TWI702578B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

顯示裝置及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI702578B
TWI702578B TW107144202A TW107144202A TWI702578B TW I702578 B TWI702578 B TW I702578B TW 107144202 A TW107144202 A TW 107144202A TW 107144202 A TW107144202 A TW 107144202A TW I702578 B TWI702578 B TW I702578B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
film
oxide semiconductor
substrate
transistor
Prior art date
Application number
TW107144202A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201919913A (zh
Inventor
山崎舜平
大野正勝
安達広樹
井戶尻悟
武島幸市
Original Assignee
日商半導體能源研究所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商半導體能源研究所股份有限公司 filed Critical 日商半導體能源研究所股份有限公司
Publication of TW201919913A publication Critical patent/TW201919913A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI702578B publication Critical patent/TWI702578B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0613—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams having a common axis
    • B23K26/0617—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams having a common axis and with spots spaced along the common axis
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0643—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising mirrors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
    • B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1251—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs comprising TFTs having a different architecture, e.g. top- and bottom gate TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
    • H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01—Manufacture or treatment
    • H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Telephone Set Structure (AREA)

Abstract

本發明的一個方式的目的之一是提供一種顯示品質良好且良率高的撓性顯示裝置。在第一基板上形成第一有機樹脂層，在第一有機樹脂層上形成第一絕緣膜，在第一絕緣膜上形成第一元件層，在第二基板上形成第二有機樹脂層，在第二有機樹脂層上形成第二絕緣膜，在第二絕緣膜上形成第二元件層，以第一元件層及第二元件層被密封的方式貼合第一基板與第二基板，進行使第一有機樹脂層與第一基板的緊密性降低而分離第一基板的第一分離製程，藉由第一黏合層黏合第一有機樹脂層與第一撓性基板，進行使第二有機樹脂層與第二基板的緊密性降低而分離第二基板的第二分離製程，並且，藉由第二黏合層黏合第二有機樹脂層與第二撓性基板。

Description

顯示裝置及其製造方法
本發明的一個方式係關於一種使用氧化物半導體的半導體裝置、使用該半導體裝置的顯示裝置及其製造方法。
注意，本發明的一個方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個方式的技術領域涉及一種物體、方法或製造方法。另外，本發明的一個方式涉及一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(composition of matter)。因此，更具體地，作為本說明書所公開的本發明的一個方式的技術領域的例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發光裝置、照明設備、蓄電裝置、記憶體裝置、它們的驅動方法或它們的製造方法。
注意，本說明書等中的半導體裝置是指能夠藉由利用半導體特性而工作的所有裝置。電晶體、半導體電路為半導體裝置的一個方式。記憶體裝置、顯示裝置、電子裝置有時包含半導體裝置。
使用形成在具有絕緣表面的基板上的半導體膜構成電晶體的技術受到關注。該電晶體被廣泛地應用於如積體電路(IC)或影像顯示裝置(顯示裝置)等電子裝置。作為可以應用於電晶體的半導體薄膜，矽類半導體材料被周知，而作為其他材料，氧化物半導體受到關注。
例如，專利文獻1公開了一種電晶體，該電晶體的活性層包括包含銦(In)、鎵(Ga)及鋅(Zn)的非晶氧化物半導體。
另外，在顯示裝置中，除了薄型輕量化，撓性及耐衝擊性的提高也被期待。例如，專利文獻2公開了在薄膜基板上具備用作切換元件的電晶體及有機EL元件的撓性主動矩陣型發光裝置。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2006-165528號公報
[專利文獻2]日本專利申請公開第2003-174153號公報
在具有撓性的顯示裝置的製程中，在使用硬質基板時不會發生問題的微細的不良部分有時會在製程中擴大，而使良率降低。此外，該不良部分有時在顯示裝置完成後因彎曲或撓曲而擴大，而使顯示品質或可靠性降低。
因此，在具有撓性的顯示裝置的製造方法中，較佳為藉由使用材料的組合及適當的加工手段使製程 中途的制造物中不產生微細的不良部分。
於是，本發明的一個方式的目的之一是提供一種顯示品質良好的顯示裝置。本發明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置。本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置。本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的半導體裝置等。本發明的一個方式的目的之一是提供一種上述顯示裝置的製造方法。
注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。此外，本發明的一個方式並不一定必須要實現所有上述目的。可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載得知並抽出上述以外的目的。
本發明的一個方式涉及包括使用氧化物半導體層的電晶體的撓性顯示裝置及其製造方法。
本發明的一個方式是一種顯示裝置的製造方法，該顯示裝置包括：第一元件層及第二元件層，第一元件層和第二元件層中的一方包括像素部及電路部，該像素部包括具有氧化物半導體層的第一電晶體及顯示元件，該電路部包括具有氧化物半導體層的第二電晶體，第一元件層和第二元件層中的另一方包括著色層及遮光層。該製造方法包括如下步驟：在第一基板上形成第一有機樹脂層，在第一有機樹脂層上形成第一絕緣膜，在第一絕緣膜上形 成第一元件層，在第二基板上形成第二有機樹脂層，在第二有機樹脂層上形成第二絕緣膜，在第二絕緣膜上形成第二元件層，以第一元件層及第二元件層被密封的方式貼合第一基板與第二基板，進行使第一有機樹脂層與第一基板的緊密性降低而分離第一基板的第一分離製程，藉由第一黏合層黏合第一有機樹脂層與第一撓性基板，進行使第二有機樹脂層與第二基板的緊密性降低而分離第二基板的第二分離製程，並且，藉由第二黏合層黏合第二有機樹脂層與第二撓性基板。
注意，本說明書中的“第一”、“第二”等序數詞是為了避免構成要素的混淆而附記的，而不是用於在數目方面上進行限制的。
第一有機樹脂層及第二有機樹脂層可以使用選自環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂或聚醯胺-醯亞胺樹脂的材料來形成。
較佳為使用線狀的準分子雷射照射來降低上述第一有機樹脂層與上述第一基板的緊密性以及上述第二有機樹脂層與上述第二基板的緊密性。
上述準分子雷射較佳是將從多個振盪器發出的雷射合成的雷射。
另外，較佳為藉由以使上述第一撓性基板接觸滾筒的曲面的方式剝離來進行那個第二分離製程。
第一絕緣膜及第二絕緣膜較佳為包含氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜或氮氧化矽膜。
氧化物半導體層可以使用In-M-Zn氧化物(M為Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf)。此外，氧化物半導體層較佳為具有c軸配向的結晶。
顯示元件可以使用有機EL元件。
本發明的一個方式是一種顯示裝置，依次層疊有：第一撓性基板；第一黏合層；第一有機樹脂層；第一絕緣膜；包括像素部及電路部的第一元件層，該像素部包括具有氧化物半導體層的第一電晶體及顯示元件，該電路部包括具有氧化物半導體層的第二電晶體；包括著色層及遮光層的第二元件層；第二絕緣膜；第二有機樹脂層；第二黏合層；以及第二撓性基板。
也可以使第一電晶體所具有的氧化物半導體層為單層，並使第二電晶體所具有的氧化物半導體層為多層。
第一電晶體所具有的氧化物半導體層的組成較佳為與具有氧化物半導體層的第二電晶體中的接觸於閘極絕緣膜的層的組成相同。
藉由使用本發明的一個方式，可以提供一種顯示品質良好的顯示裝置。藉由使用本發明的一個方式，可以提供一種可靠性高的顯示裝置。藉由使用本發明的一個方式，可以提供一種新穎的顯示裝置等。藉由使用本發明的一個方式，可以提供一種上述顯示裝置的製造方法。藉由使用本發明的一個方式，可以提供一種顯示裝置的良率高的製造方法。
注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。此外，本發明的一個方式並不一定必須要具有所有上述效果。可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載得知並抽出上述以外的效果。
101‧‧‧結構體
101a‧‧‧旋轉體
101b‧‧‧構件
102‧‧‧起點
103‧‧‧加工構件
103a‧‧‧構件
103b‧‧‧構件
104‧‧‧部分
105‧‧‧載物台
107‧‧‧引導
108‧‧‧箭頭
109‧‧‧旋轉軸
111‧‧‧構件
151‧‧‧結構體
152‧‧‧結構體
153‧‧‧加工構件
153a‧‧‧構件
153b‧‧‧構件
155‧‧‧載物台
156‧‧‧載物台
157‧‧‧支撐體
158‧‧‧輸送滾筒
159‧‧‧旋轉軸
160‧‧‧閘極絕緣膜
161‧‧‧構件
162‧‧‧起點
170‧‧‧閘極電極層
190‧‧‧電晶體
194‧‧‧電晶體
300‧‧‧顯示裝置
300a‧‧‧顯示裝置
300b‧‧‧顯示裝置
301‧‧‧撓性基板
302‧‧‧像素部
304‧‧‧電路部
305‧‧‧電路部
307‧‧‧撓性基板
308‧‧‧FPC端子部
310‧‧‧信號線
311‧‧‧佈線部
312‧‧‧密封材料
316‧‧‧FPC
318a‧‧‧黏合層
318b‧‧‧黏合層
320a‧‧‧有機樹脂層
320b‧‧‧有機樹脂層
321a‧‧‧絕緣膜
321b‧‧‧絕緣膜
334‧‧‧絕緣膜
336‧‧‧著色層
338‧‧‧遮光層
350‧‧‧電晶體
352‧‧‧電晶體
360‧‧‧連接電極
364‧‧‧絕緣膜
366‧‧‧絕緣膜
368‧‧‧絕緣膜
370‧‧‧平坦化絕緣膜
372‧‧‧導電膜
374‧‧‧導電膜
375‧‧‧液晶元件
376‧‧‧液晶層
378‧‧‧間隔物
380‧‧‧各向異性導電膜
400‧‧‧顯示裝置
408‧‧‧FPC
410‧‧‧元件層
411‧‧‧元件層
430‧‧‧絕緣膜
432‧‧‧密封層
434‧‧‧絕緣膜
444‧‧‧導電膜
446‧‧‧EL層
448‧‧‧導電膜
462‧‧‧基板
463‧‧‧基板
468‧‧‧紫外線
480‧‧‧發光元件
501‧‧‧像素電路
502‧‧‧像素部
504‧‧‧驅動電路部
504a‧‧‧閘極驅動器
504b‧‧‧源極驅動器
506‧‧‧保護電路
507‧‧‧端子部
550‧‧‧電晶體
552‧‧‧電晶體
554‧‧‧電晶體
560‧‧‧電容元件
562‧‧‧電容元件
570‧‧‧液晶元件
572‧‧‧發光元件
600‧‧‧準分子雷射器裝置
610a‧‧‧雷射
610b‧‧‧雷射
610c‧‧‧雷射
610d‧‧‧線狀光束
630‧‧‧光學系統
650‧‧‧反射鏡
670‧‧‧透鏡
700‧‧‧加工物
710‧‧‧加工區域
720‧‧‧基板
801‧‧‧光阻遮罩
802‧‧‧光阻遮罩
803‧‧‧光阻遮罩
810‧‧‧雜質
821‧‧‧基板
824‧‧‧絕緣膜
828‧‧‧氧化物半導體層
828a‧‧‧區域
828b‧‧‧區域
828c‧‧‧區域
828d‧‧‧區域
828e‧‧‧區域
828f‧‧‧區域
828g‧‧‧區域
837‧‧‧絕緣膜
840‧‧‧導電膜
840a‧‧‧導電膜
840b‧‧‧導電膜
846‧‧‧絕緣膜
847‧‧‧絕緣膜
856‧‧‧導電膜
857‧‧‧導電膜
862‧‧‧絕緣膜
900‧‧‧基板
910‧‧‧有機樹脂層
915‧‧‧絕緣膜
920‧‧‧閘極電極層
921‧‧‧導電膜
930‧‧‧閘極絕緣膜
931‧‧‧絕緣膜
932‧‧‧絕緣膜
933‧‧‧絕緣膜
935‧‧‧絕緣層
940‧‧‧氧化物半導體層
940a‧‧‧氧化物半導體膜
940b‧‧‧氧化物半導體膜
940c‧‧‧氧化物半導體膜
941a‧‧‧氧化物半導體層
941b‧‧‧氧化物半導體層
942a‧‧‧氧化物半導體層
942b‧‧‧氧化物半導體層
942c‧‧‧氧化物半導體層
943a‧‧‧氧化物半導體層
950‧‧‧源極電極層
951‧‧‧源極區
960‧‧‧汲極電極層
961‧‧‧汲極區
970‧‧‧絕緣膜
975‧‧‧絕緣膜
980‧‧‧絕緣膜
990‧‧‧絕緣膜
7100‧‧‧行動電話機
7101‧‧‧外殼
7102‧‧‧顯示部
7103‧‧‧操作按鈕
7104‧‧‧外部連接埠
7105‧‧‧揚聲器
7106‧‧‧麥克風
7107‧‧‧相機
7108‧‧‧圖示
7200‧‧‧可攜式資訊終端
7201‧‧‧外殼
7202‧‧‧顯示部
7203‧‧‧帶子
7204‧‧‧帶扣
7205‧‧‧操作按鈕
7206‧‧‧輸入輸出端子
7207‧‧‧圖示
7300‧‧‧顯示裝置
7301‧‧‧外殼
7302‧‧‧顯示部
7303‧‧‧操作按鈕
7304‧‧‧構件
7305‧‧‧控制部
5100‧‧‧顆粒
5100a‧‧‧顆粒
5100b‧‧‧顆粒
5101‧‧‧離子
5102‧‧‧氧化鋅層
5103‧‧‧粒子
5105a‧‧‧顆粒
5105a1‧‧‧區域
5105a2‧‧‧顆粒
5105b‧‧‧顆粒
5105c‧‧‧顆粒
5105d‧‧‧顆粒
5105d1‧‧‧區域
5105e‧‧‧顆粒
5120‧‧‧基板
5130‧‧‧靶材
5161‧‧‧區域
8000‧‧‧顯示模組
8001‧‧‧上蓋
8002‧‧‧下蓋
8003‧‧‧FPC
8004‧‧‧觸控面板
8005‧‧‧FPC
8006‧‧‧顯示面板
8007‧‧‧背光
8008‧‧‧光源
8009‧‧‧框架
8010‧‧‧印刷電路板
8011‧‧‧電池
在圖式中：圖1是說明顯示裝置的俯視圖；圖2是說明顯示裝置的剖面圖；圖3是說明顯示裝置的剖面圖；圖4A至圖4D是說明顯示裝置的製造方法的剖面圖；圖5A至圖5C是說明顯示裝置的製造方法的剖面圖；圖6是說明使用準分子雷射的加工裝置的一個例子的圖；圖7A至圖7E是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖8A至圖8C是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖9A至圖9C是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖10A至圖10E是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖11A至圖11C是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖12A至圖12C是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖13A至圖13C是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖14A至圖14B是示出剝離裝置的一個例子的圖； 圖15A1-A2、圖15B1-B2以及圖15C1-C2是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖16A1-A2、圖16B1-B2以及圖16C1-C2是示出剝離裝置的一個例子的圖；圖17A至圖17C是說明顯示裝置的方塊圖及電路圖；圖18是說明顯示模組的圖；圖19A和圖19B是說明電晶體的剖面圖；圖20A和圖20B是說明電晶體的剖面圖；圖21A至圖21D是CAAC-OS的剖面的Cs校正高解析度TEM影像以及CAAC-OS的剖面示意圖；圖22A至圖22D是CAAC-OS的平面的Cs校正高解析度TEM影像；圖23A至圖23C是說明藉由XRD得到的CAAC-OS及單晶氧化物半導體的結構分析結果的圖；圖24A至圖24D是說明電子裝置的圖；圖25A和圖25B是說明電晶體的剖面圖；圖26A和圖26B是說明電晶體的剖面圖；圖27A和圖27B是說明電晶體的剖面圖；圖28A和圖28B是說明電晶體的剖面圖；圖29A和圖29B是說明電晶體的剖面圖；圖30是說明顯示裝置的剖面圖；圖31是說明顯示裝置的剖面圖；圖32A至圖32D是說明電晶體的製造方法的剖面 圖；圖33A至圖33D是說明電晶體的製造方法的剖面圖；圖34A至圖34D是說明電晶體的製造方法的剖面圖；圖35A和圖35B是說明電晶體的剖面圖；圖36是說明電阻率的溫度依賴性的圖；圖37A至圖37F是說明電晶體的剖面圖；圖38A至圖38F是說明電晶體的剖面圖；圖39A至圖39E是說明電晶體的剖面圖；圖40A和圖40B是示出CAAC-OS的電子繞射圖案的圖；圖41是示出In-Ga-Zn氧化物的結晶部因電子照射而變化的圖；圖42A和圖42B是說明CAAC-OS及nc-OS的成膜模型的示意圖；圖43A至圖43C是說明InGaZnO4的結晶及顆粒的圖；圖44A至圖44D是說明CAAC-OS的成膜模型的示意圖。
參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的普通技術人員 可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定於以下所示的實施方式的記載內容中。注意，在以下說明的發明的結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其重複說明。有時適當地省略或改變不同圖式之間的相同構成要素的圖案。
例如，在本說明書等中，當明確地記載為“X與Y連接”時，在本說明書等中公開了如下情況：X與Y電連接的情況；X與Y在功能上連接的情況；以及X與Y直接連接的情況。因此，不侷限於圖式或文中所示的連接關係等規定的連接關係，圖式或文中所示的連接關係以外的連接關係也記載於圖式或文中。
這裡，X和Y為目標物(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜、層等)。
作為X與Y直接連接的情況的一個例子，可以舉出在X與Y之間沒有連接能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)，並且X與Y沒有藉由能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)連接的情況。
作為X和Y電連接時的一個例子，可以在X 和Y之間連接一個以上的能夠電連接X和Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件和負載等)。另外，開關具有控制開啟和關閉的功能。換言之，藉由使開關處於導通狀態(開啟狀態)或非導通狀態(關閉狀態)來控制是否使電流流過。或者，開關具有選擇並切換電流路徑的功能。另外，X與Y電連接的情況包括X與Y直接連接的情況。
作為X與Y在功能上連接的情況的一個例子，例如可以在X與Y之間連接一個以上的能夠在功能上連接X與Y的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉換電路(DA轉換電路、AD轉換電路、伽瑪校正電路等)、電位位準轉換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位位準的位準轉移電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差動放大電路、源極隨耦電路、緩衝電路等)、信號產生電路、記憶體電路、控制電路等)。注意，例如，即使在X與Y之間夾有其他電路，當從X輸出的信號傳送到Y時，也可以說X與Y在功能上是連接著的。另外，X與Y在功能上連接的情況包括X與Y直接連接的情況及X與Y電連接的情況。
此外，當明確地記載為“X與Y電連接”時，在本說明書等中公開了如下情況：X與Y電連接的情況(換言之，以中間夾有其他元件或其他電路的方式連接X 與Y的情況)；X與Y在功能上連接的情況(換言之，以中間夾有其他電路的方式在功能上連接X與Y的情況)；以及X與Y直接連接的情況(換言之，以中間不夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y的情況)。換言之，當明確記載為“電連接”時，在本說明書等中公開了與只明確記載為“連接”的情況相同的內容。
注意，例如，在電晶體的源極(或第一端子等)藉由Z1(或沒有藉由Z1)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)藉由Z2(或沒有藉由Z2)與Y電連接的情況下以及在電晶體的源極(或第一端子等)與Z1的一部分直接連接，Z1的另一部分與X直接連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Z2的一部分直接連接，Z2的另一部分與Y直接連接的情況下，可以表現為如下。
例如，可以表達為“X、Y、電晶體的源極(或第一端子等)及電晶體的汲極(或第二端子等)互相電連接，並按X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)及Y的順序電連接”。或者，可以表達為“電晶體的源極(或第一端子等)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Y電連接，並按X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)及Y的順序電連接”。或者，可以表達為“X經由電晶體的源極(或第一端子等)及汲極(或第二端子等)與Y電連接，並按X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)及Y的順序連接”。藉由使用 與這些例子相同的表達方法規定電路結構中的連接順序，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)與汲極(或第二端子等)而決定技術範圍。
另外，作為其他表現方法，例如可以表現為“電晶體的源極(或第一端子等)至少藉由第一連接路徑與X電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑是藉由電晶體的電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)之間的路徑，所述第一連接路徑是藉由Z1的路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少藉由第三連接路徑與Y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑，所述第三連接路徑是藉由Z2的路徑”。或者，也可以表現為“電晶體的源極(或第一端子等)至少經過第一連接路徑，藉由Z1與X電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑具有藉由電晶體的連接路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少經過第三連接路徑，藉由Z2與Y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑”。或者，也可以表現為“電晶體的源極(或第一端子等)至少經過第一電子路徑，藉由Z1與X電連接，所述第一電子路徑不具有第二電子路徑，所述第二電子路徑是從電晶體的源極(或第一端子等)到電晶體的汲極(或第二端子等)的電子路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少經過第三電子路徑，藉由Z2與Y電連接，所述第三電子路徑不具有第四電子路徑，所述第四電子路徑是從電晶體的 汲極(或第二端子等)到電晶體的源極(或第一端子等)的電子路徑”。藉由使用與這種例子同樣的表現方法規定電路結構中的連接路徑，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)和汲極(或第二端子等)來決定技術範圍。
注意，上述表達方法只是一個例子，不侷限於上述表達方法。在此，X、Y、Z1及Z2為目標物(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜及層等)。
另外，即使圖式示出在電路圖上獨立的構成要素彼此電連接，也有一個構成要素兼有多個構成要素的功能的情況。例如，在佈線的一部分被用作電極時，一個導電膜兼有佈線和電極的兩個構成要素的功能。因此，本說明書中的“電連接”的範疇內還包括這種一個導電膜兼有多個構成要素的功能的情況。
注意，“膜”和“層”根據情形或狀況可以相互調換。例如，“導電層”可以換為“導電膜”。或者，例如，“絕緣膜”可以換為“絕緣層”。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖式說明本發明的一個方式的顯示裝置及其製造方法。
注意，本說明書中的顯示裝置是指影像表示裝置或光源(包括照明設備等)。另外，顯示裝置還包括：安裝有諸如FPC或TCP(Tape Carrier Package：捲帶 式封裝)的連接器的模組；在TCP的端部設置有印刷線路板的模組；或者藉由COG方式將驅動電路直接安裝到顯示元件的模組。
本發明的一個方式的顯示裝置具有撓性。注意，撓性是指能夠彎曲或撓曲的性質。另外，撓性除了用在成品中以外，有時用在製程中。後者有時包括成品不具有撓性的情況。
圖1是本發明的一個方式的顯示裝置300的俯視圖。注意，在圖1中，為了明確起見，擴大、縮小、透過或省略圖中的一部分的要素而進行圖示。
顯示裝置300包括：設置在第一撓性基板301上的像素部302；用來驅動該像素部的第一電路部304及第二電路部305；以圍繞像素部302、第一電路部304及第二電路部305的方式配置的密封材料312；以及以與第一撓性基板301對置的方式設置的第二撓性基板307。注意，作為第一電路部304，例如可以包括信號線驅動電路(源極驅動器)，作為第二電路部305，例如可以包括掃描線驅動電路(閘極驅動器)。
第一撓性基板301與第二撓性基板307藉由密封材料312黏合。另外，雖然未在圖1中圖示，但是第一撓性基板301與第二撓性基板307之間設置有顯示元件。也就是說，像素部302、第一電路部304、第二電路部305及顯示元件由第一撓性基板301、密封材料312及第二撓性基板307密封。
另外，在显示裝置300中，在第一撓性基板301上的與由密封劑312圍繞的區域不同的區域中，設置有與像素部302、第一電路部304及第二電路部305電連接的FPC端子部308(FPC：Flexible printed circuit)。
另外，FPC端子部308與FPC316連接，FPC端子部308藉由FPC316對像素部302、第一電路部304及第二電路部305供應各種信號等。像素部302、第一電路部304、第二電路部305及FPC端子部308分別與信號線310連接。藉由FPC316被供應的各種信號等是藉由信號線310供應到像素部302、第一電路部304及第二電路部305的。
注意，在圖1中，雖然例示出將用來驅動像素部302的電路配置為兩個區域的結構，但是該電路的結構不侷限於此。例如，也可以將該電路共同地配置為一個區域。另外，也可以將該電路分割配置為三個以上的區域。另外，也可以將第一電路部304和第二電路部305中的任一方形成在第一撓性基板301上，並將另一方設置在外部。
另外，用來驅動像素部302的電路既可以是與像素部302所包括的晶體管同樣地形成在第一撓性基板301上的結構，又可以是使用COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)等安裝IC芯片的結構。另外，也可以是連接TCP等的結構。
顯示裝置300所包括的像素部302、第一電路 部304及第二電路部305包括使用氧化物半導體層形成其通道形成區域的多個電晶體。
由於使用氧化物半導體層的電晶體的移動率高，因此可以減小電晶體的所占面積，而可以提高開口率。另外，也可以使用該電晶體將第一電路部304及第二電路部305形成在與像素部302同一基板上。另外，由於該電晶體的關態電流(off-state current)極小，可以長時間保持影像信號等，因此可以降低圖框頻率，而可以降低顯示裝置的功耗。
另外，氧化物半導體層較佳為具有c軸配向的結晶。若電晶體的通道形成區由具有該結晶的氧化物半導體層形成，則會使例如當折彎顯示裝置300時不容易在該氧化物半導體層中產生裂痕(crack)等，因此可以提高可靠性。
因此，藉由使用包括氧化物半導體層的電晶體，可以形成比包括例如非晶矽層或多晶矽層優異的顯示裝置。
作為包括在顯示裝置300中的顯示元件，典型地可以使用液晶元件或發光元件。
接著，說明使用液晶元件的顯示裝置300a。圖2是將液晶元件用於顯示裝置300時的圖1所示的點劃線A1-A2的剖面圖。
顯示裝置300a依次層疊有：第一撓性基板301；第一黏合層318a；第一有機樹脂層320a；第一絕緣 膜321a；第一元件層；第二元件層；第二絕緣膜321b；第二有機樹脂層320b；第二黏合層318b；以及第二撓性基板307。
在圖2中，第一元件層包括：電晶體350、352；絕緣膜364、366、368；平坦化絕緣膜370；連接電極360；以及導電膜372等。另外，第二元件層包括：導電膜374；絕緣膜334；著色層336(濾色片)；以及遮光層338(黑矩陣)等。注意，在第一元件層及第二元件層中，有時不包括上述要素的一部分。另外，有時包括上述要素以外的要素。
在此，第一元件層及第二元件層由液晶層376及密封材料312密封，形成液晶元件375。
作為第一撓性基板301及第二撓性基板307，例如可以舉出如下材料：其厚度為足以具有撓性的厚度的玻璃、聚酯樹脂諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂或聚醚醚酮(PEEK)樹脂等。尤其較佳為使用熱膨脹係數低的材料，例如較佳為使用聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂以及PET等。另外，也可以使用將有機樹脂浸滲於玻璃纖維中的基板或將無機填料混合到有機樹脂中來降低熱膨脹係數的基板。
作為黏合層318a、318b，例如可以使用兩液混合型樹脂等在常溫下固化的固化樹脂、光硬化性樹脂、熱固性樹脂等樹脂。例如，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂等。尤其較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。
第一有機樹脂層320a及第二有機樹脂層320b例如可以使用選自環氧樹脂、芳族聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂或聚醯胺醯亞胺樹脂的材料來形成。
