JP6650923B2 - キャリア付極薄銅箔、その製造方法、銅張積層板及びプリント配線板 - Google Patents
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Description
本発明は、キャリア付極薄銅箔、その製造方法、銅張積層板及びプリント配線板に関する。
従来より、プリント配線板の製造工法として、サブトラクティブ法が広く採用されている。サブトラクティブ法は、銅箔を用いて微細な回路形成を行える手法である。例えば、図１及び２に示されるように、下地基材１２ａ上に下層回路１２ｂを備えた絶縁樹脂基板１２にプリプレグ１４を介して銅箔１０の粗化面を接着させ（工程（ａ））、ハーフエッチングにより銅箔１０を極薄化した後（工程（ｂ））、必要に応じてレーザー穴開け加工によりビアホール１６を形成する（工程（ｃ））。次いで、化学銅めっき１８（工程（ｄ））及び電気銅めっき２０（工程（ｅ））を施し、ドライフィルム２２を用いた露光及び現像により所定のパターンでマスキングし（工程（ｆ））、エッチングによりドライフィルム２２の開口部直下の不要な銅箔等を溶解除去した（工程（ｇ））後、ドライフィルム２２を剥離して（工程（ｈ））、所定のパターンで形成された配線２４を得る。
また、近年、銅張積層板のビアホール加工には、レーザーを極薄銅箔に直接照射してビアホールを形成するダイレクトレーザー穴開け加工が多用されている。例えば、特許文献１（特開２００１−３２６４６７号公報）には、銅張積層板にビアホール等の凹部を形成することを含むプリント配線板の製造方法が開示されており、銅張積層板の外層銅箔として波形状の銅箔を採用することで、炭酸ガスレーザーを用いて銅箔と基材樹脂とを同時に除去するダイレクトレーザー穴開けを可能にしたことが開示されている。また、特許文献２（特開平１１−３４６０６０号公報）には、極薄銅箔の表面に黒化処理を施した後、この黒化処理された表面に炭酸ガスレーザーを照射して極薄銅箔及びその直下の絶縁層の穴開けを行う方法が開示されている。
しかしながら、特許文献１に開示されるような波形状の銅箔を用いた手法は、レーザー穴開け加工性が高いものの、微細回路形成性は劣ることがあり、高いレーザー穴開け加工性を確保しながら微細回路形成性を更に向上させることが望まれる。一方、特許文献２に開示されるような黒化処理は時間とコストを要する上、歩留まりも低下しうるため、黒化処理を行わずに極薄銅箔表面にダイレクトレーザー穴開け加工を望ましく施すことができれば好都合である。
本発明者らは、今般、キャリア付極薄銅箔において、極薄銅箔の剥離層側の面の表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ Ｓｐａｃｉｎｇ）が２．５〜２０．０μｍであり、かつ、コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋが１．５〜３．０μｍであり、極薄銅箔の剥離層と反対側の面のうねりの最大高低差Ｗｍａｘが４．０μｍ以下である表面プロファイルを付与することにより、銅張積層板の加工ないしプリント配線板の製造において、レーザー穴開け加工性と微細回路形成性とを両立できるとの知見を得た。
したがって、本発明の目的は、銅張積層板の加工ないしプリント配線板の製造において、レーザー穴開け加工性と微細回路形成性とを両立可能な、キャリア付極薄銅箔を提供することにある。
本発明の一態様によれば、キャリア箔、剥離層及び極薄銅箔をこの順に備えたキャリア付極薄銅箔であって、
前記極薄銅箔の剥離層側の面は、表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ Ｓｐａｃｉｎｇ）が２．５〜２０．０μｍであり、かつ、コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋが１．５〜３．０μｍであり、
前記極薄銅箔の剥離層と反対側の面は、うねりの最大高低差Ｗｍａｘが４．０μｍ以下である、キャリア付極薄銅箔が提供される。
前記極薄銅箔の剥離層側の面は、表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ Ｓｐａｃｉｎｇ）が２．５〜２０．０μｍであり、かつ、コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋが１．５〜３．０μｍであり、
前記極薄銅箔の剥離層と反対側の面は、うねりの最大高低差Ｗｍａｘが４．０μｍ以下である、キャリア付極薄銅箔が提供される。
本発明の他の一態様によれば、上記態様によるキャリア付極薄銅箔の製造方法であって、
谷間の平均距離（Ｖａｌｌｅｙ Ｓｐａｃｉｎｇ）が２．５〜２０．０μｍであり、かつ、コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋが２．０〜３．８μｍである表面を有するキャリア箔を用意する工程と、
前記キャリア箔の前記表面に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に極薄銅箔を形成する工程と、
を含んでなる、方法が提供される。
谷間の平均距離（Ｖａｌｌｅｙ Ｓｐａｃｉｎｇ）が２．５〜２０．０μｍであり、かつ、コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋが２．０〜３．８μｍである表面を有するキャリア箔を用意する工程と、
前記キャリア箔の前記表面に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に極薄銅箔を形成する工程と、
を含んでなる、方法が提供される。
本発明の更に別の一態様によれば、上記態様によるキャリア付極薄銅箔を備えた銅張積層板が提供される。
本発明の更に別の一態様によれば、上記態様によるキャリア付極薄銅箔を用いてプリント配線板を製造することを特徴とする、プリント配線板の製造方法が提供される。
定義
本発明を特定するために用いられるパラメータの定義を以下に示す。
本発明を特定するために用いられるパラメータの定義を以下に示す。
本明細書において「表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ ｓｐａｃｉｎｇ）」とは、三次元表面構造解析顕微鏡を用いて得られる試料表面の凹凸に関する情報から、うねり成分を除去したのち、ピークに係る波形データをフィルタリングして抽出したデータにおける、ピーク間の平均距離をいう。
本明細書において「谷間の平均距離（Ｖａｌｌｅｙ ｓｐａｃｉｎｇ）」は、三次元表面構造解析顕微鏡を用いて得られる試料表面の凹凸に関する情報から、うねり成分を除去したのち、谷に係る波形データをフィルタリングして抽出したデータにおける、谷間の平均距離をいう。
本明細書において「コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋ」とは、ＪＩＳ Ｂ ０６７１−２：２００２に準拠して決定されうるパラメータであり、図３に示されるように、粗さ曲線３０のコア部（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｃｏｒｅ ｐｒｏｆｉｌｅ）３２の上側レベル３２ａと下側レベル３２ｂとの差をいい、この「粗さ曲線のコア部」３０とは、高い突出山部３４及び深い突出谷部３６を粗さ曲線から取り除いた曲線をいう。なお、図３には示される粗さ曲線３０は評価長さｌｎ相当の部分を抜き出したものであり、参考のため右側に等価曲線３８も示してある。
