CN106358377B - 附载体铜箔、积层体、积层体的制造方法、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开附载体铜箔、积层体、积层体的制造方法、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法，具体提供一种极薄铜层的激光开孔性良好且适合制作高密度集成电路基板的附载体铜箔。附载体铜箔在载体的一面或两面依序具备中间层与极薄铜层，在将附载体铜箔从极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471将载体从附载体铜箔剥离时，利用激光显微镜所测得的极薄铜层的中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足Sz≦3.6μm，Sz/Sa≦14.00，且极薄铜层的中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦150。

Description

附载体铜箔、积层体、积层体的制造方法、印刷配线板的制造 方法及电子机器的制造方法
技术领域
本发明涉及一种附载体铜箔、积层体、积层体的制造方法、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。
背景技术
通常，印刷配线板是经过使绝缘基板粘接于铜箔而制成覆铜积层板后，通过蚀刻在铜箔面形成导体图案的步骤所制造。随着近年来电子机器的小型化、高性能化需求的增大，向搭载零件的高密度安装化或信号的高频化方面发展，对印刷配线板要求导体图案的微细化(微间距化)或高频应对等。
最近应对微间距化而要求厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔，但这种极薄铜箔的机械强度低，在制造印刷配线板时容易破损或产生褶皱，因此出现了将有厚度的金属箔用作载体并经由剥离层使极薄铜层电解镀敷于该载体上的附载体铜箔。在将极薄铜层的表面贴合在绝缘基板上并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离去除。在利用抗蚀剂在所露出的极薄铜层上形成电路图案后，形成特定的电路。
这里，对于成为与树脂的粘接面的附载体铜箔的极薄铜层的表面，主要要求极薄铜层与树脂基材的剥离强度充分，并且该剥离强度在高温加热、湿式处理、焊接、化学品处理等之后仍充分地保持。作为提高极薄铜层与树脂基材之间的剥离强度的方法，一般而言，代表方法是使大量粗化粒子附着在增大了表面轮廓(凹凸、粗糙度)的极薄铜层之上的方法。
然而，如果将这种轮廓(凹凸、粗糙度)大的极薄铜层用于印刷配线板中尤其需要形成微细电路图案的半导体封装基板，则在电路蚀刻时会残留无用的铜粒子而产生电路图案间的绝缘不良等问题。
为此，在WO2004/005588号(专利文献1)中尝试使用未对极薄铜层的表面实施粗化处理的附载体铜箔作为以半导体封装基板为首的微细电路用途的附载体铜箔。这种未实施粗化处理的极薄铜层与树脂的密接性(剥离强度)有因其低轮廓(凹凸、粗度、粗糙度)的影响而与一般印刷配线板用铜箔相比有所降低的倾向。为此，对于附载体铜箔，要求进一步的改善。
因此，在日本特开2007-007937号公报(专利文献2)及日本特开2010-006071号公报(专利文献3)中记载了在附载体极薄铜箔的与聚酰亚胺系树脂基板接触(粘接)的面设置Ni层或/及Ni合金层、设置铬酸盐层、设置Cr层或/及Cr合金层、设置Ni层与铬酸盐层、设置Ni层与Cr层。通过设置这些表面处理层，对于聚酰亚胺系树脂基板与附载体极薄铜箔的密接强度而言，在不进行粗化处理或使粗化处理的程度降低(微细化)的情况下仍可获得所需的粘接强度。此外，也记载了利用硅烷偶联剂进行表面处理，或实施防锈处理。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]WO2004/005588号
[专利文献2]日本特开2007-007937号公报
[专利文献3]日本特开2010-006071号公报
[专利文献4]日本专利第3261119号公报
发明内容
[发明所欲解决的课题]
在附载体铜箔的开发中，迄今为止仍重视确保极薄铜层与树脂基材的剥离强度。因此，关于适合印刷配线板的高密度安装化的附载体铜箔尚未完成充分的研究，从而尚留有改善的余地。
为了使印刷配线板的集成电路密度上升，通常为形成激光孔并通过该孔将内层与外层连接的方法。另外，窄间距化所伴随的微细电路形成方法使用在极薄铜层上形成配线电路后，利用硫酸-过氧化氢系的蚀刻剂对极薄铜层进行蚀刻去除的方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process)，因此极薄铜层的激光开孔性是在制作高密度集成电路基板的方面重要的项目。极薄铜层的激光开孔性与孔径精度以及激光输出等各条件相关，因此会大幅影响集成电路的设计及生产性。在日本专利第3261119号公报(专利文献4)中记载了激光开孔性良好的覆铜积层板，但根据本发明者的研究，在蚀刻性的方面尚有改善的余地。
因此，本发明的课题在于提供一种极薄铜层的激光开孔性良好且适合制作高密度集成电路基板的附载体铜箔。
[解决课题的技术手段]
为了达成所述目的，本发明者反复进行了努力研究，结果发现，控制将极薄铜层从进行了特定的加热处理后的附载体铜箔剥离时的极薄铜层的剥离侧的利用激光显微镜所测得的表面粗糙度、表面粗糙度与面粗糙度的关系、及MD方向的光泽度对提高极薄铜层的激光开孔性极其有效。
本发明是以所述见解为基础而完成的，在一态样中是一种附载体铜箔，其是在载体的一面或两面依序具备中间层与极薄铜层的附载体铜箔，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足Sz≦3.6μm，Sz/Sa≦14.00，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦150。
本发明的附载体铜箔在一实施方式中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦80。
本发明的附载体铜箔在另一实施方式中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦70。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦65。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦5。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足Sz/Sa≦10.50。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足Sz/Sa≦9.50。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz满足0.01μm≦Sz。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足1.00≦Sz/Sa。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足0.01≦GMD。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在本发明的附载体铜箔在载体的一面具有极薄铜层的情况下，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一表面或两表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层，或在本发明的附载体铜箔在载体的两面具有极薄铜层的情况下，在该一个或两个极薄铜层侧的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在所述极薄铜层上具备树脂层。
本发明的附载体铜箔在又一实施方式中，在选自由所述粗化处理层、所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层之上具备树脂层。
本发明在另一态样中，是一种使用本发明的附载体铜箔而制造积层体的方法。
本发明在另一态样中，是一种包含本发明的附载体铜箔与树脂并且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部由所述树脂覆盖的积层体。
本发明在另一态样中，是一种将一个本发明的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧积层于另一个本发明的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成的积层体。
本发明的积层体在一实施方式中，所述积层体的端面的一部分或全部由树脂所覆盖。
本发明在另一态样中，是一种印刷配线板的制造方法，其使用通过制造本发明的积层体的方法而制造的积层体或本发明的积层体。
本发明在另一态样中，是一种印刷配线板的制造方法，其包括：在通过制造本发明的积层体的方法而制造的积层体或本发明的积层体上至少设置1次树脂层与电路这两层的步骤；及在至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，将所述极薄铜层或所述载体从所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。
本发明在另一态样中，是一种制造印刷配线板的方法，其使用本发明的附载体铜箔。
本发明在另一态样中，是一种制造电子机器的方法，其使用通过制造本发明的印刷配线板的方法而制造的印刷配线板。
本发明在另一态样中，是一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；及在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤形成覆铜积层板，其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法形成电路的步骤。
本发明在另一态样中，是一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：在本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；将所述载体或所述极薄铜层剥离的步骤；及在将所述载体或所述极薄铜层剥离后，将所述极薄铜层或所述载体去除，由此使形成于所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的埋没于所述树脂层的电路露出的步骤。
本发明在另一态样中，是一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；在所述附载体铜箔的与树脂基板积层侧的相反侧的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面至少设置1次树脂层与电路这两层的步骤；及在形成所述树脂层及电路这两层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离的步骤。
[发明的效果]
根据本发明，能够提供一种极薄铜层的激光开孔性良好且适合制作高密度集成电路基板的附载体铜箔。
附图说明
图1A～C是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的电路镀层、抗蚀剂去除为止的步骤的配线板剖面的示意图。
