CN106455310B - 附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法 - Google Patents

附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法,且提供一种微细电路形成性良好的附载体铜箔。本发明的附载体铜箔依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将载体剥离，接着通过蚀刻将极薄铜层去除，由此而露出的树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv为0.181～2.922μm。

Description

附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制 造方法
技术领域
本发明涉及一种附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。
背景技术
通常，印刷配线板是经过使绝缘基板粘接于铜箔而制成覆铜积层板后，通过蚀刻在铜箔面形成导体图案的步骤所制造。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大，向搭载零件的高密度安装化或信号的高频化方向发展，对印刷配线板要求导体图案的微细化(微间距化)或高频应对等。
最近，应对微间距化而要求厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔，但这种极薄铜箔的机械强度低，在制造印刷配线板时容易破损或产生褶皱，因此出现了将有厚度的金属箔用作载体，并经由剥离层使极薄铜层电镀在该载体上的附载体铜箔。在将极薄铜层的表面贴合在绝缘基板上并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。在利用抗蚀剂在所露出的极薄铜层上形成电路图案后，通过利用硫酸-过氧化氢系的蚀刻剂而将极薄铜层蚀刻去除的方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process，改良半加成法)形成微细电路。
这里，对于成为与树脂的粘接面的附载体铜箔的极薄铜层的表面，主要要求极薄铜层与树脂基材的剥离强度充分，并且该剥离强度在高温加热、湿式处理、焊接、化学品处理等之后仍充分地保持。作为提高极薄铜层与树脂基材之间的剥离强度的方法，一般来说，代表方法是使大量粗化粒子附着在增大了表面轮廓(凹凸、粗糙度)的极薄铜层上的方法。
然而，如果将这种轮廓(凹凸、粗糙度)大的极薄铜层用于印刷配线板中尤其需要形成微细电路图案的半导体封装基板，则在电路蚀刻时会残留无用的铜粒子而产生电路图案间的绝缘不良等问题。
为此，在WO2004/005588号(专利文献1)中尝试使用未对极薄铜层的表面实施粗化处理的附载体铜箔作为以半导体封装基板为首的微细电路用途的附载体铜箔。这种未实施粗化处理的极薄铜层与树脂的密接性(剥离强度)有因其低轮廓(凹凸、粗度、粗糙度)的影响而与一般印刷配线板用铜箔相比有所降低的倾向。为此，对于附载体铜箔，要求进一步的改善。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]WO2004/005588号
发明内容
[发明要解决的问题]
在附载体铜箔的开发中，迄今为止仍重视确保极薄铜层与树脂基材的剥离强度。因此，关于适合印刷配线板的高密度安装化且适合微细电路形成用的附载体铜箔尚未得到充分研究，而尚有改善余地。
因此，本发明的课题在于提供一种微细电路形成性良好的附载体铜箔。
[解决问题的技术手段]
关于适合微细电路形成用的附载体铜箔，考虑到提高附载体铜箔的极薄铜层侧表面的平滑性或形成微细粗化粒子，本发明者进一步深入进行了以下研究。即，发现为了进一步提高微细电路形成性，重要的是研究缩短电路形成时的快速蚀刻的时间，为此，有效的是缩小“供形成电路的层的厚度范围”。该“供形成电路的层的厚度范围”表示基于载体及极薄铜层(块体)的起伏的块体的最大厚度范围，或在极薄铜层形成了粗化粒子的情况下表示将该块体的起伏与形成在极薄铜层的粗化瘤的足长相加后的最大厚度范围。
本发明者为了缩小供形成所述电路的层的厚度范围而进行了潜心探究，结果发现，将通过在将附载体铜箔从极薄铜层侧贴合在树脂基板后，将载体剥离，接着通过蚀刻将极薄铜层去除而露出的树脂基板的特定的表面性状控制在特定范围，由此可缩小供形成所述电路的层的厚度范围，由此微细电路形成性变得良好。
本发明是基于所述见解而完成的，在一个态样中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv为0.181～2.922μm。
本发明在另一个态样中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的核心部的高差Sk为0.095～0.936μm。
本发明在又一个态样中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的突出凹部深度Svk为0.051～0.478μm。
本发明在又一个态样中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。
本发明在又一个态样中是一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk为3.549～10.777。
本发明的附载体铜箔在另一实施方式中，在本发明的附载体铜箔在载体的一个面具有极薄铜层的情况下，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一个表面或两个表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层，或者
在本发明的附载体铜箔在载体的两面具有极薄铜层的情况下，在该一个或两个极薄铜层侧的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。
本发明的附载体铜箔在又一个实施方式中，所述粗化处理层是包含选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一单质或含有任1种以上所述单质的合金的层。
本发明的附载体铜箔在又一个实施方式中，在所述极薄铜层上具备树脂层。
本发明的附载体铜箔在又一个实施方式中，在所述选自由粗化处理层、所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层之上具备树脂层。
本发明在又一个态样中是一种积层体，其是使用本发明的附载体铜箔而制造。
本发明在又一个态样中是一种积层体，其包含本发明的附载体铜箔与树脂，并且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部由所述树脂覆盖。
本发明在又一个态样中是一种积层体，其是将一个本发明的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧积层于另一个本发明的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成。
本发明在又一个态样中是一种印刷配线板的制造方法，其使用本发明的积层体。
本发明在又一个态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括：在本发明的积层体上至少设置1次树脂层与电路这两层的步骤；及在至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，将所述极薄铜层或所述载体从所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。
本发明在又一个态样中是一种印刷配线板的制造方法，其使用本发明的附载体铜箔。
本发明在又一个态样中是一种电子机器的制造方法，其使用通过本发明的方法而制造的印刷配线板。
本发明在又一个态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括：
准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；及
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤，而形成覆铜积层板，
其后通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法而形成电路的步骤。
本发明在又一个态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括：
在本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；
以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；
将所述载体或所述极薄铜层剥离的步骤；及
在将所述载体或所述极薄铜层剥离后，将所述极薄铜层或所述载体去除，由此使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面且埋没在所述树脂层的电路露出的步骤。
本发明在又一个态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括：
将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；
在所述附载体铜箔的与树脂基板积层一侧的相反侧的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面至少设置1次树脂层与电路这两层的步骤；及
在形成所述树脂层及电路这两层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离的步骤。
本发明在又一个态样中是一种印刷配线板的制造方法，其包括：
在本发明的积层体的任一面或两面至少设置1次树脂层与电路这两层的步骤；及
在形成所述树脂层及电路这两层后，将所述载体或所述极薄铜层从构成所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。
[发明的效果]
根据本发明，可提供微细电路形成性良好的附载体铜箔。
附图说明
图1A～C是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的至镀敷电路、去除抗蚀剂为止的步骤的配线板剖面的示意图。
图2D～F是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的积层树脂及第2层附载体铜箔至激光开孔为止的步骤的配线板剖面的示意图。
图3G～I是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的形成填孔至剥离第1层载体为止的步骤的配线板剖面的示意图。
图4J～K是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的快速蚀刻至形成凸块、铜柱为止的步骤的配线板剖面的示意图。
图5是表示实施例的裙摆部的电路的剖面示意图。
具体实施方式
＜附载体铜箔＞
本发明的附载体铜箔依序具备载体、中间层、及极薄铜层。附载体铜箔自身的使用方法可使用公知的使用方法。例如可在将极薄铜层的表面贴合在纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃无纺布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等绝缘基板并进行热压接后将载体剥离，将粘接于绝缘基板的极薄铜层蚀刻成目标导体图案，而最终制造出印刷配线板。
另外，附载体铜箔也可在载体的一面依序具备中间层及极薄铜层，并在载体的与极薄铜层侧的面为相反侧的面设置下述粗化处理层。另外，附载体铜箔也可在载体的两面依序具备中间层及极薄铜层。
＜与附载体铜箔贴合而形成的树脂基板的表面性状＞
为了使微细电路形成性相对于以往进一步提高，重要的是研究缩短电路形成时的快速蚀刻的时间，为此，有效的是缩小“供形成电路的层的厚度范围”。该“供形成电路的层的厚度范围”表示基于载体及极薄铜层(块体)的起伏的块体的最大厚度范围，或在极薄铜层形成了粗化粒子的情况下表示将该块体的起伏与形成在极薄铜层的粗化瘤的足长相加后的最大厚度范围。在本发明中，如以下所述，通过将与附载体铜箔贴合而形成的树脂基板的特定的表面性状控制为特定范围，来控制附载体铜箔的表面性状，由此控制该供形成电路的层的厚度范围。
本发明在一个态样中是一种附载体铜箔，其在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv为0.181～2.922μm。通过这种构成，控制附载体铜箔的表面性状，由此能够缩小供形成所述电路的层的厚度范围，从而微细电路形成性变得良好。
此外，在本发明中，并非控制极薄铜层表面，而是控制反映出极薄铜层的表面性状的树脂基板的表面性状。如此一来，在将树脂基板与附载体铜箔贴合后将载体剥离并将极薄铜层去除后控制通过蚀刻将极薄铜层去除时的树脂基板表面(铜箔粒子的复制面)可基于极薄铜层的表面性状被何种程度地反映至树脂基板表面(尤其是在具有粗化粒子的情况下，粗化粒子(的足前端)被何种程度地埋没至树脂基板内)的观点加以控制，因此能够控制其深度越深快速蚀刻越耗费时间的部分(例如形成M-SAP电路时容易作为铜残渣而残留的部分)。因此，例如在M-SAP电路形成中，残留在树脂基板侧的铜残渣的好坏关系到品质良莠，因此如果模拟成为配线形成的最后关键的快速蚀刻步骤，则认为控制树脂基板侧优于直接控制铜箔面。
如果所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv小于0.181μm，则会产生粗糙度减小、树脂与铜箔的密接力降低而配线容易脱落的问题。另外，如果所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv超过2.922μm，则粗糙度增大而厚度范围增大，由此快速蚀刻所需的时间变长。这里，如果要保持电路的配线宽度，则在形成了粗化粒子的情况下，该粗化粒子的足部长的部分会作为残渣而残留，或者电路的裙摆部增大。另外，如果延长蚀刻时间直至铜残渣完全消失，则会产生配线宽度变细而无法获得所需的线/间距的配线，从而微细电路形成性变差的问题。所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv也可设为0.2μm以上、0.25μm以上、0.3μm以上、0.35μm以上，优选设为2.9μm以下、2.5μm以下、2.35μm以下、2μm以下、1.4μm以下、1μm以下、0.67μm以下、0.6μm以下。
本发明在另一个态样中是一种附载体铜箔，其在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的核心部的高差Sk为0.095～0.936μm。通过这种构成，控制附载体铜箔的表面性状，由此能够缩小供形成所述电路的层的厚度范围，从而微细电路形成性变得良好。如果所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的核心部的高差Sk小于0.095μm，则会产生粗糙度剖面线的核心部缩小、树脂与铜箔的密接力降低而配线容易脱落的问题。另外，如果所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的核心部的高差Sk超过0.936μm，则粗糙度剖面线的核心部增大而厚度范围增大，由此快速蚀刻所需的时间变长。这里，如果要保持电路的配线宽度，则在形成了粗化粒子的情况下，该粗化粒子的足部长的部分会作为残渣而残留，或者电路的裙摆增大。另外，如果延长蚀刻时间直至铜残渣完全消失，则会产生配线宽度变细而无法获得所需的线/间距的配线，从而微细电路形成性变差的问题。所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的核心部的高差Sk也可设为0.1μm以上、0.15μm以上、0.2μm以上、0.25μm以上，优选设为0.9μm以下、0.85μm以下、0.8μm以下、0.75μm以下、0.48μm以下、0.35μm以下、0.3μm以下。
本发明在又一个态样中是一种附载体铜箔，其在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的突出凹部深度Svk为0.051～0.478μm。通过这种构成，控制附载体铜箔的表面性状，由此可缩小供形成所述电路的层的厚度范围，从而微细电路形成性变得良好。如果所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的突出凹部深度Svk小于0.051μm，则会产生粗糙度减小、树脂与铜箔的密接力降低而配线容易脱落的问题。另外，如果所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的突出凹部深度Svk超过0.478μm，则粗糙度增大而厚度范围增大，由此快速蚀刻所需的时间变长。这里，如果要保持电路的配线宽度，则在形成了粗化粒子的情况下，该粗化粒子的足部长的部分会作为残渣而残留，或者电路的裙摆增大。另外，如果延长蚀刻时间直至铜残渣完全消失，则会产生配线宽度变细而无法获得所需的线/间距的配线，从而微细电路形成性变差的问题。所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的突出凹部深度Svk也可设为0.06μm以上、0.07μm以上、0.08μm以上、0.09μm以上，优选设为0.45μm以下、0.4μm以下、0.35μm以下、0.3μm以下、0.210μm以下、0.164μm以下、0.160μm以下。
本发明在又一个态样中是一种附载体铜箔，其在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。通过这种构成，控制附载体铜箔的表面性状，由此可缩小供形成所述电路的层的厚度范围，从而微细电路形成性变得良好。如果所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的凹部的空隙容积Vvv小于0.003μm3/μm2，则会产生粗糙度减小、树脂与铜箔的密接力降低而配线容易脱落的问题。另外，如果所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的凹部的空隙容积Vvv超过0.020μm3/μm2，则粗糙度增大而厚度范围增大，由此快速蚀刻所需的时间变长。这里，如果要保持电路的配线宽度，则在形成了粗化粒子的情况下，该粗化粒子的足部长的部分会作为残渣而残留，或者电路的裙摆增大。另外，如果延长蚀刻时间直至铜残渣完全消失，则会产生配线宽度变细而无法获得所需的线/间距的配线，从而微细电路形成性变差的问题。所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的凹部的空隙容积Vvv也可设为0.004μm3/μm2以上、0.005μm3/μm2以上、0.006μm3/μm2以上、0.007μm3/μm2以上，优选设为0.018μm3/μm2以下、0.017μm3/μm2以下、0.016μm3/μm2以下、0.015μm3/μm2以下、0.010μm3/μm2以下、0.009μm3/μm2以下、0.008μm3/μm2以下、0.007μm3/μm2以下。
本发明在又一个态样中是一种附载体铜箔，其在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk为3.549～10.777。通过这种构成，控制附载体铜箔的表面性状，由此可缩小供形成所述电路的层的厚度范围，从而微细电路形成性变得良好。如果所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk小于3.549，则会产生粗糙度减小、树脂与铜箔的密接力降低而配线容易脱落的问题。另外，如果所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk超过10.777，则局部产生表面的粗糙度(凸部或凹部)大的部位的频率会逐渐增大，成为在实用上成为问题的水平的产生频率，结果会导致微细电路形成性变得不良。所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk也可设为3.6以上、4以上、4.5以上、5以上，优选设为10.5以下、10以下、9.5以下、9以下、8.5以下、8.300以下、7.000以下。
＜载体＞
可用于本发明的载体典型来说为金属箔或树脂膜，例如是以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜、聚酰亚胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟树脂膜、聚酰胺膜、PET膜的形态而提供。
可用于本发明的载体典型来说是以压延铜箔或电解铜箔的形态而提供。一般来说，电解铜箔是使铜从硫酸铜电镀浴中电解析出至钛或不锈钢的滚筒上而制造，压延铜箔是反复进行利用压延辊所进行的塑性加工与热处理而制造。作为铜箔的材料，除精铜(JISH3100合金编号C1100)或无氧铜(JIS H3100合金编号C1020或JIS H3510合金编号C1011)等高纯度的铜以外，例如也可使用加入了Sn的铜、加入了Ag的铜、添加了Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加了Ni及Si等的卡逊系铜合金之类的铜合金。此外，在本说明书中，在单独使用术语“铜箔”时也包括铜合金箔。
可用于本发明的载体的厚度并无特别限制，只要适当调节为在发挥作为载体的作用的方面合适的厚度即可，例如可设为5μm以上。但是，如果过厚，则生产成本会增高，因此通常优选设为35μm以下。因此，载体的厚度典型来说为8～70μm，更典型来说为12～70μm，更典型来说为18～35μm。另外，就降低原料成本的观点来说，载体的厚度优选小。因此，载体的厚度典型来说为5μm以上且35μm以下，优选5μm以上且18μm以下，优选5μm以上且12μm以下，优选5μm以上且11μm以下，优选5μm以上且10μm以下。此外，在载体的厚度小的情况下，在载体的通箔时容易产生褶皱。为了防止产生褶皱，例如有效的是使附载体铜箔制造装置的搬送辊平滑或缩短搬送辊与下一个搬送辊的距离。此外，在将附载体铜箔用于作为印刷配线板的制造方法之一的嵌入方法(嵌入法(Enbedded Process))的情况下，载体的刚性必须高。因此，在用于嵌入方法的情况下，载体的厚度优选18μm以上且300μm以下，优选25μm以上且150μm以下，优选35μm以上且100μm以下，进而更优选35μm以上且70μm以下。
此外，也可在载体的与设置极薄铜层一侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层。可使用公知的方法设置该粗化处理层，也可通过下述粗化处理进行设置。在载体的与设置极薄铜层一侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层具有在将载体从具有该粗化处理层的表面侧积层于树脂基板等支撑体时，载体与树脂基板不易剥离的优点。
与本发明的上述附载体铜箔贴合而形成的树脂基板的表面性状可通过调整载体的极薄铜层侧表面形态来进行控制。
本发明的载体可通过以下制作方法A～K中的任一种方法制作。
·载体的制作方法A
准备平滑聚酰亚胺膜。作为该平滑聚酰亚胺膜，例如可使用宇部兴产制造的Upilex、DuPont/东丽杜邦制造的Kapton、钟渊(Kaneka)制造的Apical等。另外，作为平滑聚酰亚胺膜，优选使用BPDA系或BPDA-PPD系聚酰亚胺膜、PMDA系或PMDA-ODA系聚酰亚胺膜。这里，BPDA意指联苯四羧酸二酐，PPD意指对苯二胺，PMDA意指均苯四甲酸酐，ODA意指4、4'-二胺基二苯基醚。并且，为了进行表面污染物质的去除与表面的改质，而对平滑聚酰亚胺膜进行等离子体处理。通过预先取得等离子体处理条件与表面形状的关系，可在特定条件下进行等离子体处理，而获得具有所需表面形状的聚酰亚胺膜。
这里，将等离子体处理前的平滑聚酰亚胺膜的预定设置极薄铜层一侧的表面的十点平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)设为0.5～18nm，将等离子体处理后的十点平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)设为2.5～20nm。
例如，在等离子体处理的情况下，等离子体功率越高，表面粗糙度Rz越大。此外，等离子体处理是以如下方式进行。即，将聚酰亚胺膜设置在真空装置内并进行真空排气后，将氧气导入至腔室内，并将腔室压力调整为5～12Pa。其后，将等离子体处理的功率设为100～200W并进行20～40秒等离子体处理。
等离子体处理前后的表面粗糙度的测定可使用以下装置并在以下测定条件下进行。
装置：岛津制作所制造的扫描型探针显微镜SPM-9600
条件：动态模式
扫描范围：1μm×1μm
像素数：512×512
·载体的制作方法B
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：#3000、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中配置所述电解滚筒，并在滚筒的周围隔开特定的极间距离而配置电极。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并将其作为载体。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的滚筒面侧(与析出面侧为相反侧的面、光泽面侧)实施。
·载体的制作方法C
使用以下电解液制作电解铜箔。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的析出面侧(与滚筒侧为相反侧的面且具有光泽)实施。
＜电解液组成＞
铜：90～110g/L
硫酸：90～110g/L
氯：50～100ppm
整平剂1(双(3-磺基丙基)二硫醚)：10～30ppm
整平剂2(胺化合物)：10～30ppm
所述胺化合物可使用以下化学式的胺化合物。
此外，只要未特别写明，则本发明所使用的用于电解、表面处理或镀敷等的处理液的剩余部分为水。
[化1]
(所述化学式中，R1及R2选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一个群中)
＜制造条件＞
电流密度：70～100A/dm2
电解液温度：50～60℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
·载体的制作方法D
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：#1000、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中配置所述电解滚筒，并在滚筒的周围隔开特定的极间距离而配置电极。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并利用具有所述载体的制作方法C所记载的液体组成的镀敷液对光泽面侧进行镀敷。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
·载体的制作方法E
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：#1000、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中配置所述电解滚筒，并在滚筒的周围隔开特定的极间距离而配置电极。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并利用过氧化氢/硫酸系蚀刻液对光泽面侧进行表面处理，将所获得者作为载体。作为该表面处理，例如可进行基于以下条件的喷雾蚀刻处理。
(喷雾蚀刻处理条件)
·蚀刻形式：喷雾蚀刻
·喷雾喷嘴：实心锥型
·喷雾压力：0.10MPa
·蚀刻液温：30℃
·蚀刻液组成：
添加剂：将三菱气体化学制造的CPB-38(过氧化氢35.0w/w％(40w/v％)、硫酸3.0w/w％(3.5w/v％))稀释成1/4后，添加特定量的硫酸而以组成：过氧化氢10w/v％、硫酸2w/v％使用。
此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
·载体的制作方法F
制造向JIS-H3100所规定的无氧铜中添加了1200wtppm的Sn的组成的铜铸锭，并在800～900℃下进行热轧后，在300～700℃的连续退火线上反复进行1次退火与冷轧而获得厚度1～2mm的压延板。在600～800℃的连续退火线上对该压延板进行退火而使其再结晶，将压下率设为95～99.7％进行最终冷轧直至达到7～50μm的厚度为止而制作压延铜箔，并将其作为载体。
这里，将最终冷轧的最终工序与最终冷轧的最终工序的前一道工序双方的油膜当量均调整为23000。油膜当量是由下述式表示。
(油膜当量)＝{(压延油粘度、40℃的动态粘度：cSt)×(压延速度：m/min)}/{(材料的屈服应力：kg/mm2)×(辊卡入角：rad)}
·载体的制作方法G
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：#1500、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中配置所述电解滚筒，并在滚筒的周围隔开特定的极间距离而配置电极。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并将其作为载体。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
·载体的制作方法H
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：#1000、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中配置所述电解滚筒，并在滚筒的周围隔开特定的极间距离而配置电极。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并将其作为载体。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
·载体的制作方法I
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：F500、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中配置所述电解滚筒，并在滚筒的周围隔开特定的极间距离而配置电极。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并将其作为载体。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
·载体的制作方法J
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：F320、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中配置所述电解滚筒，并在滚筒的周围隔开特定的极间距离而配置电极。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并将其作为载体。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
·载体的制作方法K
使用以下电解液制作电解铜箔。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的无光泽面侧(析出面侧、与滚筒侧为相反侧的面)实施。
＜电解液组成＞
铜：70～130g/L
硫酸：70～130g/L
氯：30～100ppm
胶：0.05～3ppm
＜制造条件＞
电流密度：70～100A/dm2
电解液温度：50～60℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
＜中间层＞
在载体的单面或两面上设置中间层。也可在载体与中间层之间设置其他层。本发明所使用的中间层只要为在附载体铜箔积层于绝缘基板的步骤前不易使极薄铜层从载体剥离，另一方面，在积层于绝缘基板的步骤后能够使极薄铜层从载体剥离的构成，则无特别限定。例如，本发明的附载体铜箔的中间层可含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物所组成的群中的一种或两种以上。另外，中间层也可为多层。
另外，例如中间层可通过从载体侧形成含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种元素的单一金属层、或者含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构的元素群中的一种或两种以上的元素的合金层、或者有机物层，并在其上形成含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种或两种以上的元素的水合物或氧化物的层、或者含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种元素的单一金属层、或者含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种或两种以上的元素的合金层、或者有机物而构成。
在将中间层仅设置于单面的情况下，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。此外，在通过铬酸盐处理或铬酸锌处理或镀敷处理设置中间层的情况下，认为存在铬或锌等已附着的金属的一部分变成水合物或氧化物的情况。
另外，例如中间层能够在载体上依序积层镍、镍-磷合金或镍-钴合金与铬而构成。镍与铜的粘接力高于铬与铜的粘接力，因此在将极薄铜层剥离时，是在极薄铜层与铬的界面剥离。另外，对中间层的镍期待防止铜成分从载体向极薄铜层扩散的阻断效果。中间层中的镍的附着量优选100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且小于1000μg/dm2，中间层中的铬的附着量优选5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。在将中间层仅设置于单面的情况下，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。
另外，中间层所含有的有机物优选选自由含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸所组成的群中的一种以上的有机物。作为具体的含氮有机化合物，优选使用作为具有取代基的三唑化合物的1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-双(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。
含硫有机化合物优选使用巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噻唑钠、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。
作为羧酸，尤其优选使用单羧酸，其中优选使用油酸、亚麻油酸及次亚麻油酸等。
＜极薄铜层＞
在中间层之上设置极薄铜层。也可在中间层与极薄铜层之间设置其他层。极薄铜层可通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、氨基磺酸铜、氰化铜等的电解浴的电镀而形成，就在一般的电解铜箔中使用且能够在高电流密度下形成铜箔的方面来说，优选硫酸铜浴。另外，用来形成极薄铜层的电解浴优选使用具有增加极薄铜层表面的平滑性或增加光泽的效果的添加剂及/或光泽剂。作为具有增加该极薄铜层表面的平滑性或增加光泽的效果的添加剂及/或光泽剂，可使用公知者。极薄铜层的厚度并无特别限制，通常薄于载体，例如为12μm以下。典型来说为0.01～12μm，更典型来说为0.1～10μm，更典型来说为0.2～9μm，更典型来说为0.3～8μm，更典型来说为0.5～7μm，更典型来说为1～5μm，进而典型来说为1.5～5μm，进而典型来说为2～5μm。此外，也可在载体的两面设置极薄铜层。
可使用本发明的附载体铜箔而制作积层体(覆铜积层板等)。作为该积层体，例如可为按照“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸料”的顺序积层而成的构成，也可为按照“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸料」的顺序积层而成的构成，也可为按照“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸料/载体/中间层/极薄铜层”的顺序积层而成的构成，也可为按照“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸料/极薄铜层/中间层/载体”的顺序积层而成的构成。所述树脂或预浸料可为下述树脂层，也可包含下述树脂层所使用的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等。此外，附载体铜箔在俯视时可小于树脂或预浸料。
＜粗化处理及其他表面处理＞
例如为了使与绝缘基板的密接性良好等，可通过对极薄铜层的表面或载体的表面的其中一个表面或两个表面实施粗化处理来设置粗化处理层。粗化处理例如能够通过利用铜或铜合金形成粗化粒子而进行。粗化处理可为微细的处理。粗化处理层可为含有选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一种单质或含有任1种以上所述单质的合金的层等。另外，也可进行在利用铜或铜合金形成粗化粒子后，进而利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。其后，也可利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，也可进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。或者，也可不进行粗化处理，并利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。即，可在粗化处理层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层，也可在极薄铜层的表面或载体的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。此外，所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联处理层分别可由多层形成(例如2层以上、3层以上等)。
本发明的粗化处理可在以下a～g中的任一条件下进行。
·粗化条件a
液体组成
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH值：1～4
液温：50～60℃
电流密度Dk：30～40A/dm2
时间：0.2～1秒
将粗化处理层的重量厚度调整为0.05μm±0.02μm的范围。
此外，粗化处理的重量厚度是以如下方式算出。
粗化处理的重量厚度(μm)＝((粗化处理后的样本重量(g))－(粗化处理前的样本重量(g)))/(铜的密度8.94(g/cm3)×(样本的具有粗化处理的平面的面积)(cm2))×10000(μm/cm)
·粗化条件b
液体组成
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH值：1～4
液温：50～60℃
电流密度Dk：20～30A/dm2
时间：1～3秒
将粗化处理层的重量厚度调整为0.15μm±0.04μm的范围。
·粗化条件c
液体组成
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH值：1～4
液温：40～50℃
电流密度Dk：20～30A/dm2
时间：5～8秒
将粗化处理层的重量厚度调整为0.25μm±0.05μm的范围。
·粗化条件d
依序进行粗化处理1→粗化处理2。
(1)粗化处理1
液体组成：Cu：10～20g/L、H2SO4：50～100g/L
液温：25～50℃
电流密度：0.5～54A/dm2
库仑量：2～67As/dm2
(2)粗化处理2
液组成：Cu：10～20g/L、Ni：5～15g/L、Co：5～15g/L
pH值：2～3
液温：30～50℃
电流密度：20～46A/dm2
库仑量：31～45As/dm2
将粗化处理1、粗化处理2的合计粗化处理层的重量厚度调整为0.35μm±0.05μm的范围。
·粗化条件e
依序进行粗化处理1→粗化处理2。
(1)粗化处理1
(液体组成1)
Cu：15～35g/L
H2SO4：10～150g/L
W：10～50mg/L
十二烷基硫酸钠：10～50mg/L
As：50～200mg/L
(电镀条件1)
温度：30～70℃
电流密度：30～115A/dm2
粗化库仑量：20～450As/dm2
镀敷时间：0.5～15秒
(2)粗化处理2
(液体组成2)
Cu：20～80g/L
H2SO4：50～200g/L
(电镀条件2)
温度：30～70℃
电流密度：3～48A/dm2
粗化库仑量：20～250As/dm2
镀敷时间：1～50秒
将粗化处理1、粗化处理2的合计粗化处理层的重量厚度调整为0.40μm±0.05μm的范围。
·粗化条件f
依序进行粗化处理1→粗化处理2。
(1)粗化处理1
(液体组成1)
Cu：15～35g/L
H2SO4：10～150g/L
W：1～50mg/L
十二烷基硫酸钠：1～50mg/L
As：1～200mg/L
(电镀条件1)
温度：30～70℃
电流密度：20～105A/dm2
粗化库仑量：50～500As/dm2
镀敷时间：0.5～20秒
(2)粗化处理2
(液体组成2)
Cu：20～80g/L
H2SO4：50～200g/L
(电镀条件2)
温度：30～70℃
电流密度：3～48A/dm2
粗化库仑量：50～300As/dm2
镀敷时间：1～60秒
将粗化处理1、粗化处理2的合计粗化处理层的重量厚度调整为0.50μm±0.05μm的范围。
·粗化条件g
依序进行粗化处理1→粗化处理2。
(1)粗化处理1
(液体组成1)
Cu：10～40g/L
H2SO4：10～150g/L
(电镀条件1)
温度：30～70℃
电流密度：24～112A/dm2
粗化库仑量：70～600As/dm2
镀敷时间：5～30秒
(2)粗化处理2
(液体组成2)
Cu：30～90g/L
H2SO4：50～200g/L
(电镀条件2)
温度：30～70℃
电流密度：4～49A/dm2
粗化库仑量：70～400As/dm2
镀敷时间：5～65秒
将粗化处理1、粗化处理2的合计粗化处理层的重量厚度调整为0.60μm±0.05μm的范围。
作为耐热层、防锈层，可使用公知的耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上的元素的层，也可为含有所述元素的金属层或合金层。另外，耐热层及/或防锈层也可含有包括所述元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外，耐热层及/或防锈层也可为含有镍-锌合金的层。另外，耐热层及/或防锈层也可为镍-锌合金层。所述镍-锌合金层除不可避免的杂质以外，也可含有镍50wt％～99wt％、锌50wt％～1wt％。所述镍-锌合金层的锌及镍的合计附着量可为5～1000mg/m2，优选10～500mg/m2，优选20～100mg/m2。另外，含有所述镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量与锌的附着量的比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选1.5～10。另外，含有所述镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量优选0.5mg/m2～500mg/m2，更优选1mg/m2～50mg/m2。在耐热层及/或防锈层为含有镍-锌合金的层的情况下，铜箔与树脂基板的密接性提高。
例如耐热层及/或防锈层可为将附着量为1mg/m2～100mg/m2、优选5mg/m2～50mg/m2的镍或镍合金层与附着量为1mg/m2～80mg/m2、优选5mg/m2～40mg/m2的锡层依序积层而成的层，所述镍合金层可由镍-钼、镍-锌、镍-钼-钴、镍-锡合金的其中任一种构成。另外，所述耐热层及/或防锈层优选[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优选0.33～3。如果使用该耐热层及/或防锈层，则将附载体铜箔加工至印刷配线板之后的电路的剥离强度、该剥离强度的耐化学品性劣化率等变得良好。
所谓铬酸盐处理层，是指通过利用铬酸酐、铬酸、二铬酸、含有铬酸盐或二铬酸盐的液体进行处理而形成的层。铬酸盐处理层也可含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可列举利用铬酸酐或二铬酸钾水溶液进行处理后的铬酸盐处理层或利用铬酸酐或含有二铬酸钾及锌的处理液进行处理后的铬酸盐处理层等。
所述硅烷偶联处理层可使用公知的硅烷偶联剂而形成，也可使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷、乙烯基系硅烷、咪唑系硅烷、三嗪系硅烷等硅烷偶联剂等而形成。此外，这种硅烷偶联剂也可将2种以上混合使用。其中，优选使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂所形成者。
硅烷偶联处理层理想的是在以硅原子换算计为0.05mg/m2～200mg/m2、优选0.15mg/m2～20mg/m2、优选0.3mg/m2～2.0mg/m2的范围内设置。在所述范围的情况下，能够进一步提高基材与表面处理铜箔的密接性。
另外，可对极薄铜层、粗化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶联处理层或铬酸盐处理层的表面进行国际公开编号WO2008/053878、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、日本特开2013-19056号所记载的表面处理。
另外，具备载体、积层于载体上的中间层、及积层于中间层之上的极薄铜层的附载体铜箔可在所述极薄铜层上具备粗化处理层，且可在所述粗化处理层上具备选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的一层以上的层。
另外，可在所述极薄铜层上具备粗化处理层，且可在所述粗化处理层上具备耐热层、防锈层，且可在所述耐热层、防锈层上具备铬酸盐处理层，且可在所述铬酸盐处理层上具备硅烷偶联处理层。
另外，所述附载体铜箔可在所述极薄铜层上、或者所述粗化处理层上、或者所述耐热层、防锈层、或者铬酸盐处理层、或者硅烷偶联处理层之上具备树脂层。所述树脂层可为绝缘树脂层。
所述树脂层可为粘接剂，也可为粘接用的半硬化状态(B阶段)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)，包括即便手指触碰到其表面也无胶粘感，可将该绝缘树脂层重叠后加以保管，此外如果受到加热处理，则会产生硬化反应的状态。
另外，所述树脂层可含有热硬化性树脂，也可为热塑性树脂。另外，所述树脂层也可含有热塑性树脂。其种类并无特别限定，例如作为适宜者，可列举含有选自环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚乙烯醇缩乙醛树脂、氨基甲酸酯树脂、聚醚砜、聚醚砜树脂、芳香族聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改性环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改性丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、多元羧酸的酸酐、具有能够进行交联的官能基的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2-双(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改性聚酰胺酰亚胺树脂、氰基酯树脂、膦腈系树脂、橡胶改性聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯醇缩丁醛、苯氧基、高分子环氧化合物、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚合聚酰亚胺树脂及氰基酯树脂的群中的一种以上等的树脂。
另外，所述环氧树脂只要分子内具有2个以上的环氧基并且可用于电气、电子材料用途，则可无特别问题地使用。另外，所述环氧树脂优选使用分子内具有2个以上缩水甘油基的化合物进行环氧化而成的环氧树脂。另外，所述环氧树脂可将选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(brominated)环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改性双酚A型环氧树脂、缩水甘油基胺型环氧树脂、异氰尿酸三缩水甘油酯、N,N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油基胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含磷的环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂的群中的1种或2种以上混合而使用，或可使用所述环氧树脂的氢化物或卤化物。
可使用公知的含磷的环氧树脂作为所述含磷的环氧树脂。另外，所述含磷的环氧树脂例如优选作为来自分子内具备2个以上的环氧基的9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物而获得的环氧树脂。
所述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质(也可使用含有无机化合物及/或有机化合物的介电质、含有金属氧化物的介电质等任何介电质)、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料、所述树脂、所述化合物等。另外，所述树脂层也可使用例如国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013-19056号所记载之物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成。
(树脂层包含介电质(介电质填料)的情况)
所述树脂层也可含有介电质(介电质填料)。
在所述任一树脂层或树脂组成物含有介电质(介电质填料)的情况下，可用于形成电容器层的用途，且可增大电容器电路的电容。该介电质(介电质填料)使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3·PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等具有钙钛矿构造的复合氧化物的介电质粉末。
将所述树脂层所含有的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶剂中制成树脂液，并利用例如辊式涂布法将其涂布于所述极薄铜层上、或者所述耐热层、防锈层、或者所述铬酸盐皮膜层、或者所述硅烷偶联剂层之上，接着根据需要进行加热干燥将溶剂去除而制成B阶段状态。干燥使用例如热风干燥炉即可，干燥温度为100～250℃、优选130～200℃即可。
具备所述树脂层的附载体铜箔(附树脂的附载体铜箔)是以如下形态而使用，即，在将该树脂层重叠于基材后对整体进行热压接而使该树脂层热硬化，接着将载体剥离而使极薄铜层露出(露出的理应是该极薄铜层的中间层侧的表面)，并于其上形成特定的配线图案的形态。
如果使用该附树脂的附载体铜箔，则能够减少制造多层印刷配线基板时的预浸料材料的使用片数。并且，能够将树脂层的厚度设为能够确保层间绝缘那样的厚度，或者即便完全不使用预浸料材料也可制造出覆铜积层板。另外，此时，也可将绝缘树脂底漆涂布于基材的表面，而进一步改善表面的平滑性。
此外，在不使用预浸料材料的情况下，节约了预浸料材料的材料成本，且积层步骤也变得简单，因此在经济上有利，并且具有如下优点，即，仅制造出预浸料材料的厚度量的多层印刷配线基板的厚度变薄，从而能够制造出1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。
该树脂层的厚度优选0.1～80μm。如果树脂层的厚度薄于0.1μm，则存在粘接力降低，在不经由预浸料材料而将该附树脂的附载体铜箔积层于具备内层材料的基材时，难以确保与内层材料的电路之间的层间绝缘的情况。
另一方面，如果树脂层的厚度厚于80μm，则难以通过1次涂布步骤而形成目标厚度的树脂层，从而会耗费多余的材料费与工时，因此在经济上不利。此外，所形成的树脂层因其可挠性差，所以存在操作时容易产生龟裂等，且与内层材料进行热压接时会产生多余的树脂流动而难以实现顺利的积层的情况。
此外，作为该附树脂的附载体铜箔的另一产品形态，也可在利用树脂层被覆所述极薄铜层上、或者所述耐热层、防锈层、或者所述铬酸盐处理层、或者所述硅烷偶联处理层之上并制成半硬化状态后，接着将载体剥离而以不存在载体的附树脂的铜箔的形态制造。
此外，通过将电子零件类搭载于印刷配线板，而完成印刷电路板。在本发明中，“印刷配线板”也包含以所述方式搭载了电子零件类的印刷配线板及印刷电路板及印刷基板。
另外，既可使用该印刷配线板制作电子机器，也可使用搭载了该电子零件类的印刷电路板制作电子机器，也可使用搭载了该电子零件类的印刷基板制作电子机器。以下，表示几个使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的例子。
在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；以及经过在将所述附载体铜箔与绝缘基板以极薄铜层侧与绝缘基板对向的方式进行积层后将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤，而形成覆铜积层板，其后通过半加成法、改良半加成法、部分加成法及减成法中的任一种方法形成电路的步骤。绝缘基板也可制成具有内层电路的绝缘基板。
在本发明中，所谓半加成法，是指在绝缘基板或铜箔薄片层上进行薄的无电解镀敷而形成图案，然后使用电镀及蚀刻而形成导体图案的方法。
因此，在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将使所述载体剥离后露出的极薄铜层全部去除的步骤；
在通过利用蚀刻将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在包含所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀层的步骤；
在所述无电解镀层之上设置抗镀覆层的步骤；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后将供形成电路的区域的抗镀覆层去除的步骤；
在所述抗镀覆层被去除后的供形成所述电路的区域设置电镀层的步骤；
将所述抗镀覆层去除的步骤；以及
通过快速蚀刻将位于供形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀层去除的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层与所述绝缘树脂基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将使所述载体剥离后露出的极薄铜层全部去除的步骤；
在包含通过利用蚀刻等将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀层的步骤；
在所述无电解镀层之上设置抗镀覆层的步骤；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后将供形成电路的区域的抗镀覆层去除的步骤；
在所述抗镀覆层被去除后的供形成所述电路的区域设置电镀层的步骤；
将所述抗镀覆层去除的步骤；以及
通过快速蚀刻等将位于供形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀层去除的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层与所述绝缘树脂基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；
利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将使所述载体剥离后露出的极薄铜层全部去除的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在包含通过利用蚀刻等将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀层的步骤；
在所述无电解镀层之上设置抗镀覆层的步骤；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后将供形成电路的区域的抗镀覆层去除的步骤；
在所述抗镀覆层被去除后的供形成所述电路的区域设置电镀层的步骤；
将所述抗镀覆层去除的步骤；以及
通过快速蚀刻等将位于供形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀层去除的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将使所述载体剥离后露出的极薄铜层全部去除的步骤；
在通过利用蚀刻将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂的表面设置无电解镀层的步骤；
在所述无电解镀层之上设置抗镀覆层的步骤；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后将供形成电路的区域的抗镀覆层去除的步骤；
在所述抗镀覆层被去除后的供形成所述电路的区域设置电镀层的步骤；
将所述抗镀覆层去除的步骤；以及
通过快速蚀刻等将位于供形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀层及极薄铜层去除的步骤。
在本发明中，所谓改良半加成法，是指将金属箔积层于绝缘层上，利用抗镀覆层保护非电路形成部，并通过电解镀敷对电路形成部赋予铜厚，然后将抗蚀剂去除，并通过(快速)蚀刻将所述电路形成部以外的金属箔去除，由此在绝缘层上形成电路的方法。
因此，在使用改良半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀层的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层表面设置抗镀覆层的步骤；
在设置所述抗镀覆层后，通过电解镀敷而形成电路的步骤；
将所述抗镀覆层去除的步骤；以及
通过快速蚀刻将通过将所述抗镀覆层去除而露出的极薄铜层去除的步骤。
在使用改良半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层之上设置抗镀覆层的步骤；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后将供形成电路的区域的抗镀覆层去除的步骤；
在所述抗镀覆层被去除后的供形成所述电路的区域设置电镀层的步骤；
将所述抗镀覆层去除的步骤；以及
通过快速蚀刻等将位于供形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀层及极薄铜层去除的步骤。
在本发明中，所谓部分加成法，是指将催化剂核赋予至设置导体层而成的基板、根据需要设置通孔或导通孔用的孔而成的基板上并进行蚀刻，而形成导体电路，根据需要在设置阻焊剂或抗镀覆层后，在所述导体电路上通过对通孔或导通孔等进行无电解镀敷处理而赋予厚度，由此制造印刷配线板的方法。
因此，在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层表面设置蚀刻阻剂的步骤；
对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述催化剂核去除而形成电路的步骤；
将所述蚀刻阻剂去除的步骤；
在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述催化剂核去除后露出的所述绝缘基板表面设置阻焊剂或抗镀覆层的步骤；以及
在未设置所述阻焊剂或抗镀覆层的区域设置无电解镀层的步骤。
在本发明中，所谓减成法，是指通过蚀刻等将覆铜积层板上的铜箔的无用部分选择性地去除而形成导体图案的方法。
因此，在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀层的步骤；
在所述无电解镀层的表面设置电镀层的步骤；
在所述电镀层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；
对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述无电解镀层及所述电镀层去除而形成电路的步骤；以及
将所述蚀刻阻剂去除的步骤。
在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀层的步骤；
在所述无电解镀层的表面形成掩模的步骤；
在未形成掩模的所述无电解镀层的表面设置电镀层的步骤；
在所述电镀层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；
对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述无电解镀层去除而形成电路的步骤；以及
将所述蚀刻阻剂去除的步骤。
也可以不进行设置通孔或/及盲孔的步骤、及其后的除胶渣步骤。
这里，使用附图对使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例详细地进行说明。此外，这里以具有形成了粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔为例进行了说明，但并不限定于此，即便使用具有未形成粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔，同样地也可进行下述印刷配线板的制造方法。
首先，如图1-A所示，准备具有表面形成了粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第1层)。
其次，如图1-B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂并进行曝光、显影，而将抗蚀剂蚀刻成特定的形状。
其次，如图1-C所示，在形成电路用的镀层后，将抗蚀剂去除，由此形成特定形状的电路镀层。
其次，如图2-D所示，以覆盖电路镀层的方式(以埋没电路镀层的方式)在极薄铜层上设置嵌入树脂而积层树脂层，接着将另一附载体铜箔(第2层)从极薄铜层侧进行粘接。
其次，如图2-E所示，从第2层附载体铜箔将载体剥离。
其次，如图2-F所示，在树脂层的特定位置进行激光开孔，使电路镀层露出而形成盲孔。
其次，如图3-G所示，将铜埋入至盲孔中而形成填孔。
其次，如图3-H所示，像所述图1-B及图1-C那样在填孔上形成电路镀层。
其次，如图3-I所示，从第1层附载体铜箔将载体剥离。
其次，如图4-J所示，通过快速蚀刻将两个表面的极薄铜层去除，而使树脂层内的电路镀层的表面露出。
其次，如图4-K所示，在树脂层内的电路镀层上形成凸块，并在该凸块上形成铜柱。如上所述制作使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板。
此外，在所述印刷配线板的制造方法中，也可将“极薄铜层”换称为载体，将“载体”换称为极薄铜层，在附载体铜箔的载体侧的表面形成电路，利用树脂填埋电路而制造印刷配线板。
所述另一附载体铜箔(第2层)既可使用本发明的附载体铜箔，也可使用以往的附载体铜箔，进而也可使用通常的铜箔。另外，可在图3-H所示的第2层电路上进而形成1层或者多层电路，可通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法而形成这些电路。
根据所述的印刷配线板的制造方法，因成为电路镀层嵌入至树脂层的构成，所以例如在像图4-J所示那样通过快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀层被树脂层保护，其形状被保持，由此容易形成微细电路。另外，因电路镀层被树脂层保护，所以耐迁移性提高，从而良好地抑制电路的配线的导通。因此，容易形成微细电路。另外，在像图4-J及图4-K所示那样通过快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀层的露出面成为从树脂层凹陷的形状，因此容易分别在该电路镀层上形成凸块并进而在其上形成铜柱，从而制造效率提高。
此外，嵌入树脂(resin)可使用公知的树脂、预浸料。例如可使用BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂或作为含浸了BT树脂的玻璃布的预浸料、味之素精密技术(Ajinomoto Fine-Techno)股份有限公司制造之ABF膜或ABF。另外，所述嵌入树脂(resin)可使用本说明书所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸料及/或膜。
另外，所述第一层所使用的附载体铜箔也可在该附载体铜箔的表面具有基板或树脂层。通过具有该基板或树脂层，第一层所使用的附载体铜箔被支撑而不易产生褶皱，因此具有生产性提高的优点。此外，所述基板或树脂层只要为发挥出支撑所述第一层所使用的附载体铜箔的效果者，则可使用任何的基板或树脂层。例如可使用本案说明书所记载的载体、预浸料、树脂层或公知的载体、预浸料、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔、树脂基板作为所述基板或树脂层。
另外，本发明的印刷配线板的制造方法也可为包括如下步骤的印刷配线板的制造方法(无芯方法)：将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；在与和所述树脂基板积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面至少设置1次树脂层与电路这两层的步骤；及在形成所述树脂层及电路这两层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离的步骤。此外，树脂层及电路这两层可按照树脂层、电路的顺序设置，也可按照电路、树脂层的顺序设置。关于该无芯方法，作为具体的例，首先，将本发明的附载体铜箔的极薄铜层侧表面或载体侧表面与树脂基板积层而制造积层体(也称为覆铜积层板、覆铜积层体)。其后，在与和树脂基板积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面形成树脂层。也可以进而将另一附载体铜箔从载体侧或极薄铜层侧积层于形成在载体侧表面或极薄铜层侧表面的树脂层。在此情况下，可将具有以树脂基板为中心而在该树脂基板的两个表面侧按照载体/中间层/极薄铜层的顺序或者极薄铜层/中间层/载体的顺序将附载体铜箔积层而成的构成的积层体或者具有按照“载体/中间层/极薄铜层/树脂基板/极薄铜层/中间层/载体”的顺序积层而成的构成的积层体或者具有按照“载体/中间层/极薄铜层/树脂基板/载体/中间层/极薄铜层”的顺序积层而成的构成的积层体或者按照“极薄铜层/中间层/载体/树脂基板/载体/中间层/极薄铜层”的顺序积层而成的构成的积层体用于所述印刷配线板的制造方法(无芯方法)。也可在两端的极薄铜层或者载体所露出的表面设置另一树脂层，进而设置铜层或金属层，然后对该铜层或金属层进行加工，由此形成电路。此外，也可以填埋该电路的方式将另一树脂层设置于该电路上。另外，可将这种电路及树脂层的形成进行1次以上(增层方法)。并且，关于通过所述方式形成的积层体(以下，也称为积层体B)，也可使各个附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离，而制作无芯基板。此外，所述无芯基板的制作也可使用2个附载体铜箔而制作下述具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体或具有载体/中间层/极薄铜层/极薄铜层/中间层/载体的构成的积层体或具有载体/中间层/极薄铜层/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体，并将该积层体用于中心。可在这些积层体(以下，也称为积层体A)的两侧的极薄铜层或载体的表面将树脂层及电路这两层设置1次以上，并在将树脂层及电路这两层设置1次以上之后，使各个附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离，而制作无芯基板。所述积层体也可在极薄铜层的表面、载体的表面、载体与载体之间、极薄铜层与极薄铜层之间、极薄铜层与载体之间具有其他层。其他层也可为树脂层或树脂基板。此外，在本说明书中，关于“极薄铜层的表面”、“极薄铜层侧表面”、“极薄铜层表面”、“载体的表面”、“载体侧表面”、“载体表面”、“积层体的表面”、“积层体表面”，在极薄铜层、载体、积层体在极薄铜层表面、载体表面、积层体表面具有其他层的情况下，设为包括该其他层的表面(最表面)在内的概念。另外，积层体优选具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成。其原因在于，在使用该积层体而制作无芯基板时，由于在无芯基板侧配置了极薄铜层，所以容易使用改良半加成法在无芯基板上形成电路。另外，原因在于由于极薄铜层的厚度薄，所以容易去除该极薄铜层，且在去除极薄铜层后容易使用半加成法在无芯基板上形成电路。
此外，在本说明书中，并未特别记载为“积层体A”或“积层体B”的“积层体”表示至少包含积层体A及积层体B的积层体。
此外，在所述无芯基板的制造方法中，通过利用树脂覆盖附载体铜箔或积层体(积层体A)的端面的一部分或全部，当利用增层方法制造印刷配线板时，可防止药液渗入到构成中间层或积层体的一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔之间，从而可防止因药液渗入引起的极薄铜层与载体的分离或附载体铜箔的腐蚀，从而可提高良率。作为这里使用的“覆盖附载体铜箔的端面的一部分或全部的树脂”或“覆盖积层体的端面的一部分或全部的树脂”，可使用可用于树脂层的树脂。另外，在所述无芯基板的制造方法中，附载体铜箔或积层体可为俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周的至少一部分由树脂或预浸料所覆盖。另外，利用所述无芯基板的制造方法所形成的积层体(积层体A)可使一对附载体铜箔以相互分离的方式进行接触而构成。另外，该附载体铜箔也可为俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周整体由树脂或预浸料覆盖而成的附载体铜箔。另外，优选俯视时树脂或预浸料大于附载体铜箔或积层体或积层体的积层部分，且优选制成具有将该树脂或预浸料积层于附载体铜箔或积层体的两面而利用树脂或预浸料将附载体铜箔或积层体封边(包裹)的构成的积层体。通过采用这种构成，当俯视观察附载体铜箔或积层体时，附载体铜箔或积层体的积层部分被树脂或预浸料所覆盖，可防止其他部件从该部分的侧方向、即相对于积层方向为横向的方向进行撞击，结果可减少操作中载体与极薄铜层或附载体铜箔彼此的剥离。另外，通过以不露出附载体铜箔或积层体的积层部分的外周的方式以树脂或预浸料进行覆盖，可防止如上文所述的药液处理步骤中的药液向该积层部分的界面的渗入，从而可防止附载体铜箔的腐蚀或侵蚀。此外，当从积层体的一对附载体铜箔分离其中一个附载体铜箔时，或将附载体铜箔的载体与铜箔(极薄铜层)分离时，在由树脂或预浸料覆盖的附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)通过树脂或预浸料等而牢固地密接的情况下，有时需要通过切割等而去除该积层部分等。
也可以将本发明的附载体铜箔从载体侧或极薄铜层侧积层于另一本发明的附载体铜箔的载体侧或极薄铜层侧而构成积层体。另外，也可为根据需要经由粘接剂，将所述一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与所述另一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面直接积层而获得的积层体。另外，可将所述一个附载体铜箔的载体或极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的载体或极薄铜层接合。这里，该“接合”在载体或极薄铜层具有表面处理层的情况下，也包括经由该表面处理层而相互接合的实施方式。另外，该积层体的端面的一部分或全部也可被树脂所覆盖。
载体彼此、极薄铜层彼此、载体与极薄铜层、附载体铜箔彼此的积层除了单纯地重叠以外，也可通过例如以下方法进行。
(a)冶金接合方法：熔接(电弧焊接、TIG(钨-惰性气体)焊接、MIG(金属-惰性气体)焊接、电阻焊接、缝焊接、点焊接)、压接(超声波焊接、摩擦搅拌焊接)、钎焊；
(b)机械接合方法：敛缝、利用铆钉的接合(利用自冲铆钉(Self-Piercing Rivet)的接合、利用铆钉的接合)、缝合；
(c)物理接合方法：粘接剂、(双面)胶带
通过使用所述接合方法将一个载体的一部分或者全部与另一个载体的一部分或者全部或者极薄铜层的一部分或者全部接合，可将一个载体与另一个载体或极薄铜层积层，而制造使载体彼此或载体与极薄铜层以可分离的方式接触而构成的积层体。在将一个载体与另一个载体或极薄铜层较弱地接合而将一个载体与另一个载体或极薄铜层进行积层的情况下，即便不去除一个载体与另一个载体或极薄铜层的接合部，一个载体与另一个载体或极薄铜层也可分离。另外，在将一个载体与另一个载体或极薄铜层较强地接合的情况下，通过利用切割或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等去除将一个载体与另一个载体经接合的部位，可将一个载体与另一个载体或极薄铜层分离。
另外，通过实施如下步骤，可制作印刷配线板：在以所述方式构成的积层体上至少设置1次树脂层与电路这两层的步骤、及在至少形成1次所述树脂层及电路这两层后将所述极薄铜层或载体从所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。此外，也可在该积层体的一个表面或两个表面设置树脂层与电路这两层。
所述积层体所使用的树脂基板、树脂层、树脂、预浸料既可为本说明书所记载的树脂层，也可包含本说明书所记载的树脂层所使用的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等。此外，附载体铜箔在俯视时也可小于树脂或预浸料。
[实施例]
以下，通过本发明的实施例对本发明更详细地进行说明，但本发明并不受这些实施例的任何限定。
(1)载体的制作
首先，通过如下方式制作载体。
·载体的制作方法A(实施例1～3、比较例1、5)
使用厚度25μm的宇部兴产制造的Upilex SGA(BPDA-PPD系聚酰亚胺膜)作为平滑聚酰亚胺膜，并将其作为载体。然后，通过如下方式对预定设置平滑聚酰亚胺膜的极薄铜层一侧的表面进行等离子体处理。将平滑聚酰亚胺膜设置在真空装置内并进行真空排气后，将氧气导入至腔室内，并将腔室压力调整为5～12Pa。其后，将等离子体处理的功率设为100～200W并进行20～40秒等离子体处理。
此外，等离子体处理前的平滑聚酰亚胺膜的预定设置极薄铜层一侧的表面的十点平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)为0.5～18nm，等离子体处理后的十点平均粗糙度Rz(JISB0601 1994)为2.5～20nm。
所述等离子体处理前后的平滑聚酰亚胺膜的预定设置极薄铜层一侧的表面的十点平均粗糙度Rz的测定是使用以下装置并在以下测定条件下进行。
装置：岛津制作所制造的扫描型探针显微镜SPM-9600
条件：动态模式
扫描范围：1μm×1μm
像素数：512×512
·载体的制作方法B(实施例4、实施例11)
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：#3000、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中配置所述电解滚筒，并在滚筒的周围隔开特定的极间距离而配置电极。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并将其作为载体。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
·载体的制作方法C(实施例5～7)
使用以下电解液制作厚度18μm的电解铜箔。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
＜电解液组成＞
铜：90～110g/L
硫酸：90～110g/L
氯：50～100ppm
整平剂1(双(3-磺基丙基)二硫醚)：10～30ppm
整平剂2(胺化合物)：10～30ppm
所述胺化合物使用以下化学式的胺化合物。
[化2]
(所述化学式中，R1及R2选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一个群中)
＜制造条件＞
电流密度：70～100A/dm2
电解液温度：50～60℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
·载体的制作方法D(实施例8)
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：#1000、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并利用具有所述载体的制作方法C所记载的液体组成的镀敷液对光泽面侧进行3μm镀敷。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
·载体的制作方法E(实施例9)
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：#1000、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并利用过氧化氢/硫酸系蚀刻液对光泽面侧进行表面处理，将所获得者作为载体。作为该表面处理，进行基于以下条件的喷雾蚀刻处理。
(喷雾蚀刻处理条件)
·蚀刻形式：喷雾蚀刻
·喷雾喷嘴：实心锥型
·喷雾压力：0.10MPa
·蚀刻液温：30℃
·蚀刻液组成：
添加剂：将三菱气体化学制造的CPB-38(过氧化氢35.0w/w％(40w/v％)、硫酸3.0w/w％(3.5w/v％))稀释成1/4后，添加特定量的硫酸，而以组成：过氧化氢10w/v％、硫酸2w/v％使用。
此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
·载体的制作方法F(实施例10)
制造向JIS-H3100所规定的无氧铜中添加了1200wtppm的Sn的组成的铜铸锭，并在800～900℃下进行热轧后，在300～700℃的连续退火线上反复进行1次退火与冷轧而获得厚度1～2mm的压延板。将该压延板在600～800℃的连续退火线上进行退火而使其再结晶，并将压下率设为95～99.7％进行最终冷轧直至达到7～50μm的厚度而制作压延铜箔，并将其作为载体。
这里，将最终冷轧的最终工序与最终冷轧的最终工序的前一道工序双方的油膜当量均调整为23000。油膜当量是由下述式所表示。
(油膜当量)＝{(压延油粘度、40℃的动态粘度：cSt)×(压延速度；m/min)}/{(材料的屈服应力：kg/mm2)×(辊卡入角：rad)}
·载体的制作方法G(实施例12)
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：#1500、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中配置所述电解滚筒，并在滚筒的周围隔开特定的极间距离而配置电极。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并将其作为载体。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
·载体的制作方法H(实施例13～24)
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：#1000、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中配置所述电解滚筒，并在滚筒的周围隔开特定的极间距离而配置电极。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并将其作为载体。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
·载体的制作方法I(比较例2)
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：F500、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中配置所述电解滚筒，并在滚筒的周围隔开特定的极间距离而配置电极。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并将其作为载体。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
·载体的制作方法J(比较例3)
准备钛制的旋转滚筒(电解滚筒)，在作为电解滚筒表面控制条件的研削磨石研磨材粒度：F320、磨石旋转速度：500rpm下对该电解滚筒的表面进行研削。其次，在电解槽中配置所述电解滚筒，并在滚筒的周围隔开特定的极间距离而配置电极。其次，在电解槽中以下述条件进行电解，一边使电解滚筒旋转，一边使铜在该电解滚筒的表面析出。
＜电解液组成＞
铜：80～110g/L
硫酸：70～110g/L
氯：10～100质量ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～200A/dm2
电解液温度：40～70℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
其次，将在旋转的电解滚筒的表面析出的铜剥离，并将其作为载体。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的光泽面侧实施。
·载体的制作方法K(比较例4)
使用以下电解液制作电解铜箔。此外，在电解铜箔形成中间层是在电解铜箔的无光泽面侧(析出面侧、与滚筒侧为相反侧的面)实施。
＜电解液组成＞
铜：70～130g/L
硫酸：70～130g/L
氯：30～100ppm
胶：0.05～3ppm
＜制造条件＞
电流密度：70～100A/dm2
电解液温度：50～60℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
(2)中间层的形成
接着，关于实施例1～3、比较例1与5，在形成厚度50nm的镍溅镀膜后，在辊对辊型的连续镀敷线上进行电镀，由此，通过在以下条件下进行电解铬酸盐处理而使11μg/dm2的附着量的Cr层附着于镍溅镀膜之上。
·电解铬酸盐处理
液体组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L
pH值：3～4
液温：50～60℃
电流密度：0.1～2.6A/dm2
库仑量：0.5～30As/dm2
关于实施例4，在形成厚度3μm的超光泽镍镀敷(奥野制药股份有限公司制造，添加剂：super neolight)后，在辊对辊型的连续镀敷线上进行电镀，由此，通过在以下条件下进行电解铬酸盐处理而使11μg/dm2的附着量的Cr层附着于镍溅镀膜之上。
·电解铬酸盐处理
液体组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L
pH值：3～4
液温：50～60℃
电流密度：0.1～2.6A/dm2
库仑量：0.5～30As/dm2
关于实施例5～14、17～24、比较例2～4，在以下条件下形成中间层。
通过在以下条件下在辊对辊型的连续镀敷线上进行电镀而形成4000μg/dm2的附着量的Ni层。
·Ni层
硫酸镍：250～300g/L
氯化镍：35～45g/L
乙酸镍：10～20g/L
柠檬酸三钠：15～30g/L
光泽剂：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸钠：30～100ppm
pH值：4～6
浴温：50～70℃
电流密度：3～15A/dm2
在水洗及酸洗后，接着在辊对辊型的连续镀敷线上在以下条件下进行电解铬酸盐处理，由此使11μg/dm2的附着量的Cr层附着于Ni层之上。
·电解铬酸盐处理
液体组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L
pH值：3～4
液温：50～60℃
电流密度：0.1～2.6A/dm2
库仑量：0.5～30As/dm2
另外，关于实施例15，在以下条件下形成中间层。
通过在以下条件下在辊对辊型的连续镀敷线上进行电镀而形成3000μg/dm2的附着量的Ni-Mo层。
·Ni-Mo层(镍钼合金镀敷)
液体组成：硫酸镍六水合物：50g/dm3、钼酸钠二水合物：60g/dm3、柠檬酸钠：90g/dm3
液温：30℃
电流密度：1～4A/dm2
通电时间：3～25秒
另外，关于实施例16，在以下条件下形成中间层。
·Ni层
在与实施例1相同的条件下形成Ni层。
·有机物层(有机物层形成处理)
其次，在对所形成的Ni层表面进行水洗及酸洗后，接着在下述条件下对Ni层表面喷洒并喷雾20～120秒含有浓度1～30g/L的羧基苯并三唑(CBTA)的液温为40℃、pH值为5的水溶液，由此形成有机物层。
(3)极薄铜层的形成
在形成中间层后，通过在以下条件下进行电镀而在中间层之上形成厚度1、2、3、5μm的极薄铜层，从而制成附载体铜箔。
·极薄铜层
铜浓度：30～120g/L
H2SO4浓度：20～120g/L
氯：50～100ppm
整平剂1(双(3-磺基丙基)二硫醚)：10～30ppm
整平剂2(胺化合物)：10～30ppm
胺化合物使用以下化学式的胺化合物。
[化3]
(所述化学式中，R1及R2选自由羟基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一个群中)
电解液温度：20～80℃
电流密度：10～100A/dm2
(4)表面处理层的形成
其次，如表1所示，在以下任一条件下在极薄铜层之上进而设置粗化处理层。
·粗化条件a
液体组成
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH值：1～4
液温：50～60℃
电流密度Dk：30～40A/dm2
时间：0.2～1秒
将粗化处理层的重量厚度调整为0.05μm±0.02μm的范围。
此外，粗化处理的重量厚度是以如下方式算出。
粗化处理的重量厚度(μm)＝((粗化处理后的样本重量(g))－(粗化处理前的样本重量(g)))/(铜的密度8.94(g/cm3)×(样本的具有粗化处理的平面的面积)(cm2))×10000(μm/cm)
·粗化条件b
液体组成
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH值：1～4
液温：50～60℃
电流密度Dk：20～30A/dm2
时间：1～3秒
将粗化处理层的重量厚度调整为0.15μm±0.04μm的范围。
·粗化条件c
液体组成
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH值：1～4
液温：40～50℃
电流密度Dk：20～30A/dm2
时间：5～8秒
将粗化处理层的重量厚度调整为0.25μm±0.05μm的范围。
·粗化条件d
依序进行粗化处理1→粗化处理2。
(1)粗化处理1
液体组成：Cu：10～20g/L、H2SO4：50～100g/L
液温：25～50℃
电流密度：0.5～54A/dm2
库仑量：2～67As/dm2
(2)粗化处理2
液体组成：Cu：10～20g/L、Ni：5～15g/L、Co：5～15g/L
pH值：2～3
液温：30～50℃
电流密度：20～46A/dm2
库仑量：31～45As/dm2
将粗化处理1、粗化处理2的合计粗化处理层的重量厚度调整为0.35μm±0.05μm的范围。
·粗化条件e
依序进行粗化处理1→粗化处理2。
(1)粗化处理1
(液体组成1)
Cu：15～35g/L
H2SO4：10～150g/L
W：10～50mg/L
十二烷基硫酸钠：10～50mg/L
As：50～200mg/L
(电镀条件1)
温度：30～70℃
电流密度：30～115A/dm2
粗化库仑量：20～450As/dm2
镀敷时间：0.5～15秒
(2)粗化处理2
(液体组成2)
Cu：20～80g/L
H2SO4：50～200g/L
(电镀条件2)
温度：30～70℃
电流密度：3～48A/dm2
粗化库仑量：20～250As/dm2
镀敷时间：1～50秒
将粗化处理1、粗化处理2的合计粗化处理层的重量厚度调整为0.40μm±0.05μm的范围。
·粗化条件f
依序进行粗化处理1→粗化处理2。
(1)粗化处理1
(液体组成1)
Cu：15～35g/L
H2SO4：10～150g/L
W：1～50mg/L
十二烷基硫酸钠：1～50mg/L
As：1～200mg/L
(电镀条件1)
温度：30～70℃
电流密度：20～105A/dm2
粗化库仑量：50～500As/dm2
镀敷时间：0.5～20秒
(2)粗化处理2
(液体组成2)
Cu：20～80g/L
H2SO4：50～200g/L
(电镀条件2)
温度：30～70℃
电流密度：3～48A/dm2
粗化库仑量：50～300As/dm2
镀敷时间：1～60秒
将粗化处理1、粗化处理2的合计粗化处理层的重量厚度调整为0.50μm±0.05μm的范围。
·粗化条件g
依序进行粗化处理1→粗化处理2。
(1)粗化处理1
(液体组成1)
Cu：10～40g/L
H2SO4：10～150g/L
(电镀条件1)
温度：30～70℃
电流密度：24～112A/dm2
粗化库仑量：70～600As/dm2
镀敷时间：5～30秒
(2)粗化处理2
(液体组成2)
Cu：30～90g/L
H2SO4：50～200g/L
(电镀条件2)
温度：30～70℃
电流密度：4～49A/dm2
粗化库仑量：70～400As/dm2
镀敷时间：5～65秒
将粗化处理1、粗化处理2的合计粗化处理层的重量厚度调整为0.60μm±0.05μm的范围。
·粗化条件h
液体组成
Cu：10～20g/L
Co：5～20g/L
Ni：5～20g/L
pH值：1～4
液温：50～60℃
电流密度Dk：30～40A/dm2
时间：0.05～0.2秒
将粗化处理层的重量厚度调整为0.02μm±0.02μm的范围。
此外，粗化处理的重量厚度是以如下方式而算出。
粗化处理的重量厚度(μm)＝((粗化处理后的样本重量(g))－(粗化处理前的样本重量(g)))/(铜的密度8.94(g/cm3)×(样本的具有粗化处理的平面的面积)(cm2))×10000(μm/cm)
关于实施例2、4、6、10、13、20，在以下条件下在粗化处理层上设置耐热处理层、铬酸盐层、硅烷偶联处理层。
·耐热处理
Zn：0～20g/L
Ni：0～5g/L
pH值：3.5
温度：40℃
电流密度Dk：0～1.7A/dm2
时间：1秒
Zn附着量：5～250μg/dm2
Ni附着量：5～300μg/dm2
·铬酸盐处理
K2Cr2O7
(Na2Cr2O7或者CrO3)：2～10g/L
NaOH或者KOH：10～50g/L
ZnO或者ZnSO47H2O：0.05～10g/L
pH值：7～13
浴温：20～80℃
电流密度0.05～5A/dm2
时间：5～30秒
Cr附着量：10～150μg/dm2
·硅烷偶联处理
乙烯基三乙氧基硅烷水溶液
(乙烯基三乙氧基硅烷浓度：0.1～1.4wt％)
pH值：4～5
时间：5～30秒
关于以如上方式而获得的实施例1～24、比较例1～5的附载体铜箔，通过以下方法实施各评价。
＜极薄铜层的厚度＞
极薄铜层的厚度是通过以下重量法进行测定。
在测定附载体铜箔的重量后，将极薄铜层剥离，测定载体的重量，将前者与后者之差定义为极薄铜层的重量。
·试样的大小：10cm见方薄片(利用压制机冲裁而成的10cm见方薄片)
·试样的取样：任意3个部位
·根据以下式算出各试样的通过重量法所获得的极薄铜层的厚度。
通过重量法所获得的极薄铜层的厚度(μm)＝{(10cm见方薄片的附载体铜箔的重量(g/100cm2))－(将极薄铜层从所述10cm见方薄片的附载体铜箔剥离后的载体的重量(g/100cm2))}/铜的密度(8.96g/cm3)×0.01(100cm2/cm2)×10000μm/cm
此外，试样的重量测定使用能够测定至小数点后第4位的精密天平。并且，将所获得的重量的测定值直接使用于所述计算。
·将3个部位的通过重量法所获得的极薄铜层的厚度的算术平均值作为通过重量法所获得的极薄铜层的厚度。
另外，精密天平是使用亚速旺(ASONE)股份有限公司制造的IBA-200，压制机是使用NOGUCHI PRESS股份有限公司制造的HAP-12。
该结果为，关于全部实施例1～24、比较例1～5，均确认到极薄铜层的厚度为1～5μm。
＜与附载体铜箔贴合而形成的树脂基板的表面性状＞
关于通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对各实施例、比较例的附载体铜箔(对极薄铜层进行表面处理后的附载体铜箔称为该表面处理后的附载体铜箔)进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧积层于预浸料(双马来酰亚胺三嗪树脂基板)后，从附载体铜箔将载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除而露出的树脂基板表面，依据ISO 25178，并使用奥林巴斯(Olympus)公司制造的激光显微镜OLS4000(LEXT OLS 4000)分别测定核心部的高差Sk、最大凹部深度Sv、突出凹部深度Svk、凹部的空隙容积Vvv及最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk。使用激光显微镜中的物镜50倍对三个部位进行约200μm×200μm面积(具体来说为40106μm2)的测定，将该三个部位的Sk、Sv、Svk、Vvv的值的算术平均值作为Sk、Sv、Svk、Vvv的值。另外，使用所获得的Sv与Svk的平均值，算出最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk。此外，在激光显微镜测定中，在测定结果的测定面并非为平面而成为曲面的情况下，在进行平面修正后算出所述各表面性状。此外，激光显微镜的测定环境温度设为23～25℃。
＜电路形成性：形成M-SAP电路后的电路的裙摆部的评价＞
