TW202030375A - 附載體銅箔及銅箔基板 - Google Patents

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Abstract

一種附載體銅箔，包括載體層以及設置於載體層上的超薄銅層，其中超薄銅層包括面向載體層的剝離面。當載體層被剝離於超薄銅層後，剝離面的實體體積(Vm)為0.09至0.27μm3 /μm2 ，且剝離面的鎳殘留量不大於60μg/dm2 。

Description

附載體銅箔及銅箔基板
本揭露係關於一種電沉積銅箔的技術領域，特別是關於一種附載體的電沉積銅箔及其銅箔基板。
隨著電子產品逐漸朝向輕薄以及傳輸高頻訊號的趨勢發展，對於銅箔和銅箔基板的需求也日益提昇。一般而言，銅箔基板的導電線路係由銅導線所構成，由於導電線路具有特定的布局設計，因此其可將電訊號沿著預定之路徑傳遞至預定區域。此外，隨著導電線路的線寬(line)/線間距(space)持續微小化，銅箔基板上的銅層的厚度通常會予以薄化，例如厚度薄於9μm，以滿足微小化的線寬/線間距的需求。然而，當銅箔厚度過薄，如低於5μm時，其機械強度通常不足，用於製造銅箔基板時常有破損的問題發生，故難以符合需求。而為了解決前述問題，現今已開發出附載體銅箔，其是透過載體層來補強過薄之銅箔的強度，以符合銅箔基板製造上的需要。
對於採用附載體銅箔之銅箔基板以製作導電線路的流程，其通常包括下述步驟：首先將附載體銅箔的銅層壓合至絕緣載板。後續將附載體銅箔中的載體層剝離，以暴露出銅層的表面，而製得包括絕緣載板和銅層的銅箔基板。繼以在銅箔基板的銅層的暴露面上設置光阻層，之後透過曝光、顯影製程，使得光阻層被圖案化，而形成圖案化光阻層。繼以施行蝕刻製程，以將圖案化光阻層的圖案轉移至銅層，以圖案化銅層。最後移除圖案化光阻層。藉由上述製程，便可製得具有導電線路圖案的銅箔基板。
然而，對於上述具有導電線路的銅箔基板，其仍存有諸多尚待克服的技術上的缺失。舉例而言，由於銅層的暴露面和圖案化光阻層間的附著性不佳，因此在將圖案化光阻層所構成的圖案轉移至銅層的蝕刻過程中，圖案化光阻層容易自銅層的表面剝離，因而使得圖案化光阻層所構成的圖案無法完整、精準被轉移至超薄銅層中，進而使得圖案化後的銅層無法具有預期的導電線路圖案，也無法達到預定的線寬/線間距尺寸。
因此，仍有必要提供一種附載體銅箔及銅箔基板，以解決先前技術中所存在之缺失。
有鑑於此，本揭露係提供有一種改良的附載體銅箔及銅箔基板，解決了先前技術中所存在的缺失。
根據本揭露的一實施例，係提供一種附載體銅箔。附載體銅箔包括載體層以及設置於載體層上的超薄銅層，其中超薄銅層包括面向載體層的剝離面。當載體層被剝離於超薄銅層後，剝離面的實體體積(Vm)為0.09至0.27μm3 /μm2 ，且剝離面的鎳殘留量不大於60μg/dm2 。
根據本揭露的另一實施例，係提供一種銅箔基板。銅箔基板包括載板以及設置於載板的至少一表面之上的超薄銅層，其中超薄銅層包括位於載板相反側的剝離面，剝離面的實體體積為0.09至0.27μm3 /μm2 ，且剝離面的鎳殘留量不大於60μg/dm2 。
根據上述實施例，由於超薄銅層的剝離面的實體體積為0.09至0.27μm3 /μm2 ，且剝離面的鎳殘留量不大於60μg/dm2 ，當後續在超薄銅層的剝離面上形成圖案化光阻層時，剝離面和圖案化光阻層間的附著性會更佳。藉由提昇剝離面和圖案化光阻層間的附著性，在後續將圖案化光阻層所構成的圖案轉移至超薄銅層的過程中，圖案化光阻層便不易自超薄銅層的表面剝離，因而可使得圖案化光阻層所構成的圖案完整、精準被轉移至超薄銅層中，進而使得圖案化後的超薄銅層可具有預期的導電線路圖案，也使得圖案化後的超薄銅層可以達到預定的線寬(line)/線間距(space)尺寸。
於下文中，係加以陳述附載體銅箔、銅箔基板及其製作方法的具體實施方式，俾使本技術領域中具有通常技術者可據以實施本發明。該些具體實施方式可參考相對應的圖式，使該些圖式構成實施方式之一部分。雖然本揭露之實施例揭露如下，然而其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範疇內，當可作些許之更動與潤飾。其中，各實施例以及實驗例所使用的方法，如無特別說明，則為常規方法。
針對本揭露中所提及的空間相關的敘述詞彙，「在…上」及「在…上方」等用語在本揭露中的含義應該以最寬泛方式來解釋，使得「在…上」及「在…上方」等用語不僅指直接處於某物上，而且還可以包括在有中間特徵或中間層位於二者之間的情況下而處於某物上，並且「在…上」或「在…上方」不僅指處於某物之上或上方，而且還可以包括在二者之間沒有中間特徵或中間層的情況下而處於在某物之上或上方（即直接處於某物上）之態樣。
此外，在下文中除非有相反的指示，本揭露及申請專利範圍所闡述的數值參數係約略數，其可視需要而變化，或至少應根據所揭露之有意義的位數數字並且使用通常的進位方式，以解讀各個數值參數。本揭露中，範圍可表示為從一端點至另一端點，或是在兩個端點之間。除非特別聲明，否則本揭露中的所有範圍皆包含端點。
須知悉的是，在不脫離本揭露的精神下，下文所描述的不同實施方式中的技術特徵彼此間可以被置換、重組、混合，以構成其他的實施例。
第1圖是根據本揭露一實施例所繪示的附載體銅箔的剖面示意圖。如第1圖所示，附載體銅箔100係至少包括載體層102和超薄銅層104，超薄銅層104係設置於載體層102的一側，且載體層102和超薄銅層104之間可以設置有剝離層106和抗遷移層108。其中，超薄銅層104可以是一複合層，包括依序設置的一電解銅層110、一粗糙層112、一鈍化層114以及一耦合層116。在本揭露中，「超薄銅層」的定義係涵蓋「厚度小於或等於5μm的含銅複合層」，例如厚度為0.2μm至3.5μm的含銅複合層。
其中，載體層102可以是透過電解沉積(或稱電解、電沉積、電鍍)製程而形成的金屬層，其材質可選自銅、鋁、鐵、鎳、或其等之合金，但不限定於此。載體層102可以具有相對設置的沉積面(deposited side)102A和輥筒面(drum side)102B，其中沉積面102A的十點平均粗糙度(Rz)可高於輥筒面(drum side)102B的十點平均粗糙度(Rz)。其中，十點平均粗糙度(Rz)係根據標準JIS B 0601-1994之定義。載體層102的厚度沒有一定限制，只要足以承載超薄銅層104，並提供足夠之機械強度即可，例如為18μm至35μm。
剝離層106和抗遷移層108可依序被設置在載體層102的沉積面102A或輥筒面102B上，其中剝離層106可以是一種密著促進層，其係用於賦予載體層102和超薄銅層104間的一定的附著性，但不至於讓載體層102在後續製程中難於被剝離超薄銅層104。舉例而言，剝離層106的組成可包括芳香雜環(heteroaromatic)化合物，例如1,2,3-苯並三唑(1,2,3-benzotriazole)、羧基苯並三氮唑(carboxybenzotriazole, CBTA)、N’,N’-雙(苯並三唑甲基)尿素(N’,N’-bis(benzotriazolylmethyl)urea)、1H-1,2,4-三唑(1H-1,2,4-triazole)、或3-胺基-1H-1,2,4-三唑(3-amino-1H-1,2,4-triazole)等，但不限定於此。另外，抗遷移層108和電解銅層110具有不同組成，舉例而言，抗遷移層108可以是含鎳層，其組成可以是純鎳、含有其他無機摻質的鎳或是含鎳合金，但不限定於此。其中，可與鎳形成合金之金屬選自但不限於鈷、鎢、鉬、鋅、錫、鉻及鐵。需注意的是，根據一些實施例，抗遷移層108可以選擇性地被省略。
超薄銅層104中的電解銅層110、粗糙層112、鈍化層114以及耦合層116係依序設置在載體層102上，使得剝離層106和抗遷移層108可以被設置於載體層102和超薄銅層104之間。其中，電解銅層110係透過電沉積製程而被形成於載體層102的銅層，其厚度通常小於或等於5μm。粗糙層112可以是單層或多層銅層，其可包括瘤狀結構(nodule)，因此可增進超薄銅層104的表面粗糙度。鈍化層114可以是金屬層或金屬合金層。其中，前述金屬層可以選自但不限於鎳、鋅、鉻、鈷、鉬、鐵、錫，及釩，例如是：鎳層、鎳鋅合金層、鋅層、鋅錫合金層或鉻層。此外，金屬層及金屬合金層可以是單層或多層結構，例如彼此堆疊的含鋅及含鎳的單層。當為多層結構時，各層間的堆疊順序可以依據需要而調整，並無一定限制，例如含鋅層疊於含鎳層上，或含鎳層疊於含鋅層上。耦合層116可以是由矽烷製成，其可選自但不限於3-胺基丙基三乙氧基矽烷(3-aminopropyltriethoxysilane, APTES)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane)、縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷((3-glycidyloxypropyl)triethoxysilane)、8-縮水甘油氧基辛基三甲氧基矽烷((8-glycidyloxyoctyl)trimethoxysilane)、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷(methacryloyl propyltriethoxysilane)、8-甲基丙烯醯氧基辛基三甲氧基矽烷(methacryloyl octyltrimethoxysilane)、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(methacryloyl propyltrimethoxysilane)、3-巰基丙基三甲氧基矽烷((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane)、3-縮水甘油丙基三甲氧基矽烷((3-glycidyloxypropyl)trimethoxysilane)，其係用於增進超薄銅層104與其他材料(例如載板)間的附著性。
進一步而言，超薄銅層104具有面向載體層102的一剝離面104A和位於剝離面104A相反側的一壓合面104B。如未特別指明，本揭露所指之剝離面104A，係指載體層102被剝離於超薄銅層104後，超薄銅層104所暴露出的表面。當載體層102被剝離於超薄銅層104後，該剝離面104A的實體體積(Vm)為0.09至0.27 μm3 /μm2 ，且剝離面104A的鎳殘留量不大於60 μg/dm2 ，較佳為25至54 μg/dm2 。此外，壓合面104B的十點平均粗糙度(Rz)為0.7至1.9 μm。對於壓合面104B的實體體積(Vm)、空隙體積(Vv)和兩者之間的差質而言，壓合面的實體體積(Vm)為0.25至0.37 μm3 /μm2 、壓合面的空隙體積(Vv)為0.28至0.47 μm3 /μm2 、且壓合面104B的實體體積(Vm)和空隙體積(Vv)間的差值為0.01至0.14 μm3 /μm2 。根據本實施例，耦合層116的外側即為超薄銅層104的壓合面104B。
