TWI645755B - Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed wiring board, copper-clad laminate, and printed wiring board manufacturing method - Google Patents

Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed wiring board, copper-clad laminate, and printed wiring board manufacturing method Download PDF

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Abstract

提供一種可在去除銅箔後賦予基材面之輪廓形狀的表面處理銅箔，該輪廓形狀可維持微細配線形成性，且實現無電鍍銅被膜之良好密合力。又，提供一種具備表面之輪廓形狀的樹脂基材，該輪廓形狀可維持微細配線形成性，且實現無電鍍銅被膜之良好密合力。本發明之表面處理銅箔，係在銅箔上形成有表面處理層之表面處理銅箔，表面處理層表面之粒子相當面積比為0.1~0.85。

Description

表面處理銅箔、附載體銅箔、基材、樹脂基材、印刷配線板、覆銅積層板及印刷配線板之製造方法
本發明係關於一種表面處理銅箔、附載體銅箔、基材、樹脂基材、印刷配線板、覆銅積層板及印刷配線板之製造方法。
半導體封裝基板及印刷配線基板之電路形成法，係以減成法(subtractive process)為主流。然而，近年來，隨著半導體之高積集化，使用於半導體之半導體封裝基板、印刷配線基板之電路微細化亦不斷發展，以減成法形成微細電路越趨困難。
作為對應進一步之微細配線化，下述電路形成法(1)~(3)受到矚目：(1)以極薄銅箔作為供電層實施圖案銅鍍敷，最後藉由快速蝕刻(flash etching)將極薄銅層去除，形成配線；(2)於眞空壓機等使預浸體或增層膜(buildup film)硬化，對其表面進行粗面化，將適當之凹凸形成在基材面，藉此形成具可靠性之微細配線；(3)將銅箔表面輪廓(profile)轉印於基材表面，將適當之凹凸形成在基材表面，藉此形成具可靠性之微細配線。此等之方法，一般稱為SAP法(半加成法(semi-additive process))。
使用銅箔表面之輪廓的SAP法，例如專利文獻1之記載。作為使用此種銅箔表面輪廓的典型SAP法之例，如下述。亦即，對積層在樹脂之銅箔整面進行蝕刻，對蝕刻基材面進行開孔，對開孔部及基材整面 或一部分實施去膠渣處理(desmear treatment)，將乾膜貼附在開孔部之蝕刻面，對不形成電路之部分的乾膜進行曝光、顯影，用化學液將不需乾膜之部分去除，對轉印有未被覆乾膜之銅箔表面輪廓的蝕刻基材面實施無電鍍銅、電鍍銅，最後藉由快速蝕刻將無電鍍銅層去除，形成微細配線。
專利文獻1：日本特開2006-196863號公報
為了形成微細配線，較佳為基材表面之輪廓小，呈平滑，但此情形時，無電鍍銅被膜之密合力會變弱，而有損及半導體封裝基板或印刷配線板所要求之可靠性之虞。另一方面，為了確保無電鍍銅被膜之密合力，較佳為基材表面之輪廓大，但此情形時，有損及微細配線形成性之虞。
關於此等之點，於先前技術並未被充分研究，而尚有改善之餘地。因此，本發明之課題在於提供一種可在去除銅箔後賦予基材面之輪廓形狀的表面處理銅箔，及/或具備表面之輪廓形狀的樹脂基材，該輪廓形狀可維持微細配線形成性，且實現無電鍍銅被膜之良好密合力。
為了達成上述目的，本發明人等經反覆潛心研究後，發現：使用表面處理層表面之粒子所佔的面積比被控制在既定範圍的表面處理銅箔，將該表面處理銅箔貼合在形成電路之基材上後，加以去除，藉此可在去除銅箔後賦予基材面之輪廓形狀，該輪廓形狀可維持微細配線形成性，且實現無電鍍銅被膜之良好密合力。又，發現：將樹脂基材表面之凹凸形態數值化，使用該數值範圍受到控制之樹脂基材，藉此當將電路形成在樹脂基材表面時，可維持微細配線形成性，且實現無電鍍銅被膜之良好密合力。
本發明係以上述見解作為基礎而完成者，於一態樣中，為一種在銅箔上形成有表面處理層之表面處理銅箔，該表面處理層表面之粒子相當面積比為0.1~0.85。
本發明於另一態樣中，為一種在銅箔上形成有表面處理層之表面處理銅箔，該表面處理層表面之粒子相當面積比為0.1~0.7。
本發明於再另一態樣中，為一種在銅箔上形成有表面處理層之表面處理銅箔，該表面處理層表面之粒子的平均徑為0.03~0.28μm。
本發明於再另一態樣中，為一種在銅箔上形成有表面處理層之表面處理銅箔，該表面處理層表面之粒子的平均徑為0.05~0.28μm。
本發明於再另一態樣中，為一種在銅箔上形成有表面處理層之表面處理銅箔，該表面處理層表面之粒子的個數密度為3.8~430個/μm2。
本發明於再另一態樣中，為一種在銅箔上形成有表面處理層之表面處理銅箔，該表面處理層表面之粒子的個數密度為3.8~16.0個/μm2。
本發明於再另一態樣中，為一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部平均為0.07~0.23μm。
本發明於再另一態樣中，為一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部平均為0.14~0.23μm。
本發明於再另一態樣中，為一種表面處理銅箔，於將表面處 理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的最大白部為0.704~0.88μm。
本發明於再另一態樣中，為一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部自較大者起10點之平均為0.15~0.457μm。
本發明於再另一態樣中，為一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部自較大者起10點之平均為0.20~0.457μm。
本發明於再另一態樣中，為一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部平均為0.035~0.20μm。
本發明於再另一態樣中，為一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部平均為0.05~0.20μm。
本發明於再另一態樣中，為一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部平均為0.07~0.20μm。
本發明於再另一態樣中，為一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的最大黑部為0.180~0.605μm。
本發明於再另一態樣中，為一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的最大黑部為0.355~0.605μm。
本發明於再另一態樣中，為一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部自較大者起10點之平均為0.06~0.335μm。
本發明於再另一態樣中，為一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部自較大者起10點之平均為0.13~0.335μm。
本發明之表面處理銅箔於一實施形態中，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部比例為55~68%。
本發明之表面處理銅箔於一實施形態中，滿足下述(A)~(I)中之至少一者以上：(A)該表面處理層表面之粒子相當面積比為0.1~0.85，(B)該表面處理層表面之粒子的平均徑為0.03~0.28μm，(C)該表面處理層表面之粒子的個數密度為3.8~430個/μm2，(D)於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部平均為0.07~0.23μm， (E)於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的最大白部為0.704~0.88μm，(F)於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部自較大者起10點之平均為0.15~0.457μm，(G)於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部平均為0.035~0.20μm，(H)於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的最大黑部為0.180~0.605μm，(I)於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部自較大者起10點之平均為0.06~0.335μm。
本發明之表面處理銅箔於另一實施形態中，該表面處理層為粗化處理層。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該粗化處理層係由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅構成之群中任一單質或含有此等單質任1種以上之合金構成之層。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，在該粗化處理層之表面，具有選自由耐熱層、防鏽層、鉻酸處理(chromate treatment)層 及矽烷偶合處理層構成之群中1種以上之層。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該表面處理層為選自由粗化處理層、耐熱層、防鏽層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層構成之群中1種以上之層。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，該表面處理層上具備樹脂層。
本發明於再另一態樣中，為一種依序具備有載體、中間層及極薄銅層之附載體銅箔，該極薄銅層為本發明之表面處理銅箔。
本發明之附載體銅箔於一實施形態中，在該載體之兩面具備有該極薄銅層。
本發明之附載體銅箔於另一實施形態中，在該載體之與該極薄銅層相反側具備粗化處理層。
本發明於再另一態樣中，為一種基材，係將本發明之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或者係將本發明之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面之白部平均為0.16~0.25μm。
本發明於再另一態樣中，為一種基材，係將本發明之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或者係將本發明之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面之最大白部為0.785~0.98μm。
本發明於再另一態樣中，為一種基材，係將本發明之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或 者係將本發明之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面的白部自較大者起10點之平均為0.32~0.505μm。
本發明於再另一態樣中，為一種基材，係將本發明之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或者係將本發明之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面之黑部平均為0.08~0.22μm。
本發明於再另一態樣中，為一種基材，係將本發明之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或者係將本發明之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面之最大黑部為0.4~0.675μm。
本發明於再另一態樣中，為一種基材，係將本發明之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或者係將本發明之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面的黑部自較大者起10點之平均為0.15~0.37μm。
本發明於再另一態樣中，為一種基材，係將本發明之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或者係將本發明之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面之白部比例為55~68%。
本發明於再另一態樣中，為一種覆銅積層板，係使用本發明之表面處理銅箔或本發明之附載體銅箔製得。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板，係使用本發明之表面處理銅箔或本發明之附載體銅箔製得。
本發明於再另一態樣中，為一種電子機器，其使用有本發明之印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備本發明之表面處理銅箔與絕緣基板的步驟；將該表面處理銅箔自表面處理層側積層在絕緣基板的步驟；將該絕緣基板上之表面處理銅箔去除的步驟；將電路形成在經去除該表面處理銅箔之絕緣基板之表面的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔自極薄銅層側積層在絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將經剝除該載體後之絕緣基板上之極薄銅層去除的步驟；將電路形成在經去除該極薄銅層之絕緣基板之表面的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備本發明之表面處理銅箔與絕緣基板的步驟；將該表面處理銅箔自表面處理層側積層在絕緣基板形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、減成法、部分加成法(partly additive process)或改良 半加成法(modified semi-additive process)中之任一方法形成電路的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔自極薄銅層側積層在絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將該附載體銅箔之載體剝除的步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法，減成法，部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備本發明之表面處理銅箔或本發明之附載體銅箔的步驟，其中該本發明之表面處理銅箔在形成有表面處理層之側的表面形成有電路，該本發明之附載體銅箔在極薄銅層側表面形成有電路；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該表面處理銅箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將電路形成在該樹脂層之表面的步驟；及藉由去除該表面處理銅箔或該附載體銅箔，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備在表面形成有電路的金屬箔，或第1表面處理銅箔，或在極薄金屬側表面形成有電路的附載體金屬箔，或第1附載體銅箔的步驟，其中該 第1表面處理銅箔為在形成有表面處理層之側之表面形成有電路的本發明之表面處理銅箔，該第1附載體銅箔為在極薄銅層側表面形成有電路的本發明之附載體銅箔；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該金屬箔表面或該表面處理銅箔表面或該附載體金屬箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將第2表面處理銅箔自表面處理層側積層在該樹脂層的步驟；或將第2附載體銅箔自極薄銅層側積層在該樹脂層的步驟，其中該第2表面處理銅箔為本發明之表面處理銅箔，該第2附載體銅箔為本發明之附載體銅箔；當積層在該樹脂層之箔為該第2附載體銅箔的情形時，將該第2附載體銅箔之載體剝除的步驟；將該樹脂層上之表面處理銅箔，或該第2附載體銅箔經剝除載體後殘留之極薄銅層去除的步驟；將電路形成在經去除該表面處理銅箔之樹脂層之表面，或經去除極薄銅層之樹脂層之表面的步驟；及於將電路形成在該樹脂層上之後，藉由去除該金屬箔，或藉由去除該第1表面處理銅箔，或藉由在將該附載體金屬箔之載體剝離後，去除極薄金屬層，或藉由在將該第1附載體銅箔之載體剝離後，去除極薄銅層，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備本發明之表面處理銅箔或本發明之附載體銅箔的步驟，其中該本發明之表面處理銅箔在形成有表面處理層之側的表面形成有電路，該本發 