CN103875309A - 带密合性树脂层的电子器件的制造方法 - Google Patents

带密合性树脂层的电子器件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明是制造依次具有密合性树脂层、基板以及电子器件用构件的带密合性树脂层的电子器件的方法，涉及的制造方法包括第1层叠工序、第1分离工序、第2层叠工序以及第2分离工序。

Description

带密合性树脂层的电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及带密合性树脂层的电子器件的制造方法。
背景技术
近年来，太阳能电池（PV）、液晶面板（LCD）、有机EL面板（OLED）等器件（电子器件）的轻型化、轻型化不断发展，在这些器件中使用的玻璃基板的薄板化不断发展。若玻璃基板的强度因薄板化而不足，则在器件的制造工序中，玻璃基板的处理性降低。
因此，一直以来，广泛采用在将器件用构件（例如薄膜晶体管）形成于比最终厚度厚的玻璃基板上之后，利用化学蚀刻处理使玻璃基板薄板化的方法。然而，在该方法中，例如在将1张玻璃基板的厚度从0.7mm变薄为0.2mm、0.1mm的情况下，利用蚀刻液削薄原本的玻璃基板的材料的大部分，因此从生产率、原材料的使用率的观点来看不优选。
另外，在基于上述化学蚀刻的玻璃基板的薄板化方法中，在玻璃基板表面存在微小缺陷的情况下，存在因蚀刻处理而以缺陷作为起点形成微小的凹陷（蚀刻斑）进而成为光学方面的缺陷的情况。
最近，为了应对上述课题，提出了如下方法：准备将玻璃基板与加强板层叠而得到的层叠体，在将显示装置等电子器件用构件形成于层叠体的玻璃基板上之后，从玻璃基板分离加强板（例如，参照专利文献1）。加强板具有支承板和固定在该支承板上的树脂层，树脂层与玻璃基板间以能够剥离的方式密合。层叠体的树脂层与玻璃基板间的交界面剥离，从玻璃基板分离后的加强板与新的玻璃基板层叠而能够作为层叠体再利用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第07／018028号
发明内容
发明要解决的问题
另一方面，近年来，伴随着对普及器件等的关注，要求提高易于随身携带电子器件本身或者将显示器等电子器件安装在期望的位置这类电子器件本身的安装性。
作为应对这样的迫切期望的对应方案之一，能够列举出提供在表面上具有对安装对象显示密合性的树脂层的电子器件的方法。根据该电子器件，能够借助密合性树脂层将电子器件以能够装卸的方式粘贴于墙壁、皮肤、衣服等期望的位置。
另一方面，若想要在形成有通过上述专利文献1得到的显示装置等电子器件用构件的玻璃基板的暴露表面上形成有机硅树脂等密合性树脂层，则存在密合性树脂层的材料附着于已经形成的电子器件用构件而使电子器件的性能降低，电子器件的生产率的合格率降低的可能。
因此，本发明人们参考专利文献1的发明，使用在玻璃基板上固定有密合性的有机硅树脂层的带树脂层的玻璃基板尝试了电子器件的制造。具体而言，如图5所示，在将有机硅树脂层102固化、形成在玻璃基板100的单面上，制造固定有有机硅树脂层102的带树脂层的玻璃基板104之后（图5的（A）），以有机硅树脂层102的表面与支承板106的表面作为层叠面将带树脂层的玻璃基板与支承板密合层叠，得到层叠体108（图5的（B））。然后，在高温条件下将电子器件用构件110形成在层叠体中的玻璃基板100上之后（图5的（C）），以支承板106与有机硅树脂层102间的交界面作为剥离面，从层叠体分离出在包含电子器件用构件110与玻璃基板100在内的电子器件112固定有有机硅树脂层102的带树脂层的电子器件114（图5的（D））。
然而，所得到的带树脂层的电子器件114存在其性能劣化的情况。例如，在制作OLED面板时，存在在该面板的驱动区域内产生显示不均的情况。
本发明人们在研究上述原因时发现，层叠体108中的树脂层102的厚度不均（特别是周边部存在凸部）成为原因之一。
在图6的（A）中示出在制作层叠体108时使用的带树脂层的玻璃基板104的放大侧视图。如图6的（A）所示，带树脂层的玻璃基板104中的有机硅树脂层102具有厚度不均。特别是，该厚度不均在有机硅树脂层102的外周缘附近较显著，在外周缘附近形成有凸部114。若将具有这样的厚度不均的有机硅树脂层102层叠在支承板106上，则玻璃基板100的中央部以凹陷的方式弯曲，使玻璃基板100的平坦性受损（参照图6的（B））。结果，存在供形成在玻璃基板100上的电子器件用构件配置的位置偏离的情况，存在电子器件本身的生产率降低的担忧。
另外，如图6的（B）所示，若将这样的带树脂层的玻璃基板104层叠在支承板106上，则在支承板106与有机硅树脂层102之间形成空隙116。层叠体被供给至电子器件用构件的制造工序，使导电层等功能层形成在玻璃基板106的暴露表面上。此时，使用抗蚀液等各种溶液。
在层叠体中存在空隙116时，各种溶液会因毛细管现象而进入。进入空隙116的材料即使清洗也难以去除，在干燥后容易作为异物而残留。由于该异物因加热处理等而成为污染电子器件用构件的污染源，因此电子器件的成品率降低。另外，也会成为导致对于有机硅树脂层102这一对象物的密合性降低的原因。
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供在生产率方面优异且具有对于对象显示能够装卸的密合性的密合性树脂层的电子器件的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明人们为了解决上述课题而进行了深入研究，结果完成了本发明。
即，本发明的第1技术方案为一种带密合性树脂层的电子器件的制造方法，该带密合性树脂层的电子器件依次具有密合性树脂层、基板以及电子器件用构件，
该带密合性树脂层的电子器件的制造方法包括以下工序：
辅助基板准备工序，准备具有显示易剥离性的表面的剥离性辅助基板；
固化性树脂组合物层形成工序，在上述剥离性辅助基板的显示易剥离性的表面上涂布固化性树脂组合物，形成未固化的固化性树脂组合物层；
第1层叠工序，将外形尺寸比上述未固化的固化性树脂组合物层的外形尺寸小的基板以在上述未固化的固化性树脂组合物层留出不与上述基板接触的周边区域的方式层叠在上述未固化的固化性树脂组合物层上，得到固化前层叠体；
固化工序，使上述固化前层叠体中的上述未固化的固化性树脂组合物固化，得到具有密合性树脂层的固化后层叠体；
第1分离工序，从上述固化后层叠体分离出具有上述基板和与上述基板的表面接触的密合性树脂层的带密合性树脂层的基板；
第2层叠工序，以上述带密合性树脂层的基板中的密合性树脂层与支承板接触的方式将上述带密合性树脂层的基板以能够剥离的方式层叠在上述支承板上，得到层叠体；
构件形成工序，在上述层叠体中的上述基板的表面上形成电子器件用构件，得到带电子器件用构件的层叠体；以及
第2分离工序，从上述带电子器件用构件的层叠体去除上述支承板，得到依次具有上述密合性树脂层、上述基板以及上述电子器件用构件的带密合性树脂层的电子器件。
在第1技术方案的基础上，优选上述基板是玻璃基板。
在第1技术方案的基础上，优选在上述第1层叠工序之后、上述固化工序之前，还包括进行上述未固化的固化性树脂组合物层的脱泡处理的脱泡工序。
在第1技术方案的基础上，优选上述辅助基板准备工序是使用剥离剂处理辅助基板的表面从而得到具有显示易剥离性的表面的剥离性辅助基板的工序。
优选上述剥离剂包含具有甲基甲硅烷基或者氟代烷基的化合物。
或者优选上述剥离剂包含硅油或者氟类化合物。
在第1技术方案的基础上，优选上述密合性树脂层含有有机硅树脂。
在第1技术方案的基础上，优选上述密合性树脂层是由具有烯基的有机烯基聚硅氧烷和具有与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷的组合而成的加成反应型有机硅的固化物。
优选在上述有机氢聚硅氧烷的硅原子上键合的氢原子与上述有机烯基聚硅氧烷的烯基的摩尔比为0.5～2。
在第1技术方案的基础上，优选上述密合性树脂层含有5质量%以下的非固化性的有机聚硅氧烷。
发明的效果
根据本发明，能够提供在生产率方面优异且具有对于对象显示能够装卸的密合性的密合性树脂层的带密合性树脂层的电子器件的制造方法。
此外，在本发明的带密合性树脂层的电子器件的制造方法中，由于能够不与薄玻璃基板的器件形成面接触地、在玻璃基板的没有形成器件的面形成树脂层，因此有可能能够减少电子器件用构件的污染。
附图说明
图1是示出本发明的带密合性树脂层的电子器件的制造方法的一实施方式的制造工序的流程图。
图2是按工序顺序示出本发明的带密合性树脂层的电子器件的制造方法的一实施方式的示意性的剖视图。
图3的（A）是通过层叠工序得到的固化前层叠体的俯视图。图3的（B）是示出基板的层叠前的状态的局部剖视图。图3的（C）是示出层叠基板后的状态的局部剖视图。
图4是示出本发明的带密合性树脂层的电子器件的制造方法的其他实施方式的制造工序的流程图。
图5是按工序顺序示出基于现有技术的、电子器件的制造方法的一实施方式的示意性的剖视图。
图6的（A）是基于现有技术的、带树脂层的玻璃基板的端部的放大侧视图。图6的（B）是基于现有技术的、层叠体的端部的放大侧视图。
具体实施方式
以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明，本发明并不限制于以下实施方式，能够在不脱离本发明的范围的情况下对以下实施方式施加各种变形以及置换。
此外，在本发明中，也可以认为密合性树脂层与基板的层间的交界面的剥离强度比剥离性辅助基板的层与密合性树脂层间的交界面的剥离强度高指的是以下所记载的密合性树脂层固定于基板且密合性树脂层以能够剥离的方式密合于剥离性辅助基板。
