CN104685109B

CN104685109B - 附载体的铜箔及用有附载体的铜箔的覆铜积层板

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Publication number: CN104685109B
Application number: CN201380049406.2A
Authority: CN
Inventors: 森山晃正; 永浦友太; 新井英太; 三木敦史
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2012-09-28
Filing date: 2013-09-27
Publication date: 2017-12-05
Anticipated expiration: 2033-09-27
Also published as: KR20150060940A; KR102030911B1; TW201422423A; TWI526302B; JPWO2014051123A1; KR20170077280A; WO2014051123A1; JP6236009B2; JP2017053034A; JP6396967B2; CN104685109A

Abstract

一种附表面处理层的铜箔，其特征在于：在铜箔或铜合金箔上具有由通过实施粗化处理所形成的粗化处理层、形成在该粗化处理层上的由Ni‑Co层所构成的耐热层、及形成在该耐热层上的含有Zn、Ni、Cr的耐候层及防锈层构成的多个表面处理层，上述表面处理层中的总Zn量/(总Zn量+总Ni量)为0.02以上0.35以下，上述表面处理层中的总Ni量为1600μg/dm²以下。本发明提供一种附载体的铜箔，其是使用有在铜箔的表面实施粗化处理后在其上形成耐热层、防锈层后再实施硅烷偶合处理的印刷电路用铜箔的覆铜积层板，并且在形成精细图案印刷电路后对基板实施酸处理或化学蚀刻时，可提高对因酸渗入铜箔电路与基板树脂的界面所引起的密接性降低的抑制，耐酸性密接强度优异，且碱蚀刻性优异。

Description

附载体的铜箔及用有附载体的铜箔的覆铜积层板

技术领域

本发明涉及一种附载体的铜箔。更详细而言，本发明涉及一种用作印刷配线板或屏蔽材的材料的附载体的铜箔。

背景技术

铜及铜合金箔(以下称作铜箔)对电气、电子相关产业的发展大有助益，尤其是作为印刷电路材料不可或缺。印刷电路用铜箔通常与合成树脂板、聚酰亚胺膜等基材经由接着剂或不使用接着剂而在高温高压下进行积层接着，或者将聚酰亚胺前驱物涂布、干燥、硬化，从而制造覆铜积层板，其后为了形成目标电路，经由抗蚀剂涂布及曝光步骤而印刷所需的电路后，实施去除无需部分的蚀刻处理。

最后，焊接所需的元件，而形成电子装置用的各种印刷电路板。关于印刷电路板用铜箔，与树脂基材接着的面(粗化面)与非接着面(光泽面)不同，分别提出有多种方法。

例如，作为对形成在铜箔的粗化面的要求，主要可列举：1)在保存时不会氧化变色；2)与基材的剥离强度即便在高温加热、湿式处理、焊接、化学品处理等后亦充分；3)并无在与基材的积层、蚀刻后产生的所谓积层污点等。

铜箔的粗化处理作为决定铜箔与基材的接着性者，承担较大的作用。作为该粗化处理，最初是采用电镀铜的铜粗化处理，但此后提出有各种技术，为了改善耐热剥离强度、耐盐酸性及耐氧化性，铜-镍粗化处理作为一代表性处理方法而逐渐被固定采用。

本申请申请人已提出铜-镍粗化处理(参照专利文献1)，并获得成果。铜-镍处理表面呈黑色，尤其是可挠性基板用压延处理箔是将该铜-镍处理的黑色视为商品的象征。

然而，虽然铜-镍粗化处理的耐热剥离强度及耐氧化性、以及耐盐酸性优异，但另一方面，对在近来作为精细图案用处理而日渐重要的利用碱性蚀刻液的蚀刻而言较为困难，在形成150μm间距电路宽度以下的精细图案时处理层会成为蚀刻残余。

因此，作为精细图案用处理，本申请申请人先前开发出Cu-Co处理(参照专利文献2及专利文献3)及Cu-Co-Ni处理(参照专利文献4)。

虽然该等粗化处理在蚀刻性、碱蚀刻性及耐盐酸性方面良好，但重新判明用有丙烯酸是接着剂时的耐热剥离强度会降低，又，耐氧化性亦非如所期望的程度般充分，并且，色调亦未达到黑色而为棕色或深棕色。

为了满足此种要求，本申请人成功开发出如下铜箔处理方法：在铜箔的表面通过铜-钴-镍合金镀敷进行粗化处理后，形成钴镀层或钴-镍合金镀层，由此，当然作为印刷电路用铜箔而具备上述的多数一般特性，尤其是具备可媲美Cu-Ni处理的上述各特性，并且不会降低用有丙烯酸系接着剂时的耐热剥离强度，耐氧化性优异，并且表面色调亦为黑色(参照专利文献5)。

进而，在电子机器的不断发展中，对提高铜箔电路基板的耐热剥离性的要求变得严格，因此，本申请人成功开发出如下耐热性优异的印刷用铜箔处理方法：在铜箔的表面通过铜-钴-镍合金镀敷进行粗化处理后，形成钴-镍合金镀层，进而形成锌-镍合金镀层(参照专利文献6)。该方法是非常有效的发明，成为现今的铜箔电路材料的主要制品之一。

此后，因电子机器的发展而使半导体装置的小型化、高积体化进一步推进，并使FPC(Flexible Printed Circuits，可挠性印刷电路)的多层基板技术急速进展。在该FPC多层基板的制造步骤中，在覆铜积层板形成精细图案电路后，作为用以净化抗蚀剂膜压接步骤或金属镀敷步骤中的铜箔电路基板的预处理，逐渐使用利用含有硫酸与过氧化氢的蚀刻液或使用硫酸水溶液的溶液等而进行的多次表面蚀刻处理。

然而，在上述FPC多层板制造步骤中的表面蚀刻处理中，在使用参照专利文献6的在铜箔的表面通过铜-钴-镍合金镀敷进行粗化处理后形成钴-镍合金镀层、进而形成锌-镍合金镀层的印刷用铜箔的覆铜积层板的精细图案电路中，会产生表面蚀刻液侵蚀铜箔电路与基板树脂的界面，导致铜箔电路与基板树脂的密接性降低，作为FPC特性而产生电子电路不良的问题，因此要求解决该问题。

本申请人在下述专利文献7中提出有如下技术：在铜箔的表面形成有利用铜-钴-镍合金镀敷的粗化处理层、形成在该粗化处理层上的钴-镍合金镀层及在该钴-镍合金镀层上形成有锌-镍合金镀层的印刷电路用铜箔中，预设锌-镍合金镀层的总量、镍量、镍的比率。

可知虽然该技术有效，但Ni可能不仅在锌-镍合金层中含有，而且在粗化处理层、耐热层、耐候层中均含有Ni，因此，为了防止表面蚀刻中的电路侵蚀、及获得可发挥出一般FPC特性非常优异的效果的印刷电路用铜箔，必须对粗化处理层、耐热层、及耐候层整体的总Ni量进一步研究。

进而可知，由于Zn可能不仅在锌-镍合金层中含有，而且在耐候层、防锈层均含有Zn，因此必须对耐候层、防锈层整体的总Zn量、进而对与上述总Ni量的比率进行研究。

印刷配线板通常是经由如下步骤制造：在铜箔接着绝缘基板而制成覆铜积层板后，通过蚀刻在铜箔面形成导体图案。随着近年来的电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化不断发展，而对印刷配线板要求应对导体图案的微细化(微间距化)或高频等。

为了应对微间距化，近来要求厚度9μm以下、进而厚度5μm以下的铜箔，但此种极薄的铜箔的机械强度较低，在制造印刷配线板时容易破裂或产生褶皱，故而利用有一定厚度的金属箔作为载体，在其介隔剥离层而电镀有极薄铜层的附载体的铜箔问世。附载体的铜箔的一般使用方法是将极薄铜层的表面贴合在绝缘基板并进行热压接后，经由剥离层将载体剥离。

此处，对于成为与树脂的接着面的附载体的铜箔的极薄铜层面，主要要求极薄铜层与树脂基材的剥离强度充分，并且该剥离强度即便在高温加热、湿式处理、焊接、化学品处理等后亦充分地保持。

作为提高极薄铜层与树脂基材之间的剥离强度的方法，一般而言具代表性的是在增大了表面的轮廓(凹凸、粗糙度)的极薄铜层上附着有大量粗化粒子的方法。

然而，在印刷配线板中，尤其是若在必须形成微细的电路图案的半导体封装基板使用此种轮廓(凹凸、粗糙度)较大的极薄铜层，则会在电路蚀刻时残留不必要的铜粒子，产生电路图案间的绝缘不良等问题。

因此，作为以半导体封装基板为代表的微细电路用途的附载体的铜箔，尝试使用未对极薄铜层的表面实施粗化处理的附载体的铜箔。此种未实施粗化处理的极薄铜层与树脂的密接性(剥离强度)有因其较小的轮廓(凹凸、粗度、粗糙度)的影响而与通常的印刷配线板用铜箔相比降低的倾向(专利文献8)。

因此，对于附载体的铜箔谋求进一步的改善。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开昭52-145769号公报

[专利文献2]日本特公昭63-2158号公报

[专利文献3]日本特开平2-292895号公报

[专利文献4]日本特开平2-292894号公报

[专利文献5]日本特公平6-54831号公报

[专利文献6]日本特公平9-87889号公报

[专利文献7]WO2009/041292公报

[专利文献8]WO2004/005588号。

发明内容

[发明所欲解决的问题]

本发明涉及一种附载体的铜箔及覆铜积层板，尤其是关于如下的附载体的铜箔，其是使用在铜箔的表面形成粗化处理后在其上形成耐热层、耐候层、防锈层后再实施硅烷偶合处理的附载体的铜箔的覆铜积层板，在形成精细图案印刷电路后对基板实施酸处理或化学蚀刻时，可提高对因酸“渗入”铜箔电路与基板树脂的界面所引起的密接性降低的抑制，耐酸性密接强度优异，且碱蚀刻性优异。

在电子机器的不断发展中，半导体装置的小型化、高积体化进一步推进，对于该等印刷电路的制造步骤中所实施的处理，要求更加更严格。本发明的目的在于提供一种可满足该等要求的技术。

[解决问题的技术手段]

根据以上内容，本申请提供下述发明。

1)一种附载体的铜箔，其特征在于：在铜箔或铜合金箔上具有表面处理层，该表面处理层具有：通过实施粗化(treat)处理所形成的粗化处理层、形成在该粗化处理层上的由Ni-Co层所构成的耐热层、及形成在该耐热层上的含有Zn、Ni、Cr的耐候层及防锈层，上述表面处理层中的总Zn量/(总Zn量+总Ni量)为0.02以上0.35以下，上述表面处理层中的总Ni量为1600μg/dm²以下。

2)如1)的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Zn量/(总Zn量+总Ni量)为0.02以上0.23以下，上述表面处理层中的总Ni量为1150μg/dm²以下。

3)如1)或2)的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Ni量为350～1350μg/dm²。

4)如上述1)至3)中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Ni量为450～1100μg/dm²。

5)如1)至4)中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Co量为770～3200μg/dm²，总Co量/(总Zn量+总Ni量)为3.4以下。

6)如上述1)至5)中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Co量为770～2500μg/dm²，总Co/(总Zn+总Ni)为3.0以下。

7)如上述1)至6)中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Cr量为50～120μg/dm²。

又，本申请提供以下的发明。

8)如上述1)至7)中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述粗化处理层的Ni为50～550μg/dm²。

9)如上述1)至8)中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述粗化处理层是由Co、Cu、Ni的元素所构成。

10)如1)至9)中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述粗化处理层是由平均粒径0.05～0.60μm的微细粒子构成。

11)如上述1)至10)中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述粗化处理层是由平均粒径0.05～0.60μm的以Cu、Co、Ni组成的3元系合金的微细粒子所构成。

12)如1)至11)中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述粗化处理层是由平均粒径为0.25～0.45μm的一次粒子层、及形成在其上的平均粒径为0.05～0.25μm的二次粒子层所构成。

13)如上述1)至12)中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述粗化处理层是由平均粒径为0.25～0.45μm的Cu的一次粒子层、及形成在其上的平均粒径为0.05～0.25μm的由以Cu、Co、Ni组成的3元系合金所构成的二次粒子层构成。

14)一种印刷电路用铜箔，其是由上述1)至13)中任一项所述的附载体的铜箔的上述极薄铜层构成。

15)如1)至13)中任一项所述的附载体的铜箔，其中，在上述表面处理层上具备树脂层。

16)一种覆铜积层板，其是将上述14)的印刷电路用铜箔积层接着于树脂基板而成。

17)一种印刷配线板，其是使用上述1)至13)中任一项所述的附载体的铜箔制造而成。

18)一种印刷电路板，其是使用上述1)至13)中任一项所述的附载体的铜箔制造而成。

19)一种覆铜积层板，其是使用上述1)至13)中任一项所述的附载体的铜箔制造而成。

20)一种印刷配线板的制造方法，其包含如下步骤：

准备上述1)至13)中任一项所述的附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

积层上述附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

经过在积层上述附载体的铜箔与绝缘基板后剥离上述附载体的铜箔的载体的步骤，而形成覆铜积层板，

其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进型半加成法中的任一方法而形成电路的步骤。

21)一种印刷配线板的制造方法，其包含如下步骤：

在上述1)至13)中任一项所述的附载体的铜箔的上述极薄铜层侧表面形成电路的步骤；

以掩埋上述电路的方式在上述附载体的铜箔的上述极薄铜层侧表面形成树脂层的步骤；

在上述树脂层上形成电路的步骤；

在上述树脂层上形成电路后剥离上述载体的步骤；及

在剥离上述载体后去除上述极薄铜层，由此使形成在上述极薄铜层侧表面的上述树脂层所掩埋的电路露出的步骤。

22)如21)的印刷配线板的制造方法，其中，在上述树脂层上形成电路的步骤是

在上述树脂层上自极薄铜层侧贴合另一附载体的铜箔，使用贴合在上述树脂层的附载体的铜箔而形成上述电路的步骤。

23)如22)的印刷配线板的制造方法，其中，贴合在上述树脂层上的另一附载体的铜箔是1)至13)中任一项所述的附载体的铜箔。

24)如21)至23)中任一项所述的印刷配线板的制造方法，其中，在上述树脂层上形成电路的步骤是通过半加成法、减成法、部分加成法或改进型半加成法中的任一方法而进行。

