TW201710077A - 帶載體超薄銅箔，及其製造方法，銅張積層板及印刷配線板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種帶載體超薄銅箔，在銅張積層板的加工以至於印刷配線板的製造中，可以達到兼具雷射鑽孔加工性及微細電路形成性的效果。本發明的帶載體超薄銅箔依序具備有：載體箔、剝離層、及超薄銅箔。於超薄銅箔的剝離層側的面，其表面峰值間的平均距離(Peak Spacing)為2.5~20.0μm，且其核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk為1.5~3.0μm。於與超薄銅箔的剝離層側相反之面，其起伏的最大高低差Wmax為4.0μm以下。

Description

帶載體超薄銅箔，及其製造方法，銅張積層板及印刷配線板
本發明係有關於帶載體超薄銅箔，及其製造方法，銅張積層板及印刷配線板。
從前，做為印刷配線板的製造工法，廣泛採用減法製程法。減法製程法為一種利用銅箔形成微細電路的方法。例如：如圖1、2所示，在下地基材12a上具有：具備下層電路12b的絕緣樹脂基板12，該絕緣樹脂基板12隔著預浸物14與銅箔10的粗化面黏接(步驟(a))，利用半蝕刻將銅箔10超薄化之後(步驟(b))，適其所需利用雷射鑽孔加工形成通孔16(步驟(c))。接著，進行化學鍍銅18(步驟(d))及電鍍銅20(步驟(e))，藉由利用乾薄膜22做曝光及顯像，遮蔽預定的圖案(步驟(f))，利用蝕刻法將乾薄膜22的開口部下方不需要的銅箔等溶解去除(步驟(g))後，將乾薄膜22剝離(步驟(h))，形成具有預定圖案的配線24。
此外，近年來，對銅張積層板的通孔加工， 常利用雷射對超薄銅箔做直接照射，並形成通孔的直接雷射鑽孔加工法。例如：專利文獻1(JP 2001-326467A)揭示有包含在銅張積層板形成通孔等的凹部之印刷配線板的製造方法，藉由採用做為銅張積層板的外層銅箔之波狀銅箔，可以利用二氧化碳雷射同時除去銅箔及基材樹脂之直接雷射鑽孔法。此外，專利文獻2(JP H11-346060A)揭示有將超薄銅箔的表面施予黑化處理後，利用二氧化碳雷射照射該經黑化處理的表面，在超薄銅箔及其下方的絕緣層進行鑽孔的方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]JP 2001-326467 A
[專利文獻2]JP H11-346060 A
[專利文獻3]JP H9-241882 A
但是，像是專利文獻1所揭示的利用波狀銅箔的方法，雖然雷射鑽孔的加工性高，但是也有微細電路形成性劣化的可能，因此，期望能在確保高的雷射鑽孔加工性的同時，更加提升微細電路的形成性。另一方面，像是專利文獻2所揭示的黑化處理，除了需要時間及成本，也會造成產量低下，所以期望能不進行黑化處理而直接在 超薄銅箔表面進行雷射鑽孔加工，以便能達到良好的狀態。
本發明的發明者們發現：在這次的帶載體超薄銅箔中，藉由提供使超薄銅箔的剝離層側的面之表面峰值間的平均距離(Peak Spacing)為2.5~20.0μm，且其核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk為1.5~3.0μm，於與超薄銅箔的剝離層側相反之面，其起伏的最大高低差Wmax為4.0μm以下的分佈的表面輪廓，在銅張積層板的加工以至於印刷配線板的製造中，可以達到兼具雷射鑽孔加工性及微細電路形成性的效果。
因此，本發明的目的為提供一種帶載體超薄銅箔，其在銅張積層板的加工以至於印刷配線板的製造中，可以達到兼具雷射鑽孔加工性及微細電路形成性的效果。
依照本發明的一種態樣，提供一種在依序具備有：載體箔、剝離層、及超薄銅箔的帶載體超薄銅箔中：於前述超薄銅箔的剝離層側的面，其表面峰值間的平均距離(Peak Spacing)為2.5~20.0μm，且其核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk為1.5~3.0μm；於與前述超薄銅箔的剝離層側相反之面，其起伏的最大高低差Wmax為4.0μm以下。
