JP2023542011A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

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Abstract

本発明は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に係り、発光層Ｂの前記１以上の副層は、全体的に少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に少なくとも１つのＴＡＤＦ材料ＥＢを含み、ここで、ＳＢは、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する。

Description

本発明は、それぞれが１以上の副層からなる１以上の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に係り、それぞれの発光層Ｂの１以上の副層は、全体的に少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に少なくとも１つのＴＡＤＦ材料ＥＢを含み、ここで、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＳＢは、０．２５ｅＶ以下の半値幅（full width at half maximum: FWHM）を有する光を発光する。また、本発明は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を利用した光発生方法に関する。
例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）及び発光トランジスタのような有機物を基とする１層以上の発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の重要性が増加しつつある。特に、ＯＬＥＤは、スクリーン、ディスプレイ及び照明装置のような電子製品のための有望な素子である。実質的に無機物を基とするほとんどのエレクトロルミネッセンス素子とは対照的に、有機物を基とする有機エレクトロルミネッセンス素子は、多くの場合、柔軟性があり、特に薄膜で生産可能である。現在入手可能なＯＬＥＤを基にしたスクリーン及びディスプレイは、優秀な効率及び長い寿命、または優秀な色純度及び長い寿命を提供するが、優秀な効率、長い寿命及び優秀な色純度の三つの特性をすべて兼ね備えていない。
ＯＬＥＤの色純度または色点は、一般的にＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標により提供される一方、次世代ディスプレイの色領域は、いわゆるＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３値により提供される。一般的に、そのような色座標を得るためには、トップエミッション素子がキャビティを変更し、色座標を調整することが必要である。そのような色領域を目標としつつ、トップエミッション素子において高効率を達成するためには、ボトムエミッション素子において狭い発光スペクトルが必要である。
最新燐光エミッタは、かなりブロードな発光を示し、これは、一般的に０．２５ｅＶより大きい発光スペクトルの半値幅（ＦＷＨＭ）を有する燐光を基とするＯＬＥＤ（ＰＨＯＬＥＤ）のブロードな発光によって反映される。下部素子におけるＰＨＯＬＥＤのブロードな発光スペクトルは、ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色領域を目標とするトップエミッション素子構造に対し、アウトカップリング効率の高い損失をもたらす。
また、燐光材料は、一般的に、遷移金属、例えば、イリジウムを基とし、これは、一般的に存在量が少ないため、ＯＬＥＤスタック内で非常に高価な材料である。したがって、遷移金属を基とする材料は、ＯＬＥＤのコスト削減の可能性が最も大きい。ＯＬＥＤスタック内の遷移金属の含量を低くすることは、ＯＬＥＤ適用製品の価格設定のための重要業績評価指標である。
近年、かなり狭い発光スペクトルを示す一部の蛍光エミッタまたはＴＡＤＦ（thermally-activated-delayed-fluorescence）エミッタが開発されており、これは、一般的に０．２５ｅＶ以下の発光スペクトルのＦＷＨＭを示し、したがって、ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色領域を達成するのに適している。しかし、そのような蛍光エミッタ及びＴＡＤＦエミッタは、一般的に、例えば、励起子・ポーラロン消滅または励起子・励起子消滅により、寿命が短いだけでなく、さらに高い輝度で効率低下（すなわち、ＯＬＥＤのロールオフ挙動）により、低い効率を経験する。
そのような短所は、いわゆるハイパーアプローチを適用することで、ある程度克服することができる。後者は、前述のように、好ましくは、狭い発光スペクトルを示す蛍光エミッタにエネルギーを移動させるエネルギーポンプの使用に依存する。エネルギーポンプは、例えば、逆項間交差（reverse-intersystem crossing: RISC）を示すＴＡＤＦ材料、または効率的な項間交差（ＩＳＣ）を示す遷移金属錯体でもある。しかし、そのようなアプローチは、前述の好ましい特徴、すなわち、優秀な効率、長い寿命及び優秀な色純度をいずれも有する有機エレクトロルミネッセンス素子を依然として提供することができない。
光を発生させるための有機エレクトロルミネッセンス素子の主要な要素は、通常、正極と負極との間に位置した少なくとも１層の発光層である。有機エレクトロルミネッセンス素子に電圧（及び電流）を印加すれば、正極から正孔が注入され、負極から電子が注入される。
通常、正孔輸送層は、（一般的に）発光層と正極との間に位置し、電子輸送層は、通常、発光層と負極との間に位置する。相異なる層が順次に配置される。高いエネルギーの励起子は、発光層において正孔と電子との再結合によって生成される。そのような励起状態（例えば、Ｓ１のような一重項状態及び／またはＴ１のような三重項状態）の底状態（Ｓ０）への減衰が、好ましくは、発光を引き起こす。
驚くことに、燐光材料、小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタ、ホスト材料及び選択的にＴＡＤＦ材料を含む１以上の層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層が、長い寿命、高い量子収率を有し、ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色領域を達成するのに理想的に適している、狭い発光を示す有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを見出した。
ここで、燐光材料及び／または選択的なＴＡＤＦ材料は、発光を示す小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタにエネルギーを移動させることができる。
本発明は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に係わるものであり、前記１以上の副層は、互いに隣接し、全体的に下記を含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び選択的に
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、
ここで、発光層Ｂの外側表面に位置する１以上の副層は、燐光材料ＰＢ、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ及びＴＡＤＦ材料ＥＢからなる群から選択された少なくとも１つの（エミッタ）材料を含む。
本発明の一態様は、１以上の副層を含む少なくとも１層の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に係わるものであり、ここで、１以上の副層は、互いに隣接し、全
体的に下記を含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有するホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｐ）を有する燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び選択的に
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、
ここで、発光層Ｂの外側表面に位置する１以上の副層は、燐光材料ＰＢ、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ及びＴＡＤＦ材料ＥＢからなる群から選択された少なくとも１つの（エミッタ）材料を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂの１以上の副層のうち少なくとも１層は、下記を含む：
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、発光層Ｂの１以上の副層は、下記を含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び選択的に
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、発光層Ｂの１以上の副層は、下記を含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有するホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｐ）を有する燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、発光層Ｂの１以上の副層は、下記を含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含む少なくとも１層の発光層Ｂを含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含む正確に１層からなる発光層Ｂを含む：
（ｉ）ホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び選択的に
（ｉｖ）ＴＡＤＦ材料ＥＢ。
好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含む正確に１層からなる発光層Ｂを含む：
（ｉ）少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び
（ｉｖ）少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ。
副層の組み合わせ
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に１層の（副）層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む。本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、正確に１層の（副）層からなる。本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に１層の（副）層からなる正確に１層の発光層Ｂを含む。
本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、１以上の副層を含む。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子
に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、１以上の副層からなる。
本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる正確に１層の発光層Ｂを含む。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に２層の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む。
本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、正確に２層の副層からなる。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、正確に２層の副層からなる正確に１層の発光層Ｂを含む。
本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含む。本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層Ｂは、２以上の副層からなる。
本発明の他の実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層からなる正確に１層の発光層Ｂを含む。
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、正確に１層、正確に２層または正確に３層の副層を含む。
発光層Ｂの相異なる副層は、必ずしも全て同一材料を含むわけではなく、さらに好ましくは同一割合の同一材料を含まないわけでもないものと理解される。
発光層Ｂの相異なる副層は、互いに隣接するものと理解される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の副層は、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ及び正確に１つの燐光材料ＰＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、燐光材料ＰＢまたは小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含まない。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つの燐光材料ＰＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ、正確に１つの燐光材料ＰＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ、正確に１つの燐光材料ＰＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の一実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つの燐光材料ＰＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、１以上の副層は、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの燐光材料ＰＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ及び正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ及び正確に１つの燐光材料ＰＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ及び正確に１つの燐光材料ＰＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの燐光材料ＰＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ及び正確に１つの燐光材料ＰＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つの燐光材料ＰＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つの燐光材料ＰＢ、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層は、正確に１つのホスト材料ＨＢ、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ、正確に１つの燐光材料ＰＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、１層の副層は、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢを含み、１層の副層（好ましくは、他の副層）は、正確に１つの燐光材料ＰＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、３以上の副層を含む（あるいは、それから構成される）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢを含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つの燐光材料ＰＢを含み、第３副層Ｂ３は、正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
発光層Ｂの副層は、他の順序、例えば、Ｂ１－Ｂ２－Ｂ３、Ｂ１－Ｂ３－Ｂ２、Ｂ２－Ｂ１－Ｂ３、Ｂ２－Ｂ３－Ｂ１、Ｂ３－Ｂ２－Ｂ１、Ｂ３－Ｂ１－Ｂ２でも製作され、その間に１以上の他の副層を有することもできる。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層を含む（あるいは、それから構成される）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ及び正確に１つの燐光材料ＰＢを含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層を含む（あるいは、それから構成される）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢを含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つの燐光材料ＰＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層を含む（あるいは、それから構成される）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つの燐光材料ＰＢを含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ及び正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、２以上の副層を含む（あるいは、それから構成される）少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、第１副層Ｂ１は、正確に１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含み、第２副層Ｂ２は、正確に１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ及び正確に１つの燐光材料ＰＢを含む。好ましい実施形態において、副層Ｂ１及びＢ２は、互いに（直接）隣接し、すなわち、互いに（直接）接触する。
また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、本発明の文脈における発光層Ｂに対して与えられた要件を満たさない１以上の発光層を選択的に含んでもよいものと理解される。すなわち、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、本願で定義されたような少なくとも１層の発光層Ｂを含み、発光層Ｂに対して本願で与えられた要件が必ずしも適用されるものではない１以上の更なる発光層を選択的に含んでもよい。本発明の他の実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれた、全部ではないが、少なくとも１層の発光層は、本発明の特定実施形態で定義されたような発光層Ｂである。
本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの発光層は、本発明の特定実施形態で定義されたような発光層Ｂである。
発光層（ＥＭＬ）Ｂの組成
（少なくとも１つの）ホスト材料ＨＢ、（少なくとも１つの）燐光材料ＰＢ及び（少なくとも１つの）小さな半値幅エミッタＳＢは、有機エレクトロルミネッセンス素子に任意の量及び任意の割合で含まれる。
好ましい実施形態において、（少なくとも１つの）ホスト材料ＨＢ、（少なくとも１つの）燐光材料ＰＢ、（少なくとも１つの）熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ及び（少なくとも１つの）小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、有機エレクトロルミネッセンス素子に任意の量及び任意の割合で含まれる。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層それぞれは、（少なくとも１つの）ホスト材料ＨＢ（より具体的には、ＨＰ及び／またはＨＮ及び／またはＨＢＰ）を（少なくとも１つの）小さなＦＷＨＭエミッタＳＢより多く含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層それぞれは、（少なくとも１つの）ホスト材料ＨＢ（より具体的には、ＨＰ及び／またはＨＮ及び／またはＨＢＰ）を（少なくとも１つの）燐光材料ＰＢより多く含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、少なくとも１層の副層それぞれは、（少なくとも１つの）ホスト材料ＨＢ（より具体的には、ＨＰ及び／またはＨＮ及び／またはＨＢＰ）を（少なくとも１つの）ＴＡＤＦ材料ＥＢより多く含む。
本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれは、少なくとも１つのＴＡＤＦ材料ＥＢを少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢより多く含む。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）０．１～３０重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に
（ｖ）０～６９．８重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％、好ましくは、６０～９９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）０．１～５０重量％、好ましくは、０．１～３０重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～２０重量％、好ましくは、０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）０．１～２０重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に
（ｖ）０～６９．８重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％、好ましくは、７０～９９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）０．１～２０重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～５０重量％、好ましくは、０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
ＥＢが選択的である好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）０．１～３０重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に
（ｉｖ）０～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～６９．８重量％の１以上の溶媒。
ＥＢが選択的である好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）０．１～３０重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に
（ｉｖ）０～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
ＥＢが選択的である好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）０．１～２０重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に
（ｉｖ）０～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～６９．８重量％の１以上の溶媒。
ＥＢが選択的である好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～９９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）０．１～２０重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に
（ｉｖ）０～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
ＥＢが選択的であるより好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～８７．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）０．１～３０重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）１２～４０重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～５７．８重量％の１以上の溶媒。
ＥＢが選択的であるより好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～８７．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）０．１～３０重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）１２～４０重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
ＥＢが選択的であるより好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～８７．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）０．１～２０重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）１２～４０重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～５７．８重量％の１以上の溶媒。
ＥＢが選択的である好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）少なくとも１層の発光層Ｂは、全体として下記を含む（あるいは、それから構成される）：
（ｉ）３０～８７．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）０．１～２０重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）１２～４０重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、５重量％以下の１以上の燐光材料ＰＢを含む。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含む少なくとも１層の発光層Ｂを含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、
ここで、下記式（１）及び（２）で表される関係が適用され、
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｐ） （１）
Ｅ（Ｔ１Ｐ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （２）
ここで、（少なくとも１つ）、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、５重量％以下の１以上の燐光材料ＰＢを含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～９６．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ（また、ホスト化合物ＨＢとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～６６．８重量％の１以上の溶媒。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～９６．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ（また、ホスト化合物ＨＢとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～８９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ（また、ホスト化合物ＨＢとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）１０～４０重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～５９．８重量％の１以上の溶媒。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～８９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ（また、ホスト化合物ＨＢとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）１０～５２重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～９６．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ（また、ホスト化合物ＨＢとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～５重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～６６．８重量％の１以上の溶媒。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～９６．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ（また、ホスト化合物ＨＢとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～５重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～８７．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ（また、ホスト化合物ＨＢとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～５重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）１２～４０重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～５７．８重量％の１以上の溶媒。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）３０～８７．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ（また、ホスト化合物ＨＢとも称する）、
（ｉｉ）０．１～５重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）０．１～５重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）１２～５７重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、３重量％以下の燐光材料ＰＢを含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、１重量％以下の燐光材料ＰＢを含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂは、１０～４０重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢを含む。
本発明の一実施形態において、（少なくとも１つの）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの（少なくとも１つの）燐光材料ＰＢに対する質量比（ＳＢ：ＰＢ）は、≧１である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂにおいて、（少なくとも１つの）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの（少なくとも１つの）燐光材料ＰＢに対する質量比（ＳＢ：ＰＢ）は、≧１である。本発明の一実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、（少なくとも１つの）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの（少なくとも１つの）燐光材料ＰＢに対する質量比（ＳＢ：ＰＢ）は、≧１である。
本発明の一実施形態において、（少なくとも１つの）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの（少なくとも１つの）燐光材料ＰＢに対する質量比（ＳＢ：ＰＢ）は、＜１である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂにおいて、（少なくとも１つの）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの（少なくとも１つの）燐光材料ＰＢに対する質量比（ＳＢ：ＰＢ）は、＜１である。本発明の一実施形態において、それぞれの発光層Ｂにおいて、（少なくとも１つの）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの（少なくとも１つの）燐光材料ＰＢに対する質量比（ＳＢ：ＰＢ）は、＜１である。
本発明の一実施形態において、質量比ＳＢ：ＰＢは、１：１から３０：１の範囲、１．５：１から２５：１の範囲、２：１から２０：１の範囲、４：１から１５：１の範囲、５：１から１２：１の範囲、または１０：１から１１：１の範囲にある。例えば、質量比ＳＢ：ＰＢは、（約）２０：１、１５：１、１２：１、１０：１、８：１、５：１、４：１、２：１、１．５：１または１：１の範囲にある。
本発明の一実施形態において、（少なくとも１つの）小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの（少なくとも１つの）燐光材料ＰＢに対する質量比（ＳＢ：ＰＢ）は、＜１である。
本発明の一実施形態において、質量比ＰＢ：ＳＢは、１：１から３０：１の範囲、１．５：１から２５：１の範囲、２：１から２０：１の範囲、４：１から１５：１の範囲、５：１から１２：１の範囲、または１０：１から１１：１の範囲にある。例えば、質量比ＰＢ：ＳＢは、（約）２０：１、１５：１、１２：１、１０：１、８：１、５：１、４：１、２：１、１．５：１または１：１の範囲にある。
前述のように、発光層Ｂの相異なる副層は、必ずしも全て同一材料、またはさらに好ましくは、同一割合の同一材料を含まないものと理解される。
Ｓ１－Ｔ１－エネルギー関係
本発明の一実施形態において、下記式（１）及び（２）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｐ） （１）
Ｅ（Ｔ１Ｐ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （２）
したがって、それぞれのホスト材料ＨＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈは、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐよりエネルギーが高く、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓよりエネルギーが高い。
一実施形態において、式（１）及び（２）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
少なくとも１層の発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含み、
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、
ここで、下記式（１）及び（２）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｐ） （１）
Ｅ（Ｔ１Ｐ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （２）。
一実施形態において、式（１）及び（２）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（３）及び（４）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｅ） （３）
Ｅ（Ｔ１Ｅ）＞Ｅ（Ｔ１Ｐ） （４）
したがって、それぞれのホスト材料ＨＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅよりエネルギーが高く、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅは、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐよりエネルギーが高い。
一実施形態において、式（３）及び（４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（３）及び（４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の代案的な実施形態において、下記式（５）及び（６）で表される関係が適用さ
れる：
Ｅ（Ｔ１Ｐ）＞Ｅ（Ｔ１Ｅ） （５）
Ｅ（Ｓ１Ｅ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （６）
したがって、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅよりエネルギーが高く、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｓ１Ｅは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓよりエネルギーが高い。
一実施形態において、式（５）及び（６）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（５）及び（６）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（１）から（４）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｐ） （１）
Ｅ（Ｔ１Ｐ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （２）
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｅ） （３）
Ｅ（Ｔ１Ｅ）＞Ｅ（Ｔ１Ｐ） （４）。
一実施形態において、式（１）から（４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１）から（４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐと、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅとの（エネルギー）差は、０．３ｅＶより小さい：それぞれ、Ｅ（Ｔ１Ｐ）－Ｅ（Ｔ１Ｅ）＜０．３ｅＶ及びＥ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｔ１Ｐ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅとのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：それぞれ、Ｅ（Ｔ１Ｐ）－Ｅ（Ｔ１Ｅ）＜０．３ｅＶ及びＥ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｔ１Ｐ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅとのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：それぞれ、Ｅ（Ｔ１Ｐ）－Ｅ（Ｔ１Ｅ）＜０．３ｅＶ及びＥ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｔ１Ｐ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、下記式（４）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１Ｅ）＞Ｅ（Ｔ１Ｐ） （４）。
一実施形態において、式（４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（４）で表される前述の関係は、本発明による有機エ
レクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐとのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｔ１Ｐ）＜０．２ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐとのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｔ１Ｐ）＜０．２ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐとのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｔ１Ｐ）＜０．２ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低励起三重項状態Ｓ１Ｓ（エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ））とのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１Ｐ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）＜０．３ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１Ｐ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）＜０．３ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１Ｐ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）＜０．３ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐと、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓ（エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ））とのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１Ｐ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）＜０．２ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１Ｐ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）＜０．２ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｐと、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低励起一重
項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：Ｅ（Ｔ１Ｐ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）＜０．２ｅＶ。
ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯエネルギー
本発明の好ましい実施形態において、下記要件が満たされる：
（ｉ）それぞれのホスト材料ＨＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）を有し、
（ｉｉ）それぞれの燐光材料ＰＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）を有し、
（ｉｉｉ）それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）を有し、
ここで、下記式（１０）及び（１１）で表される関係が適用される：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ） （１０）
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （１１）。
一実施形態において、式（１０）及び（１１）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１０）及び（１１）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有するそれぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有するそれぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有するそれぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有するそれぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ
（ＥＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのエネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのエネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）との（エネルギー）差は、０．３ｅＶより小さい：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有するそれぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有するそれぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）との（エネルギー）差は、０．２ｅＶより小さい：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．２ｅＶ。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料Ｐ
Ｂの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．２ｅＶ。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．２ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）との（エネルギー）差は、０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）との（エネルギー）差は、０．１ｅＶ以上、かつ０．８ｅＶ以下である：
０．１ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）≦０．８ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．１ｅＶ以上、かつ０．８ｅＶ以下である：
０．１ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）≦０．８ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、１以上の発光層Ｂのそれぞれにおいて、エネルギ
ーＥＨＯＭＯ（ＰＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＰＢ）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．１ｅＶ以上、かつ０．８ｅＶ以下である：
０．１ｅＶ≦ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）≦０．８ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、下記要件が満たされる：
（ｉ）それぞれのホスト材料ＨＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）を有し、
（ｉｉ）それぞれの燐光材料ＰＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＰＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＰＢ）を有し、
（ｉｉｉ）それぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有し、
（ｉｖ）それぞれの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢは、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有し、
ここで、下記式（１２）及び（１３）で表される関係が適用される：
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＨＢ） （１２）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＰＢ） （１３）。
一実施形態において、式（１２）及び（１３）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１２）及び（１３）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、発光層Ｂの１以上の副層は、下記を含む：
（ｉ）エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）を有するホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）エネルギーＥＬＵＭＯ（ＰＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＰＢ）を有する燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び
（ｉｖ）エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、
ここで、下記式（１２）から（１４）で表される関係が適用される：
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＨＢ） （１２）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＰＢ） （１３）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ） （１４）。
一実施形態において、式（１２）から（１４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１２）から（１４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、下記式（１０）から（１３）で表される関係が適用される：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ） （１０）
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （１１）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＨＢ） （１２）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＰＢ） （１３）。
一実施形態において、式（１０）から（１３）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１０）から（１３）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、下記式（１０）から（１４）で表される関係が適用される：
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ） （１０）
ＥＨＯＭＯ（ＰＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （１１）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＨＢ） （１２）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＰＢ） （１３）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ） （１４）。
一実施形態において、式（１０）から（１４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１０）から（１４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）＞ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）＞ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）＞ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：
ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：
ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：
ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）との（エネルギー）差は、０．２ｅＶより小さい：
ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜０．２ｅＶ。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：
ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜０．２ｅＶ。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：
ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜０．２ｅＶ。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、０．０ｅＶより大きく、かつ０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、それぞれのエネルギーＥＬＵＭＯ（ＰＢ）を有する燐光材料ＰＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＰＢ）は、それぞれのエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＬＵＭＯ（ＰＢ）＞ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＰＢ）を有する燐光材料ＰＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＰＢ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＬＵＭＯ（ＰＢ）＞ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＰＢ）を有する燐光材料ＰＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＰＢ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＬＵＭＯ（ＰＢ）＞ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、それぞれのエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有するホスト材料ＨＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）は、それぞれのエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）＞ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、１以上の発光層Ｂのうち少なくとも１層において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有するホスト材料ＨＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）＞ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂのそれぞれにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有するホスト材料ＨＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーがさらに高い：
ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）＞ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）。
発光最大（emission maxima）の関係
本発明の一実施形態において、式（１６）及び（１７）で表される関係が適用される：
｜Ｅλｍａｘ（ＰＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．３０ｅＶ （１６）
｜Ｅλｍａｘ（ＥＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．３０ｅＶ （１７）。
これは、以下を意味する：電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における燐光材料ＰＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＰＢ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．３０ｅＶ未満である。そして、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＥＢ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．３０ｅＶ未満である。
一実施形態において、式（１６）及び（１７）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１６）及び（１７）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、前記１以上の副層は、互いに隣接し、全体的に下記を含む：
（ｉ）少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）エネルギーＥλｍａｘ（ＰＢ）を有する発光最大λｍａｘ（ＰＢ）を有する少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）エネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）を有する発光最大λｍａｘ（ＳＢ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び
（ｉｖ）エネルギーＥλｍａｘ（ＥＢ）を有する発光最大λｍａｘ（ＥＢ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、
前記発光層Ｂの外側表面に位置する１以上の副層は、燐光材料ＰＢ、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ及びＴＡＤＦ材料ＥＢからなる群から選択された少なくとも１つの（エミッタ）材料を含み、下記式（１６）及び（１７）で表される関係が適用される：
｜Ｅλｍａｘ（ＰＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．３０ｅＶ （１６）
｜Ｅλｍａｘ（ＥＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．３０ｅＶ （１７）。
本発明の好ましい実施形態において、式（１８）及び（１９）で表される関係が適用される：
｜Ｅλｍａｘ（ＰＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．２０ｅＶ （１８）
｜Ｅλｍａｘ（ＥＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．２０ｅＶ （１９）。
これは、以下を意味する：電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における燐光材料ＰＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＰＢ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．２０ｅＶ未満である。そして、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＥＢ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．２０ｅＶ未満である。
一実施形態において、式（１８）及び（１９）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含
まれた材料に適用される。一実施形態において、式（１８）及び（１９）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態は、有機エレクトロルミネッセンス素子に係わるものであり、これは、
（ｉｉ）少なくとも１つの燐光材料ＰＢは、エネルギーＥλｍａｘ（ＰＢ）を有する発光最大λｍａｘ（ＰＢ）を有し、
（ｉｉｉ）少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢは、エネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）を有する発光最大λｍａｘ（ＳＢ）を有し、ここで、ＳＢは、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光し、
（ｉｖ）少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢは、エネルギーＥλｍａｘ（ＥＢ）を有する発光最大λｍａｘ（ＥＢ）を有し、
ここで、式（１８）及び（１９）が適用される：
｜Ｅλｍａｘ（ＰＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．２０ｅＶ （１８）
｜Ｅλｍａｘ（ＥＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．２０ｅＶ （１９）。
本発明のより好ましい実施形態において、式（２０）及び（２１）で表される関係が適用される：
｜Ｅλｍａｘ（ＰＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．１ｅＶ （２０）
｜Ｅλｍａｘ（ＥＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．１０ｅＶ （２１）。
これは、以下を意味する：電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における燐光材料ＰＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＰＢ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．１０ｅＶ未満である。そして、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＥＢ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差が０．１０ｅＶ未満である。
一実施形態において、式（２０）及び（２１）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（２０）及び（２１）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、式（２２）で表される関係が適用される：
Ｅλｍａｘ（ＰＢ）＞Ｅλｍａｘ（ＳＢ） （２２）。
これは、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における燐光材料ＰＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＰＢ）が、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）より高いということを意味する。
一実施形態において、式（２２）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（２２）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、式（２２－ａ）で表される関係が適用される：
Ｅλｍａｘ（ＥＢ）＞Ｅλｍａｘ（ＳＢ） （２２－ａ）。
これは、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＥＢ）が、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの発光最大のエネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）より高いということを意味する。
一実施形態において、式（２２－ａ）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（２２－ａ）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
素子色相及び性能
本発明の更なる実施形態は、明確な色点で発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、狭い発光バンド（小さい半値幅（ＦＷＨＭ））で発光する。好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、０．２５ｅＶ未満、好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またはさらに好ましくは、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークのＦＷＨＭで発光する。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２（ｎｉｔ）において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、５００ｎｍから５６０ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、５１０ｎｍから５５０ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、５１５ｎｍから５４０ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。
好ましい実施形態において、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、定電流密度Ｊ０＝１５ｍＡ／ｃｍ２において、１００時間超過、好ましくは、２００時間超過、より好ましくは、３００時間超過、より一層好ましくは、４００時間超過、さらに好ましくは、７５０時間超過、またはさらに好ましくは、１０００時間超過のＬＴ９５値を示す。
本発明の更なる実施形態は、明確な色点で発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、狭い発光バンド（小さい半値幅（ＦＷＨＭ））を有する光を発光する。好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子（例え
ば、ＯＬＥＤ）は、０．２５ｅＶ未満、好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またはさらに好ましくは、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークのＦＷＨＭを有する光を発光する。
本発明の更なる実施形態は、ＩＴＵ－Ｒ Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ ＢＴ．２０２０（Ｒｅｃ．２０２０）によって定義されているような原色緑色（ＣＩＥｘ＝０．１７０及びＣＩＥｙ＝０．７９７）のＣＩＥｘ（＝０．１７０）及びＣＩＥｙ（＝０．７９７）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものであり、これは、ＵＨＤ（Ultra High Definition）ディスプレイ、例えば、ＵＨＤ－ＴＶに使用するのに適している。本段落にお
いて「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。したがって、本発明の更なる態様は、発光が、０．１５から０．４５、好ましくは、０．１５から０．３５、より好ましくは、０．１５から０．３０、より一層好ましくは、０．１５から０．２５、またはさらに好ましくは、０．１５から０．２０のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．６０から０．９２、好ましくは、０．６５から０．９０、より好ましくは、０．７０から０．８８、より一層好ましくは、０．７５から０．８６、またはさらに好ましくは、０．７９から０．８４のＣＩＥｙ色座標を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、ＤＣＩＰ３に定義されているような原色緑色（ＣＩＥｘ＝０．２６５及びＣＩＥｙ＝０．６５）のＣＩＥｘ（＝０．２６５）及びＣＩＥｙ（＝０．６５）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を発光するＯＬＥＤに係わるものである。本段落において「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。本発明の更なる態様は、下部発光が、０．２から０．４５、好ましくは、０．２から０．３５、より好ましくは、０．２から０．３０、より一層好ましくは、０．２４から０．２８、またはさらに好ましくは、０．２５から０．２７のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．６０から０．９、好ましくは、０．６から０．８、より好ましくは、０．６０から０．７０、より一層好ましくは、０．６２から０．６８、またはさらに好ましくは、０．６４から０．６６のＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、４２０ｎｍから５００ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、４４０ｎｍから４８０ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさ
らに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、４５０ｎｍから４７０ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、４２０ｎｍから５００ｎｍ、好ましくは、４３０ｎｍから４９０ｎｍ、より好ましくは、４４０ｎｍから４８０ｎｍ、より一層好ましくは、４５０ｎｍから４７０ｎｍの発光最大を示し、及び／または、５００ｃｄ／ｍ２において、１００ｈ超過、好ましくは、２００ｈ超過、より好ましくは、４００ｈ超過、より一層好ましくは、７５０ｈ超過、またはさらに好ましくは、１０００ｈ超過のＬＴ８０値を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、明確な色点で発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、狭い発光バンド（小さい半値幅（ＦＷＨＭ））を有する光を発光する。好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、０．２５ｅＶ未満、好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またはさらに好ましくは、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークのＦＷＨＭを有する光を発光する。
本発明の更なる実施形態は、ＩＴＵ－Ｒ Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ ＢＴ．２０２０（Ｒｅｃ．２０２０）によって定義されているような原色青色（ＣＩＥｘ＝０．１３１及びＣＩＥｙ＝０．０４６）のＣＩＥｘ（＝０．１３１）及びＣＩＥｙ（＝０．０４６）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものであり、これは、ＵＨＤディスプレイ、例えば、ＵＨＤ－ＴＶに使用するのに適している。本段落において「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。青色素子のＣＩＥｙ色座標は、ボトムエミッション素子からトップエミッション素子に変更するとき、最大２倍まで減少するが、ＣＩＥｘはほとんど変わらない（Okinaka et al., Society for Information Display International Symposium Digest of Technical Papers, 2015, 46(1): 312-313, DOI:10.1002/sdtp.10480）。したがって、本発明の更なる態様は、発光が、０．０２から０．３０、好ましくは、０．０３から０．２５、より好ましくは、０．０５から０．２０、より一層好ましくは、０．０８から０．１８、またはさらに好ましくは、０．１０から０．１５のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．００から０．４５、好ましくは、０．０１から０．３０、より好ましくは、０．０２から０．２０、より一層好ましくは、０．０３から０．１５、またはさらに好ましくは、０．０４から０．１０のＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、８％超過、好ましくは、１０％超過、より好ましくは、１３％超過、より一層好ましくは、１５％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、及び／または、５９０ｎｍから６９０ｎｍ、好ましくは、６１０ｎｍから６６５ｎｍ、より好ましくは、６２０ｎｍから６４０ｎｍの発光最大を示し、及び／または、５００ｃｄ／ｍ２において、１００ｈ超過、好ましくは、２００ｈ超過、より好ましくは、４００ｈ超過、より一層好ましくは、７５０ｈ超過、またはさらに好ましくは、１０００ｈ超過のＬＴ８０値を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。したがって、本発明の更なる態様
は、発光が、０．２５超過、好ましくは、０．２７超過、より好ましくは、０．２９超過、より一層好ましくは、０．３０超過のＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、ＩＴＵ－Ｒ Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ ＢＴ．２０２０（Ｒｅｃ．２０２０）によって定義されているような原色青色（ＣＩＥｘ＝０．７０８及びＣＩＥｙ＝０．２９２）のＣＩＥｘ（＝０．７０８）及びＣＩＥｙ（＝０．２９２）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものであり、これは、ＵＨＤディスプレイ、例えば、ＵＨＤ－ＴＶに使用するのに適している。本段落において「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。したがって、本発明の更なる態様は、発光が、０．６０から０．８８、好ましくは、０．６１から０．８３、より好ましくは、０．６３から０．７８、より一層好ましくは、０．６６から０．７６、またはさらに好ましくは、０．６８から０．７３のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．２５から０．７０、好ましくは、０．２６から０．５５、より好ましくは、０．２７から０．４５、より一層好ましくは、０．２８から０．４０、またはさらに好ましくは、０．２９から０．３５のＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに係わるものである。
したがって、本発明の更なる態様は、１４５００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１７％超過、またはさらに好ましくは、２０％超過の外部量子効率を示し、及び／または、５９０ｎｍから６９０ｎｍ、好ましくは、６１０ｎｍから６６５ｎｍ、より好ましくは、６２０ｎｍから６４０ｎｍにおいて発光最大を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。
有機エレクトロルミネッセンス素子の関心のある目的のうち１つは、光の発生でもある。したがって、本発明は、また、任意の本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するステップを含む、所望の波長範囲の光を発生させる方法に係わるものである。
したがって、本発明の更なる態様は、下記ステップを含む、所望の波長範囲の光を発生させる方法に係わるものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること。
本発明の更なる態様は、前述の要素を構成して有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する方法に係わるものである。本発明は、また、特に前記有機エレクトロルミネッセンス素子を使用することにより、緑色光を発生させる方法に係わるものである。
本発明の更なる態様は、下記式（２３）から（２５）で表される関係のうち、（少なくとも）１つ、好ましくは、正確に１つが同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される有機エレクトロルミネッセンス素子に係わるものである：
４４０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜４７０ｎｍ （２３）
５１０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜５５０ｎｍ （２４）
６１０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜６６５ｎｍ （２５）
ここで、λｍａｘ（ＳＢ）は、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの発光最大であり、ナノメートル（ｎｍ）で与えられる。
本発明の一実施形態において、下記式（２３）から（２５）で表される関係のうち少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つが、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。
本発明の更なる態様は、下記ステップを含む光発生方法に係わるものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること。
本発明の更なる態様は、下記ステップを含む光発生方法に係わるものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること、
ここで、前記方法は、下記波長範囲のうち１つから選択された波長範囲において光を発生させるためのものである：
（ｉ）５１０ｎｍから５５０ｎｍ、または
（ｉｉ）４４０ｎｍから４７０ｎｍ、または
（ｉｉｉ）６１０ｎｍから６６５ｎｍ。
当業者は、少なくとも１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ及び少なくとも１つの燐光材料ＰＢ（以下参照）を、有機エレクトロルミネッセンス素子においてエミッタとして使用可能であることを理解する。しかし、好ましくは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも１つのＴＡＤＦ材料ＥＢ及び少なくとも１つの燐光材料ＰＢの主要機能は、発光するものではない。好ましい実施形態において、電圧（及び電流）を印加するとき、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子が発光し、当該発光は、主に（すなわち、５０％より多く、好ましくは、６０％より多く、より好ましくは、７０％より多く、より一層好ましくは、８０％より多く、またはさらに好ましくは、９０％より多く）少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢによって発光された蛍光に起因する。結果として、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、好ましくは、０．２５ｅＶ未満、より好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またはさらに好ましくは、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークの小さいＦＷＨＭで表される狭い発光を示す。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（２６）で表される関係が適用される：
ここで、
ＦＷＨＭＤは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の主発光ピークの電子ボルト（ｅＶ）単位の半値幅（ＦＷＨＭ）を意味し、
ＦＷＨＭＳＢは、ＦＷＨＭＤのＦＷＨＭを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層（ＥＭＬ）に使用された１以上のホスト材料ＨＢ内の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢのスピンコーティング膜のフォトルミネセンススペクトル（室温、すなわち、（約）２０℃で測定された蛍光スペクトル）の電子ボルト（ｅＶ）でのＦＷＨＭを示す。すなわち、ＦＷＨＭＳＢが決定されるスピンコーティング膜は、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂと同一な重量比で同じ小さなＦＷＨＭエミッタまたはエミッタＳＢを含む。
例えば、発光層Ｂがそれぞれ１重量％の濃度を有する２種の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む場合、スピンコーティング膜は、好ましくは、それぞれ１重量％の２種の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む。その例示的な場合、スピンコーティング膜のマトリックス材料は、スピンコーティング膜の９８重量％に至るであろう。そのようなスピンコーティ
ング膜のマトリックス材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれたホスト材料ＨＢの重量比を反映するように選択することができる。前述の例において、発光層Ｂが単一ホスト材料ＨＢを含むならば、当該ホスト材料は、好ましくは、スピンコーティング膜の唯一のマトリックス材料でもある。しかし、前述の例において、発光層Ｂが２種のホスト材料ＨＢを含む場合、１つは６０重量％の含量を有し、他の１つは２０重量％の含量（すなわち、３：１の割合）を有する場合、スピンコーティング膜（それぞれ１重量％の２種の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む）の前述のマトリックス材料は、好ましくは、ＥＭＬに存在する２種のホスト材料ＨＢの３：１混合物でもある。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に１以上の発光層Ｂが含まれる場合、前記式（２６）で表される関係は、好ましくは、素子に含まれる全ての発光層Ｂに適用される。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂに対し、前述のＦＷＨＭＤ：ＦＷＨＭＳＢの割合は、１．５０以下、好ましくは、１．４０以下、より好ましくは、１．３０、より一層好ましくは、１．２０、またはさらに好ましくは、１．１０である。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂに対し、前述のＦＷＨＭＤ：ＦＷＨＭＳＢの割合は、１．５０以下、好ましくは、１．４０以下、より好ましくは、１．３０、より一層好ましくは、１．２０、またはさらに好ましくは、１．１０である。
本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用するための蛍光エミッタの選択のために、ＦＷＨＭ値が本文後の節に述べられたように決定されることに留意しなければならない（簡単に、好ましくは、１～５重量％、特に２重量％の濃度を有するポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内のそれぞれのエミッタのスピンコーティング膜から、または溶液から、以下参照）。すなわち、表１Ｓに示された例示的な小さなＦＷＨＭエミッタＳＢのＦＷＨＭ値は、式（２６）及び本発明の関連した好ましい実施形態の文脈においてＦＷＨＭＳＢ値と理解されない。
実施例及び特許請求の範囲が本発明をさらに説明する。
ホスト材料Ｈ Ｂ
本発明によれば、任意の少なくとも１層の発光層Ｂに含まれた任意の１以上のホスト材料ＨＢは、高い正孔移動度を示すｐ－ホストＨＰ、高い電子移動度を示すｎ－ホストＨＮ、または高い正孔移動度及び高い電子移動度の両方を示す両極性ホスト材料ＨＢＰでもある。
本発明の文脈において、高い電子移動度を示すｎ－ホストＨＮは、好ましくは、－２．５０ｅＶ以下（ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦－２．５０ｅＶ）、より好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦－２．６０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦－２．６５ｅＶ、さらに好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦－２．７０ｅＶのＬＵＭＯエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＮ）を有する。ＬＵＭＯは、最低空軌道である。ＬＵＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。
本発明の文脈において、高い正孔移動度を示すｐ－ホストＨＰは、好ましくは、－６．３０ｅＶ以上（ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－６．３０ｅＶ）、より好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．９０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．７０ｅＶ、さらに好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．４０ｅＶ、またはさらに好ましくは、Ｅ
ＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－２．６０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。ＨＯＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。
本発明の一実施形態において、それぞれのホスト材料ＨＢは、－６．３０ｅＶ以上（ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－６．３０ｅＶ）、好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．９０ｅＶ、より好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．７０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．４０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有するｐ－ホストＨＰである。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。ＨＯＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのｐ－ホストＨＰは、－５．６０ｅＶより小さいＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子が１以上の副層からなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、前記１以上の副層は、互いに隣接し、全体的に下記を含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び選択的に
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、
ここで、前記発光層Ｂの外側表面に位置する１以上の副層は、燐光材料ＰＢ、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ及びＴＡＤＦ材料ＥＢからなる群から選択された少なくとも１つの（エミッタ）材料を含み、
ここで、少なくとも１つのホスト材料ＨＢは、－５．６０ｅＶより小さいエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）を有し、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢは、－５．６０ｅＶより小さいエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する。
本発明の文脈において、高い電子移動度を示す両極性ホストは、好ましくは、－２．５０ｅＶ以下（ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．５０ｅＶ）のＬＵＭＯエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有する。より好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．６０ｅＶであり、より一層好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．６５ｅＶであり、さらに好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．７０ｅＶである。ＬＵＭＯは、最低空軌道である。ＬＵＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。
本発明の文脈において、高い正孔移動度を示す両極性ホストは、好ましくは、－６．３０ｅＶ以上（ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－６．３０ｅＶ）、より好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．９０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有する。より一層好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．７０ｅＶであり、さらに好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．４０ｅＶである。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。ＨＯＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。
本発明の一実施形態において、両極性ホスト材料ＨＢＰ、好ましくは、それぞれの両極
性ホスト材料ＨＢＰは、以下の要件をいずれも満たす：
（ｉ）－２．５０ｅＶ以下の（ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．５０ｅＶ）ＬＵＭＯエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有する。好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．６０ｅＶであり、より好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．６５ｅＶであり、より一層好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．７０ｅＶである。ＬＵＭＯは、最低空軌道である。ＬＵＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。
（ｉｉ）－６．３０ｅＶ以上（ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－６．３０ｅＶ）、好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．９０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有する。より好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．７０ｅＶであり、より一層好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．４０ｅＶである。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。ＨＯＭＯのエネルギーは、本文後の節に述べられたように決定される。
当業者は、いかなる材料が本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するのに適しているホスト材料であるかが分かっている。以下の例示を参照する：Y.Tao, C.Yang, J.Quin, Chemical Society Reviws 2011, 40, 2943, DOI: 10.1039/C0CS00160K; K.S.Yook, J.Y.Lee, The Chemical Record 2015, 16(1), 159, DOI: 10.1002/tcr.201500221; T.Chatterjee, K.-T.Wong, Advanced Optical Materials 2018, 7(1), 1800565, DOI:
10.1002/adom.201800565; Q.Wang, Q.-S.Tian, Y.-L.Zhang, X.Tang, L.-S.Liao, Journal of Materials Chemistry C2019, 7, 11329, DOI: 10.1039/C9TC03092A。
また、例えば、ＵＳ２００６００６３６５（Ａ１）、ＵＳ２００６２０８２２１（Ａ１）、ＵＳ２００５０６９７２９（Ａ１）、ＥＰ１２０５５２７（Ａ１）、ＵＳ２００９３０２７５２（Ａ１）、ＵＳ２００９０１３４７８４（Ａ１）、ＵＳ２００９３０２７４２（Ａ１）、ＵＳ２０１０１８７９７７（Ａ１）、ＵＳ２０１０１８７９７７（Ａ１）、ＵＳ２０１２０６８１７０（Ａ１）、ＵＳ２０１２０９７８９９（Ａ１）、ＵＳ２００６１２１３０８（Ａ１）、ＵＳ２００６１２１３０８（Ａ１）、ＵＳ２００９１６７１６６（Ａ１）、ＵＳ２００７１７６１４７（Ａ１）、ＵＳ２０１５３２２０９１（Ａ１）、ＵＳ２０１１１０５７７８（Ａ１）、ＵＳ２０１１２０１７７８（Ａ１）、ＵＳ２０１１１２１２７４（Ａ１）、ＵＳ２００９３０２７４２（Ａ１）、ＵＳ２０１０１８７９７７（Ａ１）、ＵＳ２０１０２４４００９（Ａ１）、ＵＳ２００９１３６７７９（Ａ１）、ＥＰ２１８２０４０（Ａ２）、ＵＳ２０１２２０２９９７（Ａ１）、ＵＳ２０１９３９３４２４（Ａ１）、ＵＳ２０１９３９３４２５（Ａ１）、ＵＳ２０２０１６８８１９（Ａ１）、ＵＳ２０２００７９７６２（Ａ１）及びＵＳ２０１２２９２５７６（Ａ１）は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用可能なホスト材料を開示する。これは、本発明が、引用された参照文献に開示されたホスト材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるということを意味しないものと理解される。また、最新技術で使用される任意のホスト材料が、本発明の文脈において好適なホスト材料ＨＢであることが理解される。
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、１以上のｐ－ホストＨＰを含む。本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、単一ホスト材料のみを含み、当該ホスト材料はｐ－ホストＨＰである。
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、１以上のｎ－ホストＨＮを含む。本発明の他の実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、単一ホスト材料のみを含み、当該ホスト材料はｎ－ホストＨＮである。
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、１以上の両極性ホストＨＢＰを含む。本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、単一ホスト材料のみを含み、当該ホスト材料は両極性ホストＨＢＰである。
本発明の他の実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂは、少なくとも２種の相異なるホスト２種を含む。この場合、それぞれの発光層Ｂに存在する１以上のホスト材料ＨＢは、いずれもｐ－ホストＨＰであるか、いずれもｎ－ホストＨＮであるか、いずれも両極性ホストＨＢＰであるが、それらの組み合わせでもある。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子が１以上の発光層Ｂを含む場合、それらのうちいずれか１つは、１以上の他の発光層Ｂと独立して、前述の定義が適用される１つのホスト材料ＨＢまたは１以上のホスト材料ＨＢを含むことが理解される。また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれた相異なる発光層Ｂは、必ずしも全て同一材料を含むわけではなく、またはさらに好ましくは、同一濃度の同一材料を含まれているわけでもないと理解される。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂが１以上の副層から構成される場合、それらのうちいずれか１つは、１以上の他の副層と独立して、前述の定義が適用される１つのホスト材料ＨＢまたは１以上のホスト材料ＨＢを含むことが理解される。また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれた発光層Ｂの相異なる副層は、必ずしも全て同一材料、またはさらに好ましくは、同一濃度の同一材料を含まれているとはかぎらないと理解される。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれる場合、 少
なくとも１つのｐ－ホストＨＰ及び少なくとも１つのｎ－ホストＨＮは、選択的にエキシプレックスを形成することができる。当業者は、エキシプレックスを形成するＨＰ及びＨＮの対を選択する方法、並びにＨＰ及びＨＮのＨＯＭＯ－及び／またはＬＵＭＯ－エネルギー準位要求事項を含む選択基準が分かっている。すなわち、エキシプレックス形成が要求される場合、ｐ－ホスト材料ＨＰの最高被占軌道（ＨＯＭＯ）は、ｎ－ホスト材料ＨＮのＨＯＭＯよりエネルギーが少なくとも０．２０ｅＶより高く、ｐ－ホスト材料ＨＰの最低空軌道（ＬＵＭＯ）は、ｎ－ホスト材料ＨＮのＬＵＭＯよりエネルギーが少なくとも０．２０ｅＶより高い。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つのホスト材料ＨＢ（例えば、ＨＰ、ＨＮ及び／またはＨＢＰ）は、有機ホスト材料であり、これは、本発明の文脈においてそれがいかなる遷移金属も含まないということを意味する。本発明の好ましい実施形態において、本発明のエレクトロルミネッセンス素子の全てのホスト材料ＨＢ（ＨＰ、ＨＮ及び／またはＨＢＰ）は、有機ホスト材料であり、これは、本発明の文脈においてそれらがいかなる遷移金属も含まないということを意味する。好ましくは、少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、より好ましくは、全てのホスト材料ＨＢ（ＨＰ、ＨＮ及び／またはＨＢＰ）は、主に水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から構成されるが、例えば、酸素（Ｏ）、ボロン（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）及び臭素（Ｂｒ）を含んでもよい。
本発明の一実施形態において、それぞれのホスト材料ＨＢは、ｐ－ホストＨＰである。
本発明の好ましい実施形態において、全体として（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）任意の少なくとも１層の発光層Ｂに選択的に含まれるｐ－ホストＨＰは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
化学式ＨＰ－Ｉ、ＨＰ－ＩＩ、ＨＰ－ＩＩＩ、ＨＰ－ＩＶ、ＨＰ－Ｖ、ＨＰ－ＶＩ、ＨＰ－ＶＩＩ、ＨＰ－ＶＩＩＩ、ＨＰ－ＩＸ及びＨＰ－Ｘのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される１つの第１化学的部分（moiety）、及び