图2D～F是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的树脂及第2层附载体铜箔积层至激光开孔为止的步骤的配线板剖面的示意图。
图3G～I是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的填孔形成至第1层载体剥离为止的步骤的配线板剖面的示意图。
图4J～K是使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的快速蚀刻至凸块、铜柱形成为止的步骤的配线板剖面的示意图。
图5是表示实施例的裙摆部的电路的剖面示意图。
具体实施方式
＜附载体铜箔＞
本发明的附载体铜箔在载体的一面或两面依序具备中间层、极薄铜层。附载体铜箔自身的使用方法可以使用公知的使用方法。例如可以在将极薄铜层的表面贴合在纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等绝缘基板并进行热压接后将载体剥离，将粘接于绝缘基板的极薄铜层蚀刻成目标导体图案，而最终制造出印刷配线板。
本发明的附载体铜箔是以在将附载体铜箔从极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃下加热2小时后，依据JIS C 6471从附载体铜箔将载体剥离时，利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足Sz≦3.6μm，Sz/Sa≦14.00，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦150的方式而控制。所述“在220℃加热2小时”表示将附载体铜箔贴合在绝缘基板并进行热压接的情况下的典型的加热条件。
在将附载体铜箔贴合在绝缘基板并进行热压接后将载体剥离，并将粘接于绝缘基板的极薄铜层蚀刻成目标导体图案而形成电路。以所述方式将基板制成多层构造而制作印刷配线板。这里，为了使这种印刷配线板的集成电路密度上升，形成激光孔并通过该孔将内层与外层连接。此时，如果难以在极薄铜层开设激光孔，则当然会有问题，且激光孔过大或过小均会引起各种问题，因此必须形成为适当的大小。如上所述，极薄铜层的激光开孔性与孔径精度以及激光输出等各条件相关，因此是大幅影响集成电路的设计及生产性的重要特性。在本发明中，发现通过以将附载体铜箔从极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从附载体铜箔将载体剥离时，利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足Sz≦3.6μm，Sz/Sa≦14.00，且所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦150之方式进行控制，而该极薄铜层的激光开孔性良好。如果该利用激光显微镜所测得的极薄铜层的中间层侧的表面粗糙度Sz超过3.6μm，则会产生极薄铜层的表面的粗糙度过大而开孔加工时的激光的吸收性变得过剩，从而孔变得过大的问题。另外，关于表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa，如果Sz/Sa超过14.00，则会局部产生表面的粗糙度(凸部或凹部)大的部位，其结果，会导致M-SAP电路形成性变得不良。此外，如果MD方向的60度光泽度GMD超过150，则开孔加工时的激光的反射率变大而开孔加工性变得不良。
在将附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从附载体铜箔将载体剥离时，利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz优选3.5μm以下，更优选3.4μm以下。另外，作为该表面粗糙度Sz的下限，可为0.01μm以上、0.1μm以上、0.2μm以上、0.3μm以上或0.4μm以上。
在将附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从附载体铜箔将载体剥离时，关于利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa，Sz/Sa优选13.50以下，更优选13.00以下，进而更优选12.50以下，进而更优选12.00以下，进而更优选11.50以下，进而更优选11.00以下，进而更优选10.50以下，进而更优选10.00以下，进而更优选9.50以下。另外，作为该Sz/Sa的下限，可为1.00以上、1.50以上、2.00以上、2.50以上或3.00以上。
在将附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从附载体铜箔将载体剥离时，极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD优选140以下，更优选130以下，进而更优选120以下，进而更优选100以下，进而更优选90以下，进而更优选80以下，进而更优选70以下，进而更优选65以下，进而更优选60以下，进而更优选55以下，进而更优选45以下，进而更优选35以下，进而更优选25以下，进而更优选15以下，进而更优选5以下。另外，作为该MD方向的60度光泽度GMD的下限，可为0以上、0.01以上、0.05以上、0.1以上或0.5以上。
＜载体＞
可用于本发明的载体典型来说为金属箔或树脂膜，例如是以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜、聚酰亚胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟树脂膜、聚酰胺膜、PET膜的形态而提供。
可用于本发明的载体典型来说是以压延铜箔或电解铜箔的形态而提供。一般而言，电解铜箔是使铜从硫酸铜电镀浴中电解析出至钛或不锈钢的滚筒上而制造，压延铜箔是反复进行利用压延辊而进行的塑性加工与热处理而制造。作为铜箔的材料，除精铜(JISH3100合金编号C1100)或无氧铜(JIS H3100合金编号C1020或JIS H3510合金编号C1011)等高纯度的铜以外，例如也可使用像加入了Sn的铜、加入了Ag的铜、添加了Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加了Ni及Si等的卡逊系铜合金那样的铜合金。此外，在本说明书中，在单独使用用语“铜箔”时，也包含铜合金箔。
可用于本发明的载体的厚度并无特别限制，只要适当调节为在发挥作为载体的作用的方面合适的厚度即可，例如能够设为5μm以上。但是，如果过厚，则生产成本会增高，因此通常优选设为35μm以下。因此，载体的厚度典型来说为8～70μm，更典型来说为12～70μm，更典型来说为18～35μm。另外，就降低原料成本的观点来说，载体的厚度优选小。因此，载体的厚度典型来说为5μm以上且35μm以下，优选5μm以上且18μm以下，优选5μm以上且12μm以下，优选5μm以上且11μm以下，优选5μm以上且10μm以下。此外，在载体的厚度小的情况下，在载体的通箔时容易产生褶皱。为了防止褶皱的产生，例如有效的是使附载体铜箔制造装置的搬送辊平滑或缩短搬送辊与下一个搬送辊的距离。此外，在作为印刷配线板的制造方法之一的嵌入方法(嵌入法(Enbedded Process))使用附载体铜箔的情况下，载体的刚性必须高。因此，在用于嵌入方法的情况下，载体的厚度优选18μm以上且300μm以下，优选25μm以上且150μm以下，优选35μm以上且100μm以下，进而更优选35μm以上且70μm以下。
此外，也可以在载体的与设置极薄铜层的一侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层。可以使用公知的方法设置该粗化处理层，也可以通过下述粗化处理设置。在载体的与设置极薄铜层的一侧的表面为相反侧的表面设置粗化处理层具有下述优点：在将载体从具有该粗化处理层的表面侧积层于树脂基板等支撑体时，载体与树脂基板不易剥离。
本发明的所述利用激光显微镜所测得的极薄铜层的中间层侧的表面粗糙度Sz、及表面粗糙度Sz与表面粗糙度Sa的关系、进而MD方向的60度光泽度能够通过调整载体的极薄铜层侧表面形态进行控制。以下，对本发明的载体的制作方法进行说明。
使用电解铜箔作为载体的情况下的制造条件的一例示于以下。
在电解液中的氯浓度高的情况下、电解液的线速高的情况下、电解液的温度低的情况下、电解液中的铜浓度高的情况下、电解液中的硫酸浓度低的情况下，具有Sz/Sa的值减小的倾向。另一方面，在电解液中的氯浓度低情况下、电解液的线速低的情况下、电解液的温度高的情况下、电解液中的铜浓度低的情况下、电解液中的硫酸浓度高的情况下，具有Sz/Sa的值增大的倾向。
＜电解液组成＞
铜：70～150g/L
硫酸：80～120g/L
氯：10～200ppm
＜制造条件＞
电流密度：50～150A/dm2
电解液温度：40～80℃
电解液线速：3～7m/sec
电解时间：0.5～10分钟
此外，如果为少量，则也可以向电解液中添加光泽剂。作为光泽剂，可以使用以下的化合物或公知的化合物。
整平剂1(双(3磺丙基)二硫化物)：0.5～3ppm
整平剂2(胺化合物)：0.5～3ppm
所述胺化合物使用以下化学式的胺化合物。
此外，本发明所使用的电解、表面处理或镀敷等所使用的处理液的剩余部分只要没有特别记载，则为水。
[化学式1]
(所述化学式中，R1及R2选自由羟烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的一群中)
作为载体的极薄铜层侧表面形态的调整，可以列举以下(1)或(2)的调整法。此外，载体的极薄铜层侧表面的形态与载体侧极薄铜层表面的形态成为接近的形态。因此，通过调整载体的极薄铜层侧表面的形态，能够获得具有所需的载体侧极薄铜层表面的形态的附载体极薄铜箔。
(1)使用含有三唑系的有机化合物(三唑化合物)的蚀刻液对具有特定的Sz及Sa的载体进行软蚀刻处理。三唑系的有机化合物大量吸附于载体的特定部分。接下来，利用三唑系有机化合物大量吸附的部位与少量吸附的部位相比难以进行蚀刻的性质控制载体表面的形状。软蚀刻处理所使用的处理液中的三唑系有机化合物的浓度优选0.5～10g/L。如果小于0.5g/L，则控制载体表面的形状的效果小。另一方面，如果超过10g/L，则存在载体表面的软蚀刻的进行变慢的情况。接下来，通过控制载体表面的形状，能够获得具有所需的载体侧极薄铜层表面的形态的附载体极薄铜箔。
具体来说，对表面粗糙度Sz为0.8μm～3.1μm、Sa为0.05～0.45μm、60度镜面光泽度为30～250(％)的载体进行软蚀刻处理(例如利用硫酸20～100g/L、过氧化氢10～20g/L或过硫酸钾10～50g/L或过硫酸铵10～50g/L、作为添加剂成分的三唑系的有机化合物1～5g/L的水溶液在25～35℃进行5～60秒的蚀刻处理)。
此外，作为三唑系的有机化合物，可以使用选自由1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-双(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-氨基-1H-1,2,4-三唑所组成的群中的1种以上。
(2)使用将表面的算术平均粗糙度Ra控制为特定范围的压延辊，在使油膜当量大于通常情况的条件下进行压延，由此制造载体。
具体来说，准备压延铜箔等金属箔作为载体，并使用将表面的算术平均粗糙度Ra控制为特定范围的压延辊对该压延铜箔等金属箔进行精冷轧。此时，压延辊的表面的依据JIS B0601 1994所定义的算术平均粗糙度能够设为Ra＝0.2～0.3μm，油膜当量能够设为41000～65000。
