KR101269497B1 - 친핵성 카르벤 리간드를 갖는 전계발광 금속 착물 - Google Patents
친핵성 카르벤 리간드를 갖는 전계발광 금속 착물 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 화학식 I의 전계발광 금속 착물, 이의 제조방법, 당해 금속 착물을 포함하는 전자 디바이스 및 전자 디바이스, 특히 유기 발광 다이오드(OLED)에서, 산소 감지 지시제로서, 생물검정에서 인광 지시제로서 또는 촉매로서 이의 용도에 관한 것이다.
화학식 I
위의 화학식 I에서,
환 A는 당해 환 A에 결합된 상기 환 B와 함께 환을 형성할 수 있고,
n1은 1 내지 3의 정수이고,
m1은 0, 1 또는 2의 정수이고,
m2는 0 또는 1의 정수이고,
M1은 원자량 40 초과의 금속이고,
L3은 1좌(monodentate) 리간드 또는 2좌(bidentate) 리간드이고,
Y는 -C(=O)- 또는 -C(X1)2-(여기서, X1은 수소 또는 C1-4알킬, 특히 수소이다)이고,
y는 0 또는 1, 특히 0이다.
친핵성 카르벤 리간드, 전계발광 금속 착물, 유기 발광 다이오드, 유기 전자 디바이스
Description
본 발명은 친핵성 카르벤 리간드를 갖는 전계발광 금속 착물, 이의 제조방법, 당해 금속 착물을 포함하는 전자 디바이스 및 전자 디바이스, 특히 유기 발광 다이오드(OLED)에서, 산소 감지 지시제로서, 생물검정(bioassay)에서 인광 지시제로서 또는 촉매로서 이의 용도에 관한 것이다.
발광하는 유기 전자 디바이스, 예를 들면, 디스플레이를 구성하는 발광 다이오드는 많은 상이한 종류의 전자 설비에서 존재한다. 이러한 모든 디바이스에서, 유기 활성층은 2개의 전기 접촉층들 사이에서 샌드위칭된다. 전기 접촉층들 중의 1개 이상은 투광성이어서 광이 전기 접촉층을 통과할 수 있다. 전기 접촉층을 통해 전기 인가시, 유기 활성층은 투광성 전기 접촉층을 통해 발광한다. 유기 전계발광 화합물을 발광 다이오드에서 활성 성분으로서 사용하는 것은 널리 공지되어 있다. 간단한 유기 분자, 예를 들면, 안트라센, 티아디아졸 유도체 및 쿠마린 유도체는 전계발광현상을 나타내는 것으로 공지되어 있다. 또한, 반전도성 공액된 중합체는 전계발광 성분으로서, 예를 들면, 미국 특허 제5,247,190호, 미국 특허 제5,408,109호 및 유럽 공개특허공보 제443 861호에 기재된 바대로 사용되고 있다. 8-하이드록시퀴놀레이트와 3가 금속 이온, 특히 알루미늄의 착물은 전계발광 성분으로서, 예를 들면, 미국 특허 제5,552,678호에 기재된 바대로 광범위하게 사용되고 있다. 버로우즈(Burrows)와 톰슨(Thompson)은 fac-트리스(2-페닐피리딘)이리듐을 유기 발광 디바이스에서 활성 성분으로 사용할 수 있는 것으로 보고하였다[참조: Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 4]. 이리듐 화합물이 호스트 전도성 물질에 존재할 때 성능이 최대화된다. 톰슨은 활성층이 fac-트리스[2-(4',5'-디플루오로페닐)피리딘-C'2,N]이리듐(III)으로 도핑된 폴리(N-비닐 카바졸)인 디바이스를 추가로 보고하였다[참조: Polymer Preprints 2000, 41(1), 770].
문헌[참조: P.B. Hitchcock et al., J. Organometallic Chemistry 239 (1982) C26-C30]에는 화학식 및 화학식 의 Ir 착물의 제조방법이 기재되어 있다.
문헌[참조: Hiraki et al., J. Organomet. Chem. 1981, 413-419]에는 화학식 , 화학식 및 화학식 의 카르벤 착물의 제조방법 및 이의 특징이 기재되어 있다.
문헌[참조: Danapoulos et al., J. Chem. Soc., Dalton Trans. (2002) 3090-3091]에는 화학식 및 화학식 의 카르벤 착물(여기서, L-L은 η4-1,5-사이클로옥타디엔이고, Ar은 2,6-디이소프로필페닐이다)의 제조방법이 기재되어 있다.
그러나, 발광 특성 및 내구성이 탁월한 전계발광 화합물이 여전히 요구된다.
따라서, 본 발명은 화학식 I의 화합물(금속 착물), 이의 제조방법, 당해 금속 착물을 포함하는 전자 디바이스 및 전자 디바이스, 특히 유기 발광 다이오드(OLED)에서, 산소 감지 지시제로서, 생물검정에서 인광 지시제로서 또는 촉매로서 이의 용도에 관한 것이다.
위의 화학식 I에서,
환 A는 당해 환 A에 결합된 상기 환 B와 함께 환을 형성할 수 있고,
n1은 1 내지 3의 정수이고,
m1은 0, 1 또는 2의 정수이고,
m2는 0 또는 1의 정수이고,
M1은 원자량 40 초과의 금속이고,
L3은 1좌(monodentate) 리간드 또는 2좌(bidentate) 리간드이고,
Y는 -C(=O)- 또는 -C(X1)2-(여기서, X1은 수소 또는 C1 - 4알킬, 특히 수소이다)이고,
y는 0 또는 1, 특히 0이되,
본 발명의 금속 착물은 하나 이상의 리간드가 친핵성 카르벤으로부터 유도됨을 특징으로 한다.
금속은 일반적으로 원자량 40 초과의 금속 M1이다. 바람직하게는 금속 M1은 Tl, Pb, Bi, In, Sn, Sb 및 Te, 특히 Mo, Cr, Mn, Ta, V, Cu, Fe, Ru, Ni, Co, Ir, Pt, Pd, Rh, Re, Os, Ag 및 Au 중에서 선택된다. 보다 바람직하게는 금속은 Ir 및 Ru 뿐만 아니라 Ag, Au, Pt 및 Pd 중에서 선택되고, Ir 및 Pt가 가장 바람직하다.
본 발명의 문맥상 "친핵성 카르벤 리간드"는 고전적인 2e- 공여체 리간드를 치환할 수 있는 통상적인 σ 공여체 리간드를 의미한다. 이들은 사이클릭형 또는 비사이클릭형일 수 있다. 이들은 헤테로원자를 갖지 않거나 몇몇 상이한 헤테로원자를 갖거나 동일한 종류의 몇몇 헤테로원자를 가질 수 있다. 가능한 카르벤은, 예를 들면, 디아릴카르벤, 사이클릭 디아미노카르벤, 이미다졸-2-일리덴, 이미다졸리딘-2-일리덴, 1,2,4-트리아졸-3-일리덴, 1,3-티아졸-2-일리덴, 비사이클릭 디아미노카르벤, 비사이클릭 아미노옥시카르벤, 비사이클릭 아미노티오카르벤, 사이클릭 디보릴카르벤, 비사이클릭 디보릴카르벤, 포스피노실릴-카르벤, 포스피노포스포니오카르벤, 설펜일-트리플루오르메틸카르벤, 설펜일펜타플루오로티오카르벤 등이 있다.
용어 "리간드"는 금속 이온의 배위권(coordination sphere)에 연결된 분자, 이온 또는 원자를 의미한다. 용어 "착물"은, 명사로서 사용될 때, 1개 이상의 금속 이온 및 1개 이상의 리간드를 갖는 화합물을 의미한다. 용어 "그룹"은 유기 화합물에서 치환체 또는 착물에서 리간드와 같은 화합물의 일부를 의미한다. 용어 "면(facial) 이성질체"는 팔면체 기하학적 구조를 갖는 착물 Ma3b3의 이성질체 중의 하나를 의미하고, 이때 3개의 "a" 그룹은, 즉 팔면체의 하나의 삼각형 면의 코너에서 모두 인접해 있다. 용어 "자오선(meridional) 이성질체"는 팔면체 기하학적 구조를 갖는 착물 Ma3b3의 이성질체 중의 하나를 의미하고, 이때 2개의 "a" 그룹이 서로에 대해 트랜스 위치로 되도록, 즉 3개의 "a" 그룹이 3개의 공면 위치(coplanar position)에 자리하여, 자오선으로서 생각될 수 있는 배위권을 가로지르는 원호를 형성하도록, 3개의 "a" 그룹이 3개의 위치를 차지한다. 용어 "인접함"은, 디바이스에서 층을 언급하는 데 사용될 때, 반드시 하나의 층이 또 다른 층에 바로 뒤따른다는 것을 의미하지 않는다. 용어 "광활성"은 전계발광 및/또는 광감성을 나타내는 모든 물질을 의미한다.
M1이 Co 또는 Fe, 특히 Ir 또는 Rh이면, n1은 바람직하게는 3, 보다 바람직하게는 1이다.
M1이 Ni, Rh 또는 Ru, 특히 Pd 또는 Pt이면, n1은 바람직하게는 2, 보다 바람직하게는 1이다.
본 발명의 양태에서, M1이 Co 또는 Fe, 특히 Ir 또는 Rh이고, m2가 0이고, n1이 1이고, m1이 2인 화학식 I의 화합물이 바람직하다.
본 발명의 또 다른 양태에서, M1이 Ni, Rh 또는 Ru, 특히 Pd 또는 Pt이고, m2가 0이고, n1이 1이고, m1이 1인 화학식 I의 화합물이 바람직하다.
화학식 의 그룹이 비사이클릭 친핵성 카르벤이면, 이는 바람직하게는 화학식 의 그룹(여기서, X 및 Y는 N, B 또는 P이다); 화학식 의 그룹(여기서, X1은 N 또는 P이고, Y1은 S 또는 O이다); 〉SiX2X3 또는 〉CZ5Z3(여기서, X2 및 X3은 서로 독립적으로 C1-C4알킬이고, R5, Z3, Z4, Z5 및 Z6은 하기 정의한 바와 같다)이다.
상기 명시된 그룹에 대하여 가능한 구체적인 예로는
화학식 의 사이클릭 카르벤(환 C)은 비사이클릭 카르벤에 대해 바람직하다. 환 C의 예로는 , 및 , 특히 , , , 및 [여기서, R5은 치환체, 예를 들면, 수소, 또는 C1-C8알킬, 할로겐, C1-C8알콕시 또는 페닐 그룹(여기서, 페닐 그룹은 할로겐, C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시로 임의로 치환될 수 있다), 특히 아릴(여기서, 아릴은 임의로 치환될 수 있다)로 임의로 치환될 수 있는 C1-C24알킬, C2-C24알케닐, C2-C24알키닐, C2-C24알콕시카보닐, C1-C24카복실레이트, C1-C24알콕시, C2-C24알케닐옥시, C2-C24알키닐옥시 또는 아릴옥시고, R6, Z1, Z2, Z3, Z4, Z5 및 Z6은 서로 독립적으로 수소, C1-C24알킬 및 C1-C24할로겐알킬, 특히 C1-C8퍼플루오로알킬, C2-C24알케닐, C2-C24알키닐, C2-C24알콕시카보닐, 임의로 치환될 수 있는 아릴, C1-C24카복실레이트, C1-C24알콕시, C2-C24알케닐옥시, C2-C24알키닐옥시 및 아릴옥시로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Z1, Z2, Z3 및 Z4는 각각 C1-C8알킬, 할로겐, C1-C8알콕시 또는 페닐 그룹(여기서, 페닐 그룹은 할로겐, C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시로 임의로 치환될 수 있다)으로 임의로 치환되거나, Z1과 Z2는, 가능하다면, 방향족 또는 헤테로방향족 환을 형성하고/하거나, Z3, Z4, Z5와 Z6은, 가능하다면, 알킬 또는 헤테로알킬 환을 형성한다]가 있다.
상기 양태에서, 화학식 의 리간드(L1)는 바람직하게는 화학식 의 그룹{여기서, R1 내지 R4는 치환체이고 함께 환을 형성할 수 있고, y는 0 또는 1, 특히 0이고, 화학식 의 그룹 C는 화학식 , 특히 , 매우 특히 , , , 또는 의 그룹(친핵성 카르벤)[여기서, R5은 수소, 또는 C1-C8알킬, 할로겐, C1-C8알콕시 또는 페닐 그룹(여기서, 페닐 그룹은 할로겐, C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시로 치환될 수 있다), 특히 아릴(여기서, 아릴은 임의로 치환될 수 있다)로 임의로 치환될 수 있는 C1-C24알킬, C2-C24알케닐, C2-C24알키닐, C2-C24알콕시카보닐, C1-C24카복실레이트, C1-C24알콕시, C2-C24알케닐옥시, C2-C24알키닐옥시 또는 아릴옥시와 같은 치환체이고, R6, Z1, Z2, Z3, Z4, Z5 및 Z6은 서로 독립적으로 수소, C1-C24알킬 및 C1-C24할로겐알킬, 특히 C1-C8퍼플루오로알킬, C2-C24알케닐, C2-C24알키닐, C2-C24알콕시카보닐, 아릴, C1-C24카복실레이트, C1-C24알콕시, C2-C24알케닐옥시, C2-C24알키닐옥시 및 아릴옥시로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Z1, Z2, Z3 및 Z4는 각각 C1-C8알킬, 할로겐, C1-C8알콕시 또는 페닐 그룹(여기서, 페닐 그룹은 할로겐, C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시로 임의로 치환될 수 있다)으로 임의로 치환되거나, Z1과 Z2는, 가능하다면, 방향족 또는 헤테로방향족 환을 형성하고/하거나, Z3, Z4, Z5와 Z6은, 가능하다면, 알킬 또는 헤테로알킬 환을 형성한다]이다}이다.
