CN105576091B - 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法 - Google Patents

发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105576091B
CN105576091B CN201610048316.7A CN201610048316A CN105576091B CN 105576091 B CN105576091 B CN 105576091B CN 201610048316 A CN201610048316 A CN 201610048316A CN 105576091 B CN105576091 B CN 105576091B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
resin
emitting device
lead
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610048316.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105576091A (zh
Inventor
市川博史
林正树
笹冈慎平
三木伦英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=41796902&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN105576091(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Publication of CN105576091A publication Critical patent/CN105576091A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105576091B publication Critical patent/CN105576091B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/0053Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping
    • B29C45/0055Shaping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548Cross section geometry
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582Metallic layers on lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0095Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/56Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C2793/00Shaping techniques involving a cutting or machining operation
    • B29C2793/009Shaping techniques involving a cutting or machining operation after shaping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00012Relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12035Zener diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种引线框架与热硬化性树脂组合物的密接性较高、在短时间内制造多个发光装置的简易且低价的方法。本发明涉及一种发光装置的制造方法,该发光装置包含树脂封装体(20),该树脂封装体(20)热硬化后的于波长350nm~800nm的光反射率为70%以上,且在外侧面(20b)树脂部(25)与引线(22)形成在大致同一面,该制造方法包括下述步骤:由上模(61)与下模(62)夹持设置着切口部(21a)的引线框架(21);在由上模(61)与下模(62)夹持的模具(60)内,转送成形含有光反射性物质(26)的热硬化性树脂(23),在引线框架(21)形成树脂成形体(24);及沿切口部(21a)切断树脂成形体(23)与引线框架(21)。

Description

发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法
分案申请的相关信息
本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2009年8月27日、申请号为200980134526.6、发明名称为“发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法”的发明专利申请案。
技术领域
本发明涉及一种于照明器具、显示器、手机的背光源、动态图像照明辅助光源、其他的普通民用光源等中所使用的发光装置及发光装置的制造方法等。
背景技术
使用了发光元件的发光装置小型、功率效率佳且可进行鲜艳色彩的发光。而且,该发光元件为半导体元件,因此不存在产生熔断等的顾虑。此外具有初始驱动特性优异、耐振动及耐反复进行打开关闭(ON/OFF)点灯的特征。由于具有如此的优异特性,所以使用发光二极管(LED,light-emitting diode)、激光器二极管(LD,laser diode)等发光元件的发光装置被用作各种光源。
图14是表示先前的发光装置的制造方法的立体图。图15是表示先前的发光装置的中间体的立体图。图16是表示先前的发光装置的立体图。
先前,作为制造发光装置的方法而公开了如下的方法:由非透光性但具有光反射性的白色树脂嵌入成形出引线框架,并经由引线框架以特定的间隔成形出具有凹部形状的杯形的树脂成形体(例如,参照专利文献1)。此处未明示白色树脂的材质,但根据嵌入成形及图式来看,使用的是普通的热可塑性树脂。作为普通的热可塑性树脂,大多是将例如液晶聚合物、PPS(polyphenylenesulfide,聚苯硫醚)、尼龙等热可塑性树脂用作遮光性的树脂成形体(例如,参照专利文献2)。
然而,热可塑性树脂与引线框架的密接性较差,容易产生树脂部与引线框架的剥离。而且,由于热硬化性树脂的流动性较低,所以该树脂不适于成形出复杂形状的树脂成形体,且其耐光性也较差。尤其近年来发光元件的输出飞速提高,随着谋求发光元件的高输出化,包含热可塑性树脂的封装体的光劣化变得显著。
为了解决所述问题,公开了一种于树脂成形体的材料中使用热硬化性树脂的发光装置(例如,参照专利文献3)。图17是表示先前的发光装置的立体图及剖面图。图18是表示先前的发光装置的制造方法的概略剖面图。该发光装置为如下:利用冲孔或蚀刻等周知的方法由金属箔形成金属配线,然后,将金属配线配置于特定形状的模具中,从模具的树脂注入口注入热硬化性树脂并进行转送成形。
然而,该制造方法难以在短时间内制造出多个发光装置。而且,存在相对于一个发光装置而废弃的浇道部分的树脂变为大量的问题。
作为不同的发光装置及其制造方法,公开了一种在配线基板上具有光反射用热硬化性树脂组合物层的光半导体元件搭载用封装基板及其制造方法(例如,参照专利文献4)。图19是表示先前的发光装置的制造步骤的概略图。该光半导体元件搭载用封装基板为如下:将平板状的印刷配线板安装在模具中,注入光反射用热硬化性树脂组合物并利用转注成型机进行加热加压成型,制作出具有多个凹部的矩阵状的光半导体元件搭载用封装基板。而且,还记载了使用引线框架代替印刷配线板。
然而,由于所述配线板及引线框架为平板状,在平板状之上配置着热硬化性树脂组合物,密接面积较小,因此存在进行切割时引线框架等与热硬化性树脂组合物容易剥离的问题。
专利文献1:日本专利特开2007-35794号公报(尤其是[0033])
专利文献2:日本专利特开平11-087780号公报
专利文献3:日本专利特开2006-140207号公报(尤其是[0028])
专利文献4:日本专利特开2007-235085号公报
发明内容
本发明鉴于所述问题,其目的在于提供一种引线框架与热硬化性树脂组合物的密接性较高、在短时间内制造多个发光装置的简易且低价的方法。
对此,本发明等人经积极研究后最终完成了本发明。
本说明书中,关于经单片化后的发光装置使用包含引线、树脂部、树脂封装体的用语,而在单片化前的阶段,关于发光装置使用包含引线框架、树脂成形体的用语。
本发明涉及一种发光装置的制造方法,该发光装置包含树脂封装体,所述树脂封装体热硬化后的于波长350nm~800nm中的光反射率为70%以上,且在外侧面树脂部与引线形成在大致同一面,该制造方法包括下述步骤:由上模与下模夹持设置着切口部的引线框架;在由上模与下模夹持的模具内,转送成形含有光反射性物质的热硬化性树脂,在引线框架形成树脂成形体;及沿切口部切断树脂成形体与引线框架。根据所述构成,由于在切口部中填充有热硬化性树脂,所以引线框架与热硬化性树脂的密接面积变大,从而可使引线框架与热硬化性树脂的密接性提高。而且,由于使用黏度低于热可塑性树脂的热硬化性树脂,所以可将热硬化性树脂填充于切口部中而不会残存有空隙。而且,可一次获得多个发光装置,从而可实现生产效率的大幅提高。此外,可减少废弃的浇道,从而可提供低价的发光装置。
优选在由上模与下模夹持之前,对引线框架实施电镀处理。此时,所制造的发光装置中,已切断的面未被施以电镀处理,而此以外的部分被施以电镀处理。无需对每个经单片化的发光装置实施电镀处理,从而可简化制造方法。
优选引线框架的切断部分的切口部为整个包围周的大约1/2以上。由此可使引线框架轻量化,可提供低价的发光装置。而且,引线框架中的被切断部分变少,可进一步抑制引线框架与热硬化性树脂的剥离。
另外,相对于切口部中填充有热硬化性树脂,不同点在于后述的孔部中并未填充有热硬化性树脂。相对于切口部及孔部贯穿引线框架,而后述的沟槽并未贯穿引线框架。
优选由上模与下模夹持之前的引线框架设置着孔部。由此可使引线框架轻量化,可提供低价的发光装置。由于可对孔部实施电镀处理,所以可抑制引线框架的露出。
优选由上模与下模夹持之前的引线框架设置着沟槽。由此可使引线框架轻量化,可提供低价的发光装置。由于可对沟槽实施电镀处理,所以可抑制引线框架的露出。
优选上模与下模夹持载置着发光元件的部分、或者孔部附近的部分的引线框架。由此可防止引线框架的松垂,可减少毛边的产生。
本发明为一种发光装置,其包含树脂封装体,所述树脂封装体热硬化后的于波长350nm~800nm中的光反射率为70%以上,且在外侧面树脂部与引线形成在大致同一面,引线在底面及上表面的至少任一面被施以电镀处理,且外侧面包含未被施以电镀处理的部分。由此可防止未施以电镀处理的引线的露出,且,可一次获得多个发光装置。而且,通过仅对反射来自发光元件的光的部分施以电镀可提高来自发光装置的光出射效率。
优选树脂封装体从四角露出引线。比起将引线设置于树脂封装体的一整个侧面,可减少引线的露出部分,因此可实现树脂部与引线的密接性的提高。而且,由于在正负的不同引线间设置着绝缘性的树脂部,因此可防止短路。
优选树脂封装体从底面侧目测四角形成为弧状。
可采用形成为弧状的部分被施以电镀处理而切断面未被施以电镀处理的构成。由此,与焊锡等的接合面积扩大,从而可提高接合强度。
优选引线设置着阶差。优选该阶差设置于树脂封装体的底面上。也可采用形成着阶差的部分被施以电镀处理而切断面未被施以电镀处理的构成。由此,与焊锡等的接合面积扩大,从而可提高接合强度。
本发明涉及一种树脂封装体的制造方法,该树脂封装体热硬化后的于波长350nm~800nm中的光反射率为70%以上,且在外侧面树脂部与引线形成在大致同一面,该制造方法包括下述步骤:由上模与下模夹持设置着切口部的引线框架;在由上模与下模夹持的模具内,转送成形含有光反射性物质的热硬化性树脂,在引线框架形成树脂成形体;及沿切口部切断树脂成形体与引线框架。根据所述构成,由于在切口部中填充有热硬化性树脂,所以引线框架与热硬化性树脂的密接面积变大,从而可使引线框架与热硬化性树脂的密接性提高。而且,由于使用黏度低于热可塑性树脂的热硬化性树脂,所以可将热硬化性树脂填充于切口部中而不会残存有空隙。而且,可一次获得多个树脂封装体,从而可实现生产效率的大幅提高。此外,可减少废弃的浇道,从而可提供低价的树脂封装体。
优选在由上模与下模夹持之前,对引线框架实施电镀处理。此时,所制造的树脂封装体中,并未对已切断的面实施电镀处理,而是对其以外的部分实施电镀处理。无需对每个经单片化的树脂封装体实施电镀处理,从而可简化制造方法。
本发明涉及一种树脂封装体,其热硬化后的于波长350nm~800nm的光反射率为70%以上,且在外侧面,树脂部与引线形成在大致同一面,引线在底面及上表面的至少任一面被施以电镀处理,且外侧面未被施以电镀处理。由此可防止未被施以电镀处理的引线的露出,且可一次获得多个树脂封装体。而且,通过仅对反射来自发光元件的光的部分实施电镀可提高发光装置的光出射效率。
本发明涉及一种树脂成形体的制造方法,该树脂成形体热硬化后的于波长350nm~800nm的光反射率为70%以上,且形成着多个凹部,该凹部的内底面露出引线框架的一部分,该制造方法包括下述步骤:使用设置着切口部的引线框架,由在树脂成形体中相邻的凹部成形的位置具有凸部的上模与下模来夹持引线框架;及在由上模与下模夹持的模具内,转送成形含有光反射性物质的热硬化性树脂,使热硬化性树脂填充于切口部中,且在引线框架形成树脂成形体。根据所述构成,可一次获得多个发光装置,从而可实现生产效率的大幅提高。
本发明涉及一种树脂成形体,其热硬化后的于波长350nm~800nm的光反射率为70%以上,且形成着多个凹部,该凹部的内底面露出引线框架的一部分,引线框架包含切口部,该切口部中填充有成为树脂成形体的热硬化性树脂,于相邻的凹部之间具有侧壁。由此,可提供耐热性、耐光性优异的树脂成形体。
[发明的效果]
根据本发明的发光装置及其制造方法,可提供一种引线框架与树脂成形体的密接性较高的发光装置。而且,可在短时间内获得多个发光装置,从而可实现生产效率的大幅提高。此外,可减少被废弃的浇道,从而可提供一种低价的发光装置。
附图说明
图1是表示第一实施方式的发光装置的立体图;
图2是表示第一实施方式的发光装置的剖面图;
图3是表示第一实施方式中所使用的引线框架的平面图;
图4是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的概略剖面图;
图5是表示第一实施方式的树脂成形体的平面图;
图6是表示第二实施方式的发光装置的立体图;
图7是表示第二实施方式中所使用的引线框架的平面图;
图8是表示第二实施方式的树脂成形体的平面图;
图9是表示第三实施方式的发光装置的立体图;
图10是表示第三实施方式中所使用的引线框架的平面图;
图11是表示第四实施方式的发光装置的立体图;
图12是表示第五实施方式的发光装置的立体图;
图13是表示第六实施方式的树脂封装体的立体图;
图14(a)~(e)是表示先前的发光装置的制造方法的立体图;
图15是表示先前的发光装置的中间体的立体图;
图16是表示先前的发光装置的立体图;
图17是表示先前的发光装置的立体图及剖面图;
图18(a)~(c)是表示先前的发光装置的制造方法的概略剖面图;及
图19(a)~(d)是表示先前的发光装置的制造步骤的概略图。
[符号的说明]
10、110 发光元件
20、120、220、320、420、520 树脂封装体