第2圖是根據本揭露一實施例所繪示的銅箔基板的剖面示意圖。銅箔基板200係至少包括超薄銅層104和載板118，其中，超薄銅層104的壓合面104B係面向且直接接觸載板118。可藉由將第1圖所示的附載體銅箔100熱壓至載板118，並將附載體銅箔100中的載體層102剝離於超薄銅層104，而形成如第2圖所示之結構。當載體層102剝離於超薄銅層104時，超薄銅層104的剝離面104A會被暴露出，且剝離面104A的實體體積(Vm)為0.09至0.27 μm3 /μm2 ，且剝離面104A的鎳殘留量不大於60 μg/dm2 。
第3圖是超薄銅層表面高度和負載率(material ratio, mr)間的關係圖。上述實施例中所提及的實體體積(Vm)和空隙體積(Vv)係根據ISO 25178-2(2012)之定義，其量測結果可示例如第3圖所示。其中，實體體積(Vm)304之計算係將曲線下方及水平切割線上方所圍住的實體之體積予以積分，其中水平切割線係該曲線在負載率(material ratio, mr)為P2時所對應之高度。亦即，實體體積(Vm)304為負載率(mr)為0％至負載率(mr)為P2(80％)之區間內，高度水平線上方及曲線下方所圍繞的範圍。需注意的是，如未特別聲明，本揭露所指的實體體積(Vm)係負載率(mr)為0％至80％區間所計算之值，即負載率(mr)為80％時所計算出之實體體積(Vm)。
空隙體積(Vv)302之計算係將曲線上方及水平切割線下方所圍住的空隙之體積予以積分，其中水平切割線係該曲線在負載率(mr)為P1時所對應之高度。亦即，空隙體積(Vv)302為負載率(mr)為P1(10％)之高度水平線下方，至負載率(mr)為100％的區間內之曲線上方所圍繞的範圍。需注意的是，如未特別聲明，本揭露所指的空隙體積(Vv)係負載率(mr)10％至100％區間所計算之值，即負載率(mr)為10％時所計算出之空隙體積(Vv)。
具體而言，根據本揭露的實施例，由於超薄銅層104的剝離面104A的實體體積（Vm）為0.09至0.27 μm3 /μm2 ，且剝離面104A的鎳殘留量不大於60 μg/dm2 ，當後續在超薄銅層104的剝離面104A上形成圖案化光阻層時，剝離面104A與圖案化光阻層間有較佳的附著性。藉由提昇剝離面104A和圖案化光阻層間的附著性，在後續將圖案化光阻層所構成的圖案轉移至超薄銅層104的過程中，圖案化光阻層便不易自超薄銅層104的表面剝離，因而可使得圖案化光阻層所構成的圖案完整、精準被轉移至超薄銅層，進而使得圖案化後的超薄銅層可具有預期的導電線路圖案，也使得圖案化後的超薄銅層104可以達到預定的線寬(line)/線間距(space)尺寸。
此外，根據本揭露的實施例，由於超薄銅層104的壓合面104B的十點平均粗糙度(Rz)為0.7至1.9 μm，且壓合面104B的實體體積(Vm)和空隙體積(Vv)間的差值為0.01至0.14 μm3 /μm2 ，可以使得超薄銅層104和載板118間的剝離強度高於3 lb/in，代表圖案化後的超薄銅層104更不容易自載板118上剝離。
在下文中，係進一步針對附載體銅箔、銅箔基板以及具有導電線路圖案的銅箔基板的製作方法予以例示性地描述。
第4圖是根據本揭露一實施例所繪示的在載體層的一側形成剝離層和抗遷移層後的剖面示意圖。如第4圖所示，可以利用電解沉積(electrodeposition)的方式，在金屬陰極轉輪(drum)的表面上形成載體層102，例如是含銅載體層，載體層102遠離金屬陰極轉輪的一側係為沉積面(deposited side)102A，而載體層102面向金屬陰極轉輪的一側則為輥筒面(drum side)102B。之後，在載體層102的輥筒面102B依序設置剝離層106和抗遷移層108。其中，可以利用浸漬的方式以將剝離層106設置於載體層102上，而可利用電鍍之方式將抗遷移層108設置於剝離層106上。
第5圖是根據本揭露一實施例所繪示的在載體層的一側形成電解銅層和粗糙層後的剖面示意圖。在形成抗遷移層108之後，後續可以在抗遷移層108的表面上形成超薄銅層104。在此製程階段，超薄銅層104中的電解銅層110、粗糙層112及鈍化層114是透過電解沉積依序形成於抗遷移層108的表面上，而後再塗佈耦合層116於鈍化層114上，最後獲得類似如第1圖所示之結構。
繼以可以將附載體銅箔100熱壓至載板，並將附載體銅箔100中的載體層102剝離於超薄銅層104，以暴露出超薄銅層104的剝離面104A，而獲得類似如第2圖所示之銅箔基板200。需注意的是，在剝離載體層102之後，部分抗遷移層108，例如鎳金屬，會殘留於超薄銅層104的剝離面104A，而此鎳金屬可被視為是超薄銅層104的剝離面104A的一部分。此外，因為剝離層106和抗遷移層108的厚度極薄，所以透過電解沉積在載體層102上製備超薄銅層104時，載體層102的表面型態、電解液組分，及電解沉積條件皆會影響該剝離面104A的型態。因此，藉由選用不同表面型態的載體層、調整電解液組分，或控制電解沉積之條件，皆可調整剝離面104A的表面結構。
其中，上述載板118可採用電木板、高分子板，或玻璃纖維板，但並不限於此。所述高分子板的高分子成份可例舉如：環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resins)、聚酯樹脂(polyester resins)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resins)、壓克力(acrylics)、甲醛樹脂(formaldehyde resins)、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(bismaleimide triazine resins，又稱BT樹脂)、氰酸酯樹脂(cyanate ester resin)、含氟聚合物(fluoropolymers)、聚醚碸(poly ether sulfone)、纖維素熱塑性塑料(cellulosic thermoplastics)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚烯烴(polyolefins)、聚丙烯(polypropylene)、聚硫化物(polysulfide)、聚氨酯(polyurethane)、聚醯亞胺樹脂(polyimide)、液晶高分子(Liquid Crystal Polymer, LCP)、聚氧二甲苯(polyphenylene oxide, PPO)。上述玻璃纖維板可以是玻璃纖維不織物料浸泡於前述高分子(如：環氧樹脂)後所形成的預浸漬材料(prepreg)。
第6圖是根據本揭露一實施例所繪示的在超薄銅層的一側形成圖案化光阻層的示意圖。在完成如第2圖所述的銅箔基板200之後，可以在銅箔基板200的超薄銅層104的剝離面104A設置光阻，例如乾膜光阻，並藉由施行合適的曝光、顯影製程，以形成圖案化光阻層320。其中，圖案化光阻層320可構成一圖案，例如導電線路圖案。
第7圖是根據本揭露一實施例所繪示的形成圖案化超薄銅層的示意圖。在形成圖案化光阻層320之後，可以施行適當的蝕刻製程，例如濕式蝕刻製程，以將圖案化的光阻層320所構成的導電線路圖案轉移至超薄銅層104，而形成圖案化的超薄銅層410，其中圖案化的超薄銅層410包括導線圖案412和間距圖案414。根據本發明的實施例，由於超薄銅層104的剝離面104A和圖案化光阻層間的附著性較佳，因此在將圖案化光阻層320所構成的圖案轉移至超薄銅層104的過程中，圖案化光阻層320便不易自超薄銅層104的表面剝離，因而可使得圖案化光阻層320所構成的圖案完整、精準被轉移至超薄銅層中，進而使得圖案化的超薄銅層410可具有預期的導電線路圖案，也使得圖案化的超薄銅層410可以達到預定的線寬(line)/線間距(space)尺寸。至此，便獲得具有導電線路圖案的銅箔基板400。
第8圖是根據本揭露一實施例所繪示的去除圖案化光阻層後的示意圖。在完成如第7圖所述的具有導電線路圖案的銅箔基板400之後，繼以移除圖案化光阻層320，以暴露出超薄銅層104的剝離面104A。根據本揭露的實施例，由於超薄銅層104和載板118間的剝離強度高於3 lb/in，因此圖案化的超薄銅層410更不容易自載板118上剝離，使得圖案化的超薄銅層410的導線圖案412和間距圖案414可以完整設置在載板118上。
為了使本領域的通常知識者得據以實施本揭露，下文將進一步詳細描述本揭露之各具體實施例，以具體說明本揭露之附載體銅箔及銅箔基板，以及其和光阻層間的附著性。需注意的是，以下實施例僅為例示性，不應以其限制性地解釋本揭露。亦即，在不逾越本揭露範疇之情況下，可適當地改變各實施例中所採用之材料、材料之用量及比率以及處理流程等。
以下具體實施例及比較例係揭露附載體銅箔及銅箔基板的製作流程、附載體銅箔的表面粗糙度(Rz、Vv、Vm)的測試結果、光阻層和銅箔基板間的附著性測試結果、及超薄銅層和載板間的剝離強度測試結果。其中的部分參數和測試結果係記載於下表1、2中。
實施例1
〈i.製備載體層〉
將銅線溶解在濃度為50 wt.％的硫酸水溶液中，以製備硫酸銅電解液，其中硫酸銅電解液中各組成的濃度為320 g/L的硫酸銅（CuSO4 ˙5H2 O）和110 g/L的硫酸。接著，在每公升的硫酸銅電解液中，加入5.5 mg的低分子量凝膠（SV, Nippi, Inc.）、3 mg的3-巰基丙烷磺酸鈉(sodium 3-mercaptopropanesulfonate (MPS), Hopax Chemicals Manufacturing Company Ltd.製造）、及25 mg的鹽酸（RCI Labscan Ltd.）。
繼以可以在50℃的溶液溫度和50 A/dm2 的電流密度下進行電解沉積，以製備厚度為18 μm的電沉積(或稱電鍍)銅箔。其中，用於製備銅箔的裝置包括金屬陰極輥筒(或稱金屬陰極轉輪)和不溶性的金屬陽極。金屬陰極輥筒具有鏡面拋光的表面。依據標準JIS G 0552，前述鏡面拋光的表面具有數值為7之晶粒度數(grain size number)。金屬陰極輥筒在電解沉積的過程中可持續旋轉。不溶性的金屬陽極係大致配置在金屬陰極輥筒的下半部，以包圍金屬陰極輥筒的下半部。藉由將上述銅電解液流經陰極輥筒和陽極之間，並同時在陰極輥筒和陽極之間施加電流或電壓，便可以使銅電解沉積在陰極輥筒上，而形成銅箔。繼以可以將銅箔自陰極輥筒的表面剝離。透過上述的裝置，便可連續製造銅箔，此銅箔於後續便可作為附載體銅箔的載體層。