・・・化学式ＨＰ－Ｉ

・・・化学式ＨＰ－ＩＩ

・・・化学式ＨＰ－ＩＩＩ

・・・化学式ＨＰ－ＩＶ

・・・化学式ＨＰ－Ｖ

・・・化学式ＨＰ－ＶＩ

・・・化学式ＨＰ－ＶＩＩ

・・・化学式ＨＰ－ＶＩＩＩ

・・・化学式ＨＰ－ＩＸ

・・・化学式ＨＰ－Ｘ
それぞれ化学式ＨＰ－ＸＩ、ＨＰ－ＸＩＩ、ＨＰ－ＸＩＩＩ、ＨＰ－ＸＩＶ、ＨＰ－Ｘ
Ｖ、ＨＰ－ＸＶＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩＩ及びＨＰ－ＸＩＸのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される１以上の第２化学的部分、

・・・化学式ＨＰ－ＸＩ

・・・化学式ＨＰ－ＸＩＩ

・・・化学式ＨＰ－ＸＩＩＩ

・・・化学式ＨＰ－ＸＩＶ

・・・化学式ＨＰ－ＸＶ

・・・化学式ＨＰ－ＸＶＩ

・・・化学式ＨＰ－ＸＶＩＩ

・・・化学式ＨＰ－ＸＶＩＩＩ

・・・化学式ＨＰ－ＸＩＸ
ここで、ｐ－ホスト材料ＨＰに存在する少なくとも１つの第２化学的部分それぞれは、前記化学式において点線で表される単結合を介して第１化学的部分に連結され、
ここで、
Ｚ１は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、Ｃ（ＲＩＩ）２、Ｃ＝Ｃ（ＲＩＩ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＩＩ、ＮＲＩＩ、Ｏ、Ｓｉ（ＲＩＩ）２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
ＲＩは、それぞれの場合に互いに独立して、第１化学的部分を第２化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
ここで、少なくとも１つのＲＩは、第１化学的部分を第２化学的部分に連結する単結合の結合位置であり、
ＲＩＩは、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
ここで、２以上の隣接した置換基ＲＩＩは、選択的に、脂肪族または芳香族またはヘテ
ロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、化学式ＨＰ－ＸＩ、ＨＰ－ＸＩＩ、ＨＰ－ＸＩＩＩ、ＨＰ－ＸＩＶ、ＨＰ－ＸＶ、ＨＰ－ＸＶＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩＩ及びＨＰ－ＸＩＸのうちいずれか１つによる構造だけでなく、隣接した置換基ＲＩＩによって選択的に形成される追加の環から構成される縮合環系は、総１２～６０個の炭素原子、好ましくは、１４～３２個の炭素原子を含む。
本発明のより好ましい実施形態において、Ｚ１は、それぞれの場合に直接結合であり、隣接した置換基ＲＩＩは結合して追加の環系を形成しない。
本発明のより好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に選択的に含まれるｐ－ホストＨＰは、下記構造からなる群から選択される：





