TWI551434B - Fabricated copper foil, use of its copper-clad laminate, printed wiring board, printed circuit board and printed wiring board manufacturing method - Google Patents

Fabricated copper foil, use of its copper-clad laminate, printed wiring board, printed circuit board and printed wiring board manufacturing method Download PDF

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TWI551434B
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Description

附載體銅箔、使用其之覆銅積層板、印刷配線板、印刷電路板及印刷配線板之製造方法
本發明係關於一種附載體銅箔、使用其之覆銅積層板、印刷配線板、印刷電路板及印刷配線板之製造方法。
印刷配線板歷經此半個世紀而有較大之進展，至今被使用於幾乎所有電子機器。伴隨近年來電子機器之小型化、高性能化需求之增大，而搭載零件之高密度構裝化或信號高頻化發展，對印刷配線板要求導體圖案之微細化(細間距化(fine pitch))或對應高頻等，尤其是於在印刷配線板上載置IC晶片之情形時，要求L/S=20μm/20μm以下之細間距化。
印刷配線板係首先將銅箔與以玻璃環氧樹脂基板、BT樹脂、聚醯亞胺膜等為主之絕緣基板貼合而成之覆銅積層體進行製造。貼合可使用將絕緣基板與銅箔重合並進行加熱加壓而形成之方法(層壓法)、或將作為絕緣基板材料之前驅物之清漆塗佈於銅箔之具有被覆層之面並進行加熱、硬化的方法(鑄造法)。
伴隨細間距化，覆銅積層體所使用之銅箔之厚度亦成為9μm、進而5μm以下等，持續使箔厚變薄。然而，若箔厚成為9μm以下，則利用上述層壓法或鑄造法形成覆銅積層體時之處理性會極為惡化。因此，出現了利用具有厚度之金屬箔作為載體，對其隔著剝離層形成極薄銅 層之附載體銅箔。附載體銅箔之通常使用方法係於將極薄銅層之表面貼合至絕緣基板並進行熱壓接後，經由剝離層剝離載體。
然而，於貼合銅箔與絕緣基板時，於銅箔之翹曲極大之情形 時，有產生銅箔之搬送裝置產生不良狀況而停止或銅箔受牽制而彎折、起皺等處理上之問題，即生產技術問題的情況。又，有因銅箔之翹曲而於完成之覆銅積層體亦殘留翹曲的情況，有可能於使用覆銅積層體之下一步驟中產生問題。由於厚度有9μm以上之通常(未附載體)之銅箔於厚度方向上為機械特性、結晶組織等均質之材料，又，因具有厚度而剛性高，故而翹曲變大之情況較少。另一方面，附載體銅箔為如上所述由載體箔、剝離層、極薄銅層構成之複合體，因此存在翹曲因該等構成要素即各自之機械特性或結晶組織之不同等而容易變大的傾向。
針對此種問題，例如，於專利文獻1中，揭示有一種複合箔 之捲曲矯正方法，該複合箔係具有載體銅箔/有機剝離層/極薄電解銅箔之3層結構的附有載體銅箔之極薄電解銅箔，且該複合箔之捲曲矯正方法之特徵在於將該複合箔於環境溫度120℃~250℃下進行1小時~10小時加熱處理。而且，記載有根據此種構成，可提供一種可不造成油分之附著或擦傷等損傷而矯正產生於複合箔之捲曲的方法及捲曲被矯正之複合箔。
[專利文獻1]日本特開2011-68142號公報
然而，於專利文獻1所記載之技術中，僅係藉由熱處理來矯正剛製造附載體銅箔後之翹曲，並非防止附載體銅箔製造階段中產生翹曲本身者。對於銅箔之製造者而言，附載體銅箔製造時所產生之翹曲亦有對 製造步驟中之操作帶來障礙之情況，因此更重要的是減少附載體銅箔製造階段之翹曲。而且，減少附載體銅箔製造階段之翹曲就無需因熱處理所產生之追加的翹曲矯正步驟即削減製造成本之觀點而言亦為理想。又，於專利文獻1所記載之方法中，關於極薄銅層及載體之種類、及該等之厚度，有限制可抑制銅箔之翹曲者之虞。
因此，本發明之課題亦在於提供一種對極薄銅層及載體之種 類及該等之厚度無加以限制，可良好地抑制銅箔之翹曲的附載體銅箔、使用其之覆銅積層板、印刷配線板、印刷電路板及印刷配線板之製造方法。
為了達成上述目的，本發明人反覆進行了潛心研究，結果發現，極為有效的是使銅箔載體之外側表面之殘留應力與極薄銅層之外側表面之殘留應力的差為特定值以下。
本發明係基於上述見解作為而完成者，本發明於一態樣中係一種附載體銅箔，係具備銅箔載體、積層於銅箔載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層而成，上述銅箔載體之外側表面之殘留應力與上述極薄銅層之外側表面之殘留應力的差其絕對值為14MPa以下。
本發明之附載體銅箔於一實施形態中係具備銅箔載體、積層於銅箔載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層而成，上述銅箔載體之外側表面之殘留應力與上述極薄銅層之外側表面之殘留應力的差其絕對值大於0MPa且為14MPa以下。
本發明之附載體銅箔於另一實施形態中，上述銅箔載體外側表面之殘留應力與上述極薄銅層外側表面之殘留應力的差其絕對值為11.5MPa以下。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，上述銅箔載體由電解銅箔或壓延銅箔構成。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，上述中間層係由接 觸於與銅箔載體之界面之Ni層及接觸於與極薄銅層之界面之Cr層所構成，上述中間層中之Ni附著量為1μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，上述中間層中之Cr附著量為1μg/dm2以上且100μg/dm2以下，於上述中間層中進而以1μg/dm2以上且70μg/dm2以下之附著量存在Zn。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，上述極薄銅層之厚 度為1μm以上且10μm以下。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，上述極薄銅層之平 均結晶粒徑未達15μm。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，於上述極薄銅層表 面具有粗化處理層。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，於上述粗化處理層 之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之一種以上之層。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，上述防銹層及上述 耐熱層之至少一者含有選自鎳、鈷、銅、鋅中之一種以上之元素。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，上述防銹層及上述 耐熱層之至少一者由選自鎳、鈷、銅、鋅中之一種以上之元素構成。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，於上述粗化處理層 上具有上述耐熱層。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，於上述耐熱層上具 有上述防銹層。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，於上述粗化處理層 上具有上述防銹層。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，於上述防銹層上具 有上述鉻酸鹽處理層。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，於上述鉻酸鹽處理層上具有上述矽烷偶合處理層。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，於上述極薄銅層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之一種以上之層。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，將上述附載體銅箔切成10cm見方之片狀並靜置於水平面上時，片材四角部距水平面之翹起高度的最大值為10mm以下。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，於上述極薄銅層上具備樹脂層。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，於上述粗化處理層上具備樹脂層。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，於選自由上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之一種以上之層上具備樹脂層。
本發明之附載體銅箔於又一實施形態中，上述樹脂層含有介電體。
本發明於另一態樣中係一種覆銅積層板，係使用本發明之附載體銅箔而製成。
本發明於又一態樣中係一種印刷配線板，係使用本發明之附載體銅箔而製成。
本發明於又一態樣中係一種印刷電路板，係使用本發明之附載體銅箔而製成。
本發明於又一態樣中係一種印刷配線板之製造方法，其包含 如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；及於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離上述附載體銅箔之銅箔載體之步驟形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法(semi additive method)、減成法(subtractive method)、部分加成法(partly additive method)或改良型半加成法(modified semi additive method)中之任一種方法形成電路的步驟。
本發明於又一態樣中係一種印刷配線板之製造方法，其包含如下步驟：於本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路的步驟；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層的步驟；於上述樹脂層上形成電路的步驟；於上述樹脂層上形成電路後剝離上述載體的步驟；及藉由於剝離上述載體後去除上述極薄銅層，而使形成於上述極薄銅層側表面之埋沒於上述樹脂層之電路露出的步驟。
本發明之印刷配線板之製造方法於一實施形態中，於上述樹脂層上形成電路之步驟係將另一附載體銅箔自極薄銅層側貼合於上述樹脂層上，使用貼合於上述樹脂層之附載體銅箔形成上述電路的步驟。
本發明之印刷配線板之製造方法於另一實施形態中，貼合於上述樹脂層之另一附載體銅箔為本發明之附載體銅箔。
本發明之印刷配線板之製造方法於又一實施形態中，於上述樹脂層上形成電路之步驟係藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中之任一種方法進行。
本發明之印刷配線板之製造方法於又一實施形態中，進而包含於剝離載體前於附載體銅箔之載體側表面形成基板之步驟。
本發明之附載體銅箔對極薄銅層及載體之種類及該等之厚度並無加以限制，可良好地抑制銅箔之翹曲。
601‧‧‧粗化處理層
602‧‧‧極薄銅層(UT)
