WO2019186717A1 - 発光装置および表示装置 - Google Patents

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dopant
light
electroluminescent element
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時由 梅田
優人 塚本
柏 張
伸一 川戸
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device and a display device including the light emitting device.
  • Patent Document 1 discloses an organic electroluminescence (EL) element having at least three electrodes and at least two light emitting units sandwiched between the electrodes.
  • the light emitting unit in the organic EL element has a light emitting layer containing a light emitting material.
  • electrons and holes recombine to generate excitons having an energy level higher than the ground level, and the excitons emit light by radiative transition to the ground level.
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2016-207328 (Released on Dec. 8, 2016)”
  • the emission spectrum width of the phosphorescent dopant is wider than that of the fluorescent dopant. For this reason, in the electroluminescent element containing the phosphorescence dopant using the cavity of the light reflection by an anode and a cathode, the color shift in the angle off from the front becomes large.
  • the light emission by the fluorescent dopant has a theoretically low maximum internal quantum efficiency of 25% indicating the ratio of the number of excitons contributing to the light emission in the number of generated excitons.
  • the maximum external quantum efficiency (luminescence efficiency) in the electroluminescent element is proportional to the maximum internal quantum efficiency. For this reason, in the electroluminescent element containing a fluorescent dopant, there exists a problem that luminous efficiency is low.
  • An object of one embodiment of the present invention is to realize a light-emitting device with high color reproducibility and high luminous efficiency.
  • a light-emitting device includes n (n is a natural number of 2 or more) electroluminescent elements that emit light having emission spectra with different peak wavelengths.
  • Each of the n electroluminescent elements includes a light emitting layer that emits light, and the light emitting layer includes a host material that transports carriers and a light emitting dopant that contributes to light emission,
  • m (1 ⁇ m ⁇ n ⁇ 1) include a fluorescent dopant as the light emitting dopant in the light emitting layer, and further includes a thermal activation assist dopant made of a thermally activated delayed fluorescent material.
  • a light-emitting device with high color reproducibility and high luminous efficiency can be realized.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a detailed configuration of a light emitting layer provided in the light emitting device of Embodiment 1.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a light emitting device according to Embodiment 1.
  • FIG. It is a graph which shows the emission spectrum of the light emission dopant which emits green light.
  • It is sectional drawing which shows the detailed structure of the light emitting layer with which the light-emitting device of Embodiment 2 is provided.
  • It is sectional drawing which shows the detailed structure of the light emitting layer with which the light-emitting device of Embodiment 3 is provided.
  • 6 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a light emitting device according to Embodiment 4.
  • FIG. It is sectional drawing which shows the detailed structure of the light emitting layer with which the light-emitting device of Embodiment 4 is provided.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the light emitting device 1 according to the first embodiment.
  • the light emitting device 1 is used as a light source of the display device 100. That is, the display device 100 includes the light emitting device 1 as a light source. In FIG. 2, only one light emitting device 1 included in the display device 100 is illustrated, but the display device 100 actually includes a plurality of light emitting devices 1.
  • the members provided in the light emitting device 1 the description of members that are not related to the first embodiment is omitted. Members that omit these descriptions may be understood to be the same as known members.
  • each drawing schematically illustrates the shape, structure, and positional relationship of each member and is not necessarily drawn to scale.
  • the light emitting device 1 is a light source that lights each pixel of the display device 100.
  • the display device 100 expresses an image with a plurality of RGB (Red, Green, Blue) pixels.
  • RGB Red, Green, Blue
  • the blue pixel (B pixel, first electroluminescent element) is Pb
  • the green pixel (G pixel, second electroluminescent element) is Pg
  • the red pixel (R pixel, third electroluminescent element) is Pr. Called.
  • each of the red pixel Pr, the green pixel Pg, and the blue pixel Pb may be partitioned by a light shielding member 99 (eg, a black matrix).
  • a light shielding member 99 eg, a black matrix.
  • the direction from the anode 17 to the cathode 11 is referred to as an upward direction.
  • a direction opposite to the upward direction is referred to as a downward direction.
  • the light emitting device 1 includes an anode 17, a hole injection layer (Hole Injection Layer, HIL) 16, a hole transport layer (Hole Transportation Layer, HTL) 15, a light emitting layer 14, and an electron transport layer. (Electron Transport Layer, ETL) 13, Electron Injection Layer (EIL) 12, and cathode 11 are provided in this order.
  • the cathode 11 to the anode 17 are supported by a substrate 20 provided below the anode 17.
  • the anode 17, the hole injection layer 16, the hole transport layer 15, the light emitting layer 14, the electron transport layer 13, the electron injection layer 12, and the cathode 11 are formed on the substrate 20. Are formed (film formation) in this order.
  • the blue pixel Pb, the green pixel Pg, and the red pixel Pr are arranged without overlapping each other in the direction parallel to the substrate 20.
  • the substrate 20 may be a substrate with high translucency (for example, a glass substrate or a plastic substrate) or a substrate with low translucency (for example, a flexible substrate or a metal substrate).
  • the light emitting device 1 further includes a sealing glass 170 that seals (protects) the cathode 11 to the anode 17.
  • the sealing glass 170 is fixed to the substrate 20 with a sealing resin 171 (eg, an adhesive).
  • the light emitting device 1 may include a sealing film such as a TFE (Thin Film Encapsulation) film instead of the sealing glass 170.
  • the cathode 11 to the anode 17 may be provided individually for each of the blue pixel Pb, the green pixel Pg, and the red pixel Pr.
  • the cathode 11 includes a cathode 11b provided in the blue pixel Pb, a cathode 11g provided in the green pixel Pg, and a cathode 11r provided in the red pixel Pr.
  • the subscripts “b, g, r” are attached to distinguish the members corresponding to the blue pixel Pb, the green pixel Pg, and the red pixel Pr as necessary. This is because the electron injection layer 12 (12b, 12g, 12r), the electron transport layer 13 (13b, 13g, 13r), the light emitting layer 14 (14b, 14g, 14r), the hole transport layer 15 (15b, 15g, 15r). ), Hole injection layer 16 (16b ⁇ 16g ⁇ 16r), and anode 17 (17b ⁇ 17g ⁇ 17r).
  • the cathode 11 (cathode) is made of, for example, a translucent Mg—Ag alloy. That is, the cathode 11 is a transmissive electrode that transmits light emitted from the light emitting layer 14. Therefore, the upward light among the light emitted from the light emitting layer 14 passes through the cathode 11. As described above, the light emitting device 1 can emit light emitted from the light emitting layer 14 upward.
  • the anode 17 (anode) has a configuration in which, for example, ITO (Indium Tin Oxide) is laminated on an Ag-Pd-Cu alloy.
  • the anode 17 having the above-described configuration is a reflective electrode that reflects light (blue light Lb, green light Lg, and red light Lr) emitted from the light emitting layer 14. Therefore, the light (not shown) traveling downward from the light emitted from the light emitting layer 14 is reflected by the anode 17.
  • both the light emitted upward from the light emitting layer 14 and the light emitted downward can be directed to the cathode 11 (upward). That is, the light emitting device 1 is configured as a top emission type light emitting device using a cavity for light reflection by an anode and a cathode. Therefore, the utilization efficiency of the light emitted from the light emitting layer 14 can be improved.
  • the structure of the cathode 11 and the anode 17 mentioned above is an example, and may have another structure.
  • the electron transport layer 13 includes a material having excellent electron transport properties. According to the electron transport layer 13, the supply of electrons from the cathode 11 to the light emitting layer 14 can be promoted.
  • the electron transport layer 13 may have the role of an electron injection layer (Electron Injection Layer, EIL).
  • EIL Electrode Injection Layer
  • the hole injection layer 16 is a layer that promotes injection of electrons from the anode 17 to the light emitting layer 14.
  • the hole injection layer 16 includes a material having excellent hole injection properties.
  • the hole transport layer 15 includes a material having excellent hole transport properties. According to the hole injection layer 16 and the hole transport layer 15, the supply of holes from the anode 17 to the light emitting layer 14 can be promoted.
  • the anode 17 By applying a forward voltage between the anode 17 and the cathode 11 (the anode 17 is set to a higher potential than the cathode 11), (i) while supplying electrons from the cathode 11 to the light emitting layer 14, ii) Holes can be supplied from the anode 17 to the light emitting layer 14. As a result, light can be generated in the light emitting layer 14 with the combination of holes and electrons.
  • the application of the voltage may be controlled by a TFT (Thin Film Transistor, thin film transistor) (not shown).
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a detailed configuration of the light emitting layer 14 included in the light emitting device 1.
  • the aspect ratio of the light emitting layer 14 in FIG. 1 on the paper surface is different from the aspect ratio of the light emitting layer 14 in FIG. 2 on the paper surface. This is merely changing the aspect ratio in consideration of easiness to see, and in fact, the light emitting layer 14 in FIG. 1 and the light emitting layer 14 in FIG. 2 are the same as each other.
  • the light emitting layer 14 includes a blue light emitting layer 14b provided in the blue pixel Pb, a green light emitting layer 14g provided in the green pixel Pg, and a red light emitting layer 14r provided in the red pixel Pr.
  • Each of the blue light emitting layer 14b, the green light emitting layer 14g, and the red light emitting layer 14r includes host materials 30b, 30g, and 30r that transport carriers, and light emitting dopants 18b, 18g, and 18r that contribute to light emission.
  • the luminescent dopant generates excitons in association with the combination of the holes supplied from the anode 17 and the electrons supplied from the cathode 11, and emits light when the excitons transition to the ground state.