R1, R2, R3 및 R4는 서로 독립적으로 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -SO2X22, -CO2H, -CO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); C6H4CF3, 사이클로헥실, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐, 임의로 치환된 -O-CH2-C6-C10아릴, 특히 벤질옥시 또는 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시이다.
R1은 바람직하게는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬 또는 C1-C4알콕시이다. R2는 바람직하게는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -SO2X22, -CO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); C6H4CF3 또는 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시이다. R3은 바람직하게는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1- C4알콕시, -S-C1-C4알킬 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬이다. R4는 바람직하게는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl이다.
본 발명에 따르면, 금속 착물은 적어도 친핵성 카르벤 리간드를 포함한다. 즉, 금속 착물은 2개 또는 3개의 (또는 그 이상의) 친핵성 카르벤 리간드(L1)를 포함할 수 있다.
환 C의 특히 바람직한 예로는 , , , , , , 또는 (여기서, R5 , Z1 , Z2 , Z3 및 Z4는 상기 정의한 바와 같다)가 있다. R5는 바람직하게는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이다. Z1은 바람직하게는 C1-C4퍼플루오로알킬 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이다. 바람직한 양태에서, R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고, Z1은 C1-C4퍼플루오로알킬이다.
임의로 치환된 C6-C10아릴 그룹은 특히 하나 이상의 C1-C4알킬 그룹, C1-C4퍼 플루오로알킬 그룹 및/또는 불소 원자로 치환된 페닐 그룹이다. 화학식 의 그룹의 예로는 , , , 및 가 있다.
리간드 L1의 특히 바람직한 예로는 , , 및 [여기서, R1은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬 또는 C1-C4알콕시이고, R2는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -SO2X22, -CO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); C6H4CF3 또는 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시이고, R3은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬이고, R4는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고, R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고, Z1은 C1-C4퍼플루오로알킬 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이다]가 있다.
바람직한 환 B는 페닐 그룹, 치환된 페닐 그룹, 나프틸 그룹, 치환된 나프틸 그룹, 푸릴 그룹, 치환된 푸릴 그룹, 벤조푸릴 그룹, 치환된 벤조푸릴 그룹, 티에닐 그룹, 치환된 티에닐 그룹, 벤조티에닐 그룹, 치환된 벤조티에닐 그룹 등을 포함한다. 치환된 페닐 그룹, 치환된 나프틸 그룹, 치환된 푸릴 그룹, 치환된 벤조푸릴 그룹, 치환된 티에닐 그룹 및 치환된 벤조티에닐 그룹에서 치환체는 C1-C24알킬 그룹, C2-C24알케닐 그룹, C2-C24알키닐 그룹, 아릴 그룹, 헤테로아릴 그룹, C1-C24알콕시 그룹, C1-C24알킬티오 그룹, 시아노 그룹, C2-C24아실 그룹, C1-C24알킬옥시카보닐 그룹, 니트로 그룹, 할로겐 원자, 알킬렌디옥시 그룹 등을 포함한다.
상기한 양태에서, 화학식 의 리간드(L2)는 바람직하게는 화학식 의 그룹[여기서, R6, R7, R8 및 R9는 서로 독립적으로 수소, C1-C24알킬, C2-C24알케닐, C2-C24알키닐, 아릴, 헤테로아릴, C1-C24알콕시, C1-C24알킬티오, 시아노, 아실, 알킬옥시카보닐, 니트로 그룹 또는 할로겐 원자이거나, 서로 인접한 R6, R7, R8 및 R9 중의 2개의 치환체는 함께 화학식 의 그룹(여기서, R205, R206, R207 및 R208은 서로 독립적으로 H 또는 C1-C8알킬이다)을 형성하고, 환 A는 임의로 치환된 아릴 또는 헤테로아릴 그룹이거나, 환 A는 당해 환 A에 결합된 상기 피리딜 그룹과 함께 환을 형성할 수 있고, R6, R7, R8 및 R9로 표시된 알킬 그룹, 알케닐 그룹, 알키닐 그룹, 아릴 그룹, 헤테로아릴 그룹, 알콕시 그룹, 알킬티오 그룹, 아실 그룹 및 알킬옥시카보닐 그룹은 치환될 수 있다]이다.
리간드 L2의 바람직한 종류의 예로는 화학식 의 화합물[여기서, Y는 S, O, NR200(여기서, R200은 수소, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이다), -(CH2)r-Ar(여기서, Ar은 임의로 치환된 C6-C10아릴이 다), 특히 , , , , , , 그룹 -(CH2)r'X20(여기서, r'는 1 내지 5의 정수이고, X20은 할로겐, 특히 F 또는 Cl이다); 하이드록시, 시아노, -O-C1-C4알킬, 디(C1-C4알킬)아미노, 아미노 또는 시아노; 그룹 -(CH2)rOC(O)(CH2)r''CH3(여기서, r은 1 또는 2이고, r''는 0 또는 1이다); , -NH-Ph, -C(O)CH3, -CH2-O-(CH2)2-Si(CH3)3 또는 이다], 특히 화학식 의 화합물이 있다.
리간드 L2의 또 다른 바람직한 종류는 유럽 공개특허공보 제04102981.0호에 기재되어 있고, 이들 중 화학식 또는 화학식 의 화합물[여기서, Q1 및 Q2는 서로 독립적으로 수소, C1-C24알킬 또는 C6-C18아릴이고, A21은 수소이 고, A22는 수소 또는 C6-C10아릴이고, A23은 수소 또는 C6-C10아릴이고, A24는 수소이거나, A23과 A24 또는 A23과 A24는 함께 화학식 의 그룹(여기서, R205, R206, R207 및 R208은 서로 독립적으로 H 또는 C1-C8알킬이다)을 형성하고, R42는 H, F, C1-C4알킬, C1-C8알콕시 또는 C1-C4퍼플루오로알킬이고, R43은 H, F, C1-C4알킬, C1-C8알콕시, C1-C4퍼플루오로알킬 또는 C6-C10아릴이고, R44는 H, F, C1-C4알킬, C1-C8알콕시 또는 C1-C4퍼플루오로알킬이고, R45는 H, F, C1-C4알킬, C1-C8알콕시 또는 C1-C4퍼플루오로알킬이다]이 유리하게는 본 발명에 따라 사용될 수 있다.
리간드 L2의 또 다른 바람직한 종류는 화학식 의 화합물[여기서, R6은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고, R7은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또 는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고, R8은 수소, C1-C4알킬, C1-C8알콕시, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고, R9는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고, A10은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고, A11은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고, A12는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 하이드록시, 머캅토, 아미노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -S-C1-C4알킬, 그룹 -(CH2)rX20(여기서, r은 1 또는 2이고, X20은 할로겐, 특히 F 또는 Cl이다); 하이드록 시, 시아노, -O-C1-C4알킬, 디(C1-C4알킬)아미노, -CO2X21(여기서, X21은 H 또는 C1-C4알킬이다); -CH=CHCO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); -CH(O), -SO2X23, -SOX23, -NC(O)X23, -NSO2X23, -NHX23, -N(X23)2(여기서, X23은 C1-C4알킬이다); 트리(C1-C4알킬)실록산일, 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시, 사이클로헥실, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고, A13은 수소, 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴이다]이다.
L2의 특정한 예로는 하기 화학식 VI-1 내지 화학식 VI-53의 화합물이 있다.
이들 중에서 화학식 VI-1 내지 화학식 VI-47의 화합물이 특별히 중요하다.
리간드 L3은 바람직하게는 (1가 음이온성) 2좌 리간드이다. 일반적으로 이러한 리간드는 배위 원자로서 N, O, P 또는 S를 갖고 이리듐에 배위될 때 5원 또는 6원 환을 형성한다. 적합한 배위 그룹은 아미노, 이미노, 아미도, 알콕사이드, 카복실레이트, 포스피노, 티올레이트 등을 포함한다. 당해 리간드에 대한 적합한 모 화합물의 예로는 β-디카보닐(β-엔올레이트 리간드) 및 이들의 N 및 S 동족체; 아미노 카복실산(아미노카복실레이트 리간드); 피리딘 카복실산(이미노카복실레이트 리간드); 살리실산 유도체(살리실레이트 리간드); 하이드록시퀴놀린(하이드록시퀴놀리네이트 리간드) 및 이들의 S 동족체; 및 디아릴포스피노알칸올(디아릴포스피노알콕사이드 리간드)을 포함한다.
2좌 리간드 L3의 예로는
(여기서, R11 및 R15는 서로 독립적으로 수소, C1-C8알킬, C6-C18아릴, C2-C10헤테로아릴 또는 C1-C8퍼플루오로알킬이고, R12 및 R16은 서로 독립적으로 수소 또는 C1-C8알킬이고, R13 및 R17은 서로 독립적으로 수소, C1-C8알킬, C6-C18아릴, C2-C10헤테로아릴, C1-C8퍼플루오로알킬 또는 C1-C8알콕시이고, R14는 C1-C8알킬, C6-C10아릴, C7-C11아르알킬 또는 C1-C8알콕시이고, R18은 C6-C10아릴이고, R19는 C1-C8알킬이고, R20은 C1-C8알킬 또는 C6-C10아릴이고, R21은 수소, 또는 부분 또는 완전 플루오르화될 수 있는 C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시이고, R22 및 R23은 서로 독립적으로 Cn(H+F)2n+1 또는 C6(H+F)5이고, R24는, 각각의 경우, 동일하거나 상이할 수 있고 H 및 Cn(H+F)2n+1 중에서 선택되고, p는 2 또는 3이고, R46은 C1-C8알킬, C6-C18아릴, C1-C8알콕시, 또는 C1-C8알킬로 치환된 C6-C18아릴이다)가 있다.
화학식 의 적합한 포스피노 알콕사이드 리간드(국제 공개공보 제WO03040256호)의 예로는 3-(디페닐포스피노)-1-옥시프로판[dppO], 1,1-비스(트리플루오로메틸)-2-(디페닐포스피노)-에톡사이드[tfmdpeO]가 있다.
리간드 L3이 유도되는 화학식 의 특히 적합한 화합물 HL3의 예로는 (2,4-펜탄디오네이트[acac]), , , , (2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트[TMH]), , , (1,3-디페닐-1,3-프로판디오네이트[DI]), , (4,4,4-트리플루오로-1-(2-티에닐)-1,3-부탄디오네이트[TTFA]), (7,7-디메틸-1,1,1,2,2,3,3-헵타플루오로-4,6-옥탄디오네이트[FOD]), (1,1,1,3,5,5,5-헵타플루오로-2,4-펜탄디오네이트[F7acac]), (1,1,1,5,5,5-헥사플루오로-2,4-펜탄디오네이트[F6acac]),
, , , , , , , (1-페닐-3-메틸-4-i-부티릴-피라졸이노네이트[FMBP]), 및 를 포함한다. 하이드록시퀴놀린 모 화합물 HL3은 부분 또는 완전 플루오르화될 수 있는 알킬 또는 알콕시 그룹과 같은 그룹으로 치환될 수 있다.
8-하이드록시퀴날딘, 7-N-프로필-8-하이드록시퀴놀린, 5,7-디메틸-8-하이드록시퀴놀린, 2-페닐-퀴놀린-8-올, 8-하이드록시-3-메틸퀴놀린, 4-아크리디놀, 5,7-디브로모-8-하이드록시퀴놀린, 5,7-디클로로-8-하이드록시퀴놀린, 5-클로로-8-하이드록시-7-요오도퀴놀린, 5-클로로-8-하이드록시퀴놀린, 5,7-디요오도-8-하이드록시퀴놀린, 7-브로모-5-클로로-8-하이드록시퀴놀린, 5-플루오로-8-하이드록시퀴놀린, 2,5,7-트리클로로-퀴놀린-8-올, 5-하이드록시메틸-퀴놀린-8-올, 퀴놀린-2,8-디올, 5-니트로-퀴놀린-8-올, 6-니트로-퀴놀린-8-올, 5-아미노-8-하이드록시퀴놀린 디하이드로클로라이드, 5-니트로소-퀴놀린-8-올, 2-아미노-퀴놀린-8-올, 2-(부틸-퀴놀린-2-일-아미노)-퀴놀린-8-올, 7-피페리딘-1-일메틸-퀴놀린-8-올, 5-클로로-7-모르폴린-4-일메틸-퀴놀린-8-올, 8-하이드록시-5-니트로-퀴놀린-2-카브알데하이드, 8-하이드록시-퀴놀린-5-카브알데하이드, 8-하이드록시-5,7-디메틸-퀴놀린-2-카브알데하이드, 8-하이드록시-퀴놀린-2-카브알데하이드, 8-하이드록시-퀴놀린-2-카보니트릴, 2-하이드라지노-5,7-디메틸-퀴놀린-8-올, 5-옥틸옥시메틸-퀴놀린-8-올, 5-(클로로메틸)-8-퀴놀린올 하이드로클로라이드, 2-[(E)-2-(5-브로모-티오펜-2-일)-비닐]-퀴놀린-8-올, 2-[(E)-2-(2-브로모-페닐)-비닐]-퀴놀린-8-올 및 2-[(E)-2-(2-아미노-페닐)-비닐]-퀴놀린-8-올.
일반적으로, 상기한 화합물은 상업적으로 구입 가능하다. 특히 적합한 하이드록시퀴놀리네이트 리간드 L3의 예로는 8-하이드록시퀴놀리네이트[8hq], 2-메틸-8-하이드록시퀴놀리네이트[Me-8hq], 10-하이드록시벤조퀴놀리네이트[10-hbq]를 포함한다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 화학식 I의 금속 착물은 화학식 Ia의 화합물 및/또는 화학식 Ib의 화합물이다.
