JP2023541979A - 緑色光を光する有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

緑色光を光する有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2023541979A
JP2023541979A JP2023517816A JP2023517816A JP2023541979A JP 2023541979 A JP2023541979 A JP 2023541979A JP 2023517816 A JP2023517816 A JP 2023517816A JP 2023517816 A JP2023517816 A JP 2023517816A JP 2023541979 A JP2023541979 A JP 2023541979A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dabna
organic electroluminescent
eet
electroluminescent device
selectively
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023517816A
Other languages
English (en)
Inventor
リメス，コディ
フリューゲ，ハラルド
レガネス カルバージョ，ハイメ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of JP2023541979A publication Critical patent/JP2023541979A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/346—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising platinum
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/653—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only oxygen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/658—Organoboranes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
    • C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
    • C07B2200/05—Isotopically modified compounds, e.g. labelled
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • C09K2211/1048—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms with oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1074—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing more than three nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/20—Delayed fluorescence emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/20—Delayed fluorescence emission
    • H10K2101/25—Delayed fluorescence emission using exciplex
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/27—Combination of fluorescent and phosphorescent emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/60—Up-conversion, e.g. by triplet-triplet annihilation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Pyridine Compounds (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)

Abstract

本発明は、ＴＡＤＦ材料、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する、緑色光を放出する小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及びホスト材料ＨＢ、並びに選択的に励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２を含む発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。また、本発明は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を利用した緑色光発生方法に関する。

Description

本発明は、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する、緑色光を発する小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及びホスト材料ＨＢを含む発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光層Ｂに隣接し、三重項－三重項消滅材料を含む励起子管理層を含む。また、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、及び本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を利用した緑色光発生方法に関する。
例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）及び発光トランジスタのような有機物を用いる１層以上の発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の重要性が増加しつつある。特に、ＯＬＥＤは、スクリーン、ディスプレイ及び照明装置のような電子製品のための有望な素子である。実質的に無機物を用いるほとんどのエレクトロルミネッセンス素子とは対照的に、有機物を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子は、通常、柔軟かつ特に薄膜で生産可能である。今日すでに使用可能なＯＬＥＤを用いたスクリーン及びディスプレイは、優れた効率及び長い寿命、または優れた色純度及び長い寿命を提供するが、優れた効率、長い寿命及び優れた色純度の三つの特性をいずれも有していない。
ＯＬＥＤの色純度または色点は、一般的にＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標により提供される一方、次世代ディスプレイの色領域は、いわゆるＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３値により提供される。一般的に、そのような色座標を得るためには、トップエミッショントップエミッション素子がキャビティを変更し、色座標を調整することが必要である。そのような色領域を目標としつつ、トップエミッショントップエミッション素子において高効率を達成するためには、ボトムエミッションボトムエミッション素子において狭い発光スペクトルが必要である。
最新の燐光エミッタは、多少ブロードな発光を示し、これは、一般的に０．２５ｅＶより大きい発光スペクトルの半値幅（ＦＷＨＭ）を有する燐光ベースのＯＬＥＤ（ＰＨＯＬＥＤ）のブロードな発光によって反映される。ボトム素子におけるＰＨＯＬＥＤのブロードな発光スペクトルは、ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色領域を目標とするトップエミッショントップエミッション素子構造に対し、アウトカップリング効率の大きな損失をもたらす。
また、燐光材料は、典型的に、遷移金属、例えば、イリジウムを用い、これは、一般的に豊富ではないため、ＯＬＥＤスタック内で非常に高価な材料である。したがって、遷移金属使用の材料は、ＯＬＥＤのコスト低減のための可能性が最も大きい。ＯＬＥＤスタック内の遷移金属含量を低くすることは、ＯＬＥＤ適用製品の値策定のための重要業績評価指標である。
近年、多少狭い発光スペクトルを示す一部蛍光エミッタまたはＴＡＤＦ（ｔｈｅｒｍａｌｌｙ－ａｃｔｉｖａｔｅｄ－ｄｅｌａｙｅｄ－ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）エミッタが開発されており、これは、一般的に０．２５ｅＶ以下の発光スペクトルのＦＷＨＭを示し、したがって、ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色領域を達成するのに適している。しかし、そのような蛍光エミッタ及びＴＡＤＦエミッタは、一般的に、例えば、励起子・ポーラロン消滅または励起子・励起子消滅により、寿命が短いだけでなく、さらに高い輝度で効
率低下（すなわち、ＯＬＥＤのロールオフ挙動）により、低い効率という問題を抱えている。
そのような短所は、いわゆるハイパーアプローチを適用し、ある程度克服することができる。後者は、前述のように、好ましくは、狭い発光スペクトルを示す蛍光エミッタにエネルギーを移動させるエネルギーポンプの使用に依存する。エネルギーポンプは、例えば、逆項間交差（ｒｅｖｅｒｓｅ－ｉｎｔｅｒｓｙｓｔｅｍ ｃｒｏｓｓｉｎｇ： ＲＩＳＣ）を示すＴＡＤＦ材料、または効率的な項間交差（ＩＳＣ）を示す遷移金属錯体であってもよい。しかし、そのようなアプローチは、前述の好ましい特徴、すなわち、優れた効率、長い寿命及び優れた色純度をいずれも有する有機エレクトロルミネッセンス素子を依然として提供することができない。
光を発生させるための有機エレクトロルミネッセンス素子の中心要素は、典型的に、正極と負極との間に位置した少なくとも１層の発光層である。有機エレクトロルミネッセンス素子に電圧（及び電流）を印加すれば、正極から正孔が注入され、負極から電子が注入される。通常、正孔輸送層は、発光層と正極との間に位置し、電子輸送層は、通常、発光層と負極との間に位置する。相異なる層が順次に配置される。高いエネルギーの励起子は、発光層において正孔と電子との再結合によって生成される。そのような励起状態（例えば、Ｓ１のような一重項状態及び／またはＴ１のような三重項状態）の基底状態（Ｓ０）に減衰することにより、好ましくは、発光を引き起こす。
驚いたことに、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する、緑色光を発光する小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及びホスト材料ＨＢを含む発光層、並びに発光層に隣接した励起子管理層ＥＸＬを含む有機エレクトロルミネッセンス素子が、長い寿命、高い量子収率、並びに緑色ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色領域を達成するのに理想的に適している、狭い発光を示す有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを見つけた。
ここで、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、発光する小ＦＷＨＭ（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ａｔ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ）エミッタＳＢに励起エネルギーを移動させることができる。
本発明は、下記を含む発光層Ｂを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に係わるものである：
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、５１０ｎｍ～５５０ｎｍの最大発光及び０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を放出する小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び
（ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有するホスト材料ＨＢ、
ここで、有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光層Ｂに隣接し、ＴＴＡ（ｔｒｉｐｌｅｔ－ｔｒｉｐｌｅｔ－ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ）材料を含む励起子管理層ＥＸＬを含む。
前述の要求事項を満たせば、長い寿命、高い量子収率及び狭い発光を示し、緑色ＢＴ－２０２０及びＤＣＰＩ３色領域を達成するのに理想的に適している有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる。
本明細書の全般にわたって、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂ内の成分の励起状態、軌道、最大発光などのエネルギー間の関係を参照するであろう。２つの特定成分のエネルギーを含む関係式は、そのような特定成分をいずれも含む発光層Ｂにのみ適用されるということが理解される。また、一関係が本発明による素子に適用されるという事実は、本発明の全ての素子が該関係で言及される全成分を含まなければならないということを意味しない。そのような一般的な事項は、本発明の全ての実施形態に適用可能である。
素子構造
当業者は、発光層Ｂが通常的に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれることが分かるであろう。好ましくは、当該有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも下記層を含む：
少なくとも１層の発光層Ｂ、少なくとも１層のアノード層Ａ、及び少なくとも１層のカソード層Ｃ。
好ましくは、発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。したがって、一般的な設定は、好ましくは、Ａ－Ｂ－Ｃである。それはもちろん１以上の選択的な追加層の存在を排除しない。それらは、Ａ、Ｂ及び／またはＣのそれぞれの側に存在しうる。
好ましくは、アノード層Ａは、基板の表面に位置する。基板は、任意の材料、または該材料の組成物によって形成されてもよい。ほとんど、ガラススライドが基板として使用される。または、薄い金属層（例えば、銅、金、銀またはアルミニウムフィルム）、またはプラスチックフィルムやプラスチックスライドが使用されうる。それは、さらに高レベルの柔軟性を許容することができる。二電極のうち少なくとも１つは、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）から光を放出するように（本質的に）透明ではなければならない。通常、アノード層Ａは、ほとんど（本質的に）透明なフィルムを得ることができる材料によって構成される。好ましくは、アノード層Ａは、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を多量含むか、あるいはそれから構成される。
そのようなアノード層Ａは、例えば、インジウムスズ酸化物、アルミニウム亜鉛酸化物、フッ素スズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ＰｂＯ、ＳｎＯ、ジルコニウム酸化物、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、タングステン酸化物、黒鉛、ドーピングされたＳｉ、ドーピングされたＧｅ、ドーピングされたＧａＡｓ、ドーピングされたポリアニリン、ドーピングされたポリピロール及び／またはドーピングされたポリチオフェン、及びそれらのうち２以上の混合物を含んでもよい。
特に好ましくは、アノード層Ａは、（本質的に）インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）（例えば、（ＩｎＯ３）０．９（ＳｎＯ２）０．１）で構成される。透明導電性酸化物（ＴＣＯ）によるアノード層Ａの粗さは、正孔注入層（ＨＩＬ）を使用することによって緩和されてもよい。また、該ＨＩＬは、ＴＣＯから正孔輸送層（ＨＴＬ）への類似電荷キャリア（すなわち、正孔）の輸送が促進されるという点において、類似電荷キャリアの注入が容易となる。正孔注入層（ＨＩＬ）は、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）、ＭｏＯ２、Ｖ２Ｏ５、ＣｕＰＣまたはＣｕＩ、特に、ＰＥＤＯＴ及びＰＳＳの混合物を含んでもよい。正孔注入層（ＨＩＬ）は、また、アノード層Ａから正孔輸送層（ＨＴＬ）に金属が拡散することを防止することができる。例えば、該ＨＩＬは、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリ－３，４－エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、４，４’，４”－トリス［フェニル（ｍ－トリル）アミノ］トリフェニルアミ
ン（ｍＭＴＤＡＴＡ）、２，２’，７，７’－テトラキス（ｎ，ｎ－ジフェニルアミノ）－９，９’－スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ－ＴＡＤ）、Ｎ１，Ｎ１’－（ビフェニル－４，４’－ジイル）ビス（Ｎ１－フェニル－Ｎ４，Ｎ４－ジ－ｍ－トリルベンゼン－１，４－ジアミン（ＤＮＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ニス－（１－ナフタレニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－フェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ジ－［４－（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）フェニル］ベンジジン（ＮＰＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メトキシフェニル）ベンジジン（ＭｅＯ－ＴＰＤ）、１，４，５，８，９，１１－ヘキサアザトリフェニレン－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）及び／またはＮ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス－（１－ナフチル）－９，９’－スピロビフルオレン－２，７－ジアミン（Ｓｐｉｒｏ－ＮＰＤ）によって構成されてもよい。
アノード層Ａまたは正孔注入層（ＨＩＬ）に隣接し、一般的に、正孔輸送層（ＨＴＬ）が位置する。ここで、任意の正孔輸送化合物が使用されうる。例えば、トリアリールアミン及び／またはカルバゾールのような、電子が豊富なヘテロ芳香族化合物が、正孔輸送化合物として使用されてもよい。該ＨＴＬは、アノード層Ａと発光層Ｂ（発光層（ＥＭＬ）の役割を行う）との間のエネルギー障壁を低減させることができる。該正孔輸送層（ＨＴＬ）は、また、電子遮断層（ＥＢＬ）であってもよい。好ましくは、該正孔輸送化合物は、比較的高いエネルギー準位の三重項状態Ｔ１を有する。例えば、正孔輸送層（ＨＴＬ）は、トリス（４－カルバゾリル－９－イルフェニル）アミン（ＴＣＴＡ）、ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニルアミン）（ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリ（４－ブチルフェニル－ジフェニルアミン）（α－ＮＰＤ）、４，４’－シクロヘキシリデン－ビス［Ｎ，Ｎ－ビス（４－メチルフェニル）ベンゼンアミン］（ＴＡＰＣ）、４，４’，４”－トリス［２－ナフチル（フェニル）－アミノ］トリフェニルアミン（２－ＴＮＡＴＡ）、Ｓｐｉｒｏ－ＴＡＤ、ＤＮＴＰＤ、ＮＰＢ、ＮＰＮＰＢ、ＭｅＯ－ＴＰＤ、ＨＡＴ－ＣＮ及び／または９，９’－ジフェニル－６－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（ＴｒｉｓＰｃｚ）のような星状のヘテロ環を含んでもよい。また、該ＨＴＬは、有機正孔輸送マトリックス内の無機または有機ドーパントによって構成されてもよいｐ－ドーピングされた層を含んでもよい。該無機ドーパントとしては、例えば、バナジウム酸化物、モリブデン酸化物またはタングステン酸化物のような遷移金属酸化物が使用されうる。該有機ドーパントとしては、例えば、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、銅－ペンタフルオロ安息香酸（Ｃｕ（Ｉ）ｐＦＢｚ）または遷移金属錯体が使用されうる。
電子遮断層（ＥＢＬ）は、例えば、１，３－ビス（カルバゾール－９－イル）ベンゼン（ｍＣＰ）、ＴＣＴＡ、２－ＴＮＡＴＡ、３，３－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ｍＣＢＰ）、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾフラン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３－（ジベンゾチオフェン－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾフラニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、９－［３，５－ビス（２－ジベンゾチオフェニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール、ｔｒｉｓ－Ｐｃｚ、９－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－３，６－ビス（トリフェニルシリル）－９Ｈ－カルバゾール（ＣｚＳｉ）及び／または Ｎ，Ｎ’－ジカルバゾリル－１，４－ジメチルベンゼン（ＤＣＢ）を含んでもよい。
１以上の発光層Ｂの組成が前述された。本発明による任意の１以上の発光層Ｂは、好ましくは、１ｍｍ以下、より好ましくは、０．１ｍｍ以下、より一層好ましくは、１０μｍ以下、さらに好ましくは、１μｍ以下、特に好ましくは、０．１μｍ以下の厚みを有する。
電子輸送層（ＥＴＬ）には、任意の電子輸送体を使用することができる。例えば、ベンズイミダゾール、ピリジン、トリアゾール、オキサジアゾール（例えば、１，３，４－オキサジアゾール）、ホスフィンオキシド及びスルホンのような電子不足化合物が使用されうる。例えば、電子輸送体ＥＴＭ（すなわち、電子輸送材料）は、また、１，３，５－トリ（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール－２－イル）フェニル（ＴＰＢｉ）のような星状のヘテロ環でもある。ＥＴＭは、例えば、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＮＢｐｈｅｎ）、アルミニウム－トリス（８－ヒドロキシキノリン）（Ａｌｑ３）、ジフェニル－４－トリフェニルシリルフェニル－ホスフィンオキシド（ＴＳＰＯ１）、２，７－ジ（２，２’－ビピリジン－５－イル）トリフェニル（ＢＰｙＴＰ２）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イルトリフェニルシラン（Ｓｉｆ８７）、ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－２－イル）ジフェニルシラン（Ｓｉｆ８８）、１，３－ビス［３，５－ジ（ピリジン－３－イル）フェニル］ベンゼン（ＢｍＰｙＰｈＢ）及び／または４，４’－ビス－［２－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジニル）］－１，１’－ビフェニル（ＢＴＢ）を含んでもよい。選択的に、電子輸送層は、８－ヒドロキシキノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）のような材料によってもドーピングされる。選択的に、第２電子輸送層が電子輸送層とカソード層Ｃとの間に位置しうる。電子輸送層（ＥＴＬ）も、正孔を遮断することができる。または、正孔遮断層（ＨＢＬ）が導入される。
ＨＢＬは、例えば、ＨＢＭ１：
、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン＝バソクプロイン（ＢＣＰ）、ビス（８－ヒドロキシ－２－メチルキノリン）－（４－フェニルフェノキシ）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＮＢｐｈｅｎ）、アルミニウム－トリス（８－ヒドロキシキノリン）（Ａｌｑ３）、ジフェニル－４－トリフェニルシリルフェニル－ホスフィンオキシド（ＴＳＰＯ１）、２，４，６－トリス（ビフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン（Ｔ２Ｔ）、２，４，６－トリス（トリフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン（Ｔ３Ｔ）、２，４，６－トリス（９，９’－スピロビフルオレン－２－イル）－１，３，５－トリアジン（ＴＳＴ）、２，４－ジフェニル－６－（３’－トリフェニルシリルフェニル）－１，３，５－トリアジン（ＤＴＳＴ）、２，８－ビス（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジニル）ジベンゾフラン（ＤＴＤＢＦ）及び／または１，３，５－トリス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゾール／１，３，５－トリス（カルバゾール）－９－イル）ベンゼン（ＴＣＢ／ＴＣＰ）を含んでもよい。
電子輸送層（ＥＴＬ）に隣接し、カソード層Ｃが位置しうる。該カソード層Ｃは、例えば、金属（例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｉｎ、ＷまたはＰｄ）または金属合金を含むか、あるいはそれから構成される。実用的な理由により、該カソード層Ｃは、Ｍｇ、ＣａまたはＡｌのような（本質的に）不透明な金属によって構成されてもよい。代案として、あるいはさらには、該カソード層Ｃは、また、黒鉛及び／または炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）を含んでもよい。代案としては、カソード層Ｃは、また、ナノスケール銀ワイヤによって構成されてもよい。
好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも下記層を含む：
Ａ）インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ＰｂＯ、ＳｎＯ、黒鉛、ドーピングされたシリコン、ドーピングされたゲルマニウム、ドーピングされたＧａＡｓ、ドーピングされたポリアニリン、ドーピングされたポリピロール、ドーピングされたポリチオフェン及びそれら２以上の混合物から構成される群から選択された少なくとも１つの成分を含むアノード層Ａ、
ＥＸＬ）本願に述べられたような本発明による励起子管理層ＥＸＬ、
Ｂ）本願に述べられたような本発明による発光層Ｂ、及び
Ｃ）Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｄ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ及びそれら２以上の混合物または合金から構成される群から選択された少なくとも１つの成分を含むカソード層Ｃ、
ここで、発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。
好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも下記層を含む：
Ａ）インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ＰｂＯ、ＳｎＯ、黒鉛、ドーピングされたシリコン、ドーピングされたゲルマニウム、ドーピングされたＧａＡｓ、ドーピングされたポリアニリン、ドーピングされたポリピロール、ドーピングされたポリチオフェン及びそれら２以上の混合物から構成される群から選択された少なくとも１つの成分を含むアノード層Ａ、
Ｂ）本願に述べられたような本発明による発光層Ｂ、
ＥＸＬ）本願に述べられたような本発明による励起子管理層ＥＸＬ、及び
Ｃ）Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｗ、Ｐｄ、ＬｉＦ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ及びそれら２以上の混合物または合金から構成される群から選択された少なくとも１つの成分を含むカソード層Ｃ、
ここで、発光層Ｂは、アノード層Ａとカソード層Ｃとの間に位置する。
好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記層構造を含むＯＬＥＤである：
Ａ）例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含むアノード層Ａ、
ＨＴＬ）正孔輸送層ＨＴＬ、
ＥＸＬ）本願に述べられたような本発明による励起子管理層ＥＸＬ、
Ｂ）本願に述べられたような本発明による発光層Ｂ、
ＥＴＬ）電子輸送層ＥＴＬ、及び
Ｃ）例えば、Ａｌ、Ｃａ及び／またはＭｇを含むカソード層Ｃ。
好ましくは、ここで、層の順序は、Ａ－ＨＴＬ－ＥＸＬ－Ｂ－ＥＴＬ－Ｃである。
一実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、下記層構造を含むＯＬＥＤである：
Ａ）例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を含むアノード層Ａ、
ＨＴＬ）正孔輸送層ＨＴＬ、
Ｂ）本願に述べられたような本発明による発光層Ｂ、
ＥＸＬ）本願に述べられたような本発明による励起子管理層ＥＸＬ、
ＥＴＬ）電子輸送層ＥＴＬ、及び
Ｃ）例えば、Ａｌ、Ｃａ及び／またはＭｇを含むカソード層Ｃ。
好ましくは、ここで、層の順序は、Ａ－ＨＴＬ－Ｂ－ＥＸＬ－ＥＴＬ－Ｃである。
一実施形態において、励起子管理層ＥＸＬは、１５ｎｍ未満の厚みを有する。
好ましい実施形態において、励起子管理層ＥＸＬは、１０ｎｍ未満の厚みを有する。
好ましい実施形態において、励起子管理層ＥＸＬは、５ｎｍ以下の厚みを有する。
好ましい実施形態において、励起子管理層ＥＸＬは、５ｎｍ未満の厚みを有する。
当業者に知られているように、ＴＴＡ材料をホスト材料ＨＢとして使用可能である。ＴＴＡ材料は、三重項－三重項消滅を可能にする。三重項－三重項消滅は、好ましくは、光子アップコンバージョンを引き起こすことができる。したがって、２つ、３つまたはそれ以上の光子が、ＴＴＡ材料ＨＴＴＡの最低励起三重項状態（Ｔ１ＴＴＡ）から第一励起一重項状態（Ｓ１ＴＴＡ）への光子アップコンバージョンを容易にする。好ましい実施形態において、２つの光子がＴ１ＴＴＡからＳ１ＴＴＡへの光子アップコンバージョンを容易にする。したがって、三重項－三重項消滅は、多数のエネルギー移動段階を介して、２つ（または、選択的に、２以上）の低周波数光子を１つの高周波数光子に結合可能なプロセスであってもよい。
選択的に、ＴＴＡ材料は、吸収部分構造、増感剤部分構造及び発光部分構造（または、消滅剤部分構造）を含むものでもある。これと係わり、発光部分構造は、例えば、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレンのような多環芳香族部分構造であってもよい。好ましい実施形態において、多環芳香族部分構造は、アントラセン部分構造またはその誘導体を含む。増感剤部分構造及び発光部分構造は、２つの異なる化学的化合物（すなわち、分離された化学的実体）に位置するか、あるいは１つの化合物に含まれた２つの部分構造であってもよい。
本発明によれば、ＴＴＡ材料は、最低励起三重項状態（Ｔ１Ｎ）からの三重項－三重項消滅を示し、Ｔ１Ｎのエネルギーの最大２倍のエネルギーを有する三重項－三重項消滅された第一励起一重項状態Ｓ１Ｎを形成することを特徴とする。
本発明によれば、三重項－三重項消滅（ＴＴＡ）材料は、三重項－三重項消滅により、第一励起三重項状態Ｔ１Ｎから第一励起一重項状態Ｓ１Ｎにエネルギーを変換する。
本発明の一実施形態において、ＴＴＡ材料は、Ｔ１Ｎから三重項－三重項消滅を示してＳ１Ｎを生成することを特徴とし、ここで、Ｓ１Ｎは、Ｔ１Ｎエネルギーの１．０１～２倍、１．１～１．９倍、１．２～１．５倍、１．４～１．６倍、または１．５～２倍のエネルギーを有する。
本願において、「ＴＴＡ材料」及び「ＴＴＡ化合物」という用語は、互いに交換されて使用可能である。
典型的な「ＴＴＡ材料」を、Ｋｏｎｄａｋｏｖ（Ｐｈｉｌｏｓｏｐｈｉｃａｌ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｒｏｙａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ａ： Ｍａｔｈｅｍａｔｉｃａｌ， Ｐｈｙｓｉｃａｌ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ， ２０１５， ３７３： ２０１４０３２１）に述べられたように青色蛍光ＯＬＥＤと係わる最新技術において探すことができる。そのような青色蛍光ＯＬＥＤは、ＥＭＬの主成分（ホスト）として、アントラセン誘導体のような芳香族炭化水素を使用する。
好ましい実施形態において、ＴＴＡ材料は、感応（ｓｅｎｓｉｔｉｚｅｄ）三重項－三重項消滅を可能にする。選択的に、ＴＴＡ材料は、１以上の多環芳香族構造を含んでもよい。好ましい実施形態において、ＴＴＡ材料は、少なくとも１つの多環芳香族構造及び少
なくとも１つの追加芳香族残基を含む。
本発明の好ましい実施形態において、ＴＴＡ材料ＨＴＴＡは、アントラセン誘導体である。
一実施形態において、ＴＴＡ材料ＨＴＴＡは、下記化学式ＴＴＡのアントラセン誘導体である。
・・・化学式ＴＴＡ
ここで、
それぞれのＡｒは、互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ６－Ｃ６０アリール、及び
Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
それぞれのＡ１は、互いに独立して、下記から構成される群から選択される：
水素、
重水素、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ６－Ｃ６０アリール、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ３－Ｃ５７ヘテロアリール、及び
Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキル。
一実施形態において、ＴＴＡ材料ＨＴＴＡは、下記化学式ＴＴＡのアントラセン誘導体であり、ここで、
それぞれのＡｒは、互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ６－Ｃ６０アリール、及び
Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
それぞれのＡ１は、互いに独立して、下記から構成される群から選択される：
水素、
重水素、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ６－Ｃ６０アリール、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ３－Ｃ５７ヘテロアリール、及び
Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキル。
一実施形態において、ＨＴＴＡは、下記化学式ＴＴＡのアントラセン誘導体であり、ここで、少なくとも１つのＡ１は、水素である。一実施形態において、ＨＴＴＡは、下記化学式ＴＴＡのアントラセン誘導体であり、ここで、少なくとも２つのＡ１は、水素である。一実施形態において、ＨＴＴＡは、下記化学式ＴＴＡのアントラセン誘導体であり、ここで、少なくとも３つのＡ１は、水素である。一実施形態において、ＨＴＴＡは、下記化学式ＴＴＡのアントラセン誘導体であり、ここで、全てのＡ１がそれぞれ水素である。
一実施形態において、ＨＴＴＡは、下記化学式ＴＴＡのアントラセン誘導体であり、ここで、１つのＡｒは、Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基でそれぞれ選択的に置換された、フェニル、ナフチル、フェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、ジベンゾアントラセニル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、アントラセニル、フェナントレニル、ベンゾナフトフラニル、ベンゾナフトチオフェニル、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニルから構成される群から選択された残基である。
一実施形態において、ＨＴＴＡは、下記化学式ＴＴＡのアントラセン誘導体であり、ここで、２つのＡｒは、それぞれ互いに独立して、Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基でそれぞれ選択的に置換された、フェニル、ナフチル、フェナントリル、ピレニル、トリフェニレニル、ジベンゾアントラセニル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、アントラセニル、フェナントレニル、ベンゾナフトフラニル、ベンゾナフトチオフェニル、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニルから構成される群から選択された残基である。
一実施形態において、ＴＴＡ材料ＨＴＴＡは、下記から選択されるアントラセン誘導体である：


























