WO2014103706A1

WO2014103706A1 - キャリア付銅箔、及び、それを用いたプリント配線板、プリント回路板及び銅張積層板

Info

Publication number: WO2014103706A1
Application number: PCT/JP2013/083108
Authority: WO
Inventors: 和彦坂口
Original assignee: Jx日鉱日石金属株式会社
Priority date: 2012-12-28
Filing date: 2013-12-10
Publication date: 2014-07-03
Also published as: JP2014141061A; JP2014140960A; JP5393903B1; TW201438889A; TWI551437B

Abstract

　加熱等により発生したガスや蒸気の残存によるＦＰＣのフクレ発生を良好に抑制することが可能なキャリア付銅箔を提供する。銅箔キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されたキャリア付銅箔であって、極薄銅層に径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在するキャリア付銅箔。

Description

キャリア付銅箔、及び、それを用いたプリント配線板、プリント回路板及び銅張積層板

　本発明は、キャリア付銅箔、及び、それを用いたプリント配線板、プリント回路板及び銅張積層板に関する。

　プリント配線板はここ半世紀に亘って大きな進展を遂げ、今日ではほぼすべての電子機器に使用されるまでに至っている。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い、搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化（ファインピッチ化）や高周波対応等が求められており、特にプリント配線板上にＩＣチップを載せる場合、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ以下のファインピッチ化が求められている。

　プリント配線板は、まず、銅箔とガラスエポキシ基板、ＢＴ樹脂、ポリイミドフィルムなどを主とする絶縁基板を貼り合わせた銅張積層体として製造される。貼り合わせは、絶縁基板と銅箔を重ね合わせて加熱加圧させて形成する方法(ラミネート法)、又は、絶縁基板材料の前駆体であるワニスを銅箔の被覆層を有する面に塗布し、加熱・硬化する方法(キャスティング法)が用いられる。

　ファインピッチ化に伴って銅張積層体に使用される銅箔の厚みも９μｍ、さらには５μｍ以下になるなど、箔厚が薄くなりつつある。ところが、箔厚が９μｍ以下になると前述のラミネート法やキャスティング法で銅張積層体を形成するときのハンドリング性が極めて悪化する。そこで、厚みのある金属箔をキャリアとして利用し、これに剥離層を介して極薄銅層を形成したキャリア付銅箔が登場している。極薄銅層の表面を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着した後に、キャリアを剥離層と共に剥離するというものがキャリア付銅箔の一般的な使用方法である。

　このようなキャリア付銅箔は種々の電子機器の構成部材として用いることができる。図１は、キャリア付銅箔を用いて形成したシールドフィルム及びそれを備えたＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）の模式図を示す。図１に示すＦＰＣは、ＰＩ（ポリイミド）、Ｃｕ、カバーレイ（接着剤（ＡＤＨ）付きポリイミド）の各層がこの順で形成され、カバーレイに微小な凹部が形成されている。凹部に設けられたＣｕ上にはめっき層が設けられ、シールドフィルムと電気的に接続している。このようなＦＰＣ表面に、シールドフィルムがプレス圧着されている。このとき、シールドフィルムは配線部と電気的に接続するように上記凹部に埋め込まれる。シールドフィルムは、絶縁層上に金属薄膜及び異方導電性接着剤がこの順で設けられ、異方導電性接着剤側からＦＰＣ表面にプレス圧着される。このシールドフィルムの金属薄膜がキャリア付銅箔の極薄銅層に対応する。すなわち、シールドフィルム用の絶縁層を準備し、その表面にキャリア付銅箔を極薄銅層側から貼り合わせた後、銅箔キャリアを極薄銅層から剥がし、さらに銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の表面に異方導電性接着剤を設けることでシールドフィルムが形成される。

　一方、金属薄膜を用いて作製されたシールドフィルムについては、例えば、特許文献１や２に開示されているように、従来種々の構成が検討されている。

特許第４６４７９２４号公報特開２０１０－２３９１４１号公報

　キャリア付銅箔を用いてシールドフィルムを形成し、これをＦＰＣ表面に加熱によりプレス圧着する場合、ＦＰＣのカバーレイに使用される接着剤やポリイミドからガスや蒸気が発生し、これらが逃げ場を失い、ＦＰＣとシールドフィルム間に溜まって、フクレが発生しやすくなるという問題が生じることがある。そこで、本発明は、加熱等により発生したガスや蒸気の残存による極薄銅層の剥離を良好に抑制することが可能なキャリア付銅箔を提供することを課題とする。

　上記目的を達成するため、本発明者は鋭意研究を重ねたところ、極薄銅層に所定の大きさのピンホールを所定の個数密度で形成することで、加熱等により発生したガスや蒸気の残存によるＦＰＣのフクレ発生を良好に抑制することが可能なキャリア付銅箔を提供できることを見出した。

　本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、銅箔キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されたキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層に径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在するキャリア付銅箔である。

　本発明のキャリア付銅箔は一実施形態において、前記極薄銅層に径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在する。

　本発明は別の一側面において、銅箔キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されたキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層に径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上、径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが３０００個／ｃｍ²以下存在するキャリア付銅箔である。

　本発明は更に別の一側面において、銅箔キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されたキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層に径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在するキャリア付銅箔である。

　本発明は更に別の一側面において、銅箔キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されたキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層に径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在し、前記極薄銅層に径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上存在するキャリア付銅箔である。

　本発明は更に別の一側面において、銅箔キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されたキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層に径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在し、前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に、厚さ３μｍ以下の極薄銅層が設けられたキャリア付銅箔である。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層に径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１０００個／ｃｍ²以下存在する。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層に径が１μｍ以上２０μｍ以下のピンホールが１０個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在する。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層に径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在する。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に、厚さ３μｍ以下の極薄銅層が設けられている。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に、厚さ２μｍ以下の極薄銅層が設けられている。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍ以下の表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍ以下の表面に、厚さ２μｍ以下の極薄銅層が設けられている。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍ以下の表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍ以下の表面に、厚さ１μｍ以下の極薄銅層が設けられている。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層の前記銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ－ａｖｇが１μｍ以上４μｍ以下であり、前記極薄銅層の前記銅箔キャリア側表面の平均粗さＲｚ－ａｖｇが前記銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ－ａｖｇ以上である。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面に粗化処理層を有する。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記防錆層及び前記耐熱層の少なくとも一方が、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛から選択される１つ以上の元素を含む。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記防錆層及び前記耐熱層の少なくとも一方が、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛から選択される１つ以上の元素からなる。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層の上に前記耐熱層を有する。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層または前記耐熱層の上に前記防錆層を有する。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記防錆層の上に前記クロメート処理層を有する。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記クロメート処理層の上に前記シランカップリング処理層を有する。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層上に樹脂層を備える。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層上に樹脂層を備える。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層の上に樹脂層を備える。

　本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が誘電体を含む。

　本発明は別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造した銅張積層板である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント回路板である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
　前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
　前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔の銅箔キャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
　前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

　本発明のプリント配線板の製造方法は一実施形態において、前記樹脂層上に回路を形成する工程が、前記樹脂層上に別のキャリア付銅箔を極薄銅層側から貼り合わせ、前記樹脂層に貼り合わせたキャリア付銅箔を用いて前記回路を形成する工程である。

　本発明のプリント配線板の製造方法は別の一実施形態において、前記樹脂層上に貼り合わせる別のキャリア付銅箔が、本発明のキャリア付銅箔である。

　本発明のプリント配線板の製造方法は更に別の一実施形態において、前記樹脂層上に回路を形成する工程が、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行われる。

　本発明のプリント配線板の製造方法は更に別の一実施形態において、キャリアを剥離する前に、キャリア付銅箔のキャリア側表面に基板を形成する工程を更に含む。

　本発明によれば、加熱等により発生したガスや蒸気の残存によるＦＰＣのフクレ発生を良好に抑制することが可能なキャリア付銅箔を提供することができる。

シールドフィルム及びそれを用いたＦＰＣの構成例を示す模式図である。実施例２の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面の光学顕微鏡観察写真である。実施例２の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面のＳＥＭ観察写真である。実施例２の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリアとは反対側表面のＳＥＭ観察写真である。実施例４の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面の光学顕微鏡観察写真である。実施例４の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面のＳＥＭ観察写真である。実施例４の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリアとは反対側表面のＳＥＭ観察写真である。厚み１８μｍの銅箔キャリアのＳ面のＳＥＭ観察写真である。厚み１８μｍの銅箔キャリアのＭ面のＳＥＭ観察写真である。厚み３５μｍの銅箔キャリアのＭ面のＳＥＭ観察写真である。Ａ～Ｃは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、回路めっき・レジスト除去までの工程における配線板断面の模式図である。Ｄ～Ｆは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、樹脂及び２層目キャリア付銅箔積層からレーザー穴あけまでの工程における配線板断面の模式図である。Ｇ～Ｉは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、ビアフィル形成から１層目のキャリア剥離までの工程における配線板断面の模式図である。Ｊ～Ｋは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、フラッシュエッチングからバンプ・銅ピラー形成までの工程における配線板断面の模式図である。

＜銅箔キャリア＞
　本発明に用いることのできる銅箔キャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。

　本発明に用いることのできる銅箔キャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば１２μｍ以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には３５μｍ以下とするのが好ましい。従って、銅箔キャリアの厚みは典型的には１２～７０μｍであり、より典型的には１８～３５μｍである。

＜中間層＞
　銅箔キャリアの片面又は両面上には中間層を設ける。銅箔キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
　また、例えば、中間層はキャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物または有機物からなる層を形成することで構成することができる。
　また、例えば、中間層はキャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成することで構成することができる。
　中間層を片面にのみ設ける場合、銅箔キャリアの反対面にはＮｉめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、中間層をクロメート処理や亜鉛クロメート処理やめっき処理で設けた場合には、クロムや亜鉛など、付着した金属の一部は水和物や酸化物となっている場合があると考えられる。
　また、例えば、中間層は、銅箔キャリア上に、ニッケル、ニッケル－リン合金又はニッケル－コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上４００００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上４０００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上２５００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上１０００μｇ／ｄｍ²未満であり、中間層におけるクロムの付着量は５μｇ／ｄｍ²以上１００μｇ／ｄｍ²以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、銅箔キャリアの反対面にはＮｉめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。

＜極薄銅層＞
　中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。本発明の極薄銅層には、径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在する。このような構成により、貼り付け対象の基板等へシールドフィルムを貼り合わせ、実装工程で半田リフロー処理で加熱した場合等にガスや蒸気が発生することがあるが、シールドフィルムに用いられる極薄銅層に上記の大きさ及び個数密度で形成されたピンホールからこれらのガスや蒸気が良好に排除されるため、ガスや上記の残存によるＦＰＣのフクレ発生が良好に抑制される。シールドフィルムを作製する際、圧延で極薄銅層を数μｍに薄くしても、別途キャリアを貼り付けて工程に投入する必要があるが、本発明のキャリア付銅箔をシールドフィルムに用いた場合、そのような手間がない。また、銅箔キャリア上に電解で銅箔を形成するため、ハンドリングの問題も無く、薄ければ薄いほどピンホールを多くすることができ、銅箔キャリアの粗さもＳ面（シャイニー面）、Ｍ面（マット面）の任意の面を使用できることでピンホールのサイズや個数を変化させることが容易となる。なお、従来の数百ｎｍの蒸着膜であれば、ピンホールが多数存在することで、半田リフロー時にＦＰＣから発生するガスを排出することができるが、これを銅箔で代替した場合、ＦＰＣのホールへの追従性も考慮する必要があるため、薄く且つ穴が存在する銅箔が必要である。これは圧延銅箔では達成できない特徴である。本発明の極薄銅層は、径が１μｍ以上２０μｍ以下のピンホールが１０個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在するのが好ましく、径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在するのがより好ましい。なお、極薄銅層はキャリアの両面に設けてもよい。

　極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。銅箔キャリア上に電解で極薄銅層を形成することで、ハンドリングの問題も無く、また銅層が薄ければ薄いほどピンホールを多数形成することができる。また、銅箔キャリアのＳ面（シャイニー面）やＭ面（マット面）の表面の粗さを利用することで、ピンホールのサイズ及び個数密度を容易に制御することができる。
　極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．５～１２μｍとすることができ、より典型的には１～５μｍ、更により典型的には１～３μｍとすることができる。なお、極薄銅層の厚みが５μｍ以下の場合には、極薄銅層がＦＰＣ表面の形状に追従しやすいという利点がある。

＜粗化処理及びその他の表面処理＞
　極薄銅層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか１種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい（例えば２層以上、３層以上など）。

　ここで、耐熱層としては公知の耐熱層を用いることが出来る。また、例えば以下の表面処理を用いることが出来る。
　耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることができる。例えば、耐熱層および／または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる１種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル－亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および／または防錆層はニッケル－亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル－亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを５０ｗｔ％～９９ｗｔ％、亜鉛を５０ｗｔ％～１ｗｔ％含有するものであってもよい。前記ニッケル－亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が５～１０００ｍｇ／ｍ²、好ましくは１０～５００ｍｇ／ｍ²、好ましくは２０～１００ｍｇ／ｍ²であってもよい。また、前記ニッケル－亜鉛合金を含む層または前記ニッケル－亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比（＝ニッケルの付着量／亜鉛の付着量）が１．５～１０であることが好ましい。また、前記ニッケル－亜鉛合金を含む層または前記ニッケル－亜鉛合金層のニッケルの付着量は０．５ｍｇ／ｍ²～５００ｍｇ／ｍ²であることが好ましく、１ｍｇ／ｍ²～５０ｍｇ／ｍ²であることがより好ましい。耐熱層および／または防錆層がニッケル－亜鉛合金を含む層である場合、スルーホールやビアホール等の内壁部がデスミア液と接触したときに銅箔と樹脂基板との界面がデスミア液に浸食されにくく、銅箔と樹脂基板との密着性が向上する。防錆層はクロメート処理層であってもよい。クロメート処理層には公知のクロメート処理層を用いることが出来る。例えばクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素（金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい）を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、純クロメート処理層や亜鉛クロメート処理層等が挙げられる。本発明においては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層を純クロメート処理層という。また、本発明においては無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層を亜鉛クロメート処理層という。

　例えば耐熱層および／または防錆層は、付着量が１ｍｇ／ｍ²～１００ｍｇ／ｍ²、好ましくは５ｍｇ／ｍ²～５０ｍｇ／ｍ²のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が１ｍｇ／ｍ²～８０ｍｇ／ｍ²、好ましくは５ｍｇ／ｍ²～４０ｍｇ／ｍ²のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル－モリブデン、ニッケル－亜鉛、ニッケル－モリブデン－コバルトのいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層および／または防錆層は、ニッケルまたはニッケル合金とスズとの合計付着量が２ｍｇ／ｍ²～１５０ｍｇ／ｍ²であることが好ましく、１０ｍｇ／ｍ²～７０ｍｇ／ｍ²であることがより好ましい。また、耐熱層および／または防錆層は、［ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量］／［スズ付着量］＝０．２５～１０であることが好ましく、０．３３～３であることがより好ましい。当該耐熱層および／または防錆層を用いるとキャリア付銅箔をプリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等が良好になる。
　また、耐熱層および／または防錆層として、付着量が２００～２０００μｇ／ｄｍ²のコバルト－５０～７００μｇ／ｄｍ²のニッケルのコバルト－ニッケル合金めっき層を形成することができる。この処理は広い意味で一種の防錆処理とみることができる。このコバルト－ニッケル合金めっき層は、銅箔と基板の接着強度を実質的に低下させない程度に行う必要がある。コバルト付着量が２００μｇ／ｄｍ²未満では、耐熱剥離強度が低下し、耐酸化性及び耐薬品性が悪化することがある。また、もう一つの理由として、コバルト量が少ないと処理表面が赤っぽくなってしまうので好ましくない。

　シランカップリング処理層としては公知の耐候性層を用いることが出来る。また、耐候性層としては例えば公知のシランカップリング処理層を用いることができ、また以下のシランを用いて形成するシランカップリング処理層を用いることが出来る。
　シランカップリング処理に用いられるシランカップリング剤には公知のシランカップリング剤を用いてよく、例えばアミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤を用いてよい。また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、４‐グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐β（アミノエチル）γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐３‐（４‐（３‐アミノプロポキシ）プトキシ）プロピル‐３‐アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ‐メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。

　前記シランカップリング処理層は、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。

　ここで言うアミノ系シランカップリング剤とは、Ｎ‐（２‐アミノエチル）‐３‐アミノプロピルトリメトキシシラン、３‐（Ｎ‐スチリルメチル‐２‐アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス（２‐ヒドロキシエチル）‐３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐（３‐アクリルオキシ‐２‐ヒドロキシプロピル）‐３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、４‐アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ‐（２‐アミノエチル‐３‐アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ‐（２‐アミノエチル‐３‐アミノプロピル）トリス（２‐エチルヘキソキシ）シラン、６‐（アミノヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、３‐（１‐アミノプロポキシ）‐３，３‐ジメチル‐１‐プロペニルトリメトキシシラン、３‐アミノプロピルトリス（メトキシエトキシエトキシ）シラン、３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、３‐アミノプロピルトリメトキシシラン、ω‐アミノウンデシルトリメトキシシラン、３‐（２‐Ｎ‐ベンジルアミノエチルアミノプロピル）トリメトキシシラン、ビス（２‐ヒドロキシエチル）‐３‐アミノプロピルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ‐ジエチル‐３‐アミノプロピル）トリメトキシシラン、（Ｎ，Ｎ‐ジメチル‐３‐アミノプロピル）トリメトキシシラン、Ｎ‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３‐（Ｎ‐スチリルメチル‐２‐アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐β（アミノエチル）γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－３－（４－（３－アミノプロポキシ）プトキシ）プロピル－３－アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。

　シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、０．０５ｍｇ／ｍ²～２００ｍｇ／ｍ²、好ましくは０．１５ｍｇ／ｍ²～２０ｍｇ／ｍ²、好ましくは０．３ｍｇ／ｍ²～２．０ｍｇ／ｍ²の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、基材樹脂と表面処理銅箔との密着性をより向上させることができる。

　〔極薄銅層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層またはシランカップリング処理層上の樹脂層〕
　また、本発明のキャリア付銅箔は、極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層および／または防錆層を備えてもよく、前記耐熱層および／または防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
　また、本発明のキャリア付銅箔は、極薄銅層上に耐熱層および／または防錆層を備えてもよく、前記耐熱層および／または防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えてもよい。
　また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
　なお、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層を形成する順番は互いに限定されず、極薄銅層上、或いは、粗化処理層上に、どのような順序でこれらの層を形成してもよい。

　前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ状態）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。

　前記樹脂層は接着用樹脂、すなわち接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ状態）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。

　また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号ＷＯ２００８／００４３９９、国際公開番号ＷＯ２００８／０５３８７８、国際公開番号ＷＯ２００９／０８４５３３、特開平１１－５８２８号、特開平１１－１４０２８１号、特許第３１８４４８５号、国際公開番号ＷＯ９７／０２７２８、特許第３６７６３７５号、特開２０００－４３１８８号、特許第３６１２５９４号、特開２００２－１７９７７２号、特開２００２－３５９４４４号、特開２００３－３０４０６８号、特許第３９９２２２５、特開２００３－２４９７３９号、特許第４１３６５０９号、特開２００４－８２６８７号、特許第４０２５１７７号、特開２００４－３４９６５４号、特許第４２８６０６０号、特開２００５－２６２５０６号、特許第４５７００７０号、特開２００５－５３２１８号、特許第３９４９６７６号、特許第４１７８４１５号、国際公開番号ＷＯ２００４／００５５８８、特開２００６－２５７１５３号、特開２００７－３２６９２３号、特開２００８－１１１１６９号、特許第５０２４９３０号、国際公開番号ＷＯ２００６／０２８２０７、特許第４８２８４２７号、特開２００９－６７０２９号、国際公開番号ＷＯ２００６／１３４８６８、特許第５０４６９２７号、特開２００９－１７３０１７号、国際公開番号ＷＯ２００７／１０５６３５、特許第５１８０８１５号、国際公開番号ＷＯ２００８／１１４８５８、国際公開番号ＷＯ２００９／００８４７１、特開２０１１－１４７２７号、国際公開番号ＷＯ２００９／００１８５０、国際公開番号ＷＯ２００９／１４５１７９、国際公開番号ＷＯ２０１１／０６８１５７、特開２０１３－１９０５６号に記載されている物質（樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等）および／または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。

　また、前記樹脂層は、その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリマレイミド化合物、マレイミド系樹脂、芳香族マレイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルスルホン（ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう）、ポリエーテルスルホン（ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう）樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂ポリマー、ゴム性樹脂、ポリアミン、芳香族ポリアミン、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル-ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボン酸の無水物、多価カルボン酸の無水物、架橋可能な官能基を有する線状ポリマー、ポリフェニレンエーテル樹脂、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、リン含有フェノール化合物、ナフテン酸マンガン、２，２－ビス（４－グリシジルフェニル）プロパン、ポリフェニレンエーテル－シアネート系樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、シアノエステル樹脂、フォスファゼン系樹脂、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂、イソプレン、水素添加型ポリブタジエン、ポリビニルブチラール、フェノキシ、高分子エポキシ、芳香族ポリアミド、フッ素樹脂、ビスフェノール、ブロック共重合ポリイミド樹脂およびシアノエステル樹脂の群から選択される一種以上を含む樹脂を好適なものとして挙げることができる。

　また前記エポキシ樹脂は、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであって、電気・電子材料用途に用いることのできるものであれば、特に問題なく使用できる。また、前記エポキシ樹脂は分子内に２個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂が好ましい。また、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブロム化（臭素化）エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ゴム変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン化合物、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、リン含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、の群から選ばれる１種又は２種以上を混合して用いることができ、又は前記エポキシ樹脂の水素添加体やハロゲン化体を用いることができる。
　前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に２以上のエポキシ基を備える９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－ホスファフェナントレン－１０－オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。

（樹脂層が誘電体（誘電体フィラー）を含む場合）
　前記樹脂層は誘電体（誘電体フィラー）を含んでもよい。
　上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体（誘電体フィラー）を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体（誘電体フィラー）には、ＢａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、Ｐｂ（Ｚｒ－Ｔｉ）Ｏ₃（通称ＰＺＴ）、ＰｂＬａＴｉＯ₃・ＰｂＬａＺｒＯ（通称ＰＬＺＴ）、ＳｒＢｉ₂Ｔａ₂Ｏ₉（通称ＳＢＴ）等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。

　誘電体（誘電体フィラー）は粉状であってもよい。誘電体（誘電体フィラー）が粉状である場合、この誘電体（誘電体フィラー）の粉体特性は、粒径が０．０１μｍ～３．０μｍ、好ましくは０．０２μｍ～２．０μｍの範囲のものであることが好ましい。なお、誘電体を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で写真撮影し、当該写真上の誘電体の粒子の上に直線を引いた場合に、誘電体の粒子を横切る直線の長さが最も長い部分の誘電体の粒子の長さをその誘電体の粒子の径とする。そして、測定視野における誘電体の粒子の径の平均値を、誘電体の粒径とする。

　前述の樹脂層に含まれる樹脂および／または樹脂組成物および／または化合物を例えばメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、トルエン、メタノール、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、エチルセロソルブ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドなどの溶剤に溶解して樹脂液（樹脂ワニス）とし、これを前記表面処理銅箔の粗化処理表面の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しＢステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は１００～２５０℃、好ましくは１３０～２００℃であればよい。前記樹脂層の組成物を、溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分３ｗｔ％～７０ｗｔ％、好ましくは、３ｗｔ％～６０ｗｔ％、好ましくは１０ｗｔ％～４０ｗｔ％、より好ましくは２５ｗｔ％～４０ｗｔ％の樹脂液としてもよい。なお、メチルエチルケトンとシクロペンタノンとの混合溶剤を用いて溶解することが、環境的な見地より現段階では最も好ましい。なお、溶剤には沸点が５０℃～２００℃の範囲である溶剤を用いることが好ましい。
　また、前記樹脂層はＭＩＬ規格におけるＭＩＬ－Ｐ－１３９４９Ｇに準拠して測定したときのレジンフローが５％～３５％の範囲にある半硬化樹脂膜であることが好ましい。
　本件明細書において、レジンフローとは、ＭＩＬ規格におけるＭＩＬ－Ｐ－１３９４９Ｇに準拠して、樹脂厚さを５５μｍとした樹脂付表面処理銅箔から１０ｃｍ角試料を４枚サンプリングし、この４枚の試料を重ねた状態（積層体）でプレス温度１７１℃、プレス圧１４ｋｇｆ／ｃｍ²、プレス時間１０分の条件で張り合わせ、そのときの樹脂流出重量を測定した結果から数１に基づいて算出した値である。

　前記樹脂層を備えた表面処理銅箔（樹脂付き表面処理銅箔）は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついで表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合にはキャリアを剥離して極薄銅層を表出せしめ（当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である）、表面処理銅箔の粗化処理されている側とは反対側の表面から所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。

　この樹脂付き表面処理銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。

　なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、１層の厚みが１００μｍ以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。
　この樹脂層の厚みは０．１～１２０μｍであることが好ましい。

　樹脂層の厚みが０．１μｍより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付き表面処理銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。一方、樹脂層の厚みを１２０μｍより厚くすると、１回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる場合がある。
　なお、樹脂層を有する表面処理銅箔が極薄の多層プリント配線板を製造することに用いられる場合には、前記樹脂層の厚みを０．１μｍ～５μｍ、より好ましくは０．５μｍ～５μｍ、より好ましくは１μｍ～５μｍとすることが、多層プリント配線板の厚みを小さくするために好ましい。

＜キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板＞
　上述したプロセスを経て、銅箔キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層された本発明のキャリア付銅箔が作製される。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後に銅箔キャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板やプリント回路板を製造することができる。また、銅張積層板を製造してもよい。また、シールドフィルム用の絶縁層を準備し、その表面にキャリア付銅箔を極薄銅層側から貼り合わせた後、銅箔キャリアを極薄銅層から剥がし、さらに銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の表面に異方導電性接着剤を設けることでシールドフィルムを製造することができる。このようにして作製したプリント配線板及びプリント回路板は、例えば、搭載部品の高密度実装が要求される各種電子部品に搭載することができる。以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。

　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。

　本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。

　従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。

　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。

　本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を（フラッシュ）エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。

　従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。

　モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。

　本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。

　従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。

　本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。

　従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。

　サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されていない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。

　スルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。

　ここで、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を図面を用いて詳細に説明する。なお、ここでは粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔を例に説明するが、これに限られず、粗化処理層が形成されていない極薄銅層を有するキャリア付銅箔を用いても同様に下記のプリント配線板の製造方法を行うことができる。

　まず、図１１－Ａに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔（１層目）を準備する。
　次に、図１１－Ｂに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
　次に、図１１－Ｃに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
　次に、図１２－Ｄに示すように、回路めっきを覆うように（回路めっきが埋没するように）極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔（２層目）を極薄銅層側から接着させる。
　次に、図１２－Ｅに示すように、２層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
　次に、図１２－Ｆに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
　次に、図１３－Ｇに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
　次に、図１３－Ｈに示すように、ビアフィル上に、上記図１１－Ｂ及び図１１－Ｃのようにして回路めっきを形成する。
　次に、図１３－Ｉに示すように、１層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
　次に、図１４－Ｊに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
　次に、図１４－Ｋに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。

　上記別のキャリア付銅箔（２層目）は、本発明のキャリア付銅箔を用いてもよく、従来のキャリア付銅箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、図１３－Ｈに示される２層目の回路上に、さらに回路を１層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。

　また、前記１層目に用いられるキャリア付銅箔は、当該キャリア付銅箔のキャリア側表面に基板を有してもよい。当該基板または樹脂層を有することで１層目に用いられるキャリア付銅箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板には、前記１層目に用いられるキャリア付銅箔を支持する効果するものであれば、全ての基板を用いることが出来る。例えば前記基板として本願明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔を用いることができる。

　キャリア側表面に基板を形成するタイミングについては特に制限はないが、キャリアを剥離する前に形成することが必要である。特に、前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程の前に形成することが好ましく、キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程の前に形成することがより好ましい。

　本発明に係るキャリア付銅箔は、極薄銅層表面の色差が以下（１）を満たすように制御されていることが好ましい。本発明において「極薄銅層表面の色差」とは、極薄銅層の表面の色差、又は、粗化処理等の各種表面処理が施されている場合はその表面処理層表面の色差を示す。すなわち、本発明に係るキャリア付銅箔は、極薄銅層または粗化処理層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング層の表面の色差が以下（１）を満たすように制御されていることが好ましい。
（１）極薄銅層または粗化処理層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面のＪＩＳ　Ｚ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが４５以上である。

　ここで、色差ΔＬ、Δａ、Δｂは、それぞれ色差計で測定され、黒/白/赤/緑/黄/青を加味し、ＪＩＳＺ８７３０に基づくＬ*ａ*ｂ表色系を用いて示される総合指標であり、ΔＬ：白黒、Δａ：赤緑、Δｂ：黄青として表される。また、ΔＥ＊ａｂはこれらの色差を用いて下記式で表される。

　上述の色差は、極薄銅層形成時の電流密度を高くし、メッキ液中の銅濃度を低くし、メッキ液の線流速を高くすることで調整することができる。
　また上述の色差は、極薄銅層の表面に粗化処理を施して粗化処理層を設けることで調整することもできる。粗化処理層を設ける場合には銅およびニッケル、コバルト、タングステン、モリブデンからなる群から選択される一種以上の元素とを含む電界液を用いて、従来よりも電流密度を高く（例えば４０～６０Ａ／ｄｍ²）し、処理時間を短く（例えば０．１～１．３秒）することで調整することができる。極薄銅層の表面に粗化処理層を設けない場合には、Ｎｉの濃度をその他の元素の２倍以上としたメッキ浴を用いて、極薄銅層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面にＮｉ合金メッキ（例えばＮｉ－Ｗ合金メッキ、Ｎｉ－Ｃｏ－Ｐ合金メッキ、Ｎｉ－Ｚｎ合金めっき）を従来よりも低電流密度（０．１～１．３Ａ／ｄｍ²）で処理時間を長く（２０秒～４０秒）設定して処理することで達成できる。

　極薄銅層表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが４５以上であると、例えば、キャリア付銅箔の極薄銅層表面に回路を形成する際に、極薄銅層と回路とのコントラストが鮮明となり、その結果、視認性が良好となり回路の位置合わせを精度良く行うことができる。極薄銅層表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂは、好ましくは５０以上であり、より好ましくは５５以上であり、更により好ましくは６０以上である。

　極薄銅層または粗化処理層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング層の表面の色差が上記のようの制御されている場合には、回路めっきとのコントラストが鮮明となり、視認性が良好となる。従って、上述のようなプリント配線板の例えば図１１－Ｃに示すような製造工程において、回路めっきを精度良く所定の位置に形成することが可能となる。また、上述のようなプリント配線板の製造方法によれば、回路めっきが樹脂層に埋め込まれた構成となっているため、例えば図１４－Ｊに示すようなフラッシュエッチングによる極薄銅層の除去の際に、回路めっきが樹脂層によって保護され、その形状が保たれ、これにより微細回路の形成が容易となる。また、回路めっきが樹脂層によって保護されるため、耐マイグレーション性が向上し、回路の配線の導通が良好に抑制される。このため、微細回路の形成が容易となる。また、図１４－Ｊ及び図１４－Ｋに示すようにフラッシュエッチングによって極薄銅層を除去したとき、回路めっきの露出面が樹脂層から凹んだ形状となるため、当該回路めっき上にバンプが、さらにその上に銅ピラーがそれぞれ形成しやすくなり、製造効率が向上する。

　なお、埋め込み樹脂（レジン）には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジンやＢＴレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ＡＢＦフィルムやＡＢＦを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂（レジン）には本明細書に記載の樹脂層および／または樹脂および／またはプリプレグを使用することができる。

　本発明のキャリア付銅箔は、銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に、厚さ３μｍ以下の極薄銅層が設けられていてもよい。このような構成によれば、シールドフィルムにした際、適度な粗さを持つことで絶縁層と密着性が得られるという効果を有する。また、より好ましくは、銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に、厚さ２μｍ以下の極薄銅層が設けられており、さらにより好ましくは、銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に、厚さ１μｍ以下の極薄銅層が設けられている。

　本発明のキャリア付銅箔は、銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍ以下の表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍ以下の表面に、厚さ２μｍ以下の極薄銅層が設けられていてもよい。このような構成によれば、シールドフィルムにした際、異方導電性接着剤との接続信頼性が良いという効果を有する。また、より好ましくは、銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍ以下の表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍ以下の表面に、厚さ１μｍ以下の極薄銅層が設けられており、さらにより好ましくは、銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが１μｍ以下の表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが１μｍ以下の表面に、厚さ１μｍ以下の極薄銅層が設けられている。

　本発明のキャリア付銅箔は、極薄銅層の銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ－ａｖｇが１μｍ以上４μｍ以下であり、極薄銅層の銅箔キャリア側表面の平均粗さＲｚ－ａｖｇが銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ－ａｖｇ以上である。このような構成によれば、シールドフィルムにした際、極薄銅箔の片面が絶縁層との密着性に優れ、もう片面が異方導電性接着剤との接続信頼性が優れるという効果を有する。
　また、極薄銅層の銅箔キャリア側表面の平均粗さＲｚ－ａｖｇは特に限定する必要は無いが、例えば銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ－ａｖｇの５倍以下、あるいは３倍以下、あるいは２倍以下、あるいは１．５倍以下、あるいは１．３倍以下である。
　なお、本願発明において「プリント配線板」、「プリント回路板」、「銅張積層板」にはそれぞれカバーレイおよび／またはシールドフィルムを有するプリント配線板、プリント回路板、銅張積層板が含まれるものとする。

　以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。

１．キャリア付銅箔の製造
　銅箔キャリアとして、厚さ１８～３５μｍの長尺の電解銅箔（ＪＸ日鉱日石金属社製ＪＴＣ）を用意した。この銅箔のＭ面（マット面）又はＳ面（シャイニー面）に、以下の条件にてＮｉめっき及びクロメート処理を行い、中間層を形成した。

・ニッケルめっき
　（液組成）硫酸ニッケル：２７０～２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３５～４５ｇ／Ｌ、酢酸ニッケル：１０～２０ｇ／Ｌ、クエン酸三ナトリウム：１５～２５ｇ／Ｌ、光沢剤：サッカリン、ブチンジオール等、ドデシル硫酸ナトリウム：５５～７５ｐｐｍ
　（ｐＨ）４～６
　（液温）５５～６５℃
　（電流密度）１～１１Ａ／ｄｍ²
　（通電時間）１～２０秒

・クロメート
　（液組成）重クロム酸カリウム：１～１０ｇ／Ｌ
　（ｐＨ）７～１０
　（液温）４０～６０℃
　（電流密度）０．１～２．６Ａ／ｄｍ²
　（クーロン量）０．５～９０Ａｓ／ｄｍ²
　（通電時間）１～３０秒

　中間層の形成後、中間層の上に厚み１～５μｍの極薄銅層を以下の条件で電気めっきすることにより形成し、キャリア付銅箔を製造した。ピンホールの数やサイズは銅箔キャリアの粗さに準じ、Ｓ面よりもＭ面が粗いため、Ｍ面を使用することで数が増え、サイズが大きくなる。また、銅箔キャリアの厚みが大きくなるほどＭ面の一次山が大きくなるので、銅箔キャリアの厚みが大きい方が、ピンホールのサイズが大きくなる。極薄銅層のピンホールの制御については、このような知見に基づき、極薄銅層を形成する銅箔キャリアの厚み、形成面等を選択して行っている。
・極薄銅層
　銅濃度：３０～１２０ｇ／Ｌ
　Ｈ₂ＳＯ₄濃度：２０～１２０ｇ／Ｌ
　電解液温度：２０～８０℃
　電流密度：１０～１００Ａ／ｄｍ²

２．キャリア付銅箔の評価
　上記のようにして得られたキャリア付銅箔について、以下の方法で各評価を実施した。
＜ピンホール＞
　キャリア付銅箔のシートサンプルの四辺に両面テープを介して５０μｍ厚のＰＥＴフィルムに貼り付けた。次に、キャリア側を上に向け、キャリア付銅箔のサンプルを手で押さえながら、無理に引き剥がすことなく極薄銅層が途中で切れてしまわないように注意しながら極薄銅層からキャリアを手で剥がした。続いて、ＰＥＴフィルム上の極薄銅層表面に対し、民生用の写真用バックライトを光源にして、所定の測定面積におけるピンホールを透過型の光学顕微鏡で観察し、個数を測定した。

＜平均粗さ（Ｒｚ－ａｖｇ）の測定＞
　株式会社小阪研究所製接触粗さ計ＳＰ－１１を使用してＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４に準拠して十点平均粗さ（Ｒｚ）を、中間層を形成する前の銅箔キャリアの表面について測定した。測定基準長さ０．８ｍｍ、評価長さ４ｍｍ、カットオフ値０．８ｍｍ、送り速さ０．１ｍｍ／秒の条件で製箔方向と平行に測定を行い、測定位置を変えて１０回行った。そして、Ｒｚの１０回の測定値の平均値を平均粗さＲｚ－ａｖｇとした。また、ピンホールの測定の際と同様にしてキャリアを剥離し、極薄銅層の銅箔キャリアとは反対側表面及び極薄銅層の銅箔キャリア側表面の平均粗さ（Ｒｚ－ａｖｇ）を同様の測定方法にてそれぞれ測定した。なお、ピンホールの測定の際と同様にしてキャリアを剥離した後、銅箔キャリアの表面についても平均粗さ（Ｒｚ－ａｖｇ）を同様の測定方法にて測定した。その結果、ピンホールの測定の際と同様にしてキャリアを剥離した後、銅箔キャリアの表面について測定した平均粗さ（Ｒｚ－ａｖｇ）は、中間層を形成する前の銅箔キャリアの表面について測定した平均粗さ（Ｒｚ－ａｖｇ）と同じ値となった。そのため、中間層を形成する前の銅箔キャリアの表面について測定した平均粗さ（Ｒｚ－ａｖｇ）はピンホールの測定の際と同様にしてキャリアを剥離した後、銅箔キャリアの表面について測定した平均粗さ（Ｒｚ－ａｖｇ）で評価できると考える。
　結果を表１に示す。

　図２に実施例２の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面の光学顕微鏡観察写真を示す。
　図３に実施例２の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面のＳＥＭ観察写真を示す。
　図４に実施例２の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリアとは反対側表面のＳＥＭ観察写真を示す。
　図５に実施例４の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面の光学顕微鏡観察写真を示す。
　図６に実施例４の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリア側表面のＳＥＭ観察写真を示す。
　図７に実施例４の銅箔キャリア剥離後の極薄銅層の銅箔キャリアとは反対側表面のＳＥＭ観察写真を示す。
　図８に、厚み１８μｍの銅箔キャリアのＳ面のＳＥＭ観察写真を示す。
　図９に、厚み１８μｍの銅箔キャリアのＭ面のＳＥＭ観察写真を示す。
　図１０に、厚み３５μｍの銅箔キャリアのＭ面のＳＥＭ観察写真を示す。

Claims

　銅箔キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されたキャリア付銅箔であって、
　前記極薄銅層に径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在するキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層に径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在する請求項１に記載のキャリア付銅箔。
　銅箔キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されたキャリア付銅箔であって、
　前記極薄銅層に径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上、径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが３０００個／ｃｍ²以下存在するキャリア付銅箔。
　銅箔キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されたキャリア付銅箔であって、
　前記極薄銅層に径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在するキャリア付銅箔。
　銅箔キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されたキャリア付銅箔であって、
　前記極薄銅層に径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在し、
　前記極薄銅層に径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上存在するキャリア付銅箔。
　銅箔キャリア、中間層、極薄銅層がこの順に積層されたキャリア付銅箔であって、
　前記極薄銅層に径が１μｍ以上５０μｍ以下のピンホールが１個／ｃｍ²以上３０００個／ｃｍ²以下存在し、
　前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に、厚さ３μｍ以下の極薄銅層が設けられたキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層に径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１０００個／ｃｍ²以下存在する請求項１～６のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層に径が１μｍ以上２０μｍ以下のピンホールが１０個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在する請求項１～７のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層に径が５μｍ以上１０μｍ以下のピンホールが１００個／ｃｍ²以上１０００個／ｃｍ²以下存在する請求項１、２、６～８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に、厚さ３μｍ以下の極薄銅層が設けられた請求項１～５、７～９のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍを超える表面に、厚さ２μｍ以下の極薄銅層が設けられた請求項６又は１０に記載のキャリア付銅箔。
　前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍ以下の表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍ以下の表面に、厚さ２μｍ以下の極薄銅層が設けられた請求項１～５、７～９のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記銅箔キャリアの平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍ以下の表面に形成された前記中間層の平均粗さＲｚ－ａｖｇが２μｍ以下の表面に、厚さ１μｍ以下の極薄銅層が設けられた請求項１２に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層の前記銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ－ａｖｇが１μｍ以上４μｍ以下であり、前記極薄銅層の前記銅箔キャリア側表面の平均粗さＲｚ－ａｖｇが前記銅箔キャリアとは反対側表面の平均粗さＲｚ－ａｖｇ以上である請求項１～１３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層表面に粗化処理層を有する請求項１～１４のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する請求項１５に記載のキャリア付銅箔。
　前記防錆層及び前記耐熱層の少なくとも一方が、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛から選択される１つ以上の元素を含む請求項１６に記載のキャリア付銅箔。
　前記防錆層及び前記耐熱層の少なくとも一方が、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛から選択される１つ以上の元素からなる請求項１６に記載のキャリア付銅箔。
　前記粗化処理層の上に前記耐熱層を有する請求項１６～１８のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記粗化処理層または前記耐熱層の上に前記防錆層を有する請求項１６～１９のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記防錆層の上に前記クロメート処理層を有する請求項１６～２０のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記クロメート処理層の上に前記シランカップリング処理層を有する請求項１６～２１のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する請求項１～１４のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記極薄銅層上に樹脂層を備える請求項１～１４のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記粗化処理層上に樹脂層を備える請求項１５に記載のキャリア付銅箔。
　前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層の上に樹脂層を備える請求項１６～２３のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　前記樹脂層が誘電体を含む請求項２４～２６のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
　請求項１～２７のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造した銅張積層板。
　請求項１～２７のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板。
　請求項１～２７のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント回路板。
　請求項１～２７のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
　前記キャリア付銅箔と前記絶縁基板とを積層する工程、
　前記キャリア付銅箔と前記絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔の銅箔キャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
　請求項１～２７のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
　前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
　前記樹脂層上に回路を形成する工程が、前記樹脂層上に別のキャリア付銅箔を極薄銅層側から貼り合わせ、前記樹脂層に貼り合わせたキャリア付銅箔を用いて前記回路を形成する工程である請求項３２に記載のプリント配線板の製造方法。
　前記樹脂層上に貼り合わせる別のキャリア付銅箔が、請求項１～２７のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔である請求項３３に記載のプリント配線板の製造方法。
　前記樹脂層上に回路を形成する工程が、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行われる請求項３２～３４のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
　キャリアを剥離する前に、キャリア付銅箔のキャリア側表面に基板を形成する工程を更に含む請求項３２～３５のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。