TW201313952A - 貼附用銅箔 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的是提供一種表現出與基材的良好的密接性、且可形成高精細的配線圖案的貼附用銅箔。本發明的貼附用銅箔用以貼附於基材上，且貼附於基材之側的表面的表面粗糙度(Rz)為0.500μm以下，銅箔的剖面中貼附於基材之側的表面的輪廓線的分形維數為1.020~1.400，該值是應用將正方形盒的一條邊的大小設定為1nm~10nm的盒計數法而算出。

Description

貼附用銅箔
本發明是有關於一種貼附用銅箔。
金屬銅是電的良導體，相對較廉價，且操作亦容易，因此銅箔廣泛用作印刷配線基板等的基礎材料。
在製造印刷配線基板時，通常將銅箔與特定的基材重疊積層，進行加熱壓接而獲得覆銅積層體。另外，通常銅箔的與基材貼合的面為了提高與基材的密接性而可實施粗面化處理(專利文獻1)。
另一方面，近年來強烈期望印刷配線基板的高密度化、高可靠性、及小型輕量化，隨之要求形成寬度窄、高精細的配線圖案。
然而，若使用先前的實施了粗面化處理的銅箔而形成配線圖案，則存在由於銅箔的經粗面化處理的表面的凹凸的影響，而所得的配線圖案的配線寬度的不均變大的問題。
為了形成高精細的配線圖案，而有使銅箔的粗面分布更低的方法。然而，在此方法中，由於銅箔與基材的密接性降低，因此產生銅箔電路的剝離、隆起、分層等問題。
如此，先前，與基材的高密接性、配線圖案的高精細化存在相互折衷(trade off)的關係，難以同時滿足這兩者。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3476264號公報
本發明是鑒於上述實際情況而完成，目的是提供一種表現出與基材的良好的密接性、且可形成高精細的配線圖案的貼附用銅箔。
另外，本發明的目的是提供使用上述貼附用銅箔而得的積層體及印刷配線基板。
本發明者進行積極研究，結果發現，藉由貼附用銅箔的貼附於基材之側的表面具有特定的結構，而可解決上述問題。
即發現，藉由以下所示的方法可達成上述目的。
(1)一種貼附用銅箔，其用以貼附於基材上，且貼附於基材之側的表面的表面粗糙度(Rz)為0.500 μm以下；銅箔的剖面中貼附於基材之側的表面的輪廓線的分形維數(fractal dimension)為1.020~1.400，該值是應用將正方形盒的一條邊的大小設定為1 nm~10 nm的盒計數法而算出。
(2)一種積層體，其包括：基材、以及貼附於基材上的如(1)所述之貼附用銅箔。
(3)一種印刷配線基板，其含有如(2)所述之積層體。
(4)一種貼附用銅箔的製造方法，其用於製造如(1)所述之貼附用銅箔，且包括：在支撐體上，形成包含聚合物的層，然後對包含聚合 物的層提供能量，而在支撐體上形成被鍍敷層的步驟，其中上述聚合物具有與鍍敷觸媒或其前驅物形成相互作用的官能基及聚合性基；在被鍍敷層提供鍍敷觸媒或其前驅物的步驟；對提供了鍍敷觸媒或其前驅物的被鍍敷層進行鍍銅處理，在被鍍敷層上形成銅箔，而獲得依序具有支撐體、被鍍敷層以及銅箔的積層體的步驟；自積層體除去支撐體及被鍍敷層而獲得銅箔的步驟。
根據本發明，可提供表現出與基材的良好的密接性、且可形成高精細的配線圖案的貼附用銅箔。
另外，根據本發明，亦可提供使用上述貼附用銅箔的積層體及印刷配線基板。
以下，對本實施形態的貼附用銅箔進行說明。
本實施形態的貼附用銅箔，其貼附面表現出特定的表面粗糙度Rz，並且藉由盒計數法算出的剖面中貼附面的輪廓線的分形維數表現出特定的值。藉由貼附面表現出特定的表面粗糙度Rz，而在該貼附面中大的凹凸少(低分布)，結果在圖案形成時可形成高精細的配線圖案。並且，藉由貼附面的剖面輪廓線表現出特定的分形維數，而具有微小且複雜的表面性狀。即，即便貼附面的表面粗糙度Rz小，亦由於其複雜的表面形狀而具有充分的表面積，結果對基材表現出充分的增黏(anchor)效果，並對基材表現出優 異的密接性。即，可同時達成先前為折衷關係的密接性的提高、與配線圖案的高精細性。
首先，以下對貼附用銅箔的形態進行詳細敍述，然後對該銅箔的製造方法進行詳細敍述。
[貼附用銅箔(貼合用銅箔)]
本實施形態的貼附用銅箔(以下亦簡稱為銅箔)用以貼附於基材表面。下文敍述所使用的基材。
圖1(A)是貼附用銅箔10的示意性立體圖，圖1(B)是圖1(A)中的A-A線剖面的表面附近的放大圖。另外，圖1(B)中，貼附用銅箔10的上邊相當於貼附於基材之側的表面的輪廓線。如該圖所示，貼附用銅箔10的與基材貼附之側的表面的表面粗糙度Rz小，宏觀上為平坦的面，但微觀上具有複雜的表面形狀。
銅箔的貼附於基材之側的表面的表面粗糙度Rz為0.500 μm以下。若表面粗糙度Rz為上述範圍內，則可高效地形成高精細的配線圖案。其中，就可高精細地形成間隙更窄的配線圖案的方面而言，表面粗糙度Rz較佳為0.300 μm以下，更佳為0.200 μm以下。另外，表面粗糙度Rz的下限並無特別限制，最佳為0 μm，但是就工業上的生產性的方面而言，大多為0.050 μm以上。
另外，在Rz超過0.500 μm時，配線寬度的不均會變大，而無法獲得高精細的配線圖案。
另外，所謂表面粗糙度Rz，是JIS B 0601(2001年)所規定的最大高度粗糙度，可藉由公知的表面形狀測定裝 置(例如公司名：優貝克(ULVAC)、裝置名：Dektak150)等進行測定。
銅箔的剖面中的銅箔的貼附於基材之側的表面的輪廓線(剖面輪廓線)為分形狀，應用將正方形盒的一條邊的大小設定為1 nm~10 nm的盒計數法而算出的表面的輪廓線的分形維數為1.020~1.400。若分形維數為上述範圍內，則銅箔對基材表現出優異的密接性。其中，就對基材的密接性更優異的方面而言，分形維數較佳為1.050~1.400，更佳為1.100~1.300，尤佳為1.150~1.250。
另外，在分形維數小於1.020及超過1.400時，銅箔對基材的密接性差。
以下，對盒計數法進行詳細敍述。
