CN102169967B - 薄膜沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 383
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 151
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 137
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 403
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 186
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 174
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 25
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 9
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 7
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 153
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 26
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 16
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000035126 Facies Diseases 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
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-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/441—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour in the presence of solvent vapors, e.g. solvent vapour annealing
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
本发明提供一种薄膜沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法。薄膜沉积设备包括:沉积源,排放沉积材料;沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的一侧处,并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;图案化缝隙片,设置为与沉积源喷嘴单元相对,并包括沿第一方向布置的多个图案化缝隙;障碍板组件,沿第一方向设置在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间,并包括将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间划分为多个子沉积空间的多个障碍板,其中,所述薄膜沉积设备与基底分开预定的距离,所述薄膜沉积设备和基底能够相对于彼此移动。
Description
本申请要求于2010年1月14日在韩国知识产权局提交的第10-2010-0003545号韩国专利申请的权益,其公开通过引用包含于此。
技术领域
本发明的一方面涉及一种薄膜沉积设备、一种通过使用该薄膜沉积设备制造有机发光显示装置的方法、一种通过使用该方法制造的有机发光显示装置。更具体地讲,本发明的一方面涉及一种适于以高产率大规模制造大尺寸显示装置的薄膜沉积设备、一种通过使用该薄膜沉积设备制造有机发光显示装置的方法、一种通过使用该方法制造的有机发光显示装置。
背景技术
与其它显示装置相比,有机发光显示装置视角较大、对比度特性较好并且响应速度较快,因此有机发光显示装置作为下一代显示装置而备受瞩目。
有机发光显示装置通常具有堆叠结构,所述堆叠结构包括阳极、阴极和位于阳极和阴极之间的发射层。当分别从阳极和阴极注入的空穴和电子在发射层中复合并由此发光时,所述装置显示彩色图像。然而,难以以这种结构实现高发光效率,因此,可选地在发射层和每个电极之间另外设置包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层或空穴注入层等的中间层。
此外,实践上很难在诸如发射层和中间层的有机薄膜中形成精细的图案,并且红色发光效率、绿色发光效率和蓝色发光效率根据有机薄膜而改变。为此,通过利用传统的薄膜沉积设备在诸如5G或更大尺寸的母玻璃的大基底上形成有机薄膜图案是不容易的,因此难以制造驱动电压、电流密度、亮度、色纯度、发光效率、寿命特性令人满意的大型有机发光显示装置。因此,在这方面需要改善。
有机发光显示装置包括中间层,所述中间层包括设置在彼此相对布置的第一电极和第二电极之间的发射层。中间层、第一电极、第二电极可以使用各种方法形成,所述方法之一为沉积方法。当利用沉积方法来制造有机发光显示装置时,为了形成具有期望图案的薄膜,具有与待形成的薄膜的图案相同的图案的精细金属掩模(FMM)被设置为紧密地接触基底,并且在FMM上方沉积薄膜材料。
发明内容
本发明的各方面提供一种可以容易地制造的薄膜沉积设备、一种通过使用该薄膜沉积设备来制造有机发光显示装置的方法、一种通过使用该方法制造的有机发光显示装置,该薄膜沉积设备可以容易地用于大规模地制造大尺寸显示装置,该薄膜沉积设备改善了制造产率和沉积效率。
根据本发明的一方面,提供了一种薄膜沉积设备,该薄膜沉积设备用于在基底上形成薄膜,所述设备包括:沉积源,排放沉积材料;沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的一侧处,并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;图案化缝隙片,设置为与沉积源喷嘴单元相对,并包括沿第一方向布置的长度不同的多个图案化缝隙;障碍板组件,沿第一方向设置在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间,并包括将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间划分为多个子沉积空间的多个障碍板,其中,所述薄膜沉积设备与基底分开预定的距离,所述薄膜沉积设备和基底能够相对于彼此移动。
根据本发明的一方面,提供了一种薄膜沉积设备,该薄膜沉积设备用于在基底上形成薄膜,所述设备包括至少一个薄膜沉积组件,每个薄膜沉积组件包括:沉积源,排放沉积材料;沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的一侧处,并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;图案化缝隙片,设置为与沉积源喷嘴单元相对,并包括沿第一方向布置的多个图案化缝隙;障碍板组件,沿第一方向设置在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间,并包括将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间划分为多个子沉积空间的多个障碍板,其中,所述薄膜沉积设备与基底分开预定的距离,所述薄膜沉积设备和基底能够相对于彼此移动。
图案化缝隙可以包括具有第一长度的第一图案化缝隙和具有与第一长度不同的第二长度的第二图案化缝隙。
第一图案化缝隙和第二图案化缝隙可以交替设置。
第一图案化缝隙可以形成为对应于薄膜的红色子像素区域,第二图案化缝隙可以形成为对应于薄膜的绿色子像素区域,其中,第一图案化缝隙长于第二图案化缝隙。
图案化缝隙可以没有形成在图案化缝隙片的与蓝色子像素区域对应的区域中。
可以根据图案化缝隙的长度来控制沉积在基底上的沉积材料的量。
从沉积源排放的沉积材料可以同时沉积在薄膜的红色子像素区域和绿色子像素区域上。
沉积在薄膜的红色子像素区域上的沉积材料的厚度可以大于沉积在薄膜的绿色子像素区域上的沉积材料的厚度。
每个障碍板可以沿与第一方向基本垂直的第二方向延伸,以将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间划分为所述多个子沉积空间。
所述多个障碍板可以按相等的间距布置。
每个障碍板组件可以包括第一障碍板组件和第二障碍板组件,第一障碍板组件包括多个第一障碍板,第二障碍板组件包括多个第二障碍板。
每个第一障碍板和每个第二障碍板可以沿与第一方向基本垂直的第二方向延伸,以将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间划分为所述多个子沉积空间。
