒、及び適する支持電解質（例：０．１ｍｏｌ／Ｌのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート）において、有機分子の濃度が１０－３ｍｏｌ／Ｌである溶液で測定される。測定は、３電極アセンブリ（作用電極及び相対電極：Ｐｔワイヤ、基準電極：Ｐｔワイヤ）を使用し、窒素雰囲気において、室温（すなわち、（約）２０℃）で行い、内部標準として、ＦｅＣｐ２／ＦｅＣｐ２ ＋を使用して補正する。ＨＯＭＯデータ及びＬＵＭＯデータは、飽和カロメル電極（ＳＣＥ）に関する内部標準として、フェロセンを使用して修正された。
密度関数理論計算
分子構造は、ＢＰ８６関数及びＲＩ（Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｏｆ Ｉｄｅｎｔｉｔｙ）アプローチを使用して最適化された。励起エネルギーは、（ＢＰ８６）最適化された構造を使用して、ＴＤ－ＤＦＴ（Ｔｉｍｅ－Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ＤＦＴ）方法でもって計算される。数値積分のために、Ｄｅｆ２－ＳＶＰ基本セット及びｍ４－ｇｒｉｄが使用される。Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅプログラムパッケージは、全ての計算に使用される。軌道エネルギー及び励起状態エネルギーは、Ｂ３ＬＹＰ関数により計算される。しかし、本願において、軌道エネルギー及び励起状態エネルギーは、前述のように実験的に決定されることが好ましい。本願に報告された全ての軌道エネルギー及び励起状態エネルギー（実験結果参照）は、実験的に決定された。
光物理的測定
サンプル前処理：真空蒸着
前述のように、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれる個々の化合物（例えば、有機分子または遷移金属錯体）の光物理的測定（例えば、ホスト材料ＨＢ、ホスト材料ｈｏｓｔｓｃａｖ、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、燐光材料ＰＢ、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢまたは蛍光エミッタＦ）は、典型的に、スピンコーティングニットフィルム（ホスト材料ＨＢまたはｈｏｓｔｓｃａｖの場合）、またはポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）内の各材料のスピンコーティングフィルム（例えば、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、燐光材料ＰＢ、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ及び蛍光エミッタＦの場合）を使用して行われた。フィルムは、スピンコーティングされたフィルムであり、特定の測定に対して特に言及しない限り、ＰＭＭＡフィルムの材料濃度は、ＴＡＤＦ材料ＥＢ及び燐光材料ＰＢの場合に１０重量％、または小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ及び蛍光エミッタＦの場合に
１～５重量％、好ましくは、２重量％であった。代案としては、以前に言及したように、一部の光物理的測定は、また、例えば、ジクロロメタンまたはトルエン内の各分子の溶液から行われ、ここで、溶液の濃度は、典型的に、最大吸光度が好ましくは０．１～０．５範囲になるように選択される。
装置：Ｓｐｉｎ１５０、ＳＰＳ ｅｕｒｏ
サンプル濃度は１．０ｍｇ／ｍｌであり、典型的に、好適な溶媒としてトルエン／ＤＣＭに溶解された。
ログラム：２０００Ｕ／分で７～３０秒。コーティング後、フィルムを７０℃で１分間乾燥させた。
（本発明または比較例による）有機エレクトロルミネッセンス素子のＥＭＬに存在する特定の材料の組成をさらに研究するために、光物理的測定のためのサンプルを、素子製造に使用された同一の材料から、石英基板上の５０ｎｍのそれぞれの発光層Ｂを真空蒸着して製造した。サンプルの光物理的評価は、窒素雰囲気で行われる。
吸収測定
Ｔｈｅｒｍｏ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ ２０１紫外可視光分光光度計は、２７０ｎｍ以上の波長領域においてサンプルの最大吸収波長を決定するのに使用される。波長は、フォトルミネセンススペクトル及び量子収率の測定のための励起波長として使用される。
フォトルミネセンススペクトル
定常状態発光スペクトルは、１５０Ｗキセノンアークランプ、励起及び発光単色計が装着されたＭｏｄｅｌ ＦｌｕｏｒｏＭａｘ－４（Ｈｏｒｉｂａ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ）を使用して記録される。サンプルをキュベットに入れて測定する間に、窒素でフラッシングする。
フォトルミネセンス量子収率測定
フォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）測定のために、Ａｂｓｏｌｕｔｅ ＰＬ量子収率測定Ｃ９９２０－０３Ｇシステム（浜松ホトニクス）が使用されている。サンプルは、測定する間に窒素雰囲気で維持される。量子収率は、ソフトウェアＵ６０３９－０５を使用して決定され、％で表される。収率は、次の方程式を使用して計算される。

ここで、ｎ光子は、光子数を示し、Ｉｎｔは、強度を示す。品質保証のために、（知られた濃度の）エタノール内のアントラセンを基準に使用する。
時間相関単一光子計数（ＴＣＳＰＣ）
特定の実施例または分析の文脈において特に言及されない限り、励起状態分布力学は、発光単色計、検出器ユニットとして温度安定化された光電子増倍管、及び励起ソースとしてパルス型ＬＥＤ（３１０ｎｍ中央波長、９１０ｐｓパルス幅）が装着されたＥｄｉｎｂｕｒｇｈ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ＦＳ５分光蛍光計を使用して決定される。サンプル
をキュベットに入れて測定する間に、窒素でフラッシングする。




方法は、励起状態寿命を決定するために、蛍光材料及び燐光材料に適用される。ＴＡＤＦ材料の場合、後述する全体減衰力学を収集しなければならない。
全体減衰力学
時間及び信号強度で複数の次数（ｏｒｄｅｒ）の大きさにわたった全体励起状態分布減衰力学は、４個の時間領域（２００ｎｓ、１μｓ、２０μｓ及び＞８０μｓのさらに長い測定期間）でＴＣＳＰＣ測定を行って達成される。測定された時間曲線は、その後、次のような方式によって処理される。
－励起及び差し引き（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｎｇ）前の平均信号レベルを決定し、バックグラウンド補正が適用される。
－主信号の初期上昇を基準として取り、時間軸が整列される。
－重畳された測定時間領域を使用し、曲線が互いに対してスケーリングされる。
－処理された曲線が１つの曲線に併合される。