所謂盒計數法，是以固定的大小(盒尺寸)來分割固定的區域進行觀察時，藉由調查分形的圖形被何種程度地包含，而推斷分形維數的方法。
「分形維數(盒計數維數)」是表示形狀的複雜度、表面的凹凸的程度等的指標，分形維數的值越大則表示凹凸越複雜，按以下方式進行定義。將以一條邊的大小為δ的正方形箱(盒)覆蓋某圖形F所需要的盒的個數設為Nδ(F)時，分形維數根據下述式進行定義。
即，本發明中，將銅箔的剖面分割成等間隔δ的格子 狀區域(藉由一條邊的大小為δ的正方形的小區域來分割)，一邊改變δ的大小，一邊計數包含銅箔的貼附於基材之側的表面的輪廓線的一部分的一條邊的大小為δ的正方形盒(單元)的個數。接著，將計數的盒的個數設為縱軸，將此時的δ的大小設為橫軸，繪成兩對數圖表，根據該圖表的斜率求出分形維數。
另外，本發明中δ為1 nm~10 nm的範圍。
另外，本發明中，測定面積為1 μm×1 μm。
而且，本發明中的分形維數是根據至少5個部位以上的剖面測定區域(1 μm×1 μm)分別計算分形維數，並將這些值進行算術平均而得的值。
更具體而言，本發明的分形維數是根據銅箔的剖面結構照片(與銅箔的厚度方向平行的面的照片)而算出。首先，使用雙束聚焦離子束(Dual-Beam FIB)裝置(FEI製造、Dual Beam Nova200 Nanolab、加速電壓30 kV)，將銅箔加工成樣品，並切出剖面。接著，藉由集束離子束裝置(精工電子(Seiko Instruments)公司製造、SMI9200)觀察其剖面，而獲得圖像資料。然後，藉由圖像處理，提取銅箔的粗化表面部(線段)。根據該剖面照片，使用上述盒計數法，根據至少5個部位的測定區域(1 μm×1 μm)分別算出輪廓線的分形維數(盒計數維數)，將這些值進行算術平均而求出本發明的分形維數(平均分形維數)。
銅箔的貼附於基材之側的表面的表面粗糙度Ra並無特別限制，就可高效地形成高精細的配線圖案的方面而 言，較佳為0.200 μm以下，更佳為0.100 μm以下。另外，表面粗糙度Ra的下限並無特別限制，最佳為0 μm，但是就工業上的生產性的方面而言，大多為0.010 μm以上。
另外，所謂表面粗糙度Ra，由JIS B 0601(2001年)所規定，可藉由公知的表面形狀測定裝置(例如公司名：優貝克、裝置名：Dektak150)等進行測定。
銅箔的厚度並無特別限制，可根據使用目的進行適當調整。就對基材的密接性、及圖案的高精細性更優異的方面而言，厚度較佳為2 μm~30 μm，更佳為5 μm~20 μm。
銅箔通常包含銅，但亦可包含一部分的銅以外的金屬(例如銀、錫、鈀、金、鎳、鉻等)。
另外，如上所述，銅箔的與基材貼附的面只要表現特定的表面粗糙度Rz及分形維數的要件即可，可僅一個主面(單面)滿足該要件。並且，亦可銅箔的兩個主面(兩面)滿足該要件。
另外，在僅一個主面滿足該要件時，另一主面的形狀並無特別限制。通常大多為平坦的光澤面。
另外，銅箔可用於各種形態(用途)。例如可列舉：印刷配線基板、電磁波屏蔽材料、導通(接地)用材料、鋰離子電池等。
而且，根據需要，該銅箔可藉由公知的方法(例如後述的蝕刻步驟中所記載的蝕刻方法)而形成為圖案狀。
[銅箔的製造方法]
上述銅箔的製造方法並無特別限制，若為表面粗糙度 Rz及分形維數為特定範圍的方法，則亦可使用任意的方法。
圖2是表示銅箔的製造方法的較佳形態中的各步驟的流程圖，該形態包括：被鍍敷層形成步驟S102、觸媒提供步驟S104、鍍敷步驟S106、支撐體除去步驟S108、被鍍敷層除去步驟S110。若為該形態，則所得的銅箔的表面粗糙度Rz及分形維數容易調整，並且生產性亦更優異。
以下，對該較佳形態的各步驟進行詳細敍述。
(被鍍敷層形成步驟S102)
本步驟S102是，在支撐體上形成包含聚合物的層，然後對包含聚合物的層提供能量，而在支撐體上形成被鍍敷層的步驟，其中上述聚合物具有與鍍敷觸媒或其前驅物形成相互作用的官能基(以下適當稱為相互作用性基)及聚合性基。
藉由該步驟S102形成的被鍍敷層是根據聚合物中所含的相互作用性基的功能，而在後述的觸媒提供步驟S104中吸附(附著)鍍敷觸媒或其前驅物。即，被鍍敷層發揮出作為鍍敷觸媒或其前驅物的良好的接受層的功能。另外，聚合性基藉由利用能量提供的硬化處理而用於聚合物彼此的結合，而可獲得硬度．硬度優異的被鍍敷層。
更具體而言，如圖3(A)所示，在該步驟S102中在支撐體12上形成被鍍敷層14。
首先，對本步驟S102中所使用的材料(支撐體、聚合物、被鍍敷層形成用組成物等)進行詳細敍述，然後對 該步驟S102的順序進行詳細敍述。
(支撐體)
支撐體是用以支撐後述各層的構件，亦可使用先前已知的任意支撐基板(例如樹脂基板、陶瓷基板、玻璃基板、金屬基板等。較佳為絕緣性基板)。
其中，就在後述的支撐體除去步驟S108中可更容易除去支撐體的方面而言，較佳為使用具有表現易剝離性的表面的剝離性支撐體。另外，所謂剝離性支撐體的表面所具有的易剝離性，是指對後述的具有銅箔的積層體施加用以將剝離性支撐體剝離的外力時，在銅箔與被鍍敷層的界面不會剝離，而在剝離性支撐體與被鍍敷層的界面剝離的性質。
就在剝離性支撐體與被鍍敷層的界面更易進行剝離的方面而言，剝離性支撐體的表現易剝離性的表面的水接觸角較佳為70°以上，更佳為70°~110°，尤佳為80°~100°。
水接觸角的測定方法是使用利用所滴加的水的頂點與支撐體的2點的接點的切線法。
另外，支撐體的大小、及厚度並無特別限制，適當選擇最佳的大小、及厚度。
另外，支撐體的形狀並無特別限制，通常為平板狀。
(聚合物)
所使用的聚合物具有聚合性基、及相互作用性基。
聚合性基是藉由能量提供而可在聚合物彼此之間形成化學鍵的官能基，例如可列舉：自由基聚合性基、陽離子 聚合性基等。其中，就反應性更優異的方面而言，較佳為自由基聚合性基。自由基聚合性基例如可列舉：丙烯酸酯基(丙烯醯氧基)、甲基丙烯酸酯基(甲基丙烯醯氧基)、衣康酸酯基、丁烯酸酯基、異丁烯酸酯基、順丁烯二酸酯基等不飽和羧酸酯基、苯乙烯基、乙烯基、丙烯醯胺基、甲基丙烯醯胺基等。其中，較佳為甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、乙烯基、苯乙烯基、丙烯醯胺基、甲基丙烯醯胺基，特佳為甲基丙烯醯氧基、丙烯醯氧基、苯乙烯基。