这里，油膜当量由以下式所表示。
油膜当量＝{(压延油粘度[cSt])×(通板速度[mpm]+辊周速度[mpm])}/{(辊的卡入角[rad])×(材料的屈服应力[kg/mm2])}
压延油粘度[cSt]为40℃的运动粘度。
为了将油膜当量设为41000～65000，使用利用高粘度的压延油或使金属箔的通板速度加速等公知的方法即可。
＜中间层＞
在载体的单面或两面上设置中间层。也可以在载体与中间层之间设置其他层。本发明所使用的中间层只要为像在附载体铜箔积层于绝缘基板的步骤前不易使极薄铜层从载体剥离，另一方面，在积层于绝缘基板的步骤后能够使极薄铜层从载体剥离那样的构成，则并无特别限定。例如，本发明的附载体铜箔的中间层可含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、他们的合金、他们的水合物、他们的氧化物、有机物所组成的群中的一种或二种以上。另外，中间层可为多层。
另外，例如中间层能够通过从载体侧形成含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种元素的单一金属层、或者含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种或二种以上的元素的合金层、或者有机物层，并在其上形成含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种或二种以上的元素的水合物或氧化物的层、或者包含选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种元素的单一金属层、或者含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的一种或二种以上的元素的合金层而构成。
在将中间层仅设置于单面的情况下，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。此外，在通过铬酸盐处理或铬酸锌处理或镀敷处理设置中间层的情况下，认为存在铬或锌等已附着的金属的一部分变成水合物或氧化物的情况。
另外，例如中间层能够在载体上依序积层镍、镍-磷合金或镍-钴合金与铬而构成。镍与铜的粘接力高于铬与铜的粘接力，因此在将极薄铜层剥离时，是在极薄铜层与铬的界面剥离。另外，对中间层的镍期待防止铜成分从载体向极薄铜层扩散的阻断效果。中间层中的镍的附着量优选100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更优选100μg/dm2以上且小于1000μg/dm2，中间层中的铬的附着量优选5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。在将中间层仅设置于单面的情况下，优选在载体的相反面设置镀Ni层等防锈层。
另外，中间层所包含的有机物优选选自由含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸所组成的群中的一种以上的有机物。作为具体的含氮有机化合物，优选使用作为具有取代基的三唑化合物的1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-双(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。
含硫有机化合物优选使用巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噻唑钠、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。
作为羧酸，尤其优选使用单羧酸，其中优选使用油酸、亚麻油酸及次亚麻油酸等。
＜极薄铜层＞
在中间层之上设置极薄铜层。也可以在中间层与极薄铜层之间设置其他层。极薄铜层能够通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、胺基磺酸铜、氰化铜等的电解浴的电解镀敷而形成，就在一般的电解铜箔中使用且能够在高电流密度下形成铜箔的方面来说，优选硫酸铜浴。极薄铜层的厚度并无特别限制，通常比载体薄，例如为12μm以下。典型来说为0.5～12μm，更典型来说为1～5μm，进而典型来说为1.5～5μm，进而典型来说为2～5μm。此外，也可以在载体的两面设置极薄铜层。
能够使用本发明的附载体铜箔制作积层体(覆铜积层板等)。作为该积层体，例如可为按照“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸料”的顺序积层而成的构成，也可为按照“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸料”的顺序积层而成的构成，也可为按照“极薄铜层/中间层/载体/树脂或预浸料/载体/中间层/极薄铜层”的顺序积层而成的构成，也可为按照“载体/中间层/极薄铜层/树脂或预浸料/极薄铜层/中间层/载体”的顺序积层而成的构成。所述树脂或预浸料可为下述树脂层，也可含有下述树脂层所使用的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等。此外，附载体铜箔在俯视时可以小于树脂或预浸料。
＜粗化处理及其他表面处理＞
例如为了使与绝缘基板的密接性良好等，可以通过实施粗化处理而在极薄铜层的表面或载体的表面的其中一表面或两表面设置粗化处理层。粗化处理例如能够通过利用铜或铜合金形成粗化粒子而进行。粗化处理可以是微细的处理。粗化处理层可为含有选自由铜、镍、磷、钨、砷、钼、铬、铁、钒、钴及锌所组成的群中的任一种的单体或含有任1种以上的合金的层等。另外，在利用铜或铜合金形成粗化粒子后，也可以进行进而利用镍、钴、铜、锌的单体或合金等设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。其后，也可以利用镍、钴、铜、锌的单体或合金等形成耐热层或防锈层，也可以进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。或也可以不进行粗化处理，并利用镍、钴、铜、锌的单体或合金等形成耐热层或防锈层，进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶联处理等处理。即，可以在粗化处理层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层，也可以在极薄铜层的表面或载体的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。此外，所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶联处理层分别可由多层形成(例如2层以上、3层以上等)。
例如，作为粗化处理的铜-钴-镍合金镀敷能够以通过电解镀敷形成附着量为15～40mg/dm2的铜-100～3000μg/dm2的钴-100～1500μg/dm2的镍那样的3元系合金层的方式而实施。如果Co附着量小于100μg/dm2，则存在耐热性恶化而蚀刻性变差的情况。如果Co附着量超过3000μg/dm2，则在不得不考虑磁性的影响的情况下欠佳，存在会产生蚀刻污迹，另外，耐酸性及耐化学品性恶化的情况。如果Ni附着量小于100μg/dm2，则存在耐热性变差的情况。另一方面，如果Ni附着量超过1500μg/dm2，则存在蚀刻残渣增多的情况。优选的Co附着量为1000～2500μg/dm2，优选的镍附着量为500～1200μg/dm2。这里，所谓蚀刻污迹，在利用氯化铜进行蚀刻的情况下，意指Co未溶解而残留，并且，所谓蚀刻残渣，在利用氯化铵进行碱性蚀刻的情况下，意指Ni未溶解而残留。
用于形成这种3元系铜-钴-镍合金镀敷的一般的浴及镀敷条件的一例如下所述：
电镀浴组成：Cu 10～20g/L、Co 1～10g/L、Ni 1～10g/L
pH：1～4
温度：30～50℃
电流密度Dk：20～30A/dm2
镀敷时间：1～5秒
可以使用公知的耐热层、防锈层作为耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上的元素的层，也可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上的元素的金属层或合金层。另外，耐热层及/或防锈层也可含有包括所述元素的氧化物、氮化物、珪化物。另外，耐热层及/或防锈层也可为含有镍-锌合金的层。另外，耐热层及/或防锈层也可为镍-锌合金层。所述镍-锌合金层除不可避免的杂质以外，也可以含有镍50wt％～99wt％、锌50wt％～1wt％。所述镍-锌合金层的锌及镍的合计附着量可为5～1000mg/m2，优选10～500mg/m2，优选20～100mg/m2。另外，含有所述镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量与锌的附着量的比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选1.5～10。另外，包含所述镍-锌合金的层或所述镍-锌合金层的镍的附着量优选0.5mg/m2～500mg/m2，更优选1mg/m2～50mg/m2。在耐热层及/或防锈层为包含镍-锌合金的层的情况下，铜箔与树脂基板的密接性提高。
例如耐热层及/或防锈层可为将附着量为1mg/m2～100mg/m2、优选5mg/m2～50mg/m2的镍或镍合金层与附着量为1mg/m2～80mg/m2、优选5mg/m2～40mg/m2的锡层依序积层而成的层，所述镍合金层可由镍-钼、镍-锌、镍-钼-钴、镍-锡合金的其中任一种构成。另外，所述耐热层及/或防锈层优选[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优选0.33～3。如果使用该耐热层及/或防锈层，则将附载体铜箔加工成印刷配线板之后的电路的剥离强度、该剥离强度的耐化学品性劣化率等变得良好。
所谓铬酸盐处理层，是指通过利用铬酸酐、铬酸、二铬酸、含有铬酸盐或二铬酸盐的液体进行处理而形成的层。铬酸盐处理层也可含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等元素(也可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可以列举利用铬酸酐或二铬酸钾水溶液进行处理后的铬酸盐处理层或利用铬酸酐或含有二铬酸钾及锌的处理液进行处理后的铬酸盐处理层等。
所述硅烷偶联处理层可以使用公知的硅烷偶联剂形成，也可以使用环氧系硅烷、氨基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷、乙烯基系硅烷、咪唑系硅烷、三嗪系硅烷等硅烷偶联剂等形成。此外，这种硅烷偶联剂也可以将2种以上混合后使用。其中，优选使用氨基系硅烷偶联剂或环氧系硅烷偶联剂所形成者。
硅烷偶联处理层理想的是在以硅原子换算计为0.05mg/m2～200mg/m2、优选0.15mg/m2～20mg/m2、优选0.3mg/m2～2.0mg/m2的范围内设置。在所述范围的情况下，能够进一步提高基材与表面处理铜箔的密接性。
另外，能够对极薄铜层、粗化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶联处理层或铬酸盐处理层的表面进行国际公开编号WO2008/053878、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、日本特开2013-19056号所记载的表面处理。
