CN205353531U - 液晶显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种液晶显示装置。能够抑制彩色滤光片向液晶层中溶出。一种液晶显示装置,包括有源元件基板、设置于所述有源元件基板上的液晶层、及设置于所述液晶层上的对置基板,所述有源元件基板包括有源元件、公共电极、与所述公共电极进行电连接的公共布线、设置于所述公共布线上的反射抑制膜、设置于所述反射抑制膜上的第一绝缘层、设置于所述第一绝缘层上的平板部、及具有向下方突出的第一突出部的像素电极,所述第一突出部与所述有源元件电连接。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种液晶显示装置,尤其是涉及一种将彩色滤光片和有源元件配置于同一基板侧的液晶显示装置。
背景技术
对于隔着液晶在上侧的基板设置彩色滤光片及黑矩阵、在下侧的基板设置布线及有源元件的液晶显示装置而言,很难对准位置,容易产生混色及开口率的降低。为了解决这样的问题,可使用将彩色滤光片及有源元件形成于同一基板上的COA(ColorfilterOnArray)方式。
专利文献1记载了下述显示装置:在一片基板上,在有源元件的保护膜上设置彩色滤光片,在彩色滤光片及有源元件的保护膜处形成接触孔,由此将有源元件的像素电极与像素电极连接。
专利文献1:日本特开2002-350886号公报
实用新型内容
另一方面,在液晶显示装置中,在设置有有源元件的有源元件基板上设置有公共电极。此外,为了使公共电极的电位恒定,有时设置电阻比公共电极更低的公共布线。
在为包括FFS(FringeFieldSwitching)方式的IPS(InPlaneSwitching)方式的情况下,在具备有源元件的有源元件基板上设置有公共电极及公共布线。此外,在COA方式中,当在彩色滤光片的上方设置有公共电极及公共布线时,特别是在公共布线反射来自上方的外部光线的情况下,存在液晶显示装置的对比度(contrastratio)降低的课题。
本实用新型为解决上述课题的实用新型,提供一种在公共布线上设置有反射抑制膜的液晶显示装置。
本实用新型的液晶显示装置包括第一基板、设置于所述第一基板上的液晶层、及设置于所述液晶层上的第二基板,所述第一基板包括彩色滤光片、设置于所述彩色滤光片上的公共电极、与所述公共电极电连接的公共布线、设置于所述公共布线上及所述彩色滤光片上的反射抑制膜、在与所述公共电极之间产生电场的像素电极、和设置于所述公共电极及所述像素电极之间的第一绝缘层。
根据本实用新型,由于在公共布线上设置有反射抑制膜,所以即使在外部光线下也能够抑制对比度的降低。
附图说明
图1是实施方式1中的液晶显示装置的立体图。
图2是实施方式1中的有源元件基板的俯视图。
图3是实施方式1中的液晶显示装置的剖视图。
图4是实施方式1中的液晶显示装置的剖视图。
图5是实施方式1中的有源元件基板的俯视图。
图6是实施方式1中的有源元件基板的俯视图。
图7是实施方式1中的有源元件基板的俯视图。
图8是实施方式2中的液晶显示装置的剖视图。
图9是实施方式2中的液晶显示装置的剖视图。
图10是实施方式3中的液晶显示装置100的剖视图。
图11是实施方式3中的液晶显示装置100的剖视图。
图12是实施方式4中的液晶显示装置的剖视图。
图13是实施方式4中的液晶显示装置的剖视图。
图14是实施方式5中的液晶显示装置的剖视图。
图15是实施方式5中的液晶显示装置的剖视图。
图16是实施方式5中的有源元件基板的俯视图。
图17A是表示实施方式6中的液晶显示装置的制造方法的图。
图17B是表示实施方式6中的液晶显示装置的制造方法的图。
图18是实施方式7中的液晶显示装置的剖视图。
