JP2016114779A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】カラーフィルタが液晶層に溶出することを抑制する。【解決手段】能動素子基板、前記能動素子基板の上に設けられた液晶層４００、及び前記液晶層４００の上に設けられた対向基板を備える液晶表示装置であって、前記能動素子基板は、能動素子と、共通電極９５と、前記共通電極９５と電気的に接続している共通配線４と、前記共通配線４上に設けられた反射抑制膜５と、前記反射抑制膜５上に設けられた第１絶縁層３と、前記第１絶縁層３上に設けられた板状部、及び下方に突出した第１突出部を有する画素電極と、を備え、前記第１突出部は、前記能動素子と電気的に接続している液晶表示装置。【選択図】図３

Description

本発明は液晶表示装置に関し、特にカラーフィルタと能動素子とを同じ基板側に配置した液晶表示装置に関する。

液晶を介して上側の基板にカラーフィルタ及びブラックマトリクスを設け、下側の基板に配線及び能動素子を設けた液晶表示装置は、位置を合わせることが非常に難しく、混色及び開口率の低下を生じやすい。こうした問題を解消するため、カラーフィルタ及び能動素子を同一基板上に形成したＣＯＡ（Color filter On Array）方式が用いられている。

特許文献１には、一方の基板において、能動素子の保護膜上にカラーフィルタを設け、カラーフィルタおよび能動素子の保護膜にコンタクトホールを形成することによって能動素子の画素電極と画素電極とを接続する表示装置が記載されている。

特開２００２−３５０８８６号公報

一方、液晶表示装置には、能動素子が設けられた能動素子基板に共通電極が設けられている。また、共通電極の電位を一定にするため、共通電極より低抵抗の共通配線が設けられることがある。

ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式を含むＩＰＳ（In Plane Switching）方式の場合、能動素子を備える能動素子基板に共通電極及び共通配線が設けられる。また、ＣＯＡ方式においては、カラーフィルタの上方に共通電極及び共通配線が設けられるところ、特に共通配線が上方からの外光を反射した場合に、液晶表示装置のコントラスト比が低下するという課題があった。

本発明は、かかる課題を解決するものであり、共通配線上に反射抑制膜が設けられた液晶表示装置を提供する。

本発明の液晶表示装置は、第１基板、前記第１基板上に設けられた液晶層、及び前記液晶層上に設けられた第２基板を備える液晶表示装置であって、前記第１基板は、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に設けられた共通電極と、前記共通電極と電気的に接続している共通配線と、前記共通配線上及び前記カラーフィルタ上に設けられた反射抑制膜と、前記共通電極との間に電界を発生させる画素電極と、前記共通電極及び前記画素電極の間に設けられた第１絶縁層と、を備える。

本発明によれば 共通配線上に反射抑制膜が設けられているので、外光下においてもコントラスト比の低下を抑制することができる。

実施形態１における液晶表示装置の斜視図である。 実施形態１における能動素子基板の平面図である。 実施形態１における液晶表示装置の断面図である。 実施形態１における液晶表示装置の断面図である。 実施形態１における能動素子基板の平面図である。 実施形態１における能動素子基板の平面図である。 実施形態１における能動素子基板の平面図である。 実施形態２における液晶表示装置の断面図である。 実施形態２における液晶表示装置の断面図である。 実施形態３における液晶表示装置１００の断面図である。 実施形態３における液晶表示装置１００の断面図である。 実施形態４における液晶表示装置の断面図である。 実施形態４における液晶表示装置の断面図である。 実施形態５における液晶表示装置の断面図である。 実施形態５における液晶表示装置の断面図である。 実施形態５における能動素子基板の平面図である。 実施形態６における液晶表示装置の製造方法を示す図である。 実施形態６における液晶表示装置の製造方法を示す図である。 実施形態７における液晶表示装置の断面図である。 実施形態７における液晶表示装置の断面図である。 実施形態７における能動素子基板の平面図である。 実施形態８における液晶表示装置の断面図である。 実施形態８における液晶表示装置の断面図である。 実施形態９における液晶表示装置の断面図である。 実施形態９における液晶表示装置の断面図である。

＜実施形態１＞
本実施形態について説明する。図１は、実施形態１における液晶表示装置１００の斜視図である。液晶表示装置１００は、第１基板である能動素子基板２００と、第２基板である対向基板３００と、バックライト装置９００とを備える。

バックライト装置９００は、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の発光部を有しており、能動素子基板２００の外側から、能動素子基板２００及び対向基板３００を透過するよう光を出射する。