另外，具备载体、积层于载体上的中间层、积层于中间层之上的极薄铜层的附载体铜箔可以在所述极薄铜层上具备粗化处理层，且可以在所述粗化处理层上具备一层以上的选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的层。
另外，可以在所述极薄铜层上具备粗化处理层，且可以在所述粗化处理层上具备耐热层、防锈层，且可以在所述耐热层、防锈层上具备铬酸盐处理层，且可以在所述铬酸盐处理层上具备硅烷偶联处理层。
另外，所述附载体铜箔可以在所述极薄铜层上、或者所述粗化处理层上、或者所述耐热层、防锈层、或者铬酸盐处理层、或者硅烷偶联处理层之上具备树脂层。所述树脂层可为绝缘树脂层。
所述树脂层可为粘接剂，也可为粘接用的半硬化状态(B阶段)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)，包含即便手指触碰到其表面也无粘接感，从而能够将该绝缘树脂层重叠后保管，进而如果受到加热处理，则会产生硬化反应的状态。
另外，所述树脂层可含有热固性树脂，也可为热塑性树脂。另外，所述树脂层也可含有热塑性树脂。其种类并未特别限定，例如可以列举含有选自环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚乙烯醇缩乙醛树脂、氨酯树脂、聚醚砜、聚醚砜树脂、芳香族聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改性环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改性丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热固性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、多元羧酸的酸酐、具有能够交联的官能基的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2-双(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷的酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改性聚酰胺酰亚胺树脂、氰基酯树脂、膦腈系树脂、橡胶改性聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯醇缩丁醛、苯氧基、高分子环氧基、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚合聚酰亚胺树脂及氰基酯树脂的群中的一种以上等的树脂作为合适的树脂。
另外，所述环氧树脂只要分子内具有2个以上的环氧基并且可用于电气、电子材料用途，则可以无特别问题地使用。另外，所述环氧树脂优选使用分子内具有2个以上的缩水甘油基的化合物进行环氧化而成的环氧树脂。另外，所述环氧树脂可以将选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(溴化)环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改性双酚A型环氧树脂、缩水甘油基胺型环氧树脂、三缩水甘油基异氰尿酸酯、N,N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油基胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含磷的环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂的群中的1种或2种以上混合后使用，或可以使用所述环氧树脂的氢化物或卤化物。
可以使用公知的含有磷的环氧树脂作为所述含磷的环氧树脂。另外，所述含磷的环氧树脂例如优选作为来自分子内具备2个以上的环氧基的9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物而获得的环氧树脂。
所述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质(也可以使用含有无机化合物及/或有机化合物的介电质、含有金属氧化物的介电质等任何介电质)、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料、所述树脂、所述化合物等。另外，所述树脂层也可以使用例如国际公开编号WO2008/004399、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225号、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本专利特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013-19056号所记载之物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成。
(树脂层包含介电质(介电质填料)的情况)
所述树脂层也可包含介电质(介电质填料)。
在所述任一树脂层或树脂组成物含有介电质(介电质填料)的情况下，可用于形成电容器层的用途，且能够增大电容器电路的电容。该介电质(介电质填料)使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(统称PZT)、PbLaTiO3·PbLaZrO(统称PLZT)、SrBi2Ta2O9(统称SBT)等具有钙钛矿构造的复合氧化物的介电质粉末。
将所述树脂层所含有的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶剂中制成树脂液，并利用例如辊式涂布法将其涂布于所述极薄铜层上、或者所述耐热层、防锈层、或者所述铬酸盐皮膜层、或者所述硅烷偶联剂层之上，接下来视需要进行加热干燥将溶剂去除而制成B阶段状态。干燥使用例如热风干燥炉即可，干燥温度为100～250℃、优选130～200℃即可。
具备所述树脂层的附载体铜箔(附树脂的附载体铜箔)是以下述态样使用：在将该树脂层重叠于基材后对整体进行热压接而使该树脂层热硬化，接下来将载体剥离而使极薄铜层露出(自然而然露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面)，并于其上形成特定的配线图案的。
如果使用该附树脂的附载体铜箔，则能够减少制造多层印刷配线基板时的预浸料材的使用片数。并且，能够将树脂层的厚度设为能够确保层间绝缘那样的厚度，或者即便完全不使用预浸料材也可制造出覆铜积层板。另外，此时，也可以将绝缘树脂底漆涂布于基材的表面而进一步改善表面的平滑性。
此外，在不使用预浸料材的情况下，节约了预浸料材的材料成本，且积层步骤也变得简单，因此在经济方面有利，并且具有仅制造出预浸料材的厚度量的多层印刷配线基板的厚度变薄，从而能够制造出1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷配线基板的优点。
该树脂层的厚度优选0.1～80μm。如果树脂层的厚度薄于0.1μm，则存在粘接力降低，在不经由预浸料材而将该附树脂的附载体铜箔积层于具备内层材的基材时，难以确保与内层材的电路之间的层间绝缘的情况。
另一方面，如果树脂层的厚度厚于80μm，则难以通过1次涂布步骤形成目标厚度的树脂层，从而会耗费多余的材料费与工时，因此在经济方面不利。此外，所形成的树脂层因其可挠性差，所以存在操作时容易产生龟裂等，且与内层材的热压接时会产生多余的树脂流动而难以实现顺利的积层的情况。
此外，作为该附树脂的附载体铜箔的另一产品形态，也可以在利用树脂层被覆所述极薄铜层上、或者所述耐热层、防锈层、或者所述铬酸盐处理层、或者所述硅烷偶联处理层之上并制成半硬化状态后，接下来将载体剥离而以不存在载体的附树脂的铜箔的形态制造。
此外，通过将电子零件类搭载于印刷配线板而完成印刷电路板。在本发明中，“印刷配线板”也包含以所述方式搭载了电子零件类的印刷配线板及印刷电路板及印刷基板。
另外，既可以使用该印刷配线板制作电子机器，也可以使用搭载了该电子零件类的印刷电路板制作电子机器，也可以使用搭载了该电子零件类的印刷基板制作电子机器。以下，表示几个使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的例。
在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；以及经过在将所述附载体铜箔与绝缘基板以极薄铜层侧与绝缘基板对向的方式积层后将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤形成覆铜积层板，其后，通过半加成法、改良半加成法、部分加成法及减成法中的任一种方法形成电路的步骤。绝缘基板也可以制成具有内层电路的绝缘基板。
在本发明中，所谓半加成法，是指在绝缘基板或铜箔薄片层上进行薄的无电解镀敷而形成图案，然后使用电解镀敷及蚀刻形成导体图案的方法。
因此，在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将使所述载体剥离后露出的极薄铜层全部去除的步骤；
在通过利用蚀刻将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在包含所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀层的步骤；
在所述无电解镀层之上设置抗镀覆层的步骤；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后，将供形成电路的区域的抗镀覆层去除的步骤；
在所述抗镀覆层被去除后的供形成所述电路的区域设置电镀层的步骤；
将所述抗镀覆层去除的步骤；以及
通过快速蚀刻将位于供形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀层去除的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层与所述绝缘树脂基板设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将使所述载体剥离后露出的极薄铜层全部去除的步骤；
在包含通过利用蚀刻等将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀层的步骤；
在所述无电解镀层之上设置抗镀覆层的步骤；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后，将供形成电路的区域的抗镀覆层去除的步骤；
在所述抗镀覆层被去除后的供形成所述电路的区域设置电镀层的步骤；
将所述抗镀覆层去除的步骤；以及
通过快速蚀刻等将位于供形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀层去除的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层与所述绝缘树脂基板设置通孔或/及盲孔的步骤；
利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将使所述载体剥离后露出的极薄铜层全部去除的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在包含通过利用蚀刻等将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀层的步骤；
