WO2012108142A1

WO2012108142A1 - 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法

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Publication number: WO2012108142A1
Application number: PCT/JP2012/000603
Authority: WO
Inventors: 杉本　宏; 通園田
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2011-02-07
Filing date: 2012-01-31
Publication date: 2012-08-16
Also published as: TW201240076A; US8895974B2; US20130299808A1; CN103329625A; TWI580022B; CN103329625B

Abstract

　有機ＥＬ表示装置（１００）は、絶縁層（１１３）が、第１絶縁膜（１１３ａ）及びその上層の第２絶縁膜（１１３ｂ）で構成され、上部電極（１１５ｃ）が、複数の有機ＥＬ層（１１５ｂ）のそれぞれを覆うように複数設けられ、第１絶縁膜（１１３ａ）と第２絶縁膜（１１３ｂ）の間には、発光領域以外の領域Ｎに対応して、有機ＥＬ層（１１５ｂ）における発光のうち発光領域以外の領域Ｎに拡散した光を、隔壁部（１１６）及び封止基板（１２０）内を透過させて封止基板側の表示として視認可能となるように封止基板（１２０）側に反射する反射膜（１１４）が形成されている。

Description

有機ＥＬ表示装置及びその製造方法

　本発明は、パネルの両面において画像表示を行う両面表示型の有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関する。

　近年、低電圧駆動、全固体型、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとしては、有機エレクトロルミネッセンス（以下「有機ＥＬ」とも称する。）表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子が形成された有機ＥＬ基板と、有機ＥＬ基板に対向すると共に有機ＥＬ素子を封止するように配置された封止基板で構成されている。有機ＥＬ基板は、例えば、ガラス基板上に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下「ＴＦＴ」とも称する。）が形成され、その表面を平坦化し且つ絶縁するために平坦化膜が形成され、さらにその上に、下部電極、有機層、及び上部電極が順に積層形成された構造を有する。

　有機ＥＬ表示装置は、大きく分けて、下部電極側から光を取り出すボトムエミッション型のもの（図４４参照）と、上部電極側から光を取り出すトップエミッション型のもの（図４５参照）とがある。ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、下部電極がＩＴＯ等の透明電極で、及び上部電極が光反射性の金属電極で形成されている。一方、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、一般に、下部電極が光反射性の金属電極で、及び上部電極が半透明電極で形成されている。

　近年、携帯電話機市場において、主画面（メインディスプレイ）と副画面（サブディスプレイ）の表裏両面表示を可能とした表示装置の需要が高まっており、高い表示品位を有し且つ薄型軽量な両面表示装置が要求されている。また、携帯電話機に限らず、マルチメディアプレーヤ等のモバイル機器に搭載される表示装置（モバイルビューア）や、大型の情報掲示板（デジタルサイネージ）等の分野においても、両面表示装置を用いることにより、デザイン性や表現性の幅の広がりや、省スペースの効果が期待されている。

　現在実用されている両面表示装置は、２枚の表示パネルを背中合わせに配置したものであり、両面表示装置の薄型化、軽量化には限界があると同時に、２枚の表示パネルを使用することによりコスト面でも問題がある。そこで、１枚の表示パネルで両面表示を行うことが望まれる。

　１枚の表示パネルで両面表示を行う表示装置としては、自発光型の表示装置が好適であり、有機ＥＬ表示装置で両面表示を行うための研究がなされている。

　特許文献１には、単一の画素回路上に、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子とトップエミッション型の有機ＥＬ素子を積層した構成の両面有機ＥＬ表示装置が開示されている。

　特許文献２には、１つの画素領域内に下方に向かって発光を行う第１領域と、上方に向かって発光を行う第２領域と、が形成された構成の有機ＥＬ表示装置が開示されている。

　特許文献３には、ガラス基板上にＴＦＴ、平坦化膜、反射膜、下部電極、有機ＥＬ層、及び上部電極が順に積層され、反射膜が発光領域において開口部を有する、或いは、反射膜が発光領域において島状パターンに設けられている構成の有機ＥＬ表示装置が開示されている。

特開２００７－０７３２４９号公報特開２００５－３４０２０２号公報特開２００６－１４０１２７号公報

　しかしながら、特許文献１の両面有機ＥＬ表示装置によれば、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子とトップエミッション型の有機ＥＬ素子とを積層するため、積層数が著しく増加したり、有機層上に形成する電極や絶縁膜をパターンニングする工程が必要となって複雑化を招いたりし、歩留まりが低下する。また、特許文献１の両面有機ＥＬ表示装置によれば、表面表示と裏面表示とで十分な光量を確保するために大きな電流を流す必要があり、消費電力が増大する問題がある。

　特許文献２の両面有機ＥＬ表示装置によれば、１つの画素領域内を上面発光用の領域と下面発光用の領域とに分割して両面表示を行うこととなるので、各面において得られる表示の輝度が小さくなってしまう。そのため、有機ＥＬ素子に大きな電流を流さなければならず、消費電力の増大、素子寿命の低下、信頼性の低下の問題が生じる。また、上面発光を行う有機ＥＬ素子と下面発光を行う有機ＥＬ素子を形成することとなるので、製造工程が複雑となり、歩留まりが低下する。

　特許文献３の両面有機ＥＬ表示装置によれば、特許文献２の構成のものと同様、１つの画素領域内を上面発光用の領域（反射膜が存在する領域）と下面発光用の領域（反射膜が存在しない領域）とに分割して両面表示を行うこととなるので、各面において得られる表示の輝度が小さくなってしまう。そのため、有機ＥＬ素子に大きな電流を流さなければならず、消費電力の増大、素子寿命の低下、信頼性の低下の問題が生じる。また、下部電極が開口部を有する、または、島状パターンの反射膜の上層に形成されることとなるので、下部電極に段差が発生し、下部電極上の有機層の膜厚を均一に形成するのが困難となり、その結果、下部電極と上部電極の間で短絡が発生しやすくなる。

　本発明は、パネルの両面において画像表示を行う両面表示型の有機ＥＬ表示装置において、消費電力の増大を招くことなく、また、良好な表示品位で画像表示可能な有機ＥＬ表示装置を得ることを目的とする。

　上述した課題を解決するための第１の発明は、
　マトリクス状に複数の発光領域が設けられた有機ＥＬ基板と封止基板とが対向配置され、基板周縁部に枠状に設けられた非表示領域と、その内側に設けられた表示領域と、を有し、
　上記有機ＥＬ基板は、
　　有機ＥＬ基板本体と、
　　上記有機ＥＬ基板本体上に複数の発光領域のそれぞれに対応して形成された複数のスイッチング素子と、
　　上記有機ＥＬ基板本体及び複数のスイッチング素子を覆うと共に表面を平坦化するように形成された絶縁層と、
　　上記絶縁層上に複数の発光領域のそれぞれに対応して形成され、光透過性材料からなる複数の下部電極と、
　　上記絶縁層上に、上記複数の発光領域を区画するように発光領域以外の領域に対応して形成され、光透過性材料からなる隔壁部と、
　　上記複数の下部電極のそれぞれを覆うように形成された複数の有機ＥＬ層と、
　　上記複数の有機ＥＬ層を覆うように形成され、光反射性材料からなる上部電極と、
を備え、
　上記有機ＥＬ層における発光が上記有機ＥＬ基板本体側に伝播して有機ＥＬ基板側の表示として視認される有機ＥＬ表示装置であって、
　上記絶縁層は、第１絶縁膜及びその上層の第２絶縁膜で構成され、
　上記上部電極は、上記複数の有機ＥＬ層のそれぞれを覆うように複数設けられ、
　上記第１絶縁膜と第２絶縁膜の間には、上記発光領域以外の領域に対応して、上記有機ＥＬ層における発光のうち発光領域以外の領域に拡散した光を、上記隔壁部及び封止基板内を透過させて封止基板側の表示として視認可能となるように封止基板側に反射する反射膜が形成されていることを特徴とする。

　第１の発明によれば、第１絶縁膜と第２絶縁膜の間には、発光領域以外の領域に対応して反射膜が形成され、その反射膜が、有機ＥＬ層における発光のうち発光領域以外の領域に拡散した光を、隔壁部及び封止基板内を透過させて封止基板側の表示として視認可能とするべく、封止基板側に反射できるように位置付けられている。そのため、有機ＥＬ層における発光は、有機ＥＬ基板本体側に伝播して有機ＥＬ基板側の表示として視認される一方で、有機ＥＬ基板本体側に伝播しつつも発光領域以外の領域に斜め方向に拡散した光は、反射膜で反射されて隔壁部に入射される。上部電極は、複数の有機ＥＬ層のそれぞれを覆うように複数設けられるので、隔壁部は、上面が上部電極で被覆されていないこととなる。従って、隔壁部に入射された光は、そのまま隔壁部を透過して封止基板側に入射され、封止基板側における表示として外部から視認される。つまり、１枚のパネルを駆動することにより有機ＥＬ基板側と封止基板側の両面において画像表示を行うことができる。

　また、第１の発明によれば、従来では有効利用されていない斜め方向に放射される光を封止基板側における表示を構成する光として利用するので、両面表示を行っても、有機ＥＬ基板側における表示の発光輝度が大きく低下する虞がなく、また、消費電力の増大を招く虞がない。

　また、このとき、封止基板側における表示は、発光領域以外の領域に対応して設けられた隔壁部を透過して封止基板へ放出されて視認されるので、発光領域を囲む大きな領域を封止基板側における発光領域として画像表示が行われることとなる。また、各発光領域の光が反射膜で反射されて隔壁部で混合されて封止基板側で表示されることとなるので、封止基板側における各発光領域の境界が視認されにくくなる。従って、封止基板側においても、良好な表示品位で画像表示を行うことができる。

　また、第１の発明によれば、反射膜を覆うように第２絶縁膜が設けられ、第２絶縁膜の表面、すなわち絶縁層の表面を平坦化するように設けられているので、絶縁層上に形成された下部電極、有機ＥＬ層、及び上部電極からなる有機ＥＬ素子の各膜厚が不均一になるのが抑制され、信頼性の高い有機ＥＬ素子が得られる。

　さらに、第１の発明によれば、有機ＥＬ層における発光が有機ＥＬ基板本体側に向かう際、光が絶縁層中を伝播して有機ＥＬ基板本体に進入、または、反射膜で反射されて隔壁部に進入し直接封止基板へ抜けることとなるので、光が気体中を進むことがなく、光の損失を抑制することができる。

　また、第１の発明によれば、上部電極が光反射性材料で、及び下部電極が光透過性材料で形成されているので、下部電極と上部電極との間での光の多重反射による光の干渉の影響（マイクロキャビティ効果）に起因して視野角によって色純度や輝度が変化してしまう問題を考慮することなく、封止基板側において画像表示を行うことができる。

　第２の発明は、第１の発明において、
　上記反射膜は、上記発光領域の周縁部と重なり合うように配置されていることを特徴とする。

　第２の発明によれば、不透明な上部電極と不透明な反射膜とが重なり合うように設けられることにより、外光が有機ＥＬパネルを通過してパネルの反対側で視認されて表示品位が低下するのを抑制することができる。しかも、反射膜は発光領域のうち周縁部と重なり合うように設けられているので、発光領域の発光面積が大きく低下して有機ＥＬ基板側の画像表示の輝度が低下する問題も生じない。

　第３の発明は、第１または第２の発明において、
　上記隔壁部は、上記封止基板に接触して封止基板を支持するスペーサとして機能することを特徴とする。

　第３の発明によれば、隔壁部が、封止基板に接触して封止基板を支持するスペーサとして機能するので、隔壁部とは別部材としてスペーサを設ける必要がなく、有機ＥＬ表示装置の開口率を高めることができる。また、隔壁部の表面は上部電極で被覆されないで隔壁部自身が封止基板に接触するので、有機ＥＬ基板と封止基板との間の距離を一定に保持した状態で封止基板を支持することができる。

　第４の発明は、第１～第３のいずれか１つの発明において、
　上記第１絶縁膜及び第２絶縁膜は、同一の屈折率を有する材料で形成されていることを特徴とする。

　第４の発明によれば、第１導電膜と第２導電膜との界面を光が進む場合に光の屈折が起こらず、光の損失を抑制することができ、優れた光取り出し効率が得られる。

　第５の発明は、第１～第４のいずれか１つの発明において、
　上記複数の発光領域は、赤色発光を行う赤色発光領域、緑色発光を行う緑色発光領域、及び青色発光を行う青色発光領域で構成されていることを特徴とする。

　第６の発明は、第１～第４のいずれか１つの発明において、
　上記複数の発光領域は青色発光領域で構成され、
　上記隔壁部は、
　　当該隔壁部を透過する青色光を赤色光に変換する赤色変換部と、
　　当該隔壁部を透過する青色光を緑色光に変換する緑色変換部と、
　　当該隔壁部を透過する光の波長の変換を行わない透明樹脂部と、
で構成され、
　上記有機ＥＬ層における青色発光が有機ＥＬ基板本体側に伝播して有機ＥＬ基板側のモノカラー表示として視認される一方、
　当該青色発光のうち発光領域以外の領域に拡散した青色光は、上記反射膜で封止基板側に反射され、上記赤色変換部を透過する光は赤色光として、上記緑色変換部を透過する光は緑色光として、及び上記透明樹脂部を透過する光は青色光として、封止基板内をさらに透過して封止基板側のＲＧＢフルカラー表示として視認されることを特徴とする。

　第６の発明によれば、複数の発光領域が青色発光領域で構成されているので、有機ＥＬ基板側において青色モノカラーの画像表示を得ることができる。一方、封止基板側においては、反射膜で反射され封止基板側に向かう青色光が、隔壁部の赤色変換部により変換された赤色光、隔壁部の緑色変換部により変換された緑色光、及び隔壁部の透明樹脂部を透過した青色光として封止基板側に到達することにより、ＲＧＢフルカラー表示として視認される。すなわち、第６の発明によれば、両面表示を行う有機ＥＬ表示装置において、一方の面ではモノカラー表示を、及び他方の面ではフルカラー表示を行うことが可能となる。

　なお、有機ＥＬ基板側の表示としては、色変換フィルターを介することにより、青色以外の色のモノカラー表示とすることも可能である。

　第７の発明は、第１～第６のいずれか１つの発明において、
　上記反射膜は、表面に凹凸が設けられていることを特徴とする。

　第７の発明によれば、反射膜の表面に凹凸が設けられているので、有機ＥＬ層における発光が反射膜で反射する際、光を、様々な方向に散乱させることができる。従って、反射膜で反射された光が封止基板側において視認されるときに、基板正面方向に向かう光が多く含まれることとなり、封止基板側において優れた表示品位が得られる。

　第８の発明は、第７の発明において、
　上記凹凸は、上記反射膜上に設けられた凹部により形成されていることを特徴とする。

　第８の発明によれば、反射膜表面に凹部を形成することにより反射膜表面に凹凸が形成されているので、反射膜表面に容易に凹凸を設けることができる。

　第９の発明は、
　マトリクス状に複数の発光領域が配置された有機ＥＬ基板と封止基板とが対向配置され、基板周縁部に枠状に配された非表示領域と、その内側に配された表示領域と、を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
　基板本体上に、複数の発光領域のそれぞれに対応して複数のスイッチング素子を形成し、
　上記基板本体及び複数のスイッチング素子を覆うように第１絶縁膜を形成し、
　上記第１絶縁膜上に、上記発光領域以外の領域に対応して反射膜を形成し、
　上記第１絶縁膜及び上記反射膜を覆うと共に表面を平坦化するように第２絶縁膜を形成し、
　上記第２絶縁膜上に、複数の発光領域のそれぞれに対応して複数の下部電極を形成し、
　上記第２絶縁膜上に、上記複数の発光領域を区画するように発光領域以外の領域に対応して隔壁部を形成し、
　上記複数の下部電極それぞれを覆うように複数の有機ＥＬ層を形成し、
　上記複数の有機ＥＬ層のそれぞれを覆うように複数の上部電極を形成する
ことにより有機ＥＬ基板を作製する有機ＥＬ基板形成工程と、
　上記有機ＥＬ基板形成工程で作製した有機ＥＬ基板と封止基板とを対向させて非表示領域において貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、
を備え、
　上記有機ＥＬ基板形成工程において、上記有機ＥＬ層における発光のうち発光領域以外の領域に拡散した光が、上記反射膜で反射した後上記隔壁部及び封止基板内を透過し、封止基板側の表示として視認されるように、該反射膜を形成することを特徴とする。

