JP5242710B2 - 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 - Google Patents
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Description
ついで、その銅張積層板に、スルーホールの穿設、スルーホールめっきを順次行った後に、該銅張積層板の表面にある銅箔にマスクパターンを形成してエッチング処理を行い、所望する回路配線の幅と間隔を備えた配線パターンを形成し、最後に、ソルダーレジストの形成やその他の仕上げ処理を行う。
次いで、フィルムレジストパターンで覆われていない(露出している)部分の銅箔をエッチング工程にて除去して、表面側の配線を形成する。エッチング工程で使用する薬品としては、例えば塩化第二鉄または塩化第二銅の水溶液に塩酸を加えたものが用いられる。その後、エッチング工程で使用済みのフィルムレジストパターンを、例えばアルカリ水溶液を用いて回路配線上から除去する。
上記と同様の工程でもう一方の面(裏面側)の銅箔にも所定のプリント配線を施す。
なお、他の電子部品やプリント配線板とのはんだ接続を容易とするために、回路配線の端部には必要に応じて無電解Snめっきが施される。無電解Snめっき工程で使用する薬品としては、Snイオンの水溶液に塩酸を加えたものが用いられる。
ブラインドビアホールの穿設は、表面側に露出した樹脂基材にCO2レーザーで穴を加工する。このレーザーでの穴あけ工程では穴の底部(裏面側回路配線の粗化処理面)に樹脂基材(絶縁樹脂)の滓(スミア)が残る。この滓を除去するために過マンガン酸カリウム溶液等の酸化性の薬剤を用いて滓を除去するデスミア処理を行う。
なお、裏面側の銅箔に配線を形成する工程はブラインドビアホールを穿設した後に行うことも可能である。
数GHzを超える高周波帯域においては、表皮効果により回路配線を流れる電流が銅箔表面に集中するため、高周波対応基板用の銅箔として従来の粗化処理を施した銅箔を用いた場合には、粗化処理部における伝送損失が大きくなり伝送特性が悪化する不具合があった。
しかしながら、これらの平滑な銅箔はファインパターンの回路形成性や高周波域における伝送特性には優れるものの、銅箔と樹脂基材との密着性を十分に高めることが困難であり、回路配線のエッチング工程あるいは回路配線の端部へのSnめっき工程において、銅箔と樹脂基材との界面で薬品の染み込みが発生することや、プリント配線板の製造工程および製品使用中の熱負荷により密着性が低下する等の課題を有している。特に、ファインパターン対応のプリント配線板では回路配線(銅箔)と樹脂基材との接合面積が極めて小さく構成されるため、薬品の染み込みや熱負荷後の密着性低下が発生すると樹脂基材から回路配線が剥離する危険性があり、樹脂基材との密着性が良好な銅箔が望まれている。
また本発明の目的は、前記粗化処理銅箔を樹脂基材に張り付けた銅張積層板および前記銅張積層板を用いたプリント配線板を提供することにある。
また、前記銅張積層板を用いたプリント配線板である。
更に、本発明の粗化処理銅箔を用いた銅張積層板によれば、ファインパターンや高周波基板に適するだけでなく、樹脂基材と銅箔との密着性が良好で信頼性の高いプリント配線板を提供することができる。
なお、上記銅又は銅合金で施す粗化処理では、表面粗さRaを0.02〜0.05μm増加する範囲で行い、粗化処理後のRaを0.35μm以下とすることが好ましい。
粗化処理後の表面粗さRzが上記下限値に満たない処理であると、樹脂基材との密着性がやや低くなり、Rzが上記上限値を超えると表面が粗くなり、後述する回路形成性や伝送特性が低下する。
また、粗化処理後の表面粗さRzを1.1μmよりも粗くしないことで、樹脂基材との密着性を損なうことなく、ファインパターンでの回路形成性や高周波帯域での伝送特性に優れた粗化処理銅箔とすることができる。
なお、表面粗さRa、RzはJIS−B−0601の規定に準じて測定される値である。
また、本発明では、粗化処理面における凸部形状のアスペクト比[高さ/幅]を1.2〜3.5とする。アスペクト比[高さ/幅]を1.2〜3.5とする理由は1.2未満では絶縁樹脂との密着性が十分でなく、アスペクト比が3.5より大きいと、粗化した凸部分が銅箔より欠落する可能性が高くなり好ましくないからである。
