JP2023124719A - 電子デバイス及びその製造方法 - Google Patents

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友祐 中村
Yusuke Nakamura
勲 宮谷
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Abstract

【課題】光が有機ＥＬ表示装置を透過するときに生じる回折光の強度を低減する。【解決手段】電子デバイスは、基板と、基板の第１面上に位置する複数の第１電極と、第１電極上に位置する複数の有機層と、有機層上に位置し、平面視において複数の第１電極上に重なるように広がる第２電極と、を備えてもよい。第２電極は、複数の第１電極に基づいて区画される複数の単位領域と、単位領域に位置し、平面視において第１電極に重ならない複数の開口と、を含んでもよい。各単位領域は、平面視における単位領域の中心に位置する単位領域中心点を含む。各開口は、平面視における開口の中心に位置する開口中心点を含む。複数の開口は、単位領域中心点に対してＤ１１側にずれている複数のＤ１１開口と、単位領域中心点に対してＤ１２側にずれている複数のＤ１２開口と、を含んでもよい。Ｄ１２側は、平面視におけるＤ１１側の反対側である。【選択図】図５

Description

本開示の実施形態は、電子デバイス及びその製造方法に関する。
スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置は、高精細であることが好ましい。例えば画素密度が４００ｐｐｉ以上であることが好ましい。持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラハイディフィニション（ＵＨＤ）に対応することへの需要が高まっている。この場合、表示装置の画素密度が例えば８００ｐｐｉ以上であることが好ましい。
応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、蒸着法が知られている。蒸着法においては、所望のパターンで配列された貫通孔が形成された蒸着マスクを用いて、所望のパターンで画素や電極を形成する。例えば、まず、画素に対応するパターンで第１電極が形成されている基板を準備する。続いて、蒸着マスクの貫通孔を介して有機材料を第１電極の上に付着させ、第１電極の上に発光層を形成する。続いて、蒸着マスクの貫通孔を介して導電性材料を発光層の上に付着させ、発光層の上に第２電極を形成する。
特開平９－１１５６７２号公報
有機ＥＬ表示装置における第２電極の形態としては、第１の形態及び第２の形態が考えられる。第１の形態において、第２電極は、基板の全域に第２電極が広がっている。第２の形態において、第２電極は、第２電極が存在しない領域が基板にあるように形成されている。第２の形態によれば、第２電極が存在しない領域において光が有機ＥＬ表示装置を透過しやすい。一方、第２電極が存在しない領域が周期性を有する場合、光の回折が生じることが考えられる。
本開示の一実施形態による電子デバイスは、第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板と、前記基板の前記第１面上に位置する複数の第１電極と、前記第１電極上に位置する複数の有機層と、前記有機層上に位置し、平面視において前記複数の第１電極上に重なるように広がる第２電極と、を備えてもよい。前記第２電極は、前記複数の第１電極に基づいて区画される複数の単位領域と、前記単位領域に位置し、平面視において前記第１電極に重ならない複数の開口と、を含んでもよい。各単位領域は、平面視における前記単位領域の中心に位置する単位領域中心点を含む。各開口は、平面視における前記開口の中心に位置する開口中心点を含む。前記複数の開口は、前記単位領域中心点に対してＤ１１側にずれている複数のＤ１１開口と、前記単位領域中心点に対してＤ１２側にずれている複数のＤ１２開口と、を含んでもよい。前記Ｄ１２側は、平面視における前記Ｄ１１側の反対側である。
本開示によれば、光が有機ＥＬ表示装置を透過するときに生じる回折光の強度を低減できる。
本開示の一実施形態による電子デバイスの一例を示す断面図である。 第１表示領域及び第２表示領域の一例を示す平面図である。 第２表示領域の一例を示す平面図である。 図３の第２表示領域をＡ－Ａ線に沿って見た断面図である。 第２電極の開口の配置の一例を示す平面図である。 図５の第２電極を拡大して示す平面図である。 図４の第２表示領域を拡大して示す断面図である。 図７Ａの第２電極を拡大して示す断面図である。 第２電極の厚みの平均値の算出方法を説明するための図である。 第２電極の一例を示す平面図である。 第１電極が形成されている状態の基板の一例を示す断面図である。 第１電極が形成されている状態の基板の一例を示す平面図である。 第１電極及び有機層が形成されている状態の基板の一例を示す断面図である。 第１電極及び有機層が形成されている状態の基板の一例を示す平面図である。 第１有機層を形成する工程の一例を示す断面図である。 第２有機層を形成する工程の一例を示す断面図である。 第２有機層を形成する工程の一例を示す断面図である。 第２電極を形成する工程の一例を示す断面図である。 第２電極を形成する工程の一例を示す平面図である。 第２電極を部分的に除去する工程の一例を示す断面図である。 第２電極を部分的に除去する工程の一例を示す平面図である。 第２電極にレーザーを照射する工程の一例を示す図である。 パルスを含むレーザーの一例を示す図である。 第２電極の開口の配置の一例を示す平面図である。 第２電極の開口の配置の一例を示す平面図である。 第１表示領域及び第２表示領域の一例を示す平面図である。 本開示の一実施形態による電子デバイスの一例を示す断面図である。 図１７の電子デバイスの素子を更に拡大して示す断面図である。 図１７の電子デバイスの素子の一例を示す断面図である。 絶縁層及び第１電極が形成されている状態の基板の一例を示す断面図である。 絶縁層及び第１電極が形成されている状態の基板の一例を示す平面図である。 絶縁層、第１電極及び有機層が形成されている状態の基板の一例を示す平面図である。 第２電極を形成する工程の一例を示す断面図である。 第２電極を部分的に除去する工程の一例を示す断面図である。 本開示の一実施形態による電子デバイスの一例を示す断面図である。 本開示の一実施形態による電子デバイスの一例を示す断面図である。 本開示の一実施形態による電子デバイスの一例を示す断面図である。 絶縁層及び第１電極が形成されている状態の基板の一例を示す断面図である。 第２電極を形成する工程の一例を示す断面図である。 第２電極を部分的に除去する工程の一例を示す断面図である。 抑制層を形成する工程の一例を示す断面図である。 第２電極を形成する工程の一例を示す断面図である。 例１における第２電極の開口の配置を示す平面図である。 例２における第２電極の開口の配置を示す平面図である。 例３における第２電極の開口の配置を示す平面図である。 例４における第２電極の開口の配置を示す平面図である。 回折の評価方法を示す図である。 例１における投影パターンの評価結果を示す図である。 例２における投影パターンの評価結果を示す図である。 例３における投影パターンの評価結果を示す図である。 例４における投影パターンの評価結果を示す図である。 例１～例４における回折光の強度を第１方向に沿って抽出した結果を示す図である。 図４６Ａの回折光のピーク強度を抽出した結果を示す図である。 例１～例４における回折光の強度を第２方向に沿って抽出した結果を示す図である。 図４７Ａの回折光のピーク強度を抽出した結果を示す図である。 例１～例４における回折光の強度を第３方向に沿って抽出した結果を示す図である。 図４８Ａの回折光のピーク強度を抽出した結果を示す図である。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などのある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈する。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、本明細書の一実施形態は、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態と組み合わせられ得る。その他の実施形態同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。
本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「～」という記号によって表現される範囲は、「～」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「Ｓ１開口～Ｓ３開口」という表現によって確定される範囲は、「Ｓ１開口、Ｓ２開口及びＳ３開口」という表現によって画定される範囲と同一である。
以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。
本開示の第１の態様は、電子デバイスであって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面上に位置する複数の第１電極と、
前記第１電極上に位置する複数の有機層と、
前記有機層上に位置し、平面視において前記複数の第１電極上に重なるように広がる第２電極と、を備え、
前記第２電極は、前記複数の第１電極に基づいて区画される複数の単位領域と、前記単位領域に位置し、平面視において前記第１電極に重ならない複数の開口と、を含み、
各単位領域は、平面視における前記単位領域の中心に位置する単位領域中心点を含み、
各開口は、平面視における前記開口の中心に位置する開口中心点を含み、
前記複数の開口は、前記単位領域中心点に対してＤ１１側にずれている複数のＤ１１開口と、前記単位領域中心点に対してＤ１２側にずれている複数のＤ１２開口と、を含み、
前記Ｄ１２側は、平面視における前記Ｄ１１側の反対側である、電子デバイスである。
本開示の第２の態様は、上述した第１の態様による電子デバイスにおいて、前記複数の開口は、前記単位領域中心点に対してＤ２１側にずれている複数のＤ２１開口と、前記単位領域中心点に対してＤ２２側にずれている複数のＤ２２開口と、を含んでいてもよい。前記Ｄ２１側は、前記Ｄ１１側及び前記Ｄ１２側に沿う第１方向に直交する第２方向に沿っており、前記Ｄ２２側は、平面視における前記Ｄ２１側の反対側である。
本開示の第３の態様は、上述した第１の態様による電子デバイスの製造方法において、前記複数の開口は、
前記Ｄ１１開口には該当するが、前記Ｄ２１開口及び前記Ｄ２２開口には該当しない複数のＰ１開口と、
前記Ｄ１１開口に該当し、且つ前記Ｄ２１開口に該当する複数のＰ２開口と、
前記Ｄ２１開口には該当するが、前記Ｄ１１開口及び前記Ｄ１２開口には該当しない複数のＰ３開口と、
前記Ｄ２１開口に該当し、且つ前記Ｄ１２開口に該当する複数のＰ４開口と、
前記Ｄ１２開口には該当するが、前記Ｄ２１開口及び前記Ｄ２２開口には該当しない複数のＰ５開口と、
前記Ｄ１２開口に該当し、且つ前記Ｄ２２開口に該当する複数のＰ６開口と、
前記Ｄ２２開口には該当するが、前記Ｄ１１開口及び前記Ｄ１２開口には該当しない複数のＰ７開口と、
前記Ｄ２２開口に該当し、且つ前記Ｄ１１開口に該当する複数のＰ８開口と、
前記Ｄ１１開口、前記Ｄ１２開口、前記Ｄ２１開口、及び前記Ｄ２２開口のいずれにも該当しないＰ９開口と、を含んでいてもよい。
本開示の第４の態様は、上述した第３の態様による電子デバイスにおいて、最小Ｐ比率に対する最大Ｐ比率の比が３．００以下であってもよい。前記最小Ｐ比率は、前記Ｐ１開口～前記Ｐ９開口のうち最も少ない開口の数であり、前記最大Ｐ比率は、前記Ｐ１開口～前記Ｐ９開口のうち最も多い開口の数である。
本開示の第５の態様は、上述した第１の態様から上述した第４の態様のそれぞれによる電子デバイスにおいて、前記複数の開口は、複数のＳ１開口と、複数のＳ２開口と、複数のＳ３開口と、を含んでいてもよい。平面視における前記Ｓ２開口の寸法は、平面視における前記Ｓ１開口の寸法よりも大きく、平面視における前記Ｓ３開口の寸法は、平面視における前記Ｓ１開口の寸法よりも小さい。
本開示の第６の態様は、上述した第５の態様による電子デバイスにおいて、前記複数の開口は、
前記Ｄ１１開口に該当し、且つ前記Ｓ１開口に該当する複数のＤ１１Ｓ１開口と、
前記Ｄ１１開口に該当し、且つ前記Ｓ２開口に該当する複数のＤ１１Ｓ２開口と、
前記Ｄ１１開口に該当し、且つ前記Ｓ３開口に該当する複数のＤ１１Ｓ３開口と、
前記Ｄ１２開口に該当し、且つ前記Ｓ１開口に該当する複数のＤ１２Ｓ１開口と、
前記Ｄ１２開口に該当し、且つ前記Ｓ２開口に該当する複数のＤ１２Ｓ２開口と、
前記Ｄ１２開口に該当し、且つ前記Ｓ３開口に該当する複数のＤ１２Ｓ３開口と、を含んでいてもよい。
本開示の第７の態様は、電子デバイスであって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面上に位置する複数の第１電極と、
前記第１電極上に位置する複数の有機層と、
前記有機層上に位置し、平面視において２以上の前記第１電極上に重なるように広がる第２電極と、を備え、
前記第２電極は、前記複数の第１電極に基づいて区画される複数の単位領域と、前記単位領域に位置し、平面視において前記第１電極に重ならない複数の開口と、を含み、
前記複数の開口は、複数のＳ１開口と、複数のＳ２開口と、複数のＳ３開口と、を含み、
平面視における前記Ｓ２開口の寸法は、平面視における前記Ｓ１開口の寸法よりも大きく、
平面視における前記Ｓ３開口の寸法は、平面視における前記Ｓ１開口の寸法よりも小さい、電子デバイスである。
本開示の第８の態様は、上述した第５の態様から上述した第７の態様のそれぞれによる電子デバイスにおいて、最小Ｓ比率に対する最大Ｓ比率の比が１０以下であってもよい。前記最小Ｓ比率は、前記Ｓ１開口～前記Ｓ３開口のうち最も少ない開口の数であり、前記最大Ｓ比率は、前記Ｓ１開口～前記Ｓ３開口のうち最も多い開口の数である。
本開示の第９の態様は、上述した第１の態様から上述した第８の態様のそれぞれによる電子デバイスにおいて、前記単位領域は、４つの前記第１電極の中心点を結ぶことにより得られる四角形によって区画されてもよい。