20a、120a、220a、320a、420a、520a 外底面
21、121、221 引线框架
21a、121a、221a 切口部
121b 孔部
221c 槽
22、122、222、322、422、522 引线
23 热硬化性树脂
24 树脂成形体
25、125、225、325、425、525 树脂部
26 光反射性物质
27 凹部
27a 内底面
27b 内侧面
30 密封构件
40 荧光物质
50 导线
60 模具
61 上模
62 下模
70 切割機
100 发光装置
具体实施方式
以下,对本发明的发光装置的制造方法及发光装置的最佳实施方式与图式一同作详细说明。但本发明并不限定于该实施方式。
<第一实施方式>
(发光装置)
说明第一实施方式的发光装置。图1是表示第一实施方式的发光装置的立体图。图2是表示第一实施方式的发光装置的剖面图。图2是沿着图1所示的II-II线的剖面图。图3是表示第一实施方式中所使用的引线框架的平面图。
第一实施方式的发光装置100具有树脂封装体20,该树脂封装体20热硬化后的于波长350nm~800nm的光反射率为70%以上,且在外侧面20b,树脂部25与引线22形成在大致同一面。引线22在底面(树脂封装体20的外底面20a)及上表面(凹部27的内底面27a)的至少任一面被施以电镀处理。另一方面,引线22在侧面(树脂封装体20的外侧面20b)未被施以电镀处理。树脂封装体20的外侧面20b中树脂部25占据较大面积,引线22从角部露出。
树脂封装体20主要包括含有光反射性物质26的树脂部25、及引线22。树脂封装体20具有:配置引线22的外底面20a;引线22的一部分露出的外侧面20b;及形成开口的凹部27的外上表面20c。树脂封装体20中形成着具有内底面27a与内侧面27b的凹部27。树脂封装体20的内底面27a露出引线22,引线22上载置着发光元件10。树脂封装体20的凹部27内配置着被覆发光元件10的密封构件30。密封构件30含有荧光物质40。发光元件10经由导线50而与引线22电性连接。树脂封装体20的外上表面20c未配置着引线22。
于树脂封装体20的外侧面20b的整个包围的长度中,引线22露出的部分的长度短于该长度的1/2。后述的发光装置的制造方法中,于引线框架21上设置着切口部21a,沿该切口部21a进行切断,因此引线框架21的切断部分为从树脂封装体20露出的部分。
树脂封装体20从四角露出引线22。引线22在外侧面20b露出,且未被施以电镀处理。而且,可采用引线22也在外底面20a露出的构造,也可对该引线22实施电镀处理。另外,可在单片化之后对引线22的外侧面20b实施电镀处理。
发光装置100的热硬化后的、波长350nm~800nm中的光反射率为70%以上。此主要表示发光装置100在可见光区域的光反射率较高。发光元件10优选使用发光峰值波长为360nm~520nm的元件,也可使用发光峰值波长为350nm~800nm的元件。更优选发光元件10在420nm~480nm的可见光的短波长区域中具有发光峰值波长。该树脂封装体20对480nm以下的短波长侧的光具有优异的耐光性且不易劣化。而且,该树脂封装体20即便因接通电流而导致发光元件10发热也不易劣化且耐热性优异。
树脂封装体20优选使用向透光性的热硬化性树脂中填充大量光反射性物质的封装体。例如,优选使用在350nm~800nm中的透光率为80%以上的热硬化性树脂,更优选透光率为90%以上的热硬化性树脂。其原因在于,通过减少被热硬化性树脂吸收的光,可抑制树脂封装体20的劣化。光反射性物质26优选反射来自发光元件10的90%以上的光,更优选反射95%以上的光。而且,光反射性物质26优选反射来自荧光物质40的90%以上的光,更优选反射95%以上的光。通过减少被光反射性物质26吸收的光量,可提高来自发光装置100的光出射效率。
发光装置100的形状并未作特别限定,也可为大致长方体、大致立方体、大致六边形等多边形形状。凹部27优选向开口方向扩展,但也可为筒状。凹部27的形状可采用大致圆形状、大致椭圆形状、大致多边形形状等。
以下,对各构件加以详述。
(发光元件)
发光元件可较佳地使用在基板上形成着GaAlN、ZnS、SnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等半导体作为发光层的元件,但并不特别限定于此。优选发光峰值波长为360nm~520nm的元件,但也可使用发光峰值波长为350nm~800nm的元件。更优选发光元件10在420nm~480nm的可见光的短波长区域具有发光峰值波长。
发光元件除了可使用面朝上构造的元件之外,也可使用面朝下构造的元件。发光元件的大小并未作特别限定,也可使用□350μm、□500μm、□1mm的发光元件等。而且,可使用多个发光元件,所述发光元件可均为同种类型,也可为表现出光的三原色即红、绿、蓝的发光色的不同种类。
(树脂封装体)
树脂封装体具有包含热硬化性树脂的树脂部及引线,且将所述成形为一体。树脂封装体在350nm~800nm中的光反射率为70%以上,更优选在420nm~520nm中的光反射率为80%以上。而且,优选在发光元件的发光区域与荧光物质的发光区域中具有较高的反射率。
树脂封装体具有外底面、外侧面、及外上表面。引线从树脂封装体的外侧面露出。树脂部与引线形成在大致同一面。该大致同一面是指在相同的切断步骤中形成。
树脂封装体的外形并不限定于大致长方体,也可形成为大致立方体、大致六边形或其他的多边形形状。而且,也可采用自外上表面侧方向观察为大致三角形、大致四边形、大致五边形、大致六边形等形状。
树脂封装体形成着具有内底面与内侧面的凹部。在凹部的内底面配置着引线。凹部可采用从外上表面侧方向观察为大致圆形形状、大致椭圆形状、大致四边形形状、大致多边形形状及所述形状的组合等各种形状。凹部优选成为朝开口方向扩展的形状,但也可为筒状。凹部也可设有平滑的倾斜,但也可形成为表面上设置着微小的凹凸以使光散射的形状。
引线以成为正负一对的方式隔开特定的间隔而设置。凹部的内底面的引线及树脂封装体的外底面的引线被施以电镀处理。该电镀处理也可于切割树脂成形体之前进行,但优选使用已预先实施了电镀处理的引线框架。另一方面,引线的侧面未被施以电镀处理。
(树脂部、树脂成形体)
树脂部及树脂成形体的材质优选使用作为热硬化性树脂的三嗪衍生物环氧树脂。而且,热硬化性树脂可含有酸酐、抗氧化剂、脱模材、光反射构件、无机填充材、硬化催化剂、光稳定剂、润滑剂。光反射构件可使用二氧化钛,且填充有10~60重量%。
树脂封装体并不限定于所述形态,优选通过选自热硬化性树脂中的环氧树脂、改质环氧树脂、有机硅树脂、改质有机硅树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂所组成的群中的至少一种树脂。所述中更优选环氧树脂、改质环氧树脂、有机硅树脂、改质有机硅树脂。例如可使用固态环氧树脂组合物,其通过如下步骤而获得:将包含三缩水甘油基异氰尿酸酯、氢化双酚A二缩水甘油醚等的环氧树脂,与包含六氢邻苯二甲酸酐、3-甲基六氢邻苯二甲酸酐、4-甲基六氢邻苯二甲酸酐等的酸酐,以达到等量的方式溶解混合于环氧树脂而获得无色透明混合物,并向100重量份的该无色透明的混合物中,添加0.5重量份的作为硬化促进剂的DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7,1,8-二氮杂双环(5,4,0)十一碳烯-7)、1重量份的作为促进剂的乙二醇、10重量份的氧化钛颜料、及50重量份的玻璃纤维,通过加热使这些部分地进行硬化反应,从而达到B-阶所得。
(引线、引线框架)
引线框架可使用平板状的金属板,但也可使用设置着阶差或凹凸的金属板。
引线框架是对平板状的金属板进行冲孔加工或蚀刻加工等而形成。经蚀刻加工成的引线框架在剖面形状上形成着凹凸,从而可提高该引线框架与树脂成形体的密接性。尤其,在使用较薄的引线框架的情形时,冲孔加工中为了提高引线框架与树脂成形体的密接性而形成着阶差或凹凸形状,但因该阶差、凹凸形状变小,所以提高密接性的效果较小。然而,蚀刻加工中可使引线框架的整个剖面(蚀刻部分)部分形成为凹凸形状,因此可使引线框架与树脂成形体的接合面积较大,从而可成形出密接性更佳的树脂封装体。
另一方面,对平板状的金属板进行冲孔加工的方法中,因随着冲孔所产生的模具的损耗而使得更换零件所需的费用提高,从而使得引线框架的制作费用提高。与此相对,蚀刻加工中并未使用冲孔用模具,在每一框架的封装体的获得数较多的情形时,可使每一封装体的引线框架的制作费用变低。
蚀刻加工以贯穿引线框架的方式形成,此外,也可仅从一面进行不贯穿的程度的蚀刻加工。
当使树脂成形体单片化而形成树脂封装体时,切口部以引线成为正负一对的方式形成。而且,当切断树脂成形体时,切口部以使切断引线的面积减少的方式形成。例如,于以成为正负一对的引线的方式于横方向上设置切口部,而且,在相当于使树脂成形体单片化时的切割部分的位置处设置切口部。其中,为了防止引线框架的一部分脱落,或为了使引线在树脂封装体的外侧面露出,预先连结引线框架的一部分。由于使用切割机切割树脂成形体,因此优选切口部在纵方向及横方向或者斜方向上直线状地形成。
引线框架可使用例如铁、磷青铜、铜合金等电性优良的导体形成。而且,为了提高来自发光元件的光的反射率,可对引线框架实施银、铝、铜及金等金属电镀。优选在设置切口部之后或进行了蚀刻处理之后等、且由上模与下模夹持之前,对引线框架实施金属电镀,但也可在引线框架与热硬化性树脂形成为一体之前实施金属电镀。
(密封构件)
密封构件的材质为热硬化性树脂。优选密封构件由选自热硬化性树脂中的环氧树脂、改质环氧树脂、有机硅树脂、改质有机硅树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂所组成的群中的至少一种树脂所形成,所述中更优选环氧树脂、改质环氧树脂、有机硅树脂、改质有机硅树脂。密封构件由于要保护发光元件,因此优选为硬质的构件。而且,密封构件优选使用耐热性、耐候性、耐光性优异的树脂。密封构件由于具备特定的功能,所以也可混合有选自填充剂、扩散剂、颜料、荧光物质、反射性物质所组成的群中的至少一种物质。密封构件中也可含有扩散剂。作为具体的扩散剂,可较佳地使用钛酸钡、氧化钛、氧化铝、氧化硅等。而且,为了截断所需以外的波长,可含有有机或无机的着色染料或着色颜料。此外,密封构件也可含有吸收来自发光元件的光并进行波长转换的荧光物质。
(荧光物质)
荧光物质只要是吸收来自发光元件的光并将其波长转换为相异波长的光的物质即可。例如,优选选自主要由Eu、Ce等镧系元素赋活的氮化物系荧光体、氮氧化物系荧光体、赛隆系荧光体;主要由Eu等镧系、Mn等过渡金属系元素赋活的碱土卤素磷灰石荧光体、碱土金属卤硼酸荧光体、碱土金属铝酸盐荧光体、碱土硅酸盐、碱土硫化物、碱土硫代镓酸盐、碱土氮化硅、锗酸盐、或由Ce等镧系元素主要赋活的稀土铝酸盐、稀土硅酸盐;或主要由Eu等镧系元素赋活的有机及有机络合物等中的至少任一种以上。作为具体例,可使用下述的荧光体,但并不限定于此。
主要由Eu、Ce等镧系元素赋活的氮化物系荧光体系M2Si5N8:Eu、MAlSiN3:Eu(M为选自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少一种以上)等。而且,除M2Si5N8:Eu之外,也有MSi7N10:Eu、M1.8Si5O0.2N8:Eu、M0.9Si7O0.1N10:Eu(M为选自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少一种以上)等。
主要由Eu、Ce等镧系元素赋活的氮氧化物系荧光体有MSi2O2N2:Eu(M为选自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少一种以上)等。
主要由Eu、Ce等镧系元素赋活的赛隆系荧光体系Mp/2Si12-p-qAlp+qOqN16-p:Ce、M-Al-Si-O-N(M为选自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少一种以上;q为0~2.5,p为1.5~3)等。
主要由Eu等镧系、Mn等过渡金属系元素而赋活的碱土卤素磷灰石荧光体有M5(PO4)3X:R(M为选自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少一种以上;X为选自F、Cl、Br、I中的至少一种以上;R为Eu、Mn、及Eu与Mn中的任一种以上)等。
碱土金属卤硼酸荧光体有M2B5O9X:R(M为选自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少一种以上;X为选自F、Cl、Br、I中的至少一种以上;R为Eu、Mn、及Eu与Mn中的任一种以上)等。
碱土金属铝酸盐荧光体有SrAl2O4:R、Sr4Al14O25:R、CaAl2O4:R、BaMg2Al16O27:R、BaMg2Al16O12:R、BaMgAl10O17:R(R为Eu、Mn、及Eu与Mn中的任一种以上)等。
碱土硫化物荧光体有La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu、Gd2O2S:Eu等。
主要由Ce等镧系元素赋活的稀土铝酸盐荧光体有以Y3Al5O12:Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce的组成式所示的YAG系荧光体等。而且,也有Y的一部分或者全部由Tb、Lu等取代的Tb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce等。
其他荧光体有ZnS:Eu、Zn2GeO4:Mn、MGa2S4:Eu(M为选自Sr、Ca、Ba、Mg、Zn中的至少一种以上)等。
通过将所述荧光体单独或者2种以上组合使用,而可实现蓝色、绿色、黄色、红色等颜色,此外还可实现所述色的中间色即蓝绿色、黄绿色、橙色等颜色。
(其他)
发光装置中也可此外设置着齐纳二极管作为保护元件。齐纳二极管可与发光元件隔开而载置于凹部的内底面的引线上。而且,齐纳二极管也可采用载置于凹部的内底面的引线上且于其上载置着发光元件的构成。该齐纳二极管除可使用280μm尺寸之外,也可使用300μm尺寸等。
(第一实施方式的发光装置的制造方法)
说明第一实施方式的发光装置的制造方法。图4是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的概略剖面图。图5是表示第一实施方式的树脂成形体的平面图。
第一实施方式的发光装置的制造方法具有下述步骤:由上模61与下模62夹持设置着切口部21a的引线框架21;在由上模61与下模62所夹持的模具60内,转送成形含有光反射性物质26的热硬化性树脂23,在引线框架21上形成树脂成形体24;及沿切口部21a切断树脂成形体24与引线框架21。
首先,说明包含转送成形中所使用的上模61及下模62的模具60。
上模61具有:构成上模的上部的平板状本体部,从本体部的端部起形成为框状的外壁部,从本体部突出的多个突出部,及在水平方向上贯穿外壁部的一部分的注入口。
外壁部从本体部的端部起垂直地突出,且包括分别成形出树脂成形体的第一外侧面、第二外侧面、第三外侧面及第四外侧面的第一外壁部、第二外壁部、第三外壁部及第四外壁部。即,外壁部成形出树脂成形体的外围的部分,其形成为俯视为长方形。外壁部的形状只要根据所需的树脂成形体的形状而适当形成即可。
突出部为了使热硬化性树脂23不会流入到转送成形时与引线框架21接触的部分、即接触部分,而可形成使引线框架21的一部分从树脂成形体24露出的露出部。突出部从本体部朝下方突出,且以由外壁所包围的方式形成。突出部与引线框架21接触的部分形成为平坦。为了在树脂成形体24的上表面的每单位面积上高效地形成凹部,朝一方向且等间隔地形成着突出部,关于各突出部,优选自该一方向起朝90°方向且等间隔地形成着突出部。
