WO2015030209A1 - 表面処理金属材、キャリア付金属箔、コネクタ、端子、積層体、シールドテープ、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法 - Google Patents

表面処理金属材、キャリア付金属箔、コネクタ、端子、積層体、シールドテープ、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法 Download PDF

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新井　英太
亮 福地
理 森岡
尚彦 江良
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Definitions

  • the present invention relates to a surface-treated metal material, a metal foil with a carrier, a connector, a terminal, a laminate, a shield tape, a shield material, a printed wiring board, a metal processed member, an electronic device, and a method for manufacturing a printed wiring board.
  • the present inventors have performed surface treatment on a metal material having a predetermined thermal conductivity, and by controlling the color difference of the surface of the metal material, heat absorption and heat dissipation are good. It has been found that a surface-treated metal material can be provided.
  • the thermal conductivity of the metal material is 32 W / (m ⁇ K) or more
  • the surface-treated metal material having a color difference ⁇ L based on JISZ8730 of the surface satisfies ⁇ L ⁇ ⁇ 40.
  • the surface-treated metal material of the present invention has a color difference ⁇ L, ⁇ a based on JISZ8730 on the surface.
  • ⁇ a ⁇ 0.23, ⁇ L ⁇ ⁇ 40 is satisfied, When 0.23 ⁇ a ⁇ 2.8, ⁇ L ⁇ ⁇ 8.5603 ⁇ ⁇ a ⁇ 38.00311 is satisfied, When 2.8 ⁇ a, ⁇ L ⁇ ⁇ 62 is satisfied.
  • the surface-treated metal material of the present invention has a color difference ⁇ L, ⁇ b based on JISZ8730 of the surface.
  • ⁇ b ⁇ ⁇ 0.68, ⁇ L ⁇ ⁇ 40 is satisfied
  • ⁇ 0.68 ⁇ b ⁇ 0.83 ⁇ L ⁇ ⁇ 2.6490 ⁇ ⁇ b ⁇ 41.801 is satisfied
  • 0.83 ⁇ b ⁇ 1.2, ⁇ L ⁇ ⁇ 48.6486 ⁇ ⁇ b ⁇ 3.6216 is satisfied
  • 1.2 ⁇ b ⁇ L ⁇ ⁇ 62 is satisfied.
  • the color differences ⁇ L and ⁇ a based on JISZ8730 of the surface are as follows: In the case of ⁇ a ⁇ 0.23, ⁇ L ⁇ ⁇ 40 is satisfied, When 0.23 ⁇ a ⁇ 2.8, ⁇ L ⁇ ⁇ 8.5603 ⁇ ⁇ a ⁇ 38.00311 is satisfied, When 2.8 ⁇ a, ⁇ L ⁇ ⁇ 62 is satisfied, About the color differences ⁇ L and ⁇ b based on JISZ8730 on the surface, When ⁇ b ⁇ ⁇ 0.68, ⁇ L ⁇ ⁇ 40 is satisfied, When ⁇ 0.68 ⁇ b ⁇ 0.83, ⁇ L ⁇ ⁇ 2.6490 ⁇ ⁇ b ⁇ 41.801 is satisfied, When 0.83 ⁇ b ⁇ 1.2, ⁇ L ⁇ ⁇ 48.6486 ⁇ ⁇ b ⁇ 3.6216 is satisfied, When 1.2 ⁇ b, ⁇ L ⁇ ⁇ 62 is satisfied.
  • the color difference ⁇ L satisfies ⁇ L ⁇ ⁇ 45.
  • the color difference ⁇ L satisfies ⁇ L ⁇ ⁇ 55.
  • the color difference ⁇ L satisfies ⁇ L ⁇ ⁇ 60.
  • the color difference ⁇ L satisfies ⁇ L ⁇ ⁇ 65.
  • the color difference ⁇ L satisfies ⁇ L ⁇ ⁇ 68.
  • the color difference ⁇ L satisfies ⁇ L ⁇ ⁇ 70.
  • the metal material is a heat-dissipating metal material.
  • the surface-treated metal material of the present invention has a surface-treated layer containing a metal.
  • the surface-treated metal material of the present invention has a surface-treated layer including a roughened layer.
  • the surface-treated metal material of the present invention has a 60 ° glossiness of 10 to 80%.
  • the surface-treated metal material of the present invention has a 60 degree glossiness of less than 10%.
  • the surface-treated metal material of the present invention has a surface treatment layer including a chromium layer or a chromate layer and / or a silane treatment layer.
  • the metal material is copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, iron, iron alloy, nickel, nickel alloy, gold, gold alloy, silver, silver alloy.
  • the metal material is formed of copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, iron, iron alloy, nickel, nickel alloy, zinc, or zinc alloy. ing.
  • the metal material is formed of phosphor bronze, corson alloy, red brass, brass, white or other copper alloy.
  • the metal material is a metal strip, a metal plate, or a metal foil.
  • the surface-treated metal material of the present invention includes a resin layer on the surface of the surface-treated layer.
  • the resin layer includes a dielectric.
  • Another aspect of the present invention is a metal foil with a carrier having an intermediate layer and an ultrathin metal layer in this order on one or both sides of the carrier, wherein the ultrathin metal layer is the It is metal foil with a carrier which is a surface treatment metal material.
  • the metal foil with a carrier of the present invention has the intermediate layer and the ultrathin metal layer in this order on one side of the carrier, and a roughening treatment layer on the other side of the carrier.
  • the ultrathin metal layer is an ultrathin copper layer.
  • the present invention is a connector using the surface-treated metal material of the present invention.
  • the present invention is a terminal using the surface-treated metal material of the present invention.
  • the present invention is a laminate manufactured by laminating the surface-treated metal material of the present invention or the metal foil with a carrier of the present invention and a resin substrate.
  • the present invention is a shield tape or a shield material provided with the laminate of the present invention.
  • the present invention is a printed wiring board provided with the laminate of the present invention.
  • the present invention is a metal workpiece using the surface-treated metal material of the present invention or the metal foil with a carrier of the present invention.
  • Another aspect of the present invention is an electronic device using the surface-treated metal material of the present invention or the metal foil with a carrier of the present invention.
  • a step of preparing the metal foil with a carrier of the present invention and an insulating substrate Laminating the metal foil with carrier and an insulating substrate; After laminating the metal foil with carrier and the insulating substrate, forming a metal-clad laminate through a process of peeling the carrier of the metal foil with carrier, Thereafter, the printed wiring board manufacturing method includes a step of forming a circuit by any one of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, or a modified semi-additive method.
  • a step of forming a circuit on the ultrathin metal layer side surface or the carrier side surface of the metal foil with a carrier of the present invention Forming a resin layer on the ultrathin metal layer side surface or the carrier side surface of the metal foil with carrier so that the circuit is buried; Forming a circuit on the resin layer; After forming a circuit on the resin layer, peeling the carrier or the ultrathin metal layer; and After the carrier or the ultrathin metal layer is peeled off, the ultrathin metal layer or the carrier is removed to be buried in the resin layer formed on the ultrathin metal layer side surface or the carrier side surface. It is a manufacturing method of a printed wiring board including the process of exposing the circuit which has been carried out.
  • (A) is the upper surface schematic diagram of the shield box produced in the Example.
  • (B) is the cross-sectional schematic diagram of the shield box produced in the Example.
  • 6 is a ⁇ a- ⁇ L graph according to an example and a comparative example.
  • 6 is a ⁇ b- ⁇ L graph according to an example and a comparative example.
  • the metal material used in the present invention is copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, iron, iron alloy, nickel, nickel alloy, gold, gold alloy, silver, silver alloy, platinum group, platinum group alloy, chromium, chromium Alloy, magnesium, magnesium alloy, tungsten, tungsten alloy, molybdenum, molybdenum alloy, lead, lead alloy, tantalum, tantalum alloy, tin, tin alloy, indium, indium alloy, zinc, zinc alloy, etc. and heat conduction Examples thereof include metal materials having a rate of 32 W / (m ⁇ K) or more, and also known metal materials having a thermal conductivity of 32 W / (m ⁇ K) or more can be used. Further, a metal material that is standardized by JIS standard, CDA, or the like and that has a thermal conductivity of 32 W / (m ⁇ K) or more can also be used.
  • Typical examples of copper include phosphorus deoxidized copper (JIS H3100 alloy numbers C1201, C1220, C1221), oxygen-free copper (JIS H3100 alloy number C1020) and tough pitch copper (JIS H3100) as defined in JIS H0500 and JIS H3100. Alloy No. C1100), copper having a purity of 95% by mass or more, more preferably 99.90% by mass or more, such as electrolytic copper foil. Contains 0.001 to 4.0 mass% in total of one or more of Sn, Ag, Au, Co, Cr, Fe, In, Ni, P, Si, Te, Ti, Zn, B, Mn and Zr Copper or copper alloy can also be used.
  • Examples of the copper alloy further include phosphor bronze, corson alloy, red brass, brass, white, and other copper alloys.
  • copper or copper alloys that are standardized in JIS H 3100 to JIS H 3510, JIS H 5120, JIS H 5121, JIS C 2520 to JIS C 2801, JIS E 2101 to JIS E 2102 are also used as copper or copper alloys. Can be used for invention.
  • the JIS standard listed to indicate the metal standard means the 2001 version of the JIS standard.
  • Phosphor bronze typically refers to a copper alloy containing copper as a main component and containing Sn and a lower mass of P.
  • phosphor bronze contains 3.5 to 11% by mass of Sn and 0.03 to 0.35% by mass of P, and has a composition consisting of the balance copper and inevitable impurities.
  • Phosphor bronze may contain 1.0% by mass or less of elements such as Ni and Zn in total.
  • the Corson alloy typically refers to a copper alloy to which an element that forms a compound with Si (for example, any one or more of Ni, Co, and Cr) is added and precipitates as second-phase particles in the parent phase.
  • the Corson alloy contains 0.5 to 4.0% by mass of Ni and 0.1 to 1.3% by mass of Si, and has a composition composed of the balance copper and inevitable impurities.
  • the Corson alloy contains 0.5 to 4.0% by mass of Ni, 0.1 to 1.3% by mass of Si, and 0.03 to 0.5% by mass of Cr, with the balance being copper and inevitable
  • the composition is composed of mechanical impurities.
  • the Corson alloy contains 0.5 to 4.0 mass% Ni, 0.1 to 1.3 mass% Si, 0.5 to 2.5 mass% Co, the balance copper and It has a composition composed of inevitable impurities.
  • the Corson alloy has a Ni content of 0.5 to 4.0 mass%, a Si content of 0.1 to 1.3 mass%, a Co content of 0.5 to 2.5 mass%, and a Cr content of 0.03. It is contained at 0.5% by mass and has a composition composed of the balance copper and inevitable impurities.
  • the Corson alloy contains 0.2 to 1.3% by mass of Si and 0.5 to 2.5% by mass of Co, and has a composition composed of the balance copper and inevitable impurities.
  • the Corson alloy may be added to the Corson alloy.
  • these other elements are generally added up to about 5.0% by mass.
  • the Corson alloy has a Ni content of 0.5 to 4.0 mass%, a Si content of 0.1 to 1.3 mass%, a Sn content of 0.01 to 2.0 mass%, and a Zn content of 0. 0.01 to 2.0% by mass, and the composition is composed of the balance copper and unavoidable impurities.
  • the red copper is an alloy of copper and zinc and means a copper alloy containing 1 to 20% by mass of zinc, more preferably 1 to 10% by mass of zinc. Further, the red lead may contain 0.1 to 1.0% by mass of tin.
  • brass means an alloy of copper and zinc, and particularly a copper alloy containing 20% by mass or more of zinc.
  • the upper limit of zinc is not particularly limited, but is 60% by mass or less, preferably 45% by mass or less, or 40% by mass or less.
  • white means copper containing 60% to 75% by weight of copper, 8.5% to 19.5% by weight of nickel, and 10% to 30% by weight of zinc.
  • An alloy is
  • the other copper alloy is Zn, Sn, Ni, Mg, Fe, Si, P, Co, Mn, Zr, Ag, B, Cr, and Ti, or a total of 8.0%. Including the following, the remainder refers to a copper alloy composed of inevitable impurities and copper.
  • aluminum and aluminum alloy for example, aluminum containing 40% by mass or more, 80% by mass or more, or 99% by mass or more can be used.
  • aluminum and aluminum alloys standardized in JIS H 4000 to JIS H 4180, JIS H 5202, JIS H 5303, or JIS Z 3232 to JIS Z 3263 can be used.
  • aluminum alloy number 1085, 1080, 1070, 1050, 1100, 1200, 1N00, and 1N30, which are standardized in JIS H 4000, Al: aluminum of 99.00% by mass or more, or an alloy thereof is used. be able to.
  • nickel and nickel alloy for example, nickel containing 40% by mass or more, 80% by mass or more, or 99.0% by mass or more can be used.
  • nickel or a nickel alloy standardized in JIS H 4541 to JIS H 4554, JIS H 5701 or JIS G 7604 to JIS G 7605, JIS C 2531 can be used.
  • nickel represented by alloy numbers NW2200 and NW2201 described in JIS H4551 or nickel: nickel of 99.0% by mass or more, or an alloy thereof can be used.
  • iron alloy for example, mild steel, carbon steel, iron-nickel alloy, steel or the like can be used.
  • iron or iron alloys described in JIS G 3101 to JIS G 7603, JIS C 2502 to JIS C 8380, JIS A 5504 to JIS A 6514, or JIS E 1101 to JIS E 5402-1 can be used.
  • the mild steel a mild steel having 0.15% by mass or less of carbon can be used, and a mild steel described in JIS G3141 can be used.
  • the iron-nickel alloy contains 35 to 85% by mass of Ni, and the balance is composed of Fe and inevitable impurities.
  • an iron-nickel alloy described in JIS C2531 can be used.
  • zinc and zinc alloy for example, those containing 40 mass% or more of Zn, 80 mass% or more, or 99.0 mass% or more can be used.
  • zinc or zinc alloy described in JIS H 2107 to JIS H 5301 can be used.
  • lead and lead alloy for example, Pb containing 40% by mass or more, 80% by mass or more, or 99.0% by mass or more can be used.
  • lead or a lead alloy standardized in JIS H 4301 to JIS H 4312 or JIS H 5601 can be used.
  • magnesium and magnesium alloy for example, Mg containing 40% by mass or more, 80% by mass or more, or 99.0% by mass or more can be used.
  • magnesium and magnesium alloys specified in JIS H 4201 to JIS H 4204, JIS H 5203 to JIS H 5303, and JIS H 6125 can be used.
  • tungsten and a tungsten alloy for example, W containing 40% by mass or more, 80% by mass or more, or 99.0% by mass or more can be used.
  • W containing 40% by mass or more, 80% by mass or more, or 99.0% by mass or more can be used.
  • tungsten and a tungsten alloy standardized in JIS H 4463 can be used.
  • molybdenum and molybdenum alloy for example, those containing 40% by mass or more, 80% by mass or more, or 99.0% by mass or more can be used.
  • tantalum and a tantalum alloy for example, Ta containing 40% by mass or more, 80% by mass or more, or 99.0% by mass or more can be used.
  • tantalum and tantalum alloy standardized in JIS H 4701 can be used.
  • tin and a tin alloy for example, Sn containing 40% by mass or more, 80% by mass or more, or 99.0% by mass or more can be used.
  • tin and tin alloy standardized in JIS H 5401 can be used.
  • indium and the indium alloy for example, those containing 40 mass% or more of In, 80 mass% or more, or 99.0 mass% or more can be used.
  • chromium and the chromium alloy for example, Cr containing 40% by mass or more, 80% by mass or more, or 99.0% by mass or more can be used.
  • silver and silver alloy for example, silver containing 40% by mass or more, 80% by mass or more, or 99.0% by mass or more can be used.
  • Au containing 40% by mass or more, 80% by mass or more, or 99.0% by mass or more can be used.
  • Platinum group is a general term for ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium and platinum.
  • Examples of the platinum group and the platinum group alloy include at least one element selected from the element group of Pt, Os, Ru, Pd, Ir, and Rh, such as 40% by mass or more, or 80% by mass or more, or 99 Those containing 0.0 mass% or more can be used.
  • the thermal conductivity of the metal material of the present invention is 32 W / (m ⁇ K) or more. If the thermal conductivity of the metal material is 32 W / (m ⁇ K) or higher, the heat, radiant heat, convection heat, etc., absorbed by the heat conduction from the heating element is transmitted to the entire metal material without being concentrated in part, and released to the outside. Easy to do.
  • the thermal conductivity of the metal material of the present invention is preferably 50 W / (m ⁇ K) or more, more preferably 70 W / (m ⁇ K) or more, and 90 W / (m ⁇ K) or more.
  • the upper limit of the thermal conductivity is not particularly required, but is, for example, 600 W / (m ⁇ K) or less, for example, 500 W / (m ⁇ K) or less, for example, 450 W / (m ⁇ K) or less.
  • the shape of the metal material used in the present invention is not particularly limited, but may be processed into a final electronic component shape or may be partially pressed. Shape processing is not performed and it may be in the form of a plate or foil.
  • the thickness of the metal material there is no particular limitation on the thickness of the metal material, and for example, it can be appropriately adjusted to a thickness suitable for each application. For example, it can be about 1 to 5000 ⁇ m or about 2 to 1000 ⁇ m. Especially when used in the form of a circuit, it is as thin as 35 ⁇ m or less, and 18 ⁇ m or less for shielding tape. When used as a material, a cover, etc., it can be applied to a thick material such as 70 to 1000 ⁇ m, and the upper limit thickness is not particularly defined.
  • the surface-treated metal material of the present invention has a plated layer, a roughened layer, a heat-resistant layer, a rust-proof layer, and an oxide layer (an oxide layer is formed on the surface of the metal material by heating).
  • a surface treatment layer such as the above may be formed.
  • the plating layer can be formed by wet plating such as electroplating, electroless plating and immersion plating, or dry plating such as sputtering, CVD and PDV. Electroplating is preferable from the viewpoint of cost.
  • the surface-treated metal material of the present invention does not necessarily have to have a surface-treated layer formed, and a metal material whose surface is treated with polishing (including chemical polishing or mechanical polishing) or chemicals. However, it may not have a surface treatment layer.
  • the surface-treated metal material of the present invention is controlled so that the color difference ⁇ L based on JISZ8730 on the surface satisfies ⁇ L ⁇ ⁇ 40.
  • ⁇ L ⁇ ⁇ 40 heat, radiant heat, convection heat, and the like, which are absorbed from the heat generating element, can be favorably absorbed.
  • the color difference ( ⁇ L, ⁇ a, ⁇ b) based on JISZ8730 on the surface can be measured using a color difference meter MiniScan XE Plus manufactured by HunterLab.
  • the surface-treated metal material of the present invention has a color difference ⁇ a, ⁇ L based on JISZ8730 on the surface.
  • ⁇ a 0.23
  • ⁇ L ⁇ ⁇ 40 is satisfied
  • 0.23 ⁇ a ⁇ 2.8, ⁇ L ⁇ ⁇ 8.5603 ⁇ ⁇ a ⁇ 38.00311 is satisfied
  • 2.8 ⁇ a it is preferable to control so as to satisfy ⁇ L ⁇ ⁇ 62.
  • fever by heat conduction absorbed from the heat generating body, radiant heat, convection heat, etc. can be absorbed more favorably.
  • the surface-treated metal material of the present invention has a color difference ⁇ b, ⁇ L based on JISZ8730 on the surface.
  • ⁇ b ⁇ ⁇ 0.68, ⁇ L ⁇ ⁇ 40 is satisfied
  • ⁇ 0.68 ⁇ b ⁇ 0.83, ⁇ L ⁇ ⁇ 2.6490 ⁇ ⁇ b ⁇ 41.801 is satisfied
  • 0.83 ⁇ b ⁇ 1.2, ⁇ L ⁇ ⁇ 48.6486 ⁇ ⁇ b ⁇ 3.6216 it is preferable to control so as to satisfy ⁇ L ⁇ ⁇ 62.
