TW201412518A - 附載體銅箔 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種附載體銅箔，其於向絕緣基板之積層步驟前載體與極薄銅層之密接力較高，另一方面，於向絕緣基板之積層步驟後載體與極薄銅層之密接性降低，而可容易地於載體/極薄銅層之界面進行剝離，且可良好地抑制極薄銅層側表面之針孔之產生。中間層係於銅箔載體上依序積層鎳、與鉬或鈷或鉬-鈷合金而構成。於中間層中，鎳之附著量為1000~40000 μg/dm2，於包含鉬之情形時鉬之附著量為50~1000 μg/dm2，於包含鈷之情形時鈷之附著量為50~1000 μg/dm2。於使中間層/極薄銅層之間剝離時，於自中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)為20%~80%，於[4.0，12.0]，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)滿足40%以上。

Description

附載體銅箔
本發明係關於一種附載體銅箔。更詳細而言，本發明係關於一種用作精細圖案用途之印刷配線板之材料的附載體銅箔。
印刷配線板於近半個世紀取得了巨大發展，目前已用於幾乎所有電子機器中。近年來，隨著電子機器之小型化、高性能化需求之增大，搭載零件之高密度安裝化或訊號之高頻化逐步推進，對於印刷配線板要求導體圖案之微細化(微間距化)或應對高頻等，尤其於印刷配線板上搭載IC晶片之情形時，要求L/S=20μm/20μm以下之微間距化。
印刷配線板首先被製造成使銅箔、與以環氧玻璃基板、BT樹脂(bismaleimide-triazine resin，雙馬來醯亞胺-三)、聚醯亞胺膜等為主之絕緣基板貼合而成的覆銅積層體。貼合係使用將絕緣基板與銅箔重疊並加熱加壓而形成之方法(層壓法)，或將作為絕緣基板材料之前驅物之清漆塗佈於具有銅箔之被覆層之面上，進行加熱使之硬化的方法(流延法)。
隨著微間距化，覆銅積層體中所使用之銅箔之厚度亦成為9μm、進而5μm以下等，即箔厚逐步變薄。然而，若箔厚成為9μm以下，則利用上述層壓法或流延法形成覆銅積層體時之操作性極度惡化。因此，出現了利用具有一定厚度之金屬箔作為載體，經由剝離層於其上形成極薄銅層的附載體銅箔。附載體銅箔之通常使用方法係將極薄銅層之表面貼合 於絕緣基板上並進行熱壓接後，經由剝離層剝離載體。
作為關於附載體銅箔之技術，例如專利文獻1中揭示有如下方法：於載體之表面依序形成防擴散層、剝離層、及銅電鍍層，且使用Cr或Cr水合氧化物層作為剝離層，使用Ni、Co、Fe、Cr、Mo、Ta、Cu、Al、P之單質或合金作為防擴散層，藉此保持加熱壓製後之良好之剝離性。
又，眾所周知剝離層係由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P或該等之合金或該等之水合物所形成。進而，專利文獻2及3中記載有為了實現加熱壓製等高溫使用環境下之剝離性之穩定化，有效的是於剝離層之基底設置Ni、Fe或該等之合金層。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-022406號公報
[專利文獻2]日本專利特開2010-006071號公報
[專利文獻3]日本專利特開2007-007937號公報
對於附載體銅箔，必須於向絕緣基板之積層步驟前避免極薄銅層自載體剝離，另一方面，必須於向絕緣基板之積層步驟後可將極薄銅層自載體剝離。又，對於附載體銅箔，極薄銅層側之表面存在針孔之情況會導致印刷配線板之性能不良，故而欠佳。
關於該等方面，先前技術並未進行充分之研究，尚有改善之餘地。因此，本發明之課題在於提供一種於向絕緣基板之積層步驟前極薄銅層不會自載體剝離，另一方面，於向絕緣基板之積層步驟後可能剝離的附載體銅箔。本發明之課題亦在於進而提供一種抑制於極薄銅層側表面之 針孔之產生的附載體銅箔。
為了達成上述目的，本發明者反覆進行努力研究，結果發現如下情況極有效果：使用銅箔作為載體，於極薄銅層與載體之間形成中間層，自銅箔載體側依序以鎳、與鉬或鈷或鉬-鈷合金構成該中間層；控制鎳、鉬及鈷之附著量；及控制使上述中間層/極薄銅層之間剝離時之中間層表面部分之鎳、鉬、鈷原子濃度。又，發現如下情況亦同樣地極有效果：將絕緣基板熱壓接於極薄銅層，而控制自極薄銅層剝離載體時的中間層表面部分之鎳、鉬、鈷原子濃度。
本發明係基於上述見解而完成者，一側面係一種附載體銅箔，其係依序具有銅箔載體、中間層、及極薄銅層者，並且上述中間層係依序積層鎳、與鉬或鈷或鉬-鈷合金而構成，於上述中間層，鎳之附著量為1000~40000μg/dm2，於包含鉬之情形時鉬之附著量為50~1000μg/dm2，於包含鈷之情形時鈷之附著量為50~1000μg/dm2，於使上述中間層/極薄銅層之間剝離時，若將根據利用XPS之自表面起算之深度方向分析而獲得之深度方向(x：單位nm)之鎳之原子濃度(%)設為g(x)，將銅之原子濃度(%)設為h(x)，將鉬之合計原子濃度(%)設為i(x)，將鈷之原子濃度(%)設為j(x)，將氧之原子濃度(%)設為k(x)，將碳之原子濃度(%)設為l(x)，將其他之原子濃度(%)設為m(x)，則於自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)為20%~80%，於[4.0，12.0]，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)滿足40%以上。
本發明之另一側面係一種附載體銅箔之製造方法，其包括：藉由於銅箔載體上利用乾式鍍敷或濕式鍍敷形成鎳層，於上述鎳層上形成鉬層或鈷層或鉬-鈷層而形成中間層的步驟；及藉由電鍍於上述中間層上形成極薄銅層之步驟。
本發明之另一側面係一種印刷配線板，其係使用本發明之附載體銅箔而製造。
本發明之另一側面係一種印刷電路板，其係使用本發明之附載體銅箔而製造。
本發明之另一側面係一種覆銅積層板，其係使用本發明之附載體銅箔而製造。
本發明之另一側面係一種印刷配線板之製造方法，其包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；及於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法(Modified Semi Additive)中之任一方法形成電路的步驟。
本發明之另一側面係一種印刷配線板之製造方法，其包括：於本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路的步驟；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層的步驟；於上述樹脂層上形成電路之步驟；於上述樹脂層上形成電路後，剝離上述載體之步驟；及於剝離上述載體後，去除上述極薄銅層，藉此使形成於上述極薄銅層側表面之埋沒於上述樹脂層中之電路露出的步驟。
本發明之附載體銅箔係於向絕緣基板之積層步驟前載體與極薄銅層之密接力較高，另一方面，於向絕緣基板之積層步驟後載體與極薄銅層之密接性降低，而可容易地於載體/極薄銅層之界面進行剝離，且可良好地抑制極薄銅層側表面之針孔之產生。
圖1 A~C係使用本發明之附載體銅箔的印刷配線板之製造方法之具體例的至電路鍍敷、去除光阻劑為止之步驟中之配線板剖面的示意圖。
圖2 D~F係使用本發明之附載體銅箔的印刷配線板之製造方法之具體例的自積層樹脂及第2層附載體銅箔至雷射開孔為止之步驟中之配線板剖面的示意圖。
圖3 G~I係使用本發明之附載體銅箔的印刷配線板之製造方法之具體例的自形成通孔填充物至剝離第1層載體為止之步驟中之配線板剖面的示意圖。
圖4 J~K係使用本發明之附載體銅箔的印刷配線板之製造方法之具體例的自快速蝕刻至形成凸塊、銅柱為止之步驟中之配線板剖面的示意圖。
圖5係實施例5之基板貼合前之中間層表面之深度方向的XPS深度分佈圖。
圖6係用以說明原子濃度之積分方法的概略圖。
圖7係用以表示實施例之XPS測定區域之樣品片材的示意圖。
<1.載體>
使用銅箔作為可用於本發明之載體。典型而言，載體係以壓延銅箔或電解銅箔之形態提供。通常，電解銅箔係自硫酸銅鍍浴於鈦或不鏽鋼之轉筒上電解析出銅而製造，壓延銅箔係重複進行利用壓延輥之塑性加工及熱處理而製造。作為銅箔之材料，除了精銅或無氧銅等高純度之銅以外，亦可使用例如摻Sn銅、摻Ag銅、添加有Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加有Ni及Si等之卡遜系銅合金之類的銅合金。再者，於本說明書中，單獨使用用語「銅箔」時，亦包含銅合金箔之意。上述銅合金箔中，可含有銅以外之元素合計0mass%以上且50mass%以下，可含有0.0001mass%以上且40mass%以下，可含有0.0005mass%以上且30mass%以下，亦可含有0.001mass%以上且20mass%以下。
關於可於本發明中使用之載體之厚度，亦並無特別限制，只要在達成作為載體之作用之基礎上適當地調節為適宜之厚度即可，例如可設為12μm以上。但，若過厚，則生產成本提高，故而通常較佳為設為35μm以下。因此，載體之厚度典型為12~70μm，更典型為18~35μm。
<2.中間層>
於銅箔載體上設置中間層。亦可於銅箔載體與中間層之間設置其他層。較佳為中間層係於銅箔載體上依序積層鎳、與鉬或鈷或鉬-鈷合金而構成。通常，鎳與銅之接著力高於鉬或鈷與銅之接著力，故而於剝離極薄銅層時，成為於極薄銅層與鉬或鈷或鉬-鈷合金之界面進行剝離。又，對於中間層之鎳，期待防止銅成分自載體擴散至極薄銅層之障壁效果。
於使用電解銅箔作為載體之情形時，就減少針孔之觀點而言，較佳為於光澤面上設置中間層。
中間層中之鉬或鈷或鉬-鈷合金層較薄地存在於極薄銅層之界面時，可獲得於向絕緣基板之積層步驟前極薄銅層不會自載體剝離，另一方面，於向絕緣基板之積層步驟後可將極薄銅層自載體剝離之特性，故 而較佳。於未設置鎳層而使鉬或鈷或鉬-鈷合金層存在於載體與極薄銅層之交界之情形時，剝離性幾乎未提高，於無鉬或鈷或鉬-鈷合金層而直接將鎳層與極薄銅層積層之情形時，隨著鎳層中之鎳量剝離強度過強或過弱，而無法獲得適當之剝離強度。
又，若使鉬或鈷或鉬-鈷合金層存在於載體與鎳層之交界，則於剝離極薄銅層時，中間層亦隨之剝離，即於載體與中間層之間發生剝離，故而欠佳。此種狀況不僅於與載體之界面設置鉬或鈷或鉬-鈷合金層之情況下會發生，若於與極薄銅層之界面設置鉬或鈷或鉬-鈷合金層時鉬量或鈷量過多，則亦會發生。認為其原因在於，由於銅與鎳容易固溶，故而若使該等接觸，則會因相互擴散而提高接著力，變得不易剝離，另一方面，由於鉬或鈷與銅不易固溶，不易發生相互擴散，故而於鉬或鈷或鉬-鈷合金層與銅之界面接著力較弱，容易剝離。又，於中間層之鎳量不足之情形時，於載體與極薄銅層之間僅存微量之鉬或鈷，故而兩者密接而變得難以剝離。
中間層之鎳及鈷或鉬-鈷合金可藉由例如電鍍、無電解鍍敷及浸漬鍍敷之類的濕式鍍敷，或濺鍍、CVD及PDV之類的乾式鍍敷而形成。又，鉬可僅藉由CVD及PDV之類的乾式鍍敷而形成。就成本之觀點而言，較佳為電鍍。