  • the blue light emitting layer 14b includes a fluorescent dopant that emits blue light as the light emitting dopant 18b.
  • the fluorescent dopant may be, for example, DPVBi (4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl).
  • DPVBi 4,4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl.
  • the blue light emitted from the blue light emitting layer 14b shows an emission spectrum having a peak near 445 nm.
  • the host material 30b of the blue light emitting layer 14b may be, for example, adamantane anthracene as a TTA (Triplet-Triplet-Annihilation) host material.
  • TTA Triplet-Triplet-Annihilation
  • the TTA host material generates one singlet exciton from two triplet excitons by TTA, and light emission as delayed fluorescence is obtained from the singlet excitons of the fluorescent dopant by energy transfer.
  • the mass ratio of the fluorescent dopant to the mass of the entire blue light emitting layer 14b may be 3 wt%, for example.
  • the green light emitting layer 14g contains a fluorescent dopant that emits green light as the light emitting dopant 18g.
  • the fluorescent dopant may be, for example, Bodipy (N, N′-Difluoroboryl-1,9-dimethyl-5-phenydipyrrin).
  • Bodipy N, N′-Difluoroboryl-1,9-dimethyl-5-phenydipyrrin.
  • the green light emitted from the green light emitting layer 14g shows an emission spectrum having a peak in the vicinity of 520 nm.
  • the green light emitting layer 14g further includes a thermal activation assist dopant 19g.
  • the thermal activation assist dopant 19g is configured using a thermally activated delayed fluorescence (TADF) material.
  • TADF thermally activated delayed fluorescence
  • the thermal activation assist dopant 19g may be, for example, ACRXTN (3- (9,9-dimethylacridin-10 (9H) -yl) -9H-xanthen-9-one).
  • the host material 30g may be, for example, mCP (1,3-di-9-carbazolylbenzene).
  • the mass ratio of the fluorescent dopant to the total mass of the green light emitting layer 14g including the thermal activation assist dopant 19g is preferably in the range of 0.1 wt% or more and 20 wt% or less, and is 0.5 wt% or more and 10 wt% or less. It is more preferable to be within the range. More specifically, the mass ratio of the fluorescent dopant to the mass of the entire green light emitting layer 14g may be 1 wt%, for example.
  • the mass ratio of the thermal activation assist dopant to the total mass of the green light emitting layer 14g is preferably in the range of 0.5 wt% or more and 70 wt% or less, and in the range of 1 wt% or more and 50 wt% or less. It is more preferable.
  • the red light emitting layer 14r includes a phosphorescent dopant that emits red light as the light emitting dopant 18r.
  • the phosphorescent dopant may be, for example, Btp2Ir (acac) (bis- (3- (2- (2-pyridyl) benzothienyl) mono-acetylacetonate) iridium (III))).
  • Btp2Ir acac
  • the host material 30r may be, for example, CDBP (4,4′-bis (carbazol-9-yl) -2,2′-dimethylbiphenyl).
  • the mass ratio of the phosphorescent dopant to the mass of the entire red light emitting layer 14r may be, for example, 10 wt%.
  • FIG. 3 is a graph showing an emission spectrum of a luminescent dopant that emits green light.
  • the emission spectrum of the phosphorescent dopant that emits green light is shown by a solid line.
  • the emission spectrum of the fluorescent dopant that emits green light is indicated by a broken line.
  • the peak of the emission spectrum of the fluorescent dopant is sharper than the peak of the emission spectrum of the phosphorescent dopant.
  • the emission spectrum width is narrow, in the top emission type electroluminescent device using the light reflection cavity by the anode and the cathode, the color shift in the front and oblique directions with respect to the light emitting device is suppressed. For this reason, in order to improve the color reproducibility of the light emitting device including not only the front but also obliquely, it is preferable to use a fluorescent dopant having a narrow spectrum width as the light emitting dopant.
  • a phosphorescent dopant can use both singlet and triplet excitons for light emission. On the other hand, only the singlet level excitons can be used for light emission. For this reason, the difference of the maximum internal quantum efficiency mentioned above arises between the phosphorescent dopant and the fluorescent dopant.
  • the final luminous efficiency of the electroluminescent element is proportional to the maximum internal quantum efficiency. For this reason, generally, when a fluorescent dopant is used as the light emitting dopant, the light emission efficiency is lowered.
  • the green light emitting layer 14g of the present embodiment in the thermally activated assist dopant, triplet level excitons cross between singlet levels with energy of about room temperature. As a result, excitons excited to the triplet level can contribute to light emission in the fluorescent dopant by crossing the singlet level and transferring energy to the singlet level of the fluorescent dopant. It becomes. For this reason, in the green light emitting layer 14g, all of the generated excitons ultimately contribute to light emission. Therefore, the maximum internal quantum efficiency in the green light emitting layer 14g is theoretically 100%, and the final light emission efficiency is also improved.
  • the light-emitting device 1 of the present embodiment includes the green pixel Pg that can emit the fluorescent dopant having a narrow half-value width of the emission spectrum with high internal quantum efficiency. Therefore, the light emitting device 1 can achieve both improved color reproducibility and improved luminous efficiency.
  • the number of pixels (electroluminescent elements) included in the light emitting device 1 is not limited to three. That is, the light emitting device 1 may include n (n is a natural number of 2 or more) pixels that emit light having emission spectra with different peak wavelengths. In this case, m (1 ⁇ m ⁇ n ⁇ 1) of the n pixels may include the fluorescent dopant in the light emitting layer and further include the thermal activation assist dopant.
  • the blue light emitting layer 14b includes a fluorescent dopant as a light emitting dopant.
  • the blue light-emitting layer may include a phosphorescent dopant as a light-emitting dopant.
  • the phosphorescent dopant is, for example, FIrpic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridylphenyl- (2-carboxypyridyl) iridium (III)).
  • FIrpic bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridylphenyl- (2-carboxypyridyl) iridium (III)
  • the blue light emitting layer includes a phosphorescent dopant as the light emitting dopant
  • the host material 30b of the blue light emitting layer may be, for example, mCP.
  • the mass ratio of the phosphorescent dopant to the mass of the entire blue light emitting layer may be 10 wt%, for example.
  • the light emitting device including such a blue light emitting layer also has the same effect as the light emitting device 1 described above.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the light emitting layer 14 in the present embodiment.
  • the green light emitting layer 14g of the green pixel Pg contained the thermal activation assist dopant 19g.
  • the red light emitting layer 14r of the red pixel Pr contains the thermal activation assist dopant 19r.
  • the red light emitting layer 14r includes a fluorescent dopant that emits red light as the light emitting dopant 18r.
  • the fluorescent dopant is, for example, DCM2 (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- [2- (2,3,6,7-tetrahydro-1H, 5H-benzo [ij] quinolizin-9-yl) vinyl] -4H-pyran).
  • the red light emitted from the red light emitting layer 14r shows an emission spectrum having a peak near 630 nm.
  • the red light emitting layer 14r further includes a thermal activation assist dopant 19r.
  • the thermal activation assist dopant may be, for example, tri-PXZ-TRZ (2,4,6-tri (4- (10H-phenoxazin-10H-yl) phenyl) -1,3,5-triazine).
  • the host material 30r of the red light emitting layer 14r may be CBP, for example.
  • the mass ratio of the fluorescent dopant to the mass of the entire red light emitting layer 14r is preferably in the range of 0.1 wt% or more and 20 wt% or less, and in the range of 0.5 wt% or more and 10 wt% or less. It is more preferable. More specifically, the mass ratio of the fluorescent dopant to the mass of the entire red light emitting layer 14r may be 1 wt%, for example.
  • the mass ratio of the thermal activation assist dopant to the total mass of the red light emitting layer 14r is preferably in the range of 0.5 wt% or more and 70 wt% or less, and in the range of 1 wt% or more and 50 wt% or less. It is more preferable. More specifically, the mass ratio of the thermal activation assist dopant to the mass of the entire red light emitting layer 14r may be, for example, 15 wt%.
  • the green light emitting layer 14g contains a phosphorescent dopant as the light emitting dopant 18g.
  • the phosphorescent dopant may be, for example, Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridinato) iridium (III)).
  • the green light emitted from the green light emitting layer 13g shows an emission spectrum having a peak near 520 nm.
  • the host material 30b of the green light emitting layer 14g may be, for example, CBP (4,4′-di (N-carbazolyl) biphenyl).
  • the mass ratio of the phosphorescent dopant to the mass of the entire green light emitting layer 14g may be 10 wt%, for example.
  • the green light emitting layer 14g contains the thermal activation assist dopant 19r, both the improvement in color reproducibility of the light emitting device 1 and the improvement in energy efficiency can be achieved.
  • the blue light emitting layer 14b of the blue pixel Pb does not contain the thermal activation assist dopant, the lifetime of the light emitting device 1 is prevented from being reduced.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the light emitting layer 14 in the present embodiment.
  • the green light-emitting layer 14g and the red light-emitting layer 14r contained the thermal activation assist dopant 19r or 19g, respectively.
  • the green light emitting layer 14g includes a thermal activation assist dopant 19g
  • the red light emitting layer 14r includes a heat activation assist dopant 19r.
  • the kind of the thermal activation assist dopant 19g in the green light emitting layer 14g and the mass ratio of the fluorescent dopant and the heat activation assist dopant to the total mass of the green light emitting layer 14g may be the same as those described in the first embodiment. Further, the type of the thermal activation assist dopant 19r in the red light emitting layer 14r and the mass ratio of the fluorescent dopant and the heat activation assist dopant to the mass of the entire red light emitting layer 14r may be the same as those described in the second embodiment. .
