TW201710078A - 附載體銅箔、積層體、積層體之製造方法、印刷配線板之製造方法、及電子機器之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種極薄銅層的雷射開孔性良好且適合製作高密度積體電路基板的附載體銅箔。附載體銅箔在載體的一面或兩面依序具備中間層與極薄銅層，在將附載體銅箔從極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471將載體從附載體銅箔剝離時，利用雷射顯微鏡所測得之極薄銅層之中間層側的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa滿足Sz≦3.6μm，Sz/Sa≦14.00，且極薄銅層之中間層側表面之MD方向的60度光澤度GMD滿足GMD≦150。

Description

附載體銅箔、積層體、積層體之製造方法、印刷配線板之製造方法、及電子機器之製造方法
本發明關於一種附載體銅箔、積層體、積層體之製造方法、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法。
通常，印刷配線板是經過使絕緣基板接著於銅箔而製成覆銅積層板後，藉由蝕刻在銅箔面形成導體圖案的步驟所製造。隨著近年來電子機器的小型化、高性能化需求的增大，向搭載零件的高密度構裝化或信號的高頻化方面發展，對印刷配線板要求導體圖案的微細化(微間距化)或高頻應對等。
最近應對微間距化而要求厚度9μm以下、進而厚度5μm以下的銅箔，但這種極薄銅箔的機械強度低，在製造印刷配線板時容易破損或產生褶皺，因此出現了將有厚度的金屬箔用作載體並經由剝離層使極薄銅層電沉積於該載體上的附載體銅箔。在將極薄銅層的表面貼合在絕緣基板上並進行熱壓接後，經由剝離層將載體剝離去除。在利用抗蝕劑在所露出的極薄銅層上形成電路圖案後，形成特定的電路。
這裡，對於成為與樹脂的接著面的附載體銅箔的極薄銅層的表面，主要要求極薄銅層與樹脂基材的剝離強度充分，並且該剝離強度在高溫加熱、濕式處理、焊接、化學品處理等之後仍充分地保持。作為提高 極薄銅層與樹脂基材之間的剝離強度的方法，一般而言，代表方法是使大量粗化粒子附著在增大了表面輪廓(凹凸、粗糙度)的極薄銅層之上的方法。
然而，如果將這種輪廓(凹凸、粗糙度)大的極薄銅層用於印刷配線板中尤其需要形成微細電路圖案的半導體封裝基板，則在電路蝕刻時會殘留無用的銅粒子而產生電路圖案間的絕緣不良等問題。
為此，在WO2004/005588號(專利文獻1)中嘗試使用未對極薄銅層的表面實施粗化處理的附載體銅箔作為以半導體封裝基板為首的微細電路用途的附載體銅箔。這種未實施粗化處理的極薄銅層與樹脂的密接性(剝離強度)有因其低輪廓(凹凸、粗度、粗糙度)的影響而與一般印刷配線板用銅箔相比有所降低的傾向。為此，對於附載體銅箔，要求進一步的改善。
因此，在日本特開2007-007937號公報(專利文獻2)及日本特開2010-006071號公報(專利文獻3)中記載了在附載體極薄銅箔的與聚醯亞胺系樹脂基板接觸(接著)的面設置Ni層或/及Ni合金層、設置鉻酸鹽層、設置Cr層或/及Cr合金層、設置Ni層與鉻酸鹽層、設置Ni層與Cr層。藉由設置這些表面處理層，對於聚醯亞胺系樹脂基板與附載體極薄銅箔的密接強度而言，在不進行粗化處理或使粗化處理的程度降低(微細化)的情況下仍可獲得所需的接著強度。此外，也記載了利用矽烷偶合劑進行表面處理，或實施防銹處理。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]WO2004/005588號
[專利文獻2]日本特開2007-007937號公報
[專利文獻3]日本特開2010-006071號公報
[專利文獻4]日本專利第3261119號公報
在附載體銅箔的開發中，迄今為止仍重視確保極薄銅層與樹脂基材的剝離強度。因此，關於適合印刷配線板的高密度構裝化的附載體銅箔尚未完成充分的研究，從而尚留有改善的餘地。
為了使印刷配線板的積體電路密度上升，通常為形成雷射孔並藉由該孔將內層與外層連接的方法。另外，窄間距化所伴隨的微細電路形成方法使用在極薄銅層上形成配線電路後，利用硫酸-過氧化氫系的蝕刻劑對極薄銅層進行蝕刻去除的方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process)，因此極薄銅層的雷射開孔性是在製作高密度積體電路基板的方面重要的項目。極薄銅層的雷射開孔性與孔徑精度以及雷射輸出等各條件相關，因此會大幅影響積體電路的設計及生產性。在日本專利第3261119號公報(專利文獻4)中記載了雷射開孔性良好的覆銅積層板，但根據本發明者的研究，在蝕刻性的方面尚有改善的餘地。
因此，本發明的課題在於提供一種極薄銅層的雷射開孔性良好且適合製作高密度積體電路基板的附載體銅箔。
為了達成上述目的，本發明者反復進行了努力研究，結果發現，控制將極薄銅層從進行了特定的加熱處理後的附載體銅箔剝離時的極薄銅層的剝離側的利用雷射顯微鏡所測得的表面粗糙度、表面粗糙度與面粗糙度的關係、及MD方向的光澤度對提高極薄銅層的雷射開孔性極其有效。
本發明是以上述見解為基礎而完成的，在一態樣中是一種附載體銅箔，其是在載體的一面或兩面依序具備中間層與極薄銅層的附載體銅箔，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，利用雷射顯微鏡所測得的上述極薄銅層的上述中間層側的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa滿足Sz≦3.6μm，Sz/Sa≦14.00，且上述極薄銅層之上述中間層側表面之MD方向的60度光澤度GMD滿足GMD≦150。
本發明的附載體銅箔在一實施方式中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之MD方向的60度光澤度GMD滿足GMD≦80。
本發明的附載體銅箔在另一實施方式中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之MD方向的60度光澤度GMD滿足GMD≦70。
本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2 小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之MD方向的60度光澤度GMD滿足GMD≦65。
本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之MD方向的60度光澤度GMD滿足GMD≦5。
本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，利用雷射顯微鏡所測得之上述極薄銅層之上述中間層側的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa滿足Sz/Sa≦10.50。
本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，利用雷射顯微鏡所測得之上述極薄銅層之上述中間層側的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa滿足Sz/Sa≦9.50。
本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，利用雷射顯微鏡所測得之上述極薄銅層之上述中間層側的表面粗糙度Sz滿足0.01μm≦Sz。
本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2 小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，利用雷射顯微鏡所測得之上述極薄銅層之上述中間層側的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa滿足1.00≦Sz/Sa。
本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之MD方向的60度光澤度GMD滿足0.01≦GMD。
本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在本發明的附載體銅箔在載體的一面具有極薄銅層的情況下，在上述極薄銅層側及上述載體側的至少一表面或兩表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上的層，或在本發明的附載體銅箔在載體的兩面具有極薄銅層的情況下，在該一個或兩個極薄銅層側的表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上的層。
本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在上述極薄銅層上具備樹脂層。
本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在選自由上述粗化處理層、上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上的層上具備樹脂層。
本發明在另一態樣中，是一種使用本發明的附載體銅箔而製造積層體之方法。
本發明在另一態樣中，是一種包含本發明之附載體銅箔與樹 脂並且上述附載體銅箔的端面的一部分或全部由上述樹脂覆蓋的積層體。
本發明在另一態樣中，是一種將一個本發明之附載體銅箔從上述載體側或上述極薄銅層側積層於另一個本發明的附載體銅箔的上述載體側或上述極薄銅層側而成的積層體。
本發明之積層體在一實施方式中，上述積層體的端面的一部分或全部由樹脂所覆蓋。
本發明在另一態樣中，是一種印刷配線板之製造方法，其使用藉由製造本發明的積層體之方法而製造的積層體或本發明的積層體。
本發明在另一態樣中，是一種印刷配線板之製造方法，其包括下述步驟：在藉由製造本發明之積層體之方法而製造的積層體或本發明之積層體上至少設置1次樹脂層與電路這兩層的步驟；及在至少形成1次上述樹脂層及電路這兩層後，將上述極薄銅層或上述載體從上述積層體的附載體銅箔剝離的步驟。
本發明在另一態樣中，是一種製造印刷配線板之方法，其使用本發明之附載體銅箔。
本發明在另一態樣中，是一種製造電子機器之方法，其使用藉由製造本發明之印刷配線板之方法而製造的印刷配線板。
本發明在另一態樣中，是一種印刷配線板之製造方法，其包括下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；及在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一種方法形成電 路的步驟。
本發明在另一態樣中，是一種印刷配線板之製造方法，其包括下述步驟：在本發明之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路的步驟；以埋沒上述電路之方式在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層的步驟；將上述載體或上述極薄銅層剝離的步驟；及在將上述載體或上述極薄銅層剝離後，將上述極薄銅層或上述載體去除，藉此使形成於上述極薄銅層側表面或上述載體側表面的埋沒於上述樹脂層的電路露出的步驟。
本發明在另一態樣中，是一種印刷配線板之製造方法，其包括下述步驟：將本發明之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層的步驟；在上述附載體銅箔的與樹脂基板積層側的相反側的極薄銅層側表面或上述載體側表面至少設置1次樹脂層與電路這兩層的步驟；及在形成上述樹脂層及電路這兩層後，將上述載體或上述極薄銅層從上述附載體銅箔剝離的步驟。
根據本發明，能夠提供一種極薄銅層的雷射開孔性良好且適合製作高密度積體電路基板的附載體銅箔。
