JP2023072239A - 発光装置及びリードフレーム - Google Patents

発光装置及びリードフレーム Download PDF

Info

Publication number
JP2023072239A
JP2023072239A JP2021184652A JP2021184652A JP2023072239A JP 2023072239 A JP2023072239 A JP 2023072239A JP 2021184652 A JP2021184652 A JP 2021184652A JP 2021184652 A JP2021184652 A JP 2021184652A JP 2023072239 A JP2023072239 A JP 2023072239A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
lead frame
metal plate
emitting device
frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021184652A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023072239A5 (ja
Inventor
陽一 下田
Yoichi Shimoda
大蔵 神原
Daizo Kanbara
裕司 重枝
Yuji Shigee
幸治 市川
Koji Ichikawa
裕之 石河
Hiroyuki Ishikawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP2021184652A priority Critical patent/JP2023072239A/ja
Priority to KR1020247012908A priority patent/KR20240101557A/ko
Priority to PCT/JP2022/034023 priority patent/WO2023084899A1/ja
Priority to EP22892400.7A priority patent/EP4418336A1/en
Publication of JP2023072239A publication Critical patent/JP2023072239A/ja
Publication of JP2023072239A5 publication Critical patent/JP2023072239A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/505Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/023Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/0232Lead-frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Figure 2023072239000001
【課題】樹脂製の枠体と金属製のリードフレームとの密着性に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置10は、リードフレーム12と、開口部20を有しリードフレーム12との一体成形により形成されている枠体11と、リードフレーム12のリード12a,12bに接続されて開口部20内に配設されているLED28とを備える。リードフレーム12は、上側の第2層金属板122と下側の第3層金属板123とを含む積層構造を有し、貫通部125が積層構造を上下方向に貫通している。第2層金属板122は、第3層金属板123より貫通部125内には張り出して、段差を形成する。貫通部125内には、枠体11の樹脂が充填されている。
【選択図】図6

Description

本発明は、発光装置及び当該発光装置に用いられるリードフレーム、特に発光ダイオード(LED)などの半導体発光素子を有する発光装置及び当該発光装置に用いられるリードフレームに関する。
従来、インサート成形によって樹脂体をリードフレームに設け、ダイサーで切断して形成される発光装置が知られている。
例えば、特許文献1には、切り欠き部を設けたリードフレームに枠状の樹脂成形体を形成し、切り欠き部に沿って樹脂成形体とリードフレームとを切断して発光装置を形成する方法が開示されている。
また、特許文献2には、発光素子を載置するための第1のリードと、当該第1のリードに電気的に接続されている第2のリードとを一体成形してなる枠状の第1の樹脂成形体と、発光素子を被覆しつつ下側において第1のリードと第2のリードとに接合する第2の樹脂成形体とを有する表面実装型発光装置が開示されている。この表面実装型発光装置の第1の樹脂成形体と第2の樹脂成形体とは、共に、熱硬化性樹脂となっている。
特開2010-62272号公報 特開2006-156704号公報
特許文献1の発光装置は、樹脂成形体の樹脂が、リードフレームの切欠き部内に充填されることにより、樹脂成形体とリードフレームとの密着性が高まる。しかしながら、樹脂と切欠き部との接触面の高さは、せいぜいリードフレームの厚さであり、接触面積の増大は限定的である。
特許文献2の表面実装型発光装置では、第2の樹脂成形体とリードフレームとの密着性が向上し、それに伴い、第2の樹脂形成体に熱硬化性樹脂同士で密着している第1の樹脂形成体が、第2の樹脂形成体を介してリードフレームとの密着性が高められている可能性がある。
しかしながら、従来技術においては、樹脂成形体とリードフレームとの密着性について十分な改善の余地がある。
本発明は、上記した観点に鑑みてなされたもので、樹脂製の枠体と金属製のリードフレームとの密着性に優れ、その結果として、枠体の樹脂とリードフレームとの剥離が防止されるとともに、断線不良等が生じ難い構造を有する発光装置及び当該発光装置に用いられるリードフレームを提供することを目的とする。
本発明の発光装置は、
少なくとも2層が積層された共通の積層構造から形成された複数のリードを有し、前記複数のリードは、前記積層構造の上層から少なくとも2層を貫通する貫通部を有し、前記貫通部を有する2層のうち上側層と下側層とは前記貫通部に対して異なる張出し量で張り出して段差を形成しているリードフレームと、