603‧‧‧載體
604‧‧‧抗蝕劑
605‧‧‧電路鍍敷
606‧‧‧樹脂
607‧‧‧雷射
608‧‧‧填孔
609‧‧‧銅柱
圖1A~C係使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例即鍍敷電路、去除抗蝕劑為止之步驟中配線板剖面的模式圖。
圖2D~F係使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例即自積層樹脂及第2層附載體銅箔至雷射開孔之步驟中配線板剖面的模式圖。
圖3G~I係使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例即自形成填孔(via-fill)至剝離第1層載體之步驟中配線板剖面的模式圖。
圖4J~K係使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例即自閃蝕至形成凸塊、銅柱之步驟中配線板剖面的模式圖。
<1.載體>
作為本發明可用之載體係使用銅箔。載體典型的是能以壓延銅箔或電解銅箔之形態提供。通常，電解銅箔係將銅自硫酸銅鍍浴電解析出於鈦或不鏽鋼鼓上而製造，壓延銅箔係重複進行藉由壓延輥之塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔之材料，除精銅或無氧銅之類的高純度之銅以外，例如亦可使用如添加Sn之銅、添加Ag之銅、添加Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加Ni及Si等卡遜系銅合金的銅合金。再者，於本說明書中於單獨使用用語「銅箔」時，亦包含銅合金箔在內。
對於可用於本發明之載體之厚度，亦無特別限制，只要適當 調整為發揮作為載體之作用而且具有適當之剛性的厚度即可，可設為例如12μm以上。然而，若過厚，則生產成本變高，因此通常較佳為設為35μm以下。因此，載體之厚度典型的是12μm以上且70μm以下，更典型的是18μm以上且35μm以下。
<2.中間層>
於銅箔載體上設置中間層。亦可於銅箔載體與中間層之間設置其他層。中間層可於銅箔載體上依序積層鎳層及鉻酸鹽層而構成。鎳與銅之接著力較鉻與銅之接著力更高，因此於剝離極薄銅層時，於極薄銅層與鉻之界面進行剝離。又，對於中間層之鎳有期待防止銅成分自載體向極薄銅層擴散之障壁效果。
於使用電解銅箔作為載體之情形時，就減少針孔之觀點而言，較佳為於光面設置中間層。
就獲得下述特性而言較佳為使中間層中鉻酸鹽層較薄地存 在於極薄銅層之界面：於向絕緣基板之積層步驟前極薄銅層不自載體剝離，另一方面，於向絕緣基板之積層步驟後極薄銅層可自載體剝離的特性。 於不設置鎳層而使鉻酸鹽層存在於載體與極薄銅層之邊界時，剝離性幾乎未提昇。又，於無鉻酸鹽層而直接積層鎳層與極薄銅層時，根據鎳層中之鎳量而剝離強度過強或過弱，從而無法獲得適當之剝離強度。
若鉻酸鹽層存在於載體與鎳層之邊界，則於極薄銅層之剝離 時中間層亦隨著被剝離，即於載體與中間層之間產生剝離，因此不佳。不僅於與載體之界面設置鉻酸鹽層之情形時產生此種狀況，即便於與極薄銅層之界面設置鉻酸鹽層，若鉻量過多，則亦產生此種狀況。認為其原因在於，銅與鎳容易固溶，因此若該等接觸，則接著力因相互擴散而變高從而變得難以剝離，另一方面鉻與銅難以固溶，從而難以產生相互擴散，因此於鉻與銅之界面接著力較弱而容易剝離。又，於中間層之鎳量不足之情形 時，於載體與極薄銅層之間僅存在微量之鉻，因此兩者密合從而難以剝離。
於中間層中，鎳之附著量為1μg/dm2以上且40000μg/dm2 以下，鉻之附著量為1μg/dm2以上且100μg/dm2以下。隨著鎳及鉻之附著量增加，而存在極薄銅層之針孔之數量變多之傾向，但只要為該範圍，則亦可抑制針孔之數量。就均勻地剝離無極薄銅層之觀點、及抑制針孔之觀點而言，較佳為將鎳之附著量設為1000μg/dm2以上且10000μg/dm2以下，且將鉻之附著量設為10μg/dm2以上且60μg/dm2以下，更佳為將鎳之附著量設為2000μg/dm2以上且9000μg/dm2以下，且將鉻之附著量設為15μg/dm2以上且45μg/dm2以下。進而，於本發明中，較佳為中間層含有微量之Zn。藉此，可有意地減少針孔之產生，進而，變得容易獲得適當之剝離強度，因此大大有助於品質穩定性。並非意圖藉由理論限定本發明，但認為其原因在於：藉由於中間層存在微量Zn，而形成由Cr與Zn構成之氧化膜，中間層之導電度變得更均勻，導電度極高之部位或導電度極低之部位消失。藉此，形成極薄銅層時之銅之電鍍粒相對於由Cr與Zn構成之氧化膜均勻地附著，剝離強度變成適當之值(剝離強度極高或剝離強度極低之情況消失)。
Zn可存在於中間層中之Ni層及Cr層之任一層或兩層。例 如，於形成Ni層時於鍍液中添加鋅成分進行鎳鋅合金鍍敷，藉此獲得含有鋅之Ni層。又，藉由於鉻酸鹽處理液中添加鋅成分，而獲得含有鋅之Cr層。然而，於任一情形時，Zn於中間層中擴散，因此通常於Ni層及Cr層之兩者中均可檢測到Zn。再者，就容易形成由Cr與Zn構成之氧化膜而言，較佳為Zn存在於Cr層中。
然而，若中間層中之Zn之附著量過少，則其效果有限，因 此較佳為設為1μg/dm2以上，更佳為設為5μg/dm2以上。另一方面，若中間層中之Zn之附著量過多，則剝離強度變得過大，因此較佳為設為70 μg/dm2以下，更佳為設為30μg/dm2以下，進而更佳為設為20μg/dm2以下。
中間層亦可為由含有Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、 Al、Zn或該等之合金、或該等之水合物、或該等之氧化物、或者有機物中之任一種以上之層所形成的層。又，中間層亦可為複數層。
例如，中間層可由如下結構構成：自載體側起為由Cr、Ni、 Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群內任一種元素構成的單一金屬層、或由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中之一種以上之元素構成的合金層、其次為由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中之一種以上之元素之水合物或氧化物或有機物構成的層。
又，例如中間層可由如下結構構成：自載體側起為由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群內之任一種元素構成的單一金屬層、或由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中之一種以上之元素構成的合金層、其次為由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群內任一種元素構成的單一金屬層、或由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中之一種以上之元素構成的合金層。
<3.打底鍍敷>
於中間層上設置極薄銅層。為了減少極薄銅層之針孔，亦可於此前於中間層上進行藉由銅-磷合金之打底鍍敷。打底鍍敷之處理液可使用焦磷酸銅鍍液等。如此，進行利用銅-磷合金之打底鍍敷的附載體銅箔會於中間層表面與極薄銅層表面兩者上存在磷。因此，於中間層/極薄銅層間進行剝離時，可自中間層及極薄銅層之表面檢測出磷。又，利用打底鍍敷所形成之鍍層變薄，因此利用FIB(focused ion beam)或TEM(transmission electron microscope)等進行剖面觀察，於中間層上之銅磷鍍層之厚度為0.1μm以 下時，可判定為打底鍍敷。
<4.極薄銅層>
於中間層上設置極薄銅層。亦可於中間層與極薄銅層之間設置其他層。極薄銅層可藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺基磺酸銅、氰化銅等電解浴之電鍍而形成，就可用於通常之電解銅箔、且可於高電流密度下形成銅箔而言，較佳為硫酸銅浴。極薄銅層之厚度並無特別限制，通常較載體更薄，例如為12μm以下，較佳為1μm以上且10μm以下。典型的是0.5μm以上且12μm以下，更典型的是2μm以上且5μm以下。
本發明之附載體銅箔之極薄銅層為於極薄銅層中未實施發 生再結晶或過度之結晶粒成長的加熱處理例如於180℃以上3小時以上之加熱處理者。如此，未實施使再結晶或過度之結晶粒成長發生之加熱處理的本發明中之極薄銅層之平均結晶粒徑典型的是未達15μm。又，就極薄銅層之強度提昇之觀點而言，平均結晶粒徑較佳為10μm以下，更佳為5μm以下，更佳為3μm以下。又，如此，多數情況下未實施使再結晶或過度之結晶粒成長發生之加熱處理的本發明中之極薄銅層之平均結晶粒徑較極薄銅層之厚度更小。再者，只要為不使上述再結晶或過度之結晶粒成長產生之加熱處理，則亦可對本發明之附載體銅箔之極薄銅層實施。
<5.粗化處理>
為了使例如與絕緣基板之密合性良好等，亦可藉由實施粗化處理而於極薄銅層之表面設置粗化處理層。粗化處理例如可藉由利用銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理亦可為微細者。粗化處理層亦可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鈷及鋅所組成之群中的任一單體或者含有選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鈷及鋅所組成之群中之任一種以上之合金構成的層等。又，亦可於利用銅或銅合金形成粗化粒子後，進而利用鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等進行設置二次粒子或三次粒子之粗化處 理。其後，亦可利用鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等形成耐熱層或防銹層，亦可進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。或亦可不進行粗化處理而利用鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等形成耐熱層或防銹層，進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。即，可於粗化處理層之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之一種以上之層，亦可於極薄銅層之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之一種以上之層。再者，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層亦可分別形成複數層(例如2層以上、3層以上等)。又，各層亦可為2層、3層等複數層，積層各層之順序可為任意順序，亦可交替積層各層。
此處，作為耐熱層，可使用公知之耐熱層。又，例如可使用 以下之表面處理。
