CN107428129A - 带载体的极薄铜箔、其制造方法、覆铜层叠板和印刷电路板 - Google Patents

带载体的极薄铜箔、其制造方法、覆铜层叠板和印刷电路板 Download PDF

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Abstract

本发明提供在覆铜层叠板的加工乃至印刷电路板的制造中，能够兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性的、带载体的极薄铜箔。本发明的带载体的极薄铜箔按照顺序具备载体箔、剥离层和极薄铜箔。极薄铜箔的剥离层侧的面的表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为2.5～20.0μm、并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为1.5～3.0μm。极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax为4.0μm以下。

Description

带载体的极薄铜箔、其制造方法、覆铜层叠板和印刷电路板
技术领域
本发明涉及带载体的极薄铜箔、其制造方法、覆铜层叠板和印刷电路板。
背景技术
一直以来，作为印刷电路板的制造工法广泛采用减去法。减去法是可以使用铜箔形成微细电路的方法。例如，如图1和2所示，使基底基材12a上具备下层电路12b而成的绝缘树脂基板12通过预浸料14与铜箔10的粗糙化面粘接(工序(a))；通过半蚀刻使铜箔10极薄化(工序(b))；之后，根据需要通过激光开孔加工形成通孔16(工序(c))。接着，实施化学镀铜18(工序(d))和电镀铜20(工序(e))；通过使用了干膜22的曝光和显影，以规定的图案进行掩模处理(工序(f))；通过蚀刻将干膜22的开口部正下方不要的铜箔等溶解去除(工序(g))；之后，将干膜22剥离(工序(h))，得到以规定的图案形成的布线24。
另外，近年来，作为覆铜层叠板的通孔加工，大多使用对极薄铜箔直接照射激光而形成通孔的直射激光(direct laser)开孔加工。例如，专利文献1(日本特开2001-326467号公报)中公开了包括在覆铜层叠板形成通孔等凹部的印刷电路板的制造方法，公开了能够直射激光开孔，即作为覆铜层叠板的外层铜箔采用波形状的铜箔，使用二氧化碳激光同时去除铜箔和基材树脂。另外，专利文献2(日本特开平11-346060号公报)中公开了对极薄铜箔表面实施黑化处理之后，对该经黑化处理的表面照射二氧化碳激光，从而对极薄铜箔及其正下方的绝缘层进行开孔的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2001-326467号公报
专利文献2：日本特开平11-346060号公报
专利文献3：日本特开平9-241882号公报
发明内容
然而，如专利文献1中公开的使用波形状的铜箔的方法尽管激光开孔加工性高，但微细电路形成性差，优选不仅能确保高的激光开孔加工性还进一步提高微细电路形成性。另一方面，如专利文献2所公开的黑化处理不仅花费时间和金钱、产量也低，期望不进行黑化处理而对极薄铜箔表面实施直射激光开孔加工，则是优选的。
本发明人等此次得到如下见解：对于带载体的极薄铜箔赋予这样的表面轮廓：极薄铜箔的剥离层侧的面的表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为2.5～20.0μm、并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为1.5～3.0μm，极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax为4.0μm以下，由此，在覆铜层叠板的加工乃至印刷电路板的制造中，能够兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性。
因此，本发明的目的在于，提供在覆铜层叠板的加工乃至印刷电路板的制造中，能够兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性的、带载体的极薄铜箔。