図２は、実施形態１における能動素子基板２００の平面図である。図３は、実施形態１における液晶表示装置１００の断面図である。図４は、実施形態１における液晶表示装置１００の断面図である。図３及び図４は、夫々、図２におけるＡＡ‘線及びＢＢ’線に沿った断面図である。

液晶表示装置１００は、能動素子基板２００、能動素子基板２００の上方で対向する対向基板３００、並びに能動素子基板２００及び対向基板３００の間に設けられた液晶層４００を備える。各実施形態において、対向基板３００から能動素子基板２００に向かう方向を下方、能動素子基板２００から対向基板３００に向かう方向を上方とする。なお、図３において、バックライト装置９００は、能動素子基板２００の下方に設けられている。

能動素子基板２００は、カラーフィルタ１と、第２絶縁層２と、第１絶縁層３と、共通配線４と、反射抑制膜５と、絶縁層９７と、絶縁層９８と、画素電極６と、中継電極７と、信号線である映像信号線８と、信号線である走査信号線９と、透明基板９０と、第２偏光板９１と、アンダーコート膜９２と、アンダーコート膜９３と、半導体層９４と、共通電極９５と、第１配向膜９６と、を備える。また、カラーフィルタ１には、第１孔である孔が形成されている。第２絶縁層２には、第２孔である孔が形成されている。

透明基板９０は平板である。透明基板９０はガラス製であるが、例えばプラスチック等であってもよい。第２偏光板９１は、透明基板９０の下に設けられている。

アンダーコート膜９２は、透明基板９０上に設けられている。アンダーコート膜９２は、例えば窒化ケイ素等の絶縁体物質製である。

アンダーコート膜９３は、アンダーコート膜９２上に設けられている。アンダーコート膜９３は、例えば酸化ケイ素等の絶縁体物質製である。アンダーコート膜９２及びアンダーコート膜９３は、透明基板９０からナトリウムイオン等のアルカリ成分が溶出することを防ぐ。

半導体層９４は、平面視において曲折した帯状をなしている。半導体層９４は、アンダーコート膜９３上の一部に設けられている。半導体層９４は、ポリシリコン製である。また、半導体層９４は、例えば、アモルファスシリコン製であってもよく、インジウム、ガリウム又は亜鉛等を含む酸化物半導体製であってもよい。

絶縁層９７は、平板状をなしている。絶縁層９７は、半導体層９４が設けられていないアンダーコート膜９３上、及び半導体層９４上に亘って設けられている。絶縁層９７は、例えば窒化シリコン製である。また、絶縁層９７には、孔が、１副画素あたり２つ形成されている。絶縁層９７に形成された孔は、半導体層９４上の一部に、上下方向に貫通しており、下方に向かって先細りした形状である。

走査信号線９は平面視で帯状をなしている。走査信号線９は、絶縁層９７上であり、各副画素の境界に設けられている。夫々の走査信号線９は、互いに平行である。また、走査信号線９は直線状であってもよく、一部が屈曲した形状をなしていてもよい。

走査信号線９は、一部が後述する各画素の能動素子の一部であり、他部は能動素子と接続している。この場合、走査信号線９は、能動素子を構成する電極と電気的に接続している場合を含む。走査信号線９は、能動素子基板２００に設けられた走査回路と接続し、走査回路から入力した走査信号を導通する。走査信号は、能動素子のオンオフを制御する。走査信号の電圧値は、後述する能動素子をオンにする場合は、後述する共通電極９５の電位より高いゲートハイ電圧であり、能動素子をオフにする場合は、共通電極９５の電位より低いゲートロー電圧である。走査信号線９は、例えばモリブデンタングステン合金等の金属製である。なお、走査信号線９は、チタンアルミ合金製であってもよい。

絶縁層９８は、平板状をなしている。絶縁層９８は、走査信号線９が設けられていない絶縁層９７上、及び走査信号線９上に亘って設けられている。絶縁層９８は、例えば窒化シリコン製である。

また、絶縁層９８には、上下方向に貫通しており、下方に向かって先細りした形状の孔が、１副画素あたり２つ形成されている。絶縁層９８に形成された２つの孔は、絶縁層９７に形成されている２つの孔の夫々の上側に形成されている。絶縁層９８に形成された孔は、半導体層９４上の一部に、上下方向に貫通しており、下方に向かって先細りした形状である。絶縁層９８の２つの孔は、下端の形状が、絶縁層９７に形成されている２つの孔の上端の形状と同じであってもよい。