作為耐熱層、防銹層，可使用公知之耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之一種以上之元素的層，亦可為由選自由鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之一種以上之元素構成的金屬層或合金層。 又，耐熱層及/或防銹層亦可含有包含選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之一種以上之元素的氧化物、氮化物、矽化物。又，耐熱層及/或防銹層亦可為含有鎳-鋅合金之層。又，耐熱層及/或防銹層亦可為鎳-鋅合金層。上述鎳-鋅合金層亦可為除去不可避免之雜質，含有鎳50wt%~99wt%、鋅50wt%~1wt%者。上述鎳-鋅合金層之鋅及鎳之合計附著量可為5~1000mg/m2，較佳為10~500mg/m2，更佳為20~100mg/m2。又，上述含有鎳-鋅合金之層或上述鎳-鋅合金層的鎳之附著量與鋅之附著量的比(=鎳之附著量/鋅之附著量)較 佳為1.5~10。又，上述含有鎳-鋅合金之層或上述鎳-鋅合金層的鎳之附著量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。於耐熱層及/或防銹層為含有鎳-鋅合金之層之情形時，於通孔或導孔等之內壁部與除膠渣液接觸時銅箔與樹脂基板之界面難以被除膠渣液腐蝕，銅箔與樹脂基板之密合性提昇。防銹層亦可為鉻酸鹽處理層。鉻酸鹽處理層亦可使用公知之鉻酸鹽處理層。例如所謂鉻酸鹽處理層，意指經利用含有鉻酸酐、鉻酸、重鉻酸、鉻酸鹽或重鉻酸鹽之液處理之層。鉻酸鹽處理層亦可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態)。作為鉻酸鹽處理層之具體例，可列舉純鉻酸鹽處理層或鋅鉻酸鹽處理層等。於本發明中，將經利用鉻酸酐或重鉻酸鉀水溶液處理之鉻酸鹽處理層稱作純鉻酸鹽處理層。又，於本發明中將經利用含有鉻酸酐或重鉻酸鉀及鋅之處理液處理之鉻酸鹽處理層稱作鋅鉻酸鹽處理層。
例如耐熱層及/或防銹層可為將附著量為1mg/m2~100 mg/m2、較佳為5mg/m2~50mg/m2之鎳或鎳合金層、與附著量為1mg/m2~80mg/m2、較佳為5mg/m2~40mg/m2之錫層依序積層而成者，上述鎳合金層亦可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中之任一種構成。又，耐熱層及/或防銹層之鎳或鎳合金與錫之合計附著量較佳為2mg/m2~150mg/m2，更佳為10mg/m2~70mg/m2。又，耐熱層及/或防銹層較佳為[鎳或鎳合金中之鎳附著量]/[錫附著量]=0.25~10，更佳為0.33~3。若使用該耐熱層及/或防銹層，則將附載體銅箔加工成印刷配線板以後之電路之剝離強度、該剝離強度之耐化學品性劣化率等會變得良好。
又，作為耐熱層及/或防銹層，可形成附著量為200~2000μg/dm2之鈷-附著量為50~700μg/dm2之鎳的鈷-鎳合金鍍層。該處理於廣義上可視作一種防銹處理。該鈷-鎳合金鍍層必需進行至實質上不使銅箔與基板之接著強 度下降之程度。若鈷附著量未達200μg/dm2，則有耐熱剝離強度下降，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。又，另一個原因是若鈷量較少，則處理表面變得發紅，因而不佳。
作為矽烷偶合處理層，可使用公知之耐候性層。又，作為耐 候性層，例如可使用公知之矽烷偶合處理層，又，可使用利用以下之矽烷形成之矽烷偶合處理層。
矽烷偶合處理所使用之矽烷偶合劑可使用公知之矽烷偶合劑，例如可使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑。又，矽烷偶合劑亦可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷(γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane)、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane)、4-縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。
上述矽烷偶合處理層亦可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲 基丙烯氧基系矽烷、巰基系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。再者，此種矽烷偶合劑亦可將兩種以上混合使用。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑所形成者。
此處所謂的胺基系矽烷偶合劑亦可為選自由如下物質所組 成之群者：N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯氧基-2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基 乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷。
矽烷偶合處理層較理想為以矽原子換算計設為0.05mg/m2~ 200mg/m2、較佳為0.15mg/m2~20mg/m2、較佳為0.3mg/m2~2.0mg/m2之範圍。於上述範圍之情形時，可使基材樹脂與表面處理銅箔之密合性更加提昇。
又，可對極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶 合處理層或鉻酸鹽處理層之表面進行下述專利所記載之表面處理：國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、日本特開2013-19056號。
[極薄銅層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處 理層上之樹脂層]
又，本發明之附載體銅箔可於極薄銅層上具備粗化處理層，可於上述粗化處理層上具備耐熱層及/或防銹層，可於上述耐熱層及/或防銹層上具備鉻酸鹽處理層，可於上述鉻酸鹽處理層上具備矽烷偶合處理層。
又，本發明之附載體銅箔亦可於極薄銅層上具備耐熱層及/或防銹層，亦可於上述耐熱層及/或防銹層上具備鉻酸鹽處理層，亦可於上述鉻酸鹽處理層上具備矽烷偶合處理層。
又，上述附載體銅箔亦可於上述極薄銅層上、或上述粗化處理層上、或上述耐熱層、防銹層、或鉻酸鹽處理層、或矽烷偶合處理層上具備樹脂層。上述樹脂層可為絕緣樹脂層。
再者，形成上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層之順序並不相互限定，可於極薄銅層上或粗化處理層上以任意順序形成該等層。
上述樹脂層可為接著劑，亦可為接著用之半硬化狀態(B階 段狀態)之絕緣樹脂層。半硬化狀態(B階段狀態)包含如下狀態：即便於其表面用手指觸摸，亦無黏著感，可將該絕緣樹脂層重合保管，若進而接受加熱處理，則引起硬化反應。
上述樹脂層可為接著用樹脂即接著劑，亦可為接著用之半硬 化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。半硬化狀態(B階段狀態)包含如下狀態：即便用手指接觸於其表面，亦無黏著感，可將該絕緣樹脂層重合保管，若進而接受加熱處理，則引起硬化反應。
又，上述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。 又，上述樹脂層亦可含有熱塑性樹脂。上述樹脂層亦可含有公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。又，上述樹脂層亦可使用例如下述專利所記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成：國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281 號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號。
又，上述樹脂層之種類並無特別限定，例如，可列舉含有選 自如下物質之群中之一種以上的樹脂作為較佳者：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚順丁烯二醯亞胺化合物、順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、聚醚碸(Polyethersulfone)(亦稱作聚醚碸(polyethersulphone)、聚醚碸(Polyethersulfone))、聚醚碸(亦稱作聚醚碸(polyethersulphone)、聚醚碸(Polyethersulfone))樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚伸苯醚、雙順丁烯二醯亞胺三樹脂、熱硬化性聚伸苯醚樹脂、氰酸酯系 樹脂、羧酸酐、多元羧酸酐、具有可交聯之官能基之線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷之酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子環氧物、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚合聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂。
又，上述環氧樹脂係於分子內具有兩個以上之環氧基者，只 要為可用於電氣、電子材料用途者，則可無特別問題地使用。又，上述環氧樹脂較佳為使用於分子內具有兩個以上之縮水甘油基之化合物環氧化而成的環氧樹脂。又，可將選自如下物質之群中之一種或兩種以上混合使用，或可使用下述環氧樹脂之氫化物或鹵化物：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、環脂族環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、三縮水甘油基異氰尿酸酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油基胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯等縮水甘油基酯化合物、含磷環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂。
作為上述含磷環氧樹脂，可使用公知之含有磷之環氧樹脂。又，上述含磷環氧樹脂，例如較佳為分子內具備兩個以上之環氧基之作為來自9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物(9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide)之衍生物所得的環氧樹脂。
該作為來自9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物之衍生物 所得的環氧樹脂係使9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物與萘醌或對苯二酚反應製成以下之化1(HCA-NQ)或化2(HCA-HQ)所示之化合物後，使其OH基部分與環氧樹脂反應而製成含磷環氧樹脂者。
作為以上述化合物作為原料所得之上述E成分的含磷環氧 樹脂較佳為將如下化合物之一種或兩種混合使用，該化合物具備以下所示之化3~化5中之任一者所示的結構式。其原因在於半硬化狀態下之樹脂品質之穩定性優異，同時難燃性效果較高。
又，作為上述溴化(brominated)環氧樹脂，可使用公知之經溴化(brominated)之環氧樹脂。例如，上述溴化(brominated)環氧樹脂較佳為 將具備化6所示之結構式的溴化環氧樹脂、具備以下所示之化7所示之結構式的溴化環氧樹脂中之一種或兩種混合使用；該化6所示之結構式係來自於分子內具備兩個以上之環氧基的四溴雙酚A之衍生物而得。