위의 화학식 Ia 및 화학식 Ib에서,
M1은 Co 또는 Fe, 특히 Ir 또는 Rh이고,
R1, R2, R3 및 R4는 수소 또는 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고,
R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고,
R6은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
R7은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
R8은 수소, C1-C4알킬, C1-C8알콕시, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
R9는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
A10은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케 닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A11은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A12는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 하이드록시, 머캅토, 아미노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -S-C1-C4알킬, 그룹 -(CH2)rX20(여기서, r은 1 또는 2이고, X20은 할로겐, 특히 F 또는 Cl이다); 하이드록시, 시아노, -O-C1-C4알킬, 디(C1-C4알킬)아미노, -CO2X21(여기서, X21은 H 또는 C1-C4알킬이다); -CH=CHCO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); -CH(O), -SO2X23, -SOX23, -NC(O)X23, -NSO2X23, -NHX23, -N(X23)2(여기서, X23은 C1-C4알킬이다); 트리(C1-C4알킬)실록산일, 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시, 사 이클로헥실, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A13은 수소, 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
Z1은 C1-C4퍼플루오로알킬 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이다.
특정한 화합물의 예로는 화학식 A-1 내지 화학식 A-320의 화합물 및 화학식 A'-1 내지 화학식 A'-320의 화합물(참조: 청구항 제7항)이 있다. 이들 중에서 화학식 A-1 내지 화학식 A-58의 화합물 및 화학식 A-60 내지 화학식 A-79의 화합물, 특히 화학식 A-1, 화학식 A-2, 화학식 A-4 내지 화학식 A-7, 화학식 A-10, 화학식 A-12, 화학식 A-17, 화학식 A-18, 화학식 A-23 내지 화학식 A-26, 화학식 A-32, 화학식 A-36, 화학식 A-39, 화학식 A-40, 화학식 A-42, 화학식 A-43, 화학식 A-45, 화학식 A-47 내지 화학식 A-50, 화학식 A-53 내지 화학식 A-55, 화학식 A-71, 화학식 A-72, 화학식 A-77 및 화학식 A-79의 화합물이 특히 중요하다. 이들 중에서 특히 산업상 중요한 화합물은 번호 1 내지 7, 9, 12, 17, 18, 24, 32, 34, 36, 38 내지 40, 42, 43, 45, 47, 49, 50, 53, 54, 71 내지 74, 76, 77, 80 내지 83, 85 내지 117, 119, 122, 127, 128, 134, 142, 144, 146, 148 내지 150, 152, 153, 155, 157, 159, 160, 163, 164, 181 내지 184, 186, 187, 190 내지 193, 195 내지 217, 219, 222, 227, 228, 234, 242, 244, 246, 248 내지 250, 252, 253, 255, 257, 259, 260, 263, 281 내지 284, 286, 287, 290 내지 293 및 295 내지 320의 상기 화학식 Ia 및 화학식 Ib의 화합물(여기서, M1은 Ir이다)에 상응하는 형태 A의 화합물뿐만 아니라 형태 A'의 화합물이다.
보다 바람직한 양태의 예로는 상기 화학식 Ib 또는 특히 화학식 Ia의 화합물(여기서, R1, R2, R3, R4, R6 및 A13은 각각 수소이고, R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 예를 들면, 페닐이고, Z1은 CF3, 페닐 또는 치환된 페닐이고, R7은 수소, F 또는 CF3이고, R8과 R9 중의 하나, 특히 R8은 수소, C1-C4알킬 또는 C1-C8알콕시이고, 다른 하나는 수소이거나, R8과 R9는, 이들이 결합된 탄소 원자와 함께, 어닐링된 방향족, 임의로 치환된 카보사이클릭 6원 환을 형성하고, 따라서 R8과 R9는 함께 예로서 2가 잔기 -CH=CH-CH=CH-가 되고, A10, A11 및 A12는 독립적으로 수소, F, CF3 및 CN 중에서 선택된다), 예를 들면, 다음 화학식의 화합물을 포함한다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 화학식 I의 금속 착물은 화학식 Ic의 화합물이다.
위의 화학식 Ic에서,
M1은 Co 또는 Fe, 특히 Ir 또는 Rh이고,
R1, R2, R3 및 R4는 수소 또는 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고,
R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고,
R6은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
R7은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
R8은 수소, C1-C4알킬, C1-C8알콕시, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
R9는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
A10은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A11은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A12는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 하이드록시, 머캅토, 아미노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -S-C1-C4알킬, 그룹 -(CH2)rX20(여기서, r은 1 또는 2이고, X20은 할로겐, 특히 F 또는 Cl이다); 하이드록시, 시아노, -O-C1-C4알킬, 디(C1-C4알킬)아미노, -CO2X21(여기서, X21은 H 또는 C1-C4알킬이다); -CH=CHCO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); -CH(O), -SO2X23, -SOX23, -NC(O)X23, -NSO2X23, -NHX23, -N(X23)2(여기서, X23은 C1-C4알 킬이다); 트리(C1-C4알킬)실록산일, 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시, 사이클로헥실, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A13은 수소, 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
Z1 및 Z2는 서로 독립적으로 C1-C4퍼플루오로알킬 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 수소이다.
특정한 화합물의 예로는 화학식 B-1 내지 화학식 B-110의 화합물 또는 화학식 B'-1 내지 화학식 B'-79의 화합물(참조: 청구항 제7항)이 있다. 이들 중에서 화학식 B'-1 내지 화학식 B'-79의 화합물, 특히 화학식 B'-1, 화학식 B'-2, 화학식 B'-4 내지 화학식 B'-7, 화학식 B'-10, 화학식 B'-12, 화학식 B'-17, 화학식 B'-18, 화학식 B'-24 내지 화학식 B'-26, 화학식 B'-32, 화학식 B'-34, 화학식 B'-36, 화학식 B'-39, 화학식 B'-40, 화학식 B'-42, 화학식 B'-43, 화학식 B'-45, 화학식 B'-47 내지 화학식 B'-50, 화학식 B'-53 내지 화학식 B'-55, 화학식 B'-71, 화학식 B'-72, 화학식 B'-76 및 화학식 B'-78의 화합물이 특히 중요하다. 특히 산업상 중요한 화합물은 번호 1 내지 7, 9, 12, 17, 18, 24, 32, 34, 36, 38 내지 40, 42, 43, 45, 47, 49, 50, 53, 54, 71 내지 74, 76, 77, 80 내지 83 및 85 내지 110의 상기 화학식 Ic의 화합물(여기서, M1은 Ir이다)에 상응하는 형태 B의 화합물이다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 화학식 I의 금속 착물은 화학식 Id의 화합물이다.
위의 화학식 Id에서,
M1은 Co 또는 Fe, 특히 Ir 또는 Rh이고,
R1, R2, R3 및 R4는 수소 또는 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고,
R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고,
R6은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
R7은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
R8은 수소, C1-C4알킬, C1-C8알콕시, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
R9는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
A10은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A11은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A12는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 하이드록시, 머캅토, 아미노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -S-C1-C4알킬, 그룹 -(CH2)rX20(여기서, r은 1 또는 2이고, X20은 할로겐, 특히 F 또는 Cl이다); 하이드록시, 시아노, -O-C1-C4알킬, 디(C1-C4알킬)아미노, -CO2X21(여기서, X21은 H 또는 C1-C4알킬이다); -CH=CHCO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); -CH(O), -SO2X23, -SOX23, -NC(O)X23, -NSO2X23, -NHX23, -N(X23)2(여기서, X23은 C1-C4알킬이다); 트리(C1-C4알킬)실록산일, 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시, 사이클로헥실, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A13은 수소, 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
Z1, Z2, Z3, Z4 및 Z5는 서로 독립적으로 수소, C1-C24알킬, C1-C24할로겐알킬, C1-C8퍼플루오로알킬, C2-C24알케닐, C2-C24알키닐, C2-C24알콕시카보닐, 임의로 치환될 수 있는 아릴, C1-C24카복실레이트, C1-C24알콕시, C2-C24알케닐옥시, C2-C24알키닐옥시 및 아릴옥시로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Z1, Z2, Z3 및 Z4는 각각 C1-C8알킬, 할로겐, C1-C8알콕시 또는 페닐 그룹(여기서, 페닐 그룹은 할로겐, C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시로 임의로 치환될 수 있다)으로 임의로 치환되거나, Z1과 Z2는, 가능하다면, 방향족 또는 헤테로방향족 환을 형성하고/하거나, Z3, Z4, Z5와 Z6은, 가능하다면, 알킬 또는 헤테로알킬 환을 형성한다.
특정한 화합물의 예로는 화학식 C-1 내지 화학식 C-110의 화합물(참조: 청구항 제7항)이 있다. 특히 산업상 중요한 화합물은 번호 1 내지 7, 9, 12, 17, 18, 24, 32, 34, 36, 38 내지 40, 42, 43, 45, 47, 49, 50, 53, 54, 71 내지 74, 76, 77, 80 내지 83 및 85 내지 110의 상기 화학식 Id의 화합물(여기서, M1은 Ir이다)에 상응하는 형태 C의 화합물이다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 화학식 I의 금속 착물은 화학식 Ie의 화합물이다.
위의 화학식 Ie에서,
M1은 Co 또는 Fe, 특히 Ir 또는 Rh이고,
R1은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬 또는 C1-C4알콕시이고,
R2는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -SO2X22, -CO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); C6H4CF3 또는 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시이고,
R3은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬이고,
R4는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고,
R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고,
Z1은 C1-C4퍼플루오로알킬 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이다.
특정한 화합물의 예로는 화학식 D-1 내지 화학식 D-90의 화합물(참조: 청구항 제7항)이 있다. 이들 중에서 화학식 D-1 내지 화학식 D-30의 화합물, 특히 화학식 D-2 내지 화학식 D-4, 화학식 D-6, 화학식 D-8, 화학식 D-9, 화학식 D-11, 화학식 D-22 내지 D-28 및 D-30의 화합물이 특히 중요하다. 특히 산업상 중요한 화합물은 번호 1 내지 4, 6, 8, 9, 11, 22 내지 24, 26 내지 28, 31 내지 34, 36, 38, 39, 41, 52 내지 54, 56 내지 58, 61 내지 64, 66, 68, 69, 71, 82 내지 84 및 86 내지 88의 상기 화학식 Ie의 화합물(여기서, M1은 Ir이다)에 상응하는 형태 D의 화합물이다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 화학식 I의 금속 착물은 화학식 If의 화합물이다.
위의 화학식 If에서,
M1은 Co 또는 Fe, 특히 Ir 또는 Rh이고,
R1은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬 또는 C1-C4알콕시이고,
R2는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -SO2X22, -CO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); C6H4CF3 또는 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시이고,
R3은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬이고,
R4는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고,
R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고,
Z1은 C1-C4퍼플루오로알킬 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이다.
특정한 화합물의 예로는 화학식 E-1 내지 화학식 E-90의 화합물(참조: 청구항 제7항)이 있다. 이들 중에서 화학식 E-1 내지 화학식 E-30의 화합물, 특히 화학식 E-2 내지 화학식 E-4, 화학식 E-6, 화학식 E-8, 화학식 E-9, 화학식 E-11 및 화학식 E-22 내지 화학식 E-29의 화합물이 특히 중요하다. 특히 산업상 중요한 화합물은 번호 1 내지 4, 6, 8, 9, 11, 22 내지 24, 26 내지 28, 31 내지 34, 36, 38, 39, 41, 52 내지 54, 56 내지 58, 61 내지 64, 66, 68, 69, 71, 82 내지 84 및 86 내지 88의 상기 화학식 If의 화합물(여기서, M1은 Ir이다)에 상응하는 형태 E의 화합물이다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 화학식 I의 금속 착물은 화학식 Ig의 화합물이다.
위의 화학식 Ig에서,
M1은 Co 또는 Fe, 특히 Ir 또는 Rh이고,
R1은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬 또는 C1-C4알콕시이고,
R2는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -SO2X22, -CO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); C6H4CF3 또는 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시이 고,
R3은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬이고,
R4는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고,
R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고,
Z1 및 Z2는 서로 독립적으로 수소, C1-C24알킬, C1-C24할로겐알킬, C1-C8퍼플루오로알킬, C2-C24알케닐, C2-C24알키닐, C2-C24알콕시카보닐, 아릴, 치환될 수 있는 아릴, C1-C24카복실레이트, C1-C24알콕시, C2-C24알케닐옥시, C2-C24알키닐옥시 및 아릴옥시로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Z1 및 Z2는 각각 C1-C8알킬, 할로겐, C1-C8알콕시 또는 페닐 그룹(여기서, 페닐 그룹은 할로겐, C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시로 임의로 치환될 수 있다)으로 임의로 치환되거나, Z1과 Z2는, 가능하다면, 방향족 또는 헤테로방향족 환을 형성한다.
Z1은 바람직하게는 C1-C4퍼플루오로알킬 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이다.
특정한 화합물의 예로는 화학식 F-1 내지 화학식 F-30의 화합물(참조: 청구항 제7항)이 있다. 특히 산업상 중요한 화합물은 번호 1 내지 4, 6, 8, 9, 11, 22 내지 24 및 26 내지 28의 상기 화학식 Ig의 화합물(여기서, M1은 Ir이다)에 상응하는 형태 F의 화합물이다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 화학식 I의 금속 착물은 화학식 Ih의 화합물이다.