ここで、ｎは、１または２である。
遅延蛍光と即時蛍光との割合（ｎ値）が、それぞれのフォトルミネセンス減衰を経時的に積分して計算される：
分光分解能を使用した過度フォトルミネセンス測定
スペクトル分解能を使用した過度フォトルミネセンス（ＰＬ）測定において、パルス光励起後、定義された遅延時間でのＰＬスペクトルが記録される。
過度ＰＬスペクトルを測定するための例示的な装置は、下記を含む：
－サンプルを励起するための、３５５ｎｍの中心波長と１ｎｓのパルス幅を有するパルスレーザ（ｅＭＯＰＡ， ＣｒｙＬａｓ）
－真空処理または窒素でフラッシング可能な、サンプルを収容するように構成されたサンプルチャンバー
－サンプルから放出された光を分散させるための分光器（ＳｐｅｃｔｒａＰｒｏ ＨＲＳ）
－パルスレーザとの同期化のための統合タイミング発生器を有する、分散された放出された光の波長分解感知のためのＣＣＤカメラ（Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ＰＩ－ＭＡＸ４）
－持って来たＣＣＤカメラの信号を分析するように構成されたパーソナルコンピュータ。
測定過程において、サンプルは、サンプルチャンバーに配置され、パルスレーザで照射される。サンプルから放出された光をレーザパルスの照射方向に対して９０°方向に取る。それは、分光器によって分散され、検出器（例示的な装置のＣＣＤカメラ）に向かい、波長分解発光スペクトルを得る。レーザ照射と感知との間の時間遅延と感知期間（すなわち、ゲート時間）は、タイミング発生器によって制御される。
過度フォトルミネセンスは、例示的な装置に述べられたところと異なる装置によっても測定されるという点が留意される。
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造及び特性化
本発明による有機分子を含むＯＬＥＤ素子は、真空蒸着方法によっても製造される。層が１以上の化合物を含む場合、１以上の化合物の重量百分率は、％で示される。総重量百分率値は１００％であるので、値が指定されていない場合、化合物の分率は、指定された値と、１００％との差と同じである。
完全に最適化されていないＯＬＥＤは、標準方法を使用してエレクトロルミネセンススペクトルを測定し、光ダイオードによって検出された光を使用して計算された、強度及び
電流に依存する外部量子効率（％）を測定して特性化される。素子のＦＷＨＭが、フォトルミネセンススペクトル（蛍光または燐光）に対し、前述のようにエレクトロルミネッセンススペクトルから決定される。報告されたＦＷＨＭは、主発光ピーク（すなわち、最も高い発光強度を有するピーク）を示す。ＯＬＥＤ素子の寿命は、一定電流密度で動作する間、輝度の変化から抽出される。ＬＴ５０値は、測定輝度が、初期輝度の５０％に低減した時間に該当し、同様に、ＬＴ８０は、測定輝度が、初期輝度の８０％に低減した時点に該当し、ＬＴ９７は、測定輝度が、初期輝度の９７％に低減した時点に該当する。
加速寿命測定が行われる（例：増大した電流密度適用）。例えば、５００ｃｄ／ｍ２において、ＬＴ８０値は、次の方程式を使用して決定される。

ここで、Ｌ０は、印加された電流密度における初期輝度を示す。値は、複数のピクセル（典型的に、２～８個）の平均に該当する。
実験結果
スタック材料

ＨＢＭ１（正孔遮断材料）


ＥＢＭ１（電子遮断材料）


ＨＴＬ１（正孔輸送材料）


ＥＴＬ１（電子輸送材料）

Figure 2023541978000368
 ＥＴＬ２（電子輸送材料）

Figure 2023541978000369
 ＥＴＬ３（電子輸送材料）

Figure 2023541978000370
 ＮＤＰ－９（正孔注入材料）

Figure 2023541978000371
 ＥＢＭ２（電子遮断材料）
ホスト材料ＨＢ
Figure 2023541978000372
 ｍＣＢＰ＝ＨＢ－１ ＰＹＤ２＝ＨＢ－２ ＨＢ－３

Figure 2023541978000373
 ＨＢ－４

Figure 2023541978000374
 ＨＢ－５

Figure 2023541978000375
ＨＢ－６

Figure 2023541978000376
 ＨＢ－７

Figure 2023541978000377
 ＨＢ－８

Figure 2023541978000378
 ＨＢ－９

Figure 2023541978000379
 ＨＢ－１０

Figure 2023541978000380
 ＨＢ－１１

Figure 2023541978000381
 ＨＢ－１２

Figure 2023541978000382
 ＨＢ－１３

Figure 2023541978000383
 ＨＢ－１４

Figure 2023541978000384
 ＨＢ－１５

Figure 2023541978000385
 ＨＢ－１６
表１Ｈ ホスト材料の特性
励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１または正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ＨｓｃａｖがＥＥＴ－２であるとき）として選択可能なＴＡＤＦ材料ＥＢ
Figure 2023541978000387
 ＥＢ－１

Figure 2023541978000388
 ＥＢ－２

Figure 2023541978000389
 ＥＢ－３

Figure 2023541978000390
 ＥＢ－４

Figure 2023541978000391
 ＥＢ－５

Figure 2023541978000392
 ＥＢ－６

Figure 2023541978000393
 ＥＢ－７

Figure 2023541978000394
 ＥＢ－８

Figure 2023541978000395
 ＥＢ－９

Figure 2023541978000396
 ＥＢ－１０

Figure 2023541978000397
 ＥＢ－１１

Figure 2023541978000398
 ＥＢ－１２

Figure 2023541978000399
 ＥＢ－１３

Figure 2023541978000400
 ＥＢ－１４

Figure 2023541978000401
 ＥＢ－１５

Figure 2023541978000402
 ＥＢ－１６

Figure 2023541978000403
 ＥＢ－１７

Figure 2023541978000404
 ＥＢ－１８

Figure 2023541978000405
 ＥＢ－１９

Figure 2023541978000406
 ＥＢ－２０

Figure 2023541978000407
 ＥＢ－２１

Figure 2023541978000408
 ＥＢ－２２

Figure 2023541978000409
 ＥＢ－２３

Figure 2023541978000410
 ＥＢ－２４
表１Ｅ ＴＡＤＦ材料ＥＢの特性
励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１または正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ＨｓｃａｖがＥＥＴ－２であるとき）として選択可能な燐光材料ＰＢ
Figure 2023541978000412
Ｉｒ（ｐｐｙ）３

Figure 2023541978000413
 ＰＢ－２

Figure 2023541978000414
 ＰＢ－３


ＰＢ－４
表１Ｐ 材料の特性
（蛍光エミッタＦ及び／または正孔スカベンジャーＨｓｃａｖとして使用可能な）小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ
Figure 2023541978000418
 ＳＢ－１

Figure 2023541978000419
 ＳＢ－２

Figure 2023541978000420
 ＳＢ－３

Figure 2023541978000421
 ＳＢ－４

Figure 2023541978000422
 ＳＢ－５

Figure 2023541978000423
 ＳＢ－６

Figure 2023541978000424
 ＳＢ－７

Figure 2023541978000425
 ＳＢ－８

Figure 2023541978000426
 ＳＢ－９

Figure 2023541978000427
 ＳＢ－１０

Figure 2023541978000428
 ＳＢ－１１

Figure 2023541978000429
 ＳＢ－１２

Figure 2023541978000430
 ＳＢ－１３

Figure 2023541978000431
 ＳＢ－１４

Figure 2023541978000432
 ＳＢ－１５
表１Ｓ 小さいＦＷＨＭエミッタＳＢの特性
表２ 例示的な有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）の構成１
本発明の結果を評価するために、発光層（６）の組成のみを変化させた比較実験を遂行した。また、比較実験では、ＥＥＴ－１とＳＢとの割合を一定に維持した。
結果Ｉ：発光層（発光層、６）において正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、例示的に燐光材料ＰＢ）の含量変化
素子Ｄ１～Ｄ４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表２の構成１が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１０が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、例示的にＥＥＴ－２として燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果Ｉ
素子結果、Ｄ１及びＤ２を比較すれば、類似した光学的特性（ＦＷＨＭ、λｍａｘ、ＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ）及び効率（ＥＱＥ）を観察することができる一方、Ｄ２の場合、Ｄ１に比べて１４７％の相対寿命の延長（１．００から２．４７へ）を観察することができる。Ｄ３の場合、Ｄ１に比べて相対寿命が２１％（１．００から１．２１へ）延長した一方、Ｄ４の相対寿命は、Ｄ１に比べて１％（１．００から０．９９へ）減少した。
結果ＩＩ：成分組成の変化
素子Ｄ５～Ｄ１３の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：

