CN109951964A - 表面处理铜箔、附载体铜箔、基材、及树脂基材 - Google Patents

表面处理铜箔、附载体铜箔、基材、及树脂基材 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种表面处理铜箔、附载体铜箔、基材、及树脂基材。提供一种可在去除铜箔后赋予基材面的轮廓形状的表面处理铜箔，该轮廓形状可维持微细配线形成性，且实现无电镀铜被膜的良好密合力。提供一种基材，从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在基材，将该表面处理铜箔去除时，该基材的该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5。提供一种树脂基材,从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。

Description

表面处理铜箔、附载体铜箔、基材、及树脂基材
本申请是申请号为201480041802.5，申请日为2014年7月23日，发明名称为“表面处理铜箔、附载体铜箔、基材、树脂基材、印刷配线板、覆铜积层板及印刷配线板的制造方法”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
本发明关于一种表面处理铜箔、附载体铜箔、基材及树脂基材。
背景技术
半导体封装基板及印刷配线基板的电路形成法，以减成法(サブトラクティブ工法)为主流。然而，近年来，随着半导体的高集成化，使用于半导体的半导体封装基板、印刷配线基板的电路微细化也不断发展，以减成法形成微细电路越来越困难。
作为对应进一步的微细配线化，下述电路形成法1～3受到瞩目：1以极薄铜箔作为供电层实施图案铜镀敷，最后通过快速蚀刻(フラッシュエッチング)将极薄铜层去除，形成配线；2于真空压机等使预浸体或增层膜(ビルドアップフィルム)硬化，对其表面进行粗面化，将适当的凹凸形成在基材面，由此形成具可靠性的微细配线；3将铜箔表面轮廓(プロファイル)转印于基材表面，将适当的凹凸形成在基材表面，由此形成具可靠性的微细配线。这些的方法，一般称为SAP法(半加成法(セミアディティブ工法))。
使用铜箔表面的轮廓的SAP法，例如专利文献1的记载。作为使用此种铜箔表面轮廓的典型SAP法的示例，如下述。即，对积层在树脂的铜箔整面进行蚀刻，对蚀刻基材面进行开孔，对开孔部及基材整面或一部分实施去胶渣处理(デスミア处理)，将干膜贴附在开孔部的蚀刻面，对不形成电路的部分的干膜进行曝光、显影，用化学液将不需干膜的部分去除，对转印有未覆盖干膜的铜箔表面轮廓的蚀刻基材面实施无电镀铜、电镀铜，最后通过快速蚀刻将无电镀铜层去除，形成微细配线。
专利文献1：日本特开2006－196863号公报。
发明内容
为了形成微细配线，优选为基材表面的轮廓小，呈平滑，但此情形时，无电镀铜被膜的密合力会变弱，而有损及半导体封装基板或印刷配线板所要求的可靠性的忧虑。另一方面，为了确保无电镀铜被膜的密合力，优选为基材表面的轮廓大，但此情形时，有损及微细配线形成性的忧虑。
关于这些的点，在现有技术中并未被充分研究，而尚有改善的余地。因此，本发明的课题在于提供一种可在去除铜箔后赋予基材面的轮廓形状的表面处理铜箔，及/或具备表面的轮廓形状的树脂基材，该轮廓形状可维持微细配线形成性，且实现无电镀铜被膜的良好密合力。
为了达成上述目的，本发明人等经反复潜心研究后，发现：使用表面处理层表面的面粗糙度(表面的最大高度)Sz被控制在既定范围的表面处理铜箔，将该表面处理铜箔贴合在形成电路的基材上后，加以去除，由此可在去除铜箔后赋予基材面的轮廓形状，该轮廓形状可维持微细配线形成性，且实现无电镀铜被膜的良好密合力。又发现：通过使用表面的面粗糙度(表面的最大高度)Sz被控制在既定范围的树脂基材，而当将电路形成在树脂基材表面时，可维持微细配线形成性，且实现无电镀铜被膜的良好密合力。
本发明是以上述见解作为基础而完成的，例示如下。
[1]一种表面处理铜箔，在铜箔上形成有表面处理层，该表面处理铜箔满足以下的任一项或二项或三项或四项或五项，
·该表面处理层表面的面粗糙度Sz为2～6μm，
·该表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.05～1.8，
·从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm，
从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，
·从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
[2]
根据[1]所述的表面处理铜箔，其满足以下的任一项或二项或三项或四项或五项，
·在从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为3μm以下，
·在从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为45％以下，
·在从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.7μm以下，
·该表面处理层表面的面粗糙度Sz为3.23μm以下，
·该表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.2401以下。
[3]
根据[1]或[2]所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层为选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理(クロメート处理)层及硅烷偶合处理层组成之群中的1种以上的层。
[4]
根据[1]或[2]所述的表面处理铜箔，其中，在该表面处理层上具备树脂层。
[5]
根据[3]所述的表面处理铜箔，其中，在该表面处理层上具备树脂层。
[6]
一种基材，是将[1]至[5]中任一项所述的表面处理铜箔自表面处理层侧贴合在基材，然后将该表面处理铜箔去除而得，该基材满足以下的任一项或二项或三项，
·该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm，
·该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，
·该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
[7]
一种附载体铜箔，依序具备有载体、中间层及极薄铜层，该极薄铜层为[1]至[5]中任一项所述的表面处理铜箔。
[8]
一种基材，是将[7]所述的附载体铜箔自极薄铜层侧贴合在基材，将该载体自该附载体铜箔去除后，将该极薄铜层去除而得，其中该极薄铜层为该表面处理铜箔，该基材满足以下的任一项或二项或三项，
·该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm，
·该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，
·该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
[9]
一种树脂基材，满足以下的任一项或二项或三项，
·表面的面粗糙度Sz为1～5μm，
·表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，
·表面的黑色面积率为10～50％，且表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm，
根据本发明，可提供一种可在去除铜箔后赋予基材面的轮廓形状的表面处理铜箔，及具备表面的轮廓形状的树脂基材，该轮廓形状可维持微细配线形成性，且实现无电镀铜被膜的良好密合力。
附图说明
图1：显示使用铜箔轮廓的半加成法的概略例。
图2：显示用以得到实施例及比较例数据的样品制作流程。
图3：在(a)、(b)、(c)、(d)、(e)分别显示实施例A1、A2、A3、A5、A6的铜箔处理面的SEM像(×30000)。
图4：在(f)、(g)分别显示比较例A1、A2的铜箔处理面的SEM像(×6000)。
图5：在(h)、(i)、(j)、(k)、(l)分别显示实施例A1(B1)、A2(B2)、A3(B3)、A5(B5)、A6(B6)的树脂基材面的SEM像(×30000)。
图6：在(m)、(n)分别显示比较例A1(B1)、A2(B2)的树脂基材面的SEM像(×6000)。
具体实施方式
〔树脂基材〕
本发明的树脂基材，若可形成后述的表面形态，则无特别限制，例如，可用三菱气体化学公司制预浸体(GHPL－830MBT等)、日立化成工业公司制预浸体(679－FG等)、住友电木公司制预浸体(EI－6785TS－F等)形成。于本发明中，准备三菱气体化学公司制预浸体GHPL－830MBT。积层加压的温度、压力、时间，使用基材厂商的建议条件。
本发明的树脂基材的厚度，并无特别限制，例如可为750～850μm、100～200μm、30～100μm，典型上为30～200μm(两面板的情形)。
〔树脂基材表面的面粗糙度Sz〕
于SAP法中，以往作为对形成电路的基材表面轮廓形状进行定量化的方法，一般为使用接触式粗糙度计的粗度测量。相对于此，于本发明中，发现以激光粗糙度测量计测量的面粗糙度(表面的最大高度)Sz被规定在适当范围的基材表面的轮廓形状，可更加良好地维持微细配线形成性，且实现无电镀铜被膜的良好密合力。从此种观点，本发明的树脂基材控制在1～5μm。若树脂基材表面的面粗糙度Sz未达1μm，则会难以实现无电镀铜被膜的良好密合力。又，若树脂基材表面的面粗糙度Sz超过5μm，则树脂基材表面的微细配线形成性会劣化。树脂基材表面的面粗糙度Sz优选为1～4μm，更优为1.5～3.5μm，再更优为2～3μm。
〔树脂基材表面的面积比B/A〕
在既定范围具有三维表面积与二维表面积之比的树脂基材的表面轮廓形状，微细配线形成性良好，且可实现无电镀铜被膜的良好密合力。从此种观点，本发明的树脂基材表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A，优选控制在1.01～1.5。若树脂基材表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A未达1.01，则会难以实现无电镀铜被膜的良好密合力。又，若树脂基材表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A超过1.5，则树脂基材表面的微细配线形成性会劣化。本发明的树脂基材表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A优选为1.03～1.4，更优为1.05～1.35，再更优为1.1～1.3。
〔树脂基材表面的黑色面积率及孔的直径平均值〕
在以SEM观察照片所得的黑色面积率表示树脂基材表面的凹凸程度时，在既定范围具有该黑色面积率的树脂基材的表面轮廓形状，微细配线形成性良好，且可实现无电镀铜被膜的良好密合力。从此种观点，本发明的树脂基材表面的黑色面积率优选控制成10～50％。此处，对基材表面的SEM影像(30k倍)，使用Photo Shop 7.0软件，施以白色、黑色影像处理，求出该黑色区域的面积率(％)作为黑色面积率。黑色面积率(％)，选择位于PhotoShop 7.0的“影像(イメージ)”的“直方图(ヒストグラム)”，作为界限值128的比率。另，黑色区域表示测量表面为凹状，白色部分则表示测量表面为凸状。若基材表面的该黑色面积率未达15％，则会难以实现无电镀铜被膜的良好密合力。若基材表面的该黑色面积率超过50％，则微细配线形成性会劣化。
与黑色面积比率同时地在既定范围具有表面的孔的直径平均值的树脂基材的表面轮廓形状，是用于使微细配线形成性良好且实现无电镀铜被膜的良好密合力的必要条件。其理由在于：若仅以黑色面积比率，并无法满足轮廓的尺寸与其平面上的适当分布。从此种观点，本发明的树脂基材表面的孔的直径平均值优选控制成0.03～1.0μm。若树脂基材表面的该孔的直径平均值未达0.03μm，则难以实现无电镀铜被膜的良好密合力。若树脂基材表面的该孔的直径平均值超过1.0μm，则微细配线形成性会劣化。
因此，本发明的树脂基材优选为基材表面的该黑色面积比率为10～50％且该孔的直径平均值为0.03～1.0μm，更优为黑色面积比率为15～45％且孔的直径平均值为0.1～0.8μm，再更优为黑色面积比率为20～40％且孔的直径平均值为0.15～0.7μm。
〔树脂基材的表面轮廓的形成方法〕
本发明的树脂基材表面的轮廓形状，可将表面处理铜箔积层在树脂基材后，通过整面蚀刻等将该表面处理铜箔去除，由此来形成。又，本发明的树脂基材表面的轮廓形状，可用既定的化学液对树脂基材表面进行处理，由此来形成。
作为使用有表面处理铜箔的本发明的树脂基材的表面轮廓形成方法，首先，准备表面处理层表面的面粗糙度(表面的最大高度)Sz被控制在2～6μm的表面处理铜箔。接着，自该表面处理铜箔的表面处理层侧贴合在树脂基材，通过整面蚀刻等将表面处理铜箔去除。由此，表面处理铜箔去除后的树脂基材表面的面粗糙度Sz会成为1～5μm。
另，于本发明中所谓“表面处理层表面”，是指经表面处理的侧的最表面。即，在将粗化处理层、防锈层、耐热层、铬酸处理层、硅烷偶合处理层等表面处理层设置在铜箔的情形时，指将该表面处理层设置在铜箔后的表面。
又，若使用表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A被控制在1.05～1.8者作为表面处理铜箔，并同样地贴合在树脂基材，通过整面蚀刻等将该表面处理铜箔去除，则表面处理铜箔去除后的树脂基材表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A会成为1.01～1.5。
又，同样地若使用激光粗糙度计测得的面粗糙度Sz为2～6μm且三维表面积B与二维表面积A之比B/A被控制在1.05～1.8者作为表面处理铜箔，并同样地贴合在树脂基材，通过整面蚀刻等将该表面处理铜箔去除，则可分别将树脂基材表面的黑色面积率控制在10～50％，树脂基材表面的孔的直径平均值控制在0.03～1.0μm。
通过控制形成粗化粒子时等的在表面处理时表面处理的电流密度与表面处理结束后在镀液中的浸渍时间，而可决定表面处理后的铜箔的表面状态、粗化粒子形态及形成密度，由此可控制上述表面处理铜箔的面粗糙度Sz、面积比B/A、黑色面积率、及孔的直径平均值。
具体而言，在形成粗化粒子时等的表面处理时，将表面处理的电流密度控制得较高，进行表面处理，接着将表面处理的电流密度控制得较低，进行表面处理，由此可决定表面处理后的铜箔的表面状态、粗化粒子形态及形成密度，而可控制上述面粗糙度Sz、面积比B/A、黑色面积率、及孔的直径平均值。又，重复进行“将表面处理的电流密度控制得较高，进行表面处理，接着将表面处理的电流密度控制得较低，进行表面处理”，同样有效。
此处，若在形成粗化粒子时等的表面处理时，提高表面处理的电流密度，则析出的金属粒子会有容易成长于与铜箔表面垂直的方向的倾向。又，若在形成粗化粒子时等的表面处理时降低表面处理的电流密度，则铜箔表面会有容易变为平滑(凹凸变少)的倾向。
因此，将表面处理的电流密度控制得较高进行表面处理，接着将表面处理的电流密度控制得较低进行表面处理，认为是控制表面状态，即使金属粒子成长于与铜箔表面垂直的方向后，填埋该金属粒子与铜箔表面的凹凸使之平滑。
又，当铜箔的表面处理层容易溶解于镀液的情形时，会有下述倾向：表面处理结束后在镀液中的浸渍时间对表面处理铜箔的表面形态造成的影响会变更大。
作为通过使用化学液的处理进行的本发明的树脂基材表面轮廓(上述面粗糙度Sz、面积比B/A、黑色面积率、孔的直径平均值)的形成方法，可通过以下述浸渍处理条件A或B对树脂基材进行去胶渣处理，然后进行中和处理，来形成。
(去胶渣处理条件A)
·去胶渣处理液：40g/L KMnO4，20g/L NaOH
·处理温度：室温
·浸渍时间：20分
·搅拌子旋转数：300rpm
(去胶渣处理条件B)
·去胶渣处理液：90g/L KMnO4，5g/L HCl
·处理温度：49℃
·浸渍时间：20分
·搅拌子旋转数：300rpm
(中和处理条件)
·中和处理液：L－抗坏血酸80g/L
·处理温度：室温
·浸渍时间：3分
·无搅拌
另，只要未特別说明，使用于本发明的去胶渣处理、电解、表面处理或镀敷等所使用的处理液的剩余部分为水。
又，在上述浸渍处理之外，以下述处理条件对树脂基材表面进行淋式处理(シャワー処理)A、B及中和处理，也同样地可形成树脂基材的表面轮廓(上述面粗糙度Sz、面积比B/A、黑色面积率、孔的直径平均值)。
(淋式处理条件A)
·去胶渣处理液：40g/L KMnO4，20g/L NaOH
·处理温度：室温
·处理时间：20分
·浇淋压力：0.2MPa
(淋式处理条件B)
·去胶渣处理液：90g/L KMnO4，5g/L HCl
·处理温度：49℃
·处理时间：20分
·浇淋压力：0.2MPa
(中和处理条件)
·中和处理液：L－抗坏血酸80g/L
·处理温度：室温
·浸渍时间：3分
·无搅拌
〔表面处理铜箔〕
本发明的表面处理铜箔，可用于形成上述树脂基材的表面轮廓。在该表面处理铜箔使用的铜箔，可为电解铜箔或压延铜箔任一者。该铜箔的厚度并无特别限定的必要，例如在1μm以上，2μm以上，3μm以上，5μm以上，例如在3000μm以下，1500μm以下，800μm以下，300μm以下，150μm以下，100μm以下，70μm以下，50μm以下，40μm以下。
在本发明使用的压延铜箔，也可包含含有Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V、B、Co等元素一种以上的铜合金箔。若上述元素的浓度变高(例如合计在10质量％以上)，则会有导电率降低的情形。压延铜箔的导电率优选在50％IACS以上，更优在60％IACS以上，再更优在80％IACS以上。又，压延铜箔也包含使用精铜(JIS H3100 C1100)或无氧铜(JIS H3100 C1020)制造的铜箔。另，在本说明书中，单独使用“铜箔”此用语时，也包含铜合金箔。
又，可使用于本发明的电解铜箔，可用下述电解液组成及制造条件来制作。
·一般电解原箔：
＜电解液组成＞
铜：80～120g/L
硫酸：80～120g/L
氯：30～100ppm
调平剂(レベリング剤)、(胶)：0.1～10ppm
·两面平坦电解原箔，附载体极薄铜箔的载体铜箔：
＜电解液组成＞
铜：80～120g/L
硫酸：80～120g/L
氯：30～100ppm
调平剂1(双(3－磺丙基)二硫化物)：10～30ppm
调平剂2(胺化合物)：10～30ppm
上述胺化合物可使用下述化学式的胺化合物。
[化1]
(上述化学式中，R1及R2选自羟烷基、醚基、芳基、经芳香族取代的烷基、不饱和烃基、烷基。)
＜制造条件＞
电流密度：70～100A/dm2