在所述无电解镀层之上设置抗镀覆层的步骤；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后，将供形成电路的区域的抗镀覆层去除的步骤；
在所述抗镀覆层被去除后的供形成所述电路的区域设置电镀层的步骤；
将所述抗镀覆层去除的步骤；以及
通过快速蚀刻等将位于供形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀层去除的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将使所述载体剥离后露出的极薄铜层全部去除的步骤；
在通过利用蚀刻将所述极薄铜层去除而露出的所述树脂的表面设置无电解镀层的步骤；
在所述无电解镀层之上设置抗镀覆层的步骤；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后，将供形成电路的区域的抗镀覆层去除的步骤；
在所述抗镀覆层被去除后的供形成所述电路的区域设置电镀层的步骤；
将所述抗镀覆层去除的步骤；以及
通过快速蚀刻等将位于供形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀层及极薄铜层去除的步骤。
在本发明中，所谓改良半加成法，是指将金属箔积层于绝缘层上，利用抗镀覆层保护非电路形成部，并通过电解镀敷对电路形成部赋予铜厚，然后将抗蚀剂去除，并通过(快速)蚀刻将所述电路形成部以外的金属箔去除，由此在绝缘层上形成电路的方法。
因此，在使用改良半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀层的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层表面设置抗镀覆层的步骤；
在设置所述抗镀覆层后，通过电解镀敷形成电路的步骤；
将所述抗镀覆层去除的步骤；以及
通过快速蚀刻将通过将所述抗镀覆层去除而露出的极薄铜层去除的步骤。
在使用改良半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层之上设置抗镀覆层的步骤；
对所述抗镀覆层进行曝光，其后，将供形成电路的区域的抗镀覆层去除的步骤；
在所述抗镀覆层被去除后的供形成所述电路的区域设置电镀层的步骤；
将所述抗镀覆层去除的步骤；以及
通过快速蚀刻等将位于供形成所述电路的区域以外的区域的无电解镀层及极薄铜层去除的步骤。
在本发明中，所谓部分加成法，是指将催化剂核心赋予至设置导体层而成的基板、视需要设置通孔或导通孔用的孔而成的基板上并进行蚀刻而形成导体电路，视需要在设置阻焊剂或抗镀覆层后，在所述导体电路上通过对通孔或导通孔等进行无电解镀敷处理而赋予厚度，由此制造印刷配线板的方法。
因此，在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核心的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层表面设置蚀刻阻剂的步骤；
对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述催化剂核心去除而形成电路的步骤；
将所述蚀刻阻剂去除的步骤；
在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述催化剂核心去除后露出的所述绝缘基板表面设置阻焊剂或抗镀覆层的步骤；以及
在未设置所述阻焊剂或抗镀覆层的区域设置无电解镀层的步骤。
在本发明中，所谓减成法，是指通过蚀刻等将覆铜积层板上的铜箔的无用部分选择性地去除而形成导体图案的方法。
因此，在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀层的步骤；
在所述无电解镀层的表面设置电镀层的步骤；
在所述电镀层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；
对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述无电解镀层及所述电镀层去除而形成电路的步骤；以及
将所述蚀刻阻剂去除的步骤。
在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方式中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在将所述载体剥离后露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在包含所述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀层的步骤；
在所述无电解镀层的表面形成掩模的步骤；
在未形成掩模的所述无电解镀层的表面设置电镀层的步骤；
在所述电镀层或/及所述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；
对所述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤；
通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或等离子体等方法将所述极薄铜层及所述无电解镀层去除而形成电路的步骤；以及
将所述蚀刻阻剂去除的步骤。
也可以不进行设置通孔或/及盲孔的步骤、及其后的除胶渣步骤。
这里，使用附图对使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例详细地进行说明。此外，这里以具有形成了粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔为例进行说明，但并不限定于此，即便使用具有未形成粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔，同样地也可进行下述印刷配线板的制造方法。
首先，如图1-A所示，准备具有表面形成了粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第1层)。
接下来，如图1-B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂并进行曝光、显影，而将抗蚀剂蚀刻成特定的形状。
接下来，如图1-C所示，在形成电路用的镀层后，将抗蚀剂去除，由此形成特定形状的电路镀层。
接下来，如图2-D所示，以覆盖电路镀层的方式(以埋没电路镀层的方式)在极薄铜层上设置嵌入树脂而积层树脂层，接下来将另一附载体铜箔(第2层)从极薄铜层侧粘接。
接下来，如图2-E所示，从第2层附载体铜箔将载体剥离。
接下来，如图2-F所示，在树脂层的特定位置进行激光开孔，使电路镀层露出而形成盲孔。
接下来，如图3-G所示，将铜埋入至盲孔中而形成填孔。
接下来，如图3-H所示，像所述图1-B及图1-C那样在填孔上形成电路镀层。
接下来，如图3-I所示，从第1层附载体铜箔将载体剥离。
接下来，如图4-J所示，通过快速蚀刻将两表面的极薄铜层去除，而使树脂层内的电路镀层的表面露出。
接下来，如图4-K所示，在树脂层内的电路镀层上形成凸块，并在该凸块上形成铜柱。如上所述制作使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板。
此外，在所述印刷配线板的制造方法中，也可以将“极薄铜层”换读成载体，将“载体”换读成极薄铜层，在附载体铜箔的载体侧的表面形成电路，利用树脂填埋电路而制造印刷配线板。
所述另一附载体铜箔(第2层)既可以使用本发明的附载体铜箔，也可以使用以往的附载体铜箔，进而也可以使用通常的铜箔。另外，可以在图3-H所示的第2层电路上进而形成1层或者多层电路，可以通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法形成这些电路。
根据所述那样的印刷配线板的制造方法，因成为电路镀层嵌入至树脂层的构成，所以例如在像图4-J所示那样通过快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀层被树脂层保护，其形状被保持，由此，容易形成微细电路。另外，因电路镀层被树脂层保护，所以耐迁移性提高，从而良好地抑制电路的配线的导通。因此，容易形成微细电路。另外，在像图4-J及图4-K所示那样通过快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀层的露出面成为从树脂层凹陷的形状，因此容易分别在该电路镀层上形成凸块并进而在其上形成铜柱，从而制造效率提高。
此外，嵌入树脂(resin)可以使用公知的树脂、预浸料。例如可以使用BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂或作为含浸了BT树脂的玻璃布的预浸料、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制造之ABF膜或ABF。另外，所述嵌入树脂(resin)可以使用本说明书所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸料及/或膜。
另外，所述第一层所使用的附载体铜箔也可以在该附载体铜箔的表面具有基板或树脂层。通过具有该基板或树脂层，第一层所使用的附载体铜箔被支撑而不易产生褶皱，因此具有生产性提高的优点。此外，所述基板或树脂层只要为发挥支撑所述第一层所使用的附载体铜箔的效果者，则可以使用任何基板或树脂层。例如可以使用本案说明书所记载的载体、预浸料、树脂层或公知的载体、预浸料、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔作为所述基板或树脂层。
