JP4709575B2 - 銅箔の粗面化処理方法及び粗面化処理液 - Google Patents
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圧延銅箔は、銅インゴットから圧延機で目的の厚みまで圧延し、巻き取って製造されている。
一方、電解銅箔は、銅電解液から電着装置で目的の厚みの銅を電解析出させ、析出物を剥離し、巻き取って製造される。その際、銅電解液に適当な添加剤を加えることにより、用途に合った機械特性および表面形状を作り出すことが行われている。電解銅箔の場合、両面の表面特性が異なる場合が多く、電着ドラム側をS(Shiny)面、平滑面又は光沢面、反対側をM(Matte)面又は粗面と呼ぶ。
銅箔は、銅の単一組成からなる場合と、機械特性や電気特性を改善するために、微量の添加成分を制御し、合金箔としても供される。
これら銅箔、銅合金箔は当業者間において「未処理銅箔」と呼ばれており、通常はこの未処理銅箔のままで使用されることはなく、プリント配線板用銅箔を得る場合には、絶縁樹脂との接着性を向上させることを目的とした「粗面化処理」や化学的接着力、耐熱、耐薬品性及び防錆性を付与することを目的とした各種表面処理が施され、二次電池集電体用銅箔を得る場合には、活物質との密着力及び防錆性を付与することを目的とした各種表面処理が施される。
これら表面処理は、巻き取った未処理銅箔を複数の工程を持つ処理機内に通箔させ、連続的に特性付与が行われる。この際、各工程は数秒から数十秒以内で通過し、短時間ほど処理工程が短く、ロールパス数も少なくなり、くぼみ、押し傷やシワ等の発生要因が押さえられ、薄箔に対しては特に有効に寄与する。
まず、硫酸酸性銅浴中で銅箔を陰極とし、処理面に対し不溶性陽極を対向させて配し、限界電流密度以上の電流で銅の樹枝状突起物を形成させる。この1段処理は「ヤケメッキ」とも呼ばれ、樹枝状であるが故に非常に粉落ちしやすく、このままでは、絶縁樹脂との接着力が乏しく、くぼみや押し傷の原因ともなっている。したがって、さらに硫酸酸性銅浴中で、限界電流密度以下でメッキし、樹枝状粉を安定化させることが行われる。この2段目の処理は「被覆メッキ」とも呼ばれる。
ヤケメッキと被覆メッキは、同じ硫酸酸性銅浴を使用するが、限界電流密度を電流のみで制御しているわけではなく、銅濃度も適した条件に調整し、また、ヤケメッキ浴に対しては、樹枝状粉の析出形態をコントロールするための添加剤を使用する場合がある。つまり、2段の処理に対し、2種類の溶液を使用している。
ヤケメッキは固着性に乏しいため、2段目の被覆メッキが十分にかかるまでは粉落ちに対する厳重な管理が必要とされ、通常は片面ずつの処理に制約される。
一方、二次電池集電体用銅箔としては、厚さ10マイクロメートル以下といった薄箔化の要求とともに、その表面に対しても、単位面積あたりの活物質保持量を向上させる要求などが高まってきている。
以上のように、銅箔の片面もしくは両面において種々の要望に答えるべく複雑な粗面化処理が開発されてきている。これまでの粗面化処理に関する技術として、以下の提案がなされている。
その後、樹脂状粉単一の処理(ヤケメッキ)では、固着性が乏しく容易に脱落することから、このような欠点を改良する方法として、銅箔表面に形成した樹枝状粉末の上に、さらに被覆メッキ(カプセルメッキ)を施し樹枝状粉末を安定的に固着させる2段粗面化処理方法が、例えば以下の特許文献2及び3に報告されている。
しかし、硫酸銅単純浴からの粗化粒子は、不均一で粗度が高く、エッチング後の基板への残留銅を生じやすい欠点があった。
ベンゾキノリン類に関しては、その他の公知文献を以下に挙げると、例えば下記の特許文献14には、両面のRzが1〜3μmの銅箔の両面に、長さ0.6〜1.0μmで最大径0.2μm〜0.8μmの逆涙滴状の微細なこぶが設けられているプリント配線板用銅箔が開示され、この粗面化粒子を形成するために、硫酸酸性浴中にα-ナフトキノリンを50mg/l添加し、10A/dm2で10秒間の電解処理が実施例として報告されている。しかし、この特許文献17記載の処理においては被覆メッキが施されており、この条件では粉落ちの危険性を有していることが読みとれる。
更に、下記の特許文献16には、チオン酸、チオ硫酸塩、チオン酸塩を含む硫酸酸性銅電解浴から粗面を形成する方法が報告されているが、硫黄含有光沢メッキ剤やチオ無機化合物に対して不溶性陽極を適応すると、陽極からの酸素発泡により、添加物の消耗速度が非常に速く、浴が安定せず、さらに分解生成物を連続的に除去する必要もあった。