  • the green light emitting layer 14g and the red light emitting layer 14r each include the thermal activation assist dopant 19g or the thermal activation assist dopant 19r, thereby further improving the color reproducibility of the light emitting device 1 and improving the energy efficiency. Can be made. Also in this embodiment, since the blue light emitting layer 14b of the blue pixel Pb does not contain the thermal activation assist dopant, the lifetime of the light emitting device 1 is prevented from being reduced.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the light emitting device 1A according to the present embodiment.
  • the light emitting device 1A is used as a light source of the display device 100A. That is, the display device 100A includes the light emitting device 1A as a light source.
  • the light emitting device 1A includes a blue pixel Pb (B pixel, first electroluminescent element), a green pixel Pg (G pixel, second electroluminescent element), and a red pixel Pr (R pixel, third electroluminescent element).
  • the device further includes a yellow pixel Py (Y pixel, fourth electroluminescent element). The yellow pixel Py emits yellow light.
  • FIG. 7 is a diagram showing a configuration of the light emitting layer 14A included in the light emitting device 1A. As shown in FIG. 7, the light emitting layer 14A further includes a yellow light emitting layer 14y in addition to the blue light emitting layer 14b, the green light emitting layer 14g, and the red light emitting layer 14r.
  • the yellow light emitting layer 14y includes a phosphorescent dopant that emits yellow light as the light emitting dopant 18y.
  • the phosphorescent dopant may be, for example, Ir (BT) 2 (acac) (Bis (2-benzo [b] thiophen-2-ylpyridine) (acetylacetonate) iridium (III)).
  • Ir (BT) 2 (acac) Bis (2-benzo [b] thiophen-2-ylpyridine) (acetylacetonate) iridium (III)
  • yellow light emitted from the yellow light emitting layer 14y shows an emission spectrum having a peak near 580 nm.
  • the host material 30y of the yellow light emitting layer 14y may be CBP, for example.
  • the mass ratio of the phosphorescent dopant with respect to the mass of the whole yellow light emitting layer 14y may be 10 wt%, for example. Even with such a light emitting device 1A, both improvement in color reproducibility and improvement in light emission efficiency can be achieved.
  • the green light emitting layer 14g contains the thermal activation assist dopant 19g.
  • the green light emitting layer 14g, the red light emitting layer 14r, and the yellow light emitting layer 14y includes a thermal activation assist dopant, and the green light emitting layer 14g, red All of the light emitting layer 14r and the yellow light emitting layer 14y may contain a thermal activation assist dopant.
  • the thermal activation assist dopant may be, for example, PXZ-TRX (2-phenoxazine-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine).
  • the yellow light emitting layer 14y contains a thermal activation assist dopant
  • the yellow light emitting layer 14y contains a fluorescent dopant as a light emitting dopant.
  • the fluorescent dopant may be, for example, TBRb (2,8-di-tert-butyl-5,11-bis (4-tert-butylphenyl) -6,12-diphenyltetracene).
  • TBRb 2,8-di-tert-butyl-5,11-bis (4-tert-butylphenyl) -6,12-diphenyltetracene.
  • the host material 30y of the yellow light emitting layer 14y may be, for example, mCBP (3,3-di (9H-carbazol-9-yl) biphenyl).
  • the mass ratio of the fluorescent dopant to the total mass of the yellow light-emitting layer 14y is preferably in the range of 0.1 wt% to 20 wt%, and more preferably in the range of 0.5 wt% to 10 wt%. preferable. More specifically, the mass ratio of the fluorescent dopant to the mass of the entire yellow light-emitting layer 14y may be 1 wt%, for example.
  • the mass ratio of the thermal activation assist dopant to the mass of the entire yellow light emitting layer 14y is preferably in the range of 0.5 wt% or more and 70 wt% or less, and in the range of 1 wt% or more and 50 wt% or less. It is more preferable. More specifically, the mass ratio of the thermal activation assist dopant to the mass of the entire yellow light emitting layer 14y may be, for example, 25 wt%.
  • thermo activation assist dopant examples include ACRSA (10-phenyl-10H, 10′H-spiro [acridine-9,9′-anthracen] -10′-one).
  • the inventor of the present application conducted an experiment to manufacture a light emitting device in which the blue light emitting layer 14b of the blue pixel Pb includes a thermal activation assist dopant such as ACRSA described above, the lifetime of the blue pixel Pb is remarkably increased. The problem of shortening occurred.
  • the thermal activation assist dopant is included in the red light emitting layer 14r of the red pixel Pr and / or the green light emitting layer 14g of the green pixel Pg, the lifetime shortening which is a problem in practical use of the light emitting device 1 is reduced. Did not occur. That is, in the light emitting device 1, the red light emitting layer 14r and / or the green light emitting layer 14g includes the heat activation dopant, and the blue light emission layer 14b of the blue pixel Pb does not include the heat activation assist dopant, thereby achieving color reproducibility. In addition, the reduction in the lifetime of the light emitting device 1 can be further suppressed while achieving both the improvement of the light emission and the improvement of the light emission efficiency.
  • the following problems may occur when the blue light emitting layer 14b includes a thermal activation assist dopant.
  • the following photophysical process is performed before electroluminescence of the light emitting device 1 having the light emitting layer 14 including the thermal activation assist dopant. That is, electrons and holes respectively supplied from the cathode 11 and the anode 17 are recombined by the thermal activation assist dopant, and excitons are generated with a probability of 25% singlet excitons and 75% triplet excitons. .
  • the non-radiative deactivation rate constant of the triplet exciton is small, the singlet exciton and the triplet exciton of the thermal activation assist dopant are close in energy. Interterm intersection occurs to the child.
  • the energy of singlet excitons and triplet excitons of the host material is larger than the energy of triplet excitons of the thermal activation assist dopant, and (ii) the distance between the thermal activation assist dopant and the fluorescent dopant. Is less than about 10 nm, and (iii) when the overlap between the emission spectrum of the thermal activation assist dopant and the absorption spectrum of the fluorescent dopant is large, the singlet exciton from the thermal activation assist dopant to the singlet exciton of the fluorescent dopant Efficient energy transfer occurs, and light is efficiently emitted from the fluorescent dopant.
  • the energy of the singlet excitons and triplet excitons of the host material needs to be larger than the energy of triplet excitons of the thermal activation assist dopant.
  • the holes are the HOMO level of the host material and the electrons are the host. Injection and transport of the level to the LUMO level of the material. For this reason, a large external voltage is required to cope with these large gaps, and the drive voltage becomes high.
  • the thermal activation assist dopant when included in the blue light emitting layer 14b, excitons corresponding to the blue energy gap are generated by the thermal activation assist dopant, which efficiently transfer energy to the fluorescent material.
  • the energy of the singlet excitons and triplet excitons of the host material needs to be larger than the energy of the singlet excitons and triplet excitons of the thermal activation assist dopant.
  • the corresponding driving voltage must be increased. Since blue is high energy light compared to other colors (for example, green and red), there has been a problem that the drive voltage becomes higher than when other colors emit light.
  • the driving voltage that is significantly higher than the driving voltage of the electroluminescent elements of other colors (for example, green or red) makes the circuit design difficult.
  • the above driving voltage is a crosstalk in which a device of another adjacent color (for example, green or red) emits light at the same time in a blue low-luminance display (although a voltage is applied to the blue device).
  • a phenomenon called a phenomenon in which current leaks to light emitting layers of other adjacent colors causes light emission causes light emission.
  • the energy of singlet excitons and triplet excitons is larger than the energy of singlet or triplet excitons of the thermal activation assist dopant, and (ii) high charge.
  • a contradictory design of developing a conjugated system in spite of a small molecular structure is necessary, which is extremely difficult.
  • the radical anion or radical cation state and exciton state when transporting holes or electrons are other colors (for example, green or red)
  • High energy due to high energy compared to other materials, radical anions, radical cations, and excited state molecules are unstable, and these large energies are part of the molecular structure of the host material or thermally activated assist dopant. Since this also corresponds to energy for cleaving some bonds, there is a problem that the drive life of the display device (organic EL device) is short.
  • the blue light emitting layer 14b does not include the thermal activation assist dopant, so that a high performance light emitting device and display device that prevent various problems as described above are provided. It can be easily configured.
  • the device to which the light emitting devices 1 and 1A of the present invention are applied is not limited to the display device 100 or 100A, and may be a lighting device, for example.
  • a light emitting device (1) is a light emitting device including n (n is a natural number of 2 or more) electroluminescent elements that emit light having emission spectra having different peak wavelengths.
  • Each of the electroluminescent elements includes a light emitting layer that emits light, and the light emitting layer includes a host material that transports carriers and a light emitting dopant that contributes to light emission, and m of the n electroluminescent elements.
  • Each (1 ⁇ m ⁇ n ⁇ 1) includes a fluorescent dopant as the light emitting dopant in the light emitting layer, and further includes a thermal activation assist dopant made of a thermally activated delayed fluorescent material.
  • m of the n electroluminescent elements include the fluorescent dopant having a sharp peak in the emission spectrum as the luminescent dopant. Furthermore, the m electroluminescent elements can theoretically have a maximum internal quantum efficiency of 100% by including a thermal activation assist dopant. Therefore, a light emitting device with high color reproducibility and high luminous efficiency can be realized in the m electroluminescent elements.