中継電極７は、平板部７１と突出部７２とを有する。平板部７１は、絶縁層９８上に設けられている。平板部７１は、副画素の境界上に沿った走査信号線９同士の間隔、及び映像信号線８同士の間隔より小さい板状であり、例えば平面視において矩形状である。中継電極７は、例えばチタンアルミ合金等の金属製である。

また、突出部７２は、平板部７１の中央付近に、平板部７１と連続して設けられている。突出部７２は、例えば円錐形状又は円錐台形状であり、下方に突出している。突出部７２の内部には、カラーフィルタ１が充填されており、下方に向かって先細りした形状である。突出部７２は、側面が絶縁層９８の孔及び絶縁層９７の孔に沿って設けられており、下端が半導体層９４の上面と接触する。

映像信号線８は、各画素に設けられた後述する能動素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）と接続しており、能動素子がオンの状態の際に映像信号を印加することによって、後述する液晶層４００に電圧を印加する。映像信号線８は、能動素子基板２００に設けられた映像信号回路と接続している。映像信号線８は、映像信号回路から入力した映像信号を導通する。映像信号線８はチタンアルミ合金等の金属製である。なお、映像信号線８は、モリブデンタングステン合金製であってもよい。

映像信号線８は、線状部８１と突出部８２とを有し、平面視で線状をなす。線状部８１は、絶縁層９８上に設けられている。線状部８１は、平面視において、走査信号線９に垂直な方向に沿って設けられている。線状部８１は、直線部分と平面視において走査信号線９と交差する箇所において屈折している屈折部とを有する略直線状である。走査信号線９に沿った方向に隣り合う屈折部は、夫々同じ方向に屈折している。一方、走査信号線９に垂直な方向に隣り合う屈折部は、互いに逆の方向に屈折している。なお、走査信号線９は映像信号線８に垂直な直線状であってもよい。

また、突出部８２は、線状部８１における、中継電極７の近傍に設けられている。突出部８２は、例えば円錐形状又は円錐台形状であり、下方に突出している。突出部８２の内部は、カラーフィルタ１が充填されており、下方に向かって先細りした形状である。突出部８２は、側面が絶縁層９８の孔及び絶縁層９７の孔に沿って設けられており、下端が半導体層９４の上面と接触する。

このように、中継電極７の平板部７１と、映像信号線８の線状部８１とは同じ層に設けられており、中継電極７の突出部７２と映像信号線８の突出部８２とは、同じ半導体層９４と接触している。

図５は、実施形態１における能動素子基板２００の平面図である。図５は、カラーフィルタ１を模式的に示している。

カラーフィルタ１は、中継電極７上と、映像信号線８上と、中継電極７又は映像信号線８が設けられていない絶縁層９８上とに亘って設けられている。カラーフィルタ１は、顔料粒子を含んだネガ型の有機フォトレジストである絶縁体製である。カラーフィルタ１の厚さは、例えば１〜３［μｍ］である。

カラーフィルタ１は、赤のカラーフィルタ１５、緑のカラーフィルタ１６及び青のカラーフィルタ１７を備える。赤のカラーフィルタ１５、緑のカラーフィルタ１６及び青のカラーフィルタ１７のいずれか１つが、副画素ごとに設けられており、各色が走査信号線９に沿った方向に、周期的に繰り返されるよう並置されている。

１画素は、赤のカラーフィルタ１５、緑のカラーフィルタ１６及び青のカラーフィルタ１７を夫々１つ備える副画素を含んでいる。また、画素は、映像信号線８及び走査信号線９に沿った方向に夫々並置されている。なお、映像信号線８は、赤のカラーフィルタ１５、緑のカラーフィルタ１６及び青のカラーフィルタ１７夫々の境界に沿って設けられている。

赤のカラーフィルタ１５、緑のカラーフィルタ１６及び青のカラーフィルタ１７夫々は、例えば同一の大きさの矩形状であるが、大きさ及び形状はそれに限られるものではない。なお、カラーフィルタ１は、他の色のフィルタであってもよい。また、カラーフィルタ１は、突出部７２及び突出部８２の内部にも設けられている。

さらに、カラーフィルタ１には、孔が形成されている。カラーフィルタ１の孔は平板部７１の上方に形成される。カラーフィルタ１の孔は、上下方向に貫通しており、下方に向かって先細りした形状である。カラーフィルタ１の孔は、例えば、上端は直径が約４［μｍ］の円形、下端は直径が約２［μｍ］の円形である。

