TWI641294B

TWI641294B - Carrier copper foil, printed wiring board, laminated body, electronic device, and printed wiring board manufacturing method

Info

Publication number: TWI641294B
Application number: TW104112513A
Authority: TW
Inventors: 永浦友太; 古曳倫也
Original assignee: 日商Ｊｘ日鑛日石金屬股份有限公司
Priority date: 2014-04-24
Filing date: 2015-04-20
Publication date: 2018-11-11
Also published as: JP2015214750A; KR20150123184A; CN105007687B; JP6591766B2; TW201545611A; CN105007687A; KR101705975B1

Abstract

本發明提供一種附載體銅箔，能良好地抑制附載體銅箔在加熱壓製前後的載體剝離強度的變化。本發明的附載體銅箔依次具備載體、中間層以及極薄銅層。將附載體銅箔在壓力：20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下加熱壓製之後，載體的抗張力降低率為20%以下。

Description

附載體銅箔、印刷配線板、積層體、電子機器及印刷配線板之製造方法

本發明涉及一種附載體銅箔、印刷配線板、積層體、電子機器及印刷配線板之製造方法。

印刷配線板通常是在使絕緣基板接著到銅箔而製成覆銅積層板之後，經過利用蝕刻在銅箔面上形成導體圖案的步驟而製造。隨著近年來電子機器的小型化、高性能化需求的增長，搭載零件的高密度安裝化或信號的高頻化推進，對印刷配線板要求導體圖案的微細化(微間距化)或高頻對應等。

對應於微間距化，最近要求厚度9μm以下、進而厚度5μm以下的銅箔，但這種極薄銅箔的機械強度低，在製造印刷配線板時容易破損或產生皺褶，因此出現了附載體銅箔，其將具有厚度的金屬箔用作載體，並隔著剝離層使極薄銅層電鍍到金屬箔上。將極薄銅層的表面貼合到絕緣基板並進行熱壓接後，隔著剝離層將載體剝離去除。在露出的極薄銅層上利用阻劑形成電路圖案之後，形成特定的電路(專利文獻1等)。

[背景技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]WO2004/005588號

附載體銅箔是在像上述那樣將極薄銅層的表面貼合到絕緣基板並進行熱壓接(加熱壓製)之後，將載體剝離去除而使用。此時，載體的剝離強度選優為使用者所需的強度。但是，在製造附載體銅箔的階段所調整的載體的剝離強度在與上述絕緣基板的加熱壓製後會降低，產生無法獲得將附載體銅箔與絕緣基板貼合而使用的使用者所需的載體剝離強度的問題。在這種無法獲得所需的剝離強度的情況下，會產生如下問題：在貼合到絕緣基板的附載體銅箔中將載體剝離去除時，難以剝離而良率降低，或者剝離時過度施力而在極薄銅層產生皺褶。

因此，本發明的課題在於提供一種能良好地抑制附載體銅箔在加熱壓製前後的載體剝離強度的變化的附載體銅箔。

為了達成上述目的，本發明者反復進行努力研究後發現，附載體銅箔在加熱壓製前後的載體剝離強度的變化可以通過對附載體銅箔在加熱壓製前後的載體抗張力(拉伸強度)的降低率進行調整來加以控制。而且，發現通過將該附載體銅箔在加熱壓製前後的載體抗張力(拉伸強度)的降低率控制在特定範圍，可良好地抑制附載體銅箔在加熱壓製前後的載體剝離強度的變化。

本發明是以上述見解為基礎而完成，其一態樣是一種附載體銅箔，依次具備載體、中間層以及極薄銅層，將上述附載體銅箔在壓力：20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下進行加熱壓製之後，上述載體的抗張力降低率為20%以下。

本發明的另一態樣是一種附載體銅箔，依次具備載體、中間層以及極薄銅層，將上述附載體銅箔在壓力：20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下進行加熱壓製之後，繼而在無壓力、220℃且4小時的條件下進行加熱之後，上述載體的抗張力降低率為20%以下。

本發明的附載體銅箔在一實施方式中，上述載體的抗張力降低率為15%以下。

本發明的附載體銅箔在另一實施方式中，上述載體的抗張力降低率為12%以下。

本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，上述載體的抗張力降低率為10%以下。

本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，上述載體的抗張力降低率為8%以下。

本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，上述載體的厚度為5~70μm。

本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在上述極薄銅層表面及上述載體的表面的任一者或兩者具有粗化處理層。

本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，上述粗化處理層為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一種單質或含有該任一種以上之單質的合金所構成的層。

本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在上述粗化處理層的表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。

本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在上述極薄銅層的表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。

本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在上述極薄銅層上具備樹脂層。

本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在上述粗化處理層上具備樹脂層。

本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在上述選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層上具備樹脂層。

本發明的附載體銅箔在又一實施方式中是在上述載體的一個面依次具有中間層及極薄銅層的附載體銅箔，且在上述載體的與上述極薄銅層側的面為相反側的面，設置有上述粗化處理層。

本發明的附載體銅箔在又一實施方式中，在上述載體兩個面依次具有中間層及極薄銅層。

本發明在又一態樣中是一種使用本發明的附載體銅箔而製造的積層體。

本發明在又一態樣中是一種積層體，包含本發明的附載體銅箔及樹脂，上述附載體銅箔的端面的一部分或全部被上述樹脂所覆蓋。

本發明在又一態樣中是一種積層體，將一個本發明的附載體銅箔從上述載體側或上述極薄銅層側積層到另一個本發明的附載體銅箔的上述載體側或上述極薄銅層側而成。

本發明的積層體在一實施方式中，將上述一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面與上述另一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面視需要經由接著劑直接積層而構成。

本發明的積層體在另一實施方式中，上述一個附載體銅箔的上述載體或上述極薄銅層與上述另一個附載體銅箔的上述載體或上述極薄銅層被接合。

本發明在又一態樣中是一種使用本發明的積層體的印刷配線板之製造方法。

本發明在又一態樣中是一種積層體，其是本發明的積層體，且上述積層體的端面的一部分或全部被樹脂所覆蓋。

本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，包括以下步驟：在本發明的積層體上至少設置一次樹脂層及電路這兩層；以及在至少形成一次上述樹脂層及電路這兩層之後，從上述積層體的附載體銅箔剝離上述極薄銅層或上述載體。

本發明在又一態樣中是一種使用本發明的附載體銅箔而製造的印刷配線板。

本發明在又一態樣中是一種使用本發明的印刷配線板而製造的電子機器。

本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；以及在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，經過將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟而形成覆銅積層板，然後，利用半加成 (semi-additive)法、減成(subtractive)法、部分加成(partly additive)法或改良半加成(modified semi-additive)法中的任一種方法形成電路。

本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，包括以下步驟：在本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以掩埋上述電路的方式在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；在上述樹脂層上形成電路；在上述樹脂層上形成電路之後，將上述載體或上述極薄銅層剝離；以及在將上述載體或上述極薄銅層剝離之後，通過去除上述極薄銅層或上述載體，而使形成在上述極薄銅層側表面或上述載體側表面且掩埋在上述樹脂層下的電路露出。

本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，包括以下步驟：在本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以掩埋上述電路的方式在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；將上述載體或上述極薄銅層剝離；以及在將上述載體或上述極薄銅層剝離之後，通過去除上述極薄銅層或上述載體，而使形成在上述極薄銅層側表面或上述載體側表面且掩埋在上述樹脂層下的電路露出。

本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，包括以下步驟：將本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板積層；在上述附載體銅箔的與和樹脂基板積層一側為相反側的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面，至少設置一次樹脂層及電路這兩層；以及在形成上述樹脂層及電路這兩層之後，從上述附載體銅箔剝離上述載體或上述極薄銅層。