本開示の第１０の態様は、上述した第９の態様による電子デバイスにおいて、前記複数の有機層は、複数の第１有機層と、複数の第２有機層と、複数の第３有機層と、を含んでもよい。前記複数の第１電極は、前記第１有機層に重なる複数のＡ１電極と、前記第２有機層に重なる複数のＡ２電極と、前記第３有機層に重なる複数のＡ３電極と、と含んでもよい。前記四角形に対応する前記４つの前記第１電極は、少なくとも１つの前記Ａ１電極と、少なくとも１つの前記Ａ２電極と、少なくとも１つの前記Ａ３電極と、を含んでもよい。
本開示の第１１の態様は、上述した第１０の態様による電子デバイスにおいて、前記第１有機層は、赤色発光層であり、前記第２有機層は、青色発光層であり、前記第３有機層は、緑色発光層であってもよい。前記四角形に対応する前記４つの前記第１電極は、１つの前記Ａ１電極と、１つの前記Ａ２電極と、２つの前記Ａ３電極と、を含んでもよい。
本開示の第１２の態様は、上述した第１の態様から上述した第１１の態様のそれぞれによる電子デバイスにおいて、前記開口は、平面視において前記第２電極によって囲まれていてもよい。
本開示の第１３の態様は、上述した第１の態様から上述した第１２の態様のそれぞれによる電子デバイスにおいて、前記有機層は、平面視において前記開口に重なる有機層開口を含んでもよい。
本開示の第１４の態様は、上述した第１３の態様による電子デバイスの製造方法において、前記有機層開口は、平面視において前記第２電極の一部に重なっていてもよい。
本開示の第１５の態様は、上述した第１の態様から上述した第１４の態様のそれぞれによる電子デバイスにおいて、電子デバイスは、平面視において前記第１電極に重なる絶縁層第１開口を含み、前記基板の前記第１面の法線方向において前記第１面と前記有機層との間に位置する絶縁層を備えていてもよい。
本開示の第１６の態様は、上述した第１５の態様による電子デバイスにおいて、前記絶縁層は、平面視において前記第１電極の間に位置し、前記開口に重なる絶縁層第２開口を含んでもよい。
本開示の第１７の態様は、電子デバイスの製造方法であって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板と、前記基板の前記第１面上に位置する複数の第１電極と、前記第１電極上に位置する複数の有機層と、を含む積層体を準備する準備工程と、
平面視において前記複数の第１電極に重なるように、前記有機層上に第２電極を形成する第２電極形成工程と、を備え、
前記第２電極は、前記複数の第１電極に基づいて区画される複数の単位領域と、前記単位領域に位置し、平面視において前記第１電極に重ならない複数の開口と、を含み、
各単位領域は、平面視における前記単位領域の中心に位置する単位領域中心点を含み、
各開口は、平面視における前記開口の中心に位置する開口中心点を含み、
前記複数の開口は、前記単位領域中心点に対してＤ１１側にずれている複数のＤ１１開口と、前記単位領域中心点に対してＤ１２側にずれている複数のＤ１２開口と、を含み、
前記Ｄ１２側は、平面視における前記Ｄ１１側の反対側である、電子デバイスの製造方法である。
本開示の第１８の態様は、電子デバイスの製造方法であって、
第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板と、前記基板の前記第１面上に位置する複数の第１電極と、前記第１電極上に位置する複数の有機層と、を含む積層体を準備する準備工程と、
平面視において前記複数の第１電極に重なるように、前記有機層上に第２電極を形成する第２電極形成工程と、を備え、
前記第２電極は、前記複数の第１電極に基づいて区画される複数の単位領域と、前記単位領域に位置し、平面視において前記第１電極に重ならない複数の開口と、を含み、
前記複数の開口は、複数のＳ１開口と、複数のＳ２開口と、複数のＳ３開口と、を含み、
平面視における前記Ｓ２開口の寸法は、平面視における前記Ｓ１開口の寸法よりも大きく、
平面視における前記Ｓ３開口の寸法は、平面視における前記Ｓ１開口の寸法よりも小さい、電子デバイスの製造方法である。
本開示の第１９の態様は、上述した第１７の態様又は上述した上述した第１８の態様による電子デバイスの製造方法において、前記製造方法は、前記単位領域の一部を除去することにより前記開口を形成する除去工程を備えていてもよい。
本開示の第２０の態様は、上述した第１９の態様による電子デバイスの製造方法において、前記除去工程は、前記第２電極にレーザーを照射して前記開口を形成する照射工程を含んでもよい。
以下、本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。
図１は、電子デバイス１０の一例を示す平面図である。電子デバイス１０は、例えばスマートフォンである。電子デバイス１０の外縁は、第１方向Ｄ１に延びる辺及び第２方向Ｄ２に延びる辺を含んでもよい。
第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２を含んでもよい。第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１よりも小さい面積を有していてもよい。図１に示すように、第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１によって囲まれていてもよい。図示はしないが、第２表示領域１０２の外縁の一部が、第１表示領域１０１の外縁の一部と同一直線上に位置していてもよい。
図２は、図１の第２表示領域１０２及びその周囲を拡大して示す平面図である。第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２において、素子２０は、異なる２方向に沿って並んでいてもよい。例えば、第１表示領域１０１の複数の素子２０は、第１方向Ｄ１に沿って第１１周期Ｐ１１で並び、第２方向Ｄ２に沿って第２１周期Ｐ２１で並んでいてもよい。例えば、第２表示領域１０２の複数の素子２０は、第１方向Ｄ１に沿って第１２周期Ｐ１２で並び、第２方向Ｄ２に沿って第２２周期Ｐ２２で並んでいてもよい。第１２周期Ｐ１２は、第１１周期Ｐ１１と同一であってもよい。第２２周期Ｐ２２は、第２１周期Ｐ２１と同一であってもよい。
素子２０は、例えば画素である。素子２０が画素である場合、第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２に映像が表示される。
第２表示領域１０２に位置する素子２０の寸法は、第１表示領域１０１に位置する素子２０の寸法よりも小さくてもよい。例えば、第２表示領域１０２の素子２０の後述する第１電極の寸法は、第１表示領域１０１の素子２０の第１電極の寸法よりも小さくてもよい。
素子２０は、第２電極５０を含む。第１表示領域１０１に位置する第２電極５０を、第２電極５０Ｘとも表す。第２表示領域１０２に位置する第２電極５０を、第２電極５０Ｙとも表す。
第２電極５０Ｘは第１占有率を有する。第１占有率は、第１表示領域１０１に位置する第２電極５０の面積の合計を、第１表示領域１０１の面積で割ることによって算出される。第２電極５０Ｙは第２占有率を有する。第２占有率は、第２表示領域１０２に位置する第２電極５０の面積の合計を、第２表示領域１０２の面積で割ることによって算出される。第２占有率は、第１占有率よりも小さくてもよい。例えば図３８に示すように、第２電極５０Ｙは、開口５１を含んでいてもよい。
第１占有率に対する第２占有率の比は、例えば、０．２以上でもよく、０．３以上でもよく、０．４以上でもよい。第１占有率に対する第２占有率の比は、例えば、０．６以下でもよく、０．７以下でもよく、０．８以下でもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、０．２、０．３及び０．４からなる第１グループ、及び／又は、０．６、０．７及び０．８からなる第２グループによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第１占有率に対する第２占有率の比の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．２以上０．８以下でもよく、０．２以上０．７以下でもよく、０．２以上０．６以下でもよく、０．２以上０．４以下でもよく、０．２以上０．３以下でもよく、０．３以上０．８以下でもよく、０．３以上０．７以下でもよく、０．３以上０．６以下でもよく、０．３以上０．４以下でもよく、０．４以上０．８以下でもよく、０．４以上０．７以下でもよく、０．４以上０．６以下でもよく、０．６以上０．８以下でもよく、０．６以上０．７以下でもよく、０．７以上０．８以下でもよい。
第２占有率が第１占有率よりも小さい場合、第２表示領域１０２は、第１表示領域１０１よりも高い透過率を有する。この場合、第２表示領域１０２においては、電子デバイス１０に到達した光が基板１５の裏側の光学部品などに到達し易い。光学部品は、例えばカメラなどの、光を検出することにより何らかの機能を実現する部品である。光を検出することによって実現される第２表示領域１０２の機能は、例えば、カメラ、指紋センサ、顔認証センサなどのセンサなどである。
本実施の形態においては、第１表示領域１０１だけでなく第２表示領域１０２にも、画素として機能できる素子２０が配置されている。このため、第２表示領域１０２は、光を検出し、且つ映像を表示できる。
第１表示領域１０１の第２電極５０は、第１表示領域１０１のほぼ全域にわたって広がっていてもよい。例えば、第１占有率は、９０％以上であってもよく、９５％以上であってもよく、９８％以上であってもよく、９９％以上であってもよく、９９．５％以上であってもよく、９９．９％以上であってもよく、１００％であってもよい。
図３は、第２表示領域１０２の一例を示す平面図である。図４は、図３の第２表示領域１０２をＡ－Ａ線に沿って見た断面図である。電子デバイス１０は、基板１５、複数の第１電極３０、複数の有機層４０及び第２電極５０を備えてもよい。基板１５は、第１面１６及び第２面１７を含む。第２面１７は、第１面１６の反対側に位置する。
複数の第１電極３０は、第１面１６上に位置していてもよい。複数の有機層４０は、第１電極３０上に位置していてもよい。第２電極５０は、有機層４０上に位置していてもよい。第２電極５０は、平面視において複数の第１電極３０に重なるように広がっていてもよい。素子２０は、第１電極３０、有機層４０及び第２電極５０を含む積層構造体によって構成されている。素子２０は、第１電極３０と第２電極５０との間に電圧が印加されることにより、又は、第１電極３０と第２電極５０との間に電流が流れることにより、何らかの機能を実現できる。「平面視」とは、第１面１６の法線方向に沿って対象物を見ることを意味する。
素子２０は、第１面１６の面内方向に沿って第１面１６上に並んでいてもよい。図示はしないが、第１表示領域１０１においても、素子２０は、第１面１６の面内方向に沿って第１面１６上に並んでいてもよい。
電子デバイス１０は、アクティブ・マトリクス型であってもよい。例えば、図示はしないが、電子デバイス１０は、複数の素子２０のそれぞれに電気的に接続されているスイッチを備えていてもよい。スイッチは、例えばトランジスタである。スイッチは、素子２０に加わる電圧又は素子２０に流れる電流のＯＮ／ＯＦＦを制御できる。
図３及び図４に示すように、複数の有機層４０は、複数の第１有機層４０Ａと、複数の第２有機層４０Ｂと、複数の第３有機層４０Ｃと、を含んでもよい。第１有機層４０Ａ、第２有機層４０Ｂ及び第３有機層４０Ｃは、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。第１有機層４０Ａ、第２有機層４０Ｂ及び第３有機層４０Ｃに共通する構成を説明する場合には、「有機層４０」という用語及び符号を用いる。
図３及び図４に示すように、複数の第１電極３０は、複数のＡ１電極３０Ａと、複数のＡ２電極３０Ｂと、複数のＡ３電極３０Ｃと、を含んでもよい。Ａ１電極３０Ａは、平面視において第１有機層４０Ａに重なる。Ａ２電極３０Ｂは、平面視において第２有機層４０Ｂに重なる。Ａ３電極３０Ｃは、平面視において第３有機層４０Ｃに重なる。Ａ１電極３０Ａ、Ａ２電極３０Ｂ及びＡ３電極３０Ｃに共通する構成を説明する場合には、「第１電極３０」という用語及び符号を用いる。
複数の素子２０は、複数の第１素子２０Ａと、複数の第２素子２０Ｂと、複数の第３素子２０Ｃと、を含んでもよい。第１素子２０Ａは、Ａ１電極３０Ａ、第１有機層４０Ａ及び第２電極５０を含む。第２素子２０Ｂは、Ａ２電極３０Ｂ、第２有機層４０Ｂ及び第２電極５０を含む。第３素子２０Ｃは、Ａ３電極３０Ｃ、第３有機層４０Ｃ及び第２電極５０を含む。第１素子２０Ａ、第２素子２０Ｂ及び第３素子２０Ｃに共通する構成を説明する場合には、「素子２０」という用語及び符号を用いる。
基板１５、第１電極３０、有機層４０及び第２電極５０について詳細に説明する。
基板１５は、絶縁性を有する板状の部材であってもよい。基板１５は、好ましくは、光を透過させる透明性を有する。図示はしないが、基板１５と素子２０との間には配線層が位置していてもよい。配線層は、素子２０に電気信号、電力などを伝えることができる。
基板１５の透過率は、例えば７０％以上であり、８０％以上であってもよい。基板１１０の透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１－１に準ずるプラスチック－透明材料の全光透過率の試験方法により測定できる。
基板１５は、可撓性を有していてもよく、有していなくてもよい。電子デバイス１０の用途に応じて基板１１０を適宜選択できる。
基板１５の材料としては、例えば、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板、無アルカリガラス等の可撓性のないリジッド材、あるいは、樹脂フィルム、光学用樹脂板、薄ガラス等の可撓性を有するフレキシブル材等を用いることができる。基板１５は、樹脂フィルムの片面または両面にバリア層を有する積層体であってもよい。
基板１５の厚みは、基板１５に用いられる材料や電子デバイス１０の用途等に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．００５ｍｍ以上であってもよい。基板１５の厚みは、５ｍｍ以下であってもよい。