圖1A~C是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例的電路鍍層、抗蝕劑去除為止的步驟的配線板剖面的示意圖。
圖2D~F是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體 例的樹脂及第2層附載體銅箔積層至雷射開孔為止的步驟的配線板剖面的示意圖。
圖3G~I是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例的填孔形成至第1層載體剝離為止的步驟的配線板剖面的示意圖。
圖4J~K是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造方法的具體例的快速蝕刻至凸塊、銅柱形成為止的步驟的配線板剖面的示意圖。
圖5是表示實施例的裙擺部的電路的剖面示意圖。
<附載體銅箔>
本發明的附載體銅箔在載體的一面或兩面依序具備中間層、極薄銅層。附載體銅箔自身的使用方法可以使用公知的使用方法。例如可以在將極薄銅層的表面貼合在紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板並進行熱壓接後將載體剝離，將接著於絕緣基板的極薄銅層蝕刻成目標導體圖案，而最終製造出印刷配線板。
本發明的附載體銅箔是以在將附載體銅箔從極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從附載體銅箔將載體剝離時，利用雷射顯微鏡所測得之上述極薄銅層之上述中間層側的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa滿足Sz≦3.6μm，Sz/Sa≦14.00，且上述極薄銅層之上述中間層側表面之MD方向的60度光澤度GMD滿足GMD≦150的方式而控制。上述「在220℃加熱2小時」表示將 附載體銅箔貼合在絕緣基板並進行熱壓接的情況下的典型的加熱條件。
在將附載體銅箔貼合在絕緣基板並進行熱壓接後將載體剝離，並將接著於絕緣基板的極薄銅層蝕刻成目標導體圖案而形成電路。以上述方式將基板製成多層構造而製作印刷配線板。這裡，為了使這種印刷配線板的積體電路密度上升，形成雷射孔並藉由該孔將內層與外層連接。此時，如果難以在極薄銅層開設雷射孔，則當然會有問題，且雷射孔過大或過小均會引起各種問題，因此必須形成為適當的大小。如上所述，極薄銅層的雷射開孔性與孔徑精度以及雷射輸出等各條件相關，因此是大幅影響積體電路的設計及生產性的重要特性。在本發明中，發現藉由以將附載體銅箔從極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從附載體銅箔將載體剝離時，利用雷射顯微鏡所測得之上述極薄銅層之上述中間層側的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa滿足Sz≦3.6μm，Sz/Sa≦14.00，且上述極薄銅層的上述中間層側表面的MD方向的60度光澤度GMD滿足GMD≦150之方式進行控制，而該極薄銅層的雷射開孔性良好。如果該利用雷射顯微鏡所測得之極薄銅層之中間層側的表面粗糙度Sz超過3.6μm，則會產生極薄銅層的表面之粗糙度過大而開孔加工時的雷射的吸收性變得過剩，從而孔變得過大的問題。另外，關於表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa，如果Sz/Sa超過14.00，則會局部產生表面的粗糙度(凸部或凹部)大的部位，其結果，會導致M-SAP電路形成性變得不良。此外，如果MD方向的60度光澤度GMD超過150，則開孔加工時的雷射的反射率變大而開孔加工性變得不良。
在將附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層 於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從附載體銅箔將載體剝離時，利用雷射顯微鏡所測得之上述極薄銅層的上述中間層側的表面粗糙度Sz優選3.5μm以下，更優選3.4μm以下。另外，作為該表面粗糙度Sz的下限，可為0.01μm以上、0.1μm以上、0.2μm以上、0.3μm以上或0.4μm以上。
在將附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從附載體銅箔將載體剝離時，關於利用雷射顯微鏡所測得的上述極薄銅層的上述中間層側的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa，Sz/Sa優選13.50以下，更優選13.00以下，進而更優選12.50以下，進而更優選12.00以下，進而更優選11.50以下，進而更優選11.00以下，進而更優選10.50以下，進而更優選10.00以下，進而更優選9.50以下。另外，作為該Sz/Sa的下限，可為1.00以上、1.50以上、2.00以上、2.50以上或3.00以上。
在將附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從附載體銅箔將載體剝離時，極薄銅層的上述中間層側表面的MD方向的60度光澤度GMD優選140以下，更優選130以下，進而更優選120以下，進而更優選100以下，進而更優選90以下，進而更優選80以下，進而更優選70以下，進而更優選65以下，進而更優選60以下，進而更優選55以下，進而更優選45以下，進而更優選35以下，進而更優選25以下，進而更優選15以下，進而更優選5以下。另外，作為該MD方向的60度光澤度GMD的下限，可為0以上、0.01以上、0.05以上、0.1以上或0.5以上。
<載體>
可用於本發明的載體典型來說為金屬箔或樹脂膜，例如是以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜、聚醯亞胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟樹脂膜、聚醯胺膜、PET膜的形態而提供。
可用於本發明的載體典型來說是以壓延銅箔或電解銅箔的形態而提供。一般而言，電解銅箔是使銅從硫酸銅電鍍浴中電解析出至鈦或不銹鋼的滾筒上而製造，壓延銅箔是反復進行利用壓延輥而進行的塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔的材料，除精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)等高純度的銅以外，例如也可使用像加入了Sn的銅、加入了Ag的銅、添加了Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加了Ni及Si等的卡遜系銅合金那樣的銅合金。此外，在本說明書中，在單獨使用用語「銅箔」時，也包含銅合金箔。
可用於本發明的載體的厚度並無特別限制，只要適當調節為在發揮作為載體的作用的方面合適的厚度即可，例如能夠設為5μm以上。但是，如果過厚，則生產成本會增高，因此通常優選設為35μm以下。因此，載體的厚度典型來說為8~70μm，更典型來說為12~70μm，更典型來說為18~35μm。另外，就降低原料成本的觀點來說，載體的厚度優選小。因此，載體的厚度典型來說為5μm以上且35μm以下，優選5μm以上且18μm以下，優選5μm以上且12μm以下，優選5μm以上且11μm以下，優選5μm以上且10μm以下。此外，在載體的厚度小的情況下，在載體的通箔時容易產生褶皺。為了防止褶皺的產生，例如有效的 是使附載體銅箔製造裝置的搬送輥平滑或縮短搬送輥與下一個搬送輥的距離。此外，在作為印刷配線板的製造方法之一的嵌入方法(嵌入法(Enbedded Process))使用附載體銅箔的情況下，載體的剛性必須高。因此，在用於嵌入方法的情況下，載體的厚度優選18μm以上且300μm以下，優選25μm以上且150μm以下，優選35μm以上且100μm以下，進而更優選35μm以上且70μm以下。
此外，也可以在載體之與設置極薄銅層之一側之表面為相反側的表面設置粗化處理層。可以使用公知的方法設置該粗化處理層，也可以藉由下述粗化處理設置。在載體之與設置極薄銅層的一側之表面為相反側的表面設置粗化處理層具有下述優點：在將載體從具有該粗化處理層的表面側積層於樹脂基板等支持體時，載體與樹脂基板不易剝離。
本發明的上述利用雷射顯微鏡所測得的極薄銅層的中間層側的表面粗糙度Sz、及表面粗糙度Sz與表面粗糙度Sa的關係、進而MD方向的60度光澤度能夠藉由調整載體的極薄銅層側表面形態進行控制。以下，對本發明的載體的製作方法進行說明。
使用電解銅箔作為載體的情況下的製造條件的一例示於以下。
在電解液中的氯濃度高的情況下、電解液的線速高的情況下、電解液的溫度低的情況下、電解液中的銅濃度高的情況下、電解液中的硫酸濃度低的情況下，具有Sz/Sa的值減小的傾向。另一方面，在電解液中的氯濃度低情況下、電解液的線速低的情況下、電解液的溫度高的情況下、電解液中的銅濃度低的情況下、電解液中的硫酸濃度高的情況下，具有Sz/Sa 的值增大的傾向。
<電解液組成>
銅：70~150g/L
硫酸：80~120g/L
氯：10~200ppm
<製造條件>
電流密度：50~150A/dm2
電解液溫度：40~80℃
電解液線速：3~7m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
此外，如果為少量，則也可以向電解液中添加光澤劑。作為光澤劑，可以使用以下的化合物或公知的化合物。
調平劑1(雙(3磺丙基)二硫化物)：0.5~3ppm
調平劑2(胺化合物)：0.5~3ppm
上述胺化合物使用以下化學式的胺化合物。
此外，本發明所使用的電解、表面處理或鍍敷等所使用的處理液的剩餘部分只要沒有特別記載，則為水。
(上述化學式中，R1及R2選自由羥烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一群中)
作為載體的極薄銅層側表面形態的調整，可以列舉以下(1)或(2)的調整法。此外，載體的極薄銅層側表面的形態與載體側極薄銅層表面的形態成為接近的形態。因此，藉由調整載體的極薄銅層側表面的形態，能夠獲得具有所需的載體側極薄銅層表面的形態的附載體極薄銅箔。
(1)使用含有三唑系的有機化合物(三唑化合物)的蝕刻液對具有特定的Sz及Sa的載體進行軟蝕刻處理。三唑系的有機化合物大量吸附於載體的特定部分。接下來，利用三唑系有機化合物大量吸附的部位與少量吸附的部位相比難以進行蝕刻的性質控制載體表面的形狀。軟蝕刻處理所使用的處理液中的三唑系有機化合物的濃度優選0.5~10g/L。如果小於0.5g/L，則控制載體表面的形狀的效果小。另一方面，如果超過10g/L，則存在載體表面的軟蝕刻的進行變慢的情況。接下來，藉由控制載體表面的形狀，能夠獲得具有所需的載體側極薄銅層表面的形態的附載體極薄銅箔。
具體來說，對表面粗糙度Sz為0.8μm~3.1μm、Sa為0.05~0.45μm、 60度鏡面光澤度為30~250(%)的載體進行軟蝕刻處理(例如利用硫酸20~100g/L、過氧化氫10~20g/L或過硫酸鉀10~50g/L或過硫酸銨10~50g/L、作為添加劑成分的三唑系的有機化合物1~5g/L的水溶液在25~35℃進行5~60秒的蝕刻處理)。
此外，作為三唑系的有機化合物，可以使用選自由1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-雙(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-胺基-1H-1,2,4-三唑所組成之群中的1種以上。
(2)使用將表面的算術平均粗糙度Ra控制為特定範圍的壓延輥，在使油膜當量大於通常情況的條件下進行壓延，藉此製造載體。
具體來說，準備壓延銅箔等金屬箔作為載體，並使用將表面的算術平均粗糙度Ra控制為特定範圍的壓延輥對該壓延銅箔等金屬箔進行精冷軋。此時，壓延輥的表面的依據JIS B0601 1994所定義的算術平均粗糙度能夠設為Ra=0.2~0.3μm，油膜當量能夠設為41000~65000。