本發明在又一態樣中是一種印刷配線板之製造方法，包括以下步驟：將本發明的附載體銅箔的上述載體側表面與樹脂基板積層；在上述附載體銅箔的與和樹脂基板積層一側為相反側的極薄銅層側表面，至少設置一次樹脂層及電路這兩層；以及在形成上述樹脂層及電路這兩層之後，從上述附載體銅箔剝離上述極薄銅層。

根據本發明，可提供一種能良好地抑制附載體銅箔在加熱壓製前後的載體剝離強度的變化的附載體銅箔。

1‧‧‧載體

2‧‧‧極薄銅層

3‧‧‧粗化處理層

4‧‧‧阻劑

5‧‧‧電路鍍層

6‧‧‧樹脂層

7‧‧‧雷射

8‧‧‧填孔

9‧‧‧銅柱

圖1A~C是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板之製造方法的具體例的直到電路鍍層、阻劑去除為止的步驟中的配線板截面的示意圖。

圖2D~F是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板之製造方法的具體例的從樹脂及第二層附載體銅箔積層到雷射打孔為止的步驟中的配線板截面的示意圖。

圖3G~I是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板之製造方法的具體例的從填孔形成到第一層的載體剝離為止的步驟中的配線板截面的示意圖。

圖4J~K是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板之製造方法的具體例的從快速蝕刻到凸塊、銅柱形成為止的步驟中的配線板截面的示意圖。

<附載體銅箔>

本發明的附載體銅箔具備載體、積層在載體上的中間層、以及積層在中間層上的極薄銅層。附載體銅箔本身的使用方法為本領域技術人員所周知，例如可在將極薄銅層的表面貼合到紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板並進行熱壓接後剝離載體，並將接著在絕緣基板的極薄銅層蝕刻成目標導體圖案，最終製造印刷配線板。

本發明的附載體銅箔是：將附載體銅箔在壓力：20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下進行加熱壓製之後，載體的抗張力(拉伸強度)降低率為20%以下。根據這種構成，可良好地抑制附載體銅箔在加熱壓製前後的載體剝離強度的變化。通常，載體因加熱而導致抗張力發生某種程度的變化，此時，載體因載體金屬的再結晶化而收縮。認為因該載體的收縮而對中間層施加應力，因上述對中間層的應力，隔著中間層從極薄銅層將載體剝離去除時的剝離強度發生變化。在本發明中，通過對這種附載體銅箔在加熱壓製前後的載體抗張力(拉伸強度)的降低率進行調整，而抑制附載體銅箔在加熱壓製前後的載體剝離強度的變化。該載體的抗張力降低率較佳為15%以下，更佳為12%以下，進而更佳為10%以下，進而更佳為8%以下。該載體的抗張力降低率典型而言為0.0001%以上且20%以下、或0.001%以上且20%以下、或0.01%以上且20%以下、或0.1%以上且20%以下、或0.5%以上且20%以下、或0.8%以上且20%以下。另外，上述“在壓力：20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下加熱壓製”表示將附載體銅箔貼合到絕緣基板並進行熱壓接時的典型加熱壓製條件。

上述附載體銅箔的載體的抗張力(拉伸強度)降低率可通過利用下述製造方法製作載體來實現。

本發明的附載體銅箔在另一態樣中，將附載體銅箔在壓力： 20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下進行加熱壓製之後，繼而在無壓力、220℃且4小時的條件下進行加熱之後，載體的抗張力(拉伸強度)降低率為20%以下。為了將附載體銅箔貼附到絕緣基板而進行加熱壓製之後，在絕緣基板為樹脂基板等情況下，如果在使用該基板製造印刷配線板時積層到另一基板並進行熱處理，那麼樹脂收縮而導致樹脂基板的尺寸變化，在製作精度良好的印刷配線板時產生問題。為了防止這種印刷配線板的製造中途的樹脂收縮，有時為了使樹脂充分硬化而預先進行加熱處理。此處，根據像這樣為了使樹脂充分硬化而預先進行的加熱處理的前後，也會產生載體的剝離強度變化的問題，但在本發明中，像上述那樣使該加熱處理前後的載體的抗張力(拉伸強度)的降低率得到控制，因此也可良好地抑制載體的剝離強度的變化。該載體的抗張力降低率較佳為15%以下，更佳為12%以下，進而更佳為10%以下，進而更佳為8%以下。該載體的抗張力降低率典型而言為0.0001%以上且20%以下、或0.001%以上且20%以下、或0.01%以上且20%以下、或0.1%以上且20%以下、或0.5%以上且20%以下、或0.8%以上且20%以下。另外，上述“在無壓力、220℃且4小時的條件下加熱”表示將附載體銅箔貼合到絕緣基板並進行熱壓接之後繼而進行的用以預先使絕緣基板收縮的典型的熱處理條件。

<載體>

可用於本發明的載體為金屬箔，例如以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔的形態提供。

可用於本發明的載體典型的是以壓延銅箔或電解銅箔的形態提供。通常，電解銅箔是從硫酸銅鍍浴在鈦或不銹鋼的圓筒上電解析出銅來製造，壓延銅箔是反復進行利用壓延輥的塑性加工及熱處理來製造。作為銅箔的材料，除精銅或無氧銅等高純度銅以外，也可使用例如摻Sn的銅、摻Ag的銅、添加了Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加了Ni及Si等的卡遜系銅合金之類的銅合金。另外，本說明書中單獨使用“銅箔”的用語時，也包含銅合金箔。

關於可用於本發明的載體的厚度並無特別限制，只要適當調節為適於發揮作為載體的作用的厚度即可，例如可設為5μm以上。但是，如果過厚，那麼生產成本變高，因此通常較佳設為70μm以下。因此，載體的厚度典型的是8~70μm，更典型的是12~70μm，更典型的是18~35μm。另外，從減少原料成本的觀點來說，較佳為載體的厚度小。因此，載體的厚度典型的是5μm以上且35μm以下，較佳為5μm以上且18μm以下，較佳為5μm以上且12μm以下，較佳為5μm以上且11μm以下，較佳為5μm以上且10μm以下。此外，在載體的厚度小的情況下，在對載體通箔時容易產生折皺。為了防止產生折皺，例如有效的是使附載體銅箔製造裝置的搬送輥平滑、或者縮短搬送輥與下一搬送輥的距離。此外，在作為印刷配線板之製造方法之一的埋設法(嵌入法(Enbedded Process)) 中使用附載體銅箔的情況下，需要載體的剛性高。因此，在用於埋設法的情況下，載體的厚度較佳為18μm以上且300μm以下，較佳為25μm以上且150μm以下，較佳為35μm以上且100μm以下，進而更佳為35μm以上且70μm以下。

此外，也可在載體的與設置極薄銅層一側的表面為相反側的表面設置粗化處理層。可使用眾所周知的方法設置該粗化處理層，也可通過下述粗化處理來設置。在載體的與設置極薄銅層一側的表面為相反側的表面設置粗化處理層具有如下優點：將載體從具有該粗化處理層的表面側積層到樹脂基板等支撐體時，載體與樹脂基板不易剝離。

本發明的載體可利用以下的電解銅箔的製作條件來製作。此外，用於本發明所使用的電解、表面處理或鍍敷等的處理液的剩餘部分只要未特別說明則為水。

<電解液組成>

銅：80~110g/L

硫酸：70~110g/L

氯：10~100質量ppm

膠體：1~15質量ppm，較佳為1~10質量ppm(另外，在膠體濃度為5質量ppm以上的情況下，無需氯)

<製造條件>

電流密度：50~200A/dm²

電解液溫度：40~70℃

電解液線速度：3~5m/sec

電解時間：0.5~10分鐘

<中間層>

在載體的單面或兩面上設置中間層。也可在載體與中間層之間設置其他層。本發明中所使用的中間層只要為如下構成則並無特別限定，即，附載體銅箔在積層到絕緣基板的步驟前，極薄銅層不易從載體剝離，但另一方面則是在積層到絕緣基板的步驟後，可從載體剝離極薄銅層。例如，本發明的附載體銅箔的中間層可包含選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、這些金屬的合金、這些金屬的水合物、這些金屬的氧化物、有機物所組成的群中的一種或二種以上。而且，中間層也可為多層。

