WO2015012327A1

WO2015012327A1 - 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、樹脂基材、プリント配線板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法

Info

Publication number: WO2015012327A1
Application number: PCT/JP2014/069489
Authority: WO
Inventors: 雅史石井; 美里本多; 宣明宮本
Original assignee: Jx日鉱日石金属株式会社
Priority date: 2013-07-23
Filing date: 2014-07-23
Publication date: 2015-01-29
Also published as: TW201511621A; CN105408525A; KR20160034992A; CN105408525B; US20160183380A1; EP3026145A4; EP3026145A1; US9955583B2; KR101851882B1; MY168616A; CN109951964A; TWI601457B; US20180279482A1

Abstract

　微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する銅箔除去後基材面のプロファイル形状を与えることができる表面処理銅箔を提供する。また、微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する表面のプロファイル形状を備える樹脂基材を提供する。本発明の表面処理銅箔は、銅箔上に表面処理層が形成された表面処理銅箔であり、表面処理層表面の面粗さＳｚが２～６μｍである。

Description

表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、樹脂基材、プリント配線板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法

　本発明は、表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、樹脂基材、プリント配線板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法に関する。

　半導体パッケージ基板及びプリント配線基板の回路形成工法はサブトラクティブ工法が主流である。しかしながら、近年、半導体の高集積化に伴い、それに使用される半導体パッケージ基板、プリント配線基板の回路の微細化が進展し、サブトラクティブ工法での微細回路形成が困難となりつつある。

　更なる微細配線化への対応として、極薄銅箔を給電層としてパターン銅めっきを施し、最後に極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去し配線形成する回路形成工法(1)、プリプレグやビルドアップフィルムを真空プレス等で硬化させ、その表面を粗面化し、基材面に適切な凹凸を形成させることで、信頼性のある微細配線を形成する回路形成工法(2)、銅箔表面プロファイルを基材表面に転写させ、基材表面に適切な凹凸を形成させることで、信頼性のある微細配線を形成する回路形成工法(3)が注目されている。これらの工法は一般的にSAP工法（セミアディティブ工法）と呼ばれる。

　銅箔表面のプロファイルを用いたSAP工法は、例えば特許文献１に記載されている。このような銅箔表面のプロファイルを用いた典型的なSAP工法の例としては、次が挙げられる。すなわち、樹脂に積層した銅箔を全面エッチングし、エッチング基材面を穴開けし、穴開け部及び基材の全面或いは一部にデスミア処理を施し、穴開け部のエッチング面にドライフィルムを貼付し、回路を形成しない部分のドライフィルムを露光・現像し、ドライフィルム不要部を薬液で除去し、ドライフィルムの被覆されていない銅箔表面プロファイルが転写したエッチング基材面に無電解銅めっき、電気銅めっきを施し、最終的に無電解銅めっき層をフラッシュエッチングにより除去して微細配線を形成するというものである。

特開２００６－１９６８６３号公報

　微細配線形成のためには、基材表面のプロファイルが小さく平滑な方が好ましいが、この場合、無電解銅めっき皮膜の密着力が弱くなり、半導体パッケージ基板或いはプリント配線板に求められる信頼性を損なう恐れがある。一方で、無電解銅めっき皮膜の密着力を確保するためには、基材表面のプロファイルが大きい方が好ましいが、この場合、微細配線形成性が損なわれる恐れがある。

　これらの点に関して、従来技術では十分な検討がなされておらず、未だ改善の余地が残されている。そこで、本発明は、微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する、銅箔除去後基材面のプロファイル形状を与えることができる表面処理銅箔、及び／又は、表面のプロファイル形状を備える樹脂基材を提供することを課題とする。

　上記目的を達成するため、本発明者らは鋭意研究を重ねたところ、表面処理層表面の面粗さ（表面の最大高さ）Ｓｚが所定範囲に制御された表面処理銅箔を用い、回路を形成する基材上に当該表面処理銅箔を貼り合わせた後、除去することで、微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する銅箔除去後基材面のプロファイル形状を与えることができることを見出した。また、表面の面粗さ（表面の最大高さ）Ｓｚが所定範囲に制御された樹脂基材を用いることで、樹脂基材表面に回路を形成する際の、微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現することができることを見出した。

　本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、銅箔上に表面処理層が形成された表面処理銅箔であり、前記表面処理層表面の面粗さＳｚが２～６μｍである表面処理銅箔である。

　本発明の表面処理銅箔は一実施形態において、銅箔上に表面処理層が形成された表面処理銅箔であり、前記表面処理層表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０５～１．８である。

　本発明の表面処理銅箔は別の一実施形態において、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の面粗さＳｚが１～５μｍとなる。

　本発明の表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５となる。

　本発明の表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍとなる。

　本発明の表面処理銅箔は別の一側面において、銅箔上に表面処理層が形成された表面処理銅箔であり、前記表面処理層表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０５～１．８である表面処理銅箔である。

　本発明の表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の面粗さＳｚが１～５μｍとなる。

　本発明の表面処理銅箔は更に別の一側面において、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の面粗さＳｚが１～５μｍとなる表面処理銅箔である。

　本発明は更に別の一側面において、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５となる表面処理銅箔である。

　本発明は更に別の一実施形態において、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍとなる。

　本発明は更に別の一側面において、表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍとなる表面処理銅箔である。

　本発明の表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記表面処理層が粗化処理層である。

　本発明の表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層が、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層である。

　本発明の表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する。

　本発明の表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記表面処理層が、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層である。

　本発明の表面処理銅箔は更に別の一実施形態において、前記表面処理層上に樹脂層を備える。

　本発明は更に別の一側面において、キャリア、中間層及び極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層が本発明の表面処理銅箔であるキャリア付銅箔である。

　本発明のキャリア付銅箔は一実施形態において、前記キャリアの両面に前記極薄銅層を備える。

　本発明のキャリア付銅箔は別の一実施形態において、前記キャリアの前記極薄銅層とは反対側に粗化処理層を備える。

　本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の面粗さＳｚが１～５μｍである基材である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を極薄銅層側から基材に貼り合わせ、前記キャリアを前記キャリア付銅箔から除去した後に、前記表面処理銅箔である前記極薄銅層を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の面粗さＳｚが１～５μｍである基材である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を極薄銅層側から基材に貼り合わせ、前記キャリアを前記キャリア付銅箔から除去した後に、前記表面処理銅箔である前記極薄銅層を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５である基材である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、前記銅箔除去側表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍである基材である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を極薄銅層側から基材に貼り合わせ、前記キャリアを前記キャリア付銅箔から除去した後に、前記表面処理銅箔である前記極薄銅層を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、前記銅箔除去側表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍである基材である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理銅箔、又は、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造した銅張積層板である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理銅箔、又は、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明のプリント配線板を用いた電子機器である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
　前記表面処理銅箔を、表面処理層側から絶縁基板に積層する工程、
　前記絶縁基板上の表面処理銅箔を除去する工程、
　前記表面処理銅箔を除去した絶縁基板の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
　前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から絶縁基板に積層する工程、
　前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
　前記キャリアを剥がした後の絶縁基板上の極薄銅層を除去する工程、
　前記極薄銅層を除去した絶縁基板の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
　前記表面処理銅箔を、表面処理層側から絶縁基板に積層して銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
　前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から絶縁基板に積層する工程、
　前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された本発明の表面処理銅箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された本発明のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　前記樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記表面処理銅箔又は前記キャリア付銅箔を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、表面に回路が形成された金属箔、又は、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された本発明の表面処理銅箔である第１の表面処理銅箔、又は、極薄金属側表面に回路が形成されたキャリア付金属箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された本発明のキャリア付銅箔である第１のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面又は前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付金属箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　本発明の表面処理銅箔である第２の表面処理銅箔を表面処理層側から前記樹脂層に積層する工程、又は、本発明のキャリア付銅箔である第２のキャリア付銅箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
　前記樹脂層に積層した箔が前記第２のキャリア付銅箔である場合は、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
　前記樹脂層上の表面処理銅箔、又は、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアが剥がされて残った極薄銅層を除去する工程、
　前記表面処理銅箔を除去した樹脂層の表面、又は、極薄銅層を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記金属箔を除去することで、又は、前記第１の表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥離させた後に極薄金属層を除去することで、又は、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された本発明の表面処理銅箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された本発明のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　金属箔を前記樹脂層に積層する工程、又は、キャリア付金属箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
　前記樹脂層に積層した箔が前記キャリア付金属箔である場合は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
　前記樹脂層上の金属箔、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアが剥がされて残った極薄金属層を除去する工程、
　前記金属箔を除去した樹脂層の表面、又は、極薄銅層を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、表面に回路が形成された金属箔、又は、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された本発明の表面処理銅箔である第１の表面処理銅箔、又は、極薄金属層側表面に回路が形成されたキャリア付金属箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された本発明のキャリア付銅箔である第１のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面又は前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付金属箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　本発明の表面処理銅箔である第２の表面処理銅箔を表面処理層側から前記樹脂層に積層する工程、又は、本発明のキャリア付銅箔である第２のキャリア付銅箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
　前記樹脂層に積層した箔が前記第２のキャリア付銅箔である場合は、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
　前記樹脂層上の表面処理銅箔、又は、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアが剥がされて残った極薄銅層を用いてセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記金属箔を除去することで、又は、前記第１の表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥離させた後に極薄金属層を除去することで、又は、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された本発明の表面処理銅箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された本発明のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　金属箔を前記樹脂層に積層する工程、又は、キャリア付金属箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
　前記樹脂層に積層した箔が前記キャリア付金属箔である場合は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
　前記樹脂層上の金属箔、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアが剥がされて残った極薄金属層を用いてセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明の表面の面粗さＳｚが１～５μｍである樹脂基材である。

　本発明の樹脂基材は一実施形態において、表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５である。

　本発明の樹脂基材は別の一実施形態において、表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍである。

　本発明は更に別の一側面において、表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５である樹脂基材である。

　本発明は更に別の一側面において、表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍである樹脂基材である。

　本発明の樹脂基材は更に別の一実施形態において、表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍである。

　本発明の樹脂基材は更に別の一実施形態において、セミアディティブ工法用である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明の樹脂基材を用いて製造したプリント配線板である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明の樹脂基材を用いて製造した銅張積層板である。

　本発明は更に別の一側面において、表面処理銅箔と樹脂基材とを準備する工程、
　前記表面処理銅箔を、表面処理層側から樹脂基材に積層する工程、
　前記樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、
　前記表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層がこの順で積層されて構成されたキャリア付銅箔と、樹脂基材とを準備する工程、
　前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から樹脂基材に積層する工程、
　前記キャリア付銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
　前記キャリアを剥がした後の樹脂基材上の極薄銅層を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、
　前記極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、表面処理銅箔を、表面処理層側から本発明の樹脂基材に積層して銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層がこの順で積層されて構成されたキャリア付銅箔を極薄銅層側から本発明の樹脂基材に積層する工程、
　前記キャリア付銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面に樹脂基材を形成する工程、
　表面処理銅箔を、表面処理層側から前記樹脂基材に積層する工程、
　前記樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、
　前記表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層がこの順で積層されて構成された第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記第１のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂基材を形成する工程、
　キャリア、中間層、極薄銅層がこの順で積層されて構成された第２のキャリア付銅箔を準備し、前記第２のキャリア付銅箔の極薄銅層側から前記樹脂基材に積層する工程、
　前記第２のキャリア付銅箔を前記樹脂基材に積層した後に、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
　前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がした後の樹脂基材上の極薄銅層を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、
　前記極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、
　前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面に本発明の樹脂基材を形成する工程、
　表面処理銅箔を、表面処理層側から前記樹脂基材に積層し、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、及び、
　前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層がこの順で積層されて構成された第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記第１のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に本発明の樹脂基材を形成する工程、
　キャリア、中間層、極薄銅層がこの順で積層されて構成された第２のキャリア付銅箔を準備し、前記第２のキャリア付銅箔の極薄銅層側から前記樹脂基材に積層して前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がし、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂基材上に回路を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、
　前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面に樹脂基材を形成する工程、
　キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔を極薄銅層側表面から前記樹脂基材に積層する工程、
　前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記樹脂基材上の極薄銅層を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、
　前記極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂基材を形成する工程、
　表面処理銅箔を、表面処理層側から前記樹脂基材に積層する工程、
　前記樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、
　前記表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、
　前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記キャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記キャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面に本発明の樹脂基材を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成する工程、及び、
　前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に本発明の樹脂基材を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、
　前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記キャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記キャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明によれば、微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する、銅箔除去後基材面のプロファイル形状を与えることができる表面処理銅箔、及び、表面のプロファイル形状を備える樹脂基材を提供することができる。

銅箔のプロファイルを使用したセミアディティブ工法の概略例を示す。実施例及び比較例のデータを得るためのサンプル作製フローを示す。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に、それぞれ実施例Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ５、Ａ６の銅箔処理面のSEM像（×３００００）を示す。（ｆ）、（ｇ）に、それぞれ比較例Ａ１、Ａ２の銅箔処理面のSEM像（×６０００）を示す。（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）に、それぞれ実施例Ａ１（Ｂ１）、Ａ２（Ｂ２）、Ａ３（Ｂ３）、Ａ５（Ｂ５）、Ａ６（Ｂ６）の樹脂基材面のSEM像（×３００００）を示す。（ｍ）、（ｎ）に、それぞれ比較例Ａ１（Ｂ１）、Ａ２（Ｂ２）の樹脂基材面のSEM像（×６０００）を示す。

　〔樹脂基材〕
　本発明に係る樹脂基材は、後述の表面形態が形成可能なものであれば特に限定されないが、例えば、三菱ガス化学社製プリプレグ（ＧＨＰＬ－８３０ＭＢＴ等）、日立化成工業社製プリプレグ（６７９－ＦＧ等）、住友ベークライト社製プリプレグ（ＥＩ－６７８５ＴＳ－Ｆ等）で形成することができる。本発明においては、三菱ガス化学社製プリプレグＧＨＰＬ－８３０ＭＢＴを準備した。積層プレスの温度、圧力、時間は、基材メーカーの推奨条件を用いた。