电解液温度：50～65℃
电解液线速度：1.5～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟(根据析出的铜厚、电流密度进行调整)
可使用铜－钴－镍合金镀敷、铜－镍－磷合金镀敷、铜－镍－钨合金镀敷、铜－钴－钨合金镀敷等合金镀敷，优选为铜合金镀敷，来作为粗化处理。作为粗化处理的铜－钴－镍合金镀敷，可以下述方式来实施：通过电镀，形成附着量为15～40mg/dm2的铜－100～3000μg/dm2的钴－100～1500μg/dm2的镍的3元系合金层。若Co附着量未达100μg/dm2，则有时耐热性会恶化，蚀刻性会变差。若Co附着量超过3000μg/dm2，则于必须考虑磁性的影响的情形时，并不优选，会有产生蚀刻污渍且耐酸性及耐化学品性恶化的情况。若Ni附着量未达100μg/dm2，则有时耐热性会变差。另一方面，若Ni附着量超过1500μg/dm2，则有时蚀刻残留会变多。优选的Co附着量为1000～2500μg/dm2，优选的镍附着量为500～1200μg/dm2。此处，所谓蚀刻污渍，是指在利用氯化铜进行蚀刻的情形时，Co未溶解而残留，并且，所谓蚀刻残留，是指在利用氯化铵进行碱蚀刻的情形时，Ni未溶解而残留。
用于形成此种3元系铜－钴－镍合金镀敷的镀浴及镀敷条件如下：
镀浴组成：Cu 10～20g/L，Co 1～10g/L，Ni 1～10g/L
pH：1～4
温度：30～50℃
电流密度Dk：20～30A/dm2
镀敷时间：1～5秒
镀敷结束后的该镀液浸渍时间：20秒以下(由于若浸渍多于20秒，则粒子形状会凌乱)，优选在10秒以下，更优选在5秒以下。
前述镀敷结束后，通常并不会特别急地自镀液取出，但于本发明，该镀敷结束后，必须要在既定时间内自镀液取出。因此，如上述，使前述镀敷结束后的该镀液浸渍时间在20秒以下。若该浸渍时间超过20秒进行浸渍，则可能会因镀液而使粗化粒子的一部分溶解。该粗化粒子的一部分溶解，被认为是粒子形状凌乱的原因之一。
通过将前述镀敷结束后的该镀液浸渍时间缩短至10秒以下，或5秒以下，由于可使粒子形状更加不易凌乱，故是有效的。
另，与铜－钴－镍合金镀敷同样地，将铜－钴－镍合金镀敷以外的合金镀敷其镀敷结束后的该镀液浸渍时间控制在20秒以下(由于若浸渍多于20秒，则粒子形状会凌乱)，优选在10秒以下，更优在5秒以下，是重要的。若该浸渍时间超过20秒进行浸渍，则可能会因镀液而使粗化粒子的一部分溶解。该粗化粒子的一部分溶解，被认为是粒子形状凌乱的原因之一。铜－钴－镍合金镀敷以外的合金镀敷的pH、温度、电流密度、镀敷时间可使用公知条件。
通过将前述镀敷结束后的该镀液浸渍时间缩短至10秒以下，或5秒以下，由于可使粒子形状更加不易凌乱，故是有效的。
又，也可进行下述作为粗化处理的铜镀敷，来作为表面处理。由下述作为粗化处理的铜镀敷形成的表面处理层，会成为铜浓度高，大部分皆由铜构成的粗化处理层(镀敷层)。铜浓度高的粗化处理层(镀敷层)，具有不易溶解于镀液的特征。下述作为粗化处理的铜镀敷，是以铜镀敷1、铜镀敷2的顺序进行。
·铜镀敷1
(液组成1)
Cu浓度：10～30g/L
H2SO4浓度：50～150g/L
钨浓度：0.5～50mg/L
十二基硫酸钠：0.5～50mg/L
(电镀条件1)
温度：30～70℃
(第一段电流条件)
电流密度：18～70A/dm2
粗化库仑量：1.8～1000A/dm2，优选为1.8～500A/dm2
镀敷时间：0.1～20秒
(第二段电流条件)
电流密度：0.5～13A/dm2
粗化库仑量：0.05～1000A/dm2，优选为0.05～500A/dm2
镀敷时间：0.1～20秒
另，也可重复进行第一段与第二段。又，也可在进行1次或多次第一段之后，再进行1次或多次第二段。又，也可重复进行“在进行1次或多次第一段之后，再进行1次或多次第二段”。
·铜镀敷2
(液组成2)
Cu浓度：20～80g/L
H2SO4浓度：50～200g/L
(电镀条件2)
温度：30～70℃
(电流条件)
电流密度：5～50A/dm2
粗化库仑量：50～300A/dm2
镀敷时间：1～60秒
又，也可在铜箔上，组合进行前述铜－钴－镍合金镀敷等的合金镀敷与前述铜镀敷。优选在在铜箔上进行前述铜镀敷后，再进行前述合金镀敷。
在本发明中，形成在铜箔上的表面处理层也可为粗化处理层。粗化处理，通常指对铜箔其与树脂基板接合的面即表面处理侧的表面，为了提升积层后铜箔的剥离强度，而在脱脂后的铜箔的表面形成瘤状的电沉积的处理。电解铜箔虽于制造时已具有凹凸，但通过粗化处理可增强电解铜箔的凸部，更加增大凹凸。粗化处理，例如可通过以铜或铜合金形成粗化粒子来进行。粗化处理也可为微细者。粗化处理层也可为由选自铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌中的任一单质或含有这些单质任1种以上的合金构成的层等。又，也可进行下述的粗化处理：在以铜或铜合金形成粗化粒子后，进一步以镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子或三次粒子。又，在粗化处理层的表面，也可形成选自耐热层、防锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层中的1种以上的层。
又，在本发明中，形成在铜箔上的表面处理层，也可为选自粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层中的1种以上的层。
耐热层、防锈层可使用公知的耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层也可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的组中的1种以上元素的层，也可为由选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽中的1种以上元素构成的金属层或合金层。又，耐热层及/或防锈层也可含有含镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽中的1种以上元素的氧化物、氮化物、硅化物。又，耐热层及/或防锈层也可为含有镍－锌合金的层。又，耐热层及/或防锈层也可为镍－锌合金层。前述镍－锌合金层也可不包括不可避免的杂质，含有镍50wt％～99wt％、锌50wt％～1wt％。前述镍－锌合金层的锌及镍的合计附着量也可为5～1000mg/m2，优选为10～500mg/m2，更优为20～100mg/m2。又，前述含有镍－锌合金的层或前述镍－锌合金层的镍附着量与锌附着量之比(＝镍附着量/锌附着量)优选为1.5～10。又，前述含有镍－锌合金的层或前述镍－锌合金层的镍附着量优选为0.5mg/m2～500mg/m2，更优为1mg/m2～50mg/m2。在耐热层及/或防锈层为含有镍－锌合金的层的情形，当通孔或导孔等的内壁部与去胶渣液接触时，铜箔与树脂基板的界面不易被去胶渣液侵蚀，而提升铜箔与树脂基板的密合性。
例如耐热层及/或防锈层也可为依序积层有附着量为1mg/m2～100mg/m2(优选为5mg/m2～50mg/m2)的镍或镍合金层、与附着量为1mg/m2～80mg/m2(优选为5mg/m2～40mg/m2)的锡层者，前述镍合金层也可由镍－钼、镍－锌、镍－钼－钴的任一种构成。又，耐热层及/或防锈层优选为镍或镍合金与锡的合计附着量为2mg/m2～150mg/m2，更优为10mg/m2～70mg/m2。又，耐热层及/或防锈层优选为[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优为0.33～3。若使用该耐热层及/或防锈层，则将附载体铜箔加工成印刷配线板后的电路的剥离强度、该剥离强度的耐化学品性劣化率等会变良好。
另，用于硅烷偶合处理的硅烷偶合剂可使用公知的硅烷偶合剂，例如可使用胺基系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂、巯基系硅烷偶合剂。又，硅烷偶合剂也可使用乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ－甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ－环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、4－环氧丙基丁基三甲氧基硅烷、γ－胺基丙基三乙氧基硅烷、N－β(胺基乙基)γ－胺基丙基三甲氧基硅烷、N－3－(4－(3－胺基丙氧基)丁氧基)丙基－3－胺基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三硅烷、γ－巯基丙基三甲氧基硅烷等。
前述硅烷偶合处理层，也可使用环氧系硅烷、胺基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷等的硅烷偶合剂等而形成。另，此种硅烷偶合剂也可混合2种以上使用。其中，优选为使用胺基系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂所形成者。
此处所称的胺基系硅烷偶合剂，也可选自N－(2－胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷、3－(N－苯乙烯基甲基－2－胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、3－胺基丙基三乙氧基硅烷、双(2－羟基乙基)－3－胺基丙基三乙氧基硅烷、胺基丙基三甲氧基硅烷、N－甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N－苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、N－(3－丙烯氧基－2－羟基丙基)－3－胺基丙基三乙氧基硅烷、4－胺基丁基三乙氧基硅烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N－(2－胺基乙基－3－胺基丙基)三甲氧基硅烷、N－(2－胺基乙基－3－胺基丙基)三(2－乙基己氧基)硅烷、6－(胺基己基胺基丙基)三甲氧基硅烷、胺基苯基三甲氧基硅烷、3－(1－胺基丙氧基)－3,3－二甲基－1－丙烯基三甲氧基硅烷、3－胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3－胺基丙基三乙氧基硅烷、3－胺基丙基三甲氧基硅烷、ω－胺基十一烷基三甲氧基硅烷、3－(2－N－苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基硅烷、双(2－羟基乙基)－3－胺基丙基三乙氧基硅烷、(N,N－二乙基－3－胺基丙基)三甲氧基硅烷、(N,N－二甲基－3－胺基丙基)三甲氧基硅烷、N－甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N－苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、3－(N－苯乙烯基甲基－2－胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、γ－胺基丙基三乙氧基硅烷、N－β－(胺基乙基)－γ－胺基丙基三甲氧基硅烷、N－3－(4－(3－胺基丙氧基)丁氧基)丙基－3－胺基丙基三甲氧基硅烷。
硅烷偶合处理层较理想为以硅原子换算计，于0.05mg/m2～200mg/m2，优选为0.15mg/m2～20mg/m2，更优选为0.3mg/m2～2.0mg/m2的范围设置。于前述范围的情形时，可更加提升基材与表面处理铜箔的密合性。
〔表面处理铜箔的面粗糙度Sz〕
于SAP法中，以往作为将形成电路的基材表面的轮廓形状定量化的方法，一般为使用接触式粗糙度计的粗度测量。相对于此，本发明发现：以激光粗糙度测量计测量的面粗糙度(表面的最大高度)Sz被规定在适当范围的基材表面的轮廓形状，可更加良好地维持微细配线形成性，且可实现无电镀铜被膜的良好密合力。从此种观点，本发明的表面处理铜箔，表面处理层表面的面粗糙度Sz被控制在2～6μm。通过将表面处理层表面的面粗糙度Sz控制在2～6μm，将该表面处理铜箔自表面处理层侧贴合在基材，再将表面处理铜箔去除后的基材的铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz会成为1～5μm。若表面处理铜箔的表面处理层表面的面粗糙度Sz未达2μm，则将该表面处理铜箔自表面处理层侧贴合在基材，再将表面处理铜箔去除后的基材的铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz会未达1μm，而难以实现无电镀铜被膜的良好密合力。又，若表面处理铜箔的表面处理层表面的面粗糙度Sz超过6μm，则将该表面处理铜箔自表面处理层侧贴合在基材，再将表面处理铜箔去除后的基材的铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz会超过5μm，微细配线形成性会劣化。本发明的表面处理铜箔的表面处理层表面的面粗糙度Sz优选为2～5.5μm，更优选为2.5～5.5μm，再更优选为3～5μm。本发明去除上述表面处理铜箔后的基材表面的面粗糙度Sz优选为1～4μm，更优选为1.5～3.5μm，再更优选为2～3μm。
〔表面处理铜箔的面积比B/A〕
表面处理铜箔的表面处理侧表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A，会对将该表面处理铜箔自表面处理层侧贴合在基材，再将表面处理铜箔去除后的基材的表面轮廓形状造成重大影响。从此种观点，本发明的表面处理铜箔，表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A优选控制在1.05～1.8。此处，表面处理侧表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A，例如在该表面经粗化处理的情形时，也可称为粗化粒子的表面积B与自铜箔表面侧俯视铜箔时所得的面积A的比B/A。通过将表面处理铜箔的表面处理侧表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A控制在1.05～1.8，将该表面处理铜箔自表面处理层侧贴合在基材，再将表面处理铜箔去除后的基材的铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A会成为1.01～1.5。若表面处理铜箔的表面处理侧表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A未达1.05，则将该表面处理铜箔自表面处理层侧贴合在基材，再将表面处理铜箔去除后的基材的铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A会未达1.01，而难以实现无电镀铜被膜的良好密合力。又，若表面处理铜箔的表面处理侧表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A超过1.8，则将该表面处理铜箔自表面处理层侧贴合在基材，再将表面处理铜箔去除后的基材的铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A会超过1.5，微细配线形成性会劣化。本发明的表面处理铜箔的表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A，优选为1.10～1.75，更优为1.14～1.71，再更优为1.18～1.67。本发明去除上述表面处理铜箔后的基材表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A，优选为1.03～1.4，更优为1.05～1.35，再更优为1.1～1.3。
〔表面处理铜箔的黑色面积率及孔的直径平均值〕
以从SEM观察照片得到的黑色面积率表示基材表面的凹凸程度时，在既定范围具有该黑色面积率的基材的表面轮廓形状，微细配线形成性良好，且可实现无电镀铜被膜的良好密合力。从此种观点，本发明的表面处理铜箔，自表面处理层侧贴合在基材，然后将表面处理铜箔去除时，基材的铜箔去除侧表面的黑色面积率优选控制成10～50％。此处，是对基材表面的SEM影像(30k倍)，使用Photo Shop 7.0软件，施以白色、黑色影像处理，求出该黑色区域的面积率(％)作为黑色面积率。黑色面积率(％)，选择位于Photo Shop 7.0的“影像“的”直方图“，作为界限值128的比率。另，黑色区域表示测量表面为凹状，白色部分则表示测量表面为凸状。若基材表面的该黑色面积率未达10％，则会难以实现无电镀铜被膜的良好密合力。若基材表面的该黑色面积率超过50％，则微细配线形成性会劣化。
与黑色面积比率同时地在既定范围具有表面的孔的直径平均值的树脂基材的表面轮廓形状，是用以使微细配线形成性良好且实现无电镀铜被膜的良好密合力的必要条件。其理由在于：若仅以黑色面积比率，并无法满足轮廓的尺寸与其平面上的适当分布。从此种观点，本发明的树脂基材表面的孔的直径平均值优选控制成0.03～1.0μm。若树脂基材表面的该孔的直径平均值未达0.03μm，则难以实现无电镀铜被膜的良好密合力。若树脂基材表面的该孔的直径平均值超过1.0μm，则微细配线形成性会劣化。
因此，本发明的树脂基材优选为基材表面的该黑色面积比率为10～50％且该孔的直径平均值为0.03～1.0μm，更优为黑色面积比率为15～45％且孔的直径平均值为0.1～0.8μm，再更优为黑色面积比率为20～40％且孔的直径平均值为0.15～0.7μm。
通过控制形成粗化粒子时等的在表面处理时表面处理的电流密度与表面处理结束后在镀液中的浸渍时间，可决定表面处理后的铜箔的表面状态、粗化粒子形态及形成密度，而可控制上述面粗糙度Sz、面积比B/A、黑色面积率、及孔的直径平均值。
具体而言，在形成粗化粒子时等的表面处理时，将表面处理的电流密度控制得较高，进行表面处理，接着将表面处理的电流密度控制得较低，进行表面处理，由此可决定表面处理后的铜箔的表面状态、粗化粒子形态及形成密度，而可控制上述面粗糙度Sz、面积比B/A、黑色面积率、及孔的直径平均值。又，重复进行“将表面处理的电流密度控制得较高，进行表面处理，接着将表面处理的电流密度控制得较低，进行表面处理”，也有效。
此处，若在形成粗化粒子时等的表面处理时，提高表面处理的电流密度，则析出的金属粒子会有容易成长于与铜箔表面垂直的方向的倾向。又，若在形成粗化粒子时等的表面处理时降低表面处理的电流密度，则铜箔表面会有容易变为平滑(凹凸变少)的倾向。
因此，将表面处理的电流密度控制得较高进行表面处理，接着将表面处理的电流密度控制得较低进行表面处理，认为是控制表面状态，即使金属粒子成长于与铜箔表面垂直的方向后，填埋该金属粒子与铜箔表面的凹凸使之平滑。