本発明の好ましい実施形態において、全体として（１層の（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）任意の少なくとも１層の発光層Ｂに選択的に含まれるｎ－ホストＨＮは、化学式ＨＮ－Ｉ、ＨＮ－ＩＩ及びＨＮ－ＩＩＩのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される：

・・・化学式ＨＮ－Ｉ

・・・化学式ＨＮ－ＩＩ

・・・化学式ＨＮ－ＩＩＩ
ここで、ＲＩＩＩ及びＲＩＶは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、及び
化学式ＨＮ－ＩＶ、ＨＮ－Ｖ、ＨＮ－ＶＩ、ＨＮ－ＶＩＩ、ＨＮ－ＶＩＩＩ、ＨＮ－ＩＸ、ＨＮ－Ｘ、ＨＮ－ＸＩ、ＨＮ－ＸＩＩ、ＨＮ－ＸＩＩＩ及びＨＮ－ＸＩＶのうちいずれか１つで表される構造、

・・・化学式ＨＮ－ＩＶ

・・・化学式ＨＮ－Ｖ

・・・化学式ＨＮ－ＶＩ

・・・化学式ＨＮ－ＶＩＩ

・・・化学式ＨＮ－ＶＩＩＩ

・・・化学式ＨＮ－ＩＸ

・・・化学式ＨＮ－Ｘ

・・・化学式ＨＮ－ＸＩ

・・・化学式ＨＮ－ＸＩＩ

・・・化学式ＨＮ－ＸＩＩＩ

・・・化学式ＨＮ－ＸＩＶ
ここで、
点線は、化学式ＨＮ－ＩＶ、ＨＮ－Ｖ、ＨＮ－ＶＩ、ＨＮ－ＶＩＩ、ＨＮ－ＶＩＩＩ、ＨＮ－ＩＸ、ＨＮ－Ｘ、ＨＮ－ＸＩ、ＨＮ－ＸＩＩ、ＨＮ－ＸＩＩＩ及びＨＮ－ＸＩＶのうちいずれか１つによる構造をＨＮ－Ｉ、ＨＮ－ＩＩ及びＨＮ－ＩＩＩのうちいずれか１つによる構造に連結する単結合の結合位置を示し、
Ｘ１は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）またはＣ（ＲＶ）２であり、
ＲＶは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
ここで、２以上の隣接した置換基ＲＶは、選択的に、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、化学式ＨＮ－ＩＶ、ＨＮ－Ｖ、ＨＮ－ＶＩ、ＨＮ－ＶＩＩ、ＨＮ－ＶＩＩＩ、ＨＮ－ＩＸ、ＨＮ－Ｘ、ＨＮ－ＸＩ、ＨＮ－ＸＩＩ、ＨＮ－ＸＩＩＩ及びＨＮ－ＸＩＶのうちいずれか１つによる構造だけでなく、隣接した置換基ＲＶによって選択的に形成される追加の環から構成される縮合環系は、総８～６０個の炭素原子、好ましくは、１２～４０個の炭素原子、より好ましくは、１４～３２個の炭素原子を含み、
ここで、化学式ＨＮ－Ｉ及びＨＮ－ＩＩにおいて、少なくとも１つの置換基ＲＩＩＩはＣＮである。
本発明のより好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に選択的に含まれるｎ－ホストＨＮは、下記構造からなる群から選択される：


本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の発光層Ｂに含まれたｎ－ホストＨＮは、任意のフォスフィンオキシド基を含まず、特に、ｎ－ホストＨＮは、ビス［２－（ジフェニルホスフィノ）フェニル］エーテルオキシド（ＤＰＥＰＯ）ではない。
ＴＡＤＦ材料Ｅ Ｂ
本発明によれば、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢは、０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またはさらに好ましくは、０．０５ｅＶ未満の、最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値を示すことを特徴とする。したがって、本発明によるＴＡＤＦ材料ＥＢのΔＥＳＴは、室温（ＲＴ、すなわち、（約）２０℃）で最低励起三重項状態Ｔ１Ｅから最低励起一重項状態Ｓ１Ｅの熱再充填（thermal repopulation）（アップ項間交差または逆項間交差、ＲＩＳＣともいう）を許容するのに十分に小さい。
好ましくは、本発明の文脈において、ＴＡＤＦ材料は、電荷キャリア（正孔及び電子）の再結合によって発光性Ｓ１Ｅ状態に達するときに即時蛍光、及びＴ１Ｅ状態から熱活性化されたＲＩＳＣを介して発光性Ｓ１Ｅ状態に達するときに遅延蛍光の両方を示す。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、選択的に０．４ｅＶ未満のΔＥＳＴ値を有することができ、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示すことが理解される。しかし、本発明の文脈において、任意の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢに対し、これは単に選択的な特徴だけである。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つのＴＡＤＦ材料ＥＢの発光スペクトルと、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある（両スペクトルが類似の条件下で測定されるとき）。この場合、少なくとも１つのＴＡＤＦ材料ＥＢは、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢにエネルギーを移動させることができる。
本発明によれば、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、３８０ｎｍから８００ｎｍの可視的な波長範囲において発光最大を有し、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢで測定される。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、３８０ｎｍから４７０ｎｍ、好ましくは、４００ｎｍから４７０ｎｍの深青色波長範囲において発光最大を有し、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢで測定される。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、４８０ｎｍから５６０ｎｍ、好ましくは、５００ｎｍから５６０ｎｍの緑色波長範囲において発光最大を有し、典型的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢで測定される。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、６００ｎｍから６６５ｎｍ、好ましくは、６１０ｎｍから６６５ｎｍの赤色波長範囲において発光最大を有し、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢで測定される。本発明の好ましい実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢの発光最大（ピーク発光）は、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの発光最大（ピーク発光）より短い波長にある。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、有機ＴＡＤＦ材料であり、これは、本発明の文脈においていかなる遷移金属も含まないということを意味する。好ましくは、本発明によるそれぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、主に水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から構成されるが、例えば、酸素（Ｏ）、ボロン（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）及び臭素（Ｂｒ）を含んでもよい。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、８００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦエミッタＥＢは、３０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示し、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢで測定される。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦエミッタＥＢは、５０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示し、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢで測定される。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦエミッタＥＢは、７０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示し、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢで測定される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満であることを特徴とし、
（ｉｉ）３０％より大きいフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）は、－２．６ｅＶより小さい。
当業者は、本発明によるＴＡＤＦ分子ＥＢを設計する方法、及び当該分子が一般的に示す構造的特徴が分かっている。簡単に、逆項間交差（ＲＩＳＣ）を容易にするために、ΔＥＳＴは一般的に減少し、本発明の文脈において、ΔＥＳＴは、前述のように０．４ｅＶより小さい。これは、頻繁にＨＯＭＯ及びＬＵＭＯがそれぞれ（電子）ドナー基及び（電子）アクセプター基で空間的に大きく分離されるようにＴＡＤＦ分子ＥＢを設計することによって達成される。当該基は、一般的に体積が大きいか、スピロ接合を介して連結されて捻じれており、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの空間的重畳が減少する。しかし、ＨＯＭＯとＬＵ
ＭＯの空間的重畳を最小化すれば、ＴＡＤＦ材料のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）も低くなる短所がある。したがって、実際にその２つの効果の両方を考慮して、ΔＥＳＴを減らし、高いＰＬＱＹを達成する。
ＴＡＤＦ材料設計のための１つの一般的なアプローチは、ＨＯＭＯが分布された１以上の（電子）ドナー部分と、ＬＵＭＯが分布された１以上の（電子）アクセプター部分とを、本願においてリンカー基と呼ばれる、同一なブリッジに共有結合することである。また、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、例えば、同一なアクセプター部分に結合された２つまたは３つのリンカー基を含み、更なるドナー部分及びアクセプター部分がそれら２つまたは３つのリンカー基それぞれに結合されうる。
また、１以上のドナー部分及び１以上のアクセプター部分は、（リンカー基の存在なしに）互いに直接結合されうる。
典型的なドナー部分は、ジフェニルアミン、カルバゾール、アクリジン、フェノキサジン及び関連構造の誘導体である。
ベンゼン、ビフェニル基及びある程度までターフェニル基の誘導体が一般的なリンカー基である。
ニトリル基は、ＴＡＤＦ分子において非常に一般的なアクセプター部分であり、その周知の例は、下記を含む：
（ｉ）２ＣｚＰＮ（４，５－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フタロニトリル）、ＤＣｚＩＰＮ（４，６－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）イソフタロニトリル）、４ＣｚＰＮ（３，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フタロニトリル）、４ＣｚＩＰＮ（２，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）イソフタロニトリル）、４ＣｚＴＰＮ（２，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）テレフタロニトリル）及びその誘導体のようなカルバゾリルジシアノベンゼン化合物、
（ｉｉ）４ＣｚＣＮＰｙ（２，３，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４－シアノピリジン）及びその誘導体のようなカルバゾリルシアノピリジン化合物、
（ｉｉｉ）ＣＮＢＰＣｚ（４，４’，５，５’－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１，１’－ビフェニル］－２，２’－ジカルボニトリル）、ＣｚＢＰＣＮ（４，４’，６，６’－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１，１’－ビフェニル］－３，３’－ジカルボニトリル）、ＤＤＣｚＩＰＮ（３，３’，５，５’－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１，１’－ビフェニル］－２，２’，６，６’－テトラカルボニトリル）及びその誘導体のようなカルバゾリルシアノビフェニル化合物、
ここで、それら材料において、１以上のニトリル基は、アクセプター部分として、フッ素（Ｆ）またはトリフルオロメチル（ＣＦ３）にも代替される。
また、トリアジン、ピリミジン、トリアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、ヘプタジン、１，４－ジアザトリフェニレン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、キノキサリン及びジアザフルオレン誘導体のような窒素ヘテロ環は、ＴＡＤＦ分子構成に使用される周知のアクセプター部分である。例えば、トリアジンアクセプターを含むＴＡＤＦ分子の公知の例は、ＰＩＣ－ＴＲＺ（７，７’－（６－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－１，３，５－トリアジン－２，４－ジイル）ビス（５－フェニル－５，７－ジヒドロインドロ［２，３－ｂ］カルバゾール））、ｍＢＦＣｚＴｒｚ（５－（３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル））フェニル）－５Ｈ－ベンゾフロ［３，２－ｃ］カルバゾール）、及びＤＣｚＴｒｚ（９，９’－（５－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－１，３－フェニレン）ビス（９Ｈ－カルバゾール））を含む。
ＴＡＤＦ材料の他の一群は、ドナー部分（主に、カルバゾリル置換基）が結合されたアクセプター部分として、ベンゾフェノンのようなジアリールケトン、または４－ベンゾイルピリジン、９，１０アントラキノン、９Ｈ－キサンテン－９－オンのような（ヘテロアリール）アリールケトン及びその誘導体を含む。そのようなＴＡＤＦ分子の例は、ＢＰＢＣｚ（ビス（４－（９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－［３，３’－ビカルバゾール］－９－イル）フェニル）メタノン）、ｍＤＣＢＰ（（３，５－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）（ピリジン－４－イル）メタノン）、ＡＱ－ＤＴＢｕ－Ｃｚ（２，６－ビス（４－（３，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）アントラセン－９，１０－ジオン）及びＭＣｚ－ＸＴ（３－（１，３，６，８－テトラメチル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン）をそれぞれ含む。
また、スルホキシド、特にジフェニルスルホキシドは、ＴＡＤＦ材料の構成のためのアクセプター部分として一般的に使用され、周知の例は、４－ＰＣ－ＤＰＳ（９－フェニル－３－（４－（フェニルスルホニル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾール）、ＤｉｔＢｕ－ＤＰＳ（９，９’－（スルホニルビス（４，１－フェニレン））ビス（９Ｈ－カルバゾール））及びＴＸＯ－ＰｈＣｚ（２－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－チオキサンテン－９－オン１０，１０－ジオキシド）を含む。
特定材料が前述の基本要求事項、すなわち、ΔＥＳＴ値が０．４ｅＶより小さいという点を満たすことを考慮すれば、例示的に、前述の全ての群のＴＡＤＦ分子は、本発明によって使用するのに適しているＴＡＤＦ材料ＥＢを提供することができる。
当業者は、前記命名された構造だけでなく、より多い材料が本発明の文脈において好適なＴＡＤＦ材料ＥＢであることが分かっている。当業者は、そのような分子の設計原理に慣れ、特定の発光色相（例えば、青色、緑色または赤色発光）を有するそのような分子を設計する方法も分かっている。
以下の例示を参照する：H.Tanaka, K.Shizu, H.Nakanotani, C.Adachi, Chemistry of Materials 2013, 25(18), 3766, DOI: 10.1021/cm402428a; J.Li, T.Nakagawa, J.MacDonald, Q.Zhang, H.Nomura, H.Miyazaki, C.Adachi, Advanced Materials 2013, 25(24), 3319, DOI: 10.1002/adma.201300575; K.Nasu, T.Nakagawa, H.Nomura, C.-J.Lin, C.-H.Cheng, M.-R.Tseng, T.Yasudaad, C.Adachi, Chemical Communications 2013, 49(88), 10385, DOI: 10.1039/c3cc44179b; Q.Zhang, B.Li1, S.Huang, H.Nomura, H.Tanaka, C.Adachi, Nature Photonics 2014, 8(4), 326, DOI: 10.1038/nphoton.2014.12; B.Wex, B.R.Kaafarani, Journal of Materials Chemistry C 2017, 5, 8622, DOI: 10.1039/c7tc02156a; Y.Im, M.Kim, Y.J.Cho, J.A.Seo, K.S.Yook, J.Y.Lee, Chemistry of Materials 2017, 29(5), 1946, DOI: 10.1021/acs.chemmater.6b05324; T.-T.Bui, F.Goubard, M.Ibrahim-Ouali, D.Gigmes, F.Dumur, Beilstein Journal of Organic Chemistry 2018, 14, 282, DOI: 10.3762/bjoc.14.18; X.Liang, Z.-L.Tu, Y.-X.Zheng, Chemistry-A European Journal 2019, 25(22), 5623, DOI: 10.1002/chem.201805952。
また、例えば、ＵＳ２０１５１０５５６４（Ａ１）、ＵＳ２０１５０４８３３８（Ａ１）、ＵＳ２０１５１４１６４２（Ａ１）、ＵＳ２０１４３３６３７９（Ａ１）、ＵＳ２０１４１３８６７０（Ａ１）、ＵＳ２０１２２４１７３２（Ａ１）、ＥＰ３３１５５８１（Ａ１）、ＥＰ３４８３１５６（Ａ１）及びＵＳ２０１８０５３９０１（Ａ１）は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用可能なＴＡＤＦ材料ＥＢを開示する。これは、本発明が、引用された参考文献に開示されたＴＡＤＦ材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるということを意味しないものと理解される。最新技術で使
用される任意のＴＡＤＦ材料が、本発明の文脈において好適なＴＡＤＦ材料ＥＢであることが理解される。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、ＣＮ、ＣＦ３及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択される１以上の化学的部分を含む。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、ＣＮ及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択される１以上の化学的部分を含む。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、１以上の選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基を含む。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、アミノ基、インドリル基、カルバゾリル基及びその誘導体から互いに独立して選択される１以上の化学的部分を含み、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、それぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造と窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介して結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、下記を含む：
アミノ基、インドリル基、カルバゾリル基及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的部分、及び
ＣＮ、ＣＦ３、及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択された１以上の第２化学的部分。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、下記を含む：
アミノ基、インドリル基、カルバゾリル基及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的部分、及び
ＣＮ、ＣＦ３、及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択された１以上の第２化学的部分。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、下記を含む：
アミノ基、インドリル基、カルバゾリル基及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的部分、及び
１以上の選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基。
当業者は、「その誘導体」という表現が、それぞれの親構造が任意に置換されるか、またはそれぞれの親構造内の任意の原子が、例えば、他の元素の原子に代替されることを意味するということを理解している。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含む少なくとも１層の発光層Ｂを含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、
ここで、下記式（１）及び（２）で表される関係が適用され、
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｐ） （１）
Ｅ（Ｔ１Ｐ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （２）
それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、下記を含む：
アミノ基、インドリル基、カルバゾリル基及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的部分、及び
ＣＮ、及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基からなる群から互いに独立して選択された１以上の第２化学的部分。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、下記を含む：
化学式Ｄ－Ｉによる構造をそれぞれ含むか、あるいはそれからなる１以上の第１化学的部分、

・・・化学式Ｄ－Ｉ
選択的に、ＣＮ、ＣＦ３、並びに化学式Ａ－Ｉ、Ａ－ＩＩ、Ａ－ＩＩＩ及びＡ－ＩＶのうちいずれか１つによる構造からそれぞれ互いに独立して選択される、１以上の第２化学的部分、及び

・・・化学式Ａ－Ｉ

・・・化学式Ａ－ＩＩ

・・・化学式Ａ－ＩＩＩ

・・・化学式Ａ－ＩＶ
化学式Ｌ－Ｉ、Ｌ－ＩＩ、Ｌ－ＩＩＩ、Ｌ－ＩＶ、ＬＶ、Ｌ－ＶＩ、Ｌ－ＶＩＩ及びＬ－ＶＩＩＩのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される１つの第３化学的部分、

・・・化学式Ｌ－Ｉ

・・・化学式Ｌ－ＩＩ

・・・化学式Ｌ－ＩＩＩ

・・・化学式Ｌ－ＩＶ

・・・化学式Ｌ－Ｖ

・・・化学式Ｌ－ＶＩ

・・・化学式Ｌ－ＶＩＩ

・・・化学式Ｌ－ＶＩＩＩ
ここで、
１以上の第１化学的部分及び１以上の第２化学的部分は、単結合を介して第３化学的部分に共有結合され、
化学式Ｄ－Ｉにおいて、
＃は、化学式Ｄ－Ｉによるそれぞれの第１化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置を示し、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ１、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、ＯＳＯ２Ｒ３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ４）２、ＯＲ４、Ｓｉ（Ｒ４）３、Ｂ（ＯＲ４）２、ＯＳＯ２Ｒ４、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、選択的にこのように形成された環系は、１以上の置換基Ｒ５で選択的に置換され、
Ｒ４及びＲ５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３または
Ｆによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＰｈまたはＣ１－Ｃ５アルキルによって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
化学式Ａ－Ｉ、Ａ－ＩＩ、Ａ－ＩＩＩ及びＡ－ＩＶにおいて、
点線は、化学式Ａ－Ｉ、Ａ－ＩＩ、Ａ－ＩＩＩまたはＡ－ＩＶによるそれぞれの第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合を示し、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、Ｂ（ＯＲ９）２、ＯＳＯ２Ｒ９、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ１０）２、ＯＲ１０、Ｓｉ（Ｒ１０）３、Ｂ（ＯＲ１０）２、ＯＳＯ２Ｒ１０、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０
、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
Ｒ１０は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＰｈまたはＣ１－Ｃ５アルキルによって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され
、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
化学式Ｌ－Ｉ、Ｌ－ＩＩ、Ｌ－ＩＩＩ、Ｌ－ＩＶ、Ｌ－Ｖ、Ｌ－ＶＩ、Ｌ－ＶＩＩ及びＬ－ＶＩＩＩにおいて、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、１以上のＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル基、Ｃ６－Ｃ１８アリール基、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩによって置換され、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合された第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の数（すなわち、Ｒ１１の個数）のみによって限定され、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む。
本発明の好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ１、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ４）２、ＯＲ４、Ｓｉ（Ｒ４）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、選択的に、置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうちいずれ
か１つは、 互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４から選択さ
れた１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された環系は、１以上の置換基Ｒ５で選択的に置換され、
Ｒ４及びＲ５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキルまたはＰｈによって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、Ｂ（ＯＲ９）２、ＯＳＯ２Ｒ９、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ１０）２、ＯＲ１０、Ｓｉ（Ｒ１０）３、Ｂ（ＯＲ１０）２、ＯＳＯ２Ｒ１０、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で選択的
に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
Ｒ１０は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＰｈまたはＣ１－Ｃ５アルキルによって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル基及びＣ６－Ｃ１８アリール基によって置換され、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合された第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学
的部分で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ１１の数）のみによって限定される（好ましくは、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む）。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ１、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ４）２、Ｓｉ（Ｒ４）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、選択的に、置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３のうちいずれか１つは、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された環系は、１以上の置換基Ｒ５で選択的に置換され、
Ｒ４及びＲ５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ１０）２、ＯＲ１０、Ｓｉ（Ｒ１０）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
Ｒ１０は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈ、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換され、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合された第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ１１の個数）のみによって限定
される（好ましくは、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む）。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された環系は、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された、化学式Ｄ－１による構造、及び隣接した置換基によって形成された結合された環から構成された縮合環系は、総１３から４０個の環原子、好ましくは、１６から３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈ、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合された第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ１１の個数）のみによって限定される（好ましくは、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む）。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
Ｐｈ、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
カルバゾリル、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
トリアジニル、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
ピリミジニル、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
ピリジニル、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的にこのように形成された環系は、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された、化学式Ｄ１による構造、及び隣接した置換基によって形成された結合された環から構成された縮合環系、総１３から３０個の環原子、好ましくは、１６から３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈ、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合された第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ１１の個数）のみによって限定される（好ましくは、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む）。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的にこのように形成された環系は、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された、化学式Ｄ１による構造、及び隣接した置換基によって形成された結合された環から構成された縮合環系は、総１３から３０個の環原子、好ましくは、１６から３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されるＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合された第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ１１の個数）のみによって限定される（好ましくは、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む）。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して
、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的にこのように形成された環系は、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された、化学式Ｄ１による構造、及び隣接した置換基によって形成された結合された環から構成された縮合環系は、総１３から３０個の環原子、好ましくは、１６から３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義されるが、ＣＮまたはＣＦ３であり、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されるＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合した第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ１１の個数）のみによって限定される（好ましくは、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む）。
本発明の特に好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的にこのように形成された環系は、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された、化学式Ｄ１による構造、及び隣接した置換基によって形成し結合された環から構成された縮合環系は、総１３から３０個の環原子、好ましくは、１６から３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
カルバゾリル、ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造からなる群から選択される：

・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義されるが、ＣＮまたはＣＦ３であり、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
ここで、化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、及び１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈからなる群から互いに独立して選択された１以上の置換基で選択的に置換され、
ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総９から１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されるＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義され、
ここで、第３化学的部分に結合された第１及び第２化学的部分の最大個数は、第３化学的部分で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ１１の個数）のみによって限定される（好ましくは、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、少なくとも１つの第１化学的部分、少なくとも１つの第２化学的部分及び正確に１つの第３化学的部分を含む）。
本発明の好ましい実施形態において、ａは常に１であり、ｂは常に０である。
本発明の好ましい実施形態において、Ｚ２は、それぞれの場合に直接結合である。
本発明の好ましい実施形態において、Ｒａは、それぞれの場合に水素である。
本発明の好ましい実施形態において、Ｒａ及びＲｄは、それぞれの場合に水素である。
本発明の好ましい実施形態において、Ｑ３は、それぞれの場合に窒素（Ｎ）である。
本発明の一実施形態において、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、少なくとも１つの基ＲＸはＣＮである。
本発明の好ましい実施形態において、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、正確に１つの基ＲＸはＣＮである。
本発明の好ましい実施形態において、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、正確に１つのＲＸ基はＣＮであり、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、ＲＸ基はＣＦ３ではない。
本発明による第１化学的部分の例を下記に示すが、これは、本発明がそれら例に限定されることを意味するものではない：















ここで、前述の定義が適用される。
本発明による第２化学的部分の例を下記に示すが、これは、本発明がそれら例に限定されることを意味するものではない：









ここで、前述の定義が適用される。
本発明の好ましい実施形態において、各ＴＡＤＦ材料ＥＢは、化学式ＥＢ－Ｉ、ＥＢ－ＩＩ、ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－ＩＶ、ＥＢ－Ｖ、ＥＢ－ＶＩ、ＥＢ－ＶＩＩ、ＥＢ－ＶＩＩＩ、ＥＢ－ＩＸ、ＥＢ－Ｘ及びＥＢ－ＸＩのうちいずれか１つで表される構造を有する：

・・・化学式ＥＢ－Ｉ

・・・化学式ＥＢ－ＩＩ

・・・化学式ＥＢ－ＩＩＩ

・・・化学式ＥＢ－ＩＶ

・・・化学式ＥＢ－Ｖ

・・・化学式ＥＢ－ＶＩ

・・・化学式ＥＢ－ＶＩＩ

・・・化学式ＥＢ－ＶＩＩＩ

・・・化学式ＥＢ－ＩＸ

・・・化学式ＥＢ－Ｘ

・・・化学式ＥＢ－ＸＩ
ここで、
Ｒ１３は、Ｒ１１のように定義され、但し、Ｒ１３は、第１または第２化学的部分を第３化学的部分に連結する単結合の結合位置ではなく、
ＲＹは、ＣＮ及びＣＦ３から選択されるか、またはＲＹは、下記化学式ＢＮ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成される：