本明細書において「うねりの最大高低差Ｗｍａｘ」とは、三次元表面構造解析顕微鏡を用いて得られる試料表面の凹凸に係る情報から、うねりに係る波形データをフィルタを用いて抽出したときの波形データの高低差の最大値（波形の最大ピーク高さと最大バレー深さの和）をいう。
本明細書において「十点平均粗さＲｚｊｉｓ」とは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１に準拠して決定されうるパラメータであり、基準長さの粗さ曲線において、最高の山頂から高い順に５番目までの山高さの平均と、最深の谷底から深い順に５番目までの谷深さの平均との和をいう。
表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ ｓｐａｃｉｎｇ）、谷間の平均距離（Ｖａｌｌｅｙ ｓｐａｃｉｎｇ）、コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋ、うねりの最大高低差Ｗｍａｘ及び十点平均粗さＲｚｊｉｓは、いずれも、市販の三次元表面構造解析顕微鏡（例えば、ｚｙｇｏ Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ５０３２（Ｚｙｇｏ社製））と市販の解析ソフト（例えばＭｅｔｒｏ Ｐｒｏ Ｖｅｒ．８．０．２）を用い、低周波フィルタを１１μｍの条件に設定して測定することができる。このとき、箔の非測定面を試料台に密着させて固定し、試料片の１ｃｍ角の範囲内の中で１０８μｍ×１４４μｍの視野を６点選択して測定し、６箇所の測定点から得られた測定値の平均値を代表値として採用するのが好ましい。
本明細書において、キャリア箔の「電極面」とはキャリア箔作製時に陰極と接していた側の面を指す。
本明細書において、キャリア箔の「析出面」とはキャリア箔作製時に電解銅が析出されていく側の面、すなわち陰極と接していない側の面を指す。
キャリア付極薄銅箔及びその製造方法
本発明のキャリア付極薄銅箔は、キャリア箔、剥離層及び極薄銅箔をこの順に備えてなる。そして、極薄銅箔の剥離層側の面は、表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ Ｓｐａｃｉｎｇ）が２．５〜２０．０μｍであり、かつ、コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋが１．５〜３．０μｍである。また、極薄銅箔の剥離層と反対側の面は、うねりの最大高低差Ｗｍａｘが４．０μｍ以下である。これにより、銅張積層板の加工ないしプリント配線板の製造において、レーザー穴開け加工性と微細回路形成性とを両立することが可能となる。しかも、レーザー穴開け加工性を確保するためにこれまで一般的に採用されている黒化処理を本発明においては不要にすることができる。
本発明のキャリア付極薄銅箔は、キャリア箔、剥離層及び極薄銅箔をこの順に備えてなる。そして、極薄銅箔の剥離層側の面は、表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ Ｓｐａｃｉｎｇ）が２．５〜２０．０μｍであり、かつ、コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋが１．５〜３．０μｍである。また、極薄銅箔の剥離層と反対側の面は、うねりの最大高低差Ｗｍａｘが４．０μｍ以下である。これにより、銅張積層板の加工ないしプリント配線板の製造において、レーザー穴開け加工性と微細回路形成性とを両立することが可能となる。しかも、レーザー穴開け加工性を確保するためにこれまで一般的に採用されている黒化処理を本発明においては不要にすることができる。
本来、極薄銅箔は黒化処理を施さないかぎりレーザー穴開け加工性と微細回路形成性との両立が難しいものであるが、本発明によれば予想外にもそれらが両立可能となる。本来、優れた微細回路形成性を得るためには剥離層と反対側の表面が平滑な極薄銅箔が求められる。そして、そのような極薄銅箔を得るためには、剥離層側の面が平滑な極薄銅箔が求められるところ、表面が平滑になるほどレーザーが反射されやすくなり、それ故、レーザーが極薄銅箔に吸収されにくくなってレーザー穴開け加工性が低下するからである。実際、前述のとおり、特許文献１に開示されるような波形状の銅箔を用いた手法は、レーザー穴開け加工性が高いものの、微細回路形成性は劣ることがある。このような問題に対し、本発明のキャリア付極薄銅箔によれば、高いレーザー穴開け加工性を確保しながら、微細回路形成性を向上することができる。このようなレーザー穴開け加工性と微細回路形成性との両立は以下のようにして実現されるものと考えられる。すなわち、極薄銅箔の剥離層側の面におけるコア部のレベル差Ｒｋを１．５μｍ以上とし、かつ、極薄銅箔の剥離層側の面における表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ Ｓｐａｃｉｎｇ）を２．５〜２０．０μｍとすることにより、高いダイレクトレーザー穴開け加工性が実現されるものと考えられる。特に、図３に示されるように、コア部３２のレベル差Ｒｋは、十点平均粗さＲｚｊｉｓとは異なり、高い突出山部３４及び深い突出谷部３６を粗さ曲線３０から取り除いた曲線に基づく上側レベル３２ａと下側レベル３２ｂとの差であるため、箔表面の微小な空間を規定しうるパラメータといえる。このため、Ｒｋの値が高いほど空間が大きくなることを意味し、レーザーが反射して当該空間に熱がこもり易くなる（すなわちレーザーが反射して熱がこもる空間が大きくなる）といえる。また、表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ Ｓｐａｃｉｎｇ）が２．５〜２０．０μｍであることで粗さピーク間が密となり、照射されたレーザーを吸収しやすくする、すなわち熱に変換しやすくすることができる。こうして、Ｒｋ制御とＰｅａｋ Ｓｐａｃｉｎｇ制御との相乗効果として、ダイレクトレーザー穴開け加工性が向上するものと考えられる。その上で、極薄銅箔の剥離層側の面におけるコア部のレベル差Ｒｋを３．０μｍ以下とし、かつ、極薄銅箔の剥離層と反対側の面におけるうねりの最大高低差Ｗｍａｘを４．０μｍ以下としたことで、そのような高いレーザー穴開け加工性を損なうことなく、微細回路形成性の向上が実現されるものと考えられる。すなわち、本発明者らは、微細回路形成性を低下させる主たる要因は、極薄銅箔の剥離層と反対側の面のうねりであることを突き止めており、うねりの最大高低差（Ｗｍａｘ）を４．０μｍ以下に制御することが微細回路形成性の改善に寄与することを知見した。特に、うねりの最大高低差Ｗｍａｘの上限値である４．０μｍは極度に低い値という訳ではなく、それ故、銅箔の剥離層と反対側の面に極度な平滑性が要求されない（典型的には粗化される）サブトラクティブ法に特に適した表面プロファイルであるといえる。もっとも、サブトラクティブ法以外の方法（例えばＭＳＡＰ（モディファイド・セミ・アディティブ・プロセス）法）に適用してもよい。いずれにせよ、本発明のキャリア付極薄銅箔によれば、極薄銅箔（特にサブトラクティブ法用極薄銅箔）においてＰｅａｋ ｓｐａｃｉｎｇ、Ｒｋ、及びＷｍａｘを制御することにより、優れたダイレクトレーザー穴開け加工性を有しながらも、ライン／スペース＝３０μｍ以下／３０μｍ以下の回路を形成するのに適した望ましい微細回路形成性を実現することが可能となる。