於中間層，鎳之附著量為1000~40000μg/dm2，鉬之附著量為50~1000μg/dm2，鈷之附著量為50~1000μg/dm2。有隨鎳量增加針孔之量增多之傾向，但若為該範圍，則針孔之數量亦會得到抑制。就均勻地剝離極薄銅層之觀點、及抑制針孔之觀點而言，鎳附著量較佳為設為5000~20000μg/dm2，更佳為設為7500~15000μg/dm2。鉬附著量較佳為設為80~600μg/dm2，更佳為設為100~400μg/dm2。鈷附著量較佳為設為80~600μg/dm2，更佳為設為100~400μg/dm2。
<3.衝擊鍍敷>
中間層上係設置極薄銅層。在此之前為了減少極薄銅層之針孔，可進行利用銅-磷合金之衝擊鍍敷。對於衝擊鍍敷，可列舉焦磷酸銅鍍敷液等。
<4.極薄銅層>
中間層上係設置極薄銅層。亦可於中間層與極薄銅層之間設置其他層。較佳為極薄銅層可藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺基磺酸銅、氰化銅等之電解浴的電鍍而形成，就使用通常之電解銅箔而可於高電流密度下形成銅箔之方面而言，較佳為硫酸銅浴。極薄銅層之厚度並無特別限制，通常薄於載體，例如為12μm以下。典型為0.5~12μm，更典型為2~5μm。
<5.粗化處理及其他表面處理>
對於極薄銅層之表面，為了例如使與絕緣基板之密接性良好等，亦可藉由實施粗化處理而設置粗化處理層。粗化處理例如可藉由利用銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理可為微細者。粗化處理層可為由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所組成之群中之任一者之單質或含有任1種以上之合金所構成之層等。又，亦可於利用銅或銅合金形成粗化粒子後，進而進行利用鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等設置二次粒子或三次粒子的粗化處理。其後，可利用鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等形成耐熱層或防銹層，亦可進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。或者，可不進行粗化處理而利用鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等形成耐熱層或防銹層，進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。即，可於粗化處理層之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層，亦可於極薄銅層之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。再者，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層可分別由例如2層以上、3層以上等複數層所形成。
作為耐熱層、防銹層，可使用公知之耐熱層、防銹層。例如， 耐熱層及/或防銹層可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上元素的層，亦可為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上元素所構成之金屬層或合金層。又，耐熱層及/或防銹層亦可包含含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上元素的氧化物、氮化物、矽化物。又，耐熱層及/或防銹層可為含有鎳-鋅合金之層。又，耐熱層及/或防銹層亦可為鎳-鋅合金層。上述鎳-鋅合金層可為除了不可避免之雜質以外，含有鎳50wt%~99wt%、及鋅50wt%~1wt%者。上述鎳-鋅合金層之鋅與鎳之合計附著量可為5~1000mg/m2，較佳為10~500mg/m2，較佳為20~100mg/m2。又，上述包含鎳-鋅合金之層或上述鎳-鋅合金層之鎳之附著量與鋅之附著量的比(=鎳之附著量/鋅之附著量)較佳為1.5~10。又，上述包含鎳-鋅合金之層或上述鎳-鋅合金層之鎳之附著量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。於耐熱層及/或防銹層為包含鎳-鋅合金之層之情形時，於使通孔或導孔等之內壁部與除膠渣液接觸時，銅箔與樹脂基板之界面不易被除膠渣液腐蝕，銅箔與樹脂基板之密接性提高。
例如耐熱層及/或防銹層可為依序積層附著量為1mg/m2~100mg/m2、較佳為5mg/m2~50mg/m2之鎳或鎳合金層、與附著量為1mg/m2~80mg/m2、較佳為5mg/m2~40mg/m2之錫層而成者，上述鎳合金層可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中之任一種構成。又，耐熱層及/或防銹層較佳為鎳或鎳合金與錫之合計附著量為2mg/m2~150mg/m2，更佳為10mg/m2~70mg/m2。又，耐熱層及/或防銹層較佳為[鎳或鎳合金中之鎳附著量]/[錫附著量]=0.25~10，更佳為0.33~3。若使用該耐熱層及/或防銹層，則將附載體銅箔加工成印刷配線板，以後之電路之剝離強度、該剝離強度之耐化學藥品 性劣化率等變得良好。
再者，用於矽烷偶合處理之矽烷偶合劑可使用公知之矽烷偶合劑，亦可使用例如胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑。又，矽烷偶合劑亦可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、4-縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。
上述矽烷偶合處理層可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。再者，此種矽烷偶合劑亦可混合使用2種以上。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑而形成者。
此處所謂胺基系矽烷偶合劑，可為選自由N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯醯氧基-2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基) 三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷所組成之群中者。
較理想為矽烷偶合處理層以矽原子換算設定為0.05mg/m2~200mg/m2、較佳為0.15mg/m2~20mg/m2、較佳為0.3mg/m2~2.0mg/m2之範圍。於上述範圍之情形時，可進一步提高基材樹脂與表面處理銅箔之密接性。
又，可對極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合處理層或鉻酸鹽處理層之表面進行國際公開編號WO2008/053878、日本專利特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、日本專利特開2013-19056號中所記載之表面處理。
<6.附載體銅箔>
如此，作為較佳之態樣，製造具備銅箔載體、形成於銅箔載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層的附載體銅箔。附載體銅箔本身之使用方法為業者所周知，例如可將極薄銅層之表面貼合於紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜、氟樹脂基材、氟樹脂膜等絕緣基板上，進行熱壓接後，剝離載體，將接著於絕緣基板之極薄銅層蝕刻為目標導體圖案，最終製造印刷配線板。於本發明之附載體銅箔之情形時，剝離部位主要為中間層與極薄銅層之界面。
進而，藉由於印刷配線板上搭載電子零件類，而完成印刷電路板。又，於製造印刷配線板時，亦可將用以強化附載體銅箔之載體之支架貼附於載體表面。藉此，可進一步提高操作性。作為支架，可列舉預浸體或樹脂等之絕緣基板。作為樹脂，可為上述樹脂層。
本發明之附載體銅箔係於使上述中間層/極薄銅層之間剝離時，若將根據利用XPS之自表面起算之深度方向分析而獲得之深度方向(x：單位nm)之鎳之原子濃度(%)設為g(x)，將銅之原子濃度(%)設為h(x)，將鉬之合計原子濃度(%)設為i(x)，將鈷之原子濃度(%)設為j(x)，將氧之原子濃度(%)設為k(x)，將碳之原子濃度(%)設為l(x)，將其他之原子濃度(%)設為m(x)，則於自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)為20%~80%，於[4.0，12.0]，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)滿足40%以上。
再者，自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[Y，Z]意指算出上述各元素之濃度之積分值(例如∫g(x)dx、∫h(x)dx、∫i(x)dx、∫j(x)dx、∫k(x)dx、∫l(x)dx、∫m(x)dx)之積分區間。即，Y意指開始積分之深度(nm)[SiO2換算]，Z意指結束積分之深度(nm)[SiO2換算]。
即，自中間層表面起算之深度方向分析之區間為[Y，Z]之情況意指算出自上述中間層表面起算之深度Y(nm)[SiO2換算]至深度Z(nm)[SiO2換算]為止之各元素之濃度的積分值。
此處，上述SiO2換算深度意指於可僅以該SiO2換算深度對 SiO2基板進行濺鍍之濺鍍時間及濺鍍條件下，對中間層表面進行濺鍍時的深度。此時，濺鍍係使用裝置所附帶之離子槍進行。例如，所謂「於SiO2換算深度下為1nm」，意指於可在SiO2基板上濺鍍1nm(SiO2基板之厚度減少1nm)之深度之濺鍍時間及濺鍍條件下，使用離子槍對中間層表面進行濺鍍時的深度。
再者，上述各元素之濃度之積分值係藉由梯形公式而求出。
以下，對利用梯形公式求出之濃度之積分方法進行說明。此處，列舉於自中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]對鎳之原子濃度進行積分為例進行說明。又，為了使說明簡潔，列舉於區間[0.0，4.0]測定6點之情形為例進行說明。圖6表示用以說明原子濃度之積分方法之概略圖。
圖6係將橫軸設為自中間層表面起算之深度x(nm)，將縱軸設為鎳原子濃度(at%)的圖表。
點a、b、c、d、e、f分別表示自中間層表面起算之深度l、k、j、i、h、g(nm)下之鎳原子濃度之測定結果。
如圖6所示，藉由XPS，於自中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]，以數點之特定深度(l~g)分別測定鎳之原子濃度。並且，求出梯形abkl之面積S1、梯形bcjk之面積S2、梯形cdij之面積S3、梯形dehi之面積S4、梯形efgh之面積S5。並且，將S1至S5之合計之面積之值設為自中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]之鎳之原子濃度之積分值∫g(x)dx。即，算出自中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]之∫g(x)dx=S1+S2+S3+S4+S5。