25)如21)至24)中任一项所述的印刷配线板的制造方法，其进而包含：在将载体剥离之前，在附载体的铜箔的载体侧表面形成基板的步骤。

[发明的效果]

本发明是涉及一种印刷电路用铜箔及覆铜积层板用的附载体的铜箔，尤其是关于如下的附载体的铜箔：在使用在依顺序积层有载体、中间层、极薄铜层的附载体的铜箔的上述极薄铜层的表面形成粗化处理后，在其上形成耐热层、耐候层、防锈层后再实施硅烷偶合处理的附载体的铜箔的极薄铜层的覆铜积层板中，在形成精细图案印刷电路后对基板实施酸处理或化学蚀刻时，可提高因酸“渗入”铜箔电路与基板树脂的界面所引起的密接性降低的抑制，耐酸性密接强度优异，且碱蚀刻性优异。

在电子机器的不断发展中，半导体装置的小型化、高积体化进一步推进，对于该等印刷电路的制造步骤中所实施的处理，要求更加严格。本发明是满足该等要求的优异技术。

附图说明

图1是表示在使用过氧化氢与硫酸的溶液进行表面蚀刻的情形时蚀刻液自铜箔电路周边进行侵蚀的情形时的状态的说明图。

图2是表示对于形成精细图案印刷电路后对基板进行表面蚀刻(利用过氧化氢与硫酸的溶液)的情形时蚀刻液“渗入”铜箔电路与基板树脂的界面的情况进行观察的结果的图(照片)。上方的图(照片)是无“渗入”的情形，下方的图(照片)是有“渗入”的情形。

图3是对如下内容进行说明的说明图：针对具有表面形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体的铜箔(A)，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂并进行曝光、显影而将抗蚀剂蚀刻成规定的形状(B)，在形成电路用的镀敷后去除抗蚀剂，由此形成规定形状的电路镀敷(C)。

图4是对如下内容进行说明的说明图：以覆盖电路镀敷的方式在极薄铜层上设置埋入树脂而积层树脂层，继而，自极薄铜层侧接着另一附载体的铜箔(第2层)(D)，自第2层的附载体的铜箔剥离载体(E)，在树脂层的规定位置雷射开孔而使电路镀敷露出，形成盲孔(F)。

图5是对如下内容进行说明的说明图：在盲孔中埋入铜而形成通孔填充物(G)，在通孔填充物上形成电路镀敷(H)，自第1层的附载体的铜箔剥离载体(I)。

图6是对如下内容进行说明的说明图：通过快速蚀刻去除两表面的极薄铜层而使树脂层内的电路镀敷的表面露出(J)，在树脂层内的电路镀敷上形成凸块并在该凸块上形成铜柱(K)，而制作用有本发明的附载体的铜箔的印刷配线板。

具体实施方式

本发明的主要目的在于在：防止在FPC多层基板的制造步骤中的预处理步骤中在进行表面蚀刻时所产生的电路侵蚀。

本发明的附载体的铜箔是在铜箔或铜合金箔上具有通过实施粗化(treat)处理所形成的粗化处理层、形成在该粗化处理层上的由Ni-Co层所构成的耐热层、及形成在该耐热层上的由含有Zn、Ni、Cr的耐候层及防锈层所构成的多个表面处理层。并且，将上述表面处理层中的总Zn量/(总Zn量+总Ni量)设为0.02以上0.35以下。

其是可有效地防止表面蚀刻时所产生的“渗入”的主要条件。Zn是铜箔的表面处理层中的耐候层、防锈层的构成成分，Ni是粗化处理层、耐热层、耐候层的构成成分，Zn与Ni是作为铜箔的表面处理层的构成成分的重要成分。

然而，虽然Zn是对耐候性有效的成分，但其对精细图案电路形成步骤中的耐化学品特性而言欠佳的成分，在电路形成的蚀刻中易产生“渗入”。

另一方面，虽然Ni是对“渗入”有效的成分，但若过多则使碱蚀刻性降低，不适合作为印刷电路用。

因此，本发明即发现Zn与Ni的平衡性较为重要。即，表面处理层中的总Zn量/(总Zn量+总Ni量)为0.02以上0.35以下。在优选的实施例中，表面处理层中的总Zn量/(总Zn量+总Ni量)可设为0.02以上0.23以下，可进而优选为设为0.04以且0.23以下。

在未达0.02的情形时，存在Zn过少的情况与Ni过多的情况，Zn过少的情况中，耐候性变差，Ni过多的情况中蚀刻性成为问题，任一情况均欠佳。另一方面，在超过0.35的情形时，由于易使耐酸性较差，故而蚀刻时易产生“渗入”而欠佳。

再者，作为上述总Zn量的定义，是“铜箔上的粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层中所包含的Zn的总量”。在粗化处理层、耐热层中不包含Zn的情形时，总Zn量成为耐候层、防锈层的2层中所包含的Zn量的合计。再者，在中间层包含Zn的情形时，自载体剥离极薄铜层。其后，利用树脂等将粗化处理层侧的极薄铜层的表面遮蔽后，对极薄铜层的中间层侧的表面进行酸洗，去除极薄铜层的中间层侧的表面所包含的Zn。其后，只要对上述极薄铜层测定Zn量即可。再者，极薄铜层的中间层侧的表面的酸洗可利用以硝酸：水＝1：2(体积)的比率加以混合而成的硝酸水溶液进行。

同样地，作为总Ni量的定义，是“铜箔(附载体的铜箔的极薄铜层)上的粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层中所包含的Ni量”。在防锈层不包含Ni的情形时，总Ni量成为粗化处理层、耐热层、耐候层的Ni量的合计。再者，在中间层包含Ni的情形时，自载体剥离极薄铜层。其后，利用树脂等将粗化处理层侧的极薄铜层的表面遮蔽后，对极薄铜层的中间层侧的表面进行酸洗，去除极薄铜层的中间层侧的表面所包含的Ni。其后，只要对上述极薄铜层测定Ni量即可。再者，极薄铜层的中间层侧的表面的酸洗可利用以硝酸：水＝1：2(体积)的比率加以混合而成的硝酸水溶液进行。

再者，粗化处理阶段的Ni附着量的定义是“铜箔(附载体的铜箔的极薄铜层)上的粗化处理层中所包含的Ni量”。粗化处理阶段的Ni附着量可通过如下方式测定：在与各实施例、各比较例相同的条件制造附载体的铜箔后，与各实施例、各比较例相同的条件仅设置粗化处理层，其后，采集试样，利用与总Ni量相同的方式测定Ni附着量。

同样地，作为总Co量的定义，是“铜箔(附载体的铜箔的极薄铜层)上的粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层中所包含的Co量”。在防锈层不包含Co的情形时，总Co量成为粗化处理层、耐热层、耐候层的Co量的合计。再者，在中间层包含Co的情形时，自载体剥离极薄铜层。其后，利用树脂等将粗化处理层侧的极薄铜层的表面遮蔽后，对极薄铜层的中间层侧的表面进行酸洗，去除极薄铜层的中间层侧的表面所包含的Co。其后，只要对上述极薄铜层测定Co量即可。再者，极薄铜层的中间层侧的表面的酸洗可利用以硝酸：水＝1：2(体积)的比率加以混合而成的硝酸水溶液进行。

同样地，作为总Cr量的定义，是“铜箔(附载体的铜箔的极薄铜层)上的粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层中所包含的Cr量”。通常，在耐热层、耐候层不包含Cr的情形时，总Cr量成为粗化处理层、防锈层的Cr量的合计。再者，在中间层包含Cr的情形时，自载体剥离极薄铜层。其后，利用树脂等将粗化处理层侧的极薄铜层的表面遮蔽后，对极薄铜层的中间层侧的表面进行酸洗，去除极薄铜层的中间层侧的表面所包含的Cr。其后，只要对上述极薄铜层测定Cr量即可。再者，极薄铜层的中间层侧的表面的酸洗可利用以硝酸：水＝1：2(体积)的比率加以混合而成的硝酸水溶液进行。

在本发明中，上述总Ni量、总Co量是通过利用以硝酸：水＝1：2(体积)的比率加以混合而成的硝酸水溶液将试样溶解，通过原子吸光分析进行测定，上述总Cr量及总Zn量是通过利用以盐酸：水＝1：4(体积)的比率加以混合而成的盐酸水溶液将试样煮沸溶解，通过原子吸光法进行定量分析而测定。再者，粗化处理阶段的Ni附着量、总Ni量、总Co量、总Cr量及总Zn量是以各试样的每单位面积(dm²)的Ni、Co、Cr、Zn的附着质量(μg)表示。

所谓上述“渗入”是指图1中所示，在使用过氧化氢与硫酸的溶液进行表面蚀刻的情形、或者使用由氯化铜(CuCl₂)溶液、氯化铁(FeCl₃)溶液等所构成的蚀刻液进行电路形成的蚀刻的情形时，蚀刻液渗入铜箔与树脂的界面的现象。

图1的左侧是表示树脂层与附表面处理层的铜箔的电路面密接的状态(▼部)的概念图。图1的右侧是表示电路的两边缘处产生渗入而密接略微减少的状态(▼部)的概念图。

又，图2表示对在形成精细图案印刷电路后对基板进行软蚀刻(利用过氧化氢与硫酸的溶液)的情形时酸在铜箔电路与基板树脂的界面的“渗入”进行观察的结果的图(照片)。上方的图(照片)是直线形的电路的边缘部无渗入的情形，下方的图(照片)是有“渗入”的情形。可观察到直线形的电路的边缘部产生混乱。

Ni如上述般是表面处理层的粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层中所包含的成分，在极薄铜层的表面处理层中极重要的成分。并且，其是对作为本发明所欲解决的问题的“渗入”有效的成分。

因此，关于本发明的附载体的铜箔，上述表面处理层中的总Ni量为1600μg/dm²以下，优选为1150μg/dm²以下。又，理想为将上述表面处理层中的总Ni量设为350～1350μg/dm²，更理想为设为450～1100μg/dm²。

又，粗化处理层所包含的Ni存在如下情形：由于必需使经表面处理的铜箔的表面呈现黑色，故而必需含有50μg/dm²以上的Ni。

进而，由于Ni亦包含于耐热层、耐候层，故而作为总Ni量，存在必需为350μg/dm²以上的情形，进而存在必需为450μg/dm²以上的情形。但是，若总Ni量超过1350μg/dm²或1100μg/dm²，则存在产生碱蚀刻性的降低或在电路蚀刻时粗化粒子残存在基板树脂表面的问题的情形，故而可认为存在Ni量理想为1350μg/dm²以下的情形，存在更理想为1100μg/dm²以下的情形。

进而，Co是作为铜箔的表面处理层所使用的成分，有助于耐热性而为重要的成分，所使用的量亦多于其他成分。然而，其是对“渗入”而言欠佳的成分。因此，本发明的附表面处理层的铜箔存在理想为将上述表面处理层中的总Co量设为770～3200μg/dm²的情形。在优选的实施例中，可将上述表面处理层中的总Co量设为770～2500μg/dm²，可更优选为设为940～2500μg/dm²。

另一方面，若未达770μg/dm²，则存在无法获得足够的耐热性的情形，若超过3200μg/dm²，则存在明显产生“渗入”的情形，若超过2500μg/dm²，则存在产生“渗入”的情形，故而设为上述数值范围。又，为了提高耐热性，最优选为将上述表面处理层中的总Co量设为940μg/dm²以上。又，优选为总Co量/(总Zn量+总Ni量)为3.0以下。其原因在于：即便总Co量在上述范围内，而在总Co量相对于作为其他主成分的总Zn量与总Ni量的合计而较多的情形时，亦存在“渗入”变差的倾向的情形。

又，本发明的附表面处理层的铜箔理想为将上述表面处理层中的总Cr量设为50～120μg/dm²。该范围的总Cr量同样地具有抑制渗入量的效果。

又，本发明的附表面处理层的铜箔的粗化处理层的Ni有效为50～550μg/dm²。

又，针对于上述粗化处理层，有效为由Co、Cu、Ni的元素所构成的粗化处理层。优选为将上述粗化处理层设为平均粒径0.05～0.60μm的微细粒子，亦可设为平均粒径0.05～0.60μm的由Cu、Co、Ni组成的3元系合金的微细粒子的聚集体。上述平均粒径0.05～0.60μm的微细粒子可通过镀敷包含铜的合金的烧镀(粗化镀敷处理)而形成。

针对于上述粗化处理层，优选为设为平均粒径为0.25～0.45μm的一次粒子层、及形成在其上的平均粒径为0.05～0.25μm的二次粒子层。又，针对于上述粗化处理层，可设为平均粒径为0.25～0.45μm的Cu的一次粒子层、及形成在其上的平均粒径为0.05～0.25μm的由以Cu、Co、Ni组成的3元系合金所构成的二次粒子层。上述一次粒子层优选为镀铜的烧镀(粗化镀敷处理)。又，上述二次粒子层可通过镀敷包含铜的合金的烧镀(粗化镀敷处理)而形成。

作为形成粗化处理层、由Ni-Co层所构成的耐热层、含有Zn、Ni、Cr的耐候层及防锈层的条件，可使用下述电解镀敷的条件而形成。

(粗化处理的条件)

在实施平均粒径0.05～0.60μm的由Cu、Co、Ni组成的3元系合金的微细粗化粒子聚集体的粗化处理的情形。

液体组成：Cu 10～20g/升、Co 1～10g/升、Ni 1～15g/升

pH值：1～4

温度：30～50℃

电流密度(D_k)：20～50A/dm²

时间：1～5秒

在实施由平均粒径为0.25～0.45μm的Cu的一次粒子层、及形成在其上的平均粒径为0.05～0.25μm的由以Cu、Co、Ni组成的3元系合金所构成的二次粒子层所构成的粗化处理的情形。