本发明的一个方案提供带载体的极薄铜箔，其按照顺序具备：载体箔、剥离层和极薄铜箔，
所述极薄铜箔的剥离层侧的面的表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为2.5～20.0μm、并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为1.5～3.0μm。
所述极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax为4.0μm以下。
通过本发明的另一方案，提供上述方案的带载体的极薄铜箔的制造方法，其包括：
准备载体箔的工序，所述载体箔具有谷间的平均距离(Valley Spacing)为2.5～20.0μm并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为2.0～3.8μm的表面；
在所述载体箔的所述表面形成剥离层的工序；和
在所述剥离层上形成极薄铜箔的工序。
根据本发明的进而另一个方案，提供覆铜层叠板，其具备上述方案的带载体的极薄铜箔。
根据本发明的进而另一个方案，提供印刷电路板的制造方法，其特征在于，使用上述方案的带载体的极薄铜箔制造印刷电路板。
附图说明
图1是用于说明减去法的工序流程图；是表示前半段工序(工序(a)～(d))的图。
图2是用于说明减去法的工序流程图，是表示后半段工序(工序(e)～(h))的图。
图3是用于说明核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk的定义的剖面图。
具体实施方式
定义
用于特定本发明的参数的定义如下所示。
本说明书中，“表面峰间的平均距离(Peak spacing)”是指：从使用三维表面结构解析显微镜而得到的、有关试样表面凹凸的信息中去除波纹度成分之后，将有关峰的波形数据进行过滤提取的数据中的、峰间的平均距离。
本说明书中，“谷间的平均距离(Valley spacing)”是指：由使用三维表面结构解析显微镜而得到的、有关试样表面凹凸的信息中去除波纹度成分之后，将有关谷的波形数据进行过滤提取的数据中的、谷间的平均距离。
本说明书中“核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk”是能够根据JISB0671-2：2002决定的参数，如图3所示，是指粗糙度轮廓30的核心(roughness coreprofile)32的上侧水平线32a与下侧水平线32b的差，该“粗糙度核心轮廓”30是指由粗糙度轮廓去除了突出的高峰34和突出的深谷36的曲线。需要说明的是，图3中所示的粗糙度轮廓30是提取与评定长度ln相当的部分的曲线，为了参考在右侧也示出了等价曲线38。
本说明书中“波纹度的最大高低差Wmax”是指：由使用三维表面结构解析显微镜得到的试样表面凹凸信息，使用滤波器将有关波纹度的波形数据提取时的波形数据的高低差的最大值(波形的最大峰高与最大谷深的和)。
本说明书中“微观不平度十点高度Rzjis”是能够根据JIS B 0601：2001决定的参数，在取样长度的粗糙度轮廓中，是指由最高峰顶起按照从高到低的顺序至第5位为止的峰高的平均值、与由最深的谷底起按照从深到浅的顺序至第5位为止的谷深的平均值之和。
表面峰间的平均距离(Peak spacing)、谷间的平均距离(Valley spacing)、核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk、波纹度的最大高低差Wmax和微观不平度十点高度Rzjis均可以使用市售的三维表面结构解析显微镜(例如，zygo New View 5032(Zygo公司制))和市售的解析软件(例如Metro Pro Ver.8.0.2)，将低频滤波器设定为11μm的条件而进行测定。此时，使箔的非测定面与试样台密合而固定，在试样片的1cm见方范围内选择6个点的108μm×144μm的视野进行测定，优选采用由6个测定点得到的测定值的平均值作为代表值。
本说明书中，载体箔的“电极面”是指在制作载体箔时与阴极相接触一侧的表面。
本说明书中，载体箔的“析出面”是指制作载体箔作时电解铜析出侧的表面，即指不与阴极接触一侧的表面。
带载体的极薄铜箔及其制造方法