表２の構成１が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１１が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、例示的にＥＥＴ－２として燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子Ｄ５及びＤ６は、混合ホストシステム、すなわち、ＨＢ及びＨＮ、燐光エミッタを含む典型的な燐光素子である。
素子Ｄ７及びＤ８は、混合ホストシステム、すなわち、ＨＢ及びＨＮ、燐光材料及び小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む素子である。
素子Ｄ９は、ホストＨＢ、ＴＡＤＦ材料ＥＢ及び小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む素子である。
素子Ｄ１０は、ホストＨＢ、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ）、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、例示的にＥＥＴ－２として燐光材料ＰＢ）及び小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む素子である。
素子結果ＩＩ
素子Ｄ５及びＤ６の発光層の組成をＤ７及びＤ８と比較すれば、Ｄ７及びＤ８は、Ｄ５及びＤ６には存在しない小さいＦＷＨＭエミッタＳＢをさらに含む。Ｄ７及びＤ８に対し、さらに長寿命、類似した効率及びさらに小さい放出ＦＷＨＭが観察されうる。
本発明による素子Ｄ１０は、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー
伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＩｒ（ｐｐｙ）３）がないＤ９より優れた総合的な性能を示す。
素子Ｄ１４～Ｄ２１の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023541978000440
表２の構成１が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１０が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、ＰＢ－２が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、例示的にＥＥＴ－２として燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果ＩＩＩ
素子結果ＩＩＩから結論付けられるように、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）がなければ、全ての場合、０．２５ｅＶより非常に大きいＦＷＨＭ値によって反映される、好ましくない広い発光が発生する（素子Ｄ１４、Ｄ１５及びＤ１８参照）。Ｄ１５の場合、２２．７％の非常に高いＥＱＥが非常に減少した寿命と共に提供される。Ｅ
ＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ、具体的にはＥＢ－１０）または正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、例示的にＥＥＴ－２、具体的にはＰＢ－２として燐光材料ＰＢ）と共に小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、例示的にＳＢ－１）を使用するとき、狭い発光が達成され、これは、その後、０．２５ｅＶより非常に小さいＦＷＨＭ値によって反映される（素子Ｄ１６及びＤ１７参照）。同時に、それらの素子は、それぞれ２０．４％及び２２．４％の高いＥＱＥ値を示す。しかし、寿命の観点から、それらの素子は、本発明によって製造された素子Ｄ１９によって明白に圧倒される。また、Ｄ１９は、非常に優れた効率（２０．４％のＥＱＥ）及び狭い発光（０．１７ｅＶのＦＷＨＭ）を示す。要約すれば、熟練された技術者は、（本発明による）Ｄ１９が最も優れた総合的な素子性能を明確に示すということを認めるであろう。Ｄ１９のＥＭＬは、１％の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、燐光材料ＰＢ）を含む。この値を（Ｄ２０において）４％、またはさらには、（Ｄ２１において）７％に増やせば、ＦＷＨＭが０．２０ｅＶと若干増加し、ＥＱＥが１６．３％または１３．６％とそれぞれ減少し、素子寿命が短縮され、素子性能が多少低下する結果をもたらす。それにもかかわらず、Ｄ２０及びＤ２１は、特に素子寿命と係わって依然として優れた総合的な性能を示す。
励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ－１０）がない場合、ＥＭＬ内の電子移動度を増加させるために、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨＢ－５）を一般的に使用した。
素子Ｄ２２～Ｄ２９の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表２の構成１が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１１が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、例示的にＥＥＴ－２として燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果ＩＶ
素子結果ＩＶから結論付けられるように、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢなしに、メインエミッタとしてＴＡＤＦ材料ＥＢ（ここで、例示的にＥＢ－１１）または燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）３）を使用すれば、０．２５ｅＶ（ここで、それぞれ０．４１及び０．３１ｅＶ、Ｄ２２及びＤ２３参照）より明確に大きい主発光ピークのＦＷＨＭ値によって反映される有機エレクトロルミネッセンス素子の相対的に広い発光が発生する。Ｄ２２及びＤ２３の両方は、高い効率（それぞれ２２．５％及び１９．５％のＥＱＥ）を示す。例えば、燐光ＯＬＥＤ Ｄ２３に小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）を追加すれば、主発光ピークのＦＷＨＭが大きく減少（０．１７ｅＶ）する一方、ＥＱＥ及び寿命は若干向上する（Ｄ２４参照）。しかし、ＯＬＥＤ Ｄ２２及びＤ２３だけでなく、素子Ｄ２４は、本発明によって製造された素子Ｄ２５によって強力に圧倒される。Ｄ２２、Ｄ２３及びＤ２４と比べるとき、素子Ｄ２５は、劇的に延長した寿命を示し、かつ依然として同一に高い効率及び狭いＦＷＨＭを示す。熟練された技術者は、本発明による素子Ｄ２５の総合的な性能がＤ２２、Ｄ２３及びＤ２４の性能より明白に優秀であるということを認めるであろう。小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）の含量を（Ｄ２５のＥＭＬにおいて）１％から（Ｄ２６のＥＭＬにおいて）０．５％に減らすことにより、総合的な素子性能をさらに向上させることができる。再び、本発明の条件を満たさない比較例Ｄ２７（例えば、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、この場合、ＥＥＴ－２、ここで、燐光材料ＰＢが欠けている）は、急激に減少した寿命及び多少減少した効率（ＥＱＥ）を示した。本発明による素子Ｄ２５及びＤ２６内の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、例示的に燐光材料ＰＢ、Ｉｒ（ｐｐｙ）３）の含量を１％から（本発明による素子Ｄ２８及びＤ２９内の）４％に増加させれば、素子寿命及び効率の低下をもたらす。しかし、それらの素子（Ｄ２８及びＤ２９）は、本発明によらず、最新技術によって製造された、前述の比較素子より依然として明白に優秀である。励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ－１１）がない場合、ＥＭＬ内の電子移動度を増加させるために、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨＢ－５）が一般的に使用された。
表３ 例示的な有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）の構成２
素子Ｄ３０～Ｄ３２の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表３の構成２が使用され、ここで、ＨＢ－１（ｍＣＢＰ）がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１４が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、ＰＢ－３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、例示的にＥＥＴ－２として燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１４が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。
素子結果Ｖ
有機エレクトロルミネッセンス素子Ｄ３０～Ｄ３２のうち、本発明によるＤ３２が狭い発光（小さいＦＷＨＭ）、高いＥＱＥ、相対的な寿命を考慮するときに最も優れた総合的
な性能を示す。
素子Ｄ３３～Ｄ３５の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表３の構成２が使用され、ここで、ＨＢ－１４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１４が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、ＰＢ－３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、例示的にＥＥＴ－２として燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１４が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。
素子結果ＶＩ
有機エレクトロルミネッセンス素子Ｄ３３～Ｄ３６のうち、本発明によるＤ３５が狭い発光（小さいＦＷＨＭ）、高いＥＱＥ、相対的な寿命を考慮するときに最も優れた総合的な性能を示す。
前述のように、本発明による各発光層Ｂは、単一層であってもよく、２以上の副層からなってもよい。２以上の副層を含む発光層Ｂを有する例示的な有機エレクトロルミネッセンス素子が下記に示されている（素子結果ＶＩＩ及びＶＩＩＩ参照）。
表４ 例示的な有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）の構成３