(A)Cu的一次粒子层形成

液体组成：Cu 10～20g/升、硫酸50～100g/升

pH值：1～3

温度：25～50℃

电流密度(D_k)：1～60A/dm²

时间：1～5秒

(B)由以Cu、Co、Ni组成的3元系合金所构成的二次粒子层的形成

液体组成：Cu 10～20g/升、Co 1～15g/升、Ni 1～15g/升

pH值：1～3

温度：30～50℃

电流密度(D_k)：10～50A/dm²

时间：1～5秒

又，亦可在上述一次粒子形成前在铜箔与一次粒子之间实施金属层镀敷。作为金属镀层，认为具代表性的是铜镀层、铜合金镀层。在实施铜镀层的情形时，可列举如下方法：在仅使用以硫酸铜与硫酸作为主成分的硫酸铜水溶液的情形时，或者使用组合有硫酸、具有巯基的有机硫化合物、聚乙二醇等界面活性剂、进而组合有氯化物离子的硫酸铜水溶液，并通过电镀而形成铜镀层。

(形成耐热层的条件)

液体组成：Co 1～20g/升、Ni 1～20g/升

pH值：1～4

温度：30～60℃

电流密度(D_k)：1～20A/dm²

时间：1～5秒

(形成耐候层及防锈层的条件1)

液体组成：Ni 1～30g/升、Zn 1～30g/升

pH值：2～5

温度：30～50℃

电流密度(D_k)：1～3A/dm²

时间：1～5秒

(形成耐候层及防锈层的条件2)

液体组成：K₂Cr₂O₇：1～10g/升、Zn：0～10g/升

pH值：2～5

温度：30～50℃

电流密度(D_k)：0.01～5A/dm²

时间：0.01～5秒

可将镀敷电流密度设为0A/dm²，实施浸渍铬酸盐处理。

(硅烷偶合处理)

在防锈层上的至少粗化面实施涂布硅烷偶合剂的硅烷偶合处理。

作为该硅烷偶合剂，可列举：烯烃系硅烷、环氧系硅烷、丙烯酸系硅烷、胺基系硅烷、巯基系硅烷，可将该等适宜选择而使用。

又，在硅烷偶合处理所使用的硅烷偶合剂中可使用公知的硅烷偶合剂，例如可使用：胺基系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂、巯基系硅烷偶合剂。又，在硅烷偶合剂中，亦可使用：乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、4-环氧丙基丁基三甲氧基硅烷、γ-胺基丙基三乙氧基硅烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三口井硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等。

上述硅烷偶合处理层亦可使用环氧系硅烷、胺基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巯基系硅烷等硅烷偶合剂等形成。再者，此种硅烷偶合剂亦可混合2种以上使用。其中，优选为使用胺基系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂所形成者。

此处所述的胺基系硅烷偶合剂，亦可为选自由下述者所构成的群中者：N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、3-胺基丙基三乙氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基硅烷、胺基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、N-(3-丙烯酰氧基-2-羟基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基硅烷、4-胺基丁基三乙氧基硅烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基硅烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)硅烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基硅烷、胺基苯基三甲氧基硅烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基硅烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3-胺基丙基三乙氧基硅烷、3-胺基丙基三甲氧基硅烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基硅烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基硅烷、双(2-羟基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基硅烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基硅烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基硅烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、γ-胺基丙基三乙氧基硅烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基硅烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基硅烷。

硅烷偶合处理层理想为设在以硅原子换算计为0.05mg/m²～200mg/m²、优选为0.15mg/m²～20mg/m²、更优选为0.3mg/m²～2.0mg/m²的范围内。在为上述范围的情形时，可进一步提高基材树脂与表面处理铜箔的密接性。

涂布方法可为硅烷偶合剂溶液的喷雾、涂布机涂布、浸渍、流延等任一者。针对在该等方法，由于已为公知的技术(例如参照日本特公昭60-15654号)，故而省略详细说明。

(载体)

本发明的附载体的铜箔的载体可使用铜箔、铝箔、铝合金箔或铁合金、不锈钢、镍、镍合金等箔。再者，若考虑到中间层在载体上的易积层性，则载体优选为铜箔。载体所使用的铜箔典型为以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。

一般而言，电解铜箔是自硫酸铜镀浴使铜电解析出在钛或不锈钢的转筒上而制造。又，压延铜箔是反复进行利用压延辊的塑性加工与热处理而制造。作为铜箔的材料，可使用精铜(JIS H3100 C1100)或无氧铜(JIS H3100 C1020)等高纯度的铜，此外亦可使用例如掺Sn的铜、掺Ag的铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊(corson)系铜合金之类的铜合金。再者，在本说明书，在单独使用“铜箔”用语时亦包含铜合金箔在内。

针对可使用在本发明的载体的厚度亦无特别限制，只要在实现作为载体的作用上适当调节为所合适的厚度即可，例如可设为12μm以上。但是，若过厚，则生产成本增大，故而通常优选为设为35μm以下。因此，载体的厚度典型为12～70μm，更典型为18～35μm。

(中间层)

在载体上设置中间层。在载体与中间层之间亦可设置其他层。本发明的附载体的铜箔的中间层优选为以包含Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn或该等的合金、该等的水合物、该等的氧化物、或者有机物中的任一种以上的层的形式形成。中间层亦可为多层。

例如，中间层是自载体侧起由如下的层所构成：由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的任一种元素所构成的单金属层、或由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一种以上的元素所构成的合金层、接下来由选自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一种以上的元素的水合物或氧化物所构成的层。

又，例如中间层可以2层的Ni及Cr所构成。Ni层是以使其与铜箔载体的界面接触的方式、Cr层是以使其与极薄铜层的界面接触的方式积层。可将中间层的Cr的附着量设定为10～100μg/dm²、Ni的附着量设定为1000～40000μg/dm²。再者，上述中间层亦可包含Zn。

(预镀敷)

在中间层上设置极薄铜层。为了减少极薄铜层的针孔，此前亦可进行利用铜-磷合金的预镀敷。预镀敷中可列举焦磷酸铜镀液等。

(极薄铜层)

在中间层上设置极薄铜层。在中间层与极薄铜层之间亦可设置其他层。本发明的附载体的铜箔的极薄铜层可通过利用硫酸铜、焦磷酸铜、胺基磺酸铜、氰化铜等电解浴的电镀而形成，就通常的电解铜箔所使用且可以高电流密度形成铜箔的方面而言，优选为硫酸铜浴。

极薄铜层的厚度并无特别限制，通常比载体薄，例如为12μm以下。典型为0.1～12μm，更典型为0.5～12μm，进而典型为2～5μm。

(附载体的铜箔)

如此，制造具备载体、及载体上积层中间层且积层在中间层上的极薄铜层的附载体的铜箔。附载体的铜箔本身的使用方法已为本领域人员知晓，例如可将极薄铜层的表面与纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜等绝缘基板贴合并热压接后剥离载体，将接着在绝缘基板的极薄铜层蚀刻为目标导体图案，最终制造印刷配线板。

在本发明的附载体的铜箔的情形时，剥离部位主要是载体与中间层的界面或中间层与极薄铜层的界面。又，在中间层由多层构成的情形时，存在于该多层的界面进行剥离的情形。

(树脂层)

又，本发明的附载体的铜箔亦可在表面处理层上具备树脂层。上述树脂层亦可为绝缘树脂层。

再者，形成上述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层的顺序并未彼此加以限定，亦可在极薄铜层上或粗化处理层上以任意顺序形成该等层。

上述树脂层可为接着用树脂、即接着剂，亦可为接着用的半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)是指即便用手指触摸该表面亦无黏着感，可重迭该绝缘树脂层来保管，进而包括若受到加热处理则产生硬化反应的状态。

又，上述树脂层可包含热硬化性树脂，亦可为热塑性树脂。又，上述树脂层亦可包含热塑性树脂。上述树脂层亦可包含公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。又，上述树脂层亦可使用例如国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225号、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013-19056号中所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成。

又，上述树脂层的种类并无特别限定，例如作为优选者，可列举包含选自环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、顺丁烯二酰亚胺化合物、聚顺丁烯二酰亚胺化合物、顺丁烯二酰亚胺系树脂、芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂、聚乙烯缩醛树脂、胺甲酸乙酯树脂(polyurethane resin)、聚醚砜(亦称为polyethersulphone)、聚醚砜(亦称为polyethersulphone)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改质环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双顺丁烯二酰亚胺三口井树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、羧酸的酸酐、多元羧酸的酸酐、具有可交联的官能基的线性聚合物、聚苯醚树脂、2,2-双(4-氰酸根合苯基)丙烷、含磷的酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-环氧丙基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改质聚酰胺酰亚胺树脂、氰基酯树脂、膦腈系树脂、橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧、高分子环氧、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚合聚酰亚胺树脂及氰基酯树脂的群中的一种以上的树脂。

又，上述环氧树脂只要为分子内具有2个以上环氧基者并可使用在电气、电子材料用途者，则可无问题地使用。又，上述环氧树脂优选为使用分子内具有2个以上环氧丙基的化合物而经环氧化所得的环氧树脂。又，亦可将选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(brominated)环氧树脂、酚系酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改质双酚A型环氧树脂、环氧丙胺型环氧树脂、异氰脲酸三环氧丙酯、N,N-二环氧丙基苯胺等环氧丙胺化合物；四氢邻苯二甲酸二环氧丙酯等环氧丙酯化合物；含磷的环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂的群中的1种或2种以上混合使用，或者可使用上述环氧树脂的氢化体或卤化体。

作为上述含磷的环氧树脂，可使用公知的含磷的环氧树脂。又，上述含磷的环氧树脂例如优选为分子内具备2个以上环氧基的以源自9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物的形式所获得的环氧树脂。

该以源自9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物的形式所获得的环氧树脂系使9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物与萘醌或对苯二酚进行反应，制成下述化学式1(HCA-NQ)或化学式2(HCA-HQ)所表示的化合物，其后，使该OH基的部分与环氧树脂反应而制成含磷的环氧树脂。

(化学式1)

(化学式2)

以上述化合物作为原料所获得的含磷的环氧树脂优选为将具备以下所示的化学式3～化学式5中的任一式所表示的结构式的化合物的1种或2种进行混合而使用。其原因在于：在半硬化状态的树脂品质的稳定性优异，同时难燃性效果较高。

(化学式3)

(化学式4)

(化学式5)

又，作为上述溴化(brominated)环氧树脂，可使用公知的经溴化(brominated)的环氧树脂。例如上述溴化(brominated)环氧树脂优选为将分子内具备2个以上环氧基的以源自四溴双酚A的衍生物的形式所获得的具备化学式6所表示的结构式的溴化环氧树脂、具备以下所示的化学式7所表示的结构式的溴化环氧树脂的1种或2种进行混合而使用。

(化学式6)

(化学式7)

作为上述顺丁烯二酰亚胺系树脂、芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂、顺丁烯二酰亚胺化合物或者聚顺丁烯二酰亚胺化合物，可使用公知的顺丁烯二酰亚胺系树脂、芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂、顺丁烯二酰亚胺化合物或者聚顺丁烯二酰亚胺化合物。例如作为顺丁烯二酰亚胺系树脂、芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂、顺丁烯二酰亚胺化合物或者聚顺丁烯二酰亚胺化合物，可使用4,4'-二苯基甲烷双顺丁烯二酰亚胺、聚苯基甲烷顺丁烯二酰亚胺、间伸苯基双顺丁烯二酰亚胺、双酚A二苯醚双顺丁烯二酰亚胺、3,3'-二甲基-5,5'-二乙基-4,4'-二苯基甲烷双顺丁烯二酰亚胺、4-甲基-1,3-伸苯基双顺丁烯二酰亚胺、4,4'-二苯醚双顺丁烯二酰亚胺、4,4'-二苯基砜双顺丁烯二酰亚胺、1,3-双(3-顺丁烯二酰亚胺苯氧基)苯、1,3-双(4-顺丁烯二酰亚胺苯氧基)苯以及使上述化合物与上述化合物或其他化合物进行聚合所得的聚合物等。又，上述顺丁烯二酰亚胺系树脂可为分子内具有2个以上顺丁烯二酰亚胺基的芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂，亦可为使分子内具有2个以上顺丁烯二酰亚胺基的芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂与聚胺或芳香族聚胺进行聚合所得的聚合加成物。

作为上述聚胺或芳香族聚胺，可使用公知的聚胺或芳香族聚胺。例如作为聚胺或芳香族聚胺，可使用：间苯二胺、对苯二胺、4,4'-二胺基二环己基甲烷、1,4-二胺基环己烷、2,6-二胺基吡啶、4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2-双(4-胺基苯基)丙烷、4,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基-3-甲基二苯醚、4,4'-二胺基二苯硫醚、4,4'-二胺基二苯甲酮、4,4'-二胺基二苯基砜、双(4-胺基苯基)苯胺、间苯二甲胺、对苯二甲胺、1,3-双[4-胺基苯氧基]苯、3-甲基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二乙基-4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2',5,5'-四氯-4,4'-二胺基二苯基甲烷、2,2-双(3-甲基-4-胺基苯基)丙烷、2,2-双(3-乙基-4-胺基苯基)丙烷、2,2-双(2,3-二氯-4-胺基苯基)丙烷、双(2,3-二甲基-4-胺基苯基)苯基乙烷、乙二胺及六亚甲基二胺、2,2-双(4-(4-胺基苯氧基)苯基)丙烷以及使上述化合物与上述化合物或其他化合物进行聚合所得的聚合物等。又，可使用一种或二种以上公知的聚胺及/或芳香族聚胺或者上述聚胺或芳香族聚胺。

作为上述苯氧基树脂，可使用公知的苯氧基树脂。又，作为上述苯氧基树脂，可使用通过双酚与2价环氧树脂的反应所合成者。作为环氧树脂，可使用公知的环氧树脂及/或上述环氧树脂。

