JP2001077235A - 半導体素子搭載用基板 - Google Patents
半導体素子搭載用基板Info
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- JP2001077235A JP2001077235A JP25223799A JP25223799A JP2001077235A JP 2001077235 A JP2001077235 A JP 2001077235A JP 25223799 A JP25223799 A JP 25223799A JP 25223799 A JP25223799 A JP 25223799A JP 2001077235 A JP2001077235 A JP 2001077235A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 各半導体装置の境界位置を直接割り出すこと
ができ、かつ、ダイシングの位置精度がすぐれ、チップ
サイズ半導体装置の製造に好適な半導体素子搭載用基板
を提供する。 【解決手段】 複数の半導体装置を一括して樹脂封止
し、その後ダイシングすることにより各半導体装置単位
４に分離するタイプの半導体素子搭載用基板１におい
て、ダイシングすべき各半導体装置４の境界部が位置す
る個所の延長上にあらかじめ目印５をつけた半導体素子
搭載用基板。前記目印５はダイシングの幅Ｗを表示する
形状とすることが好ましい。
ができ、かつ、ダイシングの位置精度がすぐれ、チップ
サイズ半導体装置の製造に好適な半導体素子搭載用基板
を提供する。 【解決手段】 複数の半導体装置を一括して樹脂封止
し、その後ダイシングすることにより各半導体装置単位
４に分離するタイプの半導体素子搭載用基板１におい
て、ダイシングすべき各半導体装置４の境界部が位置す
る個所の延長上にあらかじめ目印５をつけた半導体素子
搭載用基板。前記目印５はダイシングの幅Ｗを表示する
形状とすることが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体素子
を一括樹脂封止する方式に適用するための基板に関す
る。
を一括樹脂封止する方式に適用するための基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、絶縁性基板あるいはリードフレー
ムを使用した樹脂封止型のＬＧＡ（ランド・グリッド・
アレイ型半導体装置）あるいはＢＧＡ（ボール・グリッ
ド・アレイ型半導体装置）などの、基板の側面にリード
が突出しないタイプの半導体装置が市場に投入され話題
となっている。
ムを使用した樹脂封止型のＬＧＡ（ランド・グリッド・
アレイ型半導体装置）あるいはＢＧＡ（ボール・グリッ
ド・アレイ型半導体装置）などの、基板の側面にリード
が突出しないタイプの半導体装置が市場に投入され話題
となっている。
【０００３】通常この種の半導体装置は、絶縁性あるい
は導電性の半導体素子搭載用基板の一面に半導体素子を
搭載し、この半導体素子の電極と前記半導体素子搭載用
基板、例えばリードフレームのリードとを電気的にワイ
ヤー等で接続した後、前記リードを露出させた状態で樹
脂封止を行うことによって製造される。
は導電性の半導体素子搭載用基板の一面に半導体素子を
搭載し、この半導体素子の電極と前記半導体素子搭載用
基板、例えばリードフレームのリードとを電気的にワイ
ヤー等で接続した後、前記リードを露出させた状態で樹
脂封止を行うことによって製造される。
【０００４】ところで前述した樹脂封止は、通常は各半
導体装置単位ごとに行われるが、最近では、図２に示す
ように、半導体素子搭載用基板１に搭載される複数の半
導体装置を樹脂封止領域３に示すように一括して樹脂封
止し、その後ダイシングすることにより各半導体装置単
位４に分離することが行われている。この方法によれ
ば、工程が簡略化できるとともに、外径サイズが同じで
あれば、ひとつの樹脂封止金型で多品種に対応できると
いった利点がある。
導体装置単位ごとに行われるが、最近では、図２に示す
ように、半導体素子搭載用基板１に搭載される複数の半
導体装置を樹脂封止領域３に示すように一括して樹脂封
止し、その後ダイシングすることにより各半導体装置単
位４に分離することが行われている。この方法によれ
ば、工程が簡略化できるとともに、外径サイズが同じで
あれば、ひとつの樹脂封止金型で多品種に対応できると
いった利点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしこの方法を採っ
た場合、従来は樹脂封止体をダイシングするに当たって
半導体素子搭載用基板１に形成されたパイロットホール
２から各半導体単位の境界位置を樹脂封止体の大きさか
ら割り出すなど、非常に手間のかかる工程が必要であっ
た。また、ダイシングする位置精度がよくないことがあ
った。
た場合、従来は樹脂封止体をダイシングするに当たって
半導体素子搭載用基板１に形成されたパイロットホール
２から各半導体単位の境界位置を樹脂封止体の大きさか
ら割り出すなど、非常に手間のかかる工程が必要であっ
た。また、ダイシングする位置精度がよくないことがあ
った。
【０００６】そこで本発明が解決しようとする課題は、
各半導体装置の境界位置を直接割り出すことができ、か
つ、ダイシングの位置精度がすぐれ、チップサイズ半導
体装置の製造に好適な半導体素子搭載用基板を提供する
ことである。
各半導体装置の境界位置を直接割り出すことができ、か
つ、ダイシングの位置精度がすぐれ、チップサイズ半導
体装置の製造に好適な半導体素子搭載用基板を提供する
ことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の半導体素子搭載用基板は、複数の半導体装
置を一括して樹脂封止し、その後ダイシングすることに
より各半導体装置単位に分離するタイプの半導体素子搭
載用基板において、前記ダイシングすべき各半導体装置
の境界部が位置する個所の延長上にあらかじめ目印をつ
けたものである。前記目印は、ダイシングの幅を表示す
る形状とすることが好ましい。
め、本発明の半導体素子搭載用基板は、複数の半導体装
置を一括して樹脂封止し、その後ダイシングすることに
より各半導体装置単位に分離するタイプの半導体素子搭
載用基板において、前記ダイシングすべき各半導体装置
の境界部が位置する個所の延長上にあらかじめ目印をつ
けたものである。前記目印は、ダイシングの幅を表示す
る形状とすることが好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は本発明の実施の形態を示すものであ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は目印の形状を示す説明図
である。図１において、１は半導体素子搭載用基板、例
えばリードフレーム、２はリードフレーム１に形成され
たパイロットホール、３は樹脂封止予定領域、４は半導
体装置単位、５はダイシングすべき各半導体装置の境界
部を示す目印であり、前記半導体装置単位４の予め分か
る境界線の延長上で、一括して樹脂封止する外側に刻設
している。この目印は、図１（ｂ）に示すように、この
実施例では凸字状をしており、その凸部の幅ｗは、半導
