TW201644332A - 附載體銅箔、積層體、印刷配線板、及印刷配線板之製造方法 - Google Patents

附載體銅箔、積層體、印刷配線板、及印刷配線板之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種附載體銅箔，其在藉由將附載體銅箔積層在樹脂基板上而製作成之積層體中，可將極薄銅層自載體良好地剝離。一種附載體銅箔，其係依序具有載體、中間層、及極薄銅層之附載體銅箔，且在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對載體之與極薄銅層為相反側之表面進行測定時，表面之十點平均粗糙度Rz為6.0μm以下。

Description

附載體銅箔、積層體、印刷配線板、及印刷配線板之製造方法
本發明涉及一種附載體銅箔、積層體、印刷配線板、及印刷配線板之製造方法。
印刷配線板在歷經這半世紀取得較大發展，現今甚至用在幾乎所有電子設備。近年來，隨著電子設備之小型化、高性能化需求之增大，搭載零件之高密度安裝化及訊號之高頻化不斷發展，對印刷配線板要求導體圖案之微細化(微間距化)及對應高頻等，尤其在印刷配線板上載置IC晶片之情況下，要求L(線)/S(空間)=20μm/20μm以下之微間距化。
印刷配線板首先係作為覆銅積層體而製造，上述覆銅積層體係將銅箔與以玻璃環氧基板、BT樹脂、聚醯亞胺膜等為主之絕緣基板貼合而成。貼合可使用使絕緣基板與銅箔重疊並進行加熱加壓而形成之方法(層疊法)，或者將作為絕緣基板材料之前驅物之清漆塗布在銅箔之具有被覆層之面上並進行加熱硬化之方法(澆鑄法)。
伴隨微間距化，箔厚越來越薄，例如覆銅積層體中所使用之銅箔之厚度亦變為9μm，進而變為5μm以下等。然而，若箔厚變為9μm以下，則利用上述層疊法或澆鑄法形成覆銅積層體時之操作性極度惡化。因此，出現了將具有厚度之金屬箔用作載體，且在該載體上隔著剝離層而形成有極薄銅層之附載體銅箔。作為附載體銅箔之常用方法，如專利文獻1 等所揭示般，在使極薄銅層之表面貼合於樹脂基板並進行熱壓接之後，經由剝離層將載體剝離。
在使用附載體銅箔之印刷配線板之製作中，附載體銅箔之典型之使用方法如下：首先，在將附載體銅箔從極薄銅層側積層在樹脂基板上之後，將載體從極薄銅層剝離。其次，在將載體剝除而露出之極薄銅層上設置由光硬化性樹脂形成之鍍敷阻劑。其次，對鍍敷阻劑之指定區域進行曝光，藉此使該區域硬化。繼而，在將非曝光區域之未硬化之鍍敷阻劑除去之後，在該阻劑除去區域設置電解鍍敷層。其次，藉由將已硬化之鍍敷阻劑除去而獲得形成有電路之樹脂基板，使用該樹脂基板製作印刷配線板。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2006-022406號公報
作為使用附載體銅箔之印刷配線板之製造方法，存在如下方法(埋入．增層法)，即，如上所述，一般在將附載體銅箔從極薄銅層側積層在樹脂基板上之後，將載體從極薄銅層剝離，但並非在附載體銅箔之極薄銅層側而係在載體側表面設置樹脂基板，在極薄銅層側表面形成電路鍍敷層，以覆蓋該已形成之電路鍍敷層之方式(以埋沒電路鍍敷層之方式)在極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，在該樹脂層上進而設置銅層而製作積層體(圖1)。另外，存在如下方法(增層法)，即，並非在附載體銅箔 之極薄銅層側而係在載體側表面設置樹脂基板，在極薄銅層側表面至少設置一次以上之樹脂層及電路而製作積層體。
需要將積層體之極薄銅層自載體良好地剝離，但在利用這種方法而形成之積層體中存在如下問題，即，極薄銅層與載體之間之剝離強度明顯變大，從而難以將極薄銅層自載體良好地剝離。
因此，本發明之課題在於提供一種在藉由將附載體銅箔積層在樹脂基板上而製作成之積層體中，可將極薄銅層自載體良好地剝離之附載體銅箔。
為了達成上述目的，本發明者們在反覆進行深入研究之後著眼於如下點，即，對於具有在載體側設置有樹脂基板之構成之積層體，對該載體表面進行粗糙化處理以用於與樹脂基板良好地貼合。而且，發現根據該載體之與樹脂基板之貼合面側之粗糙化處理之程度，該表面之粗糙度變大，積層體中之極薄銅層自載體剝離之強度顯著變大。而且，發現藉由對載體之與樹脂基板之貼合面側，即載體之與形成有極薄銅層之表面為相反側之表面粗糙度進行控制，可將極薄銅層自載體良好地剝離。
本發明係以上述見解為基礎而完成之發明，在一態樣中，本發明係一種附載體銅箔，其係依序具有載體、中間層、及極薄銅層之附載體銅箔，且在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為6.0μm以下。
在另一態樣中，本發明係一種附載體銅箔，其係依序具有載 體、中間層、及極薄銅層之附載體銅箔，且在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為1.0μm以下。
在進而又一態樣中，本發明係一種附載體銅箔，其係依序具有載體、中間層、及極薄銅層之附載體銅箔，且在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為7.0μm以下。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為0.9μm以上。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.12μm以上。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.1μm以上。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，在上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面形成有粗糙化處理層。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，在形成在上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面之粗糙化處理層上，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群之一種以上之層。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，形成在上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面之粗糙化處理層係由單體或合金所構成之層，上述單體係選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所構成之群之任一種單體，上述合金含有任一種以上之上述單體。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，形成在上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面之粗糙化處理層係使用硫酸．硫酸銅電解浴而形成，上述硫酸．硫酸銅電解浴含有選自由硫酸烷基酯鹽、鎢及砷所構成之群之一種以上。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，在上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面未形成粗糙化處理層。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，在上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群之一種以上之層。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，在上述極薄銅層表面形成有粗糙化處理層。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，形成在上述極薄銅層表面之粗糙化處理層係由單體或合金所構成之層，上述單體係選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所構成之群之任一種單體，上述合金含有任一種以上之上述單體。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，在形成在上述極薄銅層表面之粗糙化處理層之表面具備樹脂層。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，在形成在上述 極薄銅層表面之粗糙化處理層之表面，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群之一種以上之層。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，在如下之一種以上之層上具備樹脂層，上述層為設置在形成在上述極薄銅層表面上之粗糙化處理層之表面，且選自由上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，在上述極薄銅層表面具備樹脂層。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，上述樹脂層為接著用樹脂。
本發明之附載體銅箔在進而又一實施方式中，上述樹脂層為半硬化狀態之樹脂。
在進而又一態樣中，本發明係一種積層體，其係使用本發明之附載體銅箔製造而成。
在進而又一態樣中，本發明係一種積層體，其係包含本發明之附載體銅箔及樹脂之積層體，且上述附載體銅箔之端面之一部分或全部被上述樹脂覆蓋。
在進而又一態樣中，本發明係一種印刷配線板，其係使用本發明之附載體銅箔製造而成。
在進而又一態樣中，本發明係一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔及絕緣基板； 將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，經過將上述附載體銅箔之載體剝除之步驟而形成覆銅積層體，其後，利用半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中任一種方法而形成電路。
在進而又一態樣中，本發明係一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：在本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式在上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層；在上述樹脂層上形成電路；於在上述樹脂層上形成電路之後，使上述載體剝離；及在使上述載體剝離之後將上述極薄銅層除去，藉此使形成在上述極薄銅層側表面之埋沒在上述樹脂層之電路露出。
在進而又一態樣中，本發明係一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：將本發明之附載體銅箔自上述載體側積層在樹脂基板；在上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式在上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層；在上述樹脂層上形成電路；於在上述樹脂層上形成電路之後，使上述載體剝離；及 在使上述載體剝離之後將上述極薄銅層除去，藉此使形成在上述極薄銅層側表面之埋沒在上述樹脂層之電路露出。
在進而又一態樣中，本發明係一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：將本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板積層；在上述附載體銅箔之與和樹脂基板積層之側為相反側之極薄銅層側表面或上述載體側表面，設置樹脂層與電路這2層至少一次；及在形成上述樹脂層及電路這2層之後，使上述載體或上述極薄銅層自上述附載體銅箔剝離。
在進而又一態樣中，本發明係一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：將本發明之附載體銅箔之上述載體側表面與樹脂基板積層；在上述附載體銅箔之極薄銅層側表面，設置樹脂層與電路這2層至少一次，上述附載體銅箔之極薄銅層側表面與和樹脂基板積層之側為相反側；及在形成上述樹脂層及電路這2層之後，使上述載體自上述附載體銅箔剝離。
在進而又一態樣中，本發明係一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：在本發明之積層體之任一方或兩方之面，設置樹脂層與電路這2層至少一次；及 在形成上述樹脂層及電路這2層之後，使上述載體或上述極薄銅層從構成上述積層體之附載體銅箔剝離。