另外，中間層例如可通過如下方式構成：從載體側形成包含選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素群中的一種元素的單一金屬層、或包含選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素群中的一種或二種以上的元素的合金層，且在上述層上形成包含選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成的元素群中的一種或二種以上的元素的水合物或氧化物的層。

在僅在單面設置中間層的情況下，較佳在載體的相反面設置鍍Ni層等防銹層。另外，在利用鉻酸鹽處理、鉻酸鋅處理或鍍敷處理設置中間層的情況下，認為有鉻或鋅等附著的金屬的一部分成為水合物或氧化物的情況。

另外，中間層例如可在載體上依次積層鎳、鎳-磷合金或鎳- 鈷合金以及鉻而構成。鎳與銅的接著力比鉻與銅的接著力高，因此在剝離極薄銅層時，在極薄銅層與鉻的介面進行剝離。而且，期待中間層的鎳具有防止銅成分從載體擴散到極薄銅層的阻隔效果。中間層中的鎳的附著量較佳為100μg/dm²以上且40000μg/dm²以下，更佳為100μg/dm²以上且4000μg/dm²以下，更佳為100μg/dm²以上且2500μg/dm²以下，更佳為100μg/dm²以上且未達1000μg/dm²，較佳為中間層中的鉻的附著量為5μg/dm²以上且100μg/dm²以下。在僅在單面設置中間層的情況下，較佳為在載體的相反面設置鍍Ni層等防銹層。

<極薄銅層>

在中間層上設置極薄銅層。也可在中間層與極薄銅層之間設置其他層。極薄銅層可通過利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺磺酸銅、氰化銅等電解浴的電鍍來形成，從可用於普通的電解銅箔且在高電流密度下形成銅箔的方面來說，較佳為硫酸銅浴。極薄銅層的厚度並無特別限制，通常比載體薄，例如為12μm以下。典型的是0.5~12μm，更典型的是1~5μm，進而典型的是1.5~5μm，進而典型的是2~5μm。另外，也可在載體的兩面設置極薄銅層。

可使用本發明的附載體銅箔來製作積層體(覆銅積層體等)。作為該積層體，例如可為按“極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸體”的順序積層的構成，可為按“載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸體”的順序積層的構成，可為按“極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸體/載體/中間層/極薄銅層”的順序積層的構成，可為按“載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸體/極薄銅層/中間層/載體”的順序積層的構成，也可為按“載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸體/載體/中間層/極薄銅層”的順序積層的構成。上述樹脂或預浸體可為下述樹脂層，也可包含用於下述樹脂層的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。另外，附載體銅箔在俯視時可比樹脂或預浸體小。

<粗化處理及其他表面處理>

在極薄銅層的表面，例如也可為了使它與絕緣基板的密接性良好等而通過實施粗化處理來設置粗化處理層。粗化處理例如可通過利用銅或銅合金形成粗化粒子來進行。粗化處理也可為微細處理。粗化處理層可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一種單質或含有該任一種以上之單質的合金所構成的層等。另外，也可在利用銅或銅合金形成粗化粒子之後，進而進行利用鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等設置二次粒子或三次粒子的粗化處理。此後，可利用鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等形成耐熱層或防銹層，也可進而對該表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。或者也可不進行粗化處理，而利用鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等形成耐熱層或防銹層，進而對該表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。即，可在粗化處理層的表面，形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層，也可在極薄銅層的表面，形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。另外，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層也可分別由多層所形成(例如兩層以上、三層以上等)。

例如，作為粗化處理的銅-鈷-鎳合金鍍敷能以通過電解鍍敷形成像附著量為15~40mg/dm²的銅-100~3000μg/dm²的鈷-100~1500μg/dm²的鎳一樣的三元系合金層的方式來實施。如果Co附著量未達100μg/dm²，那麼有時耐熱性變差，蝕刻性變差。如果Co附著量超過3000μg/dm²，那麼在必須考慮磁性的影響的情況下欠佳，有時會產生蝕刻斑點而且耐酸性及耐化學品性變差。如果Ni附著量未達100μg/dm²，那麼有時耐熱性會變差。另一方面，如果Ni附著量超過1500μg/dm²，那麼有時蝕刻殘留會變多。較佳的Co附著量為1000~2500μg/dm²，較佳的鎳附著量為500~1200μg/dm²。此處，所謂蝕刻斑點是指在利用氯化銅進行蝕刻的情況下，Co不溶解而殘留，而且所謂蝕刻殘留是指在利用氯化銨進行鹼性蝕刻的情況下，Ni不溶解而殘留。

用以形成這種三元系銅-鈷-鎳合金鍍層的普通的鍍浴及鍍敷條件的一個示例如下：鍍浴組成：Cu10~20g/L、Co1~10g/L、Ni1~10g/L

pH：1~4

溫度：30~50℃

電流密度D_k：20~30A/dm²

鍍敷時間：1~5秒

以這種方式製造具備載體、在載體上積層的中間層以及在中間層上積層的極薄銅層的附載體銅箔。附載體銅箔本身的使用方法為本領域技術人員所周知，例如可在將極薄銅層的表面貼合到紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板並進行熱壓接後，剝離載體而製成覆銅積層板，並將接著到絕緣基板的極薄銅層蝕刻成目標導體圖案，最終製造印刷配線板。

另外，附載體銅箔也可在極薄銅層上設置粗化處理層，也可在粗化處理層上設置一層以上的選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的層。

另外，也可在極薄銅層上設置粗化處理層，也可在粗化處理層上設置耐熱層、防銹層，也可在耐熱層、防銹層上設置鉻酸鹽處理層，也可在鉻酸鹽處理層上設置矽烷偶合處理層。

另外，附載體銅箔也可在極薄銅層上、或粗化處理層上、或耐熱層、防銹層、或鉻酸鹽處理層、或矽烷偶合處理層上設置樹脂層。樹脂層可為絕緣樹脂層。

上述樹脂層可為接著劑，可為接著用樹脂，也可為接著用的半硬化狀態(B階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)包含如下狀態：即使用手指觸碰其表面也沒有黏附感，可將該絕緣樹脂層疊放保管，如果進一步接受加熱處理，便會產生硬化反應。

而且，上述樹脂層可包含熱固性樹脂，也可為熱塑性樹脂。另外，上述樹脂層也可包含熱塑性樹脂。其種類並無特別限定，例如可將以下樹脂或預浸體列舉為適當的樹脂層，即包含：環氧樹脂，聚醯亞胺樹脂，多官能性氰酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醚碸、聚醚碸樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、熱固性聚苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、多元羧酸酐、液晶聚合物、氟樹脂等。

上述樹脂層可包含眾所周知的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體(可使用包含無機化合物及/或有機化合物的介電體、包含金屬氧化物的介電體等任意介電體)、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。而且，上述樹脂層可使用例如以下文獻所記載的物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置而形成，即：國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本專利特開平11-5828號、日本專利特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本專利特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本專利特開2002-179772號、日本專利特開2002-359444號、日本專利特開2003-304068號、日本專利第3992225、日本專利特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本專利特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本專利特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本專利特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本專利特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本專利特開2006-257153號、日本專利特開2007-326923號、日本專利特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本專利特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本專利特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本專利特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本專利特開2013-19056號。

將這些樹脂溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑而製成樹脂液，利用例如輥塗法等將該樹脂液塗布在上述極薄銅層上、或上述耐熱層、防銹層、或上述鉻酸鹽皮膜層、或上述矽烷偶合劑層上，繼而視需要進行加熱乾燥而去除溶劑成為B階段狀態。乾燥例如使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度只要為100~250℃即可，較佳為130~200℃。