本发明人们在研究专利文献1的发明的问题点时发现，在树脂层固化时，受到空气界面处的表面张力的影响，能够在树脂层表面形成凹凸。
因此，着眼于层叠体的制造工序顺序，通过使用具有显示剥离性的表面的剥离性辅助基板，使与剥离性辅助基板上的未固化的固化性树脂组合物层相比外形尺寸较小的基板在规定的位置与未固化的固化性树脂组合物层接触并固化，由此，在从剥离性辅助基板剥离后，其表面的密合性也不会受损，得到具有在平坦性方面优异的密合性树脂层的带密合性树脂层的电子器件。
［第1实施方式］
图1是示出本发明的带密合性树脂层的电子器件的制造方法的一实施方式的制造工序的流程图。如图1所示，带密合性树脂层的电子器件的制造方法包括辅助基板准备工序S102、固化性树脂组合物层形成工序S104、第1层叠工序S106、固化工序S108、第1分离工序S110、第2层叠工序S112、构件形成工序S114以及第2分离工序S116。
另外，图2是依次示出本发明的带密合性树脂层的电子器件的制造方法的各制造工序的示意性的剖视图。
以下，参照图2对在各工序中使用的材料及其步骤进行详述。首先，对辅助基板准备工序S102进行详述。
［辅助基板准备工序］
辅助基板准备工序S102是准备具有显示易剥离性的表面的剥离性辅助基板的工序。图2的（A）所示的剥离性辅助基板10表示具有对后述的密合性树脂层显示易剥离性的表面10a的支承板，剥离性辅助基板10可以能够剥离的方式与密合性树脂层密合。此外，在图2的（A）中，显示易剥离性的表面10a仅形成于剥离性辅助基板10的一侧的主面，但另一侧的表面也可以显示易剥离性。
以下，对在该工序S102中使用的剥离性辅助基板的形态进行详述。
（剥离性辅助基板）
剥离性辅助基板支承并加强后述的未固化的固化性树脂组合物层以及基板。另外，剥离性辅助基板是为了提高使未固化的固化性树脂组合物层固化而得到的密合性树脂层的表面的平坦性而使用的基板，该剥离性辅助基板与未固化的状态的固化性树脂组合物层接触而使该层的表面平坦，从而抑制密合性树脂层的厚度不均。此外，剥离性辅助基板的表面所具有的易剥离性指的是，在向后述的固化后层叠体施加用于使剥离性辅助基板剥离的外力的情况下，不在基板与密合性树脂层间的交界面以及树脂层内部剥离而是在剥离性辅助基板与密合性树脂层间的交界面剥离的性质。
从剥离性辅助基板与密合性树脂层间的交界面处的剥离更容易进行的方面来看，剥离性辅助基板的显示易剥离性的表面的水接触角优选为90°以上，更优选为90°～120°，进一步优选为90°～110°。
对于构成剥离性辅助基板的材料，只要其表面对密合性树脂层显示易剥离性则不特别限制。例如，使用SUS板等金属板、玻璃板、塑料板（例如有机硅基板）或者将它们层叠而得到的基板（在上层具有有机硅基板且在下层具有玻璃基板的层叠基板）等。
剥离性辅助基板的厚度不特别限制，既可以比所层叠的基板厚，也可以比所层叠的基板薄。从能够使用现行的制造装置的方面以及操作性的方面来看，剥离性辅助基板的厚度优选为0.3mm～3.0mm。
从通过后述的固化工序S108得到的密合性树脂层的平坦性更优异的方面来看，剥离性辅助基板的显示易剥离性的表面的表面粗糙度（Ra）优选为2.0nm以下，更优选为1.0nm以下，进一步优选为0.5nm以下。下限虽不特别限制，但特别优选为0nm。
此外，表面粗糙度的测量（Ra）能够使用原子间力显微镜（Pacific Nanotechnology社制，Nano Scope IIIa；Scan Rate1.0Hz，Sample Lines256，Off－line Modify Flatten order－2，Planefit order－2等）根据日本工业标准JIS B0601（2001）进行。
（优选方式）
作为辅助基板准备工序的优选方式，能够优选列举出使用剥离剂处理辅助基板的表面，从而得到具有显示易剥离性的表面的剥离性辅助基板的工序。通过实施该工序，与辅助基板的种类无关，都能够得到具有显示易剥离性的表面的剥离性辅助基板。
首先，对在该工序方式中使用的辅助基板以及剥离剂进行详述，之后对该工序的步骤进行详述。
（辅助基板）
辅助基板支承并加强后述的未固化的固化性树脂组合物层以及基板。
辅助基板的种类不特别限制，例如，使用SUS板等金属板、玻璃板、塑料板等。在固化工序S108伴随有热处理的情况下，辅助基板优选由与基板的线膨胀系数之差较小的材料形成，更优选由与基板相同的材料形成，在基板是玻璃基板的况下，优选辅助基板是玻璃板。特别是，优选辅助基板是由与基板相同的玻璃材料构成的玻璃板。
辅助基板的外形尺寸虽不特别限制，但通常与所层叠的未固化的固化性树脂组合物层的外形尺寸同等程度，或比未固化的固化性树脂组合物层的外形尺寸大。
（剥离剂）
作为剥离剂，可以使用公知的剥离剂，例如，能够列举出有机硅类化合物（例如硅油等）、甲硅烷化试剂（例如六甲基二硅氮烷等）、氟类化合物（例如氟树脂等）等。剥离剂可以使用乳液型·溶剂型·无溶剂型。作为考虑到剥离力、安全性、成本等的一个适当例子，能够列举出包含甲基甲硅烷基（≡SiCH3、＝Si（CH3）2、－Si（CH3）3中的任一者）或者氟代烷基（－CmF2m+1）（m优选为1～6的整数）的化合物，作为其他适当例子，能够列举出有机硅类化合物或者氟类化合物，尤其优选硅油。
硅油的种类不特别限定，可例示出甲基含氢硅油、二甲基硅油、甲基苯基硅油等直链硅油、在直链硅油的支链或者末端导入有烷基、氢基、环氧基、氨基、羧基、聚醚基、卤素基团等而得到的改性硅油。
作为直链硅油的具体例，能够列举出甲基氢聚硅氧烷、二甲基聚硅氧烷、甲基苯基聚硅氧烷、二苯基聚硅氧烷等，耐热性按照列举记述的顺序增加，耐热性最高的是二苯基聚硅氧烷。
这些硅油一般在玻璃基板、进行预处理后的金属基板等基板的表面的防水处理中使用。
从辅助基板结合于被处理表面的处理的效率性的观点来看，优选硅油在25℃下的运动粘度为5000mm2/s以下，更优选为500mm2/s以下。运动粘度的下限虽不特别限制，但考虑到操作方面、成本，优选为0.5mm2/s以上。
从与密合性树脂层的剥离性良好的方面来看，在上述硅油中优选直链硅油，尤其从赋予高剥离性的方面来看，上述硅油中优选二甲基聚硅氧烷。另外，在剥离性的同时还特别需要耐热性的情况下，上述硅油优选为甲基苯基聚硅氧烷或者二苯基聚硅氧烷。
为氟类化合物时，对其种类不特别限定，能够列举出：全氟烷基铵盐、全氟烷基磺酸酰胺、全氟烷基磺酸盐（例如全氟烷基磺酸钠）、全氟烷基钾盐、全氟烷基羧酸盐、全氟烷基环氧乙烷加成物、全氟烷基三甲基铵盐、全氟烷基氨基磺酸盐、全氟烷基燐酸酯、全氟烷基化合物、全氟烷基甜菜碱、全氟烷基卤化物等。
需要说明的是，作为含有氟代烷基（-CmF2m+1）的化合物，例如能够列举出上述氟类化合物的例示化合物中的具有氟代烷基的化合物。m的上限基于剥离性能方面并不特别限制，但从操作方面的安全性更优异的方面来看，m优选为1～6的整数。
（工序的步骤）
辅助基板的表面的处理方法与所使用的剥离剂相应地适当选择最佳的方法。通常，通过将剥离剂施加（例如涂布）于辅助基板的表面而完成处理。此外，该处理至少对后述的未固化的固化性树脂组合物层所层叠的表面进行即可，也可以对除此以外的表面实施表面处理。通常，辅助基板是具有第1主面与第2主面的板状体，优选对至少一个主面进行该处理。
例如，在使用硅油的情况下，能够列举出将硅油涂布于辅助基板表面的方法。其中优选的是，在涂布硅油之后进行使硅油结合于辅助基板的被处理表面的处理。使硅油结合于被处理表面的处理是切断硅油的分子链的处理，切断后的断片结合于被处理表面（以下将该处理称作硅油的低分子化）。
硅油的涂布方法也可以是普通的方法。例如，从喷涂法、模涂法、旋涂法、浸涂法、辊涂法、棒涂法、丝网印刷法、凹版涂布法等中根据硅油的种类、涂布量等适当地选择。
作为涂布液，理想的是使用利用己烷、庚烷、二甲苯、异构烷烃等溶剂将硅油稀释到5质量%以下而得到的溶液。若超过5质量%，则低分子化的处理时间过长。
涂布液所含有的溶剂根据需要可以利用加热以及／或者减压干燥等方法去除。也可以利用低分子化工序中的加热去除。
硅油的涂布量优选为0.1μg／cm2～10μg／cm2。若为0.1μg／cm2以上，在剥离性更优异的方面优选，若为10μg／cm2以下，在涂布液的涂布性以及低分子化处理性更优异的方面优选。
在使硅油低分子化的方法中会使用一般的方法，例如，有利用光分解、热分解切断硅油的硅氧烷键的方法。在光分解中使用从低压汞灯、氙弧灯等照射的紫外线，也可以同时使用通过大气中的紫外线照射而产生的臭氧。热分解既可以利用分层式炉、传送带式炉等进行，也可以利用等离子体、电弧放电等。
若硅油的硅氧烷键或者硅原子与碳原子之间的键合被切断，则产生的活性位点会与被处理表面的羟基等活性基团反应。其结果，被处理表面的甲基等疏水性的官能基的密度增高，亲水性的极性基团的密度降低，结果，对被处理表面付与了易剥离性。
此外，优选进行表面处理的加强基板的表面是足够清洁的面，优选的是刚清洗后的面。清洗方法使用在玻璃表面、树脂表面的清洗中使用的通常的方法。
期望的是不进行表面处理的表面利用掩膜等保护薄膜进行预先保护。
另外，在使用六甲基二硅氮烷等甲硅烷化试剂的情况下，优选使甲硅烷化试剂的蒸气与辅助基板表面接触。此外，也可以在使辅助基板加热的状态下与甲硅烷化试剂的蒸气接触。
甲硅烷化试剂的蒸气浓度较高的情况、即接近饱和浓度的情况能够缩短处理时间，故为优选。
甲硅烷化试剂与辅助基板的接触时间可以在不损害剥离性辅助基板的功能的范围内缩短。
向利用上述工序获得的剥离性辅助基板的表面导入源自硅油、甲硅烷化试剂等的防水性基团（疏水性基团）。
［固化性树脂组合物层形成工序］
在固化性树脂组合物层形成工序S104中，在利用上述辅助基板准备工序S102得到的剥离性辅助基板的显示易剥离性的表面上涂布固化性树脂组合物，形成未固化的固化性树脂组合物层。更具体而言，如图2的（B）所示，利用该工序S104在剥离性辅助基板10的显示剥离性的表面10a上形成未固化的固化性树脂组合物层12。
未固化的固化性树脂组合物层与剥离性辅助基板的显示剥离性的表面不隔开间隙地接触。因此，在后述的固化工序S108中，若使该固化性树脂组合物层固化，则能够得到转印有剥离性辅助基板的平坦表面的密合性树脂层。结果，抑制了后述的层叠体中的基板的变形等。
首先，详细叙述在该工序中使用的固化性树脂组合物，之后详细叙述该工序S104的步骤。
（固化性树脂组合物）
在该工序S104中使用的固化性树脂组合物是能够利用后述的固化工序S108形成密合性树脂层的组合物。
作为在固化性树脂组合物中含有的固化性树脂，只要其固化膜具有能够可剥离地与对象物紧贴的密合性即可，可以使用公知的固化性树脂（例如，热固化性组合物、光固化性组合物等）。例如，能够列举出固化性丙烯酸类树脂、固化性聚氨酯树脂、固化性有机硅等。也可以混合若干种固化性树脂使用。其中优选固化性有机硅。这是因为使固化性有机硅固化而获得的有机硅树脂在耐热性、剥离性方面优异。另外，是因为若使用固化性有机硅，则在后述的基板是玻璃基板的情况下，固化型有机硅借助与玻璃基板表面的硅烷醇基发生的缩合反应会容易固定于玻璃基板。
作为固化性树脂组合物，优选固化性有机硅树脂组合物（尤其优选用于剥离纸的固化性有机硅树脂组合物）。使用该固化性有机硅树脂组合物形成的密合性树脂层因紧贴于基板表面并且其自由表面具有优异的易剥离性而优选。
这样的固化性有机硅虽根据其固化机理而分类为缩合反应型有机硅、加成反应型有机硅、紫外线固化型有机硅以及电子射线固化型有机硅，但任一种均可以使用。其中优选加成反应型有机硅。这是因为加成反应型有机硅的进行固化反应的容易程度、形成密合性树脂层时剥离性的程度良好，耐热性也高。
加成反应型有机硅树脂组合物是包含主剂以及交联剂且在铂催化剂等催化剂的存在下固化的固化性的组合物。利用加热处理促进加成反应型有机硅树脂组合物的固化。加成反应型有机硅树脂组合物中的主剂优选为具有在硅原子上键合的烯基（乙烯基等）的有机聚硅氧烷（即，有机烯基聚硅氧烷。其中，优选直链状），烯基等成为交联点。加成反应型有机硅树脂组合物中的交联剂优选为具有在硅原子上键合的氢原子（氢化甲硅烷基）的有机聚硅氧烷（即，有机氢聚硅氧烷。其中，优选直链状），氢化甲硅烷基等成为交联点。
加成反应型有机硅树脂组合物通过主剂与交联剂的交联点进行加成反应而固化。此外，在源自交联构造的耐热性更优异的方面，优选在有机氢聚硅氧烷的硅原子上键合的氢原子与有机烯基聚硅氧烷的烯基的摩尔比为0.5～2。
另外，为了形成剥离纸等剥离层而使用的固化性有机硅树脂组合物在形态上有溶剂型、乳液型以及无溶剂型，任一类型均可使用。其中优选无溶剂型。这是因为无溶剂型在生产率、安全性、环境特性方面优异。另外，也是因为无溶剂型不含有在形成后述的密合性树脂层过程中的固化时、即加热固化、紫外线固化或者电子射线固化时会产生发泡的溶剂，所以气泡不容易残留在密合性树脂层中。
另外，作为为了形成剥离纸等剥离层而使用的固化性有机硅树脂组合物，具体而言能够列举出市售的商品名或者型号KNS－320A、KS－847（均为信越有机硅社制）、TPR6700（迈图高新材料日本有限公司制）、乙烯基硅酮“8500”（荒川化学工业社制）与甲基氢聚硅氧烷“12031”（荒川化学工业社制）的组合、乙烯基硅酮“11364”（荒川化学工业社制）与甲基氢聚硅氧烷“12031”（荒川化学工业社制）的组合、乙烯基硅酮“11365”（荒川化学工业社制）与甲基氢聚硅氧烷“12031”（荒川化学工业社制）的组合等。
其中，KNS－320A、KS－847以及TPR6700是预先含有主剂与交联剂的加成反应型的固化性有机硅树脂组合物。
（工序的顺序）
在剥离性辅助基板的显示易剥离性的表面上涂布固化性树脂组合物的方法不特别限制，能够采用公知的方法。例如，涂布方法能够列举出喷涂法、模涂法、旋涂法、浸涂法、辊涂法、棒涂法、丝网印刷法、凹版涂布法等。能够根据固化性树脂组合物的种类从这样的方法中适当地选择。
另外，固化性树脂组合物的涂布量虽不特别限制，但从得到密合性树脂层的适当的厚度的方面来看，涂布量优选为1g／m2～100g／m2，更优选为5g／m2～20g／m2。
此外，在固化性树脂组合物含有溶剂的情况下，也可以根据需要进行固化性树脂不会固化的程度的加热处理，使溶剂挥发。
将固化性树脂组合物涂布到剥离性辅助基板上而得到的未固化的固化性树脂组合物层的厚度不特别限制，适当地调整该厚度，以便得到具有后述的适当厚度的密合性树脂层。
所形成的未固化的固化性树脂组合物层的外形尺寸与剥离性辅助基板的外形尺寸同等程度或比剥离性辅助基板的外形尺寸小。
［第1层叠工序］
在第1层叠工序S106中，将外形尺寸比未固化的固化性树脂组合物层的外形尺寸小的基板以在利用上述固化性树脂组合物层形成工序S104得到的未固化的固化性树脂组合物层留出不与基板接触的周边区域的方式层叠在未固化的固化性树脂组合物层上，从而得到固化前层叠体（实施固化处理前的层叠体）。换言之，基板以未固化的固化性树脂组合物层暴露于基板的外周的方式层叠在未固化的固化性树脂组合物层上。
更具体而言，如图2的（C）所示，利用该工序S106将外形尺寸比未固化的固化性树脂组合物层12的外形尺寸小的基板14以在未固化的固化性树脂组合物层12形成不与基板14接触的周边区域12a的方式层叠在未固化的固化性树脂组合物层12上，从而得到固化前层叠体16。此外，图3的（A）是固化前层叠体16的俯视图，如该图所示，未固化的固化性树脂组合物层12的周边区域12a不与基板14接触。
通常，在未固化的固化性树脂组合物层12的暴露表面，因涂布方法所带来的影响、层本身的表面张力的影响而容易在周边部附近产生凸部（参照图3的（B））。若在层叠基板14时与这样的凸部接触，则有时会在基板14与未固化的固化性树脂组合物层12之间产生空隙36等，结果，存在产生基板14与未固化的固化性树脂组合物层12不接触的区域的情况。若存在这样的区域，则会出现利用固化工序S108得到的密合性树脂层对基板14的密合性降低的情况。另外，有时也产生密合性树脂层的厚度不均，还会导致在带密合性树脂层的基板的密合性树脂层的暴露表面形成表面凹凸。并且，异物进入该空隙36，成为污染电子器件用构件的污染源，还会导致电子器件的成品率降低。
因此，通过使用具有比未固化的固化性树脂组合物层12的外形尺寸小的外形尺寸的基板14，能够不与该凸部接触地使基板14与未固化的固化性树脂组合物层12接触。结果，进一步抑制基板14与未固化的固化性树脂组合物层12不接触的区域的产生，利用固化工序S108得到的密合性树脂层对基板14的密合性更优异，并且还进一步抑制密合性树脂层的厚度不均的产生。
另外，根据该方法，不损伤基板的供电子器件用构件形成的表面就能够得到固化前层叠体。
首先，详细叙述在该工序中使用的基板，之后详细叙述该工序的步骤。
（基板）
基板是具有第1主面以及第2主面的板状基板，在该第1主面固定密合性树脂层，在与密合性树脂层侧相反一侧的第2主面设置电子器件用构件。
所使用的基板的种类不特别限制，例如，能够列举出树脂基板（从耐热性的观点而言，有聚酰亚胺树脂板、聚酰胺树脂板、聚酰胺酰亚胺树脂板、聚醚醚酮树脂板、液晶聚酯树脂板、聚碳酸酯树脂板、聚醚砜树脂板、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂板、聚芳酯树脂板、乙烯－四氟乙烯共聚物等含氟树脂板、丙烯酰－倍半硅氧烷共聚物等含硅树脂板等）、含有二氧化硅等无机微粒的树脂板、浸入有树脂的玻璃纤维基板、玻璃基板、金属基板等。其中，在基板与密合性树脂层（特别是含有硅烷醇树脂的密合性树脂层）的粘接性更优异的方面，优选使用玻璃基板。另外，为了确保基板与密合性树脂层的密合性，也可以对基板表面单独或组合实施等离子体处理、紫外线处理、硅烷偶联剂等预处理。
以下，详细叙述玻璃基板的形态。
玻璃基板的种类为通常的玻璃基板即可，例如，能够列举出LCD、OLED这样的显示装置用的玻璃基板等。玻璃基板在耐化学性、耐湿性方面优异，且热收缩率低。热收缩率的指标使用日本工业标准JIS R3102的（1995年修改）中规定的线膨胀系数。
若玻璃基板的线膨胀系数较大，则构件形成工序S114大多伴随加热处理，因此容易产生各种不良情况。例如，在玻璃基板上形成TFT的情况下，若冷却在加热条件下形成有TFT的玻璃基板，则有可能因玻璃基板的热收缩而导致TFT的位置偏移过大。
玻璃基板通过熔融玻璃原料并将熔融玻璃成形为板状而得到。这样的成形方法为通常的成形方法即可，例如，使用浮式法、熔融法、狭缝下拉法、垂直引上法、吹筒（ラバース）法等。另外，厚度特别薄的玻璃基板通过将暂时成形为板状的玻璃加热至可成形温度，由借助延伸等手段拉伸并减薄的方法（二次拉伸法）进行成形而得到。
玻璃基板的玻璃不特别限定，优选无碱硅硼酸玻璃、硅硼酸玻璃、钠钙玻璃、高硅氧玻璃、其他以氧化硅为主成分的氧化物类玻璃。作为氧化物类玻璃，优选基于氧化物换算的氧化硅的含量为40～90质量%的玻璃。
作为玻璃基板的玻璃，采用适合电子设备用部件的种类、其制造工序的玻璃。例如，从碱金属成分的熔出容易对液晶造成影响的方面出发，液晶面板用的玻璃基板由实质上不含有碱金属成分的玻璃（无碱玻璃）制成（但是，通常含有碱土金属成分）。这样，玻璃基板的玻璃根据所应用的设备的种类以及其制造工序而适当地选择。
玻璃基板的厚度不特别限定，从玻璃基板的轻型化以及／或者轻型化的观点来看，通常优选为0.8mm以下，更优选为0.3mm以下，进一步优选为0.15mm以下。在厚度超过0.8mm的情况下，不满足玻璃基板的轻型化以及／或者轻型化的要求。在厚度为0.3mm以下的情况下，能够赋予玻璃基板良好的挠性。在厚度为0.15mm以下的情况下，能够将玻璃基板卷成卷状。另外，考虑到容易制造、处理玻璃基板等理由，玻璃基板的厚度优选为0.03mm以上。
此外，玻璃基板也可以由两层以上构成，在该情况下，形成各个层的材料既可以是同种材料也可以是不同种类的材料。另外，在该情况下，“玻璃基板的厚度”表示全部层的合计厚度。
另外，也可以在玻璃基板的一个表面层叠其他基板。例如，也可以为了加强玻璃基板的强度而层叠树脂基板等。
（工序的步骤）
将基板层叠在未固化的固化性树脂组合物层上的方法不特别限制，能够采用公知的方法。
例如，能够列举出在常压环境下将基板重叠在未固化的固化性树脂组合物层的表面上的方法。此外，也可以根据需要将基板重叠于未固化的固化性树脂组合物层的表面上之后使用辊子、压力机将基板压接于未固化的固化性树脂组合物层。因辊子或者压力机所进行的压接而混入未固化的固化性树脂组合物层与基板的层之间的气泡比较容易去除，故为优选。
若利用真空层压法、真空压制法进行压接，则抑制了气泡的混入、确保了良好的密合，故而更优选。通过在真空下进行压接，即使在残存有微小气泡的情况下，气泡也不会因加热而变大，还具有难以导致基板的畸变缺陷的优点。
优选的是，在层叠基板时，充分清洗与未固化的固化性树脂组合物层接触的基板的表面，在高清洁度的环境下进行层叠。清洁度越高，基板的平坦性越好，故而优选。
另外，也可以为了进一步增强基板与后述的密合性树脂层之间的密合性而对基板的与密合性树脂层接触的接触面预先实施等离子体处理、硅烷偶联剂处理等增强密合性的处理。
在利用上述工序得到的固化前层叠体中依次含有剥离性辅助基板的层、未固化的固化性树层以及基板的层。
在该方式中，虽然未固化的固化性树脂组合物层的外形尺寸比基板的外形尺寸大，但优选与基板接触的未固化的固化性树脂组合物层的区域的面积A与未固化的固化性树脂组合物层的全面积B之比（面积A／全面积B）为0.98以下，更优选为0.95以下。若在上述范围内，则后述的层叠体中的基板的平坦性会更高，电子器件的生产率会进一步提高。下限虽不特别限制，但考虑到生产率等方面，下限优选为0.75以上，更优选为0.80以上。
另外，从基板的外周缘到未固化的固化性树脂组合物层的外周缘为止的长度优选为10mm以上，更优选为15mm以上。若在上述范围内，则进一步抑制了密合性树脂层的厚度不均的产生。上限虽不特别限制，但考虑到生产率等方面，上限优选为100mm以下。
［固化工序］
在固化工序S108中，对利用上述第1层叠工序S106得到的固化前层叠体实施固化处理，使固化前层叠体中的未固化的固化性树脂组合物固化，得到具有密合性树脂层的固化后层叠体（实施固化处理后的层叠体）。更具体而言，如图2的（D）所示，通过实施该工序S108，未固化的固化性树脂组合物层12固化而得到密合性树脂层18，得到依次具有剥离性辅助基板10的层、密合性树脂层18以及基板14的层的固化后层叠体20。
以下，详细叙述在该工序中实施的工序的步骤，之后详细叙述所得到的层叠体的结构。
（工序的步骤）
在该工序中实施的固化处理虽根据所使用的固化性树脂的种类而适当地选择最佳方法，但通常进行加热处理或者曝光处理。
在固化性树脂组合物中所含有的固化性树脂是热固化性的情况下，能够通过对未固化的固化性树脂组合物层实施加热处理使该层固化。加热处理的条件虽根据所使用的热固化性树脂的种类适当地选择最佳条件，但考虑到固化性树脂的固化速度以及所形成的密合性树脂层的耐热性等方面，优选以150℃～300℃（优选为180℃～250℃）进行10分钟～120分钟（优选为30分钟～60分钟）加热处理。
在固化性树脂组合物中所含有的固化性树脂是光固化性树脂的情况下，能够通过对未固化的固化性树脂组合物层实施曝光处理而使该层固化。在曝光处理时照射的光的种类根据光固化性树脂的种类适当地选择，例如，能够列举出紫外线、可见光、红外线等。另外，考虑到固化性树脂的固化速度以及所形成的密合性树脂层的耐光性等方面，优选进行曝光处理时的照射时间为0.1分钟～10分钟（优选为0.5分钟～5分钟）。
（密合性树脂层）
接下来，详细叙述固化后层叠体中的密合性树脂层。
密合性树脂层的厚度不特别限定，优选为1μm～100μm，更优选为5μm～30μm，进一步优选为7μm～20μm。这是因为若密合性树脂层的厚度处于这样的范围，则密合性树脂层与后述的支承板之间的密合充分。另外，也是因为即使在密合性树脂层与支承板之间夹有气泡、异物，也能够抑制基板的畸变缺陷的产生。另外，若密合性树脂层的厚度过厚，则由于形成需要时间以及材料而不够经济。
此外，密合性树脂层也可以由两层以上构成。在该情况下，“密合性树脂层的厚度”表示全部层的合计厚度。
另外，在密合性树脂层由两层以上构成的情况下，形成各个层的树脂的种类也可以不同。
优选密合性树脂层由玻璃转变点比室温（约25℃）低或者不具有玻璃转变点的材料构成。这是因为能够更容易地与支承板剥离，同时，与支承板之间的密合也充分。
另外，密合性树脂层在器件的制造工序中大多进行加热处理，因此优选具有耐热性。
另外，若密合性树脂层的弹性率过高，则其与支承板之间的密合性存在降低的倾向。另一方面，若密合性树脂层的弹性率过低，则其与支承板间的剥离性降低。
形成密合性树脂层的树脂的种类不特别限定，因上述固化性树脂组合物所含有的树脂的种类而不同。例如，能够列举出丙烯酸类树脂、聚烯烃树脂、聚氨酯树脂或者有机硅树脂。其中，如上所述那样优选有机硅树脂。
此外，密合性树脂层可以根据需要而含有非固化性的有机聚硅氧烷，关于其含量，具体而言能够优选地列举出5质量%以下（0～5质量%），能够更优选地列举出0.01～1质量%。若在密合性树脂层中含有非固化性的有机聚硅氧烷，则后述的第1分离工序S110中的剥离性辅助基板与密合性树脂层的界面处的剥离会更高效地进行。
使密合性树脂层含有非固化性的有机聚硅氧烷的方法不特别限制，能够列举出添加于上述固化性树脂组合物中的方法。
需要说明的是，作为非固化性的有机聚硅氧烷，能够列举出不含有Si-H键的硅油，具体而言能够列举出聚二甲基硅氧烷类或者聚甲基苯基硅氧烷类的硅油等。
（固化后层叠体）
利用上述固化工序S108得到的固化后层叠体依次具有剥离性辅助基板的层、密合性树脂层以及基板的层。
在所得到的固化后层叠体中，密合性树脂层固定在基板上，还以能够剥离的方式密合于剥离性辅助基板。防止密合性树脂层与基板间的位置偏移，直至在后述的第1分离工序S110中进行使剥离性辅助基板与带密合性树脂层的基板间分离的操作。
剥离性辅助基板的与密合性树脂层接触的表面以能够剥离的方式密合于密合性树脂层的表面。在本发明中，将该剥离性辅助基板的能够容易地剥离的性质称作易剥离性。
在本发明中，上述固定与（能够剥离的）密合在剥离强度（即，剥离所需要的应力）方面存在不同，固定是指比密合的剥离强度大。具体而言，固化后层叠体中的密合性树脂层与基板的层间的交界面的剥离强度比剥离性辅助基板的层与密合性树脂层间的交界面的剥离强度高。
另外，能够剥离的密合是指能够剥离，同时也是指能够在被固定的面不发生剥离的前提下进行剥离。
具体而言，是指在固化后层叠体中，在进行使基板与剥离性辅助基板间分离的操作的情况下，在密合的面剥离，在被固定的面不剥离。因此，若进行将固化后层叠体分离成基板与剥离性辅助基板的操作，则固化后层叠体被分离成带密合性树脂层的基板与剥离性辅助基板这两部分。
如上所述，由于在使未固化的固化性树脂组合物与基板表面接触的状态下进行反应固化，因此所形成的密合性树脂层强力地与基板表面接合。另一方面，虽然在未固化的固化性树脂组合物还与剥离性辅助基板接触的状态下进行反应固化，但为了确保剥离性辅助基板表面的易剥离性（非附着性），所形成的密合性树脂层以固体分子间的范德华力所带来的结合力等较弱的结合力密合于剥离性辅助基板。
［第1分离工序］
在第1分离工序S110中，能够从利用上述固化工序S108得到的固化后层叠体分离而得到具有基板和与基板的表面接触的密合性树脂层的带密合性树脂层的基板。换句话说，在该工序中，从固化后层叠体去除剥离性辅助基板和不与基板接触的密合性树脂层的周边区域，得到具有基板和与基板的表面接触的密合性树脂层的带密合性树脂层的基板。
更具体而言，如图2的（E）所示，利用该工序S110，以剥离性辅助基板10与密合性树脂层18间的交界面作为剥离面从固化后层叠体20去除剥离性辅助基板10以及密合性树脂层18的不与基板接触的周边区域18a，得到具有固定在基板14上的密合性树脂层18的带密合性树脂层的基板22。
通过实施该工序S110，在后述的第2层叠工序S112中得到层叠在支承板上的带密合性树脂层的基板。所得到的带密合性树脂层的基板的密合性树脂层的表面（暴露表面）在平坦性方面优异。因此，在后述的第2层叠工序S112中，能够使带密合性树脂层的基板中的密合性树脂层与支承板之间无间隙地进行层叠。结果，层叠体中的基板的平坦性方面也优异，有助于提高电子器件的生产率。
此外，带密合性树脂层的基板中的基板与密合性树脂层各自的外周缘的整周对齐。换言之，基板与密合性树脂层具有相同的外形尺寸。
从固化后层叠体得到带密合性树脂层的基板的方法不特别限制。
例如，向基板的外周缘附近的、剥离性辅助基板与密合性树脂层间的交界面插入锐利的刀具状的构件，开始剥离，在此基础上能够通过吹送水与压缩空气的混合流体进行剥离。优选的是，以固化后层叠体中的剥离性辅助基板为上侧且基板为下侧的方式将该固化性层叠体设置在平台上，将基板侧真空吸附在平台上，在该状态下，首先使刀具进入基板的外周缘附近的剥离性辅助基板与密合性树脂层间的交界面。并且，之后利用多个真空吸附盘吸附剥离性辅助基板侧，从插入有刀具的位置附近依次使真空吸附盘上升。如此一来，向剥离性辅助基板与密合性树脂层间的交界面形成空气层，该空气层在界面的整面扩大，从而能够容易地将剥离性辅助基板剥离。另外，若采用该方法，则无需另外去除剥离性辅助基板上的不与基板接触的密合性树脂层的周边区域就能够得到带密合性树脂层的基板。
利用上述制造方法得到的带密合性树脂层的基板中的密合性树脂层具有其暴露表面能够相对于对象物装卸的密合性。这是因为在与剥离性辅助基板剥离时抑制了密合性树脂层的内聚剥离等，能够维持密合性树脂层的剥离面具有足够的密合性的状态。
此外，若进行固化后层叠体中的密合性树脂层的不与基板接触的周边区域的去除，则密合性树脂层的碎片静电吸附于基板等，在层叠后述的支承板等时，该碎片有可能进入支承板与密合性树脂层之间。
由此，优选的是，不去除该周边区域而是从固化后层叠体中分离带密合性树脂层的基板。
此外，在不去除该周边区域而是从固化后层叠体中分离带密合性树脂层的基板的情况下，有时由毛刺状的树脂构成的碎片附着于带密合性树脂层的基板的密合性树脂层的周端部附近。在该情况下，优选在不对密合性树脂层造成缺陷等损伤的范围内去除碎片。更具体而言，优选在上述第1分离工序S110与后述的第2层叠工序S112之间，设置使带密合性树脂层的基板中的基板与密合性树脂层各自的外周缘的整周对齐的工序。
该工序的方法不特别限制，例如，优选具有除电效果的利用高压水进行的去除，优选利用空气喷吹等去除附着于去除后密合性树脂层的水。
另外，在从固化后层叠体去除带密合性树脂层的基板时，通过控制电离器所进行的喷吹、湿度，能够进一步抑制密合性树脂层的碎片静电吸附于带密合性树脂层的基板。
［第2层叠工序］
在第2层叠工序S112中，以利用上述第1分离工序S110得到的带密合性树脂层的基板中的密合性树脂层与支承板接触的方式将带密合性树脂层的基板以能够剥离的方式层叠在支承板上。更具体而言，如图2的（F）所示，利用该工序S112将支承板24层叠在带密合性树脂层的基板22的密合性树脂层18表面上，得到层叠体26。此外，能够剥离是指在对后述的带电子器件用构件的层叠体施加用于剥离支承板的外力的情况下，不在基板与密合性树脂层间的交界面处以及密合性树脂层内部剥离，而在支承板与密合性树脂层间的交界面处剥离的性质。
如图2的（F）所示，层叠体26是在基板14的层与支承板24的层之间存在有密合性树脂层18的层叠体。密合性树脂层18的一面固定于基板14的层，并且另一面与支承板24接触，支承板24与密合性树脂层18间的交界面以能够剥离的方式密合。换言之，层叠体26中的密合性树脂层18与基板14的层间的交界面的剥离强度比支承板24的层与密合性树脂层18间的交界面的剥离强度高。
支承板24在制造液晶面板等电子器件用构件的构件形成工序S114中加强带密合性树脂层的基板22。
该层叠体26使用直至后述的构件形成工序S114。即，该层叠体26使用直至在其基板14的第2主面14b表面上形成液晶显示装置等电子器件用构件28（参照图2的（G））。然后，支承板24的层在与密合性树脂层18间的交界面被剥离，支承板24的层不会成为构成电子器件的部分。分离后的支承板24与新的带密合性树脂层的基板层叠，能够作为层叠体而再利用。
以下，详细叙述在该工序中使用的支承板，之后详细叙述该工序S112的步骤。
（支承板）
支承板是支承并加强带密合性树脂层的基板且在后述的构件形成工序S114（制造电子器件用构件的工序）中的制造电子器件用构件时防止基板的变形、损伤、破损等的基板。
作为支承板例如使用SUS板等金属板、玻璃板、塑料板等。在构件形成工序S114伴随有热处理的情况下，支承板优选由与基板间的线膨胀系数之差较小的材料形成，更优选由与基板相同的材料形成，在基板是玻璃基板的情况下，优选支承板是玻璃板。特别是，优选支承板是由与基板相同的玻璃材料构成的玻璃板。
支承板的厚度既可以比基板厚，也可以比基板薄。优选根据基板的厚度、密合性树脂层的厚度以及后述的层叠体的厚度选择支承板的厚度。例如，现行的构件形成工序设计为进行用于在厚度0.5mm的基板上形成构件的处理（例如加热、清洗、成膜、曝光、显影、检查等），在基板的厚度与密合性树脂层的厚度之和为0.1mm的情况下，将支承板的厚度设为0.4mm。在通常的情况下，优选支承板的厚度为0.2mm～5.0mm。
在支承板是玻璃板的情况下，从易于处理且难以破裂等理由考虑，优选玻璃板的厚度为0.08mm以上。另外，从在形成电子器件用构件之后进行剥离时期望不破裂地适度挠曲的刚性的理由考虑，优选玻璃板的厚度为1.0mm以下。
基板与支承板间的25℃～300℃下的平均线膨胀系数（以下简称作“平均线膨胀系数”）之差优选为500×10-7／℃以下，更优选为300×10-7／℃以下，进一步优选为200×10-7／℃以下。若平均线膨胀系数之差过大，则在构件形成工序S114中的加热冷却时，层叠体有可能剧烈翘曲。在基板的材料与支承板的材料相同的情况下能够抑制产生这样的问题。
（工序的步骤）
在该工序S112中准备上述的带密合性树脂层的基板与支承板，以上述带密合性树脂层的基板的密合性树脂层表面与支承板表面作为层叠面而使两者密合层叠。密合性树脂层的层叠面具有易剥离性，能够借助通常的重叠和加压容易地以能够剥离的方式密合于支承板。
具体而言，例如，能够列举出在常压环境下使密合性树脂层的易剥离性的表面与支承板重叠之后，使用辊子、压力机使密合性树脂层与支承板间压接的方法。通过利用辊子、压力机进行压接使密合性树脂层与支承板间更加密合，故而优选。另外，利用辊子或者压力机所进行的压接比较容易地去除混入密合性树脂层与支承板之间的气泡，故而优选。
若利用真空层压法、真空压制法进行压接，则抑制了气泡的混入、确保了良好的密合，故而更优选。通过在真空下进行压接，即使在残存有微小气泡的情况下，气泡也不会因加热而变大，还具有难以导致基板的畸变缺陷的优点。
优选的是，在使密合性树脂层以能够剥离的方式密合于支承板时，充分清洗密合性树脂层以及支承板的彼此接触侧的面，在高清洁度的环境下进行层叠。
［构件形成工序］
在构件形成工序S114中，将电子器件用构件形成于在上述第2层叠工序S112中得到的层叠体中的基板的表面上。
更具体而言，如图2的（G）所示，在该工序S114中，在基板14的第2主面14b上形成电子器件用构件28，得到带电子器件用构件的层叠体30。
首先，详细叙述在该工序中使用的电子器件用构件，之后详细叙述工序的步骤。
（电子器件用构件（功能性元件））
电子器件用构件是形成在层叠体中的基板上且构成电子器件的至少一部分的构件。更具体而言，作为电子器件用构件，能够列举出显示装置用面板、太阳能电池、薄膜二次电池、传感器或者使用于在表面形成有电路的半导体晶片等电子零件等的构件。显示装置用面板包含有机EL面板、电子纸、等离子显示器面板、场发射板等。
例如，作为太阳能电池用构件，在硅型中，能够列举出正极的氧化锡等透明电极、利用p层／i层／n层表示的硅层以及负极的金属等，除此之外，能够列举出与化合物型、色素增感型、量子点型等对应的各种构件等。
另外，作为薄膜二次电池用构件，在锂离子型中，能够列举出正极以及负极的金属或者金属氧化物等透明电极、电解质层的锂化合物、集电层的金属、作为密封层的树脂等，除此之外，能够列举与镍氢型、聚合物型、陶瓷电解质型等对应的各种构件等。
另外，作为传感器用构件，能够列举出使用于以OLED、无机LED作为发光元件且以光二极管作为感光元件而形成电路的生物体用传感器等各种传感器的各种构件等。
另外，作为电子构件用构件，在CCD、CMOS中，能够列举出导电部的金属、绝缘部的氧化硅、氮化硅等，除此之外能够列举出压力传感器、加速度传感器等各种传感器、与刚性印刷电路基板、挠性印刷电路基板、刚性挠性印刷电路基板等对应的各种构件等。
（工序的步骤）
上述带电子器件用构件的层叠体的制造方法不特别限定，与电子器件用构件的构成构件的种类相对应地，利用以往公知的方法在层叠体的基板的表面上形成电子器件用构件。
此外，电子器件用构件也可以不是最终形成在基板的表面上的全部构件（以下称作“全部构件”），而是全部构件的一部分（以下称作“部分构件”）。在之后的工序中，也能够做成带全部构件的基板（相当于后述的电子器件）。
例如，以制造OLED的情况为例，为了在层叠体的基板的与密合性树脂层侧相反的一侧的表面上（即基板的第2主面）形成有机EL构造体，进行形成透明电极、进一步在形成有透明电极的面上蒸镀空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层等、形成背面电极、使用密封板进行密封等各种层形成、处理。作为上述层形成、处理，具体而言，例如能够列举出成膜处理、蒸镀处理、密封板的密合处理等。
另外，以制造LCD的情况为例，能够在层叠体的基板的与密合性树脂层侧相反的一侧的表面上（即基板的第2主面）形成TFT器件，使形成有滤色片的基板经由密封件以TFT器件与滤色片相对的方式贴合。此外，能够在层叠体的基板的与密合性树脂层侧相反的一侧的表面上（即基板的第2主面）形成TFT器件，在另一个层叠体的基板的与密合性树脂层侧相反的一侧的表面上（即基板的第2主面）形成滤色片，使两个层叠体经由密封件以TFT器件与滤色片相对的方式贴合（将所得到的层叠体称作层叠体X）。
另外，以制造电子纸的情况为例，能够在层叠体的基板的与密合性树脂层侧相反的一侧的表面上（即基板的第2主面）形成TFT器件，经由密封件与形成有电子纸元件的基板贴合。
另外，以制造生物体用传感器的情况为例，能够在层叠体的基板的与密合性树脂层侧相反的一侧的表面上（即基板的第2主面）形成包含OLED等发光元件以及光二极管等感光元件的电路，使玻璃罩贴合。
［第2分离工序］
在第2分离工序S116中，从利用上述构件形成工序S114得到的带电子器件用构件的层叠体去除支承板，得到具有密合性树脂层、基板和电子器件用构件的带密合性树脂层的电子器件。更具体而言，如图2的（H）所示，在该工序S116中，从带电子器件用构件的层叠体30中分离、去除支承板24，得到包含电子器件32以及密合性树脂层18的带密合性树脂层的电子器件34，其中，该电子器件32包含基板14与电子器件用构件28。