作為上述順丁烯二醯亞胺系樹脂或芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂或順丁烯二醯亞胺化合物或聚順丁烯二醯亞胺化合物，可使用公知之順丁烯二醯亞胺系樹脂或芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂或順丁烯二醯亞胺化合物或聚順丁烯二醯亞胺化合物。例如作為順丁烯二醯亞胺系樹脂或芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂或順丁烯二醯亞胺化合物或聚順丁烯二醯亞胺化合物，可使用使4,4'-二苯基甲烷雙順丁烯二醯亞胺、聚苯基甲烷順丁烯二醯亞胺、間伸苯基雙順丁烯二醯亞胺、雙酚A二苯基醚雙順丁烯二醯亞胺、3,3'-二甲基-5,5'-二乙基-4,4'-二苯基甲烷雙順丁烯二醯亞胺、4-甲基-1,3-伸苯基雙順丁烯二醯亞胺、4,4'-二苯基醚雙順丁烯二醯亞胺、4,4'-二苯基碸雙順丁烯二醯亞胺、1,3-雙(3-順丁烯二醯亞胺苯氧基)苯、1,3-雙(4-順丁烯二醯亞胺苯氧基)苯以及上述化合物、上述化合物或其他化合物聚合而成的聚合物等。又，上述順丁烯二醯亞胺系樹脂可為於分子內具有兩個以上之順丁烯二醯亞胺基的芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂，亦可為使於分子內具有兩個以上之順丁烯二醯亞胺基之芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂與聚胺或芳香族聚胺聚合所得的聚合加成物。
作為上述聚胺或芳香族聚胺，可使用公知之聚胺或芳香族聚胺。例如，作為聚胺或芳香族聚胺，可使用使間苯二胺、對苯二胺、4,4'-二胺基二環己 基甲烷、1,4-二胺基環己烷、2,6-二胺基吡啶、4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2-雙(4-胺基苯基)丙烷、4,4'-二胺基二苯基醚、4,4'-二胺基-3-甲基二苯基醚、4,4'-二胺基二苯硫醚、4,4'-二胺基二苯甲酮、4,4'-二胺基二苯基碸、雙(4-胺基苯基)苯基胺、間苯二甲胺、對苯二甲胺、1,3-雙[4-胺基苯氧基]苯、3-甲基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2',5,5'-四氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2-雙(3-甲基-4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(3-乙基-4-胺基苯基)丙烷、2,2-雙(2,3-二氯-4-胺基苯基)丙烷、雙(2,3-二甲基-4-胺基苯基)苯基乙烷、乙二胺及己二胺、2,2-雙(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷以及上述化合物、上述化合物或其他化合物聚合所得的聚合物等。又，可使用一種或兩種以上之公知之聚胺及/或芳香族聚胺或上述聚胺或芳香族聚胺。
作為上述苯氧樹脂，可使用公知之苯氧樹脂。又，作為上述苯氧樹脂，可使用藉由雙酚與二價環氧樹脂之反應所合成者。作為環氧樹脂，可使用公知之環氧樹脂及/或上述環氧樹脂。
作為上述雙酚，可使用公知之雙酚，又，可使用雙酚A、雙酚F、雙酚S、四溴雙酚A、4,4'-二羥基聯苯、作為HCA(9,10-Dihydro-9-Oxa-10-Phosphaphenanthrene-10-Oxide，9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物)與對苯二酚、萘醌等醌類之加成物所得之雙酚等。
作為上述具有可交聯之官能基之線狀聚合物，可使用公知之具有可交聯之官能基之線狀聚合物。例如，上述具有可交聯之官能基之線狀聚合物較佳為具備羥基、羧基等有助於環氧樹脂之硬化反應之官能基。而且，該具有可交聯之官能基之線狀聚合物較佳為可溶於沸點為50℃~200℃之溫度之有機溶劑。若具體地例示此處所謂的具有官能基之線狀聚合物，則為聚乙烯基縮醛樹脂、苯氧樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂等。
上述樹脂層亦可含有交聯劑。交聯劑可使用公知之交聯劑。作為交聯 劑，例如可使用胺甲酸乙酯系樹脂。
上述橡膠性樹脂可使用公知之橡膠性樹脂。例如所謂上述橡膠性樹脂，記載為包含天然橡膠及合成橡膠之概念，後者之合成橡膠有苯乙烯-丁二烯橡膠、丁二烯橡膠、丁基橡膠、乙烯-丙烯橡膠、丙烯腈丁二烯橡膠、丙烯酸系橡膠(丙烯酸酯共聚物)、聚丁二烯橡膠、異戊二烯橡膠等。進而，於確保所形成之樹脂層之耐熱性時，選擇使用腈橡膠、氯丁二烯橡膠、矽橡膠、胺甲酸乙酯橡膠等具備耐熱性之合成橡膠亦有用。關於該等橡膠性樹脂，為了與芳香族聚醯胺樹脂或聚醯胺醯亞胺樹脂反應製造共聚物，較理想的是於兩末端具備各種官能基者。尤其有用的是使用CTBN(羧基末端丁二烯腈)。又，丙烯腈丁二烯橡膠中，若為羧基改質物，則可獲取環氧樹脂與交聯結構且使硬化後之樹脂層之柔韌性提昇。作為羧基改質物，可使用羧基末端腈丁二烯橡膠(CTBN)、羧基末端丁二烯橡膠(CTB)、羧基改質腈丁二烯橡膠(C-NBR)。作為上述聚醯胺醯亞胺樹脂，可使用公知之聚醯亞胺醯胺樹脂。又，作為上述聚醯亞胺醯胺樹脂，例如可使用藉由將偏苯三甲酸酐、二苯甲酮四羧酸酐及3,3-二甲基-4,4-聯苯二異氰酸酯於N-甲基-2-吡咯啶酮或/及N,N-二甲基乙醯胺等溶劑中加熱所得之樹脂、或藉由將偏苯三甲酸酐、二苯基甲烷二異氰酸酯及羧基末端丙烯腈-丁二烯橡膠於N-甲基-2-吡咯啶酮或/及N,N-二甲基乙醯胺等溶劑中加熱所得者。
作為上述橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂，可使用公知之橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂。橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂係使聚醯胺醯亞胺樹脂與橡膠性樹脂反應所得者。使聚醯胺醯亞胺樹脂與橡膠性樹脂反應而使用係為了提昇聚醯胺醯亞胺樹脂自身之柔軟性而進行。即，使聚醯胺醯亞胺樹脂與橡膠性樹脂反應，將聚醯胺醯亞胺樹脂之酸成分(環己烷二羧酸等)之一部分取代為橡膠成分。聚醯胺醯亞胺樹脂可使用公知之聚醯胺醯亞胺樹脂。又，橡膠性樹脂可使用公知之橡膠性樹脂或上述橡膠性樹脂。於使橡膠改 質聚醯胺醯亞胺樹脂聚合時，聚醯胺醯亞胺樹脂與橡膠性樹脂之溶解所使用之溶劑較佳為將一種或兩種以上之二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲亞碸、硝基甲烷、硝基乙烷、四氫呋喃、環己酮、甲基乙基酮、乙腈、γ-丁內酯等混合使用。
作為上述膦腈系樹脂，可使用公知之膦腈系樹脂。膦腈系樹脂係含有具有以磷及氮作為構成元素之雙鍵之膦腈的樹脂。膦腈系樹脂可藉由分子中之氮與磷之協同效果使難燃性能飛速提昇。又，與9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物衍生物不同，於樹脂中穩定地存在，可獲得防止遷移之產生之效果。
作為上述氟樹脂，可使用公知之氟樹脂。又，作為氟樹脂，例如亦可使用由選自如下物質中之至少一種熱塑性樹脂與氟樹脂構成的氟樹脂等：PTFE(聚四氟乙烯(四氟化))、PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)、FEP(四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(四、六氟化))、ETFE(四氟乙烯-乙烯共聚物)、PVDF(聚偏二氟乙烯(二氟化))、PCTFE(聚氯三氟乙烯(三氟化))、聚烯丙基碸、芳香族多硫化物及芳香族聚醚。
又，上述樹脂層亦可含有樹脂硬化劑。作為樹脂硬化劑，可使用公知之樹脂硬化劑。例如作為樹脂硬化劑，可使用二氰二胺、咪唑類、芳香族胺等胺類、雙酚A、溴化雙酚A等酚類、苯酚酚醛清漆樹脂及甲酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆類、鄰苯二甲酸酐等酸酐、聯苯型酚樹脂、苯酚芳烷基型酚樹脂等。又，上述樹脂層亦可含有一種或兩種以上之上述樹脂硬化劑。該等硬化劑對環氧樹脂特別有效。
將上述聯苯型酚樹脂之具體例示於化8。
又，將上述苯酚芳烷基型酚樹脂之具體例示於化9。
作為咪唑類，可使用公知者，例如可列舉：2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等，可單獨使用該等或將該等混合使用。
又，其中較佳為使用具備以下之化10所示之結構式的咪唑類。藉由使用該化10所示之結構式之咪唑類，可顯著提昇半硬化狀態之樹脂層之耐吸濕性，從而長期保存穩定性優異。原因在於：咪唑類係於環氧樹脂之硬化時發揮觸媒作用者，於硬化反應之初期階段，作為引起環氧樹脂之自聚合反應之反應起始劑而發揮作用。
作為上述胺類之樹脂硬化劑，可使用公知之胺類。又，作為上述胺類之樹脂硬化劑，例如可使用上述聚胺或芳香族聚胺，又，亦可使用選自使芳香族聚胺、聚醯胺類及該等與環氧樹脂或多元羧酸聚合或縮合所得的胺加成物之群中的一種或兩種以上。又，作為上述胺類之樹脂硬化劑，較佳為使用4,4'-二胺基二伸苯基碸、3,3'-二胺基二伸苯基碸、4,4-二胺基二苯、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷或雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]碸中之任一種以上。
上述樹脂層亦可含有硬化促進劑。作為硬化促進劑，可使用公知之硬化促進劑。例如，作為硬化促進劑，可使用三級胺、咪唑、脲系硬化促進劑等。
上述樹脂層亦可含有反應觸媒。作為反應觸媒，可使用公知之反應觸媒。例如作為反應觸媒，可使用微粉碎二氧化矽、三氧化二銻等。
上述多元羧酸酐較佳為作為環氧樹脂之硬化劑發揮作用之 成分。又，上述多元羧酸酐較佳為鄰苯二甲酸酐、順丁烯二酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸二酐、四羥基鄰苯二甲酸酐、六羥基鄰苯二甲酸酐、甲基六羥基鄰苯二甲酸酐、釩酸、甲基釩酸。
上述熱塑性樹脂亦可為具有可與環氧樹脂聚合之醇羥基以 外之官能基的熱塑性樹脂。
上述聚乙烯基縮醛樹脂亦可具有酸基及羥基以外之可與環氧樹脂或順丁烯二醯亞胺化合物聚合之官能基。又，上述聚乙烯基縮醛樹脂亦可為於其分子內導入有羧基、胺基或不飽和雙鍵者。
作為上述芳香族聚醯胺樹脂聚合物，可列舉使芳香族聚醯胺樹脂與橡膠性樹脂反應所得者。此處，所謂芳香族聚醯胺樹脂，係指藉由芳香族二胺與二羧酸之縮聚合所合成者。此時之芳香族二胺使用4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二胺基二苯基碸、間苯二甲胺、3,3'-氧基二苯胺等。而且，二羧酸使用鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、反丁烯二酸等。
所謂與上述芳香族聚醯胺樹脂反應之上述橡膠性樹脂，可使用公知之橡膠性樹脂或上述橡膠性樹脂。
該芳香族聚醯胺樹脂聚合物係於對加工成覆銅積層板後之銅箔進行蝕刻加工時，根據蝕刻液而以不受到由蝕刻不足所致之損傷為目的所使用者。
又，上述樹脂層可為自銅箔側(即附載體銅箔之極薄銅層側) 起依序順次形成有硬化樹脂層(「硬化樹脂層」意指硬化結束之樹脂層)與半硬化樹脂層之樹脂層。上述硬化樹脂層亦可由熱膨脹係數為0ppm/℃~25ppm/℃之聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、該等之複合樹脂中之任一種樹脂成分構成。
又，亦可於上述硬化樹脂層上設置硬化後之熱膨脹係數為0 ppm/℃~50ppm/℃之半硬化樹脂層。又，上述硬化樹脂層與上述半硬化樹脂層硬化後之樹脂層整體之熱膨脹係數可為40ppm/℃以下。上述硬化樹脂層之玻璃轉移溫度可為300℃以上。又，上述半硬化樹脂層亦可為使用順丁烯二醯亞胺系樹脂或芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂所形成者。用以形成上述半硬化樹脂層之樹脂組成物較佳為含有順丁烯二醯亞胺系樹脂、環氧樹 脂、具有可交聯之官能基之線狀聚合物。環氧樹脂可使用公知之環氧樹脂或本說明書所記載之環氧樹脂。又，作為順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、具有可交聯之官能基之線狀聚合物，可使用公知之順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、具有可交聯之官能基之線狀聚合物或上述順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、具有可交聯之官能基之線狀聚合物。
又，於提供適於立體成型印刷配線板製造用途之具有樹脂層 之附載體銅箔之情形時，上述硬化樹脂層較佳為經硬化且具有可撓性之高分子聚合物層。上述高分子聚合物層較佳為由具有150℃以上之玻璃轉移溫度以可抵抗焊錫封裝步驟之樹脂構成者。上述高分子聚合物層較佳為由聚醯胺樹脂、聚醚碸樹脂、芳族聚醯胺樹脂、苯氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚乙烯基縮醛樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂中之任一種或兩種以上之混合樹脂構成。又，上述高分子聚合物層之厚度較佳為3μm~10μm。
又，上述高分子聚合物層較佳為含有環氧樹脂、順丁烯二醯亞胺系樹脂、酚樹脂、胺甲酸乙酯樹脂中之任一種或兩種以上。又，上述半硬化樹脂層較佳為由厚度為10μm~50μm之環氧樹脂組成物構成。
又，上述環氧樹脂組成物較佳為含有以下之A成分~E成分 之各成分者。
A成分：由選自環氧當量為200以下且於室溫下為液狀之雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂之群中之一種或兩種以上構成的環氧樹脂。
B成分：高耐熱性環氧樹脂。
C成分：含磷環氧系樹脂、膦腈(phosphazene)系樹脂中之任一種或該等混合而成之樹脂即含磷難燃性樹脂。
D成分：利用具備可溶於沸點處於50℃~200℃之範圍內之溶劑之性質 之液狀橡膠成分加以改質而成的橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂。
E成分：樹脂硬化劑。
B成分為所謂玻璃轉移點Tg較高之「高耐熱性環氧樹脂」。 此處所謂的「高耐熱性環氧樹脂」較佳為酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂等多官能環氧樹脂。
作為C成分即含磷環氧樹脂，可使用上述含磷環氧樹脂。又，作為C成分之膦腈系樹脂，可使用上述膦腈系樹脂。
作為D成分即橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂，可使用上述橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂。作為E成分即樹脂硬化劑，可使用上述樹脂硬化劑。
於以上所示之樹脂組成物中添加溶劑製成樹脂清漆而使 用，製成印刷配線板之接著層而形成熱硬化性樹脂層。於上述樹脂組成物中添加溶劑，將樹脂固形物量製備在30wt%~70wt%之範圍內，該樹脂清漆可形成依據MIL規格中之MIL-P-13949G進行測定時之樹脂流動度處於5%~35%之範圍內的半硬化樹脂膜。溶劑可使用公知之溶劑或上述溶劑。
上述樹脂層為自銅箔側起依序具有第1熱硬化性樹脂層、及 位於該第1熱硬化性樹脂層之表面之第2熱硬化性樹脂層的樹脂層，第1熱硬化性樹脂層可為由不溶於配線板製造製程中之除膠渣處理時之藥品的樹脂成分形成者，第2熱硬化性樹脂層可為使用溶解於配線板製造製程中之除膠渣處理時之藥品且可沖洗去除的樹脂形成者。上述第1熱硬化性樹脂層亦可為使用將聚醯亞胺樹脂、聚醚碸、聚伸苯醚中之任一種或兩種以上混合而成之樹脂成分所形成者。上述第2熱硬化性樹脂層亦可為使用環氧樹脂成分所形成者。關於上述第1熱硬化性樹脂層之厚度t1(μm)，於將附載體銅箔之粗化面粗糙度設為Rz(μm)、且將第2熱硬化性樹脂層之厚度設為t2(μm)時，t1較佳為滿足Rz<t1<t2之條件之厚度。
上述樹脂層亦可為使樹脂骨含浸於架材料中所得之預浸 體。含浸於上述骨架材料中之樹脂較佳為熱硬化性樹脂。上述預浸體亦可為公知之預浸體或印刷配線板製造所使用之預浸體。
上述骨架材料亦可含有芳族聚醯胺纖維或玻璃纖維或全芳 香族聚酯纖維。上述骨架材料較佳為芳族聚醯胺纖維或玻璃纖維或全芳香族聚酯纖維之不織布或織布。又，上述全芳香族聚酯纖維較佳為熔點為300℃以上之全芳香族聚酯纖維。所謂上述熔點為300℃以上之全芳香族聚酯纖維，係指使用被稱作所謂液晶聚合物之樹脂所製造之纖維，該液晶聚合物係以2-羥基-6-萘甲酸及對羥基苯甲酸之聚合物作為主成分者。該全芳香族聚酯纖維具有低介電常數、較低之介電損耗因數(dielectric dissipation factor)，因此具有作為電氣絕緣層之構成材之優異之性能，可以與玻璃纖維及芳族聚醯胺纖維相同之方式使用。
再者，關於上述構成不織布及織布之纖維，為了使其表面之與樹脂之潤濕性提昇，較佳為實施矽烷偶合劑處理。此時之矽烷偶合劑根據使用目的可使用公知之胺基系、環氧系等之矽烷偶合劑或上述矽烷偶合劑。
又，上述預浸體可為使熱硬化性樹脂含浸於由使用標稱厚度 為70μm以下之芳族聚醯胺纖維或玻璃纖維之不織布、或標稱厚度為30μm以下之玻璃布構成的骨架材料中的預浸體。
(樹脂層含有介電體(介電體填料)之情形)
上述樹脂層可含有介電體(介電體填料)。
於上述任一種樹脂層或樹脂組成物中含有介電體(介電體填料)之情形時，可用於形成電容器層之用途而使電容器電路之電容增大。該介電體(介電體填料)使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3．PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦結構之複合氧化物之介電體粉。
介電體(介電體填料)可為粉狀。於介電體(介電體填料) 為粉狀之情形時，該介電體(介電體填料)之粉體特性首先必需為粒徑為0.01μm~3.0μm、較佳為0.02μm~2.0μm之範圍者。關於此處所謂的粒徑，由於粉粒彼此形成某種固定之2次凝聚狀態，而成為精度較差者，因此於雷射繞射散射式粒度分佈測定法或根據BET(Brunauer-Emmett-Teller，布厄特)法等之測定值推測平均粒徑之間接測定中無法使用，而以掃描式電子顯微鏡(SEM)直接觀察介電體(介電體填料)，對該SEM像進行圖像分析而獲得此處所謂的平均粒徑。於本說明書中將此時之粒徑表示為DIA。再者，本說明書中之使用掃描式電子顯微鏡(SEM)所觀察之介電體(介電體填料)之粉體之圖像分析係使用Asahi Engineering股份有限公司製造之IP-1000PC進行圓度閾值10、重合度20之圓形粒子分析，求出平均粒徑DIA者。
根據上述實施形態，可提供使該內層核心材料之內層電路表面與含有介電體之樹脂層的密合性提昇、且具有含有介電體之樹脂層的附載體銅箔，該介電體係用以形成具備較低之介電損耗因數之電容器電路層。
將上述樹脂層所含之樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解 於例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基賽路蘇、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑中製成樹脂液(樹脂清漆)，並藉由例如輥式塗佈法等將其塗佈於上述極薄銅層上、或上述耐熱層、防銹層、或上述鉻酸鹽處理層、或上述矽烷偶合劑層上，繼而視需要進行加熱乾燥去除溶劑使其成為B階段狀態。乾燥例如只要使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度只要為100~250℃、較佳為130~200℃即可。亦可使用溶劑溶解上述樹脂層之組成物而製成樹脂固形物3wt%~70wt%、較佳為3wt%~60wt%、較佳為10wt% ~40wt%、更佳為25wt%~40wt%之樹脂液。再者，就環境方面之見解而言，現階段最佳為使用甲基乙基酮與環戊酮之混合溶劑溶解。再者，溶劑較佳為使用沸點為50℃~200℃之範圍之溶劑。
又，上述樹脂層較佳為依據MIL規格中之MIL-P-13949G進行測定時之樹脂溢流量(resin flow)處於5%~35%之範圍的半硬化樹脂膜。
於本說明書中，所謂樹脂溢流量，係指根據如下方法之結果並基於數1算出之值，該方法係依據MIL規格中之MIL-P-13949G，自將樹脂厚度設為55μm之附樹脂銅箔中抽取4片10cm見方試樣，於將該4片試樣重疊之狀態(積層體)下且於加壓溫度171℃、加壓壓力14kgf/cm2、加壓時間10分鐘之條件下進行貼合，測定此時之樹脂流出重量。
具備上述樹脂層之附載體銅箔(附樹脂之附載體銅箔)可用 於如下態樣：使該樹脂層與基材重疊後對整體進行熱壓接使該樹脂層熱硬化，繼而剝離載體使極薄銅層露出(當然露出的是該極薄銅層之中間層側之表面)、於其上形成特定之配線圖案。
若使用該附樹脂之附載體銅箔，則可減少製造多層印刷配線 基板時之預浸體材料之使用片數。而且，即便不使確保樹脂層之厚度為可確保層間絕緣之厚度或不全部使用預浸體材料，亦可製造覆銅積層板。又，此時，亦可對基材之表面底塗絕緣樹脂進一步改善表面之平滑性。
再者，於不使用預浸體材料之情形時，可節約預浸體材料之 材料成本，又，積層步驟亦簡化，因此經濟上有利，而且，具有如下優點：根據預浸體材料之厚度所製造之多層印刷配線基板之厚度變薄，可製造一層厚度為100μm以下的極薄之多層印刷配線基板。
該樹脂層之厚度較佳為0.1~120μm。
若樹脂層之厚度變得較0.1μm薄，則存在如下情形：接著 力下降，於不介隔預浸體材料而將該附樹脂之附載體銅箔積層在具備內層材料之基材上時，難以確保與內層材料之電路之間之層間絕緣。另一方面，若使樹脂層之厚度較120μm厚，則存在如下情形：利用一次塗佈步驟會難以形成目標厚度之樹脂層，花費多餘之材料費與步驟數，因此經濟上較為不利。
再者，於具有樹脂層之附載體銅箔被用於製造極薄之多層印刷配線板時，將上述樹脂層之厚度設為0.1μm~5μm、更佳為0.5μm~5μm、更佳為1μm~5μm之情況因減少多層印刷配線板之厚度而較佳。
又，於樹脂層含有介電體時，樹脂層之厚度較佳為0.1~50μm，較佳為0.5μm~25μm，更佳為1.0μm~15μm。
又，上述硬化樹脂層與半硬化樹脂層之總樹脂層厚度較佳為0.1μm~120μm，較佳為5μm~120μm，較佳為10μm~120μm，更佳為10μm~60μm。而且，硬化樹脂層之厚度較佳為2μm~30μm，較佳為3μm~30μm，更佳為5~20μm。又，半硬化樹脂層之厚度較佳為3μm~55μm，較佳為7μm~55μm，更理想為15~115μm。原因在於，若總樹脂層厚度超過120μm，則存在難以製造薄厚度之多層印刷配線板之情形，若未達5μm，則存在雖然容易形成薄厚度之多層印刷配線板，但產生作為內層之電路間中之絕緣層的樹脂層變得過薄而使內層之電路間絕緣性變不穩定之傾向的情形。又，若硬化樹脂層厚度未達2μm，則存在產生考慮銅箔粗化面之表面粗度之需要之情形。反之，若硬化樹脂層厚度超過20μm，則存在已硬化之樹脂層之效果並未特別提昇之情形，且總絕緣層厚變厚。
再者，於將上述樹脂層之厚度設為0.1μm~5μm時，為了使樹脂層與附載體銅箔之密合性提昇，較佳為於極薄銅層上設置耐熱層 及/或防銹層及/或鉻酸鹽處理層及/或矽烷偶合處理層後，於該耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層上形成樹脂層。
再者，上述樹脂層之厚度係指於任意10處藉由剖面觀察所測定之厚度之平均值。
進而，作為該附樹脂之附載體銅箔之另一製品形態，亦可於 上述極薄銅層上、或上述耐熱層、防銹層、或上述鉻酸鹽處理層、或上述矽烷偶合處理層上用樹脂層進行被覆，製成半硬化狀態後，繼而剝離載體，以不存在載體之附樹脂之銅箔之形式進行製造。
<6.附載體銅箔>
以此種方式製造於具備銅箔載體、形成於銅箔載體上之中間層、及積層至中間層上之極薄銅層的附載體銅箔。附載體銅箔自身之使用方法為業者眾所周知，例如將極薄銅層之表面貼合於紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板上並進行熱壓接後剝離載體，對以接著於絕緣基板上之極薄銅層為目的之導體圖案進行蝕刻，最終製造印刷配線板。於本發明之附載體銅箔之情形時，剝離部位主要為中間層與極薄銅層之界面。又，進而，藉由於印刷配線板上搭載電子零件類而完成印刷電路板。以下，例示幾個使用本發明之附載體銅箔的印刷配線板之製造步驟之例。
本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態包含如下步 驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；積層上述附載體銅箔與絕緣基板的步驟；及將上述附載體銅箔與絕緣基板以極薄銅層側與絕緣基板對向之方式積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、改良型半加成法、部分加成法及減成法中之任一方法形成電路的步驟。絕緣基板亦可製成帶有內層電路者。
於本發明中，所謂半加成法，係指於絕緣基板或銅箔晶種層 (seed layer)上進行較薄之無電電鍍，形成圖案後，使用電鍍及蝕刻形成導體圖案之方法。
因此，使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後剝離上述附載體銅箔之載體的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除所有剝離上述載體而露出之極薄銅層的步驟；於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂上設置通孔或/及盲孔的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理的步驟；於含有上述樹脂及上述通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；於上述無電電鍍層上設置防鍍層的步驟；使上述防鍍層曝光，其後去除形成電路之區域之防鍍層的步驟；於去除上述防鍍層之上述電路所形成之區域設置電解電鍍層的步驟；去除上述防鍍層的步驟；藉由閃蝕等去除位於形成上述電路之區域以外之區域之無電電鍍層的步驟。
使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後剝離上述附載體銅箔之載體的步驟； 藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除剝離上述載體而露出之極薄銅層的步驟；對藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂之表面設置無電電鍍層的步驟；於上述無電電鍍層上設置防鍍層的步驟；使上述防鍍層曝光，其後去除形成電路之區域之防鍍層的步驟；於去除上述防鍍層之上述電路所形成之區域設置電解電鍍層的步驟；去除上述防鍍層的步驟；藉由閃蝕等去除位於形成上述電路之區域以外之區域之無電電鍍層及極薄銅層的步驟。
於本發明中，所謂改良型半加成法，係指如下方法：於絕緣層上積層金屬箔，藉由防鍍層保護非電路形成部，藉由電解電鍍加厚電路形成部之銅厚後，去除抗蝕劑，利用(快速)蝕刻去除上述電路形成部以外之金屬箔，藉此於絕緣層上形成電路。
因此，使用改良型半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後剝離上述附載體銅箔之載體的步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置防鍍層的步驟； 設置上述防鍍層後藉由電解電鍍形成電路的步驟；去除上述防鍍層的步驟；利用閃蝕去除藉由去除上述防鍍層而露出之極薄銅層的步驟。
使用改良型半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之 另一實施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後剝離上述附載體銅箔之載體的步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層上設置防鍍層的步驟；使上述防鍍層曝光，其後去除形成電路之區域之防鍍層的步驟；於去除上述防鍍層之上述電路所形成之區域設置電解電鍍層的步驟；去除上述防鍍層的步驟；藉由閃蝕等去除位於形成上述電路之區域以外之區域之極薄銅層的步驟。
於本發明中，所謂部分加成法，係指如下方法：設置導體層 而成之基板、視需要於穿過通孔或導通孔用之孔而成之基板上賦予觸媒核，進行蝕刻而形成導體電路，視需要設置阻焊層或防鍍層後，於上述導體電路上利用無電電鍍處理對通孔或導通孔等附上厚度，藉此製造印刷配線板。
因此，使用部分加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之 一實施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後剝離上述附載體銅箔之載體的步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔的 步驟；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核的步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置蝕刻阻層的步驟；使上述蝕刻阻層曝光形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核而形成電路的步驟；去除上述蝕刻阻層的步驟；於藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核而露出之上述絕緣基板表面設置阻焊層或防鍍層的步驟；於未設置上述阻焊層或防鍍層之區域設置無電電鍍層的步驟。
於本發明中，所謂減成法，係指藉由蝕刻等有選擇地去除覆 銅積層板上之銅箔之不要部分而形成導體圖案的方法。
因此，使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實 施形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後剝離上述附載體銅箔之載體的步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；於上述無電電鍍層之表面設置電解電鍍層的步驟；於上述電解電鍍層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻層的步驟；使上述蝕刻阻層曝光而形成電路圖案的步驟； 藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述無電電鍍層及上述電解電鍍層而形成電路的步驟；去除上述蝕刻阻層的步驟。
使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施 形態包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於積層上述附載體銅箔與絕緣基板後剝離上述附載體銅箔之載體的步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理的步驟；對含有上述通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層的步驟；於上述無電電鍍層之表面形成掩膜(mask)的步驟；於未形成掩膜之上述無電電鍍層之表面設置電解電鍍層的步驟；於上述電解電鍍層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻層的步驟；使上述蝕刻阻層曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述無電電鍍層而形成電路的步驟；去除上述蝕刻阻層的步驟。
設置通孔或/及盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟亦可不進 行。
此處，使用圖式對使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之 製造方法之具體例詳細地進行說明。再者，此處以具有形成粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔為例進行說明，但並不限定於此，即便使用具有未形成粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔，亦可同樣進行下述印刷配線板 之製造方法。
首先，準備如圖1-A所示般於表面具有形成粗化處理層之極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。
其次，如圖1-B所示般於極薄銅層之粗化處理層上塗佈抗蝕劑，進行曝光、顯影，而將抗蝕劑蝕刻成特定形狀。
其次，如圖1-C所示般形成電路用之鍍層後，去除抗蝕劑，藉此形成特定形狀之電路鍍敷。
其次，如圖2-D所示般以覆蓋電路鍍敷之方式(以埋沒電路鍍敷之方式)於極薄銅層上設置嵌入樹脂並積層樹脂層，繼而自極薄銅層側接著另一附載體銅箔(第2層)。
其次，如圖2-E所示般自第2層之附載體銅箔剝離載體。
其次，如圖2-F所示般於樹脂層之特定位置進行雷射開孔，以使電路鍍敷露出之方式形成盲孔。
其次，如圖3-G所示般對盲孔嵌入銅而形成填孔。
其次，如圖3-H所示般於填孔上以上述圖1-B及圖1-C之方式形成電路鍍敷。
其次，如圖3-1所示般自第1層之附載體銅箔剝離載體。
其次，如圖4-J所示般藉由閃蝕去除兩表面之極薄銅層，使樹脂層內之電路鍍敷之表面露出。
其次，如圖4-K所示般於樹脂層內之電路鍍敷上形成凸塊，於該焊料上形成銅柱。以此種方式製作使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板。
上述另一附載體銅箔(第2層)可使用本發明之附載體銅 箔，亦可使用先前之附載體銅箔，進而亦可使用通常之銅箔。又，於圖3-H所示之第2層之電路上進而形成一層或複數層電路，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中之任一方法形成該等電路。
又，上述第1層所使用之附載體銅箔可於該附載體銅箔之載 體側表面具有基板。藉由具有該基板或樹脂層而支撐第1層所使用之附載體銅箔，且難以產生皺褶，因此有生產性提昇之優點。再者，關於上述基板，只要為具有支持上述第1層所使用之附載體銅箔之效果者，則可使用所有基板。例如作為上述基板，可使用本申請案說明書所記載之載體、預浸體、樹脂層或公知之載體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物板、無機化合物箔、有機化合物板、有機化合物箔。
對於在載體側表面形成基板之時機並無特別限制，必需於剝 離載體前形成基板。尤其是較佳為於在上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層之步驟之前形成基板，更佳為於在附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路之步驟之前形成基板。
本發明之附載體銅箔較佳為極薄銅層表面之色差被控制為 滿足以下(1)。於本發明中，所謂「極薄銅層表面之色差」，表示極薄銅層之表面之色差、或於實施粗化處理等各種表面處理之情形時表示其表面處理層表面之色差。即，本發明之附載體銅箔較佳為極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合層之表面之色差被控制為滿足以下(1)。
(1)極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層之表面之基於JISZ8730的色差△E*ab為45以上。
此處，色差△L、△a、△b係分別利用色差計測定，添加黑 /白/紅/綠/黃/藍，為基於JISZ8730之L*a*b表色系所示之綜合指標，△L表示白黑，△a表示紅綠，△b表示黃藍。又，△E*ab係使用該等之色差由下述式表示。
上述色差可藉由提高極薄銅層形成時之電流密度、降低鍍液 中之銅濃度、提高鍍液之線性流速而調整。
又，上述色差亦可藉由對極薄銅層之表面實施粗化處理設置粗化處理層而調整。於設置粗化處理層之情形時，可藉由如下方式而調整：使用含有銅及選自由鎳、鈷、鎢、鉬所組成之群中之一種以上之元素的電解液，較先前提高電流密度(例如40~60A/dm2)、縮短處理時間(例如0.1~1.3秒)。於在極薄銅層之表面未設置粗化處理層之情形時，可藉由如下方式而達成：使用將Ni之濃度設為其他元素之兩倍以上之鍍浴，於較先前更低之電流密度(0.1~1.3A/dm2)下較長地設定處理時間(20秒~40秒)對極薄銅層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層之表面進行鍍Ni合金(例如鍍Ni-W合金、鍍Ni-Co-P合金、鍍Ni-Zn合金)處理。
若極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E*ab為45以上， 則例如於在附載體銅箔之極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路之對比度變清晰，其結果是視認性變良好，可精度良好地進行電路之定位。極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E*ab較佳為50以上，更佳為55以上，進而更佳為60以上。
於極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層 或矽烷偶合層之表面之色差被以上述方式控制時，與電路鍍敷之對比度變清晰，視認性變良好。因此，於如上所述之印刷配線板之例如圖1-C所示之製造步驟中，可將電路鍍敷精度良好地形成於特定位置。又，根據如上所述之印刷配線板之製造方法，而成為電路鍍敷嵌入樹脂層中之構成，因此例如圖4-J所示之藉由閃蝕去除極薄銅層時，電路鍍敷被樹脂層保護，其形狀得以保持，藉此微細電路之形成變容易。又，由於電路鍍敷被樹脂層保護，因此耐遷移性提昇，可良好地抑制電路之配線之導通。因此，微細電路之形成變容易。又，如圖4-J及圖4-K所示般藉由閃蝕去除極薄銅層時， 電路鍍敷之曝光面會形成自樹脂層凹陷之形狀，因此於該電路鍍敷上容易形成凸塊，進而於其上容易形成銅柱，製造效率提昇。
再者，嵌入樹脂(樹脂)可使用公知之樹脂、預浸體。例如，可使用含浸BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或BT樹脂之玻璃布的預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造之ABF膜(Ajinomoto Build-up Film，味之素積聚薄膜)或ABF。又，上述嵌入樹脂(樹脂)可使用本說明書記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
本發明之附載體銅箔的銅箔載體之與中間層成相反側之表面即外側表面之殘留應力、及極薄銅層之與中間層成相反側之表面即外側表面之殘留應力的差之絕對值被控制在14MPa以下。如此，銅箔載體之外側表面之殘留應力與極薄銅層之外側表面之殘留應力的差之絕對值被控制在14MPa以下，因此殘留應力之差非常小。因此，對附載體銅箔及極薄銅層之種類、以及該等之厚度並無加以限制，且可良好地抑制銅箔之翹曲。又，為了更良好地抑制銅箔之翹曲，較佳為銅箔載體之外側表面之殘留應力與極薄銅層之外側表面之殘留應力的差之絕對值為11.5MPa以下，進而較佳為6.0MPa以下。再者，無需特別設定銅箔載體之外側表面之殘留應力與極薄銅層之外側表面之殘留應力的差之絕對值之差的下限，例如為大於0MPa之值，更具體而言為0.001MPa以上、或0.01MPa以上、或0.1MPa以上、或0.2MPa以上、或0.5MPa以上。
[實施例]
以下，藉由本發明之實施例對本發明進一步詳細地進行說明，但本發明並不受該等實施例任何限定。
(實施例1~8)
1.附載體銅箔之製造
作為銅箔載體，準備表1所記載之厚度之長條電解銅箔(JX日鑛日石 金屬公司製造、JTC(製品名)、厚度12、18、70μm)及壓延銅箔(JX日鑛日石金屬公司製造、C1100(製品名)、厚度18μm)。
各銅箔於成為附載體銅箔時成為外側之面的殘留應力調節為-30MPa以上且30MPa以下之範圍。此處，於殘留應力為正值之情形時，表示收縮應力，於殘留應力為負值之情形時，表示拉伸應力。於使用電解銅箔作為銅箔載體之情形時，藉由將電解浴組成與電解條件最佳化，可將表層之殘留應力配合後述極薄銅層外側表面之殘留應力之範圍而調節為任意範圍。使用下述電解浴組成及電解條件於不鏽鋼製之電解鼓上製成電解銅箔。再者，若提高電解液之流速，則有銅箔之殘留應力於收縮方向上發揮作用(收縮應力容易發揮作用)之傾向，若降低電解液之流速，則有銅箔之殘留應力於拉伸方向上發揮作用(拉伸應力容易發揮作用)之傾向。又，若提高電流密度，則有銅箔之殘留應力於收縮方向上發揮作用(收縮應力容易發揮作用)之傾向，若降低電流密度，則有銅箔之殘留應力於拉伸方向上發揮作用(拉伸應力容易發揮作用)之傾向。又，亦可藉由添加電解液之添加劑(例如，Cl-或動物膠(animal glue)等)而調整殘留應力。
(電解浴組成)
Cu：80~120g/L
H2SO4：80~120g/L
Cl：20~80mg/L(實施例5、比較例1)
動物膠：0.1~6.0mg/L(實施例1、2、5、6、7、8、比較例1)
(電解條件)
液溫：55~65℃
電流密度：100A/dm2
電解液流速：1.5m/秒
於使用壓延銅箔作為銅箔載體之情形時，可藉由將壓延銅箔 製造步驟中之壓延條件及熱處理條件最佳化而將表層之殘留應力調節為任意之範圍，該方法對於業者而言較為容易且為已知。只要配合後述極薄銅層外側表面之殘留應力之範圍進行調節即可。於本實施例中，將最終冷間壓延中之壓延加工度設為95%，將最終冷間壓延中之最終道次之壓延加工度設為5%，將最終冷間壓延之最終道次所使用之壓延輥之直徑設為80mm。再者，壓延銅箔之表層之殘留應力亦可藉由改變最終冷間壓延中所使用之壓延輥之輥直徑而調整，又，亦可藉由控制最終冷間壓延之壓延加工度而調整。例如，於輥直徑較大之情形時，有表層之殘留應力於拉伸方向上發揮作用(拉伸應力容易發揮作用)之傾向，於輥直徑較小之情形時，有表層之殘留應力於收縮方向上發揮作用(收縮應力容易發揮作用)之傾向。又，於最終冷間壓延之壓延加工度較高之情形時，有表層之殘留應力於收縮方向上發揮作用(收縮應力容易發揮作用)之傾向，於最終冷間壓延之壓延加工度較低之情形時，有於拉伸方向上發揮作用(拉伸應力容易發揮作用)之傾向。又，於最終冷間壓延之最終道次之壓延加工度較小時，有表層之殘留應力於收縮方向上發揮作用(收縮應力容易發揮作用)之傾向，於最終冷間壓延之最終道次之壓延加工度較大時，有表層之殘留應力於拉伸方向上發揮作用(拉伸應力容易發揮作用)之傾向。
關於載體表面及極薄銅層側，於以下之條件下利用卷對卷型(roll to roll)連續生產線依序於以下之條件下對銅箔之光面進行表1所記載之中間層形成處理。於載體表面側與極薄銅層側之處理步驟之間進行水洗及酸洗。
．鍍Ni-Zn(實施例1~4、8、比較例3)
硫酸鎳：250~300g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
檸檬酸三鈉：15~30g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：30~100ppm
ZnSO4：0.05~5g/L
pH值：4~6
浴溫：50~70℃
電流密度：3~15A/dm2
．鍍Ni(實施例5、7、比較例2)
硫酸鎳：250~300g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
檸檬酸三鈉：15~30g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：30~100ppm
pH值：4~6
浴溫：50~70℃
電流密度：3~15A/dm2
．電解鉻酸鹽處理
液組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0.1~2.6A/dm2
庫倫量：0.5~30As/dm2
．浸漬鉻酸鹽處理
液組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
浸漬時間：1~20秒
繼而，於卷對卷型連續鍍敷生產線上，藉由利用以下之條件進行電鍍而於中間層上形成厚度3~5μm之極薄銅層，製作附載體銅箔。再者，極薄銅層之殘留應力亦可以與電解銅箔載體相同之方式進行調整。於本案中，實施例、比較例一併藉由控制氯化物離子濃度與電流密度而進行調整。
．極薄銅層
銅濃度：30~120g/L
H2SO4濃度：20~120g/L
氯化物離子濃度：20~80mg/L
電解液溫度：20~80℃
電流密度：10~100A/dm2
再者，關於實施例1、2及5，對極薄銅層之表面依序進行以下之粗化處理、防銹處理、鉻酸鹽處理、及矽烷偶合處理。
．粗化處理
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH值：1~4
溫度：40~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
時間：1~5秒
Cu附著量：15~40mg/dm2
Co附著量：100~3000μg/dm2
Ni附著量：100~1000μg/dm2
．防銹處理
Zn：0~20g/L
Ni：0~5g/L
pH值：3.5
溫度：40℃
電流密度Dk：0~1.7A/dm2
時間：1秒
Zn附著量：5~250μg/dm2
Ni附著量：5~300μg/dm2
．鉻酸鹽處理
K2Cr2O7
(Na2Cr2O7或CrO3)：2~10g/L
NaOH或KOH：10~50g/L
ZnO或ZnSO47H2O：0.05~10g/L
pH值：7~13
浴溫：20~80℃
電流密度0.05~5A/dm2
時間：5~30秒
Cr附著量：：10~150μg/dm2
．矽烷偶合處理
乙烯基三乙氧基矽烷水溶液
(乙烯基三乙氧基矽烷濃度：0.1~1.4wt%)
pH值：4~5
時間：5~30秒
(比較例1~3)
比較例1除將銅箔載體之製箔電流密度設為60A/dm2、且不形成中間層而形成極薄銅層以外，於與實施例2相同之條件下製作附載體銅箔。比較例2、3係除以下條件以外，於與實施例3相同之條件下製作附載體銅箔：將作為載體之壓延銅箔製造時之最終冷間壓延中之壓延加工度分別設為85%、70%，將最終冷間壓延中之最終道次之壓延加工度分別設為10%、20%，將最終冷間壓延之最終道次所使用之壓延輥之直徑分別設為100mm、120mm，於比較例2中進行鍍Ni作為中間層，於比較例3中進行鍍Ni-Zn與電解鉻酸鹽處理作為中間層。
2.附載體銅箔之各種評價
關於以上述方式獲得之附載體銅箔，利用以下之方法實施各種之評價。將結果示於表1中。
<極薄銅層之平均結晶粒徑之測定>
使用FIB-SIM觀察極薄銅層之剖面，將包圍結晶粒之最小圓之直徑作為結晶粒徑，對存在於觀察視野內之全部結晶粒進行測定。(具體而言，拍攝照片並基於該照片進行測定。)再者，使用FIB-SIM之極薄銅層之剖面觀察可藉由以利用聚焦離子束(FIB)使剖面露出之方式進行加工，利用掃描式離子顯微鏡(SIM)觀察該剖面而進行。而且，將20個以上之結晶粒徑之平均值設為平均結晶粒徑。於在觀察視野中不存在20個以上之結晶粒之情形時，增加觀察視野直至進行結晶粒徑之測定之結晶粒之數為20個以上並進行測定。再者，使用FIB-SIM觀察極薄銅層之剖面時之倍率並無特別限定，只要為可觀察到結晶粒之倍率即可。例如，可以2500~40000倍之倍率測定結晶粒徑。
<附著量之測定>
鎳(Ni)附著量係用濃度20質量%之硝酸溶解試樣並藉由ICP(Inductively Coupled Plasma，交感耦合電漿)發光分析而測定，鉻(Cr)附著量、及鋅(Zn)附著量係藉由用濃度7質量%之鹽酸溶解試樣，並利用原子吸光法進行定量分析而測定。
<殘留應力之測定>
銅箔載體外側表面及極薄銅層外側表面之殘留應力係藉由X射線繞射法而測定。於該方法中，根據構成作為測定對象之銅層的多數結晶之晶格面間隔測定值、與已知之無應力狀態下所測定之銅的晶格面間隔及銅之彈性常數及蒲松比(Poisson's ratio)求出銅層表面之殘留應力。
於本案中，殘留應力之測定係使用Rigaku股份有限公司製造之X射線繞射裝置RINT2100而進行。繞射角之校正係使用標準Si結晶而進行。又，殘留應力之計算係使用附屬於Rigaku股份有限公司製造之X射線繞射裝置RINT2100之計算軟體、並使用繞射峰頂之測定值而進行。
X射線之侵入深度通常為數微米~10μm左右，因此可求出加上自測定面表層起該侵入深度範圍內之X射線衰減之影響的平均晶格面間隔及殘留應力。於附載體銅箔中銅箔載體及極薄銅層之厚度與X射線侵入深度大致相同或為其以上，因此可認為所測定之殘留應力表示銅箔載體及極薄銅層之表層之殘留應力。再者，於對極薄銅層外側表面進行粗化處理、耐熱處理、防銹處理、鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等表面處理之情形時，進行該表面處理後(自該表面處理層上)進行殘留應力之測定。又，於對銅箔載體外側表面進行粗化處理、耐熱處理、防銹處理、鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等表面處理之情形時，較佳為進行該表面處理後(自該表面處理層上)進行殘留應力之測定。
<翹曲量之測定>
翹曲量係將附載體銅箔切成10cm見方之片狀使極薄銅層側向上於水平面上靜置24小時以上後，測定自片材四角部之水平面起之翹起高度之最 大值。於片材四角部未浮起而向下方向彎曲之情形時，使極薄銅層側向下放置而測定片材四角部之浮起高度之最大值。
(評價結果)
可知實施例1~8銅箔載體之外側表面之殘留應力與極薄銅層之外側表面之殘留應力的差之絕對值均為14MPa以下。因此，均可良好地抑制銅箔之翹曲。
比較例1~3銅箔載體之外側表面之殘留應力與極薄銅層之外側表面之殘留應力的差之絕對值均超過14MPa。因此，銅箔之翹曲量之最大值均超過10mm，從而無法抑制銅箔之翹曲。
再者，關於實施例3之附載體銅箔，於195℃下加熱6小時後進行殘留應力之測定。其結果是銅箔載體之外側表面之殘留應力、極薄銅層之外側表面之殘留應力均成為0MPa。其結果是銅箔載體之外側表面之殘留應力與極薄銅層之外側表面之殘留應力之差之絕對值為0MPa。又，該加熱後之極薄銅層之平均結晶粒徑為16.1μm。

Claims (35)

  1. 一種附載體銅箔，係具備銅箔載體、積層於銅箔載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層而成，上述銅箔載體之外側表面之殘留應力與上述極薄銅層之外側表面之殘留應力的差其絕對值為14MPa以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其係具備銅箔載體、積層於銅箔載體上之中間層、及積層於中間層上之極薄銅層而成，上述銅箔載體之外側表面之殘留應力與上述極薄銅層之外側表面之殘留應力的差其絕對值大於0MPa且為14MPa以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中上述銅箔載體之外側表面之殘留應力與上述極薄銅層之外側表面之殘留應力的差其絕對值為11.5MPa以下。
  4. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中上述銅箔載體由電解銅箔或壓延銅箔構成。
  5. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中上述中間層係由接觸於與銅箔載體之界面之Ni層及接觸於與極薄銅層之界面之Cr層所構成，上述中間層中之Ni附著量為1μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，上述中間層中之Cr附著量為1μg/dm2以上且100μg/dm2以下，於上述中間層中進而以1μg/dm2以上且70μg/dm2以下之附著量存在Zn。
  6. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中上述極薄銅層之厚度為1μm以上且10μm以下。
  7. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中上述極薄銅層之平均結晶粒徑未達15μm。
  8. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中於上述極薄銅層表面具有粗化處理層。
  9. 如申請專利範圍第8項之附載體銅箔，其中於上述粗化處理層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中一種以上之層。
  10. 如申請專利範圍第9項之附載體銅箔，其中上述防銹層及上述耐熱層之至少一者含有選自鎳、鈷、銅、鋅中之一種以上之元素。
  11. 如申請專利範圍第9項之附載體銅箔，其中上述防銹層及上述耐熱層之至少一者由選自鎳、鈷、銅、鋅中之一種以上之元素構成。
  12. 如申請專利範圍第8項之附載體銅箔，其中於上述粗化處理層上具有上述耐熱層。
  13. 如申請專利範圍第12項之附載體銅箔，其中於上述耐熱層上具有上述防銹層。
  14. 如申請專利範圍第8項之附載體銅箔，其中於上述粗化處理層上具有上述防銹層。
  15. 如申請專利範圍第9項之附載體銅箔，其中於上述防銹層上具有上述鉻酸鹽處理層。
  16. 如申請專利範圍第9項之附載體銅箔，其中於上述鉻酸鹽處理層上具有上述矽烷偶合處理層。
  17. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中於上述極薄銅層之表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之一種以上之層。
  18. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中將上述附載體銅箔切成10cm見方之片狀並靜置於水平面上時，片材四角部距水平面之翹起高度的最大值為10mm以下。
  19. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中於上述極薄銅層上具備樹脂層。
  20. 如申請專利範圍第8項之附載體銅箔，其中於上述粗化處理層上具備樹脂層。
  21. 如申請專利範圍第9項之附載體銅箔，其中於選自由上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之一種以上之層上具備樹脂層。
  22. 如申請專利範圍第17項之附載體銅箔，其中於選自由上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之一種以上之層上具備樹脂層。
  23. 如申請專利範圍第19項之附載體銅箔，其中上述樹脂層含有介電體。
  24. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中上述樹脂層含有介電體。
  25. 如申請專利範圍第21項之附載體銅箔，其中上述樹脂層含有介電體。
  26. 如申請專利範圍第22項之附載體銅箔，其中上述樹脂層含有介電體。
  27. 一種覆銅積層板，係使用申請專利範圍第1至26項中任一項之附載體銅箔而製成。
  28. 一種印刷配線板，係使用申請專利範圍第1至26項中任一項之附載體銅箔而製成。
  29. 一種印刷電路板，係使用申請專利範圍第1至26項中任一項之附載體銅箔而製成。
  30. 一種印刷配線板之製造方法，其包含如下步驟：準備申請專利範圍第1至26項中任一項之附載體銅箔及絕緣基板的步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板積層的步驟；於將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離上述附載體銅箔之銅箔載體之步驟形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中 之任一種方法形成電路的步驟。
  31. 一種印刷配線板之製造方法，其包含如下步驟：於申請專利範圍第1至26項中任一項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路的步驟；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層的步驟；於上述樹脂層上形成電路的步驟；於上述樹脂層上形成電路後剝離上述載體的步驟；及藉由在剝離上述載體後去除上述極薄銅層，而使形成於上述極薄銅層側表面且埋沒於上述樹脂層之電路露出的步驟。
  32. 如申請專利範圍第31項之印刷配線板之製造方法，其中於上述樹脂層上形成電路之步驟係將另一附載體銅箔自極薄銅層側貼合於上述樹脂層上，使用貼合於上述樹脂層之附載體銅箔形成上述電路之步驟。
  33. 如申請專利範圍第32項之印刷配線板之製造方法，其中貼合於上述樹脂層之另一附載體銅箔為申請專利範圍第1至26項中任一項之附載體銅箔。
  34. 如申請專利範圍第31項之印刷配線板之製造方法，其中於上述樹脂層上形成電路之步驟係藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法中之任一種方法進行。
  35. 如申請專利範圍第31項之印刷配線板之製造方法，其進而包含於剝離載體前，於附載體銅箔之載體側表面形成基板之步驟。
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