TWI757904B - 電子裝置 - Google Patents

電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI757904B
TWI757904B TW109134558A TW109134558A TWI757904B TW I757904 B TWI757904 B TW I757904B TW 109134558 A TW109134558 A TW 109134558A TW 109134558 A TW109134558 A TW 109134558A TW I757904 B TWI757904 B TW I757904B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
electrode
piezoelectric
light
electronic device
Prior art date
Application number
TW109134558A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202215204A (zh
Inventor
郭家瑋
林敬桓
洪敬榔
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司 filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to TW109134558A priority Critical patent/TWI757904B/zh
Priority to CN202110390120.7A priority patent/CN113110740A/zh
Priority to US17/306,935 priority patent/US20220109084A1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI757904B publication Critical patent/TWI757904B/zh
Publication of TW202215204A publication Critical patent/TW202215204A/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/016—Input arrangements with force or tactile feedback as computer generated output to the user
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/165—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one thermoelectric or thermomagnetic element covered by groups H10N10/00 - H10N15/00
    • H10N19/101—Multiple thermocouples connected in a cascade arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

一種電子裝置包括第一基板、第二基板、發光元件與壓電元件。發光元件配置於第一基板與第二基板之間。壓電元件配置於第一基板與第二基板之間。壓電元件包括壓電層。壓電層具有開口且發光元件位於開口中。

Description

電子裝置
本發明是有關於一種裝置，且特別是有關於一種電子裝置。
隨著科技技術不斷改良，各類電子裝置除了在顯示效果與音效上不斷突破以提供更豐富的聲光刺激外，對於其他感官的刺激也不停的在開發中。對於AI相關產品，這樣的開發趨勢更是需要。
本發明提供一種電子裝置，可提供多重功能。
本發明的電子裝置包括第一基板、第二基板、發光元件與壓電元件。發光元件配置於第一基板與第二基板之間。壓電元件配置於第一基板與第二基板之間。壓電元件包括壓電層。壓電層具有開口且發光元件位於開口中。
本發明的電子裝置包括第一基板、第二基板、發光元件與溫控元件。發光元件配置於第一基板與第二基板之間。溫控元件配置於第一基板的遠離第二基板的表面上。溫控元件為各自可獨立控制的。
基於上述，本揭露實施例將壓電元件與溫控元件至少一者結合發光元件以構成電子裝置。如此一來，電子裝置可以顯示畫面而提供視覺的刺激外，還可提供使用者觸覺與溫度的刺激，從而增益電子裝置的功能。
圖1為本揭露一實施例的電子裝置的俯視示意圖。圖1的電子裝置10包括多個發光元件12與多個壓電元件14，且發光元件12與壓電元件14都呈現陣列排列。發光元件12可以是微發光二極體、次毫米發光二極體或是類似的發光二極體元件。發光元件12可以彼此獨立控制且可包括多種色彩的可見光發光二極體元件，從而實現多彩化的顯示效果。不過，在一些實施例中，發光元件12可以都是同一種顏色的發光二極體元件，且發光元件12可搭配波長轉換層、彩色濾光層等具有光色調整作用的膜層或材料而實現不同的光色，其中具有光色調整作用的膜層或材料可設置於發光元件12的出光路徑上。壓電元件14是可產生壓電效應的元件。具體而言，壓電元件14可以在受到電力控制之後震動而對觸碰電子裝置10的使用者提供觸覺的刺激，或是在使用者觸摸電子裝置之後產生電訊號以感測使用者的觸摸。因此，電子裝置10除了可以提供使用者視覺上的刺激(例如顯示影像)還可以提供使用者觸覺上的刺激(例如震動、摩擦力、觸覺感測等)。在本實施例中，多個壓電元件14可以獨立控制，因此可提供區域化的觸覺刺激以使電子裝置10的功能更為多樣化。舉例而言，不同壓電元件14可以不同時產生壓電效應，或是可以產生不同頻率的震動以提供多重觸覺刺激。
發光元件12與壓電元件14的設置密度可以依據電子裝置10所需要的顯示效果及要提供的觸覺刺激效果來決定。一般來說，觸覺刺激功能所需要的解析度相較於顯示功能所需要的解析度較低，但不以此為限。在本實施例中，發光元件12的設置密度可以大於壓電元件14的設置密度，且每個壓電元件14可以對應於多數個發光元件12來設計。舉例而言，圖1中呈現了4×6個壓電元件14而每個壓電元件14的面積中設置有6×2個發光元件12。不過，上述數字僅是舉例說明各種元件的設置密度之用，並非用以限定發光元件12與壓電元件14的數量。
圖2為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。在圖2中，電子裝置100A可以做為圖1的電子裝置10的一種剖面結構的實施方式，但電子裝置10的剖面結構不以此為限。電子裝置100A可包括第一基板110、第二基板120、發光元件130以及壓電元件140，其中發光元件130可以視為圖1的發光元件12的實施方式而壓電元件140可以視為圖1的壓電元件14的實施方式。
第一基板110與第二基板120以面對面的方式設置而將發光元件130與壓電元件140夾持其間。換言之，發光元件130與壓電元件140都設置在第一基板110與第二基板120之間，而第一基板110與第二基板120可對發光元件130與壓電元件140提供保護、支撐以及承載的作用。如圖2所示，發光元件130與壓電元件140可以並列的方式設置於第一基板110與第二基板120之間。如此一來，電子裝置100A可利用發光元件130來實現畫面顯示的功能，並利用壓電元件140來實現觸覺刺激，例如震動、摩擦力等的功能。具體而言，壓電元件140例如是包括壓電層142的元件，且壓電層142具有開口OP1。發光元件130則位於壓電層142的開口OP1中。