相互作用性基是與鍍敷觸媒或其前驅物相互作用的官能基，可使用：可與鍍敷觸媒或其前驅物形成靜電相互作用的官能基；或可與鍍敷觸媒或其前驅物形成配位的含氮官能基、含硫官能基、含氧官能基等。
相互作用性基例如亦可列舉：非解離性官能基(藉由解離而不產生質子的官能基)等。
相互作用性基更具體而言，可列舉：胺基、醯胺基、醯亞胺基、脲基、三級胺基、銨基、甲脒基(amidino group)、三嗪環、三唑環、苯并三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、唑啉基、喹噁啉基、嘌呤基、三嗪基、哌啶基、哌嗪基、吡咯啶基、吡唑基、苯胺基、包含烷基胺結構的基團，包含異三聚氰酸結構的基團，硝基、亞硝基、偶氮基、重氮基、疊氮基、氰基、氰酸酯基(R-O-CN)等含氮官能基；醚基、羥基、酚性羥基、羧基、碳酸酯基、羰基、酯基、包含N-氧化物結構的基團，包含S-氧化物結構的基團，包含N-羥基結構的基團等含氧 官能基；噻吩基、硫醇基、硫脲基、三聚硫氰酸基、苯并噻唑基、巰基三嗪基、硫醚基、硫氧基、亞碸基、碸基、亞硫酸基、包含磺醯亞胺結構的基團，包含 鹽結構的基團，磺酸基、包含磺酸酯結構的基團等含硫官能基；基、基、膦基、包含磷酸酯結構的基團等含磷官能基；包含氯、溴等鹵素原子的基團等，在可形成鹽結構的官能基中，亦可使用這些基團的鹽。
其中，就極性高、對鍍敷觸媒或其前驅物等的吸附能高的方面而言，特佳為羧基、磺酸基、磷酸基、及硼酸基等離子性極性基、或醚基、或氰基，尤佳為羧基或氰基。
作為相互作用性基的這些官能基，在聚合物中可包含2種以上。
聚合物的重量平均分子量並無特別限制，較佳為1000以上、70萬以下，更佳為2000以上、20萬以下。特別是就聚合感光度的觀點而言，較佳為20000以上。
另外，聚合物的聚合度並無特別限制，較佳為十聚物以上，更佳為二十聚物以上。並且，較佳為七千聚物以下，更佳為三千聚物以下，尤佳為二千聚物以下，特佳為一千聚物以下。
聚合物的較佳形態可列舉：包含下述式(a)所示的具有聚合性基的單元(以下亦適當稱為聚合性基單元)、及下述式(b)所示的具有相互作用性基的單元(以下亦適當稱為相互作用性基單元)的共聚物。另外，單元是指重複單 元。
上述式(a)及式(b)中，R1~R5分別獨立地表示氫原子、或經取代或未經取代的烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基等)。另外，取代基並無特別限制，可列舉：甲氧基、氯原子、溴原子、或氟原子等。
另外，R1較佳為氫原子、甲基、或經溴原子取代的甲基。R2較佳為氫原子、甲基、或經溴原子取代的甲基。R3較佳為氫原子。R4較佳為氫原子。R5較佳為氫原子、甲基、或經溴原子取代的甲基。
上述式(a)及式(b)中，X、Y、及Z分別獨立地表示單鍵、或者經取代或未經取代的二價有機基。二價有機基可列舉：經取代或未經取代的二價脂肪族烴基(較佳為碳數1~8。例如亞甲基、伸乙基、伸丙基等伸烷基)、經取代或未經取代的二價芳香族烴基(較佳為碳數6~12。例如伸苯基)、-O-、-S-、-SO2-、-N(R)-(R：烷基)、-CO-、-NH-、-COO-、-CONH-、或這些基團組合而成的基團(例如伸烷氧基、伸烷氧羰基、伸烷基羰氧基等)等。
就在後述的被鍍敷層除去步驟中被鍍敷層的除去效率更優異的方面而言，X、Y、及Z較佳為酯基(-COO-)。
上述式(a)及式(b)中，L1及L2分別獨立地表示單鍵、或者經取代或未經取代的二價有機基。二價有機基的定義與上述X、Y、及Z中所述的二價有機基的定義相同。
就聚合物的合成容易、且被鍍敷層的觸媒吸附性優異的方面而言，L1較佳為脂肪族烴基、或具有胺基甲酸酯鍵或脲鍵的二價有機基(例如脂肪族烴基)，其中較佳為總碳數為1~9。另外，此處L1的總碳數是指L1所示的經取代或未經取代的二價有機基所含的總碳原子數。
另外，就聚合物的合成容易、且被鍍敷層的觸媒吸附性優異的方面而言，L2較佳為單鍵、二價脂肪族烴基、二價芳香族烴基、或這些基團組合而成的基團。其中，L2較佳為單鍵、或總碳數為1~15的脂肪族烴基，特佳為未經取代。另外，此處L2的總碳數是指L2所示的經取代或未經取代的二價有機基所含的總碳原子數。
上述式(b)中，W表示與鍍敷觸媒或其前驅物相互作用的官能基。該官能基的定義與上述相互作用性基的定義相同。
相對於聚合物中的所有單元，上述聚合性基單元的含量較佳為5莫耳%~50莫耳%，更佳為5莫耳%~40莫耳%。在聚合性基單元的含量小於5莫耳%時，有反應性(硬化性、聚合性)降低的情況，在聚合性基單元的含量超過50莫耳%時，合成時容易凝膠化而難以合成。
另外，就對鍍敷觸媒或其前驅物的吸附性的觀點而言，相對於聚合物中的所有單元，上述相互作用性基單元的含量較佳為5莫耳%~95莫耳%，更佳為10莫耳%~95莫耳%，尤佳為60莫耳%~95莫耳%。
另外，聚合性基單元及相互作用性基單元亦可包含2種以上互不相同的種類的單元。
另外，聚合物中亦可包含聚合性基單元及相互作用性基單元以外的單元。
上述聚合物的具體例例如可列舉：日本專利特開2009-007540號公報的段落[0106]~段落[0112]所記載的聚合物、日本專利特開2006-135271號公報的段落[0065]~段落[0070]所記載的聚合物、US2010-080964號的段落[0030]~段落[0108]所記載的聚合物等。
該聚合物可藉由公知的方法(例如上述列舉的文獻中的方法)而製造。
(步驟S102的順序)
