TWI659826B - 表面處理銅箔、及關於其之製品 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種表面處理銅箔，其能夠提供如下銅箔去除後基材面的輪廓形狀，該輪廓形狀即使進行去汙處理也具有所需的凹凸形狀，且實現無電鍍銅皮膜的良好密接力。另外，本發明提供一種基材，其即使進行去汙處理也具有所需的凹凸形狀，且實現無電鍍銅皮膜的良好密接力。本發明的表面處理銅箔在將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除表面處理銅箔，對露出的樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，樹脂基材之銅箔去除側表面的白部平均值成為0.14~0.70μm。

Description

表面處理銅箔、及關於其之製品
本發明關於一種表面處理銅箔、附載體銅箔、基材、樹脂基材、積層體、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法。
半導體封裝基板及印刷配線基板的電路形成加工法主要是減成加工法。但是，近年來隨著半導體的高積體化，用於半導體的半導體封裝基板、印刷配線基板的電路的微細化不斷進展，利用減成加工法形成微細電路變得越來越難。
作為對進一步微細配線化的對策，以下電路形成加工法受到關注：電路形成加工法(1)，將極薄銅箔作為供電層實施圖案銅鍍敷，最後藉由快速蝕刻將極薄銅層去除而形成配線；電路形成加工法(2)，藉由真空加壓等使預浸體或堆積膜硬化，並將其表面粗面化，在基材面形成適當凹凸，藉此形成具有可靠性的微細配線；電路形成加工法(3)，使銅箔表面輪廓轉印到基材表面，在基材表面形成適當凹凸，藉此形成具有可靠性的微細配線。這些加工法一般被稱為SAP加工法(半加成加工法)。
使用銅箔表面輪廓的SAP加工法例如記載在專利文獻1中。作為這種使用銅箔表面輪廓的典型SAP加工法的例子，列舉如下。即，對積層在樹脂的銅箔進行整面蝕刻，將蝕刻基材面開孔，對開孔部及基材的整面或一部分實施去汙處理，在開孔部的蝕刻面貼附乾膜，對未形成電 路的部分的乾膜進行曝光、顯影，利用化學液去除乾膜無用部，對沒有被覆乾膜的轉印了銅箔表面輪廓的蝕刻基材面實施無電鍍銅、電鍍銅，最終藉由快速蝕刻去除無電鍍銅層而形成微細配線。
於此，如上所述，對樹脂基材的開孔一般是藉由雷射加工進行。此時，在樹脂基材上產生的孔的壁面產生樹脂殘餘(汙跡)。該汙跡導致通孔、盲孔內的鍍銅不良。該鍍銅不良導致導通不良，有引起印刷配線板的品質不良的擔憂。所以，為了去除汙跡，進行如上所述的去汙處理。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-196863號公報
但是，存在如下問題：藉由上述去汙處理，樹脂基材的通孔、盲孔以外的樹脂部分也會被腐蝕，樹脂的凹凸不適當，該樹脂基材與銅電路的密接力降低。
所以，本發明的課題在於提供一種表面處理銅箔，其能夠提供如下銅箔去除後基材面的輪廓形狀，該輪廓形狀即使進行去汙處理也具有所需的凹凸形狀，且實現無電鍍銅皮膜的良好密接力。
為了達成上述目的，本發明者們反復努力研究，結果發現，在將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除表面處理銅箔，對露出的樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，以樹脂基 材的銅箔去除側表面的白部或黑部成為特定形態的方式進行控制，藉此能夠解決上述課題。
本發明是基於上述見解而完成的，在一態樣中是一種表面處理銅箔，其於將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙(desmear)處理、中和處理時，上述樹脂基材之上述銅箔去除側表面的白部平均值成為0.14~0.70μm。
本發明在又一態樣中是一種表面處理銅箔，其於將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，上述樹脂基材之上述銅箔去除側表面的白部平均值成為0.16~0.65μm。
本發明在又一態樣中是一種表面處理銅箔，其於將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，上述樹脂基材之上述銅箔去除側表面的白部最大值成為0.40~0.81μm。
本發明在又一態樣中是一種表面處理銅箔，其於將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，上述樹脂基材之上述銅箔去除側表面的白部由大到小取10點的平均值成為0.35~1.0μm。
本發明在又一態樣中是一種表面處理銅箔，其於將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的 上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，上述樹脂基材之上述銅箔去除側表面的白部由大到小取10點的平均值成為0.36~0.9μm。
本發明在又一態樣中是一種表面處理銅箔，其在將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，上述樹脂基材之上述銅箔去除側表面的黑部平均值成為0.13~0.256μm。
本發明在又一態樣中是一種表面處理銅箔，其於將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，上述樹脂基材之上述銅箔去除側表面的黑部平均值成為0.14~0.24μm。
本發明在又一態樣中是一種表面處理銅箔，其於將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，上述樹脂基材之上述銅箔去除側表面的黑部平均值成為0.15~0.23μm。
本發明在又一態樣中是一種表面處理銅箔，其於將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，上述樹脂基材之上述銅箔去除側表面的黑部最大值成為0.42~1.07μm。
本發明在又一態樣中是一種表面處理銅箔，其於將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，上述樹脂基材 之上述銅箔去除側表面的黑部最大值成為0.5~1.0μm。
本發明在又一態樣中是一種表面處理銅箔，其於將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，上述樹脂基材之上述銅箔去除側表面的黑部由大到小取10點的平均值成為0.31~0.55μm。
本發明在又一態樣中是一種表面處理銅箔，其於將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，上述樹脂基材之上述銅箔去除側表面的黑部由大到小取10點的平均值成為0.32~0.53μm。
本發明的表面處理銅箔在一實施方式中，於將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，上述樹脂基材的上述銅箔去除側表面的白部比率成為45.5~70%。
本發明的表面處理銅箔在另一實施方式中，上述表面處理層為粗化處理層。
本發明的表面處理銅箔在又一實施方式中，上述粗化處理層是由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所組成之群中的任一單質或含有任一種以上的合金所構成的層。
本發明的表面處理銅箔在又一實施方式中，在上述粗化處理層的表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層 所組成之群中之1種以上的層。
本發明的表面處理銅箔在又一實施方式中，上述表面處理層是選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之1種以上的層。
本發明的表面處理銅箔在又一實施方式中，在上述表面處理層上具備樹脂層。
本發明在又一態樣中是一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，且上述極薄銅層為本發明的表面處理銅箔。
本發明的附載體銅箔在一實施方式中，在上述載體之兩面具備上述極薄銅層。
本發明的附載體銅箔在另一實施方式中，在上述載體之與上述極薄銅層為相反側具備粗化處理層。
本發明在又一態樣中是一種基材，其是將本發明的表面處理銅箔從表面處理層側貼合在基材並將上述表面處理銅箔去除所得的基材、或將本發明的附載體銅箔從極薄銅層側貼合在基材並將上述附載體銅箔去除所得的基材，當對藉由去除上述表面處理銅箔或附載體銅箔而露出的上述基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，白部平均值為0.14~0.70μm。
本發明在又一態樣中是一種基材，其是將本發明的表面處理銅箔從表面處理層側貼合在基材並將上述表面處理銅箔去除所得的基材、或將本發明的附載體銅箔從極薄銅層側貼合在基材並將上述附載體銅箔去除所得的基材，當對藉由去除上述表面處理銅箔或附載體銅箔而露出的上 述基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，白部最大值成為0.40~0.81μm。
本發明在又一態樣中是一種基材，其是將本發明的表面處理銅箔從表面處理層側貼合在基材並將上述表面處理銅箔去除所得的基材、或將本發明的附載體銅箔從極薄銅層側貼合在基材並將上述附載體銅箔去除所得的基材，當對藉由去除上述表面處理銅箔或附載體銅箔而露出的上述基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，白部由大到小取10點的平均值成為0.35~1.0μm。
本發明在又一態樣中是一種基材，其是將本發明的表面處理銅箔從表面處理層側貼合在基材並將上述表面處理銅箔去除所得的基材、或將本發明的附載體銅箔從極薄銅層側貼合在基材並將上述附載體銅箔去除所得的基材，當對藉由去除上述表面處理銅箔或附載體銅箔而露出的上述基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，黑部平均值成為0.13~0.256μm。
本發明在又一態樣中是一種基材，其是將本發明的表面處理銅箔從表面處理層側貼合在基材並將上述表面處理銅箔去除所得的基材、或將本發明的附載體銅箔從極薄銅層側貼合在基材並將上述附載體銅箔去除所得的基材，當對藉由去除上述表面處理銅箔或附載體銅箔而露出的上述基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，黑部最大值成為0.42~1.07μm。
本發明在又一態樣中是一種基材，其是將本發明之表面處理銅箔從表面處理層側貼合在基材並將上述表面處理銅箔去除所得的基材、 或將本發明之附載體銅箔從極薄銅層側貼合在基材並將上述附載體銅箔去除所得的基材，當對藉由去除上述表面處理銅箔或附載體銅箔而露出的上述基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，黑部由大到小取10點的平均值成為0.31~0.55μm。
本發明在又一態樣中是一種基材，其是將本發明之表面處理銅箔從表面處理層側貼合在基材並將上述表面處理銅箔去除所得的基材、或將本發明之附載體銅箔從極薄銅層側貼合在基材並將上述附載體銅箔去除所得的基材，當對藉由去除上述表面處理銅箔或附載體銅箔而露出的上述基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，白部比率成為45.5~70%。
本發明在又一態樣中是一種積層體，其是使用本發明的表面處理銅箔或本發明的附載體銅箔進行製造而成。
本發明在又一態樣中是一種積層體，其包含本發明的表面處理銅箔或本發明的附載體銅箔與樹脂，且上述表面處理銅箔或上述附載體銅箔的端面的一部分或全部被上述樹脂覆蓋。
本發明在又一態樣中是一種積層體，其是將一個本發明的附載體銅箔從上述載體側或上述極薄銅層側向另一本發明的附載體銅箔的上述載體側或上述極薄銅層側進行積層而成。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備本發明的表面處理銅箔與絕緣基板；將上述表面處理銅箔從表面處理層側積層在絕緣基板； 將上述絕緣基板上之表面處理銅箔去除；及在去除了上述表面處理銅箔後之絕緣基板的表面形成電路。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔從極薄銅層側積層在絕緣基板；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔的載體；將剝離上述載體後的絕緣基板上的極薄銅層去除；及在去除上述極薄銅層後的絕緣基板的表面形成電路。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備本發明的表面處理銅箔與絕緣基板；及將上述表面處理銅箔從表面處理層側積層在絕緣基板而形成覆銅積層板，之後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法來形成電路。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔從極薄銅層側積層在絕緣基板；及在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離上述附載體銅箔的載體的步驟而形成覆銅積層板，之後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法來形成電路。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在形成有表面處理層之側的表面形成了電路的本發明之表面處理銅箔、或在極薄銅層側表面形成了電路的本發明的附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式在上述表面處理銅箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；在上述樹脂層的表面形成電路；及藉由將上述表面處理銅箔或上述附載體銅箔去除，使掩埋於上述樹脂層的電路露出。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在表面形成有電路的金屬箔、或在形成了表面處理層的一側的表面形成有電路之作為本發明的表面處理銅箔的第1表面處理銅箔、或在極薄金屬層側表面形成有電路之附載體金屬箔、或在極薄銅層側表面形成有電路之作為本發明之附載體銅箔的第1附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式，在上述金屬箔表面或上述表面處理銅箔表面或上述附載體金屬箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；將作為本發明的表面處理銅箔的第2表面處理銅箔從表面處理層側積層在上述樹脂層、或將作為本發明之附載體銅箔的第2附載體銅箔從極薄銅層側積層在上述樹脂層；在積層在上述樹脂層的箔為上述第2附載體銅箔的情況下，將上述第2附載體銅箔的載體剝離； 將上述樹脂層上之表面處理銅箔、或剝離上述第2附載體銅箔之載體後殘留的極薄銅層去除；在去除了上述表面處理銅箔後之樹脂層的表面、或去除了極薄銅層後之樹脂層的表面形成電路；及在上述樹脂層上形成電路後，將上述金屬箔去除，或將上述第1表面處理銅箔去除，或在剝離上述附載體金屬箔之載體後將極薄金屬層去除，或在剝離上述第1附載體銅箔之載體後將極薄銅層去除，藉此使掩埋於上述樹脂層的電路露出。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在形成了表面處理層之側的表面形成了電路之本發明之表面處理銅箔、或在極薄銅層側表面形成了電路之本發明之附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式在上述表面處理銅箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；將金屬箔積層在上述樹脂層、或將附載體金屬箔從極薄金屬層側積層在上述樹脂層；在積層在上述樹脂層的箔為上述附載體金屬箔的情況下，將上述附載體金屬箔的載體剝離；將上述樹脂層上的金屬箔、或剝離上述附載體金屬箔的載體而殘留的極薄金屬層去除；在去除上述金屬箔後之樹脂層的表面、或去除極薄銅層後之樹脂層的表面形成電路；及 在上述樹脂層上形成電路後，將上述表面處理銅箔去除，或在剝離上述附載體銅箔的載體後將極薄銅層去除，藉此使掩埋於上述樹脂層的電路露出。