素子Ｄ３６～Ｄ３８の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表４の構成３が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１０が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、例示的にＥＥＴ－２として燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。
素子結果ＶＩＩ
素子結果ＶＩＩから結論付けられるように、本発明によるＤ３８は、Ｄ３６及びＤ３７に比べて顕著に延長した寿命を示す。これは、多少減少するが、依然として高い効率（ＥＱＥ）と共に提供される。３つの素子の全ての場合、０．２５ｅＶ未満のＦＷＨＭ値で表される狭い発光を示す。Ｄ３８は、狭い発光、依然として高いＥＱＥ及び非常に長寿命を考慮するときに最も優れた総合的な素子性能を示す。
表５ 例示的な有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）の構成４
Figure 2023541978000452
素子Ｄ３９の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表５の構成４が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１０が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、例示的にＥＥＴ－２として燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。
素子結果ＶＩＩＩ
素子結果ＶＩＩＩから結論付けられるように、ほぼ類似したスタック構造を使用しつつ、ＨＢ：ＥＢ：Ｈｓｃａｖ－副層の厚みを８ｎｍ（Ｄ３８）から５ｎｍ（Ｄ３９）に減少すれば、素子性能が向上しない。それにもかかわらず、Ｄ３９は、依然として狭い発光、高いＥＱＥ及び優れた寿命を示す。
素子Ｄ４０及びＤ４１の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表２の構成１が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１０が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果ＩＸ
素子結果ＩＸから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ４１は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び最も多く素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、例示的にＴＡＤＦ材料ＥＢ、より具体的にはＥＢ－１０）が欠けている素子Ｄ４０に比べて優れた総合的な性能を示す。
表６ 例示的な有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）の構成５
素子Ｄ４２～Ｄ４４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１０が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、ＰＢ－２が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果Ｘ
素子結果Ｘから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ４４は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、より具体的にはＥＢ－１０）が欠けている素子Ｄ４３、及び正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＰＢ－２）が欠けている素子Ｄ４２に比べて優れた総合的な性能を示す。ＴＡＤＦ材料ＥＢ－１０がない場合、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨＢ－５）を使用してＥＭＬ内の電子移動度を増加させた。
素子Ｄ４５～Ｄ４９の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表２の構成１が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１０が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、ＰＢ－４が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果ＸＩ
素子結果Ｘから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ４９は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、より具体的にはＥＢ－１０）が欠けている素子Ｄ４８、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＰＢ－４）が欠けている素子Ｄ４７、ＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＰＢ－４を採用した素子Ｄ４６、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１０を採用した素子Ｄ４５に比べて、優れた総合的な性能を示す。ＴＡＤＦ材料ＥＢ－１０がない場合、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨＢ－５）を使用してＥＭＬ内の電子移動度を増加させた。
素子Ｄ５０～Ｄ６４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１１が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果ＸＩＩ
素子結果ＸＩＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ５４は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、より具体的にはＥＢ－１１）が欠けている素子Ｄ５３、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ５２、ＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＩｒ（ｐｐｙ）３を採用した素子Ｄ５１、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１１を採用した素子Ｄ５０に比べて、優れた総合的な性能を示す。素子Ｄ５５～Ｄ５８の性能を比較するとき、ＥＭＬ内の小さいＦＷＨＭエミッタ（ここで、例示的にＳＢ－１）の濃度を１％から０．５％に減少すれば、素子寿命を延長させることができるという結論が出る。また、素子Ｄ５９～Ｄ６１が本発明によって製造され、特に、本発明によるＤ５５と比べて、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、より具体的にはＥＢ－１１）の濃度を２０％から３０％に、またはさらには、４０％に増加させれば、総合的な素子性能を向上させることができる。素子Ｄ５５～Ｄ５８の比較、並びにＤ６０及びＤ６１の比較は、対照的に低い濃度の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＩｒ（ｐｐｙ）３）が素子性能に有利であることを示す。ＴＡＤＦ材料ＥＢ－１１がない場合、ＥＭＬ内の電子移動度を増加させるために、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨＢ－５）を使用した。
素子Ｄ６２～Ｄ７１の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１１が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、ＰＢ－２が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果ＸＩＩＩ
素子結果ＸＩＩＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ６７は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さいＦＷＨＭ材料ＳＢ（ここで、例示的にＳＢ－１）が欠けている素子Ｄ６６、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、より具体的にはＥＢ－１１）が欠けている素子Ｄ６５、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２
、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＰＢ－２）が欠けている素子Ｄ６４、ＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＰＢ－２を採用した素子Ｄ６３、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１１を採用した素子Ｄ６２に比べて優れた総合的な性能を示す。素子Ｄ６７～Ｄ７１の性能を比較するとき、与えられた材料セットに対し、３０％のＥＥＴ－１（ここで、ＥＢ－１１）、２．５％のＨｓｃａｖ（ここで、ＥＥＴ－２、より具体的にはＰＢ－２）及び０．５％のＳＢ－１濃度が最も優れた性能の素子（Ｄ６９）を提供するという結論を出すことができる。
素子Ｄ７２～Ｄ７９の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１１が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、ＰＢ－４が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果ＸＩＶ
素子結果ＸＩＶから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ７６は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、より具体的にはＥＢ－１１）が欠けている素子Ｄ７５、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＰＢ－４）が欠けている素子Ｄ７４、ＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＰＢ－４を採用した素子Ｄ７３、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１１を採用した素子Ｄ７２に比べて優れた総合的な性能を示す。素子Ｄ７６～Ｄ７９の性能を比較するとき、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、例示的にＳＢ－１）の濃度を１％から０．５％に減少すれば、総合的な素子性能を向上させることができるという結論を出すことができる。
素子Ｄ８０～Ｄ８５の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ）として使用され、ＥＢ－１５が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果ＸＶ
素子結果ＸＶから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ８４は、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ８１と比べて優れた総合的な性能を示す。また、本発明によるＤ８５は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）が欠けている素子Ｄ８３、燐光材料ＰＢ（ここで、ＰＢ－４）が欠けている素子Ｄ８１、及びＳＢ－１の代わりにエミッタＥＢ－１５を使用する素子Ｄ８０に比べて優れた総合的な性能を示す。
素子Ｄ８６～Ｄ９０の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ）として使用され、ＥＢ－１５が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、ＰＢ－２が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果ＸＶＩ
素子結果ＸＶＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ８９及びＤ９０は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＰＢ－２）が欠けている素子Ｄ８７及びＤ８８、並びにＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１５を採用した素子に比べて優れた総合的な性能を示す。
素子Ｄ９１～Ｄ９４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ）として使用され、ＥＢ－１６が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果ＸＶＩＩ
素子結果ＸＶＩＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ９４は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）が欠けている素子Ｄ９３、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ９２、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１６を採用した素子Ｄ９１に比べて優れた総合的な性能を示す。
素子Ｄ９１～Ｄ９４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ）として使用され、ＥＢ－１７が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに
材料がないことを意味する。
素子結果ＸＶＩＩＩ
素子結果ＸＶＩＩＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ９７は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）が欠けている素子Ｄ９６、及び正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ９５に比べて優れた総合的な性能を示す。
素子Ｄ９８～Ｄ１０１の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ）として使用され、ＥＢ－１８が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果ＸＩＸ
素子結果ＸＩＸから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ１０１は、狭い発光（
ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）が欠けている素子Ｄ１００、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ９９、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１８を採用した素子Ｄ９１に比べて優れた総合的な性能を示す。
素子Ｄ１０２～Ｄ１０５の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ）として使用され、ＥＢ－１９が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果ＸＸ
素子結果ＸＸから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ１０４は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）が欠けている素子Ｄ１０３、及び正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ１０２に比べて優れた総合的な性能を示す。
素子Ｄ１０６～Ｄ１０８の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ）として使用され、ＥＢ－２１が励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１（ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢ）として使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小さいＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子結果ＸＸＩ
素子結果ＸＸＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ１０８は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ（ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２、より具体的には燐光材料ＰＢ、より具体的にはＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ１０７、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－２１を採用した素子Ｄ１０６に比べて優れた総合的な性能を示す。