第２絶縁層２は、カラーフィルタ１上に設けられている。第２絶縁層２は、例えばポジ型の有機フォトレジスト製である。第２絶縁層２の厚さは、例えば１〜２［μｍ］である。第２絶縁層２には、カラーフィルタ１の孔の上側に、孔が形成されている。第２絶縁層２の孔は、上下方向に貫通しており、下方に向かって先細りした形状をなしている。第２絶縁層２の孔は、例えば、上端は直径が約８［μｍ］の円形、下端は直径が約６［μｍ］の円形である。

共通電極９５は、第２絶縁層２上に設けられている。共通電極９５は、各副画素のほぼ全域に亘る板状をなしている。また、共通電極９５は、後述する画素電極６と同方向又は略同方向に伸びた帯状をなしていてもよい。共通電極９５は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＧＯ（indium gallium oxide）等酸化インジウム物質等の、透明な導電性物質製である。共通電極９５は、例えば走査回路と配線を介して接続されている。共通電極９５は、電圧値が一定に保たれていてもよいが、フリッカの低減等のため、走査周期と共に電圧値が変動してもよい。

共通電極９５には、孔が形成されている。共通電極９５の孔は第２絶縁層２に形成された孔の上端より大きい。共通電極９５の孔の周縁と、第２絶縁層２の孔の周縁とが、段差を形成している。

図６は、実施形態１における能動素子基板２００の平面図である。図６は、共通配線４を模式的に示している。

共通配線４は、共通電極９５上に設けられている。共通配線４は、共通電極９５と電気的に接続されており、望ましくは、共通電極９５の直上に設けられている。共通配線４は、例えばクロムモリブデン合金製である。他にも、共通配線４は、共通電極９５より低抵抗の材料製であればよく、アルミシリコン合金製であってもよい。

共通配線４は、映像信号線８及び走査信号線９に沿って設けられている。映像信号線８に沿った共通配線４は、映像信号線８より幅が広く、平面視において、映像信号線８の全部に重なっていることが望ましい。

走査信号線９に沿って設けられている共通配線４は、走査信号線９より幅が広く、平面視において、走査信号線９の全部に重なっていることが望ましい。また、共通配線４の幅が、第２絶縁層２の孔の直径よりも広い。共通配線４は、第２絶縁層２の孔と同心円上であり、第２絶縁層２の孔の上端より大きい孔が設けられている。

共通電極９５がＩＴＯ製である場合、金属製の場合と比較して高抵抗である。特に共通電極９５の電圧値が変動している場合、電圧値の変動に遅延が発生する場合がある。共通配線４は、共通電極９５より抵抗値が低いので、信号を即時に伝達することができ、電圧値の遅延を抑制することができる。

図７は、実施形態１における能動素子基板２００の平面図である。図７は、反射抑制膜５を模式的に示している。

反射抑制膜５は、共通配線４上に設けられている。反射抑制膜５は、平面視において共通配線４と同じ形状である。反射抑制膜５は、平面視において共通配線４より幅が広くてもよい。

反射抑制膜５は、例えば、黒色粒子を含有した非感光性の有機高分子膜製である。反射抑制膜５は、厚さが０．５［μｍ］である。また、反射抑制膜５は、コントラスト比の低下を抑えること、及び厚さを抑えることを両立させるため、ＯＤ（Optical Density）値が０．５〜１．０であることが望ましい。

他にも、反射抑制膜５は、例えば窒化チタン製であってもよい。この場合、反射抑制膜５の厚さは、１２０〜１４０［ｎｍ］である。

他にも、反射抑制膜５は、干渉効果を利用した多層膜であってもよい。この場合反射抑制膜５は、例えば、共通配線４に近接する側から第一の低屈折率層、高屈折率層、第二の低屈折率層を積層した構成である。この場合、例えば第一の低屈折率層と第二の低屈折率層とはＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＯ等の酸化インジウム物質製であり、高屈折率層は、モリブデンニオブ合金製である。

上側から能動素子基板２００に入射した外光は反射抑制膜５を通過して共通配線４で反射された後、再び反射抑制膜５を通過する。このように光は反射抑制膜５を二回通過するので、反射抑制膜５の透過率をＴ、共通配線４をＲとすると、共通配線４と反射抑制膜５との積層体の反射率はＴ^２Ｒになる。例えば反射抑制膜５の透過率を１０［％］、共通配線４の反射率を２０［％］とした場合、反射抑制膜５と共通配線４の積層体の反射率は０.２［％］になる。このように、本実施形態の液晶表示装置１００は、外光の反射を抑え、コントラスト比の低下を抑えることができる。

