JP2023018039A - 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス - Google Patents
核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023018039A JP2023018039A JP2022184850A JP2022184850A JP2023018039A JP 2023018039 A JP2023018039 A JP 2023018039A JP 2022184850 A JP2022184850 A JP 2022184850A JP 2022184850 A JP2022184850 A JP 2022184850A JP 2023018039 A JP2023018039 A JP 2023018039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- nucleation
- conductive coating
- conductive
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract description 832
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract description 729
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 184
- 230000002821 anti-nucleating effect Effects 0.000 title description 47
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 abstract description 271
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 abstract description 271
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 179
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 52
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract description 40
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract description 38
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 196
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 185
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 165
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 135
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 122
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 122
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 description 114
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 108
- 230000008569 process Effects 0.000 description 67
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 64
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 54
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 54
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 53
- 125000004428 fluoroalkoxy group Chemical group 0.000 description 53
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 53
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 51
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 51
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 50
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 49
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 49
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 41
- -1 magnesium Chemical class 0.000 description 40
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 38
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 36
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical compound [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 34
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 30
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 29
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 28
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 28
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 28
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 27
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 27
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 27
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 27
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 27
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 26
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 26
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 26
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 23
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 23
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 22
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 22
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 20
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 20
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 20
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 20
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 19
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 19
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 18
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 16
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 15
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000047 product Substances 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 12
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 12
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 11
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 11
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 11
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 11
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 10
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 10
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 10
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 9
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 9
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 9
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 9
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 description 8
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 8
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 8
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 8
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 7
- 238000004293 19F NMR spectroscopy Methods 0.000 description 6
- FKIFDWYMWOJKTQ-UHFFFAOYSA-N 9-bromo-10-naphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(Br)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 FKIFDWYMWOJKTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 239000003570 air Substances 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- GLGNXYJARSMNGJ-VKTIVEEGSA-N (1s,2s,3r,4r)-3-[[5-chloro-2-[(1-ethyl-6-methoxy-2-oxo-4,5-dihydro-3h-1-benzazepin-7-yl)amino]pyrimidin-4-yl]amino]bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2-carboxamide Chemical compound CCN1C(=O)CCCC2=C(OC)C(NC=3N=C(C(=CN=3)Cl)N[C@H]3[C@H]([C@@]4([H])C[C@@]3(C=C4)[H])C(N)=O)=CC=C21 GLGNXYJARSMNGJ-VKTIVEEGSA-N 0.000 description 5
- WHGGVVHVBFMGSG-UHFFFAOYSA-N 9-bromo-10-phenylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(Br)=C2C=CC=CC2=C1C1=CC=CC=C1 WHGGVVHVBFMGSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 125000005620 boronic acid group Chemical class 0.000 description 5
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 125000002676 chrysenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=C4C=CC=CC4=C3C=CC12)* 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229940125758 compound 15 Drugs 0.000 description 5
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 5
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 5
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LNUFLCYMSVYYNW-ZPJMAFJPSA-N [(2r,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6r)-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-6-[[(3s,5s,8r,9s,10s,13r,14s,17r)-10,13-dimethyl-17-[(2r)-6-methylheptan-2-yl]-2,3,4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-tetradecahydro-1h-cyclopenta[a]phenanthren-3-yl]oxy]-4,5-disulfo Chemical compound O([C@@H]1[C@@H](COS(O)(=O)=O)O[C@@H]([C@@H]([C@H]1OS(O)(=O)=O)OS(O)(=O)=O)O[C@@H]1[C@@H](COS(O)(=O)=O)O[C@@H]([C@@H]([C@H]1OS(O)(=O)=O)OS(O)(=O)=O)O[C@@H]1[C@@H](COS(O)(=O)=O)O[C@H]([C@@H]([C@H]1OS(O)(=O)=O)OS(O)(=O)=O)O[C@@H]1C[C@@H]2CC[C@H]3[C@@H]4CC[C@@H]([C@]4(CC[C@@H]3[C@@]2(C)CC1)C)[C@H](C)CCCC(C)C)[C@H]1O[C@H](COS(O)(=O)=O)[C@@H](OS(O)(=O)=O)[C@H](OS(O)(=O)=O)[C@H]1OS(O)(=O)=O LNUFLCYMSVYYNW-ZPJMAFJPSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHDDEIOYXFXNNJ-UHFFFAOYSA-N (3,4,5-trifluorophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC(F)=C(F)C(F)=C1 UHDDEIOYXFXNNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BJQCPCFFYBKRLM-UHFFFAOYSA-N (3-methylphenyl)boronic acid Chemical compound CC1=CC=CC(B(O)O)=C1 BJQCPCFFYBKRLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N (3S)-3-[[(2S)-2-[[(2S)-2-[5-[(3aS,6aR)-2-oxo-1,3,3a,4,6,6a-hexahydrothieno[3,4-d]imidazol-4-yl]pentanoylamino]-3-methylbutanoyl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]-4-[1-bis(4-chlorophenoxy)phosphorylbutylamino]-4-oxobutanoic acid Chemical compound CCCC(NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](Cc1ccc(O)cc1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)CCCCC1SC[C@@H]2NC(=O)N[C@H]12)C(C)C)P(=O)(Oc1ccc(Cl)cc1)Oc1ccc(Cl)cc1 QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N 0.000 description 3
- HTFXWAOSQODIBI-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-1,3-dihydropyrrolo[3,4-c]pyridine Chemical compound C1C2=CC=NC=C2CN1CC1=CC=CC=C1 HTFXWAOSQODIBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 3
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- AOSZTAHDEDLTLQ-AZKQZHLXSA-N (1S,2S,4R,8S,9S,11S,12R,13S,19S)-6-[(3-chlorophenyl)methyl]-12,19-difluoro-11-hydroxy-8-(2-hydroxyacetyl)-9,13-dimethyl-6-azapentacyclo[10.8.0.02,9.04,8.013,18]icosa-14,17-dien-16-one Chemical compound C([C@@H]1C[C@H]2[C@H]3[C@]([C@]4(C=CC(=O)C=C4[C@@H](F)C3)C)(F)[C@@H](O)C[C@@]2([C@@]1(C1)C(=O)CO)C)N1CC1=CC=CC(Cl)=C1 AOSZTAHDEDLTLQ-AZKQZHLXSA-N 0.000 description 2
- SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N (1s,2s,3s,5r)-1-(carboxymethyl)-3,5-bis[(4-phenoxyphenyl)methyl-propylcarbamoyl]cyclopentane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound O=C([C@@H]1[C@@H]([C@](CC(O)=O)([C@H](C(=O)N(CCC)CC=2C=CC(OC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C1)C(O)=O)C(O)=O)N(CCC)CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 SZUVGFMDDVSKSI-WIFOCOSTSA-N 0.000 description 2
- GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N (2S,3R)-N-[(2S)-3-(cyclopenten-1-yl)-1-[(2R)-2-methyloxiran-2-yl]-1-oxopropan-2-yl]-3-hydroxy-3-(4-methoxyphenyl)-2-[[(2S)-2-[(2-morpholin-4-ylacetyl)amino]propanoyl]amino]propanamide Chemical compound C1(=CCCC1)C[C@@H](C(=O)[C@@]1(OC1)C)NC([C@H]([C@@H](C1=CC=C(C=C1)OC)O)NC([C@H](C)NC(CN1CCOCC1)=O)=O)=O GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N 0.000 description 2
- WWTBZEKOSBFBEM-SPWPXUSOSA-N (2s)-2-[[2-benzyl-3-[hydroxy-[(1r)-2-phenyl-1-(phenylmethoxycarbonylamino)ethyl]phosphoryl]propanoyl]amino]-3-(1h-indol-3-yl)propanoic acid Chemical compound N([C@@H](CC=1C2=CC=CC=C2NC=1)C(=O)O)C(=O)C(CP(O)(=O)[C@H](CC=1C=CC=CC=1)NC(=O)OCC=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 WWTBZEKOSBFBEM-SPWPXUSOSA-N 0.000 description 2
- IWZSHWBGHQBIML-ZGGLMWTQSA-N (3S,8S,10R,13S,14S,17S)-17-isoquinolin-7-yl-N,N,10,13-tetramethyl-2,3,4,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydro-1H-cyclopenta[a]phenanthren-3-amine Chemical compound CN(C)[C@H]1CC[C@]2(C)C3CC[C@@]4(C)[C@@H](CC[C@@H]4c4ccc5ccncc5c4)[C@@H]3CC=C2C1 IWZSHWBGHQBIML-ZGGLMWTQSA-N 0.000 description 2
- MNJYZNVROSZZQC-UHFFFAOYSA-N (4-tert-butylphenyl)boronic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(B(O)O)C=C1 MNJYZNVROSZZQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ONBQEOIKXPHGMB-VBSBHUPXSA-N 1-[2-[(2s,3r,4s,5r)-3,4-dihydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]oxy-4,6-dihydroxyphenyl]-3-(4-hydroxyphenyl)propan-1-one Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1OC1=CC(O)=CC(O)=C1C(=O)CCC1=CC=C(O)C=C1 ONBQEOIKXPHGMB-VBSBHUPXSA-N 0.000 description 2
- UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 1-[6-[2-[3-[3-[3-[2-[2-[3-[[2-[2-[[(2r)-1-[[2-[[(2r)-1-[3-[2-[2-[3-[[2-(2-amino-2-oxoethoxy)acetyl]amino]propoxy]ethoxy]ethoxy]propylamino]-3-hydroxy-1-oxopropan-2-yl]amino]-2-oxoethyl]amino]-3-[(2r)-2,3-di(hexadecanoyloxy)propyl]sulfanyl-1-oxopropan-2-yl Chemical compound O=C1C(SCCC(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(=O)N[C@@H](CSC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CO)C(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(N)=O)CC(=O)N1CCNC(=O)CCCCCN\1C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2CC/1=C/C=C/C=C/C1=[N+](CC)C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2C1 UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 0.000 description 2
- 229940126657 Compound 17 Drugs 0.000 description 2
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- OPFJDXRVMFKJJO-ZHHKINOHSA-N N-{[3-(2-benzamido-4-methyl-1,3-thiazol-5-yl)-pyrazol-5-yl]carbonyl}-G-dR-G-dD-dD-dD-NH2 Chemical compound S1C(C=2NN=C(C=2)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CCCN=C(N)N)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@H](CC(O)=O)C(N)=O)=C(C)N=C1NC(=O)C1=CC=CC=C1 OPFJDXRVMFKJJO-ZHHKINOHSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000821 Yb alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- WOAORAPRPVIATR-UHFFFAOYSA-N [3-(trifluoromethyl)phenyl]boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC(C(F)(F)F)=C1 WOAORAPRPVIATR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229940125797 compound 12 Drugs 0.000 description 2
- 229940126543 compound 14 Drugs 0.000 description 2
- 229940126142 compound 16 Drugs 0.000 description 2
- 229940125810 compound 20 Drugs 0.000 description 2
- 229940126086 compound 21 Drugs 0.000 description 2
- 229940126208 compound 22 Drugs 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002171 field ion microscopy Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N gtpl8555 Chemical compound OC(=O)C[C@H](N)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N1CCC[C@@H]1C(=O)N[C@H](B1O[C@@]2(C)[C@H]3C[C@H](C3(C)C)C[C@H]2O1)CCC1=CC=C(F)C=C1 JAXFJECJQZDFJS-XHEPKHHKSA-N 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAOUIVVJBYDFKD-XKCDOFEDSA-N (1R,9R,10S,11R,12R,15S,18S,21R)-10,11,21-trihydroxy-8,8-dimethyl-14-methylidene-4-(prop-2-enylamino)-20-oxa-5-thia-3-azahexacyclo[9.7.2.112,15.01,9.02,6.012,18]henicosa-2(6),3-dien-13-one Chemical compound C([C@@H]1[C@@H](O)[C@@]23C(C1=C)=O)C[C@H]2[C@]12C(N=C(NCC=C)S4)=C4CC(C)(C)[C@H]1[C@H](O)[C@]3(O)OC2 UAOUIVVJBYDFKD-XKCDOFEDSA-N 0.000 description 1
- ABJSOROVZZKJGI-OCYUSGCXSA-N (1r,2r,4r)-2-(4-bromophenyl)-n-[(4-chlorophenyl)-(2-fluoropyridin-4-yl)methyl]-4-morpholin-4-ylcyclohexane-1-carboxamide Chemical compound C1=NC(F)=CC(C(NC(=O)[C@H]2[C@@H](C[C@@H](CC2)N2CCOCC2)C=2C=CC(Br)=CC=2)C=2C=CC(Cl)=CC=2)=C1 ABJSOROVZZKJGI-OCYUSGCXSA-N 0.000 description 1
- QCSLIRFWJPOENV-UHFFFAOYSA-N (2-fluorophenyl)boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1F QCSLIRFWJPOENV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSJVYHOPHZMZPN-UHFFFAOYSA-N (2-methylphenyl)boronic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1B(O)O NSJVYHOPHZMZPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STBLNCCBQMHSRC-BATDWUPUSA-N (2s)-n-[(3s,4s)-5-acetyl-7-cyano-4-methyl-1-[(2-methylnaphthalen-1-yl)methyl]-2-oxo-3,4-dihydro-1,5-benzodiazepin-3-yl]-2-(methylamino)propanamide Chemical compound O=C1[C@@H](NC(=O)[C@H](C)NC)[C@H](C)N(C(C)=O)C2=CC(C#N)=CC=C2N1CC1=C(C)C=CC2=CC=CC=C12 STBLNCCBQMHSRC-BATDWUPUSA-N 0.000 description 1
- VOAAEKKFGLPLLU-UHFFFAOYSA-N (4-methoxyphenyl)boronic acid Chemical compound COC1=CC=C(B(O)O)C=C1 VOAAEKKFGLPLLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIWQNIMLAISTBV-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl)boronic acid Chemical compound CC1=CC=C(B(O)O)C=C1 BIWQNIMLAISTBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- UVNPEUJXKZFWSJ-LMTQTHQJSA-N (R)-N-[(4S)-8-[6-amino-5-[(3,3-difluoro-2-oxo-1H-pyrrolo[2,3-b]pyridin-4-yl)sulfanyl]pyrazin-2-yl]-2-oxa-8-azaspiro[4.5]decan-4-yl]-2-methylpropane-2-sulfinamide Chemical compound CC(C)(C)[S@@](=O)N[C@@H]1COCC11CCN(CC1)c1cnc(Sc2ccnc3NC(=O)C(F)(F)c23)c(N)n1 UVNPEUJXKZFWSJ-LMTQTHQJSA-N 0.000 description 1
- ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 1,1'-spirobi[fluorene] Chemical group C1=CC=C2C=C3C4(C=5C(C6=CC=CC=C6C=5)=CC=C4)C=CC=C3C2=C1 ICPSWZFVWAPUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 1,2-Benz(a)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=CC2=C1 DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFMJLOPNVZKQHV-UHFFFAOYSA-N 1,2-difluoro-9h-fluorene Chemical group C1=CC=C2CC3=C(F)C(F)=CC=C3C2=C1 NFMJLOPNVZKQHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRXBTDWNHVBEIC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethyl-9h-fluorene Chemical group C1=CC=C2CC3=C(C)C(C)=CC=C3C2=C1 CRXBTDWNHVBEIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTPLEVOKSWEYAC-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-9h-fluorene Chemical group C=1C=CC=CC=1C1=C2CC3=CC=CC=C3C2=CC=C1C1=CC=CC=C1 QTPLEVOKSWEYAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQZLRWGGWXJPOS-NLFPWZOASA-N 1-[(1R)-1-(2,4-dichlorophenyl)ethyl]-6-[(4S,5R)-4-[(2S)-2-(hydroxymethyl)pyrrolidin-1-yl]-5-methylcyclohexen-1-yl]pyrazolo[3,4-b]pyrazine-3-carbonitrile Chemical compound ClC1=C(C=CC(=C1)Cl)[C@@H](C)N1N=C(C=2C1=NC(=CN=2)C1=CC[C@@H]([C@@H](C1)C)N1[C@@H](CCC1)CO)C#N KQZLRWGGWXJPOS-NLFPWZOASA-N 0.000 description 1
