TWI513388B - A very thin copper foil with a carrier, and a laminated plate or printed circuit board with copper foil - Google Patents

Description

具載體之極薄銅箔以及貼有銅箔之層積板或印刷電路基板

本發明是關於具載體之極薄銅箔以及使用上述具載體之極薄銅箔的印刷電路基板，特別是關於適用於在300℃以上的高溫之具載體之極薄銅箔以及使用上述具載體之極薄銅箔的印刷電路基板。

通常，作為印刷電路板、多層印刷電路板、用於薄膜覆晶封裝(chip on film)的電路板等的基礎之印刷電路基板所使用的銅箔，在與樹脂基板等熱壓合那一側是成為粗化面，藉由此粗化面發揮對於上述基板的固著效應(anchor effect)，而提高上述基板與銅箔的接合強度，而確保印刷電路基板的可靠度。

近年來，電路板為因應各種電子零組件的的高度集積化，一直提高對於線路圖形的微細線寬、線路間的間距(pitch)的要求，例如用於半導體封裝體的印刷電路板的情況，是受到提供具有線寬、線路間的間距分別為30μm左右之高密度極細微的電路之印刷電路板的需求。

對於用於上述微細圖形印刷電路板的銅箔而言，若使用厚的銅箔，藉由蝕刻來形成電路時的蝕刻時間會變長，其結果，所形成的電路圖形的側壁垂直性變差，在形成的電路圖形的電路線寬狹窄的情況甚至會造成斷線。因此，對於微細圖形用途的銅箔而言，是需要厚度9μm以下的銅箔，而在目前，甚至厚度5μm以下的銅箔亦已廣泛使用。

然而，上述9μm以下的薄銅箔(以下亦稱為「極薄銅箔」)的機械強度弱，在製造印刷電路基板時容易發生皺紋、折痕等，甚至還會發生銅箔斷裂，因此對於微細圖形用途的極薄銅箔而言，會使用隔著剝離層而直接使極薄銅箔層電沈積於作為載體的金屬箔(以下稱為「載體箔」)的單面之具載體之極薄銅箔。上述目前所使用的厚度5μm以下的銅箔，是以此具載體之極薄銅箔的形式來提供。

具載體之極薄銅箔，是在載體箔的單面依序形成剝離層與藉由電鍍銅而得的極薄銅箔，再於上述電鍍銅而成的極薄銅箔的最外層表面完成粗化面而成。然後，將上述粗化面重合於樹脂基材後，對全體施以熱壓合，接下來藉由剝離除去載體箔而形成貼有銅箔之層積板，再於貼有銅箔之層積板的表面之極薄銅箔形成既定的電路圖形的形式來使用。

將極薄銅箔熱壓合於樹脂基材之後而剝離載體箔之時，由於極薄銅箔的厚度若薄於5μm會有極薄銅箔的變形之問題，而有必要使載體箔與極薄銅箔剝離時的剝離強度(以下亦稱為「載體剝離力」)變低且穩定。

載體箔是在將極薄銅箔與樹脂基材接合之前，具有用於穩定並維持極薄銅箔的形狀的補強材料的功能。剝離層是用以促進從載體箔分離極薄銅箔之時的剝離動作的一層，藉由其與載體箔一起被除去，可以整潔、且容易地剝離載體箔。

在極薄銅箔已與樹脂基材接合的貼有銅箔之層積板，依序進行貫穿孔的穿孔設置以及貫穿孔的電鍍，接下來在位於上述貼有銅箔之層積板的表面之極薄銅箔施行蝕刻處理，而形成具有所需的線寬及線間間距的電路圖形，最後再進行防銲層的形成或其他的完工處理。

形成於載體箔上的剝離層，從前以來是使用苯并三唑(benzotriazole；BTA)等的有機系、金屬氧化物等的無機系、或是金屬元素單體或合金等的金屬系等，但是在以聚醯亞胺(polyimide)等的高耐熱樹脂作為樹脂基材的電路基板中，銅箔與樹脂的衝壓處理、樹脂的硬化處理等的加熱溫度為高溫，會因為此加熱處理所造成的剝離強度的提升而造成剝離困難的有機系的剝離層無法因應此情況，故主要是使用金屬系的剝離層。