注入口用以注入热硬化性树脂23,其在水平方向上贯穿形成在外壁部的大致中央下端。注入口具有半圆形状的剖面,其以从注入口的入口部分朝向出口部分宽度变狭的方式形成。
而且,虽未特别图示,在上模61的上部形成着贯穿本体部的销插入孔。销插入孔用以在从上模61脱模树脂成形体24时使销插入的孔。
下模62为具有特定厚度的板材,其表面形成为平坦。通过使下模62与上模61接触而形成空间部。
然后,说明各制造步骤。
引线框架21在设置切口部21a之后,预先进行金属电镀处理。
首先,由上模61与下模62夹持设置着切口部21a的引线框架21。通过利用上模61与下模62进行夹持而在模具60内设置空间。
此时,将位于形成着凹部27的位置的切口部21a,以由上模61所具有的突出部与下模62夹持的方式配置。由此可抑制切口部21a中的引线框架21的松垂,可减少毛边的产生。
然后,在由上模61与下模62夹持的模具内,转送成形含有光反射性物质26的热硬化性树脂23,于引线框架21上形成树脂成形体24。
从注入口将含有光反射性物质26的热硬化性树脂23,注入到模具60内所设置的空间中,施加特定的温度与压力进行转送成形。由上模61与下模62夹持切口部21a附近的引线框架21,因此当转送成形热硬化性树脂23时,引线框架21不会松垂,可抑制在凹部27的内底面27a产生毛边。
使销插入至销插入部中而使树脂成形体24脱离上模61。优选在模具60内对树脂成形体24施加特定的温度进行暂时固化,之后,使该树脂成形体24脱离模具60,并施加比暂时固化更高的温度进行真正固化。
接着,将发光元件10载置于树脂成形体24上所形成的凹部27的内底面27a的引线框架21上,利用导线50使发光元件10与引线框架21电性连接。就载置发光元件10的步骤而言,可在使树脂成形体24脱离模具60之后载置发光元件10,此外也可在将树脂成形体24切断并单片化所成的树脂封装体20上载置发光元件10。而且,也可不使用导线而是面朝下安装发光元件。在将发光元件10安装在引线框架21上之后,将含有荧光物质40的密封构件30填充于凹部27内并进行固化。
然后,沿切口部21a切断树脂成形体24与引线框架21。
形成着多个凹部27的树脂成形体24以使位于邻接的凹部27之间的侧壁在大致中央处分开的方式,在长度方向及宽度方向上进行切断。至于切断方法,可使用切割机从树脂成形体24侧进行切割。由此树脂成形体24的切断面与引线框架21的切断面成为大致同一面,引线框架21从树脂成形体24露出。通过如此般设置切口部21a,使得切断的引线框架21变少,可抑制引线框架21与树脂成形体24的剥离。而且,树脂成形体24不仅与引线框架21的上表面密接,而且也与相当于切口部21a的侧面密接,因此使引线框架21与树脂成形体24的密接强度提高。
<第二实施方式>
说明第二实施方式的发光装置。图6是表示第二实施方式的发光装置的立体图。图7是表示第二实施方式中所使用的引线框架的平面图。图8是表示第二实施方式的树脂成形体的平面图。也有时会省略对采用与第一实施方式的发光装置大致相同的构成的部分说明。
第二实施方式的发光装置中,将发光元件10载置于树脂封装体120上所设置的凹部内。树脂封装体120的外上表面120c的角部形成为圆弧状。而且,引线122的侧面从俯视方向观察形成为圆弧状,引线122从俯视方向观察以自树脂部125稍微突出的方式设置着阶差。所突出的引线122的上表面及外底面120a、圆弧状的曲面部分被施以电镀处理。另一方面,引线122的圆弧状以外的外侧面120b部分未被施以电镀处理。如此,通过扩大施以电镀处理的部分而增加与焊锡等导电性构件的接合强度。
(第二实施方式的发光装置的制造方法)
第二实施方式的发光装置的制造方法中,在引线框架121上设置着切口部121a及孔部121b。该孔部121b的形状优选圆形状,但也可采用四边形状、六边形状等多边形状或椭圆形状等。引线框架121的孔部121b的位置优选设置于切口部121a的延长线上且彼此相交的点附近。孔部121b的大小并未作特别限定,但在用作电极且提高与导电性构件的接合强度的情形时,优选开口较大。而且,可扩大与导电性构件的密接面积,提高接合强度。
以覆盖引线框架121的孔部121b附近的方式,设置比孔部121b的形状稍大的孔。
由上模与下模夹持设置着切口部121a的引线框架121。此时,孔部121b的附近也由模具夹持。由此在进行转送成形时,热硬化性树脂不会流入到孔部121b内,无需除去孔部121b内的热硬化性树脂。
在由上模与下模夹持的模具内,转送成形含有光反射性物质的热硬化性树脂,在引线框架121上形成树脂成形体124。
对树脂成形体124的引线框架121的露出部分实施电镀处理。对凹部的内底面、树脂封装体120的外底面120a、引线框架121的圆形状的内表面及从此延伸的上表面实施电镀处理。
沿切口部121a切断树脂成形体124与引线框架121。
经过以上的步骤,可提供第二实施方式的发光装置。在切口部121a的延长线上设置着孔部121b,因此当使用切割机进行切割时,切断较少的引线框架121即可,所以可缩短切断时间。根据该制造方法,可简易且短时间内提供引线框架121较多地具有被施以电镀处理的部分的发光装置。
<第三实施方式>
说明第三实施方式的发光装置。图9是表示第三实施方式的发光装置的立体图。图10是表示第三实施方式中所使用的引线框架的平面图。也有时省略对采用与第一实施方式的发光装置大致相同的构成的部分的说明。
第三实施方式的发光装置具有树脂封装体220的发光装置,该树脂封装体220热硬化后的、于波长350nm~800nm中的光反射率为70%以上,且在外侧面220b,树脂部225与引线222形成在大致同一面。引线222在底面及上表面被施以电镀处理,且,外侧面具有未施以电镀处理的部分。引线222具有特定的厚度,且在树脂封装体220的外侧面附近设置着阶差。比该阶差更靠内的侧面侧及稍向外侧伸出的底面侧被施以电镀处理。如此,通过在引线222上设置实施了电镀处理的阶差,可增大接合面积,从而使与焊锡等导电性构件的接合强度提高。而且,可使利用切割机进行切断的部分的引线222的厚度变薄,因此可实现切断时间的缩短。而且,使用切割机从树脂封装体220的外上表面侧进行切割,因此在引线222的切断面上容易产生向外底面方向延伸的毛边。在引线的切断面与外底面处于同一面的情形时,安装发光装置时有时会因毛边而使得发光装置产生倾斜,通过在引线的切断面上设置阶差,不会使毛边延伸至外底面,从而不会因毛边导致发光装置倾斜。
阶差在从树脂封装体220露出的引线222上包含:在树脂封装体220的外底面220a露出的第一面;从外底面220a起向上方方向形成为大致直角的第二面;从第二面起向树脂封装体220的外侧面方向形成为大致直角的第三面;及在树脂封装体220的外侧面露出的第四面。第一面、第二面及第三面被施以电镀处理,而第四面未被施以电镀处理。第二面及第三面也可形成为一个曲面。通过使第二面及第三面为曲面,使得焊锡不易在阶差部内扩展。
树脂封装体220在外上表面220c形成大致正方形形状,且由树脂部225所覆盖。于树脂封装体220的外上表面220c侧设置着大致圆锥台形的凹部。
(第三实施方式的发光装置的制造方法)
第三实施方式的发光装置的制造方法中,在引线框架221上,在相当于发光装置的外底面侧的一侧设置着大致直线状的沟槽221c。该沟槽221c的深度优选为引线框架221厚度的一半左右,但也可为引线框架221厚度的1/4~4/5左右的深度。该沟槽221c的宽度会根据到相邻凹部间为止的距离、发光装置的大小等而进行各种改变,但只要为在沿该沟槽的中心切断时能辨别出发光装置上具有阶差的程度即可。
由上模与下模夹持设置着切口部221a的引线框架221。切口部221a在进行转送成形时由上模与下模夹持,以使引线框架221不会松垂。
在由上模与下模夹持的模具内,转送成形含有光反射性物质的热硬化性树脂,在引线框架221上形成树脂成形体。
对树脂成形体的引线框架221的露出部分实施电镀处理。对凹部的内底面、引线框架221的外底面220a、及沟槽221c实施电镀处理。对该沟槽221c的电镀处理,相当于发光装置的阶差的第一面、第二面、第三面的电镀处理。
沿切口部221a切断树脂成形体与引线框架。而且,沿沟槽221c切断树脂成形体。
经以上的步骤而可提供第三实施方式的发光装置。根据该制造方法,可简易且短时间内提供引线框架121较多地具有被施以电镀处理的部分的发光装置。
<第四实施方式>
说明第四实施方式的发光装置。图11是表示第四实施方式的发光装置的立体图。也有时省略对采用与第一实施方式的发光装置大致相同的构成的部分的说明。
第四实施方式的发光装置,在树脂封装体320的外侧面320b的引线322上,仅一部分具有从外侧面320b凹陷的阶差。阶差在从树脂封装体320露出的引线322上包含:设置在树脂封装体320的外底面320a上的第一面;从外底面320a起向上方方向形成为大致直角的第二面;从第二面起向树脂封装体320的外侧面方向形成为大致直角的第三面;及树脂封装体320的外侧面的第四面。树脂封装体320的外上表面320c形成为包含树脂部325的大致长方形。外底面320a、第一面、设置着阶差的第二面、第三面及凹部的内底面均被施以电镀处理。另一方面,未设置着阶差的外侧面320b未被施以电镀处理。
引线322使用的是经蚀刻加工的引线框架。在树脂成形体的切断面上,经蚀刻加工的引线322具有凹凸。该凹凸使树脂部与引线的密接性提高。
通过在引线322的一部分设置阶差,可扩大安装时引线322与导电性构件的接合面积,从而提高接合强度。而且,由于引线框架上设置着凹陷,因此容易切断,也可缩短切断所需的时间。
<第五实施方式>
说明第五实施方式的发光装置。图12是表示第五实施方式的发光装置的立体图。也有时省略对采用与第一实施方式的发光装置大致相同的构成的部分的说明。
第五实施方式的发光装置,在树脂封装体420的外侧面420b的引线422上,仅一部分具有从外侧面420b凹陷的阶差。阶差在从树脂封装体420露出的引线422上包含:设置在树脂封装体420的外底面420a上的第一面;从外底面420a起向上方方向形成为大致直角的第二面;从第二面起向树脂封装体420的外侧面方向形成为大致直角的第三面;及树脂封装体420的外侧面的第四面。在树脂封装体420的外侧面420b,引线422被分为6个部分。引线422可各自分开,也可连结。引线422设置着切口部,与引线422为平板状相比,可进一步提高树脂部425与引线422的接合强度,所以较佳。树脂封装体420的外上表面420c形成为包含树脂部425的大致长方形。外底面420a、第一面、设置着阶差的第二面、第三面及凹部的内底面均被施以电镀处理。另一方面,未设置着阶差的外侧面420b未被施以电镀处理。
通过在引线422的一部分设置着阶差,可扩大引线422与导电性构件的接合面积,从而可提高接合强度。而且,由于引线框架上设置着凹陷,因此容易进行切断,也可缩短切断所需的时间。
<第六实施方式>
说明第六实施方式的树脂封装体。图13是表示第六实施方式的树脂封装体的立体图。也有时省略对采用与第一实施方式的树脂封装体、第五实施方式的树脂封装体大致相同的构成的部分的说明。
第六实施方式的树脂封装体在树脂封装体520的外侧面520b的引线522上,角部具有凹陷的阶差。该阶差在从树脂封装体520露出的引线522上,从外底面520a侧观察形成为圆弧形状。该圆弧形状是将圆四等分而成。该圆弧形状以不贯穿引线522的方式进行达到引线522厚度的大致一半左右为止的蚀刻处理,之后加以四等分而成。对该圆弧形状的部分实施电镀处理。对该圆弧形状部分的电镀处理及对外底面520a的电镀处理在四等分之前进行。另一方面,未设置着阶差的外侧面520b未被施以电镀处理。树脂封装体520自外上表面520c观察形成大致正方形形状,且树脂部525露出。
通过在引线522的一部分设置着阶差,可扩大引线522与导电性构件的接合面积,从而提高接合强度。而且,在切断树脂成形体时,即便在阶差部分产生毛边,该毛边也产生在比外底面520a更上方处,因此引线522与导电构件接合时不会产生晃动。此外,由于引线框架上设置着凹陷,因此容易进行切断,也可缩短切断所需的时间。
[实施例]
说明实施例1的发光装置。省略对与第一实施方式中所说明的部分重复的部分的说明。图1是表示第一实施方式的发光装置的立体图。图2是表示第一实施方式的发光装置的剖面图。图2是沿着图1所示的II-II线的剖面图。图3是表示第一实施方式中所使用的引线框架的平面图。
发光装置100具有:发光元件10;及树脂封装体20,其含有光反射物质26的树脂部25与引线22一体成形而成。发光元件10为于450nm中具有发光峰值波长且进行蓝色发光的氮化物半导体发光元件。树脂封装体20形成包含研钵状的凹部27的大致长方体形状。树脂封装体20的大小为长35mm、宽35mm、高度0.8mm,凹部27的外上表面20c侧的大致直径为2.9mm,内底面27a的大致直径为2.6mm,深度为0.6mm。引线22的厚度为0.2mm。光反射物质26使用氧化钛。树脂部25使用作为热硬化性树脂的环氧树脂。环氧树脂中含有20重量%左右的氧化钛。树脂封装体20的热硬化后的、于波长450nm中的光反射率为81%。在树脂封装体20的外侧面20b,树脂部25与引线22形成在大致同一面。引线22从树脂封装体20的四角露出。引线22在树脂封装体20的外底面20a及凹部27的内底面27a被施以电镀处理。另一方面,引线22在树脂封装体20的外侧面20b未被施以电镀处理。凹部27内填充有含有黄色发光的荧光物质40的密封构件30。使用(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce作为荧光物质40。使用有机硅树脂作为密封构件30。
以如下方式制造该发光装置。
引线框架利用蚀刻加工而设置着切口部21a。但切口部21a的剖面上形成着凹凸(未图示)。利用电镀使Ag附着于该引线框架。使用设置着切口部21a并实施了电镀处理的引线框架21。
然后,由上模61与下模62夹持特定大小的引线框架21。引线框架21为平板状,且设置着与单片化的发光装置的大小相对应的切口部21a。切口部21a以单片化为树脂封装体20时四角露出且四角以外的部分不露出的方式纵横设置着。而且,切口部21a以单片化为树脂封装体20时电性绝缘的方式在横方向上设置着,由上模61与下模62夹持该切口部21a。
在由上模61与下模62夹持的模具60内,转送成形含有光反射性物质26的热硬化性树脂23,在引线框架21上形成树脂成形体24。使含有光反射性物质26的热硬化性树脂23成为颗粒状,施加热及压力而使其流入到模具60内。此时切口部21a中也填充着热硬化性树脂23。使流入的热硬化性树脂23暂时固化,之后取下上模61再施加热而进行真正固化。由此制造出将引线框架21与热硬化性树脂23一体成形而成的树脂成形体24。
然后,使用焊接构件将发光元件10安装在凹部27的内底面27a的引线22上。载置发光元件10之后,使用导线50将发光元件10与引线22进行电性连接。然后,将含有荧光物质40的密封构件30填充于凹部27内。
最后,沿切口部21a切断树脂成形体24与引线框架21并单片化为单个的发光装置100。由此在切断部分,引线22未被施以电镀处理。
通过经过以上的步骤,可一次制造多个发光装置100。
[产业上的可利用性]
本发明可用于照明器具、显示器、手机的背光源、动态图像照明辅助光源、其他普通的民用光源等。

Claims (19)

1.一种发光装置的制造方法,其特征在于包括下述步骤:
准备具树脂成形体的引线框架的步骤,所述具树脂成形体的引线框架具有未被折曲的引线框架及树脂成形体且符合下述(a)~(d),
(a)于所述具树脂成形体的引线框架的上侧,以由上方观察时相互平行的多个第1切断予定线及与所述多个第1切断予定线分别垂直的多个第2切断予定线而划分的区域分别设有凹部,
