CN104584699B - 附载体铜箔 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种附载体铜箔，其在向绝缘基板的积层步骤前载体与极薄铜层的密接力高，另一方面，在向绝缘基板的积层步骤后载体与极薄铜层的密接性降低，而可容易地在载体/极薄铜层的界面进行剥离，且可良好地抑制极薄铜层侧表面的针孔的产生。中间层在铜箔载体上依序积层镍、与钼或钴或钼‑钴合金而构成。在中间层中，镍的附着量为1000～40000μg/dm2，在包含钼的情形时钼的附着量为50～1000μg/dm2，在包含钴的情形时钴的附着量为50～1000μg/dm2。当使中间层/极薄铜层之间剥离时，在自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为20％～80％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足40％以上。

Description

附载体铜箔
技术领域
本发明涉及一种附载体铜箔。更详细而言，本发明涉及一种用作精细图案用途的印刷配线板的材料的附载体铜箔。
背景技术
印刷配线板于近半个世纪取得了巨大发展，目前已用于几乎所有电子机器中。近年来，随着电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化逐步推进，对于印刷配线板要求导体图案的微细化(微间距化)或应对高频等，尤其在印刷配线板上搭载IC芯片的情形时，要求L/S＝20μm/20μm以下的微间距化。
印刷配线板首先被制造成使铜箔、与以环氧玻璃基板、BT树脂(bismaleimide-triazine resin，双马来酰亚胺-三嗪树脂)、聚酰亚胺膜等为主的绝缘基板贴合而成的覆铜积层体。贴合使用将绝缘基板与铜箔重迭并加热加压而形成的方法(层压法)，或将作为绝缘基板材料的前驱物的清漆涂布于具有铜箔的被覆层的面上，进行加热使其硬化的方法(流延法)。
随着微间距化，覆铜积层体中所使用的铜箔的厚度也成为9μm、进而5μm以下等，即箔厚逐步变薄。然而，若箔厚成为9μm以下，则利用上述层压法或流延法形成覆铜积层体时的操作性极度恶化。因此，出现了利用具有一定厚度的金属箔作为载体，经由剥离层在其上形成极薄铜层的附载体铜箔。附载体铜箔的通常使用方法是将极薄铜层的表面贴合于绝缘基板上并进行热压接后，经由剥离层剥离载体。
作为关于附载体铜箔的技术，例如专利文献1中揭示有如下方法：在载体的表面依序形成防扩散层、剥离层、及铜电镀层，且使用Cr或Cr水合氧化物层作为剥离层，使用Ni、Co、Fe、Cr、Mo、Ta、Cu、Al、P的单质或合金作为防扩散层，由此保持加热压制后的良好的剥离性。
另外，众所周知剥离层是由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P或它们的合金或它们的水合物所形成。此外，专利文献2及3中记载有为了实现加热压制等高温使用环境下的剥离性的稳定化，有效的是在剥离层的基底设置Ni、Fe或它们的合金层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-022406号公报
专利文献2：日本特开2010-006071号公报
专利文献3：日本特开2007-007937号公报。
发明内容
发明所要解决的技术问题
对于附载体铜箔，必须在向绝缘基板的积层步骤前避免极薄铜层自载体剥离，另一方面，必须在向绝缘基板的积层步骤后可将极薄铜层自载体剥离。另外，对于附载体铜箔，极薄铜层侧的表面存在针孔的情况会导致印刷配线板的性能不良，故而欠佳。
关于所述方面，背景技术并未进行充分的研究，尚有改善的余地。因此，本发明的课题在于提供一种在向绝缘基板的积层步骤前极薄铜层不会自载体剥离，另一方面，在向绝缘基板的积层步骤后可能剥离的附载体铜箔。本发明的课题也在于进而提供一种抑制在极薄铜层侧表面的针孔的产生的附载体铜箔。
解决技术问题的手段
为了达成上述目的，本发明人反复进行努力研究，结果发现如下情况极有效果：使用铜箔作为载体，在极薄铜层与载体之间形成中间层，自铜箔载体侧依序以镍、与钼或钴或钼-钴合金构成该中间层；控制镍、钼及钴的附着量；及控制使上述中间层/极薄铜层之间剥离时的中间层表面部分的镍、钼、钴原子浓度。另外，发现如下情况也同样地极有效果：将绝缘基板热压接于极薄铜层，而控制自极薄铜层剥离载体时的中间层表面部分的镍、钼、钴原子浓度。
本发明基于上述见解而完成，一方面为一种附载体铜箔，其依序具有铜箔载体、中间层、及极薄铜层，并且上述中间层依序积层镍、与钼或钴或钼-钴合金而构成，在上述中间层，镍的附着量为1000～40000μg/dm2，在包含钼的情形时钼的附着量为50～1000μg/dm2，在包含钴的情形时钴的附着量为50～1000μg/dm2，当使上述中间层/极薄铜层之间剥离时，若将根据利用XPS的自表面起算的深度方向分析而获得的深度方向(x：单位nm)的镍的原子浓度(％)设为g(x)，将铜的原子浓度(％)设为h(x)，将钼的合计原子浓度(％)设为i(x)，将钴的原子浓度(％)设为j(x)，将氧的原子浓度(％)设为k(x)，将碳的原子浓度(％)设为l(x)，将其他的原子浓度(％)设为m(x)，则在自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为20％～80％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足40％以上。
本发明的另一方面为一种附载体铜箔的制造方法，其包括：通过在铜箔载体上利用干式镀敷或湿式镀敷形成镍层，在上述镍层上形成钼层或钴层或钼-钴层而形成中间层的步骤；及通过电镀在上述中间层上形成极薄铜层的步骤。
本发明的另一方面为一种印刷配线板，其使用本发明的附载体铜箔而制造。
本发明的另一方面为一种印刷电路板，其使用本发明的附载体铜箔而制造。
本发明的另一方面为一种覆铜积层板，其使用本发明的附载体铜箔而制造。
本发明的另一方面为一种印刷配线板的制造方法，其包括：
准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；及
在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，
其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法(Modified SemiAdditive)中的任一方法形成电路的步骤。
本发明的另一方面为一种印刷配线板的制造方法，其包括：
在本发明的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面形成电路的步骤；
以埋没上述电路的方式在上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面形成树脂层的步骤；
在上述树脂层上形成电路的步骤；
在上述树脂层上形成电路后，剥离上述载体的步骤；及
在剥离上述载体后，去除上述极薄铜层，由此使形成于上述极薄铜层侧表面的埋没于上述树脂层中的电路露出的步骤。
发明的效果
本发明的附载体铜箔在向绝缘基板的积层步骤前载体与极薄铜层的密接力高，另一方面，在向绝缘基板的积层步骤后载体与极薄铜层的密接性降低，而可容易地在载体/极薄铜层的界面进行剥离，且可良好地抑制极薄铜层侧表面的针孔的产生。
附图说明
[图1]A～C为使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的至电路镀敷、去除光阻剂为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[图2]D～F为使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的自积层树脂及第2层附载体铜箔至镭射开孔为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[图3]G～I为使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的自形成通孔填充物至剥离第1层载体为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[图4]J～K为使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例的自快速蚀刻至形成凸块、铜柱为止的步骤中的配线板剖面的示意图。
[图5]为实施例5的基板贴合前的中间层表面的深度方向的XPS深度分布图。
[图6]为用以说明原子浓度的积分方法的概略图。
[图7]为用以表示实施例的XPS测定区域的样品片材的示意图。
具体实施方式
＜1.载体＞
使用铜箔作为可用于本发明的载体。典型而言，载体以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。通常，电解铜箔自硫酸铜镀浴在钛或不锈钢的转筒上电解析出铜而制造，压延铜箔为重复进行利用压延辊的塑性加工及热处理而制造。作为铜箔的材料，除了精铜或无氧铜等高纯度的铜以外，也可使用例如掺Sn铜、掺Ag铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊系铜合金之类的铜合金。再者，在本说明书中，单独使用用语“铜箔”时，也包含铜合金箔的含义。上述铜合金箔中，可含有铜以外的元素合计0质量％以上且50质量％以下，可含有0.0001质量％以上且40质量％以下，可含有0.0005质量％以上且30质量％以下，也可含有0.001质量％以上且20质量％以下。
关于可在本发明中使用的载体的厚度，也并无特别限制，只要在达成作为载体的作用的基础上适当地调节为适宜的厚度即可，例如可设为12μm以上。但，若过厚，则生产成本提高，故而通常优选设为35μm以下。因此，载体的厚度典型为12～70μm，更典型为18～35μm。
＜2.中间层＞
在铜箔载体上设置中间层。也可在铜箔载体与中间层之间设置其他层。优选的是中间层为在铜箔载体上依序积层镍、与钼或钴或钼-钴合金而构成。通常，镍与铜的接着力高于钼或钴与铜的接着力，故而在剥离极薄铜层时，成为在极薄铜层与钼或钴或钼-钴合金的界面进行剥离。另外，对于中间层的镍，期待防止铜成分自载体扩散至极薄铜层的障壁效果。
在使用电解铜箔作为载体的情形时，就减少针孔的观点而言，优选在光泽面上设置中间层。
中间层中的钼或钴或钼-钴合金层薄薄地存在于极薄铜层的界面时，可获得在向绝缘基板的积层步骤前极薄铜层不会自载体剥离，另一方面，在向绝缘基板的积层步骤后可将极薄铜层自载体剥离的特性，故而是优选的。在未设置镍层而使钼或钴或钼-钴合金层存在于载体与极薄铜层的交界的情形时，剥离性几乎未提高，在无钼或钴或钼-钴合金层而直接将镍层与极薄铜层积层的情形时，随着镍层中的镍量剥离强度过强或过弱，而无法获得适当的剥离强度。
另外，若使钼或钴或钼-钴合金层存在于载体与镍层的交界，则在剥离极薄铜层时，中间层也随之剥离，即在载体与中间层之间发生剥离，故而欠佳。此种状况不仅在与载体的界面设置钼或钴或钼-钴合金层的情况下会发生，若在与极薄铜层的界面设置钼或钴或钼-钴合金层时钼量或钴量过多，则也会发生。认为其原因在于，由于铜与镍容易固溶，故而若使它们接触，则会因相互扩散而提高接着力，变得不易剥离，另一方面，由于钼或钴与铜不易固溶，不易发生相互扩散，故而在钼或钴或钼-钴合金层与铜的界面接着力较弱，容易剥离。另外，在中间层的镍量不足的情形时，在载体与极薄铜层之间仅存微量的钼或钴，故而两者密接而变得难以剥离。
中间层的镍及钴或钼-钴合金可通过例如电镀、无电解镀敷及浸渍镀敷之类的湿式镀敷，或溅镀、CVD及PDV之类的干式镀敷而形成。另外，钼可仅通过CVD及PDV之类的干式镀敷而形成。就成本的观点而言，优选为电镀。
在中间层，镍的附着量为1000～40000μg/dm2，钼的附着量为50～1000μg/dm2，钴的附着量为50～1000μg/dm2。有随镍量增加针孔的量增多的倾向，但若为该范围，则针孔的数量也会得到抑制。就均匀地剥离极薄铜层的观点及抑制针孔的观点而言，镍附着量优选设为5000～20000μg/dm2，更优选设为7500～15000μg/dm2。钼附着量优选设为80～600μg/dm2，更优选设为100～400μg/dm2。钴附着量优选设为80～600μg/dm2，更优选设为100～400μg/dm2。
＜3.冲击镀敷＞