另外，本发明的印刷配线板的制造方法也可为包括如下步骤的印刷配线板的制造方法(空心方法)：将本发明的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；在与和所述树脂基板积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面至少1次设置树脂层与电路这两层的步骤；及在形成所述树脂层及电路这两层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离的步骤。关于该空心方法，作为具体的例，首先，将本发明的附载体铜箔的极薄铜层侧表面或载体侧表面与树脂基板积层而制造积层体(也称为覆铜积层板、覆铜积层体)。其后，在与和树脂基板积层的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面为相反侧的附载体铜箔的表面形成树脂层。也可以进而将另一附载体铜箔从载体侧或极薄铜层侧积层于形成于载体侧表面或极薄铜层侧表面的树脂层。在此情况下，可以将具有以树脂基板为中心而在该树脂基板的两表面侧按照载体/中间层/极薄铜层的顺序或者极薄铜层/中间层/载体的顺序将附载体铜箔积层而成的构成的积层体或者具有按照“载体/中间层/极薄铜层/树脂基板/极薄铜层/中间层/载体”的顺序积层而成的构成的积层体或者具有按照“载体/中间层/极薄铜层/树脂基板/载体/中间层/极薄铜层”的顺序积层而成的构成的积层体或者按照“极薄铜层/中间层/载体/树脂基板/载体/中间层/极薄铜层”的顺序积层而成的构成的积层体用于所述印刷配线板的制造方法(空心方法)。也可以在两端的极薄铜层或者载体所露出的表面设置另一树脂层，进而设置铜层或金属层，然后对该铜层或金属层进行加工，由此形成电路。此外，也能以填埋该电路的方式将另一树脂层设置于该电路上。另外，可将这种电路及树脂层的形成进行1次以上(增层方法)。并且，关于以所述方式而形成的积层体(以下，也称为积层体B)，也可使各个附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作空心基板。此外，所述空心基板的制作也可使用2个附载体铜箔制作下述具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体或具有载体/中间层/极薄铜层/极薄铜层/中间层/载体的构成的积层体或具有载体/中间层/极薄铜层/载体/中间层/极薄铜层的构成的积层体，并将该积层体用作中心。能够在这些积层体(以下，也称为积层体A)的两侧的极薄铜层或载体的表面将树脂层及电路这两层设置1次以上，并在将树脂层及电路这两层设置1次以上后，使各个附载体铜箔的极薄铜层或载体从载体或极薄铜层剥离而制作空心基板。所述积层体也可以在极薄铜层的表面、载体的表面、载体与载体之间、极薄铜层与极薄铜层之间、极薄铜层与载体之间具有其他层。其他层也可为树脂层或树脂基板。此外，在本说明书中，关于“极薄铜层的表面”、“极薄铜层侧表面”、“极薄铜层表面”、“载体的表面”、“载体侧表面”、“载体表面”、“积层体的表面”、“积层体表面”，在极薄铜层、载体、积层体在极薄铜层表面、载体表面、积层体表面具有其他层的情况下，设为包含该其他层的表面(最表面)的概念。另外，积层体优选具有极薄铜层/中间层/载体/载体/中间层/极薄铜层的构成。原因在于在使用该积层体制作空心基板时，因在空心基板侧配置了极薄铜层，所以容易使用改良半加成法在空心基板上形成电路。另外，原因在于因极薄铜层的厚度薄，所以容易去除该极薄铜层，且在去除极薄铜层后容易使用半加成法在空心基板上形成电路。
此外，在本说明书中，并未特别记载成“积层体A”或“积层体B”的“积层体”表示至少包含积层体A及积层体B的积层体。
此外，在所述空心基板的制造方法中，通过利用树脂覆盖附载体铜箔或积层体(积层体A)的端面的一部分或全部，当利用增层方法制造印刷配线板时，可防止药液渗入到构成中间层或积层体的一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔之间，从而可防止因药液渗入引起的极薄铜层与载体的分离或附载体铜箔的腐蚀，从而能够提高良率。作为这里使用的“覆盖附载体铜箔的端面的一部分或全部的树脂”或“覆盖积层体的端面的一部分或全部的树脂”，可使用可用于树脂层的树脂。另外，在所述空心基板的制造方法中，附载体铜箔或积层体可为俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周的至少一部分由树脂或预浸料覆盖。另外，利用所述空心基板的制造方法而形成的积层体(积层体A)可使一对附载体铜箔以相互分离的方式进行接触而构成。另外，该附载体铜箔也可为俯视时附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)的外周整体由树脂或预浸料覆盖而成的附载体铜箔。另外，优选俯视时树脂或预浸料大于附载体铜箔或积层体或积层体的积层部分，且优选制成具有将该树脂或预浸料积层于附载体铜箔或积层体的两面而利用树脂或预浸料将附载体铜箔或积层体封边(包裹)的构成的积层体。通过采用这种构成，当俯视观察附载体铜箔或积层体时，附载体铜箔或积层体的积层部分被树脂或预浸料所覆盖，可防止其他部件从该部分的侧方向、即相对于积层方向为横向的方向进行撞击，结果可减少操作中载体与极薄铜层或附载体铜箔彼此的剥离。另外，通过以不露出附载体铜箔或积层体的积层部分的外周的方式以树脂或预浸料进行覆盖，可防止如上文所述的药液处理步骤中的药液向该积层部分的界面的渗入，从而可防止附载体铜箔的腐蚀或侵蚀。此外，当从积层体的一对附载体铜箔分离其中一个附载体铜箔时，或将附载体铜箔的载体与铜箔(极薄铜层)分离时，在由树脂或预浸料覆盖的附载体铜箔或积层体的积层部分(载体与极薄铜层的积层部分、或一个附载体铜箔与另一个附载体铜箔的积层部分)通过树脂或预浸料等而牢固地密接的情况下，有时需要通过切割等而去除该积层部分等。
也可以将本发明的附载体铜箔从载体侧或极薄铜层侧积层于另一本发明的附载体铜箔的载体侧或极薄铜层侧而构成积层体。另外，也可为视需要经由粘接剂，将所述一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面与所述另一个附载体铜箔的所述载体侧表面或所述极薄铜层侧表面直接积层而获得的积层体。另外，可将所述一个附载体铜箔的载体或极薄铜层与所述另一个附载体铜箔的载体或极薄铜层接合。这里，该“接合”在载体或极薄铜层具有表面处理层的情况下，也包括经由该表面处理层而相互接合的态样。另外，该积层体的端面的一部分或全部也可被树脂所覆盖。
载体彼此、极薄铜层彼此、载体与极薄铜层、附载体铜箔彼此的积层除了单纯地重叠以外，也可通过例如以下方法进行。
(a)冶金接合方法：熔接(电弧焊接、TIG(钨极-惰性气体)焊接、MIG(金属-惰性气体)焊接、电阻焊接、缝焊接、点焊接)、压接(超声波焊接、摩擦搅拌焊接)、钎焊；
(b)机械接合方法：敛缝、利用铆钉的接合(利用自冲铆钉(Self-Piercing Rivet)的接合、利用铆钉的接合)、缝合；
(c)物理接合方法：粘接剂、(双面)胶带
通过使用所述接合方法将一个载体的一部分或者全部与另一个载体的一部分或者全部或者极薄铜层的一部分或者全部接合，可将一个载体与另一个载体或极薄铜层积层，而可制造使载体彼此或载体与极薄铜层以可分离的方式接触而构成的积层体。在将一个载体与另一个载体或极薄铜层较弱地接合而将一个载体与另一个载体或极薄铜层进行积层的情况下，即便不去除一个载体与另一个载体或极薄铜层的接合部，一个载体与另一个载体或极薄铜层也可分离。另外，在将一个载体与另一个载体或极薄铜层较强地接合的情况下，通过利用切割或化学研磨(蚀刻等)、机械研磨等去除将一个载体与另一个载体经接合的部位，可将一个载体与另一个载体或极薄铜层分离。
另外，通过实施如下步骤，可制作印刷配线板：在以所述方式构成的积层体上至少1次设置树脂层与电路这两层的步骤、及在至少1次形成所述树脂层及电路这两层后将所述极薄铜层或载体从所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。此外，也可在该积层体的一表面或两表面设置树脂层与电路这两层。
所述积层体所使用的树脂基板、树脂层、树脂、预浸料既可为本说明书所记载的树脂层，也可包含本说明书所记载的树脂层所使用的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸料、骨架材料等。此外，附载体铜箔在俯视时也可小于树脂或预浸料。
[实施例]
以下，通过本发明的实施例对本发明更详细地进行说明，但本发明并不受这些实施例任何限定。
首先，以如下方式制作铜箔载体。
在电解槽之中配置钛制的旋转滚筒，并在滚筒的周围隔开极间距离而配置电极。接下来，在电解槽中进行电解，使铜在旋转滚筒的表面析出，刮取在旋转滚筒的表面析出的铜并连续地制造厚度18μm的电解铜箔，将其作为铜箔载体。这里，将对SUS的表面进行镀铬并进行了抛光研磨而成者作为旋转滚筒。因为旋转滚筒的表面形状会直接变成所制造的铜箔载体的表面形状，所以通过调整旋转滚筒的旋转速度及研磨传送带的传送速度并且调整用于抛光研磨的抛光研磨粒的粒度号数来控制铜箔载体的表面形状(表面粗糙度Sz、Sa、60度镜面光泽度)。
以下，表示该电解铜箔(铜箔载体)的形成条件。
·实验No.1～14、22～53
＜电解液组成＞
铜：100g/L
硫酸：100g/L
氯：65ppm
＜电解条件＞
电流密度：80A/dm2
电解液温度：55℃
电解液线速：4m/sec
电解时间：60秒
所制作的铜箔载体的表面粗糙度Sz、Sa、MD方向的60度镜面光泽度如表2～4所示。
·实验No.54
＜电解液组成＞
铜：100g/L
硫酸：100g/L
氯：120ppm
＜电解条件＞
电流密度：80A/dm2
电解液温度：65℃
电解液线速：4m/sec
电解时间：60秒
·实验No.55
＜电解液组成＞
铜：100g/L
硫酸：100g/L
氯：100ppm
光泽剂：
整平剂1(双(3磺丙基)二硫化物)：1ppm
整平剂2(胺化合物)：1ppm
使用以下化学式的胺化合物作为所述胺化合物。
[化学式2]
(所述化学式中，R1及R2为甲基)
＜电解条件＞
电流密度：80A/dm2
电解液温度：55℃
电解液线速：4m/sec
电解时间：60秒
·实验No.56
＜电解液组成＞
铜：100g/L
硫酸：100g/L
氯：65ppm
整平剂1(双(3磺丙基)二硫化物)：3ppm
整平剂2(胺化合物)：3ppm
使用以下化学式的胺化合物作为所述胺化合物。
[化学式3]
(所述化学式中，R1及R2为甲基)
＜电解条件＞
电流密度：80A/dm2
电解液温度：55℃
电解液线速：4m/sec
电解时间：60秒
·实验No.15～20、57～58、60～61
在电解槽之中配置钛制的旋转滚筒，并在滚筒的周围隔开极间距离而配置电极。接下来，在电解槽中，在表1所记载的载体箔制造条件下进行电解，使铜在旋转滚筒的表面析出，刮取在旋转滚筒的表面析出的铜并连续地制造厚度18μm的电解铜箔，将其作为铜箔载体。
·实验No.59
准备压延铜箔(精铜，JIS H3100 C1100)，并在表1所记载的载体箔制造条件下使用通过喷砂使表面粗化后的压延辊对该压延铜箔进行精冷轧。此时，压延辊粗糙度设为Ra＝0.39～0.42μm，油膜当量设为35000。由此获得铜箔载体。
[表1]
接下来，在以下条件下进行铜箔载体的表面处理。
·实验No.1～2、22～23、36～37
利用硫酸500g/L、过氧化氢50g/L、作为添加剂成分的1,2,3-苯并三唑5g/L的水溶液对所形成的电解铜箔(铜箔载体)的光泽面(也称为发光面或S面)进行下述温度及时间的蚀刻处理。
·蚀刻处理条件(温度、时间)
实验No.1、22、36：(35℃、30秒)
实验No.2、23、37：(25℃、30秒)
·实验No.3、24、38、57～60
未对所形成的铜箔载体进行表面处理，而直接进行下述中间层处理。
·实验No.4～7、21、25～28、39～42、50～53
利用硫酸100g/L、过硫酸钾50g/L、作为添加剂成分的1,2,3-苯并三唑5g/L的水溶液对所形成的电解铜箔(铜箔载体)的光泽面(也称为发光面或S面)或者压延铜箔进行下述温度及时间的软蚀刻处理。
·蚀刻处理条件(温度、时间)
实验No.4、25、39、50：(35℃、10秒)
实验No.5、26、40、51：(35℃、60秒)
实验No.6、27、41、52：(25℃、10秒)
实验No.7、28、42、53：(25℃、60秒)
实验No.21：(35℃、45秒)
·实验No.8、29、43
利用硫酸20g/L、过氧化氢10g/L、作为添加剂成分的1,2,3-苯并三唑1g/L的水溶液对所形成的电解铜箔(铜箔载体)的光泽面(也称为发光面或S面)进行下述温度及时间的软蚀刻处理。
·蚀刻处理条件(温度、时间)
实验No.8、29、43：(35℃、30秒)
·实验No.9、30、44
利用硫酸20g/L、过硫酸钾10g/L、作为添加剂成分的羧基苯并三唑1g/L的水溶液对所形成的电解铜箔(铜箔载体)的光泽面(也称为发光面或S面)进行下述温度及时间的软蚀刻处理。
·蚀刻处理条件(温度、时间)
实验No.9、30、44：(35℃、30秒)
·实验No.10、31、45
利用硫酸100g/L、过硫酸铵50g/L、作为添加剂成分的1H-1,2,4-三唑5g/L的水溶液对所形成的电解铜箔(铜箔载体)的光泽面(也称为发光面或S面)进行下述温度及时间的软蚀刻处理。
·蚀刻处理条件(温度、时间)
实验No.10、31、45：(25℃、5秒)
·实验No.11～14、32～35、46～49
利用硫酸100g/L、过氧化氢20g/L、作为添加剂成分的1,2,3-苯并三唑5g/L的水溶液对所形成的电解铜箔(铜箔载体)的光泽面(也称为发光面或S面)进行下述温度及时间的软蚀刻处理。
·蚀刻处理条件(温度、时间)
实验No.11、32、46：(35℃、10秒)
实验No.12、33、47：(35℃、60秒)
实验No.13、34、48：(25℃、10秒)
实验No.14、35、49：(25℃、60秒)
·实验No.15
利用硫酸10vol％、过氧化氢2.0wt％的水溶液对所形成的电解铜箔(铜箔载体)的非光泽面(也称为无光泽面或M面)进行下述温度及时间的软蚀刻处理。
·蚀刻处理条件(温度、时间)
实验No.15：(25℃、1分钟)
·实验No.16
在所形成的电解铜箔(铜箔载体)的光泽面(也称为发光面或S面)侧配置阴极，并将铜箔作为阳极实施利用直流而进行的电解处理(处理液：硫酸100g/L)，由此对铜箔的光泽面进行逆电解研磨处理，从而每单位面积(1m2)的载体溶解5g铜(＝5g/m2)。此外，逆电解研磨处理的电流密度设为10A/dm2，处理温度设为30℃。
·实验No.17
未对所形成的电解铜箔(铜箔载体)进行表面处理而直接进行下述中间层处理。
·实验No.18
利用硫酸10vol％、过氧化氢1.5wt％的水溶液对所形成的电解铜箔(铜箔载体)的非光泽面(也称为无光泽面或M面)进行下述温度及时间的软蚀刻处理。
·蚀刻处理条件(温度、时间)
实验No.18：(25℃、1分钟)
·实验No.19
在所形成的电解铜箔(铜箔载体)的光泽面(也称为发光面或S面)侧配置阴极，并将铜箔作为阳极实施利用直流而进行的电解处理(处理液：硫酸100g/L)，由此对铜箔的光泽面进行逆电解研磨处理，从而每单位面积(1m2)的载体溶解12g铜(＝12g/m2)。此外，逆电解研磨处理的电流密度设为20A/dm2，处理温度设为30℃。
·实验No.20
利用硫酸10vol％、过氧化氢2.0wt％的水溶液对所形成的电解铜箔(铜箔载体)的非光泽面(也称为无光泽面或M面)进行下述温度及时间的软蚀刻处理。
·蚀刻处理条件(温度、时间)
实验No.20：(25℃、1分钟)
·实验No.54～56
利用硫酸20g/L、过氧化氢10g/L、作为添加剂成分的1,2,3-苯并三唑10g/L的水溶液对所形成的电解铜箔(铜箔载体)的光泽面(也称为发光面或S面)进行下述温度及时间的软蚀刻处理。
·蚀刻处理条件(温度、时间)
实验No.54～56：(25℃、1分钟)
·实验No.61
利用硫酸10vol％、过氧化氢8.0wt％的水溶液对所形成的电解铜箔(铜箔载体)的非光泽面(也称为无光泽面或M面)进行下述温度及时间的软蚀刻处理。
·蚀刻处理条件(温度、时间)
实验No.61：(25℃、1分钟)
接下来，关于实验No.1～49、54～61，在以下条件下形成中间层。在以下条件下利用辊对辊型的连续镀敷线进行电镀，由此形成4000μg/dm2的附着量的Ni层。
·Ni层
硫酸镍：250～300g/L
氯化镍：35～45g/L
乙酸镍：10～20g/L
柠檬酸三钠：15～30g/L
光泽剂：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸钠：30～100ppm
pH值：4～6
液温：50～70℃
电流密度：3～15A/dm2
在水洗及酸洗后，接下来在辊对辊型的连续镀敷线上在以下条件下进行电解铬酸盐处理，由此使11μg/dm2的附着量的Cr层附着在Ni层之上。
·电解铬酸盐处理
液体组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L
pH值：3～4
液温：50～60℃
电流密度：0.1～2.6A/dm2
库仑量：0.5～30As/dm2
另外，关于实验No.50，在以下条件下形成中间层。
在以下条件下利用辊对辊型的连续镀敷线进行电镀，由此形成3000μg/dm2的附着量的Ni-Mo层。
·Ni-Mo层(镍钼合金镀层)
液体组成：硫酸Ni六水合物：50g/dm3、钼酸钠二水合物：60g/dm3、柠檬酸钠：90g/dm3
液温：30℃
电流密度：1～4A/dm2
通电时间：3～25秒
另外，关于实验No.51，在以下条件下形成中间层。
·Ni层
在与实验No.1～49、54～61相同的条件下形成Ni层。
·有机物层(有机物层形成处理)
接下来，对所形成的Ni层表面进行水洗及酸洗后，接着在下述条件下对Ni层表面淋洒并喷雾浓度1～30g/L的包含羧基苯并三唑(CBTA)的液温40℃、pH值5的水溶液20～120秒，由此形成有机物层。
另外，关于实验No.52，在以下条件下形成中间层。
在以下条件下利用辊对辊型的连续镀敷线进行表面处理，由此形成有机物层。
·有机物层(有机物层形成处理)
以与实验No.51相同的条件形成。
·Ni层
接下来，在所形成的有机物层的表面以与实验No.1～49、54～61相同的条件形成Ni层。
另外，关于实验No.53，在以下条件下形成中间层。
在以下条件下利用辊对辊型的连续镀敷线进行电镀，由此形成4000μg/dm2的附着量的Co-Mo层。
·Co-Mo层(钴钼合金)
在以下条件下利用辊对辊型的连续电镀线对载体进行电镀，由此形成4000μg/dm2的附着量的Co-Mo层。将具体的镀敷条件示于以下。
液体组成：硫酸Co：50g/dm3、钼酸钠二水合物：60g/dm3、柠檬酸钠：90g/dm3
液温：30℃
电流密度：1～4A/dm2
通电时间：3～25秒
在形成中间层后，在以下条件下进行电镀而在中间层之上形成厚度1、2、3μm的极薄铜层，从而制成附载体铜箔。
·极薄铜层
铜浓度：30～120g/L
H2SO4浓度：20～120g/L
电解液温度：20～80℃
电流密度：10～100A/dm2
此外，在实验No.6、26、45中，在极薄铜层之上进而设置粗化处理层、耐热处理层、铬酸盐层、硅烷偶联处理层。
·粗化处理
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH值：1～4
温度：40～50℃
电流密度Dk：20～30A/dm2
时间：1～5秒
Cu附着量：15～40mg/dm2
Co附着量：100～3000μg/dm2
Ni附着量：100～1000μg/dm2
·耐热处理
Zn：0～20g/L
Ni：0～5g/L
pH值：3.5
温度：40℃
电流密度Dk：0～1.7A/dm2
时间：1秒
Zn附着量：5～250μg/dm2
Ni附着量：5～300μg/dm2
·铬酸盐处理
K2Cr2O7
(Na2Cr2O7或者CrO3)：2～10g/L
NaOH或者KOH：10～50g/L
ZnO或者ZnSO47H2O：0.05～10g/L
pH值：7～13
浴温：20～80℃
电流密度0.05～5A/dm2
时间：5～30秒
Cr附着量：10～150μg/dm2
·硅烷偶联处理
乙烯基三乙氧基硅烷水溶液
(乙烯基三乙氧基硅烷浓度：0.1～1.4wt％)
pH值：4～5
时间：5～30秒
(实验No.21)
准备压延铜箔(精铜，JIS H3100 C1100)，并使用通过喷砂使表面粗化后的压延辊对该压延铜箔进行精冷轧。此时，压延辊粗糙度设为Ra＝0.45～0.48μm，油膜当量设为41000。由此获得铜箔载体。
接下来，以与实验No.6相同的条件在铜箔载体表面形成中间层及极薄铜层，由此制作附载体铜箔。
关于以所述方式而获得的实验No.1～61的附载体铜箔，利用以下方法实施各评价。
＜极薄铜层的厚度＞
极薄铜层的厚度是利用以下重量法而测定。
在对附载体铜箔的重量进行测定后，将极薄铜层剥离，测定载体的重量，将前者与后者的差定义为极薄铜层的重量。
·试样的大小：10cm见方薄片(利用压制机冲切而成的10cm见方薄片)
·试样的采集：任意3个部位
·根据以下式算出各试样的利用重量法所获得的极薄铜层的厚度。
利用重量法所获得的极薄铜层的厚度(μm)＝{(10cm见方薄片的附载体铜箔的重量(g/100cm2))－(将极薄铜层从所述10cm见方薄片的附载体铜箔剥离后的载体的重量(g/100cm2))}/铜的密度(8.96g/cm3)×0.01(100cm2/cm2)×10000μm/cm
此外，试样的重量测定使用能够测定至小数点以下第4位的精密天平。并且，将所获得的重量的测定值直接使用于所述计算。
·将3个部位的利用重量法而获得的极薄铜层的厚度的算术平均值设为利用重量法而获得的极薄铜层的厚度。
另外，精密天平使用ASONE股份有限公司制造的IBA-200，压制机使用NOGUCHIPRESS股份有限公司制造的HAP-12。
此外，于在极薄铜层之上形成粗化处理层等表面处理层的情况下，在形成该表面处理层后进行所述测定。
该结果为，关于全部实验No.1～61，均确认到极薄铜层的厚度为1～3μm。
＜极薄铜层的表面粗糙度＞
在对附载体的极薄铜层与基材(三菱瓦斯化学(股)制造：GHPL-832NX-A)以压力20kgf/cm2在220℃进行2小时加热的积层压制后，依据JIS C 6471(1995，此外，将铜箔剥离的方法设为8.1铜箔的剥离强度8.1.1试验方法的种类(1)方法A(将铜箔相对于铜箔去除面沿90°方向剥离的方法))将铜箔载体剥离，从而使极薄铜层露出。接下来，根据以下顺序测定极薄铜层的露出面的各种粗糙度。
依据ISO 25178并利用Olympus公司制造的激光显微镜OLS4000(LEXT OLS 4000)测定极薄铜层的露出面的Sz(最大高度)、Sa(算术平均高度)。另外，对于表面处理前与表面处理后的载体的设置极薄铜层侧的表面，也同样地测定Sz、Sa。使用激光显微镜中的物镜50倍进行约200μm×200μm面积(具体来说为40106μm2)的测定，算出Sz、Sa。此外，在激光显微镜测定中，在测定结果的测定面并非为平面而成为曲面的情况下，在进行平面修正后算出Sz、Sa。此外，利用激光显微镜进行的Sz、Sa的测定环境温度设为23～25℃。
＜光泽度＞
在对附载体的极薄铜层与基材(三菱瓦斯化学(股)制造：GHPL-832NX-A)以压力20kgf/cm2在220℃进行2小时加热的积层压制后，依据JIS C 6471(1995，此外，将铜箔剥离的方法设为8.1铜箔的剥离强度8.1.1试验方法的种类(1)方法A(将铜箔相对于铜箔去除面沿90°方向剥离的方法))将铜箔载体剥离，从而使极薄铜层露出。接下来，使用依据JISZ8741的日本电色工业股份有限公司制造的光泽度计Handy Gloss Meter PG-1以入射角60度测定极薄铜层的露出面的MD方向(极薄铜层的条纹方向)的60度光泽度GMD。
＜激光开孔性＞
接下来，以下述条件对极薄铜层的未处理表面照射激光，利用显微镜观察照射后的孔形状，并实施测量。关于激光开孔时的能量，在极薄铜层的厚度为2μm的情况下，以孔径Ф60μm为目标并针对各样本在3～7mJ的范围内适当调整，在极薄铜层的厚度为1μm的情况下，以孔径Ф50μm为目标并针对各样本在1～5mJ的范围内适当调整，在极薄铜层的厚度为3μm的情况下，以孔径Ф70μm为目标并针对各样本在3～10mJ的范围内适当调整。开孔后的通孔的测定点为100点，孔的直径设为包围孔的最小圆的直径。接下来，测定该孔的直径，求出标准偏差，并根据下述基准对激光开孔性进行评价。此外，激光加工机使用三菱电机股份有限公司制造的激光加工机ML605GTW4。
(激光照射条件)
·激光波长：9.4μm
·输出：250W
·脉冲能量：在3～7mJ的范围内适当调整
·脉冲宽度：10μ秒
·加工方式：脉冲串式
·发数：1发
(激光开孔性的评价基准)
标准偏差超过6.0μm：×