・・・化学式ＢＮ－Ｉ
これは、点線で表される単結合により、化学式ＥＢ－Ｉ、ＥＢ－ＩＩ、ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－ＩＶ、ＥＢ－Ｖ、ＥＢ－ＶＩ、ＥＢ－ＶＩＩ、ＥＢ－ＶＩＩＩまたはＥＢ－ＩＸの構造に結合され、ここで、正確に１つのＲＢＮ基はＣＮであり、他の２つのＲＢＮ基は、両方とも水素（Ｈ）であり、
その他には、前述の定義が適用される。
本発明の好ましい実施形態において、Ｒ１３は、それぞれの場合に水素である。
本発明の一実施形態において、ＲＹは、それぞれの場合にＣＮである。
本発明の一実施形態において、ＲＹは、それぞれの場合にＣＦ３である。
本発明の一実施形態において、ＲＹは、それぞれの場合に化学式ＢＮ－Ｉで表される構
造である。
本発明の好ましい実施形態において、ＲＹは、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ及び化学式ＢＮ－Ｉで表される構造から選択される。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、前述の定義が適用される化学式ＥＢ－Ｉ、ＥＢ－ＩＩ、ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－ＩＶ、ＥＢ－Ｖ、ＥＢ－ＶＩ、ＥＢ－ＶＩＩ及びＥＢ－Ｘのうちいずれか１つで表される構造を有する。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、前述の定義が適用される化学式ＥＢ－Ｉ、ＥＢ－ＩＩ、ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－Ｖ及びＥＢ－Ｘのうちいずれか１つで表される構造を有する。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するためのＴＡＤＦ材料ＥＢの例が下記に示されるが、これは、単に示された例のみが本発明の文脈において好適なＴＡＤＦ材料ＥＢということを意味しない。
化学式ＥＢ－ＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：








化学式ＥＢ－ＩＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：




化学式ＥＢ－ＩＩＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：



化学式ＥＢ－ＩＶによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＶによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＶＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＶＩＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＶＩＩＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＩＸによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：

化学式ＥＢ－ＸによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：

化学式ＥＢ－ＸＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
ＴＡＤＦ材料ＥＢの合成は、当業者に周知の標準反応及び反応条件を介して達成される。一般的に、第１ステップにおいて、カップリング反応、好ましくは、パラジウム触媒化されたカップリング反応が行われ、これを化学式ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－ＩＶ及びＥＢ－Ｖのうちいずれか１つによるＴＡＤＦ材料ＥＢの合成に対して下記に例示的に示した：
Ｅ１は、任意のボロン酸（ＲＢ＝Ｈ）または対応するボロン酸エステル（ＲＢ＝アルキルまたはアリール）であり、特に、２つのＲＢは環を形成し、例えば、ボロン酸ピナコールエステルを提供することができる。第２反応物としてＥ２が使用され、ここで、Ｈａｌはハロゲンを示し、Ｉ、ＢｒまたはＣｌでもあるが、好ましくは、Ｂｒである。そのよう
なパラジウム触媒化されたカップリング反応の反応条件は、例えば、ＷＯ２０１７／００５６９９から当業者に公知されており、Ｅ１及びＥ２の反応基が反応収率を最適化するために下記に示したように交換可能であることが知られている：
第２ステップにおいて、親核性芳香族置換において窒素ヘテロ環と、アリールハライド、好ましくは、アリールフルオライドＥ３との反応を介してＴＡＤＦ分子を得る。典型的な条件は、例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）またはＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）のような非プロトン性極性溶媒において、例えば、リン酸三カリウムまたは水素化ナトリウムのような塩基の使用を含む。
特に、ドナー分子Ｅ４は、３，６－置換のカルバゾール（例えば、３，６－ジメチルカルバゾール、３，６－ジフェニルカルバゾール、３，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、２，７－置換のカルバゾール（例えば、２，７－ジメチルカルバゾール、２，７－ジフェニルカルバゾール、２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、１，８－置換のカルバゾール（例えば、１，８－ジメチルカルバゾール、１，８－ジフェニルカルバゾール、１，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、１－置換のカルバゾール（例えば、１－メチルカルバゾール、１－フェニルカルバゾール、１－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、２－置換のカルバゾール（例えば、２－メチルカルバゾール、２－フェニルカルバゾール、２－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、または３－置換のカルバゾール（例えば、３－メチルカルバゾール、３－フェニルカルバゾール、３－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）でもある。
代案としては、ハロゲン置換のカルバゾール、特に３－ブロモカルバゾールがＥ４としても使用される。
後続反応において、ボロン酸エステル作用基またはボロン酸作用基は、Ｅ４を介して導入された１以上のハロゲン置換基の位置に例示的に導入され、対応するカルバゾール－３－イル－ボロン酸エステルまたはカルバゾール－３－イル－ボロン酸を、例えば、（ピナコラート）ジボロン（ＣＡＳ Ｎｏ．７３１８３－３４－３）との反応を介して生成する
ことができる。次いで、相応するハロゲン化反応物、例えば、Ｒａ－Ｈａｌ、好ましくは
、Ｒａ－Ｃｌ及びＲａ－Ｂｒとのカップリング反応を介して、ボロン酸エステル基またはボロン酸基の代わりに、１以上の置換基Ｒａ、ＲｂまたはＲｄを導入することができる。
代案としては、置換基Ｒａ［Ｒａ－Ｂ（ＯＨ）２］、Ｒｂ［Ｒｂ－Ｂ（ＯＨ）２］またはＲｄ［Ｒｄ－Ｂ（ＯＨ）２］のボロン酸または相応するボロン酸エステルとの反応を介して、Ｄ－Ｈを介して導入された１以上のハロゲン置換基の位置に１以上の置換基Ｒａ、ＲｂまたはＲｄを導入することができる。
また、ＴＡＤＦ材料ＥＢを類似して得ることができる。また、ＴＡＤＦ材料ＥＢを当該目的に適している任意の代案的な合成経路によって得ることができる。
代案的な合成経路は、窒素ヘテロ環を、銅またはパラジウム触媒によるカップリングを介して、アリールハライドまたはアリール擬ハライド、好ましくは、臭化アリール、ヨウ化アリール、アリールトリフラートまたはアリールトシレートに導入することを含むものでもある。
燐光材料Ｐ Ｂ
本発明の文脈において燐光材料ＰＢは、三重項から発光を得るために、金属原子によって惹起される分子内スピン軌道相互作用（重原子効果）を利用する。
一般的に、最新技術において有機エレクトロルミネッセンス素子に使用される全ての燐光錯体が本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子にも使用可能であることが理解される。
有機エレクトロルミネッセンス素子に使用される燐光材料ＰＢは、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｅｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ａｇ及びＣｕの、本発明の文脈において、好ましくは、Ｉｒ、Ｐｔ及びＰｄの、より好ましくは、Ｉｒ及びＰｔの錯体ということが当業者に常識である。当業者は、有機エレクトロルミネッセンス素子においていかなる材料が燐光材料として適しているか、及びそれらを合成する方法が分かっている。また、当業者は、有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するための燐光錯体の設計原理に慣れ、構造的変化により錯体の発光を調整する方法が分かっている。
以下の例示を参照する：C.-L.Ho, H.Li, W.-Y.Wong, Journal of Organometallic Chemistry 2014, 751, 261, DOI: 10.1016/j.jorganchem.2013.09.035; T.Fleetham, G.Li, J.Li, Advanced Science News 2017, 29, 1601861, DOI: 10.1002/adma.201601861; A.R.B.M.Yusoff, A.J.Huckaba, M.K.Nazeeruddin, Topics in Current Chemistry(Z) 2017, 375:39, 1, DOI: 10.1007/s41061-017-0126-7; T.-Y.Li, J.Wuc, Z.-G.Wua, Y.-X.Zheng, J.-L.Zuo, Y.Pan, Coordination Chemistry Reviews 2018, 374, 55, DOI: 10.1016/j.ccr.2018.06.014。
例えば、ＵＳ２０２０２７４０８１（Ａ１）、ＵＳ２００１００１９７８２（Ａ１）、ＵＳ２００２００３４６５６（Ａ１）、ＵＳ２００３０１３８６５７（Ａ１）、ＵＳ２００５１２３７９１（Ａ１）、ＵＳ２００６００６５８９０（Ａ１）、ＵＳ２００６０１３４４６２（Ａ１）、ＵＳ２００７００３４８６３（Ａ１）、ＵＳ２００７０１１１０２６（Ａ１）、ＵＳ２００７０３４８６３（Ａ１）、ＵＳ２００７１３８４３７（Ａ１）、ＵＳ２００８００２０２３７（Ａ１）、ＵＳ２００８０２９７０３３（Ａ１）、ＵＳ２００８２１０９３０（Ａ１）、ＵＳ２００９０１１５３２２（Ａ１）、ＵＳ２００９１０４４７２（Ａ１）、ＵＳ２０１００２４４００４（Ａ１）、ＵＳ２０１０１０５９０２（Ａ１）、ＵＳ２０１１００５７５５９（Ａ１）、ＵＳ２０１１２１５７１０（Ａ１）、ＵＳ２０１２２９２６０１（Ａ１）、ＵＳ２０１３１６５６５３（Ａ１）、ＵＳ２０１４０２４
６６５６（Ａ１）、ＵＳ２００３００６８５２６（Ａ１）、ＵＳ２００５０１２３７８８（Ａ１）、ＵＳ２００５２６０４４９（Ａ１）、ＵＳ２００６０１２７６９６（Ａ１）、ＵＳ２００６０２０２１９４（Ａ１）、ＵＳ２００７００８７３２１（Ａ１）、ＵＳ２００７０１９０３５９（Ａ１）、ＵＳ２００７１０４９７９（Ａ１）、ＵＳ２００７２２４４５０（Ａ１）、ＵＳ２００８０２３３４１０（Ａ１）、ＵＳ２００８０５８５１（Ａ１）、ＵＳ２００９００３９７７６（Ａ１）、ＵＳ２００９０１７９５５５（Ａ１）、ＵＳ２０１０００９０５９１（Ａ１）、ＵＳ２０１００２９５０３２（Ａ１）、ＵＳ２００３００７２９６４（Ａ１）、ＵＳ２００５０２４４６７３（Ａ１）、ＵＳ２００６０００８６７０（Ａ１）、ＵＳ２００６０１３４４５９（Ａ１）、ＵＳ２００６０２５１９２３（Ａ１）、ＵＳ２００７０１０３０６０（Ａ１）、ＵＳ２００７０２３１６００（Ａ１）、ＵＳ２００７１０４９８０（Ａ１）、ＵＳ２００７２７８９３６（Ａ１）、ＵＳ２００８０２６１０７６（Ａ１）、ＵＳ２００８１６１５６７（Ａ１）、ＵＳ２００９０１０８７３７（Ａ１）、ＵＳ２００９０８５４７６（Ａ１）、ＵＳ２０１００１４８６６３（Ａ１）、ＵＳ２０１０１０２７１６（Ａ１）、ＵＳ２０１０２７０９１６（Ａ１）、ＵＳ２０１１０２０４３３３（Ａ１）、ＵＳ２０１１２８５２７５（Ａ１）、ＵＳ２０１３０３３１７２（Ａ１）、ＵＳ２０１３３３４５２１（Ａ１）、ＵＳ２０１４１０３３０５（Ａ１）、ＵＳ２００３０６８５３６（Ａ１）、ＵＳ２００３０８５６４６（Ａ１）、ＵＳ２００６２２８５８１（Ａ１）、ＵＳ２００６１９７０７７（Ａ１）、ＵＳ２０１１１１４９２２（Ａ１）、ＵＳ２０１１１１４９２２（Ａ１）、ＵＳ２００３０５４１９８（Ａ１）及びＥＰ２７３０５８３（Ａ１）は、本発明の文脈において燐光材料ＰＢに使用可能な燐光材料を開示する。これは、本発明が、命名された参照文献のうち１つに述べられた燐光材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるということを意味しないものと理解される。
ＵＳ２０２０２７４０８１（Ａ１）に示されたように、本発明のもののような有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するための燐光錯体の例は、下記に示した錯体を含む。再び、本発明がそれら実施例に限定されないということが理解される。











前述のように、当業者は、最新技術において使用される任意の燐光錯体が本発明の文脈における燐光材料ＰＢとして適していることを認識することができる。
本発明の一実施形態において、それぞれの燐光材料ＰＢは、イリジウム（Ｉｒ）を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢは、イリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）を含む有機金属錯体である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢは、イリジウム（Ｉｒ）を含む有機金属錯体である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢは、白金（Ｐｔ）を含む有機金属錯体である。
また、燐光材料ＰＢの非限定的な例は、下記一般化学式ＰＢ－Ｉで表される化合物を含む：

・・・化学式ＰＢ－Ｉ
。
化学式ＰＢ－Ｉにおいて、Ｍは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｅｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ａｇ及びＣｕからなる群から選択され、
ｎは、１から３の整数であり、
Ｘ２及びＹ１は、共にそれぞれの場合に互いに独立して、二座モノアニオン性リガンドを形成する。
本発明の一実施形態において、それぞれの燐光材料ＰＢは、下記化学式ＰＢ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成される：

・・・化学式ＰＢ－Ｉ
ここで、Ｍは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｅｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ａｇ及びＣｕからなる群から選択され、
ｎは、１から３の整数であり、
Ｘ２及びＹ１は、共にそれぞれの場合に互いに独立して、二座モノアニオン性リガンドを形成する。
化学式ＰＢ－Ｉで表される化合物の例は、下記一般化学式ＰＢ－ＩＩまたは一般化学式ＰＢ－ＩＩＩで表される化合物を含む：

・・・化学式ＰＢ－ＩＩ

・・・化学式ＰＢ－ＩＩＩ
化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、Ｘ’は、Ｍに炭素（Ｃ）結合された芳香族環であり、Ｙ’は、Ｍに窒素（Ｎ）配位されて環を形成する環である。
Ｘ’とＹ’は結合され、Ｘ’とＹ’は、新たな環を形成することができる。化学式ＰＢ－ＩＩＩにおいて、Ｚ３は、２つの酸素（Ｏ）を有する二座リガンドである。化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、Ｍは、高効率及び長寿命の観点から、好ましくは、Ｉｒである。
化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、芳香族環Ｘ’は、例えば、Ｃ６－Ｃ３０アリール、好ましくは、Ｃ６－Ｃ１６アリール、より好ましくは、Ｃ６－Ｃ１２アリール、特に好ましくは、Ｃ６－Ｃ１０アリールであり、ここで、Ｘ’は、それぞれの場合に選択的に１以上の置換基ＲＥで置換される。
化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、Ｙ’は、例えば、Ｃ２－Ｃ３０ヘテロアリール、好ましくは、Ｃ２－Ｃ２５ヘテロアリール、より好ましくは、Ｃ２－Ｃ２０ヘテロアリール、より一層好ましくは、Ｃ２－Ｃ１５ヘテロアリール、特に好ましくは、Ｃ２－Ｃ１０ヘテロアリールであり、ここで、Ｙ’は、それぞれの場合に選択的に１以上の置換基ＲＥで置換される。また、Ｙ’は、例えば、選択的に１以上の置換基ＲＥで置換され
るＣ１－Ｃ５ヘテロアリールでもある。
化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、２つの酸素（Ｏ）を有する二座リガンドＺ３は、例えば、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ３０二座リガンド、好ましくは、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ２５二座リガンド、より好ましくは、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ２０二座リガンド、より一層好ましくは、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ１５二座リガンド、特に好ましくは、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ１０二座リガンドであり、ここで、Ｚ３は、それぞれの場合に選択的に１以上の置換基ＲＥで置換される。また、Ｚ３は、例えば、選択的に１以上の置換基ＲＥで置換される２つの酸素を有するＣ２－Ｃ５二座リガンドでもある。
ＲＥは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｒ５Ｅ）２、ＯＲ５Ｅ、ＳＲ５Ｅ、Ｓｉ（Ｒ５Ｅ）３、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ５Ｅで選択的に置換され、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ５ＥＣ＝ＣＲ５Ｅ、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５Ｅ）２、Ｇｅ（Ｒ５Ｅ）２、Ｓｎ（Ｒ５Ｅ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５Ｅ、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５Ｅ）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５Ｅ、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５Ｅで選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ５Ｅで選択的に置換され、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ５ＥＣ＝ＣＲ５Ｅ、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５Ｅ）２、Ｇｅ（Ｒ５Ｅ）２、Ｓｎ（Ｒ５Ｅ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５Ｅ、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５Ｅ）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５Ｅ、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５Ｅで選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ５Ｅで選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ５Ｅで選択的に置換される。
Ｒ５Ｅは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｒ６Ｅ）２、ＯＲ６Ｅ、ＳＲ６Ｅ、Ｓｉ（Ｒ６Ｅ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ６Ｅで選択的に置換され、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ６ＥＣ＝ＣＲ６Ｅ、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ６Ｅ）２、Ｇｅ（Ｒ６Ｅ）２、Ｓｎ（Ｒ６Ｅ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ６Ｅ、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ６Ｅ）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ６Ｅ、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ６Ｅで選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ６Ｅで選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ６Ｅで選択的に置換される。
Ｒ６Ｅは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）。
置換基ＲＥ、Ｒ５ＥまたはＲ６Ｅは、互いに独立して選択的に１以上の置換基ＲＥ、Ｒ５Ｅ、Ｒ６Ｅ及び／またはＸ’、Ｙ’及びＺ３と共に、単環または多環、脂肪族環系、芳香族環系、ヘテロ芳香族環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成することができる。
化学式ＰＢ－ＩＩで表される化合物の例には、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３、Ｉｒ（ＰＰｙ）２（ｍ－ｂｐｐｙ）、ＢｔｐＩｒ（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（２－ｐｈｑ）３、Ｈｅｘ－Ｉｒ（ｐｈｑ）３、Ｉｒ（ｆｂｉ）２（ａｃａｃ）、ｆａｃ－トリス（２－（３－ｐ－キシリル）フェニル）ピリジンイリジウム（ＩＩＩ）、Ｅｕ（ｄｂｍ）３（Ｐｈｅｎ）、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（Ｆｉｑ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（Ｆｌｑ）２（ａｃａｃ）、Ｒｕ（ｄｔｂ－ｂｐｙ）３・２（ＰＦ６）、Ｉｒ（２－ｐｈｑ）３、Ｉｒ（ＢＴ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ＤＭＰ）３、Ｉｒ（Ｍｐｑ）３、Ｉｒ（ｐｈｑ）２ｔｐｙ、ｆａｃ－Ｉｒ（ｐｐｙ）２Ｐｃ、Ｉｒ（ｄｐ）ＰＱ２、Ｉｒ（Ｄｐｍ）（Ｐｉｑ）２、Ｈｅｘ－Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）、Ｈｅｘ－Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｉｒ（ｄｍｐｑ）３、Ｉｒ（ｄｍｐｑ）２（ａｃａｃ）、ＦＰＱＩｒｐｉｃなどがある。
化学式ＰＢ－ＩＩで表される化合物の他の例は、下記化学式ＰＢ－ＩＩ－１からＰＢ－ＩＩ－１１で表される化合物を含む。構造式において、「Ｍｅ」は、メチル基を示す。

化学式ＰＢ－ＩＩＩで表される化合物の他の例は、下記化学式ＰＢ－ＩＩＩ－１からＰＢ－ＩＩＩ－６で表される化合物を含む。構造式において、「Ｍｅ」は、メチル基を示す。
また、ＵＳ２００３０１７３６１（Ａ１）、ＵＳ２００４２６２５７６（Ａ１）、ＷＯ２０１００２７５８３（Ａ１）、ＵＳ２０１９２４５１５３（Ａ１）、ＵＳ２０１３１１９３５４（Ａ１）、ＵＳ２０１９２３３４５１（Ａ１）に記載されたイリジウム錯体を使用することができる。燐光材料の高効率観点から、Ｉｒ（ｐｐｙ）３とＨｅｘ－Ｉｒ（ｐｐｙ）３が緑色発光によく使用される。
小さなＦＷＨＭエミッタＳ Ｂ
本発明による小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢは、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ中の１から５重量％、特に２重量％のエミッタを有するスピンコーティング膜から測定されたＦＷＨＷが０．２５ｅＶ以下（≦０．２５）を示す発光スペクトルを有する任意のエミッタでもある。代案としては、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの発光スペクトルは、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢがある溶液で測定されうる。
本発明の好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温でＰＭＭＡ中の１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢを有するスピンコーティング膜から測定された≦０．２４ｅＶ、より好ましくは、≦０．２３ｅＶ、より一層好ましくは、≦０．２２ｅＶ、≦０．２１ｅＶ、または≦０．２０ｅＶのＦＷＨＭを示す発光スペクトルを有する任意のエミッタである。代案としては、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの発光スペクトルは、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢがある溶液で測定することができる。本発明の他の実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、≦０．１９ｅＶ、≦０．１８ｅＶ、≦０．１７ｅＶ、≦０．１６ｅＶ、≦０．１５ｅＶ、≦０．１４ｅＶ、≦０．１３ｅＶ、≦０．１２ｅＶ、または≦０．１１ｅＶのＦＷＨＭを示す。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、４４０ｎｍから４７０ｎｍの波長範囲に最大発光を有する光で発光する。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、５００ｎｍから５６０ｎｍの波長範囲に最大発光を有する光で発光する。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、６１０ｎｍから６６５ｎｍの波長範囲に最大発光を有する光で発光する。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、４４０ｎｍから４７０ｎｍの波長範囲の最大発光で発光する。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、５００ｎｍから５６０ｎｍの波長範囲に最大発光を有する光で発光する。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すな
わち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、６１０ｎｍから６６５ｎｍの波長範囲の最大発光で発光する。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれたＴＡＤＦ材料ＥＢは、選択的に０．２５ｅＶ以下（≦０．２５ｅＶ）のＦＷＨＭを示す発光スペクトルを有するエミッタでもある。選択的に、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれたＴＡＤＦ材料ＥＢは、また、前述の波長範囲（すなわち、４００ｎｍから４７０ｎｍ、５００ｎｍから５６０ｎｍ、６１０ｎｍから６６５ｎｍ）内で最大発光を示すことができる。
本発明の一実施形態において、下記式（２３）から（２５）で表される関係のうち１つが適用される：
４４０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜４７０ｎｍ （２３）
５１０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜５５０ｎｍ （２４）
６１０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜６６５ｎｍ （２５）
ここで、λｍａｘ（ＳＢ）は、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光を示す。
一実施形態において、式（２３）から（２５）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１層の発光層Ｂのうちいずれか１つに含まれた材料に適用される。一実施形態において、式（２３）から（２５）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同じ発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、有機エミッタであり、これは、本発明の文脈においていかなる遷移金属も含まないということを意味する。好ましくは、本発明による小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、主に水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）及びボロン（Ｂ）から構成されるが、例えば、酸素（Ｏ）、シリコン（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）及び臭素（Ｂｒ）を含んでもよい。
本発明の好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、蛍光エミッタであり、これは、本発明の文脈において、（例えば、本発明による光電子素子において）電子励起時にエミッタが常温で発光することができ、ここで、発光励起状態は一重項状態であることを意味する。
本発明の一実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、５０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、６０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、７０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより一層好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、８０％以
上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の特に好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１から５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、９０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の一実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、５０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、６０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、７０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより一層好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、８０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の特に好ましい実施形態において、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、９０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
当業者は、前述の要件または好ましい特徴を満たす小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを設計する方法が分かっている。
本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを提供するのに適している部類の分子は、周知の４，４－ジフルオロ－４－ボラ－３ａ，４ａ－ジアザ－ｓ－インダセン（ＢＯＤＩＰＹ）系材料であり、有機エレクトロルミネッセンス素子におけるその構造的特徴及び応用が詳細に検討されており、当業者に一般的な知識である。また、最新技術は、そのような材料が合成される方法及び特定発光色相を有するエミッタに達する方法を示す。
例えば、下記を参照する：J.Liao, Y.Wang, Y.Xu, H.Zhao, X.Xiao, X.Yang, Tetrahedron 2015, 71(31), 5078, DOI: 10.1016/j.tet.2015.05.054; B.MSqueo, M.Pasini, Supramolecular Chemistry 2020, 32(1), 56-70, DOI: 10.1080/10610278.2019.1691727; M.Poddar, R.Misra, Coordination Chemistry Reviews 2020, 421, 213462-213483; DOI: 10.1016/j.ccr.2020.213462。
また、当業者は、下記に示したＢＯＤＩＰＹ基本構造が、

例えば、分子間π－π相互作用及び関連した自己消光により、有機エレクトロルミネッセンス素子のエミッタとして理想的に適していないという事実に慣れている。
前述のＢＯＤＩＰＹコア構造に置換基として体積の大きい基を結合することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子にさらに適しているエミッタ分子に達することができるということは当業者に常識である。そのような体積の大きい基は、例えば、（多くの他のもののうち）アリール、ヘテロアリール、アルキルまたはアルコキシ置換基または縮合された多環芳香族またはヘテロ芳香族でもあり、それらはいずれも選択的に置換される。ＢＯＤＩＰＹコアにおいて好適な置換基の選択は、当業者に明白であり、最新技術から容易に誘導されうる。そのような分子の合成及び後続変形のために確立されてきた多数の合成経路に対しても同様である。
例えば、下記を参照する：BM Squeo, M.Pasini, Supramolecular Chemistry 2020, 32(1), 56-70, DOI: 10.1080/10610278.2019.1691727; M.Poddar, R.Misra, Coordination Chemistry Reviews 2020, 421, 213462-213483; DOI: 10.1016/j.ccr.2020.213462。
本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして適しているＢＯＤＩＰＹ系エミッタの例を下記に示した：