このように、極薄銅箔は、表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ Ｓｐａｃｉｎｇ）が２．５〜２０．０μｍであり、かつ、コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋが１．５〜３．０μｍである表面を剥離層側の面に有し、かつ、うねりの最大高低差Ｗｍａｘが４．０μｍ以下である表面を剥離層と反対側の面に有する。これらのパラメータが上記範囲内となるようにすることで、銅張積層板の加工ないしプリント配線板の製造において、レーザー穴開け加工性と微細回路形成性とを両立することが可能となる。極薄銅箔の剥離層側の面における表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ ｓｐａｃｉｎｇ）は２．５〜２０．０μｍであり、好ましくは６．５〜１５．０μｍである。極薄銅箔の剥離層側の面におけるコア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋは１．５〜３．０μｍであり、好ましくは２．０〜３．０μｍである。また、極薄銅箔の剥離層と反対側の面におけるうねりの最大高低差Ｗｍａｘは４．０μｍ以下であり、好ましくは３．０μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以下である。特に、ライン／スペース＝２５μｍ以下／２５μｍ以下の微細回路形成を行うためには、極薄銅箔表面のＷｍａｘが３．０μｍ以下であるのが好ましい。Ｗｍａｘは低ければ低い方が良いため、その下限値は特に限定されないが、Ｗｍａｘは典型的には０．１μｍ以上であり、より典型的には０．２μｍ以上である。
極薄銅箔の剥離層側の面は、十点平均粗さＲｚｊｉｓが好ましくは２．０〜４．０μｍ、より好ましくは２．５〜４．０μｍである。このような範囲であるとレーザー穴開け加工性と微細回路形成性のバランス向上に寄与する。一方、極薄銅箔の剥離層と反対側の面は、十点平均粗さＲｚｊｉｓが好ましくは４．０μｍ以下、より好ましくは３．０μｍ以下、さらに好ましくは２．５μｍ以下である。この範囲内であると微細回路形成性の向上に寄与する。十点平均粗さＲｚｊｉｓは、樹脂層との密着性の観点から典型的には０．５μｍ以上であり、より典型的には１．０μｍ以上である。
極薄銅箔の剥離層と反対側の面は粗化面であるのが好ましい。すなわち、極薄銅箔の一方の面には粗化処理がされていることが好ましい。こうすることで銅張積層板やプリント配線板製造時における樹脂層との密着性を向上することができる。この粗化処理は、極薄銅箔の上に微細銅粒を析出付着させる焼けめっき工程と、この微細銅粒の脱落を防止するための被せめっき工程とを含む少なくとも２種類のめっき工程を経る公知のめっき手法に従って行われるのが好ましい。極薄銅箔の剥離層と反対側の面は粗化面であり、なおかつ、上述した十点平均粗さＲｚｊｉｓを満たすのがより好ましい。
極薄銅箔は、上記特有の表面プロファイルを有すること以外はキャリア付極薄銅箔に採用される公知の構成であってよく特に限定されない。例えば、極薄銅箔は、無電解銅めっき法及び電解銅めっき法等の湿式成膜法、スパッタリング及び化学蒸着等の乾式成膜法、又はそれらの組合せにより形成したものであってよい。極薄銅箔の好ましい厚さは０．５〜５．０μｍである。例えば、ライン／スペース＝２５μｍ以下／２５μｍ以下の微細回路形成を行うためには、極薄銅箔の厚さは３．０μｍ以下が特に好ましい。
剥離層は、キャリア箔の引き剥がし強度を弱くし、該強度の安定性を担保し、さらには高温でのプレス成形時にキャリア箔と銅箔の間で起こりうる相互拡散を抑制する機能を有する層である。剥離層は、キャリア箔の一方の面に形成されるのが一般的であるが、両面に形成されてもよい。剥離層は、有機剥離層及び無機剥離層のいずれであってもよい。有機剥離層に用いられる有機成分の例としては、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物、カルボン酸等が挙げられる。窒素含有有機化合物の例としては、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物等が挙げられ、中でもトリアゾール化合物は剥離性が安定し易い点で好ましい。トリアゾール化合物の例としては、１，２，３−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、Ｎ’，Ｎ’−ビス（ベンゾトリアゾリルメチル）ユリア、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール及び３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール等が挙げられる。硫黄含有有機化合物の例としては、メルカプトベンゾチアゾール、チオシアヌル酸、２−ベンズイミダゾールチオール等が挙げられる。カルボン酸の例としては、モノカルボン酸、ジカルボン酸等が挙げられる。一方、無機剥離層に用いられる無機成分の例としては、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｚｎ、クロメート処理膜等が挙げられる。なお、剥離層の形成はキャリア箔の少なくとも一方の表面に剥離層成分含有溶液を接触させ、剥離層成分をキャリア箔の表面に固定されること等により行えばよい。キャリア箔を剥離層成分含有溶液に接触させる場合、この接触は、剥離層成分含有溶液への浸漬、剥離層成分含有溶液の噴霧、剥離層成分含有溶液の流下等により行えばよい。その他、蒸着やスパッタリング等による気相法で剥離層成分を被膜形成する方法も採用可能である。また、剥離層成分のキャリア箔表面への固定は、剥離層成分含有溶液の吸着や乾燥、剥離層成分含有溶液中の剥離層成分の電着等により行えばよい。剥離層の厚さは、典型的には１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍである。
キャリア箔は、極薄銅箔を支持してそのハンドリング性を向上させるための箔である。キャリア箔の例としては、アルミニウム箔、銅箔、ステンレス（ＳＵＳ）箔、表面をメタルコーティングした樹脂フィルム等が挙げられ、好ましくは銅箔である。銅箔は圧延銅箔及び電解銅箔のいずれであってもよい。キャリア箔の厚さは典型的には２５０μｍ以下であり、好ましくは１２μｍ〜２００μｍである。