依照本發明的另一種態樣，提供一種製造上述態樣中的帶載體超薄銅箔的製造方法，包含： 準備具有：谷間的平均距離(Valley Spacing)為2.5~20.0μm，且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk為2.0~3.8μm之表面的載體箔之步驟；在前述載體箔的前述表面形成剝離層之步驟；在前述載體箔的前述表面形成超薄銅箔之步驟。
依照本發明的再另一種態樣，提供一種具備如上述態樣之帶載體超薄銅箔的銅張層積板。
依照本發明的再另一種態樣，提供一種利用上述態樣之帶載體超薄銅箔以製造印刷配線板為特徵的印刷配線板製造方法。
12a‧‧‧下地基材
12b‧‧‧下層電路
12‧‧‧絕緣樹脂基板
14‧‧‧預浸物
10‧‧‧銅箔
16‧‧‧通孔
18‧‧‧化學鍍銅
20‧‧‧電鍍銅
22‧‧‧乾薄膜
24‧‧‧配線
32‧‧‧核心部
34‧‧‧高突出峰部
36‧‧‧深突出谷部
30‧‧‧粗糙曲線
32a‧‧‧上側等級
32b‧‧‧下側等級
[圖1]說明減法製程法的步驟流程圖，前半為表示步驟(步驟(a)~(d))的圖。
[圖2]說明減法製程法的步驟流程圖，前半為表示步驟(步驟(e)~(h))的圖。
[圖3]定義核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk的說明斷面圖。
[實施形態] 定義
本發明之特定參數的定義如下。
本說明書的「表面峰值間的平均距離(Peak spacing)」為：從利用立體表面構造解析顯微鏡所測得的有關樣本表面的凹凸相關資訊，去除起伏的成份後，將有關峰值的波形數據過濾掉並抽出的數據中，其峰值之間的平均距離。
本說明書的「谷間的平均距離(Valley spacing)」為：從利用立體表面構造解析顯微鏡所測得的有關樣本表面的凹凸相關資訊，去除起伏的成份後，將有關谷的波形數據過濾掉並抽出的數據中，其谷間的平均距離。
本說明書的「核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk」為：以JIS B 0671-2：2002為準據所決定得到的參數，如圖3所示，粗糙曲線30的核心部(roughness core profile)32的上側等級32a與下側等級32b之差；該「粗糙曲線的核心部」30為：將高突出峰部34及深突出谷部36從粗糙曲線中去除的曲線。而且，如圖3所示的粗糙曲線30為從相當於評價長度ln的部分取出的部分，右側為表示參考用的等價曲線38。
本說明書的「起伏的最大高低差Wmax」為：從利用立體表面構造解析顯微鏡所測得的有關樣本表面的凹凸相關資訊，利用濾光片將有關於起伏的波形數據抽出時的波形數據的高低差之最大值(波形的最大峰值高與最大谷深之和)。
本說明書的「十點平均粗糙度Rzjis」為：以JIS B 0601：2001為準據所決定得到的參數，於基準長度的粗糙曲線中，從最高的山頂算起到第5高的高度之山高的平均值，及從最深的山頂算起到第5深的深度之谷深的平均值，其山高的平均值與谷深的平均值之和。
表面峰值間的平均距離(Peak spacing)、谷間的平均距離(Valley spacing)、核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk、起伏的最大高低差Wmax、及十點平均粗糙度Rzjis任一者，都可用市售的立體表面構造解析顯微鏡(例如：zygo New View 5032(Zygo社製))及市售的解析軟體(例如：Metro Pro Ver.8.0.2)，以低周波濾光片11μm為條件設定而測得。此時，較佳為：將箔的非測定面與樣本台緊密地固定，在樣本片的1cm角的範圍內，以108μm×144μm的視野選擇6點測定，將從該6點的測定點所得到的測定值的平均值，採用為代表值。
