JP2008103460A - 半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体チップ2が内装された中空パッケージ3と、中空パッケージの中空部を被覆する金属材料からなる封止プレート4とを備える半導体パッケージ1において、半導体チップに設けられた外部接続パッドと中空パッケージに設けられた内部接続端子を金属ワイヤ5で接続することで、半導体チップと中空パッケージが導通される。また、封止プレートの半導体チップの受光領域に対応する領域に孔部6を形成する。
【選択図】図1
Description
図1は本発明を適用した半導体パッケージの一例を説明するための模式図であり、ここで示す半導体パッケージ1は、半導体チップ2(例えば、固体撮像素子、ラインセンサー用素子、あるいはフォトディテクター用素子などの様に光電変換を行なう受光領域を有する光電変換素子や、UVPROMの様に紫外線照射を受けることによりデータの消去を行なう記憶素子)が内装された中空パッケージ3(半導体パッケージ基台の一例)と、中空パッケージの中空部を被覆する金属材料(例えば42アロイ)から成る封止プレート4(封止体の一例)とから成り、半導体チップに設けられた外部接続パッド(図示せず)と中空パッケージに設けられた内部接続端子(図示せず)とを金属ワイヤ5(例えば金細線)で接続することで半導体チップと中空パッケージとが導通される様に構成され、更に、内部接続端子と接続されている中空パッケージに設けられた外部接続端子(図示せず)を介して実装基板(図示せず)と導通される様に構成されている。
但し、封止プレートを金属材料で構成することによって、中空パッケージを構成するモールド樹脂の反りに追従することが可能となり、後述する様に、半導体パッケージの製造工程において、個片化された封止プレートを搭載するのではなく、複数の封止プレートが一体的に形成された封止プレートの集合体の搭載が可能となり、生産効率の向上が期待できるために、主に半導体パッケージの生産効率の点を考慮すると封止プレートは金属材料で構成される方が好ましい。
本発明を適用した半導体パッケージの製造方法では、先ず、所定のパターンがエッチングまたはプレス等の手法により施された42アロイ等の金属から成るリードフレーム7を形成し(図2(a)参照。)、続いて、成型後に半導体チップ搭載のための中空部分を確保できる様に加工されたモールド成型金型(図示せず)の間にリードフレームを挟み、熱硬化性エポキシ樹脂等から成るモールド樹脂8を金型内へ射出することでリードフレームをモールド樹脂で封止して複数の中空パッケージが一体となった中空パッケージの集合体9(半導体パッケージ基台集合体の一例)を得る(図2(b)参照。)。
即ち、図4(a)で示す様に、ダイシングシート16に封止プレートの集合体を貼り合わせた状態でダイシングブレード17によるダイシング処理を行なった場合には、ダイシング処理時にカットバリが発生してしまうものの、図4(b)で示す様に、封止プレートの集合体を中空パッケージの集合体に搭載した後にダイシング処理を行なった場合には、中空パッケージの集合体が「受け」の役割を担い、ダイシング処理時のカットバリの発生を低減することができるのである。
2 半導体チップ
3 中空パッケージ
4 封止プレート
5 金属ワイヤ
6 孔部
7 リードフレーム
8 モールド樹脂
9 中空パッケージの集合体
10 ダイアタッチ材
11 シーリング材
12 封止プレートの集合体
13 半導体パッケージの集合体
14 吊り部分
15 スリット
16 ダイシングシート
17 ダイシングブレード
Claims (5)
- 半導体チップが内装された半導体パッケージ基台と、
該半導体パッケージ基台の中空部を被覆する封止体とを有する半導体パッケージにおいて、
前記封止体は、前記半導体チップの受光領域に対応する領域に孔部が形成された
ことを特徴とする半導体パッケージ。 - 半導体チップが内装された半導体パッケージ基台と、該半導体パッケージ基台の中空部を被覆する封止体とを有し、前記半導体チップの受光領域に対応する前記封止体の領域に孔部が形成された半導体パッケージの製造方法であって、
複数の半導体パッケージ基台が一体的に形成された半導体パッケージ基台集合体の各半導体パッケージ基台に半導体チップを内装する工程と、
孔部を有する複数の封止体が一体的に形成された封止体集合体を、前記半導体チップの受光領域と封止体の孔部とを対応させて前記半導体パッケージ基台集合体に搭載する工程と、
前記封止体集合体が搭載された前記半導体パッケージ基台集合体をダイシングによって個片化する工程とを備える
半導体パッケージの製造方法。 - 前記封止体集合体は金属材料から成る
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体パッケージの製造方法。 - 前記封止体集合体は、分割予定線の少なくとも一部にスリットが形成されている
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体パッケージの製造方法。 - 前記封止体集合体は、一の前記封止体と他の前記封止体とが吊り部分を介して一体的に形成されると共に、該吊り部分にハーフエッチング処理が施されている
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体パッケージの製造方法。
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