- WZZBNLYBHUDSHF-DHLKQENFSA-N 1-[(3s,4s)-4-[8-(2-chloro-4-pyrimidin-2-yloxyphenyl)-7-fluoro-2-methylimidazo[4,5-c]quinolin-1-yl]-3-fluoropiperidin-1-yl]-2-hydroxyethanone Chemical compound CC1=NC2=CN=C3C=C(F)C(C=4C(=CC(OC=5N=CC=CN=5)=CC=4)Cl)=CC3=C2N1[C@H]1CCN(C(=O)CO)C[C@@H]1F WZZBNLYBHUDSHF-DHLKQENFSA-N 0.000 description 1
- NMUIDZASJKXTEH-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis(4-fluorophenyl)-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound FC1=CC=C(C=C1)C1=CC2=C(C3=CC=C(C=C3C(=C2C=C1)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)C1=CC=C(C=C1)F)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1 NMUIDZASJKXTEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOZBMWWMIQGZGM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(9,10-dinaphthalen-2-ylanthracen-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC=C(C=2C=C3C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C3=CC=2)C=C1 VOZBMWWMIQGZGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSUIQYOGTINQIN-UZFYAQMZSA-N 2-amino-9-[(1S,6R,8R,9S,10R,15R,17R,18R)-8-(6-aminopurin-9-yl)-9,18-difluoro-3,12-dihydroxy-3,12-bis(sulfanylidene)-2,4,7,11,13,16-hexaoxa-3lambda5,12lambda5-diphosphatricyclo[13.2.1.06,10]octadecan-17-yl]-1H-purin-6-one Chemical compound NC1=NC2=C(N=CN2[C@@H]2O[C@@H]3COP(S)(=O)O[C@@H]4[C@@H](COP(S)(=O)O[C@@H]2[C@@H]3F)O[C@H]([C@H]4F)N2C=NC3=C2N=CN=C3N)C(=O)N1 YSUIQYOGTINQIN-UZFYAQMZSA-N 0.000 description 1
- TVTJUIAKQFIXCE-HUKYDQBMSA-N 2-amino-9-[(2R,3S,4S,5R)-4-fluoro-3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]-7-prop-2-ynyl-1H-purine-6,8-dione Chemical compound NC=1NC(C=2N(C(N(C=2N=1)[C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H]1O)F)CO)=O)CC#C)=O TVTJUIAKQFIXCE-HUKYDQBMSA-N 0.000 description 1
- QBWKPGNFQQJGFY-QLFBSQMISA-N 3-[(1r)-1-[(2r,6s)-2,6-dimethylmorpholin-4-yl]ethyl]-n-[6-methyl-3-(1h-pyrazol-4-yl)imidazo[1,2-a]pyrazin-8-yl]-1,2-thiazol-5-amine Chemical compound N1([C@H](C)C2=NSC(NC=3C4=NC=C(N4C=C(C)N=3)C3=CNN=C3)=C2)C[C@H](C)O[C@H](C)C1 QBWKPGNFQQJGFY-QLFBSQMISA-N 0.000 description 1
- WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 4,4-difluoro-N-[(1S)-3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-pyridin-3-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound FC1(CCC(CC1)C(=O)N[C@@H](CCN1CCC(CC1)N1C(=NN=C1C)C(C)C)C=1C=NC=CC=1)F WDBQJSCPCGTAFG-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 4,4-difluoro-N-[3-[3-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)-8-azabicyclo[3.2.1]octan-8-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]cyclohexane-1-carboxamide Chemical compound CC(C)C1=NN=C(C)N1C1CC2CCC(C1)N2CCC(NC(=O)C1CCC(F)(F)CC1)C1=CC=CS1 BWGRDBSNKQABCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBUNNMJLXWQQBY-UHFFFAOYSA-N 4-fluorophenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=C(F)C=C1 LBUNNMJLXWQQBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXERDXBFMUYHBP-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-yl-2-[4-(trifluoromethyl)phenyl]anthracene Chemical compound C1=C(C=CC2=CC=CC=C12)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC(=CC=12)C1=CC=C(C=C1)C(F)(F)F)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1 KXERDXBFMUYHBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWMNAGOHOZFKIR-UHFFFAOYSA-N 9-(2-fluorophenyl)-10-naphthalen-1-ylanthracene Chemical compound FC1=C(C=CC=C1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 BWMNAGOHOZFKIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMRZEYNGOFCNBC-UHFFFAOYSA-N 9-(2-methylphenyl)-10-phenylanthracene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 IMRZEYNGOFCNBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHCJTUQWKAEONO-UHFFFAOYSA-N 9-(3-chloro-4-fluorophenyl)-10-phenylanthracene Chemical compound ClC=1C=C(C=CC=1F)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC=C1 MHCJTUQWKAEONO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWQJOMPVGKKNTI-UHFFFAOYSA-N 9-(3-methylphenyl)-10-phenylanthracene Chemical compound CC1=CC=CC(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)=C1 BWQJOMPVGKKNTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZVSUIXHENWPGJ-UHFFFAOYSA-N 9-(3-naphthalen-1-ylphenyl)-10-phenanthren-9-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C=2C=CC=C(C=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C12 QZVSUIXHENWPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCEITIOKKYWGTF-UHFFFAOYSA-N 9-(4-fluorophenyl)-10-naphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=C1C(C1=C3C=CC=CC3=CC=C1)=C1C=CC=CC1=C2C1=CC=C(F)C=C1 CCEITIOKKYWGTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIYRVWDYZOQWMZ-UHFFFAOYSA-N 9-(4-fluorophenyl)-10-phenylanthracene Chemical compound C1=CC(F)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 CIYRVWDYZOQWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSZYPHXDKVQWHS-UHFFFAOYSA-N 9-(4-methoxyphenyl)-10-naphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 YSZYPHXDKVQWHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNMJWYZFMASTCF-UHFFFAOYSA-N 9-(4-methoxyphenyl)-10-phenylanthracene Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 JNMJWYZFMASTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYCWDBOZJVBDPY-UHFFFAOYSA-N 9-(4-methylphenyl)-10-phenylanthracene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 AYCWDBOZJVBDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWCBNYKZGXQZLO-UHFFFAOYSA-N 9-[3,5-bis(trifluoromethyl)phenyl]-10-naphthalen-2-ylanthracene Chemical compound FC(C=1C=C(C=C(C=1)C(F)(F)F)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)(F)F PWCBNYKZGXQZLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYACRXBYRNYMLN-UHFFFAOYSA-N 9-bromo-10-naphthalen-1-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(Br)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 SYACRXBYRNYMLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXEHDVKKAQCVDR-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-1-yl-10-(3,4,5-trifluorophenyl)anthracene Chemical compound FC=1C=C(C=C(C=1F)F)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12 UXEHDVKKAQCVDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGORXTQHHCGPTK-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-1-yl-10-(3-naphthalen-1-ylphenyl)anthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C=2C=CC=C(C=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MGORXTQHHCGPTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYKYUKOAUUGKQZ-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-1-yl-10-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]anthracene Chemical compound FC(OC1=CC=C(C=C1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12)(F)F SYKYUKOAUUGKQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HICWKUFWPIBTCN-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-1-yl-10-phenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 HICWKUFWPIBTCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXANPNMSJRTKJV-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-2-yl-10-(3,4,5-trifluorophenyl)anthracene Chemical compound FC=1C=C(C=C(C=1F)F)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1 IXANPNMSJRTKJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEITWRPETFRNQV-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-2-yl-10-[3-(trifluoromethyl)phenyl]anthracene Chemical compound FC(C=1C=C(C=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)(F)F HEITWRPETFRNQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITYJFQIWXDIHOF-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-2-yl-10-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]anthracene Chemical compound FC(F)(F)Oc1ccc(cc1)-c1c2ccccc2c(-c2ccc3ccccc3c2)c2ccccc12 ITYJFQIWXDIHOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLZRGJLLBGVPHZ-UHFFFAOYSA-N 9-naphthalen-2-yl-10-[4-(trifluoromethyl)phenyl]anthracene Chemical compound FC(C1=CC=C(C=C1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC2=CC=CC=C2C=C1)(F)F DLZRGJLLBGVPHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDPKQDHFUOFHFE-UHFFFAOYSA-N 9-phenanthren-9-yl-10-(3,4,5-trifluorophenyl)anthracene Chemical compound FC=1C=C(C=C(C=1F)F)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C=1C2=CC=CC=C2C=2C=CC=CC=2C=1 YDPKQDHFUOFHFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQKFTZMUAPNEO-UHFFFAOYSA-N 9-phenanthren-9-yl-10-phenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C12 QQQKFTZMUAPNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDRZYXLSMIFRNB-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-(3,4,5-trifluorophenyl)anthracene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=CC(C=2C3=CC=CC=C3C(C=3C=CC=CC=3)=C3C=CC=CC3=2)=C1 FDRZYXLSMIFRNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCQOBPGYQUTKMO-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-[3-(trifluoromethyl)phenyl]anthracene Chemical compound FC(C=1C=C(C=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC=C1)(F)F GCQOBPGYQUTKMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVTUZUBOYGQDQV-UHFFFAOYSA-N 9-phenyl-10-[4-(trifluoromethyl)phenyl]anthracene Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=C(C=C1)C(F)(F)F JVTUZUBOYGQDQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URUAKGLGELBSQK-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)C1=CC=C(C=C1)C1=C2C=CC=CC2=C(C2=CC=CC=C12)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12 Chemical compound C(C)(C)(C)C1=CC=C(C=C1)C1=C2C=CC=CC2=C(C2=CC=CC=C12)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12 URUAKGLGELBSQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATUBRTVPVAXYOQ-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=C1C1=C2C=CC=CC2=C(C2=CC=C(C(C)(C)C)C=C2)C2=CC=CC=C12 Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C2C=CC=CC2=C(C2=CC=C(C(C)(C)C)C=C2)C2=CC=CC=C12 ATUBRTVPVAXYOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KCBAMQOKOLXLOX-BSZYMOERSA-N CC1=C(SC=N1)C2=CC=C(C=C2)[C@H](C)NC(=O)[C@@H]3C[C@H](CN3C(=O)[C@H](C(C)(C)C)NC(=O)CCCCCCCCCCNCCCONC(=O)C4=C(C(=C(C=C4)F)F)NC5=C(C=C(C=C5)I)F)O Chemical compound CC1=C(SC=N1)C2=CC=C(C=C2)[C@H](C)NC(=O)[C@@H]3C[C@H](CN3C(=O)[C@H](C(C)(C)C)NC(=O)CCCCCCCCCCNCCCONC(=O)C4=C(C(=C(C=C4)F)F)NC5=C(C=C(C=C5)I)F)O KCBAMQOKOLXLOX-BSZYMOERSA-N 0.000 description 1
- BQXUPNKLZNSUMC-YUQWMIPFSA-N CCN(CCCCCOCC(=O)N[C@H](C(=O)N1C[C@H](O)C[C@H]1C(=O)N[C@@H](C)c1ccc(cc1)-c1scnc1C)C(C)(C)C)CCOc1ccc(cc1)C(=O)c1c(sc2cc(O)ccc12)-c1ccc(O)cc1 Chemical compound CCN(CCCCCOCC(=O)N[C@H](C(=O)N1C[C@H](O)C[C@H]1C(=O)N[C@@H](C)c1ccc(cc1)-c1scnc1C)C(C)(C)C)CCOc1ccc(cc1)C(=O)c1c(sc2cc(O)ccc12)-c1ccc(O)cc1 BQXUPNKLZNSUMC-YUQWMIPFSA-N 0.000 description 1
- 229940126639 Compound 33 Drugs 0.000 description 1
- AMQLUURKMNRXQZ-UHFFFAOYSA-N FC(C=1C=C(C=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12)(F)F Chemical compound FC(C=1C=C(C=CC=1)C=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC=12)C1=CC=CC2=CC=CC=C12)(F)F AMQLUURKMNRXQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001128431 Homo sapiens Myeloid-derived growth factor Proteins 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100031789 Myeloid-derived growth factor Human genes 0.000 description 1
- NUGPIZCTELGDOS-QHCPKHFHSA-N N-[(1S)-3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-pyridin-3-ylpropyl]cyclopentanecarboxamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CC[C@@H](C=1C=NC=CC=1)NC(=O)C1CCCC1)C NUGPIZCTELGDOS-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N N-[3-[4-(3-methyl-5-propan-2-yl-1,2,4-triazol-4-yl)piperidin-1-yl]-1-thiophen-2-ylpropyl]acetamide Chemical compound C(C)(C)C1=NN=C(N1C1CCN(CC1)CCC(C=1SC=CC=1)NC(C)=O)C LFZAGIJXANFPFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNUZDKCDAWUEGK-CYZMBNFOSA-N Sitafloxacin Chemical compound C([C@H]1N)N(C=2C(=C3C(C(C(C(O)=O)=CN3[C@H]3[C@H](C3)F)=O)=CC=2F)Cl)CC11CC1 PNUZDKCDAWUEGK-CYZMBNFOSA-N 0.000 description 1
- LJOOWESTVASNOG-UFJKPHDISA-N [(1s,3r,4ar,7s,8s,8as)-3-hydroxy-8-[2-[(4r)-4-hydroxy-6-oxooxan-2-yl]ethyl]-7-methyl-1,2,3,4,4a,7,8,8a-octahydronaphthalen-1-yl] (2s)-2-methylbutanoate Chemical compound C([C@H]1[C@@H](C)C=C[C@H]2C[C@@H](O)C[C@@H]([C@H]12)OC(=O)[C@@H](C)CC)CC1C[C@@H](O)CC(=O)O1 LJOOWESTVASNOG-UFJKPHDISA-N 0.000 description 1
- PIPFWPPQTVRPMZ-UHFFFAOYSA-N [2-(4-methylphenyl)phenyl]boronic acid Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=C1B(O)O PIPFWPPQTVRPMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPTABBGLHGBJQR-UHFFFAOYSA-N [3,5-bis(trifluoromethyl)phenyl]boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC(C(F)(F)F)=CC(C(F)(F)F)=C1 BPTABBGLHGBJQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUOFUOCSQCYFPW-UHFFFAOYSA-N [4-(trifluoromethoxy)phenyl]boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 HUOFUOCSQCYFPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALMFIOZYDASRRC-UHFFFAOYSA-N [4-(trifluoromethyl)phenyl]boronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=C(C(F)(F)F)C=C1 ALMFIOZYDASRRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Cu] Chemical compound [Mg].[Cu] OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMNRFWMNPDABKZ-WVALLCKVSA-N [[(2R,3S,4R,5S)-5-(2,6-dioxo-3H-pyridin-3-yl)-3,4-dihydroxyoxolan-2-yl]methoxy-hydroxyphosphoryl] [[[(2R,3S,4S,5R,6R)-4-fluoro-3,5-dihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl]oxy-hydroxyphosphoryl]oxy-hydroxyphosphoryl] hydrogen phosphate Chemical compound OC[C@H]1O[C@H](OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(=O)OP(O)(=O)OC[C@H]2O[C@H]([C@H](O)[C@@H]2O)C2C=CC(=O)NC2=O)[C@H](O)[C@@H](F)[C@@H]1O SMNRFWMNPDABKZ-WVALLCKVSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- WIGAYVXYNSVZAV-UHFFFAOYSA-N ac1lavbc Chemical compound [W].[W] WIGAYVXYNSVZAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XRWSZZJLZRKHHD-WVWIJVSJSA-N asunaprevir Chemical compound O=C([C@@H]1C[C@H](CN1C(=O)[C@@H](NC(=O)OC(C)(C)C)C(C)(C)C)OC1=NC=C(C2=CC=C(Cl)C=C21)OC)N[C@]1(C(=O)NS(=O)(=O)C2CC2)C[C@H]1C=C XRWSZZJLZRKHHD-WVWIJVSJSA-N 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005352 clarification Methods 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 229940125833 compound 23 Drugs 0.000 description 1
- 229940125961 compound 24 Drugs 0.000 description 1
- 229940125846 compound 25 Drugs 0.000 description 1
- 229940125851 compound 27 Drugs 0.000 description 1
- 229940127204 compound 29 Drugs 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 229940125877 compound 31 Drugs 0.000 description 1
- 229940125878 compound 36 Drugs 0.000 description 1
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- HZZOEADXZLYIHG-UHFFFAOYSA-N magnesiomagnesium Chemical compound [Mg][Mg] HZZOEADXZLYIHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004574 scanning tunneling microscopy Methods 0.000 description 1
- TUNODRIFNXIVIK-UHFFFAOYSA-N silver ytterbium Chemical compound [Ag].[Yb] TUNODRIFNXIVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000007651 thermal printing Methods 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/63—Additives non-macromolecular organic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B1/00—Dyes with anthracene nucleus not condensed with any other ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C15/00—Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts
- C07C15/20—Polycyclic condensed hydrocarbons
- C07C15/27—Polycyclic condensed hydrocarbons containing three rings
- C07C15/28—Anthracenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C22/00—Cyclic compounds containing halogen atoms bound to an acyclic carbon atom