体装置単位４に切断する際の境界部の幅と同じにしてい
る。
て説明する。図１は本発明の実施の形態を示すものであ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は目印の形状を示す説明図
である。図１において、１は半導体素子搭載用基板、例
えばリードフレーム、２はリードフレーム１に形成され
たパイロットホール、３は樹脂封止予定領域、４は半導
体装置単位、５はダイシングすべき各半導体装置の境界
部を示す目印であり、前記半導体装置単位４の予め分か
る境界線の延長上で、一括して樹脂封止する外側に刻設
している。この目印は、図１（ｂ）に示すように、この
実施例では凸字状をしており、その凸部の幅ｗは、半導
体装置単位４に切断する際の境界部の幅と同じにしてい
る。
【０００９】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図１を参照
しながら具体的に説明する。銅系あるいは鉄系合金など
の導電性材料に、複数の半導体装置単位４ごとに、スタ
ンピングあるいはエッチングにより、所定のリードパタ
ーンを形成し、半導体素子搭載用基板１となるリードフ
レームを製造する。本実施例においては、格子状に９つ
の半導体装置単位４ごとのリードパターンが隣接して形
成されている。なお、このとき各半導体装置単位４の境
界部を示す目印５を同時に形成する。ここで本実施例に
おいては、各目印には切断刃などの幅ｗを示す凸部が形
成されている。
しながら具体的に説明する。銅系あるいは鉄系合金など
の導電性材料に、複数の半導体装置単位４ごとに、スタ
ンピングあるいはエッチングにより、所定のリードパタ
ーンを形成し、半導体素子搭載用基板１となるリードフ
レームを製造する。本実施例においては、格子状に９つ
の半導体装置単位４ごとのリードパターンが隣接して形
成されている。なお、このとき各半導体装置単位４の境
界部を示す目印５を同時に形成する。ここで本実施例に
おいては、各目印には切断刃などの幅ｗを示す凸部が形
成されている。
【００１０】前記半導体装置単位４ごとに半導体素子を
搭載し、半導体素子の電極とリードフレームのリードと
を、ワイヤーボンディング、フリップチップ接続などの
周知の接続方法にて電気的に接続する。
搭載し、半導体素子の電極とリードフレームのリードと
を、ワイヤーボンディング、フリップチップ接続などの
周知の接続方法にて電気的に接続する。
【００１１】リードフレームのリードで外部接続端子と
なる部分を除いた状態で、複数の半導体装置単位４（本
実施例では９つ）を含む樹脂封止領域３を一括して樹脂
封止する。
なる部分を除いた状態で、複数の半導体装置単位４（本
実施例では９つ）を含む樹脂封止領域３を一括して樹脂
封止する。
【００１２】前記一括して樹脂封止した半導体装置ブロ
ック体６をダイシングソー（図示せず）の装着部に装着
し、切断刃物７を前記目印５の線上に位置決めして、半
導体装置ブロック体６を、各半導体装置単位４ごとにダ
イシングし、個別の半導体装置を得る。
ック体６をダイシングソー（図示せず）の装着部に装着
し、切断刃物７を前記目印５の線上に位置決めして、半
導体装置ブロック体６を、各半導体装置単位４ごとにダ
イシングし、個別の半導体装置を得る。
【００１３】なお、本実施例においては、リードパター
ンの形成と同時に目印５を形成したが、これはリードパ
ターンの形成前または後に行ってもよい。また、目印５
の形状も本実施例に限定されず、例えば円形、方形、三
角形状なと、適宜の形状とすることができる。更に、前
記目印５は貫通孔としてもよいし、刻印のような非貫通
穴として形成してもよい。
ンの形成と同時に目印５を形成したが、これはリードパ
ターンの形成前または後に行ってもよい。また、目印５
の形状も本実施例に限定されず、例えば円形、方形、三
角形状なと、適宜の形状とすることができる。更に、前
記目印５は貫通孔としてもよいし、刻印のような非貫通
穴として形成してもよい。
【００１４】また、本実施例においては、半導体素子搭
載用基板１としてリードフレームを使用した例について
説明したが、これに限定されず、例えばポリイミドテー
プやＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジン、セラミ
ック基板などの絶縁性材料を基板として使用した場合に
も本発明は適用可能である。
載用基板１としてリードフレームを使用した例について
説明したが、これに限定されず、例えばポリイミドテー
プやＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジン、セラミ
ック基板などの絶縁性材料を基板として使用した場合に
も本発明は適用可能である。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ダイシングすべき各半導体装置の境界部にあらかじめ目
印をつけたことにより、複数の半導体装置を一括して樹
脂封止した後でも、各半導体装置の境界線が明確とな
り、ダイシングの際の位置合わせが容易にでき、かつ、
ダイシング位置を精度よく切断できる。また、目印を、
切断時の幅を表示する形状とすることにより、切断時に
使用する切断刃の幅も明確にわかり、チップサイズ半導
体装置の製造に適し、かつ作業効率が向上する。
ダイシングすべき各半導体装置の境界部にあらかじめ目
印をつけたことにより、複数の半導体装置を一括して樹
脂封止した後でも、各半導体装置の境界線が明確とな
り、ダイシングの際の位置合わせが容易にでき、かつ、
ダイシング位置を精度よく切断できる。また、目印を、
切断時の幅を表示する形状とすることにより、切断時に
使用する切断刃の幅も明確にわかり、チップサイズ半導
体装置の製造に適し、かつ作業効率が向上する。
【図１】 本発明の実施の形態を示すものであり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は目印の形状を示す説明図であ
る。
（ａ）は平面図、（ｂ）は目印の形状を示す説明図であ
る。
【図２】 従来の一括樹脂封止方式の基板の平面図であ
る。
る。
１ 半導体素子搭載用基板、２ パイロットホール、３
樹脂封止領域、４ 半導体装置単位、５ 目印、６
半導体装置ブロック体、７ 切断刃物
樹脂封止領域、４ 半導体装置単位、５ 目印、６
半導体装置ブロック体、７ 切断刃物
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の半導体装置を一括して樹脂封止
し、その後ダイシングすることにより各半導体装置単位
に分離するタイプの半導体素子搭載用基板において、前
記ダイシングすべき各半導体装置の境界部が位置する個
所の延長上にあらかじめ目印をつけたことを特徴とする
半導体素子搭載用基板。 - 【請求項２】 前記目印はダイシングの幅を表示する形
状としたことを特徴とする請求項１記載の半導体素子搭