一実施形態において、励起子管理層ＥＸＬは、ＴＴＡ材料及び追加エミッタを含む。
好ましい実施形態において、励起子管理層ＥＸＬは、ＴＴＡ材料及び追加エミッタを含み、ここで、隣接した層ＥＸＬの追加エミッタは、小ＦＷＨＭエミッタＳＢであり、これは、０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）及び５１０～５５０ｎｍの最大発光を有して発光する。
また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、水分、蒸気及び／またはガスを含む環境内の有害物質に対する損傷露出から、素子を保護する１以上の保護層を選択的に含んでもよい。
エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、選択的に、電子輸送層（ＥＴＬ）Ｄとカソード層Ｃとの間に保護層（電子注入層（ＥＩＬ）とも称される）をさらに含む。該層は、フッ化リチウム、フッ化セシウム、銀、８－ヒドロキシキノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯ及び／またはＮａＦを含んでもよい。
他に明示されない限り、多様な実施形態の任意の副層を含む任意の層は、任意の適切な方法によって蒸着される。少なくとも１層の発光層Ｂ（単一（副）層から構成されるか、あるいは１以上の副層を含む）及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、選択的に、液体処理（「フィルム処理」、「流体処理」、「溶液処理」または「溶媒処理」ともいう）を介して作製される。これは、各層に含まれた成分が液体状態で素子の一部の表面に適用されることを意味する。
好ましくは、少なくとも１層の発光層Ｂ及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、スピンコーティングによって作製されてもよい。当業者に周知の当該方法により、薄くて（本質的に）均一な層及び／または副層を得ることができる。
代案としては、少なくとも１層の発光層Ｂ及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈において層は、例えば、キャスティング（例えば、ドロップキャスティング）、ローリング方法及び印刷方法（例えば、インクジェット印刷、グラビア印刷、ブレードコーティング）のような液体処理に基づいた他の方法によっても製造される。これは、選択的に、不活性雰囲気（例えば、窒素雰囲気）で遂行される。
他の好ましい実施形態において、少なくとも１層の発光層Ｂ及び／またはその１以上の副層を含む、本発明の文脈における層は、例えば、熱（共）蒸着、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）及び有機気相ジェットプリンティング（ＯＶＪＰ）による蒸着のように、当業者に周知の真空処理方法を含むが、それに限定されない、当業界に周知の任意の他の方法によって作製されてもよい。
有機エレクトロルミネッセンス素子の関心のある目的のうち１つは、真空蒸着を介する有機エレクトロルミネッセンス素子の生成であってもよい。
したがって、有機エレクトロルミネッセンス素子を生成するための方法に係わる本発明の他の態様は、下記を含み、
（ｉ）真空蒸着を介する発光層Ｂの蒸着すること、及び
（ｉｉ）真空蒸着を介する励起子管理層ＥＸＬの蒸着すること、
ここで、該ステップ（ｉ）及び（ｉｉ）は、互いに順次に実行され、
該ステップ（ｉ）及び（ｉｉ）の順序は逆にすることができる。
好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子が生成され、ここで、発光層Ｂが真空蒸着を介して蒸着され、次いで、励起子管理層ＥＸＬが真空蒸着を介して蒸着される。本実施形態において、励起子管理層ＥＸＬは、好ましくは、発光層Ｂ上に真空蒸着を介して蒸着されるものと理解されるであろう。すなわち、励起子管理層ＥＸＬは、発光層Ｂと直接接することが好ましい。したがって、励起子管理層ＥＸＬは隣接している。
好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子が生成され、ここで、励起子管理層ＥＸＬが真空蒸着を介して蒸着され、次いで、発光層Ｂが真空蒸着を介して蒸着される。本実施形態において、発光層Ｂは、好ましくは、励起子管理層ＥＸＬ上に真空蒸着を介して蒸着されるものと理解されるであろう。すなわち、励起子管理層ＥＸＬは、発光層Ｂと直接接することが好ましい。したがって、励起子管理層ＥＸＬは隣接している。
選択的にその１以上の副層を含む層を液体処理によって作製するとき、（副）層の成分（すなわち、本発明の発光層Ｂに対し、１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢ、選択的に１以上の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に１以上のホスト材料ＨＢ）を含む溶液は、揮発性有機溶媒をさらに含んでもよい。そのような揮発性有機溶媒は、選択的に、テトラヒドロフラン、ジオキサン、クロロベンゼン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、２－（２－エトキシエトキシ）エタノール、γ－ブチロラクトン、Ｎ－メチルピロリジノン、エトキシエタノール、キシレン、トルエン、アニソール、フェネトール、アセトニトリル、テトラヒドロチオフェン、ベンゾニトリル、ピリジン、トリヒドロフラン、トリアリールアミン、シクロヘキサノン、アセトン、プロピレンカーボネート、エチルアセテート、ベンゼン及びプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）から構成される群から選択される１つであってもよい。また、２以上の溶媒の組み合わせが使用されうる。液体状態で塗布された後、次いで、該層は、例えば、大気条件、上昇した温度（例えば、約５０℃または約６０℃）、または減圧において、当業界の任意の手段によって乾燥及び／または硬化される。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、全体として、５ｍｍ以下、２ｍｍ以下、１ｍｍ以下、０．５ｍｍ以下、０．２５ｍｍ以下、１００μｍまたは１０μｍ以下の薄膜を形成することができる。
有機エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、小型（例えば、５ｍｍ２以下、またさらには、１ｍｍ２以下の表面を有する）、中型（例えば、０．５ｃｍ２～２０ｃｍ２範囲の表面を有する）、または大型（例えば、２０ｃｍ２より大きい表面を有する）であってもよい。本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、選択的に、大面積照明装置であり、発光壁紙、発光ウィンドウフレームまたはガラス、発光ラベル、発光ポーザー、またはフレキシブルスクリーンまたはディスプレイと
してスクリーンを生成するために使用されうる。一般的な用途の次に、有機エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、例えば、発光フィルム、「スマートパッケージング」ラベルまたは革新的なデザイン要素として使用されてもよい。また、細胞検出及び検査（例えば、バイオラべリング）に使用することができる。
発光層（ＥＭＬ）Ｂの組成
以下、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂの組成をより具体的に記述するにあたって、場合によって特定材料の含量を百分率で示す。特定実施形態に対して特に言及しない限り、全ての百分率は、重量百分率を示し、これは、重量パーセントまたは重量％（（重量／重量）、（ｗ／ｗ）、ｗｔ．％）と同一の意味を有するという点に留意しなければならない。例えば、特定組成において、１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢの含量が例示的に１％と言及するとき、これは、１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ（すなわち、全てのＳＢ分子の合算）は、１重量％、すなわち、各発光層Ｂの全体重量の１％を占める。発光層Ｂの組成がその成分の好ましい含量を重量％で提供することによって特定される度に、全成分の総含量を合算すれば、１００重量％（すなわち、それぞれの発光層Ｂの総重量）となるものと理解される。
ホスト材料ＨＢ、ＴＡＤＦ材料ＥＢ及び小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に任意の量及び割合で含まれる。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）１２～６０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）０．０～３０重量％の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３０～８７．９重量％のホスト材料ＨＢ、及び選択的に
（ｖ）０～５７．９重量％の１以上の溶媒、及び選択的に
（ｖｉ）０～５７．８重量％の（好ましくは、前述の成分（ｉ）～（ｉｖ）と異なる）、ＴＡＤＦ材料、燐光材料、ホスト材料及び小ＦＷＨＭエミッタの群から選択された材料。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）１２～６０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）０．０～３０重量％の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３０～８７．９重量％のホスト材料ＨＢ、及び選択的に
（ｖ）０～５７．９重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）１２～６０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）０．０～３０重量％の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３０～８７．９重量％のホスト材料ＨＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）１２～６０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）０．１～３０重量％の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３０～８７．８重量％のホスト材料ＨＢ、及び選択的に
（ｖ）０～５７．８重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）１２～６０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）０．１～３０重量％の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、
（ｉｉｉ）０．１～１０重量％の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３０～８７．８重量％のホスト材料ＨＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）１５～５０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）０．１～１５重量％の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、
（ｉｉｉ）０．１～５重量％の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３０～８４．８重量％のホスト材料ＨＢ、及び選択的に
（ｖ）０～５４．８重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）１５～５０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）０．１～１５重量％の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、
（ｉｉｉ）０．１～５重量％の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）３０～８４．８重量％のホスト材料ＨＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）２０～５０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）０．１～１０重量％の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、
（ｉｉｉ）０．１～３重量％の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）４０～７９．８重量％のホスト材料ＨＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３９．８重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）２０～５０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）０．１～１０重量％の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、
（ｉｉｉ）０．１～３重量％の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）４０～７９．８重量％のホスト材料ＨＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）２０～４５重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）０．１～５重量％の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、
（ｉｉｉ）０．１～３重量％の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）４０～７９．８重量％のホスト材料ＨＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３９．８重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）２０～４５重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）０．１～５重量％の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、
（ｉｉｉ）０．１～３重量％の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）４０～７９．８重量％のホスト材料ＨＢ、及び選択的に
（ｖ）０～７重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）２０～４５重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）０．１～３重量％の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、
（ｉｉｉ）０．１～３重量％の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）４０～７９．８重量％のホスト材料ＨＢ、及び選択的に
（ｖ）０～３９．８重量％の１以上の溶媒。
好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層Ｂは、下記を含むか、あるいはそれから構成される：
（ｉ）２０～４５重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢ、
（ｉｉ）０．１～３重量％の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、
（ｉｉｉ）０．１～３重量％の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、
（ｉｖ）４０～７９．８重量％のホスト材料ＨＢ、及び選択的に
（ｖ）０～９重量％の１以上の溶媒。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として５重量％以下の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２を含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＥＥＴ－２の総含量は５重量％以下を意味する）。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として５重量％以下の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２を含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＥＥＴ－２の総含量は５重量％以下を意味する）。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として３重量％以下の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２を含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＥＥＴ－２の総含量は３重量％以下を意味する）。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として５重量％以下の小ＦＷＨＭエミッタＳＢを含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＳＢの総含量は５重量％以下を意味する）。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として３重量％以下の小ＦＷＨＭエミッタＳＢを含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＳＢの総含量は３重量％以下を意味する）。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として１重量％以下の小ＦＷＨＭエミッタＳＢを含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＳＢの総含量は１重量％以下を意味する）。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として１５～５０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢを含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＥＢの総含量は１５～５０重量％の範囲であることを意味する）。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として２０～５０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢを含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＥＢの総含量は２０～５０重量％の範囲であることを意味する）。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂは、発光層Ｂの総重量を基準として２０～４５重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢを含む（それぞれの発光層Ｂにおいて、ＥＢの総含量は２０～４５重量％の範囲であることを意味する）。
Ｓ１－Ｔ１エネルギー関係
本発明の文脈において、
（ｉ）ＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）を有する最低励起一重項状態Ｓ１Ｅ、及びエネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有する最低励起三重項状態Ｔ１Ｅを有し、
（ｉｉ）小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢは、エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）を有する最低励起一重項状態Ｓ１Ｓ、及びエネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有する最低励起三重項状態Ｔ１Ｓを有し、
（ｉｉｉ）ホスト材料ＨＢは、エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）を有する最低励起一重項状態Ｓ１Ｈ、及びエネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有する最低励起三重項状態Ｔ１Ｈを有し、
（ｉｖ）選択的なエネルギー移動成分ＥＥＴ－２は、エネルギーレベルＥ（Ｓ１ＥＥＴ－２）を有する最低励起一重項状態Ｓ１ＥＥＴ－２、及びエネルギーレベルＥ（Ｔ１ＥＥＴ－２）を有する最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２を有する。
本発明の一実施形態において、下記式（７）～（９）で表される関係は、発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｅ） （７）
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－２） （８）
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （９）。
したがって、ホスト材料ＨＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｈは、好ましくは、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｅよりエネルギーが高く（式７）、励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起一重項状態Ｓ１ＥＥＴ－２よりエネルギーが高く（式８）、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓよりエネルギーが高い（式９）。
一実施形態において、式（７）～（９）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、下記式（１０）及び（１１）で表される関係のうち１つまたは両方は、同一な発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｓ１Ｅ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１０）
Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－２）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１１）。
したがって、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｅ（式１０）及び／または選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起一重項状態Ｓ１ＥＥＴ－２（式１１）は、好ましくは、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓよりエネルギー
が高い。
一実施形態において、式（１０）及び（１１）で表される前述の関係のうち１つまたは両方は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（７）～（１１）で表される関係は、同一な発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｅ） （７）
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－２） （８）
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （９）
Ｅ（Ｓ１Ｅ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１０）
Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－２）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１１）。
一実施形態において、式（７）～（１１）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（１３）及び（１４）で表される関係は、発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｅ） （１３）
Ｅ（Ｔ１Ｅ）≧Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２） （１４）。
したがって、ホスト材料ＨＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈは、好ましくは、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅよりエネルギーが高い（式１３）。また、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅは、好ましくは、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２とエネルギーが同一であるか、またはそれより高い（式１４）。
一実施形態において、式（１３）及び（１４）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（１４）～（１６）で表される関係は、同一な発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｔ１Ｅ）≧Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２） （１４）
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１５）
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）＞Ｅ（Ｔ１Ｓ） （１６）。
したがって、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅは、好ましくは、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２とエネルギーが同一であるか、またはそれより高く（式１４）、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２は、好ましくは、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓよりエネルギーが高く（式１５）、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２は、好ましくは、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｓよりエネルギーが高い（式１６）。
一実施形態において、式（１４）～（１６）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（７）～（１０）及び下記式（１５）で表される関係が適用される：
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｅ） （７）
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－２） （８）
Ｅ（Ｓ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （９）
Ｅ（Ｓ１Ｅ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１０）
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１５）。
一実施形態において、式（７）～（１０）及び式（１５）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の代案的な実施形態において、下記式（１７）及び（１０）で表される関係は、発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）＞Ｅ（Ｔ１Ｅ） （１７）
Ｅ（Ｓ１Ｅ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１０）。
したがって、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２は、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅよりもエネルギーが高く（式１７）、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｅは、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓよりエネルギーが高い（式１０）。
代案的な実施形態において、式（１７）及び（１０）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（１８）、（１５）、（１９）及び（２０）で表される関係は、発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２） （１８）
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （１５）
Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｓ１Ｅ） （１９）
Ｅ（Ｔ１Ｅ）＞Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２） （２０）。
したがって、ホスト材料ＨＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈは、好ましくは、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２よりエネルギーが高く（式１８）、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２は、好ましくは、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓよりエネルギーが高く（式１５）、ホスト材料ＨＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｈは、好ましくは、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｅよりエネルギーが高く（式１９）、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅは、好ましくは、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２よりエネルギーが高い（式２０）。
一実施形態において、式（１８）、（１５）、（１９）及び（２０）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２は、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅとエネルギーが同一であるか、またはそれより高く、
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）≧Ｅ（Ｔ１Ｅ）
選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２と小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）は、０．３ｅＶ以下である：
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）≦０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅは、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２とエネルギーが同一であるか、またはそれより高く、
Ｅ（Ｔ１Ｅ）≧Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）
ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅと小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差Ｅ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）は、０．３ｅＶ以下である：
Ｅ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）≦０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２は、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅとエネルギーが同一であるか、またはそれより高く、
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）≧Ｅ（Ｔ１Ｅ）
選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２と小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）は、０．２ｅＶ以下である：
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）≦０．２ｅＶ。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅは、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２とエネルギーが同一であるか、またはそれより高く、
Ｅ（Ｔ１Ｅ）≧Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）
ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅと小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起一重項状態Ｓ１Ｓとのエネルギー差Ｅ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）は、０．２ｅＶ以下である：
Ｅ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｓ１Ｓ）≦０．２ｅＶ。
本発明の一実施形態において、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２は、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅとエネルギーが同一であるか、またはそれより高く、
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）≧Ｅ（Ｔ１Ｅ）
選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２と小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｓとのエネルギー差Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）－Ｅ（Ｔ１Ｓ）は、０．３ｅＶ以下である：
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）－Ｅ（Ｔ１Ｓ）≦０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅは、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２とエネルギーが同一であるか、またはそれより高く、
Ｅ（Ｔ１Ｅ）≧Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）
ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅと小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｓとのエネルギー差Ｅ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｔ１Ｓ）は、０．３ｅＶ以下である：
Ｅ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｔ１Ｓ）≦０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２は、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅとエネルギーが同一であるか、またはそれより高く、
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）≧Ｅ（Ｔ１Ｅ）
選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２と小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｓとのエネルギー差Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）－Ｅ（Ｔ１Ｓ）は、０．２ｅＶ以下である：
Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）－Ｅ（Ｔ１Ｓ）≦０．２ｅＶ。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅは、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低励起三重項状態Ｔ１ＥＥＴ－２とエネルギーが同一であるか、またはそれより高く、
Ｅ（Ｔ１Ｅ）≧Ｅ（Ｔ１ＥＥＴ－２）
ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｅと小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低励起三重項状態Ｔ１Ｓとのエネルギー差Ｅ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｔ１Ｓ）は、０．２ｅＶ以下である：
Ｅ（Ｔ１Ｅ）－Ｅ（Ｔ１Ｓ）≦０．２ｅＶ。
ＨＯＭＯ－、ＬＵＭＯ－エネルギー関係
本発明の文脈において、
（ｉ）ＴＡＤＦ材料ＥＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）、及びエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）を有し、
（ｉｉ）小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）、及びエネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）を有し、
（ｉｉｉ）ホスト材料ＨＢは、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）、及びエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）を有し、
（ｉｖ）選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）を有する最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）、及びエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－２）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－２）を有する。
好ましい実施形態において、下記式（１）～（３）で表される関係は、発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＨＢ） （１）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－２） （２）
ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ） （３）。
好ましい実施形態において、下記式（４）～（６）で表される関係は、同一な発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）≧ＥＨＯＭＯ（ＨＢ） （４）
ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）≧ＥＨＯＭＯ（ＥＢ） （５）
ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）≧ＥＨＯＭＯ（ＳＢ） （６）。
好ましい実施形態において、前述の式（１）～（６）で表される関係は、発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有するホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーが高い：
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーが高い：
ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）を有する選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）よりエネルギーが高い：
ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）＞ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）を有する選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有するホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）よりエネルギーが高い：
ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）＞ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）を有する選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）は、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）よりエネルギーが高い：
ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）＞ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）は、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とエネルギーが同一であるか、またはそれより低い：
ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）≦ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）を有する選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．３ｅＶより小さい：
ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）を有する選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．２ｅＶより小さい：
ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．２ｅＶ。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）を有する選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．０ｅＶより大きく、０．８ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＜０．８ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）を有する選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＳＢ）を有する小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０．２ｅＶ）、またさらには、０．３ｅＶより大きい（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＳＢ）＞０．３ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）を有する選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、０ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）＞０．２ｅＶ）、より一層好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）＞０．３ｅＶ）、さらに好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）＞０．５ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）を有する選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）と、エネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢ）を有するホスト材料ＨＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＨＢ）とのエネルギー差は、０ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．２ｅＶ）、より一層好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．３ｅＶ）、さらに好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＨＯＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＨＯＭＯ（ＨＢ）＞０．５ｅＶ）。
本発明の一実施形態において、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、０．０ｅＶより大きく、０．３ｅＶより小さい：
０．０ｅＶ＜ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜０．３ｅＶ。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＳＢ）を有する小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＳＢ）と、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、０ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０．２ｅＶ）、特に好ましくは、０．３ｅＶより大きい（ＥＬＵＭＯ（ＳＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０．３ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－２）を有する選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＥＴ－２）と、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、０ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０．２ｅＶ）、より一層好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０．３ｅＶ）、さらに好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＬＵＭＯ（ＥＥＴ－２）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０．５ｅＶ）。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢのエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＨＢ）と、エネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢ）を有する最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）とのエネルギー差は、０ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０ｅＶ）、好ましくは、０．１ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０．１ｅＶ）、より好ましくは、０．２ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０．２ｅＶ）、より一層好ましくは、０．３ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０．３ｅＶ）、さらに好ましくは、０．４ｅＶより大きく（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０．４ｅＶ）、特に、０．５ｅＶより大きい（ＥＬＵＭＯ（ＨＢ）－ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＞０．５ｅＶ）。
最大発光（ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｍａｘｉｍａ）の関係
本発明の一実施形態において、式（２１）及び式（２２）で表される関係のうち１つまたは両方は、発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
｜Ｅλｍａｘ（ＥＥＴ－２）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．３０ｅＶ （２１）
｜Ｅλｍａｘ（ＥＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．３０ｅＶ （２２）。
これは、以下を意味する：発光層Ｂ内において、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＥＥＴ－２）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．３０ｅＶより小さく（式２１）、及び／または、電子ボルト（ｅＶ）で与えられたＴＡＤＦ材料ＥＢの最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＥＢ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．３０ｅＶより小さい（式２２）。
本発明の一実施形態において、式（２１）及び式（２２）で表される前述の関係のうち１つまたは両方は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、式（２３）及び式（２４）で表される関係のうち１つまたは両方は、発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
｜Ｅλｍａｘ（ＥＥＴ－２）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．２０ｅＶ （２３）
｜Ｅλｍａｘ（ＥＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．２０ｅＶ （２４）。
これは、以下を意味する：発光層Ｂ内において、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＥＥＴ－２）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．２０ｅＶより小さく（式２３）、及び／または、電子ボルト（ｅＶ）で与えられたＴＡＤＦ材料ＥＢの最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＥＢ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．２０ｅＶより小さい（式２４）。
本発明の一実施形態において、式（２３）及び式（２４）で表される前述の関係のうち１つまたは両方は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明のより好ましい実施形態において、式（２５）及び式（２６）で表される関係のうち１つまたは両方は、発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
｜Ｅλｍａｘ（ＥＥＴ－２）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．１０ｅＶ （２５）
｜Ｅλｍａｘ（ＥＢ）－Ｅλｍａｘ（ＳＢ）｜＜０．１０ｅＶ （２６）。
これは、以下を意味する：発光層Ｂ内において、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＥＥＴ－２）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．１０ｅＶより小さく（式２５）、及び／または、電子ボルト（ｅＶ）で与えられたＴＡＤＦ材料ＥＢの最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＥＢ）と、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）とのエネルギー差は、０．１０ｅＶより小さい（式２６）。
本発明の一実施形態において、式（２５）及び式（２６）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた材料に適用される。
本発明の一実施形態において、式（２７）で表される関係は、発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅλｍａｘ（ＥＥＴ－２）＞Ｅλｍａｘ（ＳＢ） （２７）。
これは、発光層Ｂ内において、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＥＥＴ－２）が、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）より大きいということを意味する。
本発明の一実施形態において、式（２８）で表される関係は、発光層Ｂに含まれた材料に適用される：
Ｅλｍａｘ（ＥＢ）＞Ｅλｍａｘ（ＳＢ） （２８）。
これは、発光層Ｂ内において、電子ボルト（ｅＶ）で与えられたＴＡＤＦ材料ＥＢの最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＥＢ）が、電子ボルト（ｅＶ）で与えられた小ＦＷＨＭＳＢの最大発光エネルギーＥλｍａｘ（ＳＢ）より大きいということを意味する。
素子色相及び性能
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％以上、またさらには、２０％以上の外部量子効率を示し、５００ｎｍ～５６０ｎｍにおいて最大発光を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％以上、またさらには、２０％以上の外部量子効率を示し、５１０ｎｍ～５５０ｎｍにおいて最大発光を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、１０００ｃｄ／ｍ２において、１０％超過、好ましくは、１３％超過、より好ましくは、１５％超過、より一層好ましくは、１８％以上、またさらには、２０％以上の外部量子効率を示し、５１５ｎｍ～５４０ｎｍにおいて最大発光を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。
好ましい実施形態において、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、定電流密度Ｊ０＝１５ｍＡ／ｃｍ２において、ＬＴ９５値は、１００時間超過、好ましくは、２００時間超過、より好ましくは、３００時間超過、より一層好ましくは、４００時間超過、さらに好ましくは、７５０時間超過、またさらには、１０００時間超過を示す。
本発明の更なる実施形態は、明確な色点で発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、狭い発光バンド（小半値幅（ＦＷＨＭ））で発光する。好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、０．２５ｅＶ未満、好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またさらには、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークのＦＷＨＭを有する光を放出する。本発明の更なる実施形態は、ＩＴＵ－Ｒ Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ ＢＴ．２０２０（Ｒｅｃ．２０２０）によって定義されているような原色緑色（ＣＩＥｘ＝０．１７０及びＣＩＥｙ＝０．７９７）のＣＩＥｘ（＝０．１７０）及びＣＩＥｙ（＝０．７９７）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を放出するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものであり、これは、ＵＨＤ（Ｕｌｔｒａ Ｈｉｇｈ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ）ディスプレイ、例えば、ＵＨＤ－ＴＶに使用するのに適している。本段落において「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッショントップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッションボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。したがって、本発明の更なる態様は、発光が、０．１５～０．４５、好ましくは、０．１５～０．３５、より好ましくは、０．１５～０．３０、より一層好ましくは、０．１５～０．２５、またさらには、０．１５～０．２０のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．６０～０．９２、好ましくは、０．６５～０．９０、より好ましくは、０．７０～０．８８、より一層好ましくは、０．７５～０．８６、またさらには、０．７９～０．８４のＣＩＥｙ色座標を示すエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、ＤＣＩＰ３に定義されているような原色緑色（ＣＩＥｘ＝０．２６５及びＣＩＥｙ＝０．６５）のＣＩＥｘ（＝０．２６５）及びＣＩＥｙ（＝０．６５）の色座標に近いＣＩＥｘ及びＣＩＥｙの色座標を有する光を放出するＯＬＥＤに係わるものである。本段落において「近い」という用語は、本段落の末尾に提供されたＣＩＥｘ及びＣＩＥｙ座標の範囲を示す。商業的応用において、典型的にトップエミッショントップエミッション素子（上部電極が透明である）が使用される一方、本発明の全般にわたって使用されるテスト素子は、ボトムエミッションボトムエミッション素子（下部電極及び基板が透明である）を示す。本発明の更なる態様は、ボトムエミッションボトムエミッションが、０．２～０．４５、好ましくは、０．２～０．３５、より好ましくは、０．２～０．３０、より一層好ましくは、０．２４～０．２８、またさらには、０．２５～０．２７のＣＩＥｘ色座標、及び／または、０．６０～０．９、好ましくは、０．６～０．８、より好ましくは、０．６０～０．７０、より一層好ましくは、０．６２～０．６８、またさらには、０．６４～０．６６のＣＩＥｙ色座標を示すＯＬＥＤに係わるものである。
本発明の更なる実施形態は、明確な色点で発光するエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）に係わるものである。本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、狭い発光バンド（小半値幅（ＦＷＨＭ））を有する光を放出する。好ましい実施形態において、本発明によるエレクトロルミネッセンス素子（例えば、ＯＬＥＤ）は、０．２５ｅＶ未満、好ましくは、０．２０ｅＶ未満、より好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またさらには、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークのＦＷＨＭを有する光を放出する。
有機エレクトロルミネッセンス素子の関心目的のうち１つは、光の発生でもある。したがって、本発明は、また、任意の本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供
するステップを含む、所望の波長範囲の光を発生させる方法に係わるものである。
したがって、本発明の他の態様は、下記ステップを含む、所望の波長範囲の光を発生させる方法に係わるものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること。
本発明の他の態様は、前述の要素を構成して有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法に係わるものである。本発明は、また、特に有機エレクトロルミネッセンス素子を使用することにより、緑色光を発生させる方法に係わるものである。
本発明の他の態様は、下記式（２９）が発光層Ｂに含まれた材料に適用される有機エレクトロルミネッセンス素子に係わるものである：
５１０ｎｍ≦λｍａｘ（ＳＢ）≦５５０ｎｍ （２９）
ここで、λｍａｘ（ＳＢ）は、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光であり、ナノメートル（ｎｍ）で与えられる。
本発明の更なる態様は、下記ステップを含む光発生方法に係わるものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること。
本発明の更なる態様は、下記ステップを含む光発生方法に係わるものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること、
ここで、該方法は、５１０ｎｍ～５５０ｎｍの波長範囲において光を発生させるためのものである。
本発明の更なる態様は、下記ステップを含む光発生方法に係わるものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること、
ここで、該方法は、５１５ｎｍ～５４０ｎｍの波長範囲において光を発生させるためのものである。
本発明の更なる態様は、下記ステップを含む光発生方法に係わるものである：
（ｉ）本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
（ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること、
ここで、該前記方法は、５１５ｎｍ～５４０ｎｍの波長範囲において光を発生させるためのものである。
当業者は、それらの構造により、ＴＡＤＦ材料ＥＢ（以下参照）及び励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２（以下参照）が有機エレクトロルミネッセンス素子においてエミッタとして使用可能であることを理解する。しかし、好ましくは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、ＴＡＤＦ材料ＥＢ及び励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の主要機能は、発光するものではない。好ましい実施形態において、電圧（及び電流）を印加するとき、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子が発光し、当該発光は、主に（すなわち、５０％より多く、好ましくは、６０％より多く、より好ましくは、７０％より多く、より一層好ましくは、８０％より多く、またさらには、９０％より多く）小ＦＷＨＭエミッタＳＢによって発光された蛍光に起因する。結果として、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子は、好ましくは、０．２５ｅＶ未満、より好ましくは、
０．２０ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１５ｅＶ未満、またさらには、０．１３ｅＶ未満の主発光ピークの小ＦＷＨＭで表される狭い発光を示す。
本発明の好ましい実施形態において、下記式（３２）で表される関係が適用される：