第一障碍板可以布置为分别与第二障碍板对应。
每对对应的第一障碍板和第二障碍板基本上可以布置在同一平面上。
薄膜沉积设备可以包括多个薄膜沉积组件,其中,每个薄膜沉积组件包括沉积源、沉积源喷嘴单元、图案化缝隙片、障碍板组件。
所述多个薄膜沉积组件的沉积源可以分别包含不同的沉积材料。
分别包含在所述多个薄膜沉积组件的沉积源中的沉积材料同时沉积在基底上。
薄膜沉积组件的数量至少可以为四,分别包含在该至少四个薄膜沉积组件中的沉积源中的沉积材料可以包含用于形成辅助层、红发射层、绿发射层、蓝发射层的材料。
所述多个薄膜沉积组件的沉积源的沉积温度可以是单独可控的。
在基底相对于所述薄膜沉积设备移动的同时,从所述薄膜沉积设备排放的沉积材料可以连续地沉积在基底上。
所述薄膜沉积设备或基底可以是沿与基底的沉积有沉积材料的表面平行的平面相对于彼此可移动的。
所述多个薄膜沉积组件的图案化缝隙片可以小于基底。
障碍板组件可以引导从沉积源排放的沉积材料。
根据本发明的另一方面,提供了一种薄膜沉积设备,该薄膜沉积设备用于在基底上形成薄膜,所述设备包括:沉积源,排放沉积材料;沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的一侧处,并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;图案化缝隙片,设置为与沉积源喷嘴单元相对,并包括沿与第一方向垂直的第二方向布置的具有不同长度的多个图案化缝隙;其中,在基底沿第一方向相对于所述薄膜沉积设备移动的同时执行沉积,沉积源、沉积源喷嘴单元、图案化缝隙片彼此一体化地形成。
图案化缝隙可以包括具有第一长度的第一图案化缝隙和具有与第一长度不同的第二长度的第二图案化缝隙。
第一图案化缝隙和第二图案化缝隙可以交替设置。
第一图案化缝隙可以形成为对应于红色子像素区域,第二图案化缝隙可以形成为对应于薄膜的绿色子像素区域,第一图案化缝隙长于第二图案化缝隙。
图案化缝隙可以没有形成在图案化缝隙片的与蓝色子像素区域对应的区域中。
可以根据图案化缝隙的长度来控制沉积在基底上的沉积材料的量。
从沉积源排放的沉积材料可以同时沉积在薄膜的红色子像素区域和薄膜的绿色子像素区域上。
沉积在红色子像素区域上的沉积材料的厚度可以大于沉积在绿色子像素区域上的沉积材料的厚度。
沉积源和沉积源喷嘴单元与图案化缝隙片可以通过连接构件彼此连接。
连接构件可以引导排放的沉积材料的运动。
连接构件可以密封沉积源和沉积源喷嘴单元与图案化缝隙片之间的空间。
薄膜沉积设备可以与基底分开预定的距离。
在基底相对于所述薄膜沉积设备沿第一方向移动的同时,从所述薄膜沉积设备排放的沉积材料可以连续地沉积在基底上。
薄膜沉积设备的图案化缝隙片可以小于基底。
薄膜沉积设备可以包括多个薄膜沉积组件,其中,每个薄膜沉积组件包括沉积源、沉积源喷嘴单元、图案化缝隙片、障碍板组件。
所述多个薄膜沉积组件的沉积源分别包含不同的沉积材料。
分别包含在所述多个薄膜沉积组件的沉积源中的沉积材料可以同时沉积在基底上。
薄膜沉积组件的数量至少可以为四,分别包含在该至少四个薄膜沉积组件中的沉积源中的沉积材料可以包含用于形成辅助层、红发射层、绿发射层、蓝发射层的材料。
每个薄膜沉积组件的沉积源的沉积温度可以是单独可控的。
根据本发明的另一方面,提供一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括如下步骤:将薄膜沉积组件与由夹具固定地支撑的基底分开,并在薄膜沉积组件或由夹具固定地支撑的基底相对于彼此移动的同时在基底上执行沉积,其中,所述薄膜沉积组件包括:沉积源,排放沉积材料;沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的一侧处,并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;图案化缝隙片,设置为与沉积源喷嘴单元相对,并包括沿第一方向布置的具有不同长度的多个图案化缝隙;障碍板组件,沿第一方向设置在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间,并包括将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间划分为多个子沉积空间的多个障碍板。
根据本发明的另一方面,提供一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括如下步骤:将薄膜沉积组件与由夹具固定地支撑的基底分开,并在薄膜沉积组件或由夹具固定地支撑的基底相对于彼此移动的同时在基底上执行沉积,其中,所述薄膜沉积组件包括:沉积源,排放沉积材料;沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的一侧处,并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;图案化缝隙片,设置为与沉积源喷嘴单元相对,并包括沿与第一方向垂直的第二方向布置的具有不同长度的多个图案化缝隙。
沉积材料可以包含有机材料,通过薄膜沉积设备在分别发射红光、绿光、蓝光的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素中形成厚度不同的辅助层。
根据本发明的另一方面,提供上述方法制造的有机发光显示装置。
本发明的另外的方面和/或优点将在下面的描述中进行一定程度地阐述,并且通过描述将在一定程度上变得明显,或者可以通过实施本发明来获知。
附图说明
通过下面的结合附图的对实施例的描述,本发明的这些和/或其它方面及优点将变得清楚并更易于理解,在附图中:
图1是根据本发明实施例的通过使用薄膜沉积设备制造的有机发光显示装置的平面图;
图2是图1中示出的有机发光显示装置的像素的剖视图;
图3是根据本发明实施例的薄膜沉积组件的示意性透视图;
图4是图3中示出的薄膜沉积组件的示意性剖视图;
图5是图3中示出的薄膜沉积组件的示意性平面图;
图6A是图3中示出的薄膜沉积组件中图案化缝隙片平面图;
图6B-图6E是用在图3中示出的薄膜沉积组件中使用的其他图案化缝隙片的平面图;
图7是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图;
图8是根据本发明另一实施例的薄膜沉积组件的示意性透视图;
图9是根据本发明另一实施例的薄膜沉积组件的示意性透视图;
图10是图9中示出的薄膜沉积组件的示意性剖视图;
图11是图9中示出的薄膜沉积组件的示意性平面图;
图12是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图。
具体实施方式
现在,将详细说明本发明的当前实施例,在附图中示出了它们的示例,其中,相同的标号始终表示相同的元件。下面通过参照附图来描述实施例,以说明本发明。此外,应该理解的是,在这里描述了一个膜或层“形成在”或“设置在”第二个层或膜“上”的情况下,第一个层或膜可以直接形成或设置在第二个层或膜上,或者在第一个层或膜与第二个层或膜之间可以存在中间层或膜。此外,如在这里使用的,以与“位于......上”或“设置在......上”的含义相同的含义来使用术语“形成在......上”,且术语“形成在......上”不意在对相关任何具体的制造工艺进行限制。
图1是根据本发明实施例的使用薄膜沉积设备制造的有机发光显示装置的平面图。
参照图1,有机发光显示装置包括像素区域30和设置在像素区域30的边缘处的电路区域40。像素区域30包括多个像素,每个像素包括发射光以显示图像的发射单元。
在本发明的实施例中,发射单元可以包括多个子像素,每个子像素包括有机发光二极管(OLED)。在全色彩有机发光显示装置中,按各种图案来布置红(R)、绿(G)、蓝(B)子像素,例如,按线、马赛克(mosaic)或格子图案来布置红(R)、绿(G)、蓝(B)子像素,以构成像素。有机发光显示装置可以包括单色平板显示装置。然而,应该理解的是,有机发光显示装置可以包括其他的平板显示装置。
电路区域40控制例如输入到像素区域30的图像信号。在有机发光显示装置中,在像素区域30和电路区域40中的每个区域中均可以安装至少一个薄膜晶体管(TFT)。
安装在像素区域30中的至少一个TFT可以包括:像素TFT,例如根据栅极线信号而将数据信号传输到OLED以控制OLED的操作的开关TFT;驱动TFT,通过根据数据信号提供电流来驱动OLED。安装在电路区域40中的至少一个TFT可以包括电路TFT,构成电路TFT以实现预定的电路。
TFT的数量和布置可以根据显示装置及其驱动方法的特征而改变。
图2是图1中示出的有机发光显示装置的像素的剖视图。
参照图2,缓冲层51形成在由玻璃或塑料形成的基底50上。TFT和OLED形成在缓冲层51上。