　第９の発明によれば、第１絶縁膜上に、複数の発光領域のそれぞれに対応して反射膜を形成し、その反射膜を、有機ＥＬ層における発光のうち発光領域以外の領域に拡散した光を、隔壁部及び封止基板内を透過させて封止基板側の表示として視認可能とするべく、封止基板側に反射できるように位置付ける。そのため、有機ＥＬ層における発光は、有機ＥＬ基板本体側に伝播して有機ＥＬ基板側の表示として視認される一方で、有機ＥＬ基板本体側に伝播しつつも発光領域以外の領域に斜め方向に拡散した光は、反射膜で反射されて隔壁部に入射される。上部電極は、複数の有機ＥＬ層のそれぞれを覆うように複数設けるので、隔壁部の上面は上部電極で被覆されないこととなる。従って、隔壁部に入射された光は、そのまま隔壁部を透過して封止基板側に入射され、封止基板側における表示として外部から視認される。つまり、１枚のパネルを駆動することにより有機ＥＬ基板側と封止基板側の両面において画像表示を行うことができる。

　第９の発明によれば、従来では有効利用されていない斜め方向に放射される光を封止基板側における表示を構成する光として利用するので、両面表示を行っても、有機ＥＬ基板側における表示の発光輝度が大きく低下する虞がなく、また、消費電力の増大を招く虞がない。

　また、このとき、封止基板側における表示は、発光領域以外の領域に対応して設けた隔壁部を透過して封止基板へ放出されて視認されるので、発光領域を囲む大きな領域を封止基板側における発光領域として画像表示が行われることとなる。また、各発光領域の光が反射膜で反射されて隔壁部で混合されて封止基板側で表示されることとなるので、封止基板側における各発光領域の境界が視認されにくくなる。従って、封止基板側においても、良好な表示品位で画像表示を行うことができる。

　その他の第９の発明の効果は、第１の発明の効果に準じる。

　第１０の発明は、第９の発明において、
　上記有機ＥＬ基板形成工程において、上記発光領域の周縁部と重なり合うように上記反射膜を形成することを特徴とする。

　第１０の発明によれば、不透明な上部電極と不透明な反射膜とが重なり合うように設けることにより、外光が有機ＥＬパネルを通過してパネルの反対側で視認されて表示品位が低下するのを抑制することができる。しかも、反射膜が発光領域のうち周縁部と重なり合うように設けるので、発光領域の発光面積が大きく低下して有機ＥＬ基板側の画像表示の輝度が低下する問題も生じない。

　第１１の発明は、第９または第１０の発明において、
　上記基板貼り合わせ工程において、
　上記隔壁部が上記封止基板に接触して封止基板を支持するように該封止基板を上記有機ＥＬ基板に対向することを特徴とする。

　第１１の発明によれば、隔壁部が封止基板に接触して封止基板を支持するように封止基板と有機ＥＬ基板に対向するので、隔壁部とは別部材としてスペーサを設ける必要がなく、有機ＥＬ表示装置の開口率を高めることができる。また、隔壁部の表面を上部電極で被覆しないで隔壁部自身を封止基板に接触させるので、有機ＥＬ基板と封止基板との間の距離を一定に保持した状態で封止基板を支持することができる。

　第１２の発明は、第９～第１１のいずれか１つの発明において、
　上記有機ＥＬ基板形成工程において、
　上記第１絶縁膜を成膜後、少なくとも上記反射膜を形成する領域の表面に凹部を形成し、
　続いて、上記第１絶縁膜表面に形成した凹部に重なるように反射膜を成膜することにより表面に凹部を有する反射膜を形成することを特徴とする。

　第１２の発明によれば、第１絶縁膜の表面に凹部を形成した後、それに重なるように反射膜を形成するので、第１絶縁膜表面の凹部に対応して反射膜表面にも凹部が形成されることとなる。そして、反射膜表面に凹部を形成することにより、有機ＥＬ層における発光が反射膜で反射する際、光を、様々な方向に散乱させることができ、結果として、反射膜で反射された光が封止基板側において視認されるときに、基板正面方向に向かう光が多く含まれることとなり、封止基板側において優れた表示品位が得られる。

　第１３の発明は、第１２の発明において、
　上記第１絶縁膜の表面の全面にわたって複数の凹部を形成することを特徴とする。

　第１３の発明によれば、反射膜を形成する領域だけでなく第１絶縁膜の表面の全面にわたって凹部を形成するので、反射膜の形成領域にかかわらず、第１絶縁膜上に凹部を容易に形成することができる。第１絶縁膜のうち反射膜を形成しない領域に凹部を形成下部分には、その凹部を埋めるように第２絶縁膜が成膜される。特に第１絶縁膜と第２絶縁膜とが同一の屈折率の材料で形成されている場合には、第１絶縁膜の凹部と第２絶縁膜との界面を光が進んでも、光の損失が生じないので、光取り出し効率の低下が生じない。

　第１４の発明は、
　マトリクス状に複数の発光領域が設けられた有機ＥＬ基板と封止基板とが対向配置され、基板周縁部に枠状に設けられた非表示領域と、その内側に設けられた表示領域と、を有し、
　上記有機ＥＬ基板は、
　　有機ＥＬ基板本体と、
　　上記有機ＥＬ基板本体上に複数の発光領域のそれぞれに対応して形成された複数のスイッチング素子と、
　　上記有機ＥＬ基板本体及び複数のスイッチング素子を覆うと共に表面を平坦化するように形成された絶縁層と、
　　上記絶縁層上に複数の発光領域のそれぞれに対応して形成され、光反射性材料からなる複数の下部電極と、
　　上記絶縁層上に、上記複数の発光領域を区画するように発光領域以外の領域に対応して形成され、光透過性材料からなる隔壁部と、
　　上記複数の下部電極のそれぞれを覆うように形成された複数の有機ＥＬ層と、
　　上記複数の有機ＥＬ層を覆うように形成され、光透過性材料または光半透過性材料からなる上部電極と、
を備え、
　上記有機ＥＬ層における発光が上記封止基板側に伝播して封止基板側の表示として視認される有機ＥＬ表示装置であって、
　上記上部電極は、上記複数の有機ＥＬ層のそれぞれを覆うように複数形成され、
　上記封止基板の上記有機ＥＬ基板側には、上記発光領域以外の領域に対応して、上記有機ＥＬ層における発光のうち発光領域以外の領域に拡散した光を、上記隔壁部及び封止基板内を透過させて有機ＥＬ基板側の表示として視認可能となるように有機ＥＬ基板側に反射する反射膜が形成されていることを特徴とする。

　第１４の発明によれば、封止基板の有機ＥＬ基板側には、発光領域以外の領域に対応して反射膜が形成され、その反射膜が、有機ＥＬ層における発光のうち発光領域以外の領域に拡散した光を、隔壁部及び有機ＥＬ基板本体内を透過させて有機ＥＬ基板側の表示として視認可能とするべく、有機ＥＬ基板本体側に反射できるように位置付けられている。そのため、有機ＥＬ層における発光は、封止基板側に伝播して封止基板側の表示として視認される一方で、封止基板側に伝播しつつも発光領域以外の領域に斜め方向に拡散した光は、反射膜で反射されて隔壁部に入射される。このとき、上部電極は、複数の有機ＥＬ層のそれぞれを覆うように複数設けられ、すなわち、隔壁部は、上面が上部電極で被覆されていないため、反射膜で反射された光は隔壁部に入射することができる。隔壁部に入射された光は、そのまま隔壁部を透過して有機ＥＬ基板本体側に入射され、有機ＥＬ基板側における表示として外部から視認される。従って、１枚のパネルを駆動することにより有機ＥＬ基板側と封止基板側の両面において画像表示を行うことができる。

　また、第１４の発明によれば、従来では有効利用されていない斜め方向に放射される光を有機ＥＬ基板側における表示を構成する光として利用するので、両面表示を行っても、封止基板側における表示の発光輝度が大きく低下する虞がなく、また、消費電力の増大を招く虞がない。

　また、このとき、有機ＥＬ基板側における表示は、発光領域以外の領域に対応して設けられた隔壁部を透過して有機ＥＬ基板本体へ放出されて視認されるので、発光領域を囲む大きな領域を有機ＥＬ基板側における発光領域として画像表示が行われることとなる。また、各発光領域の光が反射膜で反射されて隔壁部で混合されて有機ＥＬ基板側で表示されることとなるので、有機ＥＬ基板側における各発光領域の境界が視認されにくくなる。従って、有機ＥＬ基板側においても、良好な表示品位で画像表示を行うことができる。

　第１５の発明は、
　上記上部電極は、光透過性の材料で形成されていることを特徴とする。

　第１５の発明によれば、上部電極が光透過性材料で形成されているので、下部電極と上部電極との間での光の多重反射による光の干渉の影響（マイクロキャビティ効果）に起因して視野角によって色純度や輝度が変化してしまう問題を考慮することなく、封止基板側において画像表示を行うことができる。

　第１６の発明は、第１４または第１５の発明において、
　上記反射膜は、上記発光領域の周縁部と重なり合うように配置されていることを特徴とする。

　第１６の発明によれば、不透明な下部電極と不透明な反射膜とが重なり合うように設けられることにより、外光が有機ＥＬパネルを通過してパネルの反対側で視認されて表示品位が低下するのを抑制することができる。しかも、反射膜は発光領域のうち周縁部と重なり合うように設けられているので、発光領域の発光面積が大きく低下して有機ＥＬ基板側の画像表示の輝度が低下する問題も生じない。

　第１７の発明は、第１４～第１６のいずれか１つの発明において、
　上記有機ＥＬ基板と封止基板との間には透明樹脂が充填されていることを特徴とする。

　第１７の発明によれば、有機ＥＬ層における発光が封止基板側に向かう際、光が気体中ではなく透明樹脂中を伝播して封止基板に進入、または、反射膜で反射されて隔壁部に進入することとなるので、両基板間に透明樹脂が充填されず光が気体中を進む場合と比較して、光の損失を抑制することができる。

　本発明によれば、封止基板側、または有機ＥＬ基板側における表示は、有機ＥＬ素子から斜め方向に放射される光を利用して構成される。従来の構成の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子から斜め方向に放射される光は、基板内部に閉じこめられて各々の構成材料に吸収され熱失活したり、基板端面より放出されたりして、有効利用されていなかった。しかしながら、本発明によれば、この斜め方向の光を封止基板側における表示を構成する光として利用するので、両面表示を行っても、有機ＥＬ基板側、または封止基板側における表示の発光輝度が大きく低下する虞がなく、また、消費電力の増大を招く虞がない。従って、有機ＥＬ表示装置によれば、消費電力の増大を招くことなく、良好な表示品位でパネルの両面において画像表示を行うことが可能となる。

実施形態１の有機ＥＬ表示装置の概略平面図である。図１のII－II線における断面図である。実施形態１の有機ＥＬ表示装置の表示領域における拡大平面図である。図３のIV－IV線における断面図である。実施形態１の有機ＥＬ基板の１つの発光領域を拡大して示す平面図である。図５のVI－VI線における断面図である。実施形態１の有機ＥＬ基板の各色発光領域と反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。実施形態１の有機ＥＬ表示装置の隔壁部の形状の説明図である。実施形態１の有機ＥＬ表示装置の隔壁部の形状の説明図である。（ａ）～（ｃ）は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造方法の説明図である。（ａ）及び（ｂ）は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置の製造方法の説明図である。変形例１の有機ＥＬ表示装置の各色発光領域と反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例２の有機ＥＬ表示装置の各色発光領域と反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例２の有機ＥＬ表示装置の断面図である。変形例３の有機ＥＬ表示装置の各色発光領域と反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例４の有機ＥＬ表示装置の各色発光領域と反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例５の有機ＥＬ表示装置の各色発光領域と反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例６の有機ＥＬ表示装置の各色発光領域と反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例７の有機ＥＬ表示装置の各色発光領域と反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。実施形態２の有機ＥＬ表示装置の断面図である。実施形態２の有機ＥＬ表示装置において、（ａ）は各色発光制御領域及び隔壁部（色変換部、透明樹脂部）のレイアウトを、（ｂ）は各発光領域及び反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。実施形態２の有機ＥＬ表示装置において、各色発光制御領域、隔壁部（色変換部、透明樹脂部）、及び反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。（ａ）～（ｃ）は反射膜における反射光の光路についての説明図である。変形例８の有機ＥＬ表示装置の断面図である。変形例８の有機ＥＬ表示装置において、各色発光制御領域、隔壁部（色変換部、透明樹脂部）、及び反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例９の有機ＥＬ表示装置において、（ａ）は各色発光制御領域及び隔壁部（色変換部、透明樹脂部）のレイアウトを、（ｂ）は各発光領域及び反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例９の有機ＥＬ表示装置において、各色発光制御領域、隔壁部（色変換部、透明樹脂部）、及び反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例１０の有機ＥＬ表示装置において、（ａ）は各色発光制御領域及び隔壁部（色変換部、透明樹脂部）のレイアウトを、（ｂ）は各発光領域及び反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例１０の有機ＥＬ表示装置において、各色発光制御領域、隔壁部（色変換部、透明樹脂部）、及び反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例１１の有機ＥＬ表示装置において、（ａ）は各色発光制御領域及び隔壁部（色変換部、透明樹脂部）のレイアウトを、（ｂ）は各発光領域及び反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例１１の有機ＥＬ表示装置において、各色発光制御領域、隔壁部（色変換部、透明樹脂部）、及び反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例１２の有機ＥＬ表示装置の断面図である。変形例１２の有機ＥＬ表示装置において、（ａ）は各色発光制御領域及び隔壁部（色変換部、透明樹脂部）のレイアウトを、（ｂ）は各発光領域及び反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例１２の有機ＥＬ表示装置において、各色発光制御領域、隔壁部（色変換部、透明樹脂部）、及び反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例１２において仕切り構造を備えた場合の断面図である。変形例１３の有機ＥＬ表示装置の断面図である。変形例１３の有機ＥＬ表示装置において、（ａ）は各色発光制御領域及び隔壁部（色変換部、透明樹脂部）のレイアウトを、（ｂ）は各発光領域及び反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。変形例１３の有機ＥＬ表示装置において、各色発光制御領域、隔壁部（色変換部、透明樹脂部）、及び反射膜のレイアウトを示す模式平面図である。実施形態３の有機ＥＬ表示装置の断面図である。実施形態３の変形例にかかる有機ＥＬ表示装置の断面図である。実施形態４の有機ＥＬ表示装置の断面図である。変形例１４の有機ＥＬ表示装置の断面図である。変形例１５の有機ＥＬ表示装置の断面図である。従来技術を示す図であり、ボトムエミッション構造の有機ＥＬ表示装置の一例の断面図である。従来技術を示す図であり、トップエミッション構造の有機ＥＬ表示装置の一例の断面図である。