第一基板110與第二基板120可以是具有足夠承載性質，以保護發光元件130與壓電元件140不被損傷的板狀物。在一些實施例中，第一基板110與第二基板120的材質包括玻璃、石英、藍寶石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚醯亞胺(polyimide, PI)、、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、玻璃纖維、陶瓷、其它合適的基板材料、或前述之組合。另外，第一基板110上可設置有驅動電路層112，且驅動電路層112可包括電路結構(未示出)、接墊PD1、PD2、PD3以及用於電絕緣不同電路結構的介電層(未示出)。驅動電路層112中的電路結構可包括電晶體、電容、傳輸線、電源線等電路元件，而接墊PD1、PD2、PD3則用於將其他元件，例如發光元件130及/或壓電元件140電連接至驅動電路層112中的電路結構。
發光元件130可以是預先製作好的發光二極體，且發光元件130可以接合至第一基板110上的接墊PD1與接墊PD2，以電性連接至驅動電路層112的電路結構。發光元件130接合至接墊PD1與接墊PD2的方式可包括覆晶接合、打線接合或是其他可替代的接合方式。圖2中以覆晶接合為例，但不以此為限。發光元件130在一些實施例中可以為發光二極體、次毫米發光二極體等。發光元件130可以是向上發光式(top emission)發光二極體、向下發光式(bottom emission)發光二極體或是雙面發光式(double side emission)發光二極體。位於發光元件130的發光側的第一基板110、第二基板120或兩者可以允許發光元件130發出的光線通過而為可透光的基板。另外，電子裝置100A實際上可包括多個發光元件130，且多個發光元件130可用於發出不同色彩的光線，以達到多採化的顯示效果。在一些實施例中，多個發光元件130可包括不同色彩的可見光發光元件，例如紅色發光元件、綠色發光元件、藍色發光元件、青色發光元件、黃色發光元件的任意組合。在另外一些實施例中，多個發光元件130中的至少一部分可搭配不同的光色調整層或是光色調整材料以實現需要的發光色彩。
壓電元件140包括壓電層142。在一些實施例中，壓電層142的材質包括壓電單晶體、壓電多晶體(壓電陶瓷)、壓電聚合物(例如聚偏氟乙烯活環氧樹脂、聚偏二氟乙烯(PVDF))、壓電陶瓷與壓電聚合物複合的壓電複合材料等。為了控制壓電層142的壓電性能，壓電元件140還包括第一電極144與第二電極146。在圖2中，第一電極144與第二電極146位於壓電層142的相對兩側，其中第一電極144配置於第一基板110與壓電層142之間，而第二電極146配置於第二基板120與壓電層142之間。不過，第一電極144與第二電極146在其他實施例中也可以位於壓電層142的同一側。
第一電極144與第二電極146可電連接至第一基板110上的驅動電路層112，以接收對應的電訊號。舉例而言，第一電極144可以連接至驅動電路層112上的接墊PD3，而由驅動電路層112中的電路結構提供控制訊號給第一電極144。另外，圖中雖未示出，但第二電極146也可電連接至驅動電路層112中的電路結構以接收對應的控制訊號。
當第一電極144與第二電極146被施加電訊號，壓電層142可因應電訊號而發生震動，從而提供使用者觸覺上的刺激。另外，壓電層142也可能在震動之後產生電訊號，因此壓電元件140可以為電容式機械超音波傳感元件(Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer, CMUT)或是壓電式機械超音波傳感元件(Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer, PMUT)，從而可感測使用者的觸摸動作。在一些實施例中，第一電極144被輸入的電訊號例如具有第一波形，第二電極146被輸入的電訊號例如具有第二波形，且第一波形與第二波形是不同的波形。舉例而言，第一波形與第二波形可具有不同頻率、不同相位、不同震幅或上述條件的任意組合。在另一實施例中，第一波形與第二波形的其中一者可以是直流電式的直線波形，而另一者是複合波形。
電子裝置100A利用發光元件130實現顯示功能，且利用壓電元件140來提供觸覺刺激給使用者。因此電子裝置100A可以廣泛應用在各種需要提供使用者多重感官刺激的領域當中。發光元件130與壓電元件140的配置方式及設計可依據不同的需求而有所調整。舉例而言，壓電元件140可更包括染料、帶色粒子、吸光粒子等，且染料、帶色粒子、吸光粒子等可摻雜於壓電層142中，而使壓電元件140在提供壓電性質之外進一步提供吸光特性。如此一來，壓電元件140可以吸收及/或遮擋不必要的雜散光線以提升電子裝置100A的顯示對比。因此，電子裝置100A可兼具良好的顯示與觸覺刺激功能。
圖3至圖6為本揭露多個實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖3的電子裝置100B，大致相似於圖2的電子裝置100A，因此兩實施例中相同的構件將採用相同的元件符號表示。電子裝置100B包括具有驅動電路層112的第一基板110、第二基板120、發光元件130、壓電元件140以及吸光層150，其中第一基板110、第二基板120、發光元件130與壓電元件140的結構、配置關係與材質可參照前述實施例而不另重述。電子裝置100B相較於電子裝置100A更包括吸光層150。在本實施例中，吸光層150可配置於壓電元件140與第二基板120之間，且吸光層150可具有吸光層開口150A。吸光層開口150A的設置位置允許發光元件130不被吸光層150遮蔽，因此發光元件130發出的光線可通過吸光層開口150A並穿過第二基板120。吸光層150的設置可以吸收發光元件130周邊可能存在的反射光、散射光等雜散光線，從而有助於在電子裝置100B顯示畫面時提高顯示對比度。
圖4的電子裝置100C，大致相似於圖2的電子裝置100A，因此兩實施例中相同的構件將採用相同的元件符號表示。電子裝置100C包括具有驅動電路層112的第一基板110、第二基板120、發光元件130、壓電元件140與填充層160，其中第一基板110、第二基板120、發光元件130與壓電元件140的結構、配置關係與材質可參照前述實施例而不另重述。填充層160例如可包覆發光元件130並且填充發光元件130、第一基板110、第二基板120與壓電元件140之間的空間。
在一些實施例中，填充層160內可摻雜有螢光粉或是類似材料，且發光元件130發出的光線例如可具有較短波長而可以激發添加於填充層160中的螢光粉或類似材料。螢光粉或類似材料可具備波長轉換的作用，以將發光元件130發出的光線的波長轉換成另一波長，從而實現需要的發光色彩。在一些實施例中，發光元件130可以為藍色發光元件，而填充層160中的螢光粉可以為紅色螢光粉、綠色螢光粉、黃色螢光粉、青色螢光粉或是多種顏色的螢光粉的組合。換言之，在摻雜有螢光粉時，配置於發光元件130的出光路徑上的填充層160可以提供光色調整的作用而做為光色調整層，但不以此為限。在一些實施例中，填充層160內可摻雜有散射粒子，以將發光元件130發出的光線散射至不同角度。另外，在一些實施例中，電子裝置100C也可進一步包括圖3中的吸光層150，而有助於提升電子裝置的顯示對比。