具有预定图案的有源层52形成在缓冲层51上。栅极绝缘层53形成在有源层52上,栅电极54形成在栅极绝缘层53的预定的区域中。栅电极54连接到施加TFTON/OFF信号的栅极线(未示出)。层间绝缘层55形成在栅电极54上。源/漏电极56和57形成为分别通过接触孔接触有源层52的源/漏区域52b和52c。栅极区域52a设置在源/漏区域52b和52c之间。钝化层58由SiO2或SiNx等形成在源/漏电极56和57上。平坦化层59由诸如丙烯酰基材料(acryl)、聚酰亚胺(polyimide)或苯并环丁烯(BCB,benzocyclobutene)等的有机材料形成在钝化层58上。用作OLED的阳极的第一电极61形成在平坦化层59上,由有机材料形成的像素限定层60形成为覆盖第一电极61。开口形成在像素限定层60中,有机层62形成在像素限定层60的表面上并在通过所述开口暴露的第一电极61的表面上。有机层62包括发射层。本发明的各方面不限于上述的有机发光显示装置的结构,且各种结构的有机发光显示装置可以应用于本发明的各方面。
OLED通过根据电流流动而发射红光、绿光、蓝光来显示预定的图像信息。OLED包括:第一电极61,连接到TFT的漏电极57,正功率电压施加到第一电极61;第二电极63,形成为覆盖整个像素,负功率电压施加到第二电极63;有机层62,设置在第一电极61和第二电极63之间,以发射光。
第一电极61和第二电极63因有机层62而彼此绝缘,并将极性相反的电压分别施加到有机层62,以引发有机层62中的发光。
有机层62可以由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成。当使用低分子量有机材料时,有机层62可以具有包括从由空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)组成的组选择的至少一种的单层结构或多层结构。可用的有机材料的示例可以包括铜酞菁(CuPc,copperphthalocyanine)、N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基-联苯胺(NPB,N,N′-di(naphthalene-1-yl)-N,N′-diphenyl-benzidine)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3,tris-8-hydroxyquinolinealuminum)等。低分子量有机层可以通过真空沉积形成。
当将高分子量有机层用作有机层62时,有机层62大多数可以具有包括HTL和EML的结构。在这样的情况下,HTL可以由聚(乙撑二氧噻吩)(PEDOT,poly(ethylenedioxythiophene))形成,EML可以由聚苯撑乙烯撑(PPV,polyphenylenevinylene)或聚芴(polyfluorene)形成。HTL和EML可以通过丝网印刷(screenprinting)或喷墨印刷(inkjetprinting)等形成。
有机层62不限于上述有机层,且可以以各种方式来实施。
第一电极61可以用作阳极,第二电极63可以用作阴极。可选择地,第一电极61可以用作阴极,第二电极63可以用作阳极。
第一电极61可以形成为透明电极或反射电极。这样的透明电极可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)形成。这样的反射电极可以通过由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物形成反射层并在反射层上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3的层来形成。
第二电极63可以形成为透明电极或反射电极。当第二电极63形成为透明电极时,第二电极63用作阴极。为此,可以通过在有机层62的表面上沉积功函数低的金属或它们的化合物,例如,锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg),并由诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3等的透明电极形成材料在其上形成辅助电极层或汇流电极线,来形成这样的透明电极。当第二电极63形成为反射电极时,可以通过在有机层62的整个表面上沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的化合物来形成反射层。
在上述有机发光显示装置中,可以使用将在后面描述的薄膜沉积组件100(见图3)来形成包括发射层的有机层62。
具体地讲,有机层62可以包括发射层62R、62G、62B和辅助层62R’、62G’。发射层62R、62G、62B可以基于材料而发射红光、绿光或蓝光。同时,辅助层62R’、62G’可以由与HTL的材料相同的材料形成。
同时,第一电极61和第二电极63中的一种是反射电极,且另一种是半透明电极或透明电极。因此,在驱动有机发光显示装置时,在第一电极61和第二电极63之间可出现谐振。因此,在驱动有机发光显示装置时,在形成在第一电极61和第二电极63之间的发射层62R、62G、62B中产生的光在第一电极61和第二电极63之间谐振,以被发射到有机发光显示装置的外部,从而可以改善发射亮度和发射效率。
为此,在使用薄膜沉积设备制造的有机发光显示装置中,在分别发射红光、绿光、蓝光的R、G、B子像素中的包括辅助层62R’、62G’的有机层可以具有不同的厚度。
具体地讲,在R子像素中的辅助层62R’可以具有大约至大约的厚度。如果辅助层62R’的厚度不在上面限定的范围内,则辅助层62R’可能不具有用于引发红发射层62R中的谐振效果的充足的空穴注入能力和空穴传输能力。因此,色纯度可能劣化,发射效率可能降低。另外,如果辅助层62R’的厚度大于上面限定的上限,则驱动电压可能增加。
在G子像素中的辅助层62G’可以具有大约至大约的厚度。如果辅助层62G’的厚度不在上面限定的范围内,则辅助层62G’可能不具有用于引发绿发射层62G中的谐振效果的充足的空穴注入能力和空穴传输能力。因此,色纯度可能劣化,发射效率可能降低。另外,如果辅助层62G’的厚度大于上面限定的上限,则驱动电压可能增加。
在有机发光显示装置中,在驱动有机发光显示装置时,在第一电极61和第二电极63之间可出现谐振现象。就此,如上所述,因为在设置在第一电极61和第二电极63之间的有机层中的辅助层62R’、62G’根据在发射层62R、62G、62B中发射的光的颜色而具有不同的厚度,所以有机发光显示装置可以具有诸如优良的驱动电压、电流密度、亮度、色纯度、发光效率、寿命特性的优良的特性。
这里,可以使用通过使用薄膜沉积设备的单个工艺来制备发射红光的R子像素的辅助层62R’和发射绿光的G子像素的辅助层62G’,这将在后面进行详细描述。
下文中,将详细描述根据本发明实施例的薄膜沉积设备和通过使用该薄膜沉积设备制造有机发光显示装置的方法。
图3是根据本发明实施例的薄膜沉积组件100的示意性透视图,图4是图3中示出的薄膜沉积组件100的示意性剖视图,图5是图3中示出的薄膜沉积组件100的示意性平面图。
参照图3、图4、图5,薄膜沉积组件100包括沉积源110、沉积源喷嘴单元120、障碍板组件130、图案化缝隙片150。
虽然为了方便说明而没有在图3、图4、图5中示出室(chamber),但是薄膜沉积组件100的所有组件可以设置在保持在适当真空度的室内。将室保持在适当的真空,以允许沉积材料沿基本上为直线地运动通过薄膜沉积设备。
具体地讲,为了将从沉积源110发射并排放通过沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150的沉积材料115以期望的图案沉积到基底600上,与在使用精细金属掩模(FMM)的沉积方法中相似,需要将室保持在高真空状态。另外,障碍板131和图案化缝隙片150的温度需要充分地低于沉积源110的温度。就此,障碍板131和图案化缝隙片150的温度可以为大约100℃或更低。这是与障碍板131碰撞的沉积材料115没有被再次汽化(re-vaporize)的原因。另外,当图案化缝隙片150的温度充分低时,图案化缝隙片150的热膨胀可以被最小化。障碍板组件130面对处于高温的沉积源110。另外,障碍板组件130的靠近沉积源110的一部分的温度可以达到大约167℃的最大温度,因此,如果需要,则可以进一步包括局部冷却设备。为此,障碍板组件130可以包括冷却构件。
构成将沉积有沉积材料的靶材的基底600设置在室中。基底600可以为用于平板显示器的基底。例如用于制造多个平板显示器的母玻璃的大基底可以用作基底600。也可以采用其他的基底。
在本发明的实施例中,在可以基底600相对于薄膜沉积组件100移动的同时执行沉积。
具体地讲,在传统的FMM沉积方法中,FMM的尺寸需要等于基底的尺寸。因此,随着基底变得更大,必须增加FMM的尺寸。然而,不易于制造大FMM,也不易于延展FMM以与图案精确地对准。
为了克服这样的问题,在根据本发明的实施例的薄膜沉积组件100中,可以在薄膜沉积组件100或基底600相对于彼此移动的同时执行沉积。换句话说,可以在设置为例如面对薄膜沉积组件100的基底600沿Y轴方向移动的同时连续地执行沉积。换句话说,在基底600沿图3中的箭头A的方向移动的同时以扫描的方式来执行沉积。虽然基底600被示出为在执行沉积时沿图3中的Y轴方向移动,但是本发明不限于此。也可以在薄膜沉积组件100沿Y轴方向移动而基底600固定的同时执行沉积。