Claims (15)

  1. それぞれが１以上の副層からなり、前記１以上の副層が互いに隣接し、全体的に下記を含む少なくとも１層の発光層Ｂを含む、有機エレクトロルミネッセンス素子：
    （ｉ）エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）である最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１）、及びエネルギーがＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）である最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）を有する、１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１、
    （ｉｉ）エネルギーがＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である最高被占軌道ＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）、及びエネルギーがＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）である最低空軌道ＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ）を有する、１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖ、
    （ｉｉｉ）エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＳＢ）である最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）、及びエネルギーがＥＬＵＭＯ（ＳＢ）である最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を放出する、１以上の小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び任意に
    （ｉｖ）エネルギーがＥＨＯＭＯ（ＨＢ）である最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）、及びエネルギーがＥＬＵＭＯ（ＨＢ）である最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する、１以上のホスト材料ＨＢ、
    ここで、それぞれの発光層Ｂの外部表面に位置する前記１以上の副層は、ＥＥＴ－１、Ｈｓｃａｖ及び小さいＦＷＨＭエミッタＳＢからなる群から選択された少なくとも１つの材料を含み、
    ここで、前記それぞれの成分が同一の前記発光層Ｂに含まれる限り、下記式（１）～（６）で表される関係が適用される：
    ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜ＥＬＵＭＯ（ＨＢ） （１）
    ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜ＥＬＵＭＯ（Ｈｓｃａｖ） （２）
    ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ） （３）
    ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）≧ＥＨＯＭＯ（ＨＢ） （４）
    ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）≧ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－１） （５）
    ＥＨＯＭＯ（Ｈｓｃａｖ）≧ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （６）。
  2. 少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）は、－２．３ｅＶ未満のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－１）を有する、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、前記発光層Ｂの総重量を基準として５重量％以下の１以上の小さいＦＷＨＭエミッタＳＢを含む、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、前記発光層Ｂの総重量を基準として１５～５０重量％の１以上の励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１を含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  5. 少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、前記発光層Ｂの総重量を基準として５重量％以下の１以上の正孔スカベンジャーＨｓｃａｖを含む、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. （ｉ）それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１は、エネルギーレベルＥ（Ｓ１ＥＥＴ－１）を有する最低励起一重項状態Ｓ１ＥＥＴ－１、及びエネルギーレベルＥ（Ｔ１ＥＥＴ－１）を有する最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－１を有し、
    （ｉｉ）それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈｓｃ
    ａｖ）を有する最低励起一重項状態Ｓ１Ｈｓｃａｖ、及びエネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈｓｃａｖ）を有する最低励起三重項状態Ｔ１Ｈｓｃａｖを有し、
    （ｉｉｉ）それぞれの小さい半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢは、エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）を有する最低励起一重項状態Ｓ１Ｓ、及びエネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有する最低励起三重項状態Ｔ１Ｓを有し、
    （ｉｖ）それぞれの任意に含まれたホスト材料ＨＢは、エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）を有する最低励起一重項状態Ｓ１Ｈ、及びエネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有する最低励起三重項状態Ｔ１Ｈを有し、
    前記それぞれの成分が同一の前記発光層Ｂに含まれる限り、下記式（７）～（９）で表される関係が適用される、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
    Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１） （７）
    Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｈｓｃａｖ） （８）
    Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （９）。
  7. ０．２５ｅＶ未満、より好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またはさらには、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークのＦＷＨＭで発光する、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、正確に１層の（副）層からなる、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－１だけでなく、それぞれの発光層Ｂに含まれる場合、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、以下の２つの条件のうち少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つを満たす、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
    （ｉ）Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－１）とＥ（Ｔ１ＥＥＴ－１）とのエネルギー差及び／またはＥ（Ｓ１ＥＥＴ－２）とＥ（Ｔ１ＥＥＴ－２）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が、０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またはさらには、０．０５ｅＶ未満であり、及び／または
    （ｉｉ）標準原子量が４０より大きい、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの遷移金属を含む。
  10. 少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの正孔スカベンジャーＨｓｃａｖは、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２であり、
    ここで、励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２を含む少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの励起エネルギー伝達成分ＥＥＴ－２は、イリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）を含む、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. 少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、以下の条件のうち少なくとも１つまたは両方を満たす、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
    （ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、（それぞれの）小さいＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、及び／または
    （ｉｉ）ピレンコア構造を含む。
  12. 少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さいＦＷＨＭエミッタＳＢは、下記化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉまたは下記化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなる、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：