本发明的带载体的极薄铜箔按照顺序具备载体箔、剥离层和极薄铜箔。并且，极薄铜箔的剥离层侧的面的表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为2.5～20.0μm、并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为1.5～3.0μm。另外，极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax为4.0μm以下。由此，在覆铜层叠板的加工乃至印刷电路板的制造中，能够兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性。并且，本发明中可以不需要目前为止通常采用的为了确保激光开孔加工性的黑化处理。
本来，极薄铜箔只要不实施黑化处理就难以兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性，根据本发明，预料之外地能够兼顾。本来，为了得到优异的微细电路形成性，寻求与剥离层相反一侧的面平滑的极薄铜箔。并且，为了得到这样的极薄铜箔，寻求剥离层侧的面平滑的极薄铜箔，结果表面越平滑则激光越容易反射，因此激光难以被极薄铜箔吸收，从而激光开孔加工性降低。实际上，如前所述，如专利文献1所公开那样使用了波形状铜箔的方法尽管激光开孔加工性高，但微细电路形成性差。对于这样的问题，通过本发明的带载体的极薄铜箔，不仅能够确保高的激光开孔加工性，还能提高微细电路形成性。认为可以如下进行来实现兼顾这样的激光开孔加工性和微细电路形成性。即，认为将极薄铜箔的剥离层侧的面的核心粗糙度深度Rk设为1.5μm以上并且将极薄铜箔的剥离层侧的面的表面峰间的平均距离(Peak Spacing)设为2.5～20.0μm，由此能够实现高的直射激光开孔加工性。特别是，如图3所示，核心32的粗糙度深度Rk与微观不平度十点高度Rzjis不同，基于从粗糙度轮廓30去除了突出的高峰34和突出的深谷36的曲线，是上侧水平线32a与下侧水平线32b的差，因此是能够规定箔表面的微小空间的参数。因此，Rk的值越高，意味着空间越大，可以说激光反射而该空间变得容易聚热(即激光反射而热聚集的空间变大)。另外，表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为2.5～20.0μm，由此粗糙度峰间变密而容易吸收照射的激光，即能够容易转变成热。由此认为，作为Rk控制与Peak Spacing控制的协同效应，直射激光开孔加工性提高。在此基础上，通过将极薄铜箔的剥离层侧的面的核心粗糙度深度Rk设为3.0μm以下、并且将极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax设为4.0μm以下，认为可以不损害这样高的激光开孔加工性而实现提高微细电路形成性。即，本发明人等弄清了使微细电路形成性降低的主要原因是极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度，认为通过将波纹度的最大高低差(Wmax)控制在4.0μm以下有助于微细电路形成性的改善。特别是，波纹度的最大高低差Wmax的上限值4.0μm并非是极度低的值，因此可以说，是特别适合减去法的表面轮廓，所述减去法对于铜箔的与剥离层相反一侧的面并不要求极度的平滑性(典型地是被粗糙化)。本来，也适合于减去法以外的方法(例如MSAP(Modified SemiAdditive Process)，模拟半加成法)。无论怎样，利用本发明的带载体的极薄铜箔，通过对极薄铜箔(特别是减去法用极薄铜箔)控制Peak spacing、Rk和Wmax，不仅具有优异的直射激光开孔加工性并且能够实现适合于形成线/间隔＝30μm以下/30μm以下的电路的、期望的微细电路形成性。