(b)所述凹部的底面上,所述引线框架被所述树脂成形体分割而露出,
(c)所述具树脂成形体的引线框架的底面上,露出所述引线框架,
(d)所述引线框架上,沿各个所述多个第1切断予定线及所述多个第2切断予定线,排列有贯穿上表面及下表面的多个切口部,所述多个切口部分别有所述树脂成形体的一部分进入;
于所述凹部的底面分别载置发光元件的步骤;
于所述凹部内配置被覆所述发光元件的密封构件的步骤;及
获得多个发光装置的步骤,其藉由沿所述多个第1切断予定线及所述多个第2切断予定线切断所述引线框架及所述树脂成形体,获得多个发光装置,所述多个发光装置分别于沿所述第1切断予定线切断后的2切断面上,分别有所述引线框架的一部分于至少2处从所述树脂成形体的一部分露出,且于沿所述第2切断予定线切断后的2切断面上,分别有所述引线框架的一部分于至少2处从所述树脂成形体的一部分露出。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于:
所述切口部跨及所制造的所述发光装置的整个周围的1/2以上而设置。
3.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于:
于所述准备具树脂成形体的引线框架的步骤中,所述引线框架整个面被实施镀银处理。
4.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于:
于所述准备具树脂成形体的引线框架的步骤中,所述引线框架具有阶差或凹凸。
5.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于:
于所述准备具树脂成形体的引线框架的步骤中,所述引线框架具有以不贯通所述引线框架的方式从单面被蚀刻的部分。
6.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于:
所述树脂成形体含有三嗪衍生物环氧树脂。
7.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于:
于所述配置密封构件的步骤中,使用含有荧光物质的密封构件作为所述密封构件。
8.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于:
所述引线框架于所述第1切断予定线或所述第2切断予定线上还有至少1个孔,
于所述获得多个发光装置的步骤中,通过所述孔切断所述引线框架。
9.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于:
所述引线框架于所述第1切断予定线或所述第2切断予定线上还有至少1个沟槽,
于所述获得多个发光装置的步骤中,通过所述沟槽切断所述引线框架。
10.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于:
于所述获得多个发光装置的步骤中,
于所述切断面上分别露出的所述引线框架的一部分的切断面具有凹凸。
11.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于:
所述发光装置从上侧目测的外形为四边形且具有4个外侧面。
12.一种发光装置,其特征在于:
包括设有凹部的树脂封装体、载置于所述凹部的底面的发光元件、及于所述凹部内被覆所述发光元件的密封构件,且具有对向的2个外侧面及与该对向的2个外侧面不同的其他对向的2个外侧面,所述设有凹部的树脂封装体包括具有正引线及负引线的引线及树脂部,所述凹部具有所述正引线的一部分及所述负引线的一部分分别露出的底面,
所述引线未被折曲且于所述发光装置的底面露出,所述对向的2个外侧面及所述其他对向的2个外侧面皆有切口部,
所述树脂部的一部分进入各个所述切口部中,
分别于所述对向的2个外侧面上,所述引线的一部分至少于2处露出,且进入所述切口部的树脂部及所述引线在同一面,
分别于所述其他对向的2个外侧面上,所述引线的一部分至少于2处露出,且
进入所述切口部的树脂部及所述引线在同一面,
所述发光装置从上侧目测的外形为四边形且具有4个外侧面。
13.根据权利要求12所述的发光装置,其特征在于:
所述切口部跨及所述发光装置的整个周围的1/2以上而设置。
14.根据权利要求12所述的发光装置,其特征在于:
所述引线除所述外侧面以外的整个面被实施镀银处理。
15.根据权利要求12所述的发光装置,其特征在于:
所述引线具有阶差或凹凸。
16.根据权利要求12所述的发光装置,其特征在于:
所述引线具有以不贯穿所述引线的方式从单面被蚀刻的部分。
17.根据权利要求12所述的发光装置,其特征在于:
所述树脂部包含三嗪衍生物环氧树脂。
18.根据权利要求12所述的发光装置,其特征在于:
所述密封构件含有荧光物质。
19.根据权利要求12所述的发光装置,其特征在于:
所述引线于比所述外侧面更内侧处设有凹陷的阶差。
CN201610048316.7A 2008-09-03 2009-08-27 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法 Active CN105576091B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-225408 2008-09-03
JP2008225408A JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2008-09-03 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
CN200980134526.6A CN102144306B (zh) 2008-09-03 2009-08-27 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980134526.6A Division CN102144306B (zh) 2008-09-03 2009-08-27 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105576091A CN105576091A (zh) 2016-05-11
CN105576091B true CN105576091B (zh) 2019-03-15

Family

ID=41796902

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610048316.7A Active CN105576091B (zh) 2008-09-03 2009-08-27 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法
CN201610048537.4A Active CN105563728B (zh) 2008-09-03 2009-08-27 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法
CN201610048719.1A Active CN105576109B (zh) 2008-09-03 2009-08-27 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法
CN200980134526.6A Active CN102144306B (zh) 2008-09-03 2009-08-27 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610048537.4A Active CN105563728B (zh) 2008-09-03 2009-08-27 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法
CN201610048719.1A Active CN105576109B (zh) 2008-09-03 2009-08-27 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法
CN200980134526.6A Active CN102144306B (zh) 2008-09-03 2009-08-27 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法

Country Status (9)

Country Link
US (10) US8530250B2 (zh)
EP (3) EP3598509A1 (zh)
JP (1) JP5217800B2 (zh)
KR (10) KR102294486B1 (zh)
CN (4) CN105576091B (zh)
BR (1) BRPI0918071B1 (zh)
DE (1) DE202009019173U1 (zh)
TW (6) TWI525848B (zh)
WO (1) WO2010026716A1 (zh)

Families Citing this family (121)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
DE102009032253B4 (de) * 2009-07-08 2022-11-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektronisches Bauteil
KR101186648B1 (ko) * 2009-12-21 2012-09-28 서울반도체 주식회사 Led 패키지 및 그의 제조 방법
TWI557933B (zh) 2010-03-30 2016-11-11 Dainippon Printing Co Ltd A manufacturing method of a wire frame or a substrate for a light emitting diode, a semiconductor device, and a wire frame or a substrate for a light emitting diode
JP5844252B2 (ja) 2010-04-02 2016-01-13 株式会社カネカ 硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物タブレット、成形体、半導体のパッケージ、半導体部品及び発光ダイオード
DE102010029368A1 (de) * 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung
JP5721969B2 (ja) * 2010-06-11 2015-05-20 日東電工株式会社 光半導体装置のリフレクタ用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置
JP5871174B2 (ja) * 2010-07-16 2016-03-01 大日本印刷株式会社 Led用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびled用リードフレームまたは基板の製造方法
WO2012029911A1 (ja) 2010-09-03 2012-03-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2012029912A1 (ja) 2010-09-03 2012-03-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、及び発光装置用パッケージアレイ
WO2012029910A1 (ja) 2010-09-03 2012-03-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、回路基板、発光装置用パッケージアレイ、及び発光装置用パッケージアレイの製造方法
JP2012069885A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード
CN102598326B (zh) * 2010-10-22 2013-02-13 松下电器产业株式会社 Led反射器用不饱和聚酯树脂组合物以及使用其的led反射器、led照明器具
CN103190008B (zh) 2010-11-02 2016-07-06 大日本印刷株式会社 Led元件搭载用引线框、附有树脂引线框、半导体装置的制造方法及半导体元件搭载用引线框
KR101851818B1 (ko) 2010-11-11 2018-06-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치와 회로 기판의 제조 방법
JP2014038876A (ja) * 2010-12-15 2014-02-27 Panasonic Corp 半導体発光装置
JP5733743B2 (ja) * 2010-12-15 2015-06-10 日東電工株式会社 光半導体装置
JP5743184B2 (ja) * 2011-01-12 2015-07-01 大日本印刷株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置
TW201250964A (en) * 2011-01-27 2012-12-16 Dainippon Printing Co Ltd Resin-attached lead frame, method for manufacturing same, and lead frame
US9112120B2 (en) * 2011-02-09 2015-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba White light source and white light source system including the same
WO2012108356A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、及びパッケージアレイ
JP5834467B2 (ja) * 2011-04-27 2015-12-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102011075032A1 (de) * 2011-04-29 2012-10-31 Osram Ag Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung
KR101092015B1 (ko) * 2011-05-03 2011-12-08 주식회사 네패스신소재 열경화형 광반사용 수지 조성물, 이의 제조 방법, 이로부터 제조된 광반도체 소자 탑재용 반사판, 및 이를 포함하는 광반도체 장치
CN105820315A (zh) * 2011-05-18 2016-08-03 纳沛斯新素材 热固型光反射用树脂组合物及其制备方法、光半导体元件搭载用反射板及光半导体装置
CN102800783A (zh) * 2011-05-25 2012-11-28 宏齐科技股份有限公司 具有对称反射框架的发光二极管封装结构及其制作方法
JP5753446B2 (ja) * 2011-06-17 2015-07-22 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
