CN100539046C

CN100539046C - 半导体器件及剥离方法以及半导体器件的制造方法

Info

Publication number: CN100539046C
Application number: CNB2006101485310A
Authority: CN
Inventors: 高山彻; 丸山纯矢; 水上真由美; 山崎舜平
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2001-07-16
Filing date: 2002-07-16
Publication date: 2009-09-09
Anticipated expiration: 2022-07-16
Also published as: CN101097867A

Abstract

本发明提供一种不会损伤剥离层的剥离方法，目的在于不仅能够剥离具有较小面积的剥离层，而且能够以出色的生产率剥离掉在整个表面上具有较大面积的剥离层。在基片上提供金属层或氮化物层(11)，并且，提供与前述金属层或氮化物层(11)接触的氧化层(12)，此外，如果进行叠层膜形成或者500℃或更高温度的热处理，可以通过物理方式容易地并且明确地在与氧化层(12)的界面上将层分开。

Description

半导体器件及剥离方法以及半导体器件的制造方法

本申请是申请日为2002年7月16日、申请号为021261342、发明名称为“半导体器件及剥离方法以及半导体器件的制造方法”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及将剥离层剥离的方法，特别涉及剥离包含多种元素的剥离层的方法。此外，本发明涉及具有薄膜晶体管(下文称做TFT)组成电路的半导体器件，在薄膜晶体管中，剥离掉的剥离层已粘贴并转移到基底构件上，并涉及半导体器件的制造方法。例如，本发明涉及由液晶组件代表的电光器件、由EL组件代表的发光器件以及作为一部分安装所述器件的电子设备。

应该指出在本说明书中，术语“半导体器件”是指通常能够利用半导体特性起作用的器件，电光器件、发光器件、半导体电路以及电子设备都是半导体器件。

背景技术

近些年来，使用形成在具有绝缘表面的基片上的半导体薄膜(厚度约几到几百nm)的薄膜晶体管(TFT)构成的技术已引起注意。半导体薄膜广泛地应用于例如IC、电光器件等的电子器件，特别是非常需要开发为用于图像显示器件的开关元件。

对于利用例如图像显示器件的应用，预期有多种应用，特别是，用于便携装置的应用已受到关注。目前，虽然使用了许多玻璃基片和石英基片，但存在易于破裂和太重的缺陷。此外，在大规模生产的基础上玻璃基片和石英基片很难制得很大，不太适合这些应用。因此，现在已尝试将TFT元件形成在具有柔性的基片上，代表性地，在柔性塑料膜上。

然而，由于塑料膜的热阻很低，因此无助于降低工艺的最高温度。由此，目前，与形成在玻璃基片上的TFT相比，形成的TFT不具有优良的电特性。因此，采用塑料膜的具有高性能的液晶显示器件和发光元件目前还没有实现。

此外，现已提出借助隔离层从以上的基片上将存在于基片上的剥离层剥离的方法。例如，在日本待审专利公开No.H10-125929专利公报和日本待审专利公开No.H10-125931专利公报中介绍的技术就是提供由非晶硅(或多晶硅)组成的隔离层的技术，通过传送基片用激光照射并使含在多晶硅中的氢释放出，由此产生间隙并分离基片。此外，在日本待审专利公开No.H10-125930专利公报中还介绍了利用该技术，通过将剥离层(在专利公报中，是指传送层)粘贴到塑料膜上完成液晶显示器件。

然而，在以上介绍的方法中，实质上是使用高半透明度的基片，此外，为了赋予足够的能量以释放出含在非晶硅中的氢，需要较大激光束的照射，因此发生剥离层受损的问题。而且，在以上介绍的方法中，当把元件制备在隔离层上时，如果在元件制备工艺中进行高温热处理等，那么含在隔离层中的氢会分散并减少。此时，即使激光束照射在隔离层上，也存在不能充分进行剥离的可能性。因此，为了保持含在隔离层中的氢量，发生形成隔离层之后的工艺受限制的问题。此外在以上介绍的专利公报中，还介绍了为了防止剥离层受损，而提供辐射屏蔽层或反射层。然而，此时，很难制备透射型液晶显示器件。而且，通过以上介绍的方法，很难剥离具有较大面积的剥离层。

发明内容

正是考虑以上介绍的问题实施了本发明，本发明提供一种剥离掉剥离层的剥离方法，不会损伤剥离层，目的在于能够完整地剥离掉具有较大面积的剥离层表面，并且能够剥离具有较小面积的剥离层。

此外，本发明目的在于提供一种剥离的剥离方法，同时能够不接受剥离层的形成中例如热处理温度、基片种类等的限制。

此外，本发明目的在于通过将剥离层粘贴到多种基底构件上提供一种节省重量的半导体器件，及其制备方法。具体地，本发明目的在于通过粘贴多种元件(薄膜二极管、由硅的PIN结组成的光电转换元件)提供一种节省重量的半导体器件及其制备方法。当本发明人进行许多实验并研究时，本发明人发现在本发明人在基片上提供氮化物层最好为金属氮化物层时，氧化层接触上述的金属氮化物层，进一步进行膜形成或在500℃以上的温度进行热处理期间，没有发生例如膜剥离等的工艺异常，然而本发明人已发现通过施加物理力，代表性地为机械力(例如，通过人手剥离)可以容易且明确地在氧化层或它们之间的界面分离的剥离方法。

具体地，氮化物层和氧化层之间的结合力具有能承受热能的强度，然而由于氮化物层和氧化层的膜应力相互不同并且在氮化物层和氧化层之间存在应力变形，因此动能很弱，适合于剥离。本发明人的剥离步骤是指以该方式利用膜应力作为应力剥离工艺进行剥离。

应该指出，在本说明书中，膜的内应力(称做膜应力)是指当考虑基片上形成的膜内部的给定的截面时，每单位截面积的力，其中截面的一侧对另一侧有影响。内应力总是或多或少地存在于通过真空淀积、溅射、汽相淀积法等形成的薄膜内。值最大为10⁹N/m²。通过薄膜的材料、基片的材料、薄膜的形成条件等可以改变内部应力值。而且，也可以通过进行热处理改变内部应力值。

此外，当具有通过相对于基片表面垂直地分布的单位截面积对该对方的影响力在拉伸方向起作用力时，称做拉伸状态，此时的内部应力称做拉伸应力。当力在推挤方向中起作用力时，称做处于压缩状态，此时的内部应力称做压缩应力，当标绘在图中或表示在表中时，这些拉伸应力标为正(+)数，压缩应力标为负(-)数。本发明的构成(constitution)1涉及在本说明书中公开的剥离方法，一种从基片剥离掉剥离层的剥离方法，

其特征在于在上述的基片上，提供氮化物层，由含有与至少以上氮化物层接触的氧化层的叠层组成的剥离层形成在已提供有以上氮化物层的基片上之后，从已提供有以上氮化物层的基片上氧化层内或与以上氧化层的界面上，通过物理方式剥离掉剥离层。

此外，可以在使用粘合剂粘结支撑体之后进行剥离，本发明的构成2涉及在本说明书中公开的剥离方法，一种从基片上剥离掉剥离层的剥离方法，

其特征在于在上述基片上，提供氮化物层，由含有与至少以上氮化物层接触的氧化层的叠层组成的剥离层形成在已提供有以上氮化物层的基片上之后，从已提供有以上氮化物层的基片上氧化层内或与以上氧化层的界面上，通过物理方式剥离掉粘结到支撑体的相应剥离层。

此外，在以上介绍的构成2中，为了促进剥离，在粘结以上的支撑体之前进行热处理或激光束的照射。此时，通过选择吸收激光束的材料并加热氮化物层和氧化层之间的界面以便容易剥离。然而，使用激光束时，使用半透明材料作为基片。

此外，在以上介绍的构成中，对于氮化物层，其它层也可以提供在基片和氮化物层之间，可以提供例如绝缘层、金属层等。然而，为了简化工艺，优选形成氮化物层与基片表面接触。

此外，代替该氮化物层，可以使用金属层，最好为金属氮化物层，可以提供金属层，最好为金属氮化物层，而且，提供氧化层与以上的金属氮化物层接触，进而，如果进行膜形成处理或500℃以上的热处理，通过物理方式可以容易且明确地在氧化层内或与氧化层的界面上分离。

本发明的构成3涉及在本说明书中公开的剥离方法，一种从基片剥离掉剥离层的剥离方法，

其特征在于在上述基片上，提供金属层，由含有与至少以上金属层接触的氧化层的叠层组成的剥离层形成在已提供有以上金属层的基片上之后，从已提供有以上金属层的基片上氧化层内或与以上氧化层的界面上，通过物理方式剥离掉相应剥离层。

此外，可以在使用粘合剂粘结支撑体之后进行剥离，本发明的构成4涉及在本说明书中公开的剥离方法，一种从基片上剥离掉剥离层的剥离方法，

其特征在于在上述基片上，提供金属层，由含有与至少以上金属层接触的氧化层的叠层组成的剥离层形成在已提供有以上金属层的基片上之后，从已提供有以上金属层的基片上氧化层内或与以上氧化层的界面上，通过物理方式剥离掉粘结到支撑体的剥离层。

此外，在以上介绍的构成4中，为了促进剥离，在粘结以上的支撑体之前进行热处理或激光束的照射。此时，通过选择吸收激光束的材料并加热金属层和氧化层之间的界面以便容易剥离。然而，使用激光束时，使用半透明材料作为基片。

应该注意在本说明书中，物理方式是指通过物理而不是化学确认的方式，具体地，术语是指具有能够归因于动力学定律的过程的动力或机械方式，也指改变任何动能(机械能)的方式。

然而，在以上介绍的构成2和4的任何一个中，当通过物理方式剥离时，需要使氧化层和金属层之间的粘结力小于与支撑体的粘结力。

此外，在以上介绍的构成3或4中，以上金属层的特征在于它是选自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一种元素，由主要成分为以上元素的合金材料或化合物材料组成的单层，或这些金属或它们的混合物的叠层。

此外，在以上介绍的构成3或4中，对于金属层，例如绝缘层等的其它层可以提供在基片和金属层之间，但是为了简化工艺，优选形成金属层与基片的表面接触。

此外，在以上介绍的本发明中，可以使用各种基片，不限于具有半透明性的基片，例如，玻璃基片、石英基片、半导体基片、陶瓷基片、金属基片，提供在基片上的剥离层可以剥离。

此外，在上述的各个构成中，上述氧化层的特征在于，这是由氧化硅材料或金属氧化物材料或这些的叠层组成的单层。

此外，在以上介绍的各个构成中，为了促进剥离，在通过以上的物理方式进行剥离之前进行热处理或激光束的照射。

此外，可以使用以上介绍的本发明的剥离方法通过将提供在基片上的剥离层粘贴(传送)到传送体上制造半导体器件，本发明的构成涉及半导体器件的制造方法，一种半导体器件的制造方法，其特征在于具有以下步骤：

在基片上形成氮化物层，

在以上的氮化物层上形成氧化层，

在以上的氧化层上形成绝缘层，

在以上的绝缘层上形成元件，

支撑体粘结到以上元件之后，从氧化层内或基片上与以上氧化层的界面上，通过物理方式剥离掉相应支撑体，以及

将传送体粘结到以上绝缘层或以上氧化层，将以上元件夹在以上支撑体和以上传送体之间。

此外，在以上介绍的各构成中，为了促进剥离，在粘结以上支撑体之前，进行热处理或激光束的照射。此时，通过选择吸收激光束的材料并加热氮化物层和氧化层之间的界面以便容易剥离。然而，使用激光束时，使用半透明材料作为基片。此外，为了促进剥离，通过在氮化物层上提供颗粒形氧化物可以容易地剥离，颗粒形氧化层覆盖相应的氧化物，本发明的构成涉及半导体器件的制造方法，一种半导体器件的制造方法，其特征在于具有以下步骤：

在基片上形成氮化物层，

在以上氮化物层上形成颗粒形氧化物，

形成氧化层覆盖以上氮化物层上的以上氧化物，

在以上氧化层上形成绝缘层，

在以上绝缘层上形成元件，

此外，本发明的构成涉及半导体器件的制造方法，一种半导体器件的制造方法，其特征在于具有以下步骤：

在基片上形成含金属材料的层，

在以上含金属材料的层上形成氧化层，

在以上氧化层上形成绝缘层，

在以上绝缘层上形成元件，

此外，在以上介绍的构成中，为了促进剥离，在粘结以上支撑体之前，进行热处理或激光束的照射。此时，通过选择吸收激光束的材料并加热氮化物层和氧化层之间的界面以便容易剥离。然而，使用激光束时，使用半透明材料作为基片。此外，为了促进剥离，通过在含金属材料的层上提供颗粒形氧化物可以容易地剥离，颗粒形氧化层覆盖相应的氧化物，本发明的构成涉及半导体器件的制造方法，一种半导体器件的制造方法，其特征在于具有以下步骤：