Figure 2023542011000156
これは、前述のところと異なる構造的特徴を有するＢＯＤＩＰＹ誘導体が本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして適していないということを意味しないものと理解される。例えば、ＵＳ２０２０２５１６６３（Ａ１）、ＥＰ３６７１８８４（Ａ１）、ＵＳ２０１６０２３０９６０（Ａ１）、ＵＳ２０１５０３０３３７８（Ａ１）に開示されたＢＯＤＩＰＹ由来構造またはその誘導体は、本発明による使用に適している小さなＦＷＨＭエミッタＳＢでもある。
また、ＢＯＤＩＰＹコア構造の中心ボロン原子に結合したフッ素置換基のうち１つまたは両方を、酸素原子を介して結合し、好ましくは、フッ素（Ｆ）またはトリフルオロメチル（ＣＦ３）のような電子求引置換基で選択的に置換されるアルコキシ基またはアリールオキシ基に代替することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子用エミッタに達することができるということが当業者に公知されている。そのような分子は、例えば、ＵＳ２０１２０３７８９０（Ａ１）に開示されており、当業者は、そのようなＢＯＤＩＰＹ関連化合物が本発明の文脈における好適な小さなＦＷＨＭエミッタＳＢであることを理解する。そのようなエミッタ分子の例が下記に示されており、これは、下記に示された構造のみが本発明の文脈における好適な小さなＦＷＨＭエミッタＳＢであるということを意味しない：
また、ＵＳ２０１９０２８８２２１（Ａ１）に開示されたＢＯＤＩＰＹ関連ボロン含有エミッタは、本発明による使用に適している小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを提供することができる一群のエミッタを構成する。
本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを提供するのに適している他の部類の分子は、ＮＲＣＴ（near-range-charge-transfer）エミッタである。
一般的なＮＲＣＴエミッタは、時間分解フォトルミネセンススペクトルで遅延された成分を示し、近距離ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ分離を示すものと文献に説明されている。以下の例示を参照する：T.Hatakeyama, K.Shiren, K.Nakajima, S.Nomura, S.Nakatsuka, K.Kinoshita, J.Ni, Y.Ono, and T.Ikuta, Advanced Materials 2016, 28(14), 2777, DOI: 10.1002/adma.201505491。
一般的なＮＲＣＴエミッタは、発光スペクトルで１つの発光バンドのみを示し、一般的な蛍光エミッタは、振動進行（vibrational progression）により、複数の固有な発光バ
ンドを示す。
当業者は、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして適しているＮＲＣＴエミッタを設計及び合成する方法が分かっている。例えば、ＥＰ３１０９２５３（Ａ１）に開示されたエミッタは、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとしても使用される。
また、例えば、ＵＳ２０１４０５８０９９（Ａ１）、ＵＳ２００９２９５２７５（Ａ１）、ＵＳ２０１２３１９０５２（Ａ１）、ＥＰ２１８２０４０（Ａ２）、ＵＳ２０１８０６９１８２（Ａ１）、ＵＳ２０１９３９３４１９（Ａ１）、ＵＳ２０２０００６６７１（Ａ１）、ＵＳ２０２００９８９９１（Ａ１）、ＵＳ２０２０１７６６８４（Ａ１）、ＵＳ２０２０１６１５５２（Ａ１）、ＵＳ２０２０２２７６３９（Ａ１）、ＵＳ２０２０１８５６３５（Ａ１）、ＥＰ３６８６２０６（Ａ１）、ＥＰ３６８６２０６（Ａ１）、ＷＯ２０２０２１７２２９（Ａ１）、ＷＯ２０２０２０８０５１（Ａ１）及びＵＳ２０２０３２８３５１（Ａ１）は、本発明による使用のための小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして適しているエミッタ材料を開示する。
本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能な一群のエミッタは、下記化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成されるボロン（Ｂ）含有エミッタである：

・・・化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉ
ここで、
それぞれの環Ａ’、環Ｂ’及び環Ｃ’は、互いに独立して、それぞれ５から２４個の環原子を含む芳香族環またはヘテロ芳香族環を示し、そのうち、ヘテロ芳香族環の場合、１から３個の環原子は、互いに独立して、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｅから選択されるヘテロ原子であり、
ここで、
それぞれの芳香族環またはヘテロ芳香族環Ａ’、Ｂ’及びＣ’において、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して置換基ＲＤＡＢＮＡ－１によって置換され、これは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－２、ＳＲＤＡＢＮＡ－２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－２、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、及び
４から１８個の炭素原子及び１から３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ＲＤＡＢＮＡ－２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－６、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、及び
４から１８個の炭素原子及び１から３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－１及びＲＤＡＢＮＡ－２から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加の環）は、総８～３０個の環原子を含み、
Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して、直接（単一）結合、ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｏ、Ｓ、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、ＢＲＤＡＢＮＡ－３及びＳｅから選択され、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－４、ＳＲＤＡＢＮＡ－４、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－４）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－４、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮ
Ａ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、及び
４から１８個の炭素原子及び１から３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ＲＤＡＢＮＡ－４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－５、ＳＲＤＡＢＮＡ－５、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－５）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－５、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮ
Ａ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、及び
４から１８個の炭素原子及び１から３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ＲＤＡＢＮＡ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－６、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）
（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、及び
４から１８個の炭素原子及び１から３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４及びＲＤＡＢＮＡ－５から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総８～３０個の環原子を含み、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ（Ｐｈ＝フェニル）、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｃ１－Ｃ５アルキル）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリール置換基によって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリール置換基によって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、Ｙａ及びＹｂのうち１つ、またはＹａ及びＹｂのうち両方がＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３
である場合、前記１つまたは２つの置換基ＲＤＡＢＮＡ－３は、選択的に互いに独立して、隣接した環Ａ’及びＢ’（Ｙａ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３）、またはＡ’及びＣ’（Ｙｂ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３）の１つまたは両方に直接（単一）結合、あるいはそれぞれの場合に独立して、ＮＲＤＡＢＮＡ－１、Ｏ、Ｓ、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－１）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－１）２、ＢＲＤＡＢＮＡ－１及びＳｅから選択される連結原子または原子基を介して結合することができ、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造が互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造がエミッタ内に存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の一部でもある）、当該環は、好ましくは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの環Ａ’、Ｂ’及びＣ’のうちいずれか１つであるが、また、ＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６、特にＲＤＡＢＮＡ－３から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述の２以上の隣接した置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２以上の構造の同一のまたは相異なる部分を構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、エミッタ内に選択的に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の環Ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、エミッタ内に選択的に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの１つの構造の環Ｂ’及び他の構造の環Ｃ’でもある）、
ここで、選択的に少なくとも１つのＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６が、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、選択的に少なくとも１つのＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６の少なくとも１つの水素原子が、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合に代替される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造からなる。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造からなる。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、Ａ’、Ｂ
’及びＣ’が全てそれぞれ６個の環原子を有する芳香族環（すなわち、全てベンゼン環）である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して、ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｏ、Ｓ、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２及びＳｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２から選択される。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して、ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｏ及びＳから選択される。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して、ＮＲＤＡＢＮＡ－３及びＯから選択される。
本発明の特に好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｙａ及びＹｂは、両方ともＮＲＤＡＢＮＡ－３である。
本発明の特に好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して同一であり、両方ともＮＲＤＡＢＮＡ－３である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－２、ＳＲＤＡＢＮＡ－２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６
、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－１及びＲＤＡＢＮＡ－２から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加の環）は、総８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－２、ＳＲＤＡＢＮＡ－２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－１及びＲＤＡＢＮＡ－２から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加の環）は、総８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－２、ＳＲＤＡＢＮＡ－２、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、
Ｐｈ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、２以上の隣接したＲＤＡＢＮＡ－１は、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加の環）は、総８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、
Ｐｈ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ここで、２以上の隣接した置換基ＲＤＡＢＮＡ－１は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加の環）は、総８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
Ｐｈ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
カルバゾリル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
トリアジニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ピリミジニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ピリジニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ここで、２以上の隣接した置換基ＲＤＡＢＮＡ－１は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加の環）は、総８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ＲＤＡＢＮＡ－１及びＲＤＡＢＮＡ－２から選択された隣接した置換基は、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ４アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－５、ＳＲＤＡＢＮＡ－５、Ｓｉ（Ｃ１－Ｃ５アルキル）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢ
ｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４及びＲＤＡＢＮＡ－５から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、総８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ４アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３及びＲＤＡＢＮＡ－４から選択される２以上の隣接した置換基は、互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ４アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３及びＲＤＡＢＮＡ－４から選択される２以上の隣接した置換基は、互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３から選択された２以上の隣接した置換基は、互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｐｈ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３から選択された２以上の隣接した置換基は、互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、ＯＰｈ（Ｐｈ＝フェニル）、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｃ１－Ｃ５アルキル）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリールで置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリールで置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ（Ｐｈ＝フェニル）、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＰｈで置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＰｈで置換される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
Ｐｈ、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕまたはＰｈで置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕまたはＰｈで置換される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択される：
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
Ｐｈ、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕまたはＰｈによって置換される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにお
いて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成され、
Ｙａ及び／またはＹｂがＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３である場合、１つまたは２つの置換基ＲＤＡＢＮＡ－３は、１つまたは２つの隣接した環Ａ’及びＢ’（Ｙａ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３の場合）、またはＡ’及びＣ’（Ｙｂ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３）と結合しない。
一実施形態において、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、選択的に、前述の化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの多量体（例えば、二量体）でもあり、これは、それらの構造が１以上のサブユニットを含み、それらそれぞれは化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を有するということを意味する。この場合、当業者は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる２以上のサブユニットが、例えば、接合可能であり、好ましくは、互いに縮合していてもよいことを理解するであろう（すなわち、少なくとも１つの結合を共有し、ここで、その結合を形成する原子に結合したそれぞれの置換基がそれ以上存在しなくてもよい）。また、２以上のサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有することができる。これは、例えば、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢがそれぞれ化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造を有する２以上のサブユニットを含むということを意味し、ここで、それら２つのサブユニットは、１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有する（すなわち、それぞれの環は、２つのサブユニットの一部である）。その結果、それぞれの多量体（例えば、二量体）エミッタＳＢは、共有された環が一回のみ存在し、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる２つの全体サブユニットを含まない。それにもかかわらず、当業者は、本願において当該エミッタが依然として化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの多量体（例えば、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造を有する２つのサブユニットが含まれる場合、二量体）と見なされることを理解するであろう。１以上の環を共有する多量体に対しても同様である。多量体は、それぞれ化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造を有する２つのサブユニットを含む二量体であることが好ましい。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、前述のように、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの二量体であり、これは、エミッタがそれぞれ化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を有する２つのサブユニットを含むことを意味する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、２以上、好ましくは、正確に２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、それらサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の一部でもある）、ここで、共有環は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの環Ａ’、Ｂ’及びＣ’のうちいずれか１つでもあるが、ＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６、特にＲＤＡＢＮＡ－３から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の隣接した置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２以上の構造の同一のまたは相異なる部分を構成することができる（すなわち、共有環は、例えば、エミッタ内に選択的に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の環Ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、エミッタ内に選択的に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの１つの構造の環Ｂ’及び他の構造の環Ｃ’でもある）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、２以上、好ましくは、正確に２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれから構成され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６のうち少なくとも１つが、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、ＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合に代替される。
本発明による小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能な、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成されるエミッタの非限定的な例が下記に示されている：

























Figure 2023542011000186




















本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能な一群のエミッタは、下記化学式ＢＮＥ－１による構造またはその多量体を含むか、あるいはそれから構成されるエミッタである：

・・・化学式ＢＮＥ－１
ここで、
ｃ及びｄは、両方とも整数であり、互いに独立して０及び１から選択され、
ｅ及びｆは、両方とも整数であり、０及び１から選択され、ここで、ｅ及びｆは（常に）同一であり（すなわち、両方とも０であるか、または両方とも１である）、
ｇ及びｈは、両方とも整数であり、０及び１から選択され、ここで、ｇ及びｈは（常に）同一であり（すなわち、両方とも０であるか、または両方とも１である）、
ｄが０であれば、ｅ及びｆは、両方とも１であり、ｄが１であれば、ｅ及びｆは、両方とも０であり、
ｃが０であれば、ｇ及びｈは、両方とも１であり、ｃが１であれば、ｇ及びｈは、両方
とも０であり、
Ｖ１は、窒素（Ｎ）及びＣＲＢＮＥ－Ｖから選択され、
Ｖ２は、窒素（Ｎ）及びＣＲＢＮＥ－Ｉから選択され、
Ｘ３は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－３、ＮＲＢＮＥ－３、Ｏ、ＳｉＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
Ｙ２は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－３’、ＮＲＢＮＥ－３’、Ｏ、ＳｉＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＲＢＮＥ－６、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－６）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－６、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、ＰｈまたはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有する環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは相異なる部分を構成することができ（すなわち、共有する環は、例えば、選択的にエミッタ内に含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有する環は、例えば、選択的にエミッタ内に含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含む。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造からなる。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造からなる。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、Ｖ１はＣＲＢＮＥ－Ｖであり、Ｖ２はＣＲＢＮＥ－Ｉである。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｖ１及びＶ２は、両方とも窒素（Ｎ）である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから
構成され、ここで、Ｖ１は窒素（Ｎ）であり、Ｖ２はＣＲＢＮＥ－Ｉである。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、Ｖ１はＣＲＢＮＥ－Ｖであり、Ｖ２は窒素（Ｎ）である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、ｃ及びｄは、両方とも０である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、ｃは０であり、ｄは１である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、ｃは１であり、ｄは０である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、ｃ及びｄは、両方とも１である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、
ここで、Ｘ３は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｃ＝Ｏ、ＮＲＢＮＥ－３、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４からなる群から選択され、
Ｙ２は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｃ＝Ｏ、ＮＲＢＮＥ－３’、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’からなる群から選択される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、
ここで、Ｘ３は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、ＮＲＢＮＥ－３、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４からなる群から選択され、
Ｙ２は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、ＮＲＢＮＥ－３’、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’からなる群から選択される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、
ここで、Ｘ３は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、ＮＲＢＮＥ－３、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４からなる群から選択され、
Ｙ２は、直接結合である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、
ここで、Ｘ３は、直接結合またはＮＲＢＮＥ－３であり、
Ｙ２は、直接結合である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、Ｘ３は、ＮＲＢＮＥ－３であり、
Ｙ２は、直接結合である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＲＢＮＥ－６、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－６）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－６、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、ＰｈまたはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３または
Ｆで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタ内に存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは相異なる部分を構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、Ｒ
ＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ１８アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ３０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ２９ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ１８アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ３０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ２９ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ１８アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ３０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ２９ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有する環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは相異なる部分を構成することができ（すなわち、共有する環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有する環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１
つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３または
Ｆで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有する環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは相異なる部分を構成することができ（すなわち、共有する環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有する環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、選択的に互いに単環または
多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系及び／またはベンゾ縮合環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部でもある）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有する環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは相異する部分を構成することができ（すなわち、共有する環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有する環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）、
ここで、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成され、ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは結合して直接単結合を形成する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは結合して直接単結合を形成しない。
一実施形態において、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして適している蛍光エミッタは、選択的に、前述の化学式ＢＮＥ－１の多量体（例えば、二量体）でもあり、これは、それらの構造が１以上のサブユニットを含み、それらそれぞれは化学式ＢＮＥ－１による構造を有するということを意味する。この場合、当業者は、化学式ＢＮＥ－１による２以上のサブユニットが、例えば、互いに共役し、好ましくは、互いに縮合
していてもよいことを理解するであろう（すなわち、少なくとも１つの結合を共有し、ここで、その結合を形成する原子に結合されたそれぞれの置換基がそれ以上存在しない）。また、２以上のサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有することができる。これは、例えば、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢがそれぞれ化学式ＢＮＥ－１の構造を有する２以上のサブユニットを含むということを意味し、ここで、それら２つのサブユニットは、１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有する（すなわち、それぞれの環は、２つのサブユニットの一部である）。その結果、それぞれの多量体（例えば、二量体）エミッタＳＢは、共有環が一回のみ存在し、化学式ＢＮＥ－１による２つの全体サブユニットを含まない。それにもかかわらず、当業者は、本願において当該エミッタが依然として化学式ＢＮＥ－１の多量体（例えば、化学式ＢＮＥ－１の構造を有する２つのサブユニットが含まれる場合、二量体）と見なされることを理解するであろう。１以上の環を共有する多量体に対しても同様である。多量体は、それぞれ化学式ＢＮＥ－１の構造を有する２つのサブユニットを含む二量体であることが好ましい。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、好ましくは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、前述のように、化学式ＢＮＥ－１の二量体であり、これは、エミッタがそれぞれ化学式ＢＮＥ－１による構造を有する２つのサブユニットを含むということを意味する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、２以上、好ましくは、正確に２つの、化学式ＢＮＥ－１による構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、それら２つのサブユニットは、共役し、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、２以上、好ましくは、正確に２つの、化学式ＢＮＥ－１による構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、それら２つのサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部である）を共有し、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは相異なる部分を構成することができる（すなわち、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’でもあるか、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’でもある）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、２以上、好ましくは、正確に２つの、化学式ＢＮＥ－１による構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、
化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替され、及び／または、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合に代替される。
本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタとして使用可能な、前述の化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなる蛍光エミッタの非限定的な例が下記に示されている：


















Figure 2023542011000227








Figure 2023542011000236






Figure 2023542011000243

Figure 2023542011000245
Figure 2023542011000246

Figure 2023542011000248
Figure 2023542011000249

Figure 2023542011000251

Figure 2023542011000253

Figure 2023542011000255









Figure 2023542011000265
Figure 2023542011000266
Figure 2023542011000267






Figure 2023542011000274






Figure 2023542011000281


Figure 2023542011000284



Figure 2023542011000288




















Figure 2023542011000308
化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成される小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの合成は、当業者に公知された標準反応及び反応条件によって達成することができる。
典型的に、合成は、遷移金属触媒を用いたクロスカップリング反応及びホウ素化反応を含み、それらは当業者に公知されている。
例えば、ＷＯ２０２０１３５９５３（Ａ１）は、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成される小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを合成する方法を開示する。また、ＵＳ２０１８０４７９１２（Ａ１）は、特に、ｃ及びｄが０である化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成される小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを合成する方法を開示する。
また、ＵＳ２０１８０４７９１２（Ａ１）及びＷＯ２０２０１３５９５３（Ａ１）に開示されたエミッタは、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能であるということが理解される。
蛍光エミッタを設計する１つのアプローチは、蛍光の多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造の使用に依存する。後者は、本発明の文脈において、１以上の芳香族環またはヘテロ芳香族環、好ましくは、２以上の当該環を含む任意の構造であり、これは、より好ましくは、互いに縮合されるか、あるいは１以上の直接結合または連結原子を介して連結されている。すなわち、蛍光コア構造は、少なくとも１つ、好ましくは、単に１つの剛直なπ共役（rigid conjugated）系を含む。
当業者は、例えば、ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）から、蛍光エミッタのためのコア構造を選択する方法が分かっている。蛍光エミッタの一般的なコア構造の例は、下記に示されており、ここで、これは、そのようなコアのみが本発明による使用に好適な小さな
ＦＷＨＭエミッタＳＢを提供することができることを意味しない：








Figure 2023542011000317
当該文脈において、蛍光コア構造という用語は、前記コアを含む全ての分子が潜在的に蛍光エミッタとして使用可能であることを示す。当業者は、そのような蛍光エミッタのコア構造が選択的に置換され、ある置換基がそれと係わって適しているか、例えば、下記例示から分かる：US2017077418(A1), M.Zhu.C.Yang, Chemical Society Reviews 2013, 42,
4963, DOI: 10.1039/c3cs35440g; S.Kima, B.Kimb, J.Leea, H.Shina, Y.-Il Parkb, J.Park, Materials Science and Engineering R: Reports 2016, 99, 1, DOI: 10.1016/j.mser.2015.11.001; K.R.J.Thomas, N.Kapoor, M.N.K.P.Bolisetty, J.-H.Jou, Y.-L.Chen,
Y.-C.Jou, The Journal of Organic Chemistry 2012, 77(8), 3921, DOI: 10.1021/jo300285v; M.Vanga, R.A.Lalancette, F.Jakle, Chemistry-A European Journal 2019, 25(43), 10133, DOI: 10.1002/chem.201901231。
本発明による用途のための小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子それぞれの層において蛍光コア及び隣接した分子間の接触を妨害する、立体的に嵩高い置換基をコアに結合させることにより、前述の蛍光コア構造から得られる。
本発明の文脈において、化合物、例えば、蛍光エミッタは、後に定義される遮蔽パラメータ（shielding parameter）が本文後の節で定義される特定の限定以下であるとき、立
体的に遮蔽されるものと見なされる。
蛍光エミッタを立体的に遮蔽するのに使用される置換基は、体積が大きいだけでなく（すなわち、立体的に嵩高い）、電子的に不活性であることが好ましく、これは、本発明の文脈においてそのような置換基が本文後の節で定義される活性原子を含まないということを意味する。これは、電子的に不活性（すなわち、非活性）置換基のみが前述のような蛍光コア構造に結合することを意味しないものと理解される。また、活性置換基がコア構造にも結合し、蛍光コア構造の光物理的特性を調整するために意図的に導入されうる。この場合、１以上の置換基を介して導入された活性原子が電子的に不活性（すなわち、非活性）置換基によって再び遮蔽されることが好ましい。
最新技術からの前述の情報及び一般知識に基づいて、当業者は、蛍光コア構造の立体的遮蔽を誘導することができ、前述のように電子的に不活性な、蛍光コア構造に対する置換基を選択する方法を理解する。特に、ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）は、電子的に不活性（すなわち、非活性）遮蔽置換基として適している置換基を開示する。そのような置
換基の例は、３から４０個の炭素原子、好ましくは、３から２０個の炭素原子、より好ましくは、４から１０個の炭素原子を有する線状、分枝状または環状のアルキル基を含み、ここで、１以上の水素原子は、置換基、好ましくは、重水素またはフッ素にも代替される。他の例は、３から４０個の炭素原子、好ましくは、３から２０個の炭素原子、より好ましくは、４から１０個の炭素原子を有するアルコキシ基を含み、ここで、１以上の水素原子は、置換基、好ましくは、重水素またはフッ素にも代替される。それらのアルキル及びアルコキシ置換基は、重水素及びフッ素以外の置換基、例えば、アリール基によっても置換されるものと理解される。このとき、置換基としてのアリール基は、６から３０個の芳香族環原子、より好ましくは、６から８個の芳香族環原子、最も好ましくは、６個の芳香族環原子を含み、アントラセン、ピレンなどの縮合芳香族系ではないことが好ましい。他の例は、６から３０個の芳香族環原子、より好ましくは、６から２４個の芳香族環原子を有するアリール基を含む。それらのアリール置換基において、１以上の水素原子は置換され、好ましい置換基は、例えば、６から３０個の炭素原子を有するアリール基、及び１から２０個の炭素原子を有する線状、分枝状または環状のアルキル基である。全ての置換基は、さらに置換可能である。ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）に開示された、全ての立体的に嵩高く、好ましくは、電子的に不活性（すなわち、非活性）な置換基は、（前述のような）蛍光コアを立体的に遮蔽し、本発明による用途のための小さなＦＷＨＭエミッタＳＢに好適な立体的に遮蔽された蛍光エミッタを提供することができることが理解される。
本発明の文脈において（ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）に開示された）、立体的に嵩高く（すなわち、遮蔽し）、電子的に不活性な（すなわち、非活性な）置換基として使用可能な置換基の非限定的な例が下記に示される：


ここで、それぞれの点線は、それぞれの置換基をコア構造、好ましくは、蛍光コア構造に連結する単結合を示す。当業者に周知のように、トリアルキルシルリル基は、立体的に要求され、電子的に不活性な置換基として使用するのに適している。
また、蛍光コアは、そのような立体的遮蔽置換基を保有するだけでなく、本発明の文脈において活性基であるか、あるいはそうでない追加の非遮蔽置換基にも置換されることを理解しなければならない（定義は、以下参照）。
本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能な、ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）からの立体的に遮蔽された蛍光エミッタの例が下記に示されている。
これは、本発明が下記に示されたエミッタを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されることを意味するものではない：