作為第一絕緣膜321a及第二絕緣膜321b，可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜或氮氧化矽膜的單層或疊層。尤其是，為了防止第一撓性基板301及第一黏合層318a中的雜質擴散到電晶體等，較佳為使用阻擋性高的包含氮的膜。
顯示裝置300a包括：引繞佈線部311；像素部302；第一電路部304；以及FPC端子部308。引繞佈線部311包括信號線310。
另外，在顯示裝置300a中，例示出像素部302中設置有電晶體350且第一電路部304中設置有電晶體352的結構。
雖然在圖2中電晶體350與電晶體352尺寸相同，但是並不侷限於此。可以適當地改變電晶體350與電晶體352的尺寸(通道長度及通道寬度等)或數量。另外，雖然在圖2中未圖示第二電路部305，但是藉由改變 連接位置或連接方法等，可以使第二電路部305具有與第一電路部304同樣的結構。
引繞佈線部311所包括的信號線310可以藉由形成電晶體350的源極電極層及汲極電極層的製程來形成。
FPC端子部308包括連接電極360、各向異性導電膜380及FPC316。另外，連接電極360可以藉由形成電晶體350的源極電極層及汲極電極層的製程來形成。另外，連接電極360與FPC316所包括的端子藉由各向異性導電膜380電連接。
另外，作為連接到像素部的電晶體及用於驅動電路部的電晶體的信號線，較佳為使用包含銅元素的佈線。藉由使用包含銅元素的佈線，可以減少起因於佈線電阻的信號延遲等。
另外，在圖2中，在電晶體350及電晶體352上設置有絕緣膜364、366、368及平坦化絕緣膜370。
絕緣膜364、366可以使用相同種類的材料的絕緣膜，例如，可以使用氧化矽、氧氮化矽等。在此，較佳的是，絕緣膜364的缺陷量較少，並且絕緣膜366使用氧含量超過化學計量組成的氧化物絕緣膜來形成。注意，也可以使用相同種類的材料以單層形成絕緣膜364、366。絕緣膜368具有能夠阻擋氧、氫、水、鹼金屬、鹼土金屬等的功能。例如，較佳為使用氮化絕緣膜等。
另外，作為平坦化絕緣膜370，可以使用具有 耐熱性的有機材料如聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、苯并環丁烯類樹脂、聚醯胺樹脂、環氧樹脂等。也可以藉由層疊多個由這些材料形成的絕緣膜，形成平坦化絕緣膜370。另外，也可以採用不設置平坦化絕緣膜370的結構。
另外，電晶體350所包括的源極電極層及汲極電極層中的一方與導電膜372電連接。導電膜372形成在平坦化絕緣膜370上並被用作像素電極，即液晶元件的一方的電極。導電膜372較佳為使用對可見光具有透光性的導電膜。作為該導電膜，例如，較佳為使用包含選自銦(In)、鋅(Zn)、錫(Sn)中的一種的材料。
液晶元件375包括導電膜372、導電膜374及液晶層376。導電膜374被設置在第二撓性基板307一側，並具有反電極的功能。圖2所示的顯示裝置300a可以藉由由施加到導電膜372及導電膜374的電壓改變液晶層376的配向狀態，來控制光的透過及非透過而顯示影像。
注意，雖然未在圖2中示出，但是也可以分別在導電膜372、374與液晶層376接觸的一側設置配向膜。此外，可以適當地設置偏振構件、相位差構件、抗反射構件等光學構件(光學基板)等。例如，也可以使用利用偏振基板及相位差基板的圓偏振。此外，作為光源，也可以使用背光、側光等。
另外，在第一撓性基板301與第二撓性基板 307之間設置有間隔物378。間隔物378是藉由選擇性地對絕緣膜進行蝕刻而得到的柱狀的間隔物，用來控制液晶層376的膜厚(盒厚(cell gap))。作為間隔物378，也可以使用球狀的間隔物。
作為構成液晶層376的液晶材料，可以使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、鐵電液晶、反鐵電液晶等。這些液晶材料根據條件呈現出膽固醇相、層列相、立方相、手性向列相、均質相等。
此外，在採用橫向電場方式的情況下，也可以使用不使用配向膜的呈現藍相的液晶。藍相是液晶相的一種，是指當使膽固醇型液晶的溫度上升時即將從膽固醇相轉變到均質相之前出現的相。因為藍相只在較窄的溫度範圍內出現，所以將其中混合了幾wt%以上的手性試劑的液晶組合物用於液晶層，以擴大溫度範圍。由於包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物的回應速度快，並且其具有光學各向同性，所以不需要配向處理，並且視角依賴性小。另外，因不需要設置配向膜而不需要摩擦處理，因此可以防止由於摩擦處理而引起的靜電破壞，由此可以降低製程中的液晶顯示裝置的不良和破損。
另外，當作為顯示元件使用液晶元件時，可以使用：TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、IPS(In-Plane-Switching：平面內切換)模式、FFS(Fringe Field Switching：邊緣電場切換)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式、OCB(Optical Compensated Birefringence：光學補償彎曲)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電性液晶)模式、以及AFLC(Anti Ferroelectric Liquid Crystal：反鐵電性液晶)模式等。
另外，也可以使用常黑型液晶顯示裝置，例如採用垂直配向(VA)模式的透過型液晶顯示裝置。作為垂直配向模式，可以舉出幾個例子，例如可以使用MVA(Multi-Domain Vertical Alignment：多象限垂直配向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式、ASV(Advanced Super View：高級超視覺)模式等。
另外，作為像素部302中的顯示方式，可以採用逐行掃描方式或隔行掃描方式等。此外，作為當進行彩色顯示時在像素中控制的顏色要素，不侷限於RGB(R表示紅色，G表示綠色，B表示藍色)這三種顏色。例如，可以由R像素、G像素、B像素及W(白色)像素的四個像素構成。或者，如PenTile排列，也可以由RGB中的兩個顏色構成一個顏色要素，並根據顏色要素選擇不同的兩個顏色來構成。或者可以對RGB追加黃色(yellow)、青色(cyan)、洋紅色(magenta)等中的一種以上的顏色。另外，各個顏色要素的點的顯示區域的大小可以不同。但是，所公開的發明不侷限於彩色顯示的顯示裝置，而也可以應用於黑白顯示的顯示裝置。
接著，說明使用發光元件的顯示裝置300b。圖3是在將發光元件用於顯示裝置300時的圖1所示的點劃線A1-A2的剖面圖。注意，省略與上述使用液晶元件的顯示裝置300a重複的說明。
顯示裝置300b依次層疊有：第一撓性基板301；第一黏合層318a；第一有機樹脂層320a；第一絕緣膜321a；第一元件層410；第二元件層411；第二絕緣膜321b；第二有機樹脂層320b；第二黏合層318b；以及第二撓性基板307。
在圖3中，第一元件層410包括：電晶體350、352；絕緣膜364、366、368；平坦化絕緣膜370；發光元件480；絕緣膜430；信號線310；以及連接電極360。另外，第二元件層411包括：絕緣膜334；著色層336；以及遮光層338。另外，第一元件層410及第二元件層411由密封層432及密封材料312密封。注意，在第一元件層410及第二元件層411中，有時不包括上述要素的一部分。另外，有時包括上述要素以外的要素。
發光元件480包括導電膜444、EL層446及導電膜448。顯示裝置300b可以藉由使發光元件480所包括的EL層446發光而顯示影像。
平坦化絕緣膜370上的導電膜444上設置有絕緣膜430。絕緣膜430覆蓋導電膜444的一部分。當導電膜444使用對EL層所發射的光的反射率高的導電膜而導電膜448使用對EL層所發射的光的透光性高的導電膜 時，可以使發光元件480具有頂部發射結構。另外，當導電膜444使用對該光的透光性高的導電膜而導電膜448使用對該光的反射率高的導電膜時，可以使發光元件480具有底部發射結構。另外，當導電膜444及導電膜448兩者使用對該光的透光性高的導電膜時，可以使發光元件480具有雙面發射結構。
另外，在與發光元件480重疊的位置上設置有著色層336，並在與絕緣膜430重疊的位置、引繞佈線部311及第一電路部304中設置有遮光層338。著色層336及遮光層338被第三絕緣膜334覆蓋。由密封層432填充發光元件480與第三絕緣膜334之間。注意，雖然例示出在顯示裝置300b中設置著色層336的結構，但是並不侷限於此。例如，在藉由分別塗布來形成EL層446時，也可以採用不設置著色層336的結構。
在顯示裝置300b中，也可以在黏合層318a、318b中包含乾燥劑。例如，可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)等藉由化學吸附吸附水分的物質。或者，也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附來吸附水分的物質。當包含乾燥劑時，能夠抑制水分等雜質侵入到發光元件480，而能夠提高顯示裝置的可靠性。
另外，藉由對密封層432混合折射率高的填料(氧化鈦等)，可以提高從發光元件480的光提取效率。
另外，黏合層318a及318b也可以包括散射 光的散射構件。例如，作為黏合層318a及318b也可以使用密封層432與折射率不同於該密封層432的粒子的混合物。該粒子被用作光的散射構件。密封層432與折射率不同於該密封層432的粒子的折射率差較佳為0.1以上，更佳為0.3以上。作為粒子，可以使用氧化鈦、氧化鋇以及沸石等。由於氧化鈦的粒子以及氧化鋇的粒子具有很強的散射光的性質，所以是較佳的。另外，當使用沸石時，能夠吸附密封層432等所具有的水，因此能夠提高發光元件的可靠性。
第一撓性基板301及第二撓性基板307較佳為分別使用韌性高的材料。由此，能夠實現抗衝擊性高且不易破損的發光裝置。例如，藉由使第一撓性基板301及第二撓性基板307為有機樹脂基板，能夠實現與使用玻璃基板的基底材料相比更輕量且不容易破損的顯示裝置。
另外，當對第一撓性基板301使用熱發射率高的材料時，能夠抑制顯示裝置的表面溫度上升，從而能夠抑制顯示裝置的損壞及可靠性下降。例如，也可以使第一撓性基板301為金屬基板與熱發射率高的層(例如，可以使用金屬氧化物或陶瓷材料)的疊層結構。
接著，使用圖4A至圖5C說明圖3所示的顯示裝置300b的製造方法。注意，在圖4A至圖5C中，為了避免圖式的繁雜而簡化圖3所示的第一元件層410及第二元件層411來進行圖示。
首先，在第一基板462上以第一有機樹脂層 320a、第一絕緣膜321a及第一元件層410的順序形成疊層(參照圖4A)。
另外，在第二基板463上以第二有機樹脂層320b、第二絕緣膜321b及第二元件層411的順序形成疊層(參照圖4B)。
作為第一基板462及第二基板463，至少需要能夠承受後面的加熱處理的耐熱性。例如，可以使用玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、藍寶石基板等。
第一有機樹脂層320a及第二有機樹脂層320b例如可以使用環氧樹脂、芳族聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂或聚醯胺醯亞胺樹脂等的有機樹脂膜。其中由於使用聚醯亞胺樹脂可以具有較高的耐熱性所以是尤其較佳的。在使用聚醯亞胺樹脂時，該聚醯亞胺樹脂的膜厚為3nm以上且20μm以下，較佳為500nm以上且2μm以下。該聚醯亞胺樹脂可以藉由旋塗法、浸塗法、刮刀塗佈法(Doctor Blade Method)等形成。
作為第一絕緣膜321a及第二絕緣膜321b，可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等，並利用濺射法或CVD法等形成。藉由形成第一絕緣膜321a，例如，可以抑制雜質從第一基板462或第一有機樹脂層320a擴散到第一元件層410。
在形成第一元件層410時，包括電晶體350的全部構成要素的形成溫度較佳為室溫以上且300℃以下。例如，第一元件層410所包含的由無機材料形成的絕 緣膜或導電膜的成膜溫度為150℃以上且300℃以下，較佳為200℃以上且270℃以下。另外，第一元件層410所包含的由有機樹脂材料形成的絕緣膜等的形成溫度較佳為室溫以上且100℃以下。另外，在電晶體350的形成製程中，例如，也可以省略製程中的加熱製程。
另外，第一元件層410所包括的絕緣膜430、導電膜444、EL層446及導電膜448可以使用如下方法形成。
作為絕緣膜430，例如，可以使用有機樹脂或無機絕緣材料。作為有機樹脂，例如，可以使用聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽氧烷樹脂、環氧樹脂或酚醛樹脂等。作為無機絕緣材料，例如，可以使用氧化矽、氧氮化矽等。對絕緣膜430的形成方法沒有特別的限制，例如可以使用光微影法、濺射法、蒸鍍法、液滴噴射法(噴墨法等)、印刷法(網版印刷、平板印刷等)等。當使用光微影法時，使用感光性樹脂可以簡化絕緣膜430的製程。
作為導電膜444，例如，較佳為使用對可見光的反射性高的金屬膜。作為該金屬膜，例如，可以使用鋁、銀或它們的合金等。另外，作為導電膜444，例如，可以使用濺射法形成。
作為EL層446，可以使用從導電膜444及導電膜448注入的電洞與電子可以再結合並發光的發光材料。另外，除了該發光材料，根據需要可以形成電洞注入層 、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等功能層。另外，作為EL層446，例如，可以使用蒸鍍法或塗佈法等形成。
作為導電膜448，例如，較佳為使用對可見光具有透光性的導電膜。作為該導電膜，例如，較佳為使用包含選自銦(In)、鋅(Zn)、錫(Sn)中的一種的材料。另外，作為導電膜448，例如，可以使用透光導電材料諸如包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物、添加有矽的銦錫氧化物等。在本發明的一個方式的顯示裝置中，較佳為將添加有矽的銦錫氧化物用於導電膜448。藉由使用添加有矽的銦錫氧化物，可以提高導電膜448的對彎曲的耐性，而不容易產生裂痕等。另外，導電膜448例如可以使用濺射法形成。
另外，作為第二元件層411所包括的著色層336，可以是使在特定波長區域內的光透射的著色層，例如，可以使用使在紅色波長範圍內的光透射的紅色(R)濾色片、使在綠色波長範圍內的光透射的綠色(G)濾色片、使在藍色波長範圍內的光透射的藍色(B)濾色片等。另外，也可以使用黃色(Y)、白色(W)的濾色片。各濾色片使用各種材料並藉由列印法、噴墨法、利用光微影技術的蝕刻法等形成在所希望的位置上。
另外，作為第二元件層411所包括的遮光層 338，只要具有遮蔽在特定波長區域內的光的功能即可，並且能夠使用金屬膜或包含黑色顏料等的有機絕緣膜等。
另外，作為第二元件層411所包括的第三絕緣膜434，例如，可以使用丙烯酸樹脂等的有機絕緣膜。注意，並不一定必須形成第三絕緣膜434，也可以採用不形成第三絕緣膜434的結構。
接著，隔著密封層432貼合第一元件層410與第二元件層411(參照圖4C)。注意，未圖示密封材料312。
作為密封層432，可以使用具有撓性的固體密封材料。例如，可以使用玻璃粉等玻璃材料或者兩液混合型樹脂等在常溫下固化的固化樹脂、光硬化性樹脂、熱固性樹脂等樹脂材料。
接著，從圖4C所示的結構剝離第一基板462(參照圖4D)。注意，也可以先進行剝離第二基板463的製程。
上述剝離製程可以適當地使用各種各樣的方法。例如，藉由隔著第一基板462對第一有機樹脂層320a照射紫外線468，使第一有機樹脂層320a脆化或降低第一有機樹脂層320a與第一基板462的緊密性，從而可以剝離第一基板462。另外，也可以藉由調整紫外線468的照射能量密度，分別製造第一基板462與第一有機樹脂層320a的緊密性高的區域及第一基板462與第一有機樹脂層320a的緊密性低的區域，然後進行剝離。作為 紫外線的光源，可以使用例如輸出波長308nm的紫外線的準分子雷射器等。另外，也可以使用高壓汞燈或UV-LED等。
準分子雷射器是高輸出的脈衝雷射器，可以使用光學系統將光束形成為線狀。藉由在線狀光束的雷射的照射位置移動基板，可以對基板整體或指定部分照射雷射。注意，只要線狀光束的長度為所使用的基板的一邊的長度以上，就可以只將基板向一個方向移動而對基板整體照射雷射。
作為準分子雷射器裝置，除了安裝了一個雷射振盪器的裝置以外，還可以使用安裝兩個以上的雷射振盪器的裝置。在安裝多個雷射振盪器的裝置中，可以藉由使用光學系統合成(重疊)從各雷射振盪器同步輸出的雷射獲得高能量密度的雷射。因此，在本實施方式的用途中，也可以進行第八代玻璃基板(2160mm×2460mm)以上的尺寸的處理。另外，由於在安裝多個雷射振盪器的裝置中從各雷射振盪器輸出的雷射互相彌補輸出偏差，因此每個脈衝的強度偏差變少，而可以進行良率高的處理。注意，也可以使用多個準分子雷射器裝置代替安裝多個雷射振盪器的裝置。
圖6示出使用準分子雷射器的加工裝置的一個例子。使用光學系統630合成從包括兩個雷射振盪器的準分子雷射器裝置600輸出的雷射610a及610b。再者，被光學系統630拉伸為橫寬的雷射610c藉由反射鏡650入 射到透鏡670，而被聚集成線狀光束610d。此時，線狀光束610d隔著基板720照射到加工物700所包括的加工區域710。
注意，在本實施方式中，加工物700相當於圖4C或圖5A所示的結構，加工區域710相當於第一有機樹脂層320a或第二有機樹脂層320b，基板720相當於第一基板462或第二基板463。
並且，藉由將加工物700向圖中的箭頭方向移動，可以對加工區域710整體照射線狀光束610d。作為準分子雷射器，較佳為其波長等於或大於308nm。當波長為308nm以上時，即使對基板720使用玻璃基板也可以充分地使加工所需的雷射透過。
注意，雖然在本實施方式中例示出在第一基板462與第一有機樹脂層320a的介面處進行剝離的方法，但是並不侷限於此。例如，也可以在進行剝離時使第一有機樹脂層320a的一部分殘留在第一基板462。另外，也可以在第一有機樹脂層320a與第一元件層410的介面處進行剝離。
另外，也可以藉由使液體浸透到第一基板462與有機樹脂層320a的介面而從第一基板462剝離第一有機樹脂層320a。或者，可以藉由使液體浸透到第一有機樹脂層320a與第一元件層410的介面而從第一有機樹脂層320a剝離第一元件層410。作為上述液體，例如，可以使用水、極性溶劑等。藉由使用該液體，可以抑制剝離 時發生的靜電，而可以抑制第一元件層410所包括的電晶體等的靜電破壞。
接著，使用第一黏合層318a黏合第一有機樹脂層320a與第一撓性基板301(參照圖5A)。
接著，使用與上述同樣的方法剝離第二基板463，使用第二黏合層318b黏合第二有機樹脂層320b與第二撓性基板307(參照圖5B)。
並且，隔著各向異性導電膜380對連接電極360貼合FPC316。根據需要也可以安裝IC晶片等。
藉由上述步驟可以製造圖3所示的顯示裝置300b。
當在第一有機樹脂層320a與第一元件層410的介面處進行剝離時，成為圖5C所示的結構。此時，在圖2及圖3所示的顯示裝置300a、300b中不存在有機樹脂層320a。
在本發明的一個方式中，在有機樹脂層上形成包括使用氧化物半導體層的電晶體等的元件層，藉由使該有機樹脂層脆化或降低該有機樹脂層與基板的緊密性進行元件層的剝離製程。在使用包括多晶矽的電晶體時，包括用來使非晶矽晶化的雷射照射製程。在雷射照射製程中在一瞬間產生能夠使矽熔融的高溫區域。因此，有時當與本發明的一個方式同樣使用有機樹脂層時熱也傳導到該有機樹脂層，而因脫氣或熱膨脹等使電晶體與基板之間形成的無機膜等產生裂痕或剝離。另外，為了抑制該裂痕或剝 離而降低了能量密度的雷射照射得不到具有充分的結晶性的多晶矽。
另一方面，在使用氧化物半導體層的電晶體的製程中不需要高溫的製程，能夠以在完成電晶體等之前不使該有機樹脂層脆化的方式進行穩定的製程，而可以製造良率及可靠性高的電晶體。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
實施方式2
在本實施方式中，使用圖7A至圖14B說明本發明的一個方式的剝離裝置。本發明的一個方式是一種剝離裝置，包括能夠保持加工構件的第一構件的結構體以及能夠保持加工構件的第二構件的載物台，該剝離裝置一邊捲繞第一構件一邊將結構體與載物台之間的加工構件分離成第一構件及第二構件。例如，可以將圖5A所示的第二基板463以外的疊層物用於第一構件，並將第二基板463用於第二構件。
藉由使用本發明的一個方式的剝離裝置，可以以較高的良率將加工構件分離成第一構件及第二構件。本發明的一個方式的剝離裝置不具有複雜的結構，而可以應用於各種尺寸的加工構件的剝離。
下面，示出剝離裝置的結構、工作及使用剝離裝置的剝離方法。
<結構例子1>
圖7A至圖9C示出藉由從加工構件103剝離第一構件103a來分離第一構件103a與第二構件103b的例子。
首先，圖7A示出即將進行剝離之前的剝離裝置的透視圖，圖7B示出正面圖，圖7D示出側面圖。
圖7A至圖7E所示的剝離裝置包括結構體101及載物台105。結構體101具有凸面。載物台105具有與該凸面相對的支撐面。
在圖7A至圖7E中，在剝離裝置的該凸面與該支撐面之間配置有加工構件103。
圖7C示出相對於結構體101的加工構件103的配置與圖7A、圖7B及圖7D不同的情況的俯視圖。雖然圖7A示出從加工構件103的邊部開始剝離的情況，但是如圖7C的俯視圖所示，也可以從加工構件103的角部開始剝離。當從加工構件103的角部開始剝離時，較佳為從短邊開始向長邊方向剝離。由此，結構體的旋轉速度等條件的控制變得容易，而可以提高剝離的良率。
加工構件103是薄片狀，由薄片狀的第一構件103a及薄片狀的第二構件103b構成。第一構件103a及第二構件103b分別可以是単層或疊層。加工構件103較佳為形成有剝離的起點。由此，第一構件103a及第二構件103b的介面處的剝離變得容易。
當剝離裝置具有傳送單元時，也可以藉由該 傳送單元在載物台105上配置加工構件103。
如圖7D的雙點劃線圈出的部分的放大圖所示，將結構體101的凸面重疊於形成在加工構件103的點狀或線狀(包括實線、虛線、框狀)的剝離的起點102。然後，藉由使結構體101旋轉，剝離第一構件103a的力量施加到加工構件103，而使第一構件103a從剝離的起點102附近被剝離。並且，加工構件103被分離成第一構件103a及第二構件103b。
結構體101只要具有凸面即可，例如，可以是圓筒狀(包括圓柱狀、直圓柱狀、橢圓柱狀、拋物柱狀等)、圓筒的一部分、球狀、球的一部分等結構物。例如，可以使用滾筒機等的滾筒。
作為結構體的材料，可以舉出金屬、合金、有機樹脂等。結構體也可以在其內部具有空間或空洞。
圖10C及圖10D分別示出其一部分的面具有凸面的結構體151及結構體152。結構體151及結構體152分別具有圓筒的一部分的結構。
結構體所具有的凸面的曲率半徑小於載物台105的支撐面的曲率半徑。凸面的曲率半徑例如可以是0.5mm以上且1000mm以下。例如，當剝離薄膜時，凸面的曲率半徑也可以是0.5mm以上且500mm以下，作為具體例子，可以是150mm、225mm或300mm等。作為具有這種凸面的結構體，例如，可以舉出直徑為300mm、450mm或600mm的滾筒等。注意，根據加工構件的厚度 及大小，凸面的曲率半徑的較佳的範圍產生變化。因此，不侷限於此，在本發明的一個方式中，作為結構體，只要其凸面的曲率半徑小於載物台105的支撐面的曲率半徑即可。
當加工構件103包括緊密性低的疊層結構時，有時在該緊密性低的介面剝離，從而導致剝離的良率降低。例如，當加工構件103包括有機EL元件時，在構成EL層的兩層的介面或在EL層與電極的介面剝離，而有時難以在第一構件103a與第二構件103b的介面剝離。因此，以能夠在第一構件103a與第二構件103b的介面剝離的方式設定凸面的曲率半徑。另外，也可以根據結構體101的旋轉速度等進行控制。
另外，當凸面的曲率半徑過小時，有時被凸面卷起的第一構件103a所包括的元件損壞。因此，凸面的曲率半徑較佳為0.5mm以上。
另外，當凸面的曲率半徑較大時，可以使玻璃、藍寶石、石英、矽等撓性較低且剛性較高的基板被凸面卷起。因此，凸面的曲率半徑例如較佳為300mm以上。
另外，當凸面的曲率半徑較大時，剝離裝置大型化，有時對設置位置有限制。因此，凸面的曲率半徑例如較佳為1000mm以下，更佳為500mm以下。
凸面的至少一部分也可以具有黏合性。例如，也可以對凸面的一部分或整體黏貼黏合膠帶等。另 外，如圖10E所示，也可以對凸面的至少一部分設置對第一構件103a具有黏合性的部分104。另外，結構體101也可以具有吸附機構，使得其凸面吸附第一構件103a。
結構體101或載物台105也可以是能夠向前後、左右、上下的至少一個移動的。當結構體101的凸面與載物台105的支撐面之間的距離為可變時，可以進行各種各樣的厚度的加工構件的剝離，所以是較佳的。在結構例子1中，示出結構體101能夠向載物台105的長邊方向移動的例子。
作為用來保持配置在載物台105上的構件等(例如，加工構件103及第二構件103b)的保持單元，可以舉出抽吸卡盤、靜電卡盤或機械卡盤等卡盤。例如，也可以使用多孔卡盤。另外，也可以將構件固定在吸附工作臺、加熱工作臺或旋轉工作臺(spinner table)等。
接著，圖8A示出剝離中途的剝離裝置的透視圖，圖8B示出正面圖，圖8C示出側面圖。另外，圖9A示出剝離後的剝離裝置的透視圖，圖9B示出正面圖，圖9C示出側面圖。
結構體101的中心有旋轉軸109。圖8A及圖8C等示出結構體101的旋轉方向，但是結構體101也可以是能夠向相反方向旋轉的。另外，藉由使旋轉軸109沿著引導107的槽移動，可以使結構體101向載物台105的長邊方向移動(圖8C、圖9C的左右方向)。
藉由使結構體101旋轉，與結構體101的凸 面重疊的第一構件103a在剝離的起點附近開始從加工構件103剝離，一邊被凸面捲繞一邊與第二構件103b分離。第一構件103a保持在結構體101的凸面，第二構件103b保持在載物台105上。
在本發明的一個方式的剝離裝置中，藉由使載物台105或結構體101之中的至少一個移動，而使結構體101的旋轉中心的位置相對於載物台105能夠移動即可。結構例子1示出結構體101的旋轉中心自身移動的例子。明確而言，示出在載物台105不動(或者被固定)的狀態下，結構體101能夠一邊捲繞第一構件103a一邊從加工構件103的一個端部一側向相對的其他端部一側移動(旋轉移動)的例子。
結構體101的凸面的線速度為結構體101的旋轉中心相對於載物台105的移動速度以上。
也可以一邊對第一構件103a或第二構件103b施加張力，一邊將第一構件103a與第二構件103b分離。
如圖8C中的箭頭108所示，也可以具有能夠對第一構件103a與第二構件103b的分離面供應液體的液體供應機構。
能夠抑制剝離時產生的靜電對第一構件103a所包括的元件等造成的不良影響(半導體元件因靜電而被破壞等)。也可以以霧狀或蒸氣噴射液體。作為液體，可以使用純水或有機溶劑等，也可以使用中性、鹼性、酸性的水溶液或者溶解有鹽的水溶液等。
當剝離裝置具有傳送單元時，在剝離後也可以藉由該傳送單元分別將載物台105上的第二構件103b及被結構體101捲繞的第一構件103a搬出。
另外，如圖10A及圖10B所示，可以藉由進一步使結構體101旋轉，將配置在載物台105上的薄片狀的構件111與第一構件103a貼合。
構件111既可以是單層又可以是疊層。較佳的是，構件111的與第一構件103a接觸的面的至少一部分的區域具有對第一構件103a的緊密性。例如，可以形成有黏合層。
在結構體101旋轉一圈的時間內，凸面也可以將第一構件103a整體捲繞。由此，可以抑制第一構件103a接觸到載物台105及第一構件103a被結構體101施加壓力，所以是較佳的。
另外，較佳的是，以被凸面捲繞的第一構件103a不接觸到載物台105的方式將第一構件103a貼合於構件111。
例如，也可以將結構體101旋轉1/4圈，使凸面將第一構件103a整體捲繞，將結構體101旋轉3/4圈，使結構體101移動到構件111的端部附近，並且將結構體101旋轉1/4圈，在構件111上黏貼第一構件103a。
或者，也可以在剝離結束之後以被結構體101捲繞的第一構件103a不接觸到載物台105的方式調整結構體101與載物台105之間的間隔。
<結構例子2>
在結構例子2中，示出藉由使載物台移動，而使結構體的旋轉中心的位置相對於載物台移動的例子。明確而言，示出能夠使結構體的旋轉中心的位置不移動，而載物台從加工構件的一個端部一側向相對的其他端部一側移動的例子。
使用圖11A至圖13B示出藉由從加工構件153剝離第一構件153a來分離第一構件153a與第二構件153b的例子。
首先，圖11A示出剝離前的剝離裝置的透視圖，圖11B示出正面圖，圖11C示出側面圖。
圖11A至圖11C所示的剝離裝置包括結構體151、載物台155、支撐體157及輸送滾筒158。結構體151具有凸面。載物台155具有與該凸面相對的支撐面。支撐體157支撐結構體151。
在圖11A至圖11C中，在剝離裝置的該凸面與該支撐面之間配置有加工構件153。
雖然圖11A示出從加工構件153的邊部開始剝離的情況，但是與結構例子1同樣地，也可以從加工構件153的角部開始剝離。
結構體151、加工構件153及載物台155可以分別使用與結構例子1的結構體101、加工構件103及載物台105同樣的結構，所以省略說明。加工構件153中形 成有剝離的起點162。
支撐體157支撐結構體151的旋轉軸159。支撐體157具有調整結構體151的高度的功能。由此，可以使結構體151的凸面與載物台155的支撐面之間的距離是可變的。
輸送滾筒158可以使載物台155移動。對載物台155的移動單元沒有特別的限制，可以使用傳送帶或傳送機器人。
當剝離裝置包括傳送單元時，也可以藉由該傳送單元在載物台155上配置加工構件153。
接著，圖12A示出剝離中途的剝離裝置的透視圖，圖12B示出正面圖，圖12C示出側面圖。此外，圖13A示出剝離後的剝離裝置的透視圖，圖13B示出正面圖，圖13C示出側面圖。
結構體151的中心有旋轉軸159。圖12A及圖12C等示出結構體151及輸送滾筒158的旋轉方向，但是結構體151及輸送滾筒158也可以是能夠分別向相反的方向旋轉的。藉由使輸送滾筒158旋轉，可以使載物台155及載物台155上的加工構件153的位置相對於結構體151的旋轉中心能夠移動(明確而言，向圖12C及圖13C的左右方向移動)。
保持在結構體151的第一構件153a從加工構件153被剝離，一邊被凸面捲繞一邊與第二構件153b分離。載物台155上保持有第二構件153b。
將結構體151的凸面重疊於形成在加工構件153的剝離的起點162。然後，藉由使結構體151旋轉，剝離第一構件153a的力量施加到加工構件153，而使第一構件153a從剝離的起點162附近剝離。從加工構件103剝離的第一構件153a一邊被凸面捲繞一邊與第二構件103b分離。第一構件153a保持在結構體151的凸面，第二構件153b保持在載物台155上。
當剝離裝置具有傳送單元時，在剝離後也可以藉由該傳送單元分別將載物台155上的第二構件153b及被結構體151捲繞的第一構件153a搬出。
另外，如圖14A及圖14B所示，可以藉由進一步使結構體151及輸送滾筒158旋轉，將配置在載物台156上的薄片狀的構件161與第一構件153a貼合。另外，也可以在配置有加工構件153的載物台155上配置構件161。
<結構例子3>
參照圖15A1-A2、圖15B1-B2以及圖15C1-C2說明本發明的一個方式的剝離裝置的其他結構。圖15A1-A2、圖15B1-B2以及圖15C1-C2是說明本發明的一個方式的剝離裝置的結構及工作的圖。
圖15A1、圖15B1及圖15C1是說明本發明的一個方式的剝離裝置的側面的示意圖。另外，圖15A2、圖15B2及圖15C2是說明頂面的示意圖。
另外，圖15A1及圖15A2是說明本發明的一個方式的剝離裝置開始從加工構件103分離第一構件103a的製程的狀態的圖。
圖15B1及圖15B2是說明本發明的一個方式的剝離裝置正在進行從加工構件103分離第一構件103a的製程的狀態的圖。
圖15C1及圖15C2是說明本發明的一個方式的剝離裝置完成從加工構件103分離第一構件103a的製程之後的狀態的圖。
注意，在本實施方式的結構例子3中說明的剝離裝置與參照圖7A至圖14B說明的剝離裝置的不同之處在於：在本實施方式的結構例子3中說明的剝離裝置具有圓筒狀的結構體101之處以及具有接觸於圓筒狀的結構體101的內壁且能夠與結構體101的旋轉同步地旋轉的旋轉體101a之處。在此，詳細地說明不同結構的部分，關於可以使用同樣結構的部分，援用上述說明。
結構體101具有圓筒狀。注意，結構體101也可以在其外周具有構件101b(參照圖15A1及圖15A2)。
構件101b可以對結構體101進行表面改性。例如，可以對結構體101的表面賦予黏合性。或者，可以對結構體101的表面賦予能夠分散集中在凹凸部分的應力的彈性。
例如，可以將橡膠，矽橡膠，樹脂或天然材 料等用於構件101b。
當配置在結構體101的構件101b有接縫時，以不使加工構件103接觸到該接縫部分的方式將加工構件供應於載物台105與結構體101之間。
旋轉體101a接觸於圓筒狀的結構體101的內周，以結構體101的外周與載物台105之間夾有加工構件103的方式配置。
旋轉體101a以中心軸為中心旋轉自如地被設置。例如，旋轉體101a可以為圓柱狀的滾筒或在外周具有齒輪。
當使用在其外周具有齒輪的旋轉體101a時，在結構體101的內周設置與該齒輪嚙合的齒輪。根據該結構，例如可以使用驅動機構驅動旋轉體101a，將該旋轉傳達到結構體101。