因此,在薄膜沉积组件100中,图案化缝隙片150可以明显小于在传统的沉积方法中使用的FMM。换句话说,在薄膜沉积组件100中,在基底600沿Y轴方向移动的同时,连续地,即,以扫描的方式执行沉积。因此,图案化缝隙片150的沿X轴方向和Y轴方向的长度可以明显小于基底600的沿X轴方向和Y轴方向的长度。如上所述,因为图案化缝隙片150可以形成得明显小于在传统的沉积方法中使用的FMM,所以制造图案化缝隙片150相对容易。换句话说,与使用更大的FMM的传统的沉积方法相比,在包括蚀刻和后续的其他工艺(例如精确延展、焊接、移动、清洁工艺)的所有的工艺中,使用小于在传统的沉积方法中使用的FMM的图案化缝隙片150更加方便。这样更有利于相对大的显示装置。
为了在薄膜沉积组件100或基底600如上所述地相对于彼此移动的同时执行沉积,薄膜沉积组件100和基底600可以彼此分开预定的距离。这将在后面进行详细描述。
包含并加热沉积材料115的沉积源110设置在室的与设置有基底600的一侧相对的一侧中。随着包含在沉积源110中的沉积材料115汽化,沉积材料115沉积在基底600上。
具体地讲,沉积源110包括:坩埚111,填充有沉积材料115;加热器112,加热坩埚111以使包括在坩埚111中的沉积材料115朝向坩埚111的一侧汽化,具体地讲,朝向沉积源喷嘴单元120汽化。
沉积源喷嘴单元120设置在沉积源110的一侧,具体地讲,在沉积源110的面对基底600的一侧。沉积源喷嘴单元120包括沿X轴方向按相等的间距布置的多个沉积源喷嘴121。在沉积源110中汽化的沉积材料115朝向基底600穿过沉积源喷嘴单元120。
障碍板组件130设置在沉积源喷嘴单元120的一侧。障碍板组件130包括多个障碍板131和覆盖障碍板131的侧部的障碍板框架132。多个障碍板131可以沿X轴方向按相等的间隔彼此平行地布置。另外,每个障碍板131可以布置为平行于图3中的YZ平面,即,垂直于X轴方向。如上所述地布置的多个障碍板131将沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150之间的空间划分为多个子沉积空间S(见图5)。在根据本发明的实施例的薄膜沉积组件100中,障碍板131将沉积空间划分为分别与沉积材料115排放所通过的沉积源喷嘴121对应的子沉积空间S。
障碍板131可以分别设置在相邻的沉积源喷嘴121之间。换句话说,每个沉积源喷嘴121可以设置在两个相邻的障碍板131之间。沉积源喷嘴121可以分别位于两个相邻的障碍板131之间的中点处。如上所述,因为障碍板131将沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150之间的空间划分为多个子沉积空间S,所以排放通过每个沉积源喷嘴121的沉积材料115没有与排放通过其他的沉积源喷嘴121的沉积材料115混合,并穿过图案化缝隙151,从而沉积在基底600上。换句话说,障碍板131引导排放通过沉积源喷嘴121的沉积材料115直线运动,从而限制沉积材料115沿X轴方向的运动。
如上所述,通过安装障碍板131,沉积材料115受迫直线运动,从而与没有安装障碍板的情况相比,可在基底600上形成更小的阴影区域。因此,薄膜沉积组件100和基底600可以彼此分开预定的距离。这将在下面进行详细描述。
形成障碍板131的上侧和下侧的障碍板框架132保持障碍板131的位置,并引导排放通过沉积源喷嘴121的沉积材料115,从而限制沉积材料115沿Y轴方向的运动。
虽然沉积源喷嘴单元120和障碍板组件130被示出为彼此分开预定的距离,但是本发明不限于此。为了防止从沉积源110发出的热传导到障碍板组件130,沉积源喷嘴单元120和障碍板组件130可以彼此分开预定的距离。可选择地,如果将热绝缘体设置在沉积源喷嘴单元120和障碍板组件130之间,则沉积源喷嘴单元120和障碍板组件130可以在它们之间存在热绝缘体的情况下彼此结合。
另外,障碍板组件130可以被构造为可从薄膜沉积组件100拆开。传统的FMM沉积方法具有低沉积效率。沉积效率是指沉积在基底上的沉积材料与从沉积源汽化的沉积材料的比。传统的FMM沉积方法具有大约32%的沉积效率。此外,在传统的FMM沉积方法中,剩余了附着于沉积设备而没有沉积在基底上的大约68%的有机沉积材料,并因此再利用沉积材料是不容易的。
为了克服这些问题,在根据本发明的实施例的薄膜沉积组件100中,通过使用障碍板组件130来围绕沉积空间,从而没有沉积在基底600上的沉积材料115大部分沉积在障碍板组件130内。因此,由于障碍板组件130被构造为可从薄膜沉积组件100拆开,所以当在漫长的沉积工艺之后大量沉积材料115处于障碍板组件130中时,可以将障碍板组件130从薄膜沉积组件100拆开,然后置于单独的沉积材料回收设备中以回收沉积材料115。因薄膜沉积设备的结构,提高了沉积材料115的再利用率,从而改善了沉积效率,而降低了制造成本。
图案化缝隙片150和框架155设置在沉积源110和基底600之间,其中,图案化缝隙片150结合在框架155中。框架155可以以与窗口框架(windowframe)类似的格子形状(latticeshape)形成。图案化缝隙片150结合在框架155内。图案化缝隙片150包括沿X轴方向布置的多个图案化缝隙151。在沉积源110中汽化的沉积材料115朝向基底600穿过沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150。可以通过与在制造FMM(具体地讲,条纹式FMM)的传统方法中使用的方法相同的方法的蚀刻来制造图案化缝隙片150。
在薄膜沉积组件100中,图案化缝隙151可以具有不同的长度。这将参照图6A进行详细描述。
在薄膜沉积组件100中,图案化缝隙151的总数可以多于沉积源喷嘴121的总数。另外,可以有数量比沉积源喷嘴121的数量多的图案化缝隙151设置在两个相邻的障碍板131之间。
换句话说,至少一个沉积源喷嘴121可以设置在每两个相邻的障碍板131之间。同时,多个图案化缝隙151可以设置在每两个相邻的障碍板131之间。沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150之间的空间被障碍板131划分为与沉积源喷嘴121分别对应的子沉积空间S。因此,从每个沉积源喷嘴121排放的沉积材料115穿过设置在与沉积源喷嘴121对应的子沉积空间S中的图案化缝隙151,然后沉积在基底600上。
另外,障碍板组件130和图案化缝隙片150可以彼此分开预定的距离。可选择地,障碍板组件130和图案化缝隙片150可以通过连接构件135来连接。障碍板组件130的温度可以因高温的沉积源110而升高到100℃或更高。因此,为了防止障碍板组件130的热传导到图案化缝隙片150,可以将障碍板组件130和图案化缝隙片150彼此分开预定的距离。
如上所述,薄膜沉积组件100在相对于基底600移动的同时执行沉积。为了相对于基底600移动移动薄膜沉积组件100,将图案化缝隙片150与基底600分开预定的距离。另外,当将图案化缝隙片150与基底600彼此分开时,为了防止在基底600上形成相对大的阴影区域,将障碍板131布置在沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150之间,以使沉积材料115沿直向运动。因此,显著地减小了形成在基底600上的阴影区域的尺寸。
具体地讲,在利用FMM的传统的沉积方法中,利用与基底紧密接触的FMM来执行沉积,以防止在基底上形成阴影区域。然而,当与基底紧密接触地使用FMM时,该接触可造成缺陷。另外,在传统的沉积方法中,因为掩模不能相对于基底移动,所以掩模的尺寸必须与基底的尺寸相同。因此,掩模的尺寸需要随着显示装置变得更大而增加。然而,不易于制造这样的大掩模。
为了克服这样的问题,在薄膜沉积组件100中,图案化缝隙片150设置为与基底600分开预定的距离。通过安装障碍板131可以有助于此,以减小形成在基底600上的阴影区域的尺寸。
如上所述,根据本发明的实施例,掩模形成为比基底小,在掩模相对于基底移动的同时执行沉积。因此,可以容易地制造掩模。另外,可以防止在传统的沉积方法中出现的因基底和FMM之间的接触而导致的缺陷。此外,在沉积工艺中因为不需要与基底紧密接触地使用FMM,所以可以改善制造速度。如上所述,可以通过安装障碍板131来减小形成在基底600上的阴影区域。因此,图案化缝隙片150可以与基底600分开。
下文中,将详细描述根据本发明实施例的薄膜沉积组件100的图案化缝隙片150。
图6A是图3中示出的薄膜沉积组件100中的图案化缝隙片150的平面图;参照图6A,在薄膜沉积组件中,图案化缝隙151可以具有不同的长度。
如上所述,在利用根据本发明实施例的薄膜沉积设备制造的有机发光显示装置中,包括分别发射红光、绿光、蓝光的R、G、B子像素中的辅助层62R’、62G’(见图2)的有机层可以具有不同的厚度。就此,可以通过控制辅助层62R’、62G’(见图2)的厚度来调节每个子像素的厚度。换句话说,在R子像素中的辅助层62R’(见图2)可以是最厚的,在G子像素中的辅助层62G’(见图2)可以比辅助层62R’薄,在B子像素中的辅助层可以比辅助层62G’薄,或者可以根本不形成。
同时,在传统的FMM沉积方法中,通过单个工艺仅可以堆叠单个层,因此需要使用单独的工艺来沉积R子像素中的辅助层62R’(见图2)和G子像素中的辅助层62G’(见图2)。
然而,R子像素中的辅助层62R’(见图2)和G子像素中的辅助层62G’(见图2)由相同的材料形成,仅有辅助层62R’和辅助层62G’的厚度和沉积位置彼此不同。因此,在薄膜沉积组件100中,可以通过将R、G、B子像素区域的图案化缝隙151安装为具有不同的长度来连续地形成辅助层62R’和辅助层62G’。
换句话说,图案化缝隙151包括第一图案化缝隙151a和第二图案化缝隙151b。就此,第一图案化缝隙151a形成为对应于R子像素区域,第二图案化缝隙151b形成为对应于G子像素区域。换句话说,因为只有穿过图案化缝隙151的沉积材料可以沉积在基底600上,所以沉积在基底600上的有机层的厚度随着图案化缝隙151的尺寸的增加而增加。因此,用于形成R子像素中的厚度最大的辅助层62R’(见图2)的第一图案化缝隙151a需要是最长的,用于形成G子像素中的比辅助层62R’薄的辅助层62G’(见图2)的第二图案化缝隙151b需要比第一图案化缝隙151a短,在与B子像素对应的区域中不形成图案化缝隙。虽然在图6A中图案化缝隙不形成在与B子像素对应的区域中,但是本发明不限于此。如果需要在B子像素区域中形成辅助层,则可以将图案化缝隙形成为对应于此。
通过使用长度不同的图案化缝隙,对于需要沉积相对大量的沉积材料的区域,相对大量的沉积材料可以穿过相对长的图案化缝隙,对于需要沉积相对少量的沉积材料的区域,相对少量的沉积材料可以穿过相对短的图案化缝隙,以同时形成两层。因此,可以减少薄膜沉积组件的数量,可以极大地缩短制造有机发光显示装置所用的时间,可以简化用于制造有机发光显示装置的设备。
图6B是图6A的图案化缝隙片的变形的平面图。如图6B中所示,可以一体地形成长度不同的第一图案化缝隙151c和第二图案化缝隙151d。在这样的情况下,可以有效地制造图案化缝隙片151’。
同时,可以改变有机层62(图2)的厚度以使有机发光二极管的结构最优化。因此,也可以改变辅助层62R’和62G’(图2)的厚度。就此,还可以设置沉积叶片(depositionblade)152,如图6C中所示,从而每当辅助层62R’和62G’(图2)的厚度改变时,不制造图案化缝隙片151’。换句话说,使用遮挡图案化缝隙片151’的一部分的沉积叶片152,可以通过控制沉积叶片152的面积来调节辅助层62R’和62G’(图2)的厚度,而不制造单独的图案化缝隙片。
同时,如果如图6B中所示地设置图案化缝隙片151’,图案化缝隙片151’的上部和下部不对称。因此,可能不容易制造图案化缝隙片151’。为了克服这样的问题,可以形成图案化缝隙片151”,使得第二图案化缝隙151f被设置在第一图案化缝隙151e的中部处,如图6D中所示。
此外,为了最小化由延展导致的图案化缝隙片151’的变形,可以形成图案化缝隙片151’”,使得第二图案化缝隙151h被设置在图案化第一图案化缝隙151g的中部处,且第二图案化缝隙151h的两端倾斜,如图6E中所示。
图7是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图。
参照图7,薄膜沉积设备包括多个薄膜沉积组件,每个薄膜沉积组件具有图3至图6E中示出的薄膜沉积组件100的结构。换句话说,该薄膜沉积设备可以包括同时排放用于形成辅助层R’和G’、R发射层、G发射层、B发射层的沉积材料的多沉积源。
具体地讲,该薄膜沉积设备包括第一薄膜沉积组件100、第二薄膜沉积组件200、第三薄膜沉积组件300和第四薄膜沉积组件400。第一薄膜沉积组件100、第二薄膜沉积组件200、第三薄膜沉积组件300和第四薄膜沉积组件400中的每个薄膜沉积组件的结构与参照图3至图6E描述的薄膜沉积组件的结构相同,因此,将不在此处提供它们的详细描述。
第一薄膜沉积组件100、第二薄膜沉积组件200、第三薄膜沉积组件300和第四薄膜沉积组件400的沉积源可以分别包含不同的沉积材料。例如,第一薄膜沉积组件100可以包含用于形成辅助层R’和G’的沉积材料,第二薄膜沉积组件200可以包含用于形成R发射层的沉积材料,第三薄膜沉积组件300可以包含用于形成G发射层的沉积材料,第四薄膜沉积组件400可以包含用于形成B发射层的沉积材料。
换句话说,在制造有机发光显示装置的传统方法中,单独的室和掩模用于形成每种色彩发射层。然而,当使用所述薄膜沉积设备时,可以利用单个的多沉积源同时形成辅助层R’和G’、R发射层、G发射层、B发射层。因此,制造有机发光显示装置所用的时间显著地缩短。另外,可以利用更少的室来制造有机发光显示装置,从而也可以显著地降低设备成本。
就此,第一薄膜沉积组件100的图案化缝隙片150可以包括长度不同的第一图案化缝隙151a和第二图案化缝隙151b,如上所述。这里,第一图案化缝隙151a形成为与R子像素区域对应,第二图案化缝隙151b形成为与G子像素区域对应。
另外,第二薄膜沉积组件200的图案化缝隙片250、第三薄膜沉积组件300的图案化缝隙片350、第四薄膜沉积组件400的图案化缝隙片450可以布置为相对于彼此偏移恒定的距离,使得基底600上的与图案化缝隙片250、350、450对应的沉积区域不叠置。换句话说,当薄膜沉积组件200、300、400分别用于沉积R发射层、G发射层、B发射层时,第二薄膜沉积组件200的图案化缝隙251、第三薄膜沉积组件300的图案化缝隙351、第四薄膜沉积组件400的图案化缝隙451布置为彼此不对齐,以在基底600的不同的区域中形成R发射层、G发射层、B发射层。
此外,用于形成辅助层R’和G’、R发射层、G发射层、B发射层的沉积材料可以具有不同的沉积温度。因此,可以将第一薄膜沉积组件100的沉积源110的温度、第二薄膜沉积组件200的沉积源210的温度、第三薄膜沉积组件300的沉积源310的温度,第四薄膜沉积组件400的沉积源410的温度设置成不同的。
虽然薄膜沉积设备包括四个薄膜沉积组件,但是本发明不限于此。换句话说,薄膜沉积设备可以包括多个薄膜沉积组件,每个薄膜沉积组件包含不同的沉积材料。
如上所述,可以利用多个薄膜沉积组件同时形成多个薄膜,因此,改善了制造产率和沉积效率。此外,简化了整个制造工艺,降低了制造成本。
可以利用具有上述结构的薄膜沉积设备来形成有机发光显示装置的包括发射层的有机层(指图2中的有机层62)。根据本发明的实施例,制造有机发光显示装置的方法可以包括:将基底600布置为与薄膜沉积设备分开预定的距离,在薄膜沉积设备或基底600相对于彼此移动的同时将从薄膜沉积设备排放的沉积材料沉积在基底600上。例如,薄膜沉积设备700或基底600能够沿与基底的表面平行的平面移动。
现在,将在下面对此进行详细描述。
最初,将基底600布置为与薄膜沉积设备分开预定的距离。如上所述,薄膜沉积设备可以包括图案化缝隙片150、250、350、450,图案化缝隙片150、250、350、450中的每个图案化缝隙片小于基底600,因此可以被相对容易地制造。因此,可以在薄膜沉积设备或基底600相对于彼此移动的同时执行沉积。换句话说,可以在布置为与薄膜沉积设备相对的基底600沿Y轴方向移动的同时连续地执行沉积。换句话说,在基底600沿图7中的箭头B的方向移动的同时以扫描的方式执行沉积。另外,薄膜沉积设备和基底600需要彼此分开预定的距离,以使薄膜沉积设备或基底600相对于彼此移动。为此,将基底600布置在室(未示出)中,以与薄膜沉积设备分开预定距离。
然后,在薄膜沉积设备或基底600相对于彼此移动的同时,在基底600上沉积从薄膜沉积设备排放的沉积材料。如上所述,薄膜沉积设备可以包括图案化缝隙片150、250、350、450,图案化缝隙片150、250、350、450中的每个图案化缝隙片小于基底600,因此可以被相对容易地制造。因此,可以在薄膜沉积设备或基底600相对于彼此移动的同时执行沉积。虽然图7示出了基底600沿Y轴方向移动,而薄膜沉积设备被固定,但是本发明不限于此。例如,基底600可以被固定,且薄膜沉积设备可以相对于基底600移动。
根据本发明实施例的用于执行制造有机发光显示装置的方法的薄膜沉积设备可以包括同时排放用于形成辅助层R’和G’、R发射层、G发射层、B发射层的沉积材料的多沉积源。因此,可以同时形成多个有机层。换句话说,用于执行该方法的薄膜沉积设备可以包括多个薄膜沉积组件,从而可以利用单个多沉积源同时形成辅助层R’和G’、R发射层、G发射层、B发射层。因此,制造有机发光显示装置所用的时间显著缩短,设备成本也显著降低,这是因为可以使用较少的室。
图8是根据本发明另一实施例的薄膜沉积装置500的示意性透视图。
参照图8,薄膜沉积组件500包括沉积源510、沉积源喷嘴单元520、第一障碍板组件530、第二障碍板组件540、图案化缝隙片550、基底600。