Cu粒子又はCuとMoの合金粒子で所望形態の粗化処理面(突起物)は得られるが、Cu粒子又はCuとMoの合金粒子にNi、Co、Fe、Cr、V及びWの群から選ばれる少なくとも1種の元素を含む2種類以上の合金粗化粒子で形成することで突起物は更に均一性のある突起物となる。
これらの目的を果たすためには、Ni、Ni合金、Zn、Zn合金の付着金属量は0.05mg/dm2〜10mg/dm2であることが望ましい。
上記金属めっき層の上に、Crめっきやクロメート被膜からなる防錆層を形成することが望ましい。
更に、防錆層の上にシランカップリング処理を施すと良い。
式1 Zn含有率(wt%)=Zn付着量/(Ni付着量+Zn付着量)×100 Znの付着量を規定するのは銅箔と樹脂基材との耐熱性と耐薬品性を改善するためであり、Ni−Zn合金中のZn含有率(wt%)が6%未満では耐熱性が改善されず、30%より多いと耐薬品性が悪くなり好ましくないためである。
また、Znについては0.08mg/dm2以上付着させることが望ましい。Znを0.08mg/dm2以上付着させる理由は耐熱性を改善するためで、0.08mg/dm2未満では耐熱性の効果が期待できないためである。
また、Niについては0.45〜3mg/dm2付着させることが好ましい。Niの付着量を規定するのは耐熱性の改善とソフトエッチング性に影響があるためであり、Ni付着量が0.45mg/dm2未満では耐熱性の改善がそれほど期待できず、3mg/dm2より多いとソフトエッチング性に悪影響を及ぼすことが懸念されるためである。
シランカップリング剤は対象となる樹脂基材によりエポキシ系、アミノ系、メタクリル系、ビニル系、メルカプト系等から適宜選択することができる。
高周波対応基板に用いられる樹脂基材には、特に相性の優れるエポキシ系、アミノ系、ビニル系のカップリング剤を選択することが好ましく、フレキシブルプリント配線板に用いられるポリイミドには、特に相性の優れるアミノ系のカップリング剤を選択することが好ましい。
また、別の方法としては、溶融状態や溶剤に溶解して流動性を有する状態とした樹脂含有物を粗化処理銅箔の表面に塗布した後に、熱処理により樹脂を硬化させる方法もある。
上述したように本発明の銅張積層板によれば、CO2ガスレーザー等のレーザーによるブラインドビアホールの穿設工程、穴空け、デスミア、ソフトエッチング、銅めっき等の加工を容易に行える。従って、レーザーの照射エネルギー等の加工条件については樹脂基材の厚みや樹脂の種類により適宜、最適化した条件を選択でき、また銅張積層板への穴形成方法および穴の内部および底部のデスミア処理方法、デスミア後の穴の側面や底部への無電解銅めっきの前処理であるソフトエッチング処理方法についても最適化した条件を選択でき、所望する箇所に最適なホールを形成することが可能となる。
(1)製箔工程
下記のめっき浴及びめっき条件で母材銅箔(未処理銅箔)を製造した。
(めっき浴及びめっき条件)
硫酸銅:銅濃度として50〜80g/L
硫酸濃度:30〜70g/L
塩素濃度:0.01〜30ppm
液温:35〜45℃
電流密度:20〜50A/dm2
母材銅箔表面への粗化処理は粗化めっき処理1→ 粗化めっき処理2の手順で行った。
硫酸銅:銅濃度として5〜10g/L
硫酸濃度:30〜120g/L
モリブデン酸アンモニウム:Mo金属として0.1〜5.0g/L
液温:20〜60℃
電流密度:10〜60A/dm2
硫酸銅:銅濃度として20〜70g/L
硫酸濃度:30〜120g/L
液温:20〜65℃
電流密度:5〜65A/dm2
下記のめっき浴及びめっき条件で金属めっき層を施した。なお、Niめっきを施した場合にはその上にZnめっきを施し、Ni−Znめっきを施した場合にはZnめっきは施さなかった。
(Niめっき)
硫酸ニッケル6水和物:240g/L
塩化ニッケル6水和物:45g/L
ホウ酸:30g/L
次亜リン酸ナトリウム:5g/L
液温:50℃
電流密度:0.5A/dm2
硫酸亜鉛7水和物:24g/L
水酸化ナトリウム:85g/L
液温:25℃
電流密度:0.4A/dm2
硫酸ニッケル:ニッケル濃度として0.1g/L〜200g/L、好ましくは20g/L〜60g/L、
硫酸亜鉛:亜鉛濃度として0.01g/L〜100g/L、好ましくは0.05g/L〜50g/L、
硫酸アンモニウム:0.1g/L〜100g/L、好ましくは0.5g/L〜40g/L
液温:20〜60℃
pH:2〜7
電流密度:0.3〜10A/dm2
金属めっき層処理後に、下記のめっき浴及びめっき条件でCrめっきを施した。
(Crめっき)
無水クロム酸:0.1g/L〜100g/L