中间层上设置极薄铜层。在此之前为了减少极薄铜层的针孔，可进行利用铜-磷合金的冲击镀敷。对于冲击镀敷，可列举焦磷酸铜镀敷液等。
＜4.极薄铜层＞
中间层上设置极薄铜层。也可在中间层与极薄铜层之间设置其他层。优选的是极薄铜层可通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、胺基磺酸铜、氰化铜等的电解浴的电镀而形成，就使用通常的电解铜箔而可在高电流密度下形成铜箔的方面而言，优选为硫酸铜浴。极薄铜层的厚度并无特别限制，通常薄于载体，例如为12μm以下。典型为0.5～12μm，更典型为2～5μm。
＜5.粗化处理及其他表面处理＞
对于极薄铜层的表面，为了例如使与绝缘基板的密接性良好等，也可通过实施粗化处理而设置粗化处理层。粗化处理例如可通过利用铜或铜合金形成粗化粒子而进行。粗化处理可为微细者。粗化处理层可为由选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一者的单质或含有任1种以上的合金所构成的层等。另外，也可在利用铜或铜合金形成粗化粒子后，进而进行利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。其后，可利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，也可进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。或者，可不进行粗化处理而利用镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。即，可在粗化处理层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上的层，也可在极薄铜层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上的层。此外，上述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层可分别由例如2层以上、3层以上等多层所形成。
作为耐热层、防锈层，可使用公知的耐热层、防锈层。例如，耐热层和/或防锈层可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素的层，也可为由选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素所构成的金属层或合金层。另外，耐热层和/或防锈层也可包含含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的1种以上元素的氧化物、氮化物、硅化物。另外，耐热层和/或防锈层可为含有镍-锌合金的层。另外，耐热层和/或防锈层也可为镍-锌合金层。除了不可避免的杂质以外，上述镍-锌合金层可含有镍50wt％～99wt％、及锌50wt％～1wt％。上述镍-锌合金层的锌与镍的合计附着量可为5～1000mg/m2，优选为10～500mg/m2，优选为20～100mg/m2。另外，上述包含镍-锌合金的层或上述镍-锌合金层的镍的附着量与锌的附着量的比(＝镍的附着量/锌的附着量)优选为1.5～10。另外，上述包含镍-锌合金的层或上述镍-锌合金层的镍的附着量优选为0.5mg/m2～500mg/m2，更优选为1mg/m2～50mg/m2。在耐热层和/或防锈层为包含镍-锌合金的层的情形时，在使通孔或导孔等的内壁部与除胶渣液接触时，铜箔与树脂基板的界面不易被除胶渣液腐蚀，铜箔与树脂基板的密接性提高。
例如耐热层和/或防锈层可依序积层附着量为1mg/m2～100mg/m2、优选为5mg/m2～50mg/m2的镍或镍合金层、与附着量为1mg/m2～80mg/m2、优选为5mg/m2～40mg/m2的锡层而形成，上述镍合金层可由镍-钼、镍-锌、镍-钼-钴中的任一种构成。另外，耐热层和/或防锈层优选为镍或镍合金与锡的合计附着量为2mg/m2～150mg/m2，更优选为10mg/m2～70mg/m2。另外，耐热层和/或防锈层优选为[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优选为0.33～3。若使用该耐热层和/或防锈层，则将附载体铜箔加工成印刷配线板以后的电路的剥离强度、该剥离强度的耐化学药品性劣化率等变得良好。
此外，用于硅烷偶合处理的硅烷偶合剂可使用公知的硅烷偶合剂，也可使用例如胺基系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂、巯基系硅烷偶合剂。另外，硅烷偶合剂也可使用乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、4-缩水甘油基丁基三甲氧基硅烷、γ-胺基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三嗪硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等。
上述硅烷偶合处理层可使用环氧系硅烷、胺基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷等硅烷偶合剂等而形成。此外，此种硅烷偶合剂也可混合使用2种以上。其中，优选为使用胺基系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂而形成。
此处所谓胺基系硅烷偶合剂，可为选自由N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、3-胺基丙基三乙氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基硅烷、胺基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、N-(3-丙烯酰氧基-2-羟基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基硅烷、4-胺基丁基三乙氧基硅烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基硅烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)硅烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基硅烷、胺基苯基三甲氧基硅烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基硅烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3-胺基丙基三乙氧基硅烷、3-胺基丙基三甲氧基硅烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基硅烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基硅烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基硅烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基硅烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、γ-胺基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基硅烷所组成的群中者。
较理想的是硅烷偶合处理层以硅原子换算设定为0.05mg/m2～200mg/m2、优选为0.15mg/m2～20mg/m2、优选为0.3mg/m2～2.0mg/m2的范围。在上述范围的情形时，可进一步提高基材树脂与表面处理铜箔的密接性。
另外，可对极薄铜层、粗化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶合处理层或铬酸盐处理层的表面进行国际公开编号WO2008/053878、日本专利特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、日本专利特开2013-19056号中所记载的表面处理。
＜6.附载体铜箔＞
如此，作为优选的形式，制造具备铜箔载体、形成于铜箔载体上的中间层、及积层于中间层上的极薄铜层的附载体铜箔。附载体铜箔本身的使用方法为业者所周知，例如可将极薄铜层的表面贴合于纸基材酚系树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜、氟树脂基材、氟树脂膜等绝缘基板上，进行热压接后，剥离载体，将接着于绝缘基板的极薄铜层蚀刻为目标导体图案，最终制造印刷配线板。在本发明的附载体铜箔的情形时，剥离部位主要为中间层与极薄铜层的界面。
进而，通过在印刷配线板上搭载电子零件类，而完成印刷电路板。另外，在制造印刷配线板时，也可将用以强化附载体铜箔的载体的支架贴附于载体表面。由此，可进一步提高操作性。作为支架，可列举预浸体或树脂等的绝缘基板。作为树脂，可为上述树脂层。
本发明的附载体铜箔在使上述中间层/极薄铜层之间剥离时，若将根据利用XPS的自表面起算的深度方向分析而获得的深度方向(x：单位nm)的镍的原子浓度(％)设为g(x)，将铜的原子浓度(％)设为h(x)，将钼的合计原子浓度(％)设为i(x)，将钴的原子浓度(％)设为j(x)，将氧的原子浓度(％)设为k(x)，将碳的原子浓度(％)设为l(x)，将其他的原子浓度(％)设为m(x)，则
在自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为20％～80％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足40％以上。
此外，自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[Y，Z]意指算出上述各元素的浓度的积分值(例如∫g(x)dx、∫h(x)dx、∫i(x)dx、∫j(x)dx、∫k(x)dx、∫l(x)dx、∫m(x)dx)的积分区间。即，Y意指开始积分的深度(nm)[SiO2换算]，Z意指结束积分的深度(nm)[SiO2换算]。
即，自中间层表面起算的深度方向分析的区间为[Y，Z]的情况意指算出自上述中间层表面起算的深度Y(nm)[SiO2换算]至深度Z(nm)[SiO2换算]为止的各元素的浓度的积分值。
此处，上述SiO2换算深度意指在可仅以该SiO2换算深度对SiO2基板进行溅镀的溅镀时间及溅镀条件下，对中间层表面进行溅镀时的深度。此时，溅镀使用装置所附带的离子枪进行。例如，所谓“在SiO2换算深度下为1nm”意指在可在SiO2基板上溅镀1nm(SiO2基板的厚度减少1nm)的深度的溅镀时间及溅镀条件下，使用离子枪对中间层表面进行溅镀时的深度。
此外，上述各元素的浓度的积分值通过梯形公式而求出。
以下，对利用梯形公式求出的浓度的积分方法进行说明。此处，列举在自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中对镍的原子浓度进行积分为例进行说明。另外，为了使说明简洁，列举在区间[0.0，4.0]中测定6点的情形为例进行说明。图6表示用以说明原子浓度的积分方法的概略图。
图6为将横轴设为自中间层表面起算的深度x(nm)，将纵轴设为镍原子浓度(at％)的图表。
点a、b、c、d、e、f分别表示自中间层表面起算的深度l、k、j、i、h、g(nm)下的镍原子浓度的测定结果。
如图6所示，通过XPS，在自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，以数点的特定深度(l～g)分别测定镍的原子浓度。并且，求出梯形abkl的面积S1、梯形bcjk的面积S2、梯形cdij的面积S3、梯形dehi的面积S4、梯形efgh的面积S5。并且，将S1至S5的合计的面积的值设为自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中的镍的原子浓度的积分值∫g(x)dx。即，算出自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中的∫g(x)dx＝S1+S2+S3+S4+S5。