  • the electroluminescent element a first electroluminescent element that emits blue light, a second electroluminescent element that emits green light, and a third electroluminescent element that emits red light. At least one of the second electroluminescent element and the third electroluminescent element includes the fluorescent dopant and the thermal activation assist dopant, and the second electroluminescent element and the second electroluminescent element.
  • the other light emitting layer of the electroluminescent element of 3 contains a phosphorescent dopant as the light emitting dopant.
  • the entire light emitting device also has high color reproducibility and high luminous efficiency.
  • the electroluminescent element emitting blue light does not contain a thermal activation assist dopant.
  • the lifetime of the luminescent dopant is shortened, and in particular, the lifetime of the luminescent dopant emitting blue light is remarkably shortened. Therefore, since the electroluminescent element that emits blue light does not contain the thermal activation assist dopant, shortening of the lifetime of the entire light emitting device is suppressed.
  • the electroluminescent element a first electroluminescent element that emits blue light, a second electroluminescent element that emits green light, and a third electroluminescent element that emits red light.
  • each of the light emitting layers of the second electroluminescent element and the third electroluminescent element includes the fluorescent dopant and the thermal activation assist dopant.
  • the color reproducibility is higher and the light emission efficiency is higher than that of the light emitting device of aspect 2.
  • a first electroluminescent element that emits blue light
  • a second electroluminescent element that emits green light
  • a third electroluminescent element that emits red light
  • a fourth electroluminescent element that emits yellow light
  • at least one of the second electroluminescent element, the third electroluminescent element, and the fourth electroluminescent element includes the fluorescent layer.
  • the remaining light emitting layer of the second electroluminescent device, the third electroluminescent device, and the fourth electroluminescent device contains a dopant and the thermal activation assist dopant, and phosphorescence as the luminescent dopant Contains a dopant.
  • a first electroluminescent element that emits blue light
  • a second electroluminescent element that emits green light
  • a third electroluminescent element that emits red light
  • at least a fourth electroluminescent element that emits yellow light
  • each of the light emitting layers of the second electroluminescent element, the third electroluminescent element, and the fourth electroluminescent element includes the fluorescent light emitting element.
  • the kind and ratio of an assist dopant, a fluorescent dopant, and host material are suitable ranges. Fits within. Therefore, the light emission efficiency in the second electroluminescent element and / or the third electroluminescent element is particularly improved.
  • the light emitting layer of the first electroluminescent element includes a fluorescent dopant as a light emitting dopant.
  • the first electroluminescent element can emit light by the fluorescent dopant.
  • the light emitting layer of the first electroluminescent element includes a TTA (Triplet-TripletripAnnihilation) host material as a host material.
  • TTA Triplet-TripletripAnnihilation
  • the host material in the first electroluminescent element, the host material generates one singlet exciton from two triplet excitons. Furthermore, light emission as delayed fluorescence can be obtained from singlet excitons of the fluorescent dopant by energy transfer from the host material to the fluorescent dopant.
  • the light emitting layer of the first electroluminescent element contains a phosphorescent dopant as a light emitting dopant.
  • the first electroluminescent element can emit light by the phosphorescent dopant.
  • a mass ratio of the fluorescent dopant to a mass of the light emitting layer containing the thermal activation assist dopant is in a range of 0.1 wt% or more and 20 wt% or less, and the host The mass ratio of the thermal activation assist dopant to the mass of the material is in the range of 0.5 wt% or more and 70 wt% or less.
  • a display device includes the light emitting device according to any one of aspects 1 to 9.