위의 화학식 Ih에서,
M1은 Co 또는 Fe, 특히 Ir 또는 Rh이고,
R1은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬 또는 C1-C4알콕시이고,
R2는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루 오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -SO2X22, -CO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); C6H4CF3 또는 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시이고,
R3은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬이고,
R4는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고,
R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고,
Z1, Z2, Z3, Z4 및 Z5는 서로 독립적으로 수소, C1-C24알킬, C1-C24할로겐알킬, C1-C8퍼플루오로알킬, C2-C24알케닐, C2-C24알키닐, C2-C24알콕시카보닐, 임의로 치환될 수 있는 아릴, C1-C24카복실레이트, C1-C24알콕시, C2-C24알케닐옥시, C2-C24알키닐옥시 및 아릴옥시로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Z1, Z2, Z3 및 Z4는 각각 C1-C8알킬, 할로겐, C1-C8알콕시 또는 페닐 그룹(여기서, 페닐 그룹은 할로겐, C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시로 임의로 치환될 수 있다)으로 임의로 치환되거나, Z1과 Z2는, 가능하다면, 방향족 또는 헤테로방향족 환을 형성하고/하거나, Z3, Z4, Z5와 Z6은, 가능하다면, 알킬 또는 헤테로알킬 환을 형성한다.
Z1은 바람직하게는 C1-C4퍼플루오로알킬 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이다.
특정한 화합물의 예로는 화학식 G-1 내지 화학식 G-30의 화합물(참조: 청구항 제7항)이 있다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 화학식 I의 금속 착물은 화학식 Ii 및/또는 화학식 Ij의 화합물이다.
위의 화학식 Ii 및 화학식 Ij에서,
M1은 Ni, Rh 또는 Ru, 특히 Pd 또는 Pt이고,
R1, R2, R3 및 R4는 수소 또는 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고,
R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고,
R6은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
R7은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
R8은 수소, C1-C4알킬, C1-C8알콕시, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
R9는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
A10은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트 리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A11은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A12는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 하이드록시, 머캅토, 아미노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -S-C1-C4알킬, 그룹 -(CH2)rX20(여기서, r은 1 또는 2이고, X20은 할로겐, 특히 F 또는 Cl이다); 하이드록시, 시아노, -O-C1-C4알킬, 디(C1-C4알킬)아미노, -CO2X21(여기서, X21은 H 또는 C1-C4알킬이다); -CH=CHCO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); -CH(O), -SO2X23, -SOX23, -NC(O)X23, -NSO2X23, -NHX23, -N(X23)2(여기서, X23은 C1-C4알킬이다); 트리(C1-C4알킬)실록산일, 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시, 사이클로헥실, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루 오로아릴, 특히 C6F5이고,
A13은 수소, 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
Z1은 C1-C4퍼플루오로알킬 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이다.
특정한 화합물의 예로는 화학식 H-1 내지 화학식 H-320의 화합물 및 화학식 H'-1 내지 화학식 H'-330의 화합물(참조: 청구항 제7항)이 있다. 이들 중에서 화학식 H-1 내지 화학식 H-58, 화학식 H-60 내지 화학식 H-79, 화학식 H'-1 내지 화학식 H'-58의 화합물 및 화학식 H'-60 내지 화학식 H'-79의 화합물; 특히 화학식 H-1, 화학식 H-2, 화학식 H-4 내지 화학식 H-7, 화학식 H-10, 화학식 H-12, 화학식 H-17, 화학식 H-18, 화학식 H-24 내지 화학식 H-26, 화학식 H-32, 화학식 H-34, 화학식 H-36, 화학식 H-39, 화학식 H-40, 화학식 H-42, 화학식 H-43, 화학식 H-45, 화학식 H-47 내지 화학식 H-50, 화학식 H-53 내지 H-55, 화학식 H-71, 화학식 H-72, 화학식 H-76, 화학식 H-78, 화학식 H'-1, 화학식 H'-2, 화학식 H'-4 내지 화학식 H'-7, 화학식 H'-10, 화학식 H'-12, 화학식 H'-17, 화학식 H'-18, 화학식 H'-24 내지 화학식 H'-26, 화학식 H'-32, 화학식 H'-34, 화학식 H'-36, 화학식 H'-39, 화학식 H'-40, 화학식 H'-42, 화학식 H'-43, 화학식 H'-45, 화학식 H'-47 내지 화학식 H'-50, 화학식 H'-53 내지 화학식 H'-55, 화학식 H'-71, 화학식 H'-76 및 화학식 H'-78의 화합물이 특히 중요하다. 특히 산업상 중요한 화합물은 번호 1 내지 7, 9, 12, 17, 18, 24, 32, 34, 36, 38 내지 40, 42, 43, 45, 47, 49, 50, 53, 54, 71 내지 74, 76, 77, 80 내지 83, 85 내지 117, 119, 127, 128, 134, 142, 144, 146, 148 내지 150, 152, 153, 155, 157, 159, 160, 163, 164, 181 내지 184, 186, 187, 190 내지 193, 195 내지 219, 222, 227, 228, 234, 242, 244, 246, 248 내지 250, 252, 253, 255, 257, 259, 260, 263, 264, 281 내지 284, 286, 287, 290 내지 293 및 295 내지 320의 상기 화학식 Ii의 화합물(여기서, M1은 Pt이다)에 상응하는 형태 H의 화합물 또는 번호 1 내지 7, 9, 12, 17, 18, 24, 32, 34, 36, 38 내지 40, 42, 43, 45, 47, 49, 50, 53, 54, 71 내지 74, 76, 77, 80 내지 83, 85 내지 117, 119, 127, 128, 134, 142, 144, 146, 148 내지 150, 152, 153, 155, 157, 159, 160, 163, 164, 181 내지 184, 186, 187, 190 내지 193, 195 내지 227, 229, 232, 237, 238, 244, 252, 254, 256, 258 내지 260, 262, 263, 265, 267, 269, 270, 273, 274, 291 내지 294, 296, 297, 300 내지 303 및 305 내지 330의 상기 화학식 Ij의 화합물(여기서, M1은 Pt이다)에 상응하는 형태 H'의 화합물이다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 화학식 I의 금속 착물은 화학식 Ik의 화합물이다.
위의 화학식 Ik에서,
M1은 Ni, Rh 또는 Ru, 특히 Pd 또는 Pt이고,
R1, R2, R3 및 R4는 수소 또는 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고,
R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고,
R6은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
R7은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
R8은 수소, C1-C4알킬, C1-C8알콕시, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6- C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
R9는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
A10은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A11은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A12는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 하이드록시, 머캅토, 아미노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -S-C1-C4알킬, 그룹 -(CH2)rX20(여기서, r은 1 또는 2이고, X20은 할로겐, 특히 F 또 는 Cl이다); 하이드록시, 시아노, -O-C1-C4알킬, 디(C1-C4알킬)아미노, -CO2X21(여기서, X21은 H 또는 C1-C4알킬이다); -CH=CHCO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); -CH(O), -SO2X23, -SOX23, -NC(O)X23, -NSO2X23, -NHX23, -N(X23)2(여기서, X23은 C1-C4알킬이다); 트리(C1-C4알킬)실록산일, 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시, 사이클로헥실, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A13은 수소, 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
Z1 및 Z2는 서로 독립적으로 수소, C1-C24알킬, C1-C24할로겐알킬, C1-C8퍼플루오로알킬, C2-C24알케닐, C2-C24알키닐, C2-C24알콕시카보닐, 아릴, 치환될 수 있는 아릴, C1-C24카복실레이트, C1-C24알콕시, C2-C24알케닐옥시, C2-C24알키닐옥시 및 아릴옥시로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Z1 및 Z2는 각각 C1-C8알킬, 할로겐, C1-C8알콕시 또는 페닐 그룹(여기서, 페닐 그룹은 할로겐, C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시로 임의로 치환될 수 있다)으로 임의로 치환되거나, Z1과 Z2는, 가능하다면, 방향족 또는 헤테로방향족 환을 형성한다.
특정한 화합물의 예로는 화학식 I-1 내지 화학식 I-110의 화합물(참조: 청구항 제7항)이 있다. 특히 산업상 중요한 화합물은 번호 1 내지 7, 9, 12, 17, 18, 24, 32, 34, 36, 38 내지 40, 42, 43, 45, 47, 49, 50, 53, 54, 71 내지 74, 76, 77, 80 내지 83 및 85 내지 110의 상기 화학식 Ik의 화합물(여기서, M1은 Pt이다)에 상응하는 형태 I의 화합물이다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 화학식 I의 금속 착물은 화학식 Il의 화합물이다.
위의 화학식 Il에서,
M1은 Ni, Rh 또는 Ru, 특히 Pd 또는 Pt이고,
R1, R2, R3 및 R4는 수소 또는 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고,
R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고,
R6은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
R7은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
R8은 수소, C1-C4알킬, C1-C8알콕시, C1-C4퍼플루오로알킬, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
R9는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
A10은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A11은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일, 특히 트리(메틸)실란일, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A12는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 하이드록시, 머캅토, 아미노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -S-C1-C4알킬, 그룹 -(CH2)rX20(여기서, r은 1 또는 2이고, X20은 할로겐, 특히 F 또는 Cl이다); 하이드록시, 시아노, -O-C1-C4알킬, 디(C1-C4알킬)아미노, -CO2X21(여기서, X21은 H 또는 C1-C4알킬이다); -CH=CHCO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); -CH(O), -SO2X23, -SOX23, -NC(O)X23, -NSO2X23, -NHX23, -N(X23)2(여기서, X23은 C1-C4알킬이다); 트리(C1-C4알킬)실록산일, 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시, 사이클로헥실, 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐 또는 임의로 치환된 C6-C10퍼플루오로아릴, 특히 C6F5이고,
A13은 수소, 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, C1-C4퍼플루오로알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 트리(C1-C4알킬)실란일 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이고,
Z1, Z2, Z3 및 Z4는 서로 독립적으로 수소, C1-C24알킬, C1-C24할로겐알킬, C1-C8퍼플루오로알킬, C2-C24알케닐, C2-C24알키닐, C2-C24알콕시카보닐, 아릴, 치환될 수 있는 아릴, C1-C24카복실레이트, C1-C24알콕시, C2-C24알케닐옥시, C2-C24알키닐옥시 및 아릴옥시로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Z1, Z2, Z3 및 Z4는 각각 C1-C8알킬, 할로겐, C1-C8알콕시 또는 페닐 그룹(여기서, 페닐 그룹은 할로겐, C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시로 임의로 치환될 수 있다)으로 임의로 치환되거나, Z1과 Z2는, 가능하다면, 방향족 또는 헤테로방향족 환을 형성하고/하거나, Z3과 Z4는, 가능하다면, 알킬 또는 헤테로알킬 환을 형성한다.
특정한 화합물의 예로는 화학식 J-1 내지 화학식 J-110의 화합물(참조: 청구항 제7항)이 있다. 특히 산업상 중요한 화합물은 번호 1 내지 7, 9, 12, 17, 18, 24, 32, 34, 36, 38 내지 40, 42, 43, 45, 47, 49, 50, 53, 54, 71 내지 74, 76, 77, 80 내지 83 및 85 내지 110의 상기 화학식 Il의 화합물(여기서, M1은 Pt이다)에 상응하는 형태 J의 화합물이다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 화학식 I의 금속 착물은 화학식 Im 및/또는 화학식 In의 화합물이다.
위의 화학식 Im 및 화학식 In에서,
M1은 Ni, Rh 또는 Ru, 특히 Pd 또는 Pt이고,
R1은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬 또는 C1-C4알콕시이고,
R2는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -SO2X22, -CO2X22(여기 서, X22는 C1-C4알킬이다); C6H4CF3 또는 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시이고,
R3은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬이고,
R4는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고,
R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고,
Z1은 C1-C4퍼플루오로알킬 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이다.
특정한 화합물의 예로는 화학식 K-1 내지 화학식 K-90의 화합물 및 화학식 K'-1 내지 화학식 K'-90의 화합물(참조: 청구항 제7항)이 있다. 이들 중에서 화학식 K-1 내지 화학식 K-30 및 화학식 K'-1 내지 화학식 K'-30의 화합물; 특히 화학식 K-2 내지 화학식 K-4, 화학식 K-6, 화학식 K-8, 화학식 K-9, 화학식 K-11, 화학식 K-15 및 화학식 K-22 내지 화학식 K-28, 화학식 K'-2 내지 화학식 K'-4, 화학식 K'-6, 화학식 K'-8, 화학식 K'-9, 화학식 K'-11, 화학식 K'-15 및 화학식 K'-22 내지 화학식 K'-28의 화합물이 특히 중요하다. 특히 산업상 중요한 화합물은 번호 1 내지 6, 8, 9, 11, 23 내지 25, 27 내지 29, 31 내지 36, 38, 39, 41, 52 내지 54, 56 내지 58, 61 내지 66, 68, 69, 71, 82 내지 84 및 86 내지 88의 상기 화학식 Im 및 화학식 In의 화합물(여기서, M1은 Pt이다)에 상응하는 형태 K 및 형태 K'의 화합물이다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 화학식 I의 금속 착물은 화학식 Io의 화합물이다.
위의 화학식 Io에서,
M1은 Ni, Rh 또는 Ru, 특히 Pd 또는 Pt이고,
R1은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬 또는 C1-C4알콕시이고,
R2는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -SO2X22, -CO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); C6H4CF3 또는 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시이 고,
R3은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬이고,
R4는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고,
R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고,
Z1 및 Z2는 서로 독립적으로 수소, C1-C24알킬, C1-C24할로겐알킬, C1-C8퍼플루오로알킬, C2-C24알케닐, C2-C24알키닐, C2-C24알콕시카보닐, 아릴, 치환될 수 있는 아릴, C1-C24카복실레이트, C1-C24알콕시, C2-C24알케닐옥시, C2-C24알키닐옥시 및 아릴옥시로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Z1 및 Z2는 각각 C1-C8알킬, 할로겐, C1-C8알콕시 또는 페닐 그룹(여기서, 페닐 그룹은 할로겐, C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시로 임의로 치환될 수 있다)으로 임의로 치환되거나, Z1과 Z2는, 가능하다면, 방향족 또는 헤테로방향족 환을 형성한다.