Figure 2023542011000321
また、最新技術から（例えば、ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）から）、当業者は、本発明の文脈における小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして適している、立体的に遮蔽された蛍光分子を合成する方法が分かっている。
立体的に遮蔽された置換基（前述のように電子的に不活性であるか、あるいはそうでない）は、任意の蛍光分子、例えば、前述の多環の芳香族またはヘテロ芳香族蛍光コア、本願に示したＢＯＤＩＰＹ由来の構造及びＮＲＣＴエミッタ、並びに化学式ＢＮＥ－１の構
造を含むエミッタに結合することが理解される。これは、本発明による小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして適している、立体的に遮蔽された蛍光エミッタを生成することができる。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、以下の要件のうち少なくとも１つを満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、
（ｉｉ）多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環が共に縮合される（例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、以下の要件のうち少なくとも１つを満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、（それぞれの）小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、
（ｉｉ）多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環が共に縮合される（例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体）。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味する。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環が共に縮合される（例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、以下の要件のうち少なくとも１つ（または、両方）を満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、
（ｉｉ）ピレンコア構造を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、以下の要件のうち少なくとも１つ（または、両方）を満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、（それぞれの）小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、
（ｉｉ）ピレンコア構造を含む。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、ピレンコア構造を含む。
本発明の一実施形態において、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、ボロン（Ｂ）及び窒素（Ｎ）含有エミッタであり、これは、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であり、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子が窒素（Ｎ）であることを意味する。
立体遮蔽
遮蔽パラメータＡの決定
分子の遮蔽パラメータＡは、前述のような（蛍光）エミッタに対し、以下に例示的に説明されたように決定されうる。遮蔽パラメータＡは、一般的に、単位オングストローム（
Å２）を指称するということを理解するであろう。これは、そのような化合物が本発明の文脈において立体的に遮蔽されるか、あるいは遮蔽パラメータがそのような化合物に対して決定されることを意味するものではない。
１．分子軌道のエネルギーレベル決定
分子軌道のエネルギーレベルは、量子化学計算を介して決定されうる。このために、現在、Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅソフトウェアパッケージ（Turbomole GmbH）バージョン７．２を使用することができる。まず、密度関数理論（ＤＦＴ）を使用し、ｄｅｆ２－ＳＶ（Ｐ）基本セット及びＢＰ－８６関数を採用し、分子の底状態の構造最適化を行うことができる。次いで、最適化された構造に基づいて、Ｂ３－ＬＹＰ関数を採用し、電子底状態に対する単一地点エネルギー計算を行うことができる。エネルギー計算から、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）は、例えば、２つの電子によって占有された最高エネルギー軌道として得られ、最低空軌道（ＬＵＭＯ）は、最低エネルギー非占有軌道として得られる。ＨＯＭＯ－１，ＨＯＭＯ－２，…，ＬＵＭＯ＋１，ＬＵＭＯ＋２のような他の分子軌道に対しても、類似した方式でエネルギーレベルが得られる。
本願に説明された方法は、使用されたソフトウェアパッケージと関係ない。そのような目的によく使用される他のプログラムの例は、「Gaussian09」（Gaussian Inc.）及びQ-Chem 4.1（Q-Chem, Inc.）でもある。
２．（蛍光）化合物の電荷交換分子軌道
（蛍光）化合物の電荷交換分子軌道は、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯ、並びにＨＯＭＯまたはＬＵＭＯから７５ｍｅＶ以下のエネルギーで分離可能な全ての分子軌道と見なされる。
３．分子軌道の活性原子の決定
それぞれの電荷交換分子軌道に対し、いかなる原子が活性化されるかに係わる決定が行われる。すなわち、それぞれの分子軌道に対し、一般的に異なる活性原子セットが発見される。ＨＯＭＯの活性原子が決定される方法に係わる説明が続く。他の全ての電荷交換分子軌道（例えば、ＨＯＭＯ－１、ＬＵＭＯ、ＬＵＭＯ＋１など）に対し、活性原子が類似して決定することができる。
ＨＯＭＯは、前述のように計算することができる。活性原子を決定するために、軌道の絶対値が０．０３５である表面（「カットオフが０．０３５である等表面」）を検査する。このために、現在、Ｊｍｏｌソフトウェア（http://jmol.sourceforge.net/）バージョン１４．６．４が使用される。カットオフ値以上の値を有する軌道葉（lobe）が周辺に局所化される原子が活性と見なされる。カットオフ値以上の値を有する軌道葉が周辺に位置することができない原子は、非活性と見なされる。
４．（蛍光）化合物の活性原子の決定
１つの原子が少なくとも１つの電荷交換分子軌道で活性である場合、（蛍光）化合物に対して活性であるものと見なされる。全ての電荷交換分子軌道で非活性（不活性）な原子のみが（蛍光）化合物と係わって非活性でもある。
５．遮蔽パラメータＡの決定
第１ステップにおいて、B.Lee, F.M.Richards, Journal of Molecular Biology 1971, 55(3), 379, DOI: 10.1016/0022-2836(71)90324-Xに述べられた方法により、全ての活性
原子に対して溶媒接近可能表面積（solvent accessible surface area: SASA）を決定す
ることができる。当該目的のために、１つの分子の原子のファンデルワールス表面は浸透することができないものとも見なされる。その後、全体分子のＳＡＳＡは、半径ｒ（いわゆる、探針半径）を有する堅い球（探針ともいう）の中心によって追跡される表面の領域
とも定義され、このとき、球の表面が分子のファンデルワールス表面と直接接触可能な空間内の全ての接近可能な地点を球が転がりうる。また、ＳＡＳＡ値は、１つの分子の原子の下位集合に対しても決定される。その場合、探針の表面が下位集合の一部でもある原子のファンデルワールス表面と接触可能な地点において、探針の中心によって追跡される表面のみが考慮される。当該目的のために、ＳＡＳＡを決定するのに使用されるＬｅｅ－Ｒｉｃｈａｒｄｓアルゴリズムは、プログラムパッケージＦｒｅｅ ＳＡＳＡ（S.Mitternacht, Free SASA: An open source C library for solvent accessible surface area calculations. F1000Res. 2016; 5:189. Published 2016 Feb 18. doi: 10.12688/f1000research.7931.1）の一部でもある。関連要素のファンデルワールス半径ｒＶＤＷは、以下の参照に示されている：M.Mantina, A.C.Chamberlin, R.Valero, C.J.Cramer, D.G.Truhlar, The Journal of Physical Chemistry A 2009, 113(19), 5806, DOI: 10.1021/jp8111556
。探針半径ｒは、当該目的のための全てのＳＡＳＡ決定に対し、４Å（ｒ＝４Å）にも設定される。
本発明の文脈において、遮蔽パラメータＡは、活性原子の下位集合の溶媒接近可能表面積（全体分子のＳＡＳＡと区別するために、Ｓで表される）を活性原子の数ｎで割ることによって得られる。
Figure 2023542011000322
本発明の文脈において、遮蔽パラメータＡが２Å２未満の値（Ａ＜２．０Å２）を有する場合、化合物は、立体的によく遮蔽されたものとも定義される。
本発明の文脈において、遮蔽パラメータＡが１．０から５．０Å２（１．０Å２≦Ａ≦５．０Å２）、好ましくは、２．０Å２から５．０Å２（２．０Å２≦Ａ≦５．０Å２）の値を有する場合、化合物は、立体的に遮蔽されたものとも定義される。
例示的な（蛍光）エミッタが前述のように決定された遮蔽パラメータＡと共に、下記に示されている。これは、本発明が下記に示されたエミッタのうち１つを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるものではないということを理解するであろう。下記に示されたエミッタ化合物は、ただ本発明の選択的な実施形態を示す非限定的な例だけである：
Figure 2023542011000323
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、５．０Å２以下の遮蔽パラメータＡを示す。
本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、２．０Å２以下の遮蔽パラメータＡを示す。
当業者は、本発明による小さなＦＷＨＭエミッタＳＢのような蛍光エミッタのみが遮蔽置換基を結合することにより、立体的に遮蔽されるものではないことを理解する。例えば、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢ及び本発明の文脈における燐光材料ＰＢも遮蔽されることが理解される。
ＴＡＤＦ材料Ｅ Ｂ と燐光材料Ｐ Ｂ との距離
ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢと燐光材料ＰＢとの平均分子間距離ｄは、以下のように計算される：
Figure 2023542011000324
Figure 2023542011000325
Figure 2023542011000326
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢと燐光材料ＰＢとの平均分子間距離ｄは、以下の要件を満たす：０．５ｎｍ≦ｄ≦５．０ｎｍ。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記を含む少なくとも１層の発光層Ｂを含む：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び
（ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、
ここで、下記式（１）及び（２）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｐ） （１）
Ｅ（Ｔ１Ｐ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （２）
ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢと燐光材料ＰＢとの平均分子間距離ｄは、以下の要件を満たす：０．５ｎｍ≦ｄ≦５．０ｎｍ。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢと燐光材料ＰＢとの平均分子間距離ｄは、以下の要件を満たす：１．０ｎｍ≦ｄ≦５．０ｎｍ。
本発明の好ましい実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢと燐光材料ＰＢとの平均分子間距離ｄは、以下の要件を満たす：１．０ｎｍ≦ｄ≦４．０ｎｍ。
本発明の好ましい実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢと燐光材料ＰＢとの平均分子間距離ｄは、以下の要件を満たす：０．７ｎｍ≦ｄ≦４．０ｎｍ。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の副層か
らなる少なくとも１層の発光層Ｂを含み、ここで、１層の（副）層内で、または少なくとも１層の副層内で、ＴＡＤＦ材料ＥＢと燐光材料ＰＢとの平均分子間距離ｄは、以下の要件を満たす：０．５ｎｍ≦ｄ≦５．０ｎｍ。
励起状態寿命
励起状態寿命を測定する方法に係わる詳細な説明が本文後の節で提供される。
本発明の一実施形態において、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢは、１１０μｓ以下、好ましくは、１００μｓ以下の励起状態寿命τ（ＥＢ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈におけるそれぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、１１０μｓ以下、好ましくは、１００μｓ以下の励起状態寿命τ（ＥＢ）を示す。
本発明の一実施形態において、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢは、７５μｓ以下の励起状態寿命τ（ＥＢ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈におけるそれぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、７５μｓ以下の励起状態寿命τ（ＥＢ）を示す。
本発明の一実施形態において、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢは、５０μｓ以下の励起状態寿命τ（ＥＢ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、５０μｓ以下の励起状態寿命τ（ＥＢ）を示す。
本発明の好ましい実施形態において、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢは、１０μｓ以下の励起状態寿命τ（ＥＢ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、１０μｓ以下の励起状態寿命τ（ＥＢ）を示す。
本発明のより好ましい実施形態において、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢは、５μｓ以下の励起状態寿命τ（ＥＢ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、５μｓ以下の励起状態寿命τ（ＥＢ）を示す。
本発明の一実施形態において、本発明の文脈における燐光材料ＰＢは、５０μｓ以下の励起状態寿命τ（ＰＢ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢは、５０μｓ以下の励起状態寿命τ（ＰＢ）を示す。
本発明の一実施形態において、本発明の文脈における燐光材料ＰＢは、１０μｓ以下の励起状態寿命τ（ＰＢ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢは、１０μｓ以下の励起状態寿命τ（ＰＢ）を示す。
本発明の一実施形態において、本発明の文脈における燐光材料ＰＢは、５μｓ以下の励起状態寿命τ（ＰＢ）を示す。本発明の一実施形態において、本発明の文脈において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢは、５μｓ以下の励起状態寿命τ（ＰＢ）を示す。
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、及び少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む、１以上の発光層Ｂの１以上の副層への１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢの添加は、有機エレクトロルミネッセンス素子の励起状態寿命低下を
もたらす。本発明の好ましい実施形態において、前述の本発明によるＴＡＤＦ材料ＥＢの添加は、有機エレクトロルミネッセンス素子の励起状態寿命を少なくとも５０％低下させる。
素子構造
当業者は、少なくとも１層の発光層Ｂが通常的に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれることが分かるであろう。好ましくは、当該有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも下記層を含む：少なくとも１層の発光層Ｂ、少なくとも１層のアノード層Ａ及び少なくとも１層のカソード層Ｃ。
好ましくは、少なくとも１層の発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。したがって、一般的な設定は、好ましくは、Ａ－Ｂ－Ｃである。それはもちろん１以上の選択的な追加の層の存在を排除しない。それらは、Ａ、Ｂ及び／またはＣのそれぞれの側に存在しうる。
好ましくは、アノード層Ａは、基板の表面に位置する。基板は、任意の材料、または該材料の組成物によっても形成される。ほとんど、ガラススライドが基板として使用される。または、薄い金属層（例えば、銅、金、銀またはアルミニウムフィルム）、またはプラスチックフィルムやプラスチックスライドが使用されうる。それは、さらに高レベルの柔軟性を許容することができる。二電極のうち少なくとも１つは、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）から光を発光するように（本質的に）透明ではなければならない。通常、アノード層Ａは、ほとんど（本質的に）透明なフィルムを得ることができる材料によって構成される。好ましくは、アノード層Ａは、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を多量含むか、あるいはそれから構成される。
そのようなアノード層Ａは、例えば、インジウムスズ酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、フッ素スズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ＰｂＯ、ＳｎＯ、ジルコニウム酸化物、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、タングステン酸化物、黒鉛、ドーピングされたＳｉ、ドーピングされたＧｅ、ドーピングされたＧａＡｓ、ドーピングされたポリアニリン、ドーピングされたポリピロール及び／またはドーピングされたポリチオフェン、及びそれらのうち２以上の混合物を含むものでもある。
特に好ましくは、アノード層Ａは、（本質的に）インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）（例えば、（ＩｎＯ３）０．９（ＳｎＯ２）０．１）で構成される。透明導電性酸化物（ＴＣＯ）によるアノード層Ａの粗さは、正孔注入層（ＨＩＬ）を使用することによっても緩和される。また、該ＨＩＬは、ＴＣＯから正孔輸送層（ＨＴＬ）への類似電荷キャリア（すなわち、正孔）の輸送が促進されるという点において、類似電荷キャリアの注入が容易となる。正孔注入層（ＨＩＬ）は、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）、ＭｏＯ２、Ｖ２Ｏ５、ＣｕＰＣまたはＣｕＩ、特に、ＰＥＤＯＴ及びＰＳＳの混合物を含むものでもある。正孔注入層（ＨＩＬ）は、また、アノード層Ａから正孔輸送層（ＨＴＬ）に金属が拡散することを防止することができる。例えば、該ＨＩＬは、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、４，４’，４”－トリス［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍＭＴＤＡＴＡ）、２，２’，７，７’－テトラキス（ｎ，ｎ－ジフェニルアミノ）－９，９’－スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ－ＴＡＤ）、Ｎ１，Ｎ１’－（ビフェニル－４，４’－ジイル）ビス（Ｎ１－フェニル－Ｎ４，Ｎ４－ジ－ｍ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ニス－（１－ナフタレニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－フェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ－［４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル］ベンジジン
（ＮＰＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）ベンジジン（ＭｅＯ－ＴＰＤ）、１，４，５，８，９，１１－ヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）及び／またはＮ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス－（１－ナフチル）－９，９’－スピロビフルオレン－２，７－ジアミン（Ｓｐｉｒｏ－ＮＰＤ）によっても構成される。
アノード層Ａまたは正孔注入層（ＨＩＬ）に隣接し、一般的に、正孔輸送層（ＨＴＬ）が位置する。ここで、任意の正孔輸送化合物が使用されうる。例えば、トリアリールアミン及び／またはカルバゾールのような、電子が豊富なヘテロ芳香族化合物が、正孔輸送化合物としても使用される。該ＨＴＬは、アノード層Ａと発光層Ｂ（発光層（ＥＭＬ）の役割を行う）との間のエネルギー障壁を低減させることができる。該正孔輸送層（ＨＴＬ）は、また、電子遮断層（ＥＢＬ）でもある。好ましくは、該正孔輸送化合物は、比較的高いエネルギー準位の三重項状態Ｔ１を有する。例えば、正孔輸送層（ＨＴＬ）は、トリス（４－カルバゾリル－９－イルフェニル）アミン（ＴＣＴＡ）、ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニルアミン）（ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニルアミン）（α－ＮＰＤ）、４，４’－シクロヘキシリデン－ビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］（ＴＡＰＣ）、４，４’，４”－トリス［２－ナフチル（フェニル）－アミノ］トリフェニルアミン（２－ＴＮＡＴＡ）、Ｓｐｉｒｏ－ＴＡＤ、ＤＮＴＰＤ、ＮＰＢ、ＮＰＮＰＢ、ＭｅＯ－ＴＰＤ、ＨＡＴ－ＣＮ及び／または９，９’－ジフェニル－６－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（ＴｒｉｓＰｃｚ）のような星状のヘテロ環を含むものでもある。また、該ＨＴＬは、有機正孔輸送マトリックス内の無機または有機ドーパントによっても構成されるｐ－ドーピングされた層を含むものでもある。該無機ドーパントとしては、例えば、バナジウム酸化物、モリブデン酸化物またはタングステン酸化物のような遷移金属酸化物が使用することができる。該有機ドーパントとしては、例えば、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、銅－ペンタフルオロ安息香酸（Ｃｕ（Ｉ）ｐＦＢｚ）または遷移金属錯体が使用されてもよい。
ＥＢＬは、例えば、１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、ＴＣＴＡ、２－ＴＮＡＴＡ、３，３－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾチオフェン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾフラニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾチオフェニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、ｔｒｉｓ－Ｐｃｚ、９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（トリフェニルシリル）－９Ｈ－カルバゾール（ＣｚＳｉ）及び／またはＮ，Ｎ’－ジカルバゾリル－１，４－ジメチルベンゼン（ＤＣＢ）を含むものでもある。
少なくとも１層の発光層Ｂの組成が前述された。本発明による任意の１以上の発光層Ｂは、好ましくは、１ｍｍ以下、より好ましくは、０．１ｍｍ以下、より一層好ましくは、１０μｍ以下、さらに好ましくは、１μｍ以下、特に好ましくは、０．１μｍ以下の厚みを有する。
電子輸送層（ＥＴＬ）には、任意の電子輸送体を使用することができる。例えば、ベンズイミダゾール、ピリジン、トリアゾール、オキサジアゾール（例えば、１，３，４－オキサジアゾール）、ホスフィンオキシド及びスルホンのような電子不足化合物が使用することができる。例えば、電子輸送体ＥＴＭは、また、１，３，５－トリ（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェニル（ＴＰＢｉ）のような星状のヘテロ環でもある。ＥＴＭは、例えば、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジ
フェニル－１，１０－フェナントロリン（ＮＢｐｈｅｎ）、アルミニウム－トリス（８－ヒドロキシキノリン）（Ａｌｑ３）、ジフェニル－４－トリフェニルシリルフェニル－ホスフィンオキシド（ＴＳＰＯ１）、２，７－ジ（２，２’－ビピリジン－５－イル）トリフェニル（ＢＰｙＴＰ２）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イルトリフェニルシラン（Ｓｉｆ８７）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イル）ジフェニルシラン（Ｓｉｆ８８）、１，３－ビス［３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル］ベンゼン（ＢｍＰｙＰｈＢ）及び／または４，４’－ビス－［２－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジニル）］－１，１’－ビフェニル（ＢＴＢ）を含むものでもある。選択的に、電子輸送層は、８－ヒドロキシキノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）のような材料によってもドーピングされる。選択的に、第２電子輸送層が電子輸送層とカソード層Ｃとの間に位置してもよい。電子輸送層（ＥＴＬ）も、正孔を遮断することができる。または、正孔遮断層（ＨＢＬ）が導入される。
電子輸送層（ＥＴＬ）に隣接し、カソード層Ｃが位置してもよい。該カソード層Ｃは、例えば、金属（例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｉｎ、ＷまたはＰｄ）または金属合金を含むか、あるいはそれから構成される。実用的な理由により、該カソード層Ｃは、Ｍｇ、ＣａまたはＡｌのような（本質的に）不透明な金属によっても構成される。代案として、あるいはさらには、該カ
ソード層Ｃは、また、黒鉛及び／または炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）を含むものでもある。代案としては、カソード層Ｃは、また、ナノスケール銀ワイヤによっても構成される。
好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも下記層を含む：
Ａ）インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ＰｂＯ、ＳｎＯ、黒鉛、ドーピングされたシリコン、ドーピングされたゲルマニウム、ドーピングされたＧａＡｓ、ドーピングされたポリアニリン、ドーピングされたポリピロール、ドーピングされたポリチオフェン及びそれら２以上の混合物からなる群から選択された少なくとも１つの成分を含むアノード層Ａ、
Ｂ）本願に述べられたような本発明による発光層Ｂ、及び
Ｃ）Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｄ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ及びそれら２以上の混合物または合金からなる群から選択された少なくとも１つの成分を含むカソード層Ｃ、
ここで、発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。
一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子がＯＬＥＤであるとき、それは、選択的に、下記層構造を含む：
Ａ）例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含むアノード層Ａ、
ＨＴＬ）正孔輸送層ＨＴＬ、
Ｂ）本願に述べられたような本発明による発光層Ｂ、
ＥＴＬ）電子輸送層ＥＴＬ、及び
Ｃ）例えば、Ａｌ、Ｃａ及び／またはＭｇを含むカソード層Ｃ。
好ましくは、本願において、前記層の順序は、Ａ－ＨＴＬ－Ｂ－ＥＴＬ－Ｃである。
また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、水分、蒸気及び／またはガスを含む環境内の有害物質に対する露出による損傷から、素子を保護する１以上の保護層を選択的に含むものでもある。
エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、選択的に、電子輸送層（ＥＴＬ）Ｄとカソード層Ｃとの間に保護層（電子注入層（ＥＩＬ）とも指称される）をさらに含む。該層は、フッ化リチウム、フッ化セシウム、銀、８－ヒドロキシキノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯ及び／またはＮａＦを含むものでもある。
他に明示されない限り、多様な実施形態の任意の副層を含む任意の層は、任意の適切な方法によって蒸着される。少なくとも１層の発光層Ｂ（単一（副）層からなるか、あるいは１以上の副層を含む）及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、選択的に、液体処理（「フィルム処理」、「流体処理」、「溶液処理」または「溶媒処理」ともいう）を介して作製されてもよい。これは、各層に含まれた成分が液体状態で素子の一部の表面に適用されることを意味する。
好ましくは、少なくとも１層の発光層Ｂ及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、スピンコーティングによっても作製することができる。当業者に周知の当該方法により、薄くて（本質的に）均一な層及び／または副層を得ることができる。
代案としては、少なくとも１層の発光層Ｂ及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、例えば、キャスティング（例えば、ドロップキャスティング）、ローリング方法及び印刷方法（例えば、インクジェット印刷、グラビア印刷、ブレードコ
ーティング）のような液体処理に基づいた他の方法によっても作製することができる。これは、選択的に、不活性雰囲気（例えば、窒素雰囲気）で遂行される。
他の好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂ及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、例えば、熱（共）蒸着、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）及び有機気相ジェットプリンティング（ＯＶＪＰ）による蒸着のように、当業者に周知の真空処理方法を含むが、それに限定されない、当技術分野で周知の任意の他の方法によっても作製することができる。
選択的にその１以上の副層を含む層を液体処理によって製造するとき、（副）層の成分（すなわち、本発明の発光層Ｂに対し、少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に（すなわち、少なくとも１つの）ＴＡＤＦ材料ＥＢ）を含む溶液は、揮発性有機溶媒をさらに含んでもよい。そのような揮発性有機溶媒は、選択的に、テトラヒドロフラン、ジオキサン、クロロベンゼン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、２－（２－エトキシエトキシ）エタノール、γ-ブチロラクトン、Ｎ－メチルピロリジノン、エトキシエタノール、
キシレン、トルエン、アニソール、フェネトール、アセトニトリル、テトラヒドロチオフェン、ベンゾニトリル、ピリジン、トリヒドロフラン、トリアリールアミン、シクロヘキサノン、アセトン、プロピレンカーボネート、エチルアセテート、ベンゼン及びプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）からなる群から選択される１つでもある。また、２以上の溶媒の組み合わせが使用することができる。液体状態で塗布された後、次いで、前記層は、例えば、大気条件、増加した温度（例えば、約５０℃または約６０℃）、または減少した圧力において、当技術分野の任意の手段によって乾燥及び／または硬化される。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、全体として、５ｍｍ以下、２ｍｍ以下、１ｍｍ以下、０．５ｍｍ以下、０．２５ｍｍ以下、１００μｍまたは１０μｍ以下の薄膜を形成することができる。
有機エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、小型（例えば、５ｍｍ２以下、またはさらに好ましくは、１ｍｍ２以下の表面を有する）、中型（例えば、０．５ｃｍ２から２０ｃｍ２範囲の表面を有する）、または大型（例えば、２０ｃｍ２より大きい表面を有する）でもある。本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、選択的に、大面積照明装置であり、発光壁紙、発光ウィンドウフレームまたはガラス、発光ラベル、発光ポーザー、またはフレキシブルスクリーンまたはディスプレイとしてスクリーンを生成するために使用することができる。一般的な用途の次に、有機エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、例えば、発光フィルム、「スマートパッケージング」ラベルまたは革新的なデザイン要素としても使用される。また、細胞検出及び検査（例えば、バイオラべリング）に使用することができる。
追加定義及び情報
全体的に使用されているように、本発明の文脈において、「層」という用語は、好ましくは、広範囲に平面である幾何学的構造を有する本体を称する。層が構成することができるあらゆる「副層」に対しても同様である。
本願において使用されているように、有機エレクトロルミネッセンス素子及び光電子発光素子という用語は、最も広い意味において、それぞれ全体的に少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、少なくとも１つの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢを含む１以上の発光層Ｂを含む任意の素子としても理解され、それらに対して前述の定義が適用される。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、最も広い意味において、可視光線または近紫外線（ＵＶ）の範囲、すなわち、３８０から８００ｎｍの波長範囲において光を発光するのに適している有機材料を基盤とする任意の素子としても理解される。好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子は、可視光線範囲、すなわち、４００から８００ｎｍにおいて発光することができる。
好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子は、可視光線範囲、すなわち、３８０から８００ｎｍ、より好ましくは、４００から８００ｎｍにおいて主発光ピークを有する。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５００から５６０ｎｍの緑色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５００から５６０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。
本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１０から５５０ｎｍの緑色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１０から５５０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。
本発明のより好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１５から５４０ｎｍの緑色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１５から５４０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４２０から５００ｎｍの青色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４２０から５００ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。
本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４４０から４８０ｎｍの青色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４４０から４８０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。
本発明のより好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４５０から４７０ｎｍの青色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、４５０から４７０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。
本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５９０から６９０ｎｍの赤色光またはオレンジ色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５９０から６９０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。
本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、６１０から６６５ｎｍの赤色光またはオレンジ色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、６１０から６６５ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。
本発明のより好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、６２０から６４０ｎｍの赤色光を発光する。本発明の一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、６２０から６４０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。
本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）及び発光トランジスタからなる群
から選択された素子である。
特に好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。選択的に、有機エレクトロルミネッセンス素子は、全体的に不透明（非透明）、半透明または（本質的に）透明である。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「環状基」は、最も広い意味において、任意の単環式部分、二環式部分または多環式部分としても理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「環」及び「環系」は、最も広い意味において、任意の単環式部分、二環式部分または多環式部分としても理解される。
用語「環原子」は、環または環構造の環状コアの一部であり、それに選択的に結合した置換基の一部ではない、任意の原子を称する。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「炭素環」は、最も広い意味において、環状コア構造が水素はいうまでもなく、または本発明の特定の実施形態において定義された任意の他の置換基で置換可能な炭素原子のみを含む任意の環状基としても理解される。用語「炭素環の」は、形容詞であり、環状コア構造が水素はいうまでもなく、または本発明の特定実施形態において定義された任意の他の置換基で置換可能な炭素原子のみを含む環状基を称するものとも理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「ヘテロ環」は、最も広い意味において、環状コア構造が炭素原子だけでなく、少なくとも１つのヘテロ原子を含む任意の環状基としても理解される。用語「ヘテロ環の」は、形容詞であり、環状コア構造が炭素原子だけでなく、少なくとも１つのヘテロ原子を含む環状基を称するものとも理解される。該ヘテロ原子は、特定実施形態において他に言及されない限り、それぞれの場合、同一でもあり、あるいは異なってもおり、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｅからなる群から個別的に選択されうる。本発明の文脈においてヘテロ環に含まれた全ての炭素原子またはヘテロ原子はいうまでもなく、水素または本発明の特定の実施形態において定義された任意の他の置換基で置換可能である。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「芳香族環系」は、最も広い意味において、任意の二環式芳香族部分または多環式芳香族部分としても理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「ヘテロ芳香族環系」は、最も広い意味において、任意の二環式ヘテロ芳香族部分または多環式ヘテロ芳香族部分としても理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、芳香族環系またはヘテロ芳香族環系を言及するとき、「縮合された」という用語は、「縮合された」芳香族環またはヘテロ芳香族環が両方の環系の一部である少なくとも１つの結合を共有することを意味する。例えば、ナフタレン（または、置換基として言及されるとき、ナフチル）またはベンゾチオフェン（または、置換基として言及されるとき、ベンゾチオフェニル）は、本発明の文脈において縮合芳香族環系と見なされ、ここで、２つのベンゼン環（ナフタレンの場合）またはチオフェン及びベンゼン（ベンゾチオフェンの場合）は、１つの結合を共有する。また、そのような文脈において結合を共有することは、それぞれの結合を構成する２つの原子を共有することを含むものとも理解され、縮合芳香族環系またはヘテロ芳香族環系は、１つの芳香族系またはヘテロ芳香族系とも理解される。また、縮合芳香族環系またはヘテロ芳香族環系（例えば、ピレンで）を構成する芳香族環またはヘテロ芳香族環によって１以
上の結合が共有されるものとも理解される。また、脂肪族環系も縮合され、これは、縮合脂肪族環系が芳香族ではないという点を除いては、芳香族環系またはヘテロ芳香族環系と同一な意味を有するものとも理解されるであろう。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アリール」及び「芳香族」は、最も広い意味において、任意の単環式芳香族部分、二環式芳香族部分または多環式芳香族部分としても理解される。従って、アリール基は、６から６０個の芳香族環原子を含み、ヘテロアリール基は、５から６０個の芳香族環原子を含み、そのうち少なくとも１つはヘテロ原子である。それにもかかわらず、本明細書の全体にわたり、芳香族環原子数は、特定置換基の定義において、下付き文字数字で与えられうる。特に、ヘテロ芳香族環は、１から３個のヘテロ原子を含む。さらに、用語「ヘテロアリール」及び「ヘテロ芳香族」は、最も広い意味において、少なくとも１つのヘテロ原子を含む任意の単環式ヘテロ芳香族部分、二環式ヘテロ芳香族部分または多環式ヘテロ芳香族部分としても理解される。該ヘテロ原子は、それぞれの場合、同一でもあり、あるいは異なってもおり、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｅからなる群から個別的に選択されうる。従って、用語「アリーレン」は、他の分子構造に対し、２つの結合部位を保有し、リンカー構造の役割を行う二価置換基を意味する。例示的な実施形態において、基が、ここで与えられた定義と異なるように定義される場合、例えば、芳香族環原子数またはヘテロ原子数が与えられた定義と異なる場合、例示的な実施形態における定義が適用される。本発明によれば、縮合（環状）された、芳香族多環またはヘテロ芳香族多環は、縮合反応を介して多環を形成する、２つ以上の単一芳香族環またはヘテロ芳香族環から構成される。
特に、本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アリール基」または「ヘテロアリール基」は、ベンゼン、ナフタリン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンズアントラセン、ベンズフェナントレン、テトラセン、ペンタセン、ベンツピレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン；セレノフェン、ベンゾセレノフェン、イソベンゾセレノフェン、ジベンゾセレノフェン；ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ－５，６－キノリン、ベンゾ－６，７－キノリン、ベンゾ－７，８－キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジノイミダゾール、キノキサリノイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２－チアゾール、１，３－チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、１，３，５－トリアジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、カルボリン、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３－オキサジアゾール、１，２，４－オキサジアゾール、１，２，５－オキサジアゾール、１，２，３，４－テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン及びベンゾチアジアゾール、あるいは前述の基の組み合わせから誘導された芳香族基またはヘテロ芳香族基の任意の位置を介して結合可能な基を含む。
本発明の特定実施形態において、芳香族環またはヘテロ芳香族環に結合された隣接した置換基は、前記置換基が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環に縮合された、更なる脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる。選択的にそのように形成された縮合環系は、隣接した置換基が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環よりさらに大きい（さらに多い環原子を含むことを意味する）ものとも理解される。その場合、縮合環系に含まれた環原子の「総」数は、隣接した置換基が結合された芳香族環
またはヘテロ芳香族環に含まれた環原子と、隣接した置換基によって形成された追加の環系の環原子との和と理解され、ここで、縮合環系によって共有される炭素原子は、二回ではなく一回に計算される。例えば、ベンゼン環は、ナフタレンコアが形成されるように、さらに他のベンゼン環を形成する２つの隣接した置換基を有することができる。当該ナフタレンコアは、２つの炭素原子が２つのベンゼン環によって共有され、二回ではなく、一回のみ計算されるので、１０個の環原子を含むことになる。そのような文脈において「隣接した置換基」という用語は、（例えば、環系の）同一のまたは隣接する環原子に結合された置換基を意味する。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「脂肪族」は、環系を言及するとき、最も広い意味としても理解され、環系を構成する環のうち何も芳香族環またはヘテロ芳香族環ではないことを意味する。そのような脂肪族環系は、１以上の芳香族環またはヘテロ芳香族環に縮合され、脂肪族環系のコア構造に含まれた一部（全部ではない）の炭素原子またはヘテロ原子が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環の一部となるものと理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルキル基」は、最も広い意味において、任意の線状、分枝状または環状のアルキル置換基としても理解される。特に、用語「アルキル」は、置換基である、メチル（Ｍｅ）、エチル（Ｅｔ）、ｎ－プロピル（ｎＰｒ）、ｉ－プロピル（ｉＰｒ）、シクロプロピル、ｎ－ブチル（ｎＢｕ）、ｉ－ブチル（ｉＢｕ）、ｓ－ブチル（ｓＢｕ）、ｔ－ブチル（ｔＢｕ）、シクロブチル、２－メチルブチル、ｎ－ペンチル、ｓ－ペンチル、ｔ－ペンチル、２－ペンチル、ネオ－ペンチル、シクロペンチル、ｎ－ヘキシル、ｓ－ヘキシル、ｔ－ヘキシル、２－ヘキシル、３－ヘキシル、ネオ－ヘキシル、シクロヘキシル、１－メチルシクロペンチル、２－メチルペンチル、ｎ－へプチル、２－へプチル、３－へプチル、４－へプチル、シクロへプチル、１－メチルシクロヘキシル、ｎ－オクチル、２－エチルヘキシル、シクロオクチル、１－ビシクロ［２，２，２］オクチル、２－ビシクロ［２，２，２］オクチル、２－（２，６－ジメチル）オクチル、３－（３，７－ジメチル）オクチル、アダマンチル、２，２，２－トリフルオロエチル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘプト－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクト－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－デス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ドデス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－テトラデス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキサデス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘプト－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクト－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－デス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ドデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－テトラデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキサデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタデス－１－イル、１－（ｎ－プロピル）－シクロヘキス－１－イル、１－（ｎ－ブチル）－シクロヘキス－１－イル、１－（ｎ－ヘキシル）－シクロヘキス－１－イル、１－（ｎ－オクチル）－シクロヘキス－１－イル及び１－（ｎ－デシル）－シクロヘキス－１－イルを含む。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルケニル」は、線状、分枝状及び環状のアルケニル置換基を含む。用語「アルケニル基」は、例えば、置換基である、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルを含む。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルキニル」は、線状、分枝状及び環状のアルキニル置換基を含む。用語「アルキニル基」は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを含む。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルコキシ」は、線状、分枝状及び環状のアルコキシ置換基を含む。用語「アルコキシ基」は、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ－プロポキシ、ｉ－プロポキシ、ｎ－ブトキシ、ｉ－ブトキシ、ｓ－ブトキシ、ｔ－ブトキシ及び２－メチルブトキシを含む。
本明細書の全体にわたって使用されている用語「チオアルコキシ」は、線状、分枝状及び環状のチオアルコキシ置換基を含み、ここで、例示的なアルコキシ基のＯは、Ｓに代替される。
本明細書の全体にわたって使用されている用語「ハロゲン」及び「ハロ」は、最も広い意味において、好ましくは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素であるとも理解される。
本願に言及された任意の構造に含まれた全ての水素原子（Ｈ）は、それぞれの場合に互いに独立して、具体的に述べられない限り、重水素（Ｄ）にも代替される。水素を重水素に代替することは、一般慣行であり、それを合成的に達成する方法も当業者には明白である。
分子フラグメントが、置換基や、他の部分に結合していると記述されるとき、その名称は、まさしくそれがフラグメント（例えば、ナフチル、ジベンゾフリル）であるように、あるいは全体分子（例えば、ナフタレン、ジベンゾフラン）であるようにも記述される。本明細書に使用されているように、置換基、または結合フラグメントを記述する前記方式は、同等であると見なされる。
濃度または組成を言及するとき、他に明示されない限り、百分率は、重量百分率を称し、これは、重量による百分率、または重量による％（（重量／重量）、（ｗ／ｗ）、重量％）と同一な意味を有する。
軌道エネルギー及び励起状態エネルギーは、実験方法や量子化学方法、特に、密度関数理論計算を利用する計算方法を介して決定することができる。ここで、最高被占軌道エネルギーＥＨＯＭＯは、当業者に公知の方法によって、サイクリックボルタンメトリー測定から０．１ｅＶの精度で決定される。
最低空軌道エネルギーＥＬＵＭＯは、当業者に公知の方法によって、サイクリックボルタンメトリー測定から０．１ｅＶの精度で決定される。代案としては、ここで好ましくは、ＥＬＵＭＯは、ＥＨＯＭＯ＋Ｅｇａｐによって計算され、ここで、第１励起一重項状態Ｓ１（以下参照）のエネルギーが、ホスト材料ＨＢ、ＴＡＤＦ材料ＥＢ及び小さなＦＷＨＭエミッタＳＢに対し、他に言及されない限り、Ｅｇａｐとして使用される。すなわち、ホスト材料ＨＢ、ＴＡＤＦ材料ＥＢ及び小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、Ｅｇａｐは、室温（すなわち、約２０℃）で発光スペクトルの開始（onset）から決定される（定常
状態スペクトル；ＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、ポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＥＢの膜が一般的に使用され、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳＢの膜が一般的に使用され、ホスト材料ＨＢの場合、各ホスト材料ＨＢの他に添加物のない膜（neat film）が一般的に 使用される）。燐光材料ＰＢの場合、Ｅｇａｐは、室温（すなわち、約２０℃）で発光スペクトルの開始から決定される（定常状態スペクトル、一般的にＰＭＭＡ内の１０重量％のＰＢの膜から測定される）。
吸収スペクトルは、室温（すなわち、約２０℃）で記録される。ＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、吸収スペクトルは、一般的に、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）内の１０
重量％のＥＢのスピンコーティング膜から測定される。小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、吸収スペクトルは、一般的に、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳＢのスピンコーティング膜から測定される。ホスト材料ＨＢの場合、吸収スペクトルは、一般的に、ホスト材料ＨＢの他に添加物のない膜から測定される。燐光材料ＰＢの場合、吸収スペクトルは、一般的に、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＰＢのスピンコーティング膜から測定される。代案としては、吸収スペクトルは、また、例えば、ジクロロメタンまたはトルエン内の各分子の溶液から記録され、ここで、溶液の濃度は、一般的に、最大吸光度が好ましくは０．１から０．５範囲になるように選択される。
吸収スペクトルの開始は、吸収スペクトルに対する接線と、ｘ軸との交差点とを計算して決定される。該吸収スペクトルに対する接線は、吸収バンドの低エネルギー側と、吸収スペクトルの最大強度の最大半分地点とにおいて設定される。
他に明示されない限り、第一励起三重項状態Ｔ１のエネルギーは、７７Ｋにおいて、燐光スペクトルの開始から決定される（定常状態スペクトル；ＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＥＢの膜が一般的に使用され、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳＢの膜が一般的に使用され、ホスト材料ＨＢの場合、各ホスト材料ＨＢの他に添加物のない膜が一般的に使用され、測定は、一般的に室温（すなわち、約２０℃）で行われる）。例えば、ＥＰ２６９０６８１Ａ１に開示されたように、小さいΔＥＳＴ値を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、項間交差及び逆項間交差の両方が低温でも発生することが認められる。結果として、７７Ｋでの発光スペクトルは、Ｓ１及びＴ１状態の両方からの発光を含む。しかし、ＥＰ２６９０６８１Ａ１にも述べられたように、三重項エネルギーの寄与度／価値が一般的に優勢であるものと見なされる。
他に明示されない限り、第一励起一重項状態Ｓ１のエネルギーは、室温（すなわち、約２０℃）で蛍光スペクトルの開始から決定される（定常状態スペクトル；ＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＥＢの膜が一般的に使用され、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳＢの膜が一般的に使用され、ホスト材料ＨＢの場合、各ホスト材料ＨＢの他に添加物のない膜が一般的に使用される）。しかし、効率的な項間交差を示す燐光材料ＰＢの場合、室温発光は、蛍光ではなく、（ほとんど）燐光でもある。この場合、室温（すなわち、約２０℃）で発光スペクトルの開始は、前述のように第一励起三重項状態Ｔ１のエネルギーを決定するのに使用される。
発光スペクトルの開始は、発光スペクトルに対する接線と、ｘ軸との交差点とを計算して決定される。該発光スペクトルに対する接線は、発光バンドの高エネルギー側と、発光スペクトルの最大強度の最大半分地点とにおいて設定される。
第一励起一重項状態（Ｓ１）と第一励起三重項状態（Ｔ１）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値は、前述のように決定された、第一励起一重項状態エネルギー及び第一励起三重項状態エネルギーに基づいて決定される。
当業者に周知のように、エミッタ（例えば、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ）の半値幅（ＦＷＨＭ）は、それぞれの発光スペクトル（蛍光エミッタ用蛍光スペクトル及び燐光エミッタ用燐光スペクトル）から容易に決定される。小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、一般的に、蛍光スペクトルが使用される。報告された全てのＦＷＨＭ値は、一般的に、主発光ピーク（すなわち、強度が最も高いピーク）を示す。ＦＷＨＭ（本願において、好ましくは、電子ボルトｅＶで報告される）を決定する手段は、当業者の一般的な知識の一部である。 例えば、発光スペクトルの主発光ピークが、発光スペクトルからナノメートル（
ｎｍ）で得られた２つの波長λ１及びλ２において最大発光の半分（すなわち、最大発光強度の５０％）に達する場合、電子ボルト（ｅＶ）のＦＷＨＭは、一般的に、（本明細書において）以下の方程式を使用して決定される：
Figure 2023542011000328
本明細書に使用されているように、特定文脈において、さらに具体的に定義されない場合、発光及び／または吸収された光の色相指定は、下記の通りである：
紫色：＞３８０～４２０ｎｍの波長範囲
濃青色 ＞４２０～４７５ｎｍの波長範囲
空色：＞４７５～５００ｎｍの波長範囲
緑色：＞５００～５６０ｎｍの波長範囲
黄色：＞５６０～５８０ｎｍの波長範囲
オレンジ色：＞５８０～６２０ｎｍの波長範囲
赤色：＞６２０～８００ｎｍの波長範囲。
本発明は、下記実施例及び特許請求の範囲によって説明される。
実施例
サイクリックボルタンメトリー
サイクリックボルタモグラムは、ジクロロメタン、または適する溶媒、及び適する支持電解質（例：０．１ｍｏｌ／Ｌのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート）において、有機分子の濃度が１０－３ｍｏｌ／Ｌである溶液で測定される。該測定は、３電極アセンブリ（作用電極及び相対電極：Ｐｔワイヤ、基準電極：Ｐｔワイヤ）を使用し、窒素雰囲気において、室温（すなわち、（約）２０℃）で行い、内部標準として、ＦｅＣｐ２／ＦｅＣｐ２ ＋を使用して補正する。ＨＯＭＯデータ及びＬＵＭＯデータは、飽和カロメル電極（ＳＣＥ）に係わる内部標準として、フェロセンを使用して修正された。
密度関数理論計算
分子構造は、ＢＰ８６関数及びＲＩ（Resolution of Identity）アプローチを使用して最適化された。励起エネルギーは、（ＢＰ８６）最適化された構造を使用して、ＴＤ－ＤＦＴ（Time-Dependent DFT）方法でもって計算される。軌道エネルギー及び励起状態エネルギーは、Ｂ３ＬＹＰ関数により計算される。しかし、本願において、軌道エネルギー及び励起状態エネルギーは、前述のように実験的に決定されることが好ましい。
本願に報告された全ての軌道エネルギー及び励起状態エネルギー（実験結果参照）は、実験的に決定された。数値積分のために、Ｄｅｆ２－ＳＶＰ基本セット及びｍ４－ｇｒｉｄが使用される。Turbomoleプログラムパッケージは、全ての計算に使用される。
光物理的測定
サンプル前処理：真空蒸着
前述のように、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれる個々の化合物（例えば、有機分子または遷移金属錯体）の光物理的測定（例えば、ホスト材料ＨＢ、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、燐光材料ＰＢまたは小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ）は、一般的に、他に添加物のない膜（ホスト材料ＨＢの場合）、またはポリ（メチルメタクリレ
ート）（ＰＭＭＡ）内の各材料の膜（ＴＡＤＦ材料ＥＢ、燐光材料ＰＢ及び小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの場合）を使用して行われた。当該膜は、スピンコーティングされた膜であり、特定の測定に対して他に言及しない限り、ＰＭＭＡ膜の材料濃度は、ＴＡＤＦ材料ＥＢ及び燐光材料ＰＢの場合に１０重量％、または小さなＦＷＨＭエミッタＳＢの場合に１～５重量％、好ましくは、２重量％であった。代案としては（優先的ではなく）、前述のように、一部の光物理的測定は、また、例えば、ジクロロメタンまたはトルエン内の各分子の溶液から行われ、ここで、溶液の濃度は、一般的に、最大吸光度が好ましくは０．１から０．５範囲になるように選択される。
（本発明または比較例による）有機エレクトロルミネッセンス素子のＥＭＬに存在する特定の材料の組成をさらに研究するために、光物理的測定のためのサンプルを、素子作製に使用された同一な材料から、石英基板上の５０ｎｍのそれぞれの発光層Ｂを真空蒸着して作製した。該サンプルの光物理的評価は、窒素雰囲気下で行われる。
吸収測定
Thermo Scientific Evolution 201紫外可視光分光光度計は、２７０ｎｍ以上の波長領
域においてサンプルの最大吸収波長を決定するのに使用される。当該波長は、フォトルミネセンススペクトル及び量子収率の測定のための励起波長として使用される。
フォトルミネセンススペクトル
定常状態発光スペクトルは、１５０Ｗキセノンアークランプ、励起及び発光単色計が装着されたModel FluoroMax-4（Horiba Scientific）を使用して記録される。サンプルをキュベットに入れて測定する間に、窒素で置換する。
フォトルミネセンス量子収率測定
フォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）測定のために、Absolute ＰＬ量子収率測定
Ｃ９９２０－０３Ｇシステム（浜松ホトニクス）が使用されている。サンプルは、測定する間に窒素雰囲気下で維持される。量子収率は、ソフトウェアＵ６０３９－０５を使用して決定され、％で表される。収率は、次の方程式を使用して計算される。
Figure 2023542011000329
ここで、ｎ光子は、光子数を示し、Ｉｎｔは、強度を示す。品質保証のために、（既知濃度の）エタノール内のアントラセンを基準に使用する。
時間相関単一光子計数（ＴＣＳＰＣ）
励起状態分布力学は、発光単色計、検出器ユニットとして温度安定化された光電子増倍管、及び励起ソースとしてパルス型ＬＥＤ（３１０ｎｍ中央波長、９１０ｐｓパルス幅）が装着されたEdinburgh Instruments FS5分光蛍光計を使用して決定される。サンプルを
キュベットに入れて測定する間に、窒素で置換する。
全体減衰力学
時間及び信号強度で複数の次数（order）の大きさにわたった全体励起状態分布減衰力
学は、４個の時間領域（２００ｎｓ、１μｓ、２０μｓ及び＞８０μｓのさらに長い測定期間）でＴＣＳＰＣ測定を行って達成される。測定された時間曲線は、その後、次のよう
な方式によって処理される。
－励起及び差し引き（subtracting）前の平均信号レベルを決定し、バックグラウンド
補正が適用される。
－主信号の初期上昇を基準として取り、時間軸が整列される。
－重畳された測定時間領域を使用し、曲線が互いに対してスケーリングされる。
－処理された曲線が１つの曲線に併合される。
データ分析
即時蛍光（ＰＦ）及び遅延蛍光（ＤＦ）減衰の単一指数フィットまたは二重指数フィットを個別的に使用してデータ分析が行われる。遅延蛍光と即時蛍光との割合（ｎ値）が、それぞれのフォトルミネセンス減衰を経時的に積分して計算される：
Figure 2023542011000330
平均励起状態寿命は、ＰＦ及びＤＦのそれぞれの寄与度で加重された即時蛍光及び遅延蛍光の減衰時間の平均を取って計算される。
有機エレクトロルミネッセンス素子の作製及び特性化
本発明による有機分子を含むＯＬＥＤ素子は、真空蒸着方法によっても作製される。層が１以上の化合物を含む場合、１以上の化合物の重量百分率は、％で示される。総重量百分率値は１００％であるので、値が指定されていない場合、該化合物の分率は、指定された値と、１００％との差と同じである。
完全に最適化されていないＯＬＥＤは、標準的な方法を使用してエレクトロルミネセンススペクトルを測定し、光ダイオードによって検出された光を使用して計算された、強度及び電流に依存する外部量子効率（％）を測定して特徴付けられる。素子のＦＷＨＭが、フォトルミネセンススペクトル（蛍光または燐光）に対し、前述のようにエレクトロルミネッセンススペクトルから決定される。報告されたＦＷＨＭは、主発光ピーク（すなわち、最も高い発光強度を有するピーク）を示す。ＯＬＥＤ素子の寿命は、一定電流密度で動作する間、輝度の変化から抽出される。ＬＴ５０値は、測定輝度が、初期輝度の５０％に低減した時間に相当し、同様に、ＬＴ８０は、測定輝度が、初期輝度の８０％に低減した時点に相当し、ＬＴ９７は、測定輝度が、初期輝度の９７％に低減した時点に該当する。
加速寿命測定が行われる（例：増大した電流密度適用）。例えば、５００ｃｄ／ｍ２において、ＬＴ８０値は、次の方程式を使用して決定される。
Figure 2023542011000331
ここで、Ｌ０は、印加された電流密度における初期輝度を示す。値は、複数のピクセル
（一般的に、２～８個）の平均に該当する。
実験結果
スタック材料