    ＤＡＢＮＡ－Ｉ

    化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉにおいて、
    それぞれの環Ａ’、環Ｂ’及び環Ｃ’は、互いに独立して、それぞれ５～２４個の環原子を含む芳香族環またはヘテロ芳香族環を示し、そのうち、ヘテロ芳香族環の場合、１～３個の環原子は、互いに独立して、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｅから選択されるヘテロ原子であり、ここで、それぞれの芳香族環またはヘテロ芳香族環Ａ’、Ｂ’及びＣ’において、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して置換基ＲＤＡＢＮＡ－１によって置換され、これは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
    重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－２、ＳＲＤＡＢＮＡ－２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－２、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン、
    Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
    Ｃ６－Ｃ６０アリール、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
    Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、及び
    ４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
    ＲＤＡＢＮＡ－２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－６、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン、
    Ｃ１－Ｃ５アルキル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    Ｃ６－Ｃ１８アリール、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、及び
    ４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
    ここで、ＲＤＡＢＮＡ－１及びＲＤＡＢＮＡ－２から選択される２以上の隣接した置換基は、任意に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された縮合環系は、合計で８～３０個の環原子を含み、
    Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して、直接（単一）結合、ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｏ、Ｓ、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、ＢＲＤＡＢＮＡ－３及びＳｅから選択され、
    ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－４、ＳＲＤＡＢＮＡ－４、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－４）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－４、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン、
    Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
    Ｃ６－Ｃ６０アリール、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
    Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、及び
    ４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
    ＲＤＡＢＮＡ－４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－５、ＳＲＤＡＢＮＡ－５、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－５）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－５、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン、
    Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
    Ｃ６－Ｃ６０アリール、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
    Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、及び
    ４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
    ＲＤＡＢＮＡ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－６、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン、
    Ｃ１－Ｃ５アルキル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、任意にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    Ｃ６－Ｃ１８アリール、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
    Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
    これは、任意に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、及び
    ４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
    ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４及びＲＤＡＢＮＡ－５から選択される２以上の隣接した置換基は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、任意にこのように形成された縮合環系は、合計で８～３０個の環原子を含み、
    ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
    水素、重水素、ＯＰｈ（Ｐｈ＝フェニル）、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｃ１－Ｃ５アルキル）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
    Ｃ１－Ｃ５アルキル、
    ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
    Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
    ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
    Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
    ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
    Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
    ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
    Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
    ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
    Ｃ６－Ｃ１８アリール、
    ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリール置換基によって置換され、
    Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
    ここで、任意に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリール置換基によって置換され、
    Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
    Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
    Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
    ここで、Ｙａ及びＹｂのうち１つ、またはＹａ及びＹｂのうち両方がＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３である場合、前記１つまたは２つの置換基ＲＤＡＢＮＡ－３は、任意に互いに独立して、隣接した環Ａ’及びＢ’（Ｙａ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３）、またはＡ’及びＣ’（Ｙｂ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３）の１つまたは両方に直接（単一）結合、あるいはそれぞれの場合に独立して、ＮＲＤＡＢＮＡ－１、Ｏ、Ｓ、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－１）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－１）２、ＢＲＤＡＢＮＡ－１及びＳｅから選択される連結原子または原子基を介して結合することができ、
    ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造が互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
    ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造がエミッタ内に存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し、環は、好ましくは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの環Ａ’、Ｂ’及びＣ’のうちいずれか１つであるが、また、ＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６、特にＲＤＡＢＮＡ－３から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の隣接した置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２以上の構造の同一のまたは異なるモイエティを構成することができ、
    ここで、任意に、少なくとも１つのＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６が、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、任意に、少なくとも１つのＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６の少なくとも１つの水素原子が、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合によって代替され、