图19是实施方式7中的液晶显示装置的剖视图。
图20是实施方式7中的有源元件基板的俯视图。
图21是实施方式8中的液晶显示装置的剖视图。
图22是实施方式8中的液晶显示装置的剖视图。
图23是实施方式9中的液晶显示装置的剖视图。
图24是实施方式9中的液晶显示装置的剖视图。
符号说明
100显示装置,200有源元件基板,1彩色滤光片,11板状部,12突出部,15红色滤光片,16绿色滤光片,17蓝色滤光片,2第二绝缘层,3第一绝缘层,31板状部,32突出部,4公共布线,41带状部,42突出部,5反射抑制膜,51板状部,52突出部,6像素电极,61带状部,62突出部,7中继电极,72平板部,71突出部,8影像信号线,81线状部,82突出部,9扫描信号线,90透明基板,91第一偏振板,92第一底涂膜,93第二底涂膜,94半导体层,95公共电极,96第一取向膜,97、98绝缘层,99第三绝缘层,300对置基板,301透明基板,302保护膜,303第二取向膜,304第二偏振板,400液晶层,600抗蚀剂,900背光源装置
具体实施方式
<实施方式1>
对本实施方式进行说明。图1是实施方式1中的液晶显示装置100的立体图。液晶显示装置100包括作为第一基板的有源元件基板200、作为第二基板的对置基板300和背光源装置900。
背光源装置900具有例如LED(LightEmittingDiode)等发光部,以从有源元件基板200的外侧透过有源元件基板200及对置基板300的方式射出光。
图2是实施方式1中的有源元件基板200的俯视图。图3是实施方式1中的液晶显示装置100的剖视图。图4是实施方式1中的液晶显示装置100的剖视图。图3及图4分别是沿着图2中的AA’线及BB’线的剖视图。
液晶显示装置100包括有源元件基板200、在有源元件基板200的上方对置的对置基板300、和设置于有源元件基板200及对置基板300之间的液晶层400。在各实施方式中,将从对置基板300向有源元件基板200的方向作为下方,将从有源元件基板200向对置基板300的方向作为上方。需要说明的是,在图3中,背光源装置900设置于有源元件基板200的下方。
有源元件基板200包括彩色滤光片1、第二绝缘层2、第一绝缘层3、公共布线4、反射抑制膜5、绝缘层97、绝缘层98、像素电极6、中继电极7、作为信号线的影像信号线8、作为信号线的扫描信号线9、透明基板90、第二偏振板91、底涂膜92、底涂膜93、半导体层94、公共电极95和第一取向膜96。此外,在彩色滤光片1上形成有作为第一孔的孔。在第二绝缘层2上形成有作为第二孔的孔。
透明基板90为平板。透明基板90为玻璃制,但还可以为例如塑料等。第二偏振板91设置于透明基板90下。
底涂膜92设置于透明基板90上。底涂膜92例如为氮化硅等绝缘体物质制。
底涂膜93设置于底涂膜92上。底涂膜93例如为氧化硅等绝缘体物质制。底涂膜92及底涂膜93可防止从透明基板90溶出钠离子等碱性成分。
半导体层94在俯视下形成弯曲的带状。半导体层94设置于底涂膜93上的一部分。半导体层94为多晶硅制。此外,半导体层94例如可以为无定形硅制,还可以为包含铟、镓或锌等的氧化物半导体制。
绝缘层97形成平板状。将绝缘层97设置在未设置有半导体层94的底涂膜93上、及半导体层94上的整个范围。绝缘层97例如为氮化硅制。此外,在绝缘层97中,相对于每1个亚像素(subpixel)形成2个孔。形成于绝缘层97中的孔在半导体层94上的一部分沿上下方向贯通,并为朝向下方前端越来越细的形状。
扫描信号线9在俯视下形成带状。扫描信号线9在绝缘层97上,并设置于各亚像素的边界处。各条扫描信号线9彼此平行。此外,扫描信号线9既可以为直线状,还可以形成一部分弯曲的形状。