具備上述樹脂層的附載體銅箔(附樹脂的附載體銅箔)是以如下形態使用，即，使該樹脂層與基材重疊後對整體進行熱壓接而使該樹脂層熱硬化，繼而剝離載體而露出極薄銅層(當然，露出的是該極薄銅層的中間層側的表面)，並在該極薄銅層形成特定的配線圖案。

如果使用上述附樹脂的附載體銅箔，便可減少製造多層印刷配線基板時預浸材的使用片數。而且，能使樹脂層的厚度成為可確保層間絕緣的厚度，或者完全不使用預浸材也能製造覆銅積層板。而且，此時也可將絕緣樹脂底塗到基材的表面而進一步改善表面的平滑性。

此外，在不使用預浸材的情況下，有如下優點：可節約預浸材的材料成本，而且還簡化了積層步驟，因此在經濟方面有利，而且，所要製造的多層印刷配線基板的厚度變薄相當於預浸材的厚度的程度，可製造單層厚度為100μm以下的極薄的多層印刷配線基板。

上述樹脂層的厚度較佳為0.1~80μm。

如果樹脂層的厚度薄於0.1μm，那麼接著力降低，在不介置預浸材而將上述附樹脂的附載體銅箔積層到具備內層材的基材時，有難以確保與內層材的電路之間的層間絕緣的情況。

另一方面，如果使樹脂層的厚度厚於80μm，那麼便難以利用一次塗布步驟形成目標厚度的樹脂層，耗費多餘的材料費及步驟數，因此在經濟方面不利。進而，所形成的樹脂層的可撓性差，因此操作時容易產生裂痕等，而且，在與內層材熱壓接時，有樹脂過度流動而難以順利地積層的情況。

進而，作為上述附樹脂的附載體銅箔的另一產品形態，也可在上述極薄銅層上、或上述耐熱層、防銹層、或上述鉻酸鹽處理層、或上述矽烷偶合處理層上被覆樹脂層並製成半硬化狀態之後，繼而剝離載體而以不存在載體的附樹脂的銅箔的形態來製造。

進而，通過將電子零件類搭載在印刷配線板而完成印刷電路板。在本發明中，“印刷配線板”包含像這樣搭載有電子零件類的印刷配線板及印刷電路板以及印刷基板。

而且，可使用該印刷配線板製作電子機器，可使用該搭載有電子零件類的印刷電路板製作電子機器，也可使用該搭載有電子零件類的印刷基板製作電子機器。以下，示出使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造步驟的若干例子。

在本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；以及在將上述附載體銅箔與絕緣基板以極薄銅層側與絕緣基板相向的方式積層之後，經過將上述附載體銅箔的載體剝離的步驟而形成覆銅積層板，然後，利用半加成法、改良半加成法、部分加成法及減成法中的任一種方法形成電路。絕緣基板也可設為帶有內層電路的基板。

在本發明中，所謂半加成法是指在絕緣基板或銅箔籽晶層上進行薄的無電解鍍敷形成圖案後，使用電鍍及蝕刻形成導體圖案的方法。

因此，在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔的載體剝離；通過使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離上述載體而露出的極薄銅層全部去除；在通過利用蝕刻將上述極薄銅層去除而露出的上述樹脂設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；對上述樹脂及包含上述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍敷層；在上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後，將供電路形成的區域的鍍敷阻劑去除；在上述鍍敷阻劑被去除的上述供電路形成的區域設置電解鍍敷層；去除上述鍍敷阻劑；以及利用快速蝕刻等將位於上述供電路形成的區域以外的區域的無電解鍍敷層去除。

在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔的載體剝離；在剝離上述載體而露出的極薄銅層、及上述絕緣樹脂基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；通過使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離上述載體而露出的極薄銅層全部去除；對通過利用蝕刻等將上述極薄銅層去除而露出的上述樹脂及包含上述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍敷層；在上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後，將供電路形成的區域的鍍敷阻劑去除；在上述鍍敷阻劑被去除的上述供電路形成的區域設置電解鍍敷層；去除上述鍍敷阻劑；以及利用快速蝕刻等將位於上述供電路形成的區域以外的區域的無電解鍍敷層去除。

在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔的載體剝離；在剝離上述載體而露出的極薄銅層、及上述絕緣樹脂基板設置通孔或/及盲孔；通過使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離上述載體而露出的極薄銅層全部去除；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；對通過利用蝕刻等將上述極薄銅層去除而露出的上述樹脂及包含上述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍敷層；在上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後，將供電路形成的區域的鍍敷阻劑去除；在上述鍍敷阻劑被去除的上述供電路形成的區域設置電解鍍敷層；去除上述鍍敷阻劑；以及利用快速蝕刻等將位於上述供電路形成的區域以外的區域的無電解鍍敷層去除。

在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔的載體剝離；通過使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離上述載體而露出的極薄銅層全部去除；對通過利用蝕刻將上述極薄銅層去除而露出的上述樹脂的表面設置無電解鍍敷層；在上述無電解鍍敷層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後，將供電路形成的區域的鍍敷阻劑去除；在上述鍍敷阻劑被去除的上述供電路形成的區域設置電解鍍敷層；去除上述鍍敷阻劑；以及利用快速蝕刻等將位於上述供電路形成的區域以外的區域的無電解鍍敷層及極薄銅層去除。

在本發明中，所謂改良半加成法是指如下方法：在絕緣層上積層金屬箔，利用鍍敷阻劑保護非電路形成部，並利用電解鍍敷對電路形成部賦予銅厚之後，去除阻劑，且利用(快速)蝕刻將上述電路形成部以外的金屬箔去除，由此在絕緣層上形成電路。

因此，在使用改良半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔的載體剝離；在剝離上述載體而露出的極薄銅層及絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；對包含上述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍敷層；在剝離上述載體而露出的極薄銅層表面設置鍍敷阻劑；在設置上述鍍敷阻劑之後，利用電解鍍敷形成電路；去除上述鍍敷阻劑；以及利用快速蝕刻將通過去除上述鍍敷阻劑而露出的極薄銅層去除。

在使用改良半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔的載體剝離；在剝離上述載體而露出的極薄銅層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，然後，將供電路形成的區域的鍍敷阻劑去除；在上述鍍敷阻劑被去除的上述供電路形成的區域設置電解鍍敷層；去除上述鍍敷阻劑；以及利用快速蝕刻等將位於上述供電路形成的區域以外的區域的無電解鍍敷層及極薄銅層去除。

在本發明中，所謂部分加成法是指如下方法：在設置導體層而成的基板、視需要開設通孔(through hole)或過孔(via hole)用的孔而成的基板上賦予催化劑核，進行蝕刻而形成導體電路，並視需要設置阻焊劑或鍍敷阻劑之後，在上述導體電路上利用無電解鍍敷處理對通孔或過孔等賦予厚度，由此製造印刷配線板。

因此，在使用部分加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔的載體剝離；在剝離上述載體而露出的極薄銅層及絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；對包含上述通孔或/及盲孔的區域賦予催化劑核；在剝離上述載體而露出的極薄銅層表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案；通過使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述催化劑核去除而形成電路；去除上述蝕刻阻劑；在通過使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述催化劑核去除而露出的上述絕緣基板表面，設置阻焊劑或鍍敷阻劑；以及在未設置上述阻焊劑或鍍敷阻劑的區域設置無電解鍍敷層。

在本發明中，所謂減成法是指利用蝕刻等將覆銅積層板上的銅箔的不需要的部分選擇性地去除而形成導體圖案的方法。

因此，在使用減成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔的載體剝離；在剝離上述載體而露出的極薄銅層及絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；對包含上述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍敷層；在上述無電解鍍敷層的表面設置電解鍍敷層；在上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層的表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案；通過使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層、上述無電解鍍敷層及上述電解鍍敷層去除而形成電路；以及去除上述蝕刻阻劑。