關於形成金屬系的剝離層的金屬，目前為止已被提出的有Cr(專利文獻1)、Ni(專利文獻1及2)、Ti(專利文獻3)等。

在這些揭露內容中，其特徵在於構成剝離層的金屬的一部分是成為氧化物的狀態，藉由剝離層中的金屬與氧化物的含量比例、形成於金屬表面的氧化物皮膜的厚度來調節載體剝離力。然而，氧化物含量的比例、氧化物皮膜的厚度等的差會造成載體剝離力的變異度，而遭遇到載體剝離力難以穩定的問題、發生鼓起的問題等。

還有，由於電鍍銅難以在氧化物的表面析出，而難以將均一的鍍膜提供至剝離層上，因此也會遭遇到發生極薄銅箔的厚度變異、產生針孔等的問題。

相對於此，提出了在使用複數種金屬及其氧化物的剝離層中，藉由使氧濃度在剝離層的內部連續性地變化而不產生明確的界面，而防止因為界面之處的熱膨脹係數等的差異而產生鼓起的技術(專利文獻4)，但是由於容易造成剝離的界面並不固定，而造成載體剝離力的提高並難以使其穩定，而無法解決上述問題。

第3A~3C圖是顯示習知的具載體之極薄銅箔的載體剝離力的是意圖，其中「1」是代表極薄銅箔、「2」是代表載體箔、「8」是代表剝離層、「9」是代表發生鼓起之處、虛線是代表剝離強度弱的部分。第3A圖是顯示由於極薄銅箔與剝離層之間存在密接性弱的部分而發生鼓起的狀態；第3B圖所顯示的狀態是載體剝離力有變異度，而在一部分存在難以剝離之處，而使載體剝離力提高；第3C圖顯示的狀態是載體剝離力有變異度，而使載體的剝離不穩定。

關於解決上述問題，本案申請人開發出了抑制鼓起的產生、而不會影響載體剝離力、製造品質穩定、即使置於高溫下的環境仍可以容易剝離載體箔與電解銅箔之具載體之極薄銅箔(專利文獻5、6)。

【先行技術文獻】

【專利文獻1】特開2001-301087號公報

【專利文獻2】特開2002-368365號公報

【專利文獻3】特開2003-11267號公報

【專利文獻4】特開2008-130867號公報

【專利文獻5】特開2007-186781號公報

【專利文獻6】特開2007-186782號公報

然而，在上述具載體之極薄銅箔中，在剝離載體箔與銅箔之時，發生剝離的界面並不固定，而難以穩定地在寬度方向或長邊方向進行載體剝離，而並未充分改善上述問題。

有鑑於此，本發明的目的是提供抑制鼓起的發生、剝離強度穩定的具載體之極薄銅箔，特別是以提供即使置於高溫環境下仍容易剝離載體箔與極薄銅箔之具載體之極薄銅箔為目的。

本發明的另一目的是提供作為使用上述具載體之極薄銅箔之微細圖形用途的印刷電路板、多層印刷電路板、用於薄膜覆晶封裝的電路板等的基材之貼有銅箔之層積板或印刷電路基板。

本發明之具載體之極薄銅箔，是由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構成的具載體之極薄銅箔，上述剝離層是由設置在載體箔側的第一剝離層與設置在極薄銅箔側的第二剝離層所構成，而存在有上述載體箔與上述第一剝離層之間的第一界面、上述極薄銅箔與上述第二剝離層之間的第二界面、上述第一剝離層與上述第二剝離層之間的第三界面，上述界面中的剝離強度為：第一界面>第三界面、第二界面>第三界面。

在上述具載體之極薄銅箔中，其特徵在於：上述剝離層是由保持剝離性的金屬A與使該極薄銅箔的電鍍變得容易的金屬B所構成，剝離上述載體箔與上述極薄銅箔之時的上述極薄銅箔那一側的剝離表面中的金屬A的元素比x與金屬B的元素比y為10%≦[y/(x+y)]×100%≦80%的比例。