虽然为了方便说明而没有在图8中示出室,但是薄膜沉积组件500的所有组件可以设置在保持在适当真空度的室内。将室保持在适当的真空,以允许沉积材料沿基本上为直线地移动通过薄膜沉积设备。
构成将沉积有沉积材料515的靶材的基底600设置在室中。包含并加热沉积材料515的沉积源510设置在室的与设置有基底600的一侧相对的一侧。沉积源510可以包括坩埚511和加热器512。
沉积源喷嘴单元520设置在沉积源510的一侧,具体地讲,在沉积源510的面对基底600的一侧。沉积源喷嘴单元520包括沿X轴方向布置的多个沉积源喷嘴521。
第一障碍板组件530设置在沉积源喷嘴单元520的一侧。第一障碍板组件530包括多个第一障碍板531和覆盖第一障碍板531的侧部的第一障碍板框架532。
第二障碍板组件540设置在第一障碍板组件530的一侧。第二障碍板组件540包括多个第二障碍板541和覆盖第二障碍板541的侧部的第二障碍板框架542。
图案化缝隙片550和框架555设置在沉积源510和基底600之间,其中,图案化缝隙片550结合在框架555中。框架555可以按与窗口框架类似的格子形状形成。图案化缝隙片550包括沿X轴方向布置的多个图案化缝隙551。
与图3中示出的包括一个障碍板组件130的薄膜沉积组件100不同,薄膜沉积组件500包括两个单独的障碍板组件,即,第一障碍板组件530和第二障碍板组件540。
多个第一障碍板531可以沿X轴方向按相等的间距布置为彼此平行。另外,每个第一障碍板531可以形成为沿图8中的YZ平面延伸,即,垂直于X轴方向延伸。
多个第二障碍板541可以沿X轴方向按相等的间距布置为彼此平行并分开。另外,每个第二障碍板541可以形成为沿图8中的YZ平面延伸,即,垂直于X轴方向延伸。
如上所述地布置的多个第一障碍板531和多个第二障碍板541划分沉积源喷嘴单元520和图案化缝隙片550之间的空间。在薄膜沉积组件500中,由第一障碍板531和第二障碍板541将沉积空间划分为分别与沉积材料515排放所通过的沉积源喷嘴521对应的子沉积空间。
第二障碍板541可以设置为与第一障碍板531分别对应。换句话说,第二障碍板541可以与第一障碍板531平行并与第一障碍板531位于同一平面上。每对对应的第一障碍板531和第二障碍板541可以位于同一平面上。如上所述,因为设置为彼此平行的第一障碍板531和第二障碍板541划分沉积源喷嘴单元520和图案化缝隙片550之间的空间(将在后面进行描述),所以排放通过一个沉积源喷嘴521的沉积材料515没有与通过其他的沉积源喷嘴521排放的沉积材料515混合。换句话说,第一障碍板531和第二障碍板541引导排放通过沉积源喷嘴521的沉积材料515,从而限制沉积材料515沿X轴方向的运动。
虽然第一障碍板531和第二障碍板541分别示出为具有沿X轴方向的相同的厚度,但是本发明不限于此。换句话说,需要与图案化缝隙片550精确对准的第二障碍板541可以形成得相对薄,而不需要与图案化缝隙片550精确对准的第一障碍板531可以形成得相对厚。这样更加易于制造薄膜沉积组件。
虽然没有示出,但是根据本发明实施例的薄膜沉积设备可以包括多个薄膜沉积组件,每个薄膜沉积组件具有图8中示出的结构。换句话说,薄膜沉积设备可以包括同时排放用于形成辅助层R’和G’、R发射层、G发射层、B发射层的沉积材料的多沉积源。在基底600沿图8中的箭头C的方向移动的同时,以扫描的方式来执行沉积。因为已经在前面的实施例中详细地描述了多个薄膜沉积组件,所以在此将不提供对它们的详细描述。
图9是根据本发明另一实施例的薄膜沉积组件700的示意性透视图,图10是图9中示出的薄膜沉积组件700的示意性剖视图,图11是图9中示出的薄膜沉积组件700的示意性平面图。
参照图9、图10、图11,薄膜沉积组件700包括沉积源710、沉积源喷嘴单元720、图案化缝隙片750。
虽然为了方便说明而在图9、图10、图11中没有示出室,但是薄膜沉积组件700的所有组件可以设置在保持在适当真空度的室内。将室保持在适当的真空,以允许沉积材料沿基本上为直线地运动通过薄膜沉积设备。
构成将沉积有沉积材料715的靶材的基底600设置在室中。包含并加热沉积材料715的沉积源710设置在室的与设置有基底600的一侧相对的一侧。沉积源710可以包括坩埚711和加热器712。
沉积源喷嘴单元720设置在沉积源710的一侧,具体地讲,在沉积源710的面对基底600的一侧。沉积源喷嘴单元720包括沿Y轴方向(即,基底600的扫描方向)按相等的间距布置的多个沉积源喷嘴721。在沉积源710中汽化的沉积材料715朝向基底600穿过沉积源喷嘴单元720。如上所述,当多个沉积源喷嘴721沿Y轴方向(即,基底600的扫描方向)形成在沉积源喷嘴单元720上时,由排放通过图案化缝隙片750中的每个图案化缝隙751的沉积材料形成的图案的尺寸仅受一个沉积源喷嘴721的尺寸的影响,即,可以考虑沿X轴方向存在一个沉积源喷嘴721,因此,在基底上不存在阴影区域。另外,因为多个沉积源喷嘴721形成为沿基底600的扫描方向,所以即使沉积源喷嘴721的流量存在差异,也可以补偿该差异,并可以恒定地保持沉积均匀性。
图案化缝隙片750和框架755设置在沉积源710和基底600之间,其中,图案化缝隙片750结合在框架755中。框架755可以按与窗口框架类似的格子形状形成。图案化缝隙片750结合在框架755内。图案化缝隙片750包括沿X轴方向布置的多个图案化缝隙751。在沉积源710中汽化的沉积材料715朝向基底600穿过沉积源喷嘴单元720和图案化缝隙片750。可以通过与在制造FMM(具体地讲,条纹式FMM)的传统方法中使用的方法相同的方法的蚀刻来制造图案化缝隙片750。
在薄膜沉积组件700中,可以通过将R、G、B子像素区域的图案化缝隙751安装为具有不同的长度来同时形成R子像素中的辅助层62R’(见图2)和G子像素中的辅助层62G’(见图2)。换句话说,图案化缝隙751包括第一图案化缝隙751a和第二图案化缝隙751b。就此,第一图案化缝隙751a形成为对应于R子像素区域,第二图案化缝隙751b形成为对应于G子像素区域。就此,用于形成R子像素中的最厚的辅助层62R’(见图2)的第一图案化缝隙151a需要是最长的,用于形成G子像素中的比辅助层62R’薄的辅助层62G’(见图2)的第二图案化缝隙751b需要比第一图案化缝隙751a短,在与B子像素对应的区域中不形成图案化缝隙。因为已经在前面的实施例中详细描述了图案化缝隙751,因此在这里将不在提供对它们的详细描述。
另外,沉积源710(和结合到沉积源710的沉积源喷嘴单元720)和图案化缝隙片750可以形成为彼此分开预定的距离。可选择地,可以通过连接构件735连接沉积源710(和结合到沉积源710的沉积源喷嘴单元720)和图案化缝隙片750。即,沉积源710、沉积源喷嘴单元720、图案化缝隙片750可以通过经连接构件735彼此连接而彼此一体地形成。连接构件735引导排放通过沉积源喷嘴721的沉积材料715直线运动,从而限制沉积材料715沿X轴方向的运动。在图9至图11中,连接构件735形成在沉积源710、沉积源喷嘴单元720、图案化缝隙片750的左侧和右侧上,以引导沉积材料715,从而限制沉积材料715沿X轴方向的运动,然而,本发明不限于此。即,连接构件735可以形成为密封式的盒子形状,以同时引导沉积材料715的流动,从而限制沉积材料715沿X轴方向和Y轴方向的运动。
如上所述,薄膜沉积组件700在相对于基底600移动的同时执行沉积。为了相对于基底600移动薄膜沉积组件700,图案化缝隙片750与基底600分开预定的距离。
如上所述,掩模形成为小于基底,在掩模相对于基底移动的同时执行沉积。因此,可以容易地制造掩模。另外,可以防止因在传统的沉积方法中出现的基底和FMM之间的接触导致的缺陷。另外,因为在沉积工艺期间不需要以与基底紧密接触的方式使用FMM,所以可以改善生产速度。
图12是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图。
参照图12,薄膜沉积设备包括多个薄膜沉积组件,每个薄膜沉积组件具有在图9至图11中示出的薄膜沉积组件700的结构。换句话说,该薄膜沉积设备可以包括同时排放用于形成辅助层R’和G’、R发射层、G发射层、B发射层的沉积材料的多沉积源。
具体地讲,该薄膜沉积设备包括第一薄膜沉积组件700、第二薄膜沉积组件800、第三薄膜沉积组件900、第四薄膜沉积组件1000。第一薄膜沉积组件700、第二薄膜沉积组件800、第三薄膜沉积组件900、第四薄膜沉积组件1000中的每个薄膜沉积组件的结构与参照图9至图11描述的薄膜沉积组件的结构相同,因此,将不在此处提供对它们的详细描述。
第一薄膜沉积组件700、第二薄膜沉积组件800、第三薄膜沉积组件900、第四薄膜沉积组件1000的沉积源可以分别包含不同的沉积材料。例如,第一薄膜沉积组件700可以包含用于形成辅助层R’和G’的沉积材料,第二薄膜沉积组件800可以包含用于形成R发射层的沉积材料,第三薄膜沉积组件900可以包含用于形成G发射层的沉积材料,第四薄膜沉积组件1000可以包含用于形成B发射层的沉积材料。
换句话说,在制造有机发光显示装置的传统方法中,单独的室和掩模用于形成每种色彩发射层。然而,当使用所述薄膜沉积设备时,可以利用单个的多沉积源同时形成辅助层R’和G’、R发射层、G发射层、B发射层。因此,制造有机发光显示装置所用的时间显著地缩短。另外,可以利用更少的室来制造有机发光显示装置,从而也可以显著地降低设备成本。
就此,第一薄膜沉积组件700的图案化缝隙片750可以包括长度不同的第一图案化缝隙751a和第二图案化缝隙751b,如上所述。这里,第一图案化缝隙751a形成为与R子像素区域对应,第二图案化缝隙751b形成为与G子像素区域对应。
另外,第二薄膜沉积组件800的图案化缝隙片850、第三薄膜沉积组件900的图案化缝隙片950、第四薄膜沉积组件1000的图案化缝隙片1050可以布置为相对于彼此偏移恒定的距离,使得基底600上的与图案化缝隙片850、950、1050对应的沉积区域不叠置。换句话说,当薄膜沉积组件800、900、1000分别用于沉积R发射层、G发射层、B发射层时,第二薄膜沉积组件800的图案化缝隙851、第三薄膜沉积组件900的图案化缝隙951、第四薄膜沉积组件1000的图案化缝隙1051布置为彼此不对齐,以在基底600的不同的区域中形成R发射层、G发射层、B发射层。
此外,用于形成R发射层、G发射层、B发射层的沉积材料可以具有不同的沉积温度。因此,可以将薄膜沉积组件700的沉积源710的温度、第二薄膜沉积组件800的沉积源810的温度、第三薄膜沉积组件900的沉积源910的温度,第四薄膜沉积组件1000的沉积源1010的温度设置成不同的。
虽然图12中示出的薄膜沉积设备包括四个薄膜沉积组件,但是本发明不限于此。换句话说,根据本发明各方面的薄膜沉积设备可以包括多个薄膜沉积组件,每个薄膜沉积组件包含不同的沉积材料。
如上所述,可以利用多个薄膜沉积组件同时形成多个薄膜,因此,改善了制造产率和沉积效率。此外,简化了整个制造工艺,降低了制造成本。
如上所述,根据本发明各方面的薄膜沉积设备,通过使用薄膜沉积设备来制造有机发光显示装置的方法、通过使用该方法制造的有机发光显示装置,薄膜沉积设备可以简单地用于大规模制造大尺寸显示装置。另外,可以容易地制造薄膜沉积设备和有机发光显示装置,薄膜沉积设备和有机发光显示装置可以具有高制造产率和沉积效率。
虽然已经参照本发明的示例性实施例具体示出并描述了本发明的各方面,但是本领域普通技术人员应该理解,在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下,可以在此进行形式和细节上的各种改变。
Claims (40)
1.一种薄膜沉积设备,该薄膜沉积设备用于在基底上形成薄膜,所述设备包括至少一个薄膜沉积组件,每个薄膜沉积组件包括:
沉积源,排放沉积材料;
沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的一侧处,并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;
图案化缝隙片,设置为与沉积源喷嘴单元相对,并包括沿第一方向布置的多个图案化缝隙;
障碍板组件,沿第一方向设置在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间,并包括将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间划分为多个子沉积空间的多个障碍板,
其中,所述薄膜沉积设备与基底分开预定的距离,所述薄膜沉积设备和基底能够相对于彼此移动,所述至少一个薄膜沉积组件中的一个薄膜沉积组件的图案化缝隙包括具有第一长度的第一图案化缝隙和具有与第一长度不同的第二长度的第二图案化缝隙,第一图案化缝隙和第二图案化缝隙交替设置,第一图案化缝隙形成为对应于薄膜的红色子像素区域,第二图案化缝隙形成为对应于薄膜的绿色子像素区域,第一图案化缝隙长于第二图案化缝隙。
2.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,图案化缝隙没有形成在图案化缝隙片的与蓝色子像素区域对应的区域中。
3.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,根据图案化缝隙的长度来控制沉积在基底上的沉积材料的量。
4.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,从沉积源排放的沉积材料同时沉积在薄膜的红色子像素区域和绿色子像素区域上。
5.如权利要求4所述的薄膜沉积设备,其中,沉积在薄膜的红色子像素区域上的沉积材料的厚度大于沉积在薄膜的绿色子像素区域上的沉积材料的厚度。
6.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,所述多个障碍板中的每个障碍板沿与第一方向垂直的第二方向延伸,以将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间划分为所述多个子沉积空间。
7.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,所述多个障碍板按相等的间距布置。
8.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,障碍板组件包括第一障碍板组件和第二障碍板组件,第一障碍板组件包括多个第一障碍板,第二障碍板组件包括多个第二障碍板。
9.如权利要求8所述的薄膜沉积设备,其中,每个第一障碍板和每个第二障碍板沿与第一方向垂直的第二方向延伸,以将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间划分为所述多个子沉积空间。
10.如权利要求8所述的薄膜沉积设备,其中,第一障碍板布置为分别与第二障碍板对应。
11.如权利要求10所述的薄膜沉积设备,其中,每对对应的第一障碍板和第二障碍板布置在同一平面上。
12.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,每个薄膜沉积组件的沉积源分别包含不同的沉积材料。
13.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,分别包含在每个薄膜沉积组件的沉积源中的沉积材料同时沉积在基底上。
14.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,薄膜沉积组件的数量至少为四,分别包含在该至少四个薄膜沉积组件中的每个薄膜沉积组件的沉积源中的沉积材料包含用于形成薄膜上的辅助层、红发射层、绿发射层、蓝发射层的材料。
15.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,能够单独地控制每个薄膜沉积组件的沉积源的沉积温度。
16.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,在基底相对于所述薄膜沉积设备移动的同时,从所述薄膜沉积设备排放的沉积材料连续地沉积在基底上。
17.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,所述薄膜沉积设备或基底能够沿与基底的表面平行的平面相对于彼此移动,在基底的该表面上沉积沉积材料。
18.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,每一个薄膜沉积组件的图案化缝隙片小于基底。
19.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,障碍板组件引导从沉积源排放的沉积材料。
20.一种薄膜沉积设备,该薄膜沉积设备用于在基底上形成薄膜,所述设备包括至少一个薄膜沉积组件,每个薄膜沉积组件包括:
沉积源,排放沉积材料;
沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的一侧处,并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;
图案化缝隙片,设置为与沉积源喷嘴单元相对,并包括沿与第一方向垂直的第二方向布置的具有不同长度的多个图案化缝隙;
其中,在基底沿第一方向相对于所述薄膜沉积设备移动的同时执行沉积,
沉积源、沉积源喷嘴单元、图案化缝隙片彼此一体化地形成,
所述至少一个薄膜沉积组件中的一个薄膜沉积组件的图案化缝隙包括具有第一长度的第一图案化缝隙和具有与第一长度不同的第二长度的第二图案化缝隙,第一图案化缝隙和第二图案化缝隙交替设置,第一图案化缝隙形成为对应于薄膜的红色子像素区域,第二图案化缝隙形成为对应于薄膜的绿色子像素区域,第一图案化缝隙长于第二图案化缝隙。
21.如权利要求20所述的薄膜沉积设备,其中,图案化缝隙没有形成在图案化缝隙片的与薄膜的蓝色子像素区域对应的区域中。
22.如权利要求20所述的薄膜沉积设备,其中,根据图案化缝隙的长度来控制沉积在基底上的沉积材料的量。
23.如权利要求20所述的薄膜沉积设备,其中,从沉积源排放的沉积材料同时沉积在薄膜的红色子像素区域和薄膜的绿色子像素区域上。