扫描信号线9的一部分为后述的各像素的有源元件的一部分,其他部分与有源元件连接。这种情况下,包括扫描信号线9与构成有源元件的电极进行电连接的情形。扫描信号线9与设置于有源元件基板200的扫描电路连接,并导通从扫描电路输入的扫描信号。扫描信号控制有源元件的开关。在将后述的有源元件开启的情况下,扫描信号的电压值为比后述的公共电极95的电位高的高栅极电压,在将有源元件关闭的情况下,扫描信号的电压值为比公共电极95的电位低的低栅极电压。扫描信号线9为例如钼钨合金等金属制。需要说明的是,扫描信号线9还可以为钛铝合金制。
绝缘层98形成平板状。将绝缘层98设置在未设置有扫描信号线9的绝缘层97上、及扫描信号线9上的整个范围。绝缘层98例如为氮化硅制。
此外,在绝缘层98中,相对于每1个亚像素形成2个孔,所述孔沿上下方向贯通,并为朝向下方前端越来越细的形状。将形成于绝缘层98中的2个孔分别形成在形成于绝缘层97中的2个孔的上侧。形成于绝缘层98中的孔在半导体层94上的一部分沿上下方向贯通,并为朝向下方前端越来越细的形状。绝缘层98的2个孔的下端形状可以与形成于绝缘层97中的2个孔的上端形状相同。
中继电极7具有平板部72和突出部71。平板部72设置于绝缘层98上。平板部72为比沿着亚像素的边界上方的扫描信号线9彼此之间的间隔、及影像信号线8彼此之间的间隔小的板状,例如在俯视下为矩形。中继电极7为例如钛铝合金等金属制。
此外,突出部71以在平板部72的中央附近与平板部72连续的方式设置。突出部71例如为圆锥形状或圆锥台形状,并向下方突出。在突出部71的内部填充有彩色滤光片1,为朝向下方前端越来越细的形状。突出部71的侧面沿着绝缘层98的孔及绝缘层97的孔设置,下端与半导体层94的上表面接触。
影像信号线8与设置于各像素的后述有源元件即TFT(ThinFilmTransistor)连接,在有源元件为导通的状态时施加影像信号,由此向后述的液晶层400施加电压。影像信号线8与设置于有源元件基板200的影像信号电路连接。影像信号线8导通从影像信号电路输入的影像信号。影像信号线8为钛铝合金等金属制。需要说明的是,影像信号线8还可以为钼钨合金制。
影像信号线8具有线状部81和突出部82,在俯视下形成线状。线状部81设置于绝缘层98上。线状部81在俯视下沿着与扫描信号线9垂直的方向设置。线状部81为具有直线部分和弯曲部(在俯视下在与扫描信号线9交叉之处弯曲)的大致直线状。在沿着扫描信号线9的方向上相邻的弯曲部分别向同一方向弯曲。另一方面,在与扫描信号线9垂直的方向上相邻的弯曲部彼此向相反方向弯曲。需要说明的是,扫描信号线9可以为与影像信号线8垂直的直线状。
此外,突出部82设置于线状部81中的中继电极7的附近。突出部82例如为圆锥形状或圆锥台形状,并向下方突出。在突出部82的内部填充有彩色滤光片1,为朝向下方前端越来越细的形状。突出部82的侧面沿着绝缘层98的孔及绝缘层97的孔设置,下端与半导体层94的上表面接触。
如上所述,将中继电极7的平板部72和影像信号线8的线状部81设置于同一层,中继电极7的突出部71和影像信号线8的突出部82与相同的半导体层94接触。
图5是实施方式1中的有源元件基板200的俯视图。图5示意性地表示彩色滤光片1。
将彩色滤光片1设置于中继电极7上、影像信号线8上、和未设置有中继电极7或影像信号线8的绝缘层98上的整个范围。彩色滤光片1为包含颜料粒子的负型有机光致抗蚀剂即绝缘体制。彩色滤光片1的厚度例如为1~3[μm]。
彩色滤光片1包括红色滤光片15、绿色滤光片16及蓝色滤光片17。按各亚像素设置红色滤光片15、绿色滤光片16及蓝色滤光片17中的任一个,并且以各种颜色在沿着扫描信号线9的方向上周期性重复的方式并列设置。