首先，在支撐體上形成包含上述聚合物的層(被鍍敷層前驅物層)的方法並無特別限制，可使用公知的方法。例如亦可列舉：將包含上述聚合物的被鍍敷層形成用組成物塗佈於支撐體上的方法(塗佈法)、或將聚合物直接層壓在支撐體上的方法。其中，就容易控制被鍍敷層的膜厚的方面而言，較佳為塗佈法。下文對被鍍敷層形成用組成物的形態進行敍述。
為塗佈法時，將被鍍敷層形成用組成物塗佈在支撐體 上的方法並無特別限制，可使用公知的方法(例如旋塗、模塗、浸塗等)。
就操作性或製造效率的觀點而言，較佳為如下形態：將被鍍敷層形成用組成物塗佈於支撐體上，根據需要進行乾燥處理而將殘存的溶劑除去，而形成包含聚合物的層(被鍍敷層形成用組成物層)。
另外，乾燥處理的條件並無特別限制，就生產性更優異的方面而言，較佳為以室溫~220℃(較佳為50℃~120℃)、實施1分鐘~30分鐘(較佳為1分鐘~10分鐘)。
接著，對支撐體上的包含聚合物的層(被鍍敷層形成用組成物層)提供能量的方法並無特別限制。例如較佳為使用加熱處理或曝光處理等，就短時間內結束處理的方面而言，較佳為曝光處理。藉由對包含聚合物的層提供能量，而會使聚合物中的聚合性基活化，而在聚合物間產生交聯，從而進行層的硬化。
曝光處理可使用藉由紫外線(ultraviolet，UV)燈、可見光線等的光照射等。光源例如有水銀燈、金屬鹵化物燈、氙燈、化學燈、碳弧燈等。放射線亦有電子束、X射線、離子束、遠紅外線等。具體的形態可較佳地列舉：紅外線雷射的掃描曝光、氙放電燈等的高照度閃光曝光、或紅外線燈曝光等。
曝光時間因聚合物的反應性及光源而不同，通常為10秒~5小時之間。曝光能量只要為10 mJ~8000 mJ左右即可，較佳為50 mJ~3000 mJ的範圍。
另外，在使用加熱處理提供能量時，可使用送風乾燥機、烘箱、紅外線乾燥機、加熱滾筒等。
被鍍敷層的厚度並無特別限制，就生產性的方面而言，較佳為0.01 μm~10 μm，更佳為0.2 μm~5 μm，特佳為0.3 μm~1.0 μm。
另外，被鍍敷層的表面(與支撐體側為相對側的表面)的表面粗糙度Rz並無特別限制，就銅箔的表面粗糙度Rz進一步降低的方面而言，較佳為0.2 μm以下，更佳為0.1 μm以下。表面粗糙度Rz的下限並無特別限制，就製造上的限制而言，大多為0.01 μm以上。
(被鍍敷層形成用組成物)
被鍍敷層形成用組成物中含有上述聚合物。
被鍍敷層形成用組成物中的聚合物的含量並無特別限制，相對於組成物總量，較佳為2質量%~50質量%，更佳為3質量%~20質量%。若聚合物的含量為上述範圍內，則組成物的操作性優異，並且容易控制被鍍敷層的層厚。
被鍍敷層形成用組成物亦可含有溶劑。藉由含有溶劑，而操作性提高。
可使用的溶劑並無特別限定，例如可列舉：水，甲醇、乙醇、丙醇、乙二醇、甘油、丙二醇單甲醚等醇系溶劑，乙酸等酸，丙酮、甲基乙基酮、環己酮等酮系溶劑，甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺系溶劑，乙腈、丙腈等腈系溶劑，乙酸甲酯、乙酸乙酯等酯系溶劑，碳酸二甲酯、碳酸二乙酯等碳酸酯系溶劑，此外亦可列舉：醚 系溶劑、二醇系溶劑、胺系溶劑、硫醇系溶劑、鹵素系溶劑等。
其中，較佳為醯胺系溶劑、酮系溶劑、腈系溶劑、碳酸酯系溶劑，具體而言，較佳為丙酮、二甲基乙醯胺、甲基乙基酮、環己酮、乙腈、丙腈、N-甲基吡咯啶酮、碳酸二甲酯。
被鍍敷層形成用組成物中的溶劑的含量並無特別限制，相對於組成物總量，較佳為50質量%~98質量%，更佳為90質量%~97質量%。若溶劑的含量為上述範圍內，則組成物的操作性優異，並且容易進行被鍍敷層的層厚的控制等。
[觸媒提供步驟S104]
觸媒提供步驟S104是對被鍍敷層形成步驟S102中所得的被鍍敷層提供鍍敷觸媒或其前驅物的步驟。
本步驟S104中，源自聚合物的相互作用性基根據其功能而附著(吸附)所提供的鍍敷觸媒或其前驅物。更具體而言，在被鍍敷層中及被鍍敷層表面上吸附鍍敷觸媒或其前驅物。
首先，對本步驟S104中所使用的材料(鍍敷觸媒或其前驅物等)進行詳細敍述，然後對該步驟S104的順序進行詳細敍述。
(鍍敷觸媒或其前驅物)
鍍敷觸媒或其前驅物在後述的鍍敷步驟S106中發揮出作為鍍銅處理的觸媒或電極的功能。因此，所使用的鍍 敷觸媒或其前驅物的種類，根據鍍敷處理的種類而適當確定。
以下，鍍敷觸媒或其前驅物是主要對無電解鍍敷或其前驅物等進行詳細敍述。
無電解鍍敷觸媒若是成為無電解鍍敷時的活性核的鍍敷觸媒，亦可使用任意的鍍敷觸媒，具體而言，可列舉：具有自身觸媒還原反應的觸媒功能的金屬(作為離子化傾向比Ni低的可進行無電解鍍敷的金屬而已知的金屬)等。更具體而言，可列舉Pd、Ag、Cu、Ni、Al、Fe、Co等。其中，就高的觸媒功能而言，特佳為Ag、Pd。
無電解鍍敷觸媒亦可使用金屬膠體(金屬粒子)。通常，金屬膠體可藉由以下方式製作：在帶電的界面活性劑或帶電的保護劑存在的溶液中，將金屬離子還原。
無電解鍍敷觸媒前驅物若是藉由化學反應可成為無電解鍍敷觸媒的鍍敷觸媒前驅物，則可無特別限制地使用。主要可使用作為上述無電解鍍敷觸媒而列舉的金屬的金屬離子。作為無電解鍍敷觸媒前驅物的金屬離子藉由還原反應而成為無電解鍍敷觸媒，即0價金屬。作為無電解鍍敷觸媒前驅物的金屬離子可在提供給被鍍敷層後，在浸漬於無電解鍍敷液中之前，藉由另外的還原反應而變為0價金屬，從而可製成無電解鍍敷觸媒，亦能夠以無電解鍍敷觸媒前驅物的狀態浸漬於無電解鍍敷液中，藉由無電解鍍敷液中的還原劑而變為金屬(無電解鍍敷觸媒)。
作為無電解鍍敷觸媒前驅物的金屬離子較佳為使用金 屬鹽而提供給被鍍敷層。所使用的金屬鹽若為溶解於適當的溶劑中而解離成金屬離子與鹼(陰離子)的金屬鹽，則並無特別限制，可列舉：M(NO3)n、MCln、M2/n(SO4)、M3/n(PO4)(M表示n價金屬原子)等。金屬離子可較佳地使用上述金屬鹽解離而成的金屬離子。具體例可列舉：Ag離子、Cu離子、Al離子、Ni離子、Co離子、Fe離子、Pd離子，其中較佳為可多牙配位的金屬離子，特別是就可配位的官能基的種類數及觸媒功能的方面而言，較佳為Ag離子、Pd離子。