第１電極３０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極３０は、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の無機材料などを含む。第１電極３０は、インジウム・スズ酸化物などの、透明性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。
有機層４０は、有機材料を含む。有機層４０に通電されると、有機層４０は、何らかの機能を発揮することができる。通電とは、有機層４０に電圧が印加されること、又は有機層４０に電流が流れることを意味する。有機層４０としては、通電により光を放出する発光層、通電により光の透過率や屈折率が変化する層などを用いることができる。有機層４０は、有機半導体材料を含んでいてもよい。有機層４０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを更に含んでいてもよい。
第２電極５０は、金属などの、導電性を有する材料を含む。第２電極５０を構成する材料の例としては、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、炭素等及びこれらの合金を挙げることができる。
次に、開口５１について詳細に説明する。
図３及び図４に示すように、開口５１は、平面視において第１電極３０に重ならないように第２電極５０に形成されている。開口５１は、平面視において第２電極５０によって囲まれていてもよい。開口５１は、平面視において隣り合う２つの第１電極３０の間に位置していてもよい。例えば、開口５１は、第１方向Ｄ１において隣り合う２つの第１電極３０の間に位置していてもよい。例えば、開口５１は、第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第１電極３０の間に位置していてもよい。
第２電極５０が開口５１を含むことにより、第２電極５０が第２表示領域１０２の全域にわたって広がる場合に比べて、光が電子デバイス１０を透過し易くなる。これにより、第２表示領域１０２の透過率を高めることができる。
図３及び図４に示すように、有機層４０は、平面視において開口５１に重なる有機層開口４１を含んでいてもよい。有機層開口４１は、開口５１と同様に、第１方向Ｄ１において隣り合う２つの第１電極３０の間に位置していてもよい。有機層開口４１は、開口５１と同様に、第２方向Ｄ２において隣り合う２つの第１電極３０の間に位置していてもよい。
第２電極５０に開口５１が形成されている場合に生じ得る課題を説明する。複数の開口５１が規則的に配置されている場合、開口５１を通過するときに回折された光同士が、光の特定の進行方向において互いに強め合うことが考えられる。この場合、第２表示領域１０２に重なる光学部品によって生成される画像の鮮明さが低下することが考えられる。
このような課題を解決するため、本実施の形態においては、複数の開口５１の配置の規則性を低下させることを提案する。これにより、高い強度を有する回折光がセンサなどの光学部品に入射することを抑制できる。このため、例えば、センサによって生成される画像がぼやけることを抑制できる。
複数の開口５１の具体的な配置を説明する。図５は、複数の開口５１の配置の一例を示す平面図である。図５は、図３から有機層４０及び第２電極５０を除いた図に相当する。
図２、図３、図５及び後述する図２２～図２４並びに後述する実施例においては、本実施の形態の技術的思想を分かりやすく説明するため、平面視における有機層４０及び開口５１の形状として円形が採用されている。しかしながら、有機層４０及び開口５１の形状は円形には限られない。その他の図面においては、有機層４０及び開口５１の形状として、湾曲したコーナーを有する矩形が採用されている。
図５に示すように、複数の開口５１の一部は、単位領域中心点５７Ｃに一致しない開口中心点５１Ｃを含んでいる。すなわち、電子デバイス１０は、単位領域中心点５７Ｃに対してずれている開口中心点５１Ｃを含む複数の開口５１を備えている。単位領域中心点５７Ｃは、後述する単位領域５７の中心点である。単位領域５７は、規則的に配置されている第１電極３０に基づいて定められる領域である。全ての開口５１の開口中心点５１Ｃが単位領域中心点５７Ｃに一致する場合、複数の開口５１の配置の規則性は高く、このため、回折光が互いに強め合いやすい。複数の開口５１の一部が、単位領域中心点５７Ｃに一致しない開口中心点５１Ｃを含むことにより、複数の開口５１の配置の規則性を低下させることができる。これにより、高い強度を有する回折光がセンサなどの光学部品に入射することを抑制できる。
複数の開口５１の一部は、単位領域中心点５７Ｃに対する開口中心点５１Ｃのずれの向きに応じて、Ｄ１１開口又はＤ１２開口に分類されてもよい。Ｄ１１開口は、単位領域中心点５７Ｃに対してＤ１１側にずれている開口中心点５１Ｃを含む開口５１である。Ｄ１２開口は、単位領域中心点５７Ｃに対してＤ１２側にずれている開口中心点５１Ｃを含む開口５１である。「Ｄ１１側」及び「Ｄ１２側」はいずれも、平面視における向きを表す用語である。すなわち、「Ｄ１１側」及び「Ｄ１２側」はいずれも、ベクトルを表す用語である。Ｄ１１側及びＤ１２側はいずれも、第１方向Ｄ１に沿っている。Ｄ１２側は、平面視におけるＤ１１側の反対側である。図５において、Ｄ１１側は右側であり、Ｄ１２側は左側である。
複数の開口５１の一部は、単位領域中心点５７Ｃに対する開口中心点５１Ｃのずれの向きに応じて、Ｄ２１開口又はＤ２２開口に分類されてもよい。Ｄ２１開口は、単位領域中心点５７Ｃに対してＤ２１側にずれている開口中心点５１Ｃを含む開口５１である。Ｄ２２開口は、単位領域中心点５７Ｃに対してＤ２２側にずれている開口中心点５１Ｃを含む開口５１である。「Ｄ２１側」及び「Ｄ２２側」はいずれも、平面視における向きを表す用語である。すなわち、「Ｄ２１側」及び「Ｄ２２側」はいずれも、ベクトルを表す用語である。Ｄ２１側及びＤ２２側はいずれも、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に沿っている。Ｄ２２側は、平面視におけるＤ２１側の反対側である。図５において、Ｄ２１側は上側であり、Ｄ２２側は下側である。
開口５１の開口中心点５１Ｃは、単位領域中心点５７Ｃに対してＤ１１側又はＤ１２側にずれ、さらに、単位領域中心点５７Ｃに対してＤ２１側又はＤ２２側にずれていることもある。すなわち、複数の開口５１は、Ｄ１１開口又はＤ１２開口に該当し、さらにＤ２１開口又はＤ２２開口に該当する開口５１を含んでいてもよい。
複数の開口５１は、複数のＰ１開口５１Ｐ１、複数のＰ２開口５１Ｐ２、複数のＰ３開口５１Ｐ３、複数のＰ４開口５１Ｐ４、複数のＰ５開口５１Ｐ５、複数のＰ６開口５１Ｐ６、複数のＰ７開口５１Ｐ７、複数のＰ８開口５１Ｐ８及び複数のＰ９開口５１Ｐ９を含んでいてもよい。
Ｐ１開口５１Ｐ１は、Ｄ１１開口には該当するが、Ｄ２１開口及びＤ２２開口には該当しない開口５１である。
Ｐ２開口５１Ｐ２は、Ｄ１１開口に該当し、且つＤ２１開口に該当する開口５１である。
Ｐ３開口５１Ｐ３は、Ｄ２１開口には該当するが、Ｄ１１開口及びＤ１２開口には該当しない開口５１である。
Ｐ４開口５１Ｐ４は、Ｄ２１開口に該当し、且つＤ１２開口に該当する開口５１である。
Ｐ５開口５１Ｐ５は、Ｄ１２開口には該当するが、Ｄ２１開口及びＤ２２開口には該当しない開口５１である。
Ｐ６開口５１Ｐ６は、Ｄ１２開口に該当し、且つＤ２２開口に該当する開口５１である。
Ｐ７開口５１Ｐ７は、Ｄ２２開口には該当するが、Ｄ１１開口及びＤ１２開口には該当しない開口５１である。
Ｐ８開口５１Ｐ８は、Ｄ２２開口に該当し、且つＤ１１開口に該当する開口５１である。
Ｐ９開口５１Ｐ９は、Ｄ１１開口、Ｄ１２開口、Ｄ２１開口、及びＤ２２開口のいずれにも該当しない開口５１である。
Ｐ１開口５１Ｐ１、Ｐ２開口５１Ｐ２及びＰ８開口５１Ｐ８は、Ｄ１１開口に該当する。
Ｐ２開口５１Ｐ２、Ｐ３開口５１Ｐ３及びＰ４開口５１Ｐ４は、Ｄ２１開口に該当する。
Ｐ４開口５１Ｐ４、Ｐ５開口５１Ｐ５及びＰ６開口５１Ｐ６は、Ｄ１２開口に該当する。
Ｐ６開口５１Ｐ６、Ｐ７開口５１Ｐ７及びＰ８開口５１Ｐ８は、Ｄ２２開口に該当する。
複数の開口５１は、Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９の全てを含んでいてもよい。複数の開口５１は、Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９の一部を含んでいてもよい。例えば、複数の開口５１は、複数のＰ１開口５１Ｐ１、複数のＰ３開口５１Ｐ３、複数のＰ５開口５１Ｐ５、複数のＰ７開口５１Ｐ７及び複数のＰ９開口５１Ｐ９を含み、Ｐ２開口５１Ｐ２、Ｐ４開口５１Ｐ４、Ｐ６開口５１Ｐ６及びＰ８開口５１Ｐ８を含んでいなくてもよい。
Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９の比率が偏っていないことが好ましい。例えば、最小Ｐ比率Ｒ１と最大Ｐ比率Ｒ２の差が小さいことが好ましい。最小Ｐ比率Ｒ１は、Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９のうち最も少ない開口の数である。最大Ｐ比率Ｒ２は、Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９のうち最も多い開口の数である。
最小Ｐ比率Ｒ１に対する最大Ｐ比率Ｒ２の比であるＲ２／Ｒ１は、例えば、１．００以上でもよく、１．１０以上でもよく、１．２０以上でもよい。Ｒ２／Ｒ１は、例えば、１．５０以下でもよく、２．００以下でもよく、３．００以下でもよい。Ｒ２／Ｒ１の範囲は、１．００、１．１０及び１．２０からなる第１グループ、及び／又は、１．５０、２．００及び３．００からなる第２グループによって定められてもよい。Ｒ２／Ｒ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｒ２／Ｒ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｒ２／Ｒ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｒ２／Ｒ１は、例えば、１．００以上３．００以下でもよく、１．００以上２．００以下でもよく、１．００以上１．５０以下でもよく、１．００以上１．２０以下でもよく、１．００以上１．１０以下でもよく、１．１０以上３．００以下でもよく、１．１０以上２．００以下でもよく、１．１０以上１．５０以下でもよく、１．１０以上１．２０以下でもよく、１．２０以上３．００以下でもよく、１．２０以上２．００以下でもよく、１．２０以上１．５０以下でもよく、１．５０以上３．００以下でもよく、１．５０以上２．００以下でもよく、２．００以上３．００以下でもよい。
Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９の数は、第２表示領域１０２の全域にわたって計測される。
複数の開口５１の形状及び配置を測定する方法においては、光を電子デバイス１０に入射させる。続いて、電子デバイス１０によって反射された光に基づいて生成される第２表示領域１０２の画像を解析する。第１電極３０、第２電極５０などに重なる領域における光の反射率と、開口５１に重なる領域における光の反射率との差に基づいて、開口５１の形状及び配置が算出され得る。
次に、単位領域５７について説明する。図６は、図５の第２電極５０の複数の開口５１を拡大して示す平面図である。
第２電極５０は、複数の第１電極３０に基づいて区画される複数の単位領域５７を含む。開口５１は、単位領域５７に位置している。１つの単位領域５７に１つの開口５１が形成されていてもよい。図示はしないが、１つの単位領域５７に２つ以上の開口５１が形成されていてもよい。第２表示領域１０２の全ての単位領域５７において、少なくとも１つの開口５１が単位領域５７に形成されていてもよい。図示はしないが、第２表示領域１０２は、開口５１が形成されていない単位領域５７を含んでもよい。
図６に示すように、単位領域５７は、第１電極３０の中心点を結ぶ境界線５８によって区画される多角形であってもよい。例えば、単位領域５７は、４つの第１電極３０の中心点を結ぶことにより得られる四角形によって区画されてもよい。四角形に対応する４つの第１電極３０は、少なくとも１つのＡ１電極３０Ａと、少なくとも１つのＡ２電極３０Ｂと、少なくとも１つのＡ３電極３０Ｃと、を含んでもよい。例えば図６に示すように、四角形に対応する４つの第１電極３０は、１つのＡ１電極３０Ａと、１つのＡ２電極３０Ｂと、２つのＡ３電極３０Ｃと、を含んでいてもよい。１つのＡ１電極３０Ａと、１つのＡ２電極３０Ｂとは、第１方向Ｄ１において隣接していてもよい。２つのＡ３電極３０Ｃは、第２方向Ｄ２において隣接していてもよい。単位領域中心点５７Ｃは、例えば、単位領域５７の四角形の２本の対角線の交点として定義される。
開口中心点５１Ｃは、例えば、平面視における開口５１の重心である。開口５１の重心は、例えば、電子デバイス１０によって反射された光に基づいて生成される第２表示領域１０２の画像を解析することによって算出される。
図６において、Δ１は、開口中心点５１Ｃと単位領域中心点５７Ｃとの間の、第１方向Ｄ１におけるずれ量を表す。本願において、「Ｄ１１側にずれている」又は「Ｄ１２側にずれている」という用語は、Δ１が第１閾値ＴＨ１以上であることを意味する。例えば、「Ｄ１１側にずれている」は、開口中心点５１Ｃが単位領域中心点５７Ｃに対してＤ１１側にＴＨ１以上ずれていることを意味する。例えば、「Ｄ１２側にずれている」は、開口中心点５１Ｃが単位領域中心点５７Ｃに対してＤ１２側にＴＨ１以上ずれていることを意味する。