圖5的電子裝置100D，大致相似於圖4的電子裝置100C，因此兩實施例中相同的構件將採用相同的元件符號表示。電子裝置100D包括具有驅動電路層112的第一基板110、第二基板120、發光元件130、由壓電層142、第一電極144與第二電極146構成的壓電元件140、填充層160與彩色濾光層170，其中第一基板110、第二基板120、發光元件130、壓電元件140與填充層160的結構、配置關係與材質可參照前述實施例而不另重述。彩色濾光層170配置於填充層160與第二基板120之間且位於發光元件130上方。彩色濾光層170可以過濾發光元件130發出的光線而允許特定波長的光線穿過，從而實現需要的發光色彩。彩色濾光層170可包括紅色濾光層、綠色濾光層或其他可見光色彩的濾光層。換言之，填充層160添加有螢光粉或類似材料時可以提供光色調整的作用外，彩色濾光層170也可以提供光色調整的作用而做為光色調整層，但不以此為限。另外，在一些實施例中，電子裝置100D也可進一步包括圖3中的吸光層150，而有助於提升電子裝置的顯示對比。
圖6的電子裝置100E，大致相似於圖5的電子裝置100D，因此兩實施例中相同的構件將採用相同的元件符號表示。電子裝置100E包括具有驅動電路層112的第一基板110、第二基板120、發光元件130、由壓電層142、第一電極144與第二電極146構成的壓電元件140、填充層160、彩色濾光層170與阻隔擋牆180，其中第一基板110、第二基板120、發光元件130、壓電元件140、填充層160與彩色濾光層170的結構、配置關係與材質可參照前述實施例而不另重述。阻隔擋牆180圍繞發光元件130且位於發光元件130與壓電元件140之間。另外，填充層160可以填充於阻隔擋牆180與發光元件130之間。在一些實施例中，電子裝置100E的製作方法可以是將阻隔擋牆180與發光元件130都先形成於第一基板110上，再將第一基板110與已設置有壓電元件140的第二基板120組合起來以完成電子裝置100E。
圖7至圖10為本揭露一實施例的電子裝置的製造流程，其中圖7至圖10用以舉例說明電子裝置100A的製造流程，但也可以應用於電子裝置100B~100E的製造流程。在圖7中，將第二電極146製作於第二基板120上，其中第二電極146可經圖案化而設置於預定區域。以圖7而言，第二電極146可具有電極開口146A。在一些實施例中，第二電極146可採用沉積搭配微影蝕刻的方式製作，而在另一些實施例中，第二電極146也可採用印刷的方式製作。第二電極146的材質可包括透明導電材料、金屬導電材料、有機導電材料或是其他可以導電且可以圖案化而設置於預定區域中的材料。
接著，請參照圖8，將壓電材料層142’形成於第二基板120上，且壓電材料層142’可直接接觸第二電極146，但不以此為限。壓電材料層142’例如是壓電聚合物。在一些實施例中，壓電材料層142’可採用旋轉塗佈或是貼膜的方式形成於第二基板120上。此外，在壓電材料層142’形成於第二基板120之後，可進行極化步驟使壓電材料層142’受到極化。舉例而言，將壓電材料層142’極化的步驟可例如是將第二電極146連接至接地電位，並且提供外加電場VH對壓電材料層142’施加高電壓，使壓電材料層142’的電偶極矩重新排列從而具有需要的壓電性質。
之後，如圖9所示，將第一電極144形成於壓電材料層142’上，其中第一電極144經圖案化而具有電極開口144A，且電極開口144A可露出部分的壓電材料層142’。第一電極144的電極開口144A可對應於第二電極146的電極開口146A，且具體而言，第一電極144的電極開口144A正投影至第二基板120上的面積可以重疊於第二電極146的電極開口146A正投影至第二基板120上的面積。接著，可使用第一電極144為罩幕進行蝕刻步驟ET，以移除電極開口144A所露出的壓電材料層142’。
壓電材料層142’經圖9的步驟圖案化之後，可形成圖10所示的壓電層142，其中圖10呈現出圖9所示的第二基板120上下翻轉後的態樣。壓電層142具有開口OP1，且位於第一電極144與第二電極146之間，且壓電層142、第一電極144與第二電極146共同構成壓電元件140。壓電層142的開口OP1、第一電極144的電極開口144A與第二電極146的電極開口146A可彼此對應，而露出第二基板120的一部分。如此一來，壓電元件140與第二基板120可定義出容置空間AS。
之後，如圖10所示，進行組合步驟SB，將第二基板120與第一基板110組合在一起。在組合步驟SB之前，可在第一基板110上預先製作具有接墊PD1、接墊PD2以及接墊PD3的驅動電路層112，且將發光元件130預先接合在驅動電路層112的接墊PD1與接墊PD2上。組合步驟SB例如是將第一基板110與第二基板120彼此貼附，使發光元件130位於第二基板120與壓電元件140構成的容置空間AS中，且讓壓電元件140的第一電極144連接驅動電路層112中的接墊PD3。組合步驟SB之後即完成圖2所示的電子裝置100A。
上述電子裝置100A的製作流程僅為舉例說明之用，不以此為限。在一些實施例中，將圖7至圖10的製作流程用於製作電子裝置100B時，製作方法更包括在製作壓電元件140之前，先在第二基板120上製作吸光層150。在一些實施例中，將圖7至圖10的製作流程用於製作電子裝置100C~100E時，製作方法更包括在將第一基板110與第二基板120組合之前，先形成包覆發光元件130的填充層160。在一些實施例中，將圖7至圖10的製作流程用於製作電子裝置100D或電子裝置100E時，製作方法更包括在第二基板120上形成壓電元件140的第二電極146之後，先將彩色濾光層170製作於第二基板120上，再將壓電元件140的壓電層142與第一電極144製作於第二基板120上。在一些實施例中，將圖7至圖10的製作流程用於製作電子裝置100E時，製作方法更包括在將第一基板110與第二基板120組合之前，將阻隔擋牆180製作於第一基板110上以及將填充層160形成於阻隔擋牆180與發光元件130之間。另外，上述壓電材料層142’的圖案化步驟可採用額外設置的光阻材料作為罩幕而不限於以第一電極144作為罩幕。另外，在一些實施例中，壓電層142可以為壓電陶瓷，且壓電層142、第一電極144與第二電極146可以事先製作成獨立的壓電元件140後再以轉移貼附的方式設置於第二基板120上。
圖11為本揭露一實施例的壓電元件的分解示意圖。圖11中以四個壓電元件140的設計來說明。圖11的壓電元件140設計可以應用於前述實施例的壓電元件14與壓電元件140，其中各個壓電元件140的界線以虛線表示。這四個壓電元件140可以分別由壓電層142、第一電極144與第二電極146構成，且圖11呈現了壓電層142、第一電極144與第二電極146各層的俯視示意圖。