本步驟中，作為用於不進行無電解鍍敷而直接進行電鍍所使用的觸媒，亦可使用上述以外的0價金屬。
上述鍍敷觸媒或其前驅物較佳為以包含這些成分的鍍敷觸媒液(使鍍敷觸媒或其前驅物分散或溶解於溶劑中而成的分散液或溶液)的形態使用。
鍍敷觸媒液中所使用的溶劑可使用有機溶劑及/或水。藉由鍍敷觸媒液含有有機溶劑，而鍍敷觸媒液對被鍍敷層的滲透性提高，並可使鍍敷觸媒或其前驅物高效地吸附於相互作用性基上。
鍍敷觸媒液中所用的有機溶劑若是可滲透至被鍍敷層中的溶劑，則並無特別限制，具體而言，可使用：丙酮、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、乙二醇二乙酸酯、環己酮、乙醯基丙酮、苯乙酮、2-(1-環己烯基)環己酮、丙二醇二乙酸酯、三乙酸甘油酯(triacetin)、二乙二醇二乙酸酯、二噁烷、N-甲基吡咯啶酮、碳酸二甲酯、二甲基溶纖劑等。
(步驟S104的順序)
將鍍敷觸媒或其前驅物提供給被鍍敷層的方法並無特別限制。
例如可列舉：製備上述鍍敷觸媒液(將金屬分散於適當的分散介質中而成的分散液、或用適當的溶劑溶解金屬鹽而包含經解離的金屬離子的溶液)，將鍍敷觸媒液塗佈於被鍍敷層上的方法；或者在鍍敷觸媒液中浸漬形成了被鍍敷層的支撐體的方法等。
被鍍敷層與鍍敷觸媒液的接觸時間較佳為30秒~10分鐘左右，更佳為1分鐘~5分鐘左右。
接觸時的鍍敷觸媒液的溫度較佳為20℃~60℃左右，更佳為30℃~50℃左右。
[鍍敷步驟S106]
鍍敷步驟S106是對觸媒提供步驟S104中提供了鍍敷觸媒或其前驅物的被鍍敷層進行鍍銅處理，在被鍍敷層上形成銅箔(相當於鍍銅)，而獲得依序具有支撐體、被鍍敷層以及銅箔的積層體的步驟。更具體而言，如圖3(B)所示，在本步驟S106中，在被鍍敷層14上形成銅箔10，而獲得積層體16。
本步驟S106中所進行的鍍銅處理的種類可列舉：無電解鍍銅、電解鍍銅等，在上述步驟S104中，可根據提供給被鍍敷層的鍍敷觸媒或其前驅物的功能而選擇。
其中，就獲得對基材表現更良好的密接性的銅箔的方面而言，較佳為進行無電解鍍銅。另外，為了獲得所期望 的層厚的銅箔，更佳的形態是，在無電解鍍銅後進一步進行電解鍍銅。
以下，對本步驟S106中較佳地進行的鍍銅處理進行說明。
(無電解鍍銅)
無電解鍍銅是指使用溶解有銅離子的溶液，藉由化學反應使銅析出的操作。
本步驟S106中的無電解鍍銅，例如將提供了無電解鍍敷觸媒的被鍍敷層進行水洗而將多餘的無電解鍍敷觸媒(金屬)除去後，浸漬於無電解鍍銅浴中來進行。所使用的無電解鍍銅浴可使用公知的無電解鍍銅浴。另外，就容易獲得的方面而言，無電解鍍銅浴較佳為使用鹼性無電解鍍銅浴(pH值較佳為9~14左右)的情形。
另外，在無電解鍍敷觸媒前驅物以吸附或含浸於被鍍敷層的狀態浸漬於無電解鍍銅浴中時，將被鍍敷層水洗而將多餘的前驅物(金屬鹽等)除去後，浸漬於無電解鍍銅浴中。此種情況下，在無電解鍍銅浴中，進行鍍敷觸媒前驅物的還原以及後續的無電解鍍銅。此處所使用的無電解鍍銅浴與上述相同，亦可使用公知的無電解鍍銅浴。
另外，無電解鍍敷觸媒前驅物的還原與使用如上所述的無電解鍍銅液的形態不同，亦可準備觸媒活化液(還原液)，作為無電解鍍銅前的其他步驟來進行。觸媒活化液是溶解有可將無電解鍍敷觸媒前驅物(主要是金屬離子)還原成0價金屬的還原劑的溶液，該還原劑在整體溶液中的 濃度較佳為0.1質量%~50質量%，更佳為1質量%~30質量%。還原劑可使用公知的還原劑(例如氫化硼鈉或二甲基胺硼烷等硼系還原劑、甲醛、彽磷酸(hypophosphoric acid)等)。
浸漬時，較佳為將無電解鍍敷觸媒或其前驅物所接觸的被鍍敷層表面附近的無電解鍍敷觸媒或其前驅物的濃度保持固定，而且一邊施加攪拌或搖動一邊浸漬。
通常的無電解鍍銅浴的組成例如除了溶劑(例如水)外，主要包含：1.鍍敷用銅離子、2.還原劑、3.提高銅離子的穩定性的添加劑(穩定劑)。
無電解鍍銅浴所用的有機溶劑較佳為可溶解於水的溶劑，就此方面而言，可較佳地使用丙酮等酮類，甲醇、乙醇、異丙醇等醇類。
無電解鍍銅浴所用的金屬的種類可使用銅，根據需要亦可併用其他金屬(例如銅、錫、鉛、鎳、金、銀、鈀、銠)。
藉由無電解鍍銅而得的銅箔的厚度可藉由銅離子濃度、在無電解鍍銅浴中的浸漬時間、或無電解鍍銅浴的溫度等進行控制，在將藉由無電解鍍銅所得的銅箔作為導通層而進行後述的電解鍍銅時，較佳為均勻地提供至少0.1 μm以上的銅箔。另外，就導電性的觀點而言，在不進行後述的電解鍍銅時，較佳為0.1 μm以上，更佳為1 μm以上，最佳為3 μm~10 μm。
另外，在無電解鍍銅浴中的浸漬時間較佳為1分鐘~ 10小時左右，更佳為10分鐘~3小時左右。
(電解鍍銅(電鍍銅))
本步驟S106中，在上述步驟S104中所提供的鍍敷觸媒或其前驅物具有作為電極的功能時，可對提供了該鍍敷觸媒或其前驅物的被鍍敷層進行電解鍍銅。
另外，在前述的無電解鍍銅後，將所形成的銅箔作為電極，接著亦可進行電解鍍銅。藉此，可容易形成具有任意厚度的新的銅箔。
電解鍍銅的方法可使用先前公知的方法。另外，電解鍍敷所用的金屬可使用銅，根據需要亦可併用銅以外的金屬(例如鉻、鉛、鎳、金、銀、錫、鋅等)。
另外，藉由電解鍍銅而得的銅箔的厚度可藉由調整電解鍍銅浴中所含的銅離子濃度、或電流密度等進行控制。
另外，在應用於通常的電氣配線等時，就導電性的觀點而言，銅箔的厚度較佳為1 μm以上，更佳為3 μm~30 μm。
另外，在無電解鍍銅與電解鍍銅之間，根據需要可實施使酸性溶液(例如硫酸水溶液)與無電解鍍銅接觸的處理，以除去無電解鍍銅上的氧化銅。
[支撐體除去步驟]
支撐體除去步驟S108是自上述鍍敷步驟S106中所得的積層體除去支撐體的步驟。更具體而言，如圖3(C)所示，自圖3(B)所記載的積層體16除去支撐體12，而獲得包含被鍍敷層14與銅箔10的附有被鍍敷層的銅箔18。
除去支撐體的方法並無特別限制，可根據所使用的支撐體的種類而適當選擇最佳的方法。