此处，例如梯形abkl的面积S1通过{(点a的镍的原子浓度(at％))+(点b的镍的原子浓度(at％))}×(点a、b间的深度x1(nm))/2而求出。以相同的方式求出梯形bcjk的面积S2、梯形cdij的面积S3、梯形dehi的面积S4、梯形efgh的面积S5的面积。
此外，点a为最接近于自中间层表面起算的深度0.0nm的深度l的镍原子浓度的测定结果，点f为最接近于自中间层表面起算的深度4.0nm的深度g的镍原子浓度的测定结果。
各点的测定间隔(图6中为x1、x2、x3、x4、x5)的优选的值为0.10～0.30nm(SiO2换算)。
因此，在称为区间[0.0，4.0]中的情形时意指开始积分的深度为0.0nm(SiO2换算)(即分析对象物的表面)，结束积分的深度为4.0nm(SiO2换算)(自表面为4.0nm的深度)。同样地，在称为区间[4.0，12.0]中的情形时意指开始积分的深度为4.0nm(SiO2换算)(自表面为4.0nm的深度)，结束积分的深度为12.0nm(SiO2换算)(自表面为12.0nm的深度)。
本发明的附载体铜箔优选为在使上述中间层/极薄铜层之间剥离时，若将根据利用XPS的自表面起算的深度方向分析而获得的深度方向(x：单位nm)的镍的原子浓度(％)设为g(x)，将铜的原子浓度(％)设为h(x)，将钼的合计原子浓度(％)设为i(x)，将钴的原子浓度(％)设为j(x)，将氧的原子浓度(％)设为k(x)，将碳的原子浓度(％)设为l(x)，将其他的原子浓度(％)设为m(x)，则
在自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为30％～60％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足50％以上。
此处，关于本发明的附载体铜箔，“将中间层/极薄铜层之间剥离”的判定可设为剥离后的极薄铜层侧表面的镍、钼及钴的原子浓度分别为50原子％以下的情形，更优选为设为剥离后的极薄铜层侧表面的镍、钼及钴的原子浓度分别为15原子％以下的情形。若判定为在上述原子浓度分别为15原子％以下的情形时将中间层与极薄铜层之间剥离，则可观察到更良好的剥离状态。
另外，在假定中间层侧附着有极薄铜层的情形时(例如，在自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)超过15％的情形；或在大气中、压力：20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下将绝缘基板热压接于极薄铜层，在使中间层/极薄铜层之间剥离时，在自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)超过30％的情形)，铜原子浓度为10原子％以下，或者，在大气中、压力：20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下将绝缘基板热压接于极薄铜层后进行XPS分析的情形时，将铜原子浓度成为15at％以下的深度设为x＝0.0nm，在上述中间层/极薄铜层之间剥离时，将根据利用XPS的自表面起算的深度方向分析而获得的深度方向(x：单位nm)的镍的原子浓度(％)设为g(x)，将铜的原子浓度(％)设为h(x)，将钼的合计原子浓度(％)设为i(x)，将钴的原子浓度(％)设为j(x)，将氧的原子浓度(％)设为k(x)，将碳的原子浓度(％)设为l(x)，将其他的原子浓度(％)设为m(x)时，可算出在自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中的∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)的值、与在[4.0，12.0]中的∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)的值。
此外，在如此假定为中间层侧附着有极薄铜层的情形时，以自中间层表面起算的深度方向分析将铜原子浓度为10原子％以下的最浅(深度最小)的地点设为测定本发明中所规定的自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]及[4.0，12.0]时的开始地点(0.0)。
另外，在如此假定为中间层侧附着有极薄铜层的情形时，且在大气中、压力：20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下将绝缘基板热压接于极薄铜层后进行XPS分析的情形时，以自中间层表面起算的深度方向分析将铜原子浓度为20原子％以下的最浅(深度最小)的地点设为测定本发明中所规定的自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]及[4.0，12.0]时的开始地点(0.0)。
另外，本发明的附载体铜箔优选为在大气中、压力：20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下将绝缘基板热压接于极薄铜层，在使上述中间层/极薄铜层之间剥离时，在自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为20％～80％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为40％以上。
如此，本发明的附载体铜箔在将中间层/极薄铜层之间剥离时在中间层的最表面存在一定量以上的钼或钴，且相比于最表面在内部镍浓度更高。因此，可良好地抑制极薄铜层侧表面的针孔的产生。另外，热压接后的附载体铜箔也在将中间层/极薄铜层之间剥离时在中间层的最表面存在一定量以上的钼或钴，且相比于最表面在内部浓度镍更高。因此，可良好地抑制极薄铜层侧表面的针孔的产生。
本发明的附载体铜箔优选为在使中间层/极薄铜层之间剥离时，在利用XPS的自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为0.1～3％。
另外，本发明的附载体铜箔优选为在大气中、压力：20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下将绝缘基板热压接于极薄铜层，在使中间层/极薄铜层之间剥离时，在自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为0.5～5％。
如此，本发明的附载体铜箔在将中间层/极薄铜层之间剥离时在中间层的内部存在一定量以上的铜。若中间层中的铜浓度提高，则中间层/极薄铜层之间的密接力提高。因此，可通过控制镍中的铜浓度而控制剥离强度。另外，热压接后的附载体铜箔也在将铜箔载体自极薄铜层剥离时在中间层的内部存在一定量以上的铜。因此，有可防止热压接后的极端的剥离强度的降低的效果。
较高地设定镍的电流密度，提高每单位时间的电沉积速度，另外，加快载体铜箔的搬送速度，而使镍层的密度降低。若镍层的密度降低，则载体铜箔的铜容易扩散至镍层，而可控制镍中的铜的浓度。另外，若降低钼及钴在镀敷处理中的电流密度，减慢载体铜箔的搬送速度，则钼及钴层的密度提高。若钼及钴层的密度提高，则载体铜箔的铜及镍层的镍不易扩散，而可控制钼及钴的浓度。
另外，本发明的附载体铜箔优选为中间层的钼-钴合金的钴的浓度为20～80质量％。根据此种构成，进一步提高抑制铜及镍扩散至钼-钴合金层的效果，绝缘基板压接后的剥离强度等级较低且稳定。
另外，本发明的附载体铜箔可在极薄铜层上具备粗化处理层，可在上述粗化处理层上具备耐热层和/或防锈层，可在上述耐热层和/或防锈层上具备铬酸盐处理层，可在上述铬酸盐处理层上具备硅烷偶合处理层。
另外，本发明的附载体铜箔可在极薄铜层上具备耐热层和/或防锈层，可在上述耐热层和/或防锈层上具备铬酸盐处理层，可在上述铬酸盐处理层上具备硅烷偶合处理层。
另外，上述附载体铜箔可在上述极薄铜层上、或上述粗化处理层上、或上述耐热层、防锈层、或铬酸盐处理层、或硅烷偶合处理层之上具备树脂层。上述树脂层可为绝缘树脂层。
此外，形成上述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层的顺序并不相互限定，可以任何顺序在极薄铜层上或粗化处理层上形成这些层。
上述树脂层可为接着用树脂，即接着剂，也可为接着用半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)，包括如下状态：即便用手指触摸其表面也无黏着感，可重迭地保管该绝缘树脂层，若进而进行加热处理，则会引起硬化反应。
另外，上述树脂层可含有热硬化性树脂，也可为热塑性树脂。另外，上述树脂层也可含有热塑性树脂。上述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。另外，上述树脂层例如可使用如下文献中所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等)和/或树脂层的形成方法、形成装置而形成：国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本专利特开平11-5828号、日本专利特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本专利特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本专利特开2002-179772号、日本专利特开2002-359444号、日本专利特开2003-304068号、日本专利第3992225、日本专利特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本专利特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本专利特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本专利特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本专利特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本专利特开2006-257153号、日本专利特开2007-326923号、日本专利特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本专利特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本专利特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本专利特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本专利特开2013-19056号。
另外，上述树脂层中，其种类并无特别限定，作为优选，例如可列举含有选自如下成分的群中之一种以上的树脂：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚马来酰亚胺化合物、马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、聚乙烯乙醛树脂、胺基甲酸酯树脂、聚醚砜(也称为polyethersulphone、polyethersulfone)、聚醚砜(也称为polyethersulphone、polyethersulfone)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶变性环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯酯系树脂、羧酸的酸酐、多元羧酸的酸酐、具有可交联的官能基的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2-双(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷的酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改质聚酰胺酰亚胺树脂、氰酯树脂、膦腈系树脂、橡胶变性聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子环氧树脂、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚聚酰亚胺树脂及氰酯树脂。