ＴＨ１は、例えば、１μｍ以上でもよく、３μｍ以上でもよく、５μｍ以上でもよく、７μｍ以上でもよい。ＴＨ１は、例えば、９μｍ以下でもよく、１１μｍ以下でもよく、１３μｍ以下でもよく、１５μｍ以下でもよい。ＴＨ１の範囲は、１μｍ、３μｍ、５μｍ及び７μｍからなる第１グループ、及び／又は、９μｍ、１１μｍ、１３μｍ及び１５μｍからなる第２グループによって定められてもよい。ＴＨ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＴＨ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＴＨ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＴＨ１は、例えば、１μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１μｍ以上１３μｍ以下でもよく、１μｍ以上１１μｍ以下でもよく、１μｍ以上９μｍ以下でもよく、１μｍ以上７μｍ以下でもよく、１μｍ以上５μｍ以下でもよく、１μｍ以上３μｍ以下でもよく、３μｍ以上１５μｍ以下でもよく、３μｍ以上１３μｍ以下でもよく、３μｍ以上１１μｍ以下でもよく、３μｍ以上９μｍ以下でもよく、３μｍ以上７μｍ以下でもよく、３μｍ以上５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１３μｍ以下でもよく、５μｍ以上１１μｍ以下でもよく、５μｍ以上９μｍ以下でもよく、５μｍ以上７μｍ以下でもよく、７μｍ以上１５μｍ以下でもよく、７μｍ以上１３μｍ以下でもよく、７μｍ以上１１μｍ以下でもよく、７μｍ以上９μｍ以下でもよく、９μｍ以上１５μｍ以下でもよく、９μｍ以上１３μｍ以下でもよく、９μｍ以上１１μｍ以下でもよく、１１μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１１μｍ以上１３μｍ以下でもよく、１３μｍ以上１５μｍ以下でもよい。
ＴＨ１は、周期Ｐ１２に対する相対値として定められてもよい。周期Ｐ１２は、第１方向Ｄ１における第１電極３０の配列周期である。周期Ｐ１２に対するＴＨ１の比であるＴＨ１／Ｐ１２は、例えば、０．００３以上でもよく、０．０１以上でもよく、０．０３以上でもよく、０．０５以上でもよく、０．０７以上でもよい。ＴＨ１／Ｐ１２は、例えば、０．０９以下でもよく、０．１１以下でもよく、０．１３以下でもよく、０．１５以下でもよい。ＴＨ１／Ｐ１２の範囲は、０．００３、０．０１、０．０３、０．０５及び０．０７からなる第１グループ、及び／又は、０．０９、０．１１、０．１３及び０．１５からなる第２グループによって定められてもよい。ＴＨ１／Ｐ１２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ＴＨ１／Ｐ１２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＴＨ１／Ｐ１２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ＴＨ１／Ｐ１２は、例えば、０．００３以上０．１５以下でもよく、０．００３以上０．１３以下でもよく、０．００３以上０．１１以下でもよく、０．００３以上０．０９以下でもよく、０．００３以上０．０７以下でもよく、０．００３以上０．０５以下でもよく、０．００３以上０．０３以下でもよく、０．００３以上０．０１以下でもよく、０．０１以上０．１５以下でもよく、０．０１以上０．１３以下でもよく、０．０１以上０．１１以下でもよく、０．０１以上０．０９以下でもよく、０．０１以上０．０７以下でもよく、０．０１以上０．０５以下でもよく、０．０１以上０．０３以下でもよく、０．０３以上０．１５以下でもよく、０．０３以上０．１３以下でもよく、０．０３以上０．１１以下でもよく、０．０３以上０．０９以下でもよく、０．０３以上０．０７以下でもよく、０．０３以上０．０５以下でもよく、０．０５以上０．１５以下でもよく、０．０５以上０．１３以下でもよく、０．０５以上０．１１以下でもよく、０．０５以上０．０９以下でもよく、０．０５以上０．０７以下でもよく、０．０７以上０．１５以下でもよく、０．０７以上０．１３以下でもよく、０．０７以上０．１１以下でもよく、０．０７以上０．０９以下でもよく、０．０９以上０．１５以下でもよく、０．０９以上０．１３以下でもよく、０．０９以上０．１１以下でもよく、０．１１以上０．１５以下でもよく、０．１１以上０．１３以下でもよく、０．１３以上０．１５以下でもよい。
図６において、Δ２は、開口中心点５１Ｃと単位領域中心点５７Ｃとの間の、第２方向Ｄ２におけるずれ量を表す。本願において、「Ｄ２１側にずれている」又は「Ｄ２２側にずれている」という用語は、Δ２が第２閾値ＴＨ２以上であることを意味する。例えば、「Ｄ２１側にずれている」は、開口中心点５１Ｃが単位領域中心点５７Ｃに対してＤ２１側にＴＨ２以上ずれていることを意味する。例えば、「Ｄ２２側にずれている」は、開口中心点５１Ｃが単位領域中心点５７Ｃに対してＤ２２側にＴＨ２以上ずれていることを意味する。ＴＨ２の数値範囲としては、上述のＴＨ１の数値範囲を採用できる。
ＴＨ２は、周期Ｐ２２に対する相対値として定められてもよい。周期Ｐ２２は、第２方向Ｄ２における第１電極３０の配列周期である。ＴＨ２／Ｐ２２の数値範囲としては、上述のＴＨ１／Ｐ１２の数値範囲を採用できる。
図６に示す例において、Ｐ２開口５１Ｐ２において、Δ１は第１閾値ＴＨ１以上であり、Δ２は第２閾値ＴＨ２以上である。従って、Ｐ２開口５１Ｐ２は、Ｄ１１開口に該当し、且つＤ２１開口に該当する。
図６に示す例において、Ｐ４開口５１Ｐ４において、Δ１は第１閾値ＴＨ１以上であり、Δ２は第２閾値ＴＨ２以上である。従って、Ｐ２開口５１Ｐ２は、Ｄ１２開口に該当し、且つＤ２１開口に該当する。
図６に示す例において、Ｐ５開口５１Ｐ５において、Δ１は第１閾値ＴＨ１以上であるが、Δ２は第２閾値ＴＨ２未満である。従って、Ｐ２開口５１Ｐ２は、Ｄ１２開口に該当するが、Ｄ２１開口及びＤ２２開口には該当しない。
図６に示す例において、Ｐ９開口５１Ｐ９において、Δ１は第１閾値ＴＨ１未満であり、Δ２は第２閾値ＴＨ２未満である。従って、Ｐ２開口５１Ｐ２は、Ｄ１１開口及びＤ１２開口には該当せず、Ｄ２１開口及びＤ２２開口にも該当しない。
次に、第２電極５０の断面構造を説明する。
図７Ａは、図４の第２表示領域１０２を拡大して示す断面図である。第２電極５０は、開口５１に面する側面５２を含む。同様に、有機層４０は、有機層開口４１に面する側面４２を含む。図７Ａに示すように、有機層４０の側面４２の上端４３は、第２電極５０の側面５２の下端５４に接していてもよい。このような側面４２と側面５２の関係は、レーザー加工によって有機層開口４１及び開口５１を形成する場合に実現され得る。
図７Ｂは、図７Ａの第２電極５０を拡大して示す断面図である。図７Ａ及び図７Ｂに示すように、第２電極５０の側面５２の上端５３は、周囲の第２電極５０に比べて隆起していてもよい。このような隆起は、レーザー加工の際に第２電極５０が溶融することによって生じ得る。第２電極５０の側面５２の上端５３が隆起していることにより、第２電極５０の側面５２の高さが増加するので、第２電極５０の電気抵抗を低くすることができる。
図７Ａ及び図７Ｂにおいて、符号ｔ１は、第２電極５０の側面５２の高さを表す。また、符号ｔ２は、第２電極５０のうち平面視において第１電極３０に重なる領域の厚みの平均値を表す。高さｔ１は、側面５２の上端５３と下端５４との間の、基板１５の第１面１６の法線方向における距離である。側面５２の高さｔ１、及び第２電極５０の厚みは、電子デバイス１０の断面の画像に基づいて算出される。断面の画像は、走査電子顕微鏡を用いて電子デバイス１０の断面を観察することによって得られる。
図７Ｃを参照して、第２電極５０の厚みの平均値ｔ２を算出する方法を説明する。平均値ｔ２は、厚みｔ２１、厚みｔ２２及び厚みｔ２３を平均することにより算出される。厚みｔ２１は、第１面１６の面内方向における第１電極３０の中心位置に重なる第２電極５０の厚みである。図７Ｃにおいて、第１電極３０の中心位置を通り基板１５の厚み方向に延びる直線が符号Ｌｃで表されている。厚みｔ２２及び厚みｔ２３は、第１面１６の面内方向における第１電極３０の端３０ａと直線Ｌｃとの中間位置における第２電極５０の厚みである。
側面５２の高さｔ１は、第２電極５０の厚みの平均値ｔ２よりも大きくてもよい。すなわち、ｔ１／ｔ２が１．０よりも大きくてもよい。ｔ１／ｔ２は、例えば、１．１以上でもよく、１．２以上でもよく、１．３以上でもよく、１．４以上でもよい。ｔ１／ｔ２は、例えば、１．５以下でもよく、１．６以下でもよく、１．８以下でもよく、２．０以下でもよい。ｔ１／ｔ２の範囲は、１．１、１．２、１．３及び１．４からなる第１グループ、及び／又は、１．５、１．６、１．８及び２．０からなる第２グループによって定められてもよい。ｔ１／ｔ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ｔ１／ｔ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ｔ１／ｔ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ｔ１／ｔ２は、例えば、１．１以上２．０以下でもよく、１．１以上１．８以下でもよく、１．１以上１．６以下でもよく、１．１以上１．５以下でもよく、１．１以上１．４以下でもよく、１．１以上１．３以下でもよく、１．１以上１．２以下でもよく、１．２以上２．０以下でもよく、１．２以上１．８以下でもよく、１．２以上１．６以下でもよく、１．２以上１．５以下でもよく、１．２以上１．４以下でもよく、１．２以上１．３以下でもよく、１．３以上２．０以下でもよく、１．３以上１．８以下でもよく、１．３以上１．６以下でもよく、１．３以上１．５以下でもよく、１．３以上１．４以下でもよく、１．４以上２．０以下でもよく、１．４以上１．８以下でもよく、１．４以上１．６以下でもよく、１．４以上１．５以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、１．５以上１．８以下でもよく、１．５以上１．６以下でもよく、１．６以上２．０以下でもよく、１．６以上１．８以下でもよく、１．８以上２．０以下でもよい。
レーザー加工によって有機層４０に有機層開口４１を形成する場合、光の照射方向を調整することにより、有機層開口４１に面する側面４２が基板１５の第１面１６に対して成す角度を調整することができる。このため、例えば、側面４２が急峻に立ち上がるように有機層開口４１を形成することができる。この場合、有機層４０の側面４２の幅ｕ１は、蒸着法によって形成される有機層の側面の幅に比べて小さくなる。有機層４０の側面４２が急峻に立ち上がるので、各有機層４０の有効面積のばらつきが低減される。このため、各有機層４０の特性のばらつきが低減される。例えば、有機層４０が発光層である場合、各発光層から放出される光の光度のばらつきが低減される。このため、電子デバイス１０の輝度分布が電子デバイス１０の面内の位置に応じて変動することを抑制できる。「有機層４０の有効面積」は、有機層４０の機能を発揮するために必要な厚さを有し、かつ平面視において第１電極３０及び第２電極５０に重なる部分の面積を意味する。
本願においては、側面５２の幅ｕ１を、側面５２の高さがｔ４になる位置からｔ５になる位置までの、第１面１６の面内方向における距離として定義する。ｔ４は０．２×ｔ３であり、ｔ５は０．８×ｔ３である。符号ｔ３は、有機層４０のうち平面視において側面４２と第１電極３０の端部３１との間に位置する領域の厚みの平均値を表す。有機層４０の厚みは、第２電極５０の厚みと同様に、電子デバイス１０の断面の画像に基づいて算出される。
幅ｕ１は、例えば、０．１μｍ以上でもよく、０．２μｍ以上でもよく、０．３μｍ以上でもよく、０．４μｍ以上でもよい。幅ｕ１は、例えば、０．５μｍ以下でもよく、１．０μｍ以下でもよく、１．５μｍ以下でもよく、２．０μｍ以下でもよい。幅ｕ１の範囲は、０．１μｍ、０．２μｍ、０．３μｍ及び０．４μｍからなる第１グループ、及び／又は、０．５μｍ、１．０μｍ、１．５μｍ及び２．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。幅ｕ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。幅ｕ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。幅ｕ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。幅ｕ１は、例えば、０．１μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上１．５μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上０．４μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上０．３μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上０．２μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上１．５μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上０．４μｍ以下でもよく、０．２μｍ以上０．３μｍ以下でもよく、０．３μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．３μｍ以上１．５μｍ以下でもよく、０．３μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．３μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．３μｍ以上０．４μｍ以下でもよく、０．４μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．４μｍ以上１．５μｍ以下でもよく、０．４μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．４μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上１．５μｍ以下でもよく、１．５μｍ以上２．０μｍ以下でもよい。
第２電極５０の側面５２が隆起している場合、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、第２電極５０は、上端５３の外側に位置する基部５５を含む。第２電極５０の厚みは、上端５３から外側に向かうにつれて減少する。「外側」とは、平面視において開口５１の中心から離れる側である。基部５５は、第２電極５０の厚みが、側面５２の高さｔ１に比べて十分に小さくなる位置である。例えば、基部５５における第２電極５０の厚みｔ６は、第２電極５０の厚みの平均値ｔ２の１．０５倍である。
図８は、第２電極５０の一例を示す平面図である。符号５１ａは、平面視における開口５１の外縁を表す。第２電極５０の側面５２の上端５３は、平面視において開口５１を囲む輪郭を有してもよい。基部５５は、平面視において上端５３の輪郭を囲む輪郭を有してもよい。
符号ｕ２は、開口５１の外縁５１ａから基部５５までの、平面視における距離を表す。距離ｕ２は、例えば、０．０５μｍ以上でもよく、０．１μｍ以上でもよく、０．５μｍ以上でもよい。距離ｕ２は、例えば、２．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以下でもよく、５．０μｍ以下でもよい。距離ｕ２の範囲は、０．０５μｍ、０．１μｍ及び０．５μｍからなる第１グループ、及び／又は、２．０μｍ、３．０μｍ及び５．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。距離ｕ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。距離ｕ２の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。距離ｕ２の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。距離ｕ２は、例えば、０．０５μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上５．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上３．０μｍ以下でもよく、３．０μｍ以上５．０μｍ以下でもよい。
電子デバイス１０の構成要素の寸法、構成要素間の距離などは、走査型電子顕微鏡を用いて電子デバイス１０の断面の画像を観察することによって測定できる。
第２電極５０は、均一領域５６を含んでもよい。均一領域５６は、例えば、平均値ｔ２の１．０５倍以下の厚みを有する領域である。均一領域５６は、平面視において開口５１を囲むよう広がっている。均一領域５６は、基部５５の外側に広がっていてもよい。均一領域５６は、第２電極５０の大部分を占めていてもよい。第２電極５０における均一領域５６の占有率は、例えば９０％以上であり、９５％以上であってもよく、９８％以上であってもよく、９９％以上であってもよい。第２電極５０の大部分が均一領域５６である場合、光が第２電極５０を透過しやすい。これにより、電子デバイス１０の透過率を高めることができる。
次に、上述の電子デバイス１０の製造方法の一例について説明する。
まず、第１電極３０が形成されている基板１５を準備する。図９及び図１０は、第１電極３０が形成されている状態の基板１５を示す断面図及び平面図である。図９は、図１０に示す基板１５の、Ｂ－Ｂ線に沿った断面図に相当する。第１電極３０は、例えば、第１電極３０を構成する導電層をスパッタリング法などによって基板１５に形成した後、フォトリソグラフィー法などによって導電層をパターニングすることによって形成される。
続いて、第１電極３０上に有機層４０を形成する有機層形成工程を実施する。図１１及び図１２は、第１電極３０及び有機層４０が形成されている状態の基板１５を示す断面図及び平面図である。図１１は、図１２に示す基板１５の、Ｃ－Ｃ線に沿った断面図に相当する。有機層４０は、例えば、有機層４０に対応する貫通孔を有する蒸着マスクを用いる蒸着法によって有機材料などを基板１５上や第１電極３０上に付着させることによって、形成される。このようにして、基板１５と、基板１５の第１面１６上にある２以上の第１電極３０と、第１電極３０上の有機層４０と、を含む積層体１８を準備できる。
図１２に示すように、複数の第１有機層４０Ａは、第３方向Ｄ３及び第３方向Ｄ３に交差する第４方向Ｄ４に沿って並んでいてもよい。複数の第２有機層４０Ｂも、第１有機層４０Ａと同様に、第３方向Ｄ３及び第３方向Ｄ３に交差する第４方向Ｄ４に沿って並んでいてもよい。複数の第３有機層４０Ｃは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って並んでいてもよい。
図１３は、第１有機層４０Ａを形成する工程の一例を示す断面図である。まず、複数の貫通孔８１を含む第１蒸着マスク８０Ａを準備する。続いて、第１蒸着マスク８０Ａと、第１電極３０が形成されている基板１５とを向い合せる。続いて、第１有機層４０Ａの材料を第１蒸着マスク８０Ａの貫通孔８１を介して第１電極３０上に蒸着させる第１蒸着工程を実施する。図１３に示すように、第１有機層４０Ａは、平面視において第１電極３０と重なる領域だけでなく、第１電極３０と重ならない領域にも形成されてもよい。
図１４は、第２有機層４０Ｂを形成する工程の一例を示す断面図である。まず、複数の貫通孔８１を含む第２蒸着マスク８０Ｂを準備する。続いて、第２蒸着マスク８０Ｂと、第１電極３０及び第１有機層４０Ａが形成されている基板１５とを向い合せる。続いて、第２有機層４０Ｂの材料を第２蒸着マスク８０Ｂの貫通孔８１を介して第１電極３０上に蒸着させる第２蒸着工程を実施する。図１４に示すように、第２有機層４０Ｂは、平面視において第１電極３０と重なる領域だけでなく、第１電極３０と重ならない領域にも形成されてもよい。
図示はしないが、第１有機層４０Ａ及び第２有機層４０Ｂの場合と同様に、蒸着マスクの貫通孔を介して第３有機層４０Ｃの材料を第１電極３０上に蒸着させる第３蒸着工程を実施する。このようにして、第１有機層４０Ａ、第２有機層４０Ｂ及び第３有機層４０Ｃを含む有機層４０を第１電極３０上に形成できる。
図１５は、第２有機層４０Ｂを形成する工程のその他の例を示す断面図である。図１５に示すように、第２蒸着工程は、第２有機層４０Ｂの一部が第１有機層４０Ａに重なるように実施されてもよい。この場合、第１有機層４０Ａ及び第２有機層４０Ｂは、第１電極３０に重ならない位置で互いに部分的に重なる重なり部分４５を含む。図示はしないが、第１有機層４０Ａ及び第３有機層４０Ｃが、互いに部分的に重なっていてもよい。また、第２有機層４０Ｂ及び第３有機層４０Ｃが、互いに部分的に重なっていてもよい。
続いて、第２電極５０を形成する第２電極形成工程を実施する。図１６及び図１７は、第２電極５０を形成する工程の一例を示す断面図及び平面図である。図１６は、図１７に示す基板１５の、Ｄ－Ｄ線に沿った断面図に相当する。第２電極形成工程においては、平面視において第２電極５０が２以上の第１電極３０に重なるように、有機層４０上に第２電極５０を形成する。例えば蒸着法により、第２電極５０を基板１５の第１面１６側の全域に形成する。
第２電極５０は、電子デバイス１０の表示領域の全域に形成されてもよい。第２電極５０は、隙間なく連続的に広がる層を含んでいてもよい。第２電極５０は、隙間なく連続的に広がる１つの層からなっていてもよい。第２電極５０は、１回の蒸着工程によって形成されてもよい。
続いて、第２表示領域１０２の第２電極５０に複数の開口５１を形成する開口形成工程を実施する。開口形成工程は、準備工程及び除去工程を含む。準備工程は、第２表示領域１０２の第２電極５０に形成される複数の開口５１の形状及び配置を算出する。除去工程は、準備工程で算出された形状及び配置に基づいて、第２電極５０を部分的に除去する。これにより、準備工程で算出された形状及び配置を満たす開口５１が第２電極５０に形成される。
準備工程は、種類決定工程を含んでもよい。種類決定工程は、第２電極５０に形成される開口５１の種類を決定する。例えば、種類決定工程は、Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９という９種類の開口５１を第２電極５０に形成することを決定する。
準備工程は、ずれ量決定工程を含んでもよい。ずれ量決定工程は、例えば、上述のΔ１及びΔ２を決定する。
準備工程は、レイアウト工程を含んでもよい。レイアウト工程は、第２電極５０の各単位領域５７に形成される開口５１の種類を決定する。例えば、レイアウト工程は、Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９のいずれか１つを各単位領域５７にランダムに割り当ててもよい。
準備工程は、比率決定工程を含んでもよい。比率決定工程は、例えば、第２表示領域１０２に形成される開口５１の合計数に対する、Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９の数の比率を決定する。Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９の比率の合計は１００％になる。比率決定工程は、Ｒ２／Ｒ１が上述の範囲に入るように実施されてもよい。上述のレイアウト工程は、比率決定工程で決定された比率に基づいて、Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９のいずれか１つを各単位領域５７に割り当ててもよい。
準備工程は、寸法決定工程を含んでもよい。寸法決定工程は、平面視における開口５１の寸法を決定する。本実施の形態において、Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９は、同一の寸法を有していてもよい。「同一の寸法」は、各開口５１の寸法が、“平均値－１０％”以上“平均値＋１０％”以下であることを意味する。平均値は、第２表示領域１０２に位置する第２電極５０の寸法の平均値である。
準備工程は、補正工程を含んでもよい。補正工程は、第２表示領域１０２に生じる回折光に関するシミュレーション結果又は実験結果に基づいて、上述の開口５１の種類、ずれ量、比率、寸法などを補正する。
準備工程の後、除去工程が実施される。除去工程は、第２電極５０を部分的に除去して開口５１を形成する。除去工程は、図１８に示すように、第２電極５０にレーザーＬ１を照射する照射工程を含んでいてもよい。照射工程は、レーザーマスク９０の貫通孔９１を介して第２電極５０にレーザーＬ１を照射する工程を含んでいてもよい。第２電極５０にレーザーＬ１を照射することにより、図１９に示すように、第２電極５０に開口５１を形成できる。このようにして、開口５１を含む第２電極５０を備える電子デバイス１０を得ることができる。
照射工程は、第２電極５０に開口５１が形成された後、有機層４０のうち開口５１に重なる領域にレーザーＬ１を照射する工程を含んでいてもよい。有機層４０にレーザーＬ１を照射することにより、有機層４０に、開口５１に重なる有機層開口４１を形成できる。
上述の図１５に示すように第１有機層４０Ａと第２有機層４０Ｂとが部分的に互いに重なっている場合、重なり部分４５にレーザーＬ１を照射してもよい。これにより、重なり部分４５を除去することができる。
図２０は、照射工程の一例を示す図である。図２０においては、開口５１が形成されるべき領域が点線で表されている。図２０に示すように、第２電極５０に照射されるレーザーのスポット９２は、開口５１の寸法よりも小さいスポット径Ｓｒを有していてもよい。この場合、レーザーの光源と第２電極５０との間にレーザーマスク９０を介した状態で光源を基板１５の第１面１６の面内方向において走査することにより、レーザーを、第２電極５０のうち開口５１が形成されるべき領域に照射してもよい。
レーザーとしては、例えばＹＡＧレーザーを用いることができる。ＹＡＧレーザーを発生させる光源は、イットリウム、アルミニウム及びガーネットにネオジムが添加されている結晶を含む発振用媒質を備えていてもよい。この場合、基本波として、波長が約１０６４ｎｍのレーザーが生成され得る。また、基本波を非線形光学結晶に通すことによって、波長が約５３２ｎｍの第２高調波が生成され得る。また、基本波および第２高調波を非線形光学結晶に通すことによって、波長が約３５５ｎｍの第３高調波が生成され得る。第２電極５０に照射されるレーザーは、基本波、第２高調波及び第３高調波のうちの１種、２種又は３種を含んでいてもよい。
第２電極５０に照射されるレーザーは、ＹＡＧレーザー以外のレーザーであってもよい。
照射工程においては、レーザーＬ１のパルスを間欠的に第２電極５０に照射してもよい。すなわち、第２電極５０に照射されるレーザーＬ１として、連続光ではなく、パルス発振によって得られるパルスを含むレーザーＬ１を用いてもよい。これにより、レーザーＬ１の照射に起因して第２電極５０に生じる熱を制御し易くなる。図２１は、パルスを含むレーザーＬ１の一例を示す図である。図２１において、符号Ｗ１が、レーザーＬ１のパルス幅を表し、符号Ｗ２が、レーザーＬ１のパルスの周期Ｗ２を表し、符号Ｐ１が、レーザーＬ１のピーク出力を表す。パルス幅Ｗ１は、パルスのピークの半値幅である。
照射工程においては、レーザーＬ１のスポット径Ｓｒ、パルス幅Ｗ１、パルスの周期Ｗ２、ピーク出力Ｐ１、パルスエネルギーなどのパラメータを適切に調整してもよい。これにより、第２電極５０の側面５２の上端５３に形成される隆起の程度を調整できる。また、有機層４０の側面４２の幅ｕ１を調整できる。
本実施の形態によれば、第２電極５０が開口５１を含んでいるので、光が電子デバイス１０を透過し易くなる。これにより、電子デバイス１０全体の透過率を高めることができる。また、複数の開口５１の配置の規則性を低下させることにより、高い強度を有する回折光がセンサなどの光学部品に入射することを抑制できる。このため、例えば、センサによって生成される画像がぼやけることを抑制できる。
上述した一実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、その他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果がその他の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