圖11中的壓電層142可以連續延伸於四個壓電元件140之間。換言之，壓電層142在不同壓電元件140之間可不被斷開，但不以此為限。另外，壓電層142可具有多個開口OP1。如前述實施例所述，壓電層142的多個開口OP1對應於電子裝置中的發光元件而可以視為發光元件的設置區域。
第一電極144例如包括多個第一帶狀電極144B，且各第一帶狀電極144B例如沿著第一方向D1連續延伸而橫跨多個壓電元件140。各第一帶狀電極144B可以具有多個電極開口144A，且電極開口144A的設置可參照圖7至圖10的相關說明。具體來說，第一帶狀電極144B上所設置的電極開口144A可以對應於壓電層142中的開口OP1，並且對應於電子裝置的發光元件的設置位置。
相鄰第一帶狀電極144B之間隔有電極間隔G1以使相鄰第一帶狀電極144B在第二方向D2(例如可相交或甚至垂直第一方向D1)上彼此隔開，因此第一帶狀電極144B彼此電性獨立。電極間隔G1用以讓相鄰的第一帶狀電極144B彼此電性獨立，其大小可以視製程能力而定。另外，第一帶狀電極144B在第二方向D2上的間距P1可決定壓電元件140在第二方向D2的間距，其中間距P1例如大於0.5mm(毫米)，但不以此為限。在其他的實施例中，間距P1的大小可以依據壓電元件140需要的設置密度來決定。
第二電極146例如包括多個第二帶狀電極146B，且各第二帶狀電極146B例如沿著第二方向D2連續延伸而橫跨多個壓電元件140，其中第一方向D1與第二方向D2彼此相交。各第二帶狀電極146B可以具有多個電極開口146A，且電極開口146A的設置可參照圖7至圖10的相關說明。具體來說，第二帶狀電極146B上所設置的電極開口146A可以對應於壓電層142中的開口OP1，而允許發光元件設置於電極開口146A的面積內。
相鄰第二帶狀電極146B之間隔有電極間隔G2以使相鄰第二帶狀電極146B在第一方向D1彼此隔開，因此第二帶狀電極146B彼此電性獨立。電極間隔G2用以讓相鄰的第二帶狀電極146B彼此電性獨立，其大小可以視製程能力而定。另外，第二帶狀電極146B在第一方向D1上的間距P2可決定壓電元件140在第一方向D1的間距，其中間距P2例如大於0.5mm(毫米)，但不以此為限。在其他的實施例中，間距P2的大小可以依據壓電元件140需要的設置密度來決定。
圖12為本揭露再一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖12的電子裝置200A包括第一基板110、第二基板120、發光元件130以及壓電元件240。電子裝置200A的設計可以做為圖1的電子裝置10的一種剖面結構的實施方式，因此發光元件130以及壓電元件240在上視圖中的布局方式可以如圖1所示。另外，電子裝置200A大致類似於電子裝置100A，且第一基板110、第二基板120與發光元件130的配置關係、材料、結構等可參照前述圖2至圖10的說明。舉例而言，第一基板110上可設置有驅動電路層112，而發光元件130可配置於第一基板110上且電連接驅動電路層112。
電子裝置200A不同於電子裝置100A之處主要在於壓電元件240的設計。具體而言，電子裝置200A的壓電元件240包括壓電層242、第一電極244、第二電極246與阻擋層248。壓電層242的材質可與前述壓電層142的材質相同。不過，在本實施例中，第一電極244與第二電極246都位於壓電層242的同一側，且阻擋層248位於壓電層242的另一側。舉例而言，第一電極244與第二電極246都位於壓電層242與第二基板120之間，而阻擋層248位於壓電層242與第一基板110之間。在本實施例中，第一基板110上的驅動電路層112可不電連接至阻擋層248，因此阻擋層248可由導電材料製作也可由絕緣材料製作，且前述實施例中的接墊PD3在本實施例中可被省略。如此一來，電子裝置200A中，壓電元件240的壓電層242可受到位於同一側的第一電極244與第二電極246上的電訊號而產生壓電效應。
圖13為本揭露又一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。圖13的電子裝置200B包括第一基板110、第二基板120、發光元件130以及壓電元件240’。具體而言，電子裝置200B大致相似於電子裝置200A，但電子裝置200B中壓電元件240’的阻擋層248’ 是以導電材質製作的，且可以電連接至第一基板110上的驅動電路層112。因此，第一基板110上的驅動電路層112具有連接至阻擋層248’的接墊PD3。另外，電子裝置200B中，壓電元件240’的壓電層242可受第一電極244、第二電極246與阻擋層248’上的電訊號控制而產生壓電效應。
圖14至圖17示意性的說明電子裝置的製作方式本揭露一實施例的電子裝置的製造流程，其中圖14至圖17用以舉例說明電子裝置200A的製造流程，但也可以應用於電子裝置200B的製造流程。圖14示出了將第一電極244與第二電極246形成於第二基板120上的步驟。在一些實施例中，第一電極244與第二電極246可以由同一層導電層圖案化而構成，而設置於同平面上，但不以此為限。另外，第一電極244與第二電極246可以交替設置於第二基板120上。第一電極244與第二電極246的材質可包括金屬、透明導電材料或是多種導電材料的組合，例如多層導電材料堆疊而成。
在圖15中，將壓電材料層242'形成於第二基板120上，其中形成壓電材料層242’的方法可以參照前述實施例中形成壓電材料層142’的方法。壓電材料層242’可以整面的以塗佈的方式形成於第二基板120上以接觸第一電極244與第二電極246，但不以此為限。另外，在將壓電材料層242'形成於第二基板120之後，可進行極化步驟以將壓電材料層242’極化。舉例而言，可以對第一電極244與第二電極246施加電壓，而通過第一電極244與第二電極246所產生的電場EF來將壓電材料層242’極化。由於第一電極244與第二電極246處於同平面，壓電材料層242'的極化方向可不同於前述實施例中壓電材料層142’的極化方向。不過，相同於前述實施例的壓電材料層142’，壓電材料層242'經極化後可以在第一電極244與第二電極246的控制之下產生需要的壓電效應。
在圖16中，將阻擋層248形成於第二基板120上。隨後，可利用阻擋層248作為罩幕，進行蝕刻步驟ET以移除未被阻擋層248遮蓋的部分壓電材料層242’。在一些實施例中，阻擋層248的材質可包括介電材料、導電材料等不容易在蝕刻壓電材料層242’的過程中被移除的材料。阻擋層248例如具有預定的圖案以暴露出局部的壓電材料層242’。換言之，壓電材料層242’被阻擋層248遮蔽的部分會被保留在第二基板120上以形成圖17所示的壓電層242，而壓電材料層242’被移除的部分則形成開口OP1。如此一來，由壓電層242、第一電極244、第二電極246與阻擋層248的壓電元件240即形成於第二基板120上，且壓電層242的開口OP1與第二基板120可定義出容置空間AS。