另外，上述环氧树脂系分子内具有2个以上环氧基者，且只要为可用于电性、电子材料用途者，则尤其可无问题地使用。另外，上述环氧树脂优选为使用分子内具有2个以上缩水甘油基的化合物进行环氧化而成的环氧树脂。另外，可混合使用选自：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(brominated)环氧树脂、酚系酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改质双酚A型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、异氰尿酸三缩水甘油酯、N,N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含磷的环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂的群中的1种或2种以上，或可使用上述环氧树脂的氢化体或卤化体。
可使用公知的含有磷的环氧树脂作为上述含磷的环氧树脂。另外，上述含磷的环氧树脂优选为例如分子内具备2个以上环氧基的以自9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物的形式获得的环氧树脂。
该以源自9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物的形式获得的环氧树脂为使9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物与萘醌或对苯二酚反应而制成以下化1(HCA-NQ)或化2(HCA-HQ)所表示的化合物后，使其OH基的部分与环氧树脂反应而制成含磷的环氧树脂。
[化1]
[化2]
获得上述化合物作为原料的上述E成分即含磷的环氧树脂优选为混合使用1种或2种具备以下所示的化3～化5中的任一者所表示的结构式的化合物。其原因在于半硬化状态下的树脂质量的稳定性优异，同时难燃性效果高。
[化3]
[化4]
[化5]
另外，作为上述溴化(brominated)环氧树脂，可使用公知的经溴化(brominated)的环氧树脂。例如，上述溴化(brominated)环氧树脂优选为混合使用1种或2种分子内具备2个以上环氧基的具备以源自四溴双酚A的衍生物的形式获得的化6所表示的结构式的溴化环氧树脂、及具备以下所表示的化7所表示的结构式的溴化环氧树脂。[化6]
[化7]
作为上述马来酰亚胺系树脂或芳香族马来酰亚胺树脂或马来酰亚胺化合物或聚马来酰亚胺化合物，可使用公知的马来酰亚胺系树脂或芳香族马来酰亚胺树脂或马来酰亚胺化合物或聚马来酰亚胺化合物。例如，作为马来酰亚胺系树脂或芳香族马来酰亚胺树脂或马来酰亚胺化合物或聚马来酰亚胺化合物，可使用：4,4'-二苯基甲烷双马来酰亚胺、聚苯基甲烷马来酰亚胺、间伸苯基双马来酰亚胺、双酚A二苯醚双马来酰亚胺、3,3'-二甲基-5,5'-二乙基-4,4'-二苯基甲烷双马来酰亚胺、4-甲基-1,3-伸苯基双马来酰亚胺、4,4'-二苯醚双马来酰亚胺、4,4'-二苯基砜双马来酰亚胺、1,3-双(3-马来酰亚胺苯氧基)苯、1,3-双(4-马来酰亚胺苯氧基)苯、以及使上述化合物与上述化合物或其他化合物聚合而成的聚合物等。另外，上述马来酰亚胺系树脂可为分子内具有2个以上马来酰亚胺基的芳香族马来酰亚胺树脂，也可为使分子内具有2个以上的马来酰亚胺基的芳香族马来酰亚胺树脂与聚胺或芳香族聚胺聚合而成的聚合加成物。
作为上述聚胺或芳香族聚胺，可使用公知的聚胺或芳香族聚胺。例如，作为聚胺或芳香族聚胺，可使用：间苯二胺、对苯二胺、4,4'-二胺基二环己基甲烷、1,4-二胺基环己烷、2,6-二胺基吡啶、4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2-双(4-胺基苯基)丙烷、4,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基-3-甲基二苯醚、4,4'-二胺基二苯硫醚、4,4'-二胺基二苯甲酮、4,4'-二胺基二苯基砜、双(4-胺基苯基)苯基胺、间苯二甲胺、对苯二甲胺、1,3-双[4-胺基苯氧基]苯、3-甲基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2',5,5'-四氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2-双(3-甲基-4-胺基苯基)丙烷、2,2-双(3-乙基-4-胺基苯基)丙烷、2,2-双(2,3-二氯-4-胺基苯基)丙烷、双(2,3-二甲基-4-胺基苯基)苯基乙烷、乙二胺及己二胺、2,2-双(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷、以及使上述化合物与上述化合物或其他化合物聚合而成的聚合物等。另外，可使用一种或两种以上公知的聚胺和/或芳香族聚胺或上述聚胺或芳香族聚胺。
作为上述苯氧基树脂，可使用公知的苯氧基树脂。另外，作为上述苯氧基树脂，可使用通过双酚与2价环氧树脂的反应而合成者。作为环氧树脂，可使用公知的环氧树脂和/或上述环氧树脂。
作为上述双酚，可使用公知的双酚，另外，可使用以双酚A、双酚F、双酚S、四溴双酚A、4,4'-二羟基联苯、HCA(9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物)与对苯二酚、萘醌等醌类的加成物的形式获得的双酚等。
作为上述具有可交联的官能基的线状聚合物，可使用公知的具有可交联的官能基的线状聚合物。例如，上述具有可交联的官能基的线状聚合物优选为具备羟基、羧基等有助于环氧树脂的硬化反应的官能团。并且，该具有可交联的官能团的线状聚合物优选可溶解于沸点为50℃～200℃的温度的有机溶剂。若具体地例示此处所谓的具有官能团的线状聚合物，则为聚乙烯乙醛树脂、苯氧基树脂、聚醚砜树脂、聚酰胺酰亚胺树脂等。
上述树脂层可含有交联剂。交联剂可使用公知的交联剂。例如可使用胺基甲酸酯系树脂作为交联剂。
上述橡胶性树脂可使用公知的橡胶性树脂。例如，上述橡胶性树脂系记载为包括天然橡胶及合成橡胶在内的概念，后者的合成橡胶中有苯乙烯-丁二烯橡胶、丁二烯橡胶、丁基橡胶、乙烯-丙烯橡胶、丙烯腈丁二烯橡胶、丙烯酸系橡胶(丙烯酸酯共聚物)、聚丁二烯橡胶、异戊二烯橡胶等。进而，当确保所形成的树脂层的耐热性时，也对选择使用腈橡胶、氯丁二烯橡胶、硅橡胶、胺基甲酸酯橡胶等具备耐热性的合成橡胶有用。关于这些橡胶性树脂，为了与芳香族聚酰胺树脂或聚酰胺酰亚胺树脂反应而制造共聚物，较理想的是在两末端具备各种官能团。尤其，对使用CTBN(羧基末端丁二烯腈)有用。另外，若在丙烯腈丁二烯橡胶之中也为羧基改质体，则可获得环氧树脂与交联结构，而提高硬化后的树脂层的可挠性。作为羧基改质体，可使用羧基末端丁腈橡胶(CTBN)、羧基末端丁二烯橡胶(CTB)、羧基改质丁腈橡胶(C-NBR)。
作为上述聚酰胺酰亚胺树脂，可使用公知的聚酰亚胺酰胺树脂。另外，作为上述聚酰亚胺酰胺树脂，可使用例如：通过在N-甲基-2-吡咯啶酮或/及N,N-二甲基乙酰胺等溶剂中加热偏苯三甲酸酐、二苯甲酮四羧酸酐及3,3-二甲基-4,4-联苯二异氰酸酯(bitolylenediisocyanate)而获得的树脂，或通过在N-甲基-2-吡咯啶酮或/及N,N-二甲基乙酰胺等溶剂中加热偏苯三甲酸酐、二苯基甲烷二异氰酸酯及羧基末端丙烯腈-丁二烯橡胶而获得者。
作为上述橡胶变性聚酰胺酰亚胺树脂，可使用公知的橡胶变性聚酰胺酰亚胺树脂。橡胶变性聚酰胺酰亚胺树脂为使聚酰胺酰亚胺树脂与橡胶性树脂反应而得者。使聚酰胺酰亚胺树脂与橡胶性树脂反应而使用的情况是为了提高聚酰胺酰亚胺树脂本身的柔软性而进行。即，使聚酰胺酰亚胺树脂与橡胶性树脂反应，将聚酰胺酰亚胺树脂的酸成分(环己烷二羧酸等)的一部分取代为橡胶成分。聚酰胺酰亚胺树脂可使用公知的聚酰胺酰亚胺树脂。另外，橡胶性树脂可使用公知的橡胶性树脂或上述橡胶性树脂。在使橡胶变性聚酰胺酰亚胺树脂聚合时，用于溶解聚酰胺酰亚胺树脂与橡胶性树脂的溶剂优选为混合使用1种或2种以上的二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基亚砜、硝基甲烷、硝基乙烷、四氢呋喃、环己酮、甲基乙基酮、乙腈、γ-丁内酯等。
作为上述膦腈系树脂，可使用公知的膦腈系树脂。膦腈系树脂为以磷及氮为构成元素的具有双键的含有膦腈的树脂。膦腈系树脂可通过分子中的氮与磷的协同效果，而飞跃性地提高难燃性能。另外，与9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物衍生物不同，在树脂中稳定地存在，而获得防止电子迁移的产生的效果。
作为上述氟树脂，可使用公知的氟树脂。另外，作为氟树脂，可使用例如由选自PTFE(聚四氟乙烯(四氟化))、PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共聚物)、FEP(四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(四、六氟化))、ETFE(四氟乙烯-乙烯共聚物)、PVDF(聚偏二氟乙烯(二氟化))、PCTFE(聚氯三氟乙烯(三氟化))、聚芳砜、芳香族多硫化物及芳香族聚醚中的任意至少1种的热塑性树脂与氟树脂所构成的氟树脂等。
另外，上述树脂层可含有树脂硬化剂。作为树脂硬化剂，可使用公知的树脂硬化剂。例如，作为树脂硬化剂，可使用二氰基二酰胺、咪唑类、芳香族胺等胺类、双酚A、溴化双酚A等酚类、酚系酚醛清漆树脂及甲酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆类、苯二甲酸酐等酸酐、联苯型酚系树脂、苯酚芳烷基型酚系树脂等。另外，上述树脂层也可含有1种或2种以上上述树脂硬化剂。该等硬化剂对环氧树脂尤其有效。
将上述联苯型酚系树脂的具体例示于化8。
[化8]
另外，将上述苯酚芳烷基型酚系树脂的具体例示于化9。
[化9]
作为咪唑类，可使用公知者，例如可列举：2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等，可单独或混合使用它们。
另外，其中，优选使用具备以下的化10所表示的结构式的咪唑类。通过使用该化10所表示的结构式的咪唑类，可显著地提高半硬化状态的树脂层的耐吸湿性，使长期保存稳定性优异。其原因在于，咪唑类在环氧树脂的硬化时发挥触媒作用，其在硬化反应的初期阶段，作为引起环氧树脂的自聚合反应的反应起始剂而发挥作用。
[化10]
作为上述胺类的树脂硬化剂，可使用公知的胺类。另外，作为上述胺类的树脂硬化剂，例如可使用上述聚胺或芳香族聚胺，另外，也可使用选自芳香族聚胺、聚酰胺类及使该等与环氧树脂或多元羧酸聚合或缩合而获得的胺加成物的群中的1种或2种以上。另外，作为上述胺类的树脂硬化剂，优选使用4,4'-二胺基二伸苯基砜、3,3'-二胺基二伸苯基砜、4,4-二胺基联苯、2,2-双[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷或双[4-(4-胺基苯氧基)苯基]砜中任一种以上。
上述树脂层可含有硬化促进剂。作为硬化促进剂，可使用公知的硬化促进剂。例如，作为硬化促进剂，可使用三级胺、咪唑、脲系硬化促进剂等。
上述树脂层可含有反应触媒。作为反应触媒，可使用公知的反应触媒。例如，作为反应触媒，可使用微粉碎二氧化硅、三氧化锑等。
上述多元羧酸的酸酐优选为作为环氧树脂的硬化剂发挥作用的成分。另外，上述多元羧酸的酸酐优选为苯二甲酸酐、马来酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸酐、四羟基苯二甲酸酐、六羟基苯二甲酸酐、甲基六羟基苯二甲酸酐、耐地酸、甲基耐地酸。
上述热塑性树脂可为具有可与环氧树脂聚合的醇性羟基以外的官能团的热塑性树脂。
上述聚乙烯乙醛树脂可具有羟基及羟基以外的可与环氧树脂或马来酰亚胺化合物聚合的官能团。另外，上述聚乙烯乙醛树脂可为其分子内导入羧基、胺基或不饱和双键而成者。