　本発明に係る樹脂基材の厚さとしては特に限定されないが、例えば、７５０～８５０μｍ、１００～２００μｍ、３０～１００μｍとすることができ、典型的には３０～２００μｍ（両面板の場合）である。

　〔樹脂基材表面の面粗さＳｚ〕
　SAP工法において、従来、回路を形成する基材表面のプロファイル形状を定量化する方法として、接触式粗さ計を用いた粗度測定が一般的であった。これに対し、本発明では、レーザー粗さ測定計で測定される面粗さ（表面の最大高さ）Ｓｚが適性範囲に規定された基材表面のプロファイル形状が、より良好に微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現することを見出した。このような観点から、本発明に係る樹脂基材は、１～５μｍに制御されている。樹脂基材表面の面粗さＳｚが１μｍ未満であると、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力の実現が困難となる。また、樹脂基材表面の面粗さＳｚが５μｍ超であると、樹脂基材表面の微細配線形成性が劣化する。樹脂基材表面の面粗さＳｚは好ましくは１～４μｍ、より好ましくは１．５～３．５μｍ、更により好ましくは２～３μｍである。

　〔樹脂基材表面の面積比Ｂ／Ａ〕
　三次元表面積と二次元表面積との比を所定の範囲で有する樹脂基材の表面のプロファイル形状は、微細配線形成性が良好で、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する。このような観点から、本発明に係る樹脂基材表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａは、１．０１～１．５に制御されているのが好ましい。樹脂基材表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１未満であると、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力の実現が困難となる。また、樹脂基材表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．５超であると、樹脂基材表面の微細配線形成性が劣化する。本発明に係る樹脂基材表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａは好ましくは１．０３～１．４、より好ましくは１．０５～１．３５、更により好ましくは１．１～１．３である。

　〔樹脂基材表面の黒色面積率及び穴の直径平均値〕
　樹脂基材表面の凹凸の程度をSEM観察写真から得られる黒色面積率で示したとき、当該黒色面積率を所定の範囲で有する樹脂基材の表面のプロファイル形状は、微細配線形成性が良好で、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する。このような観点から、本発明に係る樹脂基材表面の黒色面積率は１０～５０％となるように制御されているのが好ましい。ここで、黒色面積率として、基材表面のSEM像（30k倍）について、Photo Shop 7.0ソフトウェアを使用し、白色・黒色画像処理を施し、当該黒色領域の面積率（％）を求めた。黒色面積率（％）は、Photo Shop 7.0にある「イメージ」の「ヒストグラム」を選定し、閾値128における比率とした。なお、黒色領域は測定表面が凹状、白色部は測定表面が凸状になっていることを示す。基材表面の当該黒色面積率が１５％未満であると、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力の実現が困難となる。基材表面の当該黒色面積率が５０％超であると、微細配線形成性が劣化する。

　黒色面積比率と同時に、表面の穴の直径平均値を所定の範囲で有する樹脂基材の表面のプロファイル形状は、微細配線形成性が良好で、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現するための必要条件である。その理由は、黒色面積比率だけではプロファイルのサイズとその平面上の適切な分布を満足しないためである。このような観点から、本発明に係る樹脂基材表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍとなるように制御されているのが好ましい。樹脂基材表面の当該穴の直径平均値が０．０３μｍ未満であると、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力の実現が困難となる。樹脂基材表面の当該穴の直径平均値が１．０μｍ超であると、微細配線形成性が劣化する。

　このように、本発明に係る樹脂基材は、基材表面の当該黒色面積比率が１０～５０％であり且つ当該穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍであるのが好ましく、黒色面積比率が１５～４５％であり且つ穴の直径平均値が０．１～０．８μｍであるのがより好ましく、黒色面積比率が２０～４０％であり且つ穴の直径平均値が０．１５～０．７μｍであるのが更により好ましい。

　〔樹脂基材の表面プロファイルの形成方法〕
　本発明に係る樹脂基材の表面のプロファイル形状は、樹脂基材に表面処理銅箔を積層した後、当該表面処理銅箔を全面エッチング等で除去することで形成することができる。また、本発明に係る樹脂基材の表面のプロファイル形状は、樹脂基材表面を所定の薬液によって処理することで形成することができる。

　表面処理銅箔を用いた本発明に係る樹脂基材の表面プロファイルの形成方法としては、まず、表面処理層表面の面粗さ（表面の最大高さ）Ｓｚが２～６μｍに制御されている表面処理銅箔を準備する。次に、当該表面処理銅箔の表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせて、表面処理銅箔を全面エッチング等により除去する。これにより、表面処理銅箔除去後の樹脂基材表面の面粗さＳｚが１～５μｍとなる。
　なお、本発明において「表面処理層表面」とは表面処理されている側の最表面をいう。
すなわち、粗化処理層、防錆層、耐熱層、クロメート処理層、シランカップリング処理層等の表面処理層を銅箔に設けた場合には、銅箔に当該表面処理層を設けた後の表面をいう。
　また、表面処理銅箔として、表面処理層表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０５～１．８に制御されたものを用いて、同様に樹脂基材に貼り合わせて、全面エッチング等により当該表面処理銅箔を除去すると、表面処理銅箔除去後の樹脂基材表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５となる。
　また、同様に、表面処理銅箔として、レーザー粗さ計での面粗さＳｚが２～６μｍで、三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０５～１．８で制御されたものを用いて、同様に樹脂基材に貼り合わせて、全面エッチング等により当該表面処理銅箔を除去すると、樹脂基材表面の黒色面積率を１０～５０％、樹脂基材表面の穴の直径平均値を０．０３～１．０μｍにそれぞれ制御することができる。
　粗化粒子形成時などの表面処理時に表面処理の電流密度と表面処理終了後のメッキ液中の浸漬時間とを制御することで、表面処理後の銅箔の表面状態や粗化粒子の形態や形成密度が決まり、これにより上記表面処理銅箔の面粗さＳｚ、面積比Ｂ／Ａ、黒色面積率、及び、穴の直径平均値を制御することができる。
　具体的には、粗化粒子形成時などの表面処理時に、表面処理の電流密度を高く制御して表面処理を行い、続いて表面処理の電流密度を低く制御して表面処理を行うことで、表面処理後の銅箔の表面状態や粗化粒子の形態や形成密度が決まり、上記面粗さＳｚ、面積比Ｂ／Ａ、黒色面積率、及び、穴の直径平均値を制御することができる。また、表面処理の電流密度を高く制御して表面処理を行い、続いて表面処理の電流密度を低く制御して表面処理を行うことを繰り返し行うことも有効である。
　ここで、粗化粒子形成時などの表面処理時に表面処理の電流密度を高くすると、析出する金属粒子が、銅箔の表面に対して垂直方向に成長しやすい傾向にある。また、粗化粒子形成時などの表面処理時に表面処理の電流密度を低くすると、銅箔表面が平滑（凹凸が少なくなる）になりやすい傾向にある。
　そのため、表面処理の電流密度を高く制御して表面処理を行い、続いて表面処理の電流密度を低く制御して表面処理を行うことは、金属粒子を銅箔表面と垂直方向に成長させた後に、前記金属粒子と銅箔表面の凹凸を埋めて平滑にするという表面状態の制御することであると考えられる。
　また、銅箔の表面処理層がめっき液に溶けやすい場合、表面処理銅箔の表面形態に及ぼす、表面処理終了後のめっき液中の浸漬時間の影響がより大きくなる傾向がある。

　薬液を用いた処理による本発明に係る樹脂基材の表面プロファイル（上記面粗さＳｚ、面積比Ｂ／Ａ、黒色面積率、穴の直径平均値）の形成方法としては、樹脂基材に以下の浸漬処理条件Ａ又はＢにてデスミア処理を行い、その後中和処理を行うことで形成することができる。

　（デスミア処理条件Ａ）
　・デスミア処理液：４０ｇ／Ｌ　ＫＭｎＯ₄、２０ｇ／Ｌ　ＮａＯＨ
　・処理温度：室温
　・浸漬時間：２０分
　・攪拌子回転数：３００ｒｐｍ
　（デスミア処理条件Ｂ）
　・デスミア処理液：９０ｇ／Ｌ　ＫＭｎＯ₄、５ｇ／Ｌ　ＨＣｌ
　・処理温度：４９℃
　・浸漬時間：２０分
　・攪拌子回転数：３００ｒｐｍ
　（中和処理条件）
　・中和処理液：Ｌ－アスコルビン酸　８０ｇ／Ｌ
　・処理温度：室温
　・浸漬時間：３分
　・攪拌なし
　なお、本発明に用いられる、デスミア処理、電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。

　また、上記浸漬処理の他に、以下の処理条件にて樹脂基材表面にシャワー処理Ａ、Ｂ及び中和処理を行うことでも、同様に樹脂基材の表面プロファイル（上記面粗さＳｚ、面積比Ｂ／Ａ、黒色面積率、穴の直径平均値）の形成を行うことができる。
　（シャワー処理条件Ａ）
　・デスミア処理液：４０ｇ／Ｌ　ＫＭｎＯ₄、２０ｇ／Ｌ　ＮａＯＨ
　・処理温度：室温
　・処理時間：２０分
　・シャワー圧力：０．２ＭＰａ
　（シャワー処理条件Ｂ）
　・デスミア処理液：９０ｇ／Ｌ　ＫＭｎＯ₄、５ｇ／Ｌ　ＨＣｌ
　・処理温度：４９℃
　・処理時間：２０分
　・シャワー圧力：０．２ＭＰａ
　（中和処理条件）
　・中和処理液：Ｌ－アスコルビン酸　８０ｇ／Ｌ
　・処理温度：室温
　・浸漬時間：３分
　・攪拌なし

　〔表面処理銅箔〕
　本発明に係る表面処理銅箔は、上記樹脂基材の表面プロファイルを形成するために用いることができる。当該表面処理銅箔において使用する銅箔は、電解銅箔或いは圧延銅箔いずれでもよい。当該銅箔の厚みは特に限定する必要は無いが、例えば１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上であり、例えば３０００μｍ以下、１５００μｍ以下、８００μｍ以下、３００μｍ以下、１５０μｍ以下、１００μｍ以下、７０μｍ以下、５０μｍ以下、４０μｍ以下である。

　本発明で使用する圧延銅箔にはＡｇ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｐ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖ、Ｂ、Ｃｏ等の元素を一種以上含む銅合金箔も含まれる。上記元素の濃度が高くなる（例えば合計で１０質量％以上）と、導電率が低下する場合がある。圧延銅箔の導電率は、好ましくは５０％ＩＡＣＳ以上、より好ましくは６０％ＩＡＣＳ以上、更に好ましくは８０％ＩＡＣＳ以上である。また、圧延銅箔にはタフピッチ銅（ＪＩＳ　Ｈ３１００　Ｃ１１００）や無酸素銅（ＪＩＳ　Ｈ３１００　Ｃ１０２０）を用いて製造した銅箔も含まれる。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。

　また、本発明に用いることができる電解銅箔については、以下の電解液組成および製造条件で作製することができる。
　・一般電解生箔：
　＜電解液組成＞
　銅：８０～１２０ｇ／Ｌ
　硫酸：８０～１２０ｇ／Ｌ
　塩素：３０～１００ｐｐｍ
　レベリング剤（ニカワ）：０．１～１０ｐｐｍ
　・両面フラット電解生箔、キャリア付極薄銅箔のキャリア銅箔：
　＜電解液組成＞
　銅：８０～１２０ｇ／Ｌ
　硫酸：８０～１２０ｇ／Ｌ
　塩素：３０～１００ｐｐｍ
　レベリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０～３０ｐｐｍ
　レベリング剤２（アミン化合物）：１０～３０ｐｐｍ
　上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。

（上記化学式中、Ｒ₁及びＲ₂はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）

　＜製造条件＞
　電流密度：７０～１００Ａ／ｄｍ²
　電解液温度：５０～６５℃
　電解液線速：１．５～５ｍ／ｓｅｃ
　電解時間：０．５～１０分間（析出させる銅厚、電流密度により調整）

　粗化処理として銅－コバルト－ニッケル合金めっき、銅－ニッケル－リン合金めっき、銅－ニッケル－タングステン合金めっき、銅－コバルト－タングステン合金めっきなどの合金めっき、より好ましくは銅合金めっきを用いることができる。粗化処理としての銅－コバルト－ニッケル合金めっきは、電解めっきにより、付着量が１５～４０ｍｇ／ｄｍ²の銅－１００～３０００μｇ／ｄｍ²のコバルト－１００～１５００μｇ／ｄｍ²のニッケルであるような３元系合金層を形成するように実施することができる。Ｃｏ付着量が１００μｇ／ｄｍ²未満では、耐熱性が悪化し、エッチング性が悪くなることがある。Ｃｏ付着量が３０００μｇ／ｄｍ² を超えると、磁性の影響を考慮せねばならない場合には好ましくなく、エッチングシミが生じ、また、耐酸性及び耐薬品性の悪化がすることがある。Ｎｉ付着量が１００μｇ／ｄｍ²未満であると、耐熱性が悪くなることがある。他方、Ｎｉ付着量が１５００μｇ／ｄｍ²を超えると、エッチング残が多くなることがある。好ましいＣｏ付着量は１０００～２５００μｇ／ｄｍ²であり、好ましいニッケル付着量は５００～１２００μｇ／ｄｍ²である。ここで、エッチングシミとは、塩化銅でエッチングした場合、Ｃｏが溶解せずに残ってしまうことを意味しそしてエッチング残とは塩化アンモニウムでアルカリエッチングした場合、Ｎｉが溶解せずに残ってしまうことを意味するものである。