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在表面形成了電路的金屬箔、或在形成了表面處理層之側的表面形成了電路之作為本發明的表面處理銅箔的第1表面處理銅箔、或在極薄金屬層側表面形成了電路的附載體金屬箔、或在極薄銅層側表面形成了電路之作為本發明的附載體銅箔之第1附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式，在上述金屬箔表面或上述表面處理銅箔表面或上述附載體金屬箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；將作為本發明之表面處理銅箔的第2表面處理銅箔從表面處理層側積層在上述樹脂層、或將作為本發明的附載體銅箔的第2附載體銅箔從極薄銅層側積層在上述樹脂層；於積層在上述樹脂層的箔為上述第2附載體銅箔的情況下，將上述第2附載體銅箔的載體剝離；使用上述樹脂層上之表面處理銅箔、或剝離上述第2附載體銅箔的載體後殘留的極薄銅層，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法，在上述樹脂層上形成電路；及在上述樹脂層上形成電路後，將上述金屬箔去除，或將上述第1表面處理銅箔去除，或在剝離上述附載體金屬箔的載體後將極薄金屬層去除，或在剝離上述第1附載體銅箔的載體後將極薄銅層去除，藉此使掩埋於上 述樹脂層的電路露出。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在形成了表面處理層的一側的表面形成了電路之本發明之表面處理銅箔、或在極薄銅層側表面形成了電路之本發明的附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式在上述表面處理銅箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；將金屬箔積層在上述樹脂層、或將附載體金屬箔從極薄金屬層側積層在上述樹脂層；在積層在上述樹脂層的箔為上述附載體金屬箔的情況下，將上述附載體金屬箔的載體剝離；使用上述樹脂層上的金屬箔、或剝離上述附載體金屬箔之載體後殘留的極薄金屬層，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法，在上述樹脂層上形成電路；及在上述樹脂層上形成電路後，將上述表面處理銅箔去除，或在剝離上述附載體銅箔的載體後將極薄銅層去除，藉此使掩埋於上述樹脂層的電路露出。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：將本發明之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層；在上述附載體銅箔之與樹脂基板積層之側為相反側的極薄銅層側表面 或上述載體側表面，至少設置一次樹脂層與電路這2層；及在形成上述樹脂層及電路這2層後，將上述載體或上述極薄銅層從上述附載體銅箔剝離。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：在本發明之積層體的任一面或兩面至少設置一次樹脂層與電路這2層；及在形成上述樹脂層及電路這2層後，將上述載體或上述極薄銅層從構成上述積層體之附載體銅箔剝離。
本發明在又一態樣中是一種樹脂基材，其表面的白部平均值為超過0.23~0.70μm。
本發明在又一態樣中是一種樹脂基材，其表面的白部由大到小取10點的平均值為超過0.457~1.0μm。
本發明在又一態樣中是一種樹脂基材，其表面的黑部平均值為超過0.20~0.256μm。
本發明在又一態樣中是一種樹脂基材，其表面的黑部最大值為超過0.605~1.07μm。
本發明在又一態樣中是一種樹脂基材，其表面的黑部由大到小取10點的平均值為超過0.335~0.55μm。
本發明在又一態樣中是一種樹脂基材，其表面的白部比率為超過68~70%。
本發明在又一態樣中是一種樹脂基材，滿足以下(2-1)~ (2-6)內的1個或2個或3個或4個或5個或6個：(2-1)表面的白部平均值為超過0.23~0.70μm；(2-2)表面的白部由大到小取10點的平均值為超過0.457~1.0μm；(2-3)表面的黑部平均值為超過0.20~0.256μm；(2-4)表面的黑部最大值為超過0.605~1.07μm；(2-5)表面的黑部由大到小取10點的平均值為超過0.335~0.55μm；(2-6)表面的白部比率為超過68~70%。
本發明在又一態樣中是一種積層體，其是使用本發明的基材進行製造而成。
本發明在又一態樣中是一種積層體，其是使用本發明的樹脂基材進行製造而成。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板，其是使用本發明的表面處理銅箔或本發明的任一項上述的附載體銅箔或本發明的樹脂基材進行製造而成。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板，其是使用本發明的基材進行製造而成。
本發明在又一態樣中是一種電子機器，其是使用本發明的印刷配線板。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備表面處理銅箔與樹脂基材，或準備依序積層載體、中間層、極薄銅層而構成的附載體銅箔與樹脂基材； 將上述表面處理銅箔或附載體銅箔從表面處理層側或極薄銅層側積層在樹脂基材；在積層在上述樹脂基材的箔為附載體銅箔的情況下，將載體從附載體銅箔剝離；將上述樹脂基材上的表面處理銅箔或極薄銅層去除而獲得本發明的樹脂基材；及在去除上述表面處理銅箔或極薄銅層後的樹脂基材的表面形成電路。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：將表面處理銅箔或依序積層載體、中間層、極薄銅層而構成的附載體銅箔從表面處理層側或極薄銅層側積層在本發明的樹脂基材；在積層在上述樹脂基材的箔為附載體銅箔的情況下，將上述附載體銅箔的載體剝離；及對積層在上述樹脂基材或剝離上述載體而形成的覆銅積層板，之後藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法來形成電路。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在表面形成了電路的金屬箔；以掩埋上述電路的方式在上述金屬箔表面形成樹脂基材；將表面處理銅箔或依序具備載體、中間層、極薄銅層的附載體銅箔從表面處理層側或極薄銅層側積層在上述樹脂基材；在積層在上述樹脂基材的箔為附載體銅箔的情況下，將上述附載體銅箔的載體剝離； 將上述樹脂基材上的表面處理銅箔或極薄銅層去除而獲得本發明的樹脂基材；在去除上述表面處理銅箔或極薄銅層後的樹脂基材的表面形成電路；及藉由去除上述金屬箔，使形成在上述金屬箔表面的掩埋於上述樹脂基材的電路露出。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：在依序積層載體、中間層、極薄銅層而構成之第1附載體銅箔的極薄銅層側表面形成電路；以掩埋上述電路的方式在上述第1附載體銅箔的上述極薄銅層側表面形成樹脂基材；準備依序積層載體、中間層、極薄銅層而構成之第2附載體銅箔，並從上述第2附載體銅箔的極薄銅層側積層在上述樹脂基材；在將上述第2附載體銅箔積層在上述樹脂基材後，將上述第2附載體銅箔的載體剝離；將剝離上述第2附載體銅箔的載體後的樹脂基材上的極薄銅層去除而獲得本發明的樹脂基材；在去除上述極薄銅層後的樹脂基材的表面形成電路；在上述樹脂基材上形成電路後，將上述第1附載體銅箔的載體剝離；及在剝離上述第1附載體銅箔的載體後，將上述第1附載體銅箔的極薄 銅層去除，藉此使形成在上述第1附載體銅箔之極薄銅層側表面的掩埋於上述樹脂基材的電路露出。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：在依序具備載體、中間層、極薄銅層的附載體銅箔的極薄銅層側表面形成電路；以掩埋上述電路的方式在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面形成樹脂基材；將表面處理銅箔從表面處理層側積層在上述樹脂基材；將上述樹脂基材上的表面處理銅箔去除而獲得本發明之樹脂基材；在去除上述表面處理銅箔後之樹脂基材的表面形成電路；在上述樹脂基材上形成電路後，將上述附載體銅箔的載體剝離；及在剝離上述附載體銅箔之載體後，將上述附載體銅箔的極薄銅層去除，藉此使形成在上述附載體銅箔之極薄銅層側表面的掩埋於上述樹脂基材的電路露出。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在表面形成了電路的金屬箔；以掩埋上述電路的方式在上述金屬箔表面形成本發明的樹脂基材；藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法，在上述樹脂基材上形成電路；及藉由去除上述金屬箔，使形成在上述金屬箔表面的掩埋於上述樹脂基 材的電路露出。
本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：在依序積層載體、中間層、極薄銅層而構成的第1附載體銅箔的極薄銅層側表面形成電路；以掩埋上述電路的方式在上述第1附載體銅箔的上述極薄銅層側表面形成本發明之樹脂基材；藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法，在上述樹脂基材上形成電路；在上述樹脂基材上形成電路後，將上述第1附載體銅箔之載體剝離；及在剝離上述第1附載體銅箔之載體後，將上述第1附載體銅箔之極薄銅層去除，藉此使形成在上述第1附載體銅箔之極薄銅層側表面的掩埋於上述樹脂基材的電路露出。
根據本發明，可提供一種表面處理銅箔，其能夠提供如下銅箔去除後基材面的輪廓形狀，該輪廓形狀即使進行去汙處理也具有所需的凹凸形狀，且實現無電鍍銅皮膜的良好密接力，或者可提供一種基材，即使進行去汙處理也具有所需的凹凸形狀，且實現無電鍍銅皮膜的良好密接力。
圖1表示用來說明樹脂基材表面的白部、黑部的示意圖。
圖2表示使用銅箔輪廓的半加成加工法的概略例。
圖3表示用來獲得實施例及比較例的資料的樣品製作流程。
圖4是用於白部、黑部評價的使用Photo Shop 7.0軟體而獲得的實施例1的圖像。
圖5是用於白部、黑部評價的使用Photo Shop 7.0軟體而獲得的實施例3的圖像。
圖6是用於白部、黑部評價的使用Photo Shop 7.0軟體而獲得的比較例1的圖像。
圖7是用於白部、黑部評價的使用Photo Shop 7.0軟體而獲得的比較例2的圖像。
[表面處理銅箔]
本發明的表面處理銅箔中所使用的銅箔可以為電解銅箔或壓延銅箔中的任一個。本發明中所使用的銅箔的厚度無需特別限定，例如為1μm以上、2μm以上、3μm以上、5μm以上，且例如為3000μm以下、1500μm以下、800μm以下、300μm以下、150μm以下、100μm以下、70μm以下、50μm以下、40μm以下。
本發明中使用的壓延銅箔也包括含有一種以上Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V、B、Co等元素的銅合金箔。如果上述元素的濃度變高(例如合計10質量%以上)，則有導電率降低的情況。壓延銅箔的導電率優選50%IACS以上，更優選60%IACS以上，進一步 優選80%IACS以上。另外，壓延銅箔也包括使用精銅(JIS H3100 C1100)或無氧銅(JIS H3100 C1020)製造的銅箔。此外，本說明書中單獨使用用語「銅箔」時，也包含銅合金箔。
另外，關於能夠用於本發明的電解銅箔，可以藉由以下製造條件來製作。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
均化劑1(雙(三磺丙基)二硫醚)：10~30ppm
均化劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物可以使用以下化學式的胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2是選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一群中的基)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線流速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
本發明中，形成在銅箔上的表面處理層也可以是粗化處理層。粗化處理通常是指如下處理，即，對於銅箔之與樹脂基板接著的面、即表面處理側之表面，以提高積層後的銅箔的剝離強度為目的，在脫脂後的銅箔表面形成瘤狀電鍍層。粗化處理層是藉由在形成一次粒子層後進一步形成二次粒子層而構成。
上述一次粒子層及二次粒子層由電鍍層形成。該二次粒子的特徵是在上述一次粒子上成長的1個或多個樹枝狀粒子。或者是在上述一次粒子上成長的正常鍍層。即，本說明書中，當使用用語「二次粒子層」時，也包含被覆鍍層等正常鍍層。另外，二次粒子層可以為具有一層以上由粗化粒子形成的層的層，也可以為具有一層以上正常鍍層的層，還可以為分別具有一層以上由粗化粒子形成的層與正常鍍層的層。
一次粒子層也可以含有銅。另外，二次粒子層也可以含有選自由鎳及鈷所組成之群中的一種以上，且含有銅。另外，二次粒子層可以含有銅、鈷及鎳，也可以含有由銅、鈷及鎳所組成的合金。在一次粒子層及二次粒子層含有銅的情況下，具有以下優點：電路形成時，由於一次粒子層容易藉由蝕刻來去除，因此生產印刷配線板時的生產性提高。另外，在二次粒子層含有鈷或鎳的情況下，具有以下優點：加熱後的樹脂與銅箔 的剝離強度不易變差。
(用來形成一次粒子的鍍敷條件)
列舉一次粒子的鍍敷條件的一例，如下所述。
此外，如下所述般能夠藉由控制電流密度、庫侖量來控制一次粒子的平均粒徑。在第一階段，以將電流密度設定為高於以往，並設置某種程度的由粗化粒子形成的凹凸，且粒子形狀成為規定形狀的方式進行控制，藉此，控制貼合表面處理銅箔後將表面處理銅箔去除所得的樹脂基材的表面形狀。另外，能夠控制上述表面積比。另外，作為用來形成一次粒子的鍍浴，除如下銅鍍浴以外，可列舉銀鍍浴、金鍍浴、鎳鍍浴、鈷鍍浴、鋅鍍浴、鎳鋅合金鍍浴等，可以使用這些公知的鍍浴。另外，鍍敷液中也可以添加各種添加劑(金屬離子、無機物、有機物)。另外，以將一次粒子形成時的鍍敷液的線流速設定為高於以往，並且由粗化粒子所形成的凹凸沒有變得過大，且粒子形狀成為規定形狀的方式進行控制，藉此，控制貼合表面處理銅箔後將表面處理銅箔去除所得的樹脂基材的表面形狀。此外，一次粒子形成時的鍍敷液的線流速優選2.0m/sec以上，更優選2.5m/sec以上。一次粒子形成時的鍍敷液的線流速的上限無需特別限定，典型來說為5m/sec以下，典型來說為4.5m/sec以下。
液體組成：銅10~20g/L，硫酸50~100g/L
液溫：25~50℃
<第一階段>
電流密度：54~64A/dm2
庫侖量：30~75As/dm2
<第二階段>
電流密度：1~20A/dm2
庫侖量：7~120As/dm2
(被覆鍍敷條件)
鍍敷液中也可以添加各種添加劑(金屬離子、無機物、有機物)。
液體組成：銅10~20g/L，硫酸50~100g/L
液溫：25~35℃
電流密度：15~20A/dm2
庫侖量：30~60As/dm2
此外，本說明書所記載的用於電解、蝕刻、表面處理或鍍敷等的處理液(蝕刻液、電解液)的剩餘部分如果沒有特別說明，則為水。
(用來形成二次粒子的鍍敷條件)
列舉二次粒子的鍍敷條件的一例，如下所述。
此外，如下所述般能夠藉由控制電流密度、庫侖量來控制二次粒子的平均粒徑。另外，能夠控制上述表面積比。另外，作為用來形成二次粒子的鍍浴，除了如下銅與其他元素的合金鍍浴以外，可列舉銀與其他元素的合金鍍浴、金與其他元素的合金鍍浴、鎳與其他元素的合金鍍浴、鈷與其他元素的合金鍍浴、鋅與其他元素的合金鍍浴、鎳鋅合金鍍浴等，可以使用這些公知的鍍浴。
鍍敷液中也可以添加各種添加劑(金屬離子、無機物、有機物)。
液體組成：銅10~20g/L，鎳5~15g/L或/及鈷5~15g/L，當含有磷時，磷為0.5~5g/L，當含有鎢時，鎢為0.001~5g/L，當含有鉬時鉬為0.05~10g/L
pH值：2~3
液溫：30~50℃
電流密度：20~60A/dm2
庫侖量：10~35As/dm2
關於作為上述二次粒子的銅-鈷-鎳合金鍍層，藉由電解鍍敷，能夠形成附著量為10~30mg/dm2銅-100~3000μg/dm2鈷-50~500μg/dm2鎳的3元系合金層。
當Co附著量小於100μg/dm2時，耐熱性變差，且蝕刻性也變差。當Co附著量超過3000μg/dm2時，在必須考慮磁性影響的情況下不佳，會產生蝕刻斑，另外，可能要考慮到耐酸性及耐化學品性變差。
如果Ni附著量小於50μg/dm2，則耐熱性變差。另一方面，如果Ni附著量超過500μg/dm2，則蝕刻性降低。即，會形成蝕刻殘餘，另外，雖然並非無法蝕刻的程度，但難以精細圖案化。優選Co附著量為500~2000μg/dm2，且優選鎳附著量為50~300μg/dm2。
根據以上可以說，銅-鈷-鎳合金鍍層的附著量理想為10~30mg/dm2銅-100~3000μg/dm2鈷-50~500μg/dm2鎳。該3元系合金層的各附著量始終為理想條件，並非否定超過該量的範圍。
於此，所謂蝕刻斑是指當利用氯化銅進行蝕刻時，Co不溶 解而殘留，而且，所謂蝕刻殘餘是指當利用氯化銨進行鹼蝕刻時，Ni不溶解而殘留。