液温:20〜50℃
電流密度:0.1〜20A/dm2
防錆めっき処理後に、下記の処理液および処理条件でシランカップリング処理を施した。
シラン種:γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
シラン濃度:0.1g/L〜10g/L
液温:20〜50℃
上記表面処理条件により製箔した未処理銅箔に表面処理を施した表面粗化処理銅箔を試験片とし、表1に示す各種評価に適するサイズや形態に加工し試験片とした。各試験片の特性値については、表1に示す。
(1)金属付着量の測定
蛍光X線分析装置((株)リガク製ZSXPrimus、分析径:35φ)にて分析した。
(2)表面粗さの測定
接触式表面粗さ測定機((株)小坂研究所製SE1700)にて測定した。
(3)アスペクト比の算出
FIBにより断面出し加工した粗化粒子の断面をSEM観察して幅および高さを測定し、「高さ÷幅」の数値をアスペクト比とした。なお、幅は箔表面の付け根部分の長さを、高さは箔表面の付け根部分から頂きまでの長さの測定値である。
(4)表面積の算出
レーザーマイクロスコープ((株)キーエンス製VK8500)にて三次元表面積を測定し、測定視野の面積を二次元表面積として「表面積比=三次元表面積÷二次元表面積」の数値を表面積比とした。
試験片を樹脂基材と接着後に密着強度を測定した。樹脂基材としては市販のポリイミド系樹脂(宇部興産(株)製ユーピレックス25VT)を使用した。
密着強度は、テンシロンテスター(東洋精機製作所社製)を使用して、樹脂基材と接着後の試験片を1mm幅の回路配線にエッチング加工した後に、樹脂側を両面テープによりステンレス板に固定し、回路配線を90度方向に50mm/分の速度で剥離して求めた。初期密着性は0.8kN/m以上を合格とし、その判定基準は表1に示す。
(6)耐熱性(熱処理後の密着強度の測定)
樹脂基材と接着後の試験片について、150℃で168時間加熱処理した後の密着強度を測定した。
耐熱性は初期ピール強度の90%以上を合格とし、その判定基準は表1に示す。
(7)耐薬品性(酸処理後の密着強度の測定)
樹脂基材と接着後の試験片について、水:塩酸=1:1の塩酸溶液に常温で1時間浸漬した後の密着強度を測定した。
耐薬品性は0.8kN/m以上を合格とし、その判定基準は表1に示す。
樹脂基材と接着後の試験片を、1mm幅の回路配線にエッチング加工し、配線回路の端部(銅箔と樹脂基材の界面)における残銅の幅を測定した。
回路形成性は3.0μm未満を合格とし、その判定基準は表1に示す。
(9)伝送特性(高周波での伝送損失の測定)
表面処理した試験片を樹脂基材と接着後に、伝送特性測定用のサンプルを作成し高周波帯域における伝送損失を測定した。樹脂基材としては市販のポリフェニレンエーテル系樹脂(パナソニック電工(株)製メグトロン6)を使用した。伝送測定の評価には、1〜25GHz域の測定に適する公知のストリップライン共振器法(マイクロストリップ構造:誘電体厚さ50μm、導体長さ1.0mm、導体厚さ12μm、導体回路幅120μm、特性インピーダンス50Ωでカバーレイフィルムなしの状態でS21パラメーターを測定する方法)を用いて、周波数5GHzにおける伝送損失(dB/100mm)を測定した。
伝送特性は伝送損失25dB/100mm未満を合格とし、その判定基準は表1に示す。
試験片に対して、粗化処理を施していない面にマスキング処理を施してから重量を測定した後に、ソフトエッチング液(三菱瓦斯化学(株)製CPE−920)に25℃で120秒浸漬した後に再度試験片の重量を測定した。ソフトエッチング前後の重量変化からエッチングされた重量を算出し、エッチングにより溶解除去された厚さに換算した。
ソフトエッチング性は1.0μm以上エッチングされた場合を合格とし、その判定基準は表1に示す。
母材銅箔(未処理銅箔)の表面に表1に示す増加粗化量になるように粗化処理を施し、先端が尖った凸状の粒子からなる粗化表面とした。このときのアスペクト比、表面積比を表1に示す。
この粗化処理銅箔を用いて、初期密着性、耐熱性、耐薬品性、回路形成性、伝送特性、ソフトエッチング性の評価を行った結果を表1に示す。
[実施例2〜6、11]
母材銅箔(未処理銅箔)の表面に表1に示す増加粗化量になるように粗化処理を施し、先端が尖った凸状の粒子からなる粗化表面とした。このときのアスペクト比、表面積比を表1に示す。この表面に表1に示す付着量のNiの金属めっき層、Znの金属めっき層、Crの防錆めっき層を順次形成し、最後にシラン処理層を形成した。