又，当铜箔的表面处理层容易溶解于镀液的情形时，会有下述倾向：表面处理结束后在镀液中的浸渍时间对表面处理铜箔的表面形态造成的影响会变更大。
〔附载体铜箔〕
本发明的表面处理铜箔，也可使用附载体铜箔。附载体铜箔，具备有载体、积层在载体上的中间层、及积层在中间层上的极薄铜层。又，附载体铜箔也可依序具备有载体、中间层及极薄铜层。附载体铜箔在载体侧的表面及极薄铜层侧的表面的任一面或两面也可具有粗化处理层等的表面处理层。
于在附载体铜箔的载体侧表面设置有粗化处理层的情形，具有下述优点：当将附载体铜箔自该载体侧的表面侧积层在树脂基板等支持体时，载体与树脂基板等支持体不易剥离。
＜载体＞
于本发明，可使用金属箔作为载体。金属箔可使用铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铝箔、铝合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、锌箔、锌合金箔等。其中，从容易形成剥离层的方面来看，尤佳使用铜箔作为载体。载体典型上以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。一般而言，电解铜箔是利用硫酸铜镀浴将铜电解析出在钛或不锈钢的滚筒上来加以制造，压延铜箔则是重复进行利用压延辊的塑性加工与热处理来制造。铜箔的材料，除了精铜及无氧铜等的高纯度铜外，例如也可使用掺Sn铜；掺Ag铜；添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊(コルソン)系铜合金此类的铜合金。
可使用于本发明的载体的厚度，并无特别限制，只要适当调节成可作为载体的适合厚度即可，例如可设为12μm以上。但是，若过厚则生产成本会提高，故通常优选设为35μm以下。因此，载体的厚度典型上为12～70μm，更典型地为18～35μm。
＜中间层＞
在载体上设置中间层。也可于载体与中间层之间设置其他层。本发明中所使用的中间层只要为下述构成，则并无特别限定：在将附载体铜箔积层于绝缘基板的步骤前，极薄铜层不易自载体剥离，另一方面，在积层于绝缘基板的步骤后，极薄铜层可自载体剥离。例如，本发明的附载体铜箔的中间层也可含有选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、它们的合金、它们的水合物、它们的氧化物、有机物中的一种或二种以上。又，中间层也可为多层。
又，例如，中间层可通过下述方式构成：自载体侧形成由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn中的一种元素构成的单一金属层，或形成由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn中的一种或二种以上的元素构成的合金层，于其上形成由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn中的一种或二种以上的元素的水合物或氧化物构成的层。
又，例如，中间层可在载体上依序积层镍、镍－磷合金或镍－钴合金、及铬而构成。由于镍与铜的接合力高于铬与铜的接合力，因此于剥离极薄铜层时，会在极薄铜层与铬的界面剥离。又，对中间层的镍，期待防止铜成分自载体向极薄铜层扩散的阻隔效果。中间层的镍的附着量优选为100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更优为100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更优为100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更优为100μg/dm2以上且未达1000μg/dm2，中间层的铬的附着量优选为5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。在仅在单面设置中间层的情形时，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。另，也可在载体的两侧设置中间层。
＜极薄铜层＞
于中间层之上设置极薄铜层。也可在中间层与极薄铜层之间设置其他层。该极薄铜层为本发明的表面处理铜箔。极薄铜层的厚度并无特别限制，通常较载体薄，例如为12μm以下。典型上为0.5～12μm，更典型地为1.5～5μm。又，于在中间层之上设置极薄铜层前，为了减少极薄铜层的针孔(ピンホール)，也可进行利用铜－磷合金的打底镀敷(ストライクめっき)。打底镀敷可列举焦磷酸铜镀敷液等。也可在载体的两侧设置极薄铜层。
〔表面处理层上的树脂层〕
本发明的表面处理铜箔的表面处理层上也可具备有树脂层。前述树脂层也可为绝缘树脂层。
前述树脂层也可为接合剂，也可为接合用的半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)，包括即使以手指接触其表面也没有粘着感，可使该绝缘树脂层重叠加以保管，并且若受到加热处理，则会产生硬化反应的状态。
又，前述树脂层也可含有热固性树脂，也可为热塑性树脂。又，前述树脂层也可含有热塑性树脂。其种类并无特别限定，例如作为优选者，可列举：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、顺丁烯二酰亚胺(マレイミド)化合物、顺丁烯二酰亚胺系树脂、聚乙烯缩醛(ポリビニルアセタール)树脂、胺酯树脂(ウレタン树脂)、聚醚砜(ポリエーテルサルホン)、聚醚砜树脂、芳香族聚酰胺树脂、聚酰胺亚酰胺(ポリアミドイミド)树脂、橡胶改质环氧树脂、苯氧基树脂(フェノキシ樹脂)、羧基改质丙烯腈－丁二烯树脂、聚伸苯醚(ポリフェニレンオキサイド)、双顺丁烯二酰亚胺三树脂(ビスマレイミドトリアジン樹脂)、热固性聚伸苯醚树脂、氰酸酯系树脂、含有多元羧酸的酸酐等的树脂。又，前述树脂层也可为含有嵌段共聚聚酰亚胺树脂的树脂层或含有嵌段共聚聚酰亚胺树脂与聚顺丁烯二酰亚胺化合物的树脂层。又，前述环氧树脂是分子内具有2个以上的环氧基者，只要为可用于电气、电子材料用途者，则可并无特别问题地使用。又，前述环氧树脂优选为经使用分子内具有2个以上环氧丙基的化合物进行环氧化的环氧树脂。又，可将选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆(クレゾールノボラック)型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、三聚异氰酸三环氧丙酯(トリグリシジルイソシアヌレート)、N,N－二环氧丙基苯胺等缩水甘油胺化合物、四氢邻苯二甲酸二环氧丙酯等环氧丙酯化合物、含磷环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂中的1种或2种以上混合来使用，或可使用前述环氧树脂的氢化体或卤化体。
前述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体(也可使用包含无机化合物及/或有机化合物的介电体、包含金属氧化物的介电体等任何的介电体)、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。又，前述树脂层例如也可使用国际公开号WO2008/004399号、国际公开号WO2008/053878、国际公开号WO2009/084533、日本特开平11－5828号、日本特开平11－140281号、日本专利第3184485号、国际公开号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000－43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002－179772号、日本特开2002－359444号、日本特开2003－304068号、日本专利第3992225、日本特开2003－249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004－82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004－349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005－262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005－53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开号WO2004/005588、日本特开2006－257153号、日本特开2007－326923号、日本特开2008－111169号、日本专利第5024930号、国际公开号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009－67029号、国际公开号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009－173017号、国际公开号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开号WO2008/114858、国际公开号WO2009/008471、日本特开2011－14727号、国际公开号WO2009/001850、国际公开号WO2009/145179、国际公开号WO2011/068157、日本特开2013－19056号记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置来形成。
将这些树脂溶解在例如甲基乙基酮(MEK)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N－甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、环己酮、乙基溶纤素、N－甲基－2－吡咯啶酮、N,N－二甲基乙酰胺、N,N－二甲基甲酰胺等溶剂制成树脂液，例如通过辊涂布法等将其涂布在前述极薄铜层上，或前述耐热层、防锈层，或前述铬酸处理层，或前述硅烷偶合剂层上，接着视需要进行加热干燥将溶剂去除，形成为B阶段状态。干燥例如可使用热风干燥炉，干燥温度可为100～250℃，优选为130～200℃。也可使用溶剂将前述树脂层的组成物溶解，制成树脂固形物成分3wt％～60wt％，优选为10wt％～40wt％，更优为25wt％～40wt％的树脂液。另，从环境的观点，现阶段最优选使用甲基乙基酮与环戊酮的混合溶剂进行溶解。
具备有前述树脂层的表面处理铜箔(附有树脂的表面处理铜箔)以下述方式来使用：在使其树脂层与基材重合后，将整体热压合而使该树脂层热硬化，接着将既定的配线图案形成在铜箔。又，对于将该表面处理铜箔作为极薄铜层使用的附载体铜箔，具备有树脂层的附载体铜箔(附有树脂的附载体铜箔)以下述方式来使用：于使其树脂层与基材重合后，将整体热压合而使该树脂层热硬化，接着将载体剥离而露出极薄铜层(当然露出的部分为该极薄铜层的中间层侧的表面)，将既定的配线图案形成在该中间层侧的表面。
若使用该附有树脂的表面处理铜箔或附有树脂的附载体铜箔，则可减少制造多层印刷配线基板时预浸材料的使用片数。而且，即便使树脂层的厚度为可确保层间绝缘的厚度或完全未使用预浸材料，也可制造覆铜积层板。又，此时，也可将绝缘树脂下涂在基材的表面而进一步改善表面的平滑性。
另，当不使用预浸材料的情形时，由于可节省预浸材料的材料成本，且还简化积层步骤；因此于经济上是有利的，而且，具有下述优点：由于没有预浸材料的厚度，故所制造的多层印刷配线基板的厚度会变薄，尤其是对于附有树脂的附载体铜箔，可制造1层的厚度在100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。该树脂层的厚度优选为0.1～120μm。
若树脂层的厚度较0.1μm薄，则接合力会降低，当没有隔着预浸材料下将此附有树脂的表面处理铜箔或附有树脂的附载体铜箔积层在具备有内层材料的基材时，有时会难以确保内层材料与电路之间的层间绝缘。又，与前述硬化树脂层、半硬化树脂层的总树脂层厚度优选为0.1μm～120μm，实用上优选为35μm～120μm。又，此情形时的各厚度，硬化树脂层宜为5～20μm，半硬化树脂层宜为15～115μm。其原因在于：若总树脂层厚度超过120μm，则有时会难以制造厚度薄的多层印刷配线板，若未达35μm，则虽然容易形成厚度薄的多层印刷配线板，内层的电路间的绝缘层即树脂层会过薄，有时会产生使内层的电路间的绝缘性不稳定的倾向。又，若硬化树脂层厚度未达5μm，则有时必须要考虑铜箔粗化面的表面粗度。相反地若硬化树脂层厚度超过20μm，则由经硬化的树脂层达成的效果有时会没有获得特别地提升，且总绝缘层厚会变厚。又，前述硬化树脂层的厚度也可为3μm～30μm。又，前述半硬化树脂层的厚度也可为7μm～55μm。又，前述硬化树脂层与前述半硬化树脂层的合计厚度也可为10μm～60μm。
又，当附有树脂的表面处理铜箔或附有树脂的附载体铜箔被用于制造极薄的多层印刷配线板的情形时，使前述树脂层的厚度为0.1μm～5μm，更优为0.5μm～5μm，再更优为1μm～5μm，由于可减少多层印刷配线板的厚度，故为优选。另，当使前述树脂层的厚度为0.1μm～5μm的情形时，为了提升树脂层与铜箔的密合性，优选将耐热层及/或防锈层及/或铬酸处理层及/或硅烷偶合处理层设置在表面处理层上之后，在该耐热层或防锈层或铬酸处理层或硅烷偶合处理层上形成树脂层。
又，当树脂层含有介电体的情形时，树脂层的厚度优选为0.1～50μm，更优为0.5μm～25μm，再更优为1.0μm～15μm。另，前述树脂层的厚度，是指在任意10点通过观察剖面测得的厚度的平均值。
另一方面，若使树脂层的厚度较120μm厚，则由于难以在1次的涂布步骤形成目标厚度的树脂层，而会花费额外的材料费与工作量，故在经济上并不利。并且，所形成的树脂层由于其可挠性差，因此有时在处理时容易产生裂纹等，且在与内层材料的热压合时，会流出多余的树脂，而难以顺利地进行积层。
并且，附有树脂的附载体铜箔的另一制品形态，也可将树脂层被覆在前述极薄铜层上，或前述耐热层、防锈层，或前述铬酸处理层，或前述硅烷偶合处理层上，形成半硬化状态之后，接着将载体剥离，而以不存在载体的附有树脂的铜箔的形态来制造。
以下，揭示几种使用本发明的树脂基材的印刷配线板制造步骤例。又，通过将电子零件类安装在印刷配线板，而完成印刷电路板。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板制造方法的一实施方案中，包含下述步骤：准备表面处理铜箔与树脂基材的步骤；将表面处理铜箔自表面处理层侧积层在树脂基材的步骤；去除树脂基材上的表面处理铜箔而得到本发明的树脂基材的步骤；将电路形成在经去除表面处理铜箔的树脂基材的表面的步骤。
图1显示使用铜箔轮廓的半加成法的概略例。于该方法，为了形成树脂基材的表面轮廓，而使用有铜箔的表面轮廓。具体而言，首先，将本发明的铜箔积层在树脂基材，制作覆铜积层体。接着，对覆铜积层体的铜箔进行整面蚀刻。接着，对转印有铜箔表面轮廓的树脂基材(整面蚀刻基材)的表面实施无电镀铜。然后，以干膜等被覆树脂基材(整面蚀刻基材)不形成电路的部分，对未被干膜被覆的无电镀铜层的表面实施电镀(电解)铜。然后，于将干膜去除后，将形成在不形成电路的部分的无电镀铜层去除，由此，形成微细的电路。本发明中所形成的微细电路，由于与本发明转印有铜箔表面轮廓的树脂基材(整面蚀刻基材)的蚀刻面密合，故其密合力(剥离强度)良好。
也可使树脂基材为具有内层电路者。又，在本发明中，半加成法是指在树脂基材或铜箔种晶层(シード层)上进行薄的无电电镀及/或电镀，在形成图案后，利用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。无电电镀及/或电镀可使用铜镀敷。形成铜镀敷的方法可使用公知方法。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备附载体铜箔与树脂基材的步骤；将附载体铜箔自极薄铜层侧积层在树脂基材的步骤；在将附载体铜箔与树脂基材积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；将经剥除载体后的树脂基板上的极薄铜层去除而得到本发明的树脂基材的步骤；将电路形成在经去除极薄铜层的树脂基板的表面的步骤。
在本发明中，半加成法是指下述方法：在绝缘基板或铜箔种晶层上进行薄的无电电镀，若有需要，则随后再进行电镀，并且然后在形成图案后，使用电镀及蚀刻形成导体图案。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将该附载体铜箔自极薄铜层侧积层在绝缘基板的步骤；在将该附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；将经剥除该载体后的绝缘基板上的极薄铜层去除的步骤；将电路形成在经去除该极薄铜层的绝缘基板的表面的步骤。
在本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：将表面处理铜箔自表面处理层侧积层在本发明的树脂基材，而形成覆铜积层板，然后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成电路的步骤。
在本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的表面处理铜箔与绝缘基板的步骤；将该表面处理铜箔自表面处理层侧积层在绝缘基板，而形成覆铜积层板，然后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成电路的步骤。
在本发明中，减成法是指下述方法：通过蚀刻等，选择性地去除覆铜积层板上铜箔不需要的部分，而形成导体图案。
在本发明中，部分加成法是指下述方法：在设置导体层而成的基板、视需要开出通孔或导通孔用的孔而成的基板上赋予触媒核，进行蚀刻，形成导体电路，并视需要设置阻焊剂或镀敷阻剂后，在该导体电路上，通过无电电镀处理对通孔或导孔等进行增厚，由此制造印刷配线板。
在本发明中，改进半加成法是指下述方法：将金属箔积层在树脂基材上，以镀敷阻剂保护非电路形成部，通过电镀增加电路形成部的铜厚后，将阻剂去除，通过(快速)蚀刻将该电路形成部以外的金属箔去除，由此将电路形成在树脂基材上。
在本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：将附载体铜箔自极薄铜层侧积层在本发明的树脂基材的步骤；将附载体铜箔与树脂基材积层后，经过将附载体铜箔的载体剥除的步骤而形成覆铜积层板，然后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成电路的步骤。
