TWI551437B - And the use of a carrier copper foil of the printed wiring board thereof, printed circuit boards and copper-clad laminates - Google Patents

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Description

附載體銅箔及使用其之印刷配線板、印刷電路板及覆銅積層板
本發明係關於一種附載體銅箔及使用其之印刷配線板、印刷電路板及覆銅積層板。
印刷配線板橫跨該半個世紀並取得較大之進展，當前被用於幾乎全部之電子機器。隨著近年來之電子機器之小型化、高性能化需求之增大而推進搭載零件之高密度構裝化或訊號之高頻化，從而對印刷配線板要求有導體圖案之微細化(細間距(fine pitch)化)或高頻應對等，尤其是於在印刷配線板上載置IC晶片之情形時，要求有L/S=20μm/20μm以下之細間距化。
印刷配線板首先被製造成貼合銅箔與以玻璃環氧基板、BT樹脂、聚醯亞胺膜等為主之絕緣基板而成之覆銅積層體。貼合係使用將絕緣基板與銅箔重疊並對其加熱加壓而形成之方法(層壓(laminate)法)、或將作為絕緣基板材料之前驅物之清漆塗佈於銅箔之具有被覆層之面並進行加熱、硬化的方法(澆鑄(casting)法)。
隨著細間距化而用於覆銅積層體之銅箔之厚度亦變成9μm、進而5μm以下等，箔厚正在變薄。然而，若箔厚變成9μm以下則 利用上述層壓法或澆鑄法形成覆銅積層體時之操作(handling)性極其變差。因此，出現將具有厚度之金屬箔用作載體並於其介隔剝離層而形成極薄銅層之附載體銅箔。附載體銅箔之通常之使用方法係將極薄銅層之表面貼合於絕緣基板並進行熱壓接後，將載體與剝離層一起剝離。
此種附載體銅箔可用作各種電子機器之構成構件。圖1係表示使用附載體銅箔形成之遮蔽膜(shield film)及具備其之FPC(撓性印刷基板)之示意圖。圖1所示之FPC依序形成有PI(聚醯亞胺)、Cu、覆蓋層(附有接著劑(ADH)之聚醯亞胺)各層，且於覆蓋層形成有微小之凹部。在設置於凹部之Cu上設有鍍敷層，與遮蔽膜電性連接。遮蔽膜被加壓壓接於此種FPC表面。此時，遮蔽膜係以與配線部電性連接之方式埋入至上述凹部。遮蔽膜係於絕緣層上依序設有金屬薄膜及異向導電性接著劑，且自異向導電性接著劑側加壓壓接於FPC表面。該遮蔽膜之金屬薄膜對應於附載體銅箔之極薄銅層。即，準備遮蔽膜用之絕緣層，將附載體銅箔自極薄銅層側貼合於絕緣層表面後，將銅箔載體自極薄銅層剝離，進而於銅箔載體剝離後之極薄銅層之表面設置異向導電性接著劑，藉此形成遮蔽膜。
另一方面，例如專利文獻1或2所揭示般，先前對使用金屬薄膜製作而成之遮蔽膜研究各種構成。
[專利文獻1]日本專利第4647924號公報
[專利文獻2]日本特開2010-239141號公報
使用附載體銅箔形成遮蔽膜，並利用加熱將其加壓壓接於FPC表面之情形時，會產生如下問題：自FPC之覆蓋層所使用之接著劑或聚醯亞胺產生氣體或蒸氣，該等會失去散溢通道而積存於FPC與遮蔽膜間，從而容易產生起泡。因此，本發明之課題在於提供一種可良好地抑制因利用加熱等而產生之氣體或蒸氣之殘留所致之極薄銅層之剝離的附載體銅箔。
為達成上述目的，本發明人反覆進行努力研究，結果發現，可提供一種藉由於極薄銅層以特定個數密度形成特定大小之針孔(pin hole)，而可良好地抑制因利用加熱等而產生之氣體或蒸氣之殘留所致產生FPC之起泡的附載體銅箔。
本發明係基於上述見解而完成者，本發明之一態樣係一種附載體銅箔，係依序積層有銅箔載體、中間層、極薄銅層，於上述極薄銅層存在1個/cm2以上且3000個/cm2以下之直徑為1μm以上且50μm以下之針孔。
本發明之附載體銅箔係於一實施形態中，於上述極薄銅層存在100個/cm2以上且3000個/cm2以下之直徑為1μm以上且50μm以下之針孔。
本發明之另一態樣係一種附載體銅箔，係依序積層有銅箔載體、中間層、極薄銅層，且於上述極薄銅層存在100個/cm2以上之直徑為5 μm以上且10μm以下之針孔、3000個/cm2以下之直徑為1μm以上且50μm以下之針孔。
本發明之進而另一態樣係一種附載體銅箔，係依序積層有銅箔載體、中間層、極薄銅層，於上述極薄銅層存在100個/cm2以上且1000個/cm2以下之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔。
本發明之進而另一態樣係一種附載體銅箔，係依序積層有銅箔載體、中間層、極薄銅層，於上述極薄銅層存在1個/cm2以上且3000個/cm2以下之直徑為1μm以上且50μm以下之針孔，於上述極薄銅層存在100個/cm2以上之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔。
本發明之進而另一態樣係一種附載體銅箔，係依序積層有銅箔載體、中間層、極薄銅層，於上述極薄銅層存在1個/cm2以上且3000個/cm2以下之直徑為1μm以上且50μm以下之針孔，在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度3μm以下之極薄銅層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，於上述極薄銅層存在1000個/cm2以下之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，於上述極薄銅層存在10個/cm2以上且1000個/cm2以下之直徑為1μm以上且20μm以下之針孔。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，於上述極薄銅層存在100個/cm2以上且1000個/cm2以下之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度3μm以下之極薄銅層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度1μm以下之極薄銅層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，上述極薄銅層之與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg為1μm以上且4μm以下，上述極薄銅層之上述銅箔載體側表面之平均粗糙度Rz-avg為與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg以上。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，於上述極薄銅層表面具有粗化處理層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，於上述粗化處理層之表面，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，上述防銹層 及上述耐熱層之至少一者包含選自鎳、鈷、銅、鋅中之1種以上之元素。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，上述防銹層及上述耐熱層之至少一者由選自鎳、鈷、銅、鋅中之1種以上之元素所構成。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，於上述粗化處理層上具有上述耐熱層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，於上述粗化處理層或上述耐熱層上具有上述防銹層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，於上述防銹層上具有上述鉻酸鹽處理層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，於上述鉻酸鹽處理層上具有上述矽烷偶合處理層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，於上述極薄銅層之表面，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，於上述極薄銅層上具備樹脂層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，於上述粗化處理層上具備樹脂層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，於上述選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層上具備樹脂層。
本發明之附載體銅箔係於進而另一實施形態中，上述樹脂層包含介電體。
本發明之另一態樣係一種覆銅積層板，其使用本發明之附載體銅箔而製成。