- C07C22/02—Cyclic compounds containing halogen atoms bound to an acyclic carbon atom having unsaturation in the rings
- C07C22/04—Cyclic compounds containing halogen atoms bound to an acyclic carbon atom having unsaturation in the rings containing six-membered aromatic rings
- C07C22/08—Cyclic compounds containing halogen atoms bound to an acyclic carbon atom having unsaturation in the rings containing six-membered aromatic rings containing fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
- C07C43/02—Ethers
- C07C43/20—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
- C07C43/205—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring the aromatic ring being a non-condensed ring
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D201/00—Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
- C09D5/24—Electrically-conducting paints
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2018年2月2日に出願された米国特許仮出願第62/625,710号、2018年2月2日に出願された同第62/625,722号、2018年11月21日に出願された同第62/770,360号に対する優先権の利益を主張するものであり、それらの開示は、あらゆる目的のためにその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
ボトムエミッションデバイスでは、輻射再結合プロセスの結果として生成された光は、デバイスのベース基板に向かう方向に放出されるが、トップエミッションデバイスでは、光はベース基板から離れる方向に放出される。したがって、ベース基板の近位にある電極は、概して、ボトムエミッションデバイスでは光透過性(例えば、実質的に透明または半透明)になるように作られるが、トップエミッションデバイスでは、ベース基板の遠位にある電極が、概して、光の減衰を低減するために光透過性になるように作られる。特定のデバイス構造に応じて、アノードまたはカソードのいずれかが、トップエミッションデバイスおよびボトムエミッションデバイスの透過電極として機能することができる。
クの上に設けられるため、補助電極のパターニングは、従来から、例えば物理蒸着(PVD)プロセスによって導電性コーティングが選択的に堆積されるマスクアパーチャを備えたシャドウマスクを使用して実現される。しかしながら、マスクは通常、金属マスクであるため、高温堆積プロセス中に反り、それによってマスクのアパーチャおよび得られた堆積パターンが歪む傾向がある。さらに、導電性コーティングがマスクに付着し、マスクの特徴部を見えにくくするため、マスクは通常、連続的な堆積によって劣化する。その結果、そのようなマスクは、時間および費用のかかるプロセスを使用して洗浄するか、または、マスクが目的のパターンの生成に効果がないとみなされた場合には処分する必要がある。したがって、このようなプロセスは非常に高価で複雑となる。したがって、シャドウマスクプロセスは、OLEDデバイスの大量生産には商業的に実現できない可能性がある。さらに、大きな金属マスクは通常、シャドウマスクの堆積プロセス中に引き伸ばされるため、シャドウマスクプロセスを使用して生成できる特徴部のアスペクト比は通常、シャドウイング効果およびメタルマスクの機械的(例えば、引張り)強度によって制約を受ける。
ット表面上に堆積される堆積プロセスを指す。
図1は、一実施形態による、核生成抑制コーティング140を基板100の表面102上に堆積させるプロセスを示す概略図である。図1の実施形態では、源材料を含むソース120が真空下で加熱されて、源材料を蒸発または昇華させる。源材料は、核生成抑制コーティング140を形成するために使用される材料を含むか、または実質的にその材料から構成される。次に、蒸発した源材料は、矢印122によって示される方向に基板100に向かって進行する。アパーチャまたはスリット112を有するシャドウマスク110は、アパーチャ112を通って進行するフラックスの一部分が基板100の表面102の領域に選択的に入射するように、蒸発した源材料の経路に配設され、それにより、その上に核生成抑制コーティング140を形成する。
れていない領域の両方に入射するように、蒸発した導電性材料を方向付けることができる。しかしながら、核生成抑制コーティング140の表面は、基板100の非被覆表面102の表面と比較して比較的小さい初期付着係数を示すので、導電性コーティング440は、核生成抑制コーティング140が存在しない表面102の領域に選択的に堆積させる。例えば、表面102の非被覆領域上の蒸発した導電性材料の初期堆積速度は、核生成抑制コーティング140の表面上での蒸発した導電性材料の初期堆積速度の少なくとも約80倍以上、少なくとも約100倍以上、少なくとも約200倍以上、少なくとも約500倍以上、少なくとも約700倍以上、少なくとも約1000倍以上、少なくとも約1500倍以上、少なくとも約1700倍以上、または少なくとも約2000倍以上であり得る。導電性コーティング440は、例えば、純粋なマグネシウム、または実質的に純粋なマグネシウムを含み得る。
上に堆積される複数の原子層または分子層を有する場合がある。一部の実施形態では、核生成促進コーティングの厚さは、約1nm~約5nm、または約1nm~約3nmであってもよい。
ング160を選択的に堆積させるために使用される。図示のように、ソース120から進行する蒸発した源材料は、マスク110を介して基板100に方向付けられる。マスクは、マスク110に入射する蒸発した源材料の一部分がマスク110を進行して通過するのを防止されるように、アパーチャまたはスリット112を含み、マスク110のアパーチャ112を通して方向付けられる蒸発した源材料の別の部分は、処理された表面142上に選択的に堆積して、核生成促進コーティング160を形成する。したがって、核生成促進コーティング160の堆積が完了すると、パターニング表面144が生成される。
上の電極(例えば、アノードおよび/またはカソード)、電荷注入および/または輸送層、およびエレクトロルミネセント層を含み得る。基板100は、アクティブマトリクスまたはパッシブマトリクスOLEDデバイスに含まれる、抵抗器およびコンデンサなどの1つ以上のトランジスタおよび他の電子構成要素をさらに含むことができる。例えば、基板100は、1つ以上のトップゲート薄膜トランジスタ(TFT)、1つ以上のボトムゲートTFT、および/または他のTFT構造を含むことができる。TFTは、n型TFTまたはp型TFTであってもよい。TFT構造の例には、アモルファスシリコン(a-Si)、インジウムガリウム亜鉛酸化物(IGZO)、および低温多結晶シリコン(LTPS)などが含まれる。
層が含まれる。各層は、任意の数の副層をさらに含むことができ、各層および/または副層は、様々な混合物および組成勾配を含むことができる。また、デバイス600は、無機材料および/または有機金属材料を含む1つ以上の層を含むことができ、有機材料のみから構成されるデバイスに限定されないことも理解されよう。例えば、デバイス600は、量子ドットを含んでもよい。
ば、オープンマスクは、製造中にディスプレイデバイスの縁部をマスクすることができ、これにより、オープンマスクは、ディスプレイデバイスのサイズにほぼ対応するアパーチャ(例えば、マイクロディスプレイの場合は約1インチ、モバイルディスプレイの場合は約4~6インチ、ラップトップまたはタブレットのディスプレイの場合は約8~17インチなど)を有することになる。例えば、オープンマスクの特徴部のサイズは、約1cm以上のオーダーであってもよい。したがって、オープンマスクに形成されたアパーチャは、通常、一緒にディスプレイデバイスを形成する複数の発光領域またはピクセルを包含するようなサイズである。
してもよい。
されよう。様々な有機材料が使用されてもよく、本明細書に記載されるプロセスは、概して、そのような有機材料の全範囲に適用可能であることが、当業者にさらに理解されよう。
図9および図10は、一実施形態によるOLEDデバイス1500を示す。具体的には、図9はOLEDデバイス1500の上面図を示し、図10はOLEDデバイス1500の構造の断面図を示す。図9では、カソード1550は、その中に形成された複数のアパーチャまたは正孔1560を有するか、または画定する単一のモノリシック構造または連続構造として示され、これらは、カソード材料が堆積されなかったデバイス1500の領域に対応する。これは、ベース基板1510、アノード1520、有機層1530、核生成促進コーティング1540、核生成促進コーティング1540の特定の領域上に選択的に堆積された核生成抑制コーティング1570、および核生成抑制コーティング1570が存在しない核生成促進コーティング1540の他の領域の上に堆積されたカソード1550を含むOLEDデバイス1500を示す図10にさらに示される。より具体的には、デバイス1500の製造中に核生成促進コーティング1540の表面の特定の領域を被覆するように核生成抑制コーティング1570を選択的に堆積させることにより、カソード材料は、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用して、核生成促進コーティング1540の表面の露出領域に選択的に堆積される。OLEDデバイス1500の透明度または透過率は、穴1560の平均サイズおよびカソード1550に形成された穴1560の密度など、与えられたパターンの様々なパラメータを変更することによって調整または変更できる。したがって、OLEDデバイス1500は、実質的に透明なOLEDデバイスであり得、これは、OLEDデバイスに入射する外部光の少なくとも一部分がそこを透過することを可能にする。例えば、OLEDデバイス1500は、実質的に透明なOLED照明パネルであってもよい。このようなOLED照明パネルは、例えば、一方向(例えば、ベース基板1510に向かうか、または離れる)または両方向(例えば、ベース基板1510に向かい、かつ離れる)に光を放出するように構成され得る。
コーティング1660、および核生成抑制コーティング1660が存在しないカソード1650の他の領域の上に堆積された補助電極1670を含む。
EDデバイスのための補助電極を形成するために使用され得ることが理解されよう。具体的には、そのようなOLEDデバイスは、共通カソードと、補助電極が共通カソードと電気的に連絡するように、共通カソードの上または下に堆積された補助電極とを備えることができる。例えば、そのような補助電極は、複数の発光領域を含むOLEDデバイス(例えば、AMOLEDデバイス)に実装され得、それにより、補助電極は、発光領域の上ではなく非発光領域の上に形成される。別の例では、OLEDデバイスの非発光領域ならびに少なくとも一部の発光領域を被覆するために、補助電極が設けられてもよい。
図13Aは、複数の発光領域1810a~1810fおよび非発光領域1820を含むOLEDデバイス1800の一部分を示す。例えば、OLEDデバイス1800はAMOLEDデバイスであってもよく、発光領域1810a~1810fのそれぞれは、そのようなデバイスのピクセルまたはサブピクセルに対応してもよい。簡略化のために、図13B~図13Dは、OLEDデバイス1800の一部分を示す。具体的には、図13B~図13Dは、2つの隣接する発光領域である、第1の発光領域1810aおよび第2の発光領域1810bを囲む領域を示す。明示的には示されていないが、デバイス1800の発光領域と非発光領域の両方を実質的に被覆する共通カソードが設けられてもよい。
域が、所望の幅の補助電極1834を完全に収容するのに十分でない場合に望ましい場合がある。補助電極1834は、第2の発光領域1810bと実質的に同じ程度に第1の発光領域1810aと重なるものとして図13Dに示されているが、補助電極1834が隣接する発光領域と重なる程度は、他の実施形態では変調されてもよい。例えば、他の実施形態では、補助電極1834は、第2の発光領域1810bよりも第1の発光領域1810aとより大きく重なってもよく、逆もまた同様である。さらに、補助電極1834と発光領域との間の重複のプロファイルも変化させることができる。例えば、補助電極1834の重複部分は、補助電極1834が、同じ発光領域の別の部分と比べて、発光領域の一部分とより大きく重なり、不均一な重複領域を作成するように形作られてもよい。
2951を選択的に堆積させる。核生成抑制コーティング2945は、屈折率整合コーティングまたは取り出し層としても機能し得る。デバイス2900を封入するために、薄膜封入層2961が任意に設けられてもよい。
および第2の領域3412は、基板3410の表面3417の別個の非重複領域である。導電性コーティング3430は、第1の部分3432および第2の部分3434を含む。図に示すように、導電性コーティング3430の第1の部分3432は、基板3410の第2の領域3412を被覆し、導電性コーティング3430の第2の部分3434は、核生成抑制コーティング3420の一部分と部分的に重なる。具体的には、第2の部分3434は、その下にある基板表面3417に垂直な(または鉛直な)方向に核生成抑制コーティング3420の部分と重なるように示されている。
る。例えば、そのような島または切り離されたクラスタは、島またはクラスタが連続的な層として形成されないように、互いに物理的に分離された特徴部を含み得る。
態が示されている。このような実施形態では、例えば、接触角θcは、約90度より大きくてもよい。
γsv=γfs+γvfcosθ
スであり得る。光電子デバイスは概して、電気信号を光子に、またはその逆に変換する任意のデバイスを包含する。したがって、有機光電子デバイスは、デバイスの1つ以上の活性層が主に有機材料、より具体的には有機半導電性材料で形成される任意の光電子デバイスを包含することができる。有機光電子デバイスの例には、OLEDデバイスおよびOPVデバイスが含まれるが、これらに限定されない。
または絶縁無機材料を含み得る。次に、特に隣接するPDL3846の間の領域において、第1の電極3844の上に有機層3848が堆積される。第2の電極3850は、有機層3848およびPDL3846の両方を実質的に被覆するように堆積される。次に、第2の電極3850の表面は、核生成促進コーティング3852で実質的に被覆される。例えば、核生成促進コーティング3852は、オープンマスク堆積またはマスクフリー堆積技術を使用して堆積されてもよい。核生成抑制コーティング3854は、核生成促進コーティング3852の一部分の上に選択的に堆積される。例えば、核生成抑制コーティング3854は、シャドウマスクを使用して選択的に堆積されてもよい。したがって、補助電極3856は、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用して、核生成促進コーティング3852の露出表面上に選択的に堆積される。さらに具体的には、オープンマスクを使用して、またはマスクを使用して補助電極3856(例えば、マグネシウムを含む)の熱堆積を実施することにより、補助電極3856は、核生成促進コーティング3852の露出表面上に選択的に堆積され、一方、核生成抑制コーティング3854の表面には、補助電極3856の材料が実質的に存在しないままである。
850または4050と直接物理的に接触していないように示されているが、それにもかかわらず、補助電極3856または4056および第2の電極3850または4050は、電気的に連絡していてもよいことが理解されよう。例えば、補助電極3856または4056と第2の電極3850または4050との間に核生成促進材料または核生成抑制材料の比較的薄い膜(例えば、最大約100nm)が存在しても、電流がそこを通過することにより、第2の電極3850または4050のシート抵抗を低減することができる。
ことができ、これにより、透明なAMOLEDディスプレイが作成される。
質的に存在しないか、またはその材料から露出している。例えば、デバイス4300’の製造中に、核生成抑制コーティング4362は、第1の導電性コーティング4350’を堆積させる前に、光透過領域4351に堆積されてもよい。このようにして、第1の導電性コーティング4350’は、オープンマスク堆積プロセスまたはマスクフリー堆積プロセスを使用してサブピクセル領域4331に選択的に堆積され得る。上述したように、第1の導電性コーティング4350’を形成するために使用される材料は、概して、核生成抑制コーティング4362の表面上に堆積させることに対して、比較的低い親和性(例えば、低い初期付着確率)を示す。例えば、第1の導電性コーティング4350’は、イッテルビウム(Yb)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)およびマグネシウム(Mg)などの高蒸気圧材料を含み得る。一部の実施形態では、第1の導電性コーティング4350’は、純粋なマグネシウムまたは実質的に純粋なマグネシウムを含んでもよい。第1の導電性コーティング4350’が存在しない、または第1の導電性コーティング4350’が実質的に存在しない光透過領域4351を設けることにより、そのような領域の光透過率は、例えば図29Bのデバイス4300と比較して、一部の場合に有利に高められ得る。一部の実施形態では、核生成促進コーティングは、第1の導電性コーティング4350’と半導電性層4348との間の界面に配置されてもよい。
ングすることができる。使用されるフォトレジストの種類に応じて、フォトマスクの露出部分または非露出部分を洗い流して、その下にあるデバイス層の所望の部分を露出させることができる。次に、パターニング表面を化学的または物理的にエッチングして、デバイス層の露出部分を効果的に除去することができる。
一態様では、1つ以上の発光領域の上に導電性コーティングを選択的に堆積させる方法が提供される。一部の実施形態では、方法は、基板上に第1の導電性コーティングを堆積させることを含む。基板は、第1の発光領域および第2の発光領域を含み得る。基板上に堆積された第1の導電性コーティングは、基板の第1の発光領域をコーティングする第1の部分と、基板の第2の発光領域をコーティングする第2の部分とを含み得る。方法は、第1の導電性コーティングの第1の部分に第1の核生成抑制コーティングを堆積し、次に第1の導電性コーティングの第2の部分に第2の導電性コーティングを堆積させることをさらに含み得る。
ITI、およびそれらの組み合わせを含むがこれらに限定されない、他の方法を使用して堆積させることができる。
む)の熱堆積を実施することにより、第2の導電性コーティング1372は、第1の導電性コーティング1371の露出表面上に選択的に堆積され、一方、第1の核生成抑制コーティング1361の表面には、第1の導電性コーティング1372の材料が実質的に存在しないままである。第2の導電性コーティング1372は、第2の発光領域1331bおよび第3の発光領域1331cの上に配設された第1の導電性コーティング1371の部分をコーティングするために堆積されてもよい。
の導電性コーティング1373は、電磁スペクトルの可視波長部分において光透過性または実質的に透明であり得る。さらなる明確化のために、第1の導電性コーティング1371、第2の導電性コーティング1372、および第3の導電性コーティング1373はそれぞれ、電磁スペクトルの可視波長範囲の少なくとも一部分において、光透過性または実質的に透明であり得る。したがって、第2の導電性コーティングおよび/または第3の導電性コーティングが第1の導電性コーティングの上に配設されて共通カソード1375を形成するとき、そのような電極はまた、電磁スペクトルの可視波長部分で光透過性または実質的に透明であり得る。例えば、第1の導電性コーティング1371、第2の導電性コーティング1372、第3の導電性コーティング1373、および/または共通カソード1375の光透過率は、電磁スペクトルの可視部分で約30%超、約40%超、約45%超、約50%超、約60%超、70%超、約75%超、または約80%以上であってもよい。
でもよい。例えば、第1の導電性コーティング1371は、Mg:Ag合金、Mg:Yb合金、Yb層およびAg層を含む二層構造、またはそれらの組み合わせを含んでもよい。Mg:Ag合金またはMg:Yb合金の場合、合金組成は、体積で約1:9~約9:1の範囲であってもよい。
マイクロキャビティ効果も、発光領域に配設された核生成抑制コーティングの厚さを変更することによって変調することができる。
一態様では、光電子デバイスが提供される。光電子デバイスは、第1の電極および第2の電極と、第1の電極と第2の電極との間に配設された半導電性層、第2の電極の少なくとも一部分の上に配設された核生成抑制コーティングと、補助電極と、補助電極と重なるように配置され、陰影領域を設けるパターニング構造と、陰影領域に配設された導電性コーティングと、を含み、導電性コーティングは、補助電極および第2の電極と電気的に接続されている。
42を設けるために凹状部分を含んでもよい。さらに他の実施形態では、補助電極5051および導電性コーティング5099は、ピクセル画定層5041上ではなく、基板5010の表面5015上に直接配設されてもよい。
一部の実施形態による一態様では、デバイスが提供される。デバイスは、光電子デバイスであり得る。一部の実施形態では、デバイスは、基板、核生成抑制コーティング、および光学コーティングを含む。核生成抑制コーティングは、基板の第1の領域を被覆する。光学コーティングは、基板の第2の領域を被覆し、核生成抑制コーティングの少なくとも一部分は、光学コーティングから露出しているか、または実質的に存在しないか、または実質的に被覆されていない。
基板の表面上での蒸着中の薄膜の形成は、核生成および成長のプロセスを伴う。膜形成の初期段階の間、十分な数の蒸気モノマー(例えば、原子または分子)は、典型的には、蒸気相から凝縮して、表面上に初期核を形成する。蒸気モノマーが表面に衝突し続けると、これらの初期核のサイズと密度が増加して、小さなクラスタまたは島が形成される。島の密度に飽和した後、概して、隣接する島が合体し始め、島の密度を減らしながら島の平均サイズが増加する。隣接する島の合体は、実質的に閉じた膜が形成されるまで続く。
存する。
式中、a0は格子定数であり、ESは、表面拡散の活性化エネルギーである。Edesが低い値、および/またはESが高い値、あるいはその両方の場合、吸着原子は脱離前に短い距離を拡散するため、成長している核に付着したり、別の吸着原子または吸着原子のクラスタと相互作用したりする可能性が低くなる。
式中、Eiはi個の吸着原子を含む臨界クラスタを個別の吸着原子に解離するために必要なエネルギー、n0は吸着部位の総密度、N1は次の式で与えられるモノマー密度である。
式中、
は蒸気衝突速度である。通常、iは、堆積される材料の結晶構造に依存し、安定した核を形成するための臨界クラスタサイズを決定する。
式中、Pは圧力、Mは分子量である。したがって、H2Oなどの反応性ガスの分圧が高くなると、蒸着中に表面の汚染密度が高くなり、Edesが増加して核の密度が高くなる。
式中、Nadsは、表面に残る(例えば、膜に組み込まれる)吸着されたモノマーの数であり、Ntotalは、表面に衝突するモノマーの総数である。付着確率が1に等しいとは、表面に衝突する全てのモノマーが吸着され、その後成長する膜に組み込まれることを示す。付着確率が0に等しいとは、表面に衝突する全てのモノマーが脱離し、その後、表面に膜が形成されないことを示す。Walker et al.,J.Phys.Chem.C 2007,111,765(2006).に記載されている二重水晶振動子マイクロバランス(QCM)技術など、付着確率を測定する様々な技術を使用して、様々な表面上の金属の付着確率を評価できる。
違いから理解することができる。例えば、島の表面に衝突するモノマーは、1に近い付着確率を有することができる。
式中、Snucは島で被覆された領域の付着確率であり、Anucは島で被覆された基板表面の領域の割合である。
核生成抑制コーティングを形成するために使用するのに適した材料には、約0.1(または10%)以下もしくは未満、または約0.05以下もしくは未満、および、より具体的には、約0.03以下もしくは未満、約0.02以下もしくは未満、約0.01以下もしくは未満、約0.08以下もしくは未満、約0.005以下もしくは未満、約0.003以下もしくは未満、約0.001以下もしくは未満、約0.0008以下もしくは未満、約0.0005以下もしくは未満、または約0.0001以下もしくは未満の導電性コーティングの材料の初期付着確率を示すか、または特徴付けるものが含まれる。核生成促進コーティングを形成するために使用するのに適した材料には、少なくとも約0.6(または60%)、少なくとも約0.7、少なくとも約0.75、少なくとも約0.8、少なくとも約0.9、少なくとも約0.93、少なくとも約0.95、少なくとも約0.98、または少なくとも約0.99の導電性コーティングの材料の初期付着確率を示すか、または特徴付けるものが含まれる。
任意の2つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
式中、B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7、およびB8のうちの少なくとも1つは、ナフチル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、(I-B)によって表されるナフチル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、(I-B)で表されるナフチル部分は、B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7、およびB8のうちの少なくとも1つとして存在する1つ以上の置換基で置換されていてもよく、1つ以上の置換基は、独立して、H、D(重水素)、F、Cl、C1~C6アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の2つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。一部の実施形態では、「B」置換基は、対応するB’(Bプライム)置換基であり、任意のB’置換基は、本明細書に示されるB置換基の値を有し得る。
式中、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、およびC10のうちの少なくとも1つは、フェナントリル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概し
て、(I-C)によって表されるフェナントリル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、(I-C)で表されるフェナントリル部分は、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、およびC10のうちの少なくとも1つとして存在する1つ以上の置換基で置換されていてもよく、1つ以上の置換基は、独立して、H、D(重水素)、F、Cl、C1~C6アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の2つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。一部の実施形態では、「C」置換基は、対応するC’(Cプライム)置換基であり、任意のC’置換基は、本明細書に示されるC置換基の値を有し得る。
式中、D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9およびD10のうちの少なくとも1つは、フェナントリル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、(I-D)によって表されるアントラセニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、(I-D)で表されるアントラセニル部分は、D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9、およびD10のうちの少なくとも1つとして存在する1つ以上の置換基で置換されていてもよく、1つ以上の置換基は、独立して、H、D(重水素)、F、Cl、C1~C6アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の2つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
式中、E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7、E8、E9、E10、E11、およびE12のうちの少なくとも1つは、ベンズアントラセニル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、(I-E)によって表されるベンズアントラセニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、(I-E)で表されるベンズアントラセニル部分は、E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7、E8、E9、E10、E11、およびE12のうちの少なくとも1つとして存在する1つ以上の置換基で置換されていてもよく、1つ以上の置換基は、独立して、H、D(重水素)、F、Cl、C1~C6アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の2つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
式中、F1、F2、F3、F4、F5、F6、F7、F8、F9およびF10のうちの少なくとも1つは、ピレニル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、(I-F)によって表されるピレニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部
の実施形態では、(I-F)で表されるピレニル部分は、F1、F2、F3、F4、F5、F6、F7、F8、F9、およびF10のうちの少なくとも1つとして存在する1つ以上の置換基で置換されていてもよく、1つ以上の置換基は、独立して、H、D(重水素)、F、Cl、C1~C6アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の2つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
式中、G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7、G8、G9、G10、G11、およびG12のうちの少なくとも1つは、クリセニル部分とコア部分との間に形成される結合を表す。概して、(I-G)によって表されるクリセニル部分は、非置換であっても置換されていてもよい。一部の実施形態では、(I-G)で表されるクリセニル部分は、G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7、G8、G9、G10、G11、およびG12のうちの少なくとも1つとして存在する1つ以上の置換基で置換されていてもよく、1つ以上の置換基は、独立して、H、D(重水素)、F、Cl、C1~C6アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の2つ以上の組み合わせから選択される。一部の実施形態では、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択される。
含む。
トラセニルコア部分の1つ以上の占有されていない位置に結合することができる。例えば、1つ以上の追加の末端部分は、それぞれ2位、3位、6位、または7位に結合され得る。
、F、Cl、C1~C4アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、フルオロアルコキシ、およびそれらの任意の2つ以上の組み合わせから選択されてもよい。さらに、1つ以上の置換基は、独立して、メチル、メトキシ、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシ、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから選択されてもよい。他の置換基の説明、A1、A2、A3、A4、A5、B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7(およびB1~B7に対応するB’の対応物)、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9(およびC1~C9に対応するC’の対応物)、D1、D2、D3、D4、D5、D6、D7、D8、D9、E1、E2、E3、E4、E5、E6、E7、E8、E9、E10、E11、F1、F2、F3、F4、F5、F6、F7、F8、F9、F10、G1、G2、G3、G4、G5、G6、G7、G8、G9、G10、G11、およびG12、(I-A)、(I-B)、または(I-C)、(I-D)、(I-E)、(I-F)、(I-G)に関連して上記で提供されたものは、A1からA66で表される対応する置換基に適用できる。
5、B6、B7、B8、X2、X3、X6、X7、A2、A3、A4、A5およびA6のうちの少なくとも1つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、B5、B6、B8、X2、X3、X6、X7、A2、A3、A4、A5およびA6のうちの少なくとも1つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、B5、B6、B8、X2、X3、X6、X7、A2、A3、A4、A5およびA6のうちの少なくとも1つは、アリール、アリールアルキル、またはヘテロアリールである。例えば、そのような構造には、最大8、6、4、3、または1つのそのような置換基が存在し得る。
4、3、または1つのそのような置換基が存在し得る。
な置換基が存在し得る。
’6、C’7、C’8、およびC’10のうちの少なくとも1つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、X2、X3、X6、X7、C’1、C’2、C’3、C’4、C’5、C’6、C’7、C’8、およびC’10のうちの少なくとも1つは、アリール、アリールアルキルまたはヘテロアリールである。さらなる例では、C1、C2、C4、C5、C6、C7、X2、X3、X6、X7、C’1、C’2、C’3、C’4、C’5、C’6、C’7、C’8、およびC’10のうちの少なくとも1つは、アリール、アリールアルキル、またはヘテロアリールである。さらなる例では、C1、C2、C4、C5、C6、C7、X2、X3、X6、X7、C’8、およびC’10のうちの少なくとも1つは、アリール、アリールアルキル、またはヘテロアリールである。例えば、そのような構造には、最大8、6、4、3、または1つのそのような置換基が存在し得る。
記のような縮合環構造を含む多環式芳香族部分を含む。
8.3,0.9Hz,1H)、7.80-7.73(m,3H)、7.63-7.56(m,2H)、7.56-7.51(m,2H)、7.45(ddd,J=8.8,1.3,0.8Hz,2H)、7.43-7.36(m,4H)、7.27(dddd,J=8.0,6.3,5.0,1.3Hz,3H)、7.15-7.12(m,1H)。λAbs=375.6nm(DCM)。