その他、弱酸性銅浴からの粗面化処も数多く提案されているが、可溶性陽極が必要である場合が多く、また、限界電流付近の電流をかけた場合、液の組成安定性に欠け、長尺箔を処理する場合、前後で特性がばらつき、安定させるための特別な機構が必要であるとの欠点があった。
また、二次電池集電体用銅箔としては、厚さ10マイクロメートル以下といった薄箔化の要求とともに、その表面に対しても、単位面積あたりの活物質保持量を向上させる要求などが高まってきている。
工程A:粗面化処理のための処理液として、分子中に下記の化学構造:
工程B:前記硫酸酸性溶液を用いて銅箔の片面もしくは両面を限界電流密度以上で陰極処理し、前記銅箔表面に銅の突起状電着物を形成させる工程
を含むことを特徴とする。
更に、本発明の粗面化処理方法は、使用される前記粗面化添加物質が、フェナントロリン、ピリジル、又はこれらの誘導体であることを特徴とするものでもあり、前記粗面化添加物質が、1,10-フェナントロリン、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、4,7-ジヒドロキシ-1,10-フェナントロリン、2,2'-ビピリジル及びテルピリジンから成るグループより選ばれたものであることを特徴とするものでもある。これら化合物の化学構造は、下記に示すとおりである。
更に、本発明は、上記の粗面化処理液中に含有される粗面化添加物質が、水溶液中で1価の銅イオンと錯形成し、かつ14以上の全安定度定数βを有する物質であることを特徴とするものでもある。
又、本発明の粗面化処理方法の場合、カバーメッキの必要がないために、カバーメッキ工程を含む従来の方法に比べて工程が減り、粗面化粒子形成の総工程時間を短縮化することが可能である。更に、本発明の方法では、くぼみや押し傷の原因となる粉落ちに対する厳重な管理の必要がなく、銅箔の両面を同時に粗面化することも可能である。
前記硫酸酸性電解浴中に含まれる錯形成添加物、すなわち、水溶液中で1価の銅イオンと錯形成し、その全安定度定数βが14以上である物質は、「化学便覧(基礎編)日本化学会」や、「L.G.Sillen, A.E.Martell, "Stability Constants of Metal Ion Complexes" 1964,The Chem.Soc.」、「Stability constants of metal-ion complexes, Erik Hogfeldt, Oxford; NewYork: Pergamon Press」等で、錯体の安定度定数(生成定数)の項目で知ることが出来る。
本発明の粗面化処理液中に含有される具体的な粗面化添加物質としては、1,10-フェナントロリン、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(バソフェナントロリン)、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリン(ネオクプロイン)、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(バソクプロイン)、4,7-ジヒドロキシ-1,10-フェナントロリン、2,2'-ビピリジル、テルピリジンが挙げられる。
下記の実施例および比較例の一部に用いた物質の全安定度定数βの値を以下に示す。
1,10-フェナントロリン β=15.82
2,2'-ビピリジル β=14.35
ヒスチジン β=6.20
この他、これまでに良く知られているCu(I)錯体の有機配位子としては、1,2-フェニレンジアミン、ジメチルグリオキシム等が挙げられるが、全安定度定数βが14未満である化合物を用いても本発明の効果は得られない。
また、粗面化処理液中の粗面化添加物質の濃度は、その種類によって最適範囲が異なるが、1,10-フェナントロリン1水和物を例に取れば、10mg/lから溶解限界の3g/lが好ましい。粗化粒子の形状は球形に近く、その粒子径は、添加濃度によって変化し、添加濃度が低い側では、粒子径は約1μmであるのに対し、濃度が高い領域では、さらに粒子径は小さくなる。また、粒子径は素地の粗度にも影響され、平滑性の高い素地に対しては、粒子径が小さくなる傾向がある。
つまり、本発明の粗面化添加物質(錯形成添加物)は、その濃度によって、形成できる粗化粒子の径を変化させることが可能で、低濃度側(例えば10mg/l)の場合は、プリント配線板用では、ハロゲンフリー基板材料や高耐熱基板材料などの従来ピールの出にくい基板材料に対して有効で、二次電池用電極用としても有用である。逆に、高濃度側(例えば3g/l)の場合は、プリント配線板用では銅箔表面の平滑性が追求される高周波基板材料に特に有効であり、既に粗面化処理された表面にさらに表面積を大きくする処理としても有効である。