在圖17中，進行組合步驟SB，將已經形成有壓電元件240的第二基板120與已經形成有驅動電路層112且已經設置有發光元件130的第一基板110組合。在本實施例中，第一基板110與第二基板120的組合方式例如是讓發光元件130設置於第二基板120上的容置空間AS中，且讓阻擋層248貼附於驅動電路層112上。採用圖14至圖17的製作流程製作圖12的電子裝置200A時，阻擋層248不會電連接驅動電路層112，而可採用絕緣材料或導電材料製作，且驅動電路層112中的接墊PD3可省略。採用圖14至圖17的製作流程製作圖13的電子裝置200B時，第一基板110上的驅動電路層112可預先形成有接墊PD3，且可選用導電材料製作阻擋層248’，從而允許阻擋層248’與驅動電路層112的電連接。在另一些實施例中，阻擋層248可在組合步驟SB之前被移除，因此壓電層242可以直接貼附於驅動電路層112上而無阻擋層248設置於壓電層242與驅動電路層112之間。換言之，壓電元件240可主要由壓電層242、第一電極244與第二電極246構成。
圖18為本揭露一實施例的壓電元件240的壓電層、第一電極與第二電極的分解示意圖且圖18也呈現了發光元件130、第一電極244與第二電極246的布局關係。圖18主要示出壓電元件240中壓電層、第一電極與第二電極在俯視視角下的布局設計且圖18呈現了四個壓電元件240的布局，但並非用以限定本揭露。圖18的壓電元件240設計可以應用於前述實施例的壓電元件14與壓電元件240、240’。
圖18中以虛線表示壓電元件240的交界，且每個壓電元件240的面積中可設置有多個發光元件130。在圖18中，壓電層242可以連續分布於四個壓電元件240中，也就是說壓電層242在不同壓電元件240之間不會斷開或分離。壓電層242具有多個開口OP1，且每個開口OP1例如對應於一個發光元件130。圖18中每個壓電元件240的面積中可設置有2×6個發光元件130，但不以此為限。
第一電極244與第二電極246為同平面設置。第一電極244具有第一梳狀圖案244A，且第二電極246具有第二梳狀圖案246A。第一梳狀圖案244A與第二梳狀圖案246A沿著第一方向D1交替排列，且圖18中呈現兩列梳狀圖案的態樣。第一梳狀圖案244A與第二梳狀圖案246A的每一者例如是沿著第二方向D2延伸的條狀電極圖案且第一梳狀圖案244A與第二梳狀圖案246A的每一者的延伸長度例如不超出單一一個壓電元件240而不跨越到其他的壓電元件240。在發光元件130的設置區域，第一梳狀電極244A與第二梳狀電極246A的設置密度可以減小，以降低第一電極244與第二電極246的電訊號對發光元件130的干擾，但不以此為限。
第一電極244還具有第一連接圖案244B，其將多個第一梳狀圖案244A連接在一起。第一連接圖案244B可以朝相鄰的壓電元件240的第一電極244延伸而連接至相鄰的壓電元件240的第一電極244，使得在第一方向D1上排列的多個第一電極244連接在一起。換言之，沿第一方向D1排列的多個第一電極244可以彼此電連接，但不以此為限。
第二電極246還具有第二連接電極246B，其將同一個壓電元件240中的多個第二梳狀圖案246A連接在一起。另外，第二電極246還可包括跨接圖案246C，且跨接圖案246C將第二方向D2上相鄰的壓電元件240的第二電極246連接在一起。跨接圖案246C可以橫跨第一電極244的第一連接圖案244B。在一些實施例中，跨接圖案246C的膜層可不同於第一連接圖案244B的膜層，且跨接圖案246C與所橫跨的第一連接圖案244B之間可藉由絕緣層(未示出)分隔開來。另外，在一些實施例中，同一個壓電元件240的第一梳狀圖案244A、第一連接圖案244B、第二梳狀圖案246A與第二連接圖案246B可為相同膜層，但不以此為限。
在圖18中，第一電極244與第二電極246成對設置而可用於控制對應的壓電元件240。每個壓電元件240可以獨立控制而提供區域化的觸覺刺激。第一電極244與第二電極246的尺寸及第一梳狀圖案244A與第二梳狀圖案246A的分布密度設計可以依據需要的解析度來決定。在一些實施例中，為了讓使用者以手觸摸時感受到壓電元件240提供的觸覺刺激，第一電極244與第二電極246在第一方向D1上的間距P3以及在第二方向D2上的間距P4可以大於0.5mm，但不以此為限。
圖19為本揭露又一實施例的電子裝置的俯視示意圖。圖19的電子裝置20包括多個發光元件12、多個壓電元件14以及多個溫控元件16，其中發光元件12與壓電元件14的配置、布局、結構、材料與剖面結構等可以應用前述實施例中任一者的發光元件與壓電元件的設計來實現。舉例而言，發光元件12與壓電元件的布局關係可以如圖1的實施例所述，發光元件12與壓電元件14的剖面結構可以如圖2至圖6與圖12至圖13中任一實施例所述，發光元件12與壓電元件14的製作方法可以如圖7-10或是圖14-17的實施例所述，而壓電元件14的電極設計可以如圖11或圖18所述。
具體而言，電子裝置20不同於前述實施例之處主要在於，電子裝置20更包括溫控元件16。圖19中示意性的以粗線表示溫控元件16的邊界，以清楚呈現溫控元件16、發光元件12與壓電元件14的配置關係，但圖19的粗線並非用以限定溫控元件16實際邊界的輪廓與位置。在本實施例中，發光元件12用於發出光線以顯示畫面而可提供使用者視覺刺激。壓電元件14用於受電場控制而發出震動以提供使用者觸覺上的機械刺激(例如震動、摩擦力等)或是基於外界的震動產生對應的訊號以感受使用者的觸碰。另外，溫控元件16可以具有吸熱或是放熱的性質，以提供使用者觸覺上的溫度刺激(例如冷熱感受)。因此，電子裝置20可具有顯示畫面、機械震動、溫度改變等多重功能。
多個溫控元件16可以獨立控制，而提供區域化的溫度刺激，使電子裝置20的應用更為多樣化。舉例而言，電子裝置20利用發光元件12同時顯示出一杯熱咖啡與一杯冰果汁時，溫控元件16可在顯示熱咖啡的區域提供放熱作用而在顯示冰果汁的區域提供吸熱作用，讓使用者觸碰熱咖啡的畫面與觸碰冰果汁的畫面時可感到不同溫度，而提供多元化的功能。
發光元件12、壓電元件14與溫控元件16所需要的設置密度可因應於個別功能的差異而有所不同。舉例而言，發光元件12用於顯示畫面，其設置密度需要足夠讓人眼感受畫面的連續；壓電元件14用於提供觸覺的震動刺激，其設置密度可對應於使用者的手指按壓面積；而溫控元件16用於產生不同溫度，其設置密度可大於手指按壓面積。因此，發光元件12的設置密度可以大於壓電元件14的設置密度，且壓電元件14的設置密度可以大於溫控元件16的設置密度。舉例而言，圖19呈現出2×2個溫控元件16，其中，一個溫控元件16對應於2×3個壓電元件14，而一個壓電元件14對應於6×2個發光元件12。不過，上述數字僅是舉例說明各種元件的設置密度之用，並非用以限定發光元件12與壓電元件14的數量。另外，在一些實施例中，電子裝置20可視設計需求而省略壓電元件14或是新增其他功能的元件。
圖20為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖，其中圖20可作為圖19中電子裝置20的剖面結構的一種實施方式。在圖20中，電子裝置300可包括第一基板310、第二基板320、發光元件330、壓電元件340以及溫控元件350。發光元件330與壓電元件340都配置於第一基板310與第二基板320之間，且具體而言，第一基板310、第二基板320、發光元件330與壓電元件340可採用圖2至圖6與圖12至圖13中任一實施例所述的結構來實現。另外，溫控元件350配置於第一基板310的遠離第二基板320的表面312上。也就是說，溫控元件350可以設置於第一基板310的外表面。電子裝置300在俯視圖中的布局可以如圖19的電子裝置20，因此發光元件330、壓電元件340以及溫控元件350的數量可以都是多個。