Z1은 바람직하게는 C1-C4퍼플루오로알킬 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이다.
특정한 화합물의 예로는 화학식 L-1 내지 화학식 L-30의 화합물(참조: 청구항 제7항)이 있다. 특히 산업상 중요한 화합물은 번호 1 내지 6, 8, 9, 11, 22 내지 24 및 26 내지 28의 상기 화학식 Io의 화합물(여기서, M1은 Pt이다)에 상응하는 형태 L의 화합물이다.
본 발명의 바람직한 양태에서, 화학식 I의 금속 착물은 화학식 Ip의 화합물이다.
위의 화학식 Ip에서,
M1은 Ni, Rh 또는 Ru, 특히 Pd 또는 Pt이고,
R1은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬 또는 C1-C4알콕시이고,
R2는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루 오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -SO2X22, -CO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다); C6H4CF3 또는 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴, 특히 펜옥시이고,
R3은 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl; 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬이고,
R4는 수소, 할로겐, 특히 F 또는 Cl이고,
R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬, 특히 페닐이고,
Z1, Z2, Z3 및 Z4는 서로 독립적으로 수소, C1-C24알킬, C1-C24할로겐알킬, C1-C8퍼플루오로알킬, C2-C24알케닐, C2-C24알키닐, C2-C24알콕시카보닐, 아릴, 치환될 수 있는 아릴, C1-C24카복실레이트, C1-C24알콕시, C2-C24알케닐옥시, C2-C24알키닐옥시 및 아릴옥시로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Z1, Z2, Z3 및 Z4는 각각 C1-C8알킬, 할로겐, C1-C8알콕시 또는 페닐 그룹(여기서, 페닐 그룹은 할로겐, C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시로 임의로 치환될 수 있다)으로 임의로 치환되거나, Z1과 Z2는, 가능하다면, 방향족 또는 헤테로방향족 환을 형성하고/하거나, Z3, Z4, Z5와 Z6은, 가능하다면, 알킬 또는 헤테로알킬 환을 형성한다.
Z1은 바람직하게는 C1-C4퍼플루오로알킬 또는 임의로 치환된 C6-C10아릴, 특히 페닐이다.
특정한 화합물의 예로는 화학식 M-1 내지 화학식 M-30의 화합물(참조: 청구항 제7항)이 있다. 특히 산업상 중요한 화합물은 번호 1 내지 6, 8, 9, 11, 22 내지 24 및 26 내지 28의 상기 화학식 Ip의 화합물(여기서, M1은 Pt이다)에 상응하는 형태 L의 화합물이다.
추가의 특정한 화합물의 예로는 하기 도시되어 있다.
할로겐은 불소, 염소, 브롬 및 요오드이다.
C1-C24알킬, 특히 C1-C8알킬은 측쇄형 또는 직쇄형 라디칼, 예를 들면, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, 2급-부틸, 이소부틸, 3급-부틸, 2-에틸부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 1-메틸펜틸, 1,3-디메틸-부틸, n-헥실, 1-메틸헥실, n-헵틸, 이소헵틸, 1,1,3,3-테트라메틸부틸, 1-메틸헵틸, 3-메틸헵틸, n-옥틸, 2-에틸헥실, 1,1,3-트리메틸헥실, 1,1,3,3-테트라메틸펜틸, 노닐, 데실, 운데실, 1-메틸운데실, 도데실, 1,1,3,3,5,5-헥사메틸헥실, 트리데실, 테트라데실, 펜타데실, 헥사데실, 헵타데실, 옥타데실, 아이코실 또는 도코실이다.
C1-C24퍼플루오로알킬, 특히 C1-C4퍼플루오로알킬은 측쇄형 또는 직쇄형 라디칼, 예를 들면, -CF3, -CF2CF3, -CF2CF2CF3, -CF(CF3)2, -(CF2)3CF3 및 -C(CF3)3이다.
C1-C24알콕시 라디칼은 직쇄형 또는 측쇄형 알콕시 라디칼, 예를 들면, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 2급-부톡시, 3급-부톡시, 아밀옥시, 이소아밀옥시, 3급-아밀옥시, 헵틸옥시, 옥틸옥시, 이소옥틸옥시, 노닐옥시, 데실옥시, 운데실옥시, 도데실옥시, 테트라데실옥시, 펜타데실-옥시, 헥사데실옥시, 헵타데실옥시 또는 옥타데실옥시이다.
C2-C24알케닐 라디칼은 직쇄형 또는 측쇄형 알케닐 라디칼, 예를 들면, 비닐, 알릴, 메트알릴, 이소프로펜일, 2-부텐일, 3-부텐일, 이소부텐일, n-펜타-2,4-디에닐, 3-메틸-부트-2-엔일, n-옥트-2-엔일, n-도데크-2-엔일, 이소도데센일, n-도데크-2-엔일 또는 n-옥타데크-4-엔일이다.
C2 - 24알키닐은 직쇄형 또는 측쇄형이고, 바람직하게는 치환되지 않거나 치환될 수 있는 C2 - 8알키닐, 예를 들면, 에틴일, 1-프로핀-3-일, 1-부틴-4-일, 1-펜틴-5-일, 2-메틸-3-부틴-2-일, 1,4-펜타디인-3-일, 1,3-펜타디인-5-일, 1-헥신-6-일, 시스-3-메틸-2-펜텐-4-인-1-일, 트랜스-3-메틸-2-펜텐-4-인-1-일, 1,3-헥사디인-5-일, 1-옥틴-8-일, 1-노닌-9-일, 1-데신-10-일 또는 1-테트라코신-24-일이다.
C4-C18사이클로알킬, 특히 C5-C12사이클로알킬은 바람직하게는 C5-C12사이클로알킬 또는 1개 내지 3개의 C1-C4알킬 그룹으로 치환된 C5-C12사이클로알킬, 예를 들면, 사이클로펜틸, 메틸사이클로펜틸, 디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 메틸사이클로헥실, 디메틸사이클로헥실, 트리메틸사이클로헥실, 3급-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 사이클로노닐, 사이클로데실, 사이클로도데실, 1-아다만틸 또는 2-아다만틸이다. 사이클로헥실, 1-아다만틸 및 사이클로펜틸이 가장 바람직하다.
S, O 또는 NR5로 차단된 C4-C18사이클로알킬의 예로는 피페리딜, 피페라지닐 및 모르폴리닐이 있다.
아릴은 일반적으로 C6-C30아릴, 바람직하게는 임의로 치환될 수 있는 C6-C24아릴, 예를 들면, 페닐, 4-메틸페닐, 4-메톡시페닐, 나프틸, 바이페닐일, 2-플루오레닐, 펜안트릴, 안트릴, 테트라실, 펜타실, 헥사실, 테르페닐일 또는 쿠아드페닐일; 또는 1개 내지 3개의 C1-C4알킬 그룹으로 치환된 페닐, 예를 들면 o-메틸페닐, m-메틸페닐, p-메틸페닐, 2,3-디메틸페닐, 2,4-디메틸페닐, 2,5-디메틸페닐, 2,6-디메틸페닐, 3,4-디메틸페닐, 3,5-디메틸페닐, 2-메틸-6-에틸페닐, 4-3급-부틸페닐, 2-에틸페닐 또는 2,6-디에틸페닐이다. C6-C10아릴의 중요한 예로 페닐 및 나프틸, 특히 페닐이 있다.
C7-C24아르알킬 라디칼은 바람직하게는 치환될 수 있는 C7-C15아르알킬 라디칼, 예를 들면, 벤질, 2-벤질-2-프로필, β-펜에틸, α-메틸벤질, α,α-디메틸벤질, ω-페닐-부틸, ω-페닐-옥틸, ω-페닐-도데실; 또는 페닐 환에서 1개 내지 3개의 C1-C4알킬 그룹으로 치환된 페닐-C1-C4알킬, 예를 들면, 2-메틸벤질, 3-메틸벤질, 4-메틸벤질, 2,4-디메틸벤질, 2,6-디메틸벤질, 4-3급-부틸벤질 또는 3-메틸-5-(1',1',3',3'-테트라메틸-부틸)-벤질이 있다.
헤테로아릴은 통상적으로 C2-C26헤테로아릴, 즉 5개 내지 7개의 환 원자를 갖는 환 또는 축합 환 시스템(여기서, 질소, 산소 또는 황은 가능한 헤테로 원자이다)이고, 통상적으로 6개 이상의 공액된 π 전자를 갖고 5개 내지 30개의 원자를 갖는 포화되지 않은 헤테로사이클릭 라디칼, 예를 들면, 치환되지 않거나 치환될 수 있는 티에닐, 벤조[b]티에닐, 디벤조[b,d]티에닐, 티안트렌일, 푸릴, 푸르푸릴, 2H-피라닐, 벤조푸라닐, 이소벤조푸라닐, 디벤조푸라닐, 펜옥시티에닐, 피롤릴, 이미다졸릴, 피라졸릴, 피리딜, 바이피리딜, 트리아지닐, 피리미디닐, 피라지닐, 피리다지닐, 인돌리지닐, 이소인돌일, 인돌일, 인다졸릴, 퓨리닐, 퀴놀리지닐, 신놀릴, 이소신놀릴, 프탈라지닐, 나프티리디닐, 신녹살린일, 신나졸리닐, 신놀린일, 프테리디닐, 카바졸릴, 카볼린일, 벤조트리아졸릴, 벤즈옥사졸릴, 펜안트리딘일, 아크리디닐, 페리미디닐, 펜안트롤리닐, 페나지닐, 이소티아졸릴, 페노티아지닐, 이속사졸릴, 푸라잔일 또는 펜옥사지닐이 있다.
C6-C18사이클로알콕시는, 예를 들면, 사이클로펜틸옥시, 사이클로헥실옥시, 사이클로헵틸옥시 또는 사이클로옥틸옥시, 또는 1개 내지 3개의 C1-C4알킬로 치환된 당해 사이클로알콕시, 예를 들면, 메틸사이클로펜틸옥시, 디메틸사이클로펜틸옥시, 메틸사이클로헥실옥시, 디메틸사이클로헥실옥시, 트리메틸사이클로헥실옥시 또는 3급-부틸사이클로헥실옥시이다.
C6-C24아릴옥시는 통상적으로 펜옥시 또는 1개 내지 3개의 C1-C4알킬 그룹으로 치환된 펜옥시, 예를 들면, o-메틸펜옥시, m-메틸펜옥시, p-메틸펜옥시, 2,3-디메틸펜옥시, 2,4-디메틸펜옥시, 2,5-디메틸펜옥시, 2,6-디메틸펜옥시, 3,4-디메틸펜옥시, 3,5-디메틸펜옥시, 2-메틸-6-에틸펜옥시, 4-3급-부틸펜옥시, 2-에틸펜옥시 또는 2,6-디에틸펜옥시이다.
C6-C24아르알콕시는 통상적으로 페닐-C1-C9알콕시, 예를 들면, 벤질옥시, α-메틸벤질옥시, α,α-디메틸벤질옥시 또는 2-페닐에톡시이다.
C1-C24알킬티오 라디칼은 직쇄형 또는 측쇄형 알킬티오 라디칼, 예를 들면, 메틸티오, 에틸티오, 프로필티오, 이소프로필티오, n-부틸티오, 이소부틸티오, 펜틸티오, 이소펜틸티오, 헥실티오, 헵틸티오, 옥틸티오, 데실티오, 테트라데실티오, 헥사데실티오 또는 옥타데실티오이다.
Z3, Z4, Z5 및 Z6에 의해 형성된 환의 예는 각각 탄소수 3 내지 7의 사이클로알칸, 또는 질소, 산소 및 황 중에서 선택된 추가의 헤테로 원자를 하나 이상 가질 수 있는 탄소수 3 내지 6의 헤테로사이클로알칸, 예를 들면, 하나 이상의 C1-C8알킬 그룹으로 임의로 치환될 수 있는 사이클로펜탄, 사이클로헥산, 피롤리딘, 피리미딘 또는 모르폴린이다.
Z1과 Z2에 의해 형성된 환의 예로는 질소, 산소 및 황 중에서 선택된 추가의 헤테로 원자를 하나 이상 가질 수 있고, 예를 들면, 벤젠과 같은 하나 이상의 C1-C8알킬 그룹으로 임의로 치환될 수 있는 탄소수 6 내지 10의 아릴 그룹이 있다.
상기 언급한 그룹의 가능한 치환체는 C1-C8알킬, 하이드록실 그룹, 머캅토 그룹, C1-C8알콕시, C1-C8알킬티오, 할로겐, 할로-C1-C8알킬, 시아노 그룹, 알데하이드 그룹, 케톤 그룹, 카복실 그룹, 에스테르 그룹, 카바모일 그룹, 아미노 그룹, 니트로 그룹 또는 실릴 그룹이 있다.