一般來說，在形成電路的情況下是使用如下述實施例中所說明的鹼性蝕刻液及氯化銅系蝕刻液來進行。該蝕刻液及蝕刻條件具有通用性，但並不限定於該條件，應理解能夠任意進行選擇。
另外，也可以在粗化處理層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之1種以上的層。
另外，本發明中形成在銅箔上的表面處理層也可以為選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之1種以上的層。
作為耐熱層、防銹層，可以使用公知的耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可以為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中之1種以上元素的層，也可以為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中之1種以上元素所組成的金屬層或合金層。另外，耐熱層及/或防銹層也可以含有上述元素的氧化物、氮化物、矽化物。另外，耐熱層及/或防銹層也可以為含有鎳-鋅合金的層。另外，耐熱層及/或防銹層也可以為鎳-鋅合金層。上述鎳-鋅合金層也可以除含有不可避免的雜質以外，還含有鎳50wt%~99wt%、鋅50wt%~1wt%。上述鎳-鋅合金層的鋅及鎳的合計附著量也可以為5~1000mg/m2，優選10~500mg/m2，優選20~100mg/m2。另外，上述含有鎳-鋅合金的層或上述鎳-鋅合金層的鎳的附著量與鋅的附著量的比(=鎳的附著量/鋅的附著量)優選1.5 ~10。另外，上述含有鎳-鋅合金的層或上述鎳-鋅合金層的鎳的附著量優選0.5mg/m2~500mg/m2，更優選1mg/m2~50mg/m2。在耐熱層及/或防銹層為含有鎳-鋅合金的層的情況下，通孔或導孔等內壁部與去汙液接觸時，銅箔與樹脂基板的介面不易被去汙液腐蝕，銅箔與樹脂基板的密接性提高。
例如耐熱層及/或防銹層也可以是依序積層了附著量為1mg/m2~100mg/m2、優選5mg/m2~50mg/m2的鎳或鎳合金層、與附著量為1mg/m2~80mg/m2、優選5mg/m2~40mg/m2的錫層的層，上述鎳合金層也可以由鎳-鉬合金、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷合金、鎳-錫合金中的任一種構成。如果使用該耐熱層及/或防銹層，則將表面處理銅箔或附載體銅箔加工於印刷配線板後的電路的剝離強度、該剝離強度的耐化學品性劣化率等變得良好。
於此，所謂鉻酸鹽處理層是指由含有鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽的液體進行處理過的層。鉻酸鹽處理層也可以含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(可以為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形態)。作為鉻酸鹽處理層的具體例，可列舉由鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液處理過的鉻酸鹽處理層、或由含有鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅的處理液處理過的鉻酸鹽處理層等。
上述矽烷偶合劑處理層可以使用公知的矽烷偶合劑來形成，也可以使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷、乙烯基系矽烷、咪唑系矽烷、三系矽烷等矽烷偶合劑等來形成。此外，上述矽烷偶合劑也可以混合2種以上而使用。其中，優選使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑而形成的矽烷偶合劑處理層。
矽烷偶合劑處理層理想的是以矽原子換算計，在0.05mg/m2 ~200mg/m2、優選0.15mg/m2~20mg/m2、優選0.3mg/m2~2.0mg/m2的範圍內設定。在上述範圍的情況下，能夠進一步提高基材與表面處理銅箔的密接性。
另外，可以對極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合劑處理層或鉻酸鹽處理層的表面，進行國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、日本特開2013-19056號所記載的表面處理。
[白部平均值、黑部平均值]
本發明的表面處理銅箔在一態樣中，在將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，樹脂基材的上述銅箔去除側表面的白部平均值成為0.14~0.70μm。另外，本發明的表面處理銅箔在另一態樣中，在將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，樹脂基材的上述銅箔去除側表面的黑部平均值成為0.13~0.256μm。
本發明中，對露出的樹脂基材表面進行的「膨潤處理」、「去汙處理」及「中和處理」分別表示以下處理。
‧膨潤處理：在膨潤處理液(液體組成：乙二醇濃度500g/L，剩餘部分為水)中於72℃浸漬10分鐘。藉由膨潤處理，溶劑分子進入樹脂的化學 結構之間，藉此削弱構成樹脂的高分子的鍵，促進由接下來的去汙處理引起的樹脂之分解或鍵之切斷。
‧去汙處理：在去汙處理液(液體組成：過錳酸鈉濃度4.1質量%，氫氧化鈉濃度3.3質量%，剩餘部分為水)中於80℃下浸漬25分鐘。藉由該去汙處理，能夠去除樹脂基材表面的汙跡。
‧中和處理：在中和處理液(液體組成：硫酸羥胺濃度1.5質量%，硫酸濃度4.9質量%，剩餘部分為水)中於30℃下浸漬5分鐘。藉由該中和處理，能夠對因去汙處理而成為鹼性的樹脂基材表面進行中和。
於此，圖1表示用來說明樹脂基材表面的該白部、下述黑部的示意圖。圖1是獲得樹脂基材表面的SEM像(30k倍)，並對該SEM像使用Photo Shop 7.0軟體實施白色、黑色影像處理而獲得的圖。此外，黑部(黑色區域)表示測定表面成為凹狀，白部(白色區域)表示測定表面成為凸狀。接著，如圖1所示，縱橫分別拉出如分成三等份般的4條線(A~D線)，測定各線藉由上述白部(白色區域)的長度合計，求出這些A~D線的白部的長度合計。此時，白部(白色區域)是由以黑部(黑色區域)劃分的多條線段構成。接著，將該白部的長度的合計除以該白部的線段數量。對測定物件的樹脂基材表面的3個視野進行上述操作，將其平均值((藉由將白部的長度合計除以該白部的線段數量而獲得的值的3個視野的合計)/3)設為白部平均值(μm)。另外，拉出4條線(A~D線)，測定各線藉由上述黑部(黑色區域)的長度合計，求出這些A~D線的黑部的長度合計。此時，黑部是由以白部劃分的多條線段構成。接著，將該黑部的長度的合計除以該黑部的線段數量。對測定物件的樹脂基材表面的3個視野進行上 述操作，將其平均值((藉由將黑部的長度的合計除以該黑部的線段數量而獲得的值的3個視野的合計)/3)設為黑部平均值(μm)。
如果上述白部平均值小於0.14μm，則在去汙處理後的基材表面，錨定效應減弱，與皮膜的密接性變得不良。另一方面，如果白部平均值超過0.70μm，則基材表面凹凸變得過大，與皮膜的密接性變得不良。上述白部平均值優選0.16~0.65μm，更優選0.165~0.60μm，進一步更優選0.167~0.50μm，進一步更優選0.169~0.40μm、0.170~0.38μm。
如果上述黑部平均值小於0.13μm，則用來在基材表面形成皮膜的鍍敷液有時難以滲入，與皮膜的密接性有時會變得不良。另一方面，如果上述黑部平均值超過0.256μm，則錨定效應減弱，與皮膜的密接性變得不良。上述黑部平均值優選0.14~0.24μmm，更優選0.15~0.23μm。
[白部最大值、黑部最大值]
本發明的表面處理銅箔在另一態樣中，在將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，樹脂基材的上述銅箔去除側表面的白部最大值成為0.40~0.81μm。另外，本發明的表面處理銅箔在另一態樣中，在將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，樹脂基材的上述銅箔去除側表面的黑部最大值成為0.42~1.07μmm。於此，所謂白部最大值，表示在各觀察視野中，綜合圖1所示的4條線(A~D線)，測定由以黑部(黑色區域)劃分的多條線段構成的白部中的最大長 度(鄰接的黑部與黑部之間的距離中的最大長度)，將在三個視野中獲得的由以黑部(黑色區域)劃分的多條線段構成的白部中的各最大長度相加，並將所得值除以3而得的值(算術平均值)。另外，所謂黑部最大值，表示在各觀察視野中，綜合圖1所示的4條線(A~D線)，測定由以白部(白色區域)劃分的多條線段構成的黑部中的最大長度(鄰接的白部與白部之間的距離中的最大長度)，將在三個視野中獲得的由以白部(白色區域)劃分的多條線段構成的黑部中的各最大長度相加，並將所得值除以3而得的值(算術平均值)。
如果上述白部最大值小於0.40μm，則在去汙處理後的基材表面，錨定效應減弱，與皮膜的密接性變得不良。另一方面，如果白部最大值超過0.81μm，則基材表面的凹凸變得過大，與皮膜的密接性變得不良。上述白部最大值優選0.45~0.75μm，更優選0.50~0.70μm，進一步更優選0.55~0.68μm。
如果上述黑部最大值小於0.42μm，則用來在基材表面形成皮膜的鍍敷液有時難以滲入，與皮膜的密接性有時會變得不良。另一方面，如果上述黑部最大值超過1.07μm，則在去汙處理後的基材表面，錨定效應減弱，與皮膜的密接性變得不良。上述黑部最大值優選0.5~1.0μm，更優選0.60~0.95μm。
[白部由大到小取10點的平均值、黑部由大到小取10點的平均值]
本發明的表面處理銅箔在另一態樣中，在將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進 行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，樹脂基材的上述銅箔去除側表面的白部由大到小取10點的平均值成為0.35~1.0μm。另外，本發明的表面處理銅箔在另一態樣中，在將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，樹脂基材的上述銅箔去除側表面的黑部由大到小取10點的平均值成為0.31~0.55μm。於此，所謂白部由大到小取10點的平均值，是指在各觀察視野中將上述白部最大值設為最長距離，按照第二長的距離的白部、第三長的距離的白部依序取到第10個為止，求出將合計上述距離所得值除以10而得的值A(算術平均值)，並將在3個視野中獲得的該值A除以3而得的值(算術平均值)。另外，所謂黑部由大到小取10點的平均值，是指在各觀察視野中將上述黑部最大值設為最長距離，按照第二長的距離的黑部、第三長的距離的黑部依序取到第10個為止，求出將合計上述距離所得值除以10而得的值B(算術平均值)，並將在3個視野中獲得的該值B除以3而得的值(算術平均值)。
如果上述白部由大到小取10點的平均值小於0.35μm，則在經去汙處理的基材表面，錨定效應減弱，與皮膜的密接性變得不良。另一方面，如果白部由大到小取10點的平均值超過1.0μm，則基材表面的凹凸變得過大，與皮膜的密接性變得不良。上述白部由大到小取10點的平均值優選0.36~0.9μm，更優選0.362~0.8μm。
如果上述黑部由大到小取10點的平均值小於0.31μm，則用來在基材表面形成皮膜的鍍敷液有時難以滲入，與皮膜的密接性有時會變得不良。另一方面，如果上述黑部由大到小取10點的平均值超過0.55 μm，則錨定效應減弱，與皮膜的密接性變得不良。上述黑部由大到小取10點的平均值優選0.32~0.53μm，更優選0.33~0.52μm。
[白部比率]
本發明的表面處理銅箔優選為，在將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，樹脂基材的上述銅箔去除側表面的白部比率成為45.5~70%。於此，所謂白部比率，表示白部長度合計相對於上述白部長度合計與黑部長度合計的合計的比率。如果白部比率小於45.5%，則在經去汙處理的基材表面，錨定效應減弱，與皮膜的密接性變得不良。另一方面，如果白部比率超過70%，則基材表面的凹凸變得過小，與皮膜的密接性變得不良。上述白部比率優選46~65%，更優選46.5~60%。
本發明的表面處理銅箔也可以為，將該表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，在上述樹脂基材的上述銅箔去除側表面，滿足以下(1-1)~(1-13)內的1個或2個或3個或4個或5個或6個或7個或8個或9個或10個或11個或12個或13個：(1-1)白部平均值成為0.14~0.70μm；(1-2)白部平均值成為0.16~0.65μm；(1-3)白部最大值成為0.40~0.81μm；(1-4)白部由大到小取10點的平均值成為0.35~1.0μm；(1-5)白部由大到小取10點的平均值成為0.36~0.9μm； (1-6)黑部平均值成為0.13~0.256μm；(1-7)黑部平均值成為0.14~0.24μm；(1-8)黑部平均值成為0.15~0.23μm；(1-9)黑部最大值成為0.42~1.07μm；(1-10)黑部最大值成為0.5~1.0μm；(1-11)黑部由大到小取10點的平均值成為0.31~0.55μm；(1-12)黑部由大到小取10點的平均值成為0.32~0.53μm；(1-13)白部比率成為45.5~70%。
藉由在粗化粒子形成時等的鍍敷等表面處理時控制表面處理的電流密度與表面處理(鍍敷)時間，來決定表面處理後的銅箔表面狀態或粗化粒子的形態或形成密度，藉由使用上述銅箔，能夠控制上述基材的白部、黑部。
[附載體銅箔]
作為本發明的表面處理銅箔，也可以使用附載體銅箔。附載體銅箔具備載體、積層在載體上的中間層、及積層在中間層上的極薄銅層。另外，附載體銅箔也可以依序具備載體、中間層及極薄銅層。附載體銅箔也可以在載體側的表面及極薄銅層側的表面中的任一面或兩面具有粗化處理層等表面處理層。此外，附載體銅箔也可以在極薄銅層的與中間層側為相反側的面具有表面處理層。
在附載體銅箔的載體側的表面設置了粗化處理層的情況下，具有以下優點：將附載體銅箔從該載體側的表面側積層在樹脂基板等支持體時，載 體與樹脂基板等支持體不易剝離。
<載體>
本發明可使用的載體典型來說為金屬箔或樹脂膜，例如以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜(例如聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚醯胺膜、聚酯膜、氟樹脂膜等)的形態提供。
作為本發明可使用的載體，優選使用銅箔。其原因在於，由於銅箔的導電度高，因此之後容易形成中間層、極薄銅層。載體典型來說以壓延銅箔或電解銅箔的形態提供。一般來說，電解銅箔是從硫酸銅鍍浴中在鈦或不銹鋼的滾筒上將銅電解析出而製造，壓延銅箔是重複進行利用壓延輥的塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔的材料，除精銅或無氧銅之類的高純度銅以外，也可以使用例如如摻入Sn的銅、摻入Ag的銅、添加了Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加了Ni及Si等的卡遜系銅合金之類的銅合金。
關於本發明可使用的載體的厚度，也無特別限制，只要發揮作為載體的作用且適當調節為適宜厚度即可，例如可設為12μm以上。但是，如果過厚則生產成本變高，所以，一般來說優選35μm以下。所以，載體的厚度典型來說為12~70μm，更典型來說為18~35μm。
此外，也可以在載體的與設置極薄銅層的一側的表面為相反側的表面設置粗化處理層。可使用公知方法設置該粗化處理層，也可以藉由上述粗化處理來設置。在載體的與設置極薄銅層的一側的表面為相反側的表面設置粗化處理層時，具有以下優點：將載體從具有該粗化處理層的表面側積 層在樹脂基板等支持體時，載體與樹脂基板不易剝離。
<中間層>
在載體上設置中間層。也可以在載體與中間層之間設置其他層。本發明所使用的中間層只要為如下構成，則無特別限定，即，在附載體銅箔對絕緣基板的積層步驟前，極薄銅層不易從載體剝離，另一方面，在對絕緣基板的積層步驟後，極薄銅層能夠從載體剝離。例如，本發明的附載體銅箔的中間層也可以含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、這些的合金、這些的水合物、這些的氧化物、有機物所組成之群中的一種或兩種以上。另外，中間層也可以為多層。
另外，例如，中間層可以藉由如下方式來構成，即，從載體側，形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素群中的一種元素所組成的單一金屬層、或由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素群中的一種或兩種以上元素所組成的合金層、或有機物層，並在其上形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素群中的一種或兩種以上元素的水合物或氧化物或有機物所組成的層。
另外，例如，中間層可以在載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金、鉻而構成。由於鎳與銅的接著力高於鉻與銅的接著力，因此在剝離極薄銅層時，在極薄銅層與鉻的介面發生剝離。另外，期待中間層的鎳具有防止銅成分從載體向極薄銅層擴散的阻隔效果。中間層的鎳的附著量優選100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更優選100μg/dm2以上且4000μg/dm2 以下，更優選100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更優選100μg/dm2以上且小於1000μg/dm2，中間層的鉻的附著量優選5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。在將中間層僅設置在單面的情況下，優選在載體的相反面設置鍍Ni層等防銹層。此外，也可以在載體兩側設置中間層。
<極薄銅層>
在中間層上設置極薄銅層。也可以在中間層與極薄銅層之間設置其他層。該極薄銅層為本發明的表面處理銅箔，在極薄銅層的與中間層為相反側的表面設置上述表面處理層。極薄銅層的厚度並無特別限制，一般來說比載體薄，例如為12μm以下。典型來說為0.1~12μm，更典型來說為0.5~12μm，更典型來說為1.5~5μm。另外，於在中間層上設置極薄銅層之前，為了減少極薄銅層的針孔，也可以進行利用銅-磷合金的預鍍敷。預鍍敷可列舉焦磷酸銅鍍敷液等。也可以在載體兩側設置極薄銅層。
[表面處理層上的樹脂層]
也可以在本發明的表面處理銅箔的表面處理層上具備樹脂層。上述樹脂層也可以為絕緣樹脂層。
上述樹脂層可以為接著劑，也可以為接著用半硬化狀態(B-階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B-階段狀態)，包含即使以手指接觸其表面也沒有黏附感，可將該絕緣樹脂層重疊而進行保管，進而當受到加熱處理時會產生硬化反應的狀態。
另外，上述樹脂層可以包含熱硬化性樹脂，也可以為熱塑性 樹脂。另外，上述樹脂層也可以包含熱塑性樹脂。上述樹脂層可以包含公知的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、電介質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。另外，上述樹脂層也可以使用例如國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號所記載的物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、電介質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置而形成。
另外，上述樹脂層的種類並無特別限定，例如，作為優選樹脂，可列舉包含選自環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚順丁烯二醯亞胺化合物、順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、胺酯(urethane)樹脂、聚醚碸(也稱為polyethersulfone、polyethersulphone)、聚醚碸(也稱為polyethersulfone、polyethersulphone)樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙順丁烯二醯亞胺三樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、羧酸的酐、多元羧酸的酐、具有可進行交聯的官能基的線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯醇縮丁醛、苯氧基、高分子環氧基、芳香族聚醯胺、液晶聚合物、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂的群中的一種以上的樹脂或預浸體。
另外，上述環氧樹脂只要是在分子內具有2個以上環氧基且可用於電氣/電子材料用途的環氧樹脂，則可無特別問題地使用。另外，上述環氧樹脂優選使用在分子內具有2個以上縮水甘油基的化合物進行環氧化而得的環氧樹脂。另外，作為上述環氧樹脂，可將選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(溴 化)環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等縮水甘油酯化合物、含磷環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂的群中的1種或2種以上進行混合而使用，或者可以使用上述環氧樹脂的氫化物或鹵化物。
作為上述含磷環氧樹脂，可使用公知的含有磷的環氧樹脂。另外，上述含磷環氧樹脂例如優選作為來自在分子內具備2以上環氧基的9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物的衍生物而獲得的環氧樹脂。
(樹脂層含有電介質(電介質填料)的情況)
上述樹脂層也可以含有電介質(電介質填料)。
在上述任一樹脂層或樹脂組成物包含電介質(電介質填料)的情況下，可以用於形成電容器層的用途，增大電容器電路的電容。該電介質(電介質填料)是使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3-PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦結構的複合氧化物的電介質粉。
將上述樹脂層中所含的樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、溶纖劑、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N- 二甲基甲醯胺等溶劑中而製成樹脂液(樹脂清漆)，並將其藉由例如輥式塗布法等而塗布於上述表面處理銅箔的表面處理層側的表面或上述附載體銅箔的極薄銅層側的表面、或者上述粗化處理層、上述耐熱層、防銹層、或上述鉻酸鹽處理層、或上述矽烷偶合劑處理層上，接著視需要進行加熱乾燥而去除溶劑，成為B-階段狀態。乾燥只要使用例如熱風乾燥爐即可，乾燥溫度為100~250℃、優選130~200℃即可。也可以使用溶劑將上述樹脂層的組成物溶解，製成樹脂固體成分3wt%~70wt%、優選3wt%~60wt%、優選10wt%~40wt%、更優選25wt%~40wt%的樹脂液。此外，就環境上的見解來說，現階段最優選使用甲基乙基酮與環戊酮的混合溶劑進行溶解。此外，溶劑優選使用沸點為50℃~200℃的範圍的溶劑。
另外，上述樹脂層優選依據MIL標準中的MIL-P-13949G進行測定時的樹脂溢流量處於5%~35%的範圍的半硬化樹脂膜。
本申請的說明書中，所謂樹脂溢流量，是指依據MIL標準中的MIL-P-13949G，從將樹脂厚度設為55μm的附樹脂表面處理銅箔取樣4片10cm見方的試樣，在將該4片試樣重疊的狀態(積層體)下，在加壓溫度171℃、加壓壓力14kgf/cm2、加壓時間10分鐘的條件下進行貼合，測定此時的樹脂流出重量，根據上述結果基於下述式而算出的值。
具備上述樹脂層的表面處理銅箔(附樹脂表面處理銅箔)是以如下形態使用，即，在將其樹脂層重疊於基材後對整體進行熱壓接而使該樹脂層熱硬化，接著在表面處理銅箔形成規定的配線圖案。另外，關於 使用該表面處理銅箔作為極薄銅層的附載體銅箔，具備樹脂層的附載體銅箔(附樹脂的附載體銅箔)是以如下形態使用，即，在將其樹脂層重疊於基材後對整體進行熱壓接而使該樹脂層熱硬化，接著將載體剝離而使極薄銅層露出(當然，露出的是該極薄銅層的中間層側的表面)，在此處形成規定的配線圖案。
如果使用該附樹脂表面處理銅箔或附樹脂的附載體銅箔，則能夠減少製造多層印刷配線基板時的預浸體材料的使用數量。而且，即使將樹脂層的厚度設為如能夠確保層間絕緣般的厚度，或者完全不使用預浸體材料，也可以製造覆銅積層板。另外，此時也可以在基材表面底漆塗布絕緣樹脂而進一步改善表面平滑性。
此外，在不使用預浸體材料的情況下，具有以下優點：節約預浸體材料的材料成本，另外，積層步驟也變得簡單，所以經濟上有利，並且相應於預浸體材料的厚度而製造的多層印刷配線基板的厚度變薄，可製造1層厚度為100μm以下的極薄多層印刷配線基板。
該樹脂層的厚度優選0.1~500μm，更優選0.1~300μm，更優選0.1~200μm，更優選0.1~120μm。
如果樹脂層的厚度薄於0.1μm，則有接著力降低，不介隔預浸體材料而將該附樹脂表面處理銅箔或附樹脂的附載體銅箔積層在具備內層材的基材時難以確保與內層材的電路之間的層間絕緣的情況。另一方面，如果樹脂層的厚度厚於500μm，則有難以藉由1次塗布步驟形成目標厚度的樹脂層，花費多餘的材料費與步驟數，所以經濟上變得不利的情況。
另外，在將附樹脂表面處理銅箔或附樹脂的附載體銅箔用於製造極薄 的多層印刷配線板的情況下，將上述樹脂層的厚度設為0.1μm~5μm、更優選0.5μm~5μm、更優選1μm~5μm時，使多層印刷配線板的厚度減小，所以優選。
此外，在將上述樹脂層的厚度設為0.1μm~5μm的情況下，為了提高樹脂層與表面處理銅箔或附載體銅箔的密接性，優選在表面處理銅箔或附載體銅箔的極薄銅層上設置粗化處理層及/或耐熱層及/或防銹層及/或鉻酸鹽處理層及/或矽烷偶合劑處理層後，在該粗化處理層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合劑處理層上形成樹脂層。
此外，上述樹脂層的厚度是指在任意10點藉由剖面觀察測得的厚度的平均值。
而且，在表面處理銅箔為附載體銅箔的極薄銅層的情況下，作為附樹脂的附載體銅箔的另一製品形態，也可以在上述極薄銅層上、或上述粗化處理層、上述耐熱層、上述防銹層、或上述鉻酸鹽處理層、或上述矽烷偶合劑處理層上以樹脂層被覆，成為半硬化狀態後，接著剝離載體，以不存在載體的附樹脂銅箔的形式進行製造。
[樹脂基材]
本發明的樹脂基材只要為能夠形成下述表面形態的樹脂基材，則無特別限定，例如可以由Mitsubishi Gas化學公司製造的預浸體(GHPL-830MBT等)、日立化成工業公司製造的預浸體(679-FG等)、SUMITOMO BAKELITE公司製造的預浸體(EI-6785TS-F等)來形成。本發明中，準備Mitsubishi Gas化學公司製造的預浸體GHPL-830MBT(含有雙順丁烯二醯亞胺三樹脂的 預浸體)。積層加壓的溫度、壓力、時間使用基材製造商的推薦條件。
作為本發明的樹脂基材的厚度，並無特別限定，例如可以設為750~850μm、100~200μm、30~100μm，典型來說為30~200μm(兩面板的情況)。
[白部平均值、黑部平均值]
本發明的樹脂基材表面的白部平均值為超過0.23μm~0.70μm。另外，本發明的樹脂基材表面的黑部平均值優選超過0.20μm~0.256μm。
樹脂基材表面的該白部平均值及黑部平均值的測定方法與上述使用圖1說明的測定方法相同。
如果上述白部平均值超過0.23μm，則錨定效應提高，與皮膜的密接性提高。另一方面，如果白部平均值超過0.70μm，則有基材表面的凹凸變得過大，與皮膜的密接性變得不良的擔憂。上述白部平均值優選0.231~0.70μm，更優選0.25~0.65μm。
如果上述黑部平均值超過0.20μm，則用來在基材表面形成皮膜的鍍敷液更容易滲入，與皮膜的密接性提高。另一方面，如果上述黑部平均值超過0.256，則有錨定效應減弱的情況，有與皮膜的密接性變得不良的擔憂。上述黑部平均值優選0.201~0.256μm，更優選0.21~0.2553μm。
[黑部最大值]
本發明的樹脂基材表面的黑部最大值優選超過0.605μm~1.07μm。於此，所謂黑部最大值，與上述使用圖1說明的測定方法相同。
如果上述黑部最大值超過0.605μm，則用來在基材表面形成皮膜的鍍敷液容易滲入，與皮膜的密接性提高。另一方面，如果上述黑部最大值超過1.07μm，則有錨定效應減弱的情況，有與皮膜的密接性變得不良的擔憂。上述黑部最大值優選0.6051~1.07μm，更優選0.61~0.96μm。
[白部由大到小取10點的平均值、黑部由大到小取10點的平均值]
本發明的樹脂基材優選表面的白部由大到小取10點的平均值為超過0.457μm~1.0μm。另外，本發明的樹脂基材優選樹脂基材表面的黑部由大到小取10點的平均值為超過0.335μm~0.55μm。於此，所謂白部由大到小取10點的平均值，與上述測定方法相同。另外，所謂黑部由大到小取10點的平均值，與上述測定方法相同。
如果上述白部由大到小取10點的平均值超過0.457μm，則錨定效應提高，與皮膜的密接性提高。另一方面，如果白部由大到小取10點的平均值超過1.0μm，則有基材表面的凹凸變得過大的情況，有與皮膜的密接性變得不良的擔憂。上述白部由大到小取10點的平均值優選0.4571~1.0μm，更優選0.46~0.95μm。
如果上述黑部由大到小取10點的平均值超過0.335μm，則用來在基材表面形成皮膜的鍍敷液容易滲入，與皮膜的密接性提高。另一方面，如果上述黑部由大到小取10點的平均值超過0.55μm，則有錨定效應減弱的情況，有與皮膜的密接性變得不良的擔憂。上述黑部由大到小取10點的平均值優選0.3351~0.55μm，更優選0.34~0.5456μm。
[白部比率]
本發明的樹脂基材優選表面的白部比率為超過68%~70%。於此，所謂白部比率，表示白部長度合計相對於上述白部長度合計與黑部長度合計的合計的比率。如果白部比率超過68%，則錨定效應提高，與皮膜的密接性提高。另一方面，如果白部比率超過70%，則有基材表面的凹凸變得過小，與皮膜的密接性變得不良的擔憂。上述白部比率優選68.1~70%，更優選68.2~70%。
本發明的樹脂基材也可以滿足以下(2-1)~(2-6)內的1個或2個或3個或4個或5個或6個：(2-1)表面的白部平均值為超過0.23~0.70μm；(2-2)表面的白部由大到小取10點的平均值為超過0.457~1.0μm；(2-3)表面的黑部平均值為超過0.20~0.256μm；(2-4)表面的黑部最大值為超過0.605~1.07μm；(2-5)表面的黑部由大到小取10點的平均值為超過0.335~0.55μm；(2-6)表面的白部比率為超過68~70%。
[樹脂基材的表面輪廓的形成方法]
本發明的樹脂基材的表面輪廓形狀可以藉由在樹脂基材積層表面處理銅箔後，藉由整面蝕刻等將該表面處理銅箔去除來形成。另外，本發明的樹脂基材的表面輪廓形狀可以藉由利用規定的等離子體處理以及化學液對樹脂基材表面進行處理來形成。
作為使用表面處理銅箔的本發明的樹脂基材的表面輪廓的 形成方法，首先，準備在銅箔表面於規定條件下形成了一次粒子及/或二次粒子的上述表面處理銅箔。接著，從該表面處理銅箔的表面處理層側貼合在樹脂基材，藉由整面蝕刻等將表面處理銅箔去除。之後，藉由對露出的樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理，形成表面處理銅箔去除後的樹脂基材的上述表面輪廓。
作為藉由等離子體處理以及使用化學液的處理控制本發明的樹脂基材的白部及/或黑部而成的表面輪廓的形成方法，可以藉由對樹脂基材進行以下等離子體處理以及使用化學液的處理來形成。
在進行等離子體處理(1)後，進行膨潤處理、去汙處理、中和處理，之後進行等離子體處理(2)。
上述等離子體處理(1)使用含有氫與氟化氫的氣體進行10~100秒鐘即可。藉此，在樹脂基板形成凹凸。另外，上述去汙處理中，藉由在去汙液中添加Ni及Cu，促進氧化反應，孔擴展。此外，上述膨潤處理、去汙處理、中和處理可以使用公知的處理及/或本申請的處理。另外，上述等離子體處理(2)是進行10~100秒鐘。等離子體處理(2)在包含選自由氮、氧及氬所組成之群中的一種以上元素的環境中進行即可。藉由該等離子體處理(2)來調整去汙後的樹脂表面。這樣，藉由對樹脂進行等離子體處理(1)+去汙處理+等離子體處理(2)，可以製造本發明的具有孔形狀的樹脂基材。
以下，例示幾種使用本發明的表面處理銅箔或附載體銅箔的印刷配線板的製造步驟的例子。另外，藉由在印刷配線板搭載電子零件類，印刷電路板完成。
在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的表面處理銅箔與絕緣基板(以下，絕緣基板也可以為本發明的樹脂基材)；將上述表面處理銅箔從表面處理層側積層在絕緣基板；將上述絕緣基板上的表面處理銅箔去除；及在去除上述表面處理銅箔後的絕緣基板的表面形成電路。此外，本說明書中，樹脂基材是包含具有配線或電路等的樹脂基材的概念。
圖2表示使用銅箔輪廓的半加成加工法的概略例。該加工法中，使用銅箔的表面輪廓。具體來說，首先，在樹脂基材積層本發明的銅箔而製作積層體(覆銅積層板)。接著，對覆銅積層體的銅箔進行整面蝕刻。接著，對轉印了銅箔表面輪廓的樹脂基材(整面蝕刻基材)的表面實施無電鍍銅。然後，將樹脂基材(整面蝕刻基材)的未形成電路的部分用乾膜等被覆，未被乾膜被覆的無電鍍銅層的表面實施電(電解)鍍銅。之後，在去除乾膜後，藉由將形成在未形成電路的部分的無電鍍銅層去除而形成微細電路。本發明中所形成的微細電路由於與本發明的轉印了銅箔表面輪廓的樹脂基材(整面蝕刻基材)的蝕刻面密接，因此其密接力(剝離強度)良好。
另外，例示使用銅箔輪廓的半加成加工法的概略例。該加工法中，為了形成樹脂基材的表面輪廓，使用銅箔的表面輪廓。具體來說，首先，在樹脂基材積層本發明的銅箔而製作覆銅積層體。接著，對覆銅積層體的銅箔進行整面蝕刻。接著，對轉印了銅箔表面輪廓的樹脂基材(整面蝕刻基材)的表面實施無電鍍銅。然後，將樹脂基材(整面蝕刻基材)的未形成電路的部分用乾膜等被覆，對未被乾膜被覆的無電鍍銅層的表面 實施電(電解)鍍銅敷。之後，在去除乾膜後，藉由將形成在未形成電路的部分的無電鍍銅層去除而形成微細電路。本發明中所形成的微細電路由於與本發明的轉印了銅箔表面輪廓的樹脂基材(整面蝕刻基材)的蝕刻面密接，因此其密接力(剝離強度)良好。
絕緣基板也可以製成裝入了內層電路的絕緣基板。另外，本發明中，所謂半加成法，是指在絕緣基板或銅箔籽晶層上進行薄的無電鍍敷，在形成圖案後，使用電鍍及蝕刻來形成導體圖案的方法。
在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔從極薄銅層側積層在絕緣基板；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔的載體；將剝離上述載體後的絕緣基板上的極薄銅層去除；及在去除上述極薄銅層後的絕緣基板的表面形成電路。
本發明中，所謂半加成法，是指在絕緣基板或銅箔籽晶層上進行薄的無電鍍敷，之後視需要進行電解鍍敷，再之後在形成圖案後，使用電鍍及蝕刻形成導體圖案的方法。
在本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的表面處理銅箔與絕緣基板；及將上述表面處理銅箔從表面處理層側積層在絕緣基板而形成覆銅積層板，之後，藉由減成法、半加成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法來形成電路。
本發明中，所謂減成法，是指將覆銅積層板上的銅箔的無用部分藉由蝕刻等而選擇性地去除，從而形成導體圖案的方法。
本發明中，所謂部分加成法，是指如下方法：對設置導體層 而成的基板、視需要貫穿通孔或導通孔用孔而成的基板上賦予觸媒核，進行蝕刻而形成導體電路，視需要設置阻焊劑層或抗鍍敷層後，藉由無電鍍敷處理對上述導體電路上、通孔或導通孔等進行加厚，藉此製造印刷配線板。
本發明中，所謂改良半加成法，是指如下方法：在絕緣層上積層金屬箔，藉由抗鍍敷層保護非電路形成部，藉由電解鍍敷進行電路形成部的銅加厚後，去除抗蝕劑，並藉由(快速)蝕刻去除上述電路形成部以外的金屬箔，藉此在絕緣層上形成電路。
在本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔從極薄銅層側積層在絕緣基板；及在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離上述附載體銅箔的載體的步驟而形成覆銅積層板，之後，藉由減成法、半加成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法來形成電路。
在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備形成了電路的金屬箔；以掩埋上述電路的方式在上述金屬箔表面形成樹脂層；將本發明的表面處理銅箔從表面處理層側積層在上述樹脂層；將上述樹脂層上的表面處理銅箔去除；在去除上述表面處理銅箔後的樹脂層的表面形成電路；及藉由去除上述金屬箔，使形成在上述金屬箔表面的掩埋於上述樹脂層的電路露出。
在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：將本發明的附載體銅箔作為第1附載體銅箔，在上述第1附載體銅箔的極薄銅層側表面形成電路；以掩埋上述電路的方 式在上述第1附載體銅箔的上述極薄銅層側表面形成樹脂層；準備第2附載體銅箔，並從上述第2附載體銅箔的極薄銅層側積層在上述樹脂層；在將上述第2附載體銅箔積層在上述樹脂層後，將上述第2附載體銅箔的載體剝離；將剝離上述第2附載體銅箔的載體後的樹脂層上的極薄銅層去除；在去除上述極薄銅層後的樹脂層的表面形成電路；在上述樹脂層上形成電路後，將上述第1附載體銅箔的載體剝離；及在剝離上述第1附載體銅箔的載體後，藉由去除上述第1附載體銅箔的極薄銅層，使形成在上述第1附載體銅箔的極薄銅層側表面的掩埋於上述樹脂層的電路露出。
在本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備形成了電路的金屬箔；以掩埋上述電路的方式在上述金屬箔表面形成樹脂層；將本發明的表面處理銅箔從表面處理層側積層在樹脂層，藉由減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法，在上述樹脂層上形成電路；及藉由去除上述金屬箔，使形成在上述金屬箔表面的掩埋於上述樹脂層的電路露出。
本發明的印刷配線板之製造方法在一實施方式中包括以下步驟：準備在形成了表面處理層的一側的表面形成了電路的本發明的表面處理銅箔、或在極薄銅層側表面形成了電路的本發明的附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式在上述表面處理銅箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；在上述樹脂層的表面形成電路；及藉由將上述表面處理銅箔或上述附載體銅箔去除，使掩埋於上述樹脂 層的電路露出。
本發明的印刷配線板之製造方法在一實施方式中，包括以下步驟：準備在表面形成了電路的金屬箔、或在形成了表面處理層的一側的表面形成了電路的作為本發明的表面處理銅箔的第1表面處理銅箔、或在極薄金屬層側表面形成了電路的附載體金屬箔、或在極薄銅層側表面形成了電路的作為本發明的附載體銅箔的第1附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式，在上述金屬箔表面或上述表面處理銅箔表面或上述附載體金屬箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；將作為本發明的表面處理銅箔的第2表面處理銅箔從表面處理層側積層在上述樹脂層、或將作為本發明的附載體銅箔的第2附載體銅箔從極薄銅層側積層在上述樹脂層；在積層在上述樹脂層的箔為上述第2附載體銅箔的情況下，將上述第2附載體銅箔的載體剝離；將上述樹脂層上的表面處理銅箔、或剝離上述第2附載體銅箔的載體後殘留的極薄銅層去除；在去除上述表面處理銅箔後的樹脂層的表面、或去除極薄銅層後的樹脂層的表面形成電路；及在上述樹脂層上形成電路後，將上述金屬箔去除，或將上述第1表面處理銅箔去除，或在剝離上述附載體金屬箔的載體後將極薄金屬層去除，或在剝離上述第1附載體銅箔的載體後將極薄銅層去除，藉此使掩埋於上述樹脂層的電路露出。
本發明中，附載體金屬箔至少依序具備載體與極薄金屬層。作為附載體金屬箔的載體，可以使用金屬箔。作為金屬箔，可以使用銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鋁箔、鋁合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋅箔、鋅合金箔。金屬箔的厚度可以設為1~10000μm，優選2~5000μm，優選10~1000μm，優選18~500μm，優選35~300μm。另外，作為載體，也可以使用樹脂基材或無機物質或有機物質的板。樹脂基材或無機物質或有機物質的板的厚度可以設為與上述金屬箔的厚度相同。
載體與金屬箔也可以介隔接著劑或脫模劑、中間層而可剝離地積層。另外，也可以藉由焊接、熔接等將載體與金屬箔可剝離地接合。在載體與金屬箔不易剝離的情況下，也可以藉由切斷等將載體與金屬箔接合的部位去除後，將載體與金屬箔剝離。
極薄金屬層也可以為銅、銅合金、鎳、鎳合金、鋁、鋁合金、鐵、鐵合金、不銹鋼、鋅、鋅合金。極薄金屬層的厚度可以設為與附載體銅箔的極薄銅層相同的範圍。就製成電路時的導電性的觀點來說，極薄金屬層優選極薄銅層。
本發明的印刷配線板之製造方法在一實施方式中，包括以下步驟：準備在形成了表面處理層的一側的表面形成了電路的本發明的表面處理銅箔、或在極薄銅層側表面形成了電路的本發明的附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式在上述表面處理銅箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；將金屬箔積層在上述樹脂層、或將附載體金屬箔從極薄金屬層側積層 在上述樹脂層；在積層在上述樹脂層的箔為上述附載體金屬箔的情況下，將上述附載體金屬箔的載體剝離；將上述樹脂層上的金屬箔、或剝離上述附載體金屬箔的載體後殘留的極薄金屬層去除；在去除上述金屬箔後的樹脂層的表面、或去除極薄銅層後的樹脂層的表面形成電路；及在上述樹脂層上形成電路後，將上述表面處理銅箔去除，或在剝離上述附載體銅箔的載體後將極薄銅層去除，藉此使掩埋於上述樹脂層的電路露出。
本發明的印刷配線板之製造方法在一實施方式中，包括以下步驟：準備在表面形成了電路的金屬箔、或在形成了表面處理層的一側的表面形成了電路的作為本發明的表面處理銅箔的第1表面處理銅箔、或在極薄金屬層側表面形成了電路的附載體金屬箔、或在極薄銅層側表面形成了電路的作為本發明的附載體銅箔的第1附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式，在上述金屬箔表面或上述表面處理銅箔表面或上述附載體金屬箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；將作為本發明的表面處理銅箔的第2表面處理銅箔從表面處理層側積層在上述樹脂層、或將作為本發明的附載體銅箔的第2附載體銅箔從極薄銅層側積層在上述樹脂層；在積層在上述樹脂層的箔為上述第2附載體銅箔的情況下，將上述第2 附載體銅箔的載體剝離；使用上述樹脂層上的表面處理銅箔、或剝離上述第2附載體銅箔的載體後殘留的極薄銅層，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法，在上述樹脂層上形成電路；及在上述樹脂層上形成電路後，將上述金屬箔去除，或將上述第1表面處理銅箔去除，或在剝離上述附載體金屬箔的載體後將極薄金屬層去除，或在剝離上述第1附載體銅箔的載體後將極薄銅層去除，藉此使掩埋於上述樹脂層的電路露出。
本發明的印刷配線板之製造方法在一實施方式中，包括以下步驟：準備在形成了表面處理層的一側的表面形成了電路的本發明的表面處理銅箔、或在極薄銅層側表面形成了電路的本發明的附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式在上述表面處理銅箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；將金屬箔積層在上述樹脂層、或將附載體金屬箔從極薄銅層側積層在上述樹脂層；在積層在上述樹脂層的箔為上述附載體金屬箔的情況下，將上述附載體金屬箔的載體剝離；使用上述樹脂層上的金屬箔、或剝離上述附載體金屬箔的載體後殘留的極薄金屬層，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法，在上述樹脂層上形成電路；及在上述樹脂層上形成電路後，將上述表面處理銅箔去除，或在剝離上述附載體銅箔的載體後將極薄銅層去除，藉此使掩埋於上述樹脂層的電路 露出。
在本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：將本發明的附載體銅箔作為第1附載體銅箔，在上述第1附載體銅箔的極薄銅層側表面形成電路；以掩埋上述電路的方式在上述第1附載體銅箔的上述極薄銅層側表面形成樹脂層；準備第2附載體銅箔，並從上述第2附載體銅箔的極薄銅層側積層在上述樹脂層，將上述第2附載體銅箔的載體剝離，藉由減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法，在上述樹脂層上形成電路；在上述樹脂層上形成電路後，將上述第1附載體銅箔的載體剝離；及在將上述第1附載體銅箔的載體剝離後，藉由去除上述第1附載體銅箔的極薄銅層，使形成在上述第1附載體銅箔的極薄銅層側表面的掩埋於上述樹脂層的電路露出。
在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔的載體；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離上述載體後露出的極薄銅層全部去除；在藉由蝕刻去除上述極薄銅層而露出的上述樹脂設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理；對包含上述樹脂及上述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍層；在上述無電鍍層上設置抗鍍敷層；對上述抗鍍敷層進行曝光，之後將形成電路的區域的抗鍍敷層去除；在上述抗鍍敷層被去除後的形成上述電路的區域設置電解鍍層；將上述抗鍍敷層去除；及藉由快速蝕刻等將位於形成上述電路的區域以外的區域的無電鍍層去除。
在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔的載體；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離上述載體後露出的極薄銅層全部去除；對藉由蝕刻去除上述極薄銅層而露出的上述樹脂的表面設置無電鍍層；在上述無電鍍層上設置抗鍍敷層；對上述抗鍍敷層進行曝光，之後，將形成電路的區域的抗鍍敷層去除；在上述抗鍍敷層被去除後的形成上述電路的區域設置電解鍍層；將上述抗鍍敷層去除；及藉由快速蝕刻等將位於形成上述電路的區域以外的區域的無電鍍層及極薄銅層去除。
在使用改良半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔的載體；在剝離上述載體後露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理；對包含上述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍層；在剝離上述載體後露出的極薄銅層表面設置抗鍍敷層；在設置上述抗鍍敷層後，藉由電解鍍敷來形成電路；將上述抗鍍敷層去除；及藉由快速蝕刻，將藉由去除上述抗鍍敷層而露出的極薄銅層去除。
在使用改良半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板 積層後，剝離上述附載體銅箔的載體；在剝離上述載體後露出的極薄銅層上設置抗鍍敷層；對上述抗鍍敷層進行曝光，之後將形成電路的區域的抗鍍敷層去除；在上述抗鍍敷層被去除後的形成上述電路的區域設置電解鍍層；將上述抗鍍敷層去除；及藉由快速蝕刻等將位於形成上述電路的區域以外的區域的無電鍍層及極薄銅層去除。
在使用部分加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔的載體；在剝離上述載體後露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理；對包含上述通孔或/及盲孔的區域賦予觸媒核；在剝離上述載體後露出的極薄銅層表面設置抗蝕塗層；對上述抗蝕塗層進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述觸媒核去除，形成電路；將上述抗蝕塗層去除；在藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述觸媒核去除而露出的上述絕緣基板表面，設置阻焊劑層或抗鍍敷層；及在未設置上述阻焊劑層或抗鍍敷層的區域設置無電鍍層。
在使用減成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔的載體；在剝離上述載體後露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理；對 包含上述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍層；在上述無電鍍層的表面設置電解鍍層；在上述電解鍍層或/及上述極薄銅層之表面設置抗蝕塗層；對上述抗蝕塗層進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述無電鍍層及上述電解鍍層去除，形成電路；及將上述抗蝕塗層去除。
在使用減成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔的載體；在剝離上述載體後露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行去汙處理；對包含上述通孔或/及盲孔的區域設置無電鍍層；在上述無電鍍層的表面形成掩模；在未形成掩模的上述無電鍍層的表面設置電解鍍層；在上述電解鍍層或/及上述極薄銅層之表面設置抗蝕塗層；對上述抗蝕塗層進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述無電鍍層去除，形成電路；及將上述抗蝕塗層去除。
也可以不進行設置通孔或/及盲孔的步驟、及之後的去汙步驟。
於此，對使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板之製造方法的具體例進行詳細說明。
步驟1：首先，準備具有在表面形成了粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。
步驟2：接著，在極薄銅層的粗化處理層上塗布抗蝕劑，進行曝光、顯 影，將抗蝕劑蝕刻成規定形狀。
步驟3：接著，在形成電路用鍍層後將抗蝕劑去除，藉此形成規定形狀的電路鍍層。
步驟4：接著，以覆蓋電路鍍層的方式(以掩埋電路鍍層的方式)在極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，繼而將另一附載體銅箔(第2層)從極薄銅層側進行接著。
步驟5：接著，將載體從第2層附載體銅箔剝離。此外，第2層也可以使用不具有載體的銅箔。
步驟6：接著，對第2層極薄銅層或銅箔及樹脂層的規定位置進行雷射開孔，使電路鍍層露出而形成盲孔。
步驟7：接著，在盲孔埋入銅，形成填孔。
步驟8：接著，在填孔上，如上述步驟2及3般形成電路鍍層。
步驟9：接著，將載體從第1層附載體銅箔剝離。
步驟10：接著，藉由快速蝕刻將兩表面的極薄銅層(在第2層設置了銅箔的情況下為銅箔)去除，使樹脂層內的電路鍍層的表面露出。
步驟11：接著，在樹脂層內的電路鍍層上形成凸塊，在該焊料上形成銅柱。以此方式製作使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板。
上述另一附載體銅箔(第2層)可以使用本發明的附載體銅箔，也可以使用以往的附載體銅箔，還可以使用通常的銅箔。另外，在步驟8中的第2層電路上，也可以進一步形成1層或多層電路，也可以藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法進行這些電路形成。
根據如上所述的印刷配線板之製造方法，由於成為電路鍍層埋入至樹脂層的構成，因此在例如比如步驟10般的藉由快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍層由樹脂層予以保護，保持其形狀，藉此容易形成微細電路。另外，由於電路鍍層由樹脂層予以保護，因此耐遷移性提高，良好地抑制電路配線的導通。所以，容易形成微細電路。另外，如步驟10及步驟11所示般藉由快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍層的露出面成為從樹脂層凹陷的形狀，所以容易分別在該電路鍍層上形成凸塊，進而於其上形成銅柱，製造效率提高。
此外，埋入樹脂(resin)可以使用公知的樹脂、預浸體。例如，可以使用BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或含浸了BT樹脂的玻璃布即預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造的ABF膜或ABF。另外，上述埋入樹脂(resin)可以使用本說明書所記載的樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
另外，上述用於第一層的附載體銅箔也可以在該附載體銅箔的表面具有基板或樹脂層。藉由具有該基板或樹脂層，具有如下優點：用於第一層的附載體銅箔受到支持，不易產生褶皺，所以生產性提高。此外，上述基板或樹脂層只要發揮支持上述用於第一層的附載體銅箔的效果，則可以使用所有的基板或樹脂層。例如可以使用本說明書所記載的載體、預浸體、樹脂層或公知的載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物的板、無機化合物的箔、有機化合物的板、有機化合物的箔作為上述基板或樹脂層。
另外，本發明中，「基材」可以使用本說明書所記載的載體、 預浸體、樹脂基材或公知的載體、預浸體、樹脂基材、金屬板、金屬箔、無機化合物的板、無機化合物的箔、有機化合物的板、有機化合物的箔。
另外，本發明的印刷配線板之製造方法也可以為包括以下步驟的印刷配線板之製造方法(無芯加工法)：將本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層；在與上述樹脂基板積層的極薄銅層側表面或上述載體側表面為相反側的附載體銅箔的表面，至少設置一次樹脂層與電路這2層；及在形成上述樹脂層及電路這2層後，將上述載體或上述極薄銅層從上述附載體銅箔剝離。關於該無芯加工法，作為具體例，首先，將本發明的附載體銅箔的極薄銅層側表面或載體側表面與樹脂基板進行積層而製造積層體。之後，在與樹脂基板積層的極薄銅層側表面或上述載體側表面為相反側的附載體銅箔的表面形成樹脂層。也可以在形成於載體側表面或極薄銅層側表面的樹脂層，進而從載體側或極薄銅層側積層另一附載體銅箔。另外，也可以將如下積層體用於上述印刷配線板之製造方法(無芯加工法)，上述積層體具有以樹脂基板為中心在該樹脂基板的兩表面側以載體/中間層/極薄銅層的順序或極薄銅層/中間層/載體的順序積層有附載體銅箔的構成或具有以「載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/極薄銅層/中間層/載體」的順序積層的構成。繼而，也可以在該積層體兩端的極薄銅層或載體露出的表面設置另一樹脂層，進而設置銅層或金屬層後，對該銅層或金屬層進行加工，藉此形成電路。而且，也可以在該電路上以埋入該電路的方式設置另一樹脂層。另外，也可以進行1次以上這種電路及樹脂層的形成(堆積加工法)。而且，關於這樣形成的積層體(以下也稱為積層體B)，可將各附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或 極薄銅層剝離而製作無芯基板。此外，製作上述無芯基板也可以使用2個附載體銅箔，製作下述具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體的構成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體，並使用該積層體作為中心。可在這些積層體(以下也稱為積層體A)的兩側的極薄銅層或載體之表面設置樹脂層及電路這2層1次以上，並在設置樹脂層及電路這2層1次以上後，將各附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而製作無芯基板。上述積層體也可以在極薄銅層之表面、載體之表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。此外，本說明書中，「極薄銅層之表面」、「極薄銅層側表面」、「極薄銅層表面」、「載體之表面」、「載體側表面」、「載體表面」、「積層體之表面」、「積層體表面」設為如下概念，當極薄銅層、載體、積層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層時包含該其他層的表面(最表面)。另外，積層體優選具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成。其原因在於，使用該積層體制作無芯基板時，由於在無芯基板側配置有極薄銅層，因此容易使用改良半加成法在無芯基板上形成電路。另外，其原因在於，由於極薄銅層的厚度薄，因此容易去除該極薄銅層，在去除極薄銅層後容易使用半加成法在無芯基板上形成電路。
此外，本說明書中，「積層體A」或「積層體B」與未特別記載的「積層體」表示至少包含積層體A及積層體B的積層體。
此外，在上述無芯基板的製造方法中，藉由將附載體銅箔或積層體(積層體A)的端面的一部分或全部以樹脂覆蓋，在利用堆積加工 法製造印刷配線板時可防止化學液滲入到中間層或構成積層體的一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之間，可防止因化學液滲入所導致的極薄銅層與載體的分離或附載體銅箔的腐蝕，可提高產率。作為於此所使用的「覆蓋附載體銅箔的端面的一部分或全部的樹脂」或「覆蓋積層體的端面的一部分或全部的樹脂」，可使用能夠用於樹脂層的樹脂。另外，在上述無芯基板的製造方法中，也可以在附載體銅箔或積層體中將俯視時附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔的積層部分)的外周的至少一部分以樹脂或預浸體覆蓋。另外，上述無芯基板的製造方法中所形成的積層體(積層體A)也可以構成為使一對附載體銅箔能夠相互分離地進行接觸。另外，也可以在該附載體銅箔中遍及俯視時附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔的積層部分)的外周整體地以樹脂或預浸體覆蓋。藉由設為這種構成，在俯視附載體銅箔或積層體時，附載體銅箔或積層體的積層部分被樹脂或預浸體覆蓋，可防止其他部件從該部分的側方向、即相對於積層方向來自側面的方向發生碰撞，結果可減少操作中的載體與極薄銅層或附載體銅箔彼此的剝離。另外，藉由以不使附載體銅箔或積層體的積層部分的外周露出的方式利用樹脂或預浸體進行覆蓋，可防止如上所述的化學液處理步驟中化學液滲入至該積層部分的介面，可防止附載體銅箔的腐蝕或侵蝕。此外，從積層體的一對附載體銅箔分離一個附載體銅箔時、或將附載體銅箔的載體與銅箔(極薄銅層)分離時，必須藉由切斷等將被樹脂或預浸體覆蓋的附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載 體銅箔的積層部分)去除。
也可以將本發明的附載體銅箔從載體側或極薄銅層側積層在另一個本發明的附載體銅箔的載體側或極薄銅層側而構成積層體。另外，也可以是上述一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面與上述另一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面視需要經由接著劑直接積層而獲得的積層體。另外，也可以將上述一個附載體銅箔的載體或極薄銅層與上述另一個附載體銅箔的載體或極薄銅層接合。於此，在載體或極薄銅層具有表面處理層的情況下，該「接合」也包含介隔該表面處理層而相互接合的形態。另外，該積層體的端面的一部分或全部也可以被樹脂覆蓋。
載體彼此的積層除了單純地重疊以外，例如可以藉由以下方法進行。
(a)冶金接合方法：熔接(電弧焊接、TIG(鎢‧惰性氣體)焊接、MIG(金屬‧惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點焊接)、壓接(超音波焊接、摩擦攪拌焊接)、軟焊；(b)機械接合方法：鉚接、利用鉚釘的接合(利用自沖鉚接機的接合、利用鉚釘的接合)、縫合機；(c)物理接合方法：接著劑、(兩面)黏附帶
藉由使用上述接合方法將一載體的一部分或全部與另一載體的一部分或全部接合，可製造一載體與另一載體積層且使載體彼此可分離地進行接觸而構成的積層體。在將一載體與另一載體較弱地接合而積層一載體與另一載體的情況下，即使不去除一載體與另一載體的接合部，也 可以將一載體與另一載體分離。另外，在將一載體與另一載體較強地接合的情況下，藉由利用切斷或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等將一載體與另一載體接合的部位去除，可將一載體與另一載體分離。
另外，可藉由實施以下步驟而製作印刷配線板，即，在這樣構成的積層體至少設置一次樹脂層與電路這2層；及在至少形成一次上述樹脂層及電路這2層後，從上述積層體的附載體銅箔剝離上述極薄銅層或載體。此外，也可以在該積層體的一個或兩個表面設置樹脂層與電路這2層。
上述積層體所使用的樹脂基板、樹脂層、樹脂、預浸體可以為本說明書所記載的樹脂層，也可以包含本說明書所記載的樹脂層所使用的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、電介質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。此外，附載體銅箔可以在俯視時比樹脂或預浸體小。
而且，藉由在印刷配線板搭載電子零件類，印刷電路板完成。本發明中，「印刷配線板」也包含這樣搭載了電子零件類的印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。
另外，可以使用該印刷配線板來製作電子機器，可以使用該搭載了電子零件類的印刷電路板來製作電子機器，也可以使用該搭載了電子零件類的印刷基板來製作電子機器。
[實施例]
以下例示本發明的實施例，但這些實施例是為了更好地理解本發明及其優點而提供的，並非意圖限定發明。
圖3表示用來獲得實施例及比較例的資料的樣品製作流程。
[實施例1~3、6、14、比較例1~3]
作為載體，準備厚度35μm的長條電解銅箔(JX日礦日石金屬公司製造的JTC)。在以下條件下，在輥對輥型的連續鍍敷線上對該銅箔的光澤面(光面)進行電鍍，藉此形成8000μm/dm2的附著量的Ni層。
(Ni層)
硫酸鎳：270~280g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
硼酸：30~40g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：55~75ppm
pH值：4~6
浴溫：55~65℃
電流密度：10A/dm2
在進行水洗及酸洗後，繼而在輥對輥型連續鍍敷線上，藉由在以下條件下進行電解鉻酸鹽處理，而使11μg/dm2的附著量的Cr層附著在Ni層上。
(電解鉻酸鹽處理)
液體組成：重鉻酸鉀1~10g/L，鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0.1~2.6A/dm2
庫侖量：0.5~30As/dm2
繼而，在輥對輥型連續鍍敷線上，藉由在以下條件下電鍍表所記載的厚度的極薄銅層而使其形成在Cr層上，從而製造附載體銅箔。
‧極薄銅層
銅濃度：30~120g/L
H2SO4濃度：20~120g/L
電解液溫度：20~80℃
膠：1~20ppm
電流密度：10~100A/dm2
[實施例4]
將銅濃度80~120g/L、硫酸濃度80~120g/L、氯化物離子濃度30~100ppm、膠濃度1~5ppm、電解液溫度57~62℃的硫酸銅電解液作為電解銅鍍浴，在陽極與陰極(銅箔用電鍍用金屬制滾筒)之間流動的電解液的線流速度為1.5~2.5m/秒、電流密度為70A/dm2的條件下，製作厚度12μm(重量厚度95g/m2)的雙面平坦電解生箔。
[實施例5]
作為原箔，準備厚度12μm的JX日礦日石金屬股份有限公司製造的壓延銅箔。
在上述實施例及比較例的原箔的表面，在下述所示的條件範圍形成一次粒子層(Cu)、二次粒子層(銅-鈷-鎳合金鍍層等)。
所使用的浴組成及鍍敷條件如表1~3所示。表1的一次粒子電流條件欄中記載了兩種電流條件、庫侖量的例子是指在左邊所記載的條件下進行鍍敷後，在右邊所記載的條件下進一步進行鍍敷。例如，實施例1的一次粒子電流條件欄中記載了「(65A/dm2、70As/dm2)+(20A/dm2、40As/dm2)」，其表示在形成一次粒子的電流密度設為65A/dm2、庫侖量設為70As/dm2的條件下進行鍍敷後，進一步將形成一次粒子的電流密度設為20A/dm2、將庫侖量設為40As/dm2而進行鍍敷。此外，表1的實施例6、比較例3的「一次粒子形成時鍍敷液線流速(m/s)」的欄中所記載的值是指二次粒子形成時鍍敷液線流速。此外，由於在實施例6、比較例3中未形成一次粒子，因此實施例6、比較例3的表1的「二次粒子形成鍍敷」相當於一次粒子形成鍍敷。此外，實施例6、比較例3以外的二次粒子形成時鍍敷液線流速設為2.5m/sec。
[阻隔(耐熱)處理]
在下述條件下進行阻隔(耐熱)處理，形成黃銅鍍層或鋅-鎳合金鍍層。
實施例1、比較例1的阻隔層(黃銅鍍層)形成條件：
使用銅濃度50~80g/L、鋅濃度2~10g/L、氫氧化鈉濃度50~80g/L、氰化鈉濃度5~30g/L、溫度60~90℃的黃銅鍍浴，在電流密度5~10A/dm2(多段處理)下，對形成了粗化處理層的M面賦予鍍敷電量30As/dm2。
實施例2、比較例2的阻隔層(鋅-鎳鍍層)形成條件：
使用添加了Ni：10g/L~30g/L、Zn：1g/L~15g/L、硫酸(H2SO4)：1g/L~12g/L、氯化物離子：0g/L~5g/L的鍍浴，在電流密度1.3A/dm2下對形成了粗化處理層的M面賦予鍍敷電量5.5As/dm2。
[防銹處理]
關於實施例1、比較例1，在下述條件下進行防銹處理(鉻酸鹽處理)，形成防銹處理層。
(鉻酸鹽條件)在CrO3：2.5g/L、Zn：0.7g/L、Na2SO4：10g/L、pH值4.8、54℃的鉻酸鹽浴中附加0.7As/dm2的電量。而且，在利用鉻酸鹽浴的防銹處理剛結束後，使用液體噴淋配管，並使用相同的鉻酸鹽浴對粗化處理面整面進行噴淋。