〈ii.製備剝離層〉
將上述厚度為18 μm的電解沉積銅箔浸漬於濃度為1000 ppm、溶液溫度為30℃的羧基苯並三氮唑(carboxybenzotriazole, CBTA)溶液中30秒，以於載體層上形成剝離層。
〈iii.製備抗遷移層〉
抗遷移層為可以選擇性地設置。其為使用含有300 g/L硫酸鎳（NiSO4 ˙7H2 O）和40 g/L硼酸（H3 BO3 ）的電解液進行製備。製備時將上述銅箔置於前述溶液中，再於溶液溫度為50℃的條件下，施加電流密度4 A/dm2 ，持續1秒，以在位於載體層輥筒面的剝離層上形成抗遷移層。實施例1的載體層上並未設置有抗遷移層。
〈iv.製備電解銅層〉
將銅線溶解在濃度為50 wt.％的硫酸水溶液中，以製備硫酸銅電解液，其中硫酸銅電解液中各組成的濃度為320 g/L的硫酸銅（CuSO4 ˙5H2 O）和110 g/L的硫酸。接著，在每公升的硫酸銅電解液中，加入5.5 mg的低分子量凝膠（SV, Nippi, Inc.製造）、3 mg的3-巰基丙烷磺酸鈉(sodium 3-mercaptopropanesulfonate (MPS), Hopax Chemicals Manufacturing Company Ltd.）、25 mg的鹽酸（RCI Labscan Ltd.）、9.5 mg的聚乙烯亞胺(polyethylenimine (PEI), 線性高分子, Mn = 5000, Sigma-Aldrich Company）、及6.8 mg的鄰苯甲醯磺醯亞胺（1,1-dioxo-1,2-benzothiazol-3-one (糖精), Sigma-Aldrich Company）。
繼以在50℃的溶液溫度下，以20 A/dm2 的電流密度持續45秒，以在載體層的輥筒面上進行電解沉積，形成厚度為3 μm的電解沉積銅層(或稱電解銅層)。
〈v.製備粗糙層〉
使用含有95 g/L硫酸銅（CuSO4 ˙5H2 O）、115 g/L硫酸、及3.5 ppm氯離子的硫酸銅電鍍液，並將上述銅箔置於其中。在25°C的溶液溫度下，施加電流密度50 A/dm2 ，持續10秒，以在電解銅層上形成組成為銅的瘤狀結構(nodule)。
為了防止瘤狀結構自電解銅層剝離，可進一步利用電解沉積，以於瘤狀結構上形成成份為銅的被覆層。在形成被覆層的過程中，係使用硫酸銅溶液，其中硫酸銅和硫酸的濃度分別為320 g/L和100 g/L，且電解液的溫度保持在40°C，電流密度為15 A/dm2 ，電解沉積10秒。
〈vi.製備鈍化層〉
使用鎳電解液，並將上述的具有粗糙層的銅箔置於其中，以於粗糙層上進行電解沉積，形成含鎳層。電解沉積條件如下：180 g/L的硫酸鎳（NiSO4 ·7H2 O）、30 g/L的硼酸（H3 BO3 ）、3.6 g/L的次磷酸鈉（NaH2 PO2 ）、溶液溫度為20°C、電鍍溶液pH為3.5、電流密度為0.2 A/dm2 、及電解沉積時間為3秒。待電解沉積完成後，用水洗滌電解沉積後的銅箔。
在完成鎳層製程後，於銅箔的兩側上進一步設置鋅層。在電解沉積過程中，硫酸鋅濃度保持為100 g/L、溶液pH為3.4、溶液溫度為50°C、並於電流密度為4 A/dm2 的條件下電解沉積2秒。完成鍍鋅製程後，用水洗滌電解沉積後的銅箔。
在完成鋅層製程後，進一步將前述設置了鋅層的銅箔置於鉻鍍浴中，以在前述銅箔的兩面分別鍍上鉻層。電解沉積條件如下：5 g/L的鉻酸、溶液溫度為35°C、溶液pH為11.5、電流密度為10 A/dm2 、及電解沉積時間為5秒。
〈vii.製備耦合層〉
待上述電鍍完成後，用水洗滌電鍍後的銅箔，但不乾燥銅箔表面，將銅箔設置於矽烷耦合劑的處理腔體中，並將濃度為0.25 wt.％的(3-胺基丙基)三乙氧基矽烷（3-aminopropyltriethoxysilane, APTES）溶液噴塗在鈍化層上，使得矽烷耦合劑吸附於鈍化層的表面。其中，矽烷耦合劑只會被形成於銅載體層的特定一側(即設置有粗化層的一側)，且矽烷耦合劑即構成耦合層。
至此，便完成實施例1的附載體銅箔，其中，耦合層的外側面即可視為是附載體銅箔的壓合面。
實施例2-18
實施例2-18的製造程序大致相同於實施例1的製造程序，其彼此間相異之製造參數係記載於下表1、2中。其中，實施例2至9未設置抗遷移層，但實施例10至18則有設置抗遷移層。
比較例1-10
比較例1-10的製造程序大致相同於實施例1的製造程序，其彼此間相異之製造參數結果係記載於下表1、2中。其中，比較例1至4未設置抗遷移層，但比較例5至10則有設置抗遷移層。
測試方法
通過下列所示之測試方法，將各具體實施例及比較例的量測結果記載於下表1、2中。
〈空隙體積(Vv)、實體體積(Vm)〉
根據標準ISO 25178-2(2012)，以雷射顯微鏡(LEXT OLS5000-SAF, Olympus)的表面紋理分析，測量各面的空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)。其中，以波長為405 nm的光源，利用100倍物鏡(MPLAPON-100x LEXT, Olympus）和1.0倍光學變焦，在129 μm × 129 μm的觀察面積、1024畫素×1024畫素的解析度作為量測條件。啟用雷射顯微鏡的自動傾斜消除功能，且未對圖像進行過濾。拍攝圖像時的空氣溫度為24±3℃、相對濕度為63±3％。其中，本處所指的實體體積(Vm)係指在負載率(material ratios)為80％所量測之數值；而空隙體積(Vv)係指在負載率為10％所量測之數值。實體體積(Vm)及空隙體積(Vv)的單位為μm3 /μm2 。
〈剝離面的實體體積(Vm)〉
將附載體銅箔的壓合面朝向BT樹脂（GHPL-830NX type A, Mitsubishi gas chemical co.），並將兩者壓合。壓合條件如下：溫度233°C、壓力580 psi、及壓合時間100分鐘。然後，再將附載體銅箔中的載體層剝離，以暴露出電解銅層的一側面(即剝離面)。施行上述〈空隙體積(Vv)、實體體積(Vm)〉中的量測方式，以量測電解銅層的剝離面的實體體積(Vm)。
〈壓合面的十點平均粗糙度Rz〉
根據標準JIS B 0601-1994，以表面粗糙度測量儀(SE 600 Series, Kosaka Laboratory Ltd.)檢測各實施例的附載體銅箔的壓合面的十點平均粗糙度(Rz)。具體量測條件如下：測針尖端的直徑為2 μm、測針尖端的錐角為90°、量測長度為4.0 mm、輪廓曲線過濾器的截止值為λc= 0.8 mm。
〈剝離面的鎳殘留量〉
將附載體銅箔切割成150×150 mm的尺寸，並在載體層和電解銅層的外側分別貼附一尼龍(Polyamide)高分子之保護層，以用於防止銅溶解。繼以將載體層剝離，以暴露出電解銅層的一側面(或稱為剝離面)。之後，將樣品進一步切割成100×100 mm的尺寸（面積＝1 dm2 ），然後將樣品放入培養皿中，並用20 ml的18％ HCl溶液和3 ml的30％ H2 O2 溶液於常溫(25℃)下浸泡樣品10分鐘。待電解銅層的剝離面的鎳完全溶解後，將溶液倒入50 ml的定量瓶中。後續用水沖洗培養皿，並收集至定量瓶中，致使定量瓶中的溶液達到預定體積。鎳含量係用電感耦合電漿體原子發射光譜儀(Inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy (ICP-AES), 型號iCAP7000, 購自Thermo 公司)加以測定。
〈光阻附著性測試〉
將附載體銅箔的壓合面朝向BT樹脂（GHPL-830NX type A, Mitsubishi gas chemical co.），並將兩者壓合。壓合條件如下：溫度233°C、壓力580 psi、及壓合時間100分鐘。然後，剝離附載體銅箔中的載體層，以暴露出電解銅層的剝離面。繼以將電解銅層的剝離面與乾膜光阻層（FF-9030A, Chang Chun plastics. co.）進行壓合，以形成積層板。其中壓合乾膜光阻層的條件為：65°C、3.0 kg/cm2 、3秒。
將乾膜光阻層壓合至電解銅層之後，在室溫下將積層板冷卻15分鐘。接著在積層板表面覆蓋曝光遮罩（L/S = 1/1、線性圖案布局、各線寬度為20至50 μm）。在曝光遮罩的遮蔽下，利用曝光機台(EXM-1201F, ORC)，在30 mJ/cm2 的能量強度下對積層板曝光15分鐘，使部分的乾膜光阻層交聯(cured)。
施行曝光製程後，將積層板在室溫下冷卻15分鐘。接下來，進行濕式顯影製程，將顯影劑噴塗至乾膜光阻層，以去除未交聯(uncured)的乾膜光阻層，而形成具有線性圖案的圖案化光阻層。其中，顯影條件為：29℃、1.0 wt.％的Na2 CO3 、噴塗壓力為1.2 kg/cm2 。
然後，以36 wt.%鹽酸水溶液+40 wt.%氯化鐵水溶液+超純水，體積比例1:1:1配置蝕刻液，蝕刻上述樣品，以將圖案化光阻層構成的圖案轉移至電解銅層中，而獲得圖案化的電解銅層。
可以利用各式曝光遮罩，以形成具有各式的圖案化的電解銅層。舉例而言，可以透過上述製程，以製備多組線寬以5 μm等差增加的樣品，例如線寬為20 μm的第一組、線寬為25 μm的第二組、及線寬為30 μm的第三組，且各組中包括5樣品。
當獲得圖案化的電解銅層時，觀察各組樣品是否產生圖案化光阻層自圖案化的電解銅層表面剝離的現象，以進行光阻層和電解銅層間的附著性的優劣評估。其評估標準如下：
A等級：對於線寬≤30 μm的特定組，該組中的5樣品均未產生圖案化光阻層自圖案化電解銅層表面剝離的現象。
B等級：對於線寬≤30 μm的特定組，該組中的5樣品有部分圖案化光阻層自圖案化電解銅層表面剝離的現象；但對於線寬＞30 μm的特定組，該組中的5樣品均未產生圖案化光阻層自圖案化電解銅層表面剝離的現象。
〈剝離強度〉
將附載體銅箔的壓合面向BT樹脂（GHPL-830NX type A, Mitsubishi gas chemical co.），並將兩者壓合，以形成積層板。壓合條件如下：溫度233°C、壓力580 psi、及壓合時間100分鐘。
之後，剝離載體層，以暴露出超薄銅層的剝離面。繼以在超薄銅層的剝離面上電解沉積厚度為32 μm的輔助銅層，使得超薄銅層和輔助銅層的總厚度達35 μm。
最後，使用萬能試驗機，以同時剝離總厚度為35μm的超薄銅層和輔助銅層，並分析剝離強度。
表1
  載體層 電解銅層
陰極輥筒的表面晶粒度數 (grain size number) 載體層輥筒面的Vv PEI (ppm) 糖精 (ppm) PEI+糖精 (ppm)
實施例1 7.0 0.23 9.5 6.8 16.3
實施例2 7.5 0.28 13 5.3 18.3
實施例3 7.5 0.28 9.5 5.3 14.8
實施例4 7.5 0.28 9.5 6.8 16.3
實施例5 7.5 0.28 6 3.8 9.8
實施例6 7.5 0.28 6 5.3 11.3
實施例7 9.0 0.35 6 5.3 11.3
實施例8 7.5 0.28 9.5 3.3 12.8
實施例9 7.5 0.28 13 8.2 21.2
比較例1 6.0 0.15 13 5.3 18.3
比較例2 7.5 0.28 17 5.3 22.3
比較例3 10.0 0.49 6 5.3 11.3
比較例4 10.0 0.49 13 5.3 18.3
表1 (延續)
  超薄銅層 光阻附著性 剝離強度 (lb/in)
剝離面的Vm (μm3 /μm2 ) 壓合面的Vv (μm3 /μm2 ) 壓合面的Vm (μm3 /μm2 ) 壓合面的Rz (μm) 壓合面的Vv-Vm (μm3 /μm2 )
實施例1 0.09 0.28 0.27 1.4 0.01 A 3.9
實施例2 0.12 0.39 0.25 0.7 0.14 A 3
實施例3 0.15 0.4 0.3 1.1 0.1 A 3.2
實施例4 0.16 0.29 0.28 0.9 0.01 A 4
實施例5 0.22 0.47 0.37 1.9 0.1 A 3.2
實施例6 0.21 0.38 0.34 1.6 0.04 A 3.7
實施例7 0.27 0.40 0.33 1.2 0.07 A 3.5
實施例8 0.15 0.55 0.31 1.3 0.24 A 2.2
實施例9 0.13 0.24 0.18 0.6 0.06 A 2.5
比較例1 0.07 0.38 0.26 1.9 0.12 B 3.1
比較例2 0.06 0.38 0.17 0.6 0.21 B 2.1
比較例3 0.36 0.40 0.33 0.7 0.07 B 3.4
比較例4 0.30 0.39 0.26 0.5 0.13 B 3
表2
  載體層 抗遷移層 電解銅層
  陰極輥筒的表面晶粒度數(grain size number) 載體層輥筒面的Vv 電鍍鎳的電流(A) 電鍍鎳的陰極面積(dm2) 電流密度(ASD) PEI (ppm) 糖精 (ppm) PEI+ 糖精 (ppm)
實施例10 7.0 0.23 4 1 4.00 9.5 6.8 16.3
實施例11 7.5 0.28 2.5 1 2.50 13 5.3 18.3
實施例12 7.5 0.28 4 1 4.00 9.5 5.3 14.8
實施例13 7.5 0.28 4 1.6 2.50 9.5 6.8 16.3
實施例14 7.5 0.28 4 1 4.00 6 3.8 9.8
實施例15 7.5 0.28 5.5 1 5.50 6 5.3 11.3
實施例16 9.0 0.35 4 1 4.00 6 5.3 11.3
實施例17 7.5 0.28 4 1 4.00 9.5 3.3 12.8
實施例18 7.5 0.28 4 1 4.00 13 8.2 21.2
比較例5 6.0 0.15 4 1 4.00 13 5.3 18.3
比較例6 7.5 0.28 4 1 4.00 17 5.3 22.3
比較例7 10.0 0.49 4 1 4.00 6 5.3 11.3
比較例8 10.0 0.49 4 1 4.00 13 5.3 18.3
比較例9 7.5 0.28 6 1.5 4.00 6 3.8 9.8
比較例10 9.0 0.35 5.5 2 2.75 6 5.3 11.3
表2 (延續)
  超薄銅層 光阻附著性 剝離強度 (lb/in)
  剝離面的Vm (μm3 /μm2 ) 壓合面的Vv (μm3 /μm2 ) 壓合面的Vm (μm3 /μm2 ) 壓合面的Rz (μm) 壓合面的 Vv-Vm (μm3 /μm2 ) 剝離面的 鎳殘留量(μg/dm2 )
實施例10 0.09 0.28 0.27 1.4 0.01 48 A 3.9
實施例11 0.12 0.39 0.25 0.7 0.14 27 A 3
實施例12 0.15 0.4 0.3 1.1 0.1 45 A 3.2
實施例13 0.16 0.29 0.28 0.9 0.01 26 A 4
實施例14 0.22 0.47 0.37 1.9 0.1 43 A 3.2
實施例15 0.21 0.38 0.34 1.6 0.04 54 A 3.7
實施例16 0.27 0.40 0.33 1.2 0.07 44 A 3.5
實施例17 0.15 0.55 0.31 1.3 0.24 44 A 2.2
實施例18 0.13 0.24 0.18 0.6 0.06 46 A 2.5
比較例5 0.07 0.38 0.26 1.9 0.12 46 B 3.1
比較例6 0.06 0.38 0.17 0.6 0.21 43 B 2.1
比較例7 0.36 0.40 0.33 0.7 0.07 44 B 3.4
比較例8 0.30 0.39 0.26 0.5 0.13 45 B 3
比較例9 0.22 0.47 0.37 1.9 0.1 69 B 3.2
比較例10 0.33 0.40 0.33 1.2 0.07 44 B 3.5
根據上述的實施例1-18，當電解銅層的剝離面的實體體積（Vm）為0.09至0.27 μm3 /μm2 ，且剝離面的鎳殘留量不大於60 μg/dm2 時，剝離面和圖案化光阻層間的附著性可以達到A等級，優於比較例1-10的B等級。因此，圖案化光阻層便不易自電解銅層的表面剝離，因而可使得圖案化光阻層所構成的圖案完整、精準被轉移至電解銅層中，進而使得圖案化後的電解銅層可具有預期的導電線路圖案，也使得圖案化後的電解銅層可以達到預定的線寬(line)/線間距(space)尺寸。
此外，根據上述的實施例1-7及10-16，當電解銅層的壓合面的十點平均粗糙度(Rz)為0.7至1.9 μm，且壓合面的實體體積(Vm)和空隙體積(Vv)間的差值為0.01至0.14 μm3 /μm2 時，可以使得電解銅層和BT樹脂間的剝離強度高於3 lb/in，此剝離強度明顯高於比較例2、6的剝離強度(2.1 lb/in)，代表圖案化後的電解銅層更不容易自樹脂剝離。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100:附載體銅箔 102:載體層 102A:沉積面 102B:輥筒面 104:超薄銅層 104A:剝離面 104B:壓合面 106:剝離層 108:抗遷移層 110:電解銅層 112:粗糙層 114:鈍化層 116:耦合層 118:載板 200:銅箔基板 302:空隙體積 304:實體體積 320:圖案化光阻層 400:銅箔基板 410:圖案化的超薄銅層 412:導線圖案 414:間距圖案
第1圖是根據本揭露一實施例所繪示的附載體銅箔的剖面示意圖。 第2圖是根據本揭露一實施例所繪示的銅箔基板的剖面示意圖。 第3圖是超薄銅層表面高度和負載率間的關係圖。 第4圖是根據本揭露一實施例所繪示的在載體層的一側形成剝離層和抗遷移層後的剖面示意圖。 第5圖是根據本揭露一實施例所繪示的在載體層的一側形成電解銅層和粗糙層後的的剖面示意圖。 第6圖是根據本揭露一實施例所繪示的在超薄銅層的一側形成圖案化光阻層的示意圖。 第7圖是根據本揭露一實施例所繪示的形成圖案化超薄銅層的示意圖。 第8圖是根據本揭露一實施例所繪示的去除圖案化光阻層後的示意圖。
100:附載體銅箔
102:載體層
102A:沉積面
102B:輥筒面
104:超薄銅層
104A:剝離面
104B:壓合面
106:剝離層
108:抗遷移層
110:電解銅層
112:粗糙層
114:鈍化層
116:耦合層

Claims (10)

  1. 一種附載體銅箔，包括： 一載體層；以及 一超薄銅層，設置於該載體層上，其中該超薄銅層包括面向該載體層的一剝離面， 其中，當該載體層被剝離於該超薄銅層後，該剝離面的實體體積(Vm)為0.09至0.27μm3 /μm2 ，且該剝離面的鎳殘留量不大於60μg/dm2 。
  2. 如請求項1所述的附載體銅箔，其中該超薄銅層進一步包括位於該剝離面相反側的一壓合面，其中，該壓合面的十點平均粗糙度(Rz)為0.7至1.9μm，且該壓合面的實體體積(Vm)和空隙體積(Vv)間的差值為0.01至0.14μm3 /μm2 。
  3. 如請求項2所述的附載體銅箔，其中該壓合面的空隙體積(Vv)為0.28至0.47μm3 /μm2 。
  4. 如請求項2所述的附載體銅箔，其中該壓合面的實體體積(Vm)為0.25至0.37μm3 /μm2 。
  5. 如請求項2所述的附載體銅箔，其中該超薄銅層進一步包括依序設置的一粗糙層、一鈍化層以及一耦合層，其中該耦合層的外側即為該壓合面，且該壓合面的十點平均粗糙度(Rz)高於該剝離面的十點平均粗糙度(Rz)。
  6. 如請求項1所述的附載體銅箔，進一步包括一抗遷移層，該抗遷移層設置於該載體層和該超薄銅層之間，其中該抗遷移層和該超薄銅層具有不同組成。
  7. 如請求項6所述的附載體銅箔，其中該抗遷移層含有鎳。
  8. 如請求項7所述的附載體銅箔，其中當該載體層被剝離於該超薄銅層後，該剝離面的鎳殘留量為25至54μg/dm2 。
  9. 如請求項1所述的附載體銅箔，進一步包括一剝離層，設置於該載體層和該超薄銅層之間，其中該剝離層的組成包括芳香雜環(heteroaromatic)化合物。
  10. 一種銅箔基板，包括： 一載板；以及 一超薄銅層，設置於該載板的至少一表面之上，其中該超薄銅層包括位於該載板相反側的一剝離面，該剝離面的實體體積(Vm)為0.09至0.27μm3 /μm2 ，且該剝離面的鎳殘留量不大於60μg/dm2 。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI812037B (zh) * 2021-03-05 2023-08-11 大陸商南通越亞半導體有限公司 臨時承載板及其製作方法和封裝基板的製造方法

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11251430B2 (en) 2018-03-05 2022-02-15 The Research Foundation For The State University Of New York ϵ-VOPO4 cathode for lithium ion batteries