本發明之進而另一態樣係一種印刷配線板，其使用本發明之附載體銅箔而製成。
本發明之進而另一態樣係一種印刷電路板，其使用本發明之附載體銅箔而製成。
本發明之進而另一態樣係一種印刷配線板之製造方法，其包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；積層上述附載體銅箔與絕緣基板之步驟；以及於積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，經過剝離上述附載體銅箔之銅箔載體之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法(semi additive method)、減成法(subtractive method)、部分加成法(partly additive method)或改良半加成法(modified semi additive method)之任一種方法，形成電路之步驟。
本發明之進而另一態樣係一種印刷配線板之製造方法，其包含如下步驟：於本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路之步驟；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層之步驟；於上述樹脂層上形成電路之步驟； 於在上述樹脂層上形成電路後，使上述載體剝離之步驟；以及藉由在使上述載體剝離後去除上述極薄銅層，而使於上述極薄銅層側表面所形成之埋沒至上述樹脂層之電路露出之步驟。
本發明之印刷配線板之製造方法係於一實施形態中，於上述樹脂層上形成電路之步驟係將另一附載體銅箔自極薄銅層側貼合至上述樹脂層上，並使用貼合於上述樹脂層之附載體銅箔以形成上述電路的步驟。
本發明之印刷配線板之製造方法係於另一實施形態中，貼合於上述樹脂層上之另一附載體銅箔為本發明之附載體銅箔。
本發明之印刷配線板之製造方法係於進而另一實施形態中，於上述樹脂層上形成電路之步驟係藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法之任一種方法進行。
本發明之印刷配線板之製造方法係於進而另一實施形態中，進而包含於剝離載體之前，於附載體銅箔之載體側表面形成基板之步驟。
根據本發明，可提供一種可良好地抑制因利用加熱等而產生之氣體或蒸氣之殘留所致產生FPC之起泡的附載體銅箔。
圖1係表示遮蔽膜及使用有其之FPC之構成例之示意圖。
圖2係實施例2之銅箔載體剝離後極薄銅層之銅箔載體側表面之光學顯微鏡觀察照片。
圖3係實施例2之銅箔載體剝離後極薄銅層之銅箔載體側表面之SEM觀察照片。
圖4係實施例2之銅箔載體剝離後極薄銅層之與銅箔載體相反側表面之SEM觀察照片。
圖5係實施例4之銅箔載體剝離後極薄銅層之銅箔載體側表面之光學顯微鏡觀察照片。
圖6係實施例4之銅箔載體剝離後極薄銅層之銅箔載體側表面之SEM觀察照片。
圖7係實施例4之銅箔載體剝離後極薄銅層之與銅箔載體相反側表面之SEM觀察照片。
圖8係厚度18μm之銅箔載體之S面之SEM觀察照片。
圖9係厚度18μm之銅箔載體之M面之SEM觀察照片。
圖10係厚度35μm之銅箔載體之M面之SEM觀察照片。
圖11之A~C係使用本發明附載體銅箔之印刷配線板之製造方法其具體例的電路鍍敷、阻劑去除為止之步驟中配線板剖面的示意圖。
圖12之D~F係使用本發明附載體銅箔之印刷配線板之製造方法其具體例的積層樹脂及第2層附載體銅箔起至雷射開孔為止之步驟中配線板剖面的示意圖。
圖13之G~I係使用本發明附載體銅箔之印刷配線板之製造方法其具體例的形成填孔(via-filling)起至第1層之載體剝離為止之步驟中配線板剖面的示意圖。
圖14之J~K係使用本發明附載體銅箔之印刷配線板之製造方法其具 體例的閃蝕(flash etching)起至凸塊、銅柱形成為止之步驟中配線板剖面的示意圖。
<銅箔載體>
典型而言，可用於本發明之銅箔載體係以壓延銅箔或電解銅箔之形態提供。通常，電解銅箔係於鈦或不鏽鋼之滾筒(drum)上自硫酸銅鍍浴電解析出銅而製造，壓延銅箔係反覆進行利用壓延輥之塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔之材料，除精銅或無氧銅等高純度之銅以外，亦可使用例如摻有Sn之銅、摻有Ag之銅、添加有Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加有Ni及Si等之卡遜系銅合金之類之銅合金。再者，當於本說明書中單獨使用用語「銅箔」時亦包含銅合金箔。
關於可用於本發明之銅箔載體之厚度，並無特別限制，只要於發揮作為載體作用下適當調節為合適之厚度即可，例如可設為12μm以上。然而，若過厚則生產成本變高，故而通常較佳設為35μm以下。因此，銅箔載體之厚度典型而言為12~70μm，更典型而言為18~35μm。
<中間層>
於銅箔載體之單面或兩面上設置中間層。亦可於銅箔載體與中間層之間設置其他層。本發明中使用之中間層只要為如下構成則並無特別限定：於附載體銅箔向絕緣基板之積層步驟前極薄銅層難以自載體剝離，另一方面，於向絕緣基板之積層步驟後極薄銅層可自載體剝離般的構成。例如，本發明之附載體銅箔之中間層包含選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、 Cu、Al、Zn、該等之合金、該等之水合物、該等之氧化物、有機物所組成之群中之一種或兩種以上。又，中間層亦可為複數層。
又，例如，中間層可藉由形成如下而構成：自載體側形成選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群中之一種元素構成之單一金屬層，或者選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群中之一種或兩種以上之元素構成之合金層，並於其上形成選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群中之一種或兩種以上之元素之水合物或氧化物或有機物構成之層。
又，例如，中間層可藉由形成如下而構成：自載體側形成選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群中之一種元素構成之單一金屬層，或者選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群中之一種或兩種以上之元素構成之合金層，並於其上形成選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群中之一種元素構成之單一金屬層，或者選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群中之一種或兩種以上之元素構成之合金層。
於僅於單面設置中間層之情形時，較佳為於銅箔載體之相反面設置鍍Ni層等防銹層。再者，於以鉻酸鹽處理或鋅鉻酸鹽處理或鍍敷處理設置中間層時，可認為有鉻或鋅等已附著之金屬之一部分成為水合物或氧化物的情形。
又，例如，中間層可於銅箔載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金、及鉻而構成。鎳與銅之接著力高於鉻與銅之接著力，故而於剝離極薄銅層 時，於極薄銅層與鉻之界面剝離。又，期待中間層之鎳有防止銅成分自載體向極薄銅層擴散之障壁效果。中間層中之鎳之附著量較佳為100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下、更佳為100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下、更佳為100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下、更佳為100μg/dm2以上且未達1000μg/dm2，中間層中鉻之附著量較佳為5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。於僅於單面設置中間層時，較佳為於銅箔載體之相反面設置鍍Ni層等防銹層。
<極薄銅層>
於中間層上設置極薄銅層。亦可於中間層與極薄銅層之間設置其他層。於本發明之極薄銅層存在1個/cm2以上且3000個/cm2以下之直徑為1μm以上且50μm以下之針孔。藉由此種構成，向貼附對象之基板等貼合遮蔽膜，於構裝步驟中利用焊料回焊(solder reflow)處理進行加熱之情形時等產生氣體或蒸氣，但該等氣體或蒸氣會自以上述大小及個數密度形成在被用於遮蔽膜之極薄銅層的針孔良好地排除，故而良好地抑制因氣體或上述殘留所致產生FPC之起泡。於製作遮蔽膜時，即便利用壓延使極薄銅層變薄至數μm，亦必須另外貼附載體並投至製程中，但於將本發明之附載體銅箔用於遮蔽膜之情形時，無此種工序。又，於銅箔載體上以電解形成銅箔，故而亦無操作之問題，越薄則越可增多針孔，銅箔載體之粗糙度亦可使用S面(光澤面)、M面(霧面)之任意面，藉此，容易使針孔之尺寸或個數發生變化。再者，只要為先前之數百nm之蒸鍍膜，則存在多個針孔，藉此，於焊料回焊時可將由FPC產生之氣體排出，但於以銅箔代替該膜之情形時，必須亦考慮FPC對孔之追隨性，故而需要較薄且存在孔之銅箔。 此係壓延銅箔無法達成之特徵。本發明之極薄銅層較佳為存在10個/cm2以上且1000個/cm2以下之直徑為1μm以上且20μm以下之針孔，更佳為存在100個/cm2以上且1000個/cm2以下之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔。再者，極薄銅層亦可設置於載體之兩面。
極薄銅層可藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺磺酸銅、氰化銅等電解浴之電鍍而形成，由於以通常之電解銅箔使用，且可於高電流密度下形成銅箔，故而較佳為硫酸銅浴。藉由在銅箔載體上以電解形成極薄銅層，而亦無操作之問題，且銅層越薄則越可形成多個針孔。又，藉由利用銅箔載體之S面(光澤面)或M面(霧面)之表面粗糙度，可容易控制針孔之尺寸及個數密度。
極薄銅層之厚度並無特別限制，通常薄於載體，例如為12μm以下。典型而言可設為0.5~12μm，更典型而言可設為1~5μm，進而更典型而言可設為1~3μm。再者，於極薄銅層之厚度為5μm以下之情形時，有極薄銅層容易隨著FPC表面形狀之優點。
<粗化處理及其他表面處理>
於極薄銅層之表面，例如為了使與絕緣基板之密合性變得良好等，亦可藉由實施粗化處理而設置粗化處理層。粗化處理例如可藉由以銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理亦可為微細者。粗化處理層亦可為選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鈷及鋅所組成之群中之任一單體或包含任1種以上之合金所構成之層等。又，於以銅或銅合金形成粗化粒子後，進而亦可進行以鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等設置二次粒子或三次粒子之粗化處理。其後，亦可以鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等形成耐熱層或 防銹層，進而亦可對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。或者亦可不進行粗化處理，而以鎳、鈷、銅、鋅之單體或合金等形成耐熱層或防銹層，進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。即，亦可於粗化處理層之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層，亦可於極薄銅層之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。再者，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層亦可分別形成為複數層(例如2層以上、3層以上等)。
此處，作為耐熱層，可使用公知之耐熱層。又，例如可使用以下之表面處理。
作為耐熱層、防銹層，可使用公知之耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可為包含選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上之元素的層，亦可為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上之元素所構成的金屬層或合金層。又，耐熱層及/或防銹層亦可含有包含選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上之元素的氧化物、氮化物、矽化物。又，耐熱層及/或防銹層亦可為包含鎳-鋅合金之層。又，耐熱層及/或防銹層亦可為鎳-鋅合金層。上述鎳-鋅合金層亦可為去除不可避免之雜質，含有50wt%~99wt%之鎳、50wt%~1wt%之鋅者。上述鎳-鋅合金層之鋅及鎳之合計附著量亦可為5~1000mg/m2、較佳為10~500mg/m2、較佳為20~100mg/m2。又，上述包含鎳-鋅合金之層或上 述鎳-鋅合金層之鎳附著量與鋅附著量之比(=鎳之附著量/鋅之附著量)較佳為1.5~10。又，上述包含鎳-鋅合金之層或上述鎳-鋅合金層之鎳附著量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。於耐熱層及/或防銹層包含鎳-鋅合金時，於通孔(throughhole)或導孔(viahole)等內壁部與除膠渣液接觸時，銅箔與樹脂基板之界面不易被除膠渣液侵蝕，而銅箔與樹脂基板之密合性提高。防銹層亦可為鉻酸鹽處理層。鉻酸鹽處理層可使用公知之鉻酸鹽處理層。例如所謂鉻酸鹽處理層係指經包含鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽之液體處理之層。鉻酸鹽處理層亦可包含鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(亦可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任一種形態)。作為鉻酸鹽處理層之具體例，可列舉純鉻酸鹽處理層或鋅鉻酸鹽處理層等。於本發明中，將經鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液處理之鉻酸鹽處理層稱為純鉻酸鹽處理層。又，於本發明中，將經包含鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅之處理液處理之鉻酸鹽處理層稱為鋅鉻酸鹽處理層。
例如耐熱層及/或防銹層亦可為依次積層有附著量為1mg/m2~100mg/m2、較佳為5mg/m2~50mg/m2之鎳或鎳合金層，與附著量為1mg/m2~80mg/m2、較佳為5mg/m2~40mg/m2之錫層者，上述鎳合金層亦可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷之任一種構成。又，耐熱層及/或防銹層中，鎳或鎳合金與錫之合計附著量較佳為2mg/m2~150mg/m2，更佳為10mg/m2~70mg/m2。又，耐熱層及/或防銹層較佳為[鎳或鎳合金中之鎳附著量]/[錫附著量]=0.25~10，更佳為0.33~3。若使用該耐熱層及/或防銹層則將附載體銅箔加工成印刷配線板以後，其電路之剝落強度、該剝落強度之耐化學品性劣 化率等會變良好。
又，作為耐熱層及/或防銹層，可形成附著量為200~2000μg/dm2之鈷-50~700μg/dm2之鎳的鍍鈷-鎳合金層。該處理於廣泛意義上可視為一種防銹處理。該鍍鈷-鎳合金層必須處理至實質上不使銅箔與基板之接著強度降低之程度。若鈷附著量未達200μg/dm2，則會有耐熱剝離強度降低，耐氧化性及耐化學品性變差的情況。又，作為另一個理由，若鈷量較少則導致處理表面帶紅感故而欠佳。
作為矽烷偶合處理層，可使用公知之耐候性層。又，作為耐候性層，例如可使用公知之矽烷偶合處理層，且可使用利用以下矽烷形成之矽烷偶合處理層。
於矽烷偶合處理所使用之矽烷偶合劑中可使用公知之矽烷偶合劑，亦可使用例如胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑。又，於矽烷偶合劑中亦可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、4-縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。
上述矽烷偶合處理層亦可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯氧基系矽烷、巰基系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。再者，此種矽烷偶合劑亦可混合2種以上使用。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑而形成者。
所謂此處提及之胺基系矽烷偶合劑，亦可為選自由如下成分 所組成之群者：N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯氧基-2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷。
矽烷偶合處理層較理想係設為以矽原子換算係0.05mg/m2~200mg/m2、較佳為0.15mg/m2~20mg/m2、較佳為0.3mg/m2~2.0mg/m2之範圍。於上述範圍之情形時，可進一步提高基材樹脂與表面處理銅箔之密合性。
[極薄銅層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層上之樹脂層]
又，本發明之附載體銅箔亦可於極薄銅層上具備粗化處理層，亦可於上述粗化處理層上具備耐熱層及/或防銹層，於上述耐熱層及/或防銹層上亦可具備鉻酸鹽處理層，於上述鉻酸鹽處理層上亦可具備矽烷偶合處理層。
又，本發明之附載體銅箔於極薄銅層上亦可具備耐熱層及/或防銹層，於上述耐熱層及/或防銹層上亦可具備鉻酸鹽處理層，於上述鉻酸鹽處理層上亦可具備矽烷偶合處理層。
又，上述附載體銅箔亦可於上述極薄銅層上、或上述粗化處理層上、或上述耐熱層、防銹層、或鉻酸鹽處理層、或矽烷偶合處理層上具備樹脂層。上述樹脂層亦可為絕緣樹脂層。
再者，形成上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層之順序並無互相限定，亦可於極薄銅層上、或粗化處理層上以任一種順序形成該等層。
上述樹脂層可為接著劑，亦可為接著用之半硬化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)係包含如下狀態：即便以手指觸碰其表面亦無黏著感，可將該絕緣樹脂層重疊保管，當進一步受到加熱處理則產生硬化反應之狀態。
上述樹脂層可為接著用樹脂即接著劑，亦可為接著用之半硬化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)係包含如下狀態：即便以手指觸碰其表面亦無黏著感，可將該絕緣樹脂層重疊保管，當進一步受到加熱處理則產生硬化反應之狀態。
又，上述樹脂層可包含熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。又，上述樹脂層亦可包含熱塑性樹脂。上述樹脂層包含公知之樹脂、樹脂 硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等即可。又，上述樹脂層亦可使用例如國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號中記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成。
又，上述樹脂層之種類並無特別限定，例如，可列舉包含選 自環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚順丁烯二醯亞胺化合物、順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醚碸(亦稱為polyethersulphone、polyethersulfone)、聚醚碸(亦稱為polyethersulphone、polyethersulfone)樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙順丁烯二醯亞胺三樹脂、熱硬化性聚苯醚(polyphenyleneoxide)樹脂、氰酸酯系樹脂、羧酸之酐、多元羧酸之酐、具有可交聯之官能基之線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷、含磷之酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子環氧基、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂之群中之一種以上之樹脂作為較佳者。
又，上述環氧樹脂係於分子內具有2個以上環氧基者，且只要為可用於電氣、電子材料用途者則可無特別問題地使用。又，上述環氧樹脂較佳為使用於分子內具有2個以上縮水甘油基之化合物經環氧化之環氧樹脂。又，可混合使用選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清 漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、三縮水甘油基異氰尿酸酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等縮水甘油酯化合物、含磷環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯乙烷型環氧樹脂之群中之1種或2種以上，或者可使用上述環氧樹脂之氫化物或鹵化物。
可使用公知之含有磷之環氧樹脂作為上述含磷環氧樹脂。又，上述含磷環氧樹脂較佳為例如分子內具備2個以上環氧基之9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物之衍生物之形式獲得的環氧樹脂。
(樹脂層包含介電體(介電體填料)之情形)
上述樹脂層亦可包含介電體(介電體填料)。
於使上述任一樹脂層或樹脂組成物包含介電體(介電體填料)之情形時，用於形成電容體(capacitor)層之用途，可使電容體電路之電容增大。於該介電體(介電體填料)中，使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3．PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦結構的複合氧化物之介電體粉。
介電體(介電體填料)亦可為粉狀。於介電體(介電體填料)為粉狀之情形時，該介電體(介電體填料)之粉體特性較佳為粒徑為0.01μm~3.0μm、較佳為0.02μm~2.0μm之範圍。再者，以掃描式電子顯微鏡(SEM)對介電體拍攝照片，並於該照片上介電體粒子上畫直線的情形時，將橫切介電體粒子之直線長度為最長之部分的介電體粒子之長度設為該介電體粒子之直徑。而且，將測定視野中之介電體粒子之直徑的平均值設為 介電體之粒徑。
將上述樹脂層所含之樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基賽路蘇、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑中而製成樹脂液(樹脂清漆)，藉由例如輥塗法等將其塗佈於上述表面處理銅箔之粗化處理表面上，繼而視需要進行加熱乾燥以去除溶劑而成為B階段狀態。乾燥時例如使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度為100~250℃、較佳為130~200℃即可。亦可使用溶劑溶解上述樹脂層之組成物，製成樹脂固形物成分為3wt%~70wt%、較佳為3wt%~60wt%、較佳為10wt%~40wt%、更佳為25wt%~40wt%之樹脂液。再者，就環境之觀點而言，於現階段最佳為使用甲基乙基酮與環戊酮之混合溶劑進行溶解。再者，溶劑較佳為使用沸點為50℃~200℃範圍之溶劑。
又，上述樹脂層較佳為依據MIL標準中之MIL-P-13949G進行測定時之樹脂溢流量(resin flow)在5%~35%範圍的半硬化樹脂膜。
於本案說明書中，所謂樹脂溢流量，係依據MIL標準中之MIL-P-13949G，自樹脂厚度設為55μm之附有樹脂之表面處理銅箔取4片10cm見方試樣，將該4片試樣重疊之狀態(積層體)下於加壓溫度171℃、加壓壓力14kgf/cm2、加壓時間10分鐘之條件下進行貼合，根據測定此時之樹脂流出重量所得之結果，基於數1算出之值。
[數1]
具備上述樹脂層之表面處理銅箔(附有樹脂之表面處理銅箔)係以如下態樣被使用：於使該樹脂層重疊於基材之後對整體進行熱壓接而使該樹脂層熱硬化，繼而於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層時將載體剝離而使極薄銅層露出(當然，露出的是該極薄銅層之中間層側之表面)，自表面處理銅箔之與進行粗化處理之側相反之表面形成特定之配線圖案。
若使用該附有樹脂之表面處理銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時預浸材料之使用片數。而且，可將樹脂層之厚度設為可確保層間絕緣之厚度，或者即便完全未使用預浸材料亦可製造覆銅積層板。又，此時，亦可於基材之表面底漆塗佈絕緣樹脂而進一步改善表面之平滑性。
再者，於未使用預浸材料之情形時，由於節約預浸材料之材料成本且積層步驟亦變得簡單，故而於經濟上有利，而且按照預浸材料之厚度相應地製造之多層印刷配線基板之厚度變薄，從而具有可製造1層之厚度為100μm以下的極薄之多層印刷配線基板的優點。
該樹脂層之厚度較佳為0.1~120μm。
若樹脂層之厚度薄於0.1μm，則接著力降低，當未介置預浸材料之情況下將該附有樹脂之表面處理銅箔積層於具備內層材之基材時，有難以確保與內層材之電路之間的層間絕緣之情形。另一方面，若使樹脂層之厚度厚於120μm，則有如下情形：難以利用1次塗佈步驟形成目標厚度之樹脂層，且因花費多餘之材料費與步驟數，故而於經濟上不利。
再者，於將具有樹脂層之表面處理銅箔用於製造極薄之多層印刷配線板之情形時，將上述樹脂層之厚度設為0.1μm~5μm、更佳為0.5μm~5μm、更佳為1μm~5μm之情況下會縮小多層印刷配線板之厚度，故而較佳。
<附載體銅箔、印刷配線板、印刷電路板>
經過上述製程，製作依序積層有銅箔載體、中間層、極薄銅層之本發明之附載體銅箔。附載體銅箔本身之使用方法為業者所周知，例如可將極薄銅層之表面貼合於紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板，再進行熱壓接後剝離銅箔載體，將與絕緣基板接著之極薄銅層蝕刻成目標之導體圖案，最終可製造印刷配線板或印刷電路板。又，亦可製造覆銅積層板。又，準備遮蔽膜用絕緣層，將附載體銅箔自極薄銅層側貼合於絕緣層表面後，自極薄銅層剝離銅箔載體，進而於銅箔載體剝離後之極薄銅層表面設置異向導電性接著劑，藉此可製成遮蔽膜。以此種方式製作而成之印刷配線板及印刷電路板例如可搭載於被要求搭載零件之高密度構裝之各種電子零件。以下，表示幾種使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造步驟之例子。
於本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；積層上述附載體銅箔與絕緣基板；以及於將上述附載體銅箔與絕緣基板以極薄銅層側與絕緣基板對向之方式積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體之步驟而形成覆銅積層 板，其後，藉由半加成法、改良半加成法、部分加成法及減成法之任一種方法形成電路。絕緣基板亦可設為內層電路入口。
於本發明中，所謂半加成法係指如下方法：於絕緣基板或銅箔晶種層(seed layer)上進行較薄之無電電鍍，形成圖案後，使用電鍍及蝕刻以形成導體圖案。
因此，於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；積層上述附載體銅箔與絕緣基板；於積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，剝離上述附載體銅箔之載體；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除；於藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對上述樹脂及包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層；於上述無電電鍍層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後去除形成有電路之區域之鍍敷阻劑；於已去除上述鍍敷阻劑之上述形成有電路之區域設置電解鍍敷層；去除上述鍍敷阻劑；以及藉由閃蝕等去除位於上述形成有電路之區域以外之區域的無電電鍍層。
於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；積層上述附載體銅箔與絕緣基板；於積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，剝離上述附載體銅箔之載體；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法將剝離上述載體而露出之極薄銅層完全去除；對藉由利用蝕刻去除上述極薄銅層而露出之上述樹脂之表面設置無電電鍍層；於上述無電電鍍層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後去除形成有電路之區域之鍍敷阻劑；於已去除上述鍍敷阻劑之上述形成有電路之區域設置電解鍍敷層；去除上述鍍敷阻劑；以及藉由閃蝕等去除位於上述形成有電路之區域以外之區域的無電電鍍層及極薄銅層。
於本發明中，所謂改良半加成法係指如下方法：於絕緣層上積層金屬箔，藉由鍍敷阻劑而保護非電路形成部，藉由電解鍍敷來進行增厚電路形成部之銅後，去除阻劑，利用(快速(flash))蝕刻去除上述電路形成部以外之金屬箔，藉此於絕緣層上形成電路。
因此，於使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板； 積層上述附載體銅箔與絕緣基板；於積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置鍍敷阻劑；於設置上述鍍敷阻劑後，藉由電解鍍敷而形成電路；去除上述鍍敷阻劑；以及利用閃蝕將藉由去除上述鍍敷阻劑而露出之極薄銅層去除。
於使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；積層上述附載體銅箔與絕緣基板；於積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層上設置鍍敷阻劑；對上述鍍敷阻劑進行曝光，其後去除形成有電路之區域之鍍敷阻劑；於已去除上述鍍敷阻劑之上述形成有電路之區域設置電解鍍敷層；去除上述鍍敷阻劑；以及藉由閃蝕等去除位於上述形成有電路之區域以外之區域的無電電鍍層及極薄銅層。
於本發明中，所謂部分加成法係指如下方法：於設置導體層而成之基板、視需要穿過通孔或導孔用之孔而成之基板上賦予觸媒核，進 行蝕刻而形成導體電路，視需要設置阻焊劑或鍍敷阻劑後，於上述導體電路上，藉由無電電鍍處理對通孔或導孔等進行增厚，藉此製造印刷配線板。
因此，於使用部分加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；積層上述附載體銅箔與絕緣基板；於積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對包含上述通孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核，而形成電路；去除上述蝕刻阻劑；於藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述觸媒核而露出之上述絕緣基板表面，設置阻焊劑或鍍敷阻劑；以及於未設置上述阻焊劑或鍍敷阻劑之區域設置無電電鍍層。
於本發明中，所謂減成法係指如下方法：藉由蝕刻等將覆銅積層板上之銅箔的不需要部分選擇性地去除，形成導體圖案。
因此，於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包含如下步驟： 準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；積層上述附載體銅箔與絕緣基板；於積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層；於上述無電電鍍層之表面設置電解鍍敷層；於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述無電電鍍層及上述電解鍍敷層，而形成電路；以及去除上述蝕刻阻劑。
於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，包含如下步驟：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板；積層上述附載體銅箔與絕緣基板；於積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，剝離上述附載體銅箔之載體；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理；對包含上述通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層；於上述無電電鍍層之表面形成遮罩(mask)；於未形成遮罩之上述無電電鍍層之表面設置電解鍍敷層； 於上述電解鍍敷層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑；對上述蝕刻阻劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用有酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法去除上述極薄銅層及上述無電電鍍層，而形成電路；以及去除上述蝕刻阻劑。
亦可不進行設置通孔或/及盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟。
此處，使用圖式，對使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例進行詳細說明。再者，此處係以具有形成有粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔為例進行說明，但不限於此，即便使用具有未形成粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔亦可同樣地進行下述印刷配線板之製造方法。
首先，如圖11-A所示，準備具有於表面形成有粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔(第1層)。
繼而，如圖11-B所示，於極薄銅層之粗化處理層上塗佈阻劑，進行曝光、顯影，將阻劑蝕刻成特定之形狀。
繼而，如圖11-C所示，藉由於形成電路用之鍍敷後去除阻劑，而形成特定之形狀之電路鍍敷。
繼而，如圖12-D所示，以覆蓋電路鍍敷之方式(以埋沒電路鍍敷之方式)於極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，繼而使另一附載體銅箔(第2層)自極薄銅層側接著。
繼而，如圖12-E所示，自第2層之附載體銅箔剝離載體。
繼而，如圖12-F所示，於樹脂層之特定位置進行雷射開孔，使電路鍍敷露出而形成盲孔。
繼而，如圖13-G所示，於盲孔中形成埋入銅之填孔。
繼而，如圖13-H所示，於填孔上以上述圖11-B及圖11-C之方式形成電路鍍敷。
繼而，如圖13-I所示，自第1層之附載體銅箔剝離載體。
繼而，如圖14-J所示，藉由閃蝕去除兩表面之極薄銅層，使樹脂層內之電路鍍敷之表面露出。
繼而，如圖14-K所示，於樹脂層內之電路鍍敷上形成凸塊，於該焊料上形成銅柱。以此種方式製作使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板。
上述另一附載體銅箔(第2層)可使用本發明之附載體銅箔，亦可使用先前之附載體銅箔，進而亦可使用通常之銅箔。又，亦可於圖13-H所示之第2層電路上進而形成1層或複數層電路，亦可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法之任一種方法進行該等之電路形成。
又，上述第1層所使用之附載體銅箔亦可於該附載體銅箔之載體側表面具有基板。藉由具有該基板或樹脂層而第1層所使用之附載體銅箔受到支持，並且不易形成皺褶，故而有提高生產性之優點。再者，於上述基板中，只要為發揮支持上述第1層所使用之附載體銅箔之效果者則可使用所有基板。例如作為上述基板可使用本案說明書中記載之載體、預浸體、樹脂層或公知之載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔。
關於在載體側表面形成基板之時點並無特別限制，但必須於剝離載體之前形成。尤其是，較佳為於在上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層之步驟前形成，更佳為於在附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路之步驟前形成。
本發明之附載體銅箔較佳為以極薄銅層表面之色差滿足以下(1)之方式進行控制。於本發明中所謂「極薄銅層表面之色差」係表示極薄銅層之表面的色差、或於實施粗化處理等各種表面處理之情形時其表面處理層表面之色差。即，本發明之附載體銅箔較佳為以極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合層之表面的色差滿足以下(1)之方式進行控制。
(1)極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層之表面的基於JISZ8730之色差△E*ab為45以上。
此處，色差△L、△a、△b係分別以色差計進行測定，採取黑/白/紅/綠/黃/藍，使用基於JIS Z8730之L*a*b表色系所表示之綜合指標，以△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍表示。又，△E*ab係使用該等色差以下述式表示。
上述色差可藉由提高極薄銅層形成時之電流密度，降低鍍敷液中之銅濃度，提高鍍敷液之線流速而進行調整。
又，上述色差亦可藉由對極薄銅層之表面實施粗化處理並設置粗化處理層而進行調整。於設置粗化處理層之情形時，可藉由調整為使用包含選 自由銅及鎳、鈷、鎢、鉬所組成之群中之一種以上之元素的電解液，較習知提高電流密度(例如40~60A/dm2)，縮短處理時間(例如0.1~1.3秒)。於未在極薄銅層之表面設置粗化處理層時，可藉由如下而達成：使用將Ni濃度設為其他元素之2倍以上之鍍敷浴，以低於習知之電流密度(0.1~1.3A/dm2)而使處理時間(20秒~40秒)更長的方式，對極薄銅層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層之表面進行鍍Ni合金處理(例如鍍Ni-W合金、鍍Ni-Co-P合金、鍍Ni-Zn合金)而達成。
若極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E*ab為45以上，則例如當於附載體銅箔之極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路之對比度變鮮明，結果其視認性變良好且可精度良好地進行電路之位置對準。極薄銅層表面之基於JISZ8730之色差△E*ab較佳為50以上，更佳為55以上，進而更佳為60以上。
於如上述般控制極薄銅層或粗化處理層或耐熱層或防銹層或鉻酸鹽處理層或矽烷偶合層之表面的色差時，與電路鍍敷之對比度變鮮明，視認性變良好。因此，於如上所述之印刷配線板之例如圖11-C所示之製造步驟中，可精度良好地使電路鍍敷形成於既定之位置。又，根據如上所述之印刷配線板之製造方法，電路鍍敷為埋入樹脂層之構成，故而於例如圖14-J所示之利用閃蝕去除極薄銅層時，電路鍍敷受樹脂層保護，其形狀得以保持，藉此容易形成微細電路。又，由於電路鍍敷受樹脂層保護，故而提高耐遷移性，良好地抑制電路配線之導通。因此，容易形成微細電路。又，於如圖14-J及圖14-K所示藉由閃蝕去除極薄銅層時，電路鍍敷之露出面成為自樹脂層凹陷之形狀，故而容易於該電路鍍敷上形成凸塊，進 而容易於其上形成銅柱，而提高製造效率。
再者，埋入樹脂(resin)可使用公知之樹脂、預浸體。例如，可使用作為使BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或含浸BT樹脂之玻璃布的預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造之ABF膜或ABF。又，上述埋入樹脂(resin)可使用本說明書中記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
本發明之附載體銅箔亦可在銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度3μm以下之極薄銅層。根據此種構成，於製成遮蔽膜時，具有藉由持有適度之粗糙度而獲得與絕緣層之密合性此效果。又，更佳為在銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層，進而更佳為在銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度1μm以下之極薄銅層。
本發明之附載體銅箔亦可在銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層。根據此種構成，於製成遮蔽膜時，具有與異向導電性接著劑之連接可靠性佳之效果。又，更佳為在銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度1μm以下之極薄銅層，進而更佳為在銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為1μm以下之表面形成的上述中 間層之平均粗糙度Rz-avg為1μm以下之表面，設有厚度1μm以下之極薄銅層。
本發明之附載體銅箔中，極薄銅層之與銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg為1μm以上且4μm以下，極薄銅層之銅箔載體側表面之平均粗糙度Rz-avg為與銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg以上。根據此種構成，於製成遮蔽膜時，具有極薄銅箔之單面與絕緣層之密合性優異、另一單面與異向導電性接著劑之連接可靠性優異的效果。
又，極薄銅層之銅箔載體側表面之平均粗糙度Rz-avg無須特別限定，例如為與銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg之5倍以下、或3倍以下、或2倍以下、或1.5倍以下、或1.3倍以下。
再者，於本案發明中於「印刷配線板」、「印刷電路板」、「覆銅積層板」中分別包含具有覆蓋層及/或遮蔽膜之印刷配線板、印刷電路板、覆銅積層板。
[實施例]
以下，藉由本發明之實施例對本發明進行進一步詳細說明，但本發明並不受該等實施例之任何限定。
1.附載體銅箔之製造.
作為銅箔載體，準備厚度18~35μm長條之電解銅箔(JX日鑛日石金屬公司製造之JTC)。於以下條件下，對該銅箔之M面(霧面)或S面(光澤面)進行鍍Ni及鉻酸鹽處理，形成中間層。
．鍍鎳
(液組成)硫酸鎳：270~280g/L；氯化鎳：35~45g/L；乙酸鎳：10~20g/L；檸檬酸三鈉：15~25g/L；光澤劑：糖精、丁炔二醇等；十二烷基硫酸鈉：55~75ppm
(pH值)4~6
(液溫)55~65℃
(電流密度)1~11A/dm2
(通電時間)1~20秒
．鉻酸鹽
(液組成)重鉻酸鉀：1~10g/L
(pH值)7~10
(液溫)40~60℃
(電流密度)0.1~2.6A/dm2
(庫侖量)0.5~90As/dm2
(通電時間)1~30秒
於形成中間層後，於以下條件下，藉由進行電鍍而於中間層上形成厚度1~5μm之極薄銅層，以製造附載體銅箔。針孔之數量或尺寸係依據銅箔載體之粗糙度，M面比S面粗糙，因此藉由使用M面而數量增加，尺寸變大。又，銅箔載體之厚度變得越大則M面之初始凸部變得越大，故而銅箔載體之厚度較大者，其針孔之尺寸會變大。關於極薄銅層之針孔之控制係基於此種見解，選擇形成極薄銅層之銅箔載體之厚度、形成面等而進行。
．極薄銅層
銅濃度：30~120g/L
H2SO4濃度：20~120g/L
電解液溫度：20~80℃
電流密度：10~100A/dm2
2.附載體銅箔之評價
以如下方法對以上述方式所獲得之附載體銅箔實施各評價。
<針孔>
於附載體銅箔之片材試樣之四邊隔著雙面膠帶貼附有50μm厚之PET膜。繼而，將載體側朝上，一面用手按壓附載體銅箔之試樣，並且注意極薄銅層不會於中途斷裂地不強行進行剝離，一面用手將載體自極薄銅層剝離。繼而，以民生用之照片用背光源為光源，利用穿透式之光學顯微鏡對PET膜上之極薄銅層表面觀察特定之測定面積中之針孔，並測定個數。
<平均粗糙度(Rz-avg)之測定>
使用小阪研究所股份有限公司製造之接觸粗糙度計SP-11，依據JIS B0601-1994對形成中間層前之銅箔載體之表面測定十點平均粗糙度(Rz)。於測定基準長度0.8mm、評價長度4mm、截止值0.8mm、輸送速度0.1mm/秒之條件下與製箔方向平行地進行測定，進行改變測定位置10次。然後，將Rz之10次之測定值的平均值設為平均粗糙度Rz-avg。又，以與測定針孔時同樣之方式剝離載體，利用同樣之測定方法分別測定極薄銅層之與銅箔載體相反側表面及極薄銅層之銅箔載體側表面之平均粗糙度(Rz-avg)。再者，以與測定針孔時同樣之方式剝離載體後，利用同樣之測定方法亦對銅箔載體之表面測定平均粗糙度(Rz-avg)。結果以與測定針孔時同樣之方 式剝離載體後，對銅箔載體之表面測定之平均粗糙度(Rz-avg)成為與對形成中間層前之銅箔載體之表面測定之平均粗糙度(Rz-avg)相同的值。因此，認為對形成中間層前之銅箔載體之表面測定之平均粗糙度(Rz-avg)，其可利用以與測定針孔時同樣之方式剝離載體後對銅箔載體之表面測定的平均粗糙度(Rz-avg)進行評價。
將結果示於表1。
圖2表示實施例2之銅箔載體剝離後極薄銅層之銅箔載體側表面之光學顯微鏡觀察照片。
圖3表示實施例2之銅箔載體剝離後極薄銅層之銅箔載體側表面之SEM觀察照片。
圖4表示實施例2之銅箔載體剝離後極薄銅層之與銅箔載體相反側表面之SEM觀察照片。
圖5表示實施例4之銅箔載體剝離後極薄銅層之銅箔載體側表面之光學顯微鏡觀察照片。
圖6表示實施例4之銅箔載體剝離後極薄銅層之銅箔載體側表面之SEM觀察照片。
圖7表示實施例4之銅箔載體剝離後極薄銅層之與銅箔載體相反側表面之SEM觀察照片。
圖8表示厚度18μm之銅箔載體之S面之SEM觀察照片。
圖9表示厚度18μm之銅箔載體之M面之SEM觀察照片。
圖10表示厚度35μm之銅箔載體之M面之SEM觀察照片。

Claims (42)

  1. 一種附載體銅箔，係依序積層有銅箔載體、中間層、極薄銅層，於上述極薄銅層存在100個/cm2以上且3000個/cm2以下之直徑為1μm以上且50μm以下之針孔。
  2. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其滿足下述(1)~(8)中任1個以上，(1)上述極薄銅層存在1000個/cm2以下之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔，(2)上述極薄銅層存在10個/cm2以上且1000個/cm2以下之直徑為1μm以上且20μm以下之針孔，(3)上述極薄銅層存在100個/cm2以上直徑為5μm以上且10μm以下之針孔，(4)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度3μm以下之極薄銅層，(5)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層，(6)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層，(7)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形 成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度1μm以下之極薄銅層，(8)上述極薄銅層之與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg為1μm以上且4μm以下，上述極薄銅層之上述銅箔載體側表面之平均粗糙度Rz-avg在與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg以上。
  3. 一種附載體銅箔，係依序積層有銅箔載體、中間層、極薄銅層，於上述極薄銅層存在100個/cm2以上之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔、3000個/cm2以下之直徑為1μm以上且50μm以下之針孔。
  4. 如申請專利範圍第3項之附載體銅箔，其滿足下述(1)、(2)、(4)~(8)中任1個以上，(1)上述極薄銅層存在1000個/cm2以下之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔，(2)上述極薄銅層存在10個/cm2以上且1000個/cm2以下之直徑為1μm以上且20μm以下之針孔，(4)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度3μm以下之極薄銅層，(5)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層， (6)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層，(7)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度1μm以下之極薄銅層，(8)上述極薄銅層之與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg為1μm以上且4μm以下，上述極薄銅層之上述銅箔載體側表面之平均粗糙度Rz-avg在與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg以上。
  5. 一種附載體銅箔，係依序積層有銅箔載體、中間層、極薄銅層，於上述極薄銅層存在100個/cm2以上且1000個/cm2以下之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔。
  6. 如申請專利範圍第5項之附載體銅箔，其滿足下述(2)、(4)~(8)中任1個以上，(2)上述極薄銅層存在10個/cm2以上且1000個/cm2以下之直徑為1μm以上且20μm以下之針孔，(4)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度3μm以下之極薄銅層，(5)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚 度2μm以下之極薄銅層，(6)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層，(7)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度1μm以下之極薄銅層，(8)上述極薄銅層之與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg為1μm以上且4μm以下，上述極薄銅層之上述銅箔載體側表面之平均粗糙度Rz-avg在與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg以上。
  7. 一種附載體銅箔，係依序積層有銅箔載體、中間層、極薄銅層，於上述極薄銅層存在1個/cm2以上且3000個/cm2以下之直徑為1μm以上且50μm以下之針孔，於上述極薄銅層存在100個/cm2以上之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔。
  8. 如申請專利範圍第7項之附載體銅箔，其滿足下述(1)、(2)、(4)~(8)中任1個以上，(1)上述極薄銅層存在1000個/cm2以下之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔，(2)上述極薄銅層存在10個/cm2以上且1000個/cm2以下之直徑為1μm以上且20μm以下之針孔， (4)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度3μm以下之極薄銅層，(5)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層，(6)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層，(7)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度1μm以下之極薄銅層，(8)上述極薄銅層之與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg為1μm以上且4μm以下，上述極薄銅層之上述銅箔載體側表面之平均粗糙度Rz-avg在與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg以上。
  9. 一種附載體銅箔，係依序積層有銅箔載體、中間層、極薄銅層，於上述極薄銅層存在1個/cm2以上且3000個/cm2以下之直徑為1μm以上且50μm以下之針孔，在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度3μm以下之極薄銅層。
  10. 如申請專利範圍第9項之附載體銅箔，其滿足下述(1)~(3)、(5)~(8)中任1個以上，(1)上述極薄銅層存在1000個/cm2以下之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔，(2)上述極薄銅層存在10個/cm2以上且1000個/cm2以下之直徑為1μm以上且20μm以下之針孔，(3)上述極薄銅層存在100個/cm2以上直徑為5μm以上且10μm以下之針孔，(5)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層，(6)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層，(7)於在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度1μm以下之極薄銅層，(8)上述極薄銅層之與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg為1μm以上且4μm以下，上述極薄銅層之上述銅箔載體側表面之平均粗糙度Rz-avg在與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg以上。
  11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中於上述極薄 銅層存在1000個/cm2以下之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔。
  12. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中於上述極薄銅層存在10個/cm2以上且1000個/cm2以下之直徑為1μm以上且20μm以下之針孔。
  13. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中於上述極薄銅層存在100個/cm2以上之直徑為5μm以上且10μm以下之針孔。
  14. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度3μm以下之極薄銅層。
  15. 如申請專利範圍第14項之附載體銅箔，其中在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg超過2μm之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層。
  16. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度2μm以下之極薄銅層。
  17. 如申請專利範圍第16項之附載體銅箔，其中在上述銅箔載體之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面形成的上述中間層之平均粗糙度Rz-avg為2μm以下之表面，設有厚度1μm以下之極薄銅層。
  18. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中上述極薄銅層之與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg為1μm以上且4μm以下，上述極薄銅層之上述銅箔載體側表面之平均粗糙度Rz-avg 在與上述銅箔載體相反側表面之平均粗糙度Rz-avg以上。
  19. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中於上述極薄銅層表面具有粗化處理層。
  20. 如申請專利範圍第19項之附載體銅箔，其中於上述粗化處理層之表面，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  21. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中上述防銹層及上述耐熱層之至少一者包含選自鎳、鈷、銅、鋅中之1種以上之元素。
  22. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中上述防銹層及上述耐熱層之至少一者由選自鎳、鈷、銅、鋅中之1種以上之元素所構成。
  23. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中於上述粗化處理層上具有上述耐熱層。
  24. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中於上述粗化處理層或上述耐熱層上具有上述防銹層。
  25. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中於上述防銹層上具有上述鉻酸鹽處理層。
  26. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中於上述鉻酸鹽處理層上具有上述矽烷偶合處理層。
  27. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中於上述極薄銅層之表面，具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  28. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之附載體銅箔，其中於上述極薄 銅層上具備樹脂層。
  29. 如申請專利範圍第19項之附載體銅箔，其中於上述粗化處理層上具備樹脂層。
  30. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中於上述選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層上具備樹脂層。
  31. 如申請專利範圍第28項之附載體銅箔，其中上述樹脂層包含介電體。
  32. 如申請專利範圍第29項之附載體銅箔，其中上述樹脂層包含介電體。
  33. 如申請專利範圍第30項之附載體銅箔，其中上述樹脂層包含介電體。
  34. 一種覆銅積層板，係使用申請專利範圍第1至33項中任一項之附載體銅箔而製成。
  35. 一種印刷配線板，係使用申請專利範圍第1至33項中任一項之附載體銅箔而製成。
  36. 一種印刷電路板，其係使用申請專利範圍第1至33項中任一項之附載體銅箔而製成。
  37. 一種印刷配線板之製造方法，其包含如下步驟：準備申請專利範圍第1至33項中任一項之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；積層上述附載體銅箔與絕緣基板之步驟；以及於積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，經過剝離上述附載體銅箔之銅箔載體之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法之任一種方法，形成電路之步驟。
  38. 一種印刷配線板之製造方法，其包含如下步驟：於申請專利範圍第1至33項中任一項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路之步驟；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層之步驟；於上述樹脂層上形成電路之步驟；於在上述樹脂層上形成電路後，使上述載體剝離之步驟；以及藉由使上述載體剝離後去除上述極薄銅層，而使於上述極薄銅層側表面所形成之埋沒於上述樹脂層之電路露出之步驟。
  39. 如申請專利範圍第38項之印刷配線板之製造方法，其中於上述樹脂層上形成電路之步驟係將另一附載體銅箔自極薄銅層側貼合至上述樹脂層上，並使用貼合於上述樹脂層之附載體銅箔以形成上述電路的步驟。
  40. 如申請專利範圍第38項之印刷配線板之製造方法，其中貼合於上述樹脂層上之另一附載體銅箔為申請專利範圍第1至33項中任一項之附載體銅箔。
  41. 如申請專利範圍第38項之印刷配線板之製造方法，其中於上述樹脂層上形成電路之步驟係藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法之任一種方法進行。
  42. 如申請專利範圍第38項之印刷配線板之製造方法，其進而包含於剝離載體之前，於附載體銅箔之載體側表面形成基板之步驟。
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