此處，例如梯形abkl之面積S1係藉由{(點a之鎳之原子濃度(at%))+(點b之鎳之原子濃度(at%))}×(點a、b間之深度x1(nm))/2而求出。以相同之方式求出梯形bcjk之面積S2、梯形cdij之面積S3、梯形dehi之面積S4、梯形efgh之面積S5之面積。
再者，點a係最接近於自中間層表面起算之深度0.0nm之深度l之鎳原子濃度之測定結果，點f係最接近於自中間層表面起算之深度4.0nm之深度g之鎳原子濃度之測定結果。
各點之測定間隔(圖6中為x1、x2、x3、x4、x5)之較佳之值為0.10~0.30nm(SiO2換算)。
因此，於稱為區間[0.0，4.0]之情形時意指開始積分之深度為0.0nm(SiO2換算)(即分析對象物之表面)，結束積分之深度為4.0nm(SiO2換算)(自表面為4.0nm之深度)。同樣地，於稱為區間[4.0，12.0]之情形時意指開始積分之深度為4.0nm(SiO2換算)(自表面為4.0nm之深度)，結束積分之深度為12.0nm(SiO2換算)(自表面為12.0nm之深度)。
本發明之附載體銅箔較佳為於使上述中間層/極薄銅層之間剝離時，若將根據利用XPS之自表面起算之深度方向分析而獲得之深度方向(x：單位nm)之鎳之原子濃度(%)設為g(x)，將銅之原子濃度(%)設為h(x)，將鉬之合計原子濃度(%)設為i(x)，將鈷之原子濃度(%)設為j(x)，將氧之原子濃度(%)設為k(x)，將碳之原子濃度(%)設為l(x)，將其他之原子濃度(%)設為m(x)，則於自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)為30%~60%，於[4.0，12.0]，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)滿足50%以上。
此處，關於本發明之附載體銅箔，「將中間層/極薄銅層之間剝離」之判定可設為剝離後之極薄銅層側表面之鎳、鉬及鈷之原子濃度分別為50at%以下之情形，更佳為設為剝離後之極薄銅層側表面之鎳、鉬及 鈷之原子濃度分別為15at%以下之情形。若判定為於上述原子濃度分別為15at%以下之情形時將中間層與極薄銅層之間剝離，則可觀察到更良好之剝離狀態。
又，於假定中間層側附著有極薄銅層之情形時(例如，於自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]，∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)超過15%之情形；或於大氣中、壓力：20kgf/cm2、220℃×2小時之條件下將絕緣基板熱壓接於極薄銅層，於使中間層/極薄銅層之間剝離時，於自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]，∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)超過30%之情形)，銅原子濃度為10at%以下，或者，於大氣中、壓力：20kgf/cm2、220℃×2小時之條件下將絕緣基板熱壓接於極薄銅層後進行XPS分析之情形時，將銅原子濃度成為15at%以下的深度設為x=0.0nm，於上述中間層/極薄銅層之間剝離時，將根據利用XPS之自表面起算之深度方向分析而獲得之深度方向(x：單位nm)之鎳之原子濃度(%)設為g(x)，將銅之原子濃度(%)設為h(x)，將鉬之合計原子濃度(%)設為i(x)，將鈷之原子濃度(%)設為j(x)，將氧之原子濃度(%)設為k(x)，將碳之原子濃度(%)設為l(x)，將其他之原子濃度(%)設為m(x)時，可算出於自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]之∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)之值、與於[4.0，12.0]之∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)之值。
再者，於如此假定為中間層側附著有極薄銅層之情形時，以自中間層 表面起算之深度方向分析將銅原子濃度為10at%以下之最淺(深度最小)之地點設為測定本發明中所規定之自中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]及[4.0，12.0]時的開始地點(0.0)。
又，於如此假定為中間層側附著有極薄銅層之情形時，且在大氣中、壓力：20kgf/cm2、220℃×2小時之條件下將絕緣基板熱壓接於極薄銅層後進行XPS分析之情形時，以自中間層表面起算之深度方向分析將銅原子濃度為20at%以下之最淺(深度最小)之地點設為測定本發明中所規定之自中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]及[4.0，12.0]時的開始地點(0.0)。
又，本發明之附載體銅箔較佳為於大氣中、壓力：20kgf/cm2、220℃×2小時之條件下將絕緣基板熱壓接於極薄銅層，於使上述中間層/極薄銅層之間剝離時，於自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成為20%~80%，於[4.0，12.0]，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成為40%以上。
如此，本發明之附載體銅箔係於將中間層/極薄銅層之間剝離時在中間層之最表面存在一定量以上之鉬或鈷，且較最表面於內部鎳濃度更高。因此，可良好地抑制極薄銅層側表面之針孔之產生。又，熱壓接後之附載體銅箔亦於將中間層/極薄銅層之間剝離時在中間層之最表面存在一定量以上之鉬或鈷，且較最表面於內部濃度鎳更高。因此，可良好地抑制極薄銅層側表面之針孔之產生。
本發明之附載體銅箔較佳為於使中間層/極薄銅層之間剝離 時，於利用XPS之自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]，∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)為0.1~3%。
又，本發明之附載體銅箔較佳為於大氣中、壓力：20kgf/cm2、220℃×2小時之條件下將絕緣基板熱壓接於極薄銅層，於使中間層/極薄銅層之間剝離時，於自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]，∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成為0.5~5%。
如此，本發明之附載體銅箔係於將中間層/極薄銅層之間剝離時在中間層之內部存在一定量以上之銅。若中間層中之銅濃度提高，則中間層/極薄銅層之間之密接力提高。因此，可藉由控制鎳中之銅濃度而控制剝離強度。又，熱壓接後之附載體銅箔亦於將銅箔載體自極薄銅層剝離時在中間層之內部存在一定量以上之銅。因此，有可防止熱壓接後之極端之剝離強度之降低的效果。
較高地設定鎳之電流密度，提高每單位時間之電沈積速度，又，加快載體銅箔之搬送速度，而使鎳層之密度降低。若鎳層之密度降低，則載體銅箔之銅容易擴散至鎳層，而可控制鎳中之銅之濃度。又，若降低鉬及鈷於鍍敷處理中之電流密度，減慢載體銅箔之搬送速度，則鉬及鈷層之密度提高。若鉬及鈷層之密度提高，則載體銅箔之銅及鎳層之鎳不易擴散，而可控制鉬及鈷之濃度。
又，本發明之附載體銅箔較佳為中間層之鉬-鈷合金之鈷之濃度為20~80質量%。根據此種構成，進一步提高抑制銅及鎳擴散至鉬-鈷合金層的效果，絕緣基板壓接後之剝離強度等級較低且穩定。
又，本發明之附載體銅箔可於極薄銅層上具備粗化處理層，可於上述粗化處理層上具備耐熱層及/或防銹層，可於上述耐熱層及/或防銹 層上具備鉻酸鹽處理層，可於上述鉻酸鹽處理層上具備矽烷偶合處理層。
又，本發明之附載體銅箔可於極薄銅層上具備耐熱層及/或防銹層，可於上述耐熱層及/或防銹層上具備鉻酸鹽處理層，可於上述鉻酸鹽處理層上具備矽烷偶合處理層。
又，上述附載體銅箔可於上述極薄銅層上、或上述粗化處理層上、或上述耐熱層、防銹層、或鉻酸鹽處理層、或矽烷偶合處理層之上具備樹脂層。上述樹脂層可為絕緣樹脂層。
再者，形成上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層之順序並不相互限定，可以任何順序於極薄銅層上或粗化處理層上形成該等層。
上述樹脂層可為接著用樹脂，即接著劑，亦可為接著用半硬化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)，包括如下狀態：即便用手指觸摸其表面亦無黏著感，可重疊地保管該絕緣樹脂層，若進而進行加熱處理，則會引起硬化反應。
又，上述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。又，上述樹脂層亦可含有熱塑性樹脂。上述樹脂層可含有公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。又，上述樹脂層例如可使用如下文獻中所記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成：國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本專利特開平11-5828號、日本專利特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本專利特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本專利特開2002-179772號、日本專利特開2002-359444號、日本專利特開 2003-304068號、日本專利第3992225、日本專利特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本專利特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本專利特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本專利特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本專利特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本專利特開2006-257153號、日本專利特開2007-326923號、日本專利特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本專利特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本專利特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本專利特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本專利特開2013-19056號。