-7.61(m,3H)、7.56-7.32(m,5H)、7.27-7.06(m,5H)。λAbs=396nm(DCM)、λfluo=430nm(DCM)。
s,1H)、7.93(m,1H)、7.74(m,2H)、7.62(m,5H)、7.38(m,4H)、7.16(m,2H)。13C NMR(CDCl3):152.76、150.26 138.35、136.28、133.52、132.98、130.32、130.12、129.77、129.43、128.25、128.09、127.28、126.72、126.52、126.13、126.02、125.48,115.92、115.86、115.77、115.72。19F NMR(CDCl3):134.38(m)、161.64(m)。λAbs=395nm(DCM)、λfluo=418nm(DCM)。収率(精製)=75%、収率(昇華)=91%。MS(m/z,%):434.3(M+,100)。GC保持時間=7.07分。
ントラセン(0.971g、2.53mmol)、炭酸カリウム(1.05g、7.60mmol)、およびテトラキス(トリフェニルホスフィン)-パラジウム(0.438g、15mol)と混合させたことを除いて、上記のように化合物9と同一の手順を使用して合成した。1H NMR(CDCl3):8.09(d,J=8.04Hz,1H)、8.04(m,1H)、7.99(s,1H)、7.93(m,1H)、7.74(m,4H)、7.62(m,3H)、7.34(m,7H)。13C NMR(CDCl3):139.13、138.13、137.66、138.87、133.58、132.88、132.13、130.38、130.20、130.06、129.75、128.53、128.42、128.34、128.09、128.04、127.29、127.14、126.55、126.35、125.23、125.10、31.09、21.71。19F NMR(CDCl3):113.22(m)。λAbs=395nm(DCM)、λfluo=420nm(DCM)。収率(精製)=69%、収率(昇華)=81%。MS(m/z,%):394.3(M+,100)。GC保持時間=9.21分。
物を、20~50mTorrの減圧下でトレイン昇華を使用し、CO2をキャリアガスとして使用してさらに精製した。1H NMR(CDCl3):7.72(m,4H)、7.58(m,3H)、7.49(m,2H)、7.41(m,4H)、7.33(m,4H)、2.55(s,3H)。13C NMR(CDCl3):139.28、137.38、137.21、137.07、136.10、131.48、131.34、130.13、130.03、129.25、128.53、127.57、127.20、127.08、125.10、125.02、21.55。λAbs=393nm(iPrOH)、λfluo=408.03nm(iPrOH)。収率(精製)=53%、収率(昇華)=73%。
6、125.68、125.27、124.61、123.03。19F NMR(CDCl3):-62.38(s,3F)。λAbs=392nm(iPrOH)、λfluo=406.06nm(iPrOH)。
NMR(CDCl3):139.28、139.13、138.12、137.49、137.10、132.13、131.49、130.01、130.01、128.54、128.52、128.40、128.31、127.59、127.22、127.08、125.11、125.05、21.69。λAbs=392nm(iPrOH)、λfluo=406.06nm(iPrOH)。
7.1Hz,3H)、7.85(s,1H)、7.81-7.74(m,1H)、7.74-7.69(m,1H)、7.65(dd,J=13.9,7.8Hz,5H)、7.58(d,J=8.8Hz,2H)、7.37-7.29(m,3H)、7.24-7.18(m,3H)。λAbs,max=377nm(DCM)、λfluo,max=432nm(DCM)。
制コーティングの表面)に堆積されたマグネシウムの実際の厚さを示すものではない。むしろ、基準層の厚さは、ターゲット表面と基準表面を同じ堆積期間(すなわち、水晶の表面)で同じマグネシウム蒸気フラックスに曝したときに、基準表面に堆積されるマグネシウムの層厚を指す。理解されるように、ターゲット表面と基準表面が堆積中に同時に同じ蒸気フラックスに曝されない場合、基準厚さを決定および監視するために適切なツーリングファクタが使用されてもよい。
、測定された透過率から差し引いた。そのため、表6に示す光透過率の値は、核生成抑制コーティングの表面に存在し得るマグネシウムコーティングを通る光の透過率(波長約550nm)のみを反映している。
)が増加しても、次の式に従って決定される臨界核生成速度(
)は比較的低いままであり、マグネシウムの堆積を実質的に抑制する。
ギーは約0.6eVより大きくなるように選択し、吸着原子-吸着原子相互作用の脱離の活性化エネルギーは約1.5eVより大きくなるように選択し、吸着原子-吸着原子相互作用の脱離の活性化エネルギーは、表面-吸着原子相互作用の脱離の活性化エネルギーの約1.25倍より大きくなるように選択した。上記の値と条件は、マグネシウム-マグネシウム相互作用についての報告値に基づいて選択した。シミュレーションの目的で、300Kの温度(T)を使用した。タングステン-タングステンのような他の金属吸着原子-金属吸着原子活性化相互作用についての報告値を使用して、計算を繰り返した。上記の参照値は、例えば、カリフォルニア州ノイバウアーにおける、1964年、Physics
of Thin Films,2,1,Structural Disorder Phenomena in Thin Metal Filmsにおいて報告されている。
ギーの約2倍以下、約2.5倍以下、約2.8倍以下、約3倍以下、約3.2倍以下、約3.5倍以下、約4倍以下、または約5倍以下である。
Edes≦α*Es≦β*Ei
Edes≦1.75*Es≦3*Ei
ΔEs-i=Es-Ei
Edes≦α*Es≦β*Ei
ΔEs-i=Es-Ei
いて、少なくとも一部の場合において、脱離の活性化エネルギー(Edes)が拡散の活性化エネルギー(Es)の約2倍未満であり、拡散のエネルギー(Es)が解離の活性化エネルギー(Ei)の約3倍未満である表面は、概して、約0.1未満の比較的低い初期付着確率を示すことが現在見出されている。
(項1)
光電子デバイスであって、
基板と、
前記基板上に配設された第1の電極と、
前記第1の電極の上に配設された半導電性層と、
前記半導電性層の上に配設された第2の電極であって、前記第2の電極が、第1の部分および第2の部分を有する、第2の電極と、
前記第2の電極の前記第1の部分の上に配設された核生成抑制コーティングと、
前記第2の電極の前記第2の部分の上に配設された導電性コーティングと、を備え、
前記核生成抑制コーティングが、式(I)の化合物を含む、光電子デバイス。
[式中、X 1 ~X 10 のうちの少なくとも2つがそれぞれ独立して、(I-A)、(I-B)、(I-C)、(I-D)、(I-E)、(I-F)、および(I-G)から選択され、X 1 ~X 10 のうちの残りがそれぞれ独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-A)では、A 1 、A 2 、A 3 、A 4 、およびA 5 が独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-B)では、B 1 、B 2 、B 3 、B 4 、B 5 、B 6 、B 7 、およびB 8 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、B 1 、B 2 、B 3 、B 4 、B 5 、B 6 、B 7 、およびB 8 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-C)では、C 1 、C 2 、C 3 、C 4 、C 5 、C 6 、C 7 、C 8 、C 9 、およびC 10 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、C 1 、C 2 、C 3 、C 4 、C 5 、C 6 、C 7 、C 8 、C 9 、およびC 10 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-D)では、D 1 、D 2 、D 3 、D 4 、D 5 、D 6 、D 7 、D 8 、D 9 、およびD 10 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、D 1 、D 2 、D 3 、D 4 、D 5 、D 6 、D 7 、D 8 、D 9 、およびD 10 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-E)では、E 1 、E 2 、E 3 、E 4 、E 5 、E 6 、E 7 、E 8 、E 9 、E 10 、E 11 、およびE 12 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、E 1 、E 2 、E 3 、E 4 、E 5 、E 6 、E 7 、E 8 、E 9 、E 10 、E 11 、およびE 12 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-F)では、F 1 、F 2 、F 3 、F 4 、F 5 、F 6 、F 7 、F 8 、F 9 、およびF 10 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、F 1 、F 2 、F 3 、F 4 、F 5 、F 6 、F 7 、F 8 、F 9 、およびF 10 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-G)では、G 1 、G 2 、G 3 、G 4 、G 5 、G 6 、G 7 、G 8 、G 9 、G 10 、G 11 、およびG 12 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、G 1 、G 2 、G 3 、G 4 、G 5 、G 6 、G 7 、G 8 、G 9 、G 10 、G 11 、およびG 12 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される]
(項2)
X 1 、X 8 、およびX 9 のうちの少なくとも1つが、(I-A)、(I-B)、(I-C)、(I-D)、(I-E)、(I-F)、および(I-G)からなる群から選択され、X 4 、X 5 、およびX 10 のうちの少なくとも1つが、(I-A)、(I-B)、(I-C)、(I-D)、(I-E)、(I-F)、および(I-G)から選択される、上記項1に記載の光電子デバイス。
(項3)
X 2 、X 3 、X 6 、およびX 7 がそれぞれ、個別に、H、D(重水素)、F、Cl、C 1 ~C 6 アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、上記項2に記載の光電子デバイス。
(項4)
X 1 、X 8 、およびX 9 のうちの少なくとも1つが、(I-A)、(I-B)、および(I-C)からなる群から選択され、X 4 、X 5 、およびX 10 のうちの少なくとも1つが、(I-A)、(I-B)、および(I-C)からなる群から選択される、上記項1に記載の光電子デバイス。
(項5)
X 2 、X 3 、X 6 、およびX 7 がそれぞれ、個別に、H、D(重水素)、F、Cl、C 1 ~C 6 アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、上記項4に記載の光電子デバイス。
(項6)
X 1 、X 8 、およびX 9 のうちの少なくとも1つが、(I-A)であり、X 4 、X 5 、およびX 10 のうちの少なくとも1つが、(I-B)および(I-C)からなる群から選択される、上記項1に記載の光電子デバイス。
(項7)
X 1 、X 8 、およびX 9 のうちの少なくとも1つが、(I-A)であり、X 4 、X 5 、およびX 10 のうちの少なくとも1つが、(I-B)である、上記項1に記載の光電子デバイス。
(項8)
X 1 、X 8 、およびX 9 のうちの少なくとも1つが、(I-A)であり、X 4 、X 5 、およびX 10 のうちの少なくとも1つが、(I-C)である、上記項1に記載の光電子デバイス。
(項9)
A 1 、A 2 、A 3 、A 4 、およびA 5 のうちの少なくとも1つが、t-ブチル、メトキシ、トリフルオロメトキシ、メチル、トリフルオロメチル、またはFである、上記項6、7、および8のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項10)
前記A 1 、A 2 、A 3 、A 4 、およびA 5 のうちの最大3つが、Fである、上記項6、7、および8のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項11)
B 1 、B 2 、B 3 、B 4 、B 5 、B 6 、B 7 、C 1 、C 2 、C 3 、C 4 、C 5 、C 6 、およびC 7 が、Hである、上記項9または10に記載の光電子デバイス。
(項12)
X 9 が、(I-A)であり、X 10 が、(I-D)、(I-E)、(I-F)、および(I-G)からなる群から選択される、上記項1に記載の光電子デバイス。
(項13)
X 1 、X 2 、X 3 、X 4 、X 5 、X 6 、X 7 、およびX 8 が独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される、上記項1、6、7、および8のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項14)
前記核生成抑制コーティングが、約5nm~約100nmの厚さを有する、上記項1~13のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項15)
前記第2の電極の前記第1の部分が、前記デバイスの発光領域に対応する、上記項1~14のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項16)
前記第2の電極の前記第2の部分が、前記デバイスの非発光領域に対応する、上記項1~14のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項17)
前記第2の電極の前記第1の部分が、前記デバイスの非発光領域に対応する、上記項1~14のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項18)
前記第2の電極の前記第2の部分が、前記デバイスの発光領域に対応する、上記項1~14のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項19)
前記光電子デバイスが、有機発光(OLED)デバイスである、上記項1~18のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項20)
前記OLEDデバイスが、アクティブマトリクスOLEDデバイス、パッシブマトリクスOLEDデバイス、またはOLED照明デバイスである、上記項19に記載の光電子デバイス。
(項21)
前記OLEDデバイスが、トップエミッションOLEDデバイス、ボトムエミッションOLEDデバイス、または両面発光デバイスである、上記項19または20に記載の光電子デバイス。
(項22)
前記OLEDデバイスが、光透過部分を含み、前記光透過部分は、そこを通って光を透
過させるように構成されている、上記項19、20、または21に記載の光電子デバイス。
(項23)
前記導電性コーティングが、前記OLEDデバイスの補助電極である、上記項1~22のいずれか一項に記載の光電子デバイス。
(項24)
前記核生成抑制コーティングが、以下からなる群から選択される化合物を含む、上記項1に記載の光電子デバイス。
(項25)
以下の化合物。
(項26)
光電子デバイスであって、
基板と、
前記基板の第1の領域を被覆する核生成抑制コーティングと、
第1の部分および第2の部分を含む導電性コーティングであって、前記導電性コーティングの前記第1の部分が、前記基板の第2の領域を被覆する、導電性コーティングと、を備え、
前記核生成抑制コーティングが、式(I)の化合物を含む、光電子デバイス。
[式中、X 1 ~X 10 のうちの少なくとも2つがそれぞれ独立して、(I-A)、(I-B)、(I-C)、(I-D)、(I-E)、(I-F)、および(I-G)から選択され、X 1 ~X 10 のうちの残りがそれぞれ独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-A)では、A 1 、A 2 、A 3 、A 4 、およびA 5 が独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-B)では、B 1 、B 2 、B 3 、B 4 、B 5 、B 6 、B 7 、およびB 8 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、B 1 、B 2 、B 3 、B 4 、B 5 、B 6 、B 7 、およびB 8 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-C)では、C 1 、C 2 、C 3 、C 4 、C 5 、C 6 、C 7 、C 8 、C 9 、およびC 10 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、C 1 、C 2 、C 3 、C 4
、C 5 、C 6 、C 7 、C 8 、C 9 、およびC 10 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-D)では、D 1 、D 2 、D 3 、D 4 、D 5 、D 6 、D 7 、D 8 、D 9 、およびD 10 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、D 1 、D 2 、D 3 、D 4 、D 5 、D 6 、D 7 、D 8 、D 9 、およびD 10 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-E)では、E 1 、E 2 、E 3 、E 4 、E 5 、E 6 、E 7 、E 8 、E 9 、E 10 、E 11 、およびE 12 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、E 1 、E 2 、E 3 、E 4 、E 5 、E 6 、E 7 、E 8 、E 9 、E 10 、E 11 、およびE 12 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-F)では、F 1 、F 2 、F 3 、F 4 、F 5 、F 6 、F 7 、F 8 、F 9 、およびF 10 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、F 1 、F 2 、F 3 、F 4 、F 5 、F 6 、F 7 、F 8 、F 9 、およびF 10 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択され、
式中、(I-G)では、G 1 、G 2 、G 3 、G 4 、G 5 、G 6 、G 7 、G 8 、G 9 、G 10 、G 11 、およびG 12 のうちの少なくとも1つが、式Iへの結合を表し、G 1 、G 2 、G 3 、G 4 、G 5 、G 6 、G 7 、G 8 、G 9 、G 10 、G 11 、およびG 12 のうちの残りが独立して、H、D(重水素)、F、Cl、アルキル、シクロアルキル、シリル、フルオロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、アルコキシ、およびフルオロアルコキシからなる群から選択される]
(項27)
前記導電性コーティングの前記第2の部分が、前記核生成抑制コーティングと部分的に重なり、前記導電性コーティングの前記第2の部分が、ギャップによって前記核生成抑制コーティングから離間されている、上記項26に記載の光電子デバイス。
Claims (1)
- 明細書に記載の発明。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2024002635A JP2024038340A (ja) | 2018-02-02 | 2024-01-11 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862625710P | 2018-02-02 | 2018-02-02 | |
US201862625722P | 2018-02-02 | 2018-02-02 | |
US62/625,710 | 2018-02-02 | ||
US62/625,722 | 2018-02-02 | ||
US201862770360P | 2018-11-21 | 2018-11-21 | |
US62/770,360 | 2018-11-21 | ||
PCT/IB2019/050839 WO2019150327A1 (en) | 2018-02-02 | 2019-02-01 | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
JP2020541978A JP7425480B2 (ja) | 2018-02-02 | 2019-02-01 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020541978A Division JP7425480B2 (ja) | 2018-02-02 | 2019-02-01 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024002635A Division JP2024038340A (ja) | 2018-02-02 | 2024-01-11 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023018039A true JP2023018039A (ja) | 2023-02-07 |
Family
ID=67479068
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020541978A Active JP7425480B2 (ja) | 2018-02-02 | 2019-02-01 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
JP2022184850A Pending JP2023018039A (ja) | 2018-02-02 | 2022-11-18 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
JP2024002635A Pending JP2024038340A (ja) | 2018-02-02 | 2024-01-11 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020541978A Active JP7425480B2 (ja) | 2018-02-02 | 2019-02-01 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024002635A Pending JP2024038340A (ja) | 2018-02-02 | 2024-01-11 | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11751415B2 (ja) |
JP (3) | JP7425480B2 (ja) |
KR (1) | KR20200125941A (ja) |
CN (1) | CN112135808A (ja) |
WO (1) | WO2019150327A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11489136B2 (en) * | 2018-05-07 | 2022-11-01 | Oti Lumionics Inc. | Method for providing an auxiliary electrode and device including an auxiliary electrode |
JP2022532144A (ja) * | 2019-05-08 | 2022-07-13 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
KR20200136551A (ko) * | 2019-05-27 | 2020-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2021205410A1 (en) * | 2020-04-09 | 2021-10-14 | Oti Lumionics Inc. | Display panel having blind hole to accommodate signals exchanged with under-display component |
TW202229215A (zh) | 2020-09-30 | 2022-08-01 | 德商麥克專利有限公司 | 用於有機電致發光裝置功能層之結構化的化合物 |
TW202222748A (zh) | 2020-09-30 | 2022-06-16 | 德商麥克專利有限公司 | 用於結構化有機電致發光裝置的功能層之化合物 |
KR20230116914A (ko) | 2020-12-07 | 2023-08-04 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 핵 생성 억제 코팅 및 하부 금속 코팅을 사용한 전도성 증착 층의 패턴화 |
JP2022104577A (ja) | 2020-12-28 | 2022-07-08 | 大日本印刷株式会社 | 有機デバイス、マスク群、マスク、及び有機デバイスの製造方法 |
JP2022104578A (ja) | 2020-12-28 | 2022-07-08 | 大日本印刷株式会社 | 有機デバイス、マスク群、マスク、及び有機デバイスの製造方法 |
WO2022203222A1 (ko) * | 2021-03-26 | 2022-09-29 | 주식회사 랩토 | 핵생성 억제 형성용 물질 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
US20220399514A1 (en) * | 2021-06-15 | 2022-12-15 | The Regents Of The University Of Michigan | Organic photovoltaic device via ultra-thin shadow mask device, systems and methods |
US11856841B2 (en) | 2021-07-05 | 2023-12-26 | Duk San Neolux Co., Ltd. | Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof |
KR102412986B1 (ko) * | 2021-07-05 | 2022-06-27 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
JP7524378B2 (ja) * | 2021-07-05 | 2024-07-29 | ドク サン ネオルクス カンパニー リミテッド | 有機電子素子用化合物、それを用いた有機電子素子及びその電子装置 |
JP2023124719A (ja) | 2022-02-25 | 2023-09-06 | 大日本印刷株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP2024004358A (ja) | 2022-06-28 | 2024-01-16 | 大日本印刷株式会社 | 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008214332A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Sfc Co Ltd | 青色発光化合物およびこれを利用した有機電界発光素子 |
JP2012119592A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途 |
US20170117478A1 (en) * | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
WO2017072678A1 (en) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
Family Cites Families (580)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1096600A (en) | 1965-08-12 | 1967-12-29 | Monsanto Chemicals | Fluoro-aromatic substituted heterocyclic compounds |
SU508198A3 (ru) | 1971-07-22 | 1976-03-25 | Группо Лепетит С.П.А. (Фирма) | Способ получени производных 1,2,4-триазола |
US4022928A (en) | 1975-05-22 | 1977-05-10 | Piwcyzk Bernhard P | Vacuum deposition methods and masking structure |
GB1584296A (en) | 1976-12-07 | 1981-02-11 | Kanebo Ltd | 2-substituted benzimidazole compounds |
US4379155A (en) | 1979-06-11 | 1983-04-05 | Gruppo Lepetit S.P.A. | 3,5-Disubstituted-1H-1,2,4-triazole derivatives |
FR2488891A1 (fr) | 1980-08-22 | 1982-02-26 | Roussel Uclaf | Nouveaux derives du 4h-1,2,4-triazole, leur procede de preparation et leur application comme medicament |
BE1003403A7 (fr) | 1989-11-28 | 1992-03-17 | Continental Photo | Solution chimiluminescente a base d'anthracene substitue. |
US5159105A (en) | 1990-02-28 | 1992-10-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Higher pentafluorosulfanyl-fluoroaliphatic carbonyl and sulfonyl fluorides, and derivatives |
JPH05307997A (ja) | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US5550290A (en) | 1993-10-13 | 1996-08-27 | Mita Industrial Co. Ltd. | Benzidine derivative and electrophotosensitive material using the same |
US5834130A (en) | 1994-05-26 | 1998-11-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Organic electroluminescent device |
WO1995033732A1 (fr) | 1994-06-09 | 1995-12-14 | Nippon Soda Co., Ltd. | Compose de triazole, procede de production et pesticide |
JP3866293B2 (ja) | 1996-08-19 | 2007-01-10 | Tdk株式会社 | 有機el素子 |
DE69706197T2 (de) | 1996-10-16 | 2001-11-29 | Mobil Oil Corp., Fairfax | Verfahren zur gerüstisomerisierung von n-olefinen |
JP3588978B2 (ja) | 1997-06-12 | 2004-11-17 | 凸版印刷株式会社 | 有機薄膜el素子 |
US6016033A (en) | 1997-07-11 | 2000-01-18 | Fed Corporation | Electrode structure for high resolution organic light-emitting diode displays and method for making the same |
US6171715B1 (en) | 1997-08-07 | 2001-01-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
DE19748109B4 (de) | 1997-10-31 | 2006-09-07 | Merck Patent Gmbh | Schwefelpentafluorid-Derivate und flüssigkristallines Medium |
US5935721A (en) | 1998-03-20 | 1999-08-10 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent elements for stable electroluminescent |
US6292454B1 (en) | 1998-10-08 | 2001-09-18 | Sony Corporation | Apparatus and method for implementing a variable-speed audio data playback system |
US6361886B2 (en) | 1998-12-09 | 2002-03-26 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved hole transport layer |
US6465115B2 (en) | 1998-12-09 | 2002-10-15 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with anthracene derivatives hole transport layer |
JP3949363B2 (ja) | 1999-10-26 | 2007-07-25 | 富士フイルム株式会社 | 芳香族縮環化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子 |
JP4434411B2 (ja) | 2000-02-16 | 2010-03-17 | 出光興産株式会社 | アクティブ駆動型有機el発光装置およびその製造方法 |
AU2001241621B2 (en) | 2000-02-23 | 2005-08-25 | City Of Hope | Pyrophosphorolysis activated polymerization (PAP): application to allele-specific amplification and nucleic acid sequence determination |
MXPA02007814A (es) | 2000-03-06 | 2005-12-12 | Fumakilla Ltd | Aparatzo de difusion quimica de tipo ventilador. |
US6439083B1 (en) | 2000-03-23 | 2002-08-27 | Dbm Innovation, Inc. | Universal spring tool |
TWI290546B (en) | 2000-08-10 | 2007-12-01 | Mitsui Chemicals Inc | Hydrocarbon compounds for organic electroluminescent elements and organic electroluminescent elements |
US7053255B2 (en) | 2000-11-08 | 2006-05-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Substituted diphenylanthracene compounds for organic electroluminescence devices |
EP1213337B1 (en) | 2000-12-06 | 2005-11-02 | MERCK PATENT GmbH | Liquid crystalline medium and liquid crystal display |
US7363308B2 (en) | 2000-12-28 | 2008-04-22 | Fair Isaac Corporation | System and method for obtaining keyword descriptions of records from a large database |
KR100399417B1 (ko) | 2001-01-08 | 2003-09-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 집적 회로의 제조 방법 |
JP2002212163A (ja) | 2001-01-24 | 2002-07-31 | Seimi Chem Co Ltd | 五フッ化硫黄化合物及び該化合物を含有する液晶組成物 |
US6407408B1 (en) | 2001-03-12 | 2002-06-18 | Universal Display Corporation | Method for patterning devices |
JP4972844B2 (ja) | 2001-03-30 | 2012-07-11 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6900470B2 (en) | 2001-04-20 | 2005-05-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display device and method of manufacturing the same |
US6638644B2 (en) | 2001-08-28 | 2003-10-28 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent devices having diarylanthracene polymers |
DE10145778B4 (de) | 2001-09-17 | 2012-07-19 | Merck Patent Gmbh | Fluorierte Anthracene und ihre Verwendung in Flüssigkristallmischungen und in Flüssigkristalldisplays |
KR100691543B1 (ko) | 2002-01-18 | 2007-03-09 | 주식회사 엘지화학 | 새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자 |
SG126714A1 (en) | 2002-01-24 | 2006-11-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7986672B2 (en) | 2002-02-25 | 2011-07-26 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for channel quality feedback in a wireless communication |
US7099299B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-08-29 | Agency For Science, Technology And Research | CDMA system with frequency domain equalization |
US6835950B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Universal Display Corporation | Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer |
JP4170655B2 (ja) | 2002-04-17 | 2008-10-22 | 出光興産株式会社 | 新規芳香族化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
AU2003221969A1 (en) | 2002-04-19 | 2003-11-03 | 3M Innovative Properties Company | Materials for organic electronic devices |
JP4025111B2 (ja) | 2002-04-19 | 2007-12-19 | 出光興産株式会社 | 新規アントラセン化合物及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
TWI271131B (en) | 2002-04-23 | 2007-01-11 | Via Tech Inc | Pattern fabrication process of circuit substrate |
JP2003317971A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US7169482B2 (en) | 2002-07-26 | 2007-01-30 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Display device with anthracene and triazine derivatives |
JP4025136B2 (ja) | 2002-07-31 | 2007-12-19 | 出光興産株式会社 | アントラセン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4025137B2 (ja) | 2002-08-02 | 2007-12-19 | 出光興産株式会社 | アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4041816B2 (ja) | 2002-08-23 | 2008-02-06 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びアントラセン誘導体 |
US20040058193A1 (en) | 2002-09-16 | 2004-03-25 | Eastman Kodak Company | White organic light-emitting devices with improved performance |
KR101016164B1 (ko) | 2002-10-09 | 2011-02-17 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 |
DE10249723A1 (de) | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Covion Organic Semiconductors Gmbh | Arylamin-Einheiten enthaltende konjugierte Polymere, deren Darstellung und Verwendung |
EP1573830B1 (en) | 2002-12-13 | 2016-11-09 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Organic electroluminescent component with triplet emitter complex |
US20040126617A1 (en) | 2002-12-31 | 2004-07-01 | Eastman Kodak Company | Efficient electroluminescent device |
EP1582516B1 (en) | 2003-01-10 | 2013-07-17 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Nitrogenous heterocyclic derivative and organic electroluminescent element employing the same |
JP2004262761A (ja) | 2003-01-16 | 2004-09-24 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7651787B2 (en) | 2003-02-19 | 2010-01-26 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
CN101503393B (zh) | 2003-03-13 | 2015-08-19 | 出光兴产株式会社 | 含氮杂环衍生物及使用该衍生物的有机电致发光元件 |
US7018713B2 (en) | 2003-04-02 | 2006-03-28 | 3M Innovative Properties Company | Flexible high-temperature ultrabarrier |
EP1621597B1 (en) | 2003-05-01 | 2013-09-18 | UDC Ireland Limited | 1,3,6,8-tetrasubstituted pyrene compounds, organic el device and organic el display |
US6995035B2 (en) | 2003-06-16 | 2006-02-07 | Eastman Kodak Company | Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution |
EP1644460B1 (en) | 2003-07-10 | 2008-01-30 | MERCK PATENT GmbH | Substituted anthracenes |
JP4070676B2 (ja) | 2003-07-25 | 2008-04-02 | 三井化学株式会社 | 非対称置換アントラセン化合物、および該非対称置換アントラセン化合物を含有する有機電界発光素子 |
US6852429B1 (en) | 2003-08-06 | 2005-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent device based on pyrene derivatives |
CN100511759C (zh) | 2003-09-08 | 2009-07-08 | Lg化学株式会社 | 一种有机发光装置及其制造方法 |
US7056601B2 (en) | 2003-10-24 | 2006-06-06 | Eastman Kodak Company | OLED device with asymmetric host |
US7887931B2 (en) | 2003-10-24 | 2011-02-15 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device with anthracene derivative host |
US8568902B2 (en) | 2003-12-01 | 2013-10-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Asymmetric monoanthracene derivative, material for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device utilizing the same |
EP2910619B1 (en) | 2003-12-19 | 2016-07-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd | Light-emitting material for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device using same, and material for organic electroluminescent device |
JP4846982B2 (ja) | 2004-01-26 | 2011-12-28 | 三井化学株式会社 | アントラセン化合物、および該アントラセン化合物を含有する有機電界発光素子 |
US7252893B2 (en) | 2004-02-17 | 2007-08-07 | Eastman Kodak Company | Anthracene derivative host having ranges of dopants |
US6899963B1 (en) | 2004-02-25 | 2005-05-31 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent devices having pendant naphthylanthracene-based polymers |
CN1934906A (zh) | 2004-03-19 | 2007-03-21 | 出光兴产株式会社 | 有机电致发光元件 |
US7326371B2 (en) | 2004-03-25 | 2008-02-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with anthracene derivative host |
US7427783B2 (en) | 2004-04-07 | 2008-09-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Top emission organic light emitting diode display using auxiliary electrode to prevent voltage drop of upper electrode |
WO2005097756A1 (ja) | 2004-04-07 | 2005-10-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 含窒素複素環誘導体およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US7192659B2 (en) | 2004-04-14 | 2007-03-20 | Eastman Kodak Company | OLED device using reduced drive voltage |
EP1749809A4 (en) | 2004-05-27 | 2008-07-02 | Idemitsu Kosan Co | ASYMMETRIC PYRENE DERIVATIVE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE USING THIS |
JPWO2005121057A1 (ja) | 2004-06-09 | 2008-04-10 | 出光興産株式会社 | アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4121514B2 (ja) | 2004-07-22 | 2008-07-23 | シャープ株式会社 | 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置 |
US20060019116A1 (en) | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Eastman Kodak Company | White electroluminescent device with anthracene derivative host |
US20060182993A1 (en) | 2004-08-10 | 2006-08-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Compositions for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device |
KR100669757B1 (ko) | 2004-11-12 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
JP2006176494A (ja) | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Kyoto Univ | ピレン系化合物及びこれを用いた発光トランジスタ素子及びエレクトロルミネッセンス素子 |
JP2006176491A (ja) | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Kyoto Univ | ピレン系化合物及びこれを用いた発光トランジスタ素子 |
KR100700643B1 (ko) | 2004-11-29 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법 |
KR101389735B1 (ko) | 2004-12-10 | 2014-04-29 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 유기 화합물, 전하 수송 재료 및 유기 전계 발광 소자 |
KR100712111B1 (ko) | 2004-12-14 | 2007-04-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법 |
JP4790260B2 (ja) | 2004-12-22 | 2011-10-12 | 出光興産株式会社 | アントラセン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPWO2006070712A1 (ja) | 2004-12-28 | 2008-06-12 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光性インク組成物 |
CN101091267A (zh) | 2004-12-28 | 2007-12-19 | 出光兴产株式会社 | 有机el涂敷膜形成用油墨及其制造方法 |
KR20120039057A (ko) | 2005-01-05 | 2012-04-24 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자 |
JP5233074B2 (ja) | 2005-03-02 | 2013-07-10 | 三菱レイヨン株式会社 | 金属パターン及び有機電子デバイスとその製造方法 |
JP4263700B2 (ja) | 2005-03-15 | 2009-05-13 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN101155896B (zh) | 2005-04-12 | 2012-08-29 | 默克专利有限公司 | 有机电致发光器件 |
US20060246315A1 (en) | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Begley William J | Phosphorescent oled with mixed electron transport materials |
JP5138582B2 (ja) | 2005-04-28 | 2013-02-06 | チバ ホールディング インコーポレーテッド | 電子発光装置 |
DE102005023437A1 (de) | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen |
US20100193768A1 (en) | 2005-06-20 | 2010-08-05 | Illuminex Corporation | Semiconducting nanowire arrays for photovoltaic applications |
US20070003785A1 (en) | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent devices containing benzidine derivatives |
US20070077349A1 (en) | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Eastman Kodak Company | Patterning OLED device electrodes and optical material |
DE102005058558A1 (de) | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
JP5420249B2 (ja) | 2005-12-08 | 2014-02-19 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機エレクトロルミネセンス素子のための新規な材料 |
US9214636B2 (en) | 2006-02-28 | 2015-12-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
KR20080104293A (ko) | 2006-03-07 | 2008-12-02 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 방향족 아민 유도체 및 그들을 이용한 유기 전기발광 소자 |
WO2007106818A1 (en) | 2006-03-13 | 2007-09-20 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Synthesis of pentafluorosulfanyl (sf5)-substituted heterocycles and alkynes |
JP5093879B2 (ja) | 2006-03-20 | 2012-12-12 | 国立大学法人京都大学 | ピレン系有機化合物、トランジスタ材料及び発光トランジスタ素子 |
JP4702136B2 (ja) | 2006-03-28 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
US7733009B2 (en) | 2006-04-27 | 2010-06-08 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device including an anthracene derivative |
US20070252517A1 (en) | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device including an anthracene derivative |
WO2007132678A1 (ja) | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR101245217B1 (ko) | 2006-06-12 | 2013-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광소자 및 그 제조방법 |
CN101473012B (zh) | 2006-06-15 | 2013-12-18 | 东丽株式会社 | 发光元件材料和发光元件 |
US8115376B2 (en) | 2006-06-19 | 2012-02-14 | Sony Corporation | Light-emitting display with auxiliary wiring section and method of manufacturing the same |
US20090199903A1 (en) | 2006-06-30 | 2009-08-13 | Takahito Oyamada | Organic solar cell |
WO2008010377A1 (fr) | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Composé aminé contenant un carbazole et son utilisation |
KR100893044B1 (ko) | 2006-07-26 | 2009-04-15 | 주식회사 엘지화학 | 안트라센 유도체, 이를 이용한 유기 전자 소자 및 이 유기전자 소자를 포함하는 전자 장치 |
US7935854B2 (en) | 2006-10-03 | 2011-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene derivative, light-emitting element, display apparatus, and electronic appliance |
JP5233228B2 (ja) | 2006-10-05 | 2013-07-10 | Jnc株式会社 | ベンゾフルオレン化合物、該化合物を用いた発光層用材料及び有機電界発光素子 |
JP5153292B2 (ja) | 2006-10-24 | 2013-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アントラセン誘導体、およびアントラセン誘導体を用いた発光素子、発光装置、電子機器 |
DE602007008337D1 (de) | 2006-10-24 | 2010-09-23 | Semiconductor Energy Lab | Anthrazenderivat und lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung und elektronische Vorrichtung mit Anthrazenderivat |
GB2444491A (en) | 2006-12-06 | 2008-06-11 | Univ Muenster Wilhelms | Selective growth of organic molecules |
KR100989467B1 (ko) | 2006-12-06 | 2010-10-22 | 주식회사 엘지화학 | 신규한 플루오렌 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자 |
JP5428147B2 (ja) | 2006-12-07 | 2014-02-26 | 三菱化学株式会社 | 有機蛍光体材料 |
DE102007002714A1 (de) | 2007-01-18 | 2008-07-31 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
US8795855B2 (en) | 2007-01-30 | 2014-08-05 | Global Oled Technology Llc | OLEDs having high efficiency and excellent lifetime |
US7839083B2 (en) | 2007-02-08 | 2010-11-23 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device and electronic apparatus |
EP2124270A4 (en) | 2007-02-28 | 2010-08-25 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC EL-INSTALLATION |
KR20100014545A (ko) | 2007-02-28 | 2010-02-10 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 el 재료 함유 용액, 유기 el 박막 형성 방법, 유기 el 박막을 포함하는 유기 el 소자 및 유기 el 디스플레이 패널 제조 방법 |
KR100858816B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 안트라센 유도체 화합물을 포함하는 유기막을 구비하는유기 발광 소자 |
JP5447957B2 (ja) | 2007-03-23 | 2014-03-19 | 宇部興産株式会社 | アリールイオウペンタフルオリドの製造方法 |
US8399720B2 (en) | 2007-03-23 | 2013-03-19 | Ube Industries, Ltd. | Methods for producing fluorinated phenylsulfur pentafluorides |
US20080265377A1 (en) | 2007-04-30 | 2008-10-30 | International Business Machines Corporation | Air gap with selective pinchoff using an anti-nucleation layer |
US20080286610A1 (en) | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Deaton Joseph C | Hybrid oled with fluorescent and phosphorescent layers |
WO2008143440A1 (en) | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Lg Chem, Ltd. | New anthracene derivatives and organic electronic device using the same |
WO2008143019A1 (en) | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Triazole derivative, and light-emitting element, light-emitting device, and electronic device with the use of triazole derivative |
DE102007024850A1 (de) | 2007-05-29 | 2008-12-04 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
US9105867B2 (en) | 2007-07-04 | 2015-08-11 | Koninklijke Philips N.V. | Method for forming a patterned layer on a substrate |
US8779655B2 (en) | 2007-07-07 | 2014-07-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device |
US8426036B2 (en) | 2007-07-07 | 2013-04-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic EL device and anthracene derivative |
US8021574B2 (en) | 2007-07-07 | 2011-09-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Naphthalene derivative, material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device using the same |
KR20090011831A (ko) | 2007-07-27 | 2009-02-02 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 및 그 제조방법 |
US20090053557A1 (en) * | 2007-08-23 | 2009-02-26 | Spindler Jeffrey P | Stabilized white-emitting oled device |
KR101432110B1 (ko) | 2007-09-11 | 2014-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 |
TW200932872A (en) | 2007-10-17 | 2009-08-01 | Cheil Ind Inc | Novel compound for organic photoelectric device and organic photoelectric device including the same |
KR100950968B1 (ko) | 2007-10-18 | 2010-04-02 | 에스에프씨 주식회사 | 적색 인광 화합물 및 이를 이용한 유기전계발광소자 |
KR100923655B1 (ko) | 2007-11-02 | 2009-10-28 | (주)그라쎌 | 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자 |
KR100923571B1 (ko) | 2007-11-05 | 2009-10-27 | (주)그라쎌 | 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자 |
KR100933229B1 (ko) | 2007-11-12 | 2009-12-22 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자 |
KR100933228B1 (ko) | 2007-11-15 | 2009-12-22 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자 |
KR100875103B1 (ko) | 2007-11-16 | 2008-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR100935356B1 (ko) | 2007-11-19 | 2010-01-06 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 녹색 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는유기 전기 발광 소자 |
KR100933226B1 (ko) | 2007-11-20 | 2009-12-22 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자 |
KR100910153B1 (ko) | 2007-11-20 | 2009-07-30 | (주)그라쎌 | 신규한 적색 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기발광소자 |
KR101477844B1 (ko) | 2007-11-21 | 2014-12-30 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 축합 방향족 유도체 및 이것을 사용한 유기 전계 발광 소자 |
KR100910151B1 (ko) | 2007-11-22 | 2009-07-30 | (주)그라쎌 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로 채용하고있는 전기발광소자 |
KR100933225B1 (ko) | 2007-11-27 | 2009-12-22 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 인광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는유기발광소자 |
KR100940938B1 (ko) | 2007-12-04 | 2010-02-08 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 전기 발광 소자 |
US8174185B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-05-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Charge transport materials for luminescent applications |
JP5191496B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-05-08 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPWO2009084585A1 (ja) | 2007-12-28 | 2011-05-19 | 出光興産株式会社 | 芳香族ジアミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100974562B1 (ko) | 2007-12-31 | 2010-08-06 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고있는 유기 발광 소자 |
KR100970713B1 (ko) | 2007-12-31 | 2010-07-16 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 유기발광화합물을 발광재료로서 채용하고 있는 전기 발광소자 |
KR20090082778A (ko) | 2008-01-28 | 2009-07-31 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
KR101068224B1 (ko) | 2008-02-05 | 2011-09-28 | 에스에프씨 주식회사 | 안트라센 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
JP2009209127A (ja) | 2008-02-08 | 2009-09-17 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | カルバゾリル基を有する化合物およびその用途 |
DE102008008953B4 (de) | 2008-02-13 | 2019-05-09 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
US8450727B2 (en) | 2008-02-15 | 2013-05-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic luminescent medium and organic EL device |
WO2009116628A1 (ja) | 2008-03-19 | 2009-09-24 | 出光興産株式会社 | アントラセン誘導体、発光材料および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN104910064A (zh) | 2008-04-24 | 2015-09-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 蒽衍生物、发光元件、发光器件及电子设备 |
EP2291477B1 (en) | 2008-06-02 | 2016-03-23 | 3M Innovative Properties Company | Adhesive encapsulating composition and electronic devices made therewith |
KR101415794B1 (ko) | 2008-06-12 | 2014-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
WO2010013676A1 (ja) | 2008-07-28 | 2010-02-04 | 出光興産株式会社 | 有機発光媒体及び有機el素子 |
US20110306798A1 (en) | 2008-07-30 | 2011-12-15 | Ube Industries, Ltd. | Methods for Producing Arylsulfur Pentafluorides |
US8541113B2 (en) | 2008-08-26 | 2013-09-24 | Sfc Co., Ltd. | Pyrene compounds and organic electroluminescent devices using the same |
JP5473490B2 (ja) | 2008-09-01 | 2014-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | トリアゾール誘導体及び発光素子 |
US20110220886A1 (en) | 2008-09-19 | 2011-09-15 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence material composition, thin film formation method, and organic electroluminescence element |
KR20100041043A (ko) | 2008-10-13 | 2010-04-22 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는 유기 발광 소자 |
US8310149B2 (en) | 2008-10-21 | 2012-11-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Transparent OLED device employing a mirror layer having a pattern of nontransparent and transparent zones |
JP2010123917A (ja) | 2008-10-22 | 2010-06-03 | Canon Inc | 有機発光素子 |
KR101506919B1 (ko) | 2008-10-31 | 2015-03-30 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자 |
KR20100054630A (ko) | 2008-11-14 | 2010-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터와 이의 제조방법 그리고 이를 이용한표시장치 |
KR101561479B1 (ko) | 2008-12-05 | 2015-10-19 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 발광소자 |
DE102008061843B4 (de) | 2008-12-15 | 2018-01-18 | Novaled Gmbh | Heterocyclische Verbindungen und deren Verwendung in elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
DE102008064200A1 (de) | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung |
KR101147428B1 (ko) | 2009-02-09 | 2012-05-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
DE102009009277B4 (de) | 2009-02-17 | 2023-12-07 | Merck Patent Gmbh | Organische elektronische Vorrichtung, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung von Verbindungen |
US8759818B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-06-24 | E I Du Pont De Nemours And Company | Deuterated compounds for electronic applications |
DE102009014513A1 (de) | 2009-03-23 | 2010-09-30 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung |
KR20100109050A (ko) | 2009-03-31 | 2010-10-08 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광소자 |
KR101427605B1 (ko) | 2009-03-31 | 2014-08-07 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계발광 소자 |
US8178427B2 (en) | 2009-03-31 | 2012-05-15 | Commissariat A. L'energie Atomique | Epitaxial methods for reducing surface dislocation density in semiconductor materials |
KR20100108914A (ko) | 2009-03-31 | 2010-10-08 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계발광 소자 |
JP2010258410A (ja) | 2009-04-02 | 2010-11-11 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 金属膜のパターン形成方法及び部材 |
JP2010244868A (ja) | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Sony Corp | 有機電界発光素子および表示装置 |
US8431250B2 (en) | 2009-04-24 | 2013-04-30 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatic amine derivative, and organic electroluminescent element comprising the same |
WO2010122799A1 (ja) | 2009-04-24 | 2010-10-28 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR101317511B1 (ko) | 2009-04-30 | 2013-10-15 | 주식회사 엘지화학 | 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자 |
US20100295444A1 (en) | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
DE102009023155A1 (de) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
KR20100137198A (ko) | 2009-06-22 | 2010-12-30 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
SG176617A1 (en) | 2009-06-24 | 2012-01-30 | Cyalume Technologies Inc | Blue/violet diphenylanthracene chemiluminescent fluorescers |
US8877356B2 (en) | 2009-07-22 | 2014-11-04 | Global Oled Technology Llc | OLED device with stabilized yellow light-emitting layer |
DE102009034625A1 (de) | 2009-07-27 | 2011-02-03 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
JP5778148B2 (ja) | 2009-08-04 | 2015-09-16 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 多環式炭水化物を含む電子デバイス |
KR101084171B1 (ko) | 2009-08-10 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
WO2011022678A1 (en) | 2009-08-21 | 2011-02-24 | The University Of South Dakota | Fluorinated aromatic materials and their use in optoelectronics |
EP2468731B1 (en) | 2009-08-21 | 2014-11-05 | Tosoh Corporation | Cyclic azine derivatives, processes for producing these, and organic electroluminescent element containing these as component |
KR100991105B1 (ko) | 2009-10-23 | 2010-11-01 | 한국기계연구원 | 자기패턴된 전도성 패턴과 도금을 이용한 고전도도 미세패턴 형성방법 |
JP6250283B2 (ja) | 2009-12-09 | 2017-12-20 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 治療用及び美容用エレクトロルミネセント組成物 |
EP2500397A4 (en) | 2009-12-16 | 2012-10-10 | Idemitsu Kosan Co | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT MEDIUM |
US9331285B2 (en) | 2009-12-16 | 2016-05-03 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element using same |
US9353027B2 (en) | 2009-12-21 | 2016-05-31 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element using pyrene derivative |
KR20120099576A (ko) | 2009-12-21 | 2012-09-11 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 피렌 유도체 및 그것을 이용한 유기 전계 발광 소자 |
JP5690283B2 (ja) | 2009-12-21 | 2015-03-25 | 出光興産株式会社 | ピレン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
DE102010006121B4 (de) | 2010-01-29 | 2022-08-11 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
KR101193186B1 (ko) | 2010-02-01 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
JP2011173972A (ja) | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途 |
JP6246468B2 (ja) | 2010-03-11 | 2017-12-13 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 治療および化粧品におけるファイバー |
KR20110104765A (ko) | 2010-03-17 | 2011-09-23 | 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자 |
JP2011222831A (ja) | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR20110123701A (ko) | 2010-05-07 | 2011-11-15 | 에스에프씨 주식회사 | 안트라센계 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
US8993125B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Triazole derivative, and light-emitting element, light-emitting device, electronic device and lighting device using the triazole derivative |
KR101640772B1 (ko) | 2010-06-10 | 2016-07-19 | 삼성전자주식회사 | 무선 전력 수신기의 송전 영역 유도 장치 및 방법 |
CN102934252B (zh) | 2010-06-18 | 2016-06-15 | Oled工厂有限责任公司 | 具有受控发射的透明发光装置 |
US9254506B2 (en) | 2010-07-02 | 2016-02-09 | 3M Innovative Properties Company | Moisture resistant coating for barrier films |
US20120018770A1 (en) | 2010-07-23 | 2012-01-26 | Min-Hao Michael Lu | Oled light source having improved total light emission |
US8474017B2 (en) | 2010-07-23 | 2013-06-25 | Verizon Patent And Licensing Inc. | Identity management and single sign-on in a heterogeneous composite service scenario |
US9287339B2 (en) | 2010-10-28 | 2016-03-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
US8467177B2 (en) | 2010-10-29 | 2013-06-18 | Apple Inc. | Displays with polarizer windows and opaque masking layers for electronic devices |
WO2012070535A1 (ja) | 2010-11-25 | 2012-05-31 | Jnc株式会社 | 電子輸送材料およびこれを用いた有機電界発光素子 |
KR101889918B1 (ko) | 2010-12-14 | 2018-09-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102101248B1 (ko) | 2011-01-11 | 2020-04-16 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 유기 전계 발광 소자용 조성물, 유기 전계 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치 |
CN102617626B (zh) | 2011-01-17 | 2016-12-14 | 三星显示有限公司 | 缩合环化合物和包括该缩合环化合物的有机发光二极管 |
US9653689B2 (en) | 2011-01-17 | 2017-05-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Condensed-cyclic compound and organic light-emitting diode including the same |
JP5981736B2 (ja) | 2011-04-12 | 2016-08-31 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子、並びに、該有機電界発光素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置 |
JP6132470B2 (ja) | 2011-04-12 | 2017-05-24 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子、該素子に用いる化合物および有機電界発光素子用材料、並びに該素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置 |
WO2012144176A1 (ja) | 2011-04-18 | 2012-10-26 | 出光興産株式会社 | ピレン誘導体、有機発光媒体、及びこれらを含む有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8927308B2 (en) | 2011-05-12 | 2015-01-06 | Universal Display Corporation | Method of forming bus line designs for large-area OLED lighting |
KR101407587B1 (ko) | 2011-06-02 | 2014-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101403214B1 (ko) | 2011-07-22 | 2014-06-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 화합물 |
KR20130022986A (ko) | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
US20130056784A1 (en) | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light-Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same |
US8963137B2 (en) | 2011-09-02 | 2015-02-24 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of fabricating the same |
US9640773B2 (en) | 2011-09-16 | 2017-05-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Aromatic amine derivative and organic electroluminescence element using same |
EP2771921B1 (en) | 2011-10-28 | 2020-12-16 | Beijing Xiaomi Mobile Software Co., Ltd. | Transparent oled device with structured cathode and method of producing such an oled device |
JP2013118349A (ja) | 2011-11-02 | 2013-06-13 | Udc Ireland Ltd | 有機電界発光素子、有機電界発光素子用材料並びに該有機電界発光素子を用いた発光装置、表示装置及び照明装置 |
KR20130053053A (ko) | 2011-11-14 | 2013-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법 |
WO2013077406A1 (ja) | 2011-11-25 | 2013-05-30 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP5989000B2 (ja) | 2011-11-25 | 2016-09-07 | 出光興産株式会社 | 芳香族アミン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR101402526B1 (ko) | 2011-12-26 | 2014-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 수명이 향상된 유기발광소자 및 그 제조방법 |
KR101407588B1 (ko) | 2011-12-27 | 2014-06-13 | 에스에프씨 주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
KR20130077276A (ko) | 2011-12-29 | 2013-07-09 | 가톨릭대학교 산학협력단 | 이종 코어 구조를 포함하는 유기발광 소자용 화합물 및 그를 채용한 유기발광 소자 |
KR20130127014A (ko) | 2012-01-16 | 2013-11-22 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기전기발광화합물을 발광재료로서 채용하고 있는 유기전기발광소자 |
JP5758314B2 (ja) | 2012-01-17 | 2015-08-05 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子、及び照明装置 |
JP2013219278A (ja) | 2012-04-11 | 2013-10-24 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN104364250B (zh) | 2012-04-13 | 2017-05-31 | 株式会社Lg化学 | 新的含氮杂环化合物及使用其的有机电子器件 |
KR20130134205A (ko) | 2012-05-30 | 2013-12-10 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자 |
JP5973661B2 (ja) | 2012-05-31 | 2016-08-23 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光素子 |
WO2013183851A1 (ko) | 2012-06-04 | 2013-12-12 | (주)피엔에이치테크 | 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자 |
KR101931176B1 (ko) | 2012-06-11 | 2018-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
JP6060530B2 (ja) | 2012-06-12 | 2017-01-18 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子及び表示装置 |
US9559310B2 (en) | 2012-07-11 | 2017-01-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Compound with electron injection and/or electron transport capabilities and organic light-emitting device including the same |
US9595681B2 (en) | 2012-07-23 | 2017-03-14 | Merck Patent Gmbh | Compounds and organic electroluminescent devices |
JP2015216135A (ja) | 2012-08-10 | 2015-12-03 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器 |
US8940568B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-01-27 | Universal Display Corporation | Patterning method for OLEDs |
CN103664746B (zh) | 2012-09-03 | 2016-11-16 | 乐金显示有限公司 | 蒽化合物以及包含该蒽化合物的有机发光二极管 |
US9059427B2 (en) | 2012-09-11 | 2015-06-16 | Apple Inc. | Device and method for top emitting AMOLED |
US9385172B2 (en) | 2012-10-19 | 2016-07-05 | Universal Display Corporation | One-way transparent display |
KR20140050994A (ko) | 2012-10-22 | 2014-04-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
CN103788087B (zh) | 2012-10-30 | 2017-05-10 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 含咪唑[1,2,a]并吡啶基团的蒽类衍生物及其在OLED中的应用 |
CN108611591B (zh) | 2012-11-06 | 2021-05-04 | Oti领英有限公司 | 用于在表面上沉积导电覆层的方法 |
KR101994816B1 (ko) | 2012-11-14 | 2019-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기발광소자 |
KR20140067527A (ko) | 2012-11-26 | 2014-06-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 |
KR102059940B1 (ko) | 2012-11-29 | 2019-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TWI602901B (zh) | 2012-12-11 | 2017-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件,發光裝置,電子裝置,與照明裝置 |
JP6298769B2 (ja) | 2012-12-26 | 2018-03-20 | 出光興産株式会社 | 含酸素縮合環アミン化合物、含硫黄縮合環アミン化合物及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR102090555B1 (ko) | 2012-12-27 | 2020-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102020805B1 (ko) | 2012-12-28 | 2019-09-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 투명 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
US9310843B2 (en) | 2013-01-02 | 2016-04-12 | Apple Inc. | Electronic devices with light sensors and displays |
KR20140088369A (ko) | 2013-01-02 | 2014-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20140088731A (ko) | 2013-01-03 | 2014-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 및 그 마스크 세정 방법과 그 마스크를 이용한 복수의 유기전계발광소자 제조 방법 |
KR102023896B1 (ko) | 2013-02-15 | 2019-09-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 및 그 제조방법 |