ここで、
ＦＷＨＭＤは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の主発光ピークの電子ボルト（ｅＶ）単位の半値幅（ＦＷＨＭ）を意味し、
ＦＷＨＭＳＢは、ＦＷＨＭＤのＦＷＨＭを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層（ＥＭＬ）に使用された１以上のホスト材料ＨＢ内の１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢのスピンコーティング膜のフォトルミネセンススペクトル（室温、すなわち、（約）２０℃で測定された蛍光スペクトル）の電子ボルト（ｅＶ）へのＦＷＨＭを示す。すなわち、ＦＷＨＭＳＢが決定されるスピンコーティング膜は、好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂと同一の重量比で同一の小ＦＷＨＭエミッタまたはエミッタＳＢを含む。
例えば、発光層Ｂがそれぞれ１重量％の濃度を有する２種の小ＦＷＨＭエミッタＳＢを含む場合、スピンコーティング膜は、好ましくは、２種の小ＦＷＨＭエミッタＳＢそれぞれを１重量％含む。その例示的な場合、スピンコーティング膜のマトリックス材料は、スピンコーティング膜の９８重量％に至るであろう。そのようなスピンコーティング膜のマトリックス材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれたホスト材料ＨＢの重量比を反映するように選択されうる。前述の例において、発光層Ｂが単一ホスト材料ＨＢを含むならば、当該ホスト材料は、好ましくは、スピンコーティング膜の唯一のマトリックス材料であってもよい。しかし、前述の例において、発光層Ｂが２種のホスト材料ＨＢを含む場合、１つは６０重量％の含量を有し、他の１つは２０重量％の含量（すなわち、３：１の割合）を有する場合、スピンコーティング膜の前述のマトリックス材料（２種の小ＦＷＨＭエミッタＳＢそれぞれの１重量％を含む）は、好ましくは、ＥＭＬに存在する２種のホスト材料ＨＢの３：１混合物であってもよい。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に１以上の発光層Ｂが含まれる場合、式（３２）で表される関係は、好ましくは、素子に含まれる全ての発光層Ｂに適用される。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂは、前述のＦＷＨＭＤ：ＦＷＨＭＳＢの割合が１．５０以下、好ましくは、１．４０以下、より好ましくは、１．３０、より一層好ましくは、１．２０、またさらには、１．１０である。
本発明の文脈において小ＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用するための蛍光エミッタの選択のために、ＦＷＨＭ値が本文後の下位節に述べられたように決定されることに留意しなければならない（簡単に、好ましくは、１～５重量％、特に２重量％の濃度を有するポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内のそれぞれのエミッタのスピンコーティング膜から、または溶液から、以下参照）。すなわち、表１Ｓに示された例示的な小ＦＷＨＭエミッタＳＢのＦＷＨＭ値は、式（３２）及び本発明の関連した好ましい実施形態の文脈においてＦＷＨＭＳＢ値と理解されない。
実施例及び特許請求の範囲が本発明をさらに説明する。
ホスト材料Ｈ Ｂ
本発明によれば、任意の１以上の発光層Ｂに含まれた任意の１以上のホスト材料ＨＢは、高い正孔移動度を示すｐ－ホストＨＰ、高い電子移動度を示すｎ－ホストＨＮ、または高い正孔移動度及び高い電子移動度の両方を示す両極性ホスト材料ＨＢＰであってもよい。
本発明の文脈において、高い電子移動度を示すｎ－ホストＨＮは、好ましくは、－２．５０ｅＶ以下（ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦－２．５０ｅＶ）、より好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦－２．６０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦－２．６５ｅＶ、さらに好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＮ）≦－２．７０ｅＶのＬＵＭＯエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＮ）を有する。ＬＵＭＯは、最低空軌道である。ＬＵＭＯのエネルギーは、本文後の下位節に述べられたように決定される。
本発明の文脈において、高い正孔移動度を示すｐ－ホストＨＰは、好ましくは、－６．３０ｅＶ以上（ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－６．３０ｅＶ）、より好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．９０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．７０ｅＶ、さらに好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．４０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。ＨＯＭＯのエネルギーは、本文後の下位節に述べられたように決定される。
本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の各発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのホスト材料ＨＢは、－６．３０ｅＶ以上（ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－６．３０ｅＶ）、好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．９０ｅＶ、より好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．７０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＰ）≧－５．４０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有するｐ－ホストＨＰである。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。ＨＯＭＯのエネルギーは、本文後の下位節に述べられたように決定される。
本発明の一実施形態において、それぞれの発光層Ｂ内において、発光層Ｂに含まれた少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのｐ－ホストＨＰは、－５．６０ｅＶより小さいＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＰ）を有する。
本発明の文脈において、高い電子移動度を示す両極性ホストＨＢＰは、好ましくは、－２．５０ｅＶ以下（ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．５０ｅＶ）、より好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．６０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．６５ｅＶ、さらに好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．７０ｅＶのＬＵＭＯエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有する。ＬＵＭＯは、最低空軌道である。ＬＵＭＯのエネルギーは、本文後の下位節に述べられたように決定される。
本発明の文脈において、高い正孔移動度を示す両極性ホストＨＢＰは、好ましくは、－６．３０ｅＶ以上（ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－６．３０ｅＶ）、より好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．９０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．７０ｅＶ、さらに好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．４０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有する。ＨＯＭＯは、最高被占軌道である。ＨＯＭＯのエネルギーは、本文後の下位節に述べられたように決定される。
本発明の一実施形態において、両極性ホスト材料ＨＢＰ、好ましくは、それぞれの両極
性ホスト材料ＨＢＰは、以下の要件をいずれも満たす：
（ｉ）－２．５０ｅＶ以下（ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．５０ｅＶ）、好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．６０ｅＶ、より好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．６５ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）≦－２．７０ｅＶのＬＵＭＯエネルギーＥＬＵＭＯ（ＨＢＰ）を有し、
（ｉｉ）－６．３０ｅＶ以上（ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－６．３０ｅＶ）、好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．９０ｅＶ、より好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．７０ｅＶ、より一層好ましくは、ＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）≧－５．４０ｅＶのＨＯＭＯエネルギーＥＨＯＭＯ（ＨＢＰ）を有する。
当業者は、いかなる材料が本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するのに適しているホスト材料であるかが分かっている。以下の例示を参照する：Ｙ．Ｔａｏ， Ｃ．Ｙａｎｇ， Ｊ．Ｑｕｉｎ， Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｒｅｖｉｗｓ ２０１１， ４０， ２９４３， ＤＯＩ： １０．１０３９／Ｃ０ＣＳ００１６０Ｋ； Ｋ．Ｓ．Ｙｏｏｋ， Ｊ．Ｙ．Ｌｅｅ， Ｔｈｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｃｏｒｄ ２０１５， １６（１）， １５９， ＤＯＩ： １０．１００２／ｔｃｒ．２０１５００２２１； Ｔ．Ｃｈａｔｔｅｒｊｅｅ， Ｋ．－Ｔ．Ｗｏｎｇ， Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１８， ７（１）， １８００５６５，
ＤＯＩ： １０．１００２／ａｄｏｍ．２０１８００５６５； Ｑ．Ｗａｎｇ， Ｑ．－Ｓ．Ｔｉａｎ， Ｙ．－Ｌ．Ｚｈａｎｇ， Ｘ．Ｔａｎｇ， Ｌ．－Ｓ．Ｌｉａｏ， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｃ２０１９， ７，
１１３２９， ＤＯＩ： １０．１０３９／Ｃ９ＴＣ０３０９２Ａ。
また、例えば、ＵＳ２００６００６３６５（Ａ１）、ＵＳ２００６２０８２２１（Ａ１）、ＵＳ２００５０６９７２９（Ａ１）、ＥＰ１２０５５２７（Ａ１）、ＵＳ２００９３０２７５２（Ａ１）、ＵＳ２００９０１３４７８４（Ａ１）、ＵＳ２００９３０２７４２（Ａ１）、ＵＳ２０１０１８７９７７（Ａ１）、ＵＳ２０１０１８７９７７（Ａ１）、ＵＳ２０１２０６８１７０（Ａ１）、ＵＳ２０１２０９７８９９（Ａ１）、ＵＳ２００６１２１３０８（Ａ１）、ＵＳ２００６１２１３０８（Ａ１）、ＵＳ２００９１６７１６６（Ａ１）、ＵＳ２００７１７６１４７（Ａ１）、ＵＳ２０１５３２２０９１（Ａ１）、ＵＳ２０１１１０５７７８（Ａ１）、ＵＳ２０１１２０１７７８（Ａ１）、ＵＳ２０１１１２１２７４（Ａ１）、ＵＳ２００９３０２７４２（Ａ１）、ＵＳ２０１０１８７９７７（Ａ１）、ＵＳ２０１０２４４００９（Ａ１）、ＵＳ２００９１３６７７９（Ａ１）、ＥＰ２１８２０４０（Ａ２）、ＵＳ２０１２２０２９９７（Ａ１）、ＵＳ２０１９３９３４２４（Ａ１）、ＵＳ２０１９３９３４２５（Ａ１）、ＵＳ２０２０１６８８１９（Ａ１）、ＵＳ２０２００７９７６２（Ａ１）及びＵＳ２０１２２９２５７６（Ａ１）は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用可能なホスト材料を開示する。これは、本発明が、引用された参照文献に開示されたホスト材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるということを意味しないと理解される。また、最新技術で使用される任意のホスト材料が、本発明の文脈において好適なホスト材料ＨＢであることが理解される。
本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、１以上のｐ－ホストＨＰを含む。本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、単一ホスト材料ＨＢのみを含み、当該ホスト材料は、ｐ－ホストＨＰである。
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、１以上のｎ－ホストＨＮを含む。本発明の他の実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、単一ホスト材料
ＨＢのみを含み、当該ホスト材料は、ｎ－ホストＨＮである。
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、１以上の両極性ホストＨＢＰを含む。本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂは、単一ホスト材料ＨＢのみを含み、当該ホスト材料は、両極性ホストＨＢＰである。
本発明の他の実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つの発光層Ｂは、少なくとも２種の互いに異なるホスト材料ＨＢを含む。この場合、それぞれの発光層Ｂに存在する１以上のホスト材料ＨＢは、いずれもｐ－ホストＨＰであるか、いずれもｎ－ホストＨＮであるか、いずれも両極性ホストＨＢＰであるが、それらの組み合わせであってもよい。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子が１以上の発光層Ｂを含む場合、それらのうちいずれか１つは、１以上の他の発光層Ｂと独立して、前述の定義が適用される１以上のホスト材料ＨＢを含むことが理解される。また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれた互いに異なる発光層Ｂは、必ずしも全て同一材料、またさらには、同一濃度または割合の同一材料を含むものではないと理解される。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂが１以上の副層から構成される場合、それらのうち任意の副層は、１以上の他の副層と独立して、前述の定義が適用される１以上のホスト材料ＨＢを含むことが理解される。また、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれた発光層Ｂの互いに異なる副層は、必ずしも全て同一材料、またさらには、同一濃度または割合の同一材料を含むものではないと理解される。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同一の発光層Ｂに含まれる場合、少なくとも１つのｐ－ホストＨＰ及び少なくとも１つのｎ－ホストＨＮは、選択的にエキサイプレックスエキサイプレックスを形成することができる。当業者は、エキサイプレックスを形成するＨＰ及びＨＮの対を選択する方法、並びにＨＰ及びＨＮのＨＯＭＯ－及び／またはＬＵＭＯ－エネルギー準位要求事項を含む選択基準が分かっている。すなわち、エキサイプレックス形成が要求される場合、ｐ－ホスト材料ＨＰの最高被占軌道（ＨＯＭＯ）は、ｎ－ホスト材料ＨＮのＨＯＭＯよりエネルギーが少なくとも０．２０ｅＶより高く、ｐ－ホスト材料ＨＰの最低空軌道（ＬＵＭＯ）は、ｎ－ホスト材料ＨＮのＬＵＭＯよりエネルギーが少なくとも０．２０ｅＶより高い。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つのホスト材料ＨＢ（例えば、ＨＰ、ＨＮ及び／またはＨＢＰ）は、有機ホスト材料であり、これは、本発明の文脈においてそれがいかなる遷移金属も含まないということを意味する。本発明の好ましい実施形態において、本発明のエレクトロルミネッセンス素子の全てのホスト材料ＨＢ（ＨＰ、ＨＮ及び／またはＨＢＰ）は、有機ホスト材料であり、これは、本発明の文脈においてそれらがいかなる遷移金属も含まないということを意味する。好ましくは、少なくとも１つのホスト材料ＨＢ、より好ましくは、全てのホスト材料ＨＢ（ＨＰ、ＨＮ及び／またはＨＢＰ）は、主に水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から構成されるが、例えば、酸素（Ｏ）、ボロン（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）及び臭素（Ｂｒ）を含んでもよい。
本発明の一実施形態において、それぞれのホスト材料ＨＢは、ｐ－ホストＨＰである。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、それぞれのホスト材料ＨＢは、ｐ－ホストＨＰである。
本発明の好ましい実施形態において、全体として（１つの（下位）層から構成されるか、または１以上の副層を含む）任意の少なくとも１層の発光層Ｂに選択的に含まれるｐ－ホストＨＰは、以下を含むか、あるいはそれから構成される：
化学式ＨＰ－Ｉ、ＨＰ－ＩＩ、ＨＰ－ＩＩＩ、ＨＰ－ＩＶ、ＨＰ－Ｖ、ＨＰ－ＶＩ、ＨＰ－ＶＩＩ、ＨＰ－ＶＩＩＩ、ＨＰ－ＩＸ及びＨＰ－Ｘのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される１つの第１化学的部分構造、及び
・・・化学式ＨＰ－Ｉ
・・・化学式ＨＰ－ＩＩ
・・・化学式ＨＰ－ＩＩＩ
・・・化学式ＨＰ－ＩＶ
・・・化学式ＨＰ－Ｖ
・・・化学式ＨＰ－ＶＩ
・・・化学式ＨＰ－ＶＩＩ
・・・化学式ＨＰ－ＶＩＩＩ
・・・化学式ＨＰ－ＩＸ
・・・化学式ＨＰ－Ｘ
それぞれ化学式ＨＰ－ＸＩ、ＨＰ－ＸＩＩ、ＨＰ－ＸＩＩＩ、ＨＰ－ＸＩＶ、ＨＰ－ＸＶ、ＨＰ－ＸＶＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩＩ及びＨＰ－ＸＩＸのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される１以上の第２化学的部分構造、
・・・化学式ＨＰ－ＸＩ
・・・化学式ＨＰ－ＸＩＩ
・・・化学式ＨＰ－ＸＩＩＩ
・・・化学式ＨＰ－ＸＩＶ
・・・化学式ＨＰ－ＸＶ
・・・化学式ＨＰ－ＸＶＩ
・・・化学式ＨＰ－ＸＶＩＩ
・・・化学式ＨＰ－ＸＶＩＩＩ
・・・化学式ＨＰ－ＸＩＸ
ここで、ｐ－ホスト材料ＨＰに存在する１以上の第２化学的部分構造それぞれは、前記化学式において点線で表される単結合を介して第１化学的部分構造に結合され、
ここで、
Ｚ１は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、Ｃ（ＲＩＩ）２、Ｃ＝Ｃ（ＲＩＩ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＩＩ、ＮＲＩＩ、Ｏ、Ｓｉ（ＲＩＩ）２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ
（Ｏ）２から構成される群から選択され、
ＲＩは、それぞれの場合に互いに独立して、第１化学的部分構造を第２化学的部分構造に結合する単結合の結合位置であるか、または下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈから構成される群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
ここで、少なくとも１つのＲＩは、第１化学的部分構造を第２化学的部分構造に結合する単結合の結合位置であり、
ＲＩＩは、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈから構成される群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
ここで、２以上の隣接した置換基ＲＩＩは、選択的に単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、化学式ＨＰ－ＸＩ、ＨＰ－ＸＩＩ、ＨＰ－ＸＩＩＩ、ＨＰ－ＸＩＶ、ＨＰ－ＸＶ、ＨＰ－ＸＶＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩ、ＨＰ－ＸＶＩＩＩ及びＨＰ－ＸＩＸのうちいずれか１つによる構造だけでなく、隣接した置換基ＲＩＩによって選択的に形成される追加環から構成される縮合環系は、計８～６０個の炭素原子、好ましくは、１２～４０個の炭素原子、より好ましくは、１４～３２個の炭素原子を含む。
本発明のより好ましい実施形態において、Ｚ１は、それぞれの場合に直接結合であり、隣接した置換基ＲＩＩは結合して追加環系を形成しない。
本発明のより好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に選択的に含まれるｐ－ホストＨＰは、下記構造から構成される群から選択される：





本発明の好ましい実施形態において、全体として（１つの（副）層から構成されるか、または１以上の副層を含む）任意の１以上の発光層Ｂに選択的に含まれるｎ－ホストＨＮは、化学式ＨＮ－Ｉ、ＨＮ－ＩＩ及びＨＮ－ＩＩＩのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される：
・・・化学式ＨＮ－Ｉ
・・・化学式ＨＮ－ＩＩ
・・・化学式ＨＮ－ＩＩＩ
ここで、ＲＩＩＩ及びＲＩＶは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＮ、ＣＦ３、
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈから構成される群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、及び
化学式ＨＮ－ＩＶ、ＨＮ－Ｖ、ＨＮ－ＶＩ、ＨＮ－ＶＩＩ、ＨＮ－ＶＩＩＩ、ＨＮ－ＩＸ、ＨＮ－Ｘ、ＨＮ－ＸＩ、ＨＮ－ＸＩＩ、ＨＮ－ＸＩＩＩ及びＨＮ－ＸＩＶのうちいずれか１つで表される構造、
・・・化学式ＨＮ－ＩＶ
・・・化学式ＨＮ－Ｖ
・・・化学式ＨＮ－ＶＩ
・・・化学式ＨＮ－ＶＩＩ
・・・化学式ＨＮ－ＶＩＩＩ
・・・化学式ＨＮ－ＩＸ
・・・化学式ＨＮ－Ｘ
・・・化学式ＨＮ－ＸＩ
・・・化学式ＨＮ－ＸＩＩ
・・・化学式ＨＮ－ＸＩＩＩ
・・・化学式ＨＮ－ＸＩＶ
ここで、
点線は、化学式ＨＮ－ＩＶ、ＨＮ－Ｖ、ＨＮ－ＶＩ、ＨＮ－ＶＩＩ、ＨＮ－ＶＩＩＩ、ＨＮ－ＩＸ、ＨＮ－Ｘ、ＨＮ－ＸＩ、ＨＮ－ＸＩＩ、ＨＮ－ＸＩＩＩ及びＨＮ－ＸＩＶのうちいずれか１つによる構造をＨＮ－Ｉ、ＨＮ－ＩＩ及びＨＮ－ＩＩＩのうちいずれか１つによる構造に結合する単結合の結合位置を示し、
Ｘ１は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）またはＣ（ＲＶ）２であり、
ＲＶは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈから構成される群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換されるＰｈ、
ここで、２以上の隣接した置換基ＲＶは、選択的に単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、化学式ＨＮ－ＩＶ、ＨＮ－Ｖ、ＨＮ－ＶＩ、ＨＮ－ＶＩＩ、ＨＮ－ＶＩＩＩ、ＨＮ－ＩＸ、ＨＮ－Ｘ、ＨＮ－ＸＩ、ＨＮ－ＸＩＩ、ＨＮ－ＸＩＩＩ及びＨＮ－ＸＩＶのうちいずれか１つによる構造だけでなく、隣接した置換基ＲＶによって選択的に形成される追加環から構成される縮合環系は、計８～６０個の炭素原子、好ましくは、１２～４０個の炭素原子、より好ましくは、１４～３２個の炭素原子を含み、
ここで、化学式ＨＮ－Ｉ及びＨＮ－ＩＩにおいて、少なくとも１つの置換基ＲＩＩＩはＣＮである。
本発明のより好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に選択的に含まれるｎ－ホストＨＮは、下記構造から構成される群から選択される：