ＨＢＭ１（正孔遮断材料） ＥＢＭ１（電子遮断材料）

ＨＴＬ１（正孔輸送材料） ＥＴＬ１（電子輸送材料）

ＥＴＬ２（電子輸送材料） ＥＴＬ３（電子輸送材料）

ＮＤＰ－９（正孔注入材料） ＥＢＭ２（電子遮断材料）
ホスト材料ＨＢ

ｍＣＢＰ＝ＨＢ－１ ＰＹＤ２＝ＨＢ－２ ＨＢ－３

ＨＢ－４ ＨＢ－５
ＨＢ－６ ＨＢ－７

ＨＢ－８ ＨＢ－９

ＨＢ－１０ ＨＢ－１１

ＨＢ－１２ ＨＢ－１３

ＨＢ－１４ ＨＢ－１５

ＨＢ－１６
Figure 2023542011000344
ＴＡＤＦ材料ＥＢ

ＥＢ－１ ＥＢ－２

ＥＢ－３ ＥＢ－４

ＥＢ－５ ＥＢ－６

ＥＢ－７ ＥＢ－８

ＥＢ－９ ＥＢ－１０

ＥＢ－１１ ＥＢ－１２ ＥＢ－１３

ＥＢ－１４ ＥＢ－１５ ＥＢ－１６

ＥＢ－１７ ＥＢ－１８ ＥＢ－１９

ＥＢ－２０ ＥＢ－２１

ＥＢ－２２ ＥＢ－２３

ＥＢ－２４
Figure 2023542011000356
燐光材料ＰＢ

Ｉｒ（ｐｐｙ）３ ＰＢ－２

ＰＢ－３ ＰＢ－４
Figure 2023542011000359
ここで、ＬＵＭＯＣＶは、サイクリックボルタンメトリーによって決定された最低空軌道のエネルギーである。ａ発光スペクトルがクロロホルム内のＩｒ（ｐｐｙ）３の溶液から記録された。ｂ発光スペクトルがジクロロメタン内のＰＢ－２の０．００１ｍｇ／ｍＬ溶液から記録された。ｃ発光スペクトルがトルエン内のＰＢ－３の０．００１ｍｇ／ｍＬ溶液から記録された。
小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ

ＳＢ－１ ＳＢ－２

ＳＢ－３ ＳＢ－４

ＳＢ－５ ＳＢ－６

ＳＢ－７ ＳＢ－８

ＳＢ－９ ＳＢ－１０

ＳＢ－１１ ＳＢ－１２

ＳＢ－１３ ＳＢ－１４

ＳＢ－１５
Figure 2023542011000368
＊ＤＣＭで測定される（０．０１ｍｇ／ｍＬ；そのような溶液が光物理的測定に使用される）。
Figure 2023542011000369
本発明の結果を評価するために、発光層（６）の組成のみを変化させた比較実験を遂行した。また、比較実験では、ＥＢとＳＢとの割合を一定に維持した。
結果Ｉ：発光層（発光層、６）において燐光材料ＰＢの含量変化
素子Ｄ１からＤ４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000370
表２の構成１が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１０がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷ
ＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000371
素子結果、Ｄ１及びＤ２を比較すれば、類似した光学的特性（ＦＷＨＭ、λｍａｘ、ＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ）及び効率（ＥＱＥ）を観察することができる一方、Ｄ２の場合、Ｄ１に比べて１４７％の相対寿命の延長（１．００から２．４７へ）を観察することができる。Ｄ３の場合、Ｄ１に比べて相対寿命が２１％（１．００から１．２１へ）延長した一方、Ｄ４の相対寿命は、Ｄ１に比べて１％（１．００から０．９９へ）減少した。
結果ＩＩ：成分組成の変化
素子Ｄ５からＤ１３の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000372
Figure 2023542011000373
表２の構成１が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１１がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
素子Ｄ５及びＤ６は、混合ホストシステム、すなわち、ＨＢ及びＨＮ、燐光エミッタを含む典型的な燐光素子である。
素子Ｄ７及びＤ８は、混合ホストシステム、すなわち、ＨＢ及びＨＮ、燐光材料及び小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む素子である。
素子Ｄ９は、ホストＨＢ、ＴＡＤＦ材料ＥＢ及び小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む素子である。
素子Ｄ１０は、ホストＨＢ、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、燐光材料ＰＢ及び小さなＦＷＨＭエミッタＳＢを含む素子である。
Figure 2023542011000374
素子Ｄ５及びＤ６の発光層の組成をＤ７及びＤ８と比較すれば、Ｄ７及びＤ８は、Ｄ５及びＤ６には存在しない小さなＦＷＨＭエミッタＳＢをさらに含む。Ｄ７及びＤ８に対し、さらに長い寿命、類似した効率及びさらに小さい発光ＦＷＨＭが観察されうる。
本発明による素子Ｄ１０は、燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）３）がないＤ９より優秀な総合的な性能を示す。
素子Ｄ１４からＤ２１の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000375
表２の構成１が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１０がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、ＰＢ－２が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000376
素子結果ＩＩＩから結論付けられるように、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）がなければ、全ての場合、０．２５ｅＶより非常に大きいＦＷＨＭ値によって反映される、好ましくないブロードな発光が発生する（素子Ｄ１４、Ｄ１５及びＤ１８参照）。Ｄ１５の場合、２２．７％の非常に高いＥＱＥが非常に減少した寿命と共に提供される。ＴＡＤＦ材料ＥＢ（ここで、例示的にＥＢ－１０）または燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＰＢ－２）と共に小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、例示的にＳＢ－１）を使用するとき、狭い発光が達成され、これは、その後、０．２５ｅＶより非常に小さなＦＷＨＭ値によって反映される（素子Ｄ１６及びＤ１７参照）。同時に、それらの素子は、それぞれ２０．４％及び２２．４％の高いＥＱＥ値を示す。しかし、寿命の観点から、それらの素子は、本発明によって作製された素子Ｄ１９によって明白に圧倒される。また、Ｄ１９は、非常に優秀な効率（２０．４％のＥＱＥ）及び狭い発光（０．１７ｅＶのＦＷＨＭ）を示す。要約すれば、当業者は、（本発明による）Ｄ１９が最も優秀な総合的な素子性能を明確に示すということを認めるであろう。Ｄ１９のＥＭＬは、１％の燐光材料ＰＢを含む。この値を（Ｄ２０において）４％、またはさらに好ましくは、（Ｄ２１において）７％に増やせば、ＦＷＨＭが０．２０ｅＶと若干増加し、ＥＱＥが１６．３％または１３．６％とそれぞれ減少し、素子寿命が短縮され、素子性能が多少低下する結果をもたらす。それにもかかわらず、Ｄ２０及びＤ２１は、特に素子寿命と係わって依然として優秀な総合的な性能を示す。
ＴＡＤＦ材料ＥＢ－１０がない場合、ＥＭＬ内の電子移動度を増加させるために、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨＢ－５）を一般的に使用した。
素子Ｄ２２からＤ２９の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000377
表２の構成１が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１１がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000378
素子結果ＩＶから結論付けられるように、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢなしに、メインエミッタとしてＴＡＤＦ材料ＥＢ（ここで、例示的にＥＢ－１１）または燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）３）を使用すれば、０．２５ｅＶ（ここで、それぞれ０．４１及び０．３１ｅＶ、Ｄ２２及びＤ２３参照）より明確に大きい主発光ピークのＦＷＨＭ値によって反映される有機エレクトロルミネッセンス素子の相対的にブロードな発光が発生する。Ｄ２２及びＤ２３の両方は、高い効率（それぞれ２２．５％及び１９．５％のＥＱＥ）を示す。例えば、燐光ＯＬＥＤ Ｄ２３に小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここ
で、ＳＢ－１）を追加すれば、主発光ピークのＦＷＨＭが大きく減少（０．１７ｅＶ）する一方、ＥＱＥ及び寿命は若干向上する（Ｄ２４参照）。しかし、ＯＬＥＤ Ｄ２２及び
Ｄ２３だけでなく、素子Ｄ２４は、本発明によって製造された素子Ｄ２５によって強力に圧倒される。Ｄ２２、Ｄ２３及びＤ２４と比べるとき、素子Ｄ２５は、劇的に延長した寿命を示し、かつ依然として同一に高い効率及び狭いＦＷＨＭを示す。当業者は、本発明による素子Ｄ２５の総合的な性能がＤ２２、Ｄ２３及びＤ２４の性能より明白に優秀であるということを認めるであろう。小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）の含量を（Ｄ２５のＥＭＬにおいて）１％から（Ｄ２６のＥＭＬにおいて）０．５％に減らすことにより、総合的な素子性能をさらに向上させることができる。再び、本発明の条件を満たさない比較例Ｄ２７（例えば、燐光材料ＰＢが欠けている）は、急激に減少した寿命及び多少減少した効率（ＥＱＥ）を示した。本発明による素子Ｄ２５及びＤ２６内の燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）３）の含量１％から、（本発明による素子Ｄ２８及びＤ２９内の）４％に増加させれば、素子寿命及び効率の低下をもたらす。しかし、それらの素子（Ｄ２８及びＤ２９）は、本発明によらず、最新技術によって製造された、前述の比較素子より依然として明白に優秀である。ＴＡＤＦ材料ＥＢ－１１がない場合、ＥＭＬ内の電子移動度を増加させるために、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨＢ－５）が一般的に使用された。
Figure 2023542011000379
素子Ｄ３０からＤ３２の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000380
表３の構成２が使用され、ここで、ＨＢ－１（ｍＣＢＰ）がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１４がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、ＰＢ－３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１４が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。
Figure 2023542011000381
有機エレクトロルミネッセンス素子Ｄ３０～Ｄ３２のうち、本発明によるＤ３２が狭い発光（小さいＦＷＨＭ）、高いＥＱＥ、相対的な寿命を考慮するときに最も優秀な総合的な性能を示す。
素子Ｄ３３からＤ３５の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000382
表３の構成２が使用され、ここで、ＨＢ－１４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１４がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、ＰＢ－３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１４が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。
Figure 2023542011000383
有機エレクトロルミネッセンス素子Ｄ３３～Ｄ３６のうち、本発明によるＤ３５が狭い発光（小さいＦＷＨＭ）、高いＥＱＥ、相対的な寿命を考慮するときに最も優秀な総合的な性能を示す。
前述のように、本発明による各発光層Ｂは、単一層であってもよく、２以上の副層からなってもよい。２以上の副層を含む発光層Ｂを有する例示的な有機エレクトロルミネッセンス素子が下記に示されている（素子結果ＶＩＩ及びＶＩＩＩ参照）。
Figure 2023542011000384
素子Ｄ３６からＤ３８の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000385
表４の構成３が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１０がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。
Figure 2023542011000386
素子結果ＶＩＩから結論付けられるように、本発明によるＤ３８は、Ｄ３６及びＤ３７に比べて顕著に延長した寿命を示す。これは、多少減少するが、依然として高い効率（ＥＱＥ）と共に提供される。３つの素子の全ての場合、０．２５ｅＶ未満のＦＷＨＭ値で表される狭い発光を示す。Ｄ３８は、狭い発光、依然として高いＥＱＥ及び非常に長い寿命を考慮するときに最も優秀な総合的な素子性能を示す。
Figure 2023542011000387
素子Ｄ３９の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000388
表５の構成４が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１０がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。
Figure 2023542011000389
＊寿命は、Ｄ３８を基準として与えられる。
素子結果ＶＩＩＩから結論付けられるように、ほぼ類似したスタック構造を使用しつつ、ＨＢ：ＥＢ：ＰＢ－副層の厚みを８ｎｍ（Ｄ３８）から５ｎｍ（Ｄ３９）に減少すれば、素子性能が向上しない。それにもかかわらず、Ｄ３９は、依然として狭い発光、高いＥＱＥ及び優秀な寿命を示す。
素子Ｄ４０及びＤ４１の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000390
表２の構成１が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１０がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000391
素子結果ＩＸから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ４１は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び最も多く素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、ＴＡＤＦ材料ＥＢ（ここで、例示的にＥＢ－１０）が欠けている素子Ｄ４０に比べて優秀な総合的な性能を示す。
Figure 2023542011000392
素子Ｄ４２からＤ４４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000393
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１０がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、ＰＢ－２が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000394
素子結果Ｘから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ４４は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、ＴＡＤＦ材料ＥＢ（ここで、例示的にＥＢ－１０）が欠けている素子Ｄ４３、及び燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＰＢ－２）が欠けている素子Ｄ４２に比べて優秀な総合的な性能を示す。ＴＡＤＦ材料ＥＢ－１０がない場合、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨＢ－５）を使用してＥＭＬ内の電子移動度を増加させた。
素子Ｄ４５からＤ４９の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000395
表２の構成１が使用され、ここで、ＨＢ－４がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１０がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、ＰＢ－４が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000396
素子結果Ｘから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ４９は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、ＴＡＤＦ材料ＥＢ（ここで、例示的にＥＢ－１０）が欠けている素子Ｄ４８、燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＰＢ－４）が欠けている素子Ｄ４７、ＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＰＢ－４を採用した素子Ｄ４６、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１０を採用した素子Ｄ４５に比べて、優秀な総合的な性能を示す。ＴＡＤＦ材料ＥＢ－１０がない場合、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨＢ－５）を使用してＥＭＬ内の電子移動度を増加させた。
素子Ｄ５０からＤ６４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000397
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１１がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000398
素子結果ＸＩＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ５４は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、ＴＡＤＦ材料ＥＢ（ここで、例示的にＥＢ－１１）が欠けている素子Ｄ５３、燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ５２、ＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＩｒ（ｐｐｙ）３を採用した素子Ｄ５１、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１１を採用した素子Ｄ５０に比べて、優秀な総合的な性能を示す。素子Ｄ５５からＤ５８の性能を比較するとき、ＥＭＬ内の小さなＦＷＨＭエミッタ（ここで、例示的にＳＢ－１）の濃度を１％から０．５％に減少すれば、素子寿命を延長させることができるという結論が出る。また、素子Ｄ５９からＤ６１が本発明によって作製され、特に、本発明によるＤ５５と比べて、ＴＡＤＦ材料ＥＢ（ここで、例示的にＥＢ－１１）の濃度を２０％から３０％に、またはさらに好ましくは、４０％に増加させれば、総合的な素子性能を向上させることができる。素子Ｄ５５からＤ５８の比較、並びにＤ６０及びＤ６１の比較は、対照的に低い濃度の燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）３）が素子性能に有利であることを示す。ＴＡＤＦ材料ＥＢ－１１がない場合、ＥＭＬ内の電子移動度を増加させるために、ｎ－ホスト（ここで、例示的にＨＢ－５）を使用した。
素子Ｄ６２からＤ７１の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000399
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１１がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、ＰＢ－２が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000400
素子結果ＸＩＩＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ６７は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さなＦＷＨＭ材料ＳＢ（ここで、例示的にＳＢ－１）が欠けている素子Ｄ６６、ＴＡＤＦ材料ＥＢ（ここで、例示的にＥＢ－１１）が欠けている素子Ｄ６５、燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＰＢ－２）が欠けている素子Ｄ６４、ＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＰＢ－２を採用した素子Ｄ６３、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１１を採用した素子Ｄ６２に比べて優秀な総合的な性能を示す。素子Ｄ６７からＤ７１の性能を比較するとき、与えられた材料セットに対し、３０％のＥＢ－１１、２．５％のＰＢ－２及び０．５％のＳＢ－１濃度が最も優秀な性能の素子（Ｄ６９）を提供するという結論を出すことができる。
素子Ｄ７２からＤ７９の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000401
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＨＢ－５がホスト材料ＨＮとして使用され、ＥＢ－１１がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、ＰＢ－４が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000402
素子結果ＸＩＶから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ７６は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、ＴＡＤＦ材料ＥＢ（ここで、例示的にＥＢ－１１）が欠けている素子Ｄ７５、燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＰＢ－４）が欠けている素子Ｄ７４、ＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＰＢ－４を採用した素子Ｄ７３、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１１を採用した素子Ｄ７２に比べて優秀な総合的な性能を示す。素子Ｄ７６からＤ７９の性能を比較するとき、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、例示的にＳＢ－１）の濃度を１％から０．５％に減少すれば、総合的な素子性能を向上させることができるという結論を出すことができる。
素子Ｄ８０からＤ８５の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000403
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１５がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000404
素子結果ＸＶから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ８４は、燐光材料ＰＢ（
ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ８１と比べて優秀な総合的な性能を示す。また、本発明によるＤ８５は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）が欠けている素子Ｄ８３、燐光材料ＰＢ（ここで、ＰＢ－４）が欠けている素子Ｄ８１、及びＳＢ－１の代わりにエミッタＥＢ－１５を使用するＤ８０に比べて優秀な総合的な性能を示す。
素子Ｄ８６からＤ９０の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000405
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１５がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、ＰＢ－２が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000406
素子結果ＸＶＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ８９及びＤ９０は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＰＢ－２）が欠けている素子Ｄ８７及びＤ８８、並びにＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１５を採用した素子に比べて優秀な総合的な性能
を示す。
素子Ｄ９１からＤ９４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000407
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１６がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000408
素子結果ＸＶＩＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ９４は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）が欠けている素子Ｄ９３、燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ９２、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１６を採用した素子Ｄ９１に比べて優秀な総合的な性能を示す。
素子Ｄ９１からＤ９４の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000409
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１７がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000410
素子結果ＸＶＩＩＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ９７は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）が欠けている素子Ｄ９６、及び燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ９５に比べて優秀な総合的な性能を示す。
素子Ｄ９８からＤ１０１の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000411
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１８がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000412
素子結果ＸＩＸから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ１０１は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）が欠けている素子Ｄ１００、燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ９９、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－１８を採用した素子Ｄ９１に比べて優秀な総合的な性能を示す。
素子Ｄ１０２からＤ１０５の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000413
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－１９がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000414
素子結果ＸＸから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ１０４は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ（ここで、ＳＢ－１）が欠けている素子Ｄ１０３、及び燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ１０２に比べて優秀な総合的な性能を示す。
素子Ｄ１０６からＤ１０８の発光層Ｂの組成（百分率は、重量百分率を示す）：
Figure 2023542011000415
表６の構成５が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢ（ｐ－ホストＨＰ；電子遮断層５用材料としても使用される）として使用され、ＥＢ－２１がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、Ｉｒ（ｐｐｙ）３が燐光材料ＰＢとして使用され、ＳＢ－１が小さなＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。０％の重量百分率は、発光層Ｂに材料がないことを意味する。
Figure 2023542011000416
素子結果ＸＸＩから結論付けられるように、本発明による素子Ｄ１０８は、狭い発光（ＦＷＨＭ）、効率（ＥＱＥ）及び素子寿命（ＬＴ９５）を考慮するとき、燐光材料ＰＢ（ここで、例示的にＩｒ（ｐｐｙ）３）が欠けている素子Ｄ１０７、及びＳＢ－１の代わりにエミッタ材料としてＥＢ－２１を採用した素子Ｄ１０６に比べて優秀な総合的な性能を示す。

Claims (15)

  1. 下記を含む少なくとも１層の発光層Ｂを含む、有機エレクトロルミネッセンス素子：
    （ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有する少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、
    （ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｐ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｐ）を有する少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、
    （ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光する、少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び
    （ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢ、
    ここで、下記式（１）及び（２）で表される関係が適用され、
    Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｐ） （１）
    Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｅ） （２）
    ここで、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、下記を含む：
    －互いに独立して、アミノ基、インドリル基、カルバゾリル基及びその誘導体から選択され、それらは選択的に置換され、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成する１以上の第１化学的部分、及び
    －互いに独立して、ＣＮ及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基から選択される１以上の第２化学的部分。
  2. それぞれの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢは、－２．６ｅＶより小さいエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子 。
  3. それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、
    （ｉ）最低励起一重項状態エネルギーＥ（Ｓ１Ｅ）と最低励起三重項状態エネルギーＥ（Ｔ１Ｅ）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満を示すことを特徴とし、
    （ｉｉ）３０％より大きいフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. それぞれのＨＢは、下記を含むか、あるいはそれから構成されるｐ－ホストＨＰである、請求項１から３のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
    －化学式ＨＰ－Ｉ、ＨＰ－ＩＩ、ＨＰ－ＩＩＩ、ＨＰ－ＩＶ、ＨＰ－Ｖ、ＨＰ－ＶＩ、ＨＰ－ＶＩＩ、ＨＰ－ＶＩＩＩ、ＨＰ－ＩＸ及びＨＰ－Ｘのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される１つの第１化学的部分、及び

    ・・・化学式ＨＰ－Ｉ

    ・・・化学式ＨＰ－ＩＩ

    ・・・化学式ＨＰ－ＩＩＩ

    ・・・化学式ＨＰ－ＩＶ

    ・・・化学式ＨＰ－Ｖ

    ・・・化学式ＨＰ－ＶＩ

    ・・・化学式ＨＰ－ＶＩＩ

    ・・・化学式ＨＰ－ＶＩＩＩ

    ・・・化学式ＨＰ－ＩＸ

    ・・・化学式ＨＰ－Ｘ
    －それぞれ化学式ＨＰ－ＸＩ、ＨＰ－ＸＩＩ、ＨＰ－ＸＩＩＩ、ＨＰ－ＸＩＶ、ＨＰ－ＸＶ、ＨＰ－ＸＶＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩＩ及びＨＰ－ＸＩＸのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される１以上の第２化学的部分、

    ・・・化学式ＨＰ－ＸＩ

    ・・・化学式ＨＰ－ＸＩＩ

    ・・・化学式ＨＰ－ＸＩＩＩ

    ・・・化学式ＨＰ－ＸＩＶ

    ・・・化学式ＨＰ－ＸＶ

    ・・・化学式ＨＰ－ＸＶＩ

    ・・・化学式ＨＰ－ＸＶＩＩ

    ・・・化学式ＨＰ－ＸＶＩＩＩ

    ・・・化学式ＨＰ－ＸＩＸ
    ここで、前記ｐ－ホスト材料ＨＰに存在する前記少なくとも１つの第２化学的部分それぞれは、前記化学式において点線で表される単結合を介して前記第１化学的部分に連結され、
    ここで、
    Ｚ１は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、Ｃ（ＲＩＩ）２、Ｃ＝Ｃ（ＲＩＩ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＩＩ、ＮＲＩＩ、Ｏ、Ｓｉ（ＲＩＩ）２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２からなる群から選択され、
    ＲＩは、それぞれの場合に互いに独立して、前記第１化学的部分を第２化学的部分に連結する単結合の結合位置であるか、または下記からなる群から選択され、
    水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
    Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
    ここで、少なくとも１つのＲＩは、前記第１化学的部分を第２化学的部分に連結する単結合の結合位置であり、
    ＲＩＩは、それぞれの場合に互いに独立して、下記からなる群から選択され、
    水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
    Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈからなる群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
    ここで、２以上の隣接した置換基ＲＩＩは、選択的に脂肪族または芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、化学式ＨＰ－ＸＩ、ＨＰ－ＸＩＩ、ＨＰ－ＸＩＩＩ、ＨＰ－ＸＩＶ、ＨＰ－ＸＶ、ＨＰ－ＸＶＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩＩ及びＨＰ－ＸＩＸのうちいずれか１つによる構造だけでなく、隣接した置換基ＲＩＩによって選択的に形成される追加の環から構成される前記縮合環系は、総３～６０個の炭素原子を含む。
  5. それぞれの燐光材料ＰＢは、化学式ＰＢ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成される、請求項１から４のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：

    ・・・化学式ＰＢ－Ｉ
    ここで、Ｍは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｅｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ａｇ及びＣｕからなる群から選択され、
    ｎは、１から３の整数であり、
    Ｘ２及びＹ１は、共にそれぞれの場合に互いに独立して二座モノアニオン性リガンドを形成する。
  6. それぞれの燐光材料ＰＢは、イリジウムを含む、請求項１から５のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、以下の要件のうち少なくとも１つを満たす、請求項１から６のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
    （ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、
    （ｉｉ）多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環、例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体が、共に縮合される。
  8. それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、ボロン含有エミッタである、請求項１から７のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. それぞれの小さなＦＷＨＭエミッタＳＢは、多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環が共に縮合される、請求項１から８のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  10. 本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢは、５．０Å２以下の遮蔽パラメータを示す、請求項１から９のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. （ｉｉ）少なくとも１つの燐光材料ＰＢは、エネルギーＥλｍａｘ（ＰＢ）を有する発光最大λｍａｘ（ＰＢ）を有し、
    （ｉｉｉ）少なくとも１つの小さな半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢは、エネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）を有する発光最大λｍａｘ（ＳＢ）を有し、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を発光し、
    （ｉｖ）少なくとも１つの熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢは、エネルギーＥλｍａｘ（ＥＢ）を有する発光最大λｍａｘ（ＥＢ）を有し、
    式（１８）及び（１９）が適用される、請求項１から１０のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
    ｜Ｅλｍａｘ（ＰＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．２０ｅＶ （１８）
    ｜Ｅλｍａｘ（ＥＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．２０ｅＶ （１９）。
  12. 下記式（２３）から（２５）で表される関係のうち少なくとも１つが適用される、請求項１から１１のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
    ４４０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜４７０ｎｍ （２３）
    ５１０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜５５０ｎｍ （２４）
    ６１０ｎｍ＜λｍａｘ（ＳＢ）＜６６５ｎｍ （２５）。
  13. 前記発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される、請求項１から１２のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
    （ｉ）３０～９９．８重量％の１以上のホスト材料ＨＢ、
    （ｉｉ）０．１～３０重量％の１以上の燐光材料ＰＢ、
    （ｉｉｉ）０．１～１０重量％の１以上の小さなＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に
    （ｉｖ）０～６９．８重量％の１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、及び選択的に
    （ｖ）０～６９．８重量％の１以上の溶媒。
  14. 下記ステップを含む、光発生方法：
    （ｉ）請求項１から１３のうちいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
    （ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること。
  15. 下記波長範囲のうち１つから選択される波長範囲の光を発生させる、請求項１４に記載の光発生方法：
    （ｉ）５１０ｎｍから５５０ｎｍ、または
    （ｉｉ）４４０ｎｍから４７０ｎｍ、または
    （ｉｉｉ）６１０ｎｍから６６５ｎｍ。
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