　以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について例示的に説明する。

　　《実施形態１》
　始めに、実施形態１にかかる有機ＥＬ表示装置１００について説明する。

　　＜有機ＥＬ表示装置１００の構成＞
　まず、有機ＥＬ表示装置１００の構成について説明する。有機ＥＬ表示装置１００は、表面と裏面との両面においてＲＧＢフルカラー表示で画像表示を行うディスプレイである。有機ＥＬ表示装置１００は、例えば、主画面（メインディスプレイ）と副画面（サブディスプレイ）を有する携帯電話機やマルチメディアプレーヤ等のモバイル機器において、主画面（メインディスプレイ）と副画面（サブディスプレイ）の表示を１枚の表示パネルで行うためのディスプレイや、表裏両面から表示を行う広告表示パネル等のディスプレイとして用いられる。

　図１及び２は、有機ＥＬ表示装置１００の全体構成を示す概略図である。有機ＥＬ表示装置１００は、平板状の有機ＥＬ基板１１０と封止基板１２０とが対向して配置された構成を有する。また、有機ＥＬ表示装置１００は、平面視における基板中心に、画像表示を行う領域である表示領域Ｄが配され、基板の外周縁部には、表示領域Ｄを囲うように非表示領域Ｆが枠状に配されている。そして、有機ＥＬ基板１１０と封止基板１２０とは、非表示領域Ｆにおいて、封止樹脂１３０により貼り合わされ、封止空間内が不活性雰囲気になるように保持されている。有機ＥＬ基板１１０や封止基板１２０の外側表面にはそれぞれ偏光板が設けられていてもよい。有機ＥＬ表示装置１００は、例えば、縦４００～５００ｍｍ、横３００～４００ｍｍ、及び厚さ１～３０ｍｍである。

　図３及び４は、それぞれ、有機ＥＬ表示装置１００の表示領域Ｄにおける拡大平面図及び断面図である。有機ＥＬ表示装置１００は、表示領域Ｄにおいて、複数の赤色発光領域Ｐ_Ｒ、緑色発光領域Ｐ_Ｇ、及び青色発光領域Ｐ_Ｂが配置され、複数の発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂのそれぞれが独立に駆動されることによって表示領域Ｄ内に全体として所定の画像表示を行う。各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂのそれぞれは、例えば縦が約２００μｍ及び横が約５０μｍである。複数の各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂはマトリクス状に配置され、それらが、例えば縦方向に約１００μｍ、及び横方向に約５０μｍの間隔をあけて設けられている。そして、各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂ以外の格子状の領域は、非発光領域Ｎとなっている。

　　－有機ＥＬ基板１１０－
　有機ＥＬ基板１１０は、有機ＥＬ基板本体１１１上に、各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂ毎にスイッチング素子として配された複数のＴＦＴ１１２と、有機ＥＬ基板本体１１１及び複数のＴＦＴ１１２を覆う絶縁層１１３と、絶縁層１１３上に赤色発光領域Ｐ_Ｒ，緑色発光領域Ｐ_Ｇ，青色発光領域Ｐ_Ｂに対応して形成された複数の赤色発光有機ＥＬ素子１１５_Ｒ、緑色発光有機ＥＬ素子１１５_Ｇ、及び青色発光有機ＥＬ素子１１５_Ｂと、複数の有機ＥＬ素子１１５_Ｒ、１１５_Ｇ、及び１１５_Ｂを区画するように非発光領域Ｎに対応して格子状に形成された隔壁部１１６と、を備える。なお、以下の明細書や図面において、赤色発光有機ＥＬ素子１１５_Ｒ、緑色発光有機ＥＬ素子１１５_Ｇ及び青色発光有機ＥＬ素子１１５_Ｂをまとめて有機ＥＬ素子１１５と称することもある。

　　－有機ＥＬ基板本体１１１－
　有機ＥＬ基板本体１１１は、例えば、ガラス等の絶縁性の基板であり、例えば、縦が３２０ｍｍ程度、横が４００ｍｍ程度、及び厚さが０．７ｍｍ程度である。

　　－絶縁層１１３－
　絶縁層１１３は、図４に示すように、有機ＥＬ基板本体１１１側の層間絶縁膜１１３ａ（第１絶縁膜）と、その上層の平坦化膜１１３ｂ（第２絶縁膜）とが積層されて構成される。また、層間絶縁膜１１３ａは、第１層間絶縁膜１１３ａａ、第２層間絶縁膜１１３ａｂ、及び第３層間絶縁膜１１３ａｃが積層されて構成される（図６参照）。絶縁層１１３を構成する膜のそれぞれは、例えば、窒化シリコン等の透明部材の絶縁膜や感光性アクリル樹脂等の透明絶縁性樹脂で形成されている。層間絶縁膜１１３ａや平坦化膜１１３ｂ等の絶縁層１１３を構成する膜のそれぞれは、同一の屈折率を有する材料で形成されていることが好ましい。これにより、各膜間の界面を光が進む場合に光の屈折が起こらず、光の損失を抑制することができる。

　また、層間絶縁膜１１３ａ及び平坦化膜１１３ｂの間には、非発光領域Ｎに対応して複数の反射膜１１４が設けられている。

　　－ＴＦＴ１１２、層間絶縁膜１１３ａ－
　ＴＦＴ１１２は、図５及び６に示すように、半導体層１１２ａ、ゲート電極１１２ｂ、ソース電極１１２ｃ、及びドレイン電極１１２ｄがそれぞれ配置された構成を有する。半導体層１１２ａとゲート電極１１２ｂとは第１層間絶縁膜１１３ａａで、ゲート電極１１２ｂとソース電極１１２ｃ及びドレイン電極１１２ｄとは第２層間絶縁膜１１３ａｂでそれぞれ絶縁されている。そして、第１層間絶縁膜１１３ａａ、第２層間絶縁膜１１３ａｂ、及びＴＦＴ１１２の上層に設けられる第３層間絶縁膜１１３ａｃは、層間絶縁膜１１３ａ全体としての表面が平坦となるように設けられている。層間絶縁膜１１３ａは、例えば厚さが２μｍ程度である。

　　－反射膜１１４－
　反射膜１１４は、層間絶縁膜１１３ａ及び平坦化膜１１３ｂの間に、非発光領域Ｎに対応して形成され、有機ＥＬ層における発光のうち非発光領域Ｎに斜めに拡散した光が隔壁部及び封止基板内を透過させて封止基板側の表示として視認可能とするべく、その光を封止基板側に反射できるように位置付けられている（図４参照）。反射膜１１４は、例えばＡｌ膜等の光反射性の金属膜等で形成されている。反射膜１１４のそれぞれは、例えば厚さが１００ｎｍ程度である。

　反射膜１１４は、図７に示すように、各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂに対応して島状に複数形成されている。反射膜１１４は、対応する発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂの周縁部と重なり合うように設けられている。発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂと反射膜１１４とが重なり合わないように配置されている場合には、外光が発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂと反射膜１１４の隙間から漏れてパネルの反対側で視認され表示品位が低下する虞があるが、反射膜１１４が対応する発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂの周縁部と重なり合うように設けられているので、かかる問題は生じない。しかも、反射膜１１４は発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂのうち周縁部と重なり合うように設けられているので、発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂの面積が大きく低下して有機ＥＬ基板側の画像表示の輝度が低下する問題も生じない。反射膜１１４の発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂへのオーバーラップ幅は、５～１０μｍ程度であることが好ましい。

　　－平坦化膜１１３ｂ－
　平坦化膜１１３ｂは、層間絶縁膜１１３ａ及び反射膜１１４を覆うように基板上の全面に設けられている。反射膜１１４を覆うように平坦化膜１１３ｂが設けられていることにより、反射膜１１４により絶縁層１１３の表面に凹凸が生じることなく絶縁層１１３の表面を平坦に形成することができる。平坦化膜１１３ｂは、例えば厚さが２μｍ程度である。

　　－有機ＥＬ素子１１５－
　有機ＥＬ素子１１５は、有機ＥＬ基板本体１１１側から、下部電極１１５ａ、有機ＥＬ層１１５ｂ、及び上部電極１１５ｃが順に積層されて構成される。なお、赤色発光有機ＥＬ素子１１５_Ｒにおいては有機ＥＬ層１１５ｂとして赤色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｒが積層される。緑色発光有機ＥＬ素子１１５_Ｇにおいては有機ＥＬ層１１５ｂとして緑色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｇが積層される。青色発光有機ＥＬ素子１１５_Ｂにおいては有機ＥＬ層１１５ｂとして青色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｂが積層される。なお、以下の明細書や図面において、赤色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｒ、緑色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｇ及び青色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｂをまとめて有機ＥＬ層１１５ｂと称することもある。

　有機ＥＬ層１１５ｂは、詳しくは、下部電極１１５ａ側から、正孔輸送層、発光層、電子注入層が順に積層された構成を有する。下部電極１１５ａと上部電極１１５ｃに電圧が加えられたとき、下部電極１１５ａから正孔が正孔輸送層を経由して発光層に注入されると共に、上部電極１１５ｃから電子が電子注入層を経由して発光層に注入され、これらが発光層において再結合することにより発光が得られる。

　　－下部電極１１５ａ－
　下部電極１１５ａの材料としては、仕事関数の大きいものが好ましく、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属膜や、酸化インジウム酸化スズ合金（ＩＴＯ）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の透明導電膜等が挙げられる。下部電極１１５ａは、例えば厚さが１００ｎｍ程度である。下部電極１１５ａは、ドレイン電極１１２ｄと電気的に接続され、各ＴＦＴ１１２により電位が付与される。

　　－有機ＥＬ層１１５ｂ－
　正孔輸送層、発光層、及び電子注入層は、従来技術より一般に用いられる材料で形成することができる。具体的には、正孔輸送層の材料としては、ポリフィリン誘導体、芳香族第３級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－Ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フルオレノン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛が挙げられる。発光層の材料としては、金属オキシノイド化合物（８－ヒドロキシキノリン金属錯体）、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサドール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサドール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、ローダミン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－Ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。また、電子注入層の材料としては、例えば、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。

　なお、赤色発光領域Ｐ_Ｒの有機ＥＬ素子１１５の有機ＥＬ層１１５ｂの発光層は、赤色発光材料を含む赤色発光層である。緑色発光領域Ｐ_Ｇの有機ＥＬ素子１１５の有機ＥＬ層１１５ｂの発光層は、緑色発光材料を含む緑色発光層である。また、青色発光領域Ｐ_Ｂの有機ＥＬ素子１１５の有機ＥＬ層１１５ｂの発光層は、青色発光材料を含む青色発光層である。有機ＥＬ層１１５ｂとしては、少なくとも発光層を含んでいればよく、その他の層は、製品の目的に応じて適宜選択すればよい。また、発光層以外の層として、正孔輸送層、電子注入層の他、正孔注入層、電子輸送層、電子阻止層等を必要に応じて積層してもよい。

　　－上部電極１１５ｃ－
　上部電極１１５ｃは、複数の有機ＥＬ層１１５ｂのそれぞれを覆うように複数設けられている。上部電極１１５ｃの材料としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、等の金属材料や、またはフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金等、仕事関数の小さい材料が挙げられる。複数の上部電極１１５ｃには、所定の共通電位が与えられる。なお、有機ＥＬ基板本体１１１上に上部電極用配線（不図示）が設けられ、隔壁部１１６にその上部電極用配線に達する貫通孔（不図示）が設けられることにより、各上部電極１１５ｃに共通の共通電位を与えることができる。また、封止基板１２０の貼り合わせ面に各上部電極１１５ｃに接触するように透明の導電ペーストや透明導電膜を設け、非表示領域Ｆにおいてその透明導電部材に共通電位配線を接続することにより、各上部電極１１５ｃに共通電位を与えることも可能である。

　　－隔壁部１１６－
　隔壁部１１６は、複数の発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂを区画するように非発光領域Ｎに対応して格子状に設けられている。非発光領域Ｎに隔壁部１１６が設けられることにより、複数の有機ＥＬ素子１１５のそれぞれが絶縁されている。隔壁部１１６は、例えば、二酸化珪素（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン膜（ＳｉＮ_ｘ）、酸化シリコン膜（ＳｉＯ_Ｘ）、窒酸化シリコン膜（ＳｉＮＯ）、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等、光透過性の絶縁性材料で形成されている。隔壁部１１６の格子幅は例えば５０μｍ程度であり、隔壁部１１６の高さは例えば１０μｍ程度である。

　隔壁部１１６は、封止基板１２０に接触して封止基板１２０を支持するスペーサとしても機能する。これにより、隔壁部１１６とは別部材としてスペーサを設ける必要がなく、有機ＥＬ表示装置１００の開口率を高めることができる。また、隔壁部１１６の上面は上部電極１１５ｃで被覆されておらず、隔壁部１１６自身が封止基板に接触するので、有機ＥＬ基板１１０と封止基板１２０との間の距離を一定に保持した状態で封止基板１２０を支持することができる。

　なお、図４では、隔壁部１１６の壁面が有機ＥＬ基板本体１１１に対して垂直になるように設けられた状態を図示しているが、図８に示すように、隔壁部１１６が、縮径して突出する順テーパー形状であってもよく、また、図９に示すように、隔壁部１１６が、拡径して突出する逆テーパー形状であってもよい。

　但し、図８に示すように隔壁部１１６が順テーパー形状である場合、反射膜１１４で反射して封止基板１２０側に向かう光が、隔壁部１１６の壁面で反射して再び有機ＥＬ基板本体１１１側に進んでしまう（図８中の矢印）虞があり、封止基板１２０側からの光の取り出し効率が低減するので、隔壁部１１６は順テーパー形状ではないことが好ましい。また、図９に示すように隔壁部１１６が逆テーパー形状である場合、隔壁部１１６の壁面に上部電極１１５ｃが形成されなくなってしまう虞がある。そのため、隔壁部１１６を通過する光のうち一部が、壁面で反射されないで斜めに通過してしまう（図９中の実線矢印参照。なお、破線矢印は、隔壁部１１６の壁面で反射される光を示す。）こととなり、表示画像の混濁を招く虞がある。従って、隔壁部１１６は、壁面に上部電極を形成できないような大きなテーパー角の逆テーパー形状ではないことが好ましい。

　　－封止基板１２０－
　封止基板１２０は、ガラス基板等で形成されている。

　　＜有機ＥＬ表示装置１００の製造方法＞
　次に、図１０及び１１を用いて、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。この有機ＥＬ表示装置１００の製造方法は、有機ＥＬ基板形成工程と、それに続く基板貼り合わせ工程を含んでいる。

　　（有機ＥＬ基板形成工程）
　　－ＴＦＴ１１２、層間絶縁膜１１３ａ－
　まず、有機ＥＬ基板本体１１１を準備し、公知の方法を用いて、半導体層１１２ａ、第１層間絶縁膜１１３ａａ，ゲート電極１１２ｂ、第２層間絶縁膜１１３ａｂ，ソース電極１１２ｃ及びドレイン電極１１２ｄを形成して、発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂのそれぞれに対応するようにＴＦＴ１１２を形成する（ＴＦＴ１１２については図１０には不図示、図６を参照）。そして、例えば感光性アクリル膜をスピンコート法等を用いて塗布し、当該感光性アクリル膜の露光（例えば、露光量が３６０ｍＪ／ｃｍ^２程度）及び現像（例えば、アルカリ現像液による現像）を行うことにより、第３層間絶縁膜１１３ａｃを成膜する。これにより、ＴＦＴ１１２の表面が平坦化され、層間絶縁膜１１３ａが形成される。この層間絶縁膜１１３ａを、例えば焼成温度が２２０℃程度及び焼成時間が１時間程度の条件で焼成して硬化した後、層間絶縁膜１１３ａ表面からドレイン電極１１２ｄに達するコンタクトホール（例えば、径が５μｍ程度）を形成する。

　　－反射膜１１４－
　次に、例えばスパッタ法等を用いてＡｌ膜等を成膜した後、フォトリソグラフィにより露光及び現像を行い、さらに当該Ａｌ膜をパターニングすることにより、非発光領域Ｎに対応して反射膜１１４を形成する。

　　－平坦化膜１１３ｂ－
　続いて、例えば感光性アクリル膜をスピンコート法等を用いて塗布し、当該感光性アクリル膜の露光及び現像を行って、図１０（ａ）に示すように、平坦化膜１１３ｂを形成する。この平坦化膜１１３ｂを例えば焼成温度が２２０℃程度及び焼成時間が１時間程度の条件で焼成して硬化した後、層間絶縁膜１１３ａに設けたコンタクトホールと同じ位置にコンタクトホールを形成し、平坦化膜１１３ｂ表面からドレイン電極１１２ｄに達するコンタクトホール１１３ｃ（図６参照）とする。

　　－下部電極１１５ａ－
　次いで、例えばスパッタ法等を用いてＩＴＯ膜を成膜した後、フォトリソグラフィにより露光及び現像を行い、さらにＩＴＯ膜をパターニングすることにより、下部電極１１５ａを形成する。

　　－隔壁部１１６－
　次に、永久膜レジスト（例えば、日本化薬株式会社製の「ＳＵ－８」シリーズ等）を、フィルムラミネート処理やスピンコート塗布処理により全面形成した後、フォトリソグラフィにより露光及び現像を行い、エッチングを行って永久膜レジストを非発光領域Ｎに対応して格子状にパターニングすることにより、隔壁部１１６を形成する。

　　－有機ＥＬ層１１５ｂ－
　続いて、公知の方法により、複数の発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂのそれぞれに対応するように、図１０（ｂ）に示すように、正孔輸送層、発光層、電子注入層等を積層して有機ＥＬ層１１５ｂを成膜する。このとき、赤色発光領域Ｐ_Ｒには赤色発光層を含む赤色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｒを、緑色発光領域Ｐ_Ｇには緑色発光層を含む緑色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｇを、青色発光領域Ｐ_Ｂには青色発光層を含む青色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｂを成膜する。

　　－上部電極１１５ｃ－
　次いで、図１０（ｃ）に示すように、有機ＥＬ層１１５ｂのそれぞれ及び隔壁部１１６を覆うように、公知の方法を用いてＡｇ膜等の金属膜を全面成膜する。そして、例えば粘着ローラーを用いて、隔壁部１１６の上に付着した当該金属膜を剥離し、図１１（ａ）に示すように、発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂのそれぞれに対応する複数の上部電極１１５ｃを形成する。ここで、有機ＥＬ基板１１０が完成する。

　隔壁部１１６の上の金属膜を除去する方法としては、粘着ローラーを用いる方法の他、隔壁部１１６の上面に粘着性フィルムを押しつける方法、金属膜と反応性の高い物質を塗布した基板を隔壁部１１６の上面に押しつけ、当該物質と反応させて金属膜を気化または透明化させる方法、隔壁部１１６の上面を削りだしながら飛散物を吸引除去する方法等が挙げられる。

　なお、全面形成した金属膜のうち隔壁部１１６の上を除去して上部電極１１５ｃとする方法の他、開口マスクを用いて所望の領域にだけ金属膜を形成することにより上部電極１１５ｃを形成してもよい。

　　（基板貼り合わせ工程）
　最後に、不活性ガスの雰囲気において、有機ＥＬ基板１１０と封止基板１２０とを対向させ、基板の額縁領域に塗布された貼り合わせ用封止樹脂により両基板の貼り合わせを行う。こうして、図１１（ｂ）に示すように、有機ＥＬ表示装置１００が完成する。

　　＜有機ＥＬ表示装置１００の動作＞
　上記説明した構成の有機ＥＬ表示装置１００によれば、層間絶縁膜１１３ａと平坦化膜１１３ｂの間には、非発光領域Ｎに対応して反射膜１１４が形成され（図４参照）、その反射膜１１４が、有機ＥＬ層１１５ｂにおける発光のうち非発光領域Ｎに拡散した光を、隔壁部１１６及び封止基板１２０内を透過させて封止基板側の表示として視認可能とするべく、封止基板１２０側に反射できるように位置付けられている。そのため、有機ＥＬ層１１５ｂにおける発光は、有機ＥＬ基板本体１１１側に伝播して有機ＥＬ基板側の表示として視認される一方で、有機ＥＬ基板本体１１１側に伝播しつつも非発光領域Ｎに斜め方向に拡散した光は、反射膜１１４で反射されて隔壁部１１６に入射される。上部電極１１５ｃは、複数の有機ＥＬ層１１５ｂのそれぞれを覆うように複数設けられるので、隔壁部１１６は、上面が上部電極１１５ｃで被覆されていないこととなる。従って、隔壁部１１６に入射された光は、そのまま隔壁部１１６を透過して封止基板１２０側に入射され、封止基板側における表示として外部から視認される。つまり、１枚のパネルを駆動することにより有機ＥＬ基板側と封止基板側の両面において画像表示を行うことができる。

　なお、このとき、有機ＥＬ表示装置１００の有機ＥＬ基板側と封止基板側とでは鏡像表示を行うこととなる。つまり、有機ＥＬ基板側において表示される画像と封止基板側において表示される画像は、鏡面対象な画像となる。

　　＜実施形態１の効果＞
　以下、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００により得られる作用効果について説明する。

　本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００によれば、封止基板側における表示は、有機ＥＬ素子１１５から斜め方向に放射される光を利用して構成される。この有機ＥＬ素子から斜め方向に放射される光は、従来の構成の有機ＥＬ表示装置では、基板内部に閉じこめられて各々の構成材料に吸収され熱失活したり、基板端面より放出されたりして、有効利用されていなかった。しかしながら、本実施形態によれば、この斜め方向の光を封止基板側における表示を構成する光として利用するので、両面表示を行っても、有機ＥＬ基板側における表示の発光輝度が大きく低下する虞がなく、また、消費電力の増大を招く虞がない。加えて、有機ＥＬ素子１１５から斜め方向に放射される光を封止基板１２０側に反射するように非発光領域Ｎに対応して反射膜１１４が設けられているので、発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂが反射膜１１４で遮られて有機ＥＬ基板側の表示輝度が大きく低下する虞もない。

　また、このとき、封止基板側における表示は、非発光領域Ｎに対応して設けられた隔壁部１１６を透過して封止基板１２０へ放出されて視認されるので、発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂを囲む大きな領域を封止基板側の表示における画素領域として画像表示が行われることとなる。また、各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂの光が反射膜１１４で反射されて隔壁部１１６で混合されて封止基板側で表示されることとなるので、封止基板１２０側の表示における各画素領域の境界が視認されにくくなる。そのため、封止基板１２０側においても、良好な表示品位で画像表示を行うことができる。

　従って、有機ＥＬ表示装置１００によれば、消費電力の増大を招くことなく、有機ＥＬ基板側においても封止基板側においても、良好な表示品位での画像表示を行うことが可能となる。

　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００によれば、反射膜１１４を覆うように平坦化膜１１３ｂが設けられ、平坦化膜１１３ｂの表面、すなわち絶縁層１１３の表面を平坦化するように設けられているので、絶縁層１１３上に形成された下部電極１１５ａ、有機ＥＬ層１１５ｂ、及び上部電極１１５ｃからなる有機ＥＬ素子１１５の各膜厚が不均一になるのが抑制され、信頼性の高い有機ＥＬ素子１１５が得られる。

　さらに、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００によれば、有機ＥＬ層１１５ｂにおける発光が有機ＥＬ基板本体１１１側に向かう際、光が絶縁層１１３中を伝播して有機ＥＬ基板本体１１１に進入、または、反射膜１１４で反射されて隔壁部１１６に進入し直接封止基板１２０へ抜けることとなるので、光が気体中を進むことがなく、光の損失を抑制することができる。

　従来、封止基板側において画像表示を行うトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置では、下部電極を光反射性材料で、上部電極を光半透過性材料で形成するため、下部電極と上部電極との間での光の多重反射が避けられず、光の干渉の影響により、視野角によって色純度や輝度が変化してしまう問題がある（マイクロキャビティ効果）。しかしながら、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００によれば、封止基板側において画像表示を行うにもかかわらず、上部電極１１５ｃを光反射性材料で、及び下部電極１１５ａを光透過性材料で形成するので、マイクロキャビティ効果の影響を考慮する必要がなく、従って、マイクロキャビティ効果に起因して視野角によって色純度や輝度が変化してしまう問題が生じない。

　　＜実施形態１の変形例＞
　以下、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００を構成する反射膜１１４に関して、その配置に関する変形例１～７について説明する。

　　（変形例１～５）
　実施形態１では、発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂのそれぞれに対応するように反射膜１１４が形成されているとして図７において説明したが、反射膜１１４のレイアウトとしては、特にこれに限られず、例えば、複数の発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂにわたって反射膜１１４が設けられていてもよい。

　具体的には、図１２に変形例１として示すように、反射膜１１４が同色の発光領域の複数にわたって延びるように設けられていてもよい。反射膜１１４が同色の発光領域の複数にわたって延びるように設けられている場合、図１３及び１４に変形例２として示すように、隣接する異色の発光領域間（赤色発光領域Ｐ_Ｒと緑色発光領域Ｐ_Ｇ間、緑色発光領域Ｐ_Ｇと青色発光領域Ｐ_Ｂ間、青色発光領域Ｐ_Ｂと赤色発光領域Ｐ_Ｒ間）の両方の発光領域の周縁部と重なるように反射膜１１４が設けられていてもよい。或いは、図１５に変形例３として示すように、同色の発光領域の複数にわたって延びる方向とは垂直な方向に延びるように反射膜１１４が設けられていてもよい。

　図１６に変形例４として示すように、反射膜１１４が各色発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂを囲うように設けられていてもよく、この場合、図１７に変形例５として示すように、各色発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂを囲うと共に非発光領域Ｎの全面に対応するように反射膜１１４が設けられていてもよい。

　なお、反射膜１１４の面積の大小により、裏面に反射する光量の大小を調整することができる。例えば、変形例１とそれよりも反射膜１１４の面積の大きい変形例２とを比較する場合、変形例１では、各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂの右側に設けられた反射膜１１４から封止基板側に光が反射されるのに対し（図４参照）、変形例２では、各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂの右側と左側の両方から設けられた反射膜１１４から封止基板側に光が反射される（図１４参照）。従って、反射膜１１４の面積が大きい変形例２の方が、封止基板１２０側において、変形例１よりも輝度の高い表示を得ることができる。

　　（変形例６）
　実施形態１や変形例１～５では各色発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂと反射膜１１４とが一部重なるように設けられているとしたが、図１８に変形例６として示すように、発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂと反射膜１１４とが重なり合わないように設けられていてもよい。

　　（変形例７）
　実施形態１や変形例１～６では、各色発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂに対して、反射膜１１４が同一のレイアウトとなるように配置された例を挙げたが、各色有機ＥＬ素子１１５_Ｒ，１１５_Ｇ，１１５_Ｂの特性に応じて、反射膜１１４のレイアウトを変更してもよい。例えば、図１９に変形例７として示すように、赤色発光領域Ｐ_Ｒ，緑色発光領域Ｐ_Ｇ，に対応する部分には反射膜１１４をそれぞれ島状パターンに形成する一方で、青色発光領域Ｐ_Ｂに対応する部分では、反射膜１１４を、青色発光領域Ｐ_Ｂを囲うようにＵ字状に形成してもよい。こうすることにより、青色発光領域Ｐ_Ｂにおける発光のうち非発光領域Ｎに向かって斜めに放出される光を、赤色発光領域Ｐ_Ｒや緑色発光領域Ｐ_Ｇよりも高効率で裏面に反射することが可能となる。有機ＥＬの発光材料としては、赤色発光材料や緑色発光材料と比較して青色発光材料は発光効率が低く発光寿命も短いことが知られている。そのため、図１９のように反射膜１１４を配置することにより、青色光をより有効に使うことができ、青色発光領域Ｐ_Ｂの電流密度を下げ発光寿命をのばすことができる。なお、青色発光領域Ｐ_Ｂの有機ＥＬ基板側への発光量は、発光面積を他色と変えることで調整できる。

　なお、実施形態１では、有機ＥＬ表示装置１００の両面においてＲＧＢフルカラー表示を行うとして説明したが、例えば、発光領域として黄色発光領域をさらに含むＲＧＢＹフルカラー表示を行ってもよく、モノカラー表示を行ってもよい。

　　《実施形態２》
　次に、実施形態２にかかる有機ＥＬ表示装置２００について説明する。

　　＜有機ＥＬ表示装置２００の構成＞
　まず、有機ＥＬ表示装置２００の構成について説明する。有機ＥＬ表示装置２００は、表面と裏面との両面において画像表示を行うディスプレイであり、一方の面（有機ＥＬ基板２１０側の面）ではモノカラー表示が、他方の面（封止基板２２０側の面）ではＲＧＢフルカラー表示が得られる。有機ＥＬ表示装置２００は、例えば、主画面（メインディスプレイ）と副画面（サブディスプレイ）を有する携帯電話機やマルチメディアプレーヤ等のモバイル機器において、主画面（メインディスプレイ）と副画面（サブディスプレイ）の表示を１枚の表示パネルで行うためのディスプレイや、表裏両面から表示を行う広告表示パネル等のディスプレイとして用いられる。

　有機ＥＬ表示装置２００は、実施形態１と同様、平板状の有機ＥＬ基板２１０と封止基板２２０とが対向して配置されている。封止基板２２０については、実施形態１における封止基板１２０と同様の構成を有する。

　図２０は、有機ＥＬ表示装置２００の表示領域Ｄにおける断面図である。有機ＥＬ表示装置２００は、複数の青色発光領域Ｐ_Ｂがマトリクス状に配置され、複数の青色発光領域Ｐ_Ｂのそれぞれが独立に駆動されることによって表示領域Ｄ内に全体として所定の画像表示を行う。

　なお、複数の青色発光領域Ｐ_Ｂのうち３分の１は、封止基板２２０側のフルカラー表示を構成する赤色光を発する画素となる赤色発光制御領域Ｑ_Ｒとなっている。同様に、複数の青色発光領域Ｐ_Ｂのうち３分の１は、封止基板２２０側のフルカラー表示を構成する緑色光を発する画素となる緑色発光制御領域Ｑ_Ｇとなっている。複数の青色発光領域Ｐ_Ｂのうち３分の１は、封止基板２２０側のフルカラー表示を構成する青色光を発する画素となる青色発光制御領域Ｑ_Ｂとなっている。そして、青色発光領域Ｐ_Ｂ以外の格子状の領域は、非発光領域Ｎとなっている。

　　－有機ＥＬ基板２１０－
　有機ＥＬ基板２１０は、有機ＥＬ基板本体２１１上に、各青色発光領域Ｐ_Ｂ毎にスイッチング素子として配された複数のＴＦＴ（不図示）と、有機ＥＬ基板本体２１１及び複数のＴＦＴを覆う絶縁層２１３と、絶縁層２１３上に青色発光領域Ｐ_Ｂに対応して形成された複数の青色発光有機ＥＬ素子２１５_Ｂと、複数の青色発光有機ＥＬ素子２１５_Ｂを区画するように非発光領域Ｎに対応して格子状に形成された隔壁部２１６と、を備える。また、絶縁層２１３は、有機ＥＬ基板本体２１１側の層間絶縁膜２１３ａ（第１絶縁膜）と、その上層の平坦化膜２１３ｂ（第２絶縁膜）とが積層されて構成され、層間絶縁膜２１３ａ及び平坦化膜２１３ｂの間には、非発光領域Ｎに対応して複数の反射膜２１４が設けられている。有機ＥＬ基板本体２１１、ＴＦＴ、絶縁層２１３、青色発光有機ＥＬ素子２１５_Ｂについては、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００と同様の構成を有する。

　　－隔壁部２１６－
　隔壁部２１６は、複数の青色発光領域Ｐ_Ｂを区画するように非発光領域Ｎに対応して格子状に設けられている。非発光領域Ｎに隔壁部２１６が設けられることにより、複数の有機ＥＬ素子２１５のそれぞれが絶縁されている。

　隔壁部２１６は、封止基板２２０に接触して封止基板２２０を支持するスペーサとしても機能する。これにより、隔壁部２１６とは別部材としてスペーサを設ける必要がなく、有機ＥＬ表示装置２００の開口率を高めることができる。また、隔壁部２１６は、上面が上部電極２１５ｃで被覆されておらず、隔壁部２１６自身が封止基板に接触するので、有機ＥＬ基板２１０と封止基板２２０との間の距離を一定に保持した状態で封止基板２２０を支持することができる。

　隔壁部２１６は、赤色変換部２１６_Ｒ、緑色変換部２１６_Ｇ、及び透明樹脂部２１６_Ｓで構成されている。赤色変換部２１６_Ｒは、その内部を透過する青色光の波長を変換して（ストークスシフト）赤色の波長を有する光を取り出す機能を有する。赤色変換部２１６_Ｒは、アクリル樹脂等の透明樹脂に蛍光体材料（例えば、根本特殊化学株式会社製のシリケート系蛍光体等）が添加された材料で構成されている。緑色変換部２１６_Ｇは、その内部を透過する青色光の波長を変換して緑色の波長を有する光を取り出す機能を有する。緑色変換部２１６_Ｇは、アクリル樹脂等の透明樹脂に蛍光体材料（例えば、根本特殊化学株式会社製のシリケート系蛍光体等）が添加された材料で構成されている。透明樹脂部２１６_Ｓは、隔壁部２１６を透過する青色光の波長の変換を行わない。透明樹脂部２１６_Ｓは、実施形態１の隔壁部１１６と同様、アクリル樹脂等の透明樹脂で構成されている。

　赤色変換部２１６_Ｒ、緑色変換部２１６_Ｇ、及び透明樹脂部２１６_Ｓは、図２１（ａ）に示すように各々配置されている。具体的には、赤色変換部２１６_Ｒは、隔壁部２１６のうち、縦に並んで配された複数の赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの右方に帯状に延びる部分を構成している。緑色変換部２１６_Ｇは、隔壁部２１６のうち、縦に並んで配された複数の緑色発光制御領域Ｑ_Ｇの右方に帯状に延びる部分を構成している。そして、透明樹脂部２１６_Ｓは、隔壁部２１６のうち、赤色変換部２１６_Ｒ及び緑色変換部２１６_Ｇ以外の部分を構成している。

　ここで、反射膜２１４は、図２１（ｂ）に示すように、各青色発光領域Ｐ_Ｂ（赤色変換部２１６_Ｒ、緑色変換部２１６_Ｇ、及び透明樹脂部２１６_Ｓ）に対応して島状に複数形成されている。そして、反射膜２１４は、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒにおける青色発光のうち非発光領域Ｎに斜めに拡散した光が、反射膜２１４で封止基板２２０に向かって反射され、隔壁部２１６のうち赤色変換部２１６_Ｒに入射されるように位置付けられている。緑色発光制御領域Ｑ_Ｇにおける青色発光のうち非発光領域Ｎに斜めに拡散した光が、反射膜２１４で封止基板２２０に向かって反射され、隔壁部２１６のうち緑色変換部２１６_Ｇに入射されるように位置付けられている。また、青色発光制御領域Ｑ_Ｂにおける青色発光のうち非発光領域Ｎに斜めに拡散した光が、反射膜２１４で封止基板２２０に向かって反射され、隔壁部２１６のうち透明樹脂部２１６_Ｓに入射されるように位置付けられている。

　色変換部２１６_Ｒ，Ｇの高さは、透明樹脂部２１６_Ｓの高さと同一であることが好ましく、この場合、色変換部２１６_Ｒ，Ｇにおいても透明樹脂部２１６_Ｓにおいても、隔壁部２１６が封止基板２２０を指示するスペーサとして機能することが可能となる。

　但し、色変換部２１６_Ｒ，Ｇにおける色変換効率等を調整する等の観点からは、透明樹脂部２１６_Ｓの高さよりも低い範囲内において、適宜、色変換部２１６_Ｒ，Ｇの高さを変更することができる。この場合、隔壁部２１６のうち透明樹脂部２１６_Ｓだけが、封止基板２２０を支持するスペーサとして機能することとなる。なお、色変換効率等を調整する等の場合としては、色純度の向上のために色変換部を厚くする場合や、高輝度の赤色光、緑色光を得るために色変換部を薄くする場合等の調整が考えられる。

　また、透明樹脂部２１６_Ｓと色変換部２１６_Ｒ，Ｇの境界となる部分においては、両者が一部重なり合うように形成されていてもよく、その場合には当該オーバーラップ領域が隔壁部２１６のうち最も高さが高くなるので、オーバーラップ領域において封止基板２２０と接触して封止基板２２０を支持することとなる。

　　＜有機ＥＬ表示装置２００の製造方法＞
　次に、有機ＥＬ表示装置２００の製造方法について説明する。この有機ＥＬ表示装置２００の製造方法は、有機ＥＬ基板形成工程と、それに続く基板貼り合わせ工程を含んでいる。

　　（有機ＥＬ基板形成工程）
　　－ＴＦＴ～下部電極２１５ａ－
　実施形態１と同様に、有機ＥＬ基板本体２１１上にＴＦＴ、層間絶縁膜２１３ａ、反射膜２１４、平坦化膜２１３ｂ、下部電極２１５ａを形成する。

　　－隔壁部２１６－
　次に、永久膜レジストを、フィルムラミネート処理やスピンコート塗布処理により全面形成した後、フォトリソグラフィにより露光及び現像を行い、エッチングを行って、透明樹脂部２１６_Ｓを形成する。同様に、赤色変換部２１６_Ｒ及び緑色変換部２１６_Ｇを形成する。なお、赤色変換部２１６_Ｒ、緑色変換部２１６_Ｇ、及び透明樹脂部２１６_Ｓを形成する順番はいずれを先に行ってもよい。

　　－有機ＥＬ層２１５ｂ－
　続いて、公知の方法により、複数の青色発光領域Ｐ_Ｂのそれぞれに対応するように、正孔輸送層、青色発光層、電子注入層等を積層して青色有機ＥＬ層２１５ｂ_Ｂを成膜する。このとき、発光層として全ての発光領域に青色発光材料を含む青色発光層を形成すればよいので、有機ＥＬ層２１５ｂを容易に形成することができる。

　　－上部電極２１５ｃ－
　有機ＥＬ層２１５ｂ形成後は、実施形態１と同様にして有機ＥＬ層２１５ｂ上に上部電極２１５ｃを形成する。

　　（基板貼り合わせ工程）
　最後に、上記得られた有機ＥＬ基板２１０と封止基板２２０とを貼り合わせることにより、有機ＥＬ表示装置２００を得る。

　　＜有機ＥＬ表示装置２００の動作＞
　有機ＥＬ表示装置２００は、複数の発光領域が青色発光領域Ｐ_Ｂで構成され、複数の有機ＥＬ素子２１５が全て青色有機ＥＬ素子２１５_Ｂで構成されているので、青色発光有機ＥＬ層２１５ｂ_Ｂにおける発光は、有機ＥＬ基板本体２１１側に伝播して有機ＥＬ基板側の青色モノカラー表示として視認される。

　一方、青色発光有機ＥＬ層２１５ｂ_Ｂにおける発光のうち非発光領域Ｎに斜めに拡散した光は、層間絶縁膜２１３ａと平坦化膜２１３ｂとの間に形成された反射膜２１４で封止基板２２０側に反射される。反射膜２１４で反射された光は、隔壁部２１６を透過して封止基板側の表示として視認される。このときの光の進みかたについて、各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂ毎に詳細に説明する。

　反射膜２１４は、図２１及び２２に示すように、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒにおける青色発光のうち非発光領域Ｎに斜めに拡散した光が、反射膜２１４で封止基板２２０に向かって反射され、隔壁部２１６のうち赤色変換部２１６_Ｒに入射されるように位置付けられている。そのため、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒにおける青色発光は、赤色変換部２１６_Ｒを透過するときに赤色光に変換され、封止基板側の表示を構成する赤色光として視認される。同様に、緑色発光制御領域Ｑ_Ｇにおける青色発光は、緑色変換部２１６_Ｇを透過するときに緑色光に変換され、封止基板側の表示を構成する緑色光として視認される。また、青色発光制御領域Ｑ_Ｂにおける青色発光は、透明樹脂部２１６_Ｓを透過して、封止基板側の表示を構成する青色光として視認される。従って、封止基板２２０側においては、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒで得られた青色発光は赤色光として、緑色発光制御領域Ｑ_Ｇで得られた青色発光は緑色光として、青色発光制御領域Ｑ_Ｂで得られた青色発光は青色光として、それぞれ視認される。

　ここで、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒにおける青色発光が赤色変換部２１６_Ｒに、緑色発光制御領域Ｑ_Ｇにおける青色発光が緑色変換部２１６_Ｇに、及び青色発光制御領域Ｑ_Ｂにおける青色発光が透明樹脂部２１６_Ｓに入射される原理について説明する。

　赤色発光制御領域Ｑ_Ｒにおける青色発光が反射膜２１４で反射されて赤色変換部２１６_Ｒに入射されるためには、図２２において、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒからの青色発光が赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの右側の反射膜２１４で反射される必要がある。言い換えると、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの青色発光有機ＥＬ層２１５ｂ_Ｂにおける青色発光は、有機ＥＬ基板本体２１１に向かうと同時に右斜め方向と左斜め方向に均等に拡散するが、このうち、左斜め方向に拡散した光については反射膜２１４に到達しても封止基板２２０側に到達しない、または、反射膜２１４に到達しても封止基板２２０側に向かわないように光を反射させる必要がある。一方、右斜め方向に拡散した光は、反射膜２１４に到達した後封止基板２２０側に反射させる必要がある。

　赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの右方では、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの周縁部に反射膜２１４（Ｒ）が重なるように配置されている。そのため、図２３（ａ）に示すように、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの右斜め方向に拡散した光は、反射膜２１４（Ｒ）において反射され、赤色変換部２１６_Ｒに入射することができる。

　一方、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの左方では、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒと反射膜２１４（Ｌ）とは、重なり合わないだけでなく平面視で一定の間隔をあけて配置されている（なお、図２３においては、反射膜２１４（Ｌ）と赤色発光制御領域Ｑ_Ｒとの間隔を強調して図示している）。そのため、図２３（ａ）に示すように、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの左斜め方向に拡散した光は、反射膜２１４（Ｌ）において反射されると、右側の反射膜２１４（Ｒ）で反射される場合よりも反射角が大きくなってしまう。そして、反射角が大きくなることにより、反射された光の輝度が小さくなる（ランバート分布）。また、反射膜２１４（Ｌ）で反射された光の反射角が大きいことにより、図２３（ｂ）に示すように、反射膜２１４（Ｌ）で反射された光が隔壁部２１６（透明樹脂部２１６_Ｓ）に入射できない場合が生じる。さらに、隔壁部２１６に入射できたとしても、図２３（ｃ）に示すように、隔壁部２１６への入射角が大きいことにより隔壁部２１６と封止基板２２０との界面で全反射したり、封止基板２２０と外部の空気との界面で全反射したりするので、封止基板側からは視認されなくなる。

　従って、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒにおける青色発光を赤色変換部２１６_Ｒに、緑色発光制御領域Ｑ_Ｇにおける青色発光を緑色変換部２１６_Ｇに、及び青色発光制御領域Ｑ_Ｂにおける青色発光を透明樹脂部２１６_Ｓに入射させることが可能となっている。

　以上のようにして、有機ＥＬ表示装置２００は、有機ＥＬ基板側においては青色のモノカラー表示が、封止基板側においてはＲＧＢフルカラー表示が視認されることとなる。

　　＜実施形態２の効果＞
　以下、実施形態２の有機ＥＬ表示装置２００により得られる作用効果について説明する。

　本実施形態の有機ＥＬ表示装置２００によれば、封止基板側における表示は、有機ＥＬ素子２１５から斜め方向に放射される光を利用して構成される。従って、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００と同様に、斜め方向に放射される光を封止基板側における表示を構成する光として利用するので、両面表示を行っても、有機ＥＬ基板側における表示の発光輝度が大きく低下する虞がなく、また、消費電力の増大を招く虞がない。さらに、青色発光領域Ｐ_Ｂが反射膜２１４で遮られて有機ＥＬ基板側の表示輝度が大きく低下する虞もない。

　また、このとき、封止基板側における表示は、非発光領域Ｎに対応して設けられた隔壁部２１６を透過して封止基板２２０へ放出されて視認されるので、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００と同様、封止基板２２０側においても、良好な表示品位で画像表示を行うことができる。

　従って、有機ＥＬ表示装置２００によれば、消費電力の増大を招くことなく、有機ＥＬ基板側での青色モノカラー表示においても、封止基板側のＲＧＢフルカラー表示においても、良好な表示品位での画像表示を行うことが可能となる。

　実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００と同様に本実施形態２の有機ＥＬ表示装置２００により奏される効果としては、上記の点に加え、以下のものが挙げられる。

　有機ＥＬ表示装置２００によれば、反射膜２１４を覆うように表面が平坦な平坦化膜２１３ｂが設けられていることにより、有機ＥＬ素子２１５の各膜厚制御が容易になり、信頼性の高い有機ＥＬ素子２１５が得られる。また、有機ＥＬ表示装置２００によれば、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００と同様に、光が気体中を進むことがなく、光の損失を抑制することができる。さらに、有機ＥＬ表示装置２００は、封止基板側において画像表示を行うにもかかわらず、マイクロキャビティ効果に起因して視野角によって色純度や輝度が変化してしまう問題が生じない。

　実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００で得られる効果に加え、有機ＥＬ表示装置２００で特有に奏される効果としては、以下のものが挙げられる。

　有機ＥＬ表示装置２００では、複数の発光領域を全て青色発光領域Ｐ_Ｂで構成するので、発光層として青色発光層のみを成膜すればよい。そのため、有機ＥＬ表示装置２００の作製プロセスが簡単になり、優れた歩留まりが得られる。

　また、有機ＥＬ表示装置２００では、赤色変換部２１６_Ｒや緑色変換部２１６_Ｇによって赤色光や緑色光を得るので、各色変換部２１６_Ｒ，Ｇの厚さや蛍光体材料の色変換特性を調整することにより、赤色光、緑色光について所望の色度とすることが可能である。

　　＜実施形態２の変形例＞
　以下、実施形態２の有機ＥＬ表示装置２００を構成する隔壁部２１６や反射膜２１４等に関する変形例について説明する。

　　（変形例８）
　変形例８にかかる有機ＥＬ表示装置２００の断面図を図２４に、各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂ、隔壁部２１６，及び反射膜２１４の模式的なレイアウトを図２５に示す。ここでは、隔壁部２１６において、青色発光を赤色の波長の光に変換する部分が、透明樹脂部２１６_Ｓ上に赤色変換部２１６_Ｒを積層して構成した赤色変換部２１６_ＲＳとして設けられる。また、青色発光を緑色の波長の光に変換する部分が、透明樹脂部２１６_Ｓ上に緑色変換部２１６_Ｇを積層して構成した緑色変換部２１６_ＧＳとして設けられる。

　封止基板２２０側から取り出す赤色光や緑色光の色味の調整のために色変換部２１６_Ｒ，Ｇの高さを透明樹脂部２１６_Ｓよりも低くする場合でも、変形例８の構成とすることにより、色変換部２１６_Ｒ，Ｇの高さが低い分を透明樹脂部２１６_Ｓで補って、全部の領域において隔壁部２１６の高さを均一にすることができる。従って、隔壁部２１６のスペーサとしての機能がより信頼性の高いものとなる。

　　（変形例９）
　変形例９にかかる有機ＥＬ表示装置２００の各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂ、隔壁部２１６，及び反射膜２１４のレイアウトを、図２６及び２７に模式的に示す。

　実施形態２では、赤色変換部２１６_Ｒや緑色変換部２１６_Ｇを赤色発光制御領域Ｑ_Ｒや緑色発光制御領域Ｑ_Ｇの右方に帯状に配置し、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒや緑色発光制御領域Ｑ_Ｇの上下の領域には透明樹脂部２１６_Ｓが配置されている場合について説明したが、図２６（ａ）に示すように、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの上下の領域にも赤色変換部２１６_Ｒを、緑色発光制御領域Ｑ_Ｇの上下の領域にも緑色変換部２１６_Ｇを配置してもよい。

　この場合、図２６（ｂ）のように、各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂの上下の領域にも対応して反射膜２１４を配置することにより、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒにおける青色発光のうち斜め方向に漏れた光が、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの右方、上方、下方の３方で反射膜２１４で反射されて封止基板２２０側に向かうこととなる。当該反射光が封止基板２２０側に向かう途中、赤色変換部２１６_Ｒを経由することにより、青色の波長から赤色の波長の光に変換されて封止基板２２０側において赤色表示が得られる。緑色発光制御領域Ｑ_Ｇ、青色発光制御領域Ｑ_Ｂにおける青色発光についても同様である。そのため、各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂの右方だけでなく上下方向に斜めに漏れた光についても、封止基板２２０側における表示として有効に利用することができ、封止基板２２０側における発光効率を高めることができる。

　　（変形例１０、１１）
　変形例１０にかかる有機ＥＬ表示装置２００の各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂ、隔壁部２１６，及び反射膜２１４のレイアウトを、図２８及び２９に模式的に示す。また、変形例１１にかかる有機ＥＬ表示装置２００の各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂ、隔壁部２１６，及び反射膜２１４のレイアウトを、図３０及び３１に模式的に示す。

　隔壁部２１６の色変換部や透明樹脂部２１６_Ｓの配置としては、図２８（ａ）に変形例１０として示すように、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの右方と、上方または下方の一方と、に赤色変換部２１６_Ｒを配置し、緑色発光制御領域Ｑ_Ｇの右方と、上方または下方の一方と、に緑色変換部２１６_Ｇを配置し、青色発光制御領域Ｑ_Ｂの右方と、上方または下方の一方と、に透明樹脂部２１６_Ｓを配置してもよい。また、図３０（ａ）に変形例１１として示すように、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの右方には赤色変換部２１６_Ｒを、上下には透明樹脂部２１６_Ｓを配置し、緑色発光制御領域Ｑ_Ｇの右方には緑色変換部２１６_Ｇを、上下には赤色変換部２１６_Ｒを配置し、青色発光制御領域Ｑ_Ｂの右方には透明樹脂部２１６_Ｓを、上下には緑色変換部２１６_Ｇを配置してもよい。

　変形例１０の場合には、各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂの右方と上方、または右方と下方の２方向に斜めに漏れた光が、反射膜２１４で反射されて封止基板２２０側に向かうこととなる。また、変形例１１の場合には、各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂの右方に斜めに漏れた光が、反射膜２１４で反射されて封止基板２２０側に向かうこととなる。但し、封止基板２２０側の発光効率の点からは、変形例９の方が好ましい。

　　（変形例１２）
　変形例１２にかかる有機ＥＬ表示装置２００の断面図を図３２に示す。また、変形例１２にかかる有機ＥＬ表示装置２００の各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂ、隔壁部２１６，及び反射膜２１４のレイアウトを、図３３及び３４に模式的に示す。

　変形例１２の隔壁部２１６は、図３３（ａ）に示すように、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒと赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの間には赤色変換部２１６_Ｒが配置され、緑色発光制御領域Ｑ_Ｇと緑色発光制御領域Ｑ_Ｇの間には緑色変換部２１６_Ｇが配置され、青色発光制御領域Ｑ_Ｂと青色発光制御領域Ｑ_Ｂの間には透明樹脂部２１６_Ｓが配置されている。また、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒと緑色発光制御領域Ｑ_Ｇの間の領域は各発光制御領域Ｑ_Ｒ、Ｑ_Ｇの辺に沿う方向に２分され、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒ側の部分には赤色変換部２１６_Ｒが、緑色発光制御領域Ｑ_Ｇ側の部分には緑色変換部２１６_Ｇが、それぞれ配置されている。緑色発光制御領域Ｑ_Ｇと青色発光制御領域Ｑ_Ｂの間の領域は各発光制御領域Ｑ_Ｇ、Ｑ_Ｂの辺に沿う方向に２分され、緑色発光制御領域Ｑ_Ｇ側の部分には緑色変換部２１６_Ｇが、青色発光制御領域Ｑ_Ｂ側の部分には透明樹脂部２１６_Ｓが、それぞれ配置されている。青色発光制御領域Ｑ_Ｂと赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの間の領域は各発光制御領域Ｑ_Ｂ、Ｑ_Ｒの辺に沿う方向に２分され、青色発光制御領域Ｑ_Ｂ側の部分には透明樹脂部２１６_Ｓが、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒ側の部分には赤色変換部２１６_Ｒが、それぞれ配置されている。

　また、反射膜２１４は、図３３（ｂ）に示すように、各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂを囲うように、且つ、各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂと一部が重なり合うように設けられている。

　この構成により、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒにおける青色発光のうち斜め方向に漏れた光は、制御領域の右方、左方、上方、下方であるにかかわらず、反射膜２１４で反射されることとなる。そして、当該反射光が封止基板２２０側に向かう途中、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒの周囲に配された赤色変換部２１６_Ｒを経由することにより、青色の波長から赤色の波長の光に変換されて封止基板２２０側において赤色表示が得られる。緑色発光制御領域Ｑ_Ｇ、青色発光制御領域Ｑ_Ｂにおける青色発光についても同様である。そのため、各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂの右方、左方、上方、下方の全部の方向おいて、斜めに漏れた光を封止基板２２０側における表示として有効に利用することができ、封止基板２２０側における発光効率を高めることができる。

　なお、異なる色の制御領域間における各色変換部２１６_Ｒ，Ｇや透明樹脂部２１６_Ｓの境界には、各色の混色を抑制するため、図３５に示すように仕切り構造２１６ｈを設けることも可能である。仕切り構造２１６ｈは、隔壁部２１６の形成工程において、赤色変換部２１６_Ｒと緑色変換部２１６_Ｇの境界部分、赤色変換部２１６_Ｒと透明樹脂部２１６_Ｓの境界部分、及び緑色変換部２１６_Ｇと透明樹脂部２１６_Ｓの境界部分に隙間を設けることにより形成することができる。その後の上部電極２１５ｃの形成工程において、上部電極材料が当該隙間に充填されることにより、仕切り構造２１６ｈが形成されるからである。

　　（変形例１３）
　変形例１３にかかる有機ＥＬ表示装置２００の断面図を図３６に示す。また、変形例１３にかかる有機ＥＬ表示装置２００の各色発光制御領域Ｑ_Ｒ，Ｑ_Ｇ，Ｑ_Ｂ、隔壁部２１６，及び反射膜２１４のレイアウトを、図３７及び３８に模式的に示す。

　変形例１３の各青色発光領域Ｐ_Ｂは、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒ，緑色発光制御領域Ｑ_Ｇ，青色発光制御領域Ｑ_Ｂで構成されるが、図３６～３８に示すように、単一の青色発光領域Ｐ_Ｂが赤色発光制御領域Ｑ_Ｒ及び緑色発光制御領域Ｑ_Ｇ、緑色発光制御領域Ｑ_Ｇ及び青色発光制御領域Ｑ_Ｂ、或いは青色発光制御領域Ｑ_Ｂ及び赤色発光制御領域Ｑ_Ｒで構成されている。つまり、１つの青色発光領域Ｐ_Ｂを２つの独立したスイッチング素子で駆動することとなる。そして、青色発光領域Ｐ_Ｂのうち隔壁部２１６の赤色変換部２１６_Ｒに隣接する領域が赤色発光制御領域Ｑ_Ｒに、緑色変換部２１６_Ｇに隣接する領域が緑色発光制御領域Ｑ_Ｇに、透明樹脂部２１６_Ｓに隣接する領域が青色発光制御領域Ｑ_Ｂとなるように位置付けられている。

　また、反射膜２１４は、図３７（ｂ）に示すように、青色発光領域Ｐ_Ｂの左方及び右方の周縁部と重なり合うように設けられている。

　この構成により、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒ及び緑色発光制御領域Ｑ_Ｇで構成された青色発光領域Ｐ_Ｂは、赤色発光制御領域Ｑ_Ｒ側から斜め方向に漏れた青色光が反射膜２１４で封止基板２２０側に反射されて赤色変換部２１６_Ｒに入射して封止基板側から赤色光として視認される一方で、緑色発光制御領域Ｑ_Ｇ側から斜め方向に漏れた青色光が反射膜２１４で封止基板２２０側に反射されて緑色変換部２１６_Ｇに入射して封止基板側から緑色光として視認される。緑色発光制御領域Ｑ_Ｇ及び青色発光制御領域Ｑ_Ｂで構成された青色発光領域Ｐ_Ｂや青色発光制御領域Ｑ_Ｂ及び赤色発光制御領域Ｑ_Ｒで構成された青色発光領域Ｐ_Ｂについても同様である。

　なお、実施形態２では、有機ＥＬ表示装置２００の有機ＥＬ基板側の表示として青色のモノカラー表示を行うとして説明したが、例えば色変換フィルターを介して光を視認可能とすることにより、青色以外のモノカラー表示を行ってもよい。

　　《実施形態３》
　続いて、実施形態３にかかる有機ＥＬ表示装置３００について説明する。

　　＜有機ＥＬ表示装置３００の構成＞
　まず、有機ＥＬ表示装置３００の構成について説明する。有機ＥＬ表示装置３００は、表面と裏面との両面においてＲＧＢフルカラー表示で画像表示を行うディスプレイである。有機ＥＬ表示装置３００は、例えば、主画面（メインディスプレイ）と副画面（サブディスプレイ）を有する携帯電話機やマルチメディアプレーヤ等のモバイル機器において、主画面（メインディスプレイ）と副画面（サブディスプレイ）の表示を１枚の表示パネルで行うためのディスプレイや、表裏両面から表示を行う広告表示パネル等のディスプレイとして用いられる。

　有機ＥＬ表示装置３００は、実施形態１と同様、平板状の有機ＥＬ基板３１０と封止基板３２０とが対向して配置されている。封止基板３２０については、実施形態１における封止基板１２０と同様の構成を有する。

　図３９は、有機ＥＬ表示装置３００の表示領域Ｄにおける平面図である。有機ＥＬ表示装置３００は、表示領域Ｄにおいて、複数の赤色発光領域Ｐ_Ｒ、緑色発光領域Ｐ_Ｇ、及び青色発光領域Ｐ_Ｂがマトリクス状に配置され、複数の発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂのそれぞれが独立に駆動されることによって表示領域Ｄ内に全体として所定の画像表示を行う。そして、各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂ以外の格子状の領域は、非発光領域Ｎとなっている。

　　－有機ＥＬ基板３１０－
　有機ＥＬ基板３１０は、有機ＥＬ基板本体３１１上に、各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂ毎にスイッチング素子として配された複数のＴＦＴと、有機ＥＬ基板本体３１１及び複数のＴＦＴを覆う絶縁層３１３と、絶縁層３１３上に赤色発光領域Ｐ_Ｒ，緑色発光領域Ｐ_Ｇ，青色発光領域Ｐ_Ｂに対応して形成された複数の赤色発光有機ＥＬ素子３１５_Ｒ、緑色発光有機ＥＬ素子３１５_Ｇ、及び青色発光有機ＥＬ素子３１５_Ｂと、複数の有機ＥＬ素子３１５_Ｒ、３１５_Ｇ、及び３１５_Ｂを区画するように非発光領域Ｎに対応して格子状に形成された隔壁部３１６と、を備える。なお、以下の明細書や図面において、赤色発光有機ＥＬ素子３１５_Ｒ、緑色発光有機ＥＬ素子３１５_Ｇ及び青色発光有機ＥＬ素子３１５_Ｂをまとめて有機ＥＬ素子３１５と称することもある。有機ＥＬ基板本体３１１、ＴＦＴ、絶縁層３１３、各有機ＥＬ素子３１５、隔壁部３１６については、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００と同様の構成を有する。

　　－絶縁層３１３－
　絶縁層３１３は、図３９に示すように、有機ＥＬ基板本体３１１側の層間絶縁膜３１３ａ（第１絶縁膜）と、その上層の平坦化膜３１３ｂ（第２絶縁膜）とが積層されて構成され、層間絶縁膜３１３ａ及び平坦化膜３１３ｂの間には、非発光領域Ｎに対応して複数の反射膜３１４が設けられている。

　　－層間絶縁膜１１３ａ－
　層間絶縁膜３１３ａは、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００と同様、第１層間絶縁膜、第２層間絶縁膜、及び第３層間絶縁膜が積層されて構成される。層間絶縁膜３１３ａの表面には、反射膜３１４が設けられる領域に対応して、複数の凹部３１４ｃａが形成されている。複数の凹部３１４ｃａについては反射膜３１４と合わせて説明する。

　　－反射膜３１４－
　反射膜３１４は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００の反射膜１１４と同様、層間絶縁膜３１３ａ及び平坦化膜３１３ｂの間に、非発光領域Ｎに対応して形成され、有機ＥＬ層３１５ｂにおける発光のうち非発光領域Ｎに斜めに拡散した光が隔壁部３１６及び封止基板３２０内を透過させて封止基板側の表示として視認可能とするべく、その光を封止基板側に反射できるように位置付けられている。反射膜３１４は、各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂに対応して島状に複数形成されている。

　反射膜３１４の表面には、層間絶縁膜３１３ａの表面に設けられた複数の凹部３１４ｃａに対応するように、表面に複数の凹部３１４ｃが形成されている。複数の凹部３１４ｃのそれぞれは、例えば、断面が径が１０μｍ程度の円形、及び深さが１μｍ程度の大きさである。複数の凹部３１４ｃのそれぞれは、互いに５μｍ程度の間隔で並ぶように配置されている。なお、複数の凹部３１４ｃのそれぞれは、断面が円形の他、例えば矩形等であってもよい。

　なお、反射膜３１４の表面に複数の凹部が設けられることにより反射膜３１４表面に凹凸が形成されていてもよいが、例えば、縦横に複数並んで延びる溝状の構成等が設けられることにより、反射膜３１４表面に凹凸が形成されていてもよい。

　　－平坦化膜３１３ｂ－
　平坦化膜３１３ｂは、層間絶縁膜３１３ａ及び反射膜３１４を覆うように基板上の全面に設けられている。反射膜３１４を覆うように平坦化膜３１３ｂが設けられていることにより、反射膜３１４により絶縁層３１３の表面に凹凸が生じることなく絶縁層３１３の表面を平坦に形成することができる。

　　＜有機ＥＬ表示装置３００の製造方法＞
　次に、有機ＥＬ表示装置３００の製造方法について説明する。有機ＥＬ表示装置３００の製造方法は、有機ＥＬ基板形成工程と、それに続く基板貼り合わせ工程を含んでいる。

　　（有機ＥＬ基板形成工程）
　　－ＴＦＴ、層間絶縁膜３１３ａ－
　有機ＥＬ基板本体３１１上に、実施形態１と同様にしてＴＦＴ及び層間絶縁膜３１３ａを形成する。そして、層間絶縁膜３１３ａのうち反射膜３１４を形成する領域に対応するように、ハーフ露光を用いて複数の凹部３１４ｃａを形成する。

　　－反射膜３１４－
　次に、例えばスパッタ法等を用いてＡｌ膜等を成膜した後、フォトリソグラフィにより露光及び現像を行い、エッチングを行って当該Ａｌ膜をパターニングすることにより、非発光領域Ｎに対応して反射膜３１４を形成する。このとき、層間絶縁膜３１３ａに形成された複数の凹部３１４ｃａに対応するように、反射膜３１４の表面に複数の凹部３１４ｃが形成される。

　　－平坦化膜３１３ｂ－
　続いて、例えば感光性アクリル膜をスピンコート法等を用いて塗布し、当該感光性アクリル膜の露光及び現像を行って、表面が平坦化された平坦化膜３１３ｂを形成する。

　　－下部電極３１５ａ～上部電極３１５ｃ－
　平坦化膜３１３ｂ上に下部電極３１５ａ、隔壁部３１６、有機ＥＬ層３１５ｂ、及び上部電極３１５ｃを形成する工程については実施形態１と同様である。

　　（基板貼り合わせ工程）
　最後に、上記得られた有機ＥＬ基板３１０と封止基板２２０とを貼り合わせることにより、有機ＥＬ表示装置３００を得る。

　なお、層間絶縁膜３１３ａ上に凹部３１４ｃａを形成する工程において、反射膜３１４を形成する領域以外の領域にも凹部３１４ｃａを形成しても構わない。例えば、図４０に示すように、層間絶縁膜３１３ａ上の全面にわたって複数の凹部３１４ｃａを形成してもよい。これにより、ハーフ露光により凹部３１４ｃａを形成する露光パターンをシンプルにすることができる。また、層間絶縁膜３１３ａと平坦化膜３１３ｂとが同一の屈折率の材料で形成されている場合には、層間絶縁膜３１３ａの全面にわたって複数の凹部３１４ｃａを形成しても、層間絶縁膜３１３ａを覆うように平坦化膜３１３ｂを形成するので、層間絶縁膜３１３ａと平坦化膜３１３ｂの界面で光の損失が生じることがなく、有機ＥＬ表示装置３００の表示特性に何等影響を与えない。

　　＜有機ＥＬ表示装置３００の動作＞
　有機ＥＬ表示装置３００によれば、層間絶縁膜３１３ａと平坦化膜３１３ｂの間には、非発光領域Ｎに対応して反射膜３１４が形成され、その反射膜３１４が、有機ＥＬ層３１５ｂにおける発光のうち非発光領域Ｎに拡散した光を、隔壁部３１６及び封止基板３２０内を透過させて封止基板側の表示として視認可能とするべく、封止基板３２０側に効率よく反射できるように位置付けられている。そのため、有機ＥＬ層３１５ｂにおける発光は、有機ＥＬ基板本体３１１側に伝播して有機ＥＬ基板側の表示として視認される一方で、有機ＥＬ基板本体３１１側に伝播しつつも非発光領域Ｎに斜め方向に拡散した光は、反射膜３１４で反射されて隔壁部３１６に入射される。このとき、反射膜３１４の表面に複数の凹部３１４ｃが形成されているので、光は反射膜３１４において拡散反射して隔壁部３１６に入射されることとなる。そして、隔壁部３１６に入射された光は、そのまま隔壁部３１６を透過して封止基板３２０側に入射され、封止基板側における表示として外部から視認される。つまり、１枚のパネルを駆動することにより有機ＥＬ基板側と封止基板側の両面において画像表示を行うことができる。

　　＜実施形態３の効果＞
　以下、有機ＥＬ表示装置３００により得られる作用効果について説明する。

　本実施形態の有機ＥＬ表示装置３００によれば、封止基板側における表示は、有機ＥＬ素子３１５から斜め方向に放射される光を利用して構成される。従って、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００と同様に、斜め方向に放射される光を封止基板側における表示を構成する光として利用するので、両面表示を行っても、有機ＥＬ基板側における表示の発光輝度が大きく低下する虞がなく、また、消費電力の増大を招く虞がない。さらに、発光領域Ｐ_Ｒ、Ｐ_Ｇ、Ｐ_Ｂが反射膜３１４で遮られて有機ＥＬ基板側の表示輝度が大きく低下する虞もない。

　また、このとき、封止基板側における表示は、非発光領域Ｎに対応して設けられた隔壁部３１６を透過して封止基板３２０へ放出されて視認されるので、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００と同様、封止基板３２０側においても、良好な表示品位で画像表示を行うことができる。

　従って、有機ＥＬ表示装置３００によれば、消費電力の増大を招くことなく、有機ＥＬ基板側においても封止基板側においても、良好な表示品位での画像表示を行うことが可能となる。

　実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００と同様に本実施形態３の有機ＥＬ表示装置３００により奏される効果としては、上記の点に加え、以下のものが挙げられる。

　有機ＥＬ表示装置３００によれば、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００と同様に、光が気体中を進むことがなく、光の損失を抑制することができる。さらに、有機ＥＬ表示装置３００は、封止基板側において画像表示を行うにもかかわらず、マイクロキャビティ効果に起因して視野角によって色純度や輝度が変化してしまう問題が生じない。

　実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００で得られる効果に加え、有機ＥＬ表示装置３００で特有に奏される効果としては、以下のものが挙げられる。

　有機ＥＬ表示装置３００は、反射膜３１４の表面に複数の凹部３１４ｃａが設けられているので、各有機ＥＬ層３１５ｂにおける発光のうち斜め方向に放射された光は、反射膜３１４に反射される際、凹部３１４ｃで散乱されながら封止基板３２０側に向かうように反射されることとなる。反射膜の表面が平坦に形成されている場合には、反射膜に向かう光は入射角と同じ角度の反射角で反射されることとなり、反射光は基板に対して斜め方向の成分を多く含む光となるが、反射膜３１４で反射される光は、凹部３１４ｃで散乱されるので、反射光は基板に対して正面方向の成分を多く含んだ光となる。従って、反射膜３１４に凹部３１４ｃが形成されていることにより、封止基板側での表示において、より優れた視野角特性が得られる。

　また、有機ＥＬ表示装置３００の反射膜３１４には凹部３１４ｃが形成されている場合でも、層間絶縁膜３１３ａ及び反射膜３１４を覆うように平坦化膜３１３ｂが設けられ、その表面が平坦化されているので、有機ＥＬ素子３１５の各膜厚制御が容易になり、信頼性の高い有機ＥＬ素子３１５が得られる。

　　《実施形態４》
　始めに、実施形態４にかかる有機ＥＬ表示装置４００について説明する。

　　＜有機ＥＬ表示装置４００の構成＞
　まず、有機ＥＬ表示装置４００の構成について説明する。有機ＥＬ表示装置４００は、表面と裏面との両面においてＲＧＢフルカラー表示で画像表示を行うディスプレイである。有機ＥＬ表示装置４００は、例えば、主画面（メインディスプレイ）と副画面（サブディスプレイ）を有する携帯電話機やマルチメディアプレーヤ等のモバイル機器において、主画面（メインディスプレイ）と副画面（サブディスプレイ）の表示を１枚の表示パネルで行うためのディスプレイや、表裏両面から表示を行う広告表示パネル等のディスプレイとして用いられる。

　有機ＥＬ表示装置４００は、実施形態１と同様、平板状の有機ＥＬ基板４１０と封止基板４２０とが対向して配置されている。

　図４１は、有機ＥＬ表示装置４００の表示領域Ｄにおける断面図である。有機ＥＬ表示装置４００は、複数の赤色発光領域Ｐ_Ｒ、緑色発光領域Ｐ_Ｇ、及び青色発光領域Ｐ_Ｂが配置され、複数の発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂのそれぞれが独立に駆動されることによって表示領域Ｄ内に全体として所定の画像表示を行う。そして、各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂ以外の格子状の領域は、非発光領域Ｎとなっている。

　　－有機ＥＬ基板４１０－
　有機ＥＬ基板４１０は、有機ＥＬ基板本体４１１上に、各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂ毎にスイッチング素子として配された複数のＴＦＴと、有機ＥＬ基板本体４１１及び複数のＴＦＴを覆う絶縁層４１３と、絶縁層４１３上に赤色発光領域Ｐ_Ｒ，緑色発光領域Ｐ_Ｇ，青色発光領域Ｐ_Ｂに対応して形成された複数の赤色発光有機ＥＬ素子４１５_Ｒ、緑色発光有機ＥＬ素子４１５_Ｇ、及び青色発光有機ＥＬ素子４１５_Ｂと、複数の有機ＥＬ素子４１５_Ｒ、４１５_Ｇ、及び４１５_Ｂを区画するように非発光領域Ｎに対応して格子状に形成された隔壁部４１６と、を備える。なお、以下の明細書において、赤色発光有機ＥＬ素子４１５_Ｒ、緑色発光有機ＥＬ素子４１５_Ｇ及び青色発光有機ＥＬ素子４１５_Ｂをまとめて有機ＥＬ素子４１５と称することもある。有機ＥＬ基板本体４１１、ＴＦＴ、及び隔壁部４１６については実施形態１と同様の構成を有する。

　　－絶縁層４１３－
　絶縁層４１３は、有機ＥＬ基板本体４１１上に、有機ＥＬ基板本体４１１及びＴＦＴを覆うように設けられている。絶縁層４１３は、例えば感光性アクリル樹脂等の透明絶縁性樹脂で形成されている。絶縁層４１３は、単一の膜で形成されていても複数の膜で形成されていてもよい。絶縁層４１３は、表面が平坦となるように形成されている。

　　－有機ＥＬ素子４１５－
　有機ＥＬ素子４１５は、有機ＥＬ基板本体４１１側から、下部電極４１５ａ、有機ＥＬ層４１５ｂ、及び上部電極４１５ｃが順に積層されて構成される。なお、赤色発光有機ＥＬ素子１１５_Ｒにおいては有機ＥＬ層１１５ｂとして赤色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｒが積層される。緑色発光有機ＥＬ素子１１５_Ｇにおいては有機ＥＬ層１１５ｂとして緑色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｇが積層される。青色発光有機ＥＬ素子１１５_Ｂにおいては有機ＥＬ層１１５ｂとして青色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｂが積層される。なお、以下の明細書において、赤色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｒ、緑色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｇ及び青色発光有機ＥＬ層１１５ｂ_Ｂをまとめて有機ＥＬ層１１５ｂと称することもある。

　有機ＥＬ層４１５ｂは、詳しくは、上部電極４１５ｃ側から、正孔輸送層、発光層、電子注入層が順に積層された構成を有する。下部電極４１５ａと上部電極４１５ｃに電圧が加えられたとき、下部電極４１５ａから電子が電子注入層を経由して発光層に注入されると共に、上部電極４１５ｃから正孔が正孔輸送層を経由して発光層に注入され、これらが発光層において再結合することにより発光が得られる。

　　－下部電極４１５ａ－
　下部電極４１５ａの材料としては、仕事関数の小さいものが好ましく、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、等の金属材料や、またはフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金等が挙げられる。下部電極４１５ａは、ドレイン電極と電気的に接続され、各ＴＦＴにより電位が付与される。

　　－有機ＥＬ層４１５ｂ－
　正孔輸送層、発光層、及び電子注入層は、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００で例示したものと同様の材料で形成することができる。

　　－上部電極４１５ｃ－
　上部電極４１５ｃは、複数の有機ＥＬ層４１５ｂのそれぞれを覆うように複数設けられている。上部電極４１５ｃは、光透過性の材料で形成され、例えば、酸化インジウム酸化スズ合金（ＩＴＯ）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の仕事関数の大きい材料が挙げられる。複数の上部電極４１５ｃには、所定の共通電位が与えられる。

　　－封止基板４２０－
　封止基板４２０は、ガラス基板等で形成された封止基板本体４２１上であって封止基板４２０の有機ＥＬ基板４１０側に、非発光領域Ｎに対応するように設けられた反射膜４２４と、封止基板本体４２１及び反射膜４２４を覆うように設けられた絶縁層４２３と、を備える。

　　－反射膜４２４－
　反射膜４２４は、封止基板本体４２１上に、非発光領域Ｎに対応して形成され、有機ＥＬ層４１５ｂにおける発光のうち非発光領域Ｎに斜めに拡散した光が隔壁部及び封止基板内を透過させて有機ＥＬ基板側の表示として視認可能とするべく、その光を有機ＥＬ基板４１０側に反射できるように位置付けられている。反射膜４２４は、例えばＡｌ膜等の光反射性の金属膜等で形成されている。反射膜４２４のそれぞれは、例えば厚さが１００ｎｍ程度である。

　反射膜４２４は、実施形態１の反射膜１１４と同様に、各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂに対応して島状に複数形成されている（図７参照）。

　　－絶縁層４２３－
　絶縁層４２３は、有機ＥＬ基板本体４１１上に、有機ＥＬ基板本体４１１及び反射膜４２４を覆うように設けられている。絶縁層４２３は、例えば感光性アクリル樹脂等の透明絶縁性樹脂で形成されている。絶縁層４２３は、単一の膜で形成されていても複数の膜で形成されていてもよい。絶縁層４２３は、表面が平坦となるように形成されている。

　　＜有機ＥＬ表示装置４００の製造方法＞
　次に、有機ＥＬ表示装置４００の製造方法について説明する。有機ＥＬ表示装置４００の製造方法は、有機ＥＬ基板形成工程及び封止基板形成工程と、それらに続く基板貼り合わせ工程を含んでいる。

　　（有機ＥＬ基板形成工程）
　　－ＴＦＴ、絶縁層４１３－
　有機ＥＬ基板本体３１１上に、実施形態１と同様にしてＴＦＴ及び絶縁層４１３を形成する。

　　－下部電極４１５ａ～有機ＥＬ層４１５ｂ－
　次に、公知の方法により、下部電極４１５ａを成膜する。そして、実施形態１と同様にして、隔壁部４１６及び有機ＥＬ層４１５ｂをそれぞれ形成する。

　　－上部電極４１５ｃ－
　次いで、有機ＥＬ層４１５ｂのそれぞれ及び隔壁部４１６を覆うように、公知の方法を用いてＩＴＯ膜を全面成膜する。そして、例えば粘着ローラーを用いて、隔壁部４１６の上に付着した当該ＩＴＯ膜を剥離し、発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂのそれぞれに対応する複数の上部電極４１５ｃを形成する。ここで、有機ＥＬ基板４１０が完成する。なお、開口マスクを用いて所望の領域にだけＩＴＯ膜を形成することにより上部電極４１５ｃを形成してもよい。

　　（封止基板形成工程）
　　－反射膜４２４－
　次に、封止基板本体４２１を準備し、この上に例えばスパッタ法等を用いてＡｌ膜等を成膜した後、フォトリソグラフィにより露光及び現像を行い、エッチングを行って当該Ａｌ膜をパターニングすることにより、非発光領域Ｎに対応して反射膜４２４を形成する。

　　－絶縁層４２３－
　続いて、例えば感光性アクリル膜をスピンコート法等を用いて塗布し、当該感光性アクリル膜の露光及び現像を行って、封止基板本体４２１及び反射膜４２４を覆うように絶縁層４２３を形成する。これにより封止基板４２０が得られる。