US8878215B2 (en) * 2011-06-22 2014-11-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device module
JP5527286B2 (ja) * 2011-06-29 2014-06-18 豊田合成株式会社 発光装置
JP2013038254A (ja) * 2011-08-09 2013-02-21 Fusheng Industrial Co Ltd 発光ダイオードの熱硬化性樹脂フレームの製造方法
JP5893868B2 (ja) 2011-08-12 2016-03-23 シャープ株式会社 発光装置
JP2013041950A (ja) * 2011-08-12 2013-02-28 Sharp Corp 発光装置
TWI426628B (zh) * 2011-08-30 2014-02-11 Fusheng Electronics Corp 發光二極體的支架結構及其製作方法(一)
JP5505735B2 (ja) * 2011-09-22 2014-05-28 復盛精密工業股▲ふん▼有限公司 発光ダイオードの支持フレーム構造およびその製作方法(二)
US8796052B2 (en) * 2012-02-24 2014-08-05 Intersil Americas LLC Optoelectronic apparatuses with post-molded reflector cups and methods for manufacturing the same
CN103325889A (zh) * 2012-03-19 2013-09-25 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装方法
TWI488341B (zh) * 2012-04-11 2015-06-11 Lite On Electronics Guangzhou 連板料片、發光二極體封裝品及發光二極體燈條
CN103367344B (zh) * 2012-04-11 2016-04-27 光宝电子(广州)有限公司 连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条
TWI447961B (zh) * 2012-04-16 2014-08-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體封裝體
CN103378226A (zh) * 2012-04-25 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法
CN103378265A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光模组载板的制造方法
JP2013239540A (ja) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法
TWI497779B (zh) * 2012-07-11 2015-08-21 Fusheng Electronics Corp 發光二極體的支架結構製作方法(三)
KR20140020446A (ko) * 2012-08-08 2014-02-19 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 갖는 표시 장치
JP2014060343A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード
DE102012109139A1 (de) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, Elektronische Baugruppe, Verfahren zum Herstellen von Gehäusen und Verfahren zum Herstellen elektronischer Baugruppen
NL2010379C2 (nl) 2013-03-01 2014-09-03 Besi Netherlands B V Mal, drager met te omhullen elektronische componenten, drager met omhulde elektronische componenten, gesepareerd omhulde elektronisch component en werkwijze voor het omhullen van elektronische componenten.
JP6131664B2 (ja) 2013-03-25 2017-05-24 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法および発光装置
DE102013206963A1 (de) 2013-04-17 2014-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP2014216622A (ja) * 2013-04-30 2014-11-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US8999737B2 (en) 2013-08-27 2015-04-07 Glo Ab Method of making molded LED package
TW201517323A (zh) 2013-08-27 2015-05-01 Glo Ab 模製發光二極體封裝及其製造方法
US9142745B2 (en) 2013-08-27 2015-09-22 Glo Ab Packaged LED device with castellations
CN104681690A (zh) * 2013-12-03 2015-06-03 复盛精密工业股份有限公司 侧向型发光二极管的支架结构
JP6237174B2 (ja) 2013-12-05 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102013225552A1 (de) * 2013-12-11 2015-06-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
EP3092668B1 (en) * 2014-01-08 2021-03-31 Lumileds LLC Light emitting diode package and method for manufacturing the same
JP6392654B2 (ja) * 2014-02-04 2018-09-19 エイブリック株式会社 光センサ装置
DE102014103942B4 (de) * 2014-03-21 2024-05-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein elektronisches Bauelement und eines elektronischen Bauelements, Gehäuse für ein elektronisches Bauelement und elektronisches Bauelement
JP6410083B2 (ja) * 2014-07-31 2018-10-24 シーシーエス株式会社 Led実装用基板、led
KR20160028014A (ko) 2014-09-02 2016-03-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 패키지 제조방법
JP6477328B2 (ja) * 2014-09-29 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
EP3511147B1 (en) 2014-09-29 2020-11-11 Nichia Corporation Method for manufacturing package, method for manufacturing light emitting device, package and light emitting device
DE102014116133B4 (de) 2014-11-05 2023-03-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Anordnung
JP6458471B2 (ja) * 2014-12-04 2019-01-30 株式会社カネカ 発光素子実装用リードフレーム、これを用いた発光素子実装用樹脂成型体及び表面実装型発光装置
JP6428245B2 (ja) * 2014-12-19 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2015159324A (ja) * 2015-04-30 2015-09-03 大日本印刷株式会社 リフレクタ付きled用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2015149509A (ja) * 2015-05-11 2015-08-20 大日本印刷株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびに照明装置
WO2016188566A1 (en) * 2015-05-26 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic package device and method for producing the same
JP2015195389A (ja) * 2015-06-17 2015-11-05 大日本印刷株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2017027991A (ja) * 2015-07-16 2017-02-02 大日本印刷株式会社 樹脂付きリードフレーム、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体、樹脂付きリードフレーム用金型
JP6135721B2 (ja) * 2015-08-10 2017-05-31 大日本印刷株式会社 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
TWI587548B (zh) * 2015-09-07 2017-06-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體封裝件
DE102015115824A1 (de) * 2015-09-18 2017-03-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US10366948B2 (en) * 2016-03-17 2019-07-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN109219623B (zh) * 2016-05-31 2021-09-03 三菱瓦斯化学株式会社 树脂组合物、层叠体、带树脂组合物层的半导体晶圆、带树脂组合物层的半导体搭载用基板和半导体装置
JP6724634B2 (ja) * 2016-07-28 2020-07-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6837314B2 (ja) * 2016-11-01 2021-03-03 旭化成エレクトロニクス株式会社 半導体装置
US11049849B2 (en) 2016-12-13 2021-06-29 Lumileds Llc Arrangement of LEDs on a leadframe
TWI629431B (zh) * 2017-02-17 2018-07-11 隆達電子股份有限公司 框架、應用其的發光裝置以及應用其的發光裝置的製作方法
US9991194B1 (en) * 2017-04-18 2018-06-05 Ubotic Company Limited Sensor package and method of manufacture
CN106935694A (zh) * 2017-04-20 2017-07-07 江苏稳润光电科技有限公司 一种csp led封装方法
CN106887505B (zh) * 2017-04-24 2019-07-16 芜湖聚飞光电科技有限公司 一种单面发光芯片级led的制作方法
US10153416B1 (en) 2017-05-23 2018-12-11 Radiant Choice Limited Package body and light emitting device using same
US10270020B2 (en) 2017-06-20 2019-04-23 Lextar Electronics Corporation LED package structure
JP7248379B2 (ja) * 2017-07-24 2023-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10892211B2 (en) * 2017-08-09 2021-01-12 Semtech Corporation Side-solderable leadless package
JP6909976B2 (ja) * 2017-09-07 2021-07-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6637003B2 (ja) * 2017-09-08 2020-01-29 サンコール株式会社 バスバーアッセンブリ
JP6879172B2 (ja) * 2017-11-10 2021-06-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102017128457A1 (de) * 2017-11-30 2019-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Herstellung optoelektronischer bauelemente
US10862015B2 (en) 2018-03-08 2020-12-08 Samsung Electronics., Ltd. Semiconductor light emitting device package
JP6879262B2 (ja) 2018-05-08 2021-06-02 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110233199A (zh) * 2018-08-31 2019-09-13 深圳市聚飞光电股份有限公司 Led支架及其制作方法、led发光器件、发光装置
CN112586098B (zh) * 2018-09-28 2021-09-21 三井金属矿业株式会社 多层布线板的制造方法
US11056615B2 (en) 2018-09-28 2021-07-06 Nichia Corporation Method for manufacturing light emitting module with concave surface light guide plate