　このような３元系銅－コバルト－ニッケル合金めっきを形成するためのめっき浴及びめっき条件は次の通りである：
　めっき浴組成：Ｃｕ１０～２０ｇ／Ｌ、Ｃｏ１～１０ｇ／Ｌ、Ｎｉ１～１０ｇ／Ｌ
　ｐＨ：１～４
　温度：３０～５０℃
　電流密度Ｄ_k：２０～３０Ａ／ｄｍ²
　めっき時間：１～５秒
　めっき終了後の同めっき液浸漬時間：２０秒以下（２０秒よりも長く浸漬すると粒子形状が乱れるため）、好ましくは１０秒以下、より好ましくは５秒以下
　前記めっき終了後は、通常であれば特に急いでめっき液から取り出すことは無いが、本発明では、当該めっき終了後、所定の時間内にめっき液から取り出す必要がある。このため、上記のように前記めっき終了後の同めっき液浸漬時間を２０秒以下としている。当該浸漬時間が、２０秒を超えて浸漬してしまうと、めっき液により粗化粒子の一部が溶解している可能性がある。当該粗化粒子の一部の溶解が、粒子形状の乱れの原因の一つとなると考えられる。
　前記めっき終了後の同めっき液浸漬時間を１０秒以下、あるいは５秒以下と短くすることで、粒子形状をより乱れにくくすることができるため有効である。
　なお、銅－コバルト－ニッケル合金めっきと同様に、銅－コバルト－ニッケル合金めっき以外の合金めっきもめっき終了後の同めっき液浸漬時間を２０秒以下（２０秒よりも長く浸漬すると粒子形状が乱れるため）、好ましくは１０秒以下、より好ましくは５秒以下に制御することが重要である。当該浸漬時間が、２０秒を超えて浸漬してしまうと、めっき液により粗化粒子の一部が溶解している可能性がある。当該粗化粒子の一部の溶解が、粒子形状の乱れの原因の一つとなると考えられる。銅－コバルト－ニッケル合金めっき以外の合金めっきのｐＨ、温度、電流密度、めっき時間は公知の条件を用いることができる。
　前記めっき終了後の同めっき液浸漬時間を１０秒以下、あるいは５秒以下と短くすることで、粒子形状をより乱れにくくすることができるため有効である。
　また、表面処理として以下の粗化処理としての銅めっきを行うことも良い。以下の粗化処理としての銅めっきにより形成される表面処理層は銅濃度が高く、大部分が銅で構成される粗化処理層（めっき層）となる。銅濃度が高い、粗化処理層（めっき層）はメッキ液に溶けにくいという特徴がある。以下の粗化処理としての銅めっきは銅めっき１、銅めっき２の順に行う。

・銅めっき１
（液組成１）
　　　Ｃｕ濃度：１０～３０ｇ／Ｌ
　　　Ｈ₂ＳＯ₄濃度：５０～１５０ｇ／Ｌ
　　　タングステン濃度：０．５～５０ｍｇ／Ｌ
　　　ドデシル硫酸ナトリウム：０．５～５０ｍｇ／Ｌ
（電気めっき条件１）
　　温度：３０～７０℃
（一段目電流条件）
　　　電流密度：１８～７０Ａ／ｄｍ²
　　　粗化クーロン量：１．８～１０００Ａ／ｄｍ²好ましくは１．８～５００Ａ／ｄｍ²
　　　めっき時間：０．１～２０秒
（二段目電流条件）
　　　電流密度：０．５～１３Ａ／ｄｍ²
　　　粗化クーロン量：０．０５～１０００Ａ／ｄｍ²好ましくは０．０５～５００Ａ／ｄｍ²
　　　めっき時間：０．１～２０秒
　なお、一段目と二段目を繰り返してもよい。また、一段目を１回または複数回行った後、二段目を１回または複数回行ってもよい。また、一段目を１回または複数回行った後、二段目を１回または複数回行うことを繰り返してもよい。

・銅めっき２
（液組成２）
　　　Ｃｕ濃度：２０～８０ｇ／Ｌ
　　　Ｈ₂ＳＯ₄濃度：５０～２００ｇ／Ｌ
（電気めっき条件２）
　　温度：３０～７０℃
　（電流条件）
　　　電流密度：５～５０Ａ／ｄｍ²
　　粗化クーロン量：５０～３００Ａ／ｄｍ²
　　　めっき時間：１～６０秒
　また、銅箔上に前述の銅－コバルト－ニッケル合金めっきなどの合金めっきと前述の銅めっきを組み合わせて行ってもよい。銅箔上に前述の銅めっきを行った後に、前述の合金めっきを行うことが好ましい。

　本発明において、銅箔上に形成する表面処理層は、粗化処理層であってもよい。粗化処理は、通常、銅箔の、樹脂基板と接着する面、即ち表面処理側の表面に積層後の銅箔の引き剥し強さを向上させることを目的として、脱脂後の銅箔の表面にふしこぶ状の電着を形成する処理を云う。電解銅箔は製造時点で凹凸を有しているが、粗化処理により電解銅箔の凸部を増強して凹凸を一層大きくすることができる。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。また、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよい。

　また、本発明において銅箔上に形成する表面処理層は、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層であってもよい。
　耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることが出来る。例えば、耐熱層および／または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル－亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル－亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル－亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを５０ｗｔ％～９９ｗｔ％、亜鉛を５０ｗｔ％～１ｗｔ％含有するものであってもよい。前記ニッケル－亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が５～１０００ｍｇ／ｍ²、好ましくは１０～５００ｍｇ／ｍ²、好ましくは２０～１００ｍｇ／ｍ²であってもよい。また、前記ニッケル－亜鉛合金を含む層または前記ニッケル－亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比（＝ニッケルの付着量／亜鉛の付着量）が１．５～１０であることが好ましい。また、前記ニッケル－亜鉛合金を含む層または前記ニッケル－亜鉛合金層のニッケルの付着量は０．５ｍｇ／ｍ²～５００ｍｇ／ｍ²であることが好ましく、１ｍｇ／ｍ²～５０ｍｇ／ｍ²であることがより好ましい。耐熱層および／または防錆層がニッケル－亜鉛合金を含む層である場合、スルーホールやビアホール等の内壁部がデスミア液と接触したときに銅箔と樹脂基板との界面がデスミア液に浸食されにくく、銅箔と樹脂基板との密着性が向上する。

　例えば耐熱層および／または防錆層は、付着量が１ｍｇ／ｍ²～１００ｍｇ／ｍ²、好ましくは５ｍｇ／ｍ²～５０ｍｇ／ｍ²のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が１ｍｇ／ｍ²～８０ｍｇ／ｍ²、好ましくは５ｍｇ／ｍ²～４０ｍｇ／ｍ²のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル－モリブデン、ニッケル－亜鉛、ニッケル－モリブデン－コバルトのいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層および／または防錆層は、ニッケルまたはニッケル合金とスズとの合計付着量が２ｍｇ／ｍ²～１５０ｍｇ／ｍ²であることが好ましく、１０ｍｇ／ｍ²～７０ｍｇ／ｍ²であることがより好ましい。また、耐熱層および／または防錆層は、［ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量］／［スズ付着量］＝０．２５～１０であることが好ましく、０．３３～３であることがより好ましい。当該耐熱層および／または防錆層を用いるとキャリア付銅箔をプリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等が良好になる。

　なお、シランカップリング処理に用いられるシランカップリング剤には公知のシランカップリング剤を用いてよく、例えばアミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤を用いてよい。また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、４－グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－β（アミノエチル）γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－３－（４－（３－アミノプロポキシ）プトキシ）プロピル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。

　前記シランカップリング処理層は、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。

　ここで言うアミノ系シランカップリング剤とは、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－（Ｎ－スチリルメチル－２－アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－（３－アクリルオキシ－２－ヒドロキシプロピル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、４－アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル－３－アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル－３－アミノプロピル）トリス（２－エチルヘキソキシ）シラン、６－（アミノヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、３－（１－アミノプロポキシ）－３，３－ジメチル－１－プロペニルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリス（メトキシエトキシエトキシ）シラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、ω－アミノウンデシルトリメトキシシラン、３－（２－Ｎ－ベンジルアミノエチルアミノプロピル）トリメトキシシラン、ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ－ジエチル－３－アミノプロピル）トリメトキシシラン、（Ｎ，Ｎ－ジメチル－３－アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ－メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－（Ｎ－スチリルメチル－２－アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－β（アミノエチル）γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－３－（４－（３－アミノプロポキシ）プトキシ）プロピル－３－アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。

　シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、０．０５ｍｇ／ｍ²～２００ｍｇ／ｍ²、好ましくは０．１５ｍｇ／ｍ²～２０ｍｇ／ｍ²、好ましくは０．３ｍｇ／ｍ²～２．０ｍｇ／ｍ²の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、基材と表面処理銅箔との密着性をより向上させることが出来る。

　〔表面処理銅箔の面粗さＳｚ〕
　SAP工法において、従来、回路を形成する基材表面のプロファイル形状を定量化する方法として、接触式粗さ計を用いた粗度測定が一般的であった。これに対し、本発明では、レーザー粗さ測定計で測定される面粗さ（表面の最大高さ）Ｓｚが適性範囲に規定された基材表面のプロファイル形状が、より良好に微細配線形成性を維持し、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現することを見出した。このような観点から、本発明に係る表面処理銅箔は、表面処理層表面の面粗さＳｚが２～６μｍに制御されている。表面処理層表面の面粗さＳｚが２～６μｍに制御されていることにより、当該表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせて、表面処理銅箔を除去した後の基材の、銅箔除去側表面の面粗さＳｚが１～５μｍとなる。表面処理銅箔の表面処理層表面の面粗さＳｚが２μｍ未満であると、当該表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせて、表面処理銅箔を除去した後の基材の、銅箔除去側表面の面粗さＳｚが１μｍ未満となり、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力の実現が困難となる。また、表面処理銅箔の表面処理層表面の面粗さＳｚが６μｍ超であると、当該表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせて、表面処理銅箔を除去した後の基材の、銅箔除去側表面の面粗さＳｚが５μｍ超となり、微細配線形成性が劣化する。本発明に係る表面処理銅箔の表面処理層表面の面粗さＳｚは好ましくは２～５．５μｍ、より好ましくは２．５～５．５μｍ、更により好ましくは３～５μｍである。本発明に係る上記表面処理銅箔を除去した後の基材表面の面粗さＳｚは好ましくは１～４μｍ、より好ましくは１．５～３．５μｍ、更により好ましくは２～３μｍである。

　〔表面処理銅箔の面積比Ｂ／Ａ〕
　表面処理銅箔の表面処理側の表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａは、当該表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせて、表面処理銅箔を除去した後の基材の表面のプロファイル形状に大いに影響を及ぼす。このような観点から、本発明に係る表面処理銅箔は、表面処理層表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０５～１．８に制御されているのが好ましい。ここで、表面処理側の表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａは、例えば当該表面が粗化処理されている場合、粗化粒子の表面積Ｂと、銅箔を銅箔表面側から平面視したときに得られる面積Ａとの比Ｂ／Ａとも云うことができる。表面処理銅箔の表面処理側の表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０５～１．８に制御されていることにより、当該表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせて、表面処理銅箔を除去した後の基材の、銅箔除去側表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５となる。表面処理銅箔の表面処理側の表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０５未満であると、当該表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせて、表面処理銅箔を除去した後の基材の、銅箔除去側表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１未満となり、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力の実現が困難となる。また、表面処理銅箔の表面処理側の表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．８超であると、当該表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせて、表面処理銅箔を除去した後の基材の、銅箔除去側表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．５超となり、微細配線形成性が劣化する。本発明に係る表面処理銅箔の表面処理層表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａは好ましくは１．１０～１．７５、より好ましくは１．１４～１．７１、更により好ましくは１．１８～１．６７である。本発明に係る上記表面処理銅箔を除去した後の基材表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａは好ましくは１．０３～１．４、より好ましくは１．０５～１．３５、更により好ましくは１．１～１．３である。

　〔表面処理銅箔の黒色面積率及び穴の直径平均値〕
　基材表面の凹凸の程度をSEM観察写真から得られる黒色面積率で示したとき、当該黒色面積率を所定の範囲で有する基材の表面のプロファイル形状は、微細配線形成性が良好で、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現する。このような観点から、本発明に係る表面処理銅箔は、表面処理層側から基材に貼り合わせ、表面処理銅箔を除去したとき、基材の銅箔除去側表面の黒色面積率が１０～５０％となるように制御されているのが好ましい。ここで、黒色面積率として、基材表面のSEM像（30k倍）について、Photo Shop 7.0ソフトウェアを使用し、白色・黒色画像処理を施し、当該黒色領域の面積率（％）を求めた。黒色面積率（％）は、Photo Shop 7.0にある「イメージ」の「ヒストグラム」を選定し、閾値128における比率とした。なお、黒色領域は測定表面が凹状、白色部は測定表面が凸状になっていることを示す。基材表面の当該黒色面積率が１０％未満であると、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力の実現が困難となる。基材表面の当該黒色面積率が５０％超であると、微細配線形成性が劣化する。

　黒色面積比率と同時に、表面の穴の直径平均値を所定の範囲で有する樹脂基材の表面のプロファイル形状は、微細配線形成性が良好で、且つ、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力を実現するための必要条件である。その理由は、黒色面積比率だけではプロファイルのサイズとその平面上の適切な分布を満足しないためである。このような観点から、本発明に係る樹脂基材表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍとなるように制御されている。樹脂基材表面の当該穴の直径平均値が０．０３μｍ未満であると、無電解銅めっき皮膜の良好な密着力の実現が困難となる。樹脂基材表面の当該穴の直径平均値が１．０μｍ超であると、微細配線形成性が劣化する。