上述具載體之極薄銅箔中，其特徵在於：剝離上述載體箔與上述極薄銅箔之時，分別以d1及d2作為在上述載體箔那一側及上述極薄銅箔那一側的剝離表面所殘留的上述剝離層厚度，其中0.5≦d1/d2≦12。

上述第三界面較好是在該第一剝離層的表面施以氧化處理所得的氧化物層。

構成上述剝離層的金屬A較好是選自Mo、Ta、V、Mn、W、Cr的族群中的至少一種金屬，金屬B較好是是選自Fe、Co、Ni的族群中的至少一種金屬。

上述剝離層的金屬附著量合計較好為0.05mg/dm² ~50mg/dm² 。

本發明之印刷電路基板，較好是將上述具載體之極薄銅箔之極薄銅箔層積於樹脂基材而成，特別是對高密度及細微電路用途有幫助的貼有銅箔之層積板或印刷電路基板。

本發明是可以提供載體剝離力穩定而不容易產生鼓起、即使置於高溫下的環境仍可以容易剝離載體箔與極薄銅箔之具載體之極薄銅箔。

另外，本發明是可以提供作為使用上述具載體之極薄銅箔之微細圖形用途的印刷電路板、多層印刷電路板、用於薄膜覆晶封裝的電路板等的基材之貼有銅箔之層積板或印刷電路基板。

【用以實施發明的形態】

對於用於具載體之極薄銅箔之金屬載體箔而言，一般可使用鋁箔、鋁合金箔、不銹鋼箔、鈦箔、鈦合金箔、銅合金箔等，但是用於極薄銅箔或極薄銅合金箔(以下無必要區分二者之時，通稱為「極薄銅箔」)的載體箔而言，從其處理的簡便性，較好為使用電解銅箔、電解銅合金箔、軋延銅箔、或軋延銅合金箔。另外，較好為使用厚度為7μm~200μm的載體箔。

對於載體箔而言，若使用厚度7μm以下的薄銅箔，由於此載體箔的機械強度弱而在製造印刷電路基板等之時會容易產生皺紋、折痕等，而會有發生箔斷裂的危險。另外，若載體箔的厚度達200μm以上，每單位箔捲的重量(一個箔捲的重量)會增加，而會對產能造成重大影響，並且在設備上會需求較大的張力，而會加大設備規模，故不建議。因此，關於載體箔厚度，較適合為7μm~200μm。

對於載體箔而言，較好為使用至少單面的粗糙度為Rz：0.01μm~5.0μm的金屬箔，特別是用於薄膜覆晶封裝的電路板中受到辨識性的需求的情況則較好為Rz：0.01μm~2.0μm。因此，在用於薄膜覆晶封裝的電路板等受到辨識性的需求的情況中使用表面粗糙度的範圍為2μm~5.0μm的載體箔時，可對粗表面預先施以機械性的研磨或電解研磨，而將表面粗糙度平滑化至Rz：0.01μm~2.0μm的範圍來使用。而關於表面粗糙度為Rz：5μm以上的載體箔，亦可以預先施以機械性的研磨‧電化學姓的溶解，將其平滑化來使用。

在本發明中，剝離層是由金屬及、非金屬或金屬的氧化物或合金的混合物所構成。特別是本發明的剝離層，是由保持剝離性的金屬A與使極薄銅箔的電鍍變得容易的金屬B所構成。

關於構成上述剝離層的金屬A，是選自Mo、Ta、V、Mn、W、Cr的族群。另外，金屬B是選自Fe、Co、Ni的族群。

上述剝離層是如第1圖所示意，是由設置於載體箔2側的第一剝離層3與設置於極薄銅箔1側的第二剝離層4所構成。另外，分別存在有載體箔2與第一剝離層3之間的第一界面5、極薄銅箔1與第二剝離層4之間的第二界面7、以及第一剝離層3與第二剝離層4之間的第三界面6。

在本發明中，上述保持剝離性的金屬A與使極薄銅箔的電鍍變得容易的金屬B，是如第2圖所示意，以剝離載體箔2與極薄銅箔1之時的極薄銅箔1那一側的剝離表面40中的金屬A的元素比為x、金屬B的元素比為y，較好為10%≦[y/(x+y)]×100%≦80%的比例。