於本說明書，載體箔的「電極面」為製作載體箔時與陰極所連接之側的面。
於本說明書，載體箔的「析出面」為製作載體箔時電解銅析出側的面，也就是指不與陰極相連接之側的面。
帶載體超薄銅箔及其製造方法
本發明的帶載體超薄銅箔依序具備有：載體箔、剝離層、及超薄銅箔。而且，於超薄銅箔的剝離層側的面，其 表面峰值間的平均距離(Peak Spacing)為2.5~20.0μm，且其核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk為1.5~3.0μm。此外，於與超薄銅箔的剝離層側相反之面，其起伏的最大高低差Wmax為4.0μm以下。藉此，銅張積層板的加工以至於印刷配線板的製造，可以同時達到兼具雷射鑽孔加工性及微細電路形成性的效果。而且，為了要確保雷射鑽孔的加工性，在本發明中並不需要到目前為止被一般所採用的黑化處理。
本來，若不對超薄銅箔施以黑化處理的話，很難達到兼具雷射鑽孔加工性及微細電路形成性的效果，但本發明係在預期外能同時達到此種效果。本來，為了得到優良的微細電路形成性，與剝離層相反側的表面要求是平滑的超薄銅箔。因此，為了得到這種超薄銅箔，剝離層側的面要求是平滑的超薄銅箔，這種平滑的表面使得雷射變得容易被反射，所以，雷射將變得不容易被超薄銅箔吸收，導致雷射鑽孔的加工性降低。實際上，如同前述，像是專利文獻1所揭示的利用波狀銅箔的方法，雖然雷射鑽孔的加工性高，但是也有微細電路形成性劣化的可能。為了解決此問題，本發明的帶載體超薄銅箔，可以在確保高雷射鑽孔加工性的同時，也提升微細電路的形成性。由以下的方法可以實現這種兼具雷射鑽孔加工性及微細電路形成性的效果。也就是說，藉由使超薄銅箔的剝離層側的面的核心部之等級差Rk為1.5μm以上，且使超薄銅箔的剝離層側的面的表面峰值間的平均距離(Peak Spacing)為 2.5~20.0μm，可以實現高直接雷射鑽孔加工性。特別是，如圖3所示，核心部32粗糙度深度(core roughness depth)Rk與十點平均粗糙度Rzjis相異；核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk為：將高突出峰部34及深突出谷部36從粗糙曲線30中去除所得到的曲線，基於該曲線其上側等級32a及下側等級32b之間的差，所以Rk可以說是規定箔表面的微小空間所得到的參數。因此，意味著Rk的值若越高空間則會越大，因雷射的反射使得高空間變得容易蓄存熱量(也就是說因為雷射的反射使得熱儲存的空間變大)。此外，由於表面峰值間的平均距離(Peak Spacing)為2.5~20.0μm，粗糙峰值間變得緊密，所照射的雷射變得容易被吸收，也就是說容易轉換成熱量。因此，做為控制Rk及控制Peak Spacing間的相乘效果，可以提升直接雷射鑽孔加工性。此後，藉由使超薄銅箔的剝離層側的面的核心部之等級差Rk為3.0μm以下，且使於與超薄銅箔的剝離層側相反之面，其起伏的最大高低差Wmax為4.0μm以下，可以不使這種高雷射鑽孔加工性降低，並可以實現提升微細電路的形成性的效果。也就是說，本發明的發明者們發現使微細電路的形成性降低的主要的原因：是由於在與超薄銅箔的剝離層側相反之面中的起伏，控制該起伏的最大高低差(Wmax)為4.0μm以下，有助於微細電路形成性的改善。特別是，因為起伏的最大高低差Wmax的上限值4.0μm不是極低的值，因此，於與銅箔的剝離層側相反之面並不要求有極度平滑性(典 型的粗糙化)的減法製程法，特別適用於此表面輪廓。此外，減法製程法以外的方法(例如：MSAP(改良半加成法))亦適用。不管如何，在本發明的帶載體超薄銅箔中，藉由控制超薄銅箔(特別是減法製程法用的超薄銅箔)中的Peak spacing、Rk、及Wmax，可以在具有優良的直接電射鑽孔加工性的同時，並可實現適用於形成線/空間=30μm以下/30μm以下的電路所期望的微細電路的形成性。