第１絶縁層３は、厚さが１２０〜２００［ｎｍ］の窒化ケイ素膜等の無機絶縁体製である。第１絶縁層３は、平板部３１と突出部３２とを有する。平板部３１は、反射抑制膜５上、及び上方に反射抑制膜５が設けられていない共通電極９５上に設けられている。突出部３２は、共通電極９５における孔の側面、第２絶縁層２の孔の周縁における上面及び側面、並びにカラーフィルタ１の孔の周縁における上面に沿って設けられている。よって突出部３２は、下端がカラーフィルタ１上に設けられている。突出部３２は、略円錐台形をなしている。

反射抑制膜５がクロムモリブデン合金製である場合、荷電性の不純物を含有する場合がある。この場合、荷電性の不純物は、液晶層４００中に移動することにより、近傍の液晶層４００の抵抗を低下してフリッカや残像等の不具合を生じることがある。しかし、反射抑制膜５と液晶層４００との間に第１絶縁層３が設けられることにより、不純物の移動を防ぐことができる。

画素電極６は、副画素ごとに設けられており、帯状部６１と突出部６２とを有する。帯状部６１は、各映像信号線８に沿っており、走査信号線９同士の間隔よりやや短い帯状である。画素電極６は、例えば、ＩＴＯ等の透明な導電性物質製であり、厚さが５０［ｎｍ］である。画素電極６の形状は、これに限らず、帯状の電極が、間隔を置いて副画素ごとに複数本並置していてもよい。

画素電極６と共通電極９５とは、両者の間でフリンジ電界を生じさせる。フリンジ電界は、液晶層４００の配向を制御する。また、画素電極６、第１絶縁層３及び共通電極９５が重畳する部分は、コンデンサとして機能するため、電圧が印加されていない時間には、電荷を保持する。

突出部６２は、帯状部６１に連続して設けられている。突出部６２は、突出部３２の内側の側面及びカラーフィルタ１の孔の周縁に沿っており、段差を形成している。即ち第１絶縁層３の突出部３２は、前記突出部６２の側面を外側から覆っている。

さらに、突出部６２は、第１絶縁層３の突出部３２より下方に突出しており、下端が中継電極７の上面と接触している。これにより、画素電極６と中継電極７とが電気的に接続する。なお、突出部６２と中継電極７との間に導体の物質が設けられ、突出部６２と中継電極７とが電気的に接続されていてもよい。

絶縁層９７と、中継電極７と、半導体層９４と、それらの近傍に設けられている部分の映像信号線８及び走査信号線９とが能動素子として機能する。能動素子は、走査信号線９に印加された電圧によってオンオフを制御する。なお、中継電極７、映像信号線８又は走査信号線９に代えて、中継電極７、映像信号線８又は走査信号線９と電気的に接続した電極が能動素子として機能してもよい。能動素子は、オン時に、映像信号線８が入力した映像信号に応じた電位を、半導体層９４を介して中継電極７及び画素電極６に導通する。画素電極６は、液晶層４００に映像信号に応じた電位を印加する。

第１配向膜９６は、例えばポリイミド製であり、液晶層４００の液晶分子群を一定方向に配列させる。第１配向膜９６は、画素電極６が設けられていない第１絶縁層３上、及び画素電極６上に設けられている。

カラーフィルタ１に形成された孔には、下端が中継電極７と接触した画素電極６と、画素電極６の内側に接触した第１配向膜９６とが設けられている。従って第１配向膜９６は、略円錐状であり、第１配向膜９６の内側には、液晶層４００が充填されている。

第２絶縁層２に形成された孔には、孔の側面から内側に向かって、第１絶縁層３の突出部３１と、突出部３１の内側に接触した画素電極６の突出部６２と、突出部６２の内側に接触した第１配向膜９６とが設けられている。第１配向膜９６の内側には、液晶層４００が充填されている。即ち、第１絶縁層３の突出部３２は、画素電極６の突出部６２を覆っている。

液晶層４００は、配向方向の誘電率がその垂直方向よりも大きい正の誘電率異方性を有し、室温を含む広い温度範囲でネマチック相を示す。液晶層４００に電圧が印加されていない場合は、ホモジニアス配向である。画素電極６が液晶層４００に電圧を印加することにより、液晶層４００における各液晶の方位が横方向に回転する。