根據本發明，可提供一種附載體銅箔，其在藉由將附載體銅箔積層在樹脂基板上而製作成之積層體中，可將極薄銅層自載體良好地剝離。
圖1係利用埋入．增層法而形成之積層體之剖面示意圖。
圖2A~C係使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例之直到電路鍍敷．阻劑除去為止之步驟中之配線板剖面之示意圖。
圖3D~F係使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例之從樹脂及第2層附載體銅箔積層到雷射開孔為止之步驟中之配線板剖面之示意圖。
圖4G~I係使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例之從填孔形成到第1層之載體剝離為止之步驟中之配線板剖面之示意圖。
圖5J~K係使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例之從快速蝕刻到凸塊．銅柱形成為止之步驟中之配線板剖面之示意圖。
<附載體銅箔>
本發明之附載體銅箔依序具有載體、中間層、及極薄銅層。附載體銅箔本身之使用方法為業者所周知，例如，將極薄銅層之表面貼合於紙基材 酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布與紙之複合基材環氧樹脂、玻璃布與玻璃不織布之複合基材環氧樹脂、及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板，在熱壓接後將載體剝除，並將接著於絕緣基板之極薄銅層蝕刻成作為目標之導體圖案，最後可製造出積層體(覆銅積層體等)、或印刷配線板等。
<載體>
可用於本發明之載體典型為金屬箔或樹脂膜，例如以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜、聚醯亞胺膜、LCD膜之形態提供。
可用於本發明之載體典型為以壓延銅箔或電解銅箔之形態提供。一般來講，電解銅箔係從硫酸銅鍍浴中將銅電解析出在鈦或不銹鋼之滾筒上而製造，壓延銅箔係重複進行利用壓延輥之塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔之材料，除精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)等高純度之銅以外，亦可使用例如添加有Sn之銅、添加有Ag之銅、添加有Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加有Ni及Si等之卡遜系銅合金之類之銅合金。就導電率較高之方面而言，載體較佳為電解銅箔或壓延銅箔，進而自製造成本較低及更易於控制載體側表面之粗糙度之方面而言，載體更佳為電解銅箔。而且，當在本說明書中單獨使用詞語“銅箔”時，亦包括銅合金箔。
可用於本發明之載體之厚度亦無特別限制，只要適當調節為在發揮作為載體之作用上合適之厚度即可，例如可設定為12μm以上。然而，若過厚，則生產成本變高，因此一般來講，較佳為設定為35μm以下。 因此，載體之厚度典型為12~300μm，更典型為12~150μm，進而典型為12~70μm，更典型為18~35μm。
<載體表面之粗糙度>
於一面在附載體銅箔之載體側表面設置樹脂基板並予以支撐，一面在極薄銅層側一次以上設置電路及電路埋入用等之樹脂層而形成積層體之增層法等中，載體之與極薄銅層為相反側之表面之粗糙度會對該積層體之極薄銅層與載體之剝離強度造成影響。其理由被認為是例如若載體之與極薄銅層為相反側之表面之粗糙度大於指定值，則於在該載體隔著中間層形成極薄銅層時會對中間層造成一些影響而增大剝離強度。雖然其理由尚不明確，然而存在受如下情況影響之可能性，即，藉由載體之與極薄銅層為相反側之表面之粗糙度大於指定值而會使載體之與極薄銅層為相反側之表面之電流流動之路徑變長，故在該表面難以流動電流，因此，在載體之極薄銅層側表面，即在中間層、極薄銅層相較於以往更易於較多地流通電流。另外，在附載體銅箔之製作過程中，即便載體之與極薄銅層為相反側之表面之粗糙度較小，當在形成附載體銅箔之後，例如為了使上述附載體銅箔與樹脂基板良好地接著而對載體之與極薄銅層為相反側之表面實施粗糙化處理直到粗糙度大於指定值為止時，剝離強度亦同樣會變大。其原因被認為係在該粗糙化處理步驟中，在中間層流動與形成極薄銅層時之電流之方向相反之方向之電流(逆電流)。
就此觀點而言，在本發明之附載體銅箔中，當依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對載體之與極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz被控制在6.0μm以下。若載體之與極 薄銅層為相反側之表面之十點平均粗糙度Rz為6.0μm以下，則可抑制極薄銅層自載體之剝離強度，從而使極薄銅層自載體良好地剝離。Rz較佳為5.0μm以下，更佳為4.0μm以下，更佳為3.5μm以下。然而，若Rz過小，則與樹脂基板之密接力降低，因此較佳為0.9μm以上，較佳為1.0μm以上，較佳為1.1μm以上，更佳為1.5μm以上，進而更佳為2.0μm以上。
另外，本發明之附載體銅箔在另一實施方式中，當依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對載體之與極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra被控制在1.0μm以下。若載體之與極薄銅層為相反側之表面之算術平均粗糙度Ra為1.0μm以下，則可抑制極薄銅層自載體之剝離強度，從而使極薄銅層自載體良好地剝離。Ra較佳為0.8μm以下，更佳為0.7μm以下，更佳為0.6μm以下。然而，若Ra過小，則與樹脂基板之密接力降低，因此較佳為0.12μm以上，較佳為0.15μm以上，更佳為0.2μm以上，更佳為0.22μm以上，進而更佳為0.3μm以上。
另外，在本發明之附載體銅箔之進而又一實施方式中，當依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對載體之與極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt被控制在7.0μm以下。若載體之與極薄銅層為相反側之表面之最大剖面高度Rt為7.0μm以下，則可抑制極薄銅層自載體之剝離強度，從而使極薄銅層自載體良好地剝離。Rt較佳為6.0μm以下，更佳為5.0μm以下，更佳為4.0μm以下。然而，若Rt過小，則與樹脂基板之密接力降低，因此較佳為1.1μm以上， 較佳為1.2μm以上，較佳為1.3μm以上，更佳為1.5μm以上，進而更佳為2.0μm以上。
而且，在本發明中，上述載體之與極薄銅層為相反側之表面之粗糙度(Rz、Ra、Rt)在形成有下述粗糙化處理層時表示該粗糙化處理層表面之粗糙度，於在該粗糙化處理層表面進而形成有下述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及/或矽烷偶合處理層時表示該等中最表層之表面之粗糙度。另外，於在載體未形成粗糙化處理層而直接形成有耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及/或矽烷偶合處理層時，亦表示該等中最表層之表面之粗糙度。
<中間層>
在載體上設置中間層。亦可在載體與中間層之間設置其他層。本發明中所使用之中間層只要為如下構成則無特別限定，即，在附載體銅箔向絕緣基板上積層之步驟之前，極薄銅層難以自載體剝離，另一方面，在附載體銅箔向絕緣基板上積層之步驟之後，極薄銅層可自載體剝離。例如，本發明之附載體銅箔之中間層亦可含有選自如下群之一種或兩種以上，上述群係由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、該等之合金、該等之水合物、該等之氧化物及有機物所構成。另外，中間層亦可為多層。
另外，例如，中間層可藉由如下方式構成，即，自載體側形成單一金屬層或合金層，並在其上形成含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群之一種或兩種以上元素之水合物、氧化物或有機物之層，上述單一金屬層由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群之一種元素所構成，上述合金層由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群之一種或兩種以上 元素所構成。
另外，例如，中間層可藉由如下方式構成，即，自載體側形成由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn元素群中任一種元素所構成之單一金屬層，或者由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn元素群之一種以上元素所構成之合金層、或有機物層，其次利用由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn元素群中任一種元素所構成之單一金屬層、或由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn元素群之一種以上元素所構成之合金層而構成。另外，其他層亦可使用可作為中間層而使用之層構成。
另外，例如，中間層可藉由在載體上依序積層有鎳層、鎳-磷合金層或鎳-鈷合金層、含鉻層而構成。鎳與銅之接著力高於鉻與銅之接著力，因此在將極薄銅層剝離時，在極薄銅層與鉻之界面進行剝離。另外，對於中間層之鎳期待防止銅成分自載體向極薄銅層擴散之障壁效果。中間層之鎳之附著量較佳為100μg/dm2以上40000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上4000μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上2500μg/dm2以下，更佳為100μg/dm2以上且未達1000μg/dm2，中間層之鉻之附著量較佳為5μg/dm2以上500μg/dm2以下，更佳為5μg/dm2以上100μg/dm2以下。
含鉻層既可為鍍鉻層，亦可為鍍鉻合金層，進而可為鉻酸鹽處理層。此處所謂之鉻酸鹽處理層係指利用含有鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽之液體進行處理之層。鉻酸鹽處理層亦可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態)。作為鉻酸鹽處理層之具體例，可列 舉利用鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液進行了處理之鉻酸鹽處理層、或利用含有鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅之處理液進行處理之鉻酸鹽處理層等。
本發明之附載體銅箔之中間層係在載體上依序積層鎳層或含有鎳之合金層、以及包含含氮有機化合物、含硫有機化合物及羧酸中任一種化學物之有機物層而構成，中間層之鎳之附著量亦可為100~40000μg/dm2。
另外，例如，作為中間層所含有之有機物，較佳為使用由選自含氮有機化合物、含硫有機化合物及羧酸中之一種或兩種以上所構成化學物之有機物。在含氮有機化合物、含硫有機化合物及羧酸中，含氮有機化合物包括具有取代基之含氮有機化合物。作為具體之含氮有機化合物，較佳為使用具有取代基之三唑化合物，例如1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-雙(甲基苯并三唑)脲、1H-1,2,4-三唑及3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。
含硫有機化合物較佳為使用巰基苯并噻唑、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。
作為羧酸，尤佳為使用單羧酸，其中，較佳為使用油酸、亞麻油酸及次亞麻油酸等。
上述有機物較佳為具有8nm以上80nm以下之厚度，更佳為具有30nm以上70nm以下之厚度。中間層亦可包含多種(一種以上)上述有機物。
另外，有機物之厚度可按照以下方式進行測定。
<中間層之有機物厚度>
在將附載體銅箔之極薄銅層自載體剝離之後，對露出之極薄銅層之中間層側之表面、及露出之載體之中間層側之表面進行XPS測定並製作深度 分佈圖。而且，可將從極薄銅層之中間層側之表面起碳濃度最先變為3at%以下之深度設為A(nm)，將自載體之中間層側之表面起碳濃度最先變為3at%以下之深度設為B(nm)，將A與B之合計作為中間層之有機物之厚度(nm)。