這裡，油膜當量由以下式所表示。
油膜當量={(壓延油粘度[cSt])×(通板速度[mpm]+輥周速度[mpm])}/{(輥的卡入角[rad])×(材料的屈服應力[kg/mm2])}
壓延油粘度[cSt]為40℃的動黏度。
為了將油膜當量設為41000~65000，使用利用高粘度的壓延油或使金屬箔的通板速度加速等公知的方法即可。
<中間層>
在載體的單面或兩面上設置中間層。也可以在載體與中間層之間設置其他層。本發明所使用的中間層只要為像在附載體銅箔積層於絕緣基板的 步驟前不易使極薄銅層從載體剝離，另一方面，在積層於絕緣基板的步驟後能夠使極薄銅層從載體剝離那樣的構成，則並無特別限定。例如，本發明的附載體銅箔的中間層可含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、其等之合金、其等之水合物、其等之氧化物、有機物所組成的群中的一種或二種以上。另外，中間層可為多層。
另外，例如中間層能夠藉由從載體側形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素群中的一種元素構成的單一金屬層、或者由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素群中的一種或二種以上的元素構成的合金層、或者有機物層，並在其上形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素群中的一種或二種以上的元素的水合物或氧化物構成的層、或者由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素群中的一種元素構成的單一金屬層、或者由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素群中的一種或二種以上的元素構成的合金層而構成。
在將中間層僅設置於單面的情況下，優選在載體的相反面設置鍍Ni層等防銹層。此外，在藉由鉻酸鹽處理或鉻酸鋅處理或鍍敷處理設置中間層的情況下，認為存在鉻或鋅等已附著的金屬的一部分變成水合物或氧化物的情況。
另外，例如中間層能夠在載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金與鉻而構成。鎳與銅的接著力高於鉻與銅的接著力，因此在將極薄銅層剝離時，是在極薄銅層與鉻的介面剝離。另外，對中間層的鎳期待防止銅 成分從載體向極薄銅層擴散的阻斷效果。中間層中的鎳的附著量優選100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更優選100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更優選100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更優選100μg/dm2以上且小於1000μg/dm2，中間層中的鉻的附著量優選5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。在將中間層僅設置於單面的情況下，優選在載體的相反面設置鍍Ni層等防銹層。
另外，中間層所含有的有機物優選選自由含氮有機化合物、含硫有機化合物及羧酸所組成的群中的一種以上的有機物。作為具體的含氮有機化合物，優選使用作為具有取代基的三唑化合物的1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-雙(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-胺基-1H-1,2,4-三唑等。
含硫有機化合物優選使用巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑鈉、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。
作為羧酸，尤其優選使用單羧酸，其中優選使用油酸、亞麻油酸及次亞麻油酸等。
<極薄銅層>
在中間層之上設置極薄銅層。也可以在中間層與極薄銅層之間設置其他層。極薄銅層能夠藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺基磺酸銅、氰化銅等的電解浴的電鍍而形成，就在一般的電解銅箔中使用且能夠在高電流密度下形成銅箔的方面來說，優選硫酸銅浴。極薄銅層的厚度並無特別限制，通常比載體薄，例如為12μm以下。典型來說為0.5~12μm，更典型來說為1~5μm，進而典型來說為1.5~5μm，進而典型來說為2~5μm。此 外，也可以在載體的兩面設置極薄銅層。
能夠使用本發明的附載體銅箔製作積層體(覆銅積層板等)。作為該積層體，例如可為按照「極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸體」的順序積層而成的構成，也可為按照「載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸體」的順序積層而成的構成，也可為按照「極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸體/載體/中間層/極薄銅層」的順序積層而成的構成，也可為按照「載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸體/極薄銅層/中間層/載體」的順序積層而成的構成。上述樹脂或預浸體可為下述樹脂層，也可含有下述樹脂層所使用的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。此外，附載體銅箔在俯視時可以小於樹脂或預浸體。
<粗化處理及其他表面處理>
例如為了使與絕緣基板的密接性良好等，可以藉由實施粗化處理而在極薄銅層的表面或載體的表面的其中一表面或兩表面設置粗化處理層。粗化處理例如能夠藉由利用銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理可以是微細的處理。粗化處理層可為含有選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一種的單體或含有任1種以上的合金的層等。另外，在利用銅或銅合金形成粗化粒子後，也可以進行進而利用鎳、鈷、銅、鋅的單體或合金等設置二次粒子或三次粒子的粗化處理。其後，也可以利用鎳、鈷、銅、鋅的單體或合金等形成耐熱層或防銹層，也可以進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。或也可以不進行粗化處理，並利用鎳、鈷、銅、鋅的單體或合金等形成耐熱層或防銹層，進 而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。即，可以在粗化處理層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層，也可以在極薄銅層的表面或載體的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層。此外，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層分別可由多層形成(例如2層以上、3層以上等)。
例如，作為粗化處理的銅-鈷-鎳合金鍍敷能夠以藉由電鍍形成附著量為15~40mg/dm2的銅-100~3000μg/dm2的鈷-100~1500μg/dm2的鎳那樣的3元系合金層的方式而實施。如果Co附著量小於100μg/dm2，則存在耐熱性惡化而蝕刻性變差的情況。如果Co附著量超過3000μg/dm2，則在不得不考慮磁性的影響的情況下欠佳，存在會產生蝕刻汙跡，另外，耐酸性及耐化學品性惡化的情況。如果Ni附著量小於100μg/dm2，則存在耐熱性變差的情況。另一方面，如果Ni附著量超過1500μg/dm2，則存在蝕刻殘渣增多的情況。優選的Co附著量為1000~2500μg/dm2，優選的鎳附著量為500~1200μg/dm2。這裡，所謂蝕刻汙跡，在利用氯化銅進行蝕刻的情況下，意指Co未溶解而殘留，並且，所謂蝕刻殘渣，在利用氯化銨進行鹼性蝕刻的情況下，意指Ni未溶解而殘留。
用於形成這種3元系銅-鈷-鎳合金鍍敷的一般的浴及鍍敷條件的一例如下所述：
電鍍浴組成：Cu 10~20g/L、Co 1~10g/L、Ni 1~10g/L
pH：1~4
溫度：30~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
鍍敷時間：1~5秒
可以使用公知的耐熱層、防銹層作為耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上的元素的層，也可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上的元素的金屬層或合金層。另外，耐熱層及/或防銹層也可含有包括上述元素的氧化物、氮化物、矽化物。另外，耐熱層及/或防銹層也可為含有鎳-鋅合金的層。另外，耐熱層及/或防銹層也可為鎳-鋅合金層。上述鎳-鋅合金層除不可避免的雜質以外，也可以含有鎳50wt%~99wt%、鋅50wt%~1wt%。上述鎳-鋅合金層的鋅及鎳的合計附著量可為5~1000mg/m2，優選10~500mg/m2，優選20~100mg/m2。另外，含有上述鎳-鋅合金的層或上述鎳-鋅合金層的鎳的附著量與鋅的附著量的比(=鎳的附著量/鋅的附著量)優選1.5~10。另外，包含上述鎳-鋅合金的層或上述鎳-鋅合金層的鎳的附著量優選0.5mg/m2~500mg/m2，更優選1mg/m2~50mg/m2。在耐熱層及/或防銹層為包含鎳-鋅合金的層的情況下，銅箔與樹脂基板的密接性提高。
例如耐熱層及/或防銹層可為將附著量為1mg/m2~100mg/m2、優選5mg/m2~50mg/m2的鎳或鎳合金層與附著量為1mg/m2~80mg/m2、優選5mg/m2~40mg/m2的錫層依序積層而成的層，上述鎳合金層可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷、鎳-錫合金的其中任一種構 成。另外，上述耐熱層及/或防銹層優選[鎳或鎳合金中的鎳附著量]/[錫附著量]=0.25~10，更優選0.33~3。如果使用該耐熱層及/或防銹層，則將附載體銅箔加工成印刷配線板之後的電路的剝離強度、該剝離強度的耐化學品性劣化率等變得良好。
所謂鉻酸鹽處理層，是指藉由利用鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、含有鉻酸鹽或二鉻酸鹽的液體進行處理而形成的層。鉻酸鹽處理層也可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(也可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態)。作為鉻酸鹽處理層的具體例，可以列舉利用鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液進行處理後的鉻酸鹽處理層或利用鉻酸酐或含有二鉻酸鉀及鋅的處理液進行處理後的鉻酸鹽處理層等。
上述矽烷偶合處理層可以使用公知的矽烷偶合劑形成，也可以使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷、乙烯基系矽烷、咪唑系矽烷、三系矽烷等矽烷偶合劑等形成。此外，這種矽烷偶合劑也可以將2種以上混合後使用。其中，優選使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑所形成者。
矽烷偶合處理層理想的是在以矽原子換算計為0.05mg/m2~200mg/m2、優選0.15mg/m2~20mg/m2、優選0.3mg/m2~2.0mg/m2的範圍內設置。在上述範圍的情況下，能夠進一步提高基材與表面處理銅箔的密接性。