这样，极薄铜箔具有表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为2.5～20.0μm并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为1.5～3.0μm的表面作为剥离层侧的面；并且具有波纹度的最大高低差Wmax为4.0μm以下的表面作为与剥离层相反一侧的面。通过使这些参数在上述范围内，在覆铜层叠板的加工乃至印刷电路板的制造中，能够兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性。极薄铜箔的剥离层侧的面的表面峰间的平均距离(Peak spacing)为2.5～20.0μm，优选为6.5～15.0μm。极薄铜箔的剥离层侧的面的核心粗糙度深度(coreroughness depth)Rk为1.5～3.0μm，优选为2.0～3.0μm。另外，极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax为4.0μm以下，优选为3.0μm以下，更优选为2.5μm以下。特别是，为了进行线/间隔＝25μm以下/25μm以下的微细电路形成，极薄铜箔表面的Wmax优选为3.0μm以下。Wmax是越低越好，因此对于其下限值没有特别的限定，但Wmax典型地为0.1μm以上，更典型地为0.2μm以上。
极薄铜箔的剥离层侧的面的微观不平度十点高度Rzjis优选为2.0～4.0μm，更优选为2.5～4.0μm。为这样范围时，有助于激光开孔加工性与微细电路形成性的平衡提高。另一方面，极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的微观不平度十点高度Rzjis优选为4.0μm以下，更优选为3.0μm以下，进而优选为2.5μm以下。为该范围内时，有助于微细电路形成性的提高。从与树脂层的密合性的观点出发，微观不平度十点高度Rzjis典型地为0.5μm以上，更典型地为1.0μm以上。
极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面优选为粗糙化面。即，优选对极薄铜箔一侧的表面实施粗糙化处理。这样，能够提高制造覆铜层叠板、印刷电路板时的与树脂层的密合性。该粗糙化处理优选按照至少经过包含如下的两种镀敷工序的公知的镀敷方法进行：使微细铜粒析出附着于极薄铜箔上的烧制镀敷工序；以及用于防止该微细铜粒脱落的包覆镀敷工序。极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面更优选为粗糙化面并且满足上述的微观不平度十点高度Rzjis。
极薄铜箔具有上述特有的表面轮廓，除此以外，只要是作为带载体的极薄铜箔所采用的公知的结构则没有特别的限定。例如，极薄铜箔可以通过化学镀铜法和电解镀铜法等湿式成膜法、溅射和化学蒸镀等干式成膜法、或者它们的组合来形成。极薄铜箔优选的厚度为0.5～5.0μm。例如，为了进行线/间隔＝25μm以下/25μm以下的微细电路形成，极薄铜箔的厚度特别优选为3.0μm以下。
剥离层是具有如下功能的层：减弱载体箔的剥离强度、确保该强度的稳定性，进而在高温下的压制成形时抑制可能会在载体箔与铜箔之间发生的相互扩散。剥离层通常在载体箔一侧的表面形成，但也可以在双面形成。剥离层可以是有机剥离层和无机剥离层的任意者。作为有机剥离层中使用的有机成分的例子，可列举出：含氮有机化合物、含硫有机化合物、羧酸等。作为含氮有机化合物的例子，可列举出三唑化合物、咪唑化合物等，其中，三唑化合物从剥离性稳定且容易的观点出发而优选。作为三唑化合物的例子，可列举出：1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N’,N’-双(苯并三唑甲基)脲、1H-1,2,4-三唑和3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。作为含硫有机化合物的例子，可列举出：巯基苯并三唑、硫代氰脲酸、2-苯并咪唑硫醇等。作为羧酸的例子，可列举出单羧酸、二羧酸等。另一方面，作为无机剥离层所使用的无机成分的例子，可列举出Ni、Mo、Co、Cr、Fe、Ti、W、P、Zn、铬酸盐处理膜等。需要说明的是，剥离层的形成通过将载体箔的至少一侧的表面与含有剥离层成分的溶液接触，从而使剥离层成分固定于载体箔的表面等进行即可。使载体箔与含有剥离层成分的溶液接触的情况下，该接触通过向含有剥离层成分的溶液的浸渍、含有剥离层成分的溶液的喷雾、含有剥离层成分的溶液的流下等进行即可。除此之外，也可以采用利用蒸镀、溅射等的气相法使剥离层成分成膜的方法。另外，剥离层成分向载体箔表面的固定可以通过含有剥离层成分的溶液的吸附、干燥，含有剥离层成分的溶液中剥离层成分的电沉积等来进行。剥离层的厚度典型地为1nm～1μm，优选为5nm～500nm。
载体箔是用于支撑极薄铜箔来提高其处理性的箔。作为载体箔的例子，可列举出：铝箔、铜箔、不锈钢(SUS)箔、对表面实施了金属涂敷的树脂薄膜等，优选为铜箔。铜箔也可以为压延铜箔和电解铜箔的任一者。载体箔的厚度典型地为250μm以下，优选为12μm～200μm。
载体箔的剥离层侧的面的谷间的平均距离(Valley spacing)为2.5～20.0μm、并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk优选为2.0～3.8μm。带载体的极薄铜箔的制造工序中，在载体箔的剥离层侧的面形成极薄铜箔，因此通过对载体箔的表面赋予如上述低的Valley spacing和Rk，能够对极薄铜箔的剥离层侧的面和与剥离层相反一侧的面赋予如前述优选的表面轮廓。即，本发明的带载体的极薄铜箔可以如下制造：准备具有谷间的平均距离(Valley spacing)为2.5～20.0μm并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为2.0～3.8μm的表面的载体箔，在该载体箔的表面形成剥离层，在该剥离层上形成极薄铜箔。载体箔的剥离层侧的面的微观不平度十点高度Rzjis优选为2.0～5.0μm。另外，载体箔的剥离层侧的面的谷间的平均距离(Valley spacing)优选为4.5～10.0μm。载体箔的表面的上述范围内的Valley spacing、Rk和Rzjis的实现优选可如下进行：对电解液(例如硫酸酸性硫酸铜溶液)进行活性炭处理去除了电解液中的残留添加剂之后，向活性炭处理后的电解液中新添加骨胶或明胶等添加剂，在公知的条件下进行电解，从而制造厚度约15～35μm程度的电解铜箔(例如，可以参照专利文献3(日本特开平9-241882号公报)中记载的制造方法)。这样，在被赋予了优选的表面轮廓的载体箔的析出面上隔着剥离层形成极薄铜箔，由此能够对极薄铜箔的剥离层侧的面赋予上述的表面轮廓。
也可以根据需要，在剥离层与载体箔和/或极薄铜箔之间设置其他功能层。作为这样的其他功能层的例子，可列举出辅助金属层。辅助金属层优选由镍和/或钴形成。通过在载体箔的表面侧和/或极薄铜箔的表面侧形成这样的辅助金属层，能够抑制在高温或长时间热压成形时载体箔与极薄铜箔之间可能产生的相互扩散，从而能够确保载体箔剥离强度的稳定性。辅助金属层的厚度优选设为0.001～3μm。
根据希望，也可以对极薄铜箔实施防锈处理。防锈处理优选包含使用了锌的镀敷处理。使用了锌的镀敷处理可以为锌镀敷处理和锌合金镀敷处理的任意者，锌合金镀敷处理特别优选为锌-镍合金处理。锌-镍合金处理为至少包含Ni和Zn的镀敷处理即可，也可以进一步包含Sn、Cr、Co等其他的元素。锌-镍合金镀层中的Ni/Zn附着比率以质量比计优选为1.2～10，更优选为2～7，进一步优选为2.7～4。另外，防锈处理优选进一步包含铬酸盐处理，该铬酸盐处理更优选在使用了锌的镀敷处理之后对包含锌的镀层的表面进行。这样，可以进一步提高防锈性。特别优选的防锈处理是锌-镍合金镀敷处理和其后的铬酸盐处理的组合。
也可以根据希望，对极薄铜箔的表面实施硅烷偶联剂处理而形成硅烷偶联剂层。由此，可以提高耐湿性、耐试剂性和与树脂层等的密合性等。硅烷偶联剂层可以通过将硅烷偶联剂适宜稀释、涂布、使其干燥来形成。作为硅烷偶联剂的例子，可列举出：4-缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等环氧基官能性硅烷偶联剂；或者γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷等氨基官能性硅烷偶联剂；或者γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等巯基官能性硅烷偶联剂；或者乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷等烯烃官能性硅烷偶联剂；或者γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等丙烯酰基官能性硅烷偶联剂；或者咪唑硅烷等咪唑官能性硅烷偶联剂；或者三嗪硅烷等三嗪官能性硅烷偶联剂等。
覆铜层叠板
本发明的带载体的极薄铜箔优选用于印刷电路板用覆铜层叠板的制作。即，根据本发明优选的方案，提供使用带载体的极薄铜箔得到的覆铜层叠板。通过使用本发明的带载体的极薄铜箔，在覆铜层叠板的加工中，能够兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性。该覆铜层叠板具备：本发明的带载体的极薄铜箔、和与该表面处理层密合而设置的树脂层。带载体的极薄铜箔可以设置在树脂层的单面，也可以设置在双面。树脂层包含树脂、优选为绝缘性树脂。树脂层优选为预浸料和/或树脂片。预浸料是指使合成树脂板、玻璃板、玻璃织布、玻璃无纺布、纸等基材含浸合成树脂而成的复合材料的总称。作为绝缘性树脂优选的例子，可列举出环氧树脂、氰酸酯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)、聚苯醚树脂、酚醛树脂等。另外，作为构成树脂片的绝缘性树脂的例子，可列举出环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂等绝缘树脂。另外，从提高绝缘性等观点出发，树脂层中也可以含有由氧化硅、氧化铝等各种无机颗粒形成的填料颗粒等。对于树脂层的厚度，没有特别的限定，优选为1～1000μm，更优选为2～400μm，进一步优选为3～200μm。树脂层可以由多层构成。预浸料和/或树脂片等树脂层可以通过预先涂布于铜箔表面的底漆树脂层而设置于带载体的极薄铜箔。
印刷电路板
本发明的带载体的极薄铜箔优选用于印刷电路板的制作。即，根据本发明优选的方案，提供使用带载体的极薄铜箔而得到的印刷电路板。通过使用本发明的带载体的极薄铜箔，能够在印刷电路板的制造中兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性。本方案的印刷电路板包含按照树脂层、铜层的顺序层叠而成的层结构。铜层是来自本发明的带载体的极薄铜箔的极薄铜箔的层。另外，对于树脂层，如以上关于覆铜层叠板的描述。所有情况下，印刷电路板除了使用本发明的带载体的极薄铜箔以外，也可以采用公知的层结构。作为关于印刷电路板的具体例，可列举出：将预浸料的单面或双面与本发明的极薄铜箔粘接并使之固化而制成层叠体，在此基础上形成单面或双面电路的印刷电路板；将它们多层化的多层印刷电路板等。另外，作为其他的具体例，还可列举出：在树脂薄膜上形成本发明的极薄铜箔且形成电路的柔性印刷电路板；COF；TAB带等。进而，作为其他的具体例，可列举出：在本发明的极薄铜箔涂布上述的树脂层而形成带有树脂的铜箔(RCC)，将树脂层作为绝缘粘接材料层与上述的印刷基板层叠之后，将极薄铜箔作为布线层的全部或一部分通过模拟半加成(MSAP)法、减去法等方法形成电路而成的积层布线板；去除极薄铜箔而用半加成法形成电路的积层布线板；在半导体集成电路上交替地重复进行带有树脂的铜箔的层叠和电路形成的晶圆上直接积层(direct buildup on wafer)等。作为进一步发展的具体例，还可列举出：将上述带有树脂的铜箔与基材层叠并形成了电路的天线元件；通过粘接剂层与玻璃、树脂薄膜层叠并形成了图案的面板/显示器用电子材料、车窗玻璃用电子材料；对本发明的极薄铜箔涂布了导电性粘接剂而制成的电磁波屏蔽薄膜等。特别是，本发明的带载体的极薄铜箔适合于减去法。例如，通过减去法形成电路的情况下，可以采用如图1和2所示的结构。
实施例
通过以下的例子对本发明进一步具体地进行说明。
例1
在载体箔的析出面侧依次形成剥离层和极薄铜箔层，之后进行防锈处理和硅烷偶联剂处理，从而制作带载体的极薄铜箔。然后，对于得到的带载体的极薄铜箔，进行各种评价。具体的步骤如下。
(1)载体箔的制作
作为阴极使用算术平均粗糙度Ra(基于JIS B 0601：2001)为0.20μm的钛制的旋转电极；作为阳极使用DSA(尺寸稳定性阳极)；作为铜电解液，对以下所示组成的硫酸酸性硫酸铜溶液进行活性炭处理之后，向活性炭处理后的电解液中以水溶性明胶的浓度成为5mg/L的方式添加水溶性明胶，在溶液温度50℃、电流密度60A/dm2下进行电解，得到厚度18μm的电解铜箔作为载体箔。
＜硫酸酸性硫酸铜溶液的组成＞
‐铜浓度：85g/L
‐硫酸浓度：270g/L
‐氯浓度：30mg/L
(2)剥离层的形成
将经酸洗处理的载体箔的析出面在液温30℃下浸渍于CBTA(羧基苯并三唑)浓度1g/L、硫酸浓度150g/L和铜浓度10g/L的CBTA水溶液中30秒钟，使CBTA成分吸附于载体箔的析出面。这样，在载体箔的析出面形成CBTA层作为有机剥离层。
(3)辅助金属层的形成
将形成有有机剥离层的载体箔浸渍于使用硫酸镍制作的包含镍浓度20g/L的溶液中，在液温45℃、pH3、电流密度5A/dm2的条件下，使相当于厚度0.001μm的附着量的镍附着于有机剥离层上。这样，在有机剥离层上形成镍层作为辅助金属层。
(4)极薄铜箔的形成
将形成了辅助金属层的载体箔浸渍于以下所示组成的铜溶液中，在溶液温度50℃、电流密度5～30A/dm2下进行电解，在辅助金属层上形成厚度3μm的极薄铜箔。
＜溶液的组成＞
‐铜浓度：60g/L
‐硫酸浓度：200g/L
(5)粗糙化处理
对这样形成的极薄铜箔的表面进行粗糙化处理。该粗糙化处理由如下工序构成：使微细铜粒析出附着于极薄铜箔上的烧制镀敷工序；以及用于防止该微细铜粒脱落的包覆镀敷工序。烧制镀敷工序中，使用包含铜浓度10g/L和硫酸浓度120g/L的酸性硫酸铜溶液，在液温25℃、电流密度15A/dm2下进行粗糙化处理。之后的包覆镀敷工序中，使用包含铜浓度70g/L和硫酸浓度120g/L的酸性硫酸铜溶液，在液温40℃和电流密度15A/dm2的平滑镀敷条件下进行电沉积。
(6)防锈处理
对于得到的带载体的极薄铜箔的粗糙化处理层的表面，进行包含锌-镍合金镀敷处理和铬酸盐处理的防锈处理。首先，使用锌浓度0.2g/L、镍浓度2g/L和焦磷酸钾浓度300g/L的电解液，在液温40℃、电流密度0.5A/dm2的条件下，对粗糙化处理层和载体箔的表面进行锌-镍合金镀敷处理。接着，使用铬酸浓度3g/L水溶液，在pH10、电流密度5A/dm2的条件下，对进行了锌-镍合金镀敷处理的表面进行铬酸盐处理。
(7)硅烷偶联剂处理
使γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷浓度2g/L的水溶液吸附于带载体的极薄铜箔的极薄铜箔侧的表面，通过电热器使水分蒸发，由此进行硅烷偶联剂处理。此时，硅烷偶联剂处理没有在载体箔侧进行。
(8)评价
对于这样得到的带载体的极薄铜箔，如下进行各种特性的评价。
＜表面性状参数＞
作为测定仪器使用zygo New View 5032(Zygo公司制)，作为解析软件使用MetroPro Ver.8.0.2，采用11μm低频滤波器的条件，对于载体箔和极薄铜箔，测定：表面峰间的平均距离(Peak spacing)、谷间的平均距离(Valley spacing)、微观不平度十点高度Rzjis、核心粗糙度深度Rk、和/或波纹度的最大高低差Wmax。此时，使极薄铜箔或载体箔与试样台密合而固定，在试样片的1cm见方范围内选择6个点的108μm×144μm的视野进行测定，采用由6个测定点得到的测定值的平均值作为代表值。需要说明的是，对于极薄铜箔的剥离层侧的面，在制作后述的激光开孔加工性评价用的覆铜层叠板之后进行测定。
＜激光开孔加工性＞
使用带载体的极薄铜箔制作覆铜层叠板，对激光开孔加工性进行评价。首先，在内层基板的表面隔着预浸料(三菱瓦斯化学株式会社制、830NX-A、厚度0.2mm)层叠带载体的极薄铜箔的极薄铜箔，在4.0MPa、220℃下使之进行90分钟热压接之后，剥离载体箔，制作覆铜层叠板。之后，对上述覆铜层叠板使用二氧化碳激光，在脉冲宽度12μsec.、脉冲能量8mJ、激光光径97μm的条件下进行激光开孔加工。对于通过激光开孔加工形成的10个孔测定x方向和y方向的直径，计算出它们的平均值，作为加工后的孔径。将加工后的孔径为70μm以上的判定为A，65μm以上且小于70μm判定为B，小于65μm判定为C。
＜电路形成性＞
电路形成性的评价如下进行。首先，在上述覆铜层叠板的表面进行电镀直至电路高度成为15μm为止。对这样形成的电镀层的表面贴附干膜，进行曝光和显影，形成抗蚀膜。通过用氯化铜蚀刻液进行处理，由抗蚀膜间溶解去除铜，形成电路高度15μm、线/间隔＝25μm/25μm的布线图案。在正上方对电路进行SEM观察，对于由电路的顶部至下摆(hemmingbottom)的长度以4μm间隔测定50点，计算出它们的平均值作为下摆的长度。将下摆的长度小于4.5μm的判定为A，4.5μm以上且小于5.0μm判定为B，5.0μm以上判定为C。
例2
按照以下的顺序进行极薄铜箔的形成，除此以外，与例1同样地进行带载体的极薄铜箔的制作和评价。
(极薄铜箔的形成)
将形成了辅助金属层的载体箔浸渍于以下所示组成的光泽镀敷液中，在溶液温度45～50℃、电流密度33A/dm2下进行电解，从而在辅助金属层上形成厚度3μm的极薄铜箔。
＜光泽镀敷液的组成＞
‐铜浓度：65g/L
‐硫酸浓度：200g/L
‐二烯丙基二甲基氯化铵浓度：40mg/L
‐双(3-磺丙基)二硫醚浓度：30mg/L
‐氯浓度：30mg/L
例3
制作厚度35μm的载体箔，除此以外，与例2同样地进行带载体的极薄铜箔的制作和评价。
例4(比较)
按照以下的步骤进行载体箔的制作，除此以外，与例1同样地进行带载体的极薄铜箔的制作和评价。
(载体箔的制作)
作为铜电解液，使用以下所示组成的硫酸酸性硫酸铜溶液；作为阴极使用表面粗糙度Ra为0.20μm的钛制的旋转电极；作为阳极使用DSA(尺寸稳定性阳极)，在溶液温度50℃、电流密度60A/dm2下进行电解，得到厚度35μm的电解铜箔作为载体箔。
＜硫酸酸性硫酸铜溶液的组成＞
‐铜浓度：80g/L
‐硫酸浓度：250g/L
‐明胶浓度：2mg/L
‐氯浓度：1.5mg/L
例5(比较)
制作厚度35μm的载体箔，除此以外，与例1同样地进行带载体的极薄铜箔的制作和评价。
结果
例1～5中得到的评价结果如表1所示。
[表1]
表1
*表示比较例。

Claims (11)

1.一种带载体的极薄铜箔，其按照顺序具备：载体箔、剥离层和极薄铜箔，
所述极薄铜箔的剥离层侧的面的表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为2.5～20.0μm、并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为1.5～3.0μm，
所述极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax为4.0μm以下。
2.根据权利要求1所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述极薄铜箔的剥离层侧的面的微观不平度十点高度Rzjis为2.0～4.0μm。
3.根据权利要求1或2所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述极薄铜箔的剥离层侧的面的所述表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为6.5～15.0μm、并且核心粗糙度深度Rk为2.0～3.0μm。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax为3.0μm以下。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面为粗糙化面。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的带载体的极薄铜箔，其中，所述极薄铜箔具有0.5～5.0μm的厚度。
7.一种权利要求1～6中的任一项所述的带载体的极薄铜箔的制造方法，其包括：
准备载体箔的工序，所述载体箔具有谷间的平均距离(Valley Spacing)为2.5～20.0μm并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为2.0～3.8μm的表面；
在所述载体箔的所述表面形成剥离层的工序；和
在所述剥离层上形成极薄铜箔的工序。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述载体箔的表面的微观不平度十点高度Rzjis为2.0～5.0μm。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，所述载体箔的表面的所述谷间的平均距离(Valley Spacing)为4.5～10.0μm。
10.一种覆铜层叠板，其具备权利要求1～6中的任一项所述的带载体的极薄铜箔。
11.一种印刷电路板的制造方法，其特征在于，使用权利要求1～6中的任一项所述的带载体的极薄铜箔制造印刷电路板。
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