KR20150119431A (ko) | 2013-02-22 | 2015-10-23 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 안트라센 유도체, 유기 일렉트로 루미네선스 소자용 재료, 유기 일렉트로 루미네선스 소자, 및 전자 기기 |
KR102050484B1 (ko) | 2013-03-04 | 2019-12-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 안트라센 유도체 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
EP2976322B1 (de) | 2013-03-22 | 2019-11-20 | Merck Patent GmbH | Synthesebausteine für die herstellung von materialien für organische elektrolumineszenzvorrichtungen |
WO2014163228A1 (ko) | 2013-04-04 | 2014-10-09 | (주)피엔에이치테크 | 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자 |
KR102038969B1 (ko) | 2013-04-12 | 2019-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 장치 |
KR102156562B1 (ko) | 2013-04-22 | 2020-09-16 | 에스에프씨주식회사 | 아릴 아민기를 포함하는 비대칭 피렌 유도체 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
KR101548304B1 (ko) | 2013-04-23 | 2015-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101606558B1 (ko) | 2013-05-02 | 2016-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치, 그 제조방법 및 제조에 사용되는 마스크 |
KR102107106B1 (ko) | 2013-05-09 | 2020-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 스티릴계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
KR102056865B1 (ko) | 2013-05-29 | 2020-01-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 필름 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102083983B1 (ko) | 2013-05-29 | 2020-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
JP6210745B2 (ja) | 2013-06-11 | 2017-10-11 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
KR102188028B1 (ko) | 2013-06-18 | 2020-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102085320B1 (ko) | 2013-06-18 | 2020-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102131248B1 (ko) | 2013-07-04 | 2020-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TWI622570B (zh) | 2013-07-10 | 2018-05-01 | 捷恩智股份有限公司 | 發光輔助層用材料、有機電場發光元件、顯示裝置以及照明裝置 |
KR102117607B1 (ko) | 2013-07-23 | 2020-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
JP6089009B2 (ja) | 2013-07-31 | 2017-03-01 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子および太陽電池 |
KR102092705B1 (ko) | 2013-08-16 | 2020-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
CN105492413B (zh) | 2013-09-06 | 2019-05-14 | 出光兴产株式会社 | 蒽衍生物和使用该蒽衍生物的有机电致发光元件 |
CN103467396A (zh) | 2013-09-12 | 2013-12-25 | 长春工业大学 | 含1,2,4-三唑环的化合物、含1,2,4-三唑环的聚合物质子交换膜和制备方法 |
KR102155736B1 (ko) | 2013-09-13 | 2020-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
US10396288B2 (en) | 2013-09-20 | 2019-08-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and electronic device |
WO2015041352A1 (ja) | 2013-09-20 | 2015-03-26 | 出光興産株式会社 | アミン化合物及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP6211873B2 (ja) | 2013-09-30 | 2017-10-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 |
KR102227455B1 (ko) | 2013-10-08 | 2021-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20150061921A (ko) | 2013-11-28 | 2015-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
US10062850B2 (en) | 2013-12-12 | 2018-08-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Amine-based compounds and organic light-emitting devices comprising the same |
US9478591B2 (en) | 2013-12-23 | 2016-10-25 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and repair method thereof |
CN104752619A (zh) | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 东丽先端材料研究开发(中国)有限公司 | 有机发光元件 |
KR102153043B1 (ko) | 2014-01-07 | 2020-09-07 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
KR101661925B1 (ko) | 2014-03-03 | 2016-10-05 | 한국교통대학교산학협력단 | 파이렌 유도체 및 이를 이용한 유기전계발광소자 |
CN106471094B (zh) | 2014-03-25 | 2021-04-20 | 分子玻璃公司 | 用于OLED和OED的π共轭半导体有机玻璃混合物 |
JP6514005B2 (ja) | 2014-04-08 | 2019-05-15 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びインク組成物 |
KR102207605B1 (ko) | 2014-05-07 | 2021-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR20150132795A (ko) | 2014-05-16 | 2015-11-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102327086B1 (ko) | 2014-06-11 | 2021-11-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
CN104037359B (zh) | 2014-06-20 | 2017-01-25 | 上海和辉光电有限公司 | 一种oled阴极结构及其制造方法 |
US20150376768A1 (en) | 2014-06-30 | 2015-12-31 | Palo Alto Research Center Incorporated | Systems and methods for implementing digital vapor phase patterning using variable data digital lithographic printing techniques |
US9806279B2 (en) | 2014-07-08 | 2017-10-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device comprising auxiliary electrode having void therein and manufacturing method thereof |
EP2966705B1 (en) | 2014-07-11 | 2018-09-19 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same |
KR102030377B1 (ko) | 2014-07-28 | 2019-10-10 | 에스에프씨주식회사 | 헤테로고리를 포함하는 축합 플루오렌 유도체 |
US9570471B2 (en) | 2014-08-05 | 2017-02-14 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
KR101530266B1 (ko) | 2014-08-25 | 2015-06-23 | (주)피엔에이치테크 | 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
KR102430648B1 (ko) | 2014-09-05 | 2022-08-09 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 정공 전달 재료 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
US10032843B2 (en) | 2014-09-11 | 2018-07-24 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
KR102285383B1 (ko) | 2014-09-12 | 2021-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 |
US9859345B2 (en) | 2014-09-17 | 2018-01-02 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device including a partition wall and method of manufacturing the same |
CN106170474B (zh) | 2014-09-19 | 2018-11-06 | 出光兴产株式会社 | 新型化合物 |
US20160284998A1 (en) | 2014-09-19 | 2016-09-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Novel compound and organic electroluminescence device obtained by using same |
KR102273654B1 (ko) | 2014-10-08 | 2021-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2016081562A (ja) | 2014-10-09 | 2016-05-16 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 |
KR102352287B1 (ko) | 2014-11-07 | 2022-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102290785B1 (ko) | 2014-11-18 | 2021-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102374833B1 (ko) | 2014-11-25 | 2022-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN105633297B (zh) | 2014-11-25 | 2018-04-20 | 乐金显示有限公司 | 透视有机发光显示装置及其制造方法 |
KR102385227B1 (ko) | 2014-12-02 | 2022-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
KR102363259B1 (ko) | 2014-12-02 | 2022-02-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR20160076179A (ko) | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전계발광 디스플레이 장치 및 그 구동 방법 |
KR102190108B1 (ko) | 2014-12-31 | 2020-12-11 | 에스에프씨주식회사 | 고효율과 장수명을 갖는 유기 발광 소자 |
KR102343145B1 (ko) | 2015-01-12 | 2021-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
KR102291492B1 (ko) | 2015-01-16 | 2021-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
WO2016116497A1 (de) | 2015-01-20 | 2016-07-28 | Cynora Gmbh | Organische moleküle, insbesondere zur verwendung in optoelektronischen bauelementen |
JP6731355B2 (ja) | 2015-01-20 | 2020-07-29 | 保土谷化学工業株式会社 | ピリミジン誘導体および有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US20160211454A1 (en) | 2015-01-20 | 2016-07-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
KR102316684B1 (ko) | 2015-01-21 | 2021-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102316682B1 (ko) | 2015-01-21 | 2021-10-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102343572B1 (ko) | 2015-03-06 | 2021-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102394427B1 (ko) | 2015-04-02 | 2022-05-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법 |
KR101847431B1 (ko) | 2015-04-20 | 2018-04-10 | 에스에프씨주식회사 | 유기 발광 소자 |
WO2016171429A2 (ko) | 2015-04-23 | 2016-10-27 | 에스에프씨 주식회사 | 유기 발광 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
TWI610924B (zh) | 2015-05-14 | 2018-01-11 | Lg化學股份有限公司 | 雜環化合物及含有其的有機發光元件 |
US10367147B2 (en) | 2015-05-27 | 2019-07-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
US10056440B2 (en) | 2015-05-28 | 2018-08-21 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
KR102483434B1 (ko) | 2015-05-28 | 2022-12-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102555656B1 (ko) | 2015-05-29 | 2023-07-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102523099B1 (ko) | 2015-06-18 | 2023-04-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
KR102458597B1 (ko) | 2015-06-30 | 2022-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
TWI599556B (zh) | 2015-07-03 | 2017-09-21 | 友達光電股份有限公司 | 有機發光元件 |
CN105097877A (zh) | 2015-07-06 | 2015-11-25 | 上海和辉光电有限公司 | 一种透明显示器及其制造方法 |
KR102348876B1 (ko) | 2015-07-29 | 2022-01-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN106432200B (zh) | 2015-08-11 | 2019-07-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种用于有机电致发光器件的主体材料 |
KR102405695B1 (ko) | 2015-08-31 | 2022-06-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20170030168A (ko) | 2015-09-09 | 2017-03-17 | 대림산업 주식회사 | 용존공기 부상법과 입상 산화철 공정을 결합한 해수 담수화 설비용 전처리 장치 |
CN105094451A (zh) | 2015-09-18 | 2015-11-25 | 上海和辉光电有限公司 | 一种透明显示设备 |
KR20150120906A (ko) | 2015-10-02 | 2015-10-28 | 가톨릭대학교 산학협력단 | 이중 코어 구조를 포함하는 유기발광 소자용 화합물 및 그를 채용한 유기발광 소자 |
KR102552274B1 (ko) | 2015-10-08 | 2023-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
CN105206650A (zh) | 2015-10-10 | 2015-12-30 | 上海和辉光电有限公司 | 一种透明显示面板及其制造方法 |
GB2545626A (en) | 2015-10-16 | 2017-06-28 | Lomox Ltd | Cross-linkable charge transport materials |
KR102465826B1 (ko) | 2015-10-29 | 2022-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102448611B1 (ko) | 2015-10-30 | 2022-09-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102397686B1 (ko) | 2015-10-30 | 2022-05-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US10207992B2 (en) | 2015-10-30 | 2019-02-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Dibenzocarbazole compound, light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
KR101795579B1 (ko) | 2015-11-10 | 2017-11-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102552272B1 (ko) | 2015-11-20 | 2023-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102469949B1 (ko) | 2015-11-30 | 2022-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102484645B1 (ko) | 2015-12-15 | 2023-01-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102506532B1 (ko) | 2015-12-17 | 2023-03-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102384293B1 (ko) | 2015-12-22 | 2022-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR20170075118A (ko) | 2015-12-22 | 2017-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR20170075114A (ko) | 2015-12-22 | 2017-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102481737B1 (ko) | 2015-12-23 | 2022-12-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시 장치 |
KR102458907B1 (ko) | 2015-12-29 | 2022-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
WO2017122538A1 (ja) | 2016-01-13 | 2017-07-20 | ソニー株式会社 | 光電変換素子および撮像素子ならびに電子機器 |
KR102654858B1 (ko) | 2016-02-11 | 2024-04-05 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물 |
KR20170113066A (ko) | 2016-03-24 | 2017-10-12 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이를 가진 전자 장치 및 그의 이미지 표시 방법 |
KR102606277B1 (ko) | 2016-04-06 | 2023-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
US9954187B2 (en) | 2016-04-08 | 2018-04-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Compound, organic electroluminescence device and electronic device |
EP4380340A3 (en) | 2016-04-29 | 2024-08-07 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
KR102525501B1 (ko) | 2016-05-23 | 2023-04-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102521254B1 (ko) | 2016-06-01 | 2023-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
KR102354865B1 (ko) | 2016-06-28 | 2022-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
CN107565041B (zh) | 2016-06-30 | 2019-12-31 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
KR102651858B1 (ko) | 2016-07-04 | 2024-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 패널 |
KR102611206B1 (ko) | 2016-07-13 | 2023-12-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102543639B1 (ko) | 2016-07-18 | 2023-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치 |
CN106317025B (zh) | 2016-07-28 | 2019-03-05 | 浙江工业大学 | 一种含三氟甲基吡唑的三唑类化合物及其制备方法和其应用 |
KR102650330B1 (ko) | 2016-08-24 | 2024-03-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102673814B1 (ko) | 2016-08-25 | 2024-06-10 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
KR102656232B1 (ko) | 2016-08-31 | 2024-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 어레이 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
KR102576557B1 (ko) | 2016-09-21 | 2023-09-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US10224386B2 (en) | 2016-09-23 | 2019-03-05 | Apple Inc. | Display with power supply mesh |
CN106206995B (zh) | 2016-09-30 | 2018-08-14 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有机发光二极管散射层的制备方法及其产品 |
KR102693312B1 (ko) | 2016-09-30 | 2024-08-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102640754B1 (ko) | 2016-10-05 | 2024-02-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자의 제조 방법 |
KR102602164B1 (ko) | 2016-10-12 | 2023-11-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102699551B1 (ko) | 2016-10-27 | 2024-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20180047578A (ko) | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치 |
KR20180047584A (ko) | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치 |
US10833276B2 (en) | 2016-11-21 | 2020-11-10 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
KR20180062284A (ko) | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN118215324A (zh) | 2016-12-02 | 2024-06-18 | Oti照明公司 | 包括设置在发射区域上面的导电涂层的器件及其方法 |
KR20180066320A (ko) | 2016-12-07 | 2018-06-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US20200098995A1 (en) | 2016-12-08 | 2020-03-26 | Guangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. | Polymer and electroluminescent device |
KR20180066948A (ko) | 2016-12-09 | 2018-06-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20180068549A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치와 그의 제조방법 |
KR20180082808A (ko) | 2017-01-11 | 2018-07-19 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물, 유기금속 화합물-함유 조성물 및 유기 발광 소자 |
KR20180088099A (ko) | 2017-01-26 | 2018-08-03 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치에 있어서 광 검출 장치 및 방법 |
KR20180097372A (ko) | 2017-02-23 | 2018-08-31 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물 |
KR102370355B1 (ko) | 2017-03-09 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
CN108630830B (zh) | 2017-03-22 | 2020-10-23 | 上海和辉光电股份有限公司 | 透明oled显示面板及其制作方法 |
KR102395780B1 (ko) | 2017-03-23 | 2022-05-09 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 |
JP2018170152A (ja) | 2017-03-29 | 2018-11-01 | Tianma Japan株式会社 | Oled表示装置の製造方法、マスク及びマスクの設計方法 |
KR102315502B1 (ko) | 2017-04-14 | 2021-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 |
KR102501466B1 (ko) | 2017-04-21 | 2023-02-20 | 삼성전자주식회사 | 유기금속 화합물, 이를 포함한 유기 발광 소자 및 이를 포함한 진단용 조성물 |
JP2020518107A (ja) | 2017-04-26 | 2020-06-18 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドOti Lumionics Inc. | 表面上のコーティングをパターン化する方法およびパターン化されたコーティングを含むデバイス |
CN106992267A (zh) | 2017-04-28 | 2017-07-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种顶发射oled器件及制备方法、显示面板 |
KR20180121304A (ko) | 2017-04-28 | 2018-11-07 | (주)에스엔텍 | 소자 기판을 이용한 소자의 공정처리 수행방법 |
EP3401701B1 (en) | 2017-05-11 | 2021-08-11 | ams AG | Optical sensor arrangement |
KR102446877B1 (ko) | 2017-05-18 | 2022-09-23 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이를 포함하는 전자 장치 |
KR102504130B1 (ko) | 2017-05-23 | 2023-02-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자 |
CN106981585B (zh) | 2017-05-23 | 2019-02-12 | 上海天马微电子有限公司 | 透明oled面板和显示装置 |
US10357921B2 (en) | 2017-05-24 | 2019-07-23 | International Business Machines Corporation | Light generating microcapsules for photo-curing |
US10333098B2 (en) | 2017-06-15 | 2019-06-25 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Transparent OLED display panel and manufacturing method thereof |
EP3624434B1 (en) | 2017-07-07 | 2021-06-02 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Terminal provided with camera, and photographing method |
CN109299631B (zh) | 2017-07-24 | 2021-03-23 | 华为技术有限公司 | 一种屏幕及终端 |
KR20190020930A (ko) | 2017-08-22 | 2019-03-05 | (주)피엔에이치테크 | 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자 |
CN107564945A (zh) | 2017-08-30 | 2018-01-09 | 上海天马微电子有限公司 | 透明显示面板、透明显示装置及透明显示面板的制作方法 |
CN107579102B (zh) | 2017-08-31 | 2020-07-07 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
EP3660821A4 (en) | 2017-09-07 | 2020-07-29 | Huawei Technologies Co., Ltd. | ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY (OLED) AND TERMINAL |
US10714011B2 (en) | 2017-09-21 | 2020-07-14 | Apple Inc. | OLED voltage driver with current-voltage compensation |
CN109599030B (zh) | 2017-09-30 | 2020-12-11 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏及电子产品 |
WO2019062223A1 (zh) | 2017-09-30 | 2019-04-04 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏和电子产品 |
WO2019062221A1 (zh) | 2017-09-30 | 2019-04-04 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示屏及显示装置 |
CN108389878B (zh) | 2017-09-30 | 2022-01-25 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏及显示装置 |
WO2019062236A1 (zh) | 2017-09-30 | 2019-04-04 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏、显示屏驱动方法及其显示装置 |
CN107768407B (zh) | 2017-10-19 | 2020-05-12 | 上海天马微电子有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 |
CN107808895B (zh) | 2017-10-24 | 2019-10-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 透明oled显示器及其制作方法 |
KR102507742B1 (ko) | 2017-10-30 | 2023-03-09 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이를 포함하는 전자 장치 |
CN108010947B (zh) | 2017-11-29 | 2021-01-08 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置 |
KR102461360B1 (ko) | 2017-12-15 | 2022-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
CN110060578B (zh) | 2018-01-19 | 2021-09-14 | 华为技术有限公司 | 终端设备和显示方法 |
KR102443229B1 (ko) | 2018-01-23 | 2022-09-15 | 삼성전자주식회사 | 센서를 장착하기 위한 개구를 포함하는 디스플레이 |
CN108196388B (zh) | 2018-02-12 | 2022-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及其制造方法 |
CN110224003B (zh) | 2018-03-01 | 2023-06-09 | 天马日本株式会社 | 显示装置 |
WO2019178782A1 (zh) | 2018-03-21 | 2019-09-26 | 华为技术有限公司 | 一种显示屏及其制备方法、移动终端 |
US11073712B2 (en) | 2018-04-10 | 2021-07-27 | Apple Inc. | Electronic device display for through-display imaging |
KR102664717B1 (ko) | 2018-04-13 | 2024-05-10 | 삼성전자 주식회사 | 표시 영역에 의해 둘러싸인 홀 영역을 우회하는 복수의 배선들을 포함하는 디스플레이 및 이를 포함하는 전자 장치 |
EP3553638A1 (en) | 2018-04-13 | 2019-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display having opaque member disposed in area surrounded by pixels and electronic apparatus having the same |
CN108574054B (zh) | 2018-04-17 | 2020-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置和显示装置的制作方法 |
KR102528560B1 (ko) | 2018-05-04 | 2023-05-04 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 드라이버, 디스플레이 시스템 및 디스플레이 드라이버의 동작 방법 |
CN108648679B (zh) | 2018-05-18 | 2020-06-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板的驱动方法及装置、显示设备 |
CN108418928A (zh) | 2018-05-23 | 2018-08-17 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子装置 |
CN108900659B (zh) | 2018-05-28 | 2020-09-18 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子装置 |
CN108376019A (zh) | 2018-05-28 | 2018-08-07 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子装置 |
CN108881531A (zh) | 2018-06-04 | 2018-11-23 | Oppo广东移动通信有限公司 | 电子装置 |
CN108767136B (zh) | 2018-06-05 | 2020-06-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种镜面显示屏和制备方法 |
US11263968B2 (en) | 2018-06-20 | 2022-03-01 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate and driving method thereof, and display device |
US11211587B2 (en) | 2018-07-30 | 2021-12-28 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with structured electrode |
CN110767674B (zh) | 2018-08-06 | 2022-05-17 | 苏州清越光电科技股份有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
CN110767672B (zh) | 2018-08-06 | 2020-11-17 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
CN110767677A (zh) | 2018-08-06 | 2020-02-07 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示屏及显示终端 |
KR102598230B1 (ko) | 2018-08-13 | 2023-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP6935374B2 (ja) | 2018-08-31 | 2021-09-15 | マイクロメトリックステクノロジーズプライベイトリミティッド | アンダーディスプレイ型指紋認証用センサモジュールおよびアンダーディスプレイ型指紋認証装置 |
US11177329B2 (en) | 2018-09-04 | 2021-11-16 | Apple Inc. | Viewing angle color shift control |
CN110911440B (zh) | 2018-09-14 | 2020-10-16 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示屏和显示终端 |
WO2020052232A1 (zh) | 2018-09-14 | 2020-03-19 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板、显示屏和显示终端 |
CN109379454B (zh) | 2018-09-17 | 2020-04-17 | 深圳奥比中光科技有限公司 | 电子设备 |
CN109461758B (zh) | 2018-09-21 | 2021-07-16 | 华为技术有限公司 | 显示屏的制备方法、显示屏和终端 |
WO2020062903A1 (en) | 2018-09-26 | 2020-04-02 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Elecronic apparatus, and light field imaging system and method with optical metasurface |
KR102697258B1 (ko) | 2018-09-27 | 2024-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20200039866A (ko) | 2018-10-05 | 2020-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
GB201817037D0 (en) | 2018-10-19 | 2018-12-05 | Univ Warwick | Selective depositon of metallic layers |
CN109742132B (zh) | 2019-02-28 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
KR102625413B1 (ko) | 2018-10-29 | 2024-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN110767682B (zh) | 2018-10-31 | 2022-10-21 | 苏州清越光电科技股份有限公司 | 显示屏及显示终端 |
WO2020105015A1 (en) | 2018-11-23 | 2020-05-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including a light transmissive region |
KR20200075996A (ko) | 2018-12-18 | 2020-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111369946A (zh) | 2018-12-25 | 2020-07-03 | 华为终端有限公司 | 一种显示屏、移动终端及其控制方法 |
CN110767830A (zh) | 2018-12-28 | 2020-02-07 | 云谷(固安)科技有限公司 | 透明oled基板、阵列基板、显示屏及显示装置 |
CN109448575B (zh) | 2018-12-29 | 2020-12-29 | 上海天马微电子有限公司 | 一种透明显示面板和透明显示装置 |
KR20200082763A (ko) | 2018-12-31 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 표시 장치 |
CN109817672B (zh) | 2019-01-29 | 2020-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及其制造方法、显示面板、装置 |
CN110767708B (zh) | 2019-01-31 | 2022-05-10 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、掩模板、显示面板和显示装置 |
CN110767844B (zh) | 2019-01-31 | 2022-06-03 | 云谷(固安)科技有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示屏及显示装置 |
CN110767709B (zh) | 2019-02-02 | 2022-02-08 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、显示屏及显示装置 |
CN109920931B (zh) | 2019-03-04 | 2022-08-26 | 荣耀终端有限公司 | 显示终端、掩膜组件、蒸镀系统及其控制方法 |
CN110767713A (zh) | 2019-03-08 | 2020-02-07 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示装置及其oled基板、oled透光基板 |
CN109830495B (zh) | 2019-03-21 | 2021-10-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置及其成像方法 |
CN109817694B (zh) | 2019-03-26 | 2021-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板及制作方法、显示装置 |
CN109979980A (zh) | 2019-03-28 | 2019-07-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN109979979B (zh) | 2019-03-28 | 2020-09-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN110767835B (zh) | 2019-03-29 | 2021-01-26 | 昆山国显光电有限公司 | 透明显示面板、显示屏、显示装置及掩膜板 |
CN110048005B (zh) | 2019-03-29 | 2020-06-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示器件及其制备方法 |
CN110112182A (zh) | 2019-04-10 | 2019-08-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及制备方法 |
CN109950293B (zh) | 2019-04-10 | 2021-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110767836B (zh) | 2019-04-12 | 2020-08-25 | 昆山国显光电有限公司 | 半导体结构、显示面板及其制备方法和显示终端 |
KR20200129571A (ko) | 2019-05-09 | 2020-11-18 | 삼성전자주식회사 | 센서를 포함하는 디스플레이 모듈을 포함하는 전자 장치 및 상기 디스플레이 모듈의 제조 방법 |
CN110767662B (zh) | 2019-05-31 | 2020-10-27 | 昆山国显光电有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
CN110444125B (zh) | 2019-06-25 | 2022-03-08 | 荣耀终端有限公司 | 显示屏、终端 |
US12004383B2 (en) | 2019-06-26 | 2024-06-04 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
CN210668382U (zh) | 2019-06-27 | 2020-06-02 | 北京小米移动软件有限公司 | 显示面板、显示屏及电子设备 |
CN110144551B (zh) | 2019-07-04 | 2022-05-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种蒸镀设备及蒸镀方法 |
CN110265474B (zh) | 2019-07-22 | 2022-05-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制备方法和显示装置 |
CN110391348A (zh) | 2019-07-23 | 2019-10-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN110518034B (zh) | 2019-07-24 | 2021-02-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示屏及其制作方法、oled显示装置 |
CN110416269B (zh) | 2019-07-29 | 2022-02-18 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示面板和显示面板的制作方法 |
CN110429117A (zh) | 2019-07-30 | 2019-11-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光器件、显示装置及有机发光器件的制作方法 |
CN110473898B (zh) | 2019-07-30 | 2021-10-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制作方法 |
CN110473988B (zh) | 2019-08-02 | 2020-11-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板制程用掩模版及其应用 |
CN110570774A (zh) | 2019-08-09 | 2019-12-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN110491917A (zh) | 2019-08-09 | 2019-11-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及电子设备 |
CN110491918A (zh) | 2019-08-09 | 2019-11-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN110492018B (zh) | 2019-08-09 | 2024-06-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示装置 |
CN110459175A (zh) | 2019-08-09 | 2019-11-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN110783484B (zh) | 2019-09-24 | 2020-11-10 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN110783485B (zh) | 2019-09-24 | 2021-06-18 | 昆山国显光电有限公司 | 透光显示面板、显示面板、制作方法、显示装置 |
CN110634930B (zh) | 2019-09-27 | 2022-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN110783486A (zh) | 2019-10-10 | 2020-02-11 | 复旦大学 | 一种适用于屏下摄像头的显示面板 |
CN110727142B (zh) | 2019-10-29 | 2023-04-28 | Oppo广东移动通信有限公司 | 偏光片、显示屏以及电子设备 |
CN110767736A (zh) | 2019-11-06 | 2020-02-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN110780375B (zh) | 2019-11-15 | 2022-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 偏光片及其制备方法、显示面板、显示装置 |
CN110718580A (zh) | 2019-11-20 | 2020-01-21 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示模组及电子设备 |
CN110752249B (zh) | 2019-11-20 | 2022-08-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其控制方法,显示面板 |
CN110828699B (zh) | 2019-11-27 | 2022-03-08 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及电子设备 |
CN110989861B (zh) | 2019-11-27 | 2024-03-05 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
CN110867527B (zh) | 2019-11-27 | 2022-08-26 | 昆山国显光电有限公司 | 透光显示面板、显示面板、显示装置以及制作方法 |
CN111029381A (zh) | 2019-12-09 | 2020-04-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及有机发光显示装置 |
CN111029382A (zh) | 2019-12-13 | 2020-04-17 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板、多区域显示面板和显示装置 |
CN110923625A (zh) | 2019-12-16 | 2020-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜模组、蒸镀系统及蒸镀方法及显示基板 |
CN116648094A (zh) | 2019-12-18 | 2023-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN111020489A (zh) | 2019-12-19 | 2020-04-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 蒸镀装置、蒸镀方法以及显示装置 |
CN110928453A (zh) | 2019-12-20 | 2020-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN111009619B (zh) | 2019-12-24 | 2022-05-17 | 昆山国显光电有限公司 | 透光显示面板及其制作方法、显示面板 |
CN110956925A (zh) | 2019-12-25 | 2020-04-03 | 北京集创北方科技股份有限公司 | 显示装置、电子设备和对显示面板进行老化补偿的方法 |
CN111142180A (zh) | 2019-12-30 | 2020-05-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 偏光片及其制作方法、显示屏组件和电子装置 |
CN111180490B (zh) | 2019-12-31 | 2022-12-13 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示屏及电子装置 |
CN111155055A (zh) | 2020-01-06 | 2020-05-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled面板、其蒸镀方法和其掩膜版组 |
CN111261641B (zh) | 2020-01-22 | 2022-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN111293235B (zh) | 2020-02-17 | 2023-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
CN111524469A (zh) | 2020-02-17 | 2020-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及偏光片 |
CN111293236B (zh) | 2020-02-21 | 2022-07-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled屏幕打孔方法 |
CN111292617B (zh) | 2020-02-27 | 2021-06-29 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111223908B (zh) | 2020-02-29 | 2022-12-27 | Oppo广东移动通信有限公司 | 屏下摄像显示模组以及电致发光显示屏 |
CN111341936B (zh) | 2020-03-10 | 2021-11-12 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111046599B (zh) | 2020-03-17 | 2020-06-23 | 昆山国显光电有限公司 | 像素排布优化方法、装置、透光显示面板和显示面板 |
CN111403621A (zh) | 2020-03-25 | 2020-07-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
CN111312795B (zh) | 2020-04-02 | 2022-10-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置、显示面板及其制作方法 |
CN111524460B (zh) | 2020-04-26 | 2021-10-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、掩膜板和显示面板的制作方法 |
CN111584725A (zh) | 2020-05-15 | 2020-08-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled的面板及其制造方法 |
CN111584748A (zh) | 2020-05-20 | 2020-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 透明显示器件、仿真方法及制造方法 |
CN111755623B (zh) | 2020-06-17 | 2022-07-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 用于屏下摄像头的显示面板及其制造方法 |
CN111682120B (zh) | 2020-06-22 | 2023-09-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN111668240B (zh) | 2020-06-23 | 2022-10-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置 |
CN111682055B (zh) | 2020-06-24 | 2022-08-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置 |
CN111755493B (zh) | 2020-06-28 | 2022-08-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 屏下摄像头的oled显示面板及其制备方法及显示装置 |
CN111640882B (zh) | 2020-06-30 | 2022-09-16 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 一种显示面板及其制造方法、显示装置 |
CN111739921B (zh) | 2020-06-30 | 2024-03-05 | 联想(北京)有限公司 | 一种显示装置和电子设备 |
CN111834547B (zh) | 2020-07-08 | 2022-12-06 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置及刮刀的制备方法 |
CN111799374B (zh) | 2020-07-17 | 2023-04-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、制备方法及其显示装置 |
CN111725288B (zh) | 2020-07-17 | 2022-09-13 | 昆山国显光电有限公司 | 像素结构及显示面板 |
CN111863900A (zh) | 2020-07-21 | 2020-10-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN111862875B (zh) | 2020-07-27 | 2022-03-15 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示方法、显示面板、显示控制装置及存储介质 |
CN111739924A (zh) | 2020-07-31 | 2020-10-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和电子装置 |
-
2019
- 2019-01-02 US US16/965,585 patent/US11751415B2/en active Active
- 2019-02-01 CN CN201980022616.XA patent/CN112135808A/zh active Pending
- 2019-02-01 WO PCT/IB2019/050839 patent/WO2019150327A1/en active Application Filing
- 2019-02-01 JP JP2020541978A patent/JP7425480B2/ja active Active
- 2019-02-01 KR KR1020207025227A patent/KR20200125941A/ko not_active Application Discontinuation
-
2022
- 2022-11-18 JP JP2022184850A patent/JP2023018039A/ja active Pending
-
2023
- 2023-07-06 US US18/348,291 patent/US20230363196A1/en active Pending
-
2024
- 2024-01-11 JP JP2024002635A patent/JP2024038340A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008214332A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Sfc Co Ltd | 青色発光化合物およびこれを利用した有機電界発光素子 |
JP2012119592A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料およびその用途 |
WO2017072678A1 (en) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
US20170117478A1 (en) * | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2024038340A (ja) | 2024-03-19 |
WO2019150327A1 (en) | 2019-08-08 |
KR20200125941A (ko) | 2020-11-05 |
CN112135808A (zh) | 2020-12-25 |
JP7425480B2 (ja) | 2024-01-31 |
US11751415B2 (en) | 2023-09-05 |
JP2021512467A (ja) | 2021-05-13 |
US20210047536A1 (en) | 2021-02-18 |
US20230363196A1 (en) | 2023-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7425480B2 (ja) | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス | |
US12069939B2 (en) | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating | |
JP7477203B2 (ja) | パターン化されたコーティングを含む表面およびデバイス上のコーティングをパターン化する方法 | |
JP7503852B2 (ja) | 放射領域上に配置された導電性コーティングを含むデバイスおよびそのための方法 | |
JP7390739B2 (ja) | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス | |
JP2022153547A5 (ja) | ||
JP2024111077A (ja) | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス | |
CN113950630A (zh) | 用于形成成核抑制涂层的材料和结合所述成核抑制涂层的装置 | |
TWI744322B (zh) | 用於在表面上圖案化塗層之方法及包括經圖案化的塗層之裝置 | |
JP7555600B2 (ja) | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231011 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240902 |