另外，能夠對極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合處理層或鉻酸鹽處理層的表面進行國際公開編號WO2008/053878、 日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、日本特開2013-19056號所記載的表面處理。
另外，具備載體、積層於載體上的中間層、積層於中間層之上的極薄銅層的附載體銅箔可以在上述極薄銅層上具備粗化處理層，且可以在上述粗化處理層上具備一層以上的選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的層。
另外，可以在上述極薄銅層上具備粗化處理層，且可以在上述粗化處理層上具備耐熱層、防銹層，且可以在上述耐熱層、防銹層上具備鉻酸鹽處理層，且可以在上述鉻酸鹽處理層上具備矽烷偶合處理層。
另外，上述附載體銅箔可以在上述極薄銅層上、或者上述粗化處理層上、或者上述耐熱層、防銹層、或者鉻酸鹽處理層、或者矽烷偶合處理層之上具備樹脂層。上述樹脂層可為絕緣樹脂層。
上述樹脂層可為接著劑，也可為接著用的半硬化狀態(B階段)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)，包含即便手指觸碰到其表面也無接著感，從而能夠將該絕緣樹脂層重疊後保管，進而如果受到加熱處理，則會產生硬化反應的狀態。
另外，上述樹脂層可含有熱固性樹脂，也可為熱塑性樹脂。另外，上述樹脂層也可含有熱塑性樹脂。其種類並未特別限定，例如可以列舉含有選自環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、胺酯樹脂、聚醚碸、聚醚碸樹脂、芳 香族聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改性環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改性丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙馬來醯亞胺三樹脂、熱固性聚苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、多元羧酸的酸酐、具有能夠交聯的官能基的線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷的酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改性聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠改性聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯醇縮丁醛、苯氧基、高分子環氧基、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚合聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂的群中的一種以上等的樹脂作為合適的樹脂。
另外，上述環氧樹脂只要分子內具有2個以上的環氧基並且可用於電氣、電子材料用途，則可以無特別問題地使用。另外，上述環氧樹脂優選使用分子內具有2個以上的縮水甘油基的化合物進行環氧化而成的環氧樹脂。另外，上述環氧樹脂可以將選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(溴化)環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改性雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、三縮水甘油基異氰尿酸酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油基胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等縮水甘油酯化合物、含磷的環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂的群中的1種或2種以上混合後使用，或可以使用上述環氧樹脂的氫化物或鹵化物。
可以使用公知的含有磷的環氧樹脂作為上述含磷的環氧樹脂。另外，上述含磷的環氧樹脂例如優選作為來自分子內具備2個以上的環氧基的9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物的衍生物而獲得的環氧樹脂。
上述樹脂層可含有公知的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質(也可以使用含有無機化合物及/或有機化合物的介電質、含有金屬氧化物的介電質等任何介電質)、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料、上述樹脂、上述化合物等。另外，上述樹脂層也可以使用例如國際公開編號WO2008/004399、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國 際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號所記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置而形成。
(樹脂層含有介電質(介電質填料)的情況)
上述樹脂層也可含有介電質(介電質填料)。
在上述任一樹脂層或樹脂組成物含有介電質(介電質填料)的情況下，可用於形成電容器層的用途，且能夠增大電容器電路的電容。該介電質(介電質填料)使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(統稱PZT)、PbLaTiO3．PbLaZrO(統稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(統稱SBT)等具有鈣鈦礦構造的複合氧化物的介電質粉末。
將上述樹脂層所含有的樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑中製成樹脂液，並利用例如輥式塗布法將其塗布於上述極薄銅層上、或者上述耐熱層、防銹層、或者上述鉻酸鹽皮膜層、或者上述矽烷偶合劑層之上，接下來視需要進行加熱乾燥將溶劑去除而製成B階段狀態。乾燥使用例如熱風乾燥爐即可，乾燥溫度為100~250℃、優選130~200℃即可。
具備上述樹脂層的附載體銅箔(附樹脂的附載體銅箔)是以下述態樣使用：在將該樹脂層重疊於基材後對整體進行熱壓接而使該樹脂層熱硬化，接下來將載體剝離而使極薄銅層露出(自然而然露出的是該極 薄銅層的中間層側的表面)，並於其上形成特定的配線圖案的。
如果使用該附樹脂的附載體銅箔，則能夠減少製造多層印刷配線基板時的預浸材的使用片數。並且，能夠將樹脂層的厚度設為能夠確保層間絕緣那樣的厚度，或者即便完全不使用預浸材也可製造出覆銅積層板。另外，此時，也可以將絕緣樹脂底塗於基材的表面而進一步改善表面的平滑性。
此外，在不使用預浸材的情況下，節約了預浸材的材料成本，且積層步驟也變得簡單，因此在經濟方面有利，並且具有僅製造出預浸材的厚度量的多層印刷配線基板的厚度變薄，從而能夠製造出1層的厚度為100μm以下的極薄的多層印刷配線基板的優點。
該樹脂層的厚度優選0.1~80μm。如果樹脂層的厚度薄於0.1μm，則存在接著力降低，在不經由預浸材而將該附樹脂的附載體銅箔積層於具備內層材的基材時，難以確保與內層材的電路之間的層間絕緣的情況。
另一方面，如果樹脂層的厚度厚於80μm，則難以藉由1次塗布步驟形成目標厚度的樹脂層，從而會耗費多餘的材料費與工時，因此在經濟方面不利。此外，所形成的樹脂層因其可撓性差，所以存在操作時容易產生龜裂等，且與內層材的熱壓接時會產生多餘的樹脂流動而難以實現順利的積層的情況。
此外，作為該附樹脂的附載體銅箔的另一產品形態，也可以在利用樹脂層被覆上述極薄銅層上、或者上述耐熱層、防銹層、或者上述鉻酸鹽處理層、或者上述矽烷偶合處理層之上並製成半硬化狀態後，接下 來將載體剝離而以不存在載體的附樹脂的銅箔的形態製造。
此外，藉由將電子零件類搭載於印刷配線板而完成印刷電路板。在本發明中，「印刷配線板」也包含以上述方式搭載了電子零件類的印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。
另外，既可以使用該印刷配線板製作電子機器，也可以使用搭載了該電子零件類的印刷電路板製作電子機器，也可以使用搭載了該電子零件類的印刷基板製作電子機器。以下，表示幾個使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造步驟的例。
在本發明的印刷配線板的製造方法的一實施方式中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；以及經過在將上述附載體銅箔與絕緣基板以極薄銅層側與絕緣基板對向的方式積層後將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、改良半加成法、部分加成法及減成法中的任一種方法形成電路的步驟。絕緣基板也可以製成具有內層電路的絕緣基板。
在本發明中，所謂半加成法，是指在絕緣基板或銅箔薄片層上進行薄的無電解鍍敷而形成圖案，然後使用電鍍及蝕刻形成導體圖案的方法。
因此，在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟； 在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟；利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將使上述載體剝離後露出的極薄銅層全部去除的步驟；在藉由利用蝕刻將上述極薄銅層去除而露出的上述樹脂設置通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟；在包含上述樹脂及上述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍層的步驟；在上述無電解鍍層之上設置抗鍍覆層的步驟；對上述抗鍍覆層進行曝光，其後，將供形成電路的區域的抗鍍覆層去除的步驟；在上述抗鍍覆層被去除後的供形成上述電路的區域設置電鍍層的步驟；將上述抗鍍覆層去除的步驟；以及藉由快速蝕刻將位於供形成上述電路的區域以外的區域的無電解鍍層去除的步驟。
在使用半加成法的本發明之印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括下述步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟； 在將上述載體剝離後露出的極薄銅層與上述絕緣樹脂基板設置通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟；利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將使上述載體剝離後露出的極薄銅層全部去除的步驟；在包含藉由利用蝕刻等將上述極薄銅層去除而露出的上述樹脂及上述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍層的步驟；在上述無電解鍍層之上設置抗鍍覆層的步驟；對上述抗鍍覆層進行曝光，其後，將供形成電路的區域的抗鍍覆層去除的步驟；在上述抗鍍覆層被去除後的供形成上述電路的區域設置電鍍層的步驟；將上述抗鍍覆層去除的步驟；以及藉由快速蝕刻等將位於供形成上述電路的區域以外的區域的無電解鍍層去除的步驟。