作为上述芳香族聚酰胺树脂聚合物，可列举使芳香族聚酰胺树脂与橡胶性树脂反应而获得者。此处，所谓芳香族聚酰胺树脂，是指通过芳香族二胺与二羧酸的缩聚合而合成者。此时的芳香族二胺使用4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二胺基二苯基砜、间苯二甲胺、3,3'-二胺基二苯醚等。并且，二羧酸使用苯二甲酸、异苯二甲酸、对苯二甲酸、富马酸等。
所谓可与上述芳香族聚酰胺树脂反应的上述橡胶性树脂，可使用公知的橡胶性树脂或上述橡胶性树脂。
该芳香族聚酰胺树脂聚合物是为了在对加工成覆铜积层板后的铜箔进行蚀刻加工时，不因蚀刻液而受到由底蚀引起的损伤而使用者。
另外，上述树脂层可为自铜箔侧(即附载体铜箔的极薄铜层侧)依序形成有硬化树脂层(所谓“硬化树脂层”意指经硬化过的树脂层)、及半硬化树脂层的树脂层。上述硬化树脂层也可由热膨胀系数为0ppm/℃～25ppm/℃的聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、该等的复合树脂中的任一树脂成分构成。
另外，可在上述硬化树脂层上设置硬化后的热膨胀系数为0ppm/℃～50ppm/℃的半硬化树脂层。另外，使上述硬化树脂层与上述半硬化树脂层硬化后的树脂层整体的热膨胀系数可为40ppm/℃以下。上述硬化树脂层的玻璃转移温度可为300℃以上。另外，上述半硬化树脂层可为使用马来酰亚胺系树脂或芳香族马来酰亚胺树脂而形成者。用以形成上述半硬化树脂层的树脂组合物优选为包含马来酰亚胺系树脂、环氧树脂、具有可交联的官能团的线状聚合物。环氧树脂可使用公知的环氧树脂或本说明书中所记载的环氧树脂。另外，作为马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、具有可交联的官能团的线状聚合物，可使用公知的马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、具有可交联的官能团的线状聚合物，或上述马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、具有可交联的官能团的线状聚合物。
另外，在提供一种适于立体成型印刷配线板制造用途的具有树脂层的附载体铜箔的情形时，上述硬化树脂层优选为经硬化的具有可挠性的高分子聚合物层。上述高分子聚合物层为了可耐受住焊料安装步骤，优选为由具有150℃以上的玻璃转移温度的树脂所构成者。上述高分子聚合物层优选为由聚酰胺树脂、聚醚砜树脂、芳族聚酰胺树脂、苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、聚乙烯乙醛树脂、聚酰胺酰亚胺树脂中的任1种或2种以上的混合树脂构成。另外，上述高分子聚合物层的厚度优选为3μm～10μm。
另外，上述高分子聚合物层优选含有环氧树脂、马来酰亚胺系树脂、酚系树脂、胺基甲酸酯树脂中的任1种或2种以上。另外，上述半硬化树脂层优选由厚度为10μm～50μm的环氧树脂组合物构成。
另外，上述环氧树脂组合物优选为含有以下A成分～E成分的各成分者。
A成分：环氧当量为200以下且由选自室温下为液状的双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、及双酚AD型环氧树脂的群中的1种或2种以上所构成的环氧树脂。
B成分：高耐热性环氧树脂。
C成分：含磷的环氧系树脂、膦腈系树脂中的任1种或混合它们而成的树脂即含磷的难燃性树脂。
D成分：由具备可溶解于沸点为50℃～200℃的范围的溶剂中的性质的液状橡胶成分变性而成的橡胶变性聚酰胺酰亚胺树脂。
E成分：树脂硬化剂。
B成分为所谓的玻璃化转变温度Tg高的“高耐热性环氧树脂”。此处所谓的“高耐热性环氧树脂”优选为酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、酚系酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂等多官能环氧树脂。
作为C成分的含磷的环氧树脂，可使用上述含磷的环氧树脂。另外，作为C成分的膦腈系树脂，可使用上述膦腈系树脂。
作为D成分的橡胶变性聚酰胺酰亚胺树脂，可使用上述橡胶变性聚酰胺酰亚胺树脂。作为E成分的树脂硬化剂，可使用上述树脂硬化剂。
在以上所示的树脂组合物中添加溶剂用作树脂清漆，而形成热硬化性树脂层作为印刷配线板的接着层。该树脂清漆为在上述树脂组合物中添加溶剂，将树脂固形物成分量制备为30wt％～70wt％的范围，依据MIL标准中的MIL-P-13949G进行测定时，可形成树脂流动量为5％～35％的范围的半硬化树脂膜。溶剂可使用公知的溶剂或上述溶剂。
上述树脂层为自铜箔侧依序具有第1热硬化性树脂层、及位于该第1热硬化性树脂层的表面的第2热硬化性树脂层的树脂层，第1热硬化性树脂层也可为由不溶于配线板制造制造方法中的除胶渣处理时的化学药品的树脂成分所形成者，第2热硬化性树脂层也可为使用可溶于配线板制造制造方法中的除胶渣处理时的化学药品并洗净去除的树脂所形成者。上述第1热硬化性树脂层可为使用混合有聚酰亚胺树脂、聚醚砜、聚苯醚中的任一种或两种以上的树脂成分而形成者。上述第2热硬化性树脂层可为使用环氧树脂成分而形成者。上述第1热硬化性树脂层的厚度t1(μm)优选为在将附载体铜箔的粗化面粗糙度设为Rz(μm)、将第2热硬化性树脂层的厚度设为t2(μm)时，t1满足Rz＜t1＜t2的条件的厚度。
上述树脂层可为骨架材料中含浸有树脂的预浸体。上述骨架材料中所含浸的树脂优选为热硬化性树脂。上述预浸体也可为公知的预浸体或印刷配线板制造中使用的预浸体。
上述骨架材料可含有芳族聚酰胺纤维或玻璃纤维或全芳香族聚酯纤维。上述骨架材料优选为芳族聚酰胺纤维或玻璃纤维或全芳香族聚酯纤维的不织布或者织布。另外，上述全芳香族聚酯纤维优选为熔点为300℃以上的全芳香族聚酯纤维。所谓上述熔点为300℃以上的全芳香族聚酯纤维，是指使用称为所谓液晶聚合物的树脂制造而成的纤维，且该液晶聚合物是以2-羟基-6-萘甲酸及对羟基安息香酸的聚合物为主成分。该全芳香族聚酯纤维具有低介电常数、低介质损耗正切，因此作为电性绝缘层的构成材料具有优异的性能，可与玻璃纤维及芳族聚酰胺纤维同样地使用。
此外，构成上述不织布及织布的纤维为了提高与其表面的树脂的润湿性，优选实施硅烷偶合剂处理。此时的硅烷偶合剂可依据使用目的使用公知的胺基系、环氧系等硅烷偶合剂或上述硅烷偶合剂。
另外，上述预浸体可为在使用标称厚度为70μm以下的芳族聚酰胺纤维或玻璃纤维的不织布、或标称厚度为30μm以下的玻璃布构成的骨架材料中含浸热硬化性树脂而成的预浸体。
(树脂层含有介电体(介电体填料)的情形)
上述树脂层可含有介电体(介电体填料)。
当在上述任一树脂层或树脂组合物中含有介电体(介电体填料)的情形时，可用于形成电容器层的用途，而增加电容器电路的电容。该介电体(介电体填料)为使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3-PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等具有钙钛矿结构的复合氧化物的介电体粉。
介电体(介电体填料)可为粉状。在介电体(介电体填料)为粉状的情形时，该介电体(介电体填料)的粉体特性必须首先为粒径为0.01μm～3.0μm，优选为0.02μm～2.0μm的范围。此处所谓粒径，是指由于粉粒彼此形成一定的2次凝聚状态，故而在根据镭射绕射散射式粒度分布测定法或BET法等的测定值推测平均粒径之类的间接测定中因精度较差而无法使用，而利用扫描型电子显微镜(SEM)直接观察介电体(介电体填料)，将该SEM像图像解析而获得的平均粒径。在本说明书中，将此时的粒径表示为DIA。此外，本说明书中的使用扫描型电子显微镜(SEM)观察的介电体(介电体填料)的粉体的图像解析使用AsahiEngineering股份有限公司制造的IP-1000PC，设为圆度阈值10、重迭度20并进行圆形粒子解析，而求出平均粒径DIA。
通过上述实施的形式，可提供一种如下附载体铜箔，其可提高该内层核心材料的内层电路表面与含有介电体的树脂层的密接性，具有含有用以形成具备低的介质损耗正切的电容器电路层的介电体的树脂层。
使上述树脂层中所含的树脂和/或树脂组合物和/或化合物溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲基醚、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、环己酮、乙基赛路苏、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺等溶剂中而制成树脂液(树脂清漆)，通过例如辊式涂布法将其涂布于上述极薄铜层上、或上述耐热层、防锈层、或上述铬酸盐处理层、或上述硅烷偶合剂层之上，继而视需要进行加热干燥去除溶剂而成为B阶段状态。干燥系例如只要使用热风干燥炉即可，干燥温度只要为100～250℃、优选为130～200℃即可。使用溶剂溶解上述树脂层的组合物，可制成树脂固形物成分为3wt％～70wt％、优选为3wt％～60wt％、优选为10wt％～40wt％、更优选为25wt％～40wt％的树脂液。此外，就环境的观点而言，现阶段最优选使用甲基乙基酮与环戊酮的混合溶剂进行溶解。此外，溶剂优选使用沸点为50℃～200℃的范围的溶剂。
另外，上述树脂层优选为依据MIL标准中的MIL-P-13949G进行测定时的树脂流动量为5％～35％的范围的半硬化树脂膜。
本说明书中，所谓树脂流动量，是指依据MIL标准中的MIL-P-13949G，自将树脂厚度设为55μm的附有树脂的铜箔采取4片10cm见方试样，在将该4片试样重迭的状态(积层体)下，在压制温度171℃、压制压力14kgf/cm2、压制时间10分钟的条件下进行贴合，根据测定此时的树脂流出重量所得的结果，基于数1而算出的值。
[数1]
具备上述树脂层的附载体铜箔(附有树脂的附载体铜箔)是以如下形式被使用：将该树脂层与基材重迭后将整体热压接而使该树脂层热硬化，继而剥离载体而露出极薄铜层(当然露出的是该极薄铜层之中间层侧的表面)，在其上形成特定的配线图案。
若使用该附有树脂的附载体铜箔，则可减少制造多层印刷配线基板时的预浸材料的使用片数。而且，将树脂层的厚度设为可确保层间绝缘的厚度，或完全不使用预浸材料，也可制造覆铜积层板。另外，此时，将绝缘树脂底漆涂布于基材的表面，也可进而改善表面的平滑性。
此外，在不使用预浸材料的情形时，可节约预浸材料的材料成本，另外，积层步骤也变得简略，因此在经济上较为有利，而且，有如下优点：仅制造预浸材料的厚度程度的多层印刷配线基板的厚度变薄，而可制造1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。
该树脂层的厚度优选为0.1～120μm。
若树脂层的厚度薄于0.1μm，则有如下情况：在不使接着力降低而插入预浸材料的情况下，将该附有树脂的附载体铜箔积层于具备内层材料的基材上时，难以确保与内层材料的电路之间的层间绝缘。另一方面，若树脂层的厚度厚于120μm，则有如下情况：难以在1次涂布步骤中形成目标厚度的树脂层，而需要多余的材料费及步骤数，因此在经济上变得不利。
此外，在将具有树脂层的附载体铜箔用于制造极薄的多层印刷配线板中的情形时，将上述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm、更优选为0.5μm～5μm、更优选为1μm～5μm时，可缩小多层印刷配线板的厚度，故而较佳。
另外，在树脂层含有介电体的情形时，树脂层的厚度优选为0.1～50μm，优选为0.5μm～25μm，更优选为1.0μm～15μm。
另外，上述硬化树脂层与半硬化树脂层的树脂层总厚度优选为0.1μm～120μm，优选为5μm～120μm，优选为10μm～120μm，更优选为10μm～60μm。并且，硬化树脂层的厚度优选为2μm～30μm，优选为3μm～30μm，更优选为5～20μm。另外，半硬化树脂层的厚度优选为3μm～55μm，优选为7μm～55μm，更理想为15～115μm。其原因在于若树脂层总厚度超过120μm，则有难以制造极薄的多层印刷配线板的情况，若未达5μm，则有如下情况：虽容易形成极薄的多层印刷配线板，但会产生内层的电路间的绝缘层即树脂层变得过薄，而使内层的电路间的绝缘性不稳定的倾向。另外，若硬化树脂层厚度未达2μm，则有必须考虑铜箔粗化面的表面粗度的情况。反之，若硬化树脂层厚度超过20μm，则有由经硬化过的树脂层带来的效果并未特别提高的情况，总绝缘层厚度变厚。