前記複数のリードを露出する開口部を有し、前記貫通部に充填されるとともに、前記リードフレームの上部において前記開口部を囲うように設けられた樹脂製の枠体と、
前記開口部内に載置され、前記複数のリードに接続された発光素子と、
を有する。
本発明のリードフレームは、
少なくとも2層が積層された共通の積層構造から形成された複数のリードを有し、
前記複数のリードは、前記積層構造の上層から少なくとも2層を貫通する貫通部を有し、
前記貫通部を有する2層のうち上側層と下側層とは前記貫通部に対して異なる張出し量で張り出して段差を形成している。
本発明の第1の実施形態による発光装置を模式的に示す斜視図である。 発光装置の上面を示す図である。 発光装置の内部を模式的に示す上面図である。 図3の線分IV―IVに沿った部分の断面図である。 図2のV-V線に沿った断面図である。 図5の右側半部を拡大して示す拡大断面図である。 図3のVII-VII線に沿った断面図である。 発光装置の下面図である。 図2の矢印VIIIBで示す方向から見たときの側面図である。 図2の矢印VIIICで示す方向から見たときの側面図である。 第1の実施形態のリードフレームの上面図である。 図9Aのリードフレームの下面図である。 図9AのIXC-IXC線に沿った断面図である。 図9AのIXD-IXD線に沿った断面図である。 第1の実施形態の変形例1のリードフレームの上面図である。 図10AのXB-XB線に沿った断面図である。 第1の実施形態の変形例2のリードフレームが有するリードの上面図である。 図11AのXIB矢視のリードの第1例の断面構造を示す図である。第3実施例のリードフレームが有するリードの上面図である。 図11AのXIB矢視のリードの第2例の断面構造を示す図である。 図11AのXIB矢視のリードの第3例の断面構造を示す図である。 図11AのXIB矢視のリードの第4例の断面構造を示す図である。 図11Bのリードに枠体が備わった状態を示す断面図である。 図11AのXIG-XIG線のリード断面に枠体が備わった状態を示す断面図である。 リードフレームの構造図である。 発光装置の製造方法のSTEP2を示す図である。 発光装置の製造方法のSTEP3を示す図である。 発光装置の製造方法のSTEP4を示す図である。 発光装置の上面を模式的に示す上面図である。 発光装置の下面図である。 図13AのXIIICで示す方向から見たときの側面図である。 図13AのXIIID-XIIIDに沿った断面図である。 図13AのXIIIE-XIIIEに沿った断面図である。
以下においては、本発明の好適な実施形態について説明するが、これらを適宜改変し、組合せてもよい。また、以下の説明及び添付図面において、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符を付して説明する。
[第1の実施形態]
図1は、本発明の第1の実施形態による発光装置10を模式的に示す斜視図、図2は、発光装置10の上面を示す図である。なお、複数の図間で対応方向を示す便宜のために、3軸座標系を付記している。Z方向は、発光装置10の上下方向に対応し、X方向及びY方向は、それぞれリードフレーム12の横方向及び縦方向に対応している。
図1において、発光装置10は、上側の矩形形状の枠体11と下側のリードフレーム12とからなる基板15を有している。本実施形態の発光装置10においては、基板15は外周が直方体形状を有している。リードフレーム12は、離間したリード12aとリード12bとを有している。
図1及び図2に示すように、枠体11の内側には被覆部材13が設けられ、被覆部材13から蛍光体板14が露出している。枠体11は、例えば熱硬化性樹脂の材料からなり、開口部20を有している。枠体11は、板状金属からなるリードフレーム12との所定の密着面積を確保可能とする幅で発光装置10の全周にわたって延在している。
図3は、発光装置10の内部を模式的に示す上面図である。図3には、開口部20を被覆している被覆部材13(図1参照)は、図示されていない。リード12aの上面23a及びリード12bの上面23bは、枠体11の開口部20に露出している。枠体11の熱硬化性樹脂は、スリット39内に充填され、枠体11とリードフレーム12との密着性を高めている。
図4は、図3の線分IV―IVに沿った部分の断面図である。図3及び図4に示すように、開口部20には、リード12aの上面23a及びリード12bの上面23bが部分的に露出している。LED28及び保護素子41は、上面23a及び上面23bが開口部20内に露出している部分に載置されている。LED28は、2本のボンディングワイヤ43aを介してリード12bの上面23bに接続されている。保護素子41は、ボンディングワイヤ43bを介してリード12aの上面23aに接続されている。保護素子41は、例えばツェナーダイオード、バリスタ、又はコンデンサからなり、LED28に過電流が流れるのを防止する。
この実施形態では、リード12a,12bは、それぞれ陰極(カソード)及び陽極(アノード)として使用されている。リード12a,12bへの印加電圧は、発光装置10の外から供給される。ボンディングワイヤ43aを並列に2本にしているのは、LED28への給電量を確保するためである。しかしながら、ボンディングワイヤ43aの本数はこれに限定されない。
ボンディングワイヤ43bも、ボンディングワイヤ43aと同様に、リード12aの上面23aと保護素子41の上面の電極パッド(図示せず)とのそれぞれにおけるバンプを介して上面23aと保護素子41とを接続している。
図5は、図2のV-V線に沿った断面図である。枠体11の開口部20は、底面が矩形である倒立型の四角錐台の形状を有している。また、枠体11の内部において、リード12a上にはLED28が実装され、LED28上には、波長変換体である蛍光体板14が設けられている。
図6は、図5の右側半部を拡大して示す拡大断面図である。なお、基板15の中心線Lcを補助線として示している。図6を参照してより詳細に説明すると、LED28は、リード12aの上面23a上に接合層30を介して載置されている。接合層30は、半田材料からなる。蛍光体板14は、透明な接着層29を介してLED28の上面に接着されている。