図２２は、第２電極５０の開口５１の配置の一例を示す平面図である。上述の実施の形態においては、単位領域中心点５７Ｃに対する開口中心点５１Ｃのずれの向きを調整する例を示した。図２２においては、開口５１の寸法を調整する例を説明する。図２２に示す例において、複数の開口５１の開口中心点５１Ｃは、単位領域中心点５７Ｃに対してずれていなくてもよい。
複数の開口５１は、複数のＳ１開口５１Ｓ１と、複数のＳ２開口５１Ｓ２と、複数のＳ３開口５１Ｓ３と、を含んでいてもよい。平面視におけるＳ２開口５１Ｓ２の寸法ｒは、平面視におけるＳ１開口５１Ｓ１の寸法ｒよりも大きい。平面視におけるＳ３開口５１Ｓ３の寸法ｒは、平面視におけるＳ１開口５１Ｓ１の寸法ｒよりも小さい。寸法ｒは、例えば、平面視において開口５１の寸法が最大になる方向における開口５１の寸法である。
Ｓ１開口５１Ｓ１の寸法ｒは、“平均値－ＴＨ３％”以上“平均値＋ＴＨ３％”以下であってもよい。平均値は、第２表示領域１０２に位置する第２電極５０の寸法ｒの平均値である。Ｓ２開口５１Ｓ２の寸法ｒは、“平均値＋ＴＨ３％”よりも大きくてもよい。Ｓ３開口５１Ｓ３の寸法ｒは、“平均値－ＴＨ３％”よりも小さくてもよい。
開口５１の寸法ｒは、例えば、電子デバイス１０によって反射された光に基づいて生成される第２表示領域１０２の画像を解析することによって算出される。
閾値“ＴＨ３％”は、例えば、５％以上でもよく、１０％以上でもよく、１５％以上でもよい。“ＴＨ３％”は、例えば、２０％以下でもよく、２５％以下でもよく、３０％以下でもよい。“ＴＨ３％”の範囲は、５％、１０％及び１５％からなる第１グループ、及び／又は、２０％、２５％及び３０％からなる第２グループによって定められてもよい。“ＴＨ３％”の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。“ＴＨ３％”の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。“ＴＨ３％”の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。“ＴＨ３％”は、例えば、５％以上３０％以下でもよく、５％以上２５％以下でもよく、５％以上２０％以下でもよく、５％以上１５％以下でもよく、５％以上１０％以下でもよく、１０％以上３０％以下でもよく、１０％以上２５％以下でもよく、１０％以上２０％以下でもよく、１０％以上１５％以下でもよく、１５％以上３０％以下でもよく、１５％以上２５％以下でもよく、１５％以上２０％以下でもよく、２０％以上３０％以下でもよく、２０％以上２５％以下でもよく、２５％以上３０％以下でもよい。
Ｓ１開口５１Ｓ１～Ｓ３開口５１Ｓ３の比率が偏っていないことが好ましい。例えば、最小Ｓ比率Ｒ３と最大Ｓ比率Ｒ４の差が小さいことが好ましい。最小Ｓ比率Ｒ３は、Ｓ１開口５１Ｓ１～Ｓ３開口５１Ｓ３のうち最も少ない開口の数である。最大Ｓ比率Ｒ４は、Ｓ１開口５１Ｓ１～Ｓ３開口５１Ｓ３のうち最も多い開口の数である。
最小Ｓ比率Ｒ３に対する最大Ｓ比率Ｒ４の比であるＲ４／Ｒ３は、例えば、１．００以上でもよく、１．１０以上でもよく、１．２０以上でもよく、１．３０以上でもよい。Ｒ４／Ｒ３は、例えば、１．５０以下でもよく、２．００以下でもよく、５．００以下でもよく、１０．０以下でもよい。Ｒ４／Ｒ３の範囲は、１．００、１．１０、１．２０及び１．３０からなる第１グループ、及び／又は、１．５０、２．００、５．００及び１０．０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｒ４／Ｒ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｒ４／Ｒ３の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｒ４／Ｒ３の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｒ４／Ｒ３は、例えば、１．００以上１０．０以下でもよく、１．００以上５．００以下でもよく、１．００以上２．００以下でもよく、１．００以上１．５０以下でもよく、１．００以上１．３０以下でもよく、１．００以上１．２０以下でもよく、１．００以上１．１０以下でもよく、１．１０以上１０．０以下でもよく、１．１０以上５．００以下でもよく、１．１０以上２．００以下でもよく、１．１０以上１．５０以下でもよく、１．１０以上１．３０以下でもよく、１．１０以上１．２０以下でもよく、１．２０以上１０．０以下でもよく、１．２０以上５．００以下でもよく、１．２０以上２．００以下でもよく、１．２０以上１．５０以下でもよく、１．２０以上１．３０以下でもよく、１．３０以上１０．０以下でもよく、１．３０以上５．００以下でもよく、１．３０以上２．００以下でもよく、１．３０以上１．５０以下でもよく、１．５０以上１０．０以下でもよく、１．５０以上５．００以下でもよく、１．５０以上２．００以下でもよく、２．００以上１０．０以下でもよく、２．００以上５．００以下でもよく、５．００以上１０．０以下でもよい。
Ｓ１開口５１Ｓ１～Ｓ３開口５１Ｓ３の数は、第２表示領域１０２の全域にわたって計測されてもよい。第２表示領域１０２が広い場合、Ｓ１開口５１Ｓ１～Ｓ３開口５１Ｓ３の数は、第２表示領域１０２の一部で計測されてもよい。例えば、第２表示領域１０２の一部に検査領域を定めることができる場合、Ｓ１開口５１Ｓ１～Ｓ３開口５１Ｓ３の数は、検査領域で計測されてもよい。検査領域は、例えば、一辺が２ｍｍの正方形領域である。
図２２に示す例においても、上述の実施の形態の場合と同様に、複数の開口５１の配置の規則性を低下させることができる。このため、高い強度を有する回折光がセンサなどの光学部品に入射することを抑制できる。これにより、例えば、センサによって生成される画像がぼやけることを抑制できる。
図２３は、第２電極５０の開口５１の配置の一例を示す平面図である。第２表示領域１０２は、単位領域中心点５７Ｃに対する開口中心点５１Ｃのずれの向きが調整され、且つ寸法ｒが調整された開口５１を含んでもよい。例えば、複数の開口５１は、複数の開口５１ＰｍＳｎを含んでもよい。ｍは、１以上９以下の任意の整数である。ｎは、１以上３以下の任意の整数である。例えば、開口５１Ｐ８Ｓ３は、Ｐ８開口５１Ｐ８に該当し、且つＳ３開口Ｓ３に該当する開口５１である。例えば、開口５１Ｐ７Ｓ１は、Ｐ７開口５１Ｐ７に該当し、且つＳ１開口Ｓ１に該当する開口５１である。例えば、５１Ｐ３Ｓ２は、Ｐ３開口５１Ｐ３に該当し、且つＳ２開口Ｓ２に該当する開口５１である。
図２３に示す例によれば、単位領域中心点５７Ｃに対する開口中心点５１Ｃのずれの向きを調整し、且つ寸法ｒを調整することにより、回折光をより精密に調整できる。
複数の開口５１は、複数のＤ１１Ｓ１開口と、複数のＤ１１Ｓ２開口と、複数のＤ１１Ｓ３開口と、複数のＤ１２Ｓ１開口と、複数のＤ１２Ｓ２開口と、複数のＤ１２Ｓ３開口と、を含んでもよい。
Ｄ１１Ｓ１開口は、Ｄ１１開口に該当し、且つＳ１開口に該当する開口５１である。
Ｄ１１Ｓ２開口は、Ｄ１１開口に該当し、且つＳ２開口に該当する開口５１である。
Ｄ１１Ｓ３開口は、Ｄ１１開口に該当し、且つＳ３開口に該当する開口５１である。
Ｄ１２Ｓ１開口は、Ｄ１２開口に該当し、且つＳ１開口に該当する開口５１である。
Ｄ１２Ｓ２開口は、Ｄ１２開口に該当し、且つＳ２開口に該当する開口５１である。
Ｄ１２Ｓ３開口は、Ｄ１２開口に該当し、且つＳ３開口に該当する開口５１である。
複数の開口５１は、複数のＤ２１Ｓ１開口と、複数のＤ２１Ｓ２開口と、複数のＤ２１Ｓ３開口と、複数のＤ２２Ｓ１開口と、複数のＤ２２Ｓ２開口と、複数のＤ２２Ｓ３開口と、を含んでもよい。
Ｄ２１Ｓ１開口は、Ｄ２１開口に該当し、且つＳ１開口に該当する開口５１である。
Ｄ２１Ｓ２開口は、Ｄ２１開口に該当し、且つＳ２開口に該当する開口５１である。
Ｄ２１Ｓ３開口は、Ｄ２１開口に該当し、且つＳ３開口に該当する開口５１である。
Ｄ２２Ｓ１開口は、Ｄ２２開口に該当し、且つＳ１開口に該当する開口５１である。
Ｄ２２Ｓ２開口は、Ｄ２２開口に該当し、且つＳ２開口に該当する開口５１である。
Ｄ２２Ｓ３開口は、Ｄ２２開口に該当し、且つＳ３開口に該当する開口５１である。
開口５１の開口中心点５１Ｃは、単位領域中心点５７Ｃに対してＤ１１側又はＤ１２側にずれ、さらに、単位領域中心点５７Ｃに対してＤ２１側又はＤ２２側にずれていることもある。従って、複数の開口５１は、Ｄ１１Ｓ１開口又はＤ１２Ｓ１開口に該当し、さらにＤ２１Ｓ１開口又はＤ２２Ｓ１開口に該当する開口５１を含んでいてもよい。また、複数の開口５１は、Ｄ１１Ｓ２開口又はＤ１２Ｓ２開口に該当し、さらにＤ２１Ｓ２開口又はＤ２２Ｓ２開口に該当する開口５１を含んでいてもよい。また、複数の開口５１は、Ｄ１１Ｓ３開口又はＤ１２Ｓ３開口に該当し、さらにＤ２１Ｓ３開口又はＤ２２Ｓ３開口に該当する開口５１を含んでいてもよい。上述の開口５１Ｐ８Ｓ３は、Ｄ１１Ｓ３開口に該当し、さらにＤ２２Ｓ３開口に該当する開口５１である。
図２４は、第１表示領域１０１及び第２表示領域１０２の一例を示す平面図である。第１表示領域１０１の複数の素子２０は、第１方向Ｄ１に沿って第１１周期Ｐ１１で並び、第２方向Ｄ２に沿って第２１周期Ｐ２１で並んでいてもよい。第２表示領域１０２の複数の素子２０は、第１方向Ｄ１に沿って第１２周期Ｐ１２で並び、第２方向Ｄ２に沿って第２２周期Ｐ２２で並んでいてもよい。第１２周期Ｐ１２は、第１１周期Ｐ１１よりも大きくてもよい。第２２周期Ｐ２２は、第２１周期Ｐ２１よりも大きくてもよい。
第１１周期Ｐ１１に対する第１２周期Ｐ１２の比であるＰ１２／Ｐ１１は、例えば、１．０以上でもよく、１．３以上でもよく、１．５以上でもよい。Ｐ１２／Ｐ１１は、例えば、２．０以下でもよく、３．０以下でもよく、４．０以下でもよい。Ｐ１２／Ｐ１１の範囲は、１．０、１，３及び１．５からなる第１グループ、及び／又は、２．０、３．０及び４．０からなる第２グループによって定められてもよい。Ｐ１２／Ｐ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｐ１２／Ｐ１１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｐ１２／Ｐ１１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｐ１２／Ｐ１１は、例えば、１．０以上４．０以下でもよく、１．０以上３．０以下でもよく、１．０以上２．０以下でもよく、１．０以上１．５以下でもよく、１．０以上１，３以下でもよく、１，３以上４．０以下でもよく、１，３以上３．０以下でもよく、１，３以上２．０以下でもよく、１，３以上１．５以下でもよく、１．５以上４．０以下でもよく、１．５以上３．０以下でもよく、１．５以上２．０以下でもよく、２．０以上４．０以下でもよく、２．０以上３．０以下でもよく、３．０以上４．０以下でもよい。
第２１周期Ｐ２１に対する第２２周期Ｐ２２の比であるＰ２２／Ｐ２１の数値範囲としては、Ｐ１２／Ｐ１１の上述の数値範囲を採用してもよい。
図２５乃至図３１を参照して、本開示の他の実施形態による電子デバイス１０及びその製造方法について説明する。図２５は、電子デバイス１０の一例を示す断面図である。また、図２６Ａは、図２５の電子デバイス１０を拡大して示す断面図である。電子デバイス１０は、基板１５の第１面１６の法線方向において第１面１６と有機層４０との間に位置する絶縁層６０を備えていてもよい。絶縁層６０は、絶縁層第１開口６１を含んでいてもよい。平面視において絶縁層第１開口６１には第１電極３０が位置していてもよい。図示はしないが、第１電極３０の一部が絶縁層６０と基板１５の第１面１６との間に位置していてもよい。
また、絶縁層６０は、絶縁層第２開口６２を含んでいてもよい。絶縁層第２開口６２は、平面視において第２電極５０の開口５１に重なっていてもよい。また、絶縁層第２開口６２は、平面視において有機層４０の有機層開口４１に重なっていてもよい。絶縁層６０は、絶縁層第２開口６２に面する側面６３を含む。図２６Ａに示すように、絶縁層６０の側面６３の上端は、有機層４０の側面４２の下端に接していてもよい。このような側面６３と側面４２の関係は、レーザー加工によって有機層開口４１及び絶縁層第２開口６２を形成する場合に実現され得る。
絶縁層６０は、絶縁性を有する材料を含む。例えば、絶縁層６０は、ポリイミド樹脂などの樹脂材料を含んでいてもよい。
次に、図２５に示す電子デバイス１０の製造方法の一例について説明する。
まず、図９及び図１０に示す上述の実施の形態の場合と同様に、第１電極３０が形成されている基板１５を準備する。続いて、絶縁層第１開口６１を有する絶縁層６０を基板１５の第１面１６に形成する絶縁層形成工程を実施する。図２７及び図２８は、第１電極３０及び絶縁層６０が形成されている状態の基板１５の一例を示す断面図及び平面図である。
絶縁層形成工程においては、例えば、まず、絶縁層６０の材料を含む溶液を基板１５の第１面１６側に塗布し、溶液を乾燥させることにより、第１面１６の全域に絶縁層６０を形成する。続いて、絶縁層６０を露光及び現像することにより、絶縁層６０に絶縁層第１開口６１を形成する。このようにして、第１電極３０の間に絶縁層６０を形成することができる。
続いて、図２９に示すように、第１電極３０上に有機層４０を形成する有機層形成工程を実施する。有機層４０は、平面視において第１電極３０及び絶縁層６０に重なるように形成されてもよい。このようにして、基板１５と、基板１５の第１面１６上にある２以上の第１電極３０と、第１電極３０の間に位置する絶縁層６０と、第１電極３０上に位置する有機層４０と、を備える積層体１８を準備できる。
続いて、図３０に示すように、第２電極５０を形成する第２電極形成工程を実施する。第２電極形成工程においては、図９及び図１０に示す上述の実施の形態の場合と同様に、平面視において第２電極５０が２以上の第１電極３０に重なるように、有機層４０上に第２電極５０を形成する。
続いて、図３１に示すように、第２電極５０を部分的に除去して開口５１を形成する除去工程を実施する。図３１に示すように、除去工程は、第２電極５０のうち平面視において絶縁層６０に重なる領域を部分的に除去して開口５１を形成してもよい。除去工程は、図３１に示すように、第２電極５０にレーザーＬ１を照射する照射工程を含んでいてもよい。第２電極５０にレーザーＬ１を照射することにより、上述の図２５に示すように、第２電極５０に開口５１を形成できる。このようにして、開口５１を含む第２電極５０を備える電子デバイス１０を得ることができる。