JP6717361B2 (ja) * 2018-11-27 2020-07-01 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10971650B2 (en) 2019-07-29 2021-04-06 Lextar Electronics Corporation Light emitting device
US11152540B2 (en) 2019-07-29 2021-10-19 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode structure and method of manufacturing thereof
CN112445024B (zh) * 2019-09-03 2024-03-22 纬联电子科技(中山)有限公司 显示器及其背光模块与灯源支架
US11038088B2 (en) 2019-10-14 2021-06-15 Lextar Electronics Corporation Light emitting diode package
JP7348521B2 (ja) 2019-12-24 2023-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3848981A1 (en) * 2020-01-10 2021-07-14 Lumileds Holding B.V. Led module, mold and method for manufacturing the same
JP7396057B2 (ja) 2020-01-14 2023-12-12 オムロン株式会社 スイッチの製造方法及び光学ユニットの製造方法
DE102020107409B4 (de) * 2020-03-18 2023-11-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gehäuse für ein optoelektronisches halbleiterbauelement und optoelektronisches halbleiterbauelement
CN113745389A (zh) 2020-05-29 2021-12-03 日亚化学工业株式会社 发光装置
US20210399041A1 (en) * 2020-06-18 2021-12-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting module having a plurality of unit pixels, method of fabricating the same, and displaying apparatus having the same
WO2022027470A1 (zh) * 2020-08-06 2022-02-10 深圳市汇顶科技股份有限公司 一种芯片及芯片封装方法、电子设备
CN112248359A (zh) * 2020-09-28 2021-01-22 徐君东 一种定向反光膜的制作工艺
TWI765569B (zh) * 2021-02-08 2022-05-21 健策精密工業股份有限公司 導線架結構及其製造方法
JP2022168726A (ja) 2021-04-26 2022-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、灯具及び街路灯
WO2022230223A1 (ja) 2021-04-26 2022-11-03 日亜化学工業株式会社 発光装置、灯具及び街路灯
JP2022168725A (ja) 2021-04-26 2022-11-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、灯具及び街路灯
WO2022249513A1 (ja) 2021-05-26 2022-12-01 日亜化学工業株式会社 酸化物蛍光体、発光装置及び酸化物蛍光体の製造方法
JP7492142B2 (ja) 2021-07-01 2024-05-29 日亜化学工業株式会社 発光装置、灯具及び照明器具
JP2023046654A (ja) 2021-09-24 2023-04-05 スタンレー電気株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2023072239A (ja) 2021-11-12 2023-05-24 スタンレー電気株式会社 発光装置及びリードフレーム
JP2023080391A (ja) 2021-11-30 2023-06-09 日亜化学工業株式会社 酸化物蛍光体及び発光装置
JP2023082632A (ja) 2021-12-02 2023-06-14 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US20230335691A1 (en) * 2021-12-26 2023-10-19 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting module and display apparatus having the same
EP4339509A1 (en) 2022-09-15 2024-03-20 Nichia Corporation Vehicle light-emitting device and vehicle lighting device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1381906A (zh) * 2001-04-09 2002-11-27 株式会社东芝 发光装置
CN101060157A (zh) * 2006-04-17 2007-10-24 三星电机株式会社 发光二极管封装件及其制造方法

Family Cites Families (160)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5469068A (en) 1977-11-14 1979-06-02 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacture
JPS60262476A (ja) 1984-06-08 1985-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子
JP3088193B2 (ja) 1992-06-05 2000-09-18 三菱電機株式会社 Loc構造を有する半導体装置の製造方法並びにこれに使用するリードフレーム
KR0128251Y1 (ko) 1992-08-21 1998-10-15 문정환 리드 노출형 반도체 조립장치
US5302849A (en) 1993-03-01 1994-04-12 Motorola, Inc. Plastic and grid array semiconductor device and method for making the same
SG68542A1 (en) * 1993-06-04 1999-11-16 Seiko Epson Corp Semiconductor device and manufacturing method thereof
JPH0799345A (ja) 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH0837252A (ja) 1994-07-22 1996-02-06 Nec Corp 半導体装置
KR100244853B1 (ko) 1996-12-31 2000-02-15 구자홍 가변형 광원과 그를 이용한 이종 광디스크용광픽업 장치
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
TW467401U (en) 1997-03-21 2001-12-01 Rohm Co Ltd Lead frame and the semiconductor device utilizing the lead frame
EP0936683A4 (en) 1997-06-27 2000-11-22 Iwasaki Electric Co Ltd REFLECTIVE LIGHT-EMITTING DIODE
JP3165078B2 (ja) 1997-07-24 2001-05-14 協和化成株式会社 表面実装部品の製造方法
JP3472450B2 (ja) 1997-09-04 2003-12-02 シャープ株式会社 発光装置
JPH11145523A (ja) 1997-11-05 1999-05-28 Matsushita Electron Corp 半導体発光装置
JP3877402B2 (ja) 1997-11-28 2007-02-07 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP3831504B2 (ja) 1997-12-25 2006-10-11 三洋電機株式会社 リードフレーム
JP3877410B2 (ja) * 1997-12-26 2007-02-07 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JPH11220170A (ja) 1998-01-29 1999-08-10 Rohm Co Ltd 発光ダイオード素子
JPH11214754A (ja) * 1998-01-28 1999-08-06 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
US6184544B1 (en) 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JP4065051B2 (ja) * 1998-04-17 2008-03-19 スタンレー電気株式会社 表面実装ledとその製造方法
US6498099B1 (en) 1998-06-10 2002-12-24 Asat Ltd. Leadless plastic chip carrier with etch back pad singulation
JP2000156435A (ja) 1998-06-22 2000-06-06 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7332375B1 (en) 1998-06-24 2008-02-19 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP3667125B2 (ja) 1998-12-07 2005-07-06 日亜化学工業株式会社 光半導体装置とその製造方法
JP3217322B2 (ja) * 1999-02-18 2001-10-09 日亜化学工業株式会社 チップ部品型発光素子
JP3795248B2 (ja) 1999-03-19 2006-07-12 ローム株式会社 チップ型発光装置
EP1107321A4 (en) 1999-06-23 2006-08-30 Citizen Electronics LIGHT-EMITTING DIODE
JP4390317B2 (ja) 1999-07-02 2009-12-24 株式会社ルネサステクノロジ 樹脂封止型半導体パッケージ
JP4183859B2 (ja) 1999-09-02 2008-11-19 株式会社アドバンテスト 半導体基板試験装置
JP2001077235A (ja) 1999-09-06 2001-03-23 Mitsui High Tec Inc 半導体素子搭載用基板
US6320251B1 (en) 2000-01-18 2001-11-20 Amkor Technology, Inc. Stackable package for an integrated circuit
JP3420153B2 (ja) 2000-01-24 2003-06-23 Necエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3429246B2 (ja) 2000-03-21 2003-07-22 株式会社三井ハイテック リードフレームパターン及びこれを用いた半導体装置の製造方法
JP2001326295A (ja) 2000-05-15 2001-11-22 Rohm Co Ltd 半導体装置および半導体装置製造用フレーム
TW511401B (en) * 2000-09-04 2002-11-21 Sanyo Electric Co Method for manufacturing circuit device
JP4523138B2 (ja) * 2000-10-06 2010-08-11 ローム株式会社 半導体装置およびそれに用いるリードフレーム
KR100371567B1 (ko) 2000-12-08 2003-02-07 삼성테크윈 주식회사 Ag 선도금을 이용한 반도체 패키지용 리드프레임
US6424024B1 (en) 2001-01-23 2002-07-23 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Leadframe of quad flat non-leaded package
US6627482B2 (en) * 2001-02-09 2003-09-30 Harvatek Corporation Mass production technique for surface mount optical device with a focusing cup
JP4505849B2 (ja) * 2001-03-28 2010-07-21 住友電気工業株式会社 光通信モジュールの製造方法
JP2002314138A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
DE10117889A1 (de) 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
JP4034073B2 (ja) 2001-05-11 2008-01-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP3844196B2 (ja) 2001-06-12 2006-11-08 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP2003023134A (ja) 2001-07-09 2003-01-24 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP4672201B2 (ja) 2001-07-26 2011-04-20 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
US6624007B2 (en) 2001-07-26 2003-09-23 Rohm Co., Ltd. Method of making leadframe by mechanical processing