作为上述双酚，可使用公知的双酚，又，可使用以双酚A、双酚F、双酚S、四溴双酚A、4,4'-二羟基联苯、HCA(9,10-Dihydro-9-Oxa-10-Phosphaphenanthrene-10-Oxide，9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物)与对苯二酚、萘醌等醌类的加成物的形式所获得的双酚等。

作为上述具有可交联的官能基的线性聚合物，可使用公知的具有可交联的官能基的线性聚合物。例如上述具有可交联的官能基的线性聚合物优选为具备羟基、羧基等有助于环氧树脂的硬化反应的官能基。并且，该具有可交联的官能基的线性聚合物优选为在沸点为温度50℃～200℃的有机溶剂中可溶。若具体例示此处所述的具有官能基的线性聚合物，则为聚乙烯缩醛树脂、苯氧基树脂、聚醚砜树脂、聚酰胺酰亚胺树脂等。

上述树脂层亦可包含交联剂。交联剂可使用公知的交联剂。作为交联剂，例如可使用胺甲酸乙酯系树脂。

上述橡胶性树脂可使用公知的橡胶性树脂。例如所谓上述橡胶性树脂，记载为包括天然橡胶及合成橡胶在内的概念，后者的合成橡胶中存在苯乙烯-丁二烯橡胶、丁二烯橡胶、丁基橡胶、乙烯-丙烯橡胶、丙烯腈丁二烯橡胶、丙烯酸橡胶(丙烯酸酯共聚物)、聚丁二烯橡胶、异戊二烯橡胶等。进而，在确保所形成的树脂层的耐热性时，亦有用的是选择使用腈橡胶、氯丁二烯橡胶、硅橡胶、胺甲酸乙酯橡胶等具备耐热性的合成橡胶。关于该等橡胶性树脂，为了与芳香族聚酰胺树脂或聚酰胺酰亚胺树脂进行反应而制造共聚物，理想为在两末端具备各种官能基者。尤其有用的是使用CTBN(carboxy-terminated butadienenitrile，末端为羧基的丁腈)。又，丙烯腈丁二烯橡胶中，若为羧基改质体，则选取与环氧树脂的交联结构，亦可提高硬化后的树脂层的可挠性。作为羧基改质体，可使用末端为羧基的丁腈橡胶(CTBN)、末端为羧基的丁二烯橡胶(CTB，carboxy-terminated butadiene)、羧基改质丁腈橡胶(C-NBR，Carboxyl modified Nitrile butadiene rubber)。

作为上述聚酰胺酰亚胺树脂，可使用公知的聚酰亚胺酰胺树脂。又，作为上述聚酰亚胺酰胺树脂，例如可使用：通过将偏苯三甲酸酐、二苯甲酮四羧酸酐及3,3-二甲基-4,4-联苯二异氰酸酯在N-甲基-2-吡咯啶酮或/及N,N-二甲基乙酰胺等溶剂中进行加热而获得的树脂；或者通过将偏苯三甲酸酐、二苯基甲烷二异氰酸酯及末端为羧基的丙烯腈-丁二烯橡胶在N-甲基-2-吡咯啶酮或/及N,N-二甲基乙酰胺等溶剂中进行加热而获得者。

作为上述橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂，可使用公知的橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂。橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂是使聚酰胺酰亚胺树脂与橡胶性树脂进行反应所得者。使聚酰胺酰亚胺树脂与橡胶性树脂进行反应而使用是以提高聚酰胺酰亚胺树脂其本身的柔软性的目的而进行。即，使聚酰胺酰亚胺树脂与橡胶性树脂进行反应，而将聚酰胺酰亚胺树脂的酸成分(环己烷二羧酸等)的一部分置换为橡胶成分。聚酰胺酰亚胺树脂中可使用公知的聚酰胺酰亚胺树脂。又，橡胶性树脂可使用公知的橡胶性树脂或上述橡胶性树脂。在使橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂聚合时，使用在聚酰胺酰亚胺树脂与橡胶性树脂的溶解的溶剂优选为将二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲基亚砜、硝基甲烷、硝基乙烷、四氢呋喃、环己酮、甲基乙基酮、乙腈、γ-丁内酯等中的1种或2种以上进行混合而使用。

作为上述膦腈(phosphazene)系树脂，可使用公知的膦腈系树脂。膦腈系树脂是包含以磷及氮作为组成元素的具有双键的膦腈的树脂。膦腈系树脂可通过分子中的氮与磷的协同效果而飞跃性地提高难燃性能。又，与9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物衍生物不同，可获得稳定存在于树脂中而防止电子迁移的产生的效果。

作为上述氟树脂，可使用公知的氟树脂。又，作为氟树脂，例如亦可使用由选自PTFE(polytetrafluorethylene，聚四氟乙烯(四氟化))、PFA(tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinylether，四氟乙烯-全氟烷基乙烯醚共聚物)、FEP(Tetrafluoroethylene-Hexafluoropropylene，四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(四-六氟化))、ETFE(ethylene-tetrafluoroethylene，四氟乙烯-乙烯共聚物)、PVDF(polyvinylidenefluoride，聚偏二氟乙烯(二氟化))、PCTFE(Polychlorotrifluoroethylene，聚氯三氟乙烯(三氟化))、聚芳砜、芳香族聚硫醚及芳香族聚醚中的至少任1种的热塑性树脂与氟树脂所组成的氟树脂等。

又，上述树脂层亦可包含树脂硬化剂。作为树脂硬化剂，可使用公知的树脂硬化剂。例如作为树脂硬化剂，可使用：双氰胺、咪唑类、芳香族胺等胺类；双酚A、溴化双酚A等酚类；酚系酚醛清漆树脂及甲酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆类；邻苯二甲酸酐等酸酐；联苯型酚树脂、苯酚-芳烷基型酚树脂等。又，上述树脂层亦可包含上述树脂硬化剂的1种或2种以上。该等硬化剂对于环氧树脂尤其有效。

将上述联苯型酚树脂的具体例示于化学式8。

(化学式8)

又，将上述苯酚-芳烷基型酚树脂的具体例示于化学式9。

(化学式9)

作为咪唑类，可使用公知者，例如可列举：2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等，该等可单独使用或混合使用。

又，其中，优选为使用具备下述化学式10所表示的结构式的咪唑类。通过使用该化10所表示的结构式的咪唑类，可显著提高半硬化状态的树脂层的耐吸湿性，长期保存稳定性优异。其原因在于：咪唑类是在环氧树脂的硬化时发挥催化性作用者，在硬化反应的初始阶段，作为引起环氧树脂的自聚合反应的反应起始剂而起到助益。

(化学式10)

作为上述胺类的树脂硬化剂，可使用公知的胺类。又，作为上述胺类的树脂硬化剂，例如可使用上述聚胺或芳香族聚胺，又，亦可使用选自芳香族聚胺、聚酰胺类及使该等与环氧树脂或多元羧酸聚合或缩合所获得的胺加成体的群中的1种或2种以上。又，作为上述胺类的树脂硬化剂，优选为使用4,4'-二胺基二苯砜、3,3'-二胺基二苯砜、4,4-二胺基联苯、2,2-双[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷或双[4-(4-胺基苯氧基)苯基]砜中的任一种以上。

上述树脂层亦可包含硬化促进剂。作为硬化促进剂，可使用公知的硬化促进剂。例如作为硬化促进剂，可使用三级胺、咪唑、脲系硬化促进剂等。

上述树脂层亦可包含反应催化剂。作为反应催化剂，可使用公知的反应催化剂。例如作为反应催化剂，可使用微粉碎二氧化硅(silica)、三氧化锑等。

上述多元羧酸的酸酐优选为作为环氧树脂的硬化剂而起到助益的成分。又，上述多元羧酸的酸酐优选为邻苯二甲酸酐、顺丁烯二酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸酐、四羟基邻苯二甲酸酐、六羟基邻苯二甲酸酐、甲基六羟基邻苯二甲酸酐、耐地酸、甲基耐地酸。

上述热塑性树脂亦可为具有可与环氧树脂聚合的醇性羟基以外的官能基的热塑性树脂。

上述聚乙烯缩醛树脂亦可具有酸基及羟基以外的可与环氧树脂或顺丁烯二酰亚胺化合物聚合的官能基。又，上述聚乙烯缩醛树脂亦可为其分子内导入有羧基、胺基或不饱和双键者。

作为上述芳香族聚酰胺树脂聚合物，可列举使芳香族聚酰胺树脂与橡胶性树脂进行反应而获得者。此处，所谓芳香族聚酰胺树脂是通过芳香族二胺与二羧酸的缩聚而合成者。此时的芳香族二胺可使用4,4'-二胺基二苯基甲烷、3,3'-二胺基二苯基砜、间苯二甲胺、3,3'-氧二苯胺(oxydianiline)等。并且，二羧酸使用邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、反丁烯二酸等。

所谓与上述芳香族聚酰胺树脂反应的上述橡胶性树脂，可使用公知的橡胶性树脂或上述橡胶性树脂。

该芳香族聚酰胺树脂聚合物是用以在对加工成覆铜积层板后的铜箔进行蚀刻加工时，免受因通过蚀刻液进行底蚀刻所造成的损伤者。

又，上述树脂层亦可为自铜箔侧(即附载体的铜箔的极薄铜层侧)依顺序形成硬化树脂层(所谓“硬化树脂层”意指硬化过的树脂层)与半硬化树脂层的树脂层。上述硬化树脂层亦可由热膨胀系数为0ppm/℃～25ppm/℃的聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、该等的复合树脂中的任一树脂成分构成。

又，在上述硬化树脂层上亦可设置经硬化后的热膨胀系数为0ppm/℃～50ppm/℃的半硬化树脂层。又，上述硬化树脂层与上述半硬化树脂层硬化后的树脂层整体的热膨胀系数亦可为40ppm/℃以下。上述硬化树脂层的玻璃转化温度亦可为300℃以上。又，上述半硬化树脂层亦可为使用顺丁烯二酰亚胺系树脂或芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂而形成者。用以形成上述半硬化树脂层的树脂组成物优选为包含顺丁烯二酰亚胺系树脂、环氧树脂、具有可交联的官能基的线性聚合物。环氧树脂可使用公知的环氧树脂或本说明书中所记载的环氧树脂。又，作为顺丁烯二酰亚胺系树脂、芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂、具有可交联的官能基的线性聚合物，可使用公知的顺丁烯二酰亚胺树脂、芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂、具有可交联的官能基的线性聚合物或者上述顺丁烯二酰亚胺系树脂、芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂、具有可交联的官能基的线性聚合物。

又，在提供适合于立体成型印刷配线板制造用途的具有树脂层的附载体的铜箔的情形时，上述硬化树脂层优选为经硬化的具有可挠性的高分子聚合物层。上述高分子聚合物层适宜为由以可经受焊料安装步骤的具有150℃以上的玻璃转化温度的树脂所构成者。上述高分子聚合物层优选为由聚酰胺树脂、聚醚砜树脂、芳族聚酰胺树脂、苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、聚乙烯缩醛树脂、聚酰胺酰亚胺树脂中的任1种或2种以上的混合树脂构成。又，上述高分子聚合物层的厚度优选为3μm～10μm。

又，上述高分子聚合物层优选为包含环氧树脂、顺丁烯二酰亚胺系树脂、酚树脂、胺甲酸乙酯树脂中的任1种或2种以上。又，上述半硬化树脂层优选为由厚度为10μm～50μm的环氧树脂组成物构成。

又，上述环氧树脂组成物优选为包含下述A成分～E成分的各成分者。

A成分：由选自环氧当量为200以下，室温下为液状的双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂的群中的1种或2种以上所构成的环氧树脂。

B成分：高耐热性环氧树脂。

C成分：含磷的环氧系树脂、膦腈系树脂中的任1种或将该等混合而成的树脂即含磷的难燃性树脂。

D成分：具备在沸点在50℃～200℃的范围内的溶剂中可溶的性质的经液状橡胶成分改质的橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂。

E成分：树脂硬化剂。

B成分是所谓玻璃转化点Tg较高的“高耐热性环氧树脂”。此处所述的“高耐热性环氧树脂”优选为酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、酚系酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂等多官能环氧树脂。

作为C成分的含磷的环氧树脂，可使用上述含磷的环氧树脂。又，作为C成分的膦腈系树脂，可使用上述膦腈系树脂。

作为D成分的橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂，可使用上述橡胶改质聚酰胺酰亚胺树脂。作为E成分的树脂硬化剂，可使用上述树脂硬化剂。

在以上所示的树脂组成物加入溶剂而用作树脂清漆，形成热硬化性树脂层作为印刷配线板的接着层。该树脂清漆是在上述树脂组成物加入溶剂而将树脂固体成分量调整在30wt％～70wt％的范围内，可形成依据MIL标准(Military Standard，美国军用标准)中的MIL-P-13949G进行测定时的树脂溢流量在5％～35％的范围内的半硬化树脂膜。溶剂可使用公知的溶剂或上述溶剂。

上述树脂层亦可为自铜箔侧依顺序具有第1热硬化性树脂层与位于该第1热硬化性树脂层的表面的第2热硬化性树脂层的树脂层；第1热硬化性树脂层是利用不会溶解在配线板制造方法中的除胶渣处理时的化学品的树脂成分而形成者，第2热硬化性树脂层是使用溶解在配线板制造方法中的除胶渣处理时的化学品并可清洗去除的树脂而形成者。上述第1热硬化性树脂层亦可为使用混合有聚酰亚胺树脂、聚醚砜、聚苯醚中的任一种或2种以上的树脂成分而形成者。上述第2热硬化性树脂层亦可为使用环氧树脂成分而形成者。上述第1热硬化性树脂层的厚度t1(μm)优选为在将附载体的铜箔的粗化面粗糙度设为Rz(μm)、第2热硬化性树脂层的厚度设为t2(μm)时，t1为满足Rz＜t1＜t2的条件的厚度。