在使用半加成法的本發明之印刷配線板的製造方法的另一實施方式中，包括下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟；在將上述載體剝離後露出的極薄銅層與上述絕緣樹脂基板設置通孔或/及盲孔的步驟； 利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將使上述載體剝離後露出的極薄銅層全部去除的步驟；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟；在包含藉由利用蝕刻等將上述極薄銅層去除而露出的上述樹脂及上述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍層的步驟；在上述無電解鍍層之上設置抗鍍覆層的步驟；對上述抗鍍覆層進行曝光，其後，將供形成電路的區域的抗鍍覆層去除的步驟；在上述抗鍍覆層被去除後的供形成上述電路的區域設置電鍍層的步驟；將上述抗鍍覆層去除的步驟；以及藉由快速蝕刻等將位於供形成上述電路的區域以外的區域的無電解鍍層去除的步驟。
在使用半加成法的本發明之印刷配線板的製造方法的另一實施方式中，包括下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟；利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將使上述載體剝離後露出的極薄銅層全部去除的步驟；在藉由利用蝕刻將上述極薄銅層去除而露出的上述樹脂的表面設置無電解鍍層的步驟； 在上述無電解鍍層之上設置抗鍍覆層的步驟；對上述抗鍍覆層進行曝光，其後，將供形成電路的區域的抗鍍覆層去除的步驟；在上述抗鍍覆層被去除後的供形成上述電路的區域設置電鍍層的步驟；將上述抗鍍覆層去除的步驟；以及藉由快速蝕刻等將位於供形成上述電路的區域以外的區域的無電解鍍層及極薄銅層去除的步驟。
在本發明中，所謂改良半加成法，是指將金屬箔積層於絕緣層上，利用抗鍍覆層保護非電路形成部，並藉由電鍍對電路形成部賦予銅厚，然後將抗蝕劑去除，並藉由(快速)蝕刻將上述電路形成部以外的金屬箔去除，藉此在絕緣層上形成電路的方法。
因此，在使用改良半加成法的本發明之印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟；在將上述載體剝離後露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟；在包含上述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍層的步驟； 在將上述載體剝離後露出的極薄銅層表面設置抗鍍覆層的步驟；在設置上述抗鍍覆層後，藉由電鍍形成電路的步驟；將上述抗鍍覆層去除的步驟；以及藉由快速蝕刻將藉由將上述抗鍍覆層去除而露出的極薄銅層去除的步驟。
在使用改良半加成法的本發明之印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟；在將上述載體剝離後露出的極薄銅層之上設置抗鍍覆層的步驟；對上述抗鍍覆層進行曝光，其後，將供形成電路的區域的抗鍍覆層去除的步驟；在上述抗鍍覆層被去除後的供形成上述電路的區域設置電鍍層的步驟；將上述抗鍍覆層去除的步驟；以及藉由快速蝕刻等將位於供形成上述電路的區域以外的區域的無電解鍍層及極薄銅層去除的步驟。
在本發明中，所謂部分加成法，是指將觸媒核賦予至設置導體層而成的基板、視需要設置通孔或導通孔用的孔而成的基板上並進行蝕刻而形成導體電路，視需要在設置阻焊劑或抗鍍覆層後，在上述導體電路 上藉由對通孔或導通孔等進行無電解鍍敷處理而賦予厚度，藉此製造印刷配線板的方法。
因此，在使用部分加成法的本發明之印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟；在將上述載體剝離後露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟；對包含上述通孔或/及盲孔的區域賦予觸媒核的步驟；在將上述載體剝離後露出的極薄銅層表面設置蝕刻阻劑的步驟；對上述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述觸媒核去除而形成電路的步驟；將上述蝕刻阻劑去除的步驟；在藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述觸媒核去除後露出的上述絕緣基板表面設置阻焊劑或抗鍍覆層的步驟；以及在未設置上述阻焊劑或抗鍍覆層的區域設置無電解鍍層的步驟。
在本發明中，所謂減成法，是指藉由蝕刻等將覆銅積層板上 的銅箔的無用部分選擇性地去除而形成導體圖案的方法。
因此，在使用減成法的本發明之印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括下述步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟；在將上述載體剝離後露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟；在包含上述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍層的步驟；在上述無電解鍍層的表面設置電鍍層的步驟；在上述電鍍層或/及上述極薄銅層的表面設置蝕刻阻劑的步驟；對上述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述無電解鍍層及上述電鍍層去除而形成電路的步驟；以及將上述蝕刻阻劑去除的步驟。
在使用減成法的本發明之印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括下述步驟：準備本發明的附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟；在將上述載體剝離後露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔 的步驟；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟；在包含上述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍層的步驟；在上述無電解鍍層的表面形成遮罩的步驟；在未形成遮罩的上述無電解鍍層的表面設置電鍍層的步驟；在上述電鍍層或/及上述極薄銅層的表面設置蝕刻阻劑的步驟；對上述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述無電解鍍層去除而形成電路的步驟；以及將上述蝕刻阻劑去除的步驟。
也可以不進行設置通孔或/及盲孔的步驟、及其後的除膠渣步驟。
這裡，使用附圖對使用本發明之附載體銅箔的印刷配線板之製造方法的具體例詳細地進行說明。此外，這裡以具有形成了粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔為例進行說明，但並不限定於此，即便使用具有未形成粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔，同樣地也可進行下述印刷配線板的製造方法。
首先，如圖1-A所示，準備具有表面形成了粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。
接下來，如圖1-B所示，在極薄銅層的粗化處理層上塗布抗蝕劑並進行曝光、顯影，而將抗蝕劑蝕刻成特定的形狀。
接下來，如圖1-C所示，在形成電路用的鍍層後，將抗蝕劑去除，藉 此形成特定形狀的電路鍍層。
接下來，如圖2-D所示，以覆蓋電路鍍層的方式(以埋沒電路鍍層的方式)在極薄銅層上設置嵌入樹脂而積層樹脂層，接下來將另一附載體銅箔(第2層)從極薄銅層側接著。
接下來，如圖2-E所示，從第2層附載體銅箔將載體剝離。
接下來，如圖2-F所示，在樹脂層的特定位置進行雷射開孔，使電路鍍層露出而形成盲孔。
接下來，如圖3-G所示，將銅埋入至盲孔中而形成填孔。
接下來，如圖3-H所示，像上述圖1-B及圖1-C那樣在填孔上形成電路鍍層。
接下來，如圖3-I所示，從第1層附載體銅箔將載體剝離。
接下來，如圖4-J所示，藉由快速蝕刻將兩表面的極薄銅層去除，而使樹脂層內的電路鍍層的表面露出。
接下來，如圖4-K所示，在樹脂層內的電路鍍層上形成凸塊，並在該凸塊上形成銅柱。如上所述製作使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板。
此外，在上述印刷配線板的製造方法中，也可以將「極薄銅層」換讀成載體，將「載體」換讀成極薄銅層，在附載體銅箔的載體側的表面形成電路，利用樹脂填埋電路而製造印刷配線板。
上述另一附載體銅箔(第2層)既可以使用本發明的附載體銅箔，也可以使用以往的附載體銅箔，進而也可以使用通常的銅箔。另外，可以在圖3-H所示的第2層電路上進而形成1層或者多層電路，可以藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一種方法形成這些 電路。
根據上述那樣的印刷配線板之製造方法，因成為電路鍍層嵌入至樹脂層的構成，所以例如在像圖4-J所示那樣藉由快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍層被樹脂層保護，其形狀被保持，藉此，容易形成微細電路。另外，因電路鍍層被樹脂層保護，所以耐遷移性提高，從而良好地抑制電路的配線的導通。因此，容易形成微細電路。另外，在像圖4-J及圖4-K所示那樣藉由快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍層的露出面成為從樹脂層凹陷的形狀，因此容易分別在該電路鍍層上形成凸塊並進而在其上形成銅柱，從而製造效率提高。
此外，嵌入樹脂(resin)可以使用公知的樹脂、預浸體。例如可以使用BT(雙馬來醯亞胺三)樹脂或作為含浸了BT樹脂的玻璃布的預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造之ABF膜或ABF。另外，上述嵌入樹脂(resin)可以使用本說明書所記載的樹脂層及/或樹脂及/或預浸體及/或膜。
另外，上述第一層所使用的附載體銅箔也可以在該附載體銅箔的表面具有基板或樹脂層。藉由具有該基板或樹脂層，第一層所使用的附載體銅箔被支持而不易產生褶皺，因此具有生產性提高的優點。此外，上述基板或樹脂層只要為發揮支持上述第一層所使用的附載體銅箔的效果者，則可以使用任何基板或樹脂層。例如可以使用本案說明書所記載的載體、預浸體、樹脂層或公知的載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物的板、無機化合物的箔、有機化合物的板、有機化合物的箔作為上述基板或樹脂層。
另外，本發明的印刷配線板的製造方法也可為包括如下步驟的印刷配線板的製造方法(無心法)：將本發明之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層的步驟；在與和上述樹脂基板積層之極薄銅層側表面或上述載體側表面為相反側之附載體銅箔的表面至少1次設置樹脂層與電路這兩層的步驟；及在形成上述樹脂層及電路這兩層後，將上述載體或上述極薄銅層從上述附載體銅箔剝離的步驟。關於該無心法，作為具體例，首先，將本發明的附載體銅箔的極薄銅層側表面或載體側表面與樹脂基板積層而製造積層體(也稱為覆銅積層板、覆銅積層體)。其後，在與和樹脂基板積層的極薄銅層側表面或上述載體側表面為相反側之附載體銅箔的表面形成樹脂層。也可以進而將另一附載體銅箔從載體側或極薄銅層側積層於形成於載體側表面或極薄銅層側表面的樹脂層。在此情況下，可以將具有以樹脂基板為中心而在該樹脂基板的兩表面側按照載體/中間層/極薄銅層的順序或者極薄銅層/中間層/載體的順序將附載體銅箔積層而成的構成的積層體或者具有按照「載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/極薄銅層/中間層/載體」的順序積層而成的構成的積層體或者具有按照「載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層」的順序積層而成的構成的積層體或者按照「極薄銅層/中間層/載體/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層」的順序積層而成的構成的積層體用於上述印刷配線板之製造方法(無心法)。也可以在兩端的極薄銅層或者載體所露出的表面設置另一樹脂層，進而設置銅層或金屬層，然後對該銅層或金屬層進行加工，藉此形成電路。此外，也能以填埋該電路的方式將另一樹脂層設置於該電路上。另外，可將這種電路及樹脂 層的形成進行1次以上(增層方法)。並且，關於以上述方式而形成的積層體(以下，也稱為積層體B)，也可使各個附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而製作無心基板。此外，上述無心基板的製作也可使用2個附載體銅箔製作下述具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層之構成的積層體或具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體的構成的積層體或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體，並將該積層體用作中心。能夠在這些積層體(以下，也稱為積層體A)的兩側的極薄銅層或載體的表面將樹脂層及電路這兩層設置1次以上，並在將樹脂層及電路這兩層設置1次以上後，使各個附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而製作無心基板。上述積層體也可以在極薄銅層的表面、載體的表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。其他層也可為樹脂層或樹脂基板。此外，在本說明書中，關於「極薄銅層的表面」、「極薄銅層側表面」、「極薄銅層表面」、「載體的表面」、「載體側表面」、「載體表面」、「積層體的表面」、「積層體表面」，在極薄銅層、載體、積層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層的情況下，設為包含該其他層的表面(最表面)的概念。另外，積層體優選具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成。原因在於在使用該積層體製作無心基板時，因在無心基板側配置了極薄銅層，所以容易使用改良半加成法在無心基板上形成電路。另外，原因在於因極薄銅層的厚度薄，所以容易去除該極薄銅層，且在去除極薄銅層後容易使用半加成法在無心基板上形成電路。
此外，在本說明書中，並未特別記載成「積層體A」或「積層體B」的「積層體」表示至少包含積層體A及積層體B的積層體。
此外，在上述無心基板的製造方法中，藉由利用樹脂覆蓋附載體銅箔或積層體(積層體A)的端面的一部分或全部，當利用增層方法製造印刷配線板時，可防止藥液滲入到構成中間層或積層體的一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之間，從而可防止因藥液滲入引起的極薄銅層與載體的分離或附載體銅箔的腐蝕，從而能夠提高良率。作為這裡使用的「覆蓋附載體銅箔的端面的一部分或全部的樹脂」或「覆蓋積層體的端面的一部分或全部的樹脂」，可使用可用於樹脂層的樹脂。另外，在上述無心基板的製造方法中，附載體銅箔或積層體可為俯視時附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔的積層部分)的外周的至少一部分由樹脂或預浸體覆蓋。另外，利用上述無心基板的製造方法而形成的積層體(積層體A)可使一對附載體銅箔以相互分離的方式進行接觸而構成。另外，該附載體銅箔也可為俯視時附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔的積層部分)的外周整體由樹脂或預浸體覆蓋而成的附載體銅箔。另外，優選俯視時樹脂或預浸體大於附載體銅箔或積層體或積層體的積層部分，且優選製成具有將該樹脂或預浸體積層於附載體銅箔或積層體的兩面而利用樹脂或預浸體將附載體銅箔或積層體封邊(包裹)的構成的積層體。藉由採用這種構成，當俯視觀察附載體銅箔或積層體時，附載體銅箔或積層體的積層部分被樹脂或預浸體所覆蓋，可防止其他部件從該部分的側方向、即相對於積層方向為橫向的方向進行撞 擊，結果可減少操作中載體與極薄銅層或附載體銅箔彼此的剝離。另外，藉由以不露出附載體銅箔或積層體的積層部分的外周的方式以樹脂或預浸體進行覆蓋，可防止如上文所述的藥液處理步驟中的藥液向該積層部分的介面的滲入，從而可防止附載體銅箔的腐蝕或侵蝕。此外，當從積層體的一對附載體銅箔分離其中一個附載體銅箔時，或將附載體銅箔的載體與銅箔(極薄銅層)分離時，在由樹脂或預浸體覆蓋的附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔的積層部分)藉由樹脂或預浸體等而牢固地密接的情況下，有時需要藉由切割等而去除該積層部分等。
也可以將本發明的附載體銅箔從載體側或極薄銅層側積層於另一本發明的附載體銅箔的載體側或極薄銅層側而構成積層體。另外，也可為視需要經由接著劑，將上述一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面與上述另一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面直接積層而獲得的積層體。另外，可將上述一個附載體銅箔的載體或極薄銅層與上述另一個附載體銅箔的載體或極薄銅層接合。這裡，該「接合」在載體或極薄銅層具有表面處理層的情況下，也包括經由該表面處理層而相互接合的態樣。另外，該積層體的端面的一部分或全部也可被樹脂所覆蓋。
載體彼此、極薄銅層彼此、載體與極薄銅層、附載體銅箔彼此的積層除了單純地重疊以外，也可藉由例如以下方法進行。
(a)冶金接合方法：熔接(電弧焊接、TIG(鎢極-惰性氣體)焊接、MIG(金屬-惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點焊接)、壓接(超聲 波焊接、摩擦攪拌焊接)、釺焊；(b)機械接合方法：斂縫、利用鉚釘的接合(利用自沖鉚釘(Self-Piercing Rivet)的接合、利用鉚釘的接合)、縫合；(c)物理接合方法：接著劑、(雙面)膠帶
藉由使用上述接合方法將一個載體的一部分或者全部與另一個載體的一部分或者全部或者極薄銅層的一部分或者全部接合，可將一個載體與另一個載體或極薄銅層積層，而可製造使載體彼此或載體與極薄銅層以可分離的方式接觸而構成的積層體。在將一個載體與另一個載體或極薄銅層較弱地接合而將一個載體與另一個載體或極薄銅層進行積層的情況下，即便不去除一個載體與另一個載體或極薄銅層的接合部，一個載體與另一個載體或極薄銅層也可分離。另外，在將一個載體與另一個載體或極薄銅層較強地接合的情況下，藉由利用切割或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等去除將一個載體與另一個載體經接合的部位，可將一個載體與另一個載體或極薄銅層分離。
另外，藉由實施如下步驟，可製作印刷配線板：在以所述方式構成的積層體上至少設置1次樹脂層與電路這兩層的步驟、及在至少形成1次上述樹脂層及電路這兩層後將上述極薄銅層或載體從上述積層體的附載體銅箔剝離的步驟。此外，也可在該積層體的一表面或兩表面設置樹脂層與電路這兩層。
上述積層體所使用的樹脂基板、樹脂層、樹脂、預浸體既可為本說明書所記載的樹脂層，也可包含本說明書所記載的樹脂層所使用的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、 預浸體、骨架材料等。此外，附載體銅箔在俯視時也可小於樹脂或預浸體。
[實施例]
以下，藉由本發明的實施例對本發明更詳細地進行說明，但本發明並不受這些實施例任何限定。
首先，以如下方式製作銅箔載體。
在電解槽之中配置鈦製的旋轉滾筒，並在滾筒的周圍隔開極間距離而配置電極。接下來，在電解槽中進行電解，使銅在旋轉滾筒的表面析出，刮取在旋轉滾筒的表面析出的銅並連續地製造厚度18μm的電解銅箔，將其作為銅箔載體。這裡，將對SUS的表面進行鍍鉻並進行了拋光研磨而成者作為旋轉滾筒。因為旋轉滾筒的表面形狀會直接變成所製造的銅箔載體的表面形狀，所以藉由調整旋轉滾筒的旋轉速度及研磨傳送帶的傳送速度並且調整用於拋光研磨的拋光研磨粒的細微性號數來控制銅箔載體的表面形狀(表面粗糙度Sz、Sa、60度鏡面光澤度)。
以下，表示該電解銅箔(銅箔載體)的形成條件。
．實驗No.1~14、22~53
<電解液組成>
銅：100g/L
硫酸：100g/L
氯：65ppm
<電解條件>
電流密度：80A/dm2
電解液溫度：55℃
電解液線速：4m/sec
電解時間：60秒
所製作的銅箔載體的表面粗糙度Sz、Sa、MD方向的60度鏡面光澤度如表2~4所示。
．實驗No.54
<電解液組成>
銅：100g/L
硫酸：100g/L
氯：120ppm
<電解條件>
電流密度：80A/dm2
電解液溫度：65℃
電解液線速：4m/sec
電解時間：60秒
．實驗No.55
<電解液組成>
銅：100g/L
硫酸：100g/L
氯：100ppm
光澤劑：
調平劑1(雙(3磺丙基)二硫化物)：1ppm
調平劑2(胺化合物)：1ppm
使用以下化學式的胺化合物作為上述胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2為甲基)
<電解條件>
電流密度：80A/dm2
電解液溫度：55℃
電解液線速：4m/sec
電解時間：60秒
．實驗No.56
<電解液組成>
銅：100g/L
硫酸：100g/L
氯：65ppm
調平劑1(雙(3磺丙基)二硫化物)：3ppm
調平劑2(胺化合物)：3ppm
使用以下化學式的胺化合物作為上述胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2為甲基)
<電解條件>
電流密度：80A/dm2
電解液溫度：55℃
電解液線速：4m/sec
電解時間：60秒
．實驗No.15~20、57~58、60~61
在電解槽之中配置鈦製的旋轉滾筒，並在滾筒的周圍隔開極間距離而配置電極。接下來，在電解槽中，在表1所記載的載體箔製造條件下進行電解，使銅在旋轉滾筒的表面析出，刮取在旋轉滾筒的表面析出的銅並連續地製造厚度18μm的電解銅箔，將其作為銅箔載體。
．實驗No.59
準備壓延銅箔(精銅，JIS H3100 C1100)，並在表1所記載的載體箔製造條件下使用藉由噴砂使表面粗化後的壓延輥對該壓延銅箔進行精冷軋。此時，壓延輥粗糙度設為Ra=0.39~0.42μm，油膜當量設為35000。藉此 獲得銅箔載體。
接下來，在以下條件下進行銅箔載體的表面處理。
．實驗No.1~2、22~23、36~37
利用硫酸500g/L、過氧化氫50g/L、作為添加劑成分的1,2,3-苯并三唑5g/L的水溶液對所形成的電解銅箔(銅箔載體)的光澤面(也稱為發光面或S面)進行下述溫度及時間的蝕刻處理。
．蝕刻處理條件(溫度、時間)
實驗No.1、22、36：(35℃、30秒)
實驗No.2、23、37：(25℃、30秒)
．實驗No.3、24、38、57~60
未對所形成的銅箔載體進行表面處理，而直接進行下述中間層處理。
．實驗No.4~7、21、25~28、39~42、50~53
利用硫酸100g/L、過硫酸鉀50g/L、作為添加劑成分的1,2,3-苯并三唑5g/L的水溶液對所形成的電解銅箔(銅箔載體)的光澤面(也稱為發光面或S面)或者壓延銅箔進行下述溫度及時間的軟蝕刻處理。
．蝕刻處理條件(溫度、時間)
實驗No.4、25、39、50：(35℃、10秒)
實驗No.5、26、40、51：(35℃、60秒)
實驗No.6、27、41、52：(25℃、10秒)
實驗No.7、28、42、53：(25℃、60秒)
實驗No.21：(35℃、45秒)
．實驗No.8、29、43
利用硫酸20g/L、過氧化氫10g/L、作為添加劑成分的1,2,3-苯并三唑1g/L的水溶液對所形成的電解銅箔(銅箔載體)的光澤面(也稱為發光面或S面)進行下述溫度及時間的軟蝕刻處理。
．蝕刻處理條件(溫度、時間)
實驗No.8、29、43：(35℃、30秒)
．實驗No.9、30、44
利用硫酸20g/L、過硫酸鉀10g/L、作為添加劑成分的羧基苯并三唑1g/L的水溶液對所形成的電解銅箔(銅箔載體)的光澤面(也稱為發 光面或S面)進行下述溫度及時間的軟蝕刻處理。
．蝕刻處理條件(溫度、時間)
實驗No.9、30、44：(35℃、30秒)
．實驗No.10、31、45
利用硫酸100g/L、過硫酸銨50g/L、作為添加劑成分的1H-1,2,4-三唑5g/L的水溶液對所形成的電解銅箔(銅箔載體)的光澤面(也稱為發光面或S面)進行下述溫度及時間的軟蝕刻處理。
．蝕刻處理條件(溫度、時間)
實驗No.10、31、45：(25℃、5秒)
．實驗No.11~14、32~35、46~49
利用硫酸100g/L、過氧化氫20g/L、作為添加劑成分的1,2,3-苯并三唑5g/L的水溶液對所形成的電解銅箔(銅箔載體)的光澤面(也稱為發光面或S面)進行下述溫度及時間的軟蝕刻處理。
．蝕刻處理條件(溫度、時間)
實驗No.11、32、46：(35℃、10秒)
實驗No.12、33、47：(35℃、60秒)
實驗No.13、34、48：(25℃、10秒)
實驗No.14、35、49：(25℃、60秒)
．實驗No.15
利用硫酸10vol%、過氧化氫2.0wt%的水溶液對所形成的電解銅箔(銅箔載體)的非光澤面(也稱為無光澤面或M面)進行下述溫度及時間的軟蝕刻處理。
．蝕刻處理條件(溫度、時間)
實驗No.15：(25℃、1分鐘)
．實驗No.16
在所形成的電解銅箔(銅箔載體)的光澤面(也稱為發光面或S面)側配置陰極，並將銅箔作為陽極實施利用直流而進行的電解處理(處理液：硫酸100g/L)，藉此對銅箔的光澤面進行逆電解研磨處理，從而每單位面積(1m2)的載體溶解5g銅(=5g/m2)。此外，逆電解研磨處理的電流密度設為10A/dm2，處理溫度設為30℃。
．實驗No.17
未對所形成的電解銅箔(銅箔載體)進行表面處理而直接進行下述中間層處理。
．實驗No.18
利用硫酸10vol%、過氧化氫1.5wt%的水溶液對所形成的電解銅箔(銅箔載體)的非光澤面(也稱為無光澤面或M面)進行下述溫度及時間的軟蝕刻處理。
．蝕刻處理條件(溫度、時間)
實驗No.18：(25℃、1分鐘)
．實驗No.19
在所形成的電解銅箔(銅箔載體)的光澤面(也稱為發光面或S面)側配置陰極，並將銅箔作為陽極實施利用直流而進行的電解處理(處理液：硫酸100g/L)，藉此對銅箔的光澤面進行逆電解研磨處理，從而每單位面積(1m2)的載體溶解12g銅(=12g/m2)。此外，逆電解研磨處理的電 流密度設為20A/dm2，處理溫度設為30℃。
．實驗No.20
利用硫酸10vol%、過氧化氫2.0wt%的水溶液對所形成的電解銅箔(銅箔載體)的非光澤面(也稱為無光澤面或M面)進行下述溫度及時間的軟蝕刻處理。
．蝕刻處理條件(溫度、時間)
實驗No.20：(25℃、1分鐘)
．實驗No.54~56
利用硫酸20g/L、過氧化氫10g/L、作為添加劑成分的1,2,3-苯并三唑10g/L的水溶液對所形成的電解銅箔(銅箔載體)的光澤面(也稱為發光面或S面)進行下述溫度及時間的軟蝕刻處理。
．蝕刻處理條件(溫度、時間)
實驗No.54~56：(25℃、1分鐘)
．實驗No.61
利用硫酸10vol%、過氧化氫8.0wt%的水溶液對所形成的電解銅箔(銅箔載體)的非光澤面(也稱為無光澤面或M面)進行下述溫度及時間的軟蝕刻處理。
．蝕刻處理條件(溫度、時間)
實驗No.61：(25℃、1分鐘)
接下來，關於實驗No.1~49、54~61，在以下條件下形成中間層。在以下條件下利用輥對輥型的連續鍍敷線進行電鍍，藉此形成4000μg/dm2的附著量的Ni層。
．Ni層
硫酸鎳：250~300g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
檸檬酸三鈉：15~30g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：30~100ppm
pH值：4~6
液溫：50~70℃
電流密度：3~15A/dm2
在水洗及酸洗後，接下來在輥對輥型的連續鍍敷線上在以下條件下進行電解鉻酸鹽處理，藉此使11μg/dm2的附著量的Cr層附著在Ni層之上。
．電解鉻酸鹽處理
液體組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0.1~2.6A/dm2
庫侖量：0.5~30As/dm2
另外，關於實驗No.50，在以下條件下形成中間層。
在以下條件下利用輥對輥型的連續鍍敷線進行電鍍，藉此形成3000μg/dm2的附著量的Ni-Mo層。
．Ni-Mo層(鎳鉬合金鍍層)
液體組成：硫酸Ni六水合物：50g/dm3、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3、檸檬酸鈉：90g/dm3
液溫：30℃
電流密度：1~4A/dm2
通電時間：3~25秒
另外，關於實驗No.51，在以下條件下形成中間層。
．Ni層
在與實驗No.1~49、54~61相同的條件下形成Ni層。
．有機物層(有機物層形成處理)
接下來，對所形成的Ni層表面進行水洗及酸洗後，接著在下述條件下對Ni層表面淋灑並噴霧濃度1~30g/L的含有羧基苯并三唑(CBTA)的液溫40℃、pH值5的水溶液20~120秒，藉此形成有機物層。
另外，關於實驗No.52，在以下條件下形成中間層。
在以下條件下利用輥對輥型的連續鍍敷線進行表面處理，藉此形成有機物層。
．有機物層(有機物層形成處理)
以與實驗No.51相同的條件形成。
．Ni層
接下來，在所形成的有機物層的表面以與實驗No.1~49、54~61相同的條件形成Ni層。
另外，關於實驗No.53，在以下條件下形成中間層。
在以下條件下利用輥對輥型的連續鍍敷線進行電鍍，藉此形成4000μg/dm2的附著量的Co-Mo層。
．Co-Mo層(鈷鉬合金)
在以下條件下利用輥對輥型的連續電鍍線對載體進行電鍍，藉此形成4000μg/dm2的附著量的Co-Mo層。將具體的鍍敷條件示於以下。
液體組成：硫酸Co：50g/dm3、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3、檸檬酸鈉：90g/dm3
液溫：30℃
電流密度：1~4A/dm2
通電時間：3~25秒
在形成中間層後，在以下條件下進行電鍍而在中間層之上形成厚度1、2、3μm的極薄銅層，從而製成附載體銅箔。
．極薄銅層
銅濃度：30~120g/L
H2SO4濃度：20~120g/L
電解液溫度：20~80℃
電流密度：10~100A/dm2
此外，在實驗No.6、26、45中，在極薄銅層之上進而設置粗化處理層、耐熱處理層、鉻酸鹽層、矽烷偶合處理層。
．粗化處理
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH值：1~4
溫度：40~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
時間：1~5秒
Cu附著量：15~40mg/dm2
Co附著量：100~3000μg/dm2
Ni附著量：100~1000μg/dm2
．耐熱處理
Zn：0~20g/L
Ni：0~5g/L
pH值：3.5
溫度：40℃
電流密度Dk：0~1.7A/dm2
時間：1秒
Zn附著量：5~250μg/dm2
Ni附著量：5~300μg/dm2
．鉻酸鹽處理
K2Cr2O7
(Na2Cr2O7或者CrO3)：2~10g/L
NaOH或者KOH：10~50g/L
ZnO或者ZnSO47H2O：0.05~10g/L
pH值：7~13
浴溫：20~80℃
電流密度0.05~5A/dm2
時間：5~30秒
Cr附著量：10~150μg/dm2
．矽烷偶合處理
乙烯基三乙氧基矽烷水溶液
(乙烯基三乙氧基矽烷濃度：0.1~1.4wt%)
pH值：4~5
時間：5~30秒
(實驗No.21)
準備壓延銅箔(精銅，JIS H3100 C1100)，並使用藉由噴砂使表面粗化後的壓延輥對該壓延銅箔進行精冷軋。此時，壓延輥粗糙度設為Ra=0.45~0.48μm，油膜當量設為41000。藉此獲得銅箔載體。
接下來，以與實驗No.6相同的條件在銅箔載體表面形成中間層及極薄銅層，藉此製作附載體銅箔。
關於以上述方式而獲得的實驗No.1~61的附載體銅箔，利用以下方法實施各評價。
<極薄銅層的厚度>
極薄銅層的厚度是利用以下重量法而測定。
在對附載體銅箔的重量進行測定後，將極薄銅層剝離，測定載體的重量，將前者與後者的差定義為極薄銅層的重量。
‧試樣的大小：10cm見方薄片(利用壓製機沖切而成的10cm見方薄片)
‧試樣的採集：任意3個部位
‧根據以下式算出各試樣的利用重量法所獲得的極薄銅層的厚度。
利用重量法所獲得的極薄銅層的厚度(μm)={(10cm見方薄片的附載體銅箔的重量(g/100cm2))-(將極薄銅層從上述10cm見方薄片的附載體銅箔剝離後的載體的重量(g/100cm2))}/銅的密度(8.96g/cm3)×0.01(100cm2/cm2)×10000μm/cm
此外，試樣的重量測定使用能夠測定至小數點以下第4位的精密天平。並且，將所獲得的重量的測定值直接使用於上述計算。
．將3個部位的利用重量法而獲得的極薄銅層的厚度的算術平均值設為利用重量法而獲得的極薄銅層的厚度。
另外，精密天平使用ASONE股份有限公司製造的IBA-200，壓製機使用NOGUCHI PRESS股份有限公司製造的HAP-12。
此外，於在極薄銅層之上形成粗化處理層等表面處理層的情況下，在形成該表面處理層後進行上述測定。
該結果為，關於全部實驗No.1~61，均確認到極薄銅層的厚度為1~3μm。
<極薄銅層的表面粗糙度>
在對附載體的極薄銅層與基材(三菱瓦斯化學(股)製造：GHPL-832NX-A)以壓力20kgf/cm2在220℃進行2小時加熱的積層壓製後，依據JIS C 6471(1995，此外，將銅箔剝離的方法設為8.1銅箔的剝離強度8.1.1試驗 方法的種類(1)方法A(將銅箔相對於銅箔去除面沿90°方向剝離的方法))將銅箔載體剝離，從而使極薄銅層露出。接下來，根據以下順序測定極薄銅層的露出面的各種粗糙度。
依據ISO 25178並利用Olympus公司製造的雷射顯微鏡OLS4000(LEXT OLS 4000)測定極薄銅層的露出面的Sz(最大高度)、Sa(算術平均高度)。另外，對於表面處理前與表面處理後的載體的設置極薄銅層側的表面，也同樣地測定Sz、Sa。使用雷射顯微鏡中的物鏡50倍進行約200μm×200μm面積(具體來說為40106μm2)的測定，算出Sz、Sa。此外，在雷射顯微鏡測定中，在測定結果的測定面並非為平面而成為曲面的情況下，在進行平面修正後算出Sz、Sa。此外，利用雷射顯微鏡進行的Sz、Sa的測定環境溫度設為23~25℃。
<光澤度>
在對附載體的極薄銅層與基材(三菱瓦斯化學(股)製造：GHPL-832NX-A)以壓力20kgf/cm2在220℃進行2小時加熱的積層壓製後，依據JIS C 6471(1995，此外，將銅箔剝離的方法設為8.1銅箔的剝離強度8.1.1試驗方法的種類(1)方法A(將銅箔相對於銅箔去除面沿90°方向剝離的方法))將銅箔載體剝離，從而使極薄銅層露出。接下來，使用依據JIS Z8741的日本電色工業股份有限公司製造的光澤度計Handy Gloss Meter PG-1以入射角60度測定極薄銅層的露出面的MD方向(極薄銅層的條紋方向)的60度光澤度GMD。
<雷射開孔性>
接下來，以下述條件對極薄銅層的未處理表面照射雷射，利用顯微鏡 觀察照射後的孔形狀，並實施測量。關於雷射開孔時的能量，在極薄銅層的厚度為2μm的情況下，以孔徑Φ60μm為目標並針對各樣本在3~7mJ的範圍內適當調整，在極薄銅層的厚度為1μm的情況下，以孔徑Φ50μm為目標並針對各樣本在1~5mJ的範圍內適當調整，在極薄銅層的厚度為3μm的情況下，以孔徑Φ70μm為目標並針對各樣本在3~10mJ的範圍內適當調整。開孔後的通孔的測定點為100點，孔的直徑設為包圍孔的最小圓的直徑。接下來，測定該孔的直徑，求出標準差，並根據下述基準對雷射開孔性進行評價。此外，雷射加工機使用三菱電機股份有限公司製造的雷射加工機ML605GTW4。
(雷射照射條件)
．雷射波長：9.4μm
．輸出：250W
．脈衝能量：在3~7mJ的範圍內適當調整
．脈衝寬度：10μ秒
．加工方式：脈衝串式
．發數：1發
(雷射開孔性的評價基準)
標準差超過6.0μm：×
標準差超過4.0μm且6.0μm以下：△
標準差超過2.5μm且4.0μm以下：○
標準差2.5μm以下：○○
<電路形成性：形成M-SAP電路後的電路的裙擺部的評 價>
在將附載體銅箔(對極薄銅層實施了表面處理後的附載體銅箔稱為該表面處理後的附載體銅箔)從極薄銅層側貼合在雙馬來醯亞胺三樹脂基板後將載體剝離，接下來，作為M-SAP電路，在所露出的極薄銅層表面，在極薄銅層的厚度為2μm的情況下以L/S=15μm/15μm的方式形成15μm寬的圖案鍍銅層，在極薄銅層的厚度為1μm的情況下以L/S=12μm/12μm的方式形成12μm寬的圖案鍍銅層，在極薄銅層的厚度為3μm的情況下以L/S=20μm/20μm的方式形成20μm寬的圖案鍍銅層，其後進行蝕刻以形成電路。將此時的蝕刻條件示於以下。接下來，對於該電路，對100個(即將1mm的線長度的電路設為100條)1mm的線長度的部位進行俯視觀察，並測定裙擺部的長度。關於藉由該測定而獲得的電路的裙擺部的最大長度，根據以下基準對電路形成性進行評價。在圖5中表示示出該裙擺部的電路的俯視觀察照片。裙擺部圖5所示，是在電路的底部薄薄產生的蝕刻殘渣。
(蝕刻條件)
．蝕刻形式：噴霧蝕刻
．噴霧噴嘴：實心錐型
．噴霧壓力：0.10Mpa
．蝕刻液溫：30℃
．蝕刻液組成：
H2O2：18g/L
H2SO4：92g/L
Cu：8g/L
添加劑：JCU股份有限公司製造FE-830IIW3C適量
(電路形成性的評價基準)
經常發生配線間短路或經常發生斷線等電路形成不良狀態：××
裙擺部的最大長度為5μm以上但尚未造成配線間短路：×
裙擺部的最大長度為2μm以上且小於5μm：○
裙擺部的最大長度小於2μm：○○
將試驗條件及試驗結果示於表2~4。

Claims (28)

  1. 一種附載體銅箔，其在載體的一面或兩面依序具備中間層與極薄銅層，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，利用雷射顯微鏡所測得的上述極薄銅層的上述中間層側的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa滿足Sz≦3.6μm，Sz/Sa≦14.00，且上述極薄銅層的上述中間層側表面的MD方向的60度光澤度GMD滿足GMD≦150。
  2. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之MD方向的60度光澤度GMD滿足GMD≦80。
  3. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之MD方向的60度光澤度GMD滿足GMD≦70。
  4. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時 後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之MD方向的60度光澤度GMD滿足GMD≦65。
  5. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之MD方向的60度光澤度GMD滿足GMD≦5。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之附載體銅箔，其中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，利用雷射顯微鏡所測得之上述極薄銅層之上述中間層側的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa滿足Sz/Sa≦10.50。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之附載體銅箔，其中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，利用雷射顯微鏡所測得之上述極薄銅層之上述中間層側的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa滿足Sz/Sa≦9.50。
  8. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之附載體銅箔，其中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，利用雷射顯微鏡所測得之上述極薄銅層之上述中間層側的表面粗糙度 Sz滿足0.01μm≦Sz。
  9. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之附載體銅箔，其中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，利用雷射顯微鏡所測得之上述極薄銅層之上述中間層側的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa滿足1.00≦Sz/Sa。
  10. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之附載體銅箔，其中，在將上述附載體銅箔從上述極薄銅層側以壓力20kgf/cm2積層於絕緣基板並在220℃加熱2小時後，依據JIS C 6471從上述附載體銅箔將載體剝離時，上述極薄銅層之上述中間層側表面之MD方向的60度光澤度GMD滿足0.01≦GMD。
  11. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之附載體銅箔，其中，在載體的一面具有極薄銅層的情況下，在上述極薄銅層側及上述載體側的至少一表面或兩表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上的層，或在載體的兩面具有極薄銅層的情況下，在該一個或兩個極薄銅層側的表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上的層。
  12. 如申請專利範圍第6項之附載體銅箔，其中，在載體的一面具有極薄銅層的情況下，在上述極薄銅層側及上述載體側的至少一表面或兩表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上的層，或 在載體的兩面具有極薄銅層的情況下，在該一個或兩個極薄銅層側的表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上的層。
  13. 如申請專利範圍第7項之附載體銅箔，其中，在載體的一面具有極薄銅層的情況下，在上述極薄銅層側及上述載體側的至少一表面或兩表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上的層，或在載體的兩面具有極薄銅層的情況下，在該一個或兩個極薄銅層側的表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上的層。
  14. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之附載體銅箔，其中，在上述極薄銅層上具備樹脂層。
  15. 如申請專利範圍第11項之附載體銅箔，其中，在選自由上述粗化處理層、上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上的層上具備樹脂層。
  16. 如申請專利範圍第12項之附載體銅箔，其中，在選自由上述粗化處理層、上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上的層上具備樹脂層。
  17. 如申請專利範圍第13項之附載體銅箔，其中，在選自由上述粗化處理層、上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上的層上具備樹脂層。
  18. 一種製造積層體之方法，其使用申請專利範圍第1至17項中任一項 之附載體銅箔而製造積層體。
  19. 一種積層體，其包含申請專利範圍第1至17項中任一項之附載體銅箔與樹脂，並且上述附載體銅箔的端面的一部分或全部由上述樹脂所覆蓋。
  20. 一種積層體，其是將一個申請專利範圍第1至17項中任一項之附載體銅箔從上述載體側或上述極薄銅層側積層於另一個申請專利範圍第1至17項中任一項之附載體銅箔的上述載體側或上述極薄銅層側而成。
  21. 如申請專利範圍第20項之積層體，其中，上述積層體的端面的一部分或全部由樹脂所覆蓋。
  22. 一種印刷配線板之製造方法，其使用藉由申請專利範圍第18項之製造積層體之方法而製造的積層體或申請專利範圍第19至21中任一項之積層體。
  23. 一種印刷配線板之製造方法，其包括下述步驟：在藉由申請專利範圍第18項之製造積層體之方法而製造的積層體或申請專利範圍第19至21項中任一項之積層體上至少設置1次樹脂層與電路這兩層的步驟；及在至少形成1次上述樹脂層及電路這兩層後，將上述極薄銅層或上述載體從上述積層體的附載體銅箔剝離的步驟。
  24. 一種製造印刷配線板之方法，其使用申請專利範圍第1至17項中任一項之附載體銅箔。
  25. 一種製造電子機器之方法，其使用藉由申請專利範圍第24項之印刷配線板之製造方法而製造的印刷配線板。
  26. 一種印刷配線板之製造方法，其包括下述步驟： 準備申請專利範圍第1至17項中任一項之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層的步驟；及在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一種方法形成電路的步驟。
  27. 一種印刷配線板之製造方法，其包括下述步驟：在申請專利範圍第1至17項中任一項之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路的步驟；以埋沒上述電路的方式在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層的步驟；將上述載體或上述極薄銅層剝離的步驟；及在將上述載體或上述極薄銅層剝離後，去除上述極薄銅層或上述載體，藉此使形成在上述極薄銅層側表面或上述載體側表面且埋沒在上述樹脂層中的電路露出的步驟。
  28. 一種印刷配線板之製造方法，其包括下述步驟：將申請專利範圍第1至17項中任一項之附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層的步驟；在上述附載體銅箔之與樹脂基板積層側之相反側的極薄銅層側表面或上述載體側表面至少設置1次樹脂層與電路這兩層的步驟；及在形成上述樹脂層及電路這兩層後，將上述載體或上述極薄銅層從上 述附載體銅箔剝離的步驟。
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