載用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25223799A JP2001077235A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体素子搭載用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25223799A JP2001077235A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体素子搭載用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001077235A true JP2001077235A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17234431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25223799A Pending JP2001077235A (ja) | 1999-09-06 | 1999-09-06 | 半導体素子搭載用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001077235A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003017525A (ja) * | 2001-04-26 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
| JP2003037239A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6835600B2 (en) | 2001-02-15 | 2004-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same |
| JP2009188150A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Sanyo Electric Co Ltd | リードフレームおよびそれを用いた回路装置の製造方法 |
| EP2325901A1 (en) | 2008-09-03 | 2011-05-25 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| JP2014082301A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 脆性材料基板のブレイク用治具及びブレイク方法 |
| JP2015062257A (ja) * | 2014-12-24 | 2015-04-02 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板のブレイク用治具及びブレイク方法 |
-
1999
- 1999-09-06 JP JP25223799A patent/JP2001077235A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835600B2 (en) | 2001-02-15 | 2004-12-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same |
| JP4708625B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2011-06-22 | 三洋電機株式会社 | ボンディング装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2003017525A (ja) * | 2001-04-26 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置の製造方法 |
| JP2003037239A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4618941B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2011-01-26 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2009188150A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Sanyo Electric Co Ltd | リードフレームおよびそれを用いた回路装置の製造方法 |
| US10115870B2 (en) | 2008-09-03 | 2018-10-30 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US9287476B2 (en) | 2008-09-03 | 2016-03-15 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US9490411B2 (en) | 2008-09-03 | 2016-11-08 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US9537071B2 (en) | 2008-09-03 | 2017-01-03 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| EP2325901A1 (en) | 2008-09-03 | 2011-05-25 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US10573789B2 (en) | 2008-09-03 | 2020-02-25 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US10573788B2 (en) | 2008-09-03 | 2020-02-25 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US10700241B2 (en) | 2008-09-03 | 2020-06-30 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| US11094854B2 (en) | 2008-09-03 | 2021-08-17 | Nichia Corporation | Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body |
| JP2014082301A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | 脆性材料基板のブレイク用治具及びブレイク方法 |
| JP2015062257A (ja) * | 2014-12-24 | 2015-04-02 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板のブレイク用治具及びブレイク方法 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041227 |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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