明之附載體銅箔在極薄銅層側表面形成有電路；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該表面處理銅箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將金屬箔積層在該樹脂層的步驟；或將附載體金屬箔自極薄金屬層側積層在該樹脂層的步驟；當積層在該樹脂層之箔為該附載體金屬箔的情形時，將該附載體金屬箔之載體剝除的步驟；將該樹脂層上之金屬箔，或該附載體金屬箔經剝除載體後殘留之極薄金屬層去除的步驟；將電路形成在經去除該金屬箔之樹脂層之表面，或經去除極薄銅層之樹脂層之表面的步驟；及於將電路形成在該樹脂層上之後，藉由去除該表面處理銅箔，或藉由在將該附載體銅箔之載體剝離後，去除極薄銅層，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備在表面形成有電路的金屬箔，或第1表面處理銅箔，或在極薄金屬側表面形成有電路的附載體金屬箔，或第1附載體銅箔的步驟，其中該第1表面處理銅箔為在形成有表面處理層之側之表面形成有電路的本發明之表面處理銅箔，該第1附載體銅箔為在極薄銅層側表面形成有電路的本發明之附載體銅箔；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該金屬箔表面或該表面處理銅箔 表面或該附載體金屬箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將第2表面處理銅箔自表面處理層側積層在該樹脂層的步驟；或將第2附載體銅箔自極薄銅層側積層在該樹脂層的步驟，其中該第2表面處理銅箔為本發明之表面處理銅箔，該第2附載體銅箔為本發明之附載體銅箔；當積層在該樹脂層之箔為該第2附載體銅箔的情形時，將該第2附載體銅箔之載體剝除的步驟；使用該樹脂層上之表面處理銅箔或該第2附載體銅箔經剝除載體後殘留之極薄銅層，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法將電路形成在該樹脂層上的步驟；於將電路形成在該樹脂層上之後，藉由去除該金屬箔，或藉由去除該第1表面處理銅箔，或藉由在將該附載體金屬箔之載體剝離後，去除極薄金屬層，或藉由在將該第1附載體銅箔之載體剝離後，去除極薄銅層，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備本發明之表面處理銅箔或本發明之附載體銅箔的步驟，其中該本發明之表面處理銅箔在形成有表面處理層之側的表面形成有電路，該本發明之附載體銅箔在極薄銅層側表面形成有電路；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該表面處理銅箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將金屬箔積層在該樹脂層的步驟；或將附載體金屬箔自極薄金屬層側積層在該樹脂層的步驟； 當積層在該樹脂層之箔為該附載體金屬箔的情形時，將該附載體金屬箔之載體剝除的步驟；使用該樹脂層上之金屬箔或該附載體金屬箔經剝除載體後殘留之極薄金屬層，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法將電路形成在該樹脂層上的步驟；於將電路形成在該樹脂層上之後，藉由去除該表面處理銅箔，或藉由在將該附載體銅箔之載體剝離後，去除極薄銅層，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種樹脂基材，表面之白部平均為0.07~0.23μm。
本發明之樹脂基材於一實施形態中，表面之最大白部為0.704~0.88μm。
本發明之樹脂基材於另一實施形態中，表面的白部自較大者起10點之平均為0.15~0.457μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面之黑部平均為0.035~0.20μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面之最大黑部為0.180~0.605μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面的黑部自較大者起10點之平均為0.06~0.335μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面之白部比例為55~68%。
本發明於再另一態樣中，為一種樹脂基材，表面之最大白部為0.704~0.88μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面的白部自較大者起10點之平均為0.15~0.457μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面之黑部平均為0.035~0.20μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面之最大黑部為0.180~0.605μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面的黑部自較大者起10點之平均為0.06~0.335μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面之白部比例為55~68%。
本發明於再另一態樣中，為一種樹脂基材，表面的白部自較大者起10點之平均為0.15~0.457μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面之黑部平均為0.035~0.20μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面之最大黑部為0.180~0.605μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面的黑部自較大者起10點之平均為0.06~0.335μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面之白部比例為55~68%。
本發明於再另一態樣中，為一種樹脂基材，表面之黑部平均為0.035~0.20μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面之最大黑部為0.180~0.605μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面的黑部自較大者起10點之平均為0.06~0.335μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面之白部比例為55~68%。
本發明於再另一態樣中，為一種樹脂基材，表面之最大黑部為0.180~0.605μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面的黑部自較大者起10點之平均為0.06~0.335μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面之白部比例為55~68%。
本發明於再另一態樣中，為一種樹脂基材，表面的黑部自較大者起10點之平均為0.06~0.335μm。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，表面之白部比例為55~68%。
本發明於再另一態樣中，為一種樹脂基材，表面之白部比例為55~68%。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，滿足下述(A)~(G)中之至少一者以上： (A)表面之白部平均為0.07~0.23μm，(B)表面之最大白部為0.704~0.88μm，(C)表面的白部自較大者起10點之平均為0.15~0.457μm，(D)表面之黑部平均為0.035~0.20μm，(E)表面之最大黑部為0.180~0.605μm，(F)表面的黑部自較大者起10點之平均為0.06~0.335μm，(G)表面之白部比例為55~68%。
本發明之樹脂基材於再另一實施形態中，係用於半加成法。
本發明於再另一態樣中，為一種覆銅積層板，係使用本發明之樹脂基材製得。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板，係使用本發明之樹脂基材製得。
本發明於再另一態樣中，為一種電子機器，其使用有本發明之印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備表面處理銅箔與樹脂基材的步驟；將該表面處理銅箔自表面處理層側積層在樹脂基材的步驟；將該樹脂基材上之表面處理銅箔去除而得到本發明之樹脂基材的步驟；將電路形成在經去除該表面處理銅箔之樹脂基材之表面的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包 含下述步驟：準備依序積層有載體、中間層、極薄銅層而構成之附載體銅箔與樹脂基材的步驟；將該附載體銅箔自極薄銅層側積層在樹脂基材的步驟；在將該附載體銅箔與樹脂基材積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將經剝除該載體後之樹脂基材上的極薄銅層去除而得到本發明之樹脂基材的步驟；將電路形成在經去除該極薄銅層之樹脂基材之表面的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含以下之步驟：將表面處理銅箔自表面處理層側積層在本發明之樹脂基材，形成覆銅積層板，然後藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路。本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：將依序積層有載體、中間層、極薄銅層而構成之附載體銅箔自極薄銅層側積層在本發明之樹脂基材的步驟；將該附載體銅箔與樹脂基材積層後，經過將該附載體銅箔之載體剝除的步驟而形成覆銅積層板，然後藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包 含下述步驟：準備在表面形成有電路之金屬箔的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂基材形成在該金屬箔表面的步驟；將表面處理銅箔自表面處理層側積層在該樹脂基材的步驟；將該樹脂基材上之表面處理銅箔去除而得到本發明之樹脂基材的步驟；將電路形成在經去除該表面處理銅箔之樹脂基材之表面的步驟；及藉由去除該金屬箔，而使形成在該金屬箔表面被該樹脂基材覆蓋之電路露出的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備在表面形成有電路之金屬箔的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂基材形成在該金屬箔表面的步驟；將依序具備有載體、中間層、極薄銅層之附載體銅箔自極薄銅層側表面積層在該樹脂基材的步驟；將該附載體銅箔之載體剝離後，去除該樹脂基材上之極薄銅層而得到本發明之樹脂基材的步驟；將電路形成在經去除該極薄銅層之樹脂基材之表面的步驟；及藉由去除該金屬箔，而使形成在該金屬箔表面被該樹脂基材覆蓋之電路露出的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟： 將電路形成在依序積層有載體、中間層、極薄銅層而構成之第1附載體銅箔之極薄銅層側表面的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂基材形成在該第1附載體銅箔之該極薄銅層側表面的步驟；準備依序積層有載體、中間層、極薄銅層而構成之第2附載體銅箔，自該第2附載體銅箔之極薄銅層側積層在該樹脂基材的步驟；在將該第2附載體銅箔積層在該樹脂基材後，將該第2附載體銅箔之載體剝除的步驟；將經剝除該第2附載體銅箔之載體後之樹脂基材上之極薄銅層去除而得到本發明之樹脂基材的步驟；將電路形成在經去除該極薄銅層之樹脂基材之表面的步驟；將電路形成在該樹脂基材上之後，將該第1附載體銅箔之載體剝離的步驟；及在將該第1附載體銅箔之載體剝離後，去除該第1附載體銅箔之極薄銅層，藉此使形成在該第1附載體銅箔之極薄銅層側表面被該樹脂基材覆蓋之電路露出的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：將電路形成在依序具備有載體、中間層、極薄銅層之附載體銅箔之極薄銅層側表面的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂基材形成在該附載體銅箔之該極薄銅層側表面的步驟； 將表面處理銅箔自表面處理層側積層在該樹脂基材的步驟；將該樹脂基材上之表面處理銅箔去除而得到本發明之樹脂基材的步驟；將電路形成在經去除該表面處理銅箔之樹脂基材之表面的步驟；將電路形成在該樹脂基材上之後，將該附載體銅箔之載體剝離的步驟；及藉由在將該附載體銅箔之載體剝離後，去除該附載體銅箔之極薄銅層，而使形成在該附載體銅箔之極薄銅層側表面被該樹脂基材覆蓋之電路露出的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備在表面形成有電路之金屬箔的步驟；以覆蓋該電路之方式將本發明之樹脂基材形成在該金屬箔表面的步驟；將電路形成在該樹脂基材上的步驟；及藉由去除該金屬箔，而使形成在該金屬箔表面被該樹脂基材覆蓋之電路露出的步驟。
本發明於再另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：將電路形成在依序積層有載體、中間層、極薄銅層而構成之附載體銅箔之極薄銅層側表面的步驟；以覆蓋該電路之方式將本發明之樹脂基材形成在該附載體銅箔之該極 薄銅層側表面的步驟；將電路形成在該樹脂基材上的步驟；將電路形成在該樹脂基材上之後，將該附載體銅箔之載體剝離的步驟；及藉由在將該附載體銅箔之載體剝離後，去除該附載體銅箔之極薄銅層，而使形成在該附載體銅箔之極薄銅層側表面被該樹脂基材覆蓋之電路露出的步驟。
根據本發明，可提供一種可在去除銅箔後賦予基材面之輪廓形狀的表面處理銅箔，及/或具備表面之輪廓形狀的樹脂基材，該輪廓形狀可維持微細配線形成性，且實現無電鍍銅被膜之良好密合力。
圖1：顯示用以說明樹脂基材表面之白部、黑部的示意圖。
圖2：顯示使用銅箔輪廓之半加成法的概略例。
圖3：顯示用以得到實施例及比較例數據之樣品製作流程。
圖4：(a)顯示實施例1之銅箔處理面的SEM像(×30000)。(b)顯示實施例1之樹脂基材面的SEM像(×30000)。
圖5：(c)顯示比較例1之銅箔處理面的SEM像(×30000)。(d)顯示比較例1之樹脂基材面的SEM像(×30000)。
圖6：(e)顯示實施例2之銅箔處理面的SEM像(×30000)。(f)顯示實施例2之樹脂基材面的SEM像(×30000)。
圖7：(g)顯示實施例3之銅箔處理面的SEM像(×30000)。(h)顯示 實施例3之樹脂基材面的SEM像(×30000)。
圖8(1)~(4)分別為在上述測量中，用於白部、黑部評價之使用Photo Shop 7.0軟體所得的實施例1、比較例1、實施例2、實施例3影像。
〔樹脂基材〕
本發明之樹脂基材，若為可形成後述之表面形態者，則無特別限制，例如，可用三菱氣體化學公司製預浸體(GHPL-830MBT等)、日立化成工業公司製預浸體(679-FG等)、住友電木公司製預浸體(EI-6785TS-F等)形成。於本發明中，係準備三菱氣體化學公司製預浸體GHPL-830MBT。積層加壓之溫度、壓力、時間，使用基材廠商之建議條件。
本發明之樹脂基材的厚度，並無特別限制，例如可為750~850μm、100~200μm、30~100μm，典型上為30~200μm(兩面板之情形)。
〔樹脂基材表面之白部平均、黑部平均〕
本發明之樹脂基材，表面之白部平均為0.07~0.23μm。又，本發明之樹脂基材較佳為表面之黑部平均為0.035~0.20μm。
此處，圖1顯示用以說明樹脂基材表面之該白部、後述之黑部的示意圖。圖1係得到樹脂基材表面之SEM像(30k倍)，然後對該SEM像使用Photo Shop 7.0軟體，施以白色、黑色影像處理而得之圖。另，黑部(黑色區域)表示測量表面為凹狀，而白部(白色區域)則表示測量表面為凸狀。接著，如圖1所示，於縱橫劃4條線(A~D線)使之各別成三等分，測量各線通過上述白部(白色區域)之總長，計算該等A~D線之合計 而求出白部之長度。對測量對象之樹脂基材表面的3視野進行上述操作，使其平均為白部平均(μm)。又，劃4條線(A~D線)，測量各線通過上述黑部(黑色區域)之總長，計算該等A~D線之合計而求出黑部之長度。對測量對象之樹脂基材表面的3視野進行上述操作，使其平均為黑部平均(μm)。
若上述白部平均未達0.07μm，則定準效應弱，於被膜之密合性會不良。另一方面，若白部平均超過0.23μm，則基材表面之凹凸會變得過小，與被膜之密合性會變得不良。上述白部平均較佳為0.09~0.23μm，更佳為0.12~0.23μm，再更佳為0.14~0.23μm，再進而更佳為0.15~0.225μm、0.16~0.220μm。
若上述黑部平均未達0.035μm，則用以在基材表面形成被膜之鍍敷液會難以滲入，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若上述黑部平均超過0.20μm，則定準效應弱，與被膜之密合性會變得不良。上述黑部平均較佳為0.05~0.20μm，更佳為0.07~0.20μm。
〔樹脂基材表面之最大白部、最大黑部〕
本發明之樹脂基材較佳為表面之最大白部為0.704~0.88μm。又，本發明之樹脂基材較佳為表面之最大黑部為0.180~0.605μm。此處，最大白部係表示總括圖1所示之4條線(A~D線)所測得之白部的最大長度(鄰接之黑部與黑部之間的距離之中，最大者)。又，最大黑部係表示總括圖1所示之4條線(A~D線)所測得之黑部的最大長度(鄰接之白部與白部之間的距離之中，最大者)。
若上述最大白部未達0.704μm，則定準效應弱，與被膜之 密合性會變得不良。另一方面，若最大白部超過0.88μm，則基材表面之凹凸會變得過小，與被膜之密合性會變得不良。上述最大白部較佳為0.710~0.86μm，更佳為0.715~0.84μm，再更佳為0.715~0.82μm，再進而更佳為0.715~0.80μm。