圖21為本揭露一實施例的陣列排列的多個溫控元件的示意圖。圖21的溫控元件例如可應用於圖19的電子裝置中且可以做為圖20的溫控元件350的實施方式。圖21的溫控元件350A包括電熱偶352、第一電極354與第二電極356，其中電熱偶352包括n半導體352A與p半導體352B。n半導體352A與p半導體352B電性串聯且連接於第一電極354與第二電極356之間。具體而言，溫控元件350A可包括多組電熱偶352，這些電熱偶352排列成多個電熱偶列S352，且多個電熱偶列S352並聯連接於第一電極354與第二電極356之間。n半導體352A與p半導體352B的材質包括碲化鉍(Bismuth telluride)及其合金，碲化鉛(Lead telluride)及其合金與矽鍺合金(Silicon germanium)。
另外，圖21中僅示意性的以粗黑線框表示溫控元件350A，但並非用來限定溫控元件350A的實際輪廓。
溫控元件350A的第一電極354與第二電極356可被施加不同的電壓，以產生流經這些電熱偶列S352的電流，且這些電熱偶列S352中的電熱偶352可基於電流的流動方向而產生吸熱或是放熱的效應而實現溫度調變功能。圖21中呈現了3×3個溫控元件350A的陣列，這些溫控元件350A的第一電極354可連接置同一個訊號源SG1，而這些溫控元件350A的第二電極356可彼此獨立的連接至不同的控制源。如此，不同溫控元件350A可獨立操作而提供不同的溫度調整作用，以在不同區域產生不同溫度，實現溫度刺激的區域化設計。
圖22為圖21的溫控元件沿剖線A-A'的剖面示意圖。由圖21與圖22可知，溫控元件350A可由第三基板358A與第四基板358B支撐及承載，且電熱偶352、第一電極354與第二電極356配置於第三基板358A與第四基板358B之間。第三基板358A與第四基板358B的材質包括絕緣陶瓷材料、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)或其組合。當圖22的溫控元件配置於圖20的電子裝置300時，第三基板358A可貼附於第一基板310的表面312上。換言之，電子裝置300可包括夾住發光元件330與壓電元件340的第一基板310與第二基板320外，還包括夾住溫控元件350的第三基板358A與第四基板358B。
另外，由圖22可知，n半導體352A與p半導體352B可以交替排列，且n半導體352A與p半導體352B之間隔有空氣間隔，但不以此為限。n半導體352A與p半導體352B可透過設置於第三基板358A上的連接導體CS1以及設置於第四基板358B上的連接導體CS2串聯連接。在本實施例中，連接導體CS1、連接導體CS2、第一電極354與第二電極356例如可以由銅製作而成，但不以此為限。
圖23為本揭露另一實施例的陣列排列的多個溫控元件的示意圖。圖23的溫控元件例如可應用於圖19的電子裝置中且可以做為圖20的溫控元件350的實施方式。圖23的溫控元件350B包括電熱偶352、第一電極354與第二電極356，其中電熱偶352包括n半導體352A與p半導體352B。n半導體352A與p半導體352B電性串聯且連接於第一電極354與第二電極356之間。具體而言，溫控元件350B可包括多個電熱偶352，這些電熱偶352排列成多個電熱偶列S352，且多個電熱偶列S352串聯連接於第一電極354與第二電極356之間。換言之，溫控元件350B不同於溫控元件350A之處在於，電熱偶列S352的連接方式。舉例而言，圖23的每個溫控元件350B中多個電熱偶列S352連接成一串，而圖22的每個溫控元件350A中多個電熱偶列S352各自成串。
溫控元件350B的第一電極354與第二電極356可被施加不同的電壓，以產生流經這些電熱偶列S352的電流，且這些電熱偶列S352可基於電流的流動方向而產生吸熱或是放熱的效應而實現溫度調變功能。圖23中呈現了3×3個溫控元件350B的陣列，這些溫控元件350B的第一電極354可連接置相同的訊號源，而這些溫控元件350B的第二電極356可彼此獨立的連接至不同的訊號源。如此，不同溫控元件350B可獨立操作以在不同區域產生不同溫度，實現溫度刺激的區域化設計。
圖24與圖25為圖23的溫控元件沿剖線B-B'與線C-C’的剖面示意圖。由圖23至圖25可知，溫控元件350B設置在第三基板358A與第四基板358B之間，且電熱偶352、第一電極354與第二電極356配置於第三基板358A與第四基板358B之間。當圖23與圖24的溫控元件350B配置於圖20的電子裝置300時，第三基板358A可貼附於第一基板310的表面312上，但不以此為限。另外，由圖24與圖25可知，n半導體352A與p半導體352B可以交替排列，且n半導體352A與p半導體352B可透過設置於第三基板358A上的連接導體CS1以及設置於第四基板358B上的連接導體CS2串聯連接。在本實施例中，連接導體CS1、連接導體CS2、第一電極354與第二電極356例如可以由銅製作而成，但不以此為限。
圖26為本揭露再一實施例的電子裝置的示意圖。圖26的電子裝置30包括多個發光元件12、多個壓電元件14以及多個溫控元件16，其中發光元件12與壓電元件14的配置、布局、結構、材料與剖面結構等可以應用前述實施例中任一者的發光元件與壓電元件的設計來實現。舉例而言，發光元件12與壓電元件的布局關係可以如圖1的實施例所述，發光元件12與壓電元件14的剖面結構可以如圖2至圖6與圖12至圖13中任一實施例所述，發光元件12與壓電元件14的製作方法可以如圖7-10或是圖14-17的實施例所述，而壓電元件14的電極設計可以如圖11或圖18所述。另外，溫控元件16可由前述圖20至圖25揭露的任一實施例的方式來實現。具體而言，電子裝置30不同於前述實施例之處主要在於，電子裝置30更包括發光元件12’，其中發光元件12’例如是紅外線發光二極體，其可提供升溫作用而與溫控元件16一樣用於提供溫度刺激。發光元件12’與壓電元件14的配置關係可以大致相同於發光元件12與壓電元件14的配置關係。換言之，發光元件12’可以採用圖2、圖12與圖13中任一者結構中的發光元件12的設置方式來實現。在本實施例中，除了溫控元件16可以用於調整電子裝置30在不同區域的溫度外，發光元件12'也可用於加熱電子裝置30的局部區域，因此電子裝置30可以提供更多重變化的溫度調整。
綜上所述，本揭露實施例的電子裝置除了發光元件外還包括壓電元件與溫控元件至少一者。如此一來，除了提供視覺的刺激外，電子裝置還可提供使用者觸覺與溫度的刺激，從而增益電子裝置的功能。此外，本揭露實施例將多個壓電元件與多個溫控元件以陣列方式設置於電子裝置中，且多個壓電元件與多個溫控元件都是可以獨立控制的。如此，電子裝置可以提供區域化的觸覺與溫度刺激，從而使電子裝置的應用更豐富。
10、20、30、100A、100B、100C、100D、100E、200A、200B、300:電子裝置 12、12’:發光元件 14、140、240、240’、340:壓電元件 16:溫控元件 110、310:第一基板 112:驅動電路層 120、320:第二基板 130、330:發光元件 142、242:壓電層 142’、242’:壓電材料層 144、244、354:第一電極 144A:電極開口 144B:第一帶狀電極 146、246、356:第二電極 146A:電極開口 146B:第二帶狀電極 150:吸光層 150A:吸光層開口 160:填充層 170:彩色濾光層 180:阻隔擋牆 244A:第一梳狀圖案 244B:第一連接圖案 246A:第二梳狀圖案 246B:第二連接圖案 246C:跨接圖案 248、248’:阻擋層 312:表面 350、350A、350B:溫控元件 352:電熱偶 352A:n半導體 352B:p半導體 358A:第三基板 358B:第四基板 AS:容置空間 CS1、CS2:連接導體 D1:第一方向 D2:第二方向 EF:電場 ET:蝕刻步驟 G1、G2:電極間隔 OP1:開口 P1、P2、P3、P4:間距 PD1、PD2、PD3:接墊 S352:電熱偶列 SB:組合步驟 VH:外加電場
圖1為本揭露一實施例的電子裝置的俯視示意圖。 圖2為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖3至圖6為本揭露多個實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖7至圖10為本揭露一實施例的電子裝置的製造流程。 圖11為本揭露一實施例的壓電元件的分解示意圖。 圖12為本揭露再一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖13為本揭露又一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖14至圖17示意性的說明電子裝置的製作方式本揭露一實施例的電子裝置的製造流程。 圖18為本揭露一實施例的壓電元件240的壓電層、第一電極與第二電極的分解示意圖。 圖19為本揭露又一實施例的電子裝置的俯視示意圖。 圖20為本揭露一實施例的電子裝置的局部剖面示意圖。 圖21為本揭露一實施例的陣列排列的多個溫控元件的示意圖。 圖22為圖21的溫控元件沿剖線A-A'的剖面示意圖。 圖23為本揭露另一實施例的陣列排列的多個溫控元件的示意圖。 圖24與圖25為圖23的溫控元件沿剖線B-B'與線C-C’的剖面示意圖。 圖26為本揭露再一實施例的電子裝置的示意圖。
12:發光元件
14:壓電元件
16:溫控元件
20:電子裝置

Claims (18)

  1. 一種電子裝置，包括：第一基板；第二基板；發光元件，配置於所述第一基板與所述第二基板之間；以及壓電元件，配置於所述第一基板與所述第二基板之間，其中所述壓電元件包括壓電層，所述壓電層具有開口且所述發光元件位於所述開口中。
  2. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述壓電元件更包括第一電極與第二電極，且所述第一電極與所述第二電極用於控制所述壓電層的壓電性質。
  3. 如請求項2所述的電子裝置，其中所述第一電極位於所述壓電層與所述第一基板之間，而所述第二電極位於所述壓電層與所述第二基板之間。
  4. 如請求項2所述的電子裝置，其中所述第一電極與所述第二電極都位於所述壓電層與所述第二基板之間。
  5. 如請求項4所述的電子裝置，其中所述第一電極具有第一梳狀圖案，所述第二電極具有第二梳狀圖案，且所述第一梳狀圖案與所述第二梳狀圖案交替排列。
  6. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述壓電元件更包括吸光粒子，所述吸光粒子摻雜於所述壓電層中。
  7. 如請求項1所述的電子裝置，其中所述發光元件與所述壓電元件的數量皆為多個，且所述發光元件的設置密度大於所述壓電元件的設置密度。
  8. 如請求項7所述的電子裝置，其中多個壓電層每一者的開口的數量為多個以分別容置對應的發光元件。
  9. 如請求項1所述的電子裝置，更包括溫控元件，其中所述溫控元件包括電熱偶，且所述電熱偶配置於所述第一基板的遠離所述第二基板的表面上。
  10. 如請求項9所述的電子裝置，其中所述溫控元件更包括第一電極與第二電極，所述電熱偶包括n半導體與p半導體，且所述n半導體與所述p半導體串聯連接於所述第一電極與所述第二電極之間。
  11. 如請求項9所述的電子裝置，其中所述壓電元件與所述溫控元件的數量皆為多個，且所述壓電元件的設置密度大於所述溫控元件的設置密度。
  12. 請求項1所述的電子裝置，其中所述發光元件包括可見光發光元件、紅外光發光元件或兩者。
  13. 請求項1所述的電子裝置，更包括吸光層，所述吸光層配置於所述第一基板與所述第二基板之間，且所述吸光層位於所述壓電層與所述第二基板之間。
  14. 請求項1所述的電子裝置，更包括光色調整層，配置於所述發光元件的出光路徑上。
  15. 請求項1所述的電子裝置，更包括阻隔擋牆，圍繞所述發光元件且位於所述發光元件與所述壓電元件之間。
  16. 一種電子裝置，包括：第一基板；第二基板；第三基板；第四基板；多個發光元件，配置於所述第一基板與所述第二基板之間；以及多個溫控元件，配置於所述第一基板的遠離所述第二基板的表面上，且所述溫控元件為各自可獨立控制的，其中所述多個溫控元件各自包括多個電熱偶，所述多個電熱偶各自包括n半導體與p半導體，且所述多個電熱偶排成多列，所述電熱偶配置於所述第三基板與所述第四基板之間，其中所述第三基板貼附於所述第一基板的所述表面上。
  17. 如請求項16所述的電子裝置，其中所述多個溫控元件各自更包括第一電極與第二電極，且所述n半導體與所述p半導體電性串聯且連接於所述第一電極與所述第二電極之間。
  18. 如請求項16所述的電子裝置，其中所述第三基板與所述第四基板的材質包括絕緣陶瓷材料、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)或其組合。
TW109134558A 2020-10-06 2020-10-06 電子裝置 TWI757904B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109134558A TWI757904B (zh) 2020-10-06 2020-10-06 電子裝置
CN202110390120.7A CN113110740A (zh) 2020-10-06 2021-04-12 电子装置
US17/306,935 US20220109084A1 (en) 2020-10-06 2021-05-03 Electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW109134558A TWI757904B (zh) 2020-10-06 2020-10-06 電子裝置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI757904B true TWI757904B (zh) 2022-03-11
TW202215204A TW202215204A (zh) 2022-04-16

Family

ID=76715717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109134558A TWI757904B (zh) 2020-10-06 2020-10-06 電子裝置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220109084A1 (zh)