24.如权利要求23所述的薄膜沉积设备,其中,沉积在薄膜的红色子像素区域上的沉积材料的厚度大于沉积在薄膜的绿色子像素区域上的沉积材料的厚度。
25.如权利要求20所述的薄膜沉积设备,其中,沉积源和沉积源喷嘴单元与图案化缝隙片通过连接构件彼此连接。
26.如权利要求25所述的薄膜沉积设备,其中,连接构件引导排放的沉积材料的运动。
27.如权利要求25所述的薄膜沉积设备,其中,连接构件密封沉积源和沉积源喷嘴单元与图案化缝隙片之间的空间。
28.如权利要求20所述的薄膜沉积设备,其中,薄膜沉积设备与基底分开预定的距离。
29.如权利要求20所述的薄膜沉积设备,其中,在基底相对于所述薄膜沉积设备沿第一方向移动的同时,从所述薄膜沉积设备排放的沉积材料连续地沉积在基底上。
30.如权利要求20所述的薄膜沉积设备,其中,薄膜沉积设备的图案化缝隙片小于基底。
31.如权利要求20所述的薄膜沉积设备,其中,每一个薄膜沉积组件的沉积源分别包含不同的沉积材料。
32.如权利要求20所述的薄膜沉积设备,其中,分别包含在每一个薄膜沉积组件的沉积源中的沉积材料同时沉积在基底上。
33.如权利要求20所述的薄膜沉积设备,其中,所述至少一个薄膜沉积组件的数量至少为四,分别包含在该至少四个薄膜沉积组件中的每个薄膜沉积组件的沉积源中的沉积材料分别包含用于形成薄膜的辅助层、红发射层、绿发射层、蓝发射层的材料。
34.如权利要求31所述的薄膜沉积设备,其中,能够单独地控制每个薄膜沉积组件的沉积源的沉积温度。
35.一种使用薄膜沉积组件制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括如下步骤:
将薄膜沉积组件与由夹具固定地支撑的基底分开,并在薄膜沉积组件或由夹具固定地支撑的基底相对于彼此移动的同时在基底上执行沉积,
其中,所述薄膜沉积组件包括:沉积源,排放沉积材料;沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的一侧处,并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;图案化缝隙片,设置为与沉积源喷嘴单元相对,并包括沿第一方向布置的具有不同长度的多个图案化缝隙;障碍板组件,沿第一方向设置在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间,并包括将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间划分为多个子沉积空间的多个障碍板,其中,图案化缝隙彼此交替地设置,图案化缝隙形成为对应于薄膜的子像素区域。
36.如权利要求35所述的方法,其中,沉积材料包含有机材料,通过薄膜沉积组件在分别发射红光、绿光、蓝光的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素中形成厚度不同的辅助层。
37.一种使用如权利要求35所述的方法制造的有机发光显示装置。
38.一种制造有机发光显示装置的方法,所述方法包括如下步骤:
将薄膜沉积组件与由夹具固定地支撑的基底分开,并在薄膜沉积组件或由夹具固定地支撑的基底相对于彼此移动的同时在基底上执行沉积,
其中,所述薄膜沉积组件包括:沉积源,排放沉积材料;沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的一侧处,并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;图案化缝隙片,设置为与沉积源喷嘴单元相对,并包括沿与第一方向垂直的第二方向布置的具有不同长度的多个图案化缝隙,
其中,图案化缝隙彼此交替地设置,图案化缝隙形成为对应于薄膜的子像素区域。
39.如权利要求38所述的方法,其中,沉积材料包含有机材料,通过薄膜沉积组件在分别发射红光、绿光、蓝光的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素中形成厚度不同的辅助层。
40.一种使用如权利要求38所述的方法制造的有机发光显示装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020100003545A KR101174875B1 (ko) | 2010-01-14 | 2010-01-14 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR10-2010-0003545 | 2010-01-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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CN102169967A CN102169967A (zh) | 2011-08-31 |
CN102169967B true CN102169967B (zh) | 2015-11-25 |
Family
ID=44257835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201110021753.7A Active CN102169967B (zh) | 2010-01-14 | 2011-01-14 | 薄膜沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8859325B2 (zh) |
JP (1) | JP5677827B2 (zh) |
KR (1) | KR101174875B1 (zh) |
CN (1) | CN102169967B (zh) |
TW (1) | TW201130129A (zh) |
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- 2010-12-22 JP JP2010286214A patent/JP5677827B2/ja active Active
-
2011
- 2011-01-10 US US12/987,569 patent/US8859325B2/en active Active
- 2011-01-13 TW TW100101228A patent/TW201130129A/zh unknown
- 2011-01-14 CN CN201110021753.7A patent/CN102169967B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1489419A (zh) * | 2002-09-05 | 2004-04-14 | ������������ʽ���� | 有机电致发光显示装置的制造方法 |
CN1500904A (zh) * | 2002-10-21 | 2004-06-02 | 日本东北先锋公司 | 真空蒸镀装置及用该装置制造有机el显示面板的方法 |
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CN1818127A (zh) * | 2004-12-01 | 2006-08-16 | 三星Sdi株式会社 | 沉积源和包括沉积源的沉积设备 |
CN101997090A (zh) * | 2009-08-05 | 2011-03-30 | 三星移动显示器株式会社 | 薄膜沉积设备和制造有机发光显示装置的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110083358A (ko) | 2011-07-20 |
US8859325B2 (en) | 2014-10-14 |
CN102169967A (zh) | 2011-08-31 |
KR101174875B1 (ko) | 2012-08-17 |
TW201130129A (en) | 2011-09-01 |
JP5677827B2 (ja) | 2015-02-25 |
JP2011146377A (ja) | 2011-07-28 |
US20110168986A1 (en) | 2011-07-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20121115 |
|
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20121115 Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin Applicant after: Samsung Display Co., Ltd. Address before: South Korea Gyeonggi Do Yongin Applicant before: Samsung Mobile Display Co., Ltd. |
|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |