TW202030378A - 表面處理銅箔及銅箔基板 - Google Patents

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Abstract

一種表面處理銅箔，包括處理面，其中處理面的空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和為0.13至1.50μm3 /μm2 ，且處理面的均方根梯度(Sdq)小於或等於1.0。

Description

表面處理銅箔及銅箔基板
本揭露係關於一種銅箔的技術領域，特別是關於一種表面處理銅箔及其銅箔基板。
隨著電子產品逐漸朝向輕薄以及傳遞高頻訊號的趨勢發展，對於銅箔和銅箔基板的需求也日益提昇。一般而言，銅箔基板的銅導電線路會被絕緣載板承載，且藉由導電線路的布局設計，其可將電訊號沿著預定之路徑傳遞至預定區域。此外，對於用於傳遞高頻電訊號（例如高於10GHz）的銅箔基板而言，其銅箔基板的導電線路亦必須進一步優化，以降低因集膚效應(skin effect)而產生的訊號傳遞損失(signal transmission loss)。所謂的集膚效應，是指隨著電訊號的頻率增加，電流的傳遞路徑會愈集中於導線的表面，例如緊鄰於載板的導線表面。為了降低集膚效應而產生的訊號傳遞損失，現有作法是盡可能將銅箔基板中緊鄰於載板的導線表面予以平坦化。
然而，即便上述作法確實可有效降低銅箔基板所產生的訊號傳遞損失，其仍存有待克服的技術缺失。舉例而言，由於導線表面會較平坦，因此導線和載板間的附著性通常會較低。在這樣的情況下，即便採用了較低粗糙度的銅箔以製作導線，銅箔基板中的導線仍很容易自載板的表面剝離，致使電訊號無法沿著預定路徑傳遞至預定區域。
因此，仍有必要提供一種表面處理銅箔及銅箔基板，以解決先前技術中所存在之缺失。
有鑑於此，本揭露係提供有一種改良的表面處理銅箔及銅箔基板，解決了先前技術中所存在的缺失。
根據本揭露的一實施例，係提供一種表面處理銅箔，表面處理銅箔包括處理面，其中處理面的空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和為0.13至1.50μm3 /μm2 ，且處理面的均方根梯度(Sdq)小於或等於1.0。
可選擇地，根據本揭露的另一實施例，係提供一種表面處理銅箔，表面處理銅箔包括主體銅箔，以及設置於主體銅箔的表面處理層。其中，表面處理層的外側為表面處理銅箔的處理面，且表面處理層包括粗化層。處理面的空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和為0.13至1.50μm3 /μm2 ，且處理面的均方根梯度(Sdq)小於或等於1.0。
可選擇地，前述主體銅箔為電解銅箔，且表面處理層設置於電解銅箔的沉積面。可選擇地，前述主體銅箔為壓延銅箔。
根據本揭露的又一實施例，係提供一種銅箔基板。銅箔基板包括載板以及設置在主體銅箔和載板之間的表面處理銅箔，其中表面處理銅箔包括面向載板的處理面。處理面的空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和為0.13至1.50μm3 /μm2 ，且處理面的均方根梯度(Sdq)小於或等於1.0
根據上述實施例，藉由將表面處理銅箔的處理面的空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和控制為0.13至1.50μm3 /μm2 ，且處理面的均方根梯度(Sdq)控制為小於或等於1.0，當後續將表面處理銅箔壓合至載板時，處理面和載板間的附著性會更佳，且亦能保持較低的訊號傳遞損失程度。藉由提昇表面處理銅箔處理面和載板間的附著性，後續經由蝕刻程序而形成的導電線路便不易自載板的表面剝離，進而提昇了銅箔基板的良率及耐用性。
於下文中，係加以陳述表面處理銅箔、銅箔基板及印刷電路板的具體實施方式，俾使本技術領域中具有通常技術者可據以實現本發明。該些具體實施方式可參考相對應的圖式，使該些圖式構成實施方式之一部分。雖然本揭露之實施例揭露如下，然而其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範疇內，當可作些許之更動與潤飾。其中，各實施例以及實驗例所使用的方法，如無特別說明，則為常規方法。
針對本揭露中所提及的空間相關的敘述詞彙，「在…上」及「在…上方」等用語在本揭露中的含義應該以最寬泛方式來解釋，使得「在…上」及「在…上方」等用語不僅指直接處於某物上，而且還可以包括在有中間特徵或中間層位於二者之間的情況下而處於某物上，並且「在…上」或「在…上方」不僅指處於某物之上或上方，而且還可以包括在二者之間沒有中間特徵或中間層的情況下而處於在某物之上或上方（即直接處於某物上）之態樣。
此外，在下文中除非有相反的指示，本揭露及申請專利範圍所闡述的數值參數係約略數，其可視需要而變化，或至少應根據所揭露之有意義的位數數字並且使用通常的進位方式，以解讀各個數值參數。本揭露中，範圍可表示為從一端點至另一端點，或是在兩個端點之間。除非特別聲明，否則本揭露中的所有範圍皆包含端點。
須知悉的是，在不脫離本揭露的精神下，下文所描述的不同實施方式中的技術特徵彼此間可以被置換、重組、混合，以構成其他的實施例。
第1圖是根據本揭露一實施例所繪示的表面處理銅箔的剖面示意圖。如第1圖所示，表面處理銅箔100係至少包括處理面100A。根據本揭露一實施例的表面處理銅箔100還進一步包括主體銅箔110及表面處理層112。
主體銅箔110可以是壓延銅箔或是電解銅箔，其厚度通常大於或等於6μm，例如介於7-250μm之間，或介於9μm~210μm之間。對於主體銅箔110為電解銅箔之情形，此電解銅箔可透過電沉積(或稱電解、電解沉積、電鍍)製程而被形成。主體銅箔110具有兩相對設置的第一面110A和第二面110B。根據本揭露的一實施例，當主體銅箔110為壓延銅箔時，第一面110A和第二面110B至少一者的算術平均高度(Ra)為0.1μ～0.4μm，但不限定於此。根據本揭露的一實施例，當主體銅箔110為電解銅箔時，電解銅箔的沉積面(deposited side)可以對應至主體銅箔110的第一面110A，而電解銅箔的輥筒面(drum side)可以對應至主體銅箔110的第二面110B，但不限定於此。
根據本揭露的一實施例，主體銅箔110的第一面110A和第二面110B上可分別設置有其他的層，例如可在第一面110A設置表面處理層112，及/或在第二面110B設置另一表面處理層112。對於設置有表面處理層112的表面處理銅箔100而言，表面處理層112的外側面可以被視為是表面處理銅箔100的處理面100A。根據本揭露的其他實施例，主體銅箔110的第一面110A和第二面110B可以進一步設置有其他的單層或多層結構、或是第一面110A和第二面110B的表面處理層112可以被其他的單層或多層結構取代、或是第一面110A和第二面110B未設置有任何層，但不限定於此。因此，在這些實施例中，表面處理銅箔100的處理面100A便不會對應至表面處理層112的外側面，而可能會對應至其他單層或多層結構的外側面，或可能會對應至主體銅箔110的第一面110A和第二面110B，但不限定於此。
前述表面處理層112可以是單層，或是包括多個子層的堆疊層。對於表面處理層112是堆疊層之情形，各子層可選自由粗化層114、鈍化層116、防鏽層118以及耦合層120所構成之群組。表面處理層112的外側面可以被視為是表面處理銅箔100的處理面100A，經由後續將表面處理銅箔100壓合至載板的製程，此處理面100A會接觸載板。根據本揭露的一實施例，主體銅箔110為壓延銅箔，且表面處理層112至少包含粗化層114。根據本揭露的一實施例，主體銅箔110為電解銅箔，表面處理層112設置於電解銅箔的沉積面，且包含粗化層114。根據本揭露的一實施例，主體銅箔110為電解銅箔，表面處理層112設置於電解銅箔的沉積面，且包含粗化層114及鈍化層116。
前述粗化層包括粗化粒子(nodule)。粗化粒子可用於增進主體銅箔的表面粗糙度，其可為銅粗化粒子或銅合金粗化粒子。其中，為了防止粗化粒子自主體銅箔剝離，可進一步在粗化層上設置覆蓋層，以覆蓋住粗化粒子。
鈍化層可以是相同或不同組成，例如是金屬層或金屬合金層。其中，前述金屬層可以選自但不限於鎳、鋅、鉻、鈷、鉬、鐵、錫，及釩，例如是：鎳層、鎳鋅合金層、鋅層、鋅錫合金層或鉻層。此外，金屬層及金屬合金層可以是單層或多層結構，例如彼此堆疊的含鋅及含鎳的單層。當為多層結構時，各層間的堆疊順序可以依據需要而調整，並無一定限制，例如含鋅層疊於含鎳層上，或含鎳層疊於含鋅層上。
防鏽層係施加至金屬之被覆層，其可用於避免金屬受到腐蝕等而劣化。防鏽層包含金屬或有機化合物。當防鏽層包含金屬時，前述金屬可以是鉻或鉻合金，而鉻合金可進一步包含選自鎳、鋅、鈷、鉬、釩及其組合中之一者。當防鏽層包含有機化合物時，前述有機化合物可以選自由三唑、噻唑、咪唑及其衍生物所組成之群組中之至少一者。
耦合層可以是由矽烷製成，其可選自但不限於3-胺基丙基三乙氧基矽烷(3-aminopropyltriethoxysilane, APTES)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane)、縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷((3-glycidyloxypropyl)triethoxysilane)、8-縮水甘油氧基辛基三甲氧基矽烷((8-glycidyloxyoctyl)trimethoxysilane)、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷(methacryloyl propyltriethoxysilane)、8-甲基丙烯醯氧基辛基三甲氧基矽烷(methacryloyl octyltrimethoxysilane)、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(methacryloyl propyltrimethoxysilane)、3-巰基丙基三甲氧基矽烷((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane)、3-縮水甘油丙基三甲氧基矽烷((3-glycidyloxypropyl)trimethoxysilane)，其係用於增進表面處理銅箔與其他材料(例如載板)間的附著性。
根據本揭露的實施例，由於表面處理層中的鈍化層和耦合層的總和厚度遠小於粗化層的厚度，因此表面處理銅箔的處理面的表面粗糙度，例如：實體體積(Vm)、空隙體積(Vv)、核心部空隙體積(Vvc)、波谷部空隙體積(Vvv)、及〈均方根梯度(Sdq)〉等，主要受粗化層的影響。
上述實體體積(Vm)及空隙體積(Vv)係根據ISO 25178-2(2012)之定義，其等的量測可例示如第2圖所示。第2圖是本揭露一實施例的表面處理銅箔的表面高度和負載率(material ratio, mr)間的關係圖。其中，實體體積(Vm)204之計算係將曲線下方及水平切割線上方所圍住的實體之體積予以積分，其中水平切割線係該曲線在負載率為P2時所對應之高度。亦即，實體體積(Vm)204為負載率(mr)為0％至負載率(mr)為P2(80％)之區間內，高度水平線上方及曲線下方所圍繞的範圍。需注意的是，如未特別聲明，本揭露所指的實體體積(Vm)係負載率(mr)為0％至80％區間所計算之值，即為負載率(mr)為80％時所計算出之實體體積(Vm)。
空隙體積(Vv)202之計算係將曲線上方及水平切割線下方所圍住的空隙之體積予以積分，其中水平切割線係該曲線在負載率(areal material ratio, mr)為P1時所對應之高度。亦即，空隙體積(Vv)202為負載率(mr)為P1(10％)之高度水平線下方，至負載率(mr)為100％的區間內之曲線上方所圍繞的範圍。需注意的是，如未特別聲明，本揭露所指的空隙體積(Vv)係負載率(mr)為10％至100％區間所計算之值，即為負載率(mr)為10％時所計算出之的空隙體積(Vv)。
空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和。在本揭露中，處理面100A的空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和為0.13至1.50 μm3 /μm2 。其中，空隙體積(Vv)較佳為0.10至0.85 μm3 /μm2 ，而實體體積(Vm)較佳為0.05至0.60 μm3 /μm2 ，但不限於此。
上述均方根梯度(Sdq)可以顯示表面型態的傾斜程度。若Sdq的值較小，其代表著表面型態較為平坦，若Sdq的值較大，則表面型態較為尖銳。在本揭露中，處理面的均方根梯度(Sdq)小於或等於1.0，較佳為0.4至1.0。
根據本揭露的實施例，當處理面的空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和為0.13至1.50 μm3 /μm2 ，且均方根梯度(Sdq)小於或等於1.0時。對於相應的銅箔基板和印刷電路板而言，表面處理銅箔100和相接觸的載板可以同時滿足高剝離強度（例如高於或等於0.40 N/mm）、低剝離強度衰退率（例如低於或等於34.0 ％）和低訊號傳遞損失（訊號傳遞損失的絕對值小於或等於25 dB/m）的需求。
除了前述表面粗糙度之外，處理面的組成及表面型態亦影響黃色指數(Yellow Index, YI)。在本揭露中，處理面的黃色指數(YI)為17至52。
值得注意的是，當主體銅箔是電解銅箔時，控制表面處理銅箔的降伏強度在合適範圍將進一步改善翹曲和皺摺發生之問題。因銅箔不具有明顯的降伏點，因此較佳是採用負載延伸法(extension under load, EUL)決定其降伏強度，其中，降伏強度係於0.5％應變所對應之應力。此降伏強度亦可稱為0.5％全應變降伏強度。在本揭露中，表面處理銅箔的降伏強度為8.5至26 kg/mm2 、較佳為8.5至20 kg/mm2 、更佳為8.5至17 kg/mm2 。
故，根據本揭露的各實施例，藉由控制表面處理銅箔的處理面的表面粗糙度參數，例如：空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和、均方根梯度(Sdq)，則對於相應的銅箔基板和印刷電路板而言，除了可以提昇表面處理銅箔和載板間的附著性，亦可以同時降低高頻電訊號在導電圖案中傳遞時所產生的訊號傳遞損失；此外，進一步透過控制表面處理銅箔的降伏強度將可進一步改善翹曲和皺摺發生之問題。前述表面處理銅箔可再進一步加工製成銅箔基板或印刷電路板。銅箔基板至少包括載板和主體銅箔。表面處裡銅箔設置於載板的至少一表面，且包括一處理面。其中，表面處理銅箔的處理面係面向且直接接觸載板。
其中，上述載板可採用電木板、高分子板、或玻璃纖維板，但並不限於此。所述高分子板的高分子成份可例舉如：環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resins)、聚酯樹脂(polyester resins)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resins)、壓克力(acrylics)、甲醛樹脂(formaldehyde resins)、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(bismaleimide triazine resins，又稱BT樹脂)、氰酸酯樹脂(cyanate ester resin)、含氟聚合物(fluoropolymers)、聚醚碸(poly ether sulfone)、纖維素熱塑性塑料(cellulosic thermoplastics)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚烯烴(polyolefins)、聚丙烯(polypropylene)、聚硫化物(polysulfide)、聚氨酯(polyurethane)、聚醯亞胺樹脂(polyimide)、液晶高分子(Liquid Crystal Polymer, LCP)、聚氧二甲苯(polyphenylene oxide, PPO)。上述玻璃纖維板可以是玻璃纖維不織物料浸泡於前述高分子(如：環氧樹脂)後所形成的預浸漬材料(prepreg)。
在下文中，係進一步針對表面處理銅箔以及銅箔基板的製作方法予以例示性地描述。製作方法中的各步驟分述如下：
（1）步驟A
施行步驟A，以提供主體銅箔。主體銅箔可以是壓延銅箔或電解銅箔。對於主體銅箔是壓延銅箔的情況，此壓延銅箔表面的算術平均高度(Ra)可介於特定區間，例如0.1μ～0.4μm，或0.15～0.25μm；對於主體銅箔是電解銅箔的情況，可以採用製箔機，以電解沉積(electrodeposition)的方式形成電解銅箔，或稱為生箔(bare copper foil)。具體而言，製箔機可至少包括做為陰極的輥筒、成對的不溶性的金屬陽極板、以及電解液入料管(inlet manifold)。其中，輥筒是可轉動的金屬輥筒，其表面係為鏡面拋光的表面。金屬陽極板可分離固設在輥筒的下半部，以包圍輥筒的下半部。入料管可固設在輥筒的正下方，且位於兩金屬陽極板之間。
在電解沉積過程中，電解液入料管會持續提供電解液至輥筒和金屬陽極板之間。藉由在輥筒和金屬陽極板之間施加電流或電壓，便可以使銅電解沉積在輥筒上，而形成電解銅箔。此外，藉由持續轉動輥筒，並使電解銅箔自輥筒的某一側被剝離，便可以製作連續不斷的電解銅箔。其中，電解銅箔面向輥筒的表面可稱作是輥筒面，而電解銅箔遠離輥筒的表面可稱作是沉積面。
對於壓延銅箔，其特徵例示如下：
〈1.1壓延銅箔〉
算術平均高度(Ra)：0.1μ～0.4μm
對於電解銅箔，其製造參數範圍例示如下：
〈1.2生箔的電解液組成及電解條件〉
硫酸銅（CuSO4 ˙5H2 O）：320 g/L
硫酸：95 g/L
氯離子(從鹽酸而來，RCI Labscan Ltd.)：30 mg/L (ppm)
聚乙烯亞胺(polyethylenimine (PEI), 線性高分子, Mn = 5000, Sigma-Aldrich Company）：6.5~18.5 mg/L (ppm)
鄰苯甲醯磺醯亞胺（糖精, Sigma-Aldrich Company）: 4~8 mg/L (ppm)
液溫：52℃
電流密度：48 A/dm2
生箔厚度：18 μm
〈1.3輥筒〉
材質：鈦
轉速：3 m/min
（2）步驟B
本步驟B係對上述主體銅箔施行表面清潔製程，以確保銅箔的表面不具有污染物（例如油污、氧化物），其製造參數範圍例示如下：
〈2.1清洗液的組成及清潔條件〉
硫酸銅：130 g/L
硫酸：50 g/L
液溫：27℃
浸漬時間：30秒
（3）步驟C
本步驟C係於上述主體銅箔的表面形成粗化層。可透過電解沉積，以將粗化層形成主體於銅箔的某一面，例如沉積面。其中，粗化層可以包括粗化粒子(nodule)。製造參數範圍例示如下：
〈3.1製作粗化粒子的參數〉
硫酸銅（CuSO4 ˙5H2 O）：70 g/L
硫酸：100 g/L
液溫：25℃
電流密度：34.0～49.0 A/dm2
時間：10秒
（4）步驟D
本步驟D係於上述粗化層上形成覆蓋層，其製造參數範圍例示如下：
〈4.1製作覆蓋層的參數〉
硫酸銅（CuSO4 ˙5H2 O）：320 g/L
硫酸：100 g/L
液溫：40℃
電流密度：9～14 A/dm2
時間：10秒
（5）步驟E
本步驟E係於上述銅箔的至少一表面形成鈍化層。可以透過電解沉積製程以形成鈍化層，對於鈍化層係例示由鎳、鋅所構成的二層堆疊結構，其製造參數範圍例示如下：
〈5.1含鎳層的電解液組成及電解條件〉
硫酸鎳（NiSO4 ）：188 g/L
硼酸（H3 BO3 ）：32 g/L
次磷酸（H3 PO2 ）：5 g/L
液溫：20°C
溶液pH：3.2～3.8 (about 3.5)
電流密度：0.5 A/dm2
時間：3秒
〈5.2 含鋅層的電解液組成及電解條件〉
硫酸鋅（ZnSO4 ）：11 g/L
液溫：15°C
溶液pH：13.0
電流密度：0.4～2.0 A/dm2
時間：3秒
（6）步驟F
本步驟F係於上述銅箔上形成防鏽層，例如含鉻層，其製造參數範圍例示如下：
〈6.1 含鉻層的電解液組成及電解條件〉
鉻酸（H2 CrO4 ）：5 g/L
液溫：17°C
溶液pH：12.5
電流密度：1.0 A/dm2
時間：3秒
（7）步驟G
本步驟G係於上述銅箔設置粗化層的一側上形成耦合層。舉例而言，完成上述電解製程後，用水洗滌銅箔，但不乾燥銅箔表面。之後將含有矽烷耦合劑的水溶液噴塗至銅箔設有粗化層之側的防鏽層上，使得矽烷耦合劑吸附於鈍化層的表面。之後，可以將銅箔放置於烘箱中予以乾燥。製造參數範圍例示如下：
〈7.1矽烷耦合劑的參數〉
矽烷耦合劑：(3-胺基丙基)三乙氧基矽烷（3-aminopropyltriethoxysilane）
水溶液之矽烷耦合劑濃度：0.25 wt.％
噴塗時間：3秒
〈4.2乾燥條件〉
溫度：120°C
時間：60秒
（8）步驟H
本步驟H係將經由上述步驟而形成的表面處理銅箔壓合至載板，以形成銅箔基板。根據本揭露的一實施例，可藉由將第1圖所示的表面處理銅箔100熱壓至載板，而形成銅箔基板。
為了使本領域的通常知識者得據以實現本揭露，下文將進一步詳細描述本揭露之各具體實施例，以具體說明本揭露之表面處理銅箔及銅箔基板。需注意的是，以下實施例僅為例示性，不應以其限制性地解釋本揭露。亦即，在不逾越本揭露範疇之情況下，可適當地改變各實施例中所採用之材料、材料之用量及比率以及處理流程等。
實施例1
實施例1係為表面處理銅箔，其製造程序係對應於上述製作方法中的步驟A至步驟G。實施例1與上述製作方法之間相異的製造參數，係記載於表1中。其中，實施例1的主體銅箔為電解銅箔，且粗化層係設置在電解銅箔的沉積面上。
實施例2-13
實施例2-13的製造程序大致相同於實施例1的製造程序，其彼此間相異之製造參數係記載於表1中。其中，實施例2-12的主體銅箔為電解銅箔，且粗化層係設置在電解銅箔的沉積面上。
實施例13在製作方法中所採用的主體銅箔為壓延銅箔（Ra = 0.2 μm），而非電解銅箔。
比較例1-5
比較例1-5係為表面處理銅箔，其製造程序係對應於上述製作方法中的步驟A至步驟G。比較例1-5與上述製作方法之間相異的製造參數，係記載於表1中。其中，比較例1-5的主體銅箔為電解銅箔，且粗化層係設置在電解銅箔的沉積面上。
表1
生箔的電解液 粗化層 覆蓋層 鈍化層
PEI (ppm) 糖精 (ppm) 形成粗化粒子的電流密度 (A/dm2 ) 形成覆蓋層的電流密度 (A/dm2 ) 形成鋅的電流密度 (A/dm2 )
實施例1 6.5 4 34.0 9.0 0.4
實施例2 12.5 4 34.0 9.0 0.4
實施例3 12.5 6 34.0 9.0 0.4
實施例4 6.5 6 34.0 9.0 0.4
實施例5 6.5 4 49.0 9.0 0.4
實施例6 6.5 4 34.0 14.0 0.4
實施例7 12.5 6 49.0 9.0 0.4
實施例8 6.5 6 34.0 14.0 0.4
實施例9 6.5 4 34.0 9.0 2.0
實施例10 18.5 4 34.0 9.0 0.4
實施例11 6.5 8 34.0 9.0 0.4
實施例12 12.5 6 42.0 12.0 1.0
實施例13 N.A. N.A. 34.0 14.0 0.4
比較例1 6.5 4 29.0 9.0 0.4
比較例2 24.5 10 34.0 9.0 0.4
比較例3 0.5 2 34.0 9.0 0.4
比較例4 12.5 6 54.0 9.0 0.4
比較例5 6.5 4 54.0 9.0 0.4
以下進一步描述上述各實施例1-13及比較例1-5的各項檢測結果，例如：〈實體體積(Vm)〉、〈空隙體積(Vv)〉、〈黃色指數(YI)〉、〈均方根梯度(Sdq)〉、〈剝離強度〉、〈剝離強度衰退率〉、〈降伏強度〉、〈翹曲〉、及〈皺摺〉。
〈實體體積(Vm)〉、〈空隙體積(Vv)〉
根據標準ISO 25178-2：2012，以雷射顯微鏡(LEXT OLS5000-SAF, Olympus)的表面紋理分析，測量表面處理銅箔的處理面的實體體積(Vm)及空隙體積(Vv)。具體量測條件如下：
光源波長：405 nm
物鏡倍率：100倍物鏡(MPLAPON-100x LEXT, Olympus）
光學變焦：1.0倍
觀察面積：129 μm × 129 μm
解析度：1024畫素×1024畫素
條件：啟用雷射顯微鏡的自動傾斜消除功能(Auto tilt removal)
濾鏡：無濾鏡(unfiltered)
空氣溫度：24±3℃
相對濕度：63±3％
其中，實體體積(Vm)係將負載率(mr)之值為80%時而予以獲得，空隙體積(Vv)係將負載率(mr)之值為10%時而予以獲得。檢測結果係記載於表2中。
〈黃色指數(YI)〉
根據標準YI E313，以光譜儀(CM-2500c, Konica Minolta)量測表面處理銅箔的處理面，並測得其黃色指數(yellowness index, YI)。檢測結果係記載於表2中。具體量測條件如下：
光源波長：D65
標準觀察者函數(Standard Observer Function)：2
Figure 02_image001
標準：CIE1931
〈均方根梯度(Sdq)〉
根據標準ISO 25178-2：2012，以雷射顯微鏡(LEXT OLS5000-SAF, Olympus)的表面紋理分析，測量表面處理銅箔的處理面的均方根梯度(Sdq)。檢測結果係記載於表2中。具體量測條件如下：
光源波長：405 nm
物鏡倍率：100倍物鏡(MPLAPON-100x LEXT, Olympus）
光學變焦：1.0倍
觀察面積：129 μm × 129 μm
解析度：1024畫素×1024畫素
條件：啟用雷射顯微鏡的自動傾斜消除功能(Auto tilt removal)
濾鏡：無濾鏡(unfiltered)
空氣溫度：24±3℃
相對濕度：63±3％
〈剝離強度〉
將表面處理銅箔的處理面面向M6樹脂（Megtron 6, Panasonic co.），並將兩者壓合，以形成積層板。壓合條件如下：溫度至少190°C、壓力30 kg/cm2 、及壓合時間120分鐘。
之後，根據標準IPC-TM-650 2.4.8，使用萬能試驗機，將表面處理銅箔以90°的角度自積層板剝離。檢測結果係記載於表2中。
〈剝離強度衰減率〉
將表面處理銅箔的處理面面向M6樹脂（Megtron 6, Panasonic co.），並將兩者壓合，以形成積層板。壓合條件如下：溫度至少190°C、壓力30 kg/cm2 、及壓合時間120分鐘。繼以將積層板放置於溫度設定為180°C之烘箱，靜置48小時。
最後，根據標準IPC-TM-650 2.4.8，使用萬能試驗機，將表面處理銅箔以90°的角度自積層板剝離。剝離強度衰減率依下式計算，並記載於表2中：
Figure 02_image003
×100%
〈降伏強度〉
根據IPC-TM-650 2.4.18標準，將表面處理銅箔製作成長寬尺寸為100 mm×12.7mm的樣品。接著，使用萬能試驗機(AG-I, 島津科學儀器股份有限公司(Shimadzu Corp.))，在環境溫度為25℃下，以拉伸速度為50 mm/min對樣品進行拉伸，同時持續紀錄樣品之應變及相應所承受之應力，直到樣品斷裂為止。
根據負載延伸法(extension under load, EUL)，以樣品在0.5％應變時所對應之應力判定為該樣品的降伏強度(yield strength)。檢測結果係記載於表2中。
〈翹曲〉
待檢測的樣品係為尺寸為100×100 mm的表面處理銅箔，對樣品的四個頂角進行彎曲，以形成翹曲的頂角。繼以將樣品放置在平面上，用尺測量各翹曲頂角與平面間的垂直距離，以得到至多四個距離值，並以最大的距離值作為翹曲值。檢測結果係記載於表2中。
〈皺摺〉
待檢測的樣品係為寬度為1000 mm的表面處理銅箔，沿著樣品的寬度對樣品的兩側進行拉伸，使樣品承受30～35 kgf的張力。當樣品承受張力時，以目視判別樣品的表面是否產生皺摺。檢測結果係記載於表2中，其中，No代表樣品未產生皺摺；Yes代表樣品有產生皺摺。
〈訊號傳遞損失〉
將上述任一實施例的表面處理銅箔製作成帶狀線(stripline)，並測量其相應的訊號傳遞損失。其中，帶狀線的結構可例示如第3圖所示。帶狀線300係於152.4 μm的樹脂（取自SyTech Corporation之S7439G）上先貼合上述任一實施例的表面處理銅箔，而後將表面處理銅箔製作成導線302，再使用另外兩片樹脂（S7439G，取自SyTech Corporation之S7439G）分別覆蓋兩側表面，使導線302被設置於樹脂載板(S7439G, SyTech Corporation.)304之中。帶狀線300另可包括兩接地電極306-1和接地電極306-2，分別設置於樹脂載板304的相對兩側。接地電極306-1和接地電極306-2彼此間可以透過導電通孔而彼此電連接，而使得接地電極306-1和接地電極306-2具有等電位。
帶狀線300中各部件的規格如下：導線302的長度為100 mm、寬度w為120 μm、厚度t為18 μm；樹脂載板304的Dk為3.74、Df為0.006（依據IPC-TM 650 No. 2.5.5.5，以10 GHz訊號量測）；特徵阻抗為50Ω。
根據標準Cisco S3方法，利用訊號分析儀（PNA N5230C network analyzer, Agilent）在接地電極306-1、306-2均為接地電位的情況下，將電訊號由導線302的某一端輸入，並量測導線302的另一端的輸出值，以判別帶狀線300所產生的訊號傳遞損失。具體量測條件如下：電訊號頻率為200 MHz至15 GHz、掃描數為6401點、校正方式為TRL。
最後，以電訊號頻率為8 GHz的情況，判別相應帶狀線的訊號傳遞損失的程度，檢測結果係記載於表2中。其中，當訊號傳遞損失的絕對值愈小，代表訊號在傳遞時的損失程度越少。具體而言，當訊號傳遞損失的絕對值大於25 dB/m時，代表訊號傳遞表現差；當訊號傳遞損失的絕對值小於或等於25 dB/m時，代表訊號傳遞表現良好；而當訊號傳遞損失的絕對值小於23 dB/m時，代表訊號傳遞表現最佳。
表2
  表面處理銅箔的處理面
Vm (µm³/µm²) Vv (µm³/µm²) Vv+Vm (µm³/µm²) YI Sdq
實施例1 0.324 0.39 0.71 17 0.44
實施例2 0.113 0.17 0.28 18 0.76
實施例3 0.051 0.10 0.15 19 0.51
實施例4 0.183 0.22 0.40 18 0.63
實施例5 0.598 0.85 1.45 20 0.98
實施例6 0.337 0.43 0.77 52 0.54
實施例7 0.456 0.73 1.19 21 0.86
實施例8 0.342 0.44 0.78 49 0.47
實施例9 0.319 0.41 0.73 51 0.68
實施例10 0.057 0.11 0.17 19 0.48
實施例11 0.108 0.16 0.27 20 0.52
實施例12 0.134 0.31 0.44 48 0.45
實施例13 0.366 0.45 0.82 50 0.50
比較例1 0.024 0.05 0.07 18 0.56
比較例2 0.035 0.07 0.11 20 0.46
比較例3 0.747 0.96 1.71 18 1.05
比較例4 0.650 0.88 1.53 17 1.09
比較例5 0.735 0.90 1.64 17 1.17
表2(承上)
  剝離強度 (N/mm) 剝離強度衰減率 (%) 訊號傳遞損失 (dB/m) 降伏強度(kg/mm2 ) 翹曲(mm) 皺褶
實施例1 0.46 23.9 -14.6 8.5 0 No
實施例2 0.44 27.3 -12.0 14.3 2 No
實施例3 0.40 27.5 -10.0 19.0 3 No
實施例4 0.43 25.6 -11.0 16.6 2 No
實施例5 0.53 28.3 -23.0 9.0 1 No
實施例6 0.48 27.1 -16.9 8.7 0 No
實施例7 0.50 34.0 -19.8 17.7 3 No
實施例8 0.49 30.6 -15.9 18.1 3 No
實施例9 0.47 14.9 -20.7 8.9 1 No
實施例10 0.40 22.5 -10.5 23.0 7 No
實施例11 0.42 33.3 -12.8 25.7 9 No
實施例12 0.41 19.7 -15.3 22.5 7 No
實施例13 0.48 26.4 -16.4 35.4 0 No
比較例1 0.31 35.5 N.A. 8.8 0 No
比較例2 0.32 38.1 N.A. 34.5 15 No
比較例3 0.61 26.4 -32.5 6.9 0 Yes
比較例4 0.56 39.3 -29.3 17.4 3 No
比較例5 0.58 46.6 -29.4 9.1 3 No
根據上述實施例1-13，當處理面100A的空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和為0.13至1.50 μm3 /μm2 ，且處理面的均方根梯度(Sdq)小於或等於1.0時，對於相應的銅箔基板和印刷電路板而言，表面處理銅箔100和相接觸的載板可以同時滿足高剝離強度（例如高於或等於0.40 N/mm）、低剝離強度衰退率（例如低於或等於34.0 ％）和低訊號傳遞損失（訊號傳遞損失的絕對值小於或等於25 dB/m）的需求。
根據上述實施例1-13，當處理面100A的空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和為0.13至1.50 μm3 /μm2 ，且處理面的均方根梯度(Sdq)小於或等於1.0，且空隙體積(Vv)為0.10至0.85 μm3 /μm2 ，或實體體積(Vm)為0.05至0.60 μm3 /μm2 時，對於相應的銅箔基板和印刷電路板而言，同樣可以滿足高剝離強度、低剝離強度衰退率和低訊號傳遞損失的需求。
根據上述實施例1-13，當處理面100A的空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和為0.13至1.50 μm3 /μm2 ，且處理面的均方根梯度(Sdq)小於或等於1.0，且黃色指數(YI)為17至52時，對於相應的銅箔基板和印刷電路板而言，同樣可以滿足高剝離強度、低剝離強度衰退率和低訊號傳遞損失的需求。
根據上述實施例1-13，當表面處理銅箔中的主體銅箔係為電解銅箔，且表面處理銅箔在0.5％全應變所對應之應力為8.5至26kg/mm2 時，此表面處理銅箔不易發生翹曲和皺摺等現象。
故，根據本揭露的各實施例，藉由控制表面處理銅箔的處理面的表面粗糙度參數，則對於相應的銅箔基板和印刷電路板而言，除了可以提昇表面處理銅箔和載板間的附著性，亦可以同時降低高頻電訊號在導電圖案中傳遞時所產生的訊號傳遞損失。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100:表面處理銅箔 100A:處理面 110:主體銅箔 110A:第一面 110B:第二面 112:表面處理層 114:粗化層 116:鈍化層 118:防鏽層 120:耦合層 202:空隙體積 204:實體體積 300:帶狀線 302:導線 304:樹脂載板 306-1:接地電極 306-2:接地電極 h:厚度 t:厚度 w:寬度
第1圖是根據本揭露一實施例所繪示的表面處理銅箔的剖面示意圖。 第2圖是本揭露一實施例的表面處理銅箔的表面高度和負載率間的關係圖。 第3圖是根據本揭露一實施例所繪示的帶狀線(stripline)的示意圖。
100:表面處理銅箔
100A:處理面
110:主體銅箔
110A:第一面
110B:第二面
112:表面處理層
114:粗化層
116:鈍化層
118:防鏽層
120:耦合層

Claims (15)

  1. 一種表面處理銅箔，包括一處理面，其中該處理面的空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和為0.13至1.50μm3 /μm2 ，且該處理面的均方根梯度(Sdq)小於或等於1.0。
  2. 如請求項1所述的表面處理銅箔，其中該處理面的均方根梯度(Sdq)為0.4至1.0。
  3. 如請求項1所述的表面處理銅箔，其中該處理面的黃色指數(YI)為17至52。
  4. 如請求項1所述的表面處理銅箔，其中該處理面的空隙體積(Vv)為0.10至0.85μm3 /μm2 。
  5. 如請求項1所述的表面處理銅箔，其中該處理面的實體體積(Vm)為0.05至0.60μm3 /μm2 。
  6. 如請求項1所述的表面處理銅箔，進一步包括一主體銅箔，該主體銅箔為電解銅箔，其中基於0.5%應變下之全應變法，該表面處理銅箔的降伏強度為8.5至26kg/mm2 。
  7. 如請求項6所述的表面處理銅箔，進一步包括一主體銅箔，該主體銅箔為電解銅箔，其中基於0.5%應變下之全應變法，該表面處理銅箔的降伏強度為8.5至20kg/mm2 。
  8. 如請求項7所述的表面處理銅箔，進一步包括一主體銅箔，該主體銅箔為電解銅箔，其中基於0.5%應變下之全應變法，該表面處理銅箔的降伏強度為8.5至17kg/mm2 。
  9. 如請求項1至8中任一項所述的表面處理銅箔，進一步包括： 一主體銅箔；以及 一表面處理層，設置於該主體銅箔的至少一表面，其中該處理層的最外側係為該處理面。
  10. 如請求項9所述的表面處理銅箔，其中該表面處理層包括一子層，該子層為粗化層。
  11. 如請求項10所述的表面處理銅箔，其中該表面處理層還進一步包括至少一個其他的子層，該至少一個其他的子層係選自由鈍化層及耦合層所構成之群組。
  12. 如請求項11所述的表面處理銅箔，其中該鈍化層包含至少一金屬，該金屬係選自由鎳、鋅、鉻、鈷、鉬、鐵、錫、及釩所構成之群組。
  13. 如請求項9所述的表面處理銅箔，其中該主體銅箔為電解銅箔或壓延銅箔。
  14. 一種銅箔基板，包括： 一載板；以及 一表面處理銅箔，設置於該載板的至少一表面，其中該表面處理銅箔包括： 一主體銅箔；以及 一表面處理層，設置在該主體銅箔和該載板之間，其中該表面處理層包括面向該載板的一處理面，該處理面的空隙體積(Vv)和實體體積(Vm)的總和為0.13至1.50μm3 /μm2 ，且該處理面的均方根梯度(Sdq)小於或等於1.0。
  15. 如請求項14所述的銅箔基板，其中該表面處理層的該處理面係直接接觸該載板。
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US16/694,434 2019-11-25

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TW109101373A TWI700394B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 電解銅箔、集電體、電極及包含其之鋰離子二次電池
TW109101350A TWI745835B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔及銅箔基板
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TW109101364A TWI698536B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 具有優異接著性之銅箔
TW109101363A TWI720783B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔、層壓體及用於處理電子訊號的裝置
TW109101365A TWI719805B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 具低傳輸損耗之銅箔
TW109101361A TWI715417B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 用於印刷電路板之具有低傳輸損耗的電解銅箔
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TW109101373A TWI700394B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 電解銅箔、集電體、電極及包含其之鋰離子二次電池
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TW109101364A TWI698536B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 具有優異接著性之銅箔
TW109101363A TWI720783B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔、層壓體及用於處理電子訊號的裝置
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11251430B2 (en) 2018-03-05 2022-02-15 The Research Foundation For The State University Of New York ϵ-VOPO4 cathode for lithium ion batteries
US10581081B1 (en) 2019-02-01 2020-03-03 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for negative electrode current collector of lithium ion secondary battery
US20220282388A1 (en) * 2019-07-26 2022-09-08 Toyo Kohan Co., Ltd. Roughened nickel-plated material and method for manufacturing same
TWI740515B (zh) 2019-12-23 2021-09-21 長春人造樹脂廠股份有限公司 液晶高分子膜及包含其之積層板
WO2022085371A1 (ja) * 2020-10-22 2022-04-28 古河電気工業株式会社 電解銅箔、リチウムイオン二次電池用負極、及びリチウムイオン二次電池
CN113066767B (zh) * 2021-03-05 2022-01-25 南通越亚半导体有限公司 临时承载板及其制作方法和封装基板的制造方法
CN117321253A (zh) * 2021-05-20 2023-12-29 三井金属矿业株式会社 粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
JPWO2022244827A1 (zh) * 2021-05-20 2022-11-24
JP7366436B2 (ja) 2021-05-31 2023-10-23 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板、及びプリント配線板
KR20240017840A (ko) * 2021-06-03 2024-02-08 미쓰이금속광업주식회사 조화 처리 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판
TWI760249B (zh) 2021-06-16 2022-04-01 長春石油化學股份有限公司 電解銅箔及銅箔基板
US11540389B1 (en) 2021-07-06 2022-12-27 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated copper foil and copper clad laminate
CN115413119B (zh) * 2021-07-06 2023-03-24 长春石油化学股份有限公司 表面处理铜箔及铜箔基板
CN115589667B (zh) * 2021-07-06 2023-09-08 长春石油化学股份有限公司 表面处理铜箔及铜箔基板
TWI809441B (zh) * 2021-07-06 2023-07-21 長春石油化學股份有限公司 表面處理銅箔及銅箔基板
US20230019067A1 (en) 2021-07-06 2023-01-19 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated copper foil and copper clad laminate
WO2023281775A1 (ja) * 2021-07-09 2023-01-12 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
JPWO2023281778A1 (zh) * 2021-07-09 2023-01-12
CN116867930A (zh) * 2021-07-09 2023-10-10 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板
TWI802226B (zh) * 2021-07-09 2023-05-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷配線板
KR102517417B1 (ko) 2021-07-09 2023-04-03 주식회사 다이브 반도체용 동박의 제조방법 및 이를 이용한 반도체용 동박
CN116745468A (zh) * 2021-07-09 2023-09-12 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板
CA3172526A1 (en) * 2021-10-07 2023-04-07 Circuit Foil Luxembourg Copper foil with high energy at break and secondary battery comprising the same
TWI778833B (zh) * 2021-10-18 2022-09-21 長春石油化學股份有限公司 聚合物膜及其應用
TWI781818B (zh) * 2021-11-05 2022-10-21 長春石油化學股份有限公司 表面處理銅箔及銅箔基板
CN117916553A (zh) 2021-12-22 2024-04-19 三井金属矿业株式会社 铜箔的表面参数的测定方法、铜箔的筛选方法以及表面处理铜箔的制造方法
LU501394B1 (en) 2022-02-07 2023-08-07 Circuit Foil Luxembourg Surface-treated copper foil for high-frequency circuit and method for producing the same
CN114657610A (zh) * 2022-03-28 2022-06-24 电子科技大学 一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法
GB2618129A (en) * 2022-04-28 2023-11-01 Airbus Operations Ltd Multi-material joint
CN114990654B (zh) * 2022-06-02 2024-04-26 山东金宝电子有限公司 一种电解铜箔表面处理工艺与hvlp铜箔产品及其应用
WO2024070245A1 (ja) * 2022-09-28 2024-04-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
WO2024070248A1 (ja) * 2022-09-28 2024-04-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
WO2024070247A1 (ja) * 2022-09-28 2024-04-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板

Family Cites Families (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3927208A (en) * 1973-05-14 1975-12-16 Rit Rech Ind Therapeut Live bovine adenovirus vaccines, preparation thereof and method of vaccination using them
US4876899A (en) 1988-10-31 1989-10-31 Texas Instruments Incorporated Torque sensing device
JPH0787270B2 (ja) 1992-02-19 1995-09-20 日鉱グールド・フォイル株式会社 印刷回路用銅箔及びその製造方法
JP3500072B2 (ja) 1998-07-27 2004-02-23 新日本製鐵株式会社 電解金属箔製造ドラム用チタン材およびその製造方法
JP2000119892A (ja) 1998-10-12 2000-04-25 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 電気銅の製造方法およびこの方法により得られた電気銅
JP3850155B2 (ja) 1998-12-11 2006-11-29 日本電解株式会社 電解銅箔、二次電池の集電体用銅箔及び二次電池
JP2001192879A (ja) 2000-01-13 2001-07-17 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 電気銅製造用の種板成形ロールおよびそれを用いて成形された電気銅製造用の種板、ならびに該種板を用いて電気銅を製造する方法および該方法により得られた電気銅
JP4441642B2 (ja) 2000-12-27 2010-03-31 三井金属鉱業株式会社 電解銅箔製造用のチタン製カソード電極、そのチタン製カソード電極を用いた回転陰極ドラム、チタン製カソード電極に用いるチタン材の製造方法及びチタン製カソード電極用チタン材の矯正加工方法
JP3850321B2 (ja) 2002-03-19 2006-11-29 日本電解株式会社 二次電池
JP4094395B2 (ja) 2002-04-10 2008-06-04 新日本製鐵株式会社 電解Ｃｕ箔製造ドラム用チタン板およびその製造方法
TW200403358A (en) * 2002-08-01 2004-03-01 Furukawa Circuit Foil Electrodeposited copper foil and electrodeposited copper foil for secondary battery collector
TW200424359A (en) 2003-02-04 2004-11-16 Furukawa Circuit Foil Copper foil for high frequency circuit, method of production and apparatus for production of same, and high frequency circuit using copper foil
JP4061211B2 (ja) 2003-02-20 2008-03-12 新日本製鐵株式会社 電解銅箔製造用カソード電極に用いるチタン合金及びその製造方法
JP4273309B2 (ja) 2003-05-14 2009-06-03 福田金属箔粉工業株式会社 低粗面電解銅箔及びその製造方法
CN100375908C (zh) * 2003-06-18 2008-03-19 旭化成株式会社 抗反射膜
JP4567360B2 (ja) 2004-04-02 2010-10-20 三井金属鉱業株式会社 銅箔の製造方法及びその製造方法で得られる銅箔
JP2006103189A (ja) * 2004-10-06 2006-04-20 Furukawa Circuit Foil Kk 表面処理銅箔並びに回路基板
CN2752274Y (zh) 2004-12-29 2006-01-18 北京远创铜箔设备有限公司 制备铜箔的电解装置
JP2006253345A (ja) 2005-03-10 2006-09-21 Furukawa Circuit Foil Kk 高純度電解銅箔及びその製造方法
TW200738913A (en) 2006-03-10 2007-10-16 Mitsui Mining & Smelting Co Surface treated elctrolytic copper foil and process for producing the same
CN101466875B (zh) 2006-06-12 2011-01-05 日矿金属株式会社 具有粗化处理面的轧制铜或铜合金箔以及该轧制铜或铜合金箔的粗化方法
JP4743020B2 (ja) 2006-06-26 2011-08-10 ソニー株式会社 電極集電体及びその製造方法、電池用電極及びその製造方法、並びに二次電池
CN1995469B (zh) 2006-11-28 2011-06-15 山东金宝电子股份有限公司 高温高延展电解铜箔制造工艺
JP4460642B2 (ja) 2007-03-13 2010-05-12 パナソニック株式会社 リチウム二次電池用負極およびその製造方法、ならびにリチウム二次電池用負極を備えたリチウム二次電池
US20100136434A1 (en) 2007-04-20 2010-06-03 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Electrolytic Copper Foil for Lithium Rechargeable Battery and Process for Producing the Copper Foil
CN101302635B (zh) * 2008-01-18 2010-12-08 梁国柱 钢铁件酸性预镀铜电镀添加剂及预镀工艺
TWI434965B (zh) 2008-05-28 2014-04-21 Mitsui Mining & Smelting Co A roughening method for copper foil, and a copper foil for a printed wiring board which is obtained by the roughening method
JP5235542B2 (ja) 2008-07-15 2013-07-10 キヤノン株式会社 像振れ補正装置またはそれを備えたレンズ装置、撮像装置並びに像振れ補正装置の制御方法
TWI513388B (zh) 2008-09-05 2015-12-11 Furukawa Electric Co Ltd A very thin copper foil with a carrier, and a laminated plate or printed circuit board with copper foil
FR2938522B1 (fr) 2008-11-20 2010-12-17 Inst Francais Du Petrole Procede de production d'hydrogene avec captation totale du co2 et recyclage du methane non converti
JP5437155B2 (ja) 2009-05-08 2014-03-12 古河電気工業株式会社 ２次電池用負極、電極用銅箔、２次電池および２次電池用負極の製造方法
US20120189859A1 (en) * 2009-07-24 2012-07-26 Pi R&D Co., Ltd. Resin composite electrolytic copper foil, copper clad laminate and printed wiring board
JP4927963B2 (ja) * 2010-01-22 2012-05-09 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔、その製造方法及び銅張積層基板
JP5103496B2 (ja) 2010-03-09 2012-12-19 日立ビークルエナジー株式会社 リチウムイオン二次電池
JP2011192879A (ja) 2010-03-16 2011-09-29 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の製造方法
CN102234823B (zh) 2010-04-28 2013-11-06 长春石油化学股份有限公司 用于制造电解铜箔的铜料以及电解铜箔的制造方法
CN102884228B (zh) 2010-05-07 2015-11-25 吉坤日矿日石金属株式会社 印刷电路用铜箔
TWI417424B (zh) 2010-11-08 2013-12-01 Chang Chun Petrochemical Co 多孔性銅箔之製造方法
EP2654111B1 (en) 2010-12-27 2018-04-18 Furukawa Electric Co., Ltd. Lithium-ion secondary battery, electrode for secondary battery, and electrolytic copper foil for secondary battery electrode
JP5617611B2 (ja) 2010-12-27 2014-11-05 日立金属株式会社 引張強度に優れる複合金属箔
JP2012172198A (ja) 2011-02-22 2012-09-10 Jx Nippon Mining & Metals Corp 電解銅箔及びその製造方法
JP5834322B2 (ja) 2011-07-20 2015-12-16 エルジー・ケム・リミテッド セパレータ、その製造方法及びこれを備えた電気化学素子
JP5373995B2 (ja) 2011-08-31 2013-12-18 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔
CN102418129A (zh) 2011-11-18 2012-04-18 山东金宝电子股份有限公司 一种高Tg、无卤素板用铜箔的表面处理工艺
JP2013133514A (ja) 2011-12-27 2013-07-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 銅箔、二次電池の電極、二次電池、並びにプリント回路基板
WO2013147115A1 (ja) 2012-03-29 2013-10-03 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔
KR20130127031A (ko) 2012-05-10 2013-11-22 현대자동차주식회사 금속 합금 전극 리튬이온 이차전지 음극소재 및 이의 제조 방법
JP2014015674A (ja) 2012-06-11 2014-01-30 Sh Copper Products Corp 圧延銅箔、および銅張積層板
TWI482882B (zh) 2012-09-10 2015-05-01 Jx Nippon Mining & Metals Corp Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board
JP6415033B2 (ja) 2012-09-11 2018-10-31 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法
JP5481577B1 (ja) 2012-09-11 2014-04-23 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付き銅箔
KR20140034698A (ko) * 2012-09-12 2014-03-20 주식회사 두산 동박의 표면처리 방법 및 그 방법으로 표면처리된 동박
JP5358739B1 (ja) 2012-10-26 2013-12-04 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板、及び、プリント配線板の製造方法
TWI509111B (zh) 2012-11-26 2015-11-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp Surface treatment of electrolytic copper foil, laminated board, and printed wiring board, electronic equipment
CN102965698B (zh) 2012-11-28 2015-09-09 山东金宝电子股份有限公司 低翘曲电解铜箔生产工艺
JP5578383B2 (ja) 2012-12-28 2014-08-27 Ｔｏｔｏ株式会社 耐プラズマ性部材
TWI539033B (zh) 2013-01-07 2016-06-21 Chang Chun Petrochemical Co Electrolytic copper foil and its preparation method
CN104781973A (zh) 2013-01-15 2015-07-15 松下知识产权经营株式会社 锂二次电池
TWI518210B (zh) 2013-01-31 2016-01-21 三井金屬鑛業股份有限公司 電解銅箔、該電解銅箔之製造方法及使用該電解銅箔而得之表面處理銅箔
JP6116949B2 (ja) 2013-03-14 2017-04-19 新光電気工業株式会社 発光素子搭載用の配線基板、発光装置、発光素子搭載用の配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法
JP6403969B2 (ja) 2013-03-29 2018-10-10 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
CN104125711B (zh) 2013-04-26 2017-10-24 Jx日矿日石金属株式会社 高频电路用铜箔、覆铜板、印刷布线板、带载体的铜箔、电子设备及印刷布线板的制造方法
US9955583B2 (en) 2013-07-23 2018-04-24 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed wiring board, copper clad laminate and method for producing printed wiring board
JP6166614B2 (ja) 2013-07-23 2017-07-19 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
KR101497824B1 (ko) 2013-08-20 2015-03-04 고려대학교 산학협력단 리튬 이차 전지용 애노드, 이의 형성 방법 및 리튬 이차 전지
WO2015040998A1 (ja) 2013-09-20 2015-03-26 三井金属鉱業株式会社 銅箔、キャリア箔付銅箔及び銅張積層板
KR101502373B1 (ko) 2013-10-14 2015-03-16 일진머티리얼즈 주식회사 전해동박, 이를 포함하는 전기부품 및 전지
KR101571060B1 (ko) 2013-11-28 2015-11-24 일진머티리얼즈 주식회사 전해동박, 이를 포함하는 전기부품 및 전지, 및 전해동박 제조방법
JP5710737B1 (ja) 2013-11-29 2015-04-30 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔、積層板、プリント配線板、プリント回路板及び電子機器
KR101887791B1 (ko) 2013-12-10 2018-08-10 제이엑스금속주식회사 표면 처리 동박, 구리 피복 적층판, 프린트 배선판, 전자 기기 및 프린트 배선판의 제조 방법
JP5810249B1 (ja) 2014-01-07 2015-11-11 古河電気工業株式会社 電解銅箔、リチウムイオン二次電池用負極電極及びリチウムイオン二次電池、プリント配線板並びに電磁波シールド材
KR101734795B1 (ko) 2014-01-27 2017-05-11 미쓰이금속광업주식회사 조화 처리 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판
TWI542739B (zh) 2014-03-21 2016-07-21 長春石油化學股份有限公司 電解銅箔
JP5925961B2 (ja) 2014-03-31 2016-05-25 三井金属鉱業株式会社 キャリア箔付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
TWI616122B (zh) 2014-05-28 2018-02-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp 表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器、表面處理銅箔的製造方法及印刷配線板的製造方法
JP5788062B1 (ja) 2014-06-20 2015-09-30 古河電気工業株式会社 全固体電池用負極集電体及び全固体電池
WO2016038923A1 (ja) * 2014-09-09 2016-03-17 古河電気工業株式会社 プリント配線板用銅箔及び銅張積層板
JP6867102B2 (ja) * 2014-10-22 2021-04-28 Ｊｘ金属株式会社 銅放熱材、キャリア付銅箔、コネクタ、端子、積層体、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法
JP5871443B1 (ja) 2015-01-08 2016-03-01 古河電気工業株式会社 銅合金板材およびその製造方法
KR101852671B1 (ko) 2015-01-21 2018-06-04 제이엑스금속주식회사 캐리어 부착 동박, 적층체, 프린트 배선판, 및, 프린트 배선판의 제조 방법
JPWO2016117711A1 (ja) 2015-01-23 2017-11-02 古河電気工業株式会社 金属部材と樹脂モールドとの複合体および樹脂モールドとの複合体形成用金属部材
CN105986288A (zh) 2015-02-28 2016-10-05 日进材料股份有限公司 电解铜箔、包含该电解铜箔的电气部件及电池
JP6014186B2 (ja) 2015-03-03 2016-10-25 イルジン マテリアルズ カンパニー リミテッドＩｌｊｉｎ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 電解銅箔、これを含む電気部品および電池
US9899683B2 (en) * 2015-03-06 2018-02-20 Iljin Materials Co., Ltd. Electrolytic copper foil, electric component and battery including the same
EP3067442A1 (en) 2015-03-09 2016-09-14 Iljin Materials Co., Ltd. Electrolytic copper foil, electric component and battery including the same
KR102122425B1 (ko) 2015-06-18 2020-06-12 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 리튬 이차전지용 전해동박 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
JP6236120B2 (ja) 2015-06-24 2017-11-22 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
CN104992998B (zh) 2015-06-30 2017-01-18 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 一种晶硅组件用导热背板及其制备方法
WO2017006739A1 (ja) 2015-07-03 2017-01-12 三井金属鉱業株式会社 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
JP6782561B2 (ja) 2015-07-16 2020-11-11 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
CN107923047B (zh) * 2015-07-29 2020-05-01 纳美仕有限公司 粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
JP6190500B2 (ja) 2015-08-06 2017-08-30 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6339636B2 (ja) * 2015-08-06 2018-06-06 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6200042B2 (ja) 2015-08-06 2017-09-20 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6543141B2 (ja) * 2015-09-01 2019-07-10 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 Ｓｎめっき材およびその製造方法
KR102473557B1 (ko) 2015-09-24 2022-12-01 에스케이넥실리스 주식회사 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
JP6190980B2 (ja) 2015-09-25 2017-08-30 古河電気工業株式会社 電解銅箔、その電解銅箔を用いた各種製品
JP6498091B2 (ja) 2015-09-25 2019-04-10 Ｊｘ金属株式会社 表面処理金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器
US9397343B1 (en) 2015-10-15 2016-07-19 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil exhibiting anti-swelling properties
US9709348B2 (en) 2015-10-27 2017-07-18 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Heat-dissipating copper foil and graphene composite
EP3372382B1 (en) * 2015-11-05 2021-06-16 Toray Industries, Inc. Biaxially oriented polypropylene film, multilayered film including metal film, and film capacitor
JP6854114B2 (ja) * 2016-01-04 2021-04-07 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔
US9707738B1 (en) 2016-01-14 2017-07-18 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil and methods of use
MY190857A (en) 2016-01-15 2022-05-12 Jx Nippon Mining & Metals Corp Copper foil, copper-clad laminate board,method for producing printed wiring board,method for producing electronic apparatus,method for producing transmission channel, and method for producing antenna
JP6945523B2 (ja) 2016-04-14 2021-10-06 三井金属鉱業株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、並びにそれらを用いた銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
JP2017193778A (ja) * 2016-04-15 2017-10-26 Ｊｘ金属株式会社 銅箔、高周波回路用銅箔、キャリア付銅箔、高周波回路用キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
US9673646B1 (en) 2016-08-19 2017-06-06 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated electrolytic copper foil and method for wireless charging of flexible printed circuit board
CN106350862B (zh) 2016-08-30 2018-08-24 灵宝金源朝辉铜业有限公司 一种压延铜箔粗化处理方法
JP6783205B2 (ja) 2016-09-06 2020-11-11 タツタ電線株式会社 電磁波シールドフィルム
CN109642338B (zh) 2016-09-12 2021-02-09 古河电气工业株式会社 铜箔以及具有该铜箔的覆铜板
US10263257B2 (en) 2016-09-22 2019-04-16 Grst International Limited Electrode assemblies
KR20180040754A (ko) 2016-10-12 2018-04-23 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 핸들링이 용이한 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR101755203B1 (ko) * 2016-11-11 2017-07-10 일진머티리얼즈 주식회사 이차전지용 전해동박 및 그의 제조방법
US9955588B1 (en) 2016-11-28 2018-04-24 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Multilayer carrier foil
KR102268478B1 (ko) 2016-12-14 2021-06-22 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 표면 처리 동박 및 동 클래드 적층판
KR20180080514A (ko) 2017-01-04 2018-07-12 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 높은 내부식성을 갖고 활물질과의 접착력이 우수한 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR20180080512A (ko) 2017-01-04 2018-07-12 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 최적화된 피크 조도를 갖는 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR20180083515A (ko) 2017-01-13 2018-07-23 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 울음 불량이 실질적으로 없는 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
CN108345195B (zh) * 2017-01-23 2021-11-26 住友橡胶工业株式会社 充电辊及其制造方法
US10057984B1 (en) 2017-02-02 2018-08-21 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Composite thin copper foil and carrier
JP7193915B2 (ja) * 2017-02-03 2022-12-21 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔並びにこれを用いた集電体、電極及び電池
TWI619850B (zh) 2017-02-24 2018-04-01 南亞塑膠工業股份有限公司 電解液、電解銅箔及其製造方法
TWI619851B (zh) 2017-02-24 2018-04-01 南亞塑膠工業股份有限公司 具近似絨毛狀銅瘤的電解銅箔與線路板組件的製造方法
JP2018138687A (ja) * 2017-02-24 2018-09-06 日立化成株式会社 接続構造、接続構造の製造方法、接続構造体及び半導体装置
KR102136794B1 (ko) 2017-03-09 2020-07-22 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 우수한 밀착력을 갖는 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR101809985B1 (ko) 2017-03-30 2017-12-18 와이엠티 주식회사 다공성 구리박의 제조방법 및 이를 이용한 다공성 구리박
CN108697006B (zh) 2017-03-31 2021-07-16 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法
JP7356209B2 (ja) * 2017-03-31 2023-10-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
US10190225B2 (en) 2017-04-18 2019-01-29 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Electrodeposited copper foil with low repulsive force
TW201900939A (zh) 2017-05-09 2019-01-01 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 電解銅箔、覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法
KR102433032B1 (ko) 2017-07-31 2022-08-16 에스케이넥실리스 주식회사 주름 발생이 방지된 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
US10424793B2 (en) * 2017-11-14 2019-09-24 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Electrodeposited copper foil and method for producing the same, and current collector for lithium secondary battery and secondary battery comprising the electrodeposited copper foil
TWI652163B (zh) 2017-11-15 2019-03-01 財團法人工業技術研究院 高頻電路用銅箔及其製造方法
US10205170B1 (en) 2017-12-04 2019-02-12 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for current collector of lithium secondary battery
US10337115B1 (en) 2018-01-05 2019-07-02 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface treated copper foil for high speed printed circuit board products including the copper foil and methods of making
KR102500676B1 (ko) 2018-02-02 2023-02-16 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
JP2020052212A (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置
US10581081B1 (en) 2019-02-01 2020-03-03 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for negative electrode current collector of lithium ion secondary battery

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