照射工程は、第２電極５０に開口５１が形成された後、有機層４０のうち開口５１に重なる領域にレーザーＬ１を照射する工程を含んでいてもよい。有機層４０にレーザーＬ１を照射することにより、上述の図２５に示すように、有機層４０に、開口５１に重なる有機層開口４１を形成できる。
また、照射工程は、有機層４０に有機層開口４１が形成された後、絶縁層６０のうち有機層開口４１に重なる領域にレーザーＬ１を照射する工程を含んでいてもよい。絶縁層６０にレーザーＬ１を照射することにより、上述の図２５に示すように、絶縁層６０に、開口５１及び有機層開口４１に重なる絶縁層第２開口６２を形成できる。
有機層開口４１において、基板１５の第１面１６は、露出していてもよく、露出していなくてもよい。「露出している」とは、第１面１６の上に層が形成されていないことを意味する。「露出していない」とは、第１面１６の上に何らかの層が形成されていることを意味する。例えば図２６Ｂに示すように、有機層開口４１において、基板１５の第１面１６上に絶縁層６０が位置していてもよい。平面視において有機層開口４１に位置する絶縁層６０の厚みは、平面視において有機層４０に重なる絶縁層６０の厚みよりも小さくてもよい。このような絶縁層６０は、例えば、有機層開口４１に重なる絶縁層６０の領域にレーザーＬ１を照射する工程において、絶縁層６０が厚み方向において部分的に除去されることによって生じる。有機層開口４１に絶縁層６０を残すことにより、平面視において有機層開口４１を挟んで隣接している２つの第１電極３０が電気的に接続されることを抑制できる。
図示はしないが、絶縁層第２開口６２において、基板１５の第１面１６上に、絶縁性を有し、且つ絶縁層６０とは異なる層が位置していてもよい。これにより、絶縁層第２開口６２を挟んで隣接している２つの第１電極３０が電気的に接続されることを抑制できる。
図３２Ａを参照して、本開示の他の実施形態による電子デバイス１０について説明する。電子デバイス１０は、平面視において第２電極５０及び開口５１に重なる保護層７０を備えていてもよい。
保護層７０は、絶縁性及び透明性を有する材料を含む。保護層７０の材料は、有機材料であってもよく、無機材料であってもよい。例えば、保護層７０は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂材料を含んでいてもよい。例えば、保護層７０は、無機材料を含んでいてもよい。無機材料は、窒化ケイ素などの無機窒化物であってもよく、酸化ケイ素、酸化アルミニウムなどの無機酸化物であってもよい。保護層７０は、これらの材料からなり、基板１５の厚み方向に積層された２つ以上の層を含んでいてもよい。
図３２Ａに示すように第２電極５０の側面５２の上端５３が周囲の第２電極５０に比べて隆起している場合、第２電極５０の側面５２の上端５３が保護層７０に入り込むことができる。このため、第２電極５０と保護層７０との間の接触面積が増加する。これにより、保護層７０が第２電極５０から剥がれてしまうことを抑制できる。
図３２Ａに示すように、保護層７０は、有機層４０の側面を覆っていてもよい。保護層７０は、大気中の水蒸気、酸素などが有機層４０に侵入することを抑制できる。これにより、有機層４０の劣化を抑制できる。
保護層７０は、有機層４０の断面形状に沿うように広がっていてもよい。例えば、図３２Ａに示すように、開口５１に重なる保護層７０の表面は、基板１５の厚み方向において、第１電極３０に重なる第２電極５０の表面と、第１面１６との間に位置してもよい。
保護層７０は、第１電極３０、有機層４０及び第２電極５０の厚みの合計よりも大きな厚みを有してもよい。例えば、図３２Ｂに示すように、第１電極３０に重なる第２電極５０の表面は、基板１５の厚み方向において、開口５１に重なる保護層７０の表面と、第１面１６との間に位置してもよい。
保護層７０を形成する工程は、保護層７０の材料を含む液を第２電極５０及び開口５１に塗布する工程を含んでもよい。その他の方法によって保護層７０が形成されてもよい。
図３３乃至図３５Ｂを参照して、本開示の他の実施形態による電子デバイス１０及びその製造方法について説明する。上述の実施の形態においては、有機層４０上に位置する第２電極５０を除去して開口５１を形成する例を示した。ここでは、第２電極５０のうち平面視において有機層４０に重ならない領域を除去して開口５１を形成する例について説明する。
図３３は、本実施形態による電子デバイス１０の一例を示す断面図である。図３３に示すように、有機層４０は第２電極５０の開口５１に面しておらず、有機層４０の端部４７は平面視において第２電極５０に重なっていてもよい。
次に、図３３に示す電子デバイス１０の製造方法の一例について説明する。
まず、図９及び図１０に示す上述の実施の形態の場合と同様に、第１電極３０が形成されている基板１５を準備する。続いて、図３４に示すように、第１電極３０上に有機層４０を形成する有機層形成工程を実施する。図３４に示すように、平面視において隣り合う２つの有機層４０の間に、有機層４０が存在しない隙間があってもよい。
続いて、図３５Ａに示すように、第２電極５０を形成する第２電極形成工程を実施する。第２電極形成工程においては、図９及び図１０に示す上述の実施の形態の場合と同様に、平面視において第２電極５０が２以上の第１電極３０に重なるように、有機層４０上及び基板１５の第１面１６上に第２電極５０を形成する。
続いて、図３５Ｂに示すように、第２電極５０のうち平面視において第１電極３０に重ならない領域を部分的に除去して開口５１を形成する除去工程を実施する。図２８に示すように、除去工程は、第２電極５０のうち平面視において有機層４０に重ならない領域を部分的に除去して開口５１を形成してもよい。除去工程は、図３５Ｂに示すように、第２電極５０にレーザーＬ１を照射する照射工程を含んでいてもよい。第２電極５０にレーザーＬ１を照射することにより、上述の図３３に示すように、第２電極５０に開口５１を形成することができる。このようにして、開口５１を含む第２電極５０を備える電子デバイス１０を得ることができる。
符号Ｋ１は、開口５１の外縁５１ａから有機層４０の端部４７までの、平面視における距離を表す。距離Ｋ１は、例えば、０．１μｍ以上でもよく、０．５μｍ以上でもよく、１．０μｍ以上でもよい。距離Ｋ１は、例えば、２．０μｍ以下でもよく、４．０μｍ以下でもよく、８．０μｍ以下でもよい。距離Ｋ１の範囲は、０．１μｍ、０．５μｍ及び１．０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２．０μｍ、４．０μｍ及び８．０μｍからなる第２グループによって定められてもよい。距離Ｋ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。距離Ｋ１の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。距離Ｋ１の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．１μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、０．１μｍ以上０．５μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、０．５μｍ以上１．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、１．０μｍ以上２．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよく、２．０μｍ以上４．０μｍ以下でもよく、４．０μｍ以上８．０μｍ以下でもよい。
図３６Ａ及び図３６Ｂを参照して、本開示の他の実施形態による電子デバイス１０の製造方法について説明する。上述の実施の形態においては、第２電極５０を除去して開口５１を形成する例を示した。ここでは、第２電極５０を形成する工程の前に、基板１５上に抑制層を形成する例を説明する。抑制層は、第２電極５０を構成する導電性材料が付着しにくいという特性を有する。
図３６Ａは、抑制層９５を形成する抑制層形成工程の一例を示す断面図である。抑制層形成工程は、有機層４０を形成する工程の後であって、第２電極５０を形成する工程の前に実施される。
抑制層形成工程は、マスク９６を介して抑制層９５の材料を基板１５に蒸着させる工程を含んでいてもよい。図３６Ａに示すように、マスク９６の貫通孔９７に重なる基板１５の領域に抑制層９５が形成される。マスク９６の貫通孔９７のパターンは、開口５１のパターンに対応している。すなわち、マスク９６の貫通孔９７の形状及び配置は、上述の準備工程で算出された開口５１の形状及び配置に基づいて定められている。
図３６Ｂは、第２電極５０を形成する工程の一例を示す断面図である。第２電極５０は、第２電極１４０の材料を基板１５に蒸着させることによって形成される。上述のように、抑制層９５は、第２電極５０を構成する導電性材料が付着しにくいという特性を有する。図３６Ｂに示すように、抑制層９５上に第２電極５０が形成されることを抑制できる。このため、抑制層９５が形成されている領域が、開口５１として機能できる。
抑制層９５は、透明性を有する。例えば、基板１５及び抑制層９５を含む積層体の透過率が７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。基板１５及び抑制層９５を含む積層体の透過率は、ＪＩＳ Ｋ７３６１－１に準ずるプラスチック－透明材料の全光透過率の試験方法により測定できる。
抑制層９５の材料は、WO2017072678A1又はWO2019150327A1に記載されている核生成抑制コーティング(nucleation inhibiting coating)の材料であってもよい。例えば、抑制層９５の材料は、低分子有機材料および有機ポリマーなどの有機材料を含んでいてもよい。有機材料は、例えば、多環芳香族化合物であってもよい。多環芳香族化合物は、コア部分と、コア部分に結合した少なくとも1つの末端部分と、を含む有機分子を含む。有機分子は、窒素、硫黄、酸素、リン、アルミニウムなどの1つまたは複数のヘテロ原子を含んでいてもよい。末端部分の数は、1以上であってもよく、２以上であってもよく、３以上であってもよく、４以上であってもよい。有機分子が２つ以上の末端部分を含む場合、２つ以上の末端部位は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
末端部分は、以下の化学構造（ｌ－ａ）、（ｌ－ｂ）および（ｌ－ｃ）のいずれかで表されるビフェニリル部分を含んでいてもよい。
Figure 2023124719000002
置換基ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立に、重水素、フッ素、Ｃ１～Ｃ４アルキルを含むアルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、フルオロアルキル、およびこれらの任意の組み合わせから選択されてもよい。
次に、本開示の実施形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の実施形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
例１～例４の第２電極５０を通過した光に生じる回折を、シミュレーションにより検証した。
（例１）
図３７に示す第１電極３０及び第２電極５０を備える電子デバイスを設計した。複数の第１電極３０は、複数のＡ１電極３０Ａ、複数のＡ２電極３０Ｂ及び複数のＡ３電極３０Ｃを含む。Ａ１電極３０Ａ及びＡ２電極３０Ｂは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２において交互に周期的に並んでいる。複数のＡ３電極３０Ｃは、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２において周期的に並んでいる。第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２における第１電極３０の配列周期は、８４．７μｍである。
平面視における第１電極３０の形状は、円形である。Ａ１電極３０Ａの直径及びＡ２電極３０Ｂの直径は、３４．１μｍである。Ａ３電極３０Ｃの直径は、２４．２μｍである。
複数の開口５１はいずれも、上述のＰ９開口５１Ｐ９に該当する。すなわち、図３７に示す複数の開口５１は、規則的に配置されている。平面視における開口５１の形状は、円形である。開口５１の直径は、２３μｍである。
（例２）
複数の開口５１が上述のＰ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９を含むこと以外は、例１の場合と同様にして、図３８に示す第１電極３０及び第２電極５０を備える電子デバイスを設計した。第１方向Ｄ１におけるずれの量Δ１は、５μｍである。第２方向Ｄ２におけるずれの量Δ２は、５μｍである。Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９の比率を表１に示す。
Figure 2023124719000003
（例３）
複数の開口５１が上述のＳ１開口５１Ｓ１～Ｓ３開口５１Ｓ３を含むこと以外は、例１の場合と同様にして、図３９に示す第１電極３０及び第２電極５０を備える電子デバイスを設計した。Ｓ１開口５１Ｓ１の直径は、２８μｍである。Ｓ２開口５１Ｓ２の直径は、３３μｍである。Ｓ３開口５１Ｓ３の直径は、２３μｍである。例３における閾値“ＴＨ３％”は、例えば１５％である。Ｓ１開口５１Ｓ１～Ｓ３開口５１Ｓ３の比率を表２に示す。
Figure 2023124719000004
（例４）
複数の開口５１が、上述のＰ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９のいずれかに該当し、さらに上述のＳ１開口５１Ｓ１～Ｓ３開口５１Ｓ３に該当する開口５１を含むこと以外は、例１の場合と同様にして、図４９に示す第１電極３０及び第２電極５０を備える電子デバイスを設計した。第１方向Ｄ１におけるずれの量Δ１は、５μｍである。第２方向Ｄ２におけるずれの量Δ２は、５μｍである。Ｓ１開口５１Ｓ１の直径は、２８μｍである。Ｓ２開口５１Ｓ２の直径は、３３μｍである。Ｓ３開口５１Ｓ３の直径は、２３μｍである。Ｐ１開口５１Ｐ１～Ｐ９開口５１Ｐ９の比率、及びＳ１開口５１Ｓ１～Ｓ３開口５１Ｓ３の比率を表３に示す。