在第一步驟中，將形成有剝離的起點102的加工構件103插入到載物台105與結構體101之間(參照圖15A1及圖15A2)。當加工構件103具有短邊及長邊時，可以將剝離的起點102設置在角部，從與旋轉體101a的中心軸正交的方向傾斜角度θ，並從角部插入。由此，從剝離的起點102逐步地進行剝離，來分離第一構件103a與第二構件103b。
在第二步驟中，進行第一構件103a與第二構件103b的分離(參照圖15B1及圖15B2)。
使用箭頭108所示的液體供給機構，對第一 構件103a與第二構件103b的分離面供應液體(參照圖15B1)。例如，使液體滲透分離面。或者也可以將液體噴射。
可以將水、極性溶劑等用於滲透或噴射的液體。藉由使液體滲透，可以抑制隨著剝離而發生的靜電等的影響。另外，也可以一邊使剝離層溶解一邊進行剝離。
在第三步驟中，完全分離第一構件103a與第二構件103b(參照圖15C1及圖15C2)。
<結構例子4>
參照圖16A1-A2、圖16B1-B2以及圖16C1-C2說明本發明的一個方式的剝離裝置的其他結構。圖16A1-A2、圖16B1-B2以及圖16C1-C2是說明本發明的一個方式的剝離裝置的結構及工作的圖。
圖16A1、圖16B1及圖16C1是說明本發明的一個方式的剝離裝置的側面的示意圖。另外，圖16A2、圖16B2及圖16C2是說明頂面的示意圖。
另外，圖16A1及圖16A2是說明本發明的一個方式的剝離裝置開始從加工構件153分離第一構件153a的製程的狀態的圖。
圖16B1及圖16B2是說明本發明的一個方式的剝離裝置正在進行從加工構件153分離第一構件153a的製程的狀態的圖。
圖16C1及圖16C2是說明本發明的一個方式 的剝離裝置完成從加工構件153分離第一構件153a的製程之後的狀態的圖。
注意，在本實施方式的結構例子4中說明的剝離裝置與參照圖11A至圖13C說明的剝離裝置的不同之處在於：在本實施方式的結構例子4中說明的剝離裝置使用圓筒狀的結構體101代替圓筒狀的結構體151之處以及具有接觸於圓筒狀的結構體101的內壁且能夠與結構體101的旋轉同步地旋轉的旋轉體101a之處。
另外，與參照圖15A1-A2、圖15B1-B2以及圖15C1-C2說明的剝離裝置的不同之處在於：結構體101被固定，並且載物台155移動之處。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中，說明本發明的一個方式的顯示裝置的結構及顯示元件。
圖17A所示的顯示裝置包括：具有顯示元件的像素的區域(以下稱為像素部502)；配置在像素部502外側並具有用來驅動像素的電路的電路部(以下稱為驅動電路部504)；具有保護元件的功能的電路(以下稱為保護電路506)；以及端子部507。此外，也可以採用不設置保護電路506的結構。
驅動電路部504的一部分或全部較佳為與像 素部502形成在同一基板上。由此，可以減少構件的數量或端子的數量。當驅動電路部504的一部分或全部不與像素部502形成在同一基板上時，也可以藉由COG(Chip On Glass)或TAB(Tape Automated Bonding)安裝IC晶片。
像素部502包括用來驅動配置為X行(X為2以上的自然數)Y列(Y為2以上的自然數)的多個顯示元件的電路(以下稱為像素電路501)，驅動電路部504包括輸出選擇像素的信號(掃描信號)的電路(以下稱為閘極驅動器504a)、用來供應用來驅動像素的顯示元件的信號(資料信號)的電路(以下稱為源極驅動器504b)等驅動電路。
閘極驅動器504a具有移位暫存器等。閘極驅動器504a藉由端子部507被輸入用來驅動移位暫存器的信號並輸出信號。例如，閘極驅動器504a被輸入起動脈衝信號、時脈信號等並輸出脈衝信號。閘極驅動器504a具有分別控制被供應掃描信號的佈線(以下稱為掃描線GL_1至GL_X)的電位的功能。另外，也可以設置多個閘極驅動器504a，並藉由多個閘極驅動器504a分別控制掃描線GL_1至GL_X。或者，閘極驅動器504a具有能夠供應初始化信號的功能。但是，不侷限於此，閘極驅動器504a也可以供應其他信號。
源極驅動器504b具有移位暫存器等。除了用來驅動移位暫存器的信號之外，從其中得出資料信號的信 號(影像信號)也藉由端子部507被輸入到源極驅動器504b。源極驅動器504b具有根據影像信號生成寫入到像素電路501的資料信號的功能。另外，源極驅動器504b具有依照輸入起動脈衝信號、時脈信號等而得到的脈衝信號來控制資料信號的輸出的功能。另外，源極驅動器504b具有控制被供應資料信號的佈線(以下稱為資料線DL_1至DL_Y)的電位的功能。或者，源極驅動器504b具有能夠供應初始化信號的功能。但是，不侷限於此，源極驅動器504b可以供應其他信號。
源極驅動器504b例如使用多個類比開關等來構成。藉由依次使多個類比開關成為開啟狀態，源極驅動器504b可以輸出對影像信號進行時間分割而成的信號作為資料信號。此外，也可以使用移位暫存器等構成源極驅動器504b。
多個像素電路501的每一個分別藉由被供應掃描信號的多個掃描線GL之一而被輸入脈衝信號，並藉由被供應資料信號的多個資料線DL之一而被輸入資料信號。另外，多個像素電路501的每一個藉由閘極驅動器504a來控制資料信號的資料的寫入及保持。例如，藉由掃描線GL_m(m是X以下的自然數)從閘極驅動器504a對第m行第n列的像素電路501輸入脈衝信號，並根據掃描線GL_m的電位而藉由資料線DL_n(n是Y以下的自然數)從源極驅動器504b對第m行第n列的像素電路501輸入資料信號。
圖17A所示的保護電路506例如與作為閘極驅動器504a和像素電路501之間的佈線的掃描線GL連接。或者，保護電路506與作為源極驅動器504b和像素電路501之間的佈線的資料線DL連接。或者，保護電路506可以與閘極驅動器504a和端子部507之間的佈線連接。或者，保護電路506可以與源極驅動器504b和端子部507之間的佈線連接。此外，端子部507是指設置有用來從外部的電路對顯示裝置輸入電源、控制信號及影像信號的端子的部分。
保護電路506是在與其連接的佈線被供應一定的範圍之外的電位時使該佈線與其他佈線之間處於開啟狀態的電路。
如圖17A所示，藉由對像素部502和驅動電路部504分別設置保護電路506，可以提高顯示裝置對因ESD(Electro Static Discharge：靜電放電)等而產生的過電流的耐性。但是，保護電路506的結構不侷限於此，例如，也可以採用將閘極驅動器504a與保護電路506連接的結構或將源極驅動器504b與保護電路506連接的結構。或者，也可以採用將端子部507與保護電路506連接的結構。
另外，雖然在圖17A中示出由閘極驅動器504a和源極驅動器504b形成驅動電路部504的例子，但是不侷限於此結構。例如，也可以採用只形成閘極驅動器504a並安裝另外準備的源極驅動電路(IC晶片等)的結 構。
另外，顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發光元件以及作為具有發光元件的裝置的發光裝置可以採用各種方式或具有各種元件。作為顯示元件、顯示裝置、發光元件或發光裝置的一個例子，有對比度、亮度、反射率、透射率等因電磁作用而發生變化的顯示媒體，如EL(電致發光)元件(包含有機和無機材料的EL元件、有機EL元件或無機EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、電晶體(根據電流而發光的電晶體)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、柵光閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、使用微機電系統(MEMS)的顯示元件、數位微鏡裝置(DMD)、數位微快門(DMS)、MIRASOL(在日本註冊的商標)、IMOD(干涉測量調節)元件、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件、電潤濕(electrowetting)元件、壓電陶瓷顯示器或碳奈米管等。作為使用EL元件的顯示裝置的一個例子，有EL顯示器等。作為使用電子發射元件的顯示裝置的一個例子，有場致發射顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display：表面傳導電子發射顯示器)等。作為使用液晶元件的顯示裝置的一個例子，有液晶顯示器(透過型液晶顯示器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)等。作為使用電子墨水、電子粉流體 (在日本註冊的商標)或電泳元件的顯示裝置的一個例子，有電子紙等。注意，當實現半透射式液晶顯示器或反射式液晶顯示器時，使像素電極的一部分或全部具有反射電極的功能，即可。例如，使像素電極的一部分或全部包含鋁、銀等，即可。並且，此時也可以將SRAM等記憶體電路設置在反射電極下。由此，可以進一步降低功耗。
圖17A所示的多個像素電路501例如可以採用圖17B所示的結構。
圖17B所示的像素電路501包括液晶元件570、電晶體550以及電容元件560。
根據像素電路501的規格適當地設定液晶元件570的一對電極中的一個電極的電位。根據被寫入的資料設定液晶元件570的配向狀態。此外，也可以對多個像素電路501的每一個所具有的液晶元件570的一對電極中的一個電極供應共用電位。此外，也可以對各行的像素電路501的每一個所具有的液晶元件570的一對電極中的一個電極供應不同的電位。
例如，作為具備液晶元件570的顯示裝置的驅動方法也可以使用如下模式：TN模式；STN模式；VA模式；ASM(Axially Symmetric Aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式；OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償彎曲)模式；FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電性液晶)模式；AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal：反鐵電液晶)模式； MVA模式；PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式；IPS模式；FFS模式；或TBA(Transverse Bend Alignment：橫向彎曲配向)模式等。另外，作為顯示裝置的驅動方法，除了上述驅動方法之外，還有ECB(Electrically Controlled Birefringence：電控雙折射)模式、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal：聚合物分散型液晶)模式、PNLC(Polymer Network Liquid Crystal：聚合物網路型液晶)模式、賓主模式等。但是，不侷限於此，作為液晶元件及其驅動方式可以使用各種液晶元件及驅動方式。
在第m行第n列的像素電路501中，電晶體550的源極電極和汲極電極中的一方與資料線DL_n電連接，源極和汲極中的另一方與液晶元件570的一對電極中的另一個電極電連接。此外，電晶體550的閘極電極與掃描線GL_m電連接。電晶體550具有藉由成為開啟狀態或關閉狀態而對資料信號的資料的寫入進行控制的功能。
電容元件560的一對電極中的一個電極與供應電位的佈線(以下，稱為電位供應線VL)電連接，另一個電極與液晶元件570的一對電極中的另一個電極電連接。此外，根據像素電路501的規格適當地設定電位供應線VL的電位的值。電容元件560具有儲存被寫入的資料的儲存電容器的功能。
例如，在具有圖17B的像素電路501的顯示裝置中，藉由圖17A所示的閘極驅動器504a依次選擇各 行的像素電路501，並使電晶體550成為開啟狀態而寫入資料信號。
當電晶體550成為關閉狀態時，被寫入資料的像素電路501成為保持狀態。藉由按行依次進行上述步驟，可以顯示影像。
圖17A所示的多個像素電路501例如可以採用圖17C所示的結構。
另外，圖17C所示的像素電路501包括電晶體552及554、電容元件562以及發光元件572。
電晶體552的源極電極和汲極電極中的一個電連接於被供應資料信號的佈線(以下，稱為信號線DL_n)。並且，電晶體552的閘極電極電連接於被供應閘極信號的佈線(以下，稱為掃描線GL_m)。
電晶體552具有藉由成為開啟狀態或關閉狀態而對資料信號的寫入進行控制的功能。
電容元件562的一對電極中的一個與被供應電位的佈線(以下，稱為電位供應線VL_a)電連接，另一個與電晶體552的源極電極和汲極電極中的另一個電連接。
電容元件562具有儲存被寫入的資料的儲存電容器的功能。
電晶體554的源極電極和汲極電極中的一個與電位供應線VL_a電連接。並且，電晶體554的閘極電極與電晶體552的源極電極和汲極電極中的另一個電連 接。
發光元件572的陽極和陰極中的一個與電位供應線VL_b電連接，另一個與電晶體554的源極電極和汲極電極中的另一個電連接。
作為發光元件572，可以使用例如有機電致發光元件(也稱為有機EL元件)等。注意，發光元件572並不侷限於有機EL元件，也可以為由無機材料構成的無機EL元件。
此外，電位供應線VL_a和電位供應線VL_b中的一個被施加高電源電位VDD，電位供應線VL_a和電位供應線VL_b中的另一個被施加低電源電位VSS。
例如，在具有圖17C的像素電路501的顯示裝置中，藉由圖17A所示的閘極驅動器504a依次選擇各行的像素電路501，並使電晶體552成為開啟狀態而寫入資料信號。
當電晶體552成為關閉狀態時，被寫入資料的像素電路501成為保持狀態。並且，流在電晶體554的源極電極與汲極電極之間的電流量根據被寫入的資料信號的電位被控制，發光元件572以對應於流動的電流量的亮度發光。藉由按行依次進行上述步驟，可以顯示影像。
例如，在本說明書等中，作為電晶體，可以使用各種各樣的結構的電晶體。因此對使用的電晶體的種類沒有限制。例如，作為電晶體的一個例子，可以使用具有單晶矽的電晶體或者具有以非晶矽、多晶矽或微晶( microcrystal)(也稱為奈米晶、半非晶(semi-amorphous))矽等為代表的非單晶半導體膜的電晶體等。或者，可以使用將上述半導體形成為薄膜的薄膜電晶體(TFT)等。當使用TFT時，具有各種優點。例如，因為可以在比使用單晶矽時低的溫度下製造TFT，因此可以實現製造成本的降低、或製造裝置的大型化。由於可以使製造裝置大型化，所以可以在大型基板上製造。因此，可以同時製造多個顯示裝置，所以可以以低成本製造。或者，由於製造溫度低，因此可以使用低耐熱性基板。由此，可以在具有透光性的基板上製造電晶體。或者，可以藉由使用形成在具有透光性的基板上的電晶體來控制顯示元件的透光。或者，因為電晶體的膜厚較薄，所以形成電晶體的膜的一部分能夠使光透過。因此，能夠提高開口率。
另外，當製造多晶矽時，藉由使用催化劑(鎳等)進一步提高結晶性，從而可以製造電特性良好的電晶體。其結果是，可以在基板上一體地形成閘極驅動電路(掃描線驅動電路)、源極驅動電路(信號線驅動電路)以及信號處理電路(信號產生電路、伽瑪校正電路、DA轉換電路等)。
另外，當製造微晶矽時，藉由使用催化劑(鎳等)進一步提高結晶性，從而可以製造電特性良好的電晶體。此時，也可以藉由僅進行熱處理而不進行雷射照射，來提高結晶性。其結果是，可以在基板上一體地形成源極驅動電路的一部分(類比開關等)以及閘極驅動電路 (掃描線驅動電路)。當不進行用來實現結晶化的雷射照射時，可以抑制矽結晶性的不均勻。因此，可以顯示影像品質得到了提高的影像。注意，也可以以不使用催化劑(鎳等)的方式製造多晶矽或微晶矽。
另外，雖然較佳為在整個面板上使矽的結晶性提高到多晶或微晶等，但不侷限於此。也可以只在面板的一部分區域中提高矽的結晶性。藉由選擇性地照射雷射，可以選擇性地提高結晶性。例如，也可以僅對如下區域照射雷射：作為像素以外的區域的週邊電路區域；閘極驅動電路及源極驅動電路等區域；或者源極驅動電路的一部分。其結果是，可以只在需要使電路高速工作的區域中提高矽的結晶性。在像素區中，由於使其高速地工作的必要性低，所以即使不提高結晶性，也可以使像素電路工作而不發生問題。由此，因為需提高結晶性的區域較少，所以可以縮短製程。因此，可以提高生產量並降低製造成本。或者，因為可以以較少的製造裝置的數量來進行製造，所以可以降低製造成本。
作為電晶體的一個例子，可以使用包括化合物半導體(例如，SiGe、GaAs等)或氧化物半導體(例如，Zn-O、In-Ga-Zn-O、In-Zn-O、In-Sn-O、Sn-O、Ti-O、Al-Zn-Sn-O、In-Sn-Zn-O等)等的電晶體。或者，可以使用使上述化合物半導體或上述氧化物半導體薄膜化的薄膜電晶體等。由此，可以降低製造溫度，所以例如可以在室溫下製造電晶體。其結果是，可以在塑膠基板或薄膜 基板等耐熱性低的基板上直接形成電晶體。此外，不僅可以將這些化合物半導體或氧化物半導體用於電晶體的通道部分，而且還可以用作其它用途。例如，可以將這些化合物半導體或氧化物半導體用作佈線、電阻元件、像素電極或具有透光性的電極等。因為可以與電晶體同時形成上述半導體，所以可以降低成本。
作為電晶體的一個例子，可以使用藉由噴墨法或印刷法形成的電晶體等。由此，可以在室溫下、在低真空下或在大型基板上進行製造。因此，即使不使用遮罩(遮罩版(reticule))也可以進行製造，所以可以容易地改變電晶體的佈局。或者，因為可以以不使用光阻劑的方式進行製造，所以可以減少材料費，並減少製程數。或者，因為可以只在需要的部分上形成膜，所以與在整個面上形成膜之後進行蝕刻的製造方法相比成本較低且不浪費材料。
為電晶體的一個例子，可以使用具有有機半導體或碳奈米管的電晶體等。由此，可以在能夠彎曲的基板上形成電晶體。使用具有有機半導體或碳奈米管的電晶體的裝置能抗衝擊。
作為電晶體還可以使用其他各種結構的電晶體。例如，作為電晶體，可以使用MOS型電晶體、接合型電晶體、雙極電晶體等。藉由作為電晶體使用MOS型電晶體，可以減小電晶體尺寸。因此，可以安裝多個電晶體。藉由作為電晶體使用雙極電晶體，可以使較大的電流 流過。因此，可以使電路高速地工作。注意，也可以將MOS型電晶體、雙極電晶體等形成在一個基板上。由此，可以實現低功耗、小型化、高速工作等。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
實施方式4
在本實施方式中，說明可以使用本發明的一個方式的顯示裝置的顯示模組。
圖18所示的顯示模組8000在上蓋8001與下蓋8002之間包括連接於FPC8003的觸控面板8004、連接於FPC8005的顯示面板8006、背光8007、框架8009、印刷電路板8010、電池8011。
例如可以將本發明的一個方式的顯示裝置用於顯示面板8006。
上蓋8001及下蓋8002可以根據觸控面板8004及顯示面板8006的尺寸適當地改變其形狀或尺寸。此外，上蓋8001及下蓋8002可以具有撓性。
觸控面板8004可以是電阻膜式觸控面板或靜電容量式觸控面板，並且能夠以與顯示面板8006重疊的方式被形成。此外，也可以使顯示面板8006的反基板(密封基板)具有觸控面板功能。另外，也可以在顯示面板8006的各像素內設置光感測器，以製成光學觸控面板。此外，觸控面板8004可以具有撓性。
背光8007包括光源8008。注意，雖然在圖18中例示出在背光8007上配置光源8008的結構，但是不侷限於此。例如，可以在背光8007的端部設置光源8008，並使用光擴散板。當使用有機EL元件等自發光型發光元件時，或者當使用反射型面板時，可以採用不設置背光8007的結構。此外，背光8007可以具有撓性。
框架8009除了具有保護顯示面板8006的功能以外還具有用來遮斷因印刷電路板8010的工作而產生的電磁波的電磁屏蔽的功能。此外，框架8009也可以具有散熱板的功能。此外，框架8009可以具有撓性。
印刷電路板8010包括電源電路以及用來輸出視訊信號及時脈信號的信號處理電路。作為對電源電路供應電力的電源，既可以使用外部的商業電源，又可以使用另行設置的電池8011的電源。當使用商用電源時，可以省略電池8011。印刷電路板8010也可以是FPC。
此外，在顯示模組8000中還可以設置偏光板、相位差板、稜鏡片等構件。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
實施方式5
在本實施方式中，說明可以用於本發明的一個方式的顯示裝置的電晶體及構成該電晶體的材料。可以將在本實施方式中說明的電晶體用於前面的實施方式中所說明的電 晶體350、352、550、552、554等。注意，在本實施方式中說明的電晶體是轉置於撓性基板之前的結構。
圖19A是可以用於本發明的一個方式的顯示裝置的電晶體的一個例子的剖面圖。該電晶體包括：形成在基板900上的有機樹脂層910；絕緣膜915；閘極電極層920；依次形成有絕緣膜931及絕緣膜932的閘極絕緣膜930；氧化物半導體層940；以及接觸於該氧化物半導體層的一部分的源極電極層950及汲極電極層960。此外，根據需要也可以在閘極絕緣膜930、氧化物半導體層940、源極電極層950以及汲極電極層960上形成絕緣膜970、絕緣膜980以及絕緣膜990。
另外，如圖19B所示，本發明的一個方式的電晶體也可以在絕緣膜980或絕緣膜990上具備與閘極電極層920及氧化物半導體層940重疊的導電膜921。藉由將該導電膜用作第二閘極電極層(背閘極)，能夠增加通態電流(on-state current)或控制臨界電壓。為了增加通態電流，例如，使閘極電極層920和導電膜921具有相同的電位來實現雙閘極(double-gate)電晶體即可。另外，為了控制臨界電壓，對導電膜921供應與閘極電極層920不同的恆電位即可。
另外，本發明的一個方式的電晶體也可以是如圖25A及圖25B所示的通道保護型的底閘極結構。在此，絕緣膜933具有保護通道區的功能。因此，絕緣膜933既可以只配置在與通道區重疊的區域，又可以如圖 25A及圖25B所示地配置在其他區域。
另外，本發明的一個方式的電晶體也可以是如圖26A和圖26B所示的自對準型的頂閘極結構。在圖26A的結構中，源極區951及汲極區961可以藉由生成因源極電極層950及汲極電極層960的接觸而產生的氧缺陷，並以閘極電極層920為遮罩而對其摻雜硼、磷、氬等雜質的方式來形成。此外，在圖26B的結構中，源極區951及汲極區961可以藉由如下方式形成：不摻雜雜質而以與氧化物半導體層940的一部分接觸的方式形成氮化矽膜等包含氫的絕緣膜975，並使氫擴散到氧化物半導體層940的一部分。
另外，本發明的一個方式的電晶體也可以是如圖27A所示的自對準型的頂閘極結構。在圖27A的結構中，源極區951及汲極區961可以藉由生成因源極電極層950及汲極電極層960的接觸而產生的氧缺陷，並以閘極絕緣膜930為遮罩而對其摻雜硼、磷、氬等雜質的方式來形成。在圖27A的結構中，源極電極層950、汲極電極層960以及閘極電極層920可以在同一製程中形成。
另外，本發明的一個方式的電晶體也可以是如圖27B所示的自對準型的頂閘極結構。在圖27B的結構中，源極區951及汲極區961可以藉由如下方式形成：以閘極絕緣膜930為遮罩而對其摻雜硼、磷、氬等雜質，並且以與氧化物半導體層940的一部分接觸的方式形成氮化矽膜等包含氫的絕緣膜975，並使氫擴散到氧化物半導 體層940的一部分。藉由採用該結構，可以形成電阻更低的源極區951及汲極區961。注意，也可以採用不摻雜上述雜質的結構或不形成絕緣膜975的結構。
以在氧化物半導體層中形成氧缺陷的元素為雜質(雜質元素)進行說明。作為雜質元素的典型例子，有硼、碳、氮、氟、鋁、矽、磷、氯以及稀有氣體元素等。作為稀有氣體元素的典型例子，有氦、氖、氬、氪以及氙等。
當對因添加雜質元素而形成有氧缺損的氧化物半導體添加氫時，氫進入氧缺損的位點而在導帶附近形成施體能階。其結果是，氧化物半導體的導電性增高，而成為導電體。可以將成為導電體的氧化物半導體稱為氧化物導電體。一般而言，由於氧化物半導體的能隙大，因此對可見光具有透光性。另一方面，氧化物導電體是在導帶附近具有施體能階的氧化物半導體。因此，起因於該施體能階的吸收的影響小，而對可見光具有與氧化物半導體相同程度的透光性。
在此，使用圖36說明由氧化物導電體形成的膜(下面，稱為氧化物導電體層)中的電阻率的溫度依賴性。
在此，試製包括氧化物導電體層的樣本。作為氧化物導電體層，製造如下氧化物導電體層：藉由使氧化物半導體層接觸於氮化矽膜而形成的氧化物導電體層(OC_SiNx)；在摻雜裝置中對氧化物半導體層添加氬且 與氮化矽膜接觸而形成的氧化物導電體層(OC_Ar dope+SiNx)；或者在電漿處理裝置中藉由使氧化物半導體層暴露於氬電漿且與氮化矽接觸而形成的氧化物導電體層(OC_Ar plasma+SiNx)。注意，氮化矽膜包括氫。
下面示出包含氧化物導電體層(OC_SiNx)的樣本的製造方法。在玻璃基板上藉由電漿CVD法形成厚度為400nm的氧氮化矽膜之後，將其暴露於氧電漿，以對氧氮化矽膜添加氧離子，由此形成因加熱而釋放氧的氧氮化矽膜。接著，在因加熱而釋放氧的氧氮化矽膜上藉由使用原子數比為In：Ga：Zn=5：5：6的濺射靶材的濺射法形成厚度為100nm的In-Ga-Zn氧化物膜，在450℃的氮氛圍下進行加熱處理之後，在450℃的氮與氧的混合氣體氛圍下進行加熱處理。接著，藉由電漿CVD法形成厚度為100nm的氮化矽膜。接著，在350℃的氮與氧的混合氣體氛圍下進行加熱處理。
下面示出包含氧化物導電體層(OC_Ar dope+SiNx)的樣本的製造方法。在玻璃基板上藉由電漿CVD法形成厚度為400nm的氧氮化矽膜之後，將其暴露於氧電漿，以對氧氮化矽膜添加氧離子，由此形成因加熱而釋放氧的氧氮化矽膜。接著，在因加熱而釋放氧的氧氮化矽膜上藉由使用原子數比為In：Ga：Zn=5：5：6的濺射靶材的濺射法形成厚度為100nm的In-Ga-Zn氧化物膜，在450℃的氮氛圍下進行加熱處理之後，在450℃的氮與氧的混合氣體氛圍下進行加熱處理。接著，使用摻雜裝置， 對In-Ga-Zn氧化物膜以10kV的加速電壓添加劑量為5×1014/cm2的氬，由此在In-Ga-Zn氧化物膜中形成氧缺陷。接著，藉由電漿CVD法形成厚度為100nm的氮化矽膜。接著，在350℃的氮與氧的混合氣體氛圍下進行加熱處理。
下面示出包含氧化物導電體層(OC_Ar plasma+SiNx)的樣本的製造方法。在玻璃基板上藉由電漿CVD法形成厚度為400nm的氧氮化矽膜之後，將其暴露於氧電漿，由此形成因加熱而釋放氧的氧氮化矽膜。接著，在因加熱而釋放氧的氧氮化矽膜上藉由使用原子數比為In：Ga：Zn=5：5：6的濺射靶材的濺射法形成厚度為100nm的In-Ga-Zn氧化物膜，在450℃的氮氛圍下進行加熱處理之後，在450℃的氮與氧的混合氣體氛圍下進行加熱處理。接著，在電漿處理裝置中，使氬電漿產生，並使加速的氬離子碰撞In-Ga-Zn氧化物膜，由此形成氧缺陷。接著，藉由電漿CVD法形成厚度為100nm的氮化矽膜。接著，在350℃的氮與氧的混合氣體氛圍下進行加熱處理。
接著，圖36示出測定各樣本的電阻率的結果。在此，電阻率的測定使用四個端子的Van-der-Pauw法進行。在圖36中，橫軸是測定溫度，縱軸是電阻率。此外，方塊示出氧化物導電體層(OC_SiNx)的測定結果，三角示出氧化物導電體層(OC_Ar dope+SiNx)的測定結果，圓圈示出氧化物導電體層(OC_Ar plasma+SiNx)的測定結果。
注意，不與氮化矽膜接觸的氧化物半導體層的電阻率高且難以測定電阻率(未圖示)。因此，氧化物導電體層的電阻率比氧化物半導體層低。
從圖36可知，當氧化物導電體層(OC_Ar dope+SiNx)及氧化物導電體層(OC_Ar plasma+SiNx)包括氧缺陷及氫時，電阻率的變動小。典型的是，在溫度為80K以上且290K以下時，電阻率的變動率為低於±20%。或者，在溫度為150K以上且250K以下時，電阻率的變動率為低於±10%。也就是說，氧化物導電體是簡併半導體，可以推測其導帶邊緣能階與費米能階一致或大致一致。因此，藉由將氧化物導電體層用作電晶體的源極區及汲極區，氧化物導電體層與用作源極電極及汲極電極的導電膜的接觸成為歐姆接觸，而可以降低氧化物導電體層與用作源極電極及汲極電極的導電膜的接觸電阻。此外，因為氧化物導電體的電阻率的溫度依賴性低，所以氧化物導電體層與用作源極電極及汲極電極的導電膜的接觸電阻的變動量少，而能夠製造可靠性高的電晶體。
另外，如圖28A和圖28B所示，本發明的一個方式的電晶體也可以以隔著閘極絕緣膜935與氧化物半導體層940重疊的方式設置導電膜921。雖然在圖28A和圖28B中示出對圖26A和圖26B所示的電晶體設置導電膜921的例子，但是也可以對圖27A和圖27B所示的電晶體設置導電膜921。
在本發明的一個方式的顯示裝置中，如上所 述將氧化物半導體用於活性層。因為使用氧化物半導體層的電晶體的移動率比使用非晶矽的電晶體高，所以可以容易地縮小電晶體，而可以縮小像素。此外，使用氧化物半導體層的電晶體賦予具有撓性的顯示裝置良好的可靠性。注意，本發明不侷限於此。根據情形或狀況，活性層也可以包括氧化物半導體以外的半導體。
如圖19A和圖19B所示，較佳為使閘極電極層920的寬度大於氧化物半導體層940的寬度。在具有背光的顯示裝置中，該閘極電極層成為遮光層，可以抑制因對氧化物半導體層940照射光而產生的電特性劣化。此外，在EL顯示裝置等中，藉由使用頂閘極型電晶體可以將閘極電極層用作遮光層。
下面，詳細說明發明的一個方式的電晶體的構成要素。
為了容易地進行向撓性基板的轉置製程，基板900較佳為硬質基板。例如，可以使用玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、藍寶石基板、金屬基板等。注意，基板900相當於實施方式1所示的第一基板462。
有機樹脂層910例如可以使用環氧樹脂、芳族聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂或聚醯胺醯亞胺樹脂等的有機樹脂膜。注意，有機樹脂層910相當於實施方式1所示的有機樹脂層320a。
例如可以對絕緣膜915使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜或氮氧化矽膜的單層或疊層。注意，絕 緣膜915相當於實施方式1所示的第一絕緣膜321a。
作為閘極電極層920及導電膜921，可以使用：選自鉻(Cr)、銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)、鋅(Zn)、鉬(Mo)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鐵(Fe)、鈷(Co)的金屬元素；以上述金屬元素為成分的合金；或者組合上述金屬元素的合金等。此外，閘極電極層920可以具有單層結構或兩層以上的疊層結構。
也可以對閘極電極層920及導電膜921使用銦錫氧化物、包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化矽的銦錫氧化物等透光導電材料。另外，還可以採用上述透光導電材料與上述金屬元素的疊層結構。
另外，可以在閘極電極層920和絕緣膜932之間設置In-Ga-Zn類氧氮化物半導體膜、In-Sn類氧氮化物半導體膜、In-Ga類氧氮化物半導體膜、In-Zn類氧氮化物半導體膜、Sn類氧氮化物半導體膜、In類氧氮化物半導體膜、金屬氮化膜(InN、ZnN等)等。
作為用作閘極絕緣膜930的絕緣膜931、932，可以藉由電漿化學氣相沉積(PECVD：(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition))法、濺射法等分別使用包括氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜、氮化矽膜、氧化鋁膜、氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵 膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜和氧化釹膜中的一種以上的絕緣層。注意，閘極絕緣膜930也可以不採用絕緣膜931與絕緣膜932的疊層結構而使用選自上述材料的單層的絕緣膜或三層以上的絕緣膜。
接觸於用作電晶體的通道形成區的氧化物半導體層940的絕緣膜932較佳為氧化物絕緣膜，更佳為包括包含超過化學計量組成的氧的區域(氧過剩區域)。換言之，絕緣膜932是能夠釋放氧的絕緣膜。為了在絕緣膜932中設置氧過剩區域，例如在氧氛圍下形成絕緣膜932即可。或者，也可以對成膜後的絕緣膜932引入氧形成氧過剩區域。作為氧的引入方法，可以使用離子植入法、離子摻雜法、電漿浸沒離子佈植技術、電漿處理法等。
此外，作為絕緣膜931、932，當使用氧化鉿時可以發揮如下效果。氧化鉿的相對介電常數比氧化矽或氧氮化矽高。因此，可以使物理厚度比等效氧化物厚度(equivalent oxide thickness)大，即使將等效氧化物厚度設定為10nm以下或5nm以下也可以減少穿隧電流引起的洩漏電流。也就是說，可以實現關態電流小的電晶體。再者，與包括非晶結構的氧化鉿相比，包括結晶結構的氧化鉿具有的相對介電常數高。因此，為了形成關態電流小的電晶體，較佳為使用包括結晶結構的氧化鉿。作為結晶結構的一個例子，可以舉出單斜晶結構或立方體晶結構。注意，本發明的一個方式不侷限於此。
注意，在本實施方式中，作為絕緣膜931形 成氮化矽膜，作為絕緣膜932形成氧化矽膜。與氧化矽膜相比，氮化矽膜的相對介電常數較高且為了得到相等的靜電容量需要的厚度較大，因此，藉由使電晶體的閘極絕緣膜930包括氮化矽膜，可以增加絕緣膜的物理厚度。因此，可以藉由提高電晶體的絕緣耐壓抑制電晶體的靜電破壞。
