CN105835478A - 表面处理铜箔、及关于它的制品 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种表面处理铜箔、及关于它的制品。该表面处理铜箔能够提供如下铜箔去除后基材面的轮廓形状，该轮廓形状即使进行去污处理也具有所需的凹凸形状，且实现无电镀铜皮膜的良好密接力。另外，本发明提供一种基材，其即使进行去污处理也具有所需的凹凸形状，且实现无电镀铜皮膜的良好密接力。本发明的表面处理铜箔在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除表面处理铜箔，对露出的树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，树脂基材的铜箔去除侧表面的白部平均值成为0.14～0.70μm。

Description

表面处理铜箔、及关于它的制品

技术领域

本发明涉及一种表面处理铜箔、附载体铜箔、基材、树脂基材、积层体、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法。

背景技术

半导体封装基板及印刷配线基板的电路形成加工法主要是减成加工法。但是，近年来随着半导体的高积体化，用于半导体的半导体封装基板、印刷配线基板的电路的微细化不断进展，利用减成加工法形成微细电路变得越来越难。

作为对进一步微细配线化的对策，以下电路形成加工法受到关注：电路形成加工法(1)，将极薄铜箔作为供电层实施图案铜镀敷，最后通过快速蚀刻将极薄铜层去除而形成配线；电路形成加工法(2)，通过真空加压等使预浸料或堆积膜硬化，并将其表面粗面化，在基材面形成适当凹凸，由此形成具有可靠性的微细配线；电路形成加工法(3)，使铜箔表面轮廓转印到基材表面，在基材表面形成适当凹凸，由此形成具有可靠性的微细配线。这些加工法一般被称为SAP加工法(半加成加工法)。

使用铜箔表面轮廓的SAP加工法例如记载在专利文献1中。作为这种使用铜箔表面轮廓的典型SAP加工法的例子，列举如下。即，对积层在树脂的铜箔进行整面蚀刻，将蚀刻基材面开孔，对开孔部及基材的整面或一部分实施去污处理，在开孔部的蚀刻面贴附干膜，对未形成电路的部分的干膜进行曝光、显影，利用化学液去除干膜无用部，对没有被覆干膜的转印了铜箔表面轮廓的蚀刻基材面实施无电镀铜、电镀铜，最终通过快速蚀刻去除无电镀铜层而形成微细配线。

于此，如上所述，对树脂基材的开孔一般是通过激光加工进行。此时，在树脂基材上产生的孔的壁面产生树脂残余(污迹)。该污迹导致通孔、盲孔内的镀铜不良。该镀铜不良导致导通不良，有引起印刷配线板的品质不良的担忧。所以，为了去除污迹，进行如上所述的去污处理。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2006-196863号公报

发明内容

[发明所要解决的课题]

但是，存在如下问题：通过所述去污处理，树脂基材的通孔、盲孔以外的树脂部分也会被腐蚀，树脂的凹凸不适当，该树脂基材与铜电路的密接力降低。

所以，本发明的课题在于提供一种表面处理铜箔，其能够提供如下铜箔去除后基材面的轮廓形状，该轮廓形状即使进行去污处理也具有所需的凹凸形状，且实现无电镀铜皮膜的良好密接力。

[解决课题的技术手段]

为了达成所述目的，本发明者们反复努力研究，结果发现，在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除表面处理铜箔，对露出的树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，以树脂基材的铜箔去除侧表面的白部或黑部成为规定形态的方式进行控制，由此能够解决所述课题。

本发明是基于所述见解而完成的，在一态样中是一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部平均值成为0.14～0.70μm。

本发明在又一态样中是一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部平均值成为0.16～0.65μm。

本发明在又一态样中是一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部最大值成为0.40～0.81μm。

本发明在又一态样中是一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm。

本发明在又一态样中是一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm。

本发明在又一态样中是一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部平均值成为0.13～0.256μm。

本发明在又一态样中是一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部平均值成为0.14～0.24μm。

本发明在又一态样中是一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部平均值成为0.15～0.23μm。

本发明在又一态样中是一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部最大值成为0.42～1.07μm。

本发明在又一态样中是一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部最大值成为0.5～1.0μm。

本发明在又一态样中是一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm。

本发明在又一态样中是一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm。

本发明的表面处理铜箔在一实施方式中，在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部比率成为45.5～70％。

本发明的表面处理铜箔在另一实施方式中，所述表面处理层为粗化处理层。

本发明的表面处理铜箔在又一实施方式中，所述粗化处理层是由选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一单质或含有任一种以上的合金所构成的层。

本发明的表面处理铜箔在又一实施方式中，在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。

本发明的表面处理铜箔在又一实施方式中，所述表面处理层是选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。

本发明的表面处理铜箔在又一实施方式中，在所述表面处理层上具备树脂层。

本发明在又一态样中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，且所述极薄铜层为本发明的表面处理铜箔。

本发明的附载体铜箔在一实施方式中，在所述载体的两面具备所述极薄铜层。

本发明的附载体铜箔在另一实施方式中，在所述载体的与所述极薄铜层为相反侧具备粗化处理层。

本发明在又一态样中是一种基材，其是将本发明的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将本发明的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，白部平均值为0.14～0.70μm。

本发明在又一态样中是一种基材，其是将本发明的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将本发明的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，白部最大值成为0.40～0.81μm。

本发明在又一态样中是一种基材，其是将本发明的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将本发明的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm。

本发明在又一态样中是一种基材，其是将本发明的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将本发明的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，黑部平均值成为0.13～0.256μm。

本发明在又一态样中是一种基材，其是将本发明的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将本发明的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，黑部最大值成为0.42～1.07μm。

本发明在又一态样中是一种基材，其是将本发明的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将本发明的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm。

本发明在又一态样中是一种基材，其是将本发明的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将本发明的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，白部比率成为45.5～70％。

本发明在又一态样中是一种积层体，其是使用本发明的表面处理铜箔或本发明的附载体铜箔进行制造而成。

本发明在又一态样中是一种积层体，其包含本发明的表面处理铜箔或本发明的附载体铜箔与树脂，且所述表面处理铜箔或所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。

本发明在又一态样中是一种积层体，其是将一个本发明的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧向另一本发明的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧进行积层而成。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备本发明的表面处理铜箔与绝缘基板；

将所述表面处理铜箔从表面处理层侧积层在绝缘基板；

将所述绝缘基板上的表面处理铜箔去除；及

在去除所述表面处理铜箔后的绝缘基板的表面形成电路。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将所述附载体铜箔从极薄铜层侧积层在绝缘基板；

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；

将剥离所述载体后的绝缘基板上的极薄铜层去除；及

在去除所述极薄铜层后的绝缘基板的表面形成电路。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：准备本发明的表面处理铜箔与绝缘基板；及

将所述表面处理铜箔从表面处理层侧积层在绝缘基板而形成覆铜积层板，

之后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法来形成电路。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；

将所述附载体铜箔从极薄铜层侧积层在绝缘基板；及

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层板，

之后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法来形成电路。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的本发明的表面处理铜箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的本发明的附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式在所述表面处理铜箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

在所述树脂层的表面形成电路；及

通过将所述表面处理铜箔或所述附载体铜箔去除，使掩埋于所述树脂层的电路露出。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在表面形成了电路的金属箔、或在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的作为本发明的表面处理铜箔的第1表面处理铜箔、或在极薄金属层侧表面形成了电路的附载体金属箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的作为本发明的附载体铜箔的第1附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式，在所述金属箔表面或所述表面处理铜箔表面或所述附载体金属箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

将作为本发明的表面处理铜箔的第2表面处理铜箔从表面处理层侧积层在所述树脂层、或将作为本发明的附载体铜箔的第2附载体铜箔从极薄铜层侧积层在所述树脂层；

在积层在所述树脂层的箔为所述第2附载体铜箔的情况下，将所述第2附载体铜箔的载体剥离；

将所述树脂层上的表面处理铜箔、或剥离所述第2附载体铜箔的载体后残留的极薄铜层去除；

在去除所述表面处理铜箔后的树脂层的表面、或去除极薄铜层后的树脂层的表面形成电路；及

在所述树脂层上形成电路后，将所述金属箔去除，或将所述第1表面处理铜箔去除，或在剥离所述附载体金属箔的载体后将极薄金属层去除，或在剥离所述第1附载体铜箔的载体后将极薄铜层去除，由此使掩埋于所述树脂层的电路露出。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的本发明的表面处理铜箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的本发明的附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式在所述表面处理铜箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

将金属箔积层在所述树脂层、或将附载体金属箔从极薄金属层侧积层在所述树脂层；

在积层在所述树脂层的箔为所述附载体金属箔的情况下，将所述附载体金属箔的载体剥离；

将所述树脂层上的金属箔、或剥离所述附载体金属箔的载体后残留的极薄金属层去除；

在去除所述金属箔后的树脂层的表面、或去除极薄铜层后的树脂层的表面形成电路；及

在所述树脂层上形成电路后，将所述表面处理铜箔去除，或在剥离所述附载体铜箔的载体后将极薄铜层去除，由此使掩埋于所述树脂层的电路露出。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在表面形成了电路的金属箔、或在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的作为本发明的表面处理铜箔的第1表面处理铜箔、或在极薄金属层侧表面形成了电路的附载体金属箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的作为本发明的附载体铜箔的第1附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式，在所述金属箔表面或所述表面处理铜箔表面或所述附载体金属箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

将作为本发明的表面处理铜箔的第2表面处理铜箔从表面处理层侧积层在所述树脂层、或将作为本发明的附载体铜箔的第2附载体铜箔从极薄铜层侧积层在所述树脂层；

在积层在所述树脂层的箔为所述第2附载体铜箔的情况下，将所述第2附载体铜箔的载体剥离；

使用所述树脂层上的表面处理铜箔、或剥离所述第2附载体铜箔的载体后残留的极薄铜层，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法，在所述树脂层上形成电路；及

在所述树脂层上形成电路后，将所述金属箔去除，或将所述第1表面处理铜箔去除，或在剥离所述附载体金属箔的载体后将极薄金属层去除，或在剥离所述第1附载体铜箔的载体后将极薄铜层去除，由此使掩埋于所述树脂层的电路露出。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的本发明的表面处理铜箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的本发明的附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式在所述表面处理铜箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

将金属箔积层在所述树脂层、或将附载体金属箔从极薄金属层侧积层在所述树脂层；

在积层在所述树脂层的箔为所述附载体金属箔的情况下，将所述附载体金属箔的载体剥离；

使用所述树脂层上的金属箔、或剥离所述附载体金属箔的载体后残留的极薄金属层，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法，在所述树脂层上形成电路；及

在所述树脂层上形成电路后，将所述表面处理铜箔去除，或在剥离所述附载体铜箔的载体后将极薄铜层去除，由此使掩埋于所述树脂层的电路露出。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层；

在所述附载体铜箔的与树脂基板积层的一侧为相反侧的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面，设置树脂层与电路这2层至少一次；及

在形成所述树脂层及电路这2层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

在本发明的积层体的任一面或两面设置树脂层与电路这2层至少一次；及

在形成所述树脂层及电路这2层后，将所述载体或所述极薄铜层从构成所述积层体的附载体铜箔剥离。

本发明在又一态样中是一种树脂基材，其表面的白部平均值为超过0.23～0.70μm。

本发明在又一态样中是一种树脂基材，其表面的白部由大到小取10点的平均值为超过0.457～1.0μm。

本发明在又一态样中是一种树脂基材，其表面的黑部平均值为超过0.20～0.256μm。

本发明在又一态样中是一种树脂基材，其表面的黑部最大值为超过0.605～1.07μm。

本发明在又一态样中是一种树脂基材，其表面的黑部由大到小取10点的平均值为超过0.335～0.55μm。

本发明在又一态样中是一种树脂基材，其表面的白部比率为超过68～70％。

本发明在又一态样中是一种树脂基材，满足以下(2-1)～(2-6)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个：

(2-1)表面的白部平均值为超过0.23～0.70μm；

(2-2)表面的白部由大到小取10点的平均值为超过0.457～1.0μm；

(2-3)表面的黑部平均值为超过0.20～0.256μm；

(2-4)表面的黑部最大值为超过0.605～1.07μm；

(2-5)表面的黑部由大到小取10点的平均值为超过0.335～0.55μm；

(2-6)表面的白部比率为超过68～70％。

本发明在又一态样中是一种积层体，其是使用本发明的基材进行制造而成。

本发明在又一态样中是一种积层体，其是使用本发明的树脂基材进行制造而成。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板，其是使用本发明的表面处理铜箔或本发明的任一项所述的附载体铜箔或本发明的树脂基材进行制造而成。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板，其是使用本发明的基材进行制造而成。

本发明在又一态样中是一种电子机器，其是使用本发明的印刷配线板。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备表面处理铜箔与树脂基材，或准备依序积层载体、中间层、极薄铜层而构成的附载体铜箔与树脂基材；

将所述表面处理铜箔或附载体铜箔从表面处理层侧或极薄铜层侧积层在树脂基材；

在积层在所述树脂基材的箔为附载体铜箔的情况下，将载体从附载体铜箔剥离；

将所述树脂基材上的表面处理铜箔或极薄铜层去除而获得本发明的树脂基材；及

在去除所述表面处理铜箔或极薄铜层后的树脂基材的表面形成电路。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：将表面处理铜箔或依序积层载体、中间层、极薄铜层而构成的附载体铜箔从表面处理层侧或极薄铜层侧积层在本发明的树脂基材；在积层在所述树脂基材的箔为附载体铜箔的情况下，将所述附载体铜箔的载体剥离；及对积层在所述树脂基材或剥离所述载体而形成的覆铜积层板，之后通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法来形成电路。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在表面形成了电路的金属箔；

以掩埋所述电路的方式在所述金属箔表面形成树脂基材；

将表面处理铜箔或依序具备载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔从表面处理层侧或极薄铜层侧积层在所述树脂基材；

在积层在所述树脂基材的箔为附载体铜箔的情况下，将所述附载体铜箔的载体剥离；

将所述树脂基材上的表面处理铜箔或极薄铜层去除而获得本发明的树脂基材；

在去除所述表面处理铜箔或极薄铜层后的树脂基材的表面形成电路；及

通过去除所述金属箔，使形成在所述金属箔表面的掩埋于所述树脂基材的电路露出。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