용어 "할로알킬"은 상기 언급한 알킬 그룹을 할로겐으로 부분적으로 또는 전체적으로 치환한 그룹, 예를 들면, 트리플루오로메틸 등을 의미한다. "알데하이드 그룹, 케톤 그룹, 에스테르 그룹, 카바모일 그룹 및 아미노 그룹"은 C1-C24알킬 그룹, C4-C18사이클로알킬 그룹, C6-C30아릴 그룹, C7-C24아르알킬 그룹 또는 헤테로사이클릭 그룹(여기서, 알킬 그룹, 사이클로알킬 그룹, 아릴 그룹, 아르알킬 그룹 및 헤테로사이클릭 그룹은 치환되지 않거나 치환될 수 있다)으로 치환된 것들을 포함한다. 용어 "실릴 그룹"은 화학식 -SiR105R106R107의 그룹(여기서, R105, R106 및 R107은 서로 독립적으로 C1-C8알킬 그룹, 특히 C1-C4알킬 그룹, C6-C24아릴 그룹 또는 C7-C12아르알킬그룹, 예를 들면, 트리메틸실릴 그룹이다)을 의미한다.
치환체가 그룹에서 1회 이상 존재하면, 이는, 각각의 경우, 상이할 수 있다.
테트라키스-(C^N)-μ-(디클로로)-디이리듐(III) 착물의 합성은, 예를 들면, 문헌[참조: M. Nonoyama, Bull. Chem. Soc. Jp. 1974, 47, 767; M.E. Thompson et al., J. Am. Chem. Soc., 2001, 123, 4304]에 기재된 절차에 따라 수행할 수 있다. (C^N) 리간드(L2)는 에탄올/물의 혼합물 중에서 이리듐(III) 클로라이드의 존재하에 120℃에서 8 내지 24시간 동안 교반한다. 여과 후, 생성물을 수득하고, 이를 추가로 정제하지 않고 합성의 다음 단계에서 사용한다.
카르벤을 5-메톡시-1,3,4-트리페닐-1,2,4(5H)-트리아졸린으로부터 제조하는 경우, 이는 5-메톡시-1,3,4-트리페닐-1,2,4(5H)-트리아졸린을 80℃에서 8 내지 24시간 동안 가열함으로써 수득한다. 화학식 X의 이리듐 이합체를 톨루엔 중의 카르벤의 용액에 첨가함으로써, 화학식 XI의 이리듐 착물을 수득한다. 화학식 XI의 이리듐 착물을, 예를 들면, 헥산 중에서 크로마토그래피 또는 침전으로 정제할 수 있다.
5-메톡시-1,3,4-트리페닐-1,2,4(5H)-트리아졸린은 상업적으로 구입 가능하거나 문헌[참조: D. Ender et al., Synthesis 2003, 8, 1292]에 기재된 절차에 따라 제조할 수 있다.
트리스-사이클로금속화 Ir(III) 착물의 합성은 테트라키스-(C^N)-μ-(디클로로)-디이리듐(III) 착물을 글리세롤 중에서 적절한 사이클로금속화 리간드 및 탄산칼륨과 같은 염기의 존재하에 가열함으로써 또는 문헌[참조: S. Kwon et al., Eur. J. Inorg. Chem. 2004, 3415; R. J. Wattse et al., Inorg Chem. 1991, 30, 1687]에 기재된 바대로 승온에서 Ir(acac)3의 존재하에 사이클로금속화 리간드의 반응에 의해 문헌[참조: M.E. Thompson et al., J. Am. Chem. Soc., 2003, 125, 7377]에서의 절차에 따라 수행할 수 있다. 또는, 트리스-사이클로금속화 Ir(III) 착물은 테트라키스-(C^N)-μ-(디클로로)-디이리듐(III)과 은 트리플레이트의 반응 후, 후속적인 적절한 사이클로금속화 리간드로의 처리에 의해 문헌[참조: M.C. DeRosa et al., J. Am. Chem. Soc., 2004, 126, 7619]에 기재된 바대로 제조할 수 있다.
일반적인 구조 C^NPt(μ-Cl)2PtC^N의 디클로라이드 브릿징된 이합체는 칼륨 테트라클로로플라티네이트와 2-에톡시에탄올 중의 사이클로금속화 리간드 전구체(HC^N)의 반응으로 문헌[참조: M.E. Thompson et al. in Inorg. Chem., 2002, 41(12), 3055]에 기재된 절차에 따라 제조할 수 있다.
K2PtCl4 + HC^N → C^NPt(μ-Cl)2PtC^N
상기 이합체를 문헌[참조: M.E. Thompson et al., Inorg. Chem., 2002, 41(12), 3055]에 기재된 바대로 염기 및 적절한 사이클로금속화 리간드의 존재하에 분리시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 금속 착물을 포함하는 전자 디바이스 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 전자 디바이스는 2개의 전기 접촉층(여기서, 디바이스의 하나 이상의 층은 금속 착화합물을 포함한다) 사이에 위치한 하나 이상의 유기 활성 물질을 포함할 수 있다. 전자 디바이스는 애노드 층(a), 캐소드 층(e) 및 활성층(c)을 포함할 수 있다. 임의의 홀 주입층/수송층(b)은 애노드 층(a)에 인접해 있고, 임의의 전자 주입층/수송층(d)은 캐소드 층(e)에 인접해 있다. 층(b) 및 층(d)는 전하 수송층의 예이다.
활성층(c)은 상기 기재된 금속 착물을 대략 1중량% 이상 포함할 수 있다.
몇몇의 양태에서, 활성층(c)은 Alq3과 같은 호스트 전하 수송 물질이 필요하지 않을 수 있으므로 실질적으로 100% 금속 착물일 수 있다. "실질적으로 100%"는 층을 형성하는 공정으로부터의 불순물 또는 우연한 부산물을 가능한 제외하고, 금속 착물이 층에서 유일한 물질이라는 것을 의미한다. 또한, 몇몇의 양태에서, 금속 착물은 일반적으로 활성층(c) 내에서 전하 수송을 돕는 데 사용할 수 있는 호스트 물질 내의 도펀트일 수 있다. 임의의 금속 착물을 포함하는 활성층(c)은 작은 분자 활성 물질일 수 있다.
디바이스는 애노드 층(a) 또는 캐소드 층(e)에 인접한 지지체 또는 기판(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 가장 흔히, 지지체는 애노드 층(a)에 인접한다. 지지체는 가요성 또는 강성의 유기물 또는 무기물일 수 있다. 일반적으로, 유리 또는 가요성 유기 필름을 지지체로서 사용한다. 애노드 층(a)은 캐소드 층(e)과 비교하여 홀을 주입하는 데 보다 효과적인 전극이다. 애노드는 금속, 혼합 금속, 합금, 금속 산화물 또는 혼합 금속 산화물을 함유하는 물질을 포함할 수 있다. 애노드 층(a) 내의 적합한 금속 원소는 4족, 5족, 6족 및 8족 내지 11족 전이 금속을 포함할 수 있다. 애노드 층(a)이 투광성이라면, 12족, 13족 및 14족 금속의 혼합 금속 산화물, 예를 들면, 인듐주석 산화물을 사용할 수 있다. 애노드 층(a)을 위한 물질의 몇몇 특정한 예로는 인듐주석 산화물("ITO"), 알루미늄주석 산화물, 금, 은, 구리, 니켈 및 셀레늄이 포함되지만, 이에 한정되지는 않는다.
애노드 층(a)은 화학 또는 물리 증기 증착 공정 또는 스핀 캐스트 공정에 의해 형성될 수 있다. 화학 증기 증착은 플라즈마 증진되는 화학 증기 증착("PECVD") 또는 금속 유기 화학 증기 증착("MOCVD")으로서 수행할 수 있다.
물리 증기 증착은 모든 형태의 스퍼터링(예: 이온 빔 스퍼터링), e 빔 증발 및 저항 증발을 포함할 수 있다.
특정한 형태의 물리 증기 증착은 RF 마그네트론 스퍼터링 또는 유도 결합 플라즈마 물리 증기 증착("ICP-PVD"; inductively-coupled plasma physical vapor deposition)을 포함한다. 이러한 증착 기술은 반도체 제조 분야에서 널리 공지되어 있다.
홀 수송층(b)은 애노드에 인접할 수 있다. 홀을 수송하는 작은 분자 화합물 및 중합체 둘 다를 사용할 수 있다.
통상적으로 사용되는 홀 수송 분자는 폴리비닐-카바졸, N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-바이페닐]-4,4'-디아민(TPD), 1,1-비스[(디-4-톨릴아미노)페닐]사이클로헥산(TAPC), N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-디메틸)바이페닐]-4,4'-디아민(ETPD), 테트라키스-(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌디아민(PDA), α-페닐-4-N,N-디페닐아미노스티렌(TPS), p-(디에틸아미노)벤즈알데하이드디페닐하이드라존(DEH), 트리페닐아민(TPA), 비스[4-(N,N-디에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄(MPMP), 1-페닐-3-[p-(디에틸아미노)스티릴]-5-[p-(디에틸아미노)페닐]피라졸린(PPR 또는 DEASP), 1,2-트랜스-비스(9H-카바졸-9-일)사이클로부탄(DCZB), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-바이페닐)-4,4'-디아민(TTB), 4,4'-N,N-디카바졸-바이페닐(CBP), N,N-디카바조일-1,4-디메텐-벤젠(DCB), 포피린 화합물 및 이들의 배합물을 포함한다.
통상적으로 사용되는 홀 수송 중합체는 폴리비닐카바졸, (페닐메틸)폴리실란, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(PEDOT) 및 폴리아닐린이다. 홀 수송 중합체는 홀 수송 분자, 예를 들면, 상기 언급된 분자를 중합체, 예를 들면, 폴리스티렌 및 폴리카보네이트에 도핑하여 수득할 수 있다.
홀 주입층/수송층(b)은 스핀 코팅, 캐스팅 및 인쇄, 예를 들면, 그라비어 인쇄를 포함하는 임의의 종래의 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 잉크 젯 인쇄, 열 패턴 형성 또는 화학 또는 물리 증기 증착에 의해 층을 도포할 수 있다.
일반적으로, 애노드 층(a) 및 홀 주입층/수송층(b)은 동일한 리소그래피 작업 동안 패턴화시킨다. 패턴은 목적하는 바대로 변할 수 있다. 예를 들면, 제1 전기 접촉층 물질을 도포하기 전에 패턴화된 마스크 또는 레지스트를 제1 가요성 복합재 장벽 구조체에 위치시키는 방식으로 층을 형성할 수 있다. 또는, 층을 전체 층(또한, 소위 블랭킷 증착)으로서 도포하고 후속적으로, 예를 들면, 패턴화된 레지스트 층 및 습식 화학 또는 건식 에칭 기술을 사용하여 패턴화시킬 수 있다. 또한, 당해 분야에 널리 공지된 패턴 형성에 대한 다른 공정을 사용할 수 있다. 전자 디바이스가 어레이 내에 위치할 때, 애노드 층(a) 및 홀 주입층/수송층(b)은 일반적으로 실질적으로 동일한 방향으로 확장되는 길이를 갖는 실질적으로 평행인 스트립으로 형성된다.
활성층(c)은 본원에 기재된 금속 착물을 포함할 수 있다. 선택된 특정한 물질은 특정한 이용 분야, 공정 동안 사용되는 전위 또는 다른 요인에 의해 좌우될 수 있다. 활성층(c)은 여기자가 방출 물질로부터 광전자 방출 메카니즘을 통해 방출되도록 전자, 홀 및/또는 여기자를 포획할 수 있는 방출 물질로 도핑된 전자 및/또는 홀을 수송할 수 있는 호스트 물질을 포함할 수 있다. 활성층(c)은 수송 성질과 방출 성질이 조합된 단독 물질을 포함할 수 있다. 방출 물질이 도펀트 또는 주성분이더라도, 활성층은 방출 물질의 방출을 조율하는 도펀트와 같은 다른 물질을 포함할 수 있다. 활성층(c)은 조합되어 목적하는 스펙트럼의 광을 방출할 수 있는 복수의 방출 물질을 포함할 수 있다. 인광 방출 물질의 예로는 본 발명의 금속 착물이 포함된다. 형광 방출 물질의 예로는 DCM 및 DMQA가 포함된다. 호스트 물질의 예로는 Alq3, CBP 및 mCP가 포함된다. 방출 및 호스트 물질의 예는 전문이 참조 문헌으로 인용된 미국 특허 제6,303,238에 기재되어 있다.
활성층(c)은 스핀 코팅, 캐스팅 및 인쇄를 포함하는 임의의 종래의 기술에 의해 용액으로 도포할 수 있다. 활성 유기 물질은 물질의 성질에 따라 증기 증착 공정으로 직접 도포할 수 있다.
임의의 층(d)은 전자 주입/수송을 촉진시키는 기능을 할 수 있고, 또한 층 계면에서 퀀칭반응을 막기 위한 완충층 또는 구속층으로서 작용할 수 있다. 보다 자세하게는, 층(d)은 전자 이동성을 향상시키고, 층(c) 및 층(e)가 달리 직접 접촉되어 있다면 퀀칭반응의 가능성을 감소시킬 수 있다. 임의의 층(d)을 위한 물질의 예로는 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물(예: 트리스(8-하이드록시퀴놀레이토)알루미늄(Alq3) 등); 펜안트롤린계 화합물(예: 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-펜안트롤린("DDPA"), 4,7-디페닐-1,10-펜안트롤린("DPA") 등; 아졸 화합물(예: 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-t-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸("PBD") 등, 3-(4-바이페닐릴)-4-페닐-5-(4-t-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸("TAZ") 등; 다른 유사한 화합물; 또는 임의의 하나 이상의 이들의 배합물이 포함된다. 또는, 임의의 층(d)은 무기물일 수 있고, BaO, LiF, Li2O 등을 포함한다.