本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の任意の発光層Ｂに含まれたｎ－ホストＨＮは、任意のフォスフィンオキシド基を含まず、特に、ｎ－ホストＨＮは、ビス［２－（ジフェニルホスフィノ）フェニル］エーテルオキシド（ＤＰＥＰＯ）ではない。
励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２
発光層Ｂに対し、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の同一な発光層Ｂに含まれた小ＦＷＨＭエミッタＳＢに励起エネルギーを移動させるように、ＴＡＤＦ材料ＥＢ及び選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２が好ましく選択される。
そのようなエネルギー移動位を可能にするために、好ましくは、室温（すなわち、（約）２０℃）での発光スペクトル（例えば、ＴＡＤＦ材料ＥＢの蛍光スペクトル）と、ＥＢがエネルギーを移動させなければならない小ＦＷＨＭエミッタＳＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある。したがって、好ましい実施形態において、発光層Ｂ内において、ＴＡＤＦ材料ＥＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での発光スペクトルと、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある。吸収スペクトル及び発光スペクトルは、本文後の下位節に述べられたように記録される。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂ内において、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２は、励起エネルギーを小ＦＷＨＭエミッタＳＢに移動させる。
そのようなエネルギー伝達を可能にするために、好ましくは、室温（すなわち、（約）２０℃）で選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の発光スペクトル（例えば、ＥＥＴ－２がＴＡＤＦ材料ＥＢである場合に蛍光スペクトル、及びＥＥＴ－２が燐光材料ＰＢである場合に燐光スペクトル、後述する）と、ＥＥＴ－２がエネルギーを移動させなければならない小ＦＷＨＭエミッタＳＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある。したがって、好ましい実施形態において、発光層Ｂにおいて、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の室温（すなわち、（約）２０℃）での発光スペクトルと、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある。吸収スペクトル及び発光スペクトルは、本文後の下位節に述べられたように記録される。
本発明のより好ましい実施形態において、発光層Ｂ内において、発光層Ｂに含まれた選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２だけでなく、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、小ＦＷＨＭエミッタＳＢにエネルギーを移動させる。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂ内において、以下の２つの条件が満たされる：
（ｉ）ＴＡＤＦ材料ＥＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での発光スペクトルと、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある
（ｉｉ）選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２の室温（すなわち、（約）２０℃）での発光スペクトルと、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの室温（すなわち、（約）２０℃）での吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある。
ここで、吸収スペクトル及び発光スペクトルは、本文後の下位節に述べられたように記録される。
好ましい実施形態において、発光層Ｂ、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）は、－２．３ｅＶ未満のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する：ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜－２．３ｅＶ。
好ましい実施形態において、発光層Ｂ、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）は、－２．６ｅＶ未満のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する：ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜－２．６ｅＶ。
好ましい実施形態において、発光層Ｂ内において、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）は、－６．３ｅＶより高いエネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する：ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）＞－６．３ｅＶ。
好ましい実施形態において、発光層Ｂ内において、以下の２つの条件が満たされる：
（ｉ）ＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）は、－２．６ｅＶ未満のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）を有する：ＥＬＵＭＯ（ＥＢ）＜－２．６ｅＶ、及び
（ｉｉ）ＴＡＤＦ材料ＥＢの最高被占軌道ＨＯＭＯ（ＥＢ）は、－６．３ｅＶより高いエネルギーＥＨＯＭＯ（ＥＢ）を有する：ＥＨＯＭＯ（ＥＢ）＞－６．３ｅＶ。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂ内において、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２は、以下の２つの条件のうち少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つを満たす：
（ｉ）０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またさらには、０．０５ｅＶ未満の、Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－２）とＥ（Ｔ１ＥＥＴ－２）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値を示し、及び／または
（ｉｉ）少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの標準原子量が４０を超える遷移金属を含む（ＥＥＴ－２内の少なくとも１つの原子が、原子量が４０を超える（遷移）金属であることを意味し、ここで、遷移金属は、任意の酸化状態であってもよい）。
好ましい実施形態において、発光層Ｂ内において、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またさらには、０．０５ｅＶ未満の、最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）とのエネルギー差に対応するΔＥＳＴ値を示す。
好ましい実施形態において、発光層Ｂ内において、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２は、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの標準原子量が４０より大きい遷移金属を含む（すなわち、ＥＥＴ－２は、４０より大きい原子量を有する（遷移）金属、ここで、遷移金属は、任意の酸化状態であってもよい）。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれの発光層Ｂ内において、以下の２つの条件を満たす：
（ｉ）ＴＡＤＦ材料ＥＢは、０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またさらには、０．０５ｅＶ未満の、最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）とのエネルギー差に対応するΔＥＳＴ値を示し、及び
（ｉｉ）選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２は、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの標準原子量が４０より大きい遷移金属を含む（すなわち、ＥＥＴ－２は、４０より大きい原子量を有する（遷移）金属、ここで、遷移金属は、任意の酸化状態であってもよい）。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂにおいて、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２は、以下の２つの条件のうち少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つを満たす：
（ｉ）０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またさらには、０．０５ｅＶ未満の、Ｅ（Ｓ１ＥＥＴ－２）とＥ（Ｔ１ＥＥＴ－２）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値を示し（以下参照）、及び／または
（ｉｉ）イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む（ＥＥＴ－２内の少なくとも１つの原子がイリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）であることを意味し、ここで、Ｉｒ、Ｐｄ及びＰｔは、任意の酸化状態であってもよい、以下参照）。
好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂ内において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２は、イリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）を含む（それぞれのＥＥＴ－２の少なくとも１つの原子がイリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）であることを意味し、ここで、Ｉｒ及びＰｔは、任意の酸化状態であってもよい、以下参照）。
前述のように、本発明の文脈において、発光層Ｂは、ＴＡＤＦ材料ＥＢ及び選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２を含み、ここで、それらは同一ではない（すなわち、同一化学式を有さない）。これは、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子のそれぞれの発光層Ｂ内において、ＴＡＤＦ材料ＥＢ及び励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２が、例えば、互いに独立して、ＴＡＤＦ材料ＥＢから構成される群から選択可能であることを意味するが、いかなる場合にも化学構造が同一ではない。すなわち、発光層Ｂ内において、ＥＢは、ＥＥＴ－２と同一化学式（または、構造）を有さない。
特に好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に選択的に含まれる選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２は、本願に定義されたような燐光材料ＰＢである。
特に好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に選択的に含まれる選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２は、本願に定義されたようなＴＡＤＦ材料ＥＢに対して定義されたような構造的特性を有することができるＴＡＤＦ材料である。
励起エネルギー移動成分がＴＡＤＦ材料であるように選択される場合、ＴＡＤＦ材料ＥＢに対して後述する任意の好ましい特徴、特性及び実施例が選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２にも適用可能であることを理解する。
また、励起エネルギー移動成分が燐光材料ＰＢであるように選択される場合、燐光材料ＰＢに対して後述する任意の好ましい特徴、特性及び実施例が選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２にも適用可能であることを理解する。
ＴＡＤＦ材料Ｅ Ｂ
当業者に知られているように、例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）において、エミッタ材料（すなわち、発光ドーパント）からの発光は、励起された一重項状態（一般的に、最低励起一重項状態Ｓ１）からの蛍光、及び励起された三重項状態（一般的に、最低励起三重項状態Ｔ１）からの燐光を含む。
本発明の文脈において、蛍光エミッタは、室温（すなわち、（約）２０℃）で電子励起時に発光することができ（例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子において）、ここで、発光励起状態は、一重項状態である（一般的に、最低励起一重項状態Ｓ１）。蛍光エミッタは、一般的に、初期の（例えば、電子正孔再結合による）電子励起がエミッタの励起一重項状態を提供するとき、ナノ秒の時間尺度で即時（すなわち、直接的な）蛍光（ｐｒｏｍｐｔ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）を示す。
本発明の文脈において、遅延蛍光材料は、逆項間交差（ＲＩＳＣ；すなわち、アップ項間交差または逆項間交差）を介して、励起三重項状態（一般的に、最低励起三重項状態Ｔ１）から励起一重項状態（一般的に、最低励起一重項状態Ｓ１）に達することができ、また、そのように達した励起一重項状態（一般的に、Ｓ１）から電子基底状態に戻る時に発光することができる材料である。励起三重項状態（一般的に、Ｔ１）から励起一重項状態（一般的に、Ｓ１）へのＲＩＳＣ後に観察された蛍光発光が発生する時間尺度（一般的に、マイクロ秒範囲）は、直接的な（すなわち、即時）蛍光が発生する時間尺度（一般的に、ナノ秒範囲）より遅く、したがって、遅延蛍光（ＤＦ）という。励起三重項状態（一般的に、Ｔ１から）から励起一重項状態（一般的に、Ｓ１まで）へのＲＩＳＣが熱活性化を介して発生し、そのように充填された励起一重項状態が発光する場合（遅延蛍光発光）、その過程を熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）という。したがって、ＴＡＤＦ材料は、前述のようにＴＡＤＦを発光することができる材料である。蛍光エミッタの最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１）とのエネルギー差ΔＥＳＴが減少するとき、ＲＩＳＣによる最低励起三重項状態から最低励起一重項状態への遷移は、高効率で起こりうる。したがって、ＴＡＤＦ材料が一般的に小さいΔＥＳＴ値を有するということは、当業者の一般的な知識の一部を形成する（以下参照）。
（熱的に活性化された）遅延蛍光の発生は、例えば、時間分解（すなわち、過度）フォトルミネセンス（ＰＬ）測定から得た減衰曲線に基づいて分析される。ＴＡＤＦ材料からのＰＬ発光は、初期励起によって生成された励起一重項状態（一般的に、Ｓ１）からの発光成分と、ＲＩＳＣにより、励起三重項状態（一般的に、Ｔ１）を介して生成された励起一重項状態（一般的に、Ｓ１）からの発光成分とに分けられる。一般的に、初期励起によって形成された励起一重項状態（一般的に、Ｓ１）と、励起三重項状態（一般的に、Ｔ１）からＲＩＳＣを介して達した励起一重項状態（一般的に、Ｓ１）との発光間には、相当な時間差がある。
ＴＡＤＦ材料は、好ましくは、全体減衰力学（ｆｕｌｌ ｄｅｃａｙ ｄｙｎａｍｉｃｓ）と係わり、以下の２つの条件を満たす：
（ｉ）減衰力学は、２つの時間領域を示し、１つは一般的にナノ秒（ｎｓ）範囲にあり、他の１つは一般的にマイクロ秒（μｓ）範囲にある、及び
（ｉｉ）２つの時間領域で発光スペクトルの形態が一致する。
ここで、最初の減衰領域で放出された光の一部は即時蛍光と見なされ、二番目の減衰領
域で放出された光の一部は遅延蛍光と見なされる。ＰＬ測定は、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）内の１～１０重量％、特に１０重量％の各エミッタ（すなわち、仮定されたＴＡＤＦ材料）のスピンコーティング膜を使用して行われうる。
好ましい基準（ｉ）が満たされるか否かを評価するために（すなわち、減衰力学が２つの時間領域を示し、１つは一般的にナノ秒（ｎｓ）範囲であり、他の１つは一般的にマイクロ秒（μｓ）範囲である）、ＴＣＳＰＣ（Ｔｉｍｅ－ｃｏｒｒｅｌａｔｅｄ ｓｉｎｇｌｅ－ｐｈｏｔｏｎ ｃｏｕｎｔｉｎｇ）が一般的に使用され（以下参照）、全体減衰力学は、一般的に後述するように分析される。または、スペクトル分解能を使用した過度フォトルミネセンス測定を行うことができる（以下参照）。
好ましい基準（ｉｉ）が満たされるか否かを評価するために（すなわち、２つの時間領域で発光スペクトルの形態が一致する）、スペクトル分解能を使用した過度フォトルミネセンス測定が一般的に行われうる（以下参照）。
そのような測定に対する実験的細部事項は、本文後の下位節で提供される。
遅延蛍光及び即時蛍光（ｎ値）の割合は、本文後の下位節に述べられたように、経時的にそれぞれのフォトルミネセンス減衰を積分して計算することができる。
本発明の文脈において、ＴＡＤＦ材料は、好ましくは、０．０５より大きく（ｎ＞０．０５）、より好ましくは、０．１５より大きく（ｎ＞０．１５）、より好ましくは、０．２５より大きく（ｎ＞０．２５）、より好ましくは、０．３５より大きく（ｎ＞０．３５）、より好ましくは、０．４５より大きく（ｎ＞０．４５）、より好ましくは、０．５５より大きく（ｎ＞０．５５）、より好ましくは、０．６５より大きく（ｎ＞０．６５）、より好ましくは、０．７５より大きく（ｎ＞０．７５）、より好ましくは、０．８５より大きく（ｎ＞０．８５）、またさらには、０．９５より大きい（ｎ＞０．９５）ｎ値（すなわち、遅延蛍光対即時蛍光の割合）を示す。
本発明によれば、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料ＥＢは、０．４ｅＶ未満、好ましくは、０．３ｅＶ未満、より好ましくは、０．２ｅＶ未満、より一層好ましくは、０．１ｅＶ未満、またさらには、０．０５ｅＶ未満の、最低励起一重項状態エネルギー準位Ｅ（Ｓ１Ｅ）と最低励起三重項状態エネルギー準位Ｅ（Ｔ１Ｅ）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値を示すことを特徴とする。したがって、本発明によるＴＡＤＦ材料ＥＢのΔＥＳＴは、室温（ＲＴ、すなわち、（約）２０℃）で最低励起三重項状態Ｔ１Ｅから最低励起一重項状態Ｓ１Ｅの熱再充填（ｔｈｅｒｍａｌ ｒｅｐｏｐｕｌａｔｉｏｎ）（アップ項間交差または逆項間交差、ＲＩＳＣともいう）を許容するのに十分に小さい。
好ましくは、本発明の文脈において、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、即時蛍光及び（発光Ｓ１Ｅ状態がＴ１Ｅ状態から熱活性化されたＲＩＳＣを介して達されるとき）遅延蛍光の両方を示す。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれた小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、選択的に０．４ｅＶ未満のΔＥＳＴ値を有することができ、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示すことが理解される。しかし、本発明の文脈において、任意の小ＦＷＨＭエミッタＳＢに対し、これは単に選択的な特徴だけである。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つのＴＡＤＦ材料ＥＢの発光スペクトルと、少なくとも１つの小ＦＷＨＭエミッタＳＢの吸収スペクトルとの間にスペクトル重畳がある（両スペクトルが類似の条件下で測定されるとき）。この場合、ＴＡＤＦ材料
ＥＢは、少なくとも１つの小ＦＷＨＭエミッタＳＢにエネルギーを移動させることができる。
本発明によれば、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、５００ｎｍ～５４５ｎｍ、好ましくは、５１０ｎｍ～５３５ｎｍの緑色波長範囲において最大発光を有し、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でのポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢでスピンコーティングされた膜から測定される。
本発明の好ましい実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢの最大発光（ピーク発光）は、本発明の文脈において小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光（ピーク発光）より短い波長にある。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、有機ＴＡＤＦ材料であり、これは、本発明の文脈においていかなる遷移金属も含まないということを意味する。好ましくは、本発明によるそれぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、主に水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）及び窒素（Ｎ）から構成されるが、例えば、酸素（Ｏ）、ボロン（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）及び臭素（Ｂｒ）を含んでもよい。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、８００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦエミッタＥＢは、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でのポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢでスピンコーティングされた膜から測定される、３０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の好ましい実施形態において、ＴＡＤＦエミッタＥＢは、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でのポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢでスピンコーティングされた膜から測定される、５０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより好ましい実施形態において、ＴＡＤＦエミッタＥＢは、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でのポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ内の１０重量％のＴＡＤＦ材料ＥＢでスピンコーティングされた膜から測定される、７０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の一実施形態において、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、
（ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）と最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満であることを特徴とし、
（ｉｉ）３０％より大きいフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢの最低空軌道ＬＵＭＯ（ＥＢ）のエネルギーＥＬＵＭＯ（ＥＢ）は、－２．６ｅＶより小さい。
一般的に、蛍光及び（熱的に活性化された）遅延蛍光を発光することができるが、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたＴＡＤＦ材料ＥＢは、好ましくは、主に「エネルギーポンプ」として機能し、エミッタ材料として機能しないという点に留意しなければならない。すなわち、発光層Ｂに含まれた燐光材料ＰＢは、主に励起エネルギーを１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢに移動させ、それらは、主エミッタ材料の役割を行う
。発光層Ｂにおける燐光材料ＰＢの主な機能は、発光ではないことが好ましい。しかし、ある程度発光することができる。
当業者は、本発明によるＴＡＤＦ材料（分子）ＥＢを設計する方法、及び当該分子が典型的に示す構造的特徴が分かっている。簡単に、逆項間交差（ＲＩＳＣ）を容易にするために、ΔＥＳＴは一般的に減少し、本発明の文脈において、ΔＥＳＴは、前述のように０．４ｅＶより小さい。これは、頻繋にＨＯＭＯ及びＬＵＭＯがそれぞれ（電子）ドナー基及び（電子）アクセプター基で空間的に大きく分離されるようにＴＡＤＦ分子ＥＢを設計することによって達成される。当該基は、一般的に体積が大きいか、スピロ接合を介して結合されて捻じれており、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの空間的重畳が減少する。しかし、ＨＯＭＯとＬＵＭＯの空間的重畳を最小化すれば、ＴＡＤＦ材料のＰＬＱＹ（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｙｉｅｌｄ）も低くなるという短所がある。したがって、実際にその２つの効果の両方を考慮して、ΔＥＳＴを減らし、高いＰＬＱＹを達成する。
ＴＡＤＦ材料設計のための１つの一般的なアプローチは、ＨＯＭＯが分布された１以上の（電子）ドナー部分構造と、ＬＵＭＯが分布された１以上の（電子）アクセプター部分構造とを、本願においてリンカー基と呼ばれる、同一なブリッジに共有結合することである。また、ＴＡＤＦ材料ＥＢは、例えば、同一なアクセプター部分構造に結合された２つまたは３つのリンカー基を含み、更なるドナー部分構造及びアクセプター部分構造がそれら２つまたは３つのリンカー基それぞれに結合されうる。
また、１以上のドナー部分構造及び１以上のアクセプター部分構造は、（リンカー基の存在なしに）互いに直接結合されうる。
典型的なドナー部分構造は、ジフェニルアミン、カルバゾール、アクリジン、フェノキサジン及び関連構造の誘導体である。
ベンゼン、ビフェニル基、及びある程度まではターフェニル基の誘導体が一般的なリンカー基である。
ニトリル基は、ＴＡＤＦ分子において非常に一般的なアクセプター部分構造であり、その周知の例は、以下を含む：
（ｉ）２ＣｚＰＮ（４，５－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フタロニトリル）、ＤＣｚＩＰＮ（４，６－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）イソフタロニトリル）、４ＣｚＰＮ（３，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フタロニトリル）、４ＣｚＩＰＮ（２，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）イソフタロニトリル）、４ＣｚＴＰＮ（２，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）テレフタロニトリル）及びその誘導体のようなカルバゾリルジシアノベンゼン化合物、
（ｉｉ）４ＣｚＣＮＰｙ（２，３，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４－シアノピリジン）及びその誘導体のようなカルバゾリルシアノピリジン化合物、
（ｉｉｉ）ＣＮＢＰＣｚ（４，４’，５，５’－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１，１’－ビフェニル］－２，２’－ジカルボニトリル）、ＣｚＢＰＣＮ（４，４’，６，６’－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１，１’－ビフェニル］－３，３’－ジカルボニトリル）、ＤＤＣｚＩＰＮ（３，３’，５，５’－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－［１，１’－ビフェニル］－２，２’，６，６’－テトラカルボニトリル）及びその誘導体のようなカルバゾリルシアノビフェニル化合物、
ここで、それら材料において、１以上のニトリル基は、アクセプター部分構造として、フッ素（Ｆ）またはトリフルオロメチル（ＣＦ３）にも代替される。
また、トリアジン、ピリミジン、トリアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、ヘプタジン、１，４－ジアザトリフェニレン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、キノキサリン及びジアザフルオレン誘導体のような窒素ヘテロ環は、ＴＡＤＦ分子構成に使用される周知のアクセプター部分構造である。例えば、トリアジンアクセプターを含むＴＡＤＦ分子の公知の例は、ＰＩＣ－ＴＲＺ（７，７’－（６－（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－１，３，５－トリアジン－２，４－ジイル）ビス（５－フェニル－５，７－ジヒドロインドロ［２，３－ｂ］カルバゾール））、ｍＢＦＣｚＴｒｚ（５－（３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル））フェニル）－５Ｈ－ベンゾフロ［３，２－ｃ］カルバゾール）、及びＤＣｚＴｒｚ（９，９’－（５－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－１，３－フェニレン）ビス（９Ｈ－カルバゾール））を含む。
ＴＡＤＦ材料の他の一群は、ドナー部分構造（主に、カルバゾリル置換基）が結合されたアクセプター部分構造として、ベンゾフェノンのようなジアリールケトン、または４－ベンゾイルピリジン、９，１０－アントラキノン、９Ｈ－キサンテン－９－オンのような（ヘテロアリール）アリールケトン及びその誘導体を含む。そのようなＴＡＤＦ分子の例は、ＢＰＢＣｚ（ビス（４－（９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－［３，３’－ビカルバゾール］－９－イル）フェニル）メタノン）、ｍＤＣＢＰ（（３，５－ジ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）（ピリジン－４－イル）メタノン）、ＡＱ－ＤＴＢｕ－Ｃｚ（２，６－ビス（４－（３，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル）アントラセン－９，１０－ジオン）及びＭＣｚ－ＸＴ（３－（１，３，６，８－テトラメチル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン）をそれぞれ含む。
また、スルホキシド、特にジフェニルスルホキシドは、ＴＡＤＦ材料の構成のためのアクセプター部分構造として一般的に使用され、周知の例は、４－ＰＣ－ＤＰＳ（９－フェニル－３－（４－（フェニルスルホニル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾール）、ＤｉｔＢｕ－ＤＰＳ（９，９’－（スルホニルビス（４，１－フェニレン））ビス（９Ｈ－カルバゾール））及びＴＸＯ－ＰｈＣｚ（２－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン１０，１０－ジオキシド）を含む。
特定材料が前述の基本要求事項、すなわち、ΔＥＳＴ値が０．４ｅＶより小さいという点を満たすことを考慮すれば、例示的に、前述の全ての群のＴＡＤＦ分子は、本発明によって使用するのに適しているＴＡＤＦ材料ＥＢを提供することができる。
当業者は、前述の命名された構造だけでなく、より多い材料が本発明の文脈において好適なＴＡＤＦ材料ＥＢであることが分かっている。当業者は、そのような分子の設計原理に慣れ、特定発光色相（例えば、青色、緑色または赤色発光）を有するそのような分子を設計する方法も分かっている。
以下の例示を参照する：Ｈ．Ｔａｎａｋａ， Ｋ．Ｓｈｉｚｕ， Ｈ．Ｎａｋａｎｏｔａｎｉ， Ｃ．Ａｄａｃｈｉ， Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１３， ２５（１８）， ３７６６， ＤＯＩ： １０．１０２１／ｃｍ４０２４２８ａ； Ｊ．Ｌｉ， Ｔ．Ｎａｋａｇａｗａ， Ｊ．ＭａｃＤｏｎａｌｄ， Ｑ．Ｚｈａｎｇ， Ｈ．Ｎｏｍｕｒａ， Ｈ．Ｍｉｙａｚａｋｉ， Ｃ．Ａｄａｃｈｉ， Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１３， ２５（２４）， ３３１９， ＤＯＩ： １０．１００２／ａｄｍａ．２０１３００５７５； Ｋ．Ｎａｓｕ， Ｔ．Ｎａｋａｇａｗａ， Ｈ．Ｎｏｍｕｒａ， Ｃ．－Ｊ．Ｌｉｎ， Ｃ．－Ｈ．Ｃｈｅｎｇ， Ｍ．－Ｒ．Ｔｓｅｎｇ， Ｔ．Ｙａｓｕｄａａｄ， Ｃ．Ａｄａｃｈｉ， Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ ２０１３， ４９（８８）， １０３８５， ＤＯＩ： １０
．１０３９／ｃ３ｃｃ４４１７９ｂ； Ｑ．Ｚｈａｎｇ， Ｂ．Ｌｉ１， Ｓ．Ｈｕａｎｇ， Ｈ．Ｎｏｍｕｒａ， Ｈ．Ｔａｎａｋａ， Ｃ．Ａｄａｃｈｉ， Ｎａｔｕｒｅ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ ２０１４， ８（４）， ３２６， ＤＯＩ： １０．１０３８／ｎｐｈｏｔｏｎ．２０１４．１２； Ｂ．Ｗｅｘ， Ｂ．Ｒ．Ｋａａｆａｒａｎｉ， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｃ ２０１７， ５，
８６２２， ＤＯＩ： １０．１０３９／ｃ７ｔｃ０２１５６ａ； Ｙ．Ｉｍ， Ｍ．Ｋｉｍ， Ｙ．Ｊ．Ｃｈｏ， Ｊ．Ａ．Ｓｅｏ， Ｋ．Ｓ．Ｙｏｏｋ， Ｊ．Ｙ．Ｌｅｅ， Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１７， ２９（５）， １９４６， ＤＯＩ： １０．１０２１／ａｃｓ．ｃｈｅｍｍａｔｅｒ．６ｂ０５３２４； Ｔ．－Ｔ．Ｂｕｉ， Ｆ．Ｇｏｕｂａｒｄ， Ｍ．Ｉｂｒａｈｉｍ－Ｏｕａｌｉ， Ｄ．Ｇｉｇｍｅｓ， Ｆ．Ｄｕｍｕｒ， Ｂｅｉｌｓｔｅｉｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ２０１８， １４， ２８２， ＤＯＩ： １０．３７６２／ｂｊｏｃ．１４．１８； Ｘ．Ｌｉａｎｇ， Ｚ．－Ｌ．Ｔｕ， Ｙ．－Ｘ．Ｚｈｅｎｇ， Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ－Ａ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ２０１９，
２５（２２）， ５６２３， ＤＯＩ： １０．１００２／ｃｈｅｍ．２０１８０５９５２。
また、例えば、ＵＳ２０１５１０５５６４（Ａ１）、ＵＳ２０１５０４８３３８（Ａ１）、ＵＳ２０１５１４１６４２（Ａ１）、ＵＳ２０１４３３６３７９（Ａ１）、ＵＳ２０１４１３８６７０（Ａ１）、ＵＳ２０１２２４１７３２（Ａ１）、ＥＰ３３１５５８１（Ａ１）、ＥＰ３４８３１５６（Ａ１）及びＵＳ２０１８０５３９０１（Ａ１）は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用可能なＴＡＤＦ材料ＥＢを開示する。これは、本発明が、引用された参考文献に開示されたＴＡＤＦ材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるということを意味しないと理解される。最新技術で使用される任意のＴＡＤＦ材料が、本発明の文脈において好適なＴＡＤＦ材料ＥＢであることが理解される。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、ＣＮ、ＣＦ３及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基から構成される群から互いに独立して選択される１以上の化学的部分構造を含む。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、ＣＮ及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基から構成される群から互いに独立して選択される１以上の化学的部分構造を含む。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、１以上の選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基を含む。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、アミノ基、インドリル、カルバゾリル及びその誘導体から互いに独立して選択される１以上の化学的部分構造を含み、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、それぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造と窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介して結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、以下を含む：
－アミノ基、インドリル、カルバゾリル及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された
置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的部分構造、及び
－ＣＮ、ＣＦ３、及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基から構成される群から互いに独立して選択された１以上の第２化学的部分構造。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、以下を含む：
－アミノ基、インドリル、カルバゾリル及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的部分構造、及び
－ＣＮ、ＣＦ３、及び選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基から構成される群から互いに独立して選択された１以上の第２化学的部分構造。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、以下を含む：
－アミノ基、インドリル、カルバゾリル及びそれらの誘導体から互いに独立して選択され、それらはいずれも選択的に置換され、ここで、それら基は、窒素（Ｎ）または炭素（Ｃ）原子を介してそれぞれのＴＡＤＦ分子のコア構造に結合され、それら基に結合された置換基は、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる、１以上の第１化学的部分構造、及び
－１以上の選択的に置換された１，３，５－トリアジニル基。
当業者は、「その誘導体」という表現が、それぞれの親構造が選択的に置換されるか、またはそれぞれの親構造内の任意の原子が、例えば、他の元素の原子に代替されることを意味するということが分かっている。
本発明の一実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、以下を含む：
化学式Ｄ－Ｉによる構造をそれぞれ含むか、あるいはそれから構成される１以上の第１化学的部分構造、
・・・化学式Ｄ－Ｉ
選択的に、ＣＮ、ＣＦ３、並びに化学式Ａ－Ｉ、Ａ－ＩＩ、Ａ－ＩＩＩ及びＡ－ＩＶのうちいずれか１つによる構造からそれぞれ互いに独立して選択される、１以上の第２化学的部分構造、及び
・・・化学式Ａ－Ｉ
・・・化学式Ａ－ＩＩ
・・・化学式Ａ－ＩＩＩ
・・・化学式Ａ－ＩＶ
化学式Ｌ－Ｉ、Ｌ－ＩＩ、Ｌ－ＩＩＩ、Ｌ－ＩＶ、ＬＶ、Ｌ－ＶＩ、Ｌ－ＶＩＩ及びＬ－ＶＩＩＩのうちいずれか１つによる構造を含むか、あるいはそれから構成される１つの第３化学的部分構造、
・・・化学式Ｌ－Ｉ
・・・化学式Ｌ－ＩＩ
・・・化学式Ｌ－ＩＩＩ
・・・化学式Ｌ－ＩＶ
・・・化学式Ｌ－Ｖ
・・・化学式Ｌ－ＶＩ
・・・化学式Ｌ－ＶＩＩ
・・・化学式Ｌ－ＶＩＩＩ
ここで、１以上の第１化学的部分構造及び選択的な１以上の第２化学的部分構造は、単結合を介して第３化学的部分構造に共有結合され、
化学式Ｄ－Ｉにおいて、
＃は、化学式Ｄ－Ｉによるそれぞれの第１化学的部分構造を第３化学的部分構造に結合する単結合の結合位置を示し、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ１、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２から構成される群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、ＯＳＯ２Ｒ３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ
）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ４）２、ＯＲ４、Ｓｉ（Ｒ４）３、Ｂ（ＯＲ４）２、ＯＳＯ２Ｒ４、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
Ｒ４は、それぞれの場合に、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＰｈまたはＣ１－Ｃ５アルキルによって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
化学式Ａ－Ｉ、Ａ－ＩＩ、Ａ－ＩＩＩ及びＡ－ＩＶにおいて、
点線は、化学式Ａ－Ｉ、Ａ－ＩＩ、Ａ－ＩＩＩまたはＡ－ＩＶによるそれぞれの第２化学的部分構造を第３化学的部分構造に結合する単結合を示し、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、Ｂ（ＯＲ９）２、ＯＳＯ２Ｒ
９、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ１０）２、ＯＲ１０、Ｓｉ（Ｒ１０）３、Ｂ（ＯＲ１０）２、ＯＳＯ２Ｒ１０、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で選択
的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
Ｒ１０は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＰｈまたはＣ１－Ｃ５アルキルによって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造から構成される群から選択される：
・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、計９～１８個の環原子を含み、
化学式Ｌ－Ｉ、Ｌ－ＩＩ、Ｌ－ＩＩＩ、Ｌ－ＩＶ、Ｌ－Ｖ、Ｌ－ＶＩ、Ｌ－ＶＩＩ及びＬ－ＶＩＩＩにおいて、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、１以上のＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分構造を第３化学的部分構造に結合する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル基、Ｃ６－Ｃ１８アリール基、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩによって置換され、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明の好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ１、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２から構成される群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ４）２、ＯＲ４、Ｓｉ（Ｒ４）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ４）２
、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ４で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
Ｒ４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキルまたはＰｈによって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、Ｂ（ＯＲ９）２、ＯＳＯ２Ｒ９、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ９Ｃ＝ＣＲ９、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ９）２、Ｇｅ（Ｒ９）２、Ｓｎ（Ｒ９）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ９、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ９）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ９、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ９で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ１０）２、ＯＲ１０、Ｓｉ（Ｒ１０）３、Ｂ（ＯＲ１０）２、ＯＳＯ２Ｒ１０、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ１０Ｃ＝ＣＲ１０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ１０）２、Ｇｅ（Ｒ１０）２、Ｓｎ（Ｒ１０）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１０、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ１０）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ１０で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ６０ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
Ｒ１０は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＰｈまたはＣ１－Ｃ５アルキルによって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造から構成される群から選択される：
・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、計９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分構造を第３化学的部分構造に結合する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｃ１－Ｃ５アルキ
ル基及びＣ６－Ｃ１８アリール基によって置換され、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義され、
ここで、第３化学的部分構造に結合した第１及び第２化学的部分構造の最大個数は、第３化学的部分構造で利用可能な結合位置の個数（すなわち、置換基Ｒ１１の数）のみによって限定され、前述の規定により、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、少なくとも１つの第１化学的部分構造、少なくとも１つの第２化学的部分構造及び正確に１つの第３化学的部分構造を含む。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ１、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２から構成される群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ４）２、Ｓｉ（Ｒ４）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ４で選択的に置換され、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された環系は、１以上の置換基Ｒ５で選択的に置換され、
Ｒ４及びＲ５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し
、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ１０）２、ＯＲ１０、Ｓｉ（Ｒ１０）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、
Ｒ１０は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈ、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造から構成される群から選択される：
・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、計９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分構造を第３化学的部分構造に結合する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈから構成される群から互いに独立して選択される１以上の置換基で選択的に置換され、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２から構成される群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、化学式Ｄ－１による構造から選択的にこのように形成された縮合環系、及び隣接した置換基によって形成された結合した環は、計１３～４０個の環原子、好ましくは、１３～３０個の環原子、より好ましくは、１６～３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈ、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造から構成される群から選択される：
・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、計９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分構造を第３化学的部分構造に結合する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２から構成される群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
Ｐｈ、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
カルバゾリル、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
トリアジニル、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
ピリミジニル、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
ピリジニル、ここで、１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換され、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、化学式Ｄ１による構造から構成された選択的にこのように形成された縮合環系、及び隣接した置換基によって形成された結合した環は、計１３～４０個の環原子、好ましくは、１３～３０個の環原子、より好ましくは、１６～３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ９）２、ＯＲ９、Ｓｉ（Ｒ９）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ９で選択的に置換され、
Ｒ９は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｎ（Ｐｈ）２、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換されたＰｈ、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造から構成される群から選択される：
・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、計９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分構造を第３化
学的部分構造に結合する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２から構成される群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｒ３）２、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＯＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ３で選択的に置換され、
Ｒ３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、化学式Ｄ１による構造から構成された選択的にこのように形成された縮合環系、及び隣接した置換基によって形成された結合した環は、計１３～４０個の環原子、好ましくは、１３～３０個の環原子、より好ましくは、１６～３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、ＣＦ３、Ｃ
Ｎ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造から構成される群から選択される：
・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義され、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、計９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分構造を第３化学的部分構造に結合する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されるＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明のより好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２から構成される群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、化学式Ｄ１による構造から構成された選択的にこのように形成された縮合環系、及び隣接した置換基によって形成された結合した環は、計１３～４０個の環原子、好
ましくは、１３～３０個の環原子、より好ましくは、１６～３０個の環原子を含み、
ａは整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造から構成される群から選択される：
・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義されるが、ＣＮまたはＣＦ３であり、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、計９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分構造を第３化学的部分構造に結合する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されるＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明の特に好ましい実施形態において、
Ｚ２は、それぞれの場合に互いに独立して、直接結合、ＣＲ１Ｒ２、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ１、Ｏ、ＳｉＲ１Ｒ２、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２から構成される群から選択され、
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｄは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
ここで、選択的に、任意の置換基Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｄ、Ｒ１及びＲ２から選択された１以上の隣接した置換基と共に、単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、化学式Ｄ１による構造から構成された選択的にこのように形成された縮合環系、及び隣接した置換基によって形成された結合した環は、計１３～４０個の環原子、好ましくは、１３～３０個の環原子、より好ましくは、１６～３０個の環原子を含み、
は整数であり、０または１であり、
ｂは整数であり、それぞれの場合、０または１であり、ここで、両方のｂは常に同一であり、
ここで、整数ａが１であるとき、両方の整数ｂは０であり、両方の整数ｂが１であるとき、整数ａは０であり、
Ｑ１は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）、ＣＲ６及びＣＲ７から選択され、但し、化学式Ａ－Ｉにおいて、２つの隣接した基Ｑ１は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、ここで、化学式Ａ－Ｉの基Ｑ１のうち何も窒素（Ｎ）ではない場合、基Ｑ１のうち少なくとも１つはＣＲ７であり、
Ｑ２は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ６から選択され、但し、化学式Ａ－ＩＩ及びＡ－ＩＩＩにおいて、少なくとも１つの基Ｑ２は窒素（Ｎ）であり、２つの隣接した基Ｑ２は、両方とも窒素（Ｎ）ではなく、
Ｒ６及びＲ８は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたＰｈ、
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されたカルバゾリル、
Ｒ７は、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ、ＣＦ３及び化学式ＥＷＧ－Ｉによる構造から構成される群から選択される：
・・・化学式ＥＷＧ－Ｉ
ここで、ＲＸは、Ｒ６のように定義されるが、ＣＮまたはＣＦ３であり、但し、少なくとも１つのＲＸ基は、ＣＮまたはＣＦ３であり、
化学式Ａ－ＩＶにおいて、２つの隣接した基Ｒ８は、選択的に芳香族環を形成し、これは化学式Ａ－ＩＶの構造に縮合され、１以上の置換基Ｒ１０で選択的に置換され、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、計９～１８個の環原子を含み、
Ｑ３は、それぞれの場合に互いに独立して、窒素（Ｎ）及びＣＲ１２から選択され、但し、少なくとも１つのＱ３は窒素（Ｎ）であり、
Ｒ１１は、それぞれの場合に互いに独立して、第１または第２化学的部分構造を第３化
学的部分構造に結合する単結合の結合位置であるか、または互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
１以上の水素原子が選択的に互いに独立して重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ及びＰｈで置換されるＰｈ、
Ｒ１２は、Ｒ６のように定義される。
本発明の好ましい実施形態において、ａは常に１であり、ｂは常に０である。
本発明の好ましい実施形態において、Ｚ２は、それぞれの場合に直接結合である。
本発明の好ましい実施形態において、Ｒａは、それぞれの場合に水素である。
本発明の好ましい実施形態において、Ｒａ及びＲｄは、それぞれの場合に水素である。
本発明の好ましい実施形態において、Ｑ３は、それぞれの場合に窒素（Ｎ）である。
本発明の一実施形態において、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、少なくとも１つの基ＲＸはＣＮである。
本発明の好ましい実施形態において、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、正確に１つの基ＲＸはＣＮである。
本発明の好ましい実施形態において、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、正確に１つのＲＸ基はＣＮであり、化学式ＥＷＧ－Ｉにおいて、ＲＸ基はＣＦ３ではない。
本発明による第１化学的部分構造の例を下記に示すが、これは、本発明がそれら例に限定されることを意味するものではない：















ここで、前述の定義が適用される。
本発明による第２化学的部分構造の例を下記に示すが、これは、本発明がそれら例に限定されることを意味するものではない：









ここで、前述の定義が適用される。
本発明の好ましい実施形態において、各ＴＡＤＦ材料ＥＢは、化学式ＥＢ－Ｉ、ＥＢ－ＩＩ、ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－ＩＶ、ＥＢ－Ｖ、ＥＢ－ＶＩ、ＥＢ－ＶＩＩ、ＥＢ－ＶＩＩＩ、ＥＢ－ＩＸ、ＥＢ－Ｘ及びＥＢ－ＸＩのうちいずれか１つで表される構造を有する：
・・・化学式ＥＢ－Ｉ
・・・化学式ＥＢ－ＩＩ
・・・化学式ＥＢ－ＩＩＩ
・・・化学式ＥＢ－ＩＶ
・・・化学式ＥＢ－Ｖ
・・・化学式ＥＢ－ＶＩ
・・・化学式ＥＢ－ＶＩＩ
・・・化学式ＥＢ－ＶＩＩＩ
・・・化学式ＥＢ－ＩＸ
・・・化学式ＥＢ－Ｘ
・・・化学式ＥＢ－ＸＩ
ここで、
Ｒ１３は、Ｒ１１のように定義され、但し、Ｒ１３は、第１または第２化学的部分構造を第３化学的部分構造に結合する単結合の結合位置ではなく、
ＲＹは、ＣＮ及びＣＦ３から選択されるか、またはＲＹは、下記化学式ＢＮ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成される：
・・・化学式ＢＮ－Ｉ
これは、点線で表される単結合により、化学式ＥＢ－Ｉ、ＥＢ－ＩＩ、ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－ＩＶ、ＥＢ－Ｖ、ＥＢ－ＶＩ、ＥＢ－ＶＩＩ、ＥＢ－ＶＩＩＩまたはＥＢ－ＩＸの構造に結合され、ここで、正確に１つのＲＢＮ基はＣＮであり、他の２つのＲＢＮ基は、両方とも水素（Ｈ）であり、
その他には、前述の定義が適用される。
本発明の好ましい実施形態において、Ｒ１３は、それぞれの場合に水素である。
本発明の一実施形態において、ＲＹは、それぞれの場合にＣＮである。
本発明の一実施形態において、ＲＹは、それぞれの場合にＣＦ３である。
本発明の一実施形態において、ＲＹは、それぞれの場合に化学式ＢＮ－Ｉで表される構造である。
本発明の好ましい実施形態において、ＲＹは、それぞれの場合に互いに独立して、ＣＮ及び化学式ＢＮ－Ｉで表される構造から選択される。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、前述の定義が適用される化学式ＥＢ－Ｉ、ＥＢ－ＩＩ、ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－ＩＶ、ＥＢ－Ｖ、ＥＢ－ＶＩ、ＥＢ－ＶＩＩ及びＥＢ－Ｘのうち任意の化学式で表される構造を有する。
本発明の好ましい実施形態において、それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、前述の定義が適用される化学式ＥＢ－Ｉ、ＥＢ－ＩＩ、ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－Ｖ及びＥＢ－Ｘのうち任意の化学式で表される構造を有する。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するためのＴＡＤＦ材料ＥＢの例が下記に示されるが、これは、単に示された例のみが本発明の文脈において好適なＴＡＤＦ材料ＥＢということを意味しない。
化学式ＥＢ－ＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：







化学式ＥＢ－ＩＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：




化学式ＥＢ－ＩＩＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：



化学式ＥＢ－ＩＶによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＶによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＶＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＶＩＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＶＩＩＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
化学式ＥＢ－ＩＸによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：