作為氧化物半導體層940，典型為In-Ga氧化物、In-Zn氧化物、In-M-Zn氧化物(M為Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf)。氧化物半導體層940較佳為使用In-M-Zn氧化物(M為Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf)。
當氧化物半導體層940為In-M-Zn氧化物(M為Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd、Sn或Hf)時，較佳為用來形成In-M-Zn氧化物膜的濺射靶材的金屬元素的原子數比滿足In
Figure 107144202-A0101-12-0069-160
M及Zn
Figure 107144202-A0101-12-0069-159
M。這種濺射靶材的金屬元素的原子個數比較佳為In：M：Zn=1：1：1、In：M：Zn=5：5：6、In：M：Zn=3：1：2。注意，所形成的氧化物半導體層940的原子數比分別包含上述濺射靶材中的金屬元素的原子數比的±40%的範圍內的誤差。
此外，當氧化物半導體層940是In-M-Zn氧化物時，作為除了Zn和O以外的In和M的原子個數百分比，較佳為In為25at.%以上且M低於75at.%，更佳為In為34at.%以上且M低於66at.%。
此外，氧化物半導體層940的能隙為2eV以 上，較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上。像這樣，藉由使用能隙寬的氧化物半導體，可以減少電晶體的關態電流。
另外，氧化物半導體層940的厚度為3nm以上且200nm以下，較佳為3nm以上且100nm以下，更佳為3nm以上且50nm以下。
作為氧化物半導體層940，使用載子密度低的氧化物半導體層。例如，氧化物半導體層940使用載子密度為1×1017個/cm3以下，較佳為1×1015個/cm3以下，更佳為1×1013個/cm3以下，進一步較佳為1×1011個/cm3以下的氧化物半導體層。
本發明不侷限於上述記載，可以根據所需的電晶體的半導體特性及電特性(場效移動率、臨界電壓等)來使用具有適當的組成的材料。另外，較佳為適當地設定氧化物半導體層940的載子密度、雜質濃度、缺陷密度、金屬元素與氧的原子個數比、原子間距離、密度等，以得到所需的電晶體的半導體特性。
在氧化物半導體層中，氫、氮、碳、矽以及除了主要成分以外的金屬元素都是雜質。例如，氫和氮引起施體能階的形成，而增高載子密度。此外，矽在氧化物半導體層中形成雜質能階。該雜質能階成為陷阱，有可能使電晶體的電特性劣化。較佳為在氧化物半導體層中或與其他層的介面中降低雜質濃度。
此外，為了對將氧化物半導體層用作通道的 電晶體賦予穩定的電特性，藉由降低氧化物半導體層中的雜質濃度，來實現氧化物半導體層的本質或實質上本質是有效的。在此，“實質上本質”是指氧化物半導體層的載子密度低於1×1017/cm3，較佳為低於1×1015/cm3，更佳為低於1×1013/cm3，更佳為低於8×1011/cm3，更佳為低於1×1011/cm3，更佳為低於1×1010/cm3且為1×10-9/cm3以上。
為了使氧化物半導體層實現本質或實質上本質，在SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry：二次離子質譜)分析測定中，例如在氧化物半導體層的某個深度或氧化物半導體層的某個區域中包含矽濃度低於1×1019atoms/cm3，較佳為低於5×1018atoms/cm3，更佳為低於1×1018atoms/cm3的部分。此外，例如在氧化物半導體層的某個深度或氧化物半導體層的某個區域中包含氫濃度為2×1020atoms/cm3以下，較佳為5×1019atoms/cm3以下，更佳為1×1019atoms/cm3以下，進一步較佳為5×1018atoms/cm3以下的部分。此外，例如在氧化物半導體層的某個深度或氧化物半導體層的某個區域中包含氮濃度低於5×1019atoms/cm3，較佳為5×1018atoms/cm3以下，更佳為1×1018atoms/cm3以下，進一步較佳為5×1017atoms/cm3以下的部分。
另外，在氧化物半導體層包含結晶時，若包含高濃度的矽或碳，有時則會使氧化物半導體層的結晶性降低。為了防止氧化物半導體層的結晶性的降低，例如在 氧化物半導體層的某個深度或氧化物半導體層的某個區域中包含矽濃度低於1×1019atoms/cm3，較佳為低於5×1018atoms/cm3，更佳為低於1×1018atoms/cm3的部分。此外，例如在氧化物半導體層的某個深度或氧化物半導體層的某個區域中包含碳濃度低於1×1019atoms/cm3，較佳為低於5×1018atoms/cm3，更佳為低於1×1018atoms/cm3的部分。
明確而言，根據各種實驗可以證明將被高度純化的氧化物半導體層用於通道形成區的電晶體的關態電流低。例如，通道寬度為1×106μm且通道長度為10μm的元件也可以在源極電極與汲極電極之間的電壓(汲極電壓)為1V至10V的範圍內獲得關態電流為半導體參數分析儀的測量極限以下，即1×10-13A以下的特性。在此情況下，可知以電晶體的通道寬度標準化的關態電流為100zA/μm以下。此外，藉由使用如下電路來進行關態電流的測量：在該電路中，使電容元件與電晶體連接，並由該電晶體來控制流入到電容元件的電荷或從電容元件流出的電荷。在該測量中，將被高度純化的氧化物半導體層用於上述電晶體的通道形成區，並且根據電容元件的每單位時間的電荷量推移測量該電晶體的關態電流。其結果是，可知當電晶體的源極電極與汲極電極之間的電壓為3V時，可以獲得幾十yA/μm的更低的關態電流。由此，將被高度純化的氧化物半導體層用於通道形成區的電晶體的關態電流比使用具有結晶性的矽的電晶體的關態電流顯著低。
較佳為將具有從氧化物半導體層抽出氧的性質的導電膜用於源極電極層950及汲極電極層960。例如，可以使用Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W、Ni、Mn、Nd、Sc等。此外，也可以使用上述材料的合金或上述材料的導電性氮化物。此外，也可以是上述材料、上述材料的合金及選自上述材料的導電性氮化物的多個材料的疊層。典型的是，尤其較佳為使用容易與氧鍵合的Ti或在後面能以較高的溫度進行處理的熔點高的W。此外，也可以使用低電阻的Cu或Cu-X合金(X為Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)或上述材料與Cu或Cu-X合金的疊層。
注意，Cu-X合金(X為Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)有時因加熱處理而在與氧化物半導體層接觸的區域或與絕緣膜接觸的區域形成覆蓋膜。覆蓋膜由包含X的化合物形成。作為包含X的化合物的一個例子，有X的氧化物、In-X氧化物、Ga-X氧化物、In-Ga-X氧化物、In-Ga-Zn-X氧化物等。藉由形成覆蓋膜，覆蓋膜成為障壁膜，而可以抑制Cu-X合金膜中的Cu進入到氧化物半導體層中。
借助於具有從氧化物半導體層抽出氧的性質的導電膜的作用，氧化物半導體層中的氧脫離，而在氧化物半導體膜中形成氧缺陷。包含於膜中的微量的氫與該氧缺陷鍵合而使該區域明顯地n型化。因此，可以使成為n型的該區域用作電晶體的源極或汲極。
絕緣膜970、980、990具有保護絕緣膜的功能。例如，絕緣膜970是能夠使氧透過的絕緣膜。注意，絕緣膜970也用作緩和在之後形成絕緣膜980時對氧化物半導體層940產生的損傷的膜。
作為絕緣膜970，可以使用厚度為5nm以上且150nm以下，較佳為5nm以上且50nm以下的氧化矽膜、氧氮化矽膜等。在本說明書中，“氧氮化矽膜”是指在其組成中含氧量多於含氮量的膜，而“氮氧化矽膜”是指在其組成中含氮量多於含氧量的膜。
此外，較佳為使絕緣膜970中的缺陷量較少，典型的是，藉由ESR測量，使在起因於矽的懸空鍵的g=2.001處呈現的信號的自旋密度為3×1017spins/cm3以下。這是因為若絕緣膜970中所含的缺陷密度較高，則氧與該缺陷鍵合，絕緣膜970中的氧透過量有可能減少。
絕緣膜980使用其氧含量超過化學計量組成的氧化物絕緣膜形成。藉由加熱，氧的一部分從氧含量超過化學計量組成的氧化物絕緣膜脫離。包含超過化學計量組成的氧的氧化物絕緣膜藉由TDS分析，換算為氧原子的氧的脫離量為1.0×1018atoms/cm3以上，較佳為3.0×1020atoms/cm3以上。注意，上述TDS分析時的膜的表面溫度較佳為100℃以上且700℃以下或100℃以上且500℃以下。
絕緣膜980可以使用厚度為30nm以上且500nm以下，較佳為50nm以上且400nm以下的氧化矽 膜、氧氮化矽膜等。
此外，較佳為使絕緣膜980中的缺陷量較少，典型的是，藉由ESR測量，使在起因於矽的懸空鍵的g=2.001處呈現的信號的自旋密度低於1.5×1018spins/cm3，更佳為1×1018spins/cm3以下。注意，由於絕緣膜980與絕緣膜970相比距離氧化物半導體層較遠，因此絕緣膜980與絕緣膜970相比缺陷密度較大。
另外，由於絕緣膜970、980可以使用相同種類的材料的絕緣膜，因此有時難以明確地確認到絕緣膜970與絕緣膜980的介面。因此，在本實施方式中，以虛線圖示出絕緣膜970與絕緣膜980的介面。注意，雖然在本實施方式中說明了絕緣膜970與絕緣膜980的兩層結構，但是不侷限於此，例如，也可以採用絕緣膜970的單層結構、絕緣膜980的單層結構或三層以上的疊層結構。
絕緣膜990具有能夠阻擋氧、氫、水、鹼金屬、鹼土金屬等的功能。藉由設置絕緣膜990，可以防止氧從氧化物半導體層940擴散到外部及氫、水等從外部進入到氧化物半導體層940中。作為絕緣膜990，例如可以使用氮化物絕緣膜。該氮化物絕緣膜可以使用氮化矽、氮氧化矽、氮化鋁、氮氧化鋁等形成。另外，也可以設置對氧、氫、水等具有阻擋效果的氧化物絕緣膜代替對氧、氫、水、鹼金屬、鹼土金屬等具有阻擋效果的氮化物絕緣膜。作為具有阻擋氧、氫、水等的效果的氧化物絕緣膜，有氧化鋁膜、氧氮化鋁膜、氧化鎵膜、氧氮化鎵膜、氧化 釔膜、氧氮化釔膜、氧化鉿膜、氧氮化鉿膜等。
另外，氧化物半導體層940也可以採用層疊有多個氧化物半導體層的結構。例如，如圖20A所示的電晶體那樣，氧化物半導體層940可以採用第一氧化物半導體層941a和第二氧化物半導體層941b的疊層。可以將原子數比不同的金屬氧化物用於第一氧化物半導體層941a和第二氧化物半導體層941b。例如，作為一個氧化物半導體層，可以使用包含兩種金屬的氧化物、包含三種金屬的氧化物或者包含四種金屬的氧化物，而作為另一個氧化物半導體層，可以使用包含與一個氧化物半導體層不同的兩種金屬的氧化物、包含三種金屬的氧化物或者包含四種金屬的氧化物。
此外，也可以使第一氧化物半導體層941a和第二氧化物半導體層941b的構成元素相同，並使兩者的原子數比不同。例如，可以將一個氧化物半導體層的原子數比設定為In：Ga：Zn=1：1：1、5：5：6或3：1：2，而將另一個氧化物半導體層的原子數比設定為In：Ga：Zn=1：3：2、1：3：4、1：3：6、1：4：5、1：6：4或1：9：6，而形成氧化物半導體層。另外，各氧化物半導體層的原子數比作為誤差包括上述原子數比的±20%的變動。
此時，藉由將一個氧化物半導體層和另一個氧化物半導體層中的與閘極電極較近的一側(通道一側)的氧化物半導體層的In和Ga的原子數比設定為In
Figure 107144202-A0101-12-0076-161
Ga(In是Ga以上)，並且將離閘極電極較遠的一側(背後 通道一側)的氧化物半導體層的In和Ga的原子數比設定為In<Ga，可以製造場效移動率高的電晶體。另一方面，藉由將通道一側的氧化物半導體層的In和Ga的原子數比設定為In<Ga，將背後通道一側的氧化物半導體層的In和Ga的原子數比設定為In
Figure 107144202-A0101-12-0077-162
Ga(In是Ga以上)，可以減少電晶體的經時變化或因可靠性測試導致的臨界電壓的變動的量。
另外，電晶體的半導體膜也可以是由第一氧化物半導體層至第三半導體層構成的三層結構。此時，也可以使第一氧化物半導體層至第三氧化物半導體層的構成元素相同，並使它們的原子數比彼此不同。參照圖20B及圖29A和圖29B說明半導體膜為三層的電晶體的結構。注意，也可以將多層結構的半導體膜用於本實施方式所示的其他電晶體。
圖20B及圖29A和圖29B所示的電晶體從閘極絕緣膜127一側依次層疊有第三氧化物半導體層942a、第二氧化物半導體層942b及第一氧化物半導體層942c。
作為構成第一氧化物半導體層942c及第三氧化物半導體層942a的材料使用能夠以InM1xZnyOz(x
Figure 107144202-A0101-12-0077-163
1(x是1以上)，y>1，z>0，M1=Ga、Hf等)表示的材料。此外，作為構成第二氧化物半導體層942b的材料使用能夠以InM2xZnyOz(x
Figure 107144202-A0101-12-0077-164
1(x是1以上)，y
Figure 107144202-A0101-12-0077-165
x(y是x以上)，z>0，M2=Ga、Sn等)表示的材料。
適當地選擇第一、第二以及第三氧化物半導體層的材料，以構成如下井結構：第二氧化物半導體層942b的導帶底與第一氧化物半導體層942c的導帶底以及第三氧化物半導體層942a的導帶底相比離真空能階最深。
例如，可以使用原子數比為In：Ga：Zn=1：1：1、1：3：2、1：3：4、1：3：6、1：4：5、1：6：4或1：9：6的氧化物半導體層來形成第一氧化物半導體層942c及第三氧化物半導體層942a，並且可以使用原子數比為In：Ga：Zn=1：1：1、5：5：6或3：1：2的氧化物半導體膜來形成第二氧化物半導體層942b。
由於第一氧化物半導體層942c至第三氧化物半導體層942a的構成元素相同，所以第二氧化物半導體層942b與第一氧化物半導體層942c之間的介面的缺陷態密度(陷阱態密度)低。詳細地說，該缺陷態密度(陷阱態密度)比閘極絕緣膜與第一氧化物半導體層942c之間的介面的缺陷態密度低。由此，如上所述藉由層疊氧化物半導體層，可以減少電晶體的經時變化或因可靠性測試導致的臨界電壓的變動的量。
另外，藉由適當地選擇第一、第二以及第三氧化物半導體層的材料，以構成與第一氧化物半導體層942c的導帶底以及第三氧化物半導體層942a的導帶底相比第二氧化物半導體層942b的導帶底離真空能階最深的井結構，於是可以提高電晶體的場效移動率，並可以減少 電晶體的經時變化或因可靠性測試導致的臨界電壓的變動的量。
另外，也可以對第一氧化物半導體層942c至第三氧化物半導體層942a使用結晶性不同的氧化物半導體。注意，至少可能成為通道形成區的第二氧化物半導體層942b較佳是具有結晶性的膜，更佳是c軸朝向相對於表面的垂直方向的膜。
注意，圖29A等所示的頂閘極型電晶體的通道形成區中的通道寬度方向的剖面較佳為如圖35A和35B所示的結構。在該結構中，在通道寬度方向上由閘極電極層920電性上包圍氧化物半導體層940，從而可以提高通態電流。將這種電晶體結構稱為surrounded channel(s-channel)結構。
另外，在具有如圖28A和圖28B所示的導電膜的結構中，若使閘極電極層920與導電膜921為相同電位，則可以如圖35B所示藉由接觸孔使兩者連接。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
實施方式6
在本實施方式中，說明本發明的一個方式的顯示裝置所包括的電晶體。
本發明的一個方式的顯示裝置所包括的各電晶體的結構也可以不同。例如，藉由使顯示裝置的像素部 所包括的電晶體與用來驅動該像素部的驅動電路部的電晶體結構不同，可以分別對上述電晶體賦予合適的電特性且可以提高顯示裝置的可靠性。
另外，也可以藉由對驅動電路部所包括的電晶體採用雙閘極結構使其成為場效移動率高的電晶體。
另外，驅動電路部所包括的電晶體與像素部所包括的電晶體的通道長度也可以不同。典型的是，可以將驅動電路部所包括的電晶體194的通道長度設定為低於2.5μm或1.45μm以上且2.2μm以下。另一方面，可以將像素部所包括的電晶體190的通道長度設定為2.5μm以上或2.5μm以上且20μm以下。
藉由將驅動電路部所包括的電晶體194的通道長度設定為低於2.5μm或1.45μm以上且2.2μm以下，與像素部所包括的電晶體相比，能夠提高場效移動率，從而可以增大通態電流。其結果是，可以製造能夠進行高速工作的驅動電路部。
若驅動電路部所包括的電晶體的場效移動率高，則可以減少輸入端子的數量。
圖30示出將圖26A所示的電晶體用作圖2所示的液晶顯示裝置的像素部所包括的電晶體且將圖29A所示的電晶體用作驅動電路部所包括的電晶體的例子。此外，圖31是對圖3所示的EL顯示裝置的像素部與驅動電路部使用不同的電晶體的例子。作為像素部所包括的電晶體，也可以使用圖26B、圖27A和圖27B所示的電晶體。 作為驅動電路部所包括的電晶體，也可以使用將圖29A、圖29B、圖27A及圖27B的氧化物半導體層設置為多層結構的電晶體。
像素部所包括的電晶體較佳為對背光或來自EL元件的光照射的可靠性高的電晶體。例如，藉由對通道形成區使用由將原子數比為In：Ga：Zn=1：1：1的材料用於靶材的濺射法成膜的氧化物半導體層，可以形成對光照射的可靠性高的電晶體。
另一方面，驅動電路部所包括的電晶體較佳為場效移動率高的電晶體。除了上述結構之外，例如，藉由對通道形成區使用由將原子數比為In：Ga：Zn=3：1：2的材料用於靶材的濺射法成膜的氧化物半導體層，可以形成場效移動率高的電晶體。
在本實施方式中，使用圖32A至圖33D說明藉由使一方的電晶體的氧化物半導體層為疊層結構而能夠在同一基板上分別簡便地製造上述兩種電晶體的製程。作為用於像素部的電晶體，圖式的左側示出與圖26A的電晶體同樣的結構的電晶體A的通道長度方向的剖面。作為用於驅動電路部的電晶體，圖式的右側示出與圖29A的電晶體同樣的結構的電晶體B的通道長度方向的剖面。注意，只對電晶體A和電晶體B中的一個附加兩者共用的符號。此外，本實施方式中說明的電晶體的製造方法包括在實施方式1中所說明的用來向撓性基板轉置的要素(有機樹脂層等)的製造方法。
基板900可以使用玻璃基板、陶瓷基板、石英基板、藍寶石基板等。此外，也可以採用以矽或碳化矽等為材料的單晶半導體基板或多晶半導體基板、以矽鍺等為材料的化合物半導體基板、SOI(Silicon On Insulator：絕緣層上覆矽)基板等，並且，也可以在上述基板上設置半導體元件並將其用作基板900。
有機樹脂層910例如可以使用環氧樹脂、芳族聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂或聚醯胺醯亞胺樹脂等的有機樹脂膜。其中由於使用聚醯亞胺樹脂可以具有較高的耐熱性所以是尤其較佳的。在使用聚醯亞胺樹脂時，該聚醯亞胺樹脂的膜厚為3nm以上且20μm以下，較佳為500nm以上且2μm以下。該聚醯亞胺樹脂可以藉由旋塗法、浸塗法、刮刀塗佈法(Doctor Blade Method)等形成。
作為絕緣膜915，可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等，並利用濺射法或CVD法等形成。
作為絕緣層935可以藉由電漿CVD法或濺射法等形成氧化鋁、氧化鎂、氧化矽、氧氮化矽、氧化鎵、氧化鍺、氧化釔、氧化鋯、氧化鑭、氧化釹、氧化鉿和氧化鉭等的氧化物絕緣膜；氮化矽、氮氧化矽、氮化鋁、氮氧化鋁等的氮化物絕緣膜；或者混合上述材料而形成的膜。此外，絕緣層935也可以是上述材料的疊層，其中，較佳為與氧化物半導體層接觸的上層至少使用包含過剩氧 的材料形成，以對氧化物半導體層供應氧。
另外，也可以利用離子植入法、離子摻雜法、電漿浸沒離子佈植技術(Plasma-immersion ion implantation method)、電漿處理法等對絕緣層935添加氧。藉由添加氧，可以更容易地將氧從絕緣層935供應到氧化物半導體層中。
注意，在基板900的表面由絕緣體構成且不受雜質擴散到之後形成的氧化物半導體層中的影響的情況下，也可以不設置絕緣層935。此外，如圖28A和圖28B所示的例子那樣，也可以在絕緣膜915上形成導電膜921，並在該導電膜上形成絕緣層935。
接著，使用濺射法、CVD法、MBE法等在絕緣層935上形成用作驅動電路的電晶體中的成為第一氧化物半導體層942c的第一氧化物半導體膜940c以及成為第二氧化物半導體層942b的第二氧化物半導體膜940b。
接著，使用光微影法在驅動電路區中形成光阻遮罩801(參照圖32A)。並且，使用該光阻遮罩選擇性地對第一氧化物半導體膜940c及第二氧化物半導體膜940b進行蝕刻，形成由第一氧化物半導體層942c及第二氧化物半導體層942b構成的疊層(參照圖32B)。
接著，以覆蓋上述疊層的方式形成成為第三氧化物半導體層942a的第三氧化物半導體膜940a。
可以對第一氧化物半導體膜940c、第二氧化物半導體膜940b及第三氧化物半導體膜940a使用在實施 方式5中說明的材料。在本實施方式中，例如，對第一氧化物半導體膜940c及第三氧化物半導體膜940a使用In：Ga：Zn=1：1：1[原子數比]的In-Ga-Zn氧化物，對第二氧化物半導體膜940b使用In：Ga：Zn=3：1：2[原子數比]的In-Ga-Zn氧化物。注意，第一氧化物半導體膜940c、第二氧化物半導體膜940b及第三氧化物半導體膜940a的原子數比作為誤差分別包括上述原子數比的±20%的變動。此外，當作為成膜法使用濺射法時，可以將上述材料用作靶材進行成膜。
另外，能夠用作第一氧化物半導體膜940c、第二氧化物半導體膜940b及第三氧化物半導體膜940a的氧化物半導體較佳為至少包含銦(In)或鋅(Zn)。或者，較佳為包含In和Zn的兩者。另外，為了減少使用該氧化物半導體的電晶體的電特性偏差，除了上述元素以外，較佳為還包含穩定劑(stabilizer)。
作為穩定劑，可以舉出鎵(Ga)、錫(Sn)、鉿(Hf)、鋁(Al)或鋯(Zr)等。另外，作為其他穩定劑，可以舉出鑭系元素的鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、鎦(Lu)等。
例如，作為氧化物半導體，可以使用氧化銦、氧化錫、氧化鋅、In-Zn氧化物、Sn-Zn氧化物、Al-Zn氧化物、Zn-Mg氧化物、Sn-Mg氧化物、In-Mg氧化 物、In-Ga氧化物、In-Ga-Zn氧化物、In-Al-Zn氧化物、In-Sn-Zn氧化物、Sn-Ga-Zn氧化物、Al-Ga-Zn氧化物、Sn-Al-Zn氧化物、In-Hf-Zn氧化物、In-La-Zn氧化物、In-Ce-Zn氧化物、In-Pr-Zn氧化物、In-Nd-Zn氧化物、In-Sm-Zn氧化物、In-Eu-Zn氧化物、In-Gd-Zn氧化物、In-Tb-Zn氧化物、In-Dy-Zn氧化物、In-Ho-Zn氧化物、In-Er-Zn氧化物、In-Tm-Zn氧化物、In-Yb-Zn氧化物、In-Lu-Zn氧化物、In-Sn-Ga-Zn氧化物、In-Hf-Ga-Zn氧化物、In-Al-Ga-Zn氧化物、In-Sn-Al-Zn氧化物、In-Sn-Hf-Zn氧化物、In-Hf-Al-Zn氧化物。
在此，例如In-Ga-Zn氧化物是指作為主要成分包含In、Ga和Zn的氧化物。In-Ga-Zn氧化物也可以包含In、Ga、Zn以外的金屬元素。此外，在本說明書中，將由In-Ga-Zn氧化物構成的膜稱為IGZO膜。
另外，也可以使用以InMO3(ZnO)m(m>0，且m不是整數)表示的材料。注意，M表示選自Ga、Y、Zr、La、Ce或Nd中的一種金屬元素或多種金屬元素。另外，也可以使用以In2SnO5(ZnO)n(n>0，且n是整數)表示的材料。
注意，作為第二氧化物半導體膜940b選擇電子親和力比第一氧化物半導體膜940c及第三氧化物半導體膜940a大的材料。
另外，當形成氧化物半導體膜時，較佳為利用濺射法。作為濺射法，可以使用RF濺射法、DC濺射 法、AC濺射法等。此外，為了提高氧化物半導體膜的分佈、膜成分的分佈或結晶性的分佈的均勻性，與使用RF濺射法相比，較佳為使用DC濺射法或AC濺射法。
另外，較佳的是，第二氧化物半導體膜940b的銦的含量多於第一氧化物半導體膜940c及第三氧化物半導體膜940a的銦的含量。在氧化物半導體中，重金屬的s軌域主要有助於載子傳導，並且藉由增加In的比率來增加s軌域的重疊，由此In的比率多於Ga的氧化物的移動率比In的比率等於或少於Ga的氧化物高。因此，藉由將銦的比率高的氧化物用於通道形成區，可以實現高移動率的電晶體。
也可以在形成第三氧化物半導體膜940a之後可以進行第一加熱處理。第一加熱處理在250℃以上且650℃以下，較佳為300℃以上且500℃以下的溫度下且在惰性氣體氛圍、包含10ppm以上的氧化氣體的氛圍或減壓狀態下進行即可。另外，也可以以如下方法進行第一加熱處理：在惰性氣體氛圍下進行加熱處理之後，為了填補脫離了的氧而在包含10ppm以上的氧化氣體氛圍下進行另一個加熱處理。藉由進行第一加熱處理，可以提高第一氧化物半導體膜940c至第三氧化物半導體膜940a的結晶性，而且可以從絕緣層935、第一氧化物半導體膜940c至第三氧化物半導體膜940a中去除氫或水等雜質。注意，第一加熱處理也可以在後面所述的第三氧化物半導體膜940a的蝕刻之後進行。
接著，使用光微影法在像素區形成光阻遮罩802。此外，在由驅動電路區中的第一氧化物半導體層942c及第二氧化物半導體層942b構成的疊層上形成光阻遮罩803(參照圖32C)。
接著，使用上述光阻遮罩選擇性地對第三氧化物半導體膜940a進行蝕刻，而在像素區形成氧化物半導體層943a。此外，在驅動電路區形成由第一氧化物半導體層942c、第二氧化物半導體層942b及第三氧化物半導體層942a構成的疊層(參照圖32D)。
接著，在氧化物半導體層943a及上述疊層上形成第一導電膜。作為第一導電膜，可以使用選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W、Ni、Mn、Nd、Sc及該金屬材料的合金的材料的單層或疊層。
接著，在第一導電膜上形成光阻遮罩，並使用該光阻遮罩選擇性地對第一導電膜進行蝕刻，由此形成源極電極層950及汲極電極層960(參照圖33A)。此時，氧化物半導體層930a及由第一氧化物半導體層942c至第三氧化物半導體層942a構成的疊層的一部分n型化。
接著，以覆蓋像素區及驅動電路區的方式形成閘極絕緣膜930(參照圖33B)。閘極絕緣膜930可以使用包含氧化鋁、氧化鎂、氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽、氧化鎵、氧化鍺、氧化釔、氧化鋯、氧化鑭、氧化釹、氧化鉿和氧化鉭等形成。此外，閘極絕緣膜 930也可以是上述材料的疊層。可以藉由濺射法、CVD法、MBE法等形成閘極絕緣膜930。
接著，在閘極絕緣膜930上形成成為閘極電極層920的第二導電膜。作為第二導電膜，可以使用Al、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Y、Zr、Mo、Ru、Ag、Mn、Nd、Sc、Ta及W的單層、疊層或合金。第二導電膜可以利用濺射法或CVD法等形成。另外，第二導電膜可以使用包含氮的導電膜，也可以使用上述導電膜與包含氮的導電膜的疊層。
接著，在第二導電膜上形成光阻遮罩，使用該光阻遮罩對第二導電膜選擇性地進行蝕刻，來形成閘極電極層920。
接著，對氧化物半導體層943a及由第一氧化物半導體層942c至第三氧化物半導體層942a構成的疊層的沒有被源極電極層950、汲極電極層960及閘極電極層920覆蓋的區域添加雜質810使其n型化，來形成源極區951及汲極區961(參照圖33C)。
作為該雜質的添加方法，可以使用離子植入法、離子摻雜法、電漿浸沒離子佈植技術、電漿處理法等。注意，雜質的添加也可以在將閘極電極層920用作遮罩而選擇性地對閘極絕緣膜930進行蝕刻之後進行。
作為提高氧化物半導體層的導電率的雜質，例如，可以使用選自磷、砷、銻、硼、鋁、矽、氮、氦、氖、氬、氪、氙、銦、氟、氯、鈦、鋅及碳中的任一個以 上。
作為雜質元素，若對氧化物半導體層添加稀有氣體，則使氧化物半導體層中的金屬元素與氧的鍵合斷開，而形成氧缺陷。氧化物半導體層的導電率因氧化物半導體膜所包含的氧缺陷與殘留在氧化物半導體層中的或後來被添加的氫的相互作用而變高。明確而言，當氫進入氧化物半導體膜所包含的氧缺陷時，生成作為載子的電子。其結果是，導電率變高。
注意，在圖33C中，當氧化物半導體層不與閘極電極層920、源極電極層及汲極電極層重疊的區域(即，偏置(offset)區域)的寬度小於0.1μm時，也可以不進行上述雜質的摻雜。當該偏置區域小於0.1μm時，因雜質的摻雜的有無而產生的電晶體的通態電流的差極小。
接著，在閘極絕緣膜930及閘極電極層920上形成絕緣膜970、絕緣膜980及絕緣膜990(參照圖33D)。
也可以利用離子植入法、離子摻雜法、電漿浸沒離子佈植技術、電漿處理法等對絕緣膜970及/或絕緣膜980添加氧。藉由添加氧，可以更容易地將氧從絕緣膜970及/或絕緣膜980供應到氧化物半導體層943a及由第一氧化物半導體層942c至第三氧化物半導體層942a構成的疊層。
接著，也可以進行第二加熱處理。第二加熱 處理可以在與第一加熱處理同樣的條件下進行。藉由第二加熱處理，過剩氧容易從絕緣層935、絕緣膜970、絕緣膜980釋放，而可以降低氧化物半導體層943a及由第一氧化物半導體層942c至第三氧化物半導體層942a構成的疊層的氧缺陷。
此外，圖34A至圖34D示出如下情況下的製造方法：作為用於像素部的電晶體使用與圖26B所示的電晶體同樣結構的電晶體C，作為用於驅動電路部的電晶體使用與圖29B所示的電晶體同樣結構的電晶體D。
首先，使用與上述電晶體的製造方法同樣的製程進行到圖33B所示的製程為止的製程，來形成閘極電極層920(參照圖34A)。
接著，以閘極電極層920為遮罩而對閘極絕緣膜930進行蝕刻(參照圖34B)。
接著，以與氧化物半導體層940的一部分接觸的方式形成氮化矽膜或氮化鋁等包含氫的絕緣膜975，使氫擴散到氧化物半導體層940的一部分中(參照圖34C)。由於該擴散的氫與氧化物半導體層940中的氧缺陷鍵合而成為施體，因此可以形成低電阻的源極區951及汲極區961。注意，在圖34C的結構中，也可以對氧化物半導體層摻雜上述的雜質。
接著，在絕緣膜975形成絕緣膜970、絕緣膜980及絕緣膜990(參照圖34D)。
藉由上述製程，可以簡便地在同一基板上形 成包括疊層結構的氧化物半導體層的電晶體以及包括單層結構的氧化物半導體層的電晶體。此外，可以製造能夠進行高速工作且光照射的劣化少的包括顯示品質良好的像素部的顯示裝置。
雖然本實施方式所說明的金屬膜、半導體膜及無機絕緣膜等各種膜可以典型地利用濺射法或電漿CVD法形成，但是也可以利用熱CVD法等其他方法形成。作為熱CVD法的例子，可以舉出MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金屬化學氣相沉積)法或ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沉積)法等。
由於熱CVD法是不使用電漿的成膜方法，因此具有不產生因電漿損傷所引起的缺陷的優點。
可以以如下方法進行利用熱CVD法的成膜：將源氣體及氧化劑同時供應到腔室內，將腔室內的壓力設定為大氣壓或減壓，使其在基板附近或在基板上起反應。
可以以如下方法進行利用ALD法的成膜：將腔室內的壓力設定為大氣壓或減壓，將用於反應的源氣體依次引入腔室，並且按該順序反復地引入氣體。例如，藉由切換各開關閥(也稱為高速閥)來將兩種以上的源氣體依次供應到處理室內。為了防止多種源氣體混合，例如，在引入第一源氣體的同時或之後引入惰性氣體(氬或氮等)等，然後引入第二源氣體。注意，當同時引入第一源氣體及惰性氣體時，惰性氣體被用作載子氣體，另外，可 以在引入第二源氣體的同時引入惰性氣體。另外，也可以利用真空抽氣將第一源氣體排出來代替引入惰性氣體，然後引入第二源氣體。第一源氣體附著到基板表面形成第一層，之後引入的第二源氣體與該第一層起反應，由此第二層層疊在第一層上而形成薄膜。藉由按該順序反復多次地引入氣體直到獲得所希望的厚度為止，可以形成步階覆蓋性良好的薄膜。由於薄膜的厚度可以根據按順序反復引入氣體的次數來進行調節，因此，ALD法可以準確地調節厚度而適用於製造微型FET。
利用MOCVD法或ALD法等熱CVD法可以形成以上所示的實施方式所公開的金屬膜、半導體膜、無機絕緣膜等的各種膜，例如，當形成In-Ga-Zn-OX(X>0)膜時，可以使用三甲基銦、三甲基鎵及二甲基鋅。三甲基銦的化學式為In(CH3)3。三甲基鎵的化學式為Ga(CH3)3。二甲基鋅的化學式為Zn(CH3)2。另外，不侷限於上述組合，也可以使用三乙基鎵(化學式為Ga(C2H5)3)代替三甲基鎵，並使用二乙基鋅(化學式為Zn(C2H5)2)代替二甲基鋅。
例如，在使用利用ALD法的成膜裝置形成氧化鉿膜時，使用如下兩種氣體：藉由使包含溶劑和鉿前體化合物的液體(鉿醇鹽溶液，典型為四(二甲基胺基)鉿(TDMAH))氣化而得到的源氣體；以及用作氧化劑的臭氧(O3)。四(二甲基胺基)鉿的化學式為Hf[N(CH3)2]4。另外，作為其它材料液有四(乙基甲基胺基)鉿等。
例如，在使用利用ALD法的成膜裝置形成氧化鋁膜時，使用如下兩種氣體：藉由使包含溶劑和鋁前體化合物的液體(三甲基鋁TMA等)氣化而得到的源氣體；以及用作氧化劑的H2O。三甲基鋁的化學式為Al(CH3)3。另外，作為其它材料液有三(二甲基醯胺)鋁、三異丁基鋁、鋁三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)等。