[矽烷偶合材塗布]
藉由對銅箔的粗化處理面噴霧含有0.2~2%的烷氧基矽烷的pH值7~8的溶液，而進行矽烷偶合材塗布處理。
關於實施例6，在進行防銹處理、矽烷偶合材塗布後，進一步在下述條件下進行樹脂層形成。
(樹脂合成例)
於在附有不銹鋼制錨型攪拌棒、氮氣導入管及活栓的捕集器上安裝設有球形冷卻管的回流冷卻器而成的2升三口燒瓶中，添加3,4、3',4'-聯苯四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ-戊內酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、N-甲基-2-吡咯烷酮(以下記為NMP)300g、甲苯20g，在180℃下加熱1小時後，冷卻至室溫左 右後，添加3,4、3',4'-聯苯四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2-雙{4-(4-胺基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、NMP200g、甲苯40g，在室溫下混合1小時後，在180℃下加熱3小時，獲得固體成分38%的嵌段共聚聚醯亞胺。關於該嵌段共聚聚醯亞胺，下述所示的通式(1)：通式(2)=3：2，數量平均分子量：70000，重量平均分子量：150000。
利用NMP將合成例中獲得的嵌段共聚聚醯亞胺溶液進一步稀釋，製成固體成分10%的嵌段共聚聚醯亞胺溶液。在該嵌段共聚聚醯亞胺溶液中，將雙(4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷(BMI-H，ki-chemical)的固體成分重量比率設為35，將嵌段共聚聚醯亞胺的固體成分重量比率設為65(即，樹脂溶液中所含的雙(4-順丁烯二醯亞胺苯基)甲烷固體成分重量：樹脂溶液中所含的嵌段共聚聚醯亞胺固體成分重量=35：65)，在60℃下溶解混合20分鐘，製成樹脂溶液。之後，實施例28中在銅箔的M面(高光澤面)，實施例8中在銅箔的極薄銅表面，使用逆輥塗敷機塗敷上述樹脂溶液，在氮氣環境下，在120℃下進行3分鐘乾燥處理，在160℃進行3分鐘乾燥 處理後，最後在300℃進行2分鐘加熱處理，製作具備樹脂層的銅箔。此外，樹脂層的厚度設為2μm。
此外，關於以下實施例，藉由下述條件進行中間層形成。
(實施例7)
在載體與銅箔之間形成Co-Mo合金作為中間層，除此以外，在與實施例1相同的條件下，形成銅層。該情況下的Co-Mo合金中間層是藉由在以下液體組成的鍍敷液中進行鍍敷來製作。
液體組成：CoSO4‧7H2O 0.5~100g/L，Na2MoO4‧2H2O 0.5~100g/L，檸檬酸鈉二水合物20~300g/L
溫度：10~70℃
pH值：3~5
電流密度：0.1~60A/dm2
(實施例8)
在載體與銅箔之間形成Cr作為中間層，除此以外，在與實施例1相同的條件下，形成銅層。該情況下的Cr中間層是藉由在以下液體組成的鍍敷液中進行鍍敷來製作。
液體組成：CrO3 200~400g/L，H2SO4 1.5~4g/L
pH值：1~4
液溫：45~60℃
電流密度：10~40A/dm2
(實施例9)
在載體與銅箔之間形成Cr/CuP作為中間層，除此以外，在與實施例1相同的條件下，形成銅層。該情況下的Cr/CuP中間層是藉由在以下液體組成的鍍敷液中進行鍍敷來製作。
液體組成1：CrO3 200~400g/L，H2SO4 1.5~4g/L
pH值：1~4
液溫：45~60℃
電流密度：10~40A/dm2
液體組成2：Cu2P2O7‧3H2O 5~50g/L，K4P2O7 50~300g/L
液溫：30~60℃
pH值：8~10
電流密度：0.1~1.0A/dm2
(實施例10)
在載體與銅箔之間形成Ni/Cr作為中間層，除此以外，在與實施例1相同的條件下，形成銅層。該情況下的Ni/Cr中間層是藉由在以下液體組成的鍍敷液中進行鍍敷來製作。
液體組成1：NiSO4‧6H2O 250~300g/L，NiCl2‧6H2O 35~45g/L，硼酸10~50g/L
液溫：30~70℃
pH值：2~6
電流密度：0.1~50A/dm2
液體組成2：CrO3 200~400g/L，H2SO4 1.5~4g/L
液溫：45~60℃
pH值：1~4
電流密度：10~40A/dm2
(實施例11)
在載體與銅箔之間形成Co/鉻酸鹽處理層作為中間層，除此以外，在與實施例1相同的條件下，形成銅層。
該情況下的Co/鉻酸鹽處理的中間層是藉由在以下液體組成的鍍敷液中進行鍍敷來製作。
液體組成1：CoSO4‧7H2O 10~100g/L，檸檬酸鈉二水合物30~200g/L
液溫：10~70℃
pH值：3~5
電流密度：0.1~60A/dm2
液體組成2：CrO3 1~10g/L
液溫：10~70℃
pH值：10~12
電流密度：0.1~1.0A/dm2
(實施例12)
在載體與銅箔之間形成有機物層作為中間層，除此以外，在與實施例1相同的條件下，形成銅層。
該情況下的有機物層的中間層是在將液溫40℃、pH值5、濃度1~10g/L的羧基苯並三唑水溶液噴霧10~60秒鐘的條件下進行製作。
(實施例13)
在Ar-H2-HF(Ar：H2：HF=1：1：1)混合氣體中對雙順丁烯二醯亞胺三樹脂進行10秒鐘等離子體處理(1)後，依序進行膨潤處理、去汙處理、中和處理，進而在氬氣中進行10秒鐘等離子體處理(2)。
‧膨潤處理：在膨潤處理液(液體組成：乙二醇濃度500g/L，剩餘部分為水)中於72℃下浸漬10分鐘。
‧去汙處理：在去汙處理液(液體組成：過錳酸鈉濃度4.1質量%，氫氧化鈉濃度3.3質量%，Cu2+15g/L，Ni2+5g/L，剩餘部分為水)中於80℃下浸漬25分鐘。
‧中和處理：在中和處理液(液體組成：硫酸羥胺濃度1.5質量%，硫酸濃度4.9質量%，剩餘部分為水)中於30℃下浸漬5分鐘。
上述等離子體處理(1)是使用氫與氟化氫的混合氣體進行10~100秒鐘。藉此，在樹脂基板形成凹凸。另外，在上述去汙處理中，藉由在去汙液中添加Ni及Cu，促進氧化反應，孔擴展。另外，上述等離子體處理(2)進行10~100秒鐘。藉由該等離子體處理(2)來調整去汙後的樹脂表面。這樣，藉由對樹脂進行等離子體處理(1)+去汙處理+等離子體處理(2)，能夠製造本發明的具有孔形狀的樹脂基材。
-表面處理銅箔及附載體銅箔的評價-
藉由以下方法，對以上述方式獲得的表面處理銅箔及附載體銅箔實施 各種評價。將結果示於表4。
-基材表面的評價-
接著，關於各實施例、比較例的表面處理銅箔、附載體銅箔，準備20cm見方尺寸的下述樹脂基材，並將樹脂基材與銅箔以銅箔的具有表面處理層的面與樹脂基材接觸的方式進行積層加壓。積層加壓的溫度、壓力、時間是使用基材製造商的推薦條件(壓力：20kg/cm2，溫度：220℃，時間：2hr)。
使用樹脂：FR4
接著，在下述蝕刻條件下藉由整面蝕刻將樹脂基材上的表面處理銅箔去除。另外，關於樹脂基材上的附載體銅箔，在剝離載體後，在下述蝕刻條件下藉由整面蝕刻將極薄銅層去除。此外，所謂「整面蝕刻」是指相應於厚度將銅箔全部去除，蝕刻至在整面露出樹脂為止。
(蝕刻條件)蝕刻液：氯化銅溶液，HCl濃度：3.5mol/L，溫度：50℃，以比重成為1.26的方式調節CuCl2濃度。
<白部平均值、黑部平均值>
針對各實施例、比較例的樹脂基材的蝕刻側表面，使用掃描型電子顯微鏡(SEM)，將加速電壓設為15kV，進行照片拍攝。此外，拍攝照片時，調整對比度與亮度以明確可見觀察視野整體的孔的輪廓。照片整體並非純白或純黑，而是在能夠觀察到孔的輪廓的狀態下進行照片拍攝。然後，關於所拍攝的照片(SEM像(30k倍(30000倍)))，使用Photo Shop 7.0軟體實施白色、黑色影像處理(二值化處理)。此外，白色、黑色影像處理(二值化處理)的閾值設為128。接著，對所獲得的圖像拉出如圖1所示的將縱橫分別分成3等份的4條線(A~D線)，測定各線藉由白部(白色區域) 的長度合計，求出這些A~D線的白部的長度合計。此時，白部(白色區域)由以黑部(黑色區域)劃分的多條線段構成。接著，將該白部的長度合計除以該白部的線段數量。對測定物件的樹脂基材表面的3個視野(1個視野的大小：橫4.2μm×縱3.0μm=面積12.6μm2)進行上述操作，將其平均值((藉由將白部的長度合計除以該白部的線段數量而獲得的值的3個視野的合計)/3)設為白部平均值(μm)。另外，測定4條線(A~D線)藉由黑部(黑色區域)的長度合計，求出這些A~D線的黑部的長度合計。此時，黑部是由以白部劃分的多條線段構成。接著，將該黑部的長度合計除以該黑部的線段數量。對測定物件的樹脂基材表面的3個視野(1個視野的大小：橫4.2μm×縱3.0μm=面積12.6μm2)進行上述操作，將其平均值((藉由將黑部的長度合計除以該黑部的線段數量而獲得的值的3個視野的合計)/3)設為黑部平均值(μm)。
<白部最大值、黑部最大值>
關於各實施例、比較例的樹脂基材的蝕刻側表面，對由上述SEM像獲得的圖像測定白部最大值、黑部最大值。於此，白部最大值設為如下值，即，在各觀察視野中，綜合圖1所示的4條線(A~D線)，測定由以黑部(黑色區域)劃分的多條線段構成的白部中的最大長度(鄰接的黑部與黑部之間的距離中的最大距離)，將在三個視野中所獲得的由以黑部(黑色區域)劃分的多條線段構成的白部中的各最大長度相加，將所得值除以3而得的值(算術平均值)。另外，黑部最大值設為如下值，即，在各觀察視野中，綜合圖1所示的4條線(A~D線)，測定由以白部(白色區域)劃分的多條線段構成的黑部中的最大長度(鄰接的白部與白部之間的距離中的 最大距離)，將在三個視野中所獲得的由以白部(白色區域)劃分的多條線段構成的黑部中的各最大長度相加，將所得值除以3而得的值(算術平均值)。
<白部由大到小取10點的平均值、黑部由大到小取10點的平均值>
關於各實施例、比較例的樹脂基材的蝕刻側表面，對由上述SEM像獲得的圖像求出白部由大到小取10點的平均值、黑部由大到小取10點的平均值。於此，白部由大到小取10點的平均值是設為如下值，即，在各觀察視野中將上述白部最大值設為最長距離，按照第二長的距離的白部、第三長的距離的白部依序取到第10個為止，求出將合計上述距離所得值除以10而得的值A(算術平均值)，並將在3個視野中獲得的該值A除以3而得的值(算術平均值)。另外，黑部由大到小取10點的平均值是設為如下值，在各觀察視野中將上述黑部最大值設為最長距離，按照第二長的距離的黑部、第三長的距離的黑部依序取到第10個為止，求出將合計上述距離所得值除以10而得的值B(算術平均值)，並將在3個視野中獲得的該值B除以3而得的值(算術平均值)。
<白部比率>
關於各實施例、比較例的樹脂基材的蝕刻側表面，關於由上述SEM像獲得的圖像，求出白部相對於白部與黑部的合計的比率。於此，白部比率設為白部長度合計相對於上述白部長度合計與黑部長度合計的合計的比率。
<剝離強度>
對樹脂基材(整面蝕刻基材)的蝕刻面依序實施膨潤處理、去汙處理及中和處理。將各處理條件設為如下。
‧膨潤處理：在膨潤處理液(液體組成：乙二醇濃度500g/L，剩餘部分水)中於72℃下浸漬10分鐘。
‧去汙處理：在去汙處理液(液體組成：過錳酸鈉濃度4.1質量%，氫氧化鈉濃度3.3質量%，剩餘部分水)中於80℃下浸漬25分鐘。
‧中和處理：在中和處理液(液體組成：硫酸羥胺濃度1.5質量%，硫酸濃度4.9質量%，剩餘部分水)中於30℃下浸漬5分鐘。
繼而，賦予用來使無電銅在上述處理面析出的觸媒，且使用關東化成製造的KAP-8浴，在下述條件下實施無電鍍銅。所獲得的無電鍍銅層的厚度為0.5μm。
CuSO4濃度：0.06mol/L，HCHO濃度：0.5mol/L，EDTA濃度：0.12mol/L，pH值12.5，添加劑：2,2'-二吡啶基，添加劑濃度：10mg/L，表面活性劑：REG-1000，表面活性劑濃度：500mg/L
接著，在無電鍍銅層上，進而使用下述電解液實施電解鍍敷。銅厚度(無電鍍層及電解鍍層的總厚)成為12μm。
單純硫酸銅電解液：Cu濃度：100g/L，H2SO4濃度：80g/L
如上所述，關於對樹脂基材(整面蝕刻基材)實施無電鍍銅、電解鍍銅且使銅層厚為12μm的附鍍銅層的積層板，藉由濕式蝕刻製作寬度10mm的銅電路。依據JIS-C-6481，測定將該銅電路以90度剝離時的強度，設為剝離強度。
實施例1~14中，在將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在 樹脂基材，去除該表面處理銅箔，對露出的該樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，該樹脂基材的銅箔去除側表面的白部平均值、白部最大值、白部由大到小取10點的平均值、黑部平均值、黑部最大值、黑部由大到小取10點的平均值、白部比率分別被控制在規定範圍，銅電路的剝離強度良好。
比較例1~3中，在將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除該表面處理銅箔，對露出的該樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、中和處理時，該樹脂基材的銅箔去除側表面的白部平均值、白部最大值、白部由大到小取10點的平均值、黑部平均值、黑部最大值、黑部由大到小取10點的平均值、白部比率分別偏離適當範圍，銅電路的剝離強度不良。
圖4表示上述測定中用於白部、黑部評價的使用Photo Shop 7.0軟體而獲得的實施例1的圖像。
圖5表示上述測定中用於白部、黑部評價的使用Photo Shop 7.0軟體而獲得的實施例3的圖像。
圖6表示上述測定中用於白部、黑部評價的使用Photo Shop 7.0軟體而獲得的比較例1的圖像。
圖7表示上述測定中用於白部、黑部評價的使用Photo Shop 7.0軟體而獲得的比較例2的圖像。

Claims (38)

  1. 一種表面處理銅箔，其中，於將表面處理銅箔從表面處理層側貼合在樹脂基材，去除上述表面處理銅箔，對露出的上述樹脂基材表面進行膨潤處理、去汙處理、及中和處理時，在上述樹脂基材的上述銅箔去除側表面，滿足以下(A)~(G)的1個：(A)滿足以下(1-1)：(1-1)白部平均值成為0.14~0.70μm；(B)白部最大值成為0.40~0.81μm；(C)滿足以下(1-2)：(1-2)白部由大到小取10點的平均值成為0.35~1.0μm；(D)滿足以下(1-3)：(1-3)黑部平均值成為0.13~0.256μm；(E)滿足以下(1-4)：(1-4)黑部最大值成為0.42~1.07μm；(F)滿足以下(1-5)：(1-5)黑部由大到小取10點的平均值成為0.31~0.55μm；(G)白部比率成為45.5~70%。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層為粗化處理層。
  3. 如申請專利範圍第2項之表面處理銅箔，其中，上述粗化處理層是含有選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所組成之群中的任一單質或含有任一種以上之合金的層。
  4. 如申請專利範圍第2項之表面處理銅箔，其中，在上述粗化處理層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之1種以上的層。
  5. 如申請專利範圍第3項之表面處理銅箔，其中，在上述粗化處理層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之1種以上的層。
  6. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，上述表面處理層是選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合劑處理層所組成之群中之1種以上的層。
  7. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，在上述表面處理層上具備樹脂層。
  8. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中，在上述表面處理層上具備樹脂層。
  9. 一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，上述極薄銅層是申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔。
  10. 一種附載體銅箔，其在載體兩面依序具備中間層與極薄銅層，上述極薄銅層是申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔。
  11. 一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，上述極薄銅層是申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔，在上述載體之與上述極薄銅層為相反側具備粗化處理層。
  12. 一種基材，其是將申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔從表面處理層側貼合在基材並將上述表面處理銅箔去除所得的基材、或將申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔從極薄銅層側貼合在基材並將上述附載體銅箔去除所得的基材，當對藉由去除上述表面處理銅箔或附載體銅箔而露出的上述基材表面進行膨潤處理、去汙處理、及中和處理時，滿足以下(A)~(G)內的1個：(A)滿足以下(1-1)：(1-1)白部平均值成為0.16~0.65μm；(B)白部最大值成為0.40~0.81μm；(C)滿足以下(1-2)：(1-2)白部由大到小取10點的平均值成為0.36~0.9μm；(D)滿足以下(1-3)：(1-3)黑部平均值成為0.15~0.23μm；(E)滿足以下(1-4)：(1-4)黑部最大值成為0.5~1.0μm；(F)滿足以下(1-5)：(1-5)黑部由大到小取10點的平均值成為0.32~0.53μm；(G)白部比率成為45.5~70%。
  13. 一種積層體，其是使用申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔、或申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔進行製造而成。
  14. 一種積層體，其包含申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔或申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔與樹脂，上述表面處理銅箔或上述附載體銅箔的端面的一部分或全部被上述樹脂覆蓋。
  15. 一種積層體，其是將一個申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔從上述載體側或上述極薄銅層側向另一個根據申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔的上述載體側或上述極薄銅層側進行積層而成。
  16. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔與絕緣基板；將上述表面處理銅箔從表面處理層側積層在絕緣基板；將上述絕緣基板上之表面處理銅箔去除；及在去除了上述表面處理銅箔之絕緣基板的表面形成電路。
  17. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔從極薄銅層側積層在絕緣基板；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，剝離上述附載體銅箔的載體；將剝離上述載體後之絕緣基板上的極薄銅層去除；及在去除了上述極薄銅層之絕緣基板的表面形成電路。
  18. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔與絕緣基板；及將上述表面處理銅箔從表面處理層側積層在絕緣基板而形成覆銅積層板，之後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法來形成電路。
  19. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔從極薄銅層側積層在絕緣基板；及在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體的步驟而形成覆銅積層板，之後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法來形成電路。
  20. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在形成有表面處理層之側的表面形成了電路的申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔、或在極薄銅層側表面形成了電路之申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式在上述表面處理銅箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；在上述樹脂層表面形成電路；及藉由將上述表面處理銅箔或上述附載體銅箔去除，使掩埋在上述樹脂層的電路露出。
  21. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在表面形成有電路的金屬箔、或在形成了表面處理層的一側的表面形成有電路之作為申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔的第1表面處理銅箔、或在極薄金屬層側表面形成有電路之附載體金屬箔、或在極薄銅層側表面形成有電路之作為申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔的第1附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式在上述金屬箔表面或上述表面處理銅箔表面或上述附載體金屬箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；將作為申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔的第2表面處理銅箔從表面處理層側積層在上述樹脂層、或將作為申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔的第2附載體銅箔從極薄銅層側積層在上述樹脂層；在積層在上述樹脂層的箔為上述第2附載體銅箔的情況下，將上述第2附載體銅箔之載體剝離；將上述樹脂層上之表面處理銅箔、或剝離上述第2附載體銅箔之載體後殘留的極薄銅層去除；在去除了上述表面處理銅箔之樹脂層的表面、或去除了極薄銅層之樹脂層的表面形成電路；及在上述樹脂層上形成電路後，將上述金屬箔去除，或將上述第1表面處理銅箔去除，或在剝離上述附載體金屬箔之載體後將極薄金屬層去除，或在剝離上述第1附載體銅箔之載體後將極薄銅層去除，藉此使掩埋於上述樹脂層的電路露出。
  22. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在形成了表面處理層之側的表面形成了電路之申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔、或在極薄銅層側表面形成了電路之申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式在上述表面處理銅箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；將金屬箔積層在上述樹脂層、或將附載體金屬箔從極薄金屬層側積層在上述樹脂層；於積層在上述樹脂層的箔為上述附載體金屬箔的情況下，將上述附載體金屬箔之載體剝離；將上述樹脂層上之金屬箔、或剝離上述附載體金屬箔之載體而殘留的極薄金屬層去除；在去除上述金屬箔後之樹脂層的表面、或去除極薄銅層後之樹脂層的表面形成電路；及在上述樹脂層上形成電路後，將上述表面處理銅箔去除，或在剝離上述附載體銅箔的載體後將極薄銅層去除，藉此使掩埋於上述樹脂層的電路露出。
  23. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在表面形成了電路的金屬箔、或在形成了表面處理層之側的表面形成了電路之作為申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔的第1表面處理銅箔、或在極薄金屬層側表面形成了電路的附載體金屬箔、或在極薄銅層側表面形成了電路之作為申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔的第1附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式，在上述金屬箔表面或上述表面處理銅箔表面或上述附載體金屬箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；將作為申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔的第2表面處理銅箔從表面處理層側積層在上述樹脂層、或將作為申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔的第2附載體銅箔從極薄銅層側積層在上述樹脂層；於積層在上述樹脂層的箔為上述第2附載體銅箔的情況下，將上述第2附載體銅箔的載體剝離；使用上述樹脂層上之表面處理銅箔、或剝離上述第2附載體銅箔之載體後殘留的極薄銅層，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法，在上述樹脂層上形成電路；及在上述樹脂層上形成電路後，將上述金屬箔去除，或將上述第1表面處理銅箔去除，或在剝離上述附載體金屬箔的載體後將極薄金屬層去除，或在剝離上述第1附載體銅箔的載體後將極薄銅層去除，藉此使掩埋於上述樹脂層的電路露出。
  24. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在形成了表面處理層的一側的表面形成了電路之申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔、或在極薄銅層側表面形成了電路之申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔；以掩埋上述電路的方式在上述表面處理銅箔表面或上述附載體銅箔表面形成樹脂層；將金屬箔積層在上述樹脂層、或將附載體金屬箔從極薄金屬層側積層在上述樹脂層；於積層在上述樹脂層的箔為上述附載體金屬箔的情況下，將上述附載體金屬箔之載體剝離；使用上述樹脂層上的金屬箔、或剝離上述附載體金屬箔之載體後殘留的極薄金屬層，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法，在上述樹脂層上形成電路；及在上述樹脂層上形成電路後，將上述表面處理銅箔去除，或在剝離上述附載體銅箔之載體後將極薄銅層去除，藉此使掩埋於上述樹脂層的電路露出。
  25. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：將申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層；在上述附載體銅箔之與樹脂基板積層之側為相反側的極薄銅層側表面或上述載體側表面，至少設置一次樹脂層與電路這2層；及在形成上述樹脂層及電路這2層後，將上述載體或上述極薄銅層從上述附載體銅箔剝離。
  26. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：在申請專利範圍第13至15項中任一項之積層體的任一面或兩面，至少設置一次樹脂層與電路這2層；及在形成上述樹脂層及電路這2層後，將上述載體或上述極薄銅層從構成上述積層體之附載體銅箔剝離。
  27. 一種樹脂基材，其滿足以下(2-1)~(2-6)內的1個以上：(2-1)表面的白部平均值為超過0.23~0.70μm；(2-2)表面的白部由大到小取10點的平均值為超過0.457~1.0μm；(2-3)表面的黑部平均值為超過0.20~0.256μm；(2-4)表面的黑部最大值為超過0.605~1.07μm；(2-5)表面的黑部由大到小取10點的平均值為超過0.335~0.55μm；(2-6)表面的白部比率為超過68~70%。
  28. 如申請專利範圍第27項之樹脂基材，其是用於半加成加工法。
  29. 一種積層體，其是使用申請專利範圍第12項之基材、或申請專利範圍第27項之樹脂基材進行製造而成。
  30. 一種印刷配線板，其是使用申請專利範圍第1至8項中任一項之表面處理銅箔、或申請專利範圍第9至11項中任一項之附載體銅箔、或申請專利範圍第12項之基材、或申請專利範圍第27項之樹脂基材進行製造而成。
  31. 一種電子機器，其使用申請專利範圍第30項之印刷配線板。
  32. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備表面處理銅箔與樹脂基材，或準備依序積層載體、中間層、極薄銅層而構成的附載體銅箔與樹脂基材；將上述表面處理銅箔或附載體銅箔從表面處理層側或極薄銅層側積層在樹脂基材；於積層在上述樹脂基材的箔為附載體銅箔的情況下，將載體從附載體銅箔剝離；將上述樹脂基材上的表面處理銅箔或極薄銅層去除，獲得申請專利範圍第27項之樹脂基材；及在去除上述表面處理銅箔或極薄銅層後的樹脂基材的表面形成電路。
  33. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：將表面處理銅箔或依序積層載體、中間層、極薄銅層而構成的附載體銅箔從表面處理層側或極薄銅層側積層在申請專利範圍第27項之樹脂基材；於積層在上述樹脂基材的箔為附載體銅箔的情況下，將上述附載體銅箔的載體剝離；及對積層在上述樹脂基材或剝離上述載體而形成的覆銅積層板，之後藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法來形成電路。
  34. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在表面形成了電路的金屬箔；以掩埋上述電路的方式在上述金屬箔表面形成樹脂基材；將表面處理銅箔或依序具備載體、中間層、極薄銅層的附載體銅箔從表面處理層側或極薄銅層側積層在上述樹脂基材；於積層在上述樹脂基材的箔為附載體銅箔的情況下，將上述附載體銅箔的載體剝離；將上述樹脂基材上之表面處理銅箔或極薄銅層去除，獲得申請專利範圍第27項之樹脂基材；在去除上述表面處理銅箔或極薄銅層後的樹脂基材的表面形成電路；及藉由去除上述金屬箔，使形成在上述金屬箔表面的掩埋於上述樹脂基材的電路露出。
  35. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：在依序積層載體、中間層、極薄銅層而構成之第1附載體銅箔的極薄銅層側表面形成電路；以掩埋上述電路的方式在上述第1附載體銅箔的上述極薄銅層側表面形成樹脂基材；準備依序積層載體、中間層、極薄銅層而構成之第2附載體銅箔，並從上述第2附載體銅箔的極薄銅層側積層在上述樹脂基材；在將上述第2附載體銅箔積層在上述樹脂基材後，將上述第2附載體銅箔的載體剝離；將剝離上述第2附載體銅箔的載體後的樹脂基材上的極薄銅層去除，獲得申請專利範圍第27項之樹脂基材；在去除上述極薄銅層後的樹脂基材的表面形成電路；在上述樹脂基材上形成電路後，將上述第1附載體銅箔的載體剝離；及在剝離上述第1附載體銅箔的載體後，將上述第1附載體銅箔之極薄銅層去除，藉此使形成在上述第1附載體銅箔之極薄銅層側表面的掩埋於上述樹脂基材的電路露出。
  36. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：在依序具備載體、中間層、極薄銅層的附載體銅箔之極薄銅層側表面形成電路；以掩埋上述電路的方式在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面形成樹脂基材；將表面處理銅箔從表面處理層側積層在上述樹脂基材；將上述樹脂基材上的表面處理銅箔去除，獲得申請專利範圍第27項之樹脂基材；在去除上述表面處理銅箔後之樹脂基材的表面形成電路；在上述樹脂基材上形成電路後，將上述附載體銅箔的載體剝離；及在剝離上述附載體銅箔的載體後，將上述附載體銅箔之極薄銅層去除，藉此使形成在上述附載體銅箔之極薄銅層側表面的掩埋於上述樹脂基材的電路露出。
  37. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：準備在表面形成了電路的金屬箔；以掩埋上述電路的方式，在上述金屬箔表面形成申請專利範圍第27項之樹脂基材；藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法，在上述樹脂基材上形成電路；及藉由去除上述金屬箔，使形成在上述金屬箔表面的掩埋於上述樹脂基材的電路露出。
  38. 一種印刷配線板之製造方法，其包括以下步驟：在依序積層載體、中間層、極薄銅層而構成之第1附載體銅箔的極薄銅層側表面形成電路；以掩埋上述電路的方式，在上述第1附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成申請專利範圍第27項之樹脂基材；藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一方法，在上述樹脂基材上形成電路；在上述樹脂基材上形成電路後，將上述第1附載體銅箔之載體剝離；及在剝離上述第1附載體銅箔之載體後，將上述第1附載體銅箔之極薄銅層去除，藉此使形成在上述第1附載體銅箔之極薄銅層側表面的掩埋於上述樹脂基材的電路露出。
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