　粗化粒子形成時などの表面処理時に表面処理の電流密度と表面処理終了後のメッキ液中の浸漬時間とを制御することで、表面処理後の銅箔の表面状態や粗化粒子の形態や形成密度が決まり、上記面粗さＳｚ、面積比Ｂ／Ａ、黒色面積率、及び、穴の直径平均値を制御することができる。
　具体的には、粗化粒子形成時などの表面処理時に、表面処理の電流密度を高く制御して表面処理を行い、続いて表面処理の電流密度を低く制御して表面処理を行うことで、表面処理後の銅箔の表面状態や粗化粒子の形態や形成密度が決まり、上記面粗さＳｚ、面積比Ｂ／Ａ、黒色面積率、及び、穴の直径平均値を制御することができる。また、表面処理の電流密度を高く制御して表面処理を行い、続いて表面処理の電流密度を低く制御して表面処理を行うことを繰り返し行うことも有効である。
　ここで、粗化粒子形成時などの表面処理時に表面処理の電流密度を高くすると、析出する金属粒子が、銅箔の表面に対して垂直方向に成長しやすい傾向にある。また、粗化粒子形成時などの表面処理時に表面処理の電流密度を低くすると、銅箔表面が平滑（凹凸が少なくなる）になりやすい傾向にある。
　そのため、表面処理の電流密度を高く制御して表面処理を行い、続いて表面処理の電流密度を低く制御して表面処理を行うことは、金属粒子を銅箔表面と垂直方向に成長させた後に、前記金属粒子と銅箔表面の凹凸を埋めて平滑にするという表面状態の制御することであると考えられる。
　また、銅箔の表面処理層がめっき液に溶けやすい場合、表面処理銅箔の表面形態に及ぼす、表面処理終了後のめっき液中の浸漬時間の影響がより大きくなる傾向がある。

　〔キャリア付銅箔〕
　本発明に係る表面処理銅箔としては、キャリア付銅箔を用いても良い。キャリア付銅箔は、キャリアと、キャリア上に積層された中間層と、中間層上に積層された極薄銅層とを備える。また、キャリア付銅箔はキャリア、中間層および極薄銅層をこの順で備えても良い。キャリア付銅箔はキャリア側の表面および極薄銅層側の表面のいずれか一方または両方に粗化処理層等の表面処理層を有してもよい。
　キャリア付銅箔のキャリア側の表面に粗化処理層を設けた場合、キャリア付銅箔を当該キャリア側の表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板などの支持体とが剥離し難くなるという利点を有する。

　＜キャリア＞
　本発明ではキャリアとして金属箔を使用することができる。金属箔としては銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、亜鉛箔、亜鉛合金箔等を用いることができる。このうち、キャリアとしては、剥離層を形成しやすい点から、特に銅箔を使用することが好ましい。キャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。

　本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば１２μｍ以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には３５μｍ以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には１２～７０μｍであり、より典型的には１８～３５μｍである。

　＜中間層＞
　キャリア上には中間層を設ける。キャリアと中間層の間には他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
　また、例えば、中間層はキャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物からなる層を形成することで構成することができる。
　また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル－リン合金又はニッケル－コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上４００００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上４０００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上２５００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上１０００μｇ／ｄｍ²未満であり、中間層におけるクロムの付着量は５μｇ／ｄｍ²以上１００μｇ／ｄｍ²以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはＮｉめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、キャリアの両側に中間層を設けてもよい。

　＜極薄銅層＞
　中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間に他の層を設けてもよい。当該極薄銅層は、本発明の表面処理銅箔である。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．５～１２μｍであり、より典型的には１．５～５μｍである。また、中間層の上に極薄銅層を設ける前に、極薄銅層のピンホールを低減させるために銅－リン合金によるストライクめっきを行ってもよい。ストライクめっきにはピロリン酸銅めっき液などが挙げられる。キャリアの両側に極薄銅層を設けてもよい。

　〔表面処理層上の樹脂層〕
　本発明の表面処理銅箔の表面処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。

　前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ状態）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。

　また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、マレイミド系樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルスルホン樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル-ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、多価カルボン酸の無水物などを含む樹脂を好適なものとしてあげることができる。また、前記樹脂層がブロック共重合ポリイミド樹脂層を含有する樹脂層またはブロック共重合ポリイミド樹脂とポリマレイミド化合物を含有する樹脂層であってもよい。また前記エポキシ樹脂は、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであって、電気・電子材料用途に用いることのできるものであれば、特に問題なく使用できる。また、前記エポキシ樹脂は分子内に２個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂が好ましい。また、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブロム化エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、N,N-ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン化合物、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、リン含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、の群から選ばれる１種又は２種以上を混合して用いることができ、又は前記エポキシ樹脂の水素添加体やハロゲン化体を用いることができる。

　前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体（無機化合物及び／または有機化合物を含む誘電体、金属酸化物を含む誘電体等どのような誘電体を用いてもよい）、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号ＷＯ２００８／００４３９９号、国際公開番号ＷＯ２００８／０５３８７８、国際公開番号ＷＯ２００９／０８４５３３、特開平１１－５８２８号、特開平１１－１４０２８１号、特許第３１８４４８５号、国際公開番号ＷＯ９７／０２７２８、特許第３６７６３７５号、特開２０００－４３１８８号、特許第３６１２５９４号、特開２００２－１７９７７２号、特開２００２－３５９４４４号、特開２００３－３０４０６８号、特許第３９９２２２５、特開２００３－２４９７３９号、特許第４１３６５０９号、特開２００４－８２６８７号、特許第４０２５１７７号、特開２００４－３４９６５４号、特許第４２８６０６０号、特開２００５－２６２５０６号、特許第４５７００７０号、特開２００５－５３２１８号、特許第３９４９６７６号、特許第４１７８４１５号、国際公開番号ＷＯ２００４／００５５８８、特開２００６－２５７１５３号、特開２００７－３２６９２３号、特開２００８－１１１１６９号、特許第５０２４９３０号、国際公開番号ＷＯ２００６／０２８２０７、特許第４８２８４２７号、特開２００９－６７０２９号、国際公開番号ＷＯ２００６／１３４８６８、特許第５０４６９２７号、特開２００９－１７３０１７号、国際公開番号ＷＯ２００７／１０５６３５、特許第５１８０８１５号、国際公開番号ＷＯ２００８／１１４８５８、国際公開番号ＷＯ２００９／００８４７１、特開２０１１－１４７２７号、国際公開番号ＷＯ２００９／００１８５０、国際公開番号ＷＯ２００９／１４５１７９、国際公開番号ＷＯ２０１１／０６８１５７、特開２０１３－１９０５６号に記載されている物質（樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等）および／または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。

　これらの樹脂を例えばメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、トルエン、メタノール、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、エチルセロソルブ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドなどの溶剤に溶解して樹脂液とし、これを前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング剤層の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しＢステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は１００～２５０℃、好ましくは１３０～２００℃であればよい。前記樹脂層の組成物を、溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分３ｗｔ％～６０ｗｔ％、好ましくは、１０ｗｔ％～４０ｗｔ％、より好ましくは２５ｗｔ％～４０ｗｔ％の樹脂液としてもよい。なお、メチルエチルケトンとシクロペンタノンとの混合溶剤を用いて溶解することが、環境的な見地より現段階では最も好ましい。

　前記樹脂層を備えた表面処理銅箔（樹脂付き表面処理銅箔）は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついで銅箔に所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。また、当該表面処理銅箔を極薄銅層として用いたキャリア付銅箔について、樹脂層を備えたキャリア付銅箔（樹脂付きキャリア付銅箔）は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついでキャリアを剥離して極薄銅層を表出せしめ（当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である）、そこに所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。

　この樹脂付き表面処理銅箔或いは樹脂付きキャリア付銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。

　なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、特に樹脂付きキャリア付銅箔については１層の厚みが１００μｍ以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。当該樹脂層の厚みは０．１～１２０μｍであることが好ましい。

　樹脂層の厚みが０．１μｍより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付き表面処理銅箔或いは樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。また、前記硬化樹脂層、半硬化樹脂層との総樹脂層厚みは０．１μｍ～１２０μｍであるものが好ましく、３５μｍ～１２０μｍのものが実用上好ましい。そして、その場合の各厚みは、硬化樹脂層は５～２０μｍで、半硬化樹脂層は１５～１１５μｍであることが望ましい。総樹脂層厚みが１２０μｍを超えると、薄厚の多層プリント配線板を製造することが難しくなる場合があり、３５μｍ未満では薄厚の多層プリント配線板を形成し易くなるものの、内層の回路間における絶縁層である樹脂層が薄くなりすぎ、内層の回路間の絶縁性を不安定にする傾向が生じる場合があるためである。また、硬化樹脂層厚みが５μｍ未満であると、銅箔粗化面の表面粗度を考慮する必要が生じる場合がある。逆に硬化樹脂層厚みが２０μｍを超えると硬化済み樹脂層による効果は特に向上することがなくなる場合があり、総絶縁層厚は厚くなる。また、前記硬化樹脂層は、厚さが３μｍ～３０μｍであってもよい。また、前記半硬化樹脂層は、厚さが７μｍ～５５μｍであってもよい。また、前記硬化樹脂層と前記半硬化樹脂層との合計厚さは１０μｍ～６０μｍであってもよい。

　また、樹脂付き表面処理銅箔或いは樹脂付きキャリア付銅箔が極薄の多層プリント配線板を製造することに用いられる場合には、前記樹脂層の厚みを０．１μｍ～５μｍ、より好ましくは０．５μｍ～５μｍ、より好ましくは１μｍ～５μｍとすることが、多層プリント配線板の厚みを小さくするために好ましい。なお、前記樹脂層の厚みを０．１μｍ～５μｍとする場合には、樹脂層と銅箔との密着性を向上させるため、表面処理層の上に耐熱層および／または防錆層および／またはクロメート処理層および／またはシランカップリング処理層を設けた後に、当該耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の上に樹脂層を形成することが好ましい。
　また、樹脂層が誘電体を含む場合には、樹脂層の厚みは０．１～５０μｍであることが好ましく、０．５μｍ～２５μｍであることが好ましく、１．０μｍ～１５μｍであることがより好ましい。なお、前述の樹脂層の厚みは、任意の１０点において断面観察により測定した厚みの平均値をいう。

　一方、樹脂層の厚みを１２０μｍより厚くすると、１回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。更には、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラックなどが発生しやすくなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。

　更に、樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。

　以下に、本発明に係る樹脂基材を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。また、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。

　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、表面処理銅箔と樹脂基材とを準備する工程、表面処理銅箔を、表面処理層側から樹脂基材に積層する工程、樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程を含む。

　図１に銅箔のプロファイルを使用したセミアディティブ工法の概略例を示す。当該工法では、樹脂基材の表面プロファイルの形成のために、銅箔の表面プロファイルを用いている。具体的には、まず、樹脂基材に本発明の銅箔を積層させて銅張積層体を作製する。次に、銅張積層体の銅箔を全面エッチングする。次に、銅箔表面プロファイルが転写した樹脂基材（全面エッチング基材）の表面に無電解銅メッキを施す。そして、樹脂基材（全面エッチング基材）の回路を形成しない部分をドライフィルム等で被覆し、ドライフィルムに被覆されていない無電解銅メッキ層の表面に電気（電解）銅メッキを施す。その後、ドライフィルムを除去した後に、回路を形成しない部分に形成された無電解銅メッキ層を除去することにより微細な回路を形成する。本発明で形成される微細回路は、本発明の銅箔表面プロファイルが転写された樹脂基材（全面エッチング基材）のエッチング面と密着しているため、その密着力（ピール強度）が良好となっている。

　樹脂基材は内層回路入りのものとすることも可能である。また、本発明において、セミアディティブ法とは、樹脂基材又は銅箔シード層上に薄い無電解めっき及び／又は電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。無電解めっき及び／又は電解めっきには銅めっきを用いることができる。銅めっきを形成する方法としては公知の方法を用いることができる。

　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア付銅箔と、樹脂基材とを準備する工程、キャリア付銅箔を極薄銅層側から樹脂基材に積層する工程、キャリア付銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、キャリアを剥がした後の樹脂基材上の極薄銅層を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程を含む。
　本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、必要であればその後電解めっきを行い、更にその後、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。

　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から絶縁基板に積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がした後の絶縁基板上の極薄銅層を除去する工程、前記極薄銅層を除去した絶縁基板の表面に回路を形成する工程を含む。

　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、表面処理銅箔を、表面処理層側から本発明の樹脂基材に積層して銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含む。

　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明の表面処理銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記表面処理銅箔を、表面処理層側から絶縁基板に積層して銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含む。

　本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。

　本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。

　本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、樹脂基材上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を（フラッシュ）エッチングで除去することにより、樹脂基材上に回路を形成する方法を指す。

　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア付銅箔を極薄銅層側から本発明の樹脂基材に積層する工程、キャリア付銅箔と樹脂基材とを積層した後に、キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含む。

　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から絶縁基板に積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含む。

　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、回路が埋没するように金属箔表面に樹脂基材を形成する工程、表面処理銅箔またはキャリア付銅箔を、表面処理層側または極薄銅層側から樹脂基材に積層する工程、樹脂基材上の表面処理銅箔またはキャリア付銅箔を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、表面処理銅箔またはキャリア付銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、及び、金属箔を除去することで、金属箔表面に形成した、樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程を含む。

　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、前記回路が埋没するように前記金属箔表面に樹脂層を形成する工程、本発明の表面処理銅箔を、表面処理層側から前記樹脂層に積層する工程、前記樹脂層上の表面処理銅箔を除去する工程、前記表面処理銅箔を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含む。

　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、回路が埋没するように第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に樹脂基材を形成する工程、第２のキャリア付銅箔または表面処理銅箔を準備し、第２のキャリア付銅箔の極薄銅層側または表面処理層側から樹脂基材に積層する工程、第２のキャリア付銅箔または表面処理銅箔を樹脂基材に積層した後に、第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がした後の樹脂基材上の極薄銅層または表面処理銅箔を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、極薄銅層または表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、樹脂基材上に回路を形成した後に、第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、第１のキャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程を含む。