この粗化処理銅箔を用いて、初期密着性、耐熱性、耐薬品性、回路形成性、伝送特性、ソフトエッチング性の評価を行った結果を表1に示す。
母材銅箔(未処理銅箔)の表面に表1に示す増加粗化量になるように粗化処理を施した。このときのアスペクト比、表面積比を表1に示す。この表面に表1に示す付着量のNi−Znからなる金属めっき層、Crの防錆めっき層を順次形成し、最後にシラン処理層を形成した。
この粗化処理銅箔を用いて、実施例1と同様の評価を行った結果を表1に示す。
母材銅箔(未処理銅箔)の表面に、粗化処理と金属めっき層を施さずにCrの防錆めっき層、シラン処理層を順次形成した。
この表面処理銅箔を用いて、実施例1と同様の評価を行った結果を表1に示す。
母材銅箔(未処理銅箔)の表面に、粗化処理を施さずに表1に示す付着量のNiの金属めっき層、Znの金属めっき層、Crの防錆めっき層を順次形成し、最後シラン処理層を形成した。
この粗化処理銅箔を用いて、実施例1と同様の評価を行った結果を表1に示す。
母材銅箔(未処理銅箔)の表面に表1に示す増加粗化量になるように粗化処理を施した。このときのアスペクト比、表面積比を表1に示す。この表面に表1に示す付着量のNiの金属めっき層、Znの金属めっき層、Crの防錆めっき層を順次形成し、最後にシラン処理層を形成した。
この粗化処理銅箔を用いて、実施例1と同様の評価を行った結果を表1に示す。
母材銅箔(未処理銅箔)の表面に、粗化処理を施さずに表1に示す付着量のNi−Znからなる金属めっき層、Crの防錆めっき層を順次形成し、最後シラン処理層を形成した。
この粗化処理銅箔を用いて、実施例1と同様の評価を行った結果を表1に示す。
各評価項目における判断基準は以下のとおりである。
初期密着性(kN/m)
◎:1.0以上、○:0.8以上、1.0未満、×:0.8未満
耐熱性[耐熱性試験後密着性(kN/m)]
◎:0.9以上、○:0.72以上0.9未満、×:0.72未満
耐薬品性[耐薬品試験後密着性(kN/m)]
◎:1.0以上、○:0.8以上1.0未満、×:0.8未満
回路形成性[回路配線端部の残銅の測定(μm)]
◎:1.0未満、○:1.0以上3.0未満、×:3.0以上
伝送特性[周波数5GHzでの伝送損失(dB/100mm)]
◎:15未満、○:15以上25未満、×:25以上
ソフトエッチング性[ソフトエッチング液への溶解量(μm)]
◎:1.4以上、○:1.0以上1.4未満、×:1.0未満
また、本発明の銅箔の粗化処理方法によれば、樹脂基材との密着性に優れ、耐薬品性、ソフトエッチング性を工業的に満足する優れた粗化処理銅箔を製造することができる。
更に本発明の銅張積層板、プリント配線板によれば、樹脂基材と銅箔との接着強度が強く、回路形成にあたっては耐薬品性を有し、ソフトエッチング性を満足するといった優れた効果を有するものである。
Claims (7)
- 母材銅箔(未処理銅箔)の少なくとも片面に、前記母材銅箔の表面粗さRzに対してRzが0.05〜0.3μm増加し、前記母材銅箔の表面粗さRaに対してRaが0.02〜0.05μm増加する粗化処理が施され、粗化処理後の表面粗さRzが1.1μm以下、Raが0.35μm以下である粗化処理面を有する粗化処理銅箔であって、
前記粗化処理面は幅が0.3〜0.8μm、高さが0.4〜1.8μmで、アスペクト比[高さ/幅]が1.2〜3.5の先端が尖った形状の粗化面に形成され、
該粗化処理面の二次元表面積に対するレーザーマイクロスコープによる三次元表面積の比が3倍以上である粗化処理銅箔。 - 前記粗化処理面に、Ni、Ni合金、Zn、Zn合金のいずれかの金属めっきにより金属めっき層が施されている請求項1に記載の粗化処理銅箔。
- 前記金属めっき層の表面に、Crめっき、Cr合金めっき、クロメート処理のいずれかの防錆処理が施された請求項2に記載の粗化処理銅箔。
- 前記防錆処理が施された表面に、シランカップリング処理が施された請求項3に記載の粗化処理銅箔。
- 前記粗化処理の粗化量(粗化処理で付着する重量)が、1m2あたり3.56〜8.91g(厚さ換算:0.4〜1.0μm)である請求項1に記載の粗化処理銅箔。
- 樹脂基材の片面又は両面に請求項1〜5のいずれかに記載の粗化処理銅箔を張り合わせてなる銅張積層板。
- 請求項6に記載の銅張積層板を用いたプリント配線板。
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