CN111989989B - 表面处理铜箔及铜箔基板 - Google Patents

表面处理铜箔及铜箔基板 Download PDF

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Abstract

一种表面处理铜箔(100)，包括处理面(100A)，其中处理面(100A)的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2，且处理面(100A)的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0。

Description

表面处理铜箔及铜箔基板
【技术领域】
本揭露关于一种铜箔的技术领域，特别是关于一种表面处理铜箔及其铜箔基板。
【背景技术】
随着电子产品逐渐朝向轻薄以及传递高频讯号的趋势发展，对于铜箔和铜箔基板的需求也日益提升。一般而言，铜箔基板的铜导电线路会被绝缘载板承载，且藉由导电线路的布局设计，其可将电讯号沿着预定的路径传递至预定区域。此外，对于用于传递高频电讯号(例如高于10GHz)的铜箔基板而言，其铜箔基板的导电线路亦必须进一步优化，以降低因集肤效应(skin effect)而产生的讯号传递损失(signal transmission loss)。所谓的集肤效应，是指随着电讯号的频率增加，电流的传递路径会愈集中于导线的表面，例如紧邻于载板的导线表面。为了降低集肤效应而产生的讯号传递损失，现有作法是尽可能将铜箔基板中紧邻于载板的导线表面予以平坦化。
然而，即便上述作法确实可有效降低铜箔基板所产生的讯号传递损失，其仍存有待克服的技术缺失。举例而言，由于导线表面会较平坦，因此导线和载板间的附着性通常会较低。在这样的情况下，即便采用了较低粗糙度的铜箔以制作导线，铜箔基板中的导线仍很容易自载板的表面剥离，致使电讯号无法沿着预定路径传递至预定区域。
因此，仍有必要提供一种表面处理铜箔及铜箔基板，以解决先前技术中所存在的缺失。
【发明内容】
有鉴于此，本揭露提供有一种改良的表面处理铜箔及铜箔基板，解决了先前技术中所存在的缺失。
根据本揭露的一实施例，提供一种表面处理铜箔，表面处理铜箔包括处理面，其中处理面的空隙体积(void volume，Vv)和实体体积(material volume，Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2(μm3/μm2是指单位面积为1μm2的表面所具有的体积)，且处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0。
可选择地，根据本揭露的另一实施例，提供一种表面处理铜箔，表面处理铜箔包括主体铜箔，以及设置于主体铜箔的表面处理层。其中，表面处理层的外侧为表面处理铜箔的处理面，且表面处理层包括粗化层。处理面的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2，且处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0。
可选择地，前述主体铜箔为电解铜箔，且表面处理层设置于电解铜箔的沉积面。可选择地，前述主体铜箔为压延铜箔。
根据本揭露的又一实施例，提供一种铜箔基板。铜箔基板包括载板以及设置在主体铜箔和载板之间的表面处理铜箔，其中表面处理铜箔包括面向载板的处理面。处理面的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2，且处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0
根据上述实施例，藉由将表面处理铜箔的处理面的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和控制为0.13至1.50μm3/μm2，且处理面的均方根梯度(Sdq)控制为小于或等于1.0，当后续将表面处理铜箔压合至载板时，处理面和载板间的附着性会更佳，且亦能保持较低的讯号传递损失程度。藉由提升表面处理铜箔处理面和载板间的附着性，后续经由蚀刻程序而形成的导电线路便不易自载板的表面剥离，进而提升了铜箔基板的良率及耐用性。
【附图说明】
图1是根据本揭露一实施例所绘示的表面处理铜箔的剖面示意图。
图2是本揭露一实施例的表面处理铜箔的表面高度和负载率间的关系图。
图3是根据本揭露一实施例所绘示的带状线(stripline)的示意图。
【具体实施方式】
于下文中，加以陈述表面处理铜箔、铜箔基板及印刷电路板的具体实施方式，使本技术领域中具有通常技术者可据以实现本发明。该些具体实施方式可参考相对应的图式，使该些图式构成实施方式的一部分。虽然本揭露的实施例揭露如下，然而其并非用以限定本揭露，任何熟习此技艺者，在不脱离本揭露的精神和范畴内，当可作些许的更动与润饰。其中，各实施例以及实验例所使用的方法，如无特别说明，则为常规方法。
针对本揭露中所提及的空间相关的叙述词汇，「在…上」及「在…上方」等用语在本揭露中的含义应该以最宽泛方式来解释，使得「在…上」及「在…上方」等用语不仅指直接处于某物上，而且还可以包括在有中间特征或中间层位于二者之间的情况下而处于某物上，并且「在…上」或「在…上方」不仅指处于某物之上或上方，而且还可以包括在二者之间没有中间特征或中间层的情况下而处于在某物之上或上方(即直接处于某物上)的态样。
此外，在下文中除非有相反的指示，本揭露及申请权利要求范围所阐述的数值参数约略数，其可视需要而变化，或至少应根据所揭露的有意义的位数数字并且使用通常的进位方式，以解读各个数值参数。本揭露中，范围可表示为从一端点至另一端点，或是在两个端点之间。除非特别声明，否则本揭露中的所有范围皆包含端点。
须知悉的是，在不脱离本揭露的精神下，下文所描述的不同实施方式中的技术特征彼此间可以被置换、重组、混合，以构成其他的实施例。
图1是根据本揭露一实施例所绘示的表面处理铜箔的剖面示意图。如图1所示，表面处理铜箔100至少包括处理面100A。根据本揭露一实施例的表面处理铜箔100还进一步包括主体铜箔110及表面处理层112。
主体铜箔110可以是压延铜箔或是电解铜箔，其厚度通常大于或等于6μm，例如介于7-250μm之间，或介于9μm～210μm之间。对于主体铜箔110为电解铜箔的情形，此电解铜箔可透过电沉积(或称电解、电解沉积、电镀)制程而被形成。主体铜箔110具有两相对设置的第一面110A和第二面110B。根据本揭露的一实施例，当主体铜箔110为压延铜箔时，第一面110A和第二面110B至少一者的算术平均高度(Ra)为0.1μ～0.4μm，但不限定于此。根据本揭露的一实施例，当主体铜箔110为电解铜箔时，电解铜箔的沉积面(deposited side)可以对应至主体铜箔110的第一面110A，而电解铜箔的辊筒面(drum side)可以对应至主体铜箔110的第二面110B，但不限定于此。
根据本揭露的一实施例，主体铜箔110的第一面110A和第二面110B上可分别设置有其他的层，例如可在第一面110A设置表面处理层112，及/或在第二面110B设置另一表面处理层112。对于设置有表面处理层112的表面处理铜箔100而言，表面处理层112的外侧面可以被视为是表面处理铜箔100的处理面100A。根据本揭露的其他实施例，主体铜箔110的第一面110A和第二面110B可以进一步设置有其他的单层或多层结构、或是第一面110A和第二面110B的表面处理层112可以被其他的单层或多层结构取代、或是第一面110A和第二面110B未设置有任何层，但不限定于此。因此，在这些实施例中，表面处理铜箔100的处理面100A便不会对应至表面处理层112的外侧面，而可能会对应至其他单层或多层结构的外侧面，或可能会对应至主体铜箔110的第一面110A和第二面110B，但不限定于此。
前述表面处理层112可以是单层，或是包括多个子层的堆栈层。对于表面处理层112是堆栈层的情形，各子层可选自由粗化层114、钝化层116、防锈层118以及耦合层120所构成的群组。表面处理层112的外侧面可以被视为是表面处理铜箔100的处理面100A，经由后续将表面处理铜箔100压合至载板的制程，此处理面100A会接触载板。根据本揭露的一实施例，主体铜箔110为压延铜箔，且表面处理层112至少包含粗化层114。根据本揭露的一实施例，主体铜箔110为电解铜箔，表面处理层112设置于电解铜箔的沉积面，且包含粗化层114。根据本揭露的一实施例，主体铜箔110为电解铜箔，表面处理层112设置于电解铜箔的沉积面，且包含粗化层114及钝化层116。
前述粗化层包括粗化粒子(nodule)。粗化粒子可用于增进主体铜箔的表面粗糙度，其可为铜粗化粒子或铜合金粗化粒子。其中，为了防止粗化粒子自主体铜箔剥离，可进一步在粗化层上设置覆盖层，以覆盖住粗化粒子。
钝化层可以是相同或不同组成，例如是金属层或金属合金层。其中，前述金属层可以选自但不限于镍、锌、铬、钴、钼、铁、锡，及钒，例如是：镍层、镍锌合金层、锌层、锌锡合金层或铬层。此外，金属层及金属合金层可以是单层或多层结构，例如彼此堆栈的含锌及含镍的单层。当为多层结构时，各层间的堆栈顺序可以依据需要而调整，并无一定限制，例如含锌层迭于含镍层上，或含镍层迭于含锌层上。
防锈层施加至金属的被覆层，其可用于避免金属受到腐蚀等而劣化。防锈层包含金属或有机化合物。当防锈层包含金属时，前述金属可以是铬或铬合金，而铬合金可进一步包含选自镍、锌、钴、钼、钒及其组合中之一者。当防锈层包含有机化合物时，前述有机化合物可以选自由三唑、噻唑、咪唑及其衍生物所组成的群组中的至少一者。
耦合层可以是由硅烷制成，其可选自但不限于3-胺基丙基三乙氧基硅烷(3-aminopropyltriethoxysilane,APTES)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基硅烷(N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane)、缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷((3-glycidyloxypropyl)triethoxysilane)、8-缩水甘油氧基辛基三甲氧基硅烷((8-glycidyloxyoctyl)trimethoxysilane)、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷(methacryloylpropyltriethoxysilane)、8-甲基丙烯酰氧基辛基三甲氧基硅烷(methacryloyloctyltrimethoxysilane)、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(methacryloylpropyltrimethoxysilane)、3-巯基丙基三甲氧基硅烷((3-mercaptopropyl)trimethoxysilane)、3-缩水甘油丙基三甲氧基硅烷((3-glycidyloxypropyl)trimethoxysilane)，其用于增进表面处理铜箔与其他材料(例如载板)间的附着性。
根据本揭露的实施例，由于表面处理层中的钝化层和耦合层的总和厚度远小于粗化层的厚度，因此表面处理铜箔的处理面的表面粗糙度，例如：实体体积(Vm)、空隙体积(Vv)、核心部空隙体积(Vvc)、波谷部空隙体积(Vvv)、及〈均方根梯度(Sdq)〉等，主要受粗化层的影响。
上述实体体积(Vm)及空隙体积(Vv)根据ISO 25178-2(2012)的定义，其等的量测可例示如图2所示。图2是本揭露一实施例的表面处理铜箔的表面高度和负载率(materialratio,mr)间的关系图。其中，实体体积(Vm)204的计算将曲线下方及水平切割线上方所围住的实体的体积予以积分，其中水平切割线该曲线在负载率为P2时所对应的高度。亦即，实体体积(Vm)204为负载率(mr)为0％至负载率(mr)为P2(80％)的区间内，高度水平线上方及曲线下方所围绕的范围。需注意的是，如未特别声明，本揭露所指的实体体积(Vm)负载率(mr)为0％至80％区间所计算的值，即为负载率(mr)为80％时所计算出的实体体积(Vm)。
空隙体积(Vv)202的计算将曲线上方及水平切割线下方所围住的空隙的体积予以积分，其中水平切割线该曲线在负载率(areal material ratio,mr)为P1时所对应的高度。亦即，空隙体积(Vv)202为负载率(mr)为P1(10％)的高度水平线下方，至负载率(mr)为100％的区间内的曲线上方所围绕的范围。需注意的是，如未特别声明，本揭露所指的空隙体积(Vv)负载率(mr)为10％至100％区间所计算的值，即为负载率(mr)为10％时所计算出的的空隙体积(Vv)。
空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和。在本揭露中，处理面100A的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2。其中，空隙体积(Vv)较佳为0.10至0.85μm3/μm2，而实体体积(Vm)较佳为0.05至0.60μm3/μm2，但不限于此。
上述均方根梯度(Sdq)可以显示表面型态的倾斜程度。若Sdq的值较小，其代表着表面型态较为平坦，若Sdq的值较大，则表面型态较为尖锐。在本揭露中，处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0，较佳为0.4至1.0。
根据本揭露的实施例，当处理面的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2，且均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0时。对于相应的铜箔基板和印刷电路板而言，表面处理铜箔100和相接触的载板可以同时满足高剥离强度(例如高于或等于0.40N/mm)、低剥离强度衰退率(例如低于或等于34.0％)和低讯号传递损失(讯号传递损失的绝对值小于或等于25dB/m)的需求。
除了前述表面粗糙度之外，处理面的组成及表面型态亦影响黄色指数(YellowIndex,YI)。在本揭露中，处理面的黄色指数(YI)为17至52。
值得注意的是，当主体铜箔是电解铜箔时，控制表面处理铜箔的降伏强度在合适范围将进一步改善翘曲和皱折发生的问题。因铜箔不具有明显的降伏点，因此较佳是采用负载延伸法(extension under load,EUL)决定其降伏强度，其中，降伏强度于0.5％应变所对应的应力。此降伏强度亦可称为0.5％全应变降伏强度。在本揭露中，表面处理铜箔的降伏强度为8.5至26kg/mm2、较佳为8.5至20kg/mm2、更佳为8.5至17kg/mm2。
故，根据本揭露的各实施例，藉由控制表面处理铜箔的处理面的表面粗糙度参数，例如：空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和、均方根梯度(Sdq)，则对于相应的铜箔基板和印刷电路板而言，除了可以提升表面处理铜箔和载板间的附着性，亦可以同时降低高频电讯号在导电图案中传递时所产生的讯号传递损失；此外，进一步透过控制表面处理铜箔的降伏强度将可进一步改善翘曲和皱折发生的问题。前述表面处理铜箔可再进一步加工制成铜箔基板或印刷电路板。铜箔基板至少包括载板和主体铜箔。表面处里铜箔设置于载板的至少一表面，且包括一处理面。其中，表面处理铜箔的处理面面向且直接接触载板。
其中，上述载板可采用电木板、高分子板、或玻璃纤维板，但并不限于此。所述高分子板的高分子成份可例举如：环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resins)、聚酯树脂(polyester resins)、聚酰亚胺树脂(polyimide resins)、压克力(acrylics)、甲醛树脂(formaldehyde resins)、双马来酰亚胺三嗪树脂(bismaleimidetriazine resins，又称BT树脂)、氰酸酯树脂(cyanate ester resin)、含氟聚合物(fluoropolymers)、聚醚砜(poly ether sulfone)、纤维素热塑性塑料(cellulosic thermoplastics)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚烯烃(polyolefins)、聚丙烯(polypropylene)、聚硫化物(polysulfide)、聚氨酯(polyurethane)、聚酰亚胺树脂(polyimide)、液晶高分子(LiquidCrystal Polymer,LCP)、聚氧二甲苯(polyphenylene oxide,PPO)。上述玻璃纤维板可以是玻璃纤维不织物料浸泡于前述高分子(如：环氧树脂)后所形成的预浸渍材料(prepreg)。
在下文中，进一步针对表面处理铜箔以及铜箔基板的制作方法予以例示性地描述。制作方法中的各步骤分述如下：
(1)步骤A
施行步骤A，以提供主体铜箔。主体铜箔可以是压延铜箔或电解铜箔。对于主体铜箔是压延铜箔的情况，此压延铜箔表面的算术平均高度(Ra)可介于特定区间，例如0.1μ～0.4μm，或0.15～0.25μm；对于主体铜箔是电解铜箔的情况，可以采用制箔机，以电解沉积(electrodeposition)的方式形成电解铜箔，或称为生箔(bare copper foil)。具体而言，制箔机可至少包括做为阴极的辊筒、成对的不溶性的金属阳极板、以及电解液入料管(inlet manifold)。其中，辊筒是可转动的金属辊筒，其表面为镜面抛光的表面。金属阳极板可分离固设在辊筒的下半部，以包围辊筒的下半部。入料管可固设在辊筒的正下方，且位于两金属阳极板之间。
在电解沉积过程中，电解液入料管会持续提供电解液至辊筒和金属阳极板之间。藉由在辊筒和金属阳极板之间施加电流或电压，便可以使铜电解沉积在辊筒上，而形成电解铜箔。此外，藉由持续转动辊筒，并使电解铜箔自辊筒的某一侧被剥离，便可以制作连续不断的电解铜箔。其中，电解铜箔面向辊筒的表面可称作是辊筒面，而电解铜箔远离辊筒的表面可称作是沉积面。
对于压延铜箔，其特征例示如下：
〈1.1压延铜箔〉
算术平均高度(Ra)：0.1μ～0.4μm
对于电解铜箔，其制造参数范围例示如下：
〈1.2生箔的电解液组成及电解条件〉
硫酸铜(CuSO4˙5H2O)：320g/L
硫酸：95g/L
氯离子(从盐酸而来，RCI Labscan Ltd.)：30mg/L(ppm)
聚乙烯亚胺(polyethylenimine(PEI),线性高分子,Mn＝5000,Sigma-AldrichCompany)：6.5～18.5mg/L(ppm)
邻苯甲酰磺酰亚胺(糖精,Sigma-Aldrich Company):4～8mg/L(ppm)
液温：52℃
电流密度：48A/dm2
生箔厚度：18μm
〈1.3辊筒〉
材质：钛
转速：3m/min
(2)步骤B
本步骤B对上述主体铜箔施行表面清洁制程，以确保铜箔的表面不具有污染物(例如油污、氧化物)，其制造参数范围例示如下：
〈2.1清洗液的组成及清洁条件〉
硫酸铜：130g/L
硫酸：50g/L
液温：27℃
浸渍时间：30秒
(3)步骤C
本步骤C于上述主体铜箔的表面形成粗化层。可透过电解沉积，以将粗化层形成主体于铜箔的某一面，例如沉积面。其中，粗化层可以包括粗化粒子(nodule)。制造参数范围例示如下：
〈3.1制作粗化粒子的参数〉
硫酸铜(CuSO4˙5H2O)：70g/L
硫酸：100g/L
液温：25℃
电流密度：34.0～49.0A/dm2
时间：10秒
(4)步骤D
本步骤D于上述粗化层上形成覆盖层，其制造参数范围例示如下：
〈4.1制作覆盖层的参数〉
硫酸铜(CuSO4˙5H2O)：320g/L
硫酸：100g/L
液温：40℃
电流密度：9～14A/dm2
时间：10秒
(5)步骤E
本步骤E于上述铜箔的至少一表面形成钝化层。可以透过电解沉积制程以形成钝化层，对于钝化层例示由镍、锌所构成的二层堆栈结构，其制造参数范围例示如下：
〈5.1含镍层的电解液组成及电解条件〉
硫酸镍(NiSO4)：188g/L
硼酸(H3BO3)：32g/L
次磷酸(H3PO2)：5g/L
液温：20℃
溶液pH：3.2～3.8(about 3.5)
电流密度：0.5A/dm2
时间：3秒
〈5.2含锌层的电解液组成及电解条件〉
硫酸锌(ZnSO4)：11g/L
液温：15℃
溶液pH：13.0
电流密度：0.4～2.0A/dm2
时间：3秒
(6)步骤F
本步骤F于上述铜箔上形成防锈层，例如含铬层，其制造参数范围例示如下：
〈6.1含铬层的电解液组成及电解条件〉
铬酸(H2CrO4)：5g/L
液温：17℃
溶液pH：12.5
电流密度：1.0A/dm2
时间：3秒
(7)步骤G
本步骤G于上述铜箔设置粗化层的一侧上形成耦合层。举例而言，完成上述电解制程后，用水洗涤铜箔，但不干燥铜箔表面。之后将含有硅烷耦合剂的水溶液喷涂至铜箔设有粗化层的侧的防锈层上，使得硅烷耦合剂吸附于钝化层的表面。之后，可以将铜箔放置于烘箱中予以干燥。制造参数范围例示如下：
〈7.1硅烷耦合剂的参数〉
硅烷耦合剂：(3-胺基丙基)三乙氧基硅烷(3-aminopropyltriethoxysilane)
水溶液的硅烷耦合剂浓度：0.25wt.％
喷涂时间：3秒
〈4.2干燥条件〉
温度：120℃
时间：60秒
(8)步骤H
本步骤H将经由上述步骤而形成的表面处理铜箔压合至载板，以形成铜箔基板。根据本揭露的一实施例，可藉由将图1所示的表面处理铜箔100热压至载板，而形成铜箔基板。
为了使本领域的通常知识者得据以实现本揭露，下文将进一步详细描述本揭露的各具体实施例，以具体说明本揭露的表面处理铜箔及铜箔基板。需注意的是，以下实施例仅为例示性，不应以其限制性地解释本揭露。亦即，在不逾越本揭露范畴的情况下，可适当地改变各实施例中所采用的材料、材料的用量及比率以及处理流程等。
实施例1
实施例1为表面处理铜箔，其制造程序对应于上述制作方法中的步骤A至步骤G。实施例1与上述制作方法之间相异的制造参数，记载于表1中。其中，实施例1的主体铜箔为电解铜箔，且粗化层设置在电解铜箔的沉积面上。
实施例2-13
实施例2-13的制造程序大致相同于实施例1的制造程序，其彼此间相异的制造参数记载于表1中。其中，实施例2-12的主体铜箔为电解铜箔，且粗化层设置在电解铜箔的沉积面上。
实施例13在制作方法中所采用的主体铜箔为压延铜箔(Ra＝0.2μm)，而非电解铜箔。
比较例1-5
比较例1-5为表面处理铜箔，其制造程序对应于上述制作方法中的步骤A至步骤G。比较例1-5与上述制作方法之间相异的制造参数，记载于表1中。其中，比较例1-5的主体铜箔为电解铜箔，且粗化层设置在电解铜箔的沉积面上。
表1
以下进一步描述上述各实施例1-13及比较例1-5的各项检测结果，例如：〈实体体积(Vm)〉、〈空隙体积(Vv)〉、〈黄色指数(YI)〉、〈均方根梯度(Sdq)〉、〈剥离强度〉、〈剥离强度衰退率〉、〈降伏强度〉、〈翘曲〉、及〈皱折〉。
〈实体体积(Vm)〉、〈空隙体积(Vv)〉
根据标准ISO 25178-2：2012，以雷射显微镜(LEXT OLS5000-SAF,Olympus)的表面纹理分析，测量表面处理铜箔的处理面的实体体积(Vm)及空隙体积(Vv)。具体量测条件如下：
光源波长：405nm
物镜倍率：100倍物镜(MPLAPON-100x LEXT,Olympus)
光学变焦：1.0倍
观察面积：129μm×129μm
分辨率：1024画素×1024画素
条件：启用雷射显微镜的自动倾斜消除功能(Auto tiltremoval)
滤镜：无滤镜(unfiltered)
空气温度：24±3℃
相对湿度：63±3％
其中，实体体积(Vm)将负载率(mr)的值为80％时而予以获得，空隙体积(Vv)将负载率(mr)的值为10％时而予以获得。检测结果记载于表2中。
〈黄色指数(YI)〉
根据标准YI E313，以光谱仪(CM-2500c,Konica Minolta)量测表面处理铜箔的处理面，并测得其黄色指数(yellowness index,YI)。检测结果记载于表2中。具体量测条件如下：
光源波长：D65
标准观察者函数(Standard ObserverFunction)：2°
标准：CIE1931
〈均方根梯度(Sdq)〉
根据标准ISO 25178-2：2012，以雷射显微镜(LEXT OLS5000-SAF,Olympus)的表面纹理分析，测量表面处理铜箔的处理面的均方根梯度(Sdq)。检测结果记载于表2中。具体量测条件如下：
光源波长：405nm
物镜倍率：100倍物镜(MPLAPON-100x LEXT,Olympus)
光学变焦：1.0倍
观察面积：129μm×129μm
分辨率：1024画素×1024画素
条件：启用雷射显微镜的自动倾斜消除功能(Auto tiltremoval)
滤镜：无滤镜(unfiltered)
空气温度：24±3℃
相对湿度：63±3％
〈剥离强度〉
将表面处理铜箔的处理面面向M6树脂(Megtron 6,Panasonic co.)，并将两者压合，以形成积层板。压合条件如下：温度至少190℃、压力30kg/cm2、及压合时间120分钟。
之后，根据标准IPC-TM-6502.4.8，使用万能试验机，将表面处理铜箔以90°的角度自积层板剥离。检测结果记载于表2中。
〈剥离强度衰减率〉
将表面处理铜箔的处理面面向M6树脂(Megtron 6,Panasonic co.)，并将两者压合，以形成积层板。压合条件如下：温度至少190℃、压力30kg/cm2、及压合时间120分钟。继以将积层板放置于温度设定为180℃的烘箱，静置48小时。
最后，根据标准IPC-TM-6502.4.8，使用万能试验机，将表面处理铜箔以90°的角度自积层板剥离。剥离强度衰减率依下式计算，并记载于表2中：
〈降伏强度〉
根据IPC-TM-6502.4.18标准，将表面处理铜箔制作成长宽尺寸为100mm×12.7mm的样品。接着，使用万能试验机(AG-I,岛津科学仪器股份有限公司(Shimadzu Corp.))，在环境温度为25℃下，以拉伸速度为50mm/min对样品进行拉伸，同时持续纪录样品的应变及相应所承受的应力，直到样品断裂为止。
根据负载延伸法(extensionunder load,EUL)，以样品在0.5％应变时所对应的应力判定为该样品的降伏强度(yield strength)。检测结果记载于表2中。
〈翘曲〉
待检测的样品为尺寸为100×100mm的表面处理铜箔，对样品的四个顶角进行弯曲，以形成翘曲的顶角。继以将样品放置在平面上，用尺测量各翘曲顶角与平面间的垂直距离，以得到至多四个距离值，并以最大的距离值作为翘曲值。检测结果记载于表2中。
〈皱折〉
待检测的样品为宽度为1000mm的表面处理铜箔，沿着样品的宽度对样品的两侧进行拉伸，使样品承受30～35kgf的张力。当样品承受张力时，以目视判别样品的表面是否产生皱折。检测结果记载于表2中，其中，No代表样品未产生皱折；Yes代表样品有产生皱折。
〈讯号传递损失〉
将上述任一实施例的表面处理铜箔制作成带状线(stripline)，并测量其相应的讯号传递损失。其中，带状线的结构可例示如图3所示。带状线300于152.4μm的树脂(取自SyTech Corporation的S7439G)上先贴合上述任一实施例的表面处理铜箔，而后将表面处理铜箔制作成导线302，再使用另外两片树脂(S7439G，取自SyTech Corporation的S7439G)分别覆盖两侧表面，使导线302被设置于树脂载板(S7439G,SyTech Corporation.)304之中。带状线300另可包括两接地电极306-1和接地电极306-2，分别设置于树脂载板304的相对两侧。接地电极306-1和接地电极306-2彼此间可以透过导电通孔而彼此电连接，而使得接地电极306-1和接地电极306-2具有等电位。
带状线300中各部件的规格如下：导线302的长度为100mm、宽度w为120μm、厚度t为18μm；树脂载板304的Dk为3.74、Df为0.006(依据IPC-TM 650No.2.5.5.5，以10GHz讯号量测)；特征阻抗为50Ω。
根据标准Cisco S3方法，利用讯号分析仪(PNA N5230C network analyzer,Agilent)在接地电极306-1、306-2均为接地电位的情况下，将电讯号由导线302的某一端输入，并量测导线302的另一端的输出值，以判别带状线300所产生的讯号传递损失。具体量测条件如下：电讯号频率为200MHz至15GHz、扫描数为6401点、校正方式为TRL。
最后，以电讯号频率为8GHz的情况，判别相应带状线的讯号传递损失的程度，检测结果记载于表2中。其中，当讯号传递损失的绝对值愈小，代表讯号在传递时的损失程度越少。具体而言，当讯号传递损失的绝对值大于25dB/m时，代表讯号传递表现差；当讯号传递损失的绝对值小于或等于25dB/m时，代表讯号传递表现良好；而当讯号传递损失的绝对值小于23dB/m时，代表讯号传递表现最佳。
表2
表2(承上)
根据上述实施例1-13，当处理面100A的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2，且处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0时，对于相应的铜箔基板和印刷电路板而言，表面处理铜箔100和相接触的载板可以同时满足高剥离强度(例如高于或等于0.40N/mm)、低剥离强度衰退率(例如低于或等于34.0％)和低讯号传递损失(讯号传递损失的绝对值小于或等于25dB/m)的需求。
根据上述实施例1-13，当处理面100A的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2，且处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0，且空隙体积(Vv)为0.10至0.85μm3/μm2，或实体体积(Vm)为0.05至0.60μm3/μm2时，对于相应的铜箔基板和印刷电路板而言，同样可以满足高剥离强度、低剥离强度衰退率和低讯号传递损失的需求。
根据上述实施例1-13，当处理面100A的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2，且处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0，且黄色指数(YI)为17至52时，对于相应的铜箔基板和印刷电路板而言，同样可以满足高剥离强度、低剥离强度衰退率和低讯号传递损失的需求。
根据上述实施例1-13，当表面处理铜箔中的主体铜箔为电解铜箔，且表面处理铜箔在0.5％全应变所对应的应力为8.5至26kg/mm2时，此表面处理铜箔不易发生翘曲和皱折等现象。
故，根据本揭露的各实施例，藉由控制表面处理铜箔的处理面的表面粗糙度参数，则对于相应的铜箔基板和印刷电路板而言，除了可以提升表面处理铜箔和载板间的附着性，亦可以同时降低高频电讯号在导电图案中传递时所产生的讯号传递损失。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请权利要求范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
【符号说明】
100…表面处理铜箔
100A…处理面
110…主体铜箔
110A…第一面
110B…第二面
112…表面处理层
114…粗化层
116…钝化层
118…防锈层
120…耦合层
202…空隙体积
204…实体体积
300…带状线
302…导线
304…树脂载板
306-1…接地电极
306-2…接地电极
h…厚度
t…厚度
w…宽度

Claims (15)

1.一种表面处理铜箔，包括一处理面，其中所述处理面的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2，且所述处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0。
2.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中所述处理面的均方根梯度(Sdq)为0.4至1.0。
3.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中所述处理面的黄色指数(YI)为17至52。
4.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中所述处理面的空隙体积(Vv)为0.10至0.85μm3/μm2。
5.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中所述处理面的实体体积(Vm)为0.05至0.60μm3/μm2。
6.如权利要求1所述的表面处理铜箔，进一步包括一主体铜箔，所述主体铜箔为电解铜箔，其中基于0.5％应变下的全应变法，所述表面处理铜箔的降伏强度为8.5至26kg/mm2。
7.如权利要求6所述的表面处理铜箔，进一步包括一主体铜箔，所述主体铜箔为电解铜箔，其中基于0.5％应变下的全应变法，所述表面处理铜箔的降伏强度为8.5至20kg/mm2。
8.如权利要求7所述的表面处理铜箔，进一步包括一主体铜箔，所述主体铜箔为电解铜箔，其中基于0.5％应变下的全应变法，所述表面处理铜箔的降伏强度为8.5至17kg/mm2。
9.如权利要求1至8中任一项所述的表面处理铜箔，进一步包括：
一主体铜箔；以及
一表面处理层，设置于所述主体铜箔的至少一表面，其中所述处理层的最外侧为所述处理面。
10.如权利要求9所述的表面处理铜箔，其中所述表面处理层包括一子层，所述子层为粗化层。
11.如权利要求10所述的表面处理铜箔，其中所述表面处理层还进一步包括至少一个其他的子层，所述至少一个其他的子层选自由钝化层及耦合层所构成的群组。
12.如权利要求11所述的表面处理铜箔，其中所述钝化层包含至少一金属，所述金属选自由镍、锌、铬、钴、钼、铁、锡、及钒所构成的群组。
13.如权利要求9所述的表面处理铜箔，其中所述主体铜箔为电解铜箔或压延铜箔。
14.一种铜箔基板，包括：
一载板；以及
一表面处理铜箔，设置于所述载板的至少一表面，其中所述表面处理铜箔包括：
一主体铜箔；以及
一表面处理层，设置在所述主体铜箔和所述载板之间，其中所述表面处理层包括面向所述载板的一处理面，所述处理面的空隙体积(Vv)和实体体积(Vm)的总和为0.13至1.50μm3/μm2，且所述处理面的均方根梯度(Sdq)小于或等于1.0。
15.如权利要求14所述的铜箔基板，其中所述表面处理层的所述处理面直接接触所述载板。
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TW (13) TWI744773B (zh)
WO (6) WO2020156186A1 (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11251430B2 (en) 2018-03-05 2022-02-15 The Research Foundation For The State University Of New York ϵ-VOPO4 cathode for lithium ion batteries
US10581081B1 (en) 2019-02-01 2020-03-03 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for negative electrode current collector of lithium ion secondary battery
US20220282388A1 (en) * 2019-07-26 2022-09-08 Toyo Kohan Co., Ltd. Roughened nickel-plated material and method for manufacturing same
TWI740515B (zh) 2019-12-23 2021-09-21 長春人造樹脂廠股份有限公司 液晶高分子膜及包含其之積層板
WO2022085371A1 (ja) * 2020-10-22 2022-04-28 古河電気工業株式会社 電解銅箔、リチウムイオン二次電池用負極、及びリチウムイオン二次電池
CN113066767B (zh) * 2021-03-05 2022-01-25 南通越亚半导体有限公司 临时承载板及其制作方法和封装基板的制造方法
CN117321253A (zh) * 2021-05-20 2023-12-29 三井金属矿业株式会社 粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
JPWO2022244827A1 (zh) * 2021-05-20 2022-11-24
JP7366436B2 (ja) 2021-05-31 2023-10-23 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板、及びプリント配線板
KR20240017840A (ko) * 2021-06-03 2024-02-08 미쓰이금속광업주식회사 조화 처리 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판
TWI760249B (zh) 2021-06-16 2022-04-01 長春石油化學股份有限公司 電解銅箔及銅箔基板
US11540389B1 (en) 2021-07-06 2022-12-27 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated copper foil and copper clad laminate
CN115413119B (zh) * 2021-07-06 2023-03-24 长春石油化学股份有限公司 表面处理铜箔及铜箔基板
CN115589667B (zh) * 2021-07-06 2023-09-08 长春石油化学股份有限公司 表面处理铜箔及铜箔基板
TWI809441B (zh) * 2021-07-06 2023-07-21 長春石油化學股份有限公司 表面處理銅箔及銅箔基板
US20230019067A1 (en) 2021-07-06 2023-01-19 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated copper foil and copper clad laminate
WO2023281775A1 (ja) * 2021-07-09 2023-01-12 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
JPWO2023281778A1 (zh) * 2021-07-09 2023-01-12
CN116867930A (zh) * 2021-07-09 2023-10-10 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板
TWI802226B (zh) * 2021-07-09 2023-05-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷配線板
KR102517417B1 (ko) 2021-07-09 2023-04-03 주식회사 다이브 반도체용 동박의 제조방법 및 이를 이용한 반도체용 동박
CN116745468A (zh) * 2021-07-09 2023-09-12 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板
CA3172526A1 (en) * 2021-10-07 2023-04-07 Circuit Foil Luxembourg Copper foil with high energy at break and secondary battery comprising the same
TWI778833B (zh) * 2021-10-18 2022-09-21 長春石油化學股份有限公司 聚合物膜及其應用
TWI781818B (zh) * 2021-11-05 2022-10-21 長春石油化學股份有限公司 表面處理銅箔及銅箔基板
CN117916553A (zh) 2021-12-22 2024-04-19 三井金属矿业株式会社 铜箔的表面参数的测定方法、铜箔的筛选方法以及表面处理铜箔的制造方法
LU501394B1 (en) 2022-02-07 2023-08-07 Circuit Foil Luxembourg Surface-treated copper foil for high-frequency circuit and method for producing the same
CN114657610A (zh) * 2022-03-28 2022-06-24 电子科技大学 一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法
GB2618129A (en) * 2022-04-28 2023-11-01 Airbus Operations Ltd Multi-material joint
CN114990654B (zh) * 2022-06-02 2024-04-26 山东金宝电子有限公司 一种电解铜箔表面处理工艺与hvlp铜箔产品及其应用
WO2024070245A1 (ja) * 2022-09-28 2024-04-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
WO2024070248A1 (ja) * 2022-09-28 2024-04-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
WO2024070247A1 (ja) * 2022-09-28 2024-04-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104884409A (zh) * 2012-12-28 2015-09-02 Toto株式会社 耐等离子性构件
CN105814242A (zh) * 2013-12-10 2016-07-27 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、覆铜积层板、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法
CN106455341A (zh) * 2015-08-06 2017-02-22 Ｊｘ金属株式会社 附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法
TW201738413A (zh) * 2016-01-14 2017-11-01 長春石油化學股份有限公司 銅箔及使用方法
WO2018110579A1 (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔および銅張積層板
WO2018207786A1 (ja) * 2017-05-09 2018-11-15 Ｊｘ金属株式会社 電解銅箔、銅張積層板、プリント配線板及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法

Family Cites Families (132)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3927208A (en) * 1973-05-14 1975-12-16 Rit Rech Ind Therapeut Live bovine adenovirus vaccines, preparation thereof and method of vaccination using them
US4876899A (en) 1988-10-31 1989-10-31 Texas Instruments Incorporated Torque sensing device
JPH0787270B2 (ja) 1992-02-19 1995-09-20 日鉱グールド・フォイル株式会社 印刷回路用銅箔及びその製造方法
JP3500072B2 (ja) 1998-07-27 2004-02-23 新日本製鐵株式会社 電解金属箔製造ドラム用チタン材およびその製造方法
JP2000119892A (ja) 1998-10-12 2000-04-25 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 電気銅の製造方法およびこの方法により得られた電気銅
JP3850155B2 (ja) 1998-12-11 2006-11-29 日本電解株式会社 電解銅箔、二次電池の集電体用銅箔及び二次電池
JP2001192879A (ja) 2000-01-13 2001-07-17 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 電気銅製造用の種板成形ロールおよびそれを用いて成形された電気銅製造用の種板、ならびに該種板を用いて電気銅を製造する方法および該方法により得られた電気銅
JP4441642B2 (ja) 2000-12-27 2010-03-31 三井金属鉱業株式会社 電解銅箔製造用のチタン製カソード電極、そのチタン製カソード電極を用いた回転陰極ドラム、チタン製カソード電極に用いるチタン材の製造方法及びチタン製カソード電極用チタン材の矯正加工方法
JP3850321B2 (ja) 2002-03-19 2006-11-29 日本電解株式会社 二次電池
JP4094395B2 (ja) 2002-04-10 2008-06-04 新日本製鐵株式会社 電解Ｃｕ箔製造ドラム用チタン板およびその製造方法
TW200403358A (en) * 2002-08-01 2004-03-01 Furukawa Circuit Foil Electrodeposited copper foil and electrodeposited copper foil for secondary battery collector
TW200424359A (en) 2003-02-04 2004-11-16 Furukawa Circuit Foil Copper foil for high frequency circuit, method of production and apparatus for production of same, and high frequency circuit using copper foil
JP4061211B2 (ja) 2003-02-20 2008-03-12 新日本製鐵株式会社 電解銅箔製造用カソード電極に用いるチタン合金及びその製造方法
JP4273309B2 (ja) 2003-05-14 2009-06-03 福田金属箔粉工業株式会社 低粗面電解銅箔及びその製造方法
CN100375908C (zh) * 2003-06-18 2008-03-19 旭化成株式会社 抗反射膜
JP4567360B2 (ja) 2004-04-02 2010-10-20 三井金属鉱業株式会社 銅箔の製造方法及びその製造方法で得られる銅箔
JP2006103189A (ja) * 2004-10-06 2006-04-20 Furukawa Circuit Foil Kk 表面処理銅箔並びに回路基板
CN2752274Y (zh) 2004-12-29 2006-01-18 北京远创铜箔设备有限公司 制备铜箔的电解装置
JP2006253345A (ja) 2005-03-10 2006-09-21 Furukawa Circuit Foil Kk 高純度電解銅箔及びその製造方法
TW200738913A (en) 2006-03-10 2007-10-16 Mitsui Mining & Smelting Co Surface treated elctrolytic copper foil and process for producing the same
CN101466875B (zh) 2006-06-12 2011-01-05 日矿金属株式会社 具有粗化处理面的轧制铜或铜合金箔以及该轧制铜或铜合金箔的粗化方法
JP4743020B2 (ja) 2006-06-26 2011-08-10 ソニー株式会社 電極集電体及びその製造方法、電池用電極及びその製造方法、並びに二次電池
CN1995469B (zh) 2006-11-28 2011-06-15 山东金宝电子股份有限公司 高温高延展电解铜箔制造工艺
JP4460642B2 (ja) 2007-03-13 2010-05-12 パナソニック株式会社 リチウム二次電池用負極およびその製造方法、ならびにリチウム二次電池用負極を備えたリチウム二次電池
US20100136434A1 (en) 2007-04-20 2010-06-03 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Electrolytic Copper Foil for Lithium Rechargeable Battery and Process for Producing the Copper Foil
CN101302635B (zh) * 2008-01-18 2010-12-08 梁国柱 钢铁件酸性预镀铜电镀添加剂及预镀工艺
TWI434965B (zh) 2008-05-28 2014-04-21 Mitsui Mining & Smelting Co A roughening method for copper foil, and a copper foil for a printed wiring board which is obtained by the roughening method
JP5235542B2 (ja) 2008-07-15 2013-07-10 キヤノン株式会社 像振れ補正装置またはそれを備えたレンズ装置、撮像装置並びに像振れ補正装置の制御方法
TWI513388B (zh) 2008-09-05 2015-12-11 Furukawa Electric Co Ltd A very thin copper foil with a carrier, and a laminated plate or printed circuit board with copper foil
FR2938522B1 (fr) 2008-11-20 2010-12-17 Inst Francais Du Petrole Procede de production d'hydrogene avec captation totale du co2 et recyclage du methane non converti
JP5437155B2 (ja) 2009-05-08 2014-03-12 古河電気工業株式会社 ２次電池用負極、電極用銅箔、２次電池および２次電池用負極の製造方法
US20120189859A1 (en) * 2009-07-24 2012-07-26 Pi R&D Co., Ltd. Resin composite electrolytic copper foil, copper clad laminate and printed wiring board
JP4927963B2 (ja) * 2010-01-22 2012-05-09 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔、その製造方法及び銅張積層基板
JP5103496B2 (ja) 2010-03-09 2012-12-19 日立ビークルエナジー株式会社 リチウムイオン二次電池
JP2011192879A (ja) 2010-03-16 2011-09-29 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の製造方法
CN102234823B (zh) 2010-04-28 2013-11-06 长春石油化学股份有限公司 用于制造电解铜箔的铜料以及电解铜箔的制造方法
CN102884228B (zh) 2010-05-07 2015-11-25 吉坤日矿日石金属株式会社 印刷电路用铜箔
TWI417424B (zh) 2010-11-08 2013-12-01 Chang Chun Petrochemical Co 多孔性銅箔之製造方法
EP2654111B1 (en) 2010-12-27 2018-04-18 Furukawa Electric Co., Ltd. Lithium-ion secondary battery, electrode for secondary battery, and electrolytic copper foil for secondary battery electrode
JP5617611B2 (ja) 2010-12-27 2014-11-05 日立金属株式会社 引張強度に優れる複合金属箔
JP2012172198A (ja) 2011-02-22 2012-09-10 Jx Nippon Mining & Metals Corp 電解銅箔及びその製造方法
JP5834322B2 (ja) 2011-07-20 2015-12-16 エルジー・ケム・リミテッド セパレータ、その製造方法及びこれを備えた電気化学素子
JP5373995B2 (ja) 2011-08-31 2013-12-18 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔
CN102418129A (zh) 2011-11-18 2012-04-18 山东金宝电子股份有限公司 一种高Tg、无卤素板用铜箔的表面处理工艺
JP2013133514A (ja) 2011-12-27 2013-07-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 銅箔、二次電池の電極、二次電池、並びにプリント回路基板
WO2013147115A1 (ja) 2012-03-29 2013-10-03 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔
KR20130127031A (ko) 2012-05-10 2013-11-22 현대자동차주식회사 금속 합금 전극 리튬이온 이차전지 음극소재 및 이의 제조 방법
JP2014015674A (ja) 2012-06-11 2014-01-30 Sh Copper Products Corp 圧延銅箔、および銅張積層板
TWI482882B (zh) 2012-09-10 2015-05-01 Jx Nippon Mining & Metals Corp Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board
JP6415033B2 (ja) 2012-09-11 2018-10-31 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法
JP5481577B1 (ja) 2012-09-11 2014-04-23 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付き銅箔
KR20140034698A (ko) * 2012-09-12 2014-03-20 주식회사 두산 동박의 표면처리 방법 및 그 방법으로 표면처리된 동박
JP5358739B1 (ja) 2012-10-26 2013-12-04 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板、及び、プリント配線板の製造方法
TWI509111B (zh) 2012-11-26 2015-11-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp Surface treatment of electrolytic copper foil, laminated board, and printed wiring board, electronic equipment
CN102965698B (zh) 2012-11-28 2015-09-09 山东金宝电子股份有限公司 低翘曲电解铜箔生产工艺
TWI539033B (zh) 2013-01-07 2016-06-21 Chang Chun Petrochemical Co Electrolytic copper foil and its preparation method
CN104781973A (zh) 2013-01-15 2015-07-15 松下知识产权经营株式会社 锂二次电池
TWI518210B (zh) 2013-01-31 2016-01-21 三井金屬鑛業股份有限公司 電解銅箔、該電解銅箔之製造方法及使用該電解銅箔而得之表面處理銅箔
JP6116949B2 (ja) 2013-03-14 2017-04-19 新光電気工業株式会社 発光素子搭載用の配線基板、発光装置、発光素子搭載用の配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法
JP6403969B2 (ja) 2013-03-29 2018-10-10 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
CN104125711B (zh) 2013-04-26 2017-10-24 Jx日矿日石金属株式会社 高频电路用铜箔、覆铜板、印刷布线板、带载体的铜箔、电子设备及印刷布线板的制造方法
US9955583B2 (en) 2013-07-23 2018-04-24 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed wiring board, copper clad laminate and method for producing printed wiring board
JP6166614B2 (ja) 2013-07-23 2017-07-19 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
KR101497824B1 (ko) 2013-08-20 2015-03-04 고려대학교 산학협력단 리튬 이차 전지용 애노드, 이의 형성 방법 및 리튬 이차 전지
WO2015040998A1 (ja) 2013-09-20 2015-03-26 三井金属鉱業株式会社 銅箔、キャリア箔付銅箔及び銅張積層板
KR101502373B1 (ko) 2013-10-14 2015-03-16 일진머티리얼즈 주식회사 전해동박, 이를 포함하는 전기부품 및 전지
KR101571060B1 (ko) 2013-11-28 2015-11-24 일진머티리얼즈 주식회사 전해동박, 이를 포함하는 전기부품 및 전지, 및 전해동박 제조방법
JP5710737B1 (ja) 2013-11-29 2015-04-30 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔、積層板、プリント配線板、プリント回路板及び電子機器
JP5810249B1 (ja) 2014-01-07 2015-11-11 古河電気工業株式会社 電解銅箔、リチウムイオン二次電池用負極電極及びリチウムイオン二次電池、プリント配線板並びに電磁波シールド材
KR101734795B1 (ko) 2014-01-27 2017-05-11 미쓰이금속광업주식회사 조화 처리 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판
TWI542739B (zh) 2014-03-21 2016-07-21 長春石油化學股份有限公司 電解銅箔
JP5925961B2 (ja) 2014-03-31 2016-05-25 三井金属鉱業株式会社 キャリア箔付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
TWI616122B (zh) 2014-05-28 2018-02-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp 表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器、表面處理銅箔的製造方法及印刷配線板的製造方法
JP5788062B1 (ja) 2014-06-20 2015-09-30 古河電気工業株式会社 全固体電池用負極集電体及び全固体電池
WO2016038923A1 (ja) * 2014-09-09 2016-03-17 古河電気工業株式会社 プリント配線板用銅箔及び銅張積層板
JP6867102B2 (ja) * 2014-10-22 2021-04-28 Ｊｘ金属株式会社 銅放熱材、キャリア付銅箔、コネクタ、端子、積層体、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法
JP5871443B1 (ja) 2015-01-08 2016-03-01 古河電気工業株式会社 銅合金板材およびその製造方法
KR101852671B1 (ko) 2015-01-21 2018-06-04 제이엑스금속주식회사 캐리어 부착 동박, 적층체, 프린트 배선판, 및, 프린트 배선판의 제조 방법
JPWO2016117711A1 (ja) 2015-01-23 2017-11-02 古河電気工業株式会社 金属部材と樹脂モールドとの複合体および樹脂モールドとの複合体形成用金属部材
CN105986288A (zh) 2015-02-28 2016-10-05 日进材料股份有限公司 电解铜箔、包含该电解铜箔的电气部件及电池
JP6014186B2 (ja) 2015-03-03 2016-10-25 イルジン マテリアルズ カンパニー リミテッドＩｌｊｉｎ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 電解銅箔、これを含む電気部品および電池
US9899683B2 (en) * 2015-03-06 2018-02-20 Iljin Materials Co., Ltd. Electrolytic copper foil, electric component and battery including the same
EP3067442A1 (en) 2015-03-09 2016-09-14 Iljin Materials Co., Ltd. Electrolytic copper foil, electric component and battery including the same
KR102122425B1 (ko) 2015-06-18 2020-06-12 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 리튬 이차전지용 전해동박 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
JP6236120B2 (ja) 2015-06-24 2017-11-22 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
CN104992998B (zh) 2015-06-30 2017-01-18 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 一种晶硅组件用导热背板及其制备方法
WO2017006739A1 (ja) 2015-07-03 2017-01-12 三井金属鉱業株式会社 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
JP6782561B2 (ja) 2015-07-16 2020-11-11 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
CN107923047B (zh) * 2015-07-29 2020-05-01 纳美仕有限公司 粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
JP6190500B2 (ja) 2015-08-06 2017-08-30 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6339636B2 (ja) * 2015-08-06 2018-06-06 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6543141B2 (ja) * 2015-09-01 2019-07-10 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 Ｓｎめっき材およびその製造方法
KR102473557B1 (ko) 2015-09-24 2022-12-01 에스케이넥실리스 주식회사 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
JP6190980B2 (ja) 2015-09-25 2017-08-30 古河電気工業株式会社 電解銅箔、その電解銅箔を用いた各種製品
JP6498091B2 (ja) 2015-09-25 2019-04-10 Ｊｘ金属株式会社 表面処理金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器
US9397343B1 (en) 2015-10-15 2016-07-19 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil exhibiting anti-swelling properties
US9709348B2 (en) 2015-10-27 2017-07-18 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Heat-dissipating copper foil and graphene composite
EP3372382B1 (en) * 2015-11-05 2021-06-16 Toray Industries, Inc. Biaxially oriented polypropylene film, multilayered film including metal film, and film capacitor
JP6854114B2 (ja) * 2016-01-04 2021-04-07 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔
MY190857A (en) 2016-01-15 2022-05-12 Jx Nippon Mining & Metals Corp Copper foil, copper-clad laminate board,method for producing printed wiring board,method for producing electronic apparatus,method for producing transmission channel, and method for producing antenna
JP6945523B2 (ja) 2016-04-14 2021-10-06 三井金属鉱業株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、並びにそれらを用いた銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
JP2017193778A (ja) * 2016-04-15 2017-10-26 Ｊｘ金属株式会社 銅箔、高周波回路用銅箔、キャリア付銅箔、高周波回路用キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
US9673646B1 (en) 2016-08-19 2017-06-06 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated electrolytic copper foil and method for wireless charging of flexible printed circuit board
CN106350862B (zh) 2016-08-30 2018-08-24 灵宝金源朝辉铜业有限公司 一种压延铜箔粗化处理方法
JP6783205B2 (ja) 2016-09-06 2020-11-11 タツタ電線株式会社 電磁波シールドフィルム
CN109642338B (zh) 2016-09-12 2021-02-09 古河电气工业株式会社 铜箔以及具有该铜箔的覆铜板
US10263257B2 (en) 2016-09-22 2019-04-16 Grst International Limited Electrode assemblies
KR20180040754A (ko) 2016-10-12 2018-04-23 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 핸들링이 용이한 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR101755203B1 (ko) * 2016-11-11 2017-07-10 일진머티리얼즈 주식회사 이차전지용 전해동박 및 그의 제조방법
US9955588B1 (en) 2016-11-28 2018-04-24 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Multilayer carrier foil
KR20180080514A (ko) 2017-01-04 2018-07-12 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 높은 내부식성을 갖고 활물질과의 접착력이 우수한 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR20180080512A (ko) 2017-01-04 2018-07-12 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 최적화된 피크 조도를 갖는 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR20180083515A (ko) 2017-01-13 2018-07-23 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 울음 불량이 실질적으로 없는 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
CN108345195B (zh) * 2017-01-23 2021-11-26 住友橡胶工业株式会社 充电辊及其制造方法
US10057984B1 (en) 2017-02-02 2018-08-21 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Composite thin copper foil and carrier
JP7193915B2 (ja) * 2017-02-03 2022-12-21 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔並びにこれを用いた集電体、電極及び電池
TWI619850B (zh) 2017-02-24 2018-04-01 南亞塑膠工業股份有限公司 電解液、電解銅箔及其製造方法
TWI619851B (zh) 2017-02-24 2018-04-01 南亞塑膠工業股份有限公司 具近似絨毛狀銅瘤的電解銅箔與線路板組件的製造方法
JP2018138687A (ja) * 2017-02-24 2018-09-06 日立化成株式会社 接続構造、接続構造の製造方法、接続構造体及び半導体装置
KR102136794B1 (ko) 2017-03-09 2020-07-22 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 우수한 밀착력을 갖는 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR101809985B1 (ko) 2017-03-30 2017-12-18 와이엠티 주식회사 다공성 구리박의 제조방법 및 이를 이용한 다공성 구리박
CN108697006B (zh) 2017-03-31 2021-07-16 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法
JP7356209B2 (ja) * 2017-03-31 2023-10-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
US10190225B2 (en) 2017-04-18 2019-01-29 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Electrodeposited copper foil with low repulsive force
KR102433032B1 (ko) 2017-07-31 2022-08-16 에스케이넥실리스 주식회사 주름 발생이 방지된 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
US10424793B2 (en) * 2017-11-14 2019-09-24 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Electrodeposited copper foil and method for producing the same, and current collector for lithium secondary battery and secondary battery comprising the electrodeposited copper foil
TWI652163B (zh) 2017-11-15 2019-03-01 財團法人工業技術研究院 高頻電路用銅箔及其製造方法
US10205170B1 (en) 2017-12-04 2019-02-12 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for current collector of lithium secondary battery
US10337115B1 (en) 2018-01-05 2019-07-02 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface treated copper foil for high speed printed circuit board products including the copper foil and methods of making
KR102500676B1 (ko) 2018-02-02 2023-02-16 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
JP2020052212A (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置
US10581081B1 (en) 2019-02-01 2020-03-03 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for negative electrode current collector of lithium ion secondary battery

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104884409A (zh) * 2012-12-28 2015-09-02 Toto株式会社 耐等离子性构件
CN105814242A (zh) * 2013-12-10 2016-07-27 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、覆铜积层板、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法
CN106455341A (zh) * 2015-08-06 2017-02-22 Ｊｘ金属株式会社 附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法
TW201738413A (zh) * 2016-01-14 2017-11-01 長春石油化學股份有限公司 銅箔及使用方法
WO2018110579A1 (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔および銅張積層板
WO2018207786A1 (ja) * 2017-05-09 2018-11-15 Ｊｘ金属株式会社 電解銅箔、銅張積層板、プリント配線板及びその製造方法、並びに電子機器及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW202030370A (zh) 2020-08-16
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KR102486639B1 (ko) 2023-01-09
TWI720784B (zh) 2021-03-01
TW202030380A (zh) 2020-08-16
EP3808876A4 (en) 2022-05-04
ES2932464T3 (es) 2023-01-19
WO2020156181A1 (zh) 2020-08-06
PH12021551552A1 (en) 2022-02-28
KR20210016440A (ko) 2021-02-15
CN111525138B (zh) 2022-04-15
KR20210018478A (ko) 2021-02-17
TWI698536B (zh) 2020-07-11
KR20210025554A (ko) 2021-03-09
TWI720783B (zh) 2021-03-01
JP7116848B2 (ja) 2022-08-10
CN111526661B (zh) 2022-03-25
JP7030239B2 (ja) 2022-03-04
WO2020156159A1 (zh) 2020-08-06
TW202039939A (zh) 2020-11-01
US11362337B2 (en) 2022-06-14
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CN111936670B (zh) 2023-07-14
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PL3690083T3 (pl) 2022-01-24
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HUE057222T2 (hu) 2022-04-28
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