於是，超薄銅箔具有：其表面峰值間的平均距離(Peak Spacing)為2.5~20.0μm，且其核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk為1.5~3.0μm的剝離層側的面，且具有起伏的最大高低差Wmax為4.0μm以下的與剝離層相反側的面。藉由使該等參數在上述範圍內，銅張積層板的加工以至於印刷配線板的製造，可以同時達到兼具雷射鑽孔加工性及微細電路形成性的效果。於超薄銅箔的剝離層側的面，其表面峰值間的平均距離(Peak Spacing)為2.5~20.0μm，較佳為6.5~15.0μm。於超薄銅箔的剝離層側的面，其核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk為1.5~3.0μm，較佳為2.0~3.0μm。此外，於與超薄銅箔的剝離層側相反之面，其起伏的最大高低差Wmax為4.0μm以下，較佳為3.0μm以下，更佳為2.5μm以下。特別是，為了形成線/空間=25μm以下/25μm以下的微細電路，超薄銅箔表面的Wmax為3.0μm以下為較佳。因為Wmax係越低越好，雖不特別限定其下限值，但 Wmax典型為0.1μm以上，更典型為0.2μm以上。
超薄銅箔的剝離層側的面，十點平均粗糙度Rzjis較佳為2.0~4.0μm，更佳為2.5~4.0μm。在該範圍內可以有助於達到雷射鑽孔加工性與微細電路形成性的平衡。另一方面，於與超薄銅箔的剝離層相反側的面，十點平均粗糙度Rzjis較佳為4.0μm以下，更佳為3.0μm以下，再更佳為2.5μm以下。在該範圍內可以有助於提升微細電路形成性。十點平均粗糙度Rzjis從與樹脂層間的密著性之觀點來看，典型為0.5μm以上，更典型為1.0μm以上。
與超薄銅箔的剝離層側相反之面為粗化面較佳。也就是說，在超薄銅箔的一面施予粗糙化處理為較佳。藉此，於製造銅張積層板及印刷配線板時，可以提升與樹脂層之間的密著性。該粗糙化處理中，較佳為使用包含：於超薄銅箔上使微細銅粒析出附著的燒附鍍膜工程、及防止該微細銅粒脫落的覆蓋鍍膜工程，這種至少2種類的習知鍍膜工程方法。與超薄銅箔的剝離層側相反之面為粗化面，而且，滿足上述的十點平均粗糙度Rzjis為較佳。
超薄銅箔除了上述具有特有的表面輪廓以外，也不特別限定採用帶載體超薄銅箔的習知構造。例如：超薄銅箔，可使用無電解鍍銅法及電解鍍銅法等濕式等成膜法、濺鍍及化學蒸鍍等乾式成膜法、或組合該等方法所形成。超薄銅箔的厚度較佳為0.5~5.0μm。例如：為 了形成線/空間=25μm以下/25μm以下的微細電路，超薄銅箔表面的Wmax為3.0μm以下為較佳。
剝離層為具有下列機能的層：使載體箔的剝除強度減弱、確保該強度的安定性、及抑制在高溫的壓印成形時載體箔與銅箔間容易引起的相互擴散。剝離層一般為形成於載體箔的一面，但也可以形成於兩面。剝離層不管是有機剝離層或無機剝離層都可以。做為使用於有機剝離層的有機成份之例為：含有氮的有機化合物、含有硫的有機化合物、羧酸等。做為含有氮的有機化合物例如：三唑化合物，咪唑化合物等，其中從三唑化合物的剝離性安定性來看為較佳。做為三唑化合物之例為：1,2,3-苯並三唑、羧基苯並三唑、N',N'-雙(苯並三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑、及3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。做為含有硫的有機化合物例如：巰基苯，硫氰尿酸，2-苯並咪唑硫醇等。羧酸之例為：單羧酸，二羧酸等。另一方面，做為使用於無機剝離層的無機成份之例為：Ni、Mo、Co、Cr、Fe、Ti、W、P、Zn、鉻酸鹽處理膜等。此外，形成剝離層可使用：在載體箔的至少一表面上接觸含有剝離層成份的溶液，使剝離層成分固定於載體箔的表面等方法。使載體箔接觸含有剝離層成份的溶液的情形，該接觸為：浸漬於含有剝離層成份的溶液、含有剝離層成份的溶液的噴霧、及含有剝離層成份的溶液的流下等。另外，也可以採用蒸鍍或濺鍍法等氣相法覆膜形成剝離層成份。此外，使剝離層成份固定於載體箔表面為：含有剝離層成份的溶液的吸附 及乾燥、含有剝離層成份的溶液中剝離層成份的電沉積等。剝離層的厚度，典型為1nm~1μm，較佳為5nm~500nm。