  • Light-emitting device 13 Light-emitting layer 18b, 18g, 18r, 18y Light-emitting dopant 19g, 19r Thermal activation assist dopant 30b, 30g, 30r, 30y Host material 100, 100A Display device Pr Red pixel (electroluminescent device) Pg Green pixel (electroluminescent device) Pb Blue pixel (electroluminescent device) Py yellow pixel (electroluminescent device)

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Abstract

色再現性が高く、かつ発光効率が高い発光装置などを実現する。発光装置は、青色画素、緑色画素、および赤色画素を備え、緑色画素は、光を発する緑色発光層（１４ｇ）に、キャリアを輸送するホスト材料（３０ｇ）と、発光に寄与する発光ドーパント（１８ｇ）としての蛍光ドーパントと、熱活性化遅延蛍光材料からなる熱活性化アシストドーパント（１９ｇ）と、を含む。

Description

発光装置および表示装置
　本発明は、発光装置、および当該発光装置を備える表示装置に関する。
　特許文献１には、少なくとも三つの電極と、電極に挟持される、少なくとも二つの発光ユニットと、を有する有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子が開示されている。当該有機ＥＬ素子における発光ユニットは、発光材料を含む発光層を有する。発光層では、電子と正孔とが再結合することで、基底準位よりも高いエネルギー準位の励起子が生成され、当該励起子が基底準位へ輻射遷移することで光を発する。
日本国公開特許公報「特開２０１６－２０７３２８号（２０１６年１２月８日公開）」
　ところで、一般に、りん光ドーパントの発光スペクトル幅は、蛍光ドーパントと比較して広い。このため、陽極および陰極による光反射のキャビティを利用したりん光ドーパントを含む電界発光素子においては、正面から外れた角度における色ずれが大きくなる。
　一方で、蛍光ドーパントによる発光は、生成された励起子の数に占める発光に寄与する励起子の数の比率を示す、最大内部量子効率が理論上２５％という低い値である。電界発光素子における最大外部量子効率（発光効率）は、最大内部量子効率に比例する。このため、蛍光ドーパントを含む電界発光素子においては、発光効率が低いという問題がある。
　本発明の一態様は、色再現性が高く、かつ発光効率が高い発光装置などを実現することを目的とする。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光装置は、互いに異なるピーク波長の発光スペクトルを有する光を発するｎ個（ｎは２以上の自然数）の電界発光素子を備える発光装置であって、ｎ個の前記電界発光素子はそれぞれ、光を発する発光層を備え、前記発光層は、キャリアを輸送するホスト材料と、発光に寄与する発光ドーパントと、を含み、ｎ個の前記電界発光素子のうちｍ個（１≦ｍ≦ｎ－１）は、前記発光層に、前記発光ドーパントとしての蛍光ドーパントを含むとともに、熱活性化遅延蛍光材料からなる熱活性化アシストドーパントをさらに含む。
　本発明の一態様に係る発光装置によれば、色再現性が高く、かつ発光効率が高い発光装置などを実現することができる。
実施形態１の発光装置が備える発光層の詳細な構成を示す断面図である。 実施形態１の発光装置の概略的な構成を示す断面図である。 緑色光を発する発光ドーパントの発光スペクトルを示すグラフである。 実施形態２の発光装置が備える発光層の詳細な構成を示す断面図である。 実施形態３の発光装置が備える発光層の詳細な構成を示す断面図である。 実施形態４の発光装置の概略的な構成を示す断面図である。 実施形態４の発光装置が備える発光層の詳細な構成を示す断面図である。
　〔実施形態１〕
　図２は、実施形態１の発光装置１の概略的な構成を示す断面図である。発光装置１は、表示装置１００の光源として用いられる。つまり、表示装置１００は、発光装置１を光源として備えている。なお、図２においては表示装置１００が備える発光装置１が１つのみ示されているが、実際には表示装置１００は、発光装置１を複数備える。発光装置１が備える各部材のうち、実施形態１とは関係しない部材については説明を省略する。これらの説明を省略する部材は、公知のものと同様であると理解されてよい。また、各図面は、各部材の形状、構造、および位置関係を概略的に説明するものであり、必ずしもスケール通りに描かれていないことに留意されたい。
　（発光装置１の構成）
　発光装置１は、表示装置１００の各画素を点灯させる光源である。実施形態１では、表示装置１００は、ＲＧＢ（Red，Green，Blue）の複数の画素によって画像を表現する。以下、青色画素（Ｂ画素、第１の電界発光素子）をＰｂ、緑色画素（Ｇ画素、第２の電界発光素子）をＰｇ、赤色画素（Ｒ画素、第３の電界発光素子）をＰｒと称する。
　発光装置１において、赤色画素Ｐｒ、緑色画素Ｐｇ、および青色画素Ｐｂのそれぞれは、遮光部材９９（例：ブラックマトリクス）によって区切られていてもよい。遮光部材９９によって各画素を区切ることにより、各画素の輪郭が強調される。それゆえ、表示装置１００の表示面（不図示）に表示される画像のコントラストが向上する。
　発光装置１において、陽極１７から陰極１１に向かう方向を上方向と称する。また、上方向とは反対の方向を下方向と称する。発光装置１は、陽極１７から上方向に向かって、陽極１７、正孔注入層（Hole Injection Layer，ＨＩＬ）１６、正孔輸送層（Hole Transportation Layer，ＨＴＬ）１５、発光層１４、電子輸送層（Electron Transportation Layer，ＥＴＬ）１３、電子注入層（Electron Injection Layer，ＥＩＬ）１２、および陰極１１を、この順に備えている。
　陰極１１～陽極１７は、陽極１７の下方に設けられた基板２０によって支持されている。一例として、発光装置１を製造する場合には、基板２０上に、陽極１７、正孔注入層１６、正孔輸送層１５、発光層１４、電子輸送層１３、電子注入層１２、および陰極１１が、この順で形成（成膜）される。図２に示すように、青色画素Ｐｂ、緑色画素Ｐｇ、および赤色画素Ｐｒは、基板２０に平行な方向において互いにオーバーラップすることなく配されている。
　基板２０は、透光性の高い基板（例：ガラス基板またはプラスチック基板）であってもよいし、透光性の低い基板（例：フレキシブル基板または金属基板）であってもよい。発光装置１は、陰極１１～陽極１７を封止（保護）する封止ガラス１７０をさらに備える。封止ガラス１７０は、封止樹脂１７１（例：接着剤）によって、基板２０に固定されている。なお、発光装置１は、封止ガラス１７０に代えて、例えば、ＴＦＥ（Thin Film Encapsulation）膜などの封止膜を備えていてもよい。
　陰極１１～陽極１７はそれぞれ、青色画素Ｐｂ、緑色画素Ｐｇ、および赤色画素Ｐｒのそれぞれに、個別に設けられてよい。例えば、陰極１１は、青色画素Ｐｂに設けられた陰極１１ｂ、緑色画素Ｐｇに設けられた陰極１１ｇ、および赤色画素Ｐｒに設けられた陰極１１ｒを含む。
　このように、図２では、添字「ｂ、ｇ、ｒ」を付して、青色画素Ｐｂ、緑色画素Ｐｇ、および赤色画素Ｐｒのそれぞれに対応する部材を必要に応じて区別している。このことは、電子注入層１２（１２ｂ・１２ｇ・１２ｒ）、電子輸送層１３（１３ｂ・１３ｇ・１３ｒ）、発光層１４（１４ｂ・１４ｇ・１４ｒ）、正孔輸送層１５（１５ｂ・１５ｇ・１５ｒ）、正孔注入層１６（１６ｂ・１６ｇ・１６ｒ）、および陽極１７（１７ｂ・１７ｇ・１７ｒ）についても同様である。
　（発光層１４以外の構成）
　実施形態１では、陰極１１（カソード）は、例えば半透明のＭｇ‐Ａｇ合金によって構成されている。つまり、陰極１１は、発光層１４から発せられた光を透過する透過性電極である。したがって、発光層１４から発せられた光のうち、上方向に向かう光が、陰極１１を透過する。このように、発光装置１は、発光層１４から発せられた光を上方向に出射できる。
　これに対して、陽極１７（アノード）は、例えばＡｇ‐Ｐｄ‐Ｃｕ合金上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide，インジウムスズ酸化物）が積層された構成を有する。上記構成を有する陽極１７は、発光層１４から発せられた光（青色光Ｌｂ、緑色光Ｌｇ、および赤色光Ｌｒ）を反射する反射性電極である。したがって、発光層１４から発せられた光のうち、下方向に向かう光（不図示）が、陽極１７によって反射される。
　以上のとおり、発光装置１においては、発光層１４から上方向に発せられた光、および下方向に発せられた光の両方を、陰極１１（上方向）へと向かわせることができる。すなわち、発光装置１は、陽極および陰極による光反射のキャビティを利用した、トップエミッション型の発光装置として構成されている。したがって、発光層１４から発せられた光の利用効率を向上させることができる。なお、上述した陰極１１および陽極１７の構成は一例であり、別の構成を有していてもよい。
　電子輸送層１３は、電子輸送性に優れた材料を含む。電子輸送層１３によれば、陰極１１から発光層１４への電子の供給を促進できる。電子輸送層１３は、電子注入層（Electron Injection Layer，ＥＩＬ）の役割を併有してもよい。正孔注入層１６は、陽極１７から発光層１４への電子の注入を促進する層である。正孔注入層１６は、正孔注入性に優れた材料を含む。また、正孔輸送層１５は、正孔輸送性に優れた材料を含む。正孔注入層１６および正孔輸送層１５によれば、陽極１７から発光層１４への正孔の供給を促進できる。
　陽極１７と陰極１１との間に順方向の電圧を印加する（陽極１７を陰極１１よりも高電位にする）ことにより、（ｉ）陰極１１から発光層１４へと電子を供給するとともに、（ｉｉ）陽極１７から発光層１４へと正孔を供給できる。その結果、発光層１４において、正孔と電子との結合に伴って光を発生させることができる。上記電圧の印加は、不図示のＴＦＴ（Thin Film Transistor，薄膜トランジスタ）によって制御されてよい。
　（発光層１４の構成）
　図１は、発光装置１が備える発光層１４の詳細な構成を示す断面図である。なお、図１における発光層１４の、紙面における縦横比は、図２における発光層１４の紙面における縦横比と異なっている。これは見やすさを考慮して縦横比を変更しているのみであり、実際には図１における発光層１４と、図２における発光層１４とは互いに同じものである。