在依序积层载体、中间层、极薄铜层而构成的第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面形成电路；

以掩埋所述电路的方式在所述第1附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成树脂基材；

准备依序积层载体、中间层、极薄铜层而构成的第2附载体铜箔，并从所述第2附载体铜箔的极薄铜层侧积层在所述树脂基材；

在将所述第2附载体铜箔积层在所述树脂基材后，将所述第2附载体铜箔的载体剥离；

将剥离所述第2附载体铜箔的载体后的树脂基材上的极薄铜层去除而获得本发明的树脂基材；

在去除所述极薄铜层后的树脂基材的表面形成电路；

在所述树脂基材上形成电路后，将所述第1附载体铜箔的载体剥离；及

在剥离所述第1附载体铜箔的载体后，将所述第1附载体铜箔的极薄铜层去除，由此使形成在所述第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的掩埋于所述树脂基材的电路露出。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

在依序具备载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔的极薄铜层侧表面形成电路；

以掩埋所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成树脂基材；

将表面处理铜箔从表面处理层侧积层在所述树脂基材；

将所述树脂基材上的表面处理铜箔去除而获得本发明的树脂基材；

在去除所述表面处理铜箔后的树脂基材的表面形成电路；

在所述树脂基材上形成电路后，将所述附载体铜箔的载体剥离；及

在剥离所述附载体铜箔的载体后，将所述附载体铜箔的极薄铜层去除，由此使形成在所述附载体铜箔的极薄铜层侧表面的掩埋于所述树脂基材的电路露出。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在表面形成了电路的金属箔；

以掩埋所述电路的方式在所述金属箔表面形成本发明的树脂基材；

通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法，在所述树脂基材上形成电路；及

通过去除所述金属箔，使形成在所述金属箔表面的掩埋于所述树脂基材的电路露出。

本发明在又一态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

在依序积层载体、中间层、极薄铜层而构成的第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面形成电路；

以掩埋所述电路的方式在所述第1附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成本发明的树脂基材；

通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法，在所述树脂基材上形成电路；

在所述树脂基材上形成电路后，将所述第1附载体铜箔的载体剥离；及

在剥离所述第1附载体铜箔的载体后，将所述第1附载体铜箔的极薄铜层去除，由此使形成在所述第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的掩埋于所述树脂基材的电路露出。

[发明的效果]

根据本发明，可提供一种表面处理铜箔，其能够提供如下铜箔去除后基材面的轮廓形状，该轮廓形状即使进行去污处理也具有所需的凹凸形状，且实现无电镀铜皮膜的良好密接力，或者可提供一种基材，即使进行去污处理也具有所需的凹凸形状，且实现无电镀铜皮膜的良好密接力。

附图说明

图1表示用来说明树脂基材表面的白部、黑部的示意图。

图2表示使用铜箔轮廓的半加成加工法的概略例。

图3表示用来获得实施例及比较例的数据的样品制作流程。

图4是用于白部、黑部评价的使用Photo Shop 7.0软件而获得的实施例1的图像。

图5是用于白部、黑部评价的使用Photo Shop 7.0软件而获得的实施例3的图像。

图6是用于白部、黑部评价的使用Photo Shop 7.0软件而获得的比较例1的图像。

图7是用于白部、黑部评价的使用Photo Shop 7.0软件而获得的比较例2的图像。

具体实施方式

[表面处理铜箔]

本发明的表面处理铜箔中所使用的铜箔可以为电解铜箔或压延铜箔中的任一个。本发明中所使用的铜箔的厚度无需特别限定，例如为1μm以上、2μm以上、3μm以上、5μm以上，且例如为3000μm以下、1500μm以下、800μm以下、300μm以下、150μm以下、100μm以下、70μm以下、50μm以下、40μm以下。

本发明中使用的压延铜箔也包括含有一种以上Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V、B、Co等元素的铜合金箔。如果所述元素的浓度变高(例如合计10质量％以上)，则有导电率降低的情况。压延铜箔的导电率优选50％IACS以上，更优选60％IACS以上，进一步优选80％IACS以上。另外，压延铜箔也包括使用精铜(JISH3100 C1100)或无氧铜(JIS H3100 C1020)制造的铜箔。此外，本说明书中单独使用用语“铜箔”时，也包含铜合金箔。

另外，关于能够用于本发明的电解铜箔，可以通过以下制造条件来制作。

＜电解液组成＞

铜：90～110g/L

硫酸：90～110g/L

氯：50～100ppm

均化剂1(双(三磺丙基)二硫醚)：10～30ppm

均化剂2(胺化合物)：10～30ppm

所述胺化合物可以使用以下化学式的胺化合物。

(所述化学式中，R₁及R₂是选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一群中的基)

＜制造条件＞

电流密度：70～100A/dm²

电解液温度：50～60℃

电解液线流速：3～5m/sec

电解时间：0.5～10分钟

本发明中，形成在铜箔上的表面处理层也可以是粗化处理层。粗化处理通常是指如下处理，即，对于铜箔的与树脂基板粘结的面、即表面处理侧的表面，以提高积层后的铜箔的剥离强度为目的，在脱脂后的铜箔表面形成瘤状电镀层。粗化处理层是通过在形成一次粒子层后进一步形成二次粒子层而构成。

所述一次粒子层及二次粒子层由电镀层形成。该二次粒子的特征是在所述一次粒子上成长的1个或多个树枝状粒子。或者是在所述一次粒子上成长的正常镀层。即，本说明书中，当使用用语“二次粒子层”时，也包含被覆镀层等正常镀层。另外，二次粒子层可以为具有一层以上由粗化粒子形成的层的层，也可以为具有一层以上正常镀层的层，还可以为分别具有一层以上由粗化粒子形成的层与正常镀层的层。

一次粒子层也可以含有铜。另外，二次粒子层也可以含有选自由镍及钴所组成的群中的一种以上，且含有铜。另外，二次粒子层可以含有铜、钴及镍，也可以含有由铜、钴及镍所组成的合金。在一次粒子层及二次粒子层含有铜的情况下，具有以下优点：电路形成时，由于一次粒子层容易通过蚀刻来去除，因此生产印刷配线板时的生产性提高。另外，在二次粒子层含有钴或镍的情况下，具有以下优点：加热后的树脂与铜箔的剥离强度不易变差。

(用来形成一次粒子的镀敷条件)

列举一次粒子的镀敷条件的一例，如下所述。

此外，如下所述般能够通过控制电流密度、库仑量来控制一次粒子的平均粒径。在第一阶段，以将电流密度设定为高于以往，并设置某种程度的由粗化粒子形成的凹凸，且粒子形状成为规定形状的方式进行控制，由此，控制贴合表面处理铜箔后将表面处理铜箔去除所得的树脂基材的表面形状。另外，能够控制所述表面积比。另外，作为用来形成一次粒子的镀浴，除如下铜镀浴以外，可列举银镀浴、金镀浴、镍镀浴、钴镀浴、锌镀浴、镍锌合金镀浴等，可以使用这些公知的镀浴。另外，镀敷液中也可以添加各种添加剂(金属离子、无机物、有机物)。另外，以将一次粒子形成时的镀敷液的线流速设定为高于以往，并且由粗化粒子所形成的凹凸没有变得过大，且粒子形状成为规定形状的方式进行控制，由此，控制贴合表面处理铜箔后将表面处理铜箔去除所得的树脂基材的表面形状。此外，一次粒子形成时的镀敷液的线流速优选2.0m/sec以上，更优选2.5m/sec以上。一次粒子形成时的镀敷液的线流速的上限无需特别限定，典型来说为5m/sec以下，典型来说为4.5m/sec以下。

液体组成：铜10～20g/L，硫酸50～100g/L

液温：25～50℃

＜第一阶段＞

电流密度：54～64A/dm²

库仑量：30～75As/dm²

＜第二阶段＞

电流密度：1～20A/dm²

库仑量：7～120As/dm²

(被覆镀敷条件)

镀敷液中也可以添加各种添加剂(金属离子、无机物、有机物)。

液体组成：铜10～20g/L，硫酸50～100g/L

液温：25～35℃

电流密度：15～20A/dm²

库仑量：30～60As/dm²

此外，本说明书所记载的用于电解、蚀刻、表面处理或镀敷等的处理液(蚀刻液、电解液)的剩余部分如果没有特别说明，则为水。

(用来形成二次粒子的镀敷条件)

列举二次粒子的镀敷条件的一例，如下所述。

此外，如下所述般能够通过控制电流密度、库仑量来控制二次粒子的平均粒径。另外，能够控制所述表面积比。另外，作为用来形成二次粒子的镀浴，除了如下铜与其他元素的合金镀浴以外，可列举银与其他元素的合金镀浴、金与其他元素的合金镀浴、镍与其他元素的合金镀浴、钴与其他元素的合金镀浴、锌与其他元素的合金镀浴、镍锌合金镀浴等，可以使用这些公知的镀浴。

镀敷液中也可以添加各种添加剂(金属离子、无机物、有机物)。

液体组成：铜10～20g/L，镍5～15g/L或/及钴5～15g/L，当含有磷时，磷为0.5～5g/L，当含有钨时，钨为0.001～5g/L，当含有钼时钼为0.05～10g/L

pH值：2～3

液温：30～50℃

电流密度：20～60A/dm²

库仑量：10～35As/dm²

关于作为所述二次粒子的铜-钴-镍合金镀层，通过电解镀敷，能够形成附着量为10～30mg/dm²铜-100～3000μg/dm²钴-50～500μg/dm²镍的3元系合金层。

当Co附着量小于100μg/dm²时，耐热性变差，且蚀刻性也变差。当Co附着量超过3000μg/dm²时，在必须考虑磁性影响的情况下不优选，会产生蚀刻斑，另外，可能要考虑到耐酸性及耐化学品性变差。

如果Ni附着量小于50μg/dm²，则耐热性变差。另一方面，如果Ni附着量超过500μg/dm²，则蚀刻性降低。即，会形成蚀刻残余，另外，虽然并非无法蚀刻的程度，但难以精细图案化。优选Co附着量为500～2000μg/dm²，且优选镍附着量为50～300μg/dm²。

根据以上可以说，铜-钴-镍合金镀层的附着量理想为10～30mg/dm²铜-100～3000μg/dm²钴-50～500μg/dm²镍。该3元系合金层的各附着量始终为理想条件，并非否定超过该量的范围。

于此，所谓蚀刻斑是指当利用氯化铜进行蚀刻时，Co不溶解而残留，而且，所谓蚀刻残余是指当利用氯化铵进行碱蚀刻时，Ni不溶解而残留。

一般来说，在形成电路的情况下是使用如下述实施例中所说明的碱性蚀刻液及氯化铜系蚀刻液来进行。该蚀刻液及蚀刻条件具有通用性，但并不限定于该条件，应理解能够任意进行选择。

另外，也可以在粗化处理层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。

另外，本发明中形成在铜箔上的表面处理层也可以为选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。

作为耐热层、防锈层，可以使用公知的耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层可以为含有选自镍、锌、錫、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素的层，也可以为由选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素所组成的金属层或合金层。另外，耐热层及/或防锈层也可以含有所述元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外，耐热层及/或防锈层也可以为含有镍-锌合金的层。另外，耐热层及/或防锈层也可以为镍-锌合金层。所述镍-锌合金层也可以除含有不可避免的杂质以外，还含有镍50wt％～99wt％、锌50wt％～1wt％。所述镍-锌合金层的锌及镍的合计附着量也可以为5～1000mg/m²，优选10～500mg/m²，优选20～100mg/m²。另外，所述含有镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量与锌的附着量的比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选1.5～10。另外，所述含有镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量优选0.5mg/m²～500mg/m²，更优选1mg/m²～50mg/m²。在耐热层及/或防锈层为含有镍-锌合金的层的情况下，通孔或导孔等内壁部与去污液接触时，铜箔与树脂基板的界面不易被去污液腐蚀，铜箔与树脂基板的密接性提高。

例如耐热层及/或防锈层也可以是依序积层了附着量为1mg/m²～100mg/m²、优选5mg/m²～50mg/m²的镍或镍合金层、与附着量为1mg/m²～80mg/m²、优选5mg/m²～40mg/m²的锡层的层，所述镍合金层也可以由镍-钼合金、镍-锌、镍-钼-钴合金、镍-锡合金中的任一种构成。如果使用该耐热层及/或防锈层，则将表面处理铜箔或附载体铜箔加工于印刷配线板后的电路的剥离强度、该剥离强度的耐化学品性劣化率等变得良好。

于此，所谓铬酸盐处理层是指由含有铬酸酐、铬酸、二铬酸、铬酸盐或二铬酸盐的液体进行处理过的层。铬酸盐处理层也可以含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等元素(可以为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可列举由铬酸酐或二铬酸钾水溶液处理过的铬酸盐处理层、或由含有铬酸酐或二铬酸钾及锌的处理液处理过的铬酸盐处理层等。

所述硅烷偶联剂处理层可以使用公知的硅烷偶联剂来形成，也可以使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷、乙烯基系硅烷、咪唑系硅烷、三嗪系硅烷等硅烷偶联剂等来形成。此外，所述硅烷偶联剂也可以混合2种以上而使用。其中，优选使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂而形成的硅烷偶联剂处理层。

硅烷偶联剂处理层理想的是以硅原子换算计，在0.05mg/m²～200mg/m²、优选0.15mg/m²～20mg/m²、优选0.3mg/m²～2.0mg/m²的范围内设定。在所述范围的情况下，能够进一步提高基材与表面处理铜箔的密接性。

另外，可以对极薄铜层、粗化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶联剂处理层或铬酸盐处理层的表面，进行国际公开编号WO2008/053878、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、日本特开2013-19056号所记载的表面处理。

[白部平均值、黑部平均值]

本发明的表面处理铜箔在一态样中，在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部平均值成为0.14～0.70μm。另外，本发明的表面处理铜箔在另一态样中，在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部平均值成为0.13～0.256μm。

本发明中，对露出的树脂基材表面进行的“膨润处理”、“去污处理”及“中和处理”分别表示以下处理。

·膨润处理：在膨润处理液(液体组成：乙二醇浓度500g/L，剩余部分为水)中于72℃下浸渍10分钟。通过膨润处理，溶剂分子进入树脂的化学结构之间，由此削弱构成树脂的高分子的键，促进由接下来的去污处理引起的树脂的分解或键的切断。

·去污处理：在去污处理液(液体组成：过锰酸钠浓度4.1质量％，氢氧化钠浓度3.3质量％，剩余部分为水)中于80℃下浸渍25分钟。通过该去污处理，能够去除树脂基材表面的污迹。

·中和处理：在中和处理液(液体组成：硫酸羟胺浓度1.5质量％，硫酸浓度4.9质量％，剩余部分为水)中于30℃下浸渍5分钟。通过该中和处理，能够对因去污处理而成为碱性的树脂基材表面进行中和。