在使用減成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層；在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之後，將上述附載體銅箔的載體剝離；在剝離上述載體而露出的極薄銅層及絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；對包含上述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍敷層；在上述無電解鍍敷層的表面形成掩膜；在未形成掩膜的上述無電解鍍敷層的表面設置電解鍍敷層；在上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層的表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案；通過使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層去除而形成電路；以及去除上述蝕刻阻劑。

也可不進行設置通孔或/及盲孔的步驟、及此後的除膠渣步驟。

本發明的印刷配線板之製造方法也可包括以下步驟：在本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以掩埋上述電路的方式在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；在上述樹脂層上形成電路；在上述樹脂層上形成電路之後，將上述載體或上述極薄銅層剝離；以及在將上述載體或上述極薄銅層剝離之後，通過去除上述極薄銅層或上述載體，而使形成在上述極薄銅層側表面或上述載體側表面且掩埋在上述樹脂層下的電路露出。而且，本發明的印刷配線板之製造方法也可包括以下步驟：在本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路；以掩埋上述電路的方式在上述附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層；將上述載體或上述極薄銅層剝離；以及在將上述載體或上述極薄銅層剝離之後，通過去除上述極薄銅層或上述載體，而使形成在上述極薄銅層側表面或上述載體側表面且掩埋在上述樹脂層下的電路露出。

此處，使用附圖對使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板之製造方法的具體例進行詳細說明。此外，此處是以具有形成有粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔為例進行說明，但並不限定於此，使用具有未形成粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔也可同樣地執行下述印刷配線板之製造方法。

首先，如圖1-A所示，準備具有在表面形成有粗化處理層3的極薄銅層2的附載體銅箔(第一層)。此外，該步驟中也可準備具有在表面形成有粗化處理層3的載體1的附載體銅箔(第一層)。

其次，如圖1-B所示，在極薄銅層2的粗化處理層3上塗布阻劑4並進行曝光、顯影，將阻劑4蝕刻成特定形狀。此外，該步驟中也可在載體1的粗化處理層3上塗布阻劑4並進行曝光、顯影，將阻劑4蝕刻成特定形狀。

接著，如圖1-C所示，通過在形成電路用鍍層之後去除阻劑4而形成特定形狀的電路鍍層5。

接著，如圖2-D所示，以覆蓋電路鍍層5的方式(以掩埋電路鍍層5的方式)在極薄銅層2上設置埋設樹脂而積層樹脂層6，繼而使另一附載體銅箔(第二層)從極薄銅層2側接著。此外，該步驟中也能以覆蓋電路鍍層5的方式(以掩埋電路鍍層5的方式)在載體1上設置埋設樹脂而積層樹脂層6，繼而使另一附載體銅箔(第二層)從載體1側或極薄銅層2接著。

接著，如圖2-E所示，從第二層附載體銅箔剝離載體1。此外，在使第二層附載體銅箔從載體1側接著的情況下，也可從第二層附載體銅箔剝離極薄銅層2。

接著，如圖2-F所示，在樹脂層6的特定位置進行雷射7打孔，使電路鍍層5露出而形成盲孔。

接著，如圖3-G所示，在盲孔埋設銅而形成填孔8。

接著，如圖3-H所示，在填孔8上以上述圖1-B及圖1-C的方式形成電路鍍層5。

接著，如圖3-I所示，從第一層附載體銅箔剝離載體1。此外，該步驟中也可從第一層附載體銅箔剝離極薄銅層2。

接著，如圖4-J所示，利用快速蝕刻將兩表面的極薄銅層2(在第二層設置銅箔的情況下為銅箔，在將第一層電路用鍍層設置在載體1的粗化處理層3上的情況下為載體1)去除，使樹脂層6內的電路鍍層5的表面露出。

接著，如圖4-K所示，在樹脂層6內的電路鍍層5上形成凸塊，且在該焊料上形成銅柱9。以此方式製作使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板。

上述另一附載體銅箔(第二層)可使用本發明的附載體銅箔，也可使用以往的附載體銅箔，進而還可使用通常的銅箔。另外，在圖3-H所示的第二層電路上，還可進而形成一層或多層電路，可利用半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一種方法來形成這些電路。

根據如上所述的印刷配線板之製造方法，成為將電路鍍層5埋設在樹脂層6的構成，因此在例如圖4-J所示的利用快速蝕刻去除極薄銅層2時，電路鍍層5受到樹脂層6保護，其形狀得以保持，由此容易形成微細電路。而且，因為電路鍍層5受到樹脂層6保護，所以耐遷移性提高，可良好地抑制電路配線的導通。因此，容易形成微細電路。另外，在如圖4-J及圖4-K所示利用快速蝕刻去除極薄銅層2時，電路鍍層5的露出面成為從樹脂層6凹陷的形狀，因此容易在該電路鍍層5上形成凸塊，並進而在該凸塊上形成銅柱9，而使製造效率提高。

此外，埋設樹脂(resin)可使用眾所周知的樹脂、預浸體。例如，可使用BT(雙馬來醯亞胺三嗪)樹脂或作為含浸有BT樹脂的玻璃布的預浸體、Ajinomoto Fine-Techno Co.,Inc.製造的ABF膜或ABF。而且，上述埋設樹脂(resin)可使用本說明書所記載的樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。

另外，上述第一層所使用的附載體銅箔也可在該附載體銅箔的表面具有基板或樹脂層。通過具有該基板或樹脂層，第一層所使用的附載體銅箔得到支撐，不易產生皺褶，因此有生產性提高的優點。此外，上述基板或樹脂層只要具有支撐上述第一層所使用的附載體銅箔的效果，則可使用所有基板或樹脂層。例如作為上述基板或樹脂層，可使用記載於本申請的說明書中的載體、預浸體、樹脂層或眾所周知的載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物板、無機化合物箔、有機化合物板、有機化合物箔。

進而，通過將電子零件類搭載在本發明的印刷配線板而完成印刷電路板。在本發明中，“印刷配線板”也包含以此方式搭載有電子零件類的印刷配線板、印刷電路板及印刷基板。

而且，可使用該印刷配線板製作電子機器，可使用該搭載有電子零件類的印刷電路板製作電子機器，也可使用該搭載有電子零件類的印刷基板製作電子機器。

而且，本發明的印刷配線板之製造方法也可為包括以下步驟的印刷配線板之製造方法(無芯法)：將本發明的附載體銅箔的上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板積層；在與和上述樹脂基板積層的極薄銅層側表面或上述載體側表面為相反側的附載體銅箔的表面，至少設置一次樹脂層及電路這兩層；以及在形成上述樹脂層及電路這兩層之後，從上述附載體銅箔剝離上述載體或上述極薄銅層。關於該無芯法，作為具體示例，首先將本發明的附載體銅箔的極薄銅層側表面或載體側表面與樹脂基板積層。然後，在與和樹脂基板積層的極薄銅層側表面或上述載體側表面為相反側的附載體銅箔的表面形成樹脂層。在形成在載體側表面或極薄銅層側表面的樹脂層，也可進而從載體側或極薄銅層側積層另一附載體銅箔。在該情況下，成為如下構成：以樹脂基板為中心，在該樹脂基板的兩表面側按載體/中間層/極薄銅層的順序或極薄銅層/中間層/載體的順序積層有附載體銅箔。在露出兩端的極薄銅層或載體的表面，可設置另一樹脂層並進而設置銅層或金屬層之後，通過對該銅層或金屬層進行加工而形成電路。進而，也可在該電路上以埋設該電路的方式設置另一樹脂層。而且，也可一次以上地形成這種電路及樹脂層(增層法)。然後，對以這種方式形成的積層體(以下，也稱為積層體B)，可將各個附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而製作無芯基板。另外，製作上述無芯基板時，還可使用兩個附載體銅箔來製作下述具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體、具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體的構成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體，並將該積層體用作中心。可在這些積層體(以下，也稱為積層體A)的兩側的極薄銅層或載體的表面將樹脂層及電路這兩層設置一次以上，且在將樹脂層及電路這兩層設置一次以上之後，將各個附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離而製作無芯基板。上述積層體也可在極薄銅層的表面、載體的表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。此外，在本說明書中，“極薄銅層的表面”、“極薄銅層側表面”、“極薄銅層表面”、“載體的表面”、“載體側表面”、“載體表面”、“積層體的表面”、“積層體表面”是設為以下的概念：在極薄銅層、載體、積層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層的情況下，包含該其他層的表面(最表面)。另外，積層體較佳具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成。其原因在於：使用該積層體來製作無芯基板時，由於在無芯基板側配置極薄銅層，所以容易使用改良半加成法在無芯基板上形成電路。而且原因在於：由於極薄銅層的厚度薄，所以容易去除該極薄銅層，在去除極薄銅層後，容易使用半加成法在無芯基板上形成電路。