例如，在使用利用ALD法的成膜裝置形成氧化矽膜時，使六氯乙矽烷附著在被成膜面上，去除附著物所包含的氯，供應氧化性氣體(O2，一氧化二氮)的自由基使其與附著物起反應。
例如，在使用利用ALD法的成膜裝置形成鎢膜時，依次反復引入WF6氣體和B2H6氣體形成初始鎢膜，然後同時引入WF6氣體和H2氣體形成鎢膜。也可以使用SiH4氣體代替B2H6氣體。
例如，在使用利用ALD的成膜裝置形成氧化物半導體膜如In-Ga-Zn-OX(X>0)膜時，依次反復引入In(CH3)3氣體和O3氣體形成InO層，然後同時引入Ga(CH3)3氣體和O3氣體形成GaO層，之後同時引入Zn(CH3)2氣體和O3氣體形成ZnO層。注意，這些層的順序不侷限於上述例子。此外，也可以混合這些氣體來形成混合化合物層如In-Ga-O層、In-Zn-O層、Ga-Zn-O層等。也可以混合這些氣體來形成混合化合物層如In-Ga-O層、In-Zn-O層、Ga-Zn-O層等。還可以使用In(C2H5)3氣 體代替In(CH3)3氣體。也可以使用Ga(C2H5)3氣體代替Ga(CH3)3氣體。還可以使用In(C2H5)3氣體代替In(CH3)3氣體。另外，也可以使用Zn(CH3)2氣體。
注意，本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式7
在本實施方式中，說明能夠用於本發明的一個方式的電晶體的氧化物半導體膜。
〈氧化物半導體的結構〉
下面說明氧化物半導體的結構。
在本說明書中，“平行”是指兩條直線形成的角度為-10°以上且10°以下的狀態。因此，也包括該角度為-5°以上且5°以下的狀態。另外，“垂直”是指兩條直線的角度為80°以上且100°以下的狀態。因此，也包括該角度為85°以上且95°以下的狀態。“大致垂直”是指兩條直線形成的角度為60°以上且120°以下的狀態。
在本說明書中，六方晶系包括三方晶系和菱方晶系。
氧化物半導體被分為單晶氧化物半導體和非單晶氧化物半導體。作為非單晶氧化物半導體有CAAC-OS(C-Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體)、多晶氧化物半導體、微晶氧 化物半導體以及非晶氧化物半導體等。
從其他觀點看來，氧化物半導體被分為非晶氧化物半導體和結晶氧化物半導體。作為結晶氧化物半導體有單晶氧化物半導體、CAAC-OS、多晶氧化物半導體以及微晶氧化物半導體等。
〈CAAC-OS〉
首先，對CAAC-OS進行說明。注意，也可以將CAAC-OS稱為具有CANC(C-Axis Aligned nanocrystals：c軸配向奈米晶)的氧化物半導體。
CAAC-OS是包含多個c軸配向的結晶部(也稱為顆粒)的氧化物半導體之一。
在利用穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)觀察所得到的CAAC-OS的明視場影像與繞射圖案的複合分析影像(也稱為高解析度TEM影像)中，觀察到多個顆粒。然而，在高解析度TEM影像中，觀察不到顆粒與顆粒之間的明確的邊界，即晶界(grain boundary)。因此，可以說在CAAC-OS中，不容易發生起因於晶界的電子移動率的降低。
下面，對利用TEM觀察的CAAC-OS進行說明。圖21A示出從大致平行於樣本面的方向觀察所得到的CAAC-OS的剖面的高解析度TEM影像。利用球面像差校正(Spherical Aberration Corrector)功能得到高解析度TEM影像。將利用球面像差校正功能所得到的高解析度 TEM影像特別稱為Cs校正高解析度TEM影像。例如可以使用日本電子株式會社製造的原子解析度分析型電子顯微鏡JEM-ARM200F等得到Cs校正高解析度TEM影像。
圖21B示出將圖21A中的區域(1)放大的Cs校正高解析度TEM影像。由圖21B可以確認到在顆粒中金屬原子排列為層狀。各金屬原子層具有反映了形成CAAC-OS膜的面(也稱為被形成面)或CAAC-OS膜的頂面的凸凹的配置並以平行於CAAC-OS的被形成面或頂面的方式排列。
如圖21B所示，CAAC-OS具有特有的原子排列。圖21C是以輔助線示出特有的原子排列的圖。由圖21B和圖21C可知，一個顆粒的尺寸為1nm以上且3nm以下左右，由顆粒與顆粒之間的傾斜產生的空隙的尺寸為0.8nm左右。因此，也可以將顆粒稱為奈米晶(nc：nanocrystal)。
在此，根據Cs校正高解析度TEM影像，將基板5120上的CAAC-OS的顆粒5100的配置示意性地表示為堆積磚塊或塊體的結構(參照圖21D)。在圖21C中觀察到的在顆粒與顆粒之間產生傾斜的部分相當於圖21D所示的區域5161。
圖22A示出從大致垂直於樣本面的方向觀察所得到的CAAC-OS的平面的Cs校正高解析度TEM影像。圖22B、圖22C和圖22D分別示出將圖22A中的區域(1)、區域(2)和區域(3)放大的Cs校正高解析度 TEM影像。由圖22B、圖22C和圖22D可知在顆粒中金屬原子排列為三角形狀、四角形狀或六角形狀。但是，在不同的顆粒之間金屬原子的排列沒有規律性。
接著，說明使用X射線繞射(XRD：X-Ray Diffraction)裝置進行分析的CAAC-OS。例如，當利用out-of-plane法分析包含InGaZnO4結晶的CAAC-OS的結構時，如圖23A所示，在繞射角(2θ)為31°附近時常出現峰值。由於該峰值來源於InGaZnO4結晶的(009)面，由此可知CAAC-OS中的結晶具有c軸配向性，並且c軸朝向大致垂直於被形成面或頂面的方向。
注意，當利用out-of-plane法分析CAAC-OS的結構時，除了2θ為31°附近的峰值以外，有時在2θ為36°附近時也出現峰值。2θ為36°附近的峰值表示CAAC-OS中的一部分包含不具有c軸配向性的結晶。較佳的是，在利用out-of-plane法分析的CAAC-OS的結構中，在2θ為31°附近時出現峰值而在2θ為36°附近時不出現峰值。
另一方面，當利用從大致垂直於c軸的方向使X射線入射到樣本的in-plane法分析CAAC-OS的結構時，在2θ為56°附近時出現峰值。該峰值來源於InGaZnO4結晶的(110)面。在CAAC-OS中，即使將2θ固定為56°附近並在以樣本面的法線向量為軸(Φ軸)旋轉樣本的條件下進行分析(Φ掃描)，也如圖23B所示的那樣觀察不到明確的峰值。相比之下，在InGaZnO4的單晶 氧化物半導體中，在將2θ固定為56°附近來進行Φ掃描時，如圖23C所示的那樣觀察到來源於相等於(110)面的結晶面的六個峰值。因此，由使用XRD的結構分析可以確認到CAAC-OS中的a軸和b軸的配向沒有規律性。
接著，說明利用電子繞射進行分析的CAAC-OS。例如，當對包含InGaZnO4結晶的CAAC-OS在平行於樣本面的方向上入射束徑為300nm的電子線時，可能會獲得圖40A所示的繞射圖案(也稱為選區透過電子繞射圖案)。在該繞射圖案中包含起因於InGaZnO4結晶的(009)面的斑點。因此，由電子繞射也可知CAAC-OS所包含的顆粒具有c軸配向性，並且c軸朝向大致垂直於被形成面或頂面的方向。另一方面，圖40B示出對相同的樣本在垂直於樣本面的方向上入射束徑為300nm的電子線時的繞射圖案。由圖40B觀察到環狀的繞射圖案。因此，由電子繞射也可知CAAC-OS所包含的顆粒的a軸和b軸不具有配向性。可以認為圖40B中的第一環起因於InGaZnO4結晶的(010)面和(100)面等。另外，可以認為圖40B中的第二環起因於(110)面等。
另外，CAAC-OS是缺陷態密度低的氧化物半導體。氧化物半導體的缺陷例如有起因於雜質的缺陷、氧缺損等。因此，可以將CAAC-OS稱為雜質濃度低的氧化物半導體或者氧缺損少的氧化物半導體。
包含於氧化物半導體的雜質有時會成為載子陷阱或載子發生源。另外，氧化物半導體中的氧缺損有時 會成為載子陷阱或因俘獲氫而成為載子發生源。
此外，雜質是指氧化物半導體的主要成分以外的元素，諸如氫、碳、矽和過渡金屬元素等。例如，與氧的鍵合力比構成氧化物半導體的金屬元素強的矽等元素會奪取氧化物半導體中的氧，由此打亂氧化物半導體的原子排列，導致結晶性下降。另外，由於鐵或鎳等的重金屬、氬、二氧化碳等的原子半徑(或分子半徑)大，所以會打亂氧化物半導體的原子排列，導致結晶性下降。
缺陷態密度低(氧缺損少)的氧化物半導體可以具有低載子密度。將這樣的氧化物半導體稱為高純度本質或實質上高純度本質的氧化物半導體。CAAC-OS的雜質濃度和缺陷態密度低。也就是說，CAAC-OS容易成為高純度本質或實質上高純度本質的氧化物半導體。因此，使用CAAC-OS的電晶體很少具有負臨界電壓的電特性(很少成為常開啟)。高純度本質或實質上高純度本質的氧化物半導體的載子陷阱少。被氧化物半導體的載子陷阱俘獲的電荷需要很長時間才能被釋放，並且有時像固定電荷那樣動作。因此，使用雜質濃度高且缺陷態密度高的氧化物半導體的電晶體有時電特性不穩定。但是，使用CAAC-OS的電晶體電特性變動小且可靠性高。
由於CAAC-OS的缺陷態密度低，所以因光照射等而生成的載子很少被缺陷能階俘獲。因此，在使用CAAC-OS的電晶體中，起因於可見光或紫外光的照射的電特性的變動小。
〈微晶氧化物半導體〉
接著說明微晶氧化物半導體。
在微晶氧化物半導體的高解析度TEM影像中有能夠觀察到結晶部的區域和觀察不到明確的結晶部的區域。微晶氧化物半導體所包含的結晶部的尺寸大多為1nm以上且100nm以下或1nm以上且10nm以下。尤其是，將包含尺寸為1nm以上且10nm以下或1nm以上且3nm以下的微晶的奈米晶的氧化物半導體稱為nc-OS(nanocrystalline Oxide Semiconductor：奈米晶氧化物半導體)。例如，在nc-OS的高解析度TEM影像中，有時無法明確地觀察到晶界。注意，奈米晶的來源有可能與CAAC-OS中的顆粒相同。因此，下面有時將nc-OS的結晶部稱為顆粒。
在nc-OS中，微小的區域(例如1nm以上且10nm以下的區域，特別是1nm以上且3nm以下的區域)中的原子排列具有週期性。另外，nc-OS在不同的顆粒之間觀察不到結晶定向的規律性。因此，在膜整體中觀察不到配向性。所以，有時nc-OS在某些分析方法中與非晶氧化物半導體沒有差別。例如，當利用使用其束徑比顆粒大的X射線的XRD裝置藉由out-of-plane法對nc-OS進行結構分析時，檢測不到表示結晶面的峰值。在使用其束徑比顆粒大(例如，50nm以上)的電子射線對nc-OS進行電子繞射(選區電子繞射)時，觀察到類似光暈圖案的繞 射圖案。另一方面，在使用其束徑近於顆粒或者比顆粒小的電子射線對nc-OS進行奈米束電子繞射時，觀察到斑點。另外，在nc-OS的奈米束電子繞射圖案中，有時觀察到如圓圈那樣的(環狀的)亮度高的區域。而且，在nc-OS的奈米束電子繞射圖案中，有時還觀察到環狀的區域內的多個斑點。
如此，由於在顆粒(奈米晶)之間結晶定向都沒有規律性，所以也可以將nc-OS稱為包含RANC(Random Aligned nanocrystals：無規配向奈米晶)的氧化物半導體或包含NANC(Non-Aligned nanocrystals：無配向奈米晶)的氧化物半導體。
nc-OS是規律性比非晶氧化物半導體高的氧化物半導體。因此，nc-OS的缺陷態密度比非晶氧化物半導體低。但是，在nc-OS中的不同的顆粒之間觀察不到晶體配向的規律性。所以，nc-OS的缺陷態密度比CAAC-OS高。
〈非晶氧化物半導體〉
接著，說明非晶氧化物半導體。
非晶氧化物半導體是膜中的原子排列沒有規律且不具有結晶部的氧化物半導體。其一個例子為具有如石英那樣的無定形態的氧化物半導體。
在非晶氧化物半導體的高解析度TEM影像中無法發現結晶部。
在使用XRD裝置藉由out-of-plane法對非晶氧化物半導體進行結構分析時，檢測不到表示結晶面的峰值。在對非晶氧化物半導體進行電子繞射時，觀察到光暈圖案。在對非晶氧化物半導體進行奈米束電子繞射時，觀察不到斑點而只觀察到光暈圖案。
關於非晶結構有各種見解。例如，有時將原子排列完全沒有規律性的結構稱為完全的非晶結構(completely amorphous structure)。也有時將到最接近原子間距或到第二接近原子間距具有規律性，並且不是長程有序的結構稱為非晶結構。因此，根據最嚴格的定義，即使是略微具有原子排列的規律性的氧化物半導體也不能被稱為非晶氧化物半導體。至少不能將長程有序的氧化物半導體稱為非晶氧化物半導體。因此，由於具有結晶部，例如不能將CAAC-OS和nc-OS稱為非晶氧化物半導體或完全的非晶氧化物半導體。
〈amorphous-like氧化物半導體〉
注意，氧化物半導體有時具有介於nc-OS與非晶氧化物半導體之間的結構。將具有這樣的結構的氧化物半導體特別稱為amorphous-like氧化物半導體(a-like OS：amorphous-like Oxide Semiconductor)。
在a-like OS的高解析度TEM影像中有時觀察到空洞(void)。另外，在高解析度TEM影像中，有能夠明確地觀察到結晶部的區域和不能觀察到結晶部的區 域。
由於a-like OS包含空洞，所以其結構不穩定。為了證明與CAAC-OS及nc-OS相比a-like OS具有不穩定的結構，下面示出電子照射所導致的結構變化。
作為進行電子照射的樣本，準備a-like OS(樣本A)、nc-OS(樣本B)和CAAC-OS(樣本C)。每個樣本都是In-Ga-Zn氧化物。
首先，取得各樣本的高解析度剖面TEM影像。由高解析度剖面TEM影像可知，每個樣本都具有結晶部。
注意，如下那樣決定將哪個部分作為一個結晶部。例如，已知InGaZnO4結晶的單位晶格具有包括三個In-O層和六個Ga-Zn-O層的9個層在c軸方向上以層狀層疊的結構。這些彼此靠近的層的間隔與(009)面的晶格表面間隔(也稱為d值)是幾乎相等的，由結晶結構分析求出其值為0.29nm。由此，可以將晶格條紋的間隔為0.28nm以上且0.30nm以下的部分作為InGaZnO4結晶部。每個晶格條紋對應於InGaZnO4結晶的a-b面。
圖41示出調查了各樣本的結晶部(22個部分至45個部分)的平均尺寸的例子。注意，結晶部尺寸對應於上述晶格條紋的長度。由圖41可知，在a-like OS中，結晶部根據電子的累積照射量逐漸變大。明確而言，如圖41中的(1)所示，可知在利用TEM的觀察初期尺寸為1.2nm左右的結晶部(也稱為初始晶核)在累積照射 量為4.2×108e-/nm2時生長到2.6nm左右。另一方面，可知nc-OS和CAAC-OS在開始電子照射時到電子的累積照射量為4.2×108e-/nm2的範圍內，結晶部的尺寸都沒有變化。明確而言，如圖41中的(2)及(3)所示，可知無論電子的累積照射量如何，nc-OS及CAAC-OS的平均結晶部尺寸都分別為1.4nm左右及2.1nm左右。
如此，有時電子照射引起a-like OS中的結晶部的生長。另一方面，可知在nc-OS和CAAC-OS中，幾乎沒有電子照射所引起的結晶部的生長。也就是說，a-like OS與CAAC-OS及nc-OS相比具有不穩定的結構。
此外，由於a-like OS包含空洞，所以其密度比nc-OS及CAAC-OS低。具體地，a-like OS的密度為具有相同組成的單晶氧化物半導體的78.6%以上且小於92.3%。nc-OS的密度及CAAC-OS的密度為具有相同組成的單晶氧化物半導體的92.3%以上且小於100%。注意，難以形成其密度小於單晶氧化物半導體的密度的78%的氧化物半導體。
例如，在原子數比滿足In：Ga：Zn=1：1：1的氧化物半導體中，具有菱方晶系結構的單晶InGaZnO4的密度為6.357g/cm3。因此，例如，在原子數比滿足In：Ga：Zn=1：1：1的氧化物半導體中，a-like OS的密度為5.0g/cm3以上且小於5.9g/cm3。另外，例如，在原子數比滿足In：Ga：Zn=1：1：1的氧化物半導體中，nc-OS的密度和CAAC-OS的密度為5.9g/cm3以上且小於6.3g/cm3。
注意，有時不存在相同組成的單晶。此時，藉由以任意比例組合組成不同的單晶氧化物半導體，可以估計出相當於所希望的組成的單晶氧化物半導體的密度。根據組成不同的單晶的組合比例使用加權平均計算出相當於所希望的組成的單晶氧化物半導體的密度即可。注意，較佳為盡可能減少所組合的單晶氧化物半導體的種類來計算密度。
如上所述，氧化物半導體具有各種結構及各種特性。注意，氧化物半導體例如可以是包括非晶氧化物半導體、a-like OS、微晶氧化物半導體和CAAC-OS中的兩種以上的疊層膜。
〈成膜模型〉
下面對CAAC-OS和nc-OS的成膜模型的一個例子進行說明。
圖42A是示出利用濺射法形成CAAC-OS的狀況的成膜室內的示意圖。
靶材5130被黏合到底板上。在隔著底板與靶材5130相對的位置配置多個磁鐵。由該多個磁鐵產生磁場。利用磁鐵的磁場提高沈積速度的濺射法被稱為磁控濺射法。
基板5120以與靶材5130相對的方式配置，其距離d(也稱為靶材與基板之間的距離(T-S間距離))為0.01m以上且1m以下，較佳為0.02m以上且0.5m 以下。成膜室內幾乎被成膜氣體(例如，氧、氬或包含5vol%以上的氧的混合氣體)充滿，並且成膜室內的壓力被控制為0.01Pa以上且100Pa以下，較佳為0.1Pa以上且10Pa以下。在此，藉由對靶材5130施加一定程度以上的電壓，開始放電且確認到電漿。由磁場在靶材5130附近形成高密度電漿區域。在高密度電漿區域中，因成膜氣體的離子化而產生離子5101。離子5101例如是氧的陽離子(O+)或氬的陽離子(Ar+)等。
這裡，靶材5130具有包括多個晶粒的多晶結構，其中至少一個晶粒包括劈開面。作為一個例子，圖43A示出靶材5130所包含的InGaZnO4結晶的結構。注意，圖43A示出從平行於b軸的方向觀察InGaZnO4結晶時的結構。由圖43A可知，在靠近的兩個Ga-Zn-O層中，每個層中的氧原子彼此配置得很近。並且，藉由氧原子具有負電荷，在靠近的兩個Ga-Zn-O層之間產生斥力。其結果是，InGaZnO4結晶在靠近的兩個Ga-Zn-O層之間具有劈開面。
在高密度電漿區域產生的離子5101由電場向靶材5130一側被加速而碰撞到靶材5130。此時，平板狀或顆粒狀的濺射粒子的顆粒5100a和顆粒5100b從劈開面剝離而濺出。注意，顆粒5100a和顆粒5100b的結構有時會因離子5101碰撞的衝擊而產生畸變。
顆粒5100a是具有三角形(例如正三角形)的平面的平板狀或顆粒狀的濺射粒子。顆粒5100b是具有 六角形(例如正六角形)的平面的平板狀或顆粒狀的濺射粒子。注意，將顆粒5100a和顆粒5100b等平板狀或顆粒狀的濺射粒子總稱為顆粒5100。顆粒5100的平面的形狀不侷限於三角形或六角形。例如，有時為組合多個三角形的形狀。例如，還有時為組合兩個三角形(例如正三角形)的四角形(例如菱形)。
根據成膜氣體的種類等決定顆粒5100的厚度。顆粒5100的厚度較佳為均勻的，其理由在後面說明。另外，與厚度大的骰子狀相比，濺射粒子較佳為厚度小的顆粒狀。例如，顆粒5100的厚度為0.4nm以上且1nm以下，較佳為0.6nm以上且0.8nm以下。另外，例如，顆粒5100的寬度為1nm以上且3nm以下，較佳為1.2nm以上且2.5nm以下。顆粒5100相當於在上述圖41中的(1)所說明的初始晶核。例如，在使離子5101碰撞包含In-Ga-Zn氧化物的靶材5130的情況下，如圖43B所示，包含Ga-Zn-O層、In-O層和Ga-Zn-O層的三個層的顆粒5100剝離。圖43C示出從平行於c軸的方向觀察剝離的顆粒5100時的結構。可以將顆粒5100的結構稱為包含兩個Ga-Zn-O層(麵包片)和In-O層(餡)的奈米尺寸的三明治結構。
有時顆粒5100在穿過電漿時，其側面帶負電或帶正電。例如，在顆粒5100中，位於其側面的氧原子有可能帶負電。因側面帶相同極性的電荷而電荷相互排斥，從而可以維持平板形狀或顆粒形狀。當CAAC-OS是 In-Ga-Zn氧化物時，與銦原子鍵合的氧原子有可能帶負電。或者，與銦原子、鎵原子或鋅原子鍵合的氧原子有可能帶負電。另外，有時顆粒5100在穿過電漿時與電漿中的銦原子、鎵原子、鋅原子和氧原子等鍵合而生長。上述圖41中的(2)和(1)的尺寸的差異相當於電漿中的生長程度。在此，當基板5120的溫度為室溫左右時，不容易產生基板5120上的顆粒5100的生長，因此成為nc-OS(參照圖42B)。由於能夠在室溫左右的溫度下進行成膜，即使基板5120的面積大也能夠形成nc-OS。注意，為了使顆粒5100在電漿中生長，提高濺射法中的成膜功率是有效的。藉由提高成膜功率，可以使顆粒5100的結構穩定。
如圖42A和圖42B所示，例如顆粒5100像風箏那樣在電漿中飛著，並輕飄飄地飛到基板5120上。由於顆粒5100帶有電荷，所以在它靠近其他顆粒5100已沉積的區域時產生斥力。在此，在基板5120的頂面產生平行於基板5120頂面的磁場(也稱為水平磁場)。另外，由於在基板5120與靶材5130之間有電位差，所以電流從基板5120向靶材5130流過。因此，顆粒5100在基板5120頂面受到由磁場和電流的作用引起的力量(勞侖茲力)。這可以由弗萊明左手定則得到解釋。
顆粒5100的質量比一個原子大。因此，為了在基板5120頂面移動，重要的是從外部施加某些力量。該力量之一有可能是由磁場和電流的作用產生的力量。為 了對顆粒5100施加充分的力量以便顆粒5100在基板5120頂面移動，較佳為在基板5120頂面設置平行於基板5120頂面的磁場為10G以上，較佳為20G以上，更佳為30G以上，進一步較佳為50G以上的區域。或者，較佳為在基板5120頂面設置平行於基板5120頂面的磁場為垂直於基板5120頂面的磁場的1.5倍以上，較佳為2倍以上，更佳為3倍以上，進一步較佳為5倍以上的區域。
此時，藉由磁鐵與基板5120相對地移動或旋轉，基板5120頂面的水平磁場的方向不斷地變化。因此，在基板5120頂面，顆粒5100受到各種方向的力量而可以向各種方向移動。
另外，如圖42A所示，當基板5120被加熱時，顆粒5100與基板5120之間的由摩擦等引起的電阻小。其結果是，顆粒5100在基板5120頂面下滑。顆粒5100的移動發生在使其平板面朝向基板5120的狀態下。然後，當顆粒5100到達已沉積的其他顆粒5100的側面時，它們的側面彼此鍵合。此時，顆粒5100的側面的氧原子脫離。CAAC-OS中的氧缺損有時被所脫離的氧原子填補，因此形成缺陷態密度低的CAAC-OS。注意，基板5120的頂面溫度例如為100℃以上且小於500℃、150℃以上且小於450℃或170℃以上且小於400℃即可。因此，即使基板5120的面積大也能夠形成CAAC-OS。
另外，藉由在基板5120上加熱顆粒5100，原子重新排列，從而離子5101的碰撞所引起的結構畸變得 到緩和。畸變得到緩和的顆粒5100幾乎成為單晶。由於顆粒5100幾乎成為單晶，即使顆粒5100在彼此鍵合之後被加熱也幾乎不會發生顆粒5100本身的伸縮。因此，不會發生顆粒5100之間的空隙擴大導致晶界等缺陷的形成而成為裂縫(crevasse)的情況。
CAAC-OS不是如一張平板的單晶氧化物半導體，而是具有如磚塊或塊體堆積起來那樣的顆粒5100(奈米晶)的集合體的排列的結構。另外，顆粒5100之間沒有晶界。因此，即使因成膜時的加熱、成膜後的加熱或彎曲等而發生CAAC-OS的收縮等變形，也能夠緩和局部應力或解除畸變。因此，這是適合用於具有撓性的半導體裝置的結構。注意，nc-OS具有顆粒5100(奈米晶)無序地堆積起來那樣的排列。
當使離子5101碰撞靶材5130時，有時不僅是顆粒5100，氧化鋅等也剝離。氧化鋅比顆粒5100輕，因此先到達基板5120的頂面。並且形成0.1nm以上且10nm以下、0.2nm以上且5nm以下或0.5nm以上且2nm以下的氧化鋅層5102。圖44A至圖44D示出剖面示意圖。
如圖44A所示，在氧化鋅層5102上沉積顆粒5105a和顆粒5105b。在此，顆粒5105a和顆粒5105b的側面彼此接觸。另外，顆粒5105c在沉積到顆粒5105b上後，在顆粒5105b上滑動。此外，在顆粒5105a的其他側面上，與氧化鋅一起從靶材剝離的多個粒子5103因來自 基板5120的熱量而晶化，由此形成區域5105a1。注意，多個粒子5103有可能包含氧、鋅、銦和鎵等。
然後，如圖44B所示，區域5105a1與顆粒5105a變為一體而成為顆粒5105a2。另外，顆粒5105c的側面與顆粒5105b的其他側面接觸。
接著，如圖44C所示，顆粒5105d在沉積到顆粒5105a2上和顆粒5105b上後，在顆粒5105a2上和顆粒5105b上滑動。另外，顆粒5105e在氧化鋅層5102上向顆粒5105c的其他側面滑動。
然後，如圖44D所示，顆粒5105d的側面與顆粒5105a2的側面接觸。另外，顆粒5105e的側面與顆粒5105c的其他側面接觸。此外，在顆粒5105d的其他側面上，與氧化鋅一起從靶材5130剝離的多個粒子5103因來自基板5120的熱量而晶化，由此形成區域5105d1。
如上所述，藉由所沉積的顆粒彼此接觸，並且在顆粒的側面發生生長，在基板5120上形成CAAC-OS。因此，CAAC-OS的顆粒的每一個都比nc-OS的顆粒大。上述圖41中的(3)和(2)的尺寸的差異相當於沉積之後的生長程度。
當顆粒彼此之間的空隙極小時，有時形成有一個大顆粒。一個大顆粒具有單晶結構。例如，從頂面看來顆粒的尺寸有時為10nm以上且200nm以下、15nm以上且100nm以下或20nm以上且50nm以下。此時，有時在用於微細的電晶體的氧化物半導體中，通道形成區域容 納在一個大顆粒中。也就是說，可以將具有單晶結構的區域用作通道形成區域。另外，當顆粒變大時，有時可以將具有單晶結構的區域用作電晶體的通道形成區域、源極區域和汲極區域。
如此，藉由電晶體的通道形成區域等形成在具有單晶結構的區域中，有時可以提高電晶體的頻率特性。
如上述模型那樣，可以認為顆粒5100沉積到基板5120上。因此，可知即使被形成面不具有結晶結構，也能夠形成CAAC-OS，這是與磊晶生長不同的。此外，CAAC-OS不需要雷射晶化，並且在大面積的玻璃基板等上也能夠均勻地進行成膜。例如，即使基板5120的頂面(被形成面)結構為非晶結構(例如非晶氧化矽)，也能夠形成CAAC-OS。
另外，可知即使作為被形成面的基板5120頂面具有凹凸，在CAAC-OS中顆粒5100也根據基板5120頂面的形狀排列。例如，當基板5120的頂面在原子級別上平坦時，顆粒5100以使其平行於a-b面的平板面朝下的方式排列。當顆粒5100的厚度均勻時，形成厚度均勻、平坦且結晶性高的層。並且，藉由層疊n個(n是自然數)該層，可以得到CAAC-OS。
另一方面，在基板5120的頂面具有凹凸的情況下，CAAC-OS也具有顆粒5100沿凹凸排列的層層疊為n個(n是自然數)層的結構。由於基板5120具有凹凸， 在CAAC-OS中有時容易在顆粒5100之間產生空隙。注意，此時，由於在顆粒5100之間產生分子間力，所以即使有凹凸，顆粒也以盡可能地減小它們之間的空隙的方式排列。因此，即使有凹凸也可以得到結晶性高的CAAC-OS。
因為根據這樣的模型形成CAAC-OS，所以濺射粒子較佳為厚度小的顆粒狀。注意，當濺射粒子為厚度大的骰子狀時，朝向基板5120上的面不固定，所以有時不能使厚度或結晶的配向均勻。
根據上述成膜模型，即使在具有非晶結構的被形成面上也可以形成結晶性高的CAAC-OS。
本實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而實施。
實施方式8
在本實施方式中，使用圖24A至圖24D對應用本發明的一個方式的電子裝置進行說明。
藉由應用本發明的一個方式的顯示裝置，可以製造可靠性高的撓性電子裝置。
作為電子裝置，例如可以舉出電視機、用於電腦等的監視器、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置、大型遊戲機等。
此外，由於本發明的一個方式的顯示裝置具 有撓性，因此也可以沿著房屋及高樓的內壁或外壁、或者汽車的內部裝飾或外部裝飾的曲面組裝該顯示裝置。
圖24A示出行動電話機的一個例子。行動電話機7100包括組裝在外殼7101中的顯示部7102、操作按鈕7103、外部連接埠7104、揚聲器7105、麥克風7106、相機7107等。另外，藉由將本發明的一個方式的發光裝置用於顯示部7102來製造行動電話機7100。藉由本發明的一個方式，能夠提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的行動電話機。例如，藉由觸摸顯示於顯示部7102的圖示7108，可以啟動應用程式。
在圖24A所示的行動電話機7100中，藉由用手指等觸摸顯示部7102，可以輸入資訊。此外，藉由用手指等觸摸顯示部7102可以進行打電話或輸入文字等的各種操作。例如，藉由觸摸顯示於顯示部7102的圖示7108，可以啟動應用程式。
此外，藉由操作按鈕7103的操作，可以切換電源的ON、OFF或顯示在顯示部7102的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
圖24B是手錶型可攜式資訊終端的一個例子。可攜式資訊終端7200包括外殼7201、顯示部7202、帶子7203、帶扣7204、操作按鈕7205、輸入輸出端子7206等。
可攜式資訊終端7200可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編寫、音樂播放、網路通訊、電腦 遊戲等各種應用程式。
顯示部7202按其顯示面彎曲的方式設置，能夠沿著彎曲的顯示面進行顯示。另外，顯示部7202具備觸摸感測器，可以用手指或觸控筆等觸摸畫面來進行操作。例如，藉由觸摸顯示於顯示部7202的圖示7207，可以啟動應用程式。
操作按鈕7205除了時刻設定之外，還可以具有電源開關、無線通訊的開關、靜音模式的執行及解除、省電模式的執行及解除等各種功能。例如，藉由利用組裝在可攜式資訊終端7200中的作業系統，可以自由地設定操作按鈕7205的功能。
另外，可攜式資訊終端7200可以執行被通信標準化的近距離無線通訊。例如，藉由與可無線通訊的耳麥通信，可以進行免提通話。
另外，可攜式資訊終端7200具備輸入輸出端子7206，可以藉由連接器直接向其他資訊終端發送資料或從其他資訊終端接收資料。另外，也可以藉由輸入輸出端子7206進行充電。另外，充電工作也可以利用無線供電進行，而不利用輸入輸出端子7206。
可攜式資訊終端7200的顯示部7202可以使用本發明的一個方式的顯示裝置。
圖24C示出可攜式顯示裝置的一個例子。顯示裝置7300具備外殼7301、顯示部7302、操作按鈕7303、顯示部取出構件7304以及控制部7305。
顯示裝置7300在筒狀的外殼7301中具備卷起來的具有撓性的顯示部7102。
此外，顯示裝置7300能夠由控制部7305接收影像信號，且能夠將所接收的影像顯示於顯示部7302。此外，控制部7305具備電池。此外，也可以採用在控制部7305具備連接有連接器的端子部以有線的方式從外部直接供應影像信號或電力的結構。
此外，可以由操作按鈕7303進行電源的ON、OFF操作或所顯示的影像的切換等。
圖24D示出使用顯示部取出構件7304取出顯示部7302的狀態的顯示裝置7300。在該狀態下，可以在顯示部7302上顯示影像。藉由利用配置在外殼7301表面的操作按鈕7303，可以容易地以單手操作。此外，藉由如圖24C所示那樣將操作按鈕7303配置在外殼7301的一側而不是中央，可以容易地以單手操作。
另外，為了在取出顯示部7302時將該顯示部7302的顯示面固定為平面狀，也可以在顯示部7302的側部設置用來加固的框。
此外，除了該結構以外，也可以採用在外殼中設置揚聲器而使用與影像信號同時接收的音聲信號輸出音聲的結構。
顯示部7302組裝有本發明的一個方式的發光裝置。藉由本發明的一個方式，能夠提供一種輕量且可靠性高的發光裝置。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式9
在此，使用圖37A至圖39E說明前面的實施方式所示的電晶體的變形例子。圖37A至圖37F所示的電晶體包括：形成在基板821上的絕緣膜824上的氧化物半導體層828；與氧化物半導體層828接觸的絕緣膜837；以及與絕緣膜837接觸且與氧化物半導體層828重疊的導電膜840。注意，絕緣膜837具有閘極絕緣膜的功能。此外，導電膜840具有閘極電極層的功能。
此外，電晶體中設置有與氧化物半導體層828接觸的絕緣膜846及與絕緣膜846接觸的絕緣膜847。電晶體中設置有在絕緣膜864及絕緣膜847的開口部中與氧化物半導體層828接觸的導電膜856、857。注意，導電膜856、857具有源極電極層及汲極電極層的功能。此外，設置有與絕緣膜847及導電膜856、857接觸的絕緣膜862。
注意，作為本實施方式所示的電晶體的結構及接觸於該結構的導電膜及絕緣膜，可以適當地使用前面的實施方式所示的電晶體的結構及接觸於該結構的導電膜及絕緣膜。
在圖37A所示的電晶體中，氧化物半導體層828包括：形成在與導電膜840重疊的區域中的區域 828a；以及夾著區域828且包含雜質元素的區域828b、828c。此外，導電膜856、857與區域828b、828c接觸。區域828a被用作通道區。區域828b、828c的電阻率比區域828a低，所以可以說區域828b、828c是低電阻區。此外，區域828b、828c被用作源極區及汲極區。
或者，如圖37B所示的電晶體那樣，在氧化物半導體層828中，也可以不對與導電膜856、857接觸的區域828d、828e添加雜質元素。此時，在接觸於導電膜856、857的區域828d、828e與區域828a之間包括包含雜質元素的區域828b、828c。注意，由於區域828d、828e在導電膜856、857被施加電壓時具有導電性，因此區域828d、828e具有源極區及汲極區的功能。
注意，藉由在形成導電膜856、857之後以導電膜840及導電膜856、857為遮罩對氧化物半導體層添加雜質元素，可以形成圖37B所示的電晶體。