在本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将该附载体铜箔自极薄铜层侧积层在绝缘基板的步骤；将该附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将附载体铜箔的载体剥除的步骤而形成覆铜积层板，然后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成电路的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备在表面形成有电路的金属箔的步骤；以覆盖电路的方式将树脂基材形成在金属箔表面的步骤；将表面处理铜箔或附载体铜箔自表面处理层侧或极薄铜层侧积层在树脂基材的步骤；去除树脂基材上的表面处理铜箔或附载体铜箔而得到本发明的树脂基材的步骤；将电路形成在经去除表面处理铜箔或附载体铜箔的树脂基材的表面的步骤；及通过去除金属箔，而使形成在金属箔表面被树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备在表面形成有电路的金属箔的步骤；以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该金属箔表面的步骤；将本发明的表面处理铜箔自表面处理层侧积层在该树脂层的步骤；将该树脂层上的表面处理铜箔去除的步骤；将电路形成在经去除该表面处理铜箔的树脂层的表面的步骤；及通过去除该金属箔，而使形成在金属箔表面被树脂层覆盖的电路露出的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：将电路形成在第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的步骤；以覆盖电路的方式将树脂基材形成在第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的步骤；准备第2附载体铜箔或表面处理铜箔，自第2附载体铜箔的极薄铜层侧或表面处理层侧积层在树脂基材的步骤；将第2附载体铜箔或表面处理铜箔积层在树脂基材后，剥除第2附载体铜箔的载体的步骤；将经剥除第2附载体铜箔的载体后的树脂基材上的极薄铜层或表面处理铜箔去除而得到本发明的树脂基材的步骤；将电路形成在经去除极薄铜层或表面处理铜箔的树脂基材的表面的步骤；将电路形成在树脂基材上后，将第1附载体铜箔的载体剥离的步骤；及将第1附载体铜箔的载体剥离后，去除第1附载体铜箔的极薄铜层，由此使形成在第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面被树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：以本发明的附载体铜箔作为第1附载体铜箔，将电路形成在该第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的步骤；以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该第1附载体铜箔的该极薄铜层侧表面的步骤；准备第2附载体铜箔，自该第2附载体铜箔的极薄铜层侧积层在该树脂层的步骤；将该第2附载体铜箔积层在该树脂层后，将该第2附载体铜箔的载体剥除的步骤；将经剥除该第2附载体铜箔的载体后的树脂层上的极薄铜层去除的步骤；将电路形成在经去除该极薄铜层的树脂层的表面的步骤；将电路形成在该树脂层上之后，将该第1附载体铜箔的载体剥离的步骤；及将该第1附载体铜箔的载体剥离后，去除该第1附载体铜箔的极薄铜层，由此使形成在该第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
在本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备在表面形成有电路的金属箔的步骤；以覆盖电路的方式将本发明的树脂基材形成在金属箔表面的步骤；将表面处理铜箔或附载体铜箔自表面处理层侧或极薄铜层侧积层在树脂基材，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法将电路形成在树脂层上的步骤；及通过去除金属箔，而使形成在金属箔表面被树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
在本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备在表面形成有电路的金属箔的步骤；以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该金属箔表面的步骤；将本发明的表面处理铜箔自表面处理层侧积层在树脂层，通过减成法、半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法将电路形成在该树脂层上的步骤；及通过去除该金属箔，而使形成在该金属箔表面被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
在本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：将电路形成在第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的步骤；以覆盖电路的方式将本发明的树脂基材形成在第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的步骤；准备第2附载体铜箔或表面处理铜箔，自第2附载体铜箔的极薄铜层侧或表面处理铜箔的表面处理层侧积层在树脂基材，在将第2附载体铜箔积层在树脂基材的情形时，剥除第2附载体铜箔的载体，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法将电路形成在树脂基材上的步骤；将电路形成在树脂基材上之后，将第1附载体铜箔的载体剥离的步骤；及将第1附载体铜箔的载体剥离后，去除第1附载体铜箔的极薄铜层，由此使形成在第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面被树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
在本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：以本发明的附载体铜箔作为第1附载体铜箔，将电路形成在该第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的步骤；以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该第1附载体铜箔的该极薄铜层侧表面的步骤；准备第2附载体铜箔，自该第2附载体铜箔的极薄铜层侧积层在该树脂层，将该第2附载体铜箔的载体剥除，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法将电路形成在该树脂层上的步骤；将电路形成在该树脂层上之后，将该第1附载体铜箔的载体剥离的步骤；及将该第1附载体铜箔的载体剥离后，去除该第1附载体铜箔的极薄铜层，由此使形成在该第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
在本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：
准备在表面形成有电路的金属箔的步骤；
以覆盖该电路的方式将树脂基材形成在该金属箔表面的步骤；
将依序具备有载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔自极薄铜层侧表面积层在该树脂基材的步骤；
将该附载体铜箔的载体剥离后，去除该树脂基材上的极薄铜层而得到本发明的树脂基材的步骤；
将电路形成在经去除该极薄铜层的树脂基材的表面的步骤；及
通过去除该金属箔，而使形成在该金属箔表面被该树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
在本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：
将电路形成在依序具备有载体，中间层，极薄铜层的附载体铜箔的极薄铜层侧表面的步骤；
以覆盖该电路的方式将树脂基材形成在该附载体铜箔的该极薄铜层侧表面的步骤；
将表面处理铜箔自表面处理层侧积层在该树脂基材的步骤；
将该树脂基材上的表面处理铜箔去除而得到本发明的树脂基材的步骤；
将电路形成在经去除该表面处理铜箔的树脂基材的表面的步骤；
将电路形成在该树脂基材上之后，将该附载体铜箔的载体剥离的步骤；及
通过在将该附载体铜箔的载体剥离后，去除该附载体铜箔的极薄铜层，而使形成在该附载体铜箔的极薄铜层侧表面被该树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
于本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：
准备在表面形成有电路的金属箔的步骤；
以覆盖该电路的方式将本发明的树脂基材形成在该金属箔表面的步骤；
准备依序具备有载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔，自该附载体铜箔的极薄铜层侧积层在该树脂基材后，剥除该附载体铜箔的载体，然后，将电路形成在该树脂基材上的步骤；及
通过去除该金属箔，而使形成在该金属箔表面被该树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
在本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：
将电路形成在依序具备有载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔的极薄铜层侧表面的步骤；
以覆盖该电路的方式将本发明的树脂基材形成在该附载体铜箔的该极薄铜层侧表面的步骤；
将表面处理铜箔自表面处理层侧积层在该树脂基材，然后，将电路形成在该树脂基材上的步骤；
将电路形成在该树脂基材上之后，将该附载体铜箔的载体剥离的步骤；及
通过在将该附载体铜箔的载体剥离后，去除该附载体铜箔的极薄铜层，而使形成在该附载体铜箔的极薄铜层侧表面被该树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备附载体铜箔与树脂基材的步骤；将附载体铜箔与树脂基材积层的步骤；将该附载体铜箔与树脂基材积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将经剥除该载体而露出的极薄铜层全部去除，而得到本发明的树脂基材的步骤；将通孔或/及盲孔(ブラインドビア)设置在通过蚀刻去除该极薄铜层而露出的该树脂的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理的步骤；对含有该树脂及该通孔或/及盲孔的区域设置无电电镀层的步骤；将镀敷阻剂设置在该无电电镀层上的步骤；对该镀敷阻剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；将电镀层设置在经去除该镀敷阻剂的形成该电路的区域的步骤；去除该镀敷阻剂的步骤；通过快速蚀刻等将位于形成该电路的区域以外的区域的无电电镀层去除的步骤。
本发明的印刷配线板的制造方法在一实施方案中，包含下述步骤：准备在形成有表面处理层的侧的表面形成有电路的本发明的表面处理铜箔，或在极薄铜层侧表面形成有电路的本发明的附载体铜箔的步骤；
以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该表面处理铜箔表面或该附载体铜箔表面的步骤；
将电路形成在该树脂层表面的步骤；及，
通过去除该表面处理铜箔或该附载体铜箔，而使被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
本发明的印刷配线板的制造方法于一实施方案中，包含下述步骤：准备在表面形成有电路的金属箔，或第1表面处理铜箔，或在极薄金属层侧表面形成有电路的附载体金属箔，或第1附载体铜箔的步骤，其中该第1表面处理铜箔为在形成有表面处理层的侧的表面形成有电路的本发明的表面处理铜箔，该第1附载体铜箔为在极薄铜层侧表面形成有电路的本发明的附载体铜箔；
以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该金属箔表面或该表面处理铜箔表面或该附载体金属箔表面或该附载体铜箔表面的步骤；
将第2表面处理铜箔自表面处理层侧积层在该树脂层的步骤；或将第2附载体铜箔自极薄铜层侧积层在该树脂层的步骤，其中该第2表面处理铜箔为本发明的表面处理铜箔，该第2附载体铜箔为本发明的附载体铜箔；
当积层在该树脂层的箔为该第2附载体铜箔的情形时，将该第2附载体铜箔的载体剥除的步骤；
将该树脂层上的表面处理铜箔，或该第2附载体铜箔经剥除载体后残留的极薄铜层去除的步骤；
将电路形成在经去除该表面处理铜箔的树脂层的表面，或经去除极薄铜层的树脂层的表面的步骤；及，
在将电路形成在该树脂层上之后，通过去除该金属箔，或通过去除该第1表面处理铜箔，或通过在将该附载体金属箔的载体剥离后，去除极薄金属层，或通过在将该第1附载体铜箔的载体剥离后，去除极薄铜层，而使被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
在本发明中，附载体金属箔，至少依序具备有载体与极薄金属层。附载体金属箔的载体，可使用金属箔。作为金属箔，可使用铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铝箔、铝合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、锌箔、锌合金箔。可使金属箔的厚度为1～10000μm，优选为2～5000μm，更优为10～1000μm，再更优为18～500μm，进而再更优为35～300μm。又，也可使用树脂基材、无机物质或有机物质的板来作为载体。可使树脂基材、无机物质或有机物质的板的厚度与前述金属箔的厚度相同。
也可通过接合剂或脱模剂、中间层，以可剥离的方式将载体与金属箔积层。又，也可通过焊接、熔接等，以可剥离的方式将载体与金属箔接合。当难以剥离载体与金属箔的情形时，也可通过切割等去除载体与金属箔接合之处后，将载体与金属箔剥离。
极薄金属层也可为铜、铜合金、镍、镍合金、铝、铝合金、铁、铁合金、不锈钢、锌、锌合金。可使极薄金属层的厚度为与附载体铜箔的极薄铜层相同的范围。从形成电路时的导电性的观点，极薄金属层优选为极薄铜层。
本发明的印刷配线板的制造方法于一实施方案中，包含下述步骤：
准备在形成有表面处理层的侧的表面形成有电路的本发明的表面处理铜箔，或在极薄铜层侧表面形成有电路的本发明的附载体铜箔的步骤；
以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该表面处理铜箔表面或该附载体铜箔表面的步骤；
将金属箔积层在该树脂层的步骤；或将附载体金属箔自极薄金属层侧积层在该树脂层的步骤；
当积层在该树脂层的箔为该附载体金属箔的情形时，将该附载体金属箔的载体剥除的步骤；
将该树脂层上的金属箔或该附载体金属箔经剥除载体后残留的极薄金属层去除的步骤；
将电路形成在经去除该金属箔的树脂层的表面，或经去除极薄铜层的树脂层的表面的步骤；及
在将电路形成在该树脂层上之后，通过去除该表面处理铜箔，或通过在将该附载体铜箔的载体剥离后，去除极薄铜层，而使被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
本发明的印刷配线板的制造方法于一实施方案中，包含下述步骤：
准备在表面形成有电路的金属箔，或第1表面处理铜箔，或在极薄金属层侧表面形成有电路的附载体金属箔，或第1附载体铜箔的步骤，其中该第1表面处理铜箔为在形成有表面处理层的侧的表面形成有电路的本发明的表面处理铜箔，该第1附载体铜箔为在极薄铜层侧表面形成有电路的本发明的附载体铜箔；
以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该金属箔表面或该表面处理铜箔表面或该附载体金属箔表面或该附载体铜箔表面的步骤；
将本发明的表面处理铜箔即第2表面处理铜箔自表面处理层侧积层在该树脂层的步骤；或将本发明的附载体铜箔即第2附载体铜箔自极薄铜层侧积层在该树脂层的步骤；
当积层在该树脂层的箔为该第2附载体铜箔的情形时，将该第2附载体铜箔的载体剥除的步骤；
使用该树脂层上的表面处理铜箔，或该第2附载体铜箔经剥除载体后残留的极薄铜层，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法将电路形成在该树脂层上的步骤；
在将电路形成在该树脂层上之后，通过去除该金属箔，或通过去除该第1表面处理铜箔，或通过将该附载体金属箔的载体剥离后，去除极薄金属层，或通过在将该第1附载体铜箔的载体剥离后，去除极薄铜层，而使被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
本发明的印刷配线板的制造方法于一实施方案中，包含下述步骤：
准备在形成有表面处理层的侧的表面形成有电路的本发明的表面处理铜箔，或在极薄铜层侧表面形成有电路的本发明的附载体铜箔的步骤；
以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该表面处理铜箔表面或该附载体铜箔表面的步骤；
将金属箔积层在该树脂层的步骤；或将附载体金属箔自极薄铜层侧积层在该树脂层的步骤；
当积层在该树脂层的箔为该附载体金属箔的情形时，将该附载体金属箔的载体剥除的步骤；
使用该树脂层上的金属箔，或该附载体金属箔经剥除载体后残留的极薄金属层，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法将电路形成在该树脂层上的步骤；