于此，图1表示用来说明树脂基材表面的该白部、下述黑部的示意图。图1是获得树脂基材表面的SEM像(30k倍)，并对该SEM像使用Photo Shop 7.0软件实施白色、黑色图像处理而获得的图。此外，黑部(黑色区域)表示测定表面成为凹状，白部(白色区域)表示测定表面成为凸状。接着，如图1所示，纵横分别引出如分成三等份般的4条线(A～D线)，测定各线通过所述白部(白色区域)的长度合计，求出这些A～D线的白部的长度合计。此时，白部(白色区域)是由以黑部(黑色区域)划分的多条线段构成。接着，将该白部的长度的合计除以该白部的线段数量。对测定对象的树脂基材表面的3个视野进行所述操作，将其平均值((通过将白部的长度合计除以该白部的线段数量而获得的值的3个视野的合计)/3)设为白部平均值(μm)。另外，引出4条线(A～D线)，测定各线通过所述黑部(黑色区域)的长度合计，求出这些A～D线的黑部的长度合计。此时，黑部是由以白部划分的多条线段构成。接着，将该黑部的长度的合计除以该黑部的线段数量。对测定对象的树脂基材表面的3个视野进行所述操作，将其平均值((通过将黑部的长度的合计除以该黑部的线段数量而获得的值的3个视野的合计)/3)设为黑部平均值(μm)。

如果所述白部平均值小于0.14μm，则在去污处理后的基材表面，锚定效应减弱，与皮膜的密接性变得不良。另一方面，如果白部平均值超过0.70μm，则基材表面凹凸变得过大，与皮膜的密接性变得不良。所述白部平均值优选0.16～0.65μm，更优选0.165～0.60μm，进一步更优选0.167～0.50μm，进一步更优选0.169～0.40μm、0.170～0.38μm。

如果所述黑部平均值小于0.13μm，则用来在基材表面形成皮膜的镀敷液有时难以渗入，与皮膜的密接性有时会变得不良。另一方面，如果所述黑部平均值超过0.256μm，则锚定效应减弱，与皮膜的密接性变得不良。所述黑部平均值优选0.14～0.24μmm，更优选0.15～0.23μm。

[白部最大值、黑部最大值]

本发明的表面处理铜箔在另一态样中，在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部最大值成为0.40～0.81μm。另外，本发明的表面处理铜箔在另一态样中，在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部最大值成为0.42～1.07μmm。于此，所谓白部最大值，表示在各观察视野中，综合图1所示的4条线(A～D线)，测定由以黑部(黑色区域)划分的多条线段构成的白部中的最大长度(邻接的黑部与黑部之间的距离中的最大长度)，将在三个视野中获得的由以黑部(黑色区域)划分的多条线段构成的白部中的各最大长度相加，并将所得值除以3而得的值(算术平均值)。另外，所谓黑部最大值，表示在各观察视野中，综合图1所示的4条线(A～D线)，测定由以白部(白色区域)划分的多条线段构成的黑部中的最大长度(邻接的白部与白部之间的距离中的最大长度)，将在三个视野中获得的由以白部(白色区域)划分的多条线段构成的黑部中的各最大长度相加，并将所得值除以3而得的值(算术平均值)。

如果所述白部最大值小于0.40μm，则在去污处理后的基材表面，锚定效应减弱，与皮膜的密接性变得不良。另一方面，如果白部最大值超过0.81μm，则基材表面的凹凸变得过大，与皮膜的密接性变得不良。所述白部最大值优选0.45～0.75μm，更优选0.50～0.70μm，进一步更优选0.55～0.68μm。

如果所述黑部最大值小于0.42μm，则用来在基材表面形成皮膜的镀敷液有时难以渗入，与皮膜的密接性有时会变得不良。另一方面，如果所述黑部最大值超过1.07μm，则在去污处理后的基材表面，锚定效应减弱，与皮膜的密接性变得不良。所述黑部最大值优选0.5～1.0μm，更优选0.60～0.95μm。

[白部由大到小取10点的平均值、黑部由大到小取10点的平均值]

本发明的表面处理铜箔在另一态样中，在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm。另外，本发明的表面处理铜箔在另一态样中，在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm。于此，所谓白部由大到小取10点的平均值，是指在各观察视野中将所述白部最大值设为最长距离，按照第二长的距离的白部、第三长的距离的白部依序取到第10个为止，求出将合计所述距离所得值除以10而得的值A(算术平均值)，并将在3个视野中获得的该值A除以3而得的值(算术平均值)。另外，所谓黑部由大到小取10点的平均值，是指在各观察视野中将所述黑部最大值设为最长距离，按照第二长的距离的黑部、第三长的距离的黑部依序取到第10个为止，求出将合计所述距离所得值除以10而得的值B(算术平均值)，并将在3个视野中获得的该值B除以3而得的值(算术平均值)。

如果所述白部由大到小取10点的平均值小于0.35μm，则在经去污处理的基材表面，锚定效应减弱，与皮膜的密接性变得不良。另一方面，如果白部由大到小取10点的平均值超过1.0μm，则基材表面的凹凸变得过大，与皮膜的密接性变得不良。所述白部由大到小取10点的平均值优选0.36～0.9μm，更优选0.362～0.8μm。

如果所述黑部由大到小取10点的平均值小于0.31μm，则用来在基材表面形成皮膜的镀敷液有时难以渗入，与皮膜的密接性有时会变得不良。另一方面，如果所述黑部由大到小取10点的平均值超过0.55μm，则锚定效应减弱，与皮膜的密接性变得不良。所述黑部由大到小取10点的平均值优选0.32～0.53μm，更优选0.33～0.52μm。

[白部比率]

本发明的表面处理铜箔优选为，在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部比率成为45.5～70％。于此，所谓白部比率，表示白部长度合计相对于所述白部长度合计与黑部长度合计的合计的比率。如果白部比率小于45.5％，则在经去污处理的基材表面，锚定效应减弱，与皮膜的密接性变得不良。另一方面，如果白部比率超过70％，则基材表面的凹凸变得过小，与皮膜的密接性变得不良。所述白部比率优选46～65％，更优选46.5～60％。

本发明的表面处理铜箔也可以为，将该表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-1)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个或13个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-6)黑部平均值成为0.13～0.256μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

通过在粗化粒子形成时等的镀敷等表面处理时控制表面处理的电流密度与表面处理(镀敷)时间，来决定表面处理后的铜箔表面状态或粗化粒子的形态或形成密度，通过使用所述铜箔，能够控制所述基材的白部、黑部。

[附载体铜箔]

作为本发明的表面处理铜箔，也可以使用附载体铜箔。附载体铜箔具备载体、积层在载体上的中间层、及积层在中间层上的极薄铜层。另外，附载体铜箔也可以依序具备载体、中间层及极薄铜层。附载体铜箔也可以在载体侧的表面及极薄铜层侧的表面中的任一面或两面具有粗化处理层等表面处理层。此外，附载体铜箔也可以在极薄铜层的与中间层侧为相反侧的面具有表面处理层。

在附载体铜箔的载体侧的表面设置了粗化处理层的情况下，具有以下优点：将附载体铜箔从该载体侧的表面侧积层在树脂基板等支撑体时，载体与树脂基板等支撑体不易剥离。

＜载体＞

本发明可使用的载体典型来说为金属箔或树脂膜，例如以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜(例如聚酰亚胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚酰胺膜、聚酯膜、氟树脂膜等)的形态提供。

作为本发明可使用的载体，优选使用铜箔。其原因在于，由于铜箔的导电度高，因此之后容易形成中间层、极薄铜层。载体典型来说以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。一般来说，电解铜箔是从硫酸铜镀浴中在钛或不锈钢的滚筒上将铜电解析出而制造，压延铜箔是重复进行利用压延辊的塑性加工与热处理而制造。作为铜箔的材料，除精铜或无氧铜之类的高纯度铜以外，也可以使用例如如掺入Sn的铜、掺入Ag的铜、添加了Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加了Ni及Si等的科森系铜合金之类的铜合金。

关于本发明可使用的载体的厚度，也无特别限制，只要发挥作为载体的作用且适当调节为适宜厚度即可，例如可设为12μm以上。但是，如果过厚则生产成本变高，所以，一般来说优选35μm以下。所以，载体的厚度典型来说为12～70μm，更典型来说为18～35μm。

此外，也可以在载体的与设置极薄铜层的一侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层。可使用公知方法设置该粗化处理层，也可以通过所述粗化处理来设置。在载体的与设置极薄铜层的一侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层时，具有以下优点：将载体从具有该粗化处理层的表面侧积层在树脂基板等支撑体时，载体与树脂基板不易剥离。

＜中间层＞

在载体上设置中间层。也可以在载体与中间层之间设置其他层。本发明所使用的中间层只要为如下构成，则无特别限定，即，在附载体铜箔对绝缘基板的积层步骤前，极薄铜层不易从载体剥离，另一方面，在对绝缘基板的积层步骤后，极薄铜层能够从载体剥离。例如，本发明的附载体铜箔的中间层也可以含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物所组成的群中的一种或两种以上。另外，中间层也可以为多层。

另外，例如，中间层可以通过如下方式来构成，即，从载体侧，形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种元素所组成的单一金属层、或由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种或两种以上元素所组成的合金层、或有机物层，并在其上形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种或两种以上元素的水合物或氧化物或有机物所组成的层。

另外，例如，中间层可以在载体上依序积层镍、镍-磷合金或镍-钴合金、铬而构成。由于镍与铜的粘结力高于铬与铜的粘结力，因此在剥离极薄铜层时，在极薄铜层与铬的界面发生剥离。另外，期待中间层的镍具有防止铜成分从载体向极薄铜层扩散的阻隔效果。中间层的镍的附着量优选100μg/dm²以上且40000μg/dm²以下，更优选100μg/dm²以上且4000μg/dm²以下，更优选100μg/dm²以上且2500μg/dm²以下，更优选100μg/dm²以上且小于1000μg/dm²，中间层的铬的附着量优选5μg/dm²以上且100μg/dm²以下。在将中间层仅设置在单面的情况下，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。此外，也可以在载体两侧设置中间层。

＜极薄铜层＞

在中间层上设置极薄铜层。也可以在中间层与极薄铜层之间设置其他层。该极薄铜层为本发明的表面处理铜箔，在极薄铜层的与中间层为相反侧的表面设置所述表面处理层。极薄铜层的厚度并无特别限制，一般来说比载体薄，例如为12μm以下。典型来说为0.1～12μm，更典型来说为0.5～12μm，更典型来说为1.5～5μm。另外，于在中间层上设置极薄铜层之前，为了减少极薄铜层的针孔，也可以进行利用铜-磷合金的预镀敷。预镀敷可列举焦磷酸铜镀敷液等。也可以在载体两侧设置极薄铜层。

[表面处理层上的树脂层]

也可以在本发明的表面处理铜箔的表面处理层上具备树脂层。所述树脂层也可以为绝缘树脂层。

所述树脂层可以为粘结剂，也可以为粘结用半硬化状态(B-阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B-阶段状态)，包含即使以手指接触其表面也没有粘附感，可将该绝缘树脂层重叠而进行保管，进而当受到加热处理时会产生硬化反应的状态。

另外，所述树脂层可以包含热硬化性树脂，也可以为热塑性树脂。另外，所述树脂层也可以包含热塑性树脂。所述树脂层可以包含公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材等。另外，所述树脂层也可以使用例如国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013-19056号所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成。

另外，所述树脂层的种类并无特别限定，例如，作为优选树脂，可列举包含选自环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、顺丁烯二酰亚胺化合物、聚顺丁烯二酰亚胺化合物、顺丁烯二酰亚胺系树脂、芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、氨酯(urethane)树脂、聚醚砜(也称为polyethersulfone、polyethersulphone)、聚醚砜(也称为polyethersulfone、polyethersulphone)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改质环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双顺丁烯二酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、羧酸的酐、多元羧酸的酐、具有可进行交联的官能基的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2-双(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改质聚酰胺酰亚胺树脂、氰基酯树脂、膦腈系树脂、橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯醇缩丁醛、苯氧基、高分子环氧基、芳香族聚酰胺、液晶聚合物、氟树脂、双酚、嵌段共聚聚酰亚胺树脂及氰基酯树脂的群中的一种以上的树脂或预浸料。

另外，所述环氧树脂只要是在分子内具有2个以上环氧基且可用于电气/电子材料用途的环氧树脂，则可无特别问题地使用。另外，所述环氧树脂优选使用在分子内具有2个以上缩水甘油基的化合物进行环氧化而得的环氧树脂。另外，作为所述环氧树脂，可将选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(溴化)环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改质双酚A型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、异氰尿酸三缩水甘油酯、N,N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含磷环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂的群中的1种或2种以上进行混合而使用，或者可以使用所述环氧树脂的氢化物或卤化物。

作为所述含磷环氧树脂，可使用公知的含有磷的环氧树脂。另外，所述含磷环氧树脂例如优选作为来自在分子内具备2以上环氧基的9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物而获得的环氧树脂。

(树脂层含有电介质(电介质填料)的情况)

所述树脂层也可以含有电介质(电介质填料)。

在所述任一树脂层或树脂组成物包含电介质(电介质填料)的情况下，可以用于形成电容器层的用途，增大电容器电路的电容。该电介质(电介质填料)是使用BaTiO₃、SrTiO₃、Pb(Zr-Ti)O₃(通称PZT)、PbLaTiO₃-PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi₂Ta₂O₉(通称SBT)等具有钙钛矿结构的复合氧化物的电介质粉。

将所述树脂层中所含的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、环己酮、溶纤剂、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺等溶剂中而制成树脂液(树脂清漆)，并将其通过例如辊式涂布法等而涂布于所述表面处理铜箔的表面处理层侧的表面或所述附载体铜箔的极薄铜层侧的表面、或者所述粗化处理层、所述耐热层、防锈层、或所述铬酸盐处理层、或所述硅烷偶联剂处理层上，接着视需要进行加热干燥而去除溶剂，成为B-阶段状态。干燥只要使用例如热风干燥炉即可，干燥温度为100～250℃、优选130～200℃即可。也可以使用溶剂将所述树脂层的组成物溶解，制成树脂固体成分3wt％～70wt％、优选3wt％～60wt％、优选10wt％～40wt％、更优选25wt％～40wt％的树脂液。此外，就环境上的见解来说，现阶段最优选使用甲基乙基酮与环戊酮的混合溶剂进行溶解。此外，溶剂优选使用沸点为50℃～200℃的范围的溶剂。

另外，所述树脂层优选依据MIL标准中的MIL-P-13949G进行测定时的树脂溢流量处于5％～35％的范围的半硬化树脂膜。

本申请的说明书中，所谓树脂溢流量，是指依据MIL标准中的MIL-P-13949G，从将树脂厚度设为55μm的附树脂表面处理铜箔取样4片10cm见方的试样，在将该4片试样重叠的状态(积层体)下，在加压温度171℃、加压压力14kgf/cm²、加压时间10分钟的条件下进行贴合，测定此时的树脂流出重量，根据所述结果基于下述式而算出的值。

具备所述树脂层的表面处理铜箔(附树脂表面处理铜箔)是以如下形态使用，即，在将其树脂层重叠于基材后对整体进行热压接而使该树脂层热硬化，接着在表面处理铜箔形成规定的配线图案。另外，关于使用该表面处理铜箔作为极薄铜层的附载体铜箔，具备树脂层的附载体铜箔(附树脂的附载体铜箔)是以如下形态使用，即，在将其树脂层重叠于基材后对整体进行热压接而使该树脂层热硬化，接着将载体剥离而使极薄铜层露出(当然，露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面)，在此处形成规定的配线图案。

如果使用该附树脂表面处理铜箔或附树脂的附载体铜箔，则能够减少制造多层印刷配线基板时的预浸料材料的使用数量。而且，即使将树脂层的厚度设为如能够确保层间绝缘般的厚度，或者完全不使用预浸料材料，也可以制造覆铜积层板。另外，此时也可以在基材表面底漆涂布绝缘树脂而进一步改善表面平滑性。

此外，在不使用预浸料材料的情况下，具有以下优点：节约预浸料材料的材料成本，另外，积层步骤也变得简单，所以经济上有利，并且相应于预浸料材料的厚度而制造的多层印刷配线基板的厚度变薄，可制造1层厚度为100μm以下的极薄多层印刷配线基板。

该树脂层的厚度优选0.1～500μm，更优选0.1～300μm，更优选0.1～200μm，更优选0.1～120μm。

如果树脂层的厚度薄于0.1μm，则有粘结力降低，不介隔预浸料材料而将该附树脂表面处理铜箔或附树脂的附载体铜箔积层在具备内层材的基材时难以确保与内层材的电路之间的层间绝缘的情况。另一方面，如果树脂层的厚度厚于500μm，则有难以通过1次涂布步骤形成目标厚度的树脂层，花费多余的材料费与步骤数，所以经济上变得不利的情况。

另外，在将附树脂表面处理铜箔或附树脂的附载体铜箔用于制造极薄的多层印刷配线板的情况下，将所述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm、更优选0.5μm～5μm、更优选1μm～5μm时，使多层印刷配线板的厚度减小，所以优选。

此外，在将所述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm的情况下，为了提高树脂层与表面处理铜箔或附载体铜箔的密接性，优选在表面处理铜箔或附载体铜箔的极薄铜层上设置粗化处理层及/或耐热层及/或防锈层及/或铬酸盐处理层及/或硅烷偶联剂处理层后，在该粗化处理层或耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶联剂处理层上形成树脂层。

此外，所述树脂层的厚度是指在任意10点通过剖面观察测得的厚度的平均值。

而且，在表面处理铜箔为附载体铜箔的极薄铜层的情况下，作为附树脂的附载体铜箔的另一制品形态，也可以在所述极薄铜层上、或所述粗化处理层、所述耐热层、所述防锈层、或所述铬酸盐处理层、或所述硅烷偶联剂处理层上以树脂层被覆，成为半硬化状态后，接着剥离载体，以不存在载体的附树脂铜箔的形式进行制造。

[树脂基材]

本发明的树脂基材只要为能够形成下述表面形态的树脂基材，则无特别限定，例如可以由Mitsubishi Gas化学公司制造的预浸料(GHPL-830MBT等)、日立化成工业公司制造的预浸料(679-FG等)、SUMITOMO BAKELITE公司制造的预浸料(EI-6785TS-F等)来形成。本发明中，准备Mitsubishi Gas化学公司制造的预浸料GHPL-830MBT(含有双顺丁烯二酰亚胺三嗪树脂的预浸料)。积层加压的温度、压力、时间使用基材制造商的推荐条件。

作为本发明的树脂基材的厚度，并无特别限定，例如可以设为750～850μm、100～200μm、30～100μm，典型来说为30～200μm(两面板的情况)。

[白部平均值、黑部平均值]

本发明的树脂基材表面的白部平均值为超过0.23μm～0.70μm。另外，本发明的树脂基材表面的黑部平均值优选超过0.20μm～0.256μm。

树脂基材表面的该白部平均值及黑部平均值的测定方法与所述使用图1说明的测定方法相同。

如果所述白部平均值超过0.23μm，则锚定效应提高，与皮膜的密接性提高。另一方面，如果白部平均值超过0.70μm，则有基材表面的凹凸变得过大，与皮膜的密接性变得不良的担忧。所述白部平均值优选0.231～0.70μm，更优选0.25～0.65μm。

如果所述黑部平均值超过0.20μm，则用来在基材表面形成皮膜的镀敷液更容易渗入，与皮膜的密接性提高。另一方面，如果所述黑部平均值超过0.256，则有锚定效应减弱的情况，有与皮膜的密接性变得不良的担忧。所述黑部平均值优选0.201～0.256μm，更优选0.21～0.2553μm。

[黑部最大值]

本发明的树脂基材表面的黑部最大值优选超过0.605μm～1.07μm。于此，所谓黑部最大值，与所述使用图1说明的测定方法相同。

如果所述黑部最大值超过0.605μm，则用来在基材表面形成皮膜的镀敷液容易渗入，与皮膜的密接性提高。另一方面，如果所述黑部最大值超过1.07μm，则有锚定效应减弱的情况，有与皮膜的密接性变得不良的担忧。所述黑部最大值优选0.6051～1.07μm，更优选0.61～0.96μm。

[白部由大到小取10点的平均值、黑部由大到小取10点的平均值]

本发明的树脂基材优选表面的白部由大到小取10点的平均值为超过0.457μm～1.0μm。另外，本发明的树脂基材优选树脂基材表面的黑部由大到小取10点的平均值为超过0.335μm～0.55μm。于此，所谓白部由大到小取10点的平均值，与所述测定方法相同。另外，所谓黑部由大到小取10点的平均值，与所述测定方法相同。

如果所述白部由大到小取10点的平均值超过0.457μm，则锚定效应提高，与皮膜的密接性提高。另一方面，如果白部由大到小取10点的平均值超过1.0μm，则有基材表面的凹凸变得过大的情况，有与皮膜的密接性变得不良的担忧。所述白部由大到小取10点的平均值优选0.4571～1.0μm，更优选0.46～0.95μm。

如果所述黑部由大到小取10点的平均值超过0.335μm，则用来在基材表面形成皮膜的镀敷液容易渗入，与皮膜的密接性提高。另一方面，如果所述黑部由大到小取10点的平均值超过0.55μm，则有锚定效应减弱的情况，有与皮膜的密接性变得不良的担忧。所述黑部由大到小取10点的平均值优选0.3351～0.55μm，更优选0.34～0.5456μm。

[白部比率]

本发明的树脂基材优选表面的白部比率为超过68％～70％。于此，所谓白部比率，表示白部长度合计相对于所述白部长度合计与黑部长度合计的合计的比率。如果白部比率超过68％，则锚定效应提高，与皮膜的密接性提高。另一方面，如果白部比率超过70％，则有基材表面的凹凸变得过小，与皮膜的密接性变得不良的担忧。所述白部比率优选68.1～70％，更优选68.2～70％。

本发明的树脂基材也可以满足以下(2-1)～(2-6)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个：

(2-1)表面的白部平均值为超过0.23～0.70μm；

(2-2)表面的白部由大到小取10点的平均值为超过0.457～1.0μm；

(2-3)表面的黑部平均值为超过0.20～0.256μm；

(2-4)表面的黑部最大值为超过0.605～1.07μm；

(2-5)表面的黑部由大到小取10点的平均值为超过0.335～0.55μm；

(2-6)表面的白部比率为超过68～70％。

[树脂基材的表面轮廓的形成方法]

本发明的树脂基材的表面轮廓形状可以通过在树脂基材积层表面处理铜箔后，通过整面蚀刻等将该表面处理铜箔去除来形成。另外，本发明的树脂基材的表面轮廓形状可以通过利用规定的等离子体处理以及化学液对树脂基材表面进行处理来形成。

作为使用表面处理铜箔的本发明的树脂基材的表面轮廓的形成方法，首先，准备在铜箔表面于规定条件下形成了一次粒子及/或二次粒子的所述表面处理铜箔。接着，从该表面处理铜箔的表面处理层侧贴合在树脂基材，通过整面蚀刻等将表面处理铜箔去除。之后，通过对露出的树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理，形成表面处理铜箔去除后的树脂基材的所述表面轮廓。

作为通过等离子体处理以及使用化学液的处理控制本发明的树脂基材的白部及/或黑部而成的表面轮廓的形成方法，可以通过对树脂基材进行以下等离子体处理以及使用化学液的处理来形成。

在进行等离子体处理(1)后，进行膨润处理、去污处理、中和处理，之后进行等离子体处理(2)。

所述等离子体处理(1)使用含有氢与氟化氢的气体进行10～100秒钟即可。由此，在树脂基板形成凹凸。另外，所述去污处理中，通过在去污液中添加Ni及Cu，促进氧化反应，孔扩展。此外，所述膨润处理、去污处理、中和处理可以使用公知的处理及/或本申请的处理。另外，所述等离子体处理(2)是进行10～100秒钟。等离子体处理(2)在包含选自由氮、氧及氩所组成的群中的一种以上元素的氛围中进行即可。通过该等离子体处理(2)来调整去污后的树脂表面。这样，通过对树脂进行等离子体处理(1)+去污处理+等离子体处理(2)，可以制造本发明的具有孔形状的树脂基材。

以下，例示几种使用本发明的表面处理铜箔或附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的例子。另外，通过在印刷配线板搭载电子零件类，印刷电路板完成。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：准备本发明的表面处理铜箔与绝缘基板(以下，绝缘基板也可以为本发明的树脂基材)；将所述表面处理铜箔从表面处理层侧积层在绝缘基板；将所述绝缘基板上的表面处理铜箔去除；及在去除所述表面处理铜箔后的绝缘基板的表面形成电路。此外，本说明书中，树脂基材是包含具有配线或电路等的树脂基材的概念。

图2表示使用铜箔轮廓的半加成加工法的概略例。该加工法中，使用铜箔的表面轮廓。具体来说，首先，在树脂基材积层本发明的铜箔而制作积层体(覆铜积层板)。接着，对覆铜积层体的铜箔进行整面蚀刻。接着，对转印了铜箔表面轮廓的树脂基材(整面蚀刻基材)的表面实施无电镀铜。然后，将树脂基材(整面蚀刻基材)的未形成电路的部分用干膜等被覆，未被干膜被覆的无电镀铜层的表面实施电(电解)镀铜。之后，在去除干膜后，通过将形成在未形成电路的部分的无电镀铜层去除而形成微细电路。本发明中所形成的微细电路由于与本发明的转印了铜箔表面轮廓的树脂基材(整面蚀刻基材)的蚀刻面密接，因此其密接力(剥离强度)良好。

另外，例示使用铜箔轮廓的半加成加工法的概略例。该加工法中，为了形成树脂基材的表面轮廓，使用铜箔的表面轮廓。具体来说，首先，在树脂基材积层本发明的铜箔而制作覆铜积层体。接着，对覆铜积层体的铜箔进行整面蚀刻。接着，对转印了铜箔表面轮廓的树脂基材(整面蚀刻基材)的表面实施无电镀铜。然后，将树脂基材(整面蚀刻基材)的未形成电路的部分用干膜等被覆，对未被干膜被覆的无电镀铜层的表面实施电(电解)镀铜敷。之后，在去除干膜后，通过将形成在未形成电路的部分的无电镀铜层去除而形成微细电路。本发明中所形成的微细电路由于与本发明的转印了铜箔表面轮廓的树脂基材(整面蚀刻基材)的蚀刻面密接，因此其密接力(剥离强度)良好。

绝缘基板也可以制成装入了内层电路的绝缘基板。另外，本发明中，所谓半加成法，是指在绝缘基板或铜箔籽晶层上进行薄的无电镀敷，在形成图案后，使用电镀及蚀刻来形成导体图案的方法。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将所述附载体铜箔从极薄铜层侧积层在绝缘基板；在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；将剥离所述载体后的绝缘基板上的极薄铜层去除；及在去除所述极薄铜层后的绝缘基板的表面形成电路。

本发明中，所谓半加成法，是指在绝缘基板或铜箔籽晶层上进行薄的无电镀敷，之后视需要进行电解镀敷，再之后在形成图案后，使用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。

在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：准备本发明的表面处理铜箔与绝缘基板；及将所述表面处理铜箔从表面处理层侧积层在绝缘基板而形成覆铜积层板，之后，通过减成法、半加成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法来形成电路。

本发明中，所谓减成法，是指将覆铜积层板上的铜箔的无用部分通过蚀刻等而选择性地去除，从而形成导体图案的方法。

本发明中，所谓部分加成法，是指如下方法：对设置导体层而成的基板、视需要贯穿通孔或导通孔用孔而成的基板上赋予催化剂核，进行蚀刻而形成导体电路，视需要设置阻焊剂层或抗镀敷层后，通过无电镀敷处理对所述导体电路上、通孔或导通孔等进行加厚，由此制造印刷配线板。

本发明中，所谓改良型半加成法，是指如下方法：在绝缘层上积层金属箔，通过抗镀敷层保护非电路形成部，通过电解镀敷进行电路形成部的铜加厚后，去除抗蚀剂，并通过(快速)蚀刻去除所述电路形成部以外的金属箔，由此在绝缘层上形成电路。

在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将所述附载体铜箔从极薄铜层侧积层在绝缘基板；及在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层板，之后，通过减成法、半加成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法来形成电路。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：准备形成了电路的金属箔；以掩埋所述电路的方式在所述金属箔表面形成树脂层；将本发明的表面处理铜箔从表面处理层侧积层在所述树脂层；将所述树脂层上的表面处理铜箔去除；在去除所述表面处理铜箔后的树脂层的表面形成电路；及通过去除所述金属箔，使形成在所述金属箔表面的掩埋于所述树脂层的电路露出。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：将本发明的附载体铜箔作为第1附载体铜箔，在所述第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面形成电路；以掩埋所述电路的方式在所述第1附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成树脂层；准备第2附载体铜箔，并从所述第2附载体铜箔的极薄铜层侧积层在所述树脂层；在将所述第2附载体铜箔积层在所述树脂层后，将所述第2附载体铜箔的载体剥离；将剥离所述第2附载体铜箔的载体后的树脂层上的极薄铜层去除；在去除所述极薄铜层后的树脂层的表面形成电路；在所述树脂层上形成电路后，将所述第1附载体铜箔的载体剥离；及在剥离所述第1附载体铜箔的载体后，通过去除所述第1附载体铜箔的极薄铜层，使形成在所述第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的掩埋于所述树脂层的电路露出。

在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：准备形成了电路的金属箔；以掩埋所述电路的方式在所述金属箔表面形成树脂层；将本发明的表面处理铜箔从表面处理层侧积层在树脂层，通过减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法，在所述树脂层上形成电路；及通过去除所述金属箔，使形成在所述金属箔表面的掩埋于所述树脂层的电路露出。

本发明的印刷配线板的制造方法在一实施方式中包括以下步骤：

准备在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的本发明的表面处理铜箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的本发明的附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式在所述表面处理铜箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

在所述树脂层的表面形成电路；及

通过将所述表面处理铜箔或所述附载体铜箔去除，使掩埋于所述树脂层的电路露出。

本发明的印刷配线板的制造方法在一实施方式中，包括以下步骤：

准备在表面形成了电路的金属箔、或在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的作为本发明的表面处理铜箔的第1表面处理铜箔、或在极薄金属层侧表面形成了电路的附载体金属箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的作为本发明的附载体铜箔的第1附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式，在所述金属箔表面或所述表面处理铜箔表面或所述附载体金属箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

将作为本发明的表面处理铜箔的第2表面处理铜箔从表面处理层侧积层在所述树脂层、或将作为本发明的附载体铜箔的第2附载体铜箔从极薄铜层侧积层在所述树脂层；

在积层在所述树脂层的箔为所述第2附载体铜箔的情况下，将所述第2附载体铜箔的载体剥离；

将所述树脂层上的表面处理铜箔、或剥离所述第2附载体铜箔的载体后残留的极薄铜层去除；

在去除所述表面处理铜箔后的树脂层的表面、或去除极薄铜层后的树脂层的表面形成电路；及

在所述树脂层上形成电路后，将所述金属箔去除，或将所述第1表面处理铜箔去除，或在剥离所述附载体金属箔的载体后将极薄金属层去除，或在剥离所述第1附载体铜箔的载体后将极薄铜层去除，由此使掩埋于所述树脂层的电路露出。

本发明中，附载体金属箔至少依序具备载体与极薄金属层。作为附载体金属箔的载体，可以使用金属箔。作为金属箔，可以使用铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铝箔、铝合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、锌箔、锌合金箔。金属箔的厚度可以设为1～10000μm，优选2～5000μm，优选10～1000μm，优选18～500μm，优选35～300μm。另外，作为载体，也可以使用树脂基材或无机物质或有机物质的板。树脂基材或无机物质或有机物质的板的厚度可以设为与所述金属箔的厚度相同。

载体与金属箔也可以介隔粘结剂或脱模剂、中间层而可剥离地积层。另外，也可以通过焊接、熔接等将载体与金属箔可剥离地接合。在载体与金属箔不易剥离的情况下，也可以通过切断等将载体与金属箔接合的部位去除后，将载体与金属箔剥离。

极薄金属层也可以为铜、铜合金、镍、镍合金、铝、铝合金、铁、铁合金、不锈钢、锌、锌合金。极薄金属层的厚度可以设为与附载体铜箔的极薄铜层相同的范围。就制成电路时的导电性的观点来说，极薄金属层优选极薄铜层。

本发明的印刷配线板的制造方法在一实施方式中，包括以下步骤：

准备在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的本发明的表面处理铜箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的本发明的附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式在所述表面处理铜箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

将金属箔积层在所述树脂层、或将附载体金属箔从极薄金属层侧积层在所述树脂层；

在积层在所述树脂层的箔为所述附载体金属箔的情况下，将所述附载体金属箔的载体剥离；

将所述树脂层上的金属箔、或剥离所述附载体金属箔的载体后残留的极薄金属层去除；

在去除所述金属箔后的树脂层的表面、或去除极薄铜层后的树脂层的表面形成电路；及

在所述树脂层上形成电路后，将所述表面处理铜箔去除，或在剥离所述附载体铜箔的载体后将极薄铜层去除，由此使掩埋于所述树脂层的电路露出。

本发明的印刷配线板的制造方法在一实施方式中，包括以下步骤：

准备在表面形成了电路的金属箔、或在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的作为本发明的表面处理铜箔的第1表面处理铜箔、或在极薄金属层侧表面形成了电路的附载体金属箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的作为本发明的附载体铜箔的第1附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式，在所述金属箔表面或所述表面处理铜箔表面或所述附载体金属箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

将作为本发明的表面处理铜箔的第2表面处理铜箔从表面处理层侧积层在所述树脂层、或将作为本发明的附载体铜箔的第2附载体铜箔从极薄铜层侧积层在所述树脂层；

在积层在所述树脂层的箔为所述第2附载体铜箔的情况下，将所述第2附载体铜箔的载体剥离；

使用所述树脂层上的表面处理铜箔、或剥离所述第2附载体铜箔的载体后残留的极薄铜层，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法，在所述树脂层上形成电路；及

在所述树脂层上形成电路后，将所述金属箔去除，或将所述第1表面处理铜箔去除，或在剥离所述附载体金属箔的载体后将极薄金属层去除，或在剥离所述第1附载体铜箔的载体后将极薄铜层去除，由此使掩埋于所述树脂层的电路露出。

本发明的印刷配线板的制造方法在一实施方式中，包括以下步骤：准备在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的本发明的表面处理铜箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的本发明的附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式在所述表面处理铜箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

将金属箔积层在所述树脂层、或将附载体金属箔从极薄铜层侧积层在所述树脂层；

在积层在所述树脂层的箔为所述附载体金属箔的情况下，将所述附载体金属箔的载体剥离；

使用所述树脂层上的金属箔、或剥离所述附载体金属箔的载体后残留的极薄金属层，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法，在所述树脂层上形成电路；及

在所述树脂层上形成电路后，将所述表面处理铜箔去除，或在剥离所述附载体铜箔的载体后将极薄铜层去除，由此使掩埋于所述树脂层的电路露出。

在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：将本发明的附载体铜箔作为第1附载体铜箔，在所述第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面形成电路；以掩埋所述电路的方式在所述第1附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成树脂层；准备第2附载体铜箔，并从所述第2附载体铜箔的极薄铜层侧积层在所述树脂层，将所述第2附载体铜箔的载体剥离，通过减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法，在所述树脂层上形成电路；在所述树脂层上形成电路后，将所述第1附载体铜箔的载体剥离；及在将所述第1附载体铜箔的载体剥离后，通过去除所述第1附载体铜箔的极薄铜层，使形成在所述第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的掩埋于所述树脂层的电路露出。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体后露出的极薄铜层全部去除；在通过蚀刻去除所述极薄铜层而露出的所述树脂设置通孔或/及盲孔；对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；对包含所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层；在所述无电镀层上设置抗镀敷层；对所述抗镀敷层进行曝光，之后将形成电路的区域的抗镀敷层去除；在所述抗镀敷层被去除后的形成所述电路的区域设置电解镀层；将所述抗镀敷层去除；及通过快速蚀刻等将位于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀层去除。

在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将剥离所述载体后露出的极薄铜层全部去除；对通过蚀刻去除所述极薄铜层而露出的所述树脂的表面设置无电镀层；在所述无电镀层上设置抗镀敷层；对所述抗镀敷层进行曝光，之后，将形成电路的区域的抗镀敷层去除；在所述抗镀敷层被去除后的形成所述电路的区域设置电解镀层；将所述抗镀敷层去除；及通过快速蚀刻等将位于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀层及极薄铜层去除。

在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；在剥离所述载体后露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔；对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层；在剥离所述载体后露出的极薄铜层表面设置抗镀敷层；在设置所述抗镀敷层后，通过电解镀敷来形成电路；将所述抗镀敷层去除；及通过快速蚀刻，将通过去除所述抗镀敷层而露出的极薄铜层去除。

在使用改良型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；在剥离所述载体后露出的极薄铜层上设置抗镀敷层；对所述抗镀敷层进行曝光，之后将形成电路的区域的抗镀敷层去除；在所述抗镀敷层被去除后的形成所述电路的区域设置电解镀层；将所述抗镀敷层去除；及通过快速蚀刻等将位于形成所述电路的区域以外的区域的无电镀层及极薄铜层去除。

在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；在剥离所述载体后露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔；对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；对包含所述通孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核；在剥离所述载体后露出的极薄铜层表面设置抗蚀涂层；对所述抗蚀涂层进行曝光，形成电路图案；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述催化剂核去除，形成电路；将所述抗蚀涂层去除；在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述催化剂核去除而露出的所述绝缘基板表面，设置阻焊剂层或抗镀敷层；及在未设置所述阻焊剂层或抗镀敷层的区域设置无电镀层。

在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；在剥离所述载体后露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔；对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层；在所述无电镀层的表面设置电解镀层；在所述电解镀层或/及所述极薄铜层的表面设置抗蚀涂层；对所述抗蚀涂层进行曝光，形成电路图案；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述无电镀层及所述电解镀层去除，形成电路；及将所述抗蚀涂层去除。

在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括以下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层；在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；在剥离所述载体后露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔；对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行去污处理；对包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层；在所述无电镀层的表面形成掩模；在未形成掩模的所述无电镀层的表面设置电解镀层；在所述电解镀层或/及所述极薄铜层的表面设置抗蚀涂层；对所述抗蚀涂层进行曝光，形成电路图案；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述无电镀层去除，形成电路；及将所述抗蚀涂层去除。

也可以不进行设置通孔或/及盲孔的步骤、及之后的去污步骤。

于此，对使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例进行详细说明。

步骤1：首先，准备具有在表面形成了粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第1层)。

步骤2：接着，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂，进行曝光、显影，将抗蚀剂蚀刻成规定形状。

步骤3：接着，在形成电路用镀层后将抗蚀剂去除，由此形成规定形状的电路镀层。

步骤4：接着，以覆盖电路镀层的方式(以掩埋电路镀层的方式)在极薄铜层上设置埋入树脂而积层树脂层，继而将另一附载体铜箔(第2层)从极薄铜层侧进行粘结。

步骤5：接着，将载体从第2层附载体铜箔剥离。此外，第2层也可以使用不具有载体的铜箔。

步骤6：接着，对第2层极薄铜层或铜箔及树脂层的规定位置进行激光开孔，使电路镀层露出而形成盲孔。

步骤7：接着，在盲孔埋入铜，形成填孔。

步骤8：接着，在填孔上，如所述步骤2及3般形成电路镀层。

步骤9：接着，将载体从第1层附载体铜箔剥离。

步骤10：接着，通过快速蚀刻将两表面的极薄铜层(在第2层设置了铜箔的情况下为铜箔)去除，使树脂层内的电路镀层的表面露出。

步骤11：接着，在树脂层内的电路镀层上形成凸块，在该焊料上形成铜柱。以此方式制作使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板。

所述另一附载体铜箔(第2层)可以使用本发明的附载体铜箔，也可以使用以往的附载体铜箔，还可以使用通常的铜箔。另外，在步骤8中的第2层电路上，也可以进一步形成1层或多层电路，也可以通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法进行这些电路形成。

根据如上所述的印刷配线板的制造方法，由于成为电路镀层埋入至树脂层的构成，因此在例如比如步骤10般的通过快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀层由树脂层予以保护，保持其形状，由此容易形成微细电路。另外，由于电路镀层由树脂层予以保护，因此耐迁移性提高，良好地抑制电路配线的导通。所以，容易形成微细电路。另外，如步骤10及步骤11所示般通过快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀层的露出面成为从树脂层凹陷的形状，所以容易分别在该电路镀层上形成凸块，进而于其上形成铜柱，制造效率提高。

此外，埋入树脂(resin)可以使用公知的树脂、预浸料。例如，可以使用BT(双顺丁烯二酰亚胺三嗪)树脂或含浸了BT树脂的玻璃布即预浸料、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。另外，所述埋入树脂(resin)可以使用本说明书所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸料。

另外，所述用于第一层的附载体铜箔也可以在该附载体铜箔的表面具有基板或树脂层。通过具有该基板或树脂层，具有如下优点：用于第一层的附载体铜箔受到支撑，不易产生褶皱，所以生产性提高。此外，所述基板或树脂层只要发挥支撑所述用于第一层的附载体铜箔的效果，则可以使用所有的基板或树脂层。例如可以使用本说明书所记载的载体、预浸料、树脂层或公知的载体、预浸料、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔作为所述基板或树脂层。

另外，本发明中，“基材”可以使用本说明书所记载的载体、预浸料、树脂基材或公知的载体、预浸料、树脂基材、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔。

另外，本发明的印刷配线板的制造方法也可以为包括以下步骤的印刷配线板的制造方法(无芯加工法)：将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层；在与所述树脂基板积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面，设置树脂层与电路这2层至少一次；及在形成所述树脂层及电路这2层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离。关于该无芯加工法，作为具体例，首先，将本发明的附载体铜箔的极薄铜层侧表面或载体侧表面与树脂基板进行积层而制造积层体。之后，在与树脂基板积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面形成树脂层。也可以在形成于载体侧表面或极薄铜层侧表面的树脂层，进而从载体侧或极薄铜层侧积层另一附载体铜箔。另外，也可以将如下积层体用于所述印刷配线板的制造方法(无芯加工法)，所述积层体具有以树脂基板为中心在该树脂基板的两表面侧以载体/中间层/极薄铜层的顺序或极薄铜层/中间层/载体的顺序积层有附载体铜箔的构成或具有以“载体/中间层/极薄铜层/树脂基板/极薄铜层/中间层/载体”的顺序积层的构成。继而，也可以在该积层体两端的极薄铜层或载体露出的表面设置另一树脂层，进而设置铜层或金属层后，对该铜层或金属层进行加工，由此形成电路。而且，也可以在该电路上以埋入该电路的方式设置另一树脂层。另外，也可以进行1次以上这种电路及树脂层的形成(堆积加工法)。而且，关于这样形成的积层体(以下也称为积层体B)，可将各附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。此外，制作所述无芯基板也可以使用2个附载体铜箔，制作下述具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/极薄铜层/中间层/载体的构成的积层体、或具有载体/中间层/极薄铜层/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体，并使用该积层体作为中心。可在这些积层体(以下也称为积层体A)的两侧的极薄铜层或载体的表面设置树脂层及电路这2层1次以上，并在设置树脂层及电路这2层1次以上后，将各附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作无芯基板。所述积层体也可以在极薄铜层的表面、载体的表面、载体与载体之间、极薄铜层与极薄铜层之间、极薄铜层与载体之间具有其他层。此外，本说明书中，“极薄铜层的表面”、“极薄铜层侧表面”、“极薄铜层表面”、“载体的表面”、“载体侧表面”、“载体表面”、“积层体的表面”、“积层体表面”设为如下概念，当极薄铜层、载体、积层体在极薄铜层表面、载体表面、积层体表面具有其他层时包含该其他层的表面(最表面)。另外，积层体优选具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成。其原因在于，使用该积层体制作无芯基板时，由于在无芯基板侧配置有极薄铜层，因此容易使用改良型半加成法在无芯基板上形成电路。另外，其原因在于，由于极薄铜层的厚度薄，因此容易去除该极薄铜层，在去除极薄铜层后容易使用半加成法在无芯基板上形成电路。

此外，本说明书中，“积层体A”或“积层体B”与未特别记载的“积层体”表示至少包含积层体A及积层体B的积层体。

此外，在所述无芯基板的制造方法中，通过将附载体铜箔或积层体(积层体A)的端面的一部分或全部以树脂覆盖，在利用堆积加工法制造印刷配线板时可防止化学液渗入到中间层或构成积层体的一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔之间，可防止因化学液渗入所导致的极薄铜层与载体的分离或附载体铜箔的腐蚀，可提高产率。作为于此所使用的“覆盖附载体铜箔的端面的一部分或全部的树脂”或“覆盖积层体的端面的一部分或全部的树脂”，可使用能够用于树脂层的树脂。另外，在所述无芯基板的制造方法中，也可以在附载体铜箔或积层体中将俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周的至少一部分以树脂或预浸料覆盖。另外，所述无芯基板的制造方法中所形成的积层体(积层体A)也可以构成为使一对附载体铜箔能够相互分离地进行接触。另外，也可以在该附载体铜箔中遍及俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周整体地以树脂或预浸料覆盖。通过设为这种构成，在俯视附载体铜箔或积层体时，附载体铜箔或积层体的积层部分被树脂或预浸料覆盖，可防止其他部件从该部分的侧方向、即相对于积层方向来自侧面的方向发生碰撞，结果可减少操作中的载体与极薄铜层或附载体铜箔彼此的剥离。另外，通过以不使附载体铜箔或积层体的积层部分的外周露出的方式利用树脂或预浸料进行覆盖，可防止如上所述的化学液处理步骤中化学液渗入至该积层部分的界面，可防止附载体铜箔的腐蚀或侵蚀。此外，从积层体的一对附载体铜箔分离一个附载体铜箔时、或将附载体铜箔的载体与铜箔(极薄铜层)分离时，必须通过切断等将被树脂或预浸料覆盖的附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)去除。

也可以将本发明的附载体铜箔从载体侧或极薄铜层侧积层在另一个本发明的附载体铜箔的载体侧或极薄铜层侧而构成积层体。另外，也可以是所述一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与所述另一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面视需要经由粘结剂直接积层而获得的积层体。另外，也可以将所述一个附载体铜箔的载体或极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的载体或极薄铜层接合。于此，在载体或极薄铜层具有表面处理层的情况下，该“接合”也包含介隔该表面处理层而相互接合的形态。另外，该积层体的端面的一部分或全部也可以被树脂覆盖。

载体彼此的积层除了单纯地重叠以外，例如可以通过以下方法进行。

(a)冶金接合方法：熔接(电弧焊接、TIG(钨·惰性气体)焊接、MIG(金属·惰性气体)焊接、电阻焊接、缝焊接、点焊接)、压接(超音波焊接、摩擦搅拌焊接)、钎焊；

(b)机械接合方法：铆接、利用铆钉的接合(利用自冲铆接机的接合、利用铆钉的接合)、缝合机；

(c)物理接合方法：粘结剂、(两面)粘附带

通过使用所述接合方法将一载体的一部分或全部与另一载体的一部分或全部接合，可制造一载体与另一载体积层且使载体彼此可分离地进行接触而构成的积层体。在将一载体与另一载体较弱地接合而积层一载体与另一载体的情况下，即使不去除一载体与另一载体的接合部，也可以将一载体与另一载体分离。另外，在将一载体与另一载体较强地接合的情况下，通过利用切断或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等将一载体与另一载体接合的部位去除，可将一载体与另一载体分离。

另外，可通过实施以下步骤而制作印刷配线板，即，在这样构成的积层体设置树脂层与电路这2层至少一次；及在形成所述树脂层及电路这2层至少一次后，从所述积层体的附载体铜箔剥离所述极薄铜层或载体。此外，也可以在该积层体的一个或两个表面设置树脂层与电路这2层。

所述积层体所使用的树脂基板、树脂层、树脂、预浸料可以为本说明书所记载的树脂层，也可以包含本说明书所记载的树脂层所使用的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、电介质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材等。此外，附载体铜箔可以在俯视时比树脂或预浸料小。

而且，通过在印刷配线板搭载电子零件类，印刷电路板完成。本发明中，“印刷配线板”也包含这样搭载了电子零件类的印刷配线板及印刷电路板及印刷基板。

另外，可以使用该印刷配线板来制作电子机器，可以使用该搭载了电子零件类的印刷电路板来制作电子机器，也可以使用该搭载了电子零件类的印刷基板来制作电子机器。

[实施例]

以下例示本发明的实施例，但这些实施例是为了更好地理解本发明及其优点而提供的，并非意图限定发明。

图3表示用来获得实施例及比较例的数据的样品制作流程。

[实施例1～3、6、14、比较例1～3]

作为载体，准备厚度35μm的长条电解铜箔(JX日矿日石金属公司制造的JTC)。在以下条件下，在辊对辊型的连续镀敷线上对该铜箔的光泽面(光面)进行电镀，由此形成8000μm/dm²的附着量的Ni层。

(Ni层)

硫酸镍：270～280g/L

氯化镍：35～45g/L

乙酸镍：10～20g/L

硼酸：30～40g/L

光泽剂：糖精、丁炔二醇等

十二烷基硫酸钠：55～75ppm

pH值：4～6

浴温：55～65℃

电流密度：10A/dm²

在进行水洗及酸洗后，继而在辊对辊型连续镀敷线上，通过在以下条件下进行电解铬酸盐处理，而使11μg/dm²的附着量的Cr层附着在Ni层上。

(电解铬酸盐处理)

液体组成：重铬酸钾1～10g/L，锌0～5g/L

pH值：3～4

液温：50～60℃

电流密度：0.1～2.6A/dm²

库仑量：0.5～30As/dm²

继而，在辊对辊型连续镀敷线上，通过在以下条件下电镀表所记载的厚度的极薄铜层而使其形成在Cr层上，从而制造附载体铜箔。

·极薄铜层

铜浓度：30～120g/L

H₂SO₄浓度：20～120g/L

电解液温度：20～80℃

动物胶：1～20ppm

电流密度：10～100A/dm²

[实施例4]

将铜浓度80～120g/L、硫酸浓度80～120g/L、氯化物离子浓度30～100ppm、动物胶浓度1～5ppm、电解液温度57～62℃的硫酸铜电解液作为电解铜镀浴，在阳极与阴极(铜箔用电镀用金属制滚筒)之间流动的电解液的线流速度为1.5～2.5m/秒、电流密度为70A/dm²的条件下，制作厚度12μm(重量厚度95g/m²)的双面平坦电解生箔。

[实施例5]

作为原箔，准备厚度12μm的JX日矿日石金属股份有限公司制造的压延铜箔。

在所述实施例及比较例的原箔的表面，在下述所示的条件范围形成一次粒子层(Cu)、二次粒子层(铜-钴-镍合金镀层等)。

所使用的浴组成及镀敷条件如表1～3所示。表1的一次粒子电流条件栏中记载了两种电流条件、库仑量的例子是指在左边所记载的条件下进行镀敷后，在右边所记载的条件下进一步进行镀敷。例如，实施例1的一次粒子电流条件栏中记载了“(65A/dm²、70As/dm²)+(20A/dm²、40As/dm²)”，其表示在形成一次粒子的电流密度设为65A/dm²、库仑量设为70As/dm²的条件下进行镀敷后，进一步将形成一次粒子的电流密度设为20A/dm²、将库仑量设为40As/dm²而进行镀敷。此外，表1的实施例6、比较例3的“一次粒子形成时镀敷液线流速(m/s)”的栏中所记载的值是指二次粒子形成时镀敷液线流速。此外，由于在实施例6、比较例3中未形成一次粒子，因此实施例6、比较例3的表1的“二次粒子形成镀敷”相当于一次粒子形成镀敷。此外，实施例6、比较例3以外的二次粒子形成时镀敷液线流速设为2.5m/sec。

[阻隔(耐热)处理]

在下述条件下进行阻隔(耐热)处理，形成黄铜镀层或锌-镍合金镀层。

实施例1、比较例1的阻隔层(黄铜镀层)形成条件：

使用铜浓度50～80g/L、锌浓度2～10g/L、氢氧化钠浓度50～80g/L、氰化钠浓度5～30g/L、温度60～90℃的黄铜镀浴，在电流密度5～10A/dm²(多段处理)下，对形成了粗化处理层的M面赋予镀敷电量30As/dm²。

实施例2、比较例2的阻隔层(锌-镍镀层)形成条件：

使用添加了Ni：10g/L～30g/L、Zn:1g/L～15g/L、硫酸(H₂SO₄)：1g/L～12g/L、氯化物离子：0g/L～5g/L的镀浴，在电流密度1.3A/dm²下对形成了粗化处理层的M面赋予镀敷电量5.5As/dm²。

[防锈处理]

关于实施例1、比较例1，在下述条件下进行防锈处理(铬酸盐处理)，形成防锈处理层。

(铬酸盐条件)在CrO₃：2.5g/L、Zn：0.7g/L、Na₂SO₄：10g/L、pH值4.8、54℃的铬酸盐浴中附加0.7As/dm²的电量。而且，在利用铬酸盐浴的防锈处理刚结束后，使用液体喷淋配管，并使用相同的铬酸盐浴对粗化处理面整面进行喷淋。

[硅烷偶联材涂布]

通过对铜箔的粗化处理面喷雾含有0.2～2％的烷氧基硅烷的pH值7～8的溶液，而进行硅烷偶联材涂布处理。

关于实施例6，在进行防锈处理、硅烷偶联材涂布后，进一步在下述条件下进行树脂层形成。

(树脂合成例)

于在附有不锈钢制锚型搅拌棒、氮气导入管及活栓的捕集器上安装设有球形冷却管的回流冷却器而成的2升三口烧瓶中，添加3,4、3',4'-联苯四羧酸二酐117.68g(400mmol)、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯87.7g(300mmol)、γ-戊内酯4.0g(40mmol)、吡啶4.8g(60mmol)、N-甲基-2-吡咯烷酮(以下记为NMP)300g、甲苯20g，在180℃下加热1小时后，冷却至室温左右后，添加3,4、3',4'-联苯四羧酸二酐29.42g(100mmol)、2,2-双{4-(4-氨基苯氧基)苯基}丙烷82.12g(200mmol)、NMP200g、甲苯40g，在室温下混合1小时后，在180℃下加热3小时，获得固体成分38％的嵌段共聚聚酰亚胺。关于该嵌段共聚聚酰亚胺，下述所示的通式(1)：通式(2)＝3：2，数量平均分子量：70000，重量平均分子量：150000。

利用NMP将合成例中获得的嵌段共聚聚酰亚胺溶液进一步稀释，制成固体成分10％的嵌段共聚聚酰亚胺溶液。在该嵌段共聚聚酰亚胺溶液中，将双(4-顺丁烯二酰亚胺苯基)甲烷(BMI-H，ki-chemical)的固体成分重量比率设为35，将嵌段共聚聚酰亚胺的固体成分重量比率设为65(即，树脂溶液中所含的双(4-顺丁烯二酰亚胺苯基)甲烷固体成分重量：树脂溶液中所含的嵌段共聚聚酰亚胺固体成分重量＝35：65)，在60℃下溶解混合20分钟，制成树脂溶液。之后，实施例28中在铜箔的M面(高光泽面)，实施例8中在铜箔的极薄铜表面，使用逆辊涂敷机涂敷所述树脂溶液，在氮气氛围下，在120℃下进行3分钟干燥处理，在160℃进行3分钟干燥处理后，最后在300℃进行2分钟加热处理，制作具备树脂层的铜箔。此外，树脂层的厚度设为2μm。

此外，关于以下实施例，通过下述条件进行中间层形成。

(实施例7)

在载体与铜箔之间形成Co-Mo合金作为中间层，除此以外，在与实施例1相同的条件下，形成铜层。该情况下的Co-Mo合金中间层是通过在以下液体组成的镀敷液中进行镀敷来制作。

液体组成：CoSO₄·7H₂O 0.5～100g/L，Na₂MoO₄·2H₂O 0.5～100g/L，柠檬酸钠二水合物20～300g/L

温度：10～70℃

pH值：3～5

电流密度：0.1～60A/dm²

(实施例8)

在载体与铜箔之间形成Cr作为中间层，除此以外，在与实施例1相同的条件下，形成铜层。该情况下的Cr中间层是通过在以下液体组成的镀敷液中进行镀敷来制作。

液体组成：CrO₃ 200～400g/L，H₂SO₄ 1.5～4g/L

pH值：1～4

液温：45～60℃

电流密度：10～40A/dm²

(实施例9)

在载体与铜箔之间形成Cr/CuP作为中间层，除此以外，在与实施例1相同的条件下，形成铜层。该情况下的Cr/CuP中间层是通过在以下液体组成的镀敷液中进行镀敷来制作。

液体组成1：CrO₃ 200～400g/L，H₂SO₄ 1.5～4g/L

pH值：1～4

液温：45～60℃

电流密度：10～40A/dm²

液体组成2：Cu₂P₂O₇·3H₂O 5～50g/L，K₄P₂O₇ 50～300g/L

液温：30～60℃

pH值：8～10

电流密度：0.1～1.0A/dm²

(实施例10)

在载体与铜箔之间形成Ni/Cr作为中间层，除此以外，在与实施例1相同的条件下，形成铜层。该情况下的Ni/Cr中间层是通过在以下液体组成的镀敷液中进行镀敷来制作。

液体组成1：NiSO₄·6H₂O 250～300g/L，NiCl₂·6H₂O 35～45g/L，硼酸10～50g/L

液温：30～70℃

pH值：2～6

电流密度：0.1～50A/dm²

液体组成2：CrO₃ 200～400g/L，H₂SO₄ 1.5～4g/L

液温：45～60℃

pH值：1～4

电流密度：10～40A/dm²

(实施例11)

在载体与铜箔之间形成Co/铬酸盐处理层作为中间层，除此以外，在与实施例1相同的条件下，形成铜层。

该情况下的Co/铬酸盐处理的中间层是通过在以下液体组成的镀敷液中进行镀敷来制作。

液体组成1：CoSO₄·7H₂O 10～100g/L，柠檬酸钠二水合物30～200g/L

液温：10～70℃

pH值：3～5

电流密度：0.1～60A/dm²

液体组成2：CrO₃ 1～10g/L

液温：10～70℃

pH值：10～12

电流密度：0.1～1.0A/dm²

(实施例12)

在载体与铜箔之间形成有机物层作为中间层，除此以外，在与实施例1相同的条件下，形成铜层。

该情况下的有机物层的中间层是在将液温40℃、pH值5、浓度1～10g/L的羧基苯并三唑水溶液喷雾10～60秒钟的条件下进行制作。

(实施例13)

在Ar-H₂-HF(Ar：H₂：HF＝1：1：1)混合气体中对双顺丁烯二酰亚胺三嗪树脂进行10秒钟等离子体处理(1)后，依序进行膨润处理、去污处理、中和处理，进而在氩气中进行10秒钟等离子体处理(2)。

·膨润处理：在膨润处理液(液体组成：乙二醇浓度500g/L，剩余部分为水)中于72℃下浸渍10分钟。

·去污处理：在去污处理液(液体组成：过锰酸钠浓度4.1质量％，氢氧化钠浓度3.3质量％，Cu²⁺15g/L，Ni²⁺5g/L，剩余部分为水)中于80℃下浸渍25分钟。

·中和处理：在中和处理液(液体组成：硫酸羟胺浓度1.5质量％，硫酸浓度4.9质量％，剩余部分为水)中于30℃下浸渍5分钟。

所述等离子体处理(1)是使用氢与氟化氢的混合气体进行10～100秒钟。由此，在树脂基板形成凹凸。另外，在所述去污处理中，通过在去污液中添加Ni及Cu，促进氧化反应，孔扩展。另外，所述等离子体处理(2)进行10～100秒钟。通过该等离子体处理(2)来调整去污后的树脂表面。这样，通过对树脂进行等离子体处理(1)+去污处理+等离子体处理(2)，能够制造本发明的具有孔形状的树脂基材。

-表面处理铜箔及附载体铜箔的评价-

通过以下方法，对以所述方式获得的表面处理铜箔及附载体铜箔实施各种评价。将结果示于表4。

-基材表面的评价-

接着，关于各实施例、比较例的表面处理铜箔、附载体铜箔，准备20cm见方尺寸的下述树脂基材，并将树脂基材与铜箔以铜箔的具有表面处理层的面与树脂基材接触的方式进行积层加压。积层加压的温度、压力、时间是使用基材制造商的推荐条件(压力：20kg/cm²，温度：220℃，时间：2hr)。

使用树脂：FR4

接着，在下述蚀刻条件下通过整面蚀刻将树脂基材上的表面处理铜箔去除。另外，关于树脂基材上的附载体铜箔，在剥离载体后，在下述蚀刻条件下通过整面蚀刻将极薄铜层去除。此外，所谓“整面蚀刻”是指相应于厚度将铜箔全部去除，蚀刻至在整面露出树脂为止。

(蚀刻条件)蚀刻液：氯化铜溶液，HCl浓度：3.5mol/L，温度：50℃，以比重成为1.26的方式调节CuCl₂浓度。

＜白部平均值、黑部平均值＞

针对各实施例、比较例的树脂基材的蚀刻侧表面，使用扫描型电子显微镜(SEM)，将加速电压设为15kV，进行照片拍摄。此外，拍摄照片时，调整对比度与亮度以明确可见观察视野整体的孔的轮廓。照片整体并非纯白或纯黑，而是在能够观察到孔的轮廓的状态下进行照片拍摄。然后，关于所拍摄的照片(SEM像(30k倍(30000倍)))，使用Photo Shop 7.0软件实施白色、黑色图像处理(二值化处理)。此外，白色、黑色图像处理(二值化处理)的阈值设为128。接着，对所获得的图像引出如图1所示的将纵横分别分成3等份的4条线(A～D线)，测定各线通过白部(白色区域)的长度合计，求出这些A～D线的白部的长度合计。此时，白部(白色区域)由以黑部(黑色区域)划分的多条线段构成。接着，将该白部的长度合计除以该白部的线段数量。对测定对象的树脂基材表面的3个视野(1个视野的大小：横4.2μm×纵3.0μm＝面积12.6μm²)进行所述操作，将其平均值((通过将白部的长度合计除以该白部的线段数量而获得的值的3个视野的合计)/3)设为白部平均值(μm)。另外，测定4条线(A～D线)通过黑部(黑色区域)的长度合计，求出这些A～D线的黑部的长度合计。此时，黑部是由以白部划分的多条线段构成。接着，将该黑部的长度合计除以该黑部的线段数量。对测定对象的树脂基材表面的3个视野(1个视野的大小：横4.2μm×纵3.0μm＝面积12.6μm²)进行所述操作，将其平均值((通过将黑部的长度合计除以该黑部的线段数量而获得的值的3个视野的合计)/3)设为黑部平均值(μm)。

＜白部最大值、黑部最大值＞

关于各实施例、比较例的树脂基材的蚀刻侧表面，对由所述SEM像获得的图像测定白部最大值、黑部最大值。于此，白部最大值设为如下值，即，在各观察视野中，综合图1所示的4条线(A～D线)，测定由以黑部(黑色区域)划分的多条线段构成的白部中的最大长度(邻接的黑部与黑部之间的距离中的最大距离)，将在三个视野中所获得的由以黑部(黑色区域)划分的多条线段构成的白部中的各最大长度相加，将所得值除以3而得的值(算术平均值)。另外，黑部最大值设为如下值，即，在各观察视野中，综合图1所示的4条线(A～D线)，测定由以白部(白色区域)划分的多条线段构成的黑部中的最大长度(邻接的白部与白部之间的距离中的最大距离)，将在三个视野中所获得的由以白部(白色区域)划分的多条线段构成的黑部中的各最大长度相加，将所得值除以3而得的值(算术平均值)。

＜白部由大到小取10点的平均值、黑部由大到小取10点的平均值＞

关于各实施例、比较例的树脂基材的蚀刻侧表面，对由所述SEM像获得的图像求出白部由大到小取10点的平均值、黑部由大到小取10点的平均值。于此，白部由大到小取10点的平均值是设为如下值，即，在各观察视野中将所述白部最大值设为最长距离，按照第二长的距离的白部、第三长的距离的白部依序取到第10个为止，求出将合计所述距离所得值除以10而得的值A(算术平均值)，并将在3个视野中获得的该值A除以3而得的值(算术平均值)。另外，黑部由大到小取10点的平均值是设为如下值，在各观察视野中将所述黑部最大值设为最长距离，按照第二长的距离的黑部、第三长的距离的黑部依序取到第10个为止，求出将合计所述距离所得值除以10而得的值B(算术平均值)，并将在3个视野中获得的该值B除以3而得的值(算术平均值)。

＜白部比率＞

关于各实施例、比较例的树脂基材的蚀刻侧表面，关于由所述SEM像获得的图像，求出白部相对于白部与黑部的合计的比率。于此，白部比率设为白部长度合计相对于所述白部长度合计与黑部长度合计的合计的比率。

＜剥离强度＞

对树脂基材(整面蚀刻基材)的蚀刻面依序实施膨润处理、去污处理及中和处理。将各处理条件设为如下。

·膨润处理：在膨润处理液(液体组成：乙二醇浓度500g/L，剩余部分水)中于72℃下浸渍10分钟。

·去污处理：在去污处理液(液体组成：过锰酸钠浓度4.1质量％，氢氧化钠浓度3.3质量％，剩余部分水)中于80℃下浸渍25分钟。

·中和处理：在中和处理液(液体组成：硫酸羟胺浓度1.5质量％，硫酸浓度4.9质量％，剩余部分水)中于30℃下浸渍5分钟。

继而，赋予用来使无电铜在所述处理面析出的催化剂，且使用关东化成制造的KAP-8浴，在下述条件下实施无电镀铜。所获得的无电镀铜层的厚度为0.5μm。

CuSO₄浓度：0.06mol/L，HCHO浓度：0.5mol/L，EDTA浓度：0.12mol/L，pH值12.5，添加剂：2,2'-二吡啶基，添加剂浓度：10mg/L，表面活性剂：REG-1000，表面活性剂浓度：500mg/L

接着，在无电镀铜层上，进而使用下述电解液实施电解镀敷。铜厚度(无电镀层及电解镀层的总厚)成为12μm。

单纯硫酸铜电解液：Cu浓度：100g/L，H₂SO₄浓度：80g/L

如上所述，关于对树脂基材(整面蚀刻基材)实施无电镀铜、电解镀铜且使铜层厚为12μm的附镀铜层的积层板，通过湿式蚀刻制作宽度10mm的铜电路。依据JIS-C-6481，测定将该铜电路以90度剥离时的强度，设为剥离强度。

[表2]

镀浴均为水溶液。

[表3]

镀浴均为水溶液。

[表4]

实施例1～14中，在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除该表面处理铜箔，对露出的该树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，该树脂基材的铜箔去除侧表面的白部平均值、白部最大值、白部由大到小取10点的平均值、黑部平均值、黑部最大值、黑部由大到小取10点的平均值、白部比率分别被控制在规定范围，铜电路的剥离强度良好。

比较例1～3中，在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除该表面处理铜箔，对露出的该树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，该树脂基材的铜箔去除侧表面的白部平均值、白部最大值、白部由大到小取10点的平均值、黑部平均值、黑部最大值、黑部由大到小取10点的平均值、白部比率分别偏离适当范围，铜电路的剥离强度不良。

图4表示所述测定中用于白部、黑部评价的使用Photo Shop 7.0软件而获得的实施例1的图像。

图5表示所述测定中用于白部、黑部评价的使用Photo Shop 7.0软件而获得的实施例3的图像。

图6表示所述测定中用于白部、黑部评价的使用Photo Shop 7.0软件而获得的比较例1的图像。

图7表示所述测定中用于白部、黑部评价的使用Photo Shop 7.0软件而获得的比较例2的图像。

Claims (84)

1.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部平均值成为0.14～0.70μm。

2.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部平均值成为0.16～0.65μm。

3.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部最大值成为0.40～0.81μm。

4.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm。

5.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm。

6.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部平均值成为0.13～0.256μm。

7.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部平均值成为0.14～0.24μm。

8.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部平均值成为0.15～0.23μm。

9.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部最大值成为0.42～1.07μm。

10.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部最大值成为0.5～1.0μm。

11.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm。

12.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm。

13.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部比率成为45.5～70％。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的表面处理铜箔，其中，将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-1)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个或13个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-6)黑部平均值成为0.13～0.256μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

15.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部平均值成为0.14～0.70μm，

在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-2)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个：

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-6)黑部平均值成为0.13～0.256μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

16.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部平均值成为0.16～0.65μm，

在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，

满足以下(1-3)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个：

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-6)黑部平均值成为0.13～0.256μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

17.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部最大值成为0.40～0.81μm，

在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-1)～(1-2)及(1-4)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-6)黑部平均值成为0.13～0.256μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

18.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm，

在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-1)～(1-3)及(1-5)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-6)黑部平均值成为0.13～0.256μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

19.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm，

在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-1)～(1-3)及(1-6)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-6)黑部平均值成为0.13～0.256μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

20.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部平均值成为0.13～0.256μm，

在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-1)～(1-5)及(1-7)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

21.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部平均值成为0.14～0.24μm，

在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-1)～(1-5)及(1-8)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

22.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部平均值成为0.15～0.23μm，

在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-1)～(1-5)及(1-9)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

23.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部最大值成为0.42～1.07μm，

在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-1)～(1-8)及(1-10)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-6)黑部平均值成为0.13～0.256μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

24.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部最大值成为0.5～1.0μm，

在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-1)～(1-8)及(1-11)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-6)黑部平均值成为0.13～0.256μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

25.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm，

在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-1)～(1-10)及(1-12)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-6)黑部平均值成为0.13～0.256μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

26.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm，

在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-1)～(1-10)及(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-6)黑部平均值成为0.13～0.256μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

27.一种表面处理铜箔，其在将表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在树脂基材，去除所述表面处理铜箔，对露出的所述树脂基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面的白部比率成为45.5～70％，

在所述树脂基材的所述铜箔去除侧表面，满足以下(1-1)～(1-12)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-6)黑部平均值成为0.13～0.256μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm。

28.根据权利要求1至13、15至27中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层为粗化处理层。

29.根据权利要求28所述的表面处理铜箔，其中，所述粗化处理层是含有选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一单质或含有任一种以上的合金的层。

30.根据权利要求28所述的表面处理铜箔，其中，在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。

31.根据权利要求29所述的表面处理铜箔，其中，在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。

32.根据权利要求1至13、15至27中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理层是选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联剂处理层所组成的群中的1种以上的层。

33.根据权利要求1至13、15至27中任一项所述的表面处理铜箔，其中，在所述表面处理层上具备树脂层。

34.根据权利要求32所述的表面处理铜箔，其中，在所述表面处理层上具备树脂层。

35.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，所述极薄铜层是根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔。

36.一种附载体铜箔，其在载体两面依序具备中间层与极薄铜层，所述极薄铜层是根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔。

37.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，所述极薄铜层是根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔，

在所述载体的与所述极薄铜层为相反侧具备粗化处理层。

38.一种基材，其是将根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，白部平均值为0.14～0.70μm。

39.一种基材，其是将根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，白部最大值成为0.40～0.81μm。

40.一种基材，其是将根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm。

41.一种基材，其是将根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，黑部平均值成为0.13～0.256μm。

42.一种基材，其是将根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，黑部最大值成为0.42～1.07μm。

43.一种基材，其是将根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm。

44.一种基材，其是将根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，白部比率成为45.5～70％。

45.一种基材，其是将根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔从表面处理层侧贴合在基材并将所述表面处理铜箔去除所得的基材、或将根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在基材并将所述附载体铜箔去除所得的基材，当对通过去除所述表面处理铜箔或附载体铜箔而露出的所述基材表面进行膨润处理、去污处理、中和处理时，满足以下(1-1)～(1-13)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个或7个或8个或9个或10个或11个或12个或13个：

(1-1)白部平均值成为0.14～0.70μm；

(1-2)白部平均值成为0.16～0.65μm；

(1-3)白部最大值成为0.40～0.81μm；

(1-4)白部由大到小取10点的平均值成为0.35～1.0μm；

(1-5)白部由大到小取10点的平均值成为0.36～0.9μm；

(1-6)黑部平均值成为0.13～0.256μm；

(1-7)黑部平均值成为0.14～0.24μm；

(1-8)黑部平均值成为0.15～0.23μm；

(1-9)黑部最大值成为0.42～1.07μm；

(1-10)黑部最大值成为0.5～1.0μm；

(1-11)黑部由大到小取10点的平均值成为0.31～0.55μm；

(1-12)黑部由大到小取10点的平均值成为0.32～0.53μm；

(1-13)白部比率成为45.5～70％。

46.一种积层体，其是使用根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔、或根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔进行制造而成。

47.一种积层体，其包含根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔或根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔与树脂，所述表面处理铜箔或所述附载体铜箔的端面的一部分或全部被所述树脂覆盖。

48.一种积层体，其是将一个根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧向另一个根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧进行积层而成。

49.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔与绝缘基板；

将所述表面处理铜箔从表面处理层侧积层在绝缘基板；

将所述绝缘基板上的表面处理铜箔去除；及

在去除所述表面处理铜箔后的绝缘基板的表面形成电路。

50.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔与绝缘基板；

将所述附载体铜箔从极薄铜层侧积层在绝缘基板；

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，剥离所述附载体铜箔的载体；

将剥离所述载体后的绝缘基板上的极薄铜层去除；及

在去除所述极薄铜层后的绝缘基板的表面形成电路。

51.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：准备根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔与绝缘基板；及

将所述表面处理铜箔从表面处理层侧积层在绝缘基板而形成覆铜积层板，

之后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法来形成电路。

52.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：准备根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔与绝缘基板；

将所述附载体铜箔从极薄铜层侧积层在绝缘基板；及

在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层板，

之后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法来形成电路。

53.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式在所述表面处理铜箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

在所述树脂层表面形成电路；及

通过将所述表面处理铜箔或所述附载体铜箔去除，使掩埋在所述树脂层的电路露出。

54.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在表面形成了电路的金属箔、或在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的作为根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔的第1表面处理铜箔、或在极薄金属层侧表面形成了电路的附载体金属箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的作为根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔的第1附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式在所述金属箔表面或所述表面处理铜箔表面或所述附载体金属箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

将作为根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔的第2表面处理铜箔从表面处理层侧积层在所述树脂层、或将作为根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔的第2附载体铜箔从极薄铜层侧积层在所述树脂层；

在积层在所述树脂层的箔为所述第2附载体铜箔的情况下，将所述第2附载体铜箔的载体剥离；

将所述树脂层上的表面处理铜箔、或剥离所述第2附载体铜箔的载体后残留的极薄铜层去除；

在去除所述表面处理铜箔后的树脂层的表面、或去除极薄铜层后的树脂层的表面形成电路；及

在所述树脂层上形成电路后，将所述金属箔去除，或将所述第1表面处理铜箔去除，或在剥离所述附载体金属箔的载体后将极薄金属层去除，或在剥离所述第1附载体铜箔的载体后将极薄铜层去除，由此使掩埋于所述树脂层的电路露出。

55.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式在所述表面处理铜箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

将金属箔积层在所述树脂层、或将附载体金属箔从极薄金属层侧积层在所述树脂层；

在积层在所述树脂层的箔为所述附载体金属箔的情况下，将所述附载体金属箔的载体剥离；

将所述树脂层上的金属箔、或剥离所述附载体金属箔的载体后残留的极薄金属层去除；

在去除所述金属箔后的树脂层的表面、或去除极薄铜层后的树脂层的表面形成电路；及

在所述树脂层上形成电路后，将所述表面处理铜箔去除，或在剥离所述附载体铜箔的载体后将极薄铜层去除，由此使掩埋于所述树脂层的电路露出。

56.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在表面形成了电路的金属箔、或在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的作为根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔的第1表面处理铜箔、或在极薄金属层侧表面形成了电路的附载体金属箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的作为根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔的第1附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式，在所述金属箔表面或所述表面处理铜箔表面或所述附载体金属箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

将作为根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔的第2表面处理铜箔从表面处理层侧积层在所述树脂层、或将作为根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔的第2附载体铜箔从极薄铜层侧积层在所述树脂层；

在积层在所述树脂层的箔为所述第2附载体铜箔的情况下，将所述第2附载体铜箔的载体剥离；

使用所述树脂层上的表面处理铜箔、或剥离所述第2附载体铜箔的载体后残留的极薄铜层，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法，在所述树脂层上形成电路；及

在所述树脂层上形成电路后，将所述金属箔去除，或将所述第1表面处理铜箔去除，或在剥离所述附载体金属箔的载体后将极薄金属层去除，或在剥离所述第1附载体铜箔的载体后将极薄铜层去除，由此使掩埋于所述树脂层的电路露出。

57.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在形成了表面处理层的一侧的表面形成了电路的根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔、或在极薄铜层侧表面形成了电路的根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔；

以掩埋所述电路的方式在所述表面处理铜箔表面或所述附载体铜箔表面形成树脂层；

将金属箔积层在所述树脂层、或将附载体金属箔从极薄金属层侧积层在所述树脂层；

在积层在所述树脂层的箔为所述附载体金属箔的情况下，将所述附载体金属箔的载体剥离；

使用所述树脂层上的金属箔、或剥离所述附载体金属箔的载体后残留的极薄金属层，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法，在所述树脂层上形成电路；及

在所述树脂层上形成电路后，将所述表面处理铜箔去除，或在剥离所述附载体铜箔的载体后将极薄铜层去除，由此使掩埋于所述树脂层的电路露出。

58.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

将根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层；

在所述附载体铜箔的和与树脂基板积层的一侧为相反侧的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面，设置树脂层与电路这2层至少一次；及

在形成所述树脂层及电路这2层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离。

59.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

在根据权利要求46至48中任一项所述的积层体的任一面或两面，设置树脂层与电路这2层至少一次；及

在形成所述树脂层及电路这2层后，将所述载体或所述极薄铜层从构成所述积层体的附载体铜箔剥离。

60.一种树脂基材，其表面的白部平均值为超过0.23～0.70μm。

61.一种树脂基材，其表面的白部由大到小取10点的平均值为超过0.457～1.0μm。

62.一种树脂基材，其表面的黑部平均值为超过0.20～0.256μm。

63.一种树脂基材，其表面的黑部最大值为超过0.605～1.07μm。

64.一种树脂基材，其表面的黑部由大到小取10点的平均值为超过0.335～0.55μm。

65.根据权利要求59至64中任一项所述的树脂基材，其满足以下(2-1)～(2-6)内的1个或2个或3个或4个或5个或6个：

(2-1)表面的白部平均值为超过0.23～0.70μm；

(2-2)表面的白部由大到小取10点的平均值为超过0.457～1.0μm；

(2-3)表面的黑部平均值为超过0.20～0.256μm；

(2-4)表面的黑部最大值为超过0.605～1.07μm；

(2-5)表面的黑部由大到小取10点的平均值为超过0.335～0.55μm；

(2-6)表面的白部比率为超过68～70％。

66.根据权利要求65所述的树脂基材，其是用于半加成加工法。

67.一种树脂基材，其表面的白部比率为超过68～70％。

68.一种树脂基材，其表面的白部平均值为超过0.23～0.70μm，满足以下(2-2)～(2-6)内的1个或2个或3个或4个或5个：

(2-2)表面的白部由大到小取10点的平均值为超过0.457～1.0μm；

(2-3)表面的黑部平均值为超过0.20～0.256μm；

(2-4)表面的黑部最大值为超过0.605～1.07μm；

(2-5)表面的黑部由大到小取10点的平均值为超过0.335～0.55μm；

(2-6)表面的白部比率为超过68～70％。

69.一种树脂基材，其表面的白部由大到小取10点的平均值为超过0.457～1.0μm，且满足以下(2-1)及(2-3)～(2-6)内的1个或2个或3个或4个或5个：

(2-1)表面的白部平均值为超过0.23～0.70μm；

(2-3)表面的黑部平均值为超过0.20～0.256μm；

(2-4)表面的黑部最大值为超过0.605～1.07μm；

(2-5)表面的黑部由大到小取10点的平均值为超过0.335～0.55μm；

(2-6)表面的白部比率为超过68～70％。

70.一种树脂基材，其表面的黑部平均值为超过0.20～0.256μm，满足以下(2-1)～(2-2)及(2-4)～(2-6)内的1个或2个或3个或4个或5个：

(2-1)表面的白部平均值为超过0.23～0.70μm；

(2-2)表面的白部由大到小取10点的平均值为超过0.457～1.0μm；

(2-4)表面的黑部最大值为超过0.605～1.07μm；

(2-5)表面的黑部由大到小取10点的平均值为超过0.335～0.55μm；

(2-6)表面的白部比率为超过68～70％。

71.一种树脂基材，其表面的黑部最大值为超过0.605～1.07μm，满足以下(2-1)～(2-3)及(2-5)～(2-6)内的1个或2个或3个或4个或5个：

(2-1)表面的白部平均值为超过0.23～0.70μm；

(2-2)表面的白部由大到小取10点的平均值为超过0.457～1.0μm；

(2-3)表面的黑部平均值为超过0.20～0.256μm；

(2-5)表面的黑部由大到小取10点的平均值为超过0.335～0.55μm；

(2-6)表面的白部比率为超过68～70％。

72.一种树脂基材，其表面的黑部由大到小取10点的平均值为超过0.335～0.55μm，满足以下(2-1)～(2-4)及(2-6)内的1个或2个或3个或4个或5个：

(2-1)表面的白部平均值为超过0.23～0.70μm；

(2-2)表面的白部由大到小取10点的平均值为超过0.457～1.0μm；

(2-3)表面的黑部平均值为超过0.20～0.256μm；

(2-4)表面的黑部最大值为超过0.605～1.07μm；

(2-6)表面的白部比率为超过68～70％。

73.一种树脂基材，其表面的白部比率为超过68～70％，满足以下(2-1)～(2-5)内的1个或2个或3个或4个或5个：

(2-1)表面的白部平均值为超过0.23～0.70μm；

(2-2)表面的白部由大到小取10点的平均值为超过0.457～1.0μm；

(2-3)表面的黑部平均值为超过0.20～0.256μm；

(2-4)表面的黑部最大值为超过0.605～1.07μm；

(2-5)表面的黑部由大到小取10点的平均值为超过0.335～0.55μm。

74.根据权利要求60至64、67至73中任一项所述的树脂基材，其是用于半加成加工法。

75.一种积层体，其是使用根据权利要求38至45中任一项所述的基材、或根据权利要求60至74中任一项所述的树脂基材进行制造而成。

76.一种印刷配线板，其是使用根据权利要求1至34中任一项所述的表面处理铜箔、或根据权利要求35至37中任一项所述的附载体铜箔、或根据权利要求38至45中任一项所述的基材、或根据权利要求60至74中任一项所述的树脂基材进行制造而成。

77.一种电子机器，其是使用根据权利要求76所述的印刷配线板。

78.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备表面处理铜箔与树脂基材，或准备依序积层载体、中间层、极薄铜层而构成的附载体铜箔与树脂基材；

将所述表面处理铜箔或附载体铜箔从表面处理层侧或极薄铜层侧积层在树脂基材；

在积层在所述树脂基材的箔为附载体铜箔的情况下，将载体从附载体铜箔剥离；

将所述树脂基材上的表面处理铜箔或极薄铜层去除，获得根据权利要求60至74中任一项所述的树脂基材；及

在去除所述表面处理铜箔或极薄铜层后的树脂基材的表面形成电路。

79.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：将表面处理铜箔或依序积层载体、中间层、极薄铜层而构成的附载体铜箔从表面处理层侧或极薄铜层侧积层在根据权利要求60至74中任一项所述的树脂基材；在积层在所述树脂基材的箔为附载体铜箔的情况下，将所述附载体铜箔的载体剥离；及对积层在所述树脂基材或剥离所述载体而形成的覆铜积层板，之后通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法来形成电路。

80.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在表面形成了电路的金属箔；

以掩埋所述电路的方式在所述金属箔表面形成树脂基材；

将表面处理铜箔或依序具备载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔从表面处理层侧或极薄铜层侧积层在所述树脂基材；

在积层在所述树脂基材的箔为附载体铜箔的情况下，将所述附载体铜箔的载体剥离；

将所述树脂基材上的表面处理铜箔或极薄铜层去除，获得根据权利要求60至74中任一项所述的树脂基材；

在去除所述表面处理铜箔或极薄铜层后的树脂基材的表面形成电路；及

通过去除所述金属箔，使形成在所述金属箔表面的掩埋于所述树脂基材的电路露出。

81.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

在依序积层载体、中间层、极薄铜层而构成的第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面形成电路；

以掩埋所述电路的方式在所述第1附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成树脂基材；

准备依序积层载体、中间层、极薄铜层而构成的第2附载体铜箔，并从所述第2附载体铜箔的极薄铜层侧积层在所述树脂基材；

在将所述第2附载体铜箔积层在所述树脂基材后，将所述第2附载体铜箔的载体剥离；

将剥离所述第2附载体铜箔的载体后的树脂基材上的极薄铜层去除，获得根据权利要求60至74中任一项所述的树脂基材；

在去除所述极薄铜层后的树脂基材的表面形成电路；

在所述树脂基材上形成电路后，将所述第1附载体铜箔的载体剥离；及

在剥离所述第1附载体铜箔的载体后，将所述第1附载体铜箔的极薄铜层去除，由此使形成在所述第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的掩埋于所述树脂基材的电路露出。

82.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

在依序具备载体、中间层、极薄铜层的附载体铜箔的极薄铜层侧表面形成电路；

以掩埋所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成树脂基材；

将表面处理铜箔从表面处理层侧积层在所述树脂基材；

将所述树脂基材上的表面处理铜箔去除，获得根据权利要求60至74中任一项所述的树脂基材；

在去除所述表面处理铜箔后的树脂基材的表面形成电路；

在所述树脂基材上形成电路后，将所述附载体铜箔的载体剥离；及

在剥离所述附载体铜箔的载体后，将所述附载体铜箔的极薄铜层去除，由此使形成在所述附载体铜箔的极薄铜层侧表面的掩埋于所述树脂基材的电路露出。

83.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

准备在表面形成了电路的金属箔；

以掩埋所述电路的方式，在所述金属箔表面形成根据权利要求60至74中任一项所述的树脂基材；

通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法，在所述树脂基材上形成电路；及

通过去除所述金属箔，使形成在所述金属箔表面的掩埋于所述树脂基材的电路露出。

84.一种印刷配线板的制造方法，其包括以下步骤：

在依序积层载体、中间层、极薄铜层而构成的第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面形成电路；

以掩埋所述电路的方式，在所述第1附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面形成根据权利要求60至74中任一项所述的树脂基材；

通过半加成法、减成法、部分加成法或改良型半加成法中的任一方法，在所述树脂基材上形成电路；

在所述树脂基材上形成电路后，将所述第1附载体铜箔的载体剥离；及

在剥离所述第1附载体铜箔的载体后，将所述第1附载体铜箔的极薄铜层去除，由此使形成在所述第1附载体铜箔的极薄铜层侧表面的掩埋于所述树脂基材的电路露出。