전자 주입층/수송층(d)은 스핀 코팅, 캐스팅 및 인쇄, 예를 들면, 그라비어 인쇄를 포함하는 임의의 종래의 방법을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 층은 잉크 젯 인쇄, 열 패턴 형성 또는 화학 또는 물리 증기 증착에 의해 도포할 수 있다.
캐소드 층(e)은 전자 또는 음전하 캐리어를 주입하는 데 특히 효율적인 전극이다. 캐소드 층(e)은 제1 전기 접촉층(당해 경우에, 애노드 층(a))보다 일함수가 낮은 임의의 금속 또는 비금속일 수 있다. 제2 전기 접촉층을 위한 물질은 1족 알칼리 금속(예: Li, Na, K, Rb, Cs), 2족 알칼리 토금속, 12족 금속, 희토류, 란탄족(예: Ce, Sm, Eu 등) 및 악티늄족 중에서 선택될 수 있다. 알루미늄, 인듐, 칼슘, 바륨, 이트륨, 마그네슘 및 이들의 배합물과 같은 물질을 사용할 수도 있다. Li 함유 유기금속 화합물, LiF 및 Li2O는 유기 층과 캐소드 층 사이에 증착되어 작동 전압을 낮출 수도 있다. 캐소드 층(e)을 위한 물질의 특정한 예로는 바륨, 리튬, 세륨, 세슘, 유로퓸, 루비듐, 이트륨, 마그네슘 또는 사마륨이 포함되지만, 이에 한정되지는 않는다.
캐소드 층(e)은 일반적으로 화학 또는 물리 증기 증착 공정에 의해 형성한다. 일반적으로, 캐소드 층은 애노드 층(a) 및 임의의 홀 주입층(b)과 관련하여 상기 기재된 바대로 패턴화시킬 수 있다. 당해 디바이스가 어레이 내에 위치할 때, 캐소드 층(e)은 캐소드 층 스트립의 길이가 실질적으로 동일한 방향으로 확장되고 애노드 층 스트립의 길이에 실질적으로 수직인, 실질적으로 평행인 스트립으로 패턴화될 수 있다.
픽셀로 호칭되는 전자 소자는 교차점(어레이를 정투상도법에 의한 6면도 또는 평면도에서 조망할 때, 애노드 층 스트립이 캐소드 층 스트립과 교차하는 지점)에서 형성된다.
다른 양태에 있어서, 추가의 층(들)은 유기 전자 디바이스 내에 존재할 수 있다. 예를 들면, 홀 주입층(b)과 활성층(c) 사이의 층(도시하지 않음)은 양전하 수송과 층들 사이의 띠 간격 조합을 촉진하고, 보호층 등으로서 기능할 수 있다. 유사하게, 전자 주입층(d)과 캐소드 층(e) 사이의 추가의 층(도시하지 않음)은 음전하 수송과 층들 사이의 띠 간격 조합을 촉진하고, 보호층 등으로서 기능할 수 있다. 당해 분야에 공지되어 있는 층을 사용할 수 있다. 몇몇 또는 모든 층은 표면 처리하여 전하 캐리어 수송 효율을 증가시킬 수 있다. 디바이스 효율이 높은 디바이스를 제공하고자 하는 목표와 제조 비용, 제조 복잡성 또는 가능한 다른 요인 사이에 균형을 이룸으로써, 각각의 성분 층에 대한 물질의 선택을 결정할 수 있다.
전하 수송층(b) 및 전하 수송층(d)은 일반적으로 활성층(c)으로서 동일한 형태이다. 보다 자세하게는, 활성층(c)이 작은 분자 화합물을 가지면, 전하 수송층(b) 및 전하 수송층(d)은, 하나의 층 또는 층 둘 다가 존재하는지 여부에 관계없이, 상이한 작은 분자 화합물을 가질 수 있다. 활성층(c)이 중합체를 가지면, 전하 수송층(b) 및 전하 수송층(d)은, 하나의 층 또는 층 둘 다가 존재하는지 여부에 관계없이, 상이한 중합체를 가질 수도 있다. 또한, 활성층(c)은 작은 분자 화합물일 수 있고, 이의 임의의 인접한 전하 수송층은 중합체일 수 있다.
각각의 기능성 층은 하나 이상의 층으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 캐소드 층은 1족 금속의 층 및 알루미늄의 층을 포함할 수 있다. 1족 금속은 활성층(c)에 더 가까이 위치할 수 있고, 알루미늄은 1족 금속을 물과 같은 환경 오염물로부터 예방하는 데 도움을 줄 수 있다.
제한코자 하는 것은 아니지만, 상이한 층은 하기 범위의 두께를 가질 수 있다: 무기 애노드 층(a), 일반적으로 대략 500nm 이하, 예를 들면, 대략 50 내지 200nm; 임의의 홀 주입층(b), 일반적으로 대략 100nm 이하, 예를 들면, 대략 50 내지 200nm; 활성층(c), 일반적으로 대략 100nm 이하, 예를 들면, 대략 10 내지 80nm; 임의의 전자 주입층(d), 일반적으로 대략 100nm 이하, 예를 들면, 대략 10 내지 80nm; 및 캐소드 층(e), 일반적으로 대략 1000nm 이하, 예를 들면, 대략 30 내지 500nm. 애노드 층(a) 또는 캐소드 층(e)이 적어도 일부 광을 통과시킬 필요가 있다면, 상기한 층의 두께는 대략 100nm를 초과하지 않을 것이다.
디바이스에서 전자-홀 재조합 구역의 위치 및 이에 따른 디바이스의 방출 스펙트럼은 각각의 층의 상대 두께에 영향을 받을 수 있다. 예를 들면, 전위 발광 화합물, 예를 들면, Alq3이 전자 수송층(d)에서 사용될 때, 전자-홀 재조합 구역은 Alq3 층 내에 존재할 수 있다.
따라서, 방출은 Alq3의 방출일 수 있고, 목적하는 날카로운 방출이 아닐 수 있다. 따라서, 전자-홀 재조합 구역이 발광층(즉, 활성층(c)) 내에 존재하도록 전자 수송층의 두께를 선택해야 한다. 층 두께의 목적하는 비율은 사용된 물질의 정확한 성질에 의존할 수 있다.
디바이스에서 다른 층을 최적화시킴으로써 금속 착물로 제조된 디바이스의 효율을 추가로 개선시킬 수 있다. 예를 들면, 보다 효과적인 캐소드, 예를 들면, Ca, Ba, Mg/Ag 또는 LiF/Al을 사용할 수 있다. 또한, 작동 전압을 감소시키고 양자 효율을 증가시키는 성형 기판 및 홀 수송 물질을 사용할 수 있다. 또한, 추가의 층을, 다양한 층의 에너지 수준을 조정하고, 전계발광을 촉진시키기 위해 첨가할 수 있다.
전자 디바이스의 사용에 따라, 활성층(c)은 (예를 들면, 발광 다이오드에서) 신호에 의해 활성화되는 발광층, 또는 방사 에너지에 반응하여 인가 전위(예: 검출기 또는 전압 전지)의 존재 또는 부재하에 신호를 발생시키는 물질의 층일 수 있다. 방사 에너지에 반응할 수 있는 전자 디바이스의 예는 광전도성 전지, 광레지스터, 광스위치, 광트랜지스터 및 광전관 및 광전압 전지 중에서 선택된다. 본 명세를 읽은 후, 숙련된 당업자는 이의 특정한 용도를 위해 물질(들)을 선택할 수 있다.
전계발광 디바이스는, 예를 들면, 휴대폰, 텔레비젼 및 개인 컴퓨터 스크린에서 풀 컬러 디스플레이 패널로 이용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 또한 본 발명에 따르는 유기 발광 다이오드를 포함하는 고정식 및 이동식 디스플레이, 예를 들면, 컴퓨터, 휴대폰, 랩탑 컴퓨터, PDA, TV 세트용 디스플레이, 프린터, 주방 설비, 광고판, 조명, 정보 게시판 및 기차 및 버스에서 행선지 표시판에서의 디스플레이 중에서 선택된 디바이스에 관한 것이다.
OLED에서, 캐소드(e) 층 및 애노드(a) 층 각각으로부터 광활성층(c)으로 주입되는 전자 및 홀은 활성층(c)에서 음으로 및 양으로 하전된 폴라론을 형성한다. 상기한 폴라론은 인가된 전기장의 영향하에, 반대로 하전된 종과 폴라론 여기자를 형성하고 후속적으로 방사 재조합을 겪으면서 이동한다. 일반적으로 대략 20볼트 미만이고 몇몇 경우에 대략 5볼트 이하인 애노드와 캐소드 사이의 충분한 전위차를 디바이스에 인가할 수 있다. 실제 전위차는 대형 전자 부품에서 디바이스의 사용에 의존할 수 있다. 많은 양태에서, 애노드 층(a)은 양 전압을 갖고 캐소드 층(e)은 전자 디바이스의 작동 동안 실질적으로 바닥 전위 또는 0볼트이다. 배터리 또는 다른 전력원(들)은 회로의 일부로서 전자 디바이스와 전기적으로 연결될 수 있다.
다른 양태에 있어서, 금속 착화합물을 층(b) 또는 층(d)에서 전하 수송 물질로서 사용할 수 있다.
효과적이 되도록 층(b), 층(c) 또는 층(d)에서 사용할 때, 당해 화합물은 고체 매트릭스 희석제(예: 호스트 전하 수송 물질) 중에 존재할 필요는 없다. 층의 총 중량을 기준으로 하여, 금속 착화합물이 대략 1 중량% 이상인 층 및 착화합물이 실질적으로 100% 이하인 층을 활성층(c)으로서 사용할 수 있다. 추가의 물질은 착화합물과 활성층(c)에 존재할 수 있다. 예를 들면, 형광 염료는 발광 색상을 변경하기 위해 존재할 수 있다.
또한, 희석제를 첨가할 수 있다. 희석제는 중합체성 물질, 예를 들면, 폴리(N-비닐 카바졸) 및 폴리실란일 수 있다. 또한, 희석제는 작은 분자, 예를 들면, 4,4'-N,N'-디카바졸 바이페닐 또는 3급 방향족 아민일 수 있다. 희석제를 사용할 때, 착화합물은 일반적으로, 층의 총 중량을 기준으로 하여, 소량으로, 일반적으로 20중량% 미만, 바람직하게는 10중량% 미만으로 존재한다.
금속 착물을 전자 디바이스 이외의 분야에서 사용할 수 있다. 예를 들면, 착물을 촉매 또는 지시제(예: 산소 감지 지시제, 생물검정에서의 인광 지시제 등)로서 사용할 수 있다.
하기의 실시예들에는 본 발명의 일정한 특징 및 잇점이 기재되어 있다. 당해 실시예는 본 발명을 예시할 목적이고, 이를 제한하지 않는다. 모든 백분율은, 달리 기재되어 있지 않는 한, 중량 단위이다.
청구항 또는 그밖에 사용된 약어는 당해 분야에 공지되어 있고 하기를 포함한다.
Ph 페닐
t-는 3급 (알킬) 그룹을 나타내고, 예를 들면 t-Bu는 3급 부틸을 나타낸다.
Bu 부틸
LC 액체 크로마토그래피
MS 질량 분석법
CIE 국제조명위원회
실시예 1
a) 테트라키스(2-페닐피리디네이토-C2,N')(μ-디클로로)-디이리듐(III)
환류 냉각기가 장착된 100ml 들이 3각 플라스크에서, 이리듐(III) 클로라이드 수화물(201.2mg, 0.67mmol, 1당량)을 2-에톡시에탄올과 물(N2로 탈기됨)의 3:1 혼합물 25ml 중에 부분적으로 용해시켜 녹황색의 용액 및 흑갈색의 불용성 고형분을 수득하였다. 이어서, 2-페닐피리딘(0.4ml, 2.80mmol, 4.2당량)을 첨가하고 상기 반응 혼합물을 120℃로 가열하였다. 불용성 고형분이 용해되고 등황색(orange-yellow)의 침전물이 관찰되었다. 밤새 120℃에서 교반하고 실온에서 냉각시킨 후, 황색 생성물을 여과 제거하고, 에탄올 및 아세톤으로 세척하고 진공하에 건조시켜 황색 분말을 수득하였다. 수율: 265.5mg(0.25mmol, 73%), 황색 분말.
b) 1,2,4-트리아졸-2-이윰-5-일리덴 이리듐(III) 착물의 합성
건조된 슐렌크(Schlenck) 관에서, 메톡시-1,3,4-트리페닐-1,2,4(5H)-트리아졸린 85.5mg(0.26mmol, 2.4당량)을 진공하에 밤새 90℃로 가열하였다. 냉각시킨 후, 톨루엔 9ml를 유리 카르벤에 이어서, 테트라키스(2-페닐피리디네이토-C2,N')(μ-디클로로)-디이리듐(III) 115.6mg(0.11mmol, 1당량)에 첨가하였다. 황색의 현탁액을 120℃에서 4시간 동안 교반하였다. 냉각시킨 후, 상기 반응 혼합물을 톨루엔으로 희석시키고 10% NaHCO3(5 ×15ml)로 추출하였다. 유기 상을 NaSO4로 건조시키고, 용매를 증발시키고 조악한 생성물을 컬럼 크로마토그래피(디클로로메탄, 실리카 7.5g)로 정제하여 황색의 고형분(수율: 77.4mg(47%))을 수득하였다.
MS (+TOF MS): m/z 797.2157 ([M]+), 643.1429 ([M-ppy]+), 501.0947 ([M-PhTri]+);
λPL, sol(톨루엔): 499㎚.
실시예 2
실시예 1에 기재된 절차에 따라, 크로마토그래피 후 하기 화합물 0.06g(수율: 26%)을 수득하였다.