在将电路形成在该树脂层上之后，通过去除该表面处理铜箔，或通过在将该附载体铜箔的载体剥离后，去除极薄铜层，而使被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将该附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；在将该附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将经剥除该载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；将通孔或/及盲孔设置在通过蚀刻去除该极薄铜层而露出的该树脂的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理的步骤；对含有该树脂及该通孔或/及盲孔的区域设置无电电镀层的步骤；将镀敷阻剂设置在该无电电镀层上的步骤；对该镀敷阻剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；将电镀层设置在经去除该镀敷阻剂的形成该电路的区域的步骤；去除该镀敷阻剂的步骤；通过快速蚀刻等将位于形成该电路的区域以外的区域的无电电镀层去除的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法另一实施方案，包含下述步骤：准备附载体铜箔与树脂基材的步骤；将该附载体铜箔与树脂基材积层的步骤；在将该附载体铜箔与树脂基材积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将经剥除该载体而露出的极薄铜层全部去除，而得到本发明的树脂基材的步骤；对通过蚀刻去除该极薄铜层而露出的该树脂表面设置无电电镀层的步骤；将镀敷阻剂设置在该无电电镀层上的步骤；对该镀敷阻剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；将电镀层设置在经去除该镀敷阻剂的形成该电路的区域的步骤；去除该镀敷阻剂的步骤；通过快速蚀刻等将位于形成该电路的区域以外的区域的无电电镀层及极薄铜层去除的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法另一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将该附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；在将该附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将经剥除该载体而露出的极薄铜层全部去除的步骤；对通过蚀刻去除该极薄铜层而露出的该树脂表面设置无电电镀层的步骤；将镀敷阻剂设置在该无电电镀层上的步骤；对该镀敷阻剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；将电镀层设置在经去除该镀敷阻剂的形成该电路的区域的步骤；去除该镀敷阻剂的步骤；通过快速蚀刻等将位于形成该电路的区域以外的区域的无电电镀层及极薄铜层去除的步骤。
在使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备附载体铜箔与树脂基材的步骤；将该附载体铜箔与树脂基材积层的步骤；在将该附载体铜箔与树脂基材积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；将通孔或/及盲孔设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层与树脂基材的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理，而得到本发明的树脂基材的表面轮廓的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域设置无电电镀层的步骤；将镀敷阻剂设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层表面的步骤；在设置该镀敷阻剂后，通过电镀形成电路的步骤；去除该镀敷阻剂的步骤；通过快速蚀刻将经去除该镀敷阻剂而露出的极薄铜层去除的步骤。
在使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将该附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；在将该附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；将通孔或/及盲孔设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层与绝缘基板的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域设置无电电镀层的步骤；将镀敷阻剂设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层表面的步骤；在设置该镀敷阻剂后，通过电镀形成电路的步骤；去除该镀敷阻剂的步骤；通过快速蚀刻将经去除该镀敷阻剂而露出的极薄铜层去除的步骤。
在使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法另一实施方案，包含下述步骤：
准备附载体铜箔与树脂基材的步骤；
将该附载体铜箔与树脂基材积层的步骤；
在将该附载体铜箔与树脂基材积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；
将镀敷阻剂设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层上的步骤；
对该镀敷阻剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；
将电镀层设置在经去除该镀敷阻剂的形成该电路的区域的步骤；
去除该镀敷阻剂的步骤；
通过快速蚀刻等将位于形成该电路的区域以外的区域的无电电镀层及极薄铜层去除，而得到本发明的树脂基材的表面轮廓的步骤。
在使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法另一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将该附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；在将该附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；将镀敷阻剂设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层上的步骤；对该镀敷阻剂进行曝光，然后，将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；将电镀层设置在经去除该镀敷阻剂的形成该电路的区域的步骤；去除该镀敷阻剂的步骤；通过快速蚀刻等将位于形成该电路的区域以外的区域的无电电镀层及极薄铜层去除的步骤。
在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备附载体铜箔与树脂基材的步骤；将该附载体铜箔与树脂基材积层的步骤；在将该附载体铜箔与树脂基材积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；将通孔或/及盲孔设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层与树脂基材的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理，而得到本发明的树脂基材的表面轮廓的步骤；对该含有通孔或/及盲孔的区域赋予触媒核的步骤；将抗蚀剂设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层表面的步骤；对该抗蚀剂进行曝光，形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将该极薄铜层及该触媒核去除，形成电路的步骤；将该抗蚀剂去除的步骤；将阻焊剂或镀敷阻剂设置在经通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除该极薄铜层及该触媒核而露出的该树脂基材表面的步骤；将无电电镀层设置在未设置有该阻焊剂或镀敷阻剂的区域的步骤。
在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将该附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；在将该附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；将通孔或/及盲孔设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层与绝缘基板的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理的步骤；对该含有通孔或/及盲孔的区域赋予触媒核的步骤；将抗蚀剂设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层表面的步骤；对该抗蚀剂进行曝光，形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将该极薄铜层及该触媒核去除，形成电路的步骤；将该抗蚀剂去除的步骤；将阻焊剂或镀敷阻剂设置在经通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法去除该极薄铜层及该触媒核而露出的该绝缘基板表面的步骤；将无电电镀层设置在未设置有该阻焊剂或镀敷阻剂的区域的步骤。
在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备附载体铜箔与树脂基材的步骤；将该附载体铜箔与树脂基材积层的步骤；在将该附载体铜箔与树脂基材积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；将通孔或/及盲孔设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层与树脂基材的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理，而得到本发明的树脂基材的表面轮廓的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域设置无电电镀层的步骤；将电镀层设置在该无电电镀层的表面的步骤；将抗蚀剂设置在该电镀层或/及该极薄铜层的表面的步骤；对该抗蚀剂进行曝光，形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将该极薄铜层及该无电电镀层及该电镀层去除，形成电路的步骤；将该抗蚀剂去除的步骤。
在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将该附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；早将该附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；将通孔或/及盲孔设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层与绝缘基板的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域设置无电电镀层的步骤；将电镀层设置在该无电电镀层的表面的步骤；将抗蚀剂设置在该电镀层或/及该极薄铜层的表面的步骤；对该抗蚀剂进行曝光，形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将该极薄铜层及该无电电镀层及该电镀层去除，形成电路的步骤；将该抗蚀剂去除的步骤。
在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法另一实施方案，包含下述步骤：准备附载体铜箔与树脂基材的步骤；将该附载体铜箔与树脂基材积层的步骤；在将该附载体铜箔与树脂基材积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；将通孔或/及盲孔设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层与树脂基材的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理，而得到本发明的树脂基材的表面轮廓的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域设置无电电镀层的步骤；将遮罩形成在该无电电镀层的表面的步骤；将电镀层设置在未形成遮罩的该无电电镀层的表面的步骤；将抗蚀剂设置在该电镀层或/及该极薄铜层的表面的步骤；对该抗蚀剂进行曝光，形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将该极薄铜层及该无电电镀层去除，形成电路的步骤；将该抗蚀剂去除的步骤。
在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法另一实施方案，包含下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将该附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；在将该附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；将通孔或/及盲孔设置在经剥除该载体而露出的极薄铜层与绝缘基板的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域进行去胶渣处理的步骤；对含有该通孔或/及盲孔的区域设置无电电镀层的步骤；将遮罩形成在该无电电镀层的表面的步骤；将电镀层设置在未形成遮罩的该无电电镀层的表面的步骤；将抗蚀剂设置在该电镀层或/及该极薄铜层的表面的步骤；对该抗蚀剂进行曝光，形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将该极薄铜层及该无电电镀层去除，形成电路的步骤；将该抗蚀剂去除的步骤。
设置通孔或/及盲孔的步骤及其后的去胶渣步骤也可不进行。
此处，详细说明使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板制造方法的具体例。
步骤1：首先，准备具有极薄铜层的附载体铜箔(第1层)，该极薄铜层在表面形成有粗化处理层。
步骤2：接着，将抗蚀剂涂布在极薄铜层的粗化处理层上，进行曝光、显影，将抗蚀剂蚀刻成既定的形状。
步骤3：接着，形成电路用的镀敷后，去除抗蚀剂，由此形成既定形状的电路镀敷。
步骤4：接着，以覆盖电路镀敷的方式(以掩埋电路镀敷的方式)在极薄铜层上设置嵌入树脂而积层树脂层，接着自极薄铜层侧接合另外的附载体铜箔(第2层)。
步骤5：接着，自第2层的附载体铜箔剥除载体。另，也可使用不具有载体的铜箔作为第2层。
步骤6：接着，在第2层的极薄铜层或铜箔及树脂层的既定位置进行激光开孔，使电路镀敷露出，形成盲孔。
步骤7：接着，将铜埋入盲孔，形成填孔(ビアフィル)。
步骤8：接着，在填孔上，如上述步骤2及3的方式形成电路镀敷。
步骤9：接着，自第1层的附载体铜箔剥除载体。
步骤10：接着，通过快速蚀刻将两表面的极薄铜层(当设置铜箔作为第2层的情形时，为铜箔)去除，使树脂层内的电路镀敷的表面露出。
步骤11：接着，在树脂层内的电路镀敷上形成凸块，在该焊料上形成铜柱(ピラー)。以此方式制作使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板。
上述另外的附载体铜箔(第2层)可使用本发明的附载体铜箔，或也可使用以往的附载体铜箔，进而也可使用通常的铜箔。又，在步骤8中的第2层的电路上，也可进一步形成1层或多层的电路，也可通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法进行其等的电路形成。
若根据上述的印刷配线板的制造方法，由于成为电路镀敷埋入于树脂层的构成，故例如当如步骤10以快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀敷受到树脂层的保护，而可保持其形状，由此可轻易形成微细电路。又，由于电路镀敷受到树脂层的保护，故耐迁移性获得提升，电路的配线的导通受到良好地抑制。因此，可轻易形成微细电路。又，如步骤10及步骤11所示，在通过快速蚀刻去除极薄铜层时，由于电路镀敷的露出面会成为自树脂层凹陷的形状，故可轻易在该电路镀敷上形成凸块，且可轻易进一步在其上形成铜柱，使制造效率提升。
另，嵌入树脂(レジン)可使用公知的树脂、预浸体。例如，可使用BT(双顺丁烯二酰亚胺三ビスマレイミドトリアジン)树脂或或为含浸有BT树脂的玻璃布的预浸体、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制ABF膜或ABF。又，前述嵌入树脂(树脂)可使用本说明书记载的树脂层及/或树脂及/或预浸体。
又，前述被用于第一层的附载体铜箔，在该附载体铜箔的表面也可具有基板或树脂层。被用于第一层的附载体铜箔因具有该基板或树脂层而会获得支持，不易产生皱折，因此具有提升生产性的优点。另，前述基板或树脂层若为具有支持被用于前述第一层的附载体铜箔的效果者，则可使用所有的基板或树脂层。例如可使用本案说明书记载的载体、预浸体、树脂层或公知的载体、预浸体、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔作为前述基板或树脂层。
并且，通过将电子零件类安装在印刷配线板，来完成印刷电路板。于本发明中，“印刷配线板”也包含以此方式安装有电子零件类的印刷配线板及印刷电路板及印刷基板。
又，也可使用该印刷配线板制作电子机器，也可使用安装有该电子零件类的印刷电路板制作电子机器，也可使用安装有该电子零件类的印刷基板制作电子机器。
[实施例]
以下揭示本发明的实施例，但是这些实施例是提供用以更加清楚理解本发明及其优点者，并无限定发明的意图。
在本实施例，如以下方式，制作使用铜箔形成树脂基材的表面轮廓者与使用化学液形成树脂基材的表面轮廓者。
1.使用铜箔形成树脂基材的表面轮廓
图2揭示用以得到实施例及比较例的数据的样品制作流程。
准备以下的铜箔主体层(バルク层)(原箔)作为实施例A1～A11及比较例A1～A4，及作为实施例B1～B8、实施例B10～B12及比较例B1～B4用以制作基材表面轮廓的铜箔。
·一般电解原箔
以铜浓度80～120g/L、硫酸浓度80～120g/L、氯化物离子浓度30～100ppm、胶浓度1～5ppm、电解液温度57～62℃的硫酸铜电解液作为电解铜镀敷浴，使流经阳极与阴极(铜箔用电沉积用金属制滚筒)间的电解液的线速度为1.5～2.5m/秒，以电流密度70A/dm2制作厚度12μm(重量厚度95g/m2)的一般电解原箔。
·两面平坦电解原箔
以铜浓度80～120g/L、硫酸浓度80～120g/L、氯化物离子浓度30～100ppm、调平剂1(双(3－磺丙基)二硫化物)：10～30ppm、调平剂2(胺化合物)：10～30ppm、电解液温度57～62℃的硫酸铜电解液作为电解铜镀敷浴，使流经阳极与阴极(铜箔用电沉积用金属制滚筒)间的电解液的线速度为1.5～2.5m/秒，以电流密度70A/dm2制作厚度12μm(重量厚度95g/m2)的两面平坦电解原箔。上述的胺化合物使用下述化学式的胺化合物。
[化2]
(上述化学式中，R1及R2选自羟烷基、醚基、芳基、经芳香族取代的烷基、不饱和烃基、烷基。)
·附载体极薄原铜箔(生铜箔)
以前述的两面平坦电解原箔制造条件，制作厚度18μm的两面平坦电解原箔。以该原箔作为铜箔载体，通过下述方法，形成剥离层、极薄铜层，得到厚度1.5、2、3、5μm的附载体极薄铜箔。
(1)Ni层(剥离层：基底镀敷1)
对铜箔载体的S面，以下述条件，于卷对卷(ロール·トウ·ロール)型连续镀敷生产线进行电镀，由此形成1000μg/dm2附着量的Ni层。具体的镀敷条件如下。
硫酸镍：270～280g/L
氯化镍：35～45g/L
乙酸镍：10～20g/L
硼酸：30～40g/L
光泽剂：糖精、丁炔二醇(ブチンジオール)等
十二基硫酸钠：55～75ppm
pH：4～6
浴温：55～65℃
电流密度：10A/dm2
(2)Cr层(剥离层：基底镀敷2)
接着，对(1)所形成的Ni层表面进行水洗及酸洗后，继而在卷对卷型连续镀敷生产线上，以下述条件进行电解铬酸处理，使11μg/dm2附着量的Cr层附着在Ni层上。
重铬酸钾：1～10g/L，锌：0g/L
pH：7～10
液温：40～60℃
电流密度：2A/dm2
(3)极薄铜层
接着，对(2)所形成的Cr层表面进行水洗及酸洗后，继而在卷对卷型连续镀敷生产线上，以下述条件进行电镀，由此将厚度1.5、2、3、5μm的极薄铜层形成在Cr层上，制得附载体极薄铜箔。
铜浓度：80～120g/L
硫酸浓度：80～120g/L
氯化物离子浓度：30～100ppm
调平剂1(双(3－磺丙基)二硫化物)：10～30ppm
调平剂2(胺化合物)：10～30ppm
另，调平剂2使用下述的胺化合物。上述的胺化合物使用下述化学式的胺化合物。
[化3]
(上述化学式中，R1及R2选自羟烷基、醚基、芳基、经芳香族取代的烷基、不饱和烃基、烷基。)
电解液温度：50～80℃
电流密度：100A/dm2
接着，对上述原箔与树脂基材接合的侧的表面即M(マット面)面或S面(亮面)，依序实施粗化处理、阻隔处理、防锈处理、涂布硅烷偶合材的各表面处理。各处理条件如下。
〔粗化处理〕
·球状粗化(通常)：
对前述的各种原箔的M面或S面，以下述条件进行粗化处理。
(电解液组成)
Cu：20～30g/L(以硫酸铜5水合物添加，以下相同)
H2SO4：80～120g/L
砷：1.0～2.0g/L
(电解液温)
35～40℃
(电流条件)
电流密度：70A/dm2
为了防止粗化粒子脱落与提升剥离强度，而于由硫酸-硫酸铜构成的铜电解浴，对经以上述条件实施粗化处理的各种铜箔的M面、附载体极薄铜箔的表面进行覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下。
(电解液组成)
Cu：40～50g/L
H2SO4：80～120g/L
(电解液温)
43～47℃
(电流条件)
电流密度：29A/dm2
·微细粗化(1)：
对前述的各种原箔的M面、附载体极薄原铜箔的表面，以下述条件进行粗化处理。
(电解液组成)
Cu浓度：10～20g/L
H2SO4浓度：80～120g/L
钨浓度：1～10mg/L(以钨酸钠2水合物添加)
十二基硫酸钠浓度：1～10mg/L
(电解液温)
35～45℃
(电流条件)
为了得到既定的孔状，而以四段式赋予电流。电流密度如下。
第一段：30A/dm2
第二段：10A/dm2
第三段：30A/dm2
第四段：10A/dm2
为了防止粗化粒子脱落与提升剥离强度，而于由硫酸-硫酸铜构成的铜电解浴，对经以上述条件实施粗化处理的各种铜箔的M面、附载体极薄铜箔的表面进行覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下。
(电解液组成)
Cu：40～50g/L
H2SO4：80～120g/L
(电解液温度)
43～47℃
(电流条件)
电流密度：41A/dm2
·微细粗化2：
对前述的附载体极薄原铜箔的表面，以下述条件进行粗化处理。
(电解液组成)
Cu浓度：10～20g/L
H2SO4浓度：80～120g/L
钨浓度：1～10mg/L(以钨酸钠2水合物添加)
十二基硫酸钠浓度：1～10mg/L
(电解液温)
35～45℃
(电流条件)
为了得到既定的孔状，而应用二段式。电流密度如下。
第一段：50A/dm2
第二段：10A/dm2
为了防止粗化粒子脱落与提升剥离强度，而于由硫酸-硫酸铜构成的铜电解浴，对经以上述条件实施粗化处理的各种铜箔的M面、附载体极薄铜箔的表面进行覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下。
(电解液组成)
Cu：40～50g/L
H2SO4：80～120g/L
(电解液温)
43～47℃
(电流条件)
电流密度：41A/dm2
·微细粗化3：
对前述的两面平坦电解原箔的M面及附载体极薄原铜箔的表面，以下述条件进行粗化处理。
(电解液组成)
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH：1～4
(电解液温度)
40～50℃
(电流条件)
电流密度：25A/dm2
(镀敷结束后于镀液中的浸渍时间)
为了得到既定的孔状，使之在5秒以内。
对经以上述条件实施粗化处理的两面平坦铜箔的M面，及附载体极薄铜箔的表面，进行Co－Ni的覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下。
(电解液组成)
Co：1～30g/L
Ni：1～30g/L
pH：1.0～3.5
(电解液温度)
30～80℃
(电流条件)
电流密度：5.0A/dm2
·微细粗化4：
对前述的附载体极薄原铜箔的表面，以下述条件进行形成第一次粒子与第二次粒子的粗化处理。
形成第一次粒子：
(电解液组成)
Cu浓度：10～20g/L
H2SO4浓度：80～120g/L
钨浓度：1～10mg/L(以钨酸钠2水合物添加)
十二基硫酸钠浓度：1～10mg/L
(电解液温度)
35～45℃
(电流条件)
为了得到既定的孔状，而应用二段式。电流密度如下。
第一段：50A/dm2
第二段：10A/dm2
为了防止第一次粗化粒子脱落与提升剥离强度，而于由硫酸-硫酸铜构成的铜电解浴，对经以上述条件形成第一次粗化粒子的附载体极薄铜箔的表面，进行覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下。
(电解液组成)
Cu：40～50g/L
H2SO4：80～120g/L
(电解液温)
43～47℃
(电流条件)
电流密度：41A/dm2
形成第二次粒子：
接着，进行用以在附载体极薄铜箔的第一次粗化粒子上形成第二次粗化粒子的粗化处理。
(电解液组成)
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH：1～4
(电解液温度)
40～50℃
(电流条件)
电流密度：25A/dm2
(镀敷结束后于镀液中的浸渍时间)
为了得到既定的孔状，使之在5秒以内。
对经以上述条件实施第二次粒子粗化处理的附载体极薄铜箔的表面，进行Co－Ni的覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下。
(电解液组成)
Co：1～30g/L
Ni：1～30g/L
pH：1.0～3.5
(电解液温度)
30～80℃
(电流条件)
电流密度：5.0A/dm2
·微细粗化5：
对前述的附载体极薄原铜箔的表面，以下述条件进行形成第一次粒子与第二次粒子的粗化处理。
形成第一次粒子：
(电解液组成)
Cu浓度：10～20g/L
H2SO4浓度：80～120g/L
钨浓度：1～10mg/L(以钨酸钠2水合物添加)
十二基硫酸钠浓度：1～10mg/L
(电解液温度)
35～45℃
(电流条件)
为了得到既定的孔状，而应用二段式。电流密度如下。
第一段：20A/dm2
第二段：10A/dm2
为了防止第一次粗化粒子脱落与提升剥离强度，而于由硫酸-硫酸铜构成的铜电解浴，对经以上述条件形成第一次粗化粒子的附载体极薄铜箔的表面，进行覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下。
(电解液组成)
Cu：40～50g/L
H2SO4：80～120g/L
(电解液温)
43～47℃
(电流条件)
电流密度：41A/dm2
形成第二次粒子：
接着，进行用以在附载体极薄铜箔的第一次粗化粒子上形成第二次粗化粒子的粗化处理。
(电解液组成)
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH：1～4
(电解液温度)
40～50℃
(电流条件)
电流密度：25A/dm2
(镀敷结束后于镀液中的浸渍时间)
为了得到既定的孔状，使之为15～20秒。
对经以上述条件实施第二次粒子粗化处理的附载体极薄铜箔的表面，进行Co－Ni的覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下。
(电解液组成)
Co：1～30g/L
Ni：1～30g/L
pH：1.0～3.5
(电解液温)
30～80℃
(电流条件)
电流密度：5.0A/dm2
·微细粗化6：
对前述的附载体极薄原铜箔的表面，以下述条件进行粗化处理。
(电解液组成)
Cu浓度：10～20g/L
H2SO4浓度：80～120g/L
钨浓度：1～10mg/L(以钨酸钠2水合物添加)
十二基硫酸钠浓度：1～10mg/L
(电解液温度)
35～45℃
(电流条件)
为了得到既定的孔状，而应用四段式。电流密度如下。
第一段：50A/dm2
第二段：10A/dm2
第三段：50A/dm2
第四段：10A/dm2
为了防止粗化粒子脱落与提升剥离强度，而于由硫酸-硫酸铜构成的铜电解浴，对经以上述条件实施粗化处理的各种铜箔的M面、附载体极薄铜箔的表面，进行覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下。
(电解液组成)
Cu：40～50g/L
H2SO4：80～120g/L
(电解液温度)
43～47℃
(电流条件)
电流密度：41A/dm2
·微细粗化7：
对前述的附载体极薄原铜箔的表面，以下述条件进行形成第一次粒子与第二次粒子的粗化处理。
形成第一次粒子：
(电解液组成)
Cu浓度：10～20g/L
H2SO4浓度：80～120g/L
钨浓度：1～10mg/L(以钨酸钠2水合物添加)
十二基硫酸钠浓度：1～10mg/L
(电解液温度)
35～45℃
(电流条件)
为了得到既定的孔状，而应用三段式。电流密度如下。
第一段：25A/dm2
第二段：10A/dm2
第三段：5A/dm2
为了防止第一次粗化粒子脱落与提升剥离强度，而于由硫酸-硫酸铜构成的铜电解浴，对经以上述条件形成第一次粗化粒子的附载体极薄铜箔的表面，进行覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下。
(电解液组成)
Cu：40～50g/L
H2SO4：80～120g/L
(电解液温度)
43～47℃
(电流条件)
电流密度：41A/dm2
形成第二次粒子：
接着，进行用以在附载体极薄铜箔的第一次粗化粒子上形成第二次粗化粒子的粗化处理。
(电解液组成)
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH：1～4
(电解液温度)
40～50℃
(电流条件)
电流密度：25A/dm2
(镀敷结束后于镀液中的浸渍时间)
为了得到既定的孔状，使之为5～10秒。
对经以上述条件实施第二次粒子粗化处理的附载体极薄铜箔的表面，进行Co－Ni的覆盖镀敷。覆盖镀敷条件如下。
(电解液组成)
Co：1～30g/L
Ni：1～30g/L
pH：1.0～3.5
(电解液温)
30～80℃
(电流条件)
电流密度：5.0A/dm2
〔阻隔(耐热)处理〕
以下述条件进行阻隔(耐热)处理，形成黄铜镀敷层或锌-镍合金镀敷层。
实施例A6；比较例A2、A3；实施例B6；比较例B2、B3的阻隔层(黄铜镀敷)形成条件：
使用铜浓度50～80g/L、锌浓度2～10g/L、氢氧化钠浓度50～80g/L、氰化钠浓度5～30g/L、温度60～90℃的黄铜镀敷浴，以电流密度5～10A/dm2(多段处理)对形成有粗化处理层的M面赋予镀敷电量30As/dm2。
实施例A3；比较例A1；实施例B3；比较例B1的阻隔层(锌-镍镀敷)形成条件：
使用添加有Ni：10g/L～30g/L、Zn：1g/L～15g/L、硫酸(H2SO4)：1g/L～12g/L、氯化物离子：0g/L～5g/L的镀敷浴，以电流密度1.3A/dm2对形成有粗化处理层的M面赋予镀敷电量5.5As/dm2。
〔防锈处理〕
以下述条件进行防锈处理(铬酸处理)，形成防锈处理层。
(铬酸盐条件)于CrO3：2.5g/L、Zn：0.7g/L、Na2SO4：10g/L、pH4.8、54℃的铬酸盐浴，施予0.7As/dm2的电量。并且，在结束在铬酸盐浴的防锈处理后，随即以液体喷淋配管，使用相同的铬酸盐浴对粗化处理面整面进行喷淋。
〔硅烷偶合材涂布〕
对铜箔的粗化处理面，喷洒含有0.2～2％的烷氧基硅烷(アルコキシシラン)的pH7～8的溶液，由此进行硅烷偶合材涂布处理。
对于实施例A8、实施例B8，在防锈处理、硅烷偶合材涂布之后，更进一步以下述条件形成树脂层。
(树脂合成例)
将3,4,3',4'－联苯四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3－双(3－胺基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ－戊内酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、N－甲基－2－吡咯啶酮(以下记载为NMP)300g、甲苯20g加入在附有不锈钢制锚型搅拌棒、氮导入管及管闩的分离器上安装有具备球管冷凝管的回流冷凝器的2公升三口烧瓶，以180℃加热1小时后，冷却至室温附近，然后加入3,4,3',4'－联苯四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2－双{4－(4－胺基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、NMP200g、甲苯40g，以室温混合1小时后，以180℃加热3小时，而得到固形物成分38％的嵌段共聚聚酰亚胺。此嵌段共聚聚酰亚胺，是下述的一般式(1)：一般式(2)＝3：2，数量平均分子量：70000，重量平均分子量：150000。
[化4]
进一步以NMP将合成例所得的嵌段共聚聚酰亚胺溶液加以稀释，制成固形物成分10％的嵌段共聚聚酰亚胺溶液。
使双(4－顺丁烯二酰亚胺苯基)甲烷(BMI－H，ケイ·アイ化成公司)的固形物成分重量比率为35，嵌段共聚聚酰亚胺的固形物成分重量比率为65(也即，树脂溶液所含的双(4－顺丁烯二酰亚胺苯基)甲烷固形物成分重量：树脂溶液所含的嵌段共聚聚酰亚胺固形物成分重量＝35：65)，以60℃、20分钟将双(4－顺丁烯二酰亚胺苯基)甲烷溶解混合于该嵌段共聚聚酰亚胺溶液，制成树脂溶液。然后，于实施例A8、实施例B8，使用反辊涂布机将树脂溶液涂布在铜箔的极薄铜表面，于氮环境下，以120℃进行3分钟干燥处理，并以160℃进行3分钟干燥处理后，最后以300℃进行2分钟加热处理，制得具备有树脂层的铜箔。另，使树脂层的厚度为2μm。
(表面处理铜箔及附载体铜箔的各种评价)
对以上述方式制得的表面处理铜箔及附载体铜箔，以下述方法实施各种评价。
＜线粗糙度Rz＞
对各实施例、比较例的表面处理铜箔、附载体铜箔，使用小阪研究所股份有限公司制的接触粗糙度计Surfcorder SE－3C，依JIS B0601－1994对表面处理面测量十点平均粗糙度。以测量基准长度0.8mm、评价长度4mm、截取值(カットオフ値)0.25mm、进给速度0.1mm/秒的条件，对于压延铜箔，在与压延方向垂直的方向(TD)上改变测量位置，或对于电解铜箔，则在与电解铜箔制造装置中的电解铜箔进行方向垂直的方向(TD)上改变测量位置，各别进行3次，求得3次测量的值。
＜面粗糙度Sz＞
使用奥林巴斯公司制激光显微镜(试验机：OLYMPUS LEXT OLS 4000，解析度：XY－0.12μm、Z－0.0μm，截取(カットオフ)：无)，依ISO25178测量表面处理铜箔及附载体铜箔的表面处理层侧表面的面粗糙度(表面的最大高度)Sz。另，使观察部的测量面积为66524μm2。
＜面积比(B/A)＞
对于各实施例、比较例的表面处理铜箔、附载体铜箔，表面处理层侧表面的面积使用以激光显微镜进行的测量法。对于各实施例、比较例的表面处理后的铜箔，使用奥林巴斯公司制激光显微镜(试验机：OLYMPUS LEXT OLS 4000，解析度：XY－0.12μm、Z－0.0μm，截取：无)，测量256μm×256μm相当面积(俯视时所得的表面积)A(实际数据为66,524μm2)的三维表面积B，通过三维表面积B÷二维表面积A＝面积比(B/A)的方法来算出。另，使激光显微镜的三维表面积B的测量环境温度为23～25℃。
对于各实施例、比较例的表面处理铜箔、附载体铜箔，准备20cm见方尺寸的下述树脂基材，以将铜箔具有表面处理层的面接合在树脂基材的方式，将树脂基材与铜箔积层加压。积层加压的温度、压力、时间使用基材厂商建议的条件。
使用树脂：三菱气体化学公司GHPL－830MBT
接着，以下述蚀刻条件通过整面蚀刻将树脂基材上的表面处理铜箔去除。又，对于树脂基材上的附载体铜箔，于剥除载体后，以下述蚀刻条件通过整面蚀刻将极薄铜层去除。另，“整面蚀刻”，是指铜箔厚度被全部去除，蚀刻至整面露出树脂。
(蚀刻条件)蚀刻液：二氯化铜溶液，HCl浓度：3.5mol/L，温度：50℃，调节CuCl2浓度使比重为1.26。
2.使用化学液形成树脂基材的表面轮廓
作为比较例B5，准备2片厚度100μm的三菱气体化学公司制的树脂基材GHPL－830MBT。将此2片树脂基材迭合，在其两侧贴合离型层膜，然后积层加压。积层加压的温度、压力、时间，使用基材厂商建议的条件。积层加压结束后，将离型层膜自树脂基材剥离，以下述浸渍处理条件进行去胶渣处理A、B及中和处理，而形成树脂基材的表面轮廓。
(去胶渣处理条件A)
·去胶渣处理液：40g/L KMnO4，20g/L NaOH
·处理温度：室温
·浸渍时间：20分
·搅拌子旋转数：300rpm
(去胶渣处理条件B)
·去胶渣处理液：90g/L KMnO4，5g/L HCl
·处理温度：49℃
·浸渍时间：20分
·搅拌子旋转数：300rpm
(中和处理條件)
·中和处理液：L－抗坏血酸80g/L
·处理温度：室温
·浸渍时间：3分
·无搅拌
作为比较例B6，准备2片厚度100μm的三菱气体化学公司制的树脂基材GHPL－830MBT。将此2片树脂基材叠合，在其两侧贴合离型层膜，然后积层加压。积层加压的温度、压力、时间，使用基材厂商建议的条件。积层加压结束后，将离型层膜自树脂基材剥离，以下述浸渍处理条件进行去胶渣处理A、B及中和处理，而形成树脂基材的表面轮廓。
(去胶渣处理条件A)
·去胶渣处理液：40g/L KMnO4，20g/L NaOH
·处理温度：室温
·浸渍时间：20分
·搅拌子旋转数：300rpm
(去胶渣处理条件B)
·去胶渣处理液：90g/L KMnO4，5g/L HCl
·处理温度：49℃
·浸渍时间：30分
·搅拌子旋转数：300rpm
(中和处理条件)
·中和处理液：L－抗坏血酸80g/L
·处理温度：室温
·浸渍时间：3分
·无搅拌
作为实施例B9，准备2片厚度100μm的三菱气体化学公司制的树脂基材GHPL－830MBT。将此2片树脂基材迭合，在其两侧贴合离型层膜，然后积层加压。积层加压的温度、压力、时间，使用基材厂商建议的条件。积层加压结束后，将离型层膜自树脂基材剥离，以下述处理条件对树脂基材表面进行淋式处理A、B及中和处理，由此形成树脂基材的表面轮廓。
(淋式处理条件A)
·去胶渣处理液：40g/L KMnO4，20g/L NaOH
·处理温度：室温
·处理时间：20分
·浇淋压力：0.2MPa
(淋式处理条件B)
·去胶渣处理液：90g/L KMnO4，5g/L HCl
·处理温度：49℃
·处理时间：20分
·浇淋压力：0.2MPa
(中和处理条件)
·中和处理液：L－抗坏血酸80g/L
·处理温度：室温
·浸渍时间：3分
·无搅拌
以此方式，进行使用化学液的树脂基材表面轮廓的形成。
(树脂基材的评价)
对具有上述所制作的表面轮廓的实施例及比较例的树脂基材，进行下述评价。
＜线粗糙度Rz＞
对各实施例、比较例的树脂基材的蚀刻侧表面，使用小阪研究所股份有限公司制的接触粗糙度计Surfcorder SE－3C，依JIS B0601－1994测量十点平均粗糙度。以测量基准长度0.8mm、评价长度4mm、截取值0.25mm、进给速度0.1mm/秒的条件，各别进行3次，求得3次测量的值。
＜面粗糙度Sz＞
对各实施例、比较例的树脂基材的蚀刻侧表面，使用奥林巴斯公司制激光显微镜(试验机：OLYMPUS LEXT OLS 4000，解析度：XY－0.12μm，Z－0.0μm，截取：无)，依ISO25178测量面粗糙度(表面的最大高度)Sz。另，使观察部的测量面积为66524μm2。
＜面积比(B/A)＞
对各实施例、比较例的树脂基材的蚀刻侧表面，使用奥林巴斯公司制激光显微镜(试验机：OLYMPUS LEXT OLS 4000，解析度：XY－0.12μm，Z－0.0μm，截取：无)，测量256μm×256μm相当面积(俯视时所得的表面积)A(实际数据为66,524μm2)的三维表面积B，通过三维表面积B÷二维表面积A＝面积比(B/A)的方法来算出。另，使激光显微镜的三维表面积B的测量环境温度为23～25℃。
＜黑色面积率＞
对各实施例、比较例的树脂基材的蚀刻侧表面，使用扫描型电子显微镜(SEM)，使加速电压为15kV，进行照片拍摄。另，当拍摄照片时，将对比与亮度调整成使观察视野整体的孔的轮廓清楚可见。照片整体并非纯白或纯黑，而是以可观察孔的轮廓的状态进行照片拍摄。若照片整体并非纯白或纯黑，而以可观察孔的轮廓的状态进行照片拍摄的话，则该照片中的黑色面积率(％)会成为大致相同的值。然后对所拍摄的照片(SEM像(30k倍(30000倍)))，使用Photo Shop 7.0软件，实施白色、黑色影像处理，求出黑色面积率(％)。黑色面积率(％)，选择位于Photo Shop 7.0的“影像”的“直方图”，作为界限值128的情形时，黑色面积相对于观察面积(白色面积与黑色面积合计的面积)的比例。
＜孔的直径平均值＞
对各实施例、比较例的树脂基材的蚀刻侧表面，从SEM像(×6000～×30000)通过线段法于纵、横、斜测量孔的直径，算出其等N＝3的平均值。
＜剥离强度＞
对树脂基材(整面蚀刻基材)的蚀刻面，赋予用以使无电解铜析出的触媒，及使用关东化成制的KAP－8浴，以下述条件实施无电镀铜。所得的无电镀铜的厚度为0.5μm。
CuSO4浓度：0.06mol/L，HCHO浓度：0.5mol/L，EDTA浓度：0.12mol/L，pH12.5，添加剂：2,2’－二吡啶基(ジピリジル)，添加剂浓度：10mg/L，表面活性剂：REG－1000，表面活性剂浓度：500mg/L
接着，于无电镀铜上，进一步使用下述的电解液实施电镀。铜厚度(无电电镀及电镀的总厚度)为12μm。
单纯硫酸铜电解液：Cu浓度：100g/L，H2SO4浓度：80g/L
对以上述方式在树脂基材(整面蚀刻基材)实施无电镀铜、电镀铜而使铜层厚度为12μm的附镀铜积层板，通过湿式蚀刻制作宽度10mm的铜电路。依JIS－C－6481，测量以90度剥离此铜电路时的强度，作为剥离强度。
＜微细配线形成性＞
对以上述方式在树脂基材(整面蚀刻基材)实施无电镀铜、电镀铜而使铜层厚度为12μm的附镀铜积层板，通过蚀刻对镀铜进行加工，形成L(线)/S(间隔)＝15μm/15μm及10μm/10μm的电路。此时，以目视观察形成在树脂基板上的微细配线，使没有电路剥离、电路间的短路(电路间的铜异常析出)、电路欠缺者为OK(○)。
表1、4显示铜箔的制造条件，该铜箔被用以上述通过将铜箔表面轮廓转印于基材面而得到实施例A1～A11、比较例A1～A4、实施例B1～B12、比较例B1～B4的基材面轮廓。
表2、5显示上述基材面轮廓的评价结果。
表3、6显示上述赋予基材面轮廓的铜箔表面轮廓的评价结果。
[表1]
[表3]
[表4]
[表6]
※实施例B8的铜箔的粗糙度、表面积比数据为涂布树脂前的铜箔的数据。
(评价结果)
实施例A1～A11皆具有良好的微细配线形成性，并且显示出良好的剥离强度。
比较例A1～A4的铜箔，由于表面处理层表面的面粗糙度Sz皆在2～6μm的范围外，故于基材的表面轮廓，面粗糙度Sz在1～5μm的范围外，微细配线形成性或剥离强度为不良。又，比较例A1～A4的铜箔，表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A皆在1.05～1.8的范围外，故于基材的表面轮廓，该比B/A在1.01～1.5的范围外，微细配线形成性或剥离强度为不良。又，比较例A1～A4的基材的表面轮廓，表面的黑色面积率皆在10～50％的范围外，且表面的孔的直径平均值皆在0.03～1.0μm的范围外，故微细配线形成性或剥离强度为不良。
另，从实施例及比较例的评价结果可确认铜箔表面及蚀刻后基材表面的Rz的数值，对于兼具良好的微细配线形成性及剥离强度，并无特别关连性。
实施例B1～B12的基材皆具有良好的微细配线形成性，并且显示出良好的剥离强度。
比较例B1～B6的基材，由于表面的面粗糙度Sz皆在1～5μm的范围外，故微细配线形成性或剥离强度为不良。又，比较例B1～B4的基材，由于表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A皆在1.01～1.5的范围外，故微细配线形成性或剥离强度为不良。又，比较例B1～B6的基材，由于表面的黑色面积率皆在10～50％的范围外，或/及表面的孔的直径平均值皆在0.03～1.0μm的范围外，故微细配线形成性或剥离强度为不良。
另，从实施例及比较例的评价结果可确认树脂基材表面的Rz的数值，对于兼具良好的微细配线形成性及剥离强度，并无特别关连性。
图3的(a)、(b)、(c)、(d)、(e)分别显示实施例A1、A2、A3、A5、A6的铜箔处理面的SEM像(×30000)。
图4的(f)、(g)分别显示比较例A1、A2的铜箔处理面的SEM像(×6000)。
图5的(h)、(i)、(j)、(k)、(l)分别显示实施例A1(B1)、A2(B2)、A3(B3)、A5(B5)、A6(B6)的树脂基材面的SEM像(×30000)。
图6的(m)、(n)分别显示比较例A1(B1)、A2(B2)的树脂基材面的SEM像(×6000)。
另，本发明包含以下的发明。
[1]
一种在铜箔上形成有表面处理层的表面处理铜箔，该表面处理层表面的面粗糙度Sz为2～6μm。
[2]
根据[1]所述的表面处理铜箔，为一种在铜箔上形成有表面处理层的表面处理铜箔，该表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A为1.05～1.8。
[3]
根据[1]或[2]所述的表面处理铜箔，当从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm。
[4]
根据[1]～[3]中任一项所述的表面处理铜箔在另一实施方案中，当从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A为1.01～1.5。
[5]
根据[1]～[4]所述的表面处理铜箔，当从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
[6]
一种表面处理铜箔，为在铜箔上形成有表面处理层的表面处理铜箔，该表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.05～1.8。
[7]
根据[6]所述的表面处理铜箔，当从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm。
[8]
根据[6]或[7]所述的表面处理铜箔，当从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A为1.01～1.5。
[9]
根据[6]～[8]中任一项所述的表面处理铜箔，当从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
[10]
一种表面处理铜箔，当从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm。
[11]
根据[10]所述的表面处理铜箔，当从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A为1.01～1.5。
[12]
根据[10]或[11]所述的表面处理铜箔，当从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
[13]
一种表面处理铜箔，当从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A之比B/A为1.01～1.5。
[14]
根据[13]所述的表面处理铜箔，当从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
[15]
一种表面处理铜箔，当从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
[16]
根据[1]～[15]中任一项所述的表面处理铜箔，该表面处理层为粗化处理层。
[17]
根据[16]所述的表面处理铜箔在另一实施方案中，该粗化处理层是由选自铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌中的任一单质或含有这些单质任1种以上的合金构成的层。
[18]
根據[16]或[17]所述的表面处理铜箔，在该粗化处理层的表面，具有选自耐热层、防锈层、铬酸处理(クロメート処理)层及硅烷偶合处理层中的1种以上的层。
[19]
根据[1]～[15]中任一项所述的表面处理铜箔，该表面处理层为选自粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸处理层及硅烷偶合处理层中的1种以上的层。
[20]
根据[1]～[19]中任一项所述的表面处理铜箔，在该表面处理层上具备树脂层。
[21]
一种依序具备有载体、中间层及极薄铜层的附载体铜箔，该极薄铜层为[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔。
[22]
根据[21]所述的附载体铜箔，在该载体的两面具备该极薄铜层。
[23]
根据[21]所述的附载体铜箔，在该载体的与该极薄铜层相反侧具备粗化处理层。
[24]
一种基材，将[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔自表面处理层侧贴合在基材，然后将该表面处理铜箔去除而得，该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm。
[25]
一种基材，将[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔自极薄铜层侧贴合在基材，将该载体自该附载体铜箔去除后，将该极薄铜层去除而得，其中该极薄铜层为该表面处理铜箔，该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm。
[26]
一种基材，将[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔自表面处理层侧贴合在基材，然后将该表面处理铜箔去除而得，该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5。
[27]
一种基材，将[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔自极薄铜层侧贴合在基材，将该载体自该附载体铜箔去除后，将该极薄铜层去除而得，其中该极薄铜层为该表面处理铜箔，该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5。
[28]
一种基材，将[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔自表面处理层侧贴合在基材，然后将该表面处理铜箔去除而得，该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
[29]
一种基材，将[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔自极薄铜层侧贴合在基材，将该载体自该附载体铜箔去除后，将该极薄铜层去除而得，其中该极薄铜层为该表面处理铜箔，该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
[30]
一种覆铜积层板，是使用[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔或[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔制得。
[31]
一种印刷配线板，是使用[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔或[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔制得。
[32]
一种电子机器，其使用有[31]所述的印刷配线板。
[33]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔与绝缘基板的步骤；
将该表面处理铜箔自表面处理层侧积层在绝缘基板的步骤；
将该绝缘基板上的表面处理铜箔去除的步骤；
将电路形成在经去除该表面处理铜箔的绝缘基板的表面的步骤。
[34]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将该附载体铜箔自极薄铜层侧积层在绝缘基板的步骤；
将该附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；
将经剥除该载体后的绝缘基板上的极薄铜层去除的步骤；
将电路形成在经去除该极薄铜层的绝缘基板的表面的步骤。
[35]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔与绝缘基板的步骤；
将该表面处理铜箔自表面处理层侧积层在绝缘基板，形成覆铜积层板，然后，通过半加成法、减成法、部分加成法(パートリーアディティブ法)或改进半加成法(モディファイドセミアディティブ法)中的任一方法形成电路的步驟。
[36]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将该附载体铜箔自极薄铜层侧积层在绝缘基板的步骤；
将该附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将该附载体铜箔的载体剥除的步骤而形成覆铜积层板，然后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成电路的步骤。
[37]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔或[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔的步骤；其中该[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔在形成有表面处理层的侧的表面形成有电路，而该[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔在极薄铜层侧表面形成有电路；
以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该表面处理铜箔表面或该附载体铜箔表面的步骤；
将电路形成在该树脂层表面的步骤；及
通过去除该表面处理铜箔或该附载体铜箔，而使被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
[38]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备在表面形成有电路的金属箔，或第1表面处理铜箔，或在极薄金属层侧表面形成有电路的附载体金属箔，或第1附载体铜箔的步骤；其中该第1表面处理铜箔为在形成有表面处理层的侧的表面形成有电路的[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔，该第1附载体铜箔为在极薄铜层侧表面形成有电路的[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔；
以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该金属箔表面或该表面处理铜箔表面或该附载体金属箔表面或该附载体铜箔表面的步骤；
将第2表面处理铜箔自表面处理层侧积层在该树脂层的步骤；或将第2附载体铜箔自极薄铜层侧积层在该树脂层的步骤；其中该第2表面处理铜箔为[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔，该第2附载体铜箔为[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔，