　発光層１４は、青色画素Ｐｂに設けられた青色発光層１４ｂ、緑色画素Ｐｇに設けられた緑色発光層１４ｇ、および赤色画素Ｐｒに設けられた赤色発光層１４ｒを含む。青色発光層１４ｂ、緑色発光層１４ｇ、および赤色発光層１４ｒはそれぞれ、キャリアを輸送するホスト材料３０ｂ、３０ｇおよび３０ｒと、発光に寄与する発光ドーパント１８ｂ、１８ｇおよび１８ｒとを含む。発光ドーパントは、陽極１７から供給された正孔と陰極１１から供給された電子との結合に伴って励起子を生成し、当該励起子が基底状態に遷移するときに光を発する。
　青色発光層１４ｂは、発光ドーパント１８ｂとして、青色光を発する蛍光ドーパントを含む。蛍光ドーパントは、例えばDPVBi（4,4'-ビス(2,2-ジフェニルビニル)ビフェニル）であってよい。この場合、青色発光層１４ｂが発する青色光は、４４５ｎｍ付近にピークを有する発光スペクトルを示す。
　青色発光層１４ｂのホスト材料３０ｂは、ＴＴＡ（Triplet-Triplet Annihilation）ホスト材料として、例えばアダマンタンアントラセンであってよい。ＴＴＡホスト材料はＴＴＡによって二つの三重項励起子から一つの一重項励起子を生成し、エネルギー移動によって蛍光ドーパントの一重項励起子から遅延蛍光としての発光が得られる。青色発光層１４ｂ全体の質量に対する蛍光ドーパントの質量比は、例えば３ｗｔ％であってよい。
　緑色発光層１４ｇは、発光ドーパント１８ｇとして、緑色光を発する蛍光ドーパントを含む。蛍光ドーパントは、例えばBodipy（N,N'-Difluoroboryl-1,9-dimethyl-5-phenydipyrrin）であってよい。この場合、緑色発光層１４ｇが発する緑色光は、５２０ｎｍ付近にピークを有する発光スペクトルを示す。
　また、緑色発光層１４ｇは、熱活性化アシストドーパント１９ｇをさらに含む。熱活性化アシストドーパント１９ｇは、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ、Thermally Activated Delayed Fluorescence）材料を用いて構成されている。具体的には、熱活性化アシストドーパント１９ｇは、例えばACRXTN（3-(9,9-dimethylacridin-10(9H)-yl)-9H-xanthen-9-one）であってよい。
　緑色発光層１４ｇにおいて、ホスト材料３０ｇは、例えばmCP（1,3-ジ-9-カルバゾリルベンゼン）であってよい。熱活性化アシストドーパント１９ｇを含む緑色発光層１４ｇ全体の質量に対する蛍光ドーパントの質量比は、０．１ｗｔ％以上かつ２０ｗｔ％以下の範囲内であることが好ましく、０．５ｗｔ％以上かつ１０ｗｔ％以下の範囲内であることがより好ましい。より具体的には、緑色発光層１４ｇ全体の質量に対する蛍光ドーパントの質量比は、例えば１ｗｔ％であってよい。また、緑色発光層１４ｇ全体の質量に対する熱活性化アシストドーパントの質量比は、０．５ｗｔ％以上かつ７０ｗｔ％以下の範囲内であることが好ましく、１ｗｔ％以上かつ５０ｗｔ％以下の範囲内であることがより好ましい。
　赤色発光層１４ｒは、発光ドーパント１８ｒとして、赤色光を発するりん光ドーパントを含む。りん光ドーパントは、例えばBtp2Ir(acac)（ビス-（3-（2-（2-ピリジル）ベンゾチエニル）モノ-アセチルアセトネート）イリジウム（III）））であってよい。この場合、赤色発光層１４ｒが発する赤色光は、６２０ｎｍ付近にピークを有する発光スペクトルを示す。
　赤色発光層１４ｒにおいて、ホスト材料３０ｒは、例えばCDBP（4,4'-ビス(カルバゾール-9-イル)-2,2'-ジメチルビフェニル）であってよい。赤色発光層１４ｒ全体の質量に対するりん光ドーパントの質量比は、例えば１０ｗｔ％であってよい。
　図３は、緑色光を発する発光ドーパントの発光スペクトルを示すグラフである。図３においては、緑色光を発するりん光ドーパントの発光スペクトルは実線で示されている。また、図３においては、緑色光を発する蛍光ドーパントの発光スペクトルは破線で示されている。
　図３に示すように、一般に蛍光ドーパントの発光スペクトルのピークは、りん光ドーパントの発光スペクトルのピークよりも鋭い。
　発光スペクトル幅が狭ければ、陽極および陰極による光反射のキャビティを利用したトップエミッション型の電界発光素子では、発光装置に対して正面と斜めの方向における色ずれが抑制される。このため、正面だけでなく斜めも含めた発光装置の色再現性を向上させる上では、発光ドーパントとしてスペクトル幅の狭い蛍光ドーパントを用いることが好ましい。
　しかし、りん光ドーパントの最大内部量子効率は、理論上は１００％であるのに対し、蛍光ドーパントの最大内部量子効率は、理論上でも２５％しかない。その理由は以下の通りである。
　励起子のエネルギー準位には、一重項準位と三重項準位との２種類が存在する。一重項準位から基底準位に輻射遷移する過程は蛍光と称される。一方、三重項準位から基底準位に輻射遷移する過程はりん光と称される。有機分子の場合、一重項準位の励起子の生成確率は２５％である。一方、三重項準位の励起子の生成確率は７５％である。
　りん光ドーパントは、一重項準位および三重項準位の、両方の励起子を発光に用いることができる。一方、蛍光ドーパントは、一重項準位の励起子のみしか発光に用いることができない。このために、りん光ドーパントと蛍光ドーパントとでは、上述した最大内部量子効率の差が生じる。
　電界発光素子の最終的な発光効率は、最大内部量子効率に比例する。このため、一般に、発光ドーパントとして蛍光ドーパントを用いると、発光効率が低下する。
　しかしながら、本実施形態の緑色発光層１４ｇにおいては、熱活性化アシストドーパントでは、室温程度のエネルギーで三重項準位の励起子が一重項準位に項間交差する。これにより、三重項準位に励起された励起子についても、一重項準位に項間交差し、蛍光ドーパントの一重項準位へエネルギー移動することで、蛍光ドーパントにおける発光に寄与することが可能となる。このため、緑色発光層１４ｇにおいては、最終的には生成された励起子の全てが発光に寄与することとなる。したがって、緑色発光層１４ｇにおける最大内部量子効率は、理論上１００％となり、最終的な発光効率も向上する。
　（発光装置１の効果）
　以上のとおり、本実施形態の発光装置１は、発光スペクトルの半値幅が狭い蛍光ドーパントを、高い内部量子効率で発光させることが可能な、緑色画素Ｐｇを備える。したがって、発光装置１は、色再現性の向上と、発光効率の向上とを両立することができる。
　なお、発光装置１が備える画素（電界発光素子）の数は３個に限定されない。すなわち、発光装置１は、互いに異なるピーク波長の発光スペクトルを有する光を発するｎ個（ｎは２以上の自然数）の画素を備えていてよい。この場合、ｎ個の画素のうちｍ個（１≦ｍ≦ｎ－１）が、発光層に蛍光ドーパントを含むとともに、熱活性化アシストドーパントをさらに含んでいればよい。
　（変形例）
　上述した例では、青色発光層１４ｂは、発光ドーパントとして蛍光ドーパントを含んでいた。しかし、本開示の一態様において、青色発光層は、発光ドーパントとしてりん光ドーパントを含んでいてもよい。青色発光層が発光ドーパントとしてりん光ドーパントを含む場合、当該りん光ドーパントが、例えばFIrpic（ビス(3,5-ジフルオロ-2-(2-ピリジルフェニル-(2-カルボキシピリジル)イリジウム(III)）であってよい。この場合、青色発光層が発する青色光は、４７０ｎｍ付近にピークを有する発光スペクトルを示す。
　また、青色発光層が発光ドーパントとしてりん光ドーパントを含む場合、青色発光層のホスト材料３０ｂは、例えばｍＣＰであってよい。この場合、青色発光層全体の質量に対するりん光ドーパントの質量比は、例えば１０ｗｔ％であってよい。このような青色発光層を含む発光装置も、上述した発光装置１と同様の効果を奏する。
　〔実施形態２〕
　本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　図４は、本実施形態における発光層１４の詳細な構成を示す断面図である。
　実施形態１においては、緑色画素Ｐｇの緑色発光層１４ｇが、熱活性化アシストドーパント１９ｇを含んでいた。これに対し、本実施形態では、緑色発光層１４ｇではなく、赤色画素Ｐｒの赤色発光層１４ｒが、熱活性化アシストドーパント１９ｒを含んでいる。
　具体的には、本実施形態では、赤色発光層１４ｒは、発光ドーパント１８ｒとして、赤色光を発する蛍光ドーパントを含む。蛍光ドーパントは、例えばDCM2（4-(ジシアノメチレン)-2-メチル-6-[2-(2,3,6,7-テトラヒドロ-1H,5H-ベンゾ[ij]キノリジン-9-イル)ビニル]-4H-ピラン）であってよい。この場合、赤色発光層１４ｒが発する赤色光は、６３０ｎｍ付近にピークを有する発光スペクトルを示す。
　また、本実施形態では、赤色発光層１４ｒは、熱活性化アシストドーパント１９ｒをさらに含む。熱活性化アシストドーパントは、例えばtri-PXZ-TRZ（2,4,6-tri(4-(10H-phenoxazin-10H-yl)phenyl)-1,3,5-triazine）であってよい。
　赤色発光層１４ｒが熱活性化アシストドーパント１９ｒを含む場合、赤色発光層１４ｒのホスト材料３０ｒは、例えばＣＢＰであってよい。この場合、赤色発光層１４ｒ全体の質量に対する蛍光ドーパントの質量比は、０．１ｗｔ％以上かつ２０ｗｔ％以下の範囲内であることが好ましく、０．５ｗｔ％以上かつ１０ｗｔ％以下の範囲内であることがより好ましい。より具体的には、赤色発光層１４ｒ全体の質量に対する蛍光ドーパントの質量比は、例えば１ｗｔ％であってよい。また、赤色発光層１４ｒ全体の質量に対する熱活性化アシストドーパントの質量比は、０．５ｗｔ％以上かつ７０ｗｔ％以下の範囲内であることが好ましく、１ｗｔ％以上かつ５０ｗｔ％以下の範囲内であることがより好ましい。より具体的には、赤色発光層１４ｒ全体の質量に対する熱活性化アシストドーパントの質量比は、例えば１５ｗｔ％であってよい。
　一方、本実施形態では、緑色発光層１４ｇは、発光ドーパント１８ｇとしてりん光ドーパントを含む。りん光ドーパントは、例えばIr(ppy)3（トリス(2-フェニルピリジナト)イリジウム(III)）であってよい。この場合、緑色発光層１３ｇが発する緑色光は、５２０ｎｍ付近にピークを有する発光スペクトルを示す。
　緑色発光層１４ｇがりん光ドーパントを含む場合、緑色発光層１４ｇのホスト材料３０ｂは、例えばCBP（4，4'-ジ（N-カルバゾリル）ビフェニル）であってよい。緑色発光層１４ｇ全体の質量に対するりん光ドーパントの質量比は、例えば１０ｗｔ％であってよい。
　以上のとおり、緑色発光層１４ｇではなく、赤色発光層１４ｒが熱活性化アシストドーパント１９ｒを含むことによっても、発光装置１の色再現性の向上と、エネルギー効率の向上とを両立することができる。また、本実施形態においても青色画素Ｐｂの青色発光層１４ｂは熱活性化アシストドーパントを含まないため、発光装置１の寿命の低下が抑制される。