在剥离时的基板上的电子器件用构件是所需的全部构成构件的形成的一部分的情况下，在分离后也能够将其余的构成构件形成在基板上。
以下，详细叙述该工序S116的步骤。
将支承板与密合性树脂层的剥离性表面间剥离的方法不特别限定。例如，能够实施利用上述第1分离工序说明的步骤。
具体而言，例如，能够向支承板与密合性树脂层间的交界面插入锐利的刀具状的构件，开始剥离，在此基础上能够通过吹送水与压缩空气的混合流体进行剥离。
另外，在从带电子器件用构件的层叠体去除支承板时，通过控制电离器所进行的喷吹、湿度，能够抑制可能对电子器件造成影响的静电。或者，也可以在电子器件中组入消耗静电的电路，也可以组入牺牲电路，使之从端子部向层叠体外导通。
利用上述制造方法得到的带密合性树脂层的电子器件中的密合性树脂层具有其暴露表面能够相对于对象物装卸的密合性。这是因为在与剥离性辅助基板剥离时抑制了密合性树脂层的内聚剥离等，能够维持密合性树脂层的剥离面具有足够的密合性的状态。
另外，带密合性树脂层的电子器件能够使用于各种用途，例如，能够列举出生物体用传感器、壁挂显示装置（壁挂显示器）等。此外，还能够进行将偏光板等光学薄膜、微透镜阵列、主动快门板、触摸板等其他器件（第二器件）贴合于带密合性树脂层的电子器件的复合化、利用再剥离性的第二器件的替换粘贴、以及该器件的再利用。例如，在从上述层叠体X去除支承板而得到的、在两面配置有密合性树脂层且具备TFT器件与滤色片的电子器件中，能够在滤色片侧的密合性树脂层贴合上述第二器件，将TFT基板侧的密合性树脂层粘贴于壁面。此外，在使用透明氧化物TFT基板的透视双面显示器中，TFT基板、滤色片基板均能够粘贴于壁面。
显示装置主要是LCD、OLED或者电子纸，LCD包含TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上在被动驱动型或者主动驱动型的任一种显示装置的情况下都能够应用。电子纸在微胶囊电泳型、胆甾相液晶型、聚合物网络液晶型、电子粉流体型、电润湿型等任一种显示装置的情况下都能够应用。
［第2实施方式］
图4是示出本发明的带密合性树脂层的电子器件的制造方法的其他实施方式的制造工序的流程图。如图4所示，带密合性树脂层的电子器件的制造方法包括辅助基板准备工序S102、固化性树脂组合物层形成工序S104、第1层叠工序S106、脱泡工序S118、固化工序S108、第1分离工序S110、第2层叠工序S112、构件形成工序S114以及第2分离工序S116。
除了具备脱泡工序S118这一点之外，图4所示的各工序采用与图1所示的工序相同的步骤，对相同的工序标注相同的附图标记并省略其说明，主要对脱泡工序S118进行说明。
［脱泡工序］
在脱泡工序S118中，在上述层叠工序S106之后且固化工序S108之前，进行未固化的固化性树脂组合物层的脱泡处理。通过设置该工序S118，从未固化的固化性树脂组合物层去除气泡、易挥发成分，使所得到的密合性树脂层与基板间的密合性进一步增强。
脱泡工序的处理方法根据所使用的未固化的固化性树脂组合物层的材料适当地选择最佳方法，例如，能够列举出使用真空泵的减压脱泡、使用离心力的离心分离脱泡以及使用超声波脱泡装置的超声波脱泡等。从生产率等方面来看，优选在减压条件下进行脱泡处理的减压脱泡，优选其条件是在1000Pa以下（优选为100Pa以下）实施约1分钟～30分钟脱泡处理。
实施例
以下，利用实施例等对本发明进行具体说明，本发明不限定于这些例子。
在以下实施例1以及5～9、比较例1～2中，作为基板，使用由无碱硅硼酸玻璃制成的玻璃板（长720mm、宽600mm、板厚0.3mm、线膨胀系数38×10-7／℃、旭硝子社制商品名“AN100”）。另外，作为辅助基板，使用同样由无碱硅硼酸玻璃制成的玻璃板（长760mm、宽640mm、板厚0.7mm、线膨胀系数38×10-7／℃、旭硝子社制商品名“AN100”），支承板使用同样由无碱硅硼酸玻璃制成的玻璃板（长720mm、宽600mm、板厚0.4mm、线膨胀系数38×10-7／℃、旭硝子社制商品名“AN100”）。
（实施例1）
对辅助基板进行纯水清洗、UV清洗，清洁表面。之后，对辅助基板的单面亦即第2主面施以掩膜，在此基础上向相反侧的第1主面喷涂硅油含有量为1质量%的庚烷溶液并进行干燥。在硅油中使用二甲基聚硅氧烷（东丽·道康宁社制、SH200、运动粘度190～210mm2/s）。接着，为了硅油的低分子化，进行350℃下5分钟的加热处理，获得剥离性辅助基板。
之后，使用接触量角器（クルス社制、DROP SHAPE ANALYSISSYSTEM DSA10Mk2）测量剥离性辅助基板的第1主面的水接触角时，水接触角为100°。
另外，在使用原子间力显微镜（Pacific Nanotechnology社制、Nano Scope IIIa；Scan Rate1.0Hz、Sample Lines256、Off－lineModify Flatten order－2、Planefit order－2）测量剥离性辅助基板的第1主面的表面粗糙度Ra时，表面粗糙度Ra为0.5nm。表面粗糙度Ra根据测量范围10μm见方的测量值计算出。
接下来，在剥离性辅助基板的第1主面上，利用丝网印刷机将在两末端具有乙烯基的直链状有机烯基聚硅氧烷（乙烯基硅酮、荒川化学工业社制、8500）、在分子内具有氢化甲硅烷基的甲基氢聚硅氧烷（荒川化学工业社制、12031）以及铂催化剂（荒川化学工业社制、CAT12070）的混合液涂布成长750mm、宽630mm大小的长方形，将含有未固化的固化性有机硅的层设置在剥离性辅助基板上（涂布量35g／m2）。这里，将直链状有机烯基聚硅氧烷与甲基氢聚硅氧烷的混合比调节为乙烯基与氢化甲硅烷基的摩尔比为1：1。另外，铂催化剂相对于直链状有机烯基聚硅氧烷与甲基氢聚硅氧烷的总量100质量份为5质量份。
接下来，对板厚0.3mm的基板的与有机硅树脂接触的一侧的面（第1主面）进行纯水清洗，之后进行UV清洗来清洁化。之后，通过真空压机使基板的第1主面与含有未固化的固化性有机硅的层在室温下贴合，在30Pa下静置5分钟，进行含有未固化的固化性有机硅的层的脱泡处理，得到固化前层叠体A0。此外，从基板的外周缘到未固化的固化性树脂组合物层的外周缘的长度约为15mm。另外，未固化的固化性树脂组合物层的与基板接触的区域的面积A与未固化的固化性树脂组合物层的全面积B之比（面积A／全面积B）为0.91。
接下来，在大气中以250℃对固化前层叠体A0进行30分钟加热固化，得到厚度10μm的含有固化后的有机硅树脂层的固化后层叠体A1。
接着，使固化后层叠体A1中基板的与有机硅树脂间接触的接触面相反的面（第2主面）真空吸附于平台，在此基础上，向基板的4个位置的角部中的1个位置的角部处的剥离性辅助基板与有机硅树脂层间的交界面插入厚度0.1mm的不锈钢制刀具，使剥离性辅助基板与有机硅树脂层间的交界面开始剥离。并且，利用24个真空吸附盘吸附剥离性辅助基板表面，在此基础上，从靠近插入有刀具的角部的吸附盘依次上升。这里，一边从电离器（基恩士社制）向该界面吹送除电性流体一边进行刀具的插入。接下来，一边从电离器朝向所形成的空隙继续吹送除电性流体一边提升真空吸附盘。其结果，在平台上仅剩余在第1主面形成有有机硅树脂层的玻璃基板A3（带密合性树脂层的基板），从而能够将剥离性辅助基板剥离。此时，在剥离性辅助基板的与有机硅树脂层密合的面（第1主面）上，没有目视观察到有机硅树脂的附着。此外，根据其结果确认到，有机硅树脂层与基板的层间的交界面的剥离强度比剥离性辅助基板的层与密合性树脂层间的交界面的剥离强度大。
接下来，利用高压水去除附着于玻璃基板A3的周边部的毛刺状的有机硅树脂，利用空气吹送去除水。接下来，在室温下利用真空压机将对与有机硅树脂接触的一侧的面（第1主面）进行纯水清洗之后进行UV清洗来清洁化后的支承板贴合在玻璃基板A3的有机硅树脂层上，得到玻璃层叠体A2。接下来，在玻璃层叠体A2中与上述固化后层叠体A1相同地剥离支承板。此时，在支承板的与有机硅树脂层密合的面（第1主面）上没有目视观察到有机硅树脂的附着。
接下来，能够在使形成于玻璃基板A3的第1主面的有机硅树脂层吸附在厚度2mm的玻璃板上之后，从4个位置的角部中的1个位置的角部开始剥离。此时，在厚度2mm的玻璃板的表面没有目视观察到有机硅树脂的附着。并且，在进行再次吸附以及剥离时，在厚度2mm的玻璃板的表面没有目视观察到有机硅树脂的附着。
根据其结果，确认到密合性树脂层显示在与对象物剥离时不会产生层的破坏等的能够装卸的密合性。
（实施例2）
除了使用由钠钙玻璃构成的玻璃板作为辅助基板、支承板以及基板以外，利用与实施例1相同的方法得到玻璃层叠体B2。此外，所使用的辅助基板、支承板以及基板的大小与在实施例1中使用的辅助基板、支承板以及基板的大小相同。
接下来，利用与实施例1相同的方法从玻璃层叠体B2剥离支承板，得到在第1主面形成有有机硅树脂层的钠钙玻璃基板B3。此时，在支承板的与有机硅树脂层密合的面（第1主面）上没有目视观察到有机硅树脂的附着。
接下来，能够利用与实施例1相同的方法使钠钙玻璃基板B3吸附在厚度2mm的玻璃板上并从该玻璃板剥离。此时，在厚度2mm的玻璃板的表面没有目视观察到有机硅树脂的附着。
根据其结果，确认到密合性树脂层显示在与对象物剥离时不会产生层的破坏等的能够装卸的密合性。
（实施例3）
除了使用经过化学增强后的玻璃板作为辅助基板、支承板以及基板以外，利用与实施例1相同的方法得到玻璃层叠体C2。此外，所使用的辅助基板、支承板以及基板的大小与在实施例1中使用的辅助基板、支承板以及基板的大小相同。
接下来，利用与实施例1相同的方法从玻璃层叠体C2剥离支承板，得到在第1主面形成有有机硅树脂层的经过化学增强后的玻璃基板C3。此时，在支承板的与有机硅树脂层密合的面（第1主面）上没有目视观察到有机硅树脂的附着。
接下来，能够利用与实施例1相同的方法使玻璃基板C3吸附在厚度2mm的玻璃板上并从该玻璃板剥离。此时，在厚度2mm的玻璃板的表面没有目视观察到有机硅树脂的附着。
（实施例4）
除了使用基板聚酰亚胺树脂板（东丽杜邦社制，Kapton200HV）以外，利用与实施例1相同的方法得到具有支承板的层、密合性树脂层与聚酰亚胺树脂板的槽的层叠体D2。此外，基板的厚度为0.05mm，支承板的厚度为0.7mm。
接下来，利用与实施例1相同的方法从层叠体D2剥离支承板，得到在第1主面形成有有机硅树脂层的聚酰亚胺树脂基板D3。此时，在支承板的与有机硅树脂层密合的面（第1主面）上没有目视确认到有机硅树脂的附着。
接下来，能够利用与实施例1相同的方法使聚酰亚胺树脂基板D3吸附在厚度2mm的玻璃板上并从该玻璃板剥离。此时，在厚度2mm的玻璃板的表面没有目视观察到有机硅树脂的附着。
（实施例5）
在本例中，使用在实施例1中得到的玻璃层叠体A2制成OLED。
更具体而言，利用溅射法在玻璃层叠体A2中的基板的第2主面上形成钼膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成栅电极。接下来，利用等离子体CVD法在设置有栅电极的基板的第2主面侧按顺序进一步形成氮化硅膜、本征非晶体硅膜、n型非晶体硅膜，接下来利用溅射法形成钼膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成栅极绝缘膜、半导体元件部以及源极/漏极电极。接下来，利用等离子体CVD法在基板的第2主面侧进一步形成氮化硅膜并形成钝化层，之后利用溅射法形成氧化铟锡膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成像素电极。
接着，利用蒸镀法在基板的第2主面侧进一步形成作为空穴注入层的4，4’，4”－三（3－甲基苯基－苯基氨基）三苯胺的膜、作为空穴输送层的双［（N－萘基）－N－苯基］联苯胺的膜、作为发光层的在8－羟基喹啉铝络合物（Alq3）中混合有40体积%的2，6－双［4－［N－（4－甲氧基苯基）－N－苯基］氨基苯乙烯基］萘－1，5－二腈（BSN－BCN）而得到的物质的膜、作为电子输送层的Alq3的膜。接下来，利用溅射法在基板的第2主面侧形成铝膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成相对电极。接下来，使另外准备的另一个玻璃板借助紫外线固化型的接合层贴合并密封在形成有相对电极的基板的第2主面上。根据上述步骤得到的、在基板上具有有机EL构造体的层叠体A2相当于带支承板的显示装置用面板（面板A2）（带电子器件用构件的层叠体）。
接着，使面板A2的密封体侧真空吸附于平台，在此基础上，向面板A2的角部的、支承板与有机硅树脂层间的交界面插入厚度0.1mm的不锈钢制刀具来分离支承板，从而得到在第1主面形成有有机硅树脂层的OLED面板（相当于带密合性树脂层的电子器件。以下称作面板A）。在将IC驱动器连接于制成的面板A并进行驱动时，在驱动区域内没发现显示不均。
接下来，在使面板A的第1主面的有机硅树脂层吸附于厚度2mm的玻璃板上之后，能够从4个位置的角部中的1个位置的角部开始不损伤面板A地进行剥离。并且，能够不损伤面板地进行再次吸附以及剥离。
根据其结果，确认到密合性树脂层显示在与对象物剥离时不会产生层的破坏等的能够装卸的密合性。
（实施例6）
在本例中，使用在实施例1中得到的玻璃层叠体A2制成电子纸。
利用溅射法在玻璃层叠体A2中的基板的第2主面上形成钼膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成栅电极。接下来，利用等离子体CVD法在设置有栅电极的基板的第2主面侧按顺序进一步形成氮化硅膜、本征非晶体硅膜、n型非晶体硅膜，接下来利用溅射法形成钼膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成栅极绝缘膜、半导体元件部以及源极/漏极电极。接下来，利用等离子体CVD法在基板的第2主面侧进一步形成氮化硅膜并形成钝化层，之后利用溅射法形成氧化铟锡膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成像素电极。
接下来，利用溅射法在另外准备的玻璃板的表面（第1主面）形成氧化铟锡膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成对电极。接下来，在玻璃板的第1主面上利用印刷进一步涂布使微胶囊分散而得到的粘接性树脂液。其中，微胶囊使用在由平均直径50微米的阿拉伯树胶·明胶的复合膜构成的壁膜中以硅油分散的状态封入有由氧化钛构成的白颗粒和由碳黑构成的黑颗粒而得到的微胶囊。使用作为白颗粒的氧化钛带正电荷且作为黑颗粒的碳黑带负电荷的微胶囊。
接下来，根据上述步骤使设置有像素电极的玻璃层叠体A2的第2主面侧的表面与涂布有上述密合性树脂液的玻璃板的第1主面侧的表面贴合。根据上述步骤得到带支承板的电子纸面板（带电子器件用构件的层叠体）。
接着，利用与实施例5相同的方法剥离支承板，得到在第1主面形成有有机硅树脂层的电子纸面板（相当于带密合性树脂层的电子器件。以下称作面板B）。
在将IC驱动器连接于制成的面板B并驱动时，在驱动区域内没发现显示不均。
接下来，利用与实施例5相同的方法使面板B的第1主面的有机硅树脂层吸附在厚度2mm的玻璃板上，之后能够不损伤面板地进行剥离。
（实施例7）
在本例中，使用在实施例1中得到的玻璃层叠体A2制成血流量传感器。
首先，利用溅射法在玻璃层叠体A2中的基板的第2主面上形成氧化铟锡膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成透明电极。接下来，利用等离子体CVD法在设置有栅电极的基板的第2主面侧按顺序进一步形成p型非晶体硅膜层、i型非晶体硅膜层、n型非晶体硅膜层，在利用溅射法形成钼膜之后，使用光刻法实施蚀刻，由光电变换层形成上部电极。接下来，利用等离子体CVD法在基板的第2主面侧进一布形成氮化硅膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成绝缘层，形成作为感光元件的光二极管阵列。
接着，利用蒸镀法在基板的第2主面侧进一步形成作为空穴注入层的4，4’，4”－三（3－甲基苯基－苯基氨基）三苯胺的膜、作为空穴输送层的双［（N－萘基）－N－苯基］联苯胺的膜、作为发光层的在8－羟基喹啉铝络合物（Alq3）中混合有40体积%的2，6－双［4－［N－（4－甲氧基苯基）－N－苯基］氨基苯乙烯基］萘－1，5－二腈（BSN－BCN）而得到的物质的膜、作为电子输送层的Alq3的膜。接下来，利用溅射法形成铝膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成相对电极，形成作为发光元件的有机EL阵列。接下来，借助紫外线固化型的接合层使另外准备的另一个玻璃板贴合并密封。根据上述步骤得到的、在基板上具有血流量传感器元件的层叠体相当于带支承板的血流量传感器元件（带电子器件用构件的层叠体）。
接着，利用与实施例5相同的方法剥离支承板，得到在第1主面形成有有机硅树脂层的多个血流量传感器元件集成体。从集成体分割各个血流量传感器元件，安装支承用带，得到血流量传感器。
在将IC驱动器连接于制成的血流量传感器并进行驱动时，在驱动区域内没发现驱动不均匀。
接下来，以将血流量传感器元件的第1主面的有机硅树脂层密合在人体的手背上的方式安装血流量传感器，能够不损伤传感器地进行着脱。
（实施例8）
在本例中，使用在实施例1中得到的玻璃层叠体A2制成带触摸板的LCD。
准备两个玻璃层叠体A2，首先，利用溅射法在其中一个玻璃层叠体A2中的基板的第2主面上形成钼膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成栅电极。接下来，利用等离子体CVD法在设置有栅电极的基板的第2主面侧按顺序进一步形成氮化硅膜、本征非晶体硅膜、n型非晶体硅膜，接下来利用溅射法形成钼膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成栅极绝缘膜、半导体元件部以及源极/漏极电极。接下来，利用等离子体CVD法在基板的第2主面侧进一步形成氮化硅膜并形成钝化层，之后利用溅射法形成氧化铟锡膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成像素电极。接下来，利用辊涂法在形成有像素电极的基板的第2主面上涂布聚酰亚胺树脂液，借助热固化形成取向层，进行摩擦。将所得到的玻璃层叠体A2称作玻璃层叠体A2－1。
接下来，利用溅射法在另一个玻璃层叠体A2中的基板的第2主面上形成铬膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成遮光层。接下来，利用模涂法在设置有遮光层的基板的第2主面侧进一步涂布彩色抗蚀液，利用光刻法以及热固化形成滤色片层。接下来，利用溅射法在基板的第2主面侧进一步形成氧化铟锡膜，形成相对电极。接下来，利用模涂法在设置有相对电极的基板的第2主面上涂布紫外线固化树脂液，利用光刻法以及热固化形成柱状隔离物。接下来，利用辊涂法在形成有柱状隔离物的基板的第2主面上涂布聚酰亚胺树脂液，利用热固化形成取向层，进行摩擦。接下来，利用分液法在基板的第2主面侧将密封用树脂液描绘成框状，利用分液法在框内使液晶滴下，之后使用上述玻璃层叠体A2－1使两个玻璃层叠体A2的基板的第2主面侧彼此贴合，借助紫外线固化以及热固化得到具有LCD面板的层叠体。以下将这里的具有LCD面板的层叠体称作带面板的层叠体C2。