キャリア箔の剥離層側の面は、谷間の平均距離（Ｖａｌｌｅｙ ｓｐａｃｉｎｇ）が２．５〜２０．０μｍであり、かつ、コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋが２．０〜３．８μｍであるのが好ましい。キャリア付極薄銅箔の製造プロセスにおいて、キャリア箔の剥離層側の面には極薄銅箔が形成されることになるため、キャリア箔の表面に上記のように低いＶａｌｌｅｙ ｓｐａｃｉｎｇとＲｋを付与しておくことで、極薄銅箔の剥離層側の面と剥離層と反対側の面に前述した望ましい表面プロファイルを付与することができる。すなわち、本発明のキャリア付極薄銅箔は、谷間の平均距離（Ｖａｌｌｅｙ ｓｐａｃｉｎｇ）が２．５〜２０．０μｍであり、かつ、コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋが２．０〜３．８μｍの表面を有するキャリア箔を用意し、このキャリア箔の表面に剥離層を形成し、この剥離層上に極薄銅箔を形成することにより製造することができる。キャリア箔の剥離層側の面は、十点平均粗さＲｚｊｉｓが２．０〜５．０μｍであるのが好ましい。また、キャリア箔の剥離層側の面における谷間の平均距離（Ｖａｌｌｅｙ ｓｐａｃｉｎｇ）は４．５〜１０．０μｍであるのが好ましい。キャリア箔の表面における上記範囲内のＶａｌｌｅｙ ｓｐａｃｉｎｇ、Ｒｋ及びＲｚｊｉｓの実現は、電解液（例えば硫酸酸性硫酸銅溶液）を活性炭処理して電解液中の残留添加剤を取り除いた後、活性炭処理後の電解液中にニカワ又はゼラチン等の添加剤を新たに添加して公知の条件で電解を行い、厚さ約１５〜３５μｍ程度の電解銅箔を製造することにより好ましく行うことができる（例えば特許文献３（特開平９−２４１８８２号公報）に記載される製造方法が参照可能である）。こうして望ましい表面プロファイルが付与されたキャリア箔の析出面上に剥離層を介して極薄銅箔を形成することで、極薄銅箔の剥離層側の面に上述した表面プロファイルを付与することができる。
所望により、剥離層とキャリア箔及び／又は極薄銅箔の間に他の機能層を設けてもよい。そのような他の機能層の例としては補助金属層が挙げられる。補助金属層はニッケル及び／又はコバルトからなるのが好ましい。このような補助金属層をキャリア箔の表面側及び／又は極薄銅箔の表面側に形成することで、高温又は長時間の熱間プレス成形時にキャリア箔と極薄銅箔の間で起こりうる相互拡散を抑制し、キャリア箔の引き剥がし強度の安定性を担保することができる。補助金属層の厚さは、０．００１〜３μｍとするのが好ましい。
所望により、極薄銅箔に防錆処理を施してもよい。防錆処理は、亜鉛を用いためっき処理を含むのが好ましい。亜鉛を用いためっき処理は、亜鉛めっき処理及び亜鉛合金めっき処理のいずれであってもよく、亜鉛合金めっき処理は亜鉛−ニッケル合金処理が特に好ましい。亜鉛−ニッケル合金処理は少なくともＮｉ及びＺｎを含むめっき処理であればよく、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｏ等の他の元素をさらに含んでいてもよい。亜鉛−ニッケル合金めっきにおけるＮｉ／Ｚｎ付着比率は、質量比で、１．２〜１０が好ましく、より好ましくは２〜７、さらに好ましくは２．７〜４である。また、防錆処理はクロメート処理をさらに含むのが好ましく、このクロメート処理は亜鉛を用いためっき処理の後に、亜鉛を含むめっきの表面に行われるのがより好ましい。こうすることで防錆性をさらに向上させることができる。特に好ましい防錆処理は、亜鉛−ニッケル合金めっき処理とその後のクロメート処理との組合せである。
所望により、極薄銅箔の表面にシランカップリング剤処理を施し、シランカップリング剤層を形成してもよい。これにより耐湿性、耐薬品性及び樹脂層等との密着性等を向上することができる。シランカップリング剤層は、シランカップリング剤を適宜希釈して塗布し、乾燥させることにより形成することができる。シランカップリング剤の例としては、４−グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のエポキシ官能性シランカップリング剤、又はγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−３−（４−（３−アミノプロポキシ）ブトキシ）プロピル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノ官能性シランカップリング剤、又はγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプト官能性シランカップリング剤又はビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシシラン等のオレフィン官能性シランカップリング剤、又はγ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリル官能性シランカップリング剤、又はイミダゾールシラン等のイミダゾール官能性シランカップリング剤、又はトリアジンシラン等のトリアジン官能性シランカップリング剤等が挙げられる。
銅張積層板
本発明のキャリア付極薄銅箔はプリント配線板用銅張積層板の作製に用いられるのが好ましい。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、キャリア付極薄銅箔を用いて得られた銅張積層板が提供される。本発明のキャリア付極薄銅箔を用いることで、銅張積層板の加工において、レーザー穴開け加工性と微細回路形成性とを両立することができる。この銅張積層板は、本発明のキャリア付極薄銅箔と、該表面処理層に密着して設けられる樹脂層とを備えてなる。キャリア付極薄銅箔は樹脂層の片面に設けられてもよいし、両面に設けられてもよい。樹脂層は、樹脂、好ましくは絶縁性樹脂を含んでなる。樹脂層はプリプレグ及び／又は樹脂シートであるのが好ましい。プリプレグとは、合成樹脂板、ガラス板、ガラス織布、ガラス不織布、紙等の基材に合成樹脂を含浸させた複合材料の総称である。絶縁性樹脂の好ましい例としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、樹脂シートを構成する絶縁性樹脂の例としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等の絶縁樹脂が挙げられる。また、樹脂層には絶縁性を向上する等の観点からシリカ、アルミナ等の各種無機粒子からなるフィラー粒子等が含有されていてもよい。樹脂層の厚さは特に限定されないが、１〜１０００μｍが好ましく、より好ましくは２〜４００μｍであり、さらに好ましくは３〜２００μｍである。樹脂層は複数の層で構成されていてよい。プリプレグ及び／又は樹脂シート等の樹脂層は予め銅箔表面に塗布されるプライマー樹脂層を介してキャリア付極薄銅箔に設けられていてもよい。
本発明のキャリア付極薄銅箔はプリント配線板用銅張積層板の作製に用いられるのが好ましい。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、キャリア付極薄銅箔を用いて得られた銅張積層板が提供される。本発明のキャリア付極薄銅箔を用いることで、銅張積層板の加工において、レーザー穴開け加工性と微細回路形成性とを両立することができる。この銅張積層板は、本発明のキャリア付極薄銅箔と、該表面処理層に密着して設けられる樹脂層とを備えてなる。キャリア付極薄銅箔は樹脂層の片面に設けられてもよいし、両面に設けられてもよい。樹脂層は、樹脂、好ましくは絶縁性樹脂を含んでなる。樹脂層はプリプレグ及び／又は樹脂シートであるのが好ましい。プリプレグとは、合成樹脂板、ガラス板、ガラス織布、ガラス不織布、紙等の基材に合成樹脂を含浸させた複合材料の総称である。絶縁性樹脂の好ましい例としては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。また、樹脂シートを構成する絶縁性樹脂の例としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等の絶縁樹脂が挙げられる。また、樹脂層には絶縁性を向上する等の観点からシリカ、アルミナ等の各種無機粒子からなるフィラー粒子等が含有されていてもよい。樹脂層の厚さは特に限定されないが、１〜１０００μｍが好ましく、より好ましくは２〜４００μｍであり、さらに好ましくは３〜２００μｍである。樹脂層は複数の層で構成されていてよい。プリプレグ及び／又は樹脂シート等の樹脂層は予め銅箔表面に塗布されるプライマー樹脂層を介してキャリア付極薄銅箔に設けられていてもよい。
プリント配線板
本発明のキャリア付極薄銅箔はプリント配線板の作製に用いられるのが好ましい。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、キャリア付極薄銅箔を用いて得られたプリント配線板が提供される。本発明のキャリア付極薄銅箔を用いることで、プリント配線板の製造において、レーザー穴開け加工性と微細回路形成性とを両立することができる。本態様によるプリント配線板は、樹脂層と、銅層とがこの順に積層された層構成を含んでなる。銅層は本発明のキャリア付極薄銅箔の極薄銅箔に由来する層である。また、樹脂層については銅張積層板に関して上述したとおりである。いずれにしても、プリント配線板は、本発明のキャリア付極薄銅箔を用いること以外は、公知の層構成が採用可能である。プリント配線板に関する具体例としては、プリプレグの片面又は両面に本発明の極薄銅箔を接着させ硬化した積層体とした上で回路形成した片面又は両面プリント配線板や、これらを多層化した多層プリント配線板等が挙げられる。また、他の具体例としては、樹脂フィルム上に本発明の極薄銅箔を形成して回路を形成するフレキシブルプリント配線板、ＣＯＦ、ＴＡＢテープ等も挙げられる。さらに他の具体例としては、本発明の極薄銅箔に上述の樹脂層を塗布した樹脂付銅箔（ＲＣＣ）を形成し、樹脂層を絶縁接着材層として上述のプリント基板に積層した後、極薄銅箔を配線層の全部又は一部としてモディファイド・セミアディティブ（ＭＳＡＰ）法、サブトラクティブ法等の手法で回路を形成したビルドアップ配線板や、極薄銅箔を除去してセミアディティブ法で回路を形成したビルドアップ配線板、半導体集積回路上へ樹脂付銅箔の積層と回路形成を交互に繰り返すダイレクト・ビルドアップ・オン・ウェハー等が挙げられる。より発展的な具体例として、上記樹脂付銅箔を基材に積層し回路形成したアンテナ素子、接着剤層を介してガラスや樹脂フィルムに積層しパターンを形成したパネル・ディスプレイ用電子材料や窓ガラス用電子材料、本発明の極薄銅箔に導電性接着剤を塗布した電磁波シールド・フィルム等も挙げられる。特に、本発明のキャリア付極薄銅箔はサブトラクティブ法に適している。例えば、サブトラクティブ法により回路形成した場合には図１及び２に示されるような構成が採用可能である。
本発明のキャリア付極薄銅箔はプリント配線板の作製に用いられるのが好ましい。すなわち、本発明の好ましい態様によれば、キャリア付極薄銅箔を用いて得られたプリント配線板が提供される。本発明のキャリア付極薄銅箔を用いることで、プリント配線板の製造において、レーザー穴開け加工性と微細回路形成性とを両立することができる。本態様によるプリント配線板は、樹脂層と、銅層とがこの順に積層された層構成を含んでなる。銅層は本発明のキャリア付極薄銅箔の極薄銅箔に由来する層である。また、樹脂層については銅張積層板に関して上述したとおりである。いずれにしても、プリント配線板は、本発明のキャリア付極薄銅箔を用いること以外は、公知の層構成が採用可能である。プリント配線板に関する具体例としては、プリプレグの片面又は両面に本発明の極薄銅箔を接着させ硬化した積層体とした上で回路形成した片面又は両面プリント配線板や、これらを多層化した多層プリント配線板等が挙げられる。また、他の具体例としては、樹脂フィルム上に本発明の極薄銅箔を形成して回路を形成するフレキシブルプリント配線板、ＣＯＦ、ＴＡＢテープ等も挙げられる。さらに他の具体例としては、本発明の極薄銅箔に上述の樹脂層を塗布した樹脂付銅箔（ＲＣＣ）を形成し、樹脂層を絶縁接着材層として上述のプリント基板に積層した後、極薄銅箔を配線層の全部又は一部としてモディファイド・セミアディティブ（ＭＳＡＰ）法、サブトラクティブ法等の手法で回路を形成したビルドアップ配線板や、極薄銅箔を除去してセミアディティブ法で回路を形成したビルドアップ配線板、半導体集積回路上へ樹脂付銅箔の積層と回路形成を交互に繰り返すダイレクト・ビルドアップ・オン・ウェハー等が挙げられる。より発展的な具体例として、上記樹脂付銅箔を基材に積層し回路形成したアンテナ素子、接着剤層を介してガラスや樹脂フィルムに積層しパターンを形成したパネル・ディスプレイ用電子材料や窓ガラス用電子材料、本発明の極薄銅箔に導電性接着剤を塗布した電磁波シールド・フィルム等も挙げられる。特に、本発明のキャリア付極薄銅箔はサブトラクティブ法に適している。例えば、サブトラクティブ法により回路形成した場合には図１及び２に示されるような構成が採用可能である。
本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。
例１
キャリア箔の析出面側に剥離層及び極薄銅箔層を順に形成した後、防錆処理及びシランカップリング剤処理を行うことで、キャリア付極薄銅箔を作製した。そして、得られたキャリア付極薄銅箔について各種評価を行った。具体的な手順は以下のとおりである。
キャリア箔の析出面側に剥離層及び極薄銅箔層を順に形成した後、防錆処理及びシランカップリング剤処理を行うことで、キャリア付極薄銅箔を作製した。そして、得られたキャリア付極薄銅箔について各種評価を行った。具体的な手順は以下のとおりである。
（１）キャリア箔の作製
陰極に算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１に準拠）が０．２０μｍのチタン製の回転電極を用い、陽極にはＤＳＡ（寸法安定性陽極）を用いて、銅電解液として以下に示される組成の硫酸酸性硫酸銅溶液を活性炭処理した後、活性炭処理後の電解液中水溶性ゼラチンの濃度が５ｍｇ／Ｌとなるように添加し、溶液温度５０℃、電流密度６０Ａ／ｄｍ２で電解し、厚さ１８μｍの電解銅箔をキャリア箔として得た。
＜硫酸酸性硫酸銅溶液の組成＞
‐ 銅濃度：８５ｇ／Ｌ
‐ 硫酸濃度：２７０ｇ／Ｌ
‐ 塩素濃度：３０ｍｇ／Ｌ
陰極に算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１に準拠）が０．２０μｍのチタン製の回転電極を用い、陽極にはＤＳＡ（寸法安定性陽極）を用いて、銅電解液として以下に示される組成の硫酸酸性硫酸銅溶液を活性炭処理した後、活性炭処理後の電解液中水溶性ゼラチンの濃度が５ｍｇ／Ｌとなるように添加し、溶液温度５０℃、電流密度６０Ａ／ｄｍ２で電解し、厚さ１８μｍの電解銅箔をキャリア箔として得た。
＜硫酸酸性硫酸銅溶液の組成＞
‐ 銅濃度：８５ｇ／Ｌ
‐ 硫酸濃度：２７０ｇ／Ｌ
‐ 塩素濃度：３０ｍｇ／Ｌ
（２）剥離層の形成
酸洗処理されたキャリア箔の析出面を、ＣＢＴＡ（カルボキシベンゾトリアゾール）濃度１ｇ／Ｌ、硫酸濃度１５０ｇ／Ｌ及び銅濃度１０ｇ／ＬのＣＢＴＡ水溶液に、液温３０℃で３０秒間浸漬し、ＣＢＴＡ成分をキャリア箔の析出面に吸着させた。こうして、キャリア箔の析出面にＣＢＴＡ層を有機剥離層として形成した。