例如可列舉：使僅溶解積層體中的支撐體的溶液與積層體接觸，而將支撐體溶解除去的方法；自積層體中將支撐體進行物理性剝離的方法；對積層體中的支撐體實施電漿處理或臭氧處理等氧化處理而除去的方法等。
如上所述，在使用剝離性支撐體作為支撐體時，可藉由物理性作用而在被鍍敷層與支撐體的界面產生剝離，從而可容易地將剝離性支撐體分離除去。
[被鍍敷層除去步驟]
被鍍敷層除去步驟S110是自上述支撐體除去步驟S108中所得的被鍍敷層與銅箔的積層體，除去被鍍敷層的步驟。更具體而言，如圖3(D)所示，自圖3(C)所記載的附有被鍍敷層的銅箔18除去被鍍敷層14，而獲得銅箔10。
除去被鍍敷層的方法並無特別限制，可根據構成被鍍敷層的材料的種類而適當選擇最佳的方法。
例如可列舉：使僅溶解被鍍敷層的溶液(例如鹼性水溶液)與附有被鍍敷層的銅箔接觸，而將被鍍敷層溶解除去的方法；自附有被鍍敷層的銅箔中將被鍍敷層進行物理性剝離的方法；對被鍍敷層實施電漿處理或臭氧處理等氧化處理而除去的方法等。
另外，在將上述被鍍敷層溶解除去的方法中，根據需要可併用超音波處理等。藉由併用超音波處理，而使被鍍 敷層的除去效率提高。另外，亦可施加固定的壓力將溶解被鍍敷層的溶液噴附至被鍍敷層。
另外，支撐體除去步驟S108與被鍍敷層除去步驟S110如上所述般可分開實施，亦可同時實施。
即，可實施自上述鍍敷步驟S106中所得的積層體除去支撐體及被鍍敷層而獲得銅箔的步驟。此種情況下，例如可列舉：使溶解支撐體與被鍍敷層的溶液與積層體接觸，而將支撐體與被鍍敷層溶解除去的方法；自積層體中將附有被鍍敷層的支撐體進行物理性剝離的方法；對支撐體及被鍍敷層實施電漿處理或臭氧處理等氧化處理而除去的方法等。
經過上述步驟S102~S110而得的銅箔的與被鍍敷層接觸的表面，如上所述般滿足特定的表面粗糙度Rz與分形維數。
[具有銅箔的積層體(含有銅箔的積層體)]
以使上述的銅箔的表現特定的表面粗糙度Rz及分形維數的表面與基材表面接觸的方式，將銅箔與基材貼合，藉此獲得具有基材與銅箔的積層體。
在該積層體中，由於在銅箔表面的具有微細凹凸結構的面上鄰接基材，因此基材與銅箔的密接性優異。
首先，以下對所使用的基材進行詳細敍述，然後對獲得積層體的順序進行詳細敍述。
(基材)
貼附有銅箔的基材的種類並無特別限制，可使用公知 的基材。例如可列舉：樹脂基材、玻璃基材、陶瓷基材、紙基材等。其中，就與銅箔的密接性優異、在印刷配線基板中的應用的方面而言，較佳為使用樹脂基材。
構成樹脂基材的材料的種類並無特別限制，可列舉熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂。
熱硬化性樹脂例如可列舉：環氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂、異氰酸酯樹脂等。
熱塑性樹脂例如可列舉：苯氧樹脂、聚醚碸、聚碸、聚苯碸、聚苯硫醚、聚苯醚、聚醚醯亞胺、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(Acrylonitrile Butadiene Styrene，ABS)樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚醚酮、聚醯胺、聚乳酸、環烯烴共聚物(Cyclo Olefin Polymer，COP)、液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer，LCP)等。
另外，樹脂基材可包括：玻璃織布(玻璃布)、玻璃不織布、芳族聚醯胺(aramid)織布、芳族聚醯胺不織布等填料。
另外，基材的形狀並無特別限制，就密接性更良好的方面而言，較佳為平板狀。
(積層體的製造方法)
在基材上貼附銅箔的方法並無特別限制，可使用公知的方法。例如將銅箔與基材(特別是樹脂基材)進行貼合並積層，施加壓製(press)等壓力而壓接，從而獲得所期 望的積層體。
壓接時，可根據需要一併實施加熱處理。
進行加熱壓接時的溫度可根據所使用的基材的材料而適當選擇最佳的條件，在使用通常所使用的環氧系樹脂基材時，就銅箔的密接性更優異、樹脂基材的流動性、熱硬化性、熱分解性等的方面而言，較佳為150℃~200℃，更佳為165℃~185℃。另外，就銅箔的密接性更優異、生產性更優異的方面而言，進行加熱壓接的時間較佳為0.5小時~4小時，更佳為1小時~2小時。
另外，在製造積層體時，銅箔既可僅貼附於平板狀基材的單面，亦可貼附於兩面。
(用途)
所得的積層體可用於各種用途。例如可應用於半導體封裝、母板、軟性印刷電路(Flexible Printed Circuit，FPC)、覆晶薄膜(Chip On Film，COF)、捲帶式自動接合(TAB，Tape Automated Bonding)、天線等各種用途。
[蝕刻步驟]
根據需要，將包含上述基材與銅箔的積層體中的銅箔蝕刻成圖案狀，從而可製造表面具有圖案狀銅箔的積層體。
以下對該蝕刻步驟進行詳細敍述。
蝕刻步驟是將積層體中的銅箔蝕刻成圖案狀的步驟。即，本步驟中，藉由蝕刻去除所形成的銅箔的不需要的部分，而可形成所期望的銅箔圖案。
該銅箔圖案的形成亦可使用任意的方法，具體而言， 可使用通常已知的減成法(subtractive method)、半加成法(semi-additive method)。
減成法是在所形成的銅箔上設置乾膜抗蝕劑層，藉由圖案曝光、顯影而形成與銅箔圖案部相同的圖案，將乾膜抗蝕劑圖案作為遮罩而藉由蝕刻液除去銅箔，而形成銅箔圖案的方法。乾膜抗蝕劑亦可使用任意的材料，可使用負型、正型、液狀、膜狀抗蝕劑。而且，蝕刻方法亦可使用在印刷配線基板的製造時所使用的任意方法，可使用濕式蝕刻、乾式蝕刻等，任意選擇即可。在作業的操作上，在裝置等的簡便性的方面而言，濕式蝕刻較佳。蝕刻液例如可使用：氯化銅、氯化鐵等的水溶液。
另外，半加成法是在銅箔上設置乾膜抗蝕劑層，藉由圖案曝光、顯影而形成與非銅箔圖案部相同的圖案，將乾膜抗蝕劑圖案作為遮罩而進行電鍍，將乾膜抗蝕劑圖案除去後實施快速蝕刻，而以圖案狀除去銅箔，從而形成銅箔圖案的方法。乾膜抗蝕劑、蝕刻液等可使用與減成法相同的材料。另外，電鍍方法可使用上述記載的方法。
[實例]
以下，藉由實例對本發明更詳細地進行說明，但本發明並不限定於這些實例。
首先，對實例中所使用的聚合物的合成方法進行詳細敍述。
(合成例1：聚合物A的合成)
在1000 ml的三口燒瓶中投入N-甲基吡咯啶酮(35 g)，在氮氣流下加熱至75℃。歷時2.5小時向其中滴加丙烯酸2-羥基乙酯(東京化成製造)(6.60 g)、丙烯酸2-氰基乙酯(28.4 g)、及包含V-601(和光純藥製造)0.65 g的N-甲基吡咯啶酮(35 g)溶液。滴加結束後，將反應溶液加熱至80℃，接著攪拌3小時。然後將反應溶液冷卻至室溫。
在上述反應溶液中添加二第三丁基對苯二酚(0.29 g)、二月桂酸二丁基錫(dibutyltin dilaurate)(0.29 g)、Karenz AOI(昭和電工(股)製造)(18.56 g)、及N-甲基吡咯啶酮(19 g)，在55℃反應6小時。然後在反應液中添加甲醇(3.6 g)，接著反應1.5小時。反應結束後，用水進行再沈澱，取出固體成分而獲得聚合物A(25 g)。
(結構的鑑定)
使聚合物A溶解於氘化DMSO(dimethyl sulfoxide，二甲基亞碸)中，藉由布魯克(Bruker)製造的300 MHz的核磁共振(nuclear magnetic resonance，NMR)(AV-300)進行測定。可知：相當於含氰基的單元的峰值在4.3 ppm-4.05 ppm(2H)、2.9 ppm-2.8 ppm(2H)、2.5 ppm-1.3 ppm(3H)被觀察到較寬，相當於含聚合性基的單元的峰值在7.3 ppm-7.2 ppm(1H)、6.4 ppm-6.3 ppm(1H)、6.2 ppm-6.1 ppm(1H)、6.0 ppm-5.9 ppm(1H)、4.3 ppm-4.05 ppm(6H)、3.3 ppm-3.2 ppm(2H)、2.5 ppm-1.3 ppm(3H)被觀察到較寬，含聚合性基的單元：含氰基的單元=22：78(mol%)。
(分子量的測定)
使聚合物A溶解於四氫呋喃(tetrahydrofuran，THF)，使用東曹(Tosoh)製造的高速凝膠滲透層析儀(Gel Permeation Chromatography，GPC)(HLC-8220GPC)進行分子量的測定。其結果可知，在23.75分出現峰值，按聚苯乙烯換算計為Mw=5300(Mw/Mn=1.54)。
另外，以下的聚合物A的化學式中的數值表示各單元的莫耳%。
<實例1> [被鍍敷層形成步驟]
藉由旋塗法將包含10重量%的聚合物A的乙腈溶液(被鍍敷層形成層組成物A)塗佈(條件：以被鍍敷層的乾燥後膜厚為0.5 μm的方式塗佈)於支撐體(公司名：汎納克(PANAC)、商品名：TP05、與水的接觸角：95°)上，以80℃乾燥10分鐘後，使用UV曝光機(三永電機製作所公司製造、型號：UVF-502S、燈：UXM-501MD)，以1000 mJ的曝光能量進行曝光。
將曝光後的支撐體在1質量%NaHCO3水溶液中浸漬 10分鐘，接著藉由蒸餾水進行清洗，而獲得支撐體A。另外，所得的被鍍敷層的露出表面的表面粗糙度Rz為0.01 μm。
[觸媒提供步驟]
準備0.5質量%乙酸鈀水溶液，將其作為鍍敷觸媒液。在該鍍敷觸媒液(液溫：室溫)中將支撐體A浸漬5分鐘後，用純水清洗。
[鍍敷步驟]
接著，對支撐體A進行無電解鍍銅。無電解鍍銅是使用利用Through-Copper PGT(上村工業製造)的下述組成的無電解鍍銅浴，在浴溫度30℃下將支撐體A浸漬15分鐘，以鍍敷析出厚度為0.5 μm的方式形成銅箔。
無電解鍍銅液的調液順序及原料如以下所述。
最後，以總量為100體積%的方式藉由蒸餾水進行液面調整。
＊此處所用的福馬林是和光純藥的甲醛液(特級)。
接著，將所得的附有銅箔的支撐體A在1質量%硫酸水溶液中浸漬15秒，而將銅箔上的氧化皮膜除去。
接著，將上述所得的銅箔作為供電層，使用以下組成 的電解鍍銅浴，以銅厚為12 μm的方式實施電解鍍銅(2.5 A/dm2：20分鐘)，而獲得具有銅箔的積層體A。
(電解鍍銅浴的組成)
[支撐體除去步驟]
接著，用手剝離所得的積層體A中的支撐體，而獲得具有被鍍敷層與銅箔的附有被鍍敷層的銅箔A。
[被鍍敷層除去步驟]
接著，以0.2 MPa的噴霧壓對附有被鍍敷層的銅箔A中的被鍍敷層噴附4質量%NaOH水溶液，將被鍍敷層除去而獲得銅箔。
[含有銅箔的積層體的製造]
接著，以所得的銅箔的與被鍍敷層接觸的面來與預浸料(日立化成、GEA-67N、0.2 mm)接觸的方式，將銅箔敷於預浸料的兩面，藉由真空壓製進行接合，而獲得兩面覆銅板。
<實例2>
進行電漿處理(日清(Nissin)、微波下流方式)實施被鍍敷層的除去來代替上述[被鍍敷層除去步驟]中實施的 藉由4%NaOH水溶液的噴霧除去，除此以外，根據與實例1相同的順序而獲得兩面覆銅板。
<實例3>
藉由上述[被鍍敷層形成步驟]，藉由相同的UV曝光機，以500 mJ的曝光能量進行曝光，除此以外，根據與實例1相同的順序而獲得兩面覆銅板。
<實例4>
藉由上述[觸媒提供步驟]，準備0.2質量%乙酸鈀水溶液，將其作為鍍敷觸媒液，在該鍍敷觸媒液(液溫：室溫)中將支撐體A浸漬2分鐘後，用純水清洗，除此以外，根據與實例1相同的順序獲得兩面覆銅板。
<比較例1>
使用低分布電解銅箔(福田金屬製造、品名SV、Rz=1.840 μm、銅厚12 μm)，根據與實例1中實施的[含有銅箔的積層體的製造]相同的順序，獲得兩面覆銅板。
<比較例2>
將上述[鍍敷步驟]中的電解鍍銅的條件設為8 A/dm2、7分鐘，特意將鍍敷的露出表面(與具有被鍍敷層之側為相反側的表面)粗化，而獲得Rz=0.135 μm的鍍敷表面(銅厚為12 μm)，除此以外，根據與實例1相同的順序而獲得銅箔。接著，將特意粗面化的銅箔的露出表面作為與預浸料的密接面，根據與實例1中實施的[含有銅箔的積層體的製造]相同的順序，獲得兩面覆銅板。
<比較例3>
將上述[鍍敷步驟]中的電解鍍銅的條件設為13 A/dm2、4.5分鐘，特意將鍍敷的露出表面(與具有被鍍敷層之側為相反側的表面)粗化，而獲得Rz=0.310 μm的鍍敷表面(銅厚為12 μm)，除此以外，根據與實例1相同的順序獲得銅箔。接著，將特意粗面化的銅箔的露出表面作為與預浸料的密接面，根據與實例1中實施的[含有銅箔的積層體的製造]相同的順序，獲得兩面覆銅板。
<比較例4>
在實例1的[被鍍敷層形成步驟]及[觸媒提供步驟]後，再次實施實例1的[被鍍敷層形成步驟]，以具有觸媒分布的構成來形成被鍍敷層。即形成：在位於下層的被鍍敷層上承載有觸媒，但在上層的被鍍敷層不存在觸媒的狀態。另外，所得的被鍍敷層的露出表面的表面粗糙度Rz為0.014 μm。
然後，將[鍍敷步驟]中的在無電解鍍銅浴中的浸漬時間自30分鐘變更為80分鐘，並以鍍敷析出厚度為0.5 μm的方式形成銅箔，除此以外，根據與實例1相同的順序獲得兩面覆銅板。
<各種評價> (剝離強度的測定)
根據JIS C 6481：1996，對實例1~實例4、及比較例1~比較例4中所得的兩面覆銅板的銅箔進行90℃剝離強度試驗。將結果匯總示於表1。
(表面粗糙度Rz及Ra的測定)
根據JIS B 0601：2001，對實例1~實例4的[被鍍敷層除去步驟]中所得的銅箔的與被鍍敷層接觸的表面、及比較例1~比較例4的銅箔的與預浸料密接之側的表面的表面粗糙度Rz及Ra進行測定。另外，測定時，使用表面形狀測定裝置(公司名：優貝克(ULVAC)、裝置名：Dektak150)。將結果匯總示於表1。
(分形維數的測定)
使用雙束聚焦離子束裝置(FEI製造、Dual Beam Nova200 Nanolab、加速電壓30 kV)，對實例1~實例4的[被鍍敷層除去步驟]中所得的銅箔、及比較例1~比較例4中所使用的銅箔加工成樣品，並切出剖面。接著，藉由集束離子束裝置(精工電子公司製造、SMI9200)觀察其剖面，而獲得圖像資料。然後藉由圖像處理提取銅箔的與預浸料密接之側的粗化表面部(線段)，根據該剖面照片，藉由5個部位的測定區域(1 μm×1 μm)分別算出輪廓線的分形維數，將這些值進行算術平均而求出表1所記載的分形維數(平均分形維數)。另外，盒計數法中的盒尺寸(正方形盒的一條邊的大小)為1 nm~10 nm。
(形成圖案配線(L/S=25 μm/25 μm))
在實例1~實例4、及比較例1~比較例4中所得的兩面覆銅板的銅箔上，層壓乾膜抗蝕劑(Dry Film Resist，DFR)(日立化成、RY3310)。接著，在層壓有乾式光阻膜的基板上，密接JPCA-ET01所規定的可形成梳型配線(依據JPCA-BU01-2007)的玻璃遮罩，藉由中心波長405 nm 的曝光機對抗蝕劑照射70 mJ的光能量。以0.2 MPa的噴霧壓對曝光後的基板噴附1%Na2CO3水溶液，並進行顯影。然後對基板進行水洗、乾燥，而在銅箔上形成減成法用的抗蝕劑圖案。
藉由在溫度40℃下將形成了抗蝕劑圖案的基板浸漬於FeCl3/HCl水溶液(蝕刻液)中而進行蝕刻，而將抗蝕劑圖案的非形成區域所存在的銅箔除去。然後，以0.2 MPa的噴霧壓將3%NaOH水溶液噴附至基板上，而將抗蝕劑圖案膨潤剝離，藉由10%硫酸水溶液進行中和處理，並進行水洗，而獲得梳型配線(圖案狀銅箔)。所得的配線為L/S=25 μm/25 μm。
然後，為了估計線寬的不均，而測定任意部位50點的配線寬度(最低值)，而算出標準偏差。將結果匯總示於表1。
另外，關於比較例2~比較例4，由於銅箔對預浸料的密接性低，因此在上述蝕刻時導致銅箔剝離，而無法形成配線。
如表1所示，確認到在本實施形態的銅箔(實例1~實例4)中，儘管表面粗糙度Rz非常小，但表現出優異的剝離強度。另外亦確認到配線寬度的不均亦小，而可形成高精細的配線圖案。
另一方面，如比較例1所示，在先前公知的銅箔中，由於表面粗糙度Rz大，因此剝離強度優異，但配線寬度的不均大，而無法獲得高精細的配線圖案。
另外，如比較例2~比較例4所示，在分形維數為特定範圍外時，銅箔的剝離強度差，而無法形成配線。
10‧‧‧銅箔
12‧‧‧支撐體
14‧‧‧被鍍敷層
16‧‧‧積層體
18‧‧‧附有被鍍敷層的銅箔
圖1(A)是本發明的貼附用銅箔的示意性立體圖。圖1(B)是A-A線剖面的表面側的放大圖。
圖2是表示本發明的貼附用銅箔的製造方法的一個實施形態的製造步驟的流程圖。
圖3(A)~圖3(D)是依序表示本發明的貼附用銅箔的製造方法的一個實施形態的各製造步驟的示意性剖面圖。
10‧‧‧銅箔

Claims (4)

  1. 一種貼附用銅箔，其用以貼附於基材上，且貼附於上述基材之側的表面的表面粗糙度(Rz)為0.500 μm以下，上述銅箔的剖面中貼附於上述基材之側的表面的輪廓線的分形維數為1.020~1.400之值，上述值是應用將正方形盒的一條邊的大小設定為1 nm~10 nm的盒計數法而算出。
  2. 一種積層體，其包括：基材；以及貼附於上述基材上的如申請專利範圍第1項所述之貼附用銅箔。
  3. 一種印刷配線基板，其含有如申請專利範圍第2項所述之積層體。
  4. 一種貼附用銅箔的製造方法，其用於製造如申請專利範圍第1項所述之貼附用銅箔，且包括：在支撐體上，形成包含聚合物的層，然後對包含上述聚合物的層提供能量，而在支撐體上形成被鍍敷層的步驟，其中上述聚合物具有與鍍敷觸媒或其前驅物形成相互作用的官能基及聚合性基；在上述被鍍敷層上提供鍍敷觸媒或其前驅物的步驟；對提供了上述鍍敷觸媒或其前驅物的上述被鍍敷層進行鍍銅處理，在上述被鍍敷層上形成銅箔，而獲得依序具有上述支撐體、上述被鍍敷層以及上述銅箔的積層體的步 驟；自上述積層體除去上述支撐體及上述被鍍敷層而獲得上述銅箔的步驟。
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