　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明のキャリア付銅箔を第１のキャリア付銅箔とし、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、前記回路が埋没するように前記第１のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、第２のキャリア付銅箔を準備し、前記第２のキャリア付銅箔の極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、前記第２のキャリア付銅箔を前記樹脂層に積層した後に、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がした後の樹脂層上の極薄銅層を除去する工程、前記極薄銅層を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含む。

　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、回路が埋没するように金属箔表面に本発明の樹脂基材を形成する工程、表面処理銅箔またはキャリア付銅箔を、表面処理層側または極薄銅層側から樹脂基材に積層し、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって樹脂層上に回路を形成する工程、及び、金属箔を除去することで、金属箔表面に形成した、樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程を含む。

　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、前記回路が埋没するように前記金属箔表面に樹脂層を形成する工程、本発明の表面処理銅箔を、表面処理層側から樹脂層に積層し、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、及び、前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含む。

　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、回路が埋没するように第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に本発明の樹脂基材を形成する工程、第２のキャリア付銅箔または表面処理銅箔を準備し、第２のキャリア付銅箔の極薄銅層側または表面処理銅箔の表面処理層側から樹脂基材に積層して、第２のキャリア付銅箔を樹脂基材に積層した場合には第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がし、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって樹脂基材上に回路を形成する工程、樹脂基材上に回路を形成した後に、第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、第１のキャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程を含む。

　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明のキャリア付銅箔を第１のキャリア付銅箔とし、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、前記回路が埋没するように前記第１のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、第２のキャリア付銅箔を準備し、前記第２のキャリア付銅箔の極薄銅層側から前記樹脂層に積層して前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がし、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含む。

　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面に樹脂基材を形成する工程、
　キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔を極薄銅層側表面から前記樹脂基材に積層する工程、
　前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記樹脂基材上の極薄銅層を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、
　前記極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程を含む。

　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂基材を形成する工程、
　表面処理銅箔を、表面処理層側から前記樹脂基材に積層する工程、
　前記樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して本発明の樹脂基材を得る工程、
　前記表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、
　前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記キャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記キャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程を含む。

　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面に本発明の樹脂基材を形成する工程、
　キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔を準備し、前記キャリア付銅箔の極薄銅層側から前記樹脂基材に積層した後、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がし、その後、前記樹脂基材上に回路を形成する工程、及び、
　前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程を含む。

　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に本発明の樹脂基材を形成する工程、
　表面処理銅箔を、表面処理層側から前記樹脂基材に積層し、その後、前記樹脂基材上に回路を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、
　前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記キャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記キャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程を含む。

　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去して本発明の樹脂基材を得る工程、前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程を含む。

　本発明のプリント配線板の製造方法は一実施形態において、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された本発明の表面処理銅箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された本発明のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　前記樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記表面処理銅箔又は前記キャリア付銅箔を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む。

　本発明のプリント配線板の製造方法は一実施形態において、表面に回路が形成された金属箔、又は、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された本発明の表面処理銅箔である第１の表面処理銅箔、又は、極薄金属層側表面に回路が形成されたキャリア付金属箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された本発明のキャリア付銅箔である第１のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面又は前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付金属箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　本発明の表面処理銅箔である第２の表面処理銅箔を表面処理層側から前記樹脂層に積層する工程、又は、本発明のキャリア付銅箔である第２のキャリア付銅箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
　前記樹脂層に積層した箔が前記第２のキャリア付銅箔である場合は、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
　前記樹脂層上の表面処理銅箔、又は、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアが剥がされて残った極薄銅層を除去する工程、
　前記表面処理銅箔を除去した樹脂層の表面、又は、極薄銅層を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記金属箔を除去することで、又は、前記第１の表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥離させた後に極薄金属層を除去することで、又は、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む。

　本発明において、キャリア付金属箔は、少なくともキャリアと極薄金属層をこの順に備えている。キャリア付金属箔のキャリアとしては、金属箔を使用することができる。金属箔として銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、亜鉛箔、亜鉛合金箔を用いることができる。金属箔の厚みは１～１００００μｍ、好ましくは２～５０００μｍ、好ましくは１０～１０００μｍ、好ましくは１８～５００μｍ、好ましくは３５～３００μｍとすることができる。また、キャリアとして樹脂基材や無機物質や有機物質の板を用いることもできる。樹脂基材や無機物質や有機物質の板の厚みは前述の金属箔の厚みと同じとすることができる。
　キャリアと金属箔とは、接着剤や離型剤、中間層を介して剥離可能に積層してもよい。またキャリアと金属箔を溶接、溶着等で剥離可能に接合してもよい。キャリアと金属箔が剥離困難な場合には、キャリアと金属箔の接合されている箇所を切断等により取り除いた後に、キャリアと金属箔を剥離してもよい。
　極薄金属層は、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、アルミニウム、アルミニウム合金、鉄、鉄合金、ステンレス、亜鉛、亜鉛合金であってもよい。極薄金属層の厚みはキャリア付銅箔の極薄銅層と同じ範囲とすることができる。極薄金属層は、回路にした際の導電性の観点から極薄銅層であることが好ましい。

　本発明のプリント配線板の製造方法は一実施形態において、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された本発明の表面処理銅箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された本発明のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　金属箔を前記樹脂層に積層する工程、又は、キャリア付金属箔を極薄金属層側から前記樹脂層に積層する工程、
　前記樹脂層に積層した箔が前記キャリア付金属箔である場合は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
　前記樹脂層上の金属箔、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアが剥がされて残った極薄金属層を除去する工程、
　前記金属箔を除去した樹脂層の表面、又は、極薄銅層を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む。

　本発明のプリント配線板の製造方法は一実施形態において、表面に回路が形成された金属箔、又は、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された本発明の表面処理銅箔である第１の表面処理銅箔、又は、極薄金属層側表面に回路が形成されたキャリア付金属箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された本発明のキャリア付銅箔である第１のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面又は前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付金属箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　本発明の表面処理銅箔である第２の表面処理銅箔を表面処理層側から前記樹脂層に積層する工程、又は、本発明のキャリア付銅箔である第２のキャリア付銅箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
　前記樹脂層に積層した箔が前記第２のキャリア付銅箔である場合は、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
　前記樹脂層上の表面処理銅箔、又は、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアが剥がされて残った極薄銅層を用いてセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記金属箔を除去することで、又は、前記第１の表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥離させた後に極薄金属層を除去することで、又は、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む。

　本発明のプリント配線板の製造方法は一実施形態において、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された本発明の表面処理銅箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された本発明のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　金属箔を前記樹脂層に積層する工程、又は、キャリア付金属箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
　前記樹脂層に積層した箔が前記キャリア付金属箔である場合は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
　前記樹脂層上の金属箔、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアが剥がされて残った極薄金属層を用いてセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含む。

　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程を含む。

　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去して本発明の樹脂基材を得る工程、前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程を含む。

　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程を含む。

　モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と樹脂基材にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行い、本発明の樹脂基材の表面プロファイルを得る工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程を含む。

　モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程を含む。

　モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去し、本発明の樹脂基材の表面プロファイルを得る工程を含む。

　モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程を含む。

　パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と樹脂基材にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行い、本発明の樹脂基材の表面プロファイルを得る工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程、前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記樹脂基材表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程を含む。

　パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程、前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程を含む。

　サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と樹脂基材にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行い、本発明の樹脂基材の表面プロファイルを得る工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程を含む。

　サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程を含む。

　サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、キャリア付銅箔と樹脂基材とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層する工程、前記キャリア付銅箔と樹脂基材を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と樹脂基材にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行い、本発明の樹脂基材の表面プロファイルを得る工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程を含む。

　サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程を含む。

　スルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。

　ここで、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を詳細に説明する。
　工程１：まず、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔（１層目）を準備する。
　工程２：次に、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
　工程３：次に、回路用のメッキを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路メッキを形成する。
　工程４：次に、回路メッキを覆うように（回路メッキが埋没するように）極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔（２層目）を極薄銅層側から接着させる。
　工程５：次に、２層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。なお、２層目にはキャリアを有さない銅箔を用いてもよい。
　工程６：次に、２層目の極薄銅層または銅箔および樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路メッキを露出させてブラインドビアを形成する。
　工程７：次に、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
　工程８：次に、ビアフィル上に、上記工程２及び３のようにして回路メッキを形成する。
　工程９：次に、１層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
　工程１０：次に、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層（２層目に銅箔を設けた場合には銅箔）を除去し、樹脂層内の回路メッキの表面を露出させる。
　工程１１：次に、樹脂層内の回路メッキ上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。

　上記別のキャリア付銅箔（２層目）は、本発明のキャリア付銅箔を用いてもよく、従来のキャリア付銅箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、工程８における２層目の回路上に、さらに回路を１層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。

　上述のようなプリント配線板の製造方法によれば、回路メッキが樹脂層に埋め込まれた構成となっているため、例えば工程１０のようなフラッシュエッチングによる極薄銅層の除去の際に、回路メッキが樹脂層によって保護され、その形状が保たれ、これにより微細回路の形成が容易となる。また、回路メッキが樹脂層によって保護されるため、耐マイグレーション性が向上し、回路の配線の導通が良好に抑制される。このため、微細回路の形成が容易となる。また、工程１０及び工程１１に示すようにフラッシュエッチングによって極薄銅層を除去したとき、回路メッキの露出面が樹脂層から凹んだ形状となるため、当該回路メッキ上にバンプが、さらにその上に銅ピラーがそれぞれ形成しやすくなり、製造効率が向上する。

　なお、埋め込み樹脂（レジン）には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジンやＢＴレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ＡＢＦフィルムやＡＢＦを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂（レジン）には本明細書に記載の樹脂層および／または樹脂および／またはプリプレグを使用することができる。

　また、前記一層目に用いられるキャリア付銅箔は、当該キャリア付銅箔の表面に基板または樹脂層を有してもよい。当該基板または樹脂層を有することで一層目に用いられるキャリア付銅箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板または樹脂層には、前記一層目に用いられるキャリア付銅箔を支持する効果するものであれば、全ての基板または樹脂層を用いることが出来る。例えば前記基板または樹脂層として本願明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔を用いることができる。

　更に、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。本発明において、「プリント配線板」にはこのように電子部品類が搭載されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。
　また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。

　以下に本発明の実施例を示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。
　本実施例では、以下のように、樹脂基材の表面プロファイルについて、銅箔を用いて形成したものと、薬液を用いて形成したものとを作製した。

　１．銅箔を用いた樹脂基材の表面プロファイルの形成
　図２に、実施例及び比較例のデータを得るためのサンプル作製フローを示す。
　実施例Ａ１～Ａ１１及び比較例Ａ１～Ａ４として、また、実施例Ｂ１～Ｂ８、実施例Ｂ１０～Ｂ１２及び比較例Ｂ１～Ｂ４の基材表面プロファイルを作製するための銅箔として、以下の銅箔バルク層（生箔）を準備した。

・一般電解生箔
　銅濃度８０～１２０ｇ／Ｌ、硫酸濃度８０～１２０ｇ／Ｌ、塩化物イオン濃度３０～１００ｐｐｍ、ニカワ濃度１～５ｐｐｍ、電解液温度５７～６２℃の硫酸銅電解液を電解銅メッキ浴とし、アノードとカソード（銅箔用電着用金属製ドラム）の間を流れる電解液の線速度を１．５～２．５ｍ／秒、電流密度７０Ａ／ｄｍ²で厚み１２μｍ（重量厚み９５ｇ／ｍ²）の一般電解生箔を作製した。

・両面フラット電解生箔
　銅濃度８０～１２０ｇ／Ｌ、硫酸濃度８０～１２０ｇ／Ｌ、塩化物イオン濃度３０～１００ｐｐｍ、レベリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０～３０ｐｐｍ、レベリング剤２（アミン化合物）：１０～３０ｐｐｍ、電解液温度５７～６２℃の硫酸銅電解液を電解銅メッキ浴とし、アノードとカソード（銅箔用電着用金属製ドラム）の間を流れる電解液の線速度を１．５～２．５ｍ／秒、電流密度７０Ａ／ｄｍ²で厚み１２μｍ（重量厚み９５ｇ／ｍ²）の両面フラット電解生箔を作製した。上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いた。

・キャリア付き極薄生銅箔
　前述の両面フラット電解生箔製造条件で、厚み１８μｍの両面フラット電解生箔を作製した。これを銅箔キャリアとして、以下の方法により、剥離層、極薄銅層を形成し、厚み１．５、２、３、５μｍのキャリア付き極薄銅箔を得た。

（１）Ｎｉ層（剥離層：下地メッキ１）
　銅箔キャリアのＳ面に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより１０００μｇ／ｄｍ²の付着量のＮｉ層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
　　硫酸ニッケル：２７０～２８０ｇ／Ｌ
　　塩化ニッケル：３５～４５ｇ／Ｌ
　　酢酸ニッケル：１０～２０ｇ／Ｌ
　　ホウ酸：３０～４０ｇ／Ｌ
　　光沢剤：サッカリン、ブチンジオール等
　　ドデシル硫酸ナトリウム：５５～７５ｐｐｍ
　　ｐＨ：４～６
　　浴温：５５～６５℃
　　電流密度：１０Ａ／ｄｍ²

（２）Ｃｒ層（剥離層：下地メッキ２）
　次に、（１）にて形成したＮｉ層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上でＮｉ層の上に１１μｇ／ｄｍ2の付着量のＣｒ層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
　　　重クロム酸カリウム１～１０ｇ／Ｌ、亜鉛０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：７～１０
　　　液温：４０～６０℃
　　　電流密度：２Ａ／ｄｍ²

（３）極薄銅層
　次に、（２）にて形成したＣｒ層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上で、Ｃｒ層の上に厚み１．５、２、３、５μｍの極薄銅層を以下の条件で電気メッキすることにより形成し、キャリア付極薄銅箔を作製した。
　　　銅濃度：８０～１２０ｇ／Ｌ
　　　硫酸濃度：８０～１２０ｇ／Ｌ
　　　塩化物イオン濃度：３０～１００ｐｐｍ
　　　レベリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０～３０ｐｐｍ
　　　レベリング剤２（アミン化合物）：１０～３０ｐｐｍ
　なお、レべリング剤２には以下のアミン化合物を用いた。上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いた。

（上記化学式中、Ｒ₁及びＲ₂はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）
　　　電解液温度：５０～８０℃
　　　電流密度：１００Ａ／ｄｍ²

　次に、上記生箔の樹脂基材との接着側表面であるＭ（マット面）面或いはＳ面（シャイニー面）に、粗化処理、バリヤー処理、防錆処理、シランカップリング材塗布の各表面処理をこの順で施した。各処理条件を以下に示す。

　〔粗化処理〕
・球状粗化（通常）：
　先に記した各種生箔のＭ面或いはＳ面に、下記条件で粗化処理を行った。
　（電解液組成）
　　　Ｃｕ：２０～３０ｇ／Ｌ（硫酸銅５水和物で添加、以下同様）
　　　Ｈ₂ＳＯ₄:８０～１２０ｇ／Ｌ
　　　砒素：１．０～２．０ｇ／Ｌ
　（電解液温）
　　　３５～４０℃
　（電流条件）
　　　電流密度：７０Ａ/ｄｍ²

　上記条件で粗化処理を施した各種銅箔のＭ面、キャリア付き極薄銅箔の表面に、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。

　（電解液組成）
　　　Ｃｕ：４０～５０ｇ／Ｌ
　　　Ｈ₂ＳＯ₄:８０～１２０ｇ／Ｌ
　（電解液温）
　　　４３～４７℃
　（電流条件）
　　　電流密度：２９Ａ／ｄｍ²

・微細粗化（１）：
　先に記した各種生箔のＭ面、キャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で粗化処理を行った。
　（電解液組成）
　　　Ｃｕ濃度：１０～２０ｇ／Ｌ
　　　Ｈ₂ＳＯ₄濃度：８０～１２０ｇ／Ｌ
　　　タングステン濃度：１～１０ｍｇ／Ｌ（タングステン酸ナトリウム２水和物で添加）
　　　ドデシル硫酸ナトリウム濃度：１～１０ｍｇ／Ｌ
　（電解液温）
　　　３５～４５℃
　（電流条件）
　　　所定の穴形状を得るため、四段式で電流を付与した。電流密度は次の通りとした。
　　　　　一段目：　３０Ａ／ｄｍ²
　　　　　二段目：　１０Ａ／ｄｍ²
　　　　　三段目：　３０Ａ／ｄｍ²
　　　　　四段目：　１０Ａ／ｄｍ²

　上記条件で粗化処理を施した各種銅箔のＭ面、キャリア付き極薄銅箔の表面に、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
　（電解液組成）
　　　Ｃｕ：４０～５０ｇ／Ｌ
　　　Ｈ₂ＳＯ₄:８０～１２０ｇ／Ｌ
　（電解液温）
　　　４３～４７℃
　（電流条件）
　　　電流密度：４１Ａ／ｄｍ²

・微細粗化（２）：
　先に記したキャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で粗化処理を行った。
　（電解液組成）
　　　Ｃｕ濃度：１０～２０ｇ／Ｌ
　　　Ｈ₂ＳＯ₄濃度：８０～１２０ｇ／Ｌ
　　　タングステン濃度：１～１０ｍｇ／Ｌ（タングステン酸ナトリウム２水和物で添加）
　　　ドデシル硫酸ナトリウム濃度：１～１０ｍｇ／Ｌ
　（電解液温）
　　　３５～４５℃
　（電流条件）
　　　所定の穴形状を得るため、二段式を適用した。電流密度は次の通りとした。
　　　　　一段目：５０Ａ／ｄｍ²
　　　　　二段目：１０Ａ／ｄｍ²

・微細粗化（３）：
　先に記した両面フラット電解生箔のＭ面、及び、キャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で粗化処理を行った。
　（電解液組成）
　　　Ｃｕ：１０～２０ｇ／Ｌ
　　　Ｃｏ：１～１０ｇ／Ｌ
　　　Ｎｉ：１～１０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：１～４
　（電解液温度）
　　　４０～５０℃
　（電流条件）
　　　電流密度：２５Ａ／ｄｍ²
　（メッキ終了後のメッキ液中の浸漬時間）
　　　所定の穴形状を得るため５秒以内とした。

　上記条件で粗化処理を施した両面フラット銅箔のＭ面、及び、キャリア付き極薄銅箔の表面に、Ｃｏ－Ｎｉの被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
　（電解液組成）
　　　Ｃｏ：１～３０ｇ／Ｌ
　　　Ｎｉ：１～３０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：１．０～３．５
　（電解液温）
　　　３０～８０℃
　（電流条件）
　　　電流密度５．０Ａ／ｄｍ²

・微細粗化（４）：
　先に記したキャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で第一次粒子と第二次粒子を形成させる粗化処理を行った。
　第一次粒子形成：
　（電解液組成）
　　　Ｃｕ濃度：１０～２０ｇ／Ｌ
　　　Ｈ₂ＳＯ₄濃度：８０～１２０ｇ／Ｌ
　　　タングステン濃度：１～１０ｍｇ／Ｌ（タングステン酸ナトリウム２水和物で添加）
　　　ドデシル硫酸ナトリウム濃度：１～１０ｍｇ／Ｌ
　（電解液温）
　　　３５～４５℃
　（電流条件）
　　　所定の穴形状を得るため、二段式を適用した。電流密度は次の通りとした。
　　　　　一段目：５０Ａ／ｄｍ²
　　　　　二段目：１０Ａ／ｄｍ²

　上記条件で第一次粗化粒子を形成したキャリア付き極薄銅箔の表面に、第一次粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
　（電解液組成）
　　　Ｃｕ：４０～５０ｇ／Ｌ
　　　Ｈ₂ＳＯ₄:８０～１２０ｇ／Ｌ
　（電解液温）
　　　４３～４７℃
　（電流条件）
　　　電流密度：４１Ａ／ｄｍ²

　第二次粒子形成：
　次に、キャリア付き極薄銅箔の第一次粗化粒子の上に第二次粗化粒子を形成させるための粗化処理を行った。
　（電解液組成）
　　　Ｃｕ：１０～２０ｇ／Ｌ
　　　Ｃｏ：１～１０ｇ／Ｌ
　　　Ｎｉ：１～１０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：１～４
　（電解液温度）
　　　４０～５０℃
　（電流条件）
　　　電流密度：２５Ａ／ｄｍ²
　（メッキ終了後のメッキ液中の浸漬時間）
　　　所定の穴形状を得るため５秒以内とした。

　上記条件で第二次粒子粗化処理を施したキャリア付き極薄銅箔の表面にＣｏ－Ｎｉの被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
　（電解液組成）
　　　Ｃｏ：１～３０ｇ／Ｌ
　　　Ｎｉ：１～３０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：１．０～３．５
　（電解液温）
　　　３０～８０℃
　（電流条件）
　　　電流密度５．０Ａ／ｄｍ²

・微細粗化（５）：
　先に記したキャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で第一次粒子と第二次粒子を形成させる粗化処理を行った。
　第一次粒子形成：
　（電解液組成）
　　　Ｃｕ濃度：１０～２０ｇ／Ｌ
　　　Ｈ₂ＳＯ₄濃度：８０～１２０ｇ／Ｌ
　　　タングステン濃度：１～１０ｍｇ／Ｌ（タングステン酸ナトリウム２水和物で添加）
　　　ドデシル硫酸ナトリウム濃度：１～１０ｍｇ／Ｌ
　（電解液温）
　　　３５～４５℃
　（電流条件）
　　　所定の穴形状を得るため、二段式を適用した。電流密度は次の通りとした。
　　　　　一段目：２０Ａ／ｄｍ²
　　　　　二段目：１０Ａ／ｄｍ²

　第二次粒子形成：
　次に、キャリア付き極薄銅箔の第一次粗化粒子の上に第二次粗化粒子を形成させるための粗化処理を行った。
　（電解液組成）
　　　Ｃｕ：１０～２０ｇ／Ｌ
　　　Ｃｏ：１～１０ｇ／Ｌ
　　　Ｎｉ：１～１０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：１～４
　（電解液温度）
　　　４０～５０℃
　（電流条件）
　　　電流密度：２５Ａ／ｄｍ²
　（メッキ終了後のメッキ液中の浸漬時間）
　　　所定の穴形状を得るため１５～２０秒とした。

・微細粗化（６）：
　先に記したキャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で粗化処理を行った。
　（電解液組成）
　　　Ｃｕ濃度：１０～２０ｇ／Ｌ
　　　Ｈ₂ＳＯ₄濃度：８０～１２０ｇ／Ｌ
　　　タングステン濃度：１～１０ｍｇ／Ｌ（タングステン酸ナトリウム２水和物で添加）
　　　ドデシル硫酸ナトリウム濃度：１～１０ｍｇ／Ｌ
　（電解液温）
　　　３５～４５℃
　（電流条件）
　　　所定の穴形状を得るため、四段式を適用した。電流密度は次の通りとした。
　　　　　一段目：５０Ａ／ｄｍ²
　　　　　二段目：１０Ａ／ｄｍ²
　　　　　三段目：５０Ａ／ｄｍ²
　　　　　四段目：１０Ａ／ｄｍ²

・微細粗化（７）：
　先に記したキャリア付き極薄生銅箔の表面に、下記条件で第一次粒子と第二次粒子を形成させる粗化処理を行った。
　第一次粒子形成：
　（電解液組成）
　　　Ｃｕ濃度：１０～２０ｇ／Ｌ
　　　Ｈ₂ＳＯ₄濃度：８０～１２０ｇ／Ｌ
　　　タングステン濃度：１～１０ｍｇ／Ｌ（タングステン酸ナトリウム２水和物で添加）
　　　ドデシル硫酸ナトリウム濃度：１～１０ｍｇ／Ｌ
　（電解液温）
　　　３５～４５℃
　（電流条件）
　　　所定の穴形状を得るため、三段式を適用した。電流密度は次の通りとした。
　　　　　一段目：２５Ａ／ｄｍ²
　　　　　二段目：１０Ａ／ｄｍ²
　　　　　三段目：５Ａ／ｄｍ²

　第二次粒子形成：
　次に、キャリア付き極薄銅箔の第一次粗化粒子の上に第二次粗化粒子を形成させるための粗化処理を行った。
　（電解液組成）
　　　Ｃｕ：１０～２０ｇ／Ｌ
　　　Ｃｏ：１～１０ｇ／Ｌ
　　　Ｎｉ：１～１０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：１～４
　（電解液温度）
　　　４０～５０℃
　（電流条件）
　　　電流密度：２５Ａ／ｄｍ²
　（メッキ終了後のメッキ液中の浸漬時間）
　　　所定の穴形状を得るため５～１０秒とした。

　〔バリヤー（耐熱）処理〕
　バリヤー（耐熱）処理を下記の条件で行い、真鍮メッキ層又は亜鉛・ニッケル合金メッキ層を形成した。

　実施例Ａ６、比較例Ａ２、Ａ３、実施例Ｂ６、比較例Ｂ２、Ｂ３のバリヤー層（真鍮メッキ）形成条件：
　銅濃度５０～８０ｇ／Ｌ、亜鉛濃度２～１０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム濃度５０～８０ｇ／Ｌ、シアン化ナトリウム濃度５～３０ｇ／Ｌ、温度６０～９０℃の真鍮メッキ浴を用い、電流密度５～１０Ａ／ｄｍ²（多段処理）でメッキ電気量３０Ａｓ／ｄｍ²を、粗化処理層を形成したＭ面に付与した。

　実施例Ａ３、比較例Ａ１、実施例Ｂ３、比較例Ｂ１のバリヤー層（亜鉛・ニッケルメッキ）形成条件：
　Ｎｉ：１０ｇ／Ｌ～３０ｇ／Ｌ、Ｚｎ:１ｇ／Ｌ～１５ｇ／Ｌ、硫酸(Ｈ₂ＳＯ₄)：１ｇ／Ｌ～１２ｇ／Ｌ、塩化物イオン：０ｇ／Ｌ～５g／Ｌを添加したメッキ浴を用い、電流密度１．３Ａ／ｄｍ²でメッキ電気量５．５Ａｓ／ｄｍ²を、粗化処理層を形成したＭ面に付与した。

　〔防錆処理〕
　防錆処理（クロメート処理）を下記の条件で行い、防錆処理層を形成した。
　（クロメート条件）　ＣｒＯ₃：２．５ｇ／Ｌ、Ｚｎ：０．７ｇ／Ｌ、Ｎａ₂ＳＯ₄：１０ｇ／Ｌ、ｐＨ４．８、５４℃のクロメート浴で０．７Ａｓ／ｄｍ²の電気量を付加。更に、クロメート浴での防錆処理終了直後、液シャワー配管を用いて、同じクロメート浴を使って粗化処理面全面をシャワーリングした。

　〔シランカップリング材塗布〕
　銅箔の粗化処理面に、０．２～２％のアルコキシシランを含有量するｐＨ７～８の溶液を噴霧することで、シランカップリング材塗布処理を行った。