1个像素包括分别具有1个红色滤光片15、绿色滤光片16及蓝色滤光片17的亚像素。此外,将像素在沿着影像信号线8及扫描信号线9的方向上分别并列设置。需要说明的是,影像信号线8沿着红色滤光片15、绿色滤光片16及蓝色滤光片17各自的边界设置。
红色滤光片15、绿色滤光片16及蓝色滤光片17例如分别为同一尺寸的矩形,但尺寸及形状并不限于此。需要说明的是,彩色滤光片1还可以为其他颜色的滤光片。此外,彩色滤光片1也设置于突出部71及突出部82的内部。
进而,在彩色滤光片1中形成有孔。彩色滤光片1的孔形成于平板部72的上方。彩色滤光片1的孔沿上下方向贯通,为朝向下方前端越来越细的形状。对于彩色滤光片1的孔而言,例如,上端为直径约4[μm]的圆形,下端为直径约2[μm]的圆形。
第二绝缘层2设置于彩色滤光片1上。第二绝缘层2例如为正型有机光致抗蚀剂制。第二绝缘层2的厚度例如为1~2[μm]。在第二绝缘层2中,在彩色滤光片1的孔的上侧形成有孔。第二绝缘层2的孔沿上下方向贯通,形成朝向下方前端越来越细的形状。对于第二绝缘层2的孔而言,例如,上端为直径约8[μm]的圆形,下端为直径约6[μm]的圆形。
公共电极95设置于第二绝缘层2上。公共电极95形成为遍及各亚像素的几乎整个区域内的板状。此外,公共电极95还可以形成沿与后述的像素电极6相同方向或大致相同方向伸长的带状。公共电极95为例如ITO(IndiumTinOxide)、IZO(IndiumZincOxide)、IGO(indiumgalliumoxide)等氧化铟物质等透明的导电性物质制。公共电极95经由布线与例如扫描电路连接。公共电极95的电压值可以保持恒定,但为了减少闪烁,电压值可以与扫描周期一同变化。
在公共电极95中形成有孔。公共电极95的孔比形成于第二绝缘层2中的孔的上端大。公共电极95的孔的周缘与第二绝缘层2的孔的周缘形成层差。
图6是实施方式1中的有源元件基板200的俯视图。图6示意性地表示公共布线4。
公共布线4设置于公共电极95上。公共布线4与公共电极95电连接,优选设置在公共电极95的正上方。公共布线4例如为铬钼合金制。另外,公共布线4可以为电阻比公共电极95低的材料制,还可以为铝硅合金制。
公共布线4沿着影像信号线8及扫描信号线9设置。沿着影像信号线8的公共布线4比影像信号线8更宽,在俯视下,优选与影像信号线8的全部重叠。
沿着扫描信号线9设置的公共布线4比扫描信号线9更宽,在俯视下,优选与扫描信号线9的全部重叠。此外,公共布线4的宽度比第二绝缘层2的孔的直径更宽。在公共布线4中设置有与第二绝缘层2的孔呈同心圆、且比第二绝缘层2的孔的上端更大的孔。
在公共电极95为ITO制的情况下,与金属制的情形相比,电阻较高。尤其是在公共电极95的电压值发生变化的情况下,存在电压值的变化发生延迟的情形。由于公共布线4的电阻值比公共电极95低,所以能够立即传达信号,抑制电压值的延迟。
图7是实施方式1中的有源元件基板200的俯视图。图7示意性地表示反射抑制膜5。
反射抑制膜5设置于公共布线4上。反射抑制膜5在俯视下为与公共布线4相同的形状。在俯视下,反射抑制膜5可以比公共布线4更宽。
反射抑制膜5例如为含有黑色粒子的非感光性的有机高分子膜制。反射抑制膜5的厚度为0.5[μm]。此外,对于反射抑制膜5而言,为了同时实现抑制对比度的降低及抑制厚度,OD(OpticalDensity)值优选为0.5~1.0。
另外,反射抑制膜5例如可以为氮化钛制。这种情况下,反射抑制膜5的厚度为120~140[nm]。