化学式ＥＢ－ＸによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：

化学式ＥＢ－ＸＩによるＴＡＤＦ材料ＥＢの非限定的な例が下記に示される：
ＴＡＤＦ材料ＥＢの合成は、当業者に周知の標準反応及び反応条件を介して達成される。一般的に、第１ステップにおいて、カップリング反応、好ましくは、パラジウム触媒化されたカップリング反応が行われ、これを化学式ＥＢ－ＩＩＩ、ＥＢ－ＩＶ及びＥＢ－Ｖのうちいずれか１つによるＴＡＤＦ材料ＥＢの合成に対して下記に例示的に示した：
Ｅ１は、任意のボロン酸（ＲＢ＝Ｈ）または対応するボロン酸エステル（ＲＢ＝アルキルまたはアリール）であり、特に、２つのＲＢは環を形成し、例えば、ボロン酸ピナコールエステルを提供することができる。第２反応物としてＥ２が使用され、ここで、Ｈａｌはハロゲンを示し、Ｉ、ＢｒまたはＣｌであってよいが、好ましくは、Ｂｒである。その
ようなパラジウム触媒化されたカップリング反応の反応条件は、例えば、ＷＯ２０１７／００５６９９から当業者に公知されており、Ｅ１及びＥ２の反応基が反応収率を最適化するために下記に示したように交換可能であることが知られている：
第２ステップにおいて、芳香族求核置換反応において窒素ヘテロ環と、アリールハライド、好ましくは、アリールフルオライドＥ３との反応を介してＴＡＤＦ分子を得る。典型的な条件は、例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）またはＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）のような非プロトン性極性溶媒において、例えば、リン酸三カリウムまたは水素化ナトリウムのような塩基の使用を含む。
特に、ドナー分子Ｅ４は、３，６－置換のカルバゾール（例えば、３，６－ジメチルカルバゾール、３，６－ジフェニルカルバゾール、３，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、２，７－置換のカルバゾール（例えば、２，７－ジメチルカルバゾール、２，７－ジフェニルカルバゾール、２，７－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、１，８－置換のカルバゾール（例えば、１，８－ジメチルカルバゾール、１，８－ジフェニルカルバゾール、１，８－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、１－置換のカルバゾール（例えば、１－メチルカルバゾール、１－フェニルカルバゾール、１－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、２－置換のカルバゾール（例えば、２－メチルカルバゾール、２－フェニルカルバゾール、２－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）、または３－置換のカルバゾール（例えば、３－メチルカルバゾール、３－フェニルカルバゾール、３－ｔｅｒｔ－ブチルカルバゾール）であってもよい。
代案としては、ハロゲン置換のカルバゾール、特に３－ブロモカルバゾールがＥ４として使用されてもよい。
後続反応において、ボロン酸エステル作用基またはボロン酸作用基は、Ｅ４を介して導入された１以上のハロゲン置換基の位置に例示的に導入され、カルバゾール－３－イル－ボロン酸エステルまたはカルバゾール－３－イル－ボロン酸のような対応するカルバゾリルボロン酸またはエステルを、例えば、（ピナコラート）ジボロン（ＣＡＳ Ｎｏ．７３１８３－３４－３）との反応を介して生成することができる。次いで、対応するハロゲン
化反応物、例えば、Ｒａ－Ｈａｌ、好ましくは、Ｒａ－Ｃｌ及びＲａ－Ｂｒとのカップリング反応を介して、ボロン酸エステル基またはボロン酸基の代わりに、１以上の置換基Ｒａ、ＲｂまたはＲｄが導入されうる。
代案としては、置換基Ｒａ［Ｒａ－Ｂ（ＯＨ）２］、Ｒｂ［Ｒｂ－Ｂ（ＯＨ）２］またはＲｄ［Ｒｄ－Ｂ（ＯＨ）２］のボロン酸または相応するボロン酸エステルとの反応を介して、Ｄ－Ｈを介して導入された１以上のハロゲン置換基の位置に１以上の置換基Ｒａ、ＲｂまたはＲｄが導入されうる。
また、ＴＡＤＦ材料ＥＢを類似して得ることができる。また、ＴＡＤＦ材料ＥＢを当該目的に適している任意の代案的な合成経路によって得ることができる。
代案的な合成経路は、窒素ヘテロ環を、銅またはパラジウム触媒化されたカップリングを介して、アリールハライドまたはアリール擬ハライド、好ましくは、臭化アリール、ヨウ化アリール、アリールトリフラートまたはアリールトシレートに導入することをんでもよい。
燐光材料Ｐ Ｂ
本発明の文脈において燐光材料ＰＢは、三重項（すなわち、励起三重項状態、一般的に、最低励起三重項状態Ｔ１）から発光を得るために、金属原子によって惹起される分子内スピン軌道相互作用（重原子効果）を利用する。すなわち、燐光材料ＰＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）で燐光を発光することができ、これは、一般的にポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）内の１０重量％のＰＢのスピンコーティング膜から測定される。
定義によって燐光を発光することができるが、選択的な励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２として、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子に選択的に含まれる燐光材料ＰＢは、好ましくは、主にエミッタ材料ではない「エネルギーポンプ」として機能する。すなわち、発光層Ｂに含まれた燐光材料ＰＢは、主に励起エネルギーを１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢに移動させ、次いで、それらは主エミッタ材料の役割を行う。発光層Ｂにおける燐光材料ＰＢの主な機能は、発光ではないことが好ましい。しかし、ある程度発光することができる。
一般的に、最新技術において有機エレクトロルミネッセンス素子に使用される全ての燐光錯体が本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子にも使用可能であることが理解される。
有機エレクトロルミネッセンス素子に使用される燐光材料ＰＢは、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｅｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ａｇ及びＣｕの、本発明によれば、好ましくは、Ｉｒ、Ｐｔ及びＰｄの、より好ましくは、Ｉｒ及びＰｔの錯体ということが当業者に常識である。当業者は、有機エレクトロルミネッセンス素子においていかなる材料が燐光材料として適しているか、及びそれらを合成する方法が分かっている。また、当業者は、有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するための燐光錯体の設計原理に慣れ、構造的変化を介して錯体の発光を調整する方法が分かっている。
以下の例示を参照する：Ｃ．－Ｌ．Ｈｏ， Ｈ．Ｌｉ， Ｗ．－Ｙ．Ｗｏｎｇ， Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ２０１４， ７５１， ２６１， ＤＯＩ： １０．１０１６／ｊ．ｊｏｒｇａｎｃｈｅｍ．２０１３．０９．０３５； Ｔ．Ｆｌｅｅｔｈａｍ， Ｇ．Ｌｉ， Ｊ．Ｌｉ， Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｎｅｗｓ ２０１７， ２９， １６０１８６１， ＤＯＩ： １
０．１００２／ａｄｍａ．２０１６０１８６１； Ａ．Ｒ．Ｂ．Ｍ．Ｙｕｓｏｆｆ， Ａ．Ｊ．Ｈｕｃｋａｂａ， Ｍ．Ｋ．Ｎａｚｅｅｒｕｄｄｉｎ， Ｔｏｐｉｃｓ ｉｎ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ（Ｚ） ２０１７， ３７５：３９， １， ＤＯＩ： １０．１００７／ｓ４１０６１－０１７－０１２６－７； Ｔ．－Ｙ．Ｌｉ， Ｊ．Ｗｕｃ， Ｚ．－Ｇ．Ｗｕａ， Ｙ．－Ｘ．Ｚｈｅｎｇ， Ｊ．－Ｌ．Ｚｕｏ， Ｙ．Ｐａｎ， Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｒｅｖｉｅｗｓ ２０１８，
３７４， ５５， ＤＯＩ： １０．１０１６／ｊ．ｃｃｒ．２０１８．０６．０１４。
例えば、ＵＳ２０２０２７４０８１（Ａ１）、ＵＳ２００１００１９７８２（Ａ１）、ＵＳ２００２００３４６５６（Ａ１）、ＵＳ２００３０１３８６５７（Ａ１）、ＵＳ２００５１２３７９１（Ａ１）、ＵＳ２００６００６５８９０（Ａ１）、ＵＳ２００６０１３４４６２（Ａ１）、ＵＳ２００７００３４８６３（Ａ１）、ＵＳ２００７０１１１０２６（Ａ１）、ＵＳ２００７０３４８６３（Ａ１）、ＵＳ２００７１３８４３７（Ａ１）、ＵＳ２００８００２０２３７（Ａ１）、ＵＳ２００８０２９７０３３（Ａ１）、ＵＳ２００８２１０９３０（Ａ１）、ＵＳ２００９０１１５３２２（Ａ１）、ＵＳ２００９１０４４７２（Ａ１）、ＵＳ２０１００２４４００４（Ａ１）、ＵＳ２０１０１０５９０２（Ａ１）、ＵＳ２０１１００５７５５９（Ａ１）、ＵＳ２０１１２１５７１０（Ａ１）、ＵＳ２０１２２９２６０１（Ａ１）、ＵＳ２０１３１６５６５３（Ａ１）、ＵＳ２０１４０２４６６５６（Ａ１）、ＵＳ２００３００６８５２６（Ａ１）、ＵＳ２００５０１２３７８８（Ａ１）、ＵＳ２００５２６０４４９（Ａ１）、ＵＳ２００６０１２７６９６（Ａ１）、ＵＳ２００６０２０２１９４（Ａ１）、ＵＳ２００７００８７３２１（Ａ１）、ＵＳ２００７０１９０３５９（Ａ１）、ＵＳ２００７１０４９７９（Ａ１）、ＵＳ２００７２２４４５０（Ａ１）、ＵＳ２００８０２３３４１０（Ａ１）、ＵＳ２００８０５８５１（Ａ１）、ＵＳ２００９００３９７７６（Ａ１）、ＵＳ２００９０１７９５５５（Ａ１）、ＵＳ２０１０００９０５９１（Ａ１）、ＵＳ２０１００２９５０３２（Ａ１）、ＵＳ２００３００７２９６４（Ａ１）、ＵＳ２００５０２４４６７３（Ａ１）、ＵＳ２００６０００８６７０（Ａ１）、ＵＳ２００６０１３４４５９（Ａ１）、ＵＳ２００６０２５１９２３（Ａ１）、ＵＳ２００７０１０３０６０（Ａ１）、ＵＳ２００７０２３１６００（Ａ１）、ＵＳ２００７１０４９８０（Ａ１）、ＵＳ２００７２７８９３６（Ａ１）、ＵＳ２００８０２６１０７６（Ａ１）、ＵＳ２００８１６１５６７（Ａ１）、ＵＳ２００９０１０８７３７（Ａ１）、ＵＳ２００９０８５４７６（Ａ１）、ＵＳ２０１００１４８６６３（Ａ１）、ＵＳ２０１０１０２７１６（Ａ１）、ＵＳ２０１０２７０９１６（Ａ１）、ＵＳ２０１１０２０４３３３（Ａ１）、ＵＳ２０１１２８５２７５（Ａ１）、ＵＳ２０１３０３３１７２（Ａ１）、ＵＳ２０１３３３４５２１（Ａ１）、ＵＳ２０１４１０３３０５（Ａ１）、ＵＳ２００３０６８５３６（Ａ１）、ＵＳ２００３０８５６４６（Ａ１）、ＵＳ２００６２２８５８１（Ａ１）、ＵＳ２００６１９７０７７（Ａ１）、ＵＳ２０１１１１４９２２（Ａ１）、ＵＳ２０１１１１４９２２（Ａ１）、ＵＳ２００３０５４１９８（Ａ１）及びＥＰ２７３０５８３（Ａ１）は、本発明の文脈において燐光材料ＰＢに使用可能な燐光材料を開示する。これは、本発明が命名された参照文献のうち１つに述べられた燐光材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるということを意味しないと理解される。
ＵＳ２０２０２７４０８１（Ａ１）に示されたように、本発明のもののような有機エレクトロルミネッセンス素子に使用するための燐光錯体の例は、下記に示した錯体を含む。再び、本発明がそれら実施例に制限されないということが理解される。











前述のように、当業者は、最新技術において使用される任意の燐光錯体が本発明の文脈において燐光材料ＰＢとして適していることを認識するであろう。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂに含まれたそれぞれの燐光材料ＰＢは、イリジウム（Ｉｒ）を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、好ましくは、発光層Ｂに含まれたそれぞれの燐光材料ＰＢは、イリジウム（Ｉｒ）または白金（Ｐｔ）を含む有機金属錯体である。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂに含まれた少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢは、イリジウム（Ｉｒ）を含む有機金属錯体である。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂに含まれた少なくとも１つの燐光材料ＰＢ、好ましくは、それぞれの燐光材料ＰＢは、白金（Ｐｔ）を含む有機金属錯体である。
また、燐光材料ＰＢの非限定的な例は、下記一般化学式ＰＢ－Ｉで表される化合物を含む：
・・・化学式ＰＢ－Ｉ。
化学式ＰＢ－Ｉにおいて、Ｍは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｅｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ａｇ及びＣｕから構成される群から選択され、
ｎは、１～３の整数であり、
Ｘ２及びＹ１は、共にそれぞれの場合に互いに独立して、二座モノアニオン性リガンドを形成する。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂに含まれたそれぞれの燐光材料ＰＢは、下記化学式ＰＢ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成される：
・・・化学式ＰＢ－Ｉ
ここで、Ｍは、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｅｕ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ａｇ及びＣｕから構成される群から選択され、
ｎは、１～３の整数であり、
Ｘ２及びＹ１は、共にそれぞれの場合に互いに独立して、二座モノアニオン性リガンドを形成する。
化学式ＰＢ－Ｉで表される化合物の例は、下記化学式ＰＢ－ＩＩまたは化学式ＰＢ－ＩＩＩで表される化合物を含む：
・・・化学式ＰＢ－ＩＩ
・・・化学式ＰＢ－ＩＩＩ
化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、Ｘ’は、Ｍに炭素（Ｃ）結合された芳香族環であり、Ｙ’は、Ｍに窒素（Ｎ）配位されて環を形成する環である。
Ｘ’とＹ’は結合され、Ｘ’とＹ’は、新たな環を形成することができる。化学式ＰＢ－ＩＩＩにおいて、Ｚ３は、２つの酸素（Ｏ）を有する二座リガンドである。化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、Ｍは、高効率及び長寿命の観点から、好ましくは、Ｉｒである。
化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、芳香族環Ｘ’は、例えば、Ｃ６－Ｃ３０アリール、好ましくは、Ｃ６－Ｃ１６アリール、より好ましくは、Ｃ６－Ｃ１２アリール、特に好ましくは、Ｃ６－Ｃ１０アリールであり、ここで、Ｘ’は、それぞれの場合に選択的に１以上の置換基ＲＥで置換される。
化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、Ｙ’は、例えば、Ｃ２－Ｃ３０ヘテロアリール、好ましくは、Ｃ２－Ｃ２５ヘテロアリール、より好ましくは、Ｃ２－Ｃ２０ヘテロアリール、より一層好ましくは、Ｃ２－Ｃ１５ヘテロアリール、特に好ましくは、Ｃ２－Ｃ１０ヘテロアリールであり、ここで、Ｙ’は、それぞれの場合に選択的に１以上の置換基ＲＥで置換される。また、Ｙ’は、例えば、選択的に１以上の置換基ＲＥで置換されるＣ１－Ｃ５ヘテロアリールであってもよい。
化学式ＰＢ－ＩＩ及びＰＢ－ＩＩＩにおいて、２つの酸素（Ｏ）を有する二座リガンドＺ３は、例えば、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ３０二座リガンド、好ましくは、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ２５二座リガンド、より好ましくは、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ２０二座リガンド、より一層好ましくは、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ１５二座リガンド、特に好ましくは、２つの酸素を有するＣ２－Ｃ１０二座リガンドであり、ここで、Ｚ３は、それぞれの場合に選択的に１以上の置換基ＲＥで置換される。また、Ｚ３は、例えば、選択的に１以上の置換基ＲＥで置換される２つの酸素を有するＣ２－Ｃ５二座リガンドであってもよい。
ＲＥは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｒ５Ｅ）２、ＯＲ５Ｅ、ＳＲ５Ｅ、Ｓｉ（Ｒ５Ｅ）３、ＣＦ３、Ｃ
Ｎ、ハロゲン、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ５Ｅで選択的に置換され、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ５ＥＣ＝ＣＲ５Ｅ、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５Ｅ）２、Ｇｅ（Ｒ５Ｅ）２、Ｓｎ（Ｒ５Ｅ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５Ｅ、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５Ｅ）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５Ｅ、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５Ｅで選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基Ｒ５Ｅで選択的に置換され、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ５ＥＣ＝ＣＲ５Ｅ、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ５Ｅ）２、Ｇｅ（Ｒ５Ｅ）２、Ｓｎ（Ｒ５Ｅ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ５Ｅ、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ５Ｅ）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ５Ｅ、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ５Ｅで選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ５Ｅで選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ５Ｅで選択的に置換される。
Ｒ５Ｅは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｒ６Ｅ）２、ＯＲ６Ｅ、ＳＲ６Ｅ、Ｓｉ（Ｒ６Ｅ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基Ｒ６Ｅで選択的に置換され、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ６ＥＣ＝ＣＲ６Ｅ、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ６Ｅ）２、Ｇｅ（Ｒ６Ｅ）２、Ｓｎ（Ｒ６Ｅ）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ６Ｅ、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ６Ｅ）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ６Ｅ、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ６Ｅで選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基Ｒ６Ｅで選択的に置換され、及び
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基Ｒ６Ｅで選択的に置換される。
Ｒ６Ｅは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択される：
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）。
置換基ＲＥ、Ｒ５ＥまたはＲ６Ｅは、互いに独立して選択的に１以上の置換基ＲＥ、Ｒ５Ｅ、Ｒ６Ｅ及び／またはＸ’、Ｙ’及びＺ３と共に、単環または多環、脂肪族環系、芳香族環系、ヘテロ芳香族環系を形成することができる。
化学式ＰＢ－ＩＩで表される化合物の非限定的な例には、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３、Ｉｒ（ＰＰｙ）２（ｍ－ｂｐｐｙ）、ＢｔｐＩｒ（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（２－ｐｈｑ）３、Ｈｅｘ－Ｉｒ（ｐｈｑ）３、Ｉｒ（ｆｂｉ）２（ａｃａｃ）、ｆａｃ－トリス（２－（３－ｐ－キシリル）フェニル）ピリジンイリジウム（ＩＩＩ）、Ｅｕ（ｄｂｍ）３（Ｐｈｅｎ）、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（Ｆｉｑ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（Ｆｌｑ）２（ａｃａｃ）、Ｒｕ（ｄｔｂ－ｂｐｙ）３・２（ＰＦ６）、Ｉｒ（２－ｐｈｑ）３、Ｉｒ（ＢＴ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ＤＭＰ）３、Ｉｒ（Ｍｐｑ）３、Ｉｒ（ｐｈｑ）２ｔｐｙ、ｆａｃ－Ｉｒ（ｐｐｙ）２Ｐｃ、Ｉｒ（ｄｐ）ＰＱ２、Ｉｒ（Ｄｐｍ）（Ｐｉｑ）２、Ｈｅｘ－Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）、Ｈｅｘ－Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｉｒ（ｄｍｐｑ）３、Ｉｒ（ｄｍｐｑ）２（ａｃａｃ）、ＦＰＱＩｒｐｉｃなどがある。
化学式ＰＢ－ＩＩで表される化合物の他の非限定的な例は、下記化学式ＰＢ－ＩＩ－１～ＰＢ－ＩＩ－１１で表される化合物を含む。構造式において、「Ｍｅ」は、メチル基を示す。

化学式ＰＢ－ＩＩＩで表される化合物の他の非限定的な例は、下記化学式ＰＢ－ＩＩＩ－１～ＰＢ－ＩＩＩ－６で表される化合物を含む。構造式において、「Ｍｅ」は、メチル基を示す。
また、ＵＳ２００３０１７３６１（Ａ１）、ＵＳ２００４２６２５７６（Ａ１）、ＷＯ２０１００２７５８３（Ａ１）、ＵＳ２０１９２４５１５３（Ａ１）、ＵＳ２０１３１１９３５４（Ａ１）、ＵＳ２０１９２３３４５１（Ａ１）に記載されたイリジウム錯体を使用することができる。燐光材料の高効率観点から、Ｉｒ（ｐｐｙ）３とＨｅｘ－Ｉｒ（ｐｐｙ）３が緑色発光によく使用される。
エキサイプレックス
ＴＡＤＦ材料は、逆項間交差（ＲＩＳＣ）を介して、励起三重項状態（好ましくは、Ｔ１）を励起一重項状態（好ましくは、Ｓ１）に変換することができると明示されてきた。また、これは、一般的に小さいΔＥＳＴ値を必要とし、これは、定義上ＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、０．４ｅＶより小さいと明示されてきた。また、前述のように、これは、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯがそれぞれ（電子）ドナー基及び（電子）アクセプター基で空間的に大きく分離されるようにＴＡＤＦ分子ＥＢを設計することによって達成される。しかし、ΔＥ
ＳＴ値が小さい種に達するための他の戦略は、エキサイプレックスを形成することである。当業者に知られているように、エキサイプレックスは、ドナー分子とアクセプター分子との間に形成された励起状態電荷移動複合体（すなわち、励起状態ドナー・アクセプター複合体）である。当業者は、エキサイプレックスにおいて（ドナー分子上の）ＨＯＭＯと（アクセプター分子上の）ＬＵＭＯとの空間的分離が典型的に多少小さいΔＥＳＴ値を有するようにし、励起三重項状態（好ましくは、Ｔ１）を励起一重項状態（好ましくは、Ｓ１）に逆項間交差（ＲＩＳＣ）を介して切り替えることができることを理解する。
実際に、当業者に知られているように、ＴＡＤＦ材料は、前述のように単にそれ自体で励起三重項状態から励起一重項状態にＲＩＳＣ可能であり、ＴＡＤＦの後続発光を有する材料ではない。また、ＴＡＤＦ材料は、事実上２つの材料、好ましくは、２つのホスト材料ＨＢ、より好ましくは、ｐ－ホスト材料ＨＰ及びｎ－ホスト材料ＨＮ（以下参照）から形成されるエキサイプレックスであることが当業者に周知であり、ホスト材料ＨＢ（一般的に、ＨＰ及びＨＮ）自体がＴＡＤＦ材料であるものと理解される。
当業者は、同一層、特に同一のＥＭＬに含まれた任意の材料だけでなく、隣接した層に含まれており、それら隣接した層間の界面で非常に近接する材料が共にエキサイプレックスを形成することができることを理解する。当業者は、エキサイプレックスを形成する材料の対、特にｐ－ホストＨＰ及びｎ－ホストＨＮの対を選択する方法、及び前述の材料の対の２つの成分に対するＨＯＭＯ及び／またはＬＵＭＯエネルギーレベル要求事項を含む選択基準が分かっている。すなわち、エキサイプレックス形成が要求される場合、１つの成分、例えば、ｐ－ホスト材料ＨＰの最高被占軌道（ＨＯＭＯ）は、他の成分、例えば、ｎ－ホスト材料ＨＮのＨＯＭＯよりエネルギーが少なくとも０．２０ｅＶより高く、１つの成分、例えば、ｐ－ホスト材料ＨＰの最低空軌道（ＬＵＭＯ）は、他の成分、例えば、ｎ－ホスト材料ＨＮのＬＵＭＯよりエネルギーが少なくとも０．２０ｅＶより高い。
有機エレクトロルミネッセンス素子、特にＯＬＥＤのＥＭＬにエキサイプレックスが存在する場合、エキサイプレックスは、エミッタ材料の機能を有し、電圧と電流が当該素子に印加されれば発光することができるというのは、当業者の常識に属する。最新技術から、また一般的に知られているように、エキサイプレックスは、非放射性であり、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子のＥＭＬに含まれた場合、励起エネルギーをエミッタ材料に移動させることができる。
エキサイプレックスを共に形成可能なホスト材料ＨＢの非限定的な例が下記に示されており、ここで、ドナー分子（すなわち、ｐ－ホストＨＰ）は、以下の構造から選択される：
アクセプター分子（すなわち、ｎ－ホストＨＮ）は、以下の構造から選択される：



エキサイプレックスは、本発明の文脈において発光層Ｂに含まれた任意の材料、例えば、互いに異なる励起エネルギー移動成分（ＥＢ及び／またはＥＥＴ－２）だけでなく、励起エネルギー移動成分（ＥＢ及び／またはＥＥＴ－２）及び小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、またはホスト材料ＨＢ及び励起エネルギー移動成分ＥＢまたはＥＥＴ２または小ＦＷＨＭエミッタＳＢから形成されることが理解される。好ましくは、しかし、それらは、前述のように互いに異なるホスト材料ＨＢから形成される。また、エキサイプレックスが形成され、励起エネルギー移動成分それ自体は作用しないことがあるということも理解される。
小ＦＷＨＭエミッタＳ Ｂ
本発明による小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢは、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でポリ（メチルメタクリレート）ＰＭＭＡ中の１～５重量％、特に２重量％のエミッタを有するスピンコーティング膜から測定されたＦＷＨＷが０．２５ｅＶ以下（≦０．２５）を示す発光スペクトルを有する任意のエミッタであってもよい。代案としては、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの発光スペクトルは、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢがある溶液で測定されうる。
本発明の好ましい実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）のＰＭＭＡにおいて１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢを有するスピンコーティング膜から測定された≦０．２４ｅＶ、より好ましくは、≦０．２３ｅＶ、より一層好ましくは、≦０．２２ｅＶ、≦０．２１ｅＶ、または≦０．２０ｅＶのＦＷＨＭを示す発光スペクトルを有する任意のエミッタである。あるいは、小ＦＷＨＭエミッタ
ＳＢの発光スペクトルは、一般的に、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢがある溶液で測定されうる。本発明の他の実施形態において、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、≦０．１９ｅＶ、≦０．１８ｅＶ、≦０．１７ｅＶ、≦０．１６ｅＶ、≦０．１５ｅＶ、≦０．１４ｅＶ、≦０．１３ｅＶ、≦０．１２ｅＶ、または≦０．１１ｅＶのＦＷＨＭを示す。
本発明の一実施形態において、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、５１０ｎｍ～５５０ｎｍの波長範囲の最大発光で発光する。
本発明の一実施形態において、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、５１０ｎｍ～５５０ｎｍの波長範囲の最大発光で発光する。
本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれたＴＡＤＦ材料ＥＢは、選択的に０．２５ｅＶ以下（≦０．２５ｅＶ）のＦＷＨＭを示す発光スペクトルを有するエミッタでもある。選択的に、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれたＴＡＤＦ材料ＥＢは、また、前述の波長範囲（すなわち、５１０ｎｍ～５５０ｎｍ）内で最大発光を示すことができる。
本発明の一実施形態において、下記式（２９）で表される関係が適用される：
５１０ｎｍ≦λｍａｘ（ＳＢ）≦５５０ｎｍ （２９）
ここで、λｍａｘ（ＳＢ）は、本発明の文脈において小ＦＷＨＭエミッタＳＢの最大発光を示す。
一実施形態において、式（２９）で表される前述の関係は、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂを構成する材料に適用される。
本発明の好ましい実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、有機エミッタであり、これは、本発明の文脈においていかなる遷移金属も含まないということを意味する。好ましくは、本発明による小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、主に水素（Ｈ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）及びボロン（Ｂ）から構成されるが、例えば、酸素（Ｏ）、シリコン（Ｓｉ）、フッ素（Ｆ）及び臭素（Ｂｒ）を含んでもよい。
本発明の好ましい実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、蛍光エミッタであり、これは、本発明の文脈において、（例えば、本発明による光電子素子において）電子励起時にエミッタが常温で発光することができ、ここで、発光励起状態は一重項状態であることを意味する。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、５０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の好ましい実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、６０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより好ましい実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、７０％以上のフォト
ルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより好ましい実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、８０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の特に好ましい実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温で（１～５重量％、特に２重量％のエミッタＳＢの）ＰＭＭＡで測定するとき、９０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、５０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の好ましい実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、６０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより好ましい実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、７０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明のより好ましい実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、８０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
本発明の特に好ましい実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、室温（すなわち、（約）２０℃）でジクロロメタンまたはトルエン中の０．００１～０．２ｍｇ／ｍＬのエミッタＳＢで測定するとき、９０％以上のフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す。
当業者は、前述の要件または好ましい特徴を満たす小ＦＷＨＭエミッタＳＢを設計する方法が分かっている。
本発明の文脈において小ＦＷＨＭエミッタＳＢを提供するのに適している他の部類の分子は、ＮＲＣＴ（ｎｅａｒ－ｒａｎｇｅ－ｃｈａｒｇｅ－ｔｒａｎｓｆｅｒ）エミッタである。
一般的なＮＲＣＴエミッタは、時間分解フォトルミネセンススペクトルで遅延された成分を示し、近距離ＨＯＭＯ－ＬＵＭＯ分離を示すものと文献に説明されている。以下の例示を参照する：Ｔ．Ｈａｔａｋｅｙａｍａ， Ｋ．Ｓｈｉｒｅｎ， Ｋ．Ｎａｋａｊｉｍａ， Ｓ．Ｎｏｍｕｒａ， Ｓ．Ｎａｋａｔｓｕｋａ， Ｋ．Ｋｉｎｏｓｈｉｔａ， Ｊ．Ｎｉ， Ｙ．Ｏｎｏ， ａｎｄ Ｔ．Ｉｋｕｔａ， Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２０１６， ２８（１４）， ２７７７， ＤＯＩ： １０．１００２／ａｄｍａ．２０１５０５４９１。
一般的なＮＲＣＴエミッタは、発光スペクトルで１つの発光バンドのみを示し、一般的
な蛍光エミッタは、振動プログレッション（ｖｉｂｒａｔｉｏｎａｌ ｐｒｏｇｒｅｓｓｉｏｎ）により、複数の固有な発光バンドを示す。
当業者は、本発明の文脈において小ＦＷＨＭエミッタＳＢとして適しているＮＲＣＴエミッタを設計及び合成する方法が分かっている。例えば、ＥＰ３１０９２５３（Ａ１）に開示されたエミッタは、本発明の文脈において小ＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用されてもよい。
また、例えば、ＵＳ２０１４０５８０９９（Ａ１）、ＵＳ２００９２９５２７５（Ａ１）、ＵＳ２０１２３１９０５２（Ａ１）、ＥＰ２１８２０４０（Ａ２）、ＵＳ２０１８０６９１８２（Ａ１）、ＵＳ２０１９３９３４１９（Ａ１）、ＵＳ２０２０００６６７１（Ａ１）、ＵＳ２０２００９８９９１（Ａ１）、ＵＳ２０２０１７６６８４（Ａ１）、ＵＳ２０２０１６１５５２（Ａ１）、ＵＳ２０２０２２７６３９（Ａ１）、ＵＳ２０２０１８５６３５（Ａ１）、ＥＰ３６８６２０６（Ａ１）、ＥＰ３６８６２０６（Ａ１）、ＷＯ２０２０２１７２２９（Ａ１）、ＷＯ２０２０２０８０５１（Ａ１）及びＵＳ２０２０３２８３５１（Ａ１）は、本発明による使用のための小ＦＷＨＭエミッタＳＢとして適しているエミッタ材料を開示する。
本発明の文脈において小ＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能な一群のエミッタは、下記化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成されるボロン（Ｂ）含有エミッタである：
・・・化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉ
ここで、
それぞれの環Ａ’、環Ｂ’及び環Ｃ’は、互いに独立して、それぞれ５～２４個の環原子を含む芳香族環またはヘテロ芳香族環を示し、そのうち、ヘテロ芳香族環の場合、１～３個の環原子は、互いに独立して、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｅから選択されるヘテロ原子であり、
ここで、それぞれの芳香族環またはヘテロ芳香族環Ａ’、Ｂ’及びＣ’において、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して置換基ＲＤＡＢＮＡ－１によって置換され、これは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－２、ＳＲＤＡＢＮＡ－２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－２、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－２Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、及び
４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ＲＤＡＢＮＡ－２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－６、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、及び
４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－１及びＲＤＡＢＮＡ－２から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加環）は、計８～３０個の環原子を含み、
Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して、直接（単一）結合、ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｏ、Ｓ、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、ＢＲＤＡＢＮＡ－３及びＳｅから選択され、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－４、ＳＲＤＡＢＮＡ－４、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－４）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－４、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢ
ＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－４Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－４）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、及び
４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ＲＤＡＢＮＡ－４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－５、ＳＲＤＡＢＮＡ－５、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－５）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－５、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢ
ＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＤＡＢＮＡ－５Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－５）、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、及び
４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ＲＤＡＢＮＡ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、Ｂ（ＯＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＳＯ２ＲＤＡＢＮＡ－６、ＣＦ３、ＣＮ、ハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ
）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、選択的にＲＤＡＢＮＡ－６Ｃ＝ＣＲＤＡＢＮＡ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｇｅ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｓｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＤＡＢＮＡ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＤＡＢＮＡ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、及び
４～１８個の炭素原子及び１～３個の窒素原子を含む脂肪族環状アミン、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４及びＲＤＡＢＮＡ－５から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系は、計８～３０個の環原子を含み、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ（Ｐｈ＝フェニル）、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｃ１－Ｃ５アルキル）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３またはＦによって置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリール置換基によって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリール置換基によって置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、Ｙａ及びＹｂのうち１つ、またはＹａ及びＹｂのうち両方がＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３
である場合、前記１つまたは２つの置換基ＲＤＡＢＮＡ－３は、選択的に互いに独立して、隣接した環Ａ’及びＢ’（Ｙａ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３）、またはＡ’及びＣ’（Ｙｂ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３）の１つまたは両方に直接（単一）結合、あるいはそれぞれの場合に独立して、ＮＲＤＡＢＮＡ－１、Ｏ、Ｓ、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－１）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－１）２、ＢＲＤＡＢＮＡ－１及びＳｅから選択される連結原子または原子基を介して結合することができ、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造が互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つの、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造がエミッタ内に存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の一部であってもよい）、当該環は、好ましくは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの環Ａ’、Ｂ’及びＣ’のうちいずれか１つであるが、また、ＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６、特にＲＤＡＢＮＡ－３から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述の２以上の隣接した置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基であってもよく、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２以上の構造の同一のまたは互いに異なる部分構造を構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、エミッタ内に選択的に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の環Ｃ’であってもよく、共有環は、例えば、エミッタ内に選択的に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの１つの構造の環Ｂ’及び他の構造の環Ｃ’であってもよい）、
ここで、選択的にＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６のうち少なくとも１つが、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、選択的にＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢのうち少なくとも１つは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造から構成される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造から構成される。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、Ａ’、Ｂ’及び
Ｃ’が全てそれぞれ６個の環原子を有する芳香族環（すなわち、全てベンゼン環）である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して、ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｏ、Ｓ、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２及びＳｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２から選択される。
本発明の好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して、ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｏ及びＳから選択される。
本発明のより好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して、ＮＲＤＡＢＮＡ－３及びＯから選択される。
本発明の特に好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、Ｙａ及びＹｂは、両方とも、ＮＲＤＡＢＮＡ－３である。
本発明の特に好ましい実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、Ｙａ及びＹｂは、互いに独立して同一であり、両方ともＮＲＤＡＢＮＡ－３である。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上のＭ小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－２、ＳＲＤＡＢＮＡ－２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－１及びＲＤＡＢＮＡ－２から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加環）は、計８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－２、ＳＲＤＡＢＮＡ－２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－２）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－６）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－６、ＳＲＤＡＢＮＡ－６、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－６）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－１及びＲＤＡＢＮＡ－２から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加環）は、計８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－２）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－２、ＳＲＤＡＢＮＡ－２、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－２で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－２は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、
Ｐｈ、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－６で置換され、
ここで、２以上の隣接したＲＤＡＢＮＡ－１は、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された縮合環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加環）は、計８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、
Ｐｈ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ここで、２以上の隣接した置換基ＲＤＡＢＮＡ－１は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加環）は、計８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－１は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
Ｐｈ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
カルバゾリル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
トリアジニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔ
Ｂｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ピリミジニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ピリジニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮで置換され、
ここで、２以上の隣接した置換基ＲＤＡＢＮＡ－１は、選択的に、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された環系（すなわち、それぞれの環Ａ’、Ｂ’またはＣ’及びそれに選択的に縮合される追加環）は、計８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、ＲＤＡＢＮＡ－１及びＲＤＡＢＮＡ－２から選択された隣接した置換基は、隣接した環Ａ’、Ｂ’またはＣ’に縮合された単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ４アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＤＡＢＮＡ－５）２、ＯＲＤＡＢＮＡ－５、ＳＲＤＡＢＮＡ－５、Ｓｉ（Ｃ１－Ｃ５アルキル）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－５で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４及びＲＤＡＢＮＡ－５から選択される２以上の隣接した置換基は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、ここで、選択的にこのように形成された環系は、計８～３０個の環原子を含む。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ４アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３及びＲＤＡＢＮＡ－４から選択される２以上の隣接した置換基は、互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ４アルキル、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、選択的に１以上の置換基ＲＤＡＢＮＡ－４で置換され、
ＲＤＡＢＮＡ－４は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素で置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３及びＲＤＡＢＮＡ－４から選択される２以上の隣接した置換基は、互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３から選択された２以上の隣接した置換基は、互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－３は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、及び
Ｐｈ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＰｈまたはＣＮによって置換され、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－３から選択された２以上の隣接した置換基は、互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成しない。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択される：
水素、重水素、ＯＰｈ（Ｐｈ＝フェニル）、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｃ１－Ｃ５アルキル）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１
－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリールで置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｃ１－Ｃ５アルキル、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＣ６－Ｃ１８アリールで置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＯＰｈ（Ｐｈ＝フェニル）、ＳＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｓｉ（Ｍｅ）３、Ｓｉ（Ｐｈ）３、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｐｈ、ＣＮ、ＣＦ３またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＰｈで置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、ＳｉＭｅ３、ＳｉＰｈ３またはＰｈで置換される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択される：
水素、重水素、Ｎ（Ｐｈ）２、ＣＮ、Ｆ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
Ｐｈ、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕまたはＰｈで置換され、
Ｃ３－Ｃ１７ヘテロアリール、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、ＣＮ、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕまたはＰｈで置換される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＤＡＢＮＡ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択される：
水素、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕ、
Ｐｈ、
ここで、選択的に１以上の水素原子は、独立して、重水素、Ｍｅ、ｉＰｒ、ｔＢｕまたはＰｈによって置換される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化
学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれからなり、Ｙａ及び／またはＹｂがＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３である場合、１つまたは２つの置換基ＲＤＡＢＮＡ－３は、１つまたは２つの隣接した環Ａ’及びＢ’（Ｙａ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３の場合）、またはＡ’及びＣ’（Ｙｂ＝ＮＲＤＡＢＮＡ－３、Ｃ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２、Ｓｉ（ＲＤＡＢＮＡ－３）２またはＢＲＤＡＢＮＡ－３）と結合しない。
一実施形態において、本発明の文脈において小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、選択的に、前述の化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの多量体（例えば、二量体）でもあり、これは、それらの構造が１以上のサブユニットを含み、それらそれぞれは化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を有するということを意味する。この場合、当業者は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる２以上のサブユニットが、例えば、結合可能であり、好ましくは、互いに縮合可能であることを理解するであろう（すなわち、少なくとも１つの結合を共有し、ここで、その結合を形成する原子に結合したそれぞれの置換基がそれ以上存在しない）。また、２以上のサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有することができる。これは、例えば、小ＦＷＨＭエミッタＳＢがそれぞれ化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造を有する２以上のサブユニットを含むということを意味し、ここで、それら２つのサブユニットは、１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有する（すなわち、それぞれの環は、２つのサブユニットの一部である）。その結果、それぞれの多量体（例えば、二量体）エミッタＳＢは、共有環が一つのみ存在し、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる２つの全体サブユニットを含まない。それにもかかわらず、当業者は、本願において当該エミッタが依然として化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの多量体（例えば、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造を有する２つのサブユニットが含まれる場合、二量体）と見なされることを理解するであろう。１以上の環を共有する多量体に対しても同様である。多量体は、それぞれ化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの構造を有する２つのサブユニットを含む二量体であることが好ましい。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、前述のように、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの二量体であり、これは、エミッタがそれぞれ化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を有する２つのサブユニットを含むことを意味する。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、２以上、好ましくは、正確に２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれから構成される。
ここで、それらサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の一部であってもよい）、ここで、共有環は、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの環Ａ’、Ｂ’及びＣ’のうちいずれか１つであってもよいが、ＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６、特にＲＤＡＢＮＡ－３から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の隣接した置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環であってもよく、ここで、共有環は、該環を共有する化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２以上の構造の同一のまたは異なる部分構造を構成することができる（すなわち、共有環は、例えば、エミッタ内に選択的に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの２つの構造の環Ｃ’であってもよいか、共有環は、例えば、エミッタ内に選択的に含まれた化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの１つの構造の環Ｂ’及び他の構造の環Ｃ’であってもよい）。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、２以上、好ましくは、正確に２つの化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造（すなわち、サブユニット）を含むか、あるいはそれからなり、
ここで、ＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６のうち少なくとも１つが、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、ＲＤＡＢＮＡ－１、ＲＤＡＢＮＡ－２、ＲＤＡＢＮＡ－３、ＲＤＡＢＮＡ－４、ＲＤＡＢＮＡ－５及びＲＤＡＢＮＡ－６のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉの更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明による小ＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能な、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成されるエミッタの非限定的な例が下記に示されている：