US10581081B1 (en) * 2019-02-01 2020-03-03 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for negative electrode current collector of lithium ion secondary battery
DE112020003552T5 (de) * 2019-07-26 2022-04-07 Toyo Kohan Co., Ltd. Aufgerautes nickelplattiertes Material und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI740515B (zh) 2019-12-23 2021-09-21 長春人造樹脂廠股份有限公司 液晶高分子膜及包含其之積層板
WO2022085371A1 (ja) * 2020-10-22 2022-04-28 古河電気工業株式会社 電解銅箔、リチウムイオン二次電池用負極、及びリチウムイオン二次電池
WO2022244826A1 (ja) * 2021-05-20 2022-11-24 三井金属鉱業株式会社 粗化処理銅箔、キャリア付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
CN117321254A (zh) * 2021-05-20 2023-12-29 三井金属矿业株式会社 粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
JP7366436B2 (ja) 2021-05-31 2023-10-23 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板、及びプリント配線板
JPWO2022255420A1 (zh) * 2021-06-03 2022-12-08
TWI760249B (zh) * 2021-06-16 2022-04-01 長春石油化學股份有限公司 電解銅箔及銅箔基板
CN115589667B (zh) * 2021-07-06 2023-09-08 长春石油化学股份有限公司 表面处理铜箔及铜箔基板
US11540389B1 (en) 2021-07-06 2022-12-27 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated copper foil and copper clad laminate
TWI809441B (zh) * 2021-07-06 2023-07-21 長春石油化學股份有限公司 表面處理銅箔及銅箔基板
CN115413119B (zh) * 2021-07-06 2023-03-24 长春石油化学股份有限公司 表面处理铜箔及铜箔基板
US20230019067A1 (en) 2021-07-06 2023-01-19 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated copper foil and copper clad laminate
WO2023281774A1 (ja) * 2021-07-09 2023-01-12 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
WO2023281775A1 (ja) * 2021-07-09 2023-01-12 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
KR102517417B1 (ko) 2021-07-09 2023-04-03 주식회사 다이브 반도체용 동박의 제조방법 및 이를 이용한 반도체용 동박
WO2023281777A1 (ja) * 2021-07-09 2023-01-12 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
KR20230154808A (ko) * 2021-07-09 2023-11-09 제이엑스금속주식회사 표면 처리 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판
WO2023281778A1 (ja) * 2021-07-09 2023-01-12 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
CA3172526A1 (en) * 2021-10-07 2023-04-07 Circuit Foil Luxembourg Copper foil with high energy at break and secondary battery comprising the same
TWI778833B (zh) * 2021-10-18 2022-09-21 長春石油化學股份有限公司 聚合物膜及其應用
TWI781818B (zh) * 2021-11-05 2022-10-21 長春石油化學股份有限公司 表面處理銅箔及銅箔基板
CN117916553A (zh) * 2021-12-22 2024-04-19 三井金属矿业株式会社 铜箔的表面参数的测定方法、铜箔的筛选方法以及表面处理铜箔的制造方法
LU501394B1 (en) 2022-02-07 2023-08-07 Circuit Foil Luxembourg Surface-treated copper foil for high-frequency circuit and method for producing the same
CN114657610A (zh) * 2022-03-28 2022-06-24 电子科技大学 一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法
GB2618129A (en) * 2022-04-28 2023-11-01 Airbus Operations Ltd Multi-material joint
CN114990654B (zh) * 2022-06-02 2024-04-26 山东金宝电子有限公司 一种电解铜箔表面处理工艺与hvlp铜箔产品及其应用
WO2024070247A1 (ja) * 2022-09-28 2024-04-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
WO2024070248A1 (ja) * 2022-09-28 2024-04-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
WO2024070245A1 (ja) * 2022-09-28 2024-04-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板

Family Cites Families (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3927208A (en) * 1973-05-14 1975-12-16 Rit Rech Ind Therapeut Live bovine adenovirus vaccines, preparation thereof and method of vaccination using them
US4876899A (en) 1988-10-31 1989-10-31 Texas Instruments Incorporated Torque sensing device
JPH0787270B2 (ja) 1992-02-19 1995-09-20 日鉱グールド・フォイル株式会社 印刷回路用銅箔及びその製造方法
JP3500072B2 (ja) 1998-07-27 2004-02-23 新日本製鐵株式会社 電解金属箔製造ドラム用チタン材およびその製造方法
JP2000119892A (ja) 1998-10-12 2000-04-25 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 電気銅の製造方法およびこの方法により得られた電気銅
JP3850155B2 (ja) 1998-12-11 2006-11-29 日本電解株式会社 電解銅箔、二次電池の集電体用銅箔及び二次電池
JP2001192879A (ja) 2000-01-13 2001-07-17 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 電気銅製造用の種板成形ロールおよびそれを用いて成形された電気銅製造用の種板、ならびに該種板を用いて電気銅を製造する方法および該方法により得られた電気銅
JP4441642B2 (ja) 2000-12-27 2010-03-31 三井金属鉱業株式会社 電解銅箔製造用のチタン製カソード電極、そのチタン製カソード電極を用いた回転陰極ドラム、チタン製カソード電極に用いるチタン材の製造方法及びチタン製カソード電極用チタン材の矯正加工方法
JP3850321B2 (ja) 2002-03-19 2006-11-29 日本電解株式会社 二次電池
JP4094395B2 (ja) 2002-04-10 2008-06-04 新日本製鐵株式会社 電解Ｃｕ箔製造ドラム用チタン板およびその製造方法
TW200403358A (en) * 2002-08-01 2004-03-01 Furukawa Circuit Foil Electrodeposited copper foil and electrodeposited copper foil for secondary battery collector
TW200424359A (en) 2003-02-04 2004-11-16 Furukawa Circuit Foil Copper foil for high frequency circuit, method of production and apparatus for production of same, and high frequency circuit using copper foil
JP4061211B2 (ja) 2003-02-20 2008-03-12 新日本製鐵株式会社 電解銅箔製造用カソード電極に用いるチタン合金及びその製造方法
JP4273309B2 (ja) 2003-05-14 2009-06-03 福田金属箔粉工業株式会社 低粗面電解銅箔及びその製造方法
CN100375908C (zh) 2003-06-18 2008-03-19 旭化成株式会社 抗反射膜
JP4567360B2 (ja) 2004-04-02 2010-10-20 三井金属鉱業株式会社 銅箔の製造方法及びその製造方法で得られる銅箔
JP2006103189A (ja) * 2004-10-06 2006-04-20 Furukawa Circuit Foil Kk 表面処理銅箔並びに回路基板
CN2752274Y (zh) 2004-12-29 2006-01-18 北京远创铜箔设备有限公司 制备铜箔的电解装置
JP2006253345A (ja) 2005-03-10 2006-09-21 Furukawa Circuit Foil Kk 高純度電解銅箔及びその製造方法
TW200738913A (en) 2006-03-10 2007-10-16 Mitsui Mining & Smelting Co Surface treated elctrolytic copper foil and process for producing the same
US8449987B2 (en) 2006-06-12 2013-05-28 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Rolled copper or copper alloy foil with roughened surface and method of roughening rolled copper or copper alloy foil
JP4743020B2 (ja) 2006-06-26 2011-08-10 ソニー株式会社 電極集電体及びその製造方法、電池用電極及びその製造方法、並びに二次電池
CN1995469B (zh) 2006-11-28 2011-06-15 山东金宝电子股份有限公司 高温高延展电解铜箔制造工艺
WO2008111315A1 (ja) 2007-03-13 2008-09-18 Panasonic Corporation リチウム二次電池用負極およびその製造方法、ならびにリチウム二次電池用負極を備えたリチウム二次電池
WO2008132987A1 (ja) 2007-04-20 2008-11-06 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. リチウム二次電池用電解銅箔及び該銅箔の製造方法
CN101302635B (zh) * 2008-01-18 2010-12-08 梁国柱 钢铁件酸性预镀铜电镀添加剂及预镀工艺
TWI434965B (zh) 2008-05-28 2014-04-21 Mitsui Mining & Smelting Co A roughening method for copper foil, and a copper foil for a printed wiring board which is obtained by the roughening method
JP5235542B2 (ja) 2008-07-15 2013-07-10 キヤノン株式会社 像振れ補正装置またはそれを備えたレンズ装置、撮像装置並びに像振れ補正装置の制御方法
WO2010027052A1 (ja) 2008-09-05 2010-03-11 古河電気工業株式会社 キャリア付き極薄銅箔、並びに銅貼積層板またはプリント配線基板
FR2938522B1 (fr) 2008-11-20 2010-12-17 Inst Francais Du Petrole Procede de production d'hydrogene avec captation totale du co2 et recyclage du methane non converti
JP5437155B2 (ja) 2009-05-08 2014-03-12 古河電気工業株式会社 ２次電池用負極、電極用銅箔、２次電池および２次電池用負極の製造方法
EP2457725B1 (en) 2009-07-24 2018-11-28 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resin composite electrolytic copper foil, copper-clad laminate, and printed wiring board
JP4927963B2 (ja) * 2010-01-22 2012-05-09 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔、その製造方法及び銅張積層基板
JP5103496B2 (ja) 2010-03-09 2012-12-19 日立ビークルエナジー株式会社 リチウムイオン二次電池
JP2011192879A (ja) 2010-03-16 2011-09-29 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の製造方法
CN102234823B (zh) 2010-04-28 2013-11-06 长春石油化学股份有限公司 用于制造电解铜箔的铜料以及电解铜箔的制造方法
JP5654581B2 (ja) 2010-05-07 2015-01-14 Jx日鉱日石金属株式会社 印刷回路用銅箔、銅張積層板、印刷回路基板、印刷回路及び電子機器
TWI417424B (zh) 2010-11-08 2013-12-01 Chang Chun Petrochemical Co 多孔性銅箔之製造方法
TWI466367B (zh) 2010-12-27 2014-12-21 Furukawa Electric Co Ltd A lithium ion secondary battery, an electrode for the secondary battery, an electrode for an electrolytic copper foil
JP5617611B2 (ja) 2010-12-27 2014-11-05 日立金属株式会社 引張強度に優れる複合金属箔
JP2012172198A (ja) 2011-02-22 2012-09-10 Jx Nippon Mining & Metals Corp 電解銅箔及びその製造方法
TWI467833B (zh) 2011-07-20 2015-01-01 Lg Chemical Ltd 隔離膜、其之製造方法及包含其之電化學裝置
CN103392028B (zh) * 2011-08-31 2016-01-06 Jx日矿日石金属株式会社 附载体铜箔
CN102418129A (zh) 2011-11-18 2012-04-18 山东金宝电子股份有限公司 一种高Tg、无卤素板用铜箔的表面处理工艺
JP2013133514A (ja) 2011-12-27 2013-07-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 銅箔、二次電池の電極、二次電池、並びにプリント回路基板
MY172405A (en) 2012-03-29 2019-11-23 Jx Nippon Mining & Metals Corp Surface-treated copper foil
KR20130127031A (ko) * 2012-05-10 2013-11-22 현대자동차주식회사 금속 합금 전극 리튬이온 이차전지 음극소재 및 이의 제조 방법
JP2014015674A (ja) 2012-06-11 2014-01-30 Sh Copper Products Corp 圧延銅箔、および銅張積層板
WO2014038716A1 (ja) 2012-09-10 2014-03-13 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板
JP5481577B1 (ja) * 2012-09-11 2014-04-23 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付き銅箔
JP6415033B2 (ja) 2012-09-11 2018-10-31 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法
KR20140034698A (ko) * 2012-09-12 2014-03-20 주식회사 두산 동박의 표면처리 방법 및 그 방법으로 표면처리된 동박
JP5358739B1 (ja) 2012-10-26 2013-12-04 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板、及び、プリント配線板の製造方法
CN104812945B (zh) 2012-11-26 2018-08-28 Jx日矿日石金属株式会社 表面处理电解铜箔、积层板、印刷配线板、及电子机器
CN102965698B (zh) 2012-11-28 2015-09-09 山东金宝电子股份有限公司 低翘曲电解铜箔生产工艺
JP5578383B2 (ja) 2012-12-28 2014-08-27 Ｔｏｔｏ株式会社 耐プラズマ性部材
TWI539033B (zh) * 2013-01-07 2016-06-21 Chang Chun Petrochemical Co Electrolytic copper foil and its preparation method
US20150270577A1 (en) 2013-01-15 2015-09-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lithium secondary battery
TWI518210B (zh) 2013-01-31 2016-01-21 三井金屬鑛業股份有限公司 電解銅箔、該電解銅箔之製造方法及使用該電解銅箔而得之表面處理銅箔
JP6116949B2 (ja) 2013-03-14 2017-04-19 新光電気工業株式会社 発光素子搭載用の配線基板、発光装置、発光素子搭載用の配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法