　　（基板貼り合わせ工程）
　最後に、不活性ガスの雰囲気において、有機ＥＬ基板４１０と封止基板４２０とを対向させ、基板の額縁領域に塗布された貼り合わせ用封止樹脂により両基板の貼り合わせを行う。このとき、有機ＥＬ基板４１０と封止基板４２０の互いの各発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂがずれないように正確に位置合わせを行う。これにより、有機ＥＬ表示装置４００が完成する。

　　＜有機ＥＬ表示装置４００の動作＞
　有機ＥＬ表示装置４００によれば、有機ＥＬ素子４１５の上部電極４１５ｃが光透過性材料で、下部電極４１５ａが光反射性材料で形成されているので、有機ＥＬ層４１５ｂにおける発光は、上部電極４１５ｃ側に取り出され、封止基板側から視認されることとなる。一方、封止基板４２０の有機ＥＬ基板４１０側には、非発光領域Ｎに対応して反射膜４２４が形成され、その反射膜４２４が、有機ＥＬ層４１５ｂにおける発光のうち非発光領域Ｎに拡散した光を、隔壁部４１６及び有機ＥＬ基板本体４１１内を透過させて有機ＥＬ基板側の表示として視認可能とするべく、有機ＥＬ基板４１０側に反射できるように位置付けられているので、有機ＥＬ層４１５ｂにおける発光のうち封止基板４２０側に伝播しつつも非発光領域Ｎに斜め方向に拡散した光は、反射膜４２４で反射されて隔壁部４１６に入射される。隔壁部４１６に入射された光は、そのまま隔壁部４１６を透過して有機ＥＬ基板本体４１１側に入射され、有機ＥＬ基板側における表示として外部から視認される。つまり、１枚のパネルを駆動することにより有機ＥＬ基板側と封止基板側の両面において画像表示を行うことができる。

　　＜実施形態４の効果＞
　以下、有機ＥＬ表示装置４００により得られる作用効果について説明する。

　本実施形態の有機ＥＬ表示装置４００によれば、有機ＥＬ基板側における表示は、有機ＥＬ素子１１５から斜め方向に放射される光を利用して構成される。従って、実施形態１と同様に、両面表示を行っても、封止基板側における表示の発光輝度が大きく低下する虞がなく、また、消費電力の増大を招く虞がない。さらに、発光領域Ｐ_Ｒ，Ｐ_Ｇ，Ｐ_Ｂが反射膜４２４で遮られて有機ＥＬ基板側の表示輝度が大きく低下する虞もない。

　また、このとき、有機ＥＬ基板側における表示は、非発光領域Ｎに対応して設けられた隔壁部４１６を透過して有機ＥＬ基板本体４１１へ放出されて視認されるので、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１００と同様、有機ＥＬ基板４１０側においても、良好な表示品位で画像表示を行うことができる。

　従って、有機ＥＬ表示装置４００によれば、消費電力の増大を招くことなく、有機ＥＬ基板側においても封止基板側においても、良好な表示品位での画像表示を行うことが可能となる。

　従来、封止基板側において画像表示を行うトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置では、一般に、下部電極を光反射性材料で、上部電極を光半透過性材料で形成するため、下部電極と上部電極との間での光の多重反射が避けられず、光の干渉の影響により、視野角によって色純度や輝度が変化してしまう問題がある（マイクロキャビティ効果）。また、下部電極を光透過性材料、上部電極を光半透過性材料で形成して両面発光型の有機ＥＬ表示装置を得ることも可能であるが、光透過性の上部電極の透過率が反射率のばらつきにより輝度ムラが生じやすい。しかしながら、本実施形態の有機ＥＬ表示装置４００によれば、上部電極４１５ｃを光透過性材料で形成することができるので、下部電極４１５ａ及び上部電極４１５ｃ間でのマイクロキャビティ効果の影響を考慮する必要がなく、従って、マイクロキャビティ効果に起因して視野角によって色純度や輝度が変化してしまう問題は生じない。加えて、上部電極４１５ｃが光透過性材料であるので、透過率や反射率のばらつきによる輝度のムラが生じない。

　　＜実施形態４の変形例＞
　以下、実施形態４の有機ＥＬ表示装置４００の変形例について説明する。

　　（変形例１４）
　変形例１４にかかる有機ＥＬ表示装置４００の断面図を図４２に示す。この有機ＥＬ表示装置４００は、実施形態４の構成に加え、有機ＥＬ基板４１０と封止基板４２０の間の空間に透明樹脂４１７が充填されている。これにより、有機ＥＬ層４１５ｂにおける発光が封止基板４２０に向かって伝播するとき、光が気体中を進むことがないので光の損失を抑制することができる。

　透明樹脂４１７は、好ましくは、絶縁層４２３と同一の屈折率を有する材料で形成されて、例えば、無溶媒系のエポキシ樹脂等で形成することができる。なお、透明樹脂４１７を加熱やＵＶ光照射により硬化させるときに有機ＥＬ素子４１５が損傷を受けるのを抑制するため、有機ＥＬ素子４１５を覆うように保護膜（不図示）が設けられていることが好ましい。保護膜は、例えばＳｉＯ_Ｘ膜等の透明絶縁膜で形成される。

　　（変形例１５）
　変形例１５にかかる有機ＥＬ表示装置４００の断面図を図４３に示す。この有機ＥＬ表示装置４００は、反射膜４２４の表面において複数の凹部４２４ｃが形成されている。これにより、実施形態３の場合と同様、各有機ＥＬ層４１５ｂにおける発光のうち斜め方向に放射された光は、反射膜４２４で反射される際、凹部４２４ｃで散乱されながら有機ＥＬ基板４１０側に向かうように反射されることとなる。従って、有機ＥＬ基板側での表示において、より優れた視野角特性が得られる。

　なお、封止基板本体４２１上に第１絶縁膜４２３ａを成膜し、第１絶縁膜４２３ａの表面のうち反射膜４２４を形成する領域に複数の凹部４２４ｃａを形成した後、反射膜４２４を形成することにより、凹部４２４ｃを形成することができる。表面に凹部４２４ｃが設けられた反射膜４２４を覆うように第２絶縁膜４２３ｂを成膜することにより絶縁層４２３の表面を平坦化することができる。

　本発明は、パネルの両面において画像表示を行う両面表示型の有機ＥＬ表示装置及びその製造方法について有用である。

Ｄ　　　　　表示領域
Ｆ　　　　　非表示領域
Ｐ_Ｒ　　　　赤色発光領域
Ｐ_Ｇ　　　　緑色発光領域
Ｐ_Ｂ　　　　青色発光領域
１００，２００，３００，４００　　　　　有機ＥＬ表示装置
１１０，２１０，３１０，４１０　　　　　有機ＥＬ基板
１１１，２１１，３１０，４１１　　　　　有機ＥＬ基板本体
１１２　　　　　　　　　　　　　　　　　ＴＦＴ（スイッチング素子）
１１３，２１３，３１３，４１３　　　　　絶縁層
１１３ａ，２１３ａ，３１３ａ　　　　　　層間絶縁膜（第１絶縁膜）
１１３ｂ，２１３ｂ，３１３ｂ　　　　　　平坦化膜（第２絶縁膜）
１１４，２１４，３１４，４２４　　　　　反射膜
１１５ａ，２１５ａ，３１５ａ，４１５ａ　下部電極
１１５ｂ，２１５ｂ，３１５ｂ，４１５ｂ　有機ＥＬ層
１１５ｃ，２１５ｃ，３１５ｃ，４１５ｃ　上部電極
１１６，２１６，３１６，４１６　　　　　隔壁部
１２０，２２０，３２０，４２０　　　　　封止基板
２１６_Ｇ　　　緑色変換部
２１６_Ｒ　　　赤色変換部
２１６_Ｓ　　　透明樹脂部
３１４ｃ　　　凹部
４１７　　　　透明樹脂

Claims

　マトリクス状に複数の発光領域が設けられた有機ＥＬ基板と封止基板とが対向配置され、基板周縁部に枠状に設けられた非表示領域と、その内側に設けられた表示領域と、を有し、
　上記有機ＥＬ基板は、
　　有機ＥＬ基板本体と、
　　上記有機ＥＬ基板本体上に複数の発光領域のそれぞれに対応して形成された複数のスイッチング素子と、
　　上記有機ＥＬ基板本体及び複数のスイッチング素子を覆うと共に表面を平坦化するように形成された絶縁層と、
　　上記絶縁層上に複数の発光領域のそれぞれに対応して形成され、光透過性材料からなる複数の下部電極と、
　　上記絶縁層上に、上記複数の発光領域を区画するように発光領域以外の領域に対応して形成され、光透過性材料からなる隔壁部と、
　　上記複数の下部電極のそれぞれを覆うように形成された複数の有機ＥＬ層と、
　　上記複数の有機ＥＬ層を覆うように形成され、光反射性材料からなる上部電極と、
を備え、
　上記有機ＥＬ層における発光が上記有機ＥＬ基板本体側に伝播して有機ＥＬ基板側の表示として視認される有機ＥＬ表示装置であって、
　上記絶縁層は、第１絶縁膜及びその上層の第２絶縁膜で構成され、
　上記上部電極は、上記複数の有機ＥＬ層のそれぞれを覆うように複数設けられ、
　上記第１絶縁膜と第２絶縁膜の間には、上記発光領域以外の領域に対応して、上記有機ＥＬ層における発光のうち発光領域以外の領域に拡散した光を、上記隔壁部及び封止基板内を透過させて封止基板側の表示として視認可能となるように封止基板側に反射する反射膜が形成されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
　請求項１に記載された有機ＥＬ表示装置において、
　上記反射膜は、上記発光領域の周縁部と重なり合うように配置されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
　請求項１または２に記載された有機ＥＬ表示装置において、
　上記隔壁部は、上記封止基板に接触して封止基板を支持するスペーサとして機能する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
　請求項１～３のいずれか１項に記載された有機ＥＬ表示装置において、
　上記第１絶縁膜及び第２絶縁膜は、同一の屈折率を有する材料で形成されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
　請求項１～４のいずれか１項に記載された有機ＥＬ表示装置において、
　上記複数の発光領域は、赤色発光を行う赤色発光領域、緑色発光を行う緑色発光領域、及び青色発光を行う青色発光領域で構成されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
　請求項１～４のいずれか１項に記載された有機ＥＬ表示装置において、
　上記複数の発光領域は青色発光領域で構成され、
　上記隔壁部は、
　　当該隔壁部を透過する青色光を赤色光に変換する赤色変換部と、
　　当該隔壁部を透過する青色光を緑色光に変換する緑色変換部と、
　　当該隔壁部を透過する光の波長の変換を行わない透明樹脂部と、
で構成され、
　上記有機ＥＬ層における青色発光が有機ＥＬ基板本体側に伝播して有機ＥＬ基板側のモノカラー表示として視認される一方、
　当該青色発光のうち発光領域以外の領域に拡散した青色光は、上記反射膜で封止基板側に反射され、上記赤色変換部を透過する光は赤色光として、上記緑色変換部を透過する光は緑色光として、及び上記透明樹脂部を透過する光は青色光として、封止基板内をさらに透過して封止基板側のＲＧＢフルカラー表示として視認される
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
　請求項１～６のいずれか１項に記載された有機ＥＬ表示装置において、
　上記反射膜は、表面に凹凸が設けられている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
　請求項７に記載された有機ＥＬ表示装置において、
　上記凹凸は、上記反射膜上に設けられた凹部により形成されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
　マトリクス状に複数の発光領域が配置された有機ＥＬ基板と封止基板とが対向配置され、基板周縁部に枠状に配された非表示領域と、その内側に配された表示領域と、を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
　基板本体上に、複数の発光領域のそれぞれに対応して複数のスイッチング素子を形成し、
　上記基板本体及び複数のスイッチング素子を覆うように第１絶縁膜を形成し、
　上記第１絶縁膜上に、上記発光領域以外の領域に対応して反射膜を形成し、
　上記第１絶縁膜及び上記反射膜を覆うと共に表面を平坦化するように第２絶縁膜を形成し、
　上記第２絶縁膜上に、複数の発光領域のそれぞれに対応して複数の下部電極を形成し、
　上記第２絶縁膜上に、上記複数の発光領域を区画するように発光領域以外の領域に対応して隔壁部を形成し、
　上記複数の下部電極それぞれを覆うように複数の有機ＥＬ層を形成し、
　上記複数の有機ＥＬ層のそれぞれを覆うように複数の上部電極を形成する
ことにより有機ＥＬ基板を作製する有機ＥＬ基板形成工程と、
　上記有機ＥＬ基板形成工程で作製した有機ＥＬ基板と封止基板とを対向させて非表示領域において貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、
を備え、
　上記有機ＥＬ基板形成工程において、上記有機ＥＬ層における発光のうち発光領域以外の領域に拡散した光が、上記反射膜で反射した後上記隔壁部及び封止基板内を透過し、封止基板側の表示として視認されるように、該反射膜を形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
　請求項９に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
　上記有機ＥＬ基板形成工程において、上記発光領域の周縁部と重なり合うように上記反射膜を形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
　請求項９または１０に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
　上記基板貼り合わせ工程において、
　上記隔壁部が上記封止基板に接触して封止基板を支持するように該封止基板を上記有機ＥＬ基板に対向する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
　請求項９～１１のいずれか１項に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
　上記有機ＥＬ基板形成工程において、
　上記第１絶縁膜を成膜後、少なくとも上記反射膜を形成する領域の表面に凹部を形成し、
　続いて、上記第１絶縁膜表面に形成した凹部に重なるように反射膜を成膜することにより表面に凹部を有する反射膜を形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
　請求項１２に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
　上記第１絶縁膜の表面の全面にわたって複数の凹部を形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
　マトリクス状に複数の発光領域が設けられた有機ＥＬ基板と封止基板とが対向配置され、基板周縁部に枠状に設けられた非表示領域と、その内側に設けられた表示領域と、を有し、
　上記有機ＥＬ基板は、
　　有機ＥＬ基板本体と、
　　上記有機ＥＬ基板本体上に複数の発光領域のそれぞれに対応して形成された複数のスイッチング素子と、
　　上記有機ＥＬ基板本体及び複数のスイッチング素子を覆うと共に表面を平坦化するように形成された絶縁層と、
　　上記絶縁層上に複数の発光領域のそれぞれに対応して形成され、光反射性材料からなる複数の下部電極と、
　　上記絶縁層上に、上記複数の発光領域を区画するように発光領域以外の領域に対応して形成され、光透過性材料からなる隔壁部と、
　　上記複数の下部電極のそれぞれを覆うように形成された複数の有機ＥＬ層と、
　　上記複数の有機ＥＬ層を覆うように形成され、光透過性材料または光半透過性材料からなる上部電極と、
を備え、
　上記有機ＥＬ層における発光が上記封止基板側に伝播して封止基板側の表示として視認される有機ＥＬ表示装置であって、
　上記上部電極は、上記複数の有機ＥＬ層のそれぞれを覆うように複数形成され、
　上記封止基板の上記有機ＥＬ基板側には、上記発光領域以外の領域に対応して、上記有機ＥＬ層における発光のうち発光領域以外の領域に拡散した光を、上記隔壁部及び封止基板内を透過させて有機ＥＬ基板側の表示として視認可能となるように有機ＥＬ基板側に反射する反射膜が形成されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
　請求項１４に記載された有機ＥＬ表示装置において、
　上記上部電極は、光透過性の材料で形成されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
　請求項１４または１５に記載された有機ＥＬ表示装置において、
　上記反射膜は、上記発光領域の周縁部と重なり合うように配置されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
　請求項１４～１６のいずれか１項に記載された有機ＥＬ表示装置において、
　上記有機ＥＬ基板と封止基板との間には透明樹脂が充填されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。