JP2009252796A - 半導体装置及びその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】レーザ発振器と、前記レーザ発振器から発振したレーザビームを線状ビームに変える線状光学系と、前記線状ビームが照射される基板を設置するステージと、前記ステージは、ビームプロファイラで調べられた前記線状ビームの焦点位置に沿うように前記基板の表面形状を変形させ、かつ、支持手段を有することを特徴とするレーザ照射装置を用いたレーザ照射方法に関する。さらに、前記基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜を前記線状ビームにより結晶化あるいは活性化する半導体装置の作製方法に関する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態を、図1、図2(A)〜図2(B)、図3、図4、図5(A)〜図5(F)、図6(A)〜図6(C)、図12、図13、図14を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明を用いて作製された表示装置について、図7(A)〜図7(B)および図8(A)〜図8(B)を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明が適用される電子機器としてテレビを作製した例を、図9、図10、図11(A)〜図11(B)を用いて説明する。
102 線状光学系
103 線状ビーム
104 基板
105 焦点位置
107 ステージ
108 アクチュエータ
109 レーザビーム
111 ミラー
113 吸着穴
115 制御装置
116 支持手段
117 ミラー
118 ビームプロファイラ
119 制御装置
122 下地絶縁膜
123 半導体膜
124 結晶性半導体膜
125 島状半導体膜
126 ゲート絶縁膜
127 ゲート電極
128 チャネル形成領域
129a 高濃度不純物領域
129b 高濃度不純物領域
131 層間絶縁膜
132a 配線
132b 配線
134a サイドウォール
134b サイドウォール
135a 低濃度不純物領域
135b 低濃度不純物領域
141 オートフォーカス装置
142 CCDカメラ
143 制御装置
144 ステージ
151 制御装置
152 制御装置
221 基板
222 下地絶縁膜
231 基板
232 下地絶縁膜
234 ゲート電極
241 トランジスタ
242 チャネル形成領域
243 高濃度不純物領域
244 ゲート絶縁膜
245 走査線
246 層間絶縁膜
247 層間絶縁膜
248a 信号線
248b 電極
249 画素電極
251 柱状スペーサ
252 配向膜
253 液晶層
254 配向膜
255 対向電極
256 基板
259 島状半導体膜
261 表示制御用トランジスタ
262 チャネル形成領域
263a 高濃度不純物領域
263b 高濃度不純物領域
264 ゲート絶縁膜
265 ゲート電極
266 層間絶縁膜
267 層間絶縁膜
268a 電極
268b 電流供給線
269 画素電極
271 隔壁層
272 EL層
273 対向電極
274 樹脂層
275 基板
279 島状半導体膜
281 選択用トランジスタ
283a 高濃度不純物領域
283b 高濃度不純物領域
285 走査線
288a 信号線
288b 電極
289 島状半導体膜
301 液晶表示パネル
302 画素部
303 走査線駆動回路
304 信号線駆動回路
311 回路基板
312 コントロール回路
313 信号分割回路
314 接続配線
321 チューナ
322 映像信号増幅回路
323 映像信号処理回路
325 音声信号増幅回路
326 音声信号処理回路
327 スピーカ
328 制御回路
329 入力部
331 筐体
332 表示画面
333 スピーカ
334 操作スイッチ
340 充電器
342 筐体
343 表示部
346 操作キー
347 スピーカ部
Claims (18)
- レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振したレーザビームを線状ビームに変える線状光学系と、
前記線状ビームが照射される基板を設置するステージと、
前記ステージは、ビームプロファイラで調べられた前記線状ビームの焦点位置に沿うように前記基板の表面形状を変形させ、かつ、支持手段を有することを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1において、
前記支持手段は、ピエゾアクチュエータであることを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記レーザ発振器は、YAG、GdVO4、YVO4、YLF、YAlO3、または、サファイア結晶に、Yb、Cr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti、または、Tmをドープした結晶を使ったレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記レーザ発振器は、フォルステライト(Mg2SiO4)、Y2O3、ガラス、ルビー、あるいは、アレキサンドライトを用いたレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか1項において、
前記支持手段は、オートフォーカス装置に連動して制御されることを特徴とするレーザ照射装置。 - レーザ発振器からレーザビームを発振し、
線状光学系により、前記レーザビームを線状ビームに加工し、
基板をステージ上に設置し、
前記ステージに設けられた支持手段により、ビームプロファイラで調べられた前記線状ビームの焦点位置に沿うように前記基板の表面形状を変形し、
前記ステージ上の、前記表面形状を変形された基板を前記線状ビームで照射することを特徴とするレーザ照射方法。 - 請求項6において、
前記支持手段は、ピエゾアクチュエータであることを特徴とするレーザ照射方法。 - 請求項6または請求項7において、
前記レーザ発振器は、YAG、GdVO4、YVO4、YLF、YAlO3、または、サファイア結晶に、Yb、Cr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti、または、Tmをドープした結晶を使ったレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射方法。 - 請求項6または請求項7において、
前記レーザ発振器は、フォルステライト(Mg2SiO4)、Y2O3、ガラス、ルビー、あるいは、アレキサンドライトを用いたレーザ発振器であることを特徴とするレーザ照射方法。 - 請求項6乃至請求項9のいずれか1項において、
前記支持手段は、オートフォーカス装置に連動して制御されることを特徴とするレーザ照射方法。 - レーザ発振器からレーザビームを発振し、
線状光学系により、前記レーザビームを線状ビームに加工し、
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜が形成された基板をステージ上に設置し、
前記ステージに設けられた支持手段により、ビームプロファイラで調べられた前記線状ビームの焦点位置に沿うように前記基板の表面形状を変形し、
前記ステージ上の、前記表面形状が変形された基板に形成された半導体膜を、前記線状ビームで照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11において、
前記半導体膜は、前記線状ビームの照射により結晶化されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11において、
前記半導体膜に添加された一導電性を付与する不純物元素が、前記線状ビームの照射により活性化されることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11乃至請求項13のいずれか1項において、
前記半導体膜は、シリコンを含む半導体膜、または、ゲルマニウムを含む半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11乃至請求項14のいずれか1項において、
前記支持手段は、ピエゾアクチュエータであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11乃至請求項15のいずれか1項において、
前記レーザ発振器は、YAG、GdVO4、YVO4、YLF、YAlO3、または、サファイア結晶に、Yb、Cr、Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti、または、Tmをドープした結晶を使ったレーザ発振器であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11乃至請求項15のいずれか1項において、
前記レーザ発振器は、フォルステライト(Mg2SiO4)、Y2O3、ガラス、ルビー、あるいは、アレキサンドライトを用いたレーザ発振器であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項11乃至請求項18のいずれか1項において、
前記支持手段は、前記オートフォーカス装置に連動して制御されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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