此外，在将上述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm的情形时，为了提高树脂层与附载体铜箔的密接性，优选的是在极薄铜层之上设置耐热层和/或防锈层和/或铬酸盐处理层和/或硅烷偶合处理层后，在该耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶合处理层之上形成树脂层。
此外，上述树脂层的厚度是指通过在任意的10点观察剖面测得的厚度的平均值。
进而，作为该附有树脂的附载体铜箔的另一制品形式，也可以树脂层被覆上述极薄铜层上、或上述耐热层、防锈层、或上述铬酸盐处理层、或上述硅烷偶合处理层之上，制成半硬化状态后，继而剥离载体，以不存在载体的附有树脂的铜箔的形式进行制造。
以下，表示若干使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的例子。
在本发明的印刷配线板的制造方法的一个实施方案中，包括：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；及以使极薄铜层侧与绝缘基板对向的方式将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，其后，通过半加成法、改进半加成法、部分加成法及减成法中任一方法形成电路的步骤。绝缘基板也可设为内层电路入口。
本发明中，所谓半加成法，是指在绝缘基板或铜箔籽晶层上进行较薄的无电解镀敷，形成图案后，使用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。
因此，在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一个实施方案中，包括：
准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；
在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
通过使用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法将剥离上述载体而露出的极薄铜层完全去除的步骤；
在通过利用蚀刻去除上述极薄铜层而露出的上述树脂上设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在上述树脂及包含上述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层的步骤；
在上述无电解镀敷层之上设置镀敷阻剂的步骤；
对上述镀敷阻剂进行曝光，其后，去除形成有电路的区域的镀敷阻剂的步骤；
在去除了上述镀敷阻剂的形成有上述电路的区域设置电解镀敷层的步骤；
去除上述镀敷阻剂的步骤；及
通过快速蚀刻等去除形成有上述电路的区域以外的区域的无电解镀敷层的步骤。
在使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案中，包括：
准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；
在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
通过使用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法将剥离上述载体而露出的极薄铜层完全去除的步骤；
在通过利用蚀刻去除上述极薄铜层而露出的上述树脂的表面设置无电解镀敷层的步骤；
在上述无电解镀敷层之上设置镀敷阻剂的步骤；
对上述镀敷阻剂进行曝光，其后，去除形成有电路的区域的镀敷阻剂的步骤；
在去除了上述镀敷阻剂的形成有上述电路的区域设置电解镀敷层的步骤；
去除上述镀敷阻剂的步骤；及
通过快速蚀刻等去除形成有上述电路的区域以外的区域的无电解镀敷层及极薄铜层的步骤。
本发明中，所谓改进半加成法，是指在绝缘层上积层金属箔，通过镀敷阻剂保护非电路形成部，通过电解镀敷增厚电路形成部的铜层后，去除光阻剂，利用(快速)蚀刻去除上述电路形成部以外的金属箔，由此在绝缘层上形成电路的方法。
因此，在使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一个实施方案中，包括：
准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；
在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在包含上述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层的步骤；
在剥离上述载体而露出的极薄铜层表面设置镀敷阻剂的步骤；
在设置上述镀敷阻剂后，通过电解镀敷形成电路的步骤；
去除上述镀敷阻剂的步骤；及
利用快速蚀刻去除通过去除上述镀敷阻剂而露出的极薄铜层的步骤。
在使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案中，包括：
准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；
在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在剥离上述载体而露出的极薄铜层之上设置镀敷阻剂的步骤；
对上述镀敷阻剂进行曝光，其后，去除形成有电路的区域的镀敷阻剂的步骤；
在去除了上述镀敷阻剂的形成有上述电路的区域设置电解镀敷层的步骤；
去除上述镀敷阻剂的步骤；及
通过快速蚀刻等去除形成有上述电路的区域以外的区域的无电解镀敷层及极薄铜层的步骤。
本发明中，所谓部分加成法，是指在设置导体层而成的基板、视需要穿过通孔或辅助孔(via hole)用的孔而成的基板上赋予触媒核，进行蚀刻形成导体电路，视需要设置阻焊剂或镀敷阻剂后，在上述导体电路上通过无电解镀敷处理对通孔或辅助孔等进行增厚，由此制造印刷配线板的方法。
因此，在使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一个实施方案中，包括：
准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；
在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
对包含上述通孔或/及盲孔的区域赋予触媒核的步骤；
在剥离上述载体而露出的极薄铜层表面设置蚀刻阻剂的步骤；
对上述蚀刻阻剂进行曝光，形成电路图案的步骤；
通过使用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述触媒核，形成电路的步骤；
去除上述蚀刻阻剂的步骤；
在通过使用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述触媒核而露出的上述绝缘基板表面，设置阻焊剂或镀敷阻剂的步骤；及
在未设置上述阻焊剂或镀敷阻剂的区域设置无电解镀敷层的步骤。
本发明中，所谓减成法，是指通过蚀刻等选择性地去除覆铜积层板上的铜箔的不需要的部分，而形成导体图案的方法。
因此，在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一个实施方案中，包括：
准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；
在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在包含上述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层的步骤；
在上述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层的步骤；
在上述电解镀敷层或/及上述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；
对上述蚀刻阻剂进行曝光，形成电路图案的步骤；
通过使用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述无电解镀敷层及上述电解镀敷层，形成电路的步骤；及
去除上述蚀刻阻剂的步骤。
在使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案中，包括：
准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将上述附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；
在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤；
在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤；
对包含上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；
在包含上述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层的步骤；
在上述无电解镀敷层的表面形成屏蔽的步骤；
在未形成屏蔽的上述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层的步骤；
在上述电解镀敷层或/及上述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；
对上述蚀刻阻剂进行曝光，形成电路图案的步骤；
通过使用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述无电解镀敷层，形成电路的步骤；及
去除上述蚀刻阻剂的步骤。
也可不进行设置通孔或/及盲孔的步骤、及其后的除胶渣步骤。
此处，利用图式详细地说明使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例。此外，此处，以具有形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔为例进行说明，但并不限于此，使用具有未形成粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔，也可同样地进行下述印刷配线板的制造方法。
首先，如图1-A所示，准备表面具有形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第1层)。
其次，如图1-B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布光阻剂，进行曝光、显影，将光阻剂蚀刻为特定的形状。
继而，如图1-C所示，在形成电路用镀敷后，去除光阻剂，由此形成特定的形状的电路镀层。
继而，如图2-D所示，以被覆电路镀层的方式(以埋没电路镀层的方式)在极薄铜层上设置埋入树脂而积层树脂层，继而，自极薄铜层侧接着另一附载体铜箔(第2层)。
继而，如图2-E所示，自第2层的附载体铜箔剥离载体。
继而，如图2-F所示，在树脂层的特定位置进行镭射开孔，露出电路镀层而形成盲孔。
继而，如图3-G所示，在盲孔中形成埋入铜的通孔填充物。
继而，如图3-H所示，在通孔填充物上，以上述图1-B及图1-C的方式形成电路镀层。
继而，如图3-I所示，自第1层的附载体铜箔剥离载体。
继而，如图4-J所示，通过快速蚀刻去除两表面的极薄铜层，使树脂层内的电路镀层的表面露出。
继而，如图4-K所示，在树脂层内的电路镀层上形成凸块，在该焊料上形成铜柱。如此制作使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板。
上述另一附载体铜箔(第2层)可使用本发明的附载体铜箔，可使用现有的附载体铜箔，进而也可使用通常的铜箔。另外，可在图3-H所表示的第2层的电路上进而形成1层或多层电路，可通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法形成该等电路。
本发明的附载体铜箔优选以满足以下(1)的方式控制极薄铜层表面的色差。本发明中，所谓“极薄铜层表面的色差”表示极薄铜层的表面的色差，或在实施粗化处理等各种表面处理的情形时表示其表面处理层表面的色差。即，本发明的附载体铜箔优选以满足以下(1)的方式控制极薄铜层或粗化处理层或耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶合层的表面的色差。