酸洗処理されたキャリア箔の析出面を、ＣＢＴＡ（カルボキシベンゾトリアゾール）濃度１ｇ／Ｌ、硫酸濃度１５０ｇ／Ｌ及び銅濃度１０ｇ／ＬのＣＢＴＡ水溶液に、液温３０℃で３０秒間浸漬し、ＣＢＴＡ成分をキャリア箔の析出面に吸着させた。こうして、キャリア箔の析出面にＣＢＴＡ層を有機剥離層として形成した。
（３）補助金属層の形成
有機剥離層が形成されたキャリア箔を、硫酸ニッケルを用いて作製されたニッケル濃度２０ｇ／Ｌを含む溶液に浸漬して、液温４５℃、ｐＨ３、電流密度５Ａ／ｄｍ２の条件で、厚さ０．００１μｍ相当の付着量のニッケルを有機剥離層上に付着させた。こうして有機剥離層上にニッケル層を補助金属層として形成した。
有機剥離層が形成されたキャリア箔を、硫酸ニッケルを用いて作製されたニッケル濃度２０ｇ／Ｌを含む溶液に浸漬して、液温４５℃、ｐＨ３、電流密度５Ａ／ｄｍ２の条件で、厚さ０．００１μｍ相当の付着量のニッケルを有機剥離層上に付着させた。こうして有機剥離層上にニッケル層を補助金属層として形成した。
（４）極薄銅箔の形成
補助金属層が形成されたキャリア箔を、以下に示される組成の銅溶液に浸漬して、溶液温度５０℃、電流密度５〜３０Ａ／ｄｍ２で電解し、厚さ３μｍの極薄銅箔を補助金属層上に形成した。
＜溶液の組成＞
‐ 銅濃度：６０ｇ／Ｌ
‐ 硫酸濃度：２００ｇ／Ｌ
補助金属層が形成されたキャリア箔を、以下に示される組成の銅溶液に浸漬して、溶液温度５０℃、電流密度５〜３０Ａ／ｄｍ２で電解し、厚さ３μｍの極薄銅箔を補助金属層上に形成した。
＜溶液の組成＞
‐ 銅濃度：６０ｇ／Ｌ
‐ 硫酸濃度：２００ｇ／Ｌ
（５）粗化処理
こうして形成された極薄銅箔の表面に粗化処理を行った。この粗化処理は、極薄銅箔の上に微細銅粒を析出付着させる焼けめっき工程と、この微細銅粒の脱落を防止するための被せめっき工程とから構成される。焼けめっき工程では、銅濃度１０ｇ／Ｌ及び硫酸濃度１２０ｇ／Ｌを含む酸性硫酸銅溶液を用いて、液温２５℃、電流密度１５Ａ／ｄｍ２で粗化処理を行った。その後の被せめっき工程では、銅濃度７０ｇ／Ｌ及び硫酸濃度１２０ｇ／Ｌを含む酸性硫酸銅溶液を用いて、液温４０℃及び電流密度１５Ａ／ｄｍ２の平滑めっき条件で電着を行った。
こうして形成された極薄銅箔の表面に粗化処理を行った。この粗化処理は、極薄銅箔の上に微細銅粒を析出付着させる焼けめっき工程と、この微細銅粒の脱落を防止するための被せめっき工程とから構成される。焼けめっき工程では、銅濃度１０ｇ／Ｌ及び硫酸濃度１２０ｇ／Ｌを含む酸性硫酸銅溶液を用いて、液温２５℃、電流密度１５Ａ／ｄｍ２で粗化処理を行った。その後の被せめっき工程では、銅濃度７０ｇ／Ｌ及び硫酸濃度１２０ｇ／Ｌを含む酸性硫酸銅溶液を用いて、液温４０℃及び電流密度１５Ａ／ｄｍ２の平滑めっき条件で電着を行った。
（６）防錆処理
得られたキャリア付極薄銅箔の粗化処理層の表面に、亜鉛−ニッケル合金めっき処理及びクロメート処理からなる防錆処理を行った。まず、亜鉛濃度０．２ｇ／Ｌ、ニッケル濃度２ｇ／Ｌ及びピロリン酸カリウム濃度３００ｇ／Ｌの電解液を用い、液温４０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２の条件で、粗化処理層及びキャリア箔の表面に亜鉛−ニッケル合金めっき処理を行った。次いで、クロム酸濃度３ｇ／Ｌ水溶液を用い、ｐＨ１０、電流密度５Ａ／ｄｍ２の条件で、亜鉛−ニッケル合金めっき処理を行った表面にクロメート処理を行った。
得られたキャリア付極薄銅箔の粗化処理層の表面に、亜鉛−ニッケル合金めっき処理及びクロメート処理からなる防錆処理を行った。まず、亜鉛濃度０．２ｇ／Ｌ、ニッケル濃度２ｇ／Ｌ及びピロリン酸カリウム濃度３００ｇ／Ｌの電解液を用い、液温４０℃、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２の条件で、粗化処理層及びキャリア箔の表面に亜鉛−ニッケル合金めっき処理を行った。次いで、クロム酸濃度３ｇ／Ｌ水溶液を用い、ｐＨ１０、電流密度５Ａ／ｄｍ２の条件で、亜鉛−ニッケル合金めっき処理を行った表面にクロメート処理を行った。
（７）シランカップリング剤処理
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン濃度２ｇ／Ｌの水溶液をキャリア付極薄銅箔の極薄銅箔側の表面に吸着させ、電熱器により水分を蒸発させることにより、シランカップリング剤処理を行った。このとき、シランカップリング剤処理はキャリア箔側には行わなかった。
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン濃度２ｇ／Ｌの水溶液をキャリア付極薄銅箔の極薄銅箔側の表面に吸着させ、電熱器により水分を蒸発させることにより、シランカップリング剤処理を行った。このとき、シランカップリング剤処理はキャリア箔側には行わなかった。
（８）評価
こうして得られたキャリア付極薄銅箔について、各種特性の評価を以下のとおり行った。
こうして得られたキャリア付極薄銅箔について、各種特性の評価を以下のとおり行った。
＜表面性状パラメータ＞
測定機器としてｚｙｇｏ Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ５０３２（Ｚｙｇｏ社製）を用い、解析ソフトとしてＭｅｔｒｏ Ｐｒｏ Ｖｅｒ．８．０．２を用いて、低周波フィルタを１１μｍの条件を採用して、キャリア箔と極薄銅箔について、表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ ｓｐａｃｉｎｇ）、谷間の平均距離（Ｖａｌｌｅｙ ｓｐａｃｉｎｇ）、十点平均粗さＲｚｊｉｓ、コア部のレベル差Ｒｋ、及び／又はうねりの最大高低差Ｗｍａｘの測定を行った。このとき、極薄銅箔又はキャリア箔を試料台に密着させて固定し、試料片の１ｃｍ角の範囲の中で１０８μｍ×１４４μｍの視野を６点選択して測定し、６箇所の測定点から得られた測定値の平均値を代表値として採用した。なお、極薄銅箔の剥離層側の面については、後述するレーザー穴開け加工性評価用の銅張積層板を作製した後に測定を行った。
測定機器としてｚｙｇｏ Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ５０３２（Ｚｙｇｏ社製）を用い、解析ソフトとしてＭｅｔｒｏ Ｐｒｏ Ｖｅｒ．８．０．２を用いて、低周波フィルタを１１μｍの条件を採用して、キャリア箔と極薄銅箔について、表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ ｓｐａｃｉｎｇ）、谷間の平均距離（Ｖａｌｌｅｙ ｓｐａｃｉｎｇ）、十点平均粗さＲｚｊｉｓ、コア部のレベル差Ｒｋ、及び／又はうねりの最大高低差Ｗｍａｘの測定を行った。このとき、極薄銅箔又はキャリア箔を試料台に密着させて固定し、試料片の１ｃｍ角の範囲の中で１０８μｍ×１４４μｍの視野を６点選択して測定し、６箇所の測定点から得られた測定値の平均値を代表値として採用した。なお、極薄銅箔の剥離層側の面については、後述するレーザー穴開け加工性評価用の銅張積層板を作製した後に測定を行った。
＜レーザー穴開け加工性＞