本発明の文脈において小ＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能なエミッタ基は、下記化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成されるエミッタである：
・・・化学式ＢＮＥ－１
ここで、
ｃ及びｄは、両方とも整数であり、互いに独立して０及び１から選択され、
ｅ及びｆは、両方とも整数であり、０及び１から選択され、ここで、ｅ及びｆは（常に）同一であり（すなわち、両方とも０であるか、または両方とも１である）、
ｇ及びｈは、両方とも整数であり、０及び１から選択され、ここで、ｇ及びｈは（常に）同一であり（すなわち、両方とも０であるか、または両方とも１である）、
ｄが０であれば、ｅ及びｆは、両方とも１であり、ｄが１であれば、ｅ及びｆは、両方とも０であり、
ｃが０であれば、ｇ及びｈは、両方とも１であり、ｃが１であれば、ｇ及びｈは、両方とも０であり、
Ｖ１は、窒素（Ｎ）及びＣＲＢＮＥ－Ｖから選択され、
Ｖ２は、窒素（Ｎ）及びＣＲＢＮＥ－Ｉから選択され、
Ｘ３は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－３、ＮＲＢＮＥ－３、Ｏ、ＳｉＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２から構成される群から選択され、
Ｙ２は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－３’、ＮＲＢＮＥ－３’、Ｏ、ＳｉＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｓ、Ｓ（Ｏ）及びＳ（Ｏ）２から構成される群から選択され、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２
、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＲＢＮＥ－６、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－６）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－６、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、ＰｈまたはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部であってもよい）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環であってもよく、ここで、共有環は、該環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは異なる部分構造を構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、選択的にエミッタ内に含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’であってもよく、共有環は、例えば、選択的にエミッタ内に含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’であってもよい）、
ここで、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂにおいて、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含む。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｖ１はＣＲＢＮＥ－Ｖであり、Ｖ２はＣＲＢＮＥ－Ｉである。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｖ１及びＶ２は、両方とも窒素（Ｎ）であ
る。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｖ１は窒素（Ｎ）であり、Ｖ２はＣＲＢＮＥ－Ｉである。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、Ｖ１はＣＲＢＮＥ－Ｖであり、Ｖ２は窒素（Ｎ）である。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、ｃ及びｄは、両方とも０である。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、ｃは０であり、ｄは１である。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、ｃは１であり、ｄは０である。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ここで、ｃ及びｄは、両方とも１である。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｘ３は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、Ｃ＝Ｏ、ＮＲＢＮＥ－３、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４から構成される群から選択され、
Ｙ２は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、Ｃ＝Ｏ、ＮＲＢＮＥ－３’、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’から構成される群から選択される。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｘ３は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、ＮＲＢＮＥ－３、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４から構成される群から選択され、
Ｙ２は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’、ＮＲＢＮＥ－３’、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３’ＲＢＮＥ－４’から構成される群から選択される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢの少なくとも１つ、好ましくは、それぞれは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｘ３は、直接結合、ＣＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４、ＮＲＢＮＥ－３、Ｏ、Ｓ、ＳｉＲＢＮＥ－３ＲＢＮＥ－４から構成される群から選択され、
Ｙ２は、直接結合である。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｘ３は、直接結合またはＮＲＢＮＥ－３であり、
Ｙ２は、直接結合である。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
Ｘ３は、ＮＲＢＮＥ－３であり、
Ｙ２は、直接結合である。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、そぞれ互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－５）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－５、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＲＢＮＥ－６、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）３、Ｂ（ＯＲＢＮＥ－６）２、Ｂ（ＲＢＮＥ－６）２、ＯＳＯ２ＲＢＮＥ－６、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ４０アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０アルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
Ｃ１－Ｃ４０チオアルコキシ、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルケニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ４０アルキニル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－６Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－６、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－６）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－６、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－６）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－６、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ６０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ５７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－６で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－６は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、ＰｈまたはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタ内に存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部であってもよい）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環でもあり、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは異なる部分構造を構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’であってよく、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’であってもよい）、
ここで、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ１８アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ３０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ２９ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ１８アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ３０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ２９ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、
Ｃ１－Ｃ１８アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、ＲＢＮＥ－５Ｃ＝ＣＲＢＮＥ－５、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｇｅ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｓｎ（ＲＢＮＥ－５）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲＢＮＥ－５、Ｐ（＝Ｏ）（ＲＢＮＥ－５）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲＢＮＥ－５、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ３０アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ２９ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、ま
たはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５チオアルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルケニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ２－Ｃ５アルキニル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部であってもよい）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環であってもよく、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは異なる部分構造を構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’であってもよく、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’であってもよい）、
ここで、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくと
も１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ１－Ｃ５アルコキシ、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部であってよい）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環であってもよく、ここで、共有環は、前記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは異なる部分構造を構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’であってもよく、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’であってもよい）、
ここで、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、
ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖは、それぞれ互いに独立して、下記から構成
される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’及びＲＢＮＥ－ｅは、互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－ａで選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－ａは、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、Ｎ（ＲＢＮＥ－５）２、ＯＲＢＮＥ－５、Ｓｉ（ＲＢＮＥ－５）３、Ｂ（ＲＢＮＥ－５）２、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、及び
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上の置換基ＲＢＮＥ－５で選択的に置換され、
ＲＢＮＥ－５は、それぞれの場合に互いに独立して、下記から構成される群から選択され、
水素、重水素、ＯＰｈ、ＣＦ３、ＣＮ、Ｆ、
Ｃ１－Ｃ５アルキル、
ここで、１以上の水素原子は、選択的に互いに独立して、重水素、ＣＮ、ＣＦ３、またはＦで置換され、
Ｃ６－Ｃ１８アリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール、
これは、１以上のＣ１－Ｃ５アルキル置換基で選択的に置換され、
Ｎ（Ｃ６－Ｃ１８アリール）２、
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）２、及び
Ｎ（Ｃ２－Ｃ１７ヘテロアリール）（Ｃ６－Ｃ１８アリール）、
ここで、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは、選択的に結合して直接単結合を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｄ、ＲＢＮＥ－ｄ’、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’及びＲＢＮＥ－５のうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、置換基ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ及びＲＢＮＥ－Ｖのうち２以上は、選択的に互いに単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成し、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造は、互いに接合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合され、
ここで、選択的に２以上、好ましくは、２つの化学式ＢＮＥ－１の構造がエミッタに存在し、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有し（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部であってもよい）、これは、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであるが、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環であってもよく、ここで、共有環は、該記環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは異なる部分構造を構成することができ（すなわち、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’であってもよく、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’であってもよい）、
ここで、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは結合して直接単結合を形成する。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれからなり、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ及びＲＢＮＥ－ｅは結合して直接単結合を形成しない。
一実施形態において、本発明の文脈において小ＦＷＨＭエミッタＳＢとして適している蛍光エミッタは、選択的に、前述の化学式ＢＮＥ－１の多量体（例えば、二量体）であってよく、これは、それらの構造が１以上のサブユニットを含み、それらそれぞれは化学式ＢＮＥ－１による構造を有するということを意味する。この場合、当業者は、化学式ＢＮＥ－１による２以上のサブユニットが、例えば、結合可能であり、好ましくは、互いに縮合可能であることを理解するであろう（すなわち、少なくとも１つの結合を共有し、ここで、その結合を形成する原子に結合したそれぞれの置換基がそれ以上存在しない）。また、２以上のサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有することができる。これは、例えば、小ＦＷＨＭエミッタＳＢがそれぞれ化学式ＢＮＥ－１の構造を有する２以上のサブユニットを含むということを意味し、ここで、それら２つのサブユニットは、１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環を共有する（すなわち、それぞれの環は、２つのサブユニットの一部である）。その結果、それぞれの多量体（例えば、二量体）エミッタＳＢは、共有環が一つのみ存在し、化学式ＢＮＥ
－１による２つの全体サブユニットを含まない。それにもかかわらず、当業者は、本願において当該エミッタが依然として化学式ＢＮＥ－１の多量体（例えば、化学式ＢＮＥ－１の構造を有する２つのサブユニットが含まれる場合、二量体）と見なされることを理解するであろう。１以上の環を共有する多量体に対しても同様である。多量体は、それぞれ化学式ＢＮＥ－１の構造を有する２つのサブユニットを含む二量体であることが好ましい。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、前述のように、化学式ＢＮＥ－１の二量体であり、これは、エミッタがそれぞれ化学式ＢＮＥ－１による構造を有する２つのサブユニットを含むということを意味する。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、前述のように、化学式ＢＮＥ－１の二量体であり、これは、エミッタがそれぞれ化学式ＢＮＥ－１による構造（すなわち、サブユニット）を有する２つのサブユニットを含むということを意味し、
ここで、それら２つのサブユニットは、結合され、好ましくは、少なくとも１つ、より好ましくは、正確に１つの結合を共有することによって互いに縮合される。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、前述のように、化学式ＢＮＥ－１の二量体であり、これは、エミッタがそれぞれ化学式ＢＮＥ－１による構造（すなわち、サブユニット）を有する２つのサブユニットを含むということを意味し、
ここで、それら２つのサブユニットは、少なくとも１つ、好ましくは、正確に１つの芳香族環またはヘテロ芳香族環（すなわち、当該環は、化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の一部である）を共有し、好ましくは、化学式ＢＮＥ－１の環ａ、ｂ及びｃ’のうちいずれか１つであってもよく、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄ及びＲＢＮＥ－ｄ’から選択される任意の芳香族置換基またはヘテロ芳香族置換基、あるいは前述のような２以上の置換基によって形成された任意の芳香族環またはヘテロ芳香族環であってもよく、ここで、共有環は、該環を共有する化学式ＢＮＥ－１の２以上の構造の同一のまたは異なる部分構造を構成することができる（すなわち、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の２つの構造の環ｃ’であってもよく、共有環は、例えば、選択的にエミッタに含まれた化学式ＢＮＥ－１の１つの構造の環ｂ及び他の構造の環ｃ’であってもよい）。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、前述のように、化学式ＢＮＥ－１の二量体であり、これは、エミッタがそれぞれ化学式ＢＮＥ－１による構造（すなわち、サブユニット）を有する２つのサブユニットを含むということを意味し、
ここで、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうち少なくとも１つが、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替され、及び／または、選択的に、ＲＢＮＥ－１、ＲＢＮＥ－２、ＲＢＮＥ－１’、ＲＢＮＥ－２’、ＲＢＮＥ－３、ＲＢＮＥ－４、ＲＢＮＥ－５、ＲＢＮＥ－３’、ＲＢＮＥ－４’、ＲＢＮＥ－６、ＲＢＮＥ－Ｉ、ＲＢＮＥ－ＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＩＩ、ＲＢＮＥ－ＩＶ、ＲＢＮＥ－Ｖ、ＲＢＮＥ－ａ、ＲＢＮＥ－ｅ、ＲＢＮＥ－ｄまたはＲＢＮＥ－ｄ’のうちいずれか１つの少なくとも１つの水素原子が、化学式ＢＮＥ－１の更なる化学的実体に対する結合によって代替される。
本発明の文脈において小ＦＷＨＭエミッタとして使用可能な、前述の化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成される蛍光エミッタの非限定的な例が下記に
示されている：
発明は、下記に示されている：








化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成される小ＦＷＨＭエミッタＳＢの合成は、当業者に公知された標準反応及び反応条件を介して達成されうる。
典型的に、合成は、遷移金属触媒化された交差カップリング反応及びホウ素化反応を含み、それらは当業者に公知されている。
例えば、ＷＯ２０２０１３５９５３（Ａ１）は、化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成される小ＦＷＨＭエミッタＳＢを合成する方法を開示する。また、ＵＳ２０１８０４７９１２（Ａ１）は、特に、ｃ及びｄが０である化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成される小ＦＷＨＭエミッタＳＢを合成する方法を開示する。
また、ＵＳ２０１８０４７９１２（Ａ１）及びＷＯ２０２０１３５９５３（Ａ１）に開示されたエミッタも、本発明の文脈において小ＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能であるということが理解される。
本発明の一実施形態において、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉまたは化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成される。
当業者は、それを、１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢが発光層Ｂに存在するならば、それらがいずれも化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成されるか、それらがいずれも化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成されるか、一部は化学式ＤＡＢＮＡ－Ｉによる構造を含むか、あるいはそれから構成される一方、他のものは化学式ＢＮＥ－１による構造を含むか、あるいはそれから構成されるものと理解するであろう。
蛍光エミッタを設計する１つのアプローチは、蛍光の多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造の使用に依存する。後者は、本発明の文脈において、１以上の芳香族環またはヘテロ芳香族環、好ましくは、２以上の当該環を含む任意の構造であり、これは、より好ましくは、互いに縮合されるか、あるいは１以上の直接結合または連結原子を介して連結されている。すなわち、蛍光コア構造は、少なくとも１つ、好ましくは、単に１つの剛直なπ共役系を含む。
当業者は、例えば、ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）から、蛍光エミッタのためのコア構造を選択する方法が分かっている。蛍光エミッタの一般的なコア構造の例は、下記に示されており、ここで、これは、そのようなコアのみが本発明による使用に好適な小ＦＷＨＭエミッタＳＢを提供することができることを意味しない：








当該文脈において、蛍光コア構造という用語は、該コアを含む全ての分子が潜在的に蛍光エミッタとして使用可能であることを示す。当業者は、そのような蛍光エミッタのコア構造が選択的に置換されていてもよく、どのような置換基がそれと係わって適しているかを、例えば、下記例示から分かる：ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）， Ｍ．Ｚｈｕ．Ｃ．Ｙａｎｇ， Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ Ｒｅｖｉｅｗｓ ２０１３， ４２， ４９６３， ＤＯＩ： １０．１０３９／ｃ３ｃｓ３５４４０ｇ； Ｓ．Ｋｉｍａ， Ｂ．Ｋｉｍｂ， Ｊ．Ｌｅｅａ， Ｈ．Ｓｈｉｎａ， Ｙ．－Ｉｌ Ｐａｒｋｂ，
Ｊ．Ｐａｒｋ， Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｒ： Ｒｅｐｏｒｔｓ ２０１６， ９９， １， ＤＯＩ： １０．１０１６／ｊ．ｍｓｅｒ．２０１５．１１．００１； Ｋ．Ｒ．Ｊ．Ｔｈｏｍａｓ， Ｎ．Ｋａｐｏｏｒ， Ｍ．Ｎ．Ｋ．Ｐ．Ｂｏｌｉｓｅｔｔｙ， Ｊ．－Ｈ．Ｊｏｕ， Ｙ．－Ｌ．Ｃｈｅｎ， Ｙ．－Ｃ．Ｊｏｕ， Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ２０１２， ７７（８）， ３９２１， ＤＯＩ： １０．１０２１／ｊｏ３００２８５ｖ； Ｍ．Ｖａｎｇａ， Ｒ．Ａ．Ｌａｌａｎｃｅｔｔｅ， Ｆ．Ｊａｋｌｅ， Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ－Ａ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ２０１９， ２５（４３）， １０１３３， ＤＯＩ： １０．１００２／ｃｈｅｍ．２０１９０１２３１。
本発明による用途のための小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子それぞれの層において蛍光コア及び隣接した分子間の接触を妨害する、立体的に嵩高い置換基をコアに結合することにより、前述の蛍光コア構造から得られる。
本発明の文脈において、化合物、例えば、蛍光エミッタは、後に定義される遮蔽パラメータ（ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ ｐａｒａｍｅｔｅｒ）が本文後の下位節で定義される特定の限界以下であるとき、立体的に遮蔽されるものと見なされる。
蛍光エミッタを立体的に遮蔽するのに使用される置換基は、体積が大きいだけでなく（すなわち、立体的に嵩高い）、電子的に不活性であることが好ましく、これは、本発明の文脈においてそのような置換基が本文後の下位節で定義される活性原子を含まないということを意味する。これは、電子的に不活性（すなわち、非活性）な置換基のみが前述のような蛍光コア構造に結合されることを意味しないものと理解される。また、活性置換基がコア構造にも結合され、蛍光コア構造の光物理的特性を調整するために意図的に導入されうる。この場合、１以上の置換基を介して導入された活性原子が電子的に不活性（すなわち、非活性）な置換基によって再び遮蔽されることが好ましい。
最新技術からの前述の情報及び一般知識に基づいて、当業者は、蛍光コア構造の立体的遮蔽を誘導することができ、前述のように電子的に不活性な、蛍光コア構造に対する置換基を選択する方法を理解する。特に、ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）は、電子的に不活性（すなわち、非活性）遮蔽置換基として適している置換基を開示する。そのような置換基の例は、３～４０個の炭素原子、好ましくは、３～２０個の炭素原子、より好ましくは、４～１０個の炭素原子を有する線状、分枝状または環状のアルキル基を含み、ここで、１以上の水素原子は、置換基、好ましくは、重水素またはフッ素にも代替される。他の例は、３～４０個の炭素原子、好ましくは、３～２０個の炭素原子、より好ましくは、４～１０個の炭素原子を有するアルコキシ基を含み、ここで、１以上の水素原子は、置換基、好ましくは、重水素またはフッ素にも代替される。それらのアルキル及びアルコキシ置換基は、重水素及びフッ素以外の置換基、例えば、アリール基によっても置換されるものと理解される。このとき、置換基としてのアリール基は、６～３０個の芳香族環原子、より好ましくは、６～８個の芳香族環原子、最も好ましくは、６個の芳香族環原子を含み、アントラセン、ピレンなどの縮合芳香族系ではないことが好ましい。他の例は、６～３０個の芳香族環原子、より好ましくは、６～２４個の芳香族環原子を有するアリール基を含む。それらのアリール置換基において、１以上の水素原子は置換され、好ましい置換基は、例えば、６～３０個の炭素原子を有するアリール基、及び１～２０個の炭素原子を有する線状、分枝状または環状のアルキル基である。全ての置換基は、さらに置換可能である。ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）に開示された、全ての立体的に嵩高く、好ましくは、電子的に不活性（すなわち、非活性）な置換基は、（前述のような）蛍光コアを立体的に遮蔽し、本発明による用途のための小ＦＷＨＭエミッタＳＢに好適な立体的に遮蔽された蛍光エミッタを提供することができることが理解される。
本発明の文脈において（ＵＳ２０１７０７７４１８（Ａ１）に開示された）、立体的に要求され（すなわち、遮蔽し）、電子的に不活性な（すなわち、非活性な）置換基として使用可能な置換基の非限定的な例が下記に示される：