　〔実施形態３〕
　図５は、本実施形態における発光層１４の詳細な構成を示す断面図である。実施形態１および２ではそれぞれ、緑色発光層１４ｇおよび赤色発光層１４ｒのうち、いずれか一方のみが熱活性化アシストドーパント１９ｒまたは１９ｇを含んでいた。本実施形態では、図５に示すように、緑色発光層１４ｇが熱活性化アシストドーパント１９ｇを含み、かつ赤色発光層１４ｒが熱活性化アシストドーパント１９ｒを含む。
　緑色発光層１４ｇにおける熱活性化アシストドーパント１９ｇの種類、並びに、緑色発光層１４ｇ全体の質量に対する蛍光ドーパントおよび熱活性化アシストドーパントの質量比は、実施形態１において説明したものと同様でよい。また、赤色発光層１４ｒにおける熱活性化アシストドーパント１９ｒの種類、並びに、赤色発光層１４ｒ全体の質量に対する蛍光ドーパントおよび熱活性化アシストドーパントの質量比は、実施形態２において説明したものと同様でよい。
　以上のとおり、緑色発光層１４ｇおよび赤色発光層１４ｒがそれぞれ熱活性化アシストドーパント１９ｇまたは熱活性化アシストドーパント１９ｒを含むことで、発光装置１の色再現性を一層向上し、かつエネルギー効率を向上させることができる。また、本実施形態においても青色画素Ｐｂの青色発光層１４ｂは熱活性化アシストドーパントを含まないため、発光装置１の寿命の低下が抑制される。
　〔実施形態４〕
　図６は、本実施形態に係る発光装置１Ａの詳細な構成を示す断面図である。発光装置１Ａは、表示装置１００Ａの光源として用いられる。つまり、表示装置１００Ａは、発光装置１Ａを光源として備えている。
　発光装置１Ａは、青色画素Ｐｂ（Ｂ画素、第１の電界発光素子）、緑色画素Ｐｇ（Ｇ画素、第２の電界発光素子）、および赤色画素Ｐｒ（Ｒ画素、第３の電界発光素子）に加えて、さらに黄色画素Ｐｙ（Ｙ画素、第４の電界発光素子）を備える点で、実施形態１の発光装置１と相違する。黄色画素Ｐｙは、黄色光を発する。
　図７は、発光装置１Ａが備える発光層１４Ａの構成を示す図である。図７に示すように、発光層１４Ａは、青色発光層１４ｂ、緑色発光層１４ｇ、および赤色発光層１４ｒに加えて、さらに黄色発光層１４ｙを備える。
　黄色発光層１４ｙは、発光ドーパント１８ｙとして、黄色光を発するりん光ドーパントを含む。りん光ドーパントは、例えばIr(BT)2(acac)（Bis(2-benzo[b]thiophen-2-ylpyridine)(acetylacetonate)iridium(III)）であってよい。この場合、黄色発光層１４ｙが発する黄色光は、５８０ｎｍ付近にピークを有する発光スペクトルを示す。
　黄色発光層１４ｙのホスト材料３０ｙは、例えばＣＢＰであってよい。また、黄色発光層１４ｙ全体の質量に対するりん光ドーパントの質量比は、例えは１０ｗｔ％であってよい。このような発光装置１Ａによっても、色再現性の向上と、発光効率の向上とを両立することができる。
　図７に示す例では、発光層１４Ａにおいて、緑色発光層１４ｇのみが熱活性化アシストドーパント１９ｇを含んでいる。しかし、本実施形態の発光層１４Ａにおいては、緑色発光層１４ｇ、赤色発光層１４ｒ、および黄色発光層１４ｙの少なくとも１つが熱活性化アシストドーパントを含んでいればよく、また緑色発光層１４ｇ、赤色発光層１４ｒ、および黄色発光層１４ｙの全てが熱活性化アシストドーパントを含んでいてもよい。
　黄色発光層１４ｙが熱活性化アシストドーパントを含む場合、当該熱活性化アシストドーパントは、例えばPXZ-TRX（2-phenoxazine-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine）であってよい。また、黄色発光層１４ｙが熱活性化アシストドーパントを含む場合、黄色発光層１４ｙは、発光ドーパントとして蛍光ドーパントを含む。蛍光ドーパントは、例えばTBRb（2,8-di-tert-butyl-5,11-bis(4-tert-butylphenyl)-6,12-diphenyltetracene）であってよい。この場合、黄色発光層が発する黄色光は、５７０ｎｍ付近にピークを有する発光スペクトルを示す。
　黄色発光層１４ｙが熱活性化アシストドーパントを含む場合、黄色発光層１４ｙのホスト材料３０ｙは、例えばmCBP（3,3-di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl）であってよい。黄色発光層１４ｙ全体の質量に対する蛍光ドーパントの質量比は、０．１ｗｔ％以上かつ２０ｗｔ％以下の範囲内であることが好ましく、０．５ｗｔ％以上かつ１０ｗｔ％以下の範囲内であることがより好ましい。より具体的には、黄色発光層１４ｙ全体の質量に対する蛍光ドーパントの質量比は、例えば１ｗｔ％であってよい。また、黄色発光層１４ｙ全体の質量に対する熱活性化アシストドーパントの質量比は、０．５ｗｔ％以上かつ７０ｗｔ％以下の範囲内であることが好ましく、１ｗｔ％以上かつ５０ｗｔ％以下の範囲内であることがより好ましい。より具体的には、黄色発光層１４ｙ全体の質量に対する熱活性化アシストドーパントの質量比は、例えば２５ｗｔ％であってよい。
　（比較例）
　なお、さらに色再現性を向上し、かつ発光効率を向上させる方法として、青色画素Ｐｂの青色発光層１４ｂに熱活性化アシストドーパントを含ませることも考えられる。この場合、アシストドーパントの例としては、ＡＣＲＳＡ（10-phenyl-10H,10’H-spiro[acridine-9,9’-anthracen]-10’-one）などが挙げられる。
　しかしながら、本願発明者が、青色画素Ｐｂの青色発光層１４ｂに、例えば上述したＡＣＲＳＡなどの熱活性化アシストドーパントを含ませた発光装置を製造する実験を行ったところ、青色画素Ｐｂの寿命が著しく短くなるという問題が生じた。
　これに対し、赤色画素Ｐｒの赤色発光層１４ｒ、および／または緑色画素Ｐｇの緑色発光層１４ｇに熱活性化アシストドーパントを含ませた場合、発光装置１の実用上において問題となる寿命の短縮は生じなかった。すなわち、発光装置１は、赤色発光層１４ｒおよび／または緑色発光層１４ｇが熱活性化ドーパントを含み、かつ青色画素Ｐｂの青色発光層１４ｂが熱活性化アシストドーパントを含まないことで、色再現性の向上と発光効率の向上とを両立した上で、さらに発光装置１の寿命の短縮を抑制することができる。
　具体的に言えば、ｎ個の電界発光素子の中で、特に青色発光層１４ｂに熱活性化アシストドーパントを含めた場合、次のような問題を生じることがあった。
　一般に熱活性化アシストドーパントを含む発光層１４を有する発光装置１の電界発光までには次の光物理過程を経る。すなわち、陰極１１および陽極１７からそれぞれ供給された電子と正孔が熱活性化アシストドーパントで再結合し、一重項励起子が２５％、三重項励起子が７５％の確率で励起子生成される。三重項励起子の無輻射失活速度定数が小さい場合、熱活性化アシストドーパントの一重項励起子と三重項励起子とはエネルギーが近いため、常温程度の熱により三重項励起子から一重項励起子へ項間交差が起こる。更に、（ｉ）ホスト材料の一重項励起子および三重項励起子のエネルギーが熱活性化アシストドーパントの三重項励起子のエネルギーよりも大きく、（ｉｉ）熱活性化アシストドーパントと蛍光ドーパントとの距離が10nm程度よりも近く、かつ（ｉｉｉ）熱活性化アシストドーパントの発光スペクトルと蛍光ドーパントの吸収スペクトルとの重なりが大きいとき、熱活性化アシストドーパントの一重項励起子から蛍光ドーパントの一重項励起子へ効率よくエネルギー移動が起こり、蛍光ドーパントから効率よく発光する。
　また、ホスト材料が無い場合には、隣接する熱活性化アシストドーパント同士の距離が近いために、三重項励起子同士の相互作用により無輻射失活する（三重項-三重項失活）確率が高いため、効率の良い発光が得られない。よって、効率の良い発光のためにはホスト材料が必要となる。
　また、効率の良い発光には、ホスト材料の一重項励起子および三重項励起子のエネルギーが熱活性化アシストドーパントの三重項励起子のエネルギーよりも大きい必要がある。しかし、エネルギーギャップの大きいホスト材料を用いると、陽極および陰極から発光層・熱活性化アシストドーパントに正孔および電子が注入・輸送される際、正孔はホスト材料のHOMO準位および電子はホスト材料のLUMO準位に注入およびその準位を輸送される。このため、それらの大きなギャップに対応するための大きな外部電圧が必要となり、駆動電圧が高くなってしまう。
　以上のために、青色発光層１４ｂに熱活性化アシストドーパントを含めた場合、青色のエネルギーギャップに相当する励起子を熱活性化アシストドーパントで生成し、それが効率よく蛍光材料にエネルギー移動して発光するためには、ホスト材料の一重項励起子および三重項励起子のエネルギーは、熱活性化アシストドーパントの一重項励起子および三重項励起子のエネルギーよりも大きい必要がある。しかし、ホスト材料のエネルギーギャップが大きくなれば、それに対応する駆動電圧も高くする必要がある。青色は他の色（例えば緑色や赤色）と比較して高エネルギーの光であるため、他の色を発光させる場合よりも駆動電圧が高くなるという問題を生じることがあった。
　また、発光装置１を表示装置１００に用いる場合に、他の色（例えば緑色や赤色）の電界発光素子の駆動電圧よりも大幅に上昇した駆動電圧は回路の設計を困難とする。また、上記駆動電圧は、青色の低輝度表示において、隣接する他の色（例えば緑色や赤色）のデバイスが同時に発光してしまうといったクロストーク（青色デバイスに電圧を印加しているにもかかわらず、隣接する他の色の発光層に電流がリークして発光する現象）と言われる現象を引き起こしてしまうという問題を生じることがあった。
　更には、ホスト材料の分子設計において、（ｉ）一重項励起子および三重項励起子のエネルギーが熱活性化アシストドーパントの一重項ないしは三重項励起子のエネルギーよりも大きく、かつ（ｉｉ）高い電荷輸送性能を有する分子構造の設計のためには、小さい分子構造でありながら共役系を発達させるという相矛盾する設計が必要であり困難を極めることとなった。
　また、青色に相当する大きなエネルギーギャップを有するホスト材料や熱活性化アシストドーパントにおいて、正孔または電子を輸送する際のラジカルアニオンまたはラジカルカチオン状態および励起子状態は他の色（例えば緑色や赤色）の材料に比べてエネルギーが高いために活性が高く、ラジカルアニオン、ラジカルカチオン、および励起状態の分子は不安定であり、またこれらの大きなエネルギーは、ホスト材料または熱活性化アシストドーパントの分子構造の一部の結合を開裂するエネルギーにも相当するため、表示装置（有機ELデバイス）の駆動寿命が短いという問題を生じることがあった。