上述比例若小於10%，則載體剝離力變得過低而容易產生鼓起，並有難以在剝離層上析出電鍍膜之虞；另外，上述比例若大於80%，則載體剝離力變得過高而會發生難以剝離極薄銅箔的問題。上述比例，特別較好為20~60%。而在金屬A或金屬B含有二種以上同類金屬的情況中，將同類金屬相加來求出上述元素比。

另外如第2圖所示，藉由在第三界面6剝離載體箔2與極薄銅箔1，可以極容易將其分離。分離載體箔2與極薄銅箔1之時，以殘存於載體箔2那一側的剝離層9以及殘留於極薄銅箔1那一側的剝離層10的厚度分別為d1與d2，較好為0.5≦d1/d2≦12的比例。

上述比例大於12的情況，極薄銅箔與剝離層的密接性過低而容易發生鼓起；另外，若上述比例小於0.5，則由於殘存於極薄銅箔的表面的剝離層過厚，會發生在使極薄銅箔附著而形成貼有銅箔之層積板施以電路形成之時的蝕刻性低劣的問題。此比例特別較好為2~10。

上述各剝離層如後文所述可以藉由電解電鍍來形成。關於變化各剝離層的金屬組成，可以刻意不改變電解浴組成而改變電鍍條件，例如可以藉由變化電流密度而改變各剝離層的金屬組成。另外，當然藉由電解浴的組成的改變，會改變各剝離層的金屬組成。

在本發明中，存在於第一剝離層與第二剝離層之間的第三界面的剝離強度，比第一界面及第二界面的剝離強度都低。如此一來，第三界面的剝離強度較低而第一界面及第二界面的剝離強度較高，是因為使極薄銅箔與載體箔在第三界面剝離，而在第一界面及第二界面防止鼓起的發生，並在剝離載體之時穩定地剝離。

對於在第一剝離層與第二剝離層之間形成第三界面的方法而言，較好為將剝離層的形成分成二次的方法，或是使用二槽的電鍍槽、在電鍍過程中放入間隔時間、改變電解電鍍中的電流密度等的手法亦是較佳的方法。

另外，在形成第一剝離層之後，對第一剝離層的表面施以氧化處理而形成氧化物層，之後在氧化物層上形成第二剝離層，藉此使第一剝離層與第二剝離層之間的第三界面中的密接性降低，而可以在載體剝離時具有更穩定的剝離強度，因此可以更加提升本發明的效果。

對於在第一剝離層的表面形成氧化物層的方法而言，例如可使用置於含有過氧化氫等的氧化性藥品的處理液中的浸漬或陽極電解處理、提高電鍍過程中的電流密度等的手法。

在本發明中，附著的剝離層的附著量較好為0.05mg/dm² ~50mg/dm² 。

附著量若為0.05mg/dm² 以下，無法達成充分作為剝離層的功能，故不適用；另外即使附著量達50mg/dm² 以上仍可進行剝離，但是形成剝離層的金屬種類是難以電鍍的金屬，若變厚則會失去平滑性而剝離力會有變異性，而失去穩定性，而可能亦會成為鼓起的原因，因此較佳為50mg/dm² 以下。還有，若是亦考慮極薄銅箔的表面的平滑性，附著量的上限較佳為20mg/dm² 以下。

極薄銅箔的形成，是使用硫酸銅浴、焦磷酸銅浴、胺基磺酸銅浴、氰化銅浴等，在剝離層上形成電解電鍍膜。

而在形成極薄銅箔之時，由於有些構成剝離層的元素，會由電鍍液中的浸泡時間‧電流值、完成電鍍之除去電鍍液‧水洗、金屬電鍍剛結束後的電鍍液pH值來決定剝離層的殘存狀態，因此關於電鍍浴種類有必要以其與構成剝離層的元素之關係來作選擇。

另外，將極薄銅箔形成至剝離層上，由於此剝離層的剝離性的緣故，非常難以進行均一的電鍍，而會遭遇到存在很多形成於極薄銅箔的針孔數量、或是容易發生鼓起的結果。在此類電鍍條件之時，首先藉由打底鍍銅(strike copper plating)的進行，將金屬A的氧化物還原並形成密接性良好、緻密的電鍍基材，再在其上施行一般的銅電鍍而可以在剝離層上施以均一的電鍍，而可以大幅減少發生於極薄銅箔的針孔的數量、並防止鼓起的發生。