以下表示XPS之運轉條件。
‧裝置：XPS測定裝置(ULVAC-PHI公司，型號5600MC)
‧極限真空：3.8×10-7Pa
‧X射線：單色AlK α或非單色MgK α，X射線功率300W，檢測面積800μm ，試樣與檢測器所成之角度45°
‧離子束：離子種Ar+，加速電壓3kV，掃描面積3mm×3mm，濺鍍速率2.8nm/min(SiO2換算)
以下，一面對中間層所含有之有機物之使用方法進行說明，一面亦對在載體箔上形成中間層之方法進行敘述。在載體上形成中間層係可使上述有機物溶解在溶劑中並使載體浸漬在該溶劑中，或者對想要形成中間層之面使用噴淋、噴霧法、滴液法、電鍍法等而進行，無須採用特定方法。此時溶劑中之有機系劑之濃度在所有上述有機物中，均較佳為濃度0.01g/L~30g/L、液溫20~60℃之範圍。有機物之濃度並無特別限定，原本濃度既可高亦可低。而且，存在如下傾向，即，有機物之濃度越高，且使上述有機物溶解之溶劑與載體之接觸時間越長，則中間層之有機物厚度越大。
另外，例如，中間層可藉由在載體上依序積層鎳及鉬、鈷、或鉬-鈷合金而構成。鎳與銅之接著力高於鉬或鈷與銅之接著力，因此在將 極薄銅層剝離時，在極薄銅層與鉬、鈷、或鉬-鈷合金之界面進行剝離。另外，對於中間層之鎳期待防止銅成分自載體向極薄銅層擴散之障壁效果。
在中間層中，鎳之附著量為100~40000μg/dm2，鉬之附著量為10~1000μg/dm2，鈷之附著量為10~1000μg/dm2。如上所述，在本發明之附載體銅箔中，將極薄銅層從附載體銅箔剝離之後之極薄銅層之表面之Ni量受到控制，但為了如此地控制剝離後之極薄銅層表面之Ni量，較佳為使中間層包含如下金屬種(Co、Mo)，上述金屬種可減少中間層之Ni附著量，並且抑制Ni向極薄銅層側擴散。就此種觀點而言，鎳附著量較佳為設定為100~40000μg/dm2，較佳為設定為200~20000μg/dm2，更佳為設定為300~15000μg/dm2，更佳為設定為300~10000μg/dm2。在中間層含有鉬之情況下，鉬附著量較佳為設定為10~1000μg/dm2，鉬附著量較佳為設定為20~600μg/dm2，更佳為設定為30~400μg/dm2。在中間層含有鈷之情況下，鈷附著量較佳為設定為10~1000μg/dm2，鈷附著量較佳為設定為20~600μg/dm2，更佳為設定為30~400μg/dm2。
而且，如上所述，在中間層係在載體上依序積層鎳及鉬、鈷或鉬-鈷合金而成之情況下，存在如下傾向，即，若降低用來設置鉬、鈷或鉬-鈷合金層之鍍敷處理中之電流密度且減緩載體之搬送速度，則鉬、鈷或鉬-鈷合金層之密度變高。若含有鉬及/或鈷之層之密度變高，則鎳層之鎳變得難以擴散，從而可控制剝離後之極薄銅層表面之Ni量。
而且，中間層可藉由對載體進行如電鍍、無電解鍍敷及浸鍍之濕式鍍敷、或如濺鍍、CVD、PVD之乾式鍍敷而設置。而且，在使用樹脂膜，利用濕式鍍敷在載體上設置中間層之情況下，需要在形成中間層之前，進行 活化處理等用來對載體進行濕式鍍敷之預處理。上述預處理只要為可對樹脂膜進行濕式鍍敷之處理，即可使用任何處理，可使用公知之處理。
<打底鍍敷>
在中間層上設置極薄銅層。在此之前為了減少極薄銅層之空隙，亦可使用銅-磷合金進行打底鍍敷。關於打底鍍敷，可列舉焦磷酸銅鍍液等。
<極薄銅層>
在中間層上設置極薄銅層。而且，亦可在中間層與極薄銅層之間設置其他層。極薄銅層可利用硫酸銅、焦磷酸銅、氨基磺酸銅、氰化銅等電解浴，藉由電鍍而形成，基於可在普通之電解銅箔中使用且可以高電流密度形成銅箔之原因，較佳為硫酸銅浴。極薄銅層之厚度並不特別限制，一般而言，較載體薄，例如為12μm以下。典型為0.05~12μm，更典型為0.1~12μm，為0.5~12μm，更典型為1.5~5μm，更典型為2~5μm。另外，其他層亦可使用可作為中間層而使用之構成之層。
<載體表面、極薄銅層表面之粗糙化處理>
在載體之與極薄銅層側為相反側之表面，亦可為了例如使與樹脂基板之密接性良好等，而藉由實施粗糙化處理設置粗糙化處理層。根據此種構成，在進行將本發明之附載體銅箔自載體側積層於樹脂基板上之處理時，載體與樹脂基板之密接性提高，在印刷配線板之製造步驟中，載體與樹脂基板難以剝離。
另外，在載體之與極薄銅層側為相反側之表面，亦可不形成粗糙化處理層。於在載體之與極薄銅層側為相反側之表面未形成粗糙化處理層之情況下，存在易於控制載體與極薄銅層之剝離強度之優點。
另外，在極薄銅層之表面，亦可為了例如使與絕緣基板之密接性良好等，而藉由實施粗糙化處理來設置粗糙化處理層。
而且，在本發明中，形成有粗糙化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層等表面處理層或者未形成粗糙化處理層之“載體之與極薄銅層為相反側之表面”，只要為關於載體且位於與極薄銅層為相反側之表面則不特別限定，例如，亦可為該載體本身之表面，當在載體之與極薄銅層為相反側形成有表面處理層時，亦可為該表面處理層之任一層之表面(亦包括最表層之表面)。
對上述載體或極薄銅層實施之粗糙化處理可藉由利用例如銅或銅合金形成粗糙化粒子而進行。粗糙化處理亦可較為微細。粗糙化處理層亦可為由單體或合金所構成之層，上述單體係選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所構成之群之任一種單體，上述合金含有任一種以上之上述單體。另外，亦可進行如下粗糙化處理，即，在利用銅或銅合金形成粗糙化粒子之後，進而利用鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等設置二次粒子或三次粒子。另外，粗糙化處理層亦可使用硫酸．硫酸銅電解浴而形成，上述硫酸．硫酸銅電解浴含有選自由硫酸烷基酯鹽、鎢及砷所構成之群之一種以上。該粗糙化處理可在以下電解浴及條件下進行。另外，在粗糙化處理之後，為了防止粗糙化處理粒子之脫落，亦可進行覆蓋鍍敷。
‧粗糙化處理
(液體組成)
Cu：10~30g/L
H2SO4：10~150g/L
W：0~50mg/L
十二烷基硫酸鈉：0~50mg/L
As：0~200mg/L
(電鍍條件)
溫度：30~70℃
電流密度：25~110A/dm2
粗糙化庫侖量：50~500As/dm2
鍍敷時間：0.5~20秒
‧覆蓋鍍敷
(液體組成)
Cu：20~80g/L
H2SO4：50~200g/L
(電鍍條件)
溫度：30~70℃
電流密度：5~50A/dm2
粗糙化庫侖量：50~300As/dm2
鍍敷時間：1~60秒
其後，既可利用鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等形成耐熱層或防銹層，亦可進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。或者，亦可不進行粗糙化處理，而利用鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等形成耐熱層或防銹層，進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。即，既可在粗糙化處理層之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶 合處理層所構成之群之一種以上之層，亦可在載體或極薄銅層之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群之一種以上之層。而且，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層亦可分別由多層(例如2層以上、3層以上等)形成。而且，該等表面處理對載體及極薄銅層之表面粗糙度基本上無影響。
粗糙化處理可藉由利用例如銅或銅合金形成粗糙化粒子而進行。就形成微間距之觀點而言，粗糙化處理層較佳為由微細之粒子構成。關於形成粗糙化粒子時之電鍍條件，存在如下傾向，即，若提高電流密度，降低鍍液中之銅濃度，或者加大庫侖量，則粒子微細化。
<印刷配線板及積層體>
將附載體銅箔例如從極薄銅層側貼附於絕緣樹脂板上，使上述附載體銅箔與上述絕緣樹脂板熱壓接，然後將載體剝除，藉此製作積層體(覆銅積層體等)。另外，其後，可藉由對極薄銅層部分進行蝕刻而形成印刷配線板之銅電路。此處所使用之絕緣樹脂板只要具有可應用於印刷配線板之特性，便不特別地受到限制，例如，在剛性PWB用中，可使用紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布與紙之複合基材環氧樹脂、玻璃布與玻璃不織布之複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等，在FPC中，可使用聚酯膜或聚醯亞胺膜等。以此方式製作成之印刷配線板、積層體可搭載在被要求高密度安裝搭載零件之各種電子零件上。
而且，在本發明中，“印刷配線板”亦包括安裝有零件之印刷配線板、印刷電路板及印刷基板。使用這種印刷配線板，亦可製造電子設備。而且，在本發明中，“銅電路”亦包括銅配線。
另外，附載體銅箔既可在極薄銅層上具備粗糙化處理層，亦可在上述粗糙化處理層上具備選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、及矽烷偶合處理層所構成之群之一種以上之層。
另外，既可在上述極薄銅層上具備粗糙化處理層，且在上述粗糙化處理層上具備耐熱層、防銹層，亦可在上述耐熱層、防銹層上具備鉻酸鹽處理層，進而可在上述鉻酸鹽處理層上具備矽烷偶合處理層。
另外，上述附載體銅箔亦可在上述極薄銅層上、上述粗糙化處理層上、或者上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、或矽烷偶合處理層上具備樹脂層。
上述樹脂層既可為接著劑，亦可為接著用之半硬化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。所謂之半硬化狀態(B階段狀態)包括如下狀態，即，即便用手指觸摸其表面亦沒有黏著感，可使該絕緣樹脂層重疊而加以保管，進而若受到加熱處理，則會發生硬化反應。
而且，上述樹脂層既可包含熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。另外，上述樹脂層亦可包含熱塑性樹脂。上述樹脂層可包含公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。另外，上述樹脂層亦可使用例如國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225 號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號中所記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成。
另外，上述樹脂層之種類並無特別限定，作為較佳之樹脂可列舉例如包含選自如下群之一種以上之樹脂，上述群係由環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、聚馬來醯亞胺化合物、馬來醯亞胺系樹脂、芳香族馬來醯亞胺樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、胺酯樹脂(urethane resin)、聚醚碸(polyethersulphone)、聚醚碸(polyethersulphone)樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改性環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙馬來醯亞胺三嗪樹 脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、羧酸酐、多元羧酸酐、具有可交聯之官能團之線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷、含磷之酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-縮水苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠改性聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化聚丁二烯、聚乙烯醇縮丁醛、苯氧、聚合物環氧、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚物聚醯亞胺樹脂及氰酯樹脂所構成。