　実施例Ａ８、実施例Ｂ８については、防錆処理、シランカップリング材塗布の後、更に下記の条件で樹脂層の形成を行った。
（樹脂合成例）
　ステンレス製の碇型攪拌棒、窒素導入管とストップコックのついたトラップ上に、玉付冷却管を取り付けた還流冷却器を取り付けた２リットルの三つ口フラスコに、3,4、3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１１７．６８ｇ（４００ｍｍｏｌ）、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン８７．７ｇ（３００ｍｍｏｌ）、γ-バレロラクトン４．０ｇ（４０ｍｍｏｌ）、ピリジン４．８ｇ（６０ｍｍｏｌ）、N-メチル-2-ピロリドン(以下ＮＭＰと記す)３００ｇ、トルエン２０ｇを加え、１８０℃で１時間加熱した後室温付近まで冷却した後、3,4、3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物２９．４２ｇ（１００ｍｍｏｌ）、2,2-ビス{4-(4-アミノフェノキシ)フェニル}プロパン８２．１２ｇ（２００ｍｍｏｌ）、ＮＭＰ２００ｇ、トルエン４０ｇを加え、室温で１時間混合後、１８０℃で３時間加熱して、固形分３８％のブロック共重合ポリイミドを得た。このブロック共重合ポリイミドは、下記に示す一般式(１)：一般式(２)＝３：２であり、数平均分子量：７００００、重量平均分子量：１５００００であった。

　合成例で得られたブロック共重合ポリイミド溶液をＮＭＰで更に希釈し、固形分１０％のブロック共重合ポリイミド溶液とした。このブロック共重合ポリイミド溶液にビス(4-マレイミドフェニル)メタン(ＢＭＩ-Ｈ、ケイ・アイ化成)を固形分重量比率３５、ブロック共重合ポリイミドの固形分重量比率６５として（即ち、樹脂溶液に含まれるビス(4-マレイミドフェニル)メタン固形分重量：樹脂溶液に含まれるブロック共重合ポリイミド固形分重量＝３５：６５）６０℃、２０分間溶解混合して樹脂溶液とした。その後、実施例Ａ８、実施例Ｂ８では銅箔の極薄銅表面に、リバースロール塗工機を用いて前記樹脂溶液を塗工し、窒素雰囲気下で、１２０℃で３分間、１６０℃で３分間乾燥処理後、最後に３００℃で２分間加熱処理を行い、樹脂層を備える銅箔を作製した。なお、樹脂層の厚みは２μｍとした。

（表面処理銅箔及びキャリア付銅箔の各種評価）
　上記のようにして得られた表面処理銅箔及びキャリア付銅箔について、以下の方法で各種の評価を実施した。

＜線粗さＲｚ＞
　各実施例、比較例の表面処理銅箔、キャリア付銅箔について、株式会社小阪研究所製接触粗さ計Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ　ＳＥ－３Ｃを使用してＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４に準拠して十点平均粗さを表面処理面について測定した。測定基準長さ０．８ｍｍ、評価長さ４ｍｍ、カットオフ値０．２５ｍｍ、送り速さ０．１ｍｍ／秒の条件で、圧延銅箔については圧延方向と垂直な方向（ＴＤ）に測定位置を変えて、または、電解銅箔については電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向（ＴＤ）に測定位置を変えて、それぞれ３回行い、３回の測定での値を求めた。

＜面粗さＳｚ＞
　オリンパス社製レーザー顕微鏡（試験機：OLYMPUS LEXT OLS 4000、解像度：XY- 0.12μｍ、Z - 0.0μｍ、カットオフ：無し）を用いて、表面処理銅箔及びキャリア付銅箔の表面処理層側表面の面粗さ（表面の最大高さ）Ｓｚを、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定した。なお、観察部の測定面積を６６５２４μｍ^２とした。

＜面積比（Ｂ／Ａ）＞
　各実施例、比較例の表面処理銅箔、キャリア付銅箔について、表面処理層側表面の面積はレーザー顕微鏡による測定法を使用した。各実施例、比較例の表面処理後の銅箔について、オリンパス社製レーザー顕微鏡（試験機：OLYMPUS LEXT OLS 4000、解像度：XY- 0.12μｍ、Z - 0.0μｍ、カットオフ：無し）を用いて、２５６μｍ×２５６μｍ相当面積（平面視したときに得られる表面積）Ａ（実データでは６６，５２４μｍ²）における三次元表面積Ｂを測定して、三次元表面積Ｂ÷二次元表面積Ａ＝面積比（Ｂ／Ａ）とする手法により算出を行った。なお、レーザー顕微鏡による三次元表面積Ｂの測定環境温度は２３～２５℃とした。

　各実施例、比較例の表面処理銅箔、キャリア付銅箔について、２０ｃｍ角サイズの下記の樹脂基材を準備し、樹脂基材と銅箔とを、銅箔の表面処理層を有する面を樹脂基材に接するようにして積層プレスした。積層プレスの温度、圧力、時間は、基材メーカーの推奨条件を用いた。
　使用樹脂：三菱ガス化学社ＧＨＰＬ－８３０ＭＢＴ

　次に、樹脂基材上の表面処理銅箔を下記のエッチング条件にて全面エッチングで除去した。また、樹脂基材上のキャリア付銅箔については、キャリアを剥がした後、極薄銅層を下記のエッチング条件にて全面エッチングで除去した。なお、「全面エッチング」とは、銅箔が厚み分、全て除去されて、全面に樹脂が露出するまでエッチングすることをいう。
　　（エッチング条件）エッチング液：塩化第二銅溶液、ＨＣｌ濃度：３．５mol/Ｌ、温度：５０℃、比重１．２６となるようにＣｕＣｌ₂濃度調節

　２．薬液を用いた樹脂基材の表面プロファイルの形成
　比較例Ｂ５として、厚さ１００μｍの三菱ガス化学社製の樹脂基材ＧＨＰＬ－８３０ＭＢＴを２枚準備した。この樹脂基材２枚を重ねあわせ、その両側に離型層フィルムを貼り合わせて積層プレスした。積層プレスの温度、圧力、時間は、基材メーカーの推奨条件を用いた。積層プレス終了後、離型層フィルムを樹脂基材から剥離し、以下の浸漬処理の条件でデスミア処理Ａ、Ｂ及び中和処理を行い、樹脂基材の表面プロファイルを形成した。
（デスミア処理条件Ａ）
　・デスミア処理液：４０ｇ／Ｌ　ＫＭｎＯ₄、２０ｇ／Ｌ　ＮａＯＨ
　・処理温度：室温
　・浸漬時間：２０分
　・攪拌子回転数：３００ｒｐｍ
（デスミア処理条件Ｂ）
　・デスミア処理液：９０ｇ／Ｌ　ＫＭｎＯ₄、５ｇ／Ｌ　ＨＣｌ
　・処理温度：４９℃
　・浸漬時間：２０分
　・攪拌子回転数：３００ｒｐｍ
（中和処理条件）
　・中和処理液：Ｌ－アスコルビン酸　８０ｇ／Ｌ
　・処理温度：室温
　・浸漬時間：３分
　・攪拌なし

　比較例Ｂ６として、厚さ１００μｍの三菱ガス化学社製の樹脂基材ＧＨＰＬ－８３０ＭＢＴを２枚準備した。この樹脂基材２枚を重ねあわせ、その両側に離型層フィルムを貼り合わせて積層プレスした。積層プレスの温度、圧力、時間は、基材メーカーの推奨条件を用いた。積層プレス終了後、離型層フィルムを樹脂基材から剥離し、以下の浸漬処理の条件でデスミア処理Ａ、Ｂ及び中和処理を行い、樹脂基材の表面プロファイルを形成した。
（デスミア処理条件Ａ）
　・デスミア処理液：４０ｇ／Ｌ　ＫＭｎＯ₄、２０ｇ／Ｌ　ＮａＯＨ
　・処理温度：室温
　・浸漬時間：２０分
　・攪拌子回転数：３００ｒｐｍ
（デスミア処理条件Ｂ）
　・デスミア処理液：９０ｇ／Ｌ　ＫＭｎＯ₄、５ｇ／Ｌ　ＨＣｌ
　・処理温度：４９℃
　・浸漬時間：３０分
　・攪拌子回転数：３００ｒｐｍ
（中和処理条件）
　・中和処理液：Ｌ－アスコルビン酸　８０ｇ／Ｌ
　・処理温度：室温
　・浸漬時間：３分
　・攪拌なし

　実施例Ｂ９として、厚さ１００μｍの三菱ガス化学社製の樹脂基材ＧＨＰＬ－８３０ＭＢＴを２枚準備した。この樹脂基材２枚を重ねあわせ、その両側に離型層フィルムを貼り合わせて積層プレスした。積層プレスの温度、圧力、時間は、基材メーカーの推奨条件を用いた。積層プレス終了後、離型層フィルムを樹脂基材から剥離し、以下の処理条件にて樹脂基材表面にシャワー処理Ａ、Ｂ及び中和処理を行うことで、樹脂基材の表面プロファイルを形成した。
　（シャワー処理条件Ａ）
　・デスミア処理液：４０ｇ／Ｌ　ＫＭｎＯ₄、２０ｇ／Ｌ　ＮａＯＨ
　・処理温度：室温
　・処理時間：２０分
　・シャワー圧力：０．２ＭＰａ
　（シャワー処理条件Ｂ）
　・デスミア処理液：９０ｇ／Ｌ　ＫＭｎＯ₄、５ｇ／Ｌ　ＨＣｌ
　・処理温度：４９℃
　・処理時間：２０分
　・シャワー圧力：０．２ＭＰａ
　（中和処理条件）
　・中和処理液：Ｌ－アスコルビン酸　８０ｇ／Ｌ
　・処理温度：室温
　・浸漬時間：３分
　・攪拌なし
　このようにして、薬液を用いた樹脂基材の表面プロファイルの形成を行った。

（樹脂基材の評価）
　上記で作製した表面プロファイルを有する実施例及び比較例の樹脂基材について、以下の評価を行った。
＜線粗さＲｚ＞
　各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、株式会社小阪研究所製接触粗さ計Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ　ＳＥ－３Ｃを使用してＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４に準拠して十点平均粗さを測定した。測定基準長さ０．８ｍｍ、評価長さ４ｍｍ、カットオフ値０．２５ｍｍ、送り速さ０．１ｍｍ／秒の条件でそれぞれ３回行い、３回の測定での値を求めた。

＜面粗さＳｚ＞
　各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、オリンパス社製レーザー顕微鏡（試験機：OLYMPUS LEXT OLS 4000、解像度：XY - 0.12μｍ、Z - 0.0μｍ、カットオフ：無し）を用いて、面粗さ（表面の最大高さ）Ｓｚを、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定した。なお、観察部の測定面積を６６５２４μｍ^２とした。

＜面積比（Ｂ／Ａ）＞
　各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、オリンパス社製レーザー顕微鏡（試験機：OLYMPUS LEXT OLS 4000、解像度：XY - 0.12μｍ、Z - 0.0μｍ、カットオフ：無し）を用いて、２５６μｍ×２５６μｍ相当面積（平面視したときに得られる表面積）Ａ（実データでは６６，５２４μｍ²）における三次元表面積Ｂを測定して、三次元表面積Ｂ÷二次元表面積Ａ＝面積比（Ｂ／Ａ）とする手法により算出を行った。なお、レーザー顕微鏡による三次元表面積Ｂの測定環境温度は２３～２５℃とした。

＜黒色面積率＞
　各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて加速電圧を１５ｋＶとして、写真撮影を行った。なお、写真撮影の際に、観察視野全体の穴の輪郭が明確に見えるように、コントラストとブライトネスを調整した。写真全体が真っ白や真っ黒ではなく、穴の輪郭が観察できる状態で写真撮影を行った。写真全体が真っ白や真っ黒ではなく、穴の輪郭が観察できる状態で写真撮影を行ったのであれば、当該写真における黒色面積率（％）はほぼ同じ値となる。そして撮影した写真（SEM像（30k倍（３００００倍）））について、Photo Shop 7.0ソフトウェアを使用し、白色・黒色画像処理を施し、黒色面積率（％）を求めた。黒色面積率（％）は、Photo Shop 7.0にある「イメージ」の「ヒストグラム」を選定し、閾値128とした場合の観察面積（白色面積と黒色面積とを合計した面積）に対する黒色面積の割合とした。

＜穴の直径平均値＞
　各実施例、比較例の樹脂基材のエッチング側表面について、SEM像（ｘ6000～ｘ30000）から線分法により穴の直径を縦、横、斜めで測定し、それらN=3の平均値を算定した。

＜ピール強度＞
　樹脂基材（全面エッチング基材）のエッチング面に、無電解銅を析出させるための触媒付与、及び、関東化成製のＫＡＰ－８浴を用い、下記条件にて無電解銅メッキを実施した。得られた無電解銅メッキの厚みは０．５μｍであった。
　ＣｕＳＯ₄濃度：０．０６mol/Ｌ、ＨＣＨＯ濃度：０．５mol/Ｌ、ＥＤＴＡ濃度：０．１２mol/Ｌ、ｐＨ１２．５、添加剤：２，２’－ジピリジル、添加剤濃度：１０ｍｇ／Ｌ、表面活性剤：ＲＥＧ－１０００、表面活性剤濃度：５００ｍｇ／Ｌ
　次に、無電解銅メッキ上に、さらに下記の電解液を使用して電解メッキを実施した。銅厚み（無電解メッキ及び電解メッキの総厚）は１２μｍとなった。
　単純硫酸銅電解液：Ｃｕ濃度：１００ｇ／Ｌ、Ｈ₂ＳＯ₄濃度：８０ｇ／Ｌ
　上述のように樹脂基材（全面エッチング基材）に無電解銅メッキ、電解銅メッキを施して銅層厚を１２μｍとしたメッキ銅付き積層板について、幅１０ｍｍの銅回路を湿式エッチングにより作製した。ＪＩＳ－Ｃ－６４８１に準じ、この銅回路を９０度で剥離したときの強度を測定し、ピール強度とした。

＜微細配線形成性＞
　上述のように樹脂基材（全面エッチング基材）に無電解銅メッキ、電解銅メッキを施して銅層厚を１２μｍとしたメッキ銅付き積層板について、メッキ銅をエッチングにより加工し、Ｌ（ライン）／Ｓ（スペース）＝１５μｍ／１５μｍ、及び、１０μｍ／１０μｍの回路を形成した。このとき、樹脂基板上に形成された微細配線を目視で観察し、回路の剥離、回路間のショート（回路間の銅異常析出）、回路の欠けがないものをOK（○）とした。