又，上述樹脂層中，其種類並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉含有選自如下成分之群中之一種以上之樹脂：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、聚馬來醯亞胺化合物、馬來醯亞胺系樹脂、芳香族馬來醯亞胺樹脂、聚乙烯乙醛樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醚碸(亦稱為polyethersulphone、polyethersulfone)、聚醚碸(亦稱為polyethersulphone、polyethersulfone)樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠變性環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙馬來醯亞胺三樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、氰酸酯酯系樹脂、羧酸之酸酐、多元羧酸之酸酐、具有可交聯之官能基之線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷之酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙 (4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠變性聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子環氧樹脂、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚聚醯亞胺樹脂及氰酯樹脂。
又，上述環氧樹脂係分子內具有2個以上環氧基者，且只要為可用於電性、電子材料用途者，則尤其可無問題地使用。又，上述環氧樹脂較佳為使用分子內具有2個以上縮水甘油基之化合物進行環氧化而成的環氧樹脂。又，可混合使用選自：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等縮水甘油酯化合物、含磷之環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂之群中之1種或2種以上，或可使用上述環氧樹脂之氫化體或鹵化體。
可使用公知之含有磷之環氧樹脂作為上述含磷之環氧樹脂。又，上述含磷之環氧樹脂較佳為例如分子內具備2個以上環氧基之以自9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物之衍生物之形式獲得的環氧樹脂。
該以源自9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物之衍生物之形式獲得的環氧樹脂係使9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物與萘醌或對苯二酚反應而製成以下化1(HCA-NQ)或化2(HCA-HQ)所表示之化合物後，使其OH基之部分與環氧樹脂反應而製成含磷之環氧樹脂。
[化1]
獲得上述化合物作為原料之上述E成分即含磷之環氧樹脂較佳為混合使用1種或2種具備以下所示之化3~化5中之任一者所表示之結構式的化合物。其原因在於半硬化狀態下之樹脂品質之穩定性優異，同時難燃性效果較高。
又，作為上述溴化(brominated)環氧樹脂，可使用公知之經溴化(brominated)之環氧樹脂。例如，上述溴化(brominated)環氧樹脂較佳為混合使用1種或2種分子內具備2個以上環氧基之具備以源自四溴雙酚A之衍生物之形式獲得之化6所表示之結構式的溴化環氧樹脂、及具備以下所表示之化7所表示之結構式的溴化環氧樹脂。
[化6]
作為上述馬來醯亞胺系樹脂或芳香族馬來醯亞胺樹脂或馬來醯亞胺化合物或聚馬來醯亞胺化合物，可使用公知之馬來醯亞胺系樹脂或芳香族馬來醯亞胺樹脂或馬來醯亞胺化合物或聚馬來醯亞胺化合物。例如，作為馬來醯亞胺系樹脂或芳香族馬來醯亞胺樹脂或馬來醯亞胺化合物或聚馬來醯亞胺化合物，可使用：4,4'-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、聚苯基甲烷馬來醯亞胺、間伸苯基雙馬來醯亞胺、雙酚A二苯醚雙馬來醯亞胺、3,3'-二甲基-5,5'-二乙基-4,4'-二苯基甲烷雙馬來醯亞胺、4-甲基-1,3-伸苯基雙馬來醯亞胺、4,4'-二苯醚雙馬來醯亞胺、4,4'-二苯基碸雙馬來醯亞胺、1,3-雙(3-馬來醯亞胺苯氧基)苯、1,3-雙(4-馬來醯亞胺苯氧基)苯、以及使上述化合物與上述化合物或其他化合物聚合而成之聚合物等。又，上述馬來醯亞胺系樹脂可為分子內具有2個以上馬來醯亞胺基之芳香族馬來醯亞胺樹脂，亦可為使分子內具有2個以上之馬來醯亞胺基之芳香族馬來醯亞胺樹脂與聚胺或芳香族聚胺聚合而成的聚合加成物。
作為上述聚胺或芳香族聚胺，可使用公知之聚胺或芳香族聚胺。例如，作為聚胺或芳香族聚胺，可使用：間苯二胺、對苯二胺、4,4'-二胺基二環己基甲烷、1,4-二胺基環己烷、2,6-二胺基吡啶、4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2- 雙(4-胺基苯基)丙烷、4,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基-3-甲基二苯醚、4,4'-二胺基二苯硫醚、4,4'-二胺基二苯甲酮、4,4'-二胺基二苯基碸、雙(4-胺基苯基)苯基胺、間苯二甲胺、對苯二甲胺、1,3-雙[4-胺基苯氧基]苯、3-甲基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2',5,5'-四氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2-雙(3-甲基-4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(3-乙基-4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(2,3-二氯-4-胺基苯基)丙烷、雙(2,3-二甲基-4-胺基苯基)苯基乙烷、乙二胺及己二胺、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷、以及使上述化合物與上述化合物或其他化合物聚合而成之聚合物等。又，可使用一種或兩種以上公知之聚胺及/或芳香族聚胺或上述聚胺或芳香族聚胺。
作為上述苯氧基樹脂，可使用公知之苯氧基樹脂。又，作為上述苯氧基樹脂，可使用藉由雙酚與2價環氧樹脂之反應而合成者。作為環氧樹脂，可使用公知之環氧樹脂及/或上述環氧樹脂。
作為上述雙酚，可使用公知之雙酚，又，可使用以雙酚A、雙酚F、雙酚S、四溴雙酚A、4,4'-二羥基聯苯、HCA(9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物)與對苯二酚、萘醌等醌類的加成物之形式獲得之雙酚等。
作為上述具有可交聯之官能基之線狀聚合物，可使用公知之具有可交聯之官能基之線狀聚合物。例如，上述具有可交聯之官能基之線狀聚合物較佳為具備羥基、羧基等有助於環氧樹脂之硬化反應之官能基。並且，該具有可交聯之官能基之線狀聚合物較佳為可溶解於沸點為50℃~200℃之溫度之有機溶劑。若具體地例示此處所謂之具有官能基之線狀聚合物，則為聚乙烯乙醛樹脂、苯氧基樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂等。
上述樹脂層可含有交聯劑。交聯劑可使用公知之交聯劑。例如可使用胺基甲酸酯系樹脂作為交聯劑。
上述橡膠性樹脂可使用公知之橡膠性樹脂。例如，上述橡膠性樹脂係 記載為包括天然橡膠及合成橡膠在內的概念，後者之合成橡膠中有苯乙烯-丁二烯橡膠、丁二烯橡膠、丁基橡膠、乙烯-丙烯橡膠、丙烯腈丁二烯橡膠、丙烯酸系橡膠(丙烯酸酯共聚物)、聚丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠等。進而，於確保所形成之樹脂層之耐熱性時，亦對選擇使用腈橡膠、氯丁二烯橡膠、矽橡膠、胺基甲酸酯橡膠等具備耐熱性之合成橡膠有用。關於該等橡膠性樹脂，為了與芳香族聚醯胺樹脂或聚醯胺醯亞胺樹脂反應而製造共聚物，較理想為於兩末端具備各種官能基。尤其，對使用CTBN(羧基末端丁二烯腈)有用。又，若於丙烯腈丁二烯橡膠之中亦為羧基改質體，則可獲得環氧樹脂與交聯結構，而提高硬化後之樹脂層之可撓性。作為羧基改質體，可使用羧基末端丁腈橡膠(CTBN)、羧基末端丁二烯橡膠(CTB)、羧基改質丁腈橡膠(C-NBR)。
作為上述聚醯胺醯亞胺樹脂，可使用公知之聚醯亞胺醯胺樹脂。又，作為上述聚醯亞胺醯胺樹脂，可使用例如：藉由於N-甲基-2-吡咯啶酮或/及N,N-二甲基乙醯胺等溶劑中加熱偏苯三甲酸酐、二苯甲酮四羧酸酐及3,3-二甲基-4,4-聯苯二異氰酸酯而獲得之樹脂，或藉由於N-甲基-2-吡咯啶酮或/及N,N-二甲基乙醯胺等溶劑中加熱偏苯三甲酸酐、二苯基甲烷二異氰酸酯及羧基末端丙烯腈-丁二烯橡膠而獲得者。
作為上述橡膠變性聚醯胺醯亞胺樹脂，可使用公知之橡膠變性聚醯胺醯亞胺樹脂。橡膠變性聚醯胺醯亞胺樹脂係使聚醯胺醯亞胺樹脂與橡膠性樹脂反應而得者。使聚醯胺醯亞胺樹脂與橡膠性樹脂反應而使用之情況係為了提高聚醯胺醯亞胺樹脂本身之柔軟性而進行。即，使聚醯胺醯亞胺樹脂與橡膠性樹脂反應，將聚醯胺醯亞胺樹脂之酸成分(環己烷二羧酸等)之一部分取代為橡膠成分。聚醯胺醯亞胺樹脂可使用公知之聚醯胺醯亞胺樹脂。又，橡膠性樹脂可使用公知之橡膠性樹脂或上述橡膠性樹脂。於使橡膠變性聚醯胺醯亞胺樹脂聚合時，用於溶解聚醯胺醯亞胺樹脂與橡膠性 樹脂之溶劑較佳為混合使用1種或2種以上二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基亞碸、硝基甲烷、硝基乙烷、四氫呋喃、環己酮、甲基乙基酮、乙腈、γ-丁內酯等。
作為上述膦腈系樹脂，可使用公知之膦腈系樹脂。膦腈系樹脂係以磷及氮為構成元素之具有雙鍵之含有膦腈的樹脂。膦腈系樹脂可藉由分子中之氮與磷之協同效果，而飛躍性地提高難燃性能。又，與9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物衍生物不同，於樹脂中穩定地存在，而獲得防止電子遷移之產生之效果。
作為上述氟樹脂，可使用公知之氟樹脂。又，作為氟樹脂，可使用例如由選自PTFE(聚四氟乙烯(四氟化))、PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共聚物)、FEP(四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(四、六氟化))、ETFE(四氟乙烯-乙烯共聚物)、PVDF(聚偏二氟乙烯(二氟化))、PCTFE(聚氯三氟乙烯(三氟化))、聚芳碸、芳香族多硫化物及芳香族聚醚之中之任意至少1種之熱塑性樹脂與氟樹脂所構成之氟樹脂等。
又，上述樹脂層可含有樹脂硬化劑。作為樹脂硬化劑，可使用公知之樹脂硬化劑。例如，作為樹脂硬化劑，可使用二氰基二醯胺、咪唑類、芳香族胺等胺類、雙酚A、溴化雙酚A等酚類、酚系酚醛清漆樹脂及甲酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆類、苯二甲酸酐等酸酐、聯苯型酚系樹脂、苯酚芳烷基型酚系樹脂等。又，上述樹脂層亦可含有1種或2種以上上述樹脂硬化劑。該等硬化劑對環氧樹脂尤其有效。
將上述聯苯型酚系樹脂之具體例示於化8。
[化8]
又，將上述苯酚芳烷基型酚系樹脂之具體例示於化9。
作為咪唑類，可使用公知者，例如可列舉：2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等，可單獨或混合使用該等。
又，其中，較佳為使用具備以下之化10所表示之結構式之咪唑類。藉由使用該化10所表示之結構式之咪唑類，可顯著地提高半硬化狀態之樹脂層之耐吸濕性，使長期保存穩定性優異。其原因在於，咪唑類係於環氧樹脂之硬化時發揮觸媒作用者，其於硬化反應之初期階段，作為引起環氧樹脂之自聚合反應之反應起始劑而發揮作用。
[化10]
作為上述胺類之樹脂硬化劑，可使用公知之胺類。又，作為上述胺類之樹脂硬化劑，例如可使用上述聚胺或芳香族聚胺，又，亦可使用選自芳香族聚胺、聚醯胺類及使該等與環氧樹脂或多元羧酸聚合或縮合而獲得之胺加成物之群中之1種或2種以上。又，作為上述胺類之樹脂硬化劑，較佳為使用4,4'-二胺基二伸苯基碸、3,3'-二胺基二伸苯基碸、4,4-二胺基聯苯、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷或雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸中任一種以上。
上述樹脂層可含有硬化促進劑。作為硬化促進劑，可使用公知之硬化促進劑。例如，作為硬化促進劑，可使用三級胺、咪唑、脲系硬化促進劑等。
上述樹脂層可含有反應觸媒。作為反應觸媒，可使用公知之反應觸媒。例如，作為反應觸媒，可使用微粉碎二氧化矽、三氧化銻等。
上述多元羧酸之酸酐較佳為作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用之成分。又，上述多元羧酸之酸酐較佳為苯二甲酸酐、馬來酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸酐、四羥基苯二甲酸酐、六羥基苯二甲酸酐、甲基六羥基苯二甲酸酐、耐地酸、甲基耐地酸。
上述熱塑性樹脂可為具有可與環氧樹脂聚合之醇性羥基以 外之官能基的熱塑性樹脂。
上述聚乙烯乙醛樹脂可具有羥基及羥基以外之可與環氧樹脂或馬來醯亞胺化合物聚合之官能基。又，上述聚乙烯乙醛樹脂可為其分子內導入羧基、胺基或不飽和雙鍵而成者。
作為上述芳香族聚醯胺樹脂聚合物，可列舉使芳香族聚醯胺樹脂與橡膠性樹脂反應而獲得者。此處，所謂芳香族聚醯胺樹脂，係指藉由芳香族二胺與二羧酸之縮聚合而合成者。此時之芳香族二胺係使用4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二胺基二苯基碸、間苯二甲胺、3,3'-二胺基二苯醚等。並且，於二羧酸係使用苯二甲酸、異苯二甲酸、對苯二甲酸、富馬酸等。
所謂可與上述芳香族聚醯胺樹脂反應之上述橡膠性樹脂，可使用公知之橡膠性樹脂或上述橡膠性樹脂。
該芳香族聚醯胺樹脂聚合物係為了於對加工成覆銅積層板後之銅箔進行蝕刻加工時，不因蝕刻液而受到由底蝕引起之損傷而使用者。
又，上述樹脂層可為自銅箔側(即附載體銅箔之極薄銅層側)依序形成有硬化樹脂層(所謂「硬化樹脂層」意指經硬化過之樹脂層)、及半硬化樹脂層的樹脂層。上述硬化樹脂層亦可由熱膨脹係數為0ppm/℃~25ppm/℃之聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、該等之複合樹脂中之任一樹脂成分構成。
又，可於上述硬化樹脂層上設置硬化後之熱膨脹係數為0ppm/℃~50ppm/℃之半硬化樹脂層。又，使上述硬化樹脂層與上述半硬化樹脂層硬化後的樹脂層整體之熱膨脹係數可為40ppm/℃以下。上述硬化樹脂層之玻璃轉移溫度可為300℃以上。又，上述半硬化樹脂層可為使用馬來醯亞胺系樹脂或芳香族馬來醯亞胺樹脂而形成者。用以形成上述半硬化樹脂層之樹脂組成物較佳為包含馬來醯亞胺系樹脂、環氧樹脂、具有可交聯之官能基之線狀聚合物。環氧樹脂可使用公知之環氧樹脂或本說明書中所 記載之環氧樹脂。又，作為馬來醯亞胺系樹脂、芳香族馬來醯亞胺樹脂、具有可交聯之官能基之線狀聚合物，可使用公知之馬來醯亞胺系樹脂、芳香族馬來醯亞胺樹脂、具有可交聯之官能基之線狀聚合物，或上述馬來醯亞胺系樹脂、芳香族馬來醯亞胺樹脂、具有可交聯之官能基之線狀聚合物。
又，於提供一種適於立體成型印刷配線板製造用途的具有樹脂層之附載體銅箔之情形時，上述硬化樹脂層較佳為經硬化之具有可撓性之高分子聚合物層。上述高分子聚合物層為了可耐受住焊料安裝步驟，較佳為由具有150℃以上之玻璃轉移溫度之樹脂所構成者。上述高分子聚合物層較佳為由聚醯胺樹脂、聚醚碸樹脂、芳族聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚乙烯乙醛樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂中之任1種或2種以上之混合樹脂構成。又，上述高分子聚合物層之厚度較佳為3μm~10μm。
又，上述高分子聚合物層較佳為含有環氧樹脂、馬來醯亞胺系樹脂、酚系樹脂、胺基甲酸酯樹脂中之任1種或2種以上。又，上述半硬化樹脂層較佳為由厚度為10μm~50μm之環氧樹脂組成物構成。
又，上述環氧樹脂組成物較佳為含有以下A成分~E成分之各成分者。
A成分：環氧當量為200以下且由選自室溫下為液狀之雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、及雙酚AD型環氧樹脂之群中之1種或2種以上所構成的環氧樹脂。
B成分：高耐熱性環氧樹脂。
C成分：含磷之環氧系樹脂、膦腈系樹脂中之任1種或混合該等而成之樹脂即含磷之難燃性樹脂。
D成分：由具備可溶解於沸點為50℃~200℃之範圍之溶劑中之性質之液狀橡膠成分變性而成的橡膠變性聚醯胺醯亞胺樹脂。
E成分：樹脂硬化劑。
B成分係所謂之玻璃轉移點Tg較高之「高耐熱性環氧樹脂」。此處所謂之「高耐熱性環氧樹脂」較佳為酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂等多官能環氧樹脂。
作為C成分之含磷之環氧樹脂，可使用上述含磷之環氧樹脂。又，作為C成分之膦腈系樹脂，可使用上述膦腈系樹脂。
作為D成分之橡膠變性聚醯胺醯亞胺樹脂，可使用上述橡膠變性聚醯胺醯亞胺樹脂。作為E成分之樹脂硬化劑，可使用上述樹脂硬化劑。
於以上所示之樹脂組成物中添加溶劑用作樹脂清漆，而形成熱硬化性樹脂層作為印刷配線板之接著層。該樹脂清漆係於上述樹脂組成物中添加溶劑，將樹脂固形物成分量製備為30wt%~70wt%之範圍，依據MIL標準中之MIL-P-13949G進行測定時，可形成樹脂流動量為5%~35%之範圍的半硬化樹脂膜。溶劑可使用公知之溶劑或上述溶劑。
上述樹脂層係自銅箔側依序具有第1熱硬化性樹脂層、及位於該第1熱硬化性樹脂層之表面之第2熱硬化性樹脂層的樹脂層，第1熱硬化性樹脂層亦可為由不溶於配線板製造製程中之除膠渣處理時之化學藥品的樹脂成分所形成者，第2熱硬化性樹脂層亦可為使用可溶於配線板製造製程中之除膠渣處理時之化學藥品並洗淨去除的樹脂所形成者。上述第1熱硬化性樹脂層可為使用混合有聚醯亞胺樹脂、聚醚碸、聚苯醚中之任一種或兩種以上之樹脂成分而形成者。上述第2熱硬化性樹脂層可為使用環氧樹脂成分而形成者。上述第1熱硬化性樹脂層之厚度t1(μm)較佳為於將附載體銅箔之粗化面粗糙度設為Rz(μm)、將第2熱硬化性樹脂層之厚度設為t2(μm)時，t1滿足Rz<t1<t2之條件之厚度。
上述樹脂層可為骨架材料中含浸有樹脂之預浸體。上述骨架材料中所含浸之樹脂較佳為熱硬化性樹脂。上述預浸體亦可為公知之預浸 體或印刷配線板製造中使用之預浸體。
上述骨架材料可含有芳族聚醯胺纖維或玻璃纖維或全芳香族聚酯纖維。上述骨架材料較佳為芳族聚醯胺纖維或玻璃纖維或全芳香族聚酯纖維之不織布或者織布。又，上述全芳香族聚酯纖維較佳為熔點為300℃以上之全芳香族聚酯纖維。所謂上述熔點為300℃以上之全芳香族聚酯纖維，係指使用稱為所謂液晶聚合物之樹脂製造而成的纖維，且該液晶聚合物係以2-羥基-6-萘甲酸及對羥基安息香酸之聚合物為主成分。該全芳香族聚酯纖維具有低介電常數、較低之介質損耗正切，因此作為電性絕緣層之構成材料具有優異之性能，可與玻璃纖維及芳族聚醯胺纖維同樣地使用。
再者，構成上述不織布及織布之纖維為了提高與其表面之樹脂之潤濕性，較佳為實施矽烷偶合劑處理。此時之矽烷偶合劑可依據使用目的使用公知之胺基系、環氧系等矽烷偶合劑或上述矽烷偶合劑。
又，上述預浸體可為於使用標稱厚度為70μm以下之芳族聚醯胺纖維或玻璃纖維之不織布、或標稱厚度為30μm以下之玻璃布構成之骨架材料中含浸熱硬化性樹脂而成的預浸體。
(樹脂層含有介電體(介電體填料)之情形)
上述樹脂層可含有介電體(介電體填料)。
於在上述任一樹脂層或樹脂組成物中含有介電體(介電體填料)之情形時，可用於形成電容器層之用途，而增加電容器電路之電容。該介電體(介電體填料)係使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3-PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦結構之複合氧化物之介電體粉。
介電體(介電體填料)可為粉狀。於介電體(介電體填料)為粉狀之情形時，該介電體(介電體填料)之粉體特性必須首先為粒徑為 0.01μm~3.0μm，較佳為0.02μm~2.0μm之範圍。此處所謂粒徑，係指由於粉粒彼此形成一定之2次凝聚狀態，故而於根據雷射繞射散射式粒度分佈測定法或BET法等之測定值推測平均粒徑之類的間接測定中因精度較差而無法使用，而利用掃描型電子顯微鏡(SEM)直接觀察介電體(介電體填料)，將該SEM像圖像解析而獲得的平均粒徑。本件說明書中，將此時之粒徑表示為DIA。再者，本件說明書中之使用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察之介電體(介電體填料)之粉體之圖像解析係使用Asahi Engineering股份有限公司製造之IP-1000PC，設為圓度閾值10、重疊度20並進行圓形粒子解析，而求出平均粒徑DIA。
藉由上述實施之形態，可提供一種如下附載體銅箔，其可提高該內層核心材料之內層電路表面與含有介電體之樹脂層之密接性，具有含有用以形成具備較低之介質損耗正切之電容器電路層之介電體的樹脂層。
使上述樹脂層中所含之樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲基醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基賽路蘇、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑中而製成樹脂液(樹脂清漆)，藉由例如輥式塗佈法將其塗佈於上述極薄銅層上、或上述耐熱層、防銹層、或上述鉻酸鹽處理層、或上述矽烷偶合劑層之上，繼而視需要進行加熱乾燥去除溶劑而成為B階段狀態。乾燥係例如只要使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度只要為100~250℃、較佳為130~200℃即可。使用溶劑溶解上述樹脂層之組成物，可製成樹脂固形物成分為3wt%~70wt%、較佳為3wt%~60wt%、較佳為10wt%~40wt%、更佳為25wt%~40wt%之樹脂液。再者，就環境之觀點而言，現階段最佳為使用甲基乙基酮與環戊酮之混合溶劑進行溶解。再者，溶劑較佳為使用沸點為50℃~200℃之範圍之溶劑。
又，上述樹脂層較佳為依據MIL標準中之MIL-P-13949G進行測定時之樹脂流動量為5%~35%之範圍的半硬化樹脂膜。
本件說明書中，所謂樹脂流動量，係指依據MIL標準中之MIL-P-13949G，自將樹脂厚度設為55μm之附有樹脂之銅箔採取4片10cm見方試樣，於將該4片試樣重疊之狀態(積層體)下，於壓製溫度171℃、壓製壓力14kgf/cm2、壓製時間10分鐘之條件下進行貼合，根據測定此時之樹脂流出重量所得之結果，基於數1而算出之值。
具備上述樹脂層之附載體銅箔(附有樹脂之附載體銅箔)係以如下態樣被使用：將該樹脂層與基材重疊後將整體熱壓接而使該樹脂層熱硬化，繼而剝離載體而露出極薄銅層(當然露出的是該極薄銅層之中間層側之表面)，於其上形成特定之配線圖案。
若使用該附有樹脂之附載體銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時之預浸材料之使用片數。而且，將樹脂層之厚度設為可確保層間絕緣之厚度，或完全不使用預浸材料，亦可製造覆銅積層板。又，此時，將絕緣樹脂底漆塗佈於基材之表面，亦可進而改善表面之平滑性。
再者，於不使用預浸材料之情形時，可節約預浸材料之材料成本，又，積層步驟亦變得簡略，因此於經濟上較為有利，而且，有如下優點：僅製造預浸材料之厚度程度的多層印刷配線基板之厚度變薄，而可製造1層之厚度為100μm以下之極薄之多層印刷配線基板。
該樹脂層之厚度較佳為0.1~120μm。
若樹脂層之厚度薄於0.1μm，則有如下情況：於不使接著力降低而插入預浸材料之情況下，將該附有樹脂之附載體銅箔積層於具備 內層材料之基材上時，難以確保與內層材料之電路之間的層間絕緣。另一方面，若樹脂層之厚度厚於120μm，則有如下情況：難以於1次塗佈步驟中形成目標厚度之樹脂層，而需要多餘之材料費及步驟數，因此於經濟上變得不利。
再者，於將具有樹脂層之附載體銅箔用於製造極薄之多層印刷配線板中之情形時，將上述樹脂層之厚度設為0.1μm~5μm、更佳為0.5μm~5μm、更佳為1μm~5μm時，可縮小多層印刷配線板之厚度，故而較佳。
又，於樹脂層含有介電體之情形時，樹脂層之厚度較佳為0.1~50μm，較佳為0.5μm~25μm，更佳為1.0μm~15μm。
又，上述硬化樹脂層與半硬化樹脂層之樹脂層總厚度較佳為0.1μm~120μm，較佳為5μm~120μm，較佳為10μm~120μm，更佳為10μm~60μm。並且，硬化樹脂層之厚度較佳為2μm~30μm，較佳為3μm~30μm，更佳為5~20μm。又，半硬化樹脂層之厚度較佳為3μm~55μm，較佳為7μm~55μm，更理想為15~115μm。其原因在於若樹脂層總厚度超過120μm，則有難以製造極薄之多層印刷配線板之情況，若未達5μm，則有如下情況：雖容易形成極薄之多層印刷配線板，但會產生內層之電路間之絕緣層即樹脂層變得過薄，而使內層之電路間之絕緣性不穩定之傾向。又，若硬化樹脂層厚度未達2μm，則有必須考慮銅箔粗化面之表面粗度之情況。反之，若硬化樹脂層厚度超過20μm，則有由經硬化過之樹脂層帶來的效果並未特別提高之情況，總絕緣層厚度變厚。
再者，於將上述樹脂層之厚度設為0.1μm~5μm之情形時，為了提高樹脂層與附載體銅箔之密接性，較佳為於在極薄銅層之上設置耐熱層及/或防銹層及/或鉻酸鹽處理層及/或矽烷偶合處理層後，於該耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層之上形成樹脂層。
再者，上述樹脂層之厚度係指藉由於任意之10點觀察剖面測得之厚度 之平均值。
進而，作為該附有樹脂之附載體銅箔之另一製品形態，亦可以樹脂層被覆上述極薄銅層上、或上述耐熱層、防銹層、或上述鉻酸鹽處理層、或上述矽烷偶合處理層之上，製成半硬化狀態後，繼而剝離載體，以不存在載體之附有樹脂之銅箔之形式進行製造。
以下，表示若干使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造步驟的例。
於本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；及以使極薄銅層側與絕緣基板對向之方式將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、改良半加成法、部分加成法及減成法中任一方法形成電路的步驟。絕緣基板亦可設為內層電路入口。
本發明中，所謂半加成法，係指於絕緣基板或銅箔籽晶層上進行較薄之無電解鍍敷，形成圖案後，使用電鍍及蝕刻形成導體圖案的方法。
因此，於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除的步驟；於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出的上述樹脂上設置通孔或/及 盲孔的步驟；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；於上述樹脂及包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟；於上述無電解鍍敷層之上設置鍍敷阻劑之步驟；對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之鍍敷阻劑的步驟；於去除了上述鍍敷阻劑之形成有上述電路之區域設置電解鍍敷層的步驟；去除上述鍍敷阻劑之步驟；及藉由快速蝕刻等去除形成有上述電路之區域以外之區域之無電解鍍敷層的步驟。
於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除的步驟；於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂之表面設置無電解鍍敷層的步驟；於上述無電解鍍敷層之上設置鍍敷阻劑之步驟；對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之鍍敷阻劑的步驟； 於去除了上述鍍敷阻劑之形成有上述電路之區域設置電解鍍敷層的步驟；去除上述鍍敷阻劑之步驟；及藉由快速蝕刻等去除形成有上述電路之區域以外之區域之無電解鍍敷層及極薄銅層的步驟。
本發明中，所謂改良半加成法，係指於絕緣層上積層金屬箔，藉由鍍敷阻劑保護非電路形成部，藉由電解鍍敷增厚電路形成部之銅層後，去除光阻劑，利用(快速)蝕刻去除上述電路形成部以外之金屬箔，藉此於絕緣層上形成電路的方法。
因此，於使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；於包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置鍍敷阻劑之步驟；於設置上述鍍敷阻劑後，藉由電解鍍敷形成電路之步驟；去除上述鍍敷阻劑之步驟；及利用快速蝕刻去除藉由去除上述鍍敷阻劑而露出之極薄銅層的步驟。
於使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，包括： 準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層之上設置鍍敷阻劑之步驟；對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後，去除形成有電路之區域之鍍敷阻劑的步驟；於去除了上述鍍敷阻劑之形成有上述電路之區域設置電解鍍敷層的步驟；去除上述鍍敷阻劑之步驟；及藉由快速蝕刻等去除形成有上述電路之區域以外之區域之無電解鍍敷層及極薄銅層的步驟。
本發明中，所謂部分加成法，係指於設置導體層而成之基板、視需要穿過通孔或輔助孔(via hole)用之孔而成的基板上賦予觸媒核，進行蝕刻形成導體電路，視需要設置阻焊劑或鍍敷阻劑後，於上述導體電路上藉由無電解鍍敷處理對通孔或輔助孔等進行增厚，藉此製造印刷配線板的方法。
因此，於使用部分加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔的步驟； 對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對包含上述通孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置蝕刻阻劑之步驟；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案之步驟；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核，形成電路之步驟；去除上述蝕刻阻劑之步驟；於藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核而露出之上述絕緣基板表面，設置阻焊劑或鍍敷阻劑的步驟；及於未設置上述阻焊劑或鍍敷阻劑之區域設置無電解鍍敷層之步驟。
本發明中，所謂減成法，係指藉由蝕刻等選擇性地去除覆銅積層板上之銅箔之不需要的部分，而形成導體圖案之方法。
因此，於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；於包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟；於上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層之步驟；於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑之步驟； 對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案之步驟；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層及上述電解鍍敷層，形成電路的步驟；及去除上述蝕刻阻劑之步驟。
於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔的步驟；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；於包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍敷層之步驟；於上述無電解鍍敷層之表面形成遮罩之步驟；於未形成遮罩之上述無電解鍍敷層之表面設置電解鍍敷層之步驟；於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑之步驟；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案之步驟；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述無電解鍍敷層，形成電路的步驟；及去除上述蝕刻阻劑之步驟。
亦可不進行設置通孔或/及盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟。
此處，利用圖式詳細地說明使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法的具體例。再者，此處，以具有形成有粗化處理層之極 薄銅層之附載體銅箔為例進行說明，但並不限於此，使用具有未形成粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔，亦可同樣地進行下述印刷配線板之製造方法。
首先，如圖1-A所示，準備表面具有形成有粗化處理層之極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。
其次，如圖1-B所示，於極薄銅層之粗化處理層上塗佈光阻劑，進行曝光、顯影，將光阻劑蝕刻為特定之形狀。
繼而，如圖1-C所示，於形成電路用鍍敷後，去除光阻劑，藉此形成特定之形狀之電路鍍層。
繼而，如圖2-D所示，以被覆電路鍍層之方式(以埋沒電路鍍層之方式)於極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，繼而，自極薄銅層側接著另一附載體銅箔(第2層)。
繼而，如圖2-E所示，自第2層之附載體銅箔剝離載體。
繼而，如圖2-F所示，於樹脂層之特定位置進行雷射開孔，露出電路鍍層而形成盲孔。
繼而，如圖3-G所示，於盲孔中形成埋入銅之通孔填充物。
繼而，如圖3-H所示，於通孔填充物上，以上述圖1-B及圖1-C之方式形成電路鍍層。
繼而，如圖3-I所示，自第1層之附載體銅箔剝離載體。
繼而，如圖4-J所示，藉由快速蝕刻去除兩表面之極薄銅層，使樹脂層內之電路鍍層之表面露出。
繼而，如圖4-K所示，於樹脂層內之電路鍍層上形成凸塊，於該焊料上形成銅柱。如此製作使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板。
上述另一附載體銅箔(第2層)可使用本發明之附載體銅箔，可使用習知之附載體銅箔，進而亦可使用通常之銅箔。又，可於圖3-H 所表示之第2層之電路上進而形成1層或複數層電路，可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成該等電路。
本發明之附載體銅箔較佳為以滿足以下(1)之方式控制極薄銅層表面之色差。本發明中，所謂「極薄銅層表面之色差」係表示極薄銅層之表面之色差，或於實施粗化處理等各種表面處理之情形時表示其表面處理層表面之色差。即，本發明之附載體銅箔較佳為以滿足以下(1)之方式控制極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合層之表面之色差。
(1)極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層之表面之基於JISZ8730之色差△E＊ ab為45以上。
此處，色差△L、△a、△b係分別以色差計進行測定，採取黑/白/紅/綠/黃/藍，而使用基於JISZ8730之L＊ a＊ b表色系統表示的綜合指標，且表示為△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍。又，△E＊ ab係使用該等色差以下述式表示。
上述色差可藉由提高極薄銅層形成時之電流密度、降低鍍敷液中之銅濃度、提高鍍敷液之線流速而進行調整。
又，上述色差亦可藉由於極薄銅層之表面實施粗化處理並設置粗化處理層而進行調整。於設置粗化處理層之情形時，可藉由使用含有選自由銅及鎳、鈷、鎢、鉬所組成之群中之一種以上元素的電場液，較習知進一步提高電流密度(例如40~60A/dm2)，縮短處理時間(例如0.1~1.3秒)而進行調整。於未於極薄銅層之表面設置粗化處理層之情形時，可藉由使用使Ni之濃度為其他元素之2倍以上的鍍浴，於極薄銅層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層之表面，以設定低於習知之電流密度(0.1 ~1.3A/dm2)且增加處理時間(20秒~40秒)之方式對鍍Ni合金(例如鍍Ni-W合金、鍍Ni-Co-P合金、鍍Ni-Zn合金)進行處理而達成。
若極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E＊ ab為45以上，則於例如附載體銅箔之極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路之對比度清晰，結果視認性變得良好，可精度良好地進行電路之位置對準。極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E＊ ab較佳為50以上，更佳為55以上，進而更佳為60以上。
於如上所述般控制極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合層之表面之色差的情形時，與電路鍍層之對比度變得清晰，視認性良好。因此，於如上所述之印刷配線板之例如圖1-C所表示之製造步驟中，可精度良好地於特定之位置形成電路鍍層。又，根據如上所述之印刷配線板之製造方法，形成使電路鍍層埋入樹脂層的構成，因此於例如圖4-J所表示之藉由快速蝕刻去除極薄銅層時，藉由樹脂層保護電路鍍層，並保持其形狀，藉此容易形成微細電路。又，為了藉由樹脂層保護電路鍍層，而提高耐電子遷移性，良好地抑制電路之配線之導通。因此，容易形成微細電路。又，於如圖4-J及圖4-K所表示般藉由快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍層之露出面形成自樹脂層凹陷之形狀，因此容易分別於該電路鍍層上形成凸塊，進而於其上形成銅柱，而提高製造效率。
再者，埋入樹脂(Resin)可使用公知之樹脂、預浸體。可使用例如BT樹脂或含浸BT樹脂之玻璃布即預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造之ABF膜或ABF。又，上述埋入樹脂(Resin)可使用本說明書中所記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
[實施例]
以下，藉由本發明之實施例更詳細地說明本發明，但本發明並不受該等實施例之任何限定。
1.附載體銅箔之製造
作為銅箔載體，準備厚度35μm之長條之電解銅箔(JX Nippon Mining & Metals公司製造之JTC)及厚度33μm之壓延銅箔(JX Nippon Mining & Metals公司製造之C1100)。對該銅箔之光澤面，於以下條件下利用捲軸型之連接線於載體表面及極薄銅層側依序於以下條件下進行表1及2中記載之中間層形成處理。於載體表面側與極薄銅層側之處理步驟之間進行水洗及酸洗。
(鍍敷條件)
．鍍Ni
硫酸鎳：250~500g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
檸檬酸三鈉：15~30g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：30~100ppm
pH：4~6
浴溫：50~70℃
電流密度：3~15A/dm2
．鍍鈷
硫酸鈷：200~300g/L
硼酸：20~50g/L
pH：2~5
液溫：10~70℃
電流密度：0.5~20A/dm2
．鍍鉬-鈷合金
硫酸鈷：10~200g/L
鉬酸鈉：5~200g/L
檸檬酸鈉：2~240g/L
pH：2~5
液溫：10~70℃
電流密度：0.5~10 A/dm2
(濺鍍條件)
鉬層係利用電鍍無法形成，因此利用捲軸式之濺鍍裝置而製作。於此情形時，藉由離子槍(LIS)去除銅箔表面較薄之氧化膜後，可形成被覆層。Ni層與Mo層之厚度可藉由調整濺鍍功率而變化。
．裝置：捲軸式濺鍍裝置(神港精機公司)
．到達真空度：1.0×10-5Pa
．濺鍍壓力：0.25Pa
．搬送速度：15m/min
．離子槍功率：225W
．濺鍍功率：200~3000W
．靶： Ni層用=Ni(純度3N)
Mo層用=Mo(純度3N)
．成膜速度：各靶係於一定時間成膜約0.2μm，利用三維測定器測定厚度，算出每單位時間之濺鍍率。
繼而，於捲軸型之連接鍍敷線上，藉由於以下條件下進行電鍍使厚度2~5μm之極薄銅層形成於中間層之上，而製作附載體銅箔。
．極薄銅層
銅濃度：30~120g/L
H2SO4濃度：20~120g/L
電解液溫度：20~80℃
電流密度：10~100A/dm2
再者，實施例1、4、5係於極薄銅層之表面依序進行以下之粗化處理、防銹處理、鉻酸鹽處理、及矽烷偶合處理。
．粗化處理
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH：1~4
溫度：40~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
時間：1~5秒
Cu附著量：15~40mg/dm2
Co附著量：100~3000μg/dm2
Ni附著量：100~1000μg/dm2
．防銹處理
Zn：0~20g/L
Ni：0~5g/L
pH：3.5
溫度：40℃
電流密度Dk：0~1.7A/dm2
時間：1秒
Zn附著量：5~250μg/dm2
Ni附著量：5~300μg/dm2
．鉻酸鹽處理
K2Cr2O7
(N2Cr2O7或CrO3)：2~10g/L
NaOH或KOH：10~50g/L
ZnO或ZnSO47H2O：0.05~10g/L
pH：7~13
浴溫：20~80℃
電流密度：0.05~5A/dm2
時間：5~30秒
Cr附著量：10~150μg/dm2
．矽烷偶合處理
乙烯基三乙氧基矽烷水溶液
(乙烯基三乙氧基矽烷濃度：0.1~1.4wt%)
pH：4~5
時間：5~30秒
2.附載體銅箔之各種評價
對如上所述般獲得之附載體銅箔，利用以下方法實施各種評價。將結果示於表1及2。
<附著量之測定>
鎳附著量係以濃度20質量%之硝酸溶解樣品，使用SII公司製造之ICP發光分光分析裝置(型號：SPS3100)，藉由ICP發光分析而測定，鉬及鈷附著量係以濃度7質量%之鹽酸溶解樣品，使用VARIAN公司製造之原子吸光分光光度計(型號：AA240FS)，藉由利用原子吸光法進行定量分析而測定。再者，測定條件設為於各測定裝置中所推薦之條件。
<XPS分析>
將附載體銅箔之極薄銅層側貼合於絕緣基板上，於20kgf/cm2、220℃×2小時之條件下進行壓接後，將銅箔載體自極薄銅層剝離。繼而，對露出之中間層表面進行XPS測定，製成深度分佈圖。將XPS之運行條件表示如下。
．裝置：XPS測定裝置(ULVAC-PHI公司，型號5600MC)
．到達真空度：3.8×10-7Pa
．X射線：單色AlKα或非單色MgKα、X射線輸出300W、檢測面積800μm、試樣與檢測器所成之角度45°
．離子線：離子種Ar+、加速電壓3kV、掃描面積3mm×3mm、濺鍍率2.8nm/min(SiO2換算)
．深度方向之各元素濃度之測定間隔：0.28nm(SiO2換算)(濺鍍時間，每隔0.1分鐘測定一次)
又，上述熱壓接前之附載體銅箔亦係將銅箔載體自極薄銅層剝離，對所露出之銅箔載體表面進行XPS測定，而製成深度分佈圖。
將於各樣品片材之長邊方向上自兩端至50mm以內之區域內之各1個部位、中央部之50mm×50mm之區域內之1個部位即合計3個部位製成上述利用XPS測定獲得之深度分佈圖。將該3個部位之測定部位示於圖7。繼而，根據3個部位之區域中所製成之深度分佈圖，分別求出自中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]之∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)及∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)及∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)之值，以及自中間層表面起算之深度方向分析之區間[4.0，12.0]之∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)之值，並求出該等之算術平均。
再者，於樣品大小較小之情形時，上述自兩端至50mm以內之區域以及中央部之50mm×50mm之區域可重疊。
再者，是否將中間層與極薄銅層之間剝離之情況可藉由例如與中間層側同樣地對極薄銅層側表面進行XPS測定，製成深度分佈圖而確認。於極薄銅箔側中幾乎未檢測到作為中間層側之構成元素之鎳、鉬及鈷。判定為於對極薄銅層側表面進行XPS測定，而使極薄銅層側表面之鎳、鉬及鈷之原子濃度分別為15at%以下之情形時，中間層與極薄銅層之間發生了剝離。
再者，XPS意指X射線光電子分光法。上述測定係使用ULVAC-PHI公司之XPS測定裝置(型號5600MC)而進行。本發明中，以使用ULVAC-PHI公司之XPS測定裝置(型號5600MC或與ULVAC-PHI公司製造銷售同等之測定裝置)作為前提，但於無法獲取此種測定裝置之情形時，只要將深度方向之各元素濃度之測定間隔設為0.10~0.30nm(SiO2換算)，將濺鍍率設為1.0~3.0nm/min(SiO2換算)，則亦可使用其他XPS測定裝置。
再者，x之值越大，表示金屬之原子濃度之測定位置距藉由極薄銅層之剝離而露出之中間層表面越深(遠)。
<針孔>
以民生用之照相用背光裝置為光源，以目視測定針孔之數。
<剝離強度>
將附載體銅箔之極薄銅層側貼合於絕緣基板上，於大氣中、20kgf/cm2、220℃×2小時之條件下進行壓接後，剝離強度係利用荷重計拉伸銅箔載體側，依據90°剝離法(JIS C 6471 8.1)進行測定。又，貼合於絕緣基板上前之附載體銅箔亦同樣地測定剝離強度。
(評價結果)
實施例1~7係良好地抑制所有針孔，進而顯示良好之剝離強度。
比較例1、2係未形成中間層，鎳與鉬或鈷或鉬鈷合金之附著量較少，因此即便於熱壓接前亦無法將載體自極薄銅層剝離。
比較例3係於中間層未形成鉬或鈷或鉬鈷合金層，因此即便於熱壓接前亦無法將載體自極薄銅層剝離。
比較例4係鎳之濃度較低，且於中間層未形成鉬或鈷或鉬鈷合金層，因此即便於熱壓接前亦無法將載體自極薄銅層剝離。
比較例5、7係鈷之附著量較多，因此極薄銅箔之針孔變得過多，剝離強度較低。
比較例6係鉬之附著量較多，因此極薄銅箔之針孔變得過多，剝離強度較低。
比較例8係鉬與鈷之濃度較低，因此於壓製後無法剝離。
圖5中表示實施例5之與基板貼合前之中間層表面之深度方向的XPS深度分佈圖。
再者，於可將極薄銅層自載體剝離之實施例、比較例中，可將任一中間層與極薄銅層之間剝離。

Claims (24)

  1. 一種附載體銅箔，其係依序具有銅箔載體、中間層、及極薄銅層者，並且上述中間層係依序積層鎳、與鉬或鈷或鉬-鈷合金而構成，於上述中間層，鎳之附著量為1000~40000μg/dm2，於含鉬之情形時鉬之附著量為50~1000μg/dm2，於含鈷之情形時鈷之附著量為50~1000μg/dm2，於使中間層/極薄銅層之間剝離時，若將根據利用XPS之自表面起算之深度方向分析而獲得之深度方向(x：單位nm)之鎳之原子濃度(%)設為g(x)，將銅之原子濃度(%)設為h(x)，將鉬之合計原子濃度(%)設為i(x)，將鈷之原子濃度(%)設為j(x)，將氧之原子濃度(%)設為k(x)，將碳之原子濃度(%)設為l(x)，將其他之原子濃度(%)設為m(x)，則於自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)為20%~80%，於[4.0，12.0]，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)滿足40%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中於使上述中間層/極薄銅層之間剝離時，於利用XPS之自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]，∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)為0.1~3%。
  3. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中於大氣中、壓力：20kgf/cm2、220℃×2小時之條件下將絕緣基板熱壓接於上述極薄銅層上，並使 上述中間層/極薄銅層之間剝離時，於自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成為20%~80%，於[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成為40%以上。
  4. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中於大氣中、壓力：20kgf/cm2、220℃×2小時之條件下將絕緣基板熱壓接於上述極薄銅層上，並使上述中間層/極薄銅層之間剝離時，於自上述中間層表面起算之深度方向分析之區間[0.0，4.0]中，∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成為0.5~5%。
  5. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中上述中間層之鉬-鈷合金之鈷之濃度為20~80質量%。
  6. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其於上述極薄銅層表面具有粗化處理層。
  7. 如申請專利範圍第6項之附載體銅箔，其中上述粗化處理層係由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅所組成之群中之任一者之單質或含有任1種以上之合金所構成的層。
  8. 如申請專利範圍第6項之附載體銅箔，其於上述粗化處理層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  9. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其於上述極薄銅層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  10. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其於上述極薄銅層上具備樹脂層。
  11. 如申請專利範圍第6項之附載體銅箔，其於上述粗化處理層上具備樹脂層。
  12. 如申請專利範圍第8項之附載體銅箔，其於選自由上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層上具備樹脂層。
  13. 如申請專利範圍第10項之附載體銅箔，其中上述樹脂層含有介電體。
  14. 一種附載體銅箔之製造方法，其係製造申請專利範圍第1至13項中任一項之附載體銅箔的方法，其包括：藉由於銅箔載體上利用乾式鍍敷或濕式鍍敷形成鎳層，於上述鎳層上形成鉬層或鈷層或鉬-鈷層而形成中間層的步驟；及藉由電鍍於上述中間層上形成極薄銅層之步驟。
  15. 如申請專利範圍第14項之附載體銅箔之製造方法，其進而包括於上述極薄銅層上形成粗化處理層之步驟。
  16. 一種印刷配線板，其係使用申請專利範圍第1至13項中任一項之附載體銅箔而製造。
  17. 一種印刷電路板，其係使用申請專利範圍第1至13項中任一項之附載體銅箔而製造。
  18. 一種覆銅積層板，其係使用申請專利範圍第1至13項中任一項之附載體銅箔而製造。
  19. 一種印刷配線板之製造方法，其包括：準備申請專利範圍第1至13項中任一項之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層之步驟；及 於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法形成電路的步驟。
  20. 一種印刷配線板之製造方法，其包括：於申請專利範圍第1至13項中任一項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路的步驟；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層的步驟；於上述樹脂層上形成電路之步驟；於上述樹脂層上形成電路後，剝離上述載體之步驟；及於剝離上述載體後，去除上述極薄銅層，藉此使形成於上述極薄銅層側表面之埋沒於上述樹脂層中之電路露出的步驟。
  21. 如申請專利範圍第20項之印刷配線板之製造方法，其中於上述樹脂層上形成電路之步驟係將另一附載體銅箔自極薄銅層側貼合於上述樹脂層上，使用貼合於上述樹脂層之附載體銅箔來形成上述電路的步驟。
  22. 如申請專利範圍第21項之印刷配線板之製造方法，其中貼合於上述樹脂層上之另一附載體銅箔為申請專利範圍第1至13項中任一項之附載體銅箔。
  23. 如申請專利範圍第20項之印刷配線板之製造方法，其中於上述樹脂層上形成電路之步驟係藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法而進行。
  24. 如申請專利範圍第20項之印刷配線板之製造方法，其中上述表面形成電路之附載體銅箔於該附載體銅箔之載體之表面具有基板或樹脂層。
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