在基片上形成含金属材料的层，

在以上含金属材料的层上形成颗粒形氧化层，

形成氧化层覆盖以上氧化物，

在以上氧化层上形成绝缘层，

在以上绝缘层上形成元件，

在以上介绍的构成中，优选含金属材料的以上层为氮化物，以上金属材料的特征在于它是选自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一种元素，由主要成分为以上元素的合金材料或化合物材料组成的单层，或这些金属或它们的混合物的叠层。

此外，通过以上介绍的本发明的剥离方法将提供在基片上的剥离层粘贴到第一传送体或第二传送体制备半导体器件，本发明的构成涉及半导体器件的制造方法，一种半导体器件的制造方法，其特征在于具有以下步骤：

在基片上形成含有金属材料的层，

在以上含有金属材料的层上形成颗粒形的氧化物，

在以上氧化层上形成绝缘层，

在以上绝缘层上形成元件，

通过物理方式在氧化层内或基片上与以上氧化层的界面处剥离，

将第一传送体粘结到以上绝缘层或以上氧化层，以及

将第二传送体粘结到以上元件，并将以上元件夹在以上第一传送体和以上第二传送体之间。

此外，本发明的构成涉及其它半导体器件的制备方法，一种半导体器件的制造方法，其特征在于具有以下步骤：

在基片上形成氮化物层，

在以上氮化物层上形成氧化层，

在以上氧化层上形成绝缘层，

在以上绝缘层上形成元件，

将第一传送体粘结到以上绝缘层或以上氧化层，以及

此外，在以上介绍的涉及以上半导体器件的制造方法的各构成中，以上氧化层的特征在于它是由硅的氧化物材料或金属氧化物材料或它们的叠层组成的单层。

此外，在以上介绍的涉及以上半导体器件的制造方法的各构成中，为了进一步促进剥离，在通过以上的物理方式进行剥离之前，进行热处理或激光照射。

此外，在以上介绍的涉及以上半导体器件的制造方法的各构成中，以上元件的特征在于它是包括半导体层作为有源层的薄膜晶体管，形成以上半导体层的步骤为通过进行热处理或激光照射晶化具有非晶结构的半导体层并使半导体层具有晶化结构的步骤。

应该指出在本说明书中，术语“传送体”是指将剥离层剥离之后粘结到剥离层的部件，不必特别地限定，可以是任何成分的基底构件，例如塑料、玻璃、金属、陶瓷等。此外，在本说明书中，术语“支撑体”可以是通过物理方式剥离剥离层时粘结到剥离层剥离层的部件，不必特别地限定，可以是任何成分的基底构件，例如塑料、玻璃、金属、陶瓷等。此外，传送体的形状和支撑体的形状不必特别地限定，可以是为平面、曲面、能够弯曲的表面、或膜形。此外，节约重量最优先考虑，优选为膜形的塑料基片，例如，聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龙、聚醚酮醚(PEEK)、聚砜(PSF)、聚乙烯亚胺(PEI)、聚芳基化合物(PAR)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚酰亚胺等。在以上介绍的涉及以上半导体器件的制造方法的各构成中，当制备液晶显示器件时，支撑体制成相对基片，利用密封构件作粘结构件将支撑体粘结到剥离层。此时，提供在以上剥离层上的元件具右像素电极，将液晶材料装在相关的像素电极和以上相对基片之间。

在以上介绍的涉及以上半导体器件的制造方法的各构成中，制备具有OLED的发光器件代表的发光器件时，优选发光元件完全不受外部影响，以防止促进有机化合物层退化的物质如水份、氧或类似物从外部渗透。此外，如果节约重量最优先考虑，优选使用膜形的塑料基片。然而，由于塑料防止促进有机化合物层退化的物质如水份、氧或类似物从外部渗透的效果很差，因此例如可以通过在支撑体上提供第一绝缘膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜，以便充分地防止进有机化合物层退化的物质如水份、氧或类似物从外部渗透。然而，将夹在以上第一绝缘膜(阻挡膜)和以上第三绝缘膜(阻挡膜)之间的以上第二绝缘膜(应力释放)制成它的膜应力小于以上第一绝缘膜和以上第三绝缘膜的膜应力。

此外，制备具有OLED的发光器件代表的发光器件时，优选通过第一绝缘膜、第二绝缘膜和第三绝缘膜不仅提供在支撑体上，也类似地提供在传送体上，可以充分地防止例如水份、氧或类似物从外部侵入。

(实验1)

这里，提供与氮化物层或金属层接触的氧化层，为了检验剥离层是否能从基片剥离，进行以上实验。

首先，在基片上形成图3A所示的叠层。

对于基片30，可以使用玻璃基片(#1737)。然而，在基片30上，通过溅射法形成厚度300nm的铝-硅合金层31。随后，通过溅射法形成厚度100nm的氮化钛层32。之后，通过溅射法形成厚度200nm的氧化硅层33。氧化硅层33的膜形成条件为利用RF法的溅射装置和利用氧化硅靶(直径，30.5cm)，150℃的基片温度，0.4Pa的膜形成压力，3kW的膜形成电功率，氩的体积流量/氧的体积流量＝35sccm/15sccm。

随后，通过等离子体CVD法在氧化硅层33上形成初始覆盖绝缘层。对于初始覆盖绝缘层，通过等离子体CVD法在300℃的膜形成温度下形成厚度50nm由原材料气体SiH₄、NH₃和N₂O制备的氮氧化硅34a(组分比Si＝32％，O＝27％，N＝24％和H＝17％)。之后，用臭氧水清洗表面之后，用稀释的氢氟酸(1:100)除去表面的氧化膜。接着，通过等离子体CVD法在300℃的膜形成温度下叠置形成100nm厚由原材料气体SiH₄、NH₃和N₂O制备的氮氧化硅34b(组分比Si＝32％，O＝59％，N＝7％和H＝2％)，此外，通过等离子体CVD法在300℃的温度不释放空气形成厚度54nm具有非晶结构的半导体层(这里为非晶硅层35)(图3A)。

接下来，用旋转器涂敷转变为重量时含10ppm镍的乙酸镍溶液。使用溅射法代替涂敷法在整个表面上散布镍元素的方法。随后，通过进行热处理和晶化形成具有晶体结构的半导体膜(这里为多晶硅层36)(图3B)。这里，进行用于脱氢作用的热处理(500℃，1小时)，通过为了进行热处理(550℃，4小时)得到具有晶体结构的硅膜。应该注意虽然这里使用镍作为促进硅晶化的金属元素的晶化技术，但是也可以使用其它的晶化技术，例如固相晶化法或激光晶化法。随后，对于粘结层37，使用环氧树脂，膜基片38(这里为聚对苯二甲酸乙二酯(PET))粘贴在多晶硅层36上(图3C)。

得到图3C的状态之后，用人手拉所得结构，以便将膜基片38和基片30分开。应该意识到至少氮化钛和铝-硅合金层留在已拉开的基片30上。期望通过该实验在氧化硅33内或与氧化硅33的界面上剥离。

以此方式，通过提供与氮化物层或金属层接触的氧化层，并拉掉提供在相应氧化层上的剥离层，从基片30的整个表面上剥离掉剥离层。

(实验2)

为了确定发生剥离的位置，通过本发明的剥离方法部分进行部分剥离，进行实验检查它的分层面附近的剖面。

对于基片，使用玻璃基片(#1737)。然而，在基片上，通过溅射法形成厚度100nm的氮化钛层32。

之后，通过溅射法形成厚度200nm的氧化硅层33。氧化硅层33的膜形成条件为利用RF法的溅射装置和利用氧化硅靶(直径，30.5cm)，150℃的基片温度，0.4Pa的膜形成压力，3kW的膜形成电功率，氩的体积流量/氧的体积流量＝35sccm/15sccm。

随后，通过等离子体CVD法在氧化硅层33上形成初始覆盖绝缘层。对于初始覆盖绝缘层，通过等离子体CVD法在300℃的膜形成温度下形成厚度50nm由原材料气体SiH₄、NH₃和N₂O制备的氮氧化硅34a(组分比Si＝32％，O＝27％，N＝24％和H＝17％)。

之后，用臭氧水清洗表面之后，用稀释的氢氟酸(1:100)除去表面的氧化膜。接着，通过等离子体CVD法在300℃的膜形成温度下叠置形成100nm厚由原材料气体SiH₄、NH₃和N₂O制备的氮氧化硅(组分比Si＝32％，O＝59％，N＝7％和H＝2％)，此外，通过等离子体CVD法在300℃的温度不释放空气形成厚度54nm具有非晶结构的半导体层(这里为非晶硅层)。

接下来，用旋转器涂敷转变为重量时含10ppm镍的乙酸镍溶液。使用溅射法代替涂敷法在整个表面上散布镍元素的方法。随后，通过进行热处理和晶化形成具有晶体结构的半导体膜(这里为多晶硅层)。这里，进行用于脱氢作用的热处理(500℃，1小时)，通过为了进行热处理(550℃，4小时)得到具有晶体结构的硅膜。

随后，粘结带粘贴在部分多晶硅层上，用人手拉所得结构，以便将粘结带和基片分开。然后，仅剥离粘贴粘结带的位置，并传送到带。基片侧剥离界面上的TEM照片显示在图20A中，它的示意图显示在图20B中。

如图20所示，氮化钛层整个地留在玻璃基片上，粘结并传送带的部分清楚地传送，除去了叠层(通过溅射法形成的SiO₂膜，通过PCVD法形成的绝缘膜(1)和(2)和多晶硅膜)。由此，应该明白剥离发生在通过溅射法形成的氮化钛层和SiO₂膜之间的界面上。

(实验3)

这里，当氮化物层的材料由TiN、W和WN制成时，为了检验提供在氧化层上的剥离层是否已剥离，通过提供与氮化物层或金属层接触的氧化层(氧化硅：膜厚度，200nm)进行以下实验。

作为样品1，利用溅射法在玻璃基片上形成膜厚度100nm的TiN之后，通过溅射形成300nm厚的氧化硅膜。进行形成氧化硅的步骤之后，类似于实验1进行叠置和晶化。

作为样品2，通过溅射法在玻璃基片上形成膜厚50nm的W，利用溅射法形成200nm厚的氧化硅膜。形成氧化硅膜的步骤之后，类似于实验1进行叠置和晶化。

作为样品3，通过溅射法在玻璃基片上形成膜厚50nm的WN，利用溅射法形成200nm厚的氧化硅膜。形成氧化硅膜的步骤之后，类似于实验1进行叠置和晶化。

以此方式，形成样品1-3，为了确定通过将粘结带粘贴到剥离层剥离层是否剥离，进行实验。结果显示在表1中。

[表1]

	第一材料层(下层)	第二材料层(上层)	带测试
	第一材料层(下层)	第二材料层(上层)	带测试	样品1	TiN(100nm)	氧化硅(200nm)	剥离
样品2	W(50nm)	氧化硅(200nm)	剥离	样品1	TiN(100nm)	氧化硅(200nm)	剥离
样品2	W(50nm)	氧化硅(200nm)	剥离	样品3	WN(50nm)	氧化硅(200nm)	剥离

此外，测量热处理(550℃，4小时)之前和之后氧化硅膜、TiN膜、W膜各膜上的内应力。结果显示在表2中。

[表2]

应该指出对于氧化硅膜，测量通过溅射法在硅基片上形成的400nm厚的膜。对于TiN膜和W膜，通过溅射法在玻璃基片上形成的400nm厚的膜之后，测量内应力，然后叠置氧化硅膜作为帽盖膜。进行热处理之后，通过腐蚀除去帽盖膜，然后再次测量帽盖膜。此外，各样品制备2件并进行测量。

对于W膜，虽然形成膜之后立即具有了压应力(约-7 x 10⁹(Dyne/cm²))，通过热处理膜具有了拉伸应力(约8 x 10⁹-9 x 10⁹(Dyne/cm²))，并且剥离状态优良。对于TiN膜，热处理之前和之后很难改变应力，始终具有拉伸应力(约3.9 x 10⁹-4.5 x 10⁹(Dyne/cm²))。此外，对于氧化硅膜，热处理之前和之后很难改变应力，始终具有压缩应力(约-9.4 x 10⁹- -1.3 x 10⁹(Dyne/cm²))。

从这些结果中，可以看出剥离现象与粘附性有关归因于多种因素，然而，具体地，主要与内应力有关，在氮化物层或金属层上形成氧化层时，剥离层会从氮化物层或金属层与氧化层之间界面的整个表面上剥离。

(实验4)

为了检查与加热温度的相关性，进行以下实验。

作为样品，通过溅射在衬底上形成50nm厚的W膜(钨膜)之后，使用溅射形成厚度200nm的氧化硅膜(10sccm的氩气流速，30sccm的氧气流速，0.4Pa的膜形成压力，3kW的溅射电能，300℃的基片温度，使用硅靶)。接下来，以和实验1相同的方式通过等离子体CVD形成初始覆盖绝缘层(50nm的氮氧化硅膜和100nm的氮氧化硅膜)和54nm厚的非晶硅膜。

接着，进行热处理同时改变加热温度的条件之后，使用粘结材料将石英基片粘贴在非晶硅膜上(或多晶硅膜)，通过拉拔将石英基片和玻璃基片相互分离，通过人眼检查它们是否剥离。加热温度的条件1为500℃和1小时，条件2为450℃和1小时，条件3为425℃和1小时，条件4为410℃和1小时，条件5为400℃和1小时，条件6为350℃和1小时。