Figure 2023124719000005
例１～例４に関して、第２電極５０を通過した光に生じる回折を、シミュレーションにより検証した。具体的には、図４１に示すように、基板１５の第１面１６の法線方向に沿って光Ｌ１を基板１５に入射させた。続いて、開口５１を通過した光及び第２電極５０を透過した光に生じる回折をシミュレーションによって算出した。符号Ｌ２は、回折されることなく直進してスクリーン１１３に到達する光を表す。符号Ｐｃは、スクリーン１１３上の光Ｌ３の到達点を表す。符号Ｌ３は、開口５１を通過するときに回折される光を表す。第２電極５０とスクリーン１１３との間の距離は５０００ｍｍである。第２電極５０の透過率は６０％に設定した。開口５１の透過率は１００％に設定した。第１電極３０の透過率は０％に設定した。
例１～例４における、スクリーン１１３上に到達する光の投影パターンを図４２～図４５に示す。図４３～図４５における光の投影パターンは、図４２における光の投影パターンに比べて、ぼやけている。例２～例４によれば、例１の場合に比べて、回折光の強度が低減されていること、及び、回折光が分散されていることが分かる。従って、例２～例４によれば、高い強度を有する回折光がセンサなどの光学部品に入射することを抑制できる。
図４３における光の投影パターンは、図４４における光の投影パターンに比べて、ぼやけている。開口５１の位置を調整することの方が、開口５１の寸法を調整することに比べて、回折光を分散させる上で有用であると言える。
図４６Ａは、例１～例４における回折光の強度を、第１方向Ｄ１に沿って抽出した結果を示す図である。横軸は、第１方向Ｄ１における点Ｐｃからの距離を表す。縦軸は、スクリーン１１３に到達した光の強度を表す。横軸の中央に位置するピークは、０次の回折光を表す。第１方向Ｄ１において０次の回折光のピークから離れるにつれて、１次の回折光のピーク、２次の回折光のピーク、３次の回折光のピーク、及び４次の回折光のピークが順に現れている。図４６Ｂは、第１方向Ｄ１に現れる０次の回折光のピーク～１０次の回折光のピークのそれぞれのピーク強度を抽出した結果を示す図である。
図４７Ａは、例１～例４における回折光の強度を、第２方向Ｄ２に沿って抽出した結果を示す図である。横軸は、第２方向Ｄ２における点Ｐｃからの距離を表す。縦軸は、スクリーン１１３に到達した光の強度を表す。横軸の中央に位置するピークは、０次の回折光を表す。第２方向Ｄ２において０次の回折光のピークから離れるにつれて、１次の回折光のピーク、２次の回折光のピーク、３次の回折光のピーク、及び４次の回折光のピークが順に現れている。図４７Ｂは、第２方向Ｄ２に現れる０次の回折光のピーク～１０次の回折光のピークのそれぞれのピーク強度を抽出した結果を示す図である。
図４８Ａは、例１～例４における回折光の強度を、第３方向Ｄ３に沿って抽出した結果を示す図である。第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１に対して４５度を成し、且つ第２方向Ｄ２に対して４５度を成す方向である。横軸は、第３方向Ｄ３における点Ｐｃからの距離を表す。縦軸は、スクリーン１１３に到達した光の強度を表す。横軸の中央に位置するピークは、０次の回折光を表す。第３方向Ｄ３において０次の回折光のピークから離れるにつれて、１次の回折光のピーク、２次の回折光のピーク、３次の回折光のピーク、及び４次の回折光のピークが順に現れている。図４８Ｂは、第３方向Ｄ３に現れる０次の回折光のピーク～１０次の回折光のピークのそれぞれのピーク強度を抽出した結果を示す図である。
例２～例４における回折光のピークの高さは、例１における回折光のピークの高さに比べて低減されている。例えば図４８Ａに示すように、例４における１次の回折光のピークの高さＡ４は、例１における１次の回折光のピークの高さＡ１に比べて低減されている。
例２～例４における回折光のピーク強度は、例１における回折光のピーク強度に比べて低減されている。例えば図４８Ｂにおいて黒い矢印で示すように、例４における４次の回折光のピーク強度は、例１における４次の回折光のピーク強度に比べて低減されている。

Claims (20)

  1. 電子デバイスであって、
    第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板と、
    前記基板の前記第１面上に位置する複数の第１電極と、
    前記第１電極上に位置する複数の有機層と、
    前記有機層上に位置し、平面視において前記複数の第１電極に重なるように広がる第２電極と、を備え、
    前記第２電極は、前記複数の第１電極に基づいて区画される複数の単位領域と、前記単位領域に位置し、平面視において前記第１電極に重ならない複数の開口と、を含み、
    各単位領域は、平面視における前記単位領域の中心に位置する単位領域中心点を含み、
    各開口は、平面視における前記開口の中心に位置する開口中心点を含み、
    前記複数の開口は、前記単位領域中心点に対してＤ１１側にずれている複数のＤ１１開口と、前記単位領域中心点に対してＤ１２側にずれている複数のＤ１２開口と、を含み、
    前記Ｄ１２側は、平面視における前記Ｄ１１側の反対側である、電子デバイス。
  2. 前記複数の開口は、前記単位領域中心点に対してＤ２１側にずれている複数のＤ２１開口と、前記単位領域中心点に対してＤ２２側にずれている複数のＤ２２開口と、を含み、
    前記Ｄ２１側は、前記Ｄ１１側及び前記Ｄ１２側に沿う第１方向に直交する第２方向に沿っており、
    前記Ｄ２２側は、平面視における前記Ｄ２１側の反対側である、請求項１に記載の電子デバイス。
  3. 前記複数の開口は、
    前記Ｄ１１開口には該当するが、前記Ｄ２１開口及び前記Ｄ２２開口には該当しない複数のＰ１開口と、
    前記Ｄ１１開口に該当し、且つ前記Ｄ２１開口に該当する複数のＰ２開口と、
    前記Ｄ２１開口には該当するが、前記Ｄ１１開口及び前記Ｄ１２開口には該当しない複数のＰ３開口と、
    前記Ｄ２１開口に該当し、且つ前記Ｄ１２開口に該当する複数のＰ４開口と、
    前記Ｄ１２開口には該当するが、前記Ｄ２１開口及び前記Ｄ２２開口には該当しない複数のＰ５開口と、
    前記Ｄ１２開口に該当し、且つ前記Ｄ２２開口に該当する複数のＰ６開口と、
    前記Ｄ２２開口には該当するが、前記Ｄ１１開口及び前記Ｄ１２開口には該当しない複数のＰ７開口と、
    前記Ｄ２２開口に該当し、且つ前記Ｄ１１開口に該当する複数のＰ８開口と、
    前記Ｄ１１開口、前記Ｄ１２開口、前記Ｄ２１開口、及び前記Ｄ２２開口のいずれにも該当しないＰ９開口と、を含む、請求項２に記載の電子デバイス。
  4. 最小Ｐ比率に対する最大Ｐ比率の比が３．００以下であり、
    前記最小Ｐ比率は、前記Ｐ１開口～前記Ｐ９開口のうち最も少ない開口の数であり、
    前記最大Ｐ比率は、前記Ｐ１開口～前記Ｐ９開口のうち最も多い開口の数である、請求項３に記載の電子デバイス。
  5. 前記複数の開口は、複数のＳ１開口と、複数のＳ２開口と、複数のＳ３開口と、を含み、
    平面視における前記Ｓ２開口の寸法は、平面視における前記Ｓ１開口の寸法よりも大きく、
    平面視における前記Ｓ３開口の寸法は、平面視における前記Ｓ１開口の寸法よりも小さい、請求項１～４のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  6. 前記複数の開口は、
    前記Ｄ１１開口に該当し、且つ前記Ｓ１開口に該当する複数のＤ１１Ｓ１開口と、
    前記Ｄ１１開口に該当し、且つ前記Ｓ２開口に該当する複数のＤ１１Ｓ２開口と、
    前記Ｄ１１開口に該当し、且つ前記Ｓ３開口に該当する複数のＤ１１Ｓ３開口と、
    前記Ｄ１２開口に該当し、且つ前記Ｓ１開口に該当する複数のＤ１２Ｓ１開口と、
    前記Ｄ１２開口に該当し、且つ前記Ｓ２開口に該当する複数のＤ１２Ｓ２開口と、
    前記Ｄ１２開口に該当し、且つ前記Ｓ３開口に該当する複数のＤ１２Ｓ３開口と、を含む、請求項５に記載の電子デバイス。
  7. 電子デバイスであって、
    第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板と、
    前記基板の前記第１面上に位置する複数の第１電極と、
    前記第１電極上に位置する複数の有機層と、
    前記有機層上に位置し、平面視において２以上の前記第１電極に重なるように広がる第２電極と、を備え、
    前記第２電極は、前記複数の第１電極に基づいて区画される複数の単位領域と、前記単位領域に位置し、平面視において前記第１電極に重ならない複数の開口と、を含み、
    前記複数の開口は、複数のＳ１開口と、複数のＳ２開口と、複数のＳ３開口と、を含み、
    平面視における前記Ｓ２開口の寸法は、平面視における前記Ｓ１開口の寸法よりも大きく、
    平面視における前記Ｓ３開口の寸法は、平面視における前記Ｓ１開口の寸法よりも小さい、電子デバイス。
  8. 最小Ｓ比率に対する最大Ｓ比率の比が１０以下であり、
    前記最小Ｓ比率は、前記Ｓ１開口～前記Ｓ３開口のうち最も少ない開口の数であり、
    前記最大Ｓ比率は、前記Ｓ１開口～前記Ｓ３開口のうち最も多い開口の数である、請求項５～７のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  9. 前記単位領域は、４つの前記第１電極の中心点を結ぶことにより得られる四角形によって区画される、請求項１～８のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  10. 前記複数の有機層は、複数の第１有機層と、複数の第２有機層と、複数の第３有機層と、を含み、
    前記複数の第１電極は、前記第１有機層に重なる複数のＡ１電極と、前記第２有機層に重なる複数のＡ２電極と、前記第３有機層に重なる複数のＡ３電極と、と含み、
    前記四角形に対応する前記４つの前記第１電極は、少なくとも１つの前記Ａ１電極と、少なくとも１つの前記Ａ２電極と、少なくとも１つの前記Ａ３電極と、を含む、請求項９に記載の電子デバイス。
  11. 前記第１有機層は、赤色発光層であり、
    前記第２有機層は、青色発光層であり、
    前記第３有機層は、緑色発光層であり、
    前記四角形に対応する前記４つの前記第１電極は、１つの前記Ａ１電極と、１つの前記Ａ２電極と、２つの前記Ａ３電極と、を含む、請求項１０に記載の電子デバイス。
  12. 前記開口は、平面視において前記第２電極によって囲まれている、請求項１～１１のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  13. 前記有機層は、平面視において前記開口に重なる有機層開口を含む、請求項１～１２のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  14. 前記有機層開口は、平面視において前記第２電極の一部に重なっている、請求項１３に記載の電子デバイス。
  15. 平面視において前記第１電極に重なる絶縁層第１開口を含み、前記基板の前記第１面の法線方向において前記第１面と前記有機層との間に位置する絶縁層を備える、請求項１～１４のいずれか一項に記載の電子デバイス。
  16. 前記絶縁層は、平面視において前記第１電極の間に位置し、前記開口に重なる絶縁層第２開口を含む、請求項１５に記載の電子デバイス。
  17. 電子デバイスの製造方法であって、
    第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板と、前記基板の前記第１面上に位置する複数の第１電極と、前記第１電極上に位置する複数の有機層と、を含む積層体を準備する準備工程と、
    平面視において前記複数の第１電極に重なるように、前記有機層上に第２電極を形成する第２電極形成工程と、を備え、
    前記第２電極は、前記複数の第１電極に基づいて区画される複数の単位領域と、前記単位領域に位置し、平面視において前記第１電極に重ならない複数の開口と、を含み、
    各単位領域は、平面視における前記単位領域の中心に位置する単位領域中心点を含み、
    各開口は、平面視における前記開口の中心に位置する開口中心点を含み、
    前記複数の開口は、前記単位領域中心点に対してＤ１１側にずれている複数のＤ１１開口と、前記単位領域中心点に対してＤ１２側にずれている複数のＤ１２開口と、を含み、
    前記Ｄ１２側は、平面視における前記Ｄ１１側の反対側である、電子デバイスの製造方法。
  18. 電子デバイスの製造方法であって、
    第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有する基板と、前記基板の前記第１面上に位置する複数の第１電極と、前記第１電極上に位置する複数の有機層と、を含む積層体を準備する準備工程と、
    平面視において前記複数の第１電極に重なるように、前記有機層上に第２電極を形成する第２電極形成工程と、を備え、
    前記第２電極は、前記複数の第１電極に基づいて区画される複数の単位領域と、前記単位領域に位置し、平面視において前記第１電極に重ならない複数の開口と、を含み、
    前記複数の開口は、複数のＳ１開口と、複数のＳ２開口と、複数のＳ３開口と、を含み、
    平面視における前記Ｓ２開口の寸法は、平面視における前記Ｓ１開口の寸法よりも大きく、
    平面視における前記Ｓ３開口の寸法は、平面視における前記Ｓ１開口の寸法よりも小さい、電子デバイスの製造方法。
  19. 前記単位領域の一部を除去することにより前記開口を形成する除去工程を備える、請求項１７又は１８に記載の電子デバイスの製造方法。
  20. 前記除去工程は、前記第２電極にレーザーを照射して前記開口を形成する照射工程を含む、請求項１９に記載の電子デバイスの製造方法。
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