另外，上述環氧樹脂係在分子內具有2個以上環氧基之環氧樹脂，只要可用在電氣．電子材料用途，便可毫無問題地進行使用。另外，上述環氧樹脂較佳為使用在分子內具有2個以上環氧丙基之化合物進行環氧化而獲得之環氧樹脂。另外，可將選自如下群之一種或兩種以上成分混合而使用，或者可使用上述環氧樹脂之氫化體或鹵化體，上述群係由雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、酚系酚醛型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、環氧丙胺型環氧樹脂、三環氧丙基異氰尿酸酯、N,N-二環氧丙基等環氧丙胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二環氧丙基酯等環氧丙酯化合物、含磷之環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基型環氧樹脂所構成。
作為上述含磷之環氧樹脂，可使用公知之含有磷之環氧樹脂。另外，上述含磷之環氧樹脂較佳為例如在分子內具備2個以上環氧基之、作為來 自9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物之衍生物而獲得之環氧樹脂。
(樹脂層包含介電體(介電體填料)之情況)
上述樹脂層亦可包含介電體(介電體填料)。
在使上述任一樹脂層或樹脂組成物包含介電體(介電體填料)之情況下，可用來形成電容層，而使電容電路之電容增大。該介電體(介電體填料)可使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3．PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦結構之複合氧化物之介電體粉末。
將上述樹脂層中所包含之樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解在例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基溶纖劑、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑中而形成樹脂液(樹脂清漆)，利用例如輥式塗布法等將上述樹脂液塗布在上述附載體銅箔之極薄銅層側之表面，繼而視需要進行加熱乾燥而將溶劑除去，從而形成B階段狀態。在乾燥中只要使用例如熱風乾燥爐即可，乾燥溫度只要為100~250℃，較佳為130~200℃即可。亦可使用溶劑將上述樹脂層之組成物溶解而形成樹脂固形物成分為3wt%~70wt%、較佳為3wt%~60wt%、較佳為10wt%~40wt%、更佳為25wt%~40wt%之樹脂液。另外，就環保角度而言，目前最佳為使用甲基乙基酮與環戊酮之混合溶劑進行溶解。而且，作為溶劑較佳為使用沸點處於50℃~200℃範圍內之溶劑。
另外，上述樹脂層較佳為依據MIL標準中之MIL-P-13949G進行測定時 之樹脂溢流量處於5%~35%範圍內之半硬化樹脂膜。
在本發明之說明書中，所謂之樹脂溢流量係從如下般測定樹脂流出重量所獲得之結果，基於下述式進行計算而得到之值，即依據MIL標準中之MIL-P-13949G，從使樹脂厚度為55μm之附樹脂表面處理銅箔取樣4片10cm見方試樣，將該4片試樣以重疊之狀態(積層體)在壓製溫度171℃、壓製壓力14kgf/cm2、壓製時間10分鐘之條件下進行貼合，測定此時之樹脂流出重量。
具備上述樹脂層之表面處理銅箔(附樹脂表面處理銅箔)係以如下樣態使用，即，在使該樹脂層與基材重疊之後對整體進行熱壓接而使該樹脂層熱硬化，其後在表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情況下，將載體剝離，使極薄銅層露出(當然露出者係該極薄銅層之中間層側之表面)，從表面處理銅箔之與經過粗糙化處理之側為相反側之表面形成指定之配線圖案。
若使用該附樹脂表面處理銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時所使用之預浸體材之片數。而且，可使樹脂層之厚度為足以確保層間絕緣之厚度，即便完全不使用預浸體材亦可製造覆銅積層體。而且，此時，亦可在基材之表面底層塗布絕緣樹脂，進而改善表面之平滑性。
而且，在不使用預浸體材之情況下，存在如下優點，即，節約預浸體材之材料成本，且使積層步驟亦變得簡略，因此在經濟上較為有利，而且，按照預浸體材之厚度而製造之多層印刷配線基板之厚度變薄， 可製造出一層之厚度為100μm以下之極薄之多層印刷配線基板。
該樹脂層之厚度較佳為0.1~500μm，更佳為0.1~300μm，更佳為0.1~200μm，更佳為0.1~120μm。
若樹脂層之厚度較0.1μm薄，則存在如下情況，即，接著力降低，當不隔著預浸體材而將該附樹脂附載體銅箔積層在具備內層材之基材上時，難以確保與內層材之電路之間之層間絕緣。另一方面，若使樹脂層之厚度較120μm厚，則存在如下情況，即，難以藉由一次塗布步驟便形成目標厚度之樹脂層，而耗費多餘之材料費與步驟數，因此在經濟上變得不利。
另外，在使用具有樹脂層之附載體銅箔來製造極薄之多層印刷配線板之情況下，基於可縮小多層印刷配線板之厚度之理由，將上述樹脂層之厚度設定為0.1μm~5μm，更佳設定為0.5μm~5μm，更佳設定為1μm~5μm。
而且，在將上述樹脂層之厚度設定為0.1μm~5μm之情況下，為了提高樹脂層與附載體銅箔之密接性，較佳為於在極薄銅層上設置耐熱層及/或防銹層及/或鉻酸鹽處理層及/或矽烷偶合處理層之後，在該耐熱層、或防銹層、或鉻酸鹽處理層、或矽烷偶合處理層上形成樹脂層。
而且，上述樹脂層之厚度係指在任意10點藉由剖面觀察測定出之厚度之平均值。
進而，作為該附樹脂之附載體銅箔之另一種產品形態，亦可在上述極薄銅層上，或在上述粗糙化處理層、上述耐熱層、上述防銹層、或上述鉻酸鹽處理層、或上述矽烷偶合處理層上利用樹脂層而進行覆蓋， 在形成為半硬化狀態之後，繼而將載體剝離，從而以不存在載體之附樹脂銅箔之形式進行製造。
<印刷配線板之製造方法>
在本發明之印刷配線板之製造方法之一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；以及在以極薄銅層側與絕緣基板對向之方式將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔之載體剝除，經過該步驟而形成覆銅積層體，其後，利用半加成法、改良型半加成法、部分加成法及減成法中之任一種方法而形成電路。絕緣基板亦可設定為包含內層電路之基板。
在本發明中，所謂之半加成法係指如下方法，即，在絕緣基板或銅箔晶種層上進行較薄之無電解鍍敷，在形成圖案之後，使用電鍍及蝕刻形成導體圖案。
從而，在使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔之載體剝除；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝除上述載體而露出之極薄銅層全部除去；在藉由蝕刻將上述極薄銅層除去而露出之上述樹脂上設置通孔或/及盲孔； 對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；在包含上述樹脂及上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；在上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後將形成有電路之區域之鍍敷阻劑除去；在已除去上述鍍敷阻劑且形成有上述電路之區域設置電解鍍敷層；將上述鍍敷阻劑除去；及藉由快速蝕刻等將位於形成有上述電路之區域以外之區域之無電解鍍敷層除去。
在使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔之載體剝除；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝除上述載體而露出之極薄銅層全部除去；在藉由蝕刻將上述極薄銅層除去而露出之上述樹脂之表面設置無電解鍍敷層；在上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後將形成有電路之區域之鍍敷阻劑除去；在已除去上述鍍敷阻劑且形成有上述電路之區域設置電解鍍敷層；將上述鍍敷阻劑除去；及 藉由快速蝕刻等，將位於形成有上述電路之區域以外之區域之無電解鍍敷層及極薄銅層除去。
在本發明中，所謂之改良型半加成法係指如下方法，即，在絕緣層上積層金屬箔，利用鍍敷阻劑來保護非電路形成部，在利用電解鍍敷在電路形成部鍍上厚銅之後，將阻劑除去，利用(快速)蝕刻將上述電路形成部以外之金屬箔除去，藉此在絕緣層上形成電路。
從而，在使用改良型半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔之載體剝除；在將上述載體剝除而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；在包含上述通孔或/及盲孔之區域，設置無電解鍍敷層；在將上述載體剝除而露出之極薄銅層表面設置鍍敷阻劑；在設置上述鍍敷阻劑之後，藉由電解鍍敷而形成電路；將上述鍍敷阻劑除去；及藉由快速蝕刻將除去上述鍍敷阻劑而露出之極薄銅層除去。
在使用改良型半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施方式中，包括如下步驟： 準備本發明之附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔之載體剝除；在將上述載體剝除而露出之極薄銅層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後將形成有電路之區域之鍍敷阻劑除去；在已除去上述鍍敷阻劑且形成有上述電路之區域設置電解鍍敷層；將上述鍍敷阻劑除去；及藉由快速蝕刻等，將位於形成有上述電路之區域以外之區域之無電解鍍敷層及極薄銅層除去。
在本發明中，所謂之部分加成法係指如下方法，即，在設置有導體層而形成之基板、根據需要穿設有通孔或導通孔用之孔而形成之基板上賦予催化劑核，進行蝕刻而形成導體電路，在根據需要設置阻焊劑層或鍍敷阻劑之後，在上述導體電路上、通孔或導通孔等，藉由無電解鍍敷處理進行加厚，藉此製造印刷配線板。
從而，在使用部分加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔之載體剝除；在將上述載體剝除而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲 孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對包含上述通孔或/及盲孔之區域賦予催化劑核；在將上述載體剝除而露出之極薄銅層表面設置抗蝕劑；對上述抗蝕劑進行曝光而形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將上述極薄銅層及上述催化劑核除去而形成電路；將上述抗蝕劑除去；在藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將上述極薄銅層及上述催化劑核除去而露出之上述絕緣基板表面設置阻焊劑層或鍍敷阻劑；及在未設置上述阻焊劑層或鍍敷阻劑之區域設置無電解鍍敷層。
在本發明中，所謂之減成法係指如下方法，即，藉由蝕刻等選擇性地將覆銅積層體上之銅箔之無用部分除去而形成導體圖案。
從而，在使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔之載體剝除；在將上述載體剝除而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理； 在包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；在上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層；在上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置抗蝕劑；對上述抗蝕劑進行曝光而形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層及上述電解鍍敷層除去而形成電路；及將上述抗蝕劑除去。