載體箔為：支持超薄銅箔且為了使其處理性提升之箔。做為載體箔之例為：鋁箔、銅箔、不銹鋼(SUS)箔、表面塗佈金屬之樹脂膜等，較佳為銅箔。銅箔不管是壓延銅箔或電解銅箔都可以。載體箔的厚度典型為250μm以下，較佳為12μm~200μm。
於載體箔的剝離層側的面，其谷間的平均距離(Valley spacing)為2.5~20.0μm，且其核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk較佳為2.0~3.8μm。於帶載體超薄銅箔的製造過程中，為了在載體箔的剝離層側的面形成超薄銅箔，藉由事先於載體箔的表面提供如上述的低Valley spacing及Rk，可於超薄銅箔的剝離層側之面及與剝離層相反側之面提供前述所期望的表面輪廓。也就是說，本發明的帶載體超薄銅箔為：準備具有谷間的平均距離(Valley Spacing)為2.5~20.0μm、且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk為2.0~3.8μm之表面的載體箔，在該載體箔的表面形成剝離層，及在該剝離層上形成超薄銅箔所製造而成。載體箔的剝離層側的面，十點平均粗糙度Rzjis較佳為2.0~5.0μm。此外，於載體箔的剝離層側的面，其谷間的平均距離(Valley spacing)較佳為4.5~10.0μm。於載體箔的表面實現上述範圍內的Valley spacing、Rk、及Rzjis為：將電解液(例如硫酸酸性硫酸 銅溶液)施以活性碳處理並去除電解液中的殘留添加液後，在經由活性碳處理後的電解液中重新添加膠或明膠等添加液，並進行習知條件下的電解，較佳為製造厚度約15~35μm左右的電解銅箔(例如可參照專利文獻3(JP H9-241882 A)所記載的製造方法)。藉由在這種所期望的表面輪廓所提供的載體箔析出面上間隔剝離層而形成超薄銅箔，在超薄銅箔的剝離層側的面上可提供上述的表面輪廓。
視其需要，也可以在剝離層和載體箔及/或超薄銅箔之間設置其他的機能層。做為這種其他的機能層可以例如是補助金屬層。補助金屬層較佳為由鎳及/或鈷所組成。藉由在載體箔的表面側及/或在超薄銅箔的表面側形成補助金屬層，可抑制在高溫或長時間的熱間壓印成形時載體箔與銅箔間容易引起的相互擴散，並可以確保載體箔的剝除強度安定性。補助金屬層的厚度較佳為0.001~3μm。
視其需要，也可以對超薄銅箔施以防銹處理。防銹處理較佳為利用含有鋅的鍍膜處理。利用鋅的鍍膜處理可以是鋅鍍膜處理及鋅合金鍍膜處理之任一種，鋅合金鍍膜處理特別是較佳為鋅-鎳合金處理。鋅-鎳合金處理可以至少是含有Ni及Zn的鍍膜處理，也可以含有Sn、Cr、Co等其他元素。於鋅-鎳合金鍍膜的Ni/Zn附著比較佳為質量比1.2~10，更佳為2~7，再更佳為2.7~4。此外，防銹處理較佳更含有鉻酸鹽處理，該鉻酸鹽處理為 使用鋅的鍍膜處理後，在含有鋅的鍍膜表面進行較佳。藉此可以更加提升防銹性。特別是較佳的防銹處理為：在進行鋅-鎳合金鍍膜處理後的鉻酸鹽處理之組合。
視其需要，也可以在超薄銅箔的表面施予矽烷偶合劑處理，形成矽烷偶合劑層。藉此可提升耐濕性、耐藥性、及與樹脂等的密著性。矽烷偶合劑層可以將矽烷偶合劑適度地稀釋並塗布後將其乾燥而形成。做為矽烷偶合劑可例如為：四-縮水甘油醚三甲、γ-環氧丙氧等的環氧官能性矽烷偶合劑、或是γ-氨丙基三甲氧基、N-β(氨基乙酯)γ-氨丙基三甲氧基、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲、N-苯基-γ-氨丙基三甲氧基等的氨基官能性矽烷偶合劑、或是γ-巰基丙基三甲氧矽烷等的巰基官能性矽烷偶合劑、或是乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷等的烯烴官能性矽烷偶合劑、或是γ-甲基丙烯醯氧基矽烷等的丙烯酸官能性矽烷偶合劑、或是咪唑矽烷等的咪唑官能性矽烷偶合劑、或是三嗪矽烷等的三嗪官能性矽烷偶合劑等。
銅張積層板
本發明的帶載體超薄銅箔較佳為製作印刷配線板用的銅張積層板。也就是說，依據本發明較佳的態樣，提供一種利用帶載體超薄銅箔所得到的銅張層積板。藉由使用本發明的帶載體超薄銅箔，在銅張積層板的加工中，可以達到兼具雷射鑽孔加工性及微細電路形成性的效果。該銅張 積層板具備：本發明的帶載體超薄銅箔及與該表面處理層緊密設置的樹脂層。帶載體超薄銅箔可設置在樹脂層的一面或者是兩面。樹脂層為樹脂，較佳為含有絕緣性樹脂。樹脂層較佳為預浸物及/或樹脂片。預浸物為：合成樹脂板、玻璃板、玻璃織布、玻璃不織布、紙等基材浸於合成樹脂的複合材料之總稱。做為絕緣性樹脂較佳的例子為：環氧樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)、聚苯醚樹脂、酚醛樹脂等。此外，做為構成樹脂片的絕緣性樹脂的例子為：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯纖維樹脂等的絕緣樹脂。此外，從提升樹脂層的絕緣性等觀點來看，也可以含有由二氧化矽，氧化鋁等各種無機粒子所構成的填料粒子。雖不特別限定樹脂層的厚度，但較佳為1~1000μm，更佳為2~400μm，再更佳為3~200μm。樹脂層也可以由複數的層所構成。預浸物及/或樹脂片等的樹脂層也可以隔著預先在銅箔表面塗佈的底塗層樹脂層，設置於帶載體超薄銅箔。
印刷配線板
本發明的帶載體超薄銅箔較佳為用於製作印刷配線板。也就是說，依據本發明較佳的態樣，提供一種利用帶載體超薄銅箔所得到的印刷配線板。藉由使用本發明的帶載體超薄銅箔，在印刷配線板的製造中，可以達到兼具雷射鑽孔加工性及微細電路形成性的效果。依據本態樣的印刷配線板為依序層積樹脂層及銅層的層狀結構。銅層為從 本發明的帶載體超薄銅箔的超薄銅箔而來的層。此外，樹脂層與上述的銅張積層板相關。不管如何，印刷配線板除了利用本發明的帶載體超薄銅箔以外，也可以採用習知的層狀構造。做為有關印刷配線板的具體例可以是：在預浸物的一面或兩面上黏接本發明的超薄銅箔並硬化之，做為層積體之後形成於電路的一面或兩面的印刷配線板、及將其多層化的多層印刷配線板等。此外，做為其他的具體例也可以是：在樹脂膜上形成本發明的超薄銅箔而形成電路的軟性印刷電路配線板、COF、TAB捲帶等。再來做為其他的具體例，在本發明的超薄銅箔上形成塗佈上述樹脂層的帶樹脂銅箔(RCC)，將樹脂層做為絕緣黏接材層並層積於上述印刷基板後，將超薄銅箔做為配線層的全部或一部，利用改性半添加(MSAP)法、減法製程法等方法形成電路的積層配線板，及除去超薄銅箔後利用半添加法形成電路的積層配線板、在半導體積體電路上交換形成帶樹脂銅箔的積層及電路的在晶圓上直接積層等。做為更發展性的具體例為：將上述帶樹脂銅箔於基材上形成層積電路的天線元件、藉由黏接劑層在玻璃及樹脂膜上形成層積圖案的面板顯示用電子材料及玻璃窗用電子材料、在本發明的超薄銅箔上塗佈導電性黏接劑的電磁波防護膜等。特別是，本發明帶載體超薄銅箔適用減法製程法。例如：利用減法製程法形成電路的情形可採用圖1及圖2所示的構成。
[實施例]
以下，利用實施例來更進一步說明本發明。
例1
在載體箔的析出面側依序形成剝離層及超薄銅箔層後，進行防銹處理及矽烷偶合劑處理以製作帶載體超薄銅箔。因此，對於所得到的帶載體超薄銅箔進行各種評價。具體如以下的順序所示。
(1)載體箔的製作
陰極利用算術平均數粗糙度Ra(JIS B 0601：2001為準據)為0.20μm的鈦製回轉電極，陽極利用DSA(尺寸安定性陽極)做為銅電解液利用以下所示組成之硫酸酸性硫酸銅溶液經活性碳處理後，在活性碳處理後的電解液中，添加水溶性明膠使其濃度為5mg/L，以溶液溫度50℃，電流密度60A/dm2電解，得到厚度18μm的電解銅箔做為載體箔。
<硫酸酸性硫酸銅溶液的組成>
銅濃度：85g/L
硫酸濃度：270g/L
氯濃度：30mg/L
(2)剝離層的形成
將酸洗處理過的載體箔的析出面於CBTA(羧基苯並三唑)濃度1g/L、硫酸濃度150g/L、及銅濃度10g/L的CBTA水溶液中，以液溫30℃，做30秒的浸漬，使CBTA的成份吸著於載體箔的析出面。藉此，在載體箔的析出面將CBTA層做為有機剝離層形成。
(3)補助金屬層的形成
形成有機剝離層的載體箔浸漬於利用硫酸鎳所製作的含有鎳濃度20g/L的溶液中，以液溫45℃、PH3、電流密度5A/dm2的條件，使相當於厚度0.001μm附著量的鎳附著於有機剝離層上。藉此，在有機剝離層上將鎳層做為補助金屬層形成。
(4)超薄銅箔的形成
將形成補助金屬層的載體箔，浸漬於以下所示的組成之銅溶液中，以溶液溫度50℃、電流密度5~30A/dm2電解，形成厚度3μm的超薄銅箔於補助金屬層上。
<溶液的組成>
銅濃度：60g/L
硫酸濃度：200g/L
(5)粗糙化處理
在藉此形成的超薄銅箔的表面進行粗糙化處理。該粗 糙化處理藉由於超薄銅箔上使微細銅粒析出附著的燒附鍍膜工程、及防止該微細銅粒脫落的覆蓋鍍膜工程所構成。燒附鍍膜工程利用含有銅濃度10g/L及硫酸濃度120g/L的酸性硫酸銅溶液，以液溫25℃、電流密度15A/dm2進行粗糙化處理。之後的覆蓋鍍膜工程利用含有銅濃度70g/L及硫酸濃度120g/L的酸性硫酸銅溶液，以液溫40℃、電流密度15A/dm2的平滑鍍膜條件進行電沉積。
(6)防銹處理
在所得到的帶載體超薄銅箔的粗糙化處理層之表面，進行由鋅-鎳合金鍍膜處理及鉻酸鹽處理所構成的防銹處理。首先，利用鋅濃度0.2g/L、鎳濃度2g/L、及吡咯啉酸鉀濃度300g/L的電解液，以液溫40℃、電流密度0.5A/dm2的條件，在粗糙化處理層及載體箔的表面進行鋅-鎳合金鍍膜處理。接著，利用鉻酸濃度3g/L的水溶液，以pH10、電流密度0.5A/dm2的條件，在進行鋅-鎳合金鍍膜處理的表面進行鉻酸鹽處理。
(7)矽烷偶合劑處理
使γ-環氧丙氧濃度2g/L的水溶液吸著於帶載體超薄銅箔的超薄銅箔側的表面，藉由利用電熱器將水分蒸發，進行矽烷偶合劑處理。此時，不在載體箔側進行矽烷偶合劑處理。
(8)評價
對於所得到的帶載體超薄銅箔進行以下所述的各種評價。
<表面性狀參數>
使用zygo New View 5032(Zygo社製)做為測定機器，利用Metro Pro Ver 8.0.2做為解析軟體，將低頻濾光片以11μm的條件採用，對載體箔與超薄銅箔的表面峰值間的平均距離(Peak spacing)、谷間的平均距離(Valley spacing)、十點平均粗糙度Rzjis、核心粗糙度深度Rk、及/或起伏的最大高低差Wmax進行測定。此時，將超薄銅箔或載體箔與樣本台緊密地固定，在樣本片的1cm角的範圍內，以108μm×144μm的視野選擇6點做測定，將從該6點的測定點所得到的測定值的平均值，採用為代表值。而且，有關超薄銅箔的剝離層側之面，在製作後述的雷射鑽孔加工性評價用銅張積層板後進行測定。
<雷射鑽孔加工性>
利用帶載體超薄銅箔製作銅張積層板，評價雷射鑽孔加工性。首先，在內層基板的表面，隔著預浸物(三菱瓦斯化學株式會社製，830NX-A，厚0.2mm)層積帶載體超薄銅箔的超薄銅箔，以4.0MPa、220℃、90分鐘的條件做熱壓後，剝離載體箔，製作銅張積層板。之後，對上述銅張積層板使用二氧化碳雷射，以脈衝寬為12μsec.、脈衝 能量為8mJ、雷射光徑97μm的條件進行雷射鑽孔加工。對由雷射鑽孔加工所形成的10個孔測定x方向及y方向的直徑，算出該些直徑的平均值後做為加工後的孔徑。將加工後的孔徑為70μm以上判定為A，65μm以上未滿70μm則判定為B，未滿65μm則判定為C。
<電路形成性>
電路形成性的評價由接下來的方式進行。首先，在上述銅張積層板的表面的電路高度成為15μm前持續進行電鍍。在此方式形成的電鍍層的表面貼付乾薄膜，進行曝光及顯像，而形成蝕刻光阻。藉由氯化銅蝕刻液的處理，將光阻間的銅溶解除去，形成電路高15μm、線/空間=25μm/25μm的配線圖案。在電路的上方以SEM觀察，從電路的頂部算起以摺邊的長度4μm為間隔測定50個點的值，將該等平均值算出做為摺邊長。將摺邊長未滿4.5μm判定為A，4.5μm以上未滿5.0μm則判定為B，5.0μm以上則判定為C。
例2
除了用以下的順序形成超薄銅箔以外，和例1相同，進行帶載體超薄銅箔的製作及評價。
(超薄銅箔的形成)
將形成補助金屬層的載體箔，浸漬於以下所示組成之 鍍亮液中，以溶液溫度45~50℃、電流密度33A/dm2電解，形成厚度3μm的超薄銅箔於補助金屬層上。
<鍍亮液的組成>
銅濃度：65g/L
硫酸濃度：200g/L
二烯丙基二甲基氯化銨濃度：40mg/L
雙(3-磺丙基)二硫化物濃度：30mg/L
氯濃度：30mg/L
例3
除了製作厚度35μm的載體箔以外，和例2相同，進行帶載體超薄銅箔的製作及評價。
例4(比較)
除了用以下的順序形成載體箔以外，和例1相同，進行帶載體超薄銅箔的製作及評價。
(載體箔的製作)
做為銅電解液利用以下所示組成之硫酸酸性硫酸銅溶液，陰極使用表面粗糙度Ra為0.20μm的鈦製回轉電極，陽極使用DSA(尺寸安定性陽極)，以溶液溫度50℃，電流密度60A/dm2電解，得到厚度35μm的電解銅箔做為載體箔。
<硫酸酸性硫酸銅溶液的組成>
銅濃度：80g/L
硫酸濃度：250g/L
明膠濃度：2mg/L
氯濃度：1.5mg/L
例5(比較)
除了製作厚度35μm的載體箔以外，和例1相同，進行帶載體超薄銅箔的製作及評價。
結果
由例1~5所得到的評價結果顯示於表1中。

Claims (11)

  1. 一種依序具備有：載體箔、剝離層、及超薄銅箔的帶載體超薄銅箔，其中：於前述超薄銅箔的剝離層側的面，其表面峰值間的平均距離(Peak Spacing)為2.5~20.0μm，且其核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk為1.5~3.0μm；於與前述超薄銅箔的剝離層側相反之面，其起伏的最大高低差Wmax為4.0μm以下。
  2. 如請求項1所記載之帶載體超薄銅箔，其中，於前述超薄銅箔的剝離層側的面，其十點平均粗糙度Rzjis為2.0~4.0μm。
  3. 如請求項1所記載之帶載體超薄銅箔，其中，於前述超薄銅箔的剝離層側的面，其表面峰值間的平均距離(Peak Spacing)為6.5~15.0μm，且其核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk為2.0~3.0μm。
  4. 如請求項1所記載之帶載體超薄銅箔，其中，於與前述超薄銅箔的剝離層側相反之面，其起伏的最大高低差Wmax為3.0μm以下。
  5. 如請求項1所記載之帶載體超薄銅箔，其中，於前述與超薄銅箔的剝離層側相反之面為粗化面。
  6. 如請求項1所記載之帶載體超薄銅箔，其中，前述超薄銅箔具有0.5~5.0μm的厚度。
  7. 一種製造如請求項1至6中任一項所記載之帶載體超薄銅箔的製造方法，包含： 準備具有：谷間的平均距離(Valley Spacing)為2.5~20.0μm，且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk為2.0~3.8μm之表面的載體箔之步驟；在前述載體箔的前述表面形成剝離層之步驟；在前述剝離層上形成超薄銅箔之步驟。
  8. 如請求項7所記載之製造方法，其中，前述載體箔的表面之十點平均粗糙度Rzjis為2.0~5.0μm。
  9. 如請求項7所記載之製造方法，其中，前述載體箔的表面之前述谷間之平均距離(Valley Spacing)為4.5~10.0μm。
  10. 一種具備如請求項1至6中任一項所記載之帶載體超薄銅箔的銅張層積板。
  11. 一種印刷配線板之製造方法，其特徵為：利用如請求項1至6中任一項所記載之帶載體超薄銅箔，製造印刷配線板。
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