遷移金属元素として、好適にはタングステン、モリブデン、チタンが挙げられる。
以下、本発明の好ましい実施形態について実施例および比較例に基づいて説明する。
表3には、実施例および比較例で用いた未処理銅箔種類、および本発明に関わる粗面化処理の詳細な条件を示す。
以下の表4に、表面特性を比較した結果を示す。
粉落ち性が「×」以外の場合の表面粗度を粗度Rzとして併記した。粗度Rzは、JIS B0601規格に準拠し、小坂研究所製サーフコーダーSE1700αを用いて測定した。
代表的な粗化処理粒子の形状を図1において写真で示す。尚、粗化処理粒子の形状はいずれも、電子顕微鏡によって斜め40度の方向から撮影した。
図1の実施例1の写真では、本発明における粗面化添加物質の効果によって球状粒子が形成されているが、無添加の比較例1の場合には、樹枝状粉末の析出が認められた。また、図1の実施例8では、球状の微細粒子が均一に形成されている様子が観察された一方、ベンゾキノリン類を添加した場合(比較例4)には、粉落ちしやすい、高さ方向へ伸びた樹枝状の針状に近い成長が観察され、不均一な粗化粒子も観察された。更に、全安定度定数βが14未満であるヒスチジンを添加した場合には、幾分成長を抑えられた感もあるが樹枝状の不均一形状であった。
表2の(B)粗面化処理工程を、以下の条件で行ったこと以外、実施例1と同様の未処理銅箔および工程とした。得られた粗面Rzは、10.2μmであった。
・従来例の粗面化処理工程
(1段目)ヤケメッキ
銅濃度13g/L、酸濃度100g/L、塩素濃度10ppm、温度30℃、電流密度50ASD、時間3秒
(2段目)カバーメッキ
銅濃度65g/L、酸濃度100g/L、塩素濃度40ppm、温度30℃、電流密度10ASD、時間27秒
密着強度の評価は、高耐熱多層用基板材料に積層し、IPC-TM-650規格2.4.8.5に準拠し、引き剥がし密着強度を測定した。
その結果、従来例では引き剥がし密着強度が0.97kN/mであったが、実施例1の銅箔の場合には1.25kN/mであった。
又、水溶液中で1価の銅イオンと錯形成し、その全安定度定数βが14未満である物質を添加した場合は、効果が浅く、全安定度定数βが14以上必要であることが示された。
このようにして、分子中に前記〔化1〕の化学構造を含み、かつ2つ以上の環式構造を有する複素環式化合物であって、水溶液中で1価の銅イオンと錯形成し、その全安定度定数βが14以上である物質を少なくとも1種以上含む硫酸酸性溶液を用い、銅箔の片面もしくは両面を限界電流密度以上で陰極処理し、銅の突起状電着物を形成することによって、プリント配線板用途や二次電池電極用途として、非常に有用な銅箔を提供することができる。
Claims (4)
- 銅箔の表面を粗面化処理するための方法であって、当該方法が、
工程A:粗面化処理のための処理液として、分子中に下記の化学構造:
を含み、かつ2つ以上の環式構造を有する複素環式化合物である粗面化添加物質の少なくとも1種を含有した硫酸酸性溶液を調製する工程、及び
工程B:前記硫酸酸性溶液を用いて銅箔の片面もしくは両面を限界電流密度以上で陰極処理し、前記銅箔表面に銅の突起状電着物を形成させる工程
を含むことを特徴とする銅箔の粗面化処理方法。 - 前記粗面化添加物質が、水溶液中で1価の銅イオンと錯形成し、かつ14以上の全安定度定数βを有する物質であることを特徴とする請求項1に記載の銅箔の粗面化処理方法。
- 前記粗面化添加物質が、フェナントロリン、ピリジル、又はこれらの誘導体であることを特徴とする請求項1又は2に記載の銅箔の粗面化処理方法。
- 前記粗面化添加物質が、1,10-フェナントロリン、4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-1,10-フェナントロリン、2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン、4,7-ジヒドロキシ-1,10-フェナントロリン、2,2'-ビピリジル及びテルピリジンから成るグループより選ばれたものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の銅箔の粗面化処理方法。
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