在使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明之附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔之載體剝除；在將上述載體剝除而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；在包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層；在上述無電解鍍敷層之表面形成掩膜；在未形成掩膜之上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層；在上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置抗蝕劑；對上述抗蝕劑進行曝光，而形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將上述極薄銅層及上述 無電解鍍敷層除去而形成電路；及將上述抗蝕劑除去。
亦可不進行設置通孔或/及盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟。
此處，使用圖式詳細地對使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例進行說明。
首先，如圖2-A所示，準備具有表面形成有粗糙化處理層之極薄銅層之附載體銅箔(第1層)。
其次，如圖2-B所示，在極薄銅層之粗糙化處理層上塗布阻劑，進行曝光與顯影而將阻劑蝕刻為指定之形狀。
其次，如圖2-C所示，在形成電路用之鍍敷之後，將阻劑除去，藉此形成指定形狀之電路鍍敷層。
其次，如圖3-D所示，以覆蓋電路鍍敷層之方式(以埋沒電路鍍敷層之方式)在極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，繼而使其他附載體銅箔(第2層)從極薄銅層側接著。
其次，如圖3-E所示，將載體從第2層附載體銅箔剝除。
其次，如圖3-F所示，在樹脂層之指定位置進行雷射開孔，使電路鍍敷層露出而形成盲孔。
其次，如圖4-G所示，在盲孔中埋入銅而形成填孔。
其次，如圖4-H所示，在填孔上，如上述圖2-B及圖2-C所示形成電路鍍敷層。
其次，如圖4-I所示，將載體從第1層附載體銅箔剝除。
其次，如圖5-J所示，藉由快速蝕刻將兩表面之極薄銅層除去，使樹脂層內之電路鍍敷層之表面露出。
其次，如圖5-K所示，在樹脂層內之電路鍍敷層上形成凸塊，在該焊料上形成銅柱。以此方式製作使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板。
上述其他附載體銅箔(第2層)既可使用本發明之附載體銅箔，亦可使用以往之附載體銅箔，進而亦可使用常用之銅箔。另外，在圖4-H所示之第2層電路上，亦可進而形成一層或者多層電路，亦可利用半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中之任一種方法進行該等電路形成。
另外，上述用作第1層之附載體銅箔亦可在該附載體銅箔之載體側表面具有基板。藉由具有該基板或樹脂層而具有如下優點，即，用作第1層之附載體銅箔得到支撐，難以出現褶皺，因此生產性提高。而且，上述基板只要具有支撐用作上述第1層之附載體銅箔之效果，便可使用任何基板。例如可使用作為上述基板而記載在本申請之說明書中之載體、預浸體、樹脂層或公知之載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔。
在載體側表面形成基板之時機並不特別限制，但必須在將載體剝離之前形成。尤佳為在於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層之步驟之前形成，更佳為於在附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路之步驟之前形成。
本發明之附載體銅箔較佳為以將極薄銅層表面之白色板(在光源設定為D65，且視角設定為10度時，該白色板之X10Y10Z10表色系統(JIS Z8701 1999)之三刺激值為X10=80.7，Y10=85.6，Z10=91.5，L*a*b*表色系統中之該白色板之物體顏色為L*=94.14，a*=-0.90，b*=0.24)之物體顏色設定為基準顏色之情況下之色差且基於JIS Z8730之色差△E*ab滿足45以上之方式得到控制。上述色差△E*ab較佳為50以上，更佳為55以上，進而更佳為60以上。若上述極薄銅層表面之基於JIS Z8730之色差△E*ab為45以上，則例如當在附載體銅箔之極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路之對比度變得鮮明，其結果，視認性變得良好，可精度良好地進行電路之位置對準。在本發明中，所謂之“極薄銅層表面之色差”表示極薄銅層之表面之色差，在設置有粗糙化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層等各種表面處理層之情況下，表示該表面處理層表面(最表面)之色差。
此處，使用下述式表示上述色差△E*ab。此處，下述式中之色差△L、△a、△b分別係利用色差計而測定、加入黑/白/紅/綠/黃/藍、使用基於JIS Z8730(2009)之L*a*b*表色系統而表示之綜合指標，按照△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍之形式進行表示。該色差(△L、△a、△b)可使用例如HunterLab公司製造之色差計MiniScan XE Plus而進行測定。另外，色差△L、△a、△b分別為以上述白色板之物體顏色為基準顏色之情況下之、極薄銅層表面之基於JIS Z8730(2009)之色差，△L係JIS Z8729(2004)所規定之L*a*b*表色系統中兩個物體顏色之CIE明度L*之差，△a、△b係JISZ8729(2004)所規定之L*a*b*表色系統中兩個物體顏色之顏色座標a*或b*之差。
上述色差可藉由如下方式進行調整，即，提高形成極薄銅層時之電流密度，降低鍍液中之銅濃度，提高鍍液之線流速。
而且，上述色差亦可藉由如下方式進行調整，即，對極薄銅層之表面實施粗糙化處理而設置粗糙化處理層。在設置粗糙化處理層之情況下，可藉由如下方式進行調整，即，使用含有銅及選自由鎳、鈷、鎢、鉬所構成之群之一種以上元素之電解液，使電流密度較以往高(例如為40~60A/dm2)，縮短處理時間(例如為0.1~1.3秒)。於在極薄銅層之表面未設置粗糙化處理層之情況下，可藉由如下方式而達成，即，使用Ni之濃度為其他元素之2倍以上之鍍浴，以較以往低之電流密度(0.1~1.3A/dm2)，且使處理時間變長(20秒~40秒)，在極薄銅層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層之表面，設定鍍Ni合金(例如鍍Ni-W合金、鍍Ni-Co-P合金、鍍Ni-Zn合金)而進行處理。
而且，埋入樹脂(resin)可使用公知之樹脂、預浸體。例如，可使用BT(雙馬來醯亞胺三嗪)樹脂或為含浸有BT樹脂之玻璃布之預浸體、Ajinomoto Fine-Techno.Co.Inc.公司製造之ABF膜或ABF。另外，上述埋入樹脂(resin)可使用本說明書中所記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
另外，本發明之印刷配線板之製造方法亦可為包括如下步驟之印刷配線板之製造方法(空心方法)：將本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板積層；在與上述樹脂基板積層之極薄銅層側表面或上述載體側表面為相反側之附載體銅箔之表面，設置樹 脂層與電路這2層至少一次；及在形成上述樹脂層與電路這2層之後，使上述載體或上述極薄銅層自上述附載體銅箔剝離。關於該空心方法，作為具體之例子，首先，將本發明之附載體銅箔之極薄銅層側表面或載體側表面與樹脂基板積層而製造積層體。其後，在與樹脂基板積層之極薄銅層側表面或上述載體側表面為相反側之附載體銅箔之表面形成樹脂層。在形成於載體側表面或極薄銅層側表面之樹脂層上，亦可進而自載體側或極薄銅層側積層其他附載體銅箔。另外，亦可將具有如下構成之積層體用在上述印刷配線板之製造方法(空心方法)中，上述構成係以樹脂基板為中心，在該樹脂基板之兩表面側，按照載體/中間層/極薄銅層之順序或極薄銅層/中間層/載體之順序積層有附載體銅箔；或者按照“載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/極薄銅層/中間層/載體”之順序進行積層。而且，亦可在該積層體之兩端之極薄銅層或載體之露出之表面設置其他樹脂層，進而設置銅層或金屬層，然後對該銅層或金屬層進行加工，藉此形成電路。進而，亦可在該電路上，以將該電路埋入之方式設置其他樹脂層。另外，亦可進行一次以上這種電路及樹脂層之形成(增層法)。而且，對於以此方式形成之積層體(以下，亦稱為積層體B)，可使各附載體銅箔之極薄銅層或載體自載體或極薄銅層剝離而製作空心基板。而且，上述空心基板之製作亦可使用2個附載體銅箔，製作具有下述極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層之構成之積層體、具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體之構成之積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層之構成之積層體，並將該積層體作為中心而使用。可在該等積層體(以下，亦稱為積層體A)之兩側之極薄銅層或載體之表面，一次以上設置樹脂層及電路這2 層，在一次以上設置樹脂層及電路這2層之後，使各附載體銅箔之極薄銅層或載體自載體或極薄銅層剝離而製作空心基板。上述積層體亦可在極薄銅層之表面、載體之表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。其他層亦可為樹脂層或樹脂基板。而且，在本說明書中。“極薄銅層之表面”、“極薄銅層側表面”、“極薄銅層表面”、“載體之表面”、“載體側表面”、“載體表面”、“積層體之表面”、“積層體表面”為如下概念，即，在極薄銅層、載體、積層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層之情況下，包括其他層之表面(最表面)。另外，積層體較佳為具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層之構成。其原因在於：在使用該積層體製作空心基板時，在空心基板側配置極薄銅層，因此使用改良型半加成法，易於在空心基板上形成電路。另外，其原因在於：極薄銅層之厚度較薄，因此易於除去該極薄銅層，在將極薄銅層除去後，使用半加成法，易於在空心基板上形成電路。
而且，在本說明書中，未特別記載為“積層體A”或“積層體B”之“積層體”表示至少包含積層體A及積層體B之積層體。
而且，在上述空心基板之製造方法中，藉由利用樹脂覆蓋附載體銅箔或積層體(積層體A)之端面之一部分或全部，在利用增層方法製造印刷配線板時，可防止化學液向中間層或構成積層體之一附載體銅箔與另一附載體銅箔之間浸染，從而可防止因化學液浸染而導致之極薄銅層與載體之分離及附載體銅箔之腐蝕，可提高良率。作為此處所使用之“覆蓋附載體銅箔之端面之一部分或全部之樹脂”或“覆蓋積層體之端面之一 部分或全部之樹脂”，可使用可在樹脂層中使用之樹脂。另外，在上述空心基板之製造方法中，亦可為在俯視附載體銅箔或積層體時附載體銅箔或積層體之積層部分(載體與極薄銅層之積層部分，或一附載體銅箔與另一附載體銅箔之積層部分)之外周之至少一部分利用樹脂或預浸體而覆蓋。另外，利用上述空心基板之製造方法而形成之積層體(積層體A)亦可為使一對附載體銅箔可彼此分離地接觸而構成。另外，亦可為在俯視該附載體銅箔時附載體銅箔或積層體之積層部分(載體與極薄銅層之積層部分，或一附載體銅箔與另一附載體銅箔之積層部分)之外周之整體利用樹脂或預浸體而覆蓋。藉由設定為此種構成，在俯視附載體銅箔或積層體時，附載體銅箔或積層體之積層部分利用樹脂或預浸體而覆蓋，防止其他構件從該部分之側方，即相對於積層方向從橫向方向，碰撞上述附載體銅箔或積層體之積層部分，作為結果，可減少操作中之載體與極薄銅層或附載體銅箔彼此之剝離。另外，藉由以不露出附載體銅箔或積層體之積層部分之外周之方式利用樹脂或預浸體進行覆蓋，可防止如上所述之、在化學液處理步驟中化學液向該積層部分之界面之浸入，從而防止附載體銅箔之腐蝕及侵蝕。而且，在將一附載體銅箔從積層體之一對附載體銅箔分離時，或將附載體銅箔之載體與銅箔(極薄銅層)分離時，需要藉由切斷等將利用樹脂或預浸體而覆蓋之附載體銅箔或積層體之積層部分(載體與極薄銅層之積層部分，或一附載體銅箔與另一附載體銅箔之積層部分)除去。
亦可將本發明之附載體銅箔自載體側或極薄銅層側，積層在另一本發明之附載體銅箔之載體側或極薄銅層側而構成積層體。另外，亦可為以如下方式獲得之積層體，即，上述一附載體銅箔之上述載體側表面 或上述極薄銅層側表面與上述另一附載體銅箔之上述載體側表面或上述極薄銅層側表面根據需要，經由接著劑直接積層。另外，上述一附載體銅箔之載體或極薄銅層與上述另一附載體銅箔之載體或極薄銅層亦可接合。此處，該“接合”亦包括如下態樣，即，在載體或極薄銅層具有表面處理層之情況下，經由該表面處理層而相互接合。另外，該積層體之端面之一部分或全部亦可利用樹脂而覆蓋。
載體彼此之積層除簡單地重疊以外，例如可利用以下方法而進行。
(a)冶金接合方法：熔融(弧焊、TIG(鎢惰性氣體)焊接、MIG(金屬惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊、點焊)、壓接(超音波焊接、摩擦攪拌焊接)、釺焊；(b)機械接合方法：斂縫、鉚接(利用自沖鉚釘而接合、利用鉚釘而接合)、縫接(stitcher)；(c)物理接合方法：接著劑、(雙面)膠帶
使用上述接合方法，將一載體之一部分或全部與另一載體之一部分或全部接合，藉此將一載體與另一載體積層，可製造使載體可彼此分離地接觸而構成之積層體。在使一載體與另一載體不牢固地接合而積層一載體與另一載體之情況下，即便不將一載體與另一載體之接合部除去，一載體與另一載體亦可分離。另外，在使一載體與另一載體牢固接合之情況下，可利用切斷或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等，將一載體與另一載體接合之部位除去，藉此將一載體與另一載體分離。
另外，可藉由實施如下步驟而製作印刷配線板，步驟一：在 以此方式構成之積層體上設置樹脂層與電路這2層至少一次；步驟二：在至少形成一次上述樹脂層及電路這2層之後，使上述極薄銅層或載體自上述積層體之附載體銅箔剝離。而且，亦可在該積層體之一個或兩個表面設置樹脂層與電路這2層。
上述積層體中所使用之樹脂基板、樹脂層、樹脂、預浸體既可為本說明書中所記載之樹脂層，亦可包含本說明書中所記載之樹脂層所使用之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。而且，附載體銅箔亦可在俯視時較樹脂基板、樹脂層、樹脂或預浸體小。
[實施例]
以下，藉由本發明之實施例進而詳細地對本發明進行說明，本發明絲毫不受該等實施例所限定。
1.附載體銅箔之製造
作為實施例1~23及比較例1，藉由以下之方法將厚度為12~70μm之電解銅箔或壓延銅箔(精銅箔JIS H3100合金編號：C1100)作為載體，並在該載體上依序形成中間層及極薄銅層而獲得厚度為1~5μm之附載體銅箔。
而且，藉由對壓延時所使用之壓延輥之表面粗糙度進行控制，可控制壓延銅箔之表面粗糙度。藉由加大壓延時所使用之壓延輥之表面粗糙度，可使壓延銅箔之表面粗糙度增大。另外，藉由減小壓延時所使用之壓延輥之表面粗糙度，可使壓延銅箔之表面粗糙度減小。壓延輥之表面粗糙度可設定為例如Ra=0.1μm以上2.0μm以下。
另外，藉由對製造電解銅箔時所使用之電解輥之表面粗糙度進行控制，可控制電解銅箔之光亮面(光澤面)之表面粗糙度。藉由加大電解輥之表面粗糙度，可使電解銅箔之光亮面(光澤面)之表面粗糙度增大。另外，藉由減小電解輥之表面粗糙度，可使電解銅箔之光亮面(光澤面)之表面粗糙度減小。電解輥之粗糙度可設定為例如Rz=1.0μm以上6.0μm以下。
另外，藉由對製造電解銅箔時之電解液之銅濃度、電流密度、電解液溫度進行控制，可控制電解銅箔之無光澤面(析出面)之表面粗糙度。藉由降低製造電解銅箔時之電解液之銅濃度，提高電流密度，降低電解液溫度，可使電解銅箔之無光澤面(析出面)之表面粗糙度增大。另外，藉由提高製造電解銅箔時之電解液之銅濃度，降低電流密度，提高電解液溫度，可使電解銅箔之無光澤面(析出面)之表面粗糙度減小。例如，可將製造電解銅箔時之電解液之銅濃度設定為50~130g/L、電流密度設定為50~120A/dm2、電解液溫度設定為40~90℃。而且，使用硫酸及硫酸銅之水溶液，作為製造電解銅箔時之電解液。另外，在想要使電解銅箔之無光澤面(析出面)之表面粗糙度更小之情況下(例如Rz為1.5μm以下或Rz=1.0~1.5μm)，可在電解液中添加光澤劑。光澤劑可使用公知之光澤劑。另外，在實施例6中，添加Cl-：20~50質量ppm、聚乙二醇：10~100質量ppm、雙(3-磺丙基)二硫化物：10~30質量ppm、硫脲：10~50質量ppm，作為光澤劑。另外，在實施例23中，添加Cl-：30~80質量ppm、雙(3-磺丙基)二硫化物：10~50質量ppm、硫脲：10~50質量ppm，作為光澤劑。添加有下述結構式所示之胺化合物：10~50ppm。(R1及R2選自由羥烷基、醚基、 芳香族基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所構成之一個群)。
‧中間層形成
如表之“中間層”欄中所記載，在載體上形成有中間層。該處理條件如下所示。另外，例如“Ni/有機物”係指在進行鍍鎳處理之後，再進行有機物處理。
在以下條件下，在輥對輥型之連續鍍敷作業線上，對上述電解銅箔之光澤面(光亮面)或壓延銅箔設置中間層。
(1)“Ni”：Ni處理(鍍Ni)
液體組成：硫酸鎳濃度為200~300g/L，檸檬酸三鈉濃度為2~10g/L
pH值：2~4
液溫：40~70℃
電流密度：1~15A/dm2
Ni附著量：8000μg/dm2
而且，只要未特別地明確說明，則用於本發明中所使用之電解、表面處理或鍍敷等之處理液之殘餘部分即為水。
(2)“鉻酸鹽”：電解鉻酸鹽處理
在以下條件下，進行電解鉻酸鹽處理，以使附著量為10μg/dm2之Cr層附著。
液體組成：重鉻酸鉀濃度為1~10g/L，鋅濃度為0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0.1~3.0A/dm2
‧“有機物”：有機物層形成處理
藉由如下操作而進行，即，呈霧狀噴出20~120秒含有濃度1~30g/L之羧基苯并三唑(CBTA)、液溫40℃、pH5之水溶液。
利用上述方法對有機物層之厚度進行測定之結果，有機物層之厚度為13nm。
‧“Ni-Mo”：鍍鎳鉬合金
(液體組成)六水硫酸鎳：50g/dm3，二水鉬酸鈉：60g/dm3，檸檬酸鈉：90g/dm3
(液溫)30℃
(電流密度)1~4A/dm2
(通電時間)3~25秒
Ni附著量：3250μg/dm2
Mo附著量：420μg/dm2
‧“Cr”：鍍鉻
(液體組成)CrO3：200~400g/L，H2SO4：1.5~4g/L
(pH值)1~4
(液溫)45~60℃
(電流密度)10~40A/dm2
(通電時間)1~20秒
Cr附著量：350μg/dm2
‧“Co-Mo”：鍍鈷鉬合金
(液體組成)硫酸鈷：50g/dm3，二水鉬酸鈉：60g/dm3，檸檬酸鈉：90g/dm3
(液溫)30~80℃
(電流密度)1~4A/dm2
(通電時間)3~25秒
Co附著量：420μg/dm2
Mo附著量：560μg/dm2
‧“Ni-P”：鍍鎳磷合金
(液體組成)Ni：30~70g/L，P：0.2~1.2g/L
(pH值)1.5~2.5
(液溫)30~40℃
(電流密度)1.0~10.0A/dm2
(通電時間)0.5~30秒
Ni附著量：5320μg/dm2
P附著量：390μg/dm2
‧極薄銅層形成
繼而，在輥對輥型之連續鍍敷作業線上，在以下所示之條件下，藉由電鍍在中間層上形成厚度為1~5μm之極薄銅層而製造附載體銅箔。
液體組成：銅濃度為30~120g/L，硫酸濃度為20~120g/L，Cl-：20~50質量ppm，聚乙二醇：10~100質量ppm，雙(3-磺丙基)二硫化物：10~30質量ppm，硫脲：10~50質量ppm
液溫：20~80℃
電流密度：10~100A/dm2
其次，對附載體銅箔之載體側表面、及/或極薄銅層側表面實施粗糙化處理(1)~(3)中之任一種處理、耐熱處理、防銹處理、矽烷偶合劑塗布各表面處理。而且，實施例1、8~14、23均未進行載體側粗糙化處理及極薄銅層側粗糙化處理。各处理条件如下所示。
[粗糙化處理]
‧粗糙化處理(1)(粗大粗糙化)：
電解液體組成：銅為10~30g/L(以五水硫酸銅之形態添加，以下相同)，硫酸為80~120g/L
液溫：20~40℃
電流密度：120~140A/dm2
在已實施過上述粗糙化處理(1)之附載體銅箔之載體側表面或極薄銅層側表面，為了防止粗糙化粒子之脫落及提高剝離強度，而利用由硫酸．硫酸銅所構成之銅電解浴進行覆蓋鍍敷。覆蓋鍍敷條件如下所示。
液體組成：銅濃度為20~40g/L，硫酸濃度為80~120g/L
液溫：40~50℃
電流密度：10~50A/dm2
‧粗糙化處理(2)(中度粗糙化)：
液體組成：銅濃度為10~30g/L(以五水硫酸銅之形態添加，以下相同)，硫酸濃度為80~120g/L
液溫：20~40℃
電流密度：80~100A/dm2
在已實施過上述粗糙化處理(2)之附載體銅箔之載體側表面或極薄銅層側表面，為了防止粗糙化粒子之脫落及提高剝離強度，而利用由硫酸．硫酸銅所構成之銅電解浴進行覆蓋鍍敷。覆蓋鍍敷條件如下所示。
液體組成：銅濃度為20~40g/L，硫酸濃度為80~120g/L
液溫：40~50℃
電流密度：10~50A/dm2
‧粗糙化处理(2)-2(中度粗糙化)：
液體組成：銅濃度為10~30g/L(以五水硫酸銅之形態添加，以下相 同)，硫酸濃度為80~120g/L
液溫：20~40℃
電流密度：105~115A/dm2
在已實施過上述粗糙化處理(2)之附載體銅箔之載體側表面或極薄銅層側表面，為了防止粗糙化粒子之脫落及提高剝離強度，而利用由硫酸．硫酸銅所構成之銅電解浴進行覆蓋鍍敷。覆蓋鍍敷條件如下所示。
液體組成：銅濃度為20~40g/L，硫酸濃度為80~120g/L
液溫：40~50℃
電流密度：10~50A/dm2
‧粗糙化處理(3)(微細粗糙化)：
液體組成：銅濃度為10~20g/L，鈷濃度為1~10g/L，鎳濃度為1~10g/L
pH值：1~4
液溫：30~50℃
電流密度：20~30A/dm2
在已於上述條件下實施過粗糙化處理(3)之附載體銅箔之極薄銅層側表面進行Co-Ni之鍍敷而形成耐熱層。鍍敷條件如下所示。
液體組成：鈷濃度為1~30g/L，鎳濃度為1~30g/L
pH值：1.0~3.5
液溫：30~80℃
電流密度為1~10A/dm2
[耐熱處理]
‧耐熱層(鍍鋅與鎳)形成處理：
液體組成：鎳濃度為10~30g/L，鋅濃度為1~15g/L
液溫：30~50℃
電流密度為1~10A/dm2
[防銹處理]
‧鉻酸鹽處理：
液體組成：重鉻酸鉀濃度為3~5g/L，鋅濃度為0.1~1g/L
液溫：30~50℃
電流密度為0.1~3.0A/dm2
[矽烷偶合處理]
藉由以霧狀噴出含有0.2~2重量%烷氧基矽烷且pH7~8之溶液而塗布矽烷偶合劑來實施處理。
(實施例1、8~14、23)
利用上述方法製作表中所記載之厚度之附載體銅箔，對其載體側表面及極薄銅層側表面不實施粗糙化處理，對載體側表面及極薄銅層側表面僅實施耐熱處理、防銹處理、矽烷偶合處理而製作成銅箔。
(實施例2、15、22)
利用上述方法製作表中所記載之厚度之附載體銅箔，對其極薄銅層側表面實施粗糙化處理(2)(中度粗糙化)，進而實施耐熱處理、防銹處理、矽烷偶合處理而製作成銅箔。
(實施例3、4、6、7、16~19)
利用上述方法製作表中所記載之厚度之附載體銅箔，對其載體側表面實施粗糙化處理(2)(中度粗糙化)，進而實施耐熱處理、防銹處理、矽烷偶合處理，而製作成銅箔。
(實施例5)
利用上述方法製作表中所記載之厚度之附載體銅箔，對其載體側表面實施粗糙化處理(3)(微細粗糙化)，進而實施耐熱處理、防銹處理、矽烷偶合處理而製作成銅箔。
(實施例20)
利用上述方法製作表中所記載之厚度之附載體銅箔，對其載體側表面實施粗糙化處理(2)-2(中度粗糙化)，進而實施耐熱處理、防銹處理、矽烷偶合處理而製作成銅箔。
(實施例21)
利用上述方法製作表中所記載之厚度之附載體銅箔，對其載體側表面及極薄銅層側表面實施粗糙化處理(2)-2(中度粗糙化)，進而實施耐熱處理、防銹處理、矽烷偶合處理而製作成銅箔。
(比較例1)
利用上述方法製作表中所記載之厚度之附載體銅箔，對其載體側表面實施粗糙化處理(1)(粗糙粗糙化)，進而實施耐熱處理、防銹處理、矽烷偶合處理而製作成銅箔。
2.附載體銅箔之評價
利用以下方法，對以如上所述之方式獲得之附載體銅箔實施各種評價。
<表面粗糙度>
依據JIS B0601-1994，利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS4000對附載體銅箔之載體之與極薄銅層側為相反側之表面之十點平均表面粗糙度Rz進行測定。在任意10個部位對Rz進行測定，將該Rz之10個部位之平均值設定為Rz之值。另外，對於載體之極薄銅層側表面之十點平均表面粗糙度Rz亦同樣地進行測定。進而，對於極薄銅層之與中間層為相反側之表面之十點平均表面粗糙度Rz亦同樣地進行測定。
另外，依據JIS B0601-2001，利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS4000，對附載體銅箔之載體之與極薄銅層側為相反側之表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt進行測定。在任意10個部位對Rt進行測定，並將該Rt之10個部位之平均值設定為Rt之值。
另外，依據JIS B0601-1994，利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS4000，對附載體銅箔之載體之與極薄銅層為相反側之表面之算術平均粗糙度Ra進行測定。在任意10個部位對Ra進行測定，並將該Ra之10個部位之平均值設定為Ra之值。
而且，關於上述Rz、Ra及Rt，使用倍率為極薄銅層及載體表面之50倍之物鏡，在評價長度為258μm且臨界值為零之條件下，藉由在作為載體而使用之電解銅箔之製造裝置中之與電解銅箔之行進方向垂直之方向或壓延銅箔之製造裝置中之與壓延銅箔之行進方向垂直之方向(TD)之測定，分別求出值。在使用雷射顯微鏡時，表面之Rz、Ra及Rt之測定環境溫度設定為23~25℃。
<常態剝離強度>
利用荷重計，拉伸所製作成之附載體銅箔之載體側，依據90°剝離法(JIS C6471 8.1)，對載體與極薄銅層間之剝離強度進行測定。
<普通壓製後剝離強度>
使所製作成之附載體銅箔之極薄銅層側貼合在樹脂基板上，並在大氣中、15kgf/cm2、220℃、90分鐘之條件下進行加熱壓製，然後，利用荷重計拉伸載體側，依據90°剝離法(JIS C 6471 8.1)，對載體與極薄銅層間之剝離強度進行測定。
<反向壓製後剝離強度>
對於所製作成之附載體銅箔，進而在極薄銅層側表面進行鍍銅，藉此形成鍍銅層。此時，以使極薄銅層及鍍銅層之合計厚度為18μm之方式形成鍍銅層。其次，使附載體銅箔之載體側貼合在樹脂基板上，並在大氣中、15kgf/cm2、220℃、90分鐘之條件下進行加熱壓製，然後，利用荷重計拉伸極薄銅層側，依據90°剝離法(JIS C6471 8.1)對載體與極薄銅層間之剝離強度進行測定。另外，在比較例1中，無法將極薄銅層自載體剝離。而且，在比較例2中，未能將載體與樹脂基板積層，從而未能進行測定。
<剝離性及生產性>
‧空心基板之製造
在大氣中、15kgf/cm2、220℃、90分鐘之條件下，自載體側，在較該附載體銅箔大之FR-4預浸體之兩面分別對實施例、比較例之附載體銅箔進行加熱壓製，藉此進行積層，而獲得積層體。而且，由於使用較附載體銅箔大之預浸體來製造積層體，故在所獲得之積層體中，附載體銅箔之端面利用樹脂(預浸體)而覆蓋。
在以此方式製作成之積層體之、露出有板狀載體之部分之4 處，鑽出直徑為1mm之孔，作為後續增層步驟時之定位用導孔。在該積層體之兩側，依序堆疊FR-4預浸體、銅箔(JX日礦日石金屬股份有限公司製造，JTC 12μm(產品名))，利用3MPa之壓力進行170℃、100分鐘熱壓，而製作成四層覆銅積層板。
其次，使用雷射加工機，鑽出貫通上述四層覆銅積層板表面之銅箔及其下之絕緣層(已硬化之預浸體)之、直徑為100μm之孔。繼而，藉由無電解鍍銅、電鍍銅，於在上述孔之底部露出之積層體上之銅箔表面、上述孔之側面、上述四層覆銅積層板表面之銅箔上進行鍍銅，在積層體上之銅箔與四層覆銅積層板表面之銅箔之間形成電連接。其次，使用氯化鐵(FeCl3)系之蝕刻液，對四層覆銅積層板表面之銅箔之一部分進行蝕刻而形成電路。以此方式製作成四層增層基板。
繼而，在當俯視上述積層體時較利用預浸體而接著有附載體銅箔之端面之部分更靠內側，將上述四層增層基板切斷，然後將上述積層體之附載體銅箔之載體與極薄銅層機械剝離而進行分離，藉此獲得兩組2層增層配線板。
繼而，對上述兩組2層增層配線板上之、與板狀載體密接之銅箔進行蝕刻而形成配線，從而獲得兩組2層增層配線板。
對在製作上述兩組2層增層配線板時樹脂基板(FR-4預浸體)與載體有無剝離(剝離性)進行評價。該剝離性之評價基準如下所示。
◎：“10次中，無剝離”，○○：“10次中，一次剝離”，○：“10次中，2~3次剝離”，△：“10次中，4次剝離”，×：“10次中，5次以上剝離”
另外，製作上述兩組2層增層配線板時之、極薄銅層與載體之剝離強度會對印刷配線板之生產性造成影響。具體而言，在極薄銅層與載體之剝離強度為50N/m以上之情況下，剝離相當耗費時間，生產性較差(每剝離1片花費10分鐘以上)。另外，在上述極薄銅層與載體之剝離強度為20N/m以上之情況下，剝離耗費時間，生產性較差(每剝離1片花費2分鐘以上)。就此觀點而言，生產性之評價基準如下。
◎：“10次中，剝離強度全部為20N/m以下”，○○：“10次中，一次以上且未達5次之剝離強度為20N/m以上”，○：“10次中，5次以上之剝離強度為20N/m以上”，△：“10次中，一次以上之剝離強度為50N/m以上”，×：“10次中，一次以上不能剝離”。
試驗條件及結果如表1所示。
(評價結果)
在實施例1~23中，在藉由將附載體銅箔積層在樹脂基板而製作成之積層體中，可將極薄銅層自載體良好地剝離，使用附載體銅箔製作增層配線板時之剝離性及生產性良好。
另一方面，在比較例1中，在藉由將附載體銅箔積層在樹脂基板而製作成之積層體中，未能將極薄銅層自載體良好地剝離。而且，使用附載體銅箔製作增層配線板時之生產性不良。

Claims (42)

  1. 一種附載體銅箔，其依序具有載體、中間層、及極薄銅層，且在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為6.0μm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為1.0μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為7.0μm以下。
  4. 如申請專利範圍第2項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為7.0μm以下。
  5. 一種附載體銅箔，其依序具有載體、中間層、及極薄銅層，且在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為1.0μm以下。
  6. 如申請專利範圍第5項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為7.0μm以下。
  7. 一種附載體銅箔，其依序具有載體、中間層、及極薄銅層，且 在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為7.0μm以下。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為3.5μm以下。
  9. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.6μm以下。
  10. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為4.0μm以下。
  11. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為0.9μm以上。
  12. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.12μm以上。
  13. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.1μm以上。
  14. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之附載體銅箔，其中，在依據 JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為1.1μm以上。
  15. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.2μm以上。
  16. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.3μm以上。
  17. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為1.5μm以上。
  18. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.22μm以上。
  19. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之附載體銅箔，其中，在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.5μm以上。
  20. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之附載體銅箔，其滿足以下(1a)至(12a)之項目中之一個或兩個以上：(1a)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為0.9μm以上； (2a)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.12μm以上；(3a)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.1μm以上；(4a)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為3.5μm以下；(5a)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.6μm以下；(6a)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為4.0μm以下；(7a)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為1.1μm以上；(8a)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.2μm以上；(9a)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極 薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.3μm以上；(10a)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為1.5μm以上；(11a)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.22μm以上；(12a)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.5μm以上。
  21. 一種附載體銅箔，其依序具有載體、中間層、及極薄銅層，且在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為6.0μm以下；上述附載體銅箔滿足以下(1b)至(14b)之項目中之一個或兩個以上：(1b)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為1.0μm以下；(2b)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為7.0μm以下；(3b)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極 薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為0.9μm以上；(4b)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.12μm以上；(5b)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.1μm以上；(6b)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為3.5μm以下；(7b)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.6μm以下；(8b)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為4.0μm以下；(9b)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為1.1μm以上；(10b)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.2 μm以上；(11b)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.3μm以上；(12b)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為1.5μm以上；(13b)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.22μm以上；(14b)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.5μm以上。
  22. 一種附載體銅箔，其依序具有載體、中間層、及極薄銅層，且在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為1.0μm以下；上述附載體銅箔滿足以下(1c)至(14c)之項目中之一個或兩個以上：(1c)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為6.0μm以下；(2c)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高 度Rt為7.0μm以下；(3c)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為0.9μm以上；(4c)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.12μm以上；(5c)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.1μm以上；(6c)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為3.5μm以下；(7c)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.6μm以下；(8c)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為4.0μm以下；(9c)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為1.1μm以上； (10c)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.2μm以上；(11c)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.3μm以上；(12c)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為1.5μm以上；(13c)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.22μm以上；(14c)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.5μm以上。
  23. 一種附載體銅箔，其依序具有載體、中間層、及極薄銅層，且在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為7.0μm以下；上述附載體銅箔滿足以下(1d)至(14d)之項目中之一個或兩個以上：(1d)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為6.0 μm以下；(2d)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為1.0μm以下；(3d)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為0.9μm以上；(4d)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.12μm以上；(5d)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.1μm以上；(6d)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為3.5μm以下；(7d)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.6μm以下；(8d)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為4.0μm以下； (9d)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為1.1μm以上；(10d)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.2μm以上；(11d)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.3μm以上；(12d)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之十點平均粗糙度Rz為1.5μm以上；(13d)：在依據JIS B0601-1994利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之算術平均粗糙度Ra為0.22μm以上；(14d)：在依據JIS B0601-2001利用雷射顯微鏡對上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面進行測定時，上述表面之粗糙度曲線之最大剖面高度Rt為1.5μm以上。
  24. 如申請專利範圍第1至7、21至23項中任一項之附載體銅箔，其中，在上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面，具有選自由粗糙化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群之一種以上之層。
  25. 如申請專利範圍第24項之附載體銅箔，其中，上述粗糙化處理層具有由單體或合金所構成之層，上述單體係選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所構成之群之任一種單體，上述合金含有任一種以上之上述單體；及/或具有使用硫酸．硫酸銅電解浴而形成之層，上述硫酸．硫酸銅電解浴含有選自由硫酸烷基酯鹽、鎢及砷所構成之群之一種以上。
  26. 如申請專利範圍第24項之附載體銅箔，其中，在上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面，不具有粗糙化處理層；或者在上述載體之與上述極薄銅層為相反側之表面，不具有粗糙化處理層，且具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群之一種以上之層。
  27. 如申請專利範圍第1至7、21至23項中任一項之附載體銅箔，其中，在上述極薄銅層表面，具備選自由粗糙化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群之一種以上之層。
  28. 如申請專利範圍第27項之附載體銅箔，其中，上述粗糙化處理層為由單體或合金所構成之層，上述單體係選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所構成之群之任一種單體，上述合金含有任一種以上之上述單體。
  29. 如申請專利範圍第27項之附載體銅箔，其中，在上述極薄銅層之表面，不具有粗糙化處理層；或者在上述極薄銅層之表面，不具有粗糙化處理層，且具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成之群之一種以上之層。
  30. 如申請專利範圍第27項之附載體銅箔，其中，在選自如下群之一種以上之層上具備樹脂層，上述群係由在上述極薄銅層表面形成之粗糙化處理層、上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成。
  31. 如申請專利範圍第29項之附載體銅箔，其中，在上述極薄銅層表面、或選自如下群之一種以上之層上具備樹脂層，上述群係由形成在上述極薄銅層表面之上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所構成。
  32. 如申請專利範圍第31項之附載體銅箔，其中，上述樹脂層為接著用樹脂及/或半硬化狀態之樹脂。
  33. 一種積層體，其係使用申請專利範圍第1至32項中任一項之附載體銅箔製造而成。
  34. 一種積層體，其包含申請專利範圍第1至32項中任一項之附載體銅箔及樹脂，且上述附載體銅箔之端面之一部分或全部被上述樹脂覆蓋。
  35. 一種積層體，其自上述載體側或上述極薄銅層側，將一申請專利範圍第1至32項中任一項之附載體銅箔積層在另一申請專利範圍第1至32項中任一項之附載體銅箔之上述載體側或上述極薄銅層側。
  36. 一種印刷配線板，其係使用申請專利範圍第1至32項中任一項之附載體銅箔製造而成。
  37. 一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：準備申請專利範圍第1至32項中任一項之附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，經過將上述附載體銅箔之 載體剝除之步驟而形成覆銅積層體，其後，利用半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中任一種方法，形成電路。
  38. 一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：在申請專利範圍第1至32項中任一項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式，在上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層；在上述樹脂層上形成電路；於在上述樹脂層上形成電路之後，使上述載體剝離；及在使上述載體剝離之後，將上述極薄銅層除去，藉此使形成在上述極薄銅層側表面之埋沒在上述樹脂層之電路露出。
  39. 一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：將申請專利範圍第1至32項中任一項之附載體銅箔自上述載體側積層在樹脂基板；在上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路；以埋沒上述電路之方式，在上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層；在上述樹脂層上形成電路；於在上述樹脂層上形成電路之後，使上述載體剝離；及在使上述載體剝離之後，將上述極薄銅層除去，藉此使形成在上述極薄銅層側表面之埋沒在上述樹脂層之電路露出。
  40. 一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：將申請專利範圍第1至32項中任一項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板積層；在上述附載體銅箔之與和樹脂基板積層之側為相反側之極薄銅層側表面或上述載體側表面，設置樹脂層與電路這2層至少一次；及在形成上述樹脂層及電路這2層之後，使上述載體或上述極薄銅層自上述附載體銅箔剝離。
  41. 一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：將申請專利範圍第1至32項中任一項之附載體銅箔之上述載體側表面與樹脂基板積層；在上述附載體銅箔之極薄銅層側表面，設置樹脂層與電路這2層至少一次，上述附載體銅箔之極薄銅層側表面與和樹脂基板積層之側為相反側；及在形成上述樹脂層及電路這2層之後，使上述載體自上述附載體銅箔剝離。
  42. 一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：在申請專利範圍第33至35項中任一項之積層體之任一方或兩方之面，設置樹脂層與電路這2層至少一次；及在形成上述樹脂層及電路這2層之後，使上述載體或上述極薄銅層自構成上述積層體之附載體銅箔剝離。
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