  • fever by heat conduction absorbed from the heat generating body, radiant heat, convection heat, etc. can be absorbed more favorably.
  • the color difference ⁇ L is preferably ⁇ L ⁇ ⁇ 45, more preferably ⁇ L ⁇ ⁇ 50, still more preferably ⁇ L ⁇ ⁇ 55, still more preferably ⁇ L ⁇ ⁇ 58, and even more preferably. Satisfies ⁇ L ⁇ ⁇ 60, even more preferably ⁇ L ⁇ ⁇ 65, even more preferably ⁇ L ⁇ ⁇ 68, and even more preferably ⁇ L ⁇ ⁇ 70.
  • ⁇ L need not be specified, but for example, ⁇ L ⁇ ⁇ 90, ⁇ L ⁇ ⁇ 88, ⁇ L ⁇ ⁇ 85, ⁇ L ⁇ ⁇ 83, ⁇ L ⁇ ⁇ 80, ⁇ L ⁇ ⁇ 78, ⁇ L ⁇ ⁇ 75 may be satisfied.
  • the color difference ⁇ a may be ⁇ a ⁇ ⁇ 10 or ⁇ a ⁇ ⁇ 5.
  • the color difference ⁇ a may be ⁇ a ⁇ 40, ⁇ a ⁇ 45, or ⁇ a ⁇ 50.
  • the color difference ⁇ b may be ⁇ b ⁇ ⁇ 15 or ⁇ b ⁇ ⁇ 10.
  • the color difference ⁇ b may be ⁇ b ⁇ 25 or ⁇ b ⁇ 30.
  • the above-described color difference can be adjusted by applying a roughening treatment to the surface of the metal material and providing a roughening treatment layer.
  • the current density is higher than that of the prior art by using an electrolytic solution containing copper and one or more elements selected from the group consisting of nickel, cobalt, tungsten, and molybdenum (for example, 35 to 60 A).
  • Ni alloy plating or Co alloy plating for example, Ni—W alloy plating, Ni—Co—P alloy plating, etc. is applied to the surface of a metal material, a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, or a silane coupling treatment layer.
  • Ni—Zn alloy plating, Co—Zn alloy plating, etc. are processed at a lower current density (0.1 to 3 A / dm 2 , preferably 0.1 to 2.8 A / dm 2 ) and longer in the processing time (5 More than a second, Ri preferably 10 seconds or more, more preferably 20 seconds or more, for example 20 seconds to 190 seconds, preferably accomplished such as by treating 20 to 180 seconds) set.
  • the surface-treated metal material of the present invention may have a 60 ° glossiness of 10 to 80%. According to such a configuration, heat, radiant heat, convection heat, and the like due to heat conduction absorbed from the heating element are absorbed better, and the surface-treated metal material having a 60 ° glossiness of less than 10% is absorbed on the surface. The effect of increasing the designability (aesthetic appearance) due to the gloss.
  • the 60 degree glossiness is more preferably 10 to 70%, still more preferably 15 to 60%, and even more preferably 15 to 50%.
  • polishing such as chemical polishing and mechanical polishing on the surface of the metal material before performing surface treatment on the metal material, or by controlling the 60-degree glossiness of the surface of the metal material in advance by high gloss rolling
  • the 60 degree glossiness after the surface treatment of the surface-treated metal material can be controlled within the above range.
  • Chemical polishing is performed with an etching solution such as sulfuric acid-hydrogen peroxide-water system or ammonia-hydrogen peroxide-water system at a lower concentration than usual and for a long time.
  • the mechanical polishing is performed by polishing with a buff formed using abrasive grains of number 3000 or finer than that, nonwoven fabric and resin.
  • High gloss rolling can be performed by rolling a metal material under conditions such that the oil film equivalent defined by the following formula is 12,000 to 24,000.
  • Oil film equivalent ⁇ (rolling oil viscosity [cSt]) ⁇ (sheet feeding speed [mpm] + roll peripheral speed [mpm]) ⁇ / ⁇ (roll biting angle [rad]) ⁇ (yield stress of material [kg / mm 2 ]) ⁇
  • the rolling oil viscosity [cSt] is a kinematic viscosity at 40 ° C.
  • a known method such as using a low-viscosity rolling oil or slowing the sheet passing speed may be used.
  • the surface-treated metal material of the present invention may have a 60 degree glossiness of less than 10%. According to such a configuration, an effect of better absorbing heat, radiant heat, convection heat, and the like due to heat conduction absorbed from the heating element occurs.
  • the 60 degree glossiness is more preferably 9% or less, still more preferably 8% or less, still more preferably 7% or less, and even more preferably 5% or less.
  • the lower limit of the 60 ° glossiness is not particularly required, but is typically 0.001% or more, for example 0.01% or more, for example 0.05% or more, for example 0.1% or more.
  • the surface-treated layer may contain a metal. According to such a structure, contact resistance becomes low compared with what forms a surface treatment layer with resin.
  • the metal included in the surface treatment layer include copper, gold, silver, platinum group, chromium, phosphorus, zinc, arsenic, nickel, cobalt, tungsten, tin, and molybdenum.
  • the surface-treated layer preferably contains a metal and / or alloy such that ⁇ L of the metal and / or alloy oxide is ⁇ 30 or less.
  • Examples of the metal and / or alloy whose ⁇ L of the oxide is ⁇ 30 or less include nickel, cobalt, tungsten, tin, and the like, and are made of nickel, cobalt, zinc, tin, tungsten, and tin. Examples include alloys containing one or more elements selected from the group. In addition, the above-described nickel, cobalt, tungsten, tin, and the like can be given, and the alloy containing one or more elements selected from the group consisting of nickel, cobalt, zinc, tin, tungsten, and tin may contain copper. . Note that ⁇ L of oxide can also be measured by forming a layer of powdered oxide and measuring ⁇ L of the oxide layer. This is because when the surface treatment layer is formed by plating or the like, a part of the metal becomes an oxide so that the color difference on the surface of the metal material can be controlled.
  • the surface treatment layer of the present invention may be constituted by forming a Ni—Zn alloy plating layer or a Co—Zn alloy plating layer on the surface of a metal material.
  • the Ni—Zn alloy plating layer or the Co—Zn alloy plating layer can be obtained, for example, by wet plating such as electroplating, electroless plating, and immersion plating. Electroplating is preferable from the viewpoint of cost.
  • the surface treatment layer of the present invention may be constituted by forming a Ni plating layer and a Ni—Zn alloy plating layer or a Co—Zn alloy plating layer in this order on the surface of the metal material.
  • the Ni—Zn alloy plating or Co—Zn alloy plating conditions are shown below.
  • Ni deposition amount or Co deposition amount 700 [mu] g / dm 2 or more 20000 ⁇ g / dm 2 or less preferably 1400 ⁇ g / dm 2 or more 20000 ⁇ g / dm 2 or less, preferably 2000 [mu] g / dm 2 or more 20000 ⁇ g / dm 2 or less, preferably 4000 ⁇ g / dm 2 or more 20000 ⁇ g / dm 2 or less ⁇ Zn adhered amount: 600 ⁇ g / dm 2 or more 25000 ⁇ g / Dm 2 or less,
  • Ni ratio, Co ratio, Or the total ratio of Ni and Co 7.5% or more 0% or less, and preferably 85% to 15% or less, preferably 20% or more 82% or less, more preferably 80.2% to 23%.
  • the aforementioned Ni—Zn alloy plating layer or Co—Zn alloy plating layer may contain one or more elements selected from the group consisting of W, Sn and Cu. The Ni plating conditions are shown below.
  • Plating solution composition Ni concentration 15-40g / L ⁇ PH: 2-4 ⁇ Temperature: 30-50 °C ⁇ Current density: 0.1 to 3.0 A / dm 2 -Plating time: 0.1 to 60 seconds
  • the balance of the treatment solution used for desmear treatment, electrolysis, surface treatment or plating used in the present invention is water unless otherwise specified.
  • the surface treatment layer of the present invention may be constituted by forming a black resin on the surface of the metal material.
  • the black resin can be formed, for example, by soaking a black paint in an epoxy resin, applying a predetermined thickness, and drying.
  • the surface treatment layer of the present invention is As a surface treatment, a primary particle layer (Cu) and a secondary particle layer (such as copper-cobalt-nickel alloy plating) can be formed on a metal material under the following plating conditions.
  • B Formation of secondary particle layer (Cu—Co—Ni alloy plating) Liquid composition: Copper 10-20 g / L, Nickel 1-15 g / L, Cobalt 1-15 g / L pH: 2-4 Liquid temperature: 30-50 ° C Current density: 10 to 60 A / dm 2 , or 10 to 50 A / dm 2 Coulomb amount: 10 to 80 As / dm 2
  • the surface treatment layer of the present invention can also be formed
  • the upper limit of the Ni deposition amount is typically 3000 ⁇ g / dm 2 or less, more preferably 1400 ⁇ g / dm 2 or less, and more preferably, to 1000 [mu] g / dm 2 or less.
  • the lower limit of the Ni adhesion amount is typically 50 ⁇ g / dm 2 or more, more preferably 100 ⁇ g / dm 2 , more preferably 300 ⁇ g / dm 2 or more.
  • the upper limit of the Co deposition amount is typically 5000 [mu] g / dm 2 or less, more preferably 3000 ⁇ g / dm 2 or less, more preferably 2400 ⁇ g / dm 2 or less, and more preferably 2000 [mu] g / dm 2 or less can do.
  • the lower limit of the Co adhesion amount is typically 50 ⁇ g / dm 2 or more, more preferably 100 ⁇ g / dm 2 , more preferably 300 ⁇ g / dm 2 or more.
  • An underlayer may be provided between the metal material and the surface treatment layer as long as the plating that constitutes the surface treatment layer is not inhibited.
  • the surface treatment layer may include a roughening treatment layer, or may include a chromium layer or a chromate layer, and / or a silane treatment layer.
  • the formation order of the roughening treatment layer, the chromium layer or the chromate layer, and the silane treatment layer is not particularly limited, and the formation order can be determined according to each application. In general, it is preferable to form a roughened layer, a chromium or chromate layer, and a silane-treated layer in this order on the surface of a metal material because the heat resistance and corrosion resistance of the roughened layer are improved.
  • the surface-treated metal material of the present invention can be bonded to a resin substrate to produce a laminate such as a shield tape or a shield material. Further, if necessary, a printed wiring board or the like can be manufactured by processing the metal material to form a circuit.
  • resin substrates include paper base phenolic resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber cloth base epoxy resin, glass cloth / paper composite base epoxy resin, glass cloth / glass nonwoven cloth composite base epoxy for rigid PWB. Polyester film, polyimide film, liquid crystal polymer (LCP), PET film and the like can be used for FPC and tape using resin and glass cloth base epoxy resin.
  • the “printed wiring board” includes a printed wiring board, a printed circuit board, and a printed board on which components are mounted.
  • a printed wiring board in which two or more printed wiring boards are connected by connecting two or more printed wiring boards according to the present invention, and at least one printed wiring board according to the present invention.
  • One printed wiring board of the present invention or a printed wiring board not corresponding to the printed wiring board of the present invention can be connected, and an electronic apparatus can be manufactured using such a printed wiring board.
  • “copper circuit” includes copper wiring.
  • the surface-treated metal material of the present invention can be used for a heat radiating plate, a structural plate, a shield material, a shield plate, a reinforcing material, a cover, a housing, a case, a box, and the like to produce a metal processed member.
  • the surface-treated metal material of the present invention has excellent absorbability of heat from the heating element and heat dissipation of absorbed heat
  • the surface-treated metal material is particularly excellent as a metal material for heat dissipation, and thus is particularly preferably used as a heat sink.
  • the metal processing member produced by using the surface-treated metal material of the present invention for the heat sink, structure plate, shield material, shield plate, reinforcing material, cover, housing, case, box, etc. is used for electronic equipment. Can do.
  • the metal foil with a carrier which is another embodiment of the present invention has an intermediate layer and an ultrathin metal layer in this order on one side or both sides of the carrier. And the said ultra-thin metal layer is the surface treatment metal material which is one embodiment of the above-mentioned this invention.
  • Carriers that can be used in the present invention are typically metal foils or resin films, such as copper foil, copper alloy foil, nickel foil, nickel alloy foil, iron foil, iron alloy foil, stainless steel foil, aluminum foil, aluminum. It is provided in the form of alloy foil, insulating resin film (for example, polyimide film, liquid crystal polymer (LCP) film, polyethylene terephthalate (PET) film, polyamide film, polyester film, fluororesin film, etc.). It is preferable to use a copper foil as a carrier that can be used in the present invention. This is because the copper foil has a high electric conductivity, which makes it easy to form an intermediate layer and an ultrathin metal layer thereafter.
  • insulating resin film for example, polyimide film, liquid crystal polymer (LCP) film, polyethylene terephthalate (PET) film, polyamide film, polyester film, fluororesin film, etc.
  • the carrier is typically provided in the form of rolled copper foil or electrolytic copper foil.
  • the electrolytic copper foil is produced by electrolytic deposition of copper from a copper sulfate plating bath onto a drum of titanium or stainless steel, and the rolled copper foil is produced by repeating plastic working and heat treatment with a rolling roll.
  • the copper foil material is, for example, Sn-containing copper, Ag-containing copper, copper alloy added with Cr, Zr, Mg, etc., and Corson-based added with Ni, Si, etc. Copper alloys such as copper alloys can also be used.
  • the thickness of the carrier that can be used in the present invention is not particularly limited, but may be appropriately adjusted to a thickness suitable for serving as a carrier, for example, 5 ⁇ m or more. However, if it is too thick, the production cost becomes high, so generally it is preferably 35 ⁇ m or less. Accordingly, the thickness of the carrier is typically 12-70 ⁇ m, more typically 18-35 ⁇ m.
  • the carrier used in the present invention controls the surface roughness Rz on the side on which the intermediate layer is formed and the glossiness as follows, whereby the surface roughness Rz on the surface of the ultrathin metal layer after the surface treatment and Glossiness can be controlled.
  • the carrier used in the present invention it is also important to control the TD roughness (Rz) and glossiness of the surface of the carrier on which the intermediate layer is formed before forming the intermediate layer.
  • the surface roughness (Rz) of TD of the carrier before forming the intermediate layer is 0.20 to 0.80 ⁇ m, preferably 0.20 to 0.50 ⁇ m, and the incident angle 60 in the rolling direction (MD) is 60.
  • the glossiness in terms of degree is 350 to 800%, preferably 500 to 800%.
  • rolling is performed by adjusting the oil film equivalent of the rolling oil (high gloss rolling), or chemical polishing such as chemical etching or electrolytic polishing in a phosphoric acid solution is performed, It can produce by adding an additive and manufacturing electrolytic copper foil.
  • the surface roughness (Rz) of the copper foil after the treatment can be easily controlled by setting the surface roughness (Rz) and the glossiness of the TD of the copper foil before the treatment within the above range. .
  • the carrier before forming the intermediate layer preferably has an MD 60 ° gloss of 500 to 800%, more preferably 501 to 800%, and even more preferably 510 to 750%. If the 60 degree gloss of MD of the copper foil before the surface treatment is less than 500%, Rz may be higher than the case of 500% or more, and if it exceeds 800%, it is difficult to produce. May occur. High gloss rolling can be performed by setting the oil film equivalent defined by the following formula to 13000 to 18000 or less.
  • Oil film equivalent ⁇ (rolling oil viscosity [cSt]) ⁇ (sheet feeding speed [mpm] + roll peripheral speed [mpm]) ⁇ / ⁇ (roll biting angle [rad]) ⁇ (yield stress of material [kg / mm 2 ]) ⁇
  • the rolling oil viscosity [cSt] is a kinematic viscosity at 40 ° C.
  • a known method such as using a low-viscosity rolling oil or slowing the sheet passing speed may be used.
  • the electrolytic copper foil in which the surface roughness Rz and the glossiness are in the above-described ranges can be produced by the following method.
  • the electrolytic copper foil can be used as a carrier.
  • Leveling agent 1 bis (3sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
  • Leveling agent 2 (amine compound) 10 to 30 ppm
  • As the amine compound an amine compound having the following chemical formula can be used.
  • R 1 and R 2 are selected from the group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group, and an alkyl group.
  • the said roughening process layer may be provided using a well-known method, and may be provided by the above-mentioned roughening process.
  • An intermediate layer is provided on the carrier. Another layer may be provided between the carrier and the intermediate layer.
  • the intermediate layer used in the present invention is such that the ultrathin metal layer is difficult to peel off from the carrier before the metal foil with carrier is laminated on the insulating substrate, while the ultrathin metal layer is not separated from the carrier after the lamination step on the insulating substrate. There is no particular limitation as long as it can be peeled off.
  • the intermediate layer of the metal foil with a carrier of the present invention is Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, hydrates thereof, oxides thereof, One or two or more selected from the group consisting of organic substances may be included.
  • the intermediate layer may be a plurality of layers. Further, for example, the intermediate layer is a single metal layer composed of one kind of element selected from the element group composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from the carrier side. Or forming an alloy layer composed of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, A hydrate or oxide of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, and Zn, or an organic substance It can comprise by forming the layer which consists of.
  • the intermediate layer is a single metal layer composed of one kind of element selected from the element group composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from the carrier side.
  • an alloy layer composed of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn
  • a single metal layer made of one element selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, or Cr, Ni, Co , Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, and Zn can be formed by forming an alloy layer made of one or more elements selected from the group of elements.
  • a well-known organic substance can be used for the intermediate
  • specific nitrogen-containing organic compounds include 1,2,3-benzotriazole, carboxybenzotriazole, N ′, N′-bis (benzotriazolylmethyl) urea, 1H, which are triazole compounds having a substituent. It is preferable to use -1,2,4-triazole, 3-amino-1H-1,2,4-triazole and the like.
  • the sulfur-containing organic compound it is preferable to use mercaptobenzothiazole, 2-mercaptobenzothiazole sodium, thiocyanuric acid, 2-benzimidazolethiol and the like.
  • the carboxylic acid it is particularly preferable to use a monocarboxylic acid, and it is particularly preferable to use oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, or the like.
  • the intermediate layer can be configured by laminating a nickel layer, a nickel-phosphorus alloy layer or a nickel-cobalt alloy layer, and a chromium-containing layer in this order on a carrier.
  • the adhesive force between nickel and copper is higher than the adhesive force between chromium and copper, when the ultrathin metal layer is peeled off, it peels at the interface between the ultrathin metal layer and the chromium-containing layer.
  • the nickel in the intermediate layer is expected to have a barrier effect that prevents the copper component from diffusing from the carrier into the ultrathin metal layer.
  • Adhesion amount of nickel in the intermediate layer is preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 40000 ⁇ g / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 4000 ⁇ g / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 2500 g / dm 2 or less, more Preferably, it is 100 ⁇ g / dm 2 or more and less than 1000 ⁇ g / dm 2 , and the amount of chromium deposited on the intermediate layer is preferably 5 ⁇ g / dm 2 or more and 100 ⁇ g / dm 2 or less.
  • the intermediate layer When the intermediate layer is provided only on one side, it is preferable to provide a rust preventive layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier.
  • the intermediate chromium layer can be provided by chromium plating or chromate treatment. If the thickness of the intermediate layer becomes too large, the thickness of the intermediate layer may affect the surface roughness Rz and glossiness of the surface of the ultrathin metal layer after the surface treatment.
  • the thickness of the intermediate layer on the surface is preferably 1 to 1000 nm, preferably 1 to 500 nm, preferably 2 to 200 nm, preferably 2 to 100 nm, and preferably 3 to 60 nm. More preferred.
  • the intermediate layer may be provided on both sides of the carrier.
  • the ultrathin metal layer having the carrier is a surface-treated metal material according to one embodiment of the present invention.
  • the thickness of the ultrathin metal layer is not particularly limited, but is generally thinner than the carrier, for example, 12 ⁇ m or less. Typically 0.5 to 12 ⁇ m, more typically 1.5 to 5 ⁇ m.
  • strike plating with a copper-phosphorus alloy or the like may be performed in order to reduce pinholes in the ultrathin metal layer. Examples of the strike plating include a copper pyrophosphate plating solution.
  • the ultrathin metal layer may be provided on both sides of the carrier.
  • Ultra-thin metal layer is copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, iron, iron alloy, nickel, nickel alloy, gold, gold alloy, silver, silver alloy, platinum group, platinum group alloy, chromium, chromium alloy, magnesium, magnesium Alloy, tungsten, tungsten alloy, molybdenum, molybdenum alloy, lead, lead alloy, tantalum, tantalum alloy, tin, tin alloy, indium, indium alloy, zinc, zinc alloy or the like, and has a thermal conductivity of 32 W / ( It may be an ultrathin metal layer containing or consisting of a metal that is greater than or equal to m ⁇ K), and is a known metal material and has a thermal conductivity of 32 W / (m ⁇ K) or greater.
  • Metal materials can also be used as the ultrathin metal layer. Further, a metal material that is standardized by JIS standard, CDA, or the like and has a thermal conductivity of 32 W / (m ⁇ K) or more can also be used as the ultrathin metal layer. Note that an ultrathin copper layer is preferably used as the ultrathin metal layer. This is because the ultrathin copper layer has high conductivity and is suitable for applications such as circuits.
  • the ultrathin metal layer of the present invention may be an ultrathin copper layer formed under the following conditions. This is because the surface roughness Rz and the glossiness of the surface of the ultrathin copper layer are controlled by forming a smooth ultrathin copper layer.
  • Electrolyte composition Copper 80 to 120 g / L Sulfuric acid: 80-120 g / L Chlorine: 30-100ppm
  • Leveling agent 1 bis (3sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
  • Leveling agent 2 (amine compound) 10 to 30 ppm
  • As the amine compound an amine compound having the following chemical formula can be used.
  • R 1 and R 2 are selected from the group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group, and an alkyl group.
  • a resin layer may be provided on the surface-treated surface of the surface-treated metal material of the present invention.
  • the resin layer may be an insulating resin layer.
  • the “surface-treated surface” means that the surface treatment is performed when a surface treatment for providing a heat-resistant layer, a rust-proof layer, a weather-resistant layer, etc. is performed after the roughening treatment. It means the surface of the surface-treated metal material after performing the above.
  • the surface-treated metal material is an ultra-thin metal layer of a metal foil with a carrier
  • the “surface-treated surface” is for providing a heat-resistant layer, a rust-proof layer, a weather-resistant layer, etc. after the roughening treatment.
  • the surface treatment is performed, the surface of the ultrathin metal layer after the surface treatment is performed.
  • the resin layer may be an adhesive or an insulating resin layer in a semi-cured state (B stage state) for bonding.
  • the semi-cured state (B stage state) is a state in which there is no sticky feeling even if the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment. Including that.
  • the resin layer may be an adhesive resin, that is, an adhesive, or may be a semi-cured (B-stage) insulating resin layer for adhesion.
  • the semi-cured state (B stage state) is a state in which there is no sticky feeling even if the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment. Including that.
  • the resin layer may contain a thermosetting resin or a thermoplastic resin.
  • the resin layer may include a thermoplastic resin.
  • the resin layer may contain a known resin, resin curing agent, compound, curing accelerator, dielectric, reaction catalyst, crosslinking agent, polymer, prepreg, skeleton material, and the like.
  • the resin layer may be, for example, International Publication No. WO2008 / 004399, International Publication No. WO2008 / 053878, International Publication No. WO2009 / 084533, JP-A-11-5828, JP-A-11-140281, Patent 3184485, International Publication. No. WO 97/02728, Japanese Patent No. 3676375, Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • Japanese Patent No. 3612594 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-179721, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-309444, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-302068, Japanese Patent No. 3992225, Japanese Patent Application Laid-Open No. -249739, Japanese Patent No. 4136509, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-82687, Japanese Patent No. 4025177, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-349654, Japanese Patent No. 4286060, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-262506, Japanese Patent No. 4570070, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 4570070. No. 5-53218, Japanese Patent No.
  • WO 2008/114858 International Publication Number WO 2009/008471, JP 2011-14727, International Publication Number WO 2009/001850, International Publication Number WO 2009/145179, International Publication Number Nos. WO2011 / 068157 and JP2013-19056 (resins, resin curing agents, compounds, curing accelerators, dielectrics, reaction catalysts, crosslinking agents, polymers, prepregs, skeletal materials, etc.) and / or You may form using the formation method and formation apparatus of a resin layer.
  • the type of the resin layer is not particularly limited.
  • epoxy resin polyimide resin, polyfunctional cyanate ester compound, maleimide compound, polymaleimide compound, maleimide resin, aromatic maleimide resin , Polyvinyl acetal resin, urethane resin, polyethersulfone (also referred to as polyethersulfone or polyethersulfone), polyethersulfone (also referred to as polyethersulfone or polyethersulfone) resin, aromatic polyamide resin, aromatic Polyamide resin polymer, rubber resin, polyamine, aromatic polyamine, polyamideimide resin, rubber modified epoxy resin, phenoxy resin, carboxyl group-modified acrylonitrile-butadiene resin, polyphenylene oxide, bismaleimide triazine Resins, thermosetting polyphenylene oxide resins, cyanate ester resins, carboxylic acid anhydrides, polyvalent carboxylic acid anhydrides, linear polymers having crosslinkable functional groups, polyphenylene ether resins, 2,2-
  • the epoxy resin has two or more epoxy groups in the molecule and can be used without any problem as long as it can be used for electric / electronic materials.
  • the epoxy resin is preferably an epoxy resin epoxidized using a compound having two or more glycidyl groups in the molecule.
  • bisphenol A type epoxy resin bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, brominated (brominated) epoxy Resin, phenol novolac type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, orthocresol novolac type epoxy resin, rubber modified bisphenol A type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, triglycidyl isocyanurate, N, N -Glycidyl amine compounds such as diglycidyl aniline, glycidyl ester compounds such as diglycidyl tetrahydrophthalate, phosphorus-containing epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, One or two or more types selected from the group of phenyl novolac type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin can be used, or
  • the phosphorus-containing epoxy resin a known epoxy resin containing phosphorus can be used.
  • the phosphorus-containing epoxy resin is, for example, an epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide having two or more epoxy groups in the molecule. Is preferred.
  • the resin layer may include a dielectric (dielectric filler).
  • a dielectric (dielectric filler) is included in any of the above resin layers or resin compositions, it can be used for the purpose of forming the capacitor layer and increase the capacitance of the capacitor circuit.
  • the dielectric (dielectric filler) includes a composite oxide having a perovskite structure such as BaTiO3, SrTiO3, Pb (Zr-Ti) O3 (commonly called PZT), PbLaTiO3 / PbLaZrO (commonly known as PLZT), SrBi2Ta2O9 (commonly known as SBT), and the like.
  • Dielectric powder is used.
  • the dielectric (dielectric filler) may be in powder form.
  • the powder characteristics of the dielectric (dielectric filler) are such that the particle size is in the range of 0.01 ⁇ m to 3.0 ⁇ m, preferably 0.02 ⁇ m to 2.0 ⁇ m. It is preferable that.
  • SEM scanning electron microscope
  • the length of the longest straight line across the dielectric particle is The length of the dielectric particle is defined as the diameter of the dielectric particle.
  • an average value of the diameters of the dielectric particles in the measurement visual field is defined as the dielectric particle size.
  • Examples of the resin and / or resin composition and / or compound contained in the resin layer include methyl ethyl ketone (MEK), cyclopentanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, toluene, methanol, ethanol, propylene glycol monomethyl ether , Dimethylformamide, dimethylacetamide, cyclohexanone, ethyl cellosolve, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide and the like to obtain a resin liquid (resin varnish).
  • MEK methyl ethyl ketone
  • cyclopentanone dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, toluene
  • methanol ethanol
  • propylene glycol monomethyl ether Dimethylformamide, dimethylacetamide, cyclohexanone, ethyl cellosolve
  • the surface-treated metal material is coated on the roughened surface by, for example, a roll coater method, and then heated and dried as necessary to remove the solvent to obtain a B-stage state.
  • a hot air drying furnace may be used for drying, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C., preferably 130 to 200 ° C.
  • the resin layer composition is dissolved using a solvent, and the resin solid content is 3 wt% to 70 wt%, preferably 3 wt% to 60 wt%, preferably 10 wt% to 40 wt%, more preferably 25 wt% to 40 wt%. It is good also as a resin liquid.
  • the resin layer is preferably a semi-cured resin film having a resin flow in the range of 5% to 35% when measured according to MIL-P-13949G in the MIL standard. In this specification, the resin flow is based on MIL-P-13949G in the MIL standard. Four 10 cm square samples are sampled from a resin-treated surface-treated metal material with a resin thickness of 55 ⁇ m.
  • Equation 1 A value calculated based on Equation 1 from the result of measuring the resin outflow weight at the time when the sample was laminated (laminate) under the conditions of a press temperature of 171 ° C., a press pressure of 14 kgf / cm 2 , and a press time of 10 minutes. It is.
  • the surface-treated metal material provided with the resin layer (surface-treated metal material with resin) is obtained by superposing the resin layer on a base material and then thermocompressing the entire resin layer to thermally cure the resin layer. Is the ultrathin metal layer of the metal foil with carrier, the carrier is peeled off to expose the ultrathin metal layer (of course, the surface on the intermediate layer side of the ultrathin metal layer is exposed)
  • the surface-treated metal material is used in a form in which a predetermined wiring pattern is formed from the surface opposite to the surface subjected to the roughening treatment.
  • this surface-treated metal material with resin can reduce the number of prepreg materials used when manufacturing a multilayer printed wiring board.
  • the metal-clad laminate can be manufactured even when the thickness of the resin layer is such that interlayer insulation can be ensured or no prepreg material is used.
  • the surface smoothness can be further improved by undercoating the surface of the substrate with an insulating resin.
  • the material cost of the prepreg material is saved and the laminating process is simplified, which is economically advantageous.
  • the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material is used. The thickness is reduced, and there is an advantage that an extremely thin multilayer printed wiring board in which the thickness of one layer is 100 ⁇ m or less can be manufactured.
  • the thickness of this resin layer is preferably 0.1 to 120 ⁇ m.
  • the thickness of the resin layer is less than 0.1 ⁇ m, the adhesive strength is reduced, and when the surface-treated metal material with resin is laminated on the base material provided with the inner layer material without interposing the prepreg material, the circuit of the inner layer material It may be difficult to ensure interlayer insulation between the two.
  • the thickness of the resin layer is greater than 120 ⁇ m, it is difficult to form a resin layer having a target thickness in a single coating process, which may be economically disadvantageous because of extra material costs and man-hours.
  • the thickness of the resin layer is 0.1 ⁇ m to 5 ⁇ m, more preferably 0.5 ⁇ m to 5 ⁇ m, More preferably, the thickness is 1 ⁇ m to 5 ⁇ m in order to reduce the thickness of the multilayer printed wiring board.
  • a step of preparing a metal foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention a step of laminating the metal foil with a carrier and an insulating substrate, and with the carrier
  • a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the metal foil with carrier, and then a semi-additive method, a modified semiconductor
  • the semi-additive method refers to a method in which a thin electroless plating is performed on an insulating substrate or a metal foil seed layer, a pattern is formed, and then a conductor pattern is formed using electroplating and etching.
  • the process of removing everything by methods such as A step of providing a through hole or / and a blind via in the resin exposed by removing the ultrathin metal layer by etching, a step of performing a desmear treatment on a region including the through hole or / and the blind via, the resin and the A step of providing an electroless plating layer in a region including a through hole or / and a blind via, a step of providing a plating resist on the electroless plating layer, a region where a circuit is formed after the plating resist is exposed to light
  • a step of preparing a metal foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention, the metal foil with a carrier and the insulating substrate A step of laminating the metal foil with carrier and an insulating substrate, and then peeling off the carrier of the metal foil with carrier, and etching the exposed ultrathin metal layer using a corrosive solution such as an acid.
  • Removing all by a method such as plasma or plasma providing an electroless plating layer on the surface of the resin exposed by removing the ultrathin metal layer by etching, providing a plating resist on the electroless plating layer Step, exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is to be formed.
  • a step of providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the resist is removed is formed, a step of removing the plating resist, an electroless plating layer and an ultrathin metal in a region other than the region where the circuit is formed Removing the layer by flash etching or the like.
  • the modified semi-additive method is a method in which a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming portion is protected by a plating resist, and the copper is thickened in the circuit forming portion by electrolytic plating, and then the resist is removed. Then, a method of forming a circuit on the insulating layer by removing the metal foil other than the circuit forming portion by (flash) etching is indicated.
  • the step of preparing the metal foil with carrier and the insulating substrate according to the present invention, the metal foil with carrier and the insulation A step of laminating a substrate, a step of laminating the carrier of the metal foil with a carrier and an insulating substrate, a step of peeling the carrier of the metal foil with a carrier, a through hole or / A step of providing a blind via, a step of performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via, a step of providing an electroless plating layer on the region including the through hole or / and the blind via, and exposing the substrate by peeling off the carrier
  • a step of providing a plating resist on the surface of the thin metal layer After providing a resist, comprising a step of forming a circuit by electroplating, removing the plating resist, a step, is removed by flash etching ultrathin metal layer exposed by
  • the step of forming a circuit on the resin layer includes attaching another metal foil with a carrier on the resin layer from the ultrathin metal layer side, and using the metal foil with a carrier bonded to the resin layer. It may be a step of forming a circuit.
  • the metal foil with a carrier of the present invention may be another metal foil with a carrier to be bonded onto the resin layer.
  • the step of forming a circuit on the resin layer may be performed by any one of a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method, or a modified semi-additive method.
  • the metal foil with a carrier which forms a circuit on the surface may have a substrate or a resin layer on the surface of the carrier of the metal foil with a carrier.
  • the step of preparing the metal foil with carrier and the insulating substrate according to the present invention, the metal foil with carrier and the insulation A step of laminating the substrate, a step of peeling the carrier of the metal foil with carrier after laminating the metal foil with carrier and an insulating substrate, a step of providing a plating resist on the exposed ultrathin metal layer by peeling off the carrier, Exposing the plating resist and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed; providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit where the plating resist is removed;
  • the step of removing the resist, the electroless plating layer and the ultrathin metal layer in a region other than the region where the circuit is formed are subjected to flash Comprising the steps of removing the like quenching.
  • the partial additive method means that a catalyst circuit is formed on a substrate provided with a conductor layer, and if necessary, a substrate provided with holes for through holes or via holes, and etched to form a conductor circuit. Then, after providing a solder resist or a plating resist as necessary, it refers to a method of manufacturing a printed wiring board by thickening through holes, via holes, etc. on the conductor circuit by electroless plating.
  • the subtractive method refers to a method of selectively removing unnecessary portions of the copper foil on the copper clad laminate by etching or the like to form a conductor pattern.
  • a step of providing an electrolytic plating layer, the electrolytic plating layer and / or the ultrathin metal A step of providing an etching resist on the surface of the substrate, a step of exposing the etching resist to form a circuit pattern, and
  • a step of preparing a metal foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention the metal foil with a carrier and the insulating substrate Laminating the metal foil with a carrier and an insulating substrate, then peeling the carrier of the metal foil with a carrier, peeling the carrier and exposing the ultrathin metal layer and the insulating substrate with a through hole or / and a blind
  • a step of providing a plating layer a step of providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the ultrathin metal layer, a step of exposing the etching resist to form a circuit pattern, the ultrathin metal layer and Removing the electroless plating layer by a method such as etching using a corrosive solution such as acid or plasma to form a circuit; and removing the etching resist.
  • ⁇ Through holes and / or blind vias and subsequent desmear steps may not be performed.
  • a metal foil with a carrier having an ultra-thin metal layer on which a roughened layer is formed will be described as an example.
  • the present invention is not limited to this, and a carrier having an ultra-thin metal layer on which a roughened layer is not formed.
  • the following printed wiring board manufacturing method can be performed using the attached metal foil.
  • a metal foil with a carrier (first layer) having an ultrathin metal layer with a roughened layer formed on the surface is prepared.
  • a resist is applied on the roughened layer of the ultrathin metal layer, exposed and developed, and the resist is etched into a predetermined shape.
  • the resist is removed to form a circuit plating having a predetermined shape.
  • an embedding resin is provided on the ultrathin metal layer so as to cover the circuit plating (so that the circuit plating is buried), and the resin layer is laminated, and then another metal foil with carrier (second layer) is applied to the electrode. Adhere from the thin metal layer side.
  • the carrier is peeled off from the second layer of metal foil with carrier.
  • laser drilling is performed at a predetermined position of the resin layer to expose the circuit plating and form a blind via.
  • a via fill is formed by filling copper in the blind via.
  • circuit plating is formed on the via fill as described above.
  • the carrier is peeled off from the first layer of metal foil with carrier.
  • the ultrathin metal layers on both surfaces are removed by flash etching, and the surface of the circuit plating in the resin layer is exposed.
  • bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and copper pillars are formed on the solder. In this way, a printed wiring board using the metal foil with a carrier of the present invention is produced.
  • the metal foil with carrier of the present invention may be used, a conventional metal foil with carrier, or a normal copper foil may be used. Further, one or more circuits may be formed on the circuit of the second layer, and the circuit formation is performed by any of the semi-additive method, subtractive method, partly additive method, or modified semi-additive method. You may carry out by the method.
  • the color difference on the surface of the ultrathin metal layer is preferably controlled so as to satisfy the following (1).
  • the “color difference on the surface of the ultrathin metal layer” refers to the color difference on the surface of the ultrathin metal layer, or the color difference on the surface of the surface treatment layer when various surface treatments such as roughening treatment are applied. . That is, the metal foil with a carrier according to the present invention is preferably controlled so that the color difference of the roughened surface of the ultrathin metal layer satisfies the following (1).
  • the “roughened surface” means the surface when the surface treatment for providing a heat-resistant layer, a rust-proof layer, a weather-resistant layer, etc. is performed after the roughening treatment. It means the surface of the surface-treated metal material (ultra-thin metal layer) after the treatment.
  • the surface-treated metal material is an ultra-thin metal layer of a metal foil with a carrier
  • the “roughened surface” means that after the roughening treatment, a heat-resistant layer, a rust-proof layer, a weather-resistant layer, etc. are provided.
  • the surface treatment is performed, the surface of the ultrathin metal layer after the surface treatment is performed.
  • the color difference ⁇ E * ab based on JISZ8730 is 45 or more.
  • the color differences ⁇ L, ⁇ a, and ⁇ b are respectively measured with a color difference meter, and are shown using the L * a * b color system based on JIS Z8730, taking into account black / white / red / green / yellow / blue. It is a comprehensive index and is expressed as ⁇ L: black and white, ⁇ a: reddish green, ⁇ b: yellow blue.
  • ⁇ E * ab is expressed by the following formula using these color differences.
  • the above-described color difference can be adjusted by increasing the current density when forming the ultrathin metal layer, decreasing the copper concentration in the plating solution, and increasing the linear flow rate of the plating solution.
  • the color difference described above can also be adjusted by subjecting the surface of the ultrathin metal layer to a roughening treatment and providing a roughening treatment layer.
  • the current density is higher than that of the prior art by using an electrolytic solution containing copper and one or more elements selected from the group consisting of nickel, cobalt, tungsten, and molybdenum (for example, 40 to 60 A). / Dm2), and can be adjusted by shortening the processing time (for example, 0.1 to 1.3 seconds).
  • Ni alloy plating (for example, Ni—W alloy plating, Ni—Co—P alloy plating, Ni—Zn alloy plating) is applied to the surface of the treatment layer or the silane coupling treatment layer at a lower current density (0.1 to 1.. 3A / dm 2 ), and the processing time can be set long (20 to 40 seconds).
  • the color difference ⁇ E * ab based on JISZ8730 is 45 or more when the color difference on the surface of the ultrathin metal layer is 45 or more, for example, when forming a circuit on the surface of the ultrathin metal layer of the metal foil with carrier, The contrast becomes clear, and as a result, the visibility is good and the circuit alignment can be performed with high accuracy.
  • the color difference ⁇ E * ab based on JISZ8730 on the surface of the ultrathin metal layer is preferably 50 or more, more preferably 55 or more, and even more preferably 60 or more.
  • the circuit plating can be accurately formed at a predetermined position. Further, according to the printed wiring board manufacturing method as described above, since the circuit plating is embedded in the resin layer, for example, when removing the ultrathin metal layer by the flash etching, the circuit plating is performed. It is protected by the resin layer and its shape is maintained, which facilitates the formation of a fine circuit. Further, since the circuit plating is protected by the resin layer, the migration resistance is improved, and the continuity of the circuit wiring is satisfactorily suppressed. For this reason, formation of a fine circuit becomes easy.
  • the ultrathin metal layer is removed by flash etching, the exposed surface of the circuit plating is recessed from the resin layer, so that bumps are formed on the circuit plating and copper pillars are more easily formed on the bump. , Manufacturing efficiency is improved.
  • a known resin or prepreg can be used as the embedding resin (resin).
  • a prepreg that is a glass cloth impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, an ABF film or ABF manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. can be used.
  • the resin layer and / or resin and / or prepreg as described in this specification can be used for the embedding resin (resin).
  • the metal foil with carrier used in the first layer may have a substrate or a resin layer on the surface of the metal foil with carrier.
  • the substrate or the resin layer By having the substrate or the resin layer, the carrier-attached metal foil used for the first layer is supported, and wrinkles are less likely to occur, so that there is an advantage that productivity is improved.
  • any substrate or resin layer can be used as long as it has an effect of supporting the metal foil with carrier used in the first layer.
  • the carrier, prepreg, resin layer and known carrier, prepreg, resin layer, metal plate, metal foil, inorganic compound plate, inorganic compound foil, organic compound plate described in the present specification Organic compound foils can be used as the substrate or resin layer.
  • the laminate can be produced by bonding the surface-treated metal material of the present invention to the resin substrate from the surface-treated layer side.
  • the resin substrate is not particularly limited as long as it has characteristics applicable to a printed wiring board or the like.
  • a film, a liquid crystal polymer (LCP) film, a fluororesin, and a fluororesin / polyimide composite material can be used.
  • a liquid crystal polymer (LCP) has a small dielectric loss, it is preferable to use a liquid crystal polymer (LCP) film for the printed wiring board for a high frequency circuit use.
  • a prepreg in which a base material such as glass cloth is impregnated with a resin and the resin is cured to a semi-cured state is prepared. It can be performed by stacking a copper foil on a prepreg and heating and pressing.
  • FPC a liquid crystal polymer or a polyimide film is bonded to a copper foil under high temperature and pressure without using an adhesive, or a polyimide precursor is applied and dried via an adhesive.
  • -A laminated body can be manufactured by performing hardening etc.
  • the laminate of the present invention can be used for various printed wiring boards (PWB) and is not particularly limited.
  • PWB printed wiring boards
  • the single-sided PWB, the double-sided PWB, and the multilayer PWB 3
  • rigid PWB, flexible PWB (FPC), and rigid flex PWB from the viewpoint of the type of insulating substrate material.
  • Example 1 to 21 As Examples 1 to 21 and Comparative Examples 1 to 15, various metal materials having a thickness of 0.2 mm and thermal conductivity described in Tables 1 to 3 were prepared. Next, surface treatment was performed on the metal material to form a surface treatment layer. The glossiness of the metal material before the surface treatment was adjusted so that the glossiness of the surface after the surface treatment was 20.
  • Ni—Zn plating in Tables 1 to 3 was formed under the following plating conditions.
  • ⁇ Plating solution composition Ni concentration 21.5 g / L, Zn concentration 9 g / L -PH: 3.5 ⁇ Temperature: 35 °C ⁇ Current density: 3 A / dm 2 ⁇ Plating time: 14 seconds
  • Ni plating in Tables 1 to 3 was formed under the following plating conditions.
  • “Ni plating 1 ⁇ m” indicates that Ni plating was formed to a thickness of 1 ⁇ m.
  • ⁇ Plating solution composition Ni concentration 40g / L -PH: 3.8 ⁇ Temperature: 40 °C Current density: 0.3 A / dm 2 ⁇ Plating time: 25 to 300 seconds
  • Ni plating 1 ⁇ m / Ni—Zn plating indicates that Ni—Zn plating was performed after the Ni plating was formed to a thickness of 1 ⁇ m.
  • the “black resins” in Tables 1 to 3 were formed by mixing a black paint in an epoxy resin, applying a predetermined thickness, and drying.
  • “black resin 30 ⁇ m” indicates that the black resin is formed to a thickness of 30 ⁇ m.
  • Example 22 to 128, Comparative Examples 16 to 43 As Examples 22 to 128 and Comparative Examples 16 to 43, various metal materials having a thickness of 0.2 mm and thermal conductivity described in Tables 4 to 11 were prepared. Next, plating was performed on the metal material as a surface treatment under the plating conditions described in Tables 4 to 11 to form a surface treatment layer. The glossiness of the metal material before the surface treatment was adjusted so that the glossiness of the surface after the surface treatment was 20.
  • Example 129 to 137 As Examples 129 to 137 and Comparative Examples 44 to 47, various metal materials having a thickness of 0.2 mm and thermal conductivity shown in Table 12 were prepared. Next, a primary particle layer (Cu) and a secondary particle layer (copper-cobalt-nickel alloy plating, etc.) were formed on the metal material as a surface treatment according to the plating conditions shown in Table 12 to form a surface treatment layer.
  • the bath composition and plating conditions used are as follows.
  • Example 138 to 140 As Examples 138 to 140, various metal materials having a thickness of 0.2 mm and thermal conductivity described in Table 13 were prepared. Next, a surface treatment layer was formed as a surface treatment on the metal material under the plating conditions described in Table 13.
  • the bath composition and plating conditions used are as follows.
  • Ni-W plating Plating solution composition Nickel 25g / L, Tungsten 20mg / L (The nickel source was nickel sulfate hexahydrate, and the tungsten source was sodium tungstate.) pH: 3.6 (acid added for pH adjustment: sulfuric acid) Liquid temperature: 40 ° C Current density 1A / dm 2 , plating time 100 seconds Ni 21000 ⁇ g / dm 2 , W21 ⁇ g / dm 2
  • Co—Zn plating Plating solution composition Cobalt 40 g / L, Zinc 15 g / L pH: 3.8 (acid added for pH adjustment: sulfuric acid) Liquid temperature: 40 ° C Current density 0.3 A / dm 2 , plating time 75 seconds Co 2812 ⁇ g / dm 2 , Zn 4645 ⁇ g / dm 2
  • Ni-Zn-W plating Plating solution composition Nickel 40g / L, Zinc 15g / L, Tungsten 20mg / L pH: 3.8 (acid added for pH adjustment: sulfuric acid) Liquid temperature: 40 ° C Current density 0.3 A / dm 2 , plating time 75 seconds Ni 2712 ⁇ g / dm 2 , Zn 4545 ⁇ g / dm 2 , W 2.7 ⁇ g / dm 2
  • Example 141 to 149 As Examples 141 to 149, various metal materials having a thickness of 0.2 mm and thermal conductivity described in Table 14 were prepared. Next, the surface treatment described in Table 14 was performed on the metal material or the surface treatment was not performed, and then a surface treatment layer was formed under the plating conditions described in Table 14 as the surface treatment.
  • Each surface treatment condition in Table 14 is as follows.
  • H 2 SO 2 20 g / L
  • H 2 SO 4 160 g / L
  • temperature 40 ° C.
  • immersion time 5 minutes
  • the oil film equivalent at the time of the above-mentioned rolling was controlled, and the glossiness before surface treatment (after surface treatment) was adjusted.
  • a metal material having a high glossiness has an oil film equivalent of a low value in the above range
  • a metal material having a low glossiness has a high oil film equivalent in the above range.
  • the copper foil with a carrier described below was prepared as a base material of Examples 150 to 154.
  • an electrolytic copper foil having a thickness of 18 ⁇ m was prepared as a carrier, and for Example 153, a rolled copper foil having a thickness of 18 ⁇ m (JX Nippon Mining & Metals C1100) was prepared as a carrier. Under the following conditions, an intermediate layer was formed on the surface of the carrier, and an ultrathin copper layer was formed on the surface of the intermediate layer. If necessary, the surface roughness Rz and glossiness of the surface before forming the surface intermediate layer on the side where the intermediate layer is formed are controlled by the above-described method.
  • Ni layer (Ni plating) An Ni layer having an adhesion amount of 1000 ⁇ g / dm 2 was formed on the carrier by electroplating on a roll-to-roll type continuous plating line under the following conditions. Specific plating conditions are described below. Nickel sulfate: 270 to 280 g / L Nickel chloride: 35 to 45 g / L Nickel acetate: 10-20g / L Boric acid: 30-40g / L Brightener: Saccharin, butynediol, etc.
  • Leveling agent 1 bis (3sulfopropyl) disulfide): 10 to 30 ppm
  • Leveling agent 2 (amine compound): 10 to 30 ppm
  • the following amine compound was used as the leveling agent 2.
  • R 1 and R 2 are selected from the group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group, and an alkyl group.
  • Ni-Mo layer (nickel molybdenum alloy plating) A Ni—Mo layer having an adhesion amount of 3000 ⁇ g / dm 2 was formed on the carrier by electroplating on a roll-to-roll continuous plating line under the following conditions. Specific plating conditions are described below.
  • Example 152 ⁇ Intermediate layer> (1) Ni layer (Ni plating) A Ni layer was formed under the same conditions as in Example 150. (2) Organic layer (Organic layer formation treatment) Next, the surface of the Ni layer formed in (1) is washed with water and pickled, and subsequently contains carboxybenzotriazole (CBTA) at a concentration of 1 to 30 g / L with respect to the Ni layer surface under the following conditions. An organic layer was formed by spraying an aqueous solution of 40 ° C. and pH 5 by spraying for 20 to 120 seconds. ⁇ Ultrathin copper layer> An ultrathin copper layer was formed on the organic layer formed in (2). An ultrathin copper layer was formed under the same conditions as in Example 150 except that the thickness of the ultrathin copper layer was 3 ⁇ m.
  • CBTA carboxybenzotriazole
  • Co-Mo layer (cobalt molybdenum alloy plating)
  • a Co—Mo layer having an adhesion amount of 4000 ⁇ g / dm 2 was formed on the carrier by electroplating on a roll-to-roll continuous plating line under the following conditions. Specific plating conditions are described below.
  • the contact resistance was measured by a four-terminal method under the following conditions using an electrical contact simulator CRS-1 manufactured by Yamazaki Seiki Co., Ltd. Probe: gold probe, contact load: 100 g, sliding speed: 1 mm / min, sliding distance: 1 mm
  • Ni adhesion amount of Ni, Zn, Co and W ( ⁇ g / dm 2 ) and Ni ratio (%);
  • the amount of Ni, Zn, Co and W deposited ( ⁇ g / dm 2 ) in the surface treatment layer such as the Ni—Zn alloy plating layer on the metal foil surface, and the total deposited amount of Ni and Zn deposited ( ⁇ g Ni ratio (%) indicating the ratio of the adhesion amount ( ⁇ g / dm 2 ) of Ni in / dm 2 ) ( Ni adhesion amount ( ⁇ g / dm 2 ) / (Ni adhesion amount ( ⁇ g / dm 2 ) + Zn adhesion amount ( ⁇ g / dm 2 )) ⁇ 100) were determined.
  • the Ni adhesion amount, the Zn adhesion amount, the Co adhesion amount, and the W adhesion amount were determined by dissolving the sample with nitric acid having a concentration of 20% by mass and using an atomic absorption spectrophotometer (model: AA240FS) manufactured by VARIAN. Measurement was performed by quantitative analysis by an absorption method. In addition, the measurement of the adhesion amount of the said nickel (Ni), zinc (Zn), cobalt (Co), and tungsten (W) was performed as follows.
  • the surface-treated surface of the surface-treated metal material is melted to a thickness of 2 ⁇ m, and the surface treatment is performed.
  • the amount of nickel, zinc cobalt, and tungsten adhering to the surface of the metal material that had been surface-treated was measured.
  • the adhesion amount of the obtained nickel and zinc was made into the adhesion amount of nickel, zinc, cobalt, and tungsten of the roughening process surface (surface treatment surface), respectively.
  • the thickness of the surface-treated metal material on the side subjected to the surface treatment does not need to be exactly 2 ⁇ m, and it is clear that the entire surface-treated surface portion is dissolved (for example, 1.5 to 2.5 ⁇ m) and may be measured after dissolution.
  • the metal material is a metal foil with a carrier
  • the end of the metal foil with a carrier is masked with an acid resistant tape or the like
  • the surface treated surface of the surface-treated metal material (ultra-thin metal layer) has a thickness of 0 when the thickness of the ultra-thin metal layer is 1.5 ⁇ m or more.
  • the thickness of the ultrathin metal layer is less than 1.5 ⁇ m, 30% of the thickness of the ultrathin metal layer is dissolved, and an atomic absorption spectrophotometer (model: VARIAN) is dissolved. AA240FS) was used for quantitative analysis by atomic absorption. If the sample is difficult to dissolve in the nitric acid having a concentration of 20% by mass, use a solution that can dissolve the sample, such as a mixed solution of nitric acid and hydrochloric acid (nitric acid concentration: 20% by mass, hydrochloric acid concentration: 12% by mass). After dissolving the sample, the above measurements can be performed.
  • a solution that can dissolve the sample such as a mixed solution of nitric acid and hydrochloric acid (nitric acid concentration: 20% by mass, hydrochloric acid concentration: 12% by mass).
  • X5mm x 0.5mm heating element heating element with heating wire hardened with resin, equivalent to IC chip
  • the periphery is covered with a frame material of 0.2mm thickness made of SUS, and each sample as a top plate
  • a shield box was produced by providing a metal plate (surface-treated metal material) so that the surface-treated layer faces the heating element.
  • thermocouple was installed in one place of the center part and four corners of the upper surface of a heat generating body, respectively. Moreover, the thermocouple was each installed in one place of the center part and four corners of the heat generating body side surface of a top plate. Furthermore, thermocouples were respectively installed at the central portion and the four corners of the outer surface of the top plate.
  • FIG. 1A is a schematic top view of a shield box manufactured in the example.
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of the shield box manufactured in the example.
  • a current was passed through the heating element so that the heating value was 0.5 W. Then, a current was passed until the temperature at the center of the upper surface of the heating element reached a constant value.
  • the temperature of the central portion of the upper surface of the heating element did not change for 10 minutes, it was determined that the temperature of the central portion of the upper surface became a constant value.
  • the external environmental temperature of the shield box was 20 ° C.
  • the display temperature of the said thermocouple was measured.
  • the highest temperature minus the lowest temperature was calculated and used as the temperature difference.
  • the maximum temperature of the heating element, shield inner surface (surface of the top plate on the heating element side), and shield outer surface (outer surface of the top panel) is closest to the center of the heating element, and is the temperature indicated by the thermocouple installed at each center. is there.
  • the minimum temperature of the heating element, the shield inner surface (the heating element side surface of the top panel), and the shield outer surface (the outer surface of the top panel) are the farthest from the center of the heating element, and are the temperatures indicated by the thermocouples installed at the four corners .
  • the maximum temperature of the heating element was 150 ° C. or less, it was judged that the heat absorption and heat dissipation of the shield box were good.
  • 150 ° C. is a temperature that may be determined as the upper limit of the temperature range in which the IC chip can be used.
  • the difference between the maximum temperature and the minimum temperature on the outer surface of the shield is 13 ° C. or less, the heat absorption and the heat dissipation are considered good. This is because when the difference between the maximum temperature and the minimum temperature on the outer surface of the shield is small, heat is sufficiently diffused in the metal material, and heat is considered to be easily dissipated from the metal material.
  • thermal diffusivity (alpha) (m ⁇ 2 > / s) was measured by the flash method which is an unsteady method.
  • the thermal diffusivity ⁇ was measured by the half time method.
  • equation. ⁇ ⁇ ⁇ Cp ⁇ ⁇ (where Cp is the specific heat capacity (J / (kg ⁇ K)) and ⁇ is the density (kg / m 3 ).)
  • the thermal conductivity may be measured by a known method, even if it is a method other than the above method.
  • FIG. 2 shows ⁇ a- ⁇ L graphs according to Examples 81-137 and Comparative Examples 16-47.
  • FIG. 3 shows ⁇ b- ⁇ L graphs according to Examples 81 to 137 and Comparative Examples 16 to 47.

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Abstract

　熱の吸収性及び放熱性が良好な表面処理金属材を提供する。表面処理金属材は、金属材の熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬが、ΔＬ≦－４０を満たす。

Description

表面処理金属材、キャリア付金属箔、コネクタ、端子、積層体、シールドテープ、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法
　本発明は、表面処理金属材、キャリア付金属箔、コネクタ、端子、積層体、シールドテープ、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法に関する。
　近年、電子機器の小型化、高精細化に伴い、使用される電子部品の発熱による故障等が問題となっている。特に、成長著しい電気自動車やハイブリッド電気自動車で用いられる電子部品には、バッテリー部のコネクタ等の著しく高い電流が流れる部品があり、通電時の電子部品の発熱が問題となっている。また、スマートフォンタブレットやタブレットＰＣの液晶には液晶フレームと呼ばれる放熱板が用いられている。この放熱板により、周辺に配置された液晶部品、ＩＣチップ等からの熱を外部へ放出し、電子部品の故障等を抑制している。
特開平０７-０９４６４４号公報 特開平０８-０７８４６１号公報
　しかしながら、上述したように近年の電子機器の変化により、従来の液晶フレームでは、液晶部品、ＩＣチップ等からの熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等を良好に吸収し、且つ、吸収した熱が籠もらないように外部へ良好に放出する機能について満足できなくなっている。
　そこで、本発明は、熱の吸収性及び放熱性が良好な表面処理金属材を提供することを課題とする。
　本発明者は鋭意研究を重ねた結果、所定の熱伝導率を有する金属材に表面処理を行って、当該金属材の表面の色差を制御することで、熱の吸収性及び放熱性が良好な表面処理金属材を提供することができることを見出した。
　以上の知見を基礎として完成された本発明は一側面において、金属材の熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、
　表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬが、ΔＬ≦－４０を満たす表面処理金属材である。
　本発明の表面処理金属材は一実施形態において、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δａについて、
　　Δａ≦０．２３の場合にはΔＬ≦－４０を満たし、
　　０．２３＜Δａ≦２．８の場合にはΔＬ≦－８．５６０３×Δａ－３８．０３１１を満たし、
　　２．８＜Δａの場合にはΔＬ≦－６２を満たす。
　本発明の表面処理金属材は別の一実施形態において、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δｂについて、
　　Δｂ≦－０．６８の場合にはΔＬ≦－４０を満たし、
　　－０．６８＜Δｂ≦０．８３の場合にはΔＬ≦－２．６４９０×Δｂ－４１．８０１３を満たし、
　　０．８３＜Δｂ≦１．２の場合にはΔＬ≦－４８．６４８６×Δｂ－３．６２１６を満たし、
　　１．２＜Δｂの場合にはΔＬ≦－６２を満たす。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δａについて、
　　Δａ≦０．２３の場合にはΔＬ≦－４０を満たし、
　　０．２３＜Δａ≦２．８の場合にはΔＬ≦－８．５６０３×Δａ－３８．０３１１を満たし、
　　２．８＜Δａの場合にはΔＬ≦－６２を満たし、
　表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δｂについて、
　　Δｂ≦－０．６８の場合にはΔＬ≦－４０を満たし、
　　－０．６８＜Δｂ≦０．８３の場合にはΔＬ≦－２．６４９０×Δｂ－４１．８０１３を満たし、
　　０．８３＜Δｂ≦１．２の場合にはΔＬ≦－４８．６４８６×Δｂ－３．６２１６を満たし、
　　１．２＜Δｂの場合にはΔＬ≦－６２を満たす。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記色差ΔＬが、ΔＬ≦－４５を満たす。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記色差ΔＬが、ΔＬ≦－５５を満たす。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記色差ΔＬが、ΔＬ≦－６０を満たす。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記色差ΔＬが、ΔＬ≦－６５を満たす。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記色差ΔＬが、ΔＬ≦－６８を満たす。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記色差ΔＬが、ΔＬ≦－７０を満たす。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記金属材が放熱用金属材である。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、金属を含む表面処理層を有する。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、粗化処理層を含む表面処理層を有する。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、６０度光沢度が１０～８０％である。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、６０度光沢度が１０％未満である。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、クロム層若しくはクロメート層、及び／又は、シラン処理層を含む表面処理層を有する。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記金属材が、銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、金、金合金、銀、銀合金、白金族、白金族合金、クロム、クロム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、タングステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデン合金、鉛、鉛合金、タンタル、タンタル合金、錫、錫合金、インジウム、インジウム合金、亜鉛、又は、亜鉛合金で形成されている。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記金属材が、銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、亜鉛、又は、亜鉛合金で形成されている。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記金属材が、リン青銅、コルソン合金、丹銅、黄銅、洋白またはその他銅合金で形成されている。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記金属材が、金属条、金属板、又は、金属箔である。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記表面処理層の表面に樹脂層を備える。
　本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が誘電体を含む。
　本発明は別の一側面において、キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄金属層をこの順に有するキャリア付金属箔であって、前記極薄金属層が本発明の表面処理金属材であるキャリア付金属箔である。
　本発明のキャリア付金属箔は一実施形態において、前記キャリアの一方の面に前記中間層、前記極薄金属層をこの順に有し、前記キャリアの他方の面に粗化処理層を有する。
　本発明のキャリア付金属箔は別の一実施形態において、前記極薄金属層が極薄銅層である。
　本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理金属材を用いたコネクタである。
　本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理金属材を用いた端子である。
　本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理金属材又は本発明のキャリア付金属箔と樹脂基板とを積層して製造した積層体である。
　本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体を備えたシールドテープ又はシールド材である。
　本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体を備えたプリント配線板である。
　本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理金属材又は本発明のキャリア付金属箔を用いた金属加工部材である。
　本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理金属材又は本発明のキャリア付金属箔を用いた電子機器である。
　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、
　前記キャリア付金属箔と絶縁基板とを積層する工程、
　前記キャリア付金属箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程を経て金属張積層板を形成し、
　その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。
　本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付金属箔の前記極薄金属層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
　前記回路が埋没するように前記キャリア付金属箔の前記極薄金属層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成する工程、
　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアまたは前記極薄金属層を剥離させる工程、及び、
　前記キャリアまたは前記極薄金属層を剥離させた後に、前記極薄金属層または前記キャリアを除去することで、前記極薄金属層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
　本発明によれば、熱の吸収性及び放熱性が良好な表面処理金属材を提供することができる。
（Ａ）は実施例で作製したシールドボックスの上面模式図である。（Ｂ）は実施例で作製したシールドボックスの断面模式図である。 実施例及び比較例に係るΔａ－ΔＬグラフである。 実施例及び比較例に係るΔｂ－ΔＬグラフである。
　〔表面処理金属材の形態及び製造方法〕
　本発明において使用する金属材としては、銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、金、金合金、銀、銀合金、白金族、白金族合金、クロム、クロム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、タングステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデン合金、鉛、鉛合金、タンタル、タンタル合金、錫、錫合金、インジウム、インジウム合金、亜鉛、又は、亜鉛合金等であって且つ熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である金属材が挙げられ、さらに公知の金属材料であって且つ熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である金属材料も使用することができる。また、ＪＩＳ規格やＣＤＡ等で規格されている金属材料であって且つ熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である金属材料も使用することができる。
　銅としては、典型的には、ＪＩＳ　Ｈ０５００やＪＩＳ　Ｈ３１００に規定されるリン脱酸銅（ＪＩＳ　Ｈ３１００　合金番号Ｃ１２０１、Ｃ１２２０、Ｃ１２２１）、無酸素銅（ＪＩＳ　Ｈ３１００　合金番号Ｃ１０２０）及びタフピッチ銅（ＪＩＳ　Ｈ３１００　合金番号Ｃ１１００）、電解銅箔などの９５質量％以上、より好ましくは９９．９０質量％以上の純度の銅が挙げられる。Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｂ、ＭｎおよびＺｒの中の一種以上を合計で０．００１～４．０質量％含有する銅又は銅合金とすることもできる。
　銅合金としては、更に、リン青銅、コルソン合金、丹銅、黄銅、洋白、その他銅合金等が挙げられる。また、銅または銅合金としてはＪＩＳ　Ｈ　３１００～ＪＩＳ　Ｈ３５１０、ＪＩＳ　Ｈ　５１２０、ＪＩＳ　Ｈ　５１２１、ＪＩＳ　Ｃ　２５２０～ＪＩＳ　Ｃ　２８０１、ＪＩＳ　Ｅ　２１０１～ＪＩＳ　Ｅ　２１０２に規格されている銅または銅合金も、本発明に用いることができる。なお、本明細書においては特に断らない限りは、金属の規格を示すために挙げたＪＩＳ規格は２００１年度版のＪＩＳ規格を意味する。
　リン青銅は典型的には、リン青銅とは銅を主成分としてＳｎ及びこれよりも少ない質量のＰを含有する銅合金のことを指す。一例として、りん青銅はＳｎを３．５～１１質量％、Ｐを０．０３～０．３５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物からなる組成を有する。リン青銅は、Ｎｉ、Ｚｎ等の元素を合計で１．０質量％以下含有しても良い。
　コルソン合金は典型的にはＳｉと化合物を形成する元素（例えば、Ｎｉ、Ｃｏ及びＣｒの何れか一種以上）が添加され、母相中に第二相粒子として析出する銅合金のことをいう。一例として、コルソン合金はＮｉを０．５～４．０質量％、Ｓｉを０．１～１．３質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。別の一例として、コルソン合金はＮｉを０．５～４．０質量％、Ｓｉを０．１～１．３質量％、Ｃｒを０．０３～０．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。更に別の一例として、コルソン合金はＮｉを０．５～４．０質量％、Ｓｉを０．１～１．３質量％、Ｃｏを０．５～２．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。更に別の一例として、コルソン合金はＮｉを０．５～４．０質量％、Ｓｉを０．１～１．３質量％、Ｃｏを０．５～２．５質量％、Ｃｒを０．０３～０．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。更に別の一例として、コルソン合金はＳｉを０．２～１．３質量％、Ｃｏを０．５～２．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。コルソン合金には随意にその他の元素（例えば、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｂ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｐ、Ｚｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｚｒ、Ａｌ及びＦｅ）が添加されてもよい。これらその他の元素は総計で５．０質量％程度まで添加するのが一般的である。例えば、更に別の一例として、コルソン合金はＮｉを０．５～４．０質量％、Ｓｉを０．１～１．３質量％、Ｓｎを０．０１～２．０質量％、Ｚｎを０．０１～２．０質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。
　本発明において、丹銅とは、銅と亜鉛との合金であり亜鉛を１～２０質量％、より好ましくは亜鉛を１～１０質量％含有する銅合金のことをいう。また、丹銅は錫を０．１～１．０質量％含んでも良い。
　本発明において、黄銅とは、銅と亜鉛との合金で、特に亜鉛を２０質量％以上含有する銅合金のことをいう。亜鉛の上限は特には限定されないが６０質量％以下、好ましくは４５質量％以下、あるいは４０質量％以下である。
　本発明において、洋白とは銅を主成分として、銅を６０質量％から７５質量％、ニッケルを８．５質量％から１９．５質量％、亜鉛を１０質量％から３０質量％含有する銅合金のことをいう。
　本発明において、その他銅合金とはＺｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ａｇ、Ｂ、ＣｒおよびＴｉの内一種または二種以上を合計で８．０％以下含み、残部が不可避的不純物と銅からなる銅合金をいう。
　アルミ及びアルミ合金としては、例えばＡｌを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ　Ｈ　４０００～ＪＩＳ　Ｈ　４１８０、ＪＩＳ　Ｈ　５２０２、ＪＩＳ　Ｈ　５３０３あるいはＪＩＳ　Ｚ　３２３２～ＪＩＳ　Ｚ　３２６３に規格されているアルミ及びアルミ合金を用いることができる。例えば、ＪＩＳ　Ｈ　４０００に規格されているアルミニウムの合金番号１０８５、１０８０、１０７０、１０５０、１１００、１２００、１Ｎ００、１Ｎ３０に代表される、Ａｌ：９９．００質量％以上のアルミニウム又はその合金等を用いることができる。
　ニッケル及びニッケル合金としては、例えばＮｉを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ　Ｈ　４５４１～ＪＩＳ　Ｈ　４５５４、ＪＩＳ　Ｈ　５７０１またはＪＩＳ　Ｇ　７６０４～　ＪＩＳ　Ｇ　７６０５、ＪＩＳ　Ｃ　２５３１に規格されているニッケルまたはニッケル合金を用いることができる。また、例えば、ＪＩＳ　Ｈ４５５１に記載の合金番号ＮＷ２２００、ＮＷ２２０１に代表される、Ｎｉ：９９．０質量％以上のニッケル又はその合金等を用いることができる。
　鉄合金としては、例えば軟鋼、炭素鋼、鉄ニッケル合金、鋼等を用いることができる。例えばＪＩＳ　Ｇ　３１０１～ＪＩＳ　Ｇ　７６０３、ＪＩＳ　Ｃ　２５０２～ＪＩＳ　Ｃ　８３８０、ＪＩＳ　Ａ　５５０４～ＪＩＳ　Ａ　６５１４またはＪＩＳ　Ｅ　１１０１～ＪＩＳ　Ｅ　５４０２－１に記載されている鉄または鉄合金を用いることができる。軟鋼は、炭素が０．１５質量％以下の軟鋼を用いることができ、ＪＩＳ　Ｇ３１４１に記載の軟鋼等を用いることができる。鉄ニッケル合金は、Ｎｉを３５～８５質量％含み、残部がＦｅ及び不可避不純物からなり、具体的には、ＪＩＳ　Ｃ２５３１に記載の鉄ニッケル合金等を用いることができる。
　亜鉛及び亜鉛合金としては、例えばＺｎを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ　Ｈ　２１０７　～　ＪＩＳ　Ｈ　５３０１に記載されている亜鉛または亜鉛合金を使用することができる。
　鉛及び鉛合金としては、例えばＰｂを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ　Ｈ　４３０１　～　ＪＩＳ　Ｈ　４３１２、またはＪＩＳ　Ｈ　５６０１に規格されている鉛または鉛合金を用いることができる。
　マグネシウム及びマグネシウム合金としては、例えばＭｇを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ　Ｈ　４２０１～ＪＩＳ　Ｈ　４２０４、ＪＩＳ　Ｈ　５２０３～ＪＩＳ　Ｈ　５３０３、ＪＩＳ　Ｈ　６１２５に規格されているマグネシウム及びマグネシウム合金を用いることができる。
　タングステン及びタングステン合金としては、例えばＷを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ　Ｈ　４４６３に規格されているタングステン及びタングステン合金を用いることができる。
　モリブデン及びモリブデン合金としては、例えばＭｏを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。
　タンタル及びタンタル合金としては、例えばＴａを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ　Ｈ　４７０１に規格されているタンタル及びタンタル合金を用いることができる。
　錫及び錫合金としては、例えばＳｎを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ　Ｈ　５４０１に規格されている錫及び錫合金を用いることができる。
　インジウム及びインジウム合金としては、例えばＩｎを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。
　クロム及びクロム合金としては、例えばＣｒを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。
　銀及び銀合金としては、例えばＡｇを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。
　金及び金合金としては、例えばＡｕを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。
　白金族とはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金の総称である。白金族及び白金族合金としては、例えばＰｔ、Ｏｓ、Ｒｕ，Ｐｄ，Ｉｒ及びＲｈの元素群から選択される少なくとも１種以上の元素を４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。
　本発明の金属材の熱伝導率は３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である。金属材の熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であれば、発熱体から吸収した熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等を一部分に集中させることなく金属材全体へ伝え、外部へ放出することが容易となる。本発明の金属材の熱伝導率は５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが好ましく、７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのがより好ましく、９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、２１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、２３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、２５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、２７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、３５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましい。なお、熱伝導率について上限を定める必要は特には無いが、例えば６００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、例えば５００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、例えば４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下である。
　本発明において使用する金属材の形状としては、特に制限はないが、最終的な電子部品の形状に加工されていてもよいし、部分的にプレス加工がなされた状態にあってもよい。形状加工が行われておらず、板や箔の形態にあってもよい。
　金属材の厚さについては特に制限はなく、例えば、用途別に適した厚さに適宜調節して用いることができる。例えば、１～５０００μｍ程度あるいは２～１０００μｍ程度とすることができ、特に回路を形成して使用する場合には３５μｍ以下、シールドテープ用としては１８μｍ以下といった薄いものから、電子機器内部のコネクタやシールド材、カバー等として用いる場合には７０～１０００μｍといった厚い材料にも適用することができ、特に上限の厚みを定めるわけではない。
　本発明の表面処理金属材は、金属材の表面にめっき層、粗化処理層、耐熱処理層、防錆処理層、酸化物層（金属材の表面に、加熱等により酸化物層を形成）等の表面処理層が形成されたものであってもよい。なお、めっき層は電気めっき、無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっき、或いはスパッタリング、ＣＶＤ及びＰＤＶのような乾式めっきにより形成することができる。コストの観点から電気めっきが好ましい。また、本発明の表面処理金属材は、必ずしも表面処理層が形成されたものでなくてもよく、金属材の表面が研磨（化学研磨、機械研磨を含む）や薬品等で処理された金属材であって、表面処理層を有さないものであってもよい。
　本発明の表面処理金属材は、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬが、ΔＬ≦－４０を満たすように制御されている。このように、金属材の表面においてΔＬ≦－４０を満たすように制御されていると、発熱体から吸収した熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等を良好に吸収することができる。
　上記表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差（ΔＬ、Δａ、Δｂ）は、ＨｕｎｔｅｒＬａｂ社製色差計ＭｉｎｉＳｃａｎ　ＸＥ　Ｐｌｕｓを使用して測定することができる。
　また、本発明の表面処理金属材は、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差Δａ、ΔＬについて、
　　Δａ≦０．２３の場合にはΔＬ≦－４０を満たし、
　　０．２３＜Δａ≦２．８の場合にはΔＬ≦－８．５６０３×Δａ－３８．０３１１を満たし、
　　２．８＜Δａの場合にはΔＬ≦－６２を満たすように制御されているのが好ましい。
　このような構成によれば、発熱体から吸収した熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等をより良好に吸収することができる。
　さらに、本発明の表面処理金属材は、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差Δｂ、ΔＬについて、
　　Δｂ≦－０．６８の場合にはΔＬ≦－４０を満たし、
　　－０．６８＜Δｂ≦０．８３の場合にはΔＬ≦－２．６４９０×Δｂ－４１．８０１３を満たし、
　　０．８３＜Δｂ≦１．２の場合にはΔＬ≦－４８．６４８６×Δｂ－３．６２１６を満たし、
　　１．２＜Δｂの場合にはΔＬ≦－６２を満たすように制御されているのが好ましい。
　このような構成によれば、発熱体から吸収した熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等をより良好に吸収することができる。
　本発明の表面処理金属材において、上記色差ΔＬは、好ましくはΔＬ≦－４５、より好ましくはΔＬ≦－５０、更により好ましくはΔＬ≦－５５、更により好ましくはΔＬ≦－５８、更により好ましくはΔＬ≦－６０、更により好ましくはΔＬ≦－６５、更により好ましくはΔＬ≦－６８、更により好ましくはΔＬ≦－７０を満たす。また、当該ΔＬは特に上限を規定する必要はないが、例えば、ΔＬ≧－９０、ΔＬ≧－８８、ΔＬ≧－８５、ΔＬ≧－８３、ΔＬ≧－８０、ΔＬ≧－７８、ΔＬ≧－７５を満たしてもよい。
　本発明の表面処理金属材において、上記色差Δａは、Δａ≧－１０、またはΔａ≧－５であってもよい。また、上記色差Δａは、Δａ≦４０、Δａ≦４５、またはΔａ≦５０であってもよい。
　本発明の表面処理金属材において、上記色差Δｂは、Δｂ≧－１５、またはΔｂ≧－１０であってもよい。また、上記色差Δｂは、Δｂ≦２５、またはΔｂ≦３０であってもよい。上述の色差は、金属材の表面に粗化処理を施して粗化処理層を設けることで調整することもできる。粗化処理層を設ける場合には銅およびニッケル、コバルト、タングステン、モリブデンからなる群から選択される一種以上の元素とを含む電解液を用いて、従来よりも電流密度を高く（例えば３５～６０Ａ／ｄｍ2、より好ましくは４０～６０Ａ／ｄｍ2、より好ましくは）し、処理時間を短く（例えば０．１～１．５秒、好ましくは０．２～１．４秒）することで調整することができる。金属材の表面に粗化処理層を設けない場合には、Ｎｉおよび／またはＣｏと、Ｗ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＣｕからなる群から選択される一種以上の元素とを含むめっき浴であって、Ｎｉおよび／またはＣｏの濃度（ＮｉおよびＣｏを含む場合には、ＮｉとＣｏの合計濃度）をその他の元素の濃度を合計した濃度の２倍以上（好ましくは２．５倍以上）としたメッキ浴を用いて、金属材または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面にＮｉ合金メッキまたはＣｏ合金メッキ（例えばＮｉ－Ｗ合金メッキ、Ｎｉ－Ｃｏ－Ｐ合金メッキ、Ｎｉ－Ｚｎ合金めっき、Ｃｏ－Ｚｎ合金めっき等）を従来よりも低電流密度（０．１～３Ａ／ｄｍ2、好ましくは０．１～２．８Ａ／ｄｍ2）で処理時間を長く（５秒以上、より好ましくは１０秒以上、より好ましくは２０秒以上、例えば２０秒～１９０秒、好ましくは２０秒～１８０秒）設定して処理すること等により達成できる。
　本発明の表面処理金属材は、６０度光沢度が１０～８０％であってもよい。このような構成によれば、発熱体から吸収した熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等をより良好に吸収すると共に、６０度光沢度が１０％未満である表面処理金属材料に比べて表面に艶が生じることから意匠性（美観）が増すという効果が生じる。当該６０度光沢度は、より好ましくは１０～７０％、更により好ましくは１５～６０％、更により好ましくは１５～５０％である。
　なお、金属材に表面処理を行う前に、金属材の表面について化学研磨や機械研磨等の研磨を行うか、高光沢圧延などによりあらかじめ金属材の表面の６０度光沢度を制御することにより、表面処理金属材の表面処理後の６０度光沢度を上記範囲に制御することができる。
　化学研磨は硫酸－過酸化水素－水系またはアンモニア－過酸化水素－水系等のエッチング液で、通常よりも濃度を低くして、長時間かけて行う。
　機械研磨は３０００番の砥粒かそれよりも目の細かい砥粒と不織布と樹脂とを用いて形成したバフを用いて研磨することにより行う。
　高光沢圧延は以下の式で規定される油膜当量が１２０００以上～２４０００以下となるような条件において金属材を圧延することで行うことが出来る。
　油膜当量＝｛（圧延油粘度[ｃＳｔ]）×（通板速度[ｍｐｍ]＋ロール周速度[ｍｐｍ]）｝/｛（ロールの噛み込み角[ｒａｄ]）×（材料の降伏応力[ｋｇ／ｍｍ2]）｝
　上記圧延油粘度[ｃＳｔ]は４０℃での動粘度である。上記油膜当量を１２０００～２４０００とするためには、低粘度の圧延油を用いたり、通板速度を遅くしたりする等、公知の方法を用いればよい。
　本発明の表面処理金属材は、６０度光沢度が１０％未満であってもよい。このような構成によれば、発熱体から吸収した熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等をより良好に吸収するという効果が生じる。当該６０度光沢度は、より好ましくは９％以下、更により好ましくは８％以下、更により好ましくは７％以下、更により好ましくは５％以下である。また、６０度光沢度の下限は特に設ける必要はないが、典型的には例えば０．００１％以上、例えば０．０１％以上、例えば０．０５％以上、例えば０．１％以上である。
　本発明の表面処理金属材は、表面処理層が金属を含んでもよい。このような構成によれば、表面処理層を樹脂で形成するものに比べて接触抵抗が低くなる。表面処理層が含む金属としては、例えば、銅、金、銀、白金族、クロム、りん、亜鉛、ヒ素、ニッケル、コバルト、タングステン、錫、モリブデン等が挙げられる。また、本発明の表面処理金属材は、表面処理層が、金属および／または合金の酸化物のΔＬが－３０以下であるような、金属および／または合金を含むことが好ましい。酸化物のΔＬが－３０以下であるような金属および／または合金としては、例えば、ニッケル、コバルト、タングステン、錫等が挙げられ、また、ニッケル、コバルト、亜鉛、錫、タングステン、および錫からなる群から選択される一種以上の元素を含む合金等が挙げられる。また、前述のニッケル、コバルト、タングステン、錫等が挙げられ、また、ニッケル、コバルト、亜鉛、錫、タングステン、および錫からなる群から選択される一種以上の元素を含む合金は銅を含んでもよい。なお、酸化物のΔＬは粉末状の酸化物で層を作り、当該酸化物の層についてΔＬを測定することによっても測定することができる。めっき等により表面処理層を形成する際に、上記金属の一部が酸化物になることによって、金属材の表面の色差を制御することが可能となるためである。
　本発明の表面処理層は、金属材の表面にＮｉ－Ｚｎ合金めっき層またはＣｏ－Ｚｎ合金めっき層が形成されることで構成してもよい。Ｎｉ－Ｚｎ合金めっき層またはＣｏ－Ｚｎ合金めっき層は、例えば電気めっき、無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっき等により得ることができる。コストの観点から電気めっきが好ましい。また、本発明の表面処理層は、金属材の表面にＮｉめっき層及び、Ｎｉ－Ｚｎ合金めっき層若しくはＣｏ－Ｚｎ合金めっき層をこの順で形成することで構成してもよい。
　当該Ｎｉ－Ｚｎ合金めっきまたはＣｏ－Ｚｎ合金めっき条件を以下に示す。
　・めっき液組成：Ｎｉ濃度またはＣｏ濃度１５～６０ｇ／Ｌ、Ｚｎ濃度３～１５ｇ／Ｌ
　・ｐＨ：３．５～５．０
　・温度：２５～５５℃
　・電流密度：０．２～３．０Ａ／ｄｍ2
　・めっき時間：４～１８１秒、好ましくは９～１８１秒、より好ましくは１５～１８１秒、より好ましくは２０～１８１秒
　・Ｎｉ付着量またはＣｏ付着量：７００μｇ／ｄｍ2以上２００００μｇ／ｄｍ2以下、好ましくは１４００μｇ／ｄｍ2以上２００００μｇ／ｄｍ2以下、好ましくは２０００μｇ／ｄｍ2以上２００００μｇ／ｄｍ2以下、好ましくは４０００μｇ／ｄｍ2以上２００００μｇ／ｄｍ2以下
　・Ｚｎ付着量：６００μｇ／ｄｍ2以上２５０００μｇ／ｄｍ2以下、好ましくは１１００μｇ／ｄｍ2以上２４０００μｇ／ｄｍ2以下、好ましくは２２００μｇ／ｄｍ2以上２３０００μｇ／ｄｍ2以下、好ましくは４０００μｇ／ｄｍ2以上２２０００μｇ／ｄｍ2以下
　・Ｎｉ比率、Ｃｏ比率、又は、Ｎｉ及びＣｏの合計比率：７.５％以上９０％以下が好ましく、１５％以上８５％以下が好ましく、２０％以上８２％以下が好ましく、２３％以上８０.２％以下がより好ましい。
　前述のＮｉ－Ｚｎ合金めっき層またはＣｏ－Ｚｎ合金めっき層は、Ｗ、Ｓｎ及びＣｕから成る群から選択される一種以上の元素を含んでもよい。
　また、当該Ｎｉめっき条件を以下に示す。
　・めっき液組成：Ｎｉ濃度１５～４０ｇ／Ｌ
　・ｐＨ：２～４
　・温度：３０～５０℃
　・電流密度：０．１～３.０Ａ／ｄｍ2
　・めっき時間：０．１～６０秒
　なお、本発明に用いられる、デスミア処理、電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。
　また、本発明の表面処理層は、金属材の表面に黒色樹脂を形成することで構成してもよい。黒色樹脂は、例えばエポキシ樹脂に黒色塗料を染み込ませて所定の厚みだけ塗布して乾燥することで形成することができる。
　また、本発明の表面処理層は、
金属材上に表面処理として下記のめっき条件により一次粒子層（Ｃｕ）、二次粒子層（銅－コバルト－ニッケル合金めっき等）を設けることで形成することができる。
　（Ａ）一次粒子層の形成（Ｃｕめっき）
　液組成　　：銅１０～４０ｇ／Ｌ、硫酸６０～１００ｇ／Ｌ
　液温　　　：２５～３０℃
　電流密度　：１～７０Ａ／ｄｍ2
　クーロン量：２～９０Ａｓ／ｄｍ2
　（Ｂ）二次粒子層の形成（Ｃｕ－Ｃｏ－Ｎｉ合金めっき）
　液組成　　：銅１０～２０ｇ／Ｌ、ニッケル１～１５ｇ／Ｌ、コバルト１～１５ｇ／Ｌ
　ｐＨ　　　：２～４
　液温　　　：３０～５０℃
　電流密度　：１０～６０Ａ／ｄｍ2、あるいは１０～５０Ａ／ｄｍ2
　クーロン量：１０～８０Ａｓ／ｄｍ2
　また、本発明の表面処理層は、金属材上に表面処理として一次粒子層（Ｃｕ）を形成しないで、上記のめっき条件により二次粒子層を設けることでも形成することができる。その場合には電流密度を従来よりも高くし（例えば、３５～６０Ａ／ｄｍ2）、めっき時間を従来よりも短く（例えば０．１～１．５秒、好ましくは０．２～１．４秒）する必要がある。
　上記表面処理層を用いる場合、Ｎｉ付着量の上限は典型的には３０００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは１４００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは１０００μｇ／ｄｍ2以下とすることができる。Ｎｉ付着量の下限は典型的には５０μｇ／ｄｍ2以上、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ２、より好ましくは３００μｇ／ｄｍ2以上とすることができる。
　上記表面処理層の場合、Ｃｏ付着量の上限は典型的には５０００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは３０００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは２４００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは２０００μｇ／ｄｍ2以下とすることができる。Ｃｏ付着量の下限は典型的には５０μｇ／ｄｍ2以上、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ2、より好ましくは３００μｇ／ｄｍ2以上とすることができる。また、上記表面処理層がＣｕ－Ｃｏ－Ｎｉ合金めっき層以外に、Ｃｏおよび／またはＮｉを含む層を有する場合には、表面処理層全体におけるＮｉの合計付着量およびＣｏの合計付着量を前述の範囲とすることができる。
　金属材と表面処理層との間には、表面処理層を構成するめっきを阻害しない限り、下地層を設けてもよい。
　前記表面処理層は、粗化処理層を含んでもよく、クロム層若しくはクロメート層、及び／又は、シラン処理層を含んでもよい。粗化処理層、クロム層若しくはクロメート層、シラン処理層の形成順は特に限定されず、各用途に合わせて形成順を決定することができる。一般的には、金属材表面に、粗化処理層、クロム層若しくはクロメート層、シラン処理層の順で形成するのが、粗化処理層の耐熱性及び耐食性が良好となるため好ましい。
　本発明の表面処理金属材を樹脂基板に貼り合わせてシールドテープ又はシールド材等の積層体を製造することができる。また、必要であればさらに当該金属材を加工して回路を形成することにより、プリント配線板等を製造することができる。樹脂基板としては、例えば、リジッドＰＷＢ用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、ＦＰＣ用やテープ用としてポリエステルフィルムやポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＰＥＴフィルム等を使用する事ができる。なお、本発明において、「プリント配線板」には部品が装着されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。また、本発明のプリント配線板を２つ以上接続して、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造することができ、また、本発明のプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続することができ、このようなプリント配線板を用いて電子機器を製造することもできる。なお、本発明において、「銅回路」には銅配線も含まれることとする。
　また、本発明の表面処理金属材は放熱板、構造板、シールド材、シールド板、補強材、カバー、筐体、ケース、箱などに使用して金属加工部材を作製することができる。本発明の表面処理金属材は発熱体からの熱の吸収性及び吸収した熱の放熱性が良好であるため、放熱用金属材として非常に優れているため放熱板として用いることが特に好ましい。
　また、本発明の表面処理金属材を当該放熱板、構造板、シールド材、シールド板、補強材、カバー、筐体、ケース、箱などに使用して作製した金属加工部材を電子機器に用いることができる。
　〔キャリア付金属箔〕
　本発明の別の実施の形態であるキャリア付金属箔は、キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄金属層をこの順に有する。そして、前記極薄金属層が前述の本発明の一つの実施の形態である表面処理金属材である。
　＜キャリア＞
　本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム（例えばポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルム、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルム、ポリアミドフィルム、ポリエステルフィルム、フッ素樹脂フィルム等）の形態で提供される。
　本発明に用いることのできるキャリアとしては銅箔を使用することが好ましい。銅箔は電気伝導度が高いため、その後の中間層、極薄金属層の形成が容易となるからである。キャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。
　本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば５μｍ以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には３５μｍ以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には１２～７０μｍであり、より典型的には１８～３５μｍである。
　また、本発明に用いるキャリアは、中間層が形成される側の表面粗さＲｚならびに光沢度を以下の様に制御することで、表面処理した後の極薄金属層表面の表面粗さＲｚ並びに光沢度を制御することができる。
　本発明に用いるキャリアについて、中間層形成前のキャリアの、中間層が形成される側の表面のＴＤの粗さ（Ｒｚ）及び光沢度を制御しておくことも重要である。具体的には、中間層形成前のキャリアのＴＤの表面粗さ（Ｒｚ）が０．２０～０．８０μｍ、好ましくは０．２０～０．５０μｍであり、圧延方向（ＭＤ）の入射角６０度での光沢度が３５０～８００％、好ましくは５００～８００％である。このような銅箔としては、圧延油の油膜当量を調整して圧延を行う（高光沢圧延）、或いは、ケミカルエッチングのような化学研磨やリン酸溶液中の電解研磨を行う、また、所定の添加剤を添加して電解銅箔を製造することにより作製することができる。このように、処理前の銅箔のＴＤの表面粗さ（Ｒｚ）と光沢度とを上記範囲にすることで、処理後の銅箔の表面粗さ（Ｒｚ）を制御しやすくすることができる。
　また、中間層形成前のキャリアは、ＭＤの６０度光沢度が５００～８００％であるのが好ましく、５０１～８００％であるのがより好ましく、５１０～７５０％であるのが更により好ましい。表面処理前の銅箔のＭＤの６０度光沢度が５００％未満であると５００％以上の場合よりもＲｚが高くなるおそれがあり、８００％を超えると、製造することが難しくなるという問題が生じるおそれがある。
　なお、高光沢圧延は以下の式で規定される油膜当量を１３０００～１８０００以下とすることで行うことができる。
　油膜当量＝｛（圧延油粘度[ｃＳｔ]）×（通板速度[ｍｐｍ]＋ロール周速度[ｍｐｍ]）｝/｛（ロールの噛み込み角[ｒａｄ]）×（材料の降伏応力[ｋｇ／ｍｍ2]）｝
　圧延油粘度[ｃＳｔ]は４０℃での動粘度である。
　油膜当量を１３０００～１８０００とするためには、低粘度の圧延油を用いたり、通板速度を遅くしたりする等、公知の方法を用いればよい。
　また、表面粗さＲｚ並びに光沢度が前述の範囲となる電解銅箔は以下の方法で作製することができる。当該電解銅箔をキャリアとして用いることができる。
　＜電解液組成＞
　銅：９０～１１０ｇ／Ｌ
　硫酸：９０～１１０ｇ／Ｌ
　塩素：５０～１００ｐｐｍ
　レベリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０～３０ｐｐｍ
　レベリング剤２（アミン化合物）：１０～３０ｐｐｍ
　上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
（上記化学式中、Ｒ1及びＲ2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）
　＜製造条件＞
　電流密度：７０～１００Ａ／ｄｍ2
　電解液温度：５０～６０℃
　電解液線速：３～５ｍ／ｓｅｃ
　電解時間：０．５～１０分間（析出させる銅厚、電流密度により調整）
　なお、キャリアの極薄金属層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けてもよい。当該粗化処理層を公知の方法を用いて設けてもよく、上述の粗化処理により設けてもよい。キャリアの極薄金属層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けることは、キャリアを当該粗化処理層を有する表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板が剥離しにくくなるという利点を有する。
　＜中間層＞
　キャリア上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付金属箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄金属層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄金属層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付金属箔の中間層はＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
　また、例えば、中間層はキャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物、あるいは有機物からなる層を形成することで構成することができる。
　また、例えば、中間層はキャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成することで構成することができる。
　また、中間層は前記有機物として公知の有機物を用いることが出来、また、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれか一種以上を用いることが好ましい。例えば、具体的な窒素含有有機化合物としては、置換基を有するトリアゾール化合物である１，２，３－ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、Ｎ’，Ｎ’－ビス（ベンゾトリアゾリルメチル）ユリア、１Ｈ－１，２，４－トリアゾール及び３－アミノ－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール等を用いることが好ましい。
　硫黄含有有機化合物には、メルカプトベンゾチアゾール、２－メルカプトベンゾチアゾールナトリウム、チオシアヌル酸及び２－ベンズイミダゾールチオール等を用いることが好ましい。
　カルボン酸としては、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。
　また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル層、ニッケル－リン合金層又はニッケル－コバルト合金層と、クロム含有層とがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄金属層を剥離する際に、極薄金属層とクロム含有層との界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄金属層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以上４００００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以上４０００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以上２５００μｇ／ｄｍ2以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ2以上１０００μｇ／ｄｍ2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は５μｇ／ｄｍ2以上１００μｇ／ｄｍ2以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはＮｉめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。上記中間層のクロム層はクロムめっきやクロメート処理により設けることができる。
　中間層の厚みが大きくなりすぎると、中間層の厚みが表面処理した後の極薄金属層表面の表面粗さＲｚ並びに光沢度に影響を及ぼす場合があるため、極薄金属層の表面処理層表面の中間層の厚みは１～１０００ｎｍであることが好ましく、１～５００ｎｍであることが好ましく、２～２００ｎｍであることが好ましく、２～１００ｎｍであることが好ましく、３～６０ｎｍであることがより好ましい。なお、中間層はキャリアの両面に設けてもよい。
　＜極薄金属層＞
　中間層の上には極薄金属層を設ける。中間層と極薄金属層の間には他の層を設けてもよい。当該キャリアを有する極薄金属層は、本発明の一つの実施の形態である表面処理金属材である。極薄金属層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．５～１２μｍであり、より典型的には１．５～５μｍである。また、中間層の上に極薄金属層を設ける前に、極薄金属層のピンホールを低減させるために銅－リン合金等によるストライクめっきを行ってもよい。ストライクめっきにはピロリン酸銅めっき液などが挙げられる。なお、極薄金属層はキャリアの両面に設けてもよい。極薄金属層は銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、金、金合金、銀、銀合金、白金族、白金族合金、クロム、クロム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、タングステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデン合金、鉛、鉛合金、タンタル、タンタル合金、錫、錫合金、インジウム、インジウム合金、亜鉛、又は、亜鉛合金等であって且つ熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である金属を含む、または、当該金属からなる極薄金属層であってもよく、さらに公知の金属材料であって且つ熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である金属材料も極薄金属層として使用することができる。また、ＪＩＳ規格やＣＤＡ等で規格されている金属材料であって且つ熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である金属材料も極薄金属層として使用することができる。なお、極薄金属層として極薄銅層を用いることが好ましい。極薄銅層は導電率が高く、回路等の用途に適しているからである。
　また、本発明の極薄金属層は下記の条件で形成する極薄銅層であってもよい。平滑な極薄銅層を形成することにより、極薄銅層表面の表面粗さＲｚ並びに光沢度を制御するためである。
　・電解液組成
　銅：８０～１２０ｇ／Ｌ
　硫酸：８０～１２０ｇ／Ｌ
　塩素：３０～１００ｐｐｍ
　レベリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０～３０ｐｐｍ
　レベリング剤２（アミン化合物）：１０～３０ｐｐｍ
　上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000002
（上記化学式中、Ｒ1及びＲ2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）
　・製造条件
　電流密度：７０～１００Ａ／ｄｍ2
　電解液温度：５０～６５℃
　電解液線速：１．５～５ｍ／ｓｅｃ
　電解時間：０．５～１０分間（析出させる銅厚、電流密度により調整）
　〔表面処理表面上の樹脂層〕
　本発明の表面処理金属材の表面処理表面の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。なお本発明の表面処理金属材において「表面処理表面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の表面処理金属材の表面のことをいう。また、表面処理金属材がキャリア付金属箔の極薄金属層である場合には、「表面処理表面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の極薄金属層の表面のことをいう。
　前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ状態）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。
　前記樹脂層は接着用樹脂、すなわち接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ状態）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。
　また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号ＷＯ２００８／００４３９９号、国際公開番号ＷＯ２００８／０５３８７８、国際公開番号ＷＯ２００９／０８４５３３、特開平１１－５８２８号、特開平１１－１４０２８１号、特許第３１８４４８５号、国際公開番号ＷＯ９７／０２７２８、特許第３６７６３７５号、特開２０００－４３１８８号、特許第３６１２５９４号、特開２００２－１７９７７２号、特開２００２－３５９４４４号、特開２００３－３０４０６８号、特許第３９９２２２５、特開２００３－２４９７３９号、特許第４１３６５０９号、特開２００４－８２６８７号、特許第４０２５１７７号、特開２００４－３４９６５４号、特許第４２８６０６０号、特開２００５－２６２５０６号、特許第４５７００７０号、特開２００５－５３２１８号、特許第３９４９６７６号、特許第４１７８４１５号、国際公開番号ＷＯ２００４／００５５８８、特開２００６－２５７１５３号、特開２００７－３２６９２３号、特開２００８－１１１１６９号、特許第５０２４９３０号、国際公開番号ＷＯ２００６／０２８２０７、特許第４８２８４２７号、特開２００９－６７０２９号、国際公開番号ＷＯ２００６／１３４８６８、特許第５０４６９２７号、特開２００９－１７３０１７号、国際公開番号ＷＯ２００７／１０５６３５、特許第５１８０８１５号、国際公開番号ＷＯ２００８／１１４８５８、国際公開番号ＷＯ２００９／００８４７１、特開２０１１－１４７２７号、国際公開番号ＷＯ２００９／００１８５０、国際公開番号ＷＯ２００９／１４５１７９、国際公開番号ＷＯ２０１１／０６８１５７、特開２０１３－１９０５６号に記載されている物質（樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等）および／または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。
　また、前記樹脂層は、その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリマレイミド化合物、マレイミド系樹脂、芳香族マレイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ポリエーテルスルホン（ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう）、ポリエーテルスルホン（ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう）樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂ポリマー、ゴム性樹脂、ポリアミン、芳香族ポリアミン、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル-ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボン酸の無水物、多価カルボン酸の無水物、架橋可能な官能基を有する線状ポリマー、ポリフェニレンエーテル樹脂、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、リン含有フェノール化合物、ナフテン酸マンガン、２，２－ビス（４－グリシジルフェニル）プロパン、ポリフェニレンエーテル－シアネート系樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、シアノエステル樹脂、フォスファゼン系樹脂、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂、イソプレン、水素添加型ポリブタジエン、ポリビニルブチラール、フェノキシ、高分子エポキシ、芳香族ポリアミド、フッ素樹脂、ビスフェノール、ブロック共重合ポリイミド樹脂およびシアノエステル樹脂の群から選択される一種以上を含む樹脂を好適なものとして挙げることができる。
　また前記エポキシ樹脂は、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであって、電気・電子材料用途に用いることのできるものであれば、特に問題なく使用できる。また、前記エポキシ樹脂は分子内に２個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂が好ましい。また、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブロム化（臭素化）エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ゴム変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、N,N-ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン化合物、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、リン含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、の群から選ばれる１種又は２種以上を混合して用いることができ、又は前記エポキシ樹脂の水素添加体やハロゲン化体を用いることができる。
　前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に２以上のエポキシ基を備える９，１０－ジヒドロ－９－オキサ－１０－ホスファフェナントレン－１０－オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
（樹脂層が誘電体（誘電体フィラー）を含む場合）
　前記樹脂層は誘電体（誘電体フィラー）を含んでもよい。
　上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体（誘電体フィラー）を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体（誘電体フィラー）には、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、Ｐｂ（Ｚｒ－Ｔｉ）Ｏ３（通称ＰＺＴ）、ＰｂＬａＴｉＯ３・ＰｂＬａＺｒＯ（通称ＰＬＺＴ）、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（通称ＳＢＴ）等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。
　誘電体（誘電体フィラー）は粉状であってもよい。誘電体（誘電体フィラー）が粉状である場合、この誘電体（誘電体フィラー）の粉体特性は、粒径が０．０１μｍ～３．０μｍ、好ましくは０．０２μｍ～２．０μｍの範囲のものであることが好ましい。なお、誘電体を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で写真撮影し、当該写真上の誘電体の粒子の上に直線を引いた場合に、誘電体の粒子を横切る直線の長さが最も長い部分の誘電体の粒子の長さをその誘電体の粒子の径とする。そして、測定視野における誘電体の粒子の径の平均値を、誘電体の粒径とする。
　前述の樹脂層に含まれる樹脂および／または樹脂組成物および／または化合物を例えばメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン、トルエン、メタノール、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、エチルセロソルブ、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドなどの溶剤に溶解して樹脂液（樹脂ワニス）とし、これを前記表面処理金属材の粗化処理表面の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しＢステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は１００～２５０℃、好ましくは１３０～２００℃であればよい。前記樹脂層の組成物を、溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分３ｗｔ％～７０ｗｔ％、好ましくは、３ｗｔ％～６０ｗｔ％、好ましくは１０ｗｔ％～４０ｗｔ％、より好ましくは２５ｗｔ％～４０ｗｔ％の樹脂液としてもよい。なお、メチルエチルケトンとシクロペンタノンとの混合溶剤を用いて溶解することが、環境的な見地より現段階では最も好ましい。なお、溶剤には沸点が５０℃～２００℃の範囲である溶剤を用いることが好ましい。
　また、前記樹脂層はＭＩＬ規格におけるＭＩＬ－Ｐ－１３９４９Ｇに準拠して測定したときのレジンフローが５％～３５％の範囲にある半硬化樹脂膜であることが好ましい。
　本件明細書において、レジンフローとは、ＭＩＬ規格におけるＭＩＬ－Ｐ－１３９４９Ｇに準拠して、樹脂厚さを５５μｍとした樹脂付表面処理金属材から１０ｃｍ角試料を４枚サンプリングし、この４枚の試料を重ねた状態（積層体）でプレス温度１７１℃、プレス圧１４ｋｇｆ／ｃｍ2、プレス時間１０分の条件で張り合わせ、そのときの樹脂流出重量を測定した結果から数１に基づいて算出した値である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
　前記樹脂層を備えた表面処理金属材（樹脂付き表面処理金属材）は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついで表面処理金属材がキャリア付金属箔の極薄金属層である場合にはキャリアを剥離して極薄金属層を表出せしめ（当然に表出するのは該極薄金属層の中間層側の表面である）、表面処理金属材の粗化処理されている側とは反対側の表面から所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。
　この樹脂付き表面処理金属材を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても金属張積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。
　なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、１層の厚みが１００μｍ以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。
　この樹脂層の厚みは０．１～１２０μｍであることが好ましい。
　樹脂層の厚みが０．１μｍより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付き表面処理金属材を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。一方、樹脂層の厚みを１２０μｍより厚くすると、１回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる場合がある。
　なお、樹脂層を有する表面処理金属材が極薄の多層プリント配線板を製造することに用いられる場合には、前記樹脂層の厚みを０．１μｍ～５μｍ、より好ましくは０．５μｍ～５μｍ、より好ましくは１μｍ～５μｍとすることが、多層プリント配線板の厚みを小さくするために好ましい。
　以下に、本発明に係るキャリア付金属箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
　本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を極薄金属層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。
　本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は金属箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。
　従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄金属層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、を含む。
　セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、前記極薄金属層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄金属層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、を含む。
　本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を（フラッシュ）エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。
　従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層表面にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄金属層をフラッシュエッチングにより除去する工程、を含む。
　また、前記樹脂層上に回路を形成する工程が、前記樹脂層上に別のキャリア付金属箔を極薄金属層側から貼り合わせ、前記樹脂層に貼り合わせたキャリア付金属箔を用いて前記回路を形成する工程であってもよい。また、前記樹脂層上に貼り合わせる別のキャリア付金属箔が、本発明のキャリア付金属箔であってもよい。また、前記樹脂層上に回路を形成する工程が、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行われてもよい。また、前記表面に回路を形成するキャリア付金属箔が、当該キャリア付金属箔のキャリアの表面に基板または樹脂層を有してもよい。
　モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄金属層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、を含む。
　本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。
　従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄金属層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程、前記極薄金属層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、を含む。
　本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。
　従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、前記電解めっき層または／および前記極薄金属層の表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄金属層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程、を含む。
　サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、前記電解めっき層または／および前記極薄金属層の表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄金属層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程、を含む。
　スルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。
　ここで、本発明のキャリア付金属箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を詳細に説明する。なお、ここでは粗化処理層が形成された極薄金属層を有するキャリア付金属箔を例に説明するが、これに限られず、粗化処理層が形成されていない極薄金属層を有するキャリア付金属箔を用いても同様に下記のプリント配線板の製造方法を行うことができる。
　まず、表面に粗化処理層が形成された極薄金属層を有するキャリア付金属箔（１層目）を準備する。
　次に、極薄金属層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
　次に、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
　次に、回路めっきを覆うように（回路めっきが埋没するように）極薄金属層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付金属箔（２層目）を極薄金属層側から接着させる。
　次に、２層目のキャリア付金属箔からキャリアを剥がす。
　次に、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
　次に、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
　次に、ビアフィル上に、上記のようにして回路めっきを形成する。
　次に、１層目のキャリア付金属箔からキャリアを剥がす。
　次に、フラッシュエッチングにより両表面の極薄金属層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
　次に、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付金属箔を用いたプリント配線板を作製する。
　上記別のキャリア付金属箔（２層目）は、本発明のキャリア付金属箔を用いてもよく、従来のキャリア付金属箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、上記２層目の回路上に、さらに回路を１層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。
　本発明に係るキャリア付金属箔は、極薄金属層表面の色差が以下（１）を満たすように制御されていることが好ましい。本発明において「極薄金属層表面の色差」とは、極薄金属層の表面の色差、又は、粗化処理等の各種表面処理が施されている場合はその表面処理層表面の色差を示す。すなわち、本発明に係るキャリア付金属箔は、極薄金属層の粗化処理表面の色差が以下（１）を満たすように制御されていることが好ましい。なお本発明の表面処理金属材において「粗化処理表面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の表面処理金属材（極薄金属層）の表面のことをいう。また、表面処理金属材がキャリア付金属箔の極薄金属層である場合には、「粗化処理表面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の極薄金属層の表面のことをいう。
（１）極薄金属層表面の色差はＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが４５以上である。
　ここで、色差ΔＬ、Δａ、Δｂは、それぞれ色差計で測定され、黒/白/赤/緑/黄/青を加味し、ＪＩＳ Ｚ８７３０に基づくＬ*ａ*ｂ表色系を用いて示される総合指標であり、ΔＬ：白黒、Δａ：赤緑、Δｂ：黄青として表される。また、ΔＥ＊ａｂはこれらの色差を用いて下記式で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000004
　上述の色差は、極薄金属層形成時の電流密度を高くし、メッキ液中の銅濃度を低くし、メッキ液の線流速を高くすることで調整することができる。
　また上述の色差は、極薄金属層の表面に粗化処理を施して粗化処理層を設けることで調整することもできる。粗化処理層を設ける場合には銅およびニッケル、コバルト、タングステン、モリブデンからなる群から選択される一種以上の元素とを含む電解液を用いて、従来よりも電流密度を高く（例えば４０～６０Ａ／ｄｍ２）し、処理時間を短く（例えば０．１～１．３秒）することで調整することができる。極薄金属層の表面に粗化処理層を設けない場合には、Ｎｉの濃度をその他の元素の２倍以上としたメッキ浴を用いて、極薄金属層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面にＮｉ合金メッキ（例えばＮｉ－Ｗ合金メッキ、Ｎｉ－Ｃｏ－Ｐ合金メッキ、Ｎｉ－Ｚｎ合金めっき）を従来よりも低電流密度（０．１～１．３Ａ／ｄｍ2）で処理時間を長く（２０秒～４０秒）設定して処理することで達成できる。
　極薄金属層表面の色差がＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが４５以上であると、例えば、キャリア付金属箔の極薄金属層表面に回路を形成する際に、極薄金属層と回路とのコントラストが鮮明となり、その結果、視認性が良好となり回路の位置合わせを精度良く行うことができる。極薄金属層表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂは、好ましくは５０以上であり、より好ましくは５５以上であり、更により好ましくは６０以上である。
　極薄金属層表面の色差が上記のようの制御されている場合には、回路めっきとのコントラストが鮮明となり、視認性が良好となる。従って、上述のようなプリント配線板の製造工程において、回路めっきを精度良く所定の位置に形成することが可能となる。また、上述のようなプリント配線板の製造方法によれば、回路めっきが樹脂層に埋め込まれた構成となっているため、例えば上記フラッシュエッチングによる極薄金属層の除去の際に、回路めっきが樹脂層によって保護され、その形状が保たれ、これにより微細回路の形成が容易となる。また、回路めっきが樹脂層によって保護されるため、耐マイグレーション性が向上し、回路の配線の導通が良好に抑制される。このため、微細回路の形成が容易となる。また、フラッシュエッチングによって極薄金属層を除去したとき、回路めっきの露出面が樹脂層から凹んだ形状となるため、当該回路めっき上にバンプが、さらにその上に銅ピラーがそれぞれ形成しやすくなり、製造効率が向上する。
　なお、埋め込み樹脂（レジン）には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジンやＢＴレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ＡＢＦフィルムやＡＢＦを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂（レジン）には本明細書に記載の樹脂層および／または樹脂および／またはプリプレグを使用することができる。
　また、前記一層目に用いられるキャリア付金属箔は、当該キャリア付金属箔の表面に基板または樹脂層を有してもよい。当該基板または樹脂層を有することで一層目に用いられるキャリア付金属箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板または樹脂層には、前記一層目に用いられるキャリア付金属箔を支持する効果するものであれば、全ての基板または樹脂層を用いることが出来る。例えば前記基板または樹脂層として本願明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔を用いることができる。
　本発明の表面処理金属材を、表面処理層側から樹脂基板に貼り合わせて積層体を製造することができる。樹脂基板はプリント配線板等に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドＰＷＢ用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、フッ素樹脂含浸クロス、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルム、フッ素樹脂およびフッ素樹脂・ポリイミド複合材等を使用する事ができる。なお、液晶ポリマー（ＬＣＰ）は誘電損失が小さいため、高周波回路用途のプリント配線板には液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルムを用いることが好ましい。
　貼り合わせの方法は、リジッドＰＷＢ用の場合、ガラス布などの基材に樹脂を含浸させ、樹脂を半硬化状態まで硬化させたプリプレグを用意する。銅箔をプリプレグに重ねて加熱加圧させることにより行うことができる。ＦＰＣの場合、液晶ポリマーやポリイミドフィルム等の基材に接着剤を介して、又は、接着剤を使用せずに高温高圧下で銅箔に積層接着して、又は、ポリイミド前駆体を塗布・乾燥・硬化等を行うことで積層体を製造することができる。
　本発明の積層体は各種のプリント配線板（ＰＷＢ）に使用可能であり、特に制限されるものではないが、例えば、導体パターンの層数の観点からは片面ＰＷＢ、両面ＰＷＢ、多層ＰＷＢ（３層以上）に適用可能であり、絶縁基板材料の種類の観点からはリジッドＰＷＢ、フレキシブルＰＷＢ（ＦＰＣ）、リジッド・フレックスＰＷＢに適用可能である。
　（実施例１～２１、比較例１～１５）
　実施例１～２１、及び、比較例１～１５として、表１～３に記載の厚み０．２ｍｍ及び熱伝導率を有する各種金属材を準備した。次に、当該金属材上に表面処理を行い表面処理層を形成した。なお、表面処理後の表面の光沢度が２０となるように、表面処理前の金属材の光沢度を調整した。
　表面処理層の形成条件として、表１～３の「Ｎｉ－Ｚｎめっき」は、以下のめっき条件で形成した。
　・めっき液組成：Ｎｉ濃度２１．５ｇ／Ｌ、Ｚｎ濃度９ｇ／Ｌ
　・ｐＨ：３．５
　・温度：３５℃
　・電流密度：３Ａ／ｄｍ2
　・めっき時間：１４秒
　表面処理層の形成条件として、表１～３の「Ｎｉめっき」は、以下のめっき条件で形成した。なお、表１～３において、例えば「Ｎｉめっき１μｍ」と記載されている場合は、Ｎｉめっきを厚さ１μｍだけ形成したことを示す。
　・めっき液組成：Ｎｉ濃度４０ｇ／Ｌ
　・ｐＨ：３．８
　・温度：４０℃
　・電流密度：０．３Ａ／ｄｍ2
　・めっき時間：２５～３００秒
　なお、表面処理層の形成条件として、表１～３の「Ｎｉめっき１μｍ/Ｎｉ－Ｚｎめっき」はＮｉめっきを厚さ１μｍだけ形成した後に、Ｎｉ－Ｚｎめっきを行ったことを示す。
　表面処理層の形成条件として、表１～３の「黒色樹脂」は、エポキシ樹脂に黒色塗料を混ぜて所定の厚みだけ塗布して乾燥することで形成した。なお、表１～３において、例えば「黒色樹脂３０μｍ」と記載されている場合は、黒色樹脂を厚さ３０μｍだけ形成したことを示す。
　（実施例２２～１２８、比較例１６～４３）
　実施例２２～１２８、比較例１６～４３として、表４～１１に記載の厚み０．２ｍｍ及び熱伝導率を有する各種金属材を準備した。次に、当該金属材上に表面処理として表４～１１に記載のめっき条件によりめっき形成を行い、表面処理層を形成した。なお、表面処理後の表面の光沢度が２０となるように、表面処理前の金属材の光沢度を調整した。
　（実施例１２９～１３７、比較例４４～４７）
　実施例１２９～１３７、比較例４４～４７として、表１２に記載の厚み０．２ｍｍ及び熱伝導率を有する各種金属材を準備した。次に、当該金属材上に表面処理として表１２に記載のめっき条件により一次粒子層（Ｃｕ）、二次粒子層（銅－コバルト－ニッケル合金めっき等）形成し、表面処理層を形成した。
　使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
　（Ａ）一次粒子層の形成（Ｃｕめっき）
　液組成　　：銅１５ｇ／Ｌ、硫酸７５ｇ／Ｌ
　液温　　　：２５～３０℃
　（Ｂ）二次粒子層の形成（Ｃｕ－Ｃｏ－Ｎｉ合金めっき）
　液組成　　：銅１５ｇ／Ｌ、ニッケル８ｇ／Ｌ、コバルト８ｇ／Ｌ
　ｐＨ　　　：２
　液温　　　：４０℃
　表１２の一次粒子電流条件欄に電流条件、クーロン量が２つ記載されている例は、左に記載されている条件でめっきを行った後に、右に記載されている条件で更にめっきを行ったことを意味する。例えば、実施例１０４の一次粒子電流条件欄には「（６３Ａ／ｄｍ2、８０Ａｓ／ｄｍ2）＋（１Ａ／ｄｍ2、２Ａｓ／ｄｍ2）」と記載されているが、これは一次粒子を形成する電流密度を６３Ａ／ｄｍ2、クーロン量を８０Ａｓ／ｄｍ2でめっきを行った後に、更に一次粒子を形成する電流密度を１Ａ／ｄｍ2、クーロン量を２Ａｓ／ｄｍ2としてめっきを行ったことを示す。
　（実施例１３８～１４０）
　実施例１３８～１４０として、表１３に記載の厚み０．２ｍｍ及び熱伝導率を有する各種金属材を準備した。次に、当該金属材上に表面処理として表１３に記載のめっき条件により表面処理層を形成した。
　使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
　・Ｎｉ－Ｗめっき
　めっき液組成：ニッケル２５ｇ／Ｌ、タングステン２０ｍｇ／Ｌ
　　（ニッケルの供給源は硫酸ニッケル六水和物、タングステンの供給源はタングステン酸ナトリウムとした。）
　ｐＨ：３．６（ｐＨ調整のために添加した酸：硫酸）
　液温：４０℃
　電流密度１Ａ／ｄｍ2、めっき時間１００秒
　Ｎｉ２１０００μｇ／ｄｍ2、Ｗ２１μｇ／ｄｍ2
　・Ｃｏ－Ｚｎめっき
　めっき液組成：コバルト４０ｇ／Ｌ、亜鉛１５ｇ／Ｌ
　ｐＨ：３．８（ｐＨ調整のために添加した酸：硫酸）
　液温：４０℃
　電流密度０．３Ａ／ｄｍ2、めっき時間７５秒
　Ｃｏ２８１２μｇ／ｄｍ2、Ｚｎ４６４５μｇ／ｄｍ2
　・Ｎｉ－Ｚｎ－Ｗめっき
　めっき液組成：ニッケル４０ｇ／Ｌ、亜鉛１５ｇ／Ｌ、タングステン２０ｍｇ／Ｌ
　ｐＨ：３．８（ｐＨ調整のために添加した酸：硫酸）
　液温：４０℃
　電流密度０．３Ａ／ｄｍ2、めっき時間７５秒
　Ｎｉ２７１２μｇ／ｄｍ2、Ｚｎ４５４５μｇ／ｄｍ2、Ｗ２．７μｇ／ｄｍ2
　（実施例１４１～１４９）
　実施例１４１～１４９として、表１４に記載の厚み０．２ｍｍ及び熱伝導率を有する各種金属材を準備した。次に、当該金属材上に表１４に記載の下地処理を行い或いは下地処理を行わず、次いで表面処理として表１４に記載のめっき条件により表面処理層を形成した。
　表１４の各下地処理条件は、次の通りである。
　・「銅粗化」の処理としては、以下の（１）及び（２）を順に行うことで粗化粒子を形成した：
（１）Ｃｕ：１０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：６０ｇ／Ｌ、温度：３５℃、電流密度：５０Ａ／ｄｍ2、めっき時間：１．５秒
（２）Ｃｕ：２３ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：８０ｇ／Ｌ、温度：４０℃、電流密度：８Ａ／ｄｍ2、めっき時間：２．５秒
　・「ダル加工」の処理としては、被めっき材の最終冷間圧延の圧延ロールに算術平均粗さＲａの大きい圧延ロール（Ｒａが０．２０μｍ以上である圧延ロール）を用いて圧延を行うことを意味する。圧延ロールの研削時に当該粗さになるように調整すればよい。粗さの調整には公知の方法を用いることができる。当該圧延ロールを使用して圧延することで、被圧延材の表面粗さを調整し、光沢の少ない表面に仕上げることができる。
　・「高光沢めっき」の処理としては、Ｃｕ：９０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：８０ｇ／Ｌ、ポリエチレングリコール：２０ｍｇ／Ｌ、ビス（３－スルフォプロピル）ジスルファイド２ナトリウム：５０ｍｇ／Ｌ、ジアルキルアミノ基含有重合体混合物：１００ｍｇ／Ｌ、温度：５５℃、電流密度：２Ａ／ｄｍ2、めっき時間：２００秒のめっき処理を行った。
　・「ソフトエッチング」の処理としては、Ｈ2ＳＯ2：２０ｇ／Ｌ、Ｈ2ＳＯ4：１６０ｇ／Ｌ、温度：４０℃、浸漬時間：５分のエッチング処理を行った。
　なお、下地処理が「なし」の金属材については前述の圧延時の油膜当量を制御して、表面処理前（下地処理後）の光沢度を調整した。光沢度が高い金属材は、油膜当量を前述の範囲の低い値とし、光沢度が低い金属材は油膜当量を前述の範囲の高い値とした。
　また、実施例１５０～１５４の基材として以下に記載するキャリア付銅箔を用意した。
　実施例１５０～１５２、１５４については、厚さ１８μｍの電解銅箔をキャリアとして準備し、実施例１５３については厚さ１８μｍの圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属製Ｃ１１００）をキャリアとして準備した。そして下記条件で、キャリアの表面に中間層を形成し、中間層の表面に極薄銅層を形成した。なお、キャリアは必要な場合には上述の方法により、中間層を形成する側の、表面中間層形成前の表面の表面粗さＲｚと光沢度が制御されている。
・実施例１５０
＜中間層＞
（１）Ｎｉ層（Ｎｉめっき）
　キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより１０００μｇ／ｄｍ2の付着量のＮｉ層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
　　硫酸ニッケル：２７０～２８０ｇ／Ｌ
　　塩化ニッケル：３５～４５ｇ／Ｌ
　　酢酸ニッケル：１０～２０ｇ／Ｌ
　　ホウ酸：３０～４０ｇ／Ｌ
　　光沢剤：サッカリン、ブチンジオール等
　　ドデシル硫酸ナトリウム：５５～７５ｐｐｍ
　　ｐＨ：４～６
　　浴温：５５～６５℃
　　電流密度：１０Ａ／ｄｍ2
（２）Ｃｒ層（電解クロメート処理）
　次に、（１）にて形成したＮｉ層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上でＮｉ層の上に１１μｇ／ｄｍ2の付着量のＣｒ層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
　　　重クロム酸カリウム１～１０ｇ／Ｌ、亜鉛０ｇ／Ｌ
　　　ｐＨ：７～１０
　　　液温：４０～６０℃
　　　電流密度：２Ａ／ｄｍ2
＜極薄銅層＞
　次に、（２）にて形成したＣｒ層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上で、Ｃｒ層の上に厚み１．５μｍの極薄銅層を以下の条件で電気メッキすることにより形成し、キャリア付極薄銅箔を作製した。
　　　銅濃度：９０～１１０ｇ／Ｌ
　　　硫酸濃度：９０～１１０ｇ／Ｌ
　　　塩化物イオン濃度：５０～９０ｐｐｍ
　　　レベリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０～３０ｐｐｍ
　　　レベリング剤２（アミン化合物）：１０～３０ｐｐｍ
　なお、レベリング剤２として下記のアミン化合物を用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000005
（上記化学式中、Ｒ1及びＲ2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）
　　　電解液温度：５０～８０℃
　　　電流密度：１００Ａ／ｄｍ2
　　　電解液線速：１．５～５ｍ／ｓｅｃ
・実施例１５１
＜中間層＞
（１）Ｎｉ－Ｍｏ層（ニッケルモリブデン合金めっき）
　キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより３０００μｇ／ｄｍ2の付着量のＮｉ-Ｍｏ層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
　（液組成）硫酸Ｎｉ六水和物：５０ｇ／ｄｍ3、モリブデン酸ナトリウム二水和物：６０ｇ／ｄｍ3、クエン酸ナトリウム：９０ｇ／ｄｍ3
　（液温）３０℃
　（電流密度）１～４Ａ／ｄｍ2
　（通電時間）３～２５秒
＜極薄銅層＞
　（１）で形成したＮｉ-Ｍｏ層の上に極薄銅層を形成した。極薄銅層の厚みを２μｍとした以外は実施例１５０と同様の条件で極薄銅層を形成した。
・実施例１５２
＜中間層＞
（１）Ｎｉ層（Ｎｉめっき）
実施例１５０と同じ条件でＮｉ層を形成した。
（２）有機物層（有機物層形成処理）
　次に、（１）にて形成したＮｉ層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、下記の条件でＮｉ層表面に対して濃度１～３０ｇ／Ｌのカルボキシベンゾトリアゾール（ＣＢＴＡ）を含む、液温４０℃、ｐＨ５の水溶液を、２０～１２０秒間シャワーリングして噴霧することにより有機物層を形成した。
＜極薄銅層＞
　（２）で形成した有機物層の上に極薄銅層を形成した。極薄銅層の厚みを３μｍとした以外は実施例１５０と同様の条件で極薄銅層を形成した。
・実施例１５３、１５４
＜中間層＞
（１）Ｃｏ-Ｍｏ層（コバルトモリブデン合金めっき）
　キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより４０００μｇ／ｄｍ2の付着量のＣｏ-Ｍｏ層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
　（液組成）硫酸Ｃｏ：５０ｇ／ｄｍ3、モリブデン酸ナトリウム二水和物：６０ｇ／ｄｍ3、クエン酸ナトリウム：９０ｇ／ｄｍ3
　（液温）３０℃
　（電流密度）１～４Ａ／ｄｍ2
　（通電時間）３～２５秒
＜極薄銅層＞
　（１）で形成したＣｏ-Ｍｏ層の上に極薄銅層を形成した。極薄銅層の厚みを実施例１５３は５μｍ、実施例１５４は３μｍとした以外は実施例１５０と同様の条件で極薄銅層を形成した。
　上述のようにして作製した各サンプルについて、各種評価を下記の通り行った。
・ＪＩＳ　Ｚ８７３０に基づく色差（ΔＬ、Δａ、Δｂ、ΔＥ）の測定；
　ＨｕｎｔｅｒＬａｂ社製色差計ＭｉｎｉＳｃａｎ　ＸＥ　Ｐｌｕｓを使用して、表面処理金属材の表面の色差（ΔＬ、Δａ、Δｂ、ΔＥ）を測定した。ここで、色差（ΔＥ）は、黒/白/赤/緑/黄/青を加味し、Ｌ*ａ*ｂ表色系を用いて示される総合指標であり、ΔＬ：白黒、Δａ：赤緑、Δｂ：黄青として、下記式で表される。白色板の測定値をΔＥ＝０、黒い袋で覆って暗闇で測定したときの測定値をΔＥ＝９０として、色差を校正する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000006
・光沢度；
　ＪＩＳ　Ｚ８７４１に準拠した日本電色工業株式会社製光沢度計ハンディーグロスメーターＰＧ－１を使用し、入射角６０度で測定した。
・接触抵抗；
　接触抵抗は、山崎精機社製の電気接点シミュレータＣＲＳ－１を使い、以下の条件にて四端子法で測定した。
　プローブ：金プローブ、接触荷重：１００ｇ、摺動速度：１ｍｍ／ｍｉｎ、摺動距離：１ｍｍ
・Ｎｉ、Ｚｎ、ＣｏおよびＷの付着量（μｇ／ｄｍ2）及びＮｉ比率（％）；
　金属箔表面のＮｉ－Ｚｎ合金めっき層等の表面処理層における、Ｎｉ、Ｚｎ、ＣｏおよびＷの付着量（μｇ／ｄｍ2）、及び、Ｎｉ付着量及びＺｎ付着量を合計した付着量（μｇ／ｄｍ2）におけるＮｉの付着量（μｇ／ｄｍ2）の割合を示すＮｉ比率（％）（＝Ｎｉ付着量（μｇ／ｄｍ2）／（Ｎｉ付着量（μｇ／ｄｍ2）＋Ｚｎ付着量（μｇ／ｄｍ2））×１００）をそれぞれ求めた。ここで、Ｎｉ付着量、Ｚｎ付着量、Ｃｏ付着量およびＷ付着量はサンプルを濃度２０質量％の硝酸で溶解して、ＶＡＲＩＡＮ社製の原子吸光分光光度計（型式：ＡＡ２４０ＦＳ）を用いて原子吸光法により定量分析を行うことで測定した。なお、前記ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）の付着量の測定は以下のようにして行った。表面処理金属材の表面処理されていない側の表面にプリプレグ（ＦＲ４）を加熱圧着して積層した後に、表面処理金属材の表面処理がされている側の表面を厚み２μｍ溶解して、表面処理金属材の表面処理がされている側の表面に付着しているニッケル、亜鉛コバルトおよびタングステンの付着量を測定した。そして得られたニッケルおよび亜鉛の付着量をそれぞれ粗化処理表面（表面処理表面）のニッケル、亜鉛、コバルトおよびタングステンの付着量とした。なお、表面処理金属材の当該表面処理がされている側の溶解する厚みは正確に２μｍである必要はなく、表面処理されている表面部分が全て溶解していることが明らかな厚み分（例えば、１．５～２．５μｍ）溶解して測定してもよい。
　また、金属材がキャリア付金属箔である場合には、キャリア側の表面にプリプレグ（ＦＲ４）を加熱圧着して積層した後に、キャリア付金属箔の端部を耐酸テープ等によりマスキングして、中間層が溶出するのを防いだ後に、表面処理金属材（極薄金属層）の表面処理がされている側の表面を、極薄金属層の厚みが１．５μｍ以上の場合には、厚み０．５μｍ溶解して、極薄金属層の厚みが１．５μｍ未満の場合には、極薄金属層の厚みの３０％の厚みを溶解して、ＶＡＲＩＡＮ社製の原子吸光分光光度計（型式：ＡＡ２４０ＦＳ）を用いて原子吸光法により定量分析を行うことで測定した。
　なお、サンプルが上記濃度２０質量％の硝酸に溶解しにくい場合には、硝酸と塩酸の混合液（硝酸濃度：２０質量％、塩酸濃度：１２質量％）等、サンプルを溶解可能な液にてサンプルを溶解した後、上述の測定を行うことができる。
・シールドボックスにおける熱吸収性及び放熱性；
　図１に示すような、縦ｄ２×横ｗ２×高さｈ３＝２５ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍの基板（ＦＲ－４）を準備し、当該基板表面の中央に縦ｄ１×横ｗ１×高さｈ１＝５ｍｍ×５ｍｍ×０．５ｍｍの発熱体（電熱線を樹脂で固めた発熱体、ＩＣチップに相当）を載せ、ＳＵＳで構成した厚み０．２ｍｍのフレーム材で周囲を覆い、天板として各サンプルの金属板（表面処理金属材）を表面処理層が発熱体側を向くように設けることで、シールドボックスを作製した。また、発熱体の上面の中央部及び四隅の１箇所に、それぞれ熱電対を設置した。また、天板の発熱体側表面の中央部及び四隅の１箇所に、それぞれ熱電対を設置した。さらに、天板の外面の中央部及び四隅の１箇所に、それぞれ熱電対を設置した。図１（Ａ）に、実施例で作製したシールドボックスの上面模式図を示す。図１（Ｂ）に、実施例で作製したシールドボックスの断面模式図を示す。
　次に、発熱体に発熱量が０．５Ｗとなるように電流を流した。そして、発熱体の上面の中央部の温度が一定の値となるまで電流を流した。ここで、発熱体の上面の中央部の温度が１０分間変化しなかった時点で、上面の中央部の温度が一定の値となったと判断した。なお、シールドボックスの外部環境温度は２０℃であった。
　そして、発熱体の上面の中央部の温度が一定の値となってから３０分間保持後、上記熱電対の表示温度を測定した。また、外面の熱電対については、最高温度－最低温度を算出し、温度差とした。なお、発熱体、シールド内面（天板の発熱体側表面）、シールド外面（天板の外面）の最高温度は、発熱体の中心に最も近いため、各中央部に設置した熱電対が示す温度である。一方、発熱体、シールド内面（天板の発熱体側表面）、シールド外面（天板の外面）の最低温度は、発熱体の中心に最も遠いため、各四隅に設置した熱電対が示す温度である。
　なお、発熱体の最高温度が１５０℃以下の場合を、シールドボックスの熱吸収性及び放熱性が良好であると判断した。１５０℃とはＩＣチップを使用することができる温度範囲の上限として定められることがある温度である。また、シールド外面の最高温度と最低温度の差が１３℃以下である場合、熱吸収性及び放熱性が良好であるとした。シールド外面の最高温度と最低温度の差が小さい場合、金属材中に熱が十分に拡散し、熱が金属材から放散されやすいと考えられるからである。
・熱伝導率
　金属材の表面処理層を除去した後に、非定常法であるフラッシュ法により熱拡散率α（ｍ2／ｓ）を測定した。なお、熱拡散率αの測定はハーフタイム法で行った。
　そして以下の式により、熱伝導率λ（Ｗ／（Ｋ・ｍ））を算出した。
　λ＝α×Ｃｐ×ρ　（ここで、Ｃｐは比熱容量（Ｊ／（ｋｇ・Ｋ））、ρは密度（ｋｇ／ｍ3）である。）
　なお、熱伝導率は上記方法以外の方法であっても、公知の方法で測定してもよい。
・光沢（意匠性）
　サンプルの表面を目視で観察することにより、主観的に意匠性を感じた程度で、「あり」、「少々あり」、「なし」に分類した。
　上記各試験の条件及び試験結果を表１～１４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000017
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Figure JPOXMLDOC01-appb-T000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000020
　（評価結果）
　実施例１～１５４は、いずれもチップ温度、シールド内面、シールド外面の温度が低く、且つ、シールド外面における温度差が低く、熱の吸収性及び放熱性が良好であった。
　比較例１～４７は、いずれも実施例に比べてチップ温度、シールド内面、シールド外面の温度が高く、且つ、シールド外面における温度差が高く、熱の吸収性及び放熱性が不良であった。
　図２に実施例８１～１３７及び比較例１６～４７に係るΔａ－ΔＬグラフを示す。図３に実施例８１～１３７及び比較例１６～４７に係るΔｂ－ΔＬグラフを示す。

Claims (34)

  1. 　金属材の熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、
    　表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬが、ΔＬ≦－４０を満たす表面処理金属材。
  2. 　表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δａについて、
    　　Δａ≦０．２３の場合にはΔＬ≦－４０を満たし、
    　　０．２３＜Δａ≦２．８の場合にはΔＬ≦－８．５６０３×Δａ－３８．０３１１を満たし、
    　　２．８＜Δａの場合にはΔＬ≦－６２を満たす請求項１に記載の表面処理金属材。
  3. 　表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δｂについて、
    　　Δｂ≦－０．６８の場合にはΔＬ≦－４０を満たし、
    　　－０．６８＜Δｂ≦０．８３の場合にはΔＬ≦－２．６４９０×Δｂ－４１．８０１３を満たし、
    　　０．８３＜Δｂ≦１．２の場合にはΔＬ≦－４８．６４８６×Δｂ－３．６２１６を満たし、
    　　１．２＜Δｂの場合にはΔＬ≦－６２を満たす請求項１に記載の表面処理金属材。
  4. 　表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δａについて、
    　　Δａ≦０．２３の場合にはΔＬ≦－４０を満たし、
    　　０．２３＜Δａ≦２．８の場合にはΔＬ≦－８．５６０３×Δａ－３８．０３１１を満たし、
    　　２．８＜Δａの場合にはΔＬ≦－６２を満たし、
    　表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δｂについて、
    　　Δｂ≦－０．６８の場合にはΔＬ≦－４０を満たし、
    　　－０．６８＜Δｂ≦０．８３の場合にはΔＬ≦－２．６４９０×Δｂ－４１．８０１３を満たし、
    　　０．８３＜Δｂ≦１．２の場合にはΔＬ≦－４８．６４８６×Δｂ－３．６２１６を満たし、
    　　１．２＜Δｂの場合にはΔＬ≦－６２を満たす請求項１に記載の表面処理金属材。
  5. 　前記色差ΔＬが、ΔＬ≦－４５を満たす請求項１～４のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
  6. 　前記色差ΔＬが、ΔＬ≦－５５を満たす請求項５に記載の表面処理金属材。
  7. 　前記色差ΔＬが、ΔＬ≦－６０を満たす請求項６に記載の表面処理金属材。
  8. 　前記色差ΔＬが、ΔＬ≦－６５を満たす請求項７に記載の表面処理金属材。
  9. 　前記色差ΔＬが、ΔＬ≦－６８を満たす請求項８に記載の表面処理金属材。
  10. 　前記色差ΔＬが、ΔＬ≦－７０を満たす請求項９に記載の表面処理金属材。
  11. 　前記金属材が放熱用金属材である請求項１～１０のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
  12. 　金属を含む表面処理層を有する請求項１～１１のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
  13. 　粗化処理層を含む表面処理層を有する請求項１～１２のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
  14. 　６０度光沢度が１０～８０％である請求項１～１３のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
  15. 　６０度光沢度が１０％未満である請求項１～１３のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
  16. 　クロム層若しくはクロメート層、及び／又は、シラン処理層を含む表面処理層を有する請求項１～１５のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
  17. 　前記金属材が、銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、金、金合金、銀、銀合金、白金族、白金族合金、クロム、クロム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、タングステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデン合金、鉛、鉛合金、タンタル、タンタル合金、錫、錫合金、インジウム、インジウム合金、亜鉛、又は、亜鉛合金で形成されている請求項１～１６のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
  18. 　前記金属材が、銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、亜鉛、又は、亜鉛合金で形成されている請求項１７に記載の表面処理金属材。
  19. 　前記金属材が、リン青銅、コルソン合金、丹銅、黄銅、洋白またはその他銅合金で形成されている請求項１８に記載の表面処理金属材。
  20. 　前記金属材が、金属条、金属板、又は、金属箔である請求項１～１９のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
  21. 　前記表面処理層の表面に樹脂層を備える請求項１～２０のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
  22. 　前記樹脂層が誘電体を含む請求項２１に記載の表面処理金属材。
  23. 　キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄金属層をこの順に有するキャリア付金属箔であって、前記極薄金属層が請求項１～２２のいずれか一項に記載の表面処理金属材であるキャリア付金属箔。
  24. 　前記キャリアの一方の面に前記中間層、前記極薄金属層をこの順に有し、前記キャリアの他方の面に粗化処理層を有する請求項２３に記載のキャリア付金属箔。
  25. 　前記極薄金属層が極薄銅層である請求項２３又は２４に記載のキャリア付金属箔。
  26. 　請求項１～２２のいずれか一項に記載の表面処理金属材を用いたコネクタ。
  27. 　請求項１～２２のいずれか一項に記載の表面処理金属材を用いた端子。
  28. 　請求項１～２２のいずれか一項に記載の表面処理金属材または請求項２３～２５のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔と樹脂基板とを積層して製造した積層体。
  29. 　請求項２８に記載の積層体を備えたシールドテープ又はシールド材。
  30. 　請求項２８に記載の積層体を備えたプリント配線板。
  31. 　請求項１～２２のいずれか一項に記載の表面処理金属材または請求項２３～２５のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔を用いた金属加工部材。
  32. 　請求項１～２２のいずれか一項に記載の表面処理金属材または請求項２３～２５のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔を用いた電子機器。
  33. 　請求項２３～２５のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、
    　前記キャリア付金属箔と絶縁基板とを積層する工程、
    　前記キャリア付金属箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程を経て金属張積層板を形成し、
    　その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
  34. 　請求項２３～２５のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔の前記極薄金属層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
    　前記回路が埋没するように前記キャリア付金属箔の前記極薄金属層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
    　前記樹脂層上に回路を形成する工程、
    　前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアまたは前記極薄金属層を剥離させる工程、及び、
    　前記キャリアまたは前記極薄金属層を剥離させた後に、前記極薄金属層または前記キャリアを除去することで、前記極薄金属層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
    を含むプリント配線板の製造方法。
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