在将附载体铜箔(对极薄铜层实施表面处理后的附载体铜箔称为该表面处理后的附载体铜箔)从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将载体剥离。接着，在极薄铜层的厚度为5μm、3μm及2μm的情况下，对所露出的极薄铜层表面进行半蚀刻直至厚度成为1μm为止，另外，极薄铜层的厚度为1μm者不进行该半蚀刻，直接以成为L/S＝12μm/12μm的方式分别形成宽度15μm的图案铜镀敷层，其后进行蚀刻而形成M-SAP电路。
将此时的蚀刻条件示于以下。接着，针对该电路，对100个1mm的线长度的部位(即100条1mm的线长度的电路)进行俯视观察，并测定裙摆部的长度。关于通过该测定而获得的电路的裙摆部的最大长度，根据以下基准对电路形成性进行评价。在图5中表示显示该裙摆部的电路的俯视观察照片。如图5所示，裙摆部是薄薄地产生在电路底部的蚀刻残渣。
(蚀刻条件)
·蚀刻形式：喷雾蚀刻
·喷雾喷嘴：实心锥型
·喷雾压力：0.10MPa
·蚀刻液温：30℃
·蚀刻液组成：
H2O2：18g/L
H2SO4：92g/L
Cu：8g/L
添加剂：JCU股份有限公司制造的FE-830IIW3C适量
(电路形成性的评价基准)
配线间频繁发生短路或频繁发生断路等电路形成不良状态：××
裙摆部的最大长度为5μm以上，但未达到配线间短路的程度：×
裙摆部的最大长度为2μm以上且小于5μm：○
裙摆部的最大长度为0.5μm以上且小于2μm：○○
裙摆部的最大长度小于0.5μm：○○○
＜铜箔树脂的密接性的评价＞
在所述“电路形成性：形成M-SAP电路后的电路的裙摆部的评价”中，针对所形成的M-SAP电路对100条所述“1mm的线长度的电路”进行观察时，只要观察到1条该电路的剥离或隆起的情况便评价为×，将完全未观察到该电路的剥离或隆起的情况评价为〇。
将实验条件及实验结果示于表1。
[表1]

Claims (34)

1.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且
在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的最大凹部深度Sv为0.181～2.922μm，且所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk为3.549～10.777。
2.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的核心部的高差Sk为0.095～0.936μm。
3.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的突出凹部深度Svk为0.051～0.478μm。
4.根据权利要求2所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的突出凹部深度Svk为0.051～0.478μm。
5.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。
6.根据权利要求2所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。
7.根据权利要求3所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。
8.根据权利要求4所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。
9.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且
在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的最大凹部深度Sv为0.181～2.922μm，
在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。
10.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且
在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的核心部的高差Sk为0.095～0.936μm，且所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk为3.549～10.777。
11.根据权利要求10所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的突出凹部深度Svk为0.051～0.478μm。
12.根据权利要求10所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。
13.根据权利要求11所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。
14.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且
在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的核心部的高差Sk为0.095～0.936μm，
在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。
15.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且
在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的突出凹部深度Svk为0.051～0.478μm，且所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk为3.549～10.777。
16.根据权利要求15所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。
17.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且
在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的突出凹部深度Svk为0.051～0.478μm，
在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。
18.一种附载体铜箔，其依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且
在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO25178的凹部的空隙容积Vvv为0.003～0.020μm3/μm2。
19.根据权利要求18所述的附载体铜箔，其中，在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对所述附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将所述载体剥离，接着通过蚀刻将所述极薄铜层去除，由此而露出的所述树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk为3.549～10.777。
20.根据权利要求1至19中任一项所述的附载体铜箔，其中，在所述树脂基板表面满足以下20-1～20-5的项目中的任一个或两个或三个或四个或五个：
·20-1：利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv满足以下20-1a～20-1c中的任一个：
20-1a：2.35μm以下、
20-1b：1.4μm以下、
20-1c：0.67μm以下；
·20-2：利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的核心部的高差Sk满足以下20-2a～20-2c中的任一个：
20-2a：0.8μm以下、
20-2b：0.48μm以下、
20-2c：0.35μm以下；
·20-3：利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的突出凹部深度Svk满足以下20-3a～20-3c中的任一个：
20-3a：0.210μm以下、
20-3b：0.164μm以下、
20-3c：0.160μm以下；
·20-4：利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的凹部的空隙容积Vvv满足以下20-4a～20-4e中的任一个：
20-4a：0.018μm3/μm2以下、
20-4b：0.010μm3/μm2以下、
20-4c：0.009μm3/μm2以下、
20-4d：0.008μm3/μm2以下、
20-4e：0.007μm3/μm2以下；
·20-5：利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv与突出凹部深度Svk的比Sv/Svk满足以下20-5a～20-5c中的任一个：
20-5a：10.5以下、
20-5b：8.300以下、
20-5c：7.000以下。
21.根据权利要求1至19中任一项所述的附载体铜箔，其中，在根据权利要求1至19中任一项所述的附载体铜箔在从载体观察时在载体的一个面侧依序具有中间层、及极薄铜层的情况下，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一个表面或两个表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层，或者
在根据权利要求1至19中任一项所述的附载体铜箔在从载体观察时在载体的两面侧依序具有中间层、及极薄铜层的情况下，在该一个或两个极薄铜层侧的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。
22.根据权利要求21所述的附载体铜箔，其中，所述粗化处理层是含有选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一单质或含有任1种以上所述单质的合金的层。
23.根据权利要求1至19中任一项所述的附载体铜箔，其中，在所述极薄铜层上具备树脂层。
24.根据权利要求21所述的附载体铜箔，其中，在所述选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层之上具备树脂层。
25.一种积层体，其是使用根据权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔而制造。
26.一种积层体，其包含根据权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔与树脂，并且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部由所述树脂所覆盖。
27.一种积层体，其是将一个根据权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧积层于另一个根据权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成。
28.一种印刷配线板的制造方法，其使用根据权利要求25至27中任一项所述的积层体。
29.一种印刷配线板的制造方法，其包括：
在根据权利要求25至27中任一项所述的积层体上至少设置1次树脂层与电路这两层的步骤；及
在至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，将所述极薄铜层或所述载体从所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。
30.一种印刷配线板的制造方法，其使用根据权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔。
31.一种电子机器的制造方法，其使用通过根据权利要求30所述的方法而制造的印刷配线板。
32.一种印刷配线板的制造方法，其包括：
准备根据权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；及
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤，而形成覆铜积层板，
其后通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法而形成电路的步骤。
33.一种印刷配线板的制造方法，其包括：
在根据权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；
以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；
将所述载体或所述极薄铜层剥离的步骤；及
在将所述载体或所述极薄铜层剥离后，去除所述极薄铜层或所述载体，由此使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面且埋没在所述树脂层中的电路露出的步骤。
34.一种印刷配线板的制造方法，其包括：
将根据权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；
在所述附载体铜箔的与树脂基板积层一侧的相反侧的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面至少设置1次树脂层与电路这两层的步骤；及
在形成所述树脂层及电路这两层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离的步骤。
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