另外,反射抑制膜5还可以为利用了干涉效应的多层膜。这种情况下,反射抑制膜5例如为从靠近公共布线4一侧层合有第一低折射率层、高折射率层、第二低折射率层的结构。这种情况下,例如第一低折射率层和第二低折射率层为ITO、IZO、IGO等氧化铟物质制,高折射率层为钼铌合金制。
从上侧射入有源元件基板200后的外部光线通过反射抑制膜5并被公共布线4反射后,再次通过反射抑制膜5。如上所述,由于光通过反射抑制膜5两次,所以如果将反射抑制膜5的透过率设为T、将公共布线4的反射率设为R,则公共布线4和反射抑制膜5的层合体的反射率为T2R。在例如使反射抑制膜5的透过率为10[%]、使公共布线4的反射率为20[%]的情况下,反射抑制膜5和公共布线4的层合体的反射率为0.2[%]。如上所述,本实施方式的液晶显示装置100能够抑制外部光线的反射,抑制对比度的降低。
第一绝缘层3为厚度120~200[nm]的氮化硅膜等无机绝缘体制。第一绝缘层3具有平板部31和突出部32。将平板部31设置于反射抑制膜5上、及上方未设置有反射抑制膜5的公共电极95上。突出部32沿着公共电极95中的孔的侧面、第二绝缘层2的孔的周缘的上表面及侧面、以及彩色滤光片1的孔的周缘的上表面设置。因此,突出部32的下端设置于彩色滤光片1上。突出部32形成大致圆锥台形。
在反射抑制膜5为铬钼合金制的情况下,有时含有带电荷的杂质。这种情况下,由于带电荷的杂质在液晶层400中移动,所以有时会降低附近的液晶层400的电阻,产生闪烁、残像等不良情况。但通过在反射抑制膜5和液晶层400之间设置第一绝缘层3,能够防止杂质的移动。
像素电极6设置于每一个亚像素,具有带状部61和突出部62。带状部61沿着各影像信号线8,为比扫描信号线9彼此之间的间隔稍短的带状。像素电极6例如为ITO等透明的导电性物质制,厚度为50[nm]。像素电极6的形状并不限于此,还可以将多个带状的电极隔开间隔地并列设置于每一个亚像素。
像素电极6和公共电极95在两者之间产生边缘电场。边缘电场控制液晶层400的取向。此外,像素电极6、第一绝缘层3及公共电极95重叠的部分由于作为电容器发挥功能,所以在未施加电压的时间内保持电荷。
突出部62连续地设置于带状部61。突出部62沿着突出部32的内侧的侧面及彩色滤光片1的孔的周缘形成层差。即,第一绝缘层3的突出部32从外侧覆盖所述突出部62的侧面。
进而,与第一绝缘层3的突出部32相比,突出部62更向下方突出,下端与中继电极7的上表面接触。由此,像素电极6和中继电极7电连接。需要说明的是,可以在突出部62与中继电极7之间设置导体物质,将突出部62和中继电极7电连接。
绝缘层97、中继电极7、半导体层94、和设置于它们附近的部分影像信号线8及扫描信号线9作为有源元件发挥功能。有源元件通过施加于扫描信号线9的电压来控制开关。需要说明的是,与中继电极7、影像信号线8或扫描信号线9电连接的电极可以代替中继电极7、影像信号线8或扫描信号线9而作为有源元件发挥功能。在有源元件开启时,将与影像信号线8所输入的影像信号相应的电位经由半导体层94导通至中继电极7及像素电极6。像素电极6向液晶层400施加与影像信号相应的电位。
第一取向膜96例如为聚酰亚胺制,并且使液晶层400的液晶分子群沿规定方向排列。将第一取向膜96设置于未设置有像素电极6的第一绝缘层3上、及像素电极6上。
在形成于彩色滤光片1中的孔内设置有下端与中继电极7接触的像素电极6、和与像素电极6的内侧接触的第一取向膜96。因此,第一取向膜96为大致圆锥状,在第一取向膜96的内侧填充有液晶层400。
在形成于第二绝缘层2的孔中,从孔的侧面朝向内侧设置有第一绝缘层3的突出部31、与突出部31的内侧接触的像素电极6的突出部62和与突出部62的内侧接触的第一取向膜96。在第一取向膜96的内侧填充有液晶层400。即,第一绝缘层3的突出部32覆盖像素电极6的突出部62。