JP2003110145A (ja) 2001-09-27 2003-04-11 Harvatek Corp 発光ダイオード用の翼形表面実装パッケージ
CA2358379A1 (en) 2001-10-05 2003-04-05 Elysium Broadband Inc. Method and device for preventing signal loss in unterminated bridge taps
DE10153259A1 (de) 2001-10-31 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2003152296A (ja) 2001-11-15 2003-05-23 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd Led搭載プリント配線板
JP4009097B2 (ja) 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
JP3939554B2 (ja) 2002-01-15 2007-07-04 シャープ株式会社 半導体用リードフレーム
JP2003218398A (ja) 2002-01-18 2003-07-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2003304000A (ja) 2002-04-08 2003-10-24 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード用パッケージの製造方法
US7799611B2 (en) 2002-04-29 2010-09-21 Unisem (Mauritius) Holdings Limited Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging
TW546799B (en) 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
WO2004015769A1 (de) * 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines elektrischen leiterrahmens, verfahren zum herstellen eines oberflächenmontierbaren halbleiterbauelements und leiterrahmenstreifen
DE10237084A1 (de) * 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
TWI292961B (en) 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
JP4059293B2 (ja) 2002-09-05 2008-03-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
US6879040B2 (en) 2002-09-18 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Surface mountable electronic device
JP4280050B2 (ja) 2002-10-07 2009-06-17 シチズン電子株式会社 白色発光装置
JP3666594B2 (ja) 2002-10-17 2005-06-29 ローム株式会社 パッケージ型電子部品におけるリード端子の切断方法
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
FR2849158B1 (fr) * 2002-12-20 2005-12-09 Valeo Vision Module d'eclairage pour projecteur de vehicule
JP3910171B2 (ja) 2003-02-18 2007-04-25 シャープ株式会社 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP2006313943A (ja) * 2003-02-18 2006-11-16 Sharp Corp 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置
JP4341951B2 (ja) 2003-05-07 2009-10-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード及びそのパッケージ構造
US20050133808A1 (en) 2003-09-11 2005-06-23 Kyocera Corporation Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
US7157744B2 (en) * 2003-10-29 2007-01-02 M/A-Com, Inc. Surface mount package for a high power light emitting diode
US7183588B2 (en) 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
JP3877732B2 (ja) * 2004-02-26 2007-02-07 松下電器産業株式会社 リードフレームおよびそれを用いた半導体装置およびその半導体装置の製造方法
US20050211991A1 (en) 2004-03-26 2005-09-29 Kyocera Corporation Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
JP2005306952A (ja) 2004-04-20 2005-11-04 Japan Epoxy Resin Kk 発光素子封止材用エポキシ樹脂組成物
JP4635471B2 (ja) 2004-04-22 2011-02-23 ソニー株式会社 半導体装置及びその製造方法、半導体装置の実装構造並びにリードフレーム
JP2005317661A (ja) 2004-04-27 2005-11-10 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP2005322804A (ja) 2004-05-10 2005-11-17 Nitto Denko Corp 光半導体装置
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
JP4359195B2 (ja) 2004-06-11 2009-11-04 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット
JP2006049442A (ja) 2004-08-02 2006-02-16 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP4593201B2 (ja) 2004-08-20 2010-12-08 日立化成工業株式会社 チップ部品型発光装置及びそのための配線基板
KR200373718Y1 (ko) 2004-09-20 2005-01-21 주식회사 티씨오 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드
US8154190B2 (en) 2004-09-22 2012-04-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device with resin layer containing blue, green and red emitting phosphors which emits white light when excited by ultraviolet light
US8816369B2 (en) * 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
JP5060707B2 (ja) 2004-11-10 2012-10-31 日立化成工業株式会社 光反射用熱硬化性樹脂組成物
JP4329678B2 (ja) 2004-11-11 2009-09-09 株式会社デンソー 半導体装置に用いるリードフレームの製造方法
JP4608294B2 (ja) 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
KR100638721B1 (ko) 2005-01-28 2006-10-30 삼성전기주식회사 수지 흐름 개선용 리드 프레임 구조를 갖는 측면형발광다이오드 패키지
JP2006278427A (ja) 2005-03-28 2006-10-12 Matsushita Electric Works Ltd 光結合素子およびそれに用いるリードフレームならびに光結合素子の製造方法
JP4857594B2 (ja) 2005-04-26 2012-01-18 大日本印刷株式会社 回路部材、及び回路部材の製造方法
JP2006324410A (ja) 2005-05-18 2006-11-30 Showa Denko Kk 発光ダイオード封止材用樹脂組成物
EP1884335A4 (en) * 2005-05-24 2010-01-13 Murata Manufacturing Co METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING INSERTED PART
KR100593945B1 (ko) 2005-05-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
KR100638868B1 (ko) 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
JP2007005722A (ja) 2005-06-27 2007-01-11 Toshiba Corp 光半導体素子用外囲器およびそれを用いた光半導体装置
JP5392805B2 (ja) 2005-06-28 2014-01-22 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物および光学部材
JP4739842B2 (ja) 2005-07-25 2011-08-03 スタンレー電気株式会社 表面実装型led
JP5422121B2 (ja) 2005-08-04 2014-02-19 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法並びに成形体及び封止部材
JP4857709B2 (ja) * 2005-10-25 2012-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI271835B (en) 2005-11-07 2007-01-21 High Power Lighting Corp Packaging structure of high power LED chip and method of manufacturing the same
JP2007134376A (ja) 2005-11-08 2007-05-31 Akita Denshi Systems:Kk 発光ダイオード装置及びその製造方法
KR100637476B1 (ko) 2005-11-09 2006-10-23 알티전자 주식회사 측면발광 다이오드 및 그 제조방법
US7943431B2 (en) * 2005-12-02 2011-05-17 Unisem (Mauritius) Holdings Limited Leadless semiconductor package and method of manufacture
US20070126020A1 (en) 2005-12-03 2007-06-07 Cheng Lin High-power LED chip packaging structure and fabrication method thereof
KR20080080555A (ko) * 2005-12-28 2008-09-04 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 반도체 장치의 제조 방법
JP5232369B2 (ja) * 2006-02-03 2013-07-10 日立化成株式会社 光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法およびこれを用いた光半導体装置の製造方法
JP2007297601A (ja) 2006-04-06 2007-11-15 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
KR100775574B1 (ko) 2006-04-20 2007-11-15 알티전자 주식회사 고효율 발광 다이오드 패키지
JP2007294506A (ja) 2006-04-21 2007-11-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 放熱基板とその製造方法及び、これを用いた発光モジュール及び表示装置
WO2007135707A1 (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Nichia Corporation 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
MY152165A (en) * 2006-06-02 2014-08-15 Hitachi Chemical Co Ltd Optical semiconductor element mounting package, and optical semiconductor device using the same
US8044418B2 (en) 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
JP5233186B2 (ja) 2006-07-25 2013-07-10 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
US8092735B2 (en) * 2006-08-17 2012-01-10 3M Innovative Properties Company Method of making a light emitting device having a molded encapsulant
US7763478B2 (en) * 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
KR100773350B1 (ko) 2006-08-29 2007-11-05 삼성전자주식회사 설비의 이상패턴 규명을 위한 기준정보형성방법 및 이를이용한 반도체 제조설비의 모니터링 방법