若上述最大黑部未達0.180μm，則用以在基材表面形成被膜之鍍敷液會難以滲入，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若上述最大黑部超過0.605μm，則定準效應弱，與被膜之密合性會變得不良。上述最大黑部較佳為240~0.605μm，更佳為0.355~0.605μm，再更佳為0.400~0.590μm，再進而更佳為0.420~0.580μm。
〔樹脂基材表面的白部自較大者起10點之平均、黑部自較大者起10點之平均〕
本發明之樹脂基材較佳為表面的白部自較大者起10點之平均為0.15~0.457μm。又，本發明之樹脂基材較佳為樹脂基材表面的黑部自較大者起10點之平均為0.06~0.335μm。此處，白部自較大者起10點之平均，係以上述最大白部作為最長距離者，再加上第二長距離之白部及第三長距離之白部依序至第10長距離之白部，然後取平均而得。又，黑部自較大者起10點之平均，係以上述最大黑部作為最長距離者，再加上第二長距離之黑部及第三長距離之黑部依序至第10長距離之黑部，然後取平均而得。
若上述白部自較大者起10點之平均未達0.15μm，則定準效應弱，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若白部自較大者起10點之平均超過0.457μm，則基材表面之凹凸會變得過小，與被膜之密合性會變得不良。上述白部自較大者起10點之平均較佳為0.18~0.457μm，更佳 為0.20~0.457μm，再更佳為0.20~0.45μm，再進而更佳為0.22~0.45μm，再進而進一步更佳為0.30~0.45μm，再進而再進一步更佳為0.40~0.45μm。
若上述黑部自較大者起10點之平均未達0.06μm，則用以在基材表面形成被膜之鍍敷液會難以滲入，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若上述黑部自較大者起10點之平均超過0.335μm，則定準效應弱，與被膜之密合性會變得不良。上述黑部自較大者起10點之平均較佳為0.13~0.335μm。
〔樹脂基材表面之白部比例〕
本發明之樹脂基材較佳為表面之白部比例為55~68%。此處，白部比例係表示白部相對於上述白部與黑部之合計的比例。若白部比例未達55%，則定準效應弱，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若白部比例超過68%，則基材表面之凹凸會變得過小，與被膜之密合性會變得不良。上述白部比例較佳為55~67%，更佳為55~66%，再更佳為55~65%，再進而更佳為55~64%。
〔樹脂基材之表面輪廓的形成方法〕
本發明之樹脂基材表面的輪廓形狀，可於將表面處理銅箔積層在樹脂基材後，以整面蝕刻等將該表面處理銅箔去除，藉此來形成。又，本發明之樹脂基材表面的輪廓形狀，可用既定之化學液對樹脂基材表面進行處理，藉此來形成。
作為使用表面處理銅箔之本發明之樹脂基材表面輪廓的形成方法，首先，準備形成在銅箔表面之粒子相對於銅箔表面的面積比(粒子相當面積比)被控制為0.1~0.85的表面處理銅箔。接著，自該表面處理 銅箔之表面處理層側貼合在樹脂基材，以整面蝕刻等將表面處理銅箔去除。藉此，形成表面處理銅箔去除後之樹脂基材的上述表面輪廓。
又，亦可使用表面處理層表面之粒子的平均徑被控制為0.03~0.28μm的表面處理銅箔，亦可使用表面處理層表面之粒子的個數密度被控制為3.8~430個/μm2的表面處理銅箔。
作為藉由使用化學液之處理所進行之本發明之樹脂基材的白部及/或黑部受到控制之表面輪廓形成方法，可用下述浸漬處理條件A或B對樹脂基材進行去膠渣處理，然後進行中和處理，藉此來形成。
(去膠渣處理條件A)
‧去膠渣處理液：40g/L KMnO4，20g/L NaOH
‧處理溫度：室溫
‧浸漬時間：20分
‧攪拌子旋轉數：300rpm
(去膠渣處理條件B)
‧去膠渣處理液：90g/L KMnO4，5g/L HCl
‧處理溫度：49℃
‧浸漬時間：20分
‧攪拌子旋轉數：300rpm
(中和處理條件)
‧中和處理液：L-抗壞血酸80g/L
‧處理溫度：室溫
‧浸漬時間：3分
‧無攪拌
另，只要未特別載明，使用於本發明之去膠渣處理、電解、表面處理或鍍敷等所使用之處理液的剩餘部分為水。
又，於上述浸漬處理之外，用下述處理條件對樹脂基材表面進行淋式處理(shower treatment)A、B及中和處理，亦同樣地可形成樹脂基材的白部及/或黑部受到控制之表面輪廓。
(淋式處理條件A)
‧去膠渣處理液：40g/L KMnO4，20g/L NaOH
‧處理溫度：室溫
‧處理時間：15分
‧澆淋壓力：0.4MPa
(淋式處理條件B)
‧去膠渣處理液：90g/L KMnO4，5g/L HCl
‧處理溫度：49℃
‧處理時間：20分
‧澆淋壓力：0.4MPa
(中和處理條件)
‧中和處理液：L-抗壞血酸80g/L
‧處理溫度：室溫
‧浸漬時間：3分
‧無攪拌
〔表面處理銅箔〕
本發明之表面處理銅箔，可用以形成上述樹脂基材之表面輪廓。說明用以形成上述樹脂基材之表面輪廓的粒子相當面積比、粒子平均徑、粒子個數密度受到控制的表面處理銅箔。於該銅箔使用之銅箔，可為電解銅箔或壓延銅箔任一者。本發明所使用之銅箔的厚度並無特別限定之必要，例如在1μm以上，2μm以上，3μm以上，5μm以上，例如在3000μm以下，1500μm以下，800μm以下，300μm以下，150μm以下，100μm以下，70μm以下，50μm以下，40μm以下。
於本發明使用之壓延銅箔，亦包含含有Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V、B、Co等元素一種以上之銅合金箔。若上述元素之濃度變高(例如合計在10質量%以上)，則會有導電率降低之情形。壓延銅箔之導電率較佳在50%IACS以上，更佳在60%IACS以上，再更佳在80%IACS以上。又，壓延銅箔亦包含使用精銅(JIS H3100 C1100)或無氧銅(JIS H3100 C1020)製造之銅箔。另，於本說明書中，單獨使用「銅箔」此用語時，亦包含銅合金箔。
又，可使用於本發明之電解銅箔，可用下述製造條件來製作。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑(leveling agent)1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物可使用下述化學式之胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2係選自由羥烷基、醚基、芳基、經芳香族取代之烷基、不飽和烴基、烷基構成之一群中者。)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
於本發明中，形成在銅箔上之表面處理層亦可為粗化處理層。粗化處理通常係指對銅箔其與樹脂基板接合之面亦即表面處理側之表面，為了提升積層後銅箔之剝離強度，而在脫脂後之銅箔的表面形成瘤狀之電沈積的處理。粗化處理層係藉由在形成一次粒子層後，進一步形成二次粒子層而構成。
上述一次粒子層及二次粒子層係由電鍍層形成。此二次粒子之特徴，係成長在前述一次粒子上之1或複數個樹枝狀粒子。或成長在前 述一次粒子上之正常鍍敷。亦即，於本說明書當使用「二次粒子層」此用語之情形時，亦包含被覆鍍敷等正常鍍敷層。又，二次粒子層可為具有一層以上由粗化粒子形成之層的層，或具有一層以上之正常鍍敷層的層，或各別具有一層以上由粗化粒子形成之層與正常鍍敷層的層。
一次粒子層亦可含有銅。又，二次粒子層亦可含有選自由鎳及鈷構成之群中的一種以上且含有銅。又，二次粒子層亦可含有銅、鈷及鎳，亦可含有由銅、鈷及鎳構成之合金。於一次粒子層及二次粒子層含有銅之情形，當形成電路時，由於可藉由蝕刻輕易去除一次粒子層，故具有於生產印刷配線板時提升生產性之優點。又，於二次粒子層含有鈷或鎳之情形，具有加熱後之樹脂與銅箔的剝離強度不易劣化的優點。
(用以形成一次粒子之鍍敷條件)
若舉一次粒子之鍍敷條件一例，則如下述。
另，如下述，可藉由控制電流密度、庫侖量，來控制一次粒子之平均粒徑。於第一階段，將電流密度設定成較以往高，設置某程度由粗化粒子造成之凹凸，控制成使粒子形狀成為既定形狀，藉此控制在貼合表面處理銅箔後去除表面處理銅箔而得之樹脂基材表面的形狀。又，可控制前述表面積比。又，用以形成一次粒子之鍍浴，除了以下之銅鍍浴以外，還可列舉銀鍍浴、金鍍浴、鎳鍍浴、鈷鍍浴、鋅鍍浴、鎳鋅合金鍍浴等，可使用此等公知的鍍浴。又，亦可在鍍敷液添加各種添加劑(金屬離子、無機物、有機物)。又，將一次粒子形成時之鍍敷液的線流速設定成較以往高，控制成由粗化粒子造成之凹凸不會變過大，粒子形狀成為既定之形狀，藉此控制在貼合表面處理銅箔後去除表面處理銅箔而得之樹脂基材表面的形狀。 另，一次粒子形成時之鍍敷液的線流速較佳在2.0m/sec以上，更佳在2.5m/sec以上。一次粒子形成時之鍍敷液的線流速上限並無特別規定的必要，惟典型上在5m/sec以下，典型上在4.5m/sec以下。
液組成：銅10~20g/L，硫酸50~100g/L
液溫：25~50℃
<第一階段>
電流密度：68~80A/dm2
庫侖量：30~75As/dm2
<第二階段>
電流密度：1~20A/dm2
庫侖量：5~50As/dm2
(被覆鍍敷條件)
亦可在鍍敷液添加各種添加劑(金屬離子、無機物、有機物)。
液組成：銅10~20g/L，硫酸50~100g/L
液溫：25~35℃
電流密度：15~20A/dm2
庫侖量：30~60As/dm2
(用以形成二次粒子之鍍敷條件)
若舉二次粒子之鍍敷條件一例，則如下述。
另，如下述，可藉由控制電流密度、庫侖量，來控制二次粒子之平均粒徑。又，可控制前述表面積比。又，用以形成二次粒子之鍍浴，除了以下之銅與其他元素的合金鍍浴以外，還可列舉銀與其他元素的合金鍍浴、 金與其他元素的合金鍍浴、鎳與其他元素的合金鍍浴、鈷與其他元素的合金鍍浴、鋅與其他元素的合金鍍浴、鎳鋅合金鍍浴等，可使用此等公知的鍍浴。
亦可在鍍敷液添加各種添加劑(金屬離子、無機物、有機物)。
液組成：銅10~20g/L，鎳5~15g/L或/及鈷5~15g/L，於含有磷之情形時，磷0.5~5g/L，於含有鎢之情形時，鎢0.001~5g/L，於含有鉬之情形時，鉬0.05~10g/L
pH：2~3
液溫：30~50℃
電流密度：20~30A/dm2
庫侖量：10~35As/dm2
作為上述二次粒子之銅-鈷-鎳合金鍍敷，可藉由電鍍，形成附著量為10~30mg/dm2銅-100~3000μg/dm2鈷-50~500μg/dm2鎳的3元系合金層。
若Co附著量未達100μg/dm2，則耐熱性會變差，且蝕刻性亦會變差。若Co附著量超過3000μg/dm2，則於必須考慮磁性之影響的情形時，並不佳，會產生蝕刻污漬，且要考慮耐酸性及耐化學品性之惡化。
若Ni附著量未達50μg/dm2，則耐熱性會變差。另一方面，若Ni附著量超過500μg/dm2，蝕刻性會降低。亦即，會發生蝕刻殘留，又雖不至於到無法蝕刻之程度，但難以精細圖案化。較佳之Co附著量為500~2000μg/dm2，又較佳之鎳附著量為50~300μg/dm2。
根據上述，銅-鈷-鎳合金鍍敷之附著量，較理想為10~30mg/dm2 銅-100~3000μg/dm2鈷-50~500μg/dm2鎳。此3元系合金層之各附著量僅是較理想之條件，並不是要否定超過此量之範圍。
此處，所謂蝕刻污漬，係指於利用氯化銅進行蝕刻之情形時，Co未溶解而殘留，並且，所謂蝕刻殘留，係指於利用氯化銨進行鹼蝕刻之情形時，Ni未溶解而殘留。
通常，於形成電路之情形時，會使用下述實施例中所說明之鹼性蝕刻液及氯化銅系蝕刻液來進行。此蝕刻液及蝕刻條件，具有廣用性，但應理解並不限定於此條件，可任意加以選擇。
又，在粗化處理層之表面，亦可形成選自由耐熱層、防鏽層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層構成之群中的1種以上之層。
又，於本發明中，形成在銅箔上之表面處理層，亦可為選自由耐熱層、防鏽層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層構成之群中的1種以上之層。
耐熱層、防鏽層可使用公知的耐熱層、防鏽層。例如，耐熱層及/或防鏽層可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、白金族元素、鐵、鉭之群中1種以上元素之層，或亦可為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、白金族元素、鐵、鉭之群中1種以上元素構成之金屬層或合金層。又，耐熱層及/或防鏽層亦可含有氧化物、氮化物、矽化物，該氧化物、氮化物、矽化物含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、白金族元素、鐵、鉭之群中1種以上元素。又，耐熱層及/或防鏽層亦可為含有鎳-鋅合金之層。又，耐熱層及/或防鏽層亦可為鎳-鋅 合金層。前述鎳-鋅合金層，不包括不可避免之雜質，亦可為含有鎳50wt%~99wt%、鋅50wt%~1wt%者。前述鎳-鋅合金層之鋅及鎳的合計附著量亦可為5~1000mg/m2，較佳為10~500mg/m2，更佳為20~100mg/m2。又，前述含有鎳-鋅合金之層或前述鎳-鋅合金層的鎳附著量與鋅附著量之比(=鎳附著量/鋅附著量)較佳為1.5~10。又，前述含有鎳-鋅合金之層或前述鎳-鋅合金層的鎳附著量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。於耐熱層及/或防鏽層為含有鎳-鋅合金之層的情形時，當通孔或導孔等之內壁部與去膠渣液接觸時，銅箔與樹脂基板之界面不易被去膠渣液侵蝕，而提升銅箔與樹脂基板之密合性。
例如耐熱層及/或防鏽層亦可為依序積層附著量為1mg/m2~100mg/m2(較佳為5mg/m2~50mg/m2)之鎳或鎳合金層與附著量為1mg/m2~80mg/m2(較佳為5mg/m2~40mg/m2)錫層者，前述鎳合金層亦可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中之任一種構成。又，耐熱層及/或防鏽層，鎳或鎳合金與錫之合計附著量較佳為2mg/m2~150mg/m2，更佳為10mg/m2~70mg/m2。又，耐熱層及/或防鏽層，較佳為[鎳或鎳合金中之鎳附著量]/[錫附著量]=0.25~10，更佳為0.33~3。若使用該耐熱層及/或防鏽層，則將附載體銅箔加工成印刷配線板後之電路的剝離強度、該剝離強度之耐化學品性劣化率等會變良好。
另，用於矽烷偶合處理之矽烷偶合劑可使用公知的矽烷偶合劑，例如可使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑。又，矽烷偶合劑亦可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲 氧基矽烷、4-環氧丙基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。
前述矽烷偶合處理層，亦可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷等之矽烷偶合劑等而形成。另，此種矽烷偶合劑亦可混合2種以上使用。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑所形成者。
此處所稱之胺基系矽烷偶合劑，亦可為選自由N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯氧基-2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N- 二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷構成之群中者。
矽烷偶合處理層較理想為以矽原子換算計，於0.05mg/m2~200mg/m2，較佳為0.15mg/m2~20mg/m2，更佳為0.3mg/m2~2.0mg/m2之範圍設置。於前述範圍之情形時，可更加提升基材與表面處理銅箔之密合性。
〔表面處理銅箔之粒子相當面積比〕
本發明之表面處理銅箔，形成在銅箔表面之粒子相對於銅箔表面的面積比(粒子相當面積比)被控制在0.1~0.85。將以此方式粒子相當面積比受到控制之表面處理銅箔貼合在基材表面，接著以蝕刻將該銅箔去除後之基材表面的輪廓形狀，會更加良好地維持微細配線形成性，且實現無電鍍銅被膜之良好密合力。若粒子相當面積比未達0.1，則轉印在基材表面之凹凸形狀會變得過小，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若粒子相當面積比超過0.7，則轉印在基材表面之凹凸形狀會變得過大，基材表面之微細配線形成性會不良。粒子相當面積比較佳為0.10~0.70、0.15~0.70，更佳為0.20~0.65，再更佳為0.25~0.60。
〔表面處理銅箔之粒子的平均徑〕
本發明之表面處理銅箔，表面處理層表面之粒子的平均徑較佳被控制在0.03~0.28μm。將以此方式表面處理層表面之粒子的平均徑受到控制的 表面處理銅箔貼合在基材表面，接著以蝕刻將該銅箔去除後之基材表面的輪廓形狀，會更加良好地維持微細配線形成性，且實現無電鍍銅被膜之良好密合力。若表面處理層表面之粒子的平均徑未達0.05μm，則轉印在基材表面之凹凸形狀會變得過小，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若表面處理層表面之粒子的平均徑超過0.28μm，則轉印在基材表面之凹凸形狀會變得過大，基材表面之微細配線形成性會不良。表面處理層表面之粒子的平均徑較佳為0.05~0.28μm，更佳為0.07~0.27μm，再更佳為0.08~0.25μm、0.12~0.24μm、0.15~0.24μm、0.19~0.23μm。
〔表面處理銅箔之粒子的個數密度〕
本發明之表面處理銅箔，表面處理層表面之粒子的個數密度較佳被控制在3.8~430個/μm2。將以此方式表面處理層表面之粒子的個數密度受到控制的表面處理銅箔貼合在基材表面，接著以蝕刻將該銅箔去除後之基材表面的輪廓形狀，會更加良好地維持微細配線形成性，且實現無電鍍銅被膜之良好密合力。若表面處理層表面之粒子的個數密度未達3.8個/μm2，則轉印在基材表面之凹凸形狀會變得過小，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若表面處理層表面之粒子的個數密度超過430.0個/μm2，則轉印在基材表面之凹凸形狀會變得過大，基材表面之微細配線形成性會不良。表面處理層表面之粒子的個數密度較佳被控制在4.0~300個/μm2、4.5~250個/μm2、5.0~200個/μm2、5.0~150個/μm2、5.5~100個/μm2、5.5~50.0個/μm2、6.0~48.0個/μm2、6.0~32.0個/μm2、3.8~16.0個/μm2、6.0~16.0個/μm2、6.0~14.0個/μm2。
〔白部平均、黑部平均〕
本發明之表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將表面處理銅箔去除時，樹脂基材之前述銅箔去除側表面的白部平均較佳為0.07~0.23μm。又，本發明之表面處理銅箔，在將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將表面處理銅箔去除時，樹脂基材之前述銅箔去除側表面的黑部平均較佳為0.035~0.20μm。
若上述白部平均未達0.07μm，則定準效應弱，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若白部平均超過0.23μm，則基材表面之凹凸會變得過小，與被膜之密合性會變得不良。上述白部平均較佳為0.09~0.23μm，更佳為0.12~0.23μm，再更佳為0.14~0.23μm，再進而更佳為0.15~0.225μm、0.16~0.220μm。
若上述黑部平均未達0.035μm，則用以在基材表面形成被膜之鍍敷液會難以滲入，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若上述黑部平均超過0.20μm，則定準效應弱，與被膜之密合性會變得不良。上述黑部平均較佳為0.05~0.20μm，更佳為0.07~0.20μm。
〔最大白部、最大黑部〕
本發明之表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將表面處理銅箔去除時，樹脂基材之前述銅箔去除側表面的最大白部較佳為0.704~0.88μm。又，本發明之表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將表面處理銅箔去除時，樹脂基材之前述銅箔去除側表面的最大黑部較佳為0.180~0.605μm。此處，最大白部係表示總括圖1所示之4條線(A~D線)所測得之白部的最大長度(鄰接之黑部與黑部之間的距離之中，最大者)。又，最大黑部係表示總 括圖1所示之4條線(A~D線)所測得之黑部的最大長度(鄰接之白部與白部之間的距離之中，最大者)。
若上述最大白部未達0.704μm，則定準效應弱，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若最大白部超過0.88μm，則基材表面之凹凸會變得過小，與被膜之密合性會變得不良。上述最大白部較佳為0.710~0.86μm，更佳為0.715~0.84μm，再更佳為0.715~0.82μm，再進而更佳為0.715~0.80μm。
若上述最大黑部未達0.180μm，則用以在基材表面形成被膜之鍍敷液會難以滲入，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若上述最大黑部超過0.605μm，則定準效應弱，與被膜之密合性會變得不良。上述最大黑部較佳為240~0.605μm，更佳為0.355~0.605μm，再更佳為0.400~0.590μm，再進而更佳為0.420~0.580μm。
〔白部自較大者起10點之平均、黑部自較大者起10點之平均〕
本發明之表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將表面處理銅箔去除時，樹脂基材之前述銅箔去除側表面的白部自較大者起10點之平均較佳為0.15~0.457μm。又，本發明之表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將表面處理銅箔去除時，樹脂基材之前述銅箔去除側表面的黑部自較大者起10點之平均較佳為0.06~0.335μm。此處，白部自較大者起10點之平均，係以上述最大白部作為最長距離者，再加上第二長距離之白部及第三長距離之白部依序至第10長距離之白部，然後取平均而得。又，黑部自較大者起10 點之平均，係以上述最大黑部作為最長距離者，再加上第二長距離之黑部及第三長距離之黑部依序至第10長距離之黑部，然後取平均而得
若上述白部自較大者起10點之平均未達0.15μm，則定準效應弱，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，白部自較大者起10點之平均超過0.457μm，則基材表面之凹凸會變得過小，與被膜之密合性會變得不良。上述白部自較大者起10點之平均較佳為0.18~0.457μm，更佳為0.20~0.457μm，再更佳為0.20~0.45μm，再進而更佳為0.22~0.45μm，再進而進一步更佳為0.30~0.45μm，再進而再進一步更佳為0.40~0.45μm。
若上述黑部自較大者起10點之平均未達0.06μm，則用以在基材表面形成被膜之鍍敷液會難以滲入，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若上述黑部自較大者起10點之平均超過0.335μm，則定準效應弱，與被膜之密合性會變得不良。上述黑部自較大者起10點之平均較佳為0.13~0.335μm。
〔白部比例〕
本發明之表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將表面處理銅箔去除時，樹脂基材之前述銅箔去除側表面的白部比例較佳為55~68%。此處，白部比例係表示白部相對於上述白部與黑部之合計的比例。若白部比例未達55%，則定準效應弱，與被膜之密合性會變得不良。另一方面，若白部比例超過68%，則基材表面之凹凸會變得過小，與被膜之密合性會變得不良。上述白部比例較佳為55~67%，更佳為55~66%，再更佳為55~65%，再進而更佳為55~64%
於形成粗化粒子時等之表面處理時，控制表面處理之電流密 度與鍍敷時間，藉此可決定表面處理後之銅箔的表面狀態或粗化粒子之形態或形成密度，而可控制銅箔之上述粒子相當面積比、粒子平均徑、個數密度，並且，可藉由使用該種銅箔，來控制上述基材之白部、黑部。
〔附載體銅箔〕
本發明之表面處理銅箔，亦可使用附載體銅箔。附載體銅箔，具備有載體、積層在載體上之中間層、及積層在中間層上之極薄銅層。又，附載體銅箔亦可依序具備有載體、中間層及極薄銅層。附載體銅箔在載體側之表面及極薄銅層側之表面的任一面或兩面亦可具有粗化處理層等之表面處理層。另，附載體銅箔在與極薄銅層之中間層側相反之側的面亦可具有表面處理層。
於在附載體銅箔之載體側表面設置有粗化處理層的情形，具有下述優點：當將附載體銅箔自該載體側之表面側積層在樹脂基板等支持體時，載體與樹脂基板等支持體不易剝離。
<載體>
作為可使用於本發明之載體，係使用銅箔。載體典型上以壓延銅箔或電解銅箔之形態提供。一般而言，電解銅箔係利用硫酸銅鍍浴將銅電解析出在鈦或不鏽鋼之滾筒上來加以製造，壓延銅箔則是重複進行利用壓延輥之塑性加工與熱處理來製造。銅箔之材料，除了精銅及無氧銅等之高純度銅外，例如亦可使用摻Sn銅；摻Ag銅；添加有Cr、Zr或Mg等之銅合金；添加有Ni及Si等之卡遜(corson)系銅合金此類的銅合金。
可使用本發明之載體的厚度並無特別限制，只要適當調節成可作為載體之適合厚度即可，例如可設為12μm以上。但是，若過厚則生 產成本會提高，故通常較佳設為35μm以下。因此，載體之厚度典型上為12~70μm，更典型地為18~35μm。
<中間層>
於載體上設置中間層。亦可於載體與中間層之間設置其他層。本發明中所使用之中間層只要為下述構成，則並無特別限定：於將附載體銅箔積層於絕緣基板之步驟前，極薄銅層不易自載體剝離，另一方面，於積層於絕緣基板之步驟後，極薄銅層可自載體剝離。例如，本發明之附載體銅箔的中間層亦可含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、此等之合金、此等之水合物、此等之氧化物、有機物構成之群中的一種或二種以上。又，中間層亦可為複數層。
又，例如，中間層可藉由下述方式構成：自載體側形成由選自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種元素構成的單一金屬層，或形成由選自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種或二種以上之元素構成的合金層，於其上形成由選自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群中一種或二種以上之元素的水合物或氧化物構成之層。
又，例如，中間層可在載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金、及鉻而構成。由於鎳與銅之接合力高於鉻與銅之接合力，因此於剝離極薄銅層時，會在極薄銅層與鉻之界面剝離。又，對中間層之鎳，期待防止銅成分自載體向極薄銅層擴散的阻隔效果。中間層之鎳的附著量較佳為100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更佳為100μg /dm2以上且未達1000μg/dm2，中間層之鉻的附著量較佳為5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。於僅在單面設置中間層之情形時，較佳在載體之相反面設置鍍Ni層等防鏽層。另，亦可在載體之兩側設置中間層。
<極薄銅層>
於中間層之上設置極薄銅層。亦可在中間層與極薄銅層之間設置其他層。該極薄銅層為上述之表面處理銅箔，在極薄銅層之與中間層相反側的表面設置上述表面處理層。極薄銅層之厚度並無特別限制，通常較載體薄，例如為12μm以下。典型上為0.5~12μm，更典型地為1.5~5μm。又，於在中間層之上設置極薄銅層前，為了減少極薄銅層之針孔(pinhole)，亦可進行利用銅-磷合金之打底鍍敷(strike plating)。打底鍍敷可列舉焦磷酸銅鍍敷液等。亦可在載體之兩側設置極薄銅層。
〔表面處理層上之樹脂層〕
亦可在上述表面處理銅箔之表面處理層上具備樹脂層。前述樹脂層亦可為絕緣樹脂層。
前述樹脂層亦可為接合劑，亦可為接合用之半硬化狀態(B階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)，包括即使以手指接觸其表面亦無黏著感，可使該絕緣樹脂層重疊加以保管，並且若受到加熱處理，則會產生硬化反應之狀態。
又，前述樹脂層亦可含有熱固性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。又，前述樹脂層亦可含有熱塑性樹脂。其種類並無特別限定，例如作為較佳者，可列舉：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺(maleimide)化合物、順丁烯二醯亞胺系樹脂、聚乙烯縮醛 (polyvinyl acetal)樹脂、胺酯樹脂(urethane resin)、聚醚碸(polyether sulfone)、聚醚碸樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、聚醯胺亞醯胺(polyamide imide)樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧基樹脂(phenoxy resin)、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚伸苯醚(polyphenylene oxide)、雙順丁烯二醯亞胺三樹脂、熱固性聚伸苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、含有多元羧酸之酸酐等之樹脂。又，前述樹脂層亦可為含有嵌段共聚聚醯亞胺樹脂之樹脂層或含有嵌段共聚聚醯亞胺樹脂與聚順丁烯二醯亞胺化合物之樹脂層。又，前述環氧樹脂係分子內具有2個以上之環氧基者，只要為可用於電氣、電子材料用途者，則可並無特別問題地使用。又，前述環氧樹脂較佳為經使用分子內具有2個以上環氧丙基之化合物進行環氧化的環氧樹脂。又，可將選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆(cresol novolac)型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、三聚異氰酸三環氧丙酯(triglycidylisocyanurate)、N,N-二環氧丙基苯胺等縮水甘油胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二環氧丙酯等環氧丙酯化合物、含磷環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂之群中的1種或2種以上混合來使用，或可使用前述環氧樹脂之氫化體或鹵化體。
前述樹脂層可含有公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體(亦可使用包含無機化合物及/或有機化合物之介電體、包含金屬氧化物之介電體等任何之介電體)、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。又，前述樹脂層例如亦可使用國際公開號WO2008/ 004399號、國際公開號WO2008/053878、國際公開號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開號WO2008/114858、國際公開號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開號WO2009/001850、國際公開號WO2009/145179、國際公開號WO2011/068157、日本特開2013-19056號記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置來形成。
將此等樹脂溶解在例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基溶纖素、N-甲基- 2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑製成樹脂液，例如藉由輥塗佈法等將其塗佈在前述極薄銅層上，或前述耐熱層、防鏽層，或前述鉻酸處理層，或前述矽烷偶合劑層上，接著視需要進行加熱乾燥將溶劑去除，形成為B階段狀態。乾燥例如可使用熱風乾燥爐，乾燥溫度可為100~250℃，較佳為130~200℃。亦可使用溶劑將前述樹脂層之組成物溶解，製成樹脂固形物成分3wt%~60wt%，較佳為10wt%~40wt%，更佳為25wt%~40wt%之樹脂液。另，從環境的觀點，現階段最佳使用甲基乙基酮與環戊酮之混合溶劑進行溶解。
具備有前述樹脂層之表面處理銅箔(附有樹脂之表面處理銅箔)係以下述態樣來使用：於使其樹脂層與基材重合後，將整體熱壓合而使該樹脂層熱硬化，接著將既定之配線圖案形成在銅箔。又，對於將該表面處理銅箔作為極薄銅層使用之附載體銅箔，具備有樹脂層之附載體銅箔(附有樹脂之附載體銅箔)係以下述態樣來使用：於使其樹脂層與基材重合後，將整體熱壓合而使該樹脂層熱硬化，接著將載體剝離而露出極薄銅層(當然露出之部分為該極薄銅層之中間層側的表面)，將既定之配線圖案形成在該中間層側的表面。
若使用該附有樹脂之表面處理銅箔或附有樹脂之附載體銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時預浸材料的使用片數。而且，即便使樹脂層之厚度為可確保層間絕緣之厚度或完全未使用預浸材料，亦可製造覆銅積層板。又，此時，亦可將絕緣樹脂下塗在基材之表面而進一步改善表面之平滑性。
另，當不使用預浸材料之情形時，由於可節省預浸材料之材 料成本，且亦簡化積層步驟；因此於經濟上是有利的，而且，具有下述優點：由於沒有預浸材料之厚度，故所製造之多層印刷配線基板之厚度會變薄，尤其是對於附有樹脂之附載體銅箔，可製造1層之厚度在100μm以下之極薄的多層印刷配線基板。該樹脂層之厚度較佳為0.1~120μm。
若樹脂層之厚度較0.1μm薄，則接合力會降低，當沒有隔著預浸材料下將此附有樹脂之表面處理銅箔或附有樹脂之附載體銅箔積層在具備有內層材料之基材時，有時會難以確保內層材料與電路之間的層間絕緣。又，與前述硬化樹脂層、半硬化樹脂層之總樹脂層厚度較佳為0.1μm~120μm，實用上較佳為35μm~120μm。又，此情形時之各厚度，硬化樹脂層宜為5~20μm，半硬化樹脂層宜為15~115μm。其原因在於：若總樹脂層厚度超過120μm，則有時會難以製造厚度薄之多層印刷配線板，若未達35μm，則雖然容易形成厚度薄之多層印刷配線板，但內層之電路間的絕緣層即樹脂層會過薄，有時會產生使內層之電路間之絕緣性不穩定的傾向。又，若硬化樹脂層厚度未達5μm，則有時必須要考慮銅箔粗化面之表面粗度。相反地若硬化樹脂層厚度超過20μm，則由經硬化之樹脂層達成的效果有時會沒有獲得特別地提升，且總絕緣層厚會變厚。又，前述硬化樹脂層之厚度亦可為3μm~30μm。又，前述半硬化樹脂層之厚度亦可為7μm~55μm。又，前述硬化樹脂層與前述半硬化樹脂層之合計厚度亦可為10μm~60μm。
又，當附有樹脂之表面處理銅箔或附有樹脂之附載體銅箔被用於製造極薄之多層印刷配線板的情形時，使前述樹脂層之厚度為0.1μm~5μm，更佳為0.5μm~5μm，再更佳為1μm~5μm，由於可減少多層 印刷配線板之厚度，故較佳。另，當使前述樹脂層之厚度為0.1μm~5μm的情形時，為了提升樹脂層與銅箔之密合性，較佳將耐熱層及/或防鏽層及/或鉻酸處理層及/或矽烷偶合處理層設置在表面處理層上之後，在該耐熱層或防鏽層或鉻酸處理層或矽烷偶合處理層上形成樹脂層。
又，當樹脂層含有介電體之情形時，樹脂層之厚度較佳為0.1~50μm，更佳為0.5μm~25μm，再更佳為1.0μm~15μm。另，前述樹脂層之厚度，係指在任意10點藉由觀察剖面測得之厚度的平均值。
另一方面，若使樹脂層之厚度較120μm厚，則由於難以在1次的塗佈步驟形成目標厚度之樹脂層，而會花費額外之材料費與工作量，故在經濟上並不利。並且，所形成之樹脂層由於其可撓性差，因此有時在處理時容易產生裂紋等，且在與內層材料之熱壓合時，會流出多餘之樹脂，而難以順利地進行積層。
並且，附有樹脂之附載體銅箔的另一製品形態，亦可將樹脂層被覆在前述極薄銅層上，或前述耐熱層、防鏽層，或前述鉻酸處理層，或前述矽烷偶合處理層上，形成半硬化狀態之後，接著將載體剝離，而以不存在載體之附有樹脂之銅箔的形態來製造。
以下，揭示幾種使用本發明之樹脂基材的印刷配線板製造步驟例。又，藉由將電子零件類安裝在印刷配線板，而完成印刷電路板。
於使用半加成法之本發明之印刷配線板製造方法的一實施形態中，包含下述步驟：準備表面處理銅箔與樹脂基材的步驟；將表面處理銅箔自表面處理層側積層在樹脂基材的步驟；去除樹脂基材上之表面處理銅箔而得到本發明之樹脂基材的步驟；將電路形成在經去除表面處理銅 箔之樹脂基材的表面的步驟。
圖2顯示使用銅箔輪廓之半加成法的概略例。於該方法，為了形成樹脂基材之表面輪廓，而使用有銅箔之表面輪廓。具體而言，首先，將本發明之銅箔積層在樹脂基材，製作覆銅積層體。接著，對覆銅積層體之銅箔進行整面蝕刻。接著，對轉印有銅箔表面輪廓之樹脂基材(整面蝕刻基材)的表面實施無電鍍銅。然後，以乾膜等被覆樹脂基材(整面蝕刻基材)不形成電路之部分，對未被乾膜被覆之無電鍍銅層的表面實施電鍍(電解)銅。然後，於將乾膜去除後，將形成在不形成電路之部分的無電鍍銅層去除，藉此，形成微細之電路。本發明中所形成之微細電路，由於與本發明轉印有銅箔表面輪廓之樹脂基材(整面蝕刻基材)的蝕刻面密合，故其密合力(剝離強度)良好。
亦可使樹脂基材為具有內層電路者。又，於本發明中，半加成法係指在樹脂基材或銅箔種晶層(seed layer)上進行薄的無電電鍍，於形成圖案後，利用電鍍及蝕刻形成導體圖案之方法。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備附載體銅箔與樹脂基材的步驟；將附載體銅箔自極薄銅層側積層在樹脂基材的步驟；於將附載體銅箔與樹脂基材積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將經剝除載體後之樹脂基板上之極薄銅層去除而得到本發明之樹脂基材的步驟；將電路形成在經去除極薄銅層之樹脂基板之表面的步驟。
於本發明中，半加成法係指下述方法：在絕緣基板或銅箔種晶層上進行薄的無電電鍍，若有需要，則隨後再進行電鍍，並且然後於形成圖案後， 使用電鍍及蝕刻形成導體圖案。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔自極薄銅層側積層在絕緣基板的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將經剝除該載體後之絕緣基板上之極薄銅層去除的步驟；將電路形成在經去除該極薄銅層之絕緣基板之表面的步驟。
於本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：將表面處理銅箔自表面處理層側積層在本發明之樹脂基材，而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路的步驟。
於本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之表面處理銅箔與絕緣基板的步驟；將該表面處理銅箔自表面處理層側積層在絕緣基板，而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路的步驟。
於本發明中，減成法係指下述方法：藉由蝕刻等，選擇性地去除覆銅積層板上銅箔不需要之部分，而形成導體圖案。
於本發明中，部分加成法係指下述方法：在設置導體層而成的基板、視需要開出通孔或導孔用之孔而成的基板上賦予觸媒核，進行蝕刻，形成導體電路，並視需要設置阻焊劑或鍍敷阻劑後，在該導體電路上，藉由無電電鍍處理對通孔或導孔等進行增厚，藉此製造印刷配線板。
於本發明中，改良半加成法係指下述方法：將金屬箔積層在 樹脂基材上，以鍍敷阻劑保護非電路形成部，藉由電鍍增加電路形成部之銅厚後，將阻劑去除，藉由(快速)蝕刻將該電路形成部以外之金屬箔去除，藉此將電路形成在樹脂基材上。
於本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：將附載體銅箔自極薄銅層側積層在本發明之樹脂基材的步驟；將附載體銅箔與樹脂基材積層後，經過將附載體銅箔之載體剝除的步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路的步驟。
於本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔自極薄銅層側積層在絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將該附載體銅箔之載體剝除的步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路的步驟。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備形成有電路之金屬箔的步驟；以覆蓋電路之方式將樹脂基材形成在金屬箔表面的步驟；將表面處理銅箔自表面處理層側積層在樹脂基材的步驟；去除樹脂基材上之表面處理銅箔而得到本發明之樹脂基材的步驟；將電路形成在經去除表面處理銅箔之樹脂基材之表面的步驟；及藉由去除金屬箔，而使形成在金屬箔表面被樹脂基材覆蓋之電路露出的步驟。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備在表面形成有電路之金屬箔的步驟；以覆蓋該 電路之方式將樹脂層形成在該金屬箔表面的步驟；將本發明之表面處理銅箔自表面處理層側積層在該樹脂層的步驟；將該樹脂層上之表面處理銅箔去除的步驟；將電路形成在經去除該表面處理銅箔之樹脂層之表面的步驟；及藉由去除該金屬箔，而使形成在金屬箔表面被樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：將電路形成在第1附載體銅箔之極薄銅層側表面的步驟；以覆蓋電路之方式將樹脂基材形成在第1附載體銅箔之極薄銅層側表面的步驟；準備第2附載體銅箔，自第2附載體銅箔之極薄銅層側積層在樹脂基材的步驟；將第2附載體銅箔積層在樹脂基材後，剝除第2附載體銅箔之載體的步驟；將經剝除第2附載體銅箔之載體後之樹脂基材上之極薄銅層去除而得到本發明之樹脂基材的步驟；將電路形成在經去除極薄銅層之樹脂基材之表面的步驟；將電路形成在樹脂基材上後，將第1附載體銅箔之載體剝離的步驟；及將第1附載體銅箔之載體剝離後，去除第1附載體銅箔之極薄銅層，藉此使形成在第1附載體銅箔之極薄銅層側表面被樹脂基材覆蓋之電路露出的步驟。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：以本發明之附載體銅箔作為第1附載體銅箔，將電路形成在該第1附載體銅箔之極薄銅層側表面的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該第1附載體銅箔之該極薄銅層側表面的步驟；準備第2附載體銅箔，自該第2附載體銅箔之極薄銅層側積層在該樹脂層的步驟；將該第2附載體銅箔積層在該樹脂層後，將該第2附載體銅箔之載體剝除 的步驟；將經剝除該第2附載體銅箔之載體後之樹脂層上之極薄銅層去除的步驟；將電路形成在經去除該極薄銅層之樹脂層之表面的步驟；將電路形成在該樹脂層上之後，將該第1附載體銅箔之載體剝離的步驟；及將該第1附載體銅箔之載體剝離後，去除該第1附載體銅箔之極薄銅層，藉此使形成在該第1附載體銅箔之極薄銅層側表面被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
於本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備形成有電路之金屬箔的步驟；以覆蓋電路之方式將本發明之樹脂基材形成在金屬箔表面的步驟；將表面處理銅箔自表面處理層側積層在樹脂基材，藉由減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法將電路形成在樹脂層上的步驟；及藉由去除金屬箔，而使形成在金屬箔表面被樹脂基材覆蓋之電路露出的步驟。
於本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備在表面形成有電路之金屬箔的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該金屬箔表面的步驟；將本發明之表面處理銅箔自表面處理層側積層在樹脂層，藉由減成法、半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法將電路形成在該樹脂層上的步驟；及藉由去除該金屬箔，而使形成在該金屬箔表面被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
於本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：將電路形成在第1附載體銅箔之極薄銅層側表面的步驟；以覆蓋電路之方式將本發明之樹脂基材形成在第1附載體銅箔之極薄銅層側表面的步驟；準備第2附載體銅箔，自第2附載體銅箔之極薄銅層側積層在樹脂基 材，剝除第2附載體銅箔之載體，藉由減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法將電路形成在樹脂基材上的步驟；將電路形成在樹脂基材上之後，將第1附載體銅箔之載體剝離的步驟；及將第1附載體銅箔之載體剝離後，去除第1附載體銅箔之極薄銅層，藉此使形成在第1附載體銅箔之極薄銅層側表面被樹脂基材覆蓋之電路露出的步驟。
於本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：以本發明之附載體銅箔作為第1附載體銅箔，將電路形成在該第1附載體銅箔之極薄銅層側表面的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該第1附載體銅箔之該極薄銅層側表面的步驟；準備第2附載體銅箔，自該第2附載體銅箔之極薄銅層側積層在該樹脂層，將該第2附載體銅箔之載體剝除，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法將電路形成在該樹脂層上的步驟；將電路形成在該樹脂層上之後，將該第1附載體銅箔之載體剝離的步驟；及將該第1附載體銅箔之載體剝離後，去除該第1附載體銅箔之極薄銅層，藉此使形成在該第1附載體銅箔之極薄銅層側表面被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備附載體銅箔與樹脂基材的步驟；將附載體銅箔與樹脂基材積層的步驟；將該附載體銅箔與樹脂基材積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將經剝除該載體而露出之極薄銅層全部去除，而得到本發明之樹脂基材的步驟；將通孔或/及盲孔(blind via)設置在藉由蝕刻去除該極薄銅層而露出之該樹脂的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理的步驟；對 含有該樹脂及該通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；將鍍敷阻劑設置在該無電電鍍層上的步驟；對該鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域的鍍敷阻劑去除的步驟；將電鍍層設置在經去除該鍍敷阻劑之形成該電路之區域的步驟；去除該鍍敷阻劑的步驟；藉由快速蝕刻等將位於形成該電路之區域以外之區域的無電電鍍層去除的步驟。
本發明的印刷配線板之製造方法於一實施形態中，包含下述步驟：準備在形成有表面處理層之側的表面形成有電路的本發明之表面處理銅箔，或在極薄銅層側表面形成有電路的本發明之附載體銅箔的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該表面處理銅箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將電路形成在該樹脂層表面的步驟；及藉由去除該表面處理銅箔或該附載體銅箔，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
本發明的印刷配線板之製造方法於一實施形態中，包含下述步驟：準備在表面形成有電路之金屬箔，或第1表面處理銅箔，或在極薄金屬層側表面形成有電路之附載體金屬箔，或第1附載體銅箔的步驟，其中該第1表面處理銅箔為在形成有表面處理層之側的表面形成有電路的本發明之表面處理銅箔，該第1附載體銅箔為在極薄銅層側表面形成有電路的本發明之附載體銅箔；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該金屬箔表面或該表面處理銅箔表面或該附載體金屬箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將第2表面處理銅箔自表面處理層側積層在該樹脂層的步驟；或將第2 附載體銅箔自極薄銅層側積層在該樹脂層的步驟，其中該第2表面處理銅箔為本發明之表面處理銅箔，該第2附載體銅箔為本發明之附載體銅箔；當積層在該樹脂層之箔為該第2附載體銅箔的情形時，將該第2附載體銅箔之載體剝除的步驟；將該樹脂層上之表面處理銅箔，或該第2附載體銅箔經剝除載體後殘留之極薄銅層去除的步驟；將電路形成在經去除該表面處理銅箔之樹脂層之表面，或經去除極薄銅層之樹脂層之表面的步驟；及，在將電路形成在該樹脂層上之後，藉由去除該金屬箔，或藉由去除該第1表面處理銅箔，或藉由在將該附載體金屬箔之載體剝離後，去除極薄金屬層，或藉由在將該第1附載體銅箔之載體剝離後，去除極薄銅層，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
於本發明中，附載體金屬箔至少依序具備有載體與極薄金屬層。附載體金屬箔之載體，可使用金屬箔。作為金屬箔，可使用銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鋁箔、鋁合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不鏽鋼箔、鋅箔、鋅合金箔。可使金屬箔之厚度為1~10000μm，較佳為2~5000μm，更佳為10~1000μm，再更佳為18~500μm，再進而更佳為35~300μm。又，亦可使用樹脂基材、無機物質或有機物質之板來作為載體。可使樹脂基材、無機物質或有機物質之板的厚度與前述金屬箔的厚度相同。
亦可透過接合劑或脫模劑、中間層，以可剝離之方式將載體與金屬箔積層。又，亦可藉焊接、熔接等，以可剝離之方式將載體與金屬箔接合。當難以剝離載體與金屬箔之情形時，亦可藉切割等去除載體與金屬箔接合 之處後，將載體與金屬箔剝離。
極薄金屬層亦可為銅、銅合金、鎳、鎳合金、鋁、鋁合金、鐵、鐵合金、不鏽鋼、鋅、鋅合金。可使極薄金屬層之厚度為與附載體銅箔之極薄銅層相同的範圍。從形成電路時之導電性的觀點，極薄金屬層較佳為極薄銅層。
本發明的印刷配線板之製造方法於一實施形態中，包含下述步驟：準備在形成有表面處理層之側之表面形成有電路的本發明之表面處理銅箔，或在極薄銅層側表面形成有電路的本發明之附載體銅箔的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該表面處理銅箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將金屬箔積層在該樹脂層的步驟；或將附載體金屬箔自極薄金屬層側積層在該樹脂層的步驟；當積層在該樹脂層之箔為該附載體金屬箔的情形時，將該附載體金屬箔之載體剝除的步驟；將該樹脂層上之金屬箔或該附載體金屬箔經剝除載體後殘留之極薄金屬層去除的步驟；將電路形成在經去除該金屬箔之樹脂層之表面，或經去除極薄銅層之樹脂層之表面的步驟；及在將電路形成在該樹脂層上之後，藉由去除該表面處理銅箔，或藉由在將該附載體銅箔之載體剝離後，去除極薄銅層，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
本發明的印刷配線板之製造方法於一實施形態中，包含下述步驟：準備在表面形成有電路之金屬箔，或第1表面處理銅箔，或在極薄金屬層側表面形成有電路之附載體金屬箔，或第1附載體銅箔的步驟，其中該第1表面處理銅箔為在形成有表面處理層之側之表面形成有電路的本發明之表面處理銅箔，該第1附載體銅箔為在極薄銅層側表面形成有電路的本發明之附載體銅箔；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該金屬箔表面或該表面處理銅箔表面或該附載體金屬箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將本發明之表面處理銅箔即第2表面處理銅箔自表面處理層側積層在該樹脂層的步驟；或將本發明之附載體銅箔即第2附載體銅箔自極薄銅層側積層在該樹脂層的步驟；當積層在該樹脂層之箔為該第2附載體銅箔的情形時，將該第2附載體銅箔之載體剝除的步驟；使用該樹脂層上之表面處理銅箔，或該第2附載體銅箔經剝除載體後殘留之極薄銅層，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法將電路形成在該樹脂層上的步驟；在將電路形成在該樹脂層上之後，藉由去除該金屬箔，或藉由去除該第1表面處理銅箔，或藉由將該附載體金屬箔之載體剝離後，去除極薄金屬層，或藉由在將該第1附載體銅箔之載體剝離後，去除極薄銅層，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
本發明的印刷配線板之製造方法於一實施形態中，包含下述 步驟：準備在形成有表面處理層之側之表面形成有電路的本發明之表面處理銅箔，或在極薄銅層側表面形成有電路的本發明之附載體銅箔的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該表面處理銅箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將金屬箔積層在該樹脂層的步驟；或將附載體金屬箔自極薄銅層側積層在該樹脂層的步驟；當積層在該樹脂層之箔為該附載體金屬箔的情形時，將該附載體金屬箔之載體剝除的步驟；使用該樹脂層上之金屬箔，或該附載體金屬箔經剝除載體後殘留之極薄金屬層，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法將電路形成在該樹脂層上的步驟；在將電路形成在該樹脂層上之後，藉由去除該表面處理銅箔，或藉由在將該附載體銅箔之載體剝離後，去除極薄銅層，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
又，於本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：將電路形成在本發明之附載體銅箔之前述極薄銅層側表面的步驟；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該附載體銅箔之該極薄銅層側表面的步驟；將電路形成在該樹脂層上的步驟；於將電路形成在該樹脂層上之後，將該載體剝離的步驟；及 藉由在將該載體剝離後，去除該極薄銅層，而使形成在該極薄銅層側表面被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將經剝除該載體而露出之極薄銅層全部去除的步驟；將通孔或/及盲孔設置在藉由蝕刻去除該極薄銅層而露出之該樹脂的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理的步驟；對含有該樹脂及該通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；將鍍敷阻劑設置在該無電電鍍層上的步驟；對該鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域的鍍敷阻劑去除的步驟；將電鍍層設置在經去除該鍍敷阻劑之形成該電路之區域的步驟；去除該鍍敷阻劑的步驟；藉由快速蝕刻等將位於形成該電路之區域以外之區域的無電電鍍層去除的步驟。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法另一實施形態，包含下述步驟：準備附載體銅箔與樹脂基材的步驟；將該附載體銅箔與樹脂基材積層的步驟；於將該附載體銅箔與樹脂基材積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將經剝除該載體而露出之極薄銅層全部去除，而得到本發明之樹脂基材的步驟；對藉由蝕刻去除該極薄銅層而露出之該樹脂表面設置無電電鍍層的步驟；將鍍敷阻劑設置在該無電電鍍層上的步驟；對該鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域的鍍敷阻劑去除的步驟；將電鍍層設置在經去除 該鍍敷阻劑之形成該電路之區域的步驟；去除該鍍敷阻劑的步驟；藉由快速蝕刻等將位於形成該電路之區域以外之區域的無電電鍍層及極薄銅層去除的步驟。
於使用半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法另一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將經剝除該載體而露出之極薄銅層全部去除的步驟；對藉由蝕刻去除該極薄銅層而露出之該樹脂表面設置無電電鍍層的步驟；將鍍敷阻劑設置在該無電電鍍層上的步驟；對該鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域的鍍敷阻劑去除的步驟；將電鍍層設置在經去除該鍍敷阻劑之形成該電路之區域的步驟；去除該鍍敷阻劑的步驟；藉由快速蝕刻等將位於形成該電路之區域以外之區域的無電電鍍層及極薄銅層去除的步驟。
於使用改良半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備附載體銅箔與樹脂基材的步驟；將該附載體銅箔與樹脂基材積層的步驟；於將該附載體銅箔與樹脂基材積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將通孔或/及盲孔設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層與樹脂基材的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理，而得到本發明之樹脂基材之表面輪廓的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；將鍍敷阻劑設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層表面的步驟；於設置該鍍敷阻劑後，藉由電鍍形成電路的步驟；去除該鍍敷阻劑的步驟；藉由快速蝕刻將經去除該鍍敷阻劑而 露出之極薄銅層去除的步驟。
於使用改良半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將通孔或/及盲孔設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層與絕緣基板的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；將鍍敷阻劑設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層表面的步驟；於設置該鍍敷阻劑後，藉由電鍍形成電路的步驟；去除該鍍敷阻劑的步驟；藉由快速蝕刻將經去除該鍍敷阻劑而露出之極薄銅層去除的步驟。
於使用改良半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法另一實施形態，包含下述步驟：準備附載體銅箔與樹脂基材的步驟；將該附載體銅箔與樹脂基材積層的步驟；於將該附載體銅箔與樹脂基材積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將鍍敷阻劑設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層上的步驟；對該鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域的鍍敷阻劑去除的步驟；將電鍍層設置在經去除該鍍敷阻劑之形成該電路之區域的步驟；去除該鍍敷阻劑的步驟；藉由快速蝕刻等將位於形成該電路之區域以外之區域的無電電鍍層及極薄銅層去除，而得到本發明之樹脂基材之表面輪廓的步驟。
於使用改良半加成法之本發明的印刷配線板之製造方法另一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積 層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將鍍敷阻劑設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層上的步驟；對該鍍敷阻劑進行曝光，然後，將形成電路之區域的鍍敷阻劑去除的步驟；將電鍍層設置在經去除該鍍敷阻劑之形成該電路之區域的步驟；去除該鍍敷阻劑的步驟；藉由快速蝕刻等將位於形成該電路之區域以外之區域的無電電鍍層及極薄銅層去除的步驟。
於使用部分加成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備附載體銅箔與樹脂基材的步驟；將該附載體銅箔與樹脂基材積層的步驟；於將該附載體銅箔與樹脂基材積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將通孔或/及盲孔設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層與樹脂基材的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理，而得到本發明之樹脂基材之表面輪廓的步驟；對該含有通孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核的步驟；將抗蝕劑設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層表面的步驟；對該抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將該極薄銅層及該觸媒核去除，形成電路的步驟；將該抗蝕劑去除的步驟；將阻焊劑或鍍敷阻劑設置在經藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除該極薄銅層及該觸媒核而露出之該樹脂基材表面的步驟；將無電電鍍層設置在未設置有該阻焊劑或鍍敷阻劑之區域的步驟。
於使用部分加成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將通孔或/及盲孔設置在經剝除該 載體而露出之極薄銅層與絕緣基板的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理的步驟；對該含有通孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核的步驟；將抗蝕劑設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層表面的步驟；對該抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將該極薄銅層及該觸媒核去除，形成電路的步驟；將該抗蝕劑去除的步驟；將阻焊劑或鍍敷阻劑設置在經藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除該極薄銅層及該觸媒核而露出之該絕緣基板表面的步驟；將無電電鍍層設置在未設置有該阻焊劑或鍍敷阻劑之區域的步驟。
於使用減成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備附載體銅箔與樹脂基材的步驟；將該附載體銅箔與樹脂基材積層的步驟；於將該附載體銅箔與樹脂基材積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將通孔或/及盲孔設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層與樹脂基材的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理，而得到本發明之樹脂基材之表面輪廓的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；將電鍍層設置在該無電電鍍層之表面的步驟；將抗蝕劑設置在該電鍍層或/及該極薄銅層之表面的步驟；對該抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將該極薄銅層及該無電電鍍層及該電鍍層去除，形成電路的步驟；將該抗蝕劑去除的步驟。
於使用減成法之本發明的印刷配線板之製造方法一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層後， 剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將通孔或/及盲孔設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層與絕緣基板的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；將電鍍層設置在該無電電鍍層之表面的步驟；將抗蝕劑設置在該電鍍層或/及該極薄銅層之表面的步驟；對該抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將該極薄銅層及該無電電鍍層及該電鍍層去除，形成電路的步驟；將該抗蝕劑去除的步驟。
於使用減成法之本發明的印刷配線板之製造方法另一實施形態，包含下述步驟：準備附載體銅箔與樹脂基材的步驟；將該附載體銅箔與樹脂基材積層的步驟；於將該附載體銅箔與樹脂基材積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將通孔或/及盲孔設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層與樹脂基材的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理，而得到本發明之樹脂基材之表面輪廓的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；將遮罩形成在該無電電鍍層之表面的步驟；將電鍍層設置在未形成遮罩之該無電電鍍層之表面的步驟；將抗蝕劑設置在該電鍍層或/及該極薄銅層之表面的步驟；對該抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將該極薄銅層及該無電電鍍層去除，形成電路的步驟；將該抗蝕劑去除的步驟。
於使用減成法之本發明的印刷配線板之製造方法另一實施形態，包含下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將該附載體銅箔與絕緣基板積層 後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將通孔或/及盲孔設置在經剝除該載體而露出之極薄銅層與絕緣基板的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域進行去膠渣處理的步驟；對含有該通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；將遮罩形成在該無電電鍍層之表面的步驟；將電鍍層設置在未形成遮罩之該無電電鍍層之表面的步驟；將抗蝕劑設置在該電鍍層或/及該極薄銅層之表面的步驟；對該抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將該極薄銅層及該無電電鍍層去除，形成電路的步驟；將該抗蝕劑去除的步驟。
設置通孔或/及盲孔的步驟及其後之去膠渣步驟亦可不進行。
此處，詳細說明使用本發明之附載體銅箔的印刷配線板製造方法之具體例。
步驟1：首先，準備具有極薄銅層之附載體銅箔(第1層)，該極薄銅層在表面形成有粗化處理層。
步驟2：接著，將抗蝕劑塗佈在極薄銅層之粗化處理層上，進行曝光、顯影，將抗蝕劑蝕刻成既定之形狀。
步驟3：接著，形成電路用之鍍敷後，去除抗蝕劑，藉此形成既定形狀之電路鍍敷。
步驟4：接著，以覆蓋電路鍍敷之方式(以掩埋電路鍍敷之方式)在極薄銅層上設置嵌入樹脂而積層樹脂層，接著自極薄銅層側接合另外的附載體銅箔(第2層)。
步驟5：接著，自第2層之附載體銅箔剝除載體。另，亦可使用不具有 載體之銅箔作為第2層。
步驟6：接著，在第2層之極薄銅層或銅箔及樹脂層的既定位置進行雷射開孔，使電路鍍敷露出，形成盲孔。
步驟7：接著，將銅埋入盲孔，形成填孔(via fill)。
步驟8：接著，在填孔上，如上述步驟2及3之方式形成電路鍍敷。
步驟9：接著，自第1層之附載體銅箔剝除載體。
步驟10：接著，藉由快速蝕刻將兩表面之極薄銅層(當設置銅箔作為第2層之情形時，為銅箔)去除，使樹脂層內之電路鍍敷之表面露出。
步驟11：接著，在樹脂層內之電路鍍敷上形成凸塊，在該焊料上形成銅柱(pillar)。以此方式製作使用本發明之附載體銅箔的印刷配線板。
上述另外的附載體銅箔(第2層)可使用本發明之附載體銅箔，或亦可使用以往的附載體銅箔，進而亦可使用通常的銅箔。又，在步驟8中之第2層的電路上，亦可進一步形成1層或複數層之電路，亦可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法進行其等之電路形成。
若根據上述之印刷配線板之製造方法，由於成為電路鍍敷埋入於樹脂層之構成，故例如當如步驟10以快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍敷受到樹脂層的保護，而可保持其形狀，藉此可輕易形成微細電路。又，由於電路鍍敷受到樹脂層的保護，故耐遷移性獲得提升，電路之配線的導通受到良好地抑制。因此，可輕易形成微細電路。又，如步驟10及步驟11所示，於藉由快速蝕刻去除極薄銅層時，由於電路鍍敷之露出面會成為自樹脂層凹陷之形狀，故可輕易在該電路鍍敷上形成凸塊，且可輕易進一步 在其上形成銅柱，使製造效率提升。
另，嵌入樹脂(resin)可使用公知之樹脂、預浸體。例如，可使用BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或或為含浸有BT樹脂之玻璃布的預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製ABF膜或ABF。又，前述嵌入樹脂(resin)可使用本說明書記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