在導電膜840中，導電膜840的端部可以是錐形。也就是說，絕緣膜837接觸導電膜840的面與導電膜840的側面所形成的角度θ1也可以是小於90°，或是10°以上且85°以下，或是15°以上且85°以下，或是30°以上且85°以下，或是45°以上且85°以下，或是60°以上且85°以下。藉由使角度θ1為小於90°，或是10°以上且85°以下，或15°以上且85°以下，或35°以上且85°以下，或45°以上且85°以下，或60°以上且85°以下，能夠提高對絕緣膜837及導電膜840的側面的絕緣膜846的覆蓋性。
接著，說明區域828b、828c的變形例子。注意，圖37C至圖37F是圖37A所示的氧化物半導體層828附近的放大圖。在此，通道長度L是包含一對雜質元素的區域的間隔。
如圖37C所示，在通道長度方向的剖面形狀中，區域828a、區域828b、區域828c的邊界隔著絕緣膜837與導電膜840的端部一致或大致一致。也就是說，在頂面形狀中，區域828a、區域828b、區域828c的邊界與導電膜840的端部一致或大致一致。
或者，如圖37D所示，在通道長度方向的剖面形狀中，區域828a具有不與導電膜840的端部重疊的區域。該區域具有偏置區域的功能。以Loff表示通道長度方向的偏置區域的長度。注意，當有多個偏置區域時，將一個偏置區域的長度稱為Loff。Loff包括在通道長度中。此外，Loff小於通道長度L的20%、10%、5%或2%。
或者，如圖37E所示，在通道長度方向的剖面形狀中，區域828b、828c具有隔著絕緣膜837與導電膜840重疊的區域。該區域具有重疊區域的功能。以Lov表示通道長度方向的重疊區域的長度。Lov小於通道長度L的20%、10%、5%或2%。
或者，如圖37F所示，在通道長度方向的剖面形狀中，區域828a與區域828b之間包括區域828f，區域828a與區域828c之間包括區域828g。與區域828b、828c相比，區域828f、828g的雜質元素濃度低且電阻率 高。雖然在此區域828f、828g與絕緣膜837重疊，但是也可以與絕緣膜837及導電膜840重疊。
注意，雖然在圖37C至圖37F中說明了圖37A所示的電晶體，但是也可以對圖37B所示的電晶體適當地採用圖37C至圖37F的結構。
在圖38A所示的電晶體中，絕緣膜837的端部位於導電膜840的端部的外側。也就是說，絕緣膜837具有突出於導電膜840的形狀。由於可以使絕緣膜846距離區域828a較遠，因此可以抑制絕緣膜846所含的氮、氫等進入用作通道區的區域828a。
在圖38B所示的電晶體中，絕緣膜837及導電膜840為錐形，並且各錐部的角度不同。也就是說，角度θ1與角度θ2不同，其中角度θ1是由絕緣膜837接觸導電膜840的面與導電膜840的側面所形成的，角度θ2是由氧化物半導體層828接觸絕緣膜837的面與絕緣膜837的側面所形成的。角度θ2也可以是小於90°、或是30°以上且85°以下，或是45°以上且70°以下。例如，若角度θ2小於角度θ1，則使絕緣膜846的覆蓋性提高。此外，若角度θ2大於角度θ1，可以使絕緣膜846距離區域828a較遠，因此可以抑制絕緣膜846所含的氮、氫等進入用作通道區的區域828a。
接著，使用圖38C至圖38F說明區域828b、828c的變形例子。注意，圖38C至圖38F是圖38A所示的氧化物半導體層828附近的放大圖。
如圖38C所示，在通道長度方向的剖面形狀中，區域828a、區域828b、區域828c的邊界隔著絕緣膜837與導電膜840的端部一致或大致一致。也就是說，在頂面形狀中，區域828a、區域828b、區域828c的邊界與導電膜840的端部一致或大致一致。
或者，如圖38D所示，在通道長度方向的剖面形狀中，區域828a具有不與導電膜840重疊的區域。該區域具有偏置區域的功能。也就是說，在頂面形狀中，區域828b、828c的端部與絕緣膜837的端部一致或大致一致，而不與導電膜840的端部重疊。
或者，如圖38E所示，在通道長度方向的剖面形狀中，區域828b、828c具有隔著絕緣膜837與導電膜840重疊的區域。將該區域稱為重疊區域。也就是說，在頂面形狀中，區域828b、828c的端部與導電膜840重疊。
或者，如圖38F所示，在通道長度方向的剖面形狀中，區域828a與區域828b之間包括區域828f，區域828a與區域828c之間包括區域828g。與區域828b、828c相比，區域828f、828g的雜質元素濃度低且電阻率高。雖然在此區域828f、828g與絕緣膜837重疊，但是也可以與絕緣膜837及導電膜840重疊。
注意，雖然在圖38C至圖38F中說明了圖38A所示的電晶體，但是也可以對圖38B所示的電晶體適當地採用圖38C至圖38F的結構。
在圖39A所示的電晶體中，導電膜840為疊層結構，包括與絕緣膜837接觸的導電膜840a及與導電膜840a接觸的導電膜840b。此外，導電膜840a的端部位於導電膜840b的端部的外側。也就是說，絕緣膜840a具有突出於導電膜840b的形狀。
接著，說明區域828b、828c的變形例子。注意，圖39B至圖39E是圖39A所示的氧化物半導體層828附近的放大圖。
如圖39B所示，在通道長度方向的剖面形狀中，區域828a、區域828b、區域828c的邊界隔著絕緣膜837與導電膜840所包括的導電膜840a的端部一致或大致一致。也就是說，在頂面形狀中，區域828a、區域828b、區域828c的邊界與導電膜840的端部一致或大致一致。
或者，如圖39C所示，在通道長度方向的剖面形狀中，區域828a具有不與導電膜840重疊的區域。該區域具有偏置區域的功能。另外，也可以採用如下結構：在頂面形狀中，區域828b、828c的端部與絕緣膜837的端部一致或大致一致，而不與導電膜840的端部重疊。
或者，如圖39D所示，在通道長度方向的剖面形狀中，區域828b、828c具有與導電膜840(在此為導電膜840a)重疊的區域。將該區域稱為重疊區域。也就是說，在頂面形狀中，區域828b、828c的端部與導電 膜840a重疊。
或者，如圖39E所示，在通道長度方向的剖面形狀中，區域828a與區域828b之間包括區域828f，區域828a與區域828c之間包括區域828g。由於雜質元素穿過導電膜840被添加到區域828f、828g，因此與區域828b、828c相比，區域828f、828g的雜質元素濃度低且電阻率高。雖然在此區域828f、828g與導電膜840a重疊，但是也可以與導電膜840a及導電膜840b重疊。
注意，絕緣膜837的端部也可以位於導電膜840a的端部的外側。
或者，絕緣膜837的側面也可以彎曲。
或者，絕緣膜837也可以是錐形。也就是說，氧化物半導體層828接觸絕緣膜837的面與絕緣膜837的側面所形成的角度也可以是小於90°，較佳是30°以上且小於90°。
如圖39A至圖39E所示，氧化物半導體層828藉由具有與區域828b、828c相比雜質元素濃度低且電阻率高的區域828f、828g，能夠緩和汲極區的電場。因此，能夠降低起因於汲極區的電場的電晶體的臨界電壓的變動等劣化。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
301‧‧‧撓性基板
318a‧‧‧黏合層
320a‧‧‧有機樹脂層
320b‧‧‧有機樹脂層
321a‧‧‧絕緣膜
321b‧‧‧絕緣膜
410‧‧‧元件層
411‧‧‧元件層
432‧‧‧密封層
463‧‧‧基板

Claims (6)

  1. 一種加工裝置，係對具有：具有下面及上面的基板、設於前述基板的上面的有機樹脂層、設於前述有機樹脂層上的元件層之物照射光束的裝置，具有：輸出雷射光的雷射裝置；將前述雷射光拉伸的光學系統；反射前述被拉伸的雷射光的反射鏡；透鏡，被配置以將被前述反射鏡反射的前述雷射光聚集成具有使前述有機樹脂層脆弱化或使前述有機樹脂層與前述基板之間的緊密性降低的能量密度的線狀的前述光束，其中前述線狀的前述光束被配置以在通過被設置成平面狀的前述基板的下面與上面之後進入前述有機樹脂層。
  2. 一種加工裝置，係對具有：具有下面及上面的基板、設於前述基板的上面的有機樹脂層、設於前述有機樹脂層上的元件層之物照射光束的裝置，具有：具有複數雷射振盪器的雷射裝置；將從前述複數雷射振盪器分別輸出的雷射光合成，並將前述合成的雷射光拉伸的光學系統；反射前述被拉伸的雷射光的反射鏡；透鏡，被配置以將被前述反射鏡反射的前述雷射光聚集成具有使前述有機樹脂層脆弱化或使前述有機樹脂層與前述基板之間的緊密性降低的能量密度的線狀的前述光束，其中前述線狀的前述光束被配置以在通過被設置成平面狀的前述基板的下面與上面之後進入前述有機樹脂層。
  3. 一種加工裝置，係對具有：具有下面及上面的基板、設於前述基板的上面的有機樹脂層、設於前述有機樹脂層上的元件層之物照射光束的裝置，具有：複數雷射裝置；將從前述複數雷射裝置分別輸出的雷射光合成，並將前述合成的雷射光拉伸的光學系統；反射前述被拉伸的雷射光的反射鏡；透鏡，被配置以將被前述反射鏡反射的前述雷射光聚集成具有使前述有機樹脂層脆弱化或使前述有機樹脂層與前述基板之間的緊密性降低的能量密度的線狀的前述光束，其中前述線狀的前述光束被配置以在通過被設置成平面狀的前述基板的下面與上面之後進入前述有機樹脂層。
  4. 如請求項1、請求項2、及請求項3中之任一項的加工裝置，其中，前述雷射光的波長為308nm以上。
  5. 如請求項1、請求項2、及請求項3中之任一項的加工裝置，其中，前述有機樹脂層具有：環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、或聚醯胺醯亞胺樹脂。
  6. 如請求項1、請求項2、及請求項3中之任一項的加工裝置，其中，前述基板為玻璃基板。
TW107144202A 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法 TWI702578B (zh)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-249631 2013-12-02
JP2013249631 2013-12-02
JP2013256872 2013-12-12
JP2013-256872 2013-12-12
JP2013272176 2013-12-27
JP2013-272176 2013-12-27
JP2014047348 2014-03-11
JP2014-047348 2014-03-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201919913A TW201919913A (zh) 2019-06-01
TWI702578B true TWI702578B (zh) 2020-08-21

Family

ID=53266052

Family Applications (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107107114A TWI665814B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 可攜式資訊終端
TW107107110A TWI656674B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法
TW109114597A TWI772786B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法
TW103141392A TWI668894B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法
TW112134117A TW202403697A (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法
TW111124127A TWI820771B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法
TW107144202A TWI702578B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法
TW105115527A TWI618275B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 用於從基板剝離有機樹脂層的處理裝置
TW105115526A TWI589047B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法
TW107144201A TWI741238B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法

Family Applications Before (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107107114A TWI665814B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 可攜式資訊終端
TW107107110A TWI656674B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法
TW109114597A TWI772786B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法
TW103141392A TWI668894B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法
TW112134117A TW202403697A (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法
TW111124127A TWI820771B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105115527A TWI618275B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 用於從基板剝離有機樹脂層的處理裝置
TW105115526A TWI589047B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法
TW107144201A TWI741238B (zh) 2013-12-02 2014-11-28 顯示裝置及其製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (12) US9437831B2 (zh)
JP (25) JP6478596B2 (zh)
KR (14) KR102361966B1 (zh)
CN (9) CN110010625A (zh)
DE (2) DE112014007325B3 (zh)
TW (10) TWI665814B (zh)
WO (1) WO2015083029A1 (zh)

Families Citing this family (117)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8610155B2 (en) * 2008-11-18 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone
CN103337222B (zh) * 2013-07-01 2015-07-08 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示装置
US9269914B2 (en) * 2013-08-01 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
US9882014B2 (en) 2013-11-29 2018-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
DE112014005486B4 (de) * 2013-12-02 2024-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
KR102361966B1 (ko) 2013-12-02 2022-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법
JP2016027597A (ja) * 2013-12-06 2016-02-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI666770B (zh) 2013-12-19 2019-07-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US9397149B2 (en) * 2013-12-27 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6488124B2 (ja) 2013-12-27 2019-03-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6294670B2 (ja) * 2014-01-07 2018-03-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
US9676175B2 (en) 2014-06-20 2017-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus
CN107111972B (zh) * 2014-10-28 2020-04-28 株式会社半导体能源研究所 功能面板、功能面板的制造方法、模块、数据处理装置
CN105988609B (zh) 2015-01-28 2019-06-04 中强光电股份有限公司 触控式投影幕及其制造方法
TWI553536B (zh) * 2015-03-13 2016-10-11 中強光電股份有限公司 觸控式投影幕及觸控式投影系統
CN112267091B (zh) * 2015-07-03 2023-02-17 大日本印刷株式会社 制造蒸镀掩模、有机半导体元件和有机el显示器的方法、蒸镀掩模准备体、及蒸镀掩模
CN107852789A (zh) * 2015-07-23 2018-03-27 夏普株式会社 电致发光装置
WO2017017553A1 (en) 2015-07-30 2017-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of light-emitting device, light-emitting device, module, and electronic device
KR102639302B1 (ko) * 2015-10-15 2024-02-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 표시 패널의 제조 방법
KR102391478B1 (ko) * 2015-11-17 2022-04-28 삼성디스플레이 주식회사 화소, 화소를 포함하는 디스플레이 패널 및 디스플레이 패널의 제작 방법
KR102402837B1 (ko) * 2015-12-07 2022-05-27 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
KR102419688B1 (ko) * 2015-12-11 2022-07-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102474203B1 (ko) * 2015-12-22 2022-12-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치
WO2017115225A2 (en) 2015-12-28 2017-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible device, display device, and manufacturing methods thereof
CN105633281B (zh) * 2016-01-06 2018-07-17 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其封装方法、显示装置
CN105655389B (zh) * 2016-01-15 2018-05-11 京东方科技集团股份有限公司 有源层、薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制备方法
US10263114B2 (en) * 2016-03-04 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
US10586817B2 (en) 2016-03-24 2020-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus
KR102340066B1 (ko) 2016-04-07 2021-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법
JP6863803B2 (ja) 2016-04-07 2021-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102388701B1 (ko) * 2016-04-12 2022-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법
US10003023B2 (en) 2016-04-15 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2017207744A (ja) 2016-05-11 2017-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、モジュール、及び電子機器
US10804407B2 (en) 2016-05-12 2020-10-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus and stack processing apparatus
US10522574B2 (en) 2016-05-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device and manufacturing method of electronic device
KR102378976B1 (ko) 2016-05-18 2022-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 모듈, 및 전자 기기
US10692946B2 (en) * 2016-05-18 2020-06-23 Joled Inc. Organic EL display panel and method for producing same
TWI727041B (zh) * 2016-05-20 2021-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
JP6670683B2 (ja) * 2016-06-07 2020-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎラミナテック キャリア基板と樹脂層からなるワークの分離方法および分離装置
KR102570314B1 (ko) * 2016-06-08 2023-08-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102527763B1 (ko) * 2016-07-06 2023-05-02 삼성디스플레이 주식회사 롤러블 디스플레이 장치 및 롤러블 장치
KR20230106750A (ko) 2016-07-29 2023-07-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
TWI753868B (zh) 2016-08-05 2022-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 剝離方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TWI730017B (zh) 2016-08-09 2021-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置
TW201808628A (zh) 2016-08-09 2018-03-16 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
US10923350B2 (en) 2016-08-31 2021-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
WO2018042284A1 (en) 2016-08-31 2018-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP6900160B2 (ja) * 2016-08-31 2021-07-07 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル表示装置
US10528198B2 (en) 2016-09-16 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, data processing device, and method for manufacturing the display panel
JP6477910B2 (ja) * 2016-09-16 2019-03-06 凸版印刷株式会社 表示装置及び表示装置基板
KR102190184B1 (ko) * 2016-09-16 2020-12-11 도판 인사츠 가부시키가이샤 표시 장치 및 표시 장치 기판
TWI715631B (zh) * 2016-09-20 2021-01-11 日商凸版印刷股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置基板
US10369664B2 (en) 2016-09-23 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US20180090720A1 (en) * 2016-09-27 2018-03-29 Universal Display Corporation Flexible OLED Display Module
KR20230107411A (ko) * 2016-10-07 2023-07-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유리 기판의 세정 방법, 반도체 장치의 제작 방법,및 유리 기판
TWI744383B (zh) * 2016-10-19 2021-11-01 日商索尼股份有限公司 液晶顯示裝置及投射型顯示裝置
KR102446583B1 (ko) * 2016-11-03 2022-09-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레이저 가공 장치, 적층체의 가공 장치, 및 레이저 가공 방법
CN109891551B (zh) * 2016-11-03 2023-12-01 株式会社半导体能源研究所 半导体装置的制造方法
KR102601500B1 (ko) * 2016-11-11 2023-11-15 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이를 포함하는 전자장치
JP7089478B2 (ja) * 2016-11-23 2022-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
WO2018122665A1 (en) * 2016-12-27 2018-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, and data processing device
US10170600B2 (en) 2017-01-12 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
DE102017000703A1 (de) 2017-01-26 2018-07-26 Bally Wulff Games & Entertainment Gmbh Rotierende symboltragende Anzeigemittel für Spielautomaten und Verfahren zur Steuerung der Anzeige
JP6995333B2 (ja) * 2017-02-04 2022-01-14 パイクリスタル株式会社 アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板の製造方法
WO2018154721A1 (ja) * 2017-02-24 2018-08-30 シャープ株式会社 Ｏｌｅｄパネルの製造方法、ｏｌｅｄパネル、ｏｌｅｄパネルの製造装置
KR20180100013A (ko) * 2017-02-28 2018-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
TWI778959B (zh) * 2017-03-03 2022-10-01 日商半導體能源硏究所股份有限公司 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP2018180254A (ja) * 2017-04-12 2018-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6904769B2 (ja) * 2017-04-20 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102480458B1 (ko) * 2017-06-05 2022-12-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107403732B (zh) * 2017-06-21 2019-10-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的方法
CN107170374A (zh) * 2017-06-29 2017-09-15 武汉天马微电子有限公司 柔性显示面板及柔性显示装置
US20200219423A1 (en) * 2017-09-27 2020-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha Flexible display device and method of manufacturing flexible display device
WO2019064532A1 (ja) * 2017-09-29 2019-04-04 シャープ株式会社 表示素子の製造方法
GB201717566D0 (en) * 2017-10-25 2017-12-06 Bodle Tech Ltd Display apparatus
WO2019082358A1 (ja) * 2017-10-26 2019-05-02 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルｏｌｅｄデバイスの製造方法および製造装置
TWI662347B (zh) * 2017-12-14 2019-06-11 友達光電股份有限公司 畫素結構
CN107831612B (zh) * 2017-12-15 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置以及显示方法
US11322442B2 (en) * 2018-01-05 2022-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor with oxide semiconductor and method for manufacturing the semiconductor device
JP7170671B2 (ja) * 2018-01-24 2022-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP6588186B1 (ja) * 2018-02-27 2019-10-09 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルｏｌｅｄデバイスの製造方法及び支持基板
US11527657B2 (en) 2018-02-28 2022-12-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN115616803A (zh) * 2018-03-14 2023-01-17 群创光电股份有限公司 电子装置
US11088122B2 (en) 2018-05-09 2021-08-10 Sakai Display Products Corporation Method and device for manufacturing flexible light emission device
JP6674592B1 (ja) * 2018-05-09 2020-04-01 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置
JP6664037B1 (ja) * 2018-05-09 2020-03-13 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置
CN108511635B (zh) * 2018-06-07 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板的制备方法
CN110890386B (zh) * 2018-09-11 2023-08-25 夏普株式会社 薄膜晶体管基板、液晶显示装置及有机电致发光显示装置
KR102573780B1 (ko) * 2018-09-28 2023-08-31 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
JP7132076B2 (ja) * 2018-10-11 2022-09-06 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｃｔ装置
KR102178626B1 (ko) * 2018-10-30 2020-11-16 에이피시스템 주식회사 적층구조물 박리 방법, 유기발광소자 수리 방법 및 적층구조물 박리장치
TWI722331B (zh) * 2018-11-12 2021-03-21 友達光電股份有限公司 半導體疊層結構及其製造方法
JP2020087961A (ja) * 2018-11-15 2020-06-04 株式会社アルバック 積層構造体及び積層構造体の製造方法
KR102680693B1 (ko) * 2018-12-18 2024-07-01 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102708746B1 (ko) 2018-12-19 2024-09-20 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치
JP2020150027A (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 キオクシア株式会社 基板の分離方法、半導体記憶装置の製造方法、および基板分離装置
US20220220345A1 (en) * 2019-03-18 2022-07-14 Modu Tech Co., Ltd. Adhesive tape for semiconductor package manufacturing process, and method for manufacturing same
CN110065267B (zh) * 2019-04-26 2021-03-26 京东方科技集团股份有限公司 可形变材料、形变结构、Micro-LED显示装置、应变传感器
CN110098329B (zh) * 2019-05-06 2021-01-29 上海交通大学 有机薄膜晶体管及其制备方法
JP7553179B2 (ja) 2019-06-24 2024-09-18 日本製鉄株式会社 塊鉱石の前処理方法及び高炉の操業方法
WO2021006185A1 (ja) * 2019-07-05 2021-01-14 昭和電工マテリアルズ株式会社 電子部品用キャリアフィルム及びキャリアフィルムの製造方法
KR102166162B1 (ko) * 2019-08-21 2020-10-15 씨제이첨단소재 주식회사 방열성능과 절연기능을 가진 층을 포함하는 무선 전력 전송장치
EP3785897B1 (en) 2019-08-29 2021-12-29 SHPP Global Technologies B.V. Transparent, flexible, impact resistant, multilayer film comprising polycarbonate copolymers
CA3148490C (en) 2019-08-30 2024-04-30 Jae Won Lee Imidazopyridine derivative and pharmaceutical composition comprising same as active ingredient
CN112447924B (zh) * 2019-08-30 2024-03-08 上海和辉光电股份有限公司 显示面板、制备方法及包括其的显示装置
JP7096805B2 (ja) * 2019-11-12 2022-07-06 キヤノン株式会社 印刷装置とその制御方法、及びプログラム
JP7398934B2 (ja) 2019-11-22 2023-12-15 エルジー・ケム・リミテッド 表示装置用支持基板、有機ｅｌ表示装置、および有機ｅｌ表示装置の製造方法
TWI715447B (zh) * 2020-02-21 2021-01-01 友達光電股份有限公司 背板的製造方法
KR20210129788A (ko) * 2020-04-20 2021-10-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN111687591B (zh) * 2020-05-20 2021-12-31 西安理工大学 一种具有减摩和提高油膜承载力的表面织构及其制作方法
CN111768700B (zh) 2020-06-22 2021-10-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
TWI757904B (zh) * 2020-10-06 2022-03-11 友達光電股份有限公司 電子裝置
CN112198693B (zh) * 2020-10-23 2021-07-23 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板和母板
CN115206994A (zh) 2021-04-09 2022-10-18 株式会社日本显示器 显示装置
CN113770512B (zh) * 2021-08-02 2022-05-17 北京工业大学 一种柔性氮化镓光电探测器激光快速制备方法
CN115881788A (zh) * 2021-09-26 2023-03-31 群创光电股份有限公司 电子装置及其制造方法
TWI846215B (zh) * 2022-12-16 2024-06-21 財團法人工業技術研究院 顯示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003168820A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Sony Corp 剥離方法、レーザー光の照射方法及びこれらを用いた素子の製造方法
TW200603440A (en) * 2004-04-28 2006-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Laser irradiation method and method for manufacturing semiconductor device using the same
US20110177633A1 (en) * 2010-01-21 2011-07-21 Stanley Electric Co. Method for manufacturing semiconductor light-emitting device
JP2011248072A (ja) * 2010-05-26 2011-12-08 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置の製造方法

Family Cites Families (298)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
US5577360A (en) 1993-01-15 1996-11-26 Gibbs; Alden T. Slate mounting system
CA2138218C (en) 1993-12-16 2000-10-10 Shinji Tanaka Process for delaminating organic resin from board and process for manufacturing organic resin multi-layer wiring board
JPH07202427A (ja) 1993-12-29 1995-08-04 Nec Corp 有機樹脂多層配線層の製造方法
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JPH11505377A (ja) 1995-08-03 1999-05-18 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体装置
TWI228625B (en) 1995-11-17 2005-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
TW309633B (zh) 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JPH09273615A (ja) 1996-04-01 1997-10-21 Naotake Mori 差動型摩擦駆動源装置
EP0818882A3 (en) 1996-07-10 1999-12-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Energy trapping piezoelectric device and producing method thereof
TW360901B (en) 1996-08-27 1999-06-11 Seiko Epson Corp Method of peeling thin-film device, method of transferring thin-film device, thin-film device thereby, thin-film IC circuit device, and liquid crystal display device
JP4619461B2 (ja) * 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの転写方法、及びデバイスの製造方法
JP3809681B2 (ja) * 1996-08-27 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 剥離方法
EP1758169A3 (en) 1996-08-27 2007-05-23 Seiko Epson Corporation Exfoliating method, transferring method of thin film device, and thin film device, thin film integrated circuit device, and liquid crystal display device produced by the same
JP3809710B2 (ja) 1997-07-03 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜素子の転写方法
JP3809712B2 (ja) 1996-08-27 2006-08-16 セイコーエプソン株式会社 薄膜デバイスの転写方法
JP4619462B2 (ja) * 1996-08-27 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 薄膜素子の転写方法
CN100521160C (zh) 1996-08-27 2009-07-29 精工爱普生株式会社 转移方法和有源矩阵基板的制造方法
US6127199A (en) 1996-11-12 2000-10-03 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JPH1126733A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
JPH11243209A (ja) * 1998-02-25 1999-09-07 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
JPH11329231A (ja) 1998-05-08 1999-11-30 Sony Corp フィルム貼付装置
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
EP0984492A3 (en) * 1998-08-31 2000-05-17 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising organic resin and process for producing semiconductor device
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
JP2000196243A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Fujitsu Ltd フレキシブル多層回路基板の製造方法
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
TW468283B (en) 1999-10-12 2001-12-11 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
TW494447B (en) 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2001351932A (ja) 2000-06-06 2001-12-21 Nec Corp レーザ加工用樹脂構造およびその加工方法
JP4869471B2 (ja) 2000-07-17 2012-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2002041220A (ja) * 2000-07-31 2002-02-08 Seiko Instruments Inc 情報処理装置
JP4583568B2 (ja) * 2000-09-19 2010-11-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6956324B2 (en) 2000-08-04 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US6825820B2 (en) 2000-08-10 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
US6955956B2 (en) 2000-12-26 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP4837170B2 (ja) 2001-01-12 2011-12-14 株式会社Ｉｈｉ レーザアニール方法及び装置
JP2002217391A (ja) * 2001-01-23 2002-08-02 Seiko Epson Corp 積層体の製造方法及び半導体装置
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4230160B2 (ja) * 2001-03-29 2009-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6855584B2 (en) 2001-03-29 2005-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
JP4408011B2 (ja) * 2001-06-15 2010-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置およびレーザ照射方法、並びに半導体装置の作製方法
TW558861B (en) 2001-06-15 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation stage, laser irradiation optical system, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
JP2003086356A (ja) * 2001-09-06 2003-03-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
CN100539046C (zh) * 2001-07-16 2009-09-09 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及剥离方法以及半导体器件的制造方法
US8415208B2 (en) * 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
KR100975802B1 (ko) * 2001-07-16 2010-08-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 형성하는 방법
JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2003109773A (ja) 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
TW554398B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
JP5078205B2 (ja) 2001-08-10 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置
US7351300B2 (en) * 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
JP5127103B2 (ja) 2001-09-10 2013-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP4397571B2 (ja) 2001-09-25 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
JP4145114B2 (ja) 2001-10-09 2008-09-03 松下電器産業株式会社 フィルム剥離方法、フィルム剥離装置および表示装置パネルの製造方法
MY126260A (en) 2001-10-09 2006-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method and apparatus for removing film and method for manufacturing display panel
JP2003128490A (ja) 2001-10-23 2003-05-08 Sony Corp 薄膜剥離装置
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
US7050835B2 (en) 2001-12-12 2006-05-23 Universal Display Corporation Intelligent multi-media display communication system
JP4563031B2 (ja) 2001-12-12 2010-10-13 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション 情報処理機能を持つマルチメディア・ディスプレイ通信システム
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
DE10212639A1 (de) 2002-03-21 2003-10-16 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrukturierung von Funktionspolymeren und Verwendungen
JP2003280548A (ja) * 2002-03-25 2003-10-02 Toshiba Corp フレキシブル表示パネル
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4411575B2 (ja) 2002-04-25 2010-02-10 セイコーエプソン株式会社 電子装置の製造装置
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
JP3918708B2 (ja) 2002-10-08 2007-05-23 セイコーエプソン株式会社 回路基板及びその製造方法、転写チップ、転写元基板、電気光学装置、電子機器
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
US7436050B2 (en) * 2003-01-22 2008-10-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a flexible printed circuit
JP4151421B2 (ja) 2003-01-23 2008-09-17 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP2004317908A (ja) * 2003-04-18 2004-11-11 Sony Corp 携帯式情報表示装置
JP2004349541A (ja) 2003-05-23 2004-12-09 Seiko Epson Corp 剥離方法、薄膜装置の製造方法、電気光学装置、電子機器
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
JP4934942B2 (ja) 2003-07-23 2012-05-23 ソニー株式会社 剥離方法
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
JP2005183615A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Ricoh Co Ltd 薄膜デバイス装置の製造方法及び薄膜デバイス装置
EP1547719A3 (en) 2003-12-26 2009-01-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing crystalline semiconductor film
JP2005210103A (ja) 2003-12-26 2005-08-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射装置、レーザ照射方法及び結晶質半導体膜の作製方法
CN102354658B (zh) 2004-03-12 2015-04-01 独立行政法人科学技术振兴机构 薄膜晶体管的制造方法
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
JP2005276996A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Hitachi Ltd 平面表示装置の製造方法
US7202141B2 (en) 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
JP2005294493A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Toshiba Corp レーザプロセスおよびレーザアニール装置
JP2005309179A (ja) 2004-04-23 2005-11-04 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器
KR20070020283A (ko) * 2004-05-31 2007-02-20 후지필름 가부시키가이샤 패턴형성방법, 컬러필터의 제조방법, 컬러필터 및액정표시장치
KR101226260B1 (ko) 2004-06-02 2013-01-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 제조방법
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
US7744770B2 (en) * 2004-06-23 2010-06-29 Sony Corporation Device transfer method
US7591863B2 (en) 2004-07-16 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laminating system, IC sheet, roll of IC sheet, and method for manufacturing IC chip
CN100530575C (zh) 2004-07-30 2009-08-19 株式会社半导体能源研究所 层压系统、ic薄片、ic薄片卷、以及ic芯片的制造方法
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US8058146B2 (en) 2004-09-24 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method
US20070063226A1 (en) 2004-10-29 2007-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and laser irradiation method
JP5116232B2 (ja) 2004-10-29 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置およびレーザ照射方法
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
EP1810335B1 (en) 2004-11-10 2020-05-27 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
RU2358355C2 (ru) 2004-11-10 2009-06-10 Кэнон Кабусики Кайся Полевой транзистор
EP1812969B1 (en) 2004-11-10 2015-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor comprising an amorphous oxide
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
JP5126729B2 (ja) 2004-11-10 2013-01-23 キヤノン株式会社 画像表示装置
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
TWI505473B (zh) 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
JP4650066B2 (ja) 2005-04-01 2011-03-16 セイコーエプソン株式会社 転写用基板、可撓性配線基板の製造方法および電子機器の製造方法
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007030435A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Optrex Corp フィルムの貼付方法およびその装置
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
EP1760776B1 (en) 2005-08-31 2019-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP2007110064A (ja) 2005-09-14 2007-04-26 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザアニール方法及び装置
EP1998374A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
KR101299604B1 (ko) 2005-10-18 2013-08-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
KR101319468B1 (ko) 2005-12-02 2013-10-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치의 제조방법
JP4877916B2 (ja) 2005-12-28 2012-02-15 共同印刷株式会社 表示装置用素子基板とその製造方法及び液晶表示装置
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
JP5288581B2 (ja) 2006-03-03 2013-09-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8222116B2 (en) 2006-03-03 2012-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5276792B2 (ja) * 2006-03-03 2013-08-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5222479B2 (ja) 2006-03-03 2013-06-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8173519B2 (en) 2006-03-03 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP4698460B2 (ja) 2006-03-27 2011-06-08 オムロンレーザーフロント株式会社 レーザアニーリング装置
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ＺｎＯ ＴＦＴ
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
US8900970B2 (en) 2006-04-28 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a flexible substrate
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
TWI424499B (zh) 2006-06-30 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 製造半導體裝置的方法
JP5264016B2 (ja) * 2006-06-30 2013-08-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4977411B2 (ja) * 2006-07-06 2012-07-18 株式会社ディスコ レーザー加工装置
EP2052413A2 (en) 2006-08-08 2009-04-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated device
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP2008072087A (ja) * 2006-08-16 2008-03-27 Kyoto Univ 半導体装置および半導体装置の製造方法、ならびに表示装置
JP5110830B2 (ja) * 2006-08-31 2012-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI479660B (zh) 2006-08-31 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 薄膜電晶體，其製造方法，及半導體裝置
JP5227552B2 (ja) 2006-08-31 2013-07-03 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに半導体装置
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
WO2008035421A1 (fr) 2006-09-21 2008-03-27 Fujitsu Limited Panneau d'affichage à cristaux liquides et procédé de production de ce panneau
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4402144B2 (ja) * 2006-09-29 2010-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI450387B (zh) * 2006-09-29 2014-08-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置的製造方法
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US20100196683A1 (en) 2006-10-27 2010-08-05 Konnklijke Philips Electronics N.V. Electronic device having a plastic substrate
CN101548584A (zh) 2006-10-27 2009-09-30 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于控制设备操作的方法和电路
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2008145173A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Seiko Epson Corp 表示装置
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
JP4776556B2 (ja) 2007-01-26 2011-09-21 株式会社アルバック 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ素子の製造方法
EP1970951A3 (en) 2007-03-13 2009-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
JP5150138B2 (ja) 2007-05-23 2013-02-20 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置の製造方法
JP2008294379A (ja) 2007-05-28 2008-12-04 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体素子の製造方法
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR101563237B1 (ko) 2007-06-01 2015-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 제조장치 및 발광장치 제작방법
JP5408848B2 (ja) 2007-07-11 2014-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置の製造方法
JP2009043962A (ja) 2007-08-09 2009-02-26 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US7968388B2 (en) 2007-08-31 2011-06-28 Seiko Epson Corporation Thin-film device, method for manufacturing thin-film device, and display
CN101803008B (zh) 2007-09-07 2012-11-28 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
US7687810B2 (en) * 2007-10-22 2010-03-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Robust LED structure for substrate lift-off
US8163628B2 (en) 2007-11-01 2012-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor substrate
JP5215158B2 (ja) * 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP2009186916A (ja) 2008-02-08 2009-08-20 Asahi Glass Co Ltd 表示装置用パネルの製造方法
WO2009104371A1 (ja) 2008-02-20 2009-08-27 シャープ株式会社 フレキシブル半導体基板の製造方法
JP2009231674A (ja) 2008-03-25 2009-10-08 Victor Co Of Japan Ltd 有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、及び有機薄膜トランジスタを備えた表示装置
JP2009252796A (ja) 2008-04-01 2009-10-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR101458901B1 (ko) * 2008-04-29 2014-11-10 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치의 제조 방법
JP5368013B2 (ja) 2008-06-24 2013-12-18 共同印刷株式会社 フレキシブル有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP2010034217A (ja) 2008-07-28 2010-02-12 Hitachi Ltd 有機薄膜トランジスタの製造方法
JP5214360B2 (ja) 2008-07-29 2013-06-19 シャープ株式会社 色変換方式有機ｅｌディスプレイ
JP5216716B2 (ja) 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
WO2010030013A1 (ja) 2008-09-12 2010-03-18 旭化成イーマテリアルズ株式会社 樹脂凸版印刷版の製造方法、樹脂凸版印刷版、及び樹脂凸版印刷版の製造装置
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2010072529A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
EP2178133B1 (en) 2008-10-16 2019-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible Light-Emitting Device, Electronic Device, and Method for Manufacturing Flexible-Light Emitting Device
JP2010105012A (ja) 2008-10-29 2010-05-13 Sharp Corp レーザ加工装置
JP2010129403A (ja) 2008-11-28 2010-06-10 Sony Corp 透明電極基板の製造方法および透明電極基板、並びに光電変換装置の製造方法および光電変換装置
KR101010023B1 (ko) 2008-12-15 2011-01-21 포항공과대학교 산학협력단 레이저 빔을 이용한 플렉서블 소자의 제조 방법
WO2010070759A1 (ja) 2008-12-18 2010-06-24 株式会社島津製作所 光マトリックスデバイスの製造方法
TWI654689B (zh) 2008-12-26 2019-03-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2010160906A (ja) 2009-01-06 2010-07-22 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、および電子機器
JPWO2010079640A1 (ja) * 2009-01-07 2012-06-21 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法
JP5326098B2 (ja) 2009-02-05 2013-10-30 シャープ株式会社 基板表面の封止装置と有機ｅｌパネルの製造方法
JP2010202729A (ja) * 2009-03-02 2010-09-16 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd フレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物及びそれを用いたフレキシブルデバイスの製造方法、フレキシブルデバイス
JP4623685B2 (ja) 2009-03-26 2011-02-02 次世代モバイル用表示材料技術研究組合 表示装置の製造方法
KR102575653B1 (ko) 2009-05-02 2023-09-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN102422338B (zh) 2009-05-02 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 显示设备
CN101937157A (zh) * 2009-07-01 2011-01-05 元太科技工业股份有限公司 可挠式显示装置的制造方法
US9136286B2 (en) * 2009-08-07 2015-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel and electronic book
KR102480780B1 (ko) 2009-09-16 2022-12-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101065318B1 (ko) * 2009-12-03 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
WO2011071889A1 (en) 2009-12-07 2011-06-16 J.P. Sercel Associates, Inc. Laser lift off systems and methods
US9669613B2 (en) 2010-12-07 2017-06-06 Ipg Photonics Corporation Laser lift off systems and methods that overlap irradiation zones to provide multiple pulses of laser irradiation per location at an interface between layers to be separated
KR101108161B1 (ko) 2009-12-24 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
TWI589042B (zh) * 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置，撓性發光裝置，電子裝置，照明設備，以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
KR101399609B1 (ko) 2010-02-05 2014-05-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101097344B1 (ko) 2010-03-09 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
JP5645185B2 (ja) 2010-03-19 2014-12-24 国立大学法人山形大学 多方向駆動装置
US8014427B1 (en) 2010-05-11 2011-09-06 Ultratech, Inc. Line imaging systems and methods for laser annealing
EP2571043A1 (en) 2010-05-14 2013-03-20 Panasonic Corporation Flexible semiconductor device, manufacturing method for same, and image display device
JP5742119B2 (ja) 2010-06-15 2015-07-01 株式会社Ihi 磁性半導体用基板、磁性半導体用基板の製造方法及び磁性半導体用基板の製造装置
JP2012015150A (ja) 2010-06-29 2012-01-19 Ushio Inc レーザリフトオフ方法及びレーザリフトオフ装置
JP5689258B2 (ja) 2010-07-22 2015-03-25 共同印刷株式会社 フレキシブルｔｆｔ基板の製造方法
KR101793047B1 (ko) 2010-08-03 2017-11-03 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법
US8852048B2 (en) 2010-08-19 2014-10-07 Ben Shelef Planetary harmonic differential transmission
JP5472035B2 (ja) 2010-10-22 2014-04-16 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置および電子機器
KR20120048240A (ko) 2010-11-05 2012-05-15 삼성모바일디스플레이주식회사 연속측면고상화(Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ:ＳＬＳ)를 이용한 결정화 장치, 결정화 방법 및 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US9844858B2 (en) 2010-11-22 2017-12-19 Denka Company Limited Flat-plate bonding jig and method of manufacturing flat-plate laminated body
JP2012138547A (ja) * 2010-12-28 2012-07-19 Fujifilm Corp フレキシブル電子デバイスの製造方法および樹脂層付積層基板、ならびにフレキシブル電子デバイス製造部材
JP2012159695A (ja) 2011-02-01 2012-08-23 Technology Research Association For Advanced Display Materials 光学素子及び光学素子の製造方法
WO2012108142A1 (ja) * 2011-02-07 2012-08-16 シャープ株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
TWI432838B (zh) * 2011-02-25 2014-04-01 Innolux Corp 顯示器及其製造方法
KR102109009B1 (ko) 2011-02-25 2020-05-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
JP5355618B2 (ja) 2011-03-10 2013-11-27 三星ディスプレイ株式會社 可撓性表示装置及びこの製造方法
JP5007849B1 (ja) 2011-03-25 2012-08-22 住友電気工業株式会社 レドックスフロー電池、及びその運転方法
TW201242135A (en) * 2011-04-06 2012-10-16 Univ Yuan Ze Flexible substrate of organic electroluminescent display and preparation method of flexible high contrast, true color organic electroluminescent display
WO2012141117A1 (ja) 2011-04-15 2012-10-18 シャープ株式会社 液晶モジュールおよび表示装置
KR102040242B1 (ko) * 2011-05-12 2019-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기
JP5148730B2 (ja) 2011-05-18 2013-02-20 昭和オプトロニクス株式会社 ファイバ転送レーザ光学系
KR101852190B1 (ko) * 2011-06-28 2018-04-25 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조방법
JP2013013204A (ja) 2011-06-28 2013-01-17 Toshiba Corp 無線電力伝送システム、送電装置及び受電装置
JP2013038229A (ja) 2011-08-08 2013-02-21 Seiko Epson Corp 電気装置の製造方法、半導体基板の製造方法、電気装置用形成基板、及び電子機器
WO2013035298A1 (ja) * 2011-09-08 2013-03-14 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
JP5887790B2 (ja) 2011-09-21 2016-03-16 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP2013077521A (ja) 2011-09-30 2013-04-25 Dainippon Printing Co Ltd 電磁波剥離性フレキシブルデバイス用基板およびそれを用いた電子素子の製造方法
CN103875309A (zh) 2011-10-12 2014-06-18 旭硝子株式会社 带密合性树脂层的电子器件的制造方法
JP5907722B2 (ja) * 2011-12-23 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
KR101391774B1 (ko) 2012-03-13 2014-05-07 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조방법
JP2015111603A (ja) * 2012-03-22 2015-06-18 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び表示装置
KR101872963B1 (ko) * 2012-04-17 2018-06-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치의 제조방법
KR102079188B1 (ko) 2012-05-09 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
JP5594323B2 (ja) 2012-06-14 2014-09-24 日本電気株式会社 アンダーフィル樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置
US9871228B2 (en) 2012-11-30 2018-01-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device comprising flexible substrate and method for preparing thereof
WO2014129519A1 (en) 2013-02-20 2014-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus
KR101802558B1 (ko) 2013-04-09 2017-11-29 주식회사 엘지화학 디스플레이 소자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 디스플레이 소자
KR102104608B1 (ko) 2013-05-16 2020-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP5764616B2 (ja) 2013-06-10 2015-08-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5964807B2 (ja) 2013-08-30 2016-08-03 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド フレキシブル有機電界発光装置及びその製造方法
US20150151514A1 (en) 2013-11-29 2015-06-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Laminated Structure, Method of Preparing Same, and Method of Fabricating Electronic Device Using Laminated Structure
KR102361966B1 (ko) 2013-12-02 2022-02-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003168820A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Sony Corp 剥離方法、レーザー光の照射方法及びこれらを用いた素子の製造方法
TW200603440A (en) * 2004-04-28 2006-01-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Laser irradiation method and method for manufacturing semiconductor device using the same
US20110177633A1 (en) * 2010-01-21 2011-07-21 Stanley Electric Co. Method for manufacturing semiconductor light-emitting device
JP2011248072A (ja) * 2010-05-26 2011-12-08 Hitachi Displays Ltd 画像表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6220026B2 (ja) 2017-10-25
KR102516162B1 (ko) 2023-03-29
TWI656674B (zh) 2019-04-11
CN106597697A (zh) 2017-04-26
KR20230044564A (ko) 2023-04-04
CN106663391A (zh) 2017-05-10
CN106653685A (zh) 2017-05-10
JP2020144385A (ja) 2020-09-10
TWI668894B (zh) 2019-08-11
CN110010625A (zh) 2019-07-12
KR101860466B1 (ko) 2018-05-23
JP2018107133A (ja) 2018-07-05
KR20210134425A (ko) 2021-11-09
JP6478596B2 (ja) 2019-03-06
JP2019071277A (ja) 2019-05-09
JP2022023055A (ja) 2022-02-07
WO2015083029A1 (en) 2015-06-11
CN106653685B (zh) 2020-06-09
US9559317B2 (en) 2017-01-31
KR20160107360A (ko) 2016-09-13
KR20240068746A (ko) 2024-05-17
US20190096977A1 (en) 2019-03-28
JP2019061962A (ja) 2019-04-18
US20230263018A1 (en) 2023-08-17
JP2019061961A (ja) 2019-04-18
US11672148B2 (en) 2023-06-06
KR20180132181A (ko) 2018-12-11
JP6812588B2 (ja) 2021-01-13
US20170133450A1 (en) 2017-05-11
US10879331B2 (en) 2020-12-29
TW201631816A (zh) 2016-09-01
JP2020144386A (ja) 2020-09-10
CN117881215A (zh) 2024-04-12
KR101881905B1 (ko) 2018-07-26
KR102663193B1 (ko) 2024-05-03
US20160247868A1 (en) 2016-08-25
US10854697B2 (en) 2020-12-01
TWI772786B (zh) 2022-08-01
JP2017040922A (ja) 2017-02-23
KR20220151033A (ko) 2022-11-11
DE112014007325B3 (de) 2021-04-29
JP2016186634A (ja) 2016-10-27
JP2017040924A (ja) 2017-02-23
KR102321189B1 (ko) 2021-11-02
JP2016189004A (ja) 2016-11-04
US20150155505A1 (en) 2015-06-04
JP2015187701A (ja) 2015-10-29
JP2016189005A (ja) 2016-11-04
US10763322B2 (en) 2020-09-01
US20210257432A1 (en) 2021-08-19
KR20220020434A (ko) 2022-02-18
KR20200051070A (ko) 2020-05-12
KR102215364B1 (ko) 2021-02-10
TWI589047B (zh) 2017-06-21
TWI820771B (zh) 2023-11-01
JP2019023739A (ja) 2019-02-14
US10312315B2 (en) 2019-06-04
TWI741238B (zh) 2021-10-01
US20160243647A1 (en) 2016-08-25
JP2020106847A (ja) 2020-07-09
KR102006728B1 (ko) 2019-08-02
JP2016184166A (ja) 2016-10-20
TW202403697A (zh) 2024-01-16
KR20160106224A (ko) 2016-09-09
JP6842585B2 (ja) 2021-03-17
US20190333976A1 (en) 2019-10-31
KR20180132988A (ko) 2018-12-12
TW202242817A (zh) 2022-11-01
TWI618275B (zh) 2018-03-11
JP2018055103A (ja) 2018-04-05
JP2020106848A (ja) 2020-07-09
KR102462742B1 (ko) 2022-11-03
US20200273936A1 (en) 2020-08-27
KR20180021926A (ko) 2018-03-05
KR102361966B1 (ko) 2022-02-14
KR20180021255A (ko) 2018-02-28
JP2017040923A (ja) 2017-02-23
KR102411905B1 (ko) 2022-06-22
US20200251547A1 (en) 2020-08-06
JP2017021355A (ja) 2017-01-26
JP6220027B2 (ja) 2017-10-25
TW201919913A (zh) 2019-06-01
TW201631817A (zh) 2016-09-01
TW202034291A (zh) 2020-09-16
US12048207B2 (en) 2024-07-23
TWI665814B (zh) 2019-07-11
US9437831B2 (en) 2016-09-06
JP6812398B2 (ja) 2021-01-13
US20180166524A1 (en) 2018-06-14
US9559316B2 (en) 2017-01-31
JP7113127B2 (ja) 2022-08-04
JP2018106177A (ja) 2018-07-05
JP6950016B2 (ja) 2021-10-13
KR20220088521A (ko) 2022-06-27
KR102166245B1 (ko) 2020-10-15
CN106663391B (zh) 2019-09-03
KR20160093639A (ko) 2016-08-08
JP2020129128A (ja) 2020-08-27
TW201824603A (zh) 2018-07-01
US11004925B2 (en) 2021-05-11
US20200273935A1 (en) 2020-08-27
CN108281433A (zh) 2018-07-13
JP2020144382A (ja) 2020-09-10
JP6454429B2 (ja) 2019-01-16
CN110676395A (zh) 2020-01-10
US10872947B2 (en) 2020-12-22
TW201523961A (zh) 2015-06-16
DE112014005485T5 (de) 2016-08-18
JP6812587B2 (ja) 2021-01-13
CN110047760A (zh) 2019-07-23
TW201824602A (zh) 2018-07-01
US10355067B2 (en) 2019-07-16
TW201921754A (zh) 2019-06-01
JP6585790B2 (ja) 2019-10-02
JP2022169519A (ja) 2022-11-09
JP6842583B2 (ja) 2021-03-17
JP2020166274A (ja) 2020-10-08
CN108393577A (zh) 2018-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI702578B (zh) 顯示裝置及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees