JP2014141061A

JP2014141061A - キャリア付銅箔、及び、それを用いたプリント配線板、プリント回路板及び銅張積層板

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Publication number: JP2014141061A
Application number: JP2013117394A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Sakaguchi; 和彦坂口
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2012-12-28
Filing date: 2013-06-03
Publication date: 2014-08-07
Also published as: JP5393903B1; TWI551437B; JP2014140960A; TW201438889A; WO2014103706A1

Abstract

【課題】加熱等により発生したガスや蒸気の残存によるＦＰＣのフクレ発生を良好に抑制することが可能なキャリア付銅箔を提供する。
【解決手段】銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された中間層と、中間層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層に径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在するキャリア付銅箔。
【選択図】図３

Description

本発明は、キャリア付銅箔、及び、それを用いたプリント配線板、プリント回路板及び銅張積層板に関する。

プリント配線板はここ半世紀に亘って大きな進展を遂げ、今日ではほぼすべての電子機器に使用されるまでに至っている。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い、搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化（ファインピッチ化）や高周波対応等が求められており、特にプリント配線板上にＩＣチップを載せる場合、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ以下のファインピッチ化が求められている。

プリント配線板は、まず、銅箔とガラスエポキシ基板、ＢＴ樹脂、ポリイミドフィルムなどを主とする絶縁基板を貼り合わせた銅張積層体として製造される。貼り合わせは、絶縁基板と銅箔を重ね合わせて加熱加圧させて形成する方法(ラミネート法)、又は、絶縁基板材料の前駆体であるワニスを銅箔の被覆層を有する面に塗布し、加熱・硬化する方法(キャスティング法)が用いられる。

ファインピッチ化に伴って銅張積層体に使用される銅箔の厚みも９μｍ、さらには５μｍ以下になるなど、箔厚が薄くなりつつある。ところが、箔厚が９μｍ以下になると前述のラミネート法やキャスティング法で銅張積層体を形成するときのハンドリング性が極めて悪化する。そこで、厚みのある金属箔をキャリアとして利用し、これに剥離層を介して極薄銅層を形成したキャリア付銅箔が登場している。極薄銅層の表面を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着した後に、キャリアを剥離層と共に剥離するというものがキャリア付銅箔の一般的な使用方法である。

このようなキャリア付銅箔は種々の電子機器の構成部材として用いることができる。図１は、キャリア付銅箔を用いて形成したシールドフィルム及びそれを備えたＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）の模式図を示す。図１に示すＦＰＣは、ＰＩ（ポリイミド）、Ｃｕ、カバーレイ（接着剤（ＡＤＨ）付きポリイミド）の各層がこの順で形成され、カバーレイに微小な凹部が形成されている。凹部に設けられたＣｕ上にはめっき層が設けられ、シールドフィルムと電気的に接続している。このようなＦＰＣ表面に、シールドフィルムがプレス圧着されている。このとき、シールドフィルムは配線部と電気的に接続するように上記凹部に埋め込まれる。シールドフィルムは、絶縁層上に金属薄膜及び異方導電性接着剤がこの順で設けられ、異方導電性接着剤側からＦＰＣ表面にプレス圧着される。このシールドフィルムの金属薄膜がキャリア付銅箔の極薄銅層に対応する。すなわち、シールドフィルム用の絶縁層を準備し、その表面にキャリア付銅箔を極薄銅層側から貼り合わせた後、銅箔キャリアを極薄銅層から剥がし、さらに銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の表面に異方導電性接着剤を設けることでシールドフィルムが形成される。

一方、金属薄膜を用いて作製されたシールドフィルムについては、例えば、特許文献１や２に開示されているように、従来種々の構成が検討されている。

特許第４６４７９２４号公報特開２０１０−２３９１４１号公報

キャリア付銅箔を用いてシールドフィルムを形成し、これをＦＰＣ表面に加熱によりプレス圧着する場合、ＦＰＣのカバーレイに使用される接着剤やポリイミドからガスや蒸気が発生し、これらが逃げ場を失い、ＦＰＣとシールドフィルム間に溜まって、フクレが発生しやすくなるという問題が生じることがある。そこで、本発明は、加熱等により発生したガスや蒸気の残存による極薄銅層の剥離を良好に抑制することが可能なキャリア付銅箔を提供することを課題とする。

上記目的を達成するため、本発明者は鋭意研究を重ねたところ、極薄銅層に所定の大きさのピンホールを所定の個数密度で形成することで、加熱等により発生したガスや蒸気の残存によるＦＰＣのフクレ発生を良好に抑制することが可能なキャリア付銅箔を提供できることを見出した。

本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された中間層と、中間層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層に径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在するキャリア付銅箔である。

本発明のキャリア付銅箔は一実施形態において、前記極薄銅層に径が１μｍ以上２０μｍ以下のピンホールが１０個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在する。

本発明のキャリア付銅箔は別の一実施形態において、前記極薄銅層に径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在する。

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが２μｍを超える表面に、前記中間層を介して厚さ３μｍ以下の極薄銅層が設けられている。

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが２μｍを超える表面に、前記中間層を介して厚さ２μｍ以下の極薄銅層が設けられている。

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが２μｍ以下の表面に、前記中間層を介して厚さ２μｍ以下の極薄銅層が設けられている。

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが２μｍ以下の表面に、前記中間層を介して厚さ１μｍ以下の極薄銅層が設けられている。

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層の前記銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ−ａｖｇが１μｍ以上４μｍ以下であり、前記極薄銅層の前記銅箔キャリア側表面の平均粗さＲｚ−ａｖｇが前記銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ−ａｖｇ以上である。

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板である。

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造した銅張積層板である。

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント回路板である。

本発明によれば、加熱等により発生したガスや蒸気の残存によるＦＰＣのフクレ発生を良好に抑制することが可能なキャリア付銅箔を提供することができる。

シールドフィルム及びそれを用いたＦＰＣの構成例を示す模式図である。実施例２の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面の光学顕微鏡観察写真である。実施例２の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面のＳＥＭ観察写真である。実施例２の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリアとは反対側表面のＳＥＭ観察写真である。実施例４の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面の光学顕微鏡観察写真である。実施例４の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面のＳＥＭ観察写真である。実施例４の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリアとは反対側表面のＳＥＭ観察写真である。厚み１８μｍの銅箔キャリアのＳ面のＳＥＭ観察写真である。厚み１８μｍの銅箔キャリアのＭ面のＳＥＭ観察写真である。厚み３５μｍの銅箔キャリアのＭ面のＳＥＭ観察写真である。

＜キャリア付銅箔＞
本発明のキャリア付銅箔は、銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された中間層と、中間層の上に積層された極薄銅層とを備える。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後に銅箔キャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板やプリント回路板を製造することができる。また、銅張積層板を製造してもよい。また、シールドフィルム用の絶縁層を準備し、その表面にキャリア付銅箔を極薄銅層側から貼り合わせた後、銅箔キャリアを極薄銅層から剥がし、さらに銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の表面に異方導電性接着剤を設けることでシールドフィルムを製造することができる。このようにして作製したプリント配線板及びプリント回路板は、例えば、搭載部品の高密度実装が要求される各種電子部品に搭載することができる。

＜銅箔キャリア＞
本発明に用いることのできる銅箔キャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。

本発明に用いることのできる銅箔キャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば１２μｍ以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には３５μｍ以下とするのが好ましい。従って、銅箔キャリアの厚みは典型的には１２〜７０μｍであり、より典型的には１８〜３５μｍである。

＜中間層＞
銅箔キャリアの片面又は両面上には中間層を設ける。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物からなる層を形成することで構成することができる。
中間層を片面にのみ設ける場合、銅箔キャリアの反対面にはＮｉめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、中間層をクロメート処理や亜鉛クロメート処理やめっき処理で設けた場合には、クロムや亜鉛など、付着した金属の一部は水和物や酸化物となっている場合があると考えられる。
また、例えば、中間層は、銅箔キャリア上に、ニッケル、ニッケル−リン合金又はニッケル−コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上４００００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上４０００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上２５００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上１０００μｇ／ｄｍ²未満であり、中間層におけるクロムの付着量は５μｇ／ｄｍ²以上１００μｇ／ｄｍ²以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、銅箔キャリアの反対面にはＮｉめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。

＜極薄銅層＞
中間層の上には極薄銅層を設ける。本発明の極薄銅層には、径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在する。このような構成により、貼り付け対象の基板等へシールドフィルムを貼り合わせ、実装工程で半田リフロー処理で加熱した場合等にガスや蒸気が発生することがあるが、シールドフィルムに用いられる極薄銅層に上記の大きさ及び個数密度で形成されたピンホールからこれらのガスや蒸気が良好に排除されるため、ガスや上記の残存によるＦＰＣのフクレ発生が良好に抑制される。シールドフィルムを作製する際、圧延で極薄銅層を数μｍに薄くしても、別途キャリアを貼り付けて工程に投入する必要があるが、本発明のキャリア付銅箔をシールドフィルムに用いた場合、そのような手間がない。また、銅箔キャリア上に電解で銅箔を形成するため、ハンドリングの問題も無く、薄ければ薄いほどピンホールを多くすることができ、銅箔キャリアの粗さもＳ面（シャイニー面）、Ｍ面（マット面）の任意の面を使用できることでピンホールのサイズや個数を変化させることが容易となる。なお、従来の数百ｎｍの蒸着膜であれば、ピンホールが多数存在することで、半田リフロー時にＦＰＣから発生するガスを排出することができるが、これを銅箔で代替した場合、ＦＰＣのホールへの追従性も考慮する必要があるため、薄く且つ穴が存在する銅箔が必要である。これは圧延銅箔では達成できない特徴である。本発明の極薄銅層は、径が１μｍ以上２０μｍ以下のピンホールが１０個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在するのが好ましく、径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在するのがより好ましい。

極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。銅箔キャリア上に電解で極薄銅層を形成することで、ハンドリングの問題も無く、また銅層が薄ければ薄いほどピンホールを多数形成することができる。また、銅箔キャリアのＳ面（シャイニー面）やＭ面（マット面）の表面の粗さを利用することで、ピンホールのサイズ及び個数密度を容易に制御することができる。
極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．５〜１２μｍとすることができ、より典型的には１〜５μｍ、更により典型的には１〜３μｍとすることができる。なお、極薄銅層の厚みが５μｍ以下の場合には、極薄銅層がＦＰＣ表面の形状に追従しやすいという利点がある。

＜粗化処理＞
極薄銅層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい（例えば２層以上、３層以上など）。

本発明のキャリア付銅箔は、銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが２μｍを超える表面に、中間層を介して厚さ３μｍ以下の極薄銅層が設けられていてもよい。このような構成によれば、シールドフィルムにした際、適度な粗さを持つことで絶縁層と密着性が得られるという効果を有する。また、より好ましくは、銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが２μｍを超える表面に、中間層を介して厚さ２μｍ以下の極薄銅層が設けられており、さらにより好ましくは、銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが２μｍを超える表面に、中間層を介して厚さ１μｍ以下の極薄銅層が設けられている。

本発明のキャリア付銅箔は、銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが２μｍ以下の表面に、中間層を介して厚さ２μｍ以下の極薄銅層が設けられていてもよい。このような構成によれば、シールドフィルムにした際、異方導電性接着剤との接続信頼性が良いという効果を有する。また、より好ましくは、銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが２μｍ以下の表面に、前記中間層を介して厚さ１μｍ以下の極薄銅層が設けられており、さらにより好ましくは、銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが１μｍ以下の表面に、前記中間層を介して厚さ１μｍ以下の極薄銅層が設けられている。

本発明のキャリア付銅箔は、極薄銅層の銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ−ａｖｇが１μｍ以上４μｍ以下であり、極薄銅層の銅箔キャリア側表面の平均粗さＲｚ−ａｖｇが銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ−ａｖｇ以上である。このような構成によれば、シールドフィルムにした際、極薄銅箔の片面が絶縁層との密着性に優れ、もう片面が異方導電性接着剤との接続信頼性が優れるという効果を有する。
また、極薄銅層の銅箔キャリア側表面の平均粗さＲｚ−ａｖｇは特に限定する必要は無いが、例えば銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ−ａｖｇの５倍以下、あるいは３倍以下、あるいは２倍以下、あるいは１．５倍以下、あるいは１．３倍以下である。
なお、本願発明において「プリント配線板」、「プリント回路板」、「銅張積層板」にはそれぞれカバーレイおよび／またはシールドフィルムを有するプリント配線板、プリント回路板、銅張積層板が含まれるものとする。

以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。

１．キャリア付銅箔の製造
銅箔キャリアとして、厚さ１８〜３５μｍの長尺の電解銅箔（ＪＸ日鉱日石金属社製ＪＴＣ）を用意した。この銅箔のＭ面（マット面）又はＳ面（シャイニー面）に、以下の条件にてＮｉめっき及びクロメート処理を行い、中間層を形成した。

・ニッケルめっき
（液組成）硫酸ニッケル：２７０〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３５〜４５ｇ／Ｌ、酢酸ニッケル：１０〜２０ｇ／Ｌ、クエン酸三ナトリウム：１５〜２５ｇ／Ｌ、光沢剤：サッカリン、ブチンジオール等、ドデシル硫酸ナトリウム：５５〜７５ｐｐｍ
（ｐＨ）４〜６
（液温）５５〜６５℃
（電流密度）１〜１１Ａ／ｄｍ²
（通電時間）１〜２０秒

・クロメート
（液組成）重クロム酸カリウム：１〜１０ｇ／Ｌ
（ｐＨ）７〜１０
（液温）４０〜６０℃
（電流密度）０．１〜２．６Ａ／ｄｍ²
（クーロン量）０．５〜９０Ａｓ／ｄｍ²
（通電時間）１〜３０秒

中間層の形成後、中間層の上に厚み１〜５μｍの極薄銅層を以下の条件で電気めっきすることにより形成し、キャリア付銅箔を製造した。ピンホールの数やサイズは銅箔キャリアの粗さに準じ、Ｓ面よりもＭ面が粗いため、Ｍ面を使用することで数が増え、サイズが大きくなる。また、銅箔キャリアの厚みが大きくなるほどＭ面の一次山が大きくなるので、銅箔キャリアの厚みが大きい方が、ピンホールのサイズが大きくなる。極薄銅層のピンホールの制御については、このような知見に基づき、極薄銅層を形成する銅箔キャリアの厚み、形成面等を選択して行っている。
・極薄銅層
銅濃度：３０〜１２０ｇ／Ｌ
Ｈ₂ＳＯ₄濃度：２０〜１２０ｇ／Ｌ
電解液温度：２０〜８０℃
電流密度：１０〜１００Ａ／ｄｍ²

２．キャリア付銅箔の評価
上記のようにして得られたキャリア付銅箔について、以下の方法で各評価を実施した。
＜ピンホール＞
キャリア付銅箔のシートサンプルの四辺に両面テープを介して５０μｍ厚のＰＥＴフィルムに貼り付けた。次に、キャリア側を上に向け、キャリア付銅箔のサンプルを手で押さえながら、無理に引き剥がすことなく極薄銅層が途中で切れてしまわないように注意しながら極薄銅層からキャリアを手で剥がした。続いて、ＰＥＴフィルム上の極薄銅層表面に対し、民生用の写真用バックライトを光源にして、所定の測定面積におけるピンホールを透過型の光学顕微鏡で観察し、個数を測定した。

＜平均粗さ（Ｒｚ−ａｖｇ）の測定＞
株式会社小阪研究所製接触粗さ計ＳＰ−１１を使用してＪＩＳＢ０６０１−１９９４に準拠して十点平均粗さ（Ｒｚ）を、中間層を形成する前の銅箔キャリアの表面について測定した。測定基準長さ０．８ｍｍ、評価長さ４ｍｍ、カットオフ値０．８ｍｍ、送り速さ０．１ｍｍ／秒の条件で製箔方向と平行に測定を行い、測定位置を変えて１０回行った。そして、Ｒｚの１０回の測定値の平均値を平均粗さＲｚ−ａｖｇとした。また、ピンホールの測定の際と同様にしてキャリアを剥離し、極薄銅層の銅箔キャリアとは反対側表面及び極薄銅層の銅箔キャリア側表面の平均粗さ（Ｒｚ−ａｖｇ）を同様の測定方法にてそれぞれ測定した。なお、ピンホールの測定の際と同様にしてキャリアを剥離した後、銅箔キャリアの表面についても平均粗さ（Ｒｚ−ａｖｇ）を同様の測定方法にて測定した。その結果、ピンホールの測定の際と同様にしてキャリアを剥離した後、銅箔キャリアの表面について測定した平均粗さ（Ｒｚ−ａｖｇ）は、中間層を形成する前の銅箔キャリアの表面について測定した平均粗さ（Ｒｚ−ａｖｇ）と同じ値となった。そのため、中間層を形成する前の銅箔キャリアの表面について測定した平均粗さ（Ｒｚ−ａｖｇ）はピンホールの測定の際と同様にしてキャリアを剥離した後、銅箔キャリアの表面について測定した平均粗さ（Ｒｚ−ａｖｇ）で評価できると考える。
結果を表１に示す。

図２に実施例２の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面の光学顕微鏡観察写真を示す。
図３に実施例２の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面のＳＥＭ観察写真を示す。
図４に実施例２の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリアとは反対側表面のＳＥＭ観察写真を示す。
図５に実施例４の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面の光学顕微鏡観察写真を示す。
図６に実施例４の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面のＳＥＭ観察写真を示す。
図７に実施例４の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリアとは反対側表面のＳＥＭ観察写真を示す。
図８に、厚み１８μｍの銅箔キャリアのＳ面のＳＥＭ観察写真を示す。
図９に、厚み１８μｍの銅箔キャリアのＭ面のＳＥＭ観察写真を示す。
図１０に、厚み３５μｍの銅箔キャリアのＭ面のＳＥＭ観察写真を示す。

Claims

銅箔キャリアと、銅箔キャリア上に積層された中間層と、中間層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層に径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在するキャリア付銅箔。
前記極薄銅層に径が１μｍ以上２０μｍ以下のピンホールが１０個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在する請求項１に記載のキャリア付銅箔。
前記極薄銅層に径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在する請求項２に記載のキャリア付銅箔。
前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが２μｍを超える表面に、前記中間層を介して厚さ３μｍ以下の極薄銅層が設けられた請求項１〜３のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが２μｍを超える表面に、前記中間層を介して厚さ２μｍ以下の極薄銅層が設けられた請求項４に記載のキャリア付銅箔。
前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが２μｍ以下の表面に、前記中間層を介して厚さ２μｍ以下の極薄銅層が設けられた請求項１〜５のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ−ａｖｇが２μｍ以下の表面に、前記中間層を介して厚さ１μｍ以下の極薄銅層が設けられた請求項６に記載のキャリア付銅箔。
前記極薄銅層の前記銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ−ａｖｇが１μｍ以上４μｍ以下であり、前記極薄銅層の前記銅箔キャリア側表面の平均粗さＲｚ−ａｖｇが前記銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ−ａｖｇ以上である請求項１〜７に記載のキャリア付銅箔。
請求項１〜８のいずれかに記載のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板。
請求項１〜８のいずれかに記載のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント回路板。
請求項１〜８のいずれかに記載のキャリア付銅箔を用いて製造した銅張積層板。