    ＢＮＥ－１

    化学式ＢＮＥ－１において、
    ｃ及びｄは、両方とも整数であり、互いに独立して０及び１から選択され、
    ｅ及びｆは、両方とも整数であり、０及び１から選択され、ここで、ｅ及びｆは同一であり、
    ｇ及びｈは、両方とも整数であり、０及び１から選択され、ここで、ｇ及びｈは同一であり、
    ｄが０であれば、ｅ及びｆは、両方とも１であり、ｄが１であれば、ｅ及びｆは、両方とも０であり、
    ｃが０であれば、ｇ及びｈは、両方とも１であり、ｃが１であれば、ｇ及びｈは、両方とも０であり、
    Ｖ１は、窒素（Ｎ）及びＣＲＢＮＥ－Ｖから選択され、
    Ｖ２は、窒素（Ｎ）及びＣＲＢＮＥ－Ｉから選択され、
    Ｘ３は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－３、ＮＲＢＮＥ－３、Ｏ、ＳｉＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
    Ｙ２は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－３’、ＮＲＢＮＥ－３’、Ｏ、ＳｉＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
    ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
    水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
    Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ６－Ｃ６０アリール、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、及び
    Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
    ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
    水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
    Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、Ｎ
    ＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ６－Ｃ６０アリール、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、及び
    Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで任意に置換され、
    ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
    水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
    Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、Ｎ
    ＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
    Ｃ６－Ｃ６０アリール、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、及び
    Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で任意に置換され、
    ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
    水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＲＢＮＥ－６、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－６）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－６、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
    Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
    Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
    Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
    ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
    Ｃ６－Ｃ６０アリール、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、及び
    Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
    これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で任意に置換され、
    ＲＢＮＥ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
    水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
    Ｃ１－Ｃ５アルキル、
    ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、ＰｈまたはＦで置換され、
    Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
    ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
    Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
    ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
    Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
    ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
    Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
    ここで、１以上の水素原子は、任意に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
    Ｃ６－Ｃ１８アリール、
    これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
    Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
    これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で任意に置換され、
    Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
    Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
    Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
    ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、任意に結合して直接単結合を形成し、
    ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
    ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、任意に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
    ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
    ここで、任意に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは異なるモイエティを構成することができ、
    ここで、任意に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、Ｒ
    ＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
  13. 本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂに対し、前記素子に電流を印加するときに電子・正孔再結合が発生する再結合領域は、以下の基準をいずれも満たす、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
    （ｉ）その体積の２０～８０％が電子遮断層（ＥＢＬ）と仮想の境界面ＳＥＭＬとの間に位置し、ここで、ＳＥＭＬは、ＥＢＬに平行であり、それぞれの発光層Ｂの中央に正確に位置し、及び
    （ｉｉ）その体積の２０～８０％が正孔遮断層（ＨＢＬ）と仮想の境界面ＳＥＭＬとの間に位置し、ここで、ＳＥＭＬは、ＨＢＬに平行であり、それぞれの発光層Ｂの中央に正確に位置し、
    ここで、ＥＢＬ及びＨＢＬの両方が前記発光層Ｂに隣接し、前記ＥＢＬがアノードにさらに近く、前記ＨＢＬがカソードにさらに近く、ここで、再結合領域の総体積は１００％まで合算される。
  14. 下記段階を含む、光発生方法：
    （ｉ）請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する段階、及び
    （ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加する段階。
  15. 下記波長範囲のうち１つから選択される波長範囲内にある主発光ピークの最大発光を有する光を発生させる、請求項１４に記載の光発生方法：
    （ｉ）５１０ｎｍ～５５０ｎｍ、または
    （ｉｉ）４４０ｎｍ～４７０ｎｍ、または
    （ｉｉｉ）６１０ｎｍ～６６５ｎｍ。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9434072B2 (en) 2012-06-21 2016-09-06 Rethink Robotics, Inc. Vision-guided robots and methods of training them
JP2023050136A (ja) * 2021-09-29 2023-04-10 住友化学株式会社 組成物及びそれを含有する発光素子
EP4335846A1 (en) * 2022-06-30 2024-03-13 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent material and device thereof
US20240188316A1 (en) * 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Family Cites Families (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US7001536B2 (en) 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US6660410B2 (en) 2000-03-27 2003-12-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
KR100865096B1 (ko) 2000-11-30 2008-10-24 캐논 가부시끼가이샤 발광 소자 및 표시 장치
JP4154145B2 (ja) 2000-12-01 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、発光素子及び表示装置
US6579630B2 (en) 2000-12-07 2003-06-17 Canon Kabushiki Kaisha Deuterated semiconducting organic compounds used for opto-electronic devices
JP4438042B2 (ja) 2001-03-08 2010-03-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
JP4307001B2 (ja) 2001-03-14 2009-08-05 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
DE10116962A1 (de) 2001-04-05 2002-10-10 Covion Organic Semiconductors Rhodium- und Iridium-Komplexe
US6835469B2 (en) 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
ITRM20020411A1 (it) 2002-08-01 2004-02-02 Univ Roma La Sapienza Derivati dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
DE10238903A1 (de) 2002-08-24 2004-03-04 Covion Organic Semiconductors Gmbh Rhodium- und Iridium-Komplexe
EP2264122A3 (en) 2002-08-27 2011-05-11 Fujifilm Corporation Organometallic complexes, organic electroluminescent devices and organic electroluminescent displays
JP5318347B2 (ja) 2003-04-15 2013-10-16 メルク パテント ゲーエムベーハー 発光可能な、マトリックス材料と有機半導体との混合物、その使用、ならびに前記混合物を含む電子部品
WO2004095889A1 (ja) 2003-04-23 2004-11-04 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
JP4891615B2 (ja) 2003-07-22 2012-03-07 出光興産株式会社 金属錯体化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
HU0302888D0 (en) 2003-09-09 2003-11-28 Pribenszky Csaba Dr In creasing of efficacity of stable storage by freezing of embryos in preimplantation stage with pretreatment by pressure
DE10345572A1 (de) 2003-09-29 2005-05-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
US7795801B2 (en) 2003-09-30 2010-09-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator, display and compound
US7442797B2 (en) 2003-11-04 2008-10-28 Takasago International Corporation Platinum complex and light emitting device
US20050123791A1 (en) 2003-12-05 2005-06-09 Deaton Joseph C. Organic electroluminescent devices
US7029766B2 (en) 2003-12-05 2006-04-18 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
DE102004023277A1 (de) 2004-05-11 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialmischungen für die Elektrolumineszenz
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
US20060008670A1 (en) 2004-07-06 2006-01-12 Chun Lin Organic light emitting materials and devices
KR100880220B1 (ko) 2004-10-04 2009-01-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 실리콘을 갖는 페닐 피리딘기를 포함하는 이리듐화합물계 발광 화합물 및 이를 발색 재료로서 사용하는유기전계발광소자
JP4478555B2 (ja) 2004-11-30 2010-06-09 キヤノン株式会社 金属錯体、発光素子及び画像表示装置
US20060134459A1 (en) 2004-12-17 2006-06-22 Shouquan Huo OLEDs with mixed-ligand cyclometallated complexes
TWI242596B (en) 2004-12-22 2005-11-01 Ind Tech Res Inst Organometallic compound and organic electroluminescent device including the same
US8492749B2 (en) 2004-12-23 2013-07-23 Basf Se Electroluminescent metal complexes with nucleophilic carbene ligands
JP2008528646A (ja) 2005-02-03 2008-07-31 メルク パテント ゲーエムベーハー 金属錯体
KR100803125B1 (ko) 2005-03-08 2008-02-14 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
JP5242380B2 (ja) 2005-05-03 2013-07-24 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8586204B2 (en) 2007-12-28 2013-11-19 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters and host materials with improved stability
US9051344B2 (en) 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
DE102005043163A1 (de) 2005-09-12 2007-03-15 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
US9023489B2 (en) 2005-11-07 2015-05-05 Lg Display Co., Ltd. Red phosphorescent compounds and organic electroluminescent devices using the same
KR100662378B1 (ko) 2005-11-07 2007-01-02 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
US7462406B2 (en) 2005-11-15 2008-12-09 Eastman Kodak Company OLED devices with dinuclear copper compounds
US20080233410A1 (en) 2005-11-17 2008-09-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Transition metal complex compound
CN101321755B (zh) 2005-12-01 2012-04-18 新日铁化学株式会社 有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件
US7999103B2 (en) 2005-12-15 2011-08-16 Chuo University Metal complex compound and organic electroluminescence device using the compound
EP3569606B1 (en) 2006-02-10 2022-01-05 Universal Display Corporation Metal complexes of cyclometallated imidazo (1,2-f)phenanthridine and diimidazo (1,2-a; 1', 2'-c)quinazoline ligands and isoelectronic and benzannulated analogs thereof
KR20070097139A (ko) 2006-03-23 2007-10-04 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
JP5273910B2 (ja) 2006-03-31 2013-08-28 キヤノン株式会社 発光素子用有機化合物、発光素子および画像表示装置
DE102006025777A1 (de) 2006-05-31 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US20070278936A1 (en) 2006-06-02 2007-12-06 Norman Herron Red emitter complexes of IR(III) and devices made with such compounds