対向基板３００は、透明基板３０１と、第２配向膜３０３と、第２偏光板３０４とを備える。

透明基板３０１は、例えば平板である。第２配向膜３０３は、対向基板３００の下に設けられている。第２配向膜３０３の上には、オーバーコート膜が設けられていてもよい。

第２偏光板３０４は、透明基板３０１の上に設けられている。第２偏光板３０４の吸収軸と第１偏光板９１の吸収軸とは平面視において直交するように設定されている。また、例えば、第１偏光板９１の吸収軸は液晶層４００の配向方向に平行である。

本実施形態によれば、共通配線４上に反射抑制膜５が設けられているので、外光が映像信号線８又は走査信号線９を反射した反射光を抑制することができる。

また、共通配線４と反射抑制膜５とが接触していることにより、上方のみならず斜方からの光も遮光することができ、広い角度から入射する外光の反射光を抑制することができる。

＜実施形態２＞
実施形態２について説明する。本実施形態は、反射抑制膜５が共通電極９５の下に設けられている。

図８は、実施形態２における液晶表示装置１００の断面図である。図９は、実施形態２における液晶表示装置１００の断面図である。図８は、図３に対応している。図９は図４に対応している。なお、以下、実施形態１と同様の構成については、説明を省略する。

反射抑制膜５は実施形態1と同様の形状であり、共通電極９５の直上に設けられている。

＜実施形態３＞
実施形態３について説明する。本実施形態は、共通電極９５上に反射抑制膜５が設けられており、共通電極９５の下に共通配線４が設けられている。

図１０は、実施形態３における液晶表示装置１００の断面図である。図１１は、実施形態３における液晶表示装置１００の断面図である。

共通配線４は、共通電極９５の直下に設けられており、共通電極９５と電気的に接続している。一方、反射抑制膜５は、共通電極９５の直上に設けられている。本実施形態の反射抑制膜５は、黒色粒子を含有した非感光性の有機高分子膜製であることが望ましい。

＜実施形態４＞
実施形態４について説明する。本実施形態は、共通電極９５と反射抑制膜５とが接触しており、かつ、共通配線４と共通電極９５とが電気的に接続されている。

図１２は、実施形態４における液晶表示装置１００の断面図である。図１３は、実施形態４における液晶表示装置１００の断面図である。本実施形態において、反射抑制膜５は、導電性の物質製である。反射抑制膜５は、共通電極９５の直下に設けられており、共通電極９５と電気的に接続している。

共通配線４は、反射抑制膜５の下に設けられている。共通配線４は、反射抑制膜５と電気的に接続している。従って、共通電極９５と、共通配線４は、電気的に接続している。この場合、例えば、共通配線４は、平面視において、実施形態１における共通配線４と同様の形状である。

本実施形態によれば、共通配線４が、共通電極９５より下方に設けられているので、映像信号線８及び走査信号線９と近接する。これにより、共通配線４は、映像信号線８及び走査信号線９による反射光を広い範囲で抑制することができる。

＜実施形態５＞
実施形態５について説明する。本実施形態は、共通配線４の幅が反射抑制膜５より狭い。

図１４は、実施形態５における液晶表示装置１００の断面図である。図１５は、実施形態５における液晶表示装置１００の断面図である。図１６は、実施形態５における能動素子基板２００の平面図である。図１４は、図３に対応している。図１５は、図４に対応している。図１６は、実施形態１における能動素子基板２００の平面図である。図１６は、共通配線４及び反射抑制膜５を模式的に示している。

走査信号線９に沿った共通配線４は、走査信号線９と同じ幅である。共通配線４は、平面視において、走査信号線９と重なる位置に設けられている。なお走査信号線９に沿った共通配線４は、走査信号線９より若干幅が広くてもよい。

本実施形態によれば、共通配線４の幅が反射抑制膜５より狭いので、液晶表示装置１００を薄型化し軽量化する一方、外光が映像信号線８又は走査信号線９を反射した反射光を抑制することができる。

＜実施形態６＞
実施形態６について説明する。本実施形態は、共通配線４と反射抑制膜５とを一括形成する。

図１７Ａは、実施形態６における液晶表示装置１００の製造方法を示す図である。図１７Ｂは、実施形態６における液晶表示装置１００の製造方法を示す図である。図１７Ａ及び図１７Ｂは、共通電極９５、共通配線４及び反射抑制膜５の製造方法を示す。