对于液晶层400而言,取向方向的介电常数具有比其垂直方向大的正介电常数各向异性,在包括室温的宽温度范围内呈现向列相。在未向液晶层400施加电压的情况下,为均匀取向。通过像素电极6向液晶层400施加电压,液晶层400中的各液晶的方位旋转成横向。
对置基板300包括透明基板301、第二取向膜303和第二偏振板304。
透明基板301例如为平板。将第二取向膜303设置于对置基板300之下。可以在第二取向膜303上设置保护膜。
将第二偏振板304设置于透明基板301上。将第二偏振板304的吸收轴与第一偏振板91的吸收轴以在俯视下正交的方式进行设定。此外,例如,第一偏振板91的吸收轴与液晶层400的取向方向平行。
根据本实施方式,由于在公共布线4上设置有反射抑制膜5,所以能够抑制外部光线于影像信号线8或扫描信号线9处进行反射的反射光。
此外,通过使公共布线4与反射抑制膜5接触,不仅能够遮挡来自上方的光,还能够遮挡来自斜方的光,能够抑制从宽广角度射入的外部光线的反射光。
<实施方式2>
对实施方式2进行说明。本实施方式中,将反射抑制膜5设置于公共电极95之下。
图8是实施方式2中的液晶显示装置100的剖视图。图9是实施方式2中的液晶显示装置100的剖视图。图8与图3对应。图9于图4对应。需要说明的是,以下,对与实施方式1相同的结构省略说明。
反射抑制膜5为与实施方式1相同的形状,并且设置于公共电极95的正上方。
<实施方式3>
对实施方式3进行说明。本实施方式中,在公共电极95上设置有反射抑制膜5,在公共电极95之下设置有公共布线4。
图10是实施方式3中的液晶显示装置100的剖视图。图11是实施方式3中的液晶显示装置100的剖视图。
公共布线4设置于公共电极95的正下方,与公共电极95电连接。另一方面,反射抑制膜5设置于公共电极95的正上方。本实施方式的反射抑制膜5优选为含有黑色粒子的非感光性的有机高分子膜制。
<实施方式4>
对实施方式4进行说明。本实施方式中,公共电极95与反射抑制膜5接触,并且,公共布线4与公共电极95电连接。
图12是实施方式4中的液晶显示装置100的剖视图。图13是实施方式4中的液晶显示装置100的剖视图。在本实施方式中,反射抑制膜5为导电性的物质制。反射抑制膜5设置于公共电极95的正下方,与公共电极95电连接。
公共布线4设置于反射抑制膜5之下。公共布线4与反射抑制膜5电连接。因此,公共电极95与公共布线4电连接。这种情况下,例如,公共布线4在俯视下为与实施方式1中的公共布线4相同的形状。
根据本实施方式,公共布线4由于设置于比公共电极95更靠下方的位置,所以靠近影像信号线8及扫描信号线9。由此,公共布线4能够在较宽的范围内抑制由影像信号线8及扫描信号线9导致的反射光。
<实施方式5>
对实施方式5进行说明。本实施方式中,公共布线4的宽度比反射抑制膜5窄。
图14是实施方式5中的液晶显示装置100的剖视图。图15是实施方式5中的液晶显示装置100的剖视图。图16是实施方式5中的有源元件基板200的俯视图。图14与图3对应。图15与图4对应。图16是实施方式1中的有源元件基板200的俯视图。图16示意性地表示公共布线4及反射抑制膜5。
沿着扫描信号线9的公共布线4为与扫描信号线9相同的宽度。在俯视下,公共布线4设置于与扫描信号线9重合的位置。需要说明的是,沿着扫描信号线9的公共布线4可以比扫描信号线9稍微宽一些。
根据本实施方式,由于公共布线4的宽度比反射抑制膜5窄,所以一方面能够使液晶显示装置100薄型化、轻质化,一方面能够抑制外部光线于影像信号线8或扫描信号线9处进行反射的反射光。
<实施方式6>
对实施方式6进行说明。本实施方式中,将公共布线4和反射抑制膜5一并形。