JP6403969B2 (ja) 2013-03-29 2018-10-10 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
CN104125711B (zh) 2013-04-26 2017-10-24 Jx日矿日石金属株式会社 高频电路用铜箔、覆铜板、印刷布线板、带载体的铜箔、电子设备及印刷布线板的制造方法
JP6166614B2 (ja) 2013-07-23 2017-07-19 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
US9955583B2 (en) 2013-07-23 2018-04-24 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed wiring board, copper clad laminate and method for producing printed wiring board
KR101497824B1 (ko) * 2013-08-20 2015-03-04 고려대학교 산학협력단 리튬 이차 전지용 애노드, 이의 형성 방법 및 리튬 이차 전지
MY182166A (en) 2013-09-20 2021-01-18 Namics Corp Copper foil, copper foil with carrier foil, and copper-clad laminate
KR101502373B1 (ko) 2013-10-14 2015-03-16 일진머티리얼즈 주식회사 전해동박, 이를 포함하는 전기부품 및 전지
KR101571060B1 (ko) 2013-11-28 2015-11-24 일진머티리얼즈 주식회사 전해동박, 이를 포함하는 전기부품 및 전지, 및 전해동박 제조방법
JP5710737B1 (ja) 2013-11-29 2015-04-30 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔、積層板、プリント配線板、プリント回路板及び電子機器
JP5819569B1 (ja) 2013-12-10 2015-11-24 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
WO2015104999A1 (ja) 2014-01-07 2015-07-16 古河電気工業株式会社 電解銅箔、リチウムイオン二次電池用負極電極及びリチウムイオン二次電池、プリント配線板並びに電磁波シールド材
WO2015111756A1 (ja) 2014-01-27 2015-07-30 三井金属鉱業株式会社 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
TWI542739B (zh) 2014-03-21 2016-07-21 長春石油化學股份有限公司 電解銅箔
WO2015151935A1 (ja) 2014-03-31 2015-10-08 三井金属鉱業株式会社 キャリア箔付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
TWI616122B (zh) 2014-05-28 2018-02-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp 表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器、表面處理銅箔的製造方法及印刷配線板的製造方法
JP5788062B1 (ja) 2014-06-20 2015-09-30 古河電気工業株式会社 全固体電池用負極集電体及び全固体電池
KR101988778B1 (ko) * 2014-09-09 2019-06-12 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 프린트 배선판용 동박 및 구리 피복 적층판
JP6867102B2 (ja) * 2014-10-22 2021-04-28 Ｊｘ金属株式会社 銅放熱材、キャリア付銅箔、コネクタ、端子、積層体、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法
JP5871443B1 (ja) 2015-01-08 2016-03-01 古河電気工業株式会社 銅合金板材およびその製造方法
KR101852671B1 (ko) * 2015-01-21 2018-06-04 제이엑스금속주식회사 캐리어 부착 동박, 적층체, 프린트 배선판, 및, 프린트 배선판의 제조 방법
WO2016117711A1 (ja) 2015-01-23 2016-07-28 古河電気工業株式会社 金属部材と樹脂モールドとの複合体および樹脂モールドとの複合体形成用金属部材
CN105986288A (zh) 2015-02-28 2016-10-05 日进材料股份有限公司 电解铜箔、包含该电解铜箔的电气部件及电池
JP6014186B2 (ja) 2015-03-03 2016-10-25 イルジン マテリアルズ カンパニー リミテッドＩｌｊｉｎ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 電解銅箔、これを含む電気部品および電池
US9899683B2 (en) * 2015-03-06 2018-02-20 Iljin Materials Co., Ltd. Electrolytic copper foil, electric component and battery including the same
EP3067442A1 (en) 2015-03-09 2016-09-14 Iljin Materials Co., Ltd. Electrolytic copper foil, electric component and battery including the same
KR102122425B1 (ko) 2015-06-18 2020-06-12 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 리튬 이차전지용 전해동박 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
JP6236120B2 (ja) 2015-06-24 2017-11-22 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
CN104992998B (zh) 2015-06-30 2017-01-18 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 一种晶硅组件用导热背板及其制备方法
CN107614760B (zh) 2015-07-03 2018-07-13 三井金属矿业株式会社 粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板和印刷电路板
JP6782561B2 (ja) 2015-07-16 2020-11-11 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
MY186397A (en) * 2015-07-29 2021-07-22 Namics Corp Roughened copper foil, copper-clad laminate, and printed wiring board
JP6339636B2 (ja) 2015-08-06 2018-06-06 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6190500B2 (ja) 2015-08-06 2017-08-30 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6200042B2 (ja) * 2015-08-06 2017-09-20 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6543141B2 (ja) 2015-09-01 2019-07-10 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 Ｓｎめっき材およびその製造方法
KR102473557B1 (ko) 2015-09-24 2022-12-01 에스케이넥실리스 주식회사 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR20180058735A (ko) 2015-09-25 2018-06-01 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 전해 동박, 그 전해 동박을 사용한 각종 제품
JP6498091B2 (ja) 2015-09-25 2019-04-10 Ｊｘ金属株式会社 表面処理金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器
US9397343B1 (en) 2015-10-15 2016-07-19 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil exhibiting anti-swelling properties
US9709348B2 (en) 2015-10-27 2017-07-18 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Heat-dissipating copper foil and graphene composite
CN108349153B (zh) * 2015-11-05 2020-04-03 东丽株式会社 双轴取向聚丙烯膜、金属膜层叠膜和膜电容器
JP6854114B2 (ja) * 2016-01-04 2021-04-07 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔
US9707738B1 (en) 2016-01-14 2017-07-18 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil and methods of use
TWI719110B (zh) 2016-01-15 2021-02-21 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 銅箔、覆銅積層板、印刷配線板之製造方法、電子機器之製造方法、傳輸線之製造方法及天線之製造方法
KR102338103B1 (ko) 2016-04-14 2021-12-10 미쓰이금속광업주식회사 표면 처리 동박, 캐리어를 구비하는 동박, 그리고 그것들을 사용한 동장 적층판 및 프린트 배선판의 제조 방법
JP2017193778A (ja) * 2016-04-15 2017-10-26 Ｊｘ金属株式会社 銅箔、高周波回路用銅箔、キャリア付銅箔、高周波回路用キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
US9673646B1 (en) 2016-08-19 2017-06-06 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated electrolytic copper foil and method for wireless charging of flexible printed circuit board
CN106350862B (zh) 2016-08-30 2018-08-24 灵宝金源朝辉铜业有限公司 一种压延铜箔粗化处理方法
KR102394462B1 (ko) 2016-09-06 2022-05-03 타츠타 전선 주식회사 전자파 실드 필름
CN109642338B (zh) 2016-09-12 2021-02-09 古河电气工业株式会社 铜箔以及具有该铜箔的覆铜板
US10263257B2 (en) 2016-09-22 2019-04-16 Grst International Limited Electrode assemblies
KR20180040754A (ko) 2016-10-12 2018-04-23 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 핸들링이 용이한 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR101755203B1 (ko) * 2016-11-11 2017-07-10 일진머티리얼즈 주식회사 이차전지용 전해동박 및 그의 제조방법
US9955588B1 (en) 2016-11-28 2018-04-24 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Multilayer carrier foil
KR102268478B1 (ko) 2016-12-14 2021-06-22 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 표면 처리 동박 및 동 클래드 적층판
KR20180080514A (ko) * 2017-01-04 2018-07-12 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 높은 내부식성을 갖고 활물질과의 접착력이 우수한 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR20180080512A (ko) 2017-01-04 2018-07-12 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 최적화된 피크 조도를 갖는 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR20180083515A (ko) 2017-01-13 2018-07-23 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 울음 불량이 실질적으로 없는 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
CN108345195B (zh) 2017-01-23 2021-11-26 住友橡胶工业株式会社 充电辊及其制造方法
US10057984B1 (en) 2017-02-02 2018-08-21 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Composite thin copper foil and carrier
JP7193915B2 (ja) * 2017-02-03 2022-12-21 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔並びにこれを用いた集電体、電極及び電池
TWI619850B (zh) 2017-02-24 2018-04-01 南亞塑膠工業股份有限公司 電解液、電解銅箔及其製造方法
TWI619851B (zh) * 2017-02-24 2018-04-01 南亞塑膠工業股份有限公司 具近似絨毛狀銅瘤的電解銅箔與線路板組件的製造方法
JP2018138687A (ja) * 2017-02-24 2018-09-06 日立化成株式会社 接続構造、接続構造の製造方法、接続構造体及び半導体装置
KR102136794B1 (ko) 2017-03-09 2020-07-22 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 우수한 밀착력을 갖는 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR101809985B1 (ko) 2017-03-30 2017-12-18 와이엠티 주식회사 다공성 구리박의 제조방법 및 이를 이용한 다공성 구리박
CN108696987B (zh) * 2017-03-31 2021-11-30 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、附有载体的铜箔、积层体、印刷布线板的制造方法及电子机器的制造方法
JP7356209B2 (ja) * 2017-03-31 2023-10-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
US10190225B2 (en) 2017-04-18 2019-01-29 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Electrodeposited copper foil with low repulsive force
TW201900939A (zh) 2017-05-09 2019-01-01 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 電解銅箔、覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法
KR102433032B1 (ko) 2017-07-31 2022-08-16 에스케이넥실리스 주식회사 주름 발생이 방지된 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
US10424793B2 (en) * 2017-11-14 2019-09-24 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Electrodeposited copper foil and method for producing the same, and current collector for lithium secondary battery and secondary battery comprising the electrodeposited copper foil
TWI652163B (zh) 2017-11-15 2019-03-01 財團法人工業技術研究院 高頻電路用銅箔及其製造方法
US10205170B1 (en) 2017-12-04 2019-02-12 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for current collector of lithium secondary battery
US10337115B1 (en) * 2018-01-05 2019-07-02 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface treated copper foil for high speed printed circuit board products including the copper foil and methods of making
KR102500676B1 (ko) 2018-02-02 2023-02-16 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
JP2020052212A (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置
US10581081B1 (en) * 2019-02-01 2020-03-03 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for negative electrode current collector of lithium ion secondary battery

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI812037B (zh) * 2021-03-05 2023-08-11 大陸商南通越亞半導體有限公司 臨時承載板及其製作方法和封裝基板的製造方法

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PL3828970T3 (pl) 2023-08-14
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