(1)极薄铜层或粗化处理层或耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶合处理层的表面的基于JISZ8730的色差ΔE﹡ab为45以上。
此处，色差ΔL、Δa、Δb为分别以色差计进行测定，采取黑/白/红/绿/黄/蓝，而使用基于JISZ8730的L﹡a﹡b表色系统表示的综合指针，且表示为ΔL：白黑、Δa：红绿、Δb：黄蓝。另外，ΔE﹡ab系使用该等色差以下述式表示。
[数2]
上述色差可通过提高极薄铜层形成时的电流密度、降低镀敷液中的铜浓度、提高镀敷液的线流速而进行调整。
另外，上述色差也可通过在极薄铜层的表面实施粗化处理并设置粗化处理层而进行调整。在设置粗化处理层的情形时，可通过使用含有选自由铜及镍、钴、钨、钼所组成的群中的一种以上元素的电场液，较现有进一步提高电流密度(例如40～60A/dm2)，缩短处理时间(例如0.1～1.3秒)而进行调整。在未于极薄铜层的表面设置粗化处理层的情形时，可通过使用使Ni的浓度为其他元素的2倍以上的镀浴，在极薄铜层或耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶合处理层的表面，以设定低于现有的电流密度(0.1～1.3A/dm2)且增加处理时间(20秒～40秒)的方式对镀Ni合金(例如镀Ni-W合金、镀Ni-Co-P合金、镀Ni-Zn合金)进行处理而达成。
若极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差ΔE﹡ab为45以上，则在例如附载体铜箔的极薄铜层表面形成电路时，极薄铜层与电路的对比度清晰，结果视认性变得良好，可精度良好地进行电路的位置对准。极薄铜层表面的基于JISZ8730的色差ΔE﹡ab优选为50以上，更优选为55以上，进而更优选为60以上。
在如上所述般控制极薄铜层或粗化处理层或耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶合层的表面的色差的情形时，与电路镀层的对比度变得清晰，视认性良好。因此，在如上所述的印刷配线板的例如图1-C所表示的制造步骤中，可精度良好地在特定的位置形成电路镀层。另外，根据如上所述的印刷配线板的制造方法，形成使电路镀层埋入树脂层的构成，因此在例如图4-J所表示的通过快速蚀刻去除极薄铜层时，通过树脂层保护电路镀层，并保持其形状，由此容易形成微细电路。另外，为了通过树脂层保护电路镀层，而提高耐电子迁移性，良好地抑制电路的配线的导通。因此，容易形成微细电路。另外，在如图4-J及图4-K所表示般通过快速蚀刻去除极薄铜层时，电路镀层的露出面形成自树脂层凹陷的形状，因此容易分别在该电路镀层上形成凸块，进而在其上形成铜柱，而提高制造效率。
此外，埋入树脂(Resin)可使用公知的树脂、预浸体。可使用例如BT树脂或含浸BT树脂的玻璃布即预浸体、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。另外，上述埋入树脂(Resin)可使用本说明书中所记载的树脂层和/或树脂和/或预浸体。
实施例
以下，通过本发明的实施例更详细地说明本发明，但本发明并不受这些实施例的任何限定。
1.附载体铜箔的制造
作为铜箔载体，准备厚度35μm的长条的电解铜箔(JX Nippon Mining&Metals公司制造的JTC)及厚度33μm的压延铜箔(JX Nippon Mining&Metals公司制造的C1100)。对该铜箔的光泽面，在以下条件下利用滚动条型的连接线在载体表面及极薄铜层侧依序在以下条件下进行表1及2中记载的中间层形成处理。在载体表面侧与极薄铜层侧的处理步骤之间进行水洗及酸洗。
(镀敷条件)
·镀Ni
硫酸镍：250～500g/L
氯化镍：35～45g/L
乙酸镍：10～20g/L
柠檬酸三钠：15～30g/L
光泽剂：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸钠：30～100ppm
pH：4～6
浴温：50～70℃
电流密度：3～15A/dm2
·镀钴
硫酸钴：200～300g/L
硼酸：20～50g/L
pH：2～5
液温：10～70℃
电流密度：0.5～20A/dm2
·镀钼-钴合金
硫酸钴：10～200g/L
钼酸钠：5～200g/L
柠檬酸钠：2～240g/L
pH：2～5
液温：10～70℃
电流密度：0.5～10A/dm2
(溅镀条件)
钼层利用电镀无法形成，因此利用滚动条式的溅镀装置而制作。在此情形时，也可通过离子枪(LIS)去除铜箔表面较薄的氧化膜后，形成被覆层。Ni层与Mo层的厚度可通过调整溅镀功率而变化。
·装置：滚动条式溅镀装置(神港精机公司)
·到达真空度：1.0×10-5Pa
·溅镀压力：0.25Pa
·搬送速度：15m/min
·离子枪功率：225W
·溅镀功率：200～3000W
·靶：
Ni层用＝Ni(纯度3N)
Mo层用＝Mo(纯度3N)
·成膜速度：各靶系在一定时间成膜约0.2μm，利用三维测定器测定厚度，算出每单位时间的溅镀率。
继而，在滚动条型的连接镀敷在线，通过在以下条件下进行电镀使厚度2～5μm的极薄铜层形成于中间层之上，而制作附载体铜箔。
·极薄铜层
铜浓度：30～120g/L
H2SO4浓度：20～120g/L
电解液温度：20～80℃
电流密度：10～100A/dm2
此外，实施例1、4、5在极薄铜层的表面依序进行以下的粗化处理、防锈处理、铬酸盐处理、及硅烷偶合处理。
·粗化处理
Cu：10～20g/L
Co：1～10g/L
Ni：1～10g/L
pH：1～4
温度：40～50℃
电流密度Dk：20～30A/dm2
时间：1～5秒
Cu附着量：15～40mg/dm2
Co附着量：100～3000μg/dm2
Ni附着量：100～1000μg/dm2
·防锈处理
Zn：0～20g/L
Ni：0～5g/L
pH：3.5
温度：40℃
电流密度Dk：0～1.7A/dm2
时间：1秒
Zn附着量：5～250μg/dm2
Ni附着量：5～300μg/dm2
·铬酸盐处理
K2Cr2O7
(N2Cr2O7或CrO3)：2～10g/L
NaOH或KOH：10～50g/L
ZnO或ZnSO47H2O：0.05～10g/L
pH：7～13
浴温：20～80℃
电流密度：0.05～5A/dm2
时间：5～30秒
Cr附着量：10～150μg/dm2
·硅烷偶合处理
乙烯基三乙氧基硅烷水溶液
(乙烯基三乙氧基硅烷浓度：0.1～1.4wt％)
pH：4～5
时间：5～30秒
2.附载体铜箔的各种评价
对如上所述般获得的附载体铜箔，利用以下方法实施各种评价。将结果示于表1及2。
＜附着量的测定＞
镍附着量是以浓度20质量％的硝酸溶解样品，使用SII公司制造的ICP发光分光分析装置(型号：SPS3100)，通过ICP发光分析而测定，钼及钴附着量是以浓度7质量％的盐酸溶解样品，使用VARIAN公司制造的原子吸光分光亮度计(型号：AA240FS)，通过利用原子吸光法进行定量分析而测定。此外，测定条件设为在各测定装置中所推荐的条件。
＜XPS分析＞
将附载体铜箔的极薄铜层侧贴合于绝缘基板上，在20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下进行压接后，将铜箔载体自极薄铜层剥离。继而，对露出的中间层表面进行XPS测定，制成深度分布图。将XPS的运行条件表示如下。
·装置：XPS测定装置(ULVAC-PHI公司，型号5600MC)
·到达真空度：3.8×10-7Pa
·X射线：单色AlKα或非单色MgKα、X射线输出300W、检测面积800μmφ、试样与检测器所成的角度45°
·离子线：离子种Ar+、加速电压3kV、扫描面积3mm×3mm、溅镀率2.8nm/min(SiO2换算)
·深度方向的各元素浓度的测定间隔：0.28nm(SiO2换算)(溅镀时间，每隔0.1分钟测定一次)
另外，上述热压接前的附载体铜箔也是将铜箔载体自极薄铜层剥离，对所露出的铜箔载体表面进行XPS测定，而制成深度分布图。
将在各样品片材的长边方向上自两端至50mm以内的区域内的各1个部位、中央部的50mm×50mm的区域内的1个部位即合计3个部位制成上述利用XPS测定获得的深度分布图。将该3个部位的测定部位示于图7。继而，根据3个部位的区域中所制成的深度分布图，分别求出自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中的∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)及∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)及∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)的值，以及自中间层表面起算的深度方向分析的区间[4.0，12.0]中的∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)的值，并求出该等的算术平均。
此外，在样品大小较小的情形时，上述自两端至50mm以内的区域以及中央部的50mm×50mm的区域可重迭。
此外，是否将中间层与极薄铜层之间剥离的情况可通过例如与中间层侧同样地对极薄铜层侧表面进行XPS测定，制成深度分布图而确认。在极薄铜箔侧中几乎未检测到作为中间层侧的构成元素的镍、钼及钴。判定为在对极薄铜层侧表面进行XPS测定，而使极薄铜层侧表面的镍、钼及钴的原子浓度分别为15at％以下的情形时，中间层与极薄铜层之间发生了剥离。
此外，XPS意指X射线光电子分光法。上述测定使用ULVAC-PHI公司的XPS测定装置(型号5600MC)而进行。本发明中，以使用ULVAC-PHI公司的XPS测定装置(型号5600MC或与ULVAC-PHI公司制造销售同等的测定装置)作为前提，但在无法获取此种测定装置的情形时，只要将深度方向的各元素浓度的测定间隔设为0.10～0.30nm(SiO2换算)，将溅镀率设为1.0～3.0nm/min(SiO2换算)，则也可使用其他XPS测定装置。
此外，x的值越大，表示金属的原子浓度的测定位置距通过极薄铜层的剥离而露出的中间层表面越深(远)。
＜针孔＞
以民生用的照相用背光装置为光源，以目视测定针孔的数。
＜剥离强度＞
将附载体铜箔的极薄铜层侧贴合于绝缘基板上，在大气中、20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下进行压接后，剥离强度利用荷重计拉伸铜箔载体侧，依据90°剥离法(JIS C6471 8.1)进行测定。另外，贴合于绝缘基板上前的附载体铜箔也同样地测定剥离强度。
[表1]
(评价结果)
实施例1～7良好地抑制所有针孔，进而显示良好的剥离强度。
比较例1、2未形成中间层，镍与钼或钴或钼钴合金的附着量少，因此即便在热压接前也无法将载体自极薄铜层剥离。
比较例3在中间层未形成钼或钴或钼钴合金层，因此即便在热压接前也无法将载体自极薄铜层剥离。
比较例4的镍的浓度较低，且在中间层未形成钼或钴或钼钴合金层，因此即便在热压接前也无法将载体自极薄铜层剥离。
比较例5、7的钴的附着量多，因此极薄铜箔的针孔变得过多，剥离强度低。
比较例6的钼的附着量多，因此极薄铜箔的针孔变得过多，剥离强度低。
比较例8的钼与钴的浓度低，因此在压制后无法剥离。
图5中表示实施例5的与基板贴合前的中间层表面的深度方向的XPS深度分布图。
此外，在可将极薄铜层自载体剥离的实施例、比较例中，可将任一中间层与极薄铜层之间剥离。

Claims (36)

1.一种附载体铜箔，其依序具有铜箔载体、中间层、及极薄铜层，并且
该中间层为依序积层镍、与钼或钴或钼-钴合金而构成，
在该中间层，镍的附着量为1000～40000μg/dm2，在含钼的情形时钼的附着量为50～1000μg/dm2，在含钴的情形时钴的附着量为50～1000μg/dm2，
在将深度方向设为x且其单位为nm，另将原子浓度以％表示的情形时，当使中间层/极薄铜层之间剥离时，若将根据利用XPS的自表面起算的深度方向分析而获得的深度方向的镍的原子浓度设为g(x)，将铜的原子浓度设为h(x)，将钼的合计原子浓度设为i(x)，将钴的原子浓度设为j(x)，将氧的原子浓度设为k(x)，将碳的原子浓度设为l(x)，将其他的原子浓度设为m(x)，则
在自该中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为20％～80％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足40％以上。
2.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中在自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为30％～60％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足50％以上。
3.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中当使该中间层/极薄铜层之间剥离时，在利用XPS的自该中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为0.1～3％。
4.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中在大气中、压力：20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下将绝缘基板热压接于该极薄铜层上，并使该中间层/极薄铜层之间剥离时，在自该中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为20％～80％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为40％以上。
5.根据权利要求3所述的附载体铜箔，其中在大气中、压力：20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下将绝缘基板热压接于极薄铜层，在使上述中间层/极薄铜层之间剥离时，在自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为20％～80％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为40％以上。
6.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中在大气中、压力：20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下将绝缘基板热压接于极薄铜层，在使上述中间层/极薄铜层之间剥离时，在自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为20％～50.4％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为40％以上。
7.根据权利要求1所述的附载体铜箔，其中在大气中、压力：20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下将绝缘基板热压接于极薄铜层，在使上述中间层/极薄铜层之间剥离时，在自上述中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为20％～37.7％，或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为20％～50.4％，在[4.0，12.0]中，∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为40％以上。
8.根据权利要求1的附载体铜箔，其中在大气中、压力：20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下将绝缘基板热压接于该极薄铜层上，并使该中间层/极薄铜层之间剥离时，在自该中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为0.5～5％。
9.根据权利要求2至7中任一项所述的附载体铜箔，其中在大气中、压力：20kgf/cm2、220℃×2小时的条件下将绝缘基板热压接于该极薄铜层上，并使该中间层/极薄铜层之间剥离时，在自该中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0，4.0]中，∫h(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)成为0.5～5％。
10.根据权利要求1的附载体铜箔，其中该中间层的钼-钴合金的钴的浓度为20～80质量％。
11.根据权利要求2至8中任一项所述的附载体铜箔，其中该中间层的钼-钴合金的钴的浓度为20～80质量％。
12.根据权利要求1至8或10中任一项所述的附载体铜箔，其在该极薄铜层表面具有粗化处理层。
13.根据权利要求12所述的附载体铜箔，其中该粗化处理层是由选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一者的单质或含有任1种以上的合金所构成的层。
14.根据权利要求12所述的附载体铜箔，其在该粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上的层。
15.根据权利要求13所述的附载体铜箔，其在该粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上的层。
16.根据权利要求1至8或10中任一项所述的附载体铜箔，其在该极薄铜层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上的层。
17.根据权利要求1至8或10中任一项所述的附载体铜箔，其在该极薄铜层上具备树脂层。
18.根据权利要求12的附载体铜箔，其在该粗化处理层上具备树脂层。
19.根据权利要求14所述的附载体铜箔，其在选自由该耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。
20.根据权利要求16所述的附载体铜箔，其在选自由该耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上的层上具备树脂层。
21.根据权利要求17的附载体铜箔，其中该树脂层含有介电体。
22.根据权利要求18的附载体铜箔，其中该树脂层含有介电体。
23.根据权利要求19的附载体铜箔，其中该树脂层含有介电体。
24.根据权利要求20的附载体铜箔，其中该树脂层含有介电体。
25.一种附载体铜箔的制造方法，其为制造权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔的方法，其包括：通过在铜箔载体上利用干式镀敷或湿式镀敷形成镍层，在该镍层上形成钼层或钴层或钼-钴层而形成中间层的步骤；及通过电镀在该中间层上形成极薄铜层的步骤。
26.根据权利要求25所述的附载体铜箔的制造方法，其进而包括在该极薄铜层上形成粗化处理层的步骤。
27.一种印刷配线板，其使用权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔而制造。
28.一种印刷电路板，其使用权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔而制造。
29.一种覆铜积层板，其使用权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔而制造。
30.一种印刷配线板的制造方法，其包括：
准备权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔与绝缘基板的步骤；
将该附载体铜箔与绝缘基板积层的步骤；及
在将该附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将该附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆铜积层板，
其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或以下的改进半加成法中的任一方法形成电路的步骤，
改进半加成法是指以下的(A)～(C)中的任一方法：
(A)通过镀敷阻剂保护该极薄铜层的非电路形成部，通过电解镀敷增厚该极薄铜层的电路形成部的铜层后，去除该镀敷阻剂，利用蚀刻去除该电路形成部以外的极薄铜层，由此在该绝缘基板上形成电路的方法，
(B)包括下述步骤的方法：
在剥离该载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤，
对包含该通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤，
在包含该通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层的步骤，
在剥离该载体而露出的极薄铜层表面设置镀敷阻剂的步骤，
在设置该镀敷阻剂后，通过电解镀敷形成电路的步骤，
去除该镀敷阻剂的步骤，
利用快速蚀刻去除通过去除该镀敷阻剂而露出的极薄铜层的步骤，
(C)包括下述步骤的方法：
在剥离该载体而露出的极薄铜层上设置镀敷阻剂的步骤，
对该镀敷阻剂进行露光，其后，去除形成电路的区域的镀敷阻剂的步骤，
在去除了该镀敷阻剂的形成该电路的区域设置电解镀敷层的步骤，
去除该镀敷阻剂的步骤，
通过快速蚀刻等去除形成该电路的区域以外的区域的无电解镀敷层及极薄铜层的步骤。
31.一种印刷配线板的制造方法，其包括：
在权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔的该极薄铜层侧表面形成电路的步骤；
以埋没该电路的方式在该附载体铜箔的该极薄铜层侧表面形成树脂层的步骤；
在该树脂层上形成电路的步骤；
在该树脂层上形成电路后，剥离该载体的步骤；及
在剥离该载体后，去除该极薄铜层，由此使形成于该极薄铜层侧表面的埋没于该树脂层中的电路露出的步骤。
32.根据权利要求31所述的印刷配线板的制造方法，其中在该树脂层上形成电路的步骤为将另一附载体铜箔自极薄铜层侧贴合于该树脂层上，使用贴合于该树脂层的附载体铜箔来形成该电路的步骤。
33.根据权利要求32所述的印刷配线板的制造方法，其中贴合于该树脂层上的另一附载体铜箔为权利要求1至24中任一项所述的附载体铜箔。
34.根据权利要求31至33中任一项所述的印刷配线板的制造方法，其中在该树脂层上形成电路的步骤通过半加成法、减成法、部分加成法或以下的改进半加成法中的任一方法而进行，
改进半加成法是指以下的(A)～(C)中的任一方法：
(A)通过镀敷阻剂保护该极薄铜层的非电路形成部，通过电解镀敷增厚该极薄铜层的电路形成部的铜层后，去除该镀敷阻剂，利用蚀刻去除该电路形成部以外的极薄铜层，由此在绝缘基板上形成电路的方法，
(B)包括下述步骤的方法：
在剥离该载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔的步骤，
对包含该通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤，
在包含该通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层的步骤，
在剥离该载体而露出的极薄铜层表面设置镀敷阻剂的步骤，
在设置该镀敷阻剂后，通过电解镀敷形成电路的步骤，
去除该镀敷阻剂的步骤，
利用快速蚀刻去除通过去除该镀敷阻剂而露出的极薄铜层的步骤，
(C)包括下述步骤的方法：
在剥离该载体而露出的极薄铜层上设置镀敷阻剂的步骤，
对该镀敷阻剂进行露光，其后，去除形成电路的区域的镀敷阻剂的步骤，
在去除了该镀敷阻剂的形成该电路的区域设置电解镀敷层的步骤，
去除该镀敷阻剂的步骤，
通过快速蚀刻等去除形成该电路的区域以外的区域的无电解镀敷层及极薄铜层的步骤。
35.根据权利要求31至33中任一项所述的印刷配线板的制造方法，其中该表面形成电路的附载体铜箔在该附载体铜箔的载体的表面具有基板或树脂层。
36.根据权利要求34所述的印刷配线板的制造方法，其中该表面形成电路的附载体铜箔在该附载体铜箔的载体的表面具有基板或树脂层。
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