キャリア付極薄銅箔を用いて銅張積層板を作製し、レーザー穴開け加工性を評価した。まず、内層基板の表面に、プリプレグ（三菱瓦斯化学株式会社製、８３０ＮＸ−Ａ、厚さ０．２ｍｍ）を介してキャリア付極薄銅箔の極薄銅箔を積層し、４．０ＭＰａ、２２０℃で９０分間、熱圧着させた後、キャリア箔を剥離し、銅張積層板を作製した。その後、上記銅張積層板に炭酸ガスレーザーを用い、パルス幅１２μｓｅｃ．、パルスエネルギー８ｍＪ、レーザー光径９７μｍの条件でレーザー穴開け加工を行った。レーザー穴開け加工により形成した１０個の穴に対してｘ方向とｙ方向の直径を測定し、それらの平均値を算出して加工後の穴径とした。加工後の穴径が７０μｍ以上となったものをＡと判定し、６５μｍ以上７０μｍ未満をＢと判定し、６５μｍ未満をＣと判定した。
キャリア付極薄銅箔を用いて銅張積層板を作製し、レーザー穴開け加工性を評価した。まず、内層基板の表面に、プリプレグ（三菱瓦斯化学株式会社製、８３０ＮＸ−Ａ、厚さ０．２ｍｍ）を介してキャリア付極薄銅箔の極薄銅箔を積層し、４．０ＭＰａ、２２０℃で９０分間、熱圧着させた後、キャリア箔を剥離し、銅張積層板を作製した。その後、上記銅張積層板に炭酸ガスレーザーを用い、パルス幅１２μｓｅｃ．、パルスエネルギー８ｍＪ、レーザー光径９７μｍの条件でレーザー穴開け加工を行った。レーザー穴開け加工により形成した１０個の穴に対してｘ方向とｙ方向の直径を測定し、それらの平均値を算出して加工後の穴径とした。加工後の穴径が７０μｍ以上となったものをＡと判定し、６５μｍ以上７０μｍ未満をＢと判定し、６５μｍ未満をＣと判定した。
＜回路形成性＞
回路形成性の評価は次のようにして行った。まず、上述の銅張積層板の表面に回路高さが１５μｍになるまで電気めっきを行った。こうして形成された電気めっき層の表面にドライフィルムを貼り付け、露光及び現像を行い、エッチングレジストを形成した。塩化銅エッチング液で処理することにより、レジスト間から銅を溶解除去し、回路高さ１５μｍ、ライン／スペース＝２５μｍ／２５μｍの配線パターンを形成した。回路を真上からＳＥＭ観察し、回路の頂部から裾引きの長さを４μｍ間隔で５０点測定し、それらの平均値を算出して裾引きの長さとした。裾引きの長さが４．５μｍ未満となったものをＡと判定し、４．５μｍ以上５．０μｍ未満をＢと判定し、５．０μｍ以上をＣと判定した。
回路形成性の評価は次のようにして行った。まず、上述の銅張積層板の表面に回路高さが１５μｍになるまで電気めっきを行った。こうして形成された電気めっき層の表面にドライフィルムを貼り付け、露光及び現像を行い、エッチングレジストを形成した。塩化銅エッチング液で処理することにより、レジスト間から銅を溶解除去し、回路高さ１５μｍ、ライン／スペース＝２５μｍ／２５μｍの配線パターンを形成した。回路を真上からＳＥＭ観察し、回路の頂部から裾引きの長さを４μｍ間隔で５０点測定し、それらの平均値を算出して裾引きの長さとした。裾引きの長さが４．５μｍ未満となったものをＡと判定し、４．５μｍ以上５．０μｍ未満をＢと判定し、５．０μｍ以上をＣと判定した。
例２
極薄銅箔の形成を以下の手順で行ったこと以外は、例１と同様にしてキャリア付極薄銅箔の作製及び評価を行った。
極薄銅箔の形成を以下の手順で行ったこと以外は、例１と同様にしてキャリア付極薄銅箔の作製及び評価を行った。
（極薄銅箔の形成）
補助金属層が形成されたキャリア箔を、以下に示される組成の光沢めっき液に浸漬して、溶液温度４５〜５０℃、電流密度３３Ａ／ｄｍ２で電解し、厚さ３μｍの極薄銅箔を補助金属層上に形成した。
＜光沢めっき液の組成＞
‐ 銅濃度：６５ｇ／Ｌ
‐ 硫酸濃度：２００ｇ／Ｌ
‐ ジアリルジメチルアンモニウムクロライド濃度：４０ｍｇ／Ｌ
‐ ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド濃度：３０ｍｇ／Ｌ
‐ 塩素濃度：３０ｍｇ／Ｌ
補助金属層が形成されたキャリア箔を、以下に示される組成の光沢めっき液に浸漬して、溶液温度４５〜５０℃、電流密度３３Ａ／ｄｍ２で電解し、厚さ３μｍの極薄銅箔を補助金属層上に形成した。
＜光沢めっき液の組成＞
‐ 銅濃度：６５ｇ／Ｌ
‐ 硫酸濃度：２００ｇ／Ｌ
‐ ジアリルジメチルアンモニウムクロライド濃度：４０ｍｇ／Ｌ
‐ ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド濃度：３０ｍｇ／Ｌ
‐ 塩素濃度：３０ｍｇ／Ｌ
例３
厚さ３５μｍのキャリア箔を作製したこと以外は、例２と同様にしてキャリア付極薄銅箔の作製及び評価を行った。
厚さ３５μｍのキャリア箔を作製したこと以外は、例２と同様にしてキャリア付極薄銅箔の作製及び評価を行った。
例４（比較）
キャリア箔の作製を以下の手順で行ったこと以外は、例１と同様にしてキャリア付極薄銅箔の作製及び評価を行った。
キャリア箔の作製を以下の手順で行ったこと以外は、例１と同様にしてキャリア付極薄銅箔の作製及び評価を行った。
（キャリア箔の作製）
銅電解液として以下に示される組成の硫酸酸性硫酸銅溶液を用い、陰極に表面粗さＲａが０．２０μｍのチタン製の回転電極を用い、陽極にはＤＳＡ（寸法安定性陽極）を用いて、溶液温度５０℃、電流密度６０Ａ／ｄｍ２で電解し、厚さ３５μｍの電解銅箔をキャリア箔として得た。
＜硫酸酸性硫酸銅溶液の組成＞
‐ 銅濃度：８０ｇ／Ｌ
‐ 硫酸濃度：２５０ｇ／Ｌ
‐ ゼラチン濃度：２ｍｇ／Ｌ
‐ 塩素濃度：１．５ｍｇ／Ｌ
銅電解液として以下に示される組成の硫酸酸性硫酸銅溶液を用い、陰極に表面粗さＲａが０．２０μｍのチタン製の回転電極を用い、陽極にはＤＳＡ（寸法安定性陽極）を用いて、溶液温度５０℃、電流密度６０Ａ／ｄｍ２で電解し、厚さ３５μｍの電解銅箔をキャリア箔として得た。
＜硫酸酸性硫酸銅溶液の組成＞
‐ 銅濃度：８０ｇ／Ｌ
‐ 硫酸濃度：２５０ｇ／Ｌ
‐ ゼラチン濃度：２ｍｇ／Ｌ
‐ 塩素濃度：１．５ｍｇ／Ｌ
例５（比較）
厚さ３５μｍのキャリア箔を作製したこと以外は、例１と同様にしてキャリア付極薄銅箔の作製及び評価を行った。
厚さ３５μｍのキャリア箔を作製したこと以外は、例１と同様にしてキャリア付極薄銅箔の作製及び評価を行った。
結果
例１〜５において得られた評価結果は表１に示されるとおりであった。
例１〜５において得られた評価結果は表１に示されるとおりであった。
Claims (11)
- キャリア箔、剥離層及び極薄銅箔をこの順に備えたキャリア付極薄銅箔であって、
前記極薄銅箔の剥離層側の面は、表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ Ｓｐａｃｉｎｇ）が２．５〜２０．０μｍであり、かつ、コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋが１．５〜３．０μｍであり、
前記極薄銅箔の剥離層と反対側の面は、うねりの最大高低差Ｗｍａｘが４．０μｍ以下である、キャリア付極薄銅箔。 - 前記極薄銅箔の剥離層側の面は、十点平均粗さＲｚｊｉｓが２．０〜４．０μｍである、請求項１に記載のキャリア付極薄銅箔。
- 前記極薄銅箔の剥離層側の面は、前記表面ピーク間の平均距離（Ｐｅａｋ Ｓｐａｃｉｎｇ）が６．５〜１５．０μｍであり、かつ、コア部のレベル差Ｒｋが２．０〜３．０μｍである、請求項１又は２に記載のキャリア付極薄銅箔。
- 前記極薄銅箔の剥離層と反対側の面は、うねりの最大高低差（Ｗｍａｘ）が３．０μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のキャリア付極薄銅箔。
- 前記極薄銅箔の剥離層と反対側の面が粗化面である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のキャリア付極薄銅箔。
- 前記極薄銅箔が０．５〜５．０μｍの厚さを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のキャリア付極薄銅箔。
- 請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャリア付極薄銅箔の製造方法であって、
谷間の平均距離（Ｖａｌｌｅｙ Ｓｐａｃｉｎｇ）が２．５〜２０．０μｍであり、かつ、コア部のレベル差（ｃｏｒｅ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｄｅｐｔｈ）Ｒｋが２．０〜３．８μｍである表面を有するキャリア箔を用意する工程と、
前記キャリア箔の前記表面に剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に極薄銅箔を形成する工程と、
を含んでなる、方法。 - 前記キャリア箔の表面は、十点平均粗さＲｚｊｉｓが２．０〜５．０μｍである、請求項７に記載の方法。
- 前記キャリア箔の表面は、前記谷間の平均距離（Ｖａｌｌｅｙ Ｓｐａｃｉｎｇ）が４．５〜１０．０μｍである、請求項７又は８に記載の方法。
- 請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャリア付極薄銅箔を備えた銅張積層板。
- 請求項１〜６のいずれか一項に記載のキャリア付極薄銅箔を用いてプリント配線板を製造することを特徴とする、プリント配線板の製造方法。
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| WO2023189565A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア付金属箔、金属張積層板及びプリント配線板 |
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| MXPA01009619A (es) * | 1999-03-23 | 2003-06-24 | Circuit Foil Luxembourg Trading Sarl | Metodo para fabricar un tablero de circuito impreso de capa multiple y una hoja metalica de material mixto para utilizarse en el mismo. |
| JP2001068816A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銅張積層板及びその銅張積層板を用いたレーザー加工方法 |
| LU90532B1 (en) * | 2000-02-24 | 2001-08-27 | Circuit Foil Luxembourg Trading Sarl | Comosite copper foil and manufacturing method thereof |
| JP3261119B2 (ja) * | 2000-05-16 | 2002-02-25 | 三井金属鉱業株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
| JP2002026475A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | キャリア箔付銅箔回路及びそれを用いたプリント配線板の製造方法並びにプリント配線板 |
| US7026059B2 (en) * | 2000-09-22 | 2006-04-11 | Circuit Foil Japan Co., Ltd. | Copper foil for high-density ultrafine printed wiring boad |
| KR100618511B1 (ko) * | 2002-03-05 | 2006-08-31 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 수지 부착 금속박, 금속 피복 적층판, 그를 이용한 프린트배선판 및 그의 제조 방법 |
| JP2004263296A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-24 | Furukawa Techno Research Kk | ファインパターンプリント配線用銅箔とその製造方法 |
| TW200738913A (en) * | 2006-03-10 | 2007-10-16 | Mitsui Mining & Smelting Co | Surface treated elctrolytic copper foil and process for producing the same |
| JP5256747B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2013-08-07 | 宇部興産株式会社 | セミアディティブ法による銅配線絶縁フィルムの製造法、及びこれらから製造された銅配線絶縁フィルム |
| JP5242710B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2013-07-24 | 古河電気工業株式会社 | 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| CN101892499B (zh) * | 2010-07-24 | 2011-11-09 | 江西理工大学 | 以铜箔作载体的可剥离超薄铜箔及其制备方法 |
| KR20140009323A (ko) * | 2011-01-26 | 2014-01-22 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 프린트 배선판 및 프린트 배선판의 제조 방법 |
| JP5382270B1 (ja) * | 2012-01-17 | 2014-01-08 | パナソニック株式会社 | 配線基板とその製造方法 |
| JP5858849B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-02-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 金属箔 |
| JP2014208482A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法 |
| JP5503789B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2014-05-28 | 三井金属鉱業株式会社 | キャリア箔付電解銅箔及びそのキャリア箔付電解銅箔を用いて得られる銅張積層板 |
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