实验的结果，在条件1-4下，样品剥离。在条件5和6下，样品没有剥离。因此，在根据本发明的剥离方法，优选在至少410℃以上进行热处理。

此外，当剥离W膜时，W膜留在玻璃基片的整个表面上，叠层(溅射得到的SiO₂膜，PCVD得到的绝缘膜(1)和(2)，以及非晶硅膜)传送到石英基片上。图21示出了通过TXRF测量传送的SiO₂膜表面的结果。通过AFM测量，表面粗糙度Rz(30点)为5.44nm。此外，图22示出了测量形成在石英基片上50nm的W膜表面的结果作为参考。通过AFM测量表面粗糙度Rz(30点)为22.8nm。此外，图23示出了通过TXRF仅测量石英基片的结果。由于比较图21和22的W(钨)峰值时两者类似，所以发现小的金属材料(这里为钨)粘附在传送的SiO₂膜表面上。

根据在本说明书中公开的本发明的构成，半导体器件包括支撑体，通过粘合剂材料粘贴到支撑体的剥离层，以及氧化硅膜，提供在氧化硅膜和粘结材料之间的小的金属材料。

在以上构成中，金属材料包括选自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一种元素，由主要成分为以上元素的合金材料或化合物材料。

附图说明

图1A到1C示出了本发明的实施例1；

图2A到2C示出了本发明的实施例2；

图3A到3D示出了本发明的实施例；

图4A到4C示出了本发明的实施例3；

图5A到5C示出了本发明的实施例4；

图6A到6D示出了有源矩阵基板的制造步骤；

图7A到7C示出了有源矩阵基板的制造步骤；

图8示出了有源矩阵基板；

图9A到9D示出了本发明的例2；

图10A到10E示出了本发明的例3；

图11示出了本发明的例4；

图12示出了本发明的例5；

图13A到13D示出了本发明的例6；

图14A到14C示出了本发明的例7；

图15示出了本发明的例8；

图16A和16B示出了本发明的例9；

图17示出了本发明的例9；

图18A到18F示出了电子设备的一个例子；

图19A到19C示出了电子设备的一个例子；

图20A和20B示出了部分剥离的分界位置的剖面TEM照片和示意图；

图21示出了剥离的氧化硅膜表面的TXRF测量结果的图表；

图22示出了在石英基片上形成W膜表面的TXRF测量结果的图表；(参考)

图23示出了石英基片表面的TXRF测量结果的图表。(参考)

具体实施方式

本发明的最佳实施例。

实施例1

这里，利用本发明代表性的剥离过程示意性地显示在图1中。

在图1A中，参考数字10表示基片，参考数字11表示氮化物层或金属层，参考数字12表示氧化层，参考数字13表示剥离层。

在图1A中，对于基片10，可以使用玻璃基片、石英基片、陶瓷基片等。此外，也可以使用硅基片、金属基片或不锈钢基片。

首先，如图1A所示，氮化物层或金属层11形成在基片10上。对于氮化物层或金属层11，代表性的例子如下：选自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一种元素，或由主要成分为以上元素的合金材料或化合物材料组成的单层，或它们的叠层，或这些氮化物组成的单层，可以使用例如氮化钛、氮化钨、氮化钽、氮化钼或它们的叠层。随后，氧化层12形成在氮化物层或金属层11上。对于氧化层12，代表性的例子可以使用氧化硅、氮氧化硅和金属氧化物材料。对于氧化层12，可以使用膜形成法，例如溅射法、等离子体CVD法、涂敷法。在本发明中，所述氧化层12的膜应力和氮化物层或金属层11的膜应力制得相互不同很重要。各膜的厚度适当地设置在1nm到1000nm的范围内，各膜的应力可以调节。此外，在图1中，为了简化工艺，示出了形成与基片10接触的氮化物层或金属层11的一个例子，通过在基片10和氮化物层或金属层11之间提供绝缘层或金属层可以增强基片10的粘附性。

随后，在氧化层12上形成剥离层13(图1A)。剥离层可以是含有多种元件(薄膜二极管、包括硅的PIN结的光电转换元件以及硅电阻元件)的层，代表性的为TFT。此外，可以进行基片10能够承受范围的热处理。应该指出在本发明中，即使氧化层12的膜应力和氮化物层或金属层11的膜应力不同，在剥离层13的制备步骤的热处理中不会发生膜剥离等。

随后，用物理方式拽掉提供在氮化物层或金属层11上的基片10(图1B)。由于氧化层12的膜应力和氮化物层或金属层11的膜应力不同，用较小的力就可以拽开它们。此外，这里显示了假设剥离层13有足够的机械强度的一个例子，当剥离层13的机械强度不够时，优选粘贴到固定剥离层13的支撑体(未示出)之后，再进行剥离。以此方式，形成在氧化层12上的剥离层13与基片10分开。剥离之后的状态显示在图1C中。在实验中，当厚度为10nm的钨膜作为金属层11时，通过溅射法氧化硅膜具有200nm的厚度作为氧化层12，可以确认根据本发明的剥离方法是否剥离。当50nm的钨膜作为金属层11时，通过溅射法氧化硅膜具有100nm的厚度作为氧化层12，可以确认根据本发明的剥离方法是否剥离。当50nm的钨膜作为金属层11时，通过溅射法氧化硅膜具有400nm的厚度作为氧化层12，可以确认根据本发明的剥离方法是否剥离。此外，剥离之后，拽掉的剥离层13粘贴在传送体(未示出)上。

此外，本发明适用于多种半导体器件的制备方法。特别是，使用塑料基片作为传送体和支撑体可以制得很轻。当制备液晶显示器件时，支撑体作为相对基片，利用密封部件作为粘结部件将支撑体粘贴到剥离层。此时，提供在以上剥离层上的元件具有像素电极，将液晶材料封在相关的像素电极和以上相对的基片之间。此外，制备液晶显示器件的工艺顺序不必特别限定，粘贴相对基片作为支撑体。注入液晶之后，将基片剥离并粘贴在塑料基片上作为传送体，或形成像素电极之后，剥离基片，粘贴塑料基片作为第一传送体之后，粘贴相对基片作为第二传送体。

此外，制备由具有OLED的发光器件代表的发光器件时，优选支撑体制成密封介质，发光元件完全由外部断开，以防止促进有机化合物层退化的物质例如水分、氧等从外部渗透。此外，制备由具有OLED的发光器件代表的发光器件时，优选能够充分地防止促进有机化合物层退化的物质例如水分、氧等从外部渗透到支撑体内和传送体内。此外，制备液晶显示器件的工艺顺序不必特别限定。形成发光元件之后，粘贴塑料基片作为支撑体，将基片剥离，并粘贴塑料基片作为传送体，或形成发光元件之后，剥离基片，以及粘贴塑料基片作为第一传送体之后，粘贴塑料基片作为第二传送体。

实施例2

对于本实施例，剥离掉基片同时通过提供与剥离层接触的初始覆盖绝缘层可以防止杂质由氮化物层或金属层以及基片扩散的剥离过程示意性地显示在图2中。在图2A中，参考数字20表示基片，参考数字21表示氮化物层或金属层，参考数字22表示氧化层，参考数字和字符23a和23b表示初始覆盖绝缘层，参考数字24表示剥离层。

在图2A中，对于基片20，可以使用玻璃基片、石英基片、陶瓷基片等。此外，也可以使用硅基片、金属基片或不锈钢基片。

首先，如图1A所示，氮化物层或金属层21形成在基片20上。对于氮化物层或金属层21，代表性的例子如下：选自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一种元素，或由主要成分为以上元素的合金材料或化合物材料组成的单层，或它们的叠层，或这些氮化物组成的单层，例如氮化钛、氮化钨、氮化钽、氮化钼或它们的叠层。这些都可以使用。随后，氧化层22形成在氮化物层或金属层21上。对于氧化层22，代表性的例子可以使用氧化硅、氮氧化硅和金属氧化物材料。对于氧化层22，可以使用膜形成法，例如溅射法、等离子体CVD法、涂敷法。

在本发明中，所述氧化层22的膜应力和氮化物层或金属层21的膜应力制得相互不同很重要。各膜的厚度适当地设置在1nm到1000nm的范围内，各膜的应力可以调节。此外，在图2中，为了简化工艺，示出了形成与基片20接触的氮化物层或金属层21的一个例子，通过在基片20和氮化物层或金属层21之间提供绝缘层或金属层可以增强基片10的粘附性。

随后，通过等离子体CVD法在氧化层22上形成初始覆盖绝缘层23a和23b。这里，通过等离子体CVD法在400℃的膜形成温度下形成厚度50nm由原材料气体SiH₄、NH₃和N₂O制备的氮氧化硅23a(组分比Si＝32％，O＝27％，N＝24％和H＝17％)，接着，通过等离子体CVD法在400℃的膜形成温度下叠置形成100nm厚由原材料气体SiH₄、NH₃和N₂O制备的氮氧化硅23b(组分比Si＝32％，O＝59％，N＝7％和H＝2％)。但不必特别限定，可以使用单层或具有三层或更多层的叠层。随后，剥离层24形成在初始覆盖绝缘层23b上(图2A)。

以此方式，当制备两层初始覆盖绝缘层23a和23b时，在形成剥离层24的工艺中，可以防止杂质由氮化物层或金属层和基片20扩散。此外，利用初始覆盖绝缘层23a和23b可以增强氧化层22和剥离层24之间的粘附性。

此外，由于氮化物层或金属层21和氧化层22，在表面上形成有凹陷和凸起，因此形成初始覆盖绝缘层之前和之后应平坦化表面。平坦化时，剥离层上的覆盖变得更好，当形成含有元件24的剥离层24时，由于元件的特性变得容易稳定，因此优选。应该注意对于平坦化处理，可以使用形成涂敷膜(抗蚀剂或类似物)之后进行腐蚀等的深腐蚀法、化学机械抛光法(CMP法)等。

随后，通过物理方式拽掉其上提供有氮化物层或金属层21的基片20(图2B)。由于氧化层22的膜应力和氮化物层或金属层21的膜应力不同，因此可以较小的力拽掉。此外，虽然这里示出了假设剥离层24有足够机械强度的一个例子，当剥离层24的机械强度不够时，优选粘贴固定剥离层24的支撑体(未显示)之后进行剥离。

以此方式，形成在初始覆盖绝缘层22上的剥离层24可以与基片20分离。剥离之后的状态显示在图2C中。

然而，剥离之后，拽掉的剥离层24粘贴在传送体(未显示)上。

此外，本发明适用于多种半导体器件的制备方法。特别是，使用塑料基片作为传送体和支撑体可以制得很轻。当制备液晶显示器件时，支撑体作为相对基片，利用密封介质作为粘结部件将支撑体粘贴到剥离层。此时，提供在剥离层上的元件具有像素电极，将液晶材料封在相关的像素电极和以上相对的基片之间。此外，制备液晶显示器件的工艺顺序不必特别限定，粘贴相对基片作为支撑体。注入液晶之后，将基片剥离并粘贴在塑料基片上作为传送体，或形成像素电极之后，剥离基片，粘贴塑料基片作为第一传送体之后，粘贴相对基片作为第二传送体。此外，制备由具有OLED的发光器件代表的发光器件时，优选支撑体制成密封介质，发光元件完全由外部断开，以防止促进有机化合物层退化的物质例如水分、氧等从外部渗透。此外，制备由具有OLED的发光器件代表的发光器件时，优选能够充分地防止促进有机化合物层退化的物质例如水分、氧等从外部渗透到支撑体内和传送体内。此外，制备液晶显示器件的工艺顺序不必特别限定。形成发光元件之后，粘贴塑料基片作为支撑体，将基片剥离，并粘贴塑料基片作为传送体，或形成发光元件之后，剥离基片，以及粘贴塑料基片作为第一传送体之后，粘贴塑料基片作为第二传送体。

实施例3

在本实施例中，除了实施例1，进行激光束照射或热处理以促进剥离的一个例子显示在图4中。

在图4A中，参考数字40表示基片，参考数字41表示氮化物层或金属层，参考数字42表示氧化层，参考数字43表示剥离层。

由于形成它直到制备剥离层的步骤都与实施例1相同，因此省略了介绍。

形成剥离层之后，进行激光束照射(图3A)。对于激光束，可以使用例如准分子激光器等的气体激光器，例如YVO4激光器、YAG激光器等的固态激光器，以及半导体激光器。此外，激光的形式可以是连续振荡或脉冲振荡，激光束的形状可以是直线、矩形、圆形或椭圆形中的任何一种。此外，使用的波长可以是基波、二次谐波或三次谐波。

此外，希望氮化物层或金属层41使用的材料为容易吸收激光束的材料，优选氮化钛。应该注意为了使激光束穿过，使用具有透明度的基片作为基片40。

随后，通过物理方式拽掉其上提供有氮化物层或金属层41的基片40(图4B)。由于氧化层42的膜应力和氮化物层或金属层41的膜应力不同，因此可以较小的力拽掉。

通过激光束照射和加热氮化物层或金属层41和氧化层42之间的界面，膜应力可以相互改变并且可以促进剥离，可以用较小的力进行剥离。此外，虽然这里示出了假设剥离层43有足够机械强度的一个例子，当剥离层43的机械强度不够时，优选粘贴固定剥离层43的支撑体(未显示)之后进行剥离。

以此方式，形成在氧化层42上的剥离层24可以与基片40分离。剥离之后的状态显示在图4C中。

此外，不限于激光束，可以使用例如卤素灯等的光源发出的可见光、红外线、紫外线、微波等。

此外，代替激光束，可以在电炉中进行热处理。

此外，粘贴支撑体之前，或通过以上物理方式剥离之前，进行热处理或激光束照射。

此外，本实施例可以与实施例2结合。

实施例4

在本实施例中，除了实施例1，在氮化物层或金属层和氧化层之间的界面上提供颗粒形氧化物以促进剥离的一个例子显示在图5中。

在图5A中，参考数字50表示基片，参考数字51表示氮化物层或金属层，参考数字52a表示颗粒形氧化层，参考数字52b表示氧化层，参考数字53表示剥离层。

由于形成它直到形成氮化物层或金属层51的步骤都与实施例1相同，因此省略了介绍。

形成氮化物层或金属层51之后，形成颗粒形氧化层52a。对于颗粒形氧化层52a，可以使用金属氧化物材料，例如ITO(氧化铟-氧化锡合金)、氧化铟-氧化锌合金(In₂O₃-ZnO)、氧化锌(ZnO)等。

随后，形成氧化层52b覆盖颗粒形氧化层52a。对于氧化层52b，一个代表性的例子可以使用氧化硅、氮氧化硅和金属氧化物材料。应该指出例如溅射法、等离子体CVD法、涂敷法等的任何膜形成法可以应用到氧化层52b。

随后，在氧化层52b上形成剥离层(图5A)。

随后，用物理方式拽掉提供在氮化物层或金属层51上的基片50(图5B)。由于氧化层52的膜应力和氮化物层或金属层51的膜应力不同，用较小的力就可以拽开它们。

氮化物层或金属层51和氧化层52之间的结合力很弱，因此相互之间的粘附力可以改变，通过提供颗粒形氧化层52a可以促进剥离，可以用较小的力进行剥离。此外，虽然这里示出了假设剥离层53有足够机械强度的一个例子，当剥离层53的机械强度不够时，优选粘贴固定剥离层53的支撑体(未显示)之后进行剥离。

以此方式，形成在氧化层52b上的剥离层53可以与基片50分离。剥离之后的状态显示在图5C中。

此外，本实施例可以与实施例2或3结合。

下面参考实例详细地介绍包括以上介绍的各构成的本发明。

实例

例1

下面参考图6到8介绍本发明的各例。这里，下面详细地介绍提供在像素部分(n沟道型TFT和p沟道型TFT)的周边上提供像素部分和驱动电路的TFT同时制备在相同基片上的方法。

首先，氮化物层或金属层101、氧化层12和初始覆盖绝缘膜103形成在基片100上，得到具有晶体结构的半导体膜之后，通过需要形状的腐蚀处理形成岛形隔离的半导体层104-108。

对于基片100，可以使用剥离基片(#1737)。

此外，对于金属层101，可以使用选自Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt中的一种元素，由主要成分为以上元素的合金材料或化合物材料组成的单层，或它们的的叠层。更优选，可以使用这些氮化物组成的单层，例如，氮化钛、氮化钨、氮化钽、氮化钼或它们的叠层。这里，通过溅射法使用膜厚度100nm的氮化钛膜。

此外，对于氧化层102，可以使用氧化硅材料或金属氧化物材料组成的单层，或它们的叠层。这里，使用溅射法形成200nm膜厚的氧化硅膜。在热处理中，金属层101和氧化层102之间的结合力很强，不会发生膜剥离(也仅称为“剥离”)等。然而，通过物理方式在氧化层内或界面上容易剥离。

随后，对于初始覆盖绝缘层，通过等离子体CVD法在400℃的膜形成温度下形成厚度50nm由原材料气体SiH₄、NH₃和N₂O制备的氮氧化硅103a(组分比Si＝32％，O＝27％，N＝24％和H＝17％)。随后，用臭氧水清洗表面之后，用氢氟酸(1:100稀释)除去氧化膜的表面。之后，通过等离子体CVD法在400℃的膜形成温度下叠置形成100nm厚(优选，50-200nm)由原材料气体SiH₄和N₂O制备的氮氧化硅103b(组分比Si＝32％，O＝59％，N＝7％和H＝2％)，此外，通过等离子体CVD法在300℃的膜形成温度下不释放空气形成厚度54nm(优选，25-80nm)具有非晶结构的半导体层(这里为非晶硅层)。

在本例中，虽然初始覆盖绝缘层103显示为两层结构，但也可以形成以上绝缘膜的单层膜或叠置两层以上的膜结构。此外，对于半导体膜的材料没有限制，但优选，通过公知的方式(溅射法、LPCVD法、等离子体CVD法等)使用硅或硅锗(Si_xGe_1-x(X＝0.0001-0.02))合金等形成。此外，等离子体CVD装置可以是薄片型或分批型装置。此外，初始覆盖绝缘膜和半导体膜可以在相同的膜形成室中不接触空气地连续地形成。

随后，清洗具有非晶结构的半导体膜表面之后，在表面上用臭氧水形成厚度约2nm极薄的氧化膜。接着，为了控制TFT的阈值，掺杂微量的杂质元素(硼或磷)。利用进行等离子体激活的离子掺杂法，在15kV的加速电压，30sccm的气体流速，乙硼烷用氢稀释为1％，2x 1012/cm2的剂量，同时不大量(mass)分离乙硼烷(B₂H₆)的掺杂条件下，将硼添加到非晶硅膜。

随后，用旋转器涂敷当转换为重量时含10ppm镍的镍催化剂溶液。可以使用溅射法代替涂敷将镍元素分布在整个表面的方法。

接着，通过热处理和晶化形成具有晶体结构的半导体膜。对于所述热处理，可以使用电炉或强光照射的热处理。当通过利用电炉形成热处理时，可以在500℃-650℃进行4-24小时。这里，进行脱氢作用的热处理(500℃，1小时)之后，通过进行用于晶化的热处理得到具有晶体结构的硅膜。应该注意虽然这里使用通过电炉的热处理进行晶化，然而，也可以通过灯退火装置进行晶化。

应该注意这里使用镍作为促进硅晶化的金属元素的晶化技术。然而，也可以使用其它公知的晶化技术，例如，固相晶化法或激光晶化法。

之后，通过稀释的氢氟酸灯除去具有晶体结构的硅膜表面的氧化膜之后，在空气或在氧气氛中进行第一激光束(XeCl：波长308nm)的照射以增强晶化率并修复保留在晶粒内的缺陷。对于激光束，使用波长400nm以下的准分子激光束、YAG激光的二次谐波或三次谐波。总之，使用具有约10-1000Hz重复频率的脉冲激光束，相应的激光束通过光学系统聚集在100-500mJ/cm²，用90-95％的重合度照射，用它扫描硅膜表面。这里，在空气中30Hz的重复频率、393mJ/cm²的能量密度进行第一激光束的照射。应该指出由于在空气中或在氧气氛中进行，通过第一激光束的照射，氧化膜形成在表面上。

随后，用稀释的氢氟酸除去第一激光束照射形成的氧化膜之后，在氮气氛或真空中进行第二激光束的照射，由此平坦化半导体膜的表面。对于所述激光束(第二激光束)，使用波长400nm以下的准分子激光束、YAG激光的二次谐波或三次谐波。第二激光束的能量密度大于第一激光束的能量密度，优选，大30-60mJ/cm²。这里，在30Hz的重复频率、453mJ/cm²的能量密度进行第一激光束的照射，半导体膜表面中的凹陷和凸起的P-V值(峰到谷，最大值到最小值之间的差异)为50nm以下。通过AFM(原子力显微镜)得到所述P-V值。

此外，在本例中，在整个表面上进行第二激光束的照射。然而，由于OFF状态电流减小对TFT的像素部分影响很大，进行选择性地仅照射至少像素部分的步骤。

随后，通过用臭氧水处理表面120秒形成总厚度1-5nm氧化膜组成的阻挡层。

接着，通过溅射法在阻挡层上形成膜厚150nm含有氩元素作为吸气地点的非晶硅膜。本例溅射法的膜形成条件为0.3Pa的膜形成压力、50(sccm)的气体(Ar)体积流量、3kW的膜形成功率和150℃的衬底温度。应该注意在以上介绍的条件下非晶硅膜中含有的氩元素的原子百分数在3 x 10²⁰/cm³到6 x 10²⁰/cm³的范围内，氧的原子百分数在1x 10¹⁹/cm³到3 x 10¹⁹/cm³的范围内。然后，使用灯退火装置进行650℃3分钟的热处理进行吸气。

之后，阻挡层制成腐蚀终止层之后，选择性地除去含有氩元素作为吸气地点的非晶硅膜，用稀释的氢氟酸选择性地除去阻挡层。应该注意由于吸气时，镍容易移动到较高氧密度区域中内，因此希望吸气之后除去由氧化膜组成的阻挡层。

接下来，薄氧化膜用臭氧水形成在具有已得到的晶体结构的硅膜(也称做“多晶硅膜)表面上之后，形成由抗蚀剂组成的掩模，通过腐蚀工艺将隔离为岛形半导体层104-108形成需要的形状。形成半导体层之后，除去由抗蚀剂组成的掩模。

此后，通过含氢氟酸的腐蚀剂除去氧化膜，同时，清洗硅膜表面，形成主要成分为硅并且将为栅绝缘膜109的绝缘膜。在本例中，通过等离子体CVD法形成厚度115nm的氮氧化硅膜(组分比Si＝32％，O＝59％，N＝7％和H＝2％)。

接着，如图6A所示，具有20-100nm膜厚的第一导电膜110a和具有100-400nm膜厚的第二导电膜110b叠置地形成在栅绝缘膜109上。在本例中，膜厚度50nm的氮化钛膜和膜厚度370nm的钨膜进而叠置在栅绝缘膜109上。

对于形成第一导电膜和第二导电膜的导电材料，使用选自Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu或主要成分为以上元素的的合金材料或化合物材料。此外，对于第一导电膜和第二导电膜，可以使用由掺杂磷等杂质元素的多晶硅膜表示的半导体膜，以及Ag、Pd、Cu合金。此外，不限于两层结构。例如，可以是三层结构，其中依次叠置50nm膜厚的钨膜、500nm膜厚的铝-硅(Al-Si)合金，以及膜厚30nm的氮化钛膜。此外，对于三层结构，代替钨的第一导电膜，可以使用氮化钨，代替铝-硅(Al-Si)合金的第二导电膜，可以使用铝-硅(Al-Ti)合金膜，或代替氮化钛膜的第三导电膜，使用钛膜。此外，可以是单层结构。

接下来，如图6B所示，通过曝光步骤形成由抗蚀剂组成的掩模112-117，进行形成栅电极和布线的第一腐蚀处理。在第一和第二腐蚀条件下进行第一腐蚀处理。对于腐蚀，可以使用ICP(感应耦合等离子体)腐蚀法。通过适当地调节腐蚀条件(施加到线圈型电极的电能、施加到基片一侧电极的电能、基片一侧电极的温度等)将膜腐蚀成需要的锥形。应该注意对于腐蚀气体，可以适当地使用由Cl₂、BCl₃、SiCl₄、CCl₄等代表的氯基气体、由CF₄、SF₆、NF₃等代表的氟基气体或O₂。

在本例中，对基片一侧(样品台)，接通150W的RF(13.56MHz)电源，施加足够的负自偏置电压。应该注意基片一侧电极面积的尺寸为12.5cm x 12.5cm，线圈型电极(这里为其上提供线圈的石英圆盘)面积的尺寸为直径为25cm的圆盘面积。通过在第一腐蚀条件下腐蚀W膜将第一导电层的端部制成锥形。第一腐蚀条件下对W的腐蚀速率为200.39nm/min，对TaN的腐蚀速率为80.32nm/min，W对TaN的选择率约2.5。此外，W的锥角约26°。然后，不除去由抗蚀剂组成的掩模112-117改变第二腐蚀条件，使用CF₄和Cl₂作为腐蚀气体，气体的体积流量各比例制成30/30(sccm)，在1Pa压力下将线圈型电极接通500W的RF(13.56MHz)电源，产生等离子体并进行约30秒的腐蚀，将电极一侧(样品台)也接通20W的RF(13.56MHz)电源，并施加足够的负自偏置电压。第二腐蚀条件下对W的腐蚀速率为58.97nm/min，对TaN的腐蚀速率为66.34nm/min。应该注意为了腐蚀同时在栅绝缘膜上没有剩余的残留物，以约10-20％的比例增加腐蚀时间。通过适当地调节由抗蚀剂组成的掩模由于施加到基片上的负偏压的影响，在以上介绍的第一腐蚀处理中，第一导电层的部分和第二导电层变为锥形。该锥形部分的角度在15到45°的范围内。

以此方式，通过第一腐蚀处理形成由第一导电层和第二导电层(第一导电层119a-124a和第二导电层119b-124b)组成的第一形状的导电层119-123。腐蚀将成为栅绝缘膜的绝缘膜109约10-20nm，变成栅绝缘膜118，其中没有被第一形状的导电层119-123覆盖的区域制得较薄。

随后，进行第二腐蚀处理同时不除去由抗蚀剂组成的掩模。这里，使用SF₆、Cl₂和O₂作为腐蚀气体，使气体的体积流量各比例制成24/12/24(sccm)，将线圈型电极接通700W的RF(13.56MHz)电源，产生1.3Pa压力的等离子体。将电极一侧(样品台)也接通10W的RF(13.56MHz)电源，并施加足够的负自偏置电压。第二腐蚀条件下对W的腐蚀速率为227.3nm/min，对TaN的腐蚀速率为32.1nm/min，W对TaN的选择率7.1，对为绝缘膜118的SiON腐蚀速率为33.7nm/min，W对SiON的选择率6.83。以此方式，当SF₆用做腐蚀气体时，由于对绝缘膜118的选择率很高，因此可以抑制膜减少。在本例中，在绝缘膜118中，仅发生约8nm的膜减少。通过第二腐蚀处理，锥角变成70°。通过第二腐蚀处理形成第二导电层126b-131b。另一方面，几乎不腐蚀第一导电层，变为第一导电层126a-131a。应该注意第一导电层126a-131a的尺寸几乎与第一导电层119a-124ad相同。实际上，虽然有时与第二次腐蚀之前相比第一导电层的宽度减少约0.3μm，即，整个线宽减少约0.6μm，尺寸上几乎没有变化。

此外，代替两层结构，使用三层结构，其中膜厚50nm的钨膜、膜厚500nm的膜厚的铝-硅(Al-Si)合金，以及氮化钛膜依次叠置，对于第一腐蚀处理的第一腐蚀条件，利用BCl₃、Cl₂和O₂作为原材料气体，使气体的体积流量各比例制成65/10/5(sccm)，将衬底一侧(样品台)接通300W的RF(13.56MHz)电源，在1.2Pa压力下将线圈型电极接通450W的RF(13.56MHz)电源，产生等离子体，对于第一腐蚀处理的第二腐蚀条件，利用CF₄、Cl₂和O₂作为原材料气体，使气体的体积流量各比例制成25/25/10(sccm)，将衬底一侧(样品台)接通20W的RF(13.56MHz)电源，在1Pa压力下将线圈型电极接通500W的RF(13.56MHz)电源，产生等离子体进行约30秒的腐蚀，对于第二腐蚀处理，利用BCl₃和Cl₂作为原材料气体，使气体的体积流量各比例制成20/60(sccm)，将衬底一侧(样品台)接通100W的RF(13.56MHz)电源，在1.2Pa压力下将线圈型电极接通600W的RF(13.56MHz)电源，产生等离子体进行腐蚀。

随后，除去由抗蚀剂组成的掩模，进行第一掺杂处理得到图6D的状态。通过离子掺杂法和离子注入法进行掺杂处理。离子掺杂法的条件为1.5 x 10¹⁴atom/cm²，60-100keV的加速电压，在这些条件下进行。对于赋予n型的杂质元素，通常使用磷(P)或砷(As)。此时，针对赋予n型的杂质元素掩蔽第一导电层和第二导电层126-130，以自对准方式形成第一杂质区132-136。在1 x 10¹⁶到1 x 10¹⁷/cm³的密度范围内添加赋予n型的杂质元素。这里，具有与第一杂质区域相同密度的区域也称做n-区。应该注意在本例中，除去由抗蚀剂组成的掩模之后，进行第一掺杂处理。然而，也可以不除去由抗蚀剂组成的掩模进行第一掺杂处理。

接着，如图7A所示，形成由抗蚀剂组成的掩模137-139，进行第二掺杂处理。掩模137为保护形成p沟道型TFT的驱动电路和它的周边区的半导体层的沟道形成区的掩模，掩模138为保护形成n沟道型TFT的驱动电路之一的半导体层的沟道形成区的掩模，掩模139为保护形成TFT的像素部分和它的周边区以及用于保持容量(retentionvolume)的半导体层的沟道形成区的掩模。

在第二掺杂处理中离子掺杂的条件为剂量1.5 x 10¹⁴atom/cm²，60-100keV的加速电压，在这些条件下掺磷(P)。这里，通过利用第二导电层126b-128b作为掩模，以自对准方式在各半导体层上形成杂质区。不必说，用掩模137-139覆盖的区域不添加杂质。由此，形成第二杂质区140-142和第三杂质区144。在1 x 10²⁰到1 x 10²¹/cm³的密度范围内将赋予n型的杂质元素添加到第二杂质区140-142。这里，与第一杂质区域具有相同密度的区域也称做n+区。

此外，由第一导电层以低于第二杂质区的密度形成第三杂质区，在1 x 10¹⁸到1 x 10¹⁹/cm³的密度范围内添加赋予n型的杂质元素。应该注意对于第三杂质区，由于使杂质穿过部分第一导电层并进行掺杂进行掺杂，因此它具有杂质密度朝锥形部分的端部杂质密度增加的密度梯度。这里，与第一杂质区域具有相同密度的区域也称做n-区。此外，杂质元素没有添加到通过第二掺杂处理由掩模138和139覆盖的区域。因此，这些区域变成第一杂质区145和146。

接着，除去由抗蚀剂组成的掩模137-139，新形成由抗蚀剂组成的掩模148-150，如图7B所示，进行第三掺杂处理。

在驱动电路中，通过以上介绍的第三掺杂处理形成第四杂质区151，152和第五杂质区153，154，其中将赋予p导电类型的杂质元素添加到形成p沟道型TFT和形成保持容量的半导体层。

然而，赋予p导电类型的杂质元素1 x 10²⁰到1 x 10²¹/cm³的密度范围添加到第四杂质区151，152。应该注意第四杂质区151，152为在前面步骤中已添加磷(P)的区域(n-区)，但添加1.5到3合并(fold)密度的赋予p型的杂质元素。这里，与第四杂质区域具有相同密度的区域也称做p+区。

此外，在与第二导电层127a的锥形部分重叠的区域上形成第五杂质区153，154。在1 x 10¹⁸到1 x 10²⁰/cm³的密度范围内添加赋予n型的杂质元素。这里，与第五杂质区域具有相同密度的区域也称做p区。

到以上介绍的步骤，具有n型或p型导电类型的杂质区形成在各半导体层上。导电层126-129变为TFT的栅电极。此外，导电层变为像素部分中形成保持容量的电极之一。此外，导电层131形成像素部分中的源布线。

随后，形成覆盖几乎整个表面的绝缘膜(未示出)。在本例中，通过等离子体CVD法形成50nm膜厚的氧化硅膜。不必说，该绝缘膜不限于氧化硅膜，也可以使用其它含硅绝缘膜做为单层或叠层结构。

接着，进行激活处理添加到各半导体层的杂质元素的步骤。通过使用灯光源的快速热退火方法(RTA法)、或从背面照射YAG激光或准分子激光的方法、或这些方法的组合的方法进行该激活步骤。

此外，在本例中，虽然示出了以上介绍的激活之前形成绝缘膜的例子，但也可以在以上介绍的激活之后进行该步骤。

接下来，形成由氮化硅组成的第一层间绝缘膜155，进行热处理(在300-550℃进行1-12小时的热处理)，以及氢化半导体层的步骤(图7C)。该步骤为通过含在第一层间绝缘膜155中的氢终止半导体层的悬空键。无论是否存在由氧化硅组成的绝缘膜(未示出)，都可以氢化半导体层。然而，由于在本例中，主要成分为铝的材料用做第二导电层，因此热处理条件很重要，以便第二导电层能够承受氢化步骤。对于其它的氢化方法，可以进行等离子体氢化(使用等离子体激活氢)。

随后，在第一层间绝缘膜155上形成由有机绝缘材料组成的第二层间绝缘膜156。在本例中，形成膜厚1.6μm的丙烯树脂膜。接着，形成到达源布线131的接触孔、到达导电层129，130的接触孔以及到达各杂质区的接触孔。在本例中，依次进行几个腐蚀工艺。在本例中，利用第一层间绝缘膜作为腐蚀终止层腐蚀第二层间绝缘膜之后，利用绝缘膜(未示出)腐蚀第一层间绝缘膜之后腐蚀绝缘膜(未示出)。然后，然后使用Al、Ti、Mo、W等形成布线和像素电极。对于电极和像素电极的这些材料，优选主要成分为Al或Ag的膜或反射性优良的材料例如它们的叠层等。由此，形成源电极或漏电极157-162、栅极布线164、连接布线163和像素电极165。

如上所述，可以在相同的基片上形成具有n沟道型TFT210、p沟道型TFT202和n沟道型TFT203的驱动电路206、具有由n沟道型TFT和保持容量205组成的像素TFT204的像素部分207(图8)。在本说明书中，为方便起见，这种基片称做有源矩阵基片。

在像素部分207上，像素TFT204(n沟道型TFT)具有沟道形成区169、在形成栅电极的导电层129的外部形成的第一杂质区(n-区)147，以及起源区或漏区作用的第二杂质区(n+区)142，171。此外，第四杂质区152、第五杂质区154形成在半导体层上作为保持容量205的一个电极。利用绝缘膜(与栅绝缘膜相同的膜)作为介质由第二电极130和半导体层152、154和170形成保持容量205。

此外，在驱动电路206中，n沟道型TFT201(第一n沟道型TFT)具有沟道形成区166、借助绝缘膜与形成栅电极的导电层126的一部分重叠的第三杂质区(n区)144，以及作为源区或漏区的第二杂质区(n+区)140。

此外，在驱动电路206中，p沟道型TFT202具有沟道形成区167、借助绝缘膜与形成栅电极的导电层127的一部分重叠的第五杂质区(p区)153，以及作为源区或漏区的第四杂质区(p+区)151。

此外，在驱动电路206中，n沟道型TFT203(第一n沟道型TFT)具有沟道形成区168、在形成栅电极的导电层128的外部形成的第一杂质区(n-区)146，以及作为源区或漏区的第二杂质区(n+区)141。

通过适当地组合这些TFT201-203，形成移位寄存器电路、缓冲电路、电平移动电路、锁存电路等，并且可以形成驱动电路206。例如，通过互补地连接n沟道型TFT201和p沟道型TFT202形成CMOS电路。特别是，对于驱动电压高的缓冲电路，为了防止由于热载流子效应造成的退化，n沟道型TFT203的结构很适合。

此外，对于可靠性被认为是头等重要的电路，为GOLD结构的n沟道型TFT 201的结构很适合。

此外，由于通过提高半导体膜的表面平坦度可以增强可靠性，因此在具有GOLD结构的TFT中，通过减少借助栅绝缘膜与栅电极重叠的杂质区面积也可以获得足够的可靠性。

具体地，在具有GOLD结构的TFT中，通过减少为栅电极锥形部分的尺寸可以获得足够的可靠性，当栅绝缘膜较薄时，寄生电容增加。然而，栅电极(第一导电层)锥形部分的尺寸较小，寄生电容减少，f特性(频率特性)也增强，进而可以高速操作，TFT得到足够的可靠性。

应该注意同样在像素部分207的像素TFT中，通过第二激光束的照射可以实现OFF态电流减少和变化减少。

此外，在本例中，显示了制备形成反射型显示器件的有源矩阵基片的例子，但当通过透明导电膜形成像素电极时，虽然光掩模的数量增加一片，但可以形成透明型显示器件。

此外，在本例中，使用玻璃基片，但不必特别限定。可以使用石英基片、半导体基片、陶瓷基片和金属基片。

此外，得到图8的状态之后，如果提供在氧化层102上含TFT的层(剥离层)具有足够的机械强度，那么基片100可以拽掉。在本例中，由于剥离层的机械强度不够，因此优选粘贴固定剥离层的支撑体(未示出)之后，剥离掉剥离层。

例2

在本例中，通过从例1中制备的有源矩阵基片上剥离掉基片100制备有源矩阵型液晶显示器件，并如下面将介绍的用塑料基片粘贴它。用图9介绍。

在图9A中，参考数字400表示基片，参考数字401表示氮化物层或金属层，参考数字402表示氧化层，参考数字和字符403表示初始覆盖绝缘层，参考数字404a表示驱动电路413的元件，参考数字404b表示像素部分414的元件404b，参考数字405表示像素电极。这里术语“元件”是指有源矩阵型液晶显示器件中像素的开关元件使用的半导体元件(通常为TFT)或MIM元件。图9A中所示的有源矩阵基片为简化的图8所示有源矩阵基片，图8中的基片100对应于图9A中的基片400。类似地，图9A中的参考数字401对应于图8中的参考数字101，图9A中的参考数字402对应于图8中的参考数字102，图9A中的参考数字403对应于图8中的参考数字103，图9A中的参考数字404a对应于图8中的参考数字201和202，图9A中的参考数字404b对应于图8中的参考数字204，图9A中的参考数字405b分别对应于图8中的参考数字165。

首先，根据例1，得到图8状态的有源矩阵基片之后，在图8的有源矩阵基片上形成取向膜406a，进行摩擦处理。应该注意在本例中，形成取向膜之前，通过构图例如丙烯树脂等有机树脂膜在需要的位置形成保持基片间隔的柱形(未示出)的间隔层。此外，代替柱形隔离层，也可以在基片的整个表面上分布球形间隔层。

随后，制备将成为支撑体407的相对基片。在该相对基片上提供有根据各像素设置彩色层和辐射屏蔽层的滤色片(未示出)。此外，辐射屏蔽层提供在部分驱动电路上。提供覆盖所述彩色层和辐射屏蔽层的平坦化膜(未示出)。接着，由透明导电膜组成的相对电极408形成在像素部分中的平坦化膜上，取向膜406b形成在相对基片的整个表面上，进行摩擦处理。

然后，形成有像素部分和驱动电路的有源矩阵基片400和支撑体407用将成为粘结层409的密封介质粘贴在一起。在密封介质内，混入填料，借助所述填料和柱形间隔层，两片基片一均匀的间隔粘贴在一起。然后，在基片之间，注入液晶材料410并用密封剂(未示出)完全密封(图9B)。

之后，通过物理方式拽掉已提供有氮化物层或金属层401的基片400(图9C)。由于氧化层402的膜应力和氮化物层或金属层401的膜应力不同，因此用较小的力就可以拽开它们。

接着，用由环氧树脂或类似物组成的粘结层411将它粘贴在传送体412上。在本例中，通过使用塑料膜基片作为传送体412可以将它制得较轻。

以此方式，完成了柔性矩阵型液晶显示器件。然后，如果需要，将柔性基片412切割成需要的形状。此外，使用公知的技术适当地提供极化板(未示出)或类似物。之后，使用公知的技术粘贴FPC(未示出)。

例3

在例2中，示出了粘贴作为支撑体的相对基片和注入液晶之后，剥离基片并粘贴塑料基片作为传送体的一个例子。然而，在本例中，介绍形成图8所示的有源矩阵基片之后，剥离基片，塑料基片作为第一传送体以及塑料基片作为第二传送体粘贴在一起的例子。使用图10进行介绍。

在图10A中，参考数字500表示基片，参考数字501表示氮化物层或金属层，参考数字502表示氧化层，参考数字和字符503表示初始覆盖绝缘层，参考数字504a表示驱动电路514的元件，参考数字504b表示像素部分515的元件{504b？}，参考数字505表示像素电极。图10A中所示的有源矩阵基片为简化的图8所示有源矩阵基片，图8中的基片100对应于图9A中的基片500。类似地，图10A中的参考数字501对应于图8中的参考数字101，图10A中的参考数字402对应于图8中的参考数字102，图10A中的参考数字503对应于图8中的参考数字103，图10A中的参考数字504a对应于图8中的参考数字201和202，图10A中的参考数字504b对应于图8中的参考数字204，图10A中的参考数字505b分别对应于图8中的参考数字165。

首先，根据例1，得到图8状态的有源矩阵基片之后，通过物理方式拽掉已提供有氮化物层或金属层501的基片500(图10B)。由于氧化层502的膜应力和氮化物层或金属层501的膜应力不同，因此用较小的力就可以拽开它们。

接着，用由环氧树脂或类似物组成的粘结层506将它粘贴在传送体507(第一传送体)上。在本例中，通过使用塑料膜基片作为传送体507可以将它制得较轻(图10C)。

随后，形成取向膜508并进行摩擦处理。应该注意在本例中，形成取向膜之前，通过构图例如丙烯树脂等有机树脂膜在需要的位置形成保持基片间隔的柱形(未示出)的间隔层。此外，代替柱形隔离层，也可以在基片的整个表面上分布球形间隔层。

随后，制备将成为支撑体510(第二支撑体)的相对基片。在该相对基片上提供有根据各像素设置彩色层和辐射屏蔽层的滤色片(未示出)。此外，辐射屏蔽层提供在部分驱动电路上。提供覆盖所述彩色层和辐射屏蔽层的平坦化膜(未示出)。接着，由透明导电膜组成的相对电极509形成在像素部分中的平坦化膜上，取向膜508b形成在相对基片的整个表面上，进行摩擦处理。

然后，形成有像素部分和驱动电路的塑料膜基片507和支撑体510用将成为粘结层512的密封介质粘贴在一起(图10D)。在密封介质内，混入填料，借助所述填料和柱形间隔层，两片基片一均匀的间隔粘贴在一起。然后，在基片之间，注入液晶材料513并用密封剂(未示出)完全密封(图10D)。对于液晶材料513，可以使用公知的液晶材料。

例4

参考图11中的俯视图介绍通过例2或例3得到的液晶组件的结构。例2中的基片412或例3中的基片507对应于基片301。

像素部分304设置在基片301的中央。驱动源极信号线的源极信号线驱动电路302设置在像素部分304上。驱动栅极信号线的栅极信号线驱动电路303设置在像素部分304上的左边和右边。虽然在本例中栅极信号线驱动电路303相对于像素部分对称，但是液晶组件中也可以仅有一个栅极信号线驱动电路设置在像素部分的一边。对于以上两种选择，设计者可以根据液晶组件的基片尺寸等选择更适合的布局。然而，就电路工作的可靠性、驱动效率等而言，优选图11所示的栅极信号线驱动电路的对阵布局。

信号由柔性印制电路板(FPC)305输入到驱动电路。通过在层间绝缘膜和树脂膜中开出接触孔并形成连接电极309之后，压入FPC305穿过各向异性导电膜等以到达设置在基片301给定位置的布线。在本例中连接布线由ITO形成。

沿环绕驱动电路和像素部分的基片周边施加密封剂307。通过密封剂307相对基片粘接到基片301，同时预先在膜基片上形成间隔层，以保持两个基片之间的距离不变。通过没有被密封剂307覆盖的基片区域注入液晶元件。然后通过密封材料308密封基片。通过以上步骤完成了液晶组件。

虽然在这里显示的例子中在膜基片上形成了所有的驱动电路，但是一些IC也可以用做一些驱动电路。

该例可与例1结合。

例5

例1示出了由反射金属材料形成像素电极的反射性显示器件的一个例子。在本例中显示的是像素电极由透光导电膜形成的透光显示器件的一个例子。

直到形成层间绝缘膜的步骤的制造工艺都与例1的工艺相同，因此在这里省略了介绍。根据例1形成层间绝缘膜之后，由透光导电膜形成像素电极601。透光导电膜的例子包括ITO(氧化铟锡合金)膜、氧化铟-氧化锌合金(In₂O₃-ZnO)膜、氧化锌(ZnO)等。

此后，在层间绝缘膜600中形成接触孔。接下来形成与像素电极重叠的连接电极602。连接电极602通过接触孔连接到漏区。同时形成连接电极，形成其它TFT的源电极或漏电极。

如上所述完成有源矩阵基片之后，使用该有源矩阵基片剥离基片以粘接塑料基片，根据例2-4制造液晶组件。液晶组件提供有背光604和导光板605，并由盖板606覆盖，完成了图12所示部分剖面图的有源矩阵液晶显示器件。使用粘接剂或有机树脂将盖粘接到液晶组件。当将塑料基片粘接到相对基片时，给基片作框架以便框架和基片之间的空间填充用于粘接的有机树脂。由于显示器件为透光型，因此塑料基片和相对基片的每一个都需要粘接极化板603。

该例可以与例1到4组合。

例6

在本例中，制备具有形成在塑料基片上有机发光器件(OLED)的发光器件的一个例子显示在图13中。

在图13A中，参考数字600表示基片，参考数字601表示氮化物层或金属层，参考数字602表示氧化层，参考数字和字符603表示初始覆盖绝缘层，参考数字604a表示驱动电路611的元件，参考数字604b和604c表示像素部分612的元件{504b？}，参考数字605表示OLED(有机发光器件)。这里术语“元件”是指有源矩阵型液晶显示器件中像素的开关元件使用的半导体元件(通常为TFT)或MIM元件等。然后形成覆盖这些元件的层间绝缘膜606。优选层间绝缘膜606比形成膜之后的表面平坦。应该注意不需要提供层间绝缘膜606。

应该注意可以根据实施例2到4形成提供在基片600上的参考数字601-603。

可以根据以上介绍的例1的n沟道型TFT201和/或以上介绍的p沟道型TFT202制备这些元件(包括604a、604b和604c)。

OLED605具有通过施加电场产生电致发光的有机化合物(有机发光材料)的层(下文称做有机发光层)、阳极层和阴极层。虽然对于有机化合物中的电致发光，当由单激发态返回到基态时产生发光(荧光)，当由三重态返回到基态时产生发光(磷光)，本发明的发光器件使用以上介绍的一种发光或以上介绍的两种发光。应该注意在本说明书中，形成在OLED的阳极和阴极之间的所有层都限定为有机发光层。具体地，有机发光层包括发光层、空穴注入层、电子注入层、空穴传输层、电子传输层等。基本上，OLED具有依次叠置的阳极/发光层/阴极的结构，除了该结构之外，还有以下一些结构：依次叠置阳极/空穴注入层/发光层/阴极或阳极/空穴注入层/发光层/电子传输层/阴极等。

根据以上介绍的方法，得到图13A的状态，使用粘结层607粘贴支撑体608(图13B)。在本实施例中，塑料基片用做支撑体608。具体地，对于支撑体，可以使用具有10μm以上厚度的树脂基片，例如，聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。应该注意当从OLED看支撑体608和粘结层607位于观察者一侧(发光器件的使用者一侧)时，支撑基片608和粘结层607为透光材料。

随后，通过物理方式拽掉已提供有氮化物层或金属层601的基片600(图13C)。由于氧化层602的膜应力和氮化物层或金属层601的膜应力不同，因此用较小的力就可以拽开它们。

接着，用由环氧树脂或类似物组成的粘结层609将它粘贴在传送体610上(图13D)。在本例中，通过使用塑料膜基片作为传送体412可以将它制得较轻。

以此方式，可以得到夹在具有柔性的支撑体608和具有柔性的传送体610之间的柔性发光器件。应该注意如果支撑体608和传送体610由相同的材料制成，那么热膨胀系数相等，因此不容易受到温度变化引起的热应力变形的影响。

然后，如果需要，具有柔性的支撑体608和传送体610切割成需要的形状。之后，使用公知的技术粘贴FPC(未示出)。

例7

在例6中，示出了粘贴支撑体之后，剥离基片并粘贴作为传送体的塑料基片的一个例子。然而，在本例中，将示出基片剥离之后，粘贴作为第一传送体的塑料基片和作为第二传送体的塑料基片，以及制备配备OLED的发光器件的一个例子。参考图14进行介绍。

在图14A中，参考数字700表示基片，参考数字701表示氮化物层或金属层，参考数字702表示氧化层，参考数字和字符703表示初始覆盖绝缘层，参考数字704a表示驱动电路711的元件，参考数字704b和704c表示像素部分712的元件，参考数字705表示OLED(有机发光器件)。这里术语“元件”是指有源矩阵型液晶显示器件中像素的开关元件使用的半导体元件(通常为TFT)或MIM元件等。然后形成覆盖这些元件的层间绝缘膜706。优选层间绝缘膜706比形成膜之后的表面平坦。应该注意不需要提供层间绝缘膜706。

应该注意可以根据实施例2到4形成提供在基片700上的参考数字701-703。

可以根据以上介绍的例1的n沟道型TFT201和/或以上介绍的p沟道型TFT202制备这些元件(包括704a、704b和704c)。

根据以上介绍的方法，得到图14A的状态，通过物理方式拽掉已提供有氮化物层或金属层701的基片700(图14BC)。由于氧化层702的膜应力和氮化物层或金属层701的膜应力不同，因此用较小的力就可以拽开它们。

接着，用由环氧树脂或类似物组成的粘结层709将它粘贴在传送体(第一传送体)710上。在本例中，通过使用塑料膜基片作为传送体710可以将它制得较轻。

随后，使用粘结层707粘贴基底构件(第二传送体)708(图14C)。在本实施例中，塑料基片用做支撑体708。具体地，对于传送体710和基底构件708，可以使用具有10μm以上厚度的树脂基片，例如，聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。应该注意当从OLED看基底构件708和粘结层707位于观察者一侧(发光器件的使用者一侧)时，基底构件708和粘结层707为透光材料。

以此方式，可以得到夹在具有柔性的基底构件708和具有柔性的传送体710之间的柔性发光器件。应该注意如果基底构件708和传送体710由相同的材料制成，那么热膨胀系数相等，因此不容易受到温度变化引起的热应力变形的影响。

然后，如果需要，具有柔性的基底构件708和传送体710切割成需要的形状。之后，使用公知的技术粘贴FPC(未示出)。

例8

在例6或例7中，示出了柔性发光器件夹在具有柔性的基片之间的一个例子。然而，由于通常由塑料构成的基片容易穿透水分和氧，并且它们会促进有机发光层的退化，因此发光器件的寿命容易缩短。

因此，在本例中，在塑料基片上，提供防止氧和水分渗透到OLED的有机发光层内的多个膜(下文称做阻挡膜)和位于以上阻挡膜之间应力比以上阻挡膜小的层(应力释放膜)。在本说明书中，阻挡膜和应力释放膜叠置组成的膜称做“密封膜”。

具体地，提供由无机物质组成的两层或多层阻挡膜(下文称做阻挡膜)，并且提供位于相关两层阻挡膜之间具有树脂的应力释放膜(下文称做应力释放膜)。然后，通过在相关的三层或多层绝缘膜上形成OLED并紧密地密封形成发光器件。应该注意由于除了基片例6和例7相同，因此这里省略了介绍。

如图15所示，两层或多层阻挡膜提供在膜基片810上，此外，应力释放膜提供在相关的两层阻挡膜之间。由此，在膜基片810和第二粘结层809之间，形成阻挡膜和应力释放膜叠置的密封膜。

这里，通过溅射法在膜基片810上以膜的形式形成由氮化硅组成的层作为阻挡膜811a，在阻挡膜811a上以膜的形式形成具有聚酰亚胺的应力释放膜811b，通过溅射法在应力释放膜811b上以膜的形式形成由氮化硅组成的层作为阻挡膜811c。阻挡膜811a、应力释放膜811b和阻挡膜811c叠置的层通常称做密封膜811。然后使用含元件的剥离层上的第二粘结层809将形成有相应密封膜811的膜基片810粘贴在一起。

类似地，通过溅射法在膜基片812上形成由氮化硅组成的层作为阻挡膜814a，在阻挡膜814a上形成具有聚酰亚胺的应力释放膜814b。通过溅射法在应力释放膜814b上形成由氮化硅组成的层作为阻挡膜814c。阻挡膜814a、应力释放膜814b和阻挡膜814c叠置的层通常称做密封膜814。然后使用含元件的剥离层上的第二粘结层809将形成有相应密封膜814的膜基片812粘贴在一起。

应该注意对于阻挡膜，如果提供两层以上，也是可行的。然后，对于阻挡膜，可以使用氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝或氮氧化硅铝(AlSiON)。

由于氮氧化硅铝的导热率较高，因此利用它作阻挡膜在元件中产生的热可以有效地排出。

此外，对于应力释放膜，可以使用具有透明度的树脂。代表性的可以使用的有聚酰亚胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰亚胺酰胺(polyimideamide)、苯环丁烷(benzocyclobutene)、环氧树脂等。应该注意也可以使用除了以上介绍的树脂之外的其它树脂。这里，涂敷热聚合型的聚酰亚胺之后，固化并成型。

通过引入氩在0.4Pa的溅射压力下保持衬底温度为150℃进行氮化硅的膜形成。然后，使用硅做靶，除了氩引入氮和氢进行膜形成。对于氮氧化硅，通过引入氩在0.4Pa的溅射压力下保持衬底温度为150℃形成膜。然后，使用硅做靶，除了氩引入氮、二氧化氮和氢进行膜形成。应该注意，对于靶，可以使用氧化硅。

希望阻挡膜的膜厚在50nm到3μm的范围内。这里，形成1μm厚的氮化硅。

应该注意阻挡膜的膜形成法不限于溅射法，进行膜形成的人能适当地选择膜形成方法。例如，可以使用LPCVD法、等离子体CVD法等进行膜形成。此外，希望阻挡膜的膜厚在200nm到2μm的范围内。这里，形成1μm厚的聚酰亚胺。

通过采用其上提供有本例密封膜的塑料基片作为例6中的支撑体或传送体610或例7中的基底构件708或传送体710，OLED可以完全与空气隔绝，由此几乎能够完全抑制由于氧化有机发光材料的退化，能够极大地增强OLED的可靠性。

例9

下面参考图16的俯视图介绍根据例6或例7得到的具有OLED的组件的构成，也称做EL组件的构成。例7中的传送体610或例8中的传送体710对应于膜基片900。

图16A示出了具有OLED的组件称做EL组件的俯视图，图16B为沿图16A的线A-A’的剖面图。在具有柔性的膜基片900上(例如，塑料基片等)形成像素部分902、源极侧驱动电路901以及栅极侧驱动电路903。根据以上介绍的例子得到这些像素部分和驱动电路。此外，参考数字918表示密封部件，参考数字919表示DLC膜，像素部分和驱动电路部分由密封部件918覆盖，它的密封部件由保护膜919覆盖。此外，使用密封部件用盖部件920密封。盖部件920的形状和支撑体的形状不特别限定，可以使用平面、曲面、能够弯曲的表面、或膜形。希望能够承受由于热和外力变形的盖部件920于膜基片900的材料相同，例如，使用塑料基片，使用图16所示的凹形(深度3-10μm)加工的基片。希望进一步加工形成能放置干燥剂921的凹形部分(深度50-200μm)。此外，以多图形制造EL组件时，将基片和盖部件粘贴在一起之后，使用CO₂激光等切割使端面相互匹配。

此外，这里在图中没有示出，为了防止由于采用的金属层(这里为阴极或类似物)的反射背景反光，在基片900上提供由相差板(λ/4板)和极化板组成称做圆形极化板的圆形极化装置。

应该注意参考数字908表示传送输入到源侧驱动电路901和栅极侧驱动电路903内信号的布线，它从为外部输入端的FPC(柔性印制电路)接收视频信号和时钟信号。此外，本例的发光器件可以示数字驱动，或模拟驱动，或者视频信号可以是数字信号或模拟信号。应该注意这里仅在图中示出了FPC，但是印制布线板(PWB)安装在该FPC上。限定本说明书中的发光器件不仅包括发光器件的主体也包括FPC或PWB安装在主体上的状态。此外，虽然复杂的集成电路(存储器、CPU、控制器、D/A转换器等)能够形成在具有这些像素部分和驱动电路的相同基片上，但制造少量的掩模很难。因此，优选通过COG(芯片上玻璃)法、TAB(载带自动键合)法或引线键合法安装配备有存储器、CPU、控制器、D/A转换器等的IC芯片。

接下来，参考图16B介绍剖面图。绝缘膜910提供在膜基片900上，像素部分902和栅极侧驱动电路903已形成在绝缘膜910上，通过将含像素电极多个像素电连接到控制电流和它的漏极的TFT形成像素部分902。应该注意根据实施例1-4中的任何一个剥离形成在基片上的剥离层之后，粘贴膜基片900。

此外，使用组合n沟道型TFT913和p沟道型TFT914的CMOS电路形成栅极侧驱动电路903。

根据以上介绍的例1的n沟道型TFT201和以上介绍的例1的p沟道型TFT202制造这些TFT(包括911、913和914)。

应该注意对于提供在TFT和OLED之间的绝缘膜，优选材料不仅能阻挡例如碱金属离子、碱土金属离子等的杂质离子的扩散，也可以主动地吸收例如碱金属离子、碱土金属离子等的杂质离子，此外，材料能够承受以后处理的温度。对于适合这些条件的材料，作为一个例子，列举了含大量氟的氮化硅膜。含在氮化硅膜中的氟密度为1 x 10¹⁹/cm³以上，优选，氟的组分比在1到5％的范围内。氮化硅膜中的氟结合到碱金属离子、碱土金属离子等，并在膜中吸收。此外，对于其它的例子，含由锑(Sb)化合物、锡(Sn)化合物、或铟(In)化合物组成的细小颗粒的有机树脂膜，例如也列举了含五氧化锑细小颗粒(Sb₂O₅·nH₂O)的有机树脂膜。应该注意该有机树脂膜含有10-20μm平均颗粒直径的细小颗粒，透光度也很高。由该五氧化锑细小颗粒表示的锑化合物容易吸收例如碱金属离子或碱土金属离子。

此外，对于TFT的有源层和OLED之间的绝缘膜的其它材料，可以使用由AlN_xO_y表示的层。通过在氩气、氮化物气体、氮气和氧气混合的气氛中使用氮化铝(AlN)作靶通过溅射法进行膜形成得到氮氧化层(由AlN_xO_y表示的层)为含氮在2.5atm％到47.5atm％范围的膜，特征在于它具有能够阻止水分和氧的效果，此外，具有高导热性和散热效果，而且具有很高的透明度。此外，它可以防止例如碱金属、碱土金属等的杂质渗透到TFT的有源层内。

像素电极912起OLED阳极的作用。此外，触排(bank)915形成在像素电极912的两端，发光元件的EL层916和阳极917形成在像素电极912上。

对于EL层916，通过自由地组合发光层、电荷注射层或电荷注入层可以形成EL层(用于发光并使载流子为此迁移的层)。例如，可以使用低分子系统有机EL材料和高分子系统有机EL材料。此外，对于EL层，可以使用由于单激发态发光(荧光)的发光材料(单态化合物)组成的薄膜，或由于三重激发态发光(磷光)的发光材料(三重态化合物)组成的薄膜。此外，例如碳化硅等的无机材料能够用做电荷传输层和电荷注射层。对于这些有机EL材料和无机材料，可以使用已知的材料。阴极917也作为所有的像素共同的布线，并借助连接布线908电连接到FPC909。此外，含在像素部分902中和栅极侧驱动电路903上的元件都由阴极917、密封部件918以及保护膜919覆盖。

应该指出对于密封部件918，优选如果可能优选能够透过可见光或半透明的材料。此外，希望密封部件918为尽可能少穿透水分和氧的材料。

此外，利用密封部件918完全覆盖发光元件之后，优选由至少DLC膜等组成的保护膜919提供在密封部件918的表面(露出的表面)上，如图16所示。此外，保护膜提供在包括基片背面的整个表面上。这里，需要注意保护膜没有形成在提供外部输入端子(FPC)的那部分上。保护膜不是利用掩模形成，或者没有用带例如CVD装置中使用的掩蔽带覆盖外部输入端子部分形成保护膜。

通过用以上介绍结构中的密封部件918和保护膜密封发光元件，发光器件可以完全阻止外部影响，它可以防止促进由于水份、氧或类似物发生的EL层氧化造成的有机化合物层退化的物质从外部渗透。此外，如果具有高导热性的膜(AlON膜、AlN膜等)用做保护膜，那么当它驱动时产生的能够释放。因此可以得到具有高可靠性的发光器件。

然而，像素电极制成阴极，EL层和阳极叠置，可以设置成在反方向中发光。它的一个例子显示在图17中。应该指出，由于俯视图相同，因此省略了图和说明。

下面介绍显示在图17中的剖面结构。对于膜基片1000，使用塑料基片。应该注意根据实施例1-4中的任何一个剥离形成在基片上的剥离层之后，粘贴膜基片1000。绝缘膜1010提供在膜基片1000上，在绝缘膜1010上，形成像素部分和栅极侧驱动电路1003，通过将含像素电极多个像素电连接到控制电流和它的漏极的TFT形成像素部分1002。此外，使用组合n沟道型TFT1013和p沟道型TFT1014的CMOS电路形成栅极侧驱动电路1003。

像素电极1012作为发光元件的阴极。此外，触排1015形成在像素电极1012的两端，发光元件的EL层1016和阳极1017形成在像素电极1012上。

阳极1017也作为所有像素的公共布线，并借助连接布线1008电连接到FPC1009。此外，含在像素部分1002和栅极侧驱动电路1003中的元件由保护膜1019覆盖，保护膜由阳极1017、密封部件1018和DLC等组成。此外，使用粘接剂粘贴盖部件1021和基片1000。此外，在盖部件中提供凹陷部分，干燥剂1021放置在盖部件中。

应该指出对于密封部件1018，优选如果可能优选能够透过可见光或半透明的材料。此外，希望密封部件1018为尽可能少穿透水分和氧的材料。

此外，在图17中，由于像素电极制成阴极，EL层和阳极叠置，因此发光的方向为图17中箭头所指的方向。

此外，这里在图中没有示出，为了防止由于采用的金属层(这里为阴极或类似物)的反射背景反光，在基片1000上提供由相差板(λ/4板)和极化板组成称做圆形极化板的圆形极化装置。

由于在本例中，使用在例1中得到的高质量电特性和高可靠性的TFT，可以形成与常规元件相比具有较高可靠性的发光元件。此外，利用具有这种发光元件作为显示部分的的发光器件可以得到高性能的电装置。

应该注意本例可以自由地结合例1、例7、例8或例9。

由于通过物理方式从基片上剥离，因此本发明能增加元件的可靠性，同时不损伤半导体层。

此外，本发明不仅能够剥离具有较小面积的剥离层，而且也可以优良的产额比剥离整个表面的大面积上剥离层。

此外，由于本发明能够通过物理方式容易地剥离，例如能够通过人手拽掉，据说工艺适合于大规模生产。此外，制备制造设备以便进行大规模生产时拽掉剥离层，因此可以低成本制备大尺寸的制造设备。

例10

通过本发明可以完成各种组件(有源矩阵液晶组件、有源矩阵EL组件以及有源矩阵EC组件)。即，通过实施本发明可以完成所有的电子装置。

以下为所述电子装置：

摄像机；数字摄象机；头戴式显示器(护目镜型显示器)；汽车导航系统；投影仪；汽车音响；个人计算机；便携信息终端(移动式计算机、移动电话或电子书等)等。这些例子显示在图18和19中。

图18A为个人计算机，包括：主机2001；图像输入部分2002；显示部分2003；以及键盘2004。

图18B为摄像机，包括主体2101；显示部分2102；声音输入部分2103；操作开关2104；电池2005以及图像接收部分2106。

图18C为移动式计算机，包括主机2201；摄像部分2202；图像接收部分2203；操作开关2204以及显示部分2205。

图18D为护目镜型显示器，包括主体2301；显示部分2302；以及臂部分2303。

图18E为使用记录程序的记录介质(下文称做记录介质)的播放器，包括：肢体2401；显示部分2402；扬声器部分2403；记录介质2404；操作开关2405。该装置使用DVD(数字多用途盘)、CD等，用于记录介质，能够进行音乐欣赏、电影欣赏、游戏和用于因特网。

图18F为数字摄象机，包括：主体2501，显示部分2502；取景器2503；操作开关2504以及图像接收部分(图中未示出)。

图19A为移动电话，包括；主体2901，声音输出部分2902；声音输入部分2903；显示部分2904；操作开关2905；天线2906；以及图像输入部分(CCD、图像传感器等)2907等。

图19B为便携书(电子书)，包括：主体3001；显示部分3002和3003；记录介质3004；操作开关3005；天线3006等。

图19C为显示器，包括：主体3101；支撑部分3102；以及显示部分3103等。

此外，图19C中显示的显示器具有小尺寸和中尺寸或大尺寸，例如5到20英寸的尺寸。此外，为了制造具有所述尺寸的显示部分，优选通过排字印刷机使用一侧上为1米的基片大规模生产。

如上所述，本发明的应用范围很广，本发明能应用到多种领域的电子装置。注意通过利用例1到9的构成的任何组合可以获得本例中的电子器件。

附图标记说明：

图1A：剥离基片10之前

10：基片

11：氮化物层或金属层

12：氧化层

13：剥离层

图1B：剥离基片10的步骤

图1C：剥离后

图2A：剥离基片20之前

20：基片

21：氮化物层或金属层

22：氧化层

23a，23b：初始覆盖绝缘层

24：剥离层

图2B：剥离基片20

图2C：剥离后

图3A：叠层的形成

30：基片

31：铝-硅

32：氮化钛

33：氧化硅

34a，34b：初始覆盖绝缘层

35：非晶硅层

图3B：结晶化(热处理)

36：多晶硅层

图3C：粘贴膜基片38

37：粘结层

38：膜基片

图3D：剥离基片30

图4A：剥离基片40之前

40：基片

41：氮化物层或金属层

42：氧化层

43：剥离层

图4B：剥离基片40

图4C：剥离后

图5A：剥离基片50之前

50：基片

51：氮化物层或金属层

52a：颗粒形氧化物

52b：氧化层

53：剥离层

图5B：剥离基片50

图5C：剥离后

图6A：半导体层的形成/绝缘膜的形成/第一导电膜和第二导电膜的形成

图6B：第一腐蚀处理

图6C：第二腐蚀处理

图6D：第一掺杂处理

图7A：第二掺杂处理

图7B：第三掺杂处理

图7C：激活/氢化

图8：层间绝缘膜的形成/像素电极和布线的形成

201：N-沟道型TFT

202：P-沟道型TFT

203：N-沟道型TFT

204：像素TFT

205：保持电容

206：驱动电路

207：像素部分

图9A：形成有源矩阵基片之后

400：基片

401：氮化物层或金属层

402：氧化层

403：初始覆盖绝缘层

404a：元件

404b：元件

405：像素电极

图9B：在粘结支撑体和注入液晶之后

406a：取向膜

406b：取向膜

407：支撑体

408：相对电极

409：粘结层

410：液晶材料

图9C：剥离基片之后

图9D：粘结传送体之后

411：粘结层

412：传送体(膜基片)

413：驱动电路

414：像素部分

图10A：形成有源矩阵基片之后

500：基片

501：氮化物层或金属层

502：氧化层

503：初始覆盖绝缘层

504a：元件

504b：元件

505：像素电极

图10B：剥离基片之后

图10C：粘结传送体之后

506：粘结层

507：传送体(膜基片)

图10D：粘结基片之后

508a：取向膜

508b：取向膜

509：相对电极

510：支撑体

512：粘结层

图10E：注入液晶之后

513：液晶材料

514：驱动电路

515：像素部分

图11：

301：基片

302：源极信号线驱动电路

303：栅极信号线驱动电路

304：像素部分

306：相对基片

307：密封剂

308：密封材料

图12：

601：像素电极

603：极化板

604：背光

605：光导向板

606：盖

图13A：形成元件之后

600：基片

601：氮化物层或金属层

602：氧化层

603：初始覆盖绝缘层

604a：元件

604b：元件

604c：元件

606：层间绝缘膜

图13B：在粘结支撑体之后

607：粘结层

608：支撑体

图13C：剥离基片之后

图13D：粘结传送体之后

609：粘结层

610：传送体(膜基片)

611：驱动电路

612：像素部分

图14A：形成元件之后

700：基片

701：氮化物层或金属层

702：氧化层

703：初始覆盖绝缘层

704a：元件

704b：元件

704c：元件

706：层间绝缘膜

图14B：剥离基片之后

图14C：粘结传送体和基底构件之后

707：粘结层

708：基底构件

709：粘结层

710：传送体(膜基片)

711：驱动电路

712：像素部分

图15：

806：驱动电路

807：像素部分

809：第二粘结层

810：膜基片

811：密封膜

811a：阻挡膜

811b：应力释放膜

811c：阻挡膜

812：膜基片

813：第一粘结层

814：密封膜

814a：阻挡膜

814b：应力释放膜

814c：阻挡膜

图16A：

900：膜基片

901：源极侧驱动电路

902：像素部分

903：栅极侧驱动电路

908：布线

918：密封部件

919：保护膜

图16B：

900：膜基片

903：栅极侧驱动电路

908：连接布线

910：绝缘膜

911：控制电流的TFT

912：像素电极(阳极)

913：n沟道型TFT

914：p沟道型TFT

915：触排

916：EL层

917：阴极

918：密封部件

919：保护膜

920：盖部件

921：干燥剂

图17：

1000：膜基片

1002：像素部分

1003：栅极侧驱动电路

1008：连接布线

1010：绝缘膜

1011：控制电流的TFT，n沟道型

1012：像素电极(阳极)

1013：n沟道型TFT

1014：p沟道型TFT

1015：触排

1016：EL层

1017：阳极(ITO)

1018：密封部件

1019：保护膜

1020：盖部件

1021：干燥剂

图20A：TEM观察照片(剖面)

Claims

1.一种制造半导体器件的方法包括：

在基片上形成金属层；

在所述金属层上形成氧化层；

通过等离子CVD在所述氧化层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成包括非晶硅和氢的半导体层；

晶化所述半导体层；

形成包括所述半导体层的薄膜晶体管；和

将所述基片从所述薄膜晶体管分离。

2.一种制造半导体器件的方法包括：

在基片上形成金属层；

在所述金属层上形成氧化层；

在所述氧化层上形成包括硅、氧和氮的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成包括硅、氧和氮的第二绝缘层，其中在第一绝缘层中的氢的组分比大于在第二绝缘层中的氢的组分比；

在所述第二绝缘层上形成包括非晶硅和氢的半导体层；

加热所述半导体层用于脱氢作用；和

晶化所述半导体层；

形成包括所述半导体层的薄膜晶体管；和

将所述基片从所述薄膜晶体管分离。

3.一种制造半导体器件的方法包括：

在基片上形成金属层；

在所述金属层上形成包括硅、氧和氮的第一绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成包括非晶硅和氢的半导体层；

加热所述半导体层用于脱氢作用；和

晶化所述半导体层；

形成包括所述半导体层的薄膜晶体管；和

将所述基片从所述薄膜晶体管分离。

4.一种制造半导体器件的方法包括：

在基片上形成金属层；

在所述金属层上形成氧化层；

在所述氧化层上形成包括硅、氧和氮的第一绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成包括非晶硅和氢的半导体层；

在410℃或更高的温度对所述基片、金属层、氧化层、第一绝缘层、第二绝缘层和半导体层进行加热；和

形成包括所述半导体层的薄膜晶体管；和

将所述基片从所述薄膜晶体管分离。

5.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述金属层包括从由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组中选择的一种金属。

6.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述金属层是包括合金材料的单层，所述合金材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

7.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述金属层是包括化合物材料的单层，所述化合物材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

8.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述金属层是包括合金材料的层的叠层，所述合金材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

9.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述金属层是包括化合物材料的层的叠层，所述化合物材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

10.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述基片是玻璃基片、石英基片、陶瓷基片、硅基片、金属基片或不锈钢基片。

11.根据权利要求1-4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述半导体器件被用于显示器件。

12.根据权利要求11的制造半导体器件的方法，其中所述显示器件是液晶显示器件。

13.根据权利要求11的制造半导体器件的方法，其中所述显示器件是发光显示器件。

14.根据权利要求1，2和4的任何一个的制造半导体器件的方法，其中所述氧化层是通过溅射形成的。

15.一种半导体器件包括：

在基片上的金属层；

在所述金属层上的氧化层；

在所述氧化层上的通过等离子体CVD形成的绝缘层；

在所述绝缘层上的包括非晶硅和氢的半导体层；

其中所述半导体层被晶化；

其中形成包括所述半导体层的薄膜晶体管；和

其中在形成所述薄膜晶体管后将所述基片从所述薄膜晶体管分离。

16.根据权利要求15的半导体器件，其中所述金属层包括从由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组中选择的一种金属。

17.根据权利要求15的半导体器件，其中所述金属层是包括合金材料的单层，所述合金材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

18.根据权利要求15的半导体器件，其中所述金属层是包括化合物材料的单层，所述化合物材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

19.根据权利要求15的半导体器件，其中所述金属层是包括合金材料的层的叠层，所述合金材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

20.根据权利要求15的半导体器件，其中所述金属层是包括化合物材料的层的叠层，所述化合物材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

21.根据权利要求15的半导体器件，其中所述基片是玻璃基片、石英基片、陶瓷基片、硅基片、金属基片或不锈钢基片。

22.根据权利要求15的半导体器件，其中所述半导体器件被用于显示器件。

23.根据权利要求22的半导体器件，其中所述显示器件是液晶显示器件。

24.根据权利要求22的半导体器件，其中所述显示器件是发光显示器件。

25.一种制造发光器件的方法包括：

在基片上形成金属层；

在所述金属层上形成氧化层；

在所述氧化层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成发光元件；

在所述发光元件上形成层间绝缘膜；

将支撑体粘附到所述层间绝缘膜上；

将所述支撑体粘附到所述层间绝缘膜上之后，通过物理方式从所述基片剥离掉所述支撑体；以及

将传送体粘附到所述绝缘层或所述氧化层以将所述发光元件夹在所述支撑体和所述传送体之间。

26.根据权利要求25的制造发光器件的方法，其中所述支撑体为膜基片或基底构件并且所述传送体为膜基片或基底构件。

27.一种制造发光器件的方法包括：

在基片上形成金属层；

在所述金属层上形成氧化层；

在所述氧化层上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成发光元件；

在所述发光元件上形成层间绝缘膜；

通过物理方式将所述基片从所述发光元件分离；

将第一传送体粘附到所述绝缘层或所述氧化层；和

将第二传送体粘附到所述层间绝缘膜以将所述发光元件夹在所述第一传送体和所述第二传送体之间。

28.根据权利要求25或27的制造发光器件的方法，其中所述金属层包括从由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组中选择的一种金属。

29.根据权利要求25或27的制造发光器件的方法，其中所述金属层是包括合金材料的单层，所述合金材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

30.根据权利要求25或27的制造发光器件的方法，其中所述金属层是包括化合物材料的单层，所述化合物材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

31.根据权利要求25或27的制造发光器件的方法，其中所述金属层是包括合金材料的层的叠层，所述合金材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

32.根据权利要求25或27的制造发光器件的方法，其中所述金属层是包括化合物材料的层的叠层，所述化合物材料的主要成分选自由Ti、Al、Ta、W、Mo、Cu、Cr、Nd、Fe、Ni、Co、Zr、Zn、Ru、Rh、Pd、Os、Ir和Pt组成的组。

33.根据权利要求25或27的制造发光器件的方法，其中所述基片是玻璃基片、石英基片、陶瓷基片、硅基片、金属基片或不锈钢基片。

34.根据权利要求25或27的制造发光器件的方法，其中所述发光器件被用于显示器件。

35.根据权利要求25或27的制造发光器件的方法，其中所述氧化层是通过溅射形成的。

36.根据权利要求27的制造发光器件的方法，其中所述第一传送体为膜基片或基底构件并且所述第二传送体为膜基片或基底构件。