US7485480B2 (en) 2006-09-21 2009-02-03 Harvatek Corporation Method of manufacturing high power light-emitting device package and structure thereof
JP5298468B2 (ja) * 2006-09-26 2013-09-25 日立化成株式会社 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP5564162B2 (ja) * 2006-09-29 2014-07-30 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光ダイオード装置
TWI311824B (en) * 2006-10-02 2009-07-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode package structure
WO2008047933A1 (en) 2006-10-17 2008-04-24 C.I.Kasei Company, Limited Package assembly for upper/lower electrode light-emitting diodes and light-emitting device manufacturing method using same
JP2008108958A (ja) 2006-10-26 2008-05-08 C I Kasei Co Ltd 発光装置および発光装置の製造方法
JP2008103460A (ja) 2006-10-18 2008-05-01 Sony Corp 半導体パッケージ及びその製造方法
WO2008056813A1 (fr) 2006-11-08 2008-05-15 C.I.Kasei Company, Limited Dispositif électroluminescent et son procédé de fabrication
JP5023781B2 (ja) 2006-11-13 2012-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2008059856A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 Hitachi Chemical Co., Ltd. Heat curable resin composition for light reflection, process for producing the resin composition, and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition
JP2008130735A (ja) 2006-11-20 2008-06-05 C I Kasei Co Ltd 発光装置の製造方法
JP4961978B2 (ja) 2006-11-30 2012-06-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US7679099B2 (en) 2006-12-04 2010-03-16 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Low thermal resistance high power LED
WO2008078791A1 (ja) 2006-12-27 2008-07-03 Showa Denko K.K. 発光装置の製造方法
JP5380774B2 (ja) 2006-12-28 2014-01-08 日亜化学工業株式会社 表面実装型側面発光装置及びその製造方法
KR101026914B1 (ko) 2006-12-28 2011-04-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치, 패키지, 발광 장치의 제조 방법, 패키지의 제조방법 및 패키지 제조용 금형
WO2008081794A1 (ja) * 2006-12-28 2008-07-10 Nichia Corporation 発光装置およびその製造方法
JP4872683B2 (ja) 2007-01-29 2012-02-08 株式会社デンソー モールドパッケージの製造方法
JP2008187045A (ja) 2007-01-30 2008-08-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置用リードフレームとその製造方法、半導体装置
JP5608955B2 (ja) 2007-02-06 2014-10-22 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法並びに発光装置用成形体
JP5470680B2 (ja) * 2007-02-06 2014-04-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法並びに成形体
US20080255283A1 (en) * 2007-02-06 2008-10-16 Takayuki Aoki Thermosetting epoxy resin composition and semiconductor device
JP2008189827A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4205135B2 (ja) 2007-03-13 2009-01-07 シャープ株式会社 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
JP2008262939A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードフレームおよび封止金型および封止方法
TW200843130A (en) 2007-04-17 2008-11-01 Wen Lin Package structure of a surface-mount high-power light emitting diode chip and method of making the same
JP2007329502A (ja) 2007-08-16 2007-12-20 Toshiba Corp 発光装置
JP4522442B2 (ja) * 2007-08-20 2010-08-11 三菱鉛筆株式会社 衝撃緩和装置付きノック式筆記具
US7968899B2 (en) * 2007-08-27 2011-06-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source having improved resistance to thermal cycling
US8716848B2 (en) 2008-03-24 2014-05-06 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. LED device with conductive wings and tabs
KR100869376B1 (ko) 2008-05-20 2008-11-19 주식회사 정진넥스텍 발광다이오드 칩 실장용 리드 프레임 어셈블리와 그의 제조방법
JP2010021259A (ja) 2008-07-09 2010-01-28 Toshiba Corp 光半導体装置
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
US8829685B2 (en) * 2009-03-31 2014-09-09 Semiconductor Components Industries, Llc Circuit device having funnel shaped lead and method for manufacturing the same
EP2421060A1 (en) * 2009-04-13 2012-02-22 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light-emitting diode
JP5383611B2 (ja) * 2010-01-29 2014-01-08 株式会社東芝 Ledパッケージ
JP5527450B2 (ja) 2013-03-06 2014-06-18 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP2013145908A (ja) 2013-03-06 2013-07-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1381906A (zh) * 2001-04-09 2002-11-27 株式会社东芝 发光装置
CN101060157A (zh) * 2006-04-17 2007-10-24 三星电机株式会社 发光二极管封装件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190095557A (ko) 2019-08-14
KR102129936B1 (ko) 2020-07-03
KR102405355B1 (ko) 2022-06-07
JP2010062272A (ja) 2010-03-18
KR20210107167A (ko) 2021-08-31
KR101763086B1 (ko) 2017-07-28
TWI596806B (zh) 2017-08-21
US20210336094A1 (en) 2021-10-28
CN105576109B (zh) 2018-06-19
US10700241B2 (en) 2020-06-30
EP2325901A4 (en) 2013-12-25
KR20180115362A (ko) 2018-10-22
BRPI0918071A2 (pt) 2018-09-25
KR102294486B1 (ko) 2021-08-27
US20170141273A1 (en) 2017-05-18
EP2325901B1 (en) 2018-09-26
TW201021252A (en) 2010-06-01
EP3267494B1 (en) 2019-10-02
TWI635629B (zh) 2018-09-11
KR102011235B1 (ko) 2019-08-14
TWI525848B (zh) 2016-03-11
TW202025521A (zh) 2020-07-01
TW201832385A (zh) 2018-09-01
US9287476B2 (en) 2016-03-15
US20140084320A1 (en) 2014-03-27
US9537071B2 (en) 2017-01-03
CN102144306B (zh) 2016-02-24
EP3598509A1 (en) 2020-01-22
US20160049566A1 (en) 2016-02-18
DE202009019173U1 (de) 2017-08-21
TWI726214B (zh) 2021-05-01
KR20230042151A (ko) 2023-03-27
US10115870B2 (en) 2018-10-30
KR20220082090A (ko) 2022-06-16
US8530250B2 (en) 2013-09-10
US20200287096A1 (en) 2020-09-10
EP2325901A1 (en) 2011-05-25
US10573788B2 (en) 2020-02-25
JP5217800B2 (ja) 2013-06-19
WO2010026716A1 (ja) 2010-03-11
KR20200083651A (ko) 2020-07-08
EP3267494A1 (en) 2018-01-10
US20180301600A1 (en) 2018-10-18
BRPI0918071B1 (pt) 2020-02-18
KR20170038938A (ko) 2017-04-07
US11094854B2 (en) 2021-08-17
KR20160045924A (ko) 2016-04-27
CN105576091A (zh) 2016-05-11
KR101614975B1 (ko) 2016-04-22
TW201725761A (zh) 2017-07-16
CN102144306A (zh) 2011-08-03
CN105563728B (zh) 2019-09-06
TWI725777B (zh) 2021-04-21
US20160056357A1 (en) 2016-02-25
TW201644073A (zh) 2016-12-16
KR20200125752A (ko) 2020-11-04
CN105563728A (zh) 2016-05-11
KR20110049912A (ko) 2011-05-12
US9490411B2 (en) 2016-11-08
KR101909896B1 (ko) 2018-10-19
US10573789B2 (en) 2020-02-25
TW202127615A (zh) 2021-07-16
KR102171595B1 (ko) 2020-10-29
US20190088825A1 (en) 2019-03-21
KR102512557B1 (ko) 2023-03-21
US20110210354A1 (en) 2011-09-01
CN105576109A (zh) 2016-05-11
US20190035981A1 (en) 2019-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105576091B (zh) 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法
JP6056934B2 (ja) 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP6797861B2 (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置
JP5527450B2 (ja) 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP6164355B2 (ja) 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP6888709B2 (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2013145908A (ja) 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP6489162B2 (ja) 樹脂成形体付リードフレーム及びこれの製造方法並びにこれらに用いるリードフレーム
JP2014146836A (ja) 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant