TWI564143B - 附載子銅箔、使用其之銅張積層板、印刷配線板、印刷電路板、以及印刷配線板之製造方法 - Google Patents

Description

附載子銅箔、使用其之銅張積層板、印刷配線板、印刷電路板、以及 印刷配線板之製造方法

本發明，係關於附載子銅箔、使用其之銅張積層板、印刷配線板、印刷電路板，以及印刷配線板之製造方法。

印刷配線板在最近半世紀有相當長足的進步，現今甚至發展至幾乎所有的電子機器皆有使用。隨著近年電子機械的小型化、高性能化的需求增大，零件搭載的高密度封裝化或信號的高頻化也隨之進展，對印刷配線板而言，導體圖型的微細化(微細間距化，fine pitch化)及高頻對應等也受到要求，特別是在印刷配線板上載有IC晶片的情況下，更要求了L/S=20μm/20μm以下的微細間距化。

印刷配線板，首先，係由銅箔與主要以玻璃環氧基板、BT樹脂、聚醯亞胺膠膜等所作成之絕緣基板貼合之銅張積層體所製造。其中之貼合係指運用將絕緣基板與銅箔重合後經過加熱加壓形成之方法(層壓法)，或，將絕緣基板材料之前驅物即清漆(varnish)，塗佈於具有被覆層的銅箔面，加以加熱、硬化之方法(鑄塑法)。

隨著微細間距化使用於銅張積層體之銅箔的厚度，也變成在9μm，甚至5μm以下等，箔厚度漸轉趨細薄。然而，箔厚在9μm以下，以前述之層壓法或鑄塑法形成銅張積層體時，會極端的惡化其可處理性。於是，出現利用具有厚度的金屬箔作為載子，將其介入剝離層形成極薄銅層之附載子銅箔。於極薄銅層的表面貼合絕緣基板進行熱壓著後，以剝離層之載子介在其中加以剝離等係為附載子銅箔一般之使用方法。

又，當銅箔與絕緣基板貼合時，若銅箔的彎曲狀況極端嚴重，將造成銅箔的輸送裝置發生故障停止、銅箔劃傷折斷、造成皺摺等，處理面上之問題，換言之，將會發生生產技術上之問題。又，由銅箔的彎曲為起因而完成之銅張積層體上也會有彎曲的殘留，使用此銅張積層體於接續步驟中將會有發生問題的可能性。厚度在9μm以上一般的(無附加載子)銅箔，其機械特性、晶體結構等係為於厚度方向之均質材料，又因具有其厚度而提高其之剛性，彎曲嚴重的情況並不多見。另一方面，因附載子銅箔係如前述之載子箔、剝離層、極薄銅層所成之覆合體，此等之構成要素的各種機械特性或晶體結構的差異，將有容易發生嚴重彎曲之傾向。

對於此種問題，例如，專利文件1中，揭示一種複合箔的捲邊矯正方法，其特徵為該複合箔為具有附載子銅箔/有機剝離層/極薄電解銅箔之三層構造的附銅箔載子極薄電解銅箔，且該複合箔係處於環境溫度120℃~250℃經1小時~10小時加熱處理者。並且，藉由此種構成，可提供一種不會於複合箔上發生油分附著或擦傷等損傷之矯正方法與一種捲邊矯正後之複合箔。

【專利文件】

【專利文件1】日本專利特開2011-68142號公報

然而，於專利文件1所記載之技術，僅有立即在附載子銅箔製造後對彎曲進行熱處理加以矯正，並非防止於附載子銅箔製造階段的彎曲發生本身。附載子銅箔製造時發生的彎曲，對銅箔的製造者而言，會於製造工程中之處理面帶來問題，因此於附載子銅箔製造階段低減其彎曲更為重要。且，在附載子銅箔製造階段低減其彎曲，可不需追加藉由熱處理之彎曲矯正步驟，並由削減製造成本的觀點來看也較為理想。又，於專利 文件1記載之方法，基於極薄銅層及載子之種類，以及，其等之厚度而言，可抑制銅箔彎曲之手段亦有受限制的可能。

為此，本發明之課題，係提供一種對於極薄銅層及載子之種類，以及，其等之厚度無特殊限制，能良好抑制銅箔彎曲的附載子銅箔，使用其之銅張積層板、印刷配線板、印刷電路板、以及印刷配線板之製造方法。

為達成上述目的，本發明者專心一意反覆研究的結果，發現前述銅箔載子的厚度與銅箔載子之外側表面的殘留應力的積，以及，前述極薄銅層的厚度與極薄銅層之外側表面的殘留應力的積的差，若在所定值以下會有超群的效果。

本發明係以上述知識為基礎加以完成，係為一種附載子銅箔，其特徵為其係在一側面上，具備有銅箔載子，與於銅箔載子上層合之中間層，與於中間層上層合之極薄銅層之附載子銅箔；前述銅箔載子的厚度與銅箔載子之外側表面的殘留應力的積，以及，前述極薄銅層的厚度與極薄銅層之外側表面的殘留應力的積的差，若殘留應力係收縮方向時為正值，拉伸方向時為負值，其係在-150(μm‧MPa)以上500(μm‧MPa)以下者。

本發明係為一種附載子銅箔，其特徵為在其另一側面上，係具備有銅箔載子、與於銅箔載子上層合之中間層、與於中間層上層合之極薄銅層之附載子銅箔；前述銅箔載子的厚度與銅箔載子之外側表面的殘留應力的積，以及，前述極薄銅層的厚度與極薄銅層之外側表面的殘留應力的積的差，若殘留應力係收縮方向時為正值，拉伸方向時為負值，其係在-150(μm‧MPa)以上500(μm‧MPa)以下(除了0(μm‧MPa)的情況外)者。

在本發明之附載子銅箔之一種實施型態，其中前述銅箔載子的厚度與銅箔載子的外側表面的殘留應力的積，以及，前述極薄銅層的厚度與極薄銅層的外側表面的殘留應力的積之差，為-100(μm‧MP a)以上320(μm‧MPa)以下者。

在本發明之附載子銅箔之另一種實施型態，其中前述銅箔載子的厚度與銅箔載子的外側表面的殘留應力的積，以及，前述極薄銅層的厚度與極薄銅層的表面外側的殘留應力的積之差，為-50(μm‧MPa)以上320(μm‧MPa)以下者。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中前述銅箔載子係由電解銅箔或壓延銅箔所構成。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中前述中間層係以與銅箔載子之界面相接之Ni層以及與極薄銅層之界面相接之Cr層所構成，在前述中間層之Ni的附著量係為1μg/dm²以上40000μg/dm²以下，在前述中間層Cr的附著量為1μg/dm²以上100μg/dm²以下，前述中間層更有以1μg/dm²以上70μg/dm²以下之附著量之Zn存在。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中前述極薄銅層之厚度係在1μm以上10μm以下。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中前述極薄銅層之平均結晶粒徑係未達15μm者。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中於前述極薄銅層表面上係具有粗化處理層。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中於前述粗化處理層之表面上，係具有選自耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層以及矽烷偶合處理層所成群之1種以上之層者。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中前述防鏽層以及耐熱層之至少一面上，係含有選自鎳、鈷、銅、鋅之1個以上的元素者。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中前述防鏽層以及前述耐熱層之至少一面上，係由選自鎳、鈷、銅、鋅之中選擇1個以上的元素所成者。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中前述粗化 處理層之上係具有前述耐熱層。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中前述粗化處理層之上係具有前述防鏽層。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中前述防鏽層之上具有前述鉻酸鹽處理層。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中前述鉻酸鹽處理層之上係具有前述矽烷偶合處理層。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中於前述極薄銅層之表面，係具有選自耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所成群之1種以上之層者。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中將前述附載子銅箔切割出10cm見方之片狀物靜置於水平面上時，其由片狀四邊角落之水平面浮起之高度最大值係於10mm以下。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中於前述極薄銅層上係備有樹脂層。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中於前述粗化處理層上係備有樹脂層。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中前述耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所成群中任意選擇一種以上之層上備有樹脂層。

在本發明之附載子銅箔之又另一種實施型態，其中前述樹脂層係含有介電質。

在本發明之又另一面向上，係為一種銅張積層板，其特徵為其係使用本發明之附載子銅箔所製造者。

在本發明之又另一面向上，係為一種印刷配線板，其特徵為其係使用本發明之附載子銅箔所製造者。

在本發明之又另一面向上，係為一種印刷電路板，其特徵為其係使用本發明之附載子銅箔所製造者。

在本發明之又另一面向上，係為一種印刷配線板的製造方 法，其特徵為其係包含：於本發明之附載子銅箔之前述極薄銅層側表面形成電路之步驟、於前述附載子銅箔之前述極薄銅層側表面，進行掩蓋前述電路從而形成樹脂層之步驟、於前述樹脂層上形成電路之步驟、於前述樹脂層上形成電路後，使前述載子剝離之步驟、以及，在使前述載子剝離後，藉除去前述極薄銅層，使形成於前述極薄銅層側表面，且被掩蓋於前述樹脂層中之電路露出之步驟。

在本發明之又另一面向上，其中在前述樹脂層上形成電路之步驟，係在前述樹脂層上以其他的附載子銅箔由極薄銅層側加以貼合，並使用於前述樹脂層貼合成之附載子銅箔而形成前述電路之步驟。

在本發明之又另一面向上，其中於前述樹脂層上貼合之其他的附載子銅箔，係指前述附載子銅箔。

在本發明之又另一面向上，其中於前述樹脂層上形成電路之步驟，係可藉由半加成法、減成法、部份加成法或調節半加成法之任意一種方法進行。

在本發明之又另一面向上，其中更包含在將載子剝離前，於附載子銅箔之載子側表面上形成基板之步驟。

在本發明之又另一面向上，係為一種印刷配線板的製造方法，其特徵為其係包含：準備本發明之附載子銅箔與絕緣基板之步驟、層合前述附載子銅箔與絕緣基板之步驟、於層合前述附載子銅箔與絕緣基板之後，經過剝離前述附載子銅箔之銅箔載子步驟形成銅張積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部份加成法或調節半加成法中之任何一種方法形成電路之步驟。

在本發明之又另一面向上，係為一種印刷配線板的製造方法，其特徵為其係包含：於本發明之附載子銅箔之前述極薄銅層側表面形成電路之步驟、於前述附載子銅箔之前述極薄銅層側表面，進行掩蓋前述電路從而形成樹脂層之步驟、於前述樹脂層上形成電路之步驟、於前述樹脂層上形成電路後，使前述載子剝離之步驟、以及，在使前述載子剝離後，藉除去前述極薄銅層，使形成於前述極薄銅層側表面，且被掩蓋於前述樹脂層中之電路露出之步驟。

在本發明印刷配線板之製造方法其一實施型態，其特徵為前述樹脂層上形成電路之步驟，係於前述樹脂層上以其他的附載子銅箔由極薄銅層側加以貼合，並使用於前述樹脂層貼合成之附載子銅箔而形成前述電路之步驟。

在本發明印刷配線板之製造方法其另一實施型態，其中於前述樹脂層上貼合之其他的附載子銅箔，係指本發明之附載子銅箔。

在本發明印刷配線板之製造方法其又另一實施型態，其中於前述樹脂層上形成電路之步驟，係可藉由半加成法、減成法、部份加成法或調節半加成法之任意一種方法進行。

在本發明印刷配線板之製造方法其又另一實施型態，其中更包含了，載子在剝離前，於附載子銅箔之載子側表面上形成基板之步驟。

與本發明相關之附載子銅箔、極薄銅層以及載子之種類，以及，對其等之厚度無特殊限制，且能夠良好的抑制銅箔之彎曲。

【圖1】A~C，係關於利用本發明之附載子銅箔於印刷配線板之製造方法之相關具體例，其係在電路鍍層.阻抗層除去為止之步驟，配線板斷面之模式圖。

【圖2】D~F，係關於利用本發明之附載子銅箔於印刷配線板之製造方法之相關具體例，其係在樹脂以及第二層附載子銅箔層合到以雷射開孔為止之步驟，配線板斷面之模式圖。

【圖3】G~I，係關於利用本發明之附載子銅箔於印刷配線板之製造方法之相關具體例，其係從導孔充填形成到第一層之載子剝離為止之步驟，其配線板斷面之模式圖。

【圖4】J~K，係關於利用本發明之附載子銅箔於印刷配線板之製造方法之相關具體例，其係從光蝕刻到焊凸、銅支點(Copper Piller)形成 為止的步驟，其配線板斷面之模式圖。

<1.載子>

使用銅箔作為於本發明中所能使用之載子。傳統之載子係以壓延銅箔或電解銅箔的型態被提供。一般而言，電解銅箔係硫酸銅鍍浴於鈦或不鏽鋼的桶上電解析出銅加以製造者，壓延銅箔係藉由壓延滾輪之塑性加工與熱處理反覆步驟加以製造者。作為銅箔之材料除了韌銅(Tough-Pitch Copper)或無氧銅(Oxygen-free copper)等高純度銅以外，例如：含Sn銅、含Ag銅、添加Cr、Zr或Mg等之銅合金，添加Ni及Si等之科森系銅合金類之銅合金也得以使用。另外，在本說明書中之用語「銅箔」若單獨使用時也包含銅合金箔。

於本發明得以使用之載子其厚度無特別限制，只需在能發揮載子之功能且具有適當之剛性之情形下進行適當的厚度調節即可，例如：其厚度可在12μm以上。但，厚度太厚會使生產成本提高，傳統上以35μm以下為佳。因此，傳統上載子厚度為12μm以上70μm以下，更為傳統之厚度為18μm以上35μm以下。

<2.中間層>

於銅箔載子上設置一中間層。中間層，係為於銅箔載子上，可以鎳層以及鉻酸鹽層之順序加以層合構成。鎳與銅之接著力較鉻與銅之接著力為強，故於極薄銅層剝離時，會由極薄銅層與鉻之界面剝離。又，中間層之鎳可預期其具有能夠防止由載子中擴散出銅成分至極薄銅層之屏障效果。

以電解銅箔做為載子使用的情況，由減少針孔的觀點來看，於光亮面設置中間層為佳。

中間層之中，極薄銅層之界面係存在有細薄之鉻酸鹽層，在絕緣基板之層合步驟前，極薄銅層不會由載子上剝離，另一方面，在絕緣基板層合步驟後，極薄銅層可由載子上加以剝離者，能具有此特性者較佳。 於鉻酸鹽層之載子與極薄銅層之境界未設置鎳層的情況，剝離性幾乎不會提升。又，無鉻酸鹽層，鎳層與極薄銅層直接層合的情況，會因為在鎳層之鎳量，使得剝離強度太強或太弱，無法得到適切的剝離強度。

鉻酸鹽層存在於載子與鎳層之境界中時，極薄銅層在剝離時中間層也將隨之剝離，亦即載子與中間層之間發生剝離並不理想。如此之狀況，不只發生於與載子的界面未設有鉻酸鹽層的情形，與極薄銅層的界面雖設有鉻酸鹽層，但使用之鉻量過多時也會發生。因銅與鎳容易固溶，若使其接觸，將會相互擴散使接著力提升變得難以剝離，另一方面，鉻與銅不易固溶，不易發生相互擴散，鉻與銅之界面接著力薄弱，被認為是易於剝離之原因。又，中間層之鎳量不足的情況，載子與極薄銅層之間僅有微量的鉻存在，兩者會密著而難以剝離。

在中間層，鎳的附著量在1μg/dm²以上40000μg/dm²以下，鉻的附著量在1μg/dm²以上100μg/dm²以下。隨著鎳以及鉻的附著量增加極薄銅層的微孔的數量有增多的傾向，若限制在此範圍則可抑制微孔的數量。由極薄銅層無斑均一剝離的觀點，以及，抑制微孔的觀點來看，鎳的附著量在1000μg/dm²以上10000μg/dm²以下，鉻的附著量在10μg/dm²以上60μg/dm²以下者為佳，鎳的附著量在2000μg/dm²以上9000μg/dm²以下，鉻的附著量在15μg/dm²以上45μg/dm²以下者為更佳。再者，於本發明中，中間層含有微量之Zn者為佳。藉此，能有意義地使微孔的發生減低，更甚者，能容易得到到適當的剝離強度，對品質的安定性有相當大地貢獻。僅在理論上並無限定本發明之意圖，一般此效果被認為，係因此中間層藉由存在有微量Zn，形成由Cr與Zn所成之氧化膜，中間層的電導度變得更為均一，不會有電導度極端高的地方或是電導度極端低的地方。藉此，極薄銅層形成時的銅的電著粒，對於由Cr與Zn所成之氧化膜會均一地附著，剝離強度即可達到適切的數值(剝離強度極端地高或是剝離強度極端地低的情形會消失)Zn可存在於中間層之中之Ni層以及Cr層之任一方之層中。例如：在Ni層之形成時於鍍液中添加鋅成分，藉由鎳鋅合金鍍， 得到一種含有鋅之Ni層。又，藉由於鉻酸鹽處理液中添加鋅成分，得到一種含有鋅之鉻層。但，不論任何情況，因Zn會於中間層中擴散，一般皆能於Ni層及Cr層之兩者中檢出。又，由於由Cr與Zn所成之氧化膜形成容易，故Zn係存在於Cr層中為佳。

但，若於中間層之中Zn的附著量過少時，其效果有限，故1μg/dm²以上為佳，5μg/dm²以上為更佳。另一方面，若於中間層之中Zn的附著量過多時，其剝離強度會變為過大，故70μg/dm²以下為佳，30μg/dm²以下為更佳，20μg/dm²以下為最佳。

中間層係可為含有Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn或其等之合金，或其等之水合物，或其等之氧化物，或有機物之任何一種以上之層所形成之層。又，中間層係可為複數之層。

例如，中間層係可由載子側以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中之任意一種元素所成之單一金屬層，或選自於Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中一種以上之元素所成之合金層，接續以選自於Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中一種以上之元素之水合物或氧化物或有機物所成之層所構成。

又，例如中間層係為，其中間層係可由載子側以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中任意一種元素所成之單一金屬層，或選自於Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中一種以上元素所成之合金層，接續以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中任意一種元素所成之單一金屬層，或選自於Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn之元素群中一種以上元素所成之合金層所構成。

<3.觸擊電鍍(Strike Plating)>

於中間層上設置有極薄銅層。在此之前為減低極薄銅層之微孔，可於 中間層藉銅磷合金進行觸擊電鍍。觸擊電鍍之處理液可使用焦磷酸銅鍍液等。如此，藉由銅磷合金進行觸擊電鍍之附載子銅箔，可在中間層表面與極薄銅層表面之兩方皆存在有磷。因此，於中間層/極薄銅層間使之剝離時，中間層及極薄銅層之表面可檢測出磷。又，因觸擊電鍍所形成之電鍍層將變為細薄，以FIB或TEM等儀器觀察斷面，如中間層上之銅磷電鍍層之厚度在0.1μm以下的情況，可判定係為觸擊電鍍者。

<4.極薄銅層>

中間層之上設置有一極薄銅層。極薄銅層係可利用硫酸銅、焦磷酸、氨基磺酸銅、氰化亞銅等之電解浴，藉由電鍍加以形成，可使用一般的電解銅箔，並以能夠以高電流密度形成銅箔之硫酸銅浴為佳。極薄銅層之厚度雖無特別限制，一般較載子為細薄，例如：12μm以下，較佳者為1μm以上10μm以下。傳統上為0.5μm以上12μm以下、更為傳統者為2μm以上5μm以下。

本發明之附載子銅箔之極薄銅層，係未經過：施加在極薄銅層上會產生再結晶或過度之結晶粒成長等之加熱處理，例如180℃以上3小時以上之加熱處理者。如此地未施行使之發生再結晶或過度結晶粒成長之熱處理，其在本發明之極薄銅層之平均結晶粒徑於傳統上係未達15μm。又，由極薄銅層之強度提升的觀點來看，平均結晶粒徑較佳者為10μm以下，更佳者為5μm以下，最佳者為3μm以下。又，如此地未施行使之發生再結晶或過度結晶粒成長之熱處理，其在本發明之極薄銅層之平均結晶粒徑常有較極薄銅層之厚度為小的情況。又，本發明之附載子銅箔之極薄銅層，其只要是不會引起上述之再結晶或過度之結晶粒成長之加熱處理者，即可施行。

<5.粗化處理>

於極薄銅層之表面，可施行例如：為使絕緣基板之密著性良好等之目的，可施加粗化處理或也可設置一粗化處理層。粗化處理，例如：可藉由以銅或銅合金形成之粗化粒子而進行。其粗化處理也可為細微者。粗化處 理層，係可為選自銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鈷以及鋅所成群中任一之單體或含有任一種以上之合金所成之層。又，藉銅或銅合金形成粗化粒子後，更可進行以鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等設置二次粒子或三次粒子之粗化處理。其後，可藉鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等形成耐熱層或防鏽層，接著可於其表面施行鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等之處理步驟。或也可不進行粗化處理，藉鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等形成耐熱層或防鏽層，接著於其表面施行鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等之處理步驟。亦即，可於粗化處理層之表面，形成選自耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層以及矽烷偶合處理層所成群中1種以上之層；也可於極薄銅層之表面，形成選自耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層、以及矽烷偶合處理層所成群中1種以上之層。

且，上述之耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層、以及矽烷偶合處理層亦可各自形成複數之層(例如：2層以上、3層以上等)。又，各層可為2層、3層等複數之層，也可各層任意順序層合，更可各層交互層合。

在此，耐熱層可使用已知之耐熱層。又，可使用例如以下之表面處理。

耐熱層、防鏽層可使用已知之耐熱層、防鏽層。例如：耐熱層及/或防鏽層係可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑系元素、鐵、鉭所成群中1種以上之元素之層，也可為選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑系元素、鐵、鉭所成群中1種以上之元素所成之層或合金層。又，耐熱層及/或防鏽層係可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑系元素、鐵、鉭所成群中1種以上元素之氧化物、氮化物、矽化物。又，耐熱層及/或防鏽層係可為含有鎳鋅合金之層。又，耐熱層及/或防鏽層亦可為鎳鋅合金層。前述之鎳鋅合金層，除去不可避雜質，可含有鎳50wt%~99wt%，鋅50wt%~1wt%者。前述之鎳鋅合金層之鋅及鎳之合計附著量為5~1000mg/m²，較佳者為10~500mg/m²，較佳者亦可為20~100mg/m²。又，含有前述鎳鋅合金之層或前述鎳鋅合金層之鎳之附著量與鋅之 附著量其比值(=鎳之附著量/鋅之附著量)在1.5~10者為佳。又，含有前述鎳鋅合金之層或前述鎳鋅合金層之鎳之附著量為0.5mg/m²~500mg/m²者為佳，1mg/m²~50mg/m²者為更佳。耐熱層及/或防鏽層係為含有鎳鋅合金之層的情況，通孔或導孔等之內壁部與除膠液接觸時，除膠液難以滲透銅箔與樹脂基板其界面，會提升銅箔與樹脂基板之密著性。防鏽層係可為鉻酸鹽處理層。鉻酸鹽處理層亦可使用已知之鉻酸鹽處理層。例如：鉻酸鹽處理層係為以無水鉻酸、鉻酸、重鉻酸、含有鉻酸鹽或重鉻酸鹽之液體處理之層。鉻酸鹽處理層係可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷以及鈦等之元素(金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意型態皆可)。鉻酸鹽處理層之具體例，可列舉如純鉻酸鹽處理層或鋅鉻酸鹽處理層。於本發明中，藉無水鉻酸或重鉻酸鉀水溶液處理之鉻酸鹽處理層係稱為純鉻酸鹽處理層。又，於本發明中，藉無水鉻酸或含有重鉻酸鉀及鋅之處理液處理之鉻酸鹽處理層則稱為鋅鉻酸鹽處理層。

例如：耐熱層及/或防鏽層，係可以附著量在1mg/m²~100mg/m²，較佳者為5mg/m²~50mg/m²之鎳或鎳合金層與附著量在1mg/m²~80mg/m²，較佳者為5mg/m²~40mg/m²之錫層之順序加以層合，亦可為前述鎳合金層係藉鎳鉬、鎳鋅、鎳鉬鈷之任意一種所構成者。又，耐熱層及/或防鏽層，其鎳或鎳合金與錫之合計附著量係在2mg/m²~150mg/m²者為佳，10mg/m²~70mg/m²者為更佳。又，耐熱層及/或防鏽層，其〔鎳或鎳合金中之鎳附著量〕/〔錫之附著量〕=0.25~10者為佳，0.33~3者為更佳。使用該耐熱層及/或防鏽層之附載子銅箔於印刷配線板進行加工之後其電路的強抗剝離性、該強抗剝離性之耐化學品降解率等都有良好的表現。

又，作為耐熱層及/或防鏽層，係可形成附著量在200~2000μg/dm²之鈷50~700μg/dm²之鎳之鈷-鎳鈷合金鍍層。此種處理廣義的來看係可視作一種防鏽處理。此種鈷鎳合金鍍層，係必須使銅箔與基板之接著強度不會有實質程度之下降。鈷附著量未達2 00μg/dm²，會使耐熱剝離強度低下，使耐酸性以及耐化學品性惡化。又，還有另一理由，鈷量過少會使處理表面偏紅並不理想。

矽烷偶合處理層可使用已知之耐候性層。又，耐候性層例如可使用已知之矽烷偶合處理層，或可使用以下之矽烷所形成之矽烷偶合處理層。

用於矽烷偶合處理之矽烷偶合劑，係可使用已知之矽烷偶合劑，例如：可使用氨系之矽烷偶合劑或環氧基系矽烷偶合劑、硫醇系矽烷偶合劑。又，矽烷偶合劑係可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-異丁烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、4-環氧丙基丁基三甲氧基矽烷、γ-氨丙基三乙氧基矽烷、N-β(氨乙基)γ-氨丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三嗪矽烷、γ-氫硫基丙基三甲氧基矽烷等。

前述矽烷偶合處理層係可使用，環氧系矽烷、氨系矽烷、異丁烯醯氧基系矽烷、氫硫基系矽烷等之矽烷偶合劑等加以形成。又，此等矽烷偶合劑，係可混合2種以上使用。其中，又以使用氨系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑者為佳。

在此所述之氨系矽烷偶合劑，係由N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基矽烷、3-氨基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基矽烷、氨基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯醯氧基-2-羥基丙基)-3-氨丙基三乙氧基矽烷、4-氨基丁基三乙氧基矽烷、(氨乙基氨甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-氨乙基-3-氨丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(氨己基氨丙基)三甲氧基矽烷、氨苯基三甲氧基矽烷、3-(1-氨基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-氨基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-氨丙基三乙氧基矽烷、3-氨丙基三甲氧基矽烷、ω-氨十一烷基三甲氧基矽烷、 3-(2-N-芐基氨乙基氨丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥乙基)-3-氨丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-氨丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-氨丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基矽烷、γ-氨丙基三乙氧基矽烷、N-β(氨乙基)γ-氨丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基矽烷所成群中選擇即可。

矽烷偶合處理層，係以矽原子換算，設置在0.05mg/m²~200mg/m²，較佳者為0.15mg/m²~20mg/m²，較佳者為0.3mg/m²~2.0mg/m²之範圍者為理想。前述之範圍之情況，係更可提升基材樹脂與表面處理銅箔之間的密著性。

〔極薄銅層、耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層上之樹脂層〕

又，本發明之附載子銅箔，係可於極薄銅層上備有粗化處理層，亦可於前述粗化處理層上備有耐熱層及/或防鏽層，亦可於前述耐熱層及/或防鏽層上備有鉻酸鹽處理層，亦可於前述鉻酸鹽處理層上備有矽烷偶合處理層。

又，本發明之附載子銅箔，係可於極薄銅層上備有耐熱層及/或防鏽層，亦可於前述耐熱層及/或防鏽層上備有鉻酸鹽處理層，亦可於前述鉻酸鹽處理層上備有矽烷偶合處理層。

又，前述附載子銅箔係可於前述極薄銅層上，或前述粗化處理層上，或前述耐熱層、防鏽層，或鉻酸鹽處理層，或矽烷偶合處理層之上備有樹脂層。前述樹脂層係亦可為絕緣樹脂。

另外，前述耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層形成之相互順序並無限制，於極薄銅層上，或是，於粗化處理層上，係可以任意順序形成此等之層。

前述樹脂層係可為接著劑，亦可為接著用之半硬化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。半硬化狀態(B階段狀態)，其係包含表面即使 以手指碰觸也無黏著感，該絕緣樹脂層可以重合方式儲存，再經加熱處理引起硬化反應狀態者。

前述樹脂層係可為接著用樹脂，亦即可為接著劑，亦可為接著用之半硬化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。半硬化狀態(B階段狀態)，其係包含表面即使以手指碰觸也無黏著感，該絕緣樹脂層可以重合方式儲存，再經加熱處理引起硬化反應狀態者。

又前述樹脂層係可包含熱硬化性樹脂，亦可為熱可塑性樹脂。又，前述樹脂層係可包含熱可塑性樹脂。前述之樹脂層亦可包含已知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸漬片、骨架材等。又，前述樹脂層，係如於：國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本專利特開平11-5828號、日本專利特開平11-140281號、日本專利特許第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利特許第3676375號、日本專利特開2000-43188號、日本專利特許第3612594號、日本專利特開2002-179772號、日本專利特開2002-359444號、日本專利特開2003-304068號、日本專利特許第3992225、日本專利特開2003-249739號、日本專利特許第4136509號、日本專利特開2004-82687號、日本專利特許第4025177號、日本專利特開2004-349654號、日本專利特許第4286060號、日本專利特開2005-262506號、日本專利特許第4570070號、日本專利特開2005-53218號、日本專利特許第3949676號、日本專利特許第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本專利特開2006-257153號、日本專利特開2007-326923號、日本專利特開2008-111169號、日本專利特許第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利特許第4828427號、日本專利特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利特許第 5046927號、日本專利特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利特許第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本專利特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本專利特開2013-19056號，所記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸漬片、骨架材等)及/或樹脂層之形成方法，也可為使用其形成裝置形成者。

又，前述樹脂層，其種類雖無特別限制，但可列舉如：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、馬來酸酐縮亞胺化合物、聚馬來酸酐縮亞胺化合物、馬來酸酐縮亞胺系樹脂、芳香族馬來酸酐縮亞胺樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、尿烷樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚碸、聚醚碸樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞氨樹脂、橡膠改性環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改性丙烯腈-丁二烯樹脂、聚二苯醚、雙馬來酸酐縮亞胺三嗪樹脂、熱硬化性聚二苯醚樹脂、氰酸鹽酯類樹脂、羧酸酐、多元羧酸酐、具有交聯性官能基團線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰氧苯基)丙烷、含磷苯酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚氰酸酯類樹脂、矽氧烷改性聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、磷腈類樹脂、橡膠改性聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化聚丁二烯、聚乙烯醇丁縮醛、苯氧基、高分子環氧基、芳香族聚醯胺，氟樹脂、雙酚、嵌段聚合聚醯亞胺樹脂以及氰基酯樹脂所成群中含有一種以上之樹脂作為適合者。

又前述之環氧樹脂，若分子內係具有2個以上之環氧基，適用於電工、電子材料等用途者，使用上可無特別顧慮。又，前述環氧樹脂係使用分子內具有兩個以上環氧丙基之化合物且經環氧化之環氧樹脂者為佳。又，係既可使用雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環 氧樹脂、脂環族環氧樹脂、溴代(溴化)環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改性雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、三縮水甘油異氰酸鹽、N,N-二縮水甘油苯胺等之縮水甘油化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯等之縮水甘油化合物、含磷環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂、之所成群中選擇1種或2種以上混合者，或也可使用前述環氧樹脂之氫化體或鹵化體。

前述所稱含磷環氧樹脂，係可使用已知之含有磷之環氧樹脂。又，前述含磷樹脂係例如：於分子內備有2以上之環氧基由9,10-二氫化-9-氧雜-10-膦菲-10-氧化物作為介電質所得環氧樹脂者為佳。

(樹脂層含有介電質(介電質填充物)之情況)

前述樹脂層係可為含有介電質(介電質填充物)者。

上述任意之樹脂層或樹脂組成物含有介電質(介電質填充物)的情形，係使用於電容層形成之用途，其可使電容電路之電容容量增大。此介電質(介電質填充物)係使用，BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3‧PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(稱SBT)等之具有鈣鈦礦(Perovskite)構造之複合氧化物的介電質粉者。

介電質(介電質填充物)係可為粉狀。介電質(介電質填充物)為粉狀的情況下，此介電質(介電質填充物)之粉狀特性，係粒徑在0.01μm~3.0μm，較佳者為0.02μm~2.0μm之範圍者為理想。又，介電質以電子掃描顯微鏡(SEM)拍攝照片，該照片上之介電質之粒子若為拉出直線的情況，介電質之粒子以橫斷直線之長度其最長部分之介電質粒子之長度為其介電質粒子之粒徑。而，於測定視線範圍介電質之粒子其粒徑之平均值，視為其介電質之粒徑。

將包含於前述樹脂層，其樹脂及/或樹脂組成物及/或化合 物，以例如丁酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯烷酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲基醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基溶纖劑、N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等之溶劑加以溶解作為樹脂液(樹脂漆液)，將其於前述表面處理銅箔之上，藉例如輥塗法等方法加以塗佈，接著因應其需要加熱乾燥除去溶劑使其呈B階段狀態。於乾燥時，可使用熱風乾燥爐，乾燥溫度於100~250℃，較佳者可在130~200℃。將前述樹脂層之組成物，使用溶劑加以溶解，樹脂固形成分可佔3wt%~70wt%，較佳者為，3wt%~60wt%，較佳者為10wt%~40wt%，更佳者為25wt%~40wt%之樹脂液。且，使用丁酮與環戊酮之混和溶劑加以溶解，以環境之觀點來看為現階段最佳者。又，在溶劑上使用溶劑沸點在50℃~200℃之範圍者為佳。

又，前述樹脂層根據於MIL規格所訂之MIL-P-13949G為基準時所測定之樹脂流在5~35%之範圍內之半硬化樹脂膜為佳。

於本件說明書中，樹脂流，係指根據於MIL規格所訂之MIL-P-13949G為基準測定，從樹脂厚度55μm之附樹脂表面處理銅箔，取樣四片10cm見方之樣品，此四片樣品重合之狀態(層合體)以171℃之溫度加壓，加壓壓力於14kgf/cm²，加壓時間10分鐘之條件加以貼合，測定此時流出之樹脂之重量，根據算式1計算出之值者。

備有前述樹脂層之表面處理銅箔(附樹脂表面處理銅箔)係為，其樹脂層於基材上重合後整體加以熱壓著使該樹脂層熱硬化，接著在表面處理銅箔係附載子銅箔之極薄銅層之情況，將載子剝離露出極薄銅層 (露出理當係為該極薄銅層之中間層側之表面)，由表面處理銅箔粗化處理側即反對側之表面形成預定之導體圖樣之形態加以使用。

使用此附樹脂表面處理銅箔，在多層印刷配線基板之製造時，可減少預浸漬材之使用張數。且，使樹脂層之厚度在能夠確保層間絕緣之厚度，可無需使用預浸漬片也可製造銅張積層板。並且在此時，於基材之表面塗層一種絕緣樹脂能更為改善表面之平滑性。

又，在不使用預浸漬材的情況下，能節省掉預浸漬材之材料成本，也可簡略其層合步驟，有利於經濟之考量，且，僅由預浸漬材之厚度所製造的多層印刷配線基板，其厚度隨之可變為更細薄，具有可製造1層之厚度在100μm以下極薄之多層印刷配線板優點。

此樹脂層之厚度係在0.1~120μm者為佳。

樹脂層之厚度若較0.1μm為薄，會使接著力下降，未有預浸漬材介在、且此附樹脂表面處理銅箔於具備有內層材之基材層合後，有時會有難以確保內層材之電路與其間之層間絕緣之情形。另一方面，樹脂層之厚度若較120μm為厚，會使僅以1次之塗佈步驟難以形成目標厚度之樹脂層，耗費多餘的材料費與工序在經濟考量上不利的情況。

又，具有樹脂層之表面處理銅箔，係用於製造極薄之多層印刷配線板時，前述樹脂層之厚度以0.1μm~5μm，較佳者為0.5μm~5μm，更佳者為1μm~5μm，但其中使多層印刷配線板之厚度更小者為理想。

<6.附載子銅箔>

如此，製造出具備有銅箔載子，與於銅箔載子上形成之中間層，與於中間層之上層合之極薄銅層之附載子銅箔。附載子銅箔自身之使用方法於業界已係眾所皆知，例如：極薄銅層之表面以紙基材苯酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃纖維布‧紙複合基材環氧樹脂、玻璃纖維布‧玻璃纖維不織布複合基材環氧樹脂以及玻璃纖維布基材環氧樹脂、聚酯膠膜、聚醯亞胺膠膜等之絕緣基板貼合並於熱壓著後將載子剝除，以接著絕緣基板後之極薄銅層為目的加以蝕刻出導體圖樣，係可於最 終製造出印刷配線板。在與本發明相關之附載子銅箔之情況，作為剝離位置主要係為中間層與極薄銅層之介面。又，更甚者，在印刷配線板上安裝電子元件類，即完成印刷電路板。以下，揭示數個使用與本發明相關之附載子銅箔印刷配線板之製造步驟。

於與本發明相關之印刷配線板之製造方法之一實施形態，係包含準備與本發明相關之附載子銅箔與絕緣基板之步驟、前述附載子銅箔與絕緣基板層合之步驟、將前述附載子銅箔與絕緣基板其極薄銅層側與絕緣基板彼此相對進行層合後，經過剝離前述附載子銅箔之載子之步驟形成銅張積層板，其後，藉由半加成法、調節半加成法、部分加成法以及減成法之中任一種方法，形成電路之步驟。於絕緣基板內層埋入電路亦為可能者。

於本發明中，半加成法係指一種製造方法，其中於絕緣基板或銅箔晶種層上進行細薄之無電解鍍，圖樣形成後，使用電解鍍以及蝕刻形成導體圖樣之方法。

因此，在使用半加成法且與本發明相關之印刷配線板之製造方法，其一實施形態上，係包含：準備與本發明相關之附載子銅箔與絕緣基板之步驟、 層合前述附載子銅箔與絕緣基板之步驟、前述附載子銅箔與絕緣基板層合後，將前述附載子銅箔之載子加以剝離之步驟、將前述載子剝離後露出極薄銅層再藉由使用酸等之腐蝕溶液以蝕刻或電漿等之方法將之全部除去之步驟、於前述極薄銅層以蝕刻方式除去藉以露出之前述樹脂上設置通孔或/及盲孔之步驟、於包含前述通孔或/及盲孔之區域進行除膠處理之步驟、於包含前述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍層之步驟、於前述無電解鍍層上設置抗鍍層之步驟、對前述抗鍍層使之曝光，其後除去形成電路區域之抗鍍層之步驟、前述抗鍍層除去後，於前述電路形成之區域設置電解鍍層之步驟、除去前述抗鍍層之步驟、前述電路形成區域以外區域之無電解鍍層藉由光蝕刻等方式加以除去之步驟。

在使用半加成法本發明相關之印刷配線板之製造方法其另一實施型態上，係包含： 準備與本發明相關之附載子銅箔與絕緣基板之步驟、層合前述附載子銅箔與絕緣基板之步驟、前述附載子銅箔與絕緣基板層合後，將前述附載子銅箔之載子加以剝離之步驟、將前述載子剝離後露出極薄銅層再藉由使用酸等之腐蝕溶液以蝕刻或電漿等之方法將之全部除去之步驟、於前述極薄銅層以蝕刻方式除去藉以露出之前述樹脂之表面上設置無電解鍍層之步驟、於前述無電解鍍層之上設置抗鍍層之步驟、對前述抗鍍層使之曝光，其後除去形成電路區域之抗鍍層之步驟、前述抗鍍層除去後，於前述電路形成之區域設置電解鍍層之步驟、除去前述抗鍍層之步驟、前述電路形成區域以外區域之無電解鍍層以及極薄銅層藉由光蝕刻等方式加以除去之步驟。

於本發明中，調節半加成法係指一種製造方法，其中於絕緣層上層合金屬箔，藉由抗鍍層保護非電路形成部分，藉由電解鍍進行電路形成部之銅層增厚後，除去阻抗層，前述電路形成部以外之金屬箔以(光)蝕刻方式除去，於絕緣層上形成電路之方法。

因此，在使用調節半加成法且與本發明相關之印刷配線板之製造方法其一種實施形態上，係包含：準備與本發明相關之附載子銅箔與絕緣基板之步驟、層合前述附載子銅箔與絕緣基板之步驟、前述附載子銅箔與絕緣基板層合後，將前述附載子銅箔之載子加以剝離之步驟、於前述載子剝離後露出之極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔之步驟、於包含前述通孔或/及盲孔之區域進行除膠處理之步驟、於包含前述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍層之步驟、於前述載子剝離後露出之極薄銅層表面設置抗鍍層之步驟、 設置前述抗鍍層後，藉由電解鍍形成電路之步驟、除去前述抗鍍層之步驟、藉由除去前述抗鍍層露出之極薄銅層以光蝕刻方式加以去除之步驟。

在使用調節半加成法且與本發明相關之印刷配線板之製造方法其另一種實施形態上，係包含：準備與本發明相關之附載子銅箔與絕緣基板之步驟、層合前述附載子銅箔與絕緣基板之步驟、前述附載子銅箔與絕緣基板層合後，將前述附載子銅箔之載子加以剝離之步驟、於前述經剝離並露出之極薄銅層上設置抗鍍層之步驟、對前述抗鍍層使之曝光，其後除去形成電路區域之抗鍍層之步驟、前述抗鍍層除去後，於前述電路形成之區域，設置電解鍍層之步驟、除去前述抗鍍層之步驟、前述電路形成區域以外區域之無電解鍍層以及極薄銅層藉由光蝕刻等方式加以除去之步驟。

於本發明中，部分加成法係指一種製造印刷配線板之製造方法，其係藉由在設置有導體層之基板，或因應所需穿有導孔或通孔之基板上賦予觸媒核，進行蝕刻形成導體電路，再因應所需設置抗焊層或抗鍍層後，於前述導體電路上，以通孔或導孔等藉由無電解鍍處理進行增厚，藉以製造印刷配線板之製造方法。

因此，在使用部分加成法且與本發明相關之印刷配線板之製造方法其一種實施形態上，係包含：準備與本發明相關之附載子銅箔與絕緣基板之步驟、層合前述附載子銅箔與絕緣基板之步驟、前述附載子銅箔與絕緣基板層合後，將前述附載子銅箔之載子加以剝離之步驟、於前述載子經剝離露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔之步驟、於包含前述通孔或/及盲孔之區域進行除膠處理之步驟、 於包含前述通孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核之步驟、於前述載子剝離後露出之極薄銅層表面設置抗蝕刻層之步驟、對於前述抗蝕刻層使之曝光，電路圖樣形成之步驟、前述極薄銅層以及前述觸媒核使用酸等之腐蝕溶液以蝕刻或電漿等之方法加以除去，形成電路之步驟、除去前述抗蝕刻層之步驟、前述極薄銅層以及前述觸媒核使用酸等之腐蝕溶液以蝕刻或電漿等之方法除去並於露出之前述絕緣基板表面，設置抗焊層或抗鍍層之步驟、於未有設置前述抗焊層或抗鍍層區域設置無電解鍍層之步驟。

於本發明中，減成法係指一種將銅張積層板上之不需銅箔之部分，以蝕刻等方式，選擇性的加以去除，並形成導體圖樣之方法。

因此，在使用減成法且與本發明相關之印刷配線板之製造方法其一種實施形態上，係包含：準備與本發明相關之附載子銅箔與絕緣基板之步驟、層合前述附載子銅箔與絕緣基板之步驟、前述附載子銅箔與絕緣基板層合後，將前述附載子銅箔之載子加以剝離之步驟、於前述載子經剝離露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔之步驟、於包含前述通孔或/及盲孔之區域進行除膠處理之步驟、於包含前述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍層之步驟、於前述無電解鍍層之表面，設置電解鍍層之步驟、於前述電解鍍層或/及前述極薄銅層之表面設置抗蝕刻層之步驟、對前述抗蝕刻層使之曝光，形成電路圖樣之步驟、前述極薄銅層以及前述無電解鍍層以及前述電解鍍層使用酸等之腐蝕溶液藉蝕刻或電漿等之方法加以除去，形成電路之步驟、除去前述抗蝕刻層之步驟。

在使用減成法且與本發明相關之印刷配線板之製造方法其另一種實施形態上，係包含： 準備與本發明相關之附載子銅箔與絕緣基板之步驟、層合前述附載子銅箔與絕緣基板之步驟、前述附載子銅箔與絕緣基板層合後，將前述附載子銅箔之載子加以剝離之步驟、於前述載子經剝離露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔之步驟、於包含前述通孔或/及盲孔之區域進行除膠處理之步驟、於包含前述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍層之步驟、於前述無電解鍍層之表面形成遮蔽層之步驟、於未形成遮蔽層之前述無電解鍍層之表面設置電解鍍層之步驟、於前述電解鍍層或/及前述極薄銅層之表面設置抗蝕刻層之步驟、對前述抗蝕刻層使之曝光，形成導體圖樣之步驟、前述極薄銅層以及前述無電解鍍層使用酸等之腐蝕溶液以蝕刻或電漿等之方法除去，形成電路之步驟、除去前述抗蝕刻層之步驟。

可不進行設置通孔或/及盲孔之步驟，以及其後之除膠步驟。

在此，使用本發明之附載子銅箔其印刷配線板之製造方法具體例藉由圖面加以詳細說明。且，在此具有形成粗化處理層之極薄銅層之附載子銅箔為說明例，但不限於此，使用具有未形成粗化處理層之極薄銅層之附載子銅箔，同樣可進行下述之印刷配線板之製造方法。

首先，如圖1-A所示，準備具有於表面形成粗化處理層之極薄銅層之附載子銅箔(第一層)。

接著，如圖1-B所示，於極薄銅層之粗化處理層上塗佈阻抗層，進行曝光‧顯像，將阻抗層以所定之形狀加以蝕刻。

接著，如圖1-C所示，電路用之鍍層形成後，藉由除去阻抗層，而形成所定形狀之電路鍍。

接著，如圖2-D所示，需使電路鍍層被覆蓋(將電路鍍層掩埋)於極薄銅層上設置並填入樹脂使樹脂層進行層合，接著用其他的附載子銅箔 (第二層)由極薄銅層側加以接著。

接著，如圖2-E所示，由第二層之附載子銅箔將載子加以剝離。

接著，如圖2-F所示，於樹脂層所定位置進行雷射穿孔，使電路鍍層露出形成盲孔。

接著，如圖3-G所示，於盲孔中埋入銅使形成導孔填層。

接著，如圖3-H所示，於導孔填層上形成如上述圖1-B以及圖1-C所示形成電路鍍層。

接著，如圖3-I所示，由第一層之附載子銅箔上將載子加以剝離。

接著，如圖4-J所示，藉由光蝕刻除去兩表面之極薄銅層，使樹脂層內之電路鍍層之表面露出。

接著，如圖4-K所示，於樹脂層內之電路鍍層形成焊凸，於該焊接點上形成銅支點。如此步驟藉以製造使用本發明附載子銅箔之印刷配線板。

上述其他的附載子銅箔(第二層)，係可使用本發明之附載子銅箔，亦可使用傳統之附載子銅箔，甚至也可使用一般的銅箔。又，圖3-H所示之第二層電路上，係可再形成1層或複數層電路，其等電路形成步驟係可使用半加成法、減成法、部分加成法或調節半加成法中之任意方法。

又，前述第一層所使用之附載子銅箔，係可於該附載子銅箔之載子側表面附有基板。藉附有該基板或樹脂層使第一層所使用之附載子銅箔得到支撐，因而難以產生皺褶，得到使生產力提升等之優點。且，於前述基板，若係具有支撐第一層所使用之附載子銅箔效果者，所有基板皆可使用。例如：可使用作為前述基板於本說明書文中所記載之載子、預浸漬片、樹脂層或已知之載子、預浸漬片、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔。

關於載子側表面形成基板之時機點雖無特別限制，但應於載子剝離前形成。特別是，應以於前述附載子銅箔之前述極薄銅層側表面形成樹脂層之步驟前加以形成為佳，於附載子銅箔之前述極薄銅層側表面形成電路之步驟前加以形成為更佳。

與本發明相關之附載子銅箔，極薄銅層表面之色差控制在滿 足以下(1)者為佳。在本發明中「極薄銅層表面之色差」，係表示極薄銅層之表面之色差，或，施予粗化處理等之各種表面處理的情況其表面處理層之色差。亦即，與本發明相關之附載子銅箔，極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防鏽層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合層之表面色差，係控制於滿足以下(1)者為佳。

(1)極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防鏽層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合層之表面依JISZ8730其色差ΔE＊ab係在45以上。

在此，色差ΔL、Δa、Δb，係以各別之色差計加以測定，考慮到黑/白/紅/綠/黃/青，依JISZ8730使用以L*a*b色度系統表示之綜合指標，以ΔL：白黑、Δa：紅綠、Δb：黃青，加以表示。又，ΔE＊ab係為使用此等色差以下述算式表示。

上述之色差，係可於極薄銅層形成時之電流密度提升，電鍍液中之銅濃度降低，電鍍液之線流速提高加以調整。

又，上述之色差，可藉由於極薄銅層之表面施予粗化處理設置粗化處理層的情況調整。設置粗化處理層之情況下，係使用包含有銅以及鎳、鈷、鎢、鉬所成群中選擇一種以上元素之電解液，藉由使電流密度較傳統上高(例如：40~60A/dm²)，處理時間短(例如：0.1~1.3秒)可加以調整。極薄銅層之表面未設置有粗化處理層的情況下，使用Ni濃度為其他元素之2倍以上之電解浴，極薄銅層或耐熱層或防鏽層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層之表面，藉Ni合金鍍(例如：Ni-W合金鍍、Ni-Co-P合金鍍、Ni-Zn合金鍍)以較傳統為低之電流密度(0.1~1.3A/dm²)使處理時間拉長(20秒~40秒)之設定處理即可達成。

若極薄銅層表面之依JISZ8730之色差ΔE＊ab在45以上，例如：於附載子銅箔之極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路之對比呈現鮮明，其結果，視認性呈現良好可進行精度良好之電路位置組合。極薄銅層表面之依JISZ8730之色差ΔE＊ab，較佳者係在50以上，更佳者係在55以上，極佳者係在60以上。

極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防鏽層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合層之表面之色差，係如上述控制之情況，電路鍍層與之對比係呈現鮮明，視認性呈現良好。因此，如上述印刷配線板，例如：在如圖1-C所示之製造步驟，能夠使電路鍍層精度良好的於所定位置形成。又，依據如上述印刷配線板之製造方法，茲因電路鍍層係掩埋於樹脂層中所構成，例如圖4-J所示之藉由光蝕刻除去極薄銅層時，電路鍍層係由樹脂層保護，其形狀得以保持，藉此使細微電路容易形成。又，茲因電路鍍層係由樹脂層保護，耐偏移性提升，可良好地抑制其電路配線之導通。因此，使細微電路容易形成。又，如圖4-J以及圖4-K藉由光蝕刻除去極薄銅層時，茲因電路鍍層之露出面係為由樹脂層下凹之形狀，使該電路鍍層上之焊凸，進而於其上銅支點容易個別地形成，提升製造效率。

另外，於掩埋樹脂(Resin)係可選用已知之樹脂、預浸漬片。例如可使用：BT(雙馬來醯亞胺三嗪)樹脂或浸泡於BT樹脂中之玻璃纖維布預浸漬片、味之素極致(Ajinomoto Fine)股份有限公司製ABF膠膜或ABF。又，前述掩埋樹脂(Resin)，係可使用於本說明書中記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸漬片。

本發明之附載子銅箔，其係銅箔載子的厚度與在銅箔載子中之中間層其相對側之表面，亦即銅箔載子之外側表面的殘留應力的積，以及，極薄銅層的厚度與在極薄銅層之中間層相對側之表面，亦即極薄銅層之外側表面的殘留應力的積的差，若殘留應力係收縮方向時為正值，拉伸方向時為 負值時，其係被控制在-150(μm‧MPa)以上500(μm‧MPa)以下。

銅箔載子之厚度與銅箔載子之外側表面殘留應力的積，係表示銅箔載子之中間層與其界面相關之界面力矩。又，極薄銅層的厚度與極薄銅層的外側表面的殘留應力的積，係表示極薄銅層之中間層與其界面相關之界面力矩。

亦即，銅箔載子的厚度與銅箔載子的外側表面的殘留應力的積，以及，極薄銅層的厚度與極薄銅層的外側表面的殘留應力的積的差，係為表示由銅箔載子以及極薄銅層之中間層之銅距離，與各殘留應力之積的差，該數值越小，於銅箔載子表面以及極薄銅層表面發生彎曲之驅動力就越小。因此，附載子銅箔及極薄銅層之種類，甚至其等之厚度無限制，仍能良好的抑制銅箔之彎曲。又，為能更為良好的抑制銅箔之彎曲，銅箔載子的厚度與銅箔載子之外側表面的殘留應力的積，以及，極薄銅層的厚度與極薄銅層之外側表面的殘留應力的積的差，在-145(μm‧MPa)以上450(μm‧MPa)以下者為佳，-135(μm‧MPa)以上430(μm‧MPa)以下者亦佳，-125(μm‧MPa)以上350(μm‧MPa)以下者亦佳，-100(μm‧MPa)以上320(μm‧MPa)以下者亦佳，-50(μm‧MPa)以上320(μm‧MPa)以下者更佳。又，本發明之附載子銅箔，係亦可為銅箔載子的厚度與銅箔載子之外側表面的殘留應力的積，以及，前述極薄銅層的厚度與極薄銅層之外側表面的殘留應力的積的差，若殘留應力係收縮方向時為正值，係拉伸方向時為負值時，其係在-150(μm‧MPa)以上500(μm‧MPa)以下(除了0(μm‧MPa)的情況外)者。

【實施例】

以下，雖係藉由本發明之實施例更加詳細地說明本發明，但本發明並未受此等之實施例任何限制。

(實施例1~8)

1.附載子銅箔之製造

銅箔載子，係準備表1所記述厚度之長的電解銅箔(JX日鑛日石金屬公司製，JTC(製品名)厚度12μm，18μm，70μm)以及壓延銅箔(JX日鑛日石金屬公司製，C1100(製品名)，厚度18μm)。

各銅箔，係於製成附載子銅箔時，作為外側面之殘留應力調節於-30MPa以上30MPa以下之範圍內。在此，殘留應力為正值時為收縮應力，為負值時為拉伸應力。銅箔載子如使用電解銅箔時，藉由電解液組成與電解條件之最佳化，可將表層之殘留應力，配合後述之極薄銅層外側表面之殘留應力之範圍，而調節至任意範圍。使用下述之電解浴組成以及電解條件，在不銹鋼製之電解桶上製造電解銅箔。又，若提高電解液之流速，銅箔之殘留應力係具有往收縮方向作用(收縮應力易作用)之傾向，若降低電解液之流速，銅箔之殘留應力係具有往拉伸方向作用(拉伸應力易作用)之傾向。又，若提高電流密度，銅箔之殘留應力係具有往收縮方向作用(收縮應力易作用)之傾向，若降低電流密度，銅箔之殘留應力係具有往拉伸方向作用(拉伸應力易作用)之傾向。又，亦可藉由添加電解液之添加劑(例如：C1或黏著劑等)調整殘留應力。

(電解浴組成)

Cu：80~120g/L

H₂SO₄：80~120g/L

C1：20~80mg/L(實施例5、比較例1)

黏著劑：0．1~6．0mg/L(實施例1、2、5、6、7、8，比較例1)

(電解條件)

液溫：55~65℃

電流密度：100A/dm²

電解液流速：1.5m/秒

銅箔載子如使用壓延銅箔的情況，可藉由在壓延銅箔製造步驟其壓延條件以及熱處理條件之最佳化，將表層之殘留應力調節至任意範圍，其方法對其製造業者而言係容易且已知。也可與後述之極薄銅層外側表面之殘留應力之範圍加以組合調節。於本實施例中，在最終冷軋之壓延加工度係95%，在最終冷軋之最終通過之壓延加工度係5%，於最終冷軋之最終通過使用之壓延滾輪之直徑係為80mm。又，壓延銅箔之表層之殘留應力，係亦可藉改變於最終冷軋使用之壓延滾輪之滾輪直徑加以調整，又，控制最終冷軋之壓延加工度亦可加以調整。例如：滾輪直徑放大的情況，表層之殘留應力係具有往拉伸方向作用(拉伸應力易作用)之傾向，滾輪直徑縮小的情況，表層之殘留應力係具有往收縮方向作用(收縮應力易作用)之傾向。又，最終冷軋之壓延加工度高的情況，表層之殘留應力係具有往收縮方向作用(收縮應力易作用)之傾向，最終冷軋之壓延加工度低的情況，表層之殘留應力係具有往拉伸方向作用(拉伸應力易作用)之傾向。又，於最終冷軋之最終通過之壓延加工度小的情況，表層之殘留應力係具有往收縮方向作用(收縮應力易作用)之傾向，於最終冷軋之最終通過之壓延加工度大的情況，表層之殘留應力係具有往拉伸方向作用(拉伸應力易作用)之傾向。

對此銅箔之光亮面，藉以下之條件在卷對卷(Roll to roll)型之連續生產線其關於附載子表面以及極薄銅層側，依序藉以下之條件進行於表1中記述之中間層形成處理。

於載子表面側與極薄銅層側之處理步驟之間，進行水洗及酸洗。生產線張力，係如表1所記述。

‧Ni-Zn鍍(實施例1~4、8，比較例3)

硫酸鎳：250~300g/L

氯化鎳：35~45g/L

醋酸鎳：10~20g/L

檸檬酸鈉(Trisodium citrate)：15~30g/L

光澤劑：糖精(saccharin)、丁炔二醇等

十二烷基硫酸鈉：30~100ppm

ZnSO₄：0．05~5g/L

pH：4~6

浴溫：50~70℃

電流密度：3~15A/dm²

‧Ni鍍(實施例5、7，比較例2)

硫酸鎳：250~300g/L

氯化鎳：35~45g/L

醋酸鎳：10~20g/L

檸檬酸鈉：15~30g/L

增白劑：糖精、丁炔二醇等

十二烷基硫酸鈉：30~100ppm

pH：4~6

浴溫：50~70℃

電流密度：3~15A/dm²

‧電解鉻酸鹽處理

液成分：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L

pH：3~4

液溫：50~60℃

電流密度：0．1~2．6A/dm²

庫倫量：0．5~30As/dm²

‧浸漬鉻酸鹽處理

液成分：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L

pH：3~4

液温：50~60℃

浸漬時間：1~20秒

接著，於卷對卷(Roll to roll)型的連續鍍層生產線上，藉以下之條件進行電解電鍍於中間層之上形成厚3~5μm之極薄銅層，製成附載子銅箔。又，極薄銅層之殘留應力也可用與電解銅箔載子同樣之方式調製。本件中，實施例、比較例都是藉氯化物離子濃度與電流密度之控制加以調整。

‧極薄銅層

銅濃度：30~120g/L

H₂SO₄濃度：20~120g/L

氯化物離子濃度：20~80mg/L

電解液溫度：20~80℃

電流密度：10~100A/dm²

又，實施例1、2及5相關於極薄銅層之表面，係以以下順序，即粗化處理、防鏽處理、鉻酸鹽處理、以及矽烷偶合處理進行。

‧粗化處理

Cu：10~20g/L

Co：1~10g/L

Ni：1~10g/L

pH：1~4

溫度：40~50℃

電流密度Dk：20~30A/dm²

時間：1~5秒

Cu附著量：15~40mg/dm²

Co附著量：100~3000μg/dm²

Ni附著量：100~1000μg/dm²

‧防鏽處理

Zn：0~20g/L

Ni：0~5g/L

pH：3．5

溫度：40℃

電流密度Dk：0~1．7A/dm²

時間：1秒

Zn附著量：5~250μg/dm²

Ni附著量：5~300μg/dm²

‧鉻酸鹽處理

K₂Cr₂O₇

(Na₂Cr₂O₇或CrO₃)：2~10g/L

NaOH或KOH：10~50g/L

ZnO或ZnSO₄7H₂O：0．05~10g/L

pH：7~13

浴溫：20~80℃

電流密度0.05~5A/dm²

時間：5~30秒

Cr附著量：10~150μg/dm²

‧矽烷偶合處理

乙烯基三乙環氧基矽烷水溶液

(乙烯基三乙環氧基矽烷濃度：0．1~1．4wt%)

pH：4~5

時間：5~30秒

(比較例1~3)

比較例1，其中除銅箔載子之製箔電流密度為60A/dm²，無形成中間層，而形成極薄銅層以外，其餘係與實施例2為同一之條件製作附載子銅箔。比較例2、3除作為載子之壓延銅箔於製作時之最終冷軋之壓延加工度各為85%、70%，最終冷軋其最終通過之壓延加工度各為10%、20%，最終冷軋其最終通過所使用之壓延滾輪直徑各為100mm、120mm，又於中間層上，比較例2係以Ni鍍，於比較例3係以Ni-Zn鍍與電解鉻酸鹽處理加以進行之外，其餘均與實施例3為同一之條件製作附載子銅箔。

2.附載子銅箔之各種評估

關於上述方法所得之附載子銅箔，藉以下的方法

實施各項評估。其結果如表1所示。

<極薄銅層平均結晶粒徑之量測>

使用FIB-SIM觀察極薄銅層之斷面，以能夠包圍結晶粒的最小圓直徑最為結晶粒徑，對觀察視野中所有的結晶粒進行量測。(具體而言係進行拍攝，根據該照片加以量測。)又，使用FIB-SIM對極薄銅層之斷面觀察，係以聚焦離子束(FIB)加工使斷面露出，此極薄銅層之斷面再藉由使用掃描離子微測儀(SIM)進行觀察。爾後，係以20個以上之結晶粒徑之平均值作為其平均粒徑。於觀察視野中，並不存在有20個以上之結晶粒徑的情況，放大觀察視野至進行結晶粒徑的量測結晶粒數係20個以上再進行量測。又，使用FIB-SIM觀察極薄銅層之斷面時之倍率係無特別限制，能夠觀察結晶粒之倍率即可。例如：可藉2500~40000倍之倍率量測結晶粒徑。

<附著量的量測>

鎳(Ni)附著量，其樣品係以濃度20%的硝酸加以溶解並藉由ICP發光分析量測，而鉻(Cr)附著量，以及鋅(Zn)附著量，其係將樣品以7質量%之鹽酸溶解，並藉由原子吸收光譜法進行定量分析量測。

<殘留應力之量測>

銅箔載子外側表面以及極薄銅層外側表面之殘留應力，係以X光繞射法量測。以此種方法，由構成量測對象之銅層之多數之晶格面間隔量測值，與係為已知之無應力狀態下量測之銅晶格面間隔以及銅的彈力係數以及泊松比(Poisson’s ratio)，求出銅層表面之殘留應力。

本件中，殘留應力的量測係使用理學(Rigaku)公司製X光繞射裝置RINT2100進行。繞射角的校正係使用標準Si結晶進行。又，殘留應力的 計算係使用Rigaku公司製X光繞射裝置RINT2100附屬之計算軟體，並使用繞射最大峰值之量測值進行計算。

茲因X光的照射深度係通常在數μm~10μm左右，考量由量測面表層至此照射深度範圍之X光衰減，求出平均的晶格面間格以及殘留應力。在附載子銅箔上銅箔載子及極薄銅層的厚度，係與X光照射深度幾乎相同或在之上，故考量所量測之殘留應力如以銅箔載子及極薄銅層之表層之殘留應力來表示並無任何疑慮。又，如極薄銅層外側表面進行粗化處理、耐熱處理、防鏽處理、鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等之表面處理的情況，於該表面處理後(由該表面處理層上開始)進行殘留應力之測定。另外，如在銅箔載子外側表面進行粗化處理、耐熱處理、防鏽處理、鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等之表面處理的情況，於該表面處理後(由該表面處理層上開始)再進行殘留應力之測定者為佳。

又，於附載子銅箔具有樹脂層的情況下，將樹脂層以溶劑等除去後，可進行上述之殘留應力之測定。

<彎曲量的量測>

彎曲量，係將附載子銅箔切割出10cm見方之片狀物，將極薄銅層側向上於水平面上靜置24小時後，量測片狀物四邊角部自水平面浮起之最大高度。如在片狀物四邊角部未浮起，向下彎曲的情況，將極薄銅層側向下放置，量測片狀物四邊角落部浮起的最大值。

【表1】

(評估結果)

實施例1~8，其中銅箔載子的厚度與銅箔載子之外側表面的殘留應力的積，以及，前述極薄銅層的厚度與極薄銅層之外側表面的殘留應力的積的差，不論何例皆為-150(μm‧MPa)以上500(μm‧MPa)以下。因此，不論何例銅箔的彎曲都受良好的抑制。

比較例1~3，其中銅箔載子的厚度與銅箔載子之外側表面的殘留應力的積，以及，前述極薄銅層的厚度與極薄銅層之外側表面的殘留應力的積的差，不論何例皆在-150(μm‧MPa)以上500(μm‧MPa)以下之範圍外。因此，不論何例銅箔之彎曲量之最大值係超過10mm，可知銅箔的彎曲未受到抑制。

又，關於實施例3之附載子銅箔，以195℃加熱6小時後，進行殘留應力的量測。其結果，銅箔載子之外側表面的殘留應力，極薄銅層之外側表面的殘留應力同為0MPa。因此，銅箔載子的厚度與銅箔載子之外側表面的殘留應力的積，以及，前述極薄銅層的厚度與極薄銅層之外側表面的殘留應力的積的差係為0MPa。又，該加熱後之極薄銅層之平均粒徑係為16.1μm。

Claims (36)

1. 一種附載子銅箔，其特徵為其係具備有銅箔載子、與於銅箔載子上層合之中間層，與於中間層上層合之極薄銅層之附載子銅箔；銅箔載子的厚度與銅箔載子之外側表面的殘留應力的積，以及，極薄銅層的厚度與極薄銅層之外側表面的殘留應力的積的差，若殘留應力係收縮方向時為正值，拉伸方向時為負值，其係在-150(μm‧MPa)以上500(μm‧MPa)以下者。
2. 一種附載子銅箔，其特徵為其係具備有銅箔載子、與於銅箔載子上層合之中間層，與於中間層上層合之極薄銅層之附載子銅箔；銅箔載子的厚度與銅箔載子之外側表面的殘留應力的積，以及，極薄銅層的厚度與極薄銅層之外側表面的殘留應力的積的差，若殘留應力係收縮方向時為正值，拉伸方向時為負值，其係在-150(μm‧MPa)以上500(μm‧MPa)以下(除了0(μm‧MPa)的情況外)者。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項之附載子銅箔，其中銅箔載子的厚度與銅箔載子的外側表面的殘留應力的積，以及，極薄銅層的厚度與極薄銅層的外側表面的殘留應力的積之差，為-100(μm‧MPa)以上320(μm‧MPa)以下者。
4. 如申請專利範圍第3項之附載子銅箔，其中銅箔載子的厚度與銅箔載子的外側表面的殘留應力的積，以及，極薄銅層的厚度與極薄銅層的外側表面的殘留應力的積之差，為-50(μm‧MPa)以上320(μm‧MPa)以下者。
5. 如申請專利範圍第1項之附載子銅箔，其中銅箔載子係由電解銅箔或壓延銅箔所構成。
6. 如申請專利範圍第1項之附載子銅箔，其中中間層係以與銅箔載子之界面相接之Ni層以及與極薄銅層之界面相接之Cr層所構成，在中間層之Ni的附著量為1μg/dm²以上40000μg/dm²以下，在中間層之Cr的附著量係為1μg/dm²以上100μg/dm²以下， 中間層更有以1μg/dm²以上70μg/dm²以下之附著量存在之Zn。
7. 如申請專利範圍第1項之附載子銅箔，其中極薄銅層之厚度係在1μm以上10μm以下。
8. 如申請專利範圍第1項之附載子銅箔，其中極薄銅層之平均結晶粒徑係未達15μm者。
9. 如申請專利範圍第1項之附載子銅箔，其中於極薄銅層表面上係具有粗化處理層。
10. 如申請專利範圍第9項之附載子銅箔，其中於粗化處理層之表面上，係具有選自耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所成群之1種以上之層者。
11. 如申請專利範圍第10項之附載子銅箔，其中防鏽層及耐熱層之至少一面上，係含有選自鎳、鈷、銅、鋅之1個以上的元素者。
12. 如申請專利範圍第10項之附載子銅箔，其中防鏽層及耐熱層之至少一面上，係由選自鎳、鈷、銅、鋅之1個以上的元素所成者。
13. 如申請專利範圍第10項之附載子銅箔，其中粗化處理層之上係具有耐熱層。
14. 如申請專利範圍第10項之附載子銅箔，其中粗化處理層之上係具有防鏽層。
15. 如申請專利範圍第13項之附載子銅箔，其中耐熱層之上係具有防鏽層。
16. 如申請專利範圍第10項之附載子銅箔，其中防鏽層之上係具有鉻酸鹽處理層。
17. 如申請專利範圍第15項之附載子銅箔，其中防鏽層之上係具有鉻酸鹽處理層。
18. 如申請專利範圍第10項之附載子銅箔，其中鉻酸鹽處理層之上係具有矽烷偶合處理層。
19. 如申請專利範圍第17項之附載子銅箔，其中鉻酸鹽處理層之上係具有矽烷偶合處理層。
20. 如申請專利範圍第1項之附載子銅箔，其中於極薄銅層之表面，係具有選自耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所成群之1種以上之層者。
21. 如申請專利範圍第1項之附載子銅箔，其中將附載子銅箔切割出10cm見方之片狀物靜置於水平面上時，其由片狀四邊角落之水平面浮起之高度最大值係於10mm以下。
22. 如申請專利範圍第1項之附載子銅箔，其中於極薄銅層上係備有樹脂層。
23. 如申請專利範圍第9項之附載子銅箔，其中於粗化處理層上係備有樹脂層。
24. 如申請專利範圍第10項之附載子銅箔，其中耐熱層、防鏽層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所成群中任意選擇一種以上之層上備有樹脂層。
25. 如申請專利範圍第22項之附載子銅箔，其中樹脂層係含有介電質者。
26. 如申請專利範圍第23項之附載子銅箔，其中樹脂層係含有介電質者。
27. 如申請專利範圍第24項之附載子銅箔，其中樹脂層係含有介電質者。
28. 一種銅張積層板，其特徵為其係使用申請專利範圍第1~27項中任一項之附載子銅箔所製造者。
29. 一種印刷配線板，其特徵為其係使用申請專利範圍第1~27項中任一項之附載子銅箔所製造者。
30. 一種印刷電路板，其特徵為其係使用申請專利範圍第1~27項中任一項之附載子銅箔所製造者。
31. 一種印刷配線板的製造方法，其特徵為其係包含：準備申請專利範圍第1~27項中任一項之附載子銅箔與絕緣基板之步驟、層合附載子銅箔與絕緣基板之步驟、於層合附載子銅箔與絕緣基板之後，經過剝離附載子銅箔之銅箔載子 步驟形成銅張積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部份加成法或調節半加成法中之任何一種方法形成電路之步驟。
32. 一種印刷配線板的製造方法，其特徵為其係包含：於申請專利範圍第1~27項中之附載子銅箔之極薄銅層側表面形成電路之步驟、於附載子銅箔之極薄銅層側表面，進行掩蓋電路從而形成樹脂層之步驟、於樹脂層上形成電路之步驟、於樹脂層上形成電路後，使載子剝離之步驟、以及，在使載子剝離後，藉除去極薄銅層，使形成於極薄銅層側表面、且被掩蓋於樹脂層中之電路露出之步驟。
33. 如申請專利範圍第32項之印刷配線板之製造方法，其中在樹脂層上形成電路之步驟，係在樹脂層上以其他的附載子銅箔由極薄銅層側加以貼合，並使用於樹脂層貼合成之附載子銅箔而形成電路之步驟。
34. 如申請專利範圍第33項之印刷配線板之製造方法，其中於樹脂層上貼合之其他的附載子銅箔，係申請專利範圍第1~23項中任一項之附載子銅箔。
35. 如申請專利範圍第32項之印刷配線板之製造方法，其中於樹脂層上形成電路之步驟，係藉由半加成法、減成法、部份加成法或調節半加成法之任意一種方法進行之步驟。
36. 如申請專利範圍第32項之印刷配線板之製造方法，其中更包含在將載子剝離前，於附載子銅箔之載子側表面上形成基板之步驟。