上述树脂层亦可为使骨架材料含浸有树脂的预浸体。上述骨架材料所含浸的树脂优选为热硬化性树脂。上述预浸体亦可为公知的预浸体或使用于印刷配线板制造的预浸体。

上述骨架材料亦可包含芳族聚酰胺纤维、玻璃纤维或全芳香族聚酯纤维。上述骨架材料优选为芳族聚酰胺纤维、玻璃纤维或全芳香族聚酯纤维的不织布或者织布。又，上述全芳香族聚酯纤维优选为熔点为300℃以上的全芳香族聚酯纤维。所谓上述熔点为300℃以上的全芳香族聚酯纤维，是使用被称为液晶聚合物的树脂而制造的纤维，该液晶聚合物是以2-羟基-6-萘甲酸及对羟基苯甲酸的聚合物作为主成分者。由于该全芳香族聚酯纤维具有低介电常数、低介质损耗正切，故而作为电气绝缘层的构成材料具有优异的性能，可与玻璃纤维及芳族聚酰胺纤维同样地使用。

再者，为了提高与其表面的树脂的润湿性，构成上述不织布及织布的纤维优选为实施硅烷偶合剂处理。此时的硅烷偶合剂根据使用目的，可使用公知的胺基系、环氧系等硅烷偶合剂或上述硅烷偶合剂。

又，上述预浸体亦可为用有标称厚度为70μm以下的芳族聚酰胺纤维或玻璃纤维的不织布、或标称厚度为30μm以下的玻璃布所构成的骨架材料含浸有热硬化性树脂的预浸体。

(在树脂层包含介电体(介电体填料)的情形)

上述树脂层亦可包含介电体(介电体填料)。

在上述任一树脂层或树脂组成物包含介电体(介电体填料)的情形时，可使用在形成电容层的用途，增大电容电路的电容。该介电体(介电体填料)是使用BaTiO₃、SrTiO₃、Pb(Zr-Ti)O₃(通称PZT)、PbLaTiO₃·PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi₂Ta₂O₉(通称SBT)等具有钙钛矿(perovskite)结构的复合氧化物的介电体粉。

介电体(介电体填料)亦可为粉状。在介电体(介电体填料)为粉状的情形时，该介电体(介电体填料)的粉体特性必需首先粒径为0.01μm～3.0μm、优选为0.02μm～2.0μm的范围内者。此处所述的粒径是由在粉粒彼此形成某固定的二次凝集状态，故而如根据雷射绕射散射式粒度分布测定法或BET(Brunauer-Emmett-Teller，布厄特)法等的测定值推测平均粒径般的间接测定中，精度成为较差者，因而无法使用，而利用扫描型电子显微镜(SEM，scanning electron microscope)直接观察介电体(介电体填料)，对该SEM像进行图像分析所获得的平均粒径。在本申请说明书中，将此时的粒径表示为DIA。再者，在本申请说明书中的使用扫描型电子显微镜(SEM)所观察的介电体(介电体填料)的粉体图像分析是使用Asahi Engineering股份有限公司制造的IP-1000PC，以圆度临界值10、重合度20进行圆形粒子分析，求出平均粒径DIA。

根据上述实施方案，可提供一种提高该内层芯材的内层电路表面与包含介电体的树脂层的密接性、具备低介质损耗正切的用以形成电容电路层的具有包含介电体的树脂层的附载体的铜箔。

将上述树脂层所包含的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解在例如甲基乙基酮(MEK，methyl ethyl ketone)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚、环己酮、乙基赛路苏、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺等溶剂中，制成树脂液(树脂清漆)，将其例如通过辊涂法等涂布在上述极薄铜层上、或上述耐热层、防锈层、上述铬酸盐处理层、或者上述硅烷偶合剂层上，继而，视需要进行加热干燥而去除溶剂，制成B阶段状态。干燥例如只要使用热风干燥炉即可，干燥温度只要为100～250℃、优选为130～200℃即可。亦可使用溶剂而将上述树脂层的组成物溶解，制成树脂固体成分为3wt％～70wt％、优选为3wt％～60wt％、优选为10wt％～40wt％、更优选为25wt％～40wt％的树脂液。再者，就环境观点而言，在目前最佳为使用甲基乙基酮与环戊酮的混合溶剂而溶解。再者，溶剂优选为使用沸点在50℃～200℃的范围内的溶剂。

又，上述树脂层优选为依据MIL标准中的MIL-P-13949G进行测定时的树脂溢流量在5％～35％的范围内的半硬化树脂膜。

在本申请说明书中，所谓树脂溢流量，是依据MIL标准中的MIL-P-13949G，自将树脂厚度设为55μm的附树脂的铜箔中选取4片10cm见方试样，在重迭该4片试样的状态(积层体)下、压制温度171℃、压制压力14kgf/cm²、压制时间10分钟的条件下进行贴合，测定此时的树脂流出重量，并由所测得的结果基于数式1而算出的值。

(数式1)

具备上述树脂层的附载体的铜箔(附树脂的附载体的铜箔)是以下述方面使用：将其树脂层与基材重迭后对整体进行热压接，使该树脂层热硬化，继而剥离载体，使极薄铜层露出(当然露出的是该极薄铜层的中间层侧的表面)，并在其形成规定的配线图案。

若使用该附树脂的附载体的铜箔，则可减少多层印刷配线基板的制造时的预浸体材的使用片数。并且，可将树脂层的厚度设为如可确保层间绝缘般的厚度，或即便完全不使用预浸体材料亦可制造覆铜积层板。又，此时，亦可在基材的表面底涂绝缘树脂，而进一步改善表面的平滑性。

再者，在未使用预浸体材料的情形时，具有下述优势：由于节约预浸体材料的材料成本，又，亦简化积层步骤，故而经济上有利，并且，相当于预浸体材料的厚度所制造的多层印刷配线基板的厚度变薄，可制造1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。

该树脂层的厚度优选为0.1～120μm。

若树脂层的厚度变得比0.1μm薄，则存在接着力降低，在未介隔预浸体材料的情况下在具备内层材料的基材积层该附树脂的附载体的铜箔时，难以确保与内层材料的电路之间的层间绝缘的情形。另一方面，若使树脂层的厚度比120μm厚，则存在难以利用1次涂布步骤形成目标厚度的树脂层，花费多余的材料费与步骤数，故而经济上不利的情形。

再者，在将具有树脂层的附载体的铜箔使用于制造极薄的多层印刷配线板的情形时，为了降低多层印刷配线板的厚度，优选为将上述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm、更优选为设为0.5μm～5μm、更优选为设为1μm～5μm。

又，在树脂层包含介电体的情形时，树脂层的厚度优选为0.1～50μm，更优选为0.5μm～25μm，进而优选为1.0μm～15μm。

又，上述硬化树脂层与半硬化树脂层的总树脂层厚度优选为0.1μm～120μm，更优选为5μm～120μm，更优选为10μm～120μm，进而优选为10μm～60μm。并且，硬化树脂层的厚度优选为2μm～30μm，更优选为3μm～30μm，进而优选为5～20μm。又，半硬化树脂层的厚度优选为3μm～55μm，更优选为7μm～55μm，更理想为15～115μm。其原因在于：若总树脂层厚度超过120μm，则存在变得难以制造厚度薄的多层印刷配线板的情形，若未达5μm，则存在虽然易形成厚度薄的多层印刷配线板，但产生内层电路间的作为绝缘层的树脂层变得过薄，而使内层电路间的绝缘性不稳定的倾向的情形。又，若硬化树脂层厚度未达2μm，则存在必需考虑到铜箔粗化面的表面粗度的情形。相反地，若硬化树脂层厚度超过20μm，则存在并未尤其提高由硬化过的树脂层所获得的效果的情形，总绝缘层厚度增厚。

再者，在将上述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm的情形时，为了提高树脂层与附载体的铜箔的密接性，优选为在极薄铜层上设置耐热层及/或防锈层及/或铬酸盐处理层及/或硅烷偶合处理层后，在该耐热层、防锈层或铬酸盐处理层或硅烷偶合处理层上形成树脂层。

再者，上述树脂层的厚度是指通过截面观察在任意10点所测定的厚度的平均值。

进而，作为该附树脂的附载体的铜箔的另一制品形态，亦可在上述极薄铜层上、或上述耐热层、防锈层、上述铬酸盐处理层、或者上述硅烷偶合处理层上利用树脂层进行被覆，制成半硬化状态后，继而剥离载体，而以不存在载体的附树脂的铜箔的形式进行制造。

以下表示若干用有本发明的附载体的铜箔的印刷配线板的制造步骤的例。

在本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案中，包含如下步骤：准备本发明的附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、积层上述附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、经过以使极薄铜层侧与绝缘基板相对向的方式积层上述附载体的铜箔与绝缘基板后剥离上述附载体的铜箔的载体的步骤而形成覆铜积层板，其后，通过半加成法、改进型半加成法、部分加成法及减成法中的任一方法而形成电路的步骤。绝缘基板亦可制成置有内层电路者。

在本发明中，所谓半加成法是指如下方法：在绝缘基板或铜箔晶种层上实施薄的无电镀敷而形成图案后，使用电镀及蚀刻而形成导体图案。

因此，在用有半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案中，包含如下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

积层上述附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

在积层上述附载体的铜箔与绝缘基板后剥离上述附载体的铜箔的载体的步骤、

通过用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法而将剥离上述载体所露出的极薄铜层全部去除的步骤、

在通过利用蚀刻将上述极薄铜层去除而露出的上述树脂设置通孔或/及盲孔的步骤、

对包含上述通孔或/及盲孔的区域实施除胶渣处理的步骤、

对包含上述树脂及上述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀敷层的步骤、

在上述无电镀敷层上设置镀敷阻剂的步骤、

对上述镀敷阻剂进行曝光，其后去除形成电路的区域的镀敷阻剂的步骤、

在上述镀敷阻剂得以去除的形成上述电路的区域设置电解镀敷层的步骤、

去除上述镀敷阻剂的步骤、

通过快速蚀刻等而去除位于形成上述电路的区域以外的区域的无电镀敷层的步骤。

在用有半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案中，包含以下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

积层上述附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

对通过利用蚀刻将上述极薄铜层去除而露出的上述树脂的表面设置无电镀敷层的步骤、

在上述无电镀敷层上设置镀敷阻剂的步骤、

去除上述镀敷阻剂的步骤、

通过快速蚀刻等而将位于形成上述电路的区域以外的区域的无电镀敷层及极薄铜层去除的步骤。

在本发明中，所谓改进型半加成法，是指如下方法：在绝缘层上积层金属箔，利用镀敷阻剂保护非电路形成部，通过电解镀敷而实施电路形成部的铜厚增厚后去除抗蚀剂，利用(快速)蚀刻而去除上述电路形成部以外的金属箔，由此，在绝缘层上形成电路。

因此，在用有改进型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案中，包含以下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

积层上述附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

在剥离上述载体所露出的极薄铜层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤、

对包含上述通孔或/及盲孔的区域实施除胶渣处理的步骤、

对包含上述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀敷层的步骤、

在剥离上述载体所露出的极薄铜层表面设置镀敷阻剂的步骤、

在设置上述镀敷阻剂后通过电解镀敷而形成电路的步骤、

去除上述镀敷阻剂的步骤、

通过快速蚀刻而将利用去除上述镀敷阻剂所露出的极薄铜层去除的步骤。

在用有改进型半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案中，包含以下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

积层上述附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

在剥离上述载体所露出的极薄铜层上设置镀敷阻剂的步骤、

在去除了上述镀敷阻剂的形成上述电路的区域设置电解镀敷层的步骤、

去除上述镀敷阻剂的步骤、

在本发明中，所谓部分加成法，是指如下方法：在设置导体层而成的基板、视需要开出通孔或导通孔用的孔而成的基板上赋予催化剂核，进行蚀刻而形成导体电路，视需要设置阻焊剂或镀敷阻剂后，在上述导体电路上对通孔或导通孔等通过无电镀敷处理而实施增厚，由此，制造印刷配线板。

因此，在用有部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案中，包含以下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

积层上述附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

对包含上述通孔或/及盲孔的区域实施除胶渣处理的步骤、

对包含上述通孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核的步骤、

在剥离上述载体所露出的极薄铜层表面设置蚀刻阻剂的步骤、

对上述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤、

通过用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法而去除上述极薄铜层及上述催化剂核，形成电路的步骤、

去除上述蚀刻阻剂的步骤、

在通过用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法而去除上述极薄铜层及上述催化剂核所露出的上述绝缘基板表面设置阻焊剂或镀敷阻剂的步骤、

在未设置上述阻焊剂或镀敷阻剂的区域设置无电镀敷层的步骤。

在本发明中，所谓减成法，是指如下方法：通过蚀刻等而选择性地去除覆铜积层板上的铜箔的无需部分，形成导体图案。

因此，在用有减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案中，包含如下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

积层上述附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

对包含上述通孔或/及盲孔的区域实施除胶渣处理的步骤、

对包含上述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀敷层的步骤、

在上述无电镀敷层的表面设置电解镀敷层的步骤、

在上述电解镀敷层或/及上述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂的步骤、

对上述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤、

通过用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法而去除上述极薄铜层、上述无电镀敷层及上述电解镀敷层，形成电路的步骤、

去除上述蚀刻阻剂的步骤。

在用有减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案中，包含以下步骤：

准备本发明的附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

积层上述附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

对包含上述通孔或/及盲孔的区域实施除胶渣处理的步骤、

对包含上述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀敷层的步骤、

在上述无电镀敷层的表面形成掩膜(mask)的步骤、

在未形成掩膜的上述无电镀敷层的表面设置电解镀敷层的步骤、

对上述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案的步骤、

通过用有酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法而去除上述极薄铜层及上述无电镀敷层，形成电路的步骤、

去除上述蚀刻阻剂的步骤。

设置通孔或/及盲孔的步骤、及其后的除胶渣步骤亦可不实施。

此处，使用图式对用有本发明的附载体的铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例进行详细说明。再者，此处，以具有形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体的铜箔为例进行说明，但并不限定于此，即便使用具有未形成粗化处理层的极薄铜层的附载体的铜箔亦可同样地实施下述印刷配线板的制造方法。