此外，在本說明書中，未特別記載為“積層體A”或“積層體B”的“積層體”表示至少包含積層體A及積層體B的積層體。

此外，在上述無芯基板的製造方法中，通過以樹脂覆蓋附載體銅箔或積層體(積層體A)的端面的一部分或全部而利用增層法製造印刷配線板時，可防止藥液滲入構成中間層或積層體的一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之間，可防止因藥液滲入所導致的極薄銅層與載體的分離或附載體銅箔的腐蝕，從而可提高良率。作為此處所使用的“覆蓋附載體銅箔的端面的一部分或全部的樹脂”或“覆蓋積層體的端面的一部分或全部的樹脂”，可使用能用於樹脂層的樹脂。而且，在上述無芯基板的製造方法中，在附載體銅箔或積層體中，也可為俯視時附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔的積層部分)外周的至少一部分被樹脂或預浸體覆蓋。而且，利用上述無芯基板的製造方法形成的積層體(積層體A)也可使一對附載體銅箔可相互分離地接觸而構成。而且，在該附載體銅箔中，也可為俯視時附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔的積層部分)遍及整個外周地被樹脂或預浸體覆蓋而成。通過設為這種構成，在俯視附載體銅箔或積層體時，附載體銅箔或積層體的積層部分被樹脂或預浸體所覆蓋，可防止其他部件從該部分的側方向、即相對於積層方向為橫向的方向發生碰撞，結果可減少操作中的載體與極薄銅層或附載體銅箔彼此的剝離。而且，通過以不露出附載體銅箔或積層體的積層部分的外周的方式以樹脂或預浸體覆蓋，可防止如上所述的在藥液處理步驟中藥液滲入該積層部分的介面，可防止附載體銅箔的腐蝕或侵蝕。此外，從積層體的一對附載體銅箔將一個附載體銅箔分離時、或將附載體銅箔的載體與銅箔(極薄銅層)分離時，必須通過切斷等將利用樹脂或預浸體所覆蓋的附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔的積層部分)去除。

也可將本發明的附載體銅箔從載體側或極薄銅層側積層到另一個本發明的附載體銅箔的載體側或極薄銅層側而構成積層體。另外，也可為將上述一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面與上述另一個附載體銅箔的上述載體側表面或上述極薄銅層側表面視需要經由接著劑直接積層而獲得的積層體。另外，也可將上述一個附載體銅箔的載體或極薄銅層與上述另一個附載體銅箔的載體或極薄銅層接合。此處，該“接合”在載體或極薄銅層具有表面處理層的情況下，也包含隔著該表面處理層而相互接合的形態。另外，也可為該積層體的端面的一部分或全部被樹脂所覆蓋。

載體彼此的積層除僅重疊以外，例如可利用以下方法進行。

(a)冶金接合方法：熔接(電弧焊接、TIG(鎢-惰性氣體)焊接、MIG(金屬-惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點焊接)、壓接(超音波焊接、摩擦攪拌焊接)、焊料接合；(b)機械接合方法：斂合、利用鉚釘的接合(利用自沖鉚釘的接合、利用鉚釘的接合)、縫合機；(c)物理接合方法：接著劑、(雙面)膠帶

可通過使用上述接合方法將一個載體的一部分或全部與另一個載體的一部分或全部進行接合，而將一個載體與另一個載體積層，製造使載體彼此可分離地接觸而構成的積層體。在將一個載體與另一個載體輕微接合而將一個載體與另一個載體積層的情況下，即使不去除一個載體與另一個載體的接合部，一個載體與另一個載體也可分離。另外，在將一個載體與另一個載體牢固接合的情況下，可通過利用切斷或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等去除一個載體與另一個載體接合的部位，而將一個載體與另一個載體分離。

另外，可通過實施以下步驟而製作印刷配線板：在以這種方式構成的積層體至少設置一次樹脂層及電路這兩層；以及在至少形成一次上述樹脂層及電路這兩層之後，從上述積層體的附載體銅箔剝離上述極薄銅層或載體。此外，也可在該積層體的一個或兩個表面設置樹脂層及電路這兩層。

[實施例]

以下，利用本發明的實施例進而詳細地對本發明進行說明，但本發明不受這些實施例的任何限定。

1.附載體銅箔的製作 [載體]

利用以下條件製作電解銅箔並製成載體。表1表示各電解液組成中的膠體濃度。

(實施例的載體) <電解液組成>

銅：80~110g/L

硫酸：70~110g/L

氯：10~100質量ppm

膠體：1~10質量ppm(此外，對膠體濃度為5質量ppm以上的實施例6、7、10、11未添加氯)

<製造條件>

電流密度：50~200A/dm²

電解液溫度：40~70℃

電解液線速度：3~5m/sec

電解時間：0.5~10分鐘

(比較例的載體) <電解液組成>

銅：80~110g/L

硫酸：70~110g/L

氯：10~100質量ppm

膠體：0.01~0.1質量ppm

<製造條件>

電流密度：50~200A/dm²

電解液溫度：40~70℃

電解液線速度：3~5m/sec

電解時間：0.5~10分鐘

[中間層]

對各實施例、比較例，像表1所記載那樣設置以下中間層。

表1的例如“Ni/鉻酸鹽”是指在載體的表面設置以下Ni層之後，設置以下鉻酸鹽處理層。

‧“Ni”：Ni層

對該銅箔的亮面，在以下條件下利用輥對輥型連續鍍敷生產線進行電鍍，由此形成附著量8000μg/dm²的Ni層。

<電解液組成>

硫酸鎳：270~280g/L

氯化鎳：35~45g/L

乙酸鎳：10~20g/L

檸檬酸三鈉：15~25g/L

光澤劑：糖精、丁炔二醇等

十二烷基硫酸鈉：55~75質量ppm

pH：4~6

浴溫：55~65℃

電流密度：7~11A/dm²

在水洗及酸洗後，繼續在輥對輥型連續鍍敷生產線上，通過在以下條件下進行電解鉻酸鹽處理而使附著量11μg/dm²的Cr層附著在Ni層上。

‧“鉻酸鹽”：鉻酸鹽處理層

‧電解鉻酸鹽處理

液體組成：重鉻酸鉀1~10g/L

pH：7~10

液溫：40~60℃

電流密度：0.1~2.6A/dm²

庫侖量：0.5~30As/dm²

‧“Ni-Mo”：Ni-Mo層(鎳鉬合金鍍敷)

通過在以下條件下利用輥對輥型連續鍍敷生產線對載體進行電鍍而形成附著量3000μg/dm²的Ni-Mo層。將具體鍍敷條件記於下文。

(液體組成)硫酸鎳六水合物：50g/dm³、鉬酸鈉二水合物：60g/dm³、檸檬酸鈉：90g/dm³

(液溫)30℃

(電流密度)1~4A/dm²

(通電時間)3~25秒

‧“有機物”：有機物層(有機物層形成處理)

將濃度1~30g/L的包含羧基苯並三唑(CBTA)的液溫40℃、pH5的水溶液噴淋20~120秒鐘而以噴霧形式噴到上述Ni層上，由此形成有機物層。

‧“Co-Mo”：Co-Mo層(鈷鉬合金鍍敷)

通過在以下條件下利用輥對輥型連續鍍敷生產線對載體進行電鍍而形成附著量4000μg/dm²的Co-Mo層。將具體鍍敷條件記於下文。

(液體組成)硫酸Co：50g/dm³、鉬酸鈉二水合物：60g/dm³、檸檬酸鈉：90g/dm³

(液溫)30℃

(電流密度)1~4A/dm²

(通電時間)3~25秒

‧“Cr”：鉻層

通過在以下條件下利用輥對輥型連續鍍敷生產線對載體進行電鍍而形成附著量500μg/dm²的Cr層。將具體鍍敷條件記於下文。

(液體組成)CrO₃：200~400g/L、H₂SO₄：1.5~4g/L

(pH)1~4

(液溫)45~60℃

(電流密度)10~40A/dm²

[極薄銅層]

繼續在輥對輥型連續鍍敷生產線上，通過在以下條件下進行電鍍而在中間層上形成厚度2~10μm的極薄銅層，從而製造附載體銅箔。

銅濃度：30~120g/L

H₂SO₄濃度：20~120g/L

電解液溫度：20~80℃

電流密度：10~100A/dm²

[表面處理層]

另外，對於實施例2、比較例2，依次對極薄銅層表面進行以下粗化處理、防銹處理、鉻酸鹽處理及矽烷偶合處理。

‧粗化處理

Cu：10~20g/L

Co：1~10g/L

Ni：1~10g/L

pH：1~4

液溫：40~50℃

電流密度Dk：20~30A/dm²

時間：1~5秒

Cu附著量：15~40mg/dm²

Co附著量：100~3000μg/dm²

Ni附著量：100~1000μg/dm²

‧防銹處理

Zn：0g/L以上~20g/L

Ni：0g/L以上~5g/L

pH：2.5~4.5

液溫：30~50℃

電流密度Dk：0A/dm²以上~1.7A/dm²

時間：1秒

Zn附著量：5~250μg/dm²

Ni附著量：5~300μg/dm²

‧鉻酸鹽處理

K₂Cr₂O₇

(Na₂Cr₂O₇或CrO₃)：2~10g/L

NaOH或KOH：10~50g/L

ZnO或ZnSO₄‧7H₂O：0.05~10g/L

pH：7~13

浴溫：20~80℃

電流密度：0.05~5A/dm²

時間：5~30秒

Cr附著量：10~150μg/dm²

‧矽烷偶合處理

乙烯基三乙氧基矽烷水溶液

(乙烯基三乙氧基矽烷濃度：0.1~1.4wt%)

pH：4~5

浴溫：25~60℃

浸漬時間：5~30秒

另外，對於實施例3、6、11、比較例3，依次對極薄銅層表面進行以下粗化處理1、粗化處理2、防銹處理、鉻酸鹽處理及矽烷偶合處理。

‧粗化處理1

(液體組成1)

Cu：10~30g/L

H₂SO₄：10~150g/L

W：0~50mg/L

十二烷基硫酸鈉：0~50mg/L

As：0~200mg/L

(電鍍條件1)

溫度：30~70℃

電流密度：25~110A/dm²

粗化庫侖量：50~500As/dm²

鍍敷時間：0.5~20秒

‧粗化處理2

(液體組成2)

Cu：20~80g/L

H₂SO₄：50~200g/L

(電鍍條件2)

溫度：30~70℃

電流密度：5~50A/dm²

粗化庫侖量：50~300As/dm²

鍍敷時間：1~60秒

‧防銹處理

(液體組成)

NaOH：40~200g/L

NaCN：70~250g/L

CuCN：50~200g/L

Zn(CN)₂：2~100g/L

As₂O₃：0.01~1g/L

(液溫)

40~90℃

(電流條件)

電流密度：1~50A/dm²

鍍敷時間：1~20秒

‧鉻酸鹽處理

K₂Cr₂O₇(Na₂Cr₂O₇或CrO₃)：2~10g/L

NaOH或KOH：10~50g/L

ZnOH或ZnSO₄‧7H₂O：0.05~10g/L

pH：7~13

浴溫：20~80℃

電流密度：0.05~5A/dm²

時間：5~30秒

‧矽烷偶合處理

噴塗0.1vol%~0.3vol%的3-縮水甘油丙基三甲氧基矽烷水溶液之後，在100~200℃的空氣中乾燥、加熱0.1~10秒鐘。

另外，對於實施例4、比較例4，依次對極薄銅層表面進行以下粗化處理1、粗化處理2、防銹處理、鉻酸鹽處理及矽烷偶合處理。

‧粗化處理1

液體組成：銅10~20g/L、硫酸50~100g/L

液溫：25~50℃

電流密度：1~58A/dm²

庫侖量：4~81As/dm²

‧粗化處理2

液體組成：銅10~20g/L、鎳5~15g/L、鈷5~15g/L

pH：2~3

液溫：30~50℃

電流密度：24~50A/dm²

庫侖量：34~48As/dm²

‧防銹處理

液體組成：鎳5~20g/L、鈷1~8g/L

pH：2~3

液溫：40~60℃

電流密度：5~20A/dm²

庫侖量：10~20As/dm²

‧鉻酸鹽處理

液體組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L

pH：3~4

液溫：50~60℃

電流密度：0~2A/dm²(由於進行浸漬鉻酸鹽處理，所以也可在無電解條件下實施)

庫侖量：0~2As/dm²(由於進行浸漬鉻酸鹽處理，所以也可在無電解條件下實施)

‧矽烷偶合處理

二胺基矽烷水溶液的塗布(二胺基矽烷濃度：0.1~0.5wt%)

2.附載體銅箔的評價

<極薄銅層厚度的評價>

使用FIB-SIM對所製作的附載體銅箔的極薄銅層的厚度進行觀察(倍率：10000~30000倍)。通過觀察極薄銅層的截面，以30μm間隔對5個部位進行測定，並求出平均值。

<抗張力(拉伸強度(tensile strength))的評價>

(1)加熱壓製前的抗張力(拉伸強度)：對於所製作的附載體銅箔，利用負載單元剝離載體，對於該載體，依據JIS Z 2241通過拉伸試驗求出抗張力(拉伸強度)。

(2)加熱壓製後的抗張力(拉伸強度)：將所製作的附載體銅箔的極薄銅層側貼合在絕緣基板上，並在大氣中、20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下加熱壓製之後，利用負載單元剝離載體，對於該載體，依據JIS Z 2241通過拉伸試驗求出抗張力(拉伸強度)。

(3)在加熱壓製後進而進行無壓力加熱後的抗張力(拉伸強度)：將所製作的附載體銅箔的極薄銅層側貼合在絕緣基板上，並在大氣中、20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下加熱壓製之後，繼而在無壓力(pressure-free)、220℃且4小時的條件下進行加熱之後，利用負載單元剝離載體，對於該載體，依據JIS Z 2241通過拉伸試驗求出抗張力(拉伸強度)。

使用上述(1)~(3)中所獲得的各抗張力(拉伸強度)2算出抗張力(拉伸強度)的降低率A：[(加熱壓製前的抗張力-加熱壓製後的抗張力)/加熱壓製前的抗張力]×100%)、及抗張力(拉伸強度)的降低率B：[(加熱壓製前的抗張力-在加熱壓製後進而進行無壓力加熱後的抗張力)/加熱壓製前的抗張力]×100%)。

<剝離強度的評價>

(1)加熱壓製前的剝離強度：對於所製作的附載體銅箔，利用負載單元拉拽載體側，依據90°剝離法(JIS C 6471 8.1)進行測定。

(2)加熱壓製後的剝離強度：將所製作的附載體銅箔的極薄銅層側貼合在絕緣基板上，並在大氣中、20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下加熱壓製之後，利用負載單元拉拽載體側，依據90°剝離法(JIS C 6471 8.1)進行測定。

(3)在加熱壓製後進而進行無壓力加熱後的剝離強度：將所製作的附載體銅箔的極薄銅層側貼合在絕緣基板上，在大氣中、20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下加熱壓製之後，繼而在無壓力(pressure-free)、220℃且4小時的條件下進行加熱之後，利用負載單元拉拽載體側，依據90°剝離法(JIS C 6471 8.1)進行測定。

使用上述(1)~(3)中所獲得的各剝離強度，算出剝離強度的變化率A：(|加熱壓製前的剝離強度-加熱壓製後的剝離強度|/加熱壓製前的剝離強度)×100%、及剝離強度的變化率B：(|加熱壓製前的剝離強度-在加熱壓製後進而進行無壓力加熱後的剝離強度|/加熱壓製前的剝離強度)×100%。

將試驗條件及試驗結果示於表1。

(評價結果)

實施例1~11中，將附載體銅箔在壓力：20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下加熱壓製之後，載體的抗張力降低率均為20%以下，而且，將附載體銅箔在壓力：20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下加熱壓製之後，繼而在無壓力、220℃且4小時的條件下加熱之後，載體的抗張力降低率均為20%以下。因此，實施例1~11均良好地抑制了剝離強度的變化率。

比較例1~9中，將附載體銅箔在壓力：20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下加熱壓製之後，載體的抗張力降低率均超過20%，而且，將附載體銅箔在壓力：20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下加熱壓製之後，繼而在無壓力、220℃且4小時的條件下加熱之後，載體的抗張力降低率均超過20%。因此，比較例1~9中，剝離強度的變化率均不良。

Claims

一種附載體銅箔，依次具備載體、中間層以及極薄銅層，將該附載體銅箔在壓力：20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下加熱壓製之後，該載體的抗張力降低率為20%以下。
如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，該載體的抗張力降低率為15%以下。
如申請專利範圍第2項之附載體銅箔，其中，該載體的抗張力降低率為12%以下。
如申請專利範圍第3項之附載體銅箔，其中，該載體的抗張力降低率為10%以下。
如申請專利範圍第4項之附載體銅箔，其中，該載體的抗張力降低率為8%以下。
一種附載體銅箔，依次具備載體、中間層以及極薄銅層，將該附載體銅箔在壓力：20kgf/cm²、220℃且2小時的條件下加熱壓製之後，繼而在無壓力、220℃且4小時的條件下加熱之後，該載體的抗張力降低率為20%以下。
如申請專利範圍第6項之附載體銅箔，其中，該載體的抗張力降低率為15%以下。
如申請專利範圍第7項之附載體銅箔，其中，該載體的抗張力降低率為12%以下。
如申請專利範圍第8項之附載體銅箔，其中，該載體的抗張力降低率為10%以下。
如申請專利範圍第9項之附載體銅箔，其中，該載體的抗張力降低率為8%以下。
如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中，該載體的厚度為5~70μm。
如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中，在該極薄銅層表面及該載體的表面的任一者或兩者具有粗化處理層。
如申請專利範圍第12項之附載體銅箔，其中，該粗化處理層為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一種單質或含有該任一種以上之單質的合金所構成的層。
如申請專利範圍第12項之附載體銅箔，其中，在該粗化處理層的表面，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。
如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中，在該極薄銅層的表面，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。
如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中，在該極薄銅層上具備樹脂層。
如申請專利範圍第12項之附載體銅箔，其中，在該粗化處理層上具備樹脂層。
如申請專利範圍第14項之附載體銅箔，其中，在該選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層上具備樹脂層。
如申請專利範圍第15項之附載體銅箔，其中，在該選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層上具備樹脂層。
如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中，在該載體的一個面依次具有中間層及極薄銅層，在該載體的與該極薄銅層側的面為相反側的面，設置有該粗化處理層。
如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中，在該載體的兩個面依次具有中間層及極薄銅層。
如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中，在該載體的兩個面依次具有中間層及極薄銅層，在該極薄銅層表面的一者或兩者具有粗化處理層。
如申請專利範圍第22項之附載體銅箔，其中，在該粗化處理層的表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。
如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中，在該載體的兩個面依次具有中間層及極薄銅層，在該極薄銅層的表面，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層。
如申請專利範圍第21項之附載體銅箔，其中，在該極薄銅層上具備樹脂層。
如申請專利範圍第22項之附載體銅箔，其中，在該粗化處理層上具備樹脂層。
如申請專利範圍第23項之附載體銅箔，其中，在該選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層上具備樹脂層。
如申請專利範圍第24項之附載體銅箔，其中，在該選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的一種以上的層上具備樹脂層。
一種積層體，使用申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔而製成。
一種積層體，包含申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔及樹脂，該附載體銅箔的端面的一部分或全部被該樹脂所覆蓋。
一種積層體，將一個申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔從該載體側或該極薄銅層側積層到另一個申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔的該載體側或該極薄銅層側而成。
如申請專利範圍第31項之積層體，其將該一個附載體銅箔的該載體側表面或該極薄銅層側表面與該另一個附載體銅箔的該載體側表面或該極薄銅層側表面視需要經由接著劑直接積層而構成。
如申請專利範圍第31項之積層體，其中，該一個附載體銅箔的該載體或該極薄銅層與該另一個附載體銅箔的該載體或該極薄銅層被接合。
如申請專利範圍第31項之積層體，其中，該積層體的端面的一部分或全部被樹脂所覆蓋。
如申請專利範圍第33項之積層體，其中，該積層體的端面的一部分或全部被樹脂所覆蓋。
一種印刷配線板之製造方法，使用有申請專利範圍第29至35項中任一項之積層體。
一種印刷配線板之製造方法，包括以下步驟：在申請專利範圍第29至35項中任一項之積層體，至少設置一次樹脂層及電路這兩層；以及在至少形成一次該樹脂層及電路這兩層之後，從該積層體的附載體銅箔剝離該極薄銅層或該載體。
一種印刷配線板，使用申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔而製成。
一種電子機器，使用申請專利範圍第38項之印刷配線板而製成。
一種印刷配線板之製造方法，包括以下步驟：準備申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔及絕緣基板；將該附載體銅箔與絕緣基板積層；以及在將該附載體銅箔與絕緣基板積層之後，經過剝離該附載體銅箔的載體的步驟而形成覆銅積層板，然後，利用半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一種方法形成電路。
一種印刷配線板之製造方法，包括以下步驟：在申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面形成電路；以掩埋該電路的方式，在該附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面形成樹脂層；在該樹脂層上形成電路；在該樹脂層上形成電路之後，將該載體或該極薄銅層剝離；以及在將該載體或該極薄銅層剝離之後，通過去除該極薄銅層或該載體，而使形成在該極薄銅層側表面或該載體側表面且掩埋在該樹脂層下的電路露出。
一種印刷配線板之製造方法，包括以下步驟：在申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面形成電路；以掩埋該電路的方式，在該附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面形成樹脂層；將該載體或該極薄銅層剝離；以及在將該載體或該極薄銅層剝離之後，通過去除該極薄銅層或該載體，而使形成在該極薄銅層側表面或該載體側表面且掩埋在該樹脂層下的電路露出。
一種印刷配線板之製造方法，包括以下步驟：將申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔的該極薄銅層側表面與樹脂基板積層；在該附載體銅箔的與和樹脂基板積層一側為相反側的該載體側表面，至少設置一次樹脂層及電路這兩層；以及在形成該樹脂層及電路這兩層之後，從該附載體銅箔剝離該載體。
一種印刷配線板之製造方法，包括以下步驟：將申請專利範圍第1至28項中任一項之附載體銅箔的該載體側表面與樹脂基板積層；在該附載體銅箔的與和樹脂基板積層一側為相反側的極薄銅層側表面，至少設置一次樹脂層及電路這兩層；以及在形成該樹脂層及電路這兩層之後，從該附載體銅箔剝離該極薄銅層。