标准偏差超过4.0μm且6.0μm以下：△
标准偏差超过2.5μm且4.0μm以下：○
标准偏差2.5μm以下：○○
＜电路形成性：形成M-SAP电路后的电路的裙摆部的评价＞
在将附载体铜箔(对极薄铜层实施了表面处理后的附载体铜箔称为该表面处理后的附载体铜箔)从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后将载体剥离，接下来，作为M-SAP电路，在所露出的极薄铜层表面，在极薄铜层的厚度为2μm的情况下以L/S＝15μm/15μm的方式形成15μm宽的图案镀铜层，在极薄铜层的厚度为1μm的情况下以L/S＝12μm/12μm的方式形成12μm宽的图案镀铜层，在极薄铜层的厚度为3μm的情况下以L/S＝20μm/20μm的方式形成20μm宽的图案镀铜层，其后进行蚀刻以形成电路。将此时的蚀刻条件示于以下。接下来，对于该电路，对100个(即将1mm的线长度的电路设为100条)1mm的线长度的部位进行俯视观察，并测定裙摆部的长度。关于通过该测定而获得的电路的裙摆部的最大长度，根据以下基准对电路形成性进行评价。在图5中表示示出该裙摆部的电路的俯视观察照片。裙摆部图5所示，是在电路的底部薄薄产生的蚀刻残渣。
(蚀刻条件)
·蚀刻形式：喷雾蚀刻
·喷雾喷嘴：实心锥型
·喷雾压力：0.10Mpa
·蚀刻液温：30℃
·蚀刻液组成：
H2O2：18g/L
H2SO4：92g/L
Cu：8g/L
添加剂：JCU股份有限公司制造FE-830IIW3C适量
(电路形成性的评价基准)
经常发生配线间短路或经常发生断线等电路形成不良状态：××
裙摆部的最大长度为5μm以上但尚未造成配线间短路：×
裙摆部的最大长度为2μm以上且小于5μm：○
裙摆部的最大长度小于2μm：○○
将试验条件及试验结果示于表2～4。

Claims (28)

1.一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具备中间层与极薄铜层，
在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，
利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足Sz≦3.6μm，Sz/Sa≦14.00，且
所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦150。
2.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，
所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦80。
3.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，
所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦70。
4.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，
所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦65。
5.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，
所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦5。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔，其中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，
利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足Sz/Sa≦10.50。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔，其中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，
利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足Sz/Sa≦9.50。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔，其中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，
利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz满足0.01μm≦Sz。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔，其中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，
利用激光显微镜所测得的所述极薄铜层的所述中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足1.00≦Sz/Sa。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔，其中，在将所述附载体铜箔从所述极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JISC 6471从所述附载体铜箔将载体剥离时，
所述极薄铜层的所述中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足0.01≦GMD。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔，其中，在载体的一面具有极薄铜层的情况下，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一表面或两表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层，或
在载体的两面具有极薄铜层的情况下，在该一个或两个极薄铜层侧的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。
12.根据权利要求6所述的附载体铜箔，其中，在载体的一面具有极薄铜层的情况下，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一表面或两表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层，或
在载体的两面具有极薄铜层的情况下，在该一个或两个极薄铜层侧的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。
13.根据权利要求7所述的附载体铜箔，其中，在载体的一面具有极薄铜层的情况下，在所述极薄铜层侧及所述载体侧的至少一表面或两表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层，或
在载体的两面具有极薄铜层的情况下，在该一个或两个极薄铜层侧的表面具有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。
14.根据权利要求1至5中任一项所述的附载体铜箔，其中，在所述极薄铜层上具备树脂层。
15.根据权利要求11所述的附载体铜箔，其中，在选自由所述粗化处理层、所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层之上具备树脂层。
16.根据权利要求12所述的附载体铜箔，其中，在选自由所述粗化处理层、所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层之上具备树脂层。
17.根据权利要求13所述的附载体铜箔，其中，在选自由所述粗化处理层、所述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层之上具备树脂层。
18.一种制造积层体的方法，其使用根据权利要求1至17中任一项所述的附载体铜箔而制造积层体。
19.一种积层体，其包含根据权利要求1至17中任一项所述的附载体铜箔与树脂，并且所述附载体铜箔的端面的一部分或全部由所述树脂所覆盖。
20.一种积层体，其是将一个根据权利要求1至17中任一项所述的附载体铜箔从所述载体侧或所述极薄铜层侧积层于另一个根据权利要求1至17中任一项所述的附载体铜箔的所述载体侧或所述极薄铜层侧而成。
21.根据权利要求20所述的积层体，其中，所述积层体的端面的一部分或全部由树脂所覆盖。
22.一种印刷配线板的制造方法，其使用通过根据权利要求18所述的制造积层体的方法而制造的积层体或根据权利要求19至21中任一项所述的积层体。
23.一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：
在通过根据权利要求18所述的制造积层体的方法而制造的积层体或根据权利要求19至21中任一项所述的积层体上至少设置1次树脂层与电路这两层的步骤；及
在至少形成1次所述树脂层及电路这两层后，将所述极薄铜层或所述载体从所述积层体的附载体铜箔剥离的步骤。
24.一种制造印刷配线板的方法，其使用根据权利要求1至17中任一项所述的附载体铜箔。
25.一种制造电子机器的方法，其使用通过根据权利要求24所述的印刷配线板的制造方法而制造的印刷配线板。
26.一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：
准备根据权利要求1至17中任一项所述的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将所述附载体铜箔与绝缘基板进行积层的步骤；及
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将所述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，
其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改良半加成法中的任一种方法形成电路的步骤。
27.一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：
在根据权利要求1至17中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；
以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；
将所述载体或所述极薄铜层剥离的步骤；及
在将所述载体或所述极薄铜层剥离后，去除所述极薄铜层或所述载体，由此使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面且埋没在所述树脂层中的电路露出的步骤。
28.一种印刷配线板的制造方法，其包括下述步骤：
将根据权利要求1至17中任一项所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面与树脂基板进行积层的步骤；
在所述附载体铜箔的与树脂基板积层侧的相反侧的极薄铜层侧表面或所述载体侧表面至少设置1次树脂层与电路这两层的步骤；及
在形成所述树脂层及电路这两层后，将所述载体或所述极薄铜层从所述附载体铜箔剥离的步骤。
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