图17A是表示实施方式6中的液晶显示装置100的制造方法的图。图17B是表示实施方式6中的液晶显示装置100的制造方法的图。图17A及图17B表示公共电极95、公共布线4及反射抑制膜5的制造方法。
对制造方法进行说明。如图17A的(a)所示,从下方设置有公共电极95、公共布线4及反射抑制膜5(S1)。
如图17A的(b)所示,在反射抑制膜5上涂布抗蚀剂600(S2)。例如通过喷墨方式涂布抗蚀剂600。如图17A的(c)所示,将抗蚀剂600显影(S3)。由此,抗蚀剂600成为所希望的形状。
如图17B的(d)所示,沿抗蚀剂的形状对反射抑制膜5进行蚀刻(S4)。例如利用碱性溶液对反射抑制膜5进行蚀刻。由此,反射抑制膜5在俯视下成为与抗蚀剂基本相同的形状。如图17B的(e)所示,沿抗蚀剂的形状对公共布线4进行蚀刻(S5)。例如利用酸性溶液对公共布线4进行蚀刻。由此,公共布线4在俯视下成为与抗蚀剂及反射抑制膜5基本相同的形状。如图17B的(f)所示,最后从反射抑制膜5上除去抗蚀剂600(S6)。
根据本实施方式,由于将公共布线4和反射抑制膜5一并蚀刻,所以能够减少公共布线4与反射抑制膜5的位置偏差。
<实施方式7>
对实施方式7进行说明。本实施方式中,将公共布线4设置于影像信号线8与反射抑制膜5之间。
图18是实施方式7中的液晶显示装置100的剖视图。图19是实施方式7中的液晶显示装置100的剖视图。图20是实施方式7中的有源元件基板200的俯视图。图18与图3对应。图19与图4对应。图20是实施方式7中的有源元件基板200的俯视图。图20示意性地表示公共布线4及反射抑制膜5。
公共布线4包括带状部41和突出部42。公共布线4设置于影像信号线8的正上方。即,带状部41设置于线状部81的正上方,突出部42设置于突出部82的正上方。此外,可以将公共布线4设置于中继电极7的正上方。这种情况下,像素电极6的突出部62隔着突出部42与中继电极7物理性接触,由此与中继电极7电连接。
此外,影像信号线8及公共布线4的宽度比反射抑制膜5窄。由此,针对外部光线于影像信号线8或扫描信号线9处进行反射的反射光,能够抑制从多个角度射入的外部光线的反射光。
需要说明的是,公共布线4只要设置在影像信号线8与反射抑制膜5之间即可,并不限于影像信号线8的正上方。例如可以将公共布线4设置在第二绝缘层2上。
<实施方式8>
对实施方式8进行说明。本实施方式中,将反射抑制膜5设置于像素电极6中的突出部62的上方。
图21是实施方式8中的液晶显示装置100的剖视图。图22是实施方式8中的液晶显示装置100的剖视图。
公共布线4设置于公共电极95上。第一绝缘层3设置于公共布线4上、及未设置有公共布线4的公共电极95上。
反射抑制膜5包括平板部51和突出部52。平板部51设置于第一绝缘层3上的平板部31上。突出部52与平板部51连续,沿像素电极6的突出部62突出。因此,突出部52在突出部62的内侧,并设置于突出部62的上方。
根据本实施方式,由于反射抑制膜5在像素电极6中的突出部62的上方具有突出部52,所以能够抑制彩色滤光片1及第二绝缘层2的孔内及孔附近的反射光。尤其是反射抑制膜5能够抑制于像素电极6的突出部62、中继电极7处进行反射的反射光。
需要说明的是,第二绝缘层2的突出部22可以设置到彩色滤光片1的孔内,还可以与中继电极7接触。
需要说明的是,可以将反射抑制膜5的突出部52仅设置于突出部62的一部分的上方。例如,可以将突出部52仅设置于第二绝缘层2的孔内。
<实施方式9>
对实施方式9进行说明。本实施方式中,设置有第三绝缘层99。