US7629158B2 (en) 2006-06-16 2009-12-08 The Procter & Gamble Company Cleaning and/or treatment compositions
US7736756B2 (en) 2006-07-18 2010-06-15 Global Oled Technology Llc Light emitting device containing phosphorescent complex
EP2080762B1 (en) 2006-11-09 2016-09-14 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd. Compound for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
DE102007002714A1 (de) 2007-01-18 2008-07-31 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US9130177B2 (en) 2011-01-13 2015-09-08 Universal Display Corporation 5-substituted 2 phenylquinoline complexes materials for light emitting diode
JP5638246B2 (ja) 2007-03-08 2014-12-10 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション リン光材料
WO2008156879A1 (en) 2007-06-20 2008-12-24 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
JP2009040728A (ja) 2007-08-09 2009-02-26 Canon Inc 有機金属錯体及びこれを用いた有機発光素子
US8956737B2 (en) 2007-09-27 2015-02-17 Lg Display Co., Ltd. Red phosphorescent compound and organic electroluminescent device using the same
US8067100B2 (en) 2007-10-04 2011-11-29 Universal Display Corporation Complexes with tridentate ligands
KR100950968B1 (ko) 2007-10-18 2010-04-02 에스에프씨 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
DE102007053771A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR100933226B1 (ko) 2007-11-20 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자
US7862908B2 (en) 2007-11-26 2011-01-04 National Tsing Hua University Conjugated compounds containing hydroindoloacridine structural elements, and their use
WO2009073245A1 (en) 2007-12-06 2009-06-11 Universal Display Corporation Light-emitting organometallic complexes
US8221905B2 (en) 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
DE102008036982A1 (de) 2008-08-08 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
WO2010027583A1 (en) 2008-09-03 2010-03-11 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
US9034483B2 (en) 2008-09-16 2015-05-19 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
US8101755B2 (en) 2008-10-23 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex including pyrazine derivative
KR101348699B1 (ko) 2008-10-29 2014-01-08 엘지디스플레이 주식회사 적색 인광 물질 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR101506919B1 (ko) 2008-10-31 2015-03-30 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
DE102008056688A1 (de) 2008-11-11 2010-05-12 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
CN102076813B (zh) 2008-11-11 2016-05-18 默克专利有限公司 有机电致发光器件
US8815415B2 (en) 2008-12-12 2014-08-26 Universal Display Corporation Blue emitter with high efficiency based on imidazo[1,2-f] phenanthridine iridium complexes
WO2010098098A1 (ja) 2009-02-27 2010-09-02 出光興産株式会社 ピロメテンホウ素錯体化合物及びそれを用いた有機電界発光素子
US8709615B2 (en) 2011-07-28 2014-04-29 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complexes as dopants
US8722205B2 (en) 2009-03-23 2014-05-13 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
TWI687408B (zh) 2009-04-28 2020-03-11 美商環球展覽公司 具有甲基-ｄ３取代之銥錯合物
US8586203B2 (en) 2009-05-20 2013-11-19 Universal Display Corporation Metal complexes with boron-nitrogen heterocycle containing ligands
DE102009023155A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009031021A1 (de) 2009-06-30 2011-01-05 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009048791A1 (de) 2009-10-08 2011-04-14 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP2511360A4 (en) 2009-12-07 2014-05-21 Nippon Steel & Sumikin Chem Co Organic light-emitting material and organic light-emitting element
DE102010005697A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Merck Patent GmbH, 64293 Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
US9156870B2 (en) 2010-02-25 2015-10-13 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters
DE102010009903A1 (de) 2010-03-02 2011-09-08 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
US9175211B2 (en) 2010-03-03 2015-11-03 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
TWI395804B (zh) 2010-05-18 2013-05-11 Ind Tech Res Inst 有機金屬化合物及包含其之有機電激發光裝置及組合物
JP5591996B2 (ja) 2011-03-03 2014-09-17 国立大学法人九州大学 新規化合物、電荷輸送材料および有機デバイス
KR101650996B1 (ko) 2011-03-25 2016-08-24 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 일렉트로 루미네선스 소자
KR101298735B1 (ko) 2011-04-06 2013-08-21 한국화학연구원 신규 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US8795850B2 (en) 2011-05-19 2014-08-05 Universal Display Corporation Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants and new synthetic methodology
US9660198B2 (en) 2011-07-15 2017-05-23 Kyulux, Inc. Organic electroluminescence element and compound used therein
TWI429652B (zh) 2011-08-05 2014-03-11 Ind Tech Res Inst 有機金屬化合物及包含其之有機電激發光裝置
US9193745B2 (en) 2011-11-15 2015-11-24 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
WO2013081088A1 (ja) 2011-12-02 2013-06-06 国立大学法人九州大学 有機発光素子ならびにそれに用いる遅延蛍光材料および化合物
TWI523845B (zh) 2011-12-23 2016-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 有機金屬錯合物，發光元件，發光裝置，電子裝置及照明裝置
US9985215B2 (en) 2012-03-09 2018-05-29 Kyulux, Inc. Light-emitting material, and organic light-emitting element
JP2014135466A (ja) 2012-04-09 2014-07-24 Kyushu Univ 有機発光素子ならびにそれに用いる発光材料および化合物
JPWO2013161437A1 (ja) 2012-04-25 2015-12-24 国立大学法人九州大学 発光材料および有機発光素子
US8946697B1 (en) 2012-11-09 2015-02-03 Universal Display Corporation Iridium complexes with aza-benzo fused ligands
TWI612051B (zh) 2013-03-01 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 有機金屬錯合物、發光元件、發光裝置、電子裝置、照明設備
TWI636056B (zh) 2014-02-18 2018-09-21 學校法人關西學院 多環芳香族化合物及其製造方法、有機元件用材料及其應用
EP3117470B1 (de) 2014-03-13 2020-12-23 Merck Patent GmbH Organische elektrolumineszenzvorrichtung
KR102204111B1 (ko) 2014-04-17 2021-01-15 삼성전자주식회사 화합물, 유기 광전 소자 및 이미지 센서
CN105895810B (zh) * 2015-01-26 2018-11-30 北京维信诺科技有限公司 一种热活化敏化磷光有机电致发光器件
US20160230960A1 (en) 2015-02-06 2016-08-11 Lg Chem, Ltd. Color conversion film and back light unit and display apparatus comprising the same
US10547009B2 (en) 2015-03-27 2020-01-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element, electronic device and compound
KR102541444B1 (ko) 2015-07-03 2023-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 광전자 디바이스에 사용되는 유기 분자
KR102409257B1 (ko) * 2016-04-26 2022-06-14 가꼬우 호징 관세이 가쿠잉 유기 전계 발광 소자
US10205105B2 (en) 2016-08-15 2019-02-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10686141B2 (en) 2016-09-07 2020-06-16 Kwansei Gakuin Educational Foundation Polycyclic aromatic compound
EP3315581B1 (de) 2016-11-01 2019-01-02 Cynora Gmbh Organische moleküle, insbesondere zur verwendung in organischen optoelektronischen vorrichtungen
US20190378982A1 (en) * 2016-11-23 2019-12-12 Guangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. Organic mixture, composition, organic electronic device and application
TWI800546B (zh) 2017-11-08 2023-05-01 南韓商三星顯示器有限公司 有機分子，特別是其在光電設備中的用途
US11542289B2 (en) 2018-01-26 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2019165101A (ja) 2018-03-19 2019-09-26 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
US11805663B2 (en) * 2018-03-27 2023-10-31 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and display device
US11342506B2 (en) 2018-06-20 2022-05-24 Kwansei Gakuin Educational Foundation Organic electroluminescent element
KR20200000996A (ko) 2018-06-26 2020-01-06 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
KR20200001005A (ko) 2018-06-26 2020-01-06 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
KR102659436B1 (ko) 2018-06-27 2024-04-23 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US11447473B2 (en) 2018-09-06 2022-09-20 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
KR20200034899A (ko) 2018-09-21 2020-04-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
KR20200046740A (ko) * 2018-10-25 2020-05-07 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 유기발광장치
US11456428B2 (en) 2018-11-21 2022-09-27 Sfc Co., Ltd. Indolocarbazole derivatives and organic electroluminescent devices using the same
KR102261645B1 (ko) 2018-11-26 2021-06-08 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR20200065174A (ko) 2018-11-29 2020-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
KR20200068503A (ko) * 2018-12-05 2020-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광장치
KR20200071193A (ko) 2018-12-10 2020-06-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
KR20200076817A (ko) 2018-12-19 2020-06-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102600469B1 (ko) 2018-12-28 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 광전자 디바이스용 유기 분자
KR20200087906A (ko) 2019-01-11 2020-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
EP3686206B1 (en) 2019-01-23 2021-10-27 Cynora Gmbh Organic molecules for optoelectronic devices
KR20200096337A (ko) 2019-02-01 2020-08-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US11758807B2 (en) 2019-02-22 2023-09-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20200119453A (ko) 2019-04-09 2020-10-20 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
JP2022527591A (ja) 2019-04-11 2022-06-02 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機エレクトロルミネッセンス素子のための材料
EP3959215A1 (en) 2019-04-26 2022-03-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Polycyclic compound and an organic electroluminescence device comprising the polycyclic compound or the composition

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Publication number Publication date
KR20230070208A (ko) 2023-05-22
US20230345750A1 (en) 2023-10-26
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JP2023543419A (ja) 2023-10-16
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CN116235643A (zh) 2023-06-06
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JP2023543420A (ja) 2023-10-16
CN116261919A (zh) 2023-06-13
EP4214773A1 (en) 2023-07-26
JP2023543421A (ja) 2023-10-16
JP2023541979A (ja) 2023-10-04
KR20230070450A (ko) 2023-05-23
WO2022058516A2 (en) 2022-03-24
US20230329021A1 (en) 2023-10-12
JP2023542915A (ja) 2023-10-12
US20230329022A1 (en) 2023-10-12
KR20230068392A (ko) 2023-05-17
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US20230380199A1 (en) 2023-11-23
EP4214766A1 (en) 2023-07-26

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