又，前述被用於第一層之附載體銅箔，在該附載體銅箔之表面亦可具有基板或樹脂層。被用於第一層之附載體銅箔因具有該基板或樹脂層而會獲得支持，不易產生皺摺，因此具有提升生產性之優點。另，前述基板或樹脂層若為具有支持被用於前述第一層之附載體銅箔的效果者，則可使用所有的基板或樹脂層。例如可使用本案說明書記載之載體、預浸體、樹脂層或公知的載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔作為前述基板或樹脂層。
並且，藉由將電子零件類安裝在印刷配線板，來完成印刷電路板。於本發明中，「印刷配線板」亦包含以此方式安裝有電子零件類之印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。
又，亦可使用該印刷配線板製作電子機器，亦可使用安裝有該電子零件類之印刷電路板製作電子機器，亦可使用安裝有該電子零件類之印刷基板製作電子機器。
[實施例]
以下揭示本發明之實施例，惟此等實施例係提供用以更加清楚理解本發明及其優點者，並無限定發明之意圖。
於本實施例，如以下方式，製作使用銅箔形成樹脂基材之表面輪廓者與使用化學液形成樹脂基材之表面輪廓者。
1.使用銅箔形成樹脂基材之表面輪廓
圖3揭示用以得到實施例及比較例之數據的樣品製作流程。
〔實施例1~3、6，比較例1~3〕
準備厚度35μm之長電解銅箔(JX日鑛日石金屬公司製JTC)作為載體。對此銅箔之光澤面(亮面)，以下述條件，於捲對捲(roll-to-roll)型連續鍍敷生產線進行電鍍，藉此形成4000μg/dm2附著量之Ni層。
(Ni層)
硫酸鎳：200~300g/L
檸檬酸三鈉(trisodium citrate)：2~10g/L
pH：2~4
浴溫：40~70℃
電流密度：1~15A/dm2
水洗及酸洗後，接著，於捲對捲型連續鍍敷生產線上，以下述條件進行電解鉻酸處理，藉此使11μg/dm2附著量之Cr層附著在Ni層上。
(電解鉻酸處理)
液組成：重鉻酸鉀1~10g/L，鋅0~5g/L
pH：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0.1~2.6A/dm2
庫侖量：0.5~30As/dm2
接著，於於捲對捲型連續鍍敷生產線上，以下述條件進行電鍍，藉此將表所記載之厚度的極薄銅層形成在Cr層上，製造附載體銅箔。
‧極薄銅層
銅濃度：30~120g/L
H2SO4濃度：20~120g/L
電解液溫度：20~80℃
膠：1~20ppm
電流密度：10~100A/dm2
〔實施例4〕
以銅濃度80~120g/L、硫酸濃度80~120g/L、氯化物離子濃度30~100ppm、膠濃度1~5ppm、電解液溫度57~62℃之硫酸銅電解液作為電解銅鍍浴，使流經陽極與陰極(銅箔用電沈積用金屬製滾筒)間之電解液的線速度為1.5~2.5m/秒，以電流密度70A/dm2製作厚度12μm(重量厚度95g/m2)之兩面平坦電解原箔。
〔實施例5〕
準備厚度12μm之JX日鑛日石金屬股份有限公司製壓延銅箔作為原箔。
在前述實施例及比較例之原箔的表面，於下述所示之條件範圍，形成一次粒子層(Cu)、二次粒子層(銅-鈷-鎳合金鍍敷等)。
所使用之浴組成及鍍敷條件如表1~3。表1之一次粒子電流條件欄所 記載的2個電流條件、庫侖量之例，係指以左邊記載之條件進行鍍敷後，再進一步以右邊記載之條件進行鍍敷。例如，實施例1之一次粒子電流條件欄記載有「(65A/dm2，70As/dm2)+(20A/dm2，40As/dm2)」，此係表示以形成一次粒子之電流密度65A/dm2、庫侖量70As/dm2進行鍍敷後，再進一步以形成一次粒子之電流密度20A/dm2、庫侖量40As/dm2進行鍍敷。另，表1之實施例6、比較例3的「一次粒子形成時鍍敷液線流速(m/s)」欄所記載之值，意指二次粒子形成時鍍敷液線流速。另，實施例6、比較例3由於沒有形成一次粒子，故實施例6、比較例3之表1的「二次粒子形成鍍敷」相當於一次粒子形成鍍敷。另，使實施例6、比較例3以外之二次粒子形成時鍍敷液線流速為2.5m/sec。
〔阻隔(耐熱)處理〕
以下述條件進行阻隔(耐熱)處理，形成黃銅鍍敷層或鋅-鎳合金鍍敷層。
實施例1、比較例1之阻隔層(黃銅鍍敷)形成條件：
使用銅濃度50~80g/L、鋅濃度2~10g/L、氫氧化鈉濃度50~80g/L、氰化鈉濃度5~30g/L、溫度60~90℃之黃銅鍍浴，以電流密度5~10A/dm2(多段處理)對形成有粗化處理層之M面賦予鍍敷電量30As/dm2。
實施例2、比較例2之阻隔層(鋅-鎳鍍敷)形成條件：
使用添加有Ni：10g/L~30g/L、Zn：1g/L~15g/L、硫酸(H2SO4)：1g/L~12g/L、氯化物離子：0g/L~5g/L之鍍浴，以電流密度1.3A/dm2對形成有粗化處理層之M面賦予鍍敷電量5.5As/dm2。
〔防鏽處理〕
對實施例1、比較例1，以下述條件進行防鏽處理(鉻酸處理)，形成防鏽處理層。
(鉻酸鹽條件)於CrO3：2.5g/L、Zn：0.7g/L、Na2SO4：10g/L、pH4.8、54℃之鉻酸鹽浴，施予0.7As/dm2之電量。並且，於結束在鉻酸鹽浴之防鏽處理後，隨即以液體噴淋配管，使用相同之鉻酸鹽浴對粗化處理面整面進行噴淋。
〔矽烷偶合材塗佈〕
對銅箔之粗化處理面，噴灑含有0.2~2%之烷氧基矽烷(alkoxysilane)之pH7~8的溶液，藉此進行矽烷偶合材塗佈處理。
對實施例6，於防鏽處理、塗佈矽烷偶合材之後，進一步以下述條件形成樹脂層。
(樹脂合成例)
將3,4,3',4'-聯苯四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ-戊內酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、N-甲基-2-吡咯啶酮(以下記載為NMP)300g、甲苯20g加入在附有不鏽鋼製錨型攪拌棒、氮導入管及管閂之分離器上安裝有具備球管冷凝管之回流冷凝器的2公升三口燒瓶，以180℃加熱1小時後，冷卻至室溫附近，然後加入3,4,3',4'-聯苯四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2-雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、NMP200g、甲苯40g，以室溫混合1小時後，以180℃加熱3小時，而得到固形物成分38%之嵌段共聚聚醯亞胺。此嵌段共聚聚醯亞胺，係下述之一般式(1)：一般式(2)=3：2，數量平均分子量：70000，重量平均分子量：150000。
進一步以NMP將合成例所得之嵌段共聚聚醯亞胺溶液加以稀釋，製成固形物成分10%之嵌段共聚聚醯亞胺溶液。使雙(4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷(BMI-H，KI Chemical Industry公司)之固形物成分重量比率為35，嵌段共聚聚醯亞胺之固形物成分重量比率為65(亦即，樹脂溶液所含之雙(4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷固形物成分重量：樹脂溶液所含之嵌段共聚聚醯亞胺固形物成分重量=35：65)，以60℃、20分鐘將雙(4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷溶解混合於該嵌段共聚聚醯亞胺溶液，製成樹脂溶液。然後，於實施例28使用反輥塗佈機將該樹脂溶液塗佈在銅箔之M面(高光澤面)，於實施例8，則是使用反輥塗佈機將該樹脂溶液塗佈在銅箔之極薄銅表面，於氮環境下，以120℃進行3分鐘乾燥處理，並以160℃進行3分鐘乾燥處理後，最後以300℃進行2分鐘加熱處理，製得具備有樹脂層之銅箔。另，使樹脂層之厚度為2μm。
另，以下之實施例，藉由下述條件形成中間層。
(實施例7)
除了在載體與銅箔之間，形成Co-Mo合金作為中間層以外，其餘皆 以與實施例1同樣之條件，形成銅層。此情形之Co-Mo合金中間層，係藉由在下述液組成之鍍敷液中進行鍍敷來製作。
液組成：CoSO4‧7H2O 0.5~100g/L，Na2MoO4‧2H2O 0.5~100g/L，檸檬酸鈉二水合物20~300g/L
溫度：10~70℃
pH：3~5
電流密度：0.1~60A/dm2
(實施例8)
除了在載體與銅箔之間，形成Cr作為中間層以外，其餘皆以與實施例1同樣之條件，形成銅層。此情形之Cr中間層係藉由在下述液組成之鍍敷液中進行鍍敷來製作。
液組成：CrO3 200~400g/L，H2SO4 1.5~4g/L
pH：1~4
液溫：45~60℃
電流密度：10~40A/dm2
(實施例9)
除了在載體與銅箔之間，形成Cr/CuP作為中間層以外，其餘皆以與實施例1同樣之條件，形成銅層。此情形之Cr/CuP係藉由在下述液組成之鍍敷液中進行鍍敷來製作。
液組成1：CrO3 200~400g/L，H2SO4 1.5~4g/L
pH：1~4
液溫：45~60℃
電流密度：10~40A/dm2
液組成2：Cu2P2O7‧3H2O 5~50g/L，K4P2O7 50~300g/L
液溫：30~60℃
pH：8~10
電流密度：0.1~1.0A/dm2
(實施例10)
除了在載體與銅箔之間，形成Ni/Cr作為中間層以外，其餘皆以與實施例1同樣之條件，形成銅層。此情形之Ni/Cr中間層係藉由在下述液組成之鍍敷液中進行鍍敷來製作。
液組成1：NiSO4‧6H2O 250~300g/L，NiCl2‧6H2O 35~45g/L，硼酸10~50g/L
液溫：30~70℃
pH：2~6
電流密度：0.1~50A/dm2
液組成2：CrO3 200~400g/L，H2SO4 1.5~4g/L
液溫：45~60℃
pH：1~4
電流密度：10~40A/dm2
(實施例11)
除了在載體與銅箔之間，形成Co/鉻酸處理之層作為中間層以外，其餘皆以與實施例1同樣之條件，形成銅層。
此情形之Co/鉻酸處理之中間層係藉由在下述液組成之鍍敷液中進行 鍍敷來製作。
液組成1：CoSO4‧7H2O 10~100g/L，檸檬酸鈉二水合物30~200g/L
液溫：10~70℃
pH：3~5
電流密度：0.1~60A/dm2
液組成2：CrO3 1~10g/L
液溫：10~70℃
pH：10~12
電流密度：0.1~1.0A/dm2
(實施例12)
除了在載體與銅箔之間，形成有機物層作為中間層以外，其餘皆以與實施例1同樣之條件，形成銅層。
此情形之有機物層之中間層，係藉由將液溫40℃、pH5、濃度1~10g/L之羧基苯并三唑水溶液噴霧10~60秒鐘之條件來製作。
-表面處理銅箔及附載體銅箔之評價-
對以上述方式所製得之表面處理銅箔及附載體銅箔，以下述方法實施各種評價。結果示於表4。
<粒子相當面積比>
對各實施例、比較例之表面處理銅箔、附載體銅箔，以下述方式測量粗化粒子之平均徑與粒子之個數密度。又，藉由下式算出粒子相當面積比。
粒子相當面積比(-)=粒子之個數密度(個/μm2)×每1個具有平 均徑之粒子的圓相當面積(μm2/個)
每1個具有平均徑之粒子的圓相當面積(μm2/個)=(粒子之平均徑(μm)/2)2×π(1/個)
粒子相當面積比，係表示粗化粒子覆蓋表面處理銅箔之面積之程度的指標。
<粒子之平均徑>
對各實施例、比較例之表面處理銅箔、附載體銅箔，對經過表面處理之面使用掃瞄型電子顯微鏡，對3視野拍攝照片(30000倍)。於3視野(1視野之大小：橫4.14μm×縱3.07μm=面積12.71μm2)測量各粗化粒子之粒徑。此處，粒徑係包圍粒子之最小圓的直徑。又，以3視野所得之粒徑值之算術平均值作為粒子之平均徑。另，當即使是粒子彼此接觸之情形亦可確認粒子之邊界時，分開計算該相接之粒子的粒徑。
<粒子之個數密度>
對各實施例、比較例之表面處理銅箔、附載體銅箔，對經過表面處理之面使用掃瞄型電子顯微鏡，對3視野拍攝照片(30000倍)。於3視野(1視野之大小：橫4.14μm×縱3.07μm=面積12.71μm2)測量粗化粒子之個數。又，自3視野所得之粗化粒子的個數算出每單位面積(μm2)之個數，作為粒子之個數密度。另，當即使是粒子彼此接觸之情形亦可確認粒子之邊界時，分開計算該相接之粒子的個數。
-基材表面之評價-
接著，對各實施例、比較例之表面處理銅箔、附載體銅箔，準備20cm見方尺寸之下述樹脂基材，以使銅箔具有表面處理層之面接觸於樹脂基材 的方式，將樹脂基材與銅箔積層加壓。積層加壓之溫度、壓力、時間，係使用基材廠商之建議條件。
使用樹脂：FR4
接著，以下述蝕刻條件藉由整面蝕刻將樹脂基材上之表面處理銅箔去除。又，對於樹脂基材上之附載體銅箔，於剝除載體後，以下述蝕刻條件藉由整面蝕刻將極薄銅層去除。另，「整面蝕刻」，係指銅箔厚度被全部去除，蝕刻至整面露出樹脂。
(蝕刻條件)蝕刻液：二氯化銅溶液，HCl濃度：3.5mol/L，溫度：50℃，調節CuCl2濃度使比重為1.26。
〔實施例13〕
對於實施例13，準備2片厚度100μm之FR4。將此2片樹脂基材疊合，在其兩側貼合離型層膜，然後進行積層加壓。積層加壓之溫度、壓力、時間，係使用基材廠商之建議條件。積層加壓結束後，將離型層膜自樹脂基材剝離，以下述處理條件對樹脂基材表面進行淋式處理A、B及中和處理，藉此形成樹脂基材之表面輪廓。
(淋式處理條件A)
‧去膠渣處理液：40g/L KMnO4，20g/L NaOH
‧處理溫度：室溫
‧處理時間：15分
‧澆淋壓力：0.4MPa
(淋式處理條件B)
‧去膠渣處理液：90g/L KMnO4，5g/L HCl
‧處理溫度：49℃
‧處理時間：20分
‧澆淋壓力：0.4MPa
(中和處理條件)
‧中和處理液：L-抗壞血酸80g/L
‧處理溫度：室溫
‧浸漬時間：3分
‧無攪拌
以此方式，進行使用化學液之樹脂基材表面輪廓的形成。
<白部平均、黑部平均>
對各實施例、比較例之樹脂基材的蝕刻側表面，使用掃瞄型電子顯微鏡(SEM)，使加速電壓為15kV，進行照片拍攝。另，當拍攝照片時，將對比與亮度調整成使觀察視野整體之孔的輪郭清楚可見。照片整體並非純白或純黑，而是以可觀察孔之輪郭的狀態進行照片拍攝。又，對所拍攝之照片(SEM像(30k倍(30000倍)))，使用Photo Shop 7.0軟體，實施白色、黑色影像處理。接著，對所得之影像畫出如圖1所示之分別將縱橫3等分之4條線(A~D線)，測量各線通過白部(白色區域)之總長度，計算此等A~D線之合計，求出白部之長度。對測量對象之樹脂基材表面的3視野(1視野之大小：横4.14μm×縱3.07μm=面積12.71μm2)進行上述操作，使其平均為白部平均(μm)。又，測量4條線(A~D線)通過黑部(黑色區域)之總長度，計算該等A~D線之合計，求出黑部之長度。對測量對象之樹脂基材表面的3視野進行上述操作，使其平均為黑部平均(μm)。
<最大白部、最大黑部>
對於各實施例、比較例之樹脂基材的蝕刻側表面，對藉由上述SEM像所得之影像，總括4條線(A~D線)，分別求出所測得之白部的最大長度(鄰接之黑部與黑部之間的距離之中，最大者)、所測得之黑部的最大長度(鄰接之白部與白部之間的距離之中，最大者)。
<白部自較大者起10點之平均，黑部自較大者起10點之平均>
對於各實施例、比較例之樹脂基材的蝕刻側表面，對藉由上述SEM像所得之影像，求出白部自較大者起10點之平均、黑部自較大者起10點之平均。
<白部比例>
對於各實施例、比較例之樹脂基材的蝕刻側表面，對藉由上述SEM像所得之影像，求出白部相對於白部與黑部之合計的比例。
<剝離強度>
對樹脂基材(整面蝕刻基材)之蝕刻面，賦予用以使無電解銅析出之觸媒，及使用關東化成製之KAP-8浴，以下述條件實施無電鍍銅。所得之無電鍍銅的厚度為0.5μm。
CuSO4濃度：0.06mol/L，HCHO濃度：0.5mol/L，EDTA濃度：0.12mol/L，pH12.5，添加劑：2,2’-二吡啶基(dipyridyl)，添加劑濃度：10mg/L，表面活性劑：REG-1000，表面活性劑濃度：500mg/L
接著，於無電鍍銅上，進一步使用下述之電解液實施電鍍。銅厚度(無電電鍍及電鍍之總厚度)為12μm。
單純硫酸銅電解液：Cu濃度：100g/L，H2SO4濃度：80g/L
對以上述方式在樹脂基材(整面蝕刻基材)實施無電鍍銅、電鍍銅而使銅層厚度為12μm之附鍍銅積層板，藉由濕式蝕刻製作寬度10mm之銅電路。依JIS-C-6481，測量以90度剝離此銅電路時之強度，作為剝離強度。
<微細配線形成性>
對以上述方式在樹脂基材(整面蝕刻基材)實施無電鍍銅、電鍍銅而使銅層厚度為12μm之附鍍銅積層板，藉由蝕刻對鍍銅進行加工，形成L(線)/S(間隔)=15μm/15μm及10μm/10μm之電路。此時，以目視觀察形成在樹脂基板上之微細配線，使沒有電路剝離、電路間之短路(電路間之銅異常析出)、電路欠缺者為OK(○)。
圖4(a)顯示實施例1之銅箔處理面的SEM像(×30000)，圖4(b)顯示實施例1之樹脂基材面的SEM像(×30000)。
圖5(c)顯示比較例1之銅箔處理面的SEM像(×30000)，圖5(d)顯示比較例1之樹脂基材面的SEM像(×30000)。
圖6(e)顯示實施例2之銅箔處理面的SEM像(×30000)，圖6(f)顯示實施例2之樹脂基材面的SEM像(×30000)。
圖7(g)顯示實施例3之銅箔處理面的SEM像(×30000)，圖7(h)顯示實施例3之樹脂基材面的SEM像(×30000)。
圖8(1)顯示上述測量中用於白部、黑部評價之使用Photo Shop 7.0軟體所得之實施例1的影像。
圖8(2)顯示上述測量中用於白部、黑部評價之使用Photo Shop 7.0軟體所得之比較例1的影像。
圖8(3)顯示上述測量中用於白部、黑部評價之使用Photo Shop 7.0軟體所得之實施例2的影像。
圖8(4)顯示上述測量中用於白部、黑部評價之使用Photo Shop 7.0軟體所得之實施例3的影像。

Claims (41)

  1. 一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部平均為0.07~0.23μm。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部平均為0.14~0.23μm。
  3. 一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的最大白部為0.704~0.88μm。
  4. 一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部自較大者起10點之平均為0.15~0.457μm。
  5. 如申請專利範圍第4項之表面處理銅箔，其中，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部自較大者起10點之平均為0.20~0.457μm。
  6. 一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部平均為0.035~0.20μm。
  7. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部平均為0.05~0.20μm。
  8. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部平均為0.07~0.20μm。
  9. 一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基 材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的最大黑部為0.180~0.605μm。
  10. 如申請專利範圍第9項之表面處理銅箔，其中，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的最大黑部為0.355~0.605μm。
  11. 一種表面處理銅箔，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部自較大者起10點之平均為0.06~0.335μm。
  12. 如申請專利範圍第11項之表面處理銅箔，其中，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部自較大者起10點之平均為0.13~0.335μm。
  13. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之表面處理銅箔，其中，於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部比例為55~68%。
  14. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之表面處理銅箔，其滿足下述(A)~(I)中之至少兩者以上：(A)該表面處理層表面之粒子相當面積比為0.1~0.85，(B)該表面處理層表面之粒子的平均徑為0.03~0.28μm，(C)該表面處理層表面之粒子的個數密度為3.8~430個/μm2，(D)於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部平均為0.07~0.23μm，(E)於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的最大白部為0.704~ 0.88μm，(F)於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的白部自較大者起10點之平均為0.15~0.457μm，(G)於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部平均為0.035~0.20μm，(H)於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的最大黑部為0.180~0.605μm，(I)於將表面處理銅箔自表面處理層側貼合在樹脂基材，然後將該表面處理銅箔去除時，該樹脂基材之該銅箔去除側表面的黑部自較大者起10點之平均為0.06~0.335μm。
  15. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層為粗化處理層。
  16. 如申請專利範圍第15項之表面處理銅箔，其中，該粗化處理層係由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅構成之群中任一單質或含有此等單質任1種以上之合金構成之層。
  17. 如申請專利範圍第15項之表面處理銅箔，其中，在該粗化處理層之表面，具有選自由耐熱層、防鏽層、鉻酸處理(chromate treatment)層及矽烷偶合處理層構成之群中1種以上之層。
  18. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之表面處理銅箔，其中，該表 面處理層為選自由粗化處理層、耐熱層、防鏽層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層構成之群中1種以上之層。
  19. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之表面處理銅箔，其中，該表面處理層上具備樹脂層。
  20. 一種附載體銅箔，依序具備有載體、中間層及極薄銅層，該極薄銅層為申請專利範圍第1至12項中任一項之表面處理銅箔。
  21. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中，在該載體之兩面具備有該極薄銅層。
  22. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中，在該載體之與該極薄銅層相反側具備有粗化處理層。
  23. 一種基材，係將申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或者係將申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面之白部平均為0.16~0.25μm。
  24. 一種基材，係將申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或者係將申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面之最大白部為0.785~0.98μm。
  25. 一種基材，係將申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或者係將 申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面的白部自較大者起10點之平均為0.32~0.505μm。
  26. 一種基材，係將申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或者係將申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面之黑部平均為0.08~0.22μm。
  27. 一種基材，係將申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或者係將申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面之最大黑部為0.4~0.675μm。
  28. 一種基材，係將申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或者係將申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面的黑部自較大者起10點之平均為0.15~0.37μm。
  29. 一種基材，係將申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔自表面處理層側貼合在基材，然後將該表面處理銅箔去除而得，或者係將申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔自極薄銅層側貼合在基材，然後將該附載體銅箔去除而得，該銅箔去除側表面之白部比例為55~ 68%。
  30. 一種覆銅積層板，係使用申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔或申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔製得。
  31. 一種印刷配線板，係使用申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔或申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔製得。
  32. 一種電子機器，其使用有申請專利範圍第31項之印刷配線板。
  33. 一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔與絕緣基板的步驟；將該表面處理銅箔自表面處理層側積層在絕緣基板的步驟；將該絕緣基板上之表面處理銅箔去除的步驟；將電路形成在經去除該表面處理銅箔之絕緣基板之表面的步驟。
  34. 一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔自極薄銅層側積層在絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝除該附載體銅箔之載體的步驟；將經剝除該載體後之絕緣基板上之極薄銅層去除的步驟；將電路形成在經去除該極薄銅層之絕緣基板之表面的步驟。
  35. 一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔與絕緣基板的步驟； 將該表面處理銅箔自表面處理層側積層在絕緣基板形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、減成法、部分加成法(partly additive process)或改良半加成法(modified semi-additive process)中之任一方法形成電路的步驟。
  36. 一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔自極薄銅層側積層在絕緣基板的步驟；將該附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將該附載體銅箔之載體剝除的步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法，減成法，部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路的步驟。
  37. 一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔或申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔的步驟，其中該表面處理銅箔在形成有表面處理層之側的表面形成有電路，該附載體銅箔在極薄銅層側表面形成有電路；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該表面處理銅箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將電路形成在該樹脂層之表面的步驟；及藉由去除該表面處理銅箔或該附載體銅箔，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
  38. 一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備在表面形成有電路的金屬箔，或第1表面處理銅箔，或在極薄金 屬層側表面形成有電路的附載體金屬箔，或第1附載體銅箔的步驟，其中該第1表面處理銅箔為在形成有表面處理層之側之表面形成有電路的申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔，該第1附載體銅箔為在極薄銅層側表面形成有電路的申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該金屬箔表面或該表面處理銅箔表面或該附載體金屬箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將第2表面處理銅箔自表面處理層側積層在該樹脂層的步驟；或將第2附載體銅箔自極薄銅層側積層在該樹脂層的步驟，其中該第2表面處理銅箔為申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔，該第2附載體銅箔為申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔；當積層在該樹脂層之箔為該第2附載體銅箔的情形時，將該第2附載體銅箔之載體剝除的步驟；將該樹脂層上之表面處理銅箔，或該第2附載體銅箔經剝除載體後殘留之極薄銅層去除的步驟；將電路形成在經去除該表面處理銅箔之樹脂層之表面，或經去除極薄銅層之樹脂層之表面的步驟；及於將電路形成在該樹脂層上之後，藉由去除該金屬箔，或藉由去除該第1表面處理銅箔，或藉由在將該附載體金屬箔之載體剝離後，去除極薄金屬層，或藉由在將該第1附載體銅箔之載體剝離後，去除極薄銅層，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
  39. 一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟： 準備申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔或申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔的步驟，其中該表面處理銅箔在形成有表面處理層之側的表面形成有電路，該附載體銅箔在極薄銅層側表面形成有電路；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該表面處理銅箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將金屬箔積層在該樹脂層的步驟；或將附載體金屬箔自極薄金屬層側積層在該樹脂層的步驟；當積層在該樹脂層之箔為該附載體金屬箔的情形時，將該附載體金屬箔之載體剝除的步驟；將該樹脂層上之金屬箔，或該附載體金屬箔經剝除載體後殘留之極薄金屬層去除的步驟；將電路形成在經去除該金屬箔之樹脂層之表面，或經去除極薄銅層之樹脂層之表面的步驟；及於將電路形成在該樹脂層上之後，藉由去除該表面處理銅箔，或藉由在將該附載體銅箔之載體剝離後，去除極薄銅層，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
  40. 一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備在表面形成有電路的金屬箔，或第1表面處理銅箔，或在極薄金屬層側表面形成有電路的附載體金屬箔，或第1附載體銅箔的步驟，其中該第1表面處理銅箔為在形成有表面處理層之側之表面形成有電路的申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔，該第1附載體銅箔為在極 薄銅層側表面形成有電路的申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔；以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該金屬箔表面或該表面處理銅箔表面或該附載體金屬箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將第2表面處理銅箔自表面處理層側積層在該樹脂層的步驟；或將第2附載體銅箔自極薄銅層側積層在該樹脂層的步驟，其中該第2表面處理銅箔為申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔，該第2附載體銅箔為申請專利範圍第20至22項中任一項之附載體銅箔；當積層在該樹脂層之箔為該第2附載體銅箔的情形時，將該第2附載體銅箔之載體剝除的步驟；使用該樹脂層上之表面處理銅箔或該第2附載體銅箔經剝除載體後殘留之極薄銅層，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法將電路形成在該樹脂層上的步驟；於將電路形成在該樹脂層上之後，藉由去除該金屬箔，或藉由去除該第1表面處理銅箔，或藉由在將該附載體金屬箔之載體剝離後，去除極薄金屬層，或藉由在將該第1附載體銅箔之載體剝離後，去除極薄銅層，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
  41. 一種印刷配線板之製造方法，包含下述步驟：準備申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔或申請專利範圍第20至22項中任一項之之附載體銅箔的步驟，其中該表面處理銅箔在形成有表面處理層之側的表面形成有電路，該附載體銅箔在極薄銅層側表面形成有電路； 以覆蓋該電路之方式將樹脂層形成在該表面處理銅箔表面或該附載體銅箔表面的步驟；將金屬箔積層在該樹脂層的步驟；或將附載體金屬箔自極薄金屬層側積層在該樹脂層的步驟；當積層在該樹脂層之箔為該附載體金屬箔的情形時，將該附載體金屬箔之載體剝除的步驟；使用該樹脂層上之金屬箔或該附載體金屬箔經剝除載體後殘留之極薄金屬層，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法將電路形成在該樹脂層上的步驟；於將電路形成在該樹脂層上之後，藉由去除該表面處理銅箔，或藉由在將該附載體銅箔之載體剝離後，去除極薄銅層，而使被該樹脂層覆蓋之電路露出的步驟。
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