製造方法について説明する。図１７Ａ（ａ）に示すように、下から共通電極９５、共通配線４及び反射抑制膜５が設けられている（Ｓ１）。

図１７Ａ（ｂ）に示すように、レジスト６００が反射抑制膜５上に塗布される（Ｓ２）。レジスト６００は、例えばインクジェット方式により塗布される。図１７Ａ（ｃ）に示すように、レジスト６００が現像される（Ｓ３）。これにより、レジスト６００が所望の形状になる。

図１７Ｂ（ｄ）に示すように、反射抑制膜５が、レジストの形状に沿ってエッチングされる（Ｓ４）。反射抑制膜５は、例えばアルカリ性の溶液によってエッチングされる。これにより、反射抑制膜５は、平面視において、レジストとほぼ同じ形状になる。図１７Ｂ（ｅ）に示すように、共通配線４が、レジストの形状に沿ってエッチングされる（Ｓ５）。共通配線４は、例えば酸性の溶液によってエッチングされる。これにより、共通配線４は、平面視において、レジスト及び反射抑制膜５とほぼ同じ形状になる。 図１７Ｂ（ｆ）に示すように、最後にレジスト６００が反射抑制膜５上から除去される（Ｓ６）。

本実施形態によれば、共通配線４と反射抑制膜５とが一括でエッチングされるので、共通配線４と反射抑制膜５との位置のずれを低減することができる。

＜実施形態７＞
実施形態７について説明する。本実施形態は、共通配線４が映像信号線８と反射抑制膜５との間に設けられている。

図１８は、実施形態７における液晶表示装置１００の断面図である。図１９は、実施形態７における液晶表示装置１００の断面図である。図２０は、実施形態７における液能動素子基板２００の平面図である。図１８は、図３に対応している。図１９は、図４に対応している。図２０は、実施形態１における能動素子基板２００の平面図である。図１６は、共通配線４及び反射抑制膜５を模式的に示している。

共通配線４は、帯状部４１と突出部４２とを備える。共通配線４は、映像信号線８の直上に設けられている。即ち、帯状部４１は線状部８１の直上に設けられ、突出部４２は突出部８２の直上に設けられている。また、共通配線４は、中継電極７の直上に設けられていてもよい。この場合、画素電極６の突出部６２は、突出部４２を介して中継電極７と物理的に接触することにより、中継電極７と電気的に接続する。

また、映像信号線８及び共通配線４は、反射抑制膜５より幅が狭い。これにより、外光が映像信号線８又は走査信号線９を反射した反射光について、多様な角度から入射する外光の反射光抑制することができる。

なお、共通配線４は、映像信号線８と反射抑制膜５との間に設けられていればよく、映像信号線８の直上であることに限られない。例えば共通配線４は、第２絶縁層２上に設けられていてもよい。

＜実施形態８＞
実施形態８について説明する。本実施形態は、反射抑制膜５が、画素電極６における突出部６２の上方に設けられている。

図２１は、実施形態８における液晶表示装置１００の断面図である。図２２は、実施形態８における液晶表示装置１００の断面図である。

共通配線４は、共通電極９５上に設けられている。第１絶縁層３は、共通配線４上及び共通配線４の設けられていない共通電極９５上に設けられている。

反射抑制膜５は、平板部５１と突出部５２とを備える。平板部５１は、第１絶縁層３上の平板部３１上に設けられている。突出部５２は、平板部５１と連続しており、画素電極６の突出部６２に沿って突出している。従って、突出部５２は、突出部６２の内側であり、上方に設けられている。

本実施形態によれば、反射抑制膜５が、画素電極６における突出部６２の上方に突出部５２を有するので、カラーフィルタ１及び第２絶縁層２の孔内及び孔の近傍における反射光を抑制することができる。特に、反射抑制膜５は、画素電極６の突出部６２、中継電極７を反射する反射光を抑制することができる。

なお、第２絶縁層２の突出部２２は、カラーフィルタ１の孔内にまで設けられていてもよく、中継電極７に接触していてもよい。

なお、反射抑制膜５の突出部５２は、突出部６２の一部の上方にのみ設けられていてもよい。例えば、突出部５２は、第２絶縁層２の孔内にのみ設けられていてもよい。

本実施形態によれば、反射抑制膜５と第１配向膜９６との間に第３絶縁層９９が設けられているので、反射抑制膜５から生じる不純物が液晶に移動することを防止する。

＜実施形態９＞
実施形態９について説明する。本実施形態は、第３絶縁層９９が設けられている。

図２３は、実施形態９における液晶表示装置１００の断面図である。図２４は、実施形態９における液晶表示装置１００の断面図である。本実施形態は、実施形態８と比較し、反射抑制膜５と第１配向膜９６との間に第３絶縁層９９が設けられている。