被覆部材13は、開口部20に充填されて、開口部20を封止している。被覆部材13は、例えば光反射性物質としてのφ200nm~300nmの酸化チタン粒子を含むシリコーン樹脂からなる。
LED28は、例えば青色の光を出射する発光素子である。LED28から上方(+Z方向)に出射された青色の光の一部は、蛍光体板14を通過する際に、例えば黄色の光に波長変換される。この結果、発光装置10からの出射光は、蛍光体板14により波長変換されずに透過した青色の光と黄色の光との混色である白色となる。
LED28から側方(X方向及びY方向)に出射され、被覆部材13に入射された光は、被覆部材13に含まれる光反射性物質に当たって、反射される。
LED28の発光は、青色光に限らず、赤色、緑色等の可視光帯域の光、紫外光、赤外光等の可視光帯域外の光であってもよい。また、LED28上には、波長変換体(蛍光体板14)に限らず、透光性を有する光学素子が設けられていてもよい。
図7は、図3のVII-VII線に沿った断面図である。図5-図7を参照して、リードフレーム12の積層構造及び貫通部125について説明する。リードフレーム12は、上から順番に第1層金属板121、第2層金属板122及び第3層金属板123を並べた複数の金属板層からなる積層構造を有している。なお、リード12a,12bは、リードフレーム12をスリット39で縦方向に分離した発光装置10の陽極電極と陰極電極とになる構造単位である。対して、リードフレーム12の積層構造は、リード12a,12bに共通の厚さ方向の積層構造でもある。
リードフレーム12の積層構造において、上下の隣接金属板同士は、拡散接合されているか、又はろう付けされている。第1層金属板121の上面は、リード12aの上面23a及びリード12bの上面23bを構成している。第3層金属板123の下面は、リード12aの下面24a及びリード12bの下面24bを構成している。
一方、貫通部125は、発光装置10において、リードフレーム12を貫通する孔部として形成されている。具体的には、貫通部125は、図5及び図6に示すように、第1層金属板121、第2層金属板122及び第3層金属板123の各々の金属板の上面と下面を貫通させた板抜き部である。
第2層金属板122は、それより上側の第1層金属板121及び下側の第3層金属板123の縁より貫通部125の方へ張り出している張出し部126を有している。貫通部125内への張出量で対比すると、第2層金属板122は、第1層金属板121及び第3層金属板123より大きな張出量を有している。
この結果、貫通部125において、第2層金属板122の張出し部126に対して第1層金属板121の側と下側層の第3層金属板123の側には、拡開部127a,127bが形成されている。枠体11の樹脂は、貫通部125内に充填されている。したがって、貫通部125の拡開部127a,127bに充填されている枠体11の樹脂は、第2層金属板122の張出し部126を上下方向の両側から挟み込んでいる。
図6の拡大図において、リード12aの上面23a及び下面24aは、メッキ膜231,241により被覆されている。貫通部125内において、第1層金属板121、第2層金属板122及び第3層金属板123の側面は酸化膜235によって被覆されている。
この発光装置10では、第1層金属板121、第2層金属板122及び第3層金属板123は、例えば銅(Cu)からなる。メッキ膜231,241は、例えば、下層のニッケル(Ni)と上層の金(Au)との2層構造(Ni/Au)になっている。酸化膜235は、例えば酸化銅からなる。メッキ膜231,241は、半田の付着性と濡れ性を向上する。対して、酸化膜235は、貫通部125内における枠体11となる樹脂と、リードフレーム12の貫通部125を構成する面との密着性を向上する。
図7は、図3のVII-VII線に沿った断面図である。図7の断面図において、リード12bは発光装置10の下面に露出して当該発光装置10の底面の一部を画定している。また、リード12bは側面及び上面23bの両端部を覆う枠体11で覆われている。リード12bの上面23bと枠体11の内側面で画定された開口部20を被覆部材13が埋設している。また、リード12bの上面23b上に接合層(図示せず)を介して載置されている保護素子41は、開口部20を埋設している被覆部材13に覆われている。
図8Aは、発光装置10の下面図である。また、図8Bは、図2の矢印VIIIBで示す方向から見たときの側面図、図8Cは、図2の矢印VIIICで示す方向から見たときの側面図である。
図8Aの下面図において、リードフレーム12の下面には、第1層金属板121、第2層金属板122及び第3層金属板123に設けられた孔部(板抜き部)が重なって形成された計5個所の貫通部125に枠体11の樹脂が充填されている。各貫通部は、リード12a及び/又はリード12bの縁部により画成されている。5個所のうちの4個所の貫通部125は、リードフレーム12の4隅の部分を除いて、発光装置10の4辺の各々に沿って延在している。残りの1個所の貫通部125は、リード12aとリード12bとが対向して離間した部分であり、スリット39を兼ねている。
図8B及び図8Cにおいて、基板15の各外側面は、矩形状であり、枠体11とリードフレーム12とからなり、大半が枠体11の外側面により占められている。リードフレーム12のリード12a又はリード12bは、各外側面において下辺部の両端部に露出している。当該各外側面において、リード12a又はリード12bにより挟まれている領域は、貫通部125を形成しており、枠体11の樹脂が充填されている。
図8Cにおいて、1対の第2層金属板122が、枠体11の縦方向(図8Cの図中Y方向)の中間部に孤立して露出している。当該中間部に孤立して露出している1対の第2層金属板122は、一方(図中左側)がリード12aから延在した部分の端部であり、他方(図中右側)がリード12bから延在した部分の端部である。
次に、リードフレーム12の詳細な構造について説明する。図9Aは、第1の実施形態のリードフレーム12の上面図、図9Bは、図9Aのリードフレーム12の下面図である。
リードフレーム12は、第1層金属板121、第2層金属板122及び第3層金属板123の3層構造となっており、縦方向(Y方向)にリードフレームを2つに分割するスリット39、及びリードフレーム12の厚さ方向の全体にわたり貫通している4つの貫通部125を有している。
図9Aにおいて、スリット39は、リードフレーム12の縦方向(Y方向)にリード12aの第2層金属板122とリード12bの第2層金属板122とに挟まれつつ、横方向(X方向)にリードフレーム12の全長にわたり延在して離間いる。そして、スリット39に沿って張り出している第2層金属板122の対向した縁は、リードフレーム12の横方向において発光装置10の外側面の縦方向の周縁に達している。この結果、前述の図8Cにおいてスリット39を両側から挟んでいる1対の第2層金属板122は、発光装置10の縦方向の側面に露出している。
リード12aの上面23a及びリード12bの上面23bは、リードフレーム12の積層構造の最上層を構成する第1層金属板121の上面でもある。上面23a,23bには、それぞれダイパッド53,54となる領域が設定されている。ダイパッド53,54には、それぞれLED28及び保護素子41が載置されている。
図9Cは、図9AのIXC-IXC線に沿った断面図、図9Dは、図9AのIXD-IXD線に沿った断面図である。
図9C及び図9Aにおいて、リード12aの左右両側面は、貫通部125の側面である。第2層金属板122の張出し部126は、それよりそれぞれ上側及び下側の第1層金属板121及び第3層金属板123より貫通部125の方へ張り出している。これにより、貫通部125には、段差が形成されている。
一方、図9Dにおいて、リード12aの左右両側面は、発光装置10の外側面に露出する。すなわち、第1層金属板121、第2層金属板122及び第3層金属板123の側面が面一に揃えられている。
なお、リードフレーム12は、縦方向の中心線に対して左右対称の構造を有していることが好ましい。
次に第1の実施形態の変形例について説明する。各種変形例において、第1の実施形態と同様な部分についての説明は省略し、差異についてのみ説明する。
まず、変形例1について説明する。図10Aは、第1の実施形態の変形例1のリードフレーム12の上面図、図10Bは、図10AのXB-XB線に沿った断面図である。図9Aのリードフレーム12と同一の構造部分には、図9Aで付けた参照符と同一の参照符を付して、説明は省略する。
図10Aの第1の実施形態の変形例1のリードフレーム12の特徴は、リード12aが、アライメント溝56を有していることである。なお、図10Bから分かるように、アライメント溝56は、リードフレーム12の金属板積層構造において最上層の第1層金属板121に形成されている。
第1層金属板121のダイパッド53には、LED28が接合層30を介して載置されている。アライメント溝56は、図示のように、ダイパッド53の4辺状のうちスリット39側の1辺を除く3辺に沿ってダイパッド53の外側に矩形に形成されている。アライメント溝56は、後述する第1層金属板121となる銅板(素板)のパターン形成工程の際に同時に形成する。
アライメント溝56は、LED28をダイパッド53に接合する際において、接合層30となる半田が溶融状態の間にダイパッド53から流出することを防ぎ、同時にLED28がダイパッド53の領域内でセルフアライメントされることを可能にする。
次に第1の実施形態の変形例2について説明する。図11Aは、第1の実施形態の変形例2のリードフレーム12のリード12bの上面図である。図11B-図11Eは、図11AのXIB矢視のリード12bの種々の断面構造を示す図である。図11Fは、図11Bのリード12bを枠体11との一体成形状態で示す断面図、図11Gは、リード12bを図11AのXIG-XIG線に沿って枠体11との一体成形状態で示す断面図である。
変形例2のリードフレーム12のリード12bは、アンカー孔71(アンカー孔71a,71b,71cの総称)を有している。アンカー孔71を有するリード12bは、リードフレーム12の縦方向の中心線に対して左右対称の構造を有していることが好ましい。
アンカー孔71aは、矩形のリードフレーム12の4隅のうちリード12bに存在する2つの隅に円形に形成されている。アンカー孔71b,71cは、図11Aの破線で示す開口部20の底面(矩形)の縁に沿って形成されている。詳細には、アンカー孔71bは、開口部20の底面の角部に円形状に形成され、アンカー孔71cは、底面の短辺(X方向の辺)に沿って延在する長円として形成されている。
アンカー孔71の一部又は全部は、図11E及び図11Fに示すように、枠体11に埋設されている。言い換えれば、アンカー孔71を埋設する樹脂は枠体11の一部である。また、アンカー孔71は、円形、長円形、楕円などの円形状、また三角形、四角形、五角形などの多角形とすることもできる。各アンカー孔71は、リードフレーム12と枠体11との接触面積を増すことで双方の耐剥離性を向上する。また、アンカー孔71が凹状、枠体11の一部が凸状となる噛み合わせ構造となることから構造的に耐剥離強度が向上する。
図11B及び図11Cのアンカー孔71aは、円柱孔として形成されている。図11Bのアンカー孔71aは、第1層金属板121のみに形成されている。図11Cのアンカー孔71aは、上面から第1層金属板121と第2層金属板122との2層の深さで形成されている。アンカー孔71は深くすることでリードフレーム12と枠体11の耐剥離性を向上することができる。また、リードフレーム12の裏面(発光装置10の下面)にアンカー孔が露出しない構造とすることで、発光装置10を回路基板に固定する半田内にボイドが導入されることを防止できる。
図11D及び図11Eのアンカー孔71aは、図11Cのアンカー孔71aと同様に、上面から第1層金属板121と第2層金属板122との2層を貫通する深さで形成されている。
図11Dのアンカー孔71aは、円の直径が上側の第1層金属板121より下側の第2層金属板122において大きい。図11Eのアンカー孔71aは、円の直径が、逆に、上側の第1層金属板121より下側の第2層金属板122において小さい。アンカー孔71を埋設する枠体11の一部とリードフレーム12の上下方向の耐剥離性は、第2層金属板122の孔径が、第1層金属板121の孔径より大きい方が向上する。
図11D及び図11Eのアンカー孔71aは、孔径は小さいものの、第1層金属板121と第2層金属板122との2層を貫通しかつ段差を有しているので、貫通部として機能する。また、アンカー孔71aの個数及び位置は、図示のものに限定されない。さらに、アンカー孔71b,71cも、アンカー孔71aと同様に、段差付きの貫通孔とすることができる。
上述では、リード12bのアンカー孔71について説明したが、アンカー孔71はリード12aにも同様に設けることができる。また、アンカー孔71はリード12a及び/又は72bの縦方向(Y方向)に設けることもできる。アンカー孔71はリードフレーム12と枠体11との耐剥離性を向上するだけでなく、基板15の撓み又はねじりなどに対する機械的強度も向上する。これにより、開口部20を埋設する被覆部材13の割れ、リード12a及びリード12bに載置された発光装置10及び保護素子41のボンディングワイヤ43a及び43bの断線を防止できる。
(製造方法)
製造方法については、初めに第1の実施形態に用いるリードフレームの製造方法について説明し、次いで第1の実施形態の発光装置10の製造方法について説明する。なお、製造の過程においては発光装置10が複数繋がった状態で製造される例で説明する。
(リードフレームの製造方法)
図12Aは、複数の発光装置10となるリードフレーム12が繋がっている状態のリードフレーム66(図中、右側)と、繋がった状態のリードフレーム66となる第1成形金属板61、第2成形金属板62及び第3成形金属板63(図中左側)を上面から見た模式図を示している。また、本図では、リードフレーム66及び成形金属板61,62,63は、各々の右上隅のみ図示している。なお、第1成形金属板61、第2成形金属板62及び第3成形金属板63は、それぞれ第1層金属板121、第2層金属板122及び第3層金属板123となる部材である。以下、第1成形金属板61、第2成形金属板62及び第3成形金属板63を特別に区別しない場合は成形金属板と記載する。
リードフレーム66は、格子状に配列された複数の単位区画81と、これら配列された複数の単位区画81の周囲を囲うマージン82とからなる。単位区画81は、発光装置10における1つのリードフレーム12に対応し、第1成形金属板61、第2成形金属板62及び第3成形金属板63のそれぞれの単位区画61a,62a,63aの3つの単位区画の積層構造からなる。
まず、平面状の銅板の片面にニッケル(Ni)/金(Au)を記載順に積層する(表面層形成工程)。具体的には、銅板の一方の面を保護樹脂で保護し、他方の面に電解メッキ法によってNi/Au層を積層した。銅板にNi/Au層を積層した片面積層板は、次工程において、第1成形金属板61、第3成形金属板63を形成するのに用いる。Ni/Au層は、電解メッキ法以外に蒸着法、スパッタ法、CVD(chemical vapor deposition)法などで形成することができる。
次に、片面積層板と銅板とにパターン成形加工をして第1成形金属板61、第2成形金属板62及び第3成形金属板63を形成する(パターン形成工程)。具体的には、プレス型抜き加工によって、片面積層板を第1成形金属板61、第3成形金属板63に加工する。同様に、銅板を第2成形金属板62に加工する。パターン形成は、プレス型抜き加工以外にレーザ切断加工、ウォータージェット切断加工、エッチング加工などで行うこともできる。
なお、変形例1のアライメント溝56となる貫通孔、又は/及び変形例2のアンカー孔71となる貫通孔は、本工程において対応する片面積層板又は/及び銅板を加工して形成することができる。
次に、各成形金属板61、62、63をリードフレーム66となるように重ねて接合する(リード接合工程)。具体的には、第2成形金属板62の上面に第1成形金属板61の下面(銅露出面)が対向するように重ね、第2成形金属板62の下面に第3成形金属板63の上面(銅露出面)が対向するように重ねる。次に、熱拡散接合法によって、第1成形金属板61、第2成形金属板62及び第3成形金属板63を一体化してリードフレーム66を形成する。成形金属板61、62、63の接合には、熱拡散接合法以外にロウ付け法、超音波接合法、電気溶接法などを用いることもできる。
最後に、リードフレーム66の貫通部125の内面などの銅が露出面する表面を酸化処理する(リード酸化工程)。具体的には、リードフレーム66をドライ空気雰囲気下で150~200℃、30~180分暴露して、リードフレーム66の銅露出面に銅酸化膜を形成する。枠体11となる樹脂材料との接着力は、銅板の表面に金属酸化膜面を設けることで向上する。また、アライメント溝56においては、接合層30となる半田の融液を弾くのでダイパッド53の領域からの半田漏れを防止できる。なお、銅板にNi/Auを積層した部分は、表面がAuであるので、酸化されることはない。
(発光装置の製造方法)
次に発光装置10の製造方法について説明する。図12A-図12Dは、発光装置10の製造方法の工程順に示している。
STEP1では、図12Aの右下のリードフレーム66が用意される。リードフレーム66は、格子状に配列された複数の単位区画81と、これら複数の単位区画81の格子配列領域の周囲を囲うマージン82とからなる。前述の工程により作成される。
以下のSTEP2-STEP4を示す図12B-図12Dにおいて、リードフレーム66を単位区画81に区画する横ダイシング線84及び縦ダイシング線85がそれぞれ横方向及び縦方向に延在して破線で記載されている。横ダイシング線84及び縦ダイシング線85は、実際のリードフレーム66に構造として存在しているものではなく、説明の便宜上、単位区画81の境界線を補助線として付加したものである。
図12BのSTEP2では、枠体11を、トランスファモールド法によりリードフレーム66の上に形成する。具体的には、下型にリードフレーム66を所定に位置にセットし、枠体11となる凹部を備えた上型を被せて閉じる。次いで、枠体11となる樹脂を閉じた型の隙間に送液し、加熱硬化してリードフレーム66に枠体11を形成する。各枠体11は、中央部に上方に開口する開口部20を有する。リード12a,12bの上面23a,23bは、開口部20に露出している。
図12BのSTEP2では、さらに、開口部20に露出している枠体11aの上面23a及び枠体11bの上面23bのダイパッド53,54(図9A)に接合層30となる半田(例えば金錫半田)を塗布し、その上にLED28及び保護素子41を載置する。続いて、半田リフロー装置で半田を溶融固化してLED28と保護素子41を接合する。
次に、LED28の上に接着層29となる透光性のシリコーン樹脂を塗布し、その上に蛍光体板14が載置される。続いて、加熱してシリコーン樹脂を硬化して蛍光体板14を接着する。その後、LED28と上面23bとがボンディングワイヤ43aにより接続され、保護素子41と上面23aとがボンディングワイヤ43bにより接続される。
図12CのSTEP3では、開口部20を被覆部材13により被覆、封止する。具体的には、シリコーン樹脂に粒径200nm~300nmの酸化チタン粒子が混入された光反射性の樹脂を開口部20へ、枠体11及び蛍光体板14の側面を覆い、蛍光体板14の上面が露出されるように充填する。続いて、150℃で90分加熱して光反射性の樹脂を硬化して被覆部材13を形成する。こうして、複数の発光装置10が共通のリードフレーム66において格子配列の連結状態で完成する。
図12DのSTEP4では、STEP3の複数の発光装置10の格子配列に対して横ダイシング線64及び縦ダイシング線65に沿ってダイシングブレード68によりダイシングを行う。これにより、個々の発光装置10が、完成する。
[第2実施形態]
次に、第2の実施形態について説明する。図13A-図13Eは、発光装置90に関するものである。図13Aは、発光装置90の上面を模式的に示す上面図である。図13Bは、発光装置90の下面図である。さらに、図13Cは、図13AのXIIICで示す方向から見たときの側面図、図13Dは、図13AのXIIIDで示す方向から見たときの側面図、図13Eは、図13AのXIIIE-XIIIEに沿った断面図である。
発光装置90の上面形状は矩形状をしており、図13Aに示すように、外形周囲に枠体11が配置され、枠体11の開口部20を被覆部材13が埋設しており、当該被覆部材13の中央部に蛍光体板14の上面が露出している。また、発光装置90の底面は、図13Bに示すように、離間した矩形のリード12aとリード12bが縦方向(Y方向)に配置され、離間したリード12aと12のスリット39に枠体11の樹脂が埋設されている。
XIIIC方向から見た発光装置90の矩形状の側面(短辺側の側面)は、図13Cに示すように、下部にリード12a、上部に枠体11が層状に配置されている。XIIID方向から見た発光装置90の矩形状の側面(長辺側の側面)は、下部にリード12aと12bが、上部に枠体11が層状に配置され、リード12aとリード12bの離間部であるスリット39に枠体11の樹脂が充填された構造となっている。
次に、図13Eの断面図を参照して、発光装置90における貫通部125の構成を詳説する。なお、図13Eは、リード12aを横方向(X方向)に横切る断面を示す断面図である。なお、リード12bを横切る断面においては、図13Eのリード12aがリード12bに置き換えられるだけで、貫通部125の構成は、図13Eの貫通部125の構成と同一である。
発光装置90においては、図13Eに示すように、スリット39以外の貫通部125は、リードフレーム12の周縁の内側に、第3層金属板123の上面を底面とする孔として形成されている。
すなわち、発光装置90において、貫通部125は、発光装置90の外周に沿って形成されているものの、発光装置90の外周面側において第1層金属板121及び第2層金属板122の外周壁部により画成されている。すなわち、発光装置90の貫通部125は、全周を第1層金属板121及び第2層金属板122により包囲されている。
即ち、発光装置90では、貫通部125は、リード12aを、その厚さ方向にわたり貫通していない。言い換えれば、貫通部125は、第1層金属板121及び第2層金属板122の2層にのみに連通して形成されているだけである。すなわち、貫通部125は、最下層の第3層金属板123で塞がれている。
また、発光装置90では、貫通部125の深さを、リードフレーム12の上面から最上層の2層に留めたことに伴い、張出し部126は、第2層金属板122ではなく、第1層金属板121に形成されている。これにより、貫通部125内の段差は、第1層金属板121の張出し部126の下の拡開部127cに形成されている。
枠体11がリードフレーム12に対してリードフレーム12の主面に対して垂直方向に離反しようとするとき、段差において枠体11が上側の張出し部126に当接して、移動が阻止される。これにより、発光装置90においても、第1実施形態の発光装置10と同様に、枠体11とリードフレーム12との密着性が向上する。
第1の実施形態及び第2の実施形態においては、その構造によって次のような効果も奏する。
発光装置10,90では、リードフレーム12が、上から順に連続して配列されている第1層金属板121、第2層金属板122及び第3層金属板123を含む共通の積層構造から形成された複数のリード12a,12bを有している。この積層構造には、当該積層構造の上面から少なくとも上から2層を貫通する貫通部125が形成され(例:図13E)、第1層金属板121と第2層金属板122とは、貫通部125に対して異なる張出し量で張り出して、段差を形成している。そして、枠体11の樹脂が貫通部125に充填されている(例:図5及び図13E)。
これにより、枠体11とリードフレーム12とを離反させる離反力に対し、枠体11が貫通部125の段差に当接することにより離反方向の移動が阻まれるので、枠体11とリードフレーム12との密着性が改善される。さらに、その結果として、枠体11とリードフレーム12の金属との剥離が防止されるとともに、ダイシング時の強い振動に対してボンディングワイヤ43a,43bの接続不良の生じ難い構造とすることができる。
発光装置10,90では、張出し部126がそれぞれ第2層金属板122(例:図5)及び第1層金属板121(例:図13E)に形成されている。これにより、枠体11がリードフレーム12に対して離反しようとする移動に対し、枠体11が段差に当たって、移動が阻まれ、離反を有効に防止することができる。
発光装置10、90は、スリット39が貫通部を兼ねることにより、貫通部の形成スペースを節約することができる。
発光装置10では、リード12a,12bが、第1層金属板121、第2層金属板122及び第3層金属板123の3層の積層構造を備える。これにより、張出し部126によって形成される段差の個数が増加し、枠体11とリードフレーム12との密着性を一層、改善することができる。
以上、第1の実施形態、第1の実施形態の変形例、第2の実施形態について説明してきたが、本発明の主旨の範囲において、各部の形状変更、材料の変更、寸法の変更などをすることができる。例えば、第1の実施形態の変形例を第2の実施形態に適用することもできる。
実施形態では、半導体発光素子としてLED28が用いられている。本発明の発光素子は、LED28に限定することなく、その他の発光素子、例えば垂直共振器型レーザ発光素子(例:Vertical Cavity Surface Emitting Laser)を選択することもできる。
実施形態の発光装置10、90は、2つのリード12a,12bを有している。本発明の発光装置は、3以上のリードを有していてもよい。例えば、発光装置10,90が複数の発光素子を備えるときには、リードの個数が3以上とすることもできる。
実施形態の発光装置10,90では、開口部20は、倒立四角錐台の形状を有しているが、これに限定されない。開口部20は、円錐台(長円錐台を含む)、角柱形状又は円柱形状等の形状を有していてもよい。
本発明のリードフレームにおける積層構造のリードフレームによる段差付き貫通部の構造は、EMC(Electromagnetic Compatibility/電磁両立性)パッケージ全般に適用することができる。
実施形態の発光装置10では、貫通部125への張出し量が、第1層金属板121、第2層金属板122及び第3層金属板123の3層のうち、第2層金属板122が最大にされている(図6)。張出し量は、3層のうち第2層金属板122を最小にすることもできる。さらに、発光装置10では、第1層金属板121及び第3層金属板123の張出し量は、相互に等しくなっているが、相違させてもよい。すなわち、発光装置10の貫通部125に対する第1層金属板121、第2層金属板122及び第3層金属板123の張出し量は、すべて相違させることもできる。
また、実施形態の発光装置10、90では、第1層金属板121、第2層金属板122及び第3層金属板123の厚み(Z方向)を等しくすることが、製造の簡便性及びコストを鑑みると好ましい。しかしながら、金属板121、122、123の厚みは、各々異なっていても良い。
例えば、第1層金属板121に張出し部126を設けた場合、第1層金属板121の厚みを他の第2及び第3層金属板122、123より薄くすることが好ましい。これにより、貫通部125の張出し部126の下方に充填される樹脂体積を大きくできるのでリードフレーム12、66と枠体11の耐剥離強度を向上できる。このように、貫通部125の構造に合わせて金属板121、122、123の厚みは適宜調整できる。
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、樹脂製の枠体と金属製のリードフレームとの密着性に優れ、その結果として、枠体の樹脂とリードフレームとの剥離が防止されるとともに、断線不良等が生じ難い構造を有する発光装置及び発光装置の製造方法を提供することができる。
10,90・・・発光装置、11・・・枠体、12,66・・・リードフレーム、12a,12b・・・リード、20・・・開口部、28・・・LED(発光素子)、39・・・スリット、121・・・第1層金属板、122・・・第2層金属板、123・・・第3層金属板、125・・・貫通部、126・・・張出し部、127a,127b・・・拡開部。

Claims (10)

  1. 少なくとも2層が積層された共通の積層構造から形成された複数のリードを有し、前記複数のリードは、前記積層構造の上層から少なくとも2層を貫通する貫通部を有し、前記貫通部を有する2層のうち上側層と下側層とは前記貫通部に対して異なる張出し量で張り出して段差を形成しているリードフレームと、
    前記複数のリードを露出する開口部を有し、前記貫通部に充填されるとともに、前記リードフレームの上部において前記開口部を囲うように設けられた樹脂製の枠体と、
    前記開口部内に載置され、前記複数のリードに接続された発光素子と、
    を有することを特徴とする発光装置。
  2. 前記張出し量は、前記下側層より前記上側層の方が大きいことを特徴とする請求項1記載の発光装置。
  3. 前記複数のリードを相互に分離するとともに、前記貫通部を兼ねるスリットを備えることを特徴とする請求項1又は2記載の発光装置。
  4. 前記リードフレームの前記積層構造は、上から下に順番に連続する第1層、第2層及び第3層の3層の積層構造を有し、
    前記上側層及び前記下側層は、それぞれ前記第1層及び前記第2層であるか、それぞれ前記第2層及び前記第3層であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の発光装置。
  5. 前記第2層は、前記第1層及び前記第3層より前記貫通部内に張り出していることを特徴とする請求項4記載の発光装置。
  6. 少なくとも2層が積層された共通の積層構造から形成された複数のリードを有し、
    前記複数のリードは、前記積層構造の上層から少なくとも2層を貫通する貫通部を有し、
    前記貫通部を有する2層のうち上側層と下側層とは前記貫通部に対して異なる張出し量で張り出して段差を形成していることを特徴とするリードフレーム。
  7. 前記張出し量は、前記下側層より前記上側層の方が大きいことを特徴とする請求項6記載のリードフレーム。
  8. 前記複数のリードを相互に分離するとともに、前記貫通部を兼ねるスリットを備えることを特徴とする請求項6又は7記載のリードフレーム。
  9. 前記積層構造は、上から下に順番に連続する第1層、第2層及び第3層の3層の積層構造を有し、
    前記第1層は、前記積層構造の最上層であり、
    前記上側層及び前記下側層は、それぞれ前記第1層及び前記第2層であるか、それぞれ前記第2層及び前記第3層であることを特徴とする請求項6~8のいずれか1項に記載のリードフレーム。
  10. 前記第2層は、前記第1層及び前記第3層より前記貫通部内に張り出していることを特徴とする請求項9記載のリードフレーム。
JP2021184652A 2021-11-12 2021-11-12 発光装置及びリードフレーム Pending JP2023072239A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021184652A JP2023072239A (ja) 2021-11-12 2021-11-12 発光装置及びリードフレーム
KR1020247012908A KR20240101557A (ko) 2021-11-12 2022-09-12 발광장치 및 리드프레임
PCT/JP2022/034023 WO2023084899A1 (ja) 2021-11-12 2022-09-12 発光装置及びリードフレーム
EP22892400.7A EP4418336A1 (en) 2021-11-12 2022-09-12 Light-emitting device and lead frame

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021184652A JP2023072239A (ja) 2021-11-12 2021-11-12 発光装置及びリードフレーム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023072239A true JP2023072239A (ja) 2023-05-24
JP2023072239A5 JP2023072239A5 (ja) 2024-10-24

Family

ID=86335397

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021184652A Pending JP2023072239A (ja) 2021-11-12 2021-11-12 発光装置及びリードフレーム

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP4418336A1 (ja)
JP (1) JP2023072239A (ja)
KR (1) KR20240101557A (ja)
WO (1) WO2023084899A1 (ja)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4608294B2 (ja) 2004-11-30 2011-01-12 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP5338543B2 (ja) * 2009-07-27 2013-11-13 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその製造方法
US9548261B2 (en) * 2013-03-05 2017-01-17 Nichia Corporation Lead frame and semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240101557A (ko) 2024-07-02
EP4418336A1 (en) 2024-08-21
WO2023084899A1 (ja) 2023-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10305005B2 (en) Semiconductor light-emitting device
TWI491081B (zh) 可表面安裝之光電組件及可表面安裝之光電組件之製造方法
JP5385411B2 (ja) 半導体構造および半導体構造の製造方法
WO2013024560A1 (ja) 発光装置
JPH08213660A (ja) 発光デバイスおよびその製造方法
JP2013110210A (ja) 半導体光学装置
JP2013161903A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4598432B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
US9972560B2 (en) Lead frame and semiconductor device
WO2017006633A1 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6548066B2 (ja) Led素子搭載用リードフレーム、led素子搭載用樹脂付きリードフレーム及び半導体装置
WO2023084899A1 (ja) 発光装置及びリードフレーム
KR102675863B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이의 제조 방법
JP5436353B2 (ja) 発光装置
JP5056105B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP7286450B2 (ja) 電子装置及び電子装置の製造方法
JP5995579B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
WO2015093593A1 (ja) 電子装置
US10727171B2 (en) Lead frame
US20220344552A1 (en) Light-emitting device and manufacturing method of the same
EP4191689B1 (en) Semiconductor light emitting device
JP6171295B2 (ja) 発光装置
JP7296201B2 (ja) 半導体発光装置
JP2019114638A (ja) 樹脂パッケージ及び半導体発光装置
JP5652175B2 (ja) 発光装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20241015

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20241015