接下来，与实施例1相同地从带面板的层叠体C2剥离两面的支承板，得到在TFT阵列基板、滤色片基板各自的第1主面形成有有机硅树脂层的LCD面板C（以下称作面板C）。
在将IC驱动器连接于所制成的面板C并进行驱动时，在驱动区域内没发现显示不均。
接下来，在面板C的滤色片基板的第1主面的有机硅树脂层粘贴有触摸板。并且，利用与实施例1相同的方法使面板C的TFT阵列基板的第1主面的有机硅树脂层吸附在厚度2mm的玻璃板上，之后能够不损伤面板地进行剥离。此外，能够既不损伤触摸板也不损伤面板地剥离粘贴在面板C的滤色片基板的第1主面的有机硅树脂层上的触摸板。
（实施例9）
在本例中，使用在实施例1中得到的玻璃层叠体A2制成透视OLED。
首先，利用溅射法在玻璃层叠体A2中的基板的第2主面上形成钼膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成栅电极。接下来，利用溅射法在基板的第2主面侧进一步形成氧化铝膜并形成栅极绝缘膜，接着利用溅射法形成氧化铟镓锌膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成氧化物半导体层。接下来，利用溅射法在基板的第2主面侧进一步形成氧化铝膜并形成通道保护层，接着利用溅射法形成钼膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成源极以及漏极。接下来，利用溅射法在基板的第2主面侧进一步形成氧化铝膜并形成钝化层，接着利用溅射法形成氧化铟锡膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成像素电极。
接着，利用蒸镀法在基板的第2主面侧进一步形成作为空穴注入层的4，4’，4”－三（3－甲基苯基－苯基氨基）三苯胺的膜、作为空穴输送层的双［（N－萘基）－N－苯基］联苯胺的膜、作为发光层的在8－羟基喹啉铝络合物（Alq3）中混合有40体积%的2，6－双［4－［N－（4－甲氧基苯基）－N－苯基］氨基苯乙烯基］萘－1，5－二腈（BSN－BCN）而得到的物质的膜、作为电子输送层的Alq3的膜。接下来，利用溅射法形成铝膜，借助使用光刻法进行的蚀刻形成相对电极。
接下来，准备另一个成为密封体的、在基板的第2主面形成有密封件层的层叠体A2，使该层叠体A2与形成有上述透视有机EL构造体的面贴合并密封，得到带面板的层叠体D2。
接下来，与实施例1相同地从带面板的层叠体D2剥离两面的支承板，得到透视OLED面板（以下称作面板D）。
在将IC驱动器连接于所制成的面板D并进行驱动时，在驱动区域内没发现显示不均。
接下来，利用与实施例1相同的方法使形成于面板D的TFT阵列基板的第1主面的有机硅树脂层吸附在厚度2mm的玻璃板上，之后能够不损伤面板地进行剥离。并且，利用与实施例1相同的方法使形成于面板D的密封基板的第1主面的有机硅树脂层吸附在厚度2mm的玻璃板上，之后能够不损伤面板地进行剥离。
（比较例1）
与实施例1相同，对基板的第1主面进行纯水清洗、UV清洗并清洁化。
接下来，利用丝网印刷将实施例1中的、在末端具有乙烯基的直链状有机烯基聚硅氧烷、在分子内具有氢化甲硅烷基的甲基氢聚硅氧烷和铂催化剂的混合液的99.5质量份与硅油（东丽·道康宁社制、SH200）的0.5质量份的混合物涂布在基板的第1主面上。接下来，在大气中以250℃进行30分钟加热固化，形成厚度10μm的固化的有机硅树脂层。
接着，对支承板的第1主面进行纯水清洗、UV清洗并清洁化，之后在室温下利用真空压机使该支承板的第1主面密合于形成在基板的第1主面上的有机硅树脂层，得到层叠体P1。
并且，在层叠体P1的基板上以与实施例5相同的步骤制成OLED，之后剥离支承板，得到在基板的第1主面形成有有机硅树脂层的有机EL面板（以下称作面板P）。
在将IC驱动器连接于所制成的面板P并进行驱动时，在驱动区域内发现显示不均，不合格部分存在于层叠体P1的相当于端部附近的部分。
（比较例2）
利用与比较例1相同的方法得到层叠体P1。
并且，在层叠体P1的基板上以与实施例6相同的步骤制成电子纸面板，之后剥离支承板，得到在基板的第1主面形成有有机硅树脂层的电子纸面板（以下称作面板Q）。
在将IC驱动器连接于所制成的面板Q并进行驱动时，在驱动区域内发现显示不均，不合格部分存在于层叠体P1的相当于端部附近的部分。
（比较例3）
除了变更为长760mm、宽640mm、板厚0.3mm的玻璃基板以外，在室温下以与实施例1相同的方法对玻璃基板与支承板的树脂层面间进行真空冲压时，玻璃基板的端部（周边部）与处于中央部的支承板的树脂层面之间的空隙没有被消除，当进一步在压力10Pa的环境下以350℃进行10分钟加热处理时，玻璃基板破损。
如上述实施例5～9所示，根据本发明的电子器件的制造方法，能够以高合格率制造性能优异的电子器件。
另一方面，在没有辅助基板准备工序的专利文献1所记载的以往的方法中，如上述比较例1、2所示，存在发生所得到的电子器件的性能降低的情况。在比较例1、2中，在电子器件的端部（周边部）附近观察到显示不均。认为这是因为如上所述那样，在通过固化处理得到的密合性树脂层（特别是密合性树脂层的外周缘附近）因厚度不均而在支承板与密合性树脂层之间产生空隙，异物进入该空隙而导致电子器件的性能降低。
另外，在使用具有与未固化的固化性树脂组合物层的外形尺寸相同的外形尺寸的基板的比较例3中，在端部（周边部）与中央部产生空隙。
本申请基于2011年10月12日申请的日本特许出愿2011－225255主张优先权，其内容作为参考被引入本说明书。
附图标记说明
10：剥离性辅助基板；12：未固化的固化性树脂组合物层；12a：未固化的固化性树脂组合物层的周边区域；14：基板；16：固化前层叠体；18：密合性树脂层；18a：密合性树脂层的周边区域；20：固化后层叠体；22：带密合性树脂层的基板；24：支承板；26：层叠体；28：电子器件用构件；30：带电子器件用构件的层叠体；32：电子器件；34：带密合性树脂层的电子器件；36、118：空隙；100：玻璃基板；102：有机硅树脂层；104：带树脂层的基板；106：支承板；108：层叠体；110：电子器件用构件；112：电子器件；114：带树脂层的电子器件；116：凸部。

Claims (10)

1.一种带密合性树脂层的电子器件的制造方法，该带密合性树脂层的电子器件依次具有密合性树脂层、基板以及电子器件用构件，
该带密合性树脂层的电子器件的制造方法包括以下工序：
辅助基板准备工序，准备具有显示易剥离性的表面的剥离性辅助基板；
固化性树脂组合物层形成工序，在上述剥离性辅助基板的显示易剥离性的表面上涂布固化性树脂组合物，形成未固化的固化性树脂组合物层；
第1层叠工序，将外形尺寸比上述未固化的固化性树脂组合物层的外形尺寸小的基板以在上述未固化的固化性树脂组合物层留出不与上述基板接触的周边区域的方式层叠在上述未固化的固化性树脂组合物层上，得到固化前层叠体；
固化工序，使上述固化前层叠体中的上述未固化的固化性树脂组合物固化，得到具有密合性树脂层的固化后层叠体；
第1分离工序，从上述固化后层叠体分离出具有上述基板和与上述基板的表面接触的密合性树脂层的带密合性树脂层的基板；
第2层叠工序，以上述带密合性树脂层的基板中的密合性树脂层与支承板接触的方式将上述带密合性树脂层的基板以能够剥离的方式层叠在上述支承板上，得到层叠体；
构件形成工序，在上述层叠体中的上述基板的表面上形成电子器件用构件，得到带电子器件用构件的层叠体；以及
第2分离工序，从上述带电子器件用构件的层叠体去除上述支承板，得到依次具有上述密合性树脂层、上述基板以及上述电子器件用构件的带密合性树脂层的电子器件。
2.根据权利要求1所述的带密合性树脂层的电子器件的制造方法，其中，
上述基板是玻璃基板。
3.根据权利要求1或2所述的带密合性树脂层的电子器件的制造方法，其中，
在上述第1层叠工序之后、上述固化工序之前，还包括进行上述未固化的固化性树脂组合物层的脱泡处理的脱泡工序。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的带密合性树脂层的电子器件的制造方法，其中，
上述辅助基板准备工序是使用剥离剂处理辅助基板的表面从而得到具有显示易剥离性的表面的剥离性辅助基板的工序。
5.根据权利要求4所述的带密合性树脂层的电子器件的制造方法，其中，
上述剥离剂包含具有甲基甲硅烷基或者氟代烷基的化合物。
6.根据权利要求4所述的带密合性树脂层的电子器件的制造方法，其中，
上述剥离剂包含硅油或者氟类化合物。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的带密合性树脂层的电子器件的制造方法，其中，
上述密合性树脂层含有有机硅树脂。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的带密合性树脂层的电子器件的制造方法，其中，
上述密合性树脂层是由具有烯基的有机烯基聚硅氧烷和具有与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷的组合而成的加成反应型有机硅的固化物。
9.根据权利要求8所述的带密合性树脂层的电子器件的制造方法，其中，
在上述有机氢聚硅氧烷的硅原子上键合的氢原子与上述有机烯基聚硅氧烷的烯基的摩尔比为0.5～2。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的带密合性树脂层的电子器件的制造方法，其中，
上述密合性树脂层含有5质量%以下的非固化性的有机聚硅氧烷。
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