ここで、それぞれの点線は、それぞれの置換基をコア構造、好ましくは、蛍光コア構造に結合する単結合を示す。当業者に知られているように、トリアルキルシリル基は、立体的に嵩高く、電子的に不活性な置換基として使用するのに適している。
また、蛍光コアは、そのような立体的遮蔽置換基を保有するだけでなく、本発明の文脈において活性基であるか、あるいはそうでない追加の非遮蔽置換基にも置換されることを理解しなければならない（定義は、以下参照）。
本発明の文脈において小ＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用可能な、立体的に遮蔽された蛍光エミッタの例が下記に示されている。これは、本発明が下記に示されたエミッタを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されることを意味するものではない：
立体的に遮蔽された置換基（前述のように電子的に不活性であるか、あるいはそうでない）は、任意の蛍光分子、例えば、前述の多環の芳香族またはヘテロ芳香族蛍光コア、本願に示したＢＯＤＩＰＹ由来の構造及びＮＲＣＴエミッタ、並びに化学式ＢＮＥ－１の構造を含むエミッタに結合されることが理解される。これは、本発明による小ＦＷＨＭエミッタＳＢとして適している、立体的に遮蔽された蛍光エミッタを生成することができる。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂ内において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、以下の要件のうち少なくとも１つを満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、及び／または
（ｉｉ）多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環が共に縮合される（例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体）。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味する。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環が共に縮合される（例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体）。
本発明の一実施形態において、発光層Ｂ内において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、以下の要件のうち少なくとも１つ（または、両方）を満たす：
（ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、及び／または
（ｉｉ）ピレンコア構造を含む。
本発明の一実施形態において、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、ピレンコア構造を含む。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂにおいて、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、ボロン（Ｂ）及び窒素（Ｎ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であり、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子が窒素（Ｎ）であることを意味する。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂにおいて、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、少なくとも１つの窒素（Ｎ）に（直接）共有結合された少なくとも１つのボロン（Ｂ）を含む。
本発明の好ましい実施形態において、発光層Ｂにおいて、小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、
３価である、すなわち、３個の単結合を介して結合されたボロン（Ｂ）を含む。
立体遮蔽
遮蔽パラメータＡの決定
分子の遮蔽パラメータＡは、前述のような（蛍光）エミッタに対し、以下に例示的に説明されたように決定されうる。遮蔽パラメータＡは、一般的に、単位オングストローム（Å２）を指称するということを理解するであろう。これは、そのような化合物が本発明の文脈において立体的に遮蔽されるか、あるいは遮蔽パラメータがそのような化合物に対して決定されることを意味するものではない。
１．分子軌道のエネルギーレベル決定
分子軌道のエネルギーレベルは、量子化学計算を介して決定されうる。このために、現在、Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅソフトウェアパッケージ（Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅ ＧｍｂＨ）バージョン７．２を使用することができる。まず、密度関数理論（ＤＦＴ）を使用し、ｄｅｆ２－ＳＶ（Ｐ）基本セット及びＢＰ－８６関数を採用し、分子の底状態の構造最適化を行うことができる。次いで、最適化された構造に基づいて、Ｂ３－ＬＹＰ関数を採用し、電子基底状態に対する単一地点エネルギー計算を行うことができる。エネルギー計算から、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）は、例えば、２つの電子によって占有された最高エネルギー軌道として得られ、最低空軌道（ＬＵＭＯ）は、最低エネルギー非占有軌道として得られる。ＨＯＭＯ－１，ＨＯＭＯ－２，…，ＬＵＭＯ＋１，ＬＵＭＯ＋２のような他の分子軌道に対しても、類似した方式でエネルギーレベルが得られる。
本願に説明された方法は、使用されたソフトウェアパッケージと関係ない。そのような目的によく使用される他のプログラムの例は、「Ｇａｕｓｓｉａｎ０９」（Ｇａｕｓｓｉａｎ Ｉｎｃ．）及びＱ－Ｃｈｅｍ ４．１（Ｑ－Ｃｈｅｍ， Ｉｎｃ．）であってもよい。
２．（蛍光）化合物の電荷交換分子軌道
（蛍光）化合物の電荷交換分子軌道は、ＨＯＭＯ及びＬＵＭＯ、並びにＨＯＭＯまたはＬＵＭＯから７５ｍｅＶ以下のエネルギーで分離可能な全ての分子軌道と見なされる。
３．分子軌道の活性原子の決定
それぞれの電荷交換分子軌道に対し、いかなる原子が活性化されるかに係わる決定が行われる。すなわち、それぞれの分子軌道に対し、一般的に異なる活性原子セットが発見される。ＨＯＭＯの活性原子が決定される方法に係わる説明が続く。他の全ての電荷交換分子軌道（例えば、ＨＯＭＯ－１、ＬＵＭＯ、ＬＵＭＯ＋１など）に対し、活性原子が同様に決定されうる。
ＨＯＭＯは、前述のように計算されうる。活性原子を決定するために、軌道の絶対値が０．０３５である表面（「カットオフが０．０３５である等表面」）を検査する。このために、現在、Ｊｍｏｌソフトウェア（ｈｔｔｐ：／／ｊｍｏｌ．ｓｏｕｒｃｅｆｏｒｇｅ．ｎｅｔ／）バージョン１４．６．４が使用される。カットオフ値以上の値を有する軌道葉（ｌｏｂｅ）が周辺に局所化される原子が活性と見なされる。カットオフ値以上の値を有する軌道ローブが周辺に位置することができない原子は、非活性と見なされる。
４．（蛍光）化合物の活性原子の決定
１つの原子が少なくとも１つの電荷交換分子軌道で活性である場合、（蛍光）化合物に対して活性であるものと見なされる。全ての電荷交換分子軌道で非活性（不活性）な原子のみが（蛍光）化合物と係わって非活性であってもよい。
５．遮蔽パラメータＡの決定
第１ステップにおいて、Ｂ．Ｌｅｅ， Ｆ．Ｍ．Ｒｉｃｈａｒｄｓ， Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｉｏｌｏｇｙ １９７１， ５５（３）， ３７９， ＤＯＩ： １０．１０１６／００２２－２８３６（７１）９０３２４－Ｘに述べられた方法により、全ての活性原子に対して溶媒接近可能表面積（ｓｏｌｖｅｎｔ ａｃｃｅｓｓｉｂｌｅ ｓｕｒｆａｃｅ ａｒｅａ： ＳＡＳＡ）を決定することができる。当該目的のために、１つの分子の原子のファンデルワールス表面は浸透することができないものとも見なされる。その後、全体分子のＳＡＳＡは、半径ｒ（いわゆる、探針半径）を有する堅い球（探針ともいう）の中心によって追跡される表面の領域とも定義され、このとき、球の表面が分子のファンデルワールス表面と直接接触可能な空間内の全ての接近可能な地点を球が転がりうる。また、ＳＡＳＡ値は、１つの分子の原子の下位集合に対しても決定される。その場合、探針の表面がサブ集合の一部でもある原子のファンデルワールス表面と接触可能な地点において、探針の中心によって追跡される表面のみが考慮される。当該目的のために、ＳＡＳＡを決定するのに使用されるＬｅｅ－Ｒｉｃｈａｒｄｓアルゴリズムは、プログラムパッケージＦｒｅｅ ＳＡＳＡ（Ｓ．Ｍｉｔｔｅｒｎａｃｈｔ， Ｆｒｅｅ ＳＡＳＡ： Ａｎ ｏｐｅｎ ｓｏｕｒｃｅ Ｃ ｌｉｂｒａｒｙ ｆｏｒ ｓｏｌｖｅｎｔ ａｃｃｅｓｓｉｂｌｅ ｓｕｒｆａｃｅ ａｒｅａ ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓ． Ｆ１０００Ｒｅｓ． ２０１６； ５：１８９． Ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ ２０１６ Ｆｅｂ １８． ｄｏｉ： １０．１２６８８／ｆ１０００ｒｅｓｅａｒｃｈ．７９３１．１）の一部でもある。関連要素のファンデルワールス半径ｒＶＤＷは、以下の参照に示されている：Ｍ．Ｍａｎｔｉｎａ， Ａ．Ｃ．Ｃｈａｍｂｅｒｌｉｎ， Ｒ．Ｖａｌｅｒｏ， Ｃ．Ｊ．Ｃｒａｍｅｒ， Ｄ．Ｇ．Ｔｒｕｈｌａｒ， Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ａ ２００９， １１３（１９），
５８０６， ＤＯＩ： １０．１０２１／ｊｐ８１１１５５６。探針半径ｒは、当該目的のための全てのＳＡＳＡ決定に対し、４Å（ｒ＝４Å）にも設定される。
本発明の文脈において、遮蔽パラメータＡは、活性原子の下位集合の溶媒接近可能表面積（全体分子のＳＡＳＡと区別するために、Ｓで表される）を活性原子の数ｎで割ることによって得られる。
Ａ＝Ｓ／ｎ
本発明の文脈において、遮蔽パラメータＡが２Å２未満の値（Ａ＜２．０Å２）を有する場合、化合物は、立体的によく遮蔽されたものとも定義される。
本発明の文脈において、遮蔽パラメータＡが１．０～５．０Å２（１．０Å２≦Ａ≦５．０Å２）、好ましくは、２．０Å２～５．０Å２（２．０Å２≦Ａ≦５．０Å２）の値を有する場合、化合物は、立体的に遮蔽されたものとも定義される。
例示的な（蛍光）エミッタが前述のように決定された遮蔽パラメータＡと共に、下記に示されている。これは、本発明が下記に示されたエミッタのうち１つを含む有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されるものではないということを理解するであろう。下記に示されたエミッタ化合物は、ただ本発明の選択的な実施形態を示す非限定的な例だけである：
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、５．０Å２以下の遮蔽パラメータＡを示す。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、５．０Å２以下の遮蔽パラメータＡを示す。
本発明の好ましい実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれたそれぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、２．０Å２以下の遮蔽パラメータＡを示す。
一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの発光層Ｂにおいて、少なくとも１つ、好ましくは、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、２．０Å２以下の遮蔽パラメータＡを示す。
当業者は、本発明による小ＦＷＨＭエミッタＳＢのような蛍光エミッタのみが遮蔽置換基を結合することにより、立体的に遮蔽されるものではないことを理解する。例えば、本発明の文脈におけるＴＡＤＦ材料ＥＢ及び本発明の文脈における燐光材料ＰＢも遮蔽されることが理解される。
励起状態寿命
励起状態寿命を測定する方法に係わる詳細な説明が本文後の下位節で提供される。
Figure 2023541979000231
Figure 2023541979000232
Figure 2023541979000233
Figure 2023541979000234
Figure 2023541979000235
Figure 2023541979000236
Figure 2023541979000237
Figure 2023541979000238
本発明の一実施形態において、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、燐光材料ＰＢ、小ＦＷＨＭエミッタＳＢ及びホスト材料ＨＢを含む発光層Ｂへの１以上のＴＡＤＦ材料ＥＢの添加は、有機エレクトロルミネッセンス素子の励起状態寿命低下をもたらす。本発明の好ましい実施形態において、前述の本発明によるＴＡＤＦ材料ＥＢの添加は、有機エレクトロルミネッセンス素子の励起状態寿命を少なくとも５０％低下させる。
追加定義及び情報
全体的に使用されているように、本発明の文脈において、「層」という用語は、好ましくは、広範囲に平面である幾何学的構造を有する本体を称する。層が構成することができるあらゆる「副層」に対しても同様である。
本願において使用されているように、有機エレクトロルミネッセンス素子、光電子素子及び有機発光素子という用語は、最も広い意味において、それぞれ全体的に１以上のＴＡＤＦ材料または１以上の励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２、１以上の小ＦＷＨＭエミッタＳＢ、及び選択的に１以上のホスト材料ＨＢを含む１以上の発光層Ｂを含む任意の素子としても理解され、それらに対して前述の定義及び好ましい実施形態が適用される。
本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１０～５５０ｎｍの緑色光を発する。本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１０～５５０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１０～５５０ｎｍ範囲において主発光ピークの最大発光を有する。
本発明の特に好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１５～５４０ｎｍの緑色光を発する。本発明の特に好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１５～５４０ｎｍ範囲の主発光ピークを有する。本発明の特に好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、５１５～５４０ｎｍ範囲において主発光ピークの最大発光を有する。
本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）及び発光トランジスタから構成される群から選択された素子である。
特に好ましくは、有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。選択的に、有機エレクトロルミネッセンス素子は、全体的に不透明（非透明）、半透明または（本質的に）透明である。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「環状基」は、最も広い意味において、任意の単環式部分構造、二環式部分構造または多環式部分構造としても理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「環」及び「環系」は、最も広い意味において、任意の単環式部分構造、二環式部分構造または多環式部分構造としても理解される。
用語「環原子」は、環または環構造の環状コアの一部であり、それに選択的に結合した置換基の一部ではない、任意の原子を称する。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「炭素環」は、最も広い意味に
おいて、環状コア構造が水素はいうまでもなく、または本発明の特定実施形態において定義された任意の他の置換基で置換可能な炭素原子のみを含む任意の環状基としても理解される。用語「炭素環の」は、形容詞であり、環状コア構造が水素はいうまでもなく、または本発明の特定の実施形態において定義された任意の他の置換基で置換可能な炭素原子のみを含む環状基を称するものとも理解される。用語「炭素環」または「炭素環系」は、脂肪族及び芳香族の環状基または環系の両方を称するものとも理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「ヘテロ環」は、最も広い意味において、環状コア構造が炭素原子だけでなく、少なくとも１つのヘテロ原子を含む任意の環状基としても理解される。用語「ヘテロ環の」は、形容詞であり、環状コア構造が炭素原子だけでなく、少なくとも１つのヘテロ原子を含む環状基を称するものとも理解される。該ヘテロ原子は、特定実施形態において特に言及されない限り、それぞれの場合、同一であってもよく、あるいは異なっていてもよく、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｅから構成される群から個別的に選択されうる。本発明の文脈においてヘテロ環に含まれた全ての炭素原子またはヘテロ原子はいうまでもなく、水素または本発明の特定実施形態において定義された任意の他の置換基で置換可能である。用語「ヘテロ環」または「ヘテロ環系」は、脂肪族及びヘテロ芳香族の環状基または環系の両方を称するものとも理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「芳香族環系」は、最も広い意味において、任意の二環式芳香族部分構造または多環式芳香族部分構造としても理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「ヘテロ芳香族環系」は、最も広い意味において、任意の二環式ヘテロ芳香族部分構造または多環式ヘテロ芳香族部分構造としても理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、芳香族環系またはヘテロ芳香族環系を言及するとき、「縮合された」という用語は、「縮合された」芳香族環またはヘテロ芳香族環が両方の環系の一部である少なくとも１つの結合を共有することを意味する。例えば、ナフタレン（または、置換基として言及されるとき、ナフチル）またはベンゾチオフェン（または、置換基として言及されるとき、ベンゾチオフェニル）は、本発明の文脈において縮合芳香族環系と見なされ、ここで、２つのベンゼン環（ナフタレンの場合）またはチオフェン及びベンゼン（ベンゾチオフェンの場合）は、１つの結合を共有する。また、そのような文脈において結合を共有することは、それぞれの結合を構成する２つの原子を共有することを含むものとも理解され、縮合芳香族環系またはヘテロ芳香族環系は、１つの芳香族系またはヘテロ芳香族系とも理解される。また、縮合芳香族環系またはヘテロ芳香族環系（例えば、ピレンで）を構成する芳香族環またはヘテロ芳香族環によって１以上の結合が共有されるものとも理解される。また、脂肪族環系も縮合され、これは、縮合脂肪族環系が芳香族ではないという点を除いては、芳香族環系またはヘテロ芳香族環系と同一な意味を有するものとも理解されるであろう。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アリール」及び「芳香族」は、最も広い意味において、任意の単環式芳香族部分構造、二環式芳香族部分構造または多環式芳香族部分構造としても理解される。ここで、特定実施形態において特に言及されない限り、アリール基は、６～６０個の芳香族環原子を含み、ヘテロアリール基は、５～６０個の芳香族環原子を含み、そのうち少なくとも１つはヘテロ原子である。それにもかかわらず、本明細書の全体にわたり、芳香族環原子（特に、炭素原子である芳香族環原子）数は、特定置換基の定義において、下付き文字数字で与えられうる。特に、ヘテロ芳香族環は、１～３個のヘテロ原子を含む。さらに、用語「ヘテロアリール」及び「ヘテロ芳香族」は、最も広い意味において、少なくとも１つのヘテロ原子を含む任意の単環式ヘテロ
芳香族部分構造、二環式ヘテロ芳香族部分構造または多環式ヘテロ芳香族部分構造としても理解される。該ヘテロ原子は、それぞれの場合、同一でもあり、あるいは異なってもおり、Ｎ、Ｏ、Ｓ及びＳｅから構成される群から個別的に選択されうる。従って、用語「アリーレン」は、他の分子構造に対し、２つの結合部位を保有し、リンカー構造の役割を行う二価置換基を意味する。例示的な実施形態において、基が、ここで与えられた定義と異なるように定義される場合、例えば、芳香族環原子数またはヘテロ原子数が与えられた定義と異なる場合、例示的な実施形態における定義が適用される。本発明によれば、縮合（環状）された、芳香族多環またはヘテロ芳香族多環は、縮合反応を介して多環を形成する、２つ以上の単一芳香族環またはヘテロ芳香族環から構成される。
特に、本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アリール基」または「ヘテロアリール基」は、ベンゼン、ナフタリン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンズアントラセン、ベンズフェナントレン、テトラセン、ペンタセン、ベンツピレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン；セレノフェン、ベンゾセレノフェン、イソベンゾセレノフェン、ジベンゾセレノフェン；ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ－５，６－キノリン、ベンゾ－６，７－キノリン、ベンゾ－７，８－キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジノイミダゾール、キノキサリノイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２－チアゾール、１，３－チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、１，３，５－トリアジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、カルボリン、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３－オキサジアゾール、１，２，４－オキサジアゾール、１，２，５－オキサジアゾール、１，２，３，４－テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン及びベンゾチアジアゾール、あるいは前述の基の組み合わせから誘導された芳香族基またはヘテロ芳香族基の任意の位置を介して結合可能な基を含む。
本発明の特定実施形態において、芳香族環またはヘテロ芳香族環に結合された隣接した置換基は、置換基が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環に融合された、更なる単環または多環、脂肪族または芳香族またはヘテロ芳香族、炭素環系またはヘテロ環系を形成することができる。選択的にそのように形成された縮合環系は、隣接した置換基が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環よりさらに大きい（さらに多い環原子を含むことを意味する）ものとも理解される。その場合、縮合環系に含まれた環原子の「総」数は、隣接した置換基が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環に含まれた環原子と、隣接した置換基によって形成された追加環系の環原子との和と理解され、ここで、縮合環系によって共有される炭素原子は、二つではなく一つとして計算される。例えば、ベンゼン環は、ナフタレンコアが形成されるように、さらに他のベンゼン環を形成する２つの隣接した置換基を有することができる。当該ナフタレンコアは、２つの炭素原子が２つのベンゼン環によって共有され、二つではなく、一つとして計算されるので、１０個の環原子を含むことになる。そのような文脈において「隣接した置換基」という用語は、（例えば、環系の）同一のまたは隣接する環原子に結合された置換基を意味する。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「脂肪族」は、環系を言及するとき、最も広い意味としても理解され、環系を構成する環のうち何も芳香族環またはヘテロ芳香族環ではないことを意味する。そのような脂肪族環系は、１以上の芳香族環または
ヘテロ芳香族環に融合され、脂肪族環系のコア構造に含まれた一部（全部ではない）の炭素原子またはヘテロ原子が結合された芳香族環またはヘテロ芳香族環の一部となるものと理解される。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルキル基」は、最も広い意味において、任意の線状、分枝状または環状のアルキル置換基としても理解される。特に、用語「アルキル」は、置換基である、メチル（Ｍｅ）、エチル（Ｅｔ）、ｎ－プロピル（ｎＰｒ）、ｉ－プロピル（ｉＰｒ）、シクロプロピル、ｎ－ブチル（ｎＢｕ）、ｉ－ブチル（ｉＢｕ）、ｓ－ブチル（ｓＢｕ）、ｔ－ブチル（ｔＢｕ）、シクロブチル、２－メチルブチル、ｎ－ペンチル、ｓ－ペンチル、ｔ－ペンチル、２－ペンチル、ネオ－ペンチル、シクロペンチル、ｎ－ヘキシル、ｓ－ヘキシル、ｔ－ヘキシル、２－ヘキシル、３－ヘキシル、ネオ－ヘキシル、シクロヘキシル、１－メチルシクロペンチル、２－メチルペンチル、ｎ－へプチル、２－へプチル、３－へプチル、４－へプチル、シクロへプチル、１－メチルシクロヘキシル、ｎ－オクチル、２－エチルヘキシル、シクロオクチル、１－ビシクロ［２，２，２］オクチル、２－ビシクロ［２，２，２］オクチル、２－（２，６－ジメチル）オクチル、３－（３，７－ジメチル）オクチル、アダマンチル、２，２，２－トリフルオロエチル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘプト－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクト－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－デス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ドデス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－テトラデス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－ヘキサデス－１－イル、１，１－ジメチル－ｎ－オクタデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘプト－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクト－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－デス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ドデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－テトラデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－ヘキサデス－１－イル、１，１－ジエチル－ｎ－オクタデス－１－イル、１－（ｎ－プロピル）－シクロヘキス－１－イル、１－（ｎ－ブチル）－シクロヘキス－１－イル、１－（ｎ－ヘキシル）－シクロヘキス－１－イル、１－（ｎ－オクチル）－シクロヘキス－１－イル及び１－（ｎ－デシル）－シクロヘキス－１－イルを含む。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルケニル」は、線状、分枝状及び環状のアルケニル置換基を含む。用語「アルケニル基」は、例えば、置換基である、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルを含む。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルキニル」は、線状、分枝状及び環状のアルキニル置換基を含む。用語「アルキニル基」は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを含む。
本明細書の全体にわたって使用されているように、用語「アルコキシ」は、線状、分枝状及び環状のアルコキシ置換基を含む。用語「アルコキシ基」は、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ－プロポキシ、ｉ－プロポキシ、ｎ－ブトキシ、ｉ－ブトキシ、ｓ－ブトキシ、ｔ－ブトキシ及び２－メチルブトキシを含む。
本明細書の全体にわたって使用されている用語「チオアルコキシ」は、線状、分枝状及び環状のチオアルコキシ置換基を含み、ここで、例示的なアルコキシ基のＯは、Ｓに代替される。
本明細書の全体にわたって使用されている用語「ハロゲン」及び「ハロ」は、最も広い意味において、好ましくは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素であるとも理解される。
本願に言及された任意の構造に含まれた全ての水素原子（Ｈ）は、それぞれの場合に互いに独立して、具体的に述べられない限り、重水素（Ｄ）にも代替される。水素を重水素に代替することは、一般的な慣行であり、それを合成的に達成する方法も当業者には明白である。
分子フラグメントが、置換基や、他の部分構造に結合していると記述されるとき、その名称は、まさしくそれがフラグメント（例えば、ナフチル、ジベンゾフリル）であるように、あるいは全体分子（例えば、ナフタレン、ジベンゾフラン）であるようにも記述される。本明細書に使用されているように、置換基、または結合したフラグメントを記述する前記方式は、同等であると見なされる。
濃度または組成を言及するとき、他に明示されない限り、百分率は、重量百分率を称し、これは、重量による百分率、または重量による％（（重量／重量）、（ｗ／ｗ）、重量％）と同一な意味を有する。
軌道エネルギー及び励起状態エネルギーは、実験方法や量子化学方法、特に、密度関数理論計算を利用する計算方法を介して決定することができる。ここで、最高被占軌道エネルギーＥＨＯＭＯは、当業者に公知の方法によって、サイクリックボルタンメトリー測定から０．１ｅＶの精度で決定される。
Figure 2023541979000239
吸収スペクトルは、室温（すなわち、約２０℃）で記録される。ＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、吸収スペクトルは、一般的に、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）内の１０重量％のＥＢのスピンコーティング膜から測定される。小ＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、吸収スペクトルは、一般的に、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳＢのスピンコーティング膜から測定される。ホスト材料ＨＢの場合、吸収スペクトルは、一般的に、ホスト材料ＨＢのスピンコーティングニットフィルムから測定される。燐光材料ＰＢの場合、吸収スペクトルは、一般的に、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＰＢのスピンコーティング膜から測定される。代案としては、吸収スペクトルは、また、例えば、ジクロロメタンまたはトルエン内の各分子の溶液から記録され、ここで、溶液の濃度は、一般的に、最大吸光度が好ましくは０．１～０．５範囲になるように選択される。
吸収スペクトルの開始は、吸収スペクトルに対する接線と、ｘ軸との交差点とを計算し
て決定される。該吸収スペクトルに対する接線は、吸収バンドの低エネルギー側と、吸収スペクトルの最大強度の最大半分地点とにおいて設定される。
他に明示されない限り、第一（すなわち、最低）励起三重項状態Ｔ１のエネルギーは、７７Ｋにおいて、燐光スペクトルの開始から決定される（ＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＥＢのスピンコーティング膜が一般的に使用され、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳＢのスピンコーティング膜が一般的に使用され、ホスト材料ＨＢの場合、各ホスト材料ＨＢのスピンコーティングニットフィルムが一般的に使用され、燐光材料ＰＢの場合、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＰＢのスピンコーティング膜が一般的に使用され、測定は、一般的に室温（すなわち、約２０℃）で行われる）。例えば、ＥＰ２６９０６８１Ａ１に開示されたように、小さいΔＥＳＴ値を有するＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、項間交差及び逆項間交差の両方が低温でも発生することが認められる。結果として、７７Ｋでの発光スペクトルは、Ｓ１及びＴ１状態の両方からの発光を含む。しかし、ＥＰ２６９０６８１Ａ１にも述べられたように、三重項エネルギーの寄与度／価値が一般的に優勢であるものと見なされる。
他に明示されない限り、第一（すなわち、最低）励起一重項状態Ｓ１のエネルギーは、室温（すなわち、約２０℃）で蛍光スペクトルの開始から決定される（定常状態スペクトル；ＴＡＤＦ材料ＥＢの場合、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＥＢのスピンコーティングされたフィルムが一般的に使用され、小ＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、ＰＭＭＡ内の１～５重量％、好ましくは、２重量％のＳＢのスピンコーティング膜が一般的に使用され、ホスト材料ＨＢの場合、各ホスト材料ＨＢのスピンコーティングニットフィルムが一般的に使用され、燐光材料ＰＢの場合、ＰＭＭＡ内の１０重量％のＰＢのスピンコーティング膜が一般的に使用される）。しかし、効率的な項間交差を示す燐光材料ＰＢの場合、室温発光は、蛍光ではなく、（ほとんど）燐光であってもよい。この場合、室温（すなわち、約２０℃）で発光スペクトルの開始は、前述のように第一励起三重項状態Ｔ１のエネルギーを決定するのに使用される。
発光スペクトルの開始は、発光スペクトルに対する接線と、ｘ軸との交差点とを計算して決定される。該発光スペクトルに対する接線は、発光バンドの高エネルギー側と、発光スペクトルの最大強度の最大半分地点とにおいて設定される。
第一（すなわち、最低）励起一重項状態（Ｓ１）と第一（すなわち、最低）励起三重項状態（Ｔ１）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値は、前述のように決定された、第一（すなわち、最低）励起一重項状態エネルギー及び第一（すなわち、最低）励起三重項状態エネルギーに基づいて決定される。
当業者に知られているように、エミッタ（例えば、小ＦＷＨＭエミッタＳＢ）の半値幅（ＦＷＨＭ）は、それぞれの発光スペクトル（蛍光エミッタ用蛍光スペクトル及び燐光エミッタ用燐光スペクトル）から容易に決定される。小ＦＷＨＭエミッタＳＢの場合、一般的に、蛍光スペクトルが使用される。報告された全てのＦＷＨＭ値は、一般的に、主発光ピーク（すなわち、強度が最も高いピーク）を示す。ＦＷＨＭ（ここで、好ましくは、電子ボルトｅＶで報告される）を決定する手段は、当業者の一般的な知識の一部である。例えば、発光スペクトルの主発光ピークが、発光スペクトルからナノメートル（ｎｍ）で得られた２つの波長λ１及びλ２において最大発光の半分（すなわち、最大発光強度の５０％）に達する場合、電子ボルト（ｅＶ）のＦＷＨＭは、一般的に、（本明細書において）以下の方程式を使用して決定される：
Figure 2023541979000240
本明細書に使用されているように、特定文脈において、さらに具体的に定義されない場合、発光及び／または吸収された光の色相指定は、下記の通りである：
紫色：＞３８０～４２０ｎｍの波長範囲
濃青色：＞４２０～４７５ｎｍの波長範囲
空色：＞４７５～５００ｎｍの波長範囲
緑色：＞５００～５６０ｎｍの波長範囲
黄色：＞５６０～５８０ｎｍの波長範囲
オレンジ色：＞５８０～６２０ｎｍの波長範囲
赤色：＞６２０～８００ｎｍの波長範囲。
本発明は、下記実施例及び特許請求の範囲によって説明される。
実施例
サイクリックボルタンメトリー
サイクリックボルタモグラムは、ジクロロメタン、または適する溶媒、及び適する支持電解質（例：０．１ｍｏｌ／Ｌのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート）において、有機分子の濃度が１０－３ｍｏｌ／Ｌである溶液で測定される。該測定は、３電極アセンブリ（作用電極及び相対電極：Ｐｔワイヤ、基準電極：Ｐｔワイヤ）を使用し、窒素雰囲気において、室温（すなわち、（約）２０℃）で行い、内部標準として、ＦｅＣｐ２／ＦｅＣｐ２ ＋を使用して補正する。ＨＯＭＯデータ及びＬＵＭＯデータは、飽和カロメル電極（ＳＣＥ）に係わる内部標準として、フェロセンを使用して修正された。
密度関数理論計算
分子構造は、ＢＰ８６関数及びＲＩ（Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ ｏｆ Ｉｄｅｎｔｉｔｙ）アプローチを使用して最適化された。励起エネルギーは、（ＢＰ８６）最適化された構造を使用して、ＴＤ－ＤＦＴ（Ｔｉｍｅ－Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ＤＦＴ）方法でもって計算される。数値積分のために、Ｄｅｆ２－ＳＶＰ基本セット及びｍ４－ｇｒｉｄが使用される。Ｔｕｒｂｏｍｏｌｅプログラムパッケージは、全ての計算に使用される。軌道エネルギー及び励起状態エネルギーは、Ｂ３ＬＹＰ関数により計算される。しかし、本願において、軌道エネルギー及び励起状態エネルギーは、前述のように実験的に決定されることが好ましい。本願に報告された全ての軌道エネルギー及び励起状態エネルギー（実験結果参照）は、実験的に決定された。
光物理的測定
サンプル前処理：真空蒸着
前述のように、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層Ｂに含まれる個々の化合物（例えば、有機分子または遷移金属錯体）の光物理的測定（例えば、ホスト材料ＨＢ、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、燐光材料ＰＢまたは小ＦＷＨＭエミッタＳＢ）は、一般的に、スピンコーティングニットフィルム（ホスト材料ＨＢの場合）、またはポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）内の各材料のスピンコーティングフィルム（例えば、ＴＡＤＦ材料ＥＢ、燐光材料ＰＢ及び小ＦＷＨＭエミッタＳＢの場合）を使用して行われた。当該フィルムは、スピンコーティングされたフィルムであり、特定の測定に対して特に言及しない限り、ＰＭＭＡフィルムの材料濃度は、ＴＡＤＦ材料ＥＢ及び燐光材料ＰＢの場合に１０重量％、または小ＦＷＨＭエミッタＳＢの場合に１～５重量％、好ましくは、２重量％であった。代案としては、以前に言及したように、一部の光物理的測定は、また、
例えば、ジクロロメタンまたはトルエン内の各分子の溶液から行われ、ここで、溶液の濃度は、一般的に、最大吸光度が好ましくは０．１～０．５範囲になるように選択される。
装置：Ｓｐｉｎ１５０、ＳＰＳ ｅｕｒｏ
サンプル濃度は１．０ｍｇ／ｍｌであり、一般的に、好適な溶媒としてトルエン／ＤＣＭに溶解された。
プログラム：２０００Ｕ／分で７～３０秒。コーティング後、フィルムを７０℃で１分間乾燥させた。
（本発明または比較例による）有機エレクトロルミネッセンス素子のＥＭＬに存在する特定材料の組成をさらに研究するために、光物理的測定のためのサンプルを、素子作製に使用された同一な材料から、石英基板上の５０ｎｍのそれぞれの発光層Ｂを真空蒸着して作製した。該サンプルの光物理的評価は、窒素雰囲気で行われる。
吸収測定
Ｔｈｅｒｍｏ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ ２０１紫外可視光分光光度計は、２７０ｎｍ以上の波長領域においてサンプルの最大吸収波長を決定するのに使用される。当該波長は、フォトルミネセンススペクトル及び量子収率の測定のための励起波長として使用される。
フォトルミネセンススペクトル
定常状態発光スペクトルは、１５０Ｗキセノンアークランプ、励起及び発光単色計が装着されたＭｏｄｅｌ ＦｌｕｏｒｏＭａｘ－４（Ｈｏｒｉｂａ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ）を使用して記録される。サンプルをキュベットに入れて測定する間に、窒素でフラッシングする。
フォトルミネセンス量子収率測定
フォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）測定のために、Ａｂｓｏｌｕｔｅ ＰＬ量子収率測定Ｃ９９２０－０３Ｇシステム（浜松ホトニクス）が使用されている。サンプルは、測定する間に窒素雰囲気で維持される。量子収率は、ソフトウェアＵ６０３９－０５を使用して決定され、％で表される。収率は、次の方程式を使用して計算される。
Figure 2023541979000241
ここで、ｎ光子は、光子数を示し、Ｉｎｔは、強度を示す。品質保証のために、（知られた濃度の）エタノール内のアントラセンを基準に使用する。
時間相関単一光子計数（ＴＣＳＰＣ）
特定の実施例または分析の文脈において特に言及されない限り、励起状態分布力学は、発光単色計、検出器ユニットとして温度安定化された光電子増倍管、及び励起ソースとしてパルス型ＬＥＤ（３１０ｎｍ中央波長、９１０ｐｓパルス幅）が装着されたＥｄｉｎｂｕｒｇｈ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ＦＳ５分光蛍光計を使用して決定される。サンプルをキュベットに入れて測定する間に、窒素でフラッシングする。
Figure 2023541979000242

Figure 2023541979000243
Figure 2023541979000244

Figure 2023541979000245
当該方法は、励起状態寿命を決定するために、蛍光材料及び燐光材料に適用される。ＴＡＤＦ材料の場合、後述する全体減衰力学を収集しなければならない。
全体減衰力学
時間及び信号強度で複数の次数（ｏｒｄｅｒ）の大きさにわたった全体励起状態分布減衰力学は、４個の時間領域（２００ｎｓ、１μｓ、２０μｓ及び＞８０μｓのさらに長い測定期間）でＴＣＳＰＣ測定を行って達成される。測定された時間曲線は、その後、次のような方式によって処理される。
－励起及び差し引き（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｎｇ）前の平均信号レベルを決定し、バックグラウンド補正が適用される。
－主信号の初期上昇を基準として取り、時間軸が整列される。
－重畳された測定時間領域を使用し、曲線が互いに対してスケーリングされる。
－処理された曲線が１つの曲線に併合される。
Figure 2023541979000246

Figure 2023541979000247
ここで、ｎは、１または２である。
遅延蛍光と即時蛍光との割合（ｎ値）が、それぞれのフォトルミネセンス減衰を経時的に積分して計算される：
Figure 2023541979000248
分光分解能を使用した過度フォトルミネセンス測定
スペクトル分解能を使用した過度フォトルミネセンス（ＰＬ）測定において、パルス光励起後、定義された遅延時間でのＰＬスペクトルが記録される。
過度ＰＬスペクトルを測定するための例示的な装置は、下記を含む：
－サンプルを励起するための、３５５ｎｍの中心波長と１ｎｓのパルス幅を有するパルスレーザ（ｅＭＯＰＡ， ＣｒｙＬａｓ）
－真空処理または窒素でフラッシング可能な、サンプルを収容するように構成されたサンプルチャンバー
－サンプルから放出された光を分散させるための分光器（ＳｐｅｃｔｒａＰｒｏ ＨＲＳ）
－パルスレーザとの同期化のための統合タイミング発生器を有する、分散された放出された光の波長分解感知のためのＣＣＤカメラ（Ｐｒｉｎｃｅｔｏｎ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ＰＩ－ＭＡＸ４）
－内臓されたＣＣＤカメラの信号を分析するように構成されたパーソナルコンピュータ。
測定過程において、サンプルは、サンプルチャンバーに配置され、パルスレーザで照射される。サンプルから放出された光をレーザパルスの照射方向に対して９０°方向に取る。それは、分光器によって分散され、検出器（例示的な装置のＣＣＤカメラ）に向かい、波長分解発光スペクトルを得る。レーザ照射と感知との間の時間遅延と感知期間（すなわち、ゲート時間）は、タイミング発生器によって制御される。
過度フォトルミネセンスは、例示的な装置に述べられたところと異なる装置によっても測定されるという点が留意される。
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造及び特性化
本発明による有機分子を含むＯＬＥＤ素子は、真空蒸着方法によって製造されてもよい。層が１以上の化合物を含む場合、１以上の化合物の重量百分率は、％で示される。総重量百分率値は１００％であるので、値が指定されていない場合、該化合物の分率は、指定された値と、１００％との差と同じである。
完全に最適化されていないＯＬＥＤは、標準方法を使用してエレクトロルミネセンススペクトルを測定し、光ダイオードによって検出された光を使用して計算された、強度及び電流に依存する外部量子効率（％）を測定して特性化される。素子のＦＷＨＭが、フォトルミネセンススペクトル（蛍光または燐光）に対し、前述のようにエレクトロルミネッセンススペクトルから決定される。報告されたＦＷＨＭは、主発光ピーク（すなわち、最も高い発光強度を有するピーク）を示す。ＯＬＥＤ素子の寿命は、一定電流密度で動作する間、輝度の変化から抽出される。ＬＴ５０値は、測定輝度が、初期輝度の５０％に低減した時間に該当し、同様に、ＬＴ８０は、測定輝度が、初期輝度の８０％に低減した時点に該当し、ＬＴ９７は、測定輝度が、初期輝度の９７％に低減した時点に該当する。
加速寿命測定が行われる（例：増大した電流密度適用）。例えば、５００ｃｄ／ｍ２において、ＬＴ８０値は、次の方程式を使用して決定される。
Figure 2023541979000249
ここで、Ｌ０は、印加された電流密度における初期輝度を示す。値は、複数のピクセル（一般的に、２～８個）の平均に該当する。
実験結果

Figure 2023541979000252

Figure 2023541979000255



Figure 2023541979000259
Figure 2023541979000260
Figure 2023541979000262
ここで、ＬＵＭＯＣＶは、サイクリックボルタンメトリーによって決定された最低空軌道のエネルギーである。ａ発光スペクトルがクロロホルム内のＩｒ（ｐｐｙ）３の溶液から記録された。ｂ発光スペクトルがジクロロメタン内のＰＢ－２の０．００１ｍｇ／ｍＬ溶液から記録された。ｃ発光スペクトルがトルエン内のＰＢ－３の０．００１ｍｇ／ｍＬ溶液から記録された。
Figure 2023541979000263
Figure 2023541979000264
Figure 2023541979000265
Figure 2023541979000267
表２の構成１が使用され、ここで、ＨＢ－１５がホスト材料ＨＢとして使用され、ＥＢ－１６がＴＡＤＦ材料ＥＢとして使用され、ＰＢ－２が励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２（ここで、例示的に燐光材料ＰＢ）として使用され、ＳＢ－１が小ＦＷＨＭエミッタＳＢとして使用された。
Figure 2023541979000268

Claims (15)

  1. 下記を含む発光層Ｂを含む、有機エレクトロルミネッセンス素子：
    （ｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｅ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｅ）を有するＴＡＤＦ材料ＥＢ、
    （ｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｓ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｓ）を有し、５１０ｎｍ～５５０ｎｍの最大発光及び０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を放出する小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢ、及び
    （ｉｉｉ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１Ｈ）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１Ｈ）を有するホスト材料ＨＢ、
    ここで、前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記発光層Ｂに隣接し、三重項－三重項消滅（ＴＴＡ）材料を含む励起子管理層ＥＸＬを含む。
  2. 前記励起子管理層ＥＸＬの厚みは、１５ｎｍ未満である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  3. 前記励起子管理層ＥＸＬの厚みは、１０ｎｍ未満である、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  4. 前記ＴＴＡ材料は、下記化学式４で表される構造を含む、請求項１～３のうちいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
    ・・・化学式４
    ここで、
    それぞれのＡｒは、独立して、下記から構成される群から選択され、
    Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ６－Ｃ６０アリール、及び
    Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ３－Ｃ５７ヘテロアリール、
    それぞれのＡ１は、独立して、下記から構成される群から選択される：
    水素、
    重水素、
    Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ６－Ｃ６０アリール、
    Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ３－Ｃ５７ヘテロアリール、及び
    Ｃ６－Ｃ６０アリール、Ｃ３－Ｃ５７ヘテロアリール、ハロゲン及びＣ１－Ｃ４０（ヘ
    テロ）アルキルから構成される群から選択された１以上の残基で選択的に置換されるＣ１－Ｃ４０（ヘテロ）アルキル。
  5. 前記隣接層ＥＸＬは、少なくとも１つの追加エミッタを含む、請求項１～４のうちいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 前記隣接層及び前記発光層Ｂのエミッタは、両方とも、５１０ｎｍ～５５０ｎｍの最大発光及び０．２５ｅＶ以下の半値幅（ＦＷＨＭ）を有する光を放出する、小半値幅（ＦＷＨＭ）エミッタＳＢである、請求項１～５のうちいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  7. 前記発光層Ｂは、
    （ｉｖ）最低励起一重項状態エネルギーレベルＥ（Ｓ１ＥＥＴ－２）及び最低励起三重項状態エネルギーレベルＥ（Ｔ１ＥＥＴ－２）を有し、ＴＡＤＦ材料及び燐光材料から構成される群から選択される励起エネルギー移動成分ＥＥＴ－２をさらに含む、請求項１～６のうちいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 前記ＥＥＴ－２は、燐光材料である、請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 前記小ＦＷＨＭエミッタＳＢは、以下の要件のうち少なくとも１つを満たす、請求項１～８のうちいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
    （ｉ）ボロン（Ｂ）含有エミッタであり、これは、それぞれの小ＦＷＨＭエミッタＳＢ内の少なくとも１つの原子がボロン（Ｂ）であることを意味し、及び／または
    （ｉｉ）多環の芳香族またはヘテロ芳香族コア構造を含み、ここで、少なくとも２つの芳香族環、例えば、アントラセン、ピレンまたはそのアザ誘導体が共に縮合される。
  10. それぞれのＴＡＤＦ材料ＥＢは、
    （ｉ）最低励起一重項状態エネルギーＥ（Ｓ１Ｅ）と最低励起三重項状態エネルギーＥ（Ｔ１Ｅ）とのエネルギー差に該当するΔＥＳＴ値が０．４ｅＶ未満を示すことを特徴とし、
    （ｉｉ）３０％より大きいフォトルミネセンス量子収率（ＰＬＱＹ）を示す、請求項１～９のうちいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  11. 下記（１３）及び（３０）を満たす、請求項１～１０のうちいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子：
    Ｅ（Ｔ１Ｈ）＞Ｅ（Ｔ１Ｅ） （１３）
    Ｅ（Ｔ１Ｅ）＞Ｅ（Ｓ１Ｓ） （３０）。
  12. 前記励起子管理層ＥＸＬは、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の、前記発光層Ｂと前記アノードとの間に位置した、請求項１～１１のうちいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  13. （ｉ）真空蒸着を介する発光層Ｂの蒸着すること、及び
    （ｉｉ）真空蒸着を介する励起子管理層ＥＸＬの蒸着することを含み、
    前記ステップ（ｉ）及び（ｉｉ）は、互いに順次に実行され、
    前記ステップ（ｉ）及び（ｉｉ）の順序は逆転可能である、請求項１～１２のうちいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する方法。
  14. 下記ステップを含む、光発生方法：
    （ｉ）請求項１～１２のうちいずれか１項に記載されるか、あるいは請求項１３に記載の方法から得られる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供すること、及び
    （ｉｉ）前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電流を印加すること。
  15. 主発光ピークの最大発光が５１０ｎｍ～５５０ｎｍの波長内にある光を発生させる、請求項１４に記載の光発生方法。
JP2023517816A 2020-09-18 2021-09-17 緑色光を光する有機エレクトロルミネッセンス素子 Pending JP2023541979A (ja)

Applications Claiming Priority (35)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP20197073.8 2020-09-18
EP20197076.1 2020-09-18
EP20197074 2020-09-18
EP20197076 2020-09-18
EP20197073 2020-09-18
EP20197074.6 2020-09-18
EP20197072 2020-09-18
EP20197071 2020-09-18
EP20197075.3 2020-09-18
EP20197075 2020-09-18
EP20197071.2 2020-09-18
EP20197072.0 2020-09-18
EP20197589 2020-09-22
EP20197588 2020-09-22
EP20197588.5 2020-09-22
EP20197589.3 2020-09-22
EP20217041.1 2020-12-23
EP20217041 2020-12-23
EP21170775 2021-04-27
EP21170783.1 2021-04-27
EP21170775.7 2021-04-27
EP21170776.5 2021-04-27
EP21170779.9 2021-04-27
EP21170776 2021-04-27
EP21170783 2021-04-27
EP21170779 2021-04-27
EP21184619.1 2021-07-08
EP21184619 2021-07-08
EP21184616.7 2021-07-08
EP21184616 2021-07-08
EP21185402.1 2021-07-13
EP21185402 2021-07-13
EP21186615 2021-07-20
EP21186615.7 2021-07-20
PCT/EP2021/075657 WO2022058524A1 (en) 2020-09-18 2021-09-17 Organic electroluminescent device emitting green light

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023541979A true JP2023541979A (ja) 2023-10-04

Family

ID=78049190

Family Applications (14)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023518003A Pending JP2023542916A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023517811A Pending JP2023541974A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023517812A Pending JP2023541975A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518002A Pending JP2023542915A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518007A Pending JP2023543420A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023517815A Pending JP2023541978A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518006A Pending JP2023543419A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518005A Pending JP2023543418A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518004A Pending JP2023543417A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518000A Pending JP2023542011A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518008A Pending JP2023543421A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 青色光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023517816A Pending JP2023541979A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 緑色光を光する有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518001A Pending JP2023541491A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023517813A Pending JP2023541976A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Applications Before (11)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023518003A Pending JP2023542916A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023517811A Pending JP2023541974A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023517812A Pending JP2023541975A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518002A Pending JP2023542915A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518007A Pending JP2023543420A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023517815A Pending JP2023541978A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518006A Pending JP2023543419A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518005A Pending JP2023543418A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518004A Pending JP2023543417A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518000A Pending JP2023542011A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023518008A Pending JP2023543421A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 青色光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023518001A Pending JP2023541491A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2023517813A Pending JP2023541976A (ja) 2020-09-18 2021-09-17 有機エレクトロルミネッセンス素子

Country Status (6)

Country Link
US (15) US20240032420A1 (ja)
EP (15) EP4214770A1 (ja)
JP (14) JP2023542916A (ja)
KR (15) KR20230077726A (ja)
CN (15) CN116261921A (ja)
WO (15) WO2022058513A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8996167B2 (en) 2012-06-21 2015-03-31 Rethink Robotics, Inc. User interfaces for robot training
JP2023050136A (ja) * 2021-09-29 2023-04-10 住友化学株式会社 組成物及びそれを含有する発光素子
EP4335846A1 (en) * 2022-06-30 2024-03-13 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. Organic electroluminescent material and device thereof
US20240188316A1 (en) * 2022-10-27 2024-06-06 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

Family Cites Families (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6830828B2 (en) 1998-09-14 2004-12-14 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US7001536B2 (en) 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
US6821645B2 (en) 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
US6660410B2 (en) 2000-03-27 2003-12-09 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence element
KR100825183B1 (ko) 2000-11-30 2008-04-24 캐논 가부시끼가이샤 발광 소자 및 표시 장치
JP4154145B2 (ja) 2000-12-01 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、発光素子及び表示装置
US6579630B2 (en) 2000-12-07 2003-06-17 Canon Kabushiki Kaisha Deuterated semiconducting organic compounds used for opto-electronic devices
JP4438042B2 (ja) 2001-03-08 2010-03-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
JP4307001B2 (ja) 2001-03-14 2009-08-05 キヤノン株式会社 金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置
DE10116962A1 (de) 2001-04-05 2002-10-10 Covion Organic Semiconductors Rhodium- und Iridium-Komplexe
US6835469B2 (en) 2001-10-17 2004-12-28 The University Of Southern California Phosphorescent compounds and devices comprising the same
ITRM20020411A1 (it) 2002-08-01 2004-02-02 Univ Roma La Sapienza Derivati dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
DE10238903A1 (de) 2002-08-24 2004-03-04 Covion Organic Semiconductors Gmbh Rhodium- und Iridium-Komplexe
CN100439469C (zh) 2002-08-27 2008-12-03 富士胶片株式会社 有机金属配位化合物、有机el元件及有机el显示器
WO2004093207A2 (de) 2003-04-15 2004-10-28 Covion Organic Semiconductors Gmbh Mischungen von organischen zur emission befähigten halbleitern und matrixmaterialien, deren verwendung und elektronikbauteile enthaltend diese mischungen
US7326475B2 (en) 2003-04-23 2008-02-05 Konica Minolta Holdings, Inc. Material for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, illuminating device and display
ATE522539T1 (de) 2003-07-22 2011-09-15 Idemitsu Kosan Co Iridiumorganischer komplex und elektrolumineszenzgerät, in dem dieser verwendet wird
HU0302888D0 (en) 2003-09-09 2003-11-28 Pribenszky Csaba Dr In creasing of efficacity of stable storage by freezing of embryos in preimplantation stage with pretreatment by pressure
DE10345572A1 (de) 2003-09-29 2005-05-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
US7795801B2 (en) 2003-09-30 2010-09-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator, display and compound
KR101044087B1 (ko) 2003-11-04 2011-06-27 다카사고 고료 고교 가부시키가이샤 백금 착체 및 발광소자
US7029766B2 (en) 2003-12-05 2006-04-18 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
US20050123791A1 (en) 2003-12-05 2005-06-09 Deaton Joseph C. Organic electroluminescent devices
DE102004023277A1 (de) 2004-05-11 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Neue Materialmischungen für die Elektrolumineszenz
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
US20060008670A1 (en) 2004-07-06 2006-01-12 Chun Lin Organic light emitting materials and devices
KR100880220B1 (ko) 2004-10-04 2009-01-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 실리콘을 갖는 페닐 피리딘기를 포함하는 이리듐화합물계 발광 화합물 및 이를 발색 재료로서 사용하는유기전계발광소자
JP4478555B2 (ja) 2004-11-30 2010-06-09 キヤノン株式会社 金属錯体、発光素子及び画像表示装置
US20060134459A1 (en) 2004-12-17 2006-06-22 Shouquan Huo OLEDs with mixed-ligand cyclometallated complexes
TWI242596B (en) 2004-12-22 2005-11-01 Ind Tech Res Inst Organometallic compound and organic electroluminescent device including the same
CN101087863B (zh) 2004-12-23 2012-06-20 西巴特殊化学品控股有限公司 具有亲核卡宾配体的电致发光金属络合物
CN101115762A (zh) 2005-02-03 2008-01-30 默克专利有限公司 金属络合物
KR100803125B1 (ko) 2005-03-08 2008-02-14 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
KR101289923B1 (ko) 2005-05-03 2013-07-25 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전계발광 장치 및 그에 사용되는 붕산 및 보린산유도체
US8586204B2 (en) 2007-12-28 2013-11-19 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters and host materials with improved stability
US9051344B2 (en) 2005-05-06 2015-06-09 Universal Display Corporation Stability OLED materials and devices
DE102005043163A1 (de) 2005-09-12 2007-03-15 Merck Patent Gmbh Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen
US9023489B2 (en) 2005-11-07 2015-05-05 Lg Display Co., Ltd. Red phosphorescent compounds and organic electroluminescent devices using the same
KR100662378B1 (ko) 2005-11-07 2007-01-02 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
US7462406B2 (en) 2005-11-15 2008-12-09 Eastman Kodak Company OLED devices with dinuclear copper compounds
US20080233410A1 (en) 2005-11-17 2008-09-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Transition metal complex compound
EP1956022B1 (en) 2005-12-01 2012-07-25 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Compound for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element
US7999103B2 (en) 2005-12-15 2011-08-16 Chuo University Metal complex compound and organic electroluminescence device using the compound
US7915415B2 (en) 2006-02-10 2011-03-29 Universal Display Corporation Metal complexes of cyclometallated imidazo[1,2-f]phenanthridine and diimidazo[1,2-a:1′,2′-c]quinazoline ligands and isoelectronic and benzannulated analogs thereof
KR20070097139A (ko) 2006-03-23 2007-10-04 엘지전자 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자
JP5273910B2 (ja) 2006-03-31 2013-08-28 キヤノン株式会社 発光素子用有機化合物、発光素子および画像表示装置
DE102006025777A1 (de) 2006-05-31 2007-12-06 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US20070278936A1 (en) 2006-06-02 2007-12-06 Norman Herron Red emitter complexes of IR(III) and devices made with such compounds
US7629158B2 (en) 2006-06-16 2009-12-08 The Procter & Gamble Company Cleaning and/or treatment compositions
US7736756B2 (en) 2006-07-18 2010-06-15 Global Oled Technology Llc Light emitting device containing phosphorescent complex
WO2008056746A1 (fr) 2006-11-09 2008-05-15 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Composé pour un dispositif électroluminescent organique et dispositif électroluminescent organique
US8778508B2 (en) 2006-12-08 2014-07-15 Universal Display Corporation Light-emitting organometallic complexes
DE102007002714A1 (de) 2007-01-18 2008-07-31 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US9130177B2 (en) 2011-01-13 2015-09-08 Universal Display Corporation 5-substituted 2 phenylquinoline complexes materials for light emitting diode
TWI573854B (zh) 2007-03-08 2017-03-11 環球展覽公司 磷光材料
WO2008156879A1 (en) 2007-06-20 2008-12-24 Universal Display Corporation Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials
JP2009040728A (ja) 2007-08-09 2009-02-26 Canon Inc 有機金属錯体及びこれを用いた有機発光素子
US8956737B2 (en) 2007-09-27 2015-02-17 Lg Display Co., Ltd. Red phosphorescent compound and organic electroluminescent device using the same
US8067100B2 (en) 2007-10-04 2011-11-29 Universal Display Corporation Complexes with tridentate ligands
KR100950968B1 (ko) 2007-10-18 2010-04-02 에스에프씨 주식회사 적색 인광 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자
DE102007053771A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
KR100933226B1 (ko) 2007-11-20 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자
US7862908B2 (en) 2007-11-26 2011-01-04 National Tsing Hua University Conjugated compounds containing hydroindoloacridine structural elements, and their use
US8221905B2 (en) 2007-12-28 2012-07-17 Universal Display Corporation Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes
DE102008036982A1 (de) 2008-08-08 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
WO2010027583A1 (en) 2008-09-03 2010-03-11 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
US9034483B2 (en) 2008-09-16 2015-05-19 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
US8101755B2 (en) 2008-10-23 2012-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex including pyrazine derivative
KR101348699B1 (ko) 2008-10-29 2014-01-08 엘지디스플레이 주식회사 적색 인광 물질 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR101506919B1 (ko) 2008-10-31 2015-03-30 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
DE102008056688A1 (de) 2008-11-11 2010-05-12 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP2344607B1 (de) 2008-11-11 2013-04-10 Merck Patent GmbH Organische elektrolumineszenzvorrichtungen
US8815415B2 (en) 2008-12-12 2014-08-26 Universal Display Corporation Blue emitter with high efficiency based on imidazo[1,2-f] phenanthridine iridium complexes
US8778510B2 (en) 2009-02-27 2014-07-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Pyrromethene-boron complex compounds and organic electroluminescent elements using same
US8722205B2 (en) 2009-03-23 2014-05-13 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
US8709615B2 (en) 2011-07-28 2014-04-29 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complexes as dopants
TWI496772B (zh) 2009-04-28 2015-08-21 Universal Display Corp 具有甲基－ｄ３取代之銥錯合物
US8586203B2 (en) 2009-05-20 2013-11-19 Universal Display Corporation Metal complexes with boron-nitrogen heterocycle containing ligands
DE102009023155A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009031021A1 (de) 2009-06-30 2011-01-05 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009048791A1 (de) 2009-10-08 2011-04-14 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2011070963A1 (ja) 2009-12-07 2011-06-16 新日鐵化学株式会社 有機発光材料及び有機発光素子
DE102010005697A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Merck Patent GmbH, 64293 Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
US9156870B2 (en) 2010-02-25 2015-10-13 Universal Display Corporation Phosphorescent emitters
DE102010009903A1 (de) 2010-03-02 2011-09-08 Merck Patent Gmbh Verbindungen für elektronische Vorrichtungen
US9175211B2 (en) 2010-03-03 2015-11-03 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
TWI395804B (zh) 2010-05-18 2013-05-11 Ind Tech Res Inst 有機金屬化合物及包含其之有機電激發光裝置及組合物
WO2012118164A1 (ja) 2011-03-03 2012-09-07 国立大学法人九州大学 新規化合物、電荷輸送材料および有機デバイス
CN105762279B (zh) 2011-03-25 2018-04-17 出光兴产株式会社 有机电致发光器件
KR101298735B1 (ko) 2011-04-06 2013-08-21 한국화학연구원 신규 유기금속 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
US8795850B2 (en) 2011-05-19 2014-08-05 Universal Display Corporation Phosphorescent heteroleptic phenylbenzimidazole dopants and new synthetic methodology
KR102006506B1 (ko) 2011-07-15 2019-08-01 가부시키가이샤 큐럭스 유기 일렉트로 루미네선스 소자 및 그것에 사용하는 화합물
TWI429652B (zh) 2011-08-05 2014-03-11 Ind Tech Res Inst 有機金屬化合物及包含其之有機電激發光裝置
US9193745B2 (en) 2011-11-15 2015-11-24 Universal Display Corporation Heteroleptic iridium complex
CN103959502B (zh) 2011-12-02 2017-03-01 九州有机光材股份有限公司 有机发光元件及使用其的迟滞荧光材料以及化合物
TWI523845B (zh) 2011-12-23 2016-03-01 半導體能源研究所股份有限公司 有機金屬錯合物，發光元件，發光裝置，電子裝置及照明裝置
CN104159994B (zh) 2012-03-09 2016-11-16 九州有机光材股份有限公司 发光材料以及有机发光元件
JP2014135466A (ja) 2012-04-09 2014-07-24 Kyushu Univ 有機発光素子ならびにそれに用いる発光材料および化合物
EP2862913A1 (en) 2012-04-25 2015-04-22 Kyushu University, National University Corporation Light-emitting material and organic light-emitting element
US8946697B1 (en) 2012-11-09 2015-02-03 Universal Display Corporation Iridium complexes with aza-benzo fused ligands
TWI612051B (zh) 2013-03-01 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 有機金屬錯合物、發光元件、發光裝置、電子裝置、照明設備
TWI636056B (zh) 2014-02-18 2018-09-21 學校法人關西學院 多環芳香族化合物及其製造方法、有機元件用材料及其應用
CN106104839B (zh) 2014-03-13 2018-12-18 默克专利有限公司 有机电致发光器件
KR102204111B1 (ko) 2014-04-17 2021-01-15 삼성전자주식회사 화합물, 유기 광전 소자 및 이미지 센서
CN105895810B (zh) * 2015-01-26 2018-11-30 北京维信诺科技有限公司 一种热活化敏化磷光有机电致发光器件
US20160230960A1 (en) 2015-02-06 2016-08-11 Lg Chem, Ltd. Color conversion film and back light unit and display apparatus comprising the same
US10547009B2 (en) 2015-03-27 2020-01-28 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent element, electronic device and compound
EP3138137B1 (de) 2015-07-03 2018-06-20 Cynora Gmbh Organische moleküle zur verwendung in optoelektronischen vorrichtungen
KR102409257B1 (ko) * 2016-04-26 2022-06-14 가꼬우 호징 관세이 가쿠잉 유기 전계 발광 소자
US10205105B2 (en) 2016-08-15 2019-02-12 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US10686141B2 (en) 2016-09-07 2020-06-16 Kwansei Gakuin Educational Foundation Polycyclic aromatic compound
CN117946080A (zh) 2016-11-01 2024-04-30 三星显示有限公司 特别适用于有机光电器件的有机分子
WO2018095394A1 (zh) * 2016-11-23 2018-05-31 广州华睿光电材料有限公司 有机混合物、组合物及有机电子器件和应用
CN109942551B (zh) 2017-11-08 2022-12-30 三星显示有限公司 有机分子，特别是其在光电设备中的用途
US11542289B2 (en) 2018-01-26 2023-01-03 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
JP2019165101A (ja) 2018-03-19 2019-09-26 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器
WO2019186717A1 (ja) * 2018-03-27 2019-10-03 シャープ株式会社 発光装置および表示装置
US11342506B2 (en) 2018-06-20 2022-05-24 Kwansei Gakuin Educational Foundation Organic electroluminescent element
KR20200001005A (ko) 2018-06-26 2020-01-06 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
KR20200000996A (ko) 2018-06-26 2020-01-06 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
KR102659436B1 (ko) 2018-06-27 2024-04-23 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
US11447473B2 (en) 2018-09-06 2022-09-20 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
KR20200034899A (ko) 2018-09-21 2020-04-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 장치
KR20200046740A (ko) * 2018-10-25 2020-05-07 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 유기발광장치
US11456428B2 (en) 2018-11-21 2022-09-27 Sfc Co., Ltd. Indolocarbazole derivatives and organic electroluminescent devices using the same
KR102261645B1 (ko) 2018-11-26 2021-06-08 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR20200065174A (ko) 2018-11-29 2020-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
KR20200068503A (ko) * 2018-12-05 2020-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광장치
KR20200071193A (ko) 2018-12-10 2020-06-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
KR20200076817A (ko) 2018-12-19 2020-06-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
CN113227106A (zh) 2018-12-28 2021-08-06 辛诺拉有限公司 用于光电器件的有机分子
KR20200087906A (ko) 2019-01-11 2020-07-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
EP3686206B1 (en) 2019-01-23 2021-10-27 Cynora Gmbh Organic molecules for optoelectronic devices
KR20200096337A (ko) 2019-02-01 2020-08-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US11557738B2 (en) 2019-02-22 2023-01-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20200119453A (ko) 2019-04-09 2020-10-20 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN113646315A (zh) 2019-04-11 2021-11-12 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的材料
WO2020217229A1 (en) 2019-04-26 2020-10-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Polycyclic compound and an organic electroluminescence device comprising the polycyclic compound or the composition

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230070208A (ko) 2023-05-22
US20230345750A1 (en) 2023-10-26
CN116235647A (zh) 2023-06-06
US20240032317A1 (en) 2024-01-25
KR20230070450A (ko) 2023-05-23
WO2022058513A1 (en) 2022-03-24
KR20230070213A (ko) 2023-05-22
EP4214778A1 (en) 2023-07-26
KR20230077726A (ko) 2023-06-01
JP2023541974A (ja) 2023-10-04
KR20230100719A (ko) 2023-07-05
JP2023542915A (ja) 2023-10-12
JP2023543421A (ja) 2023-10-16
WO2022058520A1 (en) 2022-03-24
EP4214765A1 (en) 2023-07-26
WO2022058508A1 (en) 2022-03-24
WO2022058521A1 (en) 2022-03-24
EP4214774A2 (en) 2023-07-26
US20240032420A1 (en) 2024-01-25
CN116368957A (zh) 2023-06-30
KR20230070217A (ko) 2023-05-22
CN116210360A (zh) 2023-06-02
EP4214779A1 (en) 2023-07-26
CN116391456A (zh) 2023-07-04
US20230345751A1 (en) 2023-10-26
US20230329028A1 (en) 2023-10-12
EP4214768A1 (en) 2023-07-26
JP2023541978A (ja) 2023-10-04
EP4214767A1 (en) 2023-07-26
US20230329022A1 (en) 2023-10-12
CN116368956A (zh) 2023-06-30
CN116235646A (zh) 2023-06-06
KR20230068381A (ko) 2023-05-17
EP4214771A1 (en) 2023-07-26
US20230363195A1 (en) 2023-11-09
KR20230069931A (ko) 2023-05-19
WO2022058516A3 (en) 2022-06-16
WO2022058512A1 (en) 2022-03-24
US20230329021A1 (en) 2023-10-12
WO2022058507A1 (en) 2022-03-24
CN116235644A (zh) 2023-06-06
CN116261921A (zh) 2023-06-13
JP2023541976A (ja) 2023-10-04
EP4214766A1 (en) 2023-07-26
JP2023543420A (ja) 2023-10-16
WO2022058524A1 (en) 2022-03-24
US20230371294A1 (en) 2023-11-16
WO2022058510A1 (en) 2022-03-24
KR20230074482A (ko) 2023-05-30
CN116264871A (zh) 2023-06-16
EP4214772A1 (en) 2023-07-26
WO2022058504A1 (en) 2022-03-24
JP2023543417A (ja) 2023-10-16
CN116261919A (zh) 2023-06-13
US20240049492A1 (en) 2024-02-08
JP2023541491A (ja) 2023-10-02
KR20230068392A (ko) 2023-05-17
WO2022058525A1 (en) 2022-03-24
US20230329023A1 (en) 2023-10-12
JP2023542916A (ja) 2023-10-12
CN116235645A (zh) 2023-06-06
JP2023542011A (ja) 2023-10-04
KR20230077725A (ko) 2023-06-01
JP2023543419A (ja) 2023-10-16
EP4214776A1 (en) 2023-07-26
CN116235648A (zh) 2023-06-06
KR20230068397A (ko) 2023-05-17
EP4214770A1 (en) 2023-07-26
WO2022058502A1 (en) 2022-03-24
US20230371364A1 (en) 2023-11-16
WO2022058516A2 (en) 2022-03-24
CN116235643A (zh) 2023-06-06
CN116326240A (zh) 2023-06-23
US20230380199A1 (en) 2023-11-23
US20230329024A1 (en) 2023-10-12
JP2023541975A (ja) 2023-10-04
WO2022058523A1 (en) 2022-03-24
EP4214775A1 (en) 2023-07-26
EP4214777A1 (en) 2023-07-26
WO2022058501A1 (en) 2022-03-24
JP2023543418A (ja) 2023-10-16
KR20230068395A (ko) 2023-05-17
CN116261920A (zh) 2023-06-13
JP2023541977A (ja) 2023-10-04
EP4214769A1 (en) 2023-07-26
KR20230077727A (ko) 2023-06-01
EP4214773A1 (en) 2023-07-26
US20240074304A1 (en) 2024-02-29
WO2022058515A1 (en) 2022-03-24
KR20230068390A (ko) 2023-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201912640A (zh) 有機分子，特別是用於光電子裝置的有機分子
JP2023541979A (ja) 緑色光を光する有機エレクトロルミネッセンス素子
JP7512522B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子および光発生方法
KR20230171420A (ko) 광전자 소자용 유기 분자
KR20240000481A (ko) 광전자 소자용 유기 분자