　これに対して、上記の各実施形態では、青色発光層１４ｂに熱活性化アシストドーパントを含めていないので、上述したような様々な問題を生じることを防いだ高性能な発光装置及び表示装置を容易に構成することができる。
　なお、上記の説明では、各実施形態の発光装置１および１Ａをそれぞれ表示装置１００および１００Ａに適用した場合について説明した。しかし、本発明の発光装置１および１Ａが適用される装置は、表示装置１００または１００Ａに限定されるものではなく、例えば照明装置などであってもよい。
　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係る発光装置（１）は、互いに異なるピーク波長の発光スペクトルを有する光を発するｎ個（ｎは２以上の自然数）の電界発光素子を備える発光装置であって、ｎ個の前記電界発光素子はそれぞれ、光を発する発光層を備え、前記発光層は、キャリアを輸送するホスト材料と、発光に寄与する発光ドーパントと、を含み、ｎ個の前記電界発光素子のうちｍ個（１≦ｍ≦ｎ－１）は、前記発光層に、前記発光ドーパントとしての蛍光ドーパントを含むとともに、熱活性化遅延蛍光材料からなる熱活性化アシストドーパントをさらに含む。
　上記の構成によれば、ｎ個の前記電界発光素子のうちｍ個は、発光スペクトルが鋭いピークを有する蛍光ドーパントを発光ドーパントとして含む。さらに、当該ｍ個の電界発光素子は、熱活性化アシストドーパントを含むことで、最大内部量子効率を理論上１００％とすることができる。したがって、当該ｍ個の電界発光素子において色再現性が高く、かつ発光効率が高い発光装置を実現できる。
　本発明の態様２に係る発光装置は、前記電界発光素子として、青色光を発する第１の電界発光素子、緑色光を発する第２の電界発光素子、および赤色光を発する第３の電界発光素子を少なくとも備え、前記第２の電界発光素子および前記第３の電界発光素子の一方の前記発光層が、前記蛍光ドーパントおよび前記熱活性化アシストドーパントを含み、前記第２の電界発光素子および前記第３の電界発光素子の他方の前記発光層が、前記発光ドーパントとしてのりん光ドーパントを含む。
　上記の構成によれば、発光装置において、緑色光を発する電界発光素子、および、赤色光を発する電界発光素子のうち、少なくとも一方において、色再現性が高く、かつ発光効率が高くなる。したがって、発光装置全体としても、色再現性が高く、かつ発光効率が高くなる。
　さらに、発光装置において、青色光を発する電界発光素子は熱活性化アシストドーパントを含まない。熱活性化アシストドーパントを含む電界発光素子においては発光ドーパントの寿命が短くなり、特に青色に発光する発光ドーパントの寿命は著しく短くなる。したがって、青色光を発する電界発光素子が熱活性化アシストドーパントを含まないことで、発光装置全体としての寿命の短縮が抑制される。
　本発明の態様３に係る発光装置は、前記電界発光素子として、青色光を発する第１の電界発光素子、緑色光を発する第２の電界発光素子、および赤色光を発する第３の電界発光素子を少なくとも備え、前記第２の電界発光素子および前記第３の電界発光素子の、それぞれの前記発光層が、前記蛍光ドーパントおよび前記熱活性化アシストドーパントを含む。
　上記の構成によれば、態様２の発光装置よりも、さらに色再現性が高く、かつ発光効率が高くなる。
　本発明の態様４に係る発光装置は、前記電界発光素子として、青色光を発する第１の電界発光素子、緑色光を発する第２の電界発光素子、赤色光を発する第３の電界発光素子、および黄色光を発する第４の電界発光素子を少なくとも備え、前記第２の電界発光素子、前記第３の電界発光素子、および前記第４の電界発光素子の少なくとも一つの前記発光層は、前記蛍光ドーパントおよび前記熱活性化アシストドーパントを含み、前記第２の電界発光素子、前記第３の電界発光素子、および前記第４の電界発光素子の残りの前記発光層が、前記発光ドーパントとしてのりん光ドーパントを含む。
　上記の構成によれば、態様２と同様の効果を奏する。
　本発明の態様５に係る発光装置は、前記電界発光素子として、青色光を発する第１の電界発光素子、緑色光を発する第２の電界発光素子、赤色光を発する第３の電界発光素子、および黄色光を発する第４の電界発光素子を少なくとも備え、前記第２の電界発光素子、前記第３の電界発光素子、および前記第４の電界発光素子の、それぞれの前記発光層が、前記蛍光ドーパントおよび前記熱活性化アシストドーパントを含む。
　上記の構成によれば、態様３と同様の効果を奏する。
　上記の構成によれば、第２の電界発光素子、および／または第３の電界発光素子が熱活性化アシストドーパントを含む場合において、アシストドーパント、蛍光ドーパントおよびホスト材料の種類および比率が適切な範囲内に収まる。したがって、第２の電界発光素子、および／または第３の電界発光素子における発光効率が特に向上する。
　本発明の態様６に係る発光装置において、前記第１の電界発光素子の発光層は、発光ドーパントとしての蛍光ドーパントを含む。
　上記の構成によれば、第１の電界発光素子は、蛍光ドーパントにより光を発することができる。
　本発明の態様７に係る発光装置において、前記第１の電界発光素子の発光層は、ホスト材料としてＴＴＡ（Triplet-Triplet Annihilation）ホスト材料を含む。
　上記の構成によれば、第１の電界発光素子において、ホスト材料は二つの三重項励起子から一つの一重項励起子を生成する。さらに、ホスト材料から蛍光ドーパントへのエネルギー移動によって蛍光ドーパントの一重項励起子から遅延蛍光としての発光を得ることができる。
　本発明の態様８に係る発光装置において、前記第１の電界発光素子の発光層は、発光ドーパントとしてのりん光ドーパントを含む。
　上記の構成によれば、第１の電界発光素子は、りん光ドーパントにより光を発することができる。
　本発明の態様９に係る発光装置において、前記熱活性化アシストドーパントを含む前記発光層の質量に対する前記蛍光ドーパントの質量比は、０．１ｗｔ％以上かつ２０ｗｔ％以下の範囲内であり、前記ホスト材料の質量に対する前記熱活性化アシストドーパントの質量比は、０．５ｗｔ％以上かつ７０ｗｔ％以下の範囲内である。
　本発明の態様１０に係る表示装置は、上記態様１から９のいずれか１つに係る発光装置を備える。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　１、１Ａ　発光装置
　１３　発光層
　１８ｂ、１８ｇ、１８ｒ、１８ｙ　発光ドーパント
　１９ｇ、１９ｒ　熱活性化アシストドーパント
　３０ｂ、３０ｇ、３０ｒ、３０ｙ　ホスト材料
　１００、１００Ａ　表示装置
　Ｐｒ　赤色画素（電界発光素子）
　Ｐｇ　緑色画素（電界発光素子）
　Ｐｂ　青色画素（電界発光素子）
　Ｐｙ　黄色画素（電界発光素子）

Claims (10)

  1. 　互いに異なるピーク波長の発光スペクトルを有する光を発するｎ個（ｎは２以上の自然数）の電界発光素子を備える発光装置であって、
    　ｎ個の前記電界発光素子はそれぞれ、光を発する発光層を備え、
    　前記発光層は、キャリアを輸送するホスト材料と、発光に寄与する発光ドーパントと、を含み、
    　ｎ個の前記電界発光素子のうちｍ個（１≦ｍ≦ｎ－１）は、前記発光層に、前記発光ドーパントとしての蛍光ドーパントを含むとともに、熱活性化遅延蛍光材料からなる熱活性化アシストドーパントをさらに含む発光装置。
  2. 　前記電界発光素子として、青色光を発する第１の電界発光素子、緑色光を発する第２の電界発光素子、および赤色光を発する第３の電界発光素子を少なくとも備え、
    　前記第２の電界発光素子および前記第３の電界発光素子の一方の前記発光層が、前記蛍光ドーパントおよび前記熱活性化アシストドーパントを含み、
    　前記第２の電界発光素子および前記第３の電界発光素子の他方の前記発光層が、前記発光ドーパントとしてのりん光ドーパントを含む請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記電界発光素子として、青色光を発する第１の電界発光素子、緑色光を発する第２の電界発光素子、および赤色光を発する第３の電界発光素子を少なくとも備え、
    　前記第２の電界発光素子および前記第３の電界発光素子の、それぞれの前記発光層が、前記蛍光ドーパントおよび前記熱活性化アシストドーパントを含む請求項１に記載の発光装置。
  4. 　前記電界発光素子として、青色光を発する第１の電界発光素子、緑色光を発する第２の電界発光素子、赤色光を発する第３の電界発光素子、および黄色光を発する第４の電界発光素子を少なくとも備え、
    　前記第２の電界発光素子、前記第３の電界発光素子、および前記第４の電界発光素子の少なくとも一つの前記発光層は、前記蛍光ドーパントおよび前記熱活性化アシストドーパントを含み、
    　前記第２の電界発光素子、前記第３の電界発光素子、および前記第４の電界発光素子の残りの前記発光層が、前記発光ドーパントとしてのりん光ドーパントを含む請求項１に記載の発光装置。
  5. 　前記電界発光素子として、青色光を発する第１の電界発光素子、緑色光を発する第２の電界発光素子、赤色光を発する第３の電界発光素子、および黄色光を発する第４の電界発光素子を少なくとも備え、
    　前記第２の電界発光素子、前記第３の電界発光素子、および前記第４の電界発光素子の、それぞれの前記発光層が、前記蛍光ドーパントおよび前記熱活性化アシストドーパントを含む請求項１に記載の発光装置。
  6. 　前記第１の電界発光素子の発光層は、発光ドーパントとして蛍光ドーパントを含む請求項２～５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 　前記第１の電界発光素子の発光層は、ホスト材料としてＴＴＡ（Triplet-Triplet Annihilation）ホスト材料を含むことを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
  8. 　前記第１の電界発光素子の発光層は、発光ドーパントとしてりん光ドーパントを含む請求項２～５のいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 　前記発光層の質量に対する前記蛍光ドーパントの質量比は、０．１ｗｔ％以上かつ２０ｗｔ％以下の範囲内であり、
    　前記熱活性化アシストドーパントを含む前記発光層の質量に対する前記熱活性化アシストドーパントの質量比は、０．５ｗｔ％以上かつ７０ｗｔ％以下の範囲内である請求項１～８のいずれか１項に記載の発光装置。
  10. 　請求項１から９のいずれか１項に記載の発光装置を複数備える表示装置。
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