当积层在该树脂层的箔为该第2附载体铜箔的情形时，将该第2附载体铜箔的载体剥除的步骤；
将该树脂层上的表面处理铜箔，或该第2附载体铜箔经剥除载体后残留的极薄铜层去除的步骤；
将电路形成在经去除该表面处理铜箔的树脂层的表面，或经去除极薄铜层的树脂层的表面的步骤；及
在将电路形成在该树脂层上之后，通过去除该金属箔，或通过去除该第1表面处理铜箔，或通过在将该附载体金属箔的载体剥离后，去除极薄金属层，或通过在将该第1附载体铜箔的载体剥离后，去除极薄铜层，而使被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
[39]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔或[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔的步骤；其中该[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔在形成有表面处理层的侧的表面形成有电路，而该[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔在极薄铜层侧表面形成有电路；
以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该表面处理铜箔表面或该附载体铜箔表面的步骤；
将金属箔积层在该树脂层的步骤；或将附载体金属箔自极薄金属层侧积层在该树脂层的步骤；
当积层在该树脂层的箔为该附载体金属箔的情形时，将该附载体金属箔的载体剥除的步骤；
将该树脂层上的金属箔，或该附载体金属箔经剥除载体后残留的极薄金属层去除的步骤；
将电路形成在经去除该金属箔的树脂层的表面，或经去除极薄铜层的树脂层的表面的步骤；及
在将电路形成在该树脂层上之后，通过去除该表面处理铜箔，或通过在将该附载体铜箔的载体剥离后，去除极薄铜层，而使被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
[40]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备在表面形成有电路的金属箔，或第1表面处理铜箔，或在极薄金属层侧表面形成有电路的附载体金属箔，或第1附载体铜箔的步骤；其中该第1表面处理铜箔为在形成有表面处理层的侧的表面形成有电路的[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔，该第1附载体铜箔为在极薄铜层侧表面形成有电路的[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔；
以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该金属箔表面或该表面处理铜箔表面或该附载体金属箔表面或该附载体铜箔表面的步骤；
将第2表面处理铜箔自表面处理层侧积层在该树脂层的步骤；或将第2附载体铜箔自极薄铜层侧积层在该树脂层的步骤；其中该第2表面处理铜箔为[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔，该第2附载体铜箔为[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔；
当积层在该树脂层的箔为该第2附载体铜箔的情形时，将该第2附载体铜箔的载体剥除的步骤；
使用该树脂层上的表面处理铜箔或该第2附载体铜箔经剥除载体后残留的极薄铜层，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法将电路形成在该树脂层上的步骤；
在将电路形成在该树脂层上之后，通过去除该金属箔，或通过去除该第1表面处理铜箔，或通过将该附载体金属箔的载体剥离后，去除极薄金属层，或通过在将该第1附载体铜箔的载体剥离后，去除极薄铜层，而使被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
[41]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔或[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔的步骤；其中该[1]～[20]中任一项所述的表面处理铜箔在形成有表面处理层的侧的表面形成有电路，该[21]～[23]中任一项所述的附载体铜箔在极薄铜层侧表面形成有电路；
以覆盖该电路的方式将树脂层形成在该表面处理铜箔表面或该附载体铜箔表面的步骤；
将金属箔积层在该树脂层的步骤；或将附载体金属箔自极薄金属层侧积层在该树脂层的步骤；
当积层在该树脂层的箔为该附载体金属箔的情形时，将该附载体金属箔的载体剥除的步骤；
使用该树脂层上的金属箔或该附载体金属箔经剥除载体后残留的极薄金属层，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法将电路形成在该树脂层上的步骤；
在将电路形成在该树脂层上之后，通过去除该表面处理铜箔，或通过在将该附载体铜箔的载体剥离后，去除极薄铜层，而使被该树脂层覆盖的电路露出的步骤。
[42]
一种树脂基材，其表面的面粗糙度Sz为1～5μm。
[43]
根据[42]所述的树脂基材，表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5。
[44]
根据[42]或[43]所述的树脂基材，表面的黑色面积率为10～50％，且表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
[45]
一种树脂基材，表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5。
[46]
一种树脂基材，表面的黑色面积率为10～50％，且表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
[47]
根据[45]所述的树脂基材，表面的黑色面积率为10～50％，且表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
[48]
根据[42]～[47]中任一项所述的树脂基材，是用于半加成法。
[49]
一种印刷配线板，是使用[42]～[48]中任一项所述的树脂基材制得。
[50]
一种覆铜积层板，是使用[42]～[48]中任一项所述的树脂基材制得。
[51]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备表面处理铜箔与树脂基材的步骤；
将该表面处理铜箔自表面处理层侧积层在树脂基材的步骤；
将该树脂基材上的表面处理铜箔去除而得到[42]～[48]中任一项所述的树脂基材的步骤；
将电路形成在经去除该表面处理铜箔的树脂基材的表面的步骤。
[52]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备依序积层有载体、中间层、极薄铜层而构成的附载体铜箔与树脂基材的步骤；
将该附载体铜箔自极薄铜层侧积层在树脂基材的步骤；
在将该附载体铜箔与树脂基材积层后，剥除该附载体铜箔的载体的步骤；
将经剥除该载体后的树脂基材上的极薄铜层去除而得到[42]～[48]中任一项所述的树脂基材的步骤；
将电路形成在经去除该极薄铜层的树脂基材的表面的步骤。
[53]
一种印刷配线板的制造方法，包含以下的步骤：
将表面处理铜箔自表面处理层侧积层在[42]～[47]中任一项所述的树脂基材，形成覆铜积层板，然后通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成电路。
[54]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
将依序积层有载体、中间层、极薄铜层而构成的附载体铜箔自极薄铜层侧积层在[42]～[47]中任一项所述的树脂基材的步骤；
将该附载体铜箔与树脂基材积层后，经过将该附载体铜箔的载体剥除的步骤而形成覆铜积层板，然后通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成电路的步骤。
[55]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备在表面形成有电路的金属箔的步骤；
以覆盖该电路的方式将树脂基材形成在该金属箔表面的步骤；
将表面处理铜箔自表面处理层侧积层在该树脂基材的步骤；
将该树脂基材上的表面处理铜箔去除而得到[42]～[48]中任一项所述的树脂基材的步骤；
将电路形成在经去除该表面处理铜箔的树脂基材的表面的步骤；及
通过去除该金属箔，而使形成在该金属箔表面被该树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
[56]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
将电路形成在依序积层有载体、中间层、极薄铜层而构成的第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的步骤；
以覆盖该电路的方式将树脂基材形成在该第1附载体铜箔的该极薄铜层侧表面的步骤；
准备依序积层有载体、中间层、极薄铜层而构成的第2附载体铜箔，自该第2附载体铜箔的极薄铜层侧积层在该树脂基材的步骤；
在将该第2附载体铜箔积层在该树脂基材后，将该第2附载体铜箔的载体剥除的步骤；
将经剥除该第2附载体铜箔的载体后的树脂基材上的极薄铜层去除而得到[42]～[48]中任一项所述的树脂基材的步骤；
将电路形成在经去除该极薄铜层的树脂基材的表面的步骤；
将电路形成在该树脂基材上之后，将该第1附载体铜箔的载体剥离的步骤；及
在将该第1附载体铜箔的载体剥离后，去除该第1附载体铜箔的极薄铜层，由此使形成在该第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面被该树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
[57]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备在表面形成有电路的金属箔的步骤；
以覆盖该电路的方式将[42]～[47]中任一项所述的树脂基材形成在该金属箔表面的步骤；
将表面处理铜箔自表面处理层侧积层在该树脂基材，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法将电路形成在该树脂层上的步骤；及
通过去除该金属箔，而使形成在该金属箔表面被该树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
[58]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
将电路形成在依序积层有载体、中间层、极薄铜层而构成的第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的步骤；
以覆盖该电路的方式将[42]～[47]中任一项所述的树脂基材形成在该第1附载体铜箔的该极薄铜层侧表面的步骤；
准备依序积层有载体、中间层、极薄铜层而构成的第2附载体铜箔，自该第2附载体铜箔的极薄铜层侧积层在该树脂基材，剥除该第2附载体铜箔的载体，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法将电路形成在该树脂基材上的步骤；
在将电路形成在该树脂基材上之后，将该第1附载体铜箔的载体剥离的步骤；及
通过在将该第1附载体铜箔的载体剥离后，去除该第1附载体铜箔的极薄铜层，而使形成在该第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面被该树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
[59]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备在表面形成有电路的金属箔的步骤；
以覆盖该电路的方式将树脂基材形成在该金属箔表面的步骤；
将依序具备有载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔自极薄铜层侧表面积层在该树脂基材的步骤；
将该附载体铜箔的载体剥离后，去除该树脂基材上的极薄铜层而得到[42]～[48]中任一项所述的树脂基材的步骤；
将电路形成在经去除该极薄铜层的树脂基材的表面的步骤；及
通过去除该金属箔，而使形成在该金属箔表面被该树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
[60]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
将电路形成在依序具备有载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔的极薄铜层侧表面的步骤；
以覆盖该电路的方式将树脂基材形成在该附载体铜箔的该极薄铜层侧表面的步骤；
将表面处理铜箔自表面处理层侧积层在该树脂基材的步骤；
将该树脂基材上的表面处理铜箔去除而得到[42]～[48]中任一项所述的树脂基材的步骤；
将电路形成在经去除该表面处理铜箔的树脂基材的表面的步骤；
将电路形成在该树脂基材上之后，将该附载体铜箔的载体剥离的步骤；及
通过在将该附载体铜箔的载体剥离后，去除该附载体铜箔的极薄铜层，而使形成在该附载体铜箔的极薄铜层侧表面被该树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
[61]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
准备在表面形成有电路的金属箔的步骤；
以覆盖该电路的方式将[42]～[48]中任一项所述的树脂基材形成在该金属箔表面的步骤；
将电路形成在该树脂基材上的步骤；及
通过去除该金属箔，而使形成在该金属箔表面被该树脂基材覆盖的电路露出的步骤。
[62]
一种印刷配线板的制造方法，包含下述步骤：
将电路形成在依序具备有载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔的极薄铜层侧表面的步骤；
以覆盖该电路的方式将[42]～[48]中任一项所述的树脂基材形成在该附载体铜箔的该极薄铜层侧表面的步骤；
将电路形成在该树脂基材上的步骤；
将电路形成在该树脂基材上之后，将该附载体铜箔的载体剥离的步骤；及
通过在将该附载体铜箔的载体剥离后，去除该附载体铜箔的极薄铜层，而使形成在该附载体铜箔的极薄铜层侧表面被该树脂基材覆盖的电路露出的步骤。

Claims (9)

1.一种表面处理铜箔，在铜箔上形成有表面处理层，该表面处理铜箔满足以下的任一项或二项或三项或四项或五项，
˙该表面处理层表面的面粗糙度Sz为2～6μm，
˙该表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.05～1.8，
˙从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm，
从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，
˙从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
2.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其满足以下的任一项或二项或三项或四项或五项，
˙在从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为3μm以下，
˙在从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的黑色面积率为45％以下，
˙在从表面处理层侧将表面处理铜箔贴合在树脂基材，然后将该表面处理铜箔去除时，该树脂基材的该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.7μm以下，
˙该表面处理层表面的面粗糙度Sz为3.23μm以下，
˙该表面处理层表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.2401以下。
3.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，该表面处理层为选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层组成之群中的1种以上的层。
4.根据权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，在该表面处理层上具备树脂层。
5.根据权利要求3所述的表面处理铜箔，其中，在该表面处理层上具备树脂层。
6.一种基材，是将权利要求1至5中任一项所述的表面处理铜箔自表面处理层侧贴合在基材，然后将该表面处理铜箔去除而得，该基材满足以下的任一项或二项或三项，
˙该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm，
˙该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，
˙该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
7.一种附载体铜箔，依序具备有载体、中间层及极薄铜层，该极薄铜层为权利要求第1至5中任一项所述的表面处理铜箔。
8.一种基材，是将权利要求7所述的附载体铜箔自极薄铜层侧贴合在基材，将该载体自该附载体铜箔去除后，将该极薄铜层去除而得，其中该极薄铜层为该表面处理铜箔，该基材满足以下的任一项或二项或三项，
˙该铜箔去除侧表面的面粗糙度Sz为1～5μm，
˙该铜箔去除侧表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，
˙该铜箔去除侧表面的黑色面积率为10～50％，且该铜箔去除侧表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
9.一种树脂基材，满足以下的任一项或二项或三项，
˙表面的面粗糙度Sz为1～5μm，
˙表面的三维表面积B与二维表面积A的比B/A为1.01～1.5，
˙表面的黑色面积率为10～50％，且表面的孔的直径平均值为0.03～1.0μm。
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