首先，如图3-A所示，准备具有表面形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体的铜箔(第1层)。

其次，如图3-B所示，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂，并进行曝光、显影，而将抗蚀剂蚀刻成规定的形状。

其次，如图3-C所示，在形成电路用的镀敷后去除抗蚀剂，由此，形成规定形状的电路镀敷。

其次，如图4-D所示，以覆盖电路镀敷的方式(以掩埋电路镀敷的方式)在极薄铜层上设置埋入树脂，积层树脂层，继而，自极薄铜层侧接着另一附载体的铜箔(第2层)。

其次，如图4-E所示，自第2层的附载体的铜箔剥离载体。

其次，如图4-F所示，在树脂层的规定位置雷射开孔，使电路镀敷露出而形成盲孔。

其次，如图5-G所示，在盲孔中埋入铜而形成通孔填充物。

其次，如图5-H所示，在通孔填充物上以上述图3-B及图3-C的方式形成电路镀敷。

其次，如图5-I所示，自第1层的附载体的铜箔剥离载体。

其次，如图6-J所示，通过快速蚀刻而去除两表面的极薄铜层，使树脂层内的电路镀敷的表面露出。

其次，如图6-K所示，在树脂层内的电路镀敷上通过焊料等形成凸块，在该凸块上形成铜柱。如此，制作用有本发明的附载体的铜箔的印刷配线板。

上述另一附载体的铜箔(第2层)可使用本发明的附载体的铜箔，亦可使用先前的附载体的铜箔，进而亦可使用通常的铜箔。又，可在图5-H所示的第2层电路上进而形成1层或多层的电路，亦可通过半加成法、减成法、部分加成法或改进型半加成法中的任一方法形成该等电路。

又，上述第1层所使用的附载体的铜箔亦可在该附载体的铜箔的载体侧表面具有基板。通过具有该基板或树脂层，而支撑第1层所使用的附载体的铜箔，变得难以产生皱褶，故而有生产性提高的优势。再者，在上述基板，只要为有效支撑上述第1层所使用的附载体的铜箔者，则可使用全部基板。例如作为上述基板，可使用本申请说明书中所记载的载体、预浸体、树脂层或公知的载体、预浸体、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔。

针对在载体侧表面形成基板的时点并无特别限制，但必需在剥离载体前形成。优选为在上述附载体的铜箔的上述极薄铜层侧表面形成树脂层的步骤前形成，进而更优选为在附载体的铜箔的上述极薄铜层侧表面形成电路的步骤前形成。

本发明的附载体的铜箔优选为以满足下述(1)的方式控制极薄铜层表面的色差。在本发明中，所谓“极薄铜层表面的色差”，是表示极薄铜层的表面的色差、或在实施粗化处理等各种表面处理的情形时该表面处理层表面的色差。即，本发明的附载体的铜箔优选为以满足下述(1)的方式控制极薄铜层、或粗化处理层、耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或者硅烷偶合层的表面的色差。

(1)极薄铜层、或粗化处理层、耐热层或防锈层或铬酸盐处理层或者硅烷偶合处理层的表面的依据JIS Z8730的色差ΔE*ab为45以上。

此处，色差ΔL、Δa、Δb分别是利用色差计进行测定，调入黑/白/红/绿/黄/蓝，使用基于JIS Z8730的L*a*b表色系统所表示的综合指标，ΔL表示为白黑、Δa表示为红绿、Δb表示为黄蓝。又，ΔE*ab是使用该等色差，以下述数式2表示。

(数式2)

上述色差可通过增大极薄铜层形成时的电流密度、降低镀敷液中的铜浓度、增大镀敷液的线流速而调整。

又，上述色差亦可通过对极薄铜层的表面实施粗化处理，设置粗化处理层而调整。在设置粗化处理层的情形时，可通过使用包含铜及选自由镍、钴、钨、钼所构成的群中的一种以上的元素的电解液，较先前增大电流密度(例如40～60A/dm²)，缩短处理时间(例如0.1～1.3秒)而调整。在极薄铜层的表面未设置粗化处理层的情形时，可通过使用将Ni浓度设为其他元素的2倍以上的镀敷浴，在极薄铜层、或耐热层、防锈层或铬酸盐处理层或者硅烷偶合处理层的表面较先前低的电流密度(0.1～1.3A/dm²)并增加处理时间(20秒～40秒)地设定而实施Ni合金镀敷(例如Ni-W合金镀敷、Ni-Co-P合金镀敷、Ni-Zn合金镀敷)，从而达成。

若极薄铜层表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab为45以上，则例如在附载体的铜箔的极薄铜层表面形成电路时，极薄铜层与电路的对比度变得鲜明，其结果，视认性变得良好且可精度良好地进行电路的位置对准。极薄铜层表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab优选为50以上，更优选为55以上，进而优选为60以上。

在如上述般地控制极薄铜层或粗化处理层、或耐热层、或防锈层或铬酸盐处理层或者硅烷偶合层的表面的色差的情形时，与电路镀敷的对比度变得鲜明，视认性变得良好。因此，在如上述般的印刷配线板的例如图3-C所示的制造步骤中，可精度良好地将电路镀敷形成在规定位置。又，根据如上述般的印刷配线板的制造方法，成为在树脂层埋入有电路镀敷的构成，故而例如图6-J所示般的通过快速蚀刻的极薄铜层的去除时，通过树脂层保护电路镀敷，保持其形状，由此，变得易形成微细电路。又，由于通过树脂层保护电路镀敷，故而耐电子迁移性提高，良好地抑制电路的配线的导通。因此，变得易形成微细电路。又，如图6-J及图6-K所示般通过快速蚀刻而去除极薄铜层时，成为电路镀敷的露出面自树脂层凹陷的形状，故而易在该电路镀敷上形成凸块、进而在其上形成铜柱，制造效率提高。

再者，埋入树脂(resin)可使用公知的树脂、预浸体。例如可使用BT(BismaleimideTriazine，双顺丁烯二酰亚胺三口井)树脂或含浸有BT树脂的玻璃布的预浸体、AjinomotoFine-Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。又，上述埋入树脂(resin)可使用本说明书中所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸体。

[实施例]

其次，对实施例(及比较例)进行说明。再者，针对于该实施例，应可容易地理解，其是为了容易地理解本发明而制作，本发明并不限制在下述实施例，而应根据本申请说明书中所记载的全部内容把握技术思想。

作为载体，准备厚度35μm的长条电解铜箔(JX Nippon Mining&Metals公司制造的JTC)。在下述条件，对该铜箔的光泽面以辊对辊(Roll to Roll)型的连续镀敷线进行电镀，由此，形成附着量4000μm/dm²的Ni层。

·Ni层

硫酸镍：250～300g/L

氯化镍：35～45g/L

乙酸镍：10～20g/L

柠檬酸三钠：15～30g/L

光泽剂：糖精、丁炔二醇等

十二烷基硫酸钠：30～100ppm

pH值：4～6

浴温：50～70℃

电流密度：3～15A/dm²

在水洗及酸洗后，继而在辊对辊型的连续镀敷线上在下述条件在Ni层上进行电解铬酸盐处理，由此使附着量11μg/dm²的Cr层附着。

·电解铬酸盐处理

液体组成：重铬酸钾1～10g/L、锌0～5g/L

pH值：3～4

液体温度：50～60℃

电流密度：0.1～2.6A/dm²

库仑量：0.5～30As/dm²

继而，在辊对辊型的连续镀敷线上在下述条件在Cr层上电镀厚度2～10μm的极薄铜层而形成，由此制造附载体的铜箔。

·极薄铜层

铜浓度：30～120g/L

H₂SO₄浓度：20～120g/L

电解液温度：20～80℃

电流密度：10～100A/dm²

针对于实施例(及比较例)，使用35μm的电解铜箔作为载体，但关于本发明，铜箔的厚度、种类可应用全部公知的铜箔及铜合金箔的厚度、公知的铜箔及铜合金箔。再者，上述公知的铜箔及铜合金箔可为电解铜箔，亦可为压延铜箔。

(实施例1-实施例5、8、9、12的共通事项)

在下述所示的条件对上述附载体的铜箔的极薄铜层的表面实施粗化处理。

(A)Cu的一次粒子层形成

液体组成：Cu 15g/升、硫酸75g/升

pH值：1～3

温度：35℃

电流密度(D_k)：40～60A/dm²

时间：0.05～3秒

(B)由以Cu、Co、Ni组成的3元系合金所构成的二次粒子层的形成

液体组成：Cu 15g/升、Co 8g/升、Ni 8g/升

pH值：1～3

温度：40℃

电流密度(D_k)：20～40A/dm²

时间：0.05～3秒

在上述粗化处理中，形成平均粒径为0.25～0.45μm的Cu的一次粒子层、及形成在其上的平均粒径为0.05～0.25μm的由以Cu、Co、Ni组成的3元系合金所构成的二次粒子层。

粗化粒子尺寸(粒径)是以电子显微镜(SEM(扫描型电子显微镜))的倍率30000倍对附表面处理的铜箔的粗化粒子进行观察，评价粗化粒子尺寸(粒径)。再者，本申请中，在扫描型电子显微镜照片的粒子上画直线的情形时，将横穿粒子的直线的长度最长的部分的粒子长度设为该粒子的粒径。并且，算出观察视野内的所测定的各粒子的粒径的算术平均值，将该算术平均值设为平均粒径。

粗化处理阶段的Ni附着量为50～250μg/dm²。将该结果示在下述表1。

(实施例1的条件)

由Ni-Co层构成的耐热层、含有Zn、Ni、Cr的耐候层及防锈层、以及硅烷偶合处理是在上述所示的条件的范围实施。以下表示形成耐热层、耐候层及防锈层的条件。再者，将极薄铜层的厚度设为2μm。

1)耐热层(Ni-Co层)

液体组成：Co 1～8g/升、Ni 10～20g/升

pH值：2～3

温度：40～60℃

电流密度(D_k)：8～10A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

液体组成：Ni 15～30g/升、Zn 1～10g/升

pH值：2～4

温度：30～50℃

电流密度(D_k)：0.5～1.5A/dm²

时间：0.05～3.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

液体组成：K₂Cr₂O₇：1～10g/升、Zn：0～5g/升

pH值：2～4

温度：40～50℃

电流密度(D_k)：1～3A/dm²

时间：0.05～3.0秒

以使粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量(总Ni量)以整体计成为1093μg/dm²的方式实施镀敷处理。根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.13。

根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝1.6。

如上所述，在将粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层积层二层以上的情形时的Ni附着量、Zn附着量、Co附着量、Cr附着量是表示各元素的附着量的总量者。

针对于表1及表2，对实施例及比较例所对应处，视需要将该等一并记载。

在通过上述所制造的附表面处理的铜箔上涂布聚酰胺酸(宇部兴产制造的UVarnish A)，于100℃进行干燥，于315℃进行硬化，而形成由聚酰亚胺树脂基板所构成的覆铜积层板。

其次，对该覆铜积层板通过通常的氯化铜-盐酸蚀刻溶液而形成精细图案电路。将该精细图案电路基板在由硫酸10wt％、过氧化氢2wt％所组成的水溶液浸渍5分钟后，利用光学显微镜对树脂基板与铜箔电路的界面进行观察，实施渗入评价。

渗入评价的结果是渗入宽度≦3μm，而为良好(○)。

将上述附载体的铜箔的极薄铜层侧积层接着于玻璃布基材环氧树脂板，其后，自载体剥离极薄铜层后，对该极薄铜层的来自环氧树脂板的常态(室温)剥离强度(kg/cm)进行测定，其后，耐盐酸劣化率是以宽度0.2mm的电路对在18％盐酸水溶液浸渍1小时后的剥离强度进行测定。

常态剥离强度为0.99kg/cm、耐盐酸劣化性为8(Loss％)以下(○)，均为良好。

为了研究碱蚀刻性，准备利用塑胶胶带覆盖上述附表面处理的铜箔的粗化处理面的试样后，在由NH₄OH：6摩尔/升、NH₄Cl：5摩尔/升、CuCl₂·2H₂O：2摩尔/升所组成的温度50℃的碱性蚀刻溶液浸渍7分钟后，对塑胶胶带上的粗化粒子的残存状况进行确认。

碱蚀刻评价的结果是未观察到粗化粒子的残存，碱蚀刻性亦良好(○)。

将上述结果示于1。此外，Cr附着量(总Cr量)以整体计为89μg/dm²，Co附着量(总Co量)以整体计为2010μg/dm²，Zn附着量(总Zn量)以整体计为163μg/dm²。

再者，上述各金属附着量(粗化处理阶段的Ni附着量、总Ni量、总Co量、总Zn量、总Cr量)的测定是将附表面处理的铜箔的表面处理面溶解于酸溶液，利用原子吸光分析(VARIAN制造，AA240FS)进行评价。再者，粗化处理阶段的Ni附着量是以与各实施例、各比较例相同的条件制造附载体的铜箔后仅设置粗化处理层，其后，采集试样，以与总Ni量相同的方式测定Ni附着量。

(实施例2)

粗化阶段的Ni附着量如上所述为50～250μg/dm²。

由Ni-Co层所构成的耐热层、含有Zn、Ni、Cr的耐候层及防锈层、以及硅烷偶合处理是在上述所示的条件的范围实施。以下表示形成耐热层、耐候层及防锈层的条件。再者，将极薄铜层的厚度设为10μm。

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：4～6A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：0.05～0.7A/dm²

时间：0.05～3.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：1～3A/dm²

时间：0.05～3.0秒

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为451μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.18，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝2.7。

渗入评价的结果是渗入宽度≦3μm，而为良好(○)。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为1.00kg/cm、耐盐酸劣化性为11(Loss％)，而为良好(○)。碱蚀刻评价中亦未观察到残存粒子，而为良好(○)。

将上述结果示于1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为84μg/dm²，Co附着量(总Co量)以整体计为1487μg/dm²，Zn附着量(总Zn量)以整体计为100μg/dm²。