CN (1) CN113110740A (zh)
TW (1) TWI757904B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114546101B (zh) * 2020-11-24 2024-05-17 京东方科技集团股份有限公司 触觉再现装置、显示面板和显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201723778A (zh) * 2015-12-30 2017-07-01 樂金顯示科技股份有限公司 顯示裝置及其驅動方法
TW201730633A (zh) * 2016-01-28 2017-09-01 康寧公司 用於分配量子點材料的方法
TW201923535A (zh) * 2017-11-17 2019-06-16 南韓商樂金顯示科技股份有限公司 觸控螢幕設備及包含其的電子裝置
TW202034291A (zh) * 2013-12-02 2020-09-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及其製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69714909T2 (de) * 1996-05-27 2003-04-30 Ngk Insulators Ltd Piezoelektrisches Element des Dünnschichttyps
JP2010108808A (ja) * 2008-10-31 2010-05-13 Seiko Epson Corp 発光装置および電子機器
KR20170038681A (ko) * 2015-09-30 2017-04-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
CN105739762A (zh) * 2016-01-25 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 触觉反馈装置及方法、触摸显示面板、触摸显示装置
CN106020553B (zh) * 2016-06-03 2021-01-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
EP3534239A4 (en) * 2016-10-31 2020-11-04 Tegway Co., Ltd. FLEXIBLE THERMOELECTRIC MODULE AND THERMOELECTRIC DEVICE WITH IT
CN107368227B (zh) * 2017-07-18 2019-12-06 京东方科技集团股份有限公司 一种触控显示基板、触控显示装置
WO2020103125A1 (zh) * 2018-11-23 2020-05-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111105713B (zh) * 2019-12-20 2022-08-09 京东方科技集团股份有限公司 一种可折叠显示模组、显示装置和散热方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202034291A (zh) * 2013-12-02 2020-09-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
TW201723778A (zh) * 2015-12-30 2017-07-01 樂金顯示科技股份有限公司 顯示裝置及其驅動方法
TW201730633A (zh) * 2016-01-28 2017-09-01 康寧公司 用於分配量子點材料的方法
TW201923535A (zh) * 2017-11-17 2019-06-16 南韓商樂金顯示科技股份有限公司 觸控螢幕設備及包含其的電子裝置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202215204A (zh) 2022-04-16
US20220109084A1 (en) 2022-04-07
CN113110740A (zh) 2021-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6756538B2 (ja) 表示装置
CN107589576B (zh) 阵列基板及其制作方法、触控显示面板
CN111430412B (zh) 一种显示基板及制作方法、显示面板
TWI671572B (zh) 顯示面板及其製造方法
TW201126238A (en) Embedded touch sensitive display and a method of manufacturing the same
KR20150080825A (ko) 표시 패널, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20120053678A (ko) 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치
TWI757904B (zh) 電子裝置
US20190131589A1 (en) Oled display device, mask, and method of manufacturing oled display device
TWI654465B (zh) 轉置頭及轉置裝置
TWI569426B (zh) 畫素陣列結構、顯示面板以及畫素陣列結構的製作方法
TW201601022A (zh) 觸控螢幕及其製造方法
TW202043867A (zh) 顯示面板及顯示面板製作方法
JP2006516162A (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板及びこれを含む液晶表示装置
JPH07506910A (ja) 単結晶半導体層中に集積された駆動装置を含む反射型液晶ディスプレイおよびディスプレイ製造方法
CN114569429A (zh) 多模态触觉设备
TW200923871A (en) Integrated display module
JPH05165060A (ja) 液晶表示装置
JP2006509252A (ja) 薄膜トランジスタ基板、これの製造方法、これを有する液晶表示装置及びこれの製造方法
KR20150003587A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4092898B2 (ja) 液晶セル集合体
KR102029533B1 (ko) 마이크로 발광소자 및 이를 이용한 풀컬러 디스플레이 장치
US6310299B1 (en) Glass connector and fabricating method thereof
JP2001166300A (ja) バックライト内蔵型液晶表示装置及びその製造方法
JPH10301124A (ja) アクティブマトリックス液晶表示装置