MS (LC-MS, ES+): m/z 909.5 ([M]+); 699.5 ([M-C13H8NS]+);
λPL , sol(톨루엔): 547㎚.
실시예 3
실시예 1에 기재된 절차에 따라, 침전 후 하기 화합물 1.10g(수율: 55%)을 수득하였다.
MS (LC-MS, ES+): m/z 909.3 ([M]+); λPL, sol(톨루엔): 590㎚.
실시예 4
실시예 1에 기재된 절차에 따라, 크로마토그래피 후 하기 화합물 0.1g(수율: 70%)을 수득하였다.
MS (LC-MS, ES+): m/z 869.7 ([M]+); λPL, sol(톨루엔): 485㎚.
실시예 5
실시예 1에 기재된 절차에 따라, 크로마토그래피 후 하기 화합물 0.073g(수율: 24%)을 수득하였다.
MS (LC-MS, ES+): m/z 929.6 ([M]+); λPL, sol(톨루엔): 471㎚.
실시예 6
실시예 1에 기재된 절차에 따라, 크로마토그래피 후 하기 화합물 0.50g(수율: 45%)을 수득하였다.
MS (LC-MS, ES+): m/z 897.4([M]+); λPL, sol(톨루엔): 608㎚.
실시예 7
실시예 1에 기재된 절차에 따라, 크로마토그래피 후 하기 화합물 0.50g(수율:45%)을 수득하였다.
MS (LC-MS, ES+): m/z 897.4 ([M]+); λPL, sol(톨루엔): 612㎚.
실시예 8
실시예 1에 기재된 절차에 따라, 크로마토그래피 후 하기 화합물 0.16g(수율: 58%)을 수득하였다.
MS (APCI MS): m/z 998 ([M+1+); λPL , sol(톨루엔): 648㎚
실시예 9
실시예 1에 기재된 절차에 따라, 크로마토그래피 후 하기 화합물 0.16g(수율: 58%)을 수득하였다.
MS (+TOF MS): m/z 968.1 ([M]+); 729.1 ([M-C12H6F4N]+); λPL , sol(톨루엔): 511㎚.
실시예 10
실시예 1에 기재된 절차에 따라, 크로마토그래피 후 하기 화합물 0.09g(수율: 41%)을 수득하였다.
MS (LC-MS, ES+): m/z 775 ([M]+); 632 ([M-ppz]+); λPL, sol(톨루엔): 469㎚/500㎚.
실시예 11
실시예 1에 기재된 절차에 따라, 크로마토그래피 후 하기 화합물 0.09g(수율: 31%)을 수득하였다.
MS (EI-MS): m/z 877 ([M]+); λPL , sol(톨루엔): 570㎚.
실시예 12
a) 건조된 슐렌크 관에서 질소하에 1-프로판올과 물의 3:1 혼합물 9ml를 첨가하고 탈기시켰다. 이어서, 2-페닐피리딘(250㎕, 1.75mmol, 2.5당량) 및 칼륨 테트라클로로플라티네이트(II)(0.29g, 0.70mmol, 1당량)를 첨가하고 상기 반응 혼합물을 120℃로 가열하였다. 당해 온도에서 밤새 교반하고 실온으로 냉각시킨 후, 황색의 생성물을 여과 제거하고 에탄올로 세척하였다. 생성물을 컬럼 크로마토그래피(헵탄:에틸아세테이트 = 3:1)로 정제하여 황색의 고형분을 수득하였다. 수율: 0.24g(89%), 황색 분말.
b) 실시예 1에 기재된 절차에 따라, 크로마토그래피 후 하기 화합물 0.16g(수율: 47%)을 수득하였다.
MS (+TOF MS): m/z 646([M]+); λPL , sol(톨루엔): 484nm/516nm.
실시예 13
1-메틸-3-페닐-이미다졸리늄 트리플루오로메탄설폰산(0.09g, 0.32mmol)을 질소하에 건조된 슐렌크 관 중에 정치시키고 THF 3.3ml 중에서 실온에서 45분 동안 교반하였다. 황색의 현탁액을 -60℃로 냉각시키고 리튬 디이소프로필아미드(0.35mmol, THF 용액)를 첨가하였다. 반응 혼합물을 실온으로 가온시킨 후, 용매를 증발로 제거하였다. 잔사를 톨루엔 및 테트라키스[2-(2-피리디닐-N)페닐-C]-디클로로디이리듐(III)(0.20g, 0.19mmol) 5.1ml 중에 용해시키고 트리에틸아민(43.8㎕, 0.32mmol)을 첨가하였다. 상기 반응 혼합물을 100℃에서 18시간 동안 교반하였다. 냉각시킨 후, 상기 반응 혼합물을 디클로로메탄으로 희석시키고 물로 2회 추출하였다. 유기 상을 NaSO4로 건조시키고, 용매를 증발시키고 조악한 생성물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하였다. 디클로로메탄/헥산으로부터 결정화시킨 후, 생성물 0.05g(22%)을 수득하였다.
MS (+TOF MS): m/z 659 ([M]+)
실시예 14
슐렌크 관에서, 1,4-디페닐-3-(트리플루오로메틸)-4H-1,2,4-트리아졸-1-이윰(0.47g, 1.19mmol), 칼륨 3급-부틸레이트(0.13g, 1.19mmol) 및 o-크실렌(16ml)을 90℃에서 4시간 동안 교반하였다. 이어서, 테트라키스[3,5-디플루오로-2-(4-메톡시-2-피리디닐-N)페닐-C]디클로로디이리듐(III)(0.2g, 0.15mmol)을 첨가하고 상기 반응 혼합물을 135℃에서 20시간 동안 교반하였다. 냉각시킨 후, 용매를 증발로 제거하였다. 조악한 생성물을 컬럼 크로마토그래피로 정제하고 디클로로메탄/헥산으로부터 결정화시켜 생성물 0.08g(29%)을 수득하였다.
MS (+TOF MS): m/z 920 ([M]+); λPL , sol(톨루엔): 484nm.
실시예 15
조악한 생성물을 실시예 1에 기재된 절차에 따라 제조하고, 컬럼 크로마토그래피로 정제하고 디클로로메탄/헥산으로부터 결정화시켜 생성물 0.09g(27%)을 수득하였다.
MS (+TOF MS): m/z 854 ([M]+); λPL , sol(톨루엔): 500nm.
응용 실시예
디바이스 구조: 유리 기판에 하기의 층을 포갠다: ITO(애노드, 150㎚), PEDOT:PSS(100㎚), 이어서 PVK, PBD, TPD, 및 5%의 상응하는 방출체(80㎚)로 이루어진 전계발광 중합체, 최종적으로 바륨(5㎚) 및 알루미늄(캐소드, 100㎚).
화합물 번호 | 최대 방출(nm) | 효율(cd/A) | CIE 좌표 | 외부 양자 효율[%] |
A-1 | 527 | 4.4 | 0.30/0.57 | 1.2 |
A-80 | 487 | 0.31 | 0.26/0.33 | 0.16 |
A-82 | 610 | 3.2 | 0.65/0.34 | 3.1 |
A-81 | 487 | 0.28 | 0.31/0.36 | 0.15 |
A-164 | 487 | 0.28 | 0.31/0.36 | 0.15 |
Claims (12)
- 화학식 I의 화합물.화학식 I위의 화학식 I에서,n1은 1이고,m2는 0이고,M1은 Pt 또는 Ir이고,M1이 Pt인 경우, m1은 1이고, M1이 Ir인 경우, m1은 2이고,R1은 수소, 할로겐, 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬 또는 C1-C4알콕시이고,R2는 수소, 할로겐, 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬, -O-C1-C4퍼플루오로알킬, -SO2X22, -CO2X22(여기서, X22는 C1-C4알킬이다), C6H4CF3 또는 임의로 치환된 -O-C6-C10아릴이고,R3은 수소, 할로겐, 니트로, 시아노, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시, -S-C1-C4알킬 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬이고,R4는 수소 또는 할로겐이고,R5는 임의로 치환된 C6-C10아릴, C1-C4알킬, C1-C4퍼플루오로알킬, C1-C4알콕시 또는 -O-C1-C4퍼플루오로알킬이고,Z1, Z2, Z3 및 Z4는 서로 독립적으로 수소, C1-C8퍼플루오로알킬, 및 임의로 치환될 수 있는 아릴로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, Z1, Z2, Z3 및 Z4는 각각 C1-C8알킬, 할로겐, C1-C8알콕시 또는 페닐 그룹(여기서, 페닐 그룹은 할로겐, C1-C8알킬 또는 C1-C8알콕시로 임의로 치환될 수 있다)으로 임의로 치환되거나, Z1과 Z2는, 가능하다면, 방향족 또는 헤테로방향족 환을 형성하고/하거나, Z3 및 Z4는, 가능하다면, 알킬 또는 헤테로알킬 환을 형성한다.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서, 리간드 이 ; [여기서, Y는 S, O, NR200(여기서, R200은 수소, 시아노, C1-C4알킬, C2-C4알케닐, 임의로 치환된 C6-C10아릴, -(CH2)r-Ar(여기서, Ar은 임의로 치환된 C6-C10아릴이다), 그룹 -(CH2)r'X20(여기서, r'는 1 내지 5의 정수이고, X20은 할로겐이다), 하이드록시, 시아노, -O-C1-C4알킬, 디(C1-C4알킬)아미노 또는 아미노이다), 그룹 -(CH2)rOC(O)(CH2)r''CH3(여기서, r은 1 또는 2이고, r''는 0 또는 1이다); , -NH-Ph, -C(O)CH3, -CH2-O-(CH2)2-Si(CH3)3 또는 이다], [여기서, A21은 수소이고, A22는 수소 또는 C6-C10아릴이고, A23은 수소 또는 C6-C10아릴이고, A24는 수소이고, R42는 H, F, C1-C4알킬, C1-C8알콕시 또는 C1-C4퍼플루오로알킬이고, R43은 H, F, C1-C4알킬, C1-C8알콕시, C1-C4퍼플루오로알킬 또는 C6-C10아릴이고, R44는 H, F, C1-C4알킬, C1-C8알콕시 또는 C1-C4퍼플루오로알킬이고, R45는 H, F, C1-C4알킬, C1-C8알콕시 또는 C1-C4퍼플루오로알킬이다], 및 [여기서, R6, R7, R8 및 R9는 서로 독립적으로 수소, C1-C24알킬, C2-C24알케닐, C2-C24알키닐, 아릴, 헤테로아릴, C1-C24알콕시, C1-C24알킬티오, 시아노, C2-C24아실, C1-C24알킬옥시카보닐, 니트로 그룹 또는 할로겐 원자이거나; 환 A는 임의로 치환된 C6-C30아릴 또는 C2-C22헤테로아릴 그룹이거나; 환 A는 당해 환 A에 결합된 상기 피리딜 그룹과 함께 환을 형성할 수 있고; R6, R7, R8 및 R9로 표시된 알킬 그룹, 알케닐 그룹, 알키닐 그룹, 아릴 그룹, 헤테로아릴 그룹, 알콕시 그룹, 알킬티오 그룹, 아실 그룹 및 알킬옥시카보닐 그룹은 치환될 수 있고; 서로 인접한 R6, R7, R8 및 R9 중의 2개의 치환체는 함께 화학식 의 그룹(여기서, R205, R206, R207 및 R208은 서로 독립적으로 H 또는 C1-C8알킬이다)을 형성한다]로부터 선택되는, 화학식 I의 화합물.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 다음 화학식으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 화학식 I의 화합물.상기 표에서, 1)은 Z1 = Z2 = Z3 = Z4를 나타낸다.
- 제1항, 제5항 및 제7항 중의 어느 한 항에 기재된 화합물을 함유하는 발광층을 포함하는, 유기 전자 디바이스.
- 제8항에 있어서, 폴리비닐카바졸, N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-[1,1'-바이페닐]-4,4'-디아민(TPD), 1,1-비스[(디-4-톨릴아미노)페닐]사이클로헥산(TAPC), N,N'-비스(4-메틸페닐)-N,N'-비스(4-에틸페닐)-[1,1'-(3,3'-디메틸)바이페닐]-4,4'-디아민(ETPD), 테트라키스-(3-메틸페닐)-N,N,N',N'-2,5-페닐렌디아민(PDA), α-페닐-4-N,N-디페닐아미노스티렌(TPS), p-(디에틸아미노)벤즈알데하이드디페닐하이드라존(DEH), 트리페닐아민(TPA), 비스[4-(N,N-디에틸아미노)-2-메틸페닐](4-메틸페닐)메탄(MPMP), 1-페닐-3-[p-(디에틸아미노)스티릴]-5-[p-(디에틸아미노)페닐]피라졸린(PPR 또는 DEASP), 1,2-트랜스-비스(9H-카바졸-9-일)사이클로부탄(DCZB), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)-(1,1'-바이페닐)-4,4'-디아민(TTB), 4,4'-N,N-디카바졸-바이페닐(CBP), N,N-디카바조일-1,4-디메텐-벤젠(DCB), 포피린 화합물 및 이들의 배합물 중에서 선택된 홀 수송층을 추가로 포함하는, 유기 전자 디바이스.
- 제8항에 있어서, 유기 발광 다이오드인 유기 전자 디바이스.
- 제1항, 제5항 및 제7항 중의 어느 한 항에 있어서, 전자 디바이스에서 사용되거나, 산소 감지 지시제로서, 생물검정(bioassay)에서 인광 지시제로서 또는 촉매로서 사용되는, 화학식 I의 화합물.
- 제10항에 기재된 유기 발광 다이오드를 포함하는 고정식 및 이동식 디스플레이 중에서 선택되는 디바이스.
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