图23是实施方式9中的液晶显示装置100的剖视图。图24是实施方式9中的液晶显示装置100的剖视图。与实施方式8相比,本实施方式在反射抑制膜5与第一取向膜96之间设置有第三绝缘层99。
第三绝缘层99设置于反射抑制膜5中的平板部51及突出部52上。可以将第三绝缘层99仅设置于平板部51及突出部52中的一者。取向膜96设置于第三绝缘层99上、在上方未设置有第三绝缘层99的像素电极6上、及既未设置有第三绝缘层99也未设置有像素电极6的第一绝缘层3上。
根据本实施方式,由于在反射抑制膜5与第一取向膜96之间设置有第三绝缘层99,所以可防止由反射抑制膜5产生的杂质在液晶中移动。
<实施方式10>
上述实施方式中的像素电极6设置于比公共电极95更靠上方的位置,但也可以将公共电极95设置于比像素电极6更靠上方的位置。此外,在公共电极95在俯视下形成带状等形状的情况下,可以将像素电极6设置于与公共电极95相同的层。
此外,可以设置位置及形状与彩色滤光片1相同的第二绝缘层2来代替上述实施方式中的彩色滤光片1。这种情况下,可以设置位置及形状与第二绝缘层2相同的彩色滤光片1来代替第二绝缘层2。
此次公开的实施方式在所有方面均为例举,不应该认为具有限制性。本实用新型的范围不是上述含义,而是通过权利要求书表示,意图包括与权利要求书均等的含义及权利要求范围内的所有变化。此外,各实施方式中记载的技术特征可以相互组合,通过组合能够形成新的技术特征。
Claims (11)
1.一种液晶显示装置,包括第一基板、设置于所述第一基板上的液晶层、及设置于所述液晶层上的第二基板,其中,
所述第一基板包括彩色滤光片、设置于所述彩色滤光片上的公共电极、与所述公共电极电连接的公共布线、设置于所述公共布线上及所述彩色滤光片上的反射抑制膜、在与所述公共电极之间产生电场的像素电极和设置于所述公共电极及所述像素电极之间的第一绝缘层。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,包括设置于所述公共布线之下、导通信号的金属制信号线,在俯视下,所述公共布线在所述信号线上沿着所述信号线设置。
3.如权利要求2所述的液晶显示装置,其中,所述反射抑制膜设置于所述公共电极上。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置,包括与所述彩色滤光片接触的第二绝缘层,所述公共电极设置于所述第二绝缘层上。
5.如权利要求4所述的液晶显示装置,其中,所述信号为影像信号,
所述液晶显示装置包括将传导至所述信号线的影像信号导通的半导体层和将传导至所述半导体层的影像信号导通的中继电极,
在所述彩色滤光片中形成有第一孔,在所述第二绝缘层中形成有第二孔,
所述像素电极具有设置于所述公共电极、所述彩色滤光片及所述第二绝缘层上的平板部和向所述第一孔及第二孔的内部突出、与所述中继电极电连接的第一突出部。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置,其中,所述反射抑制膜具有设置于所述第一突出部上的第二突出部。
7.如权利要求2所述的液晶显示装置,其中,所述反射抑制膜为导电性物质制,所述反射抑制膜设置于所述公共电极之下,所述公共电极及所述公共布线进行电连接。
8.如权利要求2所述的液晶显示装置,其中,所述公共布线设置于所述公共电极之下。
9.如权利要求3所述的液晶显示装置,其中,所述公共布线设置于所述公共电极之下。
10.如权利要求4所述的液晶显示装置,其中,所述公共布线设置于所述公共电极之下。
11.如权利要求1至10中任一项所述的液晶显示装置,包括设置于所述反射抑制膜上的第三绝缘层。
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