以上述打底鍍銅所附著的電鍍銅厚度較好為0.01μm~0.5μm；電鍍條件較好是電流密度為0.1A/dm² ~20A/dm² 、電鍍時間為0.1秒以上，而根據浴種的不同，上述條件會有各種變化。若電流密度為0.1A/dm² 以下，就難以在剝離層上均一地載置電鍍膜；另外若電流密度為20A/dm² 以上，鍍液的金屬濃度稀薄的打底鍍銅會發生燒鍍(burnt plating)，而無法得到均一的電鍍銅層，故不建議。關於電鍍時間，若為0.1秒以下，則對於得到足夠的電鍍膜而言過短，故不建議。

藉由打底鍍銅而形成於剝離層上的電鍍銅的厚度，有必要成為不損及剝離層的剝離性的厚度，而較好為0.01~0.5μm。形成打底鍍層之後，進行銅電鍍而至所需厚度，而成為極薄銅箔。

另外，在形成第二剝離層之後而即將形成極薄銅箔之時，藉由蝕刻第二剝離層的表面將其溶解除去而薄化，之後在施以銅電鍍，亦有防止針孔、鼓起的效果。

未進行第二剝離層的蝕刻處理的情況中，已設置第二剝離層的載體箔已浸漬於用以形成極薄銅箔的電鍍液中之時，會將存在於第二剝離層表面的氧化物溶解除去，而容易在第二剝離層與極薄銅箔之間的第二界面中生成空隙，而會有阻礙極薄銅箔的電鍍析出、在第二界面的密接性降低等之虞。在上述的情況，會容易產生針孔、鼓起等。

另一方面，在已施行蝕刻處理的情況中，由於除去了存在於第二剝離層的表面的金屬A及金屬B的氧化物，在蝕刻後的表面中正常地析出電鍍膜，在第二界面的密接性亦良好。其結果，防止針孔、鼓起的產生。

在本發明中，為了使剝離層之剝離性的耐熱性穩定，在第一剝離層與載體箔之間、或是第二剝離層與極薄銅箔之間設置擴散防止層是有效的。擴散防止層較好為是由Ni或Co或其合金所形成。另外，以Cr或Cr合金來形成擴散防止層亦有效。

另外，為了使極薄銅箔表面與絕緣基板有更強的密接性，則可在極薄銅箔表面進行粗化處理，而使表面粗糙度為Rz：0.2~3.0(μm)。關於粗化處理，粗糙度若在0.2(μm)以下，由於不會對密接性產生太大影響，而無進行粗化的意義；粗糙度若達3.0(μm)，由於已得到充分的密接性，就無必要粗化到其以上的程度。

最後，使對防鏽及耐熱性有效的Ni、Zn、Cr等的金屬附著於已完成粗化處理的表面上。或是塗佈用以提升剝離強度的矽烷也是有效。

【實施例】

以下，藉由實施例更具體地對本發明作說明。

各實施例的電鍍條件如表1所示。

<實施例1~8>

藉由載體箔→電鍍Mo-Co(第一剝離層)→電鍍Mo-Co(第二剝離層)→打底鍍銅→電鍍銅(極薄銅箔)來製造具載體之極薄銅箔。

以單面為Rz：0.8μm的銅箔(厚度：31μm)來作為載體箔，藉由表1記載的<Mo-Co電鍍條件>在第一電鍍槽中進行電鍍Mo-Co，藉此在上述載體箔上形成第一剝離層。從第一電鍍槽移送至第二電鍍槽之後，在第二電鍍槽進行電鍍Mo-Co，藉此形成第二剝離層。從第一電鍍槽移送至第二電鍍槽為止之間，在第一剝離層的表面形成第三界面。藉由適當調整此第一剝離層或第二剝離層的形成時間，而形成實施例1~8的剝離層。

接下來，以上述<電鍍銅條件1>，在此第二剝離層上施以打底鍍銅，而達到0.2μm的厚度，再於其上以上述<電鍍銅條件3>進行電鍍銅，形成厚度3μm的極薄銅箔而成為具載體之極薄銅箔。

另外，關於各種評量所使用的試片，是在極薄銅箔那一側的表面附著Ni：0.5mg/dm² 、Zn：0.05mg/dm² 、Cr：0.3mg/dm² ，之後施以矽烷偶合處理(silane coupling treatment)之表面處理。

<實施例9>

在從第一電鍍槽移送至第二電鍍槽之間，浸漬於下列的氧化性處理液，其他則進行與實施例1~8同樣的處理，而得到具載體之極薄銅箔。

硫酸：10~30g/dm³

雙氧水：30~60g/dm³

浴溫　60℃

<實施例10>

以表1所記載的<電鍍Ni條件>施作電鍍Ni而形成擴散防止層，其他則進行與實施例1~8同樣的處理，而得到具載體之極薄銅箔。

<實施例11、12>

分別以表1所記載的<電鍍Mo-Ni條件>、<電鍍W-Ni條件>來施作電鍍Mo-Ni及電鍍W-Ni來形成第一剝離層及第二剝離層，其他則進行與實施例1~8同樣的處理，而得到具載體之極薄銅箔。

<實施例13>

藉由上述<電鍍銅條件2>來進行電鍍銅來形成極薄銅箔，其他則進行與實施例1~8同樣的處理，而得到具載體之極薄銅箔。

<習知例>

在載體箔上藉由電鍍Mo-Co而形成第一剝離層之後，不形成第二剝離層而施以打底鍍銅，其他則進行與實施例1~8同樣的處理，而得到具載體之極薄銅箔。

<比較例1~5>

從第一電鍍槽移送至第二電鍍槽為止，使第一剝離層或第二剝離層的形成時間與實施例1~8相比過長或過短，其他則進行與實施例1~8同樣的處理，而得到具載體之極薄銅箔。

<評量>

如下所示來製作以上述實施例及比較例所製作的具載體之極薄銅箔之用於評量載體剝離力的試片，並進行評量。

(1)用於載體剝離力的測定及確認鼓起的試片

將具載體之極薄銅箔(實施例、習知例、比較例)裁切成縱向250mm、橫向250mm之後，在350℃的溫度加熱10分鐘，來製作用於確認鼓起的試片。另外，在完成上述加熱處理的試片的極薄銅箔那一側，以雙面膠帶貼附樹脂基板，而成為用於測定具載體之聚醯亞胺載體剝離力的測定之單面貼有銅箔之層積板。

另外，亦製作加熱溫度為300℃、400℃的試片來用於評量耐熱性。

(2)確認針孔的試片

將具載體之極薄銅箔(實施例、習知例、比較例)裁切成縱向250mm、橫向250mm，將透明膠帶貼附在極薄銅箔那一側，將極薄銅箔從載體箔剝離，而成為用於確認針孔的試片。

<極薄銅箔的特性評量>

(1)載體剝離力的測定方法與鼓起的確認

(a)鼓起的確認

以目視觀察載體箔上的極薄銅箔是否為鼓起的狀態，計數鼓起的數量。其結果示於表4。

(b)載體剝離力的測定

根據JISC6511所規定的方法，將藉由上述所製作的用於測定載體剝離力的試片以測定試片寬度10mm，從載體箔剝離極薄銅箔，以三個試片來測定載體剝離力(剝離強度)。評量結果示於表4。

(c)針孔確認

從上述用於確認針孔的試片的下方打光，計數看到光線的數量，作為針孔數量。測定結果示於表4。

(d)耐熱性的評量

根據JISC6511所規定的方法，將上述用於測定載體剝離力的試片的製作中的加熱條件為在300℃、350℃、400℃下10分鐘的試片以測定試片寬度10mm，從載體箔剝離極薄銅箔，以三個試片來測定載體剝離力(剝離強度)。評量結果示於表5。

<剝離載體箔與極薄銅箔之時的剝離表面分析>

剝離載體箔與極薄銅箔，使用AES分析裝置，分別在載體箔那一側及極薄銅箔那一側的剝離表面，進行從表面到內部之深度方向的分析。極薄銅箔那一側的深度方向分析結果，是作為其結果之一例而示於表4。

在極薄銅箔那一側的分析結果中，分別以x及y(%)來代表表面的金屬A的元素比及金屬B的元素比例，其測定結果示於表2。

另外，在載體箔那一側及極薄銅箔那一側的分析中，求取從表面到內部的範圍之金屬A的元素比例最大值，以達成其值的1/2的比例的深度為止的厚度作為剝離層的殘留厚度，分別以d1及d2來代表在載體箔那一側及極薄銅箔那一側的剝離層的殘留厚度，其測定結果如表2所示。

從表4明確得知，以一層來構成剝離層之習知例的載體剝離力較低，但是所產生的鼓起、針孔的數量多，故不建議。

在比較例之具載體之極薄銅箔中，以二層來構成剝離層的情況也是，在剝離載體箔2與極薄銅箔1之時的極薄銅箔1那一側的剝離表面中的金屬A的元素比x與金屬B的元素比的比例[y/(x+y)]極小的情況(比較例1、2)、分別在載體箔那一側的剝離層及極薄銅箔那一側的剝離層的表面所殘留的剝離層的厚度d1及d2的比例(d1/d2)極大的情況(比較例4、5)中，由於在第二界面的剝離強度過低，界面的剝離強度成為「第二界面<第三界面」的情況，藉此會產生鼓起、針孔等，故不建議。

另外，在比例[y/(x+y)]極端過大的情況(比較例3)中，未產生鼓起、針孔等，但是由於在第三界面的剝離強度過高，界面的剝離強度成為「第二界面<第三界面」的情況，其載體剝離力過大而會有超出本發明的適用基準之虞。

相對於此，實施例1~13的具載體之極薄銅箔的載體剝離力低，鼓起、針孔等亦少。另外，若以擴散防止層的有無(實施例10與實施例1)來作比較，如表5所示具有擴散防止層者是維持在低的載體剝離力，藉由具有擴散防止層，提升其耐熱性。

接下來製作貼有銅箔之層積板。

在以上述實施例所製作的具載體之極薄銅箔的極薄銅箔那一側的表面，以一般的處理方法製作依序附著鎳、鋅、鉻的表面處理箔。在此表面處理箔塗佈聚醯胺酸清漆(polyamic acid varnish)，使其不發泡而階段性地乾燥之後，在氮氣氣氛下進行330℃、30分鐘的加熱來使其醯亞胺化(imidize)，藉此製作厚度25μm之聚醯亞胺系可撓式貼有銅箔之層積板。

從此聚醯亞胺系可撓式貼有銅箔之層積板剝離除去載體箔之後，使用乾膜阻劑在極薄銅箔施行圖形化加工，而製作印刷電路基板。

在此電路基板中，可以維持電路部分的高剝離強度、並可以形成電路間距L/S=20/20之微細圖形，其電路的直線性良好。另外，也未見到其有絕緣可靠度的問題。

本發明如上所述，是可以提供一種具載體之極薄銅箔，其抑制鼓起的產生而不會對載體剝離力造成影響，即使置於高溫的環境仍可以容易地剝離載體箔與極薄銅箔。

另外，本發明使用上述具載體之極薄銅箔，而可以提供製造品質穩定的貼有銅箔之層積板、印刷電路基板，來作為微細圖形用途的印刷電路板、多層印刷電路板、用於薄膜覆晶封裝的電路板等的基材，具有優異的效果。

1．．．極薄銅箔

2．．．載體箔

3．．．第一剝離層

4．．．第二剝離層

5．．．第一界面

6．．．第三界面

7．．．第二界面

8．．．剝離層

9．．．發生鼓起之處

40．．．剝離表面

第1圖為一剖面圖，以示意圖的方式顯示本發明的一實施形態。

第2圖是示意將第1圖所示的具載體之極薄銅箔的載體箔與極薄銅箔分離的狀態之說明圖。

第3A~3C圖是示意將習知的具載體之銅箔的載體箔與銅箔分離的狀態之說明圖。

第4圖為一曲線圖，顯示本發明的一實施形態中的極薄銅箔側的剝離界面的元素分佈。

1．．．極薄銅箔

2．．．載體箔

3．．．第一剝離層

4．．．第二剝離層

5．．．第一界面

6．．．第三界面

7．．．第二界面

Claims (12)

1. 一種具載體之極薄銅箔，其是由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構成，該剝離層是由設置在載體箔側的第一剝離層與設置在極薄銅箔側的第二剝離層所構成，而存在有該載體箔與該第一剝離層之間的第一界面、該極薄銅箔與該第二剝離層之間的第二界面、該第一剝離層與該第二剝離層之間的第三界面，上述界面中的剝離強度為：第一界面>第三界面、第二界面>第三界面；其中剝離該載體箔與該極薄銅箔之時，分別以d1及d2作為在該載體箔那一側及該極薄銅箔那一側的剝離表面所殘留的該剝離層厚度，其中0.5≦d1/d2≦12。
2. 如申請專利範圍第1項所述之具載體之極薄銅箔，其特徵在於在該具載體之極薄銅箔中：該剝離層是由保持剝離性的金屬A與使該極薄銅箔的電鍍變得容易的金屬B所構成，剝離該載體箔與該極薄銅箔之時的該極薄銅箔那一側的剝離表面中的金屬A的元素比x與金屬B的元素比y為10%≦[y/(x+y)]×100%≦80%的比例。
3. 如申請專利範圍第2項所述之具載體之極薄銅箔， 其中構成該剝離層的金屬A是選自Mo、Ta、V、Mn、W、Cr的族群中的至少一種金屬，金屬B是選自Fe、Co、Ni的族群中的至少一種金屬。
4. 如申請專利範圍第2項所述之具載體之極薄銅箔，其中該剝離層的金屬附著量合計為0.05mg/dm² ~50mg/dm² 。
5. 一種具載體之極薄銅箔，其是由載體箔、剝離層、極薄銅箔所構成，該剝離層是由設置在載體箔側的第一剝離層與設置在極薄銅箔側的第二剝離層所構成，而存在有該載體箔與該第一剝離層之間的第一界面、該極薄銅箔與該第二剝離層之間的第二界面、該第一剝離層與該第二剝離層之間的第三界面，藉由形成該第一剝離層後在該第一剝離層的表面施以氧化處理而形成氧化物層、在該氧化物層上形成該第二剝離層，該第三界面為該氧化物層與該第二剝離層的界面，上述界面中的剝離強度為：第一界面>第三界面、第二界面>第三界面。
6. 如申請專利範圍第5項所述之具載體之極薄銅箔，其特徵在於在該具載體之極薄銅箔中：該剝離層是由保持剝離性的金屬A與使該極薄銅箔的電鍍變得容易的金屬B所構成，剝離該載體箔與該極薄銅箔之時的該極薄銅箔那一側的剝離表面中的金屬A的元素比x與金屬B的元素比y為 10%≦[y/(x+y)]×100%≦80%的比例。
7. 如申請專利範圍第1~6項任一項所述之具載體之極薄銅箔，其中300℃的加熱處理後的該載體箔與該極薄銅箔的剝離強度為0.005~0.1kN/m的範圍內。
8. 如申請專利範圍第1~6項任一項所述之具載體之極薄銅箔，其中在該載體箔與該剝離層之間設有擴散防止層、或是在該剝離層與該極薄銅箔之間設有擴散防止層、或是在該載體箔與該剝離層之間以及在該該剝離層與該極薄銅箔之間皆設有擴散防止層。
9. 如申請專利範圍第8項所述之具載體之極薄銅箔，其中該擴散防止層是由Fe、Ni、Co、Cr或含上述元素的合金所形成。
10. 如申請專利範圍第1或5項所述之具載體之極薄銅箔，其中該載體箔為Cu或Cu合金。
11. 一種貼有銅箔之層積板，其是將如申請專利範圍第1或5項所述之具載體之極薄銅箔層積於樹脂基材而成。
12. 一種印刷電路基板，其是將如申請專利範圍第1或5項所述之具載體之極薄銅箔層積於樹脂基材而成。