第３絶縁層９９は、反射抑制膜５における平板部５１及び突出部５２上に設けられている。第３絶縁層９９は、平板部５１及び突出部５２の一方のみに設けられていてもよい。配向膜９６は、第３絶縁層９９上、第３絶縁層９９が上方に設けられていない画素電極６上、及び第３絶縁層９９も画素電極６も設けられていない第１絶縁層３上に設けられている。

＜実施形態１０＞
上述の実施形態における、画素電極６は、共通電極９５より上に設けられていたが、共通電極９５が画素電極６より上に設けられていてもよい。また、共通電極９５が平面視で帯状等の形状をなしている場合は、画素電極６は、共通電極９５と同じ層に設けられていてもよい。

また、上述の実施形態におけるカラーフィルタ１に代えて、カラーフィルタ１と位置及び形状を同じくする第２絶縁層２が設けられていてもよい。この場合、第２絶縁層２に代えて、第２絶縁層２と位置及び形状を同じくするカラーフィルタ１が設けられる。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって、制限的なものでは無いと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味では無く、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、各実施の形態に記載されている技術的特徴は、相互に組合せ可能であり、組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

１００ 表示装置
２００ 能動素子基板
１ カラーフィルタ、１１ 板状部、 １２ 突出部、 １５ 赤カラーフィルタ、 １６ 緑カラーフィルタ、 １７ 青カラーフィルタ
２ 第２絶縁層
３ 第１絶縁層 ３１ 板状部、 ３２ 突出部
４ 共通配線、 ４１ 帯状部、 ４２ 突出部
５ 反射抑制膜、 ５１ 板状部、 ５２ 突出部
６ 画素電極、 ６１ 帯状部、 ６２ 突出部
７ 中継電極、 ７１ 平板部、 ７２ 突出部
８ 映像信号線、８１ 線状部、 ８２ 突出部
９ 走査信号線
９０ 透明基板
９１ 第１偏光板
９２ 第１アンダーコート膜
９３ 第２アンダーコート膜
９４ 半導体層
９５ 共通電極
９６ 第１配向膜
９７、９８ 絶縁層
９９ 第３絶縁層
３００ 対向基板
３０１ 透明基板
３０２ オーバーコート膜
３０３ 第２配向膜
３０４ 第２偏光版
４００ 液晶層
６００ レジスト
９００ バックライト装置

Claims (9)

1. 第１基板、前記第１基板上に設けられた液晶層、及び前記液晶層上に設けられた第２基板を備える液晶表示装置であって、
   前記第１基板は、
   カラーフィルタと、
   前記カラーフィルタ上に設けられた共通電極と、
   前記共通電極と電気的に接続している共通配線と、
   前記共通配線上及び前記カラーフィルタ上に設けられた反射抑制膜と、
   前記共通電極との間に電界を発生させる画素電極と、
   前記共通電極及び前記画素電極の間に設けられた第１絶縁層と、を備える
   液晶表示装置。
2. 前記共通配線の下に設けられており、信号を導通する金属製の信号線を備え、
   前記共通配線は、前記信号線上に、平面視で前記信号線に沿って設けられている
   請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記反射抑制膜は、前記共通電極上に設けられている
   請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記カラーフィルタに接触した第２絶縁層を備え、
   前記共通電極は、前記前記第２絶縁層上に設けられている
   請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記信号は映像信号であり、
   前記信号線に導かれた映像信号を導通する半導体層と、
   前記半導体層に導かれた映像信号を導通する中継電極と、を備え、
   前記カラーフィルタには、第１孔が形成されており、
   前記第２絶縁層には、第２孔が形成されており、
   前記画素電極は、前記共通電極、前記カラーフィルタ及び前記第２絶縁層上に設けられた平板部と、前記第１孔及び第２孔の内部に突出しており、前記中継電極と電気的に接続した第１突出部とを有する
   請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記反射抑制膜は、前記第１突出部上に設けられた第２突出部を有する
   請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記反射抑制膜は、導電性物質製であり、
   前記反射抑制膜は、前記共通電極の下に設けられており、
   前記共通電極及び前記共通配線は、電気的に接続している
   請求項２に記載の液晶表示装置。
8. 前記共通配線は、前記共通電極の下に設けられている
   請求項２から４までのいずれか１項に記載の液晶表示装置。
9. 前記反射抑制膜上に設けられた第３絶縁層を備える
   請求項１から８までのいずれか１項に記載の液晶表示装置。

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