　表１、４に、上述の、銅箔表面プロファイルの基材面への転写によって、実施例Ａ１～Ａ１１、比較例Ａ１～Ａ４、実施例Ｂ１～Ｂ１２、比較例Ｂ１～Ｂ４の基材面プロファイルを得るために使用される銅箔の製造条件を示す。
　表２、５に、上述の、基材面プロファイルの評価結果を示す。
　表３、６に、上述の、基材面プロファイルを与える銅箔表面プロファイルの評価結果を示す。

（評価結果）
　実施例Ａ１～Ａ１１は、いずれも良好な微細配線形成性を有し、さらに良好なピール強度を示した。
　比較例Ａ１～Ａ４の銅箔は、いずれも表面処理層表面の面粗さＳｚが２～６μｍの範囲外であったため、基材の表面プロファイルにおいて面粗さＳｚが１～５μｍの範囲外となり、微細配線形成性又はピール強度が不良となった。また、比較例Ａ１～Ａ４の銅箔は、いずれも表面処理層表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０５～１．８の範囲外であったため、基材の表面プロファイルにおいて当該比Ｂ／Ａが１．０１～１．５の範囲外となり、微細配線形成性又はピール強度が不良となった。また、比較例Ａ１～Ａ４の基材の表面プロファイルは、いずれも表面の黒色面積率が１０～５０％の範囲外であり、且つ、表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍの範囲外であったため、微細配線形成性又はピール強度が不良となった。
　なお、実施例及び比較例の評価結果から、銅箔表面及びエッチング後基材表面のＲｚの数値は、良好な微細配線形成性及びピール強度を兼ね備えることに対して、特に関連性が無いことが確認された。

　実施例Ｂ１～Ｂ１２の基材は、いずれも良好な微細配線形成性を有し、さらに良好なピール強度を示した。
　比較例Ｂ１～Ｂ６の基材は、いずれも表面の面粗さＳｚが１～５μｍの範囲外であったため、微細配線形成性又はピール強度が不良となった。また、比較例Ｂ１～Ｂ４の基材は、いずれも表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５の範囲外であったため、微細配線形成性又はピール強度が不良となった。また、比較例Ｂ１～Ｂ６の基材は、いずれも表面の黒色面積率が１０～５０％、表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍの両方或いはいずれかが範囲外であったため、微細配線形成性又はピール強度が不良となった。
　なお、実施例及び比較例の評価結果から、樹脂基材表面のＲｚの数値は、良好な微細配線形成性及びピール強度を兼ね備えることに対して、特に関連性が無いことが確認された。

　図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に、それぞれ実施例Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ５、Ａ６の銅箔処理面のSEM像（×３００００）を示す。
　図４（ｆ）、（ｇ）に、それぞれ比較例Ａ１、Ａ２の銅箔処理面のSEM像（×６０００）を示す。
　図５（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）に、それぞれ実施例Ａ１（Ｂ１）、Ａ２（Ｂ２）、Ａ３（Ｂ３）、Ａ５（Ｂ５）、Ａ６（Ｂ６）の樹脂基材面のSEM像（×３００００）を示す。
　図６（ｍ）、（ｎ）に、それぞれ比較例Ａ１（Ｂ１）、Ａ２（Ｂ２）の樹脂基材面のSEM像（×６０００）を示す。

Claims

　銅箔上に表面処理層が形成された表面処理銅箔であり、前記表面処理層表面の面粗さＳｚが２～６μｍである表面処理銅箔。
　銅箔上に表面処理層が形成された表面処理銅箔であり、前記表面処理層表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０５～１．８である請求項１に記載の表面処理銅箔。
　表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の面粗さＳｚが１～５μｍとなる請求項１又は２に記載の表面処理銅箔。
　表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５となる請求項１～３のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
　表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍとなる請求項１～４のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
　銅箔上に表面処理層が形成された表面処理銅箔であり、前記表面処理層表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０５～１．８である表面処理銅箔。
　表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の面粗さＳｚが１～５μｍとなる請求項６に記載の表面処理銅箔。
　表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５となる請求項６又は７に記載の表面処理銅箔。
　表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍとなる請求項６～８のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
　表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の面粗さＳｚが１～５μｍとなる表面処理銅箔。
　表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５となる請求項１０に記載の表面処理銅箔。
　表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍとなる請求項１０又は１１に記載の表面処理銅箔。
　表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５となる表面処理銅箔。
　表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍとなる請求項１３に記載の表面処理銅箔。
　表面処理銅箔を表面処理層側から樹脂基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去したとき、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、前記樹脂基材の前記銅箔除去側表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍとなる表面処理銅箔。
　前記表面処理層が粗化処理層である請求項１～１５のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
　前記粗化処理層が、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層である請求項１６に記載の表面処理銅箔。
　前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する請求項１６又は１７に記載の表面処理銅箔。
　前記表面処理層が、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層である請求項１～１５のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
　前記表面処理層上に樹脂層を備える請求項１～１９のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
　キャリア、中間層及び極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層が請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔であるキャリア付銅箔。
　前記キャリアの両面に前記極薄銅層を備えた請求項２１に記載のキャリア付銅箔。
　前記キャリアの前記極薄銅層とは反対側に粗化処理層を備えた請求項２１に記載のキャリア付銅箔。
　請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の面粗さＳｚが１～５μｍである基材。
　請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を極薄銅層側から基材に貼り合わせ、前記キャリアを前記キャリア付銅箔から除去した後に、前記表面処理銅箔である前記極薄銅層を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の面粗さＳｚが１～５μｍである基材。
　請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５である基材。
　請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を極薄銅層側から基材に貼り合わせ、前記キャリアを前記キャリア付銅箔から除去した後に、前記表面処理銅箔である前記極薄銅層を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５である基材。
　請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を表面処理層側から基材に貼り合わせ、前記表面処理銅箔を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、前記銅箔除去側表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍである基材。
　請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を極薄銅層側から基材に貼り合わせ、前記キャリアを前記キャリア付銅箔から除去した後に、前記表面処理銅箔である前記極薄銅層を除去した基材であり、前記銅箔除去側表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、前記銅箔除去側表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍである基材。
　請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔、又は、請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造した銅張積層板。
　請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔、又は、請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板。
　請求項３１に記載のプリント配線板を用いた電子機器。
　請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
　前記表面処理銅箔を、表面処理層側から絶縁基板に積層する工程、
　前記絶縁基板上の表面処理銅箔を除去する工程、
　前記表面処理銅箔を除去した絶縁基板の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
　前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から絶縁基板に積層する工程、
　前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
　前記キャリアを剥がした後の絶縁基板上の極薄銅層を除去する工程、
　前記極薄銅層を除去した絶縁基板の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
　前記表面処理銅箔を、表面処理層側から絶縁基板に積層して銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
　請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
　前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から絶縁基板に積層する工程、
　前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
　表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　前記樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記表面処理銅箔又は前記キャリア付銅箔を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　表面に回路が形成された金属箔、又は、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔である第１の表面処理銅箔、又は、極薄金属層側表面に回路が形成されたキャリア付金属箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔である第１のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面又は前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付金属箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔である第２の表面処理銅箔を表面処理層側から前記樹脂層に積層する工程、又は、請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔である第２のキャリア付銅箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
　前記樹脂層に積層した箔が前記第２のキャリア付銅箔である場合は、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
　前記樹脂層上の表面処理銅箔、又は、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアが剥がされて残った極薄銅層を除去する工程、
　前記表面処理銅箔を除去した樹脂層の表面、又は、極薄銅層を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記金属箔を除去することで、又は、前記第１の表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥離させた後に極薄金属層を除去することで、又は、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　金属箔を前記樹脂層に積層する工程、又は、キャリア付金属箔を極薄金属層側から前記樹脂層に積層する工程、
　前記樹脂層に積層した箔が前記キャリア付金属箔である場合は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
　前記樹脂層上の金属箔、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアが剥がされて残った極薄金属層を除去する工程、
　前記金属箔を除去した樹脂層の表面、又は、極薄銅層を除去した樹脂層の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　表面に回路が形成された金属箔、又は、表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔である第１の表面処理銅箔、又は、極薄金属層側表面に回路が形成されたキャリア付金属箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔である第１のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面又は前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付金属箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔である第２の表面処理銅箔を表面処理層側から前記樹脂層に積層する工程、又は、請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔である第２のキャリア付銅箔を極薄銅層側から前記樹脂層に積層する工程、
　前記樹脂層に積層した箔が前記第２のキャリア付銅箔である場合は、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
　前記樹脂層上の表面処理銅箔、又は、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアが剥がされて残った極薄銅層を用いてセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記金属箔を除去することで、又は、前記第１の表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥離させた後に極薄金属層を除去することで、又は、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　表面処理層が形成された側の表面に回路が形成された請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理銅箔、又は、極薄銅層側表面に回路が形成された請求項２１～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔表面又は前記キャリア付銅箔表面に樹脂層を形成する工程、
　金属箔を前記樹脂層に積層する工程、又は、キャリア付金属箔を極薄金属層側から前記樹脂層に積層する工程、
　前記樹脂層に積層した箔が前記キャリア付金属箔である場合は、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、
　前記樹脂層上の金属箔、又は、前記キャリア付金属箔のキャリアが剥がされて残った極薄金属層を用いてセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記表面処理銅箔を除去することで、又は、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に極薄銅層を除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　表面の面粗さＳｚが１～５μｍである樹脂基材。
　表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５である請求項４２に記載の樹脂基材。
　表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍである請求項４２又は４３に記載の樹脂基材。
　表面の三次元表面積Ｂと二次元表面積Ａとの比Ｂ／Ａが１．０１～１．５である樹脂基材。
　表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍである樹脂基材。
　表面の黒色面積率が１０～５０％であり、且つ、表面の穴の直径平均値が０．０３～１．０μｍである請求項４５に記載の樹脂基材。
　セミアディティブ工法用である請求項４２～４７のいずれか一項に記載の樹脂基材。
　請求項４２～４８のいずれか一項に記載の樹脂基材を用いて製造したプリント配線板。
　請求項４２～４８のいずれか一項に記載の樹脂基材を用いて製造した銅張積層板。
　表面処理銅箔と樹脂基材とを準備する工程、
　前記表面処理銅箔を、表面処理層側から樹脂基材に積層する工程、
　前記樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して請求項４２～４８のいずれか一項に記載の樹脂基材を得る工程、
　前記表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　キャリア、中間層、極薄銅層がこの順で積層されて構成されたキャリア付銅箔と、樹脂基材とを準備する工程、
　前記キャリア付銅箔を極薄銅層側から樹脂基材に積層する工程、
　前記キャリア付銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
　前記キャリアを剥がした後の樹脂基材上の極薄銅層を除去して請求項４２～４８のいずれか一項に記載の樹脂基材を得る工程、
　前記極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　表面処理銅箔を、表面処理層側から請求項４２～４７のいずれか一項に記載の樹脂基材に積層して銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
　キャリア、中間層、極薄銅層がこの順で積層されて構成されたキャリア付銅箔を極薄銅層側から請求項４２～４７のいずれか一項に記載の樹脂基材に積層する工程、
　前記キャリア付銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
　表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面に樹脂基材を形成する工程、
　表面処理銅箔を、表面処理層側から前記樹脂基材に積層する工程、
　前記樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して請求項４２～４８のいずれか一項に記載の樹脂基材を得る工程、
　前記表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　キャリア、中間層、極薄銅層がこの順で積層されて構成された第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記第１のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂基材を形成する工程、
　キャリア、中間層、極薄銅層がこの順で積層されて構成された第２のキャリア付銅箔を準備し、前記第２のキャリア付銅箔の極薄銅層側から前記樹脂基材に積層する工程、
　前記第２のキャリア付銅箔を前記樹脂基材に積層した後に、前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
　前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がした後の樹脂基材上の極薄銅層を除去して請求項４２～４８のいずれか一項に記載の樹脂基材を得る工程、
　前記極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、
　前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面に請求項４２～４７のいずれか一項に記載の樹脂基材を形成する工程、
　表面処理銅箔を、表面処理層側から前記樹脂基材に積層し、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂層上に回路を形成する工程、及び、
　前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　キャリア、中間層、極薄銅層がこの順で積層されて構成された第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記第１のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に請求項４２～４７のいずれか一項に記載の樹脂基材を形成する工程、
　キャリア、中間層、極薄銅層がこの順で積層されて構成された第２のキャリア付銅箔を準備し、前記第２のキャリア付銅箔の極薄銅層側から前記樹脂基材に積層して前記第２のキャリア付銅箔のキャリアを剥がし、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって前記樹脂基材上に回路を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、
　前記第１のキャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記第１のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面に樹脂基材を形成する工程、
　キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔を極薄銅層側表面から前記樹脂基材に積層する工程、
　前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記樹脂基材上の極薄銅層を除去して請求項４２～４８のいずれか一項に記載の樹脂基材を得る工程、
　前記極薄銅層を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、及び、
　前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂基材を形成する工程、
　表面処理銅箔を、表面処理層側から前記樹脂基材に積層する工程、
　前記樹脂基材上の表面処理銅箔を除去して請求項４２～４８のいずれか一項に記載の樹脂基材を得る工程、
　前記表面処理銅箔を除去した樹脂基材の表面に回路を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、
　前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記キャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記キャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　表面に回路が形成された金属箔を準備する工程、
　前記回路が埋没するように前記金属箔表面に請求項４２～４８のいずれか一項に記載の樹脂基材を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成する工程、及び、
　前記金属箔を除去することで、前記金属箔表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　キャリア、中間層、極薄銅層をこの順で備えたキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に請求項４２～４８のいずれか一項に記載の樹脂基材を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成する工程、
　前記樹脂基材上に回路を形成した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させる工程、及び、
　前記キャリア付銅箔のキャリアを剥離させた後に、前記キャリア付銅箔の極薄銅層を除去することで、前記キャリア付銅箔の極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂基材に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。