(实施例3)

粗化阶段的Ni附着量如上所述为50～250μg/dm²。

由Ni-Co层所构成的耐热层、含有Zn、Ni、Cr的耐候层及防锈层、以及硅烷偶合处理是以上述所示的条件的范围实施。以下表示形成耐热层、耐候层及防锈层的条件。再者，将极薄铜层的厚度设为5μm。

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：6～8A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：0.05～0.7A/dm²

时间：0.05～3.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：2～4A/dm²

时间：0.05～3.0秒

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为680μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.19，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝2.1。渗入评价的结果是渗入宽度≦3μm，而为良好。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.99kg/cm、耐盐酸劣化性为25(Loss％)，强度并无问题。碱蚀刻性是亦未观察到残存粒子，而为良好(○)。

将上述结果示于1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为89μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为1763μg/dm²，Zn附着量(总Zn量)以整体计为157μg/dm²。

(实施例4)

粗化阶段的Ni附着量如上所述为50～250μg/dm²。

由Ni-Co层所构成的耐热层、含有Zn、Ni、Cr的耐候层及防锈层、以及硅烷偶合处理是在上述所示的条件的范围实施。以下表示形成耐热层、耐候层及防锈层的条件。再者，将极薄铜层的厚度设为3μm。

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：6～8A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：1～3A/dm²

时间：0.05～3.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：0.05～1.0A/dm²

时间：0.05～3.0秒

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量(总Ni量)以整体计为759μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.23，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝1.8。渗入评价的结果是渗入宽度为0μm，而非常良好。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.99kg/cm、耐盐酸劣化性为22(Loss％)，强度并无问题。碱蚀刻性亦良好(○)。

将上述结果示于1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为90μg/dm²，Co附着量(总Co量)以整体计为1774μg/dm²，Zn附着量(总Zn量)以整体计为223μg/dm²。

(实施例5)

粗化阶段的Ni附着量如上所述为50～250μg/dm²。

由Ni-Co层所构成的耐热层、含有Zn、Ni、Cr的耐候层及防锈层、以及硅烷偶合处理是在上述所示的条件的范围实施。以下表示形成耐热层、耐候层及防锈层的条件。再者，将极薄铜层的厚度设为7μm。

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：6～8A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：0.6～1.5A/dm²

时间：0.05～3.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：1.0～3.0A/dm²

时间：0.05～3.0秒

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量(总Ni量)以整体计为816μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.22，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝1.8。渗入评价的结果是渗入宽度为0μm，而非常良好。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.99kg/cm、耐盐酸劣化性为12(Loss％)，而为良好。碱蚀刻性亦良好(○)。

将上述结果示于1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为115μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为1857μg/dm²，Zn附着量(总Zn量)以整体计为235μg/dm²。

(实施例6)

在下述所示的条件对上述附载体的铜箔实施粗化处理。再者，将极薄铜层的厚度设为3μm。

液体组成：Cu 10～20g/升、Co 5～10g/升、Ni 5～15g/升

pH值：2～4

温度：30～50℃

电流密度(D_k)：20～60A/dm²

时间：0.5～5秒

通过在上述条件实施粗化处理，而形成由平均粒径0.10～0.60μm构成的以Cu、Co、Ni组成的3元系合金的微细粗化粒子的聚集体。粗化粒子尺寸是以电子显微镜(SEM)的倍率30000倍对附表面处理的铜箔的粗化粒子进行观察，评价粗化粒子尺寸。

粗化阶段的Ni附着量为200～400μg/dm²。

由Ni-Co层所构成的耐热层、含有Zn、Ni、Cr的耐候层及防锈层、以及硅烷偶合处理是在上述所示的条件的范围实施。以下表示形成耐热层、耐候层及防锈层的条件。

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：6～8A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：2.0～4.0A/dm²

时间：0.05～3.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：0A/dm²

时间：0.05～3秒(浸渍铬酸盐处理)

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为1091μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.18，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝1.9。渗入评价的结果是渗入宽度为0μm，而非常良好。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.97kg/cm、耐盐酸劣化性为≦10(Loss％)以下，而非常良好。碱蚀刻性亦良好(○)。

将上述结果示于表1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为110μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为2475μg/dm²，Zn附着量以整体(总Zn量)计为240μg/dm²。

(实施例7)

液体组成：Cu 10～20g/升、Co 5～10g/升、Ni 8～20g/升

pH值：2～4

温度：30～50℃

电流密度(D_k)：20～60A/dm²

时间：0.5～5秒

通过在上述条件实施粗化处理，而形成由平均粒径0.05～0.35μm构成的以Cu、Co、Ni组成的3元系合金的微细粗化粒子的聚集体。粗化粒子尺寸是以电子显微镜(SEM)的倍率30000倍对附表面处理的铜箔的粗化粒子进行观察，评价粗化粒子尺寸。

粗化阶段的Ni附着量为300～550μg/dm²。

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：4～6A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：1.5～3.5A/dm²

时间：0.05～3.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：0A/dm²

时间：0.05～3秒(浸渍铬酸盐处理)

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量(总Ni量)以整体计为789μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.22，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝2.2。渗入评价的结果是渗入宽度为0μm，而非常良好。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.94kg/cm、耐盐酸劣化性为≦10(Loss％)以下，而非常良好。碱蚀刻性亦良好(○)。

将上述结果示于表1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为55μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为2167μg/dm²，Zn附着量以整体(总Zn量)计为217μg/dm²。

(实施例8)

在与实施例1相同的粗化处理中，形成平均粒径为0.25～0.45μm的Cu的一次粒子层、及形成在其上的平均粒径为0.05～0.25μm的由以Cu、Co、Ni组成的3元系合金所构成的二次粒子层。

粗化粒子尺寸是以电子显微镜(SEM)的倍率30000倍对附表面处理的铜箔的粗化粒子进行观察，评价粗化粒子尺寸。

粗化处理阶段的Ni附着量为50～250μg/dm²。

以下表示形成耐热层、耐候层及防锈层的条件。再者，将极薄铜层的厚度设为3μm。

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：6～8A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：0～1.0A/dm²

时间：0～2.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：1～3A/dm²

时间：0.05～3.0秒

以使粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计成为741μg/dm²的方式实施镀敷处理。根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.02。

根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝1.9。

针对于下述实施例8、9、21～26，在下述树脂积层表面处理铜箔后，利用上述渗入评价方法对渗入进行评价。

在220℃、2小时的热压条件，在附表面处理的铜箔上积层GHPL-830NX(MitsubishiGas化学股份有限公司制造的Type A)，形成覆铜积层板。

其次，利用通常的氯化铜-盐酸蚀刻溶液，对该覆铜积层板形成精细图案电路。将该精细图案电路基板在由硫酸10wt％、过氧化氢2wt％所组成的水溶液浸渍5分钟后，利用光学显微镜对树脂基板与铜箔电路的界面进行观察，进行渗入评价。

渗入评价的结果是渗入宽度为0μm，而非常良好。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.99kg/cm、耐盐酸劣化性为5(Loss％)，而非常良好。碱蚀刻性亦良好(○)。

将上述结果示于表1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为90μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为1437μg/dm²，Zn附着量(总Zn量)以整体计为15μg/dm²。

(实施例9)

粗化处理阶段的Ni附着量为50～250μg/dm²。

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：6～8A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：0.5～1.0A/dm²

时间：0～2.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：1～3A/dm²

时间：0.05～3.0秒

以使粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计成为771μg/dm²的方式实施镀敷处理。根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.06。

根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝1.8。

与实施例8相同的渗入评价的结果是渗入宽度为0μm，而非常良好。密接强度评价的结果是常态剥离强度为1.01kg/cm、耐盐酸劣化性为6(Loss％)，而非常良好。碱蚀刻性亦良好(○)。

将上述结果示于表1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为90μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为1476μg/dm²，Zn附着量(总Zn量)以整体计为49μg/dm²。

(实施例10)

在与实施例6相同的条件，在上述附载体的铜箔形成粗化处理层。通过在上述条件实施粗化处理，而形成由平均粒径0.10～0.60μm构成的以Cu、Co、Ni组成的3元系合金的微细粗化粒子的聚集体。

粗化阶段的Ni附着量为200～400μg/dm²。

1)耐热层(Ni-Co层)

液体组成：Co 1～10g/升、Ni 1～10g/升

pH值：2～3

温度：40～60℃

电流密度(D_k)：6～8A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：1.0～3.0A/dm²

时间：0.05～3.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：0A/dm²

时间：0.05～3秒(浸渍铬酸盐处理)

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为815μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.13，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝3.2。渗入评价的结果是渗入宽度≦5μm，而为良好。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.99kg/cm、耐盐酸劣化性为8(Loss％)而良好。碱蚀刻性良好(○)。将上述结果示于表1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为90μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为2978μg/dm²，Zn附着量以整体(总Zn量)计为117μg/dm²。

(实施例11)

在与实施例1相同的粗化处理中，形成平均粒径0.2～0.45μm的Cu的一次粒子层、及形成在其上的平均粒径为0.05～0.25μm的由以Cu、Co、Ni组成的3元系合金所构成的二次粒子层。

粗化处理阶段的Ni附着量为300～550μg/dm²。

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：6～8A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：0.5～1.0A/dm²

时间：0～2.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：1～3A/dm²

时间：0.05～3.0秒

以使粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计成为1590μg/dm²的方式实施镀敷处理。根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.10。

与实施例1相同的渗入评价的结果是渗入宽度为5μm以下，而为良好。密接强度评价的结果是常态剥离强度为1.02kg/cm、耐盐酸劣化性为18(Loss％)，而为良好。碱蚀刻性亦良好(○)。

将上述结果示于表1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为90μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为2762μg/dm²，Zn附着量(总Zn量)以整体计为177μg/dm²。

(实施例12)

粗化处理阶段的Ni附着量为50～250μg/dm²。

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：6～8A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：0.5～1.0A/dm²

时间：0～2.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：1～3A/dm²

时间：0.05～3.0秒

以使粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计成为360μg/dm²的方式实施镀敷处理。根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.35。

根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝1.4。

与实施例1相同的渗入评价的结果是渗入宽度为0μm，而非常良好。密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.96kg/cm、耐盐酸劣化性为5(Loss％)，而为良好。碱蚀刻性亦良好(○)。

将上述结果示于表1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为90μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为790μg/dm²，Zn附着量(总Zn量)以整体计为194μg/dm²。

(比较例1)

在与实施例1-5相同的条件，在上述附载体的铜箔形成粗化处理层。粗化阶段的Ni附着量为50～250μg/dm²。

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：10～15A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：0.05～0.7A/dm²

时间：0.05～3.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：0.5～1.5A/dm²

时闻：0.05～3.0秒

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为1540μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.01，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝3.5。渗入评价的结果是渗入宽度＞5μm而为不良。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.98kg/cm、耐盐酸劣化性为6(Loss％)，而为良好。然而，碱蚀刻性是观察到残存粒子而为不良(×)。其结果，综合评价不良。认为其原因在于：总Zn量/(总Ni量+总Zn量)较小。

将上述结果示于表1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为81μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为5444μg/dm²，Zn附着量以整体(总Zn量)计为10μg/dm²。

(比较例2)

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：10～15A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：0.1～1.0A/dm²

时间：0.05～3.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：0.5～1.5A/dm²

时间：0.05～3.0秒

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为1840μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.10，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝1.5。渗入评价的结果是渗入宽度≦3μm，而为良好。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.99kg/cm、耐盐酸劣化性为7(Loss％)以下，而为良好。然而，碱蚀刻性是观察到残存粒子而为不良(×)。其结果，综合评价不良。认为其原因在于：总Ni附着量过多。

将上述结果示于表1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为84μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为3058μg/dm²，Zn附着量以整体(总Zn量)计为199μg/dm²。

(比较例3)

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：1.0～3.0A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：0.05～0.7A/dm²

时间：0.05～3.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：0.5～1.5A/dm²

时间：0.05～3.0秒

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为310μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.40，全部粗化处理层、耐热层中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝1.4。渗入评价的结果是渗入宽度≦3μm，而为良好。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.97kg/cm而良好，但耐盐酸劣化性为35(Loss％)而不良。虽然碱蚀刻性良好，但综合评价不良。认为其原因在于：Zn比例较大。

将上述结果示于表1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为82μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为723μg/dm²，Zn附着量以整体(总Zn量)计为207μg/dm²。

(比较例4)

1)耐热层(Ni-Co层)

电流密度(D_k)：1.0～3.0A/dm²

时间：0.05～3.0秒

2)耐候层(Zn-Ni层)

电流密度(D_k)：0.7～2.0A/dm²

时间：0.05～3.0秒

3)防锈层(Cr-Zn层)

电流密度(D_k)：0.8～2.5A/dm²

时间：0.05～3.0秒

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为600μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.38，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝1.6。渗入评价的结果是渗入宽度为0μm，而为良好。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.99kg/cm而良好，但耐盐酸劣化性为40(Loss％)而不良。碱蚀刻性良好(○)。然而，综合评价不良。认为其原因在于：Zn比例较大。

将上述结果示于表1。此外，Cr附着量以整体(总Cr量)计为122μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为1546μg/dm²，Zn附着量以整体(总Zn量)计为361μg/dm²。

(在改变中间层的组成的情形时的实施例)

(实施例21)

其次，在载体与铜箔之间形成CoMo合金作为中间层，除此以外，在与实施例1相同的条件形成附载体的铜箔。在该情形时的CoMo合金中间层是通过在下述液体组成的镀敷液中进行镀敷而制作。再者，将极薄铜层的厚度设为2μm。

(液体组成)CoSO₄·7H₂O：0.5～100g/l

Na₂MoO₄·2H₂O：0.5～100g/l

柠檬酸钠二水合物：20～300g/l

(温度)10～70℃

(pH值)3～5

(电流密度)0.1～60A/dm²

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为1090μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.13，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝1.6。渗入评价的结果是渗入宽度≦3μm，而为良好。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.90kg/cm、耐盐酸劣化性为10(Loss％)以下，而非常良好。碱蚀刻性亦良好(○)。

将上述结果示于表2。此外，Ni附着量(粗化阶段)为50～250μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为2005μg/dm²，Zn附着量以整体(总Zn量)计为163μg/dm²。

(实施例22)

其次，在载体与铜箔之间形成Cr作为中间层，除此以外，在与实施例2相同的条件形成附载体的铜箔。在该情形时的Cr中间层是通过在下述液体组成的镀敷液中进行镀敷而制作。再者，将极薄铜层的厚度设为10μm。

(液体组成)

CrO₃：200～400g/l

H₂SO₄：1.5～4g/l

(pH值)1～4

(液体温度)45～60℃

(电流密度)10～40A/dm²

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为449μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.18，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝2.7。渗入评价的结果是渗入宽度≦3μm，而为良好。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.91kg/cm、耐盐酸劣化性为11(Loss％)，而非常良好。碱蚀刻性亦良好(○)。

将上述结果示于表2。此外，Ni附着量(粗化阶段)为50～250μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为1481μg/dm²，Zn附着量以整体(总Zn量)计为99μg/dm²。

(实施例23)

其次，在载体与铜箔之间形成Cr/CuP作为中间层，除此以外，在与实施例1相同的条件形成附载体的铜箔。在该情形时的Cr/CuP中间层是通过在下述液体组成的镀敷液中进行镀敷而制作。再者，将极薄铜层的厚度设为2μm。

(液体组成1)

CrO₃：200～400g/l

H₂SO₄：1.5～4g/l

(pH值)：1～4

(液体温度)：45～60℃

(电流密度)：10～40A/dm²

(液体组成2)

Cu₂P₂O₇·3H₂O：5～50g/l

K₄P₂O₇：50～300g/l

(温度)：30～60℃

(pH值)：8～10

(电流密度)：0.1～1.0A/dm²

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为1089μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.13，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝1.6。渗入评价的结果是渗入宽度≦3μm，而为良好。

将上述结果示于表2。此外，Ni附着量(粗化阶段)为50～250μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为2003μg/dm²，Zn附着量以整体(总Zn量)计为163μg/dm²。

(实施例24)

其次，在载体与铜箔之间形成Ni/Cr作为中间层，除此以外，在与实施例2相同的条件形成附载体的铜箔。在该情形时的Ni/Cr中间层是通过在下述液体组成的镀敷液中进行镀敷而制作。再者，将极薄铜层的厚度设为10μm。

(液体组成1)

NiSO₄·6H₂O：250～300g/l

NiCl₂·6H₂O：35～45g/l

硼酸：10～50g/l

(pH值)：2～6

(浴温)：30～70℃

(电流密度)：0.1～50A/dm²

(液体组成2)

CrO₃：200～400g/l

H₂SO₄：1.5～4g/l

(pH值)：1～4

(液体温度)：45～60℃

(电流密度)：10～40A/dm²

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为452μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.18，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝2.7。渗入评价的结果是渗入宽度≦3μm，而为良好。

密接强度评价的结果是常态剥离强度为0.91kg/cm、耐盐酸劣化性为11(Loss％)，而非常良好。碱蚀刻性亦良好(○)。将上述结果示于表2。此外，Ni附着量(粗化阶段)为50～250μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为1491μg/dm²，Zn附着量以整体(总Zn量)计为100μg/dm²。

(实施例25)

其次，在载体与铜箔之间形成Co/铬酸盐处理的层作为中间层，除此以外，在与实施例1相同的条件形成附载体的铜箔。

在该情形时的Co/铬酸盐处理的中间层是通过在下述液体组成的镀敷液中进行镀敷而制作。再者，将极薄铜层的厚度设为2μm。

(液体组成1)CoSO₄·7H₂O：10～100g/l

柠檬酸钠二水合物：30～200g/l

(温度)：10～70℃

(pH值)：3～5

(电流密度)：0.1～60A/dm²

(液体组成2)：CrO₃：1～10g/L

(温度)：10～70℃

(pH值)：10～12

(电流密度)：0.1～1.0A/dm²

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为1095μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.13，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝1.6。渗入评价的结果是渗入宽度≦3μm，而为良好。

将上述结果示于表2。此外，Ni附着量(粗化阶段)为50～250μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为2014μg/dm²，Zn附着量以整体(总Zn量)计为164μg/dm²。

(实施例26)

其次，在载体与铜箔之间形成有机物层作为中间层，除此以外，在与实施例4相同的条件形成附载体的铜箔。再者，将极薄铜层的厚度设为10μm。在该情形时的有机物层的中间层是在将液体温度40℃、pH值5、浓度1～10g/l的羧基苯并三唑水溶液雾状喷出10～60秒的条件制作。

粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Ni附着量以整体(总Ni量)计为450μg/dm²，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Zn附着量(总Zn量)，总Zn量/(总Ni量+总Zn量)＝0.18，根据粗化处理层、耐热层、耐候层、防锈层整体中的Co附着量(总Co量)，总Co量/(总Ni量+总Zn量)＝2.7。渗入评价的结果是渗入宽度≦3μm，而为良好。

将上述结果示于表2。此外，Ni附着量(粗化阶段)为50～250μg/dm²，Co附着量以整体(总Co量)计为1484μg/dm²，Zn附着量以整体(总Zn量)计为99μg/dm²。

[产业上的可利用性]

在使用在附载体的铜箔的表面形成粗化处理后在其上形成耐热层、防锈层，其后再实施硅烷偶合处理的附载体的铜箔的覆铜积层板中，在形成精细图案印刷电路后对基板实施酸处理或化学蚀刻时，可提高对因酸渗入铜箔电路与基板树脂的界面所引起的密接性降低的抑制，耐酸性密接强度优异，并且碱蚀刻性优异。由此，在电子机器的不断发展中，进一步推进半导体装置的小型化、高积体化，对于该等印刷电路的制造步骤中所实施的处理更严格要求，本发明提供一种可满足该等要求的有用的技术。

Claims

1.一种附载体的铜箔，其特征在于：在依顺序积层有载体、中间层、极薄铜层的附载体的铜箔的上述极薄铜层的表面，

具有表面处理层，该表面处理层具有：通过实施粗化处理所形成的粗化处理层、

形成在该粗化处理层上的由Ni-Co层所构成的耐热层、与

形成在该耐热层上的耐候层及防锈层，

Zn、Ni及Cr各自存在于上述耐候层及防锈层中至少一层，

上述表面处理层中的总Zn量/(总Zn量+总Ni量)为0.02以上0.35以下，上述表面处理层中的总Ni量为1600μg/dm²以下，

上述总Zn量是上述粗化处理层、上述耐热层、上述耐候层及上述防锈层中所含有的Zn的总量，

上述总Ni量是上述粗化处理层、上述耐热层、上述耐候层及上述防锈层中所含有的Ni的总量。

2.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Zn量/(总Zn量+总Ni量)为0.02以上0.23以下，上述表面处理层中的总Ni量为1150μg/dm²以下。

3.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Ni量为350～1350μg/dm²。

4.根据权利要求2所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Ni量为350～1350μg/dm²。

5.根据权利要求3所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Ni量为450～1100μg/dm²。

6.根据权利要求4所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Ni量为450～1100μg/dm²。

7.根据权利要求1所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Co量为770～3200μg/dm²，总Co量/(总Zn量+总Ni量)为3.4以下。

8.根据权利要求2所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Co量为770～3200μg/dm²，总Co量/(总Zn量+总Ni量)为3.4以下。

9.根据权利要求3所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Co量为770～3200μg/dm²，总Co量/(总Zn量+总Ni量)为3.4以下。

10.根据权利要求4所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Co量为770～3200μg/dm²，总Co量/(总Zn量+总Ni量)为3.4以下。

11.根据权利要求7所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Co量为770～2500μg/dm²，总Co量/(总Zn量+总Ni量)为3.0以下。

12.根据权利要求8所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Co量为770～2500μg/dm²，总Co量/(总Zn量+总Ni量)为3.0以下。

13.根据权利要求9所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Co量为770～2500μg/dm²，总Co量/(总Zn量+总Ni量)为3.0以下。

14.根据权利要求10所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Co量为770～2500μg/dm²，总Co量/(总Zn量+总Ni量)为3.0以下。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述表面处理层中的总Cr量为50～130μg/dm²。

16.根据权利要求1至14中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述粗化处理层的Ni量为50～550μg/dm²。

17.根据权利要求1至14中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述粗化处理层是由Co、Cu、Ni的元素所构成。

18.根据权利要求1至14中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述粗化处理层是由平均粒径0.05～0.60μm的微细粒子构成。

19.根据权利要求1至14中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述粗化处理层是由平均粒径0.05～0.60μm的以Cu、Co、Ni组成的3元系合金的微细粒子所构成。

20.根据权利要求1至14中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述粗化处理层是由平均粒径为0.25～0.45μm的一次粒子层、及形成在其上的平均粒径为0.05～0.25μm的二次粒子层所构成。

21.根据权利要求1至14中任一项所述的附载体的铜箔，其中，上述粗化处理层是由平均粒径为0.25～0.45μm的Cu的一次粒子层、及形成在其上的平均粒径为0.05～0.25μm的由Cu、Co、Ni组成的3元系合金所构成的二次粒子层构成。

22.根据权利要求1至14中任一项所述的附载体的铜箔，其中，在上述表面处理层上具备树脂层。

23.一种附载体的铜箔，其特征在于：在依顺序积层有载体、中间层、极薄铜层的附载体的铜箔的上述极薄铜层的表面，具有表面处理层，该表面处理层具有：通过实施粗化处理所形成的粗化处理层、形成在该粗化处理层上的由Ni-Co层所构成的耐热层、与形成在该耐热层上的耐候层及防锈层，Zn、Ni及Cr各自存在于上述耐候层及防锈层中至少一层，上述表面处理层中的总Zn量/(总Zn量+总Ni量)为0.02以上0.35以下，上述表面处理层中的总Ni量为1600μg/dm²以下，上述总Zn量是上述粗化处理层、上述耐热层、上述耐候层及上述防锈层中所含有的Zn的总量，上述总Ni量是上述粗化处理层、上述耐热层、上述耐候层及上述防锈层中所含有的Ni的总量，且是

满足以下(a)～(l)任一个以上的附载体的铜箔，

(a)上述表面处理层中的总Zn量/(总Zn量+总Ni量)为0.02以上0.23以下，上述表面处理层中的总Ni量为1150μg/dm²以下；

(b)上述表面处理层中的总Ni量为350～1350μg/dm²；

(c)上述表面处理层中的总Ni量为450～1100μg/dm²；

(d)上述表面处理层中的总Co量为770～3200μg/dm²，总Co量/(总Zn量+总Ni量)为3.4以下；

(e)上述表面处理层中的总Co量为770～2500μg/dm²，总Co量/(总Zn量+总Ni量)为3.0以下；

(f)上述表面处理层中的总Cr量为50～130μg/dm²；

(g)上述粗化处理层的Ni量为50～550μg/dm²；

(h)上述粗化处理层是由Co、Cu、Ni的元素所构成；

(i)上述粗化处理层是由平均粒径0.05～0.60μm的微细粒子构成；

(j)上述粗化处理层是由平均粒径0.05～0.60μm的以Cu、Co、Ni组成的3元系合金的微细粒子所构成；

(k)上述粗化处理层是由平均粒径为0.25～0.45μm的一次粒子层、及形成在其上的平均粒径为0.05～0.25μm的二次粒子层所构成；

(l)上述粗化处理层是由平均粒径为0.25～0.45μm的Cu的一次粒子层、及形成在其上的平均粒径为0.05～0.25μm的由Cu、Co、Ni组成的3元系合金所构成的二次粒子层构成。

24.一种印刷电路用铜箔，其是由根据权利要求1至21、23中任一项所述的附载体的铜箔的上述极薄铜层以及上述表面处理层构成。

25.一种覆铜积层板，其是将根据权利要求24所述的印刷电路用铜箔积层接着于树脂基板而成。

26.一种印刷配线板，其是使用根据权利要求1至23中任一项所述的附载体的铜箔制造而成。

27.一种印刷电路板，其是使用根据权利要求1至23中任一项所述的附载体的铜箔制造而成。

28.一种覆铜积层板，其是使用根据权利要求1至23中任一项所述的附载体的铜箔制造而成。

29.一种印刷配线板的制造方法，其包含如下步骤：

准备根据权利要求1至23中任一项所述的附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、积层上述附载体的铜箔与绝缘基板的步骤、

30.一种印刷配线板的制造方法，其包含如下步骤：

在根据权利要求1至23中任一项所述的附载体的铜箔的上述极薄铜层侧表面形成电路的步骤；

在上述树脂层上形成电路的步骤；

在上述树脂层上形成电路后剥离上述载体的步骤；及

31.根据权利要求30所述的印刷配线板的制造方法，其中，在上述树脂层上形成电路的步骤是在上述树脂层上自极薄铜层侧贴合另一附载体的铜箔，使用贴合在上述树脂层的附载体的铜箔而形成上述电路的步骤。

32.根据权利要求31所述的印刷配线板的制造方法，其中，贴合在上述树脂层上的另一附载体的铜箔是根据权利要求1至23中任一项所述的附载体的铜箔。

33.根据权利要求30或31所述的印刷配线板的制造方法，其中，在上述树脂层上形成电路的步骤是通过半加成法、减成法、部分加成法或改进型半加成法中的任一方法而进行。

34.根据权利要求32所述的印刷配线板的制造方法，其中，在上述树脂层上形成电路的步骤是通过半加成法、减成法、部分加成法或改进型半加成法中的任一方法而进行。

35.根据权利要求30或31所述的印刷配线板的制造方法，其进而包含：在将载体剥离之前，在附载体的铜箔的载体侧表面形成基板的步骤。

36.根据权利要求32所述的印刷配线板的制造方法